Ch2 Electrostatics

電磁學
ELECTRICITY AND MAGNETISM

Ch2 靜電學 Electrostatics
成功大學物理學系
朱淑君
大綱
2.1 The Electric Field
 Coulomb's Law, The Electric Field, Continuous Charge Distributions.
2.2 Divergence and Curl of Electrostatic Fields
 Field Lines, Flux, and Gauss's Law, The Divergence of E, Applications of
Gauss's Law, The Curl of E
2.3 Electric Potential
 Introduction to Potential, Comments on Potential, Poisson's Equation
and Laplace's Equation, The Potential of a Localized Charge Distribution,
Electrostatic Boundary Conditions
2.4 Work and Energy in Electrostatics
 The Work Done to Move a Charge, The Energy of a Point Charge
Distribution, The Energy of a Continuous Charge Distribution, Comments
on Electrostatic Energy.
2.5 Conductors
 Basic Properties, Induced Charges, Surface Charge and the Force on a
Conductor, Capacitors
NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102. 2
2.1 The Electric Field
Introduction: 電磁學希望解決的基本
問題
空間中有許多 “源電荷 (source
charge)” q1, q2, q3, …, qn，如何對外
來的一個 “測試電荷(test charge)” Q
施力？
 利用 “疊加原理(principle of
superposition)” 簡化問題
 任兩電荷間的交互作用完全不受其
它存在電荷影響。 principle of superposition
計算每一源電荷 qi 作用在 Q 上的
力 Fi  Q 的總受力 F
 複雜變化：源電荷 qi 的位置可以是時
間的函數(加/減速)，測試電荷 Q 的
運動軌跡為何？
由最簡單的源電荷靜止情形開始討論  靜電學(electrostatics)
庫倫定律(Coulomb's Law)
 定理：離測試電荷 Q 距離的一靜止點電荷 q 對
Q 的施力 F 為：
 0, 真空中的電容率 (Permitivity of free space)

 SI 公制單位表示為：
 Note:
 為分離向量，方向由 q 指向 Q
 大小：
 方向：
 Q 受力 F : 正比於 q, Q 兩電荷值、
反比於兩電荷間距離
 Q 受力 F : 沿 q, Q 連線方向
 q, Q 異號相吸，同號相斥
q Q q Q
電場(Electric Field)
 定義由來：
 空間中有許多點電荷 q1, q2, …, qn，分別距離測試電荷 Q,
，Q 的總受力
 改寫為:
 定義電場為:
(離散點電荷電場)
 稱 E 為 “由源電荷 q1,q2, …,qn 形成的電場 ”
 E = E(r), 是空間位置的函數
 Note: 隨 r 變化
 E(r), 每單位電量之電荷在 r 位置受到源電荷的施力，與 Q 值無關，
連續分布電荷 (Continuous Charge Distributions)之電場
 計算公式：
  (連續分布電荷電場)
(離散電荷)
 Ex:
線電荷, 線電荷密度 
(:單位長度電荷量)
面電荷, 面電荷密度 
(:單位面積電荷量)
體電荷, 體電荷密度 
(亦稱庫倫定律)
(:單位體積電荷量)
 Note:
 由 dq (dl’, da’, d’)指向P

 Example 2.1
density
 Ans:
(1)由於對稱性，位於±x 處兩線段 dx 於 z 軸上觀測點 P 產
生的電場 x
ˆ 分量抵消，只剩下相同的 zˆ 分量，其和為：
dER dEL
=dE ẑ
(2)代入： x 積分範圍：0~L
E  Ezˆ
 討論
若 z >>L, ，類似 q=2L 之點電荷產生電場
若 L∞, ，或改寫為，s為觀測

