LED

一、爱因斯坦系数
1、 A：自发辐射（ap）
B：受激辐射（st） + 吸收（abs）
2、

3、玻尔兹曼关系式

温度升高，激发态更多，吸收更多，发射更少。
4、Detail balance

h=6.626× 10-34 m2 kg / s

n→m 发射
m→n 吸收
5、辐射速率

ρe(v)为频率在(v, v+△v)之间的光子能量密度
Np 与受激辐射相关
6、热平衡状态下 AB 关系

A 和 B 系数是原子或其他量子系统的固有属性，因此它们不取决于温度。光模式的密
度也不取决于温度，因此上述方程的左手边也不取决于温度。右手边不取决于温度，得到：

联立②③得到： ④

得到结论：1、吸收和激发的发射系数是相同的，它们是相互的过程。 ③
2、自发发射率可以从已知的 B 系数（吸收）推导出来。④
二、发射光谱
1、光子发射率

与少数载流子成正比，因为一个少数载流子只复合一次

使用发射率表示复合公式：

在掺杂的半导体中，多数载流子的浓度往往比本征载流子的浓度高得多。
【本征载流子（Intrinsic carrier）就是本征半导体中的载流子（电子和空穴），即不是
由掺杂所产生出来的载流子。（即，在掺杂材料中，本征载流子并不仅仅指少数载流子，
多数载流子部分中，并非掺杂形成的载流子也是本征载流子）】
因此，少数载流子的辐射寿命取决于掺杂浓度。（是因为掺杂浓度越高，少数载流子
湮灭越快，寿命越短吗？）
三、LED 与 PN 结
1、发光原理：
辐射复合
Auger
Defect
Center

2、类型
① 同型 PN 结
【无偏置】
单晶材料的不同区域掺入 p 和 n，在 p-n 界面将立即发生载流子交换：e-扩散到 p 区，
而 h+进入 n 区。这些载流子在同质结附近的扩散将产生一个具有势垒的耗尽区，它逐渐变
厚，直到这个障碍的大小足以阻止任何进一步的多数载流子扩散，并达到平衡。
【正向偏置】
外部电场和耗尽区的内置电场抵消，势垒降低，载流子可以迁移到另一个区域，在那
里它们成为少数载流子，它们的浓度会由于辐射重组而迅速降低。（辐射复合）
复合也可能发生在耗尽区，耗尽区本质上是移动载流子很少的区域，耗尽区形成的电
场中，电子和空穴的能级被修改，使得两者复合产生的能量变少，而半导体材料的能带隙
远大于室温下的热能，所以这里的复合是以热能形式复合的。（非辐射复合）

② 异型 PN 结
为什么异质结可以提高效率：

③ 双异质结
双异质结可以进一步提高异质结的效率：
i) 这个晶格缝隙交界处的界面态密度比自由表面密度低几个数量级，从而大大减少了非
辐射重组的发生；
ii) 它有一个宽的带隙，它可以作为一个窗口层，其中发射的光子不会被重新吸收；
iii) 它允许有更高的注入效率。所有这些因素都有助于 ?内部和外部的量子效率，这将
被详细定义。

3、颜色质量

高效的光发射器
-1）拥有高的内部和外部辐射效率；
-2）适当的 Eg；
-3）可控制地掺入低电阻率的 p 和 n 区。
对于 LED 的制造，可以使用以下类别的直接带隙材料：
A）III-V 族化合物半导体的二元材料（即 III 族和 V 族半导体的比例是一比一：
B) 三元和四元化合物半导体
改变化合物组成比例→改变带隙→改变出射光波长→改变颜色

3、量子效率
效率提升：
ηint: 我们应该令 τr/τnr 最小，而这个是通过降低缺陷密度和消除杂质得到的
ηe/h: 可以通过改善界面，材料质量，掺杂浓度来提高注入效率
ηcp: 使用令光更容易出射的结构（比如不要使用平板）

4、功率
功率表示的耦合效率:

输出功率：

LED 光学光谱：
 随着温度的增加，光谱宽度增加，相对强度下降。

5、单位
① 可 见 光 辐 射 ， 用 考 虑 人 眼 生 理 反 应 的 光 度 参 数 （ 亮 度 ） 来 测 量 （ lumens/
steradian/meter2）
② 辐射参数（如辐射度）则相当普遍地适用于任何类型的辐射。（W/sr. m 2）
③ 照度是投影半球上亮度的积分(lumens/meter2 or "lux" in SI units) lux

6、结构
i) 表面发射型：光在垂直于 pn 结平面的方向发射。

ii) 边缘发射型：光在平行于 pn 结平面的方向上发射。