模拟电子技术基础 - 华中科技

教学内容、要求及小结

本章目的
作为绪论，本章主要介绍信号及其放大的一些基本概念和放大电路的基本知
识，为后续各章的学习提供引导性的知识。
 解释信号的基本含义和表达方式
 说明信号线性放大的概念和条件
 介绍信号放大过程的电路构成，描述放大电路模型

本节主要内容：
 信号及其表达
学习本节后，你应该能　
 了解信号的基本含义和表达方式。

小结：
● 自然界及人类活动中的信号大多是非电信号，通过相应的传感器将它们转
换为电信号才能被电子系统处理。
● 同一个信号既可以在时域中描述，也可以在频域中描述。理论上许多非正
弦信号的频谱范围都会延伸到无穷大，而电路的处理能力却是有限的。通常将信
号在某一频率点处截断，仅处理保留下来的有限频率范围内的信号。当丢弃高于
该频率的部分信号基本不影响信号特性时，保留下来的频率范围称为这种信号的
带宽。信号的频谱特性是设计电子电路频率响应指标的主要依据。
● 在时间上和幅值上均是连续的信号称为模拟信号，在时间上和幅值上均是
离散的信号称为数字信号。处理模拟信号的电路称为模拟电路。
● 任何电信号在电路中都可以等效为两种信号源电路，即戴维南等效电路和
诺顿等效电路。

1 绪论
1.1 信号
1.2 信号的线性放大
1.3 放大电路模型
1.4 放大电路的主要性能指标
1 Lec01 华中科技大学张林
1.1 信号
1. 信号
信号是信息的载体或表达形式
微音器输出的某一段信号的波形
1.1 信号
2. 信号的频谱 v  
T =  =
f 时域
正弦信号 Vm
v( t )  Vm sin( 0 t   )  O   t
  
-Vm
2π
T  0  2 πf 0
0 V
频域
Vm
 
1.1 信号
2. 信号的频谱 v

T= 
0
方波信号
VS
满足狄里赫利条件，展 O  t

开成傅里叶级数
方波的时域表示
VS 2VS 1 1
v( t ) 
 (sin  0 t  sin 3 0 t  sin 5 0 t  )
2 π 3 5 T T
t  0,  , ...  m
2 2
其中  0  2 π ——基波角频率 VS
——直流分量
T 2
2VS ——基波分量 2VS 1

 ——三次谐波分量
π π 3
1.1 信号
2. 信号的频谱
方波信号
VS 2VS 1
v( t )   (sin  0 t  sin 3 0 t 
2 π 3
1 方波的时域表示
sin 5 0 t  )
5 Vn
Vs
2Vs

Vs 2Vs
  2Vs

O    
幅度谱
1.1 信号
2. 信号的频谱 T/℃
非周期信号
傅里叶变换：
周期信号离散频率函数 O t
气温波形
非周期信号连续频率函数
T/℃
非周期信号包含了所有可能的频
率成分 (0     )
ωc ——截止角频率 O c 
幅度频谱密度（示意图）
实际电路的处理能力是有限的
1.1 信号
3. 模拟信号和数字信号
模拟信号：在时间和幅值上都是连续的信号。
数字信号：在时间和幅值上都是离散的信号。
处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。
1.1 信号
4. 电信号的电路表示
Rsi
+ 电转换电
子 Rsi 子
vs is
系系
– 统
统戴诺
维顿
宁
电压源等效电路电流源等效电路
vs
is 
Rsi
思考：
 什么是模拟信号？
 信号放大通常是指信号的什么量被放大？
9 Lec01 华中科技大学张林 end


 信号及其表达。
 了解信号的基本含义和表达方式。

小结：　
● 线性放大是指信号经过放大电路后，任何一点的幅值都是按照相同的比例
变化，即放大电路输出的信号，除了幅值增大外，应是输入信号的重现。输出波
形的任何变形，都意味着产生了失真。实现信号线性放大的条件是：在输入信号
幅值范围内，放大电路增益 A 是常数；在输入信号频带范围内，放大电路增益 A
保持不变，时延相同，即放大电路的带宽要与信号的频带相匹配。
● 放大作用实质上是一种控制作用，体现了放大电路的输入对输出的控制。

《电子技术基础》
模拟部分（第六版）
华中科技大学张林
1 导论
1.1 信号
xO
1. 抽象层面的理解斜率= A
xO  AxI
xI ——自变量
xO ——因变量 O
xI
A为常数时xO与xI呈
传输特性曲线
线性关系。
( A  0)
当 xI 是电路的输入信号，
xO是电路的输出信号时，A就
xI 放大电路 xO
是电路的增益（放大倍数）。 A
vs
1. 抽象层面的理解
t
xI 放大电路 xO vo
A
当xI = vs，xO= vo，A>1时
线性放大的特点表现为任
何一点的电压幅值被放大的程 t
度完全相同，也反映了输入对
输出的控制。
话筒电压信号的线性放大
2. 实现线性放大的条件
xI 放大电路 xO
放大后输出能量大于输入 A
能量就要求：
放大电路需要能量供给
|A| > 1，且保持常数
实际上，只有在一定的幅值范围和一定的频率范围
内，放大电路的A才能基本保持常数。
放大电路输出幅值有
限导致的非线性失真
非线性失真 xO
xI 放大电路 xO
A xO
用非线性失真系数
来衡量放大电路的非线 O xI t
性失真程度：

 ok
X 2
k 2
   100%
X o1
xI
Xo1是输出信号基波分量的有效
值，Xok是各高次谐波分量的有 t
效值，k为正整数
2. 实现线性放大的条件非线性器件导致的失真
非线性失真 xO
xI 放大电路 xO xO
A
当信号中含有复合 O xI t
频率成分（如方波信号）
时，放大电路必须对信
号频带内（ <c）所有
频率成分的分量具有相
xI
同的放大能力，否则也
会造成信号失真。 t
2. 实现线性放大的条件 vi 信号
二次谐波
频率失真（线性失真）基波
O
t
当放大基波幅值的倍数
vo
大于放大二次谐波的倍数时，
复合波形出现失真。
幅度失真：
O
t
放大电路对信号中不
同频率分量的放大倍数不
同而产生的失真。
二次谐波
O
t
此时的传输特性曲线
vo
vo
基波
二次谐波
O
t
vi
O
二次谐波
O
如果基波分量和二次 t
谐波分量经放大电路产生 vo
不同的时延，则复合波形
t1
出现失真。
相位失真： O
t
放大电路对信号中不 t2
同频率分量产生的时延不
同而出现的失真。
幅度失真和相位失真通常都是同时发生的，它们统称
为频率失真，也称为线性失真。
频率失真（线性失真）
频率失真与非线性失真的本质差别是，频率失真不会产
生输入信号中没有的、新的频率分量，非线性失真则不然。
|A| H——上限角频率
|A| L ——下限角频率
BW = H  L——带宽
0.707|A|
通频带或
f H——上限频率
L H  f L ——下限频率
增益随频率变化的关系 BW = fH  fL ——带宽
放大电路放大正弦波时会出现频率失真吗？
思考：
 信号线性放大的条件是什么？


 介绍信号放大过程的电路构成，描述放大电路模型。
 了解信号放大过程的电路构成。
 理解放大电路各种增益的表达形式。
 理解放大电路的四种模型以及输入电阻和输出电阻对增益的影响。

小结：　
● 信号通过放大电路放大后，输出信号中增加的能量来自于工作电源。电子
电路中正、负电压的参考电位点常称为电路中的“地”，用符号“”表示。它
也常常作为电路输入与输出信号的共同端点。
● 放大电路是最基本的模拟信号处理电路。根据实际应用所要求的输入信号
（vs 或 is）和输出信号（vo 或 io）的不同，放大电路可分为四种类型：电压放大、
电流放大、互阻放大和互导放大。可以用输入电阻 Ri、输出电阻 Ro 和受控电压
源或受控电流源等基本元件，建立起这四种放大电路的模型，并通过它们分析放
大电路的基本特性。四种放大电路模型之间可以相互转换，以便于不同情况下的
电路分析。放大电路的输入电阻和输出电阻对信号的放大效果会产生不同的影响。
● 增益、非线性失真、带宽、输入电阻和输出电阻等主要性能指标是衡量放
大电路品质优劣的标准，也是设计放大电路的依据。

1 导论
1.1 信号
1. 信号放大时电路的一般构成
信号源
负载
简化形式
需要供电电源；是双口网络。
 接地符号“”的含义
电路中的电位参考基准点，定义为零电位。
也是输入、输出和电源的“共同端”。
2. 放大电路增益形式
电压增益（电压放大倍数）
vo
Av 
vi
io
电流增益 Ai  增益分贝数表示
ii
vo 电压增益= 20lg|Av| dB
互阻增益 Ar  (Ω)
ii 电流增益= 20lg|Ai | dB
io
互导增益 Ag  (S ) 功率增益= 10lgAp dB
vi
Po
功率增益 Ap 
Pi
3. 放大电路模型
放大电路是一个双口网络。从端口特性来研究放大电
路，可将其等效成具有某种端口特性的等效电路。（此处
均忽略了电抗元件的影响。）
 输入端口特性可以等效为一个输入电阻
 输出端口可以根据不同情况等效成不同的电路形式
电压放大模型
Avo ——负载开路时的
电压增益
Ri —— 放大电路的
输入电阻 Rsi Ro
+ +
Ro —— 放大电路的 + +
vs vi Ri Avovi vo RL
输出电阻 – – – –
3. 放大电路模型 Rsi Ro
电压放大模型 + +
+ +
由输出回路得 –
– – –
RL
vo  Avo vi
Ro  RL
则电压增益为即负载的大小会影响增益的
vo RL 大小
Av   Avo
vi Ro  RL
要想减小负载的影响，则希望
由此可见
Ro  RL
RL  Av 
理想情况 Ro  0
3. 放大电路模型 Rsi Ro
电压放大模型 + +
+ +
在输入回路 –
– – –
有 vi 
Ri
vs
Rsi  Ri
即信号源内阻会导致输入信号衰减
要想减小衰减，则希望
Ri  Rs
理想情况 Ri  
3. 放大电路模型 ii io
电流放大模型
is Rsi Ri Ro RL
电流增益
Aisii
io Ro
Ai   Ais
ii RL  Ro
ii Ro
互阻放大模型 +
+
is Rsi Ri Aroii vo RL
– –
Rsi io
互导放大模型
+
+
vs vi Ri Ro RL
– – Agsvi
Ro
隔离放大模型
+ + +
vi Ri A vo v i vo
– – –
ii io
1. 输入电阻 Ro
+ +
vt Rsi +
Ri  vi Ri A v o vi vo RL
it +
vs
– – – –
vi Ri
或 
vt Ri  R1 it
R1 vi +
Ri  vt 放大电路
vt  vi
RL
– A
R1
Ri
+ +
vt 放大电路
vi RL
– A
–
Ri
2. 输出电阻
Rsi it
+ 放大电路 +
vs=0 vt
– A –
Ro
vt
Ro  vs  0 , RL   注意：输入、输出电阻为交流电阻
it
3. 增益
反映放大电路在输入信号控制下，将供电电源能量
转换为输出信号能量的能力。
vo io vo io
四种增益 Av  Ai  Ar  Ag 
vi ii ii vi
其中 A v 、 A i 常用分贝（dB）表示。
电压增益  20 lg Av (dB) 电流增益  20 lg Ai (dB)
功率增益  10 lg AP (dB)
“甲放大电路的增益为-20倍”和“乙放大电路的增益为
-20dB”，问哪个电路的增益大？
4. 频率响应
A.频率响应及带宽
在输入正弦信号情况下，输出随输入信号频率连续变化的
稳态响应，称为放大电路的频率响应。
电压增益可表示为
V ( j )
A V ( j )  o
Vi ( j )
Vo ( j ) 其中
 [ o ( )   i ( )]

Vi ( j ) V o ( j )
AV ( )  称为幅频响应

Vi ( j )
或写为 A V  AV ( ) ( )
 ( )   o ( )   i ( ) 称为相频响应
4. 频率响应
A.频率响应及带宽
普通音响系统放大电路的幅频响应 3dB
3dB 频率点
频率点
（半功率点）
（半功率点）
其中 f H — —上限频率
20lg|AV|/dB
f L — —下限频率
BW  f H  f L 称为带宽 60 3dB 高频区
当 f H  f L时， BW  f H 低频区
40
直流放大电路的幅频响应与
带宽
此有何区别？ 20
20lg|AV|/dB
0
低频通带区高频区 2 20 2 102 2 103 2 104 f/Hz
3dB fL fH
中频区
0 f / Hz
思考：
 放大电路的一般结构是怎样的？
 放大电路的输入输出电阻会影响信号放大的实
际倍数吗？

PSpice介绍
华中科技大学
电子信息与通信学院
邓天平
介绍提纲
一、PSpice发展历史
二、PSpice特点介绍
三、PSpice运行方式
四、PSpice功能介绍
五、PSpice仿真步骤
Simulation Program with integrate Circuit Emphasis
OrCAD
SPICE PSpice /PSpice
Cadence OrCAD
1972 1983 1998 2000
加州大学 Microsim OrCAD Cadence

介绍提纲
AD&AA两大功能模
功能
块，涵盖电路仿真
强大
的方方面面
PSpice
功能模型都由器件生产
精度高
强大厂家提供，模型及
建模方式多样化
PSpice
功能
精度高强大
PSpice
仿真范围广，数字和
数模
模拟电路均可，同时
混合
也支持FPGA仿真
功能
精度高
强大
PSpice
数模节约
节约产品的研发周期，
避免浪费，提升了设
混合高效
计的质量
功能
精度高
强大
方便
PSpice 易用
数模节约丰富的快捷键，
混合高效友好的使用界面
功能 Capture绘图及PSpice仿真
精度高都成为事实上的业界标准
强大
方便业界
PSpice
易用标准
数模节约
混合高效
介绍提纲
文本编程方式
Capture 绘图方式
* source 4931
C_C2 N01285 VO 10uF
文 R_Rb21 N01289 N01279 33k
C_C1 N01289 VI 10uF
本 V_V2 N01279 0 12Vdc
编 R_Rc2
Q_Q1
N01285 N01279 3.3k
N01285 N01289 N01709 Q2N3904
程 R_RS1 N05444 VI 1k
R_Rb22 0 N01289 12k
方 R_Re2 0 N01709 1.3k
C_Ce N01709 0 50uF
式 V_V4 N05444 0 AC 100mV
+SIN 0 50mV 1kHz 0 0 0
Capture
绘
图
方
式
介绍提纲
(Analog and Digital) Bias point analysis
PSpice A/D DC sweep analysis
AC sweep analysis
PSpice Transient analysis
仿真
Sensitivity analysis
Optimizer analysis
PSpice AA
Monte carlo analysis
(Advanced Analysis)
Smoke analysis
Parameter plot
介绍提纲
(Capture) (PSpice AD) (Advanced Analysis)
调用Sensitivity工具，进
电路图设计电路特性模拟行灵敏度分析
调用Optimizor工具，进
行优化分析
检验模拟结果
调用Monte carlo工具，
进行成品率分析
调用Smoke工具，
进行可靠性分析
Questions
and
Answers
Multisim介绍
华中科技大学
电子信息与通信学院
邓天平
介绍提纲
一、Multisim发展历史
二、Multisim特点介绍
三、 Multisim 功能介绍
四、 Multisim 操作界面
五、 Multisim仿真步骤
一、 Multisim发展历史
◇ Multisim来源于加拿大图像交互技术公司（Interactive Image
Technologies简称IIT公司)推出的以Windows为基础的仿真工具
原名EWB。
◇ IIT公司于1988年推出一个用于电子电路仿真和设计的EDA工
具软件Electronics Work Bench（电子工作台，简称EWB），
以界面形象直观、操作方便、分析功能强大、易学易用而得到
迅速推广使用。
一、 Multisim发展历史
◇ 1996年IIT推出了EWB5.0版本，在EWB5.x版本之后，从
EWB6.0版本开始，IIT对EWB进行了较大变动，名称改为
Multisim(多功能仿真软件)，专用于电路级仿真。
◇ IIT后被美国国家仪器（NI，National Instruments）公司收购，
软件更名为NI Multisim，已经有Multisim2001、 Multisim7、
Multisim8、Multisim9 、Multisim10 、Multisim11 、Multisim12
Multisim13 、Multisim14。
介绍提纲
二、Multisim 特点介绍
◆Multisim系列软件的组成：
◇ Multisim：电路仿真设计模块
◇ Ultiboard：PCB设计软件
◆ 两个部分相互独立，可以分别使用。
◆ Multisim系列软件能完成从电路的仿真设计到电路板图
生成的全过程。
◆ 两个模块均有增强专业版（Power Pro）、完整版（Full
Edition）、基础版（Base Edition）教育版（Education）、学
生版（Student）和演示版（Demo），各版本的
功能和价格有明显差异。
二、Multisim 特点介绍
优势：
◆ 操作界面直观易用
◆ 大量元器件库
◆ 虚拟仪器表种仪类齐全，
◆ 分析方法完备
◆ 可调用LabVIEW虚拟仪器（自定义）
◆ 强大的Help 功能，包括软件本身的操作说明、各种元器
件功能说明。
介绍提纲
三、Multisim功能介绍
Multisim经历了多个版本的升级，9版本之后增加了单片机和
LabVIEW虚拟仪器的仿真和应用
◇ 电路分析
◇ 模拟电子电路
◇ 数字电子电路
◇ 模数混合电路
◇ 射频电路
◇ DSP/FPGA/CPLD
◇ 电力电子电路
◇ PLC控制电路
◇ 单片机电路
介绍提纲
四、Multisim操作界面
元
项目件电路图编辑区
管理栏仪表栏
器
介绍提纲
五、Multisim仿真步骤
电路图设计电路仿真
◇ 建立电路文件
◇ 放置元器件和仪表
输出仿真结果
◇ 元器件编辑
◇ 连线和进一步调整
电路结构和参数调整
Questions
and
Answers

本章目的
 说明运算放大器的基本特性和信号放大的实现
 讨论运放构成的基本线性运算电路及其应用

 运算放大器的基本特性和信号放大的实现
 了解运放的基本特性。
 理解如何用运放放大器放大信号。

小结：
● 集成运算放大器是一种增益很高的放大器，其作为一种基本的三端（信号
端子）器件，可以实现多种运算功能，如比例、加法、减法、积分和微分等。
● 集成运算放大器的外接端子主要有反相输入端（N）、同相输入端（P）、
输出端（O）和电源供给端子 V＋和 V－。
● 运算放大器有两个工作区，线性区和非线性区。在线性区，其放大同相输
入端与反相输入端之间的差值信号(vP－vN)。运算放大器开环（无负反馈）工作
时，很容易进入非线性区，输出电压接近电源电压。
● 理想的运算放大器具有无穷大的开环增益，无穷大的输入电阻和 0 输出
电阻，即：Avo→∞，ri→∞, ro=0。
● 通过引入合理的负反馈而使运算放大器稳定工作于线性放大区，此时可以
通过“虚短”和“虚断”来分析运放构成的线性电路。

2 运算放大器及其基本运算电路
2.1 运算放大器基本特性
2.2 运放构成的基本电路
2.3 同相输入和反相输入放大电路的其他应用
1. 电路符号
vN Avo
－
＋
vP ＋ vO
－
国标符号常用符号
2. 端口意义
反相输
入端输出端
同相输
入端
无特定接地端！
3. 外部电源连接
运算放大器正常工作时，必须提供工作电源，通常正负
电源的连接方式为
V+
VCC
vN ＋
－ vO －
vP ＋
V- VEE
运算放大器的电源连接
4. 实际运放外部引脚实例
外部无需连接
调零端子
OFFSET NULL 1 8 NC
反相输入端
IN- 2 7 VCC+ 正电源端
同相输入端输出端
IN+ 3 6 OUT
负电源端 VCC- 4 5 OFFSET NULL

调零端子
通用型运放741顶视图
5. 运算放大器的电路模型
集成运算
放大器的
输入电阻 V＋
P 集成运算
＋放大器的
＋
输出电阻
vP
ro
－
－ ri ＋
＋ vO
Avo(vP－vN)
vN
－－
＋－表示集成运算
N 放大器的电压
V－放大能力
6. 运算放大器的传输特性
通常：
 开环电压增益
Avo的105 （很高）
 输入电阻
ri  106Ω （很大）
 输出电阻
ro  100Ω （很小）
vO＝Avo(vP－vN) （ V－＜ vO ＜V＋）

注意输入输出的相位关系
当(vP－vN) > 0，且
Avo(vP－vN) V＋时
vO ＝ + Vom≈ V＋
当(vP－vN) < 0，且
Avo(vP－vN)  V-时
vO＝ -Vom≈ V-
电压传输特性
vO＝ f (vP－vN)
当(vP－vN) > 0，且 vO/V
a 正饱和
Avo(vP－vN) V＋时＋Vom＝V＋
vO＝Avo(vP－vN)
vO ＝ + Vom≈ V＋
线性区
当(vP－vN) < 0，且
Avo(vP－vN)  V-时
0 (vP－vN)/μV
vO＝ -Vom≈ V- 斜率=Avo
电压传输特性
vO＝ f (vP－vN) b －Vom＝V－
负饱和
线性范围内 vO＝Avo(vP－vN)
例2.1.1 运算放大器的等效电路模型如图2.1.2所示，已知运放
的Avo＝2×105，ri＝2MΩ，ro＝75Ω，V＋＝12V，V－＝－12V，设
输出电压的最大饱和电压值为±Vom＝±11V。
（1）如果vP＝25μV，vN＝100μV，试求输出电压vO的值；
（2）画出其电压传输特性曲线vO= f (vP－vN)。
V＋
P
＋
＋
vP
－ ro
－ ri ＋
＋ vO
Avo(vP－vN)
vN
－－
＋－
N
V－
解：
（1）若运算放大器工作于线性区，有vO＝Avo(vP－vN)。
由Avo＝2×105，vP＝25μV，vN＝100μV，则
vo＝Avo(vP－vN)
＝2×105 (25-100)×10-6V
=－15V
而±Vom＝±11V，因此运算放大器已经负饱和，
vO＝Vom＝－11V
解：
（2）画电压传输特性
v O/ V
±Vom＝±11V，Avo＝2×105， (＋55V, ＋ 11V)
12
vP－vN＝±11V/(2×105) (+Vo m=+11V) a
8
＝±55μV。 A vo＝2× 105
4
取a点(＋55μV,＋11V),
-200 -100 0
b点(－55μV, －11V)， 100 200 (vP －v N)/ V
-4
连接a、b两点的ab直线段，
线性区斜率为Avo＝2×105， -8
b (－Vom = －11V)
得到的传输特性如图所示。 (－55V, － 11V) -12
7. 理想运算放大器的参数
V＋
（1）开环电压增益Avo→∞； iP  0
vP ＋
（2）输入电阻ri＝∞；
（3）输出电阻ro＝0；
＋＋
Avo(vP－vN)
vO
（4）开环带宽BW→∞； iN  0 －－
vN －
（5）当vP＝vN时，vＯ＝0。
V－
若V－< vo <V＋有 vo＝Avo(vP－vN)

则（vP－vN）= vo /Avo 0 即 vPvN 虚短
输入电阻ri的阻值很高，使 iP≈ 0、iN≈ 0 虚断
8. 理想运算放大器的传输特性
V＋
vo/V iP  0
vP ＋
a
＋Vom＝V＋
＋＋
Avo(vP－vN)
vO
－
0 (vP－vN)/mV iN  0 －
vN －
V－
－Vom＝V－
b 特别注意：
vP≈ vN ， iP≈ 0、iN≈ 0
“虚短”和“虚断”是用来分析各种运放线性应用电
路的有力法则，必须熟练掌握。
2.2.1 同相放大电路
2.2.2 反相放大电路
 能采用以下形式对信号进行线性放大吗？为什么？
vp
＋ vo
＋ A
vn
vi －
－ RL
V
线性区 (v P  v N )  v i 
Avo
理论上可以，实际上很难。
要求输入信号非常小，且此时运放的带宽也很窄。
实际应用中，线性放大时都需要引入负反馈
反馈：将输出量（电压或电流）送回到输入的过程
负反馈：反馈到输入的信 vp
＋
号将减小原来加到放大器 vo
A
输入端的信号 vn
＋－
vi
使 (v P  vN )  vi － R2
V
容易满足 (v P  v N )  R1
Avo
反馈通路
运放工作在线性区
由于实际运放与理想运放特性很接近，所以在工程应
用时，都将实际运放当作理想运放来简化分析和设计。
需要特别注意，它们最大的差别是，理想运放的频带
宽度是无限的，而实际运放的带宽是有限的。
理想特性： vo/V
a
＋Vom＝V＋
ri≈∞
ro≈0
Avo→∞ 0 (vp－vn)/mV
vo＝Avo(vP－vN)
－Vom＝V－
b
vP≈ vN
iP≈ 0、iN≈ 0
指标分析 vp
＋ vo
（1）电压增益Av A
vn
根据理想运放特性＋－
vi
vp≈vn （虚短）－ R2
ip= -in=0 （虚断）

R1
所以
R1
vi  v p  v n   vo
R1  R2
 为什么称为同相放大电路？
v o R1  R2 R2
Av    1
vi R1 R1
（可作为公式直接使用）
指标分析 vp
＋
 用理想运放模型带
ro vo
来的误差有多少？(设 ri
＋ Avo(v －v )
P N
Avo=105, ri =106Ω, ＋
vi －
ro=100Ω, R1=1kΩ, － vn －
R2=49kΩ) R2
采用实际运放模型的电 R1
压增益Av
ri  ( R1 || R2 || ri ) ro ( R1 || R2 || ri )
Avo  
v ri R2 ri
Av  o   49.975
vi R || R2 || ri ro ro ( R1 || R2 || ri )
1  Avo  1  
R2 R2 R22
指标分析
 用理想运放模型带来的误差有多少？(设Avo=105, ri =106Ω,
ro=100Ω, R1=1kΩ, R2=49kΩ)
采用实际运放模型的电压增益Av  49.975
v R
采用理想运放模型的电压增益 Av  o  1  2  50
vi R1
产生的相对误差约为 0.05%
实际上，电阻R1和R2阻值通常都有5%~10%的误差，
所以用理想运放代替实际运放进行电路分析和设计完全可
行。
指标分析 vp
＋ vo
（2）输入电阻Ri A
vn
输入电阻定义＋－
vi vi
Ri  － R2
ii
根据虚短和虚断有 R1
vi＝vp，ii ＝ ip≈0
所以 Ri  vi  
Ri
ii
（3）输出电阻Ro Ro→0
输入电阻趋于无穷大；输出电阻趋于0，因此带负载能力
强，所带负载电阻大小不影响其运算关系。
思考：
 实际运放和理想运放在特性方面最大的差异
是什么？
 运放一般能在开环（无负反馈）状态下进行
线性放大吗？


 运放构成的同相、反相放大电路，以及加、减、积分、微分等基本线性应
用电路
 熟练运用“虚短”和“虚断”分析计算运放构成各种线性应用电路。

小结：
● 反相放大电路和同相放大电路是运算放大器两种基本的线性应用电路，由
此可以得到加法、减法、积分和微分等应用电路。在运放构成的线性应用电路中，
电路的输出信号和输入信号之间的关系（传输特性）只取决于运算放大器外部的
元件参数，而与运放的内部特性几乎无关。
● 由反相放大电路、积分电路和微分电路结合得到的 PI 控制器，PID 控制器
等在自动控制系统中应用极其广泛。

同相放大电路的一种特殊形式——电压跟随器
Rf
R1
  vO
vO + +
+ + vI
vI 

vo＝vn≈ vp＝ vi
Rf
Av  1＋＝1
R1
 电压跟随器对电压增益有贡献吗？
Rsi
100k
vn －
＋＋ Rsi vp ＋
vs v o RL ＋＋
RL
－－ 1k 100k ip vo
vs 1k
－－
隔离或缓冲
信号负载
信号负载
无电压跟随器时有电压跟随器时
负载上得到的电压根据虚短和虚断
RL
vo   vs ip≈0，vp＝vs
Rs  RL
1 vo＝vn≈ vp＝ vs
  vs  0.01vs
100  1
同相放大电路的另一种接法
vO  Rf   R3 
Av    1＋   
vI  R1   R2＋R3 
vi
Ri   ?
ii
Ri
1. 电路形式
反馈
通路
输入
信号
输出端
反相
输入
2. 指标分析 i2 R2
（1）电压增益Av
R1 i1 in
根据虚短和虚断有 vi －
vn
A vo
vn≈ vp = 0 ， in＝0 vp ＋
所以 i1＝ i2
v i  vn vn  vo vo R2
即  Av  
R1 R2 vi R1
（可作为公式直接使用）
若R1＝Rf 时，Av＝－1，习惯称为反相器。
 为什么称为反相放大电路？
2. 指标分析 i2 R2
（2）输入电阻Ri R1 i1 in
vi －
vi vi vn
Ri    R1 vp
A vo
i1 vi / R1 ＋
Ri
（3）输出电阻Ro
Ro→0
若信号源是非理想的电压信号源，采用哪种放大电路更好？
同相放大电路反相放大电路
例2.2.1 电路如图所示，求当开关闭合和断开时电路的增益
Av＝vO / vI的值。
解：1）S闭合，电路同相输
入端接地，构成反相比例电
路，有：
vO Rf
Av   －  1
vI R1
2）S断开，可以利用叠加原理求解
Rf  Rf 
vO'   vI v   1   vI
''
O
R1  R1 
Rf  Rf  vO
vO  vO  vO   vI   1   vI  vI
' ''
Av  1
R1  R1  vI
例2.2.2 电路如图所示，假设运算放大器为理想的，
当输入电压vI＝2V时，试求输出电压vO。
解：对vA点列KCL方程得到
vI  v A v A  0 v A  v N
 
2 2 1
vA  0.5V
v N  vP  0 vO  10  0.5V  5V
例2.2.3 电路如图所示，求电路的电压增益Av＝vO / vI的值。
解：利用“虚短”和“虚断”，
对反相输入端列出KCL方
程得到
vI  0 0  v4

R1 R2
图中节点M的KCL方程
0  v4 0  v4 v4  vO 与用一个电
 
R2 R4 R3 阻Rf相比有
Rf
解方程得到何好处？
vO R2  R3  ( R2 R3 / R4 ) R2  R3 R3 
Av  －   1   
vI R1 R1  R2 R4 
2.3 同相输入和反相输入放大电路
的其他应用
2.3.1 减法电路
2.3.2 加法电路
2.3.3 仪用放大电路
2.3.4 积分和微分电路
2.3.1 减法电路
1. 电路形式
vO=f(vI1，vI2)＝？
2.3.1 减法电路
2. 输入输出关系
v I 2  vP v P  0

R2 R3
vP  v N
vI1  vN vN  vO

R1 R4
 R1  R4   R3  R4
vO    v
 I2  vI1
 R1   R2  R3  R1
R4
R3 /R2 ＝R4 /R1 , vO  ( vI2  vI1 )
R1
2.3.1 减法电路
3. 电压增益
R4 vO R4
vO  ( vI2  vI1 ) Av  
R1 vI2  vI1 R1
2.3.1 减法电路
4. 输入电阻
vO R4
Av  
vI2  vI1 R1
为了便于求解从电
路的两个输入端看进去
的电阻，将图重画如下
2.3.1 减法电路
4. 输入电阻
利用“虚短”
和“虚断”有
vid  iid  R2  R3   vO  iid  R1  R4  


vP  iid R3

vN  vO  iid R4 vid
Rid   R1  R2
v  v iid
 P N
的其他应用
2.3.1 减法电路
2.3.2 加法电路
2.3.2 加法电路
1. 反相加法
2. 输入输出关系
根据“虚短”、“虚断”和N点的KCL得：
v N  vP  0
R3 R3
vI1 -vN vI2 -vN vN -vO －vO  vI1  vI2
  R1 R2
R1 R2 R3
若 R1  R2  R3 , 则有－ v O  v I1  v I 2
2.3.2 加法电路
3. 同相加法电路
vI1 vI2 vI3

 
 Rf  R21 R22 R23
vO   1  
 R1  1  1  1
R21 R22 R23
的其他应用
2.3.1 减法电路
2.3.2 加法电路
R1 R2
电桥测温电路
＋Vi － vo
A3
R2 R R
vo   (v A  v B ) vB
＋
R1 vA
A B R1
R(1＋ ) R
 能实现吗？ R2
热敏电阻
改进电路－
A1
R1 R2
＋ vo1
体现了输入电＋Vi －
A3
vo
阻的重要性 R R
vB
＋
vA ＋ vo2 R1
A B
A2
R
 有更好的 R(1＋ ) －
R2
电路吗？
1. 电路及增益 v3  v4
2R2  R1
v1  v2
R1
vO R4  2 R2 
Av    1  
v1  v2 R3  R1 
2. 集成仪用放大器
Analog Dev.公司AD621B
的其他应用
2.3.1 减法电路
2.3.2 加法电路
1. 积分电路
i2 C
根据“虚短”，得 v N  vP  0
i1 iN
根据“虚断”，得 iN  iP  0 vI
vN
- vO
R iP
vI
因此 i2  i1  vP +
R
电容器被充电，其充电电流为 i 2
设电容器C的初始电压为零，则
1 1 vI 1
vN  vO   i2dt   dt vO    vI dt
C C R RC
（积分运算）
式中，负号表示vO与vI在相位上是相反的。
2. 积分电路的应用
i2 C
i1 iN
vN
vI - vO
R iP
阶跃电压 vP +
 与一般RC电路相比该
积分电路有何特点？
vi vo
R i
C
3. 微分电路
根据“虚短”和“虚断”得
i1  i2
dvI
而 i1  C
dt
vO
i2  
R１
dv I
所以　vＯ  i2 R１   R１C
dt
4. 微分电路的应用
方波输入信号
尖脉冲输出
思考：
 运放的基本电路有哪些？如何分析设计？

1 反相放大电路如图 1 所示，运放采用 741，电源电压 V+＝＋12V，V－＝－12V，R1＝10k，R2＝
（1）当 vi＝0.5sin2×50tV 时，绘出输入电压 vi、输出电压 vO1 和输入电流 i1 的波形；当 vi＝1.5sin2
100k。
×50tV 时，绘出 vi、vO1 的波形；
（2）作出该电路的传输特性 vO＝f（vi）
。
i2 R2
i1 R1 ii
vi vn －
ii vo
vp ＋
图1
2 电路如图 2 所示，设电路中 R1＝12k，R2＝5k，C＝4F，反相输入端与输出端之间并联一电阻
R3＝1M，运放采用 LF411。电容 C 的初始电压 vC（0）＝0，输入电压 vi 幅度为＋5V～－5V，占空比为
50%，频率为 10Hz 的方波。试画出电压 vO 的波形；当 R3＝∞时，画出电压 vO 的波形。
vi/V
R2 C
＋5
vi R1
－ vo
vn 0
t1 t2
A t/s
＋
－5
(a) (b)
图 2

本章目的
本章主要介绍半导体基本知识和 PN 结特性，为后续半导体器件的学习做准
备。同时讨论最简单的半导体器件——二极管及其基本应用电路。
 介绍半导体基本知识和 PN 结特性
 介绍二极管主要参数，描述二极管简化模型
 分析几种典型的二极管应用电路的工作原理
 介绍几种特殊二极管

 半导体基本知识
 了解半导体如何导电
 了解本征半导体和杂质半导体的差别

小结：
● 在本征（纯净）半导体中掺入杂质，一方面可以显著提高半导体的导电性
能，另一方面可以减小温度对半导体导电性能的影响。此时，半导体的导电能力
主要取决于掺杂浓度。在纯净的半导体中掺入受主杂质，可制成 P 型半导体；而
掺入施主杂质，可制成 N 型半导体。空穴导电是半导体不同于金属导体的重要
特点。注意，这里是用空穴移动产生的电流来代表价电子移动产生的电流。

3 二极管及其基本电路
3.1 半导体的基本知识
3.2 PN结的形成及特性
3.3 二极管
3.4 二极管基本电路
3.5 特殊二极管
3.1.1 本征半导体
3.1.2 杂质半导体
1. 半导体的导电性
根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分
导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体有硅(Si)和锗(Ge)以及砷化镓
(GaAs)等。
本征半导体是一种完全纯净、结构完整的半
导体晶体。
硅的二维晶格结构
大块晶体中
的局部结构
+4 +4 +4
硅原子结构简化模型
两个电子的共价键
+4 +4 +4 +4
正离子
+4 +4 +4
在室温（300K）下，当被束缚的价电子获得足够的随
机热振动能量而挣脱共价键束缚成为自由电子时（本征激
发），半导体便具备了一定的导电能力。
硅的二维晶格结构
大块晶体中
但与良导体的局部结构
+4 +4 +4
相比，本征硅晶
两个电子的共价键
体内自由电子数
+4 +4 +4
量较少，因而其
正离子
导电性能远不及
+4 +4 +4
导体。
2. 空穴
空穴就是价电 +4 +4 +4
子挣脱束缚成为自由于热激发而产
生的自由电子
由电子后，共价键 +4 +4 +4
中留下的空位。价电子挣脱束缚
后留下的空穴
因为空穴表示 +4 +4 +4
共价键中失去了一
个带负电荷的电子，
所以认为其带有与
电子电荷等量的正
电荷。
E
2. 空穴
空穴也可以移动，它实际
+4 +4 +4
上反映了受束缚的价电子的移
动，只是移动方向与价电子移 x1 x2
+4 +4 +4
动方向相反。 x3
可以用空穴移动产生的电
+4 +4 +4
流来代表价电子移动产生的电
流。
空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。
3. 载流子的产生与复合
载流子——可以自由移动的带电粒子。
自由电子和空穴都是载流子
+4 +4 +4
本征激发产生的自由电由于热激发而产
生的自由电子
子和空穴总是成对出现的。 +4 +4 +4
价电子挣脱束缚
后留下的空穴
自由电子与空穴相遇时，
+4 +4 +4
两者同时消失，称为自由电
子与空穴的复合。
外部环境不变的情况下，载流子的产生与复合达到动态
平衡。
3. 载流子的产生与复合
+4 +4 +4
当温度升高时，将产生由于热激发而产
生的自由电子
更多的自由电子和空穴，意 +4 +4 +4
价电子挣脱束缚
味着载流子的浓度升高，晶后留下的空穴
+4 +4 +4
体的导电能力也会增强。即
本征半导体的电导率将随温
度的升高而增加。
在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，
可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质
主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体
称为杂质半导体。
N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的
半导体。
P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的
半导体。
1. P型半导体
+4 +4 +4
因三价杂质原邻近的电子落入受主的空
受主原子位，留下可移动的空穴
子在与硅原子形成 +4 +3 +4
可移动的空穴
共价键时，缺少一
受主获得一个电子而
个价电子而在共价 +4 +4 +4 形成一个负离子
键中留下一个空穴
在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；
自由电子是少数载流子，由热激发形成。
空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂
质因而也称为受主杂质。
2. N型半导体
因五价杂质原子中只 +4 +4 +4
施主原子提供
有四个价电子能与周围四的多余的电子
个半导体原子中的价电子 +4 +5 +4
形成共价键，而多余的一施主正离子
个价电子因无共价键束缚 +4 +4 +4
而很容易形成自由电子。
在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原
子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。
提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，
因此五价杂质原子也称为施主杂质。
掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影
响，以下是一组典型数据:
1 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n = p =1.4×1010/cm3
2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度:
n=5×1016/cm3
3 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3
以上三个浓度基本上依次相差106/cm3


 PN 结的形成和特性
 了解 PN 结的形成过程
 掌握 PN 结的单向导电性、反向击穿特性和电容效应等特性

小结：
● PN 结是构成半导体二极管和其他半导体器件的基础，它是由 P 型半导体
和 N 型半导体，在不同载流子浓度差异作用下，在交界面处形成的特殊区域。
● 当 PN 结外加正向电压（正向偏置）时，耗尽区变窄，有较大电流流过；
而当外加反向电压（反向偏置）时，耗尽区变宽，没有电流流过或电流极小，这
就是半导体二极管的单向导电性，也是二极管最重要的特性。PN 结还有两个重
要特性：反向击穿特性和电容效应。

3.3 二极管
3.5 特殊二极管
3.2.1 PN结的形成
3.2.2 PN结的单向导电性
3.2.3 PN结的反向击穿和电容效应
1. 载流子的漂移与扩散
漂移运动：
在电场作用下引起的载流子运动
扩散运动：
由载流子浓度差引起的载流子运动
2. PN结的形成
P型 N型 P型内电场 N型
多数载流子的扩散少数载流子的漂移
P 型区空间电荷区 N 型区
空间电荷区
也称为耗尽层、
势垒区。
内电场 E
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,
分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半
导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:
因浓度差

多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区

空间电荷区形成内电场
 
内电场促使少子漂移内电场阻止多子扩散
最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。
1. 外加正向电压
当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加
正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。
IF
外加正向电压 VF
P型 N型
削弱了内电场的作
用，PN结电阻减小
有利于多数载流
子的扩散运动内电场 E0
外电场 EF
回路中产生由多数载流子形成
• 低电阻
的扩散电流，称为正向电流
• 大的正向扩散电流
1. 外加正向电压
当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加
正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。
IF
外加正向电压 VF
P型 N型
iD/mA
1.0
0.5
内电场 E0
-1.0 -0.5 0.5 1.0 vD/V 外电场 EF
• 低电阻
• 大的正向扩散电流
VR IR
2. 外加反向电压
外加反向电压 P型 N型
增强了内电场的作
用，PN结电阻增大
阻止多子扩散，内电场 E0
有利于少子漂移外电场 ER
回路中产生由少数载流子形成在一定的温度条件下，由
本征激发决定的少子浓度是一
的漂移电流，称为反向电流
定的，故少子形成的漂移电流
• 高电阻是恒定的，基本上与所加反向
电压的大小无关，这个电流也
• 很小的反向漂移电流
称为反向饱和电流。
VR IR
2. 外加反向电压
外加反向电压 P型 N型
iD/mA
1.0
内电场 E0
0.5
外电场 ER
iD = -IS
-1.0 -0.5 0.5 1.0 vD/V 在一定的温度条件下，由

本征激发决定的少子浓度是一
定的，故少子形成的漂移电流
• 高电阻是恒定的，基本上与所加反向
电压的大小无关，这个电流也
• 很小的反向漂移电流
称为反向饱和电流。
PN结加正向电压时，呈现低电阻，
具有较大的正向扩散电流。
PN结加反向电压时，呈现高电阻，
具有很小的反向漂移电流。
由此可以得出结论：PN结具有单
向导电性。
3. PN结的I−V特性
iD/mA
vD
1.0
i D  I S (e nVT
 1) 反向偏正向偏
置特性置特性
0.5
其中 iD = -IS
IS ——反向饱和电流 -1.0 -0.5 0.5 1.0 vD/V
VT ——温度电压当量 PN结单向导电性的I−V特性曲线
且在常温下（T=300K）
kT
VT   0.026V  26 mV
q
1. PN结的反向击穿 iD
当PN结的反向电压增加
到一定数值时，反向电流突
VBR
然快速增加，此现象称为PN O vD
结的反向击穿。
反向击穿区
电击穿——可逆
热击穿——不可逆
雪崩击穿
VBR
反向电压增大到一定程度
O vD
电场足够强
漂移运动的少子获得足够的动能反向击穿区
撞击出更多的自由电子-空穴对
新的自由电子-空穴对继续撞击出更多的自由电子-空穴对
载流子的倍增效应
齐纳击穿
反向电压增大到一定程度
VBR
电场足够强 O vD
破坏共价键的束缚，分离出电子，
反向击穿区
产生大量的自由电子-空穴对
形成较大的反向电流
2. PN结的电容效应
扩散电容 VD
外加电压变化
P N
扩散到对方区域
在靠近PN结附近
累积的载流子浓
nP pN
度发生变化
等效于电容充放电 x
2. PN结的电容效应
势垒电容
P N P N
VD VD
(a) 电压减小时 (b) 电压增加时
外加电压变化离子层厚薄变化等效于电容充放电
思考：
 PN结有哪些特性？


 半导体二极管的结构、I‐V 特性、参数及其简化模型
 理解二极管主要参数
 掌握二极管简化模型

小结：
● 常用 I‐V 特性来描述二极管的电流电压关系，其理论表达式为
i D  I S (e v nV  1) ，常称为指数模型。该模型不包括 PN 结反向击穿时的电流电压
D T
关系。
● 二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压和反向击穿电压等。
在高频电路中，还要注意它的结电容、反向恢复时间及最高工作频率。
● 由于二极管是非线性器件，所以通常采用二极管的简化模型来分析设计二
极管电路。这些模型主要有理想模型、恒压降模型、折线模型、小信号模型等。
在分析电路的静态或大信号情况时，根据输入信号的大小，选用不同的模型；只
有当正向电压在某一小范围内变化，或信号很微小且叠加一静态偏置时，才采用
小信号模型。指数模型主要在计算机仿真模型中使用。