點 P 距離無窮長線電荷垂直距離。
2.2 Divergence and
Curl of Electrostatic Fields
Introduction
 利用直接積分的方式 “求靜電荷形成的電場” 常遭遇繁複的積分運算
(庫倫定律)
 靜電學中有一部分的討論致力於探討 “如何避開積分求靜電荷電場分布？
”
多半利用了▽．E、 ▽×E 的計算，將於本節介紹。
場線, 通量, 及高斯定律 (Field Lines, Flux, and Gauss's Law)
 場線(Field line)
 表示向量場分布情形 (Ex:點電荷電場分布： )
 (a)用向量表示：
 場方向 箭號方向
 場大小 箭號長短
 (b)用場線表示：
 場方向 箭號方向
 場大小
NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102. 單位面積垂直通過的場線數目 (向量) (場線) 8
 Note:
 場線數目：
 足夠描述場的分佈情形， -
+
 規格必須相同(單位電荷發出的場線數目)
 電場場線由正電荷出發，指向負電荷或無窮遠
 場線絕不相交(同一位置不會有兩個場方向)
 通量(Flux)
 定義：通過面 s 的電場通量為
 通過 s 面的場線數目
s
 Note: 暗示著測量一個封閉面的面通量 E
可反映出封閉面內部包圍的電荷值。

 高斯定律 (Gauss's Law)
 通過封閉面的場線(E通量E)反映封閉面內部電荷值
 內部正電荷產生正(向外的)通量
 內部負電荷產生負(向內的)通量
 兩者抵消，反映出封閉面內部總電荷值
 外部電荷對一封閉面產生的通量貢獻為0
(入=出)
 Ex: 通過以 “帶電量q 點電荷” 為球心球面的通量
q
 Note:
 球徑 R 為任意值，通量 E 相同。
 任意形狀封閉面，求得的E 相同。

 封閉面內含多電荷時：
 由疊加原理，空間中電場值為各電荷
電場值之和:
 通過封閉面的通量 E :
 E Qout 
 E Qin  da  又  E Qout  da  0 
高斯定律：對任意封閉面 s 而言，電場通量為:
，其中 Qenc 為封閉面包圍之總電量。
Mm
 Note: 任一呈 1/r2 形式的力，均滿足高斯定律。Ex: 重力 F G  G
2
r2
，E 若非正比於1/r ，封閉面通量便會與封閉面的選擇有關。
 高斯定律的微分形式 (Gauss's law in differential form)
 Proof:
 由散度定理，知：
 封閉面內部電荷，可用體電荷密度  改寫：
 由Gauss’s law，知:
 對任意體積 V 而言上式均成立  兩被積分函數相等，即：

直接求電場的散度 (The Divergence of E): ▽．E
 改寫庫倫定律： 

代入：
 求散度：
(高斯定律的微分形式 )
 求高斯定律積分形式：利用散度定理
NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102.

(高斯定律的積分形式 )13
高斯定律的應用
當電場具有對稱性時，使用高斯定律(微分形式)可以快速又簡便的解出電
場值。
 Example 2.2
 Ans:  取 r>R 同心球面為 “高斯面(Gaussian surface)”

，由高斯定律知： q

0
 式左：
 E, da同方向, 故:
 由對稱性知，高斯面上處處|E|相同:
da  得：
Note: 均勻帶電球體外電場如同 “所有電荷 q 位於球心” 時的電場14

NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102.
 Example 2.3
 Ans:  取半徑 s、長度 l 的同心圓柱面為 “高斯面

(Gaussian surface)”，由高斯定律知：
 式右：包圍電量 Qenc
da
da
 式左：由對稱性知 E 指向徑向方向( s
ˆ)
 圓柱面： E, da 同方向:
 兩端平面： Eda  E．da =0

 得：
 Example 2.4
 Ans:  如圖，取高斯面為包圍無窮大平面，上下對稱
n
ˆ da 的方形盒面，由高斯定律知：
da
 式右：包圍電量 Qenc=A
 式左：由對稱性知 E 指向遠離帶電平面方向(n)
ˆ
，上方向上，下方向下。
da  頂面、底面： E, da 同方向:
n
ˆ
 四側面： Eda  E．da =0
p’
 得：
p
Note : 無窮大帶電平面外，處處電場值相同！！！
Q: Coulomb‘s law: E 正比 1/r2 成立嗎？

