Circuitos 1 - BJT y FET

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Tema: Circuitos 1 - BJT y FET

Indicador de Logro
1. Estudia el principio de operación y curvas características de circuitos con transistores BJT
y FET.
2. Comprender las diferencias funcionales entre el transistor bipolar (BJT) y el transistor de
efecto de campo (FET).
3. Analizar la aplicación de los transistores BJT y FET en circuitos relacionados a la producción
de Rayos X.

Introducción.

La invención del transistor fue el inicio de una revolución que aún continua. Todos los sistemas y
dispositivos electrónicos complejos actuales son el resultado de los primeros desarrollos de
transistores semiconductores.

Un transistor es un dispositivo electrónico en estado sólido, cuyo principio de funcionamiento se

basa en la física de los semiconductores. Este cumple funciones de amplificador, oscilador,
conmutador o rectificador. El término “transistor” es la contracción en inglés de transfer resistor
(“resistencia de transferencia”), haciendo alusión a su capacidad para cambiar la resistencia al
paso de la corriente eléctrica entre el emisor y el receptor.

De acuerdo al Grupo Milenio (México), los transistores son las "abejas obreras" de la industria
electrónica y controlan cómo la electricidad fluye en los artefactos, actuando como
conmutadores o "portones" para las señales eléctricas. Dentro de cada microprocesador hay
millones de transistores que típicamente se fabrican por separado, pero son componentes
conectados.

Existen distintos tipos de transistores, de los cuales la clasificación más aceptada consiste en
dividirlos en dos tipos básicos: el transistor de unión bipolar (BJT, Bipolar Junction Transistor) y
el transistor de efecto de campo (FET, Field-Effect Transistor), los cuales estudiaremos en esta
práctica.

Transistores de unión bipolar (BJT)

El BJT se construye con tres regiones semiconductoras separadas por dos uniones pn, como lo
muestra la estructura de la Figura 1. Las tres regiones se llaman emisor, base y colector. Un tipo
se compone de dos regiones n separadas por una región p (npn) y el otro tipo consta de dos
regiones p separadas por una región n (pnp). El término bipolar se refiere al uso tanto de huecos
como de electrones como portadores de corriente en la estructura de transistor.
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Figura 1. Construcción básica de un BJT (Tomado de: Floyd, T. (2008). Dispositivos electrónicos
(8a. ed.). Pearson Educación)

La unión pn que une la región de la base y la región del

emisor se llama unión base-emisor.

Estos conductores se designan E, B y C por emisor,

base y colector, respectivamente. La región de la base
está ligeramente dopada y es muy
en comparación con las regiones del emisor,
excesivamente dopada, y la del colector,
moderadamente dopada. La Figura 2 muestra los Figura 2. Símbolos de BJT estándar
símbolos esquemáticos para los transistores npn y (Tomado de: Floyd, T. (2008).
pnp. Dispositivos electrónicos (8a. ed.).
Pearson Educación)

Operación básica

Figura 3. Polarización en directa-inversa de un BJT (Tomado de: Floyd, T. (2008). Dispositivos

electrónicos (8a. ed.). Pearson Educación)
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Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las dos uniones pn deben estar
correctamente polarizadas con voltajes de cd externos. La operación del pnp es la misma que
para el npn excepto en que los roles de los electrones y huecos, las polaridades del voltaje de
polarización y las direcciones de la corriente se invierten. La Figura 3 muestra los arreglos para
polarización tanto de BJT npn como pnp para que operen como amplificador. Observe que en
ambos casos la unión base-emisor (BE) está polarizada en directa y la unión base-colector (BC)
polarizada en inversa. Esta condición se llama polarización en directa-inversa.

Para entender cómo opera un transistor,

veamos lo que sucede en el interior de la
estructura npn. La región del emisor de
tipo n excesivamente dopada tiene una
densidad muy alta de los electrones de
banda de conducción (libres), como
muestra la Figura 4. Estos electrones
libres se difunden con facilidad a través
de la unión BE polarizada en directa hacia
la región de la base de tipo p muy delgada
y levemente dopada (flecha ancha). La
base tiene una baja densidad de huecos,
los cuales son los portadores
mayoritarios, representados por los
puntos blancos. Un pequeño porcentaje
del número total de electrones libres se
va hacia la base, donde se recombinan
con huecos y se desplazan como
Figura 4. Operación de un BJT que muestra el flujo electrones de valencia a través de la base
de electrones (Tomado de: Floyd, T. (2008). hacia el emisor como corriente de
Dispositivos electrónicos (8a. ed.). Pearson huecos, como lo indican las flechas
Educación) negras.

