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1).HSIM 简介:
亚微米设计需求的全电路、层次化的晶体管级仿真器。
HSIM 可以准确的仿真电路的各种行为,包括:电路的功能、电压和电流波形、时序和
功耗信息、电源网络的电压降、串扰噪声等。由于采用了创新的层次化数据存储和同构匹配
是仿真的硬件平台。因为随着仿真的进行,迭代次数越来越多,观测点的数据也越来越大。
而想观察这些观测点必须使用第三方软件,比如 debussy,但是第三方软件支持的观测数据
容量是有限的,因此在使用改软件进行仿真时应该适当的控制仿真的精度与观测信号的数
存器单元正是在所有仿真软件中最耗时的电路。所以建议最好是使用配置较高的双核 CPU
同构匹配可以减少对冗余单元和子电路的计算量。目前,该算法已经获得美国专利。
对数以千万计晶体管的仿真能力。HSIM 的用户可以用它来对大的电路模块、一组电路模块
或者整个电路做晶体管级仿真,尤其是对于包含大量寄存器与存储器单元的大型电路系统。
境下的功能是否正确的话还是可以尝试一下大的,尤其是在包含较大数字模块较小模拟模块
HSIM 不同于其它同类仿真器之处在于它的全电路仿真器能力免去了用户烦琐的划分子
电路的工作。同时,HSIM 也免去了用户编写模拟电路高层次模型的工作,这类模型只是在
用户描述电路功能时有用,而在实现整个设计时却毫无用处。HSIM 可以高速处理超大容量
路的耦合与感应现象。它的完美的 RC 约减能力可以有效地减少布局寄生参数的数量。另外,
的层次化仿真。
次化存储技术:以减少工作站内存和磁盘空间占用,能为当今高端的数百万晶体管级电路提
供一个高效率的层次化数据处理机制;层次化的 RC 精简算法:用以在层次化电路数据结构
中压缩寄生电阻电容的个数同时保持很高的精度;高效的层次化的矩阵方程求解器:使得电
者只能看到展平后顶层端口的信号而不能看到模块内部的信号,后者则可以根据需要观测任
使用 spice 格式的网表和语法更为方便。
减少了验证的时间。
同构匹配技术:Nassda 专利的同构匹配技术,能极大得提高仿真性能。使用这种技术,
仿真器对于重复的电路元件不再进行重复计算,这极大得提高了运行速度和计算容量。这种
高性能、大容量的仿真能力帮助设计队伍能进行高效的纳米设计验证。
体管的电路仿真,也不适用于仿真有很多测试向量的电路,如果必须要带很多激励,那就用
更强大的计算机来缩减仿真时间。
2).阶段使用心得:
情况下其他形式的输出格式也是可以的。
与.LIB 来调用库文件。
语法:.param HSIMFMODLIB=”./log22. l” tt(corner)
或 .LIB 'D:\MPW_csmc\MPW05\h05mixddst02v231.lib' capacitor
或 .inc 'log022.l' tt
对于仿真温度的设定可以使用参数.TEMP
语法:.TEMP 25.0000
全局信号的使用需要调用参数.global
语法:.global pbvdd! vdd! gnd!