 Example 2.5

E  0 E  E  0
0

小結：
 當電場具有對稱性時，使用高斯定律(微分形式)可以快速又簡便的解出電
場值。
 高斯定律是正確的，但不總適用所有求解 E 之問題，ex: 當電荷分布隨空
間變化而非對稱時。
 三種適用Gauss’s law 的對稱性：
 球對稱(Spherical symmetry)  取高斯面為同心球面
 柱對稱(Cylindrical symmetry)  取高斯面為同心圓柱
 平面對稱(Plane symmetry)  取高斯面為對稱平面的盒狀
 Note: 高斯定律對“長”柱或 “大”平面 (非“無窮長”柱或 “無窮大”平面)

等對稱問題仍能給出近似解(非精確解)
O
E 的旋度 (The Curl of E): ▽×E
q
 求位於原點之點電荷之電場旋度
 電場：
▽×E=0
 證明：▽× E =0
 計算空間中，任意 ab 路徑之電場路徑積分



 若為封閉路徑 (rb=ra):
 由 Stoke’s theory:
   E  da  0
S
 推廣：多電荷、任意分布電荷之電場旋度值
 上述的證明與座標軸的選擇無關，也與電荷放置的位置無關。
 若空間中有多電荷，由疊加原理知空間中電場為：
 、對空間中任意靜電荷分布皆成立。

2.3 Electric Potential
電位簡介(Introduction to Electric Potential)
 因為 E 是一個特別的向量場，才能定義電位 (Electric Potential)

Stoke’s theorem
電場的線積分值與路徑無關
 定義 “電位(Electric Potential)”：
 微分形式：
 Proof : 求 a, b 兩點的電位差
 由電位定義：
 又由梯度基本理論知：
 對任意兩端點 a, b 皆滿足：
被積分項相同：
電位的一些特性：
 使用電位的好處：把向量問題 (3個量值) 簡化為純量問題 (1個量值)
 How? & Why?
 由於，向量 E 的三個量值並非完全獨立。
xˆ yˆ zˆ
E     0
x y z
Ex Ey Ez
 參考點的選擇：
 改變參考點，如同 “增加一常數項 K 至電位函數值 V(r) ”
 改變參考點：電位差不變、所有的電位函數 V’(r) 對應的電場皆相同

、
電位本身無物理意義，兩點間的電位差值才有意義
 cp. 高度
 靜電學常用參考點：令 “距離電荷無窮遠處為電位 V=0 ”
 cp. 定海平面為高度 h=0
 例外：電荷分布至無窮遠處。
 求均勻帶電平板電位：(令 “距離電荷無窮遠處” 為電位 V=0)
E    nˆ 
 可取其他位置當參考點  2 0 
 電位與能量無關，電位差才與能量有關。
 具有相同電位的面稱為 “等位面(equipotential)”

 電位滿足疊加原理
 說明：
 空間中有多點電荷，測試電荷受力：
 除以測試電荷電量，空間電場值：
 按電位定義積分，：
(滿足疊加原理)
 Note: 電位純量和，遠比電場向量和容易計算
 電位的單位：伏特(Volt)
 F 單位：牛頓 (N)
 E 單位：牛頓 (N)/庫倫(C)
 電位 V 單位： N  m J
、、Volt
C C
 Example 2.6
 Ans:  由高斯定律，知求殼內外電場值：
∞ 
 球殼外：

 球殼內： E  0
 球殼外，離球心距離 r > R 處電位：
 球殼內，離球心距離 r < R 處電位：
 討論：
 球殼內處處等電位(V=常數)
 球殼內處處電場為零 (E= - ▽V =0)

Poisson's Equation and Laplace's Equation
 Poisson's Equation
 代入高斯定律：
(Poisson's Equation)
 Laplace's
Equation
 若空間中無電荷，=0， Poisson’s Equation 變成：
(Laplace's Equation)
 Note:
 求空間中電位 V 分布，只需 1方程式：Poisson’s eq.


