櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶

DOI： 10．13290 / j．cnki．bdtjs．2021．09．008

1 550 nm 大功率低噪声分布反馈激光器芯片设计
武艳青 ，车相辉 ，张磊 ，赵润 ，曹晨涛 ，董风鑫
1 1 2 1 1 1

（ 1． 中国电子科技集团公司 第十三研究所 ，石家庄 050051；

2． 石家庄市机械技工学校，石家庄 050061）

摘要： 设计了一种 1 550 nm 波长分布反馈 （ DFB） 激光器芯片， 分析了有源区材料和波导

结构对芯片参数的影响。分析了影响输出功率和相对强度噪声 （ ＲIN） 的因素， 并进行了实验对
比。通过对芯片材料结构和波导结构的优化设计提升了芯片效率 、降低了 ＲIN； 通过优化腔长与
量子阱总增益之间的匹配参量及对光波导的优化设计 ，提高了芯片注入饱和点； 通过提升注入水
平提高了芯片输出功率。芯片测试结果显示，25 ℃ 时阈值电流为 13 mA，斜率效率为0. 38 W / A，
输出功率为 102 mW@ 300 mA，边模抑制比为 51 dB@ 50 mW，ＲIN 为 － 160 dB / Hz@ 300 mA。 该
芯片具备高输出功率、低 ＲIN、低阈值电流、高斜率效率的特点。
关键词： 分布反馈 （ DFB） ； 波导结构； 注入水平； 高功率； 低相对强度噪声 （ ＲIN）
中图分类号： TN248. 4 文献标识码： A 文章编号： 1003 － 353X （ 2021） 09 － 0705 － 07

Design of High-Power Low-Noise 1 550 nm Distributed

Feedback Laser Chip
Wu Yanqing1 ，Che Xianghui1 ，Zhang Lei2 ，Zhao Ｒun1 ，Cao Chentao1 ，Dong Fengxin1
（ 1． The 13 th Ｒesearch Institute，CETC，Shijiazhuang 050051，China；
2． Shijiazhuang Mechanical Vocational School，Shijiazhuang 050061，China）

Abstract： A 1 550 nm wavelength distributed feedback （ DFB ） laser chip was designed． The
influences of the material in the active region and waveguide structures on chip parameters were analyzed．
The factors affecting the output power and relative intensity noise （ ＲIN） were analyzed and compared
experimentally． Through the optimization design of chip material structure and waveguide structure，the
chip efficiency was improved and the ＲIN was reduced． By optimizing the matching parameters between
the cavity length and the total gain of the quantum well and the optimal design of optical waveguide，the
injection saturation point of the chip was increased． The output power of the chip was improved by in-
creasing the injection level． The test results of the chip show that the threshold current is 13 mA at 25 ℃ ，
the slope efficiency is 0. 38 W / A，the output power is 102 mW@ 300 mA，the side-mode suppression ra-
tio is 51 dB@ 50 mW，and the ＲIN is － 160 dB / Hz@ 300 mA． The chip has the characteristics of high
output power，low ＲIN，low threshold current and high slope efficiency．
Keywords： distributed feedback （ DFB） ； waveguide structure； injection level； high power； low
relative intensity noise （ ＲIN）
EEACC： 4320J

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［4］
耗 ，最终结果会减小激光器阈值电流、 提高微
0 引言
分量子效率。调整量子阱数量和厚度使之与腔长匹
以波分复用为代表的光通信领域及以远距离精 配可以改善激光器饱和功率点，同时提高激光器的
确探测为代表的激光雷达领域， 对 1 550 nm 波长 内量子效率、减小内损耗并降低阈值电流。另一方
大功率低噪声激光器的需求日益增大 ，其高功率和 面，过大的阱材料应变会带来器件可靠性风险 ，可
低噪声的特性可大幅提高激光雷达探测距离和通信 以通过增加垒的补偿应变减小整个量子阱区域的总
传输容量，同时获得更低的误码率。光载无线通信 应变量，因此优化量子阱应变形式、阱数量和厚度
（ ＲOF） 结合传统微波通信与光通信的优势， 将网 是补偿应变量子阱材料结构的核心工作 。
［1－2］
络通信容量提升 1 ～ 2 个数量级 ，激光雷达在提
高探测距离和精度的同时也越来越注重对人眼的保
护，在相关应用中一般采用模拟传输模式 ，所以要
求 1 550 nm 波长激光器应具有高功率、 低噪声的
特性。
本文主要对大功率低噪声分布反馈 （ DFB） 芯
片 结 构 进 行 了 优 化 设 计， 采 用 压 应 变 量 子 阱
（ QW） 降低芯片阈值电流、 提高斜率效率， 通过
腔长与量子阱的相互匹配及光波导的优化设计提高 图 1 芯片外延结构图
了芯片输出功率，采用掩埋异质结 （ BH） 结构提 Fig. 1 Diagram of the chip epitaxial structure

