Slide Chuong 1 - 2021r (1) - Đã G P

CHƯƠNG 1
LINH KIỆN BÁN DẪN CÔNG SUẤT
Điốt công suất

Transistor công suất
Thyristor
1
2
MỘT SỐ KHÁI NIỆM

Giới thiệu về bán dẫn
Pha thêm nguyên tố nhóm V
(lớp ngoài cùng có 5 điện tử),
4 điện tử sẽ ghép với điện tử
lớp ngoài của nguyên tố Si chỉ
còn lại 1 điện tử. Điện tử này
dễ bị tách khỏi lớp ngoài của
nguyên tố nhóm V để trở
thành điện tử tự do di chuyển
trong cấu trúc tinh thể.
Bán dẫn loại n
3

Pha thêm nguyên tố nhóm III
(lớp ngoài cùng có 3 điện tử
tự do), chúng sẽ ghép với điện
tử lớp ngoài của nguyên tố Si
kết quả xuất hiện lỗ trống bên
trong cấu trúc tinh thể, nó có
khả năng nhận thêm một điện
tử.
Bán dẫn loại p

4

Giới thiệu về bán dẫn Vật liệu bán dẫn
2001 2006
5

So sánh SiC/GaN với Si
 Khó đánh thủng hơn, do đó có thể duy trì điện áp định
mức trong khi vẫn giảm độ dày của thiết bị;
 Dòng rò thấp hơn, ngay cả khi ở nhiệt độ tương đối cao;
 Độ dẫn nhiệt cao hơn, do đó có thể tăng cường độ dòng
điện;
 Giảm thất thoát năng lượng.
6

Biến đổi năng lượng Hệ số tổn thất
Phân loại theo năng lượng:

 AC/DC (chỉnh lưu)
 DC/AC (nghịch lưu)
 AC/AC (biến tần)
 DC/DC
BỘ
Năng lượng BIẾN Năng lượng
đầu vào ĐỔI đầu ra
Tín hiệu
điều khiển
7

Phân loại tổn hao công suất
- Tổn hao van khi dẫn
P1 = U van I van
- Tổn hao do dòng điện rò P2
- Tổn hao phần điều khiển P3
- Tổn hao trong quá trình chuyển mạch P4
Tổng tổn hao trong mạch đóng cắt công suất là
Pth = P1 + P2 + P3 + P4
8

Phân loại tổn hao công suất
Trong 4 thành phần tổn hao thì P2 và P3 có thể bỏ qua. P1
và P4 sẽ là thành phần chính gây ra tổn hao.
- Khi van đóng cắt với tần số thấp hơn 50Hz, P1 là thành
phần chính của tổn hao
- Khi van đóng cắt với tần số cao hơn 1kHz, P4 là thành
phần chính của tổn hao.
Tổn hao này được chuyển hóa thành nhiệt năng thoát
ra trên vỏ của van công suất.
9

Ký hiệu
Đi-ốt
BJT MOSFET
Thyristor
IGBT JFET
Triac
10

Ứng dụng thực tiễn
11
ĐI-ỐT CÔNG SUẤT

Cấu trúc và nguyên lý hoạt động
a) Trạng thái bình thường, đi-ốt không dẫn

b) Khi điện áp thuận đặt vào đi-ốt
c) Khi điện áp ngược đặt vào đi-ốt
12

Đặc tính vôn - ampe
Đặc tính chia làm hai phần:
- Nhánh phân cực thuận, đi-ốt dẫn
- Nhánh phân cực ngược, đi-ốt
khóa
: điện áp rơi trên đi-ốt

: dòng điện rò
: điện áp đánh thủng
: điện trở dẫn tương đương
13

Định nghĩa
 Điện áp thuận rơi trên đi-ốt theo chiều từ A đến K khi
điốt mở hoàn toàn.
 Điện áp đánh thủng xảy ra khi đi-ốt bị phá hủy do
điện áp ngược vượt quá ngưỡng chịu đựng của lớp tiếp
giáp.
 Dòng điện rò chảy qua đi-ốt khi chịu điện áp ngược.
 Dòng điện dẫn chảy qua đi-ốt khi phân cực thuận.
 Điện trở khi dẫn là điện trở tương đương của đi-ốt
khi phân cực thuận và có dòng điện dẫn chảy qua.
14

Đặc tính động của đi-ốt
ON
OFF
15

Ví dụ quá trình chuyển trạng thái từ dẫn sang khóa
a) Quá trình quá độ không dao động

b) Quá trình quá độ có dao động tắt dần
16

Định nghĩa
 Thời gian mở là thời gian đi-ốt mở, tính theo công
thức:
 Thời gian đóng là thời gian đi-ốt chuyển từ trạng thái
dẫn sang trạng thái đóng.
 Thời gian khôi phục ngược là thời gian đi-ốt chuyển
từ trạng thái đóng sang trạng thái dẫn ngược, tính theo
công thức:
là tham số quyết định tần số đóng cắt của đi-ốt.
17

Phân loại
 Đi-ốt thường, là loại có dòng điện dẫn nhỏ, do đó công
suất dẫn thấp, các tham số cần quan tâm gồm: , ,
,
 Đi-ốt công suất, là loại có có dòng điện dẫn lớn, do đó
công suất lớn tương ứng.
 Đi-ốt zener, là loại đi-ốt ổn áp hoạt động ở chế độ phân
cực ngược.
 Đi-ốt schottky, là một loại có điện áp thuận trên đi-ốt chỉ
vào khoảng 0,3 V
18

Thông số kỹ thuật của đi-ốt công suất
 Điện trở nhiệt, đặc trưng cho khả năng sinh nhiệt của đi-
ốt khi dẫn.
 Điện áp ngược lặp lại là ngưỡng điện áp ngược
mà đi-ốt luôn chịu được; điện áp ngược không lặp lại là
ngưỡng điện áp ngược mà đi-ốt thỉnh thoảng có thể
chịu được.
 Dòng điện dẫn trung bình, dòng điện dẫn RMS, dòng
điện dẫn đỉnh.
 Thời gian khôi phục ngược .
19
ĐIỐT CÔNG SUẤT

Ví dụ về điốt công suất
Điốt kép MUR3060 của hãng Motorola
Điốt đơn BYV60W-600PQ của hãng WeEn

20
ĐIỐT CÔNG SUẤT

Q&A
Q1:
Q2:
Q3:
21
TRANSISTOR CÔNG SUẤT

Giới thiệu MOSFET
BJT IGBT
22
TRANSISTOR CÔNG SUẤT - BJT

B: cực gốc
C: cực góp
E: cực phát
: Hệ số khuếch đại dòng điện
của BJT
23
TRANSISTOR CÔNG SUẤT – BJT
Cấu trúc Cấu trúc 4 lớp của BJT trong

thực tế:
 Giảm điện trở khởi động;
 Giảm công suất tổn hao;
 Độ dầy của cực gốc và độ pha
tạp của chất bán dẫn quyết
định đến hệ số khuếch đại và
độ lớn của điện áp đánh
thủng.
24
Đặc tính vôn – ampe Đặc tính iB và iC