 求空間中電場 E 分布，需要 2 方程式：


局部分布電荷的電位(The Potential of a Localized Charge
Distribution)
 電荷 q 位於原點，以無窮遠處為 V=0 參考點，
P
r ∞
距離電荷 r 處電位 V =?
 推廣： r
O
 一電荷 q 位於空間中任一位置，距離該電荷處電位：
r
 空間中有多點電荷，任一位置 r 電位： O
 空間中有連續分布的電荷，任一位置 r 電位： r
O

 體電荷分布，電荷密度 ：
 面電荷分布，電荷密度 ：
 線電荷分布，電荷密度 ：
 Note:
 本小節所有的推導結果只成立在 “參考點為無窮遠處 V=0”
 Poisson’s Equation: ，常用在 “已知 V，求空間中  分布”
 可看成，Poisson’s Equation 由  分布反求 V

的解。
 求E:
 直接對 dE 積分：各dE方向不同，煩
 求 V，再利用求E V之積分計算較簡單。
 位能的想像：正電荷(cp.山峰)、負電荷(cp.山谷)
 Example 2.7
 Ans:  由於電荷分布呈球對稱，可取觀測點 P 位於 z 軸上
 由電位計算公式：代入

 da ' 

 球殼內外電位：
 球殼外, z>R
 球殼內, z<R
 Cp. (Example 2.6)，利用求 V 較簡單

(Gauss’ law可輕鬆求出對稱電荷分布之 E)。
小結: 靜電學問題 (Summary: electrostatic problem)
 靜電學典型問題：已知空間中電荷分布  ，求空間中電場分布 E
 若電荷分布具有對稱性 利用 Gauss’ law 求 E
 若電荷分布不具對稱性 先求電位分布 V ，再利用電位 V 求 E
 三個靜電學的基礎物理量：電荷分布  、電場分布 E 、電位分布 V

 彼此間可用六公式關聯：
 六公式皆源於
 疊加原理
 庫倫定律

靜電學邊界條件(Electrostatic Boundary Conditions) n̂
 電場垂直分量 E⊥邊界條件
 如右圖取 “薄盒型” 高斯面，由高斯定律：
 0，盒側面無通量0
ˆ  E
 電場與面法向量內積值為垂直表面電場分量： E  n
(E⊥邊界條件)
@Note:
 通過一不連續介面，電場垂直分量 E⊥ 差值為 /0
 若介面不帶電荷(=0) ，電場垂直分量 E⊥ 連續

n̂
 電場平行分量 E║邊界條件：
 如右圖取 “窄矩型” 路徑，由：
 0，兩端線積分值=0
 電場與兩長邊內積值為平行表面電場分量 E║
=0
(E║邊界條件)
@Note: 通過一不連續介面，電場平行分量 E║總是連續的
 電場 E 邊界條件 :
n̂：垂直表面由下指向上 
 電位 V 邊界條件
 如右圖取 ab 路徑，由：
 當路徑長0 ，式右積分值0
(V 邊界條件)
@Note: 通過一不連續介面，電位 V 總是連續的
 電位 V 垂直邊界方向微分值

V
 兩邊對 n 內積、 V  n̂ 
ˆ 為電位沿垂直表面方向的微分
n

Homework-Part I
 3 ed. 題號
1, 2, 3, 4, 7
8, 9, 11, 12, 13
16, 18, 19, 20, 21
24, 25, 27, 28, 30
共20題
4 ed. 題號
1, 2, 3, 4, 7
8, 9, 11, 12, 13
16, 18, 19, 20, 21
24, 25, 27, 28, 30
共20題

2.4 Work and
Energy in Electrostatics
移動電荷所需做功(The Work Done to Move a Charge)
 Q: 有一群靜止的源電荷 qi，將測試電荷 Q 自 ab ，所需做功為何？
 電荷 Q 受靜電力：
 施力抵抗電力使電荷 Q 等速移動，需施力:
 不希望 “電荷加/減速” 獲得動能
 施力做功：
 Note:
 將 Q 自 ab，施力做功與路徑選擇無關
 稱電力為 “ 保守力(conservative force) ”
 (a,b 兩點的電位差=移動單位電荷由 ab所需做功)

