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半導體實驗 期末報告

電子三甲 B0627117 劉念騏

一、MOS 電容特性
1.再給予閘極外加偏壓時會產生聚積、空乏、反轉三種情況:

(a)聚積(accumulation)
當給予金氧半電容閘極一個微小偏壓時,金屬層的費米能階會往上提,氧
化曾和金屬層的界面能帶也隨之往上提。此時氧化層與半導體的交界界面會造
成電洞累積。此時電容器的單位面積電容值就只包含氧化層電容而已。
𝜀𝑜𝑥
𝐶𝑎𝑐𝑐𝑢𝑚𝑢𝑙𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛 = 𝐶𝑜𝑥 =
𝑡𝑜𝑥
(b)空乏(depletion)
給予閘極一個小的正偏壓,且還沒超過臨界電壓時,金屬層能帶的費米能
階會往下掉,相對的氧化層能帶也會隨之往下。而由於半導體與氧化層之間的
能障還是不變,所以半導體表面的導電帶、價電帶就會被影響而向下彎曲。此
時氧化層與半導體的交界處會因閘極的正偏壓排開半導體的電洞而形成空乏
區。此時元件是氧化層電容與半導體空乏區電容相互串聯的。
1 1 1
= + ,𝐶𝑠𝑑 :半導體空乏區電容
𝐶𝑑𝑒𝑝𝑙𝑒𝑡𝑖𝑜𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝐶𝑠𝑑
(c)反轉(inversion)
最後當給予閘極的電壓一直增加時,增加到超過臨界電壓之正偏壓時,金
屬層的費米能階會下降更多,氧化層的能帶也會因此受到影響而下降更多。當
半導體與氧化層之間的能障還是不變,半導體表面的導電帶、價電帶向下彎曲
的幅度就會更大。此時氧化層與半導體的界面會產生電子,此時反轉區的電容
值為氧化層的電容值。
𝜀𝑜𝑥
𝐶inversion = 𝐶𝑜𝑥 =
𝑡𝑜𝑥
2. n type 和 p type 的 MOS 電容 C-V 曲線:

二、此元件是 n type 還是 p type


觀察對比上圖(n type 和 p type 的 MOS 電容 C-V 曲線)以及實驗量測得到的 C-V
Curve 可知,此原件為 p type。

三、畫出電容曲線圖以及標出電容三個區域

四、計算氧化層厚度(小圓半徑 100μm)
𝜀𝑜𝑥
𝐶𝑎𝑐𝑐𝑢𝑚𝑢𝑙𝑎𝑡𝑖𝑜𝑛 = 𝐶𝑜𝑥 (單位電容) = (𝜀𝑜𝑥 = 3.45 × 10−11 F/m)
𝑡𝑜𝑥
2.77907 × 10−10 3.45 × 10−11
→ = → 𝑡𝑜𝑥 = 3.9 × 10−9 (𝑚) = 3.9(𝑛𝑚)
𝜋(100 × 10−6 )2 𝑡𝑜𝑥
五、Schottky diode 特性
Schottky diode 也被稱為熱載流子二極管。它是一種半導體二極管,具有
非常快的開關動作,但正向壓低。當電流流過二極管時,二極管端子之間的電
壓降很小。在普通二極管中,電壓降介於 0.6 至 1.7 伏之間,而在 Schottky
diode 中,電壓降通常介於 0.15 至 0.45 伏之間。較低的電壓降可提供更高的
開關速度和更好的系統效率。在 Schottky diode 中,半導體與金屬之間形成了
半導體-金屬結,從而形成了 Schottky Barrier。N 型半導體用作陰極,金屬側
用作二極管的陽極。
1. Schottky diode 的 V-I 特性:

①與普通的 PN 結二極管相比,Schottky diode 的正向壓降非常低,正向


電壓降範圍為 0.3 伏至 0.5 伏。
②正向電壓降增加,同時增加了 N 型半導體的摻雜濃度。
③Schottky diode 的 VI 特性比普通 PN 結二極管的 VI 特性要陡得多,這
是因為其載流子濃度很高。
2. Schottky diode 的優點:
①低開啟電壓:二極管的開啟電壓在 0.2 到 0.3 伏之間。對於矽二極管,
它比標準矽二極管承受 0.6 至 0.7 伏的電壓。
②快速恢復時間:快速恢復時間意味著可以用於高速開關應用的少量存儲
電荷。
③低接面電容
3. Schottky diode 的特點:
①效率更高
②低正向壓降
③低電容
六、畫出 Schottky diode 曲線圖

七、心得
很幸運可以選到這門實驗課,讓我可以有一個機會進入學校的無塵室學
習。其實一開始很害怕會進到無塵室,怕會造成什麼危險和麻煩。但其實跟著
助教的指示學習,一切都蠻安全的。這次實驗的結果是我們經過好幾周努力的
成果,從一開始切晶片、塗佈到曝光、顯影、蝕刻,到最後一堂課量測。真的
覺得進入無塵室實際去動手做,和實際去看機台長什麼樣子比起看講義來的真
實很多。
而透過自己量測的結果也可以去驗證一些課堂上學到的理論,雖然實際上
做出來的元件可能不是特性很好,但我覺得學習到很多以前讀課本讀不到的東
西,這是最難得的。

參考資料
https://www.elprocus.com/schottky-diode-working-and-applications/
http://rportal.lib.ntnu.edu.tw/bitstream/20.500.12235/97264/1/n069973013501.pd
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