PFE Sb2Se3-21

Projet de Fin d’Etudes
Licence en Sciences et Techniques

Filière : Energies Renouvelables
Option : Technologies solaires et éoliennes
Simulation numérique des nouvelles

Cellules solaires à base de 𝐒𝐒𝐒𝐒𝟐𝟐 𝐒𝐒𝐒𝐒𝟑𝟑
Réalisé par : Membres de jury :

 FEKRAOUI Assia Pr. BENAMI Abdellah (encadrant)
 BARAHALI Brahim Pr. ACHENANI Youssef
 OUHDAD Ghita Pr. TILIOUA Amine
Pr. DAYA Abdelmajid
Soutenu le : 09/07/2021
0
À nos parents
Pour tous les sacrifices qu’ils ont faits et pour tout le soutien qu'ils ont offert tout au long de nos études.
Nous espérons qu’ils puissent trouver dans ce travail un témoignage d’amour et d’affection envers eux.
À nos frères, nos amies et nos collègues
Pour leur encouragement et pour tous les bons moments qu’on a vécus ensemble. Nous espérons que notre
amitié durera éternellement.
Tous les professeurs
Sans oublier tous les professeurs que ce soit du primaire, du moyen, du secondaire ou de l’enseignement
supérieur.
1
Avant tout, nos remerciements à notre Dieu, ALLAH le Tout Puissant,
Créateur de la terre et de l’univers, qui veille sur nous à chaque instant de notre vie, et
qui nous donne la patience et le courage durant ces longues années d’étude.
Au terme de ce travail, on tient à remercier, tout d’abord, notre encadrant Monsieur BENAMI
Abdellah pour son soutien constant, ses conseils et surtout sa totale disponibilité à chaque fois que nous
exprimons le besoin. Il s’est intéressé à notre travail et nous a fait bénéficier de ses connaissances
scientifiques, ainsi pour sa générosité en matière de formation et d’encadrement. Nous ne trouverons jamais
le mot exact pour lui exprimer nos sentiments de satisfaction, qu’il trouve néanmoins ici l’expression de
notre profonde gratitude, en souhaitant que ce travail honore sa confiance.
On voudrait également, exprimer nos vifs remerciements à Monsieur Moulay Brahim SEDRA, le
doyen de la Faculté des Sciences et Techniques d’Er-Rachidia (FSTE), pour son aide ainsi que Monsieur
BENAMI Abdellah, le Chef du Département de physiques, et Monsieur Youssef EL HASSOUANI, le
responsable de la filière.
Nos remerciements les plus distingués sont également destinés aux Professeurs, Messieurs :
ACHENANI Youssef, TILIOUA Amine et DAYA Abdelmajid qui nous avons fait l’honneur de
participer au jury de notre soutenance, qu’ils veuillent bien accepter nos chaleureux remerciements et qu’ils
trouvent ici l’expression de nos considérations.
Enfin, nous adressons nos plus sincères remerciements à notre famille et tous nos proches amis, qui
nous ont toujours soutenu et encourage au cours de la réalisation de ce projet.
Merci à toutes et à tous.
2
Les symbols La signification L’unité
UA Unité astronomique 100 . 106 Km
AMx Masse d’aire Sans
ћ La constante de Planck J.s
𝐸𝐸𝐸𝐸 Energie de gap eV

𝑘𝑘⃗ vecteur d’onde 𝜇𝜇𝜇𝜇
Nd Concentration des atomes donneurs Atome/ 𝑚𝑚−3

Na Concentration des atomes Atome/ 𝑚𝑚−3
accepteurs
n Concentrations des électrons 𝑚𝑚−3
p Concentrations des trous 𝑚𝑚−3
mh Masse des trous Kg
me Masse des électrons Kg
Ev Energie de BV eV
Ec Energie de BC eV
Nc Densité effective d’état dans BC cm-3
NV Densité effective d’état dans BV cm-3
q=e Charge électrique c
EF Le niveau de Fermi Cte

Vco Tension en circuit ouvert V
Icc Courant en court –circuit A
Pm Puissance maximale W
FF Facteur de forme %
η OU (eta) Rendement de conversion %

𝐽𝐽𝑐𝑐𝑐𝑐 Densité de courant en court –circuit A/m²
𝐼𝐼𝑝𝑝ℎ Courant photo-généré A
𝑉𝑉𝑇𝑇 Le potentiel thermique V
𝐾𝐾 Constante de Boltzmann 1.384.10−23 𝐽𝐽𝐽𝐽 −1
𝑇𝑇 Température K
(𝐼𝐼𝑠𝑠 ou 𝐼𝐼0 ) Courant de saturation A
J (mA /cm^2) Densité de courant A/m²

ν La fréquence du rayonnement Hz
3
Liste des figures
Figure1: installation photovoltaïque……………………………………………………………………………………………11
Figure 2: couches internes et externes du soleil………………………………………………………………………………. 12
Figure 3: constante solaire …………………………………………………………………………………………………….13
Figure 4: plan de l’écliptique; l’orbite terrestre et les saisons …..……………………………………………………………14
Figure 5: la rotation de la terre autour de lui même ………………………………………………………………………… 15
Figure 6: position du soleil (hauteur et azimut) …………………………………………………………………………..…15
Figure 7: Trajectoires du soleil à ERRACHIDIA………………………………………………………………………………16
Figure 8: Différentes constantes d’illumination…………………………………………………..……………………………17
Figure 9: Composantes du rayonnement solaire au sol…………………………………………………………………………18
Figure 10: Le spectre solaire……………………………………………………………………………………………………19
Figure 11 : Représentation des bandes d'énergie………………………………………………………………………….…….22
Figure 12: Structure en bandes d’énergie des matériaux ; isolants, semi-conducteurs et métaux………………………………23
Figure 13: Représentations schématiques du gap direct…………………………………………………………….……..…..23
Figure 14 : Représentation du gap indirect……………………………………………………………………………………...24
Figure 15 : Génération d’électrons et des trous dans un semi-conducteur intrinsèque. ………………………………….……..24
Figure 16 : Carte mentale des techniques de dopage…………………………………….………………………………………26
Figure 17 : Représentation de four de diffusion…………………………………….…………………………..……………….27
Figure 18: Implanteur ionique…………………………………….…………………………………………………….……….28
Figure 19 : Principe de dépôt par ablation laser pulsée…………………………………….……………………………………29
Figure 20 : Semi-conducteur de type N…………………………………….…………………………………………………….30
Figure 21 : Semi-conducteur de type P…………………………………….……………………………………………….…….31
Figure22 : Déplacement des bandes des semi-conducteurs dans une jonction P-N………………………………………………31
Figure 23 : zone de charge d’espace…………………………………….……………………………………………………….32
Figure 24 : Jonction P-N non polarisée à l’équilibre…………………………………….……………………………………….32
Figure 25 : Diagrammes énergétiques d’une jonction P-N lors d’une polarisation directe (a) et inverse (b)… ………………….33
Figure 26: l’effet photovoltaïque…………………………………….…………………………………………………………….34
Figure 27 : Schéma simplifié d’une cellule PV de type couches minces………………………………………………………….34
4
Figure 28 : Générations de technologies de cellules solaires…………………………………………….……………………35
Figure 29 : cellule solaire de silicium…………………………………….…………………………………………………….35
Figure 30 : cellule solaire à couche mince …………………………………….……………………………………………….37
Figure 31: Cellule photovoltaïque organique…………………………………….……………………………………………38
Figure 32 : Cellule photovoltaïque multi-jonction…………………………………….……………………………………….39
Figure 33 : Générations de PV en fonction de leur rendement…………………………………….………………….………40
Figure 34: Courbes caractéristiques J(V) dans le noir et sous illumination d’une cellule solaire……………………………41
Figure 35 : Puissance maximale d'une cellule PV…………………………………….…………………………….………….42
Figure 36 : Caractéristiques résultantes d’un groupement de Ns cellules en série. ……………………………………….…45
Figure 37: Caractéristiques résultant d’un groupement de Np cellules en parallèle……………………………………………….45
Figure 38: Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque idéale à jonction PN………………………………………..….47
Figure 39 : Circuit équivalent d’une cellule solaire réelle, modèle à une diode……………………………………………….47
Figure 40: Le modèle d’une cellule photovoltaïque à deux diode…………………………………………………………….48
Figure 41 : Structure de la cellule solaire à base de 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟐𝟐 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟑𝟑 ………………………………………………………………………52
Figure 42: Panneau de démarrage de SCAPS, le panneau d’action ou principal…………………………………..………….......53
Figure 43 : Panneau de création /chargement de la cellule. ……………………………………………………………………….55
Figure 44: Paramètres principaux du matériau…………………………………….……………………………………………….55
Figure 45: Définition du problème les couches de structure sont ajoutées…………………………………………………………56
Figure 46: Le point de fonctionnement……………………………………………………………………………………………..56
Figure 47: La résistance shunt et série………………………………………………………………………………………………57
Figure 48: Panneau des bandes d’énergie…………………………………………………………………………………………..58
Figure 49: Effet de la densité des donneurs sur les paramétrés de la cellule………………………………………………………..60
Figure 50 : L'effet de l’épaisseur de Sb2 Se3 sur les paramètres de la cellul………………………………………………………….61
Figure 51: Effet de la densité de Na de Sb2 Se3 sur les paramètres de la cellule….………………………………………………...61
Figure 52 : Variation des performances de la cellule en fonction de la température…………………………………………..……62
Liste des tableaux
Tableau 1 : comparaison entre les cellules monocristallines et polycristallines…………………………………………………....36
Tableau 2: Constantes physiques ayant un impact sur les performances d’un dispositif photovoltaïque ………………………….52
Tableau 3: Propriété générales des contacts métalliques surface avant et arrière…………………………………………………..59
Tableau 4: Propriétés de défaut avec (A, D) = Accepteur, Donneur……………………………………………………………….59
5
PLAN
Introduction générale……………………………………………………………………………………..9
Chapitre I : généralités sur l’énergie photovoltaïque

1- Introduction……………………………………………………………………………………………11
2- Le soleil ……………………………………………………………………………………………….12
2.1-La constante solaire ………………………………………………………………………………13
2.2-Mouvement de la terre autour du soleil et lui-même …………………………………………….14
2.3-Trajectoire apparente du Soleil…………………………………………………………………..15
2.4-Masse d’air………………………………………………………………………………………16
3. Energie solaire photovoltaïque ……………………………………………………………………….17
3.1-Rayonnement solaire…………………………………………………………………………….18
3.2-Le spectre solaire …………………………………………………………………………………..19
4-Conclusion …………………………………………………………………………………………..20
Références……………………………………………………………………………………………..21
Chapitre II : Les semi-conducteurs

