二极管激光器与集成光路

Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits

（美］ A·科尔德伦(Larry A. Coldren)

拉里 ．
（美］ 斯科特 . w. 科尔津(Scott W. Corzine)

史寒星 译

北京邮电大学出版社
·北京·
 Diode Lasers and Photonic Integrated C订cuits
Copyright© 1995 by John Wiley & Sons, Inc.
、
All Rights Re erved. Authorized translation from the English
language edition published by John Wiley & Sons, Inc.
二极管激光器与集成光路
Copyright© 1995 by John Wiley & Sons,Inc.
版权所有 。 经授权由 John Wiley & Sons,Inc 出版的英文版翻译 。

著作权合同登记号 图字： Ol-2004-5833

图书在版编目 {CIP)数据

二极管激光器与集成光路／（美）科尔德伦 (Coldren,L. A. ）,（美）科尔津 (Corzine,S.W. ）编著；

史寒星译．－北京：北京邮电大学出版社， 2006
ISBN 7-5635°'l293-4

T．二．．． II.(1)科．．．＠科．．．＠史 ． ． ． rn.CD 二极管一激光器 研究生 教材

＠光集成电路 －
激光器 研究生 －
教材 N. (DTN248.10TN491

中国版本图书馆 CIP 数据核字 (2006) 第 118368 号

书 名：二极管激光器与集成光路
作 者： （美J 拉里• A•科尔德伦 (Larry A. Coldren) ，斯科特 •W•科尔津 (Scott W. Corzine)
译 者：史寒星
责任编辑：陈岚岚
出版发行：北京邮电大学出版社
社 址：北京市海淀区西土城路 10 号（邮编： 100876)
北方营销中心：电话： Ol0-62282185 传真： 010-62283578
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E-mail: publish@bupt. edu. en
经 销：各地新华书店
印 刷：北京忠信诚胶印厂
开印 字 印 版

本： 787 mmX 1 092 mm 1/16

张：26. 25
数： 653 千字
数： 1�3 000 册
次： 2006 年 12 月第 1 版 2006 年 12 月第 1 次印刷
定

ISBN 7-5635-1293-4/TN • 463 价： 58.00 元

如有印装质量问题，请与北京邮电大学出版社营销中心联系
 致 谢

本教材主要来源于以下两部分： 一 部分是Coldren 教授有关二极管激光器和导波光学

的研究生课程讲义，另 一 部分是Corzine在加州大学Santa Barbara分校(UC-Santa Barba­
ra)撰写的博士论文，该文的主要内容 是具有应变最子阱有源区的垂直腔激光器 。 这两部分
都与众人的贡献密不可分。 虽然讲义的最初目的只是在千补充本领域已有的书籍，但是随
着时间的推移，该课程对讲义的依赖程度越来越大，因此也就有必要撰写 这本教材了。 非常
感谢多年来修习了这门课并批改了作业的出色的学生们，本书的许多重要内容都 是基千他
们在课堂上提出的那些难千回答的问题而写 成的。
在课堂以外，我们与UC-Santa Barbara的其他教职人员以及学生的交互合作，极大地
促进了我们对于本书内容的理解。 这此入员包括：教授Kroemer 、 Dagli 、 Bowers 、 Yeh和
Suemune（现任职千Hokkaido 大学），学生Ran-Hong YanRandy
、 Geels 、 Jeff Scott 、 Bruce
Young 、 Dubravko Babic 、 Zuon-MinChuang 、 Vijay J ayaraman和Radha Nagarajan 。 Dagli教
授提供了大最数值分析的材料，Yeh 教授发现了本书中的多处错误和遗漏，我们要特别对 他
们表示感谢。
最后，感谢Sherene Strobach对千本书的成稿所做的大量工作 。 没有她的协助，我们就
不可能完成 本书的撰写 。

Larry A. Coldren
Scott W. Corzine
 前 言

二极管激光器已经成为重要的商业产品。 从光盘播放机中的读写头到光纤通信系统中
的发射机，二极管激光器已被广泛应用在许多领域。 随着产品的可靠性和制造工艺的提高，
不仅在消费产品中，而且在数据通信网和电信网中，二极管激光器都有了新的应用。 虽然基
“ “ “ “
于GaAs的 短 波长（大约0.7~0. 9 µm)激光器和基千lnP的 长 波长（大约1.3~16
. µm)激
光器仍然能够满足大多数应用的需要，但对千波长更短的可见光范围，以及波长更长的IR
范围，人们的关注程度都在不断提高，并在开发各种相应的实用光源。 对于研究生和有经验
的T程师来说，在这样 一 个飞速发展的领域里，既要掌握基础知识又要了解最先进的前沿动
态就变得非常困难。
本书的目的是为有一定理论基础的学生提供 一 本二极管激光器和相关的集成光路方面
的教科书。 本书所介绍的大多是很前沿的领域，但同时也提供了许多基本的背景材料。 附
录中既包含了各种背景材料，也包含了对一些更为前沿课题的更详细的阐述。 因此通过适
当地使用附录，可以使本书成为不同程度学生的学科教材，并且本书内容完备，自成体系。
本书适合研究生水平。 学生需要掌握基本的本科程度的量子力学、固体物理和电磁场
理论知识，并且最好能够先修 一 门光电子入门课程。 不过，附录1和3介绍了所需的大部分
基础知识。 因此，只要读者能够仔细研读这些附录，即使略微欠缺某些背景知识也可以使用
该书。 实际上，第1章至第3章以及附录1至附录7全面地介绍了大多数种类的二极管激
光器，用这些内容就可以为那些缺乏所需背景知识的学生开设 一 门相对基础的课程。 也就
是说，用这些内容甚至可以开设本科高年级的课程。
另一方面，如果要用本书作为研究生高级教材，则无需包括前 7 个附录的内容（当然，这
些内容仍可以作为参考，随附习题也可以作为作业，以确保学生理解这些内容。 不过，附录
5 阐述了模式增益和损耗的定义，由千业界的很多人士对这 一 概念都不甚了解，因此我们仍
建议复习该附录）。 在较快地讲完前 3 章后，可以进入第 4 、 5 两章，这两章详细分析了增益
和激光器动态。 若要更详尽地分析增益的物理机理，可以讲授附录8至附录12中的某些内
容。 引入这些内容可以为这一 重要问题提供完整的分析。
第6章至第8章分析了有关二极管激光器的各种电磁波问题，这些内容对于理解现代
通信链路和网络中采用的各类先进器件都是比较基本的内容。 不过，把这些材料留到最后，
可以使学生首先对激光器的工作原理有较为全面的理解和掌握，而不至于被侧向波导分析
所需的各种数学方法所困扰。 这样，只通过一门课程就可以获得对激光器工作性能的理解
和分析能力。 第 6 章介绍了微扰和耦合模理论，第 7 章介绍了介电波导分析方法。 第 6 章
是为了强调其内容的普遍性，我们无需了解侧向模式分布的细节就可以推导出这些非常有
用的方法。 利用这些耦合模结果，我们将再次分析光栅和DFB激光器。 多年来，人们用来
• 1 .
分析这些器件的主要都是这些方法。 但是，本书在第3章中，首先利用了精确的矩阵相乘方
法来分析基于光栅的DFB和DBR激光器，由此所得的近似公式与耦合模理论结果推导出
的公式是 一 致的。 由于计算机的普及，以及采用复光栅设计的具有多个独立节段的激光器
的出现，我们认为，应当把矩阵相乘法作为主要方法传授给学生。 垂直腔激光器的出现也证
实了这 一 方法的价值。 然而，应该认识到，耦合模理论有利千将复波导儿何特性的描述简化
为简单的解析公式，这对千设计丁作尤为有用。 第8章将前7章中的大多数知识结合起来，
提供了 一 套相对复杂的集成光路的设计实例。
第7章和第8章还介绍了 一 些基本的数值方法。 随着成本较低的下作站和相关软件的
出现，这些方法在求解复矩阵方程方面的作用日益增加。 第7章为光波导分析引人了有限
差分法，第8章为分析实际的PIC结构而介绍了光束传输法。
与该领域的其他教科书不同，本书是一本工程教材。 学生在深入了解复杂的物理细节
（诸如材料增益过程或者介电波导中的模式耦合）之前，首先应掌握一些能力，即根据对物理
表象的理解来解决一些实际的二极管激光器问题的能力。 这样既可以激励大家学习基础原
理细节，又提供了 一 套T一具，可以将每次学到的新知识点立刻用于解决实际问题。 本书也注
重了描述的准确性和一致性。 比如，书中仔细区分了LED和激光器的内部歉子效益；计算
增益时不但阐明了分析方法，而且显示了与实验数据的一致性。 最后，我们注意将所有章节
和附录中的符号保持一致，从而保证了全书内容的完整性。

Larry A. Coldren
Scott W. Corzine

• 2 .
 目 录

第 1章 绪论... .................................................................. ........................... 1

1. 1 弓l言 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．． ．
． ．． ． ．．
．．．． ．．． ．． ．．．．． ． ．． ．
． ．．．．．．．． ．
．．．．． ．
．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．． ．．．．．．．．． 1

1 .2 固体能级与能带 ．．．．．．．．．．．． ．．．．．． ． ．．．．．．．． ．．．． ．．． ．．． ．． ．．．．．．．．．．

． ．．．．．
． ．．．． ．． ．
． ．．．．．．．．．．． ．．． 2

1.3 自发跃迁与受激跃迁：光的产生............................................................ 3
1.4 二极管激光器中载流子的横向限制：双异质结构…………... …………………… 4
1. 5 用千二极管激光器 的半导体材料 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．． ．．．．．． ．． ．． ． ．．．．．． ． ．．． ．． ．． ． 6
． ．．．

1.6 外延生长技术 ．． ．．．．．

． ．．．．． ．．
． ．． ．． ．．．．． ．． ．． ．．．．． ．． ．． ．．
． ．．．．．．．．．．．
．． ．． ．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．
． 9

实际激光器的电流、载流子和光子的侧向限制…………... …………………… 11
1. 7
习题 ．．．．．．．．．．．．．．．． ．．． ．．．．．．
． ．． ．．．
． ．．．
． ．．．．．
． ． ．． ．．．
． ．．
． ．． ．． ．． ．． ．．．．．．
． ．．．
． ．． ．． ．．．．．
． ．．．．．．．．．．
． ．． ．． ．．．17

第 2章 关千二极管激光器的现象学方法 ..................... …. ．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．． 19

2. 1 弓I言..................................................................... ........................ 19
2.2 有源区内载流子的产生与复合............................................................ 19
2 .3 自发光子的产生与发光二极管............................................................ 21
2.4 激光器腔体内光子的产生与损耗·······································…. ．．．．．．．． ．．． ．．． 23
2. 5 激光器的阙值增益或稳态增益............................................................ 25
2.6 阔值电流和输出功率与电流的关系........................ … ·········….. ．．．．．．． ．．． ．.. 27
2.6. 1 基本的P I
- 特性 ．． ．．．
． ．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．
．．．．．． ． ．． ．．．
． ．．．．．．．． ． ． ．． ．． ．． ．．． ．．． ．．．
． 27

2.6.2 激光器驱动电流对镜面反射率 和腔长的影响………... …………………… 29

2. 7 弛豫谐振与频率响应........................................................................ 32
2.8 实际二极管激光器的特性测试............................................................ 35
2.8. 1 共面激光器 的内部参数：a''T/ ， 和g与1的关系 …... …………………… 35
2. 8. 2 VCSEL 的内部参数： ？和g与J,a和am 的关系 …... …………………… 37
2.8.3 效率与热流.............................................................................. 37
2.8.4 温度对驱动电流的影响............................................................... 38
2.8. 5 导数分析...... ........................................................................... 39

习题 ． ．．． ．．．． ．． ．． ．．
． ．．．．．．．．．
． ．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．
． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．
． ．．．．．． ．．．．．．
．． ．．．
． ．． ．．
． ．．．
． 41

第 3章 二极管激光器的镜面与谐振 ．． ．．．．． ．
．．．．．．．． ．．．．．．．．．． ．． ．．．． ．． ．．
． ．． ．．．
． ．． ．．．
． ．．．．．．．．．．．．．． 44

3. 1 弓I言...... ....................................................................................... 44
• 1 .
 3. 2 散射理论······················································································· 45
3. 3 某些常用元素的S矩阵和T矩阵 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．48
3. 3. 1 电介质界面......... ..................................................................... 48
3. 3 . 2 无不连续点的传输线.......................................... ............ ...... ...... 49
3. 3 . 3 电介质节段和Fabry-Perot标准具．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．51
3 . 3.4F abry-Perot激光器 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．53
3.4 三镜面和四镜面激光腔... .................. ......... ....................................... 54
3.4. 1 =:镜面激光揣............... ......... ................................................... 54
3.4.2 四镜面激光器........................................................................... 57
3. 5 光栅...... ....................................................................................... 59
3.5. 1 弓I言......................................................... .............................. 59
3.5.2 传输矩阵 理论.............................................•·•••·..•••.•••.•••.•...•.••.. 60
3 .5 . 3 光栅的有效镜面模型.................. ................................................ 64
3. 6 DBR激光器 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 66
3. 6. 1 弓I言............······................................................ ······............... 66
3. 6.2 阀值增益和输出功率.................................................................. 66
3. 6. 3 模式选择和调谐性......••••·••·•••. ·••••••.. •••.••... .••••••••••....•••••••••••...•.•. 69
3 .7 DFB激光器 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．71
3. 8 单频激光器的模式压缩比............................................................... ... 74
_
习 题 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．75

第4章 增益与电流的关系 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．78

4.1 弓i言.............................................······................................. ······... 78

4.2 辐射跃迁....................................................................................... 78
4.2. 1 基础定义与基本关系.........•••••·•••..•.•.••.••••.••••••••••••.•••••.••••••...•••.•. 78
4.2.2 辐射跃迁速率的基本描述... .................................................. ·.••.••. 81
4.2. 3 跃迁矩阵元............................................. ..................... •·•·•·•.••.. 83
4.2.4 降低的态密度.............................................······........................ 86
4.2.5 与爱因斯坦受激速率常数的对应关系 ………………………………………88
4. 3 光增益... ....................................................................................... 88
4. 3.1 增益的常规表示..........................................·••••••••.•.••..•• •·•···•.•... 88
4. 3.2 线形展宽.............................................................................. ... 91
4. 3. 3 增益谱的一般特征..................................................................... 94
4 . 3. 4 多体效应·······························.................................................. 95
4 .4 自发发射....................................... ................................................ 97
4.4. 1 单模自发发射速率........................... .....................•••••••••.•.•.•••.••. 97
4.4.2 总的自发发射速率.......................................••••••.••.•.•.•.•.•..••..•...• 9 8
4.4. 3 自发发射因子 ........................................................................ 100
4 .5 非辐射跃迁 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．101
• 2 .
 4. 5. 1 缺陷与杂质复合．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 101
4. 5. 2 表面与界面复合．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．． ．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 103
4 . 5. 3 俄歇复合．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 107
4.6 有源材料及其特性．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 111
4.6. 1 应变材料与掺杂材料．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 112
4.6. 2 常用有源材料的增益谱．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 113
4.6. 3 增益与载流子密度的关系．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 115

4. 6. 4自发发射谱和电流与载流子密度的关系 …………………………………118
4.6. 5 增益与电流密度的关系．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 120
4.6.6 增益的实验曲线．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． l22
4.6. 7 、 杂与温度的影响......... ... ........................ ..................... 123
阱宽度掺
习题..... ·....................... ·........... ·.............................. ... ................. ·...... 126

｝：
第 5 章动态效应..................... ................................. ...... ........................... 130

�: � :;章回顾
5. 2. 1 速率方程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 131
5. 2. 2 稳态解．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 132
5 . 2. 3 稳态多模解．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 136
5. 3 速率方程的微分分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 137
5 . 3. 1 小信号频率响应．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 141
5 . 3. 2 小信号瞬态响应．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．． 144
小信号 FM 响应或频率喃啾．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 147
5 . 3. 3
5. 4 大信号分析．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 150
5. 4. 1 大信号调制：多模速率方程的数值分析……………………………………151
5. 4 . 2 启动时延．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 153
5. 4. 3 大信号频率喃啾．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 155
5. 5 相对强度噪声和线宽 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 156
5. 5. 1 RIN 的常规定义和频谱密度函数．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．． 156
5. 5. 2 Schawlow-Townes线宽．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．． 158

：：
5. 5. 3 Langevin 法．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．． 160

：
5. 5. 4 Langevin 噪声谱密度与 RIN ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· 161
噪声

�: �: � :： ．
5.6 载流子输运效应．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 169
5. 7 反馈效应．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 173
5. 7. 1 静态特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 173
5. 7. 2 动态特性与线宽 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 177
习题.................................................................................... ............... 181
• 3 .
第 6 章 微扰与耦合模理论........................................................................... 183

6. 1 弓言
l ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 183
6. 2 微扰理论 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 184
6. 2. 1 均匀介电微扰 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 184
6. 2. 2屈子阱激光器的模式增益与 折射率微扰的范例 ……………... ………… 184
6. 3 耦合 模理论：两模式耦合.................................................................. 185
6. 3. 1 反向耦合：光栅........................................................................ 186
6 . 3. 2 DFB 激光器．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 193
6 . 3. 3 同向耦合 ： 方向耦合器............................................................... 196
6 . 3. 4 四端口方向耦合器 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 200
6 . 3. 5 同向耦合滤波器与 电光开关．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 202
6. 4 模式激发 ． ．．．．．．．．．．．．．．．． ． ． ． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 206
论 ． ．． ． ．．．
6习；结 ．
． ． ．． ． ． ．．． ． ． ．．．． ． ．． ． ．： ： ：
．
第 7 章介质波导....................................................................................... 210

7. 1 弓I言．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 210

72
. 入射到平面介质边界上 的平面波 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．211
7. 3 介质波导的分析方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 213
7. 3. 1 驻波法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 213
7 . 3. 2 横向谐振．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．． 215
7. 3. 3 截止和＂泄漏”或“准模式” .．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．.．．．．．．．.．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 216
7 . 3. 4 辐射 模 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 217
7. 3. 5 多层波导 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 219
7 . 3. 6 用千任意波导形状的WKB 方法 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 219
7 . 3. 7 用于沟道波导的有效折射率法简介．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 224
7. 3. 8 波动方程的数值求解．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 225
7. 4 导模功率 与有效宽度．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 227
7. 5 名义上导模的辐射损耗．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 230

习题................................................................................................... 234

第 8 章集成光路....................................................................................... 237

8. 1 弓 l 言．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 237
8. 2 采用串联光栅反射器的可调谐激光器和激光器调 － 制器……………………… 237
8. 2. 1 两段 和三段 DBR 激光器 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 238
8. 2. 2 两段器件范例．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 240
8. 2. 3 更宽涸谐范围的四段 DBR ······················································· 243
8. 2. 4 激光器调制器或放大器．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ． ． ． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 246
• 4 .
 8 . 2. 5 激光器－调制器范例 ． ．． ． ． ． ．．．．．． ． ． ．． ． ． ．．
． ． ． ． ． ．． ．． ． ．． ． ． ． ． ．． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ．． ． ． ．． ． ． ． ． ．． ． ． ． ．． ． 252
8. 3 利用方向耦合器实现输出耦合和信号合成的 PIC …………………………… 255
8. 3. 1 采用方向耦合器输出分接的环形激 光器………………………… ……… 256
8. 3. 2 集成外差接收机．．． ．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 258
8. 4 采用同向耦合滤波器的 PIC ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· 262
• 8. 5 分析 PIC 的数值方法． ．． ．． ． ． ．． ． ．． ． ．． ． ．． ． ． ． ． ． ． ． ．． ． ． ． ． ．． ． ． ． ．． ．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 266
8. 5. 1 弓 l 言．．．．．．．．．． ． ． ． ．． ． ． ． ．． ． ．． ． ． ． ． ． ． ．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 266
8. 5. 2 隐性的有限差分光束传播法．．．．．．．．． ． ．．．．．． ．． ． ． ．． ． ．． ． ． ．． ． ． ． ． ． ． ．． ． ． ． ．． ．． ．．． ． ． ．． 267
8. 5. 3 利用光束传播法计算z不变波导的传播常数 …………………………… 269
8. 5. 4 利用光束传播法计算本征模形状 ． ． ． ．． ． ． ． ．． ． ． ． ．． ． ． ． ．． ． ． ． ．． ． ． ．． ．． ． ． ．． ． ． ． ．． ． ． ．． 270
习题................................................................................................... 270

