BJT Y FET

Darío Josué Ramírez Sánchez, Andrés Alejandro Morales García

Universidad Don Bosco

dariojosue01@gmail.com,andresmoralesgarcia51@gmail.com

I. INTRODUCCIÓN
En este trabajo, exploraremos a fondo el ParteI:Simulación de las curvas características BJT
funcionamiento y las características esenciales de los A. Inicie el simulador de circuitos “PROTEUS”
transistores BJT y FET. Analizaremos cómo estos B. Abra el archivo previamente descargado del
componentes operan como interruptores y circuito esquemático denominado: “TRX405-
amplificadores, controlando el flujo de corriente G01-Ckto1”, en el simulador podrá observar el
eléctrica en circuitos. Comprenderemos las diferencias circuito de la Figura 1.
fundamentales entre los transistores BJT, que
dependen de la corriente, y los FET, que se basan en el
campo eléctrico.
Además, examinaremos una aplicación
particularmente relevante de estos transistores en el
contexto de la generación de rayos X. Descubriremos
cómo los transistores BJT y FET desempeñan un papel
esencial en los dispositivos de generación de rayos X, Figura 1. Circuito BJT -Curva característica
facilitando la producción controlada de radiación (Elaboración propia)
electromagnética para diversos propósitos
C. Compile el circuito para que pueda observar el
II. MARCO TEORICO funcionamiento. Haga clic en el siguiente botón,
Los transistores de unión bipolar (BJT) son ubicado en la parte inferior izquierda del
dispositivos semiconductores con regiones de emisor, simulador.
base y colector, divididos en tipos NPN y PNP según D. Ajuste PS-1 a 0V como en la figura 2.
su dopaje. Funcionan en modos de apagado, activo y
saturado. En el modo activo, actúan como
amplificadores de corriente, controlando una corriente
grande entre colector y emisor mediante una pequeña
corriente en la base. Las corrientes clave son IB
(base), que controla IC (colector) mediante IC = β *
IB, y también induce IE (emisor). Las configuraciones
comunes son emisor común, base y colector comunes.
Los transistores de efecto de campo (FET) controlan la
corriente entre drenador y fuente a través de un campo
Figura 2. Circuito BJT-Ajustando PS-1 a 0V
eléctrico. Hay dos tipos: JFET (unión) y MOSFET
(óxido-metal). En el JFET, la corriente fluye a través
E. Ajuste RV1 para obtener una corriente de base
de un canal semiconductor; en el MOSFET, la
de 10μA.
compuerta está aislada por un óxido. JFETs dividen en
F. Ajuste la fuente PS-1 a 0.5 voltios y verifique
N y P, MOSFETs en enriquecimiento y
que se conserva la corriente en la base, sino
empobrecimiento. Los modos de FET son apagado,
ajustar al valor más cercano posible.
región de triodo (corriente controlada por compuerta)
y saturación (máxima corriente para voltaje).

III. BREVE DESCRIPCION DE

LAPRACTICA
En esta práctica, abordaremos los transistores de unión
bipolar (BJT) y los transistores de efecto de campo
(FET), a través de la poderosa herramienta de
simulación que nos brinda el software Proteus. Figura 3. Circuito BJT-ajuste de ps-1 a 0.5
Mediante esta simulación, exploraremos en detalle el manteniendo la corriente 10µA
funcionamiento interno de estos dispositivos G. Anote la corriente de colector en la Tabla 1.
semiconductores y su comportamiento en diferentes
situaciones.

IV. PROCEDIMIENTO
 su máximo ni mínimo.
Vce ib(Ma) 10 20 40 80
(v) Ic(mA) J. Comente ¿en qué partes y qué funciones puede
0.5 0.40 0.43 0.44 0.46 cumplir un BJT en un equipo de Rayos X?
1.0 0.87 0.88 0.90 0.93 Los transistores bipolares de unión (BJT) pueden ser
4.0 2 3.6 3.78 3.8 implementados en circuitos de regulación de corriente
6.0 2.05 3.98 5.69 5.7 con el propósito de controlar el flujo de corriente que
10.0 2.16 4.19 7.61 9.6 atraviesa los componentes esenciales del equipo, como
20.0 2.44 4.71 8.57 15.5 los tubos de rayos X o los detectores. Esta aplicación
40.0 2.98 5.77 10.5 18.5 contribuye a garantizar que las corrientes se
mantengan en niveles seguros y adecuados, lo que
resulta fundamental para el funcionamiento eficaz del
Tabla 1: Título de la tabla 1 equipo en su conjunto.

H. Trace las curvas características de salida, Parte II: Simulación de las curvas características de
graficando en Microsoft Excel los valores de drenaje para un JFET
VCE (V) e IC (mA) para cada IB (μA).
A. Abra el archivo previamente
VCE (V) e IC (mA) para cada IB descargado del circuito esquemático
(μA). denominado: “TRX405- G01-Ckto2”, en el
20 simulador podrá observar el circuito de la
Figura 5.
15
10
10 20
IC

