Apostila de An 2S11

MANUTEN
MANUTENÇÃO DE SISTEMAS INDUSTRIAIS I
Prof.: Wagner Murilo Seko
SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 1

SEMICONDUTORES
CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO
RETIFICADORES
Os semicondutores sem qualquer sombra de dúvida revolucionaram a tecnologia dos circuitos eletrônicos,
por se tratarem de dispositivos de pequenas dimensões aliadas a uma operação eficiente e confiável.
Os diodos e os transistores bipolares são os dispositivos semicondutores mais conhecidos e utilizados. O
transistor foi inventado em 1.948 por J. Bardeen e W. H. Brattain da Bell Telephone Laboratories.
O nome transistor é derivado de transferência de resistência, indicando assim um dispositivo de estado
sólido.
Os elementos germânio e silício são os mais utilizados na fabricação de diodos e transistores.
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
O semicondutor é um material que possui uma resistência entre um condutor e um isolante. A principal
característica de um semicondutor é a sua estrutura atômica, que permite uma condução maior, mediante a adição
de impurezas. A adição de elementos de impureza em uma estrutura pura de germânio ou silício denomina-se
dopagem.
A finalidade da dopagem é aumentar a quantidade de cargas livres (positivas ou negativas), que podem
mover-se mediante uma tensão externa.
Quando o número de elétrons livres (cargas negativas) é aumentado, o semicondutor é do tipo negativo ou
tipo N; diminuindo o número de elétrons livres o semicondutor torna-se do tipo P. Desta forma no semicondutor
dopado do tipo N prevalecem as cargas negativas, enquanto que no tipo P prevalecem as cargas positivas.
Quando os dois tipos são unidos, o resultado é uma junção PN ou NP.
Uma junção PN é na realidade um diodo semicondutor, que tem como característica principal conduzir
corrente em uma única direção.
CARACTERÍSTICAS DO SEMICONDUTOR
As principais características do semicondutor puro (sem dopagem) são:
a) resistência maior do que os condutores metálicos, porém menor do que isolantes;
b) coeficiente negativo, isto é, a resistência diminui com o aumento da temperatura;
c) a valência dos átomos que constituem esses semicondutores é ± 4; isto significa que a última
camada desses átomos possui 4 elétrons.
ELÉTRONS E PRÓTONS NO ÁTOMO

Embora existam várias maneiras de agrupamento dos elétrons e prótons em um átomo, existe uma
combinação específica que resulta em um arranjo estável do mesmo, isto é, cada tipo de combinação estável de
elétrons e prótons determina o tipo de átomo.
Os átomos possuem um núcleo composto por prótons (com carga positiva) e neutrons (sem carga),
prevalecendo então no núcleo carga positiva e, elétrons nas órbitas (carga negativa), formando assim um arranjo
eletricamente estável por possuírem uma quantidade de prótons no núcleo igual ao número de elétrons nas
órbitas. A quantidade de prótons no núcleo e elétrons nas órbitas é denominada número atômico (NA); a
quantidade de prótons no núcleo é igual a quantidade de elétrons nas órbitas.
As órbitas são anéis concêntricos ao redor do núcleo nos quais estão os elétrons em um movimento
semelhante ao do sistema solar, no qual os planetas giram em torno do sol e em torno de si mesmos. O
movimento de rotação de um elétron é denominado spin.
Por exemplo, o átomo de hidrogênio cujo arranjo é mostrado abaixo possui em sua estrutura um elétron e
um próton.
O átomo de hidrogênio possui NA (número atômico) igual a
1, isto é, possui apenas um elétron na órbita K e um próton no núcleo.
O núcleo tende a atrair o único elétron enquanto que o elétron
tende a vencer a força de atração do núcleo. Como essas forças são
mecanicamente balanceadas, o elétron permanece em sua órbita ao
redor do núcleo. O próton e o núcleo possuem carga elementar igual
(1,6 x 10 -19 C), porém a massa do núcleo é cerca de 1.840 vezes
maior do que a massa do elétron.
Os átomos podem ter várias órbitas ou camadas (no máximo sete), nas quais estão distribuídos os
elétrons. Estas camadas são identificadas pelas letras K, L, M, N, O, P e Q. Cada órbita possui um número
máximo de elétrons, determinando assim as características do elemento.
A tabela abaixo mostra as órbitas de um átomo e a quantidade máxima de elétrons por órbita.
ÓRBITA OU CAMADA Nº MÁXIMO DE ELÉTRONS
K 2
L 8
M 8 ou 18
N 8, 18 ou 32
O 8 ou 18
P 8 ou 18
Q 8
É de especial importância a quantidade de elétrons na órbita ou camada mais distante do núcleo. A

camada externa1 requer 8 elétrons para a estabilidade do átomo, exceto quando o mesmo possui apenas uma
órbita a qual tem no máximo 2 elétrons.
O átomo de carbono, cuja configuração é mostrada abaixo possui 6 elétrons, e portanto NA = 6.
Observa-se que na última camada
existem apenas 4 elétrons, a qual pode ter
no máximo 8 elétrons, estando portanto
incompleta.
Quando vários átomos de carbono
são agrupados, tendem a entrar em
covalência, compartilhando os elétrons de
sua última camada. Desta forma em uma
ligação covalente cada átomo de carbono
enxerga na última camada 8 elétrons, o
que constitui uma configuração estável.
Átomos com 8 elétrons na última camada apresentam uma configuração estável, isto é, não tendem a doar e nem
receber elétrons a não ser em condições especiais como calor, luz, campo elétrico, etc.
RESUMINDO:
1
A camada externa recebe também o nome de valência
Átomos estáveis: são átomos com a última camada saturada;
Átomos quimicamente ativo: são átomos que não possuem a última camada saturada;
Elétrons de valência: são os elétrons da última camada ou órbita de um átomo;
Elétrons livres: são os elétrons que participam da corrente eletrônica.
CONDUTORES, ISOLANTES E SEMICONDUTORES

Quando os elétrons podem mover-se facilmente de átomo para átomo em um material, este é denominado
condutor. Em geral os metais são bons condutores, sendo a prata o melhor vindo em seguida o cobre.
A estrutura atômica dos condutores permite que os elétrons da última camada movimentem-se facilmente
com um mínimo de oposição.
O cobre, cuja estrutura é mostrada abaixo é um excelente condutor, pois possui na última camada apenas
1 elétron, o qual pode movimentar-se com muita facilidade. Em virtude disto, este elétron recebe o nome de
elétron livre.
Em geral os bons condutores
possuem apenas 1 elétron na última
órbita ou camada de valência.
Um material cujos átomos
tendem a permanecer em suas camadas
de valência são denominados isolantes
porque não podem conduzir corrente
elétrica com facilidade. No entanto, os
isolantes são capazes de armazenar
eletricidade melhor do que os
condutores.
Materiais como mica, vidro,
borracha, papel, etc. são também
denominados dielétricos, muito utilizados na fabricação de capacitores. Desta forma, os isolantes são muito úteis
quando deseja-se bloquear a passagem de corrente.
O semicondutor é um elemento que conduz menos do que os metais condutores porém muito mais do que
os isolantes (carbono, germânio e silício são os semicondutores mais conhecidos).
A tabela a seguir mostra alguns tipos de condutores e semicondutores.
Nº ELÉTRON
GRUPO ELEMENTO SÍMBOLO ATÔMICO DE
VALÊNCIA
Metais condutores, em Prata Ag 47 +1
ordem de condutância Cobre Cu 29 +1
Ouro Au 79 +1
Alumínio Al 13 +3
Ferro Fe 26 +2
Semicondutores Carbono C 6 ±4
Silício Si 14 ±4
Germânio Ge 32 ±4
Gases ativos Hidrogênio H 1 ±1
Oxigênio O 8 -2
Gases inertes Hélio He 2 0
Neon Ne 10 0

ESTRUTURA DO CRISTAL
A figura ao lado ilustra um bloco de silício onde seus átomos

estão ligados em covalência de tal forma a formar uma treliça
cristalina pura, compartilhando seus elétrons de valência.
Cada átomo de silício dentro da estrutura cristalina enxerga 8
elétrons na camada de valência caracterizando assim uma
configuração estável.
A estrutura acima ilustrada recebe o nome de cristal intrínseco
pois não possui qualquer tipo de dopagem. Um cristal intrínseco
tende a se comportar como um isolante em baixas temperaturas.
CORRENTE INTRÍNSECA
Quando um cristal intrínseco de germânio ou silício não sofre influências externas como luz e calor por
exemplo, os elétrons de seus átomos tendem a permanecer em suas órbitas com suas ligações covalentes, pois
neste caso não há nenhum meio de romper essas ligações e portanto, não há elétrons livres para estabelecer
corrente eletrônica.
Particularmente em baixas temperaturas as ligações covalentes permanecem intactas e o cristal tende a
comportar-se como um isolante.
Em temperaturas mais elevadas (como por exemplo uma fonte de calor externa), há energia térmica
suficiente para fazer com que o cristal liberte alguns elétrons de suas ligações covalentes, que podem
movimentar-se aleatoriamente dentro do cristal.
Ligações covalentes também podem ser quebradas pela ação de um campo elétrico proveniente de uma
diferença de potencial.
Quando uma ligação covalente é quebrada fica com deficiência de um elétron e portanto o átomo assume
a condição de íon positivo, uma vez que a quantidade de elétrons passa a ser menor do que o número de prótons
no núcleo. Isto eqüivale dizer que quando o elétron deixa o átomo este adquire carga positiva.
Para cada elétron que deixa o átomo origina-
se uma lacuna, logo, o número de elétrons e lacunas
está equilibrado dentro da estrutura atômica de um
material semicondutor puro.
A quantidade de elétrons e lacunas que se
forma dentro da estrutura do material depende da
quantidade de energia aplicada (mais calor, mais
ligações covalentes quebradas.
Os elétrons percorrem a estrutura até se
alojarem nas lacunas, onde pode deduzir-se
que as lacunas percorrem a estrutura de
forma análoga aos elétrons, porém em
sentido contrário. Neste caso o movimento
de elétrons e lacunas recebe o nome de
corrente intrínseca.
Portanto, a corrente intrínseca
ocorre em virtude da quebra de ligações
covalentes em uma estrutura cristalina,
proveniente de fontes externas de energia.
A figura a seguir mostra o movimento
aleatório da corrente eletrônica em uma estrutura cristalina intrínseca submetida a uma fonte externa de energia.
Na estrutura ao lado foram quebradas sete ligações covalentes (representadas pelas linhas hachuriadas) de forma
que dentro da estrutura existem sete elétrons livres e sete lacunas. As setas representam o movimento dos elétrons
que conforme pode-se observar, não tem direção definida.
No entanto, ao aplicar-se nos extremos do cristal uma
tensão (p/ex. uma bateria), os elétrons dirigem-se ao polo
positivo enquanto que as lacunas movimentam-se em sentido
contrário, conforme ilustra a figura.
Quando a fonte externa de energia sobre a estrutura for
removida, as ligações covalentes tendem a restabelecer-se
cessando também a corrente.
DOPAGEM DE UM CRISTAL INTRÍNSECO
O processo de dopagem em um cristal intrínseco cria no mesmo cargas livres (elétrons ou lacunas),
dependendo do tipo de impureza usada no processo; após a dopagem o cristal intrínseco recebe o nome de cristal
extrínseco.
No processo de dopagem são utilizadas impurezas do tipo trivalente e pentavalente; as impurezas
trivalentes possuem 3 elétrons de valência e as pentavalentes 5 elétrons de valência.
A figura a seguir ilustra uma forma comum de representar impurezas trivalentes e pentavalentes.
FORMAÇÃO DO CRISTAL N
Quando uma
impureza pentavalente é
adicionada a um cristal
intrínseco de silício, ao se
combinarem com os átomos
do cristal haverá o excesso do
5º elétron que ficará no seu
lugar simplesmente pela
força de atração do núcleo do
átomo da impureza, isto é,
este elétron poderá ser
deslocado com facilidade,
recebendo então o nome de
elétrons livre.
As impurezas pentavalentes criam uma fonte de elétrons livres, sendo portanto, denominadas impurezas
doadoras. “N” refere-se ao fato de haver condução no cristal através de elétrons, que possuem carga negativa.
A tabela abaixo mostra alguns tipos de impurezas pentavalentes usadas na fabricação de semicondutores.
Elemento Símbolo Nº atômico Valência
Antimônio Sb 51 5
Arsênio As 33 5
Fósforo P 15 5

Analisando a figura ao lado, deduz-se
que o número de elétrons livres é igual
ao número de impurezas pentavalentes
adicionadas a um cristal intrínseco.
FORMAÇÃO DO CRISTAL P
Quando uma
impureza trivalente é
adicionada a um cristal
intrínseco de silício, ao se
combinarem com os átomos
do cristal haverá a falta de
um elétron para completar os
8 elétrons de valência, isto é,
a falta desse elétron eqüivale
a uma carga positiva livre.
“P” refere-se ao fato de haver
condução no cristal através
de lacunas, as quais possuem
carga positiva.
A tabela a seguir mostra alguns tipos de impurezas trivalentes (denominadas aceitadoras) utilizadas na
fabricação de semicondutores.
Elemento Símbolo Nº atômico Valência
Alumínio Al 13 3
Boro B 5 3
Gálio Ga 31 3
Índio In 49 3
A figura ao lado mostra que o número

de lacunas criadas em um cristal
intrínseco corresponde a quantidade de
impurezas trivalentes adicionadas ao
mesmo.