1- Introduction …………………………………………………………………………………………22
2- Définition …………………………………………………………………………………………....22
3-le gap………………………………………………………………………………………………….23
3-3-Semi-conducteur à gap direct………………………………………………………………..…23
3-4-Semi-conducteur à gap direct ……………………………………………………………….……23
4-Semi-conducteur intrinsèque…………………………………………………………………………24
5-Semi-conducteur extrinsèque………………………………………………………………………...25
5-1-Technologies de dopage…………………………………………………………………………..26
5-2-Type N……………………………………………………………………………………………30
5-3-Type P……………………………………………………………………………………….……30
6
6-Jonction PN…………………………………………………………………………………………31
6-1- Jonction PN non polarisée ……………………………………………………………………32
6-2-Jonction PN polarisée…………………………………………………………………………33
7-L’effet photovoltaïque………………………………………………………………………………33
8-Les cellules solaires…………………………………………………………………………………34
9- Les quatre générations des cellules solaires…………………………………………………………35
9-1-premiere génération……………………………………………………………………………35
9-2-deuxième génération……………………………………………………………………………36
9-3-troisième génération……………………………………………………………………………38
9-4- quatrième génération……………………………………………………………………………39
10-Les caractéristiques d’une cellule solaire……………………………………………………………40
10-1-Tension en circuit ouvert……………………………………………………………………..…41
10-2-courant de court-circuit…………………………………………………………………….……42
10-3-pissance maximale ………………………………………………………………………………42
10-4-Facteur de forme…………………………………………………………………………………43
10-5-Rendement énergétique…………………………………………………………………………43
11 –Association des panneaux……………………………………………………………………………43
11.1- Mise en série ……………………………………………………………………………………..44
11.2- Mise en parallèle……………………………………………………………………………………45
12-Modélisation électrique d’une cellule solaire…………………………………………………..……46
12-1-Circuit a une diode…………………………………………………………………………….…46
12-2-Circuit a deux diodes en parallèle………………………………………………………………48
13-Conclusion………………………………………………………………………………….………49
Références……………………………………………………………………………….……………50
7
Simulation numérique des nouvelles cellules solaires à base de 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟐𝟐 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟑𝟑
Chapitre III : les cellules photovoltaïques à base de Sb2Se3
1-Introduction……………………………………………………………………………….……………51
2-Structure et propriétés des cellules Sb2Se3……………………………………………………………51
3-Logiciel SCAPS ………………………………………………………………………………………53
3.1-Notions de base………………………………………………………………………………………53
4- Paramètres de la structure a étudié……………………………………………………...…………59
5-Résultats……………………………………………………………………………………….………60
5.1- effet de l’épaisseur de Cds…………………………………………………………………………….….60
5.2- effet de l’épaisseur de 𝑆𝑆𝑆𝑆2 𝑆𝑆𝑆𝑆3 …………………………………………………………………………….60
5.3- effet de la densité de Na de 𝑆𝑆𝑆𝑆2 𝑆𝑆𝑆𝑆3 …………………………………………………………………….... 61
5.4- effet de la température ………………………………………………………………………………….….62
Conclusion générale …………………………………………………………………………………….63
Références. …………………………………………………………………………………………………………...64
8
Introduction générale
Les principales ressources énergétiques utilisées actuellement dans le monde sont les combustibles fossiles
(pétrole, charbon, gaz), le nucléaire, les énergies renouvelables. Un inventaire de ces différentes sources
d’énergie permet de constater que nous dépendons fortement des énergies fossiles. Or ces dernières sont
amenées à disparaître. De plus l’utilisation massive de ces énergies à un effet néfaste sur l’environnement,
le changement climatique, la pollution de l'air, les déversements de pétrole [1].
La combustion de combustibles fossiles produit des gaz qui retiennent la chaleur qui sont la cause
principale de l'augmentation continue des températures atmosphériques mondiales. Le forage d'exploration
de pétrole et de gaz constitue également une menace majeure pour les écosystèmes fragiles dans le monde
entier. En dépit de ces catastrophes annoncées, nos besoins énergétiques continuent de croître et nous
continuons la recherche de pétrole et de gaz au large des côtes, en soumettant les communautés côtières, la
faune et les écosystèmes à de grands risques.
Ainsi ces dernières années, la protection de l’environnement est devenue une préoccupation majeure des
sociétés. De nombreux axes de recherches ont donc été orientés vers l’utilisation des énergies propres dites
renouvelables. Il y a cinq énergies renouvelables principales : les énergies solaires, éolienne, hydraulique,
géothermique et l'énergie provenant de la biomasse. Parmi ces énergies, celle qui nous intéresse dans ce
travail est l’énergie solaire photovoltaïque.
L'énergie solaire a un potentiel énorme en tant que source d'énergie propre, abondante et économique, mais
ne peut être utilisée en tant que telle ; il doit être capturé et converti en formes d'énergie utiles. Le
photovoltaïque est la technologie qui convertit l’énergie du spectre solaire en courant électrique direct à
partir de matériaux semi-conducteurs.
Les cellules solaires commerciales en couches minces sont essentiellement fabriquées à partir du CdTe et du
CIGS [2]. Leur part de marché est en constante diminution pendant ces dernières années en raison de la
toxicité et de la rareté de leurs éléments constitutifs. Les cellules solaires à base de séléniure d'antimoine
(Sb2Se3) sont une alternative.
9
Sb2Se3 absorbe fortement le spectre solaire avec un gap optique direct proche de l'optimum pour les
dispositifs photovoltaïques. C'est un vieux matériau qui n'est considéré sérieusement pour application
photovoltaïque que très récemment. Aujourd'hui, il existe une réelle compétition internationale dans ce
domaine et les performances photovoltaïques sont en croissance permanente avec un rendement de
conversion de 5,6% en 2015, de 6,5% en 2017, de 7,6% en 2018 et de 9,2% en 2019. La meilleure
performance de 10% est obtenu en 2020 [3].
L’objectif de ce travail réside dans la simulation numérique des nouvelles cellules solaire à base de Sb2Se3,
pour atteindre ce but, notre projet de fin d’études a été structuré en trois chapitres complémentaires :
Après une introduction générale, nous allons traiter dans le premier chapitre quelques généralités sur l’énergie
photovoltaïque, nous verrons comme axe le soleil, la constante solaire, les différents types de rayonnement
solaire, et le spectre solaire.
Dans le deuxième chapitre, nous allons analyser les semi-conducteurs et donnons une définition bien détaillée
de gap, puis le principe de fonctionnement et les différentes technologies des cellules solaires, ainsi que les
paramètres caractéristiques d’une cellule solaire.
Dans le troisième chapitre, nous présenterons le logiciel de simulation SCAPS des discussions et des
interprétations des résultats obtenus de notre cellule solaire à base de Sb2Se3. Nous clôturerons le travail par
une conclusion générale.
10
Chapitre I : généralités sur l’énergie photovoltaïque
1-introduction
Privé du soleil, l’existence de la vie sur terre ne serait pas possible. En moins de temps qu’il faut pour
le dire, le soleil dégage plus d’énergie que le monde n’en a fournie depuis sa création. Dès les derniers
siècles ont été marqués par une forte augmentation de l’activité humaine causant un emballement de la
consommation d’énergie, font que l’énergie photovoltaïque devient de plus en plus une solution parmi les
options énergétiques prometteuses avec des avantages comme l’abondance, l’absence de toute pollution et la
disponibilité en plus ou moins grandes quantités en tout point du globe terrestre. Actuellement, on assiste à
un regain d’intérêt pour les installations utilisant l’énergie solaire, surtout pour les applications sur des sites
isolé, figure 1 [4].
Figure 1 : Installation photovoltaïque
11
2-Le soleil
Le soleil est un astre ou étoile parmi quelques 150 milliards d’autres de notre galaxie appelée la voie lactée.
Il constitue le centre du système solaire. Il est le résultat de la condensation d'un nuage gazeux interstellaire
sous l'effet d’un champ gravitationnel. Ce nuage est essentiellement composé d’un point de vue masse
d'hydrogène à 92%, d'hélium à 7,8% et dans une moindre proportion de carbone, d'azote et d'autres
éléments. Le Soleil représente à lui seul 99,86 % de la masse du Système solaire, figure 2 [5].
Figure 2 : Couches internes et externes du soleil.
12
2.1-La constante solaire
La constante solaire correspond au flux solaire reçu sur une surface de 1𝑚𝑚2 située à 1 UA de distance
du Soleil et exposée perpendiculairement à ses rayons, sans atmosphère pour les absorber partiellement
(figure 3). Elle s'exprime en W/𝑚𝑚2 et varie au cours de l'année, en fonction de la position de la Terre sur son
orbite. Au périhélie, elle est la plus forte et tourne autour de 1.412 W/𝑚𝑚2 , tandis qu'elle est la plus faible au
moment de l'aphélie, atteignant environ 1.320 W/𝑚𝑚2 , pour une moyenne d'environ 1.367 W/𝑚𝑚2 . Cette valeur
est à distinguer du rayonnement solaire incident moyen, qui se calcule en prenant en compte la dissipation de
cette énergie sur l'ensemble de la surface de la Terre, quatre fois plus importante que la surface du disque
équatorial. Ainsi, le rayonnement solaire incident moyen correspond à la constante solaire divisée par quatre,
soit environ 340 W/m2. Ces données sont prises en compte dans le bilan radiatif terrestre [6].
Figure 3 : Constante solaire
𝑅𝑅 2
𝐶𝐶 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 = 𝐼𝐼0 = 𝜎𝜎𝑇𝑇 4 �𝐷𝐷 𝑠𝑠 � (1)
𝑠𝑠𝑠𝑠
Avec :
𝑅𝑅𝑠𝑠 : le rayon du soleil.
𝐷𝐷𝑠𝑠𝑠𝑠 : distance terre-soleil au cours de l’année.