25
Đặc tính vôn – ampe

Vùng dòng điện không đổi: iC gần như không đổi khi VCE
thay đổi, và tỷ lệ với iB  BJT hoạt động ở chế độ khuếch
đại tuyến tính. Do VCE lớn nên công suất tiêu tán trên BJT
cũng sẽ lớn tương ứng.
Vùng bão hoà: : iC tỷ lệ với VCE do đó vùng này thích hợp
với chế độ băm xung. Công suất tiêu tán nhỏ do VCE nhỏ.
26
Đặc tính vôn – ampe (tiếp)
SOA là yếu tố rất

được quan tâm khi
BJT hoạt động ở
chế độ băm xung
27
Chế độ hoạt động băm xung

Tốc độ chuyển trạng thái là
yếu tố quan trọng.
t ri thời gian đi lên của iC
t fi thời gian đi xuống của iC
t s thời gian phục hồi
t d thời gian trễ
t on thời gian BJT chuyển
trạng thái dẫn
t off thời gian BJT chuyển
trạng thái khóa
28
Hình ảnh BJT
2N5038 của hãng ON, loại BJT npn

I B max  5 A I C max  20 A(cont ) / 30 A( pul )
VCE 0  90V Ploss max  140W
BUF410A của hãng ST, loại BJT npn

I B max  3 A I C max  15 A(cont ) / 30 A( pul )
VCE 0  250V Ploss max  125W
29
TRANSISTOR TRƯỜNG – MOSFET

Công nghệ MOSFET xuất hiện lần đầu tiên tại phòng thí
nghiệm Bell vào năm 1959, được điều khiển bằng áp (yêu
cầu dòng điện nhỏ) khác so với việc mở bằng dòng điện của
BJT.
30

31
Đặc tính vôn – ampe

Vùng bão hoà, có iD không đổi khi VDS thay đổi, và tỷ lệ với
VGS  MOSFET hoạt động ở chế độ khuếch đại tuyến tính.
Do VDS lớn nên công suất tiêu tán cũng sẽ lớn tương ứng.
Vùng tuyến tính, có iD tỷ lệ tuyến tính với VGS do đó vùng
này thích hợp với chế độ băm xung. Công suất tiêu tán nhỏ
do VGS nhỏ. Vùng này đặc trưng bởi điện trở RDSON được
dùng để tính toán công suất tổn hao của MOSFET khi hoạt
động ở chế độ băm xung.
Vùng cắt xảy ra khi VGS nhỏ hơn một giá trị điện áp ngưỡng.
32
Chế độ băm xung

Đặc tính đóng mở của MOSFET cũng tương đối giống
như BJT tuy nhiên do cấu trúc có sự khác biệt nên thông
số ảnh hưởng đến chế độ hoạt động cũng tương đối khác.
Trong vùng tuyến tính, điện trở dẫn RDS ( on ) của MOSFET
không đổi. Từ đó xác định được điện áp rơi U DS và công
suất tổnPhao
loss
U DS  RDS ( on ) I D
Ploss  I D2 RDS (on )
33
Chế độ băm xung

Tích hợp điốt ngược bên trong vỏ linh
kiện đối với MOSFET. Nó đóng vai trò
phần tử hoàn năng lượng khi
MOSFET chuyển trạng thái từ dẫn
sang khóa.
Tụ điện ký sinh giữa hai cực MOSFET
ảnh hưởng đến đặc tính đóng cắt của
phần tử, ảnh hưởng càng lớn khi tần
số đóng cắt càng lớn.
34
Chế độ băm xung Tụ ký sinh

Cực G cách ly bằng màng ô-
xít với hai cực còn lại, hình
thành tụ ký sinh và ;
lớp tiếp giáp PN giữa cực S
và D hình thành tụ ký sinh
Độ lớn của tụ ký sinh phụ

thuộc vào giá trị của điện áp
và ít phụ thuộc vào nhiệt
độ.
35
Chế độ băm xung Đặc tính đóng MOSFET, bao

gồm bốn giai đoạn:
(1) thay đổi từ 0 lên đến mức
danh định; tăng dần đến
ngưỡng mở của MOSFET do ảnh
hưởng của tụ ký sinh ( là
thời gian trễ khi đóng).
(2) MOSFET bắt đầu dẫn, tăng
dần đến mức danh định, tiếp
tục tăng trong khi giữ nguyên.
36
Chế độ băm xung (3) giữ nguyên trong khi

giảm dần về mức điện áp rơi do
ảnh hưởng của tụ ký sinh ,
duy trì ở mức danh định. Mức điện
áp rơi được xác định theo công
thức:
(4) MOSFET dẫn hoàn toàn,
tiếp tục tăng đến giá trị định mức.
Trong đó, tổn thất công suất chủ
yếu xảy ra ở giai đoạn 2 và 3.
Thời gian đóng:
37
Chế độ băm xung Đặc tính cắt MOSFET, bao gồm

bốn giai đoạn:
(5) giảm từ mức danh định
xuống 0; giảm dần và tăng
dần do ảnh hưởng của tụ ký sinh
và ( là thời gian trễ khi
cắt).
(6) MOSFET bắt đầu ngắt,
tăng dần do tác động của tụ ký
sinh trong khi giữ nguyên.
Giai đoạn kết thúc khi bắt đầu
giảm.
38
Chế độ băm xung (7) Tương ứng với giai đoạn

giảm xuống thấp hơn điện áp
ngưỡng, MOSFET chuyển sang
vùng cắt.
(8) MOSFET ngắt hoàn toàn.
Tương tự như đặc tính đóng
MOSFET, tổn thất công suất chủ
yếu xảy ra ở giai đoạn 6 và 7.
Thời gian cắt:
39
Vùng làm việc an toàn
SOA là yếu tố rất

