Rapport Massar

MEMOIRE DE FIN D’ETUDES
Pour l’obtention du diplôme de
Master Recherche M2
Discipline : Sciences de l’Ingénieur
Présenté et soutenu publiquement

Le 24 septembre 2018
Par
ABAKAR OUMAR MASSAR
Etude de la bande passante d’un transformateur

planaire intégré
Encadré par
Mahamat Ahmat TAHA
Sous la direction de
Jean Jacques Rousseau
Composition du jury :
Président : Jean Jacques ROUSSEAU, Professeur, Université Jean Monnet, Saint-Étienne (France)
Suppléant : Malloum SOULTAN, Maitre de conférence (CAMES), INSTA
Rapporteur : Yaya DAGAL, Maitre-Assistant (CAMES), INSTA
Membres : - Dr Abderahim AWAT, Maitre-Assistant (CAMES), FSEA, Université de Ndjamena
- Dr Koularambay MBAITELBE, Maitre-Assistant (CAMES), IPM
- Dr Gambou FRANK, Maitre-Assistant (CAMES), FSEA, Université de Ndjamena
2017/2018
Abstract
RESUME :
Le coefficient du couplage entre le primaire et le secondaire et la bande passante sont des facteurs qui
déterminent intégralement les performances du transformateur. Une étude de simulation électromagnétique (par
les logiciels HFSS et Proteus) a été faite sur le transformateur « face to face » à deux couches magnétiques, qui est
composé de deux inductances mises face à face et séparées par un isolant. Cette étude a porté sur les paramètres
géométriques et magnétiques de ce transformateur. L’objectif étant de voir l'influence de ces paramètres sur la
bande passante du transformateur. Il a été montré que la bande passante du transformateur est affectée par sept (7)
éléments sur neuf (9) du schéma équivalent du transformateur. L'amélioration de la bande passante est obtenue en
faisant varier les éléments du schéma équivalent du transformateur. Deux modèles électriques du transformateur,
en basse et haute fréquence, ont été retenus. En basse fréquence, les simulations ont montré que la bande passante
du transformateur dépend des trois éléments qui sont la résistance de l'enroulement primaire, l’inductance de fuite
et l'inductance magnétisante. Ainsi la fréquence de coupure basse a été déterminée et vérifiée. En haute fréquence,
les simulations ont également montré que la bande passante du transformateur dépend de l'inductance
magnétisante, de l'inductance de fuite de l'enroulement secondaire, de la capacité entre les spires du secondaire et
de la capacité entre les deux enroulements. Cependant, la fréquence de coupure haute n'a pas été déterminée. Ces
observations ont été faites sur un domaine de fréquence de 1 kHz à 50 MHz.
Mots clés : Transformateur planaire, intégration, ferrite, micro-usinage laser, transformateur de commande,
structure Face to Face, intégration.
ABSTRACT:
The coefficient of the coupling between the primary and the secondary, and the bandwidth are factors which
determine integrally the performances of a transformer. The face to face transformer has two magnetic layers
composed of two inductors placed face to face and separated by an insulator was examined by making a study on
its geometric and magnetic parameters. This study was conducted in electromagnetic simulation (HFSS) and
Proteus. The results were to see the influence of these parameters on the bandwidth of the transformer. It has been
shown that the transformer bandwidth is affected by seven (7) elements out of nine (9) of the equivalent circuit
diagram of the transformer. The efficiency to improve the bandwidth by varying the elements of the equivalent
diagram of the transformer, it was found two electric models with low frequency and high frequency of the
transformer. In low frequency, simulations have shown that the bandwidth of the transformer depends on the three
elements, which were their resistance of the primary winding and its leakage inductance as well as the magnetizing
inductance. Thus, the low cut-off frequency has been determined and verified. In high-frequency simulations have
also shown that the transformer bandwidth depends on the magnetizing inductance, the leakage inductance of the
secondary winding, the capacitance between the secondary turns and the capacitance between the two windings,
unfortunately, the high cut-off frequency has not been determined. These observations have been explained over
a frequency range of 5khz to 50mhz.
Keywords: Planar transformer, integration, ferrite, laser micro-machining, control transformer, Face to Face
structure, integration
Abakar Oumar Massar UJM et Consortium des Enseignements Supérieurs du Tchad

Dédicace et Remerciements
DEDICACE
Ce manuscrit est dédié spécialement à :

- mes deux enfants : Souad Abakar et Abdoul Aziz Abakar ;
- ma mère Radina Ahmat Saleh ;
- mon père Oumar Massar Yahya ;
- mes frères et sœurs ;
- et à ma femme.
Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad

Dédicace et Remerciements
REMERCIEMENTS
J
e tiens à remercier tout d’abord Dieu le Tout Puissance, lui par sa grâce à veiller sur moi
tout au long de ce travail en m’accordant la force, la santé, l’inspiration, qu’Il reçoive toute
ma reconnaissance.
Ce mémoire a été dirigé par le Professeur Jean Jacques ROUSSEAU de l’université Jean Monnet
de Saint Etienne. Je tiens à lui exprimer toute ma gratitude et ma reconnaissance d’avoir dirigé ce
travail. Ses qualités humaines, son esprit critique et particulièrement ses conseils et ses orientations
ont apporté beaucoup à l’aboutissement de ce travail. Je remercie vivement mon Co-encadreur Dr
Mahamat Ahmat TAHA., Maître-Assistant à l’Institut National Supérieur de Technologie d’Abéché,
de m’avoir proposé et dirigé ce sujet, et m’a aidé par ses conseils précieux et orientations pour la
rédaction de ce mémoire.
Ma reconnaissance s’adresse particulièrement aux Enseignants de l’Université Jean MONNET de
Saint-Etienne : Jean Jacques ROUSSEAU, Bernard BAYARD, Stéphane CAPRARO qui ont bien
voulu accepté de participer à la formation malgré leurs occupations. Et également aux Enseignants
du Consortium d’Enseignement supérieur du Tchad, il s’agit des Dr : A. Désiré, A. Moungache, A.
Kriga, A. Ouzer, M. Borgou, A. Awat, Y. Dagal, Y. Khamis, O. Arafat, A. Gogo, D. Bonaventure, et
K. Mbaitelbe.
Je tiens à remercier profondément tous les membres de ma famille pour leur soutien sans
exception, qui ont toujours été auprès de moi dans les moments de doute ou de tristesse, sans oublié
leurs aides précieuses et encouragement. Merci à tous, de la confiance que vous m’avez témoignée
durant ces années.
Je remercie chaleureusement mon épouse Mansoura Izerick pour sa patience qu’elle a témoignée
durant ces parcours académiques pendant lequel elle m’attend toute la nuit pour me voir rentrer.
Je n’oublie pas bien sûr de dire merci à tous mes camarades qui ont partagé au quotidien mes
espoirs et mes inquiétudes, et avec qui j’ai partagé des inoubliables instants de détente. A. Ibet, A.
Gassi, M. Blaise, R. Solalta, Y. Nimir, D. Hervé, M. Fatimé, A. Ika Goni, M. Mallah, M. Albechir et
sans oublier S. faura qui nous a laissé au dernier virage à la recherche du travail.
Et un merci à mon ami Ing. M.O. Malick pour ces coups d’appel indénombrables chaque matin
pour rappeler du travail qui m’attend à faire et un autre merci pour ces critiques.
Aussi mes remerciements vont à mon Directeur M. Bourma pour ses innombrables critiques et
conseils.

Liste des figures et Table des Matières
LISTE DES FIGURES

Figure 1. 1 : a) transformateur classique; b) exemple illustrative d'un composant planaire [2] .............. 3
Figure 1. 2 :Circuit équivalent d'un transformateur idéal [5] .................................................................. 4
Figure 1. 3 :Schéma illustrant les pertes d’un transformateur réel [5] .................................................... 5
Figure 1. 4 :Circuit équivalent du transformateur réel ............................................................................ 6
Figure 1. 5 :a) Principes physiques des effets de peau ; b) Volume utile dans un conducteur limité par
l’effet de peau. ......................................................................................................................................... 7
Figure 1. 6 : Densité de courant à l'intérieur d'un conducteur [36] [37]. ................................................. 8
Figure 1. 7: Principes physiques d’effets de proximité [38] [2] .............................................................. 8
Figure 1. 8 :Cycle d’hystérésis d’un matériau magnétique ..................................................................... 9
Figure 1. 9 :Courants de Foucault dans un matériau magnétique [36] .................................................. 10
Figure 1. 10 :transformateur planar réalisé par E.J. Meurer [39] .......................................................... 10
Figure 1. 11 :Transformateur planaire: a) à couche magnétique [40] ; b) à air [14] ............................ 11
Figure 1. 12 :Vue de face de la structure Face to Face à 45° [5] ........................................................... 11
Figure 1. 13 : Structure d’un transformateur entrelacé [10] .................................................................. 12
Figure 1. 14 :Structure sandwich de la spirale du transformateur [12] ................................................. 13
Figure 1. 15 : Structure d'un transformateur empilé (stacked) [13]....................................................... 13
Figure 1. 16 : Photographie en MEB : a) d'un transformateur solénoïde réalisé sur silicium ; b) sur le
bobinage gros plan [15] ......................................................................................................................... 14
Figure 1. 17 : La structure du transformateur Face to Face à enroulement enterré [16] ....................... 15
Figure 1. 18 : Model basse fréquence [5] .............................................................................................. 16
Figure 1. 19 : a) Modèle simple basse fréquence b) Modèle avec prise en compte des inductances de
fuite [5] .................................................................................................................................................. 16
Figure 1. 20 : Modèle électrique haute fréquence [5]............................................................................ 17
Figure 1. 21 : Circuit électrique intégrant un transformateur dans un convertisseur forward [19] ...... 18
Figure 1. 22 : composition du convertisseur avec le transformateur planar [21] .................................. 18
Figure 1. 23 : Circuit équivalent du modèle BPF [23] .......................................................................... 19
Figure 2. 1 : illustration de la bande passante [41] 20

Figure 2. 2 : illustration spécifique de la bande passante 21
Figure 2. 3 : Modèle de transformateur à 2 ports [25] 22
Figure 2. 4 : Circuit équivalent du transformateur pour la détermination du gain en tension [32] 23
Figure 2. 5 : Comparaison des résultats théorique et expérimentaux de la BP d'un transformateur [32]
24
Figure 2. 6 : Circuit équivalent du transformateur en basse fréquence [34] 25
Figure 2. 7 : le Coefficient de couplage en fonction de S. 25

Figure 2. 8 : BP et S21 en fonction k [34] 26
Figure3. 1 :Exemple d'une simulation avec Proteus du Schéma équivalent du transformateur ........... 28
Figure3. 2 : Exemple d'une structure simulée avec HFSS..................................................................... 30
Figure3. 3 :Vue de face de la structure Face to Face à 45° [5] .............................................................. 32
Figure3. 4 : Vue en coupe de la structure Face to Face à 45° [5] .......................................................... 32
Figure3. 5 :Schéma équivalent du transformateur [5] ........................................................................... 34
Figure3. 6 : influence de R1 sur la Bande Passante(Proteus) ................................................................ 34
Figure3. 7 : bande passante du transformateur en fonction de l’épaisseur du cuivre(HFSS) ................ 35
Figure3. 8 : Coefficient du couplage en fonction de l'épaisseur du cuivre ............................................ 36
Figure3. 9 : inductance de fuite en fonction du décalage angulaire ...................................................... 37
Figure3. 10 : Influence de l1 sur la bande passante(Proteus) ............................................................... 37
Figure3. 11 : Influence de l1 sur la bande passante (HFSS).................................................................. 38
Figure3. 12 : Coefficient du couplage en fonction du décalage angulaire ............................................ 38
Figure3. 13 : influence de Lm sur la BP du transformateur sous HFSS ................................................ 39
Figure3. 14 : Influence de Lm sur BP sous Proteus. ............................................................................. 39
Figure3. 15 : a) Première approche Simplifiée ; b) Deuxième approche Simplifiée ............................. 40
Figure3. 16 :Comparaison de deux équations avec Proteus .................................................................. 42
Figure3. 17 : Modèle électrique basse fréquence du transformateur ..................................................... 43
Figure3. 18 : influence de C12 sur la BP sous Proteus.......................................................................... 43
Figure3. 19 : Influence de la capacité C12 en fonction de la Permittivité relative de SU8 ................... 44
figure3. 20 : Coefficient du couplage en fonction de la Permittivité relative de la résine SU8 ............ 44
Figure3. 21: Influence de C2 sur la bande passante du transformateur en haute fréquence. ................. 45
Figure3. 22 : Influence de Lm en fonction de l'épaisseur du cuivre ...................................................... 46
Figure3. 23 : Influence de LM sur la bande passante du transformateur sous Proteus ......................... 47
Figure3. 24 : Coefficient de couplage en fonction de l’entrefer ............................................................ 47
Figure3. 25 : Influence de l2 sur la bande passante du transformateur en haute fréquence(HFSS) ...... 48
Figure3. 26 : Influence de l2 sur la bande passante du transformateur en haute fréquence(Proteus).... 49
Figure3. 27 : Schéma Simplifié du Transformateur haute fréquence .................................................... 49
Figure3. 28 : Courbe comparative de la variation de C12 ...................................................................... 50
Figure3. 29 : Courbe comparative de la variation de l2 ........................................................................ 50
Figure3. 30 : Courbe comparative de la variation de C2 ....................................................................... 50
Figure3. 31 : Courbe comparative de la variation de l1 ........................................................................ 51

LISTE DES ABREVIATIONS

f.c.é.m. : Force contre électromotrice
f.é.m. : Force électromotrice
PH : Perte par hystérésis
WCY : Air du cycle d’hystérésis
f: La fréquence
Pf : Perte par courant de Foucault
CMOS : Complementary Metal Oxide Semiconductor
BPF : Bande passe filter
Gmin : Gain minimal
G0 : Gain à zéro décibel
Fcb : Fréquence de coupure basse
Fch : Fréquence de coupure haute
Ve : Tension d’entrée
Vs : Tension de sortie
Rs : Résistance de l’enroulement secondaire
k: Coefficient de couplage
Bmax : Champs magnétique maximal
ρ: Résistivité du matériau
PCB : Print Circuit Board
DC-DC : Direct current
YIG : Yttrium Iron. Grenat
SU8 : résine
HFSS : High Frequency Structure Simulator
MEF : Méthode des Eléments Finis
BP : Bande Passante
MEMS : Micro Electro Mechanical Systems
GdB : Gain en décibel
Lp : Inductance de l’enroulement primaire
Ls : Inductance de l’enroulement secondaire
M: Inductance Mutuel
Rp : Résistance de l’enroulement primaire
MOSFET : Metal Oxide Semiconductor Field Effet Transistor