高了对载流子和光子扩散的抑制 ，同时部分光栅结
构可有效降低 DFB 芯片光场平坦因子， 降低了空
间烧孔效应，进而降低激光器芯片的相对强度噪声
（ ＲIN） 。

1 芯片材料及结构设计
1. 1 有源区材料设计
有源区材料的选取直接影响芯片光电特性 ，本
设计采用 InGaAsP / InP 体系压应变多量子阱结构，
如图 1 所示， 阱层为 1. 2% 压应变的 InGaAsP， 垒 图 2 不同应变状态下量子阱能带图
层为 0. 3% 张应变的 InGaAsP。 图 2 为不同应变状 Fig. 2 Energy band diagrams of quantum well under different
strain states
态下量子阱能带图，图中： ΔV c 为导带第一能阶势
b

垒高度； ΔV c 为导带第二能阶势垒高度； ΔV v 为价
c b 1. 2 高输出功率优化设计

带第一能阶梯势垒高度； ΔV v 为价带第二能阶势垒
c 提高芯片输出功率一般采用增加芯片腔长 、优
高度； E g 为禁带宽度； E gb 为导带第一能阶与价带 化量子阱结构和镀膜反射率来实现 ，芯片饱和前的
［5］
第一能阶势垒能量差； V c 为势垒能量； a q 和 a b 分 输出功率 （ P 0 ） 为
别为基底与外延有源区材料晶格常数 ，当有源区材
料晶格常数大于基底材料晶格常数时 ，有源区材料
P0 = ηi (
am hν
α i +a m q )
( I －I th ) ，I＞I th （ 1）

晶格受到基底材料晶格的压应力称为压应变 ，压应 式中： η i 为芯片内量子效率； a m 为激光器端面损

变使导带上移、 价带下移， 同时轻重空穴价带分
［3］
离。张应变与之相反 。 不论哪种应变都在本质
上增加了价带结构的曲率，使重空穴和轻空穴能带
产生分离， 减小空穴有效质量 （ 采用压应变的效
果更佳 ） ， 同 时 降 低 俄 歇 复 合 和 价 带 间 吸 收 损
耗； α i 为单位长度内的模式损耗； hν 为单个光
子能量； q 为电子电荷； I 为注入电流； I th 为阈值
电流。由式 （ 1） 可知，P0 与 I 和 η i 呈正比，与 α i
呈反比，式 （ 1） 表明固定 I 情况下，I th 越小，P 0
越高。阈值模式增益 （ g th ） 为［6］

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1 1
g th = αi + ln （ 2）
2L Ｒ 1 Ｒ 2
式中： L 为腔长； Ｒ 1 和 Ｒ 2 分别为芯片两端面反射
率。各损耗越小达到阈值所需的增益越小 。
量子阱结构设计需要兼顾对光场及载流子的约
束，根据上文的原理， 设计了阱层为 1. 2% 压应变
的 InGaAsP， 垒层为 0. 3% 张应变的 InGaAsP， 量
子阱个数分别为 2、3、4 和 5 个结构的芯片， 图 3
为 4 种同为 900 μm 腔长、 不同量子阱数量芯片的 图 5 腔长与透明电流密度关系曲线
输出功率 － 注入电流 （ P 0 -I） 模拟结果， 由图可以 Fig. 5 Ｒelation between cavity length and transparent
current density
看出该材料结构中 3 个量子阱芯片斜率效率最高。
虽然增加芯片腔长可以提高饱和功率点并降低
透明电流密度，但是随着腔长的持续增加其阈值电
流变大并且斜率效率会降低，总体上会增加芯片的
功耗。
随着量子阱数量的增加芯片的内量子效率也随
之增加，这是因为更多的量子阱可以提高对载流子
的利用率， 但也意味着阱内吸收和界面损耗的增
［7］
加，腔内光损耗也随之增加 ， 所以需要根据芯
片结构以及实际使用情况使量子阱数量与腔长相匹
图 3 不同量子阱数量芯片的 P0 -I 曲线 配。综上考虑， 本文设计的 DFB 激光器芯片采用
Fig. 3 P0 -I curves of chips with different QW numbers 900 μm 腔长、阱层为 1. 2% 压应变的 InGaAsP、 垒
增加腔长可以提高芯片功率饱和点 ，增加注入 层为 0. 3% 张应变的 InGaAsP、3 个量子阱的结构。
电流可以提高输出功率， 由式 （ 2） 可知， 随着腔 除以上增加输出功率的方法外，减小光损耗也
长的增加腔面损耗随之降低，从而降低了芯片阈值
是提高输出功率的一个途径。半导体激光器的光吸
增益。腔长的 增 加 也 会 降 低 透 明 电 流 密 度 （ J） ，
收损耗主要来自于 p 型包层，因为 p 型包层材料的
图 4 为 3 个量子阱 BH 结构芯片不同腔长下 P 0 -I 模
光吸收大于 n 型包层材料。采用 p 型包层薄、n 型
拟曲线，可以看出对该有源区结构来说 900 μm 腔
长芯片斜率效率最高，且未出现过早饱和。图 5 为 包层厚的非对称渐变设计 （ 图 6） ， 可以增加光场
3 个量子阱 BH 结构芯片腔长与透明电流密度关系 在 n 型包层内分布、 减弱光场在 p 型包层内分布，
模拟曲线，从图 5 中可以看出，随着腔长的增加芯 从而减小对光子的吸收，获得更高的斜率效率和输
［8］
片透明电流密度逐渐降低。 出功率 。

