應用電子學講義

Lecture Notes on Applied

Electronics

國立雲林科技大學機械系

吳尚德

1999/09 初稿
2000/09 修訂
2001/09 修訂
2002/07 修訂
2003/09 修訂
2004/02 修訂
2006/09 修訂

©2006 Copy right reserved

修訂說明
2006/09 – 1. 增加 RLC 帶通與帶止濾波電路(1.5)
2. 簡介太陽能電池(3.5)
3. 介紹主動濾波器 IC(7.4,7.5)

2
1 基本元件 ....................................................................................................................................6

1.0 啟動之前….............................................................................................................. 6
並聯、串聯 ...................................................................................................6
開路、短路 ...................................................................................................7
功率................................................................................................................7
電壓與電流量測 ...........................................................................................7
1.1 開關.......................................................................................................................... 8
1.2 電壓源與電流源.....................................................................................................11
電流源 .........................................................................................................13
1.3 電阻 .............................................................................................................................. 13
分壓定理 .....................................................................................................14
戴維寧定理 .................................................................................................15
節流與降壓 .................................................................................................16
1.4 電容 .............................................................................................................................. 17
節流與降壓 .................................................................................................18
穩壓與濾波 .................................................................................................19
時間延遲 .....................................................................................................20
1.5 電感 .............................................................................................................................. 21
電鎚現象 .....................................................................................................21
帶通與帶止 .................................................................................................23
1.6 機械與電子............................................................................................................ 24

2 二極體.................................................................................................................................29

2.1 近似模型................................................................................................................ 29
2.2 實際特性曲線........................................................................................................ 31
2.3 整流電路................................................................................................................ 32
2.4 濾波與穩壓............................................................................................................ 35
2.5 電壓限制與元件保護............................................................................................ 37
2.6 二極體的選擇 .............................................................................................................. 38

3 特殊二極體.........................................................................................................................40

3.1 稽那二極體............................................................................................................ 40
3.2 穩壓電路................................................................................................................ 43
3.3 真實的稽那............................................................................................................ 44
穩壓 IC ........................................................................................................45
3.4 發光二極體............................................................................................................ 48
LED 與 LCD...............................................................................................50
3.5 光二極體與光耦合器 .......................................................................................... 51
光電晶體 .....................................................................................................52

3
 太陽能電池 .................................................................................................53
3.6 其他特殊二極體.................................................................................................... 53
蕭式二極體 .................................................................................................53
定電流二極體 .............................................................................................54
變容二極體 .................................................................................................54
突波吸收器 .................................................................................................55
隧道二極體 .................................................................................................56
雷射二極體 .................................................................................................57
4 電晶體.................................................................................................................................58

4.1 基本特性................................................................................................................ 59
4.2 電流增益與達靈頓電晶體.................................................................................... 60
4.3 電晶體的飽和與截止............................................................................................ 61
4.4 電子開關................................................................................................................ 63
LED 驅動電路 ............................................................................................64
繼電器與電磁閥驅動電路 .........................................................................64
更大的輸出電流 .........................................................................................65
直流馬達驅動 .............................................................................................66
4.5 射極偏壓與射極隨耦 .................................................................................................. 67
4.6 射極偏壓、基極偏壓、與 PWM................................................................................ 70
4.7 PNP 電晶體 ................................................................................................................... 71
4.8 電晶體模組與陣列 IC........................................................................................... 73
開集極的電晶體陣列(槽)...........................................................................74
射極隨耦陣列(源).......................................................................................75
橋式電路 .....................................................................................................76
4.9 功率電晶體............................................................................................................ 78

5 場效電晶體.........................................................................................................................80

5.1 MOSFET ....................................................................................................................... 80

5.2 源極隨耦器 .................................................................................................................. 85
橋式電路驅動 IC ........................................................................................86
5.3 BJT VS. MOSFET ................................................................................................... 86
5.4 NMOS、PMOS、與 CMOS................................................................................. 91
5.5 類比開關................................................................................................................ 92
5.6 JFET....................................................................................................................... 94
5.7 IGBT ...................................................................................................................... 95

6 運算放大器.........................................................................................................................96

6.1 基本模型................................................................................................................ 97

4
 6.2 輸入阻抗與輸出阻抗............................................................................................ 98
6.3 負回授.................................................................................................................... 99
6.4 同相放大器.......................................................................................................... 101
6.5 反相放大器.......................................................................................................... 104
6.6 各種應用電路...................................................................................................... 106
加法器(summing amplifier) ......................................................................106
差動放大器(differential amplifier) ...........................................................108
電流對電壓轉換器(current-to-voltage converter)....................................109
電壓控制的電流源(voltage-controlled current source)............................110
6.7 OP-AMP 的限制 ..................................................................................................111
電壓限制 ................................................................................................... 111
電流提昇 ...................................................................................................112
頻寬限制(轉動率限制).............................................................................115
精度問題 ...................................................................................................117
6.8 OP-AMP 的保護 ..................................................................................................119

7 常用 IC 與應用 ................................................................................................................121

7.1 「動態」的 OP-AMP 應用電路......................................................................... 121

積分器(Integrators) .................................................................................121
微分器(Differentiators)............................................................................122
方波產生器(Square-wave generators) ...................................................123
三角波產生器(Triangular-wave generators) .........................................123
電壓控制的「脈波寬度調變」 (PWM).................................................124
7.2 專業的振盪器 IC ―555 ..................................................................................... 125
方波產生器 ...............................................................................................126
單擊(one shot)...........................................................................................127
7.3 比較器.................................................................................................................. 130
施密特觸發器(Schmitt trigger)...............................................................131
7.4 主動濾波器.......................................................................................................... 133
7.5 公開的技術秘笈.................................................................................................. 134

8 FAQ － 名詞與觀念釋疑...............................................................................................138

8.1 電源、輸入訊號.................................................................................................. 138

8.2 輸入、輸出.......................................................................................................... 139
8.3 差動、單動.......................................................................................................... 140
8.4 阻抗匹配.............................................................................................................. 142
8.5 類比與數位 ................................................................................................................ 144

5
1 基本元件

電子電路的核心是電晶體、運算放大器等「主動元件」，它們是推動
電子科技蓬勃發展的主要角色。相對於電晶體的光輝耀眼，電阻、電容、
電感等「被動元件」顯得黯淡與渺小。但是，這些被動元件在實際的電路
中無處不在；也許只是配角，卻是舉足輕重、不可或缺。電阻、電容、電
感的特性十分單純，只要一個簡單的數學式就可相當準確的描述其電壓與
電流的關係。不過，這些元件的功能卻是多方面的，熟悉它們的特性與基
本應用是分析與設計電子電路的必備條件。

本章首先回顧幾個電路相關的基本觀念，然後介紹一些常用的機械(有
接點)開關，接著描述電子電路中的動力源—電壓源與電流源。本章的重點
是說明電阻、電容、電感的特性並探討這些元件在電子電路中所扮演的角
色。

1.0 啟動之前…

在課程開始之前，讓我們先回顧一下幾個基本名詞與觀念。

並聯、串聯

並聯(in parallel，圖 0.1)的元件有相同的電壓，串聯(in series，圖 0.2)

的元件有相同的電流。兩電阻並聯時，總電阻變小(小於任一電阻)；圖
R1 R2
0.1 中，總電阻 R = 。串聯時，總電阻變大(等於兩電阻之和)；
R1 + R2
圖 0.2 中，總電阻 R = R1 + R2 。兩電阻並聯時，總電流增加；串聯時，
電流減小。
R1

R1 R2 R2

圖 0.1：並聯 圖 0.2：串聯

6
開路、短路

將兩點之間的導線剪斷(或將連接的元件移除)，稱為開路(open，圖
0.3)。開路時，電流為 0，但兩點之間的電壓不一定等於零(大多不等於
0)。將兩點以導線直接相連，稱為短路（short，圖 0.4）
。短路時，兩點
之間的電壓為 0，兩點之間的總電阻也等於 0，且所有的電流均流經短
路線。

A R1 A

R1 B R2

R2

B
圖 0.3：A、B 之間開路 圖 0.4：A、B 之間短路

功率

電阻性元件的額定值一般以功率(power)表示，對於直流電，功率等
於電壓乘以電流，亦即 P = VI 。若電阻的大小為 R，電阻兩端的電壓為
V，流過電阻的電流為 I，則

V2
P = VI = I 2 R =
R

一般電阻的額定功率為 1/4 W 或 1/2 W，使用時須計算是否在額定之

下。電路中電阻消耗的功率若超過 1/2 W，可選用白色的「水泥電阻」，
功率可達 5 或 10 W 以上。

電壓與電流量測

量測電壓時，伏特計必須與元件並聯，如圖 0.5。量測電流時，安
培計必須與元件串聯，如圖 0.6。伏特計的內電阻非常高（1MΩ以上）
，

7
 而安培計的內電阻則接近於 0。因此，若將安培計與元件並聯，相當
於將兩點短路！

+88.8
10k Amps
10k

+88.8
9V 20k 9V
Volts
20k

圖 0.5：電壓量測 圖 0.6：電流量測

問題：

1-0 圖 0.7 與圖 0.8 中，電流表量得的電流分別為若干？

+88.8
Amps 10k

10k 20k
Amps

+88.8

9V 20k
9V

圖 0.7 圖 0.8

1.1 開關

半導體做成的電子開關體積小、切換速度高，而且適合線控與遙控，
本課程的重點之一就是在探討各種電子開關的特性與應用。無接點的電子
開關雖可取代大部分的機械開關，但是手動的控制面板仍少不了機械開
關，而且簡單的控制電路使用機械開關也較方便。另一方面，電子開關與
機械開關的功能類似，只是較小、較輕、較快，因此熟悉各種機械開關有

8
助於電子電路的設計與分析。以下簡介幾種常見的機械開關。

圖 1-1 分別是「單刀單擲」(single pole single throw, SPST)、

「單刀雙擲」
(single pole double throw, SPTD)、
「雙刀單擲」(DPST)、與「雙刀雙擲」(DPDT)
開關的元件符號，由圖示可想見這些開關的作用。

SPST SPDT DPST DPDT

圖 1-1：各種切換開關

圖 1-2 是按鈕開關的符號，其中 NO 代表「常開」(normal open)，NC

代表「常閉」(normal closed)。按鈕開關按下時改變狀態，放開則回復原狀，
與接觸式的極限開關(limit switch)類似(圖 1-3)。

(a)NO (b)NC (a)NO (b)NC

圖 1-2：按鈕開關 圖 1-3：極限開關

1 8
2 7
3 6
4 5

(a)旋轉開關 (b)指撥開關

圖 1-4：多選擇的開關

圖 1-4 是兩種多選擇性的開關：旋轉開關(rotary switch)由外部轉扭切

換電流通道。指撥開關(dip switch)常用於印刷電路板上，做為線路的選擇
跳接用，例如，將圖中最上個開關往右撥，則接腳 1 與接腳 8 相通，以此
類推；圖 1-4b 是 4 個一組的指撥開關，實際上一組指撥開關可包含 2 至 8
個小開關(甚至更多)。

9
 利用機械開關可製作簡單的控制電路，例如，使用一個單刀單擲與一
個雙刀雙擲的開關可控制直流馬達的開、關、與正反轉，如圖 1-5。

SPST +

dc motor

DPDT

圖 1-5：馬達正反轉控制

問題

1-1 圖 1-6 中兩個電路分別有何功能？

LAMP

110V

SPDT SPDT

(a)

LAMP

110V

sw2
SW1 sw3

(b)

圖 1-6

10
 負載
負載

負載
(a)直流 (b)交流 (c)可調整電壓源

圖 1-7：理想電壓源

1.2 電壓源與電流源

乾電池與家用的 110V 交流電源是常見的電壓源。理想電壓源(ideal

voltage source)的電壓值(電壓源兩端的電位差)不隨負載大小改變而改變
(圖 1-7)。假設電源的負載是一個電阻，根據歐姆定律，當電阻減小時，理
想電壓源所輸出的電流將按比例增大。例如一個 1.5 V 的乾電池若外接 1 Ω
電阻，則電流為 1.5 A；若電阻值降為 0.1 Ω，則電流應立刻增至 15 Α。15
安培對於電子電路而言是相當大的數值，普通乾電池是否真能供應這麼大
的電流？

理想電壓源並不存在，而是實際電壓源的「近似」模型。一般電源供
應器或是乾電池上所標示的電壓值只適用特定範圍的負載，換句話說，只
有輸出電流在一定範圍之內才有效。例如，實驗室中常用的 0~30 V，3 A
可調式電壓源，當電壓設定為 15 V 時，所連接的電阻值最小不能低於 5 Ω，
否則輸出電壓將隨電阻值減小而降低。這是因為電源供應器中具有保護裝
置，當輸出電流超過設定值時(3 Α)，電路通道自動調小，使電流保持在設
定值以下，而由歐姆定律可知輸出電壓必然隨之下降。

　　即使在設定的電流範圍之內，一般電壓源的電壓值仍然會隨負載改變
而有些許變化，變化的大小代表電壓源的性能，技術上稱為電源的剛性
(stiffness)，電壓源剛性愈大表示輸出愈穩定(愈貴！)。

11
 電源供應器內部相當複雜，但是我們可用一個簡單的模型來代表。在
額定的電流範圍之內，實際電壓源可近似成一個理想電壓源與一個電阻的
串聯，如圖 1-8 所示。

圖 1-8 中，RS 稱為電壓源的內電阻，內電阻愈小剛性愈大。實際電源

供應器可能找不到這顆電阻，此簡化的模型卻可相當準確的描述複雜電路
的特性，稱為等效電路1(equivalent circuit)。

RS

RL
VS

圖 1-8：實際電壓源的等效模型

問題

1-2 一般乾電池並無過電流保護機制，如果負載的電阻值很小(例如短路，
此時負載的電阻值為 0)，有何結果？ (提示：只可意會，不可親試！)

1-3 圖 1-8 中，若 VS=1.5 V，RS= 0.2 Ω，負載(RL)的可能範圍由 2 Ω至∞(開

路時 RL 可視為∞)，則電源輸出電壓(AB 兩點之電位差)可能的範圍為
何？
A
負載

IS RS RL
RL

圖 1-9：理想電流源 圖 1-10：實際的電流源

1
此模型比圖 1-7 更接近真實，但是與實際電壓源相比還是有誤差，應稱為近似的等效電路。

12
電流源

理想電流源(ideal current source)的電流值不隨負載改變而改變(圖

1-9)，因此，當負載的電阻值增大時，電流源兩端之電位差隨之增大(歐姆
定律)。因為電壓不可能無限制提高，所以實際電流源負載的電阻值不能
太大，否則輸出電流會顯著下降。實際電流源的等效電路可由圖 1-2a 近
似，其中內電阻(RS)愈大，電流源的剛性愈高(愈穩定)。

問題

1-4 圖 1-10 中，若 IS = 1 A，RS = 1 kΩ，負載(RL)的範圍在 0 至 100 Ω之間，

則電源輸出電流可能的範圍為何？AB 兩點之電位差如何變化？

1.3 電阻

顧名思義， 「電阻」器(resistor)具有阻止(或是節制)電流流動的特性。
事實上電阻不僅可調節電流，也能調整電壓。電阻的特性與機械系統中的
阻尼(damping)相當2，但是兩者在實務上卻扮演不同的角色。機械阻尼的大
小非常不容易估測，而且具高度非線性；而電阻器價格低廉，性質穩定，
並且忠實的遵守歐姆定律：
V = RI
其中 V 為電阻兩端的電位差，I 為流過電阻的電流，R 為電阻的大小(電阻
值)。
機械阻尼或摩擦雖然有穩定系統的功能，其特性卻捉摸不定，喚之不
來，揮之不去，對於機械設計與分析常是一大困擾。相對的，改變電阻大
小卻是件廉價、輕而易舉的工作，因此電阻器在電子電路中無所不在，扮
演重要的建設性角色。

圖 1-11：電阻與阻尼

2
如果將「力」比做電壓，將「速率」比做電流，則線性的阻尼器與電阻器有相同的數學關係式
(相同的數學模型)。

13
 R1 A VS

+ R1
VS
R2 VA A
- R2

(a) (b)

圖 1-12：分壓電路

分壓定理
圖 1-12 是電子電路中常見的分壓電路(voltage divider)，圖 a 與 b 是相同的
電路，兩種不同的表示法。利用電路學的三個基本定律(柯氏電壓定律或
KVL、柯氏電流定律或 KCL、與歐姆定律)可導出

R2
VA = VS (1-1)
R1 + R 2

式(1-1)稱為分壓定理(voltage-divider theorem)，這是電路學上最簡單，
也是最常用的一個定理3。幾乎每個電子電路都可找到(或是化簡成)一個或
是一個以上的分壓電路，因此分壓定理是一個不可或缺的分析設計工具。
依據分壓定理，我們可利用電阻調整電壓(詳後述)。

RTH A
A

VTH RL
RL

B
B

(a)實際電路 (b)等效電路

圖 1-13：戴維寧等效電路

3
定理(theorem)與定律(law)不同：定律是許多實驗與觀察的結論，定理則是根據定律，以數學的
方法推導而得。

14
 A A

B B

(a)VTH = VAB (b)RTH = RAB

圖 1-14：等效電壓與等效電阻

戴維寧定理
實際的應用電路常比圖 1-12 複雜，但是拜「戴維寧定理」(Thevenin’s
theorem)之賜，許多複雜的電路也可簡化成圖 1-12 的形式。根據戴維寧定
理，每個由電壓源、電流源、與電阻所組成的(兩輸出端)電路都可簡化為
一個(理想)電壓源與電阻的串聯，如圖 1-13 所示。
圖 1-13b 稱為圖 1-13a 的戴維寧等效電路(Thevenin’s equivalent circuit)，
其中 VTH 稱為戴維寧等效電壓，RTH 稱為戴維寧等效電阻，簡稱等效電壓
與等效電阻。VTH 與 RTH 如何求得？首先將 A、B 兩點間的負載移除成為
開路(如圖 1-14a)，A、B 兩點的電位差即為 VTH；然後將電源歸 0(將電壓
源短路、電流源開路，如圖 1-14b)，A、B 兩點間所量得(或算出)的電阻即
為 RTH。
例如，圖 1-15a 中，將負載移除後，求得 A、B 兩點的電壓為 7.5 V(分
壓定理)，再將電壓源短路，求得 A、B 之間的電阻為 500 Ω(兩電阻並聯)，
因此方框之內的等效電路如圖 1-15b 所示。

1 kΩ A 500 Ω A

1 kΩ RL RL
15 V 7.5 V

B B

(a) (b)

圖 1-15

15
問題
1-5 圖 1-15 中，若 RL = 500 Ω，則圖 1-15a 與 1-15b 中 A、B 兩點的電位
差各為若干？兩者是否相等？

圖 1-16：利用可變電阻調整亮度

節流與降壓
控制小功率馬達的轉速、燈泡的亮度、或是加熱器的熱度等最簡單的
方法就是串聯一個可變電阻，如圖 1-16 所示。調整可變電阻值可調整流過
負載的電流大小；從電壓的觀點來看，可變電阻值愈大，加諸負載的電壓
愈小(根據分壓定理)，輸出功率也愈小。不過，此電路並不適用於控制大
功率負載，原因是一般可變電阻無法承受大功率電力4，當電阻調小時可能
燒毀。大功率負載的控制需仰賴電晶體或其他主動式元件，這也是往後章
節所要探討的重要課題。

問題
1-6 某顆燈泡額定電壓為 24 V，在不燒毀的條件下，如何以 110 V 的交流
電源將其點亮？
解答： 方法之一是串聯電阻，電阻值約為此顆燈泡的四倍5。不過，要檢
驗電阻器是否有足夠的額定功率。例如，燈泡的電阻值為 100 Ω，可選 400
Ω的電阻器。此時外加電阻所需承受的功率為
110 2 4
× = 19.36 W
500 5
此數值遠超過一般電阻的額定功率(1/4 W 或 1/2 W)，必須選用高功率的水
泥電阻。提高電阻值可降低功率，但是會使燈泡亮度減小。另一種節制電
流的方式是串聯電容，詳見下節。

4
一般常見的可變電阻可承受 2 W 的功率。
5
此處我們將燈泡簡化為一個電阻，不過一般燈泡並不遵守歐姆定律，也就是電流與電壓並不是
剛好成正比。

16
問題
1-7 何者較亮？兩間相同的房間中，一間裝上一只燈泡，另一間有兩只相
同的燈泡串聯。
1-8 如何利用電阻調節電壓？
解答：利用分壓定理，如圖 1-17 所示，調整可變電阻可改變輸出電壓的大
小。此電源供應器的缺點是剛性可能太低，也就是內電阻太大(內電阻在此
相當於戴維寧等效電阻)，若外接一電阻值較小的負載將使電壓顯著下降。
降低 R1 與 R2 可降低內電阻，提高電壓源的剛性，然而此時 R1 與 R2 需承
受較大功率，解決之道還是要靠往後介紹的主動元件。

除了節流與降壓外，電阻還可用來吸收導線中的電波，對於長導線或
是高速的數位電路，「吸振」電阻扮演相當重要的角色6。

R1

R2 VOUT

圖 1-17：可調電源

圖 1-18：電容與彈簧

1.4 電容

如果將電阻類比於機械系統中的阻尼，則電容器(capacitor)就相當於機
械系統中的彈簧7(圖 1-18)。相較於電阻器，電容器更可使電路變化多端。
電容器具穩壓、濾波、時間延遲、相位調整等功能，而且對於交流電源具
有節流與降壓的功用。電容器的特性為

6
電腦主機板上為數眾多的電阻多半是用來吸收導線中訊號傳遞所產生的暫態波。
7
將加諸彈簧的力比做電容兩端的電位差，將彈簧的壓縮(或是伸長)速率比做流過電容的電流。
(電容積聚的電荷量相當於彈簧的位移量。)

17
 q
V= (1-2)
C

其中 V 為電容器兩端的電位差，q 為電容器所積聚的電荷量，C 為電容的

大小(電容值，單位「法拉」“F”)。

對於交流(正弦波)電源，電容器的阻抗(電容兩端的電壓與電流的比值)
為

 V 1
XC =  = (1-3)
 I  j 2π f C

其中 f 為交流電的頻率。因此，電容器可視為一個電阻器，其電阻值隨電
源頻率增加而減小。另外，與電阻不同的是，(1-3)式中的“ j ”表示電容器
兩端的電壓與流過之電流有 90 度的相位差。

由(1-3)可做如下推論：當訊號的頻率趨近於 0 時，電容器的阻抗趨於
無限大，相當是個開路；當頻率很高時，電容器阻抗接近於 0，相當是個
短路8。也就是說，串接的電容器有阻擋直流(或是低頻)訊號而讓高頻訊號
通過的作用。

節流與降壓

電容器在交流電路中可當電阻使用，與電阻相比，電容器所消耗的功
率很小(如同彈簧可儲存與釋放彈力位能，電容器可儲存與釋放電位能)，
因此使用電容器節流時不需提供大的散熱面積(回顧問題 1-6)。

110 V
60 Hz

圖 1-19：利用電容器限制電流(降壓)

8
可用一句口訣描述電容器特性：AC short, DC open。在此"AC"代表高頻訊號，"DC"代表直流或
是低頻訊號。至於高頻與低頻的分際與電容與負載電阻值有關。

18
問題

1-9 圖 1-19 中，燈泡的額定功率為 0.5 W，若其電阻值為 1 kΩ，為保護

燈泡，電容器的大小應為若干？(提示：先算出燈泡所能承受的電流
大小，然後利用 1-3 式算出電容值。)

穩壓與濾波

前面提到電容器對高頻訊號相當是一個短路(沒有阻力)，對直流或是
低頻訊號相當是個開路(無法通過)，利用這個特性可設計出各種濾波器。
例如，圖 1-20 是一個「高通」濾波器(high-pass filter)，也就是通過(高頻)
交流訊號，擋住直流(或是低頻)訊號。

In Out
0

圖 1-20：高通濾波器

In Out

0 0

圖 1-21：低通濾波器

圖 1-21 的特性與圖 1-20 相反，此電路將高頻訊號濾掉(因為電容器對

高頻訊號相當是短路，所以輸出端的交流訊號成分為 0)，而讓直流訊號通
過，因此稱為「低通」濾波器(low-pass filter)。低通濾波器可濾掉訊號中的
高頻雜訊(noise)，若用於電源電路中，也有穩定電壓的功用。

19
時間延遲

由(1-2)式可知電容兩端的電位差與所積聚的電荷量成正比，因為累積
電荷需要時間9，因此當外加電壓改變時，電容的電壓需要一段時間才會到
達定值。例如，圖 1-22a 中，當開關關上時(closed)，A 點的電壓不會立刻
「跳」升，而是逐漸上升，最後趨近於電源電壓值，如圖 1-22b 所示。圖
中電壓上升的速度與電阻與電容的大小有關：電阻愈大，充電的電流愈
小，充電的時間愈長；而電容愈大，同樣需要較長的時間才能充飽。由數
學推導可算出 A 點的電壓到達最高值的 63% 所需的時間為

τ = RC

其中τ 稱為此系統的「時間常數」(time constant)。

SW
I R A
I
VA
C

時間
switch closed
(a) (b)

圖 1-22

稍等一下！前面不是剛說過電容器對於直流訊號相當是一個開路(dc
open)，圖 1-22b 中為何電流不等於 0？事實上，所謂 dc open 是對於「穩
定」的直流電而言。圖 1-22 中，原來加諸 RC 電路的電壓為 0，此時電容
器是「空」的(沒有積聚任何電荷)，電容兩端的電位差為 0，相當是短路，
因此如果電阻很小，當開關閉合的瞬間會有相當大的電流流動；不過，一
段時間之後，電流的確趨近於 0，此時電容可視為開路。

R1 1 Ω
1 kΩ
1000 µF

圖 1-23：時間延遲

9
電容器所累積的電荷值等於電流對時間的積分。

20
問題

1-10 圖 1-23 中，將按鈕開關壓下後放開，燈泡有何反應？(提示：開關按

下時，因為 R1 很小，所以電容器很快就充飽，開關放開之後呢？)