TABLE DES MATIERES
resumé : .............................................................................................................................................................i
Dédicace ............................................................................................................................................................ii
Remerciements ................................................................................................................................................ iv
Liste des figures.................................................................................................................................................v
Liste des abréviations...................................................................................................................................... vii
Table des matières ......................................................................................................................................... viii
INTRODUCTION GENERALE .............................................................................................................................. 1
CHAPITRE I : GENERALITES SUR LES TRANSFORMATEURS ............................................................................... 3
Introduction ..................................................................................................................................................... 3
I. GENERALITES SUR LES TRANSFORMATEURS ......................................................................................... 3
Définition et constitution ................................................................................................................ 3
Principe de fonctionnement d’un transformateur .......................................................................... 4
Transformateur idéal ............................................................................................................. 4
Transformateur réel ............................................................................................................... 5
Principales Caractéristiques ............................................................................................................ 6
Pertes Joule ............................................................................................................................ 6
Pertes fer ............................................................................................................................... 9
Transformateurs planaire et planar .............................................................................................. 10
Transformateur planar......................................................................................................... 10
Transformateur planaire ...................................................................................................... 10
II. ETAT DE L’ART SUR LE TRANSFORMATEUR PLANAIRE INTEGRE ......................................................... 12
Choix de la structure du transformateur intégré .......................................................................... 12
Enroulements Entrelacés ..................................................................................................... 12
Enroulements Empilés ......................................................................................................... 13
Enroulements à trois dimensions (3D) ................................................................................ 14
Enroulements face to face ................................................................................................... 14
CHOIX DE LA MODELISATION DU TRANSFORMATEUR INTEGRE ................................................... 16
Modèle basse fréquence ..................................................................................................... 16
Modèle haute fréquence ..................................................................................................... 16
APPLICATIONS DU TRANSFORMATEUR ......................................................................................... 17
Transformateur de Puissance .............................................................................................. 17
Transformateur de signal ..................................................................................................... 18
III. CAHIER DE CHARGE ............................................................................................................................. 19
IV. CONCLUSION ................................................................................................................................... 19

CHAPITRE II : DEFINITION DE LA BANDE PASSANTE ET EXTRACTION DES PARAMETRES DU TRANSFORMATEUR

21
I. introduction ......................................................................................................................................... 20
II. Définition de la Bande Passante .......................................................................................................... 20
III. Modèle du transformateur et extraction des paramètres .................................................................. 21
Modèle du transformateur choisi ................................................................................................. 21
Extraction du Modèle basse fréquence ............................................................................... 21
Coefficient de couplage entre Primaire et Secondaire ........................................................ 23
Importance du Coefficient du Couplage k sur la bande passante (BP) ......................................... 23
IV. Les Performances des transformateurs ............................................................................................... 27
cas general .................................................................................................................................... 27
Performances recherchées ....................................................................................................... 27
V. Conclusion ........................................................................................................................................... 27
CHAPITRE III : RESULTATS ET DISCUSSIONS ................................................................................................... 28
I. introduction ......................................................................................................................................... 28
II. OUTILS DE SIMULATION ...................................................................................................................... 28
Proteus .......................................................................................................................................... 28
HFSS ............................................................................................................................................... 29
Principes de la méthode des éléments finis (MEF) .............................................................. 29
Les Etapes Essentielles de la simulation d’un composant ................................................... 30
III. ÉTUDE DES DIFFERENTS PARAMETRES INFLUANT SUR LA Bande Passante ........................................ 33
Les paramètres influant sur la BP en Basse Fréquence ............................................................ 33
Influence de la Résistance du bobinage primaire R1 ............................................................ 34
Influence de l’inductance de fuite l1. ................................................................................... 36
Influence de l’inductance magnétisante Lm ........................................................................ 39
Mise en équation de la fréquence de coupure basse ................................................................. 40
Première approche ............................................................................................................... 40
Deuxième approche ............................................................................................................. 41
Les paramètres influant sur la BP en haute Fréquence ................................................................. 43
Influence des capacités sur la BP en haute fréquence ........................................................ 43
Influence des inductances sur la BP en haute fréquence .................................................... 45
Schéma simplifié du transformateur en haute fréquence ................................................... 49
IV. CONCLUSION ....................................................................................................................................... 51
CONCLUSION GENERALE ET PERSPECTIVES ................................................................................................... 52
REFERENCES .............................................................................................................................................. 53
ANNEXES ........................................................................................................................................................ 57

INTRODUCTION GENERALE

Introduction Générale
INTRODUCTION GENERALE
L
es dispositifs électriques, électroniques et/ou électrotechniques sont de plus en
plus en perpétuelle évolution. Cette évolution entraîne une forte demande de
circuits électroniques hautes fréquences miniatures. De nos jours, beaucoup
d’appareils que nous utilisons quotidiennement comme les avions, les voitures électriques, les
téléphones portables, les imprimantes, les appareils électroménagers, et tous les objets
connectés grands ou petits ont quelque part un composant passif en leurs sein.
Les avancées technologiques se renouvèlent du jour au lendemain à un rythme toujours
plus rapide. L’imminente de ce changement révolutionnaire pourrait être celle de micro-
technologie, les matériaux aux propriétés encore inconcevables et inexplorés il y’ a quelques
années. Les objets quotidiens dotés de nouvelles fonctions par l’assemblage de quelques
couches des matériaux. Un milieu de plus en plus protecteur, sensible et interactif grâce à la
miniaturisation de toute sorte de dispositif électronique. Les objets qui sont toujours plus petits
et concis, toujours plus puissants, peut-être même la naissance d’une nouvelle forme
d’intelligence artificielle à l’attente de nos moindres besoins. Grâce à l’utilisation de la
substance à une échelle tout à fait nouvelle, les micro-technologies promettent de simplifier et
d’améliorer notre quotidien dans un monde plus efficace, plus sure et plus confortable.
Ces dernières années, les travaux de la recherche scientifique se sont considérablement
focalisés sur l’étude des structures planaires intégrées.
Ce sujet s’inscrit dans la suite des travaux de thèse de Mahamat Ahmat TAHA [1]
dont le sujet concernait la conception, la réalisation et la caractérisation d’un transformateur de
commande à enroulements enterrés dans le matériau magnétique.
Les transformateurs réalisés et caractérisés présentent une bande passante qui s’étend
de 20kHz à 7 MHz. C’est dans ce contexte que l’objectif de ce mémoire est porté sur l’étude de
la bande passante du transformateur planaire intégré.
L’objectif principal de ce travail de mémoire est de faire un complément d’étude sur
l’influence des paramètres géométriques et magnétiques sur la bande passante. On s’intéressera
également au coefficient de couplage entre primaire et secondaire. Ce travail sera mené en
simulation :
- D’une part à l’aide du logiciel HFSS qui permettra d’étudier l’influence de certains
paramètres géométriques et magnétiques sur les éléments du schéma équivalent du
transformateur [1]

Introduction Générale
- Et d’autre part à l’aide du logiciel Proteus qui permettra d’étudier l’influence des
paramètres du schéma équivalent sur la réponse en fréquence du transformateur.
Le but est d’identifier les éléments du schéma équivalent qui influent sur la bande
passante du transformateur. Pour cela, nous avons décidé de simplifier le schéma électrique du
transformateur en deux modèles électriques simplifiés en basse et haute fréquence.
Pour présenter ces travaux, le mémoire est subdivisé en trois chapitres auxquels s’ajoutent
les annexes.
Dans le premier chapitre, nous allons nous intéresser aux généralités sur les
transformateurs. Dans un premier temps nous allons donner la définition et la constitution du
transformateur classique et planaire suivi de son principe de fonctionnement et de ses
principales caractéristiques. Ensuite nous allons regarder deux types de transformateurs à savoir
planaire et planar.
Dans un second temps, nous ferons un état de l’art sur les différentes technologies de
fabrication du transformateur planaire intégré pour lequel nous nous intéresserons au choix de
la structure en faisant une étude bibliographique large sur les différentes structures du bobinage
du transformateur planaire intégré. A la fin de ce chapitre un, nous allons définir notre cahier
de charge sur lequel se basera notre travail.
Le chapitre deux de ce manuscrit sera consacré à la définition de la bande passante et

extraction des paramètres du transformateur planaire intégré. Nous commencerons tout d’abord
à définir la bande passante d’une manière générale et par la suite d’une manière particulière du
transformateur. Puis nous allons choisir un modèle du transformateur qui fera l’objet d’étude
pour l’extraction des paramètres afin de définir le coefficient du couplage entre le primaire et
le secondaire du transformateur planaire intégré. Nous chercherons également à déterminer
l’importance de ce coefficient de couplage k sur la bande passante du transformateur. Et nous
allons finir le chapitre en donnant les facteurs qui caractérisent les performances du
transformateur.
Le troisième et le dernier chapitre sera les résultats et discussions dans lequel nous
présenterons les outils du travail, qui sera suivi des résultats où nous identifieront les éléments
qui auront de l’influence sur la bande passante du transformateur planaire intégré.
A la fin de ce document, nous allons finir par une conclusion générale et donner
quelques perspectives.

CHAPITRE I : GENERALITES SUR LES
CHAPITRE I. GENERALITES SUR
TRANSFORMATEURS
LES TRANSFORMATEURS
Chapitre I. Généralités sur les transformateurs
INTRODUCTION
Les composants comme les inductances planaires, les transformateurs planaires ont connu
une évolution remarquable ces dernières années. Cette évolution est due à la miniaturisation de
ces composants, liée à l’intégration de ces derniers et à leurs réductions du coût. L’objectif de
ce chapitre est de donner un aperçu général sur le transformateur classique et le transformateur
planaire intégré. Et enfin nous terminerons ce chapitre par un état de l’art sur le transformateur
planaire intégré.
I. GENERALITES SUR LES TRANSFORMATEURS
DEFINITION ET CONSTITUTION
Un transformateur est définit comme un élément stable composé de deux ou plusieurs

spirales (primaire et secondaire) mis ou non autour d’un noyau magnétique (figure 1.1 : a)). Le
transformateur planaire quant à lui est conçu par un assemblage de couches magnétiques,
conductrices et isolantes (figure 1.1 : b)) afin de diminuer la taille et ainsi faciliter son
intégration. Les transformateurs intégrés n’utilisant pas du matériau magnétique sont
généralement composés de spirales en aluminium ou cuivre posé sur un substrat en verre ou
silicium épais de quelques centaines de micromètre. Entre le substrat et la bobine, des couches
d’oxydes sont utilisées pour effectuer la fonction d’isolation [2].
Couche Magnétique
Couche Conductrice
Couche Isolante
b) a)
Figure 1. 1 : a) transformateur classique; b) exemple illustrative d'un composant planaire [2]
Aussi on peut encore définir le transformateur comme un constituant magnétique qui peut
transformer ou modifier les tensions/courants d’entrées d’une source quelconque connectée au
primaire en d’autres tensions/courants au secondaire sans modifier aussi l’allure et la fréquence
du signal d’entrée. Les deux parties du transformateur n’ont aucune liaison électrique entre
elles, donc assurent une isolation galvanique [3].
Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad 3

PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT D’UN TRANSFORMATEUR
Selon la loi de Faraday, lorsqu’une tension variable est appliquée au primaire du transformateur,
de ce fait l’enroulement du primaire sera parcouru aussi par un courant variable qui engendre
un flux variable entre les enroulements primaires et secondaires. Ces variations du flux génèrent
une force contre électromotrice (f.c.é.m.) au primaire et une force électromotrice (f.é.m.) au
secondaire. Le principe de fonctionnement d’un transformateur est basé sur cette loi.
Pour qu’on puisse établir les équations du transformateur, nous supposerons premièrement
que le transformateur est un transformateur idéal et ensuite un transformateur parfait.
Transformateur idéal
Le transformateur idéal est basé sur quelques hypothèses qui sont entre autre :
1) pertes fer (pertes par hystérésis et courant des de Foucault) nulles
2) pertes cuivre par effet de joule dans les enroulements nulles
3) pas de fuite magnétique
4) En plus la Perméabilité magnétique du circuit magnétique est infinie (µr=∞, ρ = 0).
Ces hypothèses permettent quelques simplifications, c’est-à-dire que la réluctance du

noyau sera nulle, donc le flux est totalement contenu à l’intérieur du noyau. Le couplage k=1 ;
les flux primaire et secondaire sont identiques.
Le circuit équivalent du transformateur idéal est donné par la figure 1.2 suivante :
v1(t) v2(t)
Figure 1. 2 :Circuit équivalent d'un transformateur idéal [5]
En utilisant la loi de Faraday au primaire, on obtient :

𝑑𝜑1 [I.1]
𝑣1 (𝑡) = −𝑒1 = 𝑛1
𝑑𝑡
Egalement de la même manière au secondaire, on aura :
𝑑𝜑2 [I.2]
𝑣2 (𝑡) = 𝑒2 = −𝑛2
𝑑𝑡
Alors, en faisant le rapport entre la tension du primaire et secondaire. On aura l’expression
suivante :

𝑑𝜑
𝑣2 𝑛2 𝑑𝑡 𝑛2
=− ∗ =− =𝑚 [I.3]
𝑣1 𝑛1 𝑑𝜑 𝑛1
𝑑𝑡
Ainsi les équations du transformateur idéal seront :
𝑣2 𝑣1 [I.4]
=−
𝑛2 𝑛1
Alors la relation entre le courant du primaire et secondaire est : 𝑖1 ∗ 𝑛1 = 𝑖2 ∗ 𝑛2 [I.5]
Et la puissante apparente est définie par : 𝑠 = 𝑖1 ∗ 𝑣1 = −𝑖2 ∗ 𝑣2 [I.6]
Transformateur réel
Contrairement au transformateur idéal, le transformateur réel prend en compte les pertes

suivantes :
1) Les pertes cuivre par effet de Joule dans les enroulements ;
2) Les pertes fer : pertes par hystérésis et courant des de Foucault.
La réluctance du noyau ne sera pas nulle, donc le noyau possède une caractéristique B(H)
non-linéaire, avec un cycle hystérésis et une perméabilité µr ≠ ∞. Cela implique que le couplage
k≠1 ; en conséquence le rapport entre la tension du primaire et secondaire ne sera pas
évidemment égale au rapport du nombre de tours. La tension au secondaire va également varier
en fonction de la charge.
𝑣1 𝑣2
Figure 1. 3 :Schéma illustrant les pertes d’un transformateur réel [5]
Comme le flux n’est pas totalement canalisé par le circuit magnétique, en conséquence
le flux généré par l’enroulement primaire est diffèrent du celui du secondaire.
Soit 𝜑1 (resp. 𝜑2 ) le flux à travers l’enroulement du primaire (respectivement du
secondaire) et 𝜑𝑡 le flux à travers un section droite du circuit magnétique.
Le flux par spire est :
𝜑1 = 𝜑𝑓1 + 𝜑𝑡
{𝜑 = 𝜑 + 𝜑 [I.7]
2 𝑓2 𝑡