Cuando los electrones que se recombinaron con huecos como electrones de valencia abandonan
la estructura cristalina de la base, se transforman en electrones libres en el conductor de la base
metálica y producen la corriente de base externa. La mayoría de los electrones libres que
entraron a la base no se recombinan con huecos porque es muy delgada.

A medida que los electrones libres se desplazan hacia la unión BC polarizada en inversa, son
arrastrados a través del colector por la atracción del voltaje de alimentación positivo del colector.
Los electrones libres se desplazan a través del colector hacia el circuito externo y luego regresan
al emisor junto con la corriente de base. La corriente de emisor es un poco más grande que la
corriente de colector debido a la pequeña corriente de base que se desprende de la corriente
total inyectada a la base proveniente del emisor.
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Corrientes del transistor

Las direcciones de las corrientes en un transistor npn y su símbolo esquemático, así como las
correspondientes a un transistor pnp se muestran en la Figura 5. Observe que la flecha en el
emisor en el interior de los símbolos de transistor apunta en la dirección de la corriente
convencional. Estos diagramas muestran que la corriente de emisor (IE) es la suma de la corriente
de colector (IC) y la corriente de base (IB), expresada de la Ecuación 1. Como ya se mencionó, IB
es muy pequeña comparada con IE o IC. El subíndice de letra mayúscula indica valores de cd.

Ecuación 1.
Corrientes del
transistor.
𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵

Figura 5. Corrientes en el transistor (Tomado de: Floyd, T. (2008). Dispositivos

electrónicos (8a. ed.). Pearson Educación)

Características y parámetros del BJT

Cuando se conecta un transistor tanto tipo npn como pnp a voltajes de polarización de cd, como
lo muestra la Figura 6, VBB polariza en directa la unión base-emisor y VCC polariza en inversa la
unión base-colector. Generalmente, VCC se toma directamente de la salida de la fuente de
alimentación y VBB (más pequeño) puede ser producido por un divisor de voltaje.

Figura 6. Circuitos de polarización de cd del transistor (Tomado de: Floyd, T. (2008). Dispositivos
electrónicos (8a. ed.). Pearson Educación)
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Con un circuito como el mostrado en la Figura 6 (a) se puede generar un conjunto de curvas
características del colector que muestren cómo varía la corriente, IC, con el voltaje en el colector
con respecto al emisor, VCE, con valores especificados de corriente de base, IB. Supongamos que
tanto VBB como VCC son fuentes de voltaje variable y que VBB se ajusta para que produzca un cierto
valor de IB y que VCC es cero. En esta condición, tanto la unión base-emisor como la unión base-
colector están polarizadas en directa porque la base está a aproximadamente 0.7 V, en tanto que
el emisor y el colector están a 0 V.

Cuando ambas uniones están polarizadas en directa, el transistor se encuentra en la región de

saturación de su operación. Saturación es el estado de un BJT en el cual la corriente en el colector
alcanza un máximo independientemente de la corriente en la base.

VCC se incrementa y VCE lo hace a medida que la corriente de colector se incrementa. Esto es
indicado por la parte de la curva característica entre los puntos A y B de la Figura 7. I C se
incrementa a medida que VCC lo hace, porque VCE permanece a menos de 0.7 V debido a la unión
base-colector polarizada en directa. Idealmente, cuando VCE excede de 0.7 V, la unión base-
colector se polariza en inversa y el transistor entra a la región lineal o activa de su operación.

Una vez que la unión base-colector se polariza en inversa, IC se nivela y permanece esencialmente
constante para un valor dado de IB a medida que VCE continúa incrementándose. Esto es
mostrado entre los puntos B y C.

Cuando VCE alcanza un

voltaje suficientemente
alto, la unión base-colector
polarizada en inversa entra
en la condición de ruptura, y
la corriente de colector se
incrementa con rapidez
como lo indica la parte de la
curva a la derecha del punto
C. Un transistor nunca debe
Figura 7. Curvas características de colector (Tomado de: Floyd,
ser operado en esta región
T. (2008). Dispositivos electrónicos (8a. ed.). Pearson Educación)
de ruptura.

Se produce una familia de curvas características cuando IC contra VCE se traza para varios valores
de IB. Cuando IB = 0, el transistor se encuentra en la región de corte, aunque existe un corriente
de fuga muy pequeña en el colector, como se indica. Corte es el estado de no conducción de un
transistor.