附录 1 固态物理基础回顾．．．．． ． ．． ． ． ．． ． ． ．． ．． ． ． ．． ． ． ． ．． ． ． ．． ． ．． ． ． ． ．． ． ． ． ． ．． ． ． ． ．． ．． ． ． ． ． ． ． ．． ．． ． ． ．． ．． ．．．． 273

Al. 1 最子力学入门．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 273

Al. 1. 1 弓I言 ． ． ． ．． ． ． ．． ． ． ．． ． ． ．． ． ． ．．． ．．． ． ． ． ． ． ．． ．． ． ．． ． ． ．． ． ．． ． ．． ． ． ． ． ．． ． ．． ．． ．． ． ． ．． ． ． ．． ． ． ． ． ．． ． ．． ．． ． 273
Al. 1. 2 屉子阱与束缚电子............................................................... 274
Al. 2 固态物理基础 ． ． ．． ． ．． ． ． ． ． ． ． ．． ．． ． ． ． ． ．． ． ．． ． ． ． ． ． ． ．． ． ．． ．． ． ． ． ． ． ． ．． ．．． ． ．． ． ．． ． ．．．．． ．．． ．．． 278
Al. 2. 1 晶体中的电子和能带 ． ． ．． ． ．． ．． ．． ． ． ． ．． ． ． ． ． ． ． ． ．． ． ．． ． ． ．． ． ．． ． ． ．． ． ．．．．．．．．．．．． ．．． 278
Al. 2. 2 有效质拭．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．． ．． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ．． ． ． ．． ． ． ． ． ． ．． ． ． ． ． ． ．． ． ． ． ．． ． ． ． ． ．． ．． ．． 281
Al. 2. 3 利用自由电子有 （ 效质扯）理论分析态密度… ……… …… …………… 282

附录 2 费米能量和载流子密度与泄漏之间的关系 ……………………………………… 287

A2. 1 常规关系 ． ． ． ．．．．．．．．．．． ．．．．． ． ． ． ． ． ． ． ．． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ．． ． ．． ． ．． ．． ． ． ．． ． ． ． ． ． ． ．． ． ． ． ．．．．．．．．．．．．． ． 287

A2. 2 体材料的近似．．．．．． ． ．．．．． ． ．． ．． ．． ．． ． ． ． ． ．． ． ．． ．． ． ． ．． ．． ． ．． ． ． ． ． ． ． ．． ． ． ． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 289
A2. 3 穿越异质势垒的载流子泄漏 ． ．． ． ．． ．． ． ． ． ． ． ． ．． ．．．．．．．．．．．．． ． ．． ．．．． ．． ． ． ． ． ．． ．． ． ． ．． ． ． ． ．． ． 294
A2. 4 内部鼠子效率 ． ． ．． ． ． ．． ． ． ．． ． ． ．． ． ．． ．． ．．．．．．． ． ．．． ．． ． ．． ． ． ． ． ． ． ． ． ．． ．． ． ．． ． ．． ． ． ．． ． ．． ． ．． ． ． ． ． ．． ． 297

附录 3 简单双异质结构中的光导波引论 ． ．． ． ． ． ．． ． ． ．． ． ． ． ．． ． ． ． ． ．． ．． ． ．． ． ． ． ． ．．． ． ．．．．．．．．．．．．． ．．． ． ．．． 299

． ． ． ． ． ．． ．．．
：： ： ． ．：． ． ． ．．． ．： ：．：
::: � �=平如；匡霆导 ． ． ： ：． ． ：：：
A3. 2. 1 对称平板情况．．． ． ．． ．． ． ． ． ． ．． ． ．． ． ． ． ．．．． ．．．．．．．． ．．．． ． ．． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ．． ． ． ．． ．． ．．． ． ． ．． 300
A3. 2. 2 常规非对称平板情况．． ． ． ．． ． ． ． ．． ． ． ． ． ．．．．．．．．．．．．．．．． ． ． ． ．．．． ．． ． ． ． ． ． ． ． ． ．． ． ．． ．． ．． ．． 301
A3. 2. 3 横向限制因子I'x ••• ••• ••• ••• • •• •• • ••• ••• ••• ••• ••• ••• ••• ••• ••• ••• ••• ••• ••• • •• • •• ••• 302
A3. 3 二维波导的有效折射率法 ． ．．． ．． ．．． ． ．． ． ．． ．． ． ．．． ． ．．．．．．．．．．．．．．．． ．． ．．． ． ． ． ． ． ． ．．．． ． ．． ．． ． 302
A3. 4 远场．． ． ．． ． ． ． ．．．．．．． ． ． ． ． ．． ．． ． ． ．． ． ． ． ．．．．．． ． ． ． ． ． ．．． ． ． ．． ．． ． ． ．． ． ．． ． ． ． ． ．． ． ． ． ． ．． ．．．． ． ．．．．． ． ． ．．．． 305

附录 4 光模式密度、黑体辐射和自发发射因子 …………………………… …………… 308

． 式 ．． ．． ． ． ．． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ． ．
． ：： ： ： ．
：：．： ：：：
： ． ．．． ． ：． ． ．：． ： ：．： ： ： ：．： ． ： ：：： ： ： ：．： ：：：．： ： ： ： ：
． ： ：：
• 5 .
 A4. 3 自发发射囚子 /3,p.. · · · · · · · · · · · · · · · ·.. · · · · ·.. · · ·.. · · · · ·.... · ·.. ·.... · ·.. · · ·.. · · · ·.. · · · · ·.. 309

附录 5 模式增益、模式损耗与限制因子 ......................................................... 311

A5. 1 弓 I 言 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 311

A5. 2 模式增益的经典定义 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 311
A5. 3 模式增益和限制因子 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 313
A5. 4 内部模式损耗 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 315
A5. 5 有源／无源节段腔体的更精确分析．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 315
A5. 5. 1 轴向限制因子 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 315
A5. 5. 2 阙值条件和微分效率 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 317
A5. 6 色散对模式增益的影响 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 319

附录 6 关千增益与自发发射的爱因斯坦方法………...………...………...………...… 320

A6. 1 弓 I 言 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 320

A6. 2 爱因斯坦系数 A 与 B ·································································· 322
A6. 3 热平衡 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 323
A6. 4 增益计算 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 324
A6. 5 自发发射速率计算 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 327

附录 7 周期结构与传输矩阵．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．． 329

A7. 1 弓 I 言 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 329

A7. 2 本征值和本征矢最 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 329
A7. 3 应用于布拉格条件下 的介质堆躲 ．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 330
A7. 4 应用千远离布拉格条件下的介质堆堁 …...………...………...…………… 332
A7. 5 与近似方法的对应关系 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 334
A7. 5. 1 傅里叶极限 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 334
A7. 5. 2 耦合模极限 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 335
A7. 6 布拉格条件下通用的反射率 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 336
习题...................................................... .................. ........................... 337

附录 8 半导体中的电子态．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 340

A8. l 弓 I 言 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 340

A8. 2 电子态的一般描述 ．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．·.................... 340
A8. 3 Bloch函数和动量矩阵元..................... •••••••••••••••••• ••••••••• ••••••••• •••••• 341
A8. 4 橇子阱中的能带结构 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 343
A8. 4. 1 导带 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 343
A8. 4. 2 价带 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 344
• 6 .
 A8. 4. 3 应变最子阱 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 349

附录 9 费米黄金法则 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 353

A9. 1 弓I言 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．． ．．．．．． 353

A9. 2 跃迁速率的半经典推导 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．．．．．．．． 353
A9. 2. 1 情形 I: 矩阵元与终态密度的乘积为常数 ……………………………… 355
A9. 2. 2 情形II ：矩阵元与终态密度的乘积为delta函数 ……………………… 356
A9. 2. 3 情形川：矩阵元与终态密度的乘积为Lorenz i 型…………… ...…… 357
t an
习题................................................................................................... 358

附录 10 跃迁矩阵元 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．． 360

AlO. 1 一般推导．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 360

Alo. 2 与偏振有关的效应．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 362
Alo. 3 扯子阱中包络函数的弓I入．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 364

附录 11 应变带隙 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 366

Al 1. 1 应力和应变的一般定义．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 366
All. 2 应变和带隙的关系．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．． 368
All. 3 应变与 能带结构的关系．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 372

附录 12 俄歇过程的阔值能量 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 373

Al2. 1 CCCH 过程．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 373

Al2. 2 CHHS 和 CHHL 过程 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 374

附录 13 Langevin噪声 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 375

Al3. 1 v n噪声源的特性．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．．．．． 375

Langei
Al3. 1. 1 相关函数和谱密度．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 375
Al3. 1. 2 Langei n
v 噪声相关强 度的计算................................................ 377
Al3. 2 特殊的Langeiv n噪声相关 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 377
Al3. 2. 1 光子密度和载流子密度Langei v n噪声相关… ...…………… ...…… 377
Al3. 2. 2 光子密度和输出功率Langevin噪声相关…… ...…………… ...…… 378
Al3. 2. 3 光子密度和 相位Langei
v 噪声相关
n ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 379
Al3. 3 噪声谱密度计算．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 380
Al3. 3. 1 光子噪声谱密度．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 380
Al3. 3. 2 输出功率噪声谱密度．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 381
Al3. 3. 3 载流子噪声谱密度．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． ．．．．．． 382
习题................................................................................................... 383
• 7 .
附录 14 微扰公式的推导细节 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 384

附录 15 电光效应 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 386

附录 16 有限差分问题的求解 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 391

Al6. 1 矩阵形式．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 391

Al6.2 一维介质平板示例．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 392

附录 17 激光器腔体的优化设计 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 394

Al7.1 一般方法．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 394

Al7.2 特殊情形．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 395
Al7.2.1 情形Al : 固定 L (ai, =aip ) 来优化 L, ············ ············ ········· ······ 395
Al7.2.2 悄形AZ ：固定 L (ai, =l=ai ) 来优化 L, ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· 396
p

Al7.2.3 情形Bl ：固定 L"(L" =O) 来优化 L, ·········································· 396

Al7.2.4 情形B2: 固定 Lp (Lr=l=O) 来优化 L, ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ······ ··· ··· 397
Al7.2.5 情形C: 固定 L p /L, 来优化 L, ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· ··· 398
Al7.2.6 情形D: 固定 La 和儿来优化 Nw （共面激光器）……………………… 398
Al7.2.7 情形E: 固定 L 来优化 Nw(VCSEL) ······································· 399
Al7.2.8 情形A~E 的总结 ．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 399
Al7.3 增益曲线上的最佳工作点............................................................ 400
Al7. 4 增益曲线上偏移的最佳工作点．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 402
Al7.5 其他设计考虑．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 403
Al7.5. 1 高速设计．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 403
Al7.5.2 热效应．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． 404

译者跋...................................................................................................... 405

• 8 .
 第1章 绪 论

言
1. 1 弓l
如同大多数其他类型的激光器一样，二极管激光器的构成是将某种光增益介质置于 一
个光学谐振腔中。 增益介质和谐振腔的设计是现代激光器制作中的关键要素。 增益介质通
常由能够吸收特定波长范围内入射辐射的材料组成。 但是，如果通过注入电能措或者光能
量来泵浦该材料，则材料中的电子可被激发到更高的非平衡能级上，因此通过激发这些电子
产生额外的辐射，可以对入射辐射进行放大而不 是吸收。 如果产生的增益足够克服光学谐
振腔中某一谐振模式的损耗，则称这一模式达到阔值，并且发射出较为相干的光。 谐振腔为
被放大的辐射提供所需的正反馈，由此可以建立激射振荡并将其保持在高于阔值的泵浦水
平。 正如其他任何一种振荡器，其输出功率的饱和值等千输入值减去所有内部损耗的值。
二极管激光器代表了当前许多不同类型激光器中的一类。 其他重要的激光器类型包括气
体激光器和固体激光器这两种，氮氖气体激光器和掺钦YAG（镜铝石榴石）固体激光器是这两
类激光器中最常见的实例。 二极管激光器不同千其他各种类型激光器的主要原因是可以用电
流对其直接泵浦。 通常这将导致更高的工作效率，二极管激光器总的功率转换效率普遍会达
到约50%；而分别由等离子激发或者非相干闪光灯泵浦的气体和固体激光器的效率一般只在
1％的扯级。 不过，某些激光器的效率要高些，例如CO2气体激光器的效率通常高千10%。
由千腔长较长且增益带宽较窄，气体和固体激光器一般比简单的半导体激光器具有更
为相干的光输出。 然而，更为复杂的单频二极管激光器的线宽可以与其相比，达到低兆赫兹
范围。 半导体激光器与其他激光器的另一个显著区别是其净尺寸，气体和固体激光器的长
度通常为几十厘米，而二极管激光器芯片通常只有 一个盐粒大小，不过硬件的安装和封装还
是将有用元件的尺寸增加到了立方厘米的量级。
最后，二极管激光器的另一个属性是其高可靠性或长使用寿命，正因为如此，二极管激
光器被广泛地用千许多重要的应用领域，例如光纤通信系统。 气体或固体激光器的使用寿
命通常为几千小时，而合格的二极管激光器的使用寿命则可高达几百年。 不过，近期出现的
二极管激光器泵浦的固体激光器（例如用二极管泵浦Nd-Y·A G)可以同时提供两种技术的
最佳优点。
本市将尝试介绍一些理解半导体二极管激光器所需的基本要素。 首先，基于附录1给
出的背景知识，描述半导体中的能级和能带；然后介绍光与这些能级的相互作用；再则讨论
通过异质结构对载流子和光子的限制作用来增强这种相互作用；另外，还将简要陈述用千二
极管激光器的各种材料以及如何生长这些材料的外延层；最后，将介绍如何对这些外延层进
行侧向成型从而在实际激光器应用中提供电流、载流子和光子的侧向限制。
. 1 .
 1. 2 固体能级与能带

为了能够理解激光器的增益是如何实现的，我们必须对增益媒质中那些电子能够占据的
能级有所了解。 采用适当的电子势来求解薛定鄂方程可以得到允许的各个能级。 在附录l中
简要回顾了这一 重要的固体物理概念，并且推导了我们随后将用到的其他 一 些函数。 图1.1
简要阐述了在孤立原子和半导体固体中与光致跃迁相关的各个能级，图中垂直方向为电子势。

E,' 导带
-E,
－E, 价带
E

原子 固体

图1. l 在品体中，原子的两个分立能级逐渐演变成含有多个能级的能带

在气体与固体激光器中，环绕气体或固体的主体原子只能轻微地扰动活动原子的能级，
这些能级仍像孤立原子的原始能级 一 样清晰。 例如，在1. 06 µm波长跃迁的掺钦YAG激
4
光器采用了钦原子的 F3/2 能级作为激光器的第二上能态，而用 IIl/2 能级作为激光器的第一
下能态。 由于所涉及的只有这两个原子能级，所以发射或吸收的光子都需具有几乎精确的
能鼠， E21 =hc/1. 06 µm。
另 一 方面，在共价键固体中（例如用千制造二极管激光器的半导体材料），当通过共价键
而形成固体结构时，构成原子的单原子最高能级展宽成能级带，图1.1阐释了这一现象。 为
了便于理解这 一 分裂的原因，我们首先来分析单 一 共价键。 当两个原子非常接近时，原子的
外层价电子可以自适应成为集中在两个原子核之间的具有低能量的成键（对称）电荷分布，
或者成为在两个原子核之间没有电荷的高能量反键（反对称）分布。 换旬话说，由于电子具
有两种方式在两个原子周围进行自我调整，所以 电子的一个孤立能级现在分裂为两个能
级气在共价键中，两个原子的电子都占据能量较低的成键能级（只要其自旋相反），而能扯
较高的反键能级保持为窄。
如果在这两个原子的连线上引入另一个原子，可 能会出现一种既非成键又非反键的新
的电荷分布。 这样，在这两种极端之间形成了第三个能级。 当N个原子在一条直线链上形
成共价键时，在最低能扯的成键态和最高能量的反键态之间出现N个能级，从而构成一个
能带。 在这个原子线性链中，自旋简并允许所有的N个电子处千能带的下一半中，而能带
的上一 半为空。 然而在 一个三维晶体中，能级数目更接近于晶胞的数目，而非原子的数目。
在典型的半导体晶体中，每个初始晶胞对应两个原子。 由此，第 一 个原子填充进入能带的下
一
半（正如线性链一样），而第二个原子进入上一半，因此整个能带为满。
半导体价带山各个单原子被占据的最高原子能级的多次分裂构成。 根据定义，在半导

0 常见的对能级分裂的不正确的解释是泡利不相容原理，该原理禁止多个电子占据相同的能态（并且如其所论，导
致强制分裂）。 实际L，这种分裂是与两个耦合系统的波动方程的求解有关的一种基本现象，它等效地应用千概率 、 电磁
波或任何其他波＂ 它与泡利不相容原理根本无关。
• 2.
体中当T=OK而且没有外界激射时，价带被完全填满。 同样，紧邻的更高的原子能级分裂
成为导带，在无激发的半导体中完全为空。 当对系统施加热或其他能量时，价带中的电子可
能被激发至导带，正如分立原子中的电子被激发至更高一 层的原子能级 一 样。 在固体中，这
种激发在价带中产生空穴（缺失电子），存导带中产生电子，两者都有利千导电。
虽然图1.1显示许多导带 价带能态对都可以与能橄为 E21 的光子相互作用，附录1表
明由千在能量守恒之外还必须要遵循动量守恒，因而对于给定的跃迁能量这种相互作用将
被限制在有限的 一 些能态对之间产生。 为了说明这 一 问题，图1. 2绘出了电子能扯与K矢
屈之间的关系曲线 (E-k) （注意，定最 ==t;k) 。 由千参与相互作用的光子的动扯非常小，导带
与价带之间的跃迁必须具有相同的K矢措，在该图中只允许垂直跃迁。 这 一 事实对于增益
的计算至关重要。

注：图中显不了一个电子从价带中的束缚态(El)跃迁至导带中的自由载流子能态(E2)，该跃迁在价带中留下 r－个
空穴 。 导带底能鼠与价带顶能鼠分别为EC和Ev0

图1. 2 半导体中电子能怅与波数的关系曲线

1.3 自发跃迁与受激跃迁：光的产生

对半导体中存在的能级具有了 一 定的了解之后，我们可以进 一 步分析可能存在的各种

电子跃迁及其与光波的各种可能的相互作用。 图1. 3绘出了各种重要的电子跃迁形式，并
着重强调了与光子（光波拭子）吸收或发射有关的类型。

fE
：主车李扛 匕
Rsp R1 2 R2 1 Rnr

注：前三类代表辐射跃迁，其中或者由光子提供能量来解放电子，或者
由束缚电子释放的能量来产生光子。 第四类表示两种非辐射过程 。
图1. 3 导带与价带之间的电子跃迁

虽然我们考虑的是半导体，但图中只绘出了导带与价带的 一 个能级。 正如上文以及附

录1所述，动量守恒决定了对千某 一 给定跃迁能最，这些能带中只有有限数目的能级对能够
参与到跃迁当中。 事实上，如果不是由于有限的能态寿命而导致的有限的相互作用带宽，只
有 一 对能态对是完全正确的。 不论如何，在计算增益和其他效应的过程中，都需要先找出 一
个能态对的贡献，然后通过积分来包含其他能态对的贡献；因此，只要分析其中 一 个导带－价