3.3 二极管
3.5 特殊二极管
3.3 二极管
+ vD -
iD k a
P N
a k
结构示意图 a
k
v -
iD + D
a k
阳极阴极
符号
3.3 二极管
PN结面积小，结
(1) 点接触型二极管电容小，用于检波和
变频等高频电路。
二极管的结构示意图 (a)点接触型
3.3 二极管
(2) 面接触型二极管
PN结面积大，用于
工频大电流整流电路。
阳极阴极
引线引线
(b)面接触型 P
N
P 型支持衬底
(c)集成电路中的平面型
3.3 二极管
3.3.1 二极管的I-V特性
3.3.2 二极管的主要参数
3.3.3 二极管模型
iD/mA iD/mA
20 20
15 15 ①
10 VBR 10
40 5 5
60 40 20
0
30 20 10 0 0.2 0.4 0.6 0.8 D/V 0.2 0.4 0.6 vD/V
10 10
②
20 20
Vth
30 30
40 40
③
iD/A iD/A
硅二极管2CP10 锗二极管2AP15
① ——正向特性
Vth ——门坎电压
② ——反向特性
VBR ——反向击穿电压
③ ——反向击穿特性
3.3 二极管
(1) 最大整流电流IF
(2) 反向击穿电压VBR
(3) 反向电流IR
i
(4) 极间电容Cd TRR
IF
(5) 反向恢复时间TRR O
0.1IRM t
IRM
3.3 二极管
将指数模型 iD  I S (e vD VT  1) 分段线性化，得到二极
管特性的等效模型。
1. 理想模型反向偏置时
正向偏置时的电路模型
iD
I-V 特性的电路模型
+ vD  + vD 
+ vD 
iD iD=0
iD
vD （iD>0，vD=0）（vD<0，iD=0）
O
(a) (b) (c) (d)

代表符号
2. 恒压降模型 3. 折线模型
iD iD
O vD O Vth vD
(a) (a)
+ vD  + vD 
rD
Vth
iD iD
(b) (b)
（a）I-V特性（b）电路模型（a）I-V特性（b）电路模型
4. 小信号模型
二极管上的电压（或二极管中电流）仅在一较小范围
内发生变化时所建立的模型称为小信号模型
将二极管I−V特 iD
iD/mA
+
性近似为以Q点为
Q vD rd
切点的一条直线， Q 
iD ID
其斜率的倒数就是 Q
小信号模型的微变
VD
电阻rd O vD/V
vD
4. 小信号模型 iD/mA
iD
Q点切线的斜率 +
Q vD rd
（电导）： Q 
iD ID
di D Q
gd 
dv D Q
VD
由 i D  I S (e v D VT
 1) O vD/V
vD
且满足vD >>VT =26mV
diD I S v D / VT iD I DQ Q点称为静态工作点，反
gd  Q  e Q
 Q 
dv D VT VT VT 映直流时的工作状态。
1 VT 26(mV)
得 rd    （常温下，T=300K）
gd I DQ I DQ (mA)
4. 小信号模型 iD/mA
iD
+
Q vD rd
iD ID
Q 
Q
1 VT 26(mV)
rd   
VD
gd I DQ I DQ (mA) O vD/V
vD
特别注意：
 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。
 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vD>>VT 。
符号中大小写的含义：
大写字母大写下标：静态值（直流），如，IB
小写字母大写下标：总量（直流+交流），如，iB
小写字母小写下标：瞬时值（交流），如，ib
（参见“本书常用符号表”）
思考：
 二极管有哪些特性？如何选用二极管（选用二极管时
要考虑哪些问题）？
 二极管有放大作用吗？
 如何分析二极管电路？如何理解电路的静态和动态？


 二极管基本电路。主要包括整流电路、限幅电路、开关电路和小信号应用
电路
 利用二极管简化模型分析二极管电路

小结：
● 整流电路、限幅电路和开关电路是二极管基本应用电路，这些电路都是利
用二极管单向导电性进行工作的。电路设计时，需根据二极管所承受的电压和电
流，选用合适的二极管。
● 在小信号应用电路中，要注意静态和动态的概念，以及小信号模型参数的
求解方法。

3.3 二极管
3.5 特殊二极管
3.4.1 整流电路
3.4.2 限幅电路
3.4.3 开关电路
3.4.4 小信号模型应用
3.4.5 图解分析法
3.4.1 整流电路
vD
1. 半波整流 + -
+
二极管采用理想模型时，负 + D iL
vs vL
载上的平均电压 -
RL
1 π
 2Vs sin t  dt -
VL 
2π 0
vs
2 2Vs
 Vs  0.45Vs
π O  2 3 4 t
vD
二极管中的整流电流
 2 3 4
O t
VL 0.45Vs
ID  IL    2Vs
RL RL vL
2Vs
二极管承受的最大反向电压 O  2 3 4 t
2Vs
3.4.1 整流电路
vD
1. 半波整流 + -
iL +
采用恒压降模型时 + D
vs vL
RL
-
vs
2Vs -
O  2 3 4 t
vs
vD 2Vs
0.7V  2 3 4
t O  2 3 4 t
 2Vs
vD
vL
 2 3 4
2Vs -0.7V O t
 2Vs
O  2 3 4 t
vL
2Vs
O  2 3 4 t
3.4.1 整流电路
2. 桥式整流
a (+) a vs
D1 D2 D1 D2
+ iL + iL
vs d b vs d iD b
+ +
O  2 3 4 t
- -
D4 D3 RL vL D4 D3 RL vL
c (-) c vD1,D3
- -  2 3 4
O t
(a) (b)
vD2,D4
(-) a  2 3 4
D1 D2 O t
+ iL + iL
vs d b vs
iD vL
- + - +
D4 D3 RL vL RL vL
(+) c
- - O  2 3 4 t
(c) (d) (e)
3.4.1 整流电路 a
D1 D2
+ iL
2. 桥式整流 vs d b
- +
二极管采用理想模型时，负 D4 D3 RL vL
c
-
载上的平均电压
vs
1 π
VL   2Vs sin t  dt
π 0 O  2 3 4 t
2 2
 Vs  0.9Vs vL
π
O  2 3 4 t
二极管中的整流电流
1 1 VL 1 0.9Vs 0.45Vs
I D1  I D2  I D3  I D4  IL     
2 2 RL 2 RL RL
二极管承受的最大反向电压
2Vs
3.4.1 整流电路
3.4.2 限幅电路
3.4.3 开关电路
3.4.2 限幅电路
理想模型恒压降模型
R R R
+ + + iD + + +
+ D
D vD D
 VD
vI vO vI vO vI vO
VREF VREF VREF
     
理想模型结果恒压降模型结果
vO/V vO/V
vI vI
VREF VREF +VD

0  2 3 4 0  2 3 4
t t
3.4.1 整流电路
3.4.2 限幅电路
3.4.3 开关电路
3.4.3 开关电路
D
电路如图所示，求AO的电压值
A
解：先断开D，以O为基准电位， 3k
V
即O点为0V。 V
则接D阳极的电位为-6V，接阴 O
(a)
极的电位为-12V。
阳极电位高于阴极电位，D接入时正向导通。
导通后，D的压降等于零，即A点的电位就是D阳极的电位。
所以，AO的电压值为-6V。
3.4.3 开关电路
例二极管开关电路如图3.4.6所示。利用二极管理想模型求解：
当vI1和vI2为0V或5V时，求vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压
vO的值。 VCC
D1
5V
+ +
4.7k 4.7k
D1 D2
vI1
vI1 vO
+
vO VCC
vI2
D2 5V
vI2
  
二极管工作状态
vI1/V vI2/V vO/V
D1 D2
0 0 导通导通 0
0 5 导通截止 0
5 0 截止导通 0
5 5 截止截止 5
3.4.1 整流电路
3.4.2 限幅电路
3.4.3 开关电路
v I  VPS  vi iD  I DQ  id v D  VDQ  v d v O  VO  v o
+ vD _
iD Slope=gd=1/rd
+ + +
vi_ iD
vl R vO
+ IDQ
VPS _
_ _ Q-point
iD
id
IDQ O vD
VDQ

vD
vd
t  叠加原理应用
VDQ  小信号线性化模型应用

t
例：求图中输出电压。设 VPS=5V , R=5k, V=0.6V , vi =0.1sinwt(V).
解: 因为 v O  VO  vo
+ vD _
(1) 直流分析, 令 vi =0, 则 + +
+
VPS  Vγ 5  0.6
vi_ iD
I DQ    0.88 mA + vl R vO
R 5 VPS
_ _ _
VO  I DQ R  0.88  5  4.4V
Fig. 1.34
VT 26mV
有 rd    0.0295kΩ
I DQ 0.88mA
rd
(2) 交流分析, 令 VPS =0, 则 id
vo
vi 0.1 sin t
id    19.9 sin t ( A )
rd  R 0.0295  5
v o  id R  0.0995 sin t ( V ) 小信号等效电路
例：求图中输出电压。设 VPS=5V , R=5k, V=0.6V , vi =0.1sinwt(V).
解:
+ vD _
+ +
vO = VO + vo = 4.4 + 0.0995sint （V）
+
vi_ iD
vl R vO
+
vO/V VPS
_ _ _
0.0995
4.4
O  2 3 4 t
3.4.1 整流电路
3.4.2 限幅电路
3.4.3 开关电路
1

R
例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，
求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。
R iD VDD
R
+ 1
Q 斜率为  的负载线
ID R
VDD D vD
-
VD VDD
VDD  vD
解：由电路的KVL方程，可得 iD 
R
1 1
即 iD   v D  VDD 是一条斜率为-1/R的直线，称为负载线
R R
Q的坐标值（VD，ID）即为所求。Q点称为电路的工作点
例3.4.1 加入小信号激励源后，求二极管电压、电流的变化。
iD/mA VDD+ Vm
R VDD- Vm
R iD R
VDD
+ + R Q
vs
- D vD
iD ID Q
VDD -
Q
VD
1 1 O VDD- Vm VDD VDD+ Vm vD/V

iD   v D  (VDD  vs ) vD
R R
vs =Vmsint 时（Vm<<VDD ，小信号）
Q点称为静态工作点，反映直流时的工作状态。
思考：
 如何分析二极管电路？如何理解电路的静态和动态？
 二极管工作在大信号情况和小信号情况下有何差别？
在分析方法上有何差别？


 特殊二极管，包括齐纳二极管、变容二极管、肖特基二极管、光电二极管、
发光二极管等。
 理解齐纳二极管及其并联型稳压电路的工作原理
 了解变容二极管、肖特基二极管和光电子器件等其它特殊二极管

小结：
● 齐纳二极管是一种特殊二极管，利用它在反向击穿状态下的恒压特性来构
成简单的稳压电路。要特别注意稳压电路限流电阻的选取。齐纳二极管的正向特
性与普通二极管相近。
● 其他非线性二端器件，如变容二极管光电、肖特基二极管、发光和光电二
极管，太阳能电池等均具有非线性的特点，其中光电子器件在信号处理、存储、
传输和新能源中得到广泛应用。

3.3 二极管
3.5 特殊二极管
3.5 特殊二极管
3.5.1 齐纳二极管
3.5.2 光电子二端器件
*3.5.3 变容二极管
3.5.4 肖特基二极管
利用二极管反向击穿特性实现稳压。齐纳二极管稳压时
工作在反向电击穿状态。
iD/mA
-VZ0 k
-VZ
+
O vD/V IZ
k -IZ(min)
1 Q VZ0
斜率 r -IZT VZ
Z
IZ
rZ

a -IZ(max)
VZ a
电路符号 I−V特性反向击穿时的模型
稳压应用电路 R IO
+ +
正常稳压时 VO =VZ IR IZ
VI DZ VO RL
- -
# 稳压条件是什么？
# 当VI变化或RL变化时，为什么VO能保持基本不变？
# 选择DZ的依据是什么？如何确定R的阻值？
3.5 特殊二极管
1. 光电二极管
a
ip/A
a
10 8 6 4 2 0
+ vp /V
ip vp E =200 lx

400
k 50
k
电路符号电路模型特性曲线
将光转换为电的二极管，工作在反向偏置状态下，其反
向电流随光照强度（简称照度）变化。
2. 发光二极管
将电转换为光的二极管，通过一定正向电流时会发光。
VCC
5V
光缆
a Rs=500 R
43k
0~5V +
LED
脉冲串
vO

k 发光二极管光电二极管
发射电路接收电路
电路符号
光电传输系统
3. 激光二极管
注入电流
P型
a
光活性
半导体
抛光面 N型
k
激光
物理结构示意图电路符号
4. 太阳能电池
太阳能
P N
光电流
内电场 E
Iph RL
3.5 特殊二极管
结电容随反向电压显著变化的二极管
a lgC/pF
50
20
10
5
2
k 25 20 15 10 5 0 VD/V
电路符号结电容与电压的关系（纵坐标为对数刻度）
3.5 特殊二极管
a iD
肖特基二极管
PN 结二极管
k
O vD
电路符号正向I−V特性
思考：
 还有哪些特殊的二极管？它们各具有怎样的特性？

1 电路如图 1 所示，R = 1kΩ，VREF = 5V，且 IS = 10nA，n = 2。试用 SPICE 分析电路的电压传输特
性 vO = f（vI）；若输入电压 vI = vi = 10sint V，求 vO 的波形。
（D 为 1N4148）
R
＋＋
D
vI vO
VREF
－－
图 1
2 电路如图 2 所示，稳压管选用 1N4733（VZ = 5.1V，IZ(max) = 178mA，IZT=49mA），若输入直流电压
VI = 10V，R = 30，输出稳压值 VO = 5.1V，试用 PSpice 分析稳压电路的电压不小于 5V 时，输出电流的
范围。
R IO
+ +
IR IZ
VI DZ VO RL
 
图 2
3. 在图 3 所示的二极管电路中，VDD = 5V，R = 5k，恒压降模型的 VD=0.7V，vs = 0.1sint（V）
。试
用 PSpice 绘出 vO 的波形。
D iD
+ + vD - +
vs
- R vO
VDD
-
图 3
2 电子技术基础
3 半导体二极管及其基本电路 ..................................................................................... 错误!未定义书签。

3.1 半导体的基本知识 ..................................................................................... 错误!未定义书签。
3.1.1 半导体材料............................................................................................... 错误!未定义书签。
3.1.2 半导体的共价键结构 ............................................................................... 错误!未定义书签。
3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用 ........................................................... 错误!未定义书签。
3.1.4 杂质半导体............................................................................................... 错误!未定义书签。
3.2 PN 结的形成及特性................................................................................... 错误!未定义书签。
3.2.1 载流子的漂移与扩散 ............................................................................... 错误!未定义书签。
3.2.2 PN 结的形成 ............................................................................................. 错误!未定义书签。
3.2.3 PN 结的单向导电性.................................................................................. 错误!未定义书签。
3.2.4 PN 结的反向击穿...................................................................................... 错误!未定义书签。
3.2.5 PN 结的电容效应................................................................................... 错误!未定义书签。
3.3 半导体二极管 ............................................................................................. 错误!未定义书签。
3.3.1 二极管的结构........................................................................................... 错误!未定义书签。
3.3.2 二极管的 V-I 特性 .................................................................................... 错误!未定义书签。
3.3.3 二极管的主要参数................................................................................... 错误!未定义书签。
3.4 二极管的基本电路及其分析方法 ............................................................. 错误!未定义书签。
3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 ........................................................... 错误!未定义书签。
3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 ........................................................... 错误!未定义书签。
3.5 特殊二极管................................................................................................. 错误!未定义书签。
3.5.1 齐纳二极管............................................................................................... 错误!未定义书签。
3.5.2 变容二极管............................................................................................... 错误!未定义书签。
3.5.3 肖特基二极管（SBD） ........................................................................... 错误!未定义书签。
3.5.4 光电子器件............................................................................................... 错误!未定义书签。
3.6 SPICE 仿真例题 ......................................................................................... 错误!未定义书签。

本章目的
除介绍重要的三端放大器件场效应管外，还要讨论多种放大电路和基本分析方法等重
要内容。
 介绍 MOSFET 的结构、符号、工作原理、特性曲线及参数
 说明 MOSFET 基本放大电路的构成及信号放大的实现
 讨论 MOSFET 放大电路的静态偏置和信号的输入输出
 介绍图解分析法
 介绍小信号模型分析法
 讨论共源、共漏和共栅三种放大电路
 介绍组合（多级）放大电路
 MOSFET 放大电路设计举例

 金属‐氧化物‐半导体（MOS）场效应三极管的结构、工作原理、特性曲
线及特性方程
 理解 MOSFET 的结构、符号、工作原理和特性曲线
 掌握 MOSFET 的特性方程
 了解 MOSFET 的主要参数

小结：
● FET 是电压控制电流器件（iD 受 vGS 控制），只依靠一种载流子导电，因而
属于单极型器件。
● MOSFET 的栅极是绝缘的，所以 iG0，输入电阻很高。
● 特性方程完整地反映了 MOSFET 三个电极之间电压电流的关系，在不同的
工作区有不同的特性方程。
● MOSFET 饱和区的转移特性是 MOSFET 实现信号放大的根本关系。
● 在 MOSFET 放大电路中，VDS 的极性取决于沟道是 N 型还是 P 型，N 型沟
道 VDS 为正，P 型沟道 VDS 为负；为了建立合适的偏置电压 VGS，不同类型的 MOSFET，
对偏置电压的极性有不同的要求：增强型 MOSFET 的 VGS 与 VDS 同极性，耗尽型
MOSFET 的 VGS 可正、可负或为零。

4 场效应三极管及其放大电路
分类：
N沟道
增强型
MOSFET P沟道
(IGFET)
N沟道
FET 绝缘栅型耗尽型
场效应管 P沟道
N沟道
JFET （耗尽型）
结型 P沟道
4.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应三极管
4.2 MOSFET基本共源极放大电路
4.3 图解分析法
4.4 小信号模型分析法
4.5 共漏极和共栅极放大电路
4.7 组合放大电路
4.1 金属-氧化物-半导体
（MOS）场效应三极管
4.1.1 N沟道增强型MOSFET
4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET
4.1.3 P沟道MOSFET
4.1.4 沟道长度调制等几种效应
4.1.5 MOSFET的主要参数
1．结构及电路符号 L：沟道长度 W：沟道宽度 tox：绝缘层厚度
绝缘体二氧化硅绝缘层
沟道栅极 g
（SiO2）
铝电极
（Al）
＋
N tox
＋
L N
P 型衬底
源极 s
漏极 d W
通常 W > L
1．结构及电路符号
源极 s 栅极 g 漏极 d
铝铝铝 d
SiO2 绝缘层
＋＋衬底
N N g
B
耗尽层 P 型硅衬底
s
B 衬底引线
剖面图符号
2．工作原理 VGG
s g d
（1）VGS对沟道的控制作用
当VGS≤0时＋
N
＋
N
无导电沟道， d、s间加耗尽层

P
电压时，也无电流产生。 B 衬底引线
当0 <VGS <VTN 时
VGG
s g
产生电场，但未形成导电 d
沟道（反型层），d、s间加电
＋＋
N N
压后，没有电流产生。
耗尽层
P
B 衬底引线
2．工作原理 VGG
s g d
（1）VGS对沟道的控制作用
当VGS >VTN 时 N
＋
N
＋
在电场作用下产生导电沟耗尽层
P
道，d、s间加电压后，将有
B 衬底引线
电流产生。
VGS越大，导电沟道越厚 s
VGG
g d
VTN 称为N沟道增强型
MOSFET开启电压＋
N
＋
N
N 型感生沟道（反型层）
必须依靠栅极外加电压才能产生反耗尽层
P
型层的MOSFET称为增强型器件
B 衬底引线
V DD
2．工作原理 s
VGG
g d
（2）VDS对沟道的控制作用
当VGS一定（VGS >VTN ）时，＋＋
N N
VDS ID 沟道电位梯度 耗尽层
P
靠近漏极d处的电位升高
B 衬底引线
电场强度减小 沟道变薄 VDD
iD
VGG
s g d
＋＋
N N
耗尽层
P
B 衬底引线
O
vDS 整个沟道呈楔形分布
V DD
2．工作原理 s
VGG
g d
当VGS一定（VGS >VTN ）时，＋＋
N N
VDS ID 沟道电位梯度 耗尽层
P
当VDS增加到使VGD=VTN 时，
B 衬底引线
在紧靠漏极处出现预夹断。 VDD
iD
VGG
s g d
A 预夹断点＋＋
N N
耗尽层
P
B 衬底引线
O
vDS 在预夹断处：VGD=VGS-VDS =VTN
V DD
2．工作原理 s
VGG
g d
预夹断后，VDS 夹断区延长＋
N
＋
N
沟道电阻 ID基本不变耗尽层

P 夹断区
iD B 衬底引线
可变
饱和区 VDD
电阻区
vDS <V GS-VTN vDS≥VGS-V TN B
VGG
A s g d
预夹断点
＋＋
N N
耗尽层
P
O
vDS
B 衬底引线
V DD
2．工作原理 s
VGG
g d
（3）VDS和VGS同时作用时
VDS一定，VGS变化时＋
N
＋
N
给定一个vGS ，就有一耗尽层

P
条不同的 iD – vDS 曲线。
B 衬底引线
iD
VDD
VGG
s g d
预夹断点 vGS1＝VGS＞VTN
＋＋
N N
vGS2＝VGS＞VTN
耗尽层
P
截止区 vGS3＜VTN
O
vDS B 衬底引线
 沟道中只有一种类型的载流子参与导电，所以场效应管也称
为单极型三极管。
 MOSFET的栅极是绝缘的，所以iG0，输入电阻很高。
 MOSFET是电压控制电流器件（VCCS），iD受vGS控制。
 只有当vGS>VTN时，增强型MOSFET的d、s间才能导通。
 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。
3. I-V特性曲线及特性方程
（1）输出特性及大信号特性方程
预夹断临界点轨迹
iD/mA vDS＝vGS－VTN(或 vGD＝vGS－vDS＝VTN)
i D  f (v DS ) vGS  const.
可变电阻区 3V
2 (非饱和区)
① 截止区饱和区
1.5
当vGS＜VTN时，导电沟道 2.5V
1
尚未形成，iD ＝0，为截
2V
止工作状态。 0.5 vGS＝1.5V
截止区
0
2.5 5 7.5 10 vDS/V
i D  f (v DS ) vGS  const. iD/mA vDS＝vGS－VTN(或 vGD＝vGS－vDS＝VTN)
可变电阻区 3V
2 (非饱和区)
② 可变电阻区
饱和区
vDS <（vGS－VTN） 1.5
2.5V
iD  K n [2( vGS  VTN ) vDS  vDS
2
] 1
2V
由于vDS较小，可近似为 0.5 vGS＝1.5V
截止区
iD  2 K n ( vGS  VTN ) vDS 0

2.5 5 7.5 10 vDS/V
dvDS 1 rdso是一个受vGS控
rdso  
di D vGS 常数
2 K n ( vGS  VTN ) 制的可变电阻
② 可变电阻区 iD/mA vDS＝vGS－VTN(或 vGD＝vGS－vDS＝VTN)
可变电阻区 3V
iD  2 K n ( vGS  VTN ) vDS 2 (非饱和区)
1 饱和区
rdso  1.5
2 K n ( vGS  VTN ) 2.5V
1
其中 2V
K n W  n Cox  W  0.5
Kn      vGS＝1.5V
截止区
2 L 2  L
0
2.5 5 7.5 10 vDS/V
n ：反型层中电子迁移率
Cox ：栅极（与衬底间） K '
n   n Cox 本征电导因子
氧化层单位面积电容 Kn为电导常数，单位：mA/V2
③ 饱和区 iD/mA vDS＝vGS－VTN(或 vGD＝vGS－vDS＝VTN)
可变电阻区 3V
（又称恒流区或放大区） 2 (非饱和区)
vGS >VTN ，且vDS≥（vGS－VTN） 1.5 饱和区
2.5V
I-V 特性：
1
iD  K n ( vGS  VTN ) 2 2V
vGS 0.5 vGS＝1.5V
 K nV ( 2
TN  1) 2 截止区
VTN 0
vDS/V
vGS 2.5 5 7.5 10
 I DO (  1) 2
VTN 必须让 FET 工作在饱和区
I DO  K nVTN
2
是vGS＝2VTN时的iD （放大区）才有放大作用。
3. I-V特性曲线及特性方程预夹断临界点轨迹
（2）转移特性 iD/mA vDS＝vGS－VTN(或 vGD＝vGS－vDS＝VTN)
可变电阻区 A 3V
iD  f (vGS ) vDS const. 2 (非饱和区)
饱和区
iD  K n ( vGS  VTN ) 2 1.5
B 2.5V
iD/mA 1
A C 2V
2
0.5 vGS＝1.5V
D 截止区
1.5 0
2.5 5 7.5 10 vDS/V
B
vDC＝5V
1
在饱和区，iD受vGS控制
C
0.5
D
# 为什么不谈输入特性？
VTN
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 vGS/V
4.1 MOS场效应三极管
4.1.3 P沟道MOSFET
1. 结构和工作原理简述
二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子，已存在导电沟道
可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流
s g 掺杂后具有正 d
离子的绝缘层二氧化硅 d
＋＋＋＋＋＋＋＋＋＋衬底
N
＋
N
＋
g
B
耗尽层 N 型沟道
P s
B 衬底引线
2. I-V 特性曲线及大信号特性方程
vGS 2 vGS
iD  I DSS (1  ) iD  I DO (  1) 2 （N沟道增强型）
VPN VTN
iD/mA vDS＝vGS－VPN iD/mA
可变
饱和区
电阻区 4V 8
(非饱和区)
8
2V 6
6
vGS＝0V 4 IDSS
IDSS4
－2V
2 －4V 2
截止区 VPN
0 3 6 9 12 15 vDS/V －6 －4 －2 0 2 4 vGS/V
4.1.3 P沟道MOSFET
4.1.3 P沟道MOSFET
1. 电路符号
# 衬底是什么类型的半导体材料？
# 哪个符号是增强型的？
# 在增强型的P沟道MOSFET 中，vGS应加什么极性的电压才
能工作在饱和区（线性放大区）？
4.1.3 P沟道MOSFET
2. I-V特性曲线
电流均以流入漏极的方向为正！
# 是增强型还是耗尽型特性曲线？
# 耗尽型特性曲线是怎样的？vGS加什么极性的电压能使管子
工作在饱和区（线性放大区）？
4.1.3 P沟道MOSFET
3. 特性方程
可变电阻区
iD   K p [2( vGS  VTP ) vDS  vDS

2
]
饱和区
vGS
iD   K p ( vGS  VTP )   I DO (
2
 1) 2
VTP
WpCox
Kp 
2L
MOSFET电流-电压特性小结
4.1.3 P沟道MOSFET
1. 沟道长度调制效应
实际上饱和区的曲线并不是平坦的（N沟道为例）
vGS
修正后 iD  K n ( vGS  VTN ) (1  vDS )
2
 I DO (  1) 2
(1   vDS )
VTN
0.1 1 L的单位为m
 V VA称为厄利（Early）电压
L iD/mA
当不考虑沟道调制效应时，
＝0，曲线是平坦的。
1 vDS/V
-VA= -

当vGS固定、vDS增加时，沟道长度L变短，iD会有所增加
2.衬底调制效应（体效应）及衬底的正确连接
衬底未与源极并接时，衬底与源极间的偏压vBS将影响实际的开
启（夹断）电压和转移特性。
N沟道增强型
VDD
VGG
s g d
-
vBS ＋＋
+
N N
耗尽层
P
B 衬底引线
对耗尽型器件的夹断电压有类似的影响 VTNO表示vBS = 0时的开启电压
2.衬底调制效应（体效应）及衬底的正确连接
VDD
为保证导电沟道与衬底之 VGG
s g d
间的PN结反偏，要求：
-
N沟道: vBS  0 vBS ＋
N
＋
N
+
P沟道: vBS  0 耗尽层
P
B 衬底引线
集成电路中，N沟道器件的衬底接电路的最低电位，P沟道
器件的衬底接电路的最高电位，衬底B与源极S之间就存在衬底
偏压vBS。
在分立元件电路中，场效应管的衬底通常与源极相连，即
vBS =0。
3. 温度效应
VTN和电导常数Kn随温度升高而下降，且Kn受温度的
影响大于VTN受温度的影响。
可变电阻区 iD  K n [2( vGS  VTN ) vDS  vDS

2
]
饱和区 iD  K n ( vGS  VTN ) 2
当温度升高时，对于给定的VGS，总的效果是漏极电
流减小。
这种作用给功率MOS管提供了一种反馈条件，自然限
制了沟道电流，保证了功率MOS管的稳定运行。
VDD
4. 击穿效应
VGG
（1）漏衬击穿 s g d
外加的漏源电压过高，将
＋＋
N N
导致漏极到衬底的PN结击穿。
耗尽层
（2）栅极击穿 P
B 衬底引线
若绝缘层厚度tox= 50 纳米
时，只要约30V的栅极电压就
通常在MOS管的栅源间接
可将绝缘层击穿，若取安全系
入双向稳压管，限制栅极电压
数为3，则最大栅极安全电压
以保护器件。
只有10V。
4.1.3 P沟道MOSFET
一、直流参数 iD
A
－＋
d
1. 开启电压VT T
g
B
（增强型参数）＋ VDD
VGG s
V VTN
－
当vDS为某一固定值（例如10V）使iD等于一微小电流（例
如50μA）时，栅源间的电压为VTN。
iD
A
－＋
d
2. 夹断电压VP T
g
B
（耗尽型参数）－
VDD
VGG s
V VPN
＋
一、直流参数
3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数）
iD
mA
T d IDSS
B
g
VDD
s
4. 直流输入电阻RGS （109Ω～1015Ω ）
二、交流参数（饱和区）
vDS
1. 输出电阻rds rds 
i D VGS
对于增强型NMOS管 iD  K n (vGS  VTN )2 (1  vDS )

iD 1
有 vDS  
K n (vGS  VTN ) 2

1 VA
2 1
所以 rds  [ λK n ( vGS  VTN ) ]  
λiD iD
当不考虑沟道调制效应时，＝0，rds→∞
实际中，rds一般在几十千欧到几百千欧之间。
二、交流参数
i D
2. 低频互导gm gm 
vGS VDS
NMOS增强型 iD  K n ( vGS  VTN ) 2
i D [ K n ( vGS  VTN ) 2 ]
则 gm    2 K n ( vGS  VTN )
vGS VDS vGS VDS
iD
又因为 iD  K n ( vGS  VTN )
2
( vGS  VTN ) 
Kn
所以 gm  2 K n ( vGS  VTN )  2 K n iD
 n Cox W
其中 Kn  
2 L
三、极限参数
1. 最大漏极电流IDM
2. 最大耗散功率PDM
3. 最大漏源电压V（BR）DS
4. 最大栅源电压V（BR）GS
思考：
 MOSFET输出特性曲线完整的数学模型是怎样的（特性
方程）？
 三极管放大作用的本质是其控制作用。在MOSFET中，
是通过怎样的控制关系反映其放大作用的？
 MOSFET中的iD和vGS是线性关系吗？这种关系反应了哪
个参数的特性？意味着怎样的物理意义？
 MOSFET的栅极绝缘带来了哪些好处？
 增强型和耗尽型MOSFET有何差别？N沟道和P沟道
MOSFET有何差别？处于放大状态时它们各需要怎样的
静态偏置？

 MOSFET 基本放大电路的构成及信号放大的实现
 掌握 MOSFET 基本放大电路的构成方式和各元件的作用
 理解电路的静态和动态两种工作状态
 理解 MOSFET 放大信号的过程及其所需要的条件
 理解静态工作点对信号放大的影响
 掌握信号的直接耦合和阻容耦合的特点
 掌握直流通路和交流通路的画法
 掌握放大电路的习惯画法

小结：
用 MOSFET 放大信号时的要点：
● 必须让 MOSFET 工作在饱和区，并有合适的静态偏置。
● 必须保证信号的正常输入和输出。
● 信号是叠加在静态电量上并通过 MOSFET 的控制关系传到输出的。信号也
经常称为交流量或变化量。
● 输出信号的幅值受输出回路电源电压的限制。
● 直流电源既是 MOSFET 正常工作的前提条件，又是信号放大的能量供给者。

　
4.3 图解分析法
4.2.1 基本共源极放大电路的组成
4.2.2 基本共源极放大电路的工作原理
4.2.3 放大电路的习惯画法
4.2.4 其它共源放大电路
1. 如何让MOS管工作在饱和区？ Rd
元件作用
IDQ ＋
d
VGG： T VDD
B
g
提供栅源电压使 vGS > VTN ＋ VDSQ
)
VGSQ s
VDD和Rd ： )
VGG －
－
提供合适的漏源电压，使
vDS > vGS - VTN
Rd 还兼有将电流转换成电压的作用
通常称VGG和VDD为三极管的工作电源，vi为信号。
2. 信号如何通过MOS管传递？ Rd
饱和区 iD  K n ( vGS  VTN ) 2 （VGG >> vi）
iD ＋
d
vi vGS iD vDS (= vo) T B VDD
g
＋＋ vDS(vo)
vo vDS vi
由  vGS s
vi vi －
VGG iS
－
－
可获得信号电压增益
信号由栅源回路输入、漏源回路输出，即源极是公
共端，所以称此电路为共源电路。
也可看作信号由栅极输入、漏极输出。
1. 放大电路的静态和动态
静态：输入信号为零（vi= 0 或 ii= 0）时，放大电路的
工作状态，也称直流工作状态。
此时，FET的直流量ID、VGS、VDS，在输出特性曲线
上表示为一个确定的点，习惯上称该点为静态工作点Q。
常将上述三个电量写成IDQ、VGSQ和VDSQ。
动态：输入信号不为零时，放大电路的工作状态，也
称交流工作状态。
2. 放大电路的直流通路和交流通路 Rd
仅有直流电流流经的通路为直流通路 iD ＋
d
T B VDD
g
Rd ＋＋ vDS(vo)
vi
vGS s
IDQ ＋－
d VGG iS
－－
T B VDD
g
＋ VDSQ
)
VGSQ s
)
VGG －
－
2. 放大电路的直流通路和交流通路
仅有交流电流流经的通路为交流通路
直流电压源内阻为零，交
Rd
流电流流经直流电压源时
＋
d IDQ 不产生任何交流压降。
T B VDD
g 故:
＋ VDSQ
) 直流电压源对交流相当于短路
VGSQ s
)
VGG －
－
2. 放大电路的直流通路和交流通路
仅有交流电流流经的通路为交流通路
iD
Rd ＋
d
T
IDQ ＋ g
d vDS(vo)
＋ Rd
T B VDD ＋
g vi vgs s
＋ VDSQ
) －
－－
VGSQ s
)
VGG －
－
直流电压源对交流相当于短路
3. 放大电路的静态工作点估算 Rd
直流通路
IDQ ＋
d
假设NMOS管工作于饱和区，则
T B VDD
g
VGSQ = VGG ＋ VDSQ
)
I DQ  K n (VGSQ  VTN ) 2 VGSQ s
)
VDSQ = VDD - IDQ Rd VGG －
－
当已知VGG、VDD、VTN、Kn、和Rd 时，便可求得Q点（VGSQ、IDQ、
VDSQ）。必须检验是否满足饱和区工作条件：VDSQ > VGSQ - VTN > 0。
若不满足，则说明工作在可变电阻区，此时漏极电流为
iD  K n 2(vGS  VTN ) vDS
注意：电路结构不同，除FET特性方程外，其它电路方程将有差别
例4.2.1 Rd
已知VGG=2V，VDD=5V，VTN=1V，
IDQ ＋
Kn =0.2mA/V2，R d =12k，求Q点。
d
T B VDD
解：假设NMOS管工作于饱和区，根据 g
＋ VDSQ
)
VGSQ = VGG s
VGSQ
I DQ  K n (VGSQ  VTN ) 2 )
VGG －
－
VDSQ = VDD - IDQ Rd
求得：
VGSQ=2V，IDQ=0.2mA，VDSQ=2.6V
满足饱和区工作条件：
VDSQ > VGSQ - VTN > 0 ，结果即为所求。
3. 放大电路的静态工作点估算
增强型NMOS管 iD/mA vDS＝vGS－VTN(或 vGD＝vGS－vDS＝VTN)
可变电阻区 3V
饱和区的条件：VGSQ > VTN , 2 (非饱和区)
饱和区
IDQ > 0 ， VDSQ > VGSQ - VTN 1.5
2.5V
假设NMOS管工作于饱和区，利用 1
2V
I DQ  K n (VGSQ  VTN ) 计算Q点。
2
0.5 vGS＝1.5V
截止区
0
若：VGSQ < VTN , NMOS管截止。 2.5 5 7.5 10 vDS/V
若： VDSQ < VGSQ - VTN ，NMOS管可能工作在可变电阻区。
如果初始假设是错误的，则必须作出新的假设，同时重新分析电路。
# 请归纳其它管型静态工作点的计算方法
vi
4. 放大电路的动态工作情况
在静态基础上加入小信号vi  t
此时电路中的总电压和电流为 vGS
vGS = VGSQ + vi VGSQ

Rd
iD = IDQ + id
 t
vDS = vDSQ + vds d iD ＋
iD
T B VDD
其中 g
IDQ
＋＋ vDS(vo)
id和vds为 vi
vGS s
－  t
交流量 VGG
－
iS
－ vDS
iD  K n (vGS  VTN ) 2 vDS = VDD - iDRd VDSQ
 t
省略工作电源的直流电压符号，仅保留电压源非接
“地”端子，并标注电压源名称。
VDD
Rd Rd
＋ vDS(vo)
iD d iD
d
T B VDD T B
g g
＋＋ vDS(vo) vi+VGG
vi
vGS s s
－
VGG iS iS
－－
习惯画法
思考：
 如何理解放大电路的静态和动态？它们与直流通路和
交流通路有何关系？画直流通路和交流通路的方法是
什么？
 如何分析MOSFET放大电路的静态工作点？


 MOSFET 放大电路的静态偏置和信号的输入输出
 掌握 MOSFET 放大电路的静态偏置方法及静态工作点的分析设计
 掌握信号的正确输入和输出方式

小结：
● 当 vi  0 时，放大电路的工作状态称为静态或直流工作状态，此时 MOSFET
漏极的直流电流 I DQ 及电极间的直流电压 VGSQ 和 VDSQ 可用输出特性曲线上一个确
定点表示，称为静态工作点 Q。
● 由直流通路分析计算放大电路的静态工作点。
● 在静态工作点分析过程中，都是通过特性方程加上电路方程求解的。
● 偏置电路不同，电路方程也不同，但特性方程是一样的。
● 一般假设 MOS 管工作在饱和区，利用饱和区特性方程求解，最后需要检
验假设是否成立。
● 耦合电容和旁路电容主要是用来解决信号传输和静态偏置之间矛盾的。电
容的接入会影响低频信号的放大。

　
1. 能否省掉一个工作电源？
Rd Rd
Rg1
＋ iD ＋
iD d
d
T B VDD T B VDD
g g
＋ vDS (vo) ＋＋ vDS(vo)
s ) vi
vGS vGS s
Rg2 －
VGG iS
－
－－－
可以提供合适的VGSQ
2. 信号如何输入？
Rd Rd
Rg1
＋ iD ＋
iD d
d
T B VDD T B VDD
g g
＋ vDS (vo) ＋＋ vDS(vo)
＋ s ) vi
vi vGS vGS s
Rg2 －
－ VGG iS
－－－
－
vi的内阻很小且其直流量为零，即Vi = 0 ，导致VGSQ  0 ，
NMOS管受vi影响不能工作在饱和区。
3. 如何解决信号源对静态工作点的影响？
电容具有通
Rd 交流隔直流 Rd
Rg1 的作用
iD ＋＋
阻容耦合 d d iD
直接耦合
T B VDD
T VDD
C1
g B
g
＋ vDS (vo) vDS(vo)
＋＋
＋ s )
vi
vi Rg2 vGS vGS s
－
－
－－ VGG iS
－
－
电容对信号频率呈现的阻抗，与放大电路的输入电阻相比可以忽略不计
(短路)。信号可以正常通过，但避免了栅极的直流电压受信号源的影响
1 1 1
设C1=10uF，f =1kHz。 Z C1     16
jC1 2fC1 2  10  10  10
3 6
4. 习惯画法
VDD
Rd
Rd
Rg1 vo
Rg1 )
＋ iD
iD d
d
C1 T B
C1 T B VDD
g
g vi
vDS (vo) ＋
＋
) s
＋ s vGS
vGS Rg2
vi Rg2
－－
－－
5. 接负载后是否对静态工作点造成影响？
VDD VDD
Rd 增加隔直电容 Rd
C2
Rg1 Rg1 vo
iD )
iD d
d
＋ T B
C1 T B C1
g vi g
vi RL vo
) ＋
－ s
s
Rg2 vGS
Rg2
 信号源和负载对管子的静态工作点无影响
 信号源和工作电源共地
若信号频率很低，甚至近似直流时，则不能用电容隔直，只能用
直接耦合方式。
6. 直接耦合放大电路中电源、信号源如何“共地” ？
为避免和减少干扰，通常要求电子电路
中的电源和信号源采用“共地”接法。 Rd
iD ＋
Rd d
vDS (vo)
T B VDD
g
d iD
＋ vDS (vo)
T B VDD vi
g s
－
＋ VGG
vi －
s
－
VGG
Rd Rd
vDS (vo) vDS (vo)
d iD d iD
T B VDD T B VDD
g g
＋＋
vi vi
s s
－－
VGG
VGG
+VDD
Rd
vDS (vo) Rd
vDS (vo)
d iD
d iD
T B T B VDD
g
g
＋
＋
vi
s vi
－ s
－
Rs VGG
-VGG
-VSS
 信号源和工作电源共地
 信号源对管子的静态工作点无影响
 双电源供电
7. 自偏压共源放大电路
VDD VDD
Rd Rd
C2 C2
vo vo
) )
iD iD
d d
C1 T B C1 T B
vi g vi g
s s
Rg Rg
Rs Rs

增强型NMOS 耗尽型NMOS
7. 自偏压共源放大电路
导电沟道已经存在，VTP < 0 ，栅极绝缘。 VDD
静态： Rd
C2
vo
VG = 0 VS = RsIDQ )
iD
d
VGSQ = VG -VS = - RsIDQ T B
C1
vi g
I DQ  K n (VGSQ  VTP ) 2
s
VDSQ = VDD – IDQ(Rd + Rs) Rg
Rs
已知VDD、VTP、Kn、Rd和Rs
可求得Q点：VGSQ、IDQ、VDSQ
耗尽型NOMS
必须检验是否满足饱和区工作条件：VDSQ > VGSQ - VTP > 0。
8. 具有稳定静态工作点作用的放大电路
当FET参数受环境温度影响发生变 VDD
化时，将导致IDQ变化，可能使电路不 Rd
C2
vo
能正常放大信号。 Rg1
)
iD
VDD d
C1 T B
Rd vi g
C2
＋
Rg1 vo
s
iD ) vGS
d Rg2
C1 T B
g －
vi
＋ s
vGS
Rg2 －
增加源极电阻，其它电阻参
Rs
数需做相应调整
8. 具有稳定静态工作点作用的放大电路
稳定原理 VDD
Rg2 Rd
VGSQ   VDD  I DQ Rs C2
Rg1  Rg2 Rg1 vo
iD )
d
I DQ  K n (VGSQ  VTN ) 2
C1 T B
vi g
假设温度变化导致IDQ减小，＋ s
vGS
电路通过如下过程可以稳定IDQ Rg2 －
Rs
IDQ  VS   VGSQ 
IDQ
（反馈控制）
思考题 Rd
VDD
C2
3. 放大电路如图所示。当测得 Rg1 vo
)
FET的VDS 接近VDD的值时，问 d
iD
T
管子处于什么工作状态？可能的 C1
g
B
故障原因有哪些？＋＋
vi s
－ Rg2 vGS
答：截止状态
－
故障原因可能有：
共源放大电路
• Rg1支路可能开路
vGS = 0 < VTN， ID=0， VDS= VDD – IDRd = VDD
• C1可能短路，
VGS = 0 < VTN


 图解分析法及静态工作点对非线性失真的影响
 了解利用图解法分析放大电路静态和动态的过程
 理解静态工作点对波形失真的影响
 利用图解法确定最大不失真输出幅度
 了解共源放大电路的电压传输特性

小结：
● 图解法是通过将输出回路的负载线做作在三极管特性曲线图中，再根据输
入信号对三极管控制量（vGS）产生的影响极其变化，分析输出回路中电压电流
的变化情况。
● 图解法的优点是直观、形象。对建立和理解交、直流共存，静态和动态等
重要概念有很好的帮助；也有助于理解合理设置静态工作点的重要性。还有助于
我们学习确定最大不失真输出幅度的方法。
● 图解法也有明显的局限性：不能用来分析频率较高时的工作情况，也不能
用来分析放大电路的输入、输出电阻等动态指标。而且图解法的应用前提是已知
三极管的特性曲线，这在实际工程中往往是无法满足的。