图 6 非对称波导结构光场分布图
图 4 不同腔长芯片的 P0 -I 曲线 Fig. 6 Optical field distributions of asymmetric waveguide
Fig. 4 P0 -I curves of chips with different cavity lengths structure

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1. 3 低相对强度噪声优化设计 漏，BH 有源区包裹于不同半导体材料之间， 正向

激光 器 的 ＲIN 会 影 响 整 个 光 电 链 路 的 性 能， 加电后有源区与侧向阻挡层形成反向 pn 结且四元
即使对信噪比要求较低的数字系统 ，ＲIN 的存在也 系材料 InGaAsP 折射率大于 InP，从而提高了对载
会造成接收机灵敏度劣化问题，接收机会将光振幅 流子以及光子的侧向阻挡能力，能将注入载流子以
的抖动转换为电流的起伏，限制器件的使用范围。 及光场模式很好地限制在有源区内 。两种结构截面
［9］
伯克利大学的 K． P． Ho 等人 测得当外部光 对比如图 7 所示，脊波导结构和 BH 结构芯片 ＲIN
反馈增大时 ＲIN 随之增大， 但是随着反馈系数的 模拟结果如图 8 所示，由模拟结果可知 BH 结构比
持续增加 ＲIN 会趋于稳定或稍有下降， 英国巴斯 脊波导结构对降低 ＲIN 更有优势。
［10］
大学的 K. I. Kallimani 等人 从理论层面提出了一
系列非线性速率方程，利用仿真描述了光反馈影响
下的 ＲIN。 对于器件来说 ＲIN 外部抑制方法有很
多，如光强外调制法、电流内调制法和电流差分相
减法等，芯片本身的 ＲIN 是整个链路 ＲIN 主要来
源之一，所以在芯片层面降低链路 ＲIN 有更直接、
成本更低的优势。
对于半导体激光器芯片来说， 产生 ＲIN 的原
因是光子与载流子在腔内的动力学行为 ，刻意的电
流调制或载流子及光子的随机复合和产生都会引起
输出功率的幅度变化，相对强度噪声 （ Q ＲIN ） 可表
［8］
示为
2
δP（ t）
Q ＲIN = （ 3）
P 20
2 图 7 脊波导结构与 BH 结构截面图
式中 δP（ t） 为高斯形噪声分布的均方值。 通常用
2
Fig. 7 Cross-sectional views of ridge waveguide structure
δP（ t） and BH structure
分贝表示 Q ＲIN ， 即 Q ＲIN = 10lg ， 一般用带
P 20
通频谱分析仪测量 Q ＲIN 值，为了更准确地对单位带
［5］
宽内的 Q ＲIN 值进行表征，其又可以表示为
Q ＲIN = Q ＲIN － 10lg Δf （ 4）
式中 Δf 为测量装置的滤波器带宽。
影响芯片 ＲIN 特性的主要因素有： 芯片热效
应、芯片漏电流、由于光场分布不均匀导致的空间 图 8 相同材料不同结构芯片的 ＲIN
烧孔和光波导内光子密度。首先，在本设计中采用 Fig. 8 ＲIN of chips with the same material and different
structures
BH 结构， 有源区在侧向以及横向上被 InP 包裹，
其次，模式竞争导致的跳模引起模式分配噪
InP 较高的热导率 （ 68 W·m －1 ·K －1 ） 可有效降低
声，使输出光强发生波动。 对于半导体芯片来说，
有源区热积累。本设计采用的 BH 结构相比于脊波
即使工 作 在 单 模 状 态 下 仍 会 造 成 输 出 光 强 的 波
导结构的优点为，脊波导结构为了保证单模特性一
［11］
动 。芯片空间烧孔会造成模式跳变， 光场平坦
般不会刻透脊两侧的 p 型包层，这必然会导致载流
子通过此层向两侧泄漏，随着通过 p 面包层载流子 因子 （ F） 表征阈值增益差随注入电流增加劣化的
的扩散和复合，载流子密度会随时间发生变化，因 快慢，F 越大劣化越快，F 较大时不均匀的光场分
此脊波导结构的载流子密度涨落明显不利于降低芯 布会导致空间烧孔， 所以降低 F 可降低烧孔效应
片的 ＲIN，而 BH 则不存在这个问题， 该结构在有 造成的模式跳变， 从而降低芯片相对强度噪声，F
［11］
源区侧向增加了阻挡层有效降低了侧向载流子的泄 表示为