40
5
80
0 Lineal (10)
0.5 1 4 6 10 20 40
VCE

Figura 4. Representación de grafico VCE (V) e IC

(mA) para cada IB (μA). (Elaboración propia)
I.Identifique y comente las zonas de
funcionamiento del transistor bipolar basado
en el gráfico anterior.
➢ Corte: El transistor está apagado. Se ve en el
gráfico cuando VCE e IC son bajos para
cualquier IB. La curva está cerca del eje VCE
y no hay aumento notable en IC a medida que
IB cambia.
➢ Saturación: El transistor está encendido como
un interruptor cerrado. Se observa cuando
VCE es bajo (alrededor de unos pocos cientos
de mV) y IC alcanza su valor máximo para un
IB dado. La curva está cerca del eje IC y no
hay aumento adicional en IC incluso si IB
aumenta.
➢ Activa: El transistor amplifica. Se distingue
por una curva VCE vs. IC con pendiente
creciente. A medida que IB aumenta, IC
aumenta proporcionalmente. VCE no está en
Figura 5. Circuito FET Curva Característica
(Elaboración propia)
B. Ajuste VGS=0, manipulando para ello la
fuente de poder PS-2 a 0V y varíe VDS
ajustando la fuente de poder PS-1 para obtener
los valores de tensión indicados en la Tabla 2.
VGS 0.0 0.1 0.25 0.5 1.0 2.0 5.0 10
ID (mA)
0.0 0 0.54 0.30 2.41 4.6 5.09 5.15 5.25
-0.5 0 0.39 0.92 1.65 2.52 2.68 2.71 2.76
-1.0 0 0.24 0.54 0.88 1.03 1.03 1.05 1.07
-1.5 0 0.08 0.15 0.15 0.16 0.16 0.16 0.16
Tabla 2 Las características de drenaje del
JFET
C. Compile el circuito para que pueda observar el
funcionamiento. Haga clic en el siguiente botón,
 ubicado en la parte inferior izquierda del emplea un transistor FET con el propósito de regular
simulador. la corriente que circula a través del filamento, el cual
D. Trace las curvas características de drenaje, funciona como el elemento calefactor dentro del tubo.
graficando en Microsoft Excel los valores de Al aplicar un voltaje específico al transistor FET, se
VDS (V) e ID (mA) para cada valor de VGS logra ejercer control sobre la magnitud de la corriente
(V). que fluye a través del filamento. Al ajustar esta
corriente, se consigue regular la cantidad de electrones
VDS (V) e ID (mA) para cada que son liberados por el filamento. Dichos electrones
son posteriormente acelerados en dirección a un ánodo
valor de VGS (V).
mediante la aplicación de un voltaje elevado,
6 originando la generación de rayos X a medida que
5 interactúan con el ánodo.
4
0 V. ANALISIS DE RESULTADOS -
ID

3
-0.5 INVESTIGACION
2
COMPLEMENTARIA
-1
1
0 -1.5
Estas curvas son muy útiles para comprender el
0
0.1
0.25
0.5
1
2
5
10

comportamiento de amplificación de los transistores.

VDS A menudo se utilizan en el diseño de circuitos para
determinar el punto de funcionamiento óptimo de un
Figura 6. Representación de grafico de VDS (V) e ID transistor. El punto óptimo es el punto donde se
(mA) para cada valor de VGS (V). (Elaboración obtiene la amplificación deseada y el transistor
propia) permanece dentro de sus límites operativos seguros.

E. Identifique y comente las zonas de

funcionamiento del FET basado en el VCE (V) e IC (mA) para cada IB
gráfico anterior. (μA).
➢ Corte (Off): En esta región, el FET está 20
apagado. Se ve en el gráfico cuando VDS es
15
alto e ID es bajo para cualquier valor de VGS. 10
La curva está cerca del eje VDS y muestra 10
IC

20
poca variación en ID, aunque VGS cambie.
➢ Saturación (On): El FET está completamente 5 40
encendido, actuando como un interruptor 80
cerrado. Se observa cuando VDS es bajo e ID 0
0.5 1 4 6 10 20 40 Lineal (10)
alcanza su valor máximo para un VGS dado.
La curva está cerca del eje ID y no hay VCE
aumento adicional en ID incluso si VGS sigue
aumentando. Gráfico 1. Representación de grafico VCE (V) e IC
➢ Triodo (Linear): El FET está en estado de (mA) para cada IB (μA). (Elaboración propia).
amplificación controlada. La corriente entre el
drenaje y la fuente es proporcional a VGS. En
el gráfico, esta zona se distingue por la
pendiente creciente de la curva VDS vs. ID al
aumentar VGS. A medida que VGS crece, ID
también aumenta de manera proporcional.

F. Comente ¿qué concluye del uso de

transistores en un equipo de Rayos X?

En la etapa de regulación de un tubo de rayos X, se

 electronicos/transistor/transistor-de-union-
VDS (V) e ID (mA) para cada bipolar/
valor de VGS (V).
Francisco, J. (2018, March 29). El transistor
6
5 bipolar. Introducción - Departamento de
4
0 Electricidad-Electrónica. Departamento de
ID

3
-0.5 Electricidad-Electrónica - Centro Integrado de
2
-1
1
Formación Profesional Número Uno de
0 -1.5
0.1
0.25
0.5
0

1
2
5
10

Santander.
VDS
https://cifpn1.com/electronica/?p=2783

Gráfico 2. Representación de grafico de VDS (V) e ID

(mA) para cada valor de VGS (V). (Elaboración
propia)

VI. CONCLUSIONES:
En conclusión, los transistores BJT y FET han
desempeñado un papel trascendental en la revolución
electrónica, marcando el rumbo de la tecnología
moderna. Su influencia se extiende desde los
cimientos de la electrónica cotidiana hasta
aplicaciones especializadas que impactan campos tan
diversos como la medicina y la industria. A lo largo de
este trabajo, hemos explorado en profundidad sus
fundamentos operativos y características esenciales,
revelando cómo actúan como interruptores y
amplificadores cruciales en la regulación de corriente
eléctrica en circuitos.

REFERENCIAS

Bismarks J.L. (2021, September 23). El

Transistor de Unión Bipolar es un

dispositivo semiconductor que puede

utilizarse como interruptor o amplificador

en muchas aplicaciones. Electrónica

Online; Electrónica Online.

https://electronicaonline.net/componentes-