PORTADORES MAJORITÁRIOS E MINORITÁRIOS
Em um cristal dopado os portadores majoritários ocorrem devido a adição de impurezas, enquanto que os
portadores minoritários são provenientes da quebra das ligações covalentes, principalmente quando ocorre
elevação da temperatura.
TIPO DE PORTADORES PORTADORES
CRISTAL MAJORITÁRIOS MINORITÁRIOS
P lacunas elétrons
N elétrons lacunas
O aumento da temperatura
provoca a quebra de mais ligações
covalentes, aumentando a quantidade
de portadores minoritários cujo fluxo
é contrário ao dos portadores
majoritários, que neste caso irá
interferir no fluxo dos portadores
majoritários.
JUNÇÃO PN - DIODO DE JUNÇÃO

Ao se combinar um cristal do tipo P com um cristal do tipo N obtém-se um diodo.
Para entender como é formado um diodo de junção, consideremos os cristais N e P conforme ilustra a
figura abaixo:
No átomo aceitador foi adicionado um elétron da união vizinha, formando então um íon negativo. O íon
negativo deixa uma lacuna.
Do átomo doador foi retirado o 5º elétron, tornando-o um íon positivo. O elétron retirado é excedente
(livre).
Ao se juntar os dois cristais, a primeira impressão é de que os elétrons livres do cristal N tendem a
combinar-se com as lacunas do cristal P, porém tal não ocorre.
Quando os elétrons do cristal N tentam atravessar a junção, são repelidos pelos íons negativos (aceitadores)
do cristal P; da mesma forma as lacunas do cristal P são repelidas pelos íons positivos (dadores) do cristal N.

Porém, os elétrons e lacunas nas proximidades da junção combinam-se.
Nas proximidades da junção o cristal P adquire uma pequena carga negativa, pois as lacunas combinam-se
com os elétrons livres do cristal N; ao mesmo tempo o cristal N adquire nas proximidades da junção uma
pequena carga positiva pela perda dos elétrons livres que se combinaram com as lacunas do cristal P.
Forma-se então nas proximidades da junção uma região de transição, também conhecida como região de
barreira de potencial. Em inglês é muito utilizada a expressão depletion region (região de depleção).
É conveniente salientar que essa combinação ocorre somente nas proximidades da junção. Elétrons e
lacunas mais distantes não se combinam pois sofrem a força de repulsão das cargas positivas na junção do cristal
N e das cargas negativas na junção do cristal P, conforme dito anteriormente.
Veja como isso ocorre na ampliação mostrada a seguir.
Para que elétrons e lacunas se combinem é necessário vencer a força de repulsão das cargas opostas dentro da
região de transição.
Nas proximidades da junção, ou mais especificamente na região de transição ocorre a difusão dos
portadores de um lado para outro da junção (isto pode ocorrer devido a uma energia térmica) e, esse movimento
recebe o nome de corrente de difusão.
Isto resulta em uma ddp (diferença de potencial) que pode ser representada por uma pequena bateria
imaginária, conforme ilustra a figura a seguir.

Isto significa que uma lacuna do cristal P poderá combinar-se com um elétron do cristal N após vencida
essa tensão ou essa barreira de potencial.
A bateria imaginária é usada somente para representar os efeitos internos, uma vez que esse potencial não
se pode medir quando o diodo está fora do circuito. Quando o diodo faz parte de um circuito, esse potencial
(barreira de potencial) pode ser verificado através de medições indiretas.
Para os diodos de silício essa tensão varia de 0,55V a 0,7V e para os diodos de germânio varia de 0,15 a 0,3V.
Costuma-se adotar os valores
típicos de 0,7V para diodos de silício e
0,3V para os diodos de germânio, salvo
especificação em contrário.
Desta forma, para que haja a
recombinação dos demais portadores é
necessário uma tensão externa que vença
a barreira de potencial.
É fácil deduzir-se pela figura
acima, que as lacunas e os elétrons são
impelidos até a junção pelos pólos positivo e negativo da bateria externa respectivamente.
Vencida a barreira de potencial, ocorre a combinação entre lacunas e elétrons.
POLARIZAÇÃO DIRETA DA JUNÇÃO PN (DIODO)
Para produzir um fluxo de

corrente através de um diodo, a mesmo
deve ser polarizado diretamente, isto é,
a barreira de potencial deve ser
neutralizada.
Polarizar diretamente um diodo
significa tornar o anodo mais positivo
do que o catodo, ou seja, aplica-se uma
tensão negativa no catodo e uma tensão positiva no anodo, conforme ilustra a figura o lado.
a) os elétrons livres do cristal N são impelidos à junção pelo polo negativo da bateria;
b) as lacunas do cristal P são impelidos à junção pelo polo positivo da bateria;
c) na junção ocorre então a combinação dos portadores;
d) para cada lacuna do cristal P que se combinar com um elétron do cristal N, um elétron de uma união
das proximidades do terminal positivo da bateria deixa o cristal e penetra no polo positivo da bateria, originando
uma lacuna que também é impelida à junção;
e) simultaneamente um novo elétron penetra no cristal N através do terminal negativo da bateria e se
difunde até a junção; como resultado, a região de transição torna-se significativamente mais estreita;
f) com o aumento da tensão externa é gradualmente vencida a barreira de potencial e a corrente aumenta;
uma vez vencida a barreira de potencial a corrente aumenta bruscamente;
g) essa corrente e denominada corrente direta (ID) e seu sentido é do cristal N para o cristal P (sentido
real), ou seja, do catodo para o anodo.

Na polarização direta a
resistência interna do diodo (junção)
assume um valor extremamente baixo e
o diodo comporta-se como uma chave
eletrônica fechada. A figura a seguir
ilustra um diodo diretamente polarizado
e seu respectivo circuito equivalente.
Observe que no circuito
equivalente foi considerado o sentido
convencional para a corrente.
POLARIZAÇÃO REVERSA DA JUNÇÃO PN (DIODO)
A polarização reversa consiste em tornar o anodo mais

negativo do que o catodo ou o catodo mais positivo do que o
anodo, o que eqüivale a aplicar uma tensão negativa no anodo e
uma tensão positiva no catodo.
Na polarização reversa ocorre justamente o contrário da
polarização direta.
Os elétrons e as lacunas afastam-se da junção provocando
um aumento significativo da região de transição. Desta forma não
ocorre a combinação entre elétrons e lacunas e portando não
circula corrente pelo diodo.
Na polarização reversa a
resistência interna do diodo assume
valores elevadíssimos e o mesmo
comporta-se como uma chave
eletrônica aberta. A figura ao lado
ilustra um diodo polarizado
reversamente e seu respectivo circuito
equivalente. Observe que não circula
corrente pelo circuito.
Teoricamente nenhuma corrente deveria circular pelo circuito. No entanto, uma corrente muito pequena
(da ordem de alguns microampères pode ser observada.
Isto pode ser explicado facilmente: alguns elétrons e
lacunas dos cristais P e N respectivamente que devem sua
existência graças a energia térmica (quebra de ligações
covalentes) são impelidos à junção pois são repelidos pela
bateria (os elétrons do cristal P são repelidos pelo polo negativo
da bateria e as lacunas do cristal N são repelidas pelo polo
positivo da bateria).
Neste caso haverá a combinação dos portadores
minoritários, constituindo uma corrente reversa muito pequena,
também conhecida como corrente de fuga.
Com o aumento da temperatura a corrente reversa (IR) ou de fuga

aumenta, interferindo na corrente direta do diodo.

CURVA CARACTERÍSTICA DE UM DIODO DE JUNÇÃO DE SILÍCIO
Observa-se na curva acima que a

partir de 0,7V a corrente direta sobe
bruscamente, sendo limitada pela
resistência externa do circuito.
Se a tensão reversa for muito
elevada a corrente reversa sobe a um valor
bastante elevado, sendo esse valor
denominado corrente de avalanche. Note-
se que a corrente de avalanche pode variar
numa faixa de valores bastante ampla
(pontos A e B) com uma variação muito
pequena da tensão reversa. Esse
fenômeno é denominado efeito Zener.
ID = corrente direta
Quando é atingida a região de IR = corrente reversa
ruptura a corrente reversa aumenta VD = tensão direta
bruscamente e danifica o diodo a menos VR = tensão reversa
que, tenha uma construção especial que
permita sua utilização nessa região (região Zener).
Portanto, em sua operação normal o diodo não deve atingir a região Zener. Os fabricantes especificam a
máxima tensão reversa antes de atingir a região Zener, desta forma, a tensão reversa máxima permitida para um
determinado diodo é menor do que a tensão Zener.
APROXIMAÇÕES DO DIODO
Na análise de circuitos com diodos, podemos levar em conta três aproximações:
1ª APROXIMAÇÃO - DIODO IDEAL
VD = 0V
2ª APROXIMAÇÃO
VD = 0,7V
3ª APROXIMAÇÃO - DIODO REAL

VD = 0,7V + VrB
VD = 0,7V + ID.rB
Geralmente utiliza-se a segunda aproximação na análise de circuitos com diodos.

Exemplo: No circuito a seguir, calcule a corrente e a potência no resistor.
Solução:
V − Vd 6 − 0,7
I= = = 24,1mA PR = 220 . 24,1mA2 = 127,78mW
R 220
RETA DE CARGA
A reta de carga é um método gráfico através do qual pode-se determinar o ponto de operação de um
diodo (tensão e corrente).
Tomemos como exemplo o circuito abaixo:
RS = resistor limitador de corrente

(com RS maior, menor será a corrente no diodo)
Desta forma, RS mantém ID dentro das especificações do diodo.

E −V
Equação básica: I =
Rs
Para traçar a reta de carga de um diodo, devemos levar em conta dois pontos: saturação e corte.
CONDIÇÃO 1 - SATURAÇÃO
V=0
2−0
I= = 20mA
100
CONDIÇÃO 2 - CORTE
V = 2V
2−2
I= =0
100
Desta forma foram determinados os dois pontos necessários para traçar a reta de carga:
ponto 1: I = 20mA; V = 0 (saturação)
Na saturação considera-se o diodo em curto e portanto, a tensão nos seus extremos será igual a zero.
ponto 2: I = 0; V = 2V (corte)
No corte considera-se o diodo aberto; desta forma não circulará corrente pelo circuito. A tensão entre os
pontos A e K será 2V.
A intersecção entre a reta de carga e a curva do diodo nos fornece o ponto de operação do diodo, também
denominado ponto Q (quiescente).
Analisando o gráfico do nosso exemplo, verificamos que a corrente de operação do diodo é de 13mA e a
tensão é 0,7V.

Qual será a tensão no diodo para uma corrente de 5mA?
Analisando o gráfico verificamos que essa tensão é de 1,5V.
Comprovando:
aplicando LKT V = E - VRS, onde VRS = RS . I
logo: V = 2 - (100 . 0,005) = 2 - 0,5 = 1,5V
EXERCÍCIO RESOLVIDO
Utilizando a 2ª aproximação, calcule a corrente no resistor de 2kΩ no circuito a seguir.
Aplicando Thèvenin:
1 - Remove-se o resistor de 2kΩ e curtocircuita-se as fontes;

Observe-se que por tratar-se da 2ª aproximação o foi considerada a barreira de potencial de 0,7V no
diodo.
2 - Calcula-se Rth;
3 - Calcula-se Vth.
12 x8 12 x8
Rth = = 4,8kΩ Vth = = 4,8V
12 + 8 12 + 8
O circuito equivalente Thèvenin é mostrado abaixo.
Vth - (4,8kΩ.I) - 0,7V - (2kΩ.I) = 0

4,8V - 0,7V = (4,8kΩ + 2kΩ).I
4,1V = 6,8kΩ.I
I=
4,1V
6,8kΩ = 602,9µA

RESISTÊNCIA CC DO DIODO
RCC (resistência para corrente contínua) de um diodo, é a razão entre a tensão total no diodo e a corrente
que circula pelo mesmo.
Existem duas maneiras de medir essa resistência: direta e inversa. Tomemos como exemplo o diodo
1N8146, em que foram obtidos três valores de tensão e corrente, para cálculo da resistência direta, (RD) conforme
ilustra a tabela abaixo.
VD 0,65V 0,75V 0,85V
ID 8mA 18mA 30mA
Medidas 1ª 2ª 3ª
Calculando a resistência direta para cada medida:

0,65V
1ª medida: RD = 8mA = 81,25Ω Conclusão:
0,75V À medida que a corrente aumenta a RCC diminui.