• 3 .
带能态对就可以构成完全严格的理论分析基础。
如上所述，必须分别考虑4种基本的电子复合／产生（光子发射／吸收）机制：O自发复合
（光子发射）；＠受激产生（光子吸收）改）受激复合（相干光子发射）；＠非辐射复合。 空心环
代表未填充的能态（空穴），实心环代表被填充的能态（电子）。 由于电子和空穴的密度分别
在靠近导带底部和靠近价带顶部最高，大多数涉及的跃迁都与这些载流子有关。 因此，光子
能措 一 般只略微大于带隙能量，即 E21 = hv�止。 通过某种泵浦方式将导带电子密度增加
至平衡值以上，可以增强与导带中电子有关的各种效应。 当然，即使通过某种泵浦方式使得
导带在一定程度上处千被填充的状态，仍可发生光子吸收。
第 一 种情况(R,p)代表导带中的 一 个电子与价带中的 一 个空穴（电子缺失）自发复合而
产生一个光子的状态。 显然，因为这种情况下发射时间和方向都是随机的，如果这种辐射方
式占据主导地位，将导致相对非相干发射，而且光子无异于构成相干辐射场。 这就是光发射
二极管(LED)的主要机理，在该器件中没有构成光 子反馈。 第二个图描述了光子 吸 收
CR12) 状态，通过激励在导带中产生 一 个电子而在价带中留下 一 个空穴。 第三种过程 CR21)
与第二种过程完全相同 ，只是相互作用的符号相反。 这时， 一 个入射光子扰动系统，激励了
一对电子与空穴复合，同时产生 一 个新的光子。 这正是激光器T作所需的最主要的正增益
机制。 实际上应该知道，光子的受激吸收和受激发射（效应 R21 和 R12) 的净综合将代表入射
辐射场所历经的净增益。
由于自发复合需要电子空穴对的存在，因此其复合速率 一般正比千电子密度与空穴密度
的乘积NP。 在无掺杂的有源区中，电荷中和要求空穴密度与电子密度相等。 这样，自发复合
速率正比于沁。 在类似的无掺杂有源区中，净受激复合（光子发射）依赖千光子的存在，并需
要 一 定程度的电子密度来克服光子吸收。 因此，净受激复合速率正比于光子密度NP 乘以
(N —Nt,），其中沁为电子密度的透明值（即，当 R21 =R12 时），下文将对其做更详尽的阐述。
最后，图1. 3中的第4个图代表了几种非辐射方式，这时一个导带电子可以与一 个价带
空穴复合而不产生任何有用的光子。 相反，能最通过热最形式在半导体晶格中被消耗。 通
过这种方式，这些导带电子没有对增益作出任何贡献，因此应当尽可能避免这些效应。 实际
上，通常有两种载流子的非辐射机制非常重要。 第 一 种涉及激光器有源区中的各种非辐射
复合中心，例如点缺陷、表面和界面。 为 了有效地T作，这些中心无需电子和空穴或者其他
粒子同时存在。 因此，通过这种途径的复合速率一般直接正比于载流子密度N。 第二种机
制是俄歇复合，这时电子 － 空穴的复合能量 E21 以动能的形式传递给另一个电子或空穴。 这
样，再次考虑电子密度和空穴密度相等的无掺杂有源区，由于必须同时存在将要复合的电子
空穴对以及可以接收这一离子化能械的第三方粒子，因此俄歇复合一 般正比千N3 。 附录2
给出了根据电子态密度以及其被占据概率来计算载流子密度的方法，其中一般 用费米函数
来表征该占据概率。

1. 4 二极管激光器中载流子的横向限制：双异质结构

为了使半导体激光器中的增益材料T作，必须用某种外部能源对其进行泵浦或激励。
二极管激光器的 一 个主要属性是可以直接用电流来泵浦。 当然，通过吸收光来产生载流子
也可以激励有源材料，而目这一过程是在制成电接触之前检测半导体材料的一种重要方式。
• 4 .
不过在大部分分析中，我们都将重点讨论在技术上更为重要的直接电流注入法。
图1. 4所示为宽面PIN双异质结构(DH)激光器二极管的示意图，以及能隙、折射率和
所产生的穿过 DH区的光模式分布的横向图 。 如图所示， 一 个无掺杂的有源材料薄层被夹
在P型和N型覆盖层中，这两层覆盖层具有更宽的导带－价带能隙 。 在这种简单的三层结

"1
构中，有源层的典型厚度约为0. l~O. 2 µm 。 由于覆盖层的带隙更宽，因此覆盖层无法吸收
那些由有源区产生的具有较低能扯的光子，即E21 =hv<E.c1 o

ZL
_____r,__
..
X

1^
X
(a) 材料结构示意图 (c) 折射率分布

：二压志二
EL E
X ..
X

(b) 沿着横向的导带和价带能量简图 (d) 沿z向传播的模式的电场分布

图1. 4 双异质结二极管激光器示意图
在这种 DH结构中，对于在正向偏置下分别从N型和P 型 区域注入的电子和空穴，在
横向釭向）上存在一个势阱 。 如(b)图所示，该势阱将这些电子和空穴 一 起捕获并限制千
此，由此增加了它们相互复合的概率 。 事实上，与大多数纯电子电路中采用的半导体二极管
或晶体管所不同的是，我们希望激光器或LED内所有的注入载流子都在其有源区内复合来
形成光子 。 由千简单的PN结理论假设所有进入耗尽区的载流子以近可忽略的复合比率穿
过该区，因此该理论完全不适用千二极管激光器和LED。 事实上，对千激光器和LED的一
＂ ”
个更好的假设是所有的载流子都在I 区内复合 。 附录2还将讨论一种可能的 泄漏电流 ,
这时某些载流子在复合之前以热离子的方式从异型势垒处发射出去。
为了构成光反馈所需的谐振腔，可以利用简单解理形成的端面，因为在半导体－空气界
面处存在较大的折射率阶跃，这一阶跃可以提供约 30 ％的反射率气如图1. 4(c) 所示，带隙
较窄的有源区的折射率n通常要高千覆盖层的折射率，因此以之向为轴向构成一个横向的
介质光波导 。 图1. 4(d)显示为所产生的横向光能鼠密度分布形状（与光子密度或电场幅度
的平方IE尸成正比）。 附录3推导了该光模式的分布形状。 由此，共面波导和两端的垂直
镜面 一 起构成了 一 个完整的谐振腔 。 由于刻面只有部分反射，因此便产生了光输出 。 下文
将分析更为复杂的反射器用以提供更强的反馈以及波长选择性反馈 。 此外我们还发现，如
果采用抗反射锻膜来抑制端面反射，该器件就变成了LED。 下 一 章还将讨论没有反馈时的
激光器情况。
双异质结构的载流子限制效应是现代二极管激光器最重要的特征之一。 在经历了早期
采用同质结或单异质结的诸多努力之后，DH结构的出现使得二极管激光器第 一 次变成现
实。 虽然许多现代的二极管激光器采用比图1.4所示更为复杂的横向载流子和光子限制结
构，但是 DH的基本概念仍然有效。 例如，对于光沿着平行于衬底平面的方向传播的共面激
光器通常与图1.4不同之处在千这种激光器采用较薄的址子阱有源区(d约为10 nm)来

O 译者注：原文为反射系数 。
• 5.
限制载流子，而周围用 一 个中等带隙的分别限制区来限制光子。 图1. 5显示了这种分别限
制异质结构、单量子阱(SCH-SQW)激光器的横向带隙分布形状。 图中还显示了横向的光
能量密度，以表明光子主要受限千外部 异质界面而载流子则受限于内部 量子阱。 附录1将

、一
介绍量子阱有源区的各项优点，而第4章将予以详细讨论。

三仁 三二
E E
E E
E` —
E

(a) 标准SCH (b)渐变折射率SCH (GRINSCH)

注 ： 电场（光子）受限于外侧阶梯或者渐变异质结构；电子则受限千中部的董子阱。

图 1. 5 两种分别限制异质结构 (SCH) 的横向能带分布形状

1.5 用千二极管激光器的半导体材料

制作二极管激光器成功与否在很大程度上取决千所选用材料的特性。 只有少数几种半
导体类型拥有制作优质激光器所需的所有品质。 对千双异质结构，必须找到至少两种可 匹
配的材料， 一 种用于覆盖层，另一种用千有源区。 对千更为复杂的结构，例如上述的SCH,
同一种结构可能需要三或四种不同带隙的材料。 对于这些不同材料的最基本要求是它们具
有相同的晶体结构以及几乎相同的晶格常数，这样便可以在 一 种材料上用外延方式生长另
一种材料的单晶、无缺陷薄膜。 各种缺陷通常会成为非辐射复合中心，从而窃走许多原本可
以提供增益和荧光的注入载流子。 下一节将讨论外延生长的各种技术，但首先我们需要了
解如何选择能够 满足这些基本边界条件的各种材料。
图1. 6 绘出了几种类型的 III-V 族 半导体的带隙与晶格常数的关系， 连接图中各二元
化合物的曲线定义了各种三元化合物。 选择这些 m-v 族化合物（由元素周期表的 III 族和
V族 元素构成）作为材料， 激光器的发射波长范围为0. 7 - 1. 6µm。 这一范围覆盖了重要的
光纤通信波段0. 85µm、 1. 31 µm和 1. 55µm，光纤放大器的泵浦波段1. 48µm和0. 98µm,
掺钦 YAG 的泵浦窗口0. 81 µm，以及目前采用的CD播放器的波长 0. 78µm。 大多数这些
材料在Ek空间内具有直接带隙，也就是说如图
- 1. 2所示，导带底部和价带顶部 具有相同的
K值。 由千等值但反向的电子和空穴的动量相互抵消， 动量守恒自然满足，因此这有利千辐
射跃迁（光子的动扯可忽略不计）。
该图中各连线所代表的三元化合物正是由连线两端点处标识的二元化合物的合金。 各虚
线则代表了间接带隙区域。 由3种二元化合物之间的连线围起的三角形区域代表了四元化合
物，这一 区域明显具有足够的自由度，从而可以无需改变品格常数而以某种方式来调整能隙。
因此，DH 激光器通常需要采用四元化合物，从而可以调节能隙并且同时保持品格匹配。 不
过，在某些特殊的情况下可以采用 一 些更为简单的三元化合物。 如图1. 6所示， AlGaAs 三元
化合物的连线几乎垂直。 也就是说，用 Al 替代 GaAs 中的 Ga 几乎不改变其晶格常数。 因此，
如果采用 GaAs 作为衬底，可以生长任何的 Alx Ga1 x As 合金并且其晶格自然匹配，从而不
会形成任何不适当的失配位错或其他缺陷。 如公式所示，x值决定了 Al 在作为 III-V 族化
• 6 .
合物的III族一方中 的百分比。 AlGaAs/GaAs 系 统 提 供的 激光 器波长范围为 0. 7~
0. 9 µm。 对于该系统的 DH 结构，大约2/3的能带偏移最发生在导带内。

5
Aa
懿淫

05

54 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 6 6.1 6.2 6.3 64 6.5

晶格常数／A

图1. 6 三元化合物的能隙与品格常数之间的关系

长距离光纤通信最常采用的激光器 材料是 InGaAsP/InP 系统。 该四元化合物用 x 和

y值表征，即 In1 "Gar Asy Pl-_v。 该材料生长在 InP 衬底上，形成的各层具有不同的能带隙
并与1. O~l. 6 p.m范围内的不同波长相对应，硅光 纤在该范围内 具有最小的损耗（ 在
1 . 55 µm处）和色散（在1. 3 但 m 处）。 如图1. 6 所示，在 InP 和 InGaAs 二
元化合物之间划一
条直线．就构成了与 InP 晶格匹配的 四元化合物；采用 InP 作为衬底，可以容纳该连线上的
整个范围。 对千确定的品格常数，该四元化合物的x与y值的关系是确定的。 已经证实，
选择 x 约等于0.46y可 导致其品格与 InP 近似匹配。 其三元线端点为In053 Ga 47As。 对于 。
采用该系统的 DH 结构，只有40％的能带偏移量发生在导带内。
采用 Vegard 定律可以更为精确地算出四元化合物的晶格常数，该方法计算的值是所
有4种可能的二元化合物组分的加权平均。 例如，对于 In1工 Ga工 Asy P i - y ，可得
— —
a(x,y) =xya归A,+x(l
—
y)aGaP + （ 1 X)yalnA s + (1 - X) (1 y)a l nP Cl. 1)
类似地也可算出其他合金的晶格常数。 表1.1列出了某些常用材料的晶格常数、带隙、有效质
扯和折射率（有效质植的各个下标 C 、 HH、 LH 和 SH 分别代表导带、重空穴、轻空穴和分裂
带）。 采用与式(1. 1)类似的内推方法还可以得出其他参数（例如带隙），但是许多情况下必须
增加 一个二阶弯曲参数来改善其拟合程度。 此外，如果在同一过程中涉及不同的能带，则必
须格外小心。 例如 在 AIGaAs 中，可以利用 GaAs 和 Al 2Ga 8As 的值进行线性外推来计 。 。
算直至 x 约为0.45的直接带隙 AIGaAs，但却不能算出具有更 高 x 值的间接带隙AIGaAs。
除了上述的各种常见的III-V族化合物以外，表1. 1还列出了一些氮化物。 由千 近期
一些实验成功地表明这些材料制成的LED能够 在高能扯的可见光频谱处发光，这些氮化物
已得到广泛关注。 虽然基于InAIGaAsP 的化合物只能 在红光和近红外区域发光，但是人们
已经证实 了氮化物能够发出蓝光和紫外光。 不过虽然氮化物的主要特征是能够提供较宽能
隙的 系统，但是若要获得高质量的外延层却仍然存在困难，因为目前尚不存在具有相似晶格
常数和热特性的 衬底。 因此，氮化物仍是科研领域的一个热门话题。
• 7.
 为了避免构成足以破坏二极管激光器正常运行的各种缺陷，通常需要晶格匹配。 不过人
们发现，在一定厚度内（约 20 nm)允许微量的晶格失配(�a/a �1% ）可以不产生任何缺陷。 因
此当有源区较薄时，相对千图1. 6 所示或式(1. 1) 得出的晶格匹配条件可以左右略有偏差。 此
时，沉积薄层的晶格必须变形以适合衬底的晶格，但同时它还必须在垂直方向上变形以保持晶
胞体积与未变形时儿乎相等。 图1. 7中的横截面显示了为了容纳微址的晶格失配，晶胞是如
何变形的。 当超过某一临界厚度时，将产生失配缺陷来释放积累的应力。 不过在此之前，这种
应变层可能比那些无应变的结构具有更好的光电特性。 并且如上所述，祖子阱有源区的厚度
比典型的临界厚度更薄，而它可以降低二极管激光器的阙值并改善其热特性。 因此，这些址子
阱也可以是应变层扯子阱而不产生任何不良缺陷。 第4章将详细分析这些结构。

表 1. 1 III-V 族化合物的材料参数

氐／eV
III-V肚化合物 a!A mC m HH mLH m SH c@dc n@E, n@（入 µ m)
OK 300K

GaAs 5.653 3 I.519 1.424 0.067 0.38 0.09 0. 15 1.3.2 3. 62 3,52(0.98)

AIGaAsCO.2) 5.654 8 1.769 1.673 0,084 0,39 0.1 0.16 12.5 3. 64 3.46(0.87);
3.39(0.98)
AlAsQ) 5. 660 2,228 2.153 o. 19 0.48 0.2 0.29 10.06 3.2 2.98<0.87);
2.95(0.98)
在GaAs 上压应变 5.653 3 I.296 1.215 0.059 0.37 0.062 0.11 13.6 3.6
的InGaAs(O.2) o. 078® o. 16®
lnP 5.868 8 I.424 1.351 0.077 0, 61 o. 12 0.20 12.4 3.41 3.210.3);
3.17(1.55)
InGaAsP(1.3 µm) 5.868 8 1.029 0.954 0.056 0.42 0.055 0.1 13.3 3.52 3.40(1.55)
lnGaAsP(1.55 µm) 5.868 8 o. 874 0.800 0.045 0.37 0.044 0.08 13.75 3.55
lnGaAs(l.65 µm) 5.868 8 o. 818 0.748 0.046 0.36 0.041 0.07 13.9 3.56
lnAs 6. 058 3 0.418 0.359 0.027 0.34 0.027 0,05 15.15 3.52
GaPCD 5.450 5 2.35 2.272 0.254 0.67 0.17 o. 46 11.1 3.5
AiPOl 5.463 5 2.505 2.41 0.21 0.51 0.21 0.3 9.8 2.97
AISbOl 6.135 5 I.696 1.63 0,33 0.47 0.16 0,24 12.0 3.5
GaSb 6.095 9 0.811 0. 70 0.041 0.27 0.05 0,08 15.69 3.92
lnSb 6.479 4 0.237 0,175 0.014 0.34 0.016 0.03 16.8 3.5
GaN ：六边形 a = 3.189 3.50 3.39 0.20 8.9 2.67 2.33(l eV)
c = 5.185
AIN: 六边形 a = 3.112 6.28 6.20 8.5 2.15(3 eV)
.� 4. 982

注：心间接带隙。

11111111圃匾 且，旧勹詈
＠共面质量 。

t,I:,I:I:，扣1:-:1:,：因

11111111� 111111111,
压应变 张应变

图 1. 7 将具有更大或更小晶格常数的量子阱夹在中间，可以分别形成压应变或张应变
• 8 .
 1. 6 外延生长技术
为了实现二极管激光器所需的多层结构，需要在某种合适的衬底上生长单一晶体、品格
匹配的各种单晶层并能精确控制其厚度。 我们已经讨论过晶格匹配的问题及其涉及到的一
些材料。 现在简要介绍通过外延方式生长所需薄层材料的儿种方法。
我们将着重介绍当前采用的3种最重要的技术：液相外延( LPE)、分子束外延( MBE)
和有机金 属 气相 外 延 (OMVPE )。 （)MVPE 通 常还被 称为金 属 有 机化学气相沉 积
“ ＂
(MOCVD)，不过追求严格的人不喜欢去掉 外延 一词。 言如其名， 这3种技术分别代表在
液体、真空或流动气体中的牛长。 在液体或中等压力气体中的生长趋于近平衡条件，因此反
应可以既朝着正向进行来增加材料也可以朝着 反向来去除材料，而MBE生长更趋于一种
物理沉积过程。 因此，近平衡过程( LPE和MOCVD) 在生长初期可以更好地去除表面损
伤，而且可以提供对于器件来说至关重要的质最更高的界面。 另 一 方面MBE提供最好的
薄膜均匀性和厚度控制。
图1.8所示为新型 LPE系统的横截面。 在此系统中， 将衬底置千一个石墨划板的凹
处，该划板构成了第二个石墨舟中一系列小槽的底部。 当衬底划入小槽底部时，从填充在这
此小槽中的溶液中将牛长出所需的薄层。 整个装配位千一 个熔炉中，该熔炉的温度受到精
确控制。 控制每次熔化的温度和停留时间的技术有好几种，不过其共同特点是：当衬底晶片
沿着各个小槽底部滑动时，通过缓慢地降低温度可以依次使这些溶液达到饱和。 为了获得
重复性和效率，新型系统都是 通过计算机来控制划板定位和熔炉温度调节的过程。 不过对
千大多数二极管激光器制作，LPE已经迅速被MOCVD所取代。

H， 出 溶液
盲 一 石墨种子托
停

热耦
熔硅管
＾ －
＼＼＼ ＼／＼八八／＼＼＼＼ ＼＼
单环辅助加热器
熔炉壁

图1. 8 液相外延CLPE)系统示意图
一
熔化物通常主要由 种111族金属中构成，其中溶解有其他 一 些组分。 对于InGaAsP
。
生长，熔化物中主要是金属In。 对千1no.s3 Ga 47As 薄膜，熔化物中只添加有2. 5％的 Ga 和
°
6％的As，生长温度为650 C。 对于InP 生长，只加有0.8％的 P。 无需说明，其中添加的掺
杂物数星更少。 因此，LPE生长需要非常精确地称拭各组分的重量，并且 需要非常耐心地
操作。
图1. 9所示为MOCVD系统的示意图。 如图所示，大部分系统由气阀和气体管路系统
构成，用以获得适当的混合气体来输人生长反应器腔体。 衬底位于 一个基座之上，通常用射

• 9 .
频感应或者在某些情况下用电阻加热器来加热该基座。 MOCVD系统可采用低压系统或大
气压系统。 虽然大气压系统可以更有效地利用反应物气体，但薄层均匀性较差，而且在开始
新的薄膜之前．需要很长时间来冲刷反应器。 当各层之间需要非常纯粹的界面时，低压系统
更为常用，而这 一 点对千量子阱结构至关重要。

H2 NN 2 H2 H2 H2 心大流量控制器

有机金属 压力控制器
平
线路 ，针阀』

心有机金属起泡剂
H2 AsH, PH,
TEI三乙基锯
混合线路 P 针阀
TMI三甲基锯
TEG三乙基铢
水冷不锈钢 TMG三甲基稼
法兰盘 InP或GaAs DEZ二 乙基
衬底／ CP2F 二 铁
c 茂 锌
m＼热耦
生长腔