　
4 场效应三极管及放大电路
4.3 图解分析法
4.3 图解分析法
4.3.1 用图解方法确定静态工作点Q
4.3.2 动态工作情况的图解分析
4.3.3 图解分析法的适用范围
采用图解法分析静态工作点，必须已知FET的输出特性
曲线。 i D
静态：vi = 0 ＋
d
 输入回路 Rd
T
g
vDS
vGS = VGG = VGSQ ＋＋
vi VDD
vGS s
 输出回路－
VGG －
－
vDS = VDD－iDRd
共源放大电路
（直流负载线）
输出回路左侧的FET端口可用输出特性曲线描述
iD
可变电阻区(非饱和区) 得到静态工作点： VGSQ、 IDQ、 VDSQ
VDD N
Rd vDS＝vGS－VTN iD
临界点＋
d Rd
T
IDQ
Q vGS＝VGSQ g
饱和区＋＋ vDS
vi VDD
vGS s
－
截止点
VGG －
M －
0
VDSS VDSQ VDD vDS
vGS = VGG = VGSQ 共源放大电路
直流负载线： vDS = VDD－iDRc
4.3 图解分析法
1. 正常工作情况 iD
iD iD ＋
VDD/Rd vDS＝vGS－VTN d Rd
T
g
＋＋ vDS
id vi
Q' vi VDD
vGS s
－
VGG －
IDQ Q vGS＝VGSQ －
IDQ
Q'' 共源放大电路
vGS = VGSQ + vi
0 ωt 0
VDSQ VDD vDS
0
vds vDS 工作点沿负载线移动
ωt
1. 正常工作情况图解分析可得如下结论：
1. vi vGS iD vDS
iD iD
VDD/Rd vDS＝vGS－VTN
 |vds (vo)|  (vi正半周时)
id vi
2. vds与vi相位相反；
Q'
3. 可以测量出放大电路的
IDQ vGS＝VGSQ
IDQ
Q
电压放大倍数；
Q'' 4. 可以确定最大不失真输
出幅度。
0 ωt 0 # 动态工作时， iD的
VDSQ VDD vDS
0
vds vDS 实际电流方向是否改变，
vGS、 vDS的实际电压极性
是否改变？
ωt
2. 静态工作点对波形失真的影响
iD iD
截止失真 vDS＝vGS－VTN
（NMOS）
Q'
饱和区 vgs
id
IDQ Q VGSQ
IDQ
Q''
0 ωt 0 vDS
VDSQ
截止失真 0 vDS
vds
截止失真
ωt
2. 静态工作点对波形失真的影响
iD vDS＝vGS－VTN
iD
饱和失真
饱和失真 vgs
（NMOS） Q'
IDQ Q VGSQ
IDQ
id
Q''
饱和区
0 ωt 0 vDS
VDSQ
VDSS
0 vDS
vds
饱和失真
ωt
4.3 图解分析法
幅度较大而工作频率不太高的情况
优点：
直观、形象。有助于建立和理解交、直流共存，静态和
动态等重要概念；有助于理解正确选择电路参数、合理设置
静态工作点的重要性。能全面地分析放大电路的静态、动态
工作情况。
缺点：
不能分析工作频率较高时的电路工作状态，也不能用来
分析放大电路的输入电阻、输出电阻等动态性能指标。
思考题 Rd
vDS (vo)
1. 试分析下列问题： iD
d
（1）画出负载线 T B VDD
g
（2）接入负载RL时，负载线将如＋＋
RL
vi
何变化？Q点怎样变化？－ vGS s
iD iD VGG
VDD －
VDD
Rd Rd
IDQ Q VGSQ IDQ Q VGSQ
0 vDS 0 RLVDD vDS

VDSQ VDD VDSQ
Rd+RL
思考题
2. 试分析下列问题：
（1）增大Rd时，负载线将如何变化？Q点怎样变化？
（2）减小VDD时，负载线将如何变化？Q点怎样变化？
iD
VDD
Rd Rd
vDS (vo)
d iD
T B VDD
g
＋＋
IDQ Q VGSQ vi
vGS s
－
VGG
－
0 vDS
VDSQ VDD


 小信号模型分析法
 理解 MOSFET 小信号模型的物理含义和使用条件
 掌握用小信号模型分析法分析 MOSFET 放大电路的方法

小结：
● 小信号模型是当输入信号幅度较小时，将三极管小范围的特性曲线近似地
用直线代替得到的模型。
● 关于 MOSFET 小信号模型，需要特别注意以下几点：（1）MOSFET 必须工
作在饱和区，并且是小信号情况下，模型才是可用的。（2）模型中的两个元件参
数都是交流参数或微变参数，所以模型只适用于交流信号或变化量的分析。不能
用来分析静态工作点。（3）这两个参数都与静态工作点的位置有关。Q 点不同，
参数值也不同。（4）受控源 gmvgs 的电流方向和控制电压 vgs 的极性是关联的。也
就是说，改变其中任何一个参考方向的标注方式，另一个也必须改变。
● 用小信号模型分析放大电路时，对初学者来说，最好先画放大电路的交流
通路，再画出小信号等效电路，求解相关指标。熟练后可以省去画交流通路电路
的步骤。
● 用小信号模型分析法，分析放大电路的动态指标非常方便，但前提是要确
定模型的参数跨导 gm 和输出电阻 rds，它们都与静态工作点有关。

　
4.3 图解分析法
4.4.1 MOSFET的小信号模型
4.4.2 用小信号模型分析共源极放大电路
4.4.3 带源极电阻的共源极放大电路的分析
4.4.4 小信号模型分析法的适用范围
建立小信号模型的意义
由于场效应管是非线性器件，所以分析起来非常复
杂。建立小信号模型，就是在特定条件下将非线性器件
做线性化近似处理，从而简化由其构成的放大电路的分
析和设计。
建立小信号模型的思路
当放大电路的输入信号幅值较小时，就可以把三极
管小范围内的特性曲线近似地用直线来代替，从而可以
把三极管这个非线性器件所组成的电路当作线性电路来
处理。
d
1.  =0时（以增强型NMOS管为例） id ＋
在饱和区内有 g
vds
iD  K n ( vGS  VT ) 2 ＋
vgs
 K n (VGSQ  vgs  VT ) 2
－ s －
 K n [(VGSQ  VT )  vgs ]2 FET双口网络
 K n (VGSQ  VT ) 2  2 K n (VGSQ  VT )vgs  K n vgs2

 I DQ  gm vgs  K n vgs2
其中
非线性失
真项 gm  2 K n (VGSQ  VTN )
静态值动态值
（直流）（交流）
当，vgs << 2(VGSQ-VTN)时， iD  I DQ  gm vgs  I DQ  id
d
1.  =0时 id ＋
iD  I DQ gm vgs  I DQ  id g
＋ vds
纯交流 id  g m vgs vgs
－ s －
电路模型
FET双口网络
g id d
＋＋  gmvgs 是受控源，且为电
vgs
gmvgs
vds
压控制电流源(VCCS)。
 电流方向与vgs的极性是关
－－
s 联的。
d
2.   0时 id ＋
d、s端口看入有一电阻rds g
vds
vDS ＋
rds  vgs
i D VGSQ
－ s －
1 1 VA
   FET双口网络
λK n (VGSQ  VTN ) 2
λI DQ I DQ
g id d
电路模型
＋＋
gmvgs
vgs rds v
ds
－－
s
3. 参数的物理意义
gm —— 低频互导 iD
id
gm =
i D vgs
gm 
vGS VDSQ
Q
IDQ id
 2 K n (VGSQ  VTN )
vgs
转移特性曲线Q点
0
上切线的斜率 VGSQ vGS
3. 参数的物理意义 iD
rds —— 输出电阻
vDS
rds  vds
i D VGSQ rds =
id
Q VGSQ
1 IDQ
 id
λK n (VGSQ  VTN ) 2 vds
1 VA
 
λI DQ I DQ
0 vDS
VDSQ
输出特性曲线Q点
上切线斜率的倒数
g id d
4. 模型应用的前提条件＋＋
vgs << 2(VGSQ-VTN )
gmvgs
vgs vds
 小信号
gm  2 K n (VGSQ  VTN ) －－
s
1  =0
rds 
λK n (VGSQ  VTN ) 2
g id d
＋＋
 参数都是小信号参数，即微变参数或交 gmvgs
流参数。 rds v
vgs ds
 与静态工作点有关。
 只适合对交流信号（变化量）的分析。－－
 未包含结电容的影响，不能用于分析高 s
 0
频情况。
5. 其它管型
iD
模型相同，参数类似
 耗尽型NMOS管 id
gm =
vgs
gm  2 K n (VGSQ  VPN )
Q
IDQ id
1
rds 
λK n (VGSQ  VPN ) 2
vgs
g id d
＋＋ VPN 0 VGSQ vGS
gmvgs
vgs rds v
ds
－－
s
 0
5. 其它管型  耗尽型PMOS管 gm始终为正数
模型相同，参数类似
gm  2 K p (VPP  VGSQ )
 增强型PMOS管
1
rds 
gm  2 K p (VTP  VGSQ ) λK n (VGSQ  VPP ) 2
1 iD
rds  VDSQ 0
λK n (VGSQ  VTP ) 2
vDS
iD
VGSQ VTP
0 vGS
vds
vgs
id
VGSQ IDQ
Q
IDQ vds
id rds =
id
Q id
gm =
vgs
由于小信号模型的参数是建立在静态工作点基础上的，所
以分析时必须先求出电路的静态工作点
VDD
例4.4.1 VTN=1V K n  0.8mA / V 2   0.02V 1 Rd 3.9k
(5V)
Rg1
试确定电路的静态值，求MOS管 vo
60k d iD
工作于饱和区的小信号电压增益 T
Cb1 g
＋
Av 、输入电阻Ri和输出电阻 Ro 。 B
＋
Rg2 s
vi
40k
－
共源放大电路
例1 VTN=1V K n  0.8mA / V 2   0.02V 1 VDD
解：（1）静态工作点 Rd (5V)
3.9k
 增强型？耗尽型？ Rg1
vo
 栅源加什么极性偏置电压？ 60k d iD
VDD Cb1 T
＋ g
Rd (5V) B
3.9k ＋
Rg1 Rg2 s
vi
60k d iD 40k
T －
g
B
Rg2 s  Q点包含哪几个电量？
40k
 d和s可否互换？
直流通路
例1 VTN=1V K n  0.8mA / V 2   0.02V 1
VDD
解：（1）静态工作点
Rd (5V)
3.9k
 Rg2 
VGSQ   VDD  40  5V  2V Rg1
 Rg1  Rg2  60  40
  60k d iD
T
假设工作在饱和区 g
B
I DQ  K n (VGS  VTN ) 2  (0.8)( 2  1) 2 mA  0.8mA s
Rg2
40k
VDSQ  VDD  I D Rd  [5  (0.8)( 3.9)]V  1.88V
满足 VDSQ  (VGSQ  VTN )

直流通路
假设成立，结果即为所求。
VDD
例1 VTN=1V K n  0.8mA / V 2   0.02V 1 (5V)
Rd 3.9k
解：（2）动态指标 Rg1
vo
小信号等效电路 60k d iD
电容和直流电压源对交流相当于短路 Cb1 T
＋ g
B
＋
Rd Rg2 s
3.9k vi
40k
Rg1
vo －
60k d iD
T
g
B
＋
Rg2 s
vi
40k
－
交流通路
例1 VTN=1V K n  0.8mA / V 2   0.02V 1
Rd 3.9k
解：（2）动态指标 Rg1
vo
小信号等效电路 60k d iD
T
g
B
＋
Rg2 s
vi
g d id 40k
＋＋＋－
gmvgs
vi Rg1 Rg2 vgs rds Rd vo 交流通路
－－－
s
例1 VTN=1V K n  0.8mA / V 2   0.02V 1
g d id
解：（2）动态指标＋＋＋
gmvgs
模型参数 VGSQ  2V
vi Rg1 Rg2 vgs rds Rd vo
gm  2 K n (VGSQ  VTN )
 2  0.8  (2  1)mA / V －－－
s
 1.6mA / V
1 1
rds  2   62.5 k
λK n (VGSQ  VTN ) 0.02  0.8  ( 2  1) 2
电压增益 vi  vgs vo   gmvgs ( rds || Rd )
vo gm vgs ( rds || Rd )
Av     gm ( rds || Rd )   gm Rd  6.24
vi vgs
Av   gm ( rds || Rd ) 经常当作公式使用
例1 VTN=1V K n  0.8mA / V 2   0.02V 1
g d id
gmvgs
输入电阻
vi Rg1 Rg2 vgs rds Rd vo
v
Ri  i  Rgs1 || Rgs2 =24 k
ii －－－
s
受静态偏置电路的影响， Ri
栅极绝缘的特性并未充分表现
g d id it
出来
＋＋
输出电阻 gmvgs ＋
vv
i=0
Rg1 Rg2 vgs rds Rd vt
vgs  0 i
－
vt －－
Ro   rds || Rd  Rd s
it Ro
=3.9 k
VDD
例2 VTN=1V，Kn=0.5mA/V2，=0， Rd Cb2
＋
VDD=VSS=5V， Rd=10k， Rs=0.5k，
vo
Rg1 d iD
Rsi=4k，Rg1=150k， Rg2=47k，确
定静态工作点，求动态指标。 Cb1 T
＋ g B
＋ s
解：（1）静态工作点 Rsi
＋ vi Rg2
假设在饱和区，根据 vs
Rs
VGSQ  VG  VS －
－－VSS
 Rg2 
 VDD  ( VSS )  ( VSS )  [ I DQ R  ( VSS )]
 Rg1  Rg2 
I DQ  K n (VGSQ  VTN ) 2
VDSQ  VDD  ( VSS )  I DQ ( Rd  Rs )
VDD
＋
vo
Rg1 d iD
Rsi=4k，Rg1=150k， Rg2=47k，确
＋ g B
＋ s
解：（1）静态工作点 Rsi
＋ vi Rg2
求得 vs
Rs
VGSQ  2.1V I DQ  0.58mA －

－－VSS
VDSQ  3.91V
验证
满足 VDS  (VGS  VTN )
工作在饱和区
VDD
＋
vo
Rg1 d iD
Rsi=4k，Rg1=150k， Rg2=47k，确
＋ g B
＋ s
解：（2）动态指标 Rsi
小信号等效电路＋ vi Rg2
Rs
vs
Rd －
－－VSS
vo
Rg1 d iD
g T
B
＋ s
Rsi
＋ vi Rg2
Rs
vs
－
－
交流通路
例2 VTN=1V，Kn=0.5mA/V2，=0，
Rd
vo
Rg1 d iD
Rsi=4k，Rg1=150k， Rg2=47k，确
g T
定静态工作点，求动态指标。 B
＋ s
＋ vi Rg2
小信号等效电路 vs
Rs
g d id －
－
＋＋＋交流通路
Rsi vgs
gmvgs
vi Rd vo
－
＋ s
Rg1‖Rg2
vs
Rs
－－－
Ri
例2 VTN=1V，Kn=0.5mA/V2，=0，VDD=VSS=5V， Rd=10k， Rs=0.5k，
Rsi=4k，Rg1=150k， Rg2=47k，确定静态工作点，求动态指标。
g d id
gm  2 K n (VGSQ  VTN )  1.1 mA / V Rsi vgs

gmvgs
电压增益 vi Rd vo
－
＋ s
vi  vgs  gm vgs Rs  vgs (1  gm Rs ) Rg1‖Rg2
vs
Rs
vo   gm vgs Rd
－－－
vo gm Rd
Av     7 .1
vi 1  gm Rs Ri
输入电阻源电压增益
vo vo v i
vi Avs   
Ri   Rgs1 || Rgs2 35.79 k vs v i vs
ii
Ri
放大电路的输入电阻不包含信号源的内阻
 Av   6.39
Rsi  Ri
g d id
输出电阻 Rsi vgs
为便于分析，先考虑0 vi
gmvgs
Rd vo
时的情况－
＋ s
Rg1‖Rg2
vs
Rs
－－－
Ri
g id it
解：（2）动态指标 d
＋
输出电阻
Rsi gmvgs
vgs
为便于分析，先考虑0 rds ＋
时的情况 Rd vt
－
s －
vgs   id Rs Rg1‖Rg2
Rs
vt  id Rs  ( id  gm vgs )rds
vt   1 
Ro   rds 1  Rs  gm    Ro Ro
id   rds  
所以当=0时， Ro   Ro  Ro || Rd  Rd

当0时，若rds >> Rd ，则 Ro  Ro || Rd  Rd
VDD
＋
vo
Rg1 d iD
Rsi=4k，Rg1=150k， Rg2=47k，确
＋ g B
＋ s
＋ vi Rg2
Rs
g id vs
d
－－VSS
＋＋＋－
Rsi vgs
gmvgs 电压增益
vi Rd vo
－ vo g R
＋ s Av    m d   7 .1
Rg1‖Rg2 vi 1  gm Rs
vs
Rs
－－－能否进一步提高增益？
VDD
Rd Cb2
＋
vo
Rg1 d iD
Cb1 T
v ＋ g B
Av  o   gm Rd  11 ＋
vi s
Rsi
＋ vi Rg2
Rs Cs
g id vs
d
－－VSS
＋＋＋－
源极旁路电容
Rsi vgs
gmvgs 电压增益
vi Rd vo
－ vo g R
＋ s Av    m d   7 .1
Rg1‖Rg2 vi 1  gm Rs
vs
Rs
－－－能否进一步提高增益？
VDD
例3 双电源供电，电流源偏置
Rd iD
静态时，vI＝0，VG ＝0，IDQ ＝I d
vO
根据 I DQ  K n (VGSQ  VTN ) 2 （饱和区） T B
可求得 VGSQ ＋ g
又 VS＝VG－VGSQ VD  VDD  I DQ Rd vI s
I
则 VDSQ  VD  VS Rg Cs
－
g d id
动态时＋＋＋
gmvgs
－VSS
vi Rg vgs Rd vo
－－ s －
Ri Ro
放大电路的输入信号幅度较小，FET工作在其I-V 特性
曲线的饱和区（即近似线性范围）内。模型参数的值是在静
态工作点上求得的。所以，放大电路的动态性能与静态工作
点位置及稳定性密切相关。
优点：
分析放大电路的动态性能指标(Av 、Ri和Ro等)非常方便，
且适用于频率较高时（用高频模型）的分析。
缺点：
在放大电路的小信号等效电路中，电压、电流等电量及
模型参数均是针对变化量(交流量)而言的，不能用来分析计
算静态工作点。
思考题
1. MOSFET小信号模型是在什么条件下建立的？
2. 放大电路如图所示。试画出 VDD
Rd iD
其小信号等效电路。
Rg1 Cb2
Rg1 d ＋
id Cb1 T
g d B
＋＋＋＋ g
s vo
gmvgs
vi Rg2
vi Rg2 vgs rds Rd vo
－－
－－－
s
思考：
 MOSFET小信号模型适用的前提条件是什么？
 MOSFET的小信号模型参数gm与静态工作点有关吗？
 MOSFET中的宽长比可直接影响它的互导参数，这一关
系带来了什么好处？
 如何分析MOSFET放大电路的动态指标？


 共源、共漏和共栅三种放大电路
 掌握共源、共漏和共栅三种放大电路的性能指标及特点

小结：
● 根据信号输入到 MOSFET 的电极和信号取出电极的不同，MOSFET 放大电
路有共源极、共漏极和共栅极三种组态，它们的性能指标各有特点，分别适用于
不同场合。组态的划分与信号的输入输出连接电极有关，与 MOSFET 的偏置无关。
● 因为放大电路的组态与静态偏置无关，所以，不同的组态，具有不同的动
态指标；而相同的组态，即使静态偏置方式不同，它们的动态指标也是基本相同
的。
● 不同组态放大电路的特点，是我们选用和设计满足要求的放大电路的重要
依据。

　
4.3 图解分析法
4.5.1 共漏极（源极跟随器）放大电路
4.5.2 共栅极放大电路
4.5.3 MOSFET放大电路三种组态的总结和比较
三种组态的判断
VDD VDD VDD
Rd Rd Rd
Cb2 Cb2
Rg1 + Rg1 Rg1 +
d iD vo d iD d iD vo
Cb1
g T Cb1
g T Cb1 T
+ + + g
+ s + s Cb2 s
Rsi Rsi +
vo + C +
vi vi Rsi
+ Rg2 + Rg2 Rg2 s
vs Rs vs Rs + vi Rs
vs
- - -
- - -
共源共漏共栅
较好的方法并不是试图寻找接地的电极，而是寻找信号的输入电极和
输出电极。
即观察输入信号加在哪个电极，输出信号从哪个电极取出，剩下的那
个电极便是共同电极。如
共源极放大电路，信号由栅极输入，漏极输出；栅极始终不能做
共漏极放大电路，信号由栅极输入，源极输出；输出电极，漏极
共栅极放大电路，信号由源极输入，漏极输出。不能做输入极
1. 静态分析 VDD
Rg1 d
设MOS管工作于饱和区
Cb T B
I DQ  K n (VGSQ  VTN ) 2 g
＋
Rg2 Rsi
VGSQ   VDD  I DQ Rs s
vo
Rg1  Rg2 vi
＋ Rg2 Rs
vs
VDSQ  VDD  I DQ Rs
－－
需验证是否工作在饱和区
2. 动态分析 VDD
d
小信号等效电路 Rg1
根据静态工作点可求得 gm Cb T B
g
gm  2 K n (VGSQ  VTN ) ＋
电压增益 Rsi s
vo
vi  vgs  vo  vgs  gm vgs ( Rs || rds ) vi Rg2 Rs
＋
vs
 vgs [1  gm ( Rs || rds )]
－－
vo  gm vgs ( Rs || rds )
Rsi g ＋ vgs－ s
vo gm vgs ( Rs || rds ) ＋＋＋
Av  
vi vgs [1  gm ( Rs || rds )]
Rg1‖Rg2 vi gmvgs Rs rds vo
gm ( Rs || rds ) vs
 1
1  gm ( Rs || rds ) －－ d －
输出与输入同相，且增益小于等于1 Ri
2. 动态分析 VDD
d
源电压增益 Rg1
v v v
Avs  o  o  i Cb
g
T B
v s v i vs
＋
gm ( Rd || rds ) Ri
 ( ) Rsi s
1  gm ( Rd || rds ) Ri  Rsi vo
vi Rg2 Rs
＋
输入电阻 vs
Ri  Rg1 || Rg2 －－
Rsi g ＋ vgs－ s
受静态偏置电路的影响，＋＋＋
栅极绝缘的特性并未充分表现
Rg1‖Rg2 vi gmvgs Rs rds vo
出来 vs
－－ d －
Ri
2. 动态分析 VDD
Rg1 d
输出电阻
g d Cb T B
g
＋ gmvgs ＋
vgs rds
Rsi s
Rsi Rg1||Rg2 － vo
s vi Rg2 Rs
it ＋＋
Rs iR vt vs
－－－
vT vT vT 1 1
iT    gm vgs Ro    Rs || rds ||
Rs rds iT 1 1 gm
  gm
vgs   vT Rs rds
输出电阻较小
B
1. 静态分析 ii Cb1
＋ s d ＋
Cb2
根据直流通路有＋ T ＋
Rsi g Rd
I DQ  I ＋ vi
I
Cg RL vo
vs Rg
由 I DQ  K n (VGSQ  VTN ) 2
－
－
－VSS VDD
－
可得 VGSQ
B
又 VS = -VGSQ VD  VDD  I DQ Rd s d
T
所以 VDSQ = VD - VS I
g Rd
= VDD -IDQ Rd + VGSQ

－VSS VDD
B
2. 动态分析 ii Cb1
＋ s d ＋
Cb2
设=0 ＋ T ＋
Rsi g
电压增益 Rd
I
＋ vi Cg RL vo
vi  vgs vs Rg
－－VSS VDD
vo   gm vgs ( Rd || RL ) －－
vo ii
Av   gm ( Rd || RL ) s d
vi
＋－ io
源电压增益 Rsi vgs
gmvgs ＋
vi RL vo
vs  vi  ii Rsi  vgs  gm vgs Rsi ＋
Rd
＋
vs g －
vo g m ( Rd || RL ) －－
Avs  
vs 1  g m Rsi Ri Ro
输出与输入同相
B
2. 动态分析 ii Cb1
＋ s d ＋
Cb2
＋ T ＋
输入电阻 Rsi g
vi  vgs 1 I
Rd
Ri    ＋ vi Cg RL vo
ii  gm vgs gm vs Rg
－－VSS VDD
－－
输入电阻远小于其它两种组态
输出电阻 ii
s d
＋－ io
当rds >> Rd 和 rds >> Rsi时 Rsi gmvgs ＋
vgs
vi Rd RL vo
Ro  Rd ＋＋
vs g －
与共源电路同相－－
Ri Ro
共源共漏共栅
VDD VDD VDD
Rd Rd Rd
Cb2 Cb2
Rg1 + Rg1 Rg1 +
d iD vo d iD d iD vo
Cb1 T Cb1
g T Cb1 T
+ g + + g
+ s + s Cb2 s
Rsi Rsi +
vo + C +
vi vi Rsi
+ Rg2 + Rg2 Rg2 s
vs Rs vs Rs + vi Rs
vs
- - -
- - -
gm ( Rs || rds )
电压增益 Av   gm ( rds || Rd ) Av  1 Av  gm ( Rd || RL )
1  gm ( Rs || rds )
1
输入电阻很高很高 Ri 
gm
1
输出电阻 Ro  Rd Ro  Rs || rds || Ro  Rd
gm
各种FET的特性及使用注意事项
思考：
 MOSFET三种组态（共源、共漏、共栅）放大电路各有
什么特点？它们与BJT三种组态有大致怎样的对应关系？
MOSFET放大电路在哪些方面更有优势？


 多级放大电路
 了解多级放大电路的静态分析
 掌握多级放大电路动态指标的分析计算

小结：
● 多级放大电路的增益等于构成它的各级增益的乘积。输入电阻等于第一级
的输入电阻，输出电阻等于最后一级的输出电阻。
● 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载。前级的开路电压是后
级的信号源电压，前级的输出电阻是后级的信号源内阻。
● 实际应用中，常将不同组态的放大电路进行适当的组合，构成性能更佳的
多级放大电路。

　
4.3 图解分析法
4.7.1 共源-共漏放大电路
4.7.2 共源-共栅放大电路
VDD
例1
Rd1
1. 静态分析
T2 d2
直流通路 Rg1 d1
T1 B2
Cb1
VDD B1 g2 s2
＋ g1 s1
Rsi
Rs2 Cs2 ＋
Rd1 Rg2
＋ vi Rs1 Cs1
vs
RL vo
Rg1 T2 d2 －－
d1 －
－VSS
T1 B2
B1 g2 s2
g1 s1
Rs2
Rg2 Rs1
－VSS
VDD
例1
1. 静态分析 Rd1
两管栅极均无电流，假设工作在饱和区 Rg1 T2 d2
d1
T1 B2
I DQ1  K n1 (VGSQ1  VTN1 ) 2
B1 g2 s2
Rg2 g1 s1
VGSQ1   (VDD  VSS )  I DQ1 Rs1
Rg1  Rg2 Rs2
Rg2 Rs1
VDSQ1  VDD  VSS  I DQ1 ( Rd1  Rs1 )
－VSS
VGSQ2  VDD  VSS  I DQ1 Rd1  I DQ2 Rs2 已知管子参数和电路参数，

便可解出两管静态工作点
VDSQ2  VDD  VSS  I DQ2 Rs2
VDD
例1
1. 静态分析 Rd1
将具体参数值代入，计算得 Rg1 T2 d2
d1
T1 B2
VGSQ1 = 1.84 V IDQ2  0.49 mA
B1 g2 s2
IDQ1 = 0.2 mA g1
VGSQ2 = 2.78 V s1
Rs2
VDSQ1 = 6.02 V VDSQ2 = 5.98 V Rg2 Rs1
由于VTN1 = VTN2 = 1.2 V

－VSS
可验证两管均工作在饱和区
VDD
例1
Rd1
2. 动态分析
Rg1 T2 d2
d1
小信号等效电路
T1 B2
Cb1
根据 gm  2 K n (VGSQ  VTN ) B1 g2 s2
＋ g1 s1
可求得 gm Rsi
Cs2
Rs2 ＋
vi Rg2 Rs1
电压增益 vs
＋ Cs1 RL vo
vi  vgs1 －
－
－
－VSS
vo  gm2vgs2 ( Rs2 || RL )
g1 d1, g2 ＋ vgs2 － s2
 gm1vgs1 Rd1  vo  vgs2
＋
Rsi ＋＋
Rs2
v
Av  o ＋ vi vgs1 Rd1 vo
vi
vs Rg1||Rg2 gm1vgs1 gm2vgs2 RL －
g g R ( R || RL ) －
  m1 m2 d1 s2 －－
1  gm2 ( Rs2 || RL ) s1 d2
Ri Ro
例1 g1 d1, g2 ＋ vgs2 － s2
＋
2. 动态分析 Rsi ＋
Rs2 ＋
vi vgs1 vo
输入电阻＋ Rd1
vs Rg1||Rg2 gm1vgs1 gm2vgs2 RL －
Ri  Rg1 || Rg2 －－－
s1 d2
输出电阻就是后一级共 Ri Ro
漏电路的输出电阻
1 1
Ro  Rs2 || rds2 ||  Rs2 || (2 = 0)
gm2 gm2
源电压增益
vo vo v i gm1 gm2 Rd1 ( Rs2 || RL ) Ri
Avs     ( )
vs v i v s 1  gm2 ( Rs2 || RL ) Ri  Rsi
VDD
例2
1. 静态分析 Rd2
Rg1
直流通路 VDD vo
T2 d2
Cg
Rd2 B2
Rg1 g2 s2
vo Rg2 d1
T2 d2 T1
B1
B2 ＋ g1
g2 s2 Cb1 s1
Rg2 d1 vi Rg3
T1 Rs1 Cs1
－
B1
g1
s1
Rg3 -VSS
Rs1
-VSS
VDD
例2
1. 静态分析 Rd2
Rg1
假设工作在饱和区 vo
T2 d2
B2
g2 s2
Rg3 d1
VGSQ1   VDD  I DQ1 Rs1  VSS Rg2
T1
Rg1  Rg2  Rg3
B1
g1
I DQ1  I DQ2 s1
Rg3
I DQ2  K n2 (VGSQ2  VTN2 ) 2 Rs1
Rg2  Rg3
VGSQ2   VDD  (VDSQ1  I DQ1 Rs1 )  VSS -VSS
Rg1  Rg2  Rg3
VDD  VSS  I DQ2 Rd2  VDSQ2  VDSQ1  I DQ1 Rs1
VDD
例2
2. 动态分析 Rd2
Rg1
小信号等效电路 vo
T2 d2
gm2vgs2=gm1vgs1 Cg
d1 s2 d2 B2
g2 s2
＋＋－ d1
＋ Rg2
Rg2||Rg3 T1
vgs1 vgs2 Rd2 vo B1
vi ＋ g1
gm1vgs1 Cb1 s1
－ vi Rg3
－－ s1 ＋ Cs1
－ Rs1
g2
Ri Ro
-VSS
电压增益
vi  vgs1 vo
Av    gm1 Rd2
vi
vo   gm2vgs2 Rd2   gm1vgs1 Rd2
例2
2. 动态分析 gm2vgs2=gm1vgs1
输入电阻 d1 s2 d2
＋＋－
Rg2||Rg3 ＋
Ri  Rg2 || Rg3
vgs1 vgs2 Rd2 vo
vi
gm1vgs1
输出电阻－
－－ s1 ＋
Ro  Rd2 (2 = 0) g2
Ri Ro


 MOSFET 放大电路分析设计举例
 分析设计基本的 MOSFET 放大电路

小结：
● 这里我们看到的两个设计类型的例子，实际上只能算作部分设计，因为它
们都已经给出了一些前提。例如，电路结构、静态漏极电流或 MOS 管参数等。
● 完全的设计，一般只给出放大电路的各项指标要求，然后从电路结构到三
极管选型，再到电路参数计算等等都需要设计。
● 而且电阻需要采用标称阻值的电阻，与设计计算的结果会有一定的误差。
有时还要再用标称值验算是否能满足设计要求。如果不满足要求，还需要调整参
数值。
● 另外，三极管参数通常都有较大的分散性，实际三极管参数可能与数据手
册给出的不完全相同。所以，电路最终要以实际调试的结果为准。

　
MOSFET 仿真习题
1、放大电路如图 1 所示，将电流源 IREF 换成电阻 RREF。所有 MOS 管的|VT| =0.8V，=0.01V-1。NMOS

管的 K n = 80A/V2，
（W/L）T1 =15；PMOS 管的 K p = 40A/V2，
（W/L）T2、T3=30，VDD=5V。
试用 SPICE 分析：
（1）流过电阻 RREF 的电流为 0.2mA 时，确定电阻 RREF 的阻值；
（2）绘出电压传输特性曲线 vO= f (vI)，并求当 vO 位于中点时对应的 vI 值；
（3）求小信号电压增益。
－ VDD
VGS
s3 s2
g3 ＋ g2
B3 T3 T2 B2
d2
i2
d3
vo
i1
d1
T1
B1
IREF ＋ g1
vI s1
－
图1
2、场效应管共源极电路如图 2 所示，其中 FET 用 JFET 2N4393，VDD = 20V，Rg1 = 300k，Rg2 = 15k，
。
Rg3 = 2M，Rd = 10k，R =2k，Cb1 = 1F，Cb2 = 1F，且外接负载 RL = 100k（图中未画出）
试运用 SPICE 进行如下分析计算：
（1）求电路的静态工作点；
（2）输入 vi 频率为 1kHz、幅值为 10mV 的正弦信号，观察 vi 及 vo 的波形；
（3）求 AV 的幅频响应、频带宽度、输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro。
VDD
Rd
Cb2
Rg1 d ＋＋
Cb1 g T
＋
Rg3 s vo
vI R
Rg2
－－
图 2
MOSFET 仿真习题
1、放大电路如图 1 所示，将电流源 IREF 换成电阻 RREF。所有 MOS 管的|VT| =0.8V，=0.01V-1。NMOS

管的 K n = 80A/V2，
（W/L）T1 =15；PMOS 管的 K p = 40A/V2，
（W/L）T2、T3=30，VDD=5V。
试用 SPICE 分析：
（1）流过电阻 RREF 的电流为 0.2mA 时，确定电阻 RREF 的阻值；
（2）绘出电压传输特性曲线 vO= f (vI)，并求当 vO 位于中点时对应的 vI 值；
（3）求小信号电压增益。
－ VDD
VGS
s3 s2
g3 ＋ g2
B3 T3 T2 B2
d2
i2
d3
vo
i1
d1
T1
B1
IREF ＋ g1
vI s1
－
图1
2、场效应管共源极电路如图 2 所示，其中 FET 用 JFET 2N4393，VDD = 20V，Rg1 = 300k，Rg2 = 15k，
。
Rg3 = 2M，Rd = 10k，R =2k，Cb1 = 1F，Cb2 = 1F，且外接负载 RL = 100k（图中未画出）
试运用 SPICE 进行如下分析计算：
（1）求电路的静态工作点；
（2）输入 vi 频率为 1kHz、幅值为 10mV 的正弦信号，观察 vi 及 vo 的波形；
（3）求 AV 的幅频响应、频带宽度、输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro。
VDD
Rd
Cb2
Rg1 d ＋＋
Cb1 g T
＋
Rg3 s vo
vI R
Rg2
－－
图 2
1
3D 晶体管
目前，集成电路中的主流晶体管是 MOSFET，所以这里所说晶体管是指 MOS 晶体管。

平面工艺的 MOSFET 结构示意图如图 1 所示。其中 L 是 MOS 管的沟道长度，W 是沟道宽
度。我们常说的 0.18m、0.09m、32nm 等等工艺中的尺寸称为器件的特征尺寸，在 MOSFET
工艺中通常指栅极沿沟道方向的尺寸，也就是沟道的长度。
图 1 平面工艺 MOSFET 结构示意图

半导体器件集成度的不断提高，依赖于晶体管制造尺寸的不断缩小。但是，随着晶体管
制造尺寸下降到纳米量级，在 30nm 以下平面工艺制成的晶体管中出现了许多问题，导致器
件性能变差，功耗升高等。究其原因，都与器件尺寸减小、沟道变短有关。由沟道变短带来
的诸多变化和影响常称为短沟道效应。
短沟道效应带来的主要问题包括：
（1）漏电流比例增大
在数字电路中 MOS 晶体管工作在开关状态，理想情况希望导通时有足够的驱动能力，
而关断时漏源极间不再有电流流过。当晶体管越来越小、沟道越来越短时，漏电流就越难控
制，它与导通电流的差异就会变小。30nm 以下的晶体管想要完全控制好漏电流，就像用竹
篮装沙不外漏一样困难，严重时会导致晶体管无法关断。短沟道效应在 30nm 以下的晶体管
中产生漏电流的比例远高于过去 90nm 或 120nm 的晶体管。此外，漏电流对于强调高速省电
的现代产品来说是严重的障碍。
（2）驱动能力不足
由于沟道太短，晶体管由截止转为导通时，受沟道电荷量限制，驱动能力会不足，也会
造成导通不良。虽然可以通过增加沟道宽度来解决这个问题，但是如果这样做，减小晶体管
尺寸的努力也就白费了。
（3）超低压工作受到限制
当沟道长度缩短到 30nm 以下时，为降低开启电压实现超低压工作所采取的措施（如提
高沟道形成区附近的杂质浓度），会使开启电压变得飘忽不定，晶体管工作的可靠性受到严
重挑战。
2
短沟道效应主要是栅极对沟道的控制作用减弱导致的。
正是晶体管尺寸降低到 30nm 以下后，短沟道效应才变得异常突出，产生了诸多问题，
传统的平面型 MOSFET 半导体技术发展遇到了前所未有的困难。开发新型材料、设计新型
结构的晶体管，就成了各个厂商努力的目标。其中，由 Chenming Hu 教授最早提出的 FinFET
（鳍式场效应管）三维型器件受到了研究人员和业界公司的重视。与平面工艺的 FET 相比，
FinFET 对短沟道效应具有更好的抑制能力。2011 年 Intel 公司成功发布了基于 FinFET 的
22nm 的 Ivybridge 处理器，使 FinFET 结构正式进入商用[1]。
一种典型的 FinFET 结构示意图如图 2 所示。它不像平面晶体管那样漏极和源极是埋在
井里的，而是浮在上面的，且沟道就是连接漏极和源极之间的区域，栅极就覆盖在该区域上，
中间隔着绝缘层（图中未画出）。因为电极和沟道都立起来了，更重要的是栅极从三面包围
着沟道，所以它是 3D（three-dimensional，三维）晶体管。由于这种结构很像鱼的鳍，所以
称为 FinFET（Fin：鳍状物）。另外，三个电极和沟道都放置在不导电的一层氧化物上，所以
这种晶体管也叫作 SOI（Silicon On Insulator）FinFET。
平面晶体管的沟道是栅极下薄薄的一层反型层，在 FinFET 中，这个沟道被立起来了，
在相同的沟道截面积下，大大减小了占用硅基片的面积，可以制造更小尺寸的晶体管。与此
同时，栅极从三面包围沟道，增大了栅极面积，大大增强了栅极的控制能力，可以很好地解
决漏电流和超低压工作的问题，降低了功耗。不仅如此，在不增加占用面积的前提下，可以
显著增加沟道的截面积，提高驱动能力。
比起 28nm 平面工艺，16nm/14nm 的 FinFET 工艺器件可以提高 40-50%性能，或减少
50%的功耗[2]。因为 FinFET 制造工艺与传统的平面 MOSFET 制造工艺兼容性良好[3]，所以
成为各大制造商产品研发的重要方向。
目前，借助 3D 结构晶体管，实验室已经可以做出特征尺寸只有几个纳米的晶体管了，
半导体在深度纳米下无法持续进步的超级障碍也就不再存在了，摩尔定律仍将持续有效[4]。
栅
极
漏极沟
源极
道
氧化物绝缘层
硅衬底
图 2 SOI FinFET 结构示意图
参考文献：
[1]余志灏，常胜等. 纳米 FinFET 鳍型优化[J]. 固体电子学研究与进展，2015，第 35 卷，第 2 期：105-108。
3
[2]http://www.elecfans.com/article/90/155/2013/0315310384.html（来源：电子工程专辑作者：电子工程专辑
2013 年 03 月 15 日 09:02）
[3]马伟彬. FinFET 器件技术简介[J]. 科技展望，2016，16：104-105。
[4]http://www.elecfans.com/bandaoti/gongyi/20151228396152_a.html（来源：电脑王作者：电脑王 2015 年 12
月 28 日 14:34）

本章目的
本章主要介绍另一种三极管放大器件——双极结型三极管（BJT），讨论如何
用该器件构成所需要的放大电路。
 介绍 BJT 的结构、工作原理及其特性
 说明如何用 BJT 构成放大电路
 介绍 BJT 的 H 参数小信号模型，并据此分析和设计 BJT 放大电路
 归纳 BJT 的三种基本放大电路并介绍复合管
 比较 MOSFET 和 BJT 的异同点，归纳它们构成基本放大电路的共性

 双极结型三极管（BJT）的结构、工作原理及特性曲线
 理解 BJT 的工作原理及其特性
 了解 BJT 的主要参数

小结：
● BJT 是由三个杂质半导体区域、两个 PN 结组成的三端有源器件，有 NPN
和 PNP 两种类型。它的三个电极分别称为发射极 e、基极 b 和集电极 c。它有两
种载流子参与导电，因而称为双极型器件。由于硅材料的热稳定性好，因而硅
BJT 得到广泛应用。
● 在 BJT 的两个 PN 结上外加不同极性的偏置电压时，BJT 可有四种不同的
工作模式，即放大、饱和、截止、倒置。本章主要讨论 BJT 的放大作用，故偏
置电压应使发射结正偏、集电结反偏。
● 通常用输入和输出特性表征 BJT 各电极间电压与各电极电流之间的关系，
称之为 IV 特性。BJT 输入特性的电流（iB 或 iE）与发射结正偏电压 vBE 间近似
呈指数关系；输出特性的集电极电流 iC 与 iB 或 iE 间近似呈线性关系。因此，既
可以称 BJT 为电压控制器件，也可以称其为电流控制器件。国内习惯采用后一
种说法。
● 电流放大系数是 BJT 的主要参数之一，按电路组态的不同分别有共射极电
流放大系数和共基极电流放大系数。另外，在使用 BJT 时还需特别注意它的
极限参数，如集电极最大允许电流 ICM、集电极最大允许耗散功率 PCM 和几个反
向击穿电压等。为了保证安全运行，电路中 BJT 的工作电流、电压和耗散功率
不能超过这些极限参数规定的值。

5 双极结型三极管及其放大电路
5.1 双极结型三极管（BJT）
5.2 基本共射极放大电路
5.3 共集电极放大电路
5.4 BJT放大电路三种组态的比较，FET和
BJT及其基本放大电路性能的比较
5.1.1 BJT的结构简介
5.1.2 BJT的工作原理
5.1.3 BJT的I−V特性曲线
5.1.4 BJT的主要参数
外形
(a) 小功率管 (b) 大功率管 (c) 中功率管
结构示意图
半导体三极管的结构示意图如下图所示。它有两种
类型：NPN型和PNP型。
Collector
Base
Emitter
NPN型管 PNP型管
NPN型管结构示意图 PNP型管结构示意图
电路符号电路符号
结构示意图
结构特点：集成电路中典型NPN型BJT的截面图
• 发射区的掺杂浓度最高；
• 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；
• 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度
最低。
5.1.3 BJT的I-V特性曲线
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过
载流子传输体现出来的。
外部条件：发射结正偏，集电结反偏
各区域作用发射区：发射载流子
集电区：收集载流子
基区：传送和控制载流子
1. 内部载流子的传输过程（以NPN为例）
N P N N P N
e c e c
IC
ICBO
Rc
b VCC
b
IB
iC
iD iC= -iD
vCB= -vD
0 vD
0 vCB
1. 内部载流子的传输过程
N P N N P N
IEN ICN
e c e c
IC IE IBN IC
ICBO ICBO
Rc Re Rc
b VCC VEE b VCC
IB IB
iC
发射结正偏，发射区向基区注入 iC
载流子，基区有了大量与原基区
少数载流子相同极性的载流子。
从而集电区收集到大量载流子，
形成较大的集电极电流。
0 vCB 0 vCB
N P N N P N
IEN ICN
e c e c
IC IE IBN IC
ICBO ICBO
Rc Re Rc
b VCC VEE b VCC
IB IB
iC iC
改变发射结正偏电压，则有不
同的iB和iE,从而导致不同的iC。
0 vCB 0 vCB
N P N N P N
IEN ICN
e c e c
IC IE IBN IC
ICBO ICBO
Rc Re Rc
b VCC VEE b VCC
IB IB
iC
发射结正偏电压与发
iE
射极电流的关系就是
PN结正向特性。
0 vBE
0 vCB
2. 控制关系的实现
N P N
IE=IB+ IC IC= ICN+ ICBO IEN ICN
e c
传输到集电极的电流
设 
IE IBN IC
ICBO
发射极注入电流 Re Rc
b
I CN VEE VCC
即 
IB
IE
IC
通常 IC >> ICBO 则有  
IE
 为电流放大系数。它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度
有关，与外加电压无关。一般 =0.90.99。
由于三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为
双极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
2. 控制关系的实现