2ª medida: RD = 18mA = 41,67Ω
0,85V
3ª medida: RD = 30mA = 28,3Ω
Para o mesmo diodo tomemos como exemplo
três medidas para o cálculo da resistência reversa (RR), conforme ilustra a figura abaixo. Para esse diodo a tensão
de ruptura é 150V.
Tensão inversa (VR) 25V 50V 100V
Corrente inversa (IR) 30ηA 65ηA 4µA
Medidas 1ª 2ª 3ª
Calculando a resistência reversa para cada medida:
1ª medida: RR = 25V 30nA = 833MΩ

Conclusão:
2ª medida: RR = 50V 65nA = 769MΩ Ao se aproximar da tensão de ruptura a RCC diminui.
3ª medida: RR = 100V 4uA = 25MΩ

EQUAÇÃO CARACTERÍSTICA
Através da equação baixo podemos calcular a corrente direta que circula pela junção de um diodo, em
função de uma corrente reversa dada e em função da temperatura:
 
V
I = Io.  e η .VT − 1
 
I = corrente direta
Io = corrente reversa ou de fuga
Ge = 1
η= 
Si = 2
T(K)
VT = T(K) = temperatura em kelvin = (273 + ºC)
11600
V = tensão direta (VD)
e = constante = 2,718
A fórmula a seguir também poderá ser usada:
 
KV
I = Is.  e T ( K ) − 1
 
Is = corrente reversa de saturação ou de fuga
Ge = 1
K = 11600 / η, onde η
Si = 2
T(K) = 273 + ºC
V = VD
e = constante = 2,718
INFLUÊNCIA DA TEMPERATURA
A temperatura é um dos fatores que mais influenciam no funcionamento de um diodo; com o aumento da
temperatura a tensão direta (VD) diminui e a corrente reversa (IR) aumenta. Isto pode ser observado na figura
abaixo.

Para minimizar os efeitos da temperatura utiliza-se dissipadores de calor principalmente em diodos para
potências ≥ 5W.
Alguns parâmetros devem ser levados em conta no dimensionamento dos dissipadores de calor.
Tais parâmetros referem-se a resistência térmica entre o invólucro e a junção e entre o invólucro e o meio
ambiente, assim definidos:
θJC = resistência térmica entre a junção e o invólucro
θCA = resistência térmica entre o invólucro e o meio ambiente (ar)
A figura abaixo ilustra uma forma prática de representar esses parâmetros.
Quando um dissipador é acrescentado devem ser levados em conta outros parâmetros:

θCS = resistência térmica entre o invólucro e o dissipador
θSA = resistência térmica entre o dissipador e o ambiente (ar)
A unidade de medida da resistência térmica (θ) é ºC/W (graus celsius por watt).
A resistência térmica total (θJA) pode ser então calculada com ou sem dissipador de calor:
θJA = θJC + θCS + θAS (com dissipador)
θJA = θJC + θCA (sem dissipador)
O circuito equivalente para representar as resistências térmicas acima mencionadas é mostrado abaixo.
Para evitar danos ao diodo, a temperatura da junção (TJ) nunca deve ser ultrapassada.
TJ = (PD . θJA) + TA, em ºC

TJ = PD (θJC + θCS + θSA) + TA, em ºC
EXEMPLO 1: Determinar se a temperatura da junção de um diodo semicondutor está sendo excedida nas
seguintes condições de operação:
Solução:
PD = 20W θJC = 2ºC/W TJ = PD . (θJC + θCS + θSA) + TA

TA = 25ºC θCS = 0,5ºC/W TJ = 20 . (2 + 0,5 + 2,5) + 25
TJ = 100 + 25 = 125ºC
Tjmax = 150ºC θSA = 2,5ºC/W
Operação segura pois não ultrapassa a TJmax de 150ºC especificada pelo fabricante.
EXEMPLO 2: Determine a corrente que circula pela junção de um diodo de silício na temperatura de 40ºC,
sabendo-se que sua corrente reversa é de 1ηA.
Solução:
 η .VT 
V
Utilizando a fórmula: I = Io.  e − 1

 
V = 0,7V
η=2
T(K) 273 + 40
VT = = = 0,027
11600 11600
 0,7   0,7 
   
-9
I = 1 x 10  2,718
2(0,027)
−1 = 1 x 10-9  2,718 0,054 −1
   
   
I = 1 x 10-9 (2,71812,963 - 1) = 425,77µA ≅ 426µA
 T(K) 
KV
Podemos também utilizar a fórmula: I = Is.  e − 1

 
V = 0,7
η=2
11600
K= = 5800
2
T(K) = 273 + 40 = 313
 5800 . 0,7 
 
I = 1 x 10-9  2,718 313 − 1 = 1 x 10-9 (2,718 12,971 - 1) I = 429,19µA ≅ 429µA
 
 

RESISTÊNCIA MÉDIA (Rm)
Se dispusermos de dois valores de VD podemos

calcular a resistência média do diodo. Normalmente isto ocorre
quando um sinal AC de grande magnitude for aplicado ao diodo
fazendo com que os valores de VD flutuem, conforme sugere a
figura ao lado.
A resistência média pode ser calculada pela fórmula:

onde:
∆VD ∆VD = VD2 - VD1
Rm =
∆ID
∆ID = ID2 - ID1
EXEMPLO 3: Considerando os mesmos dados do exemplo 2, calcule a resistência média do diodo

supondo uma VD = 0,9V.
Solução:
Aproveitaremos os valores calculados para VD = 0,7V.
Calculando I2:
 0,9 
 
I2 = 1 x 10-9  2,718
0,054
− 1
 
 
 
-9 16,667
= 1 x 10 (2,718 - 1) I2 = 17,28mA
0,9 - 0,7 0,2

Rm = = = 11,867Ω
(17,28 - 0,426) .10 -3
16,854 . 10 -3

FORMAS DE ONDA SENOIDAL E VALORES ESPECÍFICOS
Definições:
Ciclo : Um ciclo é a menor parte de uma forma de onda periódica que não se repete
T => Período : O tempo necessário para que seja completado um ciclo é denominado período (T).
F => Freqüência : A freqüência (F) é o número de ciclos completados num intervalo de tempo.
No Sistema Internacional de Unidades, a freqüência tem como unidade o Hertz (Hz).

.
O período e a freqüência estão relacionados do seguinte modo:

1
T=
F
No Brasil, a freqüência é 60Hz.
A tensão ou corrente alternada (CA) podem ser especificadas por seus valores característicos, como é mostrado
na figura abaixo.
Para formas de onda senoidais o valor médio Vm = 2Vmáx./π.

Se Vmáx = 1V , então: V1=.637,0x Vmáx
O valor máximo (Vmáx) também pode ser chamado de valor de pico (Vp). Podemos ainda especificar o valor pico-
a-pico que é igual a duas vezes o valor de pico.
Vpp=2xVmáx
O modo mais comum de especificarmos a amplitude da corrente ou tensão alternada é através de seu valor eficaz
ou RMS (Root Mean Square).
Vmáx
O valor eficaz de uma tensão ou corrente com forma de onda senoidal é calculado por: Vrms=
2
A maioria dos equipamentos, materiais e instrumentos elétricos são especificados utilizando valores eficazes. O
valor eficaz de uma tensão ou corrente alternada, corresponde ao mesmo valor de tensão ou corrente contínua
capaz de dissipar numa carga R a mesma quantidade de potência.

TRANSFORMADOR
O transformador é um dispositivo elétrico que permite modificar a

amplitude de tensões e correntes. Consiste basicamente de duas bobinas
isoladas eletricamente, porém acopladas magneticamente, pois são
montadas em torno de um mesmo núcleo de ferro ou ferrite.
A bobina na qual é aplicada a tensão a ser transformada V1 é
denominada primário e a que fornece a tensão transformada V2, é
denominada secundário.
A corrente elétrica alternada no enrolamento primário dá surgimento a
um fluxo magnético alternado φ no núcleo. Este fluxo variável através
do núcleo, induz uma tensão alternada no bobina do secundário.
No transformador existe perda de potência devido a resistência dos fios
dos enrolamentos por efeito Joule e no núcleo devido a circulação de
correntes induzidas (correntes parasitas), denominado efeito Foucault. O
núcleo de ferro dos transformadores é laminado para diminuir a perda de
potência por efeito Foucault.
O efeito de transformação só é produzido em corrente alternada, pois é
necessário a variação do fluxo magnético que induz a tensão na bobina
do secundário do transformador.
Desconsiderando-se as perdas, num transformador é valida a relação:
Potência no primário(P1)=Potência no secundário(P2)
Onde:
Φ fluxo magnético
P1=V1xI1
P2=V2xI2
como P1=P2 então V1xI1=V2xI2
V1 N1
mas, V1xN2=V2xN1 = = = a
V2 N2
a = relação de transformação
N1 – enrolamento primário
N2 – enrolamento secundário
I1 N2
então, I1xN1=I2xN2 = = =a
I2 N1

RETIFICAÇÃO - PRINCÍPIOS BÁSICOS
Retificar encerra a idéia de converter uma tensão alternada em tensão contínua. No processo de retificação
deve-se levar em conta as características de chaveamento eletrônico do diodo, ou seja, conduz corrente em apenas
um sentido (quando diretamente polarizado).
RETIFICAÇÃO DE ½ ONDA:
Tomemos como exemplo o circuito a seguir, destinado a retificar uma tensão alternada.
A tensão a ser retificada é de 40Vrms, ou 40Vef. Como sabemos a corrente alternada tem a propriedade
de mudar de polaridade periodicamente, segundo uma determinada freqüência.
Deduz-se então que durante o semiciclo positivo o diodo estará polarizado diretamente, atuando como
uma chave eletrônica fechada e durante o semiciclo negativo, por estar reversamente polarizado atuará como uma
chave eletrônica aberta, conforme mostra os circuitos equivalentes a seguir.
Como o diodo comporta-se como uma chave eletrônica

fechada, somente circulará corrente pela carga durante o
semiciclo positivo.
Logo, aparecerá na carga a tensão correspondente ao
semiciclo positivo.
Como o diodo comporta-se como uma chave eletrônica
aberta, não circulará corrente pela carga.
Logo, não aparecerá nenhuma corrente na carga.
Desta forma, circulará corrente na carga somente durante os
semiciclos positivos, caracterizando assim a retificação de ½
onda. Ao se ligar nos extremos da carga um osciloscópio, será
visualizada uma tensão cuja forma de onda é mostrada na
figura abaixo.
A tensão na carga é contínua pulsante e o valor medido dessa tensão é denominado valor retificado médio (Vm
ou Vdc), que pode ser calculado pela equação:
Vm ou Vdc = (Vp - VD) . 0,318

onde:
Vp = valor de pico da tensão ou valor máximo da tensão (Vmax)
Vm = Vdc = valor retificado médio
VD = queda de tensão direta no diodo (0,55 a 0,7V)
0,318 = constante = 1/π
Podemos calcular o valor médio retificado pela fórmula:
Vp ou Vmax
Vm ou Vdc =
π ( para VD = 0, diodo ideal)
EXEMPLO: Um retificador de ½ onda deve retificar uma tensão de 40Vrms para alimentar uma carga de
500Ω.
Determine:
a) valor retificado médio na a carga;
b) corrente na carga;
c) valor máximo da tensão na carga.
Solução:
a) devemos calcular o valor máximo da tensão (Vp ou Vmax):
Vp = Vrms . 1,41 => Vp = 40 . 1,41 = 56,4V
calculando o valor retificado médio na carga:
Vm = (Vp - VD) . 0,318 => Vm = (56,4 - 0,7) . 0,318 = 17,71V

b) a corrente na carga será a corrente média:
17,71V
Im ou Idc = = 35,42mA
500Ω
c) o valor máximo da tensão na carga: Vp - VD = 56,4 - 0,7 = 55,4V
TENSÃO DE TRABALHO DO DIODO:
Na retificação de ½ onda a tensão de trabalho do diodo é a própria tensão de pico da tensão a ser
retificada, na condição de polarização reversa, conforme ilustra a figura abaixo.
A tensão de trabalho do diodo é normalmente definida como tensão
inversa de pico (TIP)
Como o diodo está reversamente polarizado, comporta-se como uma
chave aberta e nos seus extremos estará presente o valor de pico da
tensão a ser retificada, que no caso é: 40 . 1,41 = 56,4V.
Como não circula corrente pelo circuito, a tensão nos extremos de R será
zero.
CAPACIDADE DE CORRENTE DIRETA:
Deve ser pelo menos igual a corrente média através do mesmo.
Vm ou Vdc
Im ou Idc =
R
CORRENTE DE PICO ATRAVÉS DO DIODO (Ip):
Deve ser menor do que a corrente de pico especificada pelo fabricante.
Vp ou Vmax
Ip =
R