La relation entre le flux et les intensités. i1 (respectivement i2) est l’inductance de fuite
primaire l1 (respectivement du secondaire l2), on a alors :
𝜑1 = 𝑙1 ∗ 𝑖1 + 𝑀 ∗ 𝑖2
{ [I.8]
𝜑2 = 𝑀 ∗ 𝑖1 + 𝑙2 ∗ 𝑖2
La relation entre les tensions et les intensités est :
𝑑𝑖1 𝑑𝑖2
𝑣1 = 𝑙1 +𝑀
{ 𝑑𝑡 𝑑𝑡 [I.9]
𝑑𝑖2 𝑑𝑖1
𝑣2 = 𝑙2 +𝑀
𝑑𝑡 𝑑𝑡
Avec M l’inductance mutuelle,
Nous pouvons déterminer ainsi les inductance propres L1 et L2 et le coefficient du couplage
k.
𝑛1 𝜑1 𝑛2 𝜑2
𝐿1 = ; 𝐿2 = [I.10]
𝑖1 𝑖2
𝑴 [I.11]
𝒌=
√𝑳𝟏 𝑳𝟐
Avec toutes les hypothèses vues précédemment, on peut représenter ces pertes par des
éléments de circuit équivalent de la figure suivante.
𝑣1 𝑣2
Figure 1. 4 :Circuit équivalent du transformateur réel
PRINCIPALES CARACTERISTIQUES
Les deux matériaux principaux qui constituent le transformateur sont des matériaux qui
causent des pertes (pertes Joule et pertes fer). Ces dernières sont fonction de la fréquence
d’utilisation et de la nature du matériau utilisée.
Pertes Joule
Les pertes Joule sont aussi appelées pertes cuivre. Comme nous l’avons énoncé ci-haut,
elles dépendent de la fréquence. En basse fréquence, ces pertes joule ont pour expression :
𝑃 = 𝑅𝐷𝐶 ∗ 𝐼 2 . Où 𝑅𝐷𝐶 est la résistance continue des enroulements et I le courant efficace.
En haute fréquence les pertes Joule se relatent sous autres types de pertes qui sont dues aux
effets de peau et de proximité.

Effet de Peau
L’élargissement des lignes métalliques pour réduire la résistance en série est aussi
négativement impactée par l'effet de peau, ce qui augmente la résistance série parasite avec la
fréquence. Pour examiner l'impact de l'effet de peau, des travaux antérieurs ont été effectués
sur des inductances planaires imprimées [4] et a été étendu en utilisant des simulations
électromagnétiques quasi-statiques 2D [5]. Ces simulations ont montré que l'effet de peau tend
à répartir les densités de courant vers les bords latéraux des lignes métalliques, augmentant ainsi
la résistance. À 10 GHz, la profondeur de la peau est d'environ 1μm. Cependant, le long de la
direction horizontale, la largeur du métal est généralement plus grande que l'épaisseur et par
conséquent, comparable à la profondeur de la peau, l'effet de peau limite les flux de courant aux
bords latéraux.
Figure 1. 5 :a) Principes physiques des effets de peau ; b) Volume utile dans un conducteur
limité par l’effet de peau.
L’effet de peau tend à confiner le courant aux bords des lignes conductrices et augmente la
résistance.
L’augmentation de la valeur de la résistance du conducteur suit la loi de variation en
fonction de la fréquence : 𝑅 = 𝑅𝐷𝐶 (1 − 𝛼√𝑓) . La figure 1.6 montre que la densité du courant
décroit exponentiellement en s’écartant de la surface du conducteur d’où le la définition de la
grandeur caractéristique « épaisseur de peau ».

Figure 1. 6 : Densité de courant à l'intérieur d'un conducteur [36] [37].
𝜌
𝛿=√ [I.12]
𝜇𝑟 ∗ 𝜇0 ∗ 𝜋 ∗ 𝑓
Avec :
 𝛿 : Profondeur de peau [m]
 𝜌: Résistivité du matériau conducteur [Ω.m]
 µ𝑟 : Perméabilité relative du matériau
 𝜇0 : Perméabilité du vide égale à 4π.10-7[H/m]
 f : Fréquence [Hz]
Pour le cas du cuivre l’épaisseur de peau est de 6.56µm à 100MHz avec µ𝑟 = 1 et 𝜌 =

1.7.10-8 Ω.m.
Effet de Proximité
Lorsque deux conducteurs sont mis côte à côte et qu’ils sont parcourus par un courant
alternatif, il engendre un champ magnétique variable. Les variations du champ magnétique se
traduisent à travers la surface du conducteur voisin par un flux variable qui génère une force
électromotrice induite. Cette force électromotrice variable donne naissance à des courants et à
des pertes supplémentaires.
Figure 1. 7: Principes physiques d’effets de proximité [38] [2]

Pertes fer
Les pertes fer sont les pertes dues aux matériaux magnétiques. Ces pertes magnétiques sont
constituées des pertes par hystérésis et par courant de Foucault.
Pertes par hystérésis
Ces pertes sont liées au cycle d’hystérésis du matériau. Elles correspondent à l’énergie
perdue pour décrire un cycle d’hystérésis, c’est à dire pour vaincre les forces d’épinglage
lorsque les variations du champ excitateur H sont lentes. Ces pertes sont dissipées sous forme
de chaleur à l’intérieur du matériau. Les pertes par hystérésis sont liées à la fréquence et sont
proportionnelles à f. Ces pertes sont faibles dans les matériaux doux (cycle étroit) mais
importantes dans les matériaux durs (cycle large).
Figure 1. 8 :Cycle d’hystérésis d’un matériau magnétique
Les pertes par hystérésis sont proportionnelles à l’air du cycle et à la fréquence 𝑃𝐻 = 𝑊𝐶𝑦 ∗ 𝑓.
Plus l’air du cycle est grand plus il y’a des pertes.
Pertes par courant de Foucault
Ces pertes sont liées aux courants induits dans le matériau magnétique plus ou moins
conducteur. Ces courants variables produisent un flux magnétique variable qui crée à son tour
une f.é.m. induite. La f.é.m. induite provoque un courant induit qui cause des pertes dissipées
sous forme de chaleur. Ces pertes sont calculées par la formule habituelle :
𝜋 2 𝑑 2 × 𝐵 2 𝑚𝑎𝑥 × 𝑓 2 [I.13]
𝑃𝑓 = ×
6 𝜌

Où d et ρ sont respectivement l’épaisseur et la résistivité du matériau.
Figure 1. 9 :Courants de Foucault dans un matériau magnétique [36]
TRANSFORMATEURS PLANAIRE ET PLANAR
Le transformateur planaire est un composant passif utilisé dans beaucoup de circuits

électroniques, et il se présente en deux types de catégorie à savoir planar et planaire que nous
allons définir dans les paragraphes suivants.
Transformateur planar
Le transformateur planar appelé aussi transformateur planar bas profil, est composé d’un
noyau magnétique de faible épaisseur généralement en ferrite usiné, dans lequel est introduit
un circuit imprimé en PCB (Print Circuit Board) multicouche sur lequel sont gravées les spires
[4] (figure 1.10). Le circuit imprimé est pris en sandwich entre les deux circuits magnétiques
minces.
Figure 1. 10 :transformateur planar réalisé par E.J. Meurer [39]
Le composant planar est le plus utilisé dans les systèmes de conversions DC-DC et le plus
présents dans le marché, Mais il présente quelques inconvénients de point de vue surface et
capacité entre enroulement.
Transformateur planaire
À l'inverse du transformateur planar, le transformateur planaire est réalisé par un

empilement de couches conductrices, isolantes et magnétiques qui permettent de diminuer ses
dimensions et de faciliter son intégration. La figure 1.12 ci-après illustre la composition du
transformateur planaire intégré dont le premièr (a) est constitué d’un matériau magnétique et
l’autre (b) sans matériau magnétique (à air).
a) b)
Figure 1. 11 :Transformateur planaire: a) à couche magnétique [40] ; b) à air [14]
Les transformateurs planaires sont fabriqués de la même manière que les transformateurs
classiques [8]. Ainsi, au laboratoire Hubert Curien de Saint Etienne, des transformateurs
entrelacés et face-to-face ont été réalisés respectivement par Y. Kamis [2] et F. Kahlouch [3].
Récemment, dans l’optique d’améliorer les travaux effectués par [2] et [3] , Taha MAHAMAT
[1] a étudié et réalisé une nouvelle approche technologique particulière pour l’amélioration de
certaines caractéristiques du transformateur. Le résultat de l’approche émise est la réalisation
d’une structure Face to Face (figure 1.12) constituée de deux inductances qui sont mises face à
face et séparées par un isolant (résine SU8). L’une des inductances a été décalée de 45° par
rapport à l’autre. Ce décalage a permis de limiter les surfaces des deux enroulements en regard
et ainsi de limiter la capacité de couplage entre spires. Les spires ont été enfouies dans le
matériau magnétique qui est le YIG (Y3Fe3O12 : µr=45 et Ɛr=15). Le verre est utilisé comme
un substrat dont son épaisseur est de 30um, et pour le YIG est de 1000um.
Figure 1. 12 :Vue de face de la structure Face to Face à 45° [5]
Plusieurs types de transformateurs planaires ont été développés en utilisant différentes

technologies telle que la technologie CMOS que nous allons le décrire ultérieurement incluant
l’inductance planaire intégrée et l’empilement structuré du bobinage [6, 7]. Pour le moment, les
techniques du micro-usinage ont été trouvées comme une méthode alternative pour la

fabrication d’un micro transformateur avec une nouvelle structure qui émet plusieurs approches
pour la réduction des effets parasites. Ces techniques impliquent l’utilisation d’un métal comme
plan de masse collé sur le substrat, le bobine (inductance) spirale est suspendu (enterré) à travers
le silicium ou l’utilisation d’un épaisseur d’oxyde entre le substrat et les bobines [8, 9].
II. ETAT DE L’ART SUR LE TRANSFORMATEUR PLANAIRE

INTEGRE
CHOIX DE LA STRUCTURE DU TRANSFORMATEUR INTEGRE
Dans la littérature, on rencontre quatre catégories des transformateurs planaires intégrés qui
ont été réalisée selon les types de bobinage. Dans cette partie nous allons faire une présentation
de l’état de l’art sur les différentes structures de bobinage réalisées. Ils sont entre autre :
 Transformateur à enroulements entrelacés ;
 Transformateur à enroulements empilés ;
 Transformateur en trois dimensions ;
 Transformateur à enroulements face to face.
L’objectif de cet état de l’art est d’avoir une structure qui répond le mieux à notre cahier de
charge à savoir une faible résistance série, un faible couplage capacitif entre les spires primaires
et secondaires, une faible taille (dimension).
Enroulements Entrelacés
Le transformateur à enroulements entrelacés ou Interleaved a été inventé en 1989 par deux

chercheurs E. Frlan [10] et G. Radjohn [11] leurs technologies de fabrication étaient que les
deux enroulements primaires et secondaires sont mises côte à côte et ne présentent pas deux
niveaux de couches, ils sont réalisés en une seule couche, sauf les ports sont en deux niveaux
de métallisation comme le montre la figue suivante :
Figure 1. 13 : Structure d’un transformateur entrelacé [10]

Il y’a aussi d’autres travaux sur le transformateur entrelacé. Les travaux de N. Wang et al
[12] sur les enroulements entrelacés ont caractérisé et vérifié que le transformateur a une
résistance de 0.48Ω en continu, un inductance du primaire de 400nH et une couplage inter
enroulement de 28pF. Ce transformateur présente un gain constant de -1dB entre 1MHz à
quelques dizaines de MHz avec un coefficient de couplage de 0.93.
Le transformateur fabriqué et caractérisé par N. Wang et al [12] est composé de quatre
bobines primaires et secondaires avec une longueur de 11.3mm, d’une largeur de 2.1mm et un
épaisseur de 55µm. Les bobines sont prises en sandwich par un matériau magnétique de type
(Fe-Ni).
Figure 1. 14 :Structure sandwich de la spirale du transformateur [12]
En résumé, le transformateur entrelacé malgré qu’il présente des avantages raisonnables sur
la valeur du coefficient de couplage, il occupe une surface trop grande et un couplage capacitif
inter enroulements plus grand.
Enroulements Empilés
Le transformateur à enroulement empilés (ou Stack en anglais) est une structure ou

l’empilement de deux ou plusieurs couches de matériaux avec ou sans matériaux magnétiques
comme le montre la figure ci-après : Pour la première fois, ce type de transformateur a été
proposé par A.Zolfaghari et al [13].
Figure 1. 15 : Structure d'un transformateur empilé (stacked) [13]
Dans la littérature, il y’a plusieurs travaux qui ont été effectués tels que l’équipe de J.
YUNAS et al [14] ont étudié l’influence des arrangements sur les différentes fréquences de
résonnances et les capacités parasites ; afin d’augmenter ou de limiter la bande passante et de
diminuer les capacités parasites du transformateur. Pour cela, ils ont fabriqué plusieurs
structures à enroulements empilés et entrelacés en aluminium déposés sur un substrat de

silicium. L’étude de l’arrangement des différents transformateurs s’est faite suivant le