σ : constante de Stephane-Boltzman égale à 5,67.10−8 𝑤𝑤/𝑚𝑚2 𝑘𝑘 4
T : la température de surface du soleil, elle est estimée à T=5780 K.
13
2.2-Mouvement de la terre autour du soleil et lui-même
La Terre décrit un tour autour du Soleil en un an, dans un plan appelé « écliptique » (c’est le plan moyen du
système solaire), figure 4. Donc la Terre tourne 365 fois et 1/4 sur elle-même pendant qu’elle fait, dans le
même sens, un tour autour du Soleil. Pendant cette révolution annuelle, l’axe de rotation de la Terre reste
parallèle à lui-même, mais est incliné de 23.5°par rapport à la normale au plan de l’écliptique [7].
Figure 4 : Plan de l’écliptique ; l’orbite terrestre et les saisons
L'axe de rotation de la Terre sur elle-même est incliné de 23° 27' par rapport au plan de l'écliptique (plan de
l'orbite terrestre), figure 5. On appelle déclinaison b l'angle formé par l'axe Terre/Soleil avec le plan de
l'équateur à un moment donné de l'année. La déclinaison vaut donc + 23° 27' au solstice d'été, -23° 27' au
solstice d'hiver, et est nulle aux équinoxes. Cette déclinaison est responsable des saisons, car dans
l'hémisphère Nord, les rayons nous parviennent avec un angle plus élevé en été, et plus bas sur l'horizon en
hiver (c'est le contraire dans l'hémisphère sud). Elle explique aussi que les différences saisonnières soient
plus marquées vers les hautes latitudes [8]. La Terre fait un tour sur elle-même en un peu moins d’un jour
(environ 23 heures et 56 minutes). Cela tient à ce qu’en un jour, la Terre s’est légèrement déplacée dans son
mouvement de révolution autour du Soleil.
14
Figure 5 : La rotation de la terre autour de lui même
2.3- Les trajectoires apparentes du soleil
Pour un observateur situé sur la surface de la Terre, le Soleil décrit une trajectoire apparente qui dépend de
la latitude et la longitude du lieu où il se trouve. Rappelons que la latitude est la distance angulaire d'un point
quelconque du globe par rapport à l'équateur (de 0 à 90° dans l'hémisphère nord). Quant à la longitude, c'est
également un angle, donné par rapport au méridien de Greenwich (arc de cercle passant par les deux pôles et
la ville de Greenwich en Angleterre) en se déplaçant vers l'Est. La position du Soleil est définie par deux
angles : sa hauteur angulaire h — l'angle entre la direction du Soleil et le plan horizontal du lieu — et son
azimut 𝛼𝛼 — l'angle entre le méridien du lieu et le plan vertical passant par le Soleil, compté négativement
vers l'est, figure 6 [8].
Figure 6 : Position du soleil (hauteur et azimut)
15
Le soleil à Er-Rachidia décrit des trajectoires qui sont bien indiqués par la figure 7, alors la hauteur et
l'azimut de soleil pour un instant quelconque de l’année s’est trouvé facile à lire.
Figure 7 : Trajectoires du soleil à ERRACHIDIA
2.4-Masse d’air
On introduit la notion « d’air masse » notée AMx, elle correspond à la perte de l’énergie solaire par
l’absorption atmosphérique.
1
AM = (2)
sin 𝜃𝜃
Où l’angle θ est l’élévation solaire, c’est-à-dire l’angle entre le rayonnement solaire et l’horizontal à la terre.
16
Simulation numériques des nouvelles cellules solaires à base de 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟐𝟐 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟑𝟑
Figure 8 : Différentes constantes d’illumination
Par définition, AM0 correspond à une masse d’aire nulle pour un éclairement solaire au-delà de
l’atmosphère à incidence normale, figure 8. La masse d’air AM1 correspond à l’éclairement solaire arrivant
à la surface de la terre en incidence normale. L’éclairement solaire arrivant sur la terre avec un angle de 48°
est de 1000 W/m2 (soit 100 mW/cm2) avec une masse d’air AM 1,5. Cette dernière sert de standard pour
quantifier les performances de nouveaux dispositifs photovoltaïques [1].
3-Energie solaire photovoltaïque
L'énergie solaire photovoltaïque consiste à convertir directement le rayonnement lumineux (solaire) en

électricité. Elle utilise pour ce faire des modules ou panneaux photovoltaïques, composés de cellules solaires
qui sont fabriquées à partir de matériaux semi-conducteurs, comme le silicium [8].
17
3.1-Rayonemment solaire
Le rayonnement émis par le soleil est constitué d’ondes électromagnétiques dont une partie parvient
constamment à la limite supérieure de l'atmosphère terrestre. En raison de la température superficielle du
soleil (environ 5800 K), ce rayonnement électromagnétique se situe dans la gamme de longueur d’onde de la
lumière visible (entre 0,4 et 0,75 μm) et dans le proche infrarouge (au-delà de 0,75 et jusqu’à 4 μm environ).
L’énergie véhiculée par ce rayonnement, moyennée sur une année et sur l'ensemble de la limite supérieure
de l'atmosphère, correspond à un éclairement de 340 W.𝑚𝑚−2 (figure 9). Un bilan énergétique montre que,
sur cette quantité d'éclairement qu'apporte le soleil au système terre atmosphère, environ 100 W.𝑚𝑚−2 Sont
réfléchis vers l'espace ; seul le reste est absorbé, pour un tiers par l'atmosphère et pour les deux tiers par la
surface de la terre [9].
Puisque le rayonnement solaire est partiellement absorbé et diffuse en traversant l’atmosphère au sol. On
peut y trouver plusieurs composantes à savoir :
• L’irradiation directe (kWh/m²/j), qui provient directement du soleil. Cette composante est nulle
lorsque le soleil est caché par des nuages ou par un obstacle (bâtiment, masque lointain).
• L’irradiation diffuse (kWh/m²/j) qui correspond au rayonnement reçu de la voûte céleste, hormis le
rayonnement direct.
• L’irradiation réfléchie (kWh/m²/j) qui correspond au rayonnement renvoyé par le sol et

l'environnement. Cette composante est nulle sur un plan horizontal [10].
Figure 9 : Composantes du rayonnement solaire au sol
18
3.2- Le spectre solaire
Le soleil émet un rayonnement qui correspond à un ensemble d’ondes électromagnétiques dont fait partie la
lumière du visible (Figure 10). Ce rayonnement solaire comprend les ondes radio, les micro-ondes, les ondes
infrarouges, les ondes du visible, les ondes ultraviolettes, et enfin les rayons X, les rayons gamma et les
rayons cosmiques [11].
Figure 10 : Le spectre solaire
Le spectre solaire se répartit selon trois types de rayonnement :
• Les ultraviolets (UVA et UVB) : qui ont une longueur d’onde comprise entre 280 et 380nm.
Ils représentant environ 5% de la quantité totale du rayonnement solaire.
• La partie visible du spectre : Il s’agit de la partie du rayonnement solaire compris entre 380
et 700nm. C’est dans ce domaine visible que l’énergie solaire est la plus intense. Elle
représente 50% de la quantité totale du rayonnement solaire
• Les infrarouges (IRA et IRB) : qui correspondent aux longueurs d’ondes comprises entre 700
et 2500nm. Ils représentant environ 45% du spectre solaire [5].
19
4-Conclusion
En seulement quelques décennies, le solaire photovoltaïque a fait la moitié du chemin entre ses débuts
modestes et son débouché vers la production d’électricité, en complément des sources classiques (fossiles et
nucléaires). Il franchit cette étape avec un dynamisme remarquable qu’il faut encourager. Actuellement, et
même s’il apparait plus limité quantitativement dans certains pays, il pourrait bien nous surprendre dans les
années à venir, puisqu’il a joué et il jouera un rôle primordial dans l’avancée vers les sources d’énergies
nouvelles. En effet, l’électricité photovoltaïque représente une énergie inépuisable puisqu’elle est
directement générée à partir du soleil. Son développement est une réponse nécessaire aux questions
énergétiques actuelles.
20
[1] Zouhair El Jouad « Réalisation et caractérisation des cellules photovoltaïques organiques » thèse
doctorat, Soutenue le 18 / 10/ 2016 .
[2] B. Yassine et J. Mustapha « Amélioration des performances des cellules solaires de troisième génération
à base de couches minces CZTSSe. » PFE, FST Er-Rachidia, Soutenu le 16 juillet 2019.
[3] Abstract_Sb2Se3-Xianghua_ZHANG_ISCR.pdf (centralesupelec.fr)
[4] univ.ency-education.com/uploads/1/3/1/0/13102001/st06_lessons_ge-energie_solaire.pdf
[5] M.Choukri MASSAOUDI « GISEMENT SOLAIRE » cours s6 2020/2021
[6] Définition | Constante solaire | Futura Sciences (futura-sciences.com)
[7] http://astro.u-strasbg.fr/~bvollmer/COURS/cours3.pdf
[8] Anne Labouret , Michel Villoz , « ENERGIE SOLAIRE PHOVOLTAIQUE »4eme édition éditeur
DUNOD 2009
[9] José Miguel Navarro « Cellules Photovoltaïques Organiques Transparentes Dans Le Visible » thèse
doctorat, Soutenue le 23 octobre 2008
[10] http://energie28.blogspot.com/2016/11/rayonnements-direct-diffus-et-reflechi.html
[11] BRUNET Chloé « Evaluation du bon usage des produits de protection solaire et conseils à l’officine»
thèse doctorat, Soutenue le le 10 juin 2014
21
l
Chapitre II : Les semi-conducteurs

1-Introduction
Le succès industriel des dispositifs à semi-conducteurs est en grande partie dû aux technologies de pointe
qui ont été développées pour leurs préparations. Les semi-conducteurs ont pris une importance considérable
dans notre société. Ils sont à la base de tous les composants électroniques et optoélectroniques (comme la
diode, le transistor, etc.), Ils constituent aussi l’élément essentiel de la cellule photovoltaïque qui est
responsable de l’effet photovoltaïque [1].
2-Définition
Les matériaux solides peuvent être classés en trois groupes que sont les isolants, les semi-conducteurs et les
conducteurs. Un semi-conducteur est un corps cristallin dont les propriétés de conductivité électrique sont
intermédiaires entre celles des isolants et des conducteurs, elles varient sur plusieurs ordres de grandeur,
sous l'effet de (Figure 11) :
• La température
• L'éclairement
• La présence d'impuretés (dopage)
La résistivité des semi-conducteurs varie de 10−3 à 104 Ω.cm, et la Conductivité électrique diversifie de
102 à 10−10 Ω−1 . cm−1 [2].
Figure 11 : Représentation des bandes d'énergie
22
3- Le gap
3.1-Définition
Le terme de gap apparait dans le cadre de la physique des semi-conducteurs lorsqu'on considère la bande de
valence et la bande de conduction de ceux-ci.
Entre les deux bandes se trouve un intervalle d'énergie dans lequel un porteur de charge ne peut pas se retrouver, il
s'agit d'une bande interdite. L'intervalle d'énergie entre les deux bandes est ce qu'on appelle le gap [3].
Figure 12 : Structure en bandes d’énergie des matériaux ; isolants, semi-conducteurs et métaux
3.2-semi-conducteur a gap direct
Lorsque le minimum de la bande de conduction et le maximum de la bande de valence correspondent à la