RETIFICAÇÃO DE ONDA COMPLETA (COM PONTO DE NEUTRO – CENTER TAP):
Na retificação de onda completa com ponto de neutro, deve-se utilizar um transformador com secundário
dotado de tomada central (CT, do inglês center tap), de forma a fornecer duas tensões de amplitudes iguais porém
defasadas 180º entre si.
As tensões Es1 e Es2 são
medidas a partir do CT
(referencial). A tensão total do
secundário (Es) é a soma das
mesmas.
No instante 1 o diodo D1
estará diretamente polarizado e
conduzindo, enquanto que D2
estará cortado e não conduzindo; no
instante 2 ocorre o contrário, ou
seja, D1 estará cortado e D2 estará
conduzindo.
A tensão retificada média na carga pode ser calculada pela fórmula:
onde:
Vp = valor de pico da tensão ou valor máximo da tensão (Vmax)
Vm = Vdc = valor retificado médio
Vm ou Vdc = (Vp - VD) . 0,637
VD = queda de tensão direta no diodo (0,55 a 0,7V)
0,637 = constante = 2/π
Podemos também calcular o valor
médio retificado pela fórmula:
2Vp ou 2Vmax
Vm ou Vdc = (para diodo ideal, onde VD = 0)
π
Circuito equivalente no instante 1 Circuito equivalente no instante 2
Na carga aparecerá uma tensão (semiciclo) devido a No instante 2 estará presente na carga uma tensão
condução de D1, por estar diretamente polarizado. (semiciclo) devido a condução de D2.
Desta forma, circulará corrente na carga durante os

semiciclos positivos e negativos, caracterizando assim a
retificação de onda completa. Ao se ligar nos extremos da
carga um osciloscópio, será visualizada uma tensão cuja
forma de onda é mostrada na figura ao lado.

TENSÃO DE TRABALHO DOS DIODOS:
Na retificação de onda completa a tensão de trabalho de cada diodo (TIP) eqüivale a duas vezes o valor de
pico da tensão a ser retificada. Portanto:
TIP = 2Vp
CAPACIDADE DE CORRENTE DIRETA:

Deve ser pelo menos igual a corrente média através do mesmo. Como cada diodo opera como um
retificador de ½ onda teremos:
Vm ou Vdc
Im ou Idc = R
2
CORRENTE DE PICO ATRAVÉS DO DIODO (Ip):
Deve ser menor do que a corrente de pico especificada pelo fabricante. Como cada diodo opera como um
retificador de ½ onda teremos:
Vp ou Vmax
Ip =
R
EXEMPLO: Dado o circuito ao lado, calcule:

a) tensão média na carga;
b) corrente média na carga;
c) tensão de pico na carga;
d) tensão de trabalho nos diodos;
e) corrente de pico nos diodos.
Solução:
a) tensão média na carga (Vm):
Es
como Es = 100V, teremos: Es1 = Es2 = = 50V
2
Vm = (Vp - VD) . 0,637 e Vp = Vef . 1,41 = 70,5V
Vm = (70,5 - 0,7) . 0,637 => Vm = 69,8 . 0,637 = 44,46V
b) corrente média na carga:

Vm 44,46V
Im = = = 88,92mA
R 500Ω
c) tensão de pico na carga:

TIP = 2Vp = 2 . 69,8 = 139,6V
d) tensão de trabalho dos diodos:

cada diodo deve suportar no mínimo uma tensão reversa da ordem de 140V
e) corrente de pico nos diodos:
Vp 69,8V
Ip = = = 139,6mA
500Ω 500

RETIFICAÇÃO DE ONDA COMPLETA EM PONTE:
A grande vantagem da retificação de onda completa em
ponte deve-se ao fato de não ser necessário utilizar dois
sinais de amplitudes iguais defasados 180º entre si; isto
significa que pode-se obter uma retificação de onda
completa a partir da rede domiciliar.
A análise do funcionamento de um retificador de onda
completa, baseia-se como nos casos anteriores, no
chaveamento eletrônicos dos diodos.
Devem ser levados em consideração os semiciclos positivo e negativo da tensão alternada a ser retificada.
Durante o semiciclo positivo os diodos D1 e D4 estarão conduzindo por estarem diretamente polarizados,
enquanto que D2 e D3 estarão cortados.
Durante o semiciclo negativo os diodos D2 e D3 estarão conduzindo e D1 e D4 estarão cortados.
Veja nas figuras abaixo as ilustrações do que foi dito acima, para uma melhor compreensão.
D1 e D4 conduzindo; D2 e D3 cortados.
Observa-se que os diodos D1 e D4 ficam em série com a carga.
Então VD = VD1 + VD4
TIP = Vp
D2 e D3 conduzindo; D1 e D4 cortados.
Neste caso, os diodos D2 e D3 estão em série com a carga.
Então VD = VD2 + VD3
TIP = Vp
A forma da tensão na carga é mostrada abaixo.
O valor retificado médio na carga pode ser calculado pela fórmula:
Vm ou Vdc = (Vp - 2VD) . 0,637

EXEMPLO: Calcule a tensão e potência médias em uma carga de 500Ω, em um retificador de onda completa em
ponte, cuja tensão de entrada é 50Vrms.
Solução:
valor de pico da tensão a ser retificada: 50 . 1,41 = 70,5V
Vm = (70,5 - 1,4) . 0,637 = 44,02V
Pm (carga) = 44,022 / 500 = 3,88W

RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA SIMÉTRICO:
O retificador de onda completa
simétrico fornece duas tensões retificadas
simétricas com polaridades opostas, sendo
muito útil quando deseja-se projetar
retificadores para alimentação de
amplificadores operacionais que na sua
maioria necessitam de tensões positivas e
negativas.
Para a obtenção de um retificador
simétrico necessita-se de um
transformador com secundário dotado de
ponto neutro (CT).
A análise de seu funcionamento é
similar a do retificador de onda completa
em ponte. Note que o ponto B é o
referencial e está ligado ao CT. Com isto
a tensão de saída terá polaridades opostas
a partir desse referencial.
No instante 1, o ponto x torna-se
positivo e o ponto y negativo. Isto fará os
diodos D1 e D4 conduzirem enquanto que D2 e D3 estarão cortados.
No instante 2, o ponto x torna-se negativo e o ponto y positivo. Isto fará D2 e D3 conduzir enquanto D1 e
D4 estarão cortados.
Como resultado, em cada carga aparecerá uma tensão retificada de onda completa de amplitudes iguais
porém com polaridades opostas, devido ao referencial representado pelo ponto B, o qual está interligado ao CT.
Entre os pontos A e C será medida uma tensão que é a soma das tensões entre os pontos A - B e B -C.
Observe na figura acima que entre os pontos A e C a tensão é positiva, visto que o ponto A é mais
positivo do que o ponto C; evidentemente, esta tensão estaria invertida se fosse tomada entre os pontos C e A.
A tensão retificada média na carga pode ser calculada pela fórmula:
Vm ou Vdc =
[( Es . 1,41) - 2VD] . 0,637
ou
2
Vm ou Vdc = [(Es1 . 1,41) - VD] . 0,637 ou ainda
Vm ou Vdc = [(Es2 . 1,41) - VD] . 0,637

É importante lembrar que a simetria das tensões na saída do retificador será obtida somente se as tensões no
secundário Es1 e Es2 forem iguais, mesmo que as correntes não o sejam.
EXEMPLO:
Para o circuito abaixo, calcule a tensão e a corrente médias em cada uma das cargas.
Solução:
tensão retificada média nas cargas:
Vm = [(50 . 1,41) - VD] . 0,637 => [(50 . 1,41) - 0,7] . 0,637 => Vm = 44,46V
]
em R1 + 44,46V
teremos: 
em R2 - 44,46V
corrente média nas cargas:
44,46V 44,46V
Im R1 = = 88,92mA e Im R2 = = 37,05mA
500Ω 1,2kΩ
FORMULÁRIO AUXILIAR:
Cálculo de potência:
E2 P
P=E.I P= E = P .R P = R . I2 I=
R R
Cálculo do valor de pico ou valor máximo de uma tensão:
Vp ou Vmax = Vef . 1,41
OBS: Vef = valor eficaz = Vrms

Cálculo do valor de pico a pico de uma tensão (Vpp):
Vpp = 2Vp ou Vpp = Vef . 2,82
Cálculo do valor eficaz de uma tensão:

Vef = Vp . 0,707
Cálculo do valor instantâneo de uma tensão senoidal:

Vinst = Vp . senθ
FILTRAGEM CAPACITIVA
Conectando-se um capacitor na saída de um retificador, nós podemos obter uma tensão na carga que é
aproximadamente constante.
Idealmente, a tensão na saída de um retificador com capacitor de filtro é bem próxima do valor de pico da tensão
retificada, descontando-se o valor da tensão de ondulação (ripple) de pico a pico.
Quanto mais eficiente for o circuito de filtro, menor será a tensão de ondulação e portanto, maior será o
valor médio da tensão na saída.
Aproximadamente, podemos dizer que:
Vrpp
Vdc = (Vp - Vd) -
2
onde:
Vp = Vef ou Vrms x 1,41

Vr (pp) = Valor ret. máximo - Valor ret. mínimo
Vd = tensão no diodo
Vdc = tensão média na carga
A freqüência de ondulação de saída em um retificador de 1/2 onda é igual a freqüência da tensão que está
sendo retificada, enquanto que para retificadores de onda completa, essa freqüência dobra.

CEIFADORES E GRAMPEADORES
Ceifadores e grampeadores são circuitos compostos por diodos para a obtenção de formas de ondas especiais,
cada um deles, desempenhando uma função específica como sugere o nome.
CEIFADORES SÉRIE POLARIZADOS
Nos ceifadores série polarizados adiciona-se uma bateria ou fonte em série com o diodo e com a tensão de
entrada.
Os ceifadores série polarizados podem classificar-se em negativo e positivo, dependendo da posição do
diodo no circuito.
A análise dos ceifadores é bastante simples, sendo bastante útil considerar instantes particulares do sinal
de entrada e sua variação em função do tempo.
Isto significa que, um determinado sinal de entrada pode ser substituído por uma fonte de mesmo valor,
para efeito de análise.
A figura a seguir ilustra um ceifador série polarizado negativo cuja tensão de entrada é de 20VRMS.
Vin = 28,2Vp ou
56,4Vpp
Vout = 18,2Vp
Calibração vertical: 10V/div
Observa-se a existência de uma fonte de 10V em série com o diodo, caracterizando assim a polarização do
circuito. A tensão de pico da tensão de entrada é de 28,2V, pois 20 x 1,41 = 28,2V.
No semiciclo positivo, a fonte de 10V opõe-se a tensão de 28,2Vp, suficiente para polarizar o diodo (neste
caso, diodo ideal) e na saída obtém-se: 28,2Vp - 10V = 18,2Vp.
Durante o semiciclo negativo o diodo estará reversamente polarizado e não circulará corrente pelo
circuito.
Os circuitos equivalentes para os semiciclos positivo e negativo são mostrados a seguir:
A figura a seguir mostra o mesmo circuito, porém com a

fonte de 10V invertida, e uma fonte de entrada de 15VRMS cuja análise é idêntica a anterior, exceção feita pela
polaridade da fonte que está em série com o diodo.
Vin = 21,15Vp ou
42,3Vpp
Vout = 31,15Vp