1.5 電感

電感器(inductors)因為體積大且難以 IC 化，在電子電路中較少使用。但
是在大功率的電源供應器中，電感仍扮演濾波的重要角色；在切換式電源
(switching power supply)電路中，電感器也是不可或缺的元件。另外，許多
電子電路所驅動的負載本身就含有電感成份，例如馬達、繼電器、電磁閥
等，而且較長導線中也會產生電感效應。因此，我們還是需要注意電感的
動態特性對電路中其他元件的影響。
若將電容器比擬為機械彈簧，電感就相當於機械系統的質量或慣量。
電感的特性如下

dI
V=L (1-4)
dt
其中 V 為電感兩端的電位差，I 為流過電感的電流，L 代表電感值。對於
正弦波而言，電感器的阻抗為
X L = j 2π f L (1-5)
其中 f 為訊號的頻率。比較(1-3)與(1-5)式可看出電感與電容相反，其阻抗
值隨訊號的頻率增加而增加。由(1-4)式可知，當流過電感器的電流改變
時，電感器兩端將產生電位差，電流改變愈快，電感兩端的電位差愈大。

電鎚現象

圖 1-24 中，當開關由閉(close)而開(open)時，電流突然中斷(瞬間降為
0)，根據(1-4)式 A 點將產生瞬間高電壓，可稱之為「電鎚」現象(inductive
kick)。例如，一般機械開關閉合時不可避免會產生些許彈跳，當彈開瞬間
可能因高壓產生火花(放電現象)。若是電子開關(電晶體等)，此瞬間高壓可
能將開關燒毀。電鎚現象相當於流體管路中的水鎚現象(water hammer)：當
我們把水龍頭關上時，有時會聽到「鏗」的一聲，這是因為流體具有慣性，
當水流突然阻斷時，管內某處必然產生瞬間高水壓擋住水流，因此造成管
路震動而發出聲響。後面章節將會探討如何防止發生電鎚現象。
21
 開關打開
時產生瞬
A
間高電壓
SW SW

(a)導通 (b)截止

圖 1-24：「電鎚」現象

問題
1-11 圖 1-25 中，當開關(sw)打開的瞬間，A 點的電壓分別為若干？(提示：
1.圖 b 中先算出開關打開前電容的電壓，圖 c 則先求出打開前流過電感的電流大小，記得對
於穩定的直流電源，電容器相當是開路，電感器相當是短路。2.電容兩端的電壓不會有跳躍
式的變化(除非將其短路)，也就是開關打開前後的瞬間應保持不變；而流過電感的電流也不
會有跳躍式的變化(除非開路)。3. 答案：(a) 0 (b) 6V (c) -12V。)

100 Ω SW A 100 Ω SW A

12 V 100 Ω 12 V 100 Ω

(a) (b)

100 Ω SW A

12 V 100 Ω

(c)

圖 1-25：電阻、電容、與電感

22
 帶通與帶止
結合電容與電感可設計出讓特定頻率通過或截止的濾波器，既非低通
也非高通，而是「帶通」(bandpass)與「帶止」(bandstop)濾波器的一種，
也就是讓中間的頻率通過或截止。圖 1-26 的電路讓頻率為

1
f = (Hz)
2π LC
的訊號通過，較低或較高的頻率都被濾掉。例如，L=10mH，C=100µF，
若輸入訊號為下列三個訊號的合成：5V 的直流電，振幅 5V、頻率 159Hz
的交流電，以及振幅 5V、頻率 1000Hz 的交流訊號，則只有 159Hz 的訊號
通過，如圖 1-26 所示。圖 1-27 的功能正好相反，是一個帶止濾波電路，
一般稱為 notch filter。

R
VIN VOUT

C L
VIN VOUT
15 15

10 10 159Hz
5 5

0 0
0 0

-5
-5

dc + 159Hz + 1000Hz
-10
-10

圖 1-26：帶通濾波器

L
VIN VOUT

C R

VIN VOUT
15
15

10
10

5
5

0 0

0 0

-5
-5
dc + 1000 Hz
-10
-10

圖 1-27：Notch filter

23
 1.6 機械與電子

前面提到如果將「力」比擬為「電壓」
，「速率」比擬為「電流」
，那
麼電阻就相當是機械的(線性)阻尼，電容相當是機械彈簧，而電感相當於
機械系統中的質量。除此之外，還有不少電子元件也可在機械系統中找到
對應的元件。以下進一步描述機械系統與電子電路的異同。

表 1-1 比較機械系統與電子電路的互相對應的物理量與互相類比的元
件；因為電荷(charge)是電流對時間的積分，而位移是速度的積分，因此兩
者可互相對應。

表 1-1：電子電路與機械系統對應表

電子電路 機械系統
線性運動系統 旋轉系統 流體系統
電壓 力(force) 扭力(torque) 壓力(pressure)
電流 速度(velocity) 角速度(angular 流量(flow rate)
velocity)
電荷 位移(displacement) 角位移 水位(水位高度)
電阻 阻尼器 阻尼器 流阻
電容 彈簧 彈簧 蓄水槽
電感 質量 轉動慣量 流體質量
變壓器 槓桿 齒輪組(變速箱) 千斤頂
二極體 止回閥
電晶體 比例閥

圖 1-28 畫出幾種對應元件的特性曲線圖：若將電流比擬為速度，電壓
比擬為力量，則電阻與(線性)阻尼器有相同的數學模型；因為電荷是電流
的積分，而位移是速度的積分，因此電容與彈簧的數學模型相似；同理，
因為質量的加速度與施力成正比，而電感的電流變化率與兩端施加的電壓
成正比，因此兩者的數學關係式相似。請注意，機、電系統的類比方式並

24
不是只有上述一種，也有人將電流比擬為力量，電壓比擬為速度，此時電
容與電感所對應的機械元件就要對調了10。

因為許多機械元件與電子元件有類似的特性曲線，因此我們可用電子
電路模擬機械系統的反應，如圖 1-29 中所示。圖 1-29 中，給定機械元件
的參數後，調整 RLC 迴路的元件大小可使兩個系統有完全一致的步級反應
(step response)。

I (or v) q (or x)

V (or F) V (or F)

電阻 (阻尼器) 電容 (彈簧)

dI  dv 
 
dt  dt 

I (電流) v (速度)
V (電壓) F (力)
V (or F)
q (電荷) x (位移)

電感 (質量)

圖 1-28：機械與電子元件的特性曲線

10
機、電系統另一種對比方式：將「電流」類比為「力」或「扭力」，「電壓」類比為「速度」或
「角速度」，則「電容」相當於機械系統中的「質量」或「轉動慣量」
，而「電感」相當於機械「彈
簧」。

25
 Time response
1

速度 (電流)
v 0

-1
0 10 20 30 40 50
F (力)
2

力 (電壓)
I 1

VS (電壓)
0
0 10 20 30 40 50
時間

圖 1-29：RLC 電路模擬「阻尼器-質量-彈簧」系統

除了數學模型相似之外，機械與電子元件也常扮演類似的角色，以下
舉幾個互相對應的例子：

(1) 前一節提到的「電鎚」與「水鎚」現象就是分別由電感與流體慣量所引
起。

(2) 利用物體的轉動慣量可製作飛輪(flywheel)，藉以維持引擎轉速的穩
定；而電感也有穩定電流的功用，若與負載串聯可濾掉高頻雜訊，如圖
1-30 所示。

(3) 利用電容充放電的特性可產生時間延遲的效果(1.4 節)，而彈簧做成的

「發條」也可產生類似功能。(比較「回力車」與圖 1-23 的時間延遲電
路。)

(4) 電容與負載並聯有穩壓的功用，類似汽車的懸吊(彈簧)系統。

(5) 彈簧與質量組合的系統可能產生「共振」，電容與電感組成的電路也同
樣可以產生共振現象。

(6) 利用變壓器可降低(或提昇)電壓，同時提昇(或將低)電流；而利用齒輪
組(變速箱)可降低(或提昇)扭力，同時提昇(或將低)轉速。

26
 IN OUT
VIN
VOUT

0 0

圖 1-30：電感有穩定電流、穩壓的功能

另一方面，機械與電子元件在實務上也有重要差異：

(1) 如 1.3 節所述，一般電阻器的線性度極佳，而機械的阻尼器卻具有高度

的非線性，因此實際上不能用一條通過原點的直線代表實際阻尼的特
性。

(2) 一般電感器具有相當程度的非線性，其電感值可能隨電流不同而變化。
相對的，質量或慣量卻能忠實的遵守牛頓第二運動定律(F = ma)，因此
單一的質量是個線性度極高的元件。

(3) 機械系統發生共振時，會產生巨幅振動或噪音，甚至造成系統毀損，因
此一般均極力避免；而電子電路中卻常利用 LC 共振刻意將某個頻率的
訊號放大，達到訊號篩選的目的(例如收音機或電視機的選台電路)11。

(4) 機械系統與電子電路最主要的差異在於：力、速度、或位移是三度空間
的物理量，而電位差或電流的方向只有正或負兩種可能(一度空間)。對
於二維或三維運動的機械系統，動態特性的複雜度將隨元件數目增加而
呈幾何級數增高，加上向心力、柯式力(Coriolis force)、捉摸難定的摩
擦阻尼、以及機械元件本身的撓性(flexibility)等，多元件的機械系統的
數學模型一般都十分複雜且高度非線性。而電子電路不論由多少線性元
件(如電壓源、電阻、電容、電感等)串聯或並聯在一起，都可用一組線
性的常微分方程式(ODE)描述，電路特性較容易事先預測；即使加上二
極體與電晶體等非線性元件，也不難建立電路的數學模型。

(5) 前面提到電子電路可模擬機械系統的動態反應，條件是機械系統的運動
範圍只能侷限在一維空間，對於二、三維運動的機械系統似乎沒有對應

11
電子電路並非沒有共振問題，例如高頻的數位電路板上，仍需防止電容與元件中的寄生
(parasitic)電感產生共振。

27
 的等效電子電路。

(6) 電子電路可以積體(IC)化，因此工程師的心血與智慧結晶可藉由 IC 迅
速而有效的推廣傳承。而機械系統因為不確定的因素較多，元件成本較
高，且機械加工較費時，因此機械系統設計往往需要較長時間的摸索與
實務經驗方能得心應手。

28
2 二極體

前章介紹的電阻、電容、與電感都是兩端子的元件，這些元件都可讓
電流雙向流動，而且阻抗大小與電流方向無關。二極體(diode)同樣也是兩
端子的元件，但是具有方向性，也就是阻抗大小與電流方向有關。二極體
的種類很多，包括整流二極體、稽那二極體、發光二極體、(受)光二極體…
等，其中以整流二極體最具代表性。整流二極體(rectifier diode)只能讓電流
單向導通，相當於液壓系統中的單向閥或是止回閥，在電路中的主要功用
是控制電流的流動方向，並且具有限制電壓、保護電子元件的功能，本章
將探討這種泛用二極體的特性與應用。

2.1 近似模型

圖 2-1 為二極體的元件符號與外觀，其中一端稱為陽極(anode)或是正
極，另一端稱為陰極(cathode)或是負極，而箭號所指方向為電流正常導通
的方向。

+ -

圖 2-1：二極體的符號與外觀

如圖 2-2 所示，二極體可視為一個具方向性的開關：逆向偏壓(reverse
biased)時電流截止，順向偏壓(forward biased)時導通。根據此模型，只要
是順向偏壓，二極體可視為短路(short)，逆向偏壓時則為開路(open)。此模

29
型雖然簡單，在電路分析或設計時卻十分有用，有助於初步的判斷或構思。

(a)逆向偏壓

(b)順向偏壓

圖 2-2：二極體的基本模型

較精確的二極體模型如圖 2-3 所示：順向偏壓時二極體兩端有 0.7 V 的

電壓降12(逆向偏壓時電流還是截止)。根據此模型，圖 2-3 中流過電阻的電
流應為

VS − 0.7
I=
RL

此模型與實際情況相比雖然仍有些許誤差，卻是一個相當有效、實用
的近似模型。

0.7 V

VS RL VS RL

圖 2-3：較精確的模型(順向偏壓)

12
有些書上電壓降寫 0.6 V，實際的壓降約在 0.5~0.8 V 之間。

30
 100 Ω

12 V 100 Ω
V1
V2
(9 V)

9V
圖 2-4 圖 2-5

問題

2-1 圖 2-4 中，若 V2 調整為 12 V，則電流若干？若 V2 調整為 5 V，則電

流若干？消耗在二極體的功率有多少？

2-2 圖 2-5 中，流過電阻的電流為若干？(提示：先決定那個二極體導通。)

2-3 前題中，兩個電源中只有一個供電，另一個電源有何用處？

ID

1A + VD -
-50 V
VD
0.7 V
ID
-1 µA

圖 2-6：二極體的特性曲線

2.2 實際特性曲線

圖 2-6 代表實際二極體的特性曲線。與前述近似模型比較，實際二極
體導通時兩端的電位差並不一定是 0.7 V，而與電流大小有關，電流增加

31
時，電位差也略為增大。不過，除了非常精確的分析之外，在一般應用上
只需記住：二極體導通時兩端電位差約等於 0.7 伏特13。

另一方面，實際二極體受逆向偏壓時，電流的確很小，可以忽略(注
意圖 2-6 中，逆向偏壓區的刻度比例與順向偏壓區不同)。但是當逆向電壓
超過某特定值時，二極體將逆向導通，稱為崩潰(breakdown)。一般二極體
一旦崩潰壽命即告終止14，因此設計時需注意到二極體在電路中可能要承
受的最大逆向電壓值是否超過其額定的崩潰電壓。

問題

2-4 某顆二極體的崩潰電壓約為 50 V，利用一個 10 V 的電壓源是否可以

將此二極體燒毀？(提示：損毀二極體不一定要使其崩潰，也不需用
火燒！)

VS
+
VS VL

- VL

圖 2-7：半波整流電路

2.3 整流電路

一般電子裝置需以直流電源驅動，如何將台電公司所供應的交流電源
轉為直流電？方法很多，但是將正負相間的雙向電流轉為單一方向(只有正
值或只有負值)的電流是必要的步驟，稱之為整流(rectification, rectify)。整
流器可區分為半波整流器(half-wave rectifier)與全波(full-wave)整流器。

13
注意 0.7 V 電壓降適用於一般整流二極體，其他種類的二極體可能有不同的近似值。例如，
發光二極體的電壓降較大，約為 2 V。

14
某些特殊二極體允許崩潰，例如稽那二極體，第三章詳述。

32
 圖 2-7 是一個半波整流器，當電源電壓為正時，二極體導通，因此電
阻的電壓約與電源相等(兩者相差 0.7 V)；當電源電壓為負時，二極體受逆
向偏壓，不導通，電流截止，因此電阻的電壓為 0(原因為何？)。半波整流
器的輸出頻率與電源頻率相等。

問題

2-5 圖 2-7 中，當電源電壓(VS)等於-20V 時，二極體兩端的電位差為若干？

VS

- +
VS
VL
VL

圖 2-8：全波(橋式)整流電路

D1 D2
- +
VS
D3 D4

- +
VL

圖 2-9：另一種畫法

圖 2-8 是一個全波整流電路，其中四個二極體又稱為橋式整流器
(bridge rectifier)，市面上可買到四顆一組的整流模組。圖 2-8 的電路可畫
成圖 2-9，當電源電壓為正時，D2 與 D3 導通；當電源電壓為負時，D1 與
D4 導通，因此不論電源電壓是正或負，流過電阻的電流均為同一方向！因
為電流經過兩個電晶體，電阻的電壓(VL)約比電源電壓值(VS)小 1.4 V。全
波整流器的輸出頻率是電源頻率的兩倍。

33
問題

2-6 圖 2-8(或 2-9)中，考慮二極體的電壓降，畫出輸出(電阻兩端)電壓較

精確的波形。(提示：輸出電壓有一小段時間為 0。)

2-7 圖 2-9 中，當電源電壓等於 20 V 時，D1 與 D4 各承受多大的電壓？

家用 110 V 的交流電源對許多電子裝置來說電壓太高了15，最簡單的
降壓方法就是利用變壓器。變壓器在電路中扮演的角色相當是機構中的齒
輪組：將電壓看成扭力，電流看成轉速，則變壓器與齒輪組有同樣的輸出
輸入關係：使用齒輪組降低扭力時，輸出端的轉速會大於輸入端的轉速；
而利用變壓器降壓時，輸出端(二次迴路)的電流會大於輸入端(一次迴路)
的電流。圖 2-10 是一個先降壓再整流的橋式整流電路。

5:1
- +

圖 2-10：降壓再整流

圖 2-11

問題

2-8 圖 2-11 是另外一種全波整流器，此電路的輸出與橋式整流器有何不

同？

15
110 V 是「均方根」(RMS)值，振幅(或是峰值，peak value)為均方根值的 1.414 倍，約為 155 V。

34
 電容充電 電容放電
VC
IL
VC
VR
VS RL (Ripple)
C

未加電容
的波形

圖 2-12：電容穩壓

2.4 濾波與穩壓

如何使整流之後的波形成為平滑的水平線？電容器這時可派上用場。
圖 2-12 中，半波整流器的輸出端並聯一個電容，原本大幅上下起伏的波形
可因此變得較為平滑。簡單的說，當電容器與負載並聯時，可將高頻的交
流訊號濾掉(見 1.4 節)，留下變化較慢的低頻訊號與直流成分。進一步說明
如下：

當電源電壓高於電容的電壓時，二極體為順相偏壓、導通、電容充電
(charge)，此時電容的電壓與電源電壓約略相等(兩者相差 0.7 V) (注意到電
容與電阻並聯，因此兩者有相同的電壓(=VC))；當電源電壓下降至低於電容
的電壓時，二極體為逆向偏壓，電容與電源之間形同開路(電流截止)，此
時電容放電(discharge)，電流流向電阻，電壓隨電容的電荷量減小而下降。
1.4 節提到電容器兩端的電位差為

q
VL =
C

其中 q 為電容兩端積聚的電荷量，C 為電容大小。電容放電使電荷減少，
電壓下降，而電壓變化的快慢取決於放電速度(亦即電流大小)與電容器本
身的容量(C)。電容值愈大，電壓下降愈慢(因電荷積聚量較充沛)，電阻兩
端的電壓愈穩定。(圖 2-12 中，電容值愈大放電速度愈慢，而充電速度是
否也等量下降？答案是不會！因為當二極體導通時電源與電容之間幾乎
是短路，因此電容器很快就充飽；二極體與導線雖有些許電阻，與負載電

35
阻(RL)相比微不足道。)

並聯電容之後，負載電壓變動大小(稱為漣波(ripple)，見圖 2-12)可求得

IL
VR = (2-1)
fC

其中 VR 為最大電壓與最小電壓的差值，IL 為負載電阻的平均電流，f 為頻
率(半波整流器的頻率與電源相同，全波整流器的頻率為電源的兩倍)。

例如，圖 2-12 中，若 VS 的振幅為 30 V、頻率 60 Hz，電容大小等於

1000 µF，RL = 1 kΩ，則 VC 的峰值為

VC(peak) = 30-0.7 = 29.3 V

因此流過負載的電流約為16

29.3
IL = = 0.0293 (A)
1000

由(2-1)式可求得漣波大小為

0.0293
VR = = 0.488 (V)
60 × 1000 × 10 −6

因此負載的平均電壓為

0.488
VL(dc) = 29.3 − = 29.06 (V)
2

這個例子中，因為負載電阻相當大，所以漣波很小。如果負載電阻減
小(負載電流增加)，輸出電壓的波動就會增大。雖然使用較大的電容可降
低漣波大小，但是太大的電容在充電初期(power on 時)會有極大的電流
(surge current)流過二極體(因為空的電容器相當是短路)，必須考慮到相關
元件(二極體、導線、保險絲等)的負荷能力。

16
因為漣波的關係，平均電壓比峰值略小，在此假設漣波很小，因此負載的平均電壓約等於峰
值。

36
 - +
30 V (peak)
60 Hz
200 Ω
1000 µF

圖 2-13

問題

2-9 圖 2-13 中所示的全波整流電路中，連波大小若干？(答：1.19 V。提示：

全波整流器的輸出電壓頻率為電源的兩倍。)

電容可使整流器輸出較平穩，但是仍然有漣波存在，波動的大小不僅
隨負載改變而改變，而且當電源的電壓改變時(用電的尖峰與離峰時刻電源
電壓會有變化，平時也可能發生突然的電壓上升或下降)，電容器或是負載
的電壓也將隨著變化，因此圖 2-12 與 2-13 距離理想的穩壓電路還差一步。
如何改善？目前似無良策，但是救兵不遠：下一章即將登場的新元件可提
供解決之道。

2.5 電壓限制與元件保護

一般二極體除了用於整流電路外，也常用來限制電路中某個接點的電
壓值，避免元件遭受突波破壞。例如，二極體可防止前章所提到的電鎚現
象(圖 2-12)。圖 2-12 中，當開關打開時，電流瞬間停止，因為電感效應，
使圖中 A 點產生一個高電壓突波。圖 2-13 中加入二極體後，當開關打開
時，流經電感的電流從二極體回流，避免電流突然中斷；因為二極體導通
時兩端電位差約為 0.7 V，因此 A 點最大電壓被限制在 VS + 0.7 V 以內。二
極體在此可避免開關切換時產生火花，延長開關的壽命(如果是電晶體之類
的電子開關，瞬間突波可能立刻毀損元件)，並且防止突波產生雜訊干擾其
他電路。二極體在此扮演電路的安全閥門，類似液壓系統中的洩壓閥(relief
valve)。

37
 VS VS
突波可達
1000 V
VA

VS
A A
switch

Switch
open

圖 2-12：電鎚現象

VS VS

VA 最高電壓約
Vs+0.7 V

VS
A

switch

Switch
open

圖 2-13：二極體限制電壓

2.6 二極體的選擇

選擇二極體主要考慮兩個參數：順向偏壓時能承受多大電流，以及逆
向偏壓時可承受多大電壓。例如，常用的 1N4001 可承受約 1 A 的電流與
50 V 的逆向電壓(表 2-1)，因此不能直接與 110 V 的交流電源相接，而需先
用變壓器降壓後再整流，如圖 2-10。如果需要直接將 110 V 或 220 V 的交
流電源整流，可選擇 1N4007，此顆二極體導通時同樣能承受 1 A 的電流，
但是崩潰電壓高達 1000 V。另外，二極體的額定電流與電壓與元件本身的

38
溫度、電流(電壓)是連續或是週期變化有關，設計時最好能加入安全係數，
保守的做法是確定二極體所承受的電流與電壓在額定值的一半以下。表
2-2 列出另一種額定電流較高(3A)的二極體。

表 2-1：1 安培二極體 (1N4001~1N4007)

型號
1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 單位
額定值

崩潰電壓 50 100 200 400 600 800 1000 V

平均順向 1.0 A
電流

表 2-2：3 安培二極體 (1N5400 系列)

型號
1N5400 1N5401 1N5402 1N5403 1N5404 1N5407 1N5408 單位
額定值

崩潰電壓 50 100 200 300 400 800 1000 V

平均順向 3.0 A
電流

39
3 特殊二極體

在電子元件中，二極體是一個龐大的族系，除了整流或泛用二極體之
外，還有許多常用的半導體元件也可歸類為二極體。這些特殊二極體有的
可當參考電壓，有的會發光，有的能感光、限壓、限流、當可變電容…，
功能多樣，不勝枚舉。不同功能的二極體在外觀上也常大異其趣，相似之
處為「內在」的電壓與電流關係曲線：順向偏壓導通(但有一小電壓降)，
逆向偏壓時電流很小(崩潰時除外)。本章主要探討稽那二極體、發光二極
體、以及光二極體的特性與應用，並簡介其他幾種特殊二極體。

+ V - -VZ
0
V

(a)元件符號 (b)特性曲線(理想稽那)

圖 3-1：稽那二極體

3.1 稽那二極體

大部分的二極體使用時必須避免逆向偏壓過大而導致崩潰，然而稽那
二極體(zener diode)卻是個例外。稽那二極體幾乎都是操作在崩潰區，這是
因為這種二極體崩潰(逆向導通)時，兩端電位差幾乎維持在某個固定值，
因此在電路中可提供一個標準的參考電壓(reference voltage)。本節描述稽
那二極體的近似模型，在此稱為「理想稽那」(ideal zener)。

40
 理想稽那的特性曲線如圖 3-1 所示。理想稽那與一般二極體不同之處
在於其崩潰區的 V-I 曲線是一道垂直線，也就是說，理想稽那一旦崩潰，
元件兩端的電位差保持固定，不隨電流改變而改變。分析稽那二極體的應
用電路時，第一個步驟就是判斷二極體是否崩潰：若是，則稽那兩端的電
壓等於其額定的崩潰電壓值(用 VZ 表示)；若否，則流過稽那的電流為 0，
形同開路。

例如，圖 3-2 中，稽那的崩潰電壓為 5 V。若 VS 等於 3 V，則稽那不

會崩潰，此時二極體相當是開路，因此電流 I = 0。若 VS 等於 9 V，則顯然
稽那崩潰17，此時稽那兩端電位差為 5 V，因此

9-5
I= = 0.02 (A)
200

200 Ω

I
VS
VZ = 5 V
(VZ 代表稽那的崩潰電壓)

圖 3-2

問題
3-1 圖 3-2 中，若 VS 等於 15 V，則電流為若干？

圖 3-3 中，稽那二極體與負載並聯。若 VS 等於 3 V，則稽那顯然不會

崩潰，二極體形同開路，此時負載電流為
3
IL = = 0.01 (A)
100 + 200
若 VS 等於 6V，則稽那會不會崩潰？判斷方法是先將稽那二極體移除，計
算 AB 兩點的電位差，若是小於 VZ，則稽那加入後並不會崩潰，AB 間的
電位差保持不變；若是大於 VZ，則稽那加入後將會崩潰，因此 AB 間的電
壓立刻降為 VZ。
當 VS 等於 6 V 時，移除稽那後可求得 AB 間的電壓為(利用分壓定理)
200
VAB = × 6 = 4 (V)
100 + 200

17
稽那崩潰並不代表毀損。

41
 100 Ω A
IL

VS VZ = 5 V 200 Ω

圖 3-3

因為 VAB 小於 VZ，所以稽那放回之後並不會崩潰(對電路毫無影響)，因此
6
IL = = 0.02 (A)
100 + 200
如果 VS 提高為 12 V，移除稽那之後求得 VAB = 8 V，此電壓超過稽那
的崩潰電壓，因此稽那放回之後將會崩潰，AB 兩點的電壓隨之降為 VZ。