又设  
1
I nC
根据 IE=IB+ IC IC= ICN+ ICBO 
IE
且令 ICEO= (1+  ) ICBO （穿透电流）
I C  I CEO IC
则   当 I C  I CEO 时，   
IB IB
 是另一个电流放大系数。同样，它也只与管
子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。
一般  >> 1 。
综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它
的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极
而实现的。
实现这一传输过程的两个条件是：
（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质
浓度，且基区很薄。
（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏
置。
3. 三极管的三种组态
c e
e c b iC b iE
输输
输 iE iC 输输输
iB 出 iB 出
入出入入
口口
口 b 口口 e 口 c
（a）共基极（b）共发射极（c）共集电极

iC =  iE iC =  iB iE =(1+ )iB
1. 共基极连接时的I−V特性曲线
输入特性曲线
iE  f ( vBE ) v
CB 常数
基本关系
iE  I ES (e vBE / VT  1)
iE/mA
随着vCB的增加，外加电
8
压增强了集电结内电场，集电 6 vCB=1V
vCB=5V
4
结收集载流子能力增强，使得
2 vCB=0V
在同样的vBE下，iE略有增加，
0 0.2 0.4 0.6 0.8 vBE/V
特性曲线左移。
1. 共基极连接时的I-V特性曲线
输出特性曲线
iC  f ( vCB ) i
E常数
N P N
IEN ICN
e c
IE IBN IC
iC
ICBO
Re Rc
VEE b VCC
IB
O vCB
1. 共基极连接时的I-V特性曲线
输出特性曲线
iC  f ( vCB ) i
E常数
iC/mA
iE= 4 mA
4
饱放 iE= 3 mA
3
和
区 2 大 iE= 2 mA
区 iE= 1 mA
1
iE= 0 mA
0 2 4 6 8 vCB/V
截止区
2. 共射极连接时的I-V特性曲线
输入特性曲线
iB  f ( vBE ) v
CE常数
iB/A
vCE=1V
vCE=0V
vCE=10V
0 0.2 0.4 0.6 0.8 vBE/V
输出特性曲线
iC  f ( vCE ) |iB常数
2. 共射极连接时的I-V特性曲线 VCC
输出特性曲线
N P N
N P N Rc
IEN ICN
ICN
e c IEN
e c
IE IBN IC
ICBO IE IBN IC
ICBO
Re Rc
b
VEE IB VCC
VBB b
Rb IB
iC iC
vCE= vCB + vBE
vCE= 0V时，集
电结正偏，无收
集载流子能力
0 vCB 0 vCE
输出特性曲线
iC  f ( vCE ) |iB常数
输出特性曲线的三个区域:
饱和区：iC明显受vCE控制的区
域，该区域内，一般vCE＜0.7V
(硅管)。此时，发射结正偏，集
电结正偏或反偏电压很小。
放大区：iC平行于vCE轴的区
截止区：iC接近零的区域，相域，曲线基本平行等距。此
当iB=0的曲线的下方。此时，时，发射结正偏，集电结反
vBE小于死区电压。偏。
思考：
 BJT具有正常放大作用的外部条件是什么？
 BJT有哪些控制关系？


 BJT 基本放大电路的构成及静态偏置
 掌握 BJT 放大电路的静态偏置方法和计算方法
 掌握信号的输入输出方式

小结：
● BJT 构成放大电路时，需解决两个问题，一是 BJT 的静态偏置，即静态工
作点设置；二是信号的输入输出方式。
● 静态偏置的方法有多种，其目的就是使 BJT 的发射结正偏，集电结反偏，
为放大电路设置一个合适的 Q 点，使其工作在放大区。
● 根据信号输入到 BJT 的电极和信号取出电极的不同，BJT 放大电路有共射
极、共集电极和共基极三种组态。组态的划分与信号的输入输出连接电极有关，
与 BJT 的偏置无关。

　
5.2.1 电路构成及信号放大的实现
5.2.2 小信号分析
1. 发射结正偏、集电结反偏条件的建立
直流通路 Rc
静态工作点（Q点）:
c IC ＋
IB
VBB  VBEQ b
T VCC
I BQ  Rb ＋
Rb e VCE
I CQ    I BQ VBE
IE
VBB
－－
VCEQ  VCC  I CQ Rc
一般硅管VBEQ=0.7V，锗管VBEQ=0.2V， 已知。
1. 发射结正偏、集电结反偏条件的建立 Rc
静态工作点（Q点）: IB c IC ＋
b
T VCC
＋
Rb e VCE
VBE
IE
vBE
VBB
－－
VBEQ
vCE
O t VCC
iB
IBQ
O t VCEQ
iC
ICQ
O t O t
v s
O t
2. 动态工作过程 vBE
VBEQ
O t
Rc iB
IBQ
iB c iC ＋
b VCC
O t
T iC
＋＋
Rb e
vs vO=vCE ICQ
－ vBE
iE O
VBB t
－－ vCE(vO)
VCC
VCEQ
O t
5.2.1 电路构成及信号放大的实现R
c
3. 静态工作点对信号放大的影响 c
iB iC ＋
（1）IBQ过大  ICQ过大  Rc b
T VCC
＋＋
Rb
上压降过大  VCEQ过小 vs e vO=vCE
－ vBE
iE
VBB
－
或－
（2）Rc阻值过大  Rc上压降 vCE(vO)
过大  VCEQ过小 VCC
VCEQ
O t
5.2.1 电路构成及信号放大的实现R
c
3. 静态工作点对信号放大的影响 c
iB iC ＋
若IBQ过小，使ICQ过小，导致 b
T VCC
＋＋
Rb e
Rc上压降很小，则VCEQ过大 vs vO=vCE
－ vBE
iE
VBB
■必须为BJT提供合适的静态－－
偏置，使其工作在放大区。 vCE(vO)
VCC
■信号叠加在静态电量上，并 VCEQ
通过BJT的控制关系传输到输
出。信号也经常称为交流量。
■输出信号的幅值受输出回路
O t
电源电压的限制。
BJT放大电路的其它组成形式
思考：
 双电源供电的BJT放大电路和单电源供电的BJT放大电
路有何同异点？


 BJT 放大电路的小信号模型分析
 理解 BJT 小信号模型的物理含义和使用条件
 掌握用小信号模型分析法分析 BJT 放大电路的动态指标

小结：
● 同 FET 放大电路一样，小信号模型分析法也是小信号情况下分析 BJT 放大
电路最有效的方法。
● 关于 BJT 小信号模型，需要特别注意以下几点：（1）BJT 必须工作在放大
区，并且是小信号情况下，模型才是可用的。（2）模型中的 rbe 和 rce 都是交流参
数或微变参数，所以模型只适用于交流信号或变化量的分析，不能用来分析静态
工作点。（3）rbe 和 rce 都与静态工作点的位置有关，特别是输入电阻 rbe 对静态
工作点更敏感，而 rce 有时则使用一个固定值。（4）受控源ib 的电流方向和控制
电流 ib 的方向是关联的。也就是说，改变其中任何一个电流的标注方向，另一个
也必须改变。
● 用小信号模型分析放大电路时，首先要求得放大电路的静态工作点，然后
根据小信号等效电路，求解相关动态指标。

　
5.2.2 小信号模型分析法
BJT的H参数及小信号模型
共射极放大电路的小信号分析
iC
1. H参数的引出 c ＋
iB
对于BJT双口网络，已知输入输出 b
T vCE
＋
特性曲线如下： vBE e
－－
iB=f(vBE)vCE=const iC=f(vCE)iB=const
BJT双口网络
可以写成： v BE  f 1 ( iB , vCE ) iC  f 2 ( iB , vCE )
在小信号情况下，对上两式取全微分得
vBE vBE
dvBE  di B  dvCE
i B V vCE I BQ
CEQ
i C i C
d iC  di B  dvCE
i B VCEQ
vCE I BQ
用小信号交流分量表示 vbe= hieib+ hrevce ic= hfeib+ hoevce

1. H参数的引出 vbe= hieib+ hrevce
ic= hfeib+ hoevce
vBE
hie  输出端交流短路时的输入电阻；
i B VCEQ
i c 输出端交流短路时的正向电流传输比或电
hfe 
i B 流放大系数；
VCEQ i C
iC hfe=
iB iB5
iB/A
1 iB4
hie=
斜率
iC iB3 iB

Q
vCE= VCEQ iB2
iB1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 vBE/V
0 VCEQ vCE
1. H参数的引出 vbe= hieib+ hrevce
vBE ic= hfeib+ hoevce
hre 
vCE 输入端交流开路时的反向电压传输比；
I BQ
i C
hoe  输入端交流开路时的输出电导。
vCE I BQ
iC
iB vCE
hoe=斜率
IBQ
vBE
hre= Q
IBQ vCE
0 vBE vBE 0 vCE
四个参数量纲各不相同，故称为混合参数（H参数）。
2. BJT的H参数小信号模型 iC
根据 vbe= hieib+ hrevce c ＋

iB
b
ic= hfeib+ hoevce ＋
T vCE
vBE e
－－
可得小信号模型
ic
b ib hie c BJT双口网络
+ +
+
vbe hrevce 1 v
hfeib ce
hoe
-
- e -
 H参数都是小信号参数，即微变参数或交流参数。
 H参数与工作点有关，在放大区基本不变。
 H参数都是微变参数，所以只适合对交流信号的分析。
3. 小信号模型的简化 b ib hie ic
c
一般采用习惯符号 + +
+
即 rbe= hie  = hfe vbe hrevce hfeib
1 v
ce
hoe
-
µT = hre rce= 1/hoe - e -
则BJT的H参数模型为
ic
b ib rbe c
+ +
+
vbe T vce  ib rce vce
-
- e -
3. 小信号模型的简化 b ib rbe ic
c
+ +
µT很小，一般为10 10 ，
-3 -4 +
vbe T vce  ib rce vce
rce很大，约为100k ， -
- e -
一般可忽略它们的影响，得
到简化电路。
ib ic
b c
+ +
  ib 是受控源，且为电流控制
vbe rbe  ib vce
电流源(CCCS)；
- e -
 电流方向与ib的方向是关联的。
4. H参数值的确定
 一般用测试仪测出；
rbe 与Q点有关，可用图示仪测出。
一般也用公式估算 rbe ，即
vbe ib rbb  (1  β )ib ( re  re)
rbe    rbb + (1+  ) re
ib ib
其中对于低频小功率管 rbb≈200
VT (mV ) 26mV 26mV
而 re    (T=300K)
I EQ (mA ) I EQ (mA ) I CQ (mA )
26mV # 若用万用表的“欧姆”档测量b、e
则 rbe  200Ω  (1   )
I CQ (mA ) 两极之间的电阻，是否为rbe?
例5.4.1 已知图示基极分压式射极偏置共射极放大电路中， VCC=16V，
Rb1 =56k，Rb2=20k，Re=2k ，Rc=3.3k， RL=6.2k，Rsi=500，
BJT的 =80，rce=100k ， VBEQ=0.7V。设电容Cb1、Cb2对交流信号可视
为短路。试计算Av、Ri、 Avs= vo/vs、Ro 。
解：①由直流通路求静态工作点 VCC
Rc
VCC Rb1 Cb2
Rc +
Rb1 Cb1 c
+ VB b +
I1
IC c＋ T
IB +
b Rsi e RL vo
VB T VCE
＋ vi
+ Rb2
VBE e－ -
－ vs Re
Rb2 - -
Re IE
例5.4.1 已知图示基极分压式射极偏置共射极放大电路中， VCC=16V，
Rb1 =56k，Rb2=20k，Re=2k ，Rc=3.3k， RL=6.2k，Rsi=500，
BJT的 =80，rce=100k ， VBEQ=0.7V。设电容Cb1、Cb2对交流信号可视
为短路。试计算Av、Ri、 Avs= vo/vs、Ro 。
VCC
解：①由直流通路求静态工作点 Rc
Rb1
Rb2
VBQ   VCC IC c＋
Rb1  Rb2 I1
IB
b
VB T VCE
VBQ  VBEQ ＋
I CQ  I EQ  VBE
－
e－
Re Rb2
Re IE
VCEQ  VCC  I CQ Rc  I EQ Re  VCC  I CQ ( Rc  Re )
IC
I BQ  求得 IEQ  1.76 mA

解：②动态指标分析 VCC
Rc
画小信号等效电路 Rb1 Cb2
+
Cb1 c
+ VB b +
T
+
Rsi e RL vo
+ vi Rb2
vs Re -
- -
H参数 rbe
26mV 26mV
rbe  200Ω  (1   )  200Ω  (1  80)  1.4kΩ
I EQ (mA) 1.76mA
解：②动态指标分析
电压增益Av
vo    ib ( Rc // RL )
vi  ib rbe  ie Re
 ib rbe  (1   )ib Re
3 .3  6 .2
 80  kΩ
vo   ( Rc // RL ) 3 .3  6 . 2
Av     1.05
vi rbe  (1   ) Re (1.4  81  2)kΩ
输入电阻Ri
i i  ib  i R b
vi vi vi
  
rbe  (1   ) Re Rb1 Rb2
vi 1
Ri  
ii 1 1 1
 
rbe  (1   ) Re Rb1 Rb2
 Rb1 // Rb2 //[ rbe  (1   ) Re ]  13.52kΩ
输入电阻Ri
Ri  Rb1 // Rb2 //[ rbe  (1   ) Re ]
式中(1+)Re是发射极
支路电阻Re折算到基极支
ii b ib
路时的等效电阻。 +
rbe
发射极支路电阻折算到基极
vi
Rb1 Rb2
支路需要将电阻扩大(1+)倍；反
(1+)Re
之，基极支路电阻折算到发射极 -
支路需要将电阻缩小(1+)倍。 Ri
源电压增益Avs
vo vo vi
Avs   
vs v i vs
Ri
 Av 
Rsi  Ri
13.52kΩ
 1.05 
( 0.5  13.52)kΩ
 1.01
输出电阻Ro
基极回路根据KVL得：
ib ( rbe  Rsi )  ( ib  ic ) Re  0
其中 Rsi  Rsi // Rb Rb  Rb1 // Rb2

集电极回路根据KVL得：
vt  ( ic   ib )rce  ( ib  ic ) Re  0
 Re 
得 vt  ic  rce  Re  (  rce  Re )
 rbe  Rsi  Re 
所以 Ro  vt  rce  1   Re 
 ( rce  Re )
ic  rbe  Rsi  Re 

输出电阻Ro
vt
Ro   Ro // Rc
it
通常 Ro  Rc
所以 Ro  Rc = 3.3 k
解：③讨论
放大电路的电压增益Av很小，只有1.05倍，其原因是发
射极接入了电阻Re。在两端并联一个大电容可以消除Re的
影响。
VCC VCC
Rc Rc
Rb1 Cb2 Rb1 Cb2
+ +
Cb1 c Cb1 c
+ VB b + + VB b +
T T
+ +
Rsi e RL vo Rsi e RL vo
+ vi Rb2 + vi Rb2 +
vs Re - vs Re Ce -
- - - -
解：③讨论
此时小信号等效电路
电压增益变为
  ( Rc // RL )  RL
Av  
rbe rbe VCC
 123 .07 Rb1

Rc
Cb2
+
输入电阻变为 Cb1 c
+ VB b +
vi T
Ri   Rb1 // Rb2 // rbe Rsi
+
e RL vo
ii
+ vi Rb2 +
 1.28kΩ vs Re Ce -
- -
思考：
 为什么要建立BJT的小信号模型？H参数小信号模型中
各参数的物理意义是什么？它们与管子的静态工作点
有关吗？在放大区哪个参数受影响最大？小信号模型
的适用范围？


 BJT 的共射、共集和共基三种基本放大电路以及复合管
 掌握共射、共集和共基放大电路的性能及特点
 掌握复合管的结构特点

小结：
● 与 FET 放大电路类似，BJT 的共射极、共集电极和共基极放大电路也有各
自的特点，可以分别适用于不同的场合。
● 复合管带来的好处至少有两点：（1）用简单的方法，就得到了高值的三
极管。（2）在分析设计这种结构的三极管放大电路时，可以简单地把它当做一个
三极管对待。

　
1. 静态分析
由直流通路
VCC  VBEQ
I BQ 
Rb  (1   ) Re
I CQ   I BQ  I EQ
VCEQ  VCC  I EQ Re
2. 动态分析
26mV
rbe  200Ω  (1   )
I CQ
小信号等效电路
交流通路
2. 动态分析
由
vi  ib rbe  (1   )ib RL
vo  (1   )ib RL
其中 RL  Re // RL
vo (1   )ib RL (1   ) RL
得电压增益 Av   
vi ib [rbe  (1   ) RL ] rbe  (1   ) RL
通常有 (1   ) RL  rbe 所以 Av  1 vo与vi同相
电压跟随器
2. 动态分析
输入电阻
vi vi
Ri  
ii vi vi

Rb rbe  (1   ) RL
 Rb //[ rbe  (1   ) RL ]
(1   ) RL 是发射极支路等效电阻 RL 折算到基极支路时

的等效电阻。
输入电阻大
2. 动态分析
输出电阻
vt
Ro 
it vs  0 , RL  
it  ib   ib  i Re
1 1 1
 vt (   ) 其中 Rsi  Rsi // Rb
Rsi  rbe Rsi  rbe Re
Rsi  rbe 后一部分是基极支路电阻 Rsi  rbe

得 Ro  Re //
1  折合到射极支路时的等效电阻。
输出电阻小
Av  1
vi
Ri   Rb //[ rbe  (1  β ) RL ]
ii
vt Rs  rbe
Ro   Re //
it 1 β
共集电极电路特点：
◆ 电压增益小于1但接近于1，vo与vi同相
◆ 输入电阻大，对电压信号源衰减小
◆ 输出电阻小，带电压负载能力强
*5.5 多级放大电路
5.4 BJT放大电路三种组态的比较
VCC
Rc
Rb1 Cb2
+
Cb1
+ +
T
+
Rsi RL vo
+ vi Rb2 +
vs Re Ce -
- -
共射极电路共集电极电路共基极电路
β  ( Rc // RL ) (1  β )  ( Re // RL ) β  ( Rc // RL )
电压增益：  1
rbe rbe  (1  β )( Re // RL ) rbe
r
输入电阻： Rb // rbe Rb // rbe  (1  β )( Re // RL ) Re // be
1 β
( Rs // Rb )  rbe
输出电阻： Rc Re // Rc
1 β
相位关系：反相同相同相
用途：多级放大电路的中间级输入级、中间级、输出级高频或宽频带电路
1. 复合管的主要特性
复合管
两只NPN型BJT组成的复合管
rbe＝rbe1＋(1＋1)rbe2
两只NPN型BJT组成的复合管两只PNP型BJT组成的复合管
rbe＝rbe1＋(1＋1)rbe2
NPN与PNP型BJT组成的复合管 PNP与NPN型BJT组成的复合管
rbe＝rbe1
id1=gm1vgs1 id=(1+ )gm1vgs1 d
ic2=gm1vgs1
g T1
g
T2
ib2=gm1vgs1 s
is=(1+ )gm1vgs1
MOS管与BJT组成的复合管
思考：
 如何判别共射、共集和共基三种放大电路？三种电路
的静态分析方法及动态分析方法有没有本质区别？三
种放大电路各有什么特点？三种放大电路是否都可采
用双电源工作？
 复合管有什么特点？


 MOSFET 与 BJT 的异同
 MOSFET 和 BJT 基本放大电路共性归类
 理解 BJT 与 MOSFET 的相似性和差异

小结：
● BJT 的三个电极与 MOSFET 的三个电极有一一对应的关系，它们都有明确
的控制关系。
● MOSFET 的栅极是绝缘的，而 BJT 的基极则是有电流的。这是两管最大的
差别。
● 跟据输出电量与输入电量间的关系特征，这两种三极管的六种组态可以归
纳成为三种通用的组态——反相电压放大器、电压跟随器和电流跟随器。

　
FET和BJT及其基本放大电路性能的比较
FET和BJT内部都含有两个PN结，外部都有3个电极。它们有如
下的对应关系：
FET BJT
栅极g ↔ 基极b
源极s ↔ 发射极e
漏极d ↔ 集电极c
或放宽为vBC < 0.4V且vCE≥ 0.3V

BJT 电路仿真练习
1、电路如图 1 所示，BJT 采用 Q2N2222，设＝100，VBEQ = 0.7V。试用 PSpice 分

析：
（1）仿真电路的 Q 点；
(2)观察输入和输出信号的时域波形；
（3）仿真电路的电压增益 Av；
（4）输入电阻 Ri；
(5) 输出电阻 Ro。
图 1
2、电路如图 2 所示。设两管的 =100，VBEQ = 0.7V。三极管采用 Q2N3904.

试用 PSpice 仿真分析。
1 两管的 Q 点；
(2) 输入和输出信号的波形；
3Av、Ri 和 Ro。
图 2
BJT 电路仿真练习
1、电路如图 1 所示，BJT 采用 Q2N2222，设＝100，VBEQ = 0.7V。试用 PSpice 分

析：
（1）仿真电路的 Q 点；
(2)观察输入和输出信号的时域波形；
（3）仿真电路的电压增益 Av；
（4）输入电阻 Ri；
(5) 输出电阻 Ro。
图 1
2、电路如图 2 所示。设两管的 =100，VBEQ = 0.7V。三极管采用 Q2N3904.

试用 PSpice 仿真分析。
1 两管的 Q 点；
(2) 输入和输出信号的波形；
3Av、Ri 和 Ro。
图 2

本章目的
本章主要介绍放大电路增益的频率响应。
 通过二端口 RC 网络解释增益随信号频率变化的原因，并介绍频率响应波
特图的作图方法
 简述放大电路频率响应产生的原因和分析思路
 介绍三极管（MOSFET 和 BJT）高频小信号模型
 分析三极管放大电路的高频响应，引出增益带宽积的概念
 分析阻容耦合共源放大电路的低频响应和全频域响应
 简述直接耦合和阻容耦合多级放大电路的频率响应

 单时间常数 RC 电路的频率响应及波特图的作图方法
 理解增益随信号频率变化的原因
 掌握 RC 低通电路和 RC 高通电路的频率响应特点
 掌握波特图的作图方法

小结：
● 放大电路中的耦合电容、旁路电容、PN 结电容、负载电容、杂散电容等
电抗元件，是导致放大电路多项指标与频率相关的根本原因。
● 借助单时间常数 RC 电路的频率响应分析，来理解和分析放大电路的频率
响应，是一种非常有效的方法。
● 常采用中频、高频、低频分段的方法分析电路的频率响应。中频段的增益
是通带增益，不随频率而改变。高频段增益的下降可以等效为 RC 低通电路的影
响；低频段增益的下降可以等效为 RC 高通电路的影响。工程上通常用波特图来
描述放大电路的频率响应。
● 表征频率响应的 3 个参数是通带电压增益 AVM（AVSM）、下限截止频率 fL
和上限截止频率 fH。知道了增益和下限截止频率或上限截止频率，就可以快速作
出单时间常数 RC 电路的波特图。

6.1 RC电路的频率响应
6.1.1 中频响应
6.1.2 高频响应
6.1.3 低频响应
6.1.4 全频响应
6.1.1 中频响应
对于二端口RC电路网络
C1 R2
设 R1C1 >> R2C2 + +
+
且 C1 >> C2 Vi R1 Vo1 C2 Vo
- - -
在中频区
R2
1 1
   + +
R1C 1 R2 C 2
Vi R1 Vo
1
即  R1
C1 - -
中频区等效电路
1
 R2
C 2
则C1可近似看作短路， C2可近似看作开路。
6.1.1 中频响应
R2
电压增益
+ +
（传递函数）：
Vi R1 Vo
 Vo - -
AvM  1

Vi 中频区等效电路
与频率无关
电压增益的幅值（模）: A vM  1
电压增益的相角:    o   i  0 Vo 与 Vi 同相
6.1.1 中频响应
6.1.2 高频响应
6.1.3 低频响应
6.1.4 全频响应
6.1.2 高频响应
当接近和大于 C1 R2
+ + +
等于 1 时，
R2 C 2 Vi R1 Vo1 C2 Vo
- - -
1
接近 R2
C 2 二端口RC电路
属于高频区， R2
+ +
C2的影响不能再忽略，
Vi C2 Vo
1
此时仍有  R1 ， - -
C1
RC低通电路（高频区等效电路）
C1仍可看作短路。
6.1.2 高频响应
R2
①增益频率函数
+ +
电压增益（传递函数）：
Vi C2 Vo
1
Vo jC 2 1 - -
A vH    
Vi 1 1  jR2C 2
R2  RC低通电路（高频区等效电路）
jC 2

1 Vo 1
令 H
f 上限截止频率则 A vH   
2 πR2C 2 Vi 1  j( f / f H )
1
电压增益的幅值（模） | A vH | （幅频响应）
1  ( f / fH ) 2
电压增益的相角  H   o   i  arctan( f / f H ) （相频响应）
6.1.2 高频响应
 v | /dB
20lg| A V
②频率响应曲线描述 0.1fH fH 10fH

0
幅频响应 f/Hz
3dB
-20
1
| A vH |
-20dB/十倍频
1  ( f / f H )2 -40
当f << f H时
当f >> f H时
1 1
AvH  1 AvH   fH / f
1  ( f / fH ) 2
1  ( f / fH ) 2
20 lg AVH  20 lg 1  0 dB 20 lg AVH  20 lg( f H / f )  20 lg f H  20 lg f
0分贝水平线最大误差 -3dB

fH也称为转折频率、3dB上限截止频率。
6.1.2 高频响应
 v | /dB
20lg| AV
②频率响应曲线描述 0.1fH fH 10fH

0
相频响应 f/Hz
3dB
 H  arctan( f / f H ) -20
-20dB/十倍频
当 f  fH 时，  H  0 -40

当 f  fH 时， H  90
0
当 f  fH 时，  H  45 -45/十倍频
f/Hz
-45
当 0.1 fH  f  10 fH 时，
-90
斜率为-45/十倍频的直线波特图
   o   i 表示输出与输入的相位差
表明高频时，输出滞后输入
6.1.1 中频响应
6.1.2 高频响应
6.1.3 低频响应
6.1.4 全频响应
6.1.3 低频响应
C1
当接近和小于
R2
+ + +
1
等于时， Vi R1 Vo1 C2 Vo
R1C 1
- - -
1
接近 R1
C1 二端口RC电路
属于低频区 C1
+ +
C1的影响不能再忽略
Vi R1 Vo
1
此时有  R2
C 2 - -
RC高通电路（低频区等效电路）
C2可看作开路
6.1.3 低频响应 C1
电压增益（传递函数）： + +
 Vo 1 Vi R1 Vo

AvL  

Vi 1
1 - -
jR1C1
 | /dB
20lg| A RC高通电路（低频区等效电路）
1 v
V
f 
令 L 2πR C 下限截止频率 0.1fL fL 10fL
1 1
0
1
则 A vL
f/Hz
 3dB
1  j( f L / f ) -20
1
幅频响应 A vL  -40 20dB/十倍频
1  ( fL / f ) 2

相频响应  L  arctan( f L / f ) 90

-45/十倍频
45
输出超前输入
0
f/Hz
6.1.1 中频响应
6.1.2 高频响应
6.1.3 低频响应
6.1.4 全频响应
6.1.4 全频响应 C1 R2
1 + + +
∵ R1C1 >> R2C2 fL 
2πR1C1 Vi R1 Vo1 C2 Vo
1
fH   fH  fL
 v | /dB
20lg| A
2 π R C
2 2 -
中频区增益也 - -
V
称为通带增益
0.1fL fL 10fL 0.1fH fH 10fH
0
f/Hz
3dB
-20
带宽（通频带）
-40 20dB/十倍频 -20dB/十倍频
 低频区中频区高频区

90
-45/十倍频
45
0
f/Hz
-45/十倍频
-45
-90


 放大电路频率响应概述和三极管高频小信号模型
 掌握放大电路频率响应的基本概念和描述方法
 了解放大电路频率响应分析的思路与方法
 理解 MOSFET 和 BJT 的高频小信号模型

小结：
● 可以采用简化的等效模型来分析放大电路的频率响应。只要获得了通带增
益 AVM（AVSM）和等效的 RC 低、高通电路。就可以直接得到放大电路的频率响
应结果。
● 研究放大电路的高频响应时，要用到 MOSFET 或 BJT 的高频小信号模型。
这种模型包含了三极管三个电极之间的等效电容。它们的容量通常较小，在低频
和中频时被视为开路（阻抗趋于无穷大），但在高频区则不能忽略它们的影响。
● 特征频率 fT 是三极管的重要频率参数。

　
6.2 放大电路频率响应及简化等效模型
1. 放大电路频率响应概述
（1）需要放大的信号通常都包含许多频率成份。如话筒输出的语音信
号（20Hz～20kHz ），卫星电视信号（3.7～4.2GHz ）等。
（2）放大电路中有耦合电容、旁路电容和负载电容，FET或BJT也存在
PN结电容，此外实际电路中还有分布电容等，导致对不同频率的信号放
大倍数和时延不同。若信号中不同的频率成份不能被放大电路同等地放
大（包括时延），则会出现失真现象（称为线性失真或频率失真）。
（3）前两章分析放大电路的性能指标时，是假设电路中所有耦合电容
和旁路电容对信号频率来说都呈现非常小的阻抗而视为短路；FET或BJT
的极间电容、电路中的负载电容及分布电容对信号频率来说都呈现非常
大的阻抗而视为开路。
6.2 放大电路频率响应及简化等效模型
2. 放大电路中频区（通带内）的简化模型
Vi AvVM Vo Vi AVM

v Vo
单端输入方式差分式输入方式
AvM ——通带增益，不含电抗元件
——假设其输入电阻为无穷大，输出电阻为零
——输出与输入的相位可以是同相，也可以是反相
6.2 放大电路频率响应的简化等效模型
3. 直接耦合放大电路的等效模型
等效RC低通电路等效RC低通电路
R R
Vi AvVM Vo Vi AVM
v Vo
C C
其中C包含三极管的PN结电容、极间电容、电路分布电
容、负载电容的影响。
假设这些影响最终可以等效为单时间常数RC电路，或只
有一个起决定作用的RC电路。
4. 阻容耦合放大电路的等效模型
等效RC高通电路等效RC低通电路
C2 R1
Vs AvVM Vo
R2 C1
高频区：PN结等电容同样对增益产生影响。
低频区：耦合电容和旁路电容产生影响，它们的影响可以
等效为RC高通电路。
假设这些影响最终都可以等效为单时间常数RC电路。
采用等效模型分析放大电路频率影响时，仅需要完成两
项任务：
（1）求得通带增益AvM，前续相关章节对此已进行了介绍；
（2）求得等效的RC电路。这一过程较复杂，本章后续内容
将做重点讨论。
一旦获得了等效模型，就可以利用6.1节的结论，直接得
到放大电路的频率响应结果。
6.3.1 简化模型下的频率响应
可以将电路中FET极间电容在高频区产生的影响等效为R1C1
低通电路；而将耦合电容和旁路电容在低频区产生的影响等效为
R2C2高通电路。
+VDD
一般FET极间电容远小于耦合电容
Rd
和旁路电容，所以通常有R1C1<< R2C2 。 Rg1 +
Cb2
iD +
d
等效RC高通电路等效RC低通电路 Cb1 RL vo
+ g T -
C2 R1
s
Vs AVSM
vs Vo Rsi
+ +
R2 C1 Rg2 Cs
vs Rs
-
-VSS
AvsM ——共源极放大电路的通带源电压增益，式中的负号表
示输出与输入反相，即通带内增益的相频响应为-180。
6.3.1 简化模型下的频率响应
增益的频率响应等效RC高通电路等效RC低通电路
 Vo C2 R1
Avs  Vs AVSM
vs Vo
Vs
R2 C1
1 1
 AvsM  
1  j( f L / f ) 1  j( f / f H )
1 1
上限频率 f H  下限频率 f L 
2 πR1C1 2πR2C 2
| AvsM |
幅频响应 A vs 
1  ( f L / f )2  1  ( f / f H )2
相频响应    180 
 arctan( f L / f )  arctan ( f / f H )
6.3.1 简化模型下的频率响应 C2 R1
| AvsM | Vs AVSM
vs Vo
幅频响应 A vs  R2 C1
1  ( fL / f )  1  ( f / fH )
2 2
相频响应   180  arctan( f L / f )  arctan( f / f H )


 vs | /dB
20lg| AV
VSM|
20lg|Avs -20dB/十倍频
(a) 20dB/十倍频
0
0.1fL fL 10fL 0.1fH fH 10fH f /Hz

0
f /Hz
-45/十倍频
-90
-135
(b) -180 -45/十倍频
-225
-270
6.3.2 MOSFET高频小信号模型
当信号频率处于高频区时，FET 源极 s 栅极 g 漏极 d
SiO2 绝缘层
极间电容的阻抗将减小，不能再视为
开路，需考虑它们带来的影响。＋＋
N N
Cgs——栅源电容耗尽层
N 型(感生)沟道
P 型硅衬底
Cgd——栅漏电容
Csb——源衬电容 B 衬底引线
.
Cdb——漏衬电容 g
Cgd Id
d
多数情况下，MOS管的源极和＋＋
衬底连在一起，此时Csb被短路，而
. . Cds .
Cdb变为漏源电容Cds。 Vgs Cgs gmVgs rds Vds
典型值－－
Cgs：0.1~0.5pF；Cgd ：0.01~0.04pF s
衬底与源极并接时的高频小
Cds更小，往往将其忽略
信号模型（也称为模型）
rds：104~106 。
思考：
 放大电路频率响应的物理含义是什么？为什么要分析
放大电路的频率响应？
 影响放大电路频率响应的主要因素是什么？
 在分析放大电路频率响应时，三极管的小信号模型需
要补充哪些影响因素？


 三极管放大电路的高频响应和增益带宽积
 理解放大电路高频响应的影响因素和密勒电容的概念
 理解放大电路增益带宽积的概念和特点
 了解放大电路不同组态高频响应的特点

小结：
● MOSFET 或 BJT 的极间电容使放大电路的高频增益下降，且产生滞后的相
移。实际上电路中的分布电容、负载电容也会产生相同的影响。这些电容构成的
等效 RC 电路的时间常数，决定了放大电路的上限截止频率。
● 当三极管和信号源确定后，增益带宽积近似为常数。即降低增益可以增加
带宽，而提高增益会使带宽变窄。
● 共源极和共射极电路受密勒电容效应的影响最大，所以这两种电路的通频
带最窄；共栅极和共基极电路中不存在密勒电容效应，所以这两种电路的通频带
较宽；共漏极和共集电极放大电路的密勒电容小于原电容，所以通频带最宽。

　
6.3.3 共源极放大电路的等效RC低通电路
+VDD
在高频区，电路中的耦合电
Rd
Cb2
容Cb1、Cb2和旁路电容Cs的容抗都 Rg1 +
iD +
很小，可视为短路，而MOSFET d
RL vo
Cb1
+ g T -
的极间电容则不能再看作开路。
Rsi s
+ +
Rg2 Cs
其中 Rg  Rg1 // Rg2 vs Rs
-
-VSS
RL  Rd // RL Cgd .
g Id
d
＋＋
Rsi .
gmVgs
. .
＋ Rg Vgs Cgs rds Cds RL Vo
.
Vs
－－－
s
高频小信号等效电路
.
将信号源及内阻支 g
Cgd
d
Id
路变换为诺顿等效电路＋＋
Rsi .
gmVgs
 . .
I  Vs ＋ Rg Vgs Cgs rds Cds RL Vo
s .
Rsi Vs
－－－
s
Cgd .
g Id
d
＋＋
.
gmVgs
. . .
Is Rsi Rg Vgs Cgs rds Cds R L Vo
－－
s
. . .
为简单起见，作如下假设： I
g Cgd
Cgd I Cgd
d
Id
1 ＋＋
rds  RL ，  RL .
C ds Rsi gmVgs
. .
＋ Vgs Cgs R L Vo
将Cgs左侧电路进行电源等 .
Vs
效变换－－－
s Z2
Z1
得简化后的电路 .
Cgd Id
g d
其中 Vs  Rsi  Vs

＋＋
.
Rsi gmVgs
. . .
Is Rsi Rg Vgs Cgs rds Cds R L Vo
Rsi  Rsi // Rg
 Rsi // Rg1 // Rg2 －－
s
. . .
对节点 d 列KCL得 I
g Cgd
Cgd I Cgd Id
d
V
gmVgs  o  (Vo  Vgs ) jC gd  0 ＋
.
＋
RL Rsi gmVgs
. .
由于输出回路电流比较大，所 .
Vs
以可以忽略的Cgd分流，得－－－
s Z2
Z1
Vo   gm RL Vgs
Vgs 1
而输入回路电流比较小，所以 Z1   
I Cgd (1  gm RL ) jC gd
不能忽略的Cgd分流
相当于g和s之间存在一个电容，若用
IC gd  (Vgs  Vo ) jC gd
CM1表示，则 C M1  (1  gm RL )C gd
 Vgs (1  gm RL ) jC gd
C M1 称为密勒电容
. . .
C M1  (1  gm RL )C gd 密勒电容 I
g Cgd
Cgd I Cgd Id
d
＋＋
同理，在d、s之间也可以求得 Rsi .
gmVgs
一个等效电容CM2，且 C M2  C gd . .
.
得等效后的电路 Vs
－－－
s Z2
Z1
当gmRL >>1时，有CM1>>Cgd，
g d
CM2≈Cgd，可以忽略CM2的影响。
＋＋
Rsi .
gmVgs
且 C  C gs  C M1 . .
＋ Vgs Cgs CM1
CM2 RL Vo
.
V s
－－－
s
C M1  (1  gm RL )C gd 密勒电容 Rsi g d
＋＋
同理，在d、s之间也可以求得＋
.
gmVgs
. . .
一个等效电容CM2，且 C M2  C gd V s Vgs C R L Vo
－
得等效后的电路
－－
s
当gmRL >>1时，有CM1>>Cgd，
g d
CM2≈Cgd，可以忽略CM2的影响。
＋＋
Rsi .
gmVgs
且 C  C gs  C M1 . .
＋ Vgs Cgs CM1
CM2 RL Vo
.
V s
－－－
s
Vs 为输入、 Vgs 为输出时， Rsi g d
RC电路就是一个低通电路＋＋
.
＋ gmVgs
. . .
等效电阻 V s Vgs C R L Vo
－
R1 = Rsi  Rsi // Rg1 // Rg2
－－
等效电容 s
C1 = C  C gs  C M1 等效RC低通电路
R1
 C gs  (1  gm RL )C gd Vs AVSM
vs Vo
C1
通带源电压增益
Vo Vo Vgs Vo Vs
AvsM     
Vs Vgs Vs Vgs Vs
    （也可以采用4.4节的方法求得AvsM ）
Rg Rg1 //Rg2
  gm RL    gm RL 
Rsi  Rg Rsi  (Rg1 //Rg2 )
6.3.4 增益-带宽积
一般放大电路有 fH >> fL ，则带宽BW＝fH fL  fH
C  C gs  (1  gm RL )C gd
Rg 1 Rsi  Rsi // Rg
AvsM  f H  gm RL  
Rsi  Rg 2 πRsi C
RL  Rd // RL
Rg Rsi  Rg

 gm RL  
Rsi  Rg 2πRsi Rg [C gs  (1  gm RL )C gd ]
gm RL
 减低增益可以增加
2πRsi [C gs  (1  gm RL )C gd ]
带宽，提高增益将使带
若有 1  gm R'L C gd  C gs ， gm R'L  1 宽变窄。选择电路参数
1 时，必须兼顾AvsM和fH的
则 AvsM  f H 
2πRsi C gd 要求。
MOS管一旦确定，对相同的信号源增益−带宽积基本为常数
思考：
 等效的密勒电容在哪种组态（共源、共栅、共漏、共
射、共基、共集）中对频率响应影响最大？
 三极管的极间电容对其构成的放大电路的哪个区域
（低频、通带、高频）的频率响应产生明显影响？电
容的大小会产生怎样的影响？
 “增益-带宽积基本为常数”对放大电路设计有什么指
导意义？


 阻容耦合放大电路的低频响应及全频域响应
 了解耦合电容和旁路电容对放大电路低频响应的影响
 掌握放大电路上、下限截止频率的决定因素

小结：
● 放大电路中的耦合电容和旁路电容使放大电路的低频增益下降，且产生超
前的相移。
● 决定上限截止频率的关键因素是三极管的极间电容，而决定下限截止频率
的关键因素是旁路电容，其次是耦合电容。当然截止频率还与对应的等效 RC 电
路中的电阻值有关。
● 要想使放大电路有尽可能宽的通频带，最有效的方法是选用极间电容尽可
能小的三极管，使上限频率变得更高；同时选用尽可能大的旁路电容和耦合电容，
使下限频率变得更低。直接耦合放大电路不存在下限截止频率。

　
6.3.5 阻容耦合共源极放大电路的等效RC高通电路
+VDD
低频区内，电路中的耦合电
Rd
Cb2
容、旁路电容的阻抗增大，不能 Rg1 +
iD +
再视为短路。而FET极间电容的 d
RL vo
Cb1
+ g T
阻抗比中频区还要大，仍可看作 -
Rsi s
开路。 +
+ Rg2 Cs
. vs Rs
Cb1 Id Cb2 -
g d
-VSS
＋ .
. gmVgs
Rsi Vgs ＋
.
Rg － s Rd RL Vo Rg＝Rg1 //Rg2
＋
.
Vs Rs Cs －忽略了rds的影响
－
低频小信号等效电路
Cb1 Cb2 I.L
为简化分析，设低频区内，有 g d
＋ .
1 gmVgs
 Rs . ＋
C s Rsi Vgs
－ s .
Rg Rd RL Vo
则Rs可作开路处理＋
.
Vs Cs －
－
Cb1 . Cb2
g Id
d
＋ .
. gmVgs
Rsi Vgs ＋
－ s .
Rg Rd RL Vo
＋
.
Vs Rs Cs －
－
低频小信号等效电路
源电压增益
1 1 1
A vsL  AvsM   
1  j( f L1 / f ) 1  j( f L2 / f ) 1  j( f L3 / f )
通带源电压增益
Rg
AvsM   gm ( Rd // RL ) 
Rsi  Rg
3个下限频率（转折频率） Cb1 Cb2 I.L
g d
1 .
f L1  ＋ gmVgs
2π( Rsi  Rg )C b1 Rsi
.
Vgs ＋
1 － s .
Rg Rd
f L2  ＋
RL Vo
2π(1 / gm )C s .
Vs Cs －
1 －
f L3 
2π( Rd  RL )C b2
通带源电压增益 Cb1 Cb2 I.L
g d
Rg ＋ .
AvsM   gm ( Rd // RL )  . gmVgs
Rsi  Rg Rsi Vgs ＋
－ s .
3个下限频率（转折频率）＋
Rg Rd RL Vo
.
1 Vs －
f L1  －
Cs
2π( Rsi  Rg )C b1
1
f L2 
2π(1 / gm )C s . Cb1 Cs Cb2
Vs Av =1 AvsM
1 +
f L3 
2π( Rd  RL )C b2 R1 R2 .
R3 Vo
=Rsi+Rg 1 =Rd+RL
=
gm -
最终的等效电路包
含3个RC高通电路
Rg 1 1
AvsM   gm ( Rd // RL )  f L1  f L2 
Rsi  Rg 2π( Rsi  Rg )C b1 2π(1 / gm )C s
1
f L3 
2π( Rd  RL )C b2 等效RC高通电路
C2
通常（1/gm）的阻值 Vs AVSM
vs Vo
R2
小于（Rsi +Rg）和（Rd
+RL）。如果fL2大于fL1、
fL3 4倍以上，则fL2是起决 . Cb1 Cs Cb2
Vs Av =1 AvsM
定作用的转折频率，即fL +
R2 .
取决于fL2。 R1 R3 Vo
=Rsi+Rg 1 =Rd+RL
=
gm -
简化模型中的等效RC电路
R2 = 1/gm C2 = Cs
Rg
AvsM   gm ( Rd // RL )  R2 = 1/gm C2 = Cs
Rsi  Rg
等效RC高通电路
 | /dB
20lg| AV
C2
Vs AVSM
vs Vo
20lg|AVSM |
R2
3dB
20dB/十倍频
0
f/Hz

0.1fL fL = fL2 10fL
0
f/Hz
-90 -45/十倍频
-135
-180
共源极放大电路的低频响应波特图（忽略了 fL1 和 fL3 的影响）
6.3 共源极放大电路的频率响应
+VDD
等效RC高通电路等效RC低通电路 Rd
C2 Cb2
R1 Rg1 +
Vs AVSM
vs Vo iD
d
+
Cb1 RL vo
R2 C1 + g T -
Rsi s
+ +
Rg Rg2 Cs
vs Rs
AvsM   gm ( Rd // RL )  -
Rsi  Rg -VSS
R1  Rsi // Rg1 // Rg2
为简化分析，上述过程做了很多
C1  C gs  (1  gm RL )C gd 近似处理，因此与实际情况误差较大。
目前工程上更多地是采用计算机仿真
R2 = 1/gm
软件（如SPICE）进行放大电路的频
C2 = Cs 率响应分析，其结果包含几乎所有影
响因素。
6.3 共源极放大电路的频率响应
等效RC高通电路等效RC低通电路
C2 R1
Vs AVSM
vs Vo
 | /dB
20lg| A R2 C1
V
20lg|AVSM| -20dB/十倍频
3dB
20dB/十倍频
0
f/Hz

0.1fL fL = fL2 10fL 0.1fH fH 10fH
0
f/Hz
-90 -45/十倍频
-135
-180 -45/十倍频
-225
-270
共源极放大电路的低频响应波特图（忽略了 fL1 和 fL3 的影响）
6.5 三极管基本放大电路频率响应比较
思考：
 影响放大电路低频响应的主要因素是什么？怎样才能
实现直流信号放大？


 多级放大电路的频率响应概述
 理解多级放大电路频率响应的分析方法
 掌握多级放大电路的带宽与构成它的单级带宽的关系

小结：
● 直接耦合多级放大电路一定会有多个等效的 RC 低通电路，也就会有多个
上限截止频率。可以在波特图中将它们的作用叠加，得到多级放大电路的波特图。
● 在阻容耦合多级放大电路中，除了会有多个等效的 RC 低通电路外，还会
有多个等效的 RC 高通电路，也就会有多个下限截止频率。同样也可以在波特图
中将它们的作用叠加，得到多级放大电路的低频响应。
● 多级放大电路的通频带一定比构成它的任何一级都窄。级数越多，通带越
窄，附加相移也越大。当然，如果其中一级的带宽远远低于其他级的带宽，且落
在其他级的通带内，那么，多级放大电路的通频带就由这一级决定。