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櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶
1 L
F=
L ∫ [ I ( z) －I
0
avg
式中： I ( z) 为激光器腔位置 z 处的光场强度； I avg 为
整个激光器腔的平均光场强度。实际使用中激光器
芯片 一 般 在 出 光 （ AＲ ） 面 镀 增 透 膜、 在 背 光
（ HＲ） 面镀高反膜， 提高输出端的输出功率， 由
于工艺精度限制无法控制芯片解理后端面处的光栅
相位，而 DFB 激光器的空间光强分布取决于光栅
耦合系数、 光栅总长度、 相移量及相移位置等参
数，其中光栅耦合系数和光栅总长度对整个纵向波
导空间光场分布没有明显影响，但光栅相移量和相
移位置对波导空间光场分布至关重要
期性光栅在芯片高反射率端面处的随机相位为一种
相移，设计采用部分光栅结构，即芯片高反射率端
面一侧增加一段无光栅区域，以此来避免随机相位
出现在光强波动较大的高反射率端面处 ，从而达到
减小 F 的作用。 图 9 为部分光栅结构芯片纵向切
面示意图，图 10 为部分光栅结构与全光栅结构芯
片光场分布模拟结果， 由图 10 可看出部分光栅结
构芯片光场分布均匀性优于全光栅结构芯片 。
图 9 部分光栅结构芯片纵向切面示意图
Fig. 9 Schematic diagram of longitudinal section of partial
grating structure chip
图 10 部分光栅结构与全光栅结构芯片光场分布
Fig. 10 Optical field distributions of partial grating structure
and full grating structure chips
ＲIN 的一个重要来源是有源区内的自发辐射，
September 2021
武艳青 等： 1 550 nm 大功率低噪声分布反馈激光器芯片设计
自发辐射速率会在阈值处随载流子密度锁定而锁
] 2 dz （ 5）
定，因此当电流增加超过阈值后自发辐射噪声保持
常数。由式 （ 3） 得出 P 0 的增加会使 ＲIN 降低，所
以也可 以 通 过 适 当 提 高 注 入 电 流 的 方 式 来 降 低
ＲIN［5］，但若输出功率过高会由于热效应及 F 的增
大反而使 ＲIN 增大， 所以需要根据芯片整体结构
来设 定 最 佳 工 作 电 流。 图 11 为 3 个 量 子 阱、
900 μm腔长、部分光栅 BH 结构芯片在不同注入电
流下的 ＲIN 模拟仿真结果， 可以看出注入电流由
250 mA增加到 300 mA 过程中芯片 ＲIN 逐渐降低，
继续增加注入电流芯片 ＲIN 升高。
［12］
。 正弦周
图 11 BH 结构芯片在不同 G 注入电流下的 ＲIN
Fig. 11 ＲIN of BH structure chip under different injection
currents
2 芯片制备
采用行星式反应室进行光栅层一次外延，一次
外延后采用电子束工艺制备光栅，光栅耦合因子为
40 cm －1 。光栅制作完成后进行有源区二次外延，有
源区采用 3 个量子阱结构阱和垒厚度均为 10 nm，阱
为 1. 2% 压 应 变 的 InGaAsP， 垒 为 0. 3% 张 应 变 的
InGaAsP，p 型 波 导 层 厚 0. 3 nm，n 型 波 导 层 厚
0. 6 nm。然后进行侧向阻挡层 3 次外延，3 次阻挡
层外延交替外延 p 型和 n 型 InP 材料。最后进行顶
部接触层 4 次外延，4 次 外 延 顶 层 采 用 高 掺 杂 的
InGaAs作为 p 型电极接触层。4 次外延全部完成后
通过光刻、湿法腐蚀、干法刻蚀、金属化等圆片工
艺流程制作成 BH 结构激光器芯片，其中金属化前
湿法腐蚀去除 InGaAs 表面氧化层，溅射 TiPtAu 后
进行低温合金形成欧姆接触，低温合金工艺配合表
触层微腐蚀工艺，既提高了器件稳定性又减小了串
联电阻。圆片工艺制作完成后对圆片进行解理，解
理后对芯片条进行镀膜，AＲ 和 HＲ 腔面镀膜反射率
分别为 0. 01% 和 90%。最后进行划片得到单个芯片，
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芯片有源区宽 （ 1. 6±0. 2） μm，芯片长、宽分别为