même valeur du vecteur d'onde (k), le gap est direct (Figure 13). Le semi-conducteur est dit à gap direct et seule
la condition ћ𝜈𝜈 > 𝐸𝐸𝐸𝐸 est nécessaire à l’absorption d’un photon, le GaAs, le CdTe et le CZTSSe sont des exemples
de matériaux à gap direct [1].
Figure 13 : Représentations schématiques du gap direct
23
3.3-Semi-conducteur a gap indirect
Dans le cas où les bandes de conduction et de valence sont décalées l'une par rapport à l'autre, donc
différentes (vecteur d’onde 𝑘𝑘𝑘 différent) alors on parle de semi-conducteur à gap indirect. Et il est nécessaire
pour décrire le phénomène d’absorption, d’ajouter au photon d’énergie ћ𝜈𝜈 > 𝐸𝐸𝐸𝐸 une certaine quantité
d’énergie 𝐸𝐸𝑝𝑝ℎ𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 apportée par les vibrations du réseau cristallin (figure 14). Ces vibrations sont assimilées à
des quasi-particules appelées phonons [1].
Figure 14 : Représentation du gap indirect
4. Semi-conducteur intrinsèque
Un semi-conducteur ne renfermant aucune impureté (𝐍𝐍𝐝𝐝 = 𝐍𝐍𝐚𝐚 = 0) est dit intrinsèque.
L’équation de neutralité correspondante est :
n-p=0 ou n=p (3)
Cette équation signifie que lorsqu’un électron quitte la bonde de valence, il se produit dans cette dernière un
trou et, de ce fait, dans un semi-conducteur intrinsèque le nombre de trous et toujours égal au nombre
d’électrons, figure 15.
Figure 15 : Génération d’électrons et des trous dans un semi-conducteur intrinsèque.
24
Le niveau de fermi est indépendant de la température et se situe presque au milieu de la bande interdite.
Ev +Ec 3 mh
F= + KT log (4)
2 4 me
A l’équilibre thermique, les densités totales d’électrons dans la bande de conduction et des trous dans la
bande de valence sont données par les expressions suivantes :
Ec +F ∆E0
n = Nc e − KT = Nc e− 2KT (5)
F−EV ∆E0
p = NV e − KT = NV e− 2KT (6)
Où :
𝐍𝐍𝐜𝐜 et 𝐍𝐍𝐕𝐕 sont respectivement la densité effective d’états des électrons dans la bande de conduction et la
densité effective d’états des trous dans la bande de valence [4].
La concentration des porteurs de charge intrinsèques est définie par l’équation :
∆E0
ni = n = p = �Nc NV e− 2KT (7)
5. Semi-conducteur extrinsèque
Les propriétés électriques d’un cristal semi-conducteur sont profondément modifiées si l’on remplace
certains atomes du réseau par des atomes ayant, par rapport à l’atome substitué, un électron en plus ou en
moins dans son cortège électronique. On désigne ceci sous le nom de dopage. Ce dernier consiste à ajouter
des impuretés en petites quantités à un semi-conducteur pur afin de modifier ses propriétés de conductivité.
Un semi-conducteur dopé est appelé semi-conducteur extrinsèque [1].
25
5.1- Technologies de dopage
Le dopage est l’introduction dans un semi-conducteur intrinsèque de faible quantité d’un corps étranger
appelé dopeur. Autrement dit, le dopage du semi-conducteur consiste donc à introduire des impuretés dans le
cristal qui vont avoir pour conséquence de créer des niveaux d’énergie dans la bande interdite, et donc
obtenir un semi-conducteur extrinsèque.
Il existe plusieurs méthodes pour effectuer le dopage d'un matériau (figure 16) :
• Le dopage par diffusion.

• Le dopage par implantation ionique.
• Le dopage par transmutation nucléaire.
• Le dopage par technique laser.
Figure 16 : Carte mentale des techniques de dopage
26
• Dopage par diffusion
La diffusion peut être définie comme le mouvement des impuretés à l'intérieur d'une substance. Cette
technique est réalisée dans un four à partir d'une source :
Solide contenant le dopant et placé en face de l'échantillon à doper. L'atome dopant est alors
transporté jusqu'à l'échantillon par un gaz vecteur inerte, à partir du composé solide qui se sublime.
Liquide dans lequel le dopant est contenu, et qui se fera transporter par le gaz qui barbote ou frôle la
surface du liquide à une température choisie, de même que la température du composé dans le gaz est
à égale tension de la vapeur du liquide.
La diffusion de source gazeuse est un processus dans lequel une source de dopant gazeux telle
que 𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃3 , 𝑃𝑃2 𝑂𝑂5 ou 𝐵𝐵𝐵𝐵3 P est directement introduite avec d'autres gaz vecteurs dans le tube de
diffusion, figure 17 [1].
Figure 17 : Représentation de four de diffusion
27
• Le dopage par implantation ionique

L’implantation ionique consiste à introduire des atomes ionisés projectiles avec suffisamment
d’énergie pour pénétrer dans l’échantillon cible, figure 18. La profondeur d’implantation est fonction
du couple « énergie des ions / densité des atomes de la cible ». Le profil du dopage est globalement
gaussien.
Figure 18: Implanteur ionique
Les étapes de l’implantation
1. Création d’un plasma à partir du gaz « dopant ».
2. Extraction des espèces avec une électrode à 20 KV.
3. Tri magnétique pour sélectionner l’espèce à implanter.
4. Accélération de l’espèce à l’énergie voulue.
5. Focalisation du dopant par l’intermédiaire de lentilles.
6. Balayage et déflection du faisceau sur la plaque.
7. Comptabilisation de la dose implantée.
28
• Le dopage par transmutation nucléaire
Le dopage par transmutation est réalisé dans un réacteur nucléaire expérimental. Le dopant est obtenu par
réaction de capture de l’isotope 30𝑆𝑆𝑆𝑆 (présent à environ 3% dans le silicium). L’isotope 31
𝑆𝑆𝑆𝑆 ainsi créé
31
décroit ensuite vers le 𝑃𝑃 par radioactivité β-. Un atome dopant de phosphore (dopage « N ») est ainsi
introduit de façon très précise dans le réseau cristallin et assure ainsi une homogénéité inégalée. Les semi-
conducteurs ainsi créés sont employés dans les applications d’électronique de puissance notamment les
commandes des moteurs électriques de tramway, de TGV ou encore de voitures électriques/hybrides [6].
• Dopage par technique laser
Les techniques de dopage laser offrent des solutions potentielles intéressantes figure 19. On distingue deux
types de dopage laser : le recuit laser (LTP pour Laser Thermal Processing) et le dopage laser direct (GILD
pour Gas Immersion Laser Doping).
• En LTP, les dopants sont tout d'abord incorporés par implantation ionique avant le traitement laser.
• Le procédé GILD permet de se passer de la phase d'implantation ionique : les dopants sont
chimisorbés sur la surface du silicium puis incorporés dans la couche fondue pendant le tir laser. Le
traitement laser entraîne un cycle de fusion/ solidification superficielle : pendant la période de
solidification, le silicium fondu est épitaxié à partir du Si cristallin et les dopants sont placés en sites
substitutionnels, avec des concentrations pouvant dépasser la solubilité limite, grâce à la vitesse élevée
de solidification [1].
Figure 19 : Principe de dépôt par ablation laser pulsée
29
Simulation numérique des nouvelles cellules solaire à base de 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟐𝟐 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟑𝟑
5.2-Type N
En choisissant un dopant de valence 5 (phosphore, arsenic, antimoine), le semi-conducteur contient des

électrons excédentaires qui traduisent des charges négatives supplémentaires : le semi-conducteur est de type
N (Figure 20). A température ambiante, tous les atomes dopants sont ionisés, mais le matériau reste neutre.
Chacun a libéré un électron qui circule dans le réseau. On distingue alors deux types de porteurs de charges :
• des électrons libres.
• des ions positifs fixes (les atomes dopants qui perdent un électron) [7].
Figure 20 : Semi-conducteur de type N
5.3-Type P
En substituant des atomes de valence 3 (bore, aluminium, gallium, indium), des électrons manquent pour
compléter les couches périphériques voisines (Figure 21). Ceci entraîne la présence de charges positives
excédentaires : le semi-conducteur est dopé P (ou type P). A température ambiante, tous les atomes dopants
sont ionisés. Chacun a généré un trou qui est libre de circuler dans le réseau. Tout en restant globalement
neutre, on distingue donc deux types de porteurs de charges :
• des trous libres.
• des ions négatifs fixes (les atomes dopants qui gagnent un électron).
30
Figure 21 : Semi-conducteur de type P
6-Jonction PN
Une jonction PN correspond à la réunion de deux semi-conducteurs, l’un dopé type N (contenant des
électrons libres) et l’autre dopé type P (contenant des trous (emplacements libres)) tous deux électriquement
neutres. Lors de cette mise en contact, les électrons de la zone N sont dirigés vers la zone P car les électrons
sont attirés par la zone positive (zone P) et compensent les trous existant dans cette zone par phénomène de
diffusion (et inversement, les trous de la zone P sont entraînés vers les électrons de la zone N) se neutralisant
les uns les autres (figure 22).
Figure22 : Déplacement des bandes des semi-conducteurs dans une jonction P-N
31
A cette jonction apparaît alors une zone chargée électriquement que l’on appelle « zone de charge d’espace »
ou « zone de déplétion », dépourvue d’électrons dans la zone N, et de trous dans la zone P, tandis que les
deux zones dopées restent neutres, figure 23.
Figure 23 : Zone de charge d’espace
Les charges présentes dans la zone de déplétion entraînent l’apparition d’une tension entre les zones N et P.
Les électrons et trous auront du mal à passer cette barrière de tension, qui les repousse. Les électrons ont
alors du mal à se diffuser vers la région P, de même que les trous dans la région N [8].
6.1-Jonction PN non polarisée
En l'absence d'une polarisation externe, existe un champ électrique interne 𝐸𝐸𝑖𝑖 qui s'oppose au mouvement des
porteurs majoritaires mais qui accélère les minoritaires (figure 24). Il existe au niveau de la jonction une
barrière de potentiel dont la hauteur est la différence entre les niveaux d'énergie des accepteurs et des
donneurs [1].
Figure 24 : Jonction P-N non polarisée à l’équilibre
32
6.2- Jonction PN polarisée
Pour polariser la jonction on applique une source de tension externe, il devient alors possible de contrôler
l’énergie entre les niveaux de Fermi. Une polarisation en direct est formée lorsque la borne positive de la
source est connectée à la zone P et la borne négative est connectée à la zone N (figure 25 -a). Cette source
extérieure modifie l'état de la jonction, la zone de déplétion devient plus étroite, on a une diminution de la
barrière de potentiel jusqu’à une valeur à laquelle les électrons dans la bande de conduction transitent du
semi-conducteur de type N vers le semi-conducteur de type P. La circulation des charges est facilitée, on peut
avoir circulation de courant dans la jonction.
La jonction est polarisée en inverse quand la borne négative de la source est connectée à la zone P et la borne
positive est connectée à la zone N (figure 25 -b). La zone de déplétion devient plus large, la barrière de
potentiel augmente et le passage des électrons devient inhibé [1].
(a) (b)
Figure 25 : Diagrammes énergétiques d’une jonction P-N lors d’une polarisation directe (a) et inverse (b)
7- L’effet photovoltaïque
Découvert en 1839 par le physicien Français Alexandre Edmond Becquerel, L’effet

photovoltaïque est le processus physique responsable de la conversion directe de la
lumière en électricité grâce à l’absorption de photons par un matériau semi-conducteur
et leur conversion en électricité, d’où le terme photovoltaïque : correspondant à
photon-voltage (figure 26).
33
Simulation numérique des nouvelles cellules solaires a base de 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟐𝟐 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟑𝟑
Figure 26 : Effet photovoltaïque
8. Les cellules solaires
La structure d’une cellule solaire dépend du type de technologie utilisée. Ici, la technologie dite « couches-
minces » peut-être schématisée Figure 27. Ainsi, il est possible de décrire la superposition comme telle :
support de verre de silice, couche d’oxyde conducteur transparent, couches successives de semi-conducteurs
formant la jonction p-n, matériau conducteur et pour terminer des contacts métalliques pour récupérer le
courant généré. Pour obtenir la création de porteurs de charges photo-générés dans la couche d’absorbeur il
faut, lors de la structuration, s’assurer que les couches supérieures soient transparentes aux rayons solaires
[9].
Figure 27 : Schéma simplifié d’une cellule PV de type couches minces
34
9. Les quatre générations des cellules solaires
De manière générale les cellules solaires sont classées en fonction de leur découverte et de leur technologie,
appelée « génération ». Il existe un manque d’accord pour leur classification dans la littérature et l’existence
d’une quatrième génération est conversée. L’objectif de chaque génération est de réduire les coûts et
d’améliorer simultanément l’efficacité par rapport aux précédents [9].
Figure 28 : Générations de technologies de cellules solaires [9]
9-1- première génération