được quan tâm khi
MOSFET hoạt
động ở chế độ
băm xung
40
Hình ảnh MOSFET

IRF634 của hãng International Rectifier,
MOSFET enh, kênh n
RDS ( on )  0.45 I D  8.1A VDSS  250V
ton , toff  30ns Ploss max  74W
NTMS4816N của hãng ON, loại MOSFET

enh kênh n
RDS ( on )  0.016(4.5V ) I D  11A
VDSS  30V ton , toff  20ns
Ploss max  1.37W
41
TRANSISTOR CÓ CỰC ĐIỀU KHIỂN
CÁCH LY – IGBT
Giới thiệu
Công nghệ IGBT xuất hiện lần đầu tiên vào năm 1959.
IGBT tích hợp ưu điểm về điện áp mở thấp của BJT và cực
cổng cách ly của MOSFET, do đó IGBT chỉ mở bằng áp
(không yêu cầu dòng mở lớn), tần số đóng cắt lớn, dòng
điện dẫn lớn.
IGBT không tích hợp đi-ốt như MOSFET do đó thường bổ
sung thêm đi-ốt ở bên ngoài.
42
CÁCH LY – IGBT
Có cấu trúc gần tương

tự như MOSFET (4 lớp
bán dẫn)
Mở bằng áp nhưng có
khả năng dẫn dòng lớn
43
CÁCH LY – IGBT
So sánh với MOSFET và BJT
44
CÁCH LY – IGBT
45
CÁCH LY – IGBT
Đặc tính đóng/cắt IGBT
Cắt
Đóng
Đặc tính đóng/cắt của IGBT tương

tự như MOSFET, tuy nhiên tốc độ
giảm của chậm hơn.
46
THYRISTOR
Cấu tạo được ghép từ hai BJT có
chiều ngược nhau, gồm:
 Cực điều khiển G
 Cực dương A
 Cực âm K
47
THYRISTOR
- Chuyển trạng thái dẫn khi
dòng điều khiển ở cực G;
- Thyristor tiếp tục dẫn ngay
cả khi mất áp điều khiển;
- Chuyển trạng thái cắt khi
âm hoặc dòng tải thấp hơn
một ngưỡng giới hạn.
1: Đoạn khóa thuận

2: Đoạn dẫn
3: Đoạn khóa ngược
48
THYRISTOR
Giới thiệu
 Được coi là thiết bị đóng cắt lý tưởng, không có sụt áp
giữa hai cực A và K khi đóng;
 Có khả năng dẫn dòng lớn khi đóng (tới vài trăm A), độ
lớn phụ thuộc vào dòng cấp vào cực điều khiển;
 Chuyển trạng thái cắt khi dòng dẫn thấp hơn giới hạn cho
phép;
 Chịu được điện áp lớn khi không dẫn dòng (có thể trên
1kV).
49
THYRISTOR
Phân loại
1. SCR: thyristor điều khiển silic;
2. GTO: thyristor cực cổng cắt, là loại điều khiển đóng/cắt
được bằng tín hiệu dòng ở cực cổng, tương tự như
IGCT: thyristor cực cổng chuyển mạch tích hợp;
3. MCT: thyristor cực cổng MOS và một số biến thể khác, là
loại điều khiển đóng/cắt được bằng tín hiệu áp ở cực
cổng;
4. SITh: thyristor cảm ứng tĩnh, là loại luôn dẫn, điều khiẻn
cắt bằng cách cấp tín hiệu vào cực cổng.
50
THYRISTOR
Thông số điện cơ bản
- Dòng điện định mức dẫn I on
- Điện áp ngược cực đại U RBD
- Điện áp rơi trên thyristor khi dẫn U f
- Điện áp điều khiển U G
- Dòng điện điều khiển I G
- Tốc độ tăng dòng điện di / dt
- Tốc độ tăng điện áp dv / dt
- Dòng điện rò I r
51
THYRISTOR
Mạch bảo vệ Hai trường hợp cần bảo vệ:
 Khi thyristor bắt đầu dẫn, tốc độ
tăng dòng điện rất lớn, sử dụng
mạch snubber thứ nhất;
1
 Khi thyristor bắt đầu khoá, tốc độ
biến thiên điện áp rất lớn, sử dụng
mạch snubber thứ hai.
2
52
THYRISTOR
Hình ảnh thyristor
Thyristor kép MSS40 của hãng ST
I F  55 A I G  50mA
VFBD  800V VG  1.3V
di / dt  50 A / s dv / dt  1000V / s
LS43__50 của hãng POWEREX

I F  900 A I G  200mA
VFBD  1600V VG  3V
di / dt  200 A / s dv / dt  1000V / s
53
TRIAC
- Hai phần tử thyristor đấu ngược
nhau
- Cực điều khiển đấu chung
- Chuyển trạng thái khóa khi dòng
dẫn thấp hơn giới hạn cho phép
hoặc khi I G  0
54
TRIAC
- Góc phần tư thứ nhất
ứng với VT 2  VT 1
- Góc phần tư thứ hai
ứng với VT 1  VT 2
55
TRIAC
Hình ảnh triac
BTA06 của hãng ST

RDS ( on ) = 0.45W I D = 8.1A VDSS = 250V
ton , toff < 30ns Ploss max = 74W
56
TẢN NHIỆT
Khái quát về nhiệt trong bán dẫn
Nhiệt sinh ra bên trong chất bán dẫn trong quá trình hoạt
động tuân theo hiệu ứng Joule và thoát ra bên ngoài thông
qua vỏ bảo vệ. Việc tản nhiệt hỗ trợ cho quá trình thoát
nhiệt nói trên để giữ cho thiết bị bán dẫn không bị hỏng khi
hoạt động.
Phân loại tản nhiệt:
- Tự nhiên;
- Đối lưu cưỡng bức.
CHƯƠNG 2 – MẠCH CHỈNH LƯU
Sơ đồ chỉnh lưu 1 pha

Sơ đồ chỉnh lưu 3 pha
Thiết kế bộ chỉnh lưu điốt công suất
2
PHÂN LOẠI
Theo pha điện áp vào Theo phần tử bán dẫn

v Chỉnh lưu 1 pha v Chỉnh lưu không điều
v Chỉnh lưu 3 pha khiển (diode)
v Chỉnh lưu có điều khiển
(thyristor)
BỘ
Điện
Năng áp
lượng BIẾN Điệnlượng
Năng áp
xoay chiều
đầu vào ĐỔI Một chiều
đầu ra
Tín hiệu
điều khiển
3
SƠ ĐỒ CHỈNH LƯU MỘT PHA

Chỉnh lưu 1 pha nửa sóng Tải R thuần trở
Điốt
vs : điện áp xoay chiều

vL : điện áp tải
vD : điện áp rơi trên điốt
4

Sơ đồ mạch điện tương đương

Phương trình điện áp trong mạch vòng:
𝑣! = 𝑣" + 𝑣#
Điện áp tải trung bình
1 %
𝑉!"# = & 𝑉 sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 ≈ 0,318𝑉&
2𝜋 $ &
Điện áp tải hiệu dụng
1 % (
𝑉&
𝑉' = & 𝑉 sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 = = 0,5𝑉&
2𝜋 $ & 2
Điện áp ngược của diode:
𝑉$ ≥ 𝑘𝑉%
5

Chỉnh lưu 1 pha nửa sóng Tải cảm R, L
- Sơ đồ mạch tương tự như trường hợp tải thuần trở.