00 节000 压力＝20-200 rnbar

温度＝500-750"C
射频加热 石墨基座 生长速率＝50~400A/mn
过滤器 石苹扦石革管线圈

废气
废气处理
系统

图 1. 9 金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 系统示意图

MOCVD采用的源通常是由各种混合气体（例如三氢化珅As几和三氢化磷PH3 )和各
种用千使凡负载气体饱和的有机金属液体混合构成的。 举例来说，有机金属可以是三乙
基钢和三乙基稼。 掺杂物可以从混合气体或者从液体源中获得。 例如，可以用H2 S或三乙
基锌分别获得N型或P荆掺杂物。
MOCVD的一 个重要问题是其安全性。 问题主要在千那些毒性很强的混合气体。 因
此，MOCVD设备的主要化费用千对气体的精密处理、监控和紧急处理技术。 不过，近年来
已经有很多人研究采用毒性较小的液体源来提供As和P ，例如叔丁基珅和叔丁基磷。 虽然
仍有毒性，但由千这些蒸气压，液体源只释放出微量的有毒气体。 传统的通风柜就可以排解
这些微最气体。 另 一 方面，存储那些混合气体的高压气体圆柱有可能失效并在短时间内释
放出大址的高浓度有毒气体。
图1. 10所示为 采用固体源的 MBE生长腔的横截面示意图。 如图所示，MBE丁作在超高
真空(UHV)状态下。 原子束组分从蒸锁瓶处蒸发，并浓缩在加热的衬底 上。 液氮低温罩保持
系统内部连通从而可以使任何偏离的气体冷凝下来。 为实现化学计量拧制，MBE利用了这一
事实：V族元素比III族元素更为活泼。 这样，当衬底温度足够高时，V族原子将再度蒸发直到
和一 个III族原子结合构成化合物为止。 同时，衬底还必须足够冷以便使III族原子能够附着
在上面。 因此，生 长速率取决于III族流措，而 V 族流最通常要比III族流量高出几倍。
A!GaAs系统的生长温度通常在6oo·c ~6so·c 范围。 然而，山于Al非常容易氧化，而这种氧化
• 10 •
 °
将产生各种非辐射复合中心，因此可以在高于700 C的温度下生长AIGaAs激光器。
IIEED枪

主阀门
衬底旋转托盘

电离计
阀闸

荧光屏 通向可变速马达
和衬底加热器供给

图1.10 分子束外延(MBE)系统示意图

MBE的一大特点是可以 在同一 个腔室内在生长之前或者在生长过程中采用各 种

一
UHV表面 分 析 技术对衬 底进行监 测。 种最为实用的丁具是 反 射高能电子衍射
一
(RHEED)，目前忏何市场可见的MBE系统都将其集成在 起。 该方法可对生长速率做原
位监测，因为当连续沉积多层单 一泄膜时，RHEED图样的强度会相应变化。
已经被开发的还有上两 种技术 的多种 混合形式，即气体源 MBE、金 属有机MBE
(MOMBE)和化学束外延(CBE)。 这些技术对含磷的化合物尤为有用，例如重要的
InGaAsP。 原则上讲，气体源MBE利用各种混合物来生成 各种V族源。 通常，这些气体必
须在到达衬底之前穿过一 个热室来裂化。 MOMBE采用金属有机物作为III族源；同样，该
过程需要 一 定的裂化。 CBE本质上为超低压MOCVD,因为其III 族和V 族 源都与
MOCVD系统的相同。 不过，CBE仍保留了促使MBE产品化的各种UHV表面分析技术。

1. 7 实际激光器的电流、载流子和光子的侧向限制

实际的二极管激光器有两种基本类型：共面腔体型和垂直腔体型。 共面（或边射）型自
20世纪60年代后期起存在至今，而垂直腔剧从1990年左右起才实用化 。 如上文所述，共
面型可以利用一 个简单的解理面 镜面来实现反馈；然而在 垂直腔激光器中，在有源区的下部
和上部必须生长一 个多层的反射结构来构成所需的腔体镜面。 图1. 11显示了两种类型。

共面型 VCSEL

图l. 11 共面激光器和垂直腔表面发射激光器的示意图及所选坐标系
• 11 .
 如图1. 11所示，实际的激光器发射的光必须具有较窄的光束，这意味着需要对有源区
进行侧向成型。 对于共面型情况，通常采用侧向尺寸为几微米的条形激光器。 与之类似，垂
直腔类型通常采用侧向尺寸为几微米的圆点形几何形状。 这种几微米的发光孔径便千耦合
到光纤或其他光学元件中，这是因为这 一 孔径足够窄从而牛成的光波导中只能存在单一侧
向模式，但同时义足够宽从而可以产牛 一 个衍射角度相对较小的光束。
图1. 12所示为共面激光器和垂直腔激光器横截面的扫描电子显微镜图像(SEM)。 如
图1. 11所不，这两种基本类型的二极管激光器采用不同的参照坐标系。 其区别源于我们坚
持将光的传输轴定义为z轴。 该方向义被称为轴向。 两种类型的侧向y向都在衬底平面
上。 如图1. 4所示，对千共面激光器．垂直千衬底的方向为横向x向，而垂直腔激光器的x
向位于衬底平面内并被视为第二个侧向。

·矛 ． ， ｀ ＇， 4 . 土一一
k,
4 久
J ·', ¥r

． 心
上

尸，八

B
(a)共面犁

(b) VCSEL

图l. 12 共面型和谁且腔半导体激光器的横截面SEM

在明确了有源区的侧向成型有利于限制侧向载流子和光子之后，我们还必须考虑侧向
电流限制。 也就是说， 一 旦在侧向上限制了有源区，必须确保所有的电流都注入该区域，而
不会从其他任何无用的分流路径流过。 事实上，电流限制是从宽面激光器向共面条状激光
器或者向垂直腔点状激光器转变所需的第 一 步也是最简单的 一 步。 例如，仅仅通过限制电
接触区域就可以在某种程度上引导电流。 然而，最好的激光器将电流限制与其他技术结合
起来，从而在单 一 结构中在侧向上同时限制载流子和光子。
电流、载流子和光子的侧向限制方式有很多种，甚至存在很多字母缩写来描述这些方
式。 为简化起见，我们着重分析图1. 13所示的儿种典型类型。 (a)、（b)类只提供电流限制；
(c) 类增加了微弱的光子限制；（d）、（ e) 和([)类提供所有3种限制。 这些范例都为共面激光
• 12 •
器而设计，但许多也可用千垂直腔激光器。

H注入
兰号矗芦亨 三聚酰亚胺

(a)氧化条形提供电流限制 注入
（b)质子 提供电流限制 （c)脊形结构提供电流和光子限制

三芷
，扩散
芦卫二尸5詈

(d)蚀刻平台掩埋异质结构(BH) (e)杂质所致的无序BH提供 (f)沟槽衬底BH提供电流、

提供电流、 光子和载流子限制 电流、 光子和载流子限制 光子和载流子限制

图1. 13 异质结构激光器的侧向限制结构

图1. 13(a)所示为简单的氧化条形激光器。 这种条形激光器最易于制造，因为仅仅通

过限制接触面积就可以限制电流注入的面积。 这种激光器具有一定的电流限制，但是没有
载流子或光子限制。 图1.l3(b)中的质子注入结构具有相同的特征，不过其电流限制被扩
展到了有源区。 其T作原理为注入的氢离子（质子）造成损伤并俘获移动的电荷，从而使被
注人材料近乎绝缘。
虽然电流被限制在一定的孔径内，但是没有侧向的异质势垒来为载流子或光子提供势
阱，因此图1.13(a)和(b)的结构被称为增益引导型条形激光器。 这样，注入有源区的载流
子可以沿着侧向扩散，从而导致激光器效率降低。 并且，其折射率在侧向上没有变化从而无
法沿着腔体轴向来引导光子，因此光损耗一般较高。 虽然在二极管激光器的早期、可行的蚀
刻或再生长技术出现之前，这两种结构具有一定的商用价值，但现在很少采用这两种结构。
由于T艺非常简单，实验室仍然采用氧化条形激光器来研究材料的特性。 实际的激光器仍
旧采用质子隔离来限制电流泄漏，但是为了降低损耗并改善其可靠性，通常将注入区域保持
在距离有源区儿个微米以外的位置。
图1. l3(c)所示的脊形激光器将电流限制与微弱的光子限制结合起来。 虽然电流注入
的效率可以很高，但是由千在加丁过程中仅将材料蚀刻到有源区之上的位置，载流子仍然没
有侧向限制。 载流子可以随意在侧向扩散，并且在为增益作出贡献之前就发生复合。 通过
调节蚀刻深度可以产生足够大的有效侧向折射率变化，从而实现具有单一侧向模式的光波
导。 如果蚀刻的深度更深（即深入到有源层内），器件可以支持不止一个侧向模式从而破坏
了与光纤或其他光学元件的耦合。 事实上，即使我们忽略光波导问题，通过蚀刻有源区来侧
向限制载流子也并非 一 种有效方式，因为各种与表面能态有关的非辐射复合可以非常剧烈，
甚至要高于侧向扩散导致的载流子损耗。 由于采用单一外延晶体生长就可以制作脊形激光
器，因此这种激光器仍然发挥着重要的作用。 由于光导波是通过在脊条上加载电介质来实
现的，因此其光损耗可以非常低。 因此，如果要寻求简单的器件制作加丁，这种结构仍然不
失为 一 种很好的选择。
图1.14和图1. 15所示为一组共面型和垂直腔型实验激光器的横截面示意图及其输出
• 13 •
光功率与驱动电流之间的特性。 图中的文字说明给出了 一些具体的相关描述。 随后几章将
详细分析这些激光器的I作原理。
若要实现有效的侧向载流子或光子限制，需要为这些粒子创造 一 个势阱。 正如上文中
对 一 维二极管的横向载流子和光了限制进行的分析（图 1. 4) ，最好的方式是构成 一 个侧向
异质结构。 图 1.13(d)~(f) 列举了 3 种不同的掩埋异质结 (BH) 结构范例。 这些结构可以
将所有所需的电流、载流子和光子限制结合起来，因此自然成为最受欢迎的侧向结构。 除了
图 1. 13(d)~(f) 之外还有许多其他演变形式，但所有的结构都需要二次生长或者固态混合
步骤，除非在预先成型的衬底上采用非常复杂的初期生长过程。

5
/接触

4
Au泣
-SiO,

3 2 1
N-lnP '----­

妥云 壬涯
HR锁膜
P -lnP
R=95%
N-lnP
接触

HR锁膜 10 20 30 40 50
R=80%
偏置电流／mA

注：长300 µm，宽1．2 µm，波长为1. 5 µm的lnGaAsP/lnP BH结构，其刻面锁膜反射率

分别为80％和95%，在波长I. 2 µm的SCH区域内含有压应变的5QW有源区 。
测量温度如图所示 。
(a)
言－

P-Ga,,,In0 ,P
P-（Al(，6G礼盖 、
in P覆盖层
N-GaAs电 扁崭淏 40
电极 之
应变量子阱有源层 P -Ga,,,!_n0 5P 旦
P-(AI,;;Ga,心扣f)5P 哥
nm nm
1 T LT
0 5

贯喜屋应变QW有源层拿o
N-（Al(） 6G丘）（（5 In(）5 P
覆盖层
N-GaAs
x ，分

N-GaAs衬底
0

。
电极 。
p
肋顷
GX
(
A

al的
中
A

SO mW
40
30
20
10

注：高输出功率的波长为690 nm的应变QW AIGalnP/GaAs掩埋脊形结构，其刻面锁膜为6％高

反射。不同功率的远场发射角如图所示 。
(b)

• 14 •
 60
20 °C
l=I 000 µm 40"C
50卜w4 =7 µ 50 °C
111
60°C

；
:S 40 T=Iu 10 K

云3 0
辉20

10
。。 50 100 150 200 250
电流/mA

汴：干法蚀刻脊形波导lnGaP/l;a伈应变QW激光器的SEM照片，该激光器含h金制散热层。图
中显不了器件的长度［4,脊条宽度w和特征温度To。
(c)
图1. 14 折射率引导迎共而激光器实例示意图与测址的输出功率与偏置电流关系曲线

图1. 13 (d)所不为蚀刻平台BH(EMBH)结构，其形成方式是：首先生长平面DH结构，
随后向下蚀刻 一 个窄的平台条形直至穿过有源区，最后再在该平台周围生长 一 层附加的带
隙较宽的晶格匹配半导体材料。 这种再生长材料还必须阻止电流流动，或者通过采用如图
所示的反向偏置结，或者经掺杂成为半绝缘的材料。 后 一 种结构被称为半绝缘平面掩埋异
质结构(SPIBH)。 有关这一 议题的另 一 种值得注意的演变形式是在完成有源层之后立刻停
止第 一 次生长，在有源长条的两侧蚀刻出沟槽，然后再生长几层LPE薄膜来将沟槽拱满，随
后在有源长条之上继续生长。 这种方案非常适用于InGaAsP/TnP系统。 如果在填充沟槽
的过程中多次改变掺杂类型，可以在沟槽内而非在有源长条之上形成阻挡结。 这种双沟槽
平面BH(DCPBH)的另 一 优点是接触面积较大从而串联阻抗较低。
图1. 13(e)所示为这 －BH议题的另一种演变形式。 这里只进行一 次外延生长，但是通过
在生长之后悯节有源条形左右两侧的有源层来增加其带隙。 在所需区域内注入或者通过其他
方式创造各种杂质或空位并使之扩散，可以实现这种侧向选择性调节。 这些扩散粒子导致原
来的包围层和有源层晶格原子相互混合（当扩散粒子从中穿行时，这些原子被迫从 一 点跳到另
一点）。 如图1. 13(e)所示，其产生的BH结构可以提供侧向载流子和光子限制。 对互换区域
内的宽带隙异质结施加较高的导通电压还可以实现电流限制。 这种技术尤其适用于AlGaAs/
GaAs系统，因为Al和Ga离子的尺寸相同，因此可以互换而不改变晶格常数。 该技术的难点
°
在千需要相对较高的温度来实现混合（对千AlGaAs需要在800 C以上高温下待续几个小时）。
图1. 13 (f) 所示为我们要介绍的最后 一 种BH激光器。 这种器件是在预先成型的衬底上
生长形成的。 也就是说，侧向成型的有源区由 一 次性生长完全确定。 不过，更好的 方式是在衬
底成型之前先生长一层外延层，这样可以提供更好的电流限制。 图中所绘的正是这种情况。
这种方案同样也有多种演变形式，但是图1. 13Cf)所示的V型槽激光器具有普遍意义。 这时，
首先在衬底之上生长一 层半绝缘材料外延层，对千lnP衬底需要在该薄层中掺杂铁。 然后蚀
刻 一 个V型槽使其底部穿过半绝缘层扩展到导电衬底。 最后 一 步是生长DH激光器外延层。
但是由千生长的平面化趋势（尤其对于LPE或MOCVD)，在电流受到流动限制的V型槽中会
形成较厚的独立的有源长条。 正如其他情况，有关这种议题也有多种演变形式。 例如，可以略
去初始的半绝缘生长，而最后在有源长条周围实施质子注入来改善电流限制。 因为在定义侧
向异质结构的过程中，有源区无需暴露在空气中，也不会对其造成损伤，因此这种激光器类型
• 15 •
很受欢迎。 这样可以避免非辐射界面复合。 然而，由千这种成型生长对衬底图案的细节形状
以及生长系统的各种参数非常敏感，因此要想实现有源区形成的再生产则颇具挑战性。

L CW, 300 K

:
关4

昌 3

N'GaAs衬底
N或Si衬／氐 W= 1.3 µm, L = I 80 >11n
。。 5 10 15 20
驱动电流/mA

ti ·采川中一应变QW有椋层和尤锻膜刻面的顶部接触的杂质所致尤序BH激光器 。 S1
儿素仵850 °C从上表面扩散导致个源区无序。
(a)

6 40

|－ 勹 5

:3: 4
13
＿ －--伽-
35
30
乏
25 兰
， 20 壬

。 | , /' ／ I 15
1 10
。 5 10 15 20
电流/mA
注．采川3QW 11源区的培益引导型VCSEL结构，通过在有源区上部注入质子来将电流
限制在一定的孔径内 。 被视1I 址器件的电极孔释和注入孔径的直释为a = g = l511m 。
(b)
7

931006b 15 µ_m
叶基座温度23 °C
54 3 2
MUl

IOµm
/�f
(.r
;\f

5 IO 15 20
电流/mA

注·基于半绝缘衬肌的具有蚀刻狈部平台和内腔接触的折射率引导型3QWVCSEL 。 图中给
出不同直种的器件的测员结果 。
(c)
图I. 15 发射波长为980 nm 、 基千GaAs衬底 、 采用应变InGaAs QW的共面型和
垂直）作型激光器示意图和测扯的输出功率与偏肯电流关系曲线

• 16 •
 习 题

（注：以下问题利用了附录1~3的内容。）
1.1 请列举二极管激光器相对千气体和固态激光器的3个优点和缺点 。
1.2 为什么III-V族材料比硅更适宜千制作LED和激光器？
1.3 一个电子被限制在一个宽为5nm、深为100meV的 一 维势阱中。
(a) 存在多少个束缚能态？
Cb) 前3个能态相对千势阱底部的能级是多少？
(c) 如果势阱深度加倍，存在多少个受限能态？
（假设自由电子质最。）
1.4 对于10nm宽的GaAs势阱和AIGaAs势垒，重复习题1.
3。
1.5 10个势阱每个含有两个束缚态， 将其联在 一 起使各个波函数之间略有重叠。 该系统
中存在多少个束缚能态？
1. 6 一
个非常长的一维原子链，原子之间由共价键相 联， 原子中心间距为0.3nm。 根据各
个原子波函数的重叠可以确定该系统的能带结构。 根据式(Al.21)， 某个特定原子能
级的耦合能拭E为0.2 eV。
(a) 计算前两个布里渊区的能带结构。
Cb)计算能带极值处的电子有效质址。
1. 7 一个光源在波长范围0. 4~ 2 .0 µm内发出均匀的光强。 在光源和光频谱分析仪之间
放置一片抛光的GaAs晶片，其两个表面都锁有抗反射涂层。
(a) 简单画出接收到的波长谱形状 。
Cb)图1.3中的哪种过程是构成该频谱的关键？
1.8 用 发射波长为850nm的GaAs激光器代替习题1.7中的光源，我们发现 99. 5％的入
射光都被GaAs晶片吸收 。 现在将 一 个Ar离子激光器的波长为488nm的发射光入
射到该晶片的同一处位置上。
(a) 当Ar离子激光器的功率增加到3W时，GaAs激光器光的吸收抵降低到 50%。
假设系统的散热性很好，解释这 一 现象的原因。
Cb)进一步增加Ar离子激光器的功率，我们发现在大约10W处，GaAs激光器的光
穿过晶片没有任何衰减。 再次忽略热效应，解释为什么需要10W而不是大约
6W来达到透明状态 。
1. 9 要实现很好的载流子限制，准费米能级应当比T作温度为T的鼠子阱的顶部低 5kT。
°
在某－GaAs鼠子阱SCH 激光器中， 有源区的T什 作温度为125 C。 如果屈子阱宽为
18
80 A， 分别限制区应含有多少铝才能为载流子密度为4Xl0 cm-3的导带提供所需的
5kT的差值？
1. 10 Ca)对于300K下的体材料GaAs和lnGaAsP(1.
3 µm)，绘出导带的载流子密度与准费
米能级之间的关系。 其中载流子密度的范围为1X10
17
~ 1X 1019 cm-- 3，用对数刻度
表示载流子密度轴。
(b)对千AlGaAs/GaAs体材料DH结构，根据上述结果 ，回答习题1.9。
• 17 •
 “
对于两个维度都很小的 最子线 势阱，计算态密度与能量的关系。 即，假设z向的尺
”
1.11
寸很大()>10 nm) ，只有从具有准连续的态能最。
1. 12 计算拱子 阱的态密度与动屈的关系。
1.13 推导公式CA3.3)。
1. 14 一个DH激光器由厚为0.2 µ m的lnGaAsP有源区夹在lnP覆盖层之间构成，在这
个简单的三层波导的横向上限制有光子 。 有源区的带隙波长为1.3 µ m。

(a) 这个平板波导中存在有多少个横向TE模？
(b)绘出最低阶TE模的横向电场。
(c) 相对千有源区内的峰值，在有源层 覆盖层界面之上0. 5 µ m处的能量密度是
－

多少？
（d)导模的有效折射率是多少？
(e)横向限制因子是多少？
1. 15 假设利用习题1.14中的DH激光器 来构成一个 具有宽2 µ m的有源区和lnP侧向覆
盖层的BH激光器，如图l.13(d)所示：
(a) 二维导波基模的有效折射率是多少？
(b)有可能有多少个侧向模式？
(c) 基模的侧向限制因子是多少？
1. 16 在整个激光器结构上蚀刻 一 个5 µ m的方柱可以构成VCSEL，这样便在侧向表面上