Les cellules solaires de première génération sont basées sur une seule jonction p-n et utilisent généralement
le silicium d'une grande pureté sous forme cristalline (Figure 29). Le plus grand inconvénient de ces cellules
est la technologie de fabrication coûteuse et énergivore qui augmente le coût de l'énergie générée à ∼4$/W.
On différencie cellules à base de silicium monocristallin et poly-cristallin [10].
Figure 29 : Cellule solaire de silicium
35
Tableau 1 : Comparaison entre les cellules monocristallines et polycristallines
Deux types de Cellules polycristallines Cellules monocristallines

cellules cristallines
Fabrication Refroidissement du silicium en fusion dans creusets à fond plats Contrôle strict et progressif du
des cristaux orientes de manière irrégulière se forment, qui donne refroidissement du silicium nécessite une
l’aspect caractéristique bleuté présentant des motifs dus aux cristaux forte surveillance.
⇒Obtention de cristaux très purs
Rendement 10 à 15% ⇒110 à 150 Wc/m² (Wc : watt-Crête, puissance max du 12 à 19% ⇒ 120 à 190 Wc/m²
dispositive)
Avantages Bon rendement (moins bon que les cellules monocristallines) Très bon rendement
Coût élevé
Coût moins élevé
Inconvénients Rendement plus faible sous éclairement réduit

Forte sensibilité à la température
9-2- Les cellules de deuxième génération
Les cellules solaires de deuxième génération sont basées sur l'utilisation de semi-conducteurs à couche mince
(figure 30) comme le tellurure de cadmium (CdTe), le silicium amorphe (a-Si), le diséléniure de cuivre,
d'indium et de gallium (CIGS), etc. L'utilisation de couches minces réduit la quantité de matériaux essentiels
à la conception des cellules, ce qui contribue grandement à la réduction des coûts des cellules solaires à
couches minces. Pour une puissance nominale appliquée, elles présentent de meilleures performances à
faible luminosité que les panneaux cristallins. Le CdTe a une bande interdite de ∼1,58 eV et une efficacité à
l'échelle du laboratoire de ∼18% a déjà été atteinte. L'alliage CIGS a une efficacité de ∼ 20%, mais les
cellules CIGS ont une structure d'hétérojonction complexe et sont très difficiles à préparer. Le plus grand
inconvénient des panneaux a-Si est qu'ils sont beaucoup moins efficaces par unité de surface (∼ 10%) et ne
conviennent généralement pas aux installations sur les toits. Il faudrait généralement une surface de panneau
presque double pour obtenir la même puissance [10].
36
Figure 30 : Cellule solaire à couche mince
Ces cellules possèdent divers avantages et inconvénients :
+ Sensibilité accrue aux rayonnements diffus
+ Moins sensible à l’ombrage dû à la forme longitudinale des cellules
+ Moins de matériau de base pour la fabrication
+ Moins sensible aux fortes températures
+ Permet la fabrication de panneaux souples et flexibles
- Certains éléments très polluants lors de la fabrication (cadmium)

- Performance diminuant dans le temps
- Rendement moindre que les cellules de 1ère génération
37
9-3-Les cellules de troisième génération
Les cellules de 3ème génération sont plus souples, ultra-fines, et donc plus « agiles » que les panneaux en
silicium. Ils pourraient demain équiper les toits des trains et des voitures, les stores, ou encore les tentes
militaires. Ils peuvent être transparents ou colorés et pourraient être intégrés aux façades des immeubles sous
forme de fines couches de plastique. Les objets du quotidien pourraient eux aussi en être dotés, du parasol au
sac à dos, en passant par nos vêtements [11].
• Cellule photovoltaïque organique
Une cellule Photovoltaïque Organique (figure 31) est généralement fabriquée sur un substrat de verre
recouvert d’ITO (couche mince–150 nm – d’oxyde d’indium et d’étain possédant des bonnes propriétés de
transparence dans le visible et de conductivité électrique). Ce substrat constitue l’anode du dispositif.
Parfois, on remplace le verre par une feuille plastique souple recouverte également d’ITO [1].
Figure 31: Cellule photovoltaïque organique
38
• Cellule photovoltaïque multi-jonction
Les cellules multi-jonction (figure 32) sont constituées à partir de différentes couches minces, ce qui
optimise le travail d’absorption des calories solaires, puisées plus largement, et ce qui permet un meilleur
rendement et une plus grande production. Ce type de cellules n’est pas vendu à des fins commerciales et
reste utilisée dans le domaine spatial [1].
Figure 32 : Cellule photovoltaïque multi-jonction
9-4-Les cellules de quatrième génération
La 4ème génération combine le faible coût et la flexibilité des films minces polymères avec la bonne stabilité
des nanomatériaux tels que les nanoparticules métalliques, les oxydes métalliques, les nanotubes de carbone,
le graphène et ses dérivés. Les dispositifs sont obtenus en solution, d’où une fabrication bon marché. Ils
incorporent également des nanomatériaux pour améliorer la dissociation des charges et le transport dans les
cellules.
Ces quatre générations de cellules solaires photovoltaïques ont chacune des avantages et des inconvénients
inhérents aux matériaux et méthodes de fabrication, la Figure 33 indique leurs rendements maximums
atteints pour les trois premières générations [10].
39
Figure 33 : Générations de PV en fonction de leur rendement [10]
10- Caractéristiques d’une cellule solaire
Il importe de bien connaitre les particularités des cellules pour les répartir selon leur qualité en fin de
production et aussi pour servir de référence aux travaux d’amélioration. Une cellule solaire est caractérisée
principalement par :
 𝐕𝐕𝐜𝐜𝐜𝐜 : Tension en circuit ouvert

 𝐈𝐈𝐜𝐜𝐜𝐜 : Courant de court-circuit
 𝐏𝐏𝐦𝐦 : Puissance maximale
 FF : Le facteur de forme.
 η : Le rendement énergétique
Comme le montre la Figure 34, la caractéristique d’une cellule solaire sous illumination permet d’extraire
différents paramètres photovoltaïques tels que la densité de courant de court-circuit (𝐽𝐽𝑐𝑐𝑐𝑐 ), la tension de
circuit-ouvert (𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜 ), le facteur de forme (FF) et le rendement de conversion de puissance (ղ) [12].
40
Figure 34 : Caractéristiques J-V dans le noir et sous illumination d’une cellule solaire
10.1-Tension en circuit ouvert
Elle représente le maximum de tension aux bornes de la cellule solaire, pour un courant nul :
𝐴𝐴𝐴𝐴𝐵𝐵 𝑇𝑇 𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = 𝐿𝐿𝐿𝐿 �1 + � (8)
𝑞𝑞 𝐽𝐽0
Cette formule montre bien qu’il faut minimiser le la densité du courant (𝐽𝐽0 ) qui représente le phénomène de
recombinaison pour augmenter la tension en circuit ouvert. En plus, on remarque qu’il y a une variation
inverse entre le courant de saturation et la tension en circuit ouvert avec le gap des matériaux semi-
conducteurs; quand ce dernier augmente le 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 augmente et le courant de saturation diminue. Il en est de
même pour la température ; quand cette dernière augmente le courant de saturation augmente et le 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐
diminue [13].
41
10.2 - Courant de court-circuit
(Pour V = 0 V). Il est égal au courant photo-généré Iph . Comme la taille des cellules peut varier, il est
généralement plus pratique d’utiliser la densité de courant Jcc (en A m−2 ) pour être comparatif :
Icc
Jcc = (9)
Scpv
Où Scpv (en m²) est la surface de la cellule [14]
10.3-Puissance maximale
La puissance maximale d’une cellule photovoltaïque éclairée est la grandeur essentielle pour évaluer sa
performance, elle est donnée par la relation :
𝑃𝑃𝑚𝑚 = 𝑉𝑉𝑚𝑚 × 𝐼𝐼𝑚𝑚 (10)
Elle traduit sur la caractéristique I-V le point du fonctionnement 𝑃𝑃𝑚𝑚 (𝑉𝑉𝑚𝑚 , 𝐼𝐼𝑚𝑚 ) qui est situé au courbe de de la
caractéristique I-V (figure 35) et dit point de puissance maximale où les valeurs de tension 𝑉𝑉𝑚𝑚 et du courant
Im appelées également tension et courant maximums respectivement.
Figure 35 : Puissance maximale d'une cellule PV
42
10.4- Le facteur de forme
Le facteur de forme est un critère de qualité de la cellule solaire. Il est représenté par la forme rectangulaire
dans la caractéristique (I-V). Dans une cellule parfaite, la courbe sera un parfait rectangle et le facteur de
forme sera égal à 1. Sa valeur est déterminée à partir du rapport du maximum de puissance produite par la
cellule solaire et le produit du courant de court-circuit et la tension en circuit ouvert [13] :
𝑃𝑃𝑚𝑚 𝑉𝑉𝑚𝑚 ×𝐼𝐼𝑚𝑚