- Tải cảm có thành phần L, kho tích trữ năng lượng
6

Tác động của thành phần L

7


𝑣) = 𝑣* + 𝑣'
Điện áp trung bình đầu ra:
1 ,
𝑉!"# = & 𝑉 sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡
2𝜋 $ &
Điện áp hiệu dụng đầu ra:
1 , (
𝑉' = & 𝑉& sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡
2𝜋 $
Điện áp ngược của diode (k: hệ số an toàn)

𝑉+ ≥ 𝑘𝑉&
8

Thyristor

vT : điện áp rơi trên T
iG : dòng điện điều khiển
9


𝑣! = 𝑣 & + 𝑣#
1 %
𝑉!"# = & 𝑉& sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡
2𝜋 -
Điện áp ngược của thyristor (k: hệ số
an toàn)
𝑉$ ≥ 𝑘𝑉%
10

- Sơ đồ mạch tương tự như trường hợp tải thuần trở.

- Tải cảm có thành phần L, kho tích trữ năng lượng
11


12


𝑣! = 𝑣 & + 𝑣#
1 +
𝑉'() = * 𝑉% sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡
2π *
Điện áp ngược của thyristor (k: hệ số an toàn)
𝑉$ ≥ 𝑘𝑉%
13

Chỉnh lưu 1 pha toàn sóng Có điểm trung tính
Điốt

vD1, 2: điện áp rơi trên điốt
14


𝑣!, = 𝑣", + 𝑣#
𝑣!- = 𝑣"- + 𝑣#
15

Điện áp tải trung bình:

1 % 2𝑉&
𝑉!"# = & 𝑉& sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 = = 0,636𝑉&
𝜋 $ 𝜋
Điện áp tải hiệu dụng:
1 % (
𝑉&
𝑉' = & 𝑉& sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 = = 0,707𝑉&
𝜋 $ 2

𝑉+. = 𝑉+( ≥ 2𝑘𝑉&
16

Chỉnh lưu 1 pha toàn sóng Không trung tính
Điốt
-

vD1, 2,3, 4 : điện áp rơi trên điốt
17


𝑣! = 𝑣", + 𝑣# + 𝑣".
𝑣! = 𝑣"- + 𝑣# + 𝑣"/
18


1 % 2𝑉&
𝑉!"# = & 𝑉& sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 = = 0,636𝑉&
𝜋 $ 𝜋
1 % (
𝑉&
𝑉' = & 𝑉& sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 = = 0,707𝑉&
𝜋 $ 2

𝑉$,,-,.,/ ≥ 𝑘𝑉%
19

Thyristor

vT 1 , vT 2: điện áp tải
iG1 , iG 2: dòng điện điều khiển
20


𝑣!, = 𝑣 &, + 𝑣#
𝑣!- = 𝑣 &- + 𝑣#
1 %/0 (
𝜋 -
Điện áp ngược của diode (k: hệ số an

toàn)
𝑉$, = 𝑉$- ≥ 2𝑘𝑉%
21

Thyristor

vT 1, 2,3, 4 : điện áp tải
iG1, 2,3, 4 : dòng điện điều khiển
22


𝑣! = 𝑣 &, + 𝑣# + 𝑣 &.
𝑣! = 𝑣 &- + 𝑣# + 𝑣 &/
1 %/0 (
𝜋 -
Điện áp ngược của diode (k: hệ số an

toàn)
𝑉$,,-,.,/ ≥ 𝑘𝑉%
23
SƠ ĐỒ CHỈNH LƯU BA PHA

Chỉnh lưu 3 pha hình sao Điốt
𝑣' = 𝑉% 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡
𝑣1 = 𝑉% 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡 + 120
𝑣2 = 𝑉% 𝑠𝑖𝑛 𝜔𝑡 + 240
24
Phương trình điện áp:

𝑣' = 𝑣", + 𝑣#
𝑣1 = 𝑣"- + 𝑣#
𝑣2 = 𝑣". + 𝑣#
25

Chỉnh lưu 3 pha hình sao
26


3 3%/2
𝑉!"# = & 𝑉& sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 = 0,827𝑉&
2𝜋 %/2
3 % (
𝑉' = & 𝑉& sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 = 0,84𝑉&
2𝜋 $

𝑉$,,-,.,/ ≥ 𝑘𝑉%
27

vu = - Vm sin (w t )
vv = - Vm sin (w t + 120)
vw = - Vm sin (w t + 240)
va = Vm sin (w t )
vb = Vm sin (w t + 120)
vc = Vm sin (w t + 240)
28

29

3 (%/4
𝑉!"# = & 𝑉 sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 = 0,955𝑉&
𝜋 %/4 &

𝑉$,,-,.,/,3,4 ≥ 𝑘𝑉%
30

Chỉnh lưu 3 pha hình sao Thyristor
Góc mở của thyristor chỉ nằm

va = Vm sin (w t )
trong khoảng
vb = Vm sin (w t + 120) 𝜋 5𝜋
vc = Vm sin (w t + 240) ..
6 6
31

Thành phần L của tải
sẽ quyết định dạng
đặc tính của dòng
điện i L là liên tục hay
gián đoạn
32

Chỉnh lưu cầu 3 pha Điốt
va = Vm sin (w t )
vb = Vm sin (w t + 120)
vc = Vm sin (w t + 240)
33

Chỉnh lưu cầu 3 pha
34

3 3 (%/4
𝑉!"# = & 𝑉 sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 = 1,654𝑉&
𝜋 %/4 &
9 (%/4 (
𝑉' = & 𝑉& sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 = 1,655𝑉&
𝜋 %/4

𝑉+.,(,4,6 ≥ 0,865×𝑘𝑉&
35

Chỉnh lưu cầu 3 pha Thyristor
va = Vm sin (w t ) Góc mở của thyristor chỉ nằm

trong khoảng
vb = Vm sin (w t + 120)
𝜋 2𝜋
vc = Vm sin (w t + 240) ..
3 3
36

37
THIẾT KẾ BỘ CHỈNH LƯU ĐIỐT

Bộ chỉnh lưu 1 pha
Biết trước:
Điện áp hiệu dụng (đầu ra) 𝑉#
Dòng điện tải tiêu thụ (đầu ra) 𝐼#
38
Giá trị điện áp trung bình sau chỉnh lưu

1 6
𝑉'() = * 𝑉% sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 = 𝟎, 𝟔𝟑𝟔𝑽𝒎
𝜋 5
Giá trị điện áp hiệu dụng sau chỉnh lưu
1 6 -
𝑉%
𝑉# = * 𝑉% sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 = = 𝟎, 𝟕𝟎𝟕𝑽𝒎
𝜋 5 2
Các bước tính