　
6.6 多级放大电路的频率响应
若多级放大器中的每一级都有一个起主要作用的RC电路，则
由多个RC时间常数构成运放的频率响应（以3级为例）。
R1 R2 R3
Vi AvVM1 AvVM2 AvVM3 Vo
C1 C2 C3
电压增益的频率响应为
 AvM1 AvM2 AvM3
AvH   
1  j( f / f H1 ) 1  j( f / f H2 ) 1  j( f / f H3 )
3个转折频率
1 1 1
f H1  f H2  f H3 
2πR1C1 2πR2C 2 2πR3C 3
幅频响应
| AvM1 | | AvM2 | | AvM3 |
A vH   
1  ( f / f H1 ) 2 1  ( f / f H2 ) 2 1  ( f / f H3 ) 2
相频响应（假设通带内无反相）
 H  arctan( f / f H1 )  arctan( f / f H2 )  arctan( f / f H3 )
幅频响应波特图  v | /dB
20lg| AV
-20dB/十倍频
v |
20lg|AVM1
20lg|AVM2
v |
(a)
20lg|AVM3
v |
每级的幅频响应
0
fH1 fH2 fH3 f /Hz
 v | /dB
20lg| A V
20lg|AVM1
v |+20lg|AVM2
v |+20lg|AVM3
v |
-20dB/十倍频
(b) -40dB/十倍频
-60dB/十倍频
总幅频响应
0
f /Hz

当两级增益和频带均相同时，则单级的上下限频率处的增益为 0.707 A VM1 。
 ) 2  0.5 A 2VM1 。即两级的带宽小于单级带宽。

两级的增益为 ( 0.707 AVM1
• 多级放大电
路的通频带比
构成它的任何
一级都窄。

频率响应仿真练习题
1. 电路如图 1 所示，BJT 的型号为 Q2N3906，且 BJT 的＝50。试运用 SPICE
作如下分析：
(1) 电路的静态工作点；
(2) 当正弦电压信号源 vs 的频率为 1kHz、振幅为 10mV 时，求输入、输出
电压波形；
(3) 求电压增益的幅频响应和相频响应，并给出电路的上限频率和下限频率
的值。
图1
2. 电路如图 2 所示，MOSFET 的型号为 IRF150，导电因子 KN=1mA/V2,开
启电压 VTN=1V。试运用 SPICE 作如下分析：
(1) 当正弦电压信号源 vs 的频率为 1kHz、振幅为 10mV 时，求输入、输出
电压波形；
(2) 求电压增益的幅频响应和相频响应，并给出电路的上限频率和下限频率
的值。
(3) 若电路中的旁路电容从 10uF 变化到 50uF，且增量为 10uF 时，给出电路
的幅频响应变化的曲线。
VDD
20V
Rd
Rg1 10kΩ C2
300kΩ
＋＋
4.7 F
C1 T
＋0.02 F
Rg3
2MΩ R1 vo
2kΩ
vi
Rg2
R2 ＋ C
100kΩ
10kΩ 47 F
－－
图 2

本章目的
本章围绕集成运算放大器的电路构成，重点介绍颇具特色的差分式放大电路，
同时讨论了典型集成运算放大器的工作原理及反映实际运放性能的指标参数。
 介绍集成运算放大器中普遍采用的直流偏置电路——直流电流源
 详细讨论在集成运算放大器中普遍用作输入级的差分式放大电路的工作
原理、特点及性能指标
 简要介绍几种典型的集成运算放大器内部电路的构成及工作原理
 解释体现集成运算放大器性能的主要指标参数并介绍其中几种参数在实
际应用中的影响

 MOSFET 和 BJT 构成的直流电流源
 理解 MOSFET 和 BJT 构成的直流电流源的工作原理、特点和主要用途

小结：
● 在集成电路中，一般采用三极管构成的直流电流源为放大管提供静态偏置。
● 直流电流源的特点是直流电流恒定，动态电阻（交流电阻或小信号电阻）
很大，并有较好的温度稳定性。
● 当固定 MOSFET 的栅源电压或 BJT 的基极电流时，根据三极管的控制关系，
就可以得到恒定的漏极电流或集电极电流，从而实现了恒流。当然必须保证三极
管工作在放大区。
● 电流源还可以作为放大电路的有源负载，提高电路的增益。

7 模拟集成电路
7.1 直流电流源
7.2 差分式放大电路
7.3 集成运算放大器（教材7.5）
7.4 集成运算放大器的主要参数（教材7.6.1）
7.5 集成运放应用中的实际问题（教材7.6.2部分）
7.1 直流电流源
7.1.1 FET电流源
7.1.2 BJT电流源
7.1.3 电流源作有源负载
7.1.1 FET电流源
1. MOSFET镜像电流源＋VDD
T1、T2的参数全同
IREF R 负载
只要满足 VGS > VTN
NMOS IO
必有 VDS1 > VGS-VTN d1 d2
＋＋
T1一定工作在饱和区 VDS1 T1 g T2 VDS2
又因为 VGS2 = VGS1 = VGS －＋－
VGS
T2漏极接负载构成回路后，只要－
满足VDS2 > VGS-VTN ，就一定工－VSS

作在饱和区，且有
VDD  VSS  VGS
I O  I D2  I REF 
R
7.1.1 FET电流源
VDD  VSS  VGS
I O  I D2  I REF 
R IREF R 负载
再根据 I REF  I D1  K n VGS  VTN 
2
NMOS IO
d1 d2
便可求出IO的电流值。＋＋
VDS1 T1 g T2 VDS2
IO的电流值与负载无关。－＋－
VGS
负载在一定范围内变化时－
（保证VDS2 > VGS-VTN），IO的电－VSS
流值将保持不变，反映出IO 的恒
流特性。
+VDD
7.1.1 FET电流源
1. MOSFET镜像电流源
IREF R Rd
NMOS ID2=IO
d1 d2
MOS管分别处于放大和恒流 + +
状态时的图解 VDS1 T1 g T2 VDS2
- + -
VGS
-
iD iD -VSS
VDD Rd2
VDD
Rd Rd
VDD
iDa Qa vGSa
Q Rd1
IDQ VGSQ Qa Q Qb VGSQ
IiDb
DQ
Da
iDb Qb vGSb
vDS vDS
vDSaVDSQvDSb VDD vDSaVDSQvDSb VDD
放大时恒流时
7.1.1 FET电流源
＋VDD
1. MOSFET镜像电流源
iO=iD2 IREF R 负载
1 击穿
斜率＝
ro vGS2 =VGS NMOS IO
d1 d2
＋＋
可用范围 IO ro VDS1 T1 g T2 VDS2
－＋－
VGS
vDS2 －
O VGS-VTN VBR
代表符号－VSS
输出特性
动态电阻(交流电阻) 当器件具有不同的宽长比时
vDS2 1 IO I (W / L) 2
ro  rds2    D2  （=0）
iD2 VGS2 VGS
I D2 I REF I D1 (W / L)1
电流源是双口网络还是单口网络？
7.1.1 FET电流源
若用T3代替R，且T1~T3特性相同 IREF
由于 I D1  I D3  I REF  K n (VGS  VTN )2 T3

ID2＝IO
1
所以 VGS3  VGS  (VDD  VSS )
2
T1 T2
只要满足 VDD  VSS  2VTN ＋
VGS
T1~T3便可工作在饱和区－
输出电流为－VSS
I O  I D2  K n (VGS  VTN ) 2
K n  W 
若T2仅在宽长比上与T1和T3不同，则 I O  I D2    (VGS  VTN )
2
2  L 2
7.1.1 FET电流源
是电流源吗？
VDD VDD
电流源内阻
Rd ID=IO
d 1
＋ ro  rds 
d ID=IO
g
T
VDS I D
T ＋－
g VDS s
－
Rs
s
需保证 VDS  VGS  VPN  VPN
注意：N沟道耗尽型管的夹断电压VPN< 0
7.1 直流电流源
7.1.1 FET电流源
7.1.2 BJT电流源
7.1.2 BJT电流源
1. 镜像电流源＋VCC
T1、T2的参数全同 IREF R
2IB
IO= IREF
VBE2 = VBE1 I E2 = I E1 IC1 c1 c2
b1 b2
T1 T2 vCE
I O = I C2 = I C1  I REF
VCC  VBE  ( VEE ) VCC  VEE

 
R R －VEE
IO在一定范围内与负载无关。
7.1.2 BJT电流源
1. 镜像电流源＋VCC
动态电阻
IREF R
2IB
iC 2  1 IO= IREF
ro  ( ) I B 2  rce IC1 c1 c2
vCE 2 b1 b2
T1 T2 vCE
一般ro在几百千欧以上
－VEE
7.1.2 BJT电流源
＋VCC
2. 微电流源
VBE1  VBE2
I O  I C2  I E2  IREF R
Re2
IC1 IC2＝IO
ΔVBE IB1 IB2
 T1 T2
Re2 ＋＋
VBE2
－
VBE1
由于 ΔVBE 很小，所以IC2也很小 Re2
－
Re2
ro≈rce2（1＋）
rbe2  Re2 －VEE
（参考射极偏置共射放大电路的输出电阻 Ro）
7.1.2 BJT电流源
3. 多路电流源 +VCC（+15V）
R2
T1、R1 和T4支路产生基准电流IREF
T5
T4 T6
T1和T2、T4和T5构成镜像电流源 I5 I6
T1和T3，T4和T6构成了微电流源 R1 39kΩ
IREF
VCC  VEE  VBE1  VEB4 I2 I3

I REF 
R1 T1
T2
T3
R3 5kΩ
-VEE（-15V）
7.1 直流电流源
7.1.1 FET电流源
7.1.2 BJT电流源
VDD
小信号等效电路电流源 iD
d2
d1 s2, g2 ＋
g1
＋＋＋ T2 vDS2
g2 －
s2
vi vgs rds1 rds2 vo vo
d1
gm1vgs1 ＋
－－－ T1 vDS1
s1 d2 ＋ g1 －
vi s1
电压增益为－
vo VG
Av    gm1 ( rds1 || rds2 )
vi 放大管
比用电阻Rd作漏极负载时提高了。
镜像电流源
－ VDD
电压增益为 s3 VGS s2
g3 ＋ g2
vo B3 T3 T2 B2
Av    gm1 ( rds1 || rds2 ) d2
vi i2
d3
vo
i1
d1
T1
B1
IREF ＋ g1
vi
－ s1
VG
放大管


 零点漂移及差分式放大电路的一般概念和指标
 MOSFET 源极耦合差分式放大电路的工作原理、特点、性能指标及传输特
性
 理解零点漂移问题在直接耦合放大电路中的严重性
 掌握差模信号、共模信号、差模增益、共模增益及共模抑制比的基本概念
及表达方式
 掌握 MOSFET 源极耦合差分式放大电路的工作原理、静态和动态指标计算
 理解差分式放大电路放大差模信号和抑制零点漂移的原理，以及提高共模
抑制比的方法
 了解差分式放大电路的大信号工作情况

小结：
● 零点漂移是指，当放大电路的输入端短路时，输出端仍有缓慢变化的电压
产生，也就是输出电压偏离原来的起始点而上下波动。由温度变化引起半导体器
件参数的变化，是放大电路产生零点漂移的主要原因。电源电压波动也是影响因
素之一。
● 差分式放大电路输入端口结构与一般放大电路有所不同，它的输入端口的
两个端子都可以不接地，也就是说端口的两个端子对地都可以有不为零的电压，
或两个端子有不相等的电流。
● 从放大电路的角度看，差模信号相当于两个输入端信号中不同的部分，共
模信号相当于两个输入端信号中相同的部分。两输入端中的差模信号（+vid/2 和
-vid/2）的大小相等，相位相反；两输入端中的共模信号（vic）的大小相等，相
位相同。从信号的角度看，信号在送入放大电路时，除了含有有效的差模部分外，
常常伴随着共模干扰。
● 需要放大的信号应该以差模形式送给差分式放大电路。具有高共模抑制比
的差分式放大电路，在放大信号的同时，不仅能抑制零点漂移，而且也能够抑制
伴随信号输入的共模干扰。在使用差分式放大电路放大信号时，必须正确区分差
模信号和共模信号。
● 差分式放大电路是模拟集成电路的重要组成单元，特别是作为集成运放的
输入级，它对差模信号的放大能力与共源放大电路基本一致，而对共模信号却有
很强的抑制能力。由于该电路有两个输入端和两个输出端，所以它的信号放大有
四种工作模式，即双入双出、双入单出、单入双出和单入单出。该电路属直接耦
合放大电路，所以它既能放大直流信号，又能放大交流信号。
● 影响共模抑制比 KCMR 的两个重要因素是，左右两边电路的对称性和源极
公共支路上直流偏置电流源的动态电阻。

　
7.1 直流电流源
7.2.1 差分式放大的一般概念
7.2.2 FET差分式放大电路
7.2.3 MOSFET差分式放大电路的传输特性
（教材7.3.1）
7.2.4 BJT差分式放大电路（教材7.2.3）
1. 差模信号和共模信号
+VCC
电桥处于平衡状态时， + +
R Rt vA-vB vA
A点和B点的电压相等，即 A B -
θ
-
+
vA- vB = 0。 R R vB
-
电桥平衡被打破时，A
点和B点产生电压差，即电桥中的差模信号
vA- vB  0。
差值电压vA- vB是我们关注的，它也称为差模信号。
差分式放大电路便是用来放大该类信号的放大电路。
+ + + +
差模信号是指两输差分式 vo1
vi1 vid vo
放大电路 -
入端信号的差值部分 - - -
+ +
vi2 vo2
vid = vi1－vi2 -
-
共模信号是两输入
端信号相同的公共部分
vi1  vi2
vic 
2
+ + + +
输入可表示为差分式 vo1
vi1 vid vo
放大电路
v id - - - -
v i1 = v ic  +
2 +
vo2
vi2
v id -
v i2 = v ic  -
2 vi1
+ +
共模信号相当于两个输 +vid/2
入端信号中相同的部分 -
vid
差分式
+ - 放大电路
差模信号相当于两个输 vic -vid/2
入端信号中不同的部分 - + -
vi2
两输入端中的共模信号大小相等，相位相同；差模信
号大小相等，相位相反。
仅有差模信号时
vi1
＋＋
+vid/2
－
vid 差放 vo
－ vi1
-vid/2 + +
＋－ +vid/2
vi2
- 差分式
vid
仅有共模信号时 + - 放大电路
vic -vid/2
vi1
- + -
＋ vi2
用vid、vic表示vi1和vi2
vid 差放 vo
＋
vic
－－
vi2
2. 差分式放大电路的输出
+ + + +
由vo1 或vo2输出差分式 vo1
vi1 vid vo
放大电路 -
为单端输出 - - -
+ +
vo2
由vo输出为双端输出 vi2
-
-
vo = vo1－vo2
两种增益其中 vod ——差模信号产生的输出
vod voc ——共模信号产生的输出

Avd = 差模电压增益
vid
总输出电压
voc
Avc = 共模电压增益 v o = v od  v oc
vic
 Avd v id  Avc v ic
3. 共模抑制比
+ + + +
Avd 差分式 vo1
vi1 vid vo
K CMR = 放大电路 -
Avc - - -
+ +
vi2 vo2
分贝（dB）数表示 -
-
Avd
K CMR  20 lg dB
Avc
总输出电压可表示为
 vic 
vo  Avd vid  1   （设Avd和Avc有相同极性）
 K CMR vid 
差模电压增益越大，共模电压增益越小，KCMR值就越大。
区分差模放大与共模放大的意义何在？
 很多信号就是差值信号
如，电桥平衡检测－ R1 R2
A1
R2 ＋ vo1
vo   (v A  v B ) ＋Vi － vo
R1 A3
R R(1＋ ) ＋
vB
输出vo为0时表明 vA
A B ＋ vo2 R1
A2
R R
电桥处于平衡状－
R2
态，对共模信号
无放大能力  为什么要加电压跟随器？
此电路可用来测温、测重、测物体形变等。
 可方便去掉背景噪声和干扰，提取需要的信号
如，人体心电信号检测
4. 直接耦合放大电路中的零点漂移
零点漂移（简称零漂）是指，当放大电路的输入端短
路时，输出端仍有缓慢变化的电压产生，即输出电压偏离
原来的起始点而上下波动。
产生零漂的主要原因：（1）温度变化引起，也称温漂
（2）电源电压波动
温漂指标：温度每升高1ºC，输出漂移电压按电压增益折
算到输入端的等效输入漂移电压值。
只有在直接耦合放大电路中才需要解决零点漂移问题。
 环境温度和电源电压波动对放大电路来说是差模信号还
是共模信号？共模信号
 为什么直接耦合放大需要考虑零点漂移问题？
漂移
漂移 1 V+ 10 mV
假设 | Av 1 |=100,
10 mV+100  V
| Av 2 |=100, Av 3 =1 。
若第一、二级输入均
漂了100 V，
则输出漂移 1.01 V。
F 第一级是关键
如果有电容隔直，前级漂移
的漂移就不会传到后级漂了 100  V 1 V+ 10 mV
被逐级放大，因此阻容耦合放大电路不存在零点漂移问题。
5. 差分式放大电路的作用
集成运放放大器是由三极管放大电路构成的，并且都
是直接耦合放大电路，所以必须解决零点漂移问题。
温度变化和电源电压波动都可以等效为共模输入
差分式放大电路能有效放大差模信号，抑制共模信号，
也就抑制了零点漂移。
（教材7.3.1）
1. MOSFET基本差分式放大电路
电路组成 +VDD
+VDD Rd1 Rd2

Rd + vo -
iD1 + + iD2
vO vO1 vO2
vi1 T1 - - T2 vi2
T
vi + + + +
vGS1 vS vGS2
+vid/2 -vid/2
- -
- -
IO ro + IO ro +
vic vic
- -
-VSS -VSS
共源放大电路差分式放大电路
+VDD
电路组成
T1、T2对称 Rd1 Rd2
+ vo -
源极共用电流源支 iD1 + + iD2
vO1 vO2
路，也称为源极耦合差 vi1 T1 - - T2 vi2
+ + vS + +
分式放大电路。 +vid/2
vGS1 vGS2
-vid/2
- -
- -
有两个输入端vi1和 + IO ro +
vic vic
vi2 、两个输出端 vo1 和 - -
-VSS
vo2。
有双入双出、双入单出。单入双出和单入单出四种
工作方式。
+VDD
静态分析
Rd1 Rd2
直流通路 + vo -
iD1 + + iD2
+VDD vO1 vO2
vi1 T1 - - T2 vi2
Rd1 Rd2 + +
+ vS +
vGS1 vGS2
VD1 VD2 +vid/2 -vid/2
ID2 - -
ID1 - -
+ IO +
T1 T2 vic ro vic
+ + - -
VGS1 VS VGS2
-VSS
- -
IO
-VSS
1. MOSFET基本差分式放大电路 +VDD
静态分析 Rd1 Rd2

1
I D1Q = I D2Q  I DQ  IO
VD1 VD2
ID1 ID2
2
T1 T2
再由 I DQ  K n (VGSQ  VTN ) 2
+
VS
+
VGS1 VGS2
- -
可求得 VGSQ IO
VDS1Q  VDS2Q  VD1Q  VSQ -VSS
 I DQ Rd  ( VGSQ ) (VGS1Q = VGS2Q = VGSQ )

 VDD
( Rd1=Rd2 =Rd )
最后需要校验是否工作在饱和区
静态时有 vO＝VD1Q - VD2Q＝0
+VDD
动态小信号分析
仅输入差模信号时 Rd1 Rd2
+ vo -
iD1 + + iD2
vO1 vO2
vi1 T1 - - T2 vi2
+VDD + +
+ vS +
vGS1 vGS2
+vid/2 -vid/2
- -
Rd1 Rd2 - -
+ vo - IO ro
iD1 + + iD2
vO1 vO2
-VSS
vi1 T1 - - T2 vi2
+ + vS + +
vGS1 vGS2
+vid/2 -vid/2
- -
- -
+ IO ro +
vic vic
- -
-VSS
+VDD
+ vo -
iD1 + + iD2
交流通路 vO1 vO2
vi1 T1 - - T2 vi2
+ + vS + +
vGS1 vGS2
Rd1 Rd2 +vid/2 -vid/2
- -
- -
+ vo -
IO ro
id1 + + id2
vo1 vo2
vi1 T1 - - T2 vi2 -VSS
+ + + +
vgs1 vgs2
+vid/2 -vid/2
- -
- -
ro
动态小信号分析 vo1 vo2
+ vo -
vi1 和 vi2 大小 id1 vo1 vo2 id2
相等，相位相反。 vi1 vi1 vi2 vi2

T1 T2
+ + vs=0 + +
is1 的增加量等于 is2 +vid/2
vgs1 vgs2
-vid/2
- is1 is2 -
- -
的减小量， ro 中无 ro
is
交流电流流过，vs
= 0 ，意味着源极交流通路及差模信号作用情况
相当于对地短路。 vo1= -vo2
表明在差模信号作用下，源极公共支路相当于短路。
动态小信号分析 vo1 vo2
+ vo -
id1 vo1 vo2 id2
vi1 vi1 vi2 vi2
T1 T2
+ + vs=0 + +
vgs1 vgs2
+vid/2 -vid/2
等效的交流通路 - is1 is2 -
- -
is ro
Rd Rd
+ vo -
id1 vo1 vo2 id2
vi1 T1 T2 vi2
+ + + +
vgs1 vgs2
+vid/2 - - -vid/2
- -
g1 d1
动态小信号分析 +
+
v
仅输入差模信号时 + g m ( id )
v 2
vi1   id vgs1 Rd vo1
① 单端输出时的差 2
-
模电压增益 - s1 -
半边小信号等效电路
等效的交流通路
单端输出差模电压增益（T1漏极输出）
Rd Rd
vo1  gm(vid /2)Rd 1
+ vo - Avd1     gm Rd
id1 vo1 vo2 id2
vid vid 2
vi1 vi2 1
T1 T2
若  0， Avd1   gm ( rds //Rd )
+ + + + 2
vgs1 vgs2
+vid/2 - - -vid/2
- - vo2输出时只是相位相反
g1 d1
+ +
仅输入差模信号时 vid
+ gm ( )
vid 2
vi1   vgs1 Rd RL vo1
① 单端输出时的差 2
-
模电压增益 - s1 -
带RL时
半边小信号等效电路
单端输出差模电压增益（T1漏极输出）
Rd Rd vo1 1
+ vo - Avd1    gm ( Rd //RL )
vo1 vo2 id2
vid 2
id1
vi1 T1
RL
T2 vi2 若  0，
+ + 1
+
vgs1 vgs2
+ Avd1   gm ( rds //Rd //RL )
+vid/2 - - -vid/2 2
- -
动态小信号分析当vi1 = -vi2时，有vo1 = -vo2
仅输入差模信号时
vo vo1  vo2 2vo1 vo1
② 双端输出时的差 Avd    
vid vi1  vi2 2vi1 vi1
模电压增益
 gm ( vid / 2) Rd
   gm Rd
vid / 2
若  0， Avd   gm ( rds //Rd )

Rd Rd
+ vo -
id1 vo1 vo2 id2
与共源放大电路的电压增益相同
vi1 T1 T2 vi2 以双倍的元器件换

+ + + + 取抑制零漂的能力
vgs1 vgs2
+vid/2 - - -vid/2
- -
动态小信号分析 RL
Avd   gm ( Rd // )
仅输入差模信号时 2
② 双端输出时的差 RL
若  0， Avd   gm ( rds //Rd // )
模电压增益 2
带RL时
Rd Rd
+ vo -
id1 vo1 R R vo2 id2
L L
2 2
vi1 T1 T2 vi2
+ + + +
vgs1 vgs2
+vid/2 -vid/2
- -
- -
+VDD
Rd1 Rd2
单端输入（不对称输入）时 + vo -
iD1 + + iD2
vO1 vO2
等效的输入形式
vi1 T1 - - T2 vi2
+VDD
+ vS +
+ vGS1 vGS2
vid - -
Rd1 Rd2
-
+ vo - IO ro
iD1 + + iD2
vO1 vO2
vi1 T1 - - T2 vi2 -VSS
+ + vS + +
vGS1 vGS2
+vid/2 -vid/2
- -
- -
+ IO ro +
vic= +vid/2 vic= +vid/2
- -
-VSS
+VDD
Rd1 Rd2
单端输入（不对称输入）时 + vo -
iD1 + + iD2
vO1 vO2
当仅考虑差模 vi1 T1 - - T2 vi2
+ + vS + +
信号输入时，将两 +vid/2
vGS1 vGS2
-vid/2
- -
- -
个共模信号源置零， + IO ro +
vic= +vid/2 vic= +vid/2
即vic = 0，其结果与 - -
-VSS
上述差模信号双端
输入时完全相同。单端输入时，必定伴随着共模信号的输入。
结论：单端输入时的差模情况等效于双端输入，差模
增益指标的计算与双端输入时相同。
+VDD
仅输入共模信号时 Rd1 Rd2
+ vo -
iD1 + + iD2
vO1 vO2
vi1 T1 - - T2 vi2
+VDD + +
+ vGS1 vS vGS2 +
vic - - vic
Rd1 Rd2 - -
+ vo - IO ro
iD1 + + iD2
vO1 vO2
-VSS
vi1 T1 - - T2 vi2
+ + vS + +
vGS1 vGS2
+vid/2 -vid/2
- -
- -
+ IO ro +
vic vic
- -
-VSS
仅输入共模信号时 voc1 Rd1 Rd2 voc2
+ voc -
vi1 和 vi2 大小 id1 voc1 voc2 id2
vi1 vi1 vi2 vi2
相等，相位相同。 T1 T2
+ + vs0 + +
is1 和 is2 同时等量增 vgs1 vgs2
vic vic
- is1 is2 -
- -
加或等量减小， ro is ro
中流过双倍的单
边交流电流， vs  交流通路及共模信号作用情况
0。
将ro折算到T1和T2各自源极支路上，其阻值相当于原
来的两倍。
仅输入共模信号时 voc1 Rd1 Rd2 voc2
+ voc -
id1 voc1 voc2 id2
源极公共支路等 vi1 vi1 T1 T2 vi2 vi2
效后的交流通路 + +
+ vs0 +
vgs1 vgs2
vic vic
- is1 is2 -
- -
is ro
Rd Rd
+ voc -
id1 voc1 voc2 id2
vi1 T1 T2 vi2
+ + + +
vgs1 vs vs v gs2
vic - - vic
- is1 2ro 2ro is2 -
仅输入共模信号时 Rd Rd
+ voc -
③双端输出时的共模电压增益 id1 voc1 voc2 id2
共模信号的输入使两 vi1 T1 T2 vi2

+ + + +
管漏极电压有相同的变化 vic
vgs1 vs vs v gs2
vic
- -
- is1 2ro 2ro is2 -
理想情况下有
voc  voc1  voc2  0
voc
共模增益 Avc  0
v ic
仅输入共模信号时 Rd Rd
+ voc -
④单端输出时的共模电压增益 id1 voc1 voc2 id2
vi1 T1 T2 vi2
电路左右两边完全对称，
+ + + +
vgs1 vs vs v
可看作两个独立的共源放大电 vic - -
gs2
vic
- is1 2ro 2ro is2 -
路，两边单端输出完全相同。
voc1 voc2  gm Rd Rd
Avc1     远小于差模增益
v ic v ic 1  gm ( 2ro ) 2ro
ro   Avc1  ro 是电流源的输出电阻（内阻）
无论由哪个漏极输出，共模输出电压总是与共模输入电压反相。
共模时有单端输入和双端输入之分吗？
+VDD
Rd1 Rd2
温度变化和电源电压 + vo -
iD1 + + iD2
波动，都将使两个漏极 vO1 vO2
vi1 T1 - - T2 vi2
电流产生变化，且变化 + +
+ vS +
vGS1 vGS2
大小和趋势相同。 +vid/2 -vid/2
- -
- -
+ IO ro +
其效果相当于在两个 vic vic
- -
输入端加入了共模信号 -VSS
当电路的共模增益为0或很小时，便可抑制由此产生的
影响。
+VDD
⑤共模抑制比 Rd1 Rd2
+ vo -
双端输出，理想情况 iD1 + + iD2
vO1 vO2
Avd vi1 T1 - - T2 vi2
K CMR   + +
Avc + vS +
vGS1 vGS2
+vid/2 -vid/2
- -
单端输出 - -
+ IO ro +

Avd1 1  2 g r vic vic
K CMR  m o
 gm ro - -
Avc1 2 -VSS
 为有效提高差分式放大电路的共模抑制比，应如何设计电
路参数？
• 增大静态偏置电流源的内阻
• 提高电路的对称性
+VDD
⑥输入电阻 Rd1 Rd2
+ vo -
差模输入电阻 iD1 + + iD2
vO1 vO2
vi1 vi1 T1 - - T2 vi2
＋
vid + + vS + +
差放 vGS1 vGS2
+vid/2 -vid/2
－ - -
- -
vi2
Rid + IO ro +
vic vic
- -
共模输入电阻 -VSS
vi1
由于MOS管的栅极是绝缘的，
差放
＋所以无论是差模信号的放大还是共
vic vi2 模信号的放大，它们的输入电阻都
－
约等于无穷大。BJT则不同。
Ric
+VDD
Rd1 Rd2
⑦输出电阻 + vo -
iD1 + + iD2
双端输出 Ro = Rd1 + Rd2 = 2Rd vO1 vO2
vi1 T1 - - T2 vi2
单端输出 Ro = Rd + +
+ vS +
vGS1 vGS2
+vid/2 -vid/2
- -
- -
+ IO ro +
vic vic
- -
-VSS
输出电阻无差模和共模之分
 为什么对差模信号放大和对共模信号放大不同？
差模共模
Rd1 Rd2
Rd Rd + voc -
+ vo - voc1 voc2
id1 id2
id1 vo1 vo2 id2
vi1 T1 T2 vi2
vi1 T1 T2 vi2
+ + vs0 + +
+ + vgs1 vgs2
+ vs=0 + vic vic
vgs1 vgs2 - -
+vid/2 - - -vid/2 - -
- - ro
voc
双端输出 Avd   gm Rd Avc  0
v ic
1  gm Rd Rd
单端输出 Avd1   gm Rd Avc1  Avc2  
2 1  gm ( 2ro ) 2ro
 对两类信号放大产生差异的关键点在哪儿？
差分式放大电路的分析方法
• 静态、动态等与之前放大电路分析方法相同
• 动态分析时，利用叠加原理，将差模和共模分开
分析是关键
思考题
差分式放大电路如图所示。 +VDD
分析下列输入和输出的相位
关系： Rd1 Rd2
+ vo -
vO1与vi1 反相 iD1 + + iD2
vO1 vO2
vO2与vi1 同相 vi1 T1 - - T2 vi2
vO1与vi2 同相 +
vGS1 vS +
vGS2
vO2与vi2 反相 - -
vO与vi1 反相 IO ro
vO与vi2 同相 -VSS
（教材7.3.1）
+VDD
根据
iD1  K n (vGS1 - VTN1 )2 Rd1 Rd2
+ vo -
iD2  K n (vGS2 - VTN2 )2 iD1 + +
vO1 vO2
iD2
vi1 T1 - - T2 vi2
vid= vGS1- vGS2 + +
vGS1 vS vGS2
- -
可得传输特性曲线 IO ro
iD1，iD2＝f（vid）
-VSS
iD2 iD1
IO IO
非线非线
限幅区线性区限幅区
性区性区
1.0
iD2 iD1
0.9
IO IO
0.8
0.7
虚线表示当 I O /(2 K n ) 增加
iD
= 0.5 Q 时传输特性曲线线性工作
IO
区扩大
0.3
0.2
0.1
0 vid
- IO / Kn -2 0.1 I O /( 2 K n ) +2 0.1 I O /( 2 K n ) + IO / Kn
纵轴归一化传输特性


 BJT 差分式放大电路
 带有源负载的差分式放大电路
 了解 BJT 射极耦合差分式放大电路的工作原理、静态和动态指标计算
 了解带有源负载的差分式放大电路的优势

小结：
● BJT 射极耦合差分式放大电路与 MOSFET 源极耦合差分式放大电路有许多
共同之处，但它们也有各自的特点。在相同偏置电流条件下，BJT 的跨导和差模
电压增益比 MOSFET 的大，但输入电阻小，而 MOSFET 的输入电阻很大。
● 带有源负载的差分式放大电路有更高的差模电压增益和极高的共模抑制
比，并且这种电路的单端输出增益近似等于双端输出的增益（包括共模和差模）。

　
（教材7.3.1）
7.2.4 BJT差分式放大电路
1. 基本差分式放大电路
+VCC
电路组成
＋VCC
Rc1 Rc2
Rc + vo -
iC1 iC2
c1 + + c2
vO vi1 vi2
vO1 vO2
vI T
T1 - - T2
+ vE +
+vid/2 -vid/2
- -
IO + +
ro vic IO ro vic
- -
-VEE -VEE
共射放大电路差分式放大电路
电路分析与FET类似
*带有源负载的FET差分式放大电路（教材7.4.1）
1. 基本电路＋VDD
ID5=IREF ＋＋
－VGS3 －VGS4 ＋5V
＋－－
VDS5 T5 T3 T4
－＋ iD3 d3 iD4 d4
VGS5 ＋
ID6 －
vO2
d1 iD1 iD2 d2
＋－
VDS6 g1 T1 T2 g2
T6
－＋＋v ＋＋
＋ GS1 v
ID7 VGS6 vi1=vid/2 －－ GS2 v =－v /2
i2 id
－
－ Io －
＋
VDS7 T7 T8
－
＋＋
VGS7 VGS8
－－－VSS
－5V
*带有源负载的FET差分式放大电路（教材7.4.1）
2. 工作原理 ID5=IREF ＋
－VGS3
＋
－VGS4
＋VDD
＋5V
根据电路结构有＋－－
VDS5 T5 T3 T4
IREF＝ID5＝ID6＝ID7 －＋ iD3 d3 iD4 d4
VGS5 ＋
ID6 －
只要满足 d1 iD1 iD2 d2
vO2
＋－
VDD +VSS >VTN5+VTN6+VTN7 VDS6
T6
g1 T1 T2 g2
－＋＋v ＋
＋ GS1 vGS2 ＋
VGS6 －－
T5~T7就工作在饱和区 ID7
－
vi1=vid/2 vi2=－vid/2
－ Io －
＋
则根据ID＝Kn(VGS－VT)2 VDS7 T7 T8
－
＋＋
可列方程 VGS7 VGS8
－－－VSS
VDD  VSS  VGS5  VGS6  VGS7 －5V

VGS5  I REF K n5  VTN5
 若已知各管参数，便可求出IREF
VGS6  I REF K n6  VTN6

VGS7  I REF K n7  VTN7
*带有源负载的FET差分式放大电路
2. 工作原理 ID5=IREF ＋
－VGS3
＋
－VGS4
＋VDD
＋5V
＋－－
如果T7与T8特性相同， VDS5 T5 T3 T4
－＋ iD3 d3 iD4 d4
则IO=IREF ID6
VGS5 ＋
－
vO2
d1
由于电路对称，即T1与＋
iD1 iD2 d2
－
VDS6 g1 T1 T2 g2
T2特性相同，T3与T4特－
T6
＋＋v ＋
＋ GS1 vGS2 ＋
ID7 VGS6 vi1=vid/2 －－ vi2=－vid/2
性相同－
－ Io －
＋
所以 ID1=ID2=ID3=ID4=IO/2 VDS7 T7 T8
－
＋＋
可求出VGS1 ~VGS4 －
VGS7 VGS8
－－VSS
－5V
由于T3的栅极与漏极并接在一起，所以通常由T2和T4的漏极输出。
3. 动态指标
当 = 0，T1~T4特性相同，且带RL负载时，各支路电流如图
当  0时，可得右侧
T2、 T4支路的小信 T3 T4
号等效电路 id3 = id1 d3 d4 id4= id1= gmvid /2
vo2
s4 io= gmvid
id1= gmvid /2 id2= - gmvid /2
d1 d2
gmvid / 2
RL
rds4
g1 T1 T2 g2
io ＋＋v ＋＋
d4 id4 gs1
s1 s2 vgs2
id2 ＋
vi1=+vid/2 －－ vi2=-vid/2
d2
－－
-gmvid / 2 rds2 RL vo2
s2 －
输入差模电压时的交流通路
3. 动态指标 s4
节点d2（d4）的KCL为
gmvid / 2 rds4
vid vo2 vid vo2 vo2
gm ( )   gm (  )  0
2 rds4 2 rds2 RL d4 id4 io
得差模电压增益 d2 id2 ＋
vo2
Avd2   gm ( rds2 || rds4 || RL ) -gmvid / 2 rds2 RL vo2
vid
1 1 s2 －
其中 rds2  rds4 
2 I D2 4 I D4
vo2
若满足 (rds2 || rds4) >> RL，则电压增益为 Avd2   gm RL
vid
带有源负载的差分放大电路单端输出的差模电压增益不再是双端
输出增益的一半，而是与双端输出电压增益相同，即单端输出等效于
双端输出。
3. 动态指标 s4
若 RL＝  gmvid / 2 rds4

vo2
则 Avd2   gm (rds2 ||rds4 ) d4 io
vid id4
d2 id2 ＋
以上分析结果的前提条件是假设T1 ~T4
-gmvid / 2 rds2 RL vo2
的互导相同，即
Kn1＝Kn2＝Kp3＝Kp4＝K s2 －
gm1＝gm2＝gm3＝gm4＝gm
参数不同时，结果将有所变化
电路的共模电压增益仍然很小，共模抑制很高


 几种典型的集成运算放大器内部电路构成及工作原理简介
 了解集成运算放大器的电路构成及特点

小结：
● 集成运算放大器是用集成工艺制成的、具有高增益的直接耦合多级放大电
路。它一般由输入级、中间级、输出级和偏置电路四部分组成。为了抑制温漂和
提高共模抑制比，常采用差分式放大电路作输入级；中间级为高电压增益级，多
采用电流源作有源负载的复合管共源（共射）电路或其他高电压增益的组合放大
电路；互补对称电压跟随电路常用作输出级，以提高驱动能力；电流源电路构成
偏置电路和有源负载电路。此外通常还有辅助的保护电路。
● 集成运算放大器按制造工艺分有 BJT 型、MOS 型，以及 BiJFET 和 BiCMOS
等兼容型。MOS 工艺集成运放具有输入电阻大、偏置电流小，集成度高、功耗
低、温度特性好的优点，而兼容型具有 BJT 和 FET 两种器件的优点。

　
7.1 直流电流源
7.3 集成运算放大器
7.3.1 两级CMOS运算放大器
7.3.2 BJT型集成运算放大器741
7.3.3 BiJFET型集成运算放大器LF356
集成运放的基本构成
1. 电路结构和工作原理
+VDD
PMOS 偏置电 (+5V)
流源 PMOS
T5 T6
O4 N4 P4 -VSS P3 N3 O3 IREF(A3,A4)
16 15 14 13 12 11 10 9
vi2 ID6 T8
－＋＋－
A4
+
A3 s1 s2
vid CC ID8
g1 PMOS
- +
vi1 T1 T2 g2 vO
IREF
A1 A2 -
d1 d2 io T7
－＋＋－ vo2
IREF RREF g7
1 2 3 4 5 6 7 8 T4
T3 NMOS
O1 N1 P1 VDD P2 N2 O2 IREF (A1,A2)
NMOS
引脚排列顶视图 -VSS
源极耦合差分放大输入级共源放大 (-5V)
输出级
2. 小信号差模电压增益
vid vid
vgs1   vgs2  
2 2 rds8
＋
s1 s2
设 gm1 = gm2 = gm vid CX
g1 PMOS ＋
－
则输入级电压增益 T1 T2 g2 vO
v id1 id2 io T7 －
Av1  o2   gm ( rds2 // rds4 ) vo2
g7
vid id4
T4
T3 NMOS
第二级电压增益 NMOS
Av2= vo/ v gs7
= - gm7(rds7 //rds8)
将参数代入计算得
总电压增益 Av = Av1·Av2 Av = 40804（ 92.2 dB ）
输入级偏置电路中间级输出级
＋VCC
IE8 IE9 7 ＋15V
T12 T13 IC13A
T8 T9 A
T14
B
IC12 IC13B T19 T15
1 9 8 NC（无连接） R9
调零
2 R5 2 45Ω
3 T1 T2 －输入- IC177 V+
＋ T18 6
39kΩ ＋
iC4 输入+ 3 Cc 6 Vo R10
40kΩ
R8
T3 T4 30pF 30Ω
V- 4 5 调零 T21
IREF
iC3
T7 I3、4 8 T16 B A T20
io1 IC10 IC11
T5 T6 T17 T24
1 R2 5
T10 T11 T22 T23
50kΩ
50kΩ
R1 R3 R3 R7
R6
1kΩ 1kΩ 5kΩ 50Ω
－VEE
4 －15V
Rp
外接调
8 Lec06 零电阻
简化电路
＋VCC
7 ＋15V
IC8 IC13B
rec13 IC13A
3 2
＋ T1 T2 ＋ T14
vi/2 －vi/2
iE1 iE2 －
－
T19
T3 T4 6
VCC vO
iC3 ＋
vo1 iC4 iO1 vo2 T18
T7 T16
iC5 iC6
T5 T6 T17 A T20
T24
I3、4
R1 R2 R3 R6 R7
1kΩ 50kΩ 1kΩ 50kΩ 50Ω 4
－VEE
－15V
简化电路外接调
零电阻共集电极互补对称
共集电极
RP 25k
放大电路放大电路
输出级
1 5
7
I1，2 I6 +VCC
T3 T4
T7 b9
iB7 i T9
+ － C11
T11
3 2
T1 T2 D1
CC R io 6
T 5 T6 g8 vO
T8 25 io
iC10 D
2
I1 I2 I5，6 I7
I8 T10
-VEE 过流保
4 护电路
JFET差分式 BJT差分式复合管
放大电路放大电路
很高的输入电阻，很低的输入偏置电流，高速、宽带和低噪声
集成运放的一般结构及特点：
• 差分式输入级有很高的共模抑制比和很大的输入电阻
• 中间级提供很高的增益
• 输出级有很小的输出电阻和很强的带载能力
• 采用直接耦合方式
• 电流源提供静态偏置
• 有过载保护电路


 集成运放的主要参数以及其中几种参数在实际应用中的影响
 了解集成运算放大器的主要参数
 掌握集成运放输入直流误差特性（失调电压、失调电流、偏置电流）的影
响以及减小误差的方法
 掌握单位增益带宽在运放实际应用中的影响
 掌握转换速率在运放实际应用中的影响

小结：
● 目前集成运算放大器品种繁多，它们的差异都体现在性能指标参数上。实
际集成运放的参数是非理想的，Avo、ri、KCMR、BW 都是有限值，ro、VIO、IIO、IIB、
ΔVIO/ΔT 和ΔIIO/ΔT 等并不为零，这些都会使运放应用电路的输出产生误差。
● 单位增益带宽是反映运放增益和带宽的综合性能指标。通用型运放的增益
和带宽的乘积一般为常数，就等于单位增益带宽。
● 在高频和大信号时，要考虑运放的 BW、SR 和 BWP 等参数的影响。只有了
解了运放参数，才能正确合理地选择运放，设计出满足要求的应用电路。

　
7.1 直流电流源
7.4 集成运算放大器的主要参数
7.4.1 输入直流误差特性（输入失调特性）
7.4.2 差模特性
7.4.3 共模特性
7.4.4 大信号动态特性
7.4.5 电源特性
1. 输入失调电压VIO
输入电压为零时，为了使输出电压为零，在输入端加的
补偿电压。一般约为1 V ～1mV。BJT工艺的运放该值通常
小于MOS工艺的运放。
2. 输入偏置电流IIB IBN
＋VCC
集成运放两个输入端静态电 IBN
VO
流的平均值 IBP
IIB＝（IBN＋IBP）/2 IBP
－VEE
BJT为10nA～1A；MOSFET运放IIB在fA至pA数量级。
3. 输入失调电流IIO
输入电压为零时流入放大器两输入端的静态基极电流
之差，即IIO＝|IBP－IBN| 。 I
＋V
BN
CC
IBN
一般与IIB接近。 VO
IBP
IBP
－VEE
4. 温度漂移
（1）输入失调电压温漂VIO / T
（2）输入失调电流温漂IIO / T
7.4.2 差模特性
7.4.3 共模特性
7.4.5 电源特性
7.4.2 差模特性
1. 开环差模电压增益Avo和带宽BW
20lgAvo/dB
106 dB
开环差模电压增益Avo 100
80
－20 dB/十倍频
开环带宽BW (fH) 60
40
单位增益带宽 BWG (fT)
20
fH＝7 Hz fT＝1.4 MHz
0
fH 10 102 103 104 105 106 107 f/Hz
741型运放Avo的频率响应
目前高速运放要求fT > 50MHz，如AD801的fT＝800 MHz。