問題
3-2 圖 3-3 中，若 VS = 12 V，則 IL 若干？流經稽那二極體的電流若干？

另外一種較正式的分析方法是利用戴維寧定理，將稽那二極體視為負
載，求出 AB 兩點間的等效電路，如圖 3-4 所示。若 VTH 大於 VZ，則稽那
二極體崩潰，反之則否。此方法與前述直覺分析法的計算過程相同，結果
當然也一樣，可說是異曲同工。

RTH
A A

VTH

B B

(a)原電路 (b)另一種畫法 (c)戴維寧等效電路

圖 3-4：利用等效電路判斷稽那是否崩潰

問題
3-3 圖 3-3 中，若 VS = 12 V，畫出戴維寧等效電路(以稽那二極體為負載)，
根據此等效電路，判斷稽那是否崩潰。

42
 3.2 穩壓電路

利用稽那二極體，我們可將第 2 章介紹的整流器進一步穩壓，如圖 3-5。

圖 3-5a 中，負載電壓會隨電容器的充放電而上下起伏(漣波)；加入稽那二
極體之後(圖 3-5b)，只要 VC 大於稽那的崩潰電壓，二極體兩端的電位差
將保持恆定，因此負載的電壓為 VZ。即使電源的振幅突然改變，輸出電壓
仍然不動如山(根據「理想」稽那的特性)。

設計穩壓電路時要注意電容的電壓 VC 必須大於稽那二極體的崩潰電
壓 VZ，否則稽那就無法發揮作用。因為電容的電壓會隨充放電而上下變
動，因此輸出(負載)電流不能太大。若要提高輸出電流，可使用較大的電
容器，或是提昇二次迴路的電壓(降低變壓器的圈數比)；不過，如前章所
述，為避免充電初期有過大的電流湧入電容器，造成二極體、變壓器、或
保險絲過載，電容的大小仍需有所限制。

VC
30V
5:1
- + VC
110 V

Time

(a)穩壓前

VC
30V
5:1
- + VC VL
VL
15V

Time
VZ = 15V
(b)穩壓後

圖 3-5：稽那穩壓

43
 I

真實

理想

圖 3-6：真實與理想稽那

3.3 真實的稽那

理想的世界簡單美好，是我們追求的目標，可惜理想終究只是理想，
真實的稽那與理想稽那並不盡相同。實際上，稽那二極體崩潰時，兩端的
電位差仍會因電流值變化而略有增減，如圖 3-6 所示。因此，圖 3-5 的輸
出電壓實際上還是會上下波動，當然波動幅度會比未加稽那之前顯著降低
(圖 3-7)。

加入稽那前
負載電壓

加入稽那後

圖 3-7：實際穩壓電路

利用稽那直接穩壓的另一個缺點：一般稽那二極體所能承受的功率有
限，因此不能讓太大電流流過；圖 3-5 中，若 VC 顯著大於 VZ，將有相當

44
大的電流流過稽那二極體。雖然稽那二極體不適合直接用來穩壓，但是配
合其他元件(電晶體等)使用，仍然可在電路中提供一個標準的參考電壓值
(圖 3-8)。

VS(未穩壓)
小電流

VZ
放大電路

穩定的
參考電壓

圖 3-8：利用稽那當穩定的參考電壓

穩壓 IC

圖 3-9 是一個常用的穩壓電路，其中 7805 是一顆三端子的穩壓

IC(three-terminal voltage regulator)。利用此顆廉價的 IC，輸出電壓可穩定
的維持在 5 V。7805 的輸出電壓準確率18為 4 %(5 ± 0.2 V)，輸出電流可達
1A 以上(需適當散熱)19。除了 5 V 之外，穩壓 IC 的輸出電壓還有許多選擇，
78xx 系列中，尾數 xx 即代表輸出電壓的值，共有 05,06,08,09,12,15,18,24
等 8 種輸出電壓。此系列 IC 的輸入端電壓需比輸出端高約 2 V 以上才能
有效穩壓，例如：7805 的輸入電壓(圖中接腳 1)範圍必須在 7 V~35 V 之間，
而 7815 輸入電壓範圍為 17 V~35 V。穩壓 IC 的輸入電壓與輸出電壓愈接
近愈省電，太高的輸入電壓將使 IC 本身消耗可觀的功率(較燙)。

穩壓 IC 的輸出端電壓會隨輸入端電壓或是負載電流改變而微幅變
動：對於 7805，當輸入端的電壓在 7 V~25 V 之間變化時，輸出電壓的變
動量不超過 50 mV(稱為“line regulation”)；當負載電流從 5 mA 提高至 1.5 A
時，輸出電壓的變動最大為 0.1 V(稱為“load regulation”)20。另外值得一提
的是，7800 系列 IC 內部還具有過熱保護與短路限流的機制！

18
78xxCT 的精確度為 4 %，而 78xxACT 的精確度較高，為 2 %。
19
78xx 系列的額定輸出電流為 1 A，78Lxx 系列為 100 mA(此系列 IC 本身較不耗電)，78Txx 系
列可達 3 A。
20
以上是針對 78xxCT 系列而言，78xx“A”CT 系列的輸出電壓變化更小。

45
 圖 3-9 中，1000 µF 的電容是做為整流電路濾波之用，如果穩壓 IC 距
離此顆電容太遠，則 IC 的輸入端應另外並聯一顆電容(0.33 µF 即可，盡量
接近 IC 輸入端)，如此可防止振盪發生。至於圖中 10 µF 電容並非必要，
移除後並不影響電路的穩定性，但是並聯此顆電容可使暫態反應更佳(使用
較小電容亦可，例如 0.33µF)。圖中的 1000 µF 與 10 µF 可分別選擇耐壓
20 V 與 10 V 的電容。

10:1
110V - + 1 3 5V 輸出 7805
7805
2
1000µF 10µF 2
1 3

圖 3-9：穩壓 IC

7815 +15V 輸出
+
-

7915 -15V 輸出

圖 3-10：雙電壓源

若要製作輸出負值的電壓源，可選擇 79xx 系列的穩壓 IC，圖 3-10 使

用一顆 7815 與一顆 7915 做成 ± 15 V 的雙電壓源。注意 7915 與 7815 兩顆
IC 的接腳順序不同！(圖 3-11)

46
 7815 7915
1. Input 1. Ground
2. Ground 2. Input
3. Output 3. Output

圖 3-11：78xx 與 79xx 的接腳順序不同

問題

3-4 圖 3-10 中，若交流電源為 110 V(rms)，則變壓器的圈數比(或是輸出電

壓)應選若干？圖中的電容分別需承受多大電壓？

+ -
-

+
(a)元件符號 (b)外觀

圖 3-12：LED

47
 3.4 發光二極體

發光二極體(Light Emitting Diode)簡稱 LED(圖 3-12)，可說是最常「見」

的一種二極體，世界上每年有 200 億顆以上21的 LED 產出！ LED 可用來
當作指示燈、照明、顯示文字或圖形動畫、傳遞訊號等。LED 與一般二極
體相同之處為：順向偏壓時電流導通，逆向偏壓時電流截止。不同之處為：
1.導通時 LED 發光，一般二極體發熱；2.導通時 LED 電壓降較大，約為 2
V(1.5V~2.5V 之間)；3. LED 所能承受的逆向偏壓相當小，有些 LED 的崩
潰電壓只有 5 V。

LED 的發光原理與一般燈泡(incandescent lamp)不同：燈泡是利用高溫

發光(將鎢絲燒紅)，LED 則是因電子從一能階跳至另一能階而發出特定波
長的光線。也許可以說，燈泡以「蠻力」發光，而 LED 的發光方式較為「輕
。不過，雖然 LED 的電能對光子(Electron/Photon)轉換效率相當高，但
巧」
是由於人眼對燈泡發光的波長較敏感，因此同樣的輸入電能，燈泡感覺較
LED 亮。一般燈泡的照明效率為 9~17 lumens/W，大多數的 LED 效率只有
0.04~6 lumens/W(有些高效率的紅色與黃色 LED 可達 20 lumens/W)22。

依照半導體中雜質的成分，LED 可發出紅、澄、黃、綠、藍色等可見
光(波長 0.4 µm~0.7µm)，以及波長 0.7µm~2µm 的紅外線(infrared)。藍色
LED 在 90 年代初期才商品化，不僅效率低於其它顏色的 LED，而且較昂
貴，但是藍色 LED 與其它顏色的 LED 組合之後可發出各種顏色的光線23，
全彩 LED 動畫看板因而誕生。

問題
3-5 紅外線是不可見光，此種 LED 有何功用？

相較於一般燈泡，LED 發熱量小、壽命長、切換速度快。因此，電器
與電子產品常用 LED 作為指示燈；汽機車儀表板照明也使用 LED，既省
電又耐用。LED 可說無處不在，幾乎每個賣得出去的電子產品中都可看到
LED 的指示燈(至少需顯示電源是否開啟)。LED 因為切換速度快，因此也

21
根據 “Optoelectronic device” Encyclopedia Britannica Online.
22
發光效率最高的是日光燈(fluorescent lamp)，約為 30 lumens/W，其次為鹵素燈(halogen lamp)，
約為 18~25 lumens/W。
23
紅、綠、藍三色光(RGB)可調配出包括白色的各種可見光。

48
適合用來顯示變化的文字與圖形(例如車站中的 LED 文字顯示器與街頭的
動態廣告看板)。一般 LED 導通時的電流約在 5~30 mA 之間。
+5 V

200 Ω

圖 3-13

問題
3-6 圖 3-13 中，流過 LED 的電流若干？

0.33 µF 0.33 µF

110 V 110 V

(a)並聯二極體保護 (b)兩 LED 互相保護

圖 3-14：LED 接交流電源

LED 也可連接交流電源24，但需有適當保護。一般 LED 所能承受的電

流在 40 mA 以下，因此接直流電源時需串聯電阻節流，接交流電源時可串
聯電容器(記得電容可視為一個阻抗隨頻率改變的電阻器)。圖 3-14a 中，與
LED 並聯的二極體可確保 LED 所承受的逆向偏壓不會高於二極體導通時
的電壓降(約 0.7 V)；拿掉二極體之後，LED 只能曇花一現(最多亮 1/120
秒)，將因逆向電壓過大而崩潰燒毀。二極體可由另一顆 LED 取代(圖
3-14b)，這時不論電源電壓正或負均有一顆 LED 發光。至於利用電容器節
流的好處是：電容器兩端的電壓與電流相位相差 90 度，因此平均消耗的
功率為 0 (與機械彈簧類似)；若是以電阻節流，需使用相當高功率的水泥
電阻(參考 1.3 節)，體積較龐大，而且需較大的散熱面積。

24
例如當作 power on 的指示燈。

49
問題
3-7 圖 3-14 中，流過 LED 的電流最大值(峰值)若干？(提示：相對於 110V
的電壓源，二極體與 LED 的電壓降在此處可忽略；電容器阻抗為大小
1
為 )
2π f C

3-8 圖 3-14 中，若將其中一顆二極體或 LED 反接，後果如何？

3-9 某顆 LED 串聯一個電阻後連接 5 V 的直流電源，但是卻不發光，可能
的原因為何？(假設各元件均完好，LED 的方向正確。)

LED 與 LCD
LED 與 LCD 英文縮寫只有一字之差，兩者也都可當顯示器使用，但
是發光原理與特性卻截然不同。LCD 中文為液晶顯示器(Liquid Crystal
Display)，液晶本身並不發光，但是通電之後可讓特定光線通過或反射，可
說是光的閘門25。一片 LCD 中有非常多個液晶排列在一起，在陣列中讓某
些液晶通電而將光線反射或使其透光，就可顯示特定文字或圖形。另一方
面，將數個 LED 排列在一起同樣可顯示文字與圖形，例如七段顯示器
(seven-segment display)或是更複雜的廣告看板。因顯示原理不同，LED 與
LCD 有以下不同的性質：
(1) LED 一般使用直流電，而液晶受固定的直流偏壓時會損毀，因此 LCD
需使用交變的電壓(一般為方波)驅動26。
(2) LCD 因為本身不發光，因此較 LED 更為省電。
(3) LED 是個發光源，因此在黑暗中更加醒目，而且可當照明用。
(4) LCD 較 LED 陣列的解析度高，因此(對於中、小型的顯示器)LCD 可
顯示較複雜的圖形。不過，大型電子看板因為不需太高的解析度，一般
使高亮度的 LED 陣列作成。

25
電晶體可說是電流的閘門。
26
LCD 模組一般接直流電源，但是模組內部具有方波產生器。

50
 3.5 光二極體與光耦合器
≈0

(b)電流截止
(a)元件符號 10µA

(c)微量電流流動

圖 3-15：光二極體

光二極體(photo diode)是 LED 的互補元件。光二極體與一般二極體不

同之處為：光二極體受光線照射時，即使是逆向偏壓仍有少量電流流動，
藉此可感知是否有光線照射(圖 3-15)。

光二極體經常與 LED 搭配使用，作為訊號傳遞的元件。例如許多家電

的遙控器就是使用紅外線 LED 發射訊號，接收端則為光二極體27(加上放大
電路)；此外，紅外線 LED 與光二極體也常使用在防盜系統中。在自動化
系統中，LED 與光二極體的組合模組可作為非接觸性的位置偵測器或是極
限開關，稱為光插斷器(opto-interrupter，圖 3-16)。

27
或是光電晶體

51
 圖 3-17：光耦合器
圖 3-16：光插斷器

圖 3-17 是另外一種 LED 與光二極體的模組，稱為光耦合器

(opto-coupler)。光耦合器是控制系統中一個常用的元件，可將小訊號的控
制電路與大功率的驅動電路隔離，因此又稱為光隔離器(opto-isolator)。例
如，圖 3-18 中，控制電路(數位電路或微處理機)與驅動電路(高功率的電晶
體或其他電子開關)之間以光耦合器傳遞(On-Off)訊號，兩個電路之間因無
導線相連，幾乎完全絕緣，而且地線也不接在一起，如此可保護敏感的控
制電路，避免因驅動電路的電壓或電流波動而受干擾；更重要的是，即使
驅動電路接線不良、元件燒毀、或是發生高壓突波，也不至於破壞控制電
路。因此，設計高功率的驅動電路時，光耦合器是一個不可或缺的保護元
件。
1000 V
5V

高功率
控制 驅動 負載
電路 電路

圖 3-18：控制與驅動電路隔離

光電晶體

光電晶體(photo transistor，圖 3-19) 與光二極體的功能類似，但前者靈

敏度較高，也就是輸出電流較大(對相同強度的光線)，不過光二極體的反
應速度較快。光耦合器 IC 不論是由光二極體或是光電晶體組成，一般內
部會加上電流放大電路，因此輸出電流可遠超過一個光二極體的導通電

52
流。

圖 3-19：光電晶體(圖左)與光耦合器

太陽能電池
太陽能電池(solar cells, photovoltaic cells)是將光能轉換成電能的元件，
而光二極體是光的感測器，兩者的功能不同，但是作用原理極為類似。事
實上，太陽能電池可看成是一大群（廉價）光二極體的組合體，可吸收較
多的光能，並產生較強的電能。因此，太陽能電池也可用來偵測光的強弱，
但線性度較光二極體差。

3.6 其他特殊二極體

二極體家族的成員眾多，以下簡述幾種特殊二極體的特性與功能。

蕭式二極體

蕭式二極體(Schottky diode，圖 3-20)與一般整流二極體的特性類似，

不同之處在於蕭式二極體的切換速度(導通與截止的變換速度)較快，而且
導通時電壓降較小，約為 0.25 V。

圖 3-20：蕭式二極體

53
定電流二極體
稽那二極體有穩定電壓的功能，而定電流二極體(constant-current diode,
or current-limiting diode)則有穩定電流的功能。例如，圖 3-21 中，VS 或電
阻在某個範圍內變化時，電流 I 可維持定值(變化很小)，而電流大小取決
於定電流二極體的型號。

VS

圖 3-21：定電流二極體

問題
3-10 理想稽那崩潰時，兩端電位差不隨電流改變而改變，如何用類似語句
描述(理想)定電流二極體？

變容二極體

一般二極體逆向偏壓時相當是開路，而變容二極體(varactor diode，圖
3-22)逆相偏壓時相當是個小電容28，而且電容值與逆向偏壓的大小有關。
換句話說，變容二極體是一個可由電壓調控的電容器，常與電感器合用製
作高頻的 LC 共振電路。圖 3-22 中利用分壓電路調整二極體的逆向偏壓，
由此可調整電容大小。
+V

圖 3-22：變容二極體

28
一般二極體逆相偏壓時也有電容效應，但是電容值遠較變容二極體小。

54
 電感與電容組成的共振電路相當於質量與彈簧(或機構本身的撓性)系
統所產生的振動現象。共振現象在機械系統中是個惱人的問題，機械工程
師避之唯恐不及；土木結構一旦發生共振，更是災難的前奏。然而，LC
共振電路在射頻(radio frequency)電路中卻非常有用，可將特定頻率或是狹
窄頻寬的微弱訊號巨幅放大，而且利用電壓調控的變容器，可輕易、準確
的調整共振頻率，因此 LC 共振電路在通訊系統中扮演重要的建設性角色。

突波吸收器
突波吸收器(varistor29，或是 transient suppressor)相當是兩個背對背串
聯的稽那二極體。顧名思義，突波吸收器主要功能是在「吸收」電路中突
然產生的高電壓，因此突波吸收器所能承受的電流遠大於一般的稽那二極
體，崩潰電壓的選擇範圍也較大(10 V~1000 V)。例如，圖 3-23b 中，突波
吸收器的崩潰電壓大於交流電源的峰值，正常情況下並不會導通，可說是
備而不用。如果電源突然產生瞬間高壓(的確可能發生！)，只要電壓的峰
值超過 200 V，突波吸收器即可導通，將變壓器的輸入電壓限制在 200 V
以內，如此可保護二次迴路的負載(昂貴、重要的電子設備或儀錶)不被高
壓突波損毀。

FUSE

負載

110V
VZ =200V

(a)元件符號 (b)應用例

圖 3-23：突波吸收器

問題
3-11 圖 3-23b 中，保險絲(fuse)的功用為何？(提示：保險絲會在高壓突波
發、或是二次迴路短路時發生作用•)

突波吸收器也可用來防止開關切換時，因電感性負載所產生的高壓突
波(電鎚現象)，如圖 3-24。(對於交流電源，圖 2-13 的二極體保護電路不適
用。)

29
直譯為「變阻器」
，但是與可變電阻不同。

55
 圖 3-24：防止電鎚現象

隧道二極體

目前為止所介紹的電子元件(電源除外)有一共通特性：流經元件的電
流提高時，元件兩端的電壓降隨之提高或保持不變。是否有電流上升、電
壓卻不升反降的電子元件？隧道二極體(tunnel diode)就是一個難得的例
子。如圖 3-25 所示，隧道二極體的 V-I 曲線中有一段區間的斜率是負值。
當外加電壓落在這個區間時，隧道二極體可視為一個負的電阻。一般(正)
電阻有消耗電能、使系統趨於穩定的作用(例如使振盪訊號衰減，如同機械

I
負斜率

(a)元件符號 (b)電壓與電流關係曲線

圖 3-25：隧道二極體

阻尼)，而負的電阻則可能使電路中訊號的振盪幅度加大。因此，隧道二極
體可應用於高頻的 LC 振盪電路中，利用二極體的負電阻與 LC 電路中原
本存在(不可避免)的電阻互相抵銷，藉此產生持續、穩定的正弦波。

56
雷射二極體
雷射二極體(Laser diode)又稱為半導體雷射(semiconductor laser)，與
LED、光二極體、與光電晶體同屬光電元件(optoelectronic devices)。雷射
二極體與 LED 同樣在導通時發光，兩者的元件符號也相同，但是雷射二極
體所發出的光線是一種單色(單一波長)的同步光(coherent light)，也就是所
發出的光波均為同相(in phase)，因此光束非常集中，可傳播長距離而不發
散，而且能量密度極高(不可直射眼睛！)。雷射二極體通常與光二極體合
用(前者發射訊號、後者接收訊號)，可應用於光纖通訊以及精密測距儀器
中，而目前用量最多的地方大概就是在雷射印表機、數位雷射唱盤、影碟
機、與光碟機中了。

57
4 電晶體

電晶體(transistors)是電流的閘門，可用來放大、控制、與產生電的訊
號，它有三個端子：電流入口、電流出口、以及一個調節流道大小的控制
端子。如同汽車的油門或是液壓系統的比例閥，電晶體控制端的訊號強度
可能遠比輸出訊號微弱；換句話說，透過電晶體可以利用小訊號控制大訊
號(四兩撥千斤)，因此電晶體是一種主動元件30(active device)。

電晶體的前身是真空管(vacuum tubes)31，兩者相比，電晶體的體積、
耗電、與發熱量均遠較真空管小，使用壽命也較真空管長久，因此真空管
在大多數的應用領域中早已被電晶體取代。不過，老兵不死，在高輸出功
率與高頻(1000 MHz 以上)電路中，真空管仍然佔有一席之地。

電晶體最可貴之處是可積體化：複雜、高性能的電路得以結晶在一小
片 IC 中，取代複雜的傳統離散電路，無數優秀工程師的經驗與心血因此
能夠輕易、有效的傳承，加速電子技術的改良、創新、與推廣，電子產品
也逐漸變得短、小、輕、薄。電晶體的發明32，引發了第二次工業革命，
也將這個世界推向嶄新的電子時代！

要精確描述電晶體的特性並不容易，還好獨立的電晶體多半用來提昇
IC 的輸出電流或功率，以及當作數位式的電子開關使用。這些應用在實務
上相當重要，但是分析或設計時只需掌握電晶體的基本特性，並不需要引
用精確複雜的電晶體模型。

30
前面介紹的電阻、電容、電感、二極體等屬於被動元件(passive device)。
31
早期的無線廣播系統、收音機、電話與電報系統、以及電視機等主要使用真空管做為訊號放
大的元件；世界上首部數位電子計算機(電腦)也是由真空管做成，最著名的真空管電腦叫
“ENIAC”(Electronic Numerical Integrator and Computer)，於 1946 年完成(根據"electronics"
Encyclopedia Britannica Online.)。
32
電晶體在 1947 年由美國貝爾實驗室的三位科學家(John Bardeen, Walter Brattain, and William
Shockley)發明，他們後來因此獲得諾貝爾物理獎(1956 年)。第一個積體電路於 1958 年由德州儀
器的 Jack Kilby 發明，他雖然不是物理學家，卻因為這項影響深遠的發明，獲得 2000 年的諾貝
爾物理獎。積體電路的發明者其實有兩位，另一位是 Robert Noyce，他所設計的積體電路比 Kilby
略晚發表，但更容易製作。由於 Noyce 較早過世，而諾貝爾獎只頒發給在世者，因此無緣獲此
殊榮。不過，Kilby 並未因發明 IC 而致富，而 Noyce 後來參與創立 Intel，直接受益於此項發明。

58
 4.1 基本特性

電晶體有三個端子(見圖 4-1)，分別叫做集極(collector, C 極)、射極

(emitter, E 極)、與基極(base, B 極)。我們利用圖 4-2 說明電晶體的基本特
性：

(1) 當 VCE > 0 時(亦即 VC > VE)，則 IC = βdcIB，其中βdc 一般介於 30 至 300

之間。

RC

RB C IC
C B
IB VCC
B E
VBB IE
E

圖 4-1：npn 電晶體 圖 4-2：測試電路

(2) 若 VC < VE，則集極電流截止(電晶體不導通)。

(3) B 極與 E 極之間相當是一個二極體，因此導通時有大約 0.7 V 的電壓

降(VBE=0.7 V)。

(4) 因為 IE = IB + IC，由(1)得知 IC>>IB，因此 E 極電流值約等於 C 極電流

值(IC ≅ IE)。

特性(1)是電晶體成名的關鍵！簡單的說，當 B 極電流(IB)大於 0 時，有

數十倍至數百倍的電流(IC)流進 C 極；利用電晶體，我們可用小電流控制
大電流！

圖 4-2 中，VBB 需大於 0.7 V 才可使基極電流流動(根據特性(3))，此時

VBB − 0.7
IB =
RB

由特性(1)可求得 IC = βdcIB，根據歐姆定律進而求得 VC = VCC-RCIC。因為

VE=0，所以 VCE= VC-VE= VC。

59
問題
4-1 圖 4-2 中，若 VCC= 20 V，VBB= 5 V，RC= 200 Ω，RB=1 kΩ，βdc=100，
則 IC 與 VCE 各為若干？
4-2 圖 4-2 中，若 VBB= 0，則 VCE 應為若干？
4-3 圖 4-2 中，當 VBB 增大時，VCE 隨之增大或減小？

4.2 電流增益與達靈頓電晶體

βdc 稱為電晶體的(直流)電流放大率，或是電流增益(current gain)。注意

一般電晶體的規格表(data sheet)上很少看到βdc 這個符號，而是以 hFE 代表
電流增益。電晶體按照其額定消耗功率可區分成「小訊號電晶體」(small
signal transistor)與「功率電晶體」(power transistor)。小訊號電晶體 C、E
極之間所能承受的功率33在 0.5 W 以下，而功率在 0.5 W 以上者稱為功率
電晶體。小訊號電晶體較為靈敏，也就是電流增益較大，βdc 值介於 100
至 300 之間。功率電晶體粗壯可嘉，靈敏度卻嫌不足，βdc 值大多介於 30
到 100 之間。有何辦法，可提高電晶體之電流增益呢？

方法是將兩顆電晶體串接，如圖 4-3。這種電晶體組態，稱為達靈頓
(Darlington)組態，而這兩顆電晶體也可稱為一組「達靈頓電晶體」
(Darlington transistor)。達靈頓電晶體的電流增益值是兩顆電晶體βdc 值的乘
積：前一顆電晶體(Q1)一般是小訊號的電晶體，放大倍率較大；後面一顆
電晶體(Q2)則為功率電晶體，如此可承受較大電流。