FF= = (11)
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 ×𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 ×𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐
10.5-Rendement énergétique
Le rendement de conversion est le paramètre le plus important dans la cellule solaire. Il exprime la capacité
de la cellule à convertir efficacement les photons de la lumière incidente en courant électrique. Il est calculé
par le rapport entre la puissance de sortie 𝑷𝑷𝒐𝒐𝒐𝒐𝒐𝒐 et la puissance d’entrée de la cellule 𝑷𝑷𝒊𝒊𝒊𝒊 (puissance
d’éclairement solaire incident).
𝑃𝑃𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜
η = (12)
𝑃𝑃𝑖𝑖𝑖𝑖
Dans les applications terrestres on utilise le spectre solaire 𝑨𝑨𝑨𝑨𝟏𝟏.𝟓𝟓 𝐺𝐺 avec une puissance totale incidente égale
à 1000 W/m [13].
11-Association des cellules solaires
En associant les cellules PV en série (somme des tensions de chaque cellule) ou en parallèle (somme des
intensités de chaque cellule), on peut constituer un générateur PV selon les besoins des applications visées.
Les deux types de regroupement sont en effet possibles et souvent utilisés afin d’obtenir en sortie des valeurs
de tension et intensité souhaités. Ainsi, pour 𝑁𝑁𝑠𝑠 cellules en série, constituant des branches elles-mêmes 𝑁𝑁𝑝𝑝 en
parallèle, la puissance disponible en sortie du générateur PV (GPV) est donné par :
𝑃𝑃𝑝𝑝𝑝𝑝 = 𝑁𝑁𝑠𝑠 × 𝑉𝑉𝑝𝑝𝑝𝑝 × 𝑁𝑁𝑝𝑝 × 𝐼𝐼𝑝𝑝𝑝𝑝 (13)
43
Avec :
𝑃𝑃𝑝𝑝𝑝𝑝 : la puissance disponible en sortie du GPV
𝑉𝑉𝑝𝑝𝑝𝑝 : la tension à la sortie du GPV
𝐼𝐼𝑝𝑝𝑝𝑝 : le courant de sortie du GPV
11.1- Regroupement en série
Une association de 𝑁𝑁𝑠𝑠 cellules en série permet d’augmenter la tension du générateur photovoltaïque (GPV).
Les cellules sont alors traversées par le même courant et la caractéristique résultant du groupement série est
obtenue par addition des tensions élémentaires de chaque cellule, figure (25). L’équation (14) résume les
caractéristiques électriques d’une association série de 𝑁𝑁𝑠𝑠 cellules.
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 = 𝑁𝑁𝑠𝑠 × 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 (14)
Avec
𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 : la tension du circuit ouvert
Ce système d’association est généralement le plus communément utilisé pour les modules photovoltaïques
du commerce. Comme la surface des cellules devient de plus en plus importante, le courant produit par une
seule cellule augmente régulièrement au fur et à mesure de l’évolution technologique alors que sa tension
reste toujours très faible.
Figure 36 : Caractéristiques résultantes d’un groupement de Ns cellules en série.
44
11.2- Mise des cellules en parallèle
D’autre part, l’association parallèle de 𝑁𝑁𝑝𝑝 cellules est possible et permet d’accroître le courant de sortie du
GPV. Dans cette configuration les cellules sont soumises à la même tension et la caractéristique résultant du
groupement est obtenue par addition des courants, Figure 37. L’équation (15) résume les caractéristiques
électriques d’une association parallèle de 𝑁𝑁𝑝𝑝 cellules.
𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐𝑐 = 𝑁𝑁𝑝𝑝 × 𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐 (15)

Avec :
𝐼𝐼𝑐𝑐𝑐𝑐 : le courant de court-circuit d’une seule cellule
Figure 37 : Caractéristiques résultant d’un groupement de 𝑵𝑵𝒑𝒑 cellules en parallèle
45
12-Modeisation électrique d’une cellule solaire
La modélisation des cellules photovoltaïques passe nécessairement par un choix judicieux des circuits
électriques équivalents. Pour développer un circuit équivalent précis pour une cellule PV, il est nécessaire de
comprendre la configuration physique des éléments de la cellule aussi bien que les caractéristiques
électriques de chaque élément, en prenant plus ou moins de détails. Selon cette philosophie, plusieurs
modèles mathématiques sont développés pour représenter un comportement fortement non linéaire, résultant
de celui des jonctions semi-conductrices qui sont à la base de leurs réalisations. Ces modèles se différencient
entre eux par les procédures mathématiques et le nombre de paramètres intervenant dans le calcul de la
tension et du courant du module photovoltaïque. On présentera deux modèles du Générateur photovoltaïque
à savoir :
 Modèle à une diode.

 Modèle à deux diodes.
12.1-Modèle à une diode
Cas idéal
Dans le cas de circuit idéal il comprend une source de courant 𝐼𝐼𝑝𝑝ℎ , qui modélise le courant photoélectrique,
associée à une diode en parallèle qui modélise la jonction P-N dont la polarisation détermine la tension. De
ce modèle idéal, on déduit les équations donnant la caractéristique électrique I(V) illustrée par la figure 38
[15] :
𝐼𝐼 = 𝐼𝐼𝑝𝑝ℎ − 𝐼𝐼𝑑𝑑 (16)

𝑉𝑉
𝐼𝐼𝑑𝑑 = 𝐼𝐼𝑠𝑠 �exp � 𝑑𝑑 � − 1� (17)
𝑉𝑉 𝑇𝑇
𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛
Avec : 𝑉𝑉𝑇𝑇 =
𝑞𝑞
Soit en inversant la relation précédente :

𝐼𝐼𝑝𝑝ℎ −𝐼𝐼
𝑉𝑉 = 𝑉𝑉𝑑𝑑 = 𝑉𝑉𝑇𝑇 𝑙𝑙𝑙𝑙 �1 + � (18)
𝐼𝐼𝑠𝑠
46
Figure 38 : Schéma équivalent d’une cellule photovoltaïque idéale à jonction PN
Cas réel
Ce modèle consiste en un générateur de courant 𝐼𝐼𝑝𝑝ℎ monté en parallèle avec une diode, une résistance série
𝑅𝑅𝑠𝑠 et une résistance parallèle (résistance shunt) 𝑅𝑅𝑠𝑠ℎ est due à un courant de fuite au niveau de la jonction. Il
est représenté par le circuit équivalent de la figure 39.
Figure 39 : Circuit équivalent d’une cellule solaire réelle, modèle à une diode
Ce modèle est le plus courant et est utilisé par de nombreux auteurs pour obtenir des valeurs de certains
paramètres de la caractéristique courant - tension d’une cellule solaire par des méthodes d’approximations.
La caractéristique courant - tension est représentée par l’équation [16] :
𝑞𝑞(𝑉𝑉+𝐼𝐼×𝑅𝑅𝑠𝑠)
𝑉𝑉+𝐼𝐼×𝑅𝑅𝑠𝑠
𝐼𝐼 = 𝐼𝐼𝑝𝑝ℎ − 𝐼𝐼0 �𝑒𝑒 𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛 − 1� − (19)
𝑅𝑅𝑠𝑠ℎ
47
12.2-Modèle à deux diodes en parallèle
Le circuit équivalent du modèle à deux diodes est montré sur la figure 40. Ce modèle est dit le plus proche
du comportement réel de la cellule solaire, du fait qu’il tient compte du mécanisme de transport des charges
électriques à l’intérieur de la cellule (deux diodes) [17].
Figure 40 : Le modèle d’une cellule photovoltaïque à deux diodes
La caractéristique courant-tension est donnée par l’expression suivante :
𝑉𝑉+𝐼𝐼×𝑅𝑅𝑠𝑠
𝐼𝐼 = 𝐼𝐼𝑝𝑝ℎ − 𝐼𝐼𝑑𝑑1 − 𝐼𝐼𝑑𝑑2 − (20)
𝑅𝑅𝑠𝑠ℎ
Où :
𝑉𝑉 + 𝐼𝐼𝑅𝑅𝑠𝑠
𝐼𝐼𝑑𝑑,𝑖𝑖={1,2} = 𝐼𝐼𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒𝑒 � �
η𝑖𝑖 𝑉𝑉𝑇𝑇
D’où :
𝑉𝑉+𝐼𝐼𝑅𝑅𝑠𝑠 𝑉𝑉+𝐼𝐼𝑅𝑅𝑠𝑠 𝑉𝑉+𝐼𝐼𝑅𝑅𝑠𝑠