需要定义的全局信号名 pbvdd、vdd、gnd
对全局信号进行电平定义可以在仿真文件后面的激励列表中给出。
语法: vvdd vdd! 0 2.5
vpbvdd pbvdd! 0 2.0
注意 gnd!不需要给出,因为默认是参考电位。
确定扫描模式与仿真的精度和时间长短可以用参数 “.TRAN 精度 时间 ”来实现。
语法:.TRAN 50n 1600n
HSIM 兼容 SPICE 和 SPECTRE 格式的网表,依靠设置一些仿真控制参数达到精度与速度
之间的折衷。
拟电路时使用。
Hsimspeed=1,速度比 0 有很大提高,但精度损失非常小,特别是在大型电路仿真中。
需要指出的是,在两种情况下,设置速度 1 会损失很多精度:一是对漏电流的仿真,二是对
很低电源电压的电路模拟。
Hsimspeed=2,速度进一步提高,精度损失很小。
Hsimspeed=3,缺省值,由于对于不同模块设置了不同的步长,总的步长数减少,速度
自然提高,精度的区别在于仿真高敏感度的模拟电路。一般情况下,并不需要把速度值设置
Hsimspeed=4,建议仿真数字电路,存储器电路,低敏感度模拟电路。
Hsimspeed=5,建议使用在存储器和混合信号电路功能验证,仿真速度的提升会带来
5-10%的时延误差。
Hsimspeed=6,建议使用在数字电路或低敏感度模拟电路的功能验证。
路。
对子模快进行设置。
拟电路仿真算法的复杂度,值越高,模拟仿真的算法越精确也越耗时。如果只是仿真数字电
果仿真带隙基准电压发生电路、高增益放大器、VCO、开关电容滤波器、锁相环、A/D 和 D/A
子模快进行设置。
提高仿真速度。Hsimspice=0 是缺省值,对某些敏感于小电压变化的电路有小的精度损失。
bq24020 前仿真网表(纯模拟)。
在对 ROIC 的后仿真中,由于是全定制的数字电路,以及重复单元比较多,因此采用缺
在对 bq24020 前仿真中,由于是全定制的模拟电路,几乎没有重复单元,因此采用缺省
有太大优势。
3).遇到的问题:
应该测试不同规模、不同类型(模拟,数字,混合信号)的电路,并与相应的 hspice
及 spectre 仿真进行比较,包含精度和速度的比较,所以试验应该增加多的样本。
仿真的设置或语法仍有不同的地方,有待查证。
hsim 提供层次化的反标和同构匹配的提速方法,这就需要我们的电路设计具有较好的
性能。层次化反标功能有待研究。
4).小结:
上。Hsim 可以提高仿真速度,但仍需在速度和精度之间折衷,视具体情况不同而采取不同
的参数设置,可以先用最快速度粗略的仿真一次,尽快查找错误和调试电路,然后再使用精
法全面仿真带寄生参数的芯片级验证的电路。总之,hsim 对后端验证很有帮助,可以进一
步研究。
5).Hsim 语法小结
a.激励的表示:
分段线性源:
一般形式: PWL <(> t1 v1 <t2 v2 t3 v3...> <R<=repeat>> <TD=delay>
<)>
其中:
v1... 电流或电压值。
t1... 分段点时间。
R 定义分段重复功能
repeat 定义分段重复的波形起始点
TD 定义实际分段线性开始前的延迟时间的关键字
delay 规定了分段线性的延迟时间
信号名 正节点 参考点 激励信号类型 起始时间 电压值 33ns 电压值 33.01ns 电压值
b.脉冲源
其中:
V1: 脉冲源开始前的初始值
V2: 脉动值
电压 电压 宽度 周期
c.独立电压源 V 和独立电流源 I
+ <AC=acmag,<acphase>>
+ <AC= acmag,<acphase>>
其中:
VXXX: 独立电压源名。必须以“V”开始,后面字符串不得超过 15
个字符。
IYYY: 独立电流源名。必须以“I”开始,后面字符串不得超过 15
个字符。
点流出,通过电压源流入 n-节点。注意电源不必接地。若将
零值的电压源接到电路某支路中,这样可得到流经该支路的
电流值。零值电压源就是短路线,所以不影响电路的工作。
DC: 电源直流值
tranfun: 电源的瞬态功能
AC: 表示电源用来作交流小信号分析
acmag: 交流幅度
M: 电流源并联数(缺省值为 1.0)
观察信号
若要观察每个端口的电压值,或要观察某个点的电流值,使用下面的函数:
.SUBCKT B_INV_55_28_G35 A ZN
子电路开语句 电路名称 输入 输出
.ENDS B_INV_55_28_G35
子电路终止语句 子电路名
e.必须加的文件
.inc 'log022.l' tt
.inc 库文件 拐点
f.元件的描述:
字符串。
HSPICE 中表示元件的关键字母的含义:
C-电容 K-耦合互感
L-电感 R-电阻
T-无损耗传输线 U-有损耗传输线
node1... 节点名,用来说明元件所连接的节点,节点名的第一个
字符必须是字母,整个字符串不超过 16 个字符(连第一个
字母在内)。=()′. ′[ ]等符号不能出现在节点名中。
mname: 模型参考名,对除了无源器件外所有元件都是必需的。
pname1... 元件参数名,用来标明一些元件的参数值。
val1... 赋于的参数值或模型节点,这些数值可以是数值,也可以
是代数表达式。
M=val 元件的倍增因子。
.param hsimspeed=8
.param hsimanalog=1
.param hsimpostl=2
.param hsimstep2taumax=0