En resumen, el BJT se utiliza en dos áreas extensas: como amplificador lineal para reforzar o
amplificar una señal eléctrica y como interruptor electrónico.
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Transistores de efecto de campo (FET)

Los FET son dispositivos unipolares porque, a diferencia de los BJT que utilizan tanto corriente de
electrones como corriente de huecos, funcionan sólo con un tipo de portador de carga. En
muchas aplicaciones, el transistor de efecto de campo posee ventajas sobre el transistor de
juntura bipolar. El FET posee:
a. Muy alta impedancia (decenas de megohmios o más alta)
b. Bajo ruido
c. Insensibilidad a la radiación
d. Alta estabilidad térmica

Los FET se dividen en dos tipos:

1. FET de juntura (o J-FET)
2. FET de compuerta aislada, comúnmente denominado “FET de metal-óxido-
semiconductor” (“MOS”), o simplemente MOS FET.

El FET de juntura de canal N se fabrica con un

substrato en el cual el material tipo N ha sido
difundido para producir un canal, como se
muestra en la Figura 8.

El término efecto de campo se relaciona con la

región de empobrecimiento formada en el canal
de un FET a consecuencia de un voltaje aplicado en
una de sus terminales (compuerta). En el centro Figura 8. Transistor de efecto de
del tipo N hay una difusión de material tipo P que campo de juntura (J-FET) (Tomado de:
forma la compuerta. Los electrodos conectados al www.electronics-notes.com y
cristal semiconductor son denominados “Surtidor, modificado)
S” (también conocido como cátodo o fuente), “Drenador, D” (también conocido como ánodo o
dren) y “Compuerta, G”.

Los JFET pueden ser de

canal N o de canal P. Sus
símbolos se muestran en la
Figura 9. Observe que la
flecha en la compuerta
señala la “entrada” del
canal n y la “salida” del
canal p.

Figura 9. Símbolos esquemáticos de JFET (Tomado de: Floyd, T.

(2008). Dispositivos electrónicos (8a. ed.). Pearson Educación)
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Operación básica

En la Figura 10 se muestra el diagrama utilizado para ayudar a las explicaciones de la operación.

Se muestran los voltajes de polarización directa aplicados a un dispositivo de canal n. VDD genera
un voltaje entre el drenaje y la fuente y suministra corriente del drenaje a la fuente. VGG establece
el voltaje de polarización inversa entre la compuerta y la fuente.

El JFET siempre opera con la

unión de pn de compuerta-
fuente polarizada en inversa. La
polarización en inversa de la
unión de compuerta-fuente con
voltaje negativo en la compuerta
produce una región de
empobrecimiento a lo largo de la
unión pn, la cual se extiende
hacia el canal n y, por lo tanto,
incrementa su resistencia al Figura 10. JFET de canal N polarizado (Tomado de: Floyd,
restringir el ancho del canal. T. (2008). Dispositivos electrónicos (8a. ed.). Pearson
Educación)

La compuerta está mostrada como conexiones al

material tipo P, que está en ambos lados del
canal. La batería de polarización VGG provee
polarización directa al material tipo P de ambos
lados del canal. Esta polarización directa elimina
los portadores electrizados de corriente, que son
huecos positivos y, produce una región de
rarefacción (también llamada región de
agotamiento, empobrecimiento o región de
transición) como la mostrada en la Figura 11. La
Figura 11. Región de empobrecimiento región de rarefacción disminuye el ancho
(Tomado de: efectivo del canal y controla la corriente en el
www.christianlopez94.files.wordpress.com canal.
y modificado)

El ancho del canal y, consecuentemente, su resistencia, pueden controlarse variando el voltaje

en la compuerta, controlando de esa manera la cantidad de corriente en el drenaje (ID). La Figura
12 ilustra este concepto. Las áreas blancas representan la región de empobrecimiento creada por
la polarización en inversa, más ancha hacia el drenaje del canal porque el voltaje de polarización
en inversa entre la compuerta y el drenaje es más grande que la que hay entre la compuerta y la
fuente.
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Figura 12. Efectos del VGS en el ancho del canal, la resistencia y la corriente en el drenaje (VGG=VGS)
(Tomado de: Floyd, T. (2008). Dispositivos electrónicos (8a. ed.). Pearson Educación)

Características y parámetros del JFET

En la Figura 13 se muestra la curva característica
para un JFET. Al aumentar la tensión de drenador
a surtidor (VDS) mientras se mantiene la tensión de
compuerta a surtidor (VGS) en un valor único, se
causará que la corriente de drenador (ID) aumente
rápidamente y que el FET actúe como un resistor.