形成了非常大的折射率不连续 。 假设所有谐振模的轴向传播常数都相同，最低阶模
式的波长为1.0 µ m，请绘出含有前6个侧向模式在内的模式谱。
1.17 推导公式(A3. 14)并验证公式(A3. 15)。
1. 18 如果VCSEL或共面激光器的侧向尺寸足够小 ，可以用侧向尺寸效应来修正电子和
空穴的态密度 。 采用 具有80A厚的 GaAs量子阱有源区和高势垒的VCSEL材料，
可以构成具有各种侧向宽度的器件 。 当器件的宽度达到多窄时，侧向尺寸效应可以

导致最低的态能措上移10 meV（在室温下约为一kT)？其中忽略任何间接的表面
2
能态钉扎效应。

• 18 •
 第2歆 关千二极管激光器的现象学方法

言
2. 1 引

本章将基千一 些现象学的讨论来建立一 套从主程角度研究二极管激光器特性的T具。

首先我们建议读者参照附录来复习 一 下其中涉及到的 一些物理背景。
本章一 开始将针对双异质结构有源区中载流子的流动及其最终的复合建立一 套速率方
程模型。 一
些电子窄穴对之间的复合将通过自发辐射 产生光子。 这种非相干光在 LED 中
非常重要，我们将用一个小节来推导与 LED 工作有关的公式。
第2.4至2. 6节将系统地推导二极管激光器的直流光电特性。 首先，我们将建立激光器
腔体内光子产牛与损耗的速率方程。 该方程将表明只有 一小部分自发产生的光会对激射模式
有所贡献。 而大部分的激射模式源于载流子的受激复合。 所有由某 一特定模式下的光激射而
复合的载流子都对同 一模式贡献更多的光子。 因此，这种受激载流子复合及光子产生的过程
是 一种增益过程。 接下来将分析激射的阙值增益，并显示该增益就是用来补偿腔体损耗所需
的增益。 达到该增益所需的电流被称为阙值电流，该电流恰好可以为没有用的非辐射复合过
程和自发复合过程提供足够的载流子。 当电流超过阙值后，这些过程将锁定在其阙值处。 在
阙值以上，所有由额外注入的在有源区复合的载流子所生成的光子都位千激射模式内。 其
中 一 部分光子从两端的镜面逃逸出来；其他的光子则被腔体内的各种光损耗吸收。
第 z. 7节将分析激光器的调制，并第 一
次求解调制电流的速率方程。 在小信号调制下，
载流子和光子的速率方程类似千 RLC 电路中用来表述电流与电压的微分方程。 因此，光调
制响应具有 一 定的谐振频率，并且在该频率以上迅速衰落。
最后，本章将简要介绍 一 些用来表征实际激光器特性的方法。 用这些方法可以提取出
在理论推导中使用的许多重要的器件参数。 这些方法还可以为光电子光路设计提供许多实
际的结点参数。

2.2 有源区内载流子的产生与复合
在上 一 章中，图1. 4 、图1. 5 和图1. 13 的文字说明考虑了注入二极管激光器或 LED 结
点处的电流，并指出最好所有的电流都能生成会在有源区复合的电子和空穴。 然而，在实际
情况下只有注人电流I的一部分刀，能够产生这样的载流子。 图2.1再次通过能带与衬底深
度之间的关系简图更准确地阐述了在双异质结构有源区中注入载流子的过程。
有源区：载流子复合并产生有用的增益与光子发射的区域。
在 PIN 二极管中，为了获得有效的注入，有源区通常是其耗尽区内能带最低的区域。 不
• 19 •
 ”
过，将周围的一 些过渡能带区域包含在内有时候更为恰当。 并且在此定义中，“有用的 是 一
个操作性词汇。 有时候在器件的其他区域也会在 一 些无用的波长处产牛光子发射甚至增益。
内部址子效率 r; ,：结点电流中能够在有源区产牛载流子的比率。

延生长
1
『

广—N
＾
-t一
1

£,一正邑 ------------
电子

E， E,
------ ，，＇ 已；；亡工苍态－－
.:: £,.,
空穴
P 触极

图2. 1 正向偏置的双异质结构二极管的能带图

很重要的 一 点是，该定义包含了所有注入有源区的载流子，而并非只是在所需的跃迁能
抵处通过辐射复合的载流子。 很多文献对这 一 概念有所误解。
本节还将特别分析那些没有掺杂或者微拭掺杂的有源区域。 这样，在LED和激光器常
有的高注入电流情况下，载流子的电中性迫使有源 区内的电子密度和空穴密度 相等，即
N=P。 这样，我们仅需跟踪电子密度N，并可极大地简化分析。
有源区内的载流子密度受控千 一 种动态过程。 实际上，我们可以将在有源区建立某 一
稳态载流子密度的过程与在 一 个被同时注水和排空的蓄水池里建立某 一 水平面的过程相对
比。 图2.2以图解方式显示了这 一 过程，其注入电流同时用于产生载流子并造成各种辐射
和非辐射复合(LED或低千阙值的激光器）。 我们会在下文中逐步定义各种注入（产生）与
排空（复合）的术语。 图2.2中阐述的电流泄漏主要来源千有源区周围各种可能的分流路
＂ ＂
径，它将导致刀，降低。 载流子泄漏 R1来源于在复合之前从有源区 溅出 的载流子（通过热
离子发射，或者如果没有侧向限制存在的话则通过侧向扩散的方式）。 这样，这种泄漏将导
致有源区内本可以用来产生光的载流子有所损耗。

R", R、， ，

图2. 2 供给和泄漏同时存在的蓄水池，该菩水池可类比于一个DH有源区

对于DH有源区而言，注入电流提供了 一种产生项，而各种辐射与非辐射复合过程以及
载流子泄漏提供了各种复合项。 由此，可以将速率方程写为
dN－＝
石 c.,n—R"' (2. 1)

其中Gk”是有源区内每单位体积的注入电子速率，R"' 是相应的复合电子的速率。 由千每秒

钟注入有源区内的电子数为 T/ ,I/q，因此
• 20 •
 刀 ，I
Ggen = — (2.2)
qV
其中V是有源区的体积。 例如，如果流入激光器结点的电流为I =2 0mA，注入进有源区的
3 27 3
载流子部分为n l =80%，如果有源区体积为1001,m，则c.,n = 10 /s. cm 。 换句话说，每
1ns内的注入电子数为1018 cm- 3 o

相对而言，复合过程较为复杂，因为我们必须考虑多种复合机制。 如图1. 3所示，存在

自发复合速率R,p和非辐射复合速率R nr 。 如图2.2所示，如果横向与／或者侧向势垒不是足
够高的话，有时还必须考虑载流子泄漏速率R!（有关凡的讨论，请参见附录2)。 最后，当各
种条件满足时，极为重要的是净受激复合项R引，该项中包含受激吸收与受激发射。 由此，我
们可以得出
Re, =R,p+R m +R叶R,, (2. 3)
等式右侧的前3项代表各种自然的或者非受激的载流子衰减过程。 第4项 Rst则需要光子
的存在。 通常用载流子寿命 T 来描述这些自然的衰减过程。 当不存在光子或任何产生项
时，载流子衰减的速率方程为dN/dt =N/r。 与公式(2. 3)相比，其中NIr==R,p +Rm + R1 0

该速率方程定义了 T 。 如第1章所述，由千上述每一项都依赖千载流子的存在，这一自然衰
减过程可以用载流子密度N 的幕级数来表示。 这样，我们可以将公式(2. 3)改写为各种不
同形式：

（ （
2． 2
a
、
3
丿
R cc, =R,p+Rnc +R1 +Rsi

b
N

、
3
R函 =—+Rst

丿
r
R,c=BN2 +(AN+CN3 )+Rs 1 (2.3c)
2
其中正如式(2.3c)中的编组方式所示，我们已经获知R,p=BN 并且R"'+R1=<AN+
CN3 )。 系数B称为双分子复合系数，对于我们感兴趣的大多数AIGaAs和lnGaAsP合金，
3
B值的鼠级为l0-10cm/s。 我们还注意到在大多数情况下，载流子寿命 T 与N无关。
至此，我们已经用几种等效方式表述了载流子速率方程。 Rst留待下文分析，不过采用
式(2.3b)，可以将载流子速率方程表述为
dN _ 1JJ N
Rst (2.4)
dt qV r
当不存在大扯光子密度时 （例如当激光器低千阙值时或者对于大多数LED而言），可以忽略
＂ ”
R"。 图2.2以蓄水池类比的方式图解阐述了这几项，尤其解释了包含在N/r中的 泄漏 项
Rsp、Rn，和R1 o

2.3 自发光子的产生与发光二极管

对于激光器而言，凡在高于阙值的情况下起主要作用。 在讨论激光器之前，先来了解
一下光子密度相对较低的情况，例如在LED（即发光二极管）中不存在反馈因而无法建立起
很高的光子密度。 这种情况实际上类似于低于阙值的激光器，这时增益不足以补偿腔体损
耗，因而生成的光子不能得到净放大。
每单位体积的自发光子产牛速率完全等同于自发电子复合速率R,p，因为根据定义每
• 21 •
次当 一 对电子空穴对辐射复合时，就产牛 一 个光子（这里重申，N 等于电子窄穴对的密度，
对千轻度掺杂情况， 一 般等于电子密度）。在稳态情况下(dN/dt = O)， 产生速率等千复合速
率，即，采用R,, =O，从公式(2.2)和式(2.3)可得出
刀 ，I
— =R,,,+R,,,+R, (2. 5)
qV
将每单位体积单位时间产生的光子数R`I，与每个光子的能械加与有源区体积V相乘，就
可获得自发产生的光功率P习，。求解方程(2.5)便可得到R,p。但是由千Rn,+R,与I之间的准
确关系仍屈未知，因此所得的仅是 一 个参数方程。传统的解决办法是定义一 个辐射效率刀 r
R,p
r;,= C 2. 6)
凡＋R n,+R1
请牢记 T/ ，通常在某种程度上与载流子密度有关。这样， 通过式(2. 5)和(2. 6)，可得

P,,,=hvVR习， ＝ T/，T/ 妇I (2. 7)

q
臼，的乘积有时被称为LED的内部效率。然而，存这里不采用这一定义，以避免随后讨论
激光器时造成不必要的混淆。对千激光器而言，只有 T/ ，出现在激光器输出功率的公式中，我

们将它称为内部效率。
一
如果想要知道LED射入某 接收孔径内的功率 pLEO 是多少，必须将 P SI，与净收集效率

7相乘。该效率是半导体发射出的光子射入接收孔径的效率。对千大多数的LED来说，该
C

效率通常很低C<lO% ），因为光的发射是全方向的，而大多数的光会在半导体与空气的界面
处被完全反射。图2.3阐示了这 一 情景。
如图2.3 所示，大部分的光将被反射回有源区，
而没有被耦合出半导体芯片。一种可能的结果是这
些光被 重新吸收从而产生新的载流子。通过正确地
“ ”
设计LED，这种 光子再循环 可以极大地增加LED
的效率，在实际情况下该值可高于10%。
上述3种效率（注入有源区的载流子部分、矗辐射
复合的部分和 被有效耦合出射的部分）的乘积给出外
部LED拭子效率加，即
图2. 3 LED产生的光仅有一小部
hv hv
7丸TJ,—[ (2. 8)
分能到达指定的探测器 R 门） q = TJex—I
＝

. q
这样，如果不考虑 T/ex 与I之间的微弱关系，从LED耦合出射的功率直接正比于驱动电流。

外部LED母子效率 T/"是耦合进入接收孔径的光子数目与流进LED 的电子数目的比值。

令R,, =O，从载流子速率方程(2. 4)还可以推出LED的频率响应。采用如下定理：时域
内 脉冲响应的傅里叶变换是其频率响应。电流脉冲本质上是 一 群电荷，所以其初始条件 是
N(t = O') =N,。 当t>O时，速率方程为
dN
—= —N
—= — A N-BN2— CN" (2. 9)
dt
对复合速率进行多项式展开，并记住载流子寿命言通常是载流子密度的函数。如果 T

与N无关，该方程的解可简化为幕指数衰减，其频率响应类似千单－RC电路的频率响应，
其3 dB截止频率为w, = 1/r。 T 成为常数的条件如下：CD其立方项必须忽略不计辽）线性项
AN必须为主要项（该项代表非辐射复合，因此屈于非理想情况），或者有源区必须是高浓度
• 22 •
 2
掺杂，这样BN 项实际等千BNP，可写为(BPd )N。 也就是说，P型掺杂值凡 必须高于注
入值N，因此Pd +P�凡。 在此条件下，时间响应化简为简单的幕指数衰减
N(t) = N;e-th (2. 10)
其频率响应为Lorentzian函数
N(O)
N(w) = (2.11)
Jwr
当wr= l时，N减至 0. 707 N(O)。 如果R,p ;;,::,:(BPd )N，正比于Rsp 的输出功率PIED具有相同的
频率响应。 其他情况作为习题留给读者。 但请牢记，当载流子寿命增加时，截止频率降低。

2.4 激光器腔体内光子的产生与损耗

对于二极管激光器 ，我们现在必须进 一 步研究净受激复合速率R、，在光子产牛过程中的

本质以及谐振腔在存储光子过程中的 作用。 类似千第2.2节，我们将建立光子密度 N P 的
速率方程，该方程包含光子产生项与损耗项。 我们将用下标p来标识那些指代光子的变最。
如2.3节所述，激光器与LED的 一 个主要区别在于我们只考虑激光器谐振腔中单 一模
式内的光发射。 由千在二极管激光器腔体中通常存在几千个可能的光模式 ，因此只有 一 小
部分R,p会对某一特殊模式的光子产生速率作出贡献。 附录4利用附录3的某些结果讨论
了一个谐振腔内可能存在的光模式。 请注意在一个小的垂直腔激光器内有效模式的数址可
以少得多，通常只有几十个而非几千个。
在激光器高千阔值时（这才是有用的形态），主要的光子产生项是Rst。 每当一 个电子空
穴对受激复合时，就会产生一个新光子。 然而，如图2.4所示， 由于光子占据的腔体积汇通
常大于电子占据的有源区体积V，光子密度产生速率由[V/V"]R”表示而并非只是Rst。 通
常将电子光子重叠因子V／玑称为限制因子F。 有时为了便利，引入包含光子的有效厚度、
宽度和长度，分别用ddf、Weff和L表示。 这样VP= de ffWeuL。 如果有源区的尺寸为d、W、L.'
则限制因子为F= EI' yI' 之 ，其中I', =d/d出，I'Y=w/weu,I'之 ＝L./L。 附录5基千更为严格的

L
理论推导了I'，并指出当L a 乏入时，I'之 与一个增强因子有关。

------------.-r尸飞 一 一

光
: : : : : : : : : : �: :-: : : : �>出射
镜面2 镜面I
共面激 器
光

面1

VCSEL

注：其中表明了有源区（阴影区）和腔（虚线内）体积以及坐标系

图2.4 共面激光器与垂直腔激光器示意图

• 23 •
 由于对该模式的光吸收与散射，腔体内存在光子损耗；并且在输出耦合镜面处，只有部
分谐振模式作为有效光被耦合进入某种输出介质，这也是 一 种损耗。 下一 节将定怅地分析
这些损耗，现在以类似于上文中分析电子损耗的方式用光子（或腔体）寿命吓来表征其净损
耗。 光子速率过程的第 一 种表述形式为
dNP = Np
I'R" +r,/3p,R、P —— (2. 12)
dt 吓
其中肛为自发发射因子。 正如附录4所论，对于所有模式均匀耦合的情况，f3sp是自发发射
带宽内所有光模式数目的倒数。 如方程 (2.12) 所示，当不存在产生项时，光子数以衰减常数
，呈指数衰减。 这就是<p 的定义。
TI

通过求解式 (2.4) 和 (2. 12) 这两个耦合方程，可以得到二极管激光器的稳态和动态响

应。 不过在求解之前，必须将现有公式中的几项以N与Np 的形式精确表示出来。 我们先
来分析Rs1 0
R、t 代表由光子激发的电子空穴对的净复合，这种复合产生更多的光子。 该过程是 一 种
光子的增益过程。 如图1. 3所示及附录6所论，该过程包含了向上与向下电子跃迁的净效
应，这两种跃迁分别对应千光子的受激吸收与受激发射。 图2. 5显示了当光子穿过有源区
的一小段长度Az后，光子密度从入射值Np 增长到出射值Np +t::,,Np。 在不影响其普适性
前提下，为了方便起见，假设有源区与光子场之间完全重叠，即I' = l，可以用每单位长度增
益g 来表示该增长，即
Np +�Np=N江卢 (2. 13)
当釭足够小时，exp(g釭）：：：：：：：：（l+g釭）。 并且基于心 ＝
vgAt 这 一
事实（其中Vg 为群速
度），可以得出�Np=Npgv.�t。 由此，dNP / dt 的产生项为

产） =R s t = － —
ANP
=v.gNp (2. 14)
M”

dt gen t::..t
N n'

N+AN
p - p

|谱 心 叶

图2. 5 增益是根据在一小段增益材料中光子数目的增长来定义的

这样，可以将载流子与光子密度的速率方程改写为

心 ＝ 吐_!!__VggNP (2. 15)

dt qV r
dN
dt
I'vggNp + I'/3,pR,p ——
N
E
吓
(2. 16)

当然，若要同时直接求解这两个方程，还需更多的置换。 附录6建议将增益与载流子密度的
函数关系近似为 一 直线，至少在小信号条件下如此，即
g=a(N�N") (2. 1 7)
• 24 •
其中a为微分增益奴／JN，泣为透明载流子密度（当 N 的范围较大时，该增益更接近于对数形
式）。当然，可以用多项式AN+BN2+CN3来代替N/r，其中各项分别表示缺陷复合、自发复合
(R,p)与俄歇复合。不过，我们将在下文中保留式(2.15)和(2.16)作为速率方程的常规形式 。

2.5 激光器的阔值增益或稳态增益

第2.4节通过光子衰减常数或寿命环的形式 表征了腔体损耗。本节将根据光沿着腔
体与腔镜面传播中经历的各种损耗来更精确地表述 吓 。并且我们将论证，某一模式的净损
耗决定了达到激射阙值所需的净增益值。
正如附录3所述以及第1章所论，现代二极管激光器的光能量在 一 种介质波导模式 中
传播，该模式同时受到横向和侧向的限制，其归一化横向电场分布为 U (x,y)。该模式 在轴
向上的传播方式 为exp( —
jjk)，其中µ是包含了所有损耗或增益的复传播常数 。这样，随
时间与空间改变的电场为
E= t YE oU (x, y) e
心,- µzl (2. 18)
其中 ;y 为表示横电 (TE) 偏振的单位矢措，且为场幅度。复传播常数 f 包含了横向模式增
益 (g〉巧 和内部模式 损耗( a,〉巧 的增址，即

p=f3+i/3，＝沪护(g〉工Y-<a,〉xy) (2. 19)

如附录3所定义，其中§的实部为{3=2六万／入，刀为该模式的有效折射率。如附录5 所示，对增益
与损耗在整个模式分布U(x,y)内加权平均可以分别获得横向模式增益(g〉.ry 与损耗<a,〉.ry 。二者
均与功率有关；因此，需在该方程的幅度传播常数中引入因子 1/2。根据附录5，如果g(x,y)在有
源区内均为常数但在其他各处为零，就可以 令(g〉.ry ＝F.ryg ，其中I'.ry 为横向限制因子。该式通常
对共面激光器有效，但对VCSEL无效。此外，为了便于注解，令<a,〉.ry ＝a,o
如图2. 6 所 示，大多数激光器腔体可分 为两部分：长度为La 的有源区和长度为LP 的无
源区 。并且，这两个区的g 和a ， 值都不同。在无源区内，根据 定义g = O，可以 为a， 设定第二
个 下标来标定其位置。两端镜面的振 幅 反射系数分别 为r1和r2，它们将传输模式 来回反
射，从而形成谐振腔。从镜面输出的部分就是有用的输出。
X

注：其中显不有源区与无源区（假定阻抗无断点）和导模分布 。

图2.6 普通的激光器腔体横截面
为了使激光器的 一
个模式达到阔值，必须将有源区的增益增加到一 定程度以补偿所有
的传输损耗与 镜面损耗，从而使电场在腔体内循环 一 周后能够完全得 以复制。等效地，我们
可以把腔体内的往复路径在z轴上展开，并且如果模式反射系数的位置在z= O 和z=L，则
要求E (z=2L) = E (z= O)。将这些边界条件代入式(2. 18)，可得
• 25 •
 r1r2e 勾 P.,hL,e-2ipr,h1,p = l (2. 20)