宽带运放如OPA657C（FET输入级）Avo·fH＝1600 MHz。
7.4.2 差模特性
2. 差模输入电阻rid和输出电阻ro
BJT输入级的运放rid一般在几百千欧到数兆欧
MOSFET为输入级的运放rid＞1011Ω
超高输入电阻运放rid＞1013Ω、IIB≤0.040pA
一般运放的ro＜200Ω，而超高速AD9610的ro＝0.05Ω。
3. 最大差模输入电压Vidmax
指集成运放的反相和同相输入端之间所能承受的最大
差模电压值。
7.4.2 差模特性
4. 最大输出电压Vomax（输出摆幅）
目前很多运放的最大输出电压可接近电源电压，即
RRO（Rail-to-Rail Output）输出特性，可大幅提高电源
效率，有利于低压电源或电池供电的应用。
具有RRO特性的运放一般只适合于较大负载电阻的
微功率电路。
7.4.2 差模特性
7.4.3 共模特性
7.4.5 电源特性
7.4.3 共模特性
1. 共模抑制比KCMR和共模输入电阻ric
一般通用型运放KCMR为80～120 dB，高精度运放可
达140dB，ric≥100MΩ。
2. 最大共模输入电压Vicmax
运放作为电压跟随器时，使输出电压产生1%跟随误
差的共模输入电压幅值。有些运放可达到正、负电源电压
值，称为RRI（Rail -to-Rail Input）输入特性，即
Vicmax=V+，-Vicmax=V－。
7.4.2 差模特性
7.4.3 共模特性
7.4.5 电源特性
1. 转换速率SR（Slew Rate）
也称为“压摆率”，放大电路在闭环状态下，输入为大
信号（例如阶跃信号）时，输出电压对时间的最大变化速率。
d vO ( t )
即 SR  SR通常取绝对值
dt max R3
＋Vomax
＋Vimax R1
vi －
R2 741 vO
t ＋ t
－Vimax
斜率代表
－Vomax 转换速率
若信号为vi＝Vimsin 2ft ，则运放的SR必须满足SR≥2πfmaxVom
2. 全功率带宽BWP
运放输出最大峰值电压时允许的最高频率，即
SR
BW P  f max 
2 πVom
SR和BWP是大信号和高频信号工作时的重要指标
一般通用型运放SR在1V/s以下，741的SR= 0.5V/s
高速运放要求SR>30V/s以上。
目前超高速的运放如AD9610的SR > 3500V/s。
7.4.2 差模特性
7.4.3 共模特性
7.4.5 电源特性
7.4.5 电源特性
1. 电源电压抑制比KSVR
衡量电源电压波动对输出电压的影响
ΔVIO
K SVR 
Δ(VCC  VEE )
2. 静态功耗PV
当输入信号为零时，运放消耗的总功率
PV＝VCCICO＋VEEIEO
极限参数
1. 电源电压范围
2. 最大耗散功耗PCO
3. 最大输出电流IOmax
另外还有噪声特性等
7.1 直流电流源
7.5 集成运放应用中的实际问题
1. 集成运放的选用
根据技术要求应首选通用型运放，当通用型运放难以
满足要求时，才考虑专用型运放，这是因为通用型器件的
各项参数比较均衡，能做到技术性与经济性的统一。
虽然专用型运放某项技术参数很突出，但其他参数则
难以兼顾，例如低噪声运放的带宽往往设计得较窄，而高
速型与高精度常常有矛盾，如此等等。
2. 失调电压VIO、失调电流IIO和偏置电流IIB带来的误差
Rf 输入信号为零时
Rf
R1 vO    vi Rf
vi － R1
vn vO
vp A R1
＋
vn －
R2 A vO
为什么需要 vp
＋
这个电阻？
R2
Rf
Rf
R1 vO  (1  )  vi
R1
vn －
vO 应有 vO  0
vp A
＋
但由于失调电压、失调电流、
R2
为什么需要偏置电流的存在使输出不为0。
vi 这个电阻？
R f
VIO
输入为零时的等效电路 VN
－
I IO IIB IIO/2
VP   ( I IB  ) R2 R1 VO
2
R1 IIB IIO/2
VN  VO  ＋
R1  Rf VP
I IO R2
( I IB  )( R1 // Rf )  VIO
2 （IIB＋IIO/2）
（R1//Rf）
VP  VN
R1//Rf
－
解得误差电压 R1VO VIO
VN
VP ＋
R1  Rf ＋
VO
VO  (1  Rf / R1 )[VIO  I IB ( R1 / / Rf  R2 ) －
R2
1
 I IO ( R1 / / Rf  R2 )] （IIB－IIO/2）R2
2
VO  (1  Rf / R1 )[VIO  I IB ( R1 / / Rf  R2 )
1
 I IO ( R1 / / Rf  R2 )] Rf
2 VIO
VN
－
当 R2 = R1//Rf 时，可以消 IIB IIO/2
R1 VO
除偏置电流IIB引起的误差，
IIB IIO/2
此时
＋
VP
VO  (1  Rf / R1 )(VIO  I IO R2 )
R2
 (1  Rf / R1 )VIO  Rf I IO
R2=R1//Rf常称为输
VIO 和 I IO 引起的误差仍存在。入端电阻平衡条件
（1＋Rf /R1）和Rf 越大，VIO和IIO引起的输出误差电压也越大。
调零补偿
＋VCC
2
LM741 6 vO
3 5
-VEE
RL
1
RP＝10kΩ
调零电路
输入级偏置电路中间级输出级
＋VCC
IE8 IE9 7 ＋15V
T12 T13 IC13A
T8 T9 A
T14
B
IC12 IC13B T19 T15
9 R9
2 R5 45Ω
3 T1 T2 IC17
＋－ T18 6
39kΩ ＋
iC4 Cc R10
40kΩ
R8
T3 T4 30pF 30Ω
IREF T21
iC3
T7 I3、4 8 T16 B A T20
io1 IC10 IC11
T5 T6 T17 T24
1 R2 5
T10 T11 T22 T23
50kΩ
R7
50kΩ
R1 R3 R3 R6
1kΩ 1kΩ 5kΩ 50Ω
－VEE
4 －15V
Rp
741中的调零电路
356中的调零电路
RP 25k
1 5
7
I 1， 2 I6 +VCC
T 3 T4
T7 b9
iB7 i T9
+ － C11
T11
3 2
T1 T2 CC D1
R io 6
T5 T6 g8 vO
T8 25 io
iC10 D
2
I1 I2 I 5， 6 I7 T10
I8
-VEE
4
调零补偿＋VCC
R3
＋VCC +
vO
RP -
R1
R2 －VEE
－VEE
反相端加入补偿电路
高精度运放有较小的失调电压、失调电流和偏置电流
因为有大量的高精度运放供选用，所以实际上现在的运放
几乎不再提供调零端了。
接入电阻R2有何作用？
Rf
Rf R1
-
R1 R2
－ + vo
R2 vo
Rsi
vi ＋
+
vs
-
R2如何取值？
Rf 换成电容C，则
vO ( t )  [VIO ( t )  I IO ( t ) R2 ] 
1
R1C
 V IO ( t )dt   I IO ( t ) R2dt 
C Rf
R1 C
vi
vn -
A vo
vp R1
+ vi
vn -
A vo
R2 vp
+
R2
时间越长，误差越
大，且易使输出进入饱实际常用的积分电路
和状态。
Rf
R1
vi R1
vn - vi
vo vn -
vp A vo
vp A
+
+
R2
R2
无 Rf 时有 Rf 时
VIO 和 I IO 对电容充电完 VIO 和 I IO 对电容充电完
成后等效于开环状态，运放成后等效于反相放大电路，
无法工作在线性区。可以使运放工作在线性区。
3. 有限带宽对高增益-带宽积放大电路设计的影响
如果用741单级将信号放大10000倍（80dB），放大电路的
带宽是多少？ Rf
R1
20lgAvo/dB
741的单位增益带宽 106 dB
－
vo
R2 741
vi ＋
BWG (fT)=1.4MHz 100
80
80dB时－20 dB/十倍频
60
由于增益带宽积为常数 40
（-20dB/十倍频斜率） 20
fH＝7 Hz BW＝140 Hz fT＝1.4 MHz
0
可求得此时带宽 10 102 103 104 105 106 107 f/Hz
BW = BWG/10000 741型运放Avo的频率响应
=1.4MHz/10000 =140Hz
3. 有限带宽对高增益-带宽积放大电路设计的影响
如果用741两级将信号放大10000倍（80dB），放大电路的
带宽是多少？ 20lgAvo/dB
可求得此时带宽
100 两级总增益
1 1 1
3dB
BW2  ( 2  1) f T / A
2 2 2
80
6dB －40 dB/十倍频
 9010 Hz 60
一级增益
3dB －20 dB/十倍频
约是单级时的64倍。 40
实际上两级对带宽的改善最 20
BW＝140 Hz fT＝1.4 MHz
0
明显，随着随级数的增加, 10 102 103 104 105 106 107 f/Hz
带宽的增加会逐渐减少。 BW2  9010Hz
如果总增益A并不高时，这种方提高带宽的根本办法是增益
法提高带宽的效果并不明显。带宽积更大的运算放大器。
4. 轨到轨（rail-to-rail）输入/输出运放的优势
低电源电压下两种运放的电压摆幅
运放的饱和
压降
+5V +5V
2V
2.5V 2.5V
2V
0V 0V
非轨到轨运放运放的饱和轨到轨运放
压降
5. 运放使用中输入端的直流通路 741输入级＋VCC
若运放741的输入端
T8 T9
2号或3号引脚没有直流 IE8
IC9
通路，运放内部电路将 3 2
＋ T1 T2 ＋
无合适的静态工作点， vi/2 -vi/2
iE1 iE2 －
有交流信号输入时也不－
T3 T4 I 3、 4
能正常放大。 Rf iC3
VCC
iC4 iO1
T7 vo1
+VCC
R1 IN
iC5 iC6
vn -
C vp 14573 T5 T6
+ +
Rsi IP RL vo IC10
-VEE R1 R2 R3
+ -
1kΩ 50kΩ 1kΩ
vs
- 无直流通路－VEE
5. 运放使用中输入端的直流通路
Rf 改进后 Rf
+VCC +VCC
R1 IN R1 IN
vn - vn -
C vp 741 C vp 741
+ + + +
Rsi IP RL vo Rsi IP RL vo
-VEE -VEE
- R2 -
+ +
vs vs
- 无直流通路 -
有直流通路
如何考虑输入端电阻平衡条件？
5. 运放使用中输入端的直流通路
Rf
交流同相放大电路
Rf +VCC
R1 C2
+VCC vn -
R1 IN
C1 vp A
vn - vi + +
C vp 741
+ RL vo
+ -VEE
Rsi IP RL vo R2 -
-VEE
R2 -
+
vs
-
交流电压增益为
交流、直流电压（对vp） Rf
A  1
增益均为 R1
Rf 直流电压（对vp）增益为
A  1
R1
输入电阻较小 A1
5. 运放使用中输入端的直流通路 Rf
+VCC
高输入阻抗交流放大电路 R1
Rf vn -
vp A
+VCC R2 +
+
R 1 v a C2 vo
RL
vn - -VEE
A -
R2 vp +
+ 直流通路
vi RL vo
-VEE
C1 - Rf
va  vn  vp，即R2上的交流 R1 va
vn -
压差约为0V，意味着R2中几乎无 R2 vp A
+
+
电流流过，vi端口的交流电流几 vi RL vo
-
乎为0，等效输入电阻大大提高。 Ri 交流通路
6. 运放在单电源下工作
关键是将输出端的静态电压设置为电源电压的一半。
+15V +30V
+13V +28V
+ +
输出电输出电
0V A +15V A
压摆幅压摆幅
- -
-13V +2V
-15V 0V
对称的双电源工作单电源工作
＋VCC
7
T8 T9 IC13B
IE8 rec13 IC13A
IC9 能否将输出
3
T1 T2
2
＋ T14
端的静态电
＋
vi/2 -vi/2 压设置在
iE2
－ iE1 －
T19
VCC/2处？
T3 T4 I3、4 6
VCC vO
iC3 iO1 ＋
T7 vo1
iC4
T16
vo2 T18 1
iC5 iC6 VOQ =  VCC
A
2
T5 T6 T17 T20
T24
IC10
R1 R2 R3 R6 R7
1kΩ 50kΩ 1kΩ 50kΩ 50Ω 4
741简化电路
设置输出静态电压阻容耦合反相放大电路
+VCC +VCC
R1 R
vi Rf
R - vo - C2
vp A C1 vp A
VCC VCC +
+ +
2 VOQ = RL vo
2
R R -
vi 是正负对称的信号
接入C1和C2避免信号源和负载影响静态工作点
Rf 阻容耦合反相放大电路
R1 +VCC
vi -
A R
vp R1 Rf
+ + v
i - C2
RL vo
R R C1 A
- vp
+ +
RL vo
交流通路 R -
+VCC
R
Rf
- vo
A
vp
+ 对 vp是电压跟随
R
直流通路
6. 运放在单电源下工作 +VCC
交流同相放大电路 R
+VCC Rf
- vo
A
R1 R vp
Rf +
- C2
C1 A R
vp
vi + +
RL vo 直流通路
C3
R -
Rf
vi 是正负对称的信号 R1
-
交流电压增益为 vp
A
vi + +
Rf RL vo
A  1 R/2
R1 -
Ri
输入电阻有限交流通路
R=R1 +VCC
高输入阻抗交流同相放大电路
R1
+VCC a
R=R1 VCC/2 Rf
- vo
R2 A
R1 C1 vp VCC
Rf VCC/2 + VOQ =
- C2 2
A
R2 vp
+ + 直流通路
vi RL vo
C3 - Rf
R1/2
vn  vp 交流电压增益为 vn -
A
R2 vp +
2 Rf +
A  1 vi RL vo
R1 -
Ri 交流通路
输入电阻大大提高
6. 运放在单电源下工作 +VCC
直接耦合反相放大电路 R1 R3
vI Rf
- vO
电阻应满足关系： A
vP
+
R2 1 R1
=  R2
R2  R3 2 R1  Rf vi 是正负对称的信号
此时输出电压
Rf 1 Rf Rf 1 Rf
vO  (1  )( VCC )  vI  VCC  vI
R1 2 R1  Rf R1 2 R1
vO与vI的变化关系
直流偏移
vO Rf
Av   反相放大
vI R1
需要考虑输入端的电阻平衡条件！
直接耦合同相放大电路
输出电压
Rf Rf R1
vO  (1  )( vI  VZ ) +VCC
R1 R1  Rf R1  Rf
Rf
Rf
 vI  VZ R1 R2
R1 直流偏移 - vO
R1 A
R V vP
vI +
 f vI  CC
R1 2 Rf VCC
VZ 
2
vO与vI的变化关系 vi 是正负对称的信号 DZ
vO Rf
Av   同相放大
vI R1

1
互导型、互阻型和电流型运算放大器1
之前我们学习的运算放大器属于电压型放大器，它的输出电压等于同相端与反相端电压
差乘以开环增益。这种运放也称为标准运放或 VV 运放，它的两个输入端均呈现很高的输入
电阻，输出电阻则很小。
实际上还有另外三种类型的运算放大器，即互导型、互阻型和电流型运算放大器。它们
在端口上的主要差别是反相端的输入电阻或输出电阻，但四种类型的运放都具有高阻的同相
输入端。当然，它们还有增益形式和其他特性的差别，下面分别加以介绍。
1 互导型运算放大器
1.1 运放内部电路增益计算模型
运算放大器中的电路是多级放大电路，而且通常都比较复杂，按部就班地用小信号模型
计算增益也比较复杂。为了突出运放特点，简化计算，这里我们介绍一种计算增益的简化模
型。图 1.1 是类似于 741 型运放的简化原理图。输入级是由 T1~T4 构成的带有源负载的差分
式放大电路，第二级是达林顿管 T5 构成的共射极放大电路，最后一级是互补推挽电压跟随
器。
在差模输入电压信号（vid= vP-vN）作用下，T1 和 T2 管中将产生变化电流 iq，也就是一
管电流增加 iq，另一管电流减小 iq。通过电流源负载，使得第一级的输出变化电流为 2iq。而
电流 iq 可以看作是差模输入电压通过 T1 和 T2 基极-发射极之间的等效跨导产生的。用电阻
rm1 表示这个跨导，即 rm1=1/gm1，iq = vid/(2rm1)。这时，输入级的 T1 和 T2 可以分别表示为两
个高输入电阻的缓冲器（标有 1 的三角形）与两个 rm1 电阻的串联，而第一级的输出等效为
2iq 的受控电流源，如图 1.2 左侧所示。
+15V + + +
I0 I0
I1
iq T6
+ T1 T2 +
vN vP
+
- -
vO
T7
I0+iq I0-iq -
T5
2iq
T3 T4
-15V - - -
图 1.1 类似于 741 型运放的简化原理图（电流 2Iq 不是 T5 的偏置电流，而是信号电流）
1 本阅读材料涉及反馈（第 8 章）和滤波器（第 10 章）的相关内容。

2
如果达林顿管 T5 构成的第二级的输入电阻为 R1，跨导为 gm2，且 T5 集电极上的所有电

阻可以等效为 R2，最后一级就是电压跟随器，那么第二级和最后一级就可以等效成图 1.2 的
右侧部分。
vP rm1
1 1
+ 5k + + +
vid iq 2iq R1 v1 gm2v1 R2 v2 vo
rm1
- 1M -
gm2= 100k - -
vN 1 5mA/V
5k
图 1.2 运放增益的简化计算模型
假设模型中参数如图 1.2 中所示，则有

vid 1 MΩ
v1  2iq R1  2 R1  vid  200  vid
2 rm1 5 kΩ
达林顿管 T5 放大电压 v1，输出电流 gm2v1 在 R2 上产生压降：
mA
v2   g m 2 v1 R2  5 100 kΩ  v1  500  v1  500  200  vid  105  vid
V
得到模型的全部电压增益：
vo v
Avd   2  105
vid vid
1.2 互导型运算放大器内部结构
与传统的电压型运算放大器相比，互导型运算放大器的输出端类似于电流源而不是电压
源，有很高的输出电阻。如果去掉电压型运放输出级的射极跟随器，那么传统的运放就转变
为互导型运放了。互导放大器常用图 1.3 表示。由于它可以将电压转换为电流，所以也称为
VC 运放。
vP
+ +
io
vid
- -
vN
图 1.3 互导放大器
图 1.4 是一种典型的互导运放电路简化原理图。电路上下是对称的。
互补型射极跟随器 T1 和 T2 不仅提高了输入电阻，而且它们的发射结压降，为互补射极
跟随器 T3 和 T4 建立了所需的偏置电压。所以 T1~T4 可以看作是高输入电阻的互补电压跟随
器。T5~T8 是另一个完全相同的高输入电阻互补电压跟随器。两个电压跟随器经 Re 连在一
起，构成差分式输入级，在输入电压作用下产生电流 iq=(vP-vN)/Re，其中 Re 是外接电阻。
T7 和 T8 中的电流 (I0+iq/2)和(I0-iq/2)，分别通过 T9 和 T10、T11 和 T12 构成的两个镜像电
流源送到输出。这里假设镜像电流源的电流传输比为 k。由于输出级由电流源构成，所以输
出电阻远大于电压型运放射极跟随器的输出电阻。
这个电路的优点是，当 iq 大于 2I0 时，仍能正常工作。例如，当 iq 为正值且大于 2I0 时，
3
虽然 T3 和 T8 会截止，但 T4、T7 和 T9 仍然导通，仍有正常的输出电流。也就是说，该电路

在较小的静态偏置电流下就可以有较大电流输出。这样，对于容性负载，输出也可以快速翻
转，因此，这种电路也称为宽带互导放大器。
+5V + + + +
I0 T9 T10
T3 I0
k (I0+iq/2)
T7
T1
I0-iq/2 T5
I0+iq/2
- Re k iq
-
+ +
vN + + vP
iq ios
- I0-iq/2 -
I0+iq/2 T6
T2
T8
T4 k (I0-iq/2)
I0
I0
T11 T12
-5V - - - -
图 1.4 互导放大器电路（运放 MAX436 是该电路的实例）
电路的增益可以通过图 1.5 的模型计算。其中 rm 是电压跟随器的跨导等效电阻，ro 是电

路的输出电阻，RL 是负载。放大器的互导增益为
ios kig k
Agd    （1.1）
vid (2rm +Re )ig Re
考虑负载电阻时，电路的电压增益为
ro  RL
vo ios ( RL //ro ) k R （1.2）
Avd    Agd ( RL //ro )  ( RL //ro )  k L
vid vid Re Re
互导放大器 MAX436 的具体参数如图 1.5 中所示。用户可以调整外接电阻 Re 的阻值来
改变增益，非常方便。实际上，Re 在电路中引入了电流负反馈。
vP rm
1
+ 0.15 +
vid Re iq k iq ro RL vo
rm
- k=8 4 k -
vN 1
0.15
图 1.5 MAX436 增益计算模型
1.3 典型应用
互导型运放特别适合用来驱动同轴电缆（图 1.6 所示）
。假定运放的输出电阻远大于同
轴电缆的特性阻抗，就可以在电缆的任意一个终端并联特性电阻 Rt。放大器的互导增益由 Re
引入的电流负反馈来控制。这里负载为 RL = Rt /2，为了使 vo = vi，根据式（1.2），可得 Re 的
阻值：Re = kRL = kRt /2=300
这个电路的优点是，同轴电缆上的电压始终与放大器的输出电压相同。即使在低电压工
4
作条件下，并联特性电阻 Rt 后，互导放大器提供两倍的输出电流通常是不成问题的。另外，
电路可以通过 Re 引入的电流反馈调节增益的大小，所以无需另外的电压负反馈。
MAX436
vi k=8
+
io
+
- Rt Rt vo=vi
Re 75 75 -
300
图 1.6 用互导运放驱动同轴电缆
互导型运放的另一个典型应用是图 1.7 所示的带通滤波器。在 Re 支路串入电容 Ce 后，

互导放大器就成了高通滤波器，在忽略 rm 时，根据图 1.5 的输入回路，时间常数由 ReCe 构
成，所以电路的下限截止频率为
1
fL   99.5 kHz
2 Re Ce
输出端的 Ro 和 Co 构成低通滤波器，上限截止频率为
1
fH   10.6 MHz
2 Ro Co
根据式（1.2）可以写出滤波器的电压传递函数：
1
Ro //
s Co
Avd  k
1
Re 
s Ce
中频区时，Ce 可视为短路，Co 视为开路，电压增益为

Ro 125
Avd  k =8  =10
Re 100
那么，电路的幅频响应就如图 1.7（b）所示。这个电路的优点是，放大器使上下两个截
止频率的设计互不相干，而且互导放大器自身的频带很宽，滤波器的上限频率可以做得很高。
MAX436 | Av f |
vi k=8 10
+
io
+ 1
- Ce
Ro Co vo fL fH
Re 125 120pF -
16nF 0.1
100 1k 10k 100k 1M 10M 100M f /Hz
(a) 电路 (b) 幅频响应
图 1.7 具有截止频率去耦功能的带通滤波器
互导型运算放大器的一些典型产品如表 1.1 所示。

5
表 1.1 互导型运算放大器典型数据实例
工作电压封装
型号制造商失调电压偏置电流增益带宽积压摆率输出电流
最小/最大数量
2 互阻型运算放大器
与传统的电压型运放相比，互阻型运算放大器的反相输入端呈现低阻特性，由该输入端
的电流控制输出电压，因此，互阻型运放也称为 CV 运放。
2.1 内部结构
一种典型的互补对称推挽式互阻放大器简化原理图如图 2.1 所示。该电路与电压型运放
最大的不同是反相输入端，该输入端连接的是 T3 和 T4 的发射极，所以输入阻抗很低。也就
是说，互阻放大器的反相输入端不再具有虚断特征。另外，它的输入级还有一个特点，正常
工作时，由于 T1 和 T3 发射结压降相互抵消，T2 和 T4 也一样，所以同相输入端和反相输入
端之间的电压差为零，即 vP = vN，说明它不像电压型运放那样，需要依靠外部负反馈来使
vP  vN。
为了与传统运放符号相区别，在图 2.2（a）所示的互阻型运放图形符号中，增加了一个
从同相输入端指向反相输入端的小三角形符号，表示同相端是高阻的，而反相端则是低阻的。
+5V +
+ +
+
T5 T6
I1
I0
T11
T3 I0+iq/2
T1 T9
I0+iq/2
- iq iq -
+ + +
vP + vN + vO
- I0-iq/2 - -
T2
T10
T4
I0-iq/2 T12
I0
I1
T7 T8
-
- -
-5V -
图 2.1 互补对称推挽式互阻放大器简化原理图
图 2.1 中反相输入端的电流控制有些独特，如果该输入端有电流 iq 流过，那么流过 T3 的

电流增加 iq/2，而 T4 的电流减少 iq/2。这种变化的电流通过 T5 和 T6、T7 和 T8 构成的两个镜
像电流源，传递到输出级——射极跟随器。互补型射极跟随器 T9 和 T10 的发射结压降，为
6
T11 和 T12 提供了所需的偏置电压，使它们工作在甲乙类状态。同时，T9 和 T10 也有阻抗变换

作用，增大了最后一级的输入电阻，提高了 T6 和 T8 集电极结点的电阻。变化的电流在该结
点上产生变化的电压，通过射极跟随器送到输出。当 vP = vN 时，在电路上下对称情况下，
iq=0，输出电压也为零。
增益计算的简化模型如图 2.2（b）所示。其中 rce 表示 T6 和 T8 集电极结点的等效电阻，
通常为兆欧数量级。rm 是运放同相端与反相端跨导的等效电阻，通常为十几到几十欧姆。Re
vo
是反相端与地之间的外接电阻，由此得到输出电压 vo  iq rce ，互阻增益 Ard   rce 。
iq
差模电压增益为
vo iq rce rce VA
Avd    
vid iq rm rm VT
对同相端电压的增益为
rm  Re
vo iq rce rce rce
Av    
v P iq ( rm  Re ) rm  Re Re
vP 1 1
vP + +
+ vid rm
iq
vo
vo iq rce
vN -
+
vid -
-
- Re
vN
（a）图形符号（b）模型
图 2.2 互阻型运放的图形符号和模型
2.2 特点及应用
互阻型运放既可用作反相放大电路也可用作同相放大电路（如图 2.3 所示）。但是，由
于反相端是低阻输入端，电阻 R1 不仅是反相放大电路的输入电阻，而且它还影响放大器内
的电流 iq，从而影响放大器的开环电压增益。为了得到更高的开环增益就要取更小的电阻值，
也就限制了反相放大电路的输入电阻，所以互阻型运放通常首选同相放大模式。但在放大电
流信号时，反相放大电路更有优势。
Rf vi + vo
R1 -
vi - vo Rf
+
R1
Av   Rf /R1 Av  1  Rf /R1
（a）反相放大电路（b）同相放大电路
图 2.3 互阻型运放用作放大电路（在计算电压增益时，均忽略了反相端电流 iq）
为了说明互阻型运放的特点，这里我们以同相放大电路为例进行分析。图 2.4 是以模型

表示的同相放大电路。图中 C 表示高阻结点的寄生电容，它是放大器带宽的决定因素。
7
分析开环增益时，需要考虑反馈网络在输入端的负载效应，这时反馈网络的电阻 R1 和
Rf 相当于连接在反相输入端的电阻，如图 2.4（b）所示。通常有 rm<<R1//Rf，这时可以忽略
rm 的影响，即 vid  0。所以，开环电压增益为
1
rce //
v iq Z sC  rce  1 1
Avo  o    Avo0 
vi iq ( R1 //Rf ) R1 //Rf R1 //Rf 1  srce C 1  j( f / f H )
这里
rce
Avo0  —— 开环低频电压增益（2.1）
R1 //Rf
1
fH  —— 开环上限截止频率（2.2）
2πrce C
由此看出，互阻型运放构成的放大电路的开环电压增益与运放反相输入端外接电阻有关，这
一点与传统的电压型运放不同。
vi vo vi vo
+ 1 1 + 1 1
vid  0 r  0 iq iq rce C vid  0 r  0 iq iq rce C
m Rf m
- -
Z v v Z
i f
R1 R1 Rf
（a）闭环情况（b）开环情况
图 2.4 用模型表示的同相放大电路
在引入负反馈构成同相放大电路后（如图 2.4（a））
，需要考虑反相输入端的电流。在反
相输入端可以列出 KCL：
v o  vi v
 iq  i  0
Rf R1
1
而 iq  vo /Z  vo /(rce // ) ，所以闭环电压增益为
sC
rce
v r (R  Rf ) 1 R1 //Rf 1
Avf  o  ce 1   
vi R1 (rce  Rf ) 1  s ( rce //Rf )C R1 r 1  s ( rce //Rf )C
1  ce
R1  Rf R1 //Rf
Avo0 1 1
   Avf0 
1  Fv Avo0 1  j( f / f Hf ) 1  j( f / f Hf )
其中
Avo0
Avf0  —— 闭环低频电压增益（2.3）
1  Fv Avo0
1
f Hf  —— 闭环上限截止频率（2.4）
2π(rce //Rf )C
8
R1
Fv  —— 反馈系数（2.5）
R1 +Rf
Avo0 是式（2.1）的开环低频电压增益。
在深度负反馈条件下，即 1  Fv Avo0  1 ，由式（2.5）和（2.1）可知要求 Rf  rce 。这
时由式（2.3）和（2.5）可得闭环低频电压增益：
Avo0 1 R
Avf0   =1  f （2.6）
1  Fv Avo0 Fv R1
其结果与传统电压型运放相同。但是，反馈总是通过影响反相输入端电流来影响输出的，所
以这种运放也常称为电流反馈（Current Feedback，CFB）运算放大器。而电压型运放的反馈
是通过影响两输入端压差来影响输出的，所以常称为电压反馈（Voltage Feedback，VFB）运
算放大器。
由式（2.4）得闭环上限截止频率为
1 1
f Hf   （2.7）
2π(rce //Rf )C 2πRf C
说明在深度负反馈条件下，如果固定 Rf 的阻值，上限截止频率就基本为常数。那么，根据
式（2.6），当改变 R1 的阻值使闭环增益从 Af1 变化到 Af2 时，由式（2.7）可知其带宽 fHf 保持
不变，幅频响应如图 2.5（a）所示。显然，它的增益带宽积并不为常数，这一点与电压型运
放电路完全不同，这也是互阻型运放的重要优点。在希望增益可变但带宽不变的应用场合，
可以充分发挥互阻型运放的优势。
|Av|
104 Ao1
|Avf|
Ao2
103 103
G A1
102 Af1 102
fHf1
G fH f 2
10 Af2 A2
10
fH fHf
1 1
1k 10k 100k 1M 10M 100M f /Hz 1k 10k 100k 1M 10M 1 0 0 M f /Hz
（a）固定 Rf，改变 R1 的阻值（b）固定 R1，改变 Rf 的阻值
图 2.5 互阻型运放的同相放大电路闭环电压增益的幅频响应
我们知道，负反馈放大电路的稳定性与环路增益有关，环路增益越大，电路越不稳定。
环路增益等于开环增益与闭环增益之比。在深度负反馈条件下，根据式（2.1）和（2.6）可
以得到电路的环路增益（低频区）为
Avo0 r R1  Rf rce
G  ce  （2.8）
Avf0 R1 //Rf R1 Rf
可见，环路增益与 Rf 有关。当固定 Rf，通过调整 R1 的阻值使闭环增益从 Af1 变化到 Af2 时，

根据式（2.1）可知，开环增益也从 Ao1 变化到 Ao2，但是由式（2.8）可得环路增益 G 不变，
9
如图 2.5（a）中虚线部分所示。也就是说，调整闭环增益不会影响电路的稳定性。这是互阻
型运放的又一个优点。
为了保证电路能稳定工作，并有较好的瞬态响应，制造商通常会指出 Rf 的最佳值，即
Rf 的值已经纳入到一些型号的运放数据手册中。
在应用互阻型运放时，重要的是电阻 Rf 要始终保持在最佳值，即使用作电压跟随器时
也是如此（如图 2.6 所示）
，Rf 绝不能减小到零。
vi + vo
-
Rf
图 2.6 互阻型运放用作电压跟随器
另一方面，如果固定 R1 的阻值，改变 Rf 的阻值时，则根据式（2.6）和（2.7）可知，在

改变闭环增益的同时，也改变了上限截止频率，而且这种影响是相反的，意味着在满足 Rf >>
R1 的条件下，电路又遵循增益带宽积不变的规律了，其幅频响应如图 2.5（b）所示。
由于电路的带宽可以由 Rf 控制，所以互阻型运放也特别适合用于大带宽的宽带放大器
中，例如视频放大器。
但是需要注意，由于反相输入端始终需要有信号电流，所以若想通过负反馈来控制增益，
互阻型运放的反馈网络就必须由电阻构成。
互阻型运算放大器的一些典型产品如表 2.1 所示。
表 2.1 互阻型运算放大器典型数据实例
工作电压封装
型号制造商失调电压偏置电流增益带宽积压摆率特色
最小/最大数量
Io= 500 mA
Ib = 0.4 mA
快速
Io= 200 mA
Ib= 1 mA
快速
Ib= 1.5 mA
Io= 250 mA
Io= 1100 mA
Ib= 1 mA
钳位
低失真
Ib= 1 mA
Io= 150 mA
Ib= 1.7 mA
Io = 140 mA
极快速
Io= 500 mA
10
3 电流型运算放大器
就如同互导型运放与电压型运放的差别那样，电流放大型运算放大器（也简称为电流型
运放）与互阻型运放的差别也是去掉了输出级的电压跟随器（阻抗变换器）。电流型运放也
称为 CC（Current to Current）运放。需要注意，电流型运放与之前说的电流反馈型运放并非
同一含义。
3.1 内部结构及特点
典型的电流放大型运放电路原理图如图 3.1 所示。它与互阻型运放的差别是去掉了互阻
型运放的输出级——射极跟随器。T1~T4 构成的输入级可以看作是工作在甲乙类的电压跟随
器。不同的是，T3 和 T4 的发射极并不是最终的输出，而是运放的反相输入端。当然它也确
实可以做输出（运放的输出端接地）
，此时运放就是一个电压跟随器。由于 T1 和 T3 的发射
结压降相互抵消，T2 和 T4 也一样，所以同相输入端和反相输入端之间的压差是零。
由于电路上下两部分完全对称，所以如果反相输入端有电流 iq 流过，那么流过 T3 和 T4
的电流变化量就相同，只是一个增大一个减小。这种变化的电流通过 T5 和 T6、T7 和 T8 构成
的两个镜像电流源送到输出。这个电路的输出电流等于输入电流，即电流放大系数为 1。通
过改变镜像电流源的传输比，可以得到更高的放大系数。
由于内部信号路径较短，电流放大型运放有特别优良的高频特性。而且工作在甲乙类状
态的互补推挽式电路，可以在较小静态工作电流情况下输出大电流。
+5V +
+
T5 T6
I0
T3 I0+iq/2
T1 I0+iq/2
- iq iq
+ +
vP + vN ios
- I0-iq/2 -
T2
T4
I0-iq/2
I0
T7 T8
-
-5V -
图 3.1 电流放大型运放简化原理图
为了突出电流放大型运放的特点，并与普通电压放大型运放相区别，电流放大型运放采
用图 3.2（a）所示的图形符号。图 3.2（b）给出的增益计算模型，显示了高阻的同相端和低
阻的反相端，以及高阻的输出端。其中 ro 表示输出开路时图 3.1 中 T6 和 T8 集电极结点的等
效电阻，一般在几百千欧到兆欧数量级，Co 为该结点的寄生电容，通常在皮法数量级。显
然，外接负载会影响输出回路的时间常数，也就会影响电路的截止频率。rm 是运放同相端与
11
反相端跨导的等效电阻，阻值较小，约为十几到几十欧姆。
电流放大型运放的特点是，输出端短路电流等于反相输入端的电流（运放内镜像电流源
的传输比为 1）
，两电流遵循图 3.2（a）所示的关联方向，即当电流流出反相端时，也是流出
输出端的，反之亦然。而且输出电阻很大，反相端电阻则很小。在反相端外接电阻后，如果
能忽略 rm 的影响，那么同相端和反相端就相当于“虚短”
。
vP
+ vP 1
+ iq vo +
vid vid iq iq ro
ios
rm Co
-
- vN - Z
vN iq
（a）运放图形符号（b）模型
图 3.2 电流放大型运放的符号和模型
由于输出电流等于反相端电流，所以实际应用中，在反相端接入电阻 R1 就可以引入电
流负反馈，也就是说反馈并不一定要从输出端引回，如图 3.3（a）所示。电流放大型运放的
应用大多采用这种方式，虽然也可以采用从输出端引反馈的方式，但这样反而不能充分发挥
电流放大型运放的优势。图 3.3（b）是用模型表示的图（a）电路（低频时）
，这时电路的电
压增益为
vo iq ( ro //RL ) r //R
Av    o L
vi iq ( rm  R1 ) rm  R1
在满足 R1>> rm 和 RL<< ro 时，电路的电压增益为

ro //RL R
Av   L
rm  R1 R1
可以看出，增益与反相端外接电阻 R1 直接相关，R1 越小，增益越高。这种电路补偿高
频增益非常方便，只要在反相端电阻 R1 旁并联 RC 串联支路，如图 3.3（a）中虚线所示部
分，就可以在一定的频率范围内降低反相端有效电阻，从而提高增益。
vi +
iq vo
iq vi 1
- +
RL iq
rm iq ro RL vo
C
R1 -
R2 R1
（a）有电流负反馈的基本应用（b）图（a）电路的模型表示
图 3.3 电流放大型运放
在大多数应用中，电流放大型运放的性能由反相端的电流反馈所确定。
3.2 典型应用
（1）求和电路
图 3.4 为反相求和电路。这里假设 R1//R2 >> rm，那么同相端与反相端就如同“虚短”。
12
电流放大型运放的大多数应用都具有这一特点。这时
v1 v2
iq   
R1 R2
当 RL<< ro 时，输出电压为
RL R
vo  iq RL   v1  L v2
R1 R2
结果就是反相求和关系。
+
iq vo
R1 0V iq
v1 -
RL
R2
v2
图 3.4 用电流放大型运放构成的求和电路
（2）积分器
电流放大型运放最重要的特点是高频特性非常好，带宽极宽。当将图 3.3（a）中的负载
电阻换成电容，就可以构成积分电路，如图 3.5（a）所示。如果忽略运放反相端电阻 rm 和
输出阻抗 Z 的影响，那么输出电压为
1 1
vo 
C  iq dt 
RC 
vi dt
为了不影响电路工作，提取电容上的电压时绝不能有负载效应，一般需要插入一个电压
跟随器进行缓冲。
vi + vi vo
iq vo 1
iq iq
rm iq ro Co C
-
C Z
R R
（a）电路（b）用模型表示
图 3.5 电流放大型运放用作积分器
当需要考虑运放反相端电阻和输出阻抗的影响时，可以用图 3.5（b）所示的模型来研究
该积分器的实际性能。这里，rm 与反相端外接电阻 R 串联，运放的输出阻抗 Z 与电容并联。
这时电压传递函数为
1
f  f low 
2 πro ( Co  C )
ro 1 1 1
Av ( s )    
rm  R 1  sro (Co  C ) ( rm  R )(Co  C ) s
由此看出，当信号频率满足 f > flow=1/[2ro(Co+C)]时，输出电压与输入电压才能保持较
好的积分运算关系。考虑到寄生电容 Co 的存在，当积分电容 C 较小时，要选取比设计值略
小的外部积分电容 C。
以该模型为基础进行分析，积分器的高频方向并无带宽限制。当然，实际的电流放大型
13
运放还有其他一些影响因素，使积分器也存在上限截止频率，但这个截止频率一般位于很高
的频率区域，而普通电压型运放构成的积分器的上限截止频率则低得多。
（3）滤波器
因为电流放大型运放用作积分器时的高频特性非常好，所以特别适合用来做以积分电路
为基础的高频区的有源滤波器。一个二阶带通/低通滤波器如图 3.6 所示，它由 A1 和 A2 构成
的两个积分器和 A3 构成的一个电压跟随器组成。这里需要注意，A3 的反相端是用作输出而
非输入的，这也是电流放大型运放的一个特别之处。
由 vBP 输出为带通滤波器，而从 vLP 输出则是低通滤波器。由电路可推导出传递函数：
VLP ( s ) 1
ALP ( s )  
Vi ( s ) 1  sCR /R1  s 2C 2 R 2
2
VBP ( s ) sCR
ABP ( s )  
Vi ( s ) 1  sCR /R1  s 2C 2 R 2
2
中心频率或上限截止频率为
1
f0 
2πRC
等效品质因数为
R
Q 1
R
按照图中给定参数，并假设运放的 rm=10 ，Co = 6 pF。可以得到 f0  30MHz，Q  0.707，
这是个巴特沃斯滤波器。通过改变参数值，电路的 f0 可以设置到百兆以上。
vi + A1
iq1 vBP
+ A2
iq1 iq2 vLP
- C
R1 iq2
18 pF -
R 212  150 C
18 pF
-
iq1
A3 R 212 
图 3.6 具有带通或低通输出特性的二阶有源滤波器
电流放大型运算放大器的一些典型产品如表 3.1 所示。

表 3.1 电流放大型运算放大器典型数据实例（VS = 9/11 V）
电流封装
型号制造商失调电压偏置电流增益带宽积压摆率特色
传输比数量
参考文献
U. Tietz.e, Ch. Schenk, E. Gamm 著，张林、邓天平、张浩、瞿安连译．电子电路设计原理与应用（第二版）
（卷Ⅰ）
．北京，电子工业出版社，2013

本章目的
本章主要讨论在放大电路中引入反馈的相关问题
 介绍反馈的基本概念
 介绍各种反馈类型的判断方法，解释、说明它们各自的特点
 推导负反馈放大电路增益的一般表达式
 解释负反馈对放大电路产生的影响，说明为改善放大电路性能应如何引入
反馈
 介绍深度负反馈的特点以及在该条件下的近似计算
 讨论在放大电路中引入负反馈可能存在的风险——自激振荡，说明其产生
的原因、电路稳定工作的条件，并简要介绍自激振荡的消除方法

 反馈的基本概念及直流、交流反馈
 串联反馈与并联反馈，电压反馈与电流反馈
 正反馈与负反馈
 负反馈放大电路的四种组态
 理解反馈的基本概念与分类
 掌握各种反馈类型的判别方法，并能判断放大电路中的反馈极性和反馈组
态
 掌握四种反馈组态（类型）的特点

小结：
● 反馈是指在放大电路中，将输出电压或输出电流的一部分或全部通过反馈
网络，送回到输入回路的过程。反馈的目的是为了改善放大电路的性能指标。
● 可以按照不同的分类方法将反馈分为正反馈、负反馈，交流反馈、直流反
馈，电压反馈、电流反馈，串联反馈、并联反馈等。
● 不同类型的反馈对放大电路性能的影响是不同的。交流负反馈影响放大电
路的动态性能指标，直流负反馈影响放大电路的静态特性；电压负反馈稳定输出
电压，电流负反馈稳定输出电流；串联负反馈更适合放大电压信号源，并联负反
馈更适合放大电流信号源。熟练掌握反馈类型及组态的判断方法，是分析设计负
反馈放大电路的基础。

8 反馈放大电路
8.1 反馈的基本概念与分类
8.2 负反馈放大电路增益的一般表达式
8.3 负反馈对放大电路性能的影响
8.4 深度负反馈条件下的近似计算
8.5 负反馈放大电路的稳定性
8.1.1 反馈的基本概念
8.1.2 直流反馈与交流反馈
8.1.3 正反馈与负反馈
8.1.4 串联反馈与并联反馈
8.1.5 电压反馈与电流反馈
8.1.6 负反馈放大电路的四种组态
1. 什么是反馈
将放大电路输出量（电压或电流）的一部分或全部，
通过某种电路（称为反馈网络）送回到输入回路的过程。
反馈是信号的反向传输过程，体现了输出信号对输入
信号的反作用。正向传输
xI + xID 基本放大电路 xO
信号源  负载
A
- x
F
反馈通路——信号反反向传输
向传输的渠道
反馈网络
开环 ——无反馈通路 F
闭环 ——有反馈通路
1. 什么是反馈基本放大电路的输入
信号（净输入信号）
反馈放大电路
的输入信号输出信号
正向传输
A
- x
F
反馈信号反向传输
反馈网络
A = xO/xID 开环增益 F
F = xF/xO 反馈系数
Af = xO/xI 闭环增益
2. 反馈极性正向传输
A
- x
F
反向传输
反馈网络
F
负反馈——在输入信号xI不变的情况下，当引入反馈后使输
出量xO变小时，称为负反馈，反之则为正反馈。
3. 信号传输的单向化正向传输
A
- x
F
反向传输
反馈网络
正向传输： F
信号由输入到输出的传输
反向传输：
信号由输出到输入的传输
3. 信号传输的单向化正向传输
A
- x
F
因为反馈网络一般
反向传输
由无源元件组成，没有放信号在基本放大电
反馈网络
路中的反向传输
大作用，与放大电路的正
F
向传输相比可以忽略。
在基本放大电路内也存在信号的反向传
输（如BJT的H参数小信号模型中的受控源信号在反馈网络
中的正向传输
hrevce），但与反馈网络相比，这种反向传输
作用非常微弱，也都忽略不计。
判断电路是否存在反馈通路
基本放大电路
xI +
+
xI xID A xO
+ -
A xO -
- xF
RL
R2
R1
反馈网络
判断电路是否存在反馈通路反馈通路
（本级）
反馈通路
（本级）
反馈通路
（级间）
判断电路是否存在反馈通路
反馈通路
（级间）
理论上，电源线和地线不能作为反馈通路
根据反馈到输入端的信号是交流，还是直流，或同时存
在，来进行判别。
VDD
直流反馈 Rc
Rg1 Rg2 Cb3
vo
+
Cb2
RL
Cb1 T1
+
Rsi T2
+ Rs
vs
-
+VD VCC
Rd Cb2 Rc
Rb1 C2
vo
Rg1 d iD
+
C1 iC
Cb1 T
g T
B + +
+ + vo RL
vID  s vID 
Rsi
vi Rb2 +
+ vi Rg2 + Ce
v F Rs v F Re
vs
   