recouvrement ou non du primaire et du secondaire.
Les transformateurs caractérisés par ces auteurs présentent un coefficient de couplage plus
grand à l’ordre de 0.97% et une inductance de 29.3nH et une résistance continue de 25.9Ω.
Enroulements à trois dimensions (3D)
Ces types de transformateur ne sont pas certainement planaires, mais ils font partie des
catégories des transformateurs. L’état de l’art de ces transformateurs est réalisé soit sur un
noyau magnétique ou non.
Des études sur ces types des transformateurs en haute fréquence(GHz) ont été réalisées par
X.L. et Lei GU [15]. Le transformateur étudié est formé de deux bobines en forme solénoïde
déposé sur un substrat silicium en technologie MEMS. Les deux bobines sont suspendues sur
un espace écartant ainsi les bobines d’une distance de 40 à 50µm du substrat. Les spires ont une
épaisseur de 8µm et une largeur de 15µm. Ils sont réalisés par électrodéposition et le matériau
utilisé est le cuivre. Jusqu’à une fréquence de 1GHz, les caractéristiques du transformateur
présentent une inductance de 3nH au niveau primaire, une résistance de 1.7Ω et une capacité
de couplage de 10.3f F entre les bobines.
.
Figure 1. 16 : Photographie en MEB : a) d'un transformateur solénoïde

réalisé sur silicium ; b) sur le bobinage gros plan [15]
Enroulements face to face
Ce type de transformateur est l’assemblage de plusieurs niveaux de couches réalisé avec ou

sans matériau magnétique. Les spires du primaire et du secondaire sont réalisées distinctement
sur un substrat ensuite elles sont isolées par une couche isolante.
Deux types de transformateurs intégrés à couche magnétique de type ferrite (Mn-Zn) ont
fait l’objet d’étude de S.I. et A.l [16]. Un des transformateurs est un transformateur 3D et l’autre
est un transformateur Face to Face. Ce dernier a des enroulements en méandres enfouies dans

le matériau magnétique (ferrite). Les paramètres géométriques et la taille du transformateur de

type EI sont identiques à celle du transformateur Face to Face à bobinage enterré, ces
paramètres géométriques sont précisées ci-dessous :
 Nombre de spires primaire et secondaire du transformateur enterré : N1=6 et N2= 2 ;
 Nombre de spires primaire et secondaire du transformateur en EI : N1=15 et N2= 5 ;
 Dimensions géométriques : 17*17mm2 ;
 Epaisseur de la bobine : 35µm
Figure 1. 17 : La structure du transformateur Face to Face à enroulement enterré [16]
D’après les auteurs, un impédancemètre a été utilisé pour caractériser ces composants. A
une fréquence allant jusqu’à 1MHz, ces composants possèdent une résistance secondaire entre
0.5 à 1 Ω avec une inductance d’environs 100µH. Ils ont remarqué aussitôt que le
transformateur face to face à enroulements enterrés possède un bon rendement que celui de
l’enroulement à trois dimensions.
Conclusion : D’après l’état de l’art des différents transformateurs intégrés que nous avons
présenté antérieurement. Nous cherchons à avoir une structure qui répond le mieux à notre
cahier de charge qui est de limiter la bande passante en basse fréquence. Les caractéristiques
recherchées qui influent sur la fréquence de la coupure basse et haute de transformateur sont :
 Une résistance série faible ;
 Une inductance au primaire élevée ;
 Une inductance magnétisante élevée ;
 Une capacité de couplage entre le primaire et le secondaire faible ;
 Et une faible surface occupée.
Vu le besoin du cahier de charge, nous allons retirer les deux structures à savoir entrelacé
et 3D car ils ont une capacité de couplage élevée et une surface occupée grande.
La structure que nous allons retenir est la structure face to face étant donné qu’elle possède
une inductance magnétisante élevée, une capacité de couplage inter enroulements faible, une
surface occupée faible et un bon coefficient de couplage. Donc elle répond le mieux à notre
cahier de charge.

CHOIX DE LA MODELISATION DU TRANSFORMATEUR INTEGRE
Il existe différentes sortes de modèles électriques du transformateur planaire, mais ces

modèles dépendent de la fréquence. En basse fréquence, certaines pertes ne sont pas prises en
comptes comme les effets de peau et de proximité, et le couplage capacitif. Tandis qu’en haute
fréquence, le modèle électrique tient compte de toutes les pertes (les effets du couplage entre
primaire et secondaire, entre le plan de masse et les spires…) [17]. Dans la littérature, il existe
plusieurs modèles du transformateur. Nous allons exposer quelques-uns.
Modèle basse fréquence
La modélisation du transformateur pour le domaine de la basse fréquence est simple à

modéliser. Le modèle comme le montre la figue 1.18 ci-dessous, est constituée des selfs
inductances (Lp et Ls) des deux bobines, des résistances séries (Rp et Rs) et de l’inductance
Mutuelle M.
Figure 1. 18 : Model basse fréquence [5]
En complément de ce modèle électrique simple, il existe d’autres modèles donnés par les
auteurs en basse fréquence. I.Aoki et al [18] Ont donnés une approche qui consiste à utiliser
un transformateur idéal en rajoutant les inductances de fuite. La 1ère structure est symbolisée
par les inductances propres Ls et Lp, les résistances des enroulements primaire et secondaire
Rs et Rp, et en fin l’inductance mutuelle M.
Figure 1. 19 : a) Modèle simple basse fréquence b) Modèle avec prise en compte des inductances de fuite [5]
Modèle haute fréquence
Le modèle haute fréquence prend tous les éléments du composant en compte. Un modèle
électrique a été développé par Y. Khamis [1] et qui tient compte des pertes principales dues à

la fréquence, au couplage entre les spires et la masse, l’effet de proximité et l’effet de peau du
conducteur et en fin l’effet capacitive entre le primaire et le secondaire. La figure 1.20 donne
le modèle électrique complet d’un transformateur planaire.
Figure 1. 20 : Modèle électrique haute fréquence [5]
Conclusion : Les modèles électriques du transformateur ont fait l’objet d’études de

plusieurs autres thèses au laboratoire Hubert Curien [2, 3, 1]. Ces études ont permis de
modéliser et de simplifier considérablement les schémas électriques suivant les domaines
fréquentiels. Pour nos travaux qui consiste à identifier les éléments du schéma électrique qui
peuvent influer sur la bande passante du transformateur intégré plus précisément ceux qui
limitent la bande passante en basse fréquence. Alors pour la suite de notre recherche on
s’intéressera d’abord au modèle électrique basse fréquence afin de déterminer la fréquence de
coupure basse du transformateur et ensuite donner un modèle électrique haute fréquence.
APPLICATIONS DU TRANSFORMATEUR
Les applications du transformateur sont classées en deux grandes catégories : les

applications de puissance et les applications de traitement du signal.
Transformateur de Puissance
Les auteurs M.M. et All [19] ont étudié et caractérisé un micro transformateur afin de
l’utiliser comme un convertisseur commutateur. Ce micro transformateur est constitué des
bobines en cuivre et d’une couche de matériau magnétique de type CoZrRe amorphe le tous
déposé sur un substrat de type Si. Il a été fabriqué par la technique de la gravure ionique à sec
[20]. Il présente une inductance relativement grande autour de 33nH/mm2. Ce micro
transformateur est implémenté dans un convertisseur forward, et pouvant opérer jusqu’à une
fréquence de 32MHz.

Figure 1. 21 : Circuit électrique intégrant un transformateur dans un convertisseur forward [19]
Le micro transformateur fabriqué a été intégré dans un convertisseur forward figure 1.21. Il
est le transformateur principal du circuit. La tension générée par un oscillateur est appliquée à
la gâchette du transistor à effet de champs (de la famille MOSFET). Lorsque le flux du
transformateur change, la puissance est transférée du primaire vers le secondaire du circuit. La
tension de sortie en contenue est lissée par les capacités et les diodes.
Il y’a également les travaux de A.Tago et al [21] qui sont portés sur un convertisseur
DC/DC applicable pour les véhicules électriques. L’intérêt majeur était de minimiser la taille
Figure 1. 22 : composition du convertisseur avec le transformateur planar [21]

et le poids mais aussi d’augmenter la capacité à résister aux vibrations mécaniques. Ce
convertisseur est constitué d’un transformateur de type planar entrelacé figure 1.22.
Ce transformateur utilisé dans le convertisseur a des effets nuisibles tels que les courants
crêts élevés, augmentation de la chute de tension au secondaire et aussi l’augmentation du
courant de fuite.
Transformateur de signal
Dans les applications du signal, les transformateurs utilisés ont des faibles puissances autour
de centaines de milliwatt. Ces transformateurs sont généralement utilisés dans les domaines de
la communication. Pour qu’ils puissent assurer le transfert du signal de l’entrée mais pas le bruit
environnant, il faut qu’ils aient des faibles dimensions à des fins d’intégrations, une réduction
des bruits environnant et un bon gain en tension [22].
Un composant de type microstrip a été conçu, simulé, analysé, fabriqué et mesuré par Ram
K. Maharjan et al [23]. Il est la combinaison de deux inductances symétriques. L’ensemble
de cette combinaison se comporte comme un transformateur planaire virtuel. Il a été développé

par la technique de photolithographie et la technique de la gravure ionique à sec. A la

résonnance, Il a une inductance plus grande et en plus un couplage capacitif efficace. Et sa
fréquence de résonnance est de 5.6GHz. À cette fréquence de 5.6GHz les mesures montrent
que les pertes dues à la transmission (S11) et à la réflexion (S21) étaient de -0.93dB et -24.4dB.
Son circuit du modèle équivalent est présenté dans la figure ci-dessous qui montre comment
cette structure planaire fonctionne.
Figure 1. 23 : Circuit équivalent du modèle BPF [23]

Cette structure est un filtre passe bande.
III. CAHIER DE CHARGE

Le composant que nous devons définir le cahier de charge est un transformateur planaire
intégré. Il a pour rôle la commande d’interrupteur de puissance. L’objectif de notre travail est
de faire une étude sur les paramètres géométriques et magnétiques du transformateur agissant
sur la bande passante et de déterminer la fréquence de coupure basse. Ainsi, nous allons faire
varier la résistance du primaire et voir son influence dans la bande passante en basse fréquence,
suivie de l’inductance de fuite du primaire et l’inductance magnétisante. Tout en sachant que
nous restons dans la limite de conditions qui est la suivante : Une faible résistance série, Une
inductance au primaire élevée, Une faible capacité de couplage entre primaire et secondaire, Et
enfin, une faible surface occupée.
IV. CONCLUSION
Le premier chapitre est consacré sur les généralités des transformateurs. Nous avons dans
un premier temps définie les transformateurs avec les matériaux qui les constituent. Ensuite,
vient le principe de son fonctionnement suivi de ses principales caractéristiques, et enfin deux
types de transformateurs (planaire et planar) ont été inventorié.
Deuxièmement, un état de l’art sur les différentes technologies de fabrication du
transformateur planaire intégré a été présenté. L’état de l’art a été focalisé sur les choix de la

structure du transformateur intégré en faisant une large étude bibliographique sur les différentes
structures du bobinage du transformateur à savoir : entrelacé, empilé, structure 3D, et face to
face. L’étude bibliographique nous a conduit à retenir la structure face to face. Le choix de cette
structure présente un faible couplage capacitif inter enroulement et occupe une faible surface.
Deux types de modèles électriques du transformateur ont été présenté, un modèle électrique en
basse fréquence et un modèle électrique en haute fréquence. Un modèle électrique basse
fréquence du transformateur planaire intégré a été choisi. L’objectif du travail concerne
principalement l’étude de la bande passante du transformateur, et essentiellement c’est qui
limite la bande passante en basse fréquence. Donc pour la suite, notre étude sera canalisé sur le
modèle électrique basse fréquence. Puis nous avons fini par donner quelques exemples du
domaine d’applications du transformateur planaire.
Et enfin, la dernière partie, nous avons défini le cahier de charge de notre travail.
Soulignons que, pour voir l’influence des paramètres du modèle basse fréquence, il est
important de diminuer la résistance des bobinages pour cela nous allons varier l’épaisseur du
conducteur (bobine), d’augmenter la valeur de l’inductance magnétisante en faisant varier
l’épaisseur de l’entrefer, d’augmenter l’inductance de fuite des enroulements en faisant décaler
l’axe de l’enroulement primaire par rapport à l’axe du secondaire.

CHAPITRE II : DEFINITION DE LA BANDE PASSANTE ET
EXTRACTION DES PARAMETRES DU TRANSFORMATEUR
CHAPITRE II. DEFINITION DE LA BANDE
PASSANTE ET EXTRACTION DES
PARAMETRES DU TRANSFORMATEUR
Chapitre II. Définition de la Bande Passante et extraction des paramètres du transformateur
I. INTRODUCTION
Le chapitre deux de ce manuscrit est consacré à la définition de la bande passante et

extraction des paramètres du transformateur planaire intégré. Nous allons commencer tout
d’abord à définir la bande passante d’une manière générale et par la suite d’une manière
particulière du transformateur. Puis nous allons choisir un modèle du transformateur qui fera
l’objet d’étude pour l’extraction des paramètres afin de définir le coefficient du couplage entre
le primaire et le secondaire du transformateur planaire intégré. Il est également de voir
l’importance de ce coefficient de couplage k sur la bande passante du transformateur. Et nous
allons finir ce chapitre par une conclusion.
II. DEFINITION DE LA BANDE PASSANTE

La bande passante est la gamme de fréquence où le gain en décibel est supérieur ou égal à
moins 3dB. Mais encore en hyperfréquence, la bande passante est l’intervalle de fréquence ou
le signal de réfection est inférieur au signal de transmission à -3dB [24].
Il faut reconnaitre que dans la bande passante, on peut citer entre autre la bande de transition,
la bande atténuée.
La bande de transition c’est l’intervalle de fréquence où le gain en décibels est délimité entre
Gmin (+3dB) et G0 (-3dB). Et la bande atténuée se définie comme étant la gamme de fréquence
ou le gain en décibels est plus petit Gmin (+3dB). La figure 2.1 ci-dessous illustre la définition
de la bande passante dans le cas général.
Figure 2. 1 : illustration de la bande passante [41]
On peut également noter que pour déterminer la bande passante il faut définir la fréquence
de coupure, celle-ci se définit comme étant la fréquence pour laquelle le gain GdB est égal à -
3dB. On peut aussi l’appeler fréquence de coupure basse et fréquence de coupure haute dans le
cas où le gain a deux paliers de hauteurs différentes. On peut aussi préciser que le taux
Abakar Oumar Massar UJM et Consortium des Enseignements Supérieurs du Tchad 20

d’ondulation est la différence entre l’amplitude des oscillations et le gain dans la bande passante
et éventuellement dans la bande atténuée.
Figure 2. 2 : illustration spécifique de la bande passante
La figure 2.2 ci-dessus est l’illustration de tous les éléments qui caractérisent la bande passante
du transformateur.
Soit Fcb est la fréquence de coupure basse et Fch est la fréquence de coupure haute, Vs/Ve est
le gain en tension. Donc la BP est la différence de Fcb et Fch de l’allure du gain en tension en
fonction de la fréquence.
III. MODELE DU TRANSFORMATEUR ET EXTRACTION

DES PARAMETRES
MODELE DU TRANSFORMATEUR CHOISI
Dans le chapitre 1, nous avons choisi le modèle basse fréquence pour la suite de nos travaux.
Ce modèle du transformateur planaire nous permet d’étudier l’influence des paramètres tel que
la résistance série du primaire, de l’inductance de fuite du primaire et de l’inductance
magnétisante sur la bande passante du transformateur. Cette étude nous permettra à la fin de
déterminer la fréquence de coupure basse.
Extraction du Modèle basse fréquence
La figure 2.3 illustre le modèle de transformateur proposé par I. Aoki et al [25], dont
chaque branche est composée respectivement d’une résistance et d’une inductance primaire et
secondaire ((RP et LP) et (RS et LS)) et également d’une inductance mutuelle (M) qui couple le
primaire et le secondaire.