下角标th表示该特征方程只定义了§的阙值（第3章将以更本质的方式获得相同的特征方程）。
利用式(2. 19)，可将复数形式的式(2.20)分解为分别表示振幅和相位的两个方程。振幅方程为
r 1 r 2 e <r,yg,h 飞 ，a ）La e 气PLP =l (2.21)
在此我们选用能够保证镜面反射率为实数的参考平面。求 解 I' xyg,hLa ，可得

I' xyg,hLa =a;.L.+a;p Lp + ln 悚） （2.22)

其中镜面强度反射系数均值为 R = r1r2。对千基千GaAs或InP的 解理面激光器，I'约为

0.32。将式(2.22)除以整个腔长 L，根据 I'xy L./L�I'.ry I' z = I'（ 当IJ a >习时准确），并将平均
内部损耗(a,,L.+a,pLP )/L 定义 为(a,〉，可得

(g〉Ih = Fgth = （a,〉十忙（点） （2. 23)

为方便起见，有时可 将镜面损耗项简写为如 == 0/L) ln 0/R)。注意，光子衰减速率为

l飞 ＝1/r, +1/rm =vg (<a;〉十仁 八还可写为
1
I'g,h = (a,〉十am= — — (2. 24)
'Vg Tp
正如附录5 所述，如果最初在整个体积内取平均，可直接获得式(2.23)和(2.24)中所用
的三维模式增益和损耗。然而，这会使模式在腔体内反复循环的物理本质模糊不清，因此在
此只显示了纵向加权。如上所述，<g压的常规形式永远成立，但是Fg th形式只能用于共面
激光器。关于上述的只有当La >习时L a /L~E才成立的限制，请参见附录5 中的讨论。根
据分析， 一般情况下，增益和损耗的轴向平均必须对轴向上的整个驻波图案做加权平均。事
实上，对于非常短的有源区(L飞＜入），例如许多垂直腔激光器，如果有源部分位于电场驻波的
峰值处，有可能I'之 2L./L（请参见附录5)。
::=::::::

请注意，式(2.23)和(2. 24)只给出了计算阙值增益所需的各种腔体损耗参数。这些参
数与受激发射的物理机理无关，而该机理决定了在某一注人电流状态下的增益值。附录6
将简要概述这一物理机理，第4章将予以着重分析。
对千式(2. 20) 的相位部分，exp(2j/3,ha L.)exp(2jf3,hp L P ) = 1，这要求/3,ha La +/3thp LP mrr'
=

从而给出模式波长的条件为
2
灿 ＝一（订 aL a +mL P) (2. 25)
m
其中m为纵模数。请注意， n随波长改变(3甸权，色散），并且一般与载流子密度有 关
(Jn/aN，等离子体负载）。因此 ，计算中必须考虑这些因素。这样采用如下公式，可 以确定
波长为炉飞() +b.入，而载流子密度为 N = N。十凶N 时的元
an._, an
订（入，N) = n（入。，N。） ＋ — 凶＋ — b.N (2. 26)
a入 JN
通常，an／蚁＝ －} µm I ，而沛／aN=r巧 cJn A /JN;::::;:;-r工Y l0-20cm",其中n A 为有源区的折射
率。根据式(2.25)和（2.26)，可求得两个模式m和m+l之间的波长间隔为
入2
拟＝ (2. 27)
2(n ga L a+n gp 匕）
其中第）段的有效群折射率为凡 ＝ ＂｝— 入(an/a入）＝ff;+w(a们如）。半导体的群折射率通
常比其折射率大20% ~30%， 该值与特定波长和带隙之间的差值有关。根据实验， 基千
• 26 •
GaAs和lnGaAsP的DH共面激光器有源区的m值分别接近千4. 5和 4。
最后诮注意，丁作在阙值以上的激光器的稳态增益必须也等于式C2. 23)给出的阔值。
即，在激光器腔体内
g(l>I,1,)=g,1, （稳态） （2. 28)
如果增益高于g小，则场振幅将继续无限制地增加，这种情况当然无法在稳态下存在。 而且，
由于增益与载流子密度之间为单调性关系，因此载流子密度必须有其阙值处锁定，即
N(I>I tl,）＝ Nt h （ 稳态） （2. ?9)
实际上，当电流增加高千阔值时，载流子密度与增益（在纳秒级时间内）先增加到高于其
阙值处，并且光子密度增加。 但随后受激复合项R、，也增加，从而导致载流子密度与增益降
低，直到达到一种新的稳态动态平衡并再次满足式C2. 28)与C2. 29)为止。 换句话说，式
C 2. 15)中的受激复合项耗尽了闾值以上所有多余的载流子注入。 根据图2. 2中的菩水池类
比，水面已到达了泄洪道的高度，任何随后到达的输入水拭都将从泄洪道输出，而不会增加水
的深度。 当然，泄洪道代表受激复合。 图2. 7显示了该悄况的类比，这时，继续增加输入导致
输出(R、,）增加，而不会增加载流子密度（水面）。 高于阙值后，流砒Rnr 和R,＇，不再改变。

I/qi'-－今

R，
n R、P

佟I 2. 7 高寸阙俏时的菩水池类比

图2. 8概述了激光器腔体内的这一 载流了锁定效应。 载流子密度在阔值处锁定从而导

致增益也锁定，但g与N曲线的物理本质并不改变。 为f使增益保持在其阙值处，反馈效
应导致载流子密度锁定。
g

N
，
，
N

l1 ，

图2. 8 增梳与载流子密度以及载流子密度与输入屯流的义系

2.6 阔值电流和输出功率与电流的关系
2. 6. l 基本的 P-1 特性
虽然速率方程式C2. 15)和式(2. 16)在闾值以上和以下都成立，我们需要把低千闾值的

• 27 •
LED的特性与高于阔值的激光器特性结合起来以获得二极管激光器的输出功率与输入电
流之间的关系。式(2.8)已基本给出了LED部分。因此，我们将集中在高于阔值的激光器
部分。第 一 步为在几乎靠近阔值处采用阙值以下的稳态载流子速率方程式(2.5)，即
寸，Ith = Nth
(R,p +Rnr+R1), h = � (2.30)
qV
由千(R,p+R nr+R 1 ) =AN+BN +CN 与N单调有关，根据式 (2.29)，阙值以上的(R 习， 十
2 3

R n,+R 1 )值将锁定在其阀值处，该值由式（2.30)给出。将式（2.30)代入载流子速率方程式
(2.15)中，可以获得新的阔值以上的载流子速率方程
dN (I — I th ) —
7, qV vg gNP (I>I t h) （2.31)
dt
其中假定n， 与阙值以上的电流无关。由式(2.31)可以算出当g =
g ,h 时阙值以上的稳态光子
密度，即
1'/,（I I ht )
—

Np= （稳态） (2.32)

qvg g,hV
由千输出功率正比千Np，因此采用 一 些相对直接的替换后，可以算出输出功率。为了
得到该输出功率，先将光子密度凡与每个光子的能恨hv 和腔体体积VP 相乘，得到腔体内
存储的光能扯E。、，即E。,=NPhvVP 。然后，将该值与透过镜面的能扯损耗速率Vg am = 1/rm
相乘，得到从镜面输出的光功率
P 。 =V a N hvV
g m p P (2.33)
将式(2.32)和(2.24)代入式(2.33)，并根据I'=V/Vp，可得

。 刀（
P ＝ ，
“
(a,〉十am J q
卢
(I — I t h) (I>I th ) (2.34)

现在定义

和＝
刀 ，am
(2.35)
(a l 〉+am
可将式(2.34)简化为

P 。 = hv
nd -（I — I,h ) (I>I,h) (2.36)

式(2.36)给出了从两个镜面输出的总功率。如果两个镜面具有相同的反射率，则每个
镜面输出 一 半功率。 如果一 个镜面为全反射，则另 一 个镜面输出全部功率。但是，如果两个
镜面具有部分但不等的反射率，则每个镜面输出的功率部分是 一 个较为复杂的公式，将在第
3章中予以推导。式(2.36)还表明阙值以上的输出功率是阙值以上电流的线性函数。这一
线性关系与关千增益与电流关系的假设尤关，也与非辐射复合机制的本质无关。这－P－I
线性关系所需的假设条件为：增益与电流的关系、内部效率、限制因子和腔体损耗都保持为
常数。正如附录5所示，根据限制因子，这 一假设实际上意味着模式增益必须保持常数。
为了确定 f/d的名称，可将式(2.36)的计算结果与实验测量相比较。假定中与量子效
率有关，先计算微分截子效率，也就是通过测最的P-I 特性获得的每个输入电子对应的输出
光子数。如图2.9 所示，通过测扯阙值以上的斜率（凶Pol�I)（包括从两端输出的功率，单位
为W/A)，然后将该值乘以(q/hv)（单位为C/J)，进而获得每个 电子对应的光子数经验值
• 28 •
 。
C�P /�I) (q/hv)， 该值即为微分植子效率， 图中， 在阙值以下， 只有自发发射作用；在阙值以
上， 受激发射功率增加，而自发发射锁定 在其阙值处。 现在，如果将式(2.36)对 电流取微分，
并求解？d，可以得到相同的结论。 这表明nd就是微分扯子效率，即
q dP。 (I>Ith ) (2.37)
nd =—一—
hv dl

p
”
受激发射

I， 1

图2.9 二极管激光器的输出功率与电流的关系示意图

在稳态条件下忽略式(2.16)中的受激发射项并求解Np ，可以近似获得图 2.9 内在阙值

以下(I<It1,)的区域。 在此情况下，只有自发发射作用，可得
NP =I'/3,pRsp Tp CI<I,h ) (2.38)
将式(2.38)、(2.23) 、（2.6)和(2.5)代入式(2.33)，可得激射模式内的自发发射功率

。
P (I<Ith ) = 7 可，（ 饭 ，二）停'" I (2.39)

将该式与 LED 的表达式 (2. 8) 相比，可得 Tj, =am {Jsp /((a,〉十am )。

在阔值处，由于R,p 与N有关，当载流子密度锁定 时， 自发发射也锁定。 这样，当电流增
加超过阙值时，自发发射噪声保持常数，其值等千I＝儿时式(2. 39)的取值。 同时根据式
(2.34)， 相干受激发射的功率继续增长。 这一过程将导致随着功率的增加， 输出波长 的线宽
将逐步变窄。

2.6.2 激光器驱动电流对镜面反射率和腔长的影晌

式(2.36)给出了加在阙值之上的附加电流所对应的输出功率。 其比例与腔体损耗、激
射波长 和内部效率等常数有关。 为了设计能够以最小的电流发射 出所需功率的 激光器， 还
需要获 得阙 值 电 流 的解析式。 上面已经得出阙 值 模 式 增 益与腔体损 耗之间的关系
式(2.24)，并总结出可以通过近似线性关系式(2.17)或者通过更为精确的幕指数关系（第4
章）得出该增益与载流子密度的关系。 阙值电流还通过各种复合速率与阙值载流子密度有
关， 其关系可由 N 的多项式表示 ，如式 (2. 30)所示。
第4章将表明，可以用一个简单的三参数幕指数公式来近似该增益与载流子密度之间
的关系：

。
,
g = g In
N+NS
Ntr+N、
(2.40)

在该近似中，矿为增益系数的经验值，Ntr是透明载流子密度，NS 是一个外加的移位值， 用
来保证该自然 对数在N= O时为有限值，从而使增益与无泵浦时的吸收损耗相等。 然而，如
• 29 •
果限定增益为正值，即g�O，可 以将式(2.40) 进 一 步近似为
N
g =g In —
Ntr
(g袤0) 。 (2. 41)

其前提条件是采用新的增益系数g。。 此时 ，微分增益为奴闷N=g。IN。 通常，对千体材料、

扯子阱和 应变层拭子阱有源区心心和ag/ aN的取值非常不同。 这是决定是否采用某种材
料的根本原 因。 图2.10 为模式增益与载流子密度的关系示意图 ，图中标出了相关的 参数。
由原点出发的直线与曲线相切的点代表了每单位注入载流子密度所对 应的最大的增益值。
通过假定的解析近似式(2.41) ，该值由坐标(I'陷，eN)直接给出。
"

rg

rg，， 尸

N,r eN" N

图2. 10 模式增益与注入载流子密度的关系示意图
将式(2.41)与 第4章得出的增益的各条数值曲线相拟合可得：应变的 80 A InGaAs/ GaAs
卧子阱具有g。=2100 画 ,N"=l . 8Xl0 18cm·-3；对于80 A
1
GaAs扯子阱具有g。=2400cm -i,
N,=2. 6Xl0 cm 3。 对千InP衬底情况，应变的30 A InGaAs/lnP量子阱具有g。=4 000cm 1 ,
18

N,,=3 .3X10 18cm 3；无应变的 60 A lnGaAs最子阱具有g。=1 800 cm 1,N=

" 2.2X10 18cm'i
0

将式(2.24)与式(2.41)结合可得出阙值载流子密度为
N,h=N,,eg,h/go=Ne"
((o ' 〉十 "m 。
) ／压
(2.42)
对式(2.30)中的各项复合速率进行多项式拟合，并且根据阙值处 的复合项主要为自发复合
（对千 最佳的激光器材料而言），可得Ith芒BN切V勺 ， 。 因此：
qVBNref 队 (a' 〉十 “m) ／氏。
Ith竺 (2. 43)
1/ i
对千大多数我们感兴趣的III-V族材料，双分 子复合系数B�l0-10cm3 /s。
利用式(2.36)和(2.43) 可得出输出功率与施加电流之间的闭式表达式。 然而，对于从一
个镜面获得输出功率几所需的注入电流，人们总是试图将其最小化，因此需要求解I。
q肛((a,〉十am) 1 qVBN;, e2( （ o 〉 1 。m ) ／ 。
I兰 (2. 44)
压

FIYJ,h'Vam 7,
l

其中第一项是为了获得功率几由式(2.36)得出的在阙值以上所需的附加电流，第二项为阔值电
流，即式(2.43)。 因子F]是全部输出功率中从镜面1输出的部分。 第 3章将推导该值的精确解
析式 ，但可以明确 的是，当两镜面相等时该因子为1 /2 ，而当镜面2 的反射率为1时该因子为1 。
式(2.43)与式(2.44)通过简单的解析式形式以合理的精确性证明了 降低有源材料的透
明值并增加其微分增益总是有益的。 这两点都支持采用拭子阱有源区的论点 ，特别是 应变
层最子阱。 关千腔体设计，这些公式还表明为了获得较大的限制因子I'，应当降低腔体损耗
(（a,〉十”)和体积V。 此外还说明了采用垂直腔表面发射激光器或者采用锁膜刻面 的短腔
长共面激光器的益处。 图2.11中的范例采用 一 套典型的假定参数值绘出了式(2.44) 从而
量化地描述了上述这些观点。 图中，（a）输出功率为10 mW，其他参数为：w =2.0 µm;d =
• 30 •
 。
lOnm;(a;〉＝20cm 1;f'g =50cm 1;F1=0.5;N,,=2Xl018cm 3;r;;=l；凡＝0.033;f',=
1。(b) 从(a)中提取的以及另外两种功率值情况下的两种长度下的I与R的关系曲线。
(c)小型共面激光器与VCSEL的对比。VCSEL中，I',.-'=1 ;I', =O. 06。 两者的有源区面积
相同(A=20 µ而）。 该VCSEL采用3个员子阱，从而使有源区体积增至3倍。 这导致VC­
SEL的最佳R值降低，并加宽了电流的最小值。 然而由千采用了3个阱，该VCSEL的最小
电流值与该IPL激光器的值几乎相等。 请注意，对于任意给定的内部损耗和输出功率值，
在所需的驱动电流曲线中有 一 个波谷，当R接近1且L趋千0时，该曲线的斜率呈单调降
低。 由于电流密度过高会导致器什发热，实际上并不能过T接近R= l、L=O对应的这 一 最
小值。 如果输出功率或内部损耗更高，电流曲线波谷的底部向L,和R乓 减小的方向移动。
为了阐述这 一 观点，图2.11 Cb)从图(a)中提取出了两个特殊长度并添加了其他的功率值。
第8章和附录17将进一步讨论最佳激光器的设计。

仁
已．
400泾
斗
600

40 800
、
、
VEI

}
r
V
涟1

02 04 0.6 0.8
反射率
(a)

l=JOO µm l=IO µm
I 000 100
：:． ：
．：
！
； IPL j： \ VCSEL
：: ; ； L=IO pm
二
． ．
；.． ；

二
：： • IOO.m\ ．． ，．．．
：
;.．．．．．．．．．．;．．．．．．．．．．． ： · · · ··
100 !： 10 -�·-10mW······
：： ：
：： ; ：
：：
VEU
VUl

： ：
：
: ：
/
/

;
上 _匕
_ __-
埏B
]¥/

IO I
; ； ;
'ij
”-

＼
10
。

:
；
: ．
; m
。

: P,'，=1．
:: : :
10
9

02 0.4 0.6 0.8 0 92 0.94 0.96 0.98

反射率 反射率
(b) (c)

图2. 11 对十可变长度为L．平均镜而反射率为R的激光器．输出功率与所需电流的三维曲线

• 31
 由千式(2.43)和(2.44)中对g,h/g。的指数关系，采用多个屈子阱有利于增加量子阱激
光器的I'值。 正如附录6与第4章所述，这是由千当载流子密度增加到接近填充满能态的
最低态系时，增益达到饱和。 因此，通过在N亿 个阱内分配载流子，每个阱的增益减少至N互
分之一，但模式增益仍几平增加至N立倍
， 。 对千这些多扯子阱(MQW)激光器，式(2.43)和
式(2.44)仍然成立，但必须确保将单阱限制因子E和体积V1均乘以阱数目Nw 。 即，对于
MQW 激光器，由式(2.43) 或者式(2.44)的第二项可以明确得出
。
“'
~qN心忆BNfr a)
thMQW=
2( （ 1 "m ) /N让rl g
(2.45)

这里假设波导具有分别限制结构，这样增加更多的阱不会明显地改变光模式。 并且，需要限
定阱的数目从而使光模式的幅度达到最大。 如果忽略非辐射复合，阱的最佳数目是使式
(2.45)达到最小值的数目。 随着限制因子的增加，可以有效地增加输出功率，而不会在增益
曲线上移动太远 。
如果在阙值处非辐射复合非常重要，如前所述，必须增加一 个额外的非辐射阙值电流成
分。 由千对千长波长lnGaAs/lnP 材料，非辐射复合非常重要。 事实上，如果没有此类复
合，采用这种材料的激光器的阙值电流密度应该低于采用GaAs鼠子阱的激光器的阙值，正
如式(2.41)随后列举的各项增益参数所述。 如果在阔值处此类更高阶的非辐射载流子复合
非常重要，则必须在阔值电流中附加一项由复合速率中的CN;1， 所产生的分鼠。 这样，应在
式(2.43)和式(2.44)增加
qVCN;,
Inrth e ,
3(（a) + 0m)/I'胚
(2. 46)
7,
其中对千1.3 µmlnGaAsP材料，俄歇系数为C�3 X 10�29 cm6/s；对于1.55 µm材料，该系
数增大2~3倍。 在该材料系统中，式中的 Nth 立方项对千降低阙值载流子密度起着更为重
要的作用。 事实上， 当在 1. 3 µm 情 况下 载 流 子 密 度高于 N,h �3 X 10 18 cm- 3， 或 者 在
1.55 µm情况下高于1.5Xl0 18 cm--3时，此附加俄歇项在式(2.43)中起主要作用。 这 一 事实
使得降低腔体损耗((a,〉十am)以及保持较大的限制因子I'更为有益。 在lnP衬底上采用应
变层lnGaAs/lnGaAsP或lnGaAs/InGaAIAs拭子阱，有可能获得明显的改善，因此这时所
有影响 Nth 的参数都朝着正确的方向移动。 实际上，价带分裂也会降低俄歇系数C。