𝐼𝐼 = 𝐼𝐼𝑝𝑝ℎ − 𝐼𝐼𝑠𝑠1 × �exp � � −1� − 𝐼𝐼𝑠𝑠2 × �exp � � −1� − (21)
η1 𝑉𝑉𝑇𝑇 η2 𝑉𝑉𝑇𝑇 𝑅𝑅𝑠𝑠ℎ
48
Conclusion
Dans ce chapitre nous avons présenté la définition et les types des semiconducteurs, les techniques de
dopage. Ensuite nous avons présenté les technologies et les caractéristiques des cellules solaires. Puis on a
montré comment augmenter la tension ou le courant d’un groupement des cellules solaires. Aussi nous
avons rappelé l’effet photovoltaïque et le schéma électrique équivalant d’une cellule solaire.
49
Simulation numérique des nouvelles cellules solaires à base de 𝐒𝐒𝐒𝐒𝟐𝟐 𝐒𝐒𝐒𝐒𝟑𝟑
Références
[1] A. S. Fadwa et A.Sanae « Simulation numérique de l’effet de la plasmonique sur les cellules solaires
pérovskite par le logiciel Lumerical FDTD » PFE, FST Errachidia Soutenu le 28/09/2020.
[2] Anne Labouret Michel Villoz « ÉNERGIE SOLAIRE PHOTOVOLTAIQUE » 4éme édition Dunod 2009.
[3] E. Naima, E. Hajar, K. Aicha « Simulation des cellules solaire à base de CZTS » PFE-FST Errachidia soutenu
12/07/2017.
[4] M. Fazia « Etude et simulation des structures photovoltaïques à base de chalcogénures de métaux de
transition MX2 (M = W, Mo; X = S, Se) » MEMOIRE DE MAGISTER, Soutenu le: 07 / 04 / 2016
[5] https://cime.grenoble-inp.fr/sites/default/files/SalleBlanche/Implanteur.pdf
[6] Nadjet OSMANI « Effet des irradiations neutroniques sur les propriétés structurales, électriques et optiques
du silicium » Thèse doctorat, soutenue le 03/02/2019
[7] Christian Ngô, Hélène Ngô « Physique des Semi-conducteurs », Dunod, 2012
[8] M. khalloufi, N. kherrazi, S. kerroumi, « Simulation des cellules photovoltaïques à base de Cu (In, Ga)
Se2(CIGS) », 2014/2015.
[9] Et-taya, L., T. Ouslimane, and A. Benami, Numerical analysis of earth-abundant Cu2ZnSn(SxSe1-x)4 solar
cells based on Spectroscopic Ellipsometry results by using SCAPS-1D. Solar Energy, 2020. 201.
[10] Alicia LECOMTE « Modélisation des défauts et des propriétés de transport au sein de semi-conducteurs à
base de Sb2Se3 pour le photovoltaïque » Thèse doctorat, soutenue le 4 octobre 2019
[11] Ludovic PROTIN, Stéphan ASTIER, « Convertisseurs photovoltaïques », Techniques de l’ingénieur (1997)
D3360 v1
[12] Malika CHALH « Elaboration, caractérisation et modélisation optique d’électrodes transparentes intégrant
des nanofils d’Ag pour des applications solaires » Thèse doctorat, soutenue le 5 juin 2018
[13] NOUIRI Achouak, BOUALLEM Zineb « Etude de l'effet de la couche mince CdZnS dans la cellule solaire
CZTS » Mémoire de Master Académique, 2016/2017
[14] BOUJAMAOUI Yassine, JENA Mustapha « Amélioration des performances des cellules solaires de
troisième génération à base de couches minces CZTSSe» PFE, FST Er-Rachidia Soutenu le 16 juillet 2019.
[15] Khadija TAHIRI, Hanae HILALI et Sana TAAKILI « Simulation sous SCAPS des cellules solaires de
quatrième génération : Pérovskite » PFE, FST Er-Rachidia Soutenu le 16/07/2019.
[16] Sofiane Amara et Abdellatif Zerga « Etude comparative des modèles de la caractéristique courant-tension
d'une cellule solaire au silicium monocristallin » Article, 2007
50
Chapitre III : Les cellules photovoltaïques à base de 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟐𝟐 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟑𝟑
1-Introduction
Le matériau inorganique en couche mince, le séléniure d'antimoine (Sb2Se3), est apparu comme un
absorbeur photovoltaïque plus récemment que le CZTSSe et beaucoup plus récemment que la pérovskite, et
la recherche en est donc à ses débuts. Le Sb2Se3 n'a pas été mentionné dans les tableaux d'efficacité des
cellules solaires les plus récents 2021, tandis que peu d'articles ont été publiés et peu de revue a été
consacrée au Sb2Se3. Le composé Sb2 Se3 est connu depuis les années 1950 comme étant isostructural de
𝑆𝑆𝑆𝑆2 𝑆𝑆3 mais son étude a réellement commencé dans les années 1990 en considérant ses propriétés
optoélectroniques.
Dans ce chapitre on a simulé la cellule à base 𝑆𝑆𝑆𝑆2 𝑆𝑆𝑆𝑆3 , afin d’optimiser les différents paramètres de la cellule
solaire , nous varions des paramètres un par un en fixant les autres. Ainsi, plusieurs paramètres sont retenus.
La simulation est faite à l’aide du logiciel SCAPS-1D.
2-Structure et propriétés des cellules 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟐𝟐 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟑𝟑
Le Sb2Se3 cristallise sous la forme de nanorubans 1D liés ensemble par des interactions de van der Waals.
La maille unitaire de 𝑆𝑆𝑆𝑆2 𝑆𝑆𝑒𝑒3 contient, comme le 𝑆𝑆𝑆𝑆2 𝑆𝑆3 , respectivement deux et trois sites
cristallographiques inéquivalents de Sb et Se. Sb2Se3 joue le rôle de nouveau absorbeur au sein des
dispositifs PV figure 41. Il est donc crucial de considérer les conditions d’absorption de la lumière afin
d’avoir un rendement quantique le plus haut possible. Les rendements de conversion des dispositifs à base
de Sb2Se3 ont progressé rapidement depuis que le premier dispositif a été signalé en 2009 avec un rendement
de 0,66 %. Ce rendement est passé à 2,1 % en 2014 et à 6,5 % en 2017, le record mondial actuel (2021) étant
de 10 % [1].
51
Figure 41 : Structure de la cellule solaire à base de 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟐𝟐 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟑𝟑
Les caractéristiques physiques de 𝑆𝑆𝑆𝑆2 𝑆𝑆𝑆𝑆3 n’en font pas de prime abord un absorbeur pour le
photovoltaïque. Ses constantes sont rappelées dans le Tableau 2 [1] :
Tableau 2 : Constantes physiques ayant un impact sur les performances d’un dispositif photovoltaïque
Mobilité des porteurs 10𝑐𝑐𝑐𝑐2 𝑣𝑣 −1 𝑠𝑠 −1

Bande interdite 1,1 à 1,3 eV (quasi direct)
Coefficient d’absorption 105 𝑐𝑐𝑐𝑐−1 à 600 nm
Résistivité 109 Ω.cm
Diamètre des tiges 10 à 30 nm
Le matériau cristallin de Sb2 Se3 est un nouvel absorbeur innovant pour le PV. Les propriétés de ce
cristal doivent être mieux comprises pour accroître les concentrations des porteurs de charges et
faciliter leur transport à l’état cristallin naturel comme avec l’ajout de dopants [1].
52
3-Logiciel SCAPS
SCAPS est un logiciel de simulation des cellules solaires unidimensionnelles développé par le département des
systèmes électronique et informatique (ELIS) de l'Université de Gent, Belgique. Plusieurs chercheurs ont
contribué à son développement : Marc Burgelman, Koen Decock, Johan Verschraegen, Alex Niemegeers ,
Stefaan Degrave [2].
3.1-Notions de base
SCAPS est un programme conçu pour fonctionner sous le système Windows, développé par LabWindows/CVI
de la national Instruments. SCAPS s’ouvre avec l'icône ‘Action Panel’. La fenêtrer qui s'ouvre est présentée
dans la figure 42.
Figure 42 : Panneau de démarrage de SCAPS, le panneau d’action ou principal
53
La signification des blocs numérotés de 1 à 6 est expliquée dans le texte. Il y a des panneaux dédiés pour les
actions de base :
1. Lancer SCAPS.
2. Définir le problème, ainsi que la géométrie, les matériaux et toutes les propriétés de la cellule solaire étudiée.
3. Indiquer les circonstances dans lesquelles la simulation est effectuée (spécifier le point de fonctionnement).
4. Indiquer la mesure à simuler.
5. Commencer le(s) calcul(s).
6. Afficher les courbes de simulation.
3.1.1- Lancer SCAPS
On clique sur l’icône ci-dessus sur le bureau, ou bien double-clique sur le fichier SCAPS3310 dans le
gestionnaire de fichiers (ou dans n’importe quelle autre version de SCAPS). SCAPS s’ouvre avec le panneau
d’action.
3.1.2- Définir le problème
On clique sur le bouton SET PROBLEM dans le panneau d’action, et on choisit LOAD dans le coin droit en
bas du panneau qui s’ouvre par la suite. On sélectionne et on ouvre (par exemple NUMOS CIGS Baseline.def).
Ceci est un fichier exemple d'une cellule solaire à base de CIGS (figure 43). Par la suite, il est possible de
modifier toutes les propriétés de la cellule en cliquant sur ‘SET PROBLEM’ dans le panneau d’action.
54
Figure 43 : Panneau de création /chargement de la cellule
On appuie sur le bouton new pour créer de nouveaux dispositifs photovoltaïques à travers des champs
spécifiques, à savoir (figure 44):
-Addlayer : (ajouter une couche) une fenêtre s’affiche lorsque l’utilisateur clique sur ce bouton. Elle contient
plusieurs paramètres comme énergie de gap, permittivité électrique l’affinité, dopage, type de dopage .il faut
noter que l’utilisateur peut utiliser directement des valeurs standards dans les fichiers data de logiciel.
-Back and front contact : modifier les paramètres optiques et électriques des contacts avant et arrière de la
cellule
-Numerical setting : modifier les paramètres numériques de l’affichage des graphes, message d’erreurs et de
la convergence.
Figure 44 : Paramètres principaux du matériau
55
Par suite, on sauvegarde la structure crée sous la forme nom.def (figure 45).
Figure 45 : Définition du problème les couches de structure sont ajoutées
3.1.3- Définir le point de fonctionnement
Le point de fonctionnement (figure 46) spécifie les paramètres qui ne sont pas variables dans les mesures de la
simulation, et qui sont relatifs à l’opération de mesure. Ceci implique :
Figure 46 : Le point de fonctionnement
 La température T : Importante pour toutes les mesures. Note : dans SCAPS Nc(T), Nv(T), les vélocités
thermiques, le voltage thermique kT et tous leurs dérivés sont les seuls variables qui ont une dépendance
thermique explicite; on doit saisir manuellement, pour chaque valeur T, les paramètres du matériau
correspondant.
56
 Le voltage V : il ne concerne pas les simulations I-Vet C-V. C’est le voltage de la polarisation DC
dans une simulation C-fet QE(λ). SCAPS commence toujours à 0 V, et s’exécute au voltage du point
de fonctionnement par un nombre d’étapes qu’on doit aussi spécifier.
 La fréquence f : elle ne concerne pas les simulations I-V, QE(λ) et C-f. C’est la fréquence dans
laquelle la caractéristique C-Vest simulée.
 L’illumination : elle est utilisée dans toutes les mesures. Pour QE(λ), elle détermine les conditions de
polarisation de la lumière.
Les paramètres de base sont : l’obscurité ou la lumière, le choix du côté illuminé, le choix du spectre.
Le spectre d’illumination on Sun (= 1000 W/m2) avec la masse d’air 1.5 global est le spectre par défaut, mais
il existe aussi une large gamme de lumières monochromatiques et de spectres pour plus de simulations
personnalisées. S’il y a un simulateur optique, on peut immédiatement charger un profil de génération au lieu
d’utiliser un spectre.
 Résistance série et shunt (parallèle) :

Ces deux paramètres influencent sur la caractéristique I-V, elle représente les pertes ohmiques de la
cellule (figure 47) [3].
Figure 47 : La résistance shunt et série
Rs : modélise les pertes ohmiques dans la cellule, sa valeur doit être la plus faible possible.
Rsh : modélise les courants de fuite dans cette même cellule, sa valeur doit donc être maximisée.
3.1.4 Sélection des caractéristiques à simuler
Dans la partie Action du panneau action, on peut choisir un ou plusieurs mesures à simuler : I-V, C-V, C-f et
QE(λ). On peut ajuster également, les valeurs initiales et finales de l’argument, ainsi que le nombre des étapes
57
3.1.4- Lancer le calcul
Pour commencer les calculs, on clique sur le bouton « calculate » dans le panneau d’action [2].
3.1.5- Afficher les courbes simulées

Après les calculs, SCAPS passe au panneau de bande d’énergie, présenté dans la figure 48. Dans ce panneau, on
peut voir les diagrammes de bandes, les densités des porteurs libres, la densité du courant Si on veut afficher les
résultats pour des tensions intermédiaires, on utilise le bouton pause dans le panneau d’action. On peut faire
apparaitre les résultats par les commandes PRINT, SAVE GRAPHS, SHOW, et les valeurs s’affichent par la suite
à l’écran. Il est possible de faire du Couper & Coller vers, par ex., Excel, ou sauvegarder les valeurs dans un
fichier de données. Vous pouvez basculer vers un de vos panneaux personnalisés (si vous avez toutefois simulé
au moins une seule opération de mesure) [2].
Figure 48 : Panneau des bandes d’énergie
58
4- Paramètres de la structure a étudié
En se basant sur les études précédentes et la bibliographie, les propriétés de chaque couche de la cellule
simulée sont présentées dans les tableaux 3 et 4 :
T Variable: 240 -400 k
Tableau 3 : Propriété générales des contacts métalliques surface avant et arrière
Surface Avant Surface arrière