Figure 2. 3 : Modèle de transformateur à 2 ports [25]
Les équations qui permettent de déterminer les différentes grandeurs sont établies
comme suit [26] : les valeurs des inductances primaire et secondaire ainsi que leurs facteurs de
qualité et le coefficient de couplage k qui symbolise le couplage magnétique entre le primaire
et le secondaire sont déterminés à partir de paramètres Sij. Les paramètres Sij [1] sont définis
par :
𝑏
𝑆11 = 𝑎1 : est le coefficient de réflexion au port 1 [II.1]
1
𝑏
𝑆21 = 𝑎2 : est le coefficient de transmission du port 1 vers le port 2 [II.2]
1
𝑏
𝑆12 = 𝑎1 : est le coefficient de transmission du port 2 vers le port 1 [II.3]
2
𝑏
𝑆22 = 𝑎2 : est le coefficient de réflexion au port 2 [II.4]
2
Avec a1 et a 2 les ondes entrantes, b1et b2 les ondes sortantes.

Quelques paramètres usuels de l’enroulement primaire et secondaire peuvent être
extrait. Comme suit [27]:
𝐼𝑚𝑖𝑚(1/𝑌22 ) [II.5]
𝐿2 =
2𝜋𝑓
𝑖𝑚(1/𝑌11 ) [II.6]
𝐿1 =
2𝜋𝑓
𝑖𝑚(𝑍12 ) [II.7]
𝐿𝑚 =
2𝜋𝑓
2𝜋𝑓 étant la pulsation du signal
𝐼𝑚(1/𝑌22 ) [II.8]
𝑄2 =
𝑅𝑒(1/𝑌22 )
𝐼𝑚(1/𝑌11 ) [II.9]
𝑄1 =
𝑅𝑒(1/𝑌11 )
𝐼𝑚(1/𝑌21 ) [II.10]
𝑀=
2𝜋𝑓
Les résistances au niveau des enroulements primaire et secondaire sont calculées par les
équations suivantes :

𝑅2 = 𝑅𝑒(1/𝑌22 ) [II.11]
𝑅1 = 𝑅𝑒(1/𝑌11 ) [II.12]
Coefficient de couplage entre Primaire et Secondaire
Les transformateurs sont une partie intégrante de plusieurs circuits utilisés dans des
applications variées [28, 29]. Les transformateurs sont constitués principalement d’un circuit
magnétique (1 ou 2 couches pour les transformateurs intégrés) et des spires, qui ont des
caractéristiques physiques telles que : la résistance de la spire, les fuites de flux etc… qui sont
dépendant de la fréquence et de la température [30]. Comme les transformateurs sont conçus
pour fonctionner à des fréquences allant souvent des basses fréquences jusqu’à plusieurs MHz.
Les grandeurs tels que les inductances de fuites et les inductances magnétisantes montrent une
influence sur le couple magnétique entre les spires. L’analyse de l’effet du coefficient du
couplage sur ces caractéristiques à une grande importance pratique.
𝑖𝑚(𝑍12 ) ∗ 𝑖𝑚(𝑍21 )
𝑘=√ [II.13]
𝑖𝑚(𝑍11 ) ∗ 𝑖𝑚(𝑍22 )
Généralement, le facteur de mérite déterminant du transformateur est le gain en

transmission (S21) et le coefficient du couplage (k) [31].
IMPORTANCE DU COEFFICIENT DU COUPLAGE K SUR LA

BANDE PASSANTE (BP)
Une étude expérimentale a été faite par K. Kazimierczuk et al [32], pour voir l’impact du
coefficient de couplage sur la Bande passante d’un transformateur. Ce dernier a été conçu,
simulé, réalisé et testé avec les spécifications suivantes :
- Le nombre des tours du primaire np=14 et celui du secondaire ns=10 ;
- Le ratio du nombre des tours primaires sur le secondaire n=np/ns=1.4 ;
Le gain en tension de ce transformateur supposé non-idéal a été déterminé grâce au circuit

équivalent de la figure suivante :
Figure 2. 4 : Circuit équivalent du transformateur pour la détermination du gain en tension [32]

La figure 2.5 ci-dessous montrent l’influence du coefficient du couplage sur la BP en

comparant deux courbes de mesures (théorique et expérimentale). L’expérience a été répétée
en ajustant les enroulements du transformateur afin d’avoir un coefficient de couplage le plus
grand possible de l’ordre 0.98. Ce coefficient de couplage pour ce transformateur a été calculé
en utilisant l’expression définie par J. Cogirore et al [33] :
𝐿𝑝′ [II.14]
𝑘 = √1 −
𝐿𝑝
Lp’ est l’inductance mesurée au primaire lorsque le secondaire est court circuité et Lp c’est
celle mesurée au primaire lorsque le secondaire est en circuit ouvert. Pour une tension d’entrée
de 1V, la tension de sortie mesurée pour différente fréquence allant jusqu’à 1 MHz.
La comparaison des résultats théoriques et expérimentaux illustrée sur la figure 2.5,
montrent bien la concordance des courbes (théorique et expérimentale) et explicite très
clairement que le coefficient de couplage a un effet important sur le gain en volt du
transformateur et sur la bande passante. Alors, on peut conclure que le gain en tension du
transformateur est fonction du coefficient du couplage k.
a)
b)
Fi transformateur [32]
Figure 2. 5 : Comparaison des résultats théorique et expérimentaux de la BP d'un
gure
Une autre étude également sur un transformateur on-chip a été menée
2.6: par J. R.Long [34].
Une partie de cette étude s’est intéressée sur le coefficient du couplage et la bande passante du
Circui
transformateur. Ce transformateur est de type set-up/set-down(élévateur/abaisseur).
t Il est
constitué de deux enroulements séparés par un isolant. Ce transformateur
équiva été modélisé par un
circuit équivalent en basse fréquence comme le montre la figure 2.6 alent
ci-dessous
. du
transf
ormat
eur en
basse
Figure 2. 6 : Circuit équivalent du transformateur en basse fréquence [34]
Dans un premier temps, l’auteur définit qu’un mauvais couplage magnétique entre les
enroulements primaire et secondaire est appelé fuite, qui est caractérisé par le coefficient du
couplage magnétique 𝑘𝑚 définie par :
𝑀
𝑘𝑚 = [II.15]
√𝐿1 𝐿2
Et 0 < 𝑘𝑚 < 1 ;
Il ajoute que les fuites sont réduites par la diminution de l’espace entre les spires des
enroulements du transformateur on-chip. Cette espacement a un effet sur le coefficient de
couplage magnétique, la figure ci-après montre l’allure de 𝑘𝑚 en fonction de l’espace entre les
spires (conducteur).
𝒌𝒎 en fonction de la distance séparant deux conducteurs
Figure 2. 7 : le Coefficient de couplage en fonction de S.
Cette figure 2.7 illustre clairement que le coefficient de couplage diminue avec l’augmentation
de la distance séparant deux spires conductrices. Il conclut que pour un 𝑘𝑚 proche de 0.9, il
faut minimiser l’espace entre les deux spires conductrices. Le rapport de la longueur du

conducteur sur la distance séparant les conducteurs diminue en fonction de la fréquence de

l’onde millimétrique, c’est ce qui réduit encore le coefficient de couplage.
Dans un second temps, l’auteur s’intéresse au lien entre la bande passante et le coefficient du
couplage. Selon le circuit équivalent du transformateur en basse fréquence qu’il a modélisé,
dans lequel les effets capacitifs sont négligeables. Il avait mesuré et tracé une partie de la bande
passante et le module du coefficient de transmission S21 en fonction du coefficient de couplage
comme le montre la figure ci-après.
Figure 2. 8 : BP et S21 en fonction k [34]
Dans cette figure 2.8, on observe deux importantes allures. Premièrement le module du
coefficient de transmission S21 en basse fréquence diminue avec l’augmentation du coefficient
du couplage. Et la deuxième allure montre le ratio de la fréquence de coupure haute sur la
fréquence de coupure basse augmente lorsque le coefficient de couplage augmente. Autrement
dit l’augmentation du coefficient du couplage a un effet important sur la fréquence de coupure
basse, c’est qui entraine cette diminution (voir figure 2.8). Ainsi, on peut conclure que le
coefficient du couplage limite la bande passante du transformateur en basse fréquence.

IV. LES PERFORMANCES DES TRANSFORMATEURS
CAS GENERAL
Dans la littérature rencontrée, généralement les performances du transformateur sont liées

à leurs modes de transmission. Moins la transmission (S21) a de pertes plus le transformateur
est performant. Mais il y a d’autres facteurs qui jouent sur les performances du transformateur
comme le coefficient de couplage (ou l’inductance mutuelle), la bande passante et les
inductances des fuites.
PERFORMANCES RECHERCHEES
Dans notre cas ci, pour répondre à notre cahier de charge, les performances voulues ou
recherchées pour le transformateur face to face simulé, réalisé et étudié par [1], consiste à avoir:
- Un facteur de couplage le plus grand possible ;
- Une inductance magnétisante plus grande ;
- Une faible capacité de couplage entre primaire et secondaire ;
- Des résistances séries les plus petites ;
- Une Bande passante comprise entre 5kHz à 20MHz ;
V. CONCLUSION
La Bande passante d’un transformateur est un des facteurs qui caractérise ses performances.
Dans cette partie de l’étude bibliographique, nous avons premièrement défini la bande passante
et donné les principes qui l’énonce. Ensuite, nous avons présenté quelques modèles électriques
du transformateur classique et planaire. Ces modèles précisent les composants qui interviennent
en basse fréquence et d’autre s’ajoutent (se complètent) en haute fréquence. Suite à ces modèles
retenus ci-haut, nous avons pu annoncer quelques équations qui permettent de déterminer le
coefficient du couplage.
En plus, nous avons observé que le facteur de couplage a un effet important sur la bande
passante du transformateur. Plus ce dernier est grand, plus on aura une large bande passante du
transformateur. Et pour finir ce chapitre, nous avons donné les éléments qui améliorent les
performances du transformateur.

CHAPITRE III : RESULTATS ET DISCUSSIONS
CHAPITRE III. RESULTATS ET

DISCUSSIONS
Chapitre III. Résultats et discussions
I. INTRODUCTION
Le troisième et le dernier chapitre est les résultats et discussions dans lequel nous allons
présenter les outils du travail, qui sera suivi des résultats où nous allons identifier les éléments
qui auront de l’influence sur la bande passante en basse et haute fréquence du transformateur
planaire intégré.
II. OUTILS DE SIMULATION

Il existe plusieurs outils de simulations tel que : COMSOL, Maxwell, HFSS, etc… dans
notre travail, nous allons utiliser les logiciels Proteus et HFSS.
PROTEUS
Le simulateur Proteus est un logiciel qui permet la conception des circuits électroniques. Il
est constitué de deux logiciels importants : ISIS qui permet de faire à la fois la création de
schéma électrique et la simulation du schéma crée, puis ARES qui est dédié à la création de
circuits imprimés.
Figure 3. 1 :Exemple d'une simulation avec Proteus du Schéma

équivalent du transformateur
Le logiciel Proteus est destiné à l’électronique, développé par la société Labcenter

Electronics. La figure 3.1 illustre un exemple d’une simulation sous Proteus du schéma
équivalent du transformateur.
Généralement ce logiciel est très répandu dans le domaine de l’électronique. De nombreux
établissements de formation et des entreprises de conception des équipements électroniques
l’utilisent. Il présente quelques avantages qui sont entre autres :
- Il est facile et rapide à comprendre et à utiliser ;
- Il a un support technique performant ;

- Il a une interface qui est bien adaptée ;

- Il possède un outil de création de prototype virtuel qui permet de minimiser les couts
matériels quant à la conception d’un projet ;
Dans Proteus qui est spécialement connu pour éditer des schémas électriques se trouve aussi
ISIS qui permet de faire des simulations des schémas et de repérer les erreurs due aux processus
de la conception. Aussi d’une manière indirecte, il permet de contrôler la plupart des aspects
graphiques des circuits.
HFSS
Le logiciel HFSS est un outil de simulation pour des composants comme les
Radiofréquences, microondes, les antennes et les radars. C’est un logiciel qui est précis mais
relativement complexe à utiliser. Il prend en compte toutes les géométries des structures
multicouches et simule convenablement les effets électromagnétiques complexes comme les
effets parasites et les couplages.
Ce logiciel de simulation est développé par la société américaine ANSYS ex Ansoft, HFSS
est l’abréviation du High-Frequency Structure Simulator qui veut dire simulateur de structure
en haute fréquence [3] [2]. Ce logiciel utilise la méthode des éléments finis (FEM). Il permet
de dessiner et de faire la conception d’une Structure en 2D ou 3D ainsi de calculer plusieurs
grandeurs comme les paramètres S qui relient les ondes entrantes et les ondes sortantes, les
paramètres impédances Z et admittances Y ainsi que les constantes de propagations.
Nous avons estimé que pour notre application, il convient de travailler avec HFSS car c’est
le logiciel disponible au laboratoire de recherche et présente des avantages tel que :
- utilisation des Méthodes des Eléments Finis ;
- calcul des paramètres du modèle pour prendre en compte les pertes dans le matériau
magnétique, dans les conducteurs, comme par exemple pour prendre en compte si besoin la
variation de la perméabilité magnétique en fonction de la fréquence.
Principes de la méthode des éléments finis (MEF)
La méthode des éléments finis (MEF ou FEM) est une méthode qui décompose le
composant à étudier en des éléments de petites dimensions. Cette action est appelée maillage.
La décomposition du modèle en petites régions ou mailles permet au système d’effectuer des
calculs pour la recherche de la solution séparément sur chaque élément. Plus les éléments sont
petits, plus la solution finale est précise mais plus le temps de calcul est élevé. Les éléments

sont de formes géométriques pouvant être des tétraèdres pour les structures en 3D ou des
triangles pour les structures 2D.
Les Etapes Essentielles de la simulation d’un composant
Les différentes étapes à suivre pour simuler une structure, ou un composant sont :
- design de la structure en fonction de sa géométrie ;
- définition des matériaux utilisés pour la structure ;
- définition des ports d’excitation ;
- et définition des conditions aux limites.
Pour dessiner et définir complètement la structure à simuler sous HFSS, il est nécessaire de
suivre ces différentes étapes citées ci haut. La figure 3.2 ci-dessous est l’exemple d’une
structure simulée sous HFSS.
Figure 3. 2 : Exemple d'une structure simulée avec HFSS
Le Design de la Structure 2D ou 3D
Le design d’une structure se fait manuellement élément par élément ou on fait recours
à un script qui permet de la dessiner automatiquement (la bobine) après avoir précisé les valeurs
des différents paramètres, voire tableau 3.1.
La saisie des éléments des matériaux
Comme la conception de la structure se fait élément par élément, il est possible de

d’attribuer à chaque élément le matériau désiré par exemple pour le substrat le matériau à
affecter est soit le verre soit l’alumine, pour les conducteurs c’est le cuivre, et pour le matériau
magnétique c’est le YIG dans notre cas ci. HFSS donne la possibilité à l’utilisateur d’ajouter
des nouveaux matériaux dans la bibliothèque des matériaux existants.