En el codo de la curva en el punto, se alcanza la

tensión de estrangulamiento (estricción). Dado
que VDS aumenta por encima del valor de
estrangulamiento, la corriente de drenador no
aumenta porque todas las portadoras en el canal
componen la corriente de drenaje. La corriente de
drenaje permanece en este valor a través de la
región de estrangulamiento, hasta llegar al punto
C. En este, el JFET entra en la región de ruptura
(disrupción). En este punto, ocurre la avalancha de
Figura 13. Curvas características del FET ruptura y, la corriente aumenta rápidamente hasta
(Tomado de: Floyd, T. (2008). Dispositivos que el FET es destruido.
electrónicos (8a. ed.). Pearson Educación)
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La tensión de compuerta a surtidor (VGS) puede ser cambiada a valores diferentes, obteniéndose
otras curvas, como se muestra en la Figura 13. En cada curva se llega a un valor diferente de la
tensión de estrangulamiento. Cuando la tensión de compuerta a surtidor (V GS) se hace más
negativa, se llega a un valor que producirá el corte y, no circulará corriente de drenaje.

En resumen, un FET es un dispositivo controlado por voltaje, donde el voltaje entre dos de las
terminales (compuerta y surtidor) controla la corriente que circula a través del dispositivo. Una
ventaja importante de los FET es su muy alta resistencia de entrada. Debido a sus características
no lineales, en general no se utilizan mucho en amplificadores como los BJT, excepto donde se
requieren impedancias de entrada muy altas. Sin embargo, los FET son el dispositivo preferido
en aplicaciones de conmutación de bajo voltaje porque en general son más rápidos que los BJT
cuando se encienden y apagan.

Materiales
● 1 computadora con acceso a internet
● Simulador de circuitos electrónicos PROTEUS

Procedimiento
Parte I: Simulación de las curvas características de salida para un BJT
1. Inicie el simulador de circuitos “PROTEUS”
2. Abra el archivo previamente descargado del circuito esquemático denominado: “TRX405-
G01-Ckto1”, en el simulador podrá observar el circuito de la Figura 14.

Figura 14. Circuito BJT – Curva característica (Elaboración propia)

3. Compile el circuito para que pueda observar el funcionamiento. Haga clic en el siguiente
botón , ubicado en la parte inferior izquierda del simulador.
4. Ajuste PS-1 a 0V.
5. Ajuste RV1 para obtener una corriente de base de 10μA.
6. Ajuste la fuente PS-1 a 0.5 voltios y verifique que se conserva la corriente en la base, sino
ajustar al valor más cercano posible.
7. Anote la corriente de colector en la Tabla 1.
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8. Repita los pasos 3-7 para los demás valores de corriente de base (IB) y voltaje colector-
emisor (VCE o PS-1) dados en la tabla.

Tabla 1. Las características de salida del BJT

IB (μA) 10.0 20.0 40.0 80.0
VCE (V) IC (mA)
0.5
1.0
4.0
6.0
10.0
20.0
40.0

9. Trace las curvas características de salida, graficando en Microsoft Excel los valores de V CE
(V) e IC (mA) para cada IB (μA).
10. Identifique y comente las zonas de funcionamiento del transistor bipolar basado en el
gráfico anterior.
11. Comente ¿en qué partes y qué funciones puede cumplir un BJT en un equipo de Rayos X?

Parte II: Simulación de las curvas características de drenaje para un JFET

1. Abra el archivo previamente descargado del circuito esquemático denominado: “TRX405-
G01-Ckto2”, en el simulador podrá observar el circuito de la Figura 15.

Figura 15. Circuito JFET – Curva característica (Elaboración propia)

2. Ajuste VGS=0, manipulando para ello la fuente de poder PS-2 a 0V y varíe VDS ajustando
la fuente de poder PS-1 para obtener los valores de tensión indicados en la Tabla 2.
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3. Compile el circuito para que pueda observar el funcionamiento. Haga clic en el siguiente
botón , ubicado en la parte inferior izquierda del simulador.
4. Mida y anote los valores de corriente de drenaje ID para cada caso.

Tabla 2. Las características de drenaje del JFET

VDS (V) 0.0 0.1 0.25 0.5 1.0 2.0 5.0 10

VGS (V) ID (mA)
0.0
-0.5
-1.0
-1.5

5. Trace las curvas características de drenaje, graficando en Microsoft Excel los valores de
VDS (V) e ID (mA) para cada valor de VGS (V).
6. Identifique y comente las zonas de funcionamiento del FET basado en el gráfico anterior.
7. Comente ¿qué concluye del uso de transistores en un equipo de Rayos X?

Bibliografía
● Floyd, T. (2008). Dispositivos electrónicos (8a. ed.). Pearson Educación.
https://elibro.net/es/ereader/bibliotecaudb/74154?page=1
● DEGEM Systems. (1987). Curso EB-112. Fundamentos de los semiconductores II. -, -: Inter
Training Systems.