- - -VSS
交、直流反馈直流反馈
+VCC
Rb11 Rc1 Rb21 Rc2
Cb3
+ vo
Cb1 Cb2
+ T1 + T2
+ RL
vi Rb12 + Rb22
Re1 Ce1 Re2
-
Rf Cf
交流反馈
从输出端看
正反馈：输入量不变时，引入反馈后输出量变大了。
负反馈：输入量不变时，引入反馈后输出量变小了。
从输入端看
正反馈：引入反馈后，使净输入量变大了。
负反馈：引入反馈后，使净输入量变小了。
净输入量 -
（压差） +
净输入量净输入量净输入量
（压差）（压差）（压差）
净输入量可以是电压，也可以是电流。
判别方法：瞬时极性法。即在电路中，从输入端开始，沿着
信号流向，标出某一时刻有关节点电压变化的斜率
（正斜率或负斜率，用“+”、“-”号表示）。
反馈通路净输入量增大
负反馈 R2
(-) R1 正反馈
R1 (-) vI -
(+) (+) vO
vI -
(+) (+) + (-)
vO
+ (-) (-)
R2 RL
RL
净输入量减小反馈通路
级间反馈通路
+12V
级间负反馈 Rc1 Rc2 Re3
(-) T3
(-)
(+) Rb1 (+) (+)
T1 T2
+ Rf ＋
vI vO
Rb2 －
－ Rc3
I0
–12V
净输入量减小
判断反馈极性时，注意：
（1）正确划分出基本放大电路和反馈网络；
（2）运用瞬时极性法时，一定要沿着信号传输方向依次
标注极性，即在基本放大电路中从输入到输出，在反馈网
络中从输出到输入；
（3）一定要熟知各种基本放大电路（如共源、共漏、共
栅、共射、共基、共集电路，差分放大电路及运算放大器
等）输出信号与输入信号间的相位关系；
（4）正确确定净输入量的位置。
由反馈网络在放大电路输入端的连接方式判定
串联并联
ii iid
+ + 基本放
vid xo if 基本放
Rsi 大电路 A is Rsi xo
- 大电路 A
+ vi
vs + 反馈网
- vf 反馈网
络F
- - 络F
串联：输入以电压形式求和（KVL） -vi+vid+vf=0 即 vid=vi- vf

并联：输入以电流形式求和（KCL） ii-iid-if=0 即 iid=ii-if
判断串、并联反馈的更快捷的方法
并联：反馈量xf和输入量xi接于同一输入端。
A xi xi
xi
xi xf xf
xf xf
串联：反馈量xf和输入量xi接于不同的输入端。
xi
xi xi xf
A xi
xf
xf xf
串联反馈
基本放大电路
xI +
+
xID A xO 串联反馈
- -
xF
+VD
Rd Cb2
R2
R1 vo
Rg1 d iD
反馈网络
Cb1 T
g
+ B
+
Rsi vID  s
+ vi Rg2 +
vs v F Rs

- - -VSS
并联反馈
Rf
(-)
R1
(+) (+)
vI
+
vID
-
A
(-)
vO 串联反馈
- +
+12V
Rc1 Rc2 Re3
(–)
T3
(+) Rb1 (+) (+) (+)
T1 T2
+ + - ＋
Rf
vI vO
vID Rb2
Rc3 －
－
I0
–12V
电压反馈与电流反馈由反馈网络在放大电路输出端的取样
对象决定
电压反馈：反馈信号xf和输出电压成比例，即xf=Fvo
电流反馈：反馈信号xf与输出电流成比例，即xf=Fio
io
xi xid 基本放大 +
+ vo xi + xid 基本放大
 电路 A RL 
电路 A
-
- x - x
f f RL
反馈网络反馈网络
F 并联结构 F
串联结构
电压负反馈的反馈控制作用
xi xid 基本放大 +
+ vo
 电路 A RL
-
xf=Fvo ， xid= xi－xf - x
f
RL vo xf  xid  反馈网络

F
vo
 电压负反馈稳定输出电压
电流负反馈的反馈控制作用
io
xf=Fio ， xid= xi－xf xi +


xid 基本放大
电路 A
RL  io xf  xid  - x
f RL
io 反馈网络
F
 电流负反馈稳定输出电流
判断方法：负载短路法
将负载短路（未接负载时输出对地短路），反馈量为
零——电压反馈。
将负载短路，反馈量仍然存在——电流反馈。
反馈通路
vi
if + +
ii iid
Rf vid A
- - +
vi -
vn A
io RL vo
R1 vo
+ vf -
RL
反馈通路 Rf
电压反馈电流反馈
+VDD
电压反馈 Rg1
Cb1 T
＋ Cb2
Rsi vf
＋
＋ vi Rg2
vs Rs RL vo
－－
－
反馈通路
ib ic c
b
+
Rsi rbe  ib 电流反馈
e vo
+ Rb1 Rb2
+
Rc RL
vs
– vf Re
VCC
-
-
Rc Cb2
Rb1
+
反馈通路 iC +
Cb1
+
+
Rsi RL vo
+
+ vi Rb2
vf Re
vs
– – – –
输入端：反馈网络在放大电路输入端的连接分为串
联和并联两种方式。
输出端：反馈信号在输出端分为电压取样和电流取
样两种方式。
由此可组成四种组态：
电压串联电压并联电流串联电流并联
1. 电压串联负反馈放大电路（电压放大器）
vi (+)
+ + vo
Rsi vid A
- - (+)
+ vf
vs (+)
– Rf
R1 RL
特点：
 输入以电压形式求和（KVL）： vid=vi- vf
 稳定输出电压
 电压控制的电压源（VCVS），电压/电压转换
2. 电压并联负反馈放大电路（互阻放大器）
(-)
if Rf
ii
vi (+) (+) iid
- (-)
R1 A vo
is Rsi +
RL
特点：
 输入以电流形式求和（KCL）： iid=ii-if
 稳定输出电压
 电流控制的电压源（CCVS），电流/电压转换
3. 电流串联负反馈放大电路（互导放大器）
vi (+)
+ + (+)
Rsi vid A
- - +
+ (+) io R
L vo
vs vf (+) -
–
Rf
特点：
 输入以电压形式求和（KVL）： vid=vi- vf
 稳定输出电流
 电压控制的电流源（VCCS），电压/电流转换
4. 电流并联负反馈放大电路（电流放大器）
净输入量
（压差） io
+
vi (+) R1 (+) iid A (-) +
-
ii if RL v o
is Rsi (-) (-) -
Rf
R2
特点：
 输入以电流形式求和（KCL）： iid=ii-if
 稳定输出电流
 电流控制的电流源（CCCS），电流/电流转换
不同反馈的影响及特点
正反馈：增大增益，易使系统不稳定，很少用
负反馈：减小增益，还有其它好处
串联反馈：输入端电压求和（KVL）（压控）
并联反馈：输入端电流求和（KCL）（流控）
电压负反馈：稳定输出电压，具有恒压特性（电压源）
电流负反馈：稳定输出电流，具有恒流特性（电流源）
电压串联电压并联电流串联电流并联
电压控制的电电流控制的电电压控制的电电流控制的电
压源压源流源流源
电压/电压转换电流/电压转换电压/电流转换电流/电流转换
本级反馈
本级反馈电压并联负反馈
电压串联负反馈 R5
(-)
R3 (+)
+ -
(+) vid A2 vo
- - (-)
+ (+) +
R1 vid A1
(+) (+)
vi - + R4
ii iid
(-) if R2
级间反馈
电压并联负反馈
VCC
Rc3
电流反馈
Rc1 Rc2
并联反馈 (–) vo
(+) +
T3 T3
Rf2 Rf2
(+) Rb1 (+)
Rf1
(–)
vi T1 T2 vo
iid Rb2 if
iI
Rf3 Re3 Rc3 Rf3
I0 Re3
if -
Rf1 –VEE
输出短路时输出
回路的交流通路
(-) (-)
(+) (+)
例求: (1)引入电压串联负反馈
解： +VCC
正反馈
R3
(+) a g
c R1 e
+ + ()
() T1
vS
d (+) A
- - T2
b R2 f
h
vO
()
Rf R4
j i
VCC
例求: (1)引入电压串联负反馈
解： +VCC
电压串联负反馈
R3
(+) a g
c R1 e (+)
+ + (+)
vS A T1
d T2
- -
(+) f
b R2 h
vO
(+)
Rf R4
j i
VCC
例求: (2)引入电流串联负反馈
解： +VCC
电流串联负反馈
R3
(+) a g (+)
c R1 e
+ + ()
(+) T1
vS
d (+) A
- - T2
b R2 f
h
vO
Rf R4
j i
VCC
信号源对反馈效果的影响
串联负反馈
vid = vi -vf
要想反馈效果明显，就
要求vf变化能有效引起vid的
变化。
则vi 最好为恒压源，即
信号源内阻Rs越小越好。
从另一角度看，对于电压信号源，引串联负反馈效果更好。
（压控）
信号源对反馈效果的影响
并联负反馈
iid = ii -if
要想反馈效果明显，就
要求if 变化能有效引起iid 的
变化。
则ii最好为恒流源，即信
号源内阻Rs越大越好。
从另一角度看，对于电流信号源，引并联负反馈效果更好。
（流控）


 负反馈放大电路增益的一般表达式
 掌握闭环增益与开环增益的定量关系
 理解反馈深度的重要作用
 理解开环增益、闭环增益、反馈系数在四种不同组态中的具体形式

小结：
● 放大电路开环与闭环增益之间的关系是 Af  A /(1  AF ) ，其中反馈深度
(1  AF ) 是一个重要指标。不同组态的反馈，A 和 F 的量纲是不同的。

　
已知 xi xid 基本放大电路 xo
+
xo 
A
A 开环增益
x id - x
f
xf 反馈网络
F 反馈系数 F
xo
xo
Af  闭环增益因为 x id  x i  x f x i  x id  x f
xi
xo xo xo A
所以 Af    
xi x id  x f xo / A  xo F 1  AF
即 A
Af  闭环增益的一般表达式
1  AF
（1+AF）称为反馈深度
一般情况下，A是频率的函数，F有时也是频率的函数。当
 、A
考虑信号频率的影响时，Af、A和F分别用 A  和 F 表示。
f

A
即  
A 反馈深度则表示为 | 1  A F |
f
1 A F
  A ，一般负反馈
(1) 1  A F  1 时， Af
1
( 2) 1  A F  1 时，深度负反馈此时有 A f 
F
  A ，正反馈
( 3) 1  A F  1 时， Af
   ，自激振荡
( 4) 1  A F  0 时， Af
负反馈放大电路中各种信号量的含义
反馈组态
信号量或
信号传递比电压串联电流并联电压并联电流串联
xo vo io vo io
xi、xf、xid vi、vf、vid ii、if、iid ii、if、iid vi、vf、vid
A=xo/xid Av=vo/vid Ai=io/iid Ar  vo / iid Ag  io / vid
F=xf/xo Fv=vf/vo Fi=if/io Fg  if / vo Fr  vf / io
Af=xo/xi Avf=vo/vi Aif  io / ii Arf  vo / ii Agf  io / vi
A Av Ai Ar Ag
    
1  AF 1  Av Fv 1  Ai Fi 1  A F
r g 1  Ag Fr
vi控制vo，电 ii控制io，电 ii控制vo，电流 vi控制io，电压
功能
压放大流放大转换为电压转换为电流
环路增益
信号经过基本放大电路和反馈网络构成的环路绕行一周
获得的增益称为环路增益，即 A F 。
X i  0 xi + xid 基本放大电路 xo

A
环路增益 - x
f
  X f 反馈网络
G  AF 
X id F
注意，环路增益表达式中未包含求和环节中反馈信号
的“-”号。
环路增益与放大电路增益是完全不同的两种增益


 负反馈对放大电路性能的影响
 理解负反馈对闭环增益稳定性的影响
 理解负反馈对放大电路非线性失真的改善
 掌握串联和并联、电压和电流负反馈对放大电路输入、输出电阻的影响
 掌握闭环带宽与开环带宽的关系

小结：
● 负反馈可以提高放大电路增益的稳定性、减小非线性失真、改变输入输出
电阻、扩展频带等，其影响程度均与反馈深度 (1  AF ) 有关。反馈越深，影响越
大。负反馈对放大电路性能的改善都是在牺牲增益的基础上实现的。
● 信号源内阻对反馈效果会产生一定影响。信号源内阻越小，串联负反馈的
反馈效果越好；信号源内阻越大，并联负反馈的反馈效果越好。
● 电压负反馈稳定输出电压，减小输出电阻，电流负反馈稳定输出电流，增
大输出电阻；串联负反馈增大输入电阻，更适合放大电压信号源，并联负反馈减
小输入电阻，更适合放大电流信号源。
● 如果直接耦合放大电路只有一个上限转折频率，且反馈网络是电阻网络，
那么，闭环增益与闭环带宽的乘积就等于开环增益与开环带宽的乘积，也就是说，
放大电路的增益带宽积是常数。

　
8.3.1 提高增益的稳定性
8.3.2 减小反馈环内非线性失真
8.3.3 对输入电阻和输出电阻的影响
8.3.4 扩展带宽
A ：变化后的开环增益
A
闭环时 Af  Af ：变化后的闭环增益
1  AF
A
dAf Af  Af Af 1  A  F A(1  AF )
  1  1  1
Af Af Af A A(1  AF )
1  AF
1 A  A 1 dA  Af  dA
  =  = 
1  AF A 1  AF A  A  A
即闭环增益相对变化量比开环减小了1+AF
1
另一方面，在深度负反馈条件下 A f 
F
即闭环增益只取决于反馈网络。当反馈网络由稳定的线性元件
组成时，闭环增益将有很高的稳定性。
负反馈的组态不同，稳定的增益不同（Avf 、Arf 、Agf 、Aif）
8.3.4 扩展带宽
xi xo
只能减少环内放大电路
O t O t 产生的失真，如果输入波形
本身就是失真的，即使引入
A
xi xo 负反馈，也无济于事。
xid
xi +
 A xxoo
–
xf F
8.3.4 扩展带宽
1. 对输入电阻的影响 ii
+ +
串联负反馈 vid Ri A xo
Rsi -
开环输入电阻 Ri = vid/ii vi
+
vs +
闭环输入电阻 Rif = vi/ii - vf F
- -
因为 vf = F∙xo xo = A∙vid
Rif
所以 vi = vid+vf = (1+AF ) vid

vid
闭环输入电阻 Rif= vi/ii  (1  AF )  (1  AF ) Ri
ii
引入串联负反馈后，输入电阻增大了。
1. 对输入电阻的影响
ii iid
并联负反馈
+
is Rsi vi if A xo
闭环输入电阻 Ri
-
Ri
Rif 
1  AF
F
引入并联负反馈后，输 Rif
入电阻减小了。
注意: 反馈对输入电阻的影响仅限于环内，对环外不产生
影响。
2. 对输出电阻的影响 it
+ +
电压负反馈 xi =0 +

xid
A
Ro
vt
Ao xid
- -
闭环输出电阻 -
xf =Fvf
vt
Rof  +
it F vf Rof
-
忽略反馈网络对it的分流
vt  it Ro  Ao xid 而 xid= - xf= - Fvt
所以 vt  it Ro  Ao Fvt
vt Ro 引入电压负反馈后，
Rof  
it 1  Ao F 输出电阻减小了。
2. 对输出电阻的影响
电流负反馈
vt
闭环输出电阻 Rof   (1  As F ) Ro
it
引入电流负反馈后，输出电阻增大了。
注意: 反馈对输出电阻的影响仅限于环内，对环外
不产生影响。
8.3.4 扩展带宽
8.3.4 扩展带宽
1. 闭环增益的带宽
AM AM为基本放大电
基本放大电路的高频响应 A H 
1  j( f f H ) 路通带增益
根据闭环增益表达式有（设反馈网络为纯阻网络）
 A H AM 1 AMf
AHf     
1  AH F 1  AM F 1  j f 1  j( f fHf )
(1  AM F ) fH
AM
其中 AMf  ——与频率无关的闭环通带增益
1  AM F
f Hf  (1  AM F ) f H ——闭环上限频率比开环时增加了
fL
同理可得 f Lf  ——闭环下限频率比开环时减小了
1  AM F
BW f  f Hf  f Lf  f H f 引入负反馈后，放大电路的通频带展宽了
8.3.4 扩展带宽
2. 增益带宽积开环幅频响应
设反馈网络 20lg|A| /dB 闭环幅频响应

是纯电阻网络
20lg|AM |
-20dB/十倍频
放大电路的
20lg|AMf1|
增益-带宽积为常闭环幅频响应
数（-20 dB/十倍 20lg|AMf2|

频的增益衰减斜
率） fH fHf1 fHf2 f
  1  AF f H  | A | f H
| A|
| Af1 | f Hf1 | Af2 | f Hf2 | Af | f Hf 
| 1  AF |
闭环增益−带宽积开环增益−带宽积
• 提高增益的稳定性
• 减小非线性失真
• 调整输入电阻和输出电阻
• 扩展频带
• 实现信号变换
负反馈对放大电路性能的改善，是以牺牲增
益为代价的，且仅对环内的性能产生影响。
为改善性能引入负反馈的一般原则
 要稳定直流量—— 引入直流负反馈  对于电压信号
 要稳定交流量—— 引入交流负反馈源—— 引串联负反
 要稳定输出电压—— 引入电压负反馈馈效果更明
 要稳定输出电流—— 引入电流负反馈显
 要增大输入电阻—— 引入串联负反馈  对于电流信号
源—— 引并联负反
 要减小输入电阻—— 引入并联负反馈
馈效果更明
 要增大输出电阻—— 引入电流负反馈
显
 要减小输出电阻—— 引入电压负反馈
 将电压信号变换为电流信号—— 引入电流串联负反馈
 将电流信号变换为电压信号—— 引入电压并联负反馈
 将电压信号变换为电压信号—— 引入电压串联负反馈
 将电流信号变换为电流信号—— 引入电流并联负反馈
 深度负反馈条件下的近似计算
 理解深度负反馈条件下引出的“虚短”和“虚断”的概念
 掌握虚短、虚断在深度负反馈放大电路中的应用
 理解集成运放有限环路增益、有限带宽对实际应用的影响
小结：
● 利用深度负反馈的条件，同样可以得到“虚短”和“虚断”的概念，它拓宽了
“两虚”的应用范围。熟练运用虚短和虚断，可以方便地分析和设计深度负反馈
放大电路。
● 由于放大电路有限环路增益和有限带宽的限制，在闭环上限频率附近，实
际增益比近似计算的要小，或者说实际带宽比预期的要窄。所以在选用运放时，
运放的单位增益带宽或增益带宽积需要留有一定的余地。
1. 深度负反馈的特点
A 1
( 1+AF ) >>1 时 Af  
1  AF F
即，深度负反馈条件下，闭环增益只与反馈网络有关
xo xf
又因为 Af  F 代入上式
xi xo
得 xf  xi xid = xi - xf  0 净输入量近似等于零
由此可得深度负反馈条件下，基本放大电路“两虚”的概念
iid iid
1. 深度负反馈的特点 vi vi
+ +
vid vid vf
深度负反馈条件下 - -
xid= xi - xf  0 vf iid
串联负反馈，输入端电压求和 vi - vf
+
vid= vi - vf  0 虚短 vid
vid
iid  0 虚断 ii iid ii iid
ri + +
vid vid
并联负反馈，输入端电流求和 - if -
if
iid= ii - if  0 虚断 ii iid
-
vid= iid ri  0 虚短 +
if
vid
只要放大电路处于深度负反馈，就出现了“虚短”和
“虚断”现象。放宽了虚短、虚断应用的条件，不再限于
集成运放中应用。
A 1
深度负反馈条件下 Af   ( 1  AF  1 )
1  AF F
闭环增益只与反馈网络有关
之前的运放基本放大电路的结论正是这一结果的体现
R R
运放的同相放大 A  1  f 反相放大 A   f
R1 R1
# 既然深度负反馈条件下，闭环增益只与反馈网络有关，那
么是否意味着基本放大电路的增益A已经无关紧要了？
# 如何满足深度负反馈条件？
2. 一般分析步骤
(1) 找出信号放大通路和反馈通路
(2) 用瞬时极性法判断正、负反馈
(3) 判断交、直流反馈
(4) 判断反馈组态
(5) 标出输入量、输出量及反馈量
(6) 估算深度负反馈条件下电路的 F、Af 、Avf 。
（常常利用虚短和虚断直接列表达式求解。）
3. 分析举例
设电路满足深度负反馈条件，试
vi +
+
写出该电路的闭环电压增益表达式。 vid A vo
- -
解：电压串联负反馈 vf
根据虚短、虚断 Rf
R1 RL
vf R1
反馈系数 Fv  
vo R1  Rf
闭环增益 vo 1 R
Avf   1 f
（就是闭环电压增益） vi Fv R1
实际上该电路就是第2章介绍的同相比例放大电路，此
处结果与第2章所得结果相同。
3. 分析举例
设电路满足深度负反馈条件，试计算它的闭环电流增益，
并定性分析它的输入电阻。 vp
+ io
vi ii iid A
解：电流并联负反馈 - +
vn RL vo
is Rsi if
根据虚短、虚断 -
R Rf
有 if  io Rif
R
Rf  R
io io Rf  R
闭环电流增益 Aif    注意，结果与图中所标
i i if R 电流的参考方向有关。
考虑到 ii 0 和 vi = vn≈0，所以 Rif ≈vi/ii≈0
3. 分析举例
设电路满足深度负反
馈条件，试写出该电路的
闭环电压增益表达式。
vi vf
解：电压串联负反馈
根据虚短、虚断
vf  v i
Rb2
vf  vo
Rb2  Rf
vo Rf
闭环电压增益 Avf  1
vi Rb2
3. 分析举例
某多级放大电路的交流通路如图8.4.4所示。（1）试判断电路
中级间反馈的组态和极性；（2）若电路满足深度负反馈条件，试
求电路的闭环电压增益。
解：（1）电流串联负反馈 (+) io
T3 +
(-)
（2）根据虚短、虚断可列出方程 T2 RL3 vo
RL2
(+) RL1 -
vi T1 ie3 io
 v i  vf (+) (+)
 +
 vf  if Re1 Rb1
vf
Rf if
Re3 iR
Re1
 i ( R  Rf ) -
 i R  f e1
 Re3 得闭环电压增益
 i R  if  i o  0 v ( R  Rf  Re3 ) RL3
 Avf  o   e1
 vo  RL3 io vi Re1 Re3
4. 近似计算带来的误差
深度负反馈条件下 ( |1+AF | >>1，或G = AF >>1，G ——环路增益)
A 1
设 Af  
Af 
1  AF F
当带宽是无穷大时，近似计算产生的相对误差：
Af  Af 1 1 1
Er =  100%   100%   100%   100%
Af AF AF G
即环路增益直接影响着误差的大小，环路增益越大，
误差越小。
当考虑带宽影响时，近似计算产生的相对误差：
1 1 Af (0)
 Af ( f ) 
F F 1  ( f / fHF ) 2 1
Er = = = 1  ( f / fHF ) 2  1
Af ( f ) Af (0) F Af (0)
1  ( f / fHF ) 2
1
= 1  ( f / fHF ) 2  1
A(0)
F
1  FA(0)
fHF  [1  FA(0)] fH
 1  为闭环带宽
=  1  1  ( f / fHF ) 2  1
 FA(0) 
fH为开环带宽
A(0)是与频率无关的开环通带增益
 1 
Er =   1  1  ( f / fHF ) 2  1
 FA(0) 
20lg|A| /dB
20lg|A |
-20dB/十倍频
4.64dB
20lg|Af |
fH fHf f
 1 
Er =   1  1  ( f / fHF ) 2  1
 FA(0) 
20lg|A| /dB
20lg|A |
-20dB/十倍频
3dB
20lg|Af |
fH fHf f
0.8fHf
例：设 F  0.1 A  2  105
1 1
当 f < fH 时 Er   =0.005%
AF 2  10  0.1
5
 1 
当 f = fHF 时 Er =   1  1  ( f / fHF ) 2  1
 FA(0) 
 2  1  41.4%
1
f = fHF 时3dB的误差为 Er-3dB  1 =29.3%
2
f = fHF 时近似计算的误差增加了12.1%


 负反馈放大电路的稳定问题
 了解负反馈放大电路产生自激振荡的原因
 理解负反馈放大电路稳定工作的条件
 了解负反馈放大电路稳定性分析方法和自激振荡消除方法

小结：
● 在设计负反馈放大电路时，反馈深度太深，可能会使电路产生自激振荡而
无法正常工作。
● 通过对环路增益 A F 进行频率响应分析，可以判断引入负反馈后，放大电
路是否可以稳定工作。在电阻反馈网络情况下，对环路增益 A F 的频率响应分析
就转化为，对反馈系数倒数对应的直线与开环增益幅频响应曲线关系的分析了。
● 如果放大电路只有一个转折频率，那么，由电阻网络引入任何深度的负反
馈，都不会产生自激振荡。
● 电容滞后补偿方法很简单，但代价是带宽明显变窄了。

　
8.5.1 产生自激振荡的原因和条件
8.5.2 负反馈放大电路的稳定裕度
8.5.3 负反馈放大电路稳定性分析
8.5.4 自激振荡的消除
1. 产生自激振荡的原因
自激振荡是指，在没有任何输入信号的情况下，放大电
路的输出端仍会连续
不断地产生某种频率
的输出波形。 Xi + Xid 基本放大 Xo
电路 A
–
将通频带上、下限 Xf
频率附近以及通带外产
生的相移称为放大电路反馈网络
的附加相移。 F
A 和F 在高频区或低频区产生的附加相移达到180，使中
频区的负反馈在高频区或低频区变成了正反馈，当满足了一
定的幅值条件时，便产生自激振荡。
1. 产生自激振荡的原因
自激振荡往往并非由信号引起，因为信号的频率通常落
在放大电路的通频带内。但是电路中的各种元器件总是存在
噪声的，也会有其他的干扰和扰动。它们的频率分布很广，
在放大电路的通带外也普遍存在，往往是自激振荡真正的
“信源”。
Xi + Xid 基本放大 Xo
电路 A
负反馈放大电路是 –
否自激振荡实际上 Xf
与输入信号无关。
反馈网络
F
2. 自激振荡的条件 Xid 基本放大电路 Xo
 A 
闭环增益 Af  A
1  A F
-
反馈深度 1  A F  0 时， Xf
反馈网络
自激振荡 F
即 A F  1 （A F 为环路增益）
又 A F  A ( )  F ( )  a ( )   f ( )
得自激振荡条件
A ( k )  F ( k )  1 幅值条件 k是满足条件的某角频率
Δ a ( k )  Δ f ( k )   ( 2n  1)  180 相位条件（附加相移）
注：输入端求和的相位（-1）不包含在内
避免自激振荡条件
 | A F | 1 或  | A F | 1
 
 Δ a  Δ f  180  | Δ a  Δ f | 180
写成等式，且幅值用分贝数表示时
 20 lg | A F |  Gm  0  20 lg | A F | 0
 或 
 Δ a  Δ f  180  | Δ a  Δ f |  m  180
其中 Gm——幅值裕度，一般要求Gm ≥ 10dB
m——相位裕度，一般要求m ≥ 45
（保证可靠稳定，留有余地）
 20 lg | A F |  Gm  0   | 0
 20 lg | AF
 或 
 Δ a  Δ f  180  | Δ a  Δ f |  m  180
 |
Gm  0  20 lg | AF |Δ a  Δ f | 180 (dB)
20lg|AF|/d
 m  180 | Δ a  Δ f || AF
  | 1
一般要求Gm ≥ 10dB o
f0
Gm f/Hz
或 m ≥45
Δa+Δf
f180
0
当反馈网络为纯电阻网络 f/Hz
–90
时， f = 0。 m
–180
利用波特图分析
1
环路增益的幅频响应写为 20 lg A F  20 lg A  20 lg
F 。
 1 的幅频响应是一条水平线
一般 F 与频率无关，则 20 lg 。
F
水平线 20 lg 1 与 20 lg A 的交点为 20 lg 1  20 lg A ，
F F
即该点满足 A F  1 。
关键作出 A 的幅频响应和相频响应波特图
判断稳定性方法
(1) 作出 A 的幅频响应和相频响应波特图
(2) 作 20 lg 1 水平线
F
(3) 判断两线交点对应的相位是否满足相位裕度（m  45）
在水平线 20 lg 1 与 20 lg A 的交点作垂线交相频响应曲线的一点
F
若该点 Δ a  135满足相位裕度，稳定；否则不稳定。
或
在相频响应的 Δ a  135点处作垂线交 20 lg A 于P点。
若P点在 20 lg 1 水平线之下（ A P F  1 ），稳定；否则不稳定。

F
例已知某直接耦合基
20lg|A| /dB
本放大电路的频率响 -20dB/十倍频程
应波特图如图所示。 100
-40dB/十倍频程
它有三个转折频率： 80
105Hz、106Hz和107Hz， 60
产生的附加相移最大
40 -60dB/十倍频程
达到-270°。在放大电
20
路中引入负反馈，问：
（1）反馈系数 0
10 102 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 8 f/Hz
-5
F1=3×10 时，反馈放 
大电路是否能稳定工 0
f/Hz
-45
作？（2）反馈系数
-90
-4
F2=10 时，反馈放大 -135
电路是否能稳定工作？ -180
-225
（3）反馈系数大于
-270
-4
10 时，情况又怎样？
 1点
基本放大电
AF
解： 20lg|A| /dB
-20dB/十倍频程
（1） F1=3×10-5 1 P1
20 lg 100
F1 -40dB/十倍频程
80
反馈系数为F1时 60
 m  180 | Δ a | f  f M
20
=90 ≥45 0
10 102 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 8 f/Hz
负反馈放大 
0
f/Hz
电路稳定 -45
-90
-135
-180
-225
-270
解： 20lg|A| /dB
-20dB/十倍频程
（2）F2=10-4 1 100 P1
20 lg -40dB/十倍频程
F1 P2
80
1
20 lg 60
F2
反馈系数为F2时
20
 m  180 | Δ a | f  f N 0
10 102 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 8
=45
f/Hz

0
刚刚满足相 -45
f/Hz
位裕度最小值， -90
-135
负反馈放大电路 -180
-225
稳定。
-270
解：（3） 20lg|A| /dB
-20dB/十倍频程
由（ 2 ）可 20 lg 1 100 P1
F1 -40dB/十倍频程
知反馈系数为 80
P2
F2 时已达临界 20 lg 1 60
F2
值，若再增大， 40 -60dB/十倍频程
则电路将不稳 20
定。 0
10 102 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 8 f/Hz
可见，F越大， 
0
反馈深度越深， -45
f/Hz
1 -90
水平线 20 lg -135
F -180
越下移，越容易 -225
-270
产生自激。
20lg|A| /dB
-20dB/十倍频程
1 100 P1
20 lg -40dB/十倍频程
F1 P2
80
1
20 lg 60
F2
推论： 40 -60dB/十倍频程
交点在 20 lg A 20
0
的斜率为-20dB/ 10 102 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 10 8 f/Hz

十倍频处，放大 0
f/Hz
-45
电路是稳定的。 -90
-135
-180
-225
-270
1. 通用型频率补偿的思路
对于由电阻构成的反馈网络，反馈系数的最大值Fmax=1。
1
20 lg  0 dB ，水平线与横轴重合，其他反馈深度的水
Fmax
平线均在横轴上方。
1
与 20 lg A 交在 20 lg A 的斜率为
根据推论， 20 lg
F
-20dB/十倍频处，放大电路是稳定的。
所以，如果通过补偿方式，将 20 lg A 曲线横轴以上
的部分，均变为-20dB/十倍频的斜率，那么，无论引入多
深的反馈（电阻反馈网络），放大电路总是稳定的。
思路： 0 分贝水平线上增益的衰减斜率只有-20dB/十倍频程
+VDD
PMOS 偏置电 (+5V)
流源 PMOS
T5 T6
措施：加入密勒电容Cc
vi2 ID6 T8
+
s1 s2
vid CC ID8
g1 PMOS
- +
vi1 T1 T2 g2 vO
IREF
d1 d2 io T7 -
vo2
IREF RREF g7
T3 T4 NMOS
NMOS
-VSS
输出级
2. 电容滞后补偿未加C补偿时
20lg|A|/dB
–20dB/十倍频 vo1
vi A1 A2 vo
100 C
–20dB/十倍频
–40dB/十倍频
加C补偿后补偿电容
–60dB/十倍频
–40dB/十倍频
0 +VCC
fH fH1 f/Hz
Δ a
未加C补偿时 Rb Rc
0 T2
f/Hz
–90 vi T1
–135 C Re
–180
–VEE
–270 加C补偿后
补偿电容
补偿后0 分贝线上增益的衰减斜率只有-20dB/十倍频
2. 电容滞后补偿未加C补偿时
20lg|A|/dB
–20dB/十倍频 vo1
vi A1 A2 vo
100 C
–20dB/十倍频
–40dB/十倍频
加C补偿后补偿电容
–60dB/十倍频
–40dB/十倍频
0
fH fH1 f/Hz
Δ a
未加C补偿时
0
f/Hz
–90
–135
–180
–270 加C补偿后
补偿后0 分贝线上增益的衰减斜率只有-20dB/十倍频
+VDD
3. 密勒效应补偿 PMOS 偏置电 (+5V)
流源 PMOS
T5 T6
C
vi2 补偿电容（等效为
ID6 T8
+ 较大的密勒电容）
s1 s2
vi A1 A2 vo vid CC ID8
g1 PMOS
- +
vi1 T1 T2 g2 vO
IREF
d1 d2 io T7 -
＋VCC vo2
IREF RREF g7
I T3 T4 NMOS
NMOS
Cc -VSS
30pF
输出级
T16
T17
利用密勒电容效应，就可以将较小的
电容等效为较大的电容实现频率补偿。实
R6 R7
际上，集成运算放大器14573和741内部，
－VEE
就加入了补偿电容Cc来实现频率补偿。

本章目的
以分析放大电路的输出功率、效率和非线性失真之间的矛盾为主线，提出解
决矛盾的措施。最后简介集成功率放大器和功率管。
 说明功率放大电路的特点及分类
 讨论乙类互补对称功率放大电路的工作原理和指标计算
 分析产生交越失真的原因和消除方法
 介绍几种甲乙类功率放大电路
 简单介绍两种集成功率放大器的工作原理和特性
 简单介绍两种典型的 MOS 功率管

 功率放大电路的特点及分类
 乙类互补对称功率放大电路
 了解功率放大电路的特点和分类
 掌握乙类互补对称功率放大电路的工作原理和指标计算

小结：
● 功率放大电路是在大信号下工作的，通常采用图解法进行分析。研究的重
点是如何在有限的失真情况下，尽可能提高输出功率和效率。
● 与甲类功率放大电路相比，乙类互补对称功率放大电路的主要优点是效率
高，在理想情况下，其最大效率约为 78.5%。
● 在选用功率管时，特别要注意它的最大耗散功率、最大耐压值、最大集电
极（漏极）电流等。

9 输出级与集成功率放大器
9.1 功率放大电路的一般问题
9.2 乙类双电源互补对称功率放大电路
9.3 甲乙类互补对称功率放大电路
9.4 集成功率放大器举例
1. 功率放大电路的特点及主要研究对象
 放大电路实质上都是能量转换电路。
 从能量控制的观点来看，功率放大电路和电压放大电路
没有本质的区别。
 但是，功率放大电路和电压放大电路所要完成的任务是
不同的。
 对电压放大电路的主要要求是使其输出端得到不失真的
电压信号，讨论的主要指标是电压增益、输入和输出阻
抗等，输出的功率并不一定大。
 而功率放大电路则不同，它主要要求获得一定的不失真
（或失真较小）的输出功率，因此功率放大电路包含着
一系列在电压放大电路中没有出现过的特殊问题。
1. 功率放大电路的特点及主要研究对象
主要特点
功率放大电路是一种以输出较大功率为目
的的放大电路。因此，要求同时输出较大的电
压和电流。管子工作在接近极限状态。
一般直接驱动负载，带载能力要强。
要解决的问题
 提高效率  减小失真  管子的保护
2. 输出级工作状态分类及提高效率的主要途径
提高效率的主要途径：降低静态功耗，即减小静态电流。
iC iC
四种工作状态：
根据正弦信号整个周期内 Q iB＝常数
三极管的导通情况划分 ICQ
（a）
t vCE
甲类：一个周期内均导通 iC
O
iC
O
乙类：导通角等于180°
甲乙类：导通角大于180° Q iB＝常数
丙类：导通角小于180° （b）
O t O
ICQ
vCE
iC iC
（c） iB＝常数
O t O vCE
1. 电路组成
VCC －VCC ＋VCC
iC1
T2 T1
T1 ＋
＋
＋＋＋
＋
vi vi
RL vo RL vo vi T2 RL iL vo
－－－－
－－ iC2
－VCC
基本互补对称电路实现了静态时两管不导电，而在有
信号时，T1和T2轮流导电，组成推挽式电路。
2. 分析计算＋VCC
iC1
由于三极管处于大信号下工作， T1
需要同时考虑直流和交流对管子工作＋＋
状态的影响，故通常采用图解法。 vi T2 RL iL v o
iC1 － iC2 －
iC1
A A －VCC
iB =常数 iB =常数
Icm1 Icm
B Q B Q O
2Icm VCES
O VCES VCC vCE1 O VCES vCE
Vom Vom
2Vom
iC2
2. 分析计算 iC1
A
1）输出功率
iB =常数
V Icm
( om ) 2 2
2 = omV B Q O
Po = 2Icm
O VCES VCES vCE
RL 2 RL Vom
2Vom
最大输出功率
iC2
V 2
(V  VCES ) 2
Pomax = om
 CC
2 RL 2 RL
2
V
忽略VCES时 Pomax  CC
2RL
9.2 乙类双电源互补对称功率放大电路＋VCC
iC1
2. 分析计算 T1
2）管耗PT 设输出电压为vo＝Vomsinωt ＋＋
vi T2 RL iL v o
单个管子在半个周期内的管耗－－
iC2
1 π 1 π vo
 vCE iE1 d( t )   d( t )
－VCC
PT1 = = (VCC v o )
2π 0 2π 0 RL
1 π Vom sint

2π 0
(VCC  Vom sint )
RL
d(  t )
2
1 VCCVom Vom
 (  )
RL π 4
2
2 VCCVom Vom
两管管耗 PT = PT1  PT2  (  )
RL π 4
9.2 乙类双电源互补对称功率放大电路＋VCC
iC1
2. 分析计算 T1
3）直流电源供给的功率PV ＋＋
vi T2 RL iL v o
2VCCVom
PV = Po  PT  πR － iC2 －
L
－VCC
2
2 VCC
当 Vom  VCC 时， PVm  
π RL
4）效率
Po π Vom
=  
PV 4 VCC
π
当 Vom  VCC 时，    78.5 %
4
3. 功率BJT的选择
1）最大管耗和最大输出功率的关系
1  VCCVom Vom
2
 dPT1 1  VCC Vom 
PT1       
RL  π 4  dVom RL  π 2 
令 dPT1 / dVom  0
VCC Vom 2VCC
 0 Vom 
π 2 π
2  CC  
2V
2
 VCC 
2
  2 2
1 π π 1 V V
PT1max      CC
 CC
 0.2 Pom
RL  π 4  π RL
2 2
π RL
 
 
PT1max  0.2 Pom 选管依据之一
乙类互补对称电路Po、PV和PT1与Vom/VCC变化的关系曲线
2
VCC
P/( )
2RL
1.27
1.2
PV
1.0
0.8
Po
0.6
0.4
PT1
0.2
0.137
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Vom/VCC
3. 功率BJT的选择
2）功率BJT的选择
 每只BJT的最大允许管耗PCM必须大于0.2Pom；
 考虑到当T2导通时，－vCE2 ≈0，此时vCE1具有最大值，
且等于2VCC。因此，应选用|V(BR)CEO|＞2VCC的功率管；
 通过功率BJT的最大集电极电流为VCC/RL，所选功率
BJT的ICM一般不宜低于此值。
PCM > 0.2 Pom

V(BR)CEO > 2VCC
ICM > VCC / RL

 交越失真产生的原因和消除方法
 甲乙类互补对称功率放大电路
 理解产生交越失真原因，掌握消除交越失真方法
 了解甲乙类互补对称功率放大电路的工作原理

小结：
● 由于功率 BJT 或 MOSFET 输入特性存在死区电压，工作在乙类的互补对
称电路将出现交越失真，克服交越失真的方法是采用甲乙类（接近乙类）互补对
称电路。通常可利用二极管或 VBE 扩大电路进行偏置。
● 由于互补对称功率放大电路引入了深度的电压负反馈所以即使在大信号
下也不会出现明显的、由三极管非线性特性引起的非线性失真。
● 在单电源互补对称电路中，计算输出功率、效率、管耗和电源供给的功率
时，可借用双电源互补对称电路的计算公式，但要用 VCC/2 代替原公式中的 VCC。

　
乙类互补对称电路存在的问题
＋VCC vi/V
iC1
0.6
0 t
T1 －0.6
＋＋
v o, i L
vi T2 RL iL v o
－ iC2 －
0
t
－VCC 交越失真
1. 甲乙类双电源互补对称电路
利用二极管进行偏置克服交越失真
＋VCC
前置放大器 Re3
iC1 T1和T2两基极
vI T3 之间的静态压
T3正常工作，D1
T1 差不易调整
D1
和D2一直导通
D2 ＋
T2
iL RL v O
Rc3 iC2 －
－VCC
D1、D2上的压降为T1、T2提供了一个适当的偏压，使
T1和T2处于微导通状态。
1. 甲乙类双电源互补对称电路
利用VBE扩大电路进行偏置克服交越失真
＋VCC R1  R2
VCE4   VBE4
Re3 R2
iC1
vI T3 利用T4管的VBE4基本为一固
T1 定值（硅管约为0.6～0.7V），
R1
T4
只要适当调节R1、R2的比值，
R2 ＋就可改变T1、T2的偏压值。
T2 iL RL v O
Rc3 － R1、R2不变时，VCE4也是
iC2
－VCC
定值，可看作是一个直流电源。
Po、PT、PV和PTm仍然按照乙类功放计算公式进行估算。
2. 甲乙类单电源互补对称电路（OTL电路）
1）基本电路 VCC
Re3
直流时
vI T3 VK＝VC ≈ VCC /2
T1
D1 C
K ＋
D2
iL
T2 ＋
RL vo
RC3 －
2. 甲乙类单电源互补对称电路（OTL电路）
VCC
2）工作原理
Re3
vI T3
0
T1
0
D1 C
K ＋
D2
T2
iL
＋条件： =RLC
0 RL vo
RC3 远大于信号最
－
长的第周期
应用 OCL 电路有关公式时，要用 VCC / 2 取代 VCC

3. MOS管甲乙类双电源互补对称电路
＋VCC
R3
VGG  (1  )VBE8 ＋VDD
R4
I
T3
R
 (1  1 )VBR7  4VBE
R2
R1 T1
T4 RG1
T7
R2 ＋
热耦合 R VGG vo
R3 － RG2
T5 T2 RL
T8
R4
vI
T6
－VDD
－VCC


 集成功率放大器
 功率管
 了解典型的集成功率放大器的电路结构、工作原理和特性
 了解典型的功率管的结构和特点

小结：
● 集成功放具有较好的特性，且使用方便，所以获得了广泛应用。
● 由于 MOS 管栅极输入电容的存在，所以驱动级至少要提供足够的电流来
完成对这个电容的充放电。此外，MOS 管的运行速度比 BJT 高，因此 MOS 功
率管特别适合于作为开关应用。MOS 功率管也常用于高频电路。

　
BJT集成音频功率放大器LM380
+VCC
(14)
T10 T11
T7
R1A
25k D1 R6
外接旁 R2 0.5
路电容 (1) vo
R1B 25k R7 (8)
25k R3 1k D2
0.5
Cc
T9
T3 T4
vin vip
(6) T1 T2 (2)
T12 T8
R4 T5 T6 R5
150k 150k
(7)地
BJT集成音频功率放大器LM380
典型应用电路
+VCC
0.1F
2 14
vi + 1000F
8
LM380
6 +
– 1 C +
+
7 47F RL vo
–
SHM1150Ⅱ型集成功率放大器 6
+VCC
R8
R7
vo2
R6 c2 T4
T5 T7
T9
vo1 C
c1
R11
R9
8
T6 +
Rf
1 T1 T2 R13 vo
+
e1 e2 R10 -
vi R2
R1
- T8
T10
I1
I2
R12
-VEE
3 10
SHM1150Ⅱ型集成功率放大器
典型应用电路
＋VCC
1
6
+
8
vi SHM1150
+
-
3 10 RL vO
－VEE -


本章目的
主要讨论四种类型电路：有源滤波电路、正弦波振荡电路、电压比较器和非
正弦波产生电路。
 介绍有源滤波电路的基础知识和各种滤波电路的滤波特性
 说明正弦波振荡电路的振荡条件
 介绍 RC 正弦波振荡电路
 介绍单门限电压比较器和迟滞电压比较器
 分析方波和锯齿波产生电路

 滤波电路的基本概念
 一阶及高阶有源滤波电路
 掌握低通、高通、带通和带阻有源滤波电路的幅频响应特点
 了解一阶、二阶及更高阶滤波电路的频率特性

小结：
● 有源滤波电路是一种有“频率选择”功能的电路，它允许一定频率范围内的
信号通过，抑制或急剧衰减此频率范围以外的信号。根据幅频响应不同，可分为
低通、高通、带通、带阻和全通滤波电路。有源滤波电路通常由运放和 RC 网络
构成。
● 滤波电路的滤波特性取决于传递函数，不同的电路可以有相同的传递函数。
高阶滤波电路一般都可由一阶和二阶有源滤波电路组合而成，而二阶滤波电路传
递函数有通用的基本形式。
● 传递函数中具体的参数不同时，滤波特性的细节也不同。为了尽可能逼近
理想的滤波特性，前人总结出了不少有鲜明特色的滤波器传递函数。常用的有巴
特沃斯（Butterworth）、切比雪夫（Chebyshev 或 Chebyshev 1）、反切比雪夫（Inverse
Chebyshev 或 Chebyshev 2）、椭圆（Elliptic）
、贝塞尔（Bessel）和高斯（Gaussian）
等滤波函数。
● 低通和高通是两种最基本的滤波电路，带通和带阻滤波电路都可以由它们
组合而成。
● 受有源器件运放带宽的限制，有源滤波电路的最大带宽是有限的。
10 信号处理与信号产生电路
10.1 有源滤波电路（10.1, 10.2, 10.3）