Les excitations des ports
Pour toute structure conçue il lui faut un port d’injection du signal. Donc il est important
de définir les conditions d’excitations des ports d’entrée et de sortie.
Les conditions aux limites
Les conditions aux limites permettent au composant de définir un domaine d’étude pour
lequel le champ électrique ou magnétique à l’extérieur du domaine limité est considéré comme
nul. Il est donc nécessaire de définir (mailler) un espace suffisamment loin du composant pour
que le champ de l’extérieur puisse être insignifiant.
Les Paramètres Principaux de la Simulation
Pour avoir une bonne simulation, une bonne convergence et un résultat acceptable, il est
important de prendre soin des paramètres suivants :
- Solution Frequency est la fréquence de maillage définie par l’utilisateur en fonction de la
bande spectrale à étudier. Souvent elle est prise comme la moitié de la bande.
- le Maximum Delta S est le paramètre qui correspond à la différence des paramètres S
calculés entre deux tours-machines successifs. Il est également défini par l’usager.
- le critère de convergence est la comparaison entre le paramètre Max Delta S et la valeur
absolue de la différence entre deux itérations consécutive des paramètres S calculé par le
simulateur. Si cette différence est inférieure à la valeur définie par l’usager on dit que le système
a convergé. Sinon l’opération doit se répéter.
-Maximum number passes est le nombre d’itération maximum défini par l’usager qui limite
le nombre d’opération si le critère de convergence n’est pas satisfait.
- le maximum Refinement Per Pass est estimé en pourcentage. Il est défini comme le nombre
maximal de tétraèdres qui peut être additionné au nombre total de tétraèdres pendant le passage
d’un maillage à un autre.
Dans notre cas ci, nous avons défini les principaux paramètres de simulation :
- fréquence adaptative est de : 100MHz ;
- nombre maximal d’itérations est de : 99 ;
- maximum Refinement Per Pass est de : 3% ;
- l’option de solution mixte ordre ou zéro ordre selon le nombre de tétraèdres ;
- delta S maximal : 10-4.

Présentation de la structure à étudier
La structure que nous allons étudier est celle conçue, réalisée et caractérisée par [1]. La
figure 3.3 et 3.4 indique la structure à étudier sous HFSS. La structure simulée est un
transformateur à deux couches de matériau magnétique. Ce transformateur face to face est
composé de deux inductances mises face à face et isolées par un isolant (résine SU8). L’axe de
l’inductance du secondaire est décalé de 45° par rapport au primaire. Le décalage de 45° a
permis de réduire les surfaces des deux spires mises face à face et ainsi de diminuer la capacité
de couplage inter-enroulement. Les deux enroulements sont enfouis dans le matériau
magnétique. Le verre est utilisé comme un substrat mécanique et le YIG (Y3Fe3O12 : µr=45 et
Ɛr=15) comme un matériau magnétique avec des épaisseurs dépendant des composants à
étudier.
Figure 3. 3 :Vue de face de la structure Face to Face à 45° [5]
Figure 3. 4 : Vue en coupe de la structure Face to Face à 45° [5]
Cette structure face to face a été réalisée selon les paramètres géométriques du tableau 3.1
énumérés dans le paragraphe du 1.2.2.

Tableau 3.1 : Les paramètres géométriques de la structure Face to Face à 45°

Paramètre Désignations Valeurs (µm)
N nombre de spires (variable) 12 - 15
W largeur des conducteurs (variable) 100 - 400
D distance entre les conducteurs (variable) 60 - 100
D1 Distance entre le plot central et la première 400
spire
A Distance entre la dernière spire et le plan de 1600
masse
V Ecart entre les deux plans de masse (plot 800
extérieur)
Px=Py Longueur et largeur du plot extérieur 500
Pcx=Pcy Longueur et largeur du plot central 300
Py1 Largeur du plan de masse 200
LT Longtotal=2*(A+D1+N*W+ (N-1)*D) 9430
ecu Epaisseur des conducteurs 20 - 30
Eisol Epaisseur de l’isolant 20 - 50
EYIG1=EYIG2 Epaisseur du matériau magnétique 500 - 1000
(variable)
III. ÉTUDE DES DIFFERENTS PARAMETRES INFLUANT

SUR LA BANDE PASSANTE
Dans les paragraphes qui suivent, nous allons discuter des résultats en deux grandes parties.
D’abord nous allons présenter des paramètres qui ont de l’influence sur la bande passante en
basse fréquence, ensuite des paramètres qui ont de l’influence sur la bande passante en haute
fréquence.
LES PARAMETRES INFLUANT SUR LA BP EN BASSE FREQUENCE

Nous cherchons à étudier l’influence de certains paramètres sur la limitation de la bande
passante en basse fréquence. Pour cela nous procédons à des simulations sous Proteus en faisant
varier les valeurs des éléments du schéma équivalent du transformateur utilisé dans la thèse de
Dr TAHA figure 3.5 ci-dessous. Dans les paragraphes qui suivent, nous allons exprimer
l’influence de ces paramètres sur la BP du transformateur afin de nous permettre de donner un
schéma simplifié et ensuite de déterminer sa fréquence de coupure basse.

Figure 3. 5 :Schéma équivalent du transformateur [5]
Influence de la Résistance du bobinage primaire R1
En basse fréquence, nous pouvons négliger les effets de peau et de proximité, ainsi la
résistance du bobinage primaire ne dépend que de la résistivité du matériau (cuivre pour notre
cas), de la longueur, de la largeur et de l’épaisseur. En d’autre terme elle dépend de la nature
du matériau et de toutes les dimensions du conducteur. La résistance a pour expression :
𝐿
𝑅=𝜌 [III.1]
𝑙∗𝑒
Où 𝜌 est la résistivité du conducteur (pour le cuivre, 1,7.10-8Ω.m prise à une température
de 27°C), L la longueur de la spirale, l et e la largeur et l’épaisseur du conducteur.
Pour étudier l’influence de la résistance du bobinage primaire sur la Bande Passante, nous
avons fait varier la résistance de l’enroulement primaire de 1.5 ohm à 6.0 ohm avec un pas de
0.9 ohm sous Proteus (figure 3.6).
-3dB
r1=1.5Ω 60
Fcb(kHz) Gain à -3dB
50
r1=2.4 Ω 40
30
r1=3.3 Ω
20
R1(ohm)
10
r1=4.2 Ω 1,5 2,5 3,5 4,5 5,5 6,5
Figure 3. 6 : influence de R1 sur la Bande Passante(Proteus)

La figure 3.6, nous montre que à -3dB la fréquence de coupure basse croit linéairement
lorsque la résistance du primaire augmente.
Pour valider cette hypothèse, des simulations sous HFSS sont effectuées pour mettre en
évidence l’influence de la résistance du bobinage sur la bande passante. Comme la résistance
dépend de l’épaisseur et de la résistivité. Nous avons fait varier l’épaisseur du conducteur
(annexe 1) sous HFSS de 15µm à 60µm avec un pas de 15µm. La figue 3.7 illustre bien que la
bande passante varie en fonction de la résistance. Cela signifie que, la résistance du primaire a
de l’influence sur la bande passante : la résistance limite la bande passante en basse fréquence.
Ecu_45
Ecu_E45
Ecu_E30
Ecu_E15
Figure 3. 7 : bande passante du transformateur en fonction de l’épaisseur du
cuivre(HFSS)
A titre comparatif, pour une épaisseur de 60µm la résistance du bobinage primaire (RDC)
est de 0.56Ω et la fréquence de coupure basse correspondante (HFSS) est de 10.5kHz. Tandis
que pour la même valeur de la résistance sous Proteus la fréquence de coupure est de 10.8kHz.
Également pour une épaisseur de 30µm sa résistance est de 1.11Ω et sa fréquence sous HFSS
est de 20.1kHz. Quant aux résultats de Proteus, c’est 21.3kHz. En conséquence il y’a une
concordance entre les courbes deux figures.
Conclusion : l’influence de la résistance du primaire R1 sur la fréquence de coupure basse
fcb est que : Plus la résistance primaire est faible, plus la fréquence de coupure basse diminue.
Un intérêt particulier est également accordé au coefficient du couplage entre le primaire et
le secondaire. La figure 3.8 ci-dessus donne l’allure des coefficients du couplage en fonction
de la fréquence en faisant varier l’épaisseur du cuivre. On observe que sur cette figure, toutes
les courbes sont confondues à partir de 10kHz à 20MHz, cela conduit à dire que l’augmentation
de l’épaisseur du cuivre n’a aucune importance sur le coefficient du couplage entre le primaire
et le secondaire.

Figure 3. 8 : Coefficient du couplage en fonction de l'épaisseur du cuivre
Influence de l’inductance de fuite l1.
Une inductance est définie comme le rapport d’un flux sur un courant. Concernant le
bobinage primaire on peut distinguer 3 flux : le flux total 𝜑1 (correspondant au flux à travers
une spire du primaire), le flux principal 𝜑canalisé par le circuit magnétique et qu’on retrouvera
au secondaire et le flux de fuite 𝜑𝑓1 (correspondant aux lignes de champ se refermant dans l’air:
𝜑1 = 𝜑 + 𝜑𝑓1 [III.2]
L’inductance de fuite l1 est définie comme le rapport du flux de fuite sur le courant dans le
bobinage primaire :
𝜑𝑓1 [III.3]
𝑙1 = 𝑛
𝐼
Ce paragraphe parlera de l’influence de l’inductance de fuite sur la fréquence de coupure
basse du transformateur. Pour faire varier cette inductance de fuite, il convient de faire varier
le couplage entre les enroulements primaires et secondaires. Plusieurs solutions sont possibles:
- augmenter l’entrefer en augmentant par exemple l’épaisseur de l’isolant mais cela
conduira également à faire varier de façon importante l’inductance magnétisante.
- décaler l’axe de l’enroulement primaire par rapport à l’axe du secondaire, ce qui permet
de garder une valeur « presque » constante de l’inductance magnétisante.
C’est cette seconde solution que nous avons retenue.
Ainsi, nous avons fait varier le décalage angulaire entre l’enroulement primaire et
secondaire de 0 à 45° avec un pas de 15°. La figure 3.9 ci-dessous donne la variation de
l’inductance de fuite en fonction du décalage angulaire. Nous notons que l’inductance de fuite
augmente linéairement avec le décalage.

1,8 L1(uH) inductance de fuite en fonction du decalage

angulaire
1,2
0,6
decalage en degré
0
0 12 24 36 48
Figure 3. 9 : inductance de fuite en fonction du décalage angulaire
En comparant les deux figures 3.10 et 3.11 respectivement de la simulation sous Proteus et
HFSS, on remarque qu’il y a une similitude, mais en basse fréquence avant la fréquence de
coupure basse, les deux courbes ont une très faible différence (figure 3.10). Cette différence est
due à l’influence de l’inductance magnétisante sur la bande passante en basse fréquence. En
effet, le décalage angulaire entre primaire et secondaire a aussi de l’influence sur la valeur de
l’inductance magnétisante en simulation HFSS. Elle diminue avec le décalage angulaire voire
(annexe 2). En conclusion, on observe que la variation de l’inductance de fuite de l’enroulement
primaire agit peu sur la bande passante en basse fréquence et légèrement sur l’amplitude.
2.0µH
2.8µH
45 Freq(kHz)
43 Gain à -3dB
41
39
37
35 fcb(kHz)
33
31
3.6µH
29
27
L1(uH)
25
2 3 4 5 6 7
Figure 3. 10 : Influence de l1 sur la bande passante(Proteus)

0.016 0.019
Figure 3. 11 : Influence de l1 sur la bande passante (HFSS)
Après avoir vu l’importance du décalage angulaire sur l’inductance de fuite du primaire,

nous nous sommes aussi intéressés sur le coefficient du couplage entre le primaire et le
secondaire. La figure 3.12 ci-dessus donne l’allure des coefficients du couplage en fonction de
la fréquence en faisant décaler l’axe de l’enroulement primaire par rapport à l’axe du
secondaire. On remarque que sur cette figure l’importance du décalage angulaire sur le
coefficient du couplage. Toutes les courbes sont séparés à partir de 10kHz et se regroupent à
20MHz cela conduit à dire que le décalage angulaire de 0° à 45° réduit considérablement le
coefficient du couplage entre le primaire et le secondaire de 11%.
décalage
k_decalé_0°
k_decalé_30° k_decalé_15°
k_decalé_45°
Figure 3. 12 : Coefficient du couplage en fonction du décalage angulaire

Influence de l’inductance magnétisante Lm
Une étude a été conduite par Y. Khamis et al [35] pour comparer deux transformateurs
en faisant varier l’épaisseur de l’isolant entre le primaire et le secondaire pour voir l’influence
de ce dernier sur l’inductance magnétisante (voir annexe 3). Il s’est avéré que l’inductance
magnétisante augmente si l’épaisseur de l’entrefer diminue. De ce fait, nous avons réalisé des
simulations sous HFSS en faisant varier l’épaisseur de la résine SU8 de 15µm, 30µm et 45µm
afin d’étudier l’influence de l’inductance magnétisante sur la bande passante du transformateur.
La figure 3.13 nous donne l’allure de la bande passante pour différentes valeurs de Lm en
fonction de l’épaisseur de la résine SU8.
Erésine=15µm
Erésine=30µm
Erésine=45µm
Figure 3. 13 :influence de Lm sur la BP du transformateur sous HFSS
En plus de cela, des simulations sous Proteus ont été effectué. Ceci a permis d’observer
l’effet de l’inductance magnétisante sur la bande passante du transformateur en basse fréquence.
Ainsi la figure 3.14 de la simulation Proteus ci-dessous met en exergue les courbes de la bande
passante en faisant varier l’inductance magnétisante de 10µH à 30µH
-3dB
lm=30µH fcb(kHz)
45
Gain à -3dB
lm=26µH 35
lm=18µH 25
Lm(µH)
lm=10µH 15
13 18 23 28 33
Figure 3. 14 : Influence de Lm sur BP sous Proteus.

