中央電機系考古題解答

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101 中央電機系電子學
-----------------------------------------------解答------------------------------------------------------
1. Vo  2.7V

V
2. (a) ro  60kΩ ，(b) Av   g m  ro   400.8
V

3. (a) gm RD  2 ，(b) 120

 R 
4. I o  I i  1  2 
 R1 

Vo V
5. (a) AM    g m RL   100 ，(b) f H  6.58 105 Hz
Vsig V
(c) C gs 對應電阻 Rgs  RS  20kΩ
C gd  0

C gd 對應電阻 Rgd C  RS  RL  g m  RS  RL  2040kΩ

gs  0, C L  0

CL 對應電阻為 RL  20kΩ

( Rgs  C gs  Rgd  C gd  RL  C L ) 1
∴ fH   6.03 105 Hz
2

V
6. (a) Rid  2r 1  100kΩ ，(b) Avo  g m1  (ro 2 // ro 4 )  3.2  103
V
V
(c) Av  g m1  (ro 2 // ro 4 // 1600)  1.6  10
3

Vo V
7. (a)  11
Vs V
V A V
(b)(c) Af  o   10.5
Vs 1  A   V
Rin  Rif  0.1  8.64kΩ

1
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102 中央電機系電子學
-----------------------------------------------解答------------------------------------------------------
1
Ri //
Vo sC i Ri
1. (a) ( s)  
Vs  1  ( Rs  Ri )  sRs Ri Ci
Rs   Ri // 
 sC i 

1 1
(b) f 3dB    1.59 106 Hz
2 ( Rs // Ri )  Ci 2  20  10  5  10
3 12

2. (a) Vo  8  3Vi ，(b) Ri  2 k

3. (1) triode, (2) Sat. (3) Sat. (4)off, (5) Sat

1
ro1 // ro 2 //
1 1 V g mb1
4. (a) 略，(b) Ro  ro1 // ro 2 // // ，(c) o 
g mb1 gm Vi 1  1 
  ro1 // ro 2 // 
g m1  g mb1 

Vo V
5. (a) Ri  1.03  104 k ，(b) Ro  19  ，(c)  0.98
Vs V

V2
6. (a) shunt(流)-shunt(壓)回授，(b) A     9
V1

1 k 1
7. 0  , Q 2 , a1 
RC k 1 kRC

8. Y  A  B  (C  D) ，表示硬體設計為：
PDN： N A // [ N B series ( NC // N D )]
PUN： PA series [ PB // ( PC series PD )]

2
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103 中央電機系電子學
------------------------------------------------解答------------------------------------------------------
3
1. (a) Vth  Vi  11.25 sin(t ) ，(b) I N  3Vi  45 sin(t)mA
4
V 1 8 rad
(c) Rth  th  0.25k ∴ o   4  10
IN Rth  C L s

ID 1
2. g m  ro  2   200
VGS  Vt I D

Vo 5V
3. 
Vi 3V

4. (a) VC  7.14V
(b)設維持主動區的規範為 VCE  0.2V ∴ RC  5.775 k
(c) Rin  90.825 k

V
5. (a) AM  50
V
rad 1 rad
(b)  pi  45.45  10 6 ，  po   45.45  106
s RLCo s
1
rad
<1> 精確解： 3dB   p  2  1  29.24 10  4.65  106 Hz
2 6

s
1

<2>平方公式近似解： 3dB  (  )
2 2
pi po
2
 5.12  106 Hz

6. (a) C  0.537 pF ，(b) r  7.5 k

Vf IO gm
7. (a) series  series，(b)    R ， (c) A  
IO Vs  O
1  gm R
IO A g m
(d) A f   
Vs 1  A   1  g m R(1   )

3
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104 中央電機系電子學
-----------------------------------------------解答------------------------------------------------------
1. (a) I o   1.25 mA
(b) D2 , D3 導通， D1 , D4 截止： I D1  0 ， I D 4  0 ， I D 2  I D3  0.5 mA

Vo V
2. (a) I D  1mA ， V1  5V ，(b) g m  2 mA/ V ， (c)   4.5
Vi V

5  0.7  (5)
3. (a)直流分析： I B   0.02mA ∴ I C  1 mA
210  5  51
IC 1 r
(b) g m    40mA/ V ，(c) re    0.0245 k
VT 0.025 1 
V V
(d) o   g m  RC  40  5   200
Vi V

Vo
4. (a)  1 2 g m R f
Vi
Vo
(b)  1 2 g m R f ［註：com-gate 的優點為 Ri   ］
Vi

5. ro  100k ， g m  1 mS
4V
(a) Ao  10
V
 1  Cdb1  Cgs 2  Cgd
(b) CD1  C gd  2  535 fF
1 1 rad
主極點  p    1.87  10
7

ro  CD1 100  10  535  1015

3
s

Io 1  (1   ) g m ro
6. (a) Gm   gm 
Vi 2  (1   ) g m ro
(b) Ro  [2  g m ro (1   )]  ro
Vo
 Gm Ro  1  (1   ) g m ro
2 2
(c)
Vi

4
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105 中央電機系電子學
-----------------------------------------------解答------------------------------------------------------
1. (a) Ro  100 // 100  50 k
3
(b) I  8  10 mA

2. (a) I D  0.4 mA
Vo V
(b)  2
Vi V

3. (a) R  5 k
(b) I s  6 mA

Vo V
4.  0 .4
Vi V

5. (a) Vo (min)  1 V
(b) Ro  g m ro  259 k
2

V
6. (a) Ao  g m  (ro // ro )  2000
V
(b) f p  7.96  10 Hz
5

1
7. (a) Ri  (1   g m RL ) 
gm
Vo g m RL
(b) 
Vs 1  g m Rs  g m  RL

5
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106 中央電機系電子學
------------------------------------------------解答------------------------------------------------------

 V  0 Vo  0
1.  i
Vi  0 Vo  Vi

2. Rin  1.61K

3. R  18.75

4. (a) g m  2.5mA/ V ， ro  16K ，(b) g m  2mA/ V ， ro  10K

5. (a) Rin  4M ，(b) Ro  100K ，(c) AV   80V / V

6. (a) Rin  2K ，(b) AV  2V / V

 po
(c)  pi  6.25  1010 ， po  2.78  108 ， f H   4.43 107 Hz
2

7. (a) series-series.，(b)   0.05V / mA

1
(c) A  I o / Vi  10   5.13  104 mA/ V
4

0.1  (1.9 // 0.1)

(d) Af  I o / VS  20 mA/ V

6
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107 中央電機系電子學
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1. (a) NMOS at saturation：如下圖左 (b) PMOS at triode：如下圖右

2. V1  4.0V ， V2  1.0V

3. (a) g m  2 mA/ V ，(b) AV  0.99V / V

4. (a) Rin  1.54K ，(b) AV   2400(V / V )

5. (a) Rin  1K ，(b) Rin  0.25K

g m RD 2
6. (a) Ad  ，(b) RS 
1  g m RS / 2 gm
RM  RF
7. (a) A  I o / I i   RD  ( g m 2 )  RD  ( g m 2 )
1
RM  RF 
g m1

RM  g m 2 ( RM  RF )  RD
(b)   I f / Io   ，(c) A f 
RF  RM RM  RF 
1
 RM  RD  g m 2
g m1

108 中央電機系電子學
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靠你了！！！