 Q 自∞r 所需做功
 令 V(∞)=0  (電位=單位電荷之電位能組成該系統
，單位電荷需要的能量)
點電荷分布的系統能量 (The Energy of a Point Charge Distribution)
 Q: 組成一組點電荷分布需要的能量為？
 放置第一個電荷 q1 ：W1 =0
 放置第二個電荷 q2 ：
 放置第三個電荷 q3 ：
 放置第四個電荷 q3 ：
 組成四個電荷分布總做功：
1 4 4 qi q j

4 0

i 1 j 1 ij
j i
(j>i：避免重複計算)
 組成 n 個靜電荷分布所需總做功，通式：
 通式1:
 通式2:  加總兩次(qi qj ,qj qi )、總和除二
 j≠i 避免計算 qi 2
 改寫：
 , 為除qi 外所有電荷在 ri 位置處構成的電位
 組成電荷分布所需總做功值 =拆掉該電荷系統取回的能量值 (系統儲

存的位能)
連續分布電荷的系統能量(The Energy of a Continuous Charge
Distribution)
S
 公式：
V
V’
 可改寫為：
S’
 說明：
 由Gauss’ law  代入 W公式，得:
 由散度之分部積分公式可改寫為:
 由於增加積分體積值不變 (外部 =0)

 取任意積分體積 V’ 及對應包圍面 S’，W 計算結果不變 (體積分項
變大、面積分項變小)
 取 S’ 為無窮大平面: 面積分項貢獻為 0，只剩體積分項即所求。

 Note:
(不連續分佈電荷系統能量) (連續分佈電荷系統能量)
dq  d
dq  da 1
W
2  Vda
dq  dl 1
W   Vdl
2

 Example 2.8
 Ans:
 方法1：
 代入：球面上電位值，得
R
 方法2：
 利用Gauss’ law，可求得：
球殼內 : 0

球殼外 :
 系統能量：

靜電能的特性(Electrostatic Energy)
 連續電荷、離散分佈點電荷儲存能量公式的不一致？原因？

離散點電荷位能 : ………..(1) (正 or 負值)
 差異：
連續分佈電荷位能 : ……(2)

(恆為正值)
 起因:
 式(1)中 V(ri) 為除 qi 以外之電荷於 ri 處形成之電位。
 式(2)中 V 為所有電荷於 ri 處形成之電位 (積分中 d0、該處電荷
於該點貢獻之 V0)
 計算的物理量不同：
 式(1)計算了擺放電荷所需的能量(未包含組成第一個電荷所需能量)
 式(2)計算了形成電荷分布所需的總能量(包含組成第一個電荷所需能
量，∵積分中 d0)
 系統的能量儲存於何處？
 暗示：能量儲存在電荷處 (=0, dW=0)

 能量密度：V/2
 暗示：能量儲存在空間中 (E≠0, dW≠0, 即便是在 =0 處)

 能量密度：
 Note:
 計算的能量值是相同的，只是計算方法的差異
 靜電學問題：可想像能量儲存在電荷處
 電磁輻射問題：可想像能量儲存在空間中

 電位能計算不適用疊加原理
 原因：計算式內，電場非線性項而是二次項
(交叉項, cross term )

 複合系統的電位能≠個別系統電位能之和

2.5 Conductors
導體的基本特性(Basic Properties of conductors)
絕緣體(insulator ) : 每個電子附屬在特定的原子上

導體(conductor ) : 每個原子有 1~數個電子能自由的在材料間遊走
@理想導體(perfect conductor): 材料有無限的自由電子
 導體內部 E=0
 直覺：若導體內部 E ≠ 0  自由電子一直流動 (非靜電)
 外加電場引起的感應電荷(induced charges)所產生的電場傾向去抵
消原本的外加電場。自由電荷移動至導體內部 E = 0 為止。
 Ex: 放置金屬導體板至外加電場 E0 中
 外加電場使電子向左移動，左右兩側正負電荷分離
 兩側正負電荷形成電場 E1 。
 直到 | E1 |= | E0 |，電荷不再移動。
 導體內部 E = 0