En effet, l’entrefer a un impact important sur l’inductance magnétisante. Et, les figures 3.13
et 3.14 montrent que ce dernier a de l’influence aussi sur la bande passante du transformateur.
Ainsi on remarque, que lorsque l’inductance magnétisante Lm augmente la fréquence de
coupure basse diminue.
MISE EN EQUATION DE LA FREQUENCE DE COUPURE

BASSE
Précédemment, l’influence de certains paramètres (R1, l1, Lm) qui influent sur la bande
passante du transformateur en basse fréquence a été étudié. Dans cette partie, nous essayerons
de simplifier le schéma équivalent du transformateur en éliminant les éléments capacitifs. Pour
cela, nous allons utiliser deux (2) schémas équivalents simplifiés [1]. Ainsi, le premier est
constitué de la résistance de l’enroulement primaire en série avec l’inductance magnétisante
(figure 3.15 : a)) et le second est constitué aussi de la résistance du primaire et de son inductance
de fuite le tout en série avec l’inductance magnétisante (figure 3.15 : b)).
Ve a) Ve
b)
Figure 3. 15 : a) Première approche Simplifiée ; b) Deuxième approche Simplifiée
Pour chaque approche, nous allons donner l’expression de la fréquence de coupure basse en
fonction de la résistance, de l’inductance de fuite ou de l’inductance magnétisante.
Première approche
La figure 3.15 : a) ci-dessus est composée d’une résistance et d’une inductance

magnétisante. En utilisant le diviseur de tension aux bornes de Vs, on aura :
𝑍𝑚
𝑉𝑠 = 𝑉 [III.4]
𝑍1 + 𝑍𝑚 𝑒
Avec Vs la tension au borne de la sortie, Ve la tension au borne de l’entrée, Z1 est
l’impédance de R1 et Zm est l’impédance magnétisante.
𝑍𝑚 = 𝑗𝜔𝐿𝑚 [III.5]
𝑍1 = 𝑅1 [III.6]

𝑉𝑠 𝑍𝑚
= [III.7]
𝑉𝑒 𝑍1 + 𝑍𝑚
𝑉𝑠 𝑗𝜔𝐿𝑚
= [III.8]
𝑉𝑒 𝑅1 + 𝑗𝜔𝐿𝑚
Ou 𝜔 est la pulsation de coupure.
𝐿
𝑉𝑠 𝑗𝜔 𝑅𝑚
1
= [III.9]
𝑉𝑒 1 + 𝑗𝜔 𝐿𝑚
𝑅 1
𝐿𝑚
En posant = 𝜏 , on aura :
𝑅1
𝑉𝑠 𝑗𝜔𝜏 [III.10]
=
𝑉𝑒 1 + 𝑗𝜔𝜏
Alors la fréquence de coupure basse pour cette première approche est :
𝟏
𝒇𝒄𝒃 = [III.11]
𝟐𝝅 ∗ 𝝉
Deuxième approche
En considérant la figure 3.15 : b) ci-dessus, et en suivant la méthode utilisée pour la

première approche. On aura :
𝑍𝑚
𝑉𝑠 = 𝑉 [III.12]
𝑍1 + 𝑍𝑚 𝑒
Avec
[III.13]
𝑍𝑚 = 𝑗𝜔𝐿𝑚
𝑍1 = 𝑅1 + 𝑗𝜔𝐿1 [III.14]
𝑉𝑠 𝑍𝑚
= [III.15]
𝑉𝑒 𝑍1 + 𝑍𝑚
= [III.16]
𝑉𝑒 𝑅1 + 𝑗𝜔𝐿1 + 𝑗𝜔𝐿𝑚
= [III.17]
𝑉𝑒 𝑅1 + 𝑗𝜔(𝐿1 + 𝐿𝑚 )
𝐿
𝑉𝑠 𝑗𝜔 𝑅𝑚
1 [III.18]
=
𝑉𝑒 (𝐿 + 𝐿 )
1 + 𝑗𝜔 1 𝑅 𝑚
1
𝐿𝑚 (𝐿1 +𝐿𝑚 )
On pose 𝜏1 = et 𝜏2 = on aura :
𝑅1 𝑅1

𝑉𝑠 𝑗𝜔𝜏1 [III.19]
=
𝑉𝑒 1 + 𝑗𝜔𝜏2
La fréquence de coupure basse correspond à la plus grande constante de temps, soit :
𝟏
𝒇𝒄𝒃 = [III.20]
𝟐𝝅 ∗ 𝝉𝟐
Pour valider ces équations, nous les avons présentées figure (fig.3.16) pour mieux les
comparer. Cette figure montre cinq (5) courbes :
- deux courbes simulées sous Proteus, une avec l1 et une sans l1
- deux autres courbes calculées par les équations sous Matlab.
- une courbe du schéma équivalent du transformateur.
Figure 3. 16 :Comparaison de deux équations avec Proteus
Sur cette figure 3.16, nous voulons vérifier les équations déterminées à partir des schémas
équivalents simplifiés émis. Elle donne la réponse en fréquence en basse fréquence de différents
modèles. On observe que les résultats des simulations (Proteus) et des calculs (Matlab)
concordent pour le modèle de la deuxième approche avec celle du modèle développé par
TAHA, tandis que la première approche (premier circuit à gauche sur la figure 3.16) ne
correspond pas. Alors on peut dire que le modèle de la deuxième approche est le mieux adapté.
Ainsi, cette étude a permis de déterminer avec précision que la bande passante dépend de
trois éléments du schéma équivalent en basse fréquence à savoir la résistance de l’enroulement
primaire R1, l’inductance de fuite l1 et l’inductance magnétisante LF (figure 3.17).

Figure 3. 17 : Modèle électrique basse fréquence du transformateur
LES PARAMETRES INFLUANT SUR LA BP EN HAUTE

FREQUENCE
La simulation faite sous Proteus des différents paramètres du schéma équivalent du

transformateur montre que la Bande Passante en haute fréquence dépend de l’inductance
magnétisante, des inductances de fuite primaire et secondaire, ainsi que de la capacité entre la
spire du secondaire et de la capacité entre les deux bobines du transformateur. Dans les
paragraphes qui suivent nous allons dégager l’influence de ces paramètres sur la BP du
transformateur afin de nous permettre de donner un schéma simplifié et ensuite de déterminer
sa fréquence de coupure haute si possible.
Influence des capacités sur la BP en haute fréquence
L’influence de la Capacité inter-enroulement
En haute fréquence, le condensateur entre les deux bobines du transformateur a un effet très
important sur la bande passante. Sous Proteus, nous avons simulés le schéma équivalent du
transformateur en faisant varier la valeur de la capacité C12 de 2pF à 9.2pF avec un pas de 3.6pF.
40
fch(MHz)
35
30
25
20
2 4 6 8 C12(pF) 10
Figure 3. 18 : influence de C12 sur la BP sous Proteus

La fig. 3.18 montre que la variation de C12 a de l’influence sur la fréquence de coupure haute.
Cependant, la capacité inter-enroulement limite la bande passante en haute fréquence.
Pour vérifier l’influence de la capacité entre les deux bobinages comme le démontre la
figure précédente (fig.3.18). Nous avons réalisé des simulations sous HFSS en faisant varier la
permittivité relative de la résine SU8, la capacité est proportionnelle à la permittivité relative
𝑆
du matériau isolant: 𝐶 = 𝜀0 𝜀𝑟 𝑑 [III.21]
Ainsi, la simulation sous HFSS montre que la capacité C12 augmente lorsque la permittivité
relative 𝜀𝑟 de la résine SU8 augmente (voir annexe 4) . La figure 3.19 ci-après met en évidence
l’influence de C12 sur la Bande Passante en haute fréquence. On observe que plus C12 est petit
plus la fréquence de coupure haute est augmentée.
r_SU8= 2
r _SU8= 4
r _SU8= 8
Figure 3. 19 : Influence de la capacité C12 en fonction de la Permittivité relative de SU8
Vu l’importance de la permittivité relative de la résine SU8 sur la bande passante du

transformateur.
Nous nous sommes également intéressés au coefficient du couplage entre le primaire et le
secondaire figure 3.20 ci-après.
r _SU8= 4
r _SU8= 2
r _SU8= 8
Figure 3. 20 : Coefficient du couplage en fonction de la Permittivité relative de la résine SU8

On remarque sur la figure 3.20 que le coefficient du couplage est beaucoup plus affecté par la
diminution et augmentation de la permittivité relative de la résine SU8. Ce coefficient a chuté
de 86% à 75.8% à 10kHz.
Influence de C2
C2 étant la capacité entre les spires du secondaire, elle est fonction de la distance entre
spire, de l’épaisseur et de la largeur du conducteur.
Des simulations ont été effectuées sur Proteus pour étudier l'importance de la capacité C2
sur la bande passante du transformateur. Nous avons fait varier la valeur de la capacité de
0.9pF à 1.5pF avec un pas de 0.3pF. La figure 3.21 illustre l'influence de C2 sur la bande
passante du transformateur. On observe que C2 à une influence sur la fréquence de la coupure
haute du transformateur.
23,5 fch(MHz)
23 Gain à +3dB
22,5
22
21,5
C2(pF)
21
9E-13 1,1E-12 1,3E-12 1,5E-12 1,7E-12
Figure 3. 21: Influence de C2 sur la bande passante du transformateur en haute fréquence.
Pour vérifier cette hypothèse il faudrait effectuer des simulations électromagnétiques pour
voir l'effet de C2 sur la fréquence de coupure haute. Pour voir l'influence de C2, il n'est possible
que de faire varier la distance entre les spires mais cela modifiera la structure du
transformateur. Donc il convient de valider cette hypothèse sans toutefois la vérifier avec des
simulations électromagnétiques.
Influence des inductances sur la BP en haute fréquence
Pour étudier l’influence des inductances sur la Bande Passante du transformateur en haute
fréquence, des simulations électromagnétiques ont été réalisé en faisant varier l’épaisseur de la
résine isolante donc de l’entrefer (influence sur l’inductance magnétisante) et en faisant un

décalage angulaire du primaire par rapport au secondaire (influence sur l’inductance de fuite du
secondaire).
Influence de l’inductance magnétisante
Des simulations ont été effectuées sur le transformateur [1] afin de voir l’importance de
l’inductance magnétisante sur la bande passante en haute fréquence. Pour cela, il convient de
faire varier le couplage entre les enroulements primaire et secondaire en augmentant l’entrefer.
L’augmentation de l’épaisseur de l’isolant conduira à faire varier de façon importante
l’inductance magnétisante. Ainsi, la variation l’épaisseur du matériau isolant (résine SU8) a été
faite de 15µm à 45µm. Ces résultats de simulation ont montré que la valeur de l’inductance
magnétisantes décroit avec l’épaisseur de la résine (annexe 3). Avec les valeurs de ces résultats
nous avons pu représenter la bande passante figure 3.22.
Figure 3. 22 : Influence de Lm en fonction de l'épaisseur de la résine
Pour valider ces résultats des simulations électromagnétiques, nous avons effectué d’autres
simulations sous Proteus en faisant varier la valeur de l’inductance magnétisante de 10µH à
30µH. Ces variations donnent la figure 3.23 ci-dessous qui met en évidence les courbes de la
figure 3.22 ci haut.
En conclusion, nous remarquons que l’augmentation de l’épaisseur du matériau isolant tend
à réduire la valeur de l’inductance magnétisante par contre cette réduction a de l’influence sur
la bande passante du transformateur en haute fréquence en conséquence elle augmente la
fréquence de coupure haute.

Fch
33 (MHz) Gain à+3dB
32
31
30
Lm(µH)
29
13 18 23 28 33
Figure 3. 23 : Influence de LM sur la bande passante du transformateur sous Proteus
fcb(kHz)
45
Sur la figure 3.23, se trouve une autre figure qui montre la
Gainfréquence
à -3dB de coupure haute en
fonction de l’inductance magnétisante. Cette 35courbe indique que à +3dB la fréquence de
coupure haute diminue avec l’augmentation de 25
l’inductance magnétisante.
Lm(µH)
15
Lorsqu’on a fait varier l’épaisseur de la résine13SU8, nous
18 sommes
23 28également
33 intéressés au
coefficient du couplage entre le primaire et le secondaire. Cette variation de l’entrefer donne la
figure 3.24 ci-après :
k_Esu8_30 k_Esu8_45
k_Esu8_15
Figure 3. 24 : Coefficient de couplage en fonction de l'épaisseur de la résine
Sur cette figure 3.24, on observe que à partir de 14MHz le coefficient du couplage est de
94.87%, 93.21% et de 92.98% respectivement pour une épaisseur de la résine SU8 de 15, 30 et
45µm. Notons que la diminution de l’entrefer augmente l’inductance magnétisante, également
pareil pour le coefficient de couplage entre le primaire et le secondaire.