Ø Bước 1: tính giá trị biên độ điện áp cuộn thứ cấp
𝑉% = 1,414𝑉#
39
Ø Bước 2: Xác định giá trị dòng điện dẫn của điốt
𝐼8 = 𝑘9 ×1,414×𝐼#
𝑘9 là hệ số an toàn dòng điện (𝑘9 = 2,5 với làm mát bằng
không khí)
Ø Bước 3: Xác định điện áp phân cực ngược
𝑉1 ≥ 𝑘: ×𝑉%
𝑘: là hệ số an toàn điện áp cho trước.
Ø Bước 4: Lựa chọn đi-ốt với thông số 𝐼8 và 𝑉1
40

Bộ chỉnh lưu 3 pha
va = Vm sin (w t )
vb = Vm sin (w t + 120)
vc = Vm sin (w t + 240)
41
Biết trước: điện áp một chiều 𝑉# ; dòng điện tải tiêu thụ 𝐼#
Giá trị điện áp trung bình sau chỉnh lưu
3 3 -6/.
𝑉'() = * 𝑉% sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 = 1,654𝑉%
𝜋 6/.
Giá trị điện áp hiệu dụng sau chỉnh lưu
9 -6/. -
𝑉# = * 𝑉% sin 𝜔𝑡 𝑑 𝜔𝑡 = 1,655𝑉%
𝜋 6/.
Ø Bước 1: tính điện áp xoay chiều của cuộn thứ cấp
𝑉% = 0,605𝑉#
42
Ø Bước 2: tính toán dòng điện dẫn qua đi-ốt

𝐼8 = 𝑘9 ×0,605𝐼#
𝑘9 là hệ số an toàn dòng điện (𝑘9 = 2,5 với làm mát bằng
không khí)
Ø Bước 3: Xác định điện áp phân cực ngược
𝑉1 ≥ 𝑘: ×𝑉%
𝑘: là hệ số an toàn điện áp cho trước.
Ø Bước 4: Lựa chọn đi-ốt với thông số 𝐼8 và 𝑉1
43
Tỷ số chỉnh lưu
Tỷ số chỉnh lưu đặc trưng cho hiệu suất của mạch chỉnh
lưu
𝑃'() 𝑉'() 𝐼'()
𝜎= =
𝑃# 𝑉# 𝐼#
Ø Với mạch chỉnh lưu cầu 1 pha
𝜎 = 80,8%
𝜎 = 99,8%
44
Hệ số gợn sóng
Hệ số gợn sóng đặc trưng cho độ nhấp nhô điện áp sau
chỉnh lưu
𝑉#- − 𝑉'()
-
𝐾<8 =
𝑉'()
𝐾<8 = 0,48
𝐾<8 = 0,04
BIẾN ĐỔI DC/DC
Khái niệm
Bộ biến đổi một chiều (DC-DC Converter) là thiết bị
công suất biến đổi đầu vào một chiều thành đầu ra cũng
là một chiều với giá trị điện áp thấp hơn (buck mode)
hoặc lớn hơn (boost mode) so với ban đầu.
BBĐMC hoạt động dựa trên nguyên tắc băm xung tần
số cao (kỹ thuật PWM).
VDCin : điện áp đầu vào
VDCout : điện áp đầu ra
BIẾN ĐỔI DC/DC
Khái niệm
Chu kỳ làm việc (duty cycle)
𝑡!" 𝑡!"
𝐷= =
𝑡!" + 𝑡!## 𝑇
Tần số xung nhịp
1
𝑓=
𝑇
Điện áp trung bình
𝑉$%& = 𝐷𝑉'
BIẾN ĐỔI DC/DC
Đặc điểm
- Không giới hạn về giá trị điện áp vào ra, có khả năng
điều chỉnh theo dải rộng của đầu vào và ra;
- Ổn định điện áp đầu ra khi tải biến đổi;
- Giảm hiện tượng gợn sóng ở đầu ra;
- Chống nhiễu tốt, bao gồm cả EMI;
- Cách ly về mặt năng lượng giữa đầu ra và đầu vào.
Phân loại:
- Bộ biến đổi giảm áp (buck converter)
- Bộ biến đổi tăng áp (boost converter)
- Bộ biến đổi hỗn hợp (buck/boost converter)
BIẾN ĐỔI DC/DC
Buck Converter
S: khóa điện tử
D: điốt ngược
C, L: mạch lọc tích cực
R: phụ tải
BIẾN ĐỔI DC/DC
Buck Converter
Chế độ dòng dẫn liên tục
(CCM): 𝑖( luôn khác 0 trong
suốt chu kỳ.
Chế độ dòng dẫn không liên

tục (DCM): 𝑖( có thể bằng 0
trong một phần của chu kỳ.
BIẾN ĐỔI DC/DC
Buck Converter
Tỷ số biến đổi điện áp được xác định dựa trên định luật
Faraday
𝑉' + 𝑉! 𝐷𝑇 = −𝑉! 1 − 𝐷 𝑇
𝑉!
⟹ 𝑀) = =𝐷
𝑉*
Điều kiện biên điện cảm để đảm bảo CCM
1−𝐷 𝑅
𝐿 ≥ 𝐿+ =
2𝑓
Điều kiện biên tụ điện (𝑉, là biên độ của điện áp gợn sóng)
1 − 𝐷 𝑉-
C ≥ C+ =
8𝑉, 𝐿𝑓 .
BIẾN ĐỔI DC/DC
Boost Converter
D: điốt dẫn
C, L: mạch lọc tích cực CCM
R: phụ tải
BIẾN ĐỔI DC/DC
Boost Converter
Faraday
𝑉* 𝐷𝑇 = − 𝑉' − 𝑉! 1 − 𝐷 𝑇
𝑉! 1
⟹ 𝑀) = =
𝑉* 1 − 𝐷
1 − 𝐷 . 𝐷𝑅
𝐿 ≥ 𝐿+ =
2𝑓
𝐷𝑉-
C ≥ C+ =
8𝑉, 𝑓
BIẾN ĐỔI DC/DC
Buck/Boost Converter
D: điốt ngược
C, L: mạch lọc tích cực CCM
R: phụ tải
BIẾN ĐỔI DC/DC
Buck/Boost Converter
Faraday
𝑉* 𝐷𝑇 = −𝑉! 1 − 𝐷 𝑇
𝑉! 𝐷
⟹ 𝑀) = =−
𝑉* 1−𝐷
1 − 𝐷 .𝑅
𝐿 ≥ 𝐿+ =
2𝑓
𝐷𝑉-
C ≥ C+ =
8𝑉, 𝑓
BIẾN ĐỔI DC/DC
Flyback Converter
Tỷ số biến đổi điện áp được xác
S: khóa điện tử định dựa trên định luật Faraday
D: điốt ngược 𝐷
𝑀) =
C: tụ lọc 𝑛 1−𝐷
Điều kiện biên điện cảm để đảm
Lm: điện cảm từ hoá
bảo CCM
R: phụ tải 𝑛. 1 − 𝐷 . 𝑅
N1/N2: biến áp xung 𝐿 ≥ 𝐿+ =
2𝑓
BIẾN ĐỔI AC/AC 1 PHA
Khái niệm
Bộ biến đổi AC/AC (AC-AC Converter) là thiết bị công suất biến đổi
đầu vào xoay chiều thành đầu ra cũng là xoay chiều nhưng khác
biên độ, tần số và pha. Kỹ thuật biến đổi hoàn toàn trực tiếp không
qua nguồn một chiều trung gian.
Căn cứ theo loại phần tử đóng cắt