 導體內部淨電荷密度值(net charge density) ＝0
 E=0  =0
 導體內有電荷，為相同數量的正負電荷，＝0
 整個導體是等電位的(equipotential)
 取導體內任兩點 a,b 計算電位差值：
a
 導體任兩點等電位 b
 整個導體都是等電位的
 恰離開導體表面處，導體電場垂直表面
 若導體表面電場有平行表面的分量，自由電荷沿表面移動至抵消電場平
行分量。
 導體淨電荷駐在導體表面
 同性電荷相互排斥、盡可能遠離相鄰電荷
 從能量觀念來看，淨電荷會自然在導體分佈直至位能最低(在導體表面)
 Cp. Ex. 2.8 (電荷在球殼W) & Prob. 2.32 (電荷均勻分布在球體W)
感應電荷(Induced Charges)
 外部電荷靠近無淨電荷導體(an uncharged conductor)
 外部電荷 q ，吸引負電荷使得正負電荷分離
直到導體內部 E=0。
 孤立導體內有空腔，空腔內有電荷
 空腔內部電荷引起的感應電荷，
依然使導體內部 E=0
 空腔內部 E ≠ 0
 導體外部表面感應電荷值恰為
空腔內部電荷值。
 如圖取高斯面，由於導體內部 E=0
= 0 = q+qinduced,內 qinduced,內 = -q
 又 qinduced,外 +qinduced,內 =0 qinduced,外 = q

 Example 2.9
 Ans:  求電荷分布
 如圖取高斯面包圍內部空腔，導體內部 E=0
R
= 0 = q+q induced
E=? q induced = -q
又 q induced +q leftover =0 q leftover = q
 均勻散佈在外球面上
+ + +  求外部電場:
+ +
 三部分電荷貢獻之電場：Eq, Einduced, Eleftover
+ +
 存在唯一一種q induced分佈使得 Einduced 恰抵消
+ +
Eq。(想: R任意值, Ein=0)
+ +
+ +  球外電場僅由 Eleftover 貢獻，即：
+ + + 高斯面
 孤立導體內有空腔，空腔內無電荷
 空腔內 E=0
 說明：
 若空腔內 E ≠0，如圖，沿場線方向取任意封閉
路徑，部分通過空腔、部分通過導體內部。
 計算由
 導體內部 E=0
 E  dl  0
 順場線方向線積分
 E  dl  0
> 0 (錯誤)
空腔內 E=0
 Ex: 接地 Faraday cage 原理

導體表面電荷及其受力 (Surface Charge and the Force on a
Conductor)
 導體表面電荷值 + + +
 由 E 邊界條件： +  +
+ +
 導體內部: E = 0
+ +
 導體外部: (由 E ) + +
+ +
+ + +
 由 V 邊界條件：
 導體為等位體，內部 : 0
 得導體: (由 V  )

Eabove
 導體表面電荷受電力
 面電荷於電場內受電力， Ebelow
單位面積電荷受力： f  E
 導體表面存在面電荷時，電場不連續，
單位面積電荷受力：
 說明：以面電荷為例
 導體表面電場由兩部分電場貢獻(面電荷、其他):
 可表示為：
、
 表面電場不連續起因於表面電荷形成的電場
 電荷形成的電場不會對本身施力，導體表面單位面積電荷受力應為
: f  σEother
 導體兩表面電場平均恰排除面電荷形成的電場：
f  σEaverage
 例：導體單位面積電荷受力
 導體內 : E=0 + + +
 +  +
導體外 : + +
 + +
+ +
+ +
f  σEaverage + ++
 f 亦為導體表面所受靜電壓力(electrostatic pressure)
 靜電壓力傾向將導體往電場內吸引 (正負電荷皆相同)
 可用導體表面電場值 E 改寫為：

電容 (Capacitors)
 由來：
 兩導體，將電荷-Q 自一導體移至另一導體，(兩導體分別帶電荷+Q,-Q)
 導體為等位體，兩導體電位差：
 由庫倫定律:
 增加兩導體電荷值 Q，E 正比於 Q
 兩導體電位差 V 正比於 E  V 正比於 Q
 定義『電容(Capacitors)』
 SI 單位：farad (F= coulomb/Volt)，常用單位為 microfarad (