L’influence de l’inductance de fuite du secondaire l2
Etant donné que l’inductance de fuite de l’enroulement secondaire est égale à celle de
l’inductance de fuite de l’enroulement primaire traité au paragraphe II.1.2. Nous nous
intéressons uniquement à l’influence de l’inductance de fuite du secondaire sur la fréquence de
coupure haute du transformateur. Pour faire varier cette inductance de fuite, il convient
également de faire varier le couplage entre les enroulements primaire et secondaire en faisant
varier le décalage angulaire de l’axe de l’enroulement primaire par rapport à l’axe de
l’enroulement du secondaire, ce qui permet de ne pas modifier la valeur l’inductance
magnétisante.
Pour étudier l’influence de l’inductance de fuite du secondaire sur la fréquence de coupure
haute du transformateur d’une part, des simulations sous HFSS sont exécutées en faisant varier
le décalage angulaire de 0° à 45° par pas de 15°.
Figure 3. 25 : Influence de l2 sur la bande passante du transformateur en haute

fréquence(HFSS)
Les résultats des simulations électromagnétiques ont montré que l’inductance de fuite de
l’enroulement du secondaire varie avec le décalage angulaire, plus le décalage est important
plus l’inductance de fuite augmente (annexe 2). La figure 3.25 illustre l’influence de l2 sur la
bande passante du transformateur en fonction du décalage angulaire. Nous remarquons que la
fréquence de coupure haute diminue avec l’augmentation du décalage.
D’autre part, nous avons fait des simulations sous Proteus en faisant varier la valeur de
l’inductance de fuite du secondaire de 2.0µH à 6.0µH avec un pas de 1.6µH. La figure 3.26
montre que lorsque l2 varie la bande passante du transformateur en haute fréquence varie
également. On observe aussi que la fréquence de coupure haute diminue avec l’augmentation

de l’inductance de fuite du secondaire, ceci met en évidence l’hypothèse du décalage angulaire

de l’axe de l’enroulement primaire par rapport à l’axe du secondaire.
En conséquence l’inductance de fuite du secondaire limite la bande passante du transformateur
en haute fréquence.
6µH 3.6µH
4.4µH
fch(MHz)
27
25
23
21
19
l2(µH)
17
2 3 4 5 6 7 2µH
Figure 3. 26 : Influence de l2 sur la bande passante du transformateur en haute fréquence(Proteus)
Schéma simplifié du transformateur en haute fréquence
Les paragraphes précédents ont montré que la bande passante en haute fréquence dépend
de la capacité inter-enroulement, de la capacité entre spires, de l’inductance magnétisante et de
l’inductance de fuite du primaire et du secondaire. Après plusieurs tests des simulations sous
Proteus nous avons pu valider un schéma équivalent simplifié en haute fréquence figure 3.27.
Figure 3. 27 : Schéma Simplifié du Transformateur haute fréquence
Les figures ci-dessous mettent en concordance les différentes variations des différentes
valeurs des éléments du schéma équivalent avec celle du schéma simplifié. Comme nous avons
démontré aux paragraphes précédents, que la fréquence de coupure haute de la bande passante
est essentiellement fonction de l1, l2, C2 et C12. Les figures suivantes font la comparaison entre
le schéma équivalent du transformateur et du schéma simplifié.

- Variation de C12
12pF 8.65pF 5.33pF
Circuit_transfo
Circuit_simplifié
Figure 3. 28 : Courbe comparative de la variation de C12

- Variation de l2
2.0µH
6.0µH
4.67µH Circuit_transfo
3.33µH
Circui_simplifié
Figure 3. 29 : Courbe comparative de la variation de l2
- Variation de C2
23pF 15.8pF
8.67pF Circuit_simplif
1.5pF
Circuit_transfo
Figure 3. 30 : Courbe comparative de la variation de C2

- Variation de l1
Circuit_tranfo
Circuit_simplifié
2.6µH
4.4µH
6.2µH
8.0µH
Figure 3. 31 : Courbe comparative de la variation de l1

On observe dans les trois figures ci haut que, les courbes du schéma simplifié corroborent
avec celle du schéma équivalent du transformateur.
IV. CONCLUSION
En résumé, dans un premier temps nous avons présenté les outils de simulation sur lequel
notre travail s’est basé et les résultats obtenus. Avec Proteus, nous avons pu faire varier les
éléments du schéma équivalent du transformateur pour voir l’influence de tous les éléments du
modèle sur la bande passante du transformateur. De ce fait, il a été identifié quelques éléments
qui ont de l’influence sur la bande passante en basse fréquence. Ces éléments sont entre autre :
- la résistance de l’enroulement primaire,
- l’inductance de fuite au niveau primaire
- et l’inductance magnétisante.
Et haute fréquence, ces éléments sont :
- l’inductance de fuite du primaire et du secondaire,
- l’inductance magnétisante,
- La capacité inter-enroulements et la capacité entre les spires du secondaire.
Pour valider les résultats trouvés avec Proteus, nous avons fait recours au logiciel HFSS.
La résultante de ces outils de simulations a permis de simplifier le schéma équivalent du
transformateur modélisé par Dr. TAHA en deux modèles électriques ; basse fréquence et haute
fréquence. Partant de ce circuit simplifié basse fréquence, la fréquence de coupure basse de la
bande passante a été déterminée en fonction de R1, l1, et Lm. en haute fréquence un modèle
électrique a été proposé.

Conclusion Générale & Perspectives
Conclusion Générale & Perspectives
CONCLUSION GENERALE ET PERSPECTIVES

’objectif principal de ces travaux est de faire un complément d’étude sur
L l’influence des paramètres géométriques et magnétique sur la bande passant du

transformateur qui a été conçu, réalisé et fabriqué au laboratoire Hubert Curien de
Sainte Etienne par M. TAHA [1]. Nous nous sommes intéressés également au coefficient du
couplage entre le primaire et le secondaire. Ce travail a été mené en simulation grâce aux
logiciels Proteus et HFSS.
Avec Proteus, l’étude de l’influence des paramètres du schéma équivalent du transformateur
a été réalisé en réponse fréquentielle. Et quant au HFSS, la mise en évidence de l’influence de
certains paramètres géométriques et magnétiques sur les éléments du schéma équivalent du
transformateur a été prouvée.
Ces travaux réalisés ont été reparti en trois chapitres :
- Le premier chapitre a été consacré aux généralités sur les transformateurs où la définition
et la constitution du transformateur classique et planaire, suivi de son principe de
fonctionnement et de ses principales caractéristiques ont été donné. Egalement un état de l’art
sur les différentes technologies de fabrication du transformateur intégré a été présenté.
- Le chapitre deux a été centralisé sur la définition de la bande passante et extraction des
paramètres du transformateur planaire intégré dans lequel la bande passante a été défini et un
modèle électrique basse fréquence du transformateur a été choisi et qui a permis d’extraire les
paramètres du transformateur pour laquelle l’importance du coefficient du couplage sur la
bande passante a été développée.
- Le troisième et le dernier chapitre a fait l’objet des résultats et discussions. Les résultats
obtenus concernent l’étendue de la bande passante du transformateur planaire intégré. En effet,
des éléments du schéma équivalent qui ont de l’influence sur la bande passante en basse
fréquence ont été identifié (R1, l1, Lm). Grâce à ces éléments, la fréquence de coupure basse a
pu être déterminer et un nouveau modèle électrique du transformateur en basse fréquence a été
donné. Nous sommes partis d’un schéma équivalent du transformateur plus complexe à un
schéma électrique simple en basse fréquence.
Pour les perspectives, il est souhaitable que le même travail soit repris et approfondi quand
à limitation de la bande passante en haute fréquence. Il est aussi souhaitable de reconstruire le
modèle complexe en un modèle simple HF. En plus, nous souhaitons que une étude soit faite
pour approfondir le travail en s’intéressant à l’amélioration du coefficient de couplage.

Références
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Annexes
ANNEXES
Annexe 1 : Variation de R1
3
R1(ohm)
R(Hfss)
R(matlab)
2,5
1,5
0,5
Ecu(um)
0
12 17 22 27 32 37 42 47 52 57 62
annexe 1 : Variation de l’epaisseur du cuivre
La figure ci haut montre l’allure la resistance Rdc en variant l’epaisseur de cuivre de 15 à 60

µm par un pas de 15µm. Et la figure ci-dessous est celle donné en fonctionde la frequence. la
resistance croit avec a la frequence
5
4,5
R_Ecu_45
4 R_Ecu_15
R_Ecu_60
3,5
R_Ecu_30
Resistance (ohm)
2,5
1,5
0,5
0
1,00E-06 1,00E-05 1,00E-04 1,00E-03 1,00E-02 1,00E-01
freq(MHz)
annexe 1: la résistance en fonction de la fréquence

1.2 resistivité du cuivre
Ici nous avons fait varier la résistivité du cuivre pour verifier l’hypothese de la variation de
la rsistance en fonction de la frequence. mais en HFSS il n’est pas possible de varier la resistivité
parcontre il est possible de varier la conductivite, nous avons divisés par 2 et multiplier par 2
celle d’origine . comme la conductivite est l’inverse de la resistivite nous avons trouves les

Annexes
resultats de la figure ci-dessous qui compare et donne le meme allure de la resistance que celle
en fonction de l’epaisseur du cuivre. R(15)
R(30)
R11_con_116
R11_con_58
R11_con_29
R11(60)
Titre de l'axe
0,2
1,00E-06 1,00E-05 1,00E-04 1,00E-03 1,00E-02 1,00E-01
Titre de l'axe
annexe 1 : Comparaison de l'inverse de la résistivité du cuivre avec la

la résistance en fonction de la fréquence
Annexe 2 : Variation du decalage du primaire par rapport au secondaire
L’effet de décalage sur l’influence des certains paramètres, nous avons simulés sous HFSS
le même design en décalant l’enroulement du primaire par rapport à l’enroulement secondaire
de 15°. Le décalage était de 0 à 45° par un pas de 15°. La simulation nous donne la variation
l’inductance de fuite en fonction du décalage. Nous notons que l’inductance du fuite augment
linéairement avec le décalage.
Par contre il n’est pas le cas pour l’inductance magnétisante. La figure ci-après à droite, montre
la courbe de Lm qui décroit lorsque on décale l’enroulement primaire par rapport à
l’enroulement secondaire d’un pas de 15°.
1,8 12,2
L2(µH) Lm(uH) inductance magnetisante Lm
inductance de fuite l2 12
11,8
1,2 11,6
11,4
11,2
0,6 11
10,8
10,6
decalage en degré
0 decalage en degré
10,4
0 12 24 36 48
0 10 20 30 40 50
annexe 2 : inductance du fuite du secondaire en
fonction du décalage angulaire annexe 2 : inductance magnétisante en fonction du
décalage angulaire

Annexes
Annexe 3 : Variation de l’épaisseur de la résine
L’inductance magnétisante du YIG a un double role dans l’influence de la bande passante.

Pour cela nous avons émi plusieurs cas dont celle de la variation de l’epaisseur de l’isolant. La
coubre ci apres illustre la variation de l’inductance magnetisante en fonction de l’epaisseur de
l’entrfer.plus l’epaisseur du cuivre augmente moins et la varaition de Lm. Variation faible.
Inductance magnétisante en fonction de l’épaisseur de la résine SU8 simulé sous HFSS.
1 Lm(µH)
Inductance Magnétisante en fonction de Esu8
,
15
1
1
1 ,5
9,
9
Esu8
8 ,5
1 1 2 2 3 3 4 4
annexe 3 : inductance magnétisante en fonction de l'épaisseur de la résine
Annexe 4 : variation de la permittivité relative de la résine SU8
11
C12(pF) Ɛr d'isolant entre primaire et secondaire
10
3
Ɛr d'isolant
2
2 3 4 5 6 7 8
annexe 4 : C12 en fonction de la permittivité relative de la résine

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MEMOIRE DE FIN D’ETUDES

Pour l’obtention du diplôme de

Présenté et soutenu publiquement

ABAKAR OUMAR MASSAR

Etude de la bande passante d’un transformateur

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium des Enseignements Supérieurs du Tchad

Ce manuscrit est dédié spécialement à :

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad

LISTE DES FIGURES

Figure 2. 1 : illustration de la bande passante [41] 20

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad

Figure 2. 8 : BP et S21 en fonction k [34] 26

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LISTE DES ABREVIATIONS

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TABLE DES MATIERES

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CHAPITRE II : DEFINITION DE LA BANDE PASSANTE ET EXTRACTION DES PARAMETRES DU TRANSFORMATEUR

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad

Le chapitre deux de ce manuscrit sera consacré à la définition de la bande passante et

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad

I. GENERALITES SUR LES TRANSFORMATEURS

Un transformateur est définit comme un élément stable composé de deux ou plusieurs

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad 3

PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT D’UN TRANSFORMATEUR

Ces hypothèses permettent quelques simplifications, c’est-à-dire que la réluctance du

Figure 1. 2 :Circuit équivalent d'un transformateur idéal [5]

En utilisant la loi de Faraday au primaire, on obtient :

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad 4

Contrairement au transformateur idéal, le transformateur réel prend en compte les pertes

Figure 1. 3 :Schéma illustrant les pertes d’un transformateur réel [5]

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad 5

Figure 1. 4 :Circuit équivalent du transformateur réel

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad 6

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad 7

Figure 1. 6 : Densité de courant à l'intérieur d'un conducteur [36] [37].

Pour le cas du cuivre l’épaisseur de peau est de 6.56µm à 100MHz avec µ𝑟 = 1 et 𝜌 =

Figure 1. 7: Principes physiques d’effets de proximité [38] [2]

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad 8

Pertes par hystérésis

Figure 1. 8 :Cycle d’hystérésis d’un matériau magnétique

Pertes par courant de Foucault

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad 9

Où d et ρ sont respectivement l’épaisseur et la résistivité du matériau.

Figure 1. 9 :Courants de Foucault dans un matériau magnétique [36]

TRANSFORMATEURS PLANAIRE ET PLANAR

Le transformateur planaire est un composant passif utilisé dans beaucoup de circuits

Figure 1. 10 :transformateur planar réalisé par E.J. Meurer [39]

À l'inverse du transformateur planar, le transformateur planaire est réalisé par un

Figure 1. 12 :Vue de face de la structure Face to Face à 45° [5]

Plusieurs types de transformateurs planaires ont été développés en utilisant différentes

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad 11

II. ETAT DE L’ART SUR LE TRANSFORMATEUR PLANAIRE

CHOIX DE LA STRUCTURE DU TRANSFORMATEUR INTEGRE

Le transformateur à enroulements entrelacés ou Interleaved a été inventé en 1989 par deux

Figure 1. 13 : Structure d’un transformateur entrelacé [10]

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad 12

Figure 1. 14 :Structure sandwich de la spirale du transformateur [12]

Le transformateur à enroulement empilés (ou Stack en anglais) est une structure ou

Figure 1. 15 : Structure d'un transformateur empilé (stacked) [13]

Abakar Oumar Massar UJM et Consortium d’Enseignements Supérieurs du Tchad 13