C IC1 IC

B IC2
IB Q1
Q1 Q2 Q2

圖 4-3：達靈頓電晶體 圖 4-4：達靈頓的電流增益

問題

4-4 圖 4-4 中，若 Q1 的βdc 值為 200，Q2 的βdc 值為 50，則 IC1 與 IB 的比

值為若干？IC 與 IB 的比值若干？

33
電晶體的消耗功率(power dissipated)約等於 ICVCE，此功率以熱的形式散失。

60
 βdc 的大小實際上很難精確掌握，不僅不同型號的電晶體大小不同，即
使同一個型號的電晶體彼此的βdc 值也有差異；更重要的是，βdc 會隨操作
電壓(VCE)與操作電流(IC)改變而有所變化，而且與溫度也有關聯(電晶體溫
度愈高，βdc 愈大)，甚至會隨時間變化。既然βdc 如此難測，我們如何能準
確控制電晶體的輸出電流(IC 或 IE)呢？以下會有解答。

200 Ω

1 kΩ C IC
B
βdc=100 15 V
IB
E
VBB

圖 4-5：電晶體的飽和

4.3 電晶體的飽和與截止

圖 4-5 中，將 VBB 調整至 3 V，求得

3 − 0.7
IB = = 0.46 (mA)
5000

I C = 0.46 × 100 = 46 (mA) = 0.046 (A)

VCE = 15 − 0.046 × 200 = 5.8 (V)

同理，當 VBB = 4 V，求得 IB = 0.66 mA，IC = 66 mA，VCE = 1.8 V。因此，

IB 愈大，IC 愈大，VCE 隨之降低。是否 IB 增大，IC 必然按照比例增加呢？
答案是否定的。當 IC 遞增時，根據歐姆定律 VCE 必然遞減，而 4.1 節的電
晶體特性(1)與(2)中載明 VCE 必須大於 0，IC 才會隨 IB 增大而按照比例增
大；當 VCE 降為 0 時，即使再將 IB 提高，IC 也不再增加；這時我們稱此電
晶體已經達到飽和(saturated)狀態。換句話說，當電晶體飽和時，IC 達到最
大值，而 C 極與 E 極之間相當於短路34。

34
時際上飽和時 VCE 會略大於 0 伏特(一般約為 0.4 V)，但是將 VCE 視為 0 是相當不錯的近似。

61
 如何判斷電晶體是否飽和？方法是先假設電晶體「未」飽和，然後根
據特性(1)求得 IC，再檢查 VCE 是否大於 0，若是，表示電晶體未飽和；若
否，表示假設錯誤，實際上電晶體已經飽和。

例如，圖 4-5 中，若 VBB = 5 V

5 − 0.7
IB = = 0.86 (mA)
5000

假設電晶體未飽和，根據特性(1)可求出集極電流為

I C = 0.86 × 100 = 86 (mA) = 0.086 (A)

因此

VCE = 15 − 0.086 × 200 = −2.2 (V) (4-1)

(4-1)顯然是個不可能的答案！雖然我們得到一個錯誤的結果，但是「功不
唐捐」
，此謬誤的答案證明了前面「電晶體未飽和」的假設是錯的，我們
可確定電晶體應處於飽和狀態！換句話說，VCE = 0，因此

15 − 0
IC = = 75 (mA)
200
由上面的例子可看出：當電晶體飽和時，集極電流大小與βdc 無關。如
前節所述，βdc 是個不確定的數值，但是只要電晶體處於飽和狀態，我們還
是可以確定 IC 的大小。 βdc 愈大，電晶體愈容易進入飽和區(為什麼？)；
對於 βdc 而言，
「數大就是美」
，至於確切的數值在實際設計上並不重要。

問題
4-5 不要重新計算，回答下面問題：圖 4-5 中，(A)若 VBB= 10 V，則 VCE
與 IC 各為若干？(B)若βdc = 200 (VBB= 10 V)，則 VCE 與 IC 各為若干？(提
示：判斷電晶體是否飽和？)

圖 4-5 似乎只是個入門電路，實際上卻十分有用！此電路稱為基極偏
壓(base biased)電路。實務上，大多數的基極偏壓電路只操作在兩個狀態—
飽和(短路)與截止(開路)：
VBB 為 0，此時 IB= 0，因此 IC = 0，電晶體在截止狀態，相當於開路(圖 4-6a)。
VBB 大於某個電壓值，使電晶體處於飽和狀態，此時電晶體相當於短路(圖

62
4-6b)。
如圖 4-6 所示，基極偏壓電路相當是個開關(switch) —電子開關。利用
這種電子開關，小輸出電流或電壓的控制電路(例如邏輯電路與微電腦)可
以輕易的驅動高功率的負載(例如馬達、加熱器、大燈泡、繼電器等)；另
外，電子開關也適合使用有線或無線的訊號進行遙控。

VCC VCC VCC VCC

負載
負載

負載

負載
C C C C
VBB VBB
(0) E (高電位) E
E E

(a)open (b)closed

圖 4-6：電子開關

問題
4-6 比較電晶體開關與機械開關的異同。(提示：除了操控方式不同外，比
較電源種類的限制、負載位置的限制、以及切換速度等)

4.4 電子開關

本節探討數種基極偏壓電路的應用實例，這些電路中電晶體均當作電
子開關使用，也就是只有關與開(On-Off)兩個狀態，因此也可叫做數位開
關(digital switch)。

63
 5V

5V
200 Ω

LED
ILED 200 Ω

LED
100 kΩ
2N3904

1 kΩ
VIN 110 V
2N3904

圖 4-7：LED 驅動
圖 4-8

LED 驅動電路
圖 4-7 中，只要 VIN 大於 2 V，電晶體即達飽和狀態(假設βdc 大於 20)，
此時電晶體相當於短路，流過 LED 的電流為
5−2
I LED = = 0 . 015 ( A)
200
其中 2 V 為 LED 的電壓降。如果 VIN 小於 0.7 V，則電晶體相當於開路，
因此 LED 的電流為 0。此電路適合當作邏輯電路(包括微處理機)的介面電
路，因為一般邏輯 IC 的輸出電流很小，無法直接驅動 LED(更不用談其他
較大功率的負載)，一顆小型的電晶體(例如 2N3904)可確保高電位時 LED
發出亮光。
除了可將小訊號放大之外，圖 4-7 也可將大訊號「縮小」 。例如，VIN 若等
於 20 V，LED 的電流仍然為 15 mA；因此這個電路可確保輸入電壓即使在
相當大的範圍之內變化，LED 仍有固定電流流過。若將 B 極電阻加大，此
電路還可接 110 V 的交流電，如圖 4-8 所示，其中二極體是要保護電晶體
的 B 與 E 極之間不被太大的逆向偏壓打穿。(第三章中我們曾經介紹另外
一種以交流電源直接驅動 LED 的電路，見圖 3-14。)

問題
4-7 圖 4-8 中，如果拿掉二極體，基極與射極之間最大的逆向偏壓若干？

繼電器與電磁閥驅動電路
單獨一個電晶體只能讓電流單向流通，而繼電器(relay)可驅動交流與
直流負載。利用電晶體可協助邏輯 IC 推動繼電器，如圖 4-9 所示。因為繼

64
電器中的線圈具有電感，因此圖 4-9 中加入一顆二極體保護電晶體，防止
電流截止時電晶體的集極產生瞬間高壓(記得流過電感的電流有相當的「慣
性」，當電流突然截止時，電感兩端會產生瞬間高電位差，見 1.4 節)。電
晶體截止時，線圈的電流會從二極體回流，因此線圈電流需要一短暫時間
才會完全靜止。圖中的二極體因為可在電晶體截止的瞬間供線圈電流回
流，因此可稱為「回流二極體」(flyback diode)，另外，此二極體因為具有
(短暫)保持電流的作用，與汽車引擎中用來穩定速度的飛輪(flywheel)類
似，所以又稱作「飛輪二極體」(flywheel diode)35。

負載(例：AC 馬達)

繼電器
110 V

+12 V

邏輯 IC

圖 4-9：繼電器驅動

除了繼電器外，驅動油氣壓閥門的電磁線圈(solenoid)，也可用類似圖
4-9 的電路激磁。

更大的輸出電流
單一電晶體的電流放大倍率有限，當輸入訊號的電流值很小時，只用
一顆電晶體並不能驅動大功率的負載。例如，圖 4-9 中，如果邏輯 IC 的輸
出電流最大為 1 mA，而電晶體的βdc 為 50，則集極電流最大只能 50 mA，
飽和時電流更小(為什麼？)。如何讓此邏輯 IC 驅動更大電流的負載？方法
是利用 2.2 節中所介紹的達靈頓電晶體。達靈頓電晶體雖然由兩個電晶體
串接而成，但是使用時可視之為一顆高放大倍率的電晶體(實際上可買到達
靈頓模組，外觀上與一般電晶體完全相同)；達靈頓的電流增益值一般都在
2000 以上。除了放大倍率較高之外，達靈頓的基極與射極之間的電位降也

35
此處將電流保持一短暫時間並非加入二極體的目的，應該算是一種「副作用」
。下面介紹的直
流馬達驅動電路中，二極體的電流保持功能則具穩定馬達運轉的正面效果。

65
較大，約為 1.4 V。圖 4-10 中，達靈頓組態中加入一顆電阻可使電晶體截
止較為快速，一般達靈頓模組中均已內含此顆電阻。

+V

負載
達靈頓電晶體

圖 4-10：更大的電流增益

24 V (例)

+
VIN W
flywheel dc motor
5V
diode
-
0
VIN T
D (duty cycle) = W
T

圖 4-11：直流馬達驅動 圖 4-12：脈波寬度調變(PWM)

直流馬達驅動
圖 4-11 是一個直流馬達控制電路。因為馬達電樞具有電感，加入二極
體可保護電晶體(如同繼電器驅動電路)。由於電晶體只有兩個操作狀態：
飽和(短路)與截止(開路)，此電路似乎只能令馬達全速運轉或是停止，是否
能夠讓馬達有不同轉速呢？
方法是調整電晶體開關 On-Off 的時間比例，如圖 4-12。當輸入訊號高電
壓的時間增加時(W 調大)，加諸馬達的平均電壓提高，因此馬達的轉速也
較大。圖中 W 與 T 的比值稱為工作週期(duty cycle)，一般以百分比表示，
例如 50%的工作週期代表高、低電壓的時間剛好相等；100%的工作週期表
示輸入訊號保持高電位，因此電晶體一直處於導通(On)狀態。此種數位式
的控制方式稱為「脈波寬度調變」(pulse width modulation, PWM)，是電機
機械上經常使用的驅動方法，PWM 的優點稍後將進一步說明。為避免馬
達運轉時因為電晶體的間歇性開與關而振動，週期波的頻率不可太低36；

36
PWM 的週期應小於馬達的「時間常數」(time constant)，此常數主要受馬達轉子及其負載的慣
量影響，轉動慣量愈大，時間常數也愈大。

66
另外，為避免產生噪音，PWM 的頻率最好能在 10 kHz 以上，20 kHz 以上
更佳(人耳能聽到的音頻在 20 kHz 以下)，但需受限於電晶體的切換速度。

VCC

IC RC

VBB

IE
RE

圖 4-13：射極偏壓

4.5 射極偏壓與射極隨耦

圖 4-13 是另一種常見的電晶體偏壓電路。因為輸入訊號直接與基極相
連，而射極電壓與基極電壓相差約 0.7 V，因此射極電流可求得

VBB − 0 . 7
IE = (4-2)
RE

根據電晶體的特性(4)，IC ≅ IE，因此集極電流同時求得。由歐姆定律得

VC = VCC − IC R C

因此，C、E 極的電位差求得

V CE = V C − V E = V C − ( V BB − 0 . 7 )

這個電路中因為射極電流首先決定(4-2)，因此稱為射極偏壓(emitter
biased)電路。射極偏壓與前節介紹的基極偏壓電路不同之處在於：射極偏
壓電路中集極電壓明顯大於射極電壓(VCE > 0)，也就是說電晶體不是操作
在飽和區，而是活躍區(active region)。另一方面，此電路與飽和的基極偏
壓電路有異曲同工之處：IE 與 IC 不受 βdc 的確切數值影響(以上分析中未見
βdc 的蹤影)。這是否意味 βdc 的大小不重要？事實上，正因為 βdc 是個大數，
所以我們能用射極電流來近似集極電流(IC ≅ IE)；只要 βdc 夠大，它的確切

67
值就不重要了。

問題

4-8 圖 4-13 中，若 VCC= 20 V，VBB= 5 V，RE= 200 Ω，RC=300 Ω，則 IC

與 VCE 各為若干？

4-9 上題中，若 βdc=100，則 IB 為若干？將 IC 近似為 IE 的誤差多大？

VCC
ILED (10 V)

VIN
(5 V)
IE
200 Ω

圖 4-14：LED 驅動

射極偏壓電路也可做為 LED 的驅動開關，如圖 4-14，其中

5 − 0 .7
I LED ≅ I E = = 21 . 5 (mA)
200

VCE = VC − VE = (10 − 2 ) − (5 − 0.7 ) = 3.7 (V)

注意到 VCE 大於 0，因此電晶體所消耗的功率(以熱的形式散失)為

Pd = VCE IC = 3.7 × 0.0215 = 79.6 (mW)

問題
4-10 圖 4-14 中，若將 VCC 調高為 15 V，則流過 LED 的電流是否改變？
VCE 與電晶體所消耗功率是否改變？

68
 VCC VCC (20 V)

IIN
VIN VIN βdc=100
(10 V) VL
RL VL IL RL (20 Ω)

圖 4-15：射極隨耦 圖 4-16：輸入與輸出功率的關係

射極隨耦

圖 4-15 是一個與射極偏壓相關的電路，其中負載接至電晶體的射極，
因此輸出電壓為

VL = VIN − 0.7V

因為輸出電壓緊緊跟隨輸入電壓變化(兩者相差約 0.7 V)，所以稱為射極隨

耦器(emitter follower)。射極隨耦器的輸出電壓雖然比輸入電壓略小，但是
輸出電流卻遠大於輸入電流(兩者相差βdc 倍)，因此射極隨耦器有電流提昇
(current boosting)或是功率放大(power amplification)的作用。例如，圖 4-16
中，VL = 9.3 V，IL = 465 mA，而

IL
IIN = = 4.65(mA)
βdc

因此，輸出功率與輸入功率的比值為

POUT VLI L 9.3× 0.465

= = = 93
PIN VINIIN 10× 0.00465

換句話說，此射極隨耦器的「功率放大倍率」為 93；不過，此放大倍率除
了受βdc 影響外，也與負載的電阻值相關。

比較射極偏壓電路與射極隨耦器可以發現：射極偏壓電路是一個電壓
控制的電流源，而射極隨耦器則是個電壓源(大小同樣由輸入電壓決定)，
也就是說，射極偏壓電路的負載電流不隨負載大小改變而改變，而射極隨
耦器的負載電壓不隨負載電阻改變而改變，如圖 4-16 所示。(但是要注意

69
電晶體必須操作在活躍區，也就是 VCE 必須大於 0；而且實際上輸出電流
或電壓仍會隨負載大小改變而有些許變化，原因是 VBE 不是完全固定，而
會隨 IE 增加而略為增加—與二極體類似。)

VCC
VCC
V − 0.7
RL I L = IN
RE
VIN
VIN
VL = VIN − 0.7
RL
RE

(a)電流源 (b)電壓源

圖 4-16：電壓控制的電流源與電壓源

4.6 射極偏壓、基極偏壓、與 PWM

除了基極偏壓電路外，射極偏壓電路也可當作電子開關使用，例如圖
4-14 所示的 LED 驅動電路。比較圖 4-7 與圖 4-14 兩個電路可發現：在射
極偏壓電路中，當電晶體導通時因為處於活躍區，VCE 大於 0，因此電晶
體所消耗功率相當可觀；而基極偏壓電路導通時處於飽和區，因此 VCE 約
等於 0，截止時則 IC 等於 0，因此不論導通或是截止時電晶體所消耗的功
率均接近於 0。作為電子開關使用時，基極偏壓電路不僅較省電，電晶體
的負荷也較輕，因此，相較於射極偏壓，基極偏壓電路更適合驅動高功率
負載。

另一方面，射極偏壓電路可以當類比放大器，也就是說輸出電壓或電
流的值隨輸入電壓改變而按照比例增減；基極偏壓電路因為只有兩個輸出
狀態，因此輸出訊號的大小很難由輸入電壓的大小來控制。不過，利用 4.4
節所介紹的 PWM 方式，調整輸入訊號 On-Off 的時間比例仍可有效的控制
基極偏壓電路輸出訊號的大小。

對於機械元件，高頻的開關動作容易導致機械疲勞(fatigue)，因此一般
機械開關應避免高頻切換。電晶體正好相反，(圖 4-11 中)不論開或關，電
晶體所消耗的功率都很小，因此相較於射極偏壓方式，以脈波調變的方式

70
調整輸出量可大為減輕電晶體的負荷，增加其使用壽命。因此，大功率的
負載(例如交直流馬達、高功率的電源供應器等)常用 PWM 方式調控37。

5V

200 Ω
IE
E IB E ILED
B B
IC
C C

(a)元件符號 (b)導通時電流方向 VIN

圖 4-17： pnp 電晶體 圖 4-18：LED 驅動

4.7 pnp 電晶體

pnp 電晶體是與 npn 電晶體互補的元件，pnp 的導通時電流的方向與各

極間的電位差正負值與 npn 正好相反。正常導通時 pnp 各極的電流方向如
圖 4-17b 所示，此時 VBE 約為-0.7 V (VB <VE)，而且 VC≦VE (等號在飽和
時成立)。

圖 4-18 是另一種常見的 LED 驅動電路：當 VIN 為 0 時，VE = 0.7 V，電

晶體導通，此時 LED 的電流為

5 − 2 − 0 .7
I LED ≡ I E = = 23 (mA)
100

當 VIN 等於 5 V 時，電晶體截止(因為 E、B 極之間無偏壓)；事實上，VIN

只要大於 3 V，電晶體便無法導通。

問題

4-11 圖 4-18 的 LED 驅動電路屬於基極偏壓、射極偏壓、或是射極隨耦？

37
實際上 PWM 調控時電晶體仍可能發燙，這是因為電晶體飽和時 VCE 並不完全等於 0，一般會
大於 0.4V，而且隨 IC 增大而略為增加。另外，電晶體開與關之間會有一短暫時間處於活躍區(VCE
明顯大於 0)，因此仍會消耗功率；頻率愈大，耗電愈多。改善之道是選擇較高速的電晶體，讓
電晶體 on-off 切換時「乾淨俐落」。

71
 VCC

npn
VIN 導通
9V
10 kΩ B
RL
+

9V dc motor -VEE

- pnp
導通

圖 4-19：直流馬達正反轉控制
圖 4-20：推挽式射極隨耦器

pnp 電晶體經常與 npn 電晶體搭配使用。圖 4-19 是一個直流馬達正反

轉的控制電路，其中可變電阻是用來調整兩個電晶體基極的電壓：當 VB
大於 0.7 V 時，npn 電晶體導通，馬達正轉；當 VB 小於-0.7 V 時，pnp 電
晶體導通，馬達反轉；當 VB 介於-0.7 V 與 0.7 V 之間時，兩個電晶體均截
止，馬達停止。此電路不僅可控制馬達的旋轉方向，還可調整馬達的轉速。
此電路中可變電阻只是要調整馬達的輸入電壓，流過電阻的電流很小，因
此可選用小功率的元件；兩個電晶體則要承受較大電流，因此需選用功率
電晶體。這也是一個小訊號控制大訊號的例子。

圖 4-19 中，負載(直流馬達)接至兩個電晶體的射極，因此是個射極隨
耦的組態。因為 npn 導通時，電流由上而下流過負載，如同將電流「推壓」
下來；pnp 導通時，電流由下而上，如同被「拉挽」上來，因此又稱為「推
挽式射極隨耦器」(push-pull emitter follower)，見圖 4-20。如 4.5 節所述，
射極隨耦器並無電壓放大作用，但是有電流提昇的功能。另外，圖 4-19
或圖 4-20 中輸出電壓可在一段區間中連續變化，所以電晶體在此並不是當
作數位開關使用，而是一個類比放大器(analog amplifier)。

72
 9V 9V
10 kΩ 10 Ω
+ +
9V dc motor
9V dc motor

- -

(a)馬達電流太小 (b)可變電阻過熱

圖 4-21：只用可變電阻控制馬達

只用可變電阻而不使用電晶體是否也可以控制馬達的轉速與正反轉
呢？圖 4-21 就是一個例子。比較圖 4-19 與圖 4-21 我們可更進一步體會射
極隨耦器的功用：圖 4-21 中，如果使用較大的可變電阻(圖 4-21a)，輸出
電流將變得很小；使用小的可變電阻(圖 4-21b)，電流雖可提高，但是可變
電阻本身卻要承受相當大的功率(很燙！)，一般可變電阻可能無法負荷38。
因此圖 4-21 只適用於小功率(大電阻)的負載，對於較高功率的負載，則需
藉助射極隨耦器做為輸入與輸出訊號之間的緩衝(buffer)39，或是利用 4.5
節介紹的 PWM 方式調控。

相較於圖 4-21b，圖 4-19 的電路還有一項優點：省電。例如，當可變電

阻調到正中央時，兩個電路中的馬達均不轉動。此時，圖 4-21b 中的電源
持續輸出 1.8 安培的電流；圖 4-19 中，電源輸出電流只有 1.8 毫安培！

4.8 電晶體模組與陣列 IC

選擇電晶體主要的考慮因素為：電晶體截止時需承受多大電壓？導通
時的需通過多少電流？電晶體最大能消耗多少功率？電晶體的放大倍率
(電流增益)若干？切換速度是否夠快？市面上有需多獨立的電晶體可供選
擇。不過，由於積體電路技術日益精進，實際應用時可先考慮是否有合適
的電晶體模組或是 IC 可運用。當需要同時使用多個電晶體時，IC 化的電
晶體陣列具有體積小、放大倍率高、內含基本的保護電路、切換速度快、

38
一般可變電阻無法承受大功率，而廉價、高功率的電晶體則是非常普遍，詳見 4.9 節。
39
緩衝器的觀念將於後面介紹運算放大器時進一步探討。

73
效率高、使用方便等優點。常用的 IC 取得容易，高貴不貴，可簡化設計
工作並降低製作成本。以下介紹幾種常用的功率電晶體模組與陣列40。

開集極的電晶體陣列(槽)

2803 是一個常用的電晶體陣列(transistor array)(圖 4-22)，內含 8 組獨

立(但需共地)的電晶體，因為每組電晶體都是達靈頓架構，因此放大倍率
(電流增益)可達 1000 倍以上，也就是說輸入電流可以很小，適合連接 TTL41
或 CMOS42等邏輯 IC。2803 內部包含保護二極體，可防止電感性負載切換
時產生高壓突波(詳見 4.4 與 1.5 節)，因此可直接驅動繼電器、電磁線圈、
步進馬達、直流馬達等，也可用來驅動 LED、小燈泡、加熱器等。一顆
ULN2803 的價錢約為 NT20 元。

8 11
8 11

10

10
11
8

圖 4-22：ULN2803，右圖是每一組達靈頓電晶體的等效電路。

2803 每組電晶體最大的輸出電流為 500 mA(廠商建議值為 350 mA)，

截止時電晶體可承受高達 50 V 的電壓，不過要注意適當散熱(IC 的溫度不
可超過 85℃)；當多組電晶體同時導通時，IC 所能流過的最大總電流並非
500 mA 的倍數，例如，若 8 組電晶體同時導通，最大連續電流約為 1.2 A(不
是 4 A！)。但是若能降低電晶體的工作週期(duty cycle)，輸出電流可大幅
提昇，例如當工作週期為 20%時，8 組電晶體並聯所能流過的瞬間電流可
達 4 A。2803 這顆 IC 有多家廠商製造，包括 Allegro Microsystems, On

40
若要取得這些 IC 的完整資訊，見 7-4 節：公開的技術秘笈。
41
TTL(transistor-transitor logic)是由電晶體做成的數位邏輯 IC，屬於較早期發展的族系，有逐漸
被 CMOS 取代的趨勢。
42
CMOS 是由場效電晶體構成的數位邏輯 IC，下一章有較詳細說明。

74
Semiconductor, Texas Instruments Semiconductor…，是一顆非常容易取得的
IC。

2803 的接腳 1~8 為輸入端，11~18 為輸出端，接腳 9 需接地，接腳 10

接至正電壓源，用以限制電晶體的集極電壓。值得注意的是，負載的一端
與電晶體的集極相連，另一端則需接至正電壓源(最大 50 V)，這種 IC 架構
稱為開集極(open collector)，見圖 4-23。因為導通時負載電流流入 IC 中，
因此這種晶片又稱為電流的槽(sink)。

Out RL
V+
In

IC

圖 4-23：開集極架構

2803 適合擔任 5 V 的邏輯 IC 與負載之間的緩衝器，如果輸入端的電

壓較高(6~15V，某些 CMOS 或 PMOS 邏輯元件的操作電壓較高)，可選用
2804；若是負載的電壓超過 50 V，可選用 2823，此顆 IC 可承受 95 V 的電
壓。

除了 2800 系列外，還有許多類似架構的電晶體陣列。例如，UDN2597 同樣
內含 8 組開集極的電晶體，但是輸出電流較高，每組電晶體最大可承受 1 A 電流
(建議值為 750 mA，而且多組並聯使用時，每組可承受的電流會下降)。不過此
顆 IC 不如 2803 常用，較難取得。

射極隨耦陣列(源)

與開集極相對的元件是射極隨耦的架構，此種 IC 的輸出端是電晶體
的射極，如圖 4-24 所示。UDN298x 系列(2981~2984)IC 是一個例子(見圖
4-25)，這顆 IC 與 2803 同樣有 8 組達靈頓模組，額定值也與 2803 類似，
不同的是 2981 負載的一端接地，因此電流流出 IC，因此稱為電流的源頭
(source)43。如果負載的一端需接地，可選用此種 IC。

43
注意這與電流源(current source)不同，電流源的輸出(不管流進或流出)的電流不隨負載大小改

75
 V+

In

Out

IC RL

圖 4-24：射極隨耦架構

VS
Input Output

Input
Output

GND

圖 4-25：ULN298x(2981~2984)，右圖是每一組驅動器的等效電路。

橋式電路

前面兩種電晶體模組的電流都只能單方向流動，如果負載電流需雙向
流動(例如直流馬達正反轉驅動)，則可選用橋式(bridge)電晶體模組，此種
IC 同時具有電流的「槽」與「源」(source and sink)的功能。橋式電晶體架
構如圖 4-26 所示，當 Q1 與 Q4 導通時，電流由左至右流動，此時 Q1 為「源」
；當 Q2 與 Q3 導通時，電流由右至左流動，此時 Q2 為「源」Q3
Q4 為「槽」
為「槽」。一般橋式電晶體模組可由邏輯 IC 驅動，L293B 是一個例子(圖