AC bán dẫn sử dụng mà ta có được
VACin VACout phương án điều khiển khác nhau:
AC - điều khiển theo góc pha với
thyristor hoặc triăc
- điều chế độ rộng xung (PWM)
𝑉!"#$ : điện áp đầu vào với BJT, MOSFET, IGBT…
𝑉!"%&' : điện áp đầu vào
Sơ đồ và đặc tính
Tải thuần trở

Sơ đồ và đặc tính (tiếp)
Điện áp sau chỉnh lưu AC/AC:
Dòng điện tải:

Tỷ số biến đổi điện áp:
𝑉)
𝑀( =
𝑉*
Dòng điện qua mỗi van điện tử:
∅ = 𝑡𝑎𝑛+, 𝜔𝐿/𝑅
Tải có tính điện cảm

Điện áp sau chỉnh lưu AC/AC:
Dòng điện qua mỗi van điện tử:
Dòng điện tải:

Một số vấn đề về xung điều khiển
Đối với GTO
- Đối với tải có tính cảm,
xung điều khiển đơn được
thay thế bằng xung chùm.
- Van được mở dễ dàng
hơn trong điều kiện tải tồn
tại năng lượng tích trong
thành phần điện cảm.
Điều chế độ rộng xung
- Van điện tử là BJT, IGBT,
MOSFET
- S1 , S 2 là van điện tử đóng
cắt theo xung điều chế ứng
với nửa dương và âm của
' '
S , S
pha điện áp. 1 2 dẫn mỗi
khi S1 , S 2 cắt để tạo mạch
kín qua tải.
- Phần tử tụ mắc song song
với tải để lọc bớt nhiễu tần
số cao và cải thiện hệ số
công suất.
Điều chế độ rộng xung

Tỷ số biến đổi điện áp:
𝑉)
𝑀( = = 𝐷
𝑉*
Chu kỳ xung nhịp
𝑡%$ 𝑡%$
𝐷= =
𝑡%$ + 𝑡%-- 𝑇
!
Sơ đồ
Sơ đồ hình sao hoặc tam giác, có trung tính hoặc không

có.
Sơ đồ 1 Chế độ 2/3, góc điều khiển 0 ≤ 𝛼 ≤ 60
0
a = 30
T1, T5, T6
T1, T6
T1, T2, T6
Sơ đồ đấu sao, trung tính

cách ly, tải thuần trở
a = 750
T5, T6
T1, T6
T1, T2

a = 1200
T1, T6
T1, T2

Sơ đồ 1

cách ly, tải cảm
Sơ đồ 1
∅ = 𝑡𝑎𝑛!" 𝜔𝐿/𝑅

cách ly, tải cảm
Sơ đồ 2 a = 1200
a = 900
Sơ đồ đấu tam giác,

tải thuần trở
Biến đổi ma trận Các dạng
van bán
dẫn
Sơ đồ
nguyên lý
Ma trận
đóng cắt
Biến đổi ma trận


Liên hệ giữa điện áp ra và điện áp vào
𝑣./ 𝑆!. 𝑆2. 𝑆". 𝑣*!
𝑣0/ = 𝑆!0 𝑆20 𝑆"0 𝑣*2
𝑣1/ 𝑆!1 𝑆21 𝑆"1 𝑣*"
Liên hệ giữa dòng điện vào và dòng điện ra
𝑖! 𝑆!. 𝑆!0 𝑆!1 𝑖.
𝑖2 = 𝑆2. 𝑆20 𝑆21 𝑖0
𝑖" 𝑆". 𝑆"0 𝑆"1 𝑖1
Đầu ra khi không bao

gồm hài bậc cao
Đầu ra khi không bao

gồm hài bậc ba
Chương 5
CÁC BỘ NGHỊCH LƯU
GIỚI THIỆU
Khái niệm
Nghịch lưu (DC-AC Converter/Inverter) là thiết bị công
suất biến đổi đầu vào một chiều thành đầu ra xoay chiều
hình sin.
- Điện áp đầu ra có: biên độ, tần số và góc pha là điều
khiển được.
- Một số kỹ thuật điều chế chủ yếu: SPWM, SV, SHE.
VACout
AC
GIỚI THIỆU
Phân loại
Nghịch lưu
Nguồn áp Nguồn kháng Nguồn dòng
Một
Nửa Hai
Cầu Khác Nhiều cấp Nhiều cấp
nhánh
cầu nhánh
GIỚI THIỆU
GIỚI THIỆU
Sơ đồ và đặc tính (tiếp)
- Thành phần nghịch lưu hoạt động theo nguyên tắc điều
chế độ rộng xung (PWM – SPWM) để tạo ra dạng điện áp
xoay chiều hình sin từ thành phần điện áp một chiều.
- Điện áp sau biến tần bao gồm sóng cơ bản hình sin và
các thành phần hài bậc cao. Hài bậc cao được loại bỏ
bằng cách sử dụng các cuộn chặn.
- Tùy theo cấu tạo mà biến tần có thể hỗ trợ chế độ hoạt
động: hãm tái sinh, hãm động năng…
-Van điện tử là loại: IGBT, BJT, MOSFET…
NGHỊCH LƯU MỘT PHA NGUỒN ÁP
Điều kiện hoạt động