A figura a seguir mostra um ceifador série polarizado positivo cuja tensão de entrada é 15VRMS. Como no
exemplo anterior, o valor de pico da tensão de entrada é de 21,15V que, poderá ser substituído por uma fonte de
tensão equivalente.
Convém salientar que os ceifadores série negativos e positivos, diferenciam-se unicamente em função do
posicionamento dos diodos no circuito. A polaridade da fonte (bateria) entre o diodo e a fonte de tensão na
entrada, influencia apenas nos valores da tensão de saída do circuito, bem como, no aspecto de sua forma de
onda.
Vin = 21,15Vp ou 43,2Vpp
Vout = - 31,15Vp
Os circuitos equivalentes para os semiciclos positivo e negativo são mostrados a seguir:
A figura a seguir mostra o mesmo circuito, porém com a fonte de 10V invertida, e tensão de entrada de 20VRMS
cuja análise é idêntica a anterior, exceção feita pela polaridade da fonte que está em série com o diodo.
Vin = 28,2Vp ou
56,4Vpp
Vout = - 18,2Vp
CEIFADORES PARALELOS POLARIZADOS

A diferença básica entre ceifadores série e paralelo está no posicionamento da fonte de tensão de
polarização
A figura abaixo ilustra um ceifador polarizado paralelo positivo.
Vin = 28,2Vp ou
56,4Vpp
Vout = -18,2Vp

Observa-se que a bateria de polarização deslocou o nível de corte para -10V em relação ao nível zero, isto
é, aumentando-se ou diminuindo-se a tensão de entrada, o nível de corte permanecerá em -10V, porém a tensão
de saída tenderá a aumentar ou diminuir.
Suponhamos que a tensão de entrada diminua para 15V e mantenhamos a polarização em -10V. O
aspecto da forma de onda na saída é mostrado a seguir:
Vin = 21,15Vp ou
42,3Vpp
Vout = - 11,15Vp

O funcionamento do ceifador polarizado, também pode ser analisado através de circuitos equivalentes.
Vamos supor o circuito com uma entrada de 20VRMS, equivalente a 28,2Vp ou 56,4Vpp.
Consideremos inicialmente o semiciclo positivo, conforme ilustra a figura abaixo:
O diodo comporta-se como uma chave eletrônica fechada e a tensão na saída será a tensão da fonte de
polarização. Aplicando-se LKT ao circuito (desprezando-se a resistência interna da fonte), observa-se que a
tensão nos extremos do resistor de 10k será de 38,2V.
Sendo a tensão na saída - 10V, o nível 0 passará para -10V.
Durante o semiciclo negativo, o circuito equivalente fica com a aparência mostrada na figura abaixo:
Como nestas condições o diodo comporta-se como uma
chave eletrônica aberta, não circulará corrente pelo circuito e
não haverá tensão nos extremos do resistor de 10k. Aplicando-
se LKT ao circuito, observa-se então que a tensão na saída será
-28,2V (a própria tensão de entrada).
A tensão resultante na saída será: -28,2 - (-10) = -18,2V
A figura abaixo mostra um ceifador paralelo negativo.

Observa-se nesse circuito, que apenas a posição do diodo está invertida em relação ao circuito anterior.
Neste caso, por ser um ceifador negativo será aproveitada a parte positiva do sinal de entrada.
Vout = 38,2Vp
Analisemos o mesmo circuito, porém com a fonte de polarização invertida.
Vout = 18,2Vp

Observa-se que a tensão de polarização elevou o nível 0 para 10V. Isto nos faz concluir então que, quanto
maior for a tensão de polarização positiva, menor será a tensão de ceifamento na saída.
Se desejarmos ceifamento positivo e negativo simultaneamente, podemos associar ceifadores em um
único circuito, conforme mostra a figura abaixo:
Observa-se que a tensão V1 é proveniente da bateria de 10V (10Vp) enquanto que a tensão V2 é
proveniente da bateria de 15V (-15Vp). A tensão na saída será então 25Vpp.
Como já foi dito anteriormente, os ceifadores podem operar com qualquer forma de onda de tensão na
entrada.
GRAMPEADORES
Os circuitos grampeadores necessitam além dos componentes dos
circuitos ceifadores, de um capacitor.
A exemplo dos ceifadores, os grampeadores podem também receber
polarização.
Um circuito grampeador típico, não polarizado, é mostrado ao lado:
Um grampeador tem por finalidade levar um sinal da entrada para
saída, abaixo ou acima de um determinado nível,
dependendo ou não se o mesmo for polarizado.
Para se ter uma idéia melhor de seu funcionamento,
consideremos as figuras a seguir, em um grampeador
típico sem polarização, considerando nível 0.
Observe atentamente a relação entre os sinais de
entrada e saída.
Para que não ocorra a deformação na saída do sinal,
os valores de R e C devem ser escolhidos de tal forma
que, a constante de tempo τ = RC seja suficientemente
grande para garantir que a tensão nos extremos do
capacitor, não sofra variação significativa durante o
período em que a tensão assume valor negativo
(intervalo), a qual é determinada pela própria
característica do sinal ( no caso, a freqüência). Tomemos
como exemplo um sinal de entrada cuja forma de
onda é quadrada.
Analisando a forma de onda apresentada na
entrada do circuito, observa-se intervalos entre
t1-t2 e t3-t4, nos quais a tensão é negativa,
polarizando reversamente o diodo.
Levando-se em conta que a freqüência é
de 1kHz, então o período será de 1/T ou seja
1ms. Isto significa que o intervalo de tempo entre
t1-t2, t3-t4 será de 0,5ms.

Para melhor entender o funcionamento de um circuito grampeador, passemos a analisar passo a passo o
funcionamento do circuito mostrado acima, com base no princípio da comutação eletrônica dos diodos.
No instante em que a entrada assuma 10V o circuito
comporta-se conforme ilustra a figura a lado:
O capacitor carrega-se com a tensão de 10V, conforme
polaridade indicada na figura e o diodo atua como uma chave
eletrônica fechada, anulando o resistor de 10k
Isto significa que o capacitor se carregará rapidamente, com
uma constante de tempo praticamente igual a zero (desprezando-se
os valores da resistência interna da fonte e a resistência interna do diodo, por serem muito baixos). Logo τ = RC
= 0.
Levando-se em conta que a tensão de saída é tomada diretamente nos terminais do diodo, então, Vout = 0
para este intervalo de tempo.
Quando a entrada assume -20V, o circuito comporta-se
como mostra a figura abaixo:
Nestas condições o capacitor tenderá a descarregar-se
através do resistor de 10k, cuja constante de tempo τ = RC = 10µF
x 10k = 10ms.
Levando-se em conta que este intervalo de tempo é de 0,5ms, presume-se que o capacitor mantenha sua
tensão durante esse intervalo, não ocasionando uma variação apreciável da tensão em seus terminais. É bom
lembrar que, para que o capacitor descarregue-se totalmente, leva aproximadamente 5τ (cinco constantes de
tempo), o que levaria 50ms.
Desta forma, a tensão na saída será: -20 -10 = -30V
Observa-se que, com a diminuição do resistor de 10k para 100Ω, a forma de onda na saída aparece
distorcida, pois a constante de tempo de 10ms reduziu-se para 1ms.
O grampeador também pode ser polarizado, conforme exemplo ilustrado na figura abaixo:
As formas de onda do sinal de entrada e saída são mostradas abaixo (calibração vertical: 10V/div para as
tensões de entrada e saída).
Observa-se que, em virtude da fonte de polarização de 10V, a tensão de entrada aparece grampeada na
saída ultrapassando 10V acima do nível 0.
Passemos então, a entender melhor o funcionamento do grampeador através dos circuitos equivalentes.
No semiciclo positivo (20Vp) o circuito equivalente tem o

aspecto mostrado abaixo:
O capacitor carrega-se através da fonte e as resistências
internas do diodo e da fonte de polarização, que são muito baixas, e
conseqüentemente com uma constante de tempo próxima de 0.
A tensão no capacitor será então 10V (conforme polaridade
indicada) e a tensão na saída 10V (aplicando-se LKT).
É importante salientar que essa tensão, neste dado instante,
estará 10V acima do nível 0.
No semi-ciclo negativo (-20Vp) o circuito equivalente tem
o aspecto mostrado ao lado:
Como nestas condições o diodo está reversamente
polarizado, a fonte de polarização de 10V deixa de ter função e a
tensão na saída será a soma da tensão de entrada com a tensão armazenada no capacitor no instante anterior.
Assim, a tensão na saída será: -20 -( 10 ) = -30V (LKT)
Esta tensão estará então 30V abaixo do nível 0 e a tensão total
será uma composição da tensão obtida na saída durante o semi-
ciclo positivo com a tensão obtida na saída durante o semi-ciclo
negativo. A figura a seguir ilustra bem essa condição.
Outro exemplo de grampeador polarizado á mostrado abaixo e as formas de onda de entrada e saída são
mostradas:
Pode-se observar que, a tensão da entrada começa a ser grampeada somente a partir de 10V acima do nível 0.
Um outro exemplo de grampeador polarizado é mostrado abaixo e as formas de onda são mostradas a
seguir (calibração vertical: 5V/div para os dois canais).
EXERCÍCIO RESOLVIDO:
Projetar um circuito grampeador para uma tensão de entrada quadrada, simétrica, com 60Vpp de
freqüência 200Hz. A resistência de saída deverá ser de 50kΩ e a tensão de entrada deverá ser grampeada na saída
em15V abaixo no nível 0, sem distorção.
Solução:
Para f = 200Hz o período T será 5ms e T/2 será 2,5ms.

Adotaremos como valor aceitável uma constante de tempo 20 vezes maior do que T/2.
Assim τ = RC = 50ms
Calculando o valor do capacitor:
50 . 10 -3 = 50 . 10 3 C
C = 50 . 10 -3 / 50 . 10 3 = 1µF
O circuito terá então o seguinte aspecto:

DIODO ZENER
O diodo zener é equivalente a uma fonte de tensão CC, quando operando na região de ruptura, isto é, podemos
considerá-lo como uma fonte CC com uma pequena resistência interna.
Sua principal vantagem é manter a tensão nos seus terminais aproximadamente constante. Seu símbolo é
mostrado abaixo:
A figura abaixo mostra a curva característica de um diodo zener (gráfico I -V), onde na região de
polarização direta, começa a conduzir por volta de 0,7V, como se fosse um diodo comum.
Na região reversa, observa-se que na ruptura o joelho (VZ) é

bastante pronunciado, seguido de um aumento de corrente
praticamente vertical. Podemos observar também que a tensão é
praticamente constante (aproximadamente igual a VZ em quase
toda a região de ruptura. O valor de VZ é geralmente especificado
para uma determinada corrente de teste IZT.
A potência dissipada por um diodo zener é dada pela

fórmula:
PZ = VZIZ
Por exemplo, se VZ = 6,2V e IZ = 12mA, então: PZ = 6,2V x 12mA = 74,4mW.
Desde que a potência não seja ultrapassada, o diodo zener pode operar dentro da região de ruptura sem ser
destruído.
Muitas vezes na especificação do fabricante inclui-se também a corrente máxima que um diodo pode
suportar, em função da máxima potência que o mesmo pode suportar. Assim:
IZM = PZM / VZ
onde:
IZM = máxima corrente de zener especificada
PZM = potência especificada
VZ = tensão de zener
Se quisermos saber a corrente especificada de um diodo zener de 6,2V com uma especificação de potência
de 500mW, então:
IZM = 500mW / 6,2v = 80,6mA
Isto significa que, se houver uma resistência limitadora de corrente suficiente para manter a corrente de
zener abaixo de 80,6mA, o diodo zener pode operar dentro da região de ruptura sem se danificar.
Levando-se em conta uma tolerância de 10% (por exemplo), acima ou abaixo do valor de 6,2V, então é
aconselhável para maior segurança recorrer ao procedimento abaixo:
IZM = 500mW / 6,2V(x 1,1) = 73,3mA

Quando um diodo zener está operando na região de ruptura, um aumento na corrente produz um ligeiro
aumento na tensão. Isto significa que o diodo zener tem uma pequena resistência, que também é denominada
impedância zener (ZZT), também referenciada à corrente de teste IZT para medir VZ. Assim por exemplo, para um
diodo fictício 1NZX45, com as especificações VZT = 12V; IZT = 20mA e ZZT = 5Ω, indica que o diodo zener tem
uma tensão de 12V e uma resistência de 5Ω para uma corrente de 20mA.
REGULAÇÃO DE TENSÃO
Para que ocorra o efeito regulador de tensão é necessário

que o diodo zener opere dentro da região de ruptura,
respeitando-se as especificações da corrente máxima. Considere
o circuito ao lado:
A corrente que circula por RS que é a própria corrente

que circula pelo diodo zener é dada pela fórmula:
IRS = (VE - VZ) / RS
Para entender como funciona a regulação de tensão, suponha que a tensão VE varie para 9V e 12V
respectivamente.
Devemos então obter o ponto de saturação (interseção vertical), fazendo com que VZ = 0.
a) obtenção de q1 (VZ = 0), temos: I = 9/500 = 18mA

b) obtenção de q2 (VZ = 0), temos: I = 12/500 = 24mA
Para obter o ponto de ruptura (interseção horizontal), fazemos IZ = 0.
a) obtenção de q1 (IZ = 0), temos: VZ = 9V

b) obtenção de q2 (IZ = 0), temos: VZ = 12V
O gráfico então fica com o aspecto a seguir:
Analisando o gráfico acima, observa-se que

embora a tensão VE varie para 9V e 12V
respectivamente, haverá mais corrente no diodo zener
implicando nas interseções q1 e q2.
Portanto embora a tensão VE tenha variado de

9 a 12V, a tensão zener ainda é aproximadamente
igual a 6V.
Basta para isso comparar a diferença entre q1 e

q2, onde observa-se que a tensão de saída permaneceu
praticamente constante mesmo que a tensão de entrada
tenha variado. Essa é a idéia de regulação de tensão.