10-6F ), picofarad (10-12F)
 電容是幾何量，只與導體的尺寸、形狀、距離有關，與導體帶電量無關
 電容值恆正。
 單一導體電容值 C:可將第二導體看成位於無窮遠處的帶 -Q之導體球殼
 Example 2.10
 Ans:
 若平行板面極大
 兩導體面電荷密度  
Q
A
 Q
 兩導體間電場值 (Ex. 2.5)： E  
0 0 A
d
 兩導體間電位差值： V  Ed  Q
0 A
 由定義 C=Q/V，知兩平行板電容值：

 Example 2.11
 Ans:  求兩導體間電位差 V
 令兩金屬球殼分別帶電荷 +Q, -Q
-Q  由高斯定律取同心圓球面可求得兩球殼間電場 E 值為
＋Q
a
 兩導體電位差：
b
 由定義 C=Q/V，知兩平行板電容值：

 電容充電所需作功 (儲存電能) -q
＋q
 電容充電 :
 將電子自帶正電導體移動至帶負電導體
 計算：電容充電過程(q=0~Q)所需作功
 充電某瞬間，兩導體帶電值為 q, 此時兩導體電位差 V= q/C，充電微
小電量 dq 所需作功為:
 積分可得：充電過程總作功
 Q=CV, 可改寫為：

Homework-Part II
 3 ed. 題號
31, 32, 34, 36, 38
39, 40, 42, 44, 50
共10題
4 ed. 題號
31, 34, 36, 38, 42
43, 44, 46, 48, 55
共10題

Ch2 Electrostatics

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電磁學

ELECTRICITY AND MAGNETISM

 0, 真空中的電容率 (Permitivity of free space)

NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102. 6

若 L∞, ，或改寫為 ，s為觀測

NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102. 9

NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102. 10

 對任意體積 V 而言上式均成立  兩被積分函數相等，即：

NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102. 12

NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102.

 Ans:  取 r>R 同心球面為 “高斯面(Gaussian surface)”

Note: 均勻帶電球體外電場如同 “所有電荷 q 位於球心” 時的電場14

 Ans:  取半徑 s、長度 l 的同心圓柱面為 “高斯面

 兩端平面： Eda  E．da =0

NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102. 17

 Note: 高斯定律對“長”柱或 “大”平面 (非“無窮長”柱或 “無窮大”平面)

NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102. 20

 改變參考點：電位差不變、所有的電位函數 V’(r) 對應的電場皆相同

NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102. 23

 球殼外，離球心距離 r > R 處電位：

 球殼內，離球心距離 r < R 處電位：

 球殼內處處電場為零 (E= - ▽V =0)

NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102. 26

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 可看成，Poisson’s Equation 由  分布反求 V

NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102. 29

 Cp. (Example 2.6)，利用 求 V 較簡單

 三個靜電學的基礎物理量：電荷分布  、電場分布 E 、電位分布 V

NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102. 31

NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102. 32

@Note: 通過一不連續介面，電場平行分量 E║總是連續的

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 (a,b 兩點的電位差=移動單位電荷由 ab所需做功)

 通式2:  加總兩次(qi qj ,qj qi )、總和除二

 , 為除qi 外所有電荷在 ri 位置處構成的電位

 組成電荷分布所需總做功值 =拆掉該電荷系統取回的能量值 (系統儲

 由於 增加積分體積值不變 (外部 =0)

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 暗示：能量儲存在電荷處 (=0, dW=0)

 暗示：能量儲存在空間中 (E≠0, dW≠0, 即便是在 =0 處)

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(交叉項, cross term )

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 又 qinduced,外 +qinduced,內 =0 qinduced,外 = q

 Ex: 接地 Faraday cage 原理

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NCKU, Phys., 朱淑君,電磁學, 102. 50

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 SI 單位：farad (F= coulomb/Volt)， 常用單位為 microfarad (

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若 L∞, ，或改寫為，s為觀測

 Cp. (Example 2.6)，利用求 V 較簡單

 由於增加積分體積值不變 (外部 =0)

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