- ĐK1: Van ở cùng một nhánh không được mở đồng thời
để không gây ra hiện tượng ngắn mạch cho mạch nguồn
một chiều đầu vào.
- ĐK2: Đi-ốt mắc ngược và song song với van để dẫn
dòng cảm ứng sinh ra trong quá trình hoạt động.
- ĐK3: Điều khiển đóng mở van có trễ một khoảng thời
gian để đảm bảo ĐK1.
Sơ đồ Điểm N tạo ra đất ảo phía
đầu ra phụ tải.
Tụ thành phần C và C có
giá trị lớn bằng nhau, hạn chế
sự thăng giáng điện áp trong
mạch một chiều.
Van điện tử điều khiển S+ và
S-
Đi-ốt ngược D+ và D- để dẫn
dòng cảm ứng
Nghịch lưu 1 nhánh van

Trạng thái đóng cắt

Đặc tính

Sơ đồ
Đất ảo phía phụ tải
được tạo ra nhờ vào
nhánh van thứ hai.
Điểm giữa của mạch
một chiều không còn
được nối ra ngoài Tụ C+ C- giá trị lớn bằng nhau, hạn
theo như sơ đồ 1 chế sự thăng giáng điện áp trong
nhánh van. mạch một chiều.
Van điện tử điều khiển: S1+ S2+ S1-
S2-
Đi-ốt ngược để dẫn dòng cảm
Nghịch lưu 2 nhánh van ứng: D1+ D2+ D1- D2-

Đặc tính
Nguyên lý mạch lọc đầu ra

Loại mạch:
(A) cuộn cảm;
(B) mạch lọc bậc 2;
(C) mạch lọc LCL.
NGHỊCH LƯU MỘT PHA NGUỒN DÒNG
Điều kiện hoạt động

- ĐK1: Van trên hoặc dưới ở hai nhanh van khác nhau
không được ngắt đồng thời để đảm bảo mạch điện luôn
kín.
-ĐK2: Đi-ốt được mắc nối tiếp với van để ngăn hiện
tượng ngắn mạch ở đầu ra, bên cạnh đó đi-ốt mắc ngược
và song song với van để dẫn dòng cảm ứng sinh ra trong
quá trình hoạt động.
- ĐK3: Điều khiển đóng mở van có trễ một khoảng thời
gian để đảm bảo ĐK1.
Sơ đồ
Van điện tử điều khiển: S1+
S2+ S1- S2-
Đi-ốt D1+ D2+ D1- D2- để
ngăn hiện tượng ngắn
mạch ở đầu ra
Đi-ốt ngược để dẫn dòng
cảm ứng

Đặc tính
MỘT SỐ MẠCH NGHỊCH LƯU MỘT PHA
Mạch cầu H
MỘT SỐ MẠCH NGHỊCH LƯU MỘT PHA
Mạch đẩy kéo

ĐIỀU CHẾ ĐỘ RỘNG XUNG
SPWM
Trạng thái hoạt động của
van:
1) S+ dẫn S- khóa
2) S- dẫn S+ khóa Vi  Vi
Điều chế lưỡng cực

SPWM
Biên độ điện áp xoay chiều đầu ra (sóng cơ bản) của
mạch nghịch lưu một nhánh van

mạch nghịch lưu hai nhánh van
trong đó, Vi là độ lớn điện áp một chiều đầu vào nghịch

lưu

SPWM
ma (tỷ số điều chế) được tính theo công thức sau:
với Vc là biên độ sóng mang, Vtr là biên độ xung tam giác

SPWM
Một số trạng thái hoạt
động của van:
1) S1+ S2- dẫn S1- S2+
khóa
2) S1- S2+ dẫn S1+ S2-
khóa
3) S1+ S2+ dẫn S1- S2-
khóa
...
Điều chế đơn cực

SPWM
mạch nghịch lưu hai nhánh van
trong đó, Vi là độ lớn điện áp một chiều đầu vào nghịch

lưu
Điều chế đơn cực

SHE
Mục tiêu chính là thu được dạng sóng điện áp đầu ra
xoay chiều hình sin trong đó dạng sóng cơ bản có thể
được điều chỉnh tùy ý trong một phạm vi và các sóng hài
bậc cao được loại bỏ một cách chọn lọc. Điều này đạt
được bằng cách tính toán học tạo ra thời điểm chính xác
của quá trình bật và tắt của van bán dẫn.
SHE
NGHỊCH LƯU BA PHA NGUỒN ÁP
Đặc điểm
 Nghịch lưu ba pha thường giành cho ứng dụng công
suất trung bình trở lên.
 Điện áp ba pha hình sin sau bộ điều chế: biên độ, tần
số và góc pha điều khiển được, trong đó góc pha lần
lượt lệch nhau 1200.
 Phương pháp điều chế độ rộng xung: SPWM, SV.
 3 cặp van được đóng mở theo 8 trạng thái, đảm bảo
tại một thời điểm 2 van thuộc cùng một nhánh không
mở đồng thời, tránh tình trạng ngắn mạch một chiều.
Sơ đồ
Điểm N tạo ra đất ảo

phía đầu ra phụ tải.
S1 ... S6 là van điện
tử điều khiển.
D1 ... D6 là đi-ốt
ngược để dẫn dòng
cảm ứng.
Tụ điện C+ và C- có giá trị lớn bằng nhau, hạn chế sự
thăng giáng điện áp trong mạch một chiều.
Bảng trạng thái đóng mở của van
vab vbc vca
1) S1 , S 2 , S 6 dẫn và S 4 , S5 , S3 khóa vi 0  vi
2) S 2, S3 , S1 dẫn và S5 , S 6 , S 4 khóa 0 v i  vi
3) S3, S 4 , S 2 dẫn và S 6 , S1 , S5 khóa  vi 0 vi
4) S 4, S5 , S3 dẫn và S1 , S 2 , S 6 khóa  vi vi 0
5) S5, S 6 , S 4 dẫn và S 2 , S3 , S1 khóa 0  vi vi
6) S 6, S1 , S5 dẫn và S3 , S 4 , S 2 khóa vi  vi 0
7) S1 , S3 , S5 dẫn và S 2, S 4 , S 6 khóa 0 0 0
8) S 2, S 4 , S 6 dẫn và S1 , S3 , S5 khóa 0 0 0
Đặc tính
Thông số đầu ra
Biên độ điện áp pha:
Biên độ điện áp dây
với Vc là biên độ sóng mang, Vtr là biên độ xung tam giác