900 μm 和 250 μm，芯片截面形貌如图 12 所示。

图 12 圆片工艺完成后的芯片截面图
Fig. 12 Cross-sectional view of the chip after wafer process
图 14 芯片 P-I-V 测试曲线
Fig. 14 P-I-V test curves of the chip
3 芯片测试
对最终得到的芯片进行测试， 图 13 为芯片快
轴与慢轴发散角 （ θ ┴ 和 θ ∥ ） 分布， 快轴发散角出
现的微小次峰为测试设备本身抖动所引起 ，不影响
其发散角的读取，并且由图中可以看出 BH 结构由
于有源区四周被相同折射率的材料包围 ，所以其光
斑更接近 于 圆 形。 图 14 为 芯 片 P-I-V 测 试 曲 线，
由于采用了高功率低阈值电流的材料设计 ，所以即
使腔长较长，芯片斜率效率仍达到了 0. 35 W / A 以
上，300 mA 下输出功率超过 100 mW。 图 15 为芯
图 15 芯片测试光谱
片测试光谱，可通过调整光栅周期精确控制芯片激 Fig. 15 Test spectrum of the chip
射波长，并且随注入电流以及温度的变化光栅有效
周期变化非常小， 有利于芯片保持单模输出。 图
16 为芯片采用 14 针碟形封装后 ＲIN 测试结果， 从
图中 可 以 看 出， 芯 片 在 300 mA 下 的 ＲIN 低 至
－ 160 dB / Hz，在相同偏置电流下测试值与模拟值
比较接近，测试曲线产生的波动是由于测试设备及
电流源波动引起的，不影响测试结论。测试后相关
参数分别为： 25 ℃ 时芯片阈值电流为 13 mA， 斜
率效 率 为 0. 38 W / A， 输 出 功 率 为 102 mW @ 图 16 芯片蝶形封装后 ＲIN 测试曲线
300 mA， 波长为 1 552 nm@ 50 mW，边模抑制比为 Fig. 16 Test curve for ＲIN of the chip after butterfly packaging

51 dB@ 50 mW，ＲIN 为 － 160 dB / Hz@ 300 mA。

4 结论
通过对 InGaAsP / InP 材料体系芯片量子阱及结
构原理分析， 对大功率低噪声 1 550 nm DFB 激光
器芯片进行了改进，压应变多量子阱材料设计与腔
长长度相匹配，有利于降低芯片阈值电流、提高斜
率效率和功率饱和点，对不同腔长以及不同数量的
1. 2% 压应变量子阱进行对比， 结果表明， 随着量
子阱数量的增加芯片斜率效率先增大后降低，3 个
图 13 芯片远场发散角分布 量子阱芯片随着腔长的增加其功率饱和点线性增
Fig. 13 Divergence angle distributions in far-field of the chip 大，但考虑斜率效率以及阈值要求芯片腔长采用

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900 μm，光波导采用非对称波导结构， 以上设计 ［6］ 江剑平． 半导体激光器 ［M］． 北京： 电子工业出版

使芯片具备低阈值电流、高斜率效率，并且可以通 社，2000： 53－54．

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过增加注入电流的方法提高芯片输出功率 。
［D］． New Mexico： The University of New Mexico Albu-
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querque，2009．
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光栅降低光场平坦因子，从而降低芯片 ＲIN， 并且
光器设计 ［J］． 半导体光电，2014，35 （ 4） ： 577－580．
较低的阈值电流即较低的透明载流子密度也对降低 ［9］ HO K P，WALKEＲ J D，KAHN J M． External optical
ＲIN 有利。 feedback effects on intensity noise of vertical-cavity
优化设计后的 1 550 nm DFB 激光器芯片， 通 surface-emitting lasers ［J］． IEEE Photonics Technology
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Materials and Processes for ＲF and THz Applications 导体生物传感器。

September 2021 Semiconductor Technology Vol．46 No．9 711