DIODO ZENER IDEAL (1ª aproximação) E DIODO ZENER REAL ( 2ª aproximação)
Na primeira aproximação, podemos considerar a região de ruptura como uma linha vertical. Isto quer
dizer que a tensão de saída será sempre constante, embora ocorra uma grande variação de corrente, o que
eqüivale ignorar a resistência zener.
Isto implica que em um circuito o diodo zener pode ser substituído por uma fonte de tensão com
resistência interna nula.
Na segunda aproximação isto não ocorre, pois deve ser levada em consideração a resistência zener. Isto
quer dizer que na região de ruptura a linha é ligeiramente inclinada, isto é, ao variar a corrente, haverá uma
variação, embora muito pequena, da tensão de saída.
Na segunda aproximação deve ser levada em consideração a resistência zener (RZ) em série com uma
bateria ideal. Isto significa que quanto maior for a corrente, esta resistência produzirá uma queda de tensão maior.
Retornando ao gráfico anteriormente analisado, teremos então:
a) tensão em q1 será: V1 = I1 . RZ + VZ
b) tensão em q2 será: V2 = I2 . RZ + VZ
A variação da tensão de saída será dada por:
V2 - V1 = (I2 - I1).RZ ou ∆VZ = ∆IZRZ
Deduz-se então que quanto menor for a resistência zener, menor será a variação da tensão de saída.

EXERCÍCIOS PROPOSTOS
1. Responda às seguintes perguntas:
a) Qual a principal característica de um material semicondutor?
b) Quantos elétrons de valência deve ter um material semicondutor?
c) O que é ligação covalente?
d) O que é dopagem?
e) Qual a finalidade da impureza em uma estrutura cristalina?
f) O que é barreira de potencial?
g) É possível medir a tensão da barreira de potencial de um diodo?
h) Quais os valores das barreiras de potencial de um diodo de silício e de germânio?
i) O que é um semicondutor intrínseco?
j) O que são portadores majoritários e minoritários?
k) Explique o que é uma dopagem do tipo n e uma dopagem do tipo p.
2. Faça o esquema do circuito solicitado:

a) Circuito com um diodo polarizado diretamente.
b) Circuito com um diodo polarizado inversamente.
3. Resolva os problemas que seguem:

a) Determine os valores de tensão de corte e corrente de saturação em um circuito com diodo. Sabe-
se que a tensão de alimentação do circuito é de 12 VCC e o resistor de carga de 2k2 Ω.
4. Relacione a segunda coluna com a primeira.
a. Silício ou germânio puro ( ) Quatro elétrons na ultima camada.

b. Átomo trivalente ( ) Cinco elétrons na última camada.
c.Átomo pentavalente ( ) Característica isolante .
d. Catódo ( ) Material tipo N.
e. Átomo tetravalente ( ) Três elétrons na camada de valência.
( ) Três prótons na última camada.
5. Preencha as lacunas com V para as afirmações verdadeiras e F para as afirmações falsas.

a) ( ) O índio é um tipo de material utilizado na dopagem de um cristal P.
b) ( ) O cristal N recebe átomos pentavalentes na sua estrutura cristalina.
c) ( ) A lacuna é a ausência de elétron na estrutura cristalina.
d) ( ) O cristal P conduz somente em um sentido.
e) ( ) A intensidade da dopagem e a temperatura não influenciam na condutibilidade de um
material semicondutor.
6) Quais das afirmações abaixo são verdadeiras?

a) Um semicondutor intrínseco não conduz corrente elétrica
b) Um semicondutor dopado com impurezas do tipo N é carregado negativamente
c) As lacunas são cargas positivas
d) Um cristal de silício dopado com fósforo é um semicondutor do tipo N
e) Um cristal de germânio dopado com antimônio ligado a outro cristal de germânio
dopado com gálio formam um diodo semicondutor
f) A barreira de potencial impede o trânsito de elétrons através da junção PN
g) A barreira de potencial diminui quando o diodo é polarizado reversamente
Resposta: _________
7. Responda às seguintes perguntas:

O que é retificação?
Qual é a diferença entre a retificação de meia onda e a retificação de onda completa?

Qual é a diferença entre a retificação de meia onda e a retificação de onda completa.?
Em um retificador de meia onda o valor da tensão de pico retificada é igual ao valor da tensão de pico
da tensão alternada? Justifique a resposta.
8. Faça os esquemas dos circuitos:

a) Circuito retificador de meia onda.
b) Circuito retificador de onda completa com transformador.
c) Circuito retificador de onda completa em ponte.
9. Resolva os seguintes exercícios:

Faça o esquema e calcule a tensão VCC na carga, alimentada por um retificador de meia onda. Sabe-
se que a tensão alternada VCA é de 9 V.
10.Qual o valor da tensão VCC retificada por um retificador de meia onda. A tensão alternada tem um
valor de pico de 4V.
11 – Para o circuito calcule:

a) tensão retificada média na carga;
b) corrente média na carga;
c) potência na carga.
12 – Idem ao exercício 11 para:
E = 12Vef e R = 1KΩ
13 – Idem ao exercício 11 para:
E= 24V Vef e R = 500Ω
14 - No circuito ao lado sabe-se que o valor

máxima de tensão é 24V.
a. Calcule o valor retificado médio na carga.
b. Calcule a corrente na carga.
c. Desenhe as formas de ondas nos diodos e na
carga.
15 - Idem ao exercício 14 para:
E = 30V e R = 1KΩ
16 - Para o circuito do exercício 14, Calcule a tensão de entrada (eficaz e pico) para uma tensão de
saída igual a 12VDC
17 - Tendo como tensão de secundário V2 = 40Vef,
calcule: (Usar a segunda aproximação)
a) corrente média na carga
b) corrente média através de D1
c) Corrente máxima em D2
d) Tensão reversa máxima sobre D1
18 – para o circuito , sabe-se que a tensão Es = 225V. Calcule:
a) tensão retificada média nas

cargas;
b) corrente nas cargas;
c) potência nas cargas;
d) qual deve ser a tensão de trabalho
(TIP) dos diodos.
19 - Para o exercício acima desenhe em papel milimetrado A4 a forma de onda das tensões em cada
carga, em escala, especificando os valores máximos e retificados médios para cada uma delas.
20 - No circuito a seguir, sabe-se que a tensão Es = 16Vef.

Calcule:
a) a tensão retificada média na carga;

b) a corrente na carga;
c) a potência na carga;
d) qual será a tensão média na carga se o diodo D1 abrir?
e) desenhe as formas de ondas nos diodos e na carga.
21 - Tendo como tensão de secundário V2 = 40Vrms, calcule: (Considerar diodo ideal)

a) Tensão de pico sobre a carga
b) Tensão média sobre a carga
c) Corrente média pela carga
d) Corrente média em D1
e) Tensão reversa máxima sobre D2

22 - Para o circuito abaixo:
a. Que tipo de circuito é este?
b. Qual o sinal de saída na carga RL e no diodo D1.
c. Para uma tensão de entrada igual a: Vmáx= 6Vef. Qual a tensão DC de saída na carga?
d. Qual o valor eficaz na entrada do circuito? (Multímetro)
23 - Um retificador em ponte de diodos, com filtro

capacitivo, tem uma tensão de pico na
saída de 25V. Se a resistência de carga for de 220W,
e a capacitância de 500uF, calcule:
a) ondulação da tensão de saída
b) tensão média de saída
c) Potência dissipada na carga
d) Responder a, b, c, para resistência de carga de 100W
24- Explique resumidamente o funcionamento de um filtro capacitivo.

_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
25- Quando um diodo qualquer abre no retificador de onda completa em ponte, desta experiência, o
circuito torna-se um filtro capacitivo alimentado por:
a) retificador de 1/2 onda
b) retificador em ponte
c) retificador de onda completa
d) conversor unilateral
26 - Um diodo zener tem as seguintes especificações:

Vz = 20 V
Pzmax = 5 W (potência máxima)
a) Qual a máxima corrente reversa que pode passar por ele?
b) Se a corrente do zener for 20mA, qual será a potência dissipada?
27 - Na figura ao lado, qual o valor aproximado da corrente zener (Iz) para cada uma das
seguintes resistências de carga?
a) RL = 100kW.
b) RL = 10kW.
c) RL = 1kW.
d) RL = 100W.

28 – Para o circuito ao lado determine:
a. Calcule a tensão de saída ( Vout) para

VE = 10V.
b. Calcule a corrente zener.
29. No circuitos ceifadores abaixo, determine a forma de onda de saída (em cima da carga) se uma
onda senoidal de 1 kHz, 10Vp é aplicada à entrada.
a b c
d e
30 - No circuito grampeadore abaixo, determine a forma de onda de saída (em cima da carga) se
uma onda senoidal de 1 kHz, 10Vp é aplicada à entrada.
a b
BIBLIOGRAFIA:
Basic Electronics - Bernard Grobb - Editora McGraw-Hill Kogakusha - Japan

Electronic Circuits -Donald L. Schilling, Charles Belove - Editora McGraw-Hill - International Editions -
Singapore
Eletrônica - Albert Paul Malvino - Editora McGraw-Hill

ANEXOS
CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO

ESPECIFICAÇÕES DO DIODO 1N4001-1N4007

Título do Relatório: USO DO OSCILOSCÓPIO modelo 112A da DEGEM SISTEMS.
Para a figura do osciloscópio (dada abaixo) preencha a função de cada botão / controle / terminal
indicado por sua numeração.
1) Chave tipo pushbutton POWER: Liga / Desliga o aparelho.

2) Terminal CAL 2V: Saída de onda quadrada de 1 kHz. Usada para checar o ganho do amplificador,
testar o cabo do osciloscópio, etc...
3) Controle de intensidade do feixe: ajusta a intensidade do brilho do traço
4) Controle de foco do feixe:________________________________________________________
5) Ajuste de rotação do traço: _______________________________________________________
6) Controle de iluminação da escala: __________________________________________________
7) Controle POSITION / PULL ADD: __________________________________________________
8) Chave AC-GND-DC dos canais CHannel_1 e CHannel_2:_____________________ __________
- Posição AC: Sinais com componentes DC (corrente contínua) ou freqüência abaixo de 10 Hertz são
bloqueados. São mostrados no display sinais alternados acima de 10 Hz.
- Posição GND (GrouND): ___________________________________________________________
- Posição DC:
______________________________________________________________________
9) Conector tipo BNC CH1 (X): ________________________________________________________
10) Chave VOLTS / DIVisão: _________________________________________________________
_________________________________________________________________________________
11) Chave variável de controle dos CH1 e CH2: __________________________________________
12) Seletor do modo vertical:
- Posição CH1 : __________________________ CH2: _____________________________________
- Posição DUAL:
____________________________________________________________________
13) Terminal de terra (GND):
__________________________________________________________
14) Conector tipo BNC CH2 (Y):
________________________________________________________
15) Controle POSITION / PULL INVert: _________________________________________________

16) Controle HOLDOFF: _____________________________________________________________
17) Conector EXTern INput: __________________________________________________________
18) Controle de nível: _______________________________________________________________
19) Seletor de fonte de gatilho (TRIGGER) – gatilho pela entrada:

- CH1: __________________________________________________________________________
- CH: ___________________________________________________________________________
- LINE: Usa a tensão da rede elétrica como fonte de gatilho.
- EXTern: Usa o sinal aplicado na entrada EXT IN (17) como fonte de gatilho.
20) Seletor de acoplamento. Usa o modo de gatilhamento como se segue:
- AC: Os sinais de gatilho são acoplados através de um capacitor ao circuito de gatilho. Sinais de
entrada abaixo de 10 Hz são atenuados.
- High Frequency REJection: Atenua sinais de gatilho acima de 50 kHz.
- TV: Para uso de observação de sinais da freqüência de TV (passos 0,5s até 0,2 µs da chave SEC /
DIV)
- DC: Todos os sinais de gatilho são diretamente ligados ao circuito de gatilho.
* Experimente qual a posição adequada para que o sinal do display fique sincronizado (forma de onda
fique “parada” na tela de forma a poder ser lida)
21) Seletor de borda de início de gatilho: _______________________________________________
22) Chave SEConds / DIVision (segundos por divisão): ____________________________________
23) Chaves do Modo de varredura:
- AUTO: Usada para gatilhamento normal. É a posição mais usada. Funciona normalmente na
ausência de um sinal adequado de gatilho.
- NORMAL: Usada para gatilhamento normal. Pouco usada em nossas medidas. Nada é mostrado no
display na ausência de um sinal adequado.
- SINGLE / RESET: Mostra apenas uma varredura até o RESET. O RESET é feito apertando essa
chave. Usada apenas quando se deseja ver um “sinal único”.
24) POSITION Control: _____________________________________________________________
25) VARIABLE / PULL X 10 MAG control: ______________________________________________
Para iniciar o uso do osciloscópio devemos inicialmente colocar os botões seguindo a marcação
CALibrada (girar totalmente os botões 25 e 11 no sentido horário);
Todos os botões devem estar “apertados” e nenhum deles “puxado para fora”;
Sincronismo em AUTO;
Botão 18 na posição FIXa (travado) e botão 16 na posição NORMal (girar totalmente sentido
anti-horário).
Colocamos a ponta de prova VERMELHA no TERMINAL DE CALIBRAÇÃO (2) e verificamos se
temos uma onda retangular de 2 V (pico a pico) e de período igual a 1 milisegundo (1 ms).
Se tudo isso foi feito e verificado, retiramos a ponta de prova do terminal de teste e podemos
medir: Use o terminal preto ligado ao TERRA do circuito medido e o terminal vermelho ligado ao
ponto cuja tensão queremos medir.

1ª Leitura
Canal 1
Modo: DC AC V1 = ............Volts
Time/div: Frequência: ............hz

Período:..............ms
Canal 1
Volts/div:
Canal 2
Volts/div:
2ª Leitura
Canal 1

Período:..............ms
Canal 1
Volts/div:
Canal 2
Volts/div:
3ª Leitura
Canal 1

Período:..............ms
Canal 1
Volts/div:
Canal 2
Volts/div:
4ª Leitura
Canal 1

Período:..............ms
Canal 1
Volts/div:
Canal 2
Volts/div:

TESTANDO DIODOS
As vezes precisamos testar um diodo retificador, mas O diodo deve estar, pelo menos com um lado,
como fazer isto? desconectado do circuito (o circuito deve estar desligado).
É fácil, mas antes de começarmos vamos falar um pouco Agora só falta fazermos o ajuste de 0 Ohms, para isto basta
sobre multímetros. Um multímetro ou multiteste é um colocarmos as duas pontas em curto e ajustarmos o knob
equipamento muito importante para quem gosta de se de ajuste até que o ponteiro pare em cima da indicação de
aventurar, seja por hobby ou profissão, na eletrônica. Estes 0 Ohms. Em alguns multímetros estes ajuste deve ser
aparelhos nos permitem medir diversas grandezas: verificado sempre que se mudar de escala. Se não for
- tensão elétrica possível "zerar" o multímetro é porque, provavelmente, as
- corrente elétrica pilhas estão descarregadas. Abra o multímetro e troque-as.
- resistência elétrica.
Geralmente temos em um multímetro diversas escalas.
Já sabendo isto vamos testar o diodo:
Estas escalas além de indicar qual a grandeza que estamos - encoste uma ponta de cada lado, se o ponteiro se mover
medindo, também definem o fundo de escala, ou seja, o até um certo valor da escala, (ficar parado próximo ao
máximo valor que podemos medir na mesma. Como centro da escala, não dê muita atenção ao valor) o diodo
exemplo podemos citar o seguinte: na escala de 100 VAC está conduzindo.
(tensão alternada) não devemos medir uma tensão maior
do que 100 VAC com o risco de danificarmos o aparelho. - agora inverta as pontas (faça outra medição), o ponteiro
Hoje em dia além das grandezas já citadas, encontramos não deve se mover. Se isto acontecer o diodo está bom, ou
multímetros que podem medir o ganho de transistores seja, só está conduzindo em um sentido.
(HFE), freqüência, capacitância, etc.
- se nas duas leituras o ponteiro chegar a indicar zero ohms
Existem também multímetros analógicos e digitais. Os o diodo está em curto.
multímetros analógicos possuem diversas escalas e um
ponteiro que corre sobre elas indicando o valor medido. Os - se nas duas leituras o ponteiro indicar infinito (não se
multímetros digitais tem um display que mostram, mover) o diodo está aberto.
diretamente, o valor numérico da grandeza medida.
- se o ponteiro se mover nas duas leituras mas indicar
Se você possuir um multímetro e um diodo, pegue-os para valores (ou posições na escala) diferentes, provavelmente
fazermos os testes. o diodo estará com fuga.
Medindo diodos com um multímetro Cabe lembrar que o lado do diodo que tem uma faixa é o
negativo (cátodo). E o diodo só conduzirá quando neste
analógico: lado estiver encostada a ponta vermelha (este multímetro
Para medirmos um diodo devemos colocar o multímetro na inverte as pontas, lembre-se disto). Desta forma podemos
escala de resistência. até descobrir quem é quem em um diodo quando este
Eu acho interessante que se trabalhe sempre com uma estiver com as marcações apagadas. O lado, quando o
mesma escala, uma que seja a intermediária entre a mais diodo conduz, em que estiver a ponta vermelha será
baixa e a mais alta (as escalas de resistência vem indicadas sempre o cátodo.
assim: X1, X10 , X1K, etc. Estas indicações definem o Experimente fazer testes mudando de escalas de
fator de multiplicação do valor lido na escala do resistência e veja as diferenças, para isto pegue um diodo
galvanômetro. Vamos supor que você está na escala X10 e bom. Mas cuidado se você colocar em uma escala com
o valor lido é 15, na realidade a resistência que você está fator de multiplicação grande ( X1K, X10K, por exemplo)
medindo é de 150 Ohms, 15 X 10 = 150 Ohms. Se você não encoste nas duas pontas com suas mãos ao mesmo
estivesse na escala X1 e a indicação fosse 15 o valor da tempo, pois você poderá errar na leitura. O multímetro
resistência realmente seria 15 Ohms, 15 X 1 = 15 Ohms. estará medindo a resistência do seu corpo junto com o
Deu para perceber como se faz a leitura?) diodo. Experimente colocar na escala mais alta e pegar
É importante lembrar que na maioria dos multímetros uma ponta com cada mão, você verá que o ponteiro se
analógicos ao se colocar a chave na posição para medição moverá. Isto causa um erro na leitura.
de resistência as pontas ficam invertidas (que eu saiba só
multímetros analógicos que possuem circuitos internos Medindo um diodo com um multímetro
para aumentar a impedância de entrada, etc é que não digital:
invertem as pontas), ou seja, a vermelha que é a positiva,
passa a ser a negativa. E a preta que é a negativa passa a Em multímetros digitais teremos, geralmente, uma escala
ser a positiva. específica para medição de semicondutores (diodos,
transistores, etc). Esta escala será representada pela Corrente direta de pico máxima (IFSM - Maximum Peak
simbologia de um diodo. Nos multímetros digitais as Forward Current): limitada pela dissipação térmica do
pontas não se invertem, desta forma a vermelha sempre diodo.
corresponderá ao positivo e a preta sempre ao negativo.
Corrente direta média máxima (IF(AV) - Maximum
Average Forward Current): é limitada basicamente pelas
Vamos logo testar este diodo: características de dissipação térmica do componente
- coloque o multímetro na escala representada pelo (tamanho, etc).
símbolo de um diodo. Provavelmente aparecerá um Corrente inversa máxima (IRM - Maximum Reverse
numero 1 no lado esquerdo do display. Isto indica Current): a corrente inversa se aplicada a tensão inversa
nenhuma circulação de corrente entre as pontas, ou uma contínua máxima (VR). Seria nula em um diodo ideal. Nos
resistência muito alta. Encoste uma ponta com a outra e dispositivos práticos, é bastante pequena em relação à
veja que aparecerá o número zero, ou seja, uma resistência corrente direta. É desprezível na maioria dos casos.
muito baixa.
Faixa de temperatura de armazenagem (TSTG - Storage
- Encoste as pontas no diodo se aparecer um número (o Temperature Range): em vários casos, a temperatura
valor numérico pode variar entre os diversos tipos de máxima de armazenagem é igual à máxima de operação.
multímetros), o diodo estará polarizado corretamente e o Potência dissipada (PD - Power Dissipation): a máxima
lado onde estiver encostada a ponta vermelha será o potência dissipada pelo diodo.
positivo do diodo (ânodo).
Resistência térmica (Thermal Resistance): dada para
- Inverta as pontas, se não aparecer nenhum número junção-ambiente (RJA) ou junção-condutores (RJL).
(continuar o 1 no canto esquerdo do display) o diodo está Indica a oposição que o conjunto oferece à dissipação do
bom, só conduz em um sentido. calor gerado na junção. Seria nula em um dispositivo ideal.
- se na primeira e na segunda medida aparecer um número Temperatura de operação da junção (TJ - Operating
próximo a zero (ou mesmo o zero) o diodo está em curto. Junction Temperature): a máxima temperatura de trabalho
do diodo. Diodos de alta potência em geral usam
- se nas duas medidas o display não indicar nada o diodo dissipadores para manter a temperatura abaixo da máxima
está aberto. especificada.
- se nas duas medidas aparecerem números no display, Tempo de recuperação inverso (trr - Reverse Recovery
provavelmente o diodo está com fuga. Time): o tempo decorrido para o diodo deixar de conduzir,
após a mudança de polarização de direta para inversa.
É super importante ressaltar que, se aqui vimos um pouco Seria nulo para um diodo ideal. Diodos comuns
de teoria de como se faz para testarmos diodos, a prática é apresentam tempos na faixa de microssegundos e diodos
fundamental neste caso. Pegue vários diodos e teste-os, rápidos (para freqüências mais altas), na faixa de nanos
acostume-se com as escalas de resistência de seu segundos.
multímetro. Tente testar leds (que são diodos emissores de
Tensão direta (VF - Forward Voltage): a queda de tensão,
luz), varie as escalas e veja se percebe alguma diferença.
em geral especificada para a corrente nominal. Seria zero
Lembre-se que um transistor bipolar pode ser representado
em um diodo ideal.
como dois diodos e tente testá-lo.
Tensão inversa de pico (PIV - Peak Inverse Voltage): no
Os diodos reais são especificados por diversos parâmetros,
gráfico da Figura 1.4 podemos notar que a tensão inversa é
em geral fornecidos nos datasheets dos fabricantes. Segue
limitada por um máximo absoluto, acima do qual há
relação dos principais, com indicação dos nomes e
ruptura e destruição da junção. O fabricante especifica um
símbolos em inglês porque são assim encontrados em
valor máximo seguro, para operação sem ocorrência da
muitas fontes.
ruptura.
Lembramos que vários parâmetros são dependentes de
outros, em especial da temperatura. Por isso, os fabricantes Tensão inversa contínua máxima (VR ou VDC -
costumam informar as condições de cada valor ou Maximum DC Reverse Voltage): a máxima tensão
fornecem gráficos. contínua de operação. Seria infinita para um diodo ideal.
Tensão inversa repetitiva máxima (VRRM - Maximum
Diodos de junção: principais parâmetros Repetitive Reverse Voltage): a tensão inversa máxima de
Capacitância típica da junção (CJ - Typical Junction operação em forma de pulsos repetidos. Seria infinita para
Capacitance): na polarização inversa, a região de depleção um diodo ideal.
atua como um isolante, formando um pequeno capacitor.
Isso pode ter influência significativa em freqüências mais
altas.
CÓDIGOS DE IDENTIFICAÇÃO NORMALIZADOS DE
COMPONENTES ELETRÔNICOS
Os códigos identificação de componentes eletrônicos, têm por objetivo identificar de forma fácil e
unificada cada um dos dispositivos utilizados em circuitos eletrônicos existentes no mercado.
Os principais códigos normatizados são:
· PROELECTRON
· JEDEC
· JIS
O sistema Proelectron se utiliza principalmente na Europa, enquanto o JEDEC é utilizado pelos

fabricantes norte-americanos e o JIS pelos fabricantes japoneses. Existem também algumas normas
antigas que serão vistas muito superficialmente, vem sendo utilizadas.
1) PROELECTRON
Este sistema é principalmente usado na Europa. O componente eletrônico é designado de dois
modos: comercial ou profissional. Isto é, de acordo com o tipo de aplicação para o qual será dado.
Duas letras + sequência alfanumérica da série (aplicações comerciais)
Três letras + sequência alfanumérica de série (aplicações profissionais)
A primeira letra indica o tipo material:

A: Material com largura de faixa proibida de 0.6 a 1.0 V, como o Ge.
B: Material com largura de faixa proibida de 1.0 a 1.3 V, como o Si.
C: Material com largura de faixa proibida maior que 1.3 V, como o NaAs.
D: Material com largura de faixa proibida menor que 0.6 V, como o InSb.
E: Material composto como o utilizado em gerador por efeito Hall e fotosensores.
A segunda letra indica a aplicação principal e construção, isto é feito para uma maior diferenciação.
A: Diodo de detecção, de comutação, misturador.
B: Diodo de sintonia (capacidade variável).
C: Transistor para aplicações em áudio (Rthj-a> 15 K/W).
D: Transistor de poder para aplicações auditivas (Rthj-a&le 15 K/W).
E: Diodo Túnel.
F: Transistor para aplicações de alta frequência (Rthj-a> 15 K/W);
G: Multichips, etc.;
H: Sonda por efeito Hall;
K: Gerador Hall em circuito magnético aberto;
L: Transistor de potência para aplicações em alta frequência (Rthj-a&le 15K/W).
M: Modulador ou multiplicador Hall;
N: Optoacoplador;
P: Componente sensível à radiação (por exemplo fotodiodo);
Q: Componente emissor de radiação (por exemplo: LED);
R: Componente de Controle ou de comutação com disparo elétrico ou por incidência de luz que
possui uma característica de ruptura (Rthj-a > 15K/W), por exemplo tiristor;
S: Transistor para aplicações de comutação (Rthj-a > 15 K/W);
T: Componente de controle ou de comutação com disparo elétrico ou por incidência de luz possuindo
uma característica de ruptura (Rthj-a&le 15 K/W), por exemplo tiristor.
U: Transistor de potência para aplicações em comutação (Rthj-a&le 15 K/W).
X: Diodos múltiplos: varistor, recuperação " step recovery".
Y: Retificador de diodo, diodo de potência, proteção "de diodo".
Z: Diodo Estabilizador de tensão (Zener).

A terceira letra é utilizada para determinar o tipo de componente, e pode ser: Z, E, ou X.
A sequência alfanumérica que segue às letras é para identificar o componente.
Alguns componentes incorporam outros códigos alfanuméricos, como um sufixo, que nos dá certa
informação adicional.
Podemos destacar os seguintes componentes:
a) Diodo Zener:
Uma letra seguida pela tensão zener ou de quebra deste diodo (a letra V atua como virgula decimal,
se a tensão que estabiliza não é um número inteiro) e onde é apropriado, a letra R (polaridade
inversa). A primeira letra indica a tolerância nominal relativa à tensão de trabalho em %.
A: 1% B: 2% C: 5% D: 10% E: 15%
b) Diodo retificador:
Um número e onde seja apropriada, a letra R (polaridade inversa). O número geralmente indica a
tensão reversa de pico máximo repetitivo.
Para a designação dos diodos de pequenos sinais profissionais, o código de cores é também usado.
A combinação inicial de letras é designada pela cor do corpo do diodo, enquanto são deduzidas as
figuras da sucessão alfanumérica que continua às letras de faixas de cor impressas no diodo. O
cátodo é indicado pela faixa mais larga e corresponde dita faixa a primeira cifra. A seguir é mostrado
dois quadros da correspondência entre as letras e cifras com cores.
Tabela 1
LETRAS INICIAIS COR CORRESPONDENTE
BAV VERDE
BAW AZUL
BAX PRETO
Tabela 2
CIFRA COR DA FAIXA
0 PRETO
1 MARROM
2 VERMELHO
3 LARANJADO
4 AMARELO
5 VERDE
6 AZUL
7 VIOLETA
8 CINZA
9 BRANCO
Exemplos:
BC547B
B: Silício
C: Transistor para aplicações auditivas (Rthj-para> 15 K/W).
547 B: Sucessão alfanumérica de série.
AAZ15
A: Germânio
A: Diodo de comutação
Z: Uso o profissional
15: Sucessão alfanumérica de série

BZY96C3V9R
B: Silício
Z: Diodo Zener
Y: Uso profissional
96: Sucessão alfanumérica de série
C: Tolerância de 5% sobre a tensão nominal que estabiliza
3V9: Tensão nominal 3,9 V.
R: Polaridade inversa.
2) JEDEC
Este sistema é principalmente usado pelos fabricantes americanos. É definido pela norma EIA RS-
236-B, de junho de 1963. O código de referência é apresentado basicamente como:
Um número + N + Sucessão alfanumérica de série
A cifra indica o número de junções do componente (1 para o diodo, 2 para o transistor).
A letra N indica que o material usado é o silício.
Para a designação dos diodos, também existe uma forma através de faixas de cores. Neste caso, a
primeira cifra seguida pela letra N não há correspondência com informação visual. A sucessão
alfanumérica que segue a letra N é codificada por um sistema de faixas de cores com arranjo para as
normas seguintes:
Sucessão de duas cifras: uma faixa preta seguida por duas faixas representam uma cifra cada uma
de acordo com o Tabela 3. Se existe uma letra como sufixo, é codificado com uma quarta faixa de
acordo com a Tabela 3.
Tabela 3
Cifra Cor Letra
0 PRETO -
1 MARROM A
2 VERMELHO B
3 LARANJADO C
4 AMARELO D
5 VERDE E
6 AZUL F
7 VIOLETA G
8 CINZA H
9 BRANCO I
0 PRETO J
Sequência de três cifras: três faixas representando uma cifra cada uma segundo a Tabela 3. Se
existe uma letra como sufixo, se codifica com uma quarta faixa segundo a Tabela 3.
Sequência de quatro cifras: quatro faixas representando uma cifra segundo a Tabela 3. Se existe
uma letra como sufixo, se codifica com uma quinta faixa segundo a Tabela 3.
Para a identificação do cátodo se utiliza na maioria dos casos uma faixa de largura dupla como a
primeira cifra más próxima a este terminal. Em outros casos, o grupo de faixas se agrupa claramente
ao cátodo, tendo que ser lidas desde o cátodo ao ânodo.
Exemplo:
2N5965
2: Duas junções, um transistor.
N: Silício 5965: Sequência alfanumérica de série.

3) JIS
Este sistema é utilizado pelos fabricantes japoneses (JIS – Japanese Industrial Standards). Possui
um código de nomenclatura do tipo para transistores o qual consta basicamente de duas partes:
2S + Sequência alfanumérica de série
4) NORMAS ANTIGAS
Existem uma serie de normas obsoletas na atualidade, mais não entanto estão presentes no
mercado, como o sistema CV britânico ou a norma europeia antiga. Esta última é a más importante.
Seu código de denominação de tipo consiste em:
Dois ou três letras + Sequência numérica de série
A primeira letras é O (dispositivo semicondutor). A segunda e a terceira letras fazem referencia a
classe que pertence:
A: Diodo semicondutor
AP: Fotodiodo
AZ: Diodo Zener
OC, OD: Transistor
Exemplo:
OA90
O: Dispositivo semicondutor
A: Diodo semicondutor
90: Sequência numérica de série

CODIFICAÇÃO DOS SEMICOMDUTORES
DESIGNAÇÃO DE COMPONENTES ELETRÔNICOS
• NORMA EUROPÉIA
Primeira letra Segunda letra Número de série

A - Material semicondutor A - Diodo de detecção.
(germânio) B - Díodo de capacidade variável. Três algarismos para os
C - Transistor de baixa potência para baixas componentes semicon-
B - Material semicondutor frequências. dutores construídos para
(silício) D - Transistor de potência para baixas frequên- uso corrente, em aparelhos
cias. domésticos.
C - Material semicondutor E - Diodo túnel.
(arseneto de gálio) F - Transistor de baixa potência para rádio-
frequências
D - Material semicondutor G - Conjunto de dispositivos vários.
(antimônio de índio) H - Gerador de Hall em circuito magnético
aberto. Uma letra e dois algarismos
R - Material de outro tipo K - Sonda de campo. para os componentes
(sulfureto de cádmio, seleneto de L - Transistor de potência para rádio-frequên- semicondutores não
chumbo, etc.) cias. construídos para uso
M - Gerador de Hall em circuito magnético fe- corrente, em aparelhos do-
chado. mésticos (uso industrial)
N - Dispositivo fotoacoplador
P - Dispositivo sensível à radiação.
Q - Dispositivo gerador de radiações.
R – Retificador controlado (tiristor) de baixa
potência.
S - Transistor de baixa potência para comutação.
T - Retificador controlado (tiristor) de potência
U - Transistor de comutação para grandes po-
tências.
X - Multiplicador de frequência.
Y - Díodo retificador
Z - Díodo zener.
B C 337
• NORMA AMERICANA
Primeiro algarismo Segunda letra Número de série

1 - Diodo. N - Material semicondutor (silício)
2 - Transístor.
2 N 222

Apostila de An 2S11

Uploaded by

Document Information

Original Description:

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Apostila de An 2S11

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

MANUTEN

MANUTENÇÃO DE SISTEMAS INDUSTRIAIS I

Prof.: Wagner Murilo Seko

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 1

ELÉTRONS E PRÓTONS NO ÁTOMO

É de especial importância a quantidade de elétrons na órbita ou camada mais distante do núcleo. A

CONDUTORES, ISOLANTES E SEMICONDUTORES

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 4

A figura ao lado ilustra um bloco de silício onde seus átomos

DOPAGEM DE UM CRISTAL INTRÍNSECO

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 6

A figura ao lado mostra que o número

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 7

JUNÇÃO PN - DIODO DE JUNÇÃO

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 8

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 9

POLARIZAÇÃO DIRETA DA JUNÇÃO PN (DIODO)

Para produzir um fluxo de

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 10

POLARIZAÇÃO REVERSA DA JUNÇÃO PN (DIODO)

A polarização reversa consiste em tornar o anodo mais

Com o aumento da temperatura a corrente reversa (IR) ou de fuga

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 11

Observa-se na curva acima que a

3ª APROXIMAÇÃO - DIODO REAL

Geralmente utiliza-se a segunda aproximação na análise de circuitos com diodos.

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 12

RS = resistor limitador de corrente

Desta forma, RS mantém ID dentro das especificações do diodo.

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 13

1 - Remove-se o resistor de 2kΩ e curtocircuita-se as fontes;

O circuito equivalente Thèvenin é mostrado abaixo.

Vth - (4,8kΩ.I) - 0,7V - (2kΩ.I) = 0

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 14

Calculando a resistência direta para cada medida:

0,75V À medida que a corrente aumenta a RCC diminui.

Calculando a resistência reversa para cada medida:

1ª medida: RR = 25V 30nA = 833MΩ

2ª medida: RR = 50V 65nA = 769MΩ Ao se aproximar da tensão de ruptura a RCC diminui.

3ª medida: RR = 100V 4uA = 25MΩ

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 15

V = tensão direta (VD)

A fórmula a seguir também poderá ser usada:

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 16

Quando um dissipador é acrescentado devem ser levados em conta outros parâmetros:

TJ = (PD . θJA) + TA, em ºC

PD = 20W θJC = 2ºC/W TJ = PD . (θJC + θCS + θSA) + TA

Utilizando a fórmula: I = Io.  e − 1

Podemos também utilizar a fórmula: I = Is.  e − 1

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 18

Se dispusermos de dois valores de VD podemos

A resistência média pode ser calculada pela fórmula:

EXEMPLO 3: Considerando os mesmos dados do exemplo 2, calcule a resistência média do diodo

0,9 - 0,7 0,2

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 19

No Sistema Internacional de Unidades, a freqüência tem como unidade o Hertz (Hz).

O período e a freqüência estão relacionados do seguinte modo:

Para formas de onda senoidais o valor médio Vm = 2Vmáx./π.

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 20

O transformador é um dispositivo elétrico que permite modificar a

SEMICONDUTORES - CONDUÇÃO NO ESTADO SÓLIDO Prof. Edgar Zuim/Wagner 21

Como o diodo comporta-se como uma chave eletrônica