變而改變，而此種 IC 的電流隨負載增大而減小(負載的電壓固定)。

76
4-27)。L293B 有四組獨立的推挽式驅動器，電流可流進(sink)或流出(source)
每個輸出接腳，額定值為 1A(瞬間值可達 2A)，額定電壓 36V，並具過熱
保護機制。此顆 IC 相當常用，價錢約 2 塊美金(國內可買到)，適合驅動直
流馬達或是步進馬達(雙極驅動44)。另外，驅動較小負載時可使用 L293D，
這個型號的額定電流是 0.6A(瞬間電流可達 1.2A)，雖然功率較 L293B 小，
但是內部已包含防突波的二極體(293B 沒有)，可直接外接電感性負載。

V+

Q1 Q2
RL

Q3 Q4

圖 4-26：橋式電路

圖 4-27：L293B

44
Bipolar driver，2 相步進馬達的驅動方式之一，此種驅動方式電流可流進或流出每個線圈。另
外一種驅動方式稱為單極性(Unipolar)驅動，線圈電流只有單一方向，可使用 2803 當驅動器。

77
 4.9 功率電晶體

前一節介紹的 IC 的總輸出電流可達 1A 以上，負載電壓也可達數十伏

特，稱得上是「功率」(power45) IC。然而，獨立的功率電晶體可承受更大
的電流和電壓，以下介紹幾顆常用的功率電晶體與功率達靈頓(Power
Darlington)。

2N3055 與 MJ2955 分別是 npn 與 pnp 型的功率電晶體，兩者特性相當，

常搭配使用。2N3055(或 MJE2955)的集極電流最高可達 15 安培，VCE 最高
可達 60 伏特，最大消耗功率(IC 與 VCE 的乘積)為 115W (此時須適當散熱，
讓集極的溫度保持在 25℃以下，否則每上升 1℃，電晶體所能承受的功率
就下降 0.65W)。由於 2N3055 與 MJ2955 相當普遍，因此售價便宜，每顆
約 NT25 元。2N3055 與 MJ2955 的詳細規格表可至www.onsemi.com或
www.st.com下載。

MJ15015(npn)與 MJ15016(pnp)的特性和 2N3055 及 MJ2955 類似，最

高電流同樣可達 15 安培，但是能夠承受的電壓是 2N3055 的兩倍，VCE 最
高可達 120V；所能承受的功率也較高，可達 180W(須適當散熱)。

功率電晶體雖然強力，但是放大倍率卻不如低功率的小訊號電晶體。
例如，2N3055 的電流增益(βdc)介於 20 至 70 之間46，而 2N3904(常用的小
訊號電晶體)則介於 100 至 300 之間47。是否能找到高放大倍率的功率晶
，如 TIP102 與 TIP107，前者為 npn 型，後者為
體？答案是「功率達靈頓」
pnp 型。功率達靈頓內部相當是一個小訊號電晶體串接一個功率電晶體，
外觀則與一般功率電晶體相同。TIP102(或 107)的電流增益介於 1000 至
20000 之間48，集極電流可達 8 安培，C、E 間的電壓最高可達 100V，消耗
功率最高 80W49。詳細規格表可至www.fairchildsemi.com或
www.onsemi.com下載。

45
在此“Power”譯成「強力」或許更貼切。
46
當 IC = 4.0 A, VCE = 2.0 V。
47
當IC = 10 mA, VCE = 1.0 V。
48
當 IC = 3A, VCE = 4 V。
49
此時集極的溫度必須保持在 25℃以下。

78
 功率電晶體或是功率達靈頓常以 TO-3 與 TO-220 兩種包裝出現，如圖
4-28。圖 4-29 是 TO-92 的包裝，主要用於低功率的小訊號電晶體，如 2N3904
(npn)、2N3906 (pnp)、或是 2N2222 (npn)等。

2
1
1. Base, 2. Emitter, CASE: Collector. 1. Base, 2. Collector, 3. Emitter.

圖 4-28：功率電晶體的外觀；左圖為 TO-3，右圖為 TO-220 包裝。

圖 4-29：小訊號電晶體常用的 TO-92 包裝。

79
5 場效電晶體

場效電晶體(field effect transistor, FET)與一般電晶體同樣是三端子元

件，兩者功能類似：一般電晶體可做類比放大器、數位開關、邏輯閘等，
場效電晶體也有相同的應用。為了區別這兩種電晶體，一般(npn 與 pnp)
電晶體又稱為 BJT(bipolar junction transistor, or bipolar transistor)50。FET 與
BJT 在許多應用中可互相替代，可說是兩種相互競爭的元件；另一方面，
FET 與 BJT 各有所長，也各有缺憾，因此兩者也常搭配使用，彼此截長補
短，相輔相成。

場效電晶體的種類很多，有 JFET、空乏型 MOSFET、增強型 MOSFET

等，而且依照極性不同又有 n-channel 與 p-channel 之分(如同 npn 與 pnp 電
晶體)。其中最為常見的場效電晶體是「增強型」MOSFET(enhancement mode
MOSFET, 簡稱 E-MOS)，因此我們首先把焦點放在增強型 MOSFET 上，
介紹其基本特性與應用電路。稍後將比較 MOSFET 與 BJT 的性能差異，
並介紹另外一種場效電晶體– JFET。最後介紹一個由 BJT 與 MOSFET「混
種」的新型元件– IGBT。

5.1 MOSFET

增強型 MOSFET(以下簡稱為 MOSFET)的元件符號如圖 5-1 所示，三

個端子分別稱為：汲極(drain, D 極)、源極(source, S 極)、閘極(gate, G 極)。
MOSFET 的 D、S、G 極分別與 BJT 的 C、E、B 極相當。

50
npn 與 pnp 電晶體因為導通時有兩種載子(電子與電洞)流動，因此稱為 BJT。

80
 D

圖 5-1：MOSFET 元件符號
(增強型、n-channel)

MOSFET 與 BJT 最主要的差異是：MOSFET 的閘極與源極(或是閘極

與汲極)之間幾乎是絕緣狀態(由元件圖可想見)，因此當 G、S 極之間施加
直流偏壓時，閘極電流為零(IG = 0)51。相較於 BJT，這也是 MOSFET 最受
稱道的優點！至於閘極與其他兩極絕緣的好處稍後將詳述。MOSFET 導通
與否並非由閘極電流控制，而是取決於閘極與源極之間的電位差(VGS)，因
；而 BJT 因為 IC 大小由 IB 決定，
此一般稱 MOSFET 為「電壓控制元件」
因此稱為「電流控制元件」52。

N-channel MOSFET 導通的條件如下：

(1) VD ≥ VS。

(2) VGS 大於某個門檻電壓(threshold voltage)。

RD ID

D ID

VDD
S
VGS
VGS
0 VTH VGS(ON)

(a)測試電路 (b)汲極電流與閘-源極電壓關係

圖 5-2

圖 5-2a 是一個常見的 MOSFET 應用電路，其中 ID 與 VGS 的關係曲線

如圖 5-2b 所示：當 VGS 大於 VGS(TH)(門檻電壓)時，電晶體導通，而且 ID

51
閘極與源極之間可看做一個小電容，因此對於高頻訊號來說，仍然有電流流動。
52
事實上 BJT 的基極與射極之間需有偏壓(電位差)才會導通，不過導通時 VBE 的大小變化不大。

81
隨 VGS 增大而以拋物線的趨勢增加。另一方面，隨著 ID 上升，VD 逐漸下
降(為什麼？)，當 VD 接近 0 時，ID 就不再增加(否則違背條件(1))。

MOSFET 如同 BJT 一樣可區分成幾個不同的操作區域。當 ID 與 VGS

呈拋物線的關係時(此時 VD 明顯高於 VS)，我們稱 MOSFET 處於活躍區
(active region)；當 VD 十分接近 VS 時，MOSFET 則處於歐姆區(Ohmic
region)，類似 BJT 的飽和區，此時 ID 不再隨 VGS 增加而增加。

圖 5-2a 與 npn 電晶體的基極偏壓電路相似，一般用來當作電子開關使

用。作為電子開關時，MOSFET 只有兩個切換狀態：一為 VGS < VGS(TH)，
此時電流截止，汲極與源極之間相當是個開路(圖 5-3)；另一個狀態則是
VGS 等於(或大於)VGS(ON)，此時汲極與源極之間可視為短路(VDS ≅ 0)，更精
確的說，此時 D、S 極之間相當是個小電阻(RDS(ON))，如圖 5-4 所示。

VDD VDD

RD RD

D
D

VG S
S
(0)

(a)VGS=0 (b)等效電路

圖 5-3：MOSFET 截止

VDD VDD VDD

RD RD RD
ID ID ID
D D
D
RDS(ON)
VG
S S S
(=VGS(ON) )

(a)VGS 高電位 (b)近似模型 (c)更精確模型

圖 5-4：MOSFET 導通

82
 例如，圖 5-5 中，若 VG = 0 (因 VS = 0，所以 VGS = VG)，則 ID = 0，因
此 VD = VDD，VDS = VD = 20 V。若 VG = 5 V，此時 MOSFET 可視為一個 2 Ω
的電阻，因此

20
ID = = 0.196 (A)
100 + 2

2
VDS = 20 × = 0.392 (V)
100 + 2

ID RD
VDD (20 V)
100 Ω
D
VGS(ON) = 5V
VG ID(ON) = 1A
S RDS(ON) = 2Ω
VGS(TH)= 1V

圖 5-5

圖 5-5 中，ID(ON)是指當 VGS = VGS(ON)時，汲極電流(最大)可能的值：降

低 RD，則 ID 增加，但是上限為 ID(ON)。換句話說，只要汲極電流小於 ID(ON)，
則 D、S 極之間可看做是一個小電阻。

問題

5-1 圖 5-5 中，若 VG = 5 V，RD = 50 Ω，則 ID 與 VDS 各為若干？

圖 5-5 與 BJT 的基極偏壓電路類似，同樣可當電子開關使用，但有下

列差異(參考圖 5-6)：

(1) MOSFET 的閘極不需接電阻調節閘極電流(因閘極與源極絕緣)。

(2) 導通時 BJT 的 C、E 極之間或是 MOSFET 的 D、S 極之間都可近似為

短路狀態(VCE ≈ 0，VDS ≈ 0)，實際上 VCE 與 VDS 均略大於 0：VCE 與 VDS
的值均隨 IC 或 ID 增加而略增，而 MOSFET 的 VDS 與 ID 的關係較為線性，
因此導通時(且 VDS 接近於 0 時)D、S 極之間相當是個小電阻。換句話

83
 說，導通時，相對於 BJT 處於飽和區，MOSFET 則處於「歐姆區」(VDS
與 ID 成正比)。

(3) 對於 MOSFET，因為 IG = 0，所以 IS = ID；而 BJT 中，IB 通常很小卻不

為 0，所以 IE 雖與 IC 十分接近，但是並不相等。

VDD VCC
導通時處於
導通時處於
ID RD 「飽和區」 IC RC
「歐姆區」，相
D C
當是個小電阻
VIN
VIN
S (高電位) E
(高電位)

(a)MOSFET (b)BJT

圖 5-6：歐姆區與飽和區

圖 5-5 中，MOSFET 導通時(VGS=VGS(ON))，ID 的大小與負載電阻 RD 有

關，RD 愈小，ID 愈大。但是設計時 ID 的計算值應避免超過 ID(ON)，否則電
晶體可能脫離歐姆區，此時 D、S 之間不能近似為短路，因此實際的電流
將小於計算值(與 BJT 的情況類似)。例如圖 5-5 中，若 RD=10 Ω，則

20
ID = = 1.96 (A) (5-1)
10 + 2

(5-1)式成立的條件是電晶體處於歐姆區，但是因為此計算值明顯大於
ID(ON)，電晶體應已脫離歐姆區，所以(5-1)式並不成立。

如果需要更大的輸出電流(大於 ID(ON))，可提高 VGS，但須注意不可超

過容許的最高電壓。

問題

5-2 圖 5-5 中，當電晶體導通(VGS=VGS(ON))時，如果汲極電流不能超過

ID(ON)，則 RD 最小可為若干？

84
 5.2 源極隨耦器

前節介紹的電路中 MOSFET 所驅動的負載接至汲極，因此負載是在浮

接(floating)狀態。是否可將負載的一端接地呢？方法是由源極輸出，如圖
5-7 所示，此電路稱為源極隨耦器(source follower)。

圖 5-7 中，當 VG= 0 時，電流截止；當 VG=VDD 時，MOSFET 導通，

此時 VGS=VDS，而 IS 愈大(RL 愈小)，VGS 也必然愈大(記得 MOSFET 是電壓
控制的元件，電流大小由 VGS 決定53)。與前節電路不同的是，源極隨耦器
導通時 MOSFET 並不是處於歐姆區，而是在活躍區(active region)，此時輸
出電壓隨輸入電壓(VG)增加而增加(顧名「隨耦」器)。

如果輸入訊號的電壓值較小，無法直接驅動源極隨耦器時(閘極電壓必
須高於源極電壓)，可配合前節之電路設計兩級的電子開關，如圖 5-8。圖
中當 VIN = 0 時，Q1 截止，I1 = 0，因此 VA=VDD，Q2 導通；VIN 為高電位時
(例如 5 V)，Q1 導通，VA ≈ 0，因此 Q2 截止。利用這種電路，控制訊號(VIN )
可來自一般邏輯 IC 的輸出。

VDD VDD
D
I1
Q2
VG G A
S
IS
RL VIN Q1 RL

圖 5-7：源極隨耦器 圖 5-8：兩級電子開關
問題

5-3 圖 5-7 與何種 BJT 電路類似？

53
但是在歐姆區時，ID 或 IS 與 VGS 的關係不明顯，與 BJT 的飽和區類似。

85
橋式電路

一顆電晶體只能控制電流單向流動，利用數個電晶體組成橋式電路，
則可控制電流雙向流通，圖 5-9 就是一個例子。當 Q2 導通時，G 與 S 之間
有顯著的電位差，因此 VS 的電壓會明顯低於 VDD，而且電流愈大，電壓愈
低，這是源極隨耦不如射極隨耦的地方(詳後述)。

VDD

Q2 Q4
G
S RL
Q1 Q6

Q3 Q5
VA VB

圖 5-9：橋式電路
問題

5-4 圖 5-9 中，當 VA = 0，VB 為高電位時，那些電晶體導通？電流方向為

何？

橋式電路驅動 IC

設計高性能的橋式電路時，可考慮使用 HIP4080(或 HIP4081)54，這是

一顆高頻的全橋(full bridge)FET 驅動 IC，切換頻率可達 1MHz，負載電壓
最高 80V，電流最高 2.5A，適合用於高性能的 PWM 控制系統上，如伺服
馬達、微步進馬達、不斷電系統(UPS)、電源供應器等。

5.3 BJT vs. MOSFET

MOSFET 比起 BJT 成名較晚，但卻來勢洶洶。相對於 BJT，MOSFET

54
詳細資料見 7.5 節：「公開的技術秘笈」
。

86
有下列優點：

(1) 當輸入訊號為定值時，IG = 0，因此即使輸出電流很小的邏輯 IC 也可

直接驅動 MOSFET。換句話說，MOSFET 的「輸入阻抗」55遠大於 BJT。

(2) 相對於 BJT 的飽和區，MOSFET 導通時(且 VD 接近 VS 時)進入歐姆區，

亦即 VDS 的大小與 ID 成正比關係。因此當 ID 很小時，VDS 將趨於 0，不
僅可使 MOSFET 所消耗的功率(=VDSID)減至最低，而且輸出電壓(VD)的
高低切換更為明確。例如，CMOS 邏輯 IC(下一節介紹)的輸出為高時，
其電壓值可達電源電壓 VDD；當輸出為低時，電壓值幾乎為 0。也就是
說 MOSFET 的輸出電壓可切換至兩個極限值(電子術語叫做「軌對軌」,
rail-to-rail)，這對於數位電路的設計有很大幫助。(利用 BJT 做成的邏輯
IC 稱為“TTL IC”，此種 IC 的高電位並無法達到電源值 VCC，而當輸出
為低時，其值也略大於 0。)

(3) 新型的功率 MOSFET 之切換速度能夠超過同等級的功率 BJT，因此在

高頻切換時(例如以 PWM 方式驅動負載，見 4.4 與 4.6 節)效率較高。

(4) 功率 BJT 溫度升高時，容易導致「熱發散」(thermal runaway)而毀損，

原因是功率電晶體可「視為」由數個較小功率的電晶體並聯而成，如圖
5-10 所示，而 BJT 的電流增益值(βdc)隨溫度上升而上升，因此若有某個
小電晶體溫度上升，其電流增益隨之增大，導致更多的電流通過此顆電
晶體，使溫度更為增高，βdc 因而更大，最後所有的電流將集中此顆不幸
的小電晶體(實際上是集中流過功率電晶體的局部區域)，電晶體將因局
部過熱而燒毀。而 MOSFET 的電流放大率隨溫度升高而降低(負的溫度
係數)，因此一旦局部溫度升高，此處的電流將減小，使溫度下降，這種
自然的穩定機制，使 MOSFET 得免於熱發散的恐懼。

C
C
B B
=
E
E

圖 5-10：功率電晶體相當於數個小電將體並聯在一起

閘極電流為 0 可說是 MOSFET 最重要的優點，但是要注意 IG = 0 的前

55
輸入阻抗(input impedance)的觀念將於下一章詳述。

87
提是輸入訊號需為直流；換句話說，當閘極電壓切換時，仍然有電流流過
閘極。這是因為 G、S 極之間可視為電容耦合，如圖 5-11 所示，電容器對
直流訊號而言相當是開路，但是當訊號的頻率增高時，阻抗隨之減小，因
此輸入電壓(VG)的切換頻率愈高，閘極電流就愈大(電容器對高頻訊號而言
相當是短路！)。

圖 5-11：閘、源極之間具電容效應

另外，雖然功率 MOSFET 切換速度可超越 BJT，但是要注意控制電路

的輸出端能否產生足夠的閘極電流供高速切換所需，否則高頻操作時
MOSFET 將無法完全導通或截止。

MOSFET 的特性似乎處處勝過 BJT，不過，BJT 也有值得驕傲的地方！

相較於 MOSFET，BJT 電流對電壓的放大倍率較高，也就是說 VBE 增加或
減小一點點，IC 將顯著的增加或減小，亦即：

∆I C
>> 1 (5-2)
∆VBE

而 MOSFET 在活躍區時，電流對電壓的增益值明顯小於 BJT，亦即

∆I D ∆I C
<
∆VGS ∆VBE

事實上，在活躍區中 ID 與 VGS 為拋物線的關係(見圖 5-2)，而 IC 與 VBE 的

關係則為指數關係(與順向偏壓的二極體類似，非常「陡峭」)。由(5-2)可
得
∆VBE
<< 1
∆I C

88
換句話說，即使 IC 有相當大的變化，VBE 幾乎不變56。相較之下， ∆VGS / ∆I D
的值就不能忽略，亦即當 ID 改變時，VGS 將明顯變化。因為 BJT 具有這點
優 勢 ， 因 此 射 極 隨 耦 器 在 電 子 電 路 中一 直 扮 演 不 可 替 代 的 角 色 ， 與
MOSFET 的源極隨耦器相較(見圖 5-12)，具有下述的優點：

對於射極隨耦器，當 RL 減小時，IL 增加，但是 VL 與 VIN 相差仍保持

約 0.7 V(實際上因為 VBE 隨射極電流增加而略增，因此 VL 略減)。至於源
極隨耦器，RL 減小時，IL 增加，此時 VGS 也將隨之明顯增加，因此 VL (= VIN –
VGS)隨之下降。同樣的電流變化，VGS 的變化較 VBE 顯著。換句話說，射
極隨耦器的輸出電壓的剛性較大，是極佳的電流提昇或是功率放大電路。
(套用一句術語，射極隨耦器的「輸出阻抗」57較源極隨耦器小。)

VDD
VCC

B G
VIN VIN
E S
IL
IL
RL VL RL VL

(a)射極隨耦器 (b)源極隨耦器

圖 5-12：射極隨耦的剛性高於源極隨耦

VCC VDD

VIN VIN

RL RL

(a) (b)

圖 5-13：源極隨耦的輸入阻抗較大

56
因為 VBE 變化不大，所以我們可以說當電晶體導通時(不論是在活躍區或飽和區)VBE 的值保持
在 0.7 V 左右。
57
輸出阻抗(output impedance)的觀念將於下一章詳述。

89
 另一方面，MOSFET 的高輸入阻抗使源極隨耦器仍具可觀之處。圖 5-13
中兩個隨耦器的輸入電壓(VIN)均由可變電阻設定，對於源極隨耦器，因為
閘極電流為 0，因此 VIN 不隨負載(RL)改變而改變。而射極隨耦器則因為基
極電流會隨輸出電流增加而小幅增加，因此 VIN 將因負載變化而略有增
減。換句話說，源極隨耦器的輸入阻抗較射極隨耦器大。從輸入的觀點來
看，源極隨耦器較射極隨耦器穩定，在此 MOSFET 又扳回一城。不過，請
不要忘了 BJT 還有一個秘密武器，那就是「達靈頓」組態。利用達靈頓電
晶體也可顯著提昇射極隨耦器的輸入阻抗，使 VIN 值較為穩定。

問題

5-5 圖 5-13a 中，當 RL 減小時，VIN 如何變化(上升或下降)？

BJT 與 MOSFET 各擅勝場，結合兩者的優點可設計出更高性能的電

路。例如，有些運算放大器使用 MOSFET 做為輸入端的元件，輸出端則為
BJT 做成的射極隨耦器，如此可做成一個高輸入阻抗、低輸出阻抗的放大
器。另一種情形是，在設計高速的切換電路時，可利用推挽式的射極隨耦
器驅動 MOSFET 開關，如圖 5-14 所示。因為數位 IC 的輸出電流有限，而
射極隨耦器是剛性極佳的電流提昇電路，可提供 MOSFET 高速切換時所需
的閘極電流。(圖中 R1 是個小電阻，用來限制切換時的閘極電流。)

VDD

RL
VCC

R1

logic circuit

圖 5-14：射極隨耦驅動功率 MOSFET

90
 5.4 NMOS、PMOS、與 CMOS

獨立的 MOSFET 中以 n-channel MOSFET 較常見，簡稱 NMOS。與

NMOS 互補的元件是 p-channel MOSFET，簡稱 PMOS。PMOS 的電流方
向、各極之間的電位差正負號與 NMOS 正好相反：導通時，PMOS 的電流
方向如圖 5-15 所示，此時閘極電壓需比源極電壓低，而源極電壓需高於汲
極電壓。

D ID

S IS
(a)符號 (b)電流方向

圖 5-15：p-channel MOSFET

例如，我們可以利用數位電路控制電源的開與關，如圖 5-16 所示。當

VG 為高電位(VDD)時，PMOS 不導通，S 極與 D 極之間相當是開路，因此
負載電流為 0；當 VG 為低電位(0)時，PMOS 導通，此時 S 極與 D 極之間
電位差約為 0(更精確的說，源極與汲極之間相當是個小電阻 RDS(ON))，因
此負載的電壓約等於 VDD。此種電源控制開關可應用於具自動「待機」(idle)
功能的低耗電裝置上，將裝置中目前不需使用的部分電路或 IC 的電源切
斷，需要時再予以開啟。此電路也可使用 pnp 電晶體，但是因為 MOSFET
無閘極電流，使用 PMOS 在待機時更為省電。

VDD
VDD
S
VG S
PMOS
D
D
負載

IN OUT
D
NMOS
S

圖 5-16：電源開關 圖 5-17：CMOS 反相器

91
 功率 PMOS 的種類與選擇性雖比 NMOS 少，在數位 IC 中兩者卻常成
雙成對出現。圖 5-17 是一組 PMOS 與 NMOS 構成的邏輯反相器(inverter)，
稱為互補式的 MOSFET(complementary MOS，簡稱 CMOS)反相器。目前
的數位 IC 大多使用 CMOS 技術，因為 CMOS 在靜止狀態幾乎沒有電流流
動，不僅省電，而且由於低消耗功率，發熱量較小，因此可提高 IC 中電
晶體的密度，製作更大型、速度更快的數位積體電路。雖然高速切換時
CMOS 仍需消耗可觀的電流，但是一顆大型的 IC(如微處理機)中，同一時
間可能只有部分的電路(邏輯閘)作動，因此整體而言 CMOS 數位 IC 遠比
BJT 做成的 IC58省電；CMOS 的微控制器或記憶體因此廣泛使用於電池驅
動的數位電子產品中。在數位邏輯的領域裡，CMOS 已成為省電的代名
詞。另外，如前節所述，CMOS IC 的輸出電壓可達到兩個極限值，也就是
VDD 與 0(rail-to-rail)。

問題

5-6 圖 5-17 中，若輸入電壓為低電位(0)，那個電晶體導通？輸出電壓是

高或低？若輸入電壓為高(VDD)，那個電晶體導通？輸出電壓為何？

5-7 CMOS 反相器與推挽式射極隨耦器(見圖 4-20 與圖 5-14)的組態類

似，但是本質上卻有相當大的差異，指出兩者不同之處。(提示：1.
MOSFET 的汲極相當於 BJT 的集極，2. 比較輸出入電壓的差異，3. 比
較兩種組態中電晶體操作的區域。)

5.5 類比開關

MOSFET 與 BJT 的功能類似，凡是 BJT 能做的工作，例如數位開關

與各種線性(類比)放大器，幾乎都可用 MOSFET 取代(但不一定較好)；反
之亦然。但是有一項工作卻只有場效電晶體可以勝任愉快，那就是「類比
開關」(analog switch)。數位開關的輸出訊號只有兩種可能59--高電位或低
電位，而類比開關導通時，輸出訊號緊隨輸入訊號變化，如圖 5-18 所示。