Phương pháp điều chế SPWM

 Điều chế lưỡng cực
 Ba sóng mang: vca, vcb,
vcc
 Sóng mang lệch pha
nhau lần lượt 1200
Không gian vector Mặt phẳng không gian
 được chia thành 6
góc phần sáu do 6 vectơ
điện áp chuẩn.
Có tất cả 8 vectơ điện
áp chuẩn tương ứng với
8 trạng thái đóng mở
của 6 van điện tử.
Hai vectơ V7 ,V8 có
môđun bằng không.
0,01us 0,01us 0,01us 0,01us 0,01us 0,01us 0,01us 0,01us 0,01us
C
Không gian vector
Vectơ điện áp điều chế gồm hai thành
phần:
Vc  Vt  Vp
Nếu phân chia theo thời gian thì:
TcVc  T pV p  TtVt  T0V0
trong đó Tc là khoảng thời gian cần thiết để có được Vc;
T p , Tt là thời gian thực hiện V p ,Vt và
T0  Tc  T p  Tt
V0 là vectơ V7 hoặc V8 .
Không gian vector
Vùng làm việc thực sự của phương pháp điều chế điện áp
sử dụng không gian vectơ nằm giới hạn bên trong của
hình lục giác đều tạo bởi 6 vectơ điện áp chuẩn. Điểm này
xuất phát từ thực tế như sau
T p  Tt  Tc
Vùng nằm trong vòng tròn nội tiếp hình lục giác cho phép
kết quả điều chế ít hài bậc cao hơn.
Không gian vector

NGHỊCH LƯU BA PHA NGUỒN DÒNG
Đặc điểm
Dòng điện ba pha sau bộ điều chế đảm bảo yêu cầu:
biên độ bằng nhau, tần số bằng nhau, và góc pha lần
lượt lệch nhau 1200.
Van đóng mở theo phương pháp điều chế độ rộng xung -
PWM. 3 cặp van được đóng mở theo 9 trạng thái, tụ phía
tải có tác dụng giảm di/dt.
Tại một thời điểm luôn có ít nhất 1 van trên và 1 van dưới
phải đóng để bảo vệ nguồn dòng không bị hỏng.
Sơ đồ
S1 ... S6 là van điện tử điều khiển.

D1 ... D6 là đi-ốt nối tiếp.
Bảng trạng thái đóng mở của van
ioa iob ioc
1) S1 , S 2 dẫn và S3, S 4, S5 , S 6 khóa ii 0  ii
2) S 2, S3 dẫn và S 4, S5, S 6 , S1 khóa 0 ii  ii
3) S3, S 4 dẫn và S5, S 6, S1 , S 2 khóa  ii 0 ii
4) S 4, S5 dẫn và S 6, S1, S 2 , S3 khóa  ii ii 0
5) S5, S 6 dẫn và S1 , S 2, S3 , S 4 khóa 0  ii ii
6) S 6, S1 dẫn và S 2, S3, S 4 , S5 khóa ii  ii 0
7) S1 , S 4 dẫn và S 2, S3 , S5 , S 6 khóa 0 0 0
8) S3, S 6 dẫn và S1 , S 2 , S 4 , S5 khóa 0 0 0
9) S5, S 2 dẫn và S1 , S3 , S 4 , S 6 khóa 0 0 0
Đặc tính
Thông số đầu ra
Biên độ dòng điện dây
với Ic là biên độ sóng mang, Itr là biên độ xung tam giác

Phương pháp điều chế SPWM

Không gian vector Mặt phẳng không gian
 được chia thành 6
góc phần sáu do 6 vectơ
dòng điện chuẩn.
Có tất cả 9 vectơ dòng
điện chuẩn tương ứng
với 9 trạng thái đóng mở
của 6 van điện tử.
Hai vectơ 7, 8, 9 có
môđun bằng không.
CẤU TRÚC BIẾN TẦN
Sơ đồ nguyên lý
Khối chỉnh lưu Khối nghịch lưu
Nguồn Mạch một chiều Phụ tải

Sơ đồ nguyên lý
Khối chỉnh lưu Khối nghịch lưu

có điều khiển
Nguồn Phụ tải
Mạch một chiều

Slide Chuong 1 - 2021r (1) - Đã G P

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Slide Chuong 1 - 2021r (1) - Đã G P

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

CHƯƠNG 1

LINH KIỆN BÁN DẪN CÔNG SUẤT

Điốt công suất

MỘT SỐ KHÁI NIỆM

MỘT SỐ KHÁI NIỆM

Bán dẫn loại p

MỘT SỐ KHÁI NIỆM

MỘT SỐ KHÁI NIỆM

MỘT SỐ KHÁI NIỆM

Phân loại theo năng lượng:

MỘT SỐ KHÁI NIỆM

MỘT SỐ KHÁI NIỆM

MỘT SỐ KHÁI NIỆM

MỘT SỐ KHÁI NIỆM

ĐI-ỐT CÔNG SUẤT

a) Trạng thái bình thường, đi-ốt không dẫn

ĐI-ỐT CÔNG SUẤT

: điện áp rơi trên đi-ốt

ĐI-ỐT CÔNG SUẤT

ĐI-ỐT CÔNG SUẤT

ĐI-ỐT CÔNG SUẤT

a) Quá trình quá độ không dao động

ĐI-ỐT CÔNG SUẤT

ĐI-ỐT CÔNG SUẤT

ĐI-ỐT CÔNG SUẤT

ĐIỐT CÔNG SUẤT

Điốt kép MUR3060 của hãng Motorola

Điốt đơn BYV60W-600PQ của hãng WeEn

ĐIỐT CÔNG SUẤT

TRANSISTOR CÔNG SUẤT

TRANSISTOR CÔNG SUẤT - BJT

TRANSISTOR CÔNG SUẤT – BJT

Cấu trúc Cấu trúc 4 lớp của BJT trong

TRANSISTOR CÔNG SUẤT – BJT

Đặc tính vôn – ampe Đặc tính iB và iC

TRANSISTOR CÔNG SUẤT – BJT

Đặc tính vôn – ampe

TRANSISTOR CÔNG SUẤT – BJT

Đặc tính vôn – ampe (tiếp)

SOA là yếu tố rất

TRANSISTOR CÔNG SUẤT – BJT

Chế độ hoạt động băm xung

TRANSISTOR CÔNG SUẤT – BJT

Hình ảnh BJT

2N5038 của hãng ON, loại BJT npn

BUF410A của hãng ST, loại BJT npn

TRANSISTOR TRƯỜNG – MOSFET

TRANSISTOR TRƯỜNG – MOSFET

Đặc tính vôn - ampe

TRANSISTOR TRƯỜNG – MOSFET

Đặc tính vôn – ampe

TRANSISTOR TRƯỜNG – MOSFET

Chế độ băm xung

TRANSISTOR TRƯỜNG – MOSFET

Chế độ băm xung

TRANSISTOR TRƯỜNG – MOSFET

Chế độ băm xung Tụ ký sinh

Độ lớn của tụ ký sinh phụ

TRANSISTOR TRƯỜNG – MOSFET

Chế độ băm xung Đặc tính đóng MOSFET, bao

TRANSISTOR TRƯỜNG – MOSFET

Chế độ băm xung (3) giữ nguyên trong khi

TRANSISTOR TRƯỜNG – MOSFET