2.7 弛豫谐振与频率响应

本节将采用式C2. 15)和(2. 16)来简要阐述如何计算弛豫谐振频率以及该频率与激光器

调制带宽的关系。 正如第5章将要描述的，由于光子密度增加所产生的增益压缩与输运效
应，因此这些计算过于简单，尤其对于蜇子阱结构而言。 然而，这些简化的方程似乎适用于
标准的DH结构，而且这种计算谐振频率的处理方法有利千进 一 步理解第5章中更为复杂
的计算。
考虑在高于阔值的直流电流I。之上叠加一 个微小的交流电流I]，并用来驱动一个二极
管激光器。 这样在稳态条件下，激光器的载流子密度和光子密度将以类似的形式作出响应。
这里忽略不计驱动频率w可能存在的一些谐波。 采用复频域符号来表示
I=I。 +I1 e归 (2.47a)
• 32 •
 N=N。 +N飞wt (2.476)
Np =Np0 +Pp1 产 (2.47c)
在将其代入式(2.15)和(2.16)之前，用式(2.17)表示增益来重新表述各速率方程。 这样做
是有效的，因为假设了小信号条件，并且只要采用本地斜率，在一定范围内可以将增益近似
为直线。 我们还假设该直流电流远高于阔值，从而可以忽略自发发射。 由此，
dN
— 1/, I — 一
-- N－
vga (N —Ntr)NP (2.48)
dt qV r
dN p N
v a(N —N")N r- —旦 (2.49)
dt =I' g 吓
现在，将式(2.47)代入来表示I、N 和N p ，由于各直流成分满足式(2.48) 和 (2.49)的稳态形
式 ，即 d/dt-.o ；因此可将它们归类并设为零。 此外，我们还发现稳态增益因子a(N。 -Ntr)
1 2wt
就等于g th，根据式 (2. 23 )可用(I'巧吓)- 代替。 最后，删除含有ej 的二次谐波项，并除以共
同因子产。 由此可得

（
2．
riJ1 _ N1 _Nr1

5
、
0
、丿
吵N1 芞aN1 N p0
qV r I' 吓

2．
（
5
1
）
伈lNpl =Fug qN lN伈
通过上述处理，生成了可易于求解转换函数Np l位）／I1位）的频域方程。
不过在此之前，我们先来简要分析小信号光子密度Np l与 小信号载流子密度凡之间的
耦合关系。 载流子密度通过式(2. 50)中的第3 项与Npl有关，而光子密度通过式(2.51)与
N1有关。 如果将这两个方程的左侧视为时间导数，由式(2.51)观察可知，当N1 增加成为
正数时，由于激光器内的增益增加＾如随时间而增加。 然而，通过式(2. 50)的第3项，一 旦
N p l成为正数，增加的受激发射将导致凡减少。 当N1 减少并成为负数时，Np1开始降低，当
它 一 旦降为负数时，将再次导致凡增加。 由此，该循环将不断反复。 这一现象导致激光器
腔体内的自然谐振，其表现为当输入电流突然变化时，激光器的输出功率会相应地减幅振
荡。 N1与Np1之间的这种相互依附关系存在一个自然的振荡频率，将式(2.50)与(2. 51)相
乘，只保留第一个方程右手边的第3 项而忽略所有其他各项，可得该频率为
_v aNpo
W2R ＝ g (2.52)
Tp

这一 自然谐振频率通常被称为弛豫谐振频率叩（这里弛豫表示光子与载流子为了放松回到
其稳态值而作的努力）。 该频率直接正比于腔体内微分增益与平均光子密度（输出功率）的
平方根，并反比千腔体内光子寿命的平方根。
激光器腔体的弛豫谐振与 LC 电路的自然振荡非常相似。 然而，式 (2. 50)中的各 项附
加项使其更类似千 RLC 电路行为，使谐振响应呈阻尼衰减。 包含所有这些项的总调制频率
响应由小信号转 换 函 数 Np1 ( w)/I1 ( w)决定。 求 解 式 ( 2. 51 ) 中 的 N] ， 可 得 N1 =
jwNp l/ I'vgaNp0。 消除式(2.50)中的N1 ，利用Pac =vg amNp lhuVp ，可得
凡(w) ＝己V V平 m(vgaNp0)
(2. 53)
11(w) —
q v8aNp0 飞 矿十jw (v.aNpo + 1丘）
令v.aNpo 圭w丘并利用式(2. 24)与(2.35)，可以用更为归一化的形式 将该转换函数写为
几（o)＿ 刀dhv/q
(2.54)
I1位） 1 — 如／WR)2 +i位／QR)（Q釭p +l/w吓）
• 33 •
对千足够低的调制频率，其分母化简为1，式（2. 54)化简为式(2.36)的交流等效式。对千更
2
高的调制频率，分母中的1-（砬WR) 项导致响应中出现 强 谐振。图2.12阐述了在很宽的
输出功率范围内的频率关系。请注意在低输出功率与高输出功率时该谐振呈阻尼衰减。这
是由于式(2.54)中的虚部阻尼衰减项同时与WR和1/wR有关。第5章中将获知，如果考虑
增益压缩与输运效应，阻尼衰减现象将比现在预期的更为严重。事实上，真正的激光器器件
的谐振通常被限制在 5~10 dB内（与图2.1 2中建议的大约 25 dB峰值相反）。
40
30 JmW．．．．一·······口
•• • •• •••••••••••• •• •••••• • • •• • •••• ··.．一........................

IOmW
20 10

······100萨W．什·······-·-A· ·100 mW
8P/
((Ol'"

。
d/

下降3 dB
(
ro)"d )

1020 30
＿ ＿ ＿
81OZ

-40
0.1 10 100
频率／GHz

注：其有源区特征为： hv=I.SeV, a=SXIO-"'cm', r=3XIO-''s, 17,=86.7%, v,=3XI0'"!4 emfs。

激光器腔体特征为： T0=2XIO' s(am=60 cm , a,＝5cm ), 17,=80%, Vr=5µmX0.25µmX200µm。
、

采用 20 lg(P,J(J) ）／P队(0) ）的原因是光探测产生的电流正比千光功率。 因此对千电路中的功率比值，

必须将该电路取平方。

图 2. 12 理想二极管激光器在几种不同的输出功率状态下的频率响应

高于强谐振时，转换特性急剧下降。因此，输出功率有效调制的带宽约为硃。当阻尼衰减

较小时， 3 dB下降频率（即当接收的电功率降为其直流值一半时的频率）为 W3dB = 口了召咘 。利 ✓

用式(2.24)、（2.33)和(2. 35)将式(2.52)展开，可以用输出功率来表达该结论

f3dB三
卢

纭
(I'气上）hvV和
J （小阻尼） (2. 55)

通过增加输出功率可以稳定地提高激光器的调制带宽。然而，在高功率时增加的谐振阻尼、各
种热限制以及高功率导致的镜面刻面损伤在实际上限定了能够采用的最大的平均工作功率。
由于各种热限制通常都与驱动电流有关，因此也便千用电流来表示 如 。用式(2.32)来
表示N p0，用式(2. 24)给出g th， 则式(2. 52)变为

叩＝ ［I'qV T/,(I
孚 —
Ith)] (2.56)

由此式得知，为了使带宽最大， 需要提高微分增益，使模式体积(I'/V=1/Vp )最小化，并使相

对于阔值的电流最小化。如果需要保持整个驱动电流较低，还需要将阙值电流最小化，这可
以通过增加刻面反射率来实现。然而，如果更关注千保持较低的光子密度（例如，为了降低
刻面受损的风险），由式(2.52)可知需要降低刻面反射率，从而降低腔体寿命。因此，如何为
高速激光器设计最佳的腔 体依赖于我们对器件操作所施加的限制。在第5章中我们将发现
当功率极高时，其最大带宽实际上与 如 无关，而在本质上更依赖于阻尼因子(K因子），该
因子则受增益压缩与输运效应的影响。
• 34 •
 2.8 实际二极管激光器的特性测试

本节将回顾有关二极管激光器的一些通用的测量方法。将着重分析那些可以提取出内
部参数的方法，在本章余下内容中将使用这些参数。其他更为复杂的鉴定技术将留待以后
讨论了动态效应并介绍了更为复杂的腔体形状之后再来介绍。

2. 8. 1 共面激光器的内部参数：ai,'li和g与J的关系

二极管激光器最基本的特性可能就是图2. 9所示的PI特性了。从测县的P
- I特性
-
中，可以立刻从高千阙值的曲线与横轴的 交点来确定阔值电流的实验值Ith。只要已知波
长，由式(2. 36)可算出微分量子效率和。通常可以精确地算出平均镜面反射率 R = r1r2 ，并
可测出长度 L。这样，可以算出镜面损耗 a m 三 (1/L) In(1/R) 。然而，无法通过单 一器件确
定出净内部光损耗(a,〉和拭子效率 刀 ， o
为了确定这些重要的内部参数，通常利用由相同材料制作出的两个或者多个激光器，这
此激光器具有相同的镜面但是长度不同。这种方法对千共面激光器而言比较直接，因为长
度是通过最后的切割步骤来改变的。从式(2. 35)式可知，通过测最两个同种激光器的微分
效率，可得到两个含有两个未知参扯(a l 〉和f/ i的方程。即

正（ R)
（如
f/d =

L(a,〉十In

ln
叶， `
和 (2. 57)
（炉
加＝
L'（a, 〉十In

其中 L和L'是两个不同激光器的长度。求解可得

(a ), ＝
L刀
刀
一｀ In
：— （如
—
' L L'
和 1/;＝TJd和巧 (2. 58)

如果能够制作出两个除了长度以外完全一样的激光器，那么式(2. 58)将给出所需的内部参
数。然而，实验数据通常具有某种不确定性，因而限制了这些公式的使用。更为可靠的方法
通常是在 一个坐标图中绘出多个数据点，通过数据的曲线拟合来确定未知参鼠。在当前情
况下，最为便利的方法是绘出所测微分效率的倒数与L之间的关系曲线。穿过数据画出一
条直线，通过该直线的斜率和交点可确定<a,〉和刀 ， 。确切地讲

L+ — (2. 59)
和r;,l n(l/R) 刀，
这样， 交点给出 r;,， 将该值代入斜率可得饭 ， 〉。
图2. 13显示了如上所述的一条曲线，这些数据来源于宽面共面 lnGaAs/GaAs 拭子阱
激光器。其中包含单一撮子阱 (SQW) 和双鼠子阱 (DQW) 两种情况。
对千更短的腔长，图2. 13中的数据将落在直线以上的位置。当确定直线拟合的位置
时，该数据被忽略，因为在该区域内各种高阶效应将导致载流子密度在高千阔值时不能完全
• 35 •
锁定。 其结果是？朗显降低（有关细节请参见附录2)。 如果假定在此过程中净内部损耗不
改变，将式（2.59)或式(2. 35)重复用千这些高增益点有可能估算出7 l 降低的部分。
在获取上述数据的过程中，还可以生成 一 个有源区内阙值电流密度J t h = （7 I I t11 /wL)与
L之间的关系表格。 这些数据通常从宽面器件中提取，因为这样可以忽略侧向电流与载流
子的泄漏。 由式(2.23)还可知， 一 旦获知内部损耗，可以算出每种长度对应的阙值模式增益
rgth。 这样，可以由这些阙值构造出激光器的模式增益与电流密度之间的特征关系。 根据
附录5所述的方式通常可以算出限制因子几因此可以最终确定有源材料的基本材料增益
与电流密度之间的特征关系。 图2. 14给出了图2. 13中示例的结果。
1.8
扭

.,,,,,.
6
l

.,,,,,.
.,,,,,.
哥泾i嘟令糕

SQW
西
＇，

，卢
4
l

＇， 矿
2
l

lO
。 400 800 I 200
／µm
1 600 2 000
腔长

注：在单袜子阱和双量子阱两种情况下，ln,，2G ai8As势阱的宽度均为80A。DQW中含有一个12nm的GaAs
分离势垒，而在两种量子阱情况下，每个阱的两侧都有40nm的GaAs。在有源区的两侧，势垒降为宽
8nm的AlI'，G a,As，然后通过80nm的渐变成为Al“Ga,2As，从而形成渐变折射率G RINSCH结构。通过
这些数据可得，SQW具有a,= 3.2 cm-','7,=89.6%; DQW具有a,= 2.6 cm-','7,=98 6% 。

图2. 13 宽为50 1-'m的Ino.,G砌 8 As GRINSCII扯子阱激光器的外部微分效率与激光器腔长之间的实验曲线

000500000500000500
3 2
-
UI
2
3\}
AX 涅 雾 蕊 Ii
1 1
。

100 200 300 400

电流密度／A·crn一 2

注：纵坐标中，将模式增益I'g除以 一个阱的限制因子E,，得到材料增益g
与虽子阱数从的乘积 。 实线是根据第4章的理论计算所得出的结果 。

图2. 14 实验获得的图2. 13中描述的InGaAs/GaAs量子阱激光器的增益与电流密度关系曲线

• 36 •
 2. 8. 2 VCSEL的内部参数：tJ i 和g与J,”和am的关系

在垂直腔激光器中由于腔长是 由晶体生长来设定的，因此较难实施上述过程。除
了腔长外，多次生长还可能导致其他材料特性的改变。因此，有人提出通过用垂直腔激
光器材料制作共面刻面激光器来确定所需的信息 。不过下文将介绍一种有所不同的方
法。很显然，由千光模式途经的材料的横截面有所不同，因此由共面激光器确定的内部
损耗将不同于VCSEL的内部损耗。然而，如果电泵浦电流流经相同的路径，并且如果共
面型诊断激光器中涉及的阙值电流密度包含VCSEL的值，则所测的内部拭子效率应该
相同。
由诊断激光器提供的最有价值的信息是增益与电流密度之间的特征关系。将该特征与
共面激光器的内部鼠子效率以及测蜇的VCSEL的阙值电流密度和微分蜇子效率相结合，
就拥有足够的信息址来确定VCSEL的内部损耗和镜面损耗（以及反射率）。即，由于已知
I'g th,nd和 T/ ,，因此求解式(2. 35)和(2.23)就 可获得(a,〉和am 。其 结果为

空
卢 I'g th
T/ i

和 (a,〉 ＝ I'gth(] 一空 ） (2. 60)

刀，
如前所述，必须先算出共面型诊断激光器和VCSEL的限制因子。

2.8.3 效率与热流

正如微分效率对千确定电光调制效率至关重要一样，对于确定 可实现的光功率输出以
及电路发热和系统功率要求，总的净功率转换效率也至关重要。 这 一 所谓的电光转换效率
。
(wall-plug efficiency)就是输出光功率相对于 输入电功率的比值，71=P /Pin 。输出光功率
由式 (2. 34) 给出，而输入电功率是驱动电流与跨过二极管 结点的 总电压的乘积。将其表
示为
pln =FR S +IVd+IV、 (2.61)
其中R、为串联电阻，V为与电流无关的串联电压，忆为理想的二极管电压，该电压等千准
费米能级间隔。高千阙值 时，该电压在其阙值处锁定。
在激光器上消耗的功率为
。
几＝P,n -P = P,n (1 － 沪 (2.62)
而其升高的温度为
�T=PoZr (2.63)
其中ZT为热阻抗。乙具有解析表达式，这些解析式 对千几种有用的实际案例都近似成立。
图2. 15阐示了 3种情况。当热沉平面非常接近千产生热匮的区域的侧向维度时，可以假定
热流为 一 维（图2.15(a)）。此时，
h
ZT= - （ 一 维热流） （2. 64)
$A
其中某种材料将区域A的热源与理想热沉隔开距离h，其热传导率为＄。 对千GaAs和
• 37 •
AIAs.�分别约为 0.45 W/cm•。C和 0.9 W/cm•。C。 对千Al,Ga 1 -,As，合金散射导致扫在
x"""O.5 时降低至最小值 0.11 W/cm• °C。 对千较厚的衬底（厚度为h)，如果其宽度 (2w,)
在某种 程度上宽千衬底的厚度（图2.15(b) ），当长为 l 宽为w 的直条状热源位于其上时，形
成的热流是准二维的，即
ln(4h/w)
ZT~ （线形： w«h<w,) (2.65)
咚l
对于窄的条状共面激光器，当其有源区封装在较厚的衬底之上时，其热流与上述案例近似。
对于位千半空间内的直径为d的圆盘状热源（图2. 15 (C)），可以假设流进平空间的热流为
三维，即
1
ZT = （圆盘） (2. 66)
2祖
对千封装在较厚衬底之上的小直径VCSEL，该公式近似成立。

二
(a)当热沉比较接近千热源 （b)厚衬底上的线状热源 （c)半空间内的圆盘状热源
时的平面或一维热流

图 2. 15 热流相对千激光器的几何示意图

2. 8. 4 温度对驱动电流的影响

式(2.44) 给出了激光器在给定输出功率时所需的驱动电流，式中第一 、 二项分别给出了

阙值之上所需的电流以及阙值电流。 该式假定在阙值之下的主要 复合过程为自发发射过
程。 如果存在某种主要的非辐射复合，必将增加额外的阙值项，如式(2. 46) 所示。 对于共面
激光器和垂直腔激光器，上述公式都是温度的函数。 通常当温度升高时，阙值电流与阙值之
上的电流增虽都需增加。 通过研究式(2.44) 和式 (2. 46) 各项中的各个因子与温度的关系，
可以估算出这种关系的本质。
然而，对于VCSEL和单一轴向模式的共面激光器，由于集成的选模滤波器（例如，
Bragg 镜面） 可以迫使激射模式偏离增益最大值所对应的波长，因此其情况更为复杂。
由于腔体模式波长和增益峰值以小同的速度随着温度移动，因此可以通过设 计使这些 激
光器具有反常的温度特性。 事实上，通过有意地使室温下的模式波长 与增益峰失配，甚
至 可能降低高温时的阙值，因为这时移动后的增益峰与该模式相匹配。 本节将不考虑这
些模式与增益相对匹配的问题。 相反，我们假设存在多个模式谱（正如简单的共面激光
器），因此激射总是发生在增益峰处。 这样，我们还是可以着重分析式 (2. 44 ) 和 (2.4 6)
中各个因子的温度特性。
对于式(2.43)中的阔值电流，有3个因子通常与温度紧密相关：Ntr , g。和(a,〉。 根据
第 4 章中的增益计算，在一定的温度范围内，Ntr CC T, g。cc1/T,并且饭 ， 〉ccT。 当温度升
• 38 •
高时，注入载流子扩散的能最范围更宽，因此透明载流子密度增加，而增益参数降低。 为了
达到阔值而需要增加载流子密度导致了内部损耗增加。 由式(2. 43)可得出结论，增益和内
部损耗的变化导致了阙值电流与温度之间呈幕指数关系，而在小温度范围内，透明载流子密
度是温度的线性函数这一点并不重要。 其他的阙值成分（例如式(2 .46)）将引入更多的温度
相关性。 例如，第 4章与附录2 表明Cocexp(y,T)且R1oc exp(yT)。
1 因此，俄歇复合与载
流子泄漏都对阙值电流与温度的幕指数关系作出额外的贡献。 这些现象表明，可以将阔值
电流近似写为
Ith=I。 e ; 。
T T
(2. 67)
其中兀为某种全特征温度，式中各温度单位均为开尔文温度K。 请注意， 兀值越小表示
其温度相关性越大（因为dI,h/dT =I,h/T。)。 还应注意，在 一 定的温度范围内，其他参数与
温度的微弱关系很容易适应这个模型。 例如，由千增加的泄漏电流和／或各种高阶效应（如
附录2 所述），温度越高，内部效率越低。 刀 ， 的降低将导致T。在一定的温度范围内减少，这
与刀 ， 与温度之间的准确关系无关。
对千优质的近红外（约850 nm)GaAs/AIGaAs DH激光器，近室温时的T。观察值一般
高于 120K。 对于址了阱 GaAs/AIGaAs，该值稍高（约150~180K)，对于应变层InGaAs/
AIGaAs鼠子阱 ，曾经观察到T。多200K。 对于1.3~1. 55 µm InGaAsP/ InP DH激光器和
扯子阱激光器，其特征温度通常要低于预期值。 由千俄歇复合以及可能的载流子泄漏和价
°
带间吸收效应，该测星值一般在 50~70K 范围内。 因此，其阙值在室温和l00 C之间一般
变化较大，通常导致高温时的性能较差，并 且一般 需要使用热电制冷器。 短波长(600 ~
800 nm)AIGaAs/ GaAs 和AIInGa P/ GaAs激光器一般也比近红外类激光器具有较小的T。
值，这主要归因千载流子泄漏的增加。
为了获得设定的输出功率而所需的阙值以上的电流卧也与温度有关，不过这种影响通
常要小千对阔值的影响。 这一影响源千微分倡子效率的降低。 正如式(2.44)第一项中的各
项构成因子所示，增加(a,〉以及降低 T/， 通常导致 I － 儿增加。 类 比千式(2. 67)，可得
I—Ih, =IP0 e IT,
T
(2.68)
其中兀为阙值以上的电流增最的特征温度。 正如上文所推断，图1.14显示T,通常比T 。
大 2~3倍。 即，除了兀包含的因素，T。还包含其他几项因素。 总之，对千设定的输出功率
所对应的总驱动电流，需要用4个参数来表示其温度相关性，即
I=I。e T/T。十lpoe TIT, (2. 69)