58
使用 BJT 做成的數位邏輯 IC 稱為 TTL(transistor-transistor logic)。
59
還有第三種可能，就是所謂的「高阻抗」狀態，例如 CMOS 反相器中若上下兩個電晶體都截
止(兩個 MOSFET 的閘極分別接到 VDD 與地)，則輸出點既不是高電壓也不是接地，從輸出端看
進去相當是一個非常、非常高的電阻。

92
類比開關又稱為線性開關(linear switch)，顧名思義，此種開關可當類比訊
號60的橋樑，既可連結交流訊號也可連結直流訊號。類比開關也可傳遞數
位訊號，當數位開關使用，反之則不然。類比開關的輸入與輸出端可對調，
也就是訊號可雙向導通61。類比開關神似機械開關，不同的是類比開關可
由電壓控制，反應速度遠較機械開關快，可線控、可遙控、不會磨損，而
且體積小，可將許多組開關集結在一顆 IC 中62。

類比開關雖然也可當數位開關使用，但是類比開關所能傳遞的訊號一
般都是小電壓、小電流的小功率訊號，因此不能取代較高功率的數位開
關。另一方面，IC 化的類比開關也不能取代高密度(高閘數)的數位邏輯 IC：
類比開關主要用來傳遞與切換類比訊號(多通道選擇)，例如圖 5-19 所示的
類比多工器(multiplexer, 簡稱 MUX)，而數位 IC 則主要用來做計算、判斷、
控制、與訊號處理。

IN OUT

VG (低)
VG (Low)
(a)開路

IN OUT

VG (高)
VG (High)
(b)閉路

圖 5-18：類比開關

60
有高低起伏、連續變化的訊號，例如聲訊、視訊、溫度、壓力等。
61
小訊號的場效電晶體可讓電流雙向導通，而 BJT 則只能單向導通，但是功率 MOSFET 的汲極
與源極之間接上一個二極體，因此 D、S 極不可互換。
62
數位開關同樣也有以上的優點。

93
 輸入訊號

輸出

(聲訊、視訊、…)

通道選擇

圖 5-19：類比多工器

5.6 JFET

5.1 節中提到場效電晶體的種類很多(與 BJT 相比)，其中以增強型

MOSFET 最常使用。另外，JFET(Junction FET)有時也會在電路中出現，圖
5-20 是 JFET 的元件符號。

ID

D D

G G

S S
VGS
(a)N-channel (b)P-channel 0
圖 5-20：JFET 元件符號 圖 5-21：JFET 特性曲線
(N-channel)

94
 JFET 與前面介紹的(增強型)MOSFET 有兩點主要差異：

(1) JFET 屬於空乏型(depletion mode)的場效電晶體，當閘極與源極的電位

差減小時，則導通的電流(ID 或 IS)增大；當 VGS = 0 時，導通的電流最
大，如圖 5-21 所示。

(2) JFET 導通時，閘極與源極之間(或是閘極與汲極之間)相當是個逆向偏

壓的二極體，而 MOSFET 的閘極與源極之間則為絕緣層。因此 JFET
中閘極電流並不完全等於 0，不過非常、非常小(µA 級)，比起 BJT 導
通時的基極電流仍然可說是微不足道。

不論是做為數位 IC 或是功率開關元件，MOSFET 都遠較 JFET 常見。

不過，JFET 在類比 IC(包括類比開關)中仍然扮演相當重要的角色。

5.7 IGBT

BJT 與 MOSFET 各有所長：MOSFET 的閘極電流為 0(直流偏壓時)，

因此有很高的輸入阻抗，而 BJT 電流對電壓的放大倍率較高(見 5.3 節)，
因此輸入電壓變化時，輸出電流的反應較靈敏63。有一種新型元件結合兩
者的優點，叫做 IGBT(insulated gate bipolar transistor)，見圖 5-22。顧名思
義(或是看圖說話)，IGBT 是一種 BJT，但是基極與射極或集極之間夾著絕
緣層。IGBT 直流偏壓時輸入電流為 0，與 MOSFET 一樣具有非常高的輸
入 阻 抗 ， 而 且 與 BJT 一 樣 具 有 很 高 的 電 流 對 電 壓 放 大 倍 率
(current-to-voltage gain)。IGBT 主要做為中、高功率的切換元件，常用於交
直流馬達的驅動電路上。

圖 5-22：IGBT 元件符號

63
所謂「靈敏」(sensitive)並不是指反應速度快，而是變化顯著的意思。

95
6 運算放大器

運算放大器(operational amplifier, 簡稱 OP-AMP)可說是類比電路中

用途最廣、功能最多的一種 IC。運算放大器的種類繁多，一顆 IC 中通常
包含數十個電晶體，例如常見的 741C 運算放大器由 24 個電晶體所構成。
雖然 OP-AMP 的內部構造相當複雜，但是就其輸出與輸入的關係來看卻十
分簡單，因此，只要注意到 OP-AMP 的一些限制，分析或設計 OP-AMP
的應用電路通常是件輕鬆愉快的工作。因為 OP-AMP 使用容易又變化多
端，而且十分便宜(一顆 741C 約 5 塊錢台幣)，可說是一個物美價廉的小「魔
術盒」(magic box)。另外，OP-AMP 主要應用於線性電路中(有不少例外！)，
也就是類比訊號(如聲音、溫度、壓力、速度、或是正弦波等)的放大器。
雖然獨立的電晶體也可製作類比放大器(這也是一般電子學教科書的重
點)，但是一般的電路中，使用 OP-AMP 或是其他線性 IC 做為類比放大器
的核心是較簡易、可靠、而且廉價的選擇。

+VCC
7

3 3
+ +
6
Input 2 Output 2
6
- -
4

-VEE
(a) (b) (c)

圖 6-1：OP-AMP 的符號與外觀(PDIP 包裝)

96
 6.1 基本模型

運算放大器除了電源端子外，有一個輸出端，兩個輸入端：稱為正相
(+)輸入端與反相(-)輸入端，元件符號如圖 6-1 所示。為了簡化圖面，一般
電路圖中常省略兩個電源接腳，如圖 6-1b。

圖 6-2 是 OP-AMP 的基本模型：從輸入端看進去，OP-AMP 相當是個

電阻(實際上還有並聯的電容，但是對於低頻訊號可忽略電容存在)，稱之
為輸入阻抗(input impedance)(以 RIN 表示)；從輸出端往回看，是一個由輸
入訊號控制的電壓源與一個電阻串聯，此電壓源與輸入端電位差成正比，
兩者的比值稱為電壓放大倍率(voltage gain)(以 Ao 表示)，而串聯的電阻稱
為輸出阻抗(output impedance)(以 ROUT 表示)。正相與反相兩輸入端的電位
差一般用 Verror 表示，因此輸出電壓與 Verror 的關係為

VOUT = Ao Verror (6-1)

+
VOUT
+ ROUT
RIN
Verror
-

- AoVerror

圖 6-2：OP-AMP 的模型

如圖 6-2 這樣簡單的模型也可用來描述一般的放大器，而 OP-AMP 特

殊之處在於輸入阻抗與放大倍率很高，而輸出阻抗則非常小(相較於輸入阻
抗)。例如，741C 的輸入阻抗為 2MΩ，放大倍率為100,000，輸出阻抗為75Ω。

稍等！輸出電壓高達輸入值的十萬倍，OP-AMP 想必是個危險裝置？
其實，在 OP-AMP 的世界裡，放大倍率十萬並不搶眼，許多 OP-AMP 的
放大倍率超過一百萬！而 OP-AMP 的放大倍率與電晶體的電流增益值(βdc)
一樣，愈大愈理想。大部分的 OP-AMP 應用電路中輸出訊號會回授到反相

97
輸入端，使實際的放大倍率大為降低(一般在數百以內)，而其他操作性能
如穩定性、線性度等則大幅提昇。另外，OP-AMP 輸出端的電壓無法超過
外加電源(VCC 與-VEE)的電壓值(例如 ± 15 V)，而輸出電流也有所限制；換
句話說，OP-AMP 的輸出電壓與電流必須在一定的範圍內，圖 6-2 的模型
才有效。

問題

6-1 對於 741C，若正相輸入端電壓為 5.0001 V，反相輸入端電壓為 5 V，

則輸出電壓若干？若正相輸入端電壓為 5 V，反相輸入端電壓為
5.0001 V，則輸出電壓若干？

放大器 放大器
訊號源
VIN VOUT
RS +
+
ROUT
RIN
VS - RL
-

圖 6-3：輸入阻抗與訊號源 圖 6-4：輸出阻抗與負載

6.2 輸入阻抗與輸出阻抗

描述一個放大器的特性除了放大倍率之外，輸入阻抗與輸出阻抗的值
同樣關係重大。電壓放大器的輸入阻抗愈大愈好，而輸出阻抗則愈小愈
好。原因是一般訊號源(欲放大的訊號)本身具有相當的輸出阻抗(或稱為內
電阻，RS)，當訊號源接至放大器的輸入端時，如果放大器的輸入阻抗與訊
號源的內電阻相當或是更小，則輸入端的電壓將顯著下降，如圖 6-3 所示。
如果放大器的輸入阻抗遠大於訊號源的內電阻，由分壓定理可知輸入端的
電壓會與訊號源本身的電壓相當接近。另外，如果訊號源輸出的電流有限
(例如波形產生器)，高輸入阻抗可避免電流超過額定值而導致訊號失真。

另一方面，低輸出阻抗代表放大器輸出電壓的剛性較大。如圖 6-4 所

98
示，當負載的電阻與放大器的輸出阻抗相當或是更低時，一旦接上負載，
輸出電壓將明顯下降(分壓定理)，這種現象稱為負載效應(loading effect)；
如果輸出阻抗遠低於負載電阻，則輸出電壓可避免因負載效應而下降。

OP-AMP 回授之後可將輸入阻抗增大，輸出阻抗降為 0(幾乎)。但是要

注意 OP-AMP 的輸出電流不能超過額定值，否則一切美好的特性都將暫時
消失(因為有過電流保護，OP-AMP 不至於燒毀)。

問題

6-2 如何利用一個理想電壓源(內電阻可忽略之電壓源)與一個電阻量測
放大器的輸入阻抗。(提示：圖 6-3。)

6-3 上題中，如果電壓源的內電阻未知，如何量測放大器的輸入阻抗？

6-4 如何量測放大器的輸出阻抗？(提示：利用一個可變電阻。)

6.3 負回授

絕大部分 OP-AMP 的應用均有回授，而且大都是負回授(negative

feedback)。所謂負回授是指 OP-AMP 反相輸入端與輸出端之間以電阻(或
電容)相連，因此反相輸入端之電壓與輸出訊號相互影響64：當輸出(或負載)
電壓或電流上升時，負回授的機制有壓抑電壓或電流上升的趨勢；當輸出
電壓下降時，負回授有抑制電壓下降的趨勢。沒有回授的 OP-AMP 稱為開
迴路(open loop)，回授之後稱為閉迴路(closed loop)。因為 OP-AMP 的放大
倍率非常高，因此開迴路時輸出電壓只有兩個可能的值：正飽和(比正的電
源電壓 VCC 略小)與負飽和(比負的電源電壓 VEE 略小)。而負回授之後，輸
出電壓可在正負飽和之間隨輸入訊號的大小任意(而且按照比例)變化。利
用負回授的技術，我們能夠輕易將 OP-AMP 改裝成各種高性能的線性放大
器！

64
大部分的負回授電路中，負載的電壓或電流訊號與 OP-AMP 的反相輸入端相連，但是當有數
個放大元件(包括 OP-AMP 與電晶體)串接時，負載有可能與 OP-AMP 的正相輸入端連接。

99
 Iin Iin
3
+ VIN 3
+
6 6
2 2 VOUT
- -
Verror Verror
A
R2 R2
I1 I2
R1 R1

圖 6-5：負回授電路

圖 6-5 是一個負回授的例子，讓我們利用這個電路說明 OP-AMP 閉迴

路電路的基本特性。

OP-AMP 負回授後具有以下兩個性質：

(1) 因為 Ao 很大，因此反相輸入端的電壓會自動調整並且趨近正相輸入端
的電壓，穩定之後正反兩輸入端的電位差可忽略，亦即

Verror = 0 (6-2)

(2) 因為 RIN 很大，因此流進或流出 OP-AMP 輸入端的電流可忽略，亦即

I in = 0 (6-3)

利用上面兩條「金科玉律65」
，我們可以很容易求出圖 6-5 的放大倍律。
首先，由(6-2)可得(見圖 6-5b)

VA = VIN

因此

VIN
I1 =
R1

65
這兩條「金科玉律」並不是定理或定律，引用時仍需留意例外情況。

100
由(6-3)可推論 I2 = I1，因此

VIN
VOUT = I I ( R 1 + R 2 ) = (R 1 + R 2 )
R1

所以此負回授電路的放大倍率為

VOUT R 1 + R 2
A CL = =
VIN R1

其中下標 CL 代表回授之後(亦即閉迴路，closed-loop)的值。

例如，若 R1=1 kΩ，R2 = 99 kΩ，則放大倍率 ΑCL= 100。只要改變 R1

或 R2 的值就可調整此放大器的倍率。

在此我們可以檢查(6-2)的誤差有多少：如果 VIN = 10 mV，則 VOUT = 1

V，由(6-1)可求得 Verror = VOUT/Ao =10-5 V (假設使用 741C)。因此，Verror 的
值為 VIN 的千分之一。換句話說，對於圖 6-5 的負回授電路，引用(6-2)所
產生的誤差約為千分之一66！

VIN 3
+
2
6
VOUT
-

圖 6-6：同相放大器

6.4 同相放大器

上一節所舉的負回授電路稱為同相放大器(non-inverting

66
實際上的誤差可能較大，原因主要來自 OP-AMP 本身的瑕疵，詳見 6.7 節。

101
amplifier67 )，這是因為當輸入電壓為正時，輸出訊號亦為正值；輸入值為
負時，輸出值亦為負，如圖 6-6 所示。同相放大器的放大倍率 ACL 遠低於
開迴路時的放大倍率 Ao，但是 Ao 如同電晶體的電流增益(βdc)一樣是個不
確定的值，回授之後的放大倍率(ACL)卻十分穩定而且可靠。另外，回授之
後除了放大倍率改變之外，輸入阻抗與輸出阻抗也同時改變。我們用 RIN(CL)
代表閉迴路的輸入阻抗，用 ROUT(CL)代表閉迴路的輸出阻抗(見圖 6-7)。閉
迴路與開迴路的參數變化如下：

VIN VOUT
+ ROUT(CL)
RIN(CL)
ACLVIN
-

圖 6-7：閉迴路放大器模型

R1 1
令 B= (= )
R1 + R 2 A CL

則 RIN(CL) = (1 + A o B)R IN (6-4)

1
ROUT(CL) = ( )R OUT (6-5)
1 + AoB

例如，使用 741C 時，若 ACL=100，則 B=0.01，因為 Ao=100,000，RIN

= 2 MΩ，ROUT = 75 Ω，因此 RIN(CL) = 2001 MΩ，ROUT(CL) = 0.0749 Ω。

注意到因為開迴路的參數並不是確定值，因此所求得的閉迴路輸入與
輸出阻抗只是個大略數值。重要的是，同相放大器的輸入阻抗非常大，遠
大於回授前的值；而輸出阻抗則遠低於回授前的值，很接近0。對於電壓
放大器而言，這是非常理想的特性。

67
直譯為「非反相」放大器。

102
 3
VIN +
6
2
-
VOUT

圖 6-8：電壓隨耦器

由(6-4)與(6-5)可知同相放大器的放大倍率愈低(B 愈大)，則輸入阻抗愈
大，輸出阻抗愈小。圖 6-8 是一個放大倍率等於 1 的同相放大器，因為 B =
1/ACL = 1，因此輸入與輸出阻抗分別為

RIN(CL) = (1 + A o )R IN ≈ A o R IN

1 R
ROUT(CL) = ( )R OUT ≈ OUT
1 + Ao Ao

這個放大器似乎並無任何電壓放大的效果，但是卻有天文數字般的輸入阻
抗，可視為開路，而輸出阻抗則幾乎為 0(「幾乎」兩字省略無妨)。此放大
器稱為電壓隨耦器(voltage follower)，主要功用是將訊號源與負載隔離，避
免負載效應(見 6.2 節)。例如，圖 6-9a 中，分壓電路的輸出端一但與負載
連接，因為電流流出，輸出電壓顯著下降(圖 6-9b)；當負載與輸入訊號間
加入電壓隨耦器後(圖 6-9c)，分壓電路的輸出電壓可不受負載影響，保持
恆定。因為這種隔離作用，電壓隨耦器可稱為一種緩衝器(buffer)，避免輸
入訊號受負載干擾，而輸出電壓也可不隨負載改變而改變。

15 V 15 V 15 V

2 kΩ 2 kΩ 2 kΩ

5V 2.14 V 5V 3
+
6 5V
2
-
1 kΩ 1 kΩ 500 Ω 1 kΩ 500 Ω

(a)接負載前 (b)接負載後 (c)加入緩衝器

圖 6-9：負載效應與緩衝器

電壓隨耦器與第 4 章介紹的射極隨耦器功能類似，但是前者性能更
佳。不過，要注意 OP-AMP 的輸出電壓與電流必須在額定值之內，否則前
述之優異特性不復存在(詳見 6.7 節)。

103
問題

6-5 741C 的輸出額定電流為 25 mA，圖 6-9c 中，負載的電阻值最小可

為若干？

6-6 圖 6-9b 中，負載的電流由訊號源(分壓電路)供應，而圖 6-9c 中，負

載的電流並非來自訊號源，此電流從何而來？

IF RF

RS 2 -
6
VIN 2 -
6 3 +
3 + VOUT
IS 虛擬接地
(virtual ground)

(a) (b)
圖 6-10：反相放大器

6.5 反相放大器

圖 6-10 是另一種負回授電路。因為正相輸入端接地，因此由(6-2)可推
論反相輸入端的電位也等於 0，這是分析此電路的關鍵！接下來根據歐姆
定律，

VIN − 0
IS = (6-5)
RS

而 IF = IS (為什麼？)，因此

VOUT = 0 − I F R F (歐姆定律)
VIN
=0−( )R F (由(6 - 5))
RS
RF
= −( )VIN
RS

此電路的放大倍率為-RF/RS。其中負號代表輸出電壓與輸入電壓的相位相
反：當 VIN 為正時，VOUT 為負值，反之亦然。因此這個負回授電路稱為「反
相放大器」(inverting amplifier)。此電路中，反相輸入端雖然沒有直接接地，
但是電位卻始終保持為 0，因此(反相輸入端)稱為「虛擬接地」(virtual

104
ground68)(圖 6-10b)。

反相放大器的輸出阻抗與同相放大器一樣很小，亦即 ROUT(CL) ≈ 0，但

是輸入阻抗則有很大差別。因為反相輸入端相當於接地狀態(但不可真的接
地！)，回授之後的輸出與出入關係可用圖 6-11 表示。因此，反相放大器
的輸入阻抗等於 RS。

從另一個角度來看，輸入阻抗的定義為輸入電壓與輸入電流的比值，
因此由(6-5)可得

VIN VIN
R IN (CL) ≡ = = RS
I IN IS

ROUT(CL) ( ≈ 0)
VIN VOUT 100R
+

RS 波形 R
-(RF/RS)VIN 產生器
2 -
6
- 3 +

圖 6-11：反相放大器的等效電路 圖 6-12

問題

6-7 圖 6-12 中，波形產生器輸出訊號的振幅量得 100 mV(未接任何負載

時)，接上放大倍率 100 的反相放大器後輸出端所量得的振幅卻只有
500 mV，可能的原因為何？如何改善？(提示：波形產生器的輸出電
流有限。)

反相放大器的輸入阻抗雖然遠小於同相放大器(顯然是個缺點)，實務
上反相放大器的使用率卻不遜於同相放大器。原因大致有三：1. 同相放大
器可由兩個反相器串接而成，但是再多的同相放大器也無法組成一個反相
放大器；2. 反相放大器中，OP-AMP 兩個輸入端電壓均為 0，因此 OP-AMP

68
英文中“virtual”並沒有「虛」的意思，而是與真實(real, reality)幾乎沒有兩樣(但又不是真實)
的意思。

105
的負荷較輕，性能也略佳；3. 反相放大器中的虛擬接地有利於設計多輸入
訊號的合成電路，例如下節所介紹的類比加法器。

至於反相放大器輸入阻抗較小的問題，可由兩級(或三級)放大加以改
善，前級放大器使用較大的 RS 來提高輸入阻抗，如圖 6-13 所示。不過，
如果需要非常高的輸入阻抗(例如數 MΩ以上)，還是要將同相放大器派上
用場。

200 kΩ
200 kΩ
200 kΩ 2 - 1 kΩ
6 2 -
3 + 6
3 +

圖 6-13：兩級放大

6.6 各種應用電路

OP-AMP 的應用變化多端，除了同相與反相放大器外，其他應用電路
不勝枚舉。一旦確定是負回授電路，(6-2)與(6-3)兩條「金科玉律」就可派
上用場，以下介紹幾種常見的負回授應用電路。

R A R
V1
I1 I3
R 2 -
V2 741
6
I2 3 + VOUT

圖 6-14：加法器

加法器(summing amplifier)

圖 6-14 是一個類比加法器，輸出訊號是兩個輸入訊號的加成。由(6-2)

106
首先確定 A 點電位為 0(虛擬接地)，因此 I1 與 I2 分別為

V1 V2
I1 = , I2 =
R R

而 I3 = I1 + I2 (由(6-3))，因此

VOUT = 0 − I3R
= −( I1 + I 2 )R
= −( V1 + V2 )

此電路除了可將兩個直流電壓(反相後)相加，也可將兩個不同頻率的訊
號加成，產生一個合成訊號。例如，V1 為振幅 1 V 的正弦波，V2 為 1 V 的
直流電，則 VOUT 為準位(平均電壓)-1 V、振幅 1 V 的正弦波。

問題

6-8 圖 6-14 輸出訊號與輸入訊號反相，如何設計一個輸出與輸入訊號同

相的加法器(VOUT = V1 + V2)？

6-9 圖 6-15 中兩個電路的性能有何不同？(提示：考慮輸入訊號源的輸出

阻抗)

6-10 設計一個 3 輸入端的加法器(VOUT = V1 + V2 + V3)。

6-11 設計一個 2 輸入端的放大器，輸出與輸入的關係為 VOUT = -10(V1 +

V2)。

100 Ω 100 Ω 10 kΩ 10 kΩ

100 Ω 10 kΩ
2 - 2 -
6 6
741 741
3 + 3 +

(a) (b)

圖 6-15

107
 R2
R2
V2 2 -
6
3
741 VOUT
V1
+

R1
R1

圖 6-16：差動放大器

差動放大器(differential amplifier)

顧名思義，差動放大器(圖 6-16)的輸出訊號是兩個輸入訊號的差。分
析這個電路同樣可直接引用(6-2)與(6-3)，逐步求得輸出與輸入訊號的關
係。另一種較有趣(較有學問？)的方法是使用疊加原理(superposition
principle)，也就是將兩個輸入訊號分別考慮：首先令 V2 為 0，求出 VOUT
與 V1 的關係；然後令 V1 為 0，求出 VOUT 與 V2 的關係；最後將前後兩個
輸出值相加即可，詳細過程如下。

(1) 令 V2 為 0，此時圖 6-16 可簡化如圖 6-17a，這是一個同相放大器，其

中

1
VA = V1 (分壓定理；記得同相放大器的輸入端可視為開路)
2

1
輸出電壓與 VA 的關係為 VOUT = 2VA ，因此

1
VOUT = V1

(2) 令 V1 為 0，此時圖 6-16 可簡化如圖 6-17b，這是一個放大倍率為 1 的

反相放大器，因此

2
VOUT = − V2

(3) 實際的輸出電壓是(1)與(2)的加成：

108
 VOUT = VOUT
1
+ VOUT
2
= V1 − V2

差動放大器可用來量測電路中兩個浮接點(floating point，也就是未接地
的點)兩端的電位差，也可以用來調整波形的準位。
R1 R2
A 3 + 1
V1 741
6 V
OUT R2
2 - V2 2 -
2
R1 741
6 VOUT
3 +

R2 R1
R1
R2 V1 = 0
V2 = 0

(a) (b)

圖 6-17：疊加原理

問題

6-12 圖 6-16 中，若 V1 為 2 V 的直流電，V2 為振幅 300 mV 的正弦波，

則輸出電壓的波型與準位為何？

電流對電壓轉換器(current-to-voltage converter)

圖 6-18 中，輸入訊號是個電流源，輸出電壓與輸入訊號的關係為

VOUT = − R FIS

此電路可用來量測很小的電流，例如圖 6-19 中，當光線照射在受光二極體

(photo diode)時，微量電流會流過此二極體。假設電流為 1µA，則輸出端
的電壓為

VOUT = 100 kΩ × 1 µA = 100 mV 。

109
 RF
100 kΩ

2 -
6 2
741
VOUT
-
3 6
VOUT
+
1 µA 3 +
IS

圖 6-18：電流轉換電壓 圖 6-19：小電流偵測

電壓控制的電流源(voltage-controlled current source)

圖 6-20 是一個電壓轉換電流的電路，輸出(負載)電流與輸入電壓的
關係為

VIN
IL =
R
(6-6)

因為負載電流與輸入電壓成正比，而與負載(RL)本身的大小無關，因此這
是一個可調控的電流源。不過，使用時須注意輸出電流必須在 OP-AMP 的
額定電流之內，否則(6-6)不成立。

3
VCC
VIN +
6
2 741 I1
-
R
IL RL E
2 -
6
VIN 3 + PNP
C
R IL
RL

圖 6-20：電壓控制的電流源 圖 6-21：負載接地的電流源

問題

6-13 推導(6-6)式。

圖 6-21 是另一種電壓控制的電流源。雖然 OP-AMP 的輸出端與負載

110
之間加入一個電晶體，但整體而言還是一個負回授電路69，所以(6-2)與(6-3)
仍然有效！由(6-2) VE = VIN，因此

VCC − VIN
I1 =
R

由(6-3) IE = I1；而 IC ≈ IE，因此

VCC − VIN
I L ≡ IC ≈
R

相較於圖 6-20，圖 6-21 有兩個特點：一是負載的一端接地，不再是浮

接狀態；二是負載電流可以遠大於 OP-AMP 的額定電流(為什麼？)。

6.7 OP-AMP 的限制

OP-AMP 雖然好用，但也不是萬能。引用(6-2)與(6-3)兩條「金科玉
律」時，除了要先判斷是否為負回授外，還要注意幾個前提：輸出電壓或
電流是否超出額定範圍、訊號的頻率是否太高、OP-AMP 本身的精度是否
符合要求等。以下進一步說明 OP-AMP 性能上的一些限制、缺陷、以及可
能的改善方法。