Sn (cm/s) 107 105
Sp (cm/s) 105 107
Metal work Function (eV) Flat Bands Variable
(4.6-5.6eV)
Radiative recombination 2.2x10-12 /1x10-28
Coefficient (cm3s-1)/ Auger [1]
capture coefficient (cm s
6 -1
Reflexion coefficient 0 0.9
Tableau 4 : Propriétés de chaque couche
n-FTO n-CdS p-Sb2Se3
d (nm) 500 50 100-1000
Eg (eV) 3.5 [2] 2.4 1.2

[1] (1.08) [3]
𝝌𝝌(eV) 4 4.2 3.7 [1]
εr (1) 9 10 9.86
Nc (cm-3) 2.2 1018 2.2 10^18 2.2x1018
Nv (cm-3) 1.8 1019 1.8 10^19 1.8x1019
VthN 107 10^7 107
VthP 107 10^7 107
µn (cm2/s) 20 25 15
µp (cm2/s) 10 100 5.1
Nd (cm-3) 2𝑥𝑥1019 〖10〗^17 0
Na (cm-3) 0 n-CdS 3x1013
59
5- Résultats de simulation
5.1- Effet de l’épaisseur de CdS
Dans un premier temps, nous avons étudié l’effet de l’épaisseur de la couche CdS sur les performances de la
cellule, figure 49. On remarque que le rendement reste constant à une valeur de 14,5% alors que pour une
épaisseur supérieure à 20 nm la densité de courant 𝐽𝐽𝑠𝑠𝑠𝑠 et la tension au circuit ouvert 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜 augmente tandis que
le facteur de forme FF diminue.
Figure 49 : Effet de l’épaisseur de CdS sur les paramétrés de la cellule
5.2-Effet de l’épaisseur de 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟐𝟐 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟑𝟑
Ensuite on a fixé l’épaisseur de CdS à 50 nm, et on a étudié l’impact de l’épaisseur de l’absorbeur. On remarque
que tous les paramètres (sauf FF) tels que 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜 , 𝐽𝐽𝑠𝑠𝑠𝑠 et η sont augmentés avec l'augmentation de l'épaisseur de
l'absorbeur. La figure 50 montre la variation des paramètres de la cellule solaire à base de 𝑆𝑆𝑆𝑆2 𝑆𝑆𝑆𝑆3 en fonction de
l’épaisseur de l’absorbeur.
60
Figure 50 : L'effet de l’épaisseur de 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟐𝟐 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟑𝟑 sur les paramètres de la cellule
5.3-Effet de la densité de Na de 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟐𝟐 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟑𝟑
La figure 51 montre la variation des paramètres de la cellule solaire à base de 𝑆𝑆𝑆𝑆2 𝑆𝑆𝑆𝑆3 en fonction de Na dans
l’intervalle de 1012 à 1019 cm-3. On constate que les valeurs de FF, le rendement, 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 augmente jusqu’à la valeur
de 22% pour le rendement, 86% pour FF et 0,85 v pour 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 , par contre pour la densité de courant reste constant
pour les densités inférieures à 1015 cm-3 et lorsque la densité des accepteurs croit la densité de courant décroit
linéairement.
Figure 51 : Effet de la densité de Na de 𝐒𝐒𝐒𝐒𝟐𝟐 𝐒𝐒𝐒𝐒𝟑𝟑 sur les paramètres de la cellule
61
5.4-Effet de la température
La figure 52 montre l’effet de la température sur la caractéristique J-V de la cellule photovoltaïque dans
l’intervalle de 240 K à 420 K. Pour l’effet de température on remarque que 𝐽𝐽𝑠𝑠𝑠𝑠 reste constant et que 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜
diminue avec l’augmentation de la température.
0,0
240k
2,0×105
240k
260k
280k
4,0×105
J(mA/cm2)
300k
420k
320k
340k
6,0×105
360k
380k
400k
8,0×105 420k
1,0×106
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4
V(v)
Figure 52 : Variation des performances de la cellule en fonction de la température.
62
Conclusion générale
La production d’énergie PV augmente sans cesse en atteignant 505GW mais son développement reste
limité par son coût qui est élevé si on le compare aux énergies nucléaires et fossiles. Afin de réduire le
coût de fabrication, on propose l’utilisation des cellules solaires de quatrième génération à base
d’éléments abondants et non toxique Sb2 Se3.
Dans ce travail, nous avons utilisé la simulation numérique pour l’étude des caractéristiques d’une
cellule solaire à base de 𝑆𝑆𝑆𝑆2 𝑆𝑆𝑆𝑆3 . La modélisation et la simulation ont été faites par la dernière version
du logiciel SCAPS 3310, afin d’étudie les performances des cellules solaires à base de 𝑆𝑆𝑆𝑆2 𝑆𝑆𝑆𝑆3 . Nous
présentons ici l’effet de certains paramètres notamment l’épaisseur de CdS, l’épaisseur de 𝑆𝑆𝑆𝑆2 𝑆𝑆𝑆𝑆3 , la
densité des accepteurs (𝑁𝑁𝑎𝑎 ) de l’absorbeur et celle de la température (T) pour améliorer les
performances de la cellule solaire.
Nous pouvons conclure d’après nous résultats que meilleur rendement de 22,72% d=500nm, T=300K et
Na=1019 cm-3.
63
Référence
[1] Alicia LECOMTE « Modélisation des défauts et des propriétés de transport au sein de semi-conducteurs à
base de Sb2Se3 pour le photovoltaïque » Thèse présentée et soutenue à Rennes, le 4 octobre 2019.
[2] Ben.A. Ghania « Etude par simulation numérique de la Cellule solaireà base de CZTS par SCAPS »
Mémoire de fin d’étude en Master, Année Universitaire2013-2014.
[3] B. Yassine et J. Mustapha « Amélioration des performances des cellules solaires de troisième génération à
base de couches minces CZTSSe. » PFE, FST Er-Rachidia, Soutenu le 16 juillet 2019.
64

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Projet de Fin d’Etudes

Licence en Sciences et Techniques

Simulation numérique des nouvelles

Réalisé par : Membres de jury :

À nos frères, nos amies et nos collègues

Tous les professeurs

Merci à toutes et à tous.

𝐸𝐸𝐸𝐸 Energie de gap eV

Nd Concentration des atomes donneurs Atome/ 𝑚𝑚−3

Nc Densité effective d’état dans BC cm-3

NV Densité effective d’état dans BV cm-3

q=e Charge électrique c

EF Le niveau de Fermi Cte

η OU (eta) Rendement de conversion %

𝐼𝐼𝑝𝑝ℎ Courant photo-généré A

𝑉𝑉𝑇𝑇 Le potentiel thermique V

𝐾𝐾 Constante de Boltzmann 1.384.10−23 𝐽𝐽𝐽𝐽 −1

(𝐼𝐼𝑠𝑠 ou 𝐼𝐼0 ) Courant de saturation A

J (mA /cm^2) Densité de courant A/m²

Figure1: installation photovoltaïque……………………………………………………………………………………………11

Figure 2: couches internes et externes du soleil………………………………………………………………………………. 12

Figure 3: constante solaire …………………………………………………………………………………………………….13

Figure 4: plan de l’écliptique; l’orbite terrestre et les saisons …..……………………………………………………………14

Figure 5: la rotation de la terre autour de lui même ………………………………………………………………………… 15

Figure 6: position du soleil (hauteur et azimut) …………………………………………………………………………..…15

Figure 7: Trajectoires du soleil à ERRACHIDIA………………………………………………………………………………16

Figure 8: Différentes constantes d’illumination…………………………………………………..……………………………17

Figure 9: Composantes du rayonnement solaire au sol…………………………………………………………………………18

Figure 10: Le spectre solaire……………………………………………………………………………………………………19

Figure 11 : Représentation des bandes d'énergie………………………………………………………………………….…….22

Figure 13: Représentations schématiques du gap direct…………………………………………………………….……..…..23

Figure 14 : Représentation du gap indirect……………………………………………………………………………………...24

Figure 15 : Génération d’électrons et des trous dans un semi-conducteur intrinsèque. ………………………………….……..24

Figure 16 : Carte mentale des techniques de dopage…………………………………….………………………………………26

Figure 17 : Représentation de four de diffusion…………………………………….…………………………..……………….27

Figure 18: Implanteur ionique…………………………………….…………………………………………………….……….28

Figure 19 : Principe de dépôt par ablation laser pulsée…………………………………….……………………………………29

Figure 20 : Semi-conducteur de type N…………………………………….…………………………………………………….30

Figure 21 : Semi-conducteur de type P…………………………………….……………………………………………….…….31

Figure 23 : zone de charge d’espace…………………………………….……………………………………………………….32

Figure 24 : Jonction P-N non polarisée à l’équilibre…………………………………….……………………………………….32

Figure 26: l’effet photovoltaïque…………………………………….…………………………………………………………….34

Figure 27 : Schéma simplifié d’une cellule PV de type couches minces………………………………………………………….34

Figure 29 : cellule solaire de silicium…………………………………….…………………………………………………….35

Figure 30 : cellule solaire à couche mince …………………………………….……………………………………………….37

Figure 31: Cellule photovoltaïque organique…………………………………….……………………………………………38

Figure 32 : Cellule photovoltaïque multi-jonction…………………………………….……………………………………….39

Figure 33 : Générations de PV en fonction de leur rendement…………………………………….………………….………40

Figure 35 : Puissance maximale d'une cellule PV…………………………………….…………………………….………….42

Figure 36 : Caractéristiques résultantes d’un groupement de Ns cellules en série. ……………………………………….…45

Figure 37: Caractéristiques résultant d’un groupement de Np cellules en parallèle……………………………………………….45

Figure 40: Le modèle d’une cellule photovoltaïque à deux diode…………………………………………………………….48

Figure 41 : Structure de la cellule solaire à base de 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟐𝟐 𝑺𝑺𝑺𝑺𝟑𝟑 ………………………………………………………………………52

Figure 42: Panneau de démarrage de SCAPS, le panneau d’action ou principal…………………………………..………….......53

Figure 43 : Panneau de création /chargement de la cellule. ……………………………………………………………………….55

Figure 44: Paramètres principaux du matériau…………………………………….……………………………………………….55

Figure 45: Définition du problème les couches de structure sont ajoutées…………………………………………………………56

Figure 46: Le point de fonctionnement……………………………………………………………………………………………..56

Figure 47: La résistance shunt et série………………………………………………………………………………………………57

Figure 48: Panneau des bandes d’énergie…………………………………………………………………………………………..58

Figure 50 : L'effet de l’épaisseur de Sb2 Se3 sur les paramètres de la cellul………………………………………………………….61

Figure 52 : Variation des performances de la cellule en fonction de la température…………………………………………..……62

Liste des tableaux

Tableau 1 : comparaison entre les cellules monocristallines et polycristallines…………………………………………………....36