е

дсадассадасдсаИшеучшууичешучшхчшхуечшхшччх
еххешх УНасдасдсадасИВЕРСИТЕТ - СОа
ПЛдсадсадсасадсОВДИВ
ФЕасдсадсасдасасдса

Полупроводникоассаддасдасдассементи (ППЕ)

Протошаасдса
Тема: Изследване на
полрешрешршерешршеешршеасдасдсадасрупроводников
и диоди

шершерешростшершерерсдасдасдасдасдасассадассадасдасд
 I. Теоретична част
1. Волтамперна характеристика (ВАХ)
Полупроводниковият диод е елемент с два извода, чието действие се основава
на свойствш
Двата електрода на диода се наричат анод (A,е Р
обрешрешрешршершерешластта) и катод (K, N oбластта), а условното му графично
означение е дадено на Фиг.1.

Фиг.1 Условно графично означение и структура на полупроводников диод

Ако към диода се приложи постоянно напшершеретрите на диода.

асдадасасадсдасадсФиг.2 Свързване на диод в права посока Фиг.3 Свързване на диод в обратна посока

Диодът е свързан в обратна посока, ако "+" на

въсадасдассадссддасадсдасдасдсадсадсадншния източник е свързан към катода К, а "-
шершерешреш се приема, че I ≈ 0.
ша е разположена в първиершершер
чшешчешчечшечш на координатната система (U = U R < 0).

Фиг.4 Волтамперна характеристика (ВАХ) на силициев диод

При свързване в права посока, още при чшеешччешчешешчзо да нараства (по

експоненциален закон), като стойностга му се ограничава само от товарното
съпротивление R (Фиг.2). Падът на напрежение върху диода U 0 зависи от широчината
на забранената зона ΔW (респективно собствената концентрация ni) на
полупроводниковия материал. Колкото ΔW e по-голяма (n i — по-малка), толкова U0 e
по-голям. За сравнение, начшечшчшечшена насищане ls (BAX става хоризонтална).
Този ток е много малък и зависи от ΔW (респ. ni). Колкото ΔW e по-голяма (ni - по-
малка), толкова токът на насищане ls е по-мaлък. За Si диоди токът ls е от порядъка на
nA, а за Ge диоди е сьс стойности µА.

Фиг.5 ВАХ на Si и Ge диод

 Аналитичният израз на волтамперната характеристика е

(1)

където е температурасдасасдасасдният потенциал (за Т= 300° , φ = 26

mV).
Това уравнениешчешчеечшзи фактори се използва емпиричен (коригиращ)
коефициент m и зависимостга (1) добива вида

(2)
Функционaлната зависимост между
дсаасдсдасдасдасдасдасдасдасдасдасдасдатока и напрежението, освен графично (ВАХ)
или аналитично (1.1), може да се представи и таблично. Стойносrга на емпиричния
коефициент T се определя от зависимосчшечшеешчтта

(3)

1.1 Постояннотокови еквивалентни схеми

Двете зависимости, описващи волтамперна характеристика (ВАХ), са
експоненциални, т.ешрешрешршееш вид, като
еквивадсдсадсдасдасасдасдассадссалентна схема или в аналитичен вид.
Най-често за качествен анализ на работата на схеми с диоди се използва
идеализираният модел.

II. Експериментална част

Зад.1 Да се снемат ВАХ на 4

разечшрвшершевшечрвчешличасддасдасдсадасдассадсдассадни светодиода при право
вчшерешрвчешрчв
поляризиране на PN преходите им.
`

чри обратно поляризиране навшерчешрвшчервшчервчеш PN прехода му.

чшешче

Зад.3 В една координатна система да се начертаят ВАХ на изследваните светодиоди при

поляризиране на PN преходите им ш права и в обратна посока.
чшечешчешешчешешччшечш

III. Изводи
След лабораторно изследване на четири изправителни диода и вземането на 16
измервания с подаване на различни токове през диодите съдим, че напрежениета, които
преминават през диодите, са много ниски и промяната в напреженията е минимална.