電壓限制

OP-AMP 的輸出電壓無法超出兩個外加電源的值。例如，若電源為
± 12V，則輸出電壓最大約為 11 V，最小約為-11 V(因為 OP-AMP 內部電
晶體有電壓降，因此最大輸出電壓比電源電壓小 1~2 V，實際的數值因型
號不同而有差別)。提高電源電壓可加大輸出訊號的電壓範圍，不過要注意
電源電壓不可超過額定值，例如 741C 正電源電壓與負電源電壓最大壓差
需在 36 V 之內( ± 18 V)，最小不能低於 ± 5 V。OP-AMP 容許的正負電源壓
差一般不超過 44 V，但也有少數型號可達 100 V 以上。

69
判斷負回授的方法為：假設負載電流(或電壓)增加，OP-AMP 的輸出端是否有壓抑負載電流
(或電壓)增加的趨勢，若是則為負回授。

111
 另外，多數 OP-AMP 需要雙電源(正負電源)驅動70，少數 OP-AMP 可
由單電源驅動，例如 LM324 只需一個正電源(最小 3V、最大 32V)即可作
動，而且此顆 IC 內部包含 4 個獨立的 OP-AMP(共用一個電源)！

電流提昇

一般 OP-AMP 的額定輸出電流在數十毫安培以內，例如 741C 為 25

mA。當 OP-AMP 輸出端直接驅動小電阻(大負載)時，可能因為電流超過額
定值而使電壓下降71。

例如，圖 6-22 中，輸出電壓、電流與負載大小的關係如表 6-1 所列。

當電阻較大時，輸出電壓與計算值相同；當電阻低於某個數值時，輸出電
流已接近 OP-AMP 的極限，此時不論負載電阻減低多少，輸出電流並無明
顯變化，因此輸出電壓將隨負載電阻值減小而下降。

500 kΩ +15 V

-15 V
500 kΩ
10 kΩ
4

2N3055
10 kΩ 0.1 V 2 -
0.1 V 2 - 6 VL
6 VL 3 741
+
3 + 741
Io IL
MJE2955 RL
7

IL RL
+15 V
-15 V

圖 6-22：電流限制 圖 6-23：電流提昇電路

70
這也是使用 OP-AMP 不方便的地方，因為電源電路所佔的體積、重量、與成本可能比 OP-AMP
本身高出許多。
71
OP-AMP 的內部具有過電流保護機制，因此即使將輸出端短路(直接接地)也不致燒毀，此時
不論輸入訊號大小，輸出端的電壓均為 0，在此(6-2)顯然失效。

112
 表 6-1：實驗結果(針對圖 6-22)

負載電阻 RL 輸出電壓 VL 輸出電流 IL

2 kΩ -5 V -2.5 mA

1 kΩ -5 V -5 mA

500 Ω -5 V -10 mA

200 Ω -4.6 V -23 mA

100 Ω -2.4 V -24 mA

20 Ω -0.494 V -24.7 mA

數十毫安的電流所能驅動的負載實在有限，如何提昇 OP-AMP 的輸出

電流呢？我們可以求助電晶體 -- 功率電晶體。圖 6-23 是一個常用的電流
提昇電路(current booster)，圖中 OP-AMP 的輸出端與負載之間加進一個推
挽式的射極隨耦器72，因為 OP-AMP 的輸出端與電晶體的 B 極相連，因此
只要些許的輸出電流就可產生數十倍以上的負載電流，表 6-2 列出負載電
壓、電流與電阻的關係(假設電晶體的電流增益βdc = 50)。比較表 6-1 與 6-2
可以看出加入射極隨耦器之後，負載的電阻值容許的變動範圍顯著增加，
小 OP-AMP 也可驅動大負載！

72
詳見第 4 章。

113
 表 6-2：實驗結果(針對圖 6-23)

負載電阻 RL 負載電壓 VL 負載電流 IL OP-AMP 電流 Io

2 kΩ -5 V -2.5 mA -50 µA

1 kΩ -5 V -5 mA -100 µA

500 Ω -5 V -10 mA -200 µA

200 Ω -5 V -25 mA -500 µA

100 Ω -5 V -50 mA -1 mA

20 Ω -5 V -250 mA -5 mA

問題

6-14 圖 6-23 中，如果兩個電晶體的βdc 值均為 50，而 OP-AMP 的額定輸

出電流為 25 mA，則負載電阻最小可為若干？有何辦法可使負載電
流大於 10A？

驅動高功率負載除了外接功率電晶體外，也可選擇高輸出電流的功率
運算放大器(power OP-AMP)，例如，LM12 輸出電流可達 10 A (輸出功率
80 W)。功率 OP-AMP 看似方便，但是因為使用不廣，不僅元件價格較高，
而且取得較費工夫，不像小功率的 OP-AMP 那樣「唾手可得」
；如圖 6-23
的電流提昇電路仍不失為一種經濟實惠的設計。

VIN 3
+
6
2 741 VOUT
-

10 kΩ

圖 6-24：頻寬測試

114
頻寬限制(轉動率限制)

根據(6-2)，負回授時，OP-AMP 反相輸入端的電壓將趨近於正相輸入
端的電壓。實際上，當輸入訊號改變時，輸出與回授訊號需要一段時間才
能到達新的目標值；也就是說，輸出與輸入訊號之間必然有或多或少的相
位延遲現象。如果輸入訊號是一個正弦波，輸出訊號將緊隨輸入訊號變
化，當頻率逐漸增高時，輸出訊號終將因為 OP-AMP 本身的速度限制無法
追上快速變化的輸入訊號，導致輸出振幅下降。例如，我們對放大倍率 1
的電壓隨耦器(圖 6-24)做一實驗，當輸入訊號的頻率為 6 kHz 時(振幅 10
V)，從示波器上來看，輸入訊號與輸出訊號幾乎重疊，如圖 6-25a 所示
(voltage “follower”不枉其名)。然而，當訊號頻率提高時，輸出訊號的振幅
卻可能明顯下降，如圖 6-25b 所示。這是因為 OP-AMP 的反應速度不足以
讓輸出訊號追上快速的輸入值，不僅輸出振幅下降了，波形也不再是漂亮
的正弦波(接近三角波)。

VIN, VOUT 6000 Hz VIN 60000 Hz

VOUT

(a)輸出緊隨輸入 (b)輸出振幅降低、扭曲

圖 6-25

汽機車的反應速度一般以「加速性」或「最大扭力」表示，而放大器
則用「轉動率」(slew rate)表示。所謂轉動率(以 SR 代表)是指在單位時間內，
輸出電壓最大可能的變化值。例如，741C 的轉動率為 SR = 0.5 V/µs。因此，
741C 的輸出電壓每微秒最多「只」能上升 0.5 V；換句話說，從示波器來
看，輸出電壓波形(任一點)的斜率不可能超過 0.5 V/µs。圖 6-26 比較不同
頻率與振幅的正弦波，顯然頻率或振幅愈大，正弦波的起始斜率愈高：假

115
設頻率為 f，振幅為 a，則正弦波可表示為

VS = a sin 2πft

將 VS 對時間(t)微分，可得

dVS
= 2πfa cos 2πft
dt

因此起始(t = 0)斜率為 2π fa。

當輸出訊號的頻率與波形的乘積滿足 2π fa < SR 時，輸出訊號可跟隨輸

入訊號變化；否則，輸出振幅將隨頻率增高而下降，波形也會產生扭曲
(slew-rate distortion)。例如，圖 6-24 中，若輸入電壓的振幅為 10 V，則訊
號的頻率必須滿足

SR 0.5 × 106
f < = = 7958 (Hz) (6-7)
2π × a 2π × 10

7958 Hz 稱為此系統的「頻寬」(bandwidth)。放大器的頻寬愈高，表示其
反應速度愈快。由上面的分析可看出頻寬與振幅有關，振幅愈大，頻寬愈
小。

斜率最大

圖 6-26：電壓變化率與頻率、振幅成正比

問題

6-15 圖 6-24 中，若輸入訊號的振幅等於 1 V，則此放大器的頻寬為何？

6-16 LM318 的轉動率為 SR = 70 V/µs，若用 LM318 取代 741C，則上題的

答案應為若干？

116
 轉動率的限制主要原因是 OP-AMP 的電流有限，其中又刻意加了一顆
電容做內部補償(使負回授電路能穩定下來)73，而電容充放電需要時間，使
輸入與輸出訊號之間產生時間延遲現象。另外，即使電流無限，當高頻時
輸出訊號的振幅仍會衰減(同樣與電容有關)，訊號開始衰減時的頻率稱為
「小訊號頻寬」(因為當輸入訊號的振幅很小時，不需太大的電流)。不過，
一般放大器的小訊號頻寬遠超過轉動率造成的頻寬限制(6-7)；換句話說，
轉動率是影響放大器頻寬的主要因素。

精度問題

如果將 OP-AMP 正反兩輸入端同時接地，輸出電壓應為若干？根據圖

6-2 的模型，答案是 0 —然而實際上並非如此。圖 6-2 是 OP-AMP 的近似
模型，雖然是個很有效的模型，而且可據以分析大部份的負回授電路，但
是卻不能解釋下面所要探討的精度問題(以及前述的電壓、電流、轉動率等
限制)。

當 OP-AMP 正反兩輸入端接地時，如果沒有回授(開迴路時)則輸出電
壓只有兩種可能74：正飽和(比正的電源電壓小 1~2 V)或負飽和(比負的電源
電壓大 1~2 V)；而負回授之後輸出電壓的確接近於 0，但是仍有些許誤差。
造成這些現象的主要原因為：即使輸入端均接地，仍有很少量的電流流入
兩輸入端；而且除了輸入阻抗外，兩輸入端之間存在一很小的偏差電壓，
如圖 6-27 所示，以下分別探討這兩種造成誤差的微小電流與電壓。

+
IB1
+ +
IB2
-

-
偏差電壓
-

(a)偏壓電流 (b)偏差電壓

圖 6-27：偏壓電流與偏差電壓

73
有些 OP-AMP 內部沒有加補償電容，負回授時必須外加電容才可使系統穩定。
74
到底是哪一種情形要看運氣。

117
 200 kΩ

200 kΩ 2 -
6
20 kΩ 3 +
741
2 -
6
20 kΩ 3 +741
18.2 kΩ
IB1
IB2

(a)偏壓電流造成誤差 (b)加入補償電阻

圖 6-28：改良的反相放大器

(1) 偏壓電流：當 OP-AMP 的輸入端接地時，正反兩輸入端仍有微量的電

流流入(圖 6-27a)，稱為偏壓電流75(input bias current)，偏壓電流的大小
因 OP-AMP 而異，例如 741C 的偏壓電流可達 0.5 µA，而輸入端用 FET
做成的 OP-AMP 之偏壓電流幾乎都在 1 nA (10-3µA)以下。因為偏壓電
流的關係，圖 6-28a 的反相輸入端與接地點會產生些許電位差，而使正
反兩輸入端的電壓不同，導致輸出電壓不為 0。補救的辦法是在正相輸
入端與地之間也接上一顆電阻(大小約等於 RS 與 RF 的並聯值)，如圖
6-28b 所示，這時正反兩輸入端與接地點的電位差大致相同76，因此兩
者電位差(Verror)可更接近於 0。

(2) 偏差電壓：除了偏壓電流外，輸入端的偏差電壓(input offset voltage)也

會使輸出訊號產生誤差，741C 的偏差電壓約在 2 mV 左右。偏差電壓
的效應相當是在 OP-AMP 的兩輸入端間加入一個(不請自來的)直流電
壓源(圖 6-27b)；對於一個放大倍率 100 的負回授放大器，如果偏差電
壓為 2 mV，則輸出誤差可達 ± 0.2 V，也就是說，即使輸入電壓為 0，
輸出電壓卻不為 0，可能是+0.2 V 或是-0.2 V。因為偏差電壓的存在，
因此 OP-AMP 開迴路的輸出電壓幾乎都達飽和值(為什麼？)。降低偏
差電壓最簡單的方法是在 OP-AMP 的第 1 與第 5 隻接腳之間接上一個
可變電阻(中間一端接至負的電壓源)，如圖 6-29 所示。將輸入端接地

75
流進正反兩輸入端的電流量不一定相等，兩者的差值稱為輸入偏差電流(input offset current)，
在此我們不考慮偏差電流。
76
因為 IB1 與 IB2 不完全相等，因此仍有誤差存在。

118
 後，慢慢調整可變電阻，使輸出電壓盡量接近 0(不要期待真的調到
0！)。

3
+
6 VOUT
2 741
-

1
5
10 kΩ

-VEE

圖 6-29：歸零校正

上述的補償方式只能降低、而不能消除 OP-AMP 的誤差，因為除了以

上兩個誤差來源外，還有其他較不明顯的誤差源，而且不論是偏壓電流或
是偏差電壓的大小均會受到溫度甚至時間的影響：今天好不容易調好，明
天可能不再是最佳狀態。因此，需要設計高精密放大器時，正本清源之道
是選用高精度的 OP-AMP，例如 OP-07 或 OP-77，這兩顆 OP-AMP 的偏差
電流與偏差電壓均比 741C 小 100 倍以上(價格只有 741C 的 3、4 倍)，其
他與精度相關的參數也較佳，而且不需利用可變電阻調整歸零。不過，經
驗中真正需要如此高精度的應用相對較少，對於一般設計 741C 仍然適用。

6.8 OP-AMP 的保護

OP-AMP 內部具有過電流保護機制，即使將輸出端短路(或是接電阻很
小的負載)也不致燒毀。不過，要毀損此顆 IC 並不困難，只要將 OP-AMP
正負兩個電源接點(接腳 7 與 4)對調(不小心接反)，這個小魔術盒就永遠變
不出花樣了。另外，一般 OP-AMP 正相與反相輸入端的電位差不能太大，
有些 OP-AMP 必須限制在 ± 5V 以內，否則可能會影響性能，甚至毀損 IC。
負回授時正反兩輸入端的電位差雖然很接近於 0，但是這需待系統穩定下
來才算數；當輸入訊號突然改變時，在一小段過度時間內，正反兩輸入端
可能出現明顯電位差。為避免這種情形發生，可在訊號輸入端反向並聯兩
個二極體，如圖 6-30。接上保護二極體後，正反兩輸入端的電位差就可限

119
制在約 ± 0.7 V 以內了。

2 -
6
3 +

圖 6-30：輸入端保護

120
7 常用 IC 與應用

前面數章中我們認識了幾種常用的類比 IC，包括三端子穩壓 IC(78xx

系列)、達靈頓電晶體陣列(2803)、以及運算放大器等。相較於離散的電晶
體電路，善用這些 IC 可大幅簡化電路設計與製作成本。本章將繼續介紹
數個 OP-AMP 的線性與非線性應用電路，還有其它多種常用 IC。這些元
件的價錢大多相當便宜，而且可在國內購得。本章最後一節列出 IC 的相
關網站，從這些網站上可取得完整的規格表與使用方法。不論是要擴展電
子科技的知識領域，或是要設計實際的電路，這些網站可提供許多寶貴(但
是免費)的資訊。

7.1 「動態」的 OP-AMP 應用電路

前章介紹的 OP-AMP 應用電路都是外接電阻，因此輸出與輸入之間呈

現靜態的關係：當輸入訊號是直流電時，輸出訊號也是直流電。本節將
OP-AMP 外接電容與電阻，利用電容充放電的特性，使電路具有動態的效
果：即使輸入訊號是直流電，輸出訊號也可隨時間變化。甚至不需輸入訊
號，輸出端的電壓也會「自動」產生週期性的變化。

積分器(Integrators)
圖 7-1 的輸出與輸入訊號關係可推導得77：
1
RC ∫
VOUT = − VIN dt (7-1)

電容器上方的回授電阻可使電路維持負回授的特性，亦即讓 OP-AMP 負的
輸入端保持虛擬接地(V2 = 0)，避免輸出訊號飄移至飽和值。

77
(7-1)式的推導過程並不考慮電容上方的回授電阻，因此只是「近似」關係。

121
 10R ~ 100R

C VIN

-12 V
time

VOUT

4
R 741
VIN 2 -
6 VOUT
3 + -12V

7
+12 V

圖 7-1：積分器

微分器(Differentiators)
圖 7-2 是與積分器相對應的微分電路，輸出入訊號的關係為78：
dV IN
VOUT = − RC (7-2)
dt

-12 V

C
4

741
VIN 2 -
6 VOUT
0.01R ~ 0.1R 3 +
7

+12 V

圖 7-2：微分器

問題：
7-1 設計「比例+積分+微分」(Proportional-Integral-Derivative, PID) 電路：
輸入與輸出訊號的關係為

78
(7-2)式並未考慮與電容串聯的小電阻。

122
  dV 
VOUT = −10VIN + 2 IN + 0.1∫ VIN dt 
 dt 
(提示：組合積分器、微分器、與三個輸入的加法器等電路，注意正負號關
係。)

方波產生器(Square-wave generators)
方波產生器是「振盪器」(oscillators)的一種。振盪電路幾乎無處不在，
任何會閃爍、發聲、或是計時的裝置，內部均需要某種形式的振盪電路。
振盪器的種類繁多，不勝枚舉。多才多藝的 OP-AMP 當然也不會在這項重
要任務中缺席。
圖 7-3 是一個簡單的方波產生器。這個電路中，包含負回授與正回授，
因此並不是我們所熟悉的線性電路：OP-AMP 的 2、3 隻接腳的電位差並
不等於零。另外，這個電路中並沒有輸入訊號，只要接上電源79，輸出端
就自動高、低、高、低振動起來了。
R

-12 V
VOUT W
12V
4

2 - 741
6 VOUT
3 +

C -12V
7

T
+12 V
T = 2.2 RC
10 kΩ W
10 kΩ duty cycle = = 50%
T

圖 7-3：方波產生器

三角波產生器(Triangular-wave generators)
結合方波產生器與積分器可製作成三角波產生器，如圖 7-4。

79
電源與輸入訊號的區別見第 8 章說明。

123
 10R2~100 R2

R1 C2

-12 V
-12 V

4
741
R2

4
2 -
6
A 2 - 741
3 6
+
3 +
B
C1
7

7
+12 V
+12 V
10kΩ
10kΩ
12V A

-12V

圖 7-4：三角波產生器

問題
7-2 如何調整三角波的頻率與斜率？

電壓控制的「脈波寬度調變」 (PWM)
除了好看之外，三角波還有什麼用處？ “PWM”就是一個響叮噹的應
用例！結合三角波產生器與比較器，可製作一個類比式的壓控 PWM 電
路，如圖 7-5。這個電路的輸出訊號是一個固定週期的方波，而其工作週
期(duty cycle)與輸入電壓值(VIN)成正比：控制 VIN 的大小，即可調整輸出訊
號的高低電壓的時間比例，若將此訊號接至一個電子開關(提昇電壓與電
流)，可控制開關 ON-OFF 的時間比例，藉此調控負載的運轉功率，如馬達
轉速控制、燈泡亮度、加熱爐溫度、電源的輸出電流等等。(詳見第 4 章關
於 PWM 的說明)

124
 -12 V
-12 V
4 -12 V

741

4
2 -
741

4
6 2
3 +
-
6
A 2 - 741
3 6
+
3 + VOUT
7

7
VIN

7
+12 V
+12 V
+12 V

A
VIN

VOUT

圖 7-5：PWM 產生器

問題
7-3 圖 7-5 中，若三角波(A 點)的波峰與波谷分別為+8V 與-8V，則前述
「PWM 的工作週期與輸入電壓值(VIN)成正比」這句話應如何修正(是
否需加入條件)？

7.2 專業的振盪器 IC ─555

OP-AMP 是類比 IC 中最變化多端的一種，幾乎任何電路都難不倒它。

但是樣樣通就很難樣樣都不鬆，對於某些特定的動作，使用其他較專門的

125
 IC 也許更經濟、效果也可能更好。
是 OP-AMP 之外另一顆耳孰能詳的 IC，售價與 741 相當(約 5~10
「555」
元台幣)，專長則是產生頻率與工作週期可調的週期波、單擊(one shot)、以
及壓控振盪器(voltage-controlled oscillators)等電路。

方波產生器
圖 7-6 是一個方波產生器，振盪頻率的穩定度可達 1﹪。相較於 741 作
成的振盪器，此電路只需要供給單一的正電壓源，方波的頻率由兩個電阻
與一個電容決定。圖中第 5 隻接腳所接的電容可省略(left open)。另外，調
整 RA 與 RB 的比值可改變方波的工作週期，但是頻率也會隨之改變。
圖 7-6 中，振盪器的工作週期無法調整至 50﹪以下。若加一個二極體
與電阻 RB 並聯，工作週期可調至 50﹪以下，見圖 7-7。

VCC Output
(+5 ~ +15V) W
4

RA VCC
R

VCC

7
DIS
3 0
Q Output
RB 6 LM555 T
THR
W = 0.693( R A + R B )C
2 5 T = 0.693( R A + 2 RB )C
TR CV
GND

0.01µF W R + RB
C Duty cycle= = A × 100%
(optional) T R A + 2 RB
1

圖 7-6：555 方波產生器

126
 VCC
(+5 ~ +15V)

8
RA

VCC
7
DIS
3
Q Output
RB 6 LM555
THR

2 5
TR CV

GND
0.01µF
C

RA
圖 7-7：工作週期可調低於 50%之方波產生器，duty cycle = × 100% 。
RA + RB

單擊(one shot)

VCC Trigger
VCC
4

R
R

VCC

0
7
DIS
Output
3 VCC
Q Output
C 6 LM555
THR 0
W
2 5
Trigger TR CV
W = 1.1 RC
GND

0.01µF
1

圖 7-8：單擊。

單擊又稱單穩態(monostable)電路：當輸入端的高低準位變化時(由高
電壓切換成低電壓，或是由低變高)，輸出訊號將由低電壓轉成高電壓(或
由高轉低)，但是經過一段時間之後，又自動回復原狀。這種現象如同射擊：
扣下板機(trigger)之後，子彈飛出，經過一段時間後，自然落地，故名「單
擊」，而輸入端俗稱“trigger”80。

80
“trigger”名詞為「板機」，動詞為「扣板機」或是「觸發」。

127
 555 另外一個應用，就是單擊，如圖 7-8 所示：555 的接腳 2 是輸入訊
號端(trigger)，當電壓由高變低的時，輸出端訊號立刻由低變高，經過一段
預設時間後，又自動變回低電壓。

+5V

8
R

VCC
470 kΩ
7
DIS
220Ω
3
Q

10 µF 6 LM555
THR

2 5
+5V TR CV
3.3kΩ
GND

0.01µF
1

圖 7-9：點亮 5 秒的電路

單擊電路與振盪器一樣無所不在，凡是需要短暫時間延遲的地方都可
使用。圖 7-9 是一個應用例：當按鈕開關按下後(立即放開)，LED 亮起，
約 5 秒鐘後，自動熄滅。這樣的電路常見於鐘錶的夜間照明、電話或遙控
器的按鍵照明等。
圖 7-10 是單擊與振盪器合用的應用例。555 的第 4 隻接腳是個致能
(enable)接腳：當電壓為高(VCC)時，輸出端正常動作；當電壓為低(0)時，
輸出端保持 0 伏特。因此接腳 4 可說是 555 的開關，將第一個 555 電路(單
擊)的輸出訊號連接到這個開關，可控制振盪器的作動。

問題
7-4 圖 7-10 中，觸一下按鈕後，LED 如何動作？ (計算單擊的延遲時間與
振盪器的週期)

圖 7-11 是另一個應用例，其中喇叭會定時發出「嗶」聲，聲音的頻率(音
高)由右邊的 555 振盪器決定，聲音長度由中間的單擊決定，發音間隔則取
決於左邊的振盪器。若再加上輕巧的旋鈕與精緻的外殼，這個電路就成了
一個高貴不貴的電子節拍器！

128
 +5V
+5V
4

8
1kΩ
R

VCC

VCC
470kΩ
7 7
DIS DIS
3 3
220Ω
Q Q

10µF 6
THR
LM555 100kΩ 6
THR
LM555

2 5 2 5
+5V TR CV TR CV
GND

GND
3.3kΩ
1µF
1

圖 7-10：單擊+振盪器 1

VCC
4

50k∼300k 1kΩ
R

VCC

VCC

VCC

10kΩ
7 7 7
DIS DIS DIS
3 3 3
Q Q Q
1µ
1kΩ 6
THR
LM555 6
THR
LM555 10kΩ 6
THR
LM555

SPEAKER
2 5 2 5 2 5
TR CV TR CV TR CV
GND

GND

GND

10µ
0.1µF
1

圖 7-11：電子節拍器

129
 7.3 比較器

比較器(Comparators)的元件符號與 OP-AMP 類似，如圖 7-12。事實上，

OP-AMP 也可當比較器使用，圖 7-5 所示之 PWM 產生器的最後一級就是
個比較電路。比較器的輸出電壓只有兩個可能：高或低；當正的輸入端電
壓高於負的輸入端時，輸出電壓為高，反之則為低。

V+

8
2 LM311
+
7
Input 3
Output
-
4
1

V- Gnd

圖 7-12：比較器

LM311 LM339

圖 7-13：常用比較器 IC – LM311 與 LM339

專用的比較器(如 LM311 與 LM339，見圖 7-13)與 OP-AMP 有許多差

異，我們拿 741 與 311 做個比較：
1. 741 可設計負回授的線性放大器，而 311 則不宜。
2. 311 的反應速度遠遠高於 741。
3. 741 需使用正負兩個電壓源；311 只需要單電壓源即可作動(圖 7-14)，
而且電壓值最低可為 5 伏特，輸出訊號與 TTL 或 CMOS 數位 IC 相容，
因此比較器常被用來做為「類比」訊號與「數位」電路的介面元件，也
就是將類比的輸入訊號轉化為與數位 IC 相容的準位。
4. 311 的輸出端是屬於開集極(open collector,與 2803 相同)結構，因此輸出

130
 端須加一個電阻連至電壓源，稱為 pull-up resistor，如圖 7-14。(741 的
輸出端是個推挽式的射極隨耦器。)