10.3 正弦波振荡电路的振荡条件（10.5）
10.4 RC正弦波振荡电路（10.6）
10.6 电压比较器（10.8.1）
10.7 非正弦信号产生电路（10.8.2, 10.8.3）
10.1 有源滤波电路
10.1.1 滤波电路的基本概念与分类
10.1.2 有源低通滤波电路
10.1.3 有源高通滤波电路
10.1.4 有源带通滤波电路
10.1.5 二阶有源带阻滤波电路
1. 基本概念
滤波器：是一种能使有用频率信号通过而同时抑制或衰减无
用频率信号的电子装置。
有源滤波器：由有源器件和相关元件构成的滤波器。
滤波电路传递函数定义 vI (t ) vO ( t )
滤波电路
Vo ( s )
A( s ) 
Vi ( s ) d ( )
 ( )   ( s)
s  j 时，有 A( j )  A( j )  ( ) d
群时延响应
其中 A( j ) —— 模，幅频响应
 ( ) —— 相位角，相频响应相位失真与群时
延响应的关系
2. 分类 |A| 实际
理想
|A|
理想实际
A0 A0
低通（LPF）
高通（HPF）通带阻带阻带通带
O O
带通（BPF） H  L 
|A| |A|
带阻（BEF） A0
理想
A0
理想
实际实际
全通（APF）
希望抑制50Hz
O L 0 H  O H 0 L 
的干扰信号，应选
理想
用哪种类型的滤波 |A|
A0
电路？
通带
放大音频信号，应选用哪种类型
O
的滤波电路？ 
1. 一阶有源低通滤波电路
A0 R1 Rf
传递函数 A( s )  －
s
1 R vP ＋
c ＋
＋同相比例
其中放大电路 vO RL
vI C
Rf
A0  1  增益－－
R1
1 改用反相放大电
c  特征角频率路有何差别？
RC 无源 RC 滤波电路
A(j)
20lg| |
故，幅频响应为 A0 /dB
0 理想
A0
A( j ) 
－3
一阶滤波器
 2 实际
－20dB/十倍频程
1 ( ) 的带外衰减
c 速率较慢
－20
1 10  /C
2. 二阶有源低通滤波电路
(1) 传递函数
C
R vI R AvI vI R vP
AVF  1  f （同相比例） + vO
R1 vA
C –
对于滤波电路，有 Rf
Vo ( s )
AVF  同相比例
VP ( s ) R1
放大电路
1 / sC
VP ( s )   VA ( s )
R  1 / sC
Vi ( s )  VA ( s ) VA ( s )  Vo ( s ) VA ( s )  VP ( s )
  0
R 1 / sC R
Vo ( s ) AVF
得滤波电路传递函数 A( s )  
Vi ( s ) 1  (3 - AVF ) sCR  ( sCR ) 2
（二阶）
C
(1) 传递函数 vI R AI vI R
v vP
+
vA vO
AVF C
A( s )  –
1  (3-AVF ) sCR  ( sCR ) 2 Rf
令 A0  AVF 称为通带增益 R1 同相比例

放大电路
1
Q 称为等效品质因数
3  AVF
1
c  称为特征角频率注意：
RC
A0 ωc2 当 3  AVF  0 ，即 AVF  3 时，
则 A( s ) 
ωc 滤波电路才能稳定工作。
s 
2
s  ωc2
Q
C
(1) 传递函数 vI R AI vI R
v vP
+
vA vO
用 s  j 代入， C –
Rf
可得归一化的幅频响应
R1 同相比例
放大电路
A( j ) 1
20 lg  20 lg
A0 
2
 2  2
1  ( )   ( )
 c   cQ

相频响应  cQ
 ( )  arctg

1  ( )2
c
(2) 幅频响应 A( j ) 1
20 lg  20 lg
A0  
2
 2  2
A(j ) 1  ( )   ( )
20lg|
A0 /dB
|  c   cQ
20 Q＝10
5
10 2 产生增益过冲的
归一化的幅 1
原因是什么？
0 0.707
频响应曲线－3 0.5
－10 上限角频率H和
特征角频率C有
－20
何差别？
－30
0.3 0.4
－40
0.1 0.2 0.5 1 2 3 5 10  /C
3. n阶巴特沃斯低通传递函数及其归一化幅频响应
A0 式中n为阶滤波电路阶
A( jω) 
| A( j ) | 1  (ω / ωc ) 2n 数，  c 为 3dB 载止角频
Ao 率，A0为通带电压增益
1.0
0.9 理想
0.8 n＝1
0.7
0.6
n＝1
0.5
0.4
n＝2
0.3
0.2 n＝4 n＝3
0.1
0

0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 c
有源滤波器
优点：
 不用电感、体积小、重量轻；
 有一定的电压放大和缓冲作用。
缺点：
 工作频率难以做得很高；
 不适宜大功率场合。
1. 一阶有源高通滤波电路
电路如何改变？ R1 Rf
－
幅频响应如何变化？ R vP ＋
＋同相比例
＋
放大电路 vO RL
vI C
－－
A(j) 一阶有源低
20lg| |
A0 /dB
0 理想通滤波电路
－3
实际
－20dB/十倍频程
－20
1 10  /C
2. 二阶有源高通滤波电路
将低通电路中的 R
vI C C vP
电容和电阻对换，便＋ vO
vA
成为高通电路。 R －
A0 s 2 (AVF -1)R1
传递函数 A( s ) 
c
2
s  s   c2
Q R1 同相比例
放大电路
归一化的幅频响应
A( j ) 1 1
20 lg  20 lg Q
A0  c 2 
2
c 2 3  AVF
(
  )  1  ( )
  Q 1
c＝
RC
2. 二阶有源高通滤波电路
A( j ) 1
20 lg  20 lg
A(j) A0  c 2 
2
c 2
(  )  1  ( Q )
20lg| |/dB
A0
Q＝10  
5
2
1
0
－3
0.707
0.5
0.3 0.4
－40
0.1 0.2 0.5 1 2 3 4 5  /C
3. n阶巴特沃斯高通传递函数及其归一化幅频响应
A0
A( jω) 
| A( j ) | 1  (ωc / ω) 2n
Ao
1.0
0.9
n＝3
0.8 n＝2
0.7 n＝1
0.6
0.5
0.4
0.3
n＝4
0.2
0.1
0

0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 c
1. 电路组成原理 A1
A0
可由低通和高通串联得到通带阻带
O H 
vI vO
低通高通 A2
A0
阻带通带
1
H  低通截止角频率 O L 
R1C1 A
1 A02
L  高通截止角频率
R2C 2 阻带通带阻带
O L H 
必须满足  L   H
2. 二阶有源带通滤波电路 R2＝R
C1＝C
vI
传递函数 R
＋ vO
R3
AVF sCR C ＝2R －
A( s )  (AVF -1)R1
1  (3 - AVF ) sCR  ( sCR ) 2 低通高通
R1 同相比例
AVF 放大电路
令 A0 
3 - AVF
1
0  s
RC A0
1 Q 0
Q 得 A( s ) 
3  AVF s s
1 ( )2
Q 0 0
2. 二阶有源带通滤波电路 R2＝R
C1＝C
s vI
A0 ＋ vO
Q 0 R R3
A( s )  C ＝2R －
s s (AVF -1)R1
1 ( )2 低通高通
Q 0 0
R1 同相比例
1 j 放大电路
A0  A(j )
Q 0 20lg|
A0 /dB
|
 2
   0
1   j 0.5
 0  0Q 1
2
A0
 －20
5
  0 
1  jQ    Q＝10
 0  
－40
0.1 1  / 0
关于选择性
10.1.5 有源带阻滤波电路
1. 电路组成原理
可由低通和高通并联得到 A1
A0
通带阻带
vI vO
低通 O H 
A2
A0
高通阻带通带
O L 
A
必须满足  L   H A0
通带阻带通带
O H L 
双T选频网络
双T带阻滤波电路
R
2
vI C C vP
＋ vO
R R
－
Rf
2C
Rf＝(AVF－1)R1
R1
2. 幅频特性
R
2
vI C C vP
＋ vO
R R
－
Rf
2C
A(j) Rf＝(AVF－1)R1
20lg| | R1
A0 /dB
0
Q大
－10
Q小
－20
－30
－40
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10  / 0


 正弦波振荡电路的振荡条件
 RC 正弦波振荡电路
 掌握正弦波振荡的产生条件和振荡电路的构成要素
 掌握 RC 桥式正弦波振荡电路的工作原理，包括起振和稳幅原理，以及振
荡频率的计算
 了解 RC 移相式正弦波振荡电路的工作原理

小结：
● 在放大电路中引入正反馈并满足一定的条件，电路便会出现自激振荡现象，
如果能控制特定的频率振荡，便可以产生正弦波。实际上，振荡电路是不需要输
入信号的。
● 正弦波振荡电路的基本组成应包括：放大电路、正反馈网络、选频网络和
稳幅电路。其中，选频网络和正反馈网络经常是共用的。
● 在 RC 桥式正弦波振荡电路中，当 RC 串并联网络参数满足 R1=R2=R，C1=C2=C
时，其振荡频率 fo=l/(2RC)。稳幅电路通常由非线性元器件构成。

　
10.1 有源滤波电路（10.1, 10.2, 10.3）

10.6 电压比较器（10.8.1）
10.7 非正弦信号产生电路（10.8.2, 10.8.3）
10.3 正弦波振荡电路的振荡条件
1. 振荡条件
正反馈放大
电路框图
（注意与负
反馈方框图
的差别）
X a  X i  X f
若环路增益 A F  1 则 X a  X f ，去掉 X i ， X o 仍有稳定的输出。
又 A F  A F  a   f  AF  a   f 所以振荡条件为
A( )  F ( )  1 振幅平衡条件
 a ( )   f ( )  2nπ 相位平衡条件
2. 起振和稳幅
起振条件
A( )  F ( )  1
 a ( )   f ( )  2nπ
# 起振的信号源来自何处？
电路器件内部噪声以及电源接通扰动
噪声中，满足相位平衡条件的某一频率0的噪声信号被放大，
成为振荡电路的输出信号。
当输出信号幅值增加到一定程度时，就要限制它继续增加，
否则波形将出现失真。
稳幅的作用就是，当输出信号幅值增加到一定程度时，使振
幅平衡条件从 AF  1 回到 AF  1 。
3. 振荡电路基本组成部分
放大电路（包括负反馈放大电路）
反馈网络（构成正反馈的）
选频网络（选择满足相位平衡条件的一个频率。经常与反
馈网络合二为一。）
稳幅环节
10.1 有源滤波电路（10.1, 10.2, 10.3）

10.6 电压比较器（10.8.1）
10.7 非正弦信号产生电路（10.8.2, 10.8.3）
10.4 RC正弦波振荡电路
1. 电路组成
包含
RC桥式振荡电路
负反馈
选频网络放大电路
作为
正反馈
Z1
R FV
Rf AV
C
＋＋ VO
A
－
Z2 R C Vi  Vf
= R1
选频网络
2. RC串并联选频网络的选频特性 VO
反馈系数
R FV
Vf ( s ) Z2 sCR Z1
FV ( s )   
Vo ( s ) Z 1  Z 2 1  3 sCR  ( sCR ) 2 C
1 ＋
又 s  j 且令  0 
RC Z2 R C Vi  Vf
1
则 FV  =
 0
3  j(  ) －
0 
幅频响应相频响应
1  0
FV  (  )
 0 2 0 
32  (  )  f  arctg
0  3
2. RC串并联选频网络的选频特性 FV
0.4 1
3
1
FV  0.3
 0 2 0.2
32  (  )
0  0.1
0
 0 0.1 1 10 / 0
(  ) (a)
0  f
 f  arctg 90
3 60
30
1 1 0
当   0  或 f  f0  0.1 1 10 / 0
RC 2πRC －30
－60
－90
幅频响应有最大值 (b)
1 相频响应 f  0
FVmax 
3
2. RC串并联选频网络的选频特性 FV
0.4 1
3
0.3
选频网络
VO 0.2
0.1
0
Z1
R FV 0.1 1 10 / 0
(a)
C f
90
60
＋
30
0
0.1 1 10 / 0
Z2 R C Vi  Vf －30
= －60
－90
－ (b)
3. 振荡电路工作原理
1
当   0  时，
RC (+)
f  0 Z1
R FV
Rf AV
满足相位平衡条件： C
(+) (+)
 a   f  2 nπ ＋＋ (+) VO
A
若放大电路的电压增益 Z2 R C －
Vi  Vf
Rf = R1
AV  1  3
R1 －
则满足振幅平衡条件
1
1 输出正弦波的频率 f 
AV FV  3   1 0
2 πRC
3
RC正弦波振荡电路一般用于产生频率低于 1 MHz 的正弦波
4. 稳幅措施热敏电阻
热敏元件
起振时 Z1
R FV
Rf
Rf AV
AV  1  3 C
R1 ＋ VO
＋
A
即 AV FV  1 －
Z2 R C Vi  Vf
= R1
热敏电阻的作用
－
Vo  Io  Rf 功耗  Rf 温度  Rf 阻值 
AV  AV  3 AV FV  1 稳幅
10.4 RC正弦波振荡电路 Rp1
27k
4. 稳幅措施
R1
2.4k
场效应管（JFET）
0.003 F
C11 C12 C13
D 、R4 、C 3 整流滤波 0.003 F 0.3 F 稳幅环节
＋ vO
A
T 为压控电阻 Rp2 －
D 2CP11
27k Rp3 6.8 k
Rp3
AV  1  3
C21 C22 C23 R4
R2 1 k
R3  RDS
0.003 F
2.4k R3
0.03 F
0.3 F
1k R5
稳幅原理 T RP4
10 k C3
10 F
CS146 ＋
Vo 
2.4k
VGS (负值 ) 
可变电阻区，
RDS 
iD
AV  斜率随vGS不同 vGS=0V
-1V
而变化
-2V
AV  3 AV FV  1 稳幅 -3V
vDS
4. 稳幅措施稳幅环节
二极管
起振时
R2  R3
AV  1  3
R1
其中 R3 是R3、D1和D 2并
联支路的等效电阻
稳幅原理
Vo  R3  AV  AV  3 AV FV  1 稳幅
RC移相式正弦波振荡电路
C C C C C C
vf vf
R R R R R
Rf Rf
R
- vo - vo
A A
+ +


 单门限电压比较器
 迟滞电压比较器
 掌握单门限电压比较器的工作原理和求解电压传输特性的方法
 掌握迟滞电压比较器的组成特点、工作原理和分析方法
 了解电压比较器的基本应用

小结：
● 单门限电压比较器和迟滞电压比较器均有同相输入和反相输入两种接法。
单门限电压比较器的运放（或比较器）通常工作在开环状态，只有一个门限电压；
而迟滞电压比较器中的运放（或比较器）则工作在正反馈状态，它有上、下两个
门限电压值，但是任何时刻只有一个门限是有效的。换句话说，实际上是门限在
两个值之间跳变。
● 迟滞电压比较器也称为施密特触发器（Schmitt Trigger）。由于电路中引入
了正反馈，在比较器临界翻转时刻，同相端和反相端的电压，是朝着相反的方向
变化的，所以比较器的翻转速度更快，输出电压跳变沿更陡。
● 无论是单门限还是迟滞电压比较器，门限电压都是在输出电压发生跳变的
临界条件下，即运放（或比较器）的两输入端电压近似相等（vN  vP）条件下求
得的。

　
10.1 有源滤波电路（10.1, 10.2, 10.3）

10.6 电压比较器（10.8.1）
10.7 非正弦信号产生电路（10.8.2, 10.8.3）
10.6 电压比较器 +VCC
vI +
1. 单门限电压比较器 -
A vO
增益A0大于105 -VEE
 VEE  vO  VCC 运算放大器工作在非线性状态下
（1）过零比较器 假设  V EE   VCC  VM 

VM
vI  时， vO  A0 vI  VM ，但是 |vO |不可能超过VM ，
A0
所以 vOmax  VM （忽略了放大器输出级的饱和压降）
VM 15
当 |+VCC | = |-VEE | =VM = 15V，A0 =105 时，  5  0.15mV  0
A0 10
可以认为 vI >0 时， vOmax = +VCC

（过零比较器）
vI <0 时， vOmax = -VEE
vI +
A vO
2）注意问题 -VEE
 由于运放工作于非线性状态，所以虚短不再成立。
 由于运放的输入电阻较大，虚断成立。
3）提高响应速度的限幅电路
vI +
A vO
（1）过零比较器 -VEE
输入为正负对称的正 vI
弦波时，输出为方波。 T
 2 3 4
电压传输特性 O t
vO
VOH
vO
VOH
O vI
O
t
VOL VOL
10.6 电压比较器 +VCC +VCC
1. 单门限电压比较器
v -
C
I
vO
vI +
A vO
+ -
思考 -VEE -VEE
1. 若过零比较器如左图所
示，则它的电压传输特性将是 vI
T
怎样的？
2. 输入为正负对称的正弦 O
 2 3 4
t
波时，输出波形是怎样的？
vO
VOH
vO
VOH
O vI O t
VOL
VOL
vI +
C vO
VREF -VEE
（2）门限电压不为零的比较器
（门限电压为VREF） vI
T
电压传输特性 VREF
 2 3 4
vO O t
VOH
vO
O VREF vI VOH
O
VOL t
VOL
vO
输入为正负对称的正弦波 VOH
时，输出波形如图所示。 O
t
VOL
电路如图所示，当输入信号如图c所示的正弦波时，定性
例画出 vO 、vO 及vL的波形。
vI
T
vI
+ vO C v O vL  2 3 4
vID+ A (c) O t
– – D
R RL
vO
(a)
VOH
(d) O
t
解：（1）A 构成过零比较器 VOL
v O
（2）RC 为微分电路，
(e) O
t
RC<<T
（3）D 削波（限幅、检波） vL
(f) O t
图示为另一种形式的单门限电压比较器，试求出其门限
例电压(阈值电压)VT，画出其电压传输特性。设运放输出的
高、低电平分别为VOH和VOL。
Rn＝R1‖R2
－
解：利用叠加原理可得 N
R1 P vO
VREF ＋
R2 R1
vp  VREF  vI
R1  R2 R1  R2 vI
R2
理想情况下，输出电压发生跳变 vO
时对应的vP＝vN＝0，即－
R2
R1 VREF VOH
R2VREF  R1 vI  0
O vI
R2
门限电压 VT  ( vI  )  VREF
R1 VOL
10.6 电压比较器
单门限比较器的抗干扰能力应为高电平
vI
Vth
=VREF
O t
vO
错误电平
VOH
O
t
VOL
vI vN
– vO
2. 迟滞比较器 R2 vP +
A
VREF
=1V 100 R1
（1）电路组成（反相输入）
10k 
（2）门限电压 v P 为门限电压，正反馈
v I  v P 时，vO  VOL (低电平 ) v I  v P 时，vO  VOH (高电平 )

而 v P 与 v O 有关，对应于 v O的两个电压值可得 v P的两个
门限电压
R1VREF R2VOH
VT    上门限电压
R1  R2 R1  R2
R1VREF R2VOL
VT   下门限电压
R1  R2 R1  R2
R2 (VOH  VOL )
回差电压 VT  VT  VT 
R1  R2
10.6 电压比较器 vI vN
– vO
R2 vP A
2. 迟滞比较器 VREF +
=1V 100 R1
（3）传输特性 10k 
R1VREF R2VOH
VT   vO/V
R1  R2 R1  R2
VOH
RV RV
VT  1 REF  2 OL (a) 0
R1  R2 R1  R2 VT+ vI /V
VOL
（4）分析要点 vO/V
VOH
 门限电压随输出电压变化 (b) 0
VT– vI /V
 任何时刻只有一个有效的门限电压 VOL
 当输入介于两门限之间时输出不变。只 vO/V
VOH
有当输入高于有效的上门限或低于有效的
(c) 0
下门限时，输出才翻转。翻转方向取决于 VT– VT+ vI /V
VOL
输入输出的相位关系。
电路如图9.4.6a所示，试求门限电压，画出传输特性和图c
例所示输入信号下的输出电压波形。 vO/ V
10
vI R3
– R4 vO
10k  vN A
+ 1k  VT– VT+
R1 –5 0 5 vI / V
20k  DZ
R2 20k  –10
VZ=  10V
(a)
(b)
解：
（1）门限电压
vI
VT+=
+5V
VREF  0 VO  10V
(c) O
t1
R1VREF R2VOH t3 t
VT    5V
R1  R2 R1  R2 VT– =
–5V
RV RV
 1 REF  2 OL  5V
vO
VT
R1  R2 R1  R2 +10V
t1 t2 t3
（2）传输特性与单门限相比，迟 (d) O t
滞比较器在电路翻
（3）输出电压波形 –10V
转时有何特点?
例电路如图示，试求门限电压，画出传输特性。
R4 （2）传输特性
vN – R3
A vO
+
vO/ V
vI
R1 vP
R2 DZ
VZ
VT– VT+
0 vI / V
解：（1）门限电压
R2 v I R1vO
vP  
R1  R2 R1  R2
翻转时刻，vP=vN=0 vO  VZ
R1 R1 R1
vI   ( VZ ) VT   ( VZ ) VT    VZ
R2 R2 R2
通过上述几种电压比较器的分析，可得出如下结论：
（1）用于电压比较器的运放工作在非线性区（开环或正反
馈），其输出电压只有高电平VOH和低电VOL两种情况。虚短不
再成立。
（2）一般用电压传输特性来描述输出电压与输入电压的函数
关系。
（3）电压传输特性的关键要素
输出电压的高电平VOH和低电平VOL
门限电压
输出电压的跳变方向
 令vP＝vN所求出的vI就是门限电压
 vI等于有效门限电压时输出电压发生跳变
 跳变方向取决于是同相输入方式还是反相输入方式
3. 集成电压比较器
集成电压比较器与集成运算放大器比较：
开环增益低、失调电压大、共模抑制比小，灵敏度往
往不如用集成运放构成的比较器高。
但集成电压比较器中无频率补偿电容，因此转换速率
高，改变输出状态的典型响应时间是30～200ns。
相同条件下741集成运算放大器的响应时间为30s左右。


 非正弦信号产生电路
 正确理解方波发产生电路和锯齿波产生电路的工作原理
 会计算波形的振荡周期

小结：
● 在非正弦波信号产生电路中没有选频网络，同时器件在大信号状态下工作，
受非线性特性的限制。
● 方波、锯齿波和三角波产生电路通常由比较器、反馈网络和积分电路等组
成。判断电路能否振荡的方法是，设比较器的输出为高电平（或低电平），经反
馈、积分等环节，如果能使比较器输出从一种状态跳变到另一种状态，则电路能
振荡。
● 锯齿波产生电路与三角波产生电路的差别是，前者积分电路的正向和反向
充放电时间常数不相等，而后者是一致的。

　
10.1 有源滤波电路（10.1, 10.2, 10.3）

10.6 电压比较器（10.8.1）
10.7 非正弦信号产生电路（10.8.2, 10.8.3）
10.7 非正弦信号产生电路
1. 方波产生电路
能否不串入该电阻？
1) 电路组成（多谐振荡电路）
Rf Rf
RC充放
N +VCC
电支路 vC – vO vC – R O vO
C A C A
+ + DZ1
R1 R1 VZ1
-VEE
DZ2
R2 R2 VZ2
(a)
(b)
迟滞比稳压管双
较器向限幅
RC 放电 RC 充电
2) 工作原理
Rf
由于迟滞比较器中正反馈
–
的作用，电源接通后瞬间，输 vC – ii+ R vO
出便进入饱和状态。 C A
+ DZ1
R1
假设为正向饱和状态  VZ
DZ2
R2
v
vO
VZ
FVZ
vC
R2
O t F
T2 T1 R1  R2
–FVZ
–VZ
v
1. 方波产生电路 VZ
vO
FVZ
3) 振荡周期 vC
利用三要素法公式 t
O t

vC ( t )  [vC (0 )  vC ( )]e τ
 vC (  ) –FVZ T2 T1
–VZ
其中 vC ( )  VZ vC (0 )  FVZ t=0
R2
τ  Rf C vC (T2 )   FVZ F
T2 R1  R2

则  FVZ  [ FVZ  VZ ]e Rf C
 VZ
又 T1  T2
1 F 2 R2
T2  Rf C ln T  2 Rf C ln(1  )
1 F R1
2 R2 1 1
 Rf C ln(1  ) 当F＝0.462时 f  
R1 T 2 Rf C
4) 占空比可变的方波产生电路
D1
Rf 1
Rf 2 D2
vC – R
– vO
C A
+ + DZ1
R1
DZ2  VZ
R2
充放电时间
2. 锯齿波产生电路常数不同
R2 R5 D C
R1
＋ vO1
vP1 R3 R6
C1 － vO
vN1 － A2
DZ ±VZ ＋
R4
同相输入 R7
迟滞比较器积分电路
R1 R1
VT  VZ VT   VZ
R2 R2
2. 锯齿波产生电路 R2 R5 D C
vO1 R1
＋ vO1
vP1 R3 R6
C1 － vO
VZ vN1 － A2
DZ ±VZ ＋
R4
R7
t1 t2 t3
O
t
R1 R1
VT 
T2 T1
VZ VT   VZ
－VZ R2 R2
vO T  T1  T2
VT ＋
2 R1 R6C 2 R1 ( R6 //R5 )C
 
O
R2 R2
t
2 R1 R6C ( R6  2 R5 )

VT －
R2 ( R5  R6 )


本章目的
主要讨论电子电路中的直流工作电源电路。
 介绍小功率直流电源中的整流电路和滤波电路
 介绍串联反馈式稳压电路（线性稳压电路）
 讨论开关式稳压电路及 DC/DC 变换器的应用

 小功率整流电路和滤波电路
 掌握单相桥式整流电容滤波电路的工作原理及输入、输出电压的关系

小结：
● 直流稳压电源是所有电子设备中重要的组成部分，用来将电网交流电压转
换为稳定的直流电压。小功率直流稳压电源一般由电源变压器，整流、滤波和稳
压等电路组成。对直流稳压电源的基本要求是：当输入电压波动、负载变化以及
温度变化时，输出电压须保持恒定。
● 利用二极管的单向导电性，可以构成整流电路，将交流输入电压转换为单
向脉动直流电压。目前广泛采用桥式整流电路来实现整流。
● 整流后的直流电压脉动较大，通常都需要采用电容或电感滤波电路来进一
步减小脉动。

华中科技大学邓天平
1 华中科技大学
电子技术基础模拟部分
1 绪论
2 运算放大器
6 频率响应
9 功率放大电路
11 直流稳压电源
11.1 小功率整流滤波电路
11.2 线性稳压电路
11.3 开关式稳压电路
11.1.1 直流稳压电源的组成
11.1.2 单相桥式整流电路
11.1.3 滤波电路
电压100～240V、
频率50～60Hz
交流信号
电压5V、
电流1000mA
直流信号
如何实现？
v1 电源 v2 整流 vR 滤波 vF 稳压 VO
～220V 变压器电路电路电路
50Hz
交流电网电压
v1 v2 vR vF VO
t t t t t
11.1.3 滤波电路
交流整流脉动
电压直流电压
整流
利用二极管的单向导电性
T
D4
v1 RL
v2 D1
D3 vo
D2
电路简化画法
T
D4
v1 RL
v2 D1
D3 vo
D2
D1 D2 RL
v2 vo v2
vo
D4 D3
假设二极管是理想的
+ + D4 D1 io
+ +
~ v2 vo
v1
− RL −
− – D3 D2
在 v 的正半周， D1 和 D3 导通，D2 和 D4 截止(相当于开

路)电流的通路如图中红色箭头所示。
–
+ D4 D1 io
+
v2 +
~
v1 − RL vo
+ −
− D3 D2
在 v 的负半周，D2 和 D4 导通， D1和 D3 截止(相当于

开路)，电流的通路如图中绿色箭头所示。
在一个周期内，通过电阻的电流方向相同，在负载上
得到的是全波整流电压 uo。
单相全波整流电压波形 v2
ωt
0 π 2π 3π 4π
vL
忽略二极管正向压降
11.1.2 单相桥式整流电路变压器二次信号
v2
1.工作原理 2 V2
负载电流
π 2π 3π 4π
O ωt
iL
iD1= iD3 iD2= iD4 iD1= iD3 iD2= iD4
O
ωt
vL
2 V2
负载电压
0.9V2 VL＝0.9V2
O D D D D D D D D ωt
1 3 2 4 1 3 2 4
vD
二极管电压 O ωt
－ 2 V2 vD2= vD4 vD1= vD3 vD2= vD4 vD1= vD3
2.负载输出电压和输出电流的平均值
桥式整流电路输出电压的平均值VL为
1 π 2 2V2
VL = ∫ 2V2 sin ωtd(ωt ) = ≈ 0.9V2
π 0 π
流过负载的平均电流为 0.9V2
IL =
RL
V Lγ V 22 − V L2
纹波系数为 Kγ = =
VL VL
VLγ = VL22 + VL42 + = V22 − VL2
桥式整流电路的纹波系数 K γ = (1 / 0.9) − 1 = 0.483

2
3.整流二极管的选择
（1）整流管平均整流电流ID
1 0.45V2
ID = IL =
2 RL
（2）整流管的最大反向峰值电压VRM
VRM = 2V2
11.1.3 滤波电路
11.1.3 滤波电路
脉动滤波
交流整流直流
电压直流电压电压
11.1.3 滤波电路
(1)电容滤波原理
11.1.3 滤波电路
工程上：
T
τ d ≥（3 ∼ 5）
2
VO = (1.1 ∼ 1.2)V2
RL未接入 v2 RL接入
t
vc vo
t
忽略整流电路内阻Rint v2 < vc :τ放 = RLC v2 > vc : τ充 = RintC
11.1.3 滤波电路
1. 电容滤波电路变压器
次级信号
v2
2 V2
O π 2π 3π 4π
ωt
vL
2 V2
负载开路时 O
π 2π 3π 4π ω t
整流输出滤波输出
（虚线）（实线）
11.1.3 滤波电路 v2, vL, vC
v2＝ 2 V2sinωt
1. 电容滤波电路 C 放电 C 充电
vC＝vL
a c e
2 V2
d
b
π 2π 3π 4π
O D1 D2 D1 D2 ωt
D3 D4 D3 D4
导导导导
电电电电
t1 t2
负载接入时 iD2
iD1 vL
iL iD4 iL＝
iD3
RL
iD
O
θ θ θ θ ωt
v2, vL, vC
11.1.3 滤波电路 v2＝ 2 V2sinωt
C 放电 C 充电
vC＝vL
1. 电容滤波电路 2 V2 a c
d
e
电容滤波电路的基本特点：
（1）二极管的导电角 θ < π O D1
π
D2
2π
D1
3π
D2
4π
ωt
D3 D4 D3 D4
流过二极管的瞬时电流很大。导导导导
电电电电
（2）负载直流平均电压 VL 升高 t1 t2
iD1 iD2 vL
τd = RLC 越大， VL 越高 iL
iD3 iD4 iL＝
RL
iD
（3）直流电压 VL 随负载电流增加而减少O
θ θ θ θ ωt
T
当 τd ≥（3 ∼ 5）时，VL = ( 1.1 ∼ 1.2 )V2
2
11.1.3 滤波电路
11.1.3 滤波电路
2. 电感滤波电路
Tr ～
～220V L
－ +
v1 v2 ＋
eL
50Hz
VL RL
～
－
电感滤波电路的特点为：
整流二极管的导电角增大，没有峰值电流，输出特性变得
平滑。
但缺点是由于电感存在铁芯，体积大，笨重且容易引起电
磁干扰。一般只适用于小电压、大电流的场合。
11.1.3 滤波电路
3. π 型滤波电路
L
Tr ～
eL
～220V ＋
－ + + +
v1 v2 C1 C2 RL VL
50Hz
－
～
Tr ～ R
～220V ＋
－ + + +
v1 v2 C1 C2 RL VL
50Hz
－
～
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 串联反馈式稳压电路（线性稳压电路）
 了解串联反馈式稳压电路的稳压原理及输出电压的计算
 掌握三端集成线性稳压器的简单应用

小结：
● 为了避免直流输出电压随电网电压、负载和温度的变化而波动，需要接入
稳压电路。在小功率情况下，一般采用串联反馈式稳压电路，而在对效率要求较
高的场合，一般采用开关式稳压电路。
● 串联反馈式稳压电路中的调整管工作于线性放大区，利用控制调整管的管
压降 VCE 来调整输出电压。它是带有电压负反馈的闭环控制系统。
● 目前有很多集成的线性稳压器可用，使用起来也很方便。

1 绪论
2 运算放大器
6 频率响应
11.2.1 稳压电路的主要技术指标
11.2.2 串联反馈式稳压电路的工作原理
11.2.3 三端集成稳压器
1. 特性指标
（1）输出电压范围
在直流稳压电源正常工作条件下，能够输出的电压范围。
（2）最大输入－输出电压差
表示在保证直流稳压电源正常工作条件下，所允许的最大
输入－输出之间的电压差值，其主要取决于直流稳压电源内部
调整晶体管的耐压和允许的功耗指标。
（3）最小输入－输出电压差
表示在保证直流稳压电源正常工作条件下，所需的最小输
入输出之间的电压差值。
（4）负载输出电流范围
负载输出电流范围也就是输出电流范围。
2. 质量指标
ΔVO / VO
（1）电压调整率SV S V = × 100% ΔI O = 0
ΔVI ΔT = 0
ΔVO / VO
（2）稳压系数γ γ = ΔI O = 0
ΔVI / VI ΔT = 0
ΔVO
（3）输出电阻Ro Ro = ΔVI = 0
ΔI O ΔT = 0
VIrP-P
（4）纹波抑制比 RR = 20lg dB
VOrP-P
1. 电路组成
VI
R
VREF c
＋ VB
A T
VF b
－ e
IR1 ＋
DZ
R1 IL
R1'
RP VO
RL
R2 R2'
－
基准比较放大电路调整电路取样
电压电路
1. 电路组成
VI↓(IL↑)→VO↓→VF↓→（VREF－VF）↑→VB↑→VCE↓
VO ↑
2. 稳压原理
3. 输出电压及调节范围电路引入的反馈类型是？
电压串联负反馈
3. 输出电压及调节范围
所以输出电压
3. 输出电压及调节范围
R1 + RP + R2
VO min = VREF
R2 + RP
R1 + RP + R2
VO max＝ VREF
R2
VI = VCE + VO
VCE = ?
VCE VCE > 1V
效率低
如何提高
1. 型号与基本指标
输出电压固定的集成稳压器的型号
与部分性能指标
2. 典型应用电路保护二极管
1 3
＋ 78L×× ＋
C1 C2 ＋ C3
VI 2 VO
0.33μF 0.1μF 10μF
－－
频率补偿
减少低频
交流干扰
2.典型应用电路
Tr
Review
交流整流滤波稳压
脉动有波纹的直流
电压直流电压直流电压电压
桥式整流
Review
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 开关式稳压电路及 DC/DC 变换器
 理解开关式稳压电路的特点
 了解开关式稳压电路的基本组成及其工作原理。
 了解集成 DC/DC 变换器的使用

小结：
● 开关式稳压电路的调整管工作于开关状态，利用控制调整管的导通和截止
的时间比例来调整输出电压的大小，它也是带有负反馈的闭环控制系统。控制方
式通常有脉冲宽度调制、脉冲频率调制和混合调制等方式。
● 开关稳压电源效率远高于线性稳压电源，而且电路体积小、重量轻，应用
十分广泛，缺点是输出电压纹波略大，电路比较复杂。
● 目前已有大量的单片集成 DC/DC 变换器供选用。它们的功能完善，价格
低廉，使用方便。

1 绪论
2 运算放大器
6 频率响应
11.3 开关稳压电路
11.3.1开关稳压电路的特点和分类
11.3.2 开关稳压电路的工作原理
11.3.3 开关稳压电源的应用实例
串联型降压型（Buck）
按照调整管和负载
的连接方式
并联型升压型（Boost）
脉冲宽度调制（ PWM）
开关稳按照调整管的
压电源控制方式脉冲频率调制（PFM）
混合调制
自激式
按照激
励方式它激式
（1）效率高
在开关稳压电源中，调整管工作于开关状态，通过控制
调整管的导通时间实现稳压。
由于调整管工作于开关状态，管耗很小，电源效率明
显提高，可达75％～95％。
（2）体积小，重量轻
开关稳压电源省去了笨重的工频变压器和线性稳压中调整
管的散热装置，所以相对于线性稳压电源，其体积更小，重
量更轻。
（3）稳压范围宽
开关稳压电路的效率和输入电压的大小基本无关，对交流电
网的要求不高，因此稳压范围较宽。
（4）调整管的控制比较复杂
由于开关稳压电路的调整管工作在截止和饱和两种状
态，控制电路较为复杂。
（5）输出电压纹波较大
1. 线性稳压原理
VO＝VI－ILRP PT＝（VI－VO）×IL
2. 开关稳压原理
3. 串联开关稳压电路
串联开关稳压电路
（1）基本电路 T、D 均工作在开关状态。
① 电路组成及工作原理
uB＝UH时 T、D 状态？？
T饱和导通， D截止，
uE≈？ uE≈ UI；

开关管续流滤波电路
二极管
L 储能，C 充电。
开关闭合时间越长，LC的
储能越多。
串联开关稳压电路
（1）基本电路 T、D 均工作在开关状态。
① 电路组成及工作原理
uB＝UL时 T、D 状态？？
T截止， D导通
开关管续流滤波电路
uE≈ ？ uE≈ －UD
二极管
L 释放能量，C 放电。
3. 串联开关稳压电路 vA, vT, vB vB
vT
（a） v A
O t
vE
Ton Toff
VO ≈ ⋅ (VI −VCES ) + ⋅ (−VD ) V I-V CES
T T （b） O
≈ q VI －V D
to ff to n
t
iL T
IL
（c）
O
t
vO
（d） VO
O t
3. 串联开关稳压电路
脉冲宽度调制式：PWM电路作用：
VO Ton q
V I↑ VO ↑ Ton↓ q↓
VO ↓
串联 or 并联？串联
升压 or 降压？降压
uP2与uB1占空比
④ 脉宽调制电路的基本原理的关系
电压 UP2↑
开关管比较器比较放大电路
δ↑
稳压原理：
UO↑→ UN1↑ → UO1 ↓ → UP2↓ → δ↓ → UO↓
4. 并联开关稳压电路
并联型开关稳压电路的主回路
4. 并联开关稳压电路
开关管导通开关管截止
4. 并联开关稳压电路 vG
O t
vD
on
toff t
VO
VI
O
vDS t
T 1 VO
VO ≈ VI ≈ V VI
toff 1− q O
iL t
II
O
t
vL
VI VI
O
VI－VO t
vO
VO VO＞VI
11.3.3 开关稳压电路的应用实例
1. DC/DC变换器
单片集成开关电源芯片一般称为DC/DC变换器
12V 5V
DC/DC
12V 33V
DC/DC
1. DC/DC变换器
AC DC DC AC AC DC DC
开关稳压
2. LM2596 DC/DC变换器
固定5V输出电路
2. LM2596 DC/DC变换器
输出可调电路
作业
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模拟电子技术基础 - 华中科技

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教学内容、要求及小结

2VS ——基波分量 2VS 1

O    

9 Lec01 华中科技大学 张林 end

当xI = vs，xO= vo，A>1时

|A| > 1，且保持常数

12 Lec01 华中科技大学 张林 end

16 Lec01 华中科技大学 张林 end

1972 1983 1998 2000

加州大学 Microsim OrCAD Cadence

负电源端 VCC- 4 5 OFFSET NULL

vO＝Avo(vP－vN) （ V－＜ vO ＜V＋ ）

若V－< vo <V＋ 有 vo＝Avo(vP－vN)

输入电阻ri的阻值很高， 使 iP≈ 0、iN≈ 0 虚断

ip= -in=0 （虚断）

25 Lec02 华中科技大学 张林 end

v N  vP  0 vO  10  0.5V  5V

vid  iid  R2  R3   vO  iid  R1  R4  

vI1 vI2 vI3

32 Lec02 华中科技大学 张林 end

15 Lec03 华中科技大学 张林 end

-1.0 -0.5 0.5 1.0 vD/V 外电场 EF

-1.0 -0.5 0.5 1.0 vD/V 在一定的温度条件下，由

IS ——反向饱和电流 -1.0 -0.5 0.5 1.0 vD/V

外加电压变化 离子层厚薄变化 等效于电容充放电

20 Lec03 华中科技大学 张林 end

(4) 极间电容Cd TRR

(a) (b) (c) (d)

（a）I-V特性 （b）电路模型 （a）I-V特性 （b）电路模型

17 Lec03 华中科技大学 张林 end

(c) (d) (e)

VREF VREF +VD

1 1 O VDD- Vm VDD VDD+ Vm vD/V

20 Lec03 华中科技大学 张林 end

15 Lec03 华中科技大学 张林 end

3 半导体二极管及其基本电路 ..................................................................................... 错误!未定义书签。

无导电沟道， d、s间加 耗尽层

沟道电阻 ID基本不变 耗尽层

给定一个vGS ，就有一 耗尽层

iD  2 K n ( vGS  VTN ) vDS 0

vGS >VTN ，且vDS≥（vGS－VTN） 1.5 饱和区

iD   K p [2( vGS  VTP ) vDS  vDS

对耗尽型器件的夹断电压有类似的影响 VTNO表示vBS = 0时的开启电压

可变电阻区 iD  K n [2( vGS  VTN ) vDS  vDS

饱和区 iD  K n ( vGS  VTN ) 2

对于增强型NMOS管 iD  K n (vGS  VTN )2 (1  vDS )

NMOS增强型 iD  K n ( vGS  VTN ) 2

若： VDSQ < VGSQ - VTN ，NMOS管可能工作在可变电阻区。

vGS = VGSQ + vi VGSQ

iD  K n (vGS  VTN ) 2 vDS = VDD - iDRd VDSQ

17 Lec04 华中科技大学 张林 end

必须检验是否满足饱和区工作条件：VDSQ > VGSQ - VTP > 0。

15 Lec04 华中科技大学 张林 end

vGS = VGG = VGSQ 共源放大电路

直流负载线： vDS = VDD－iDRc

IDQ Q VGSQ IDQ Q VGSQ

0 vDS 0 RLVDD vDS

14 Lec04 华中科技大学 张林 end

 K n (VGSQ  VT ) 2  2 K n (VGSQ  VT )vgs  K n vgs2

当，vgs << 2(VGSQ-VTN)时， iD  I DQ  gm vgs  I DQ  id

满足 VDSQ  (VGSQ  VTN )

电压增益 vi  vgs vo   gmvgs ( rds || Rd )

VGSQ  2.1V I DQ  0.58mA －

gm  2 K n (VGSQ  VTN )  1.1 mA / V Rsi vgs

9 Lec01 华中科技大学张林 end

12 Lec01 华中科技大学张林 end

16 Lec01 华中科技大学张林 end

vO＝Avo(vP－vN) （ V－＜ vO ＜V＋）

若V－< vo <V＋有 vo＝Avo(vP－vN)

输入电阻ri的阻值很高，使 iP≈ 0、iN≈ 0 虚断

25 Lec02 华中科技大学张林 end

32 Lec02 华中科技大学张林 end

15 Lec03 华中科技大学张林 end

外加电压变化离子层厚薄变化等效于电容充放电

20 Lec03 华中科技大学张林 end

（a）I-V特性（b）电路模型（a）I-V特性（b）电路模型

17 Lec03 华中科技大学张林 end

20 Lec03 华中科技大学张林 end

15 Lec03 华中科技大学张林 end

无导电沟道， d、s间加耗尽层

沟道电阻 ID基本不变耗尽层

给定一个vGS ，就有一耗尽层

17 Lec04 华中科技大学张林 end

15 Lec04 华中科技大学张林 end

14 Lec04 华中科技大学张林 end

35 Lec04 华中科技大学张林 end

16 Lec04 华中科技大学张林 end

13 Lec04 华中科技大学张林 end

[4]http://www.elecfans.com/bandaoti/gongyi/20151228396152_a.html（来源：电脑王作者：电脑王 2015 年 12

（a）共基极（b）共发射极（c）共集电极

26 Lec05 华中科技大学张林 end

10 Lec05 华中科技大学张林 end

23 Lec05 华中科技大学张林 end

共射极电路共集电极电路共基极电路

15 Lec05 华中科技大学张林 end

5 Lec05 华中科技大学张林 end

2、电路如图 2 所示。设两管的 =100，VBEQ = 0.7V。三极管采用 Q2N3904.

2、电路如图 2 所示。设两管的 =100，VBEQ = 0.7V。三极管采用 Q2N3904.

0分贝水平线最大误差 -3dB

 低频区中频区高频区

14 Lec07 华中科技大学张林 end

11 Lec07 华中科技大学张林 end

10 Lec07 华中科技大学张林 end

11 Lec07 华中科技大学张林 end

 ) 2  0.5 A 2VM1 。即两级的带宽小于单级带宽。

5 Lec07 华中科技大学张林 end

满足VDS2 > VGS-VTN ，就一定工－VSS

（保证VDS2 > VGS-VTN），IO的电－VSS

18 Lec06 华中科技大学张林 end

7.2.4 BJT差分式放大电路（教材7.2.3）