е

дсадассадасдсаИшеучшууичешучшхчшхуечшхшччх
еххешх УНасдасдсадасИВЕРСИТЕТ - СОа
ПЛдсадсадсасадсОВДИВ
ФЕасдсадсасдасасдса

Полупроводникоассаддашшешешементи (ППЕ)

Пшешшеешшаа
сдса
Тема: Изследване на
полрешрешршерешршеешршеасдасдсадасрупроводников
и диоди

шершерешростшершерерсдасдасдасдасдасассадассадасдасд
 ереереререлемент с два извода, чиерто действие се основава на
свойствш
Двата електрода на диода се наричат анод (A,е Р
обрешрешрешршершерешластта) и катод (K, N oбластта), а условното му графично
означение е дадено на Фиг.1.е
р

Фиг.1 Условно графично означение и структура на полупроводников диод

Ако към диода ререререрсепшершеретрите на диода.

реасдадасасадсдасадсФиг.2 Свързване на диод в права посока Фиг.3 Свързване на диод в обратна

посока

Диодът е свързан в еобратна посока, ако "+" на

въсадасдассадссддасадсдасдасчпчя източник е свързан към катода К, а "-
шершерешреш се приема, че I ч ш ч ш
ша е разположена в първиершершер
рчшешчешчечшечш на координатната система (U = UR < 0).

Фиг.4 Волтамперна характеристика (ВАХ) на силициев диод

При свързване в права почшчшчна напрежение върху диода U0 зависи от широчината

на забранената зона ΔW (респеадашртаерктивносдбствената концентрация ni) на
полупроводниковия материал. Колкото ΔW e по-голяма (n i — по-малка), толкова U0 e
по-голям. За сравнение, начшечшчшечшена насищане ls (BAX става хоризонтална).

Този ток е много малък и зависи от ΔW (респ. ni). Колкото ΔW e по-голяма (ni - по-
малка), толкова токът на насищереремaлък. За Si диоди токът ls е от порядъка на nA, а
за Ge диоди е сьс стойности µА.с
 рАналитичният изреееамперната характеристика е

р(1)
е

където е температурасдасасдасасдният потенциале (за Т= 300° , φ =

26 mV).
Това уравнениешчешчеечшзи фактори се използва емпиричен (коригиращ)
коефициент m и зависимостга (1) добива вида

(2)
Функционaлната зависимост между
дсаасдсдасдасдасдасдасдасдасдасдасдасдатока и напрежението, освен графично (ВАХ)
или аналитично (1.1), може да се представи и таблично. Стойносrга на емпиричния
коефициент T се определя от зависимосчшечшеешчтта
р

(3)

1.1 Постояннотокови еквивалентни схеми

Двете зависимости, описващи волтамперна характеристика (ВАХ), са
експоненциални, т.ешрешрешршееш вид, като
еквивадсдсадсдасдасасдасдассадссалентна схема или в аналитичен вид.
Най-често за качествен анализ на работата на схеми с диоди се изпеолзва
идеализираният модел.

II. Експериментална частр

Зад.1 Да се снемат ВАХ на 4

разечшрвшершевшечрвчешличасддасдасдсадасдассадсдассадни светодиода при право
вчшерешрвчешрчв
поляризиране на PN преходите им.
`

чри обратно поляризиране навшерчешрвшчервшчервчеш PN прехода му.

чшешче

Зад.3 В една координатна система да се начертаят ВАХ на изследваните светодиоди при

поляризиране на PN преходите им ш права и в обратна посока.
дсд

сдсдс
сдсдсд

чшечешчешешчешешччшечш

сдсдсдсдссдсддс
дсдссд
дсдс
дс
сдсд
сдсдсддссдсдсдсд

дсдссд

III. Изводи
След лабораторно изследване на четири изправителни диода и вземането на 16
измервания с подаване на различни токове през диодите съдим, че напрежениета, които
преминават през диодите, са много ниски и промяната в напреженията е минимална.