+12V +5V
V+

8
LM311 3.3kΩ
2
8
Pull-up resistor +
2 LM311 7
+
7 3
-
3
-

4
1
4
1

-12V

圖 7-14：比較器可使用單電壓源 圖 7-15：LM311 也可使用三個電壓源

注意 LM311 的電源線共有三條81：V+、V-、以及接地線(741 無此接地

線)，其中 V+的額定電壓範圍是+5V ~ +30V，V-的範圍是 0 ~ -30V。不論
V-大小，輸出訊號的低電壓值均為 0，而高電壓值與 pull-up 電阻所接的電
壓源相等(此電壓源最高可至 40V，而且不需與 V+相同，見圖 7-15)。
LM339 是另一顆常用的比較器 IC，每個 IC 中包含四個獨立的比較器
82
(圖 7-13)。LM339 只有兩條電源線，其中一條(Gnd)可接負電壓源或是直
接接地。

施密特觸發器(Schmitt trigger)
比較器的基本功能就是檢驗輸入訊號是否高於某個預設電壓值，如圖
7-16：當輸入電壓高於 2.5V 時，輸出訊號為 0；當輸入訊號低於 2.5V 時，
輸出訊號為 5V。此電路有個缺點，那就是當輸入訊號受雜訊影響而在切
換準位附近微小振動時，輸出訊號可能產生多次震盪，如圖 7-17。改善的
方法是採用正回授，如圖 7-18。此電路稱為「施密特觸發器」。它具有某
種程度的「記憶」功能，當輸入訊號由低變高時，切換點為 2.86V，而當
輸入電壓由高變低時，切換點降為 2.14V。換句話說，輸入訊號由低電壓
逐漸上升時，一旦超過 2.86V 的界線，輸出訊號立刻由高電壓切換成低電
壓，此時，輸入訊號必須下降至 2.14V 以下，輸出訊號才能再轉為高電壓。
這是因為當輸出訊號等於 5V 時，正輸入端的電壓等於 2.86V；當輸出訊號
等於 0 時，正輸入端的電壓降為 2.14V。利用 Schmitt trigger 可有效防止輸
出訊號因為雜訊干擾而產生不必要的高低切換，如圖 7-19。

81
有些比較器(例如 LT1016)有四條電源線：V+，V-，VCC，Gnd。
82
稱作“Quad-comparator” IC。

131
 +5V

VIN
切換準位

2.5V
10kΩ 3 1kΩ

VIN 6 -
1 VOUT
7 +

5V
1/4 LM339

VOUT
12

10kΩ

0
圖 7-16：偵測訊號準位(切換點=2.5V) 圖 7-17：當輸入訊號受雜訊干擾時，
輸出訊號可能產生多次震盪

+5V
輸入由低往高 VIN
的切換準位
3

1kΩ 2.86V
VIN 6 -
1 VOUT 2.14V
7 + 輸入由高往低
1/4 LM339 的切換準位
12

5V
10kΩ VOUT
+5V
30kΩ
10kΩ
0

圖 7-19：使用 Schmitt trigger 可避免

圖 7-18：施密特觸發器
輸出訊號因雜訊干擾而振盪

問題
7-5 利用疊加原理與分壓定理計算圖 7-18 的高低切換準位(亦即計算正輸
入端的電壓)。

132
 7.4 主動濾波器

第 1 章曾介紹如何利用電阻、電容、電感等基本被動元件設計出各種
濾波器，包括：低通、高通、帶通、帶止等濾波器。使用 OP-AMP 配合電
阻電容同樣可作成上述各種濾波器，而且可同時設定頻寬與截止坡度，以
及所需的(高)輸入與(低)輸出阻抗，這種濾波器稱為主動濾波器(active
filters)。不過，使用基本 OP-AMP 設計高性能的濾波器仍然有點麻煩，最
容易的方式還是採用專用的濾波器 IC，例如 UAF42(圖 7-20)。
UAF42 內含 4 個運算放大器(其中一個輔助 OP-AMP 較少使用)，而且
內部已有 2 個高精度的電容，只要外接幾個電阻就可作成高階的濾波器(最
多 6 階，兩個 IC 串連可達 12 階)。更方便的是，此顆 IC 的製造公司(Burr
Brown)提供一個設計程式，只要輸入濾波器種類(低通、高通、帶通等)、
濾波器型態(Butterworth, Chebyshev,…)、以及頻寬等資料，即可自動算出
外接元件的數值。圖 7-21 是一個 6 階濾波器的例子(詳見 UAF42 的 data
sheet)。

圖 7-20：UAF42

15 15
15

1000 Hz 159Hz
10 10
10

5 5 5

0 0 0
0 0 0

-5 -5 -5

-10 -10 -10

0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04 0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04

HP BP LP

15

10

0
0

-5

-10
dc + 159Hz + 1000Hz
VIN

圖 7-21： 6 階濾波器

133
 7.5 公開的技術秘笈

設計性能優良的 IC 不容易，類比(或是混合型)IC 的設計尤其需要深厚

的技術背景以及不斷的實驗與試誤。不過，使用 IC 並不難，只要具備基
本的電子學與電路觀念，再加上一份「技術秘笈」就能輕鬆上手。所謂技
術秘笈是指 IC 的使用說明書，稱為規格或資料表(data sheet)。從前 IC 的
data sheets 都是藏在一大本的 data book 中，必須向原廠索取，而一家大型
的半導體廠商的 data books 常有厚厚十數本之多，一般人取得不易，查詢
也不方便，因此稱為技術秘笈不為過。如今網路的發展改變了這一切，只
要進入 IC 製造商的網站，輸入型號或是關鍵字，很快就能查到最新、完
整、第一手的資料，並可將 data sheet 免費下載。
使用 IC 之前，為求慎重，應先研讀 IC 的 data sheet。這樣不僅可以正
確使用 IC，避免元件過載，而且可從 data sheet 上找到許多有用的應用例。
例如，我們第一次使用 79xx 穩壓 IC 時，因為接腳弄錯，燒壞許多 IC，花
費數週時間卻一籌莫展，直到下載 data sheet、詳閱接腳圖之後才豁然開
朗。一顆功能強大的 IC 外觀也許不起眼，但是找到對應的 data sheet 後就
像畫龍點睛，可讓冰冷的晶片展現熱情的生命。
以下介紹數種常用 IC 及其相關網站，有些 IC 前面章節以介紹過，在
此提供進一步研究的資訊。

LM311, LM339
比較器除了可用來偵測電壓準位外，還有多重功能，包括：單擊、方
波產生器、三角波產生器、電壓控制的振盪器、石英控制振盪器、時間延
遲電路、零點穿越偵測器(zero crossing detector)等。詳細資料參閱美國國家
半導體公司所出版的 data sheet：www.national.com。

「波型產生器」IC – ICL8038
使用這顆 IC 可同時產生方波、三角波、以及正弦波，頻率可經由外
接電阻與電容調整，範圍 0.001Hz~300kHz，詳見 Intersil Corporation：
www.intersil.com。

精密 OP-AMP – OP07, OP77

OP07 的電源與輸出入接腳與 741 相同(但是微調接腳不一樣)，精密度則
明顯高於 741。如果需要量測微小訊號，可用 OP07 取代 741。OP77 則是
比 OP07 更高性能的 IC，不過似乎較不容易取得。OP07 與 OP77 的詳細規
格表見 Analog Device Inc.：www.analog.com。OP07 的製造廠較多，包括：
www.linear-tech.com，www.ti.com，www.maxim-ic.com，www.st.com等。

134
高速 OP-AMP -- LF356
LF356 的 slew rate = 10V/µs，是 741 的 20 倍，因此功率頻寬遠大於
741。此顆 OP-AMP 的輸入端使用 JFET，因此輸入阻抗也遠大於 741(50
萬倍)，開迴路的放大倍率則是 741 的兩倍，精度也較高。LF356 的接腳與
741 相同，設計高性能的電路時，可考慮使用這顆 OP-AMP，詳見
www.linear-tech.com或www.national.com。

三端子穩壓 IC – 78xx, 79xx, LM340, LM317

第三章介紹的 78xx 與 79xx 系列 IC 是固定輸出電壓的穩壓 IC，使用
時須注意接腳順序，不同型號 IC 接腳順序可能不一樣，詳見德州儀器半
導體：www.ti.com或 Fairchild semiconductor：www.fairchildsemi.com。LM340
是與 7800 系列類似的 IC，見www.national.com。

LM317 也是三端子的穩壓 IC，這顆 IC 的輸出電壓可由外接電阻連續

調整，範圍 1.2V~37V。注意三個接腳的順序(TO-220 包裝)與元件圖不同，
詳見 data sheet：www.national.com。

達靈頓陣列-- ULN2803
第四章介紹的 2803 中，每顆 IC 包含 8 組獨立的達靈頓電晶體，每組
最大可承受 500mA 電流，8 組並聯時，瞬間輸出電流可高達 4 安培，不過，
特別注意使用條件(20%工作週期的限制)，詳細規格見：Allegro
Microsystems, Inc.：www.allegromicro.com。

射極隨耦陣列 – UDN2981
2803 的輸出端是開集極架構，負載必須“pull-up”到電壓源，因此導通
時負載電流流進 IC。UDN298x 系列(2981~2984)IC 的輸出端是射極隨耦架
構，負載必須“pull-down”至接地點，因此導通時負載電流流出 IC。UDN2981
與 2803 同樣有 8 組達靈頓模組，額定值也與 2803 類似。如果負載的一端
需接地，可選用此種 IC。詳見www.allegromicro.com。

橋式驅動器 – L293

L293 有四組獨立的推挽式驅動器，電流可流進或流出每個輸出接腳，
兩組合用可控制直流馬達正反轉，或是當作步進馬達的雙極性驅動器。
L293B 額定值為 1A(瞬間值可達 2A)，額定電壓 36V。L293D 額定電流是
0.6A(瞬間電流可達 1.2A)，此型 IC 內部包含防突波的二極體，可直接外接

135
電感性負載(L293B 需外加保護二極體)。詳見：STMicroelectronics,
www.st.com，或 Texas Instruments, www.ti.com。

高速 FET 驅動 IC – HIP4080, HIP4081

結合 HIP4080(或 HIP4081)與廉價的 N-channel MOSFET，可作成高性
能的橋式驅動電路。這型 IC 的切換速度遠高於 2803 或是 L293，可達
1Mhz，適合用於高性能的 PWM 控制系統上，如伺服馬達、微步進馬達、
電源供應器等。詳細資料見 Intersil Corp.：www.intersil.com。

濾波器 IC – UAF42
利用此顆IC只要外接幾個電阻就能作成各種高通、低通、帶通、帶止
等濾波器(詳7.4節)。此顆IC售價約10美元，詳細資料見Burr-Brown Corp. ：
www.burr-brown.com。

數位與類比的介面 -- DAC0800 ( or DAC08)

微電腦處理後的資料若要轉為數位訊號，如聲音、影像等，需要使用數位
轉類比的元件。DAC0800 是一顆廉價的 8 位元數位對類比訊號的轉換器
(digital-to-analog (D/A) converters)，詳見www.national.com，或
www.analog.com。

類比與數位的介面-- ADC0804
利用微電腦作資料擷取與訊號處理時，需先將類比訊號轉為數位訊
號。ADC0804 是一顆廉價的 8 位元轉換器(analog-to-digital (A/D)
converters)，詳見www.national.com，或www.intersil.com。
目前許多單晶片微電腦(或稱「微控制器」 ，microcontroller)內部包含多
個通道的 A/D 轉換器，解析度多在 10 個位元以上，對於中、低速的應用，
以這種微控制器作為類比與數位的介面可能更經濟。

數位控制的可變電阻(Digitally controlled potentiometers)

利用數位控制的可變電阻，可將單晶片微電腦與類比電路結合起來，
既可保有類比電路高速與可靠的優點，也能運用微電腦變化多端的特質，
大幅增加類比電路的彈性。例如，我們可以透過微電腦自動設定放大器的
放大倍率，或是調整輸出電壓值。數控電阻有 32 段、64、128、256、512、
1024 段等不同產品，詳見 Xicor Inc.：www.xicor.com。

一般下載的 data sheet 大多是 PDF 格式，使用 Acrobat reader 即可閱讀，

因此只要具備基本的英文閱讀能力就可掌握這些寶貴的資訊。上述元件規
格表除了可從上面列出的網站下載外，也可利用 google 等搜尋引擎連結。

136
對於國內無法買到的元件，可直接到國外網站購買，例如www.digikey.com
或是www.arrow.com，這兩個網站都提供小額的零售服務，並可連結製造
商的網頁獲取相關資訊。線上購料的效率很高，可在一周內收到貨品，但
是需付相當高的運費(視情況每次可達 NT1000 元)。

137
8 FAQ － 名詞與觀念釋疑

電源線與輸入線有何不同？「輸入」是否等於「流入」？差動與單
動放大器有何不同.？何謂阻抗匹配？數位與類比元件各有何特色？這些
名詞的背後牽涉許多基本的電路觀念，值得仔細推敲。本章除了解釋名詞
外，也將前面章節所探討的相關問題作一回顧與整理，並且說明本課程的
主題—類比電路—在現代的電子產品中所扮演的角色。

8.1 電源、輸入訊號

電源(power source，電源接腳包括 VCC、VDD、VEE、VSS 與 Gnd 等)與

輸入訊號(input signals)都是操控放大器或是 IC 的要件，兩者卻有很大差
別：
1. 電源是放大器等電路的能量來源，輸入訊號則是所要處理(放大、整型
等)的訊號。訊號線的電流一般極小，而電源接腳常有大電流進出(圖
8-1)。
2. 電源接腳通常是電路中電壓最高或是最低的地方(有例外83)，且電壓值
必須相當穩定。
3. 控制 IC 的開與關有兩種方式，一是直接開關電源，另外一種方式是操
控 IC 的致能(enable)線(屬於訊號線的一種)，後者可用極小的電流讓電
路開始或是停止運作，因此適合線控、遙控、或是由另一顆 IC 的輸出
訊號控制。

至於電路(或是 IC)輸出線之電流值取決於負載的阻抗，可大可小。前
級與中級放大器的輸出電流通常很小，終(末)級放大器的電流則可從數十
毫安培培至數安培以上。

83
例如 FET 的驅動 IC(如 HIP4080)的輸出電壓可高於電源電壓(利用“charge pump”原理)。

138
 VCC

Input 放大器

VEE

圖 8-1：電源與輸入訊號

100kΩ

-12 V
4

10kΩ 741
2 Output
Input -
6
3 +
7

+12 V

圖 8-2：輸入端的電流不一定流入放大器，輸出端的電流
不一定流出放大器。

8.2 輸入、輸出

所謂輸入(input)訊號是控制 IC 等電路的訊號，輸出(output)訊號則是被
控制的訊號。放大器輸入端的電流不一定流入放大器中，輸出端的電流也
不一定流出放大器。例如，圖 8-2 所示的反相放大器中，當輸入端的電壓
為正時，輸入訊號的電流流入放大器，而輸出訊號的電流也是流入放大器

139
內(因為輸出電壓為負)；當數入訊號為負時，輸入電流流出放大器，輸出
電流也是流出放大器(輸出電壓為正)。換句話說， 「輸入」不是「流入」，
「輸
出」也不等於「流出」 。輸入與輸出代表因果關係：輸入為因，輸出為果84。
輸出端的電流方向英文以 sourcing(流出)與 sinking(流入)稱之。有些 IC
的輸出電流的方向一定往內(如 2803)，俗稱 current sink IC，若是輸出電流
恆向外，則可稱為 current source IC(如 UDN2981)。但這只是非正式的「暱
稱」，請不要與貨真價實的 current source(電流源)搞混。真正的「電流源」
元件是指流出(或流入)此元件的電流值恆定，不隨負載大小改變而改變。
換言之，電子電路中，source 有兩種不同意思，一表向外流出(可當動詞)；
一表源源不絕，大小恆定(與方向無關)。
大部分的 IC 輸出端的電流都是可進可出，例如 OP-AMP 與 555 等(can
be current sourcing or sinking)。

VCC
VCC

+
Output Output
Input 單動放大器 Input 差動放大器
-

圖 8-3：單動與差動放大器

8.3 差動、單動

放大器或儀表的輸入端可分為差動(differential)輸入與單動
(single-ended)輸入(圖 8-3)。一組訊號線連接單動放大器時，其中一條必須
接地，因為接地線一般不視為輸入線，因此輸入訊號線看起來只有一條，
故稱「單」動。
差動放大器(或儀表)的兩個輸入接點都不需接地，因此可以偵測浮接
(floating)的訊號，如圖 8-4。通常差動放大器也可當單動使用：其中一個輸
入接點也可接地。因此差動放大器的功能較單動者彈性大，但是，好的差
動放大器並不容易製作，價格也比單動放大器昂貴。

84
以函數的觀點來說，輸入訊號為自變數，輸出訊號為因變數：output=f(input)。

140
 差動儀表

A B

圖 8-4：差動輸入的儀表可量測電路中任意兩點的電位差，而單動儀表只能量
測任一點與接地點的電位差(AO 或 BO，但不能量 AB 兩點電壓)。

對於理想的差動放大器，當正負兩輸入端的電壓相等時，輸入電壓應為
0。實際上卻不是如此：當兩輸入端接同一電壓值(VCOM)，輸出電壓不會真
的等於 0，而會隨 VCOM 增加而變大，此(不好的)放大倍率稱為「共模」放
大率(common mode gain)。因此差動放大器的重要性能指標是「共模排除
比」(CMRR, common mode rejection ratio)，也就是常模放大率85與共模放
大率的比值，CMRR 愈大，差動放大器的性能愈佳。
一般的三用電表可量測差動訊號，但是示波器通常是單動輸入，因此
探棒的負端(黑色夾頭)必須接地。如果要量測差動訊號的波形，有下列幾
種選擇：
1. 將電路中欲量測的兩個點(都不是接地點)分別接至示波器的兩個通道
(channels)，將兩個訊號相減(一般數位示波器具有相加減的功能)。
2. 使用減法器(或稱差動放大器，見圖 6-16)，將差動訊號轉為單動訊號，
再接至示波器。減法器的兩個輸入端之前可分別接電壓隨耦器(voltage
follower)，提高輸入阻抗。
3. 使用專用的差動放大器 IC86(如 AD522, AD624)，提高精度與 CMRR。
4. 若自製差動放大器的精度、CMRR 不夠高，可考慮購買差動輸入探棒
與套件。(很貴)
5. 購買差動輸入的示波器。(更貴)

數位訊號的傳輸線也可區分為單動與差動兩種，例如 RS232(傳統
MODEM 與 PC 的連結標準)使用單動傳輸線，而 USB(通用匯流排，新的

85
因兩輸入端的電位差所產生的放大。
86
又稱為「儀表放大器」(Instrumentation amplifiers)。

141
PC 串列資料傳輸標準，企圖取代 RS232 串列埠與傳統的印表機埠)則使用
差動訊號線。因為差動傳輸中，來、回的一組線完全對稱，容易抵銷外部
干擾訊號，因此高速與長距離資料的傳輸線多使用差動方式87。

8.4 阻抗匹配

為避免負載效應，電壓放大器(包括電壓對電壓的放大器與電壓轉電流
的放大器)的輸入阻抗愈大愈好；是否所有的放大器或儀表都是如此呢？答
案是：未必！
電流放大器(包括電流轉電壓的放大器與電流對電流的放大器)的輸入
阻抗應愈小愈好。例如，將三用電表切換成伏特計時(量電壓)，電表的輸
入阻抗可達數 MΩ以上，而且愈大愈理想；但是當切換成安培計時，輸入
阻抗則接近於 0。
另外有一種情形與電壓或電流放大器都不一樣，那就是如何將電能有
效的從前一級(訊號源)傳至下一級電路(負載)。此時，當負載的阻抗與訊號
源的輸出阻抗相等時，電能的傳遞效率最高！這就是所謂的阻抗匹配
(impedance matching)。

A
RS IA

VS RIN

圖 8-5：阻抗匹配

我們以圖 8-5 為例，說明上述三種狀況。如果要提高 A 點的電壓，則

應提高 RIN(根據分壓定理)。如果要使流入 A 點的電流最大，則 RIN 應等於
0。但是，如果希望加諸 RIN 的功率最大，則應儘可能提高 VA 與 IA 的乘積88，
我們可以算出當 RIN 等於 RS 時，此乘積最大：

87
將一對差動傳輸線絞在一起可相互抵銷外部雜訊幹擾，稱為「對絞線」(twisted wires)。
88
前面兩種情況輸入功率(VAIA)都接近於 0。

142
 假設 VS 為直流訊號源89，則
VS2 RIN
PA = V A I A =
( RS + RIN ) 2
將 PA 對 RIN 微分，

dPA  1 R IN  RS − R IN
= VS2  −2  = VS2
3 
 ( RS + R IN ) ( RS + R IN )  ( RS + R IN ) 3
2
dR IN

PA 最大值發生於上式為 0 時，也就是 RIN = RS。

表 8-1 將放大器最佳的輸入阻抗與訊號源輸出阻抗(內電阻)的關係列
表。表中最後一項屬於波動理論的範疇90，對於高速訊號傳輸線或是長距
離的傳輸需予考慮。

表 8-1：各種元件的最佳輸入阻抗

設計目標 最佳輸入阻抗 備註
電壓放大器 輸入電壓最大 愈大愈好 使輸入電壓衰減最少
(Voltage amplifiers
and voltage to current
converters)
電流放大器 輸入電流最大 愈小愈好 使輸入電流衰減最少
(Current amplifiers
and current to voltage
converters)
能量傳輸 負載功率最大 等於訊號源的內 加諸負載的功率等於訊
電阻 號源輸出功率的一半91
訊號傳輸線 避免電波反射 等於傳輸線的 所有入射電波均被吸
「特徵阻抗」 收；適用於高速或長距
離的傳輸線

89
以下推導結果也適用交流訊號源。
90
所謂特稱阻抗(characteristic impedance)與導線本身(連續分佈)的電感與電容有關，在此並假設
導線無電阻成分，因此沒有能量損耗。
91
另外一半消耗於訊號源的內電阻。

143
 8.5 類比與數位

類比訊號是指在某範圍內連續變化的訊號，類比電路的每個輸出入接
點理論上可有無限多種電壓值。數位電路每一個接點只有兩種92狀態：高
或低。因此，若要傳遞複雜的資訊，必須一次使用多條訊號線(並列傳輸)，
或是以一條訊號線將多個高/低(0/1)訊號依序傳送(串列傳輸)。由於微處理
器(microprocessors)、數位訊號處理器(digital signal processors, DSP)等元件
的功能與速度不斷提昇，電子產品已日漸數位化。利用微電腦處理數位訊
號、設定元件參數、監控硬體電路等，可提昇產品的功能與使用彈性，並
可簡化電子電路的設計。
一顆微處理器雖然可執行大部份運算放大器的功能，包括加、減、乘、
除、開根號、積分、微分…等等，還有許多類比元件難以完成的動作，例
如訊號辨別、資料壓縮、加密、解密等，但是類比電路仍有微處理器無法
取代的特點：
1. 類比—數位介面：自然界的物理量大多是類比訊號，數位化前常需
前置處理，例如將訊號放大、縮小等，使訊號的電壓值落於類比與
數位轉換器(A/D converters)的感測範圍內。而微處理器的運算結果
輸出時，需將電壓或電流提昇方可驅動馬達、喇叭、燈泡、繼電器
等元件，這時前面章節介紹的射極隨耦器、電子開關等電路可派上
用場。
2. 速度與可靠度：類比電路的運算速度遠高於一般微處理機93，對於
功能單純且需要快速反應的電路，使用類比元件可能較經濟。另
外，類比電路沒有當機的疑慮94，可靠度高。

目前大多數的電子電路都是類比與數位的混合，兩者的結合方式可區
分為下列幾種型式：
1. 類比與數位轉換器結合微處理機運算系統，如圖 8-6 所示。此種混
合電路中，訊號處理的工作主要由微電腦執行。圖中顯示，類比訊
號與微處理器的介面除了可使用 A/D 轉換器外，還可直接透過比
較器或是 Schmitt trigger 將類比訊號轉為一個 0 或 1 的數位訊號。
輸出端除了可用 D/A 轉換器轉成類比訊號外，也可直接將數位訊
號連接電子開關，推動 ON/OFF 驅動型的元件或機構，如燈泡、加

92
三狀態(3 state)元件除了高與低電壓之外，還有高阻抗狀態(非高非低的開路狀態)。
93
數位處理器的計算速度愈來愈快，某些並列處理的 DSP 或可程式邏輯元件(programmable logic
device)的運算速度可與類比電路相比擬。
94
數位電路不一定會當機，不含微處理器的數位電路一樣不會當機。

144
 熱器、步進馬達、PWM 驅動的伺服馬達等。
2. 數位控制的類比電路，如圖 8-7 所示。這種混合電路中，訊號處理
的任務由類比元件完成，而微電腦則執行參數設定或功能選擇的動
作。例如圖 8-7(a)中，透過微電腦設定數位控制的可變電阻(見 7-4
節)，可調整放大器的放大倍率；圖 8-7(b)中，微電腦可經由類比開
關選擇訊號頻道。
3. 類比元件(電阻、電容、比較器、運算放大器等)與數位記憶元件(如
正反器，亦即 Flip-flop)結合，555 就是一個例子。這種電路中數位
元件只是紀錄系統的狀態，並不做資料處理的工作。

145
 類比訊號

放大、縮小、
整型、濾波

Analog signals
比較器、 A/D 轉換器
Schmitt triggers
Digital processing

微電腦、
微控制器、
數位訊號處理器

數位開關 D/A 轉換器

(含電晶體開
關、繼電器、固 電流、電壓提昇
Analog world
態電繹等)

燈泡、加熱器、
喇叭、映像
ON/OFF 電源開
管、伺服馬
關、步進馬達、
達…
PWM…

圖 8-6：類比與數位混合電路(一)

146
 3 741
Input +
6
2
Output
-

數位控制的可
變電阻

微電腦或微控制器

(a)

Channel 1
Channel 2
Output
Channel 3
Channel 4

類比開關
(類比多工器)

微電腦或微控制器

(b)

圖 8-7：類比與數位混合電路(二)：(a)使用數位控制的可變電阻；
(b)使用類比開關。

147