2.8.5 导数分析

实际的二极管激光器在阙值之上并非都有理想 的线性P-I特性，而且它们含有寄生串
联电阻并可能含有式(2. 61)所示的串联电压。 对PI和V
- I特性求导数可以分析其非线
-
性。 通过理想激光器的dP/dI特性，只能很好地测星阙值电流和斜率，以确定阔值以上的
和。 然而，实际的P-I曲线会含有扭结，而且可能是非线性的。 这些扭结可能暗示侧向或轴
向模式间发生了转换或者器件内含有额外的寄生镜面。 对该曲线求导能够突现这些扭结的
“ ”
存在。 输出功率过早地饱和可能暗示存在电流泄漏路径（在电流较高时被 接通 )或者额外
• 39 •
的增益材料发热。 该导数曲线较好地定量测损了这些症状。 图2. 16(a)举例给出了共面激
光器的 P-I 和 dP/dJ 曲线。
除了 V -I 特性，通常还绘出 IdV/dI 与 I 的关系曲线。 这一特性敏感地测出了串联电
阻，尤其被用来标识各种分路电流路径。 由千结电压与载流子密度的关系在阙值处锁定，因
此此时会在曲线上形成一个扭结。 图 2. 16 Cb) 举例显示了 V 和 I dV/dI 与 I 的关系曲线。
通过分析 一 个寄生电阻与 一 个理想的异质结二极管串联的等效电路，可以得出上图所包含
的信息。 可以将二极管的 V -I 关系写为
。
I=I (eqVd 国T -1) (2. 70)
对结点电压(V=Vd +IR) 求导数，由式(2. 70) 求解 dVd/dl，当 I»I。但低于阙值时
dV = nkT
I +IR (2. 71)
可 了
在阙值以上忆为常数，则
dV
I —= R
I (2. 72)
dl

05
(a)
4

04
L—
AE忘 森心3
3 2 1

苍
L,111i1

03
1I

02
书1亏
0I
二

。
0
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2

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（
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b

08
－
A3i

06
a

�I~亏
－
－
]
一
r_lI'

04

02

。。 50 100 150
。
200
电流／mA

图 2. 16 共面激光器的 P l
- 和 dP/dl 曲线及 V 和 I dV/dl 与 I 的关系曲线

由此，高于和低于阙值的斜率均为 R，但是在低千阙值时存在 一 个正偏扯 nkT/q，导致

在阙值处存在 一 个幅度为该偏量的扭结。 现在如果在等效电路中增加一个分路电阻，则式
(2. 71) 中需要增加一 个额外项。 该项为低于阙值的 I(dV/dI) 特性提供了 一 个峰值。 对于
普通的DH结构，二极管的理想因子为n=2。
类比于图 2. 16 ，图 2. 17 绘出了一 个lnGaAs/GaAs VCSEL 的曲线。 这里，严重的局部
发热造成了 P-I 曲线在较低的功率处滚落。 这导致 dP/dI 在 高于此点时为负值。 此外，严
重的串联电阻造成很难区分 IdV/dI 特性在阔值处的 nkT /q 扭结。 因此对 VCSEL 而言，

• 40 •
导数分析并非总是有效。

5
15 2 0.8

4 3 2
AU址 0.6
16
9 04
恲云壬赛岩

N由于
乏 l2 0.2 ',::
:;;I- 。 。 各
6

亏
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3

4
-0.4

。。 -0.6

0
0 0.8
20 10
30 40 50 10 20 30 40 50 -
电流／mA 电流／mA
(a)含有3个lnGaAs应变最子阱和AIAs/GaAs DBR镜面 (b) 一
同 器件的导数曲线
的直径为20 µm的VCSEL的输出功率与结点电压

图2. 17 InGaAs/GaAs VCSEL的曲线

习

（注：以下问题利用了附录4~6的内容。）
2. 1 在二极管激光器中，端点电流为I，有源区旁路电流为Ib，载流 子在
复合之前泄漏出有
源区的电流为I!，在有源区内进行非幅射复合的电流为Inr ，在有源区内进行自发发射
的电流为I、p ，在有源区外进行自发发射和非幅射复合的电流分别为儿和I'nr ，在有源
区内进行受激发射的电流为 Isto

(a) 内部效率是多少？
(b)如果在阙值以上测扯到的外部微分效率为加，镜面 损耗与腔体总 损耗之间的比值
是多少？
(c)当T作在阙值以下时 ，辐射效率是多少？
3
2. 2 一
个面积为A的水库以速率 Rr（单位为ft /min)进水，同时连接两个管道来抽水，其
流 速与水位高度h 有关。 其抽水速率分别为Ru1 =Ch和Rd
1 2 =Ch气注：ft为英尺，
2

1 ft = O. 304 8 m)。
(a)写出水位高度的速率方程。
（b) 稳态下的水位高度是多少？
(c)如果A= 100 ft 2 , Rr =10 ft3 /min,C1 �o，稳态水深为5 ft时的G值是多少？
2． 2．
3 4

一 1 3
个LED的P型有源区的掺杂度为6.3Xl0 8 cm- ，其本征截止频率近似为多少？
13
光子穿过 一 块GaAs后的相对增长率为[1/Nµ ][dNp /dt]=10 s- 1。 其材料增益（单
位为s 1)是多少？
12 1
2. 5 波长为1. 3 µm的InGaAsP/InP二极管激光器腔体的光损耗 速率为4Xl0 s o

(a) 光子寿命是多少？
（b) 阙值模式增益是多少？
2. 6 在一个长为400 µm、具有解理面的1. 55 µm lnGaAsP/lnP多址子阱激光器中，内部效
1
率和损耗分别为80％和10 cm- 0

• 41 •
 (a) 阔值模式增益是多少？
(b)微分效率是多少？
(c)轴向模式 间隔是多少？
2.7 一个具有解理面的DHGaAs激光器的有源层厚度为0. 1 µm，长为300 µm， 阙值电流
2
密度为1 kA/cm 。 假设内部效率为1，内部损耗为10 cm-1，限制因子为0. 1，并且只
有辐射复合。
(a) 有源区内的阙值 载流子密度是多少？
2
(b) 电流密度为 2 kA/cm 时， 从一个 解理面的每微米宽度输出的功率是多少？
(c) 2 kA/c旷时的光子密度和载流子密度是多少？
2
2.8 在习题2.7中的器件中，在 0. 5 kA/cm 时发生透明增益 (g = O)，横向限制因子为
0. 15。 请问2 kA/c而时的张弛谐振频率是多少？
2. 9 从相同的材料中切割出两个1. 3 µm 的宽面DH lnGaAsP/InP激光器。 一个长
200 p.m，另一个长400 µm。 阙值电流密度分别为3 kA/cm2 和2 kA/cm2 ，包含两个 端
面的微分效率分别为60％和50%。
(a) 该材料的内部员子效率和内部损耗是多少？
(b) 如果微分效率的每个测肚值的误差为(1%，算出的内部损耗和星子效率的误差是
多少？
2.10 对千习题2. 9 中的材料， 200 µm 长的 激 光器在两倍千阔值处的张弛谐振频率是
3 GHz。 400 p.m长的器件在两倍于阙值处的谐振频率是多少？
2. 11 一个 VCSEL由多层AlGaAs镜面和3个横子阱GaAs有源区构成。 电流从镜面处
2
注入。 当端点电流密度为1 kA/cm 时，有源区为传播的轴向模式提供1％的单通增
益。 假设内部效率为80%，平均内部损耗为25 cm-1。 有效腔长为1.5 µm。
2
(a)要使该器件在1 kA/cm 时达到阙值所需的平均镜面反射率是多少？
(b) 此时，绘 出输出功率密度与端点电流密度之间的关系曲线。
(c) 如果假设增益与 载流子密度呈线性关系，在低于阔值时以自发复合为主，绘出阀
值电流密度与平均镜面反射率在 o. 98 <R<l.o 内的关系曲线。 反射率以0.005
为间隔，在另一个 轴上标出微分效率的值。
2. 12 采用习题2.11中的VCSEL材料，现在蚀刻出方形平台来测队每 侧的直径d值。 假
设自发带宽为30 nm，轴向限制因子为2La /L，侧向限制因子为1，并且附录4中的近
似成立，请绘出自发发射因子与d的关系曲线。
2.13 再次采用习题2.11中的VCSEL材料，如图1. 11所示向下蚀刻到有源区构成方形平
合用来测最每侧的d值。 假设GaAs衬底厚且宽。 如果假设阙值电流密度与面积无
2 2
关，为1 kA/cm气串联电压为lV，串联电阻与器件面积呈反比R, = 20 kn • µm /s 0

(a) 绘出当电流为两倍阙值时，平台底座（有源区位置）的温度与d的关系曲线。 d
的范围为l<d<ZO µm。
（b)假设微分效率为 50%，对于 (a)中的条件，绘出输出功率与所需电流之间的
关系。
2. 1 4 在1.55 µm lnGaAsP/ln P BH激光器中，有源区厚0. 2 µm，宽 3 µm，长 300 µm。 内
部效率为70%。 此外，在有源区的一端接有一个长为400 µm 的无源波导沟道，其侧
• 42 •
 向和横向尺寸与有源区的相同。 其横向和侧向限制因子分别为0.2和0. 8。 两端的
解理面构成了700 µm的腔长，并且忽略其他各种内部反射。 有源、尤源和覆盖区内
的材料损耗分别为80 cm--1,20 cm-1和5 cm-1。 有源材料的增益与载流子密度呈线
18 2
性关系，透明载流子密度为2Xl0 cm-3，微分增益为5XlO-" cm 。 假设自发发射
带宽为100 nm。 在透明态处，俄歇复合速率等于自发复合速率，并且忽略其他各种
非辐射项。
(a)绘出P-I特征曲线，标出阙值电流、在阙值处进入该模式的自发发射功率以及阙
值以上的微分效率。
(b)绘出当偏置电流为阙值两倍时的小信号频率响应。
2.15 利用式 CA6. 25)算出 GaAs 带边以上50 meV处的增益作为（八 jl )的函数（假设
一

心＝0. 3 ns，并且只考虑重空穴带）。

• 43 •
 第3章 二极管激光器的镜面与谐振

言
3. 1 引

现代的二极管激光器采用各种不同的腔体结构。 第1章和附录3介绍了通常使用的横
向和侧向导波结构。 不过至此还没有详细讨论过轴向结构。 在气体和固态激光器中，山于
没有侧向的导波结构，整个腔体由轴向镜面来确定。 迄今为止，我们 一直假设采用简单的两
镜面Fabry-Perot腔来实现轴向光子限制，并采用某种波导来实现 侧向与横向限制。 本章
将着重讨论轴向形状。
首先，推导一套散射矩阵公式，从而可以简便且严谨地分析各种不同结构。 采用相关的
传输矩阵可以将含有无数阻抗断点的轴向结构分析化简为矩阵相乘的数学求解。
随后，继续分析二极管激光器的几种不同的轴向形状。 首先分析的是三镜腔和四镜腔。
数学上可以将多出来的心那些腔体和镜面浓缩成一个简单的有效复镜面，从而使得许多法
布里帕罗(Fab ry-Perot)腔激光器的基本公式仍可适用。 这样便可以实现单一轴向模式的
激射。 此外，如果可以独立改变激光器的不同节段的相位，便可以对激光器的波长进行调
谐。
第气，介绍光栅镜面的概念。 这些镜面被广泛用于共面激光器和垂直腔激光器。 这些
镜面山一系列在轴向传输方向上的小型的阻抗断点构成，这些断点之间存在 一 定的相位关
系从而可以在某些频率处形成建设性的反射叠加。 这样，虽然只存在微弱的阻抗差异，光栅
镜面却可以提供很高的净反射；而且由于这些光栅可能只有若干个波长长度，因此可以只在
一个窄带波长内实现所需的同相叠加从而导致单频操作。 如果用光栅镜面来代替二极管激
光器的分立镜面，可以获得分布布拉格反射(DBR)激光器。 这时，净的复光栅反射可以代替
第2章中Fabry-Perot腔公式中的分立镜面反射率。 目前，多节 DBR激光器已广泛用于实
现宽带波长调谐。
第四，考虑含有增益的光棚。 采用这种光栅的激光器被称为分布反馈(DFB ) 激光器。
由千无需有源区到无源区的转变，因此其制作比 DBR更为简单，但其理论分析则较为复杂。
但是传输矩阵公式组对复传输常数仍然成立，因此仍可以通过数值方式求解其阔值增益和
波长。 由千其制作相对简单，DFB 已成为单频操作的最佳选择。 DFB也可进行波长调谐，
但其调谐范围远小于 DBR的调谐范围。
本章的最后 一 节将讨论上述各种复合腔激光器的轴向模式选择的频谱纯度。 模式压缩
比(MSR)是主模与相邻最大模式之间 的输出功率比值。 实验表明各种单频系统应用所需
的 MSR最少为30 dB。

少 译者注：勺两镜腔相比 。
• 44 •
 3.2 散射理论

在分析激光器复腔体时，采用归一化振幅a) 比较便利，该振幅的幅度等于功率流的平
方根，其相位与某一选定观察量（例如电场）相等。如果选择电场来表征相位，可得
E(x,y，之，t)=; E0 U(x,y) e尸 扣 (3. 1)
－

定义
E。 ~
a) = e l沪
(3. 2)

其中 r;,=377 0/11 1 为模式阻抗（该模式的横向电场与横向磁场振幅的比值）。这样根据

I IU尸d:rdy = 1，可得aJa; － P;，这就是该模式沿着正z向流动的功率。

通常在某一波导坐标平面内同时存在入射和反射功率。我们用归一化振幅a] 来表示
入射波（或入射），用归一化幅度b] 来表示反射波（或输出），其中）代表所分析的参考平面
或端口。这样在端口），流入该端口的净功率为
P, =a1a/ -b} 旷 （3.3)
注意每个端口的阻抗有所不同，但是其定义并不变。这是归一化振幅最重要的特性。图3.
所示为一个多端口散射结点，图中标定了每个端口的输入a] 和输出b ] 。

图3. l 多端口散射结点

如果各输出与输入呈线性相关，可以用一组矩阵公式将各输出表示为各输入的加权组合：

b, = �S ,} 也 C 3. 4)

其中S,)被称为散射系数。根据式(3. 4) 可知，若要确定某·特殊S,} ，必须将a) 之外的所有

输入设为零，即
b，
s .. =a-
，J (3. 5)
J I a, ·•O,k句

这等效于将所有端口用其特征阻抗端接，以避免反射回到该网络。
• 45 •
 更普遍的表示方法为 b=Sa，其中 a 和b为纵矢屉而S 为矩阵。例如，对千 一 个两端口

口： ［勹
的散射结点，例如 一 个部分传输的镜面，可得

厂:
2
—
(3. 6)
j 2 2 ]
由于具有直接的物理意义，这些散射系数尤其有用。所有的系数都代表某 一 归 一 化输
出 振幅与某 一 归－化输入振幅的比值。该矩阵的对角元数是各个复振幅的反射系数。例如
在两端口系统中，前文将 ＼和 S
和I S
2 直接表示为r]和r 2 。此时的功率反射系数分别 为心n尸

2 2 尸。各非对角项分别代表由千
一
L 2
端口的输入所 导致的另 一 端口的复输出（振幅和相
位）。因此，它们实际上是转换函数。不论如何，散射系数的幅度平方I s,J 尸代表由千输入
端口）的功率而导致的从端口1输出的功率部分 。
当网络满足某些特定标准时，其散射矩阵会显示某些有趣的特征。例如，线性互逆系统
的散射矩阵是对称的。对于两端口系统，S12= S2 1。对于无损耗的两端口系统，满足功率守

I
恒， S1 「
1 +I S 1尸＝1,且 I S I +I S1尸＝1。而且无损耗系统的散射矩阵是酉矩阵。
2 2 2
2
2

一 一
与归 化 振幅有关的另 个重要矩阵是传输矩阵。传输矩阵用其他端口的输入和输
一
出来表示 个端口的输入和输出 。在两端口情况下，由于可以使用简单的矩阵相乘，因
此 常常用该矩阵将不同的网络级联在 一 起（将在下文演示）。参照图3.2(a) ，两端口的传
输矩阵为

其中我们选择用A,表示右侧的向前 传输波，用B，表示左侧的向后传输波，而不采用上
忙l l ;:: ;::J l ;:l
=
(3. 7)

文定义的输入和输出振幅a，和b,。参考图3.2(a),T矩阵和 S 矩阵振幅之间的对应关
系为：儿＝a,,B, = h1,A 2=b2 ,B2=a2 。当级联多个串联的两端口网络时，这种符号的改
变非常适宜。例如在图3.2Cb)中，系统2的端口1 与系统1 的端口2相连。利用等式

[;： ：2 ［；: ：，
＝
A 2 凡和B 2=B'1，可以通过下式将整个结构左侧的各场A 1 和B1 与右侧的各场A 2 '和
B 2 '联系起来：

[； ［；2 ［ ［；
2 2 2 2
＝ (3. 8)
］ － ;2 2 ] ;2 ] :］ 2 2 ] 2 ]

三
(a) 单一的两端口网络 (b)级联起来的两个网络

图3. 2 单一与级联的两端口网络

继续该过程可以获得任何复杂的多节段波导器件的净传输矩阵。采用下式可以直接由S矩
阵获得T矩阵：

• 46 •
 T11
=—
l
,T12 = - －
S22

s2l s21
(3. 9)
—
"'
S11 S11S22 S12S21
＝
'T22 = -
吓 豆 S21

表3. 1归纳了S矩阵和T矩阵的定义及相互关系。

表3.1 散射和传输矩阵的关系

散射矩阵 传输矩 阵

二尸仁
定义 定义

二汇卫二 A
AB

： ［：
B

[ 1 ]b ［ s s:,j [： j 厂］ ［ ］
2

r： ]

、
b, =S11a1 +S12a2 A1 =T11 A2+'1 1 2 I丸

=
b2 =S2 卫 1 +S22a2 B1 T21A2+T22B2

与r和t的关系 与r和t的关系

m
＝
h1
S
言I“ =0 = II
B1 I
r12 =－ －
Al
=
T21
ll2一。T11
-—
2

l
112
= 红
| ＝ S21 112
=
A2
--.'-1 = -;;c;-
a1 I "z �o A1 1112 一。T11

m =红 =
A, I － ～ －- 一
= T12
i =S22 r,1 1
a, I " 1 -o
-;-;-
B2 一
A1 。 T11

bj

：］
B1 I =
det T
t21 S1 2 t21 =-.,-c- I
＝言 0=
I "1- B2 I A1一。T 11
1
,
1-

－ －
r
1
2
＿＿
T

s [:
5
r
1

t
t

r
r
2
2
2
l
1
2
2

l
1
J

—
dct s�s11S2乙 S12S2l =r12戊l mt21 <let T= T11
T22�T121'21 =121 /112

j
与T矩阵的关系 与S矩阵的关系

气［勹勹勹
2

—�d:: S
`slII

如上文所述，根据不同的网络特性可以指定各矩阵系数之间的关系，从而可以减少独立
系数的总数目。 例如，一 个满足麦克斯韦方程组的标戳为 e 和 µ 的系统的归一化场量遵循
互逆性，即，散射矩阵与其转置矩阵相同，即 S12 =S21
除了互逆性（任何线性系统的属性）以外，网络还可以是无损耗的。 如果尤损耗，则可以
推导出其他简化的关系式。 例如，由千 T,2 = Tt1且T22
=
T 伈可将 T 矩阵的求解极大地简
• 47 •
化。表3. 2归纳了不同网络特性下的这些关系。

表3.2 网络特性及其对应的矩阵系数

互逆网络（对有／尤损耗的归一化场员均成立）
S12 = S21
s,= s-
det T= 1

S=
[ !:: !:: ]卢［厂；］
T= l ;: 灼［
(T12 T,: �])/Tn j
r
l
s ll
s2 2
st — SnS 22 j
`

尤损互逆网络
I SJ] I 2 + I S 21 I 2=] I T2 1 I z +] = I J 11 I 乙
- 2= ]王]
， S=
s 1S 121 2+
I S 22 I + I T I = I Tl] I
、

l
S「 S 1 2+Sz'1S 22= 0 T/1 — T1 2 0
2 2
12

[：
骨

=
1

s
S S
S S2 )] 广 ['\ 1 -�2·1 j

l}
2

1
、
r： ］ ［ s
lS
S
S
l s
S ]

r和t的相位移动为0或兀的无损互逆网络
S22 = — S 1
1
S 11 5门
dct S= -- 1
S 21 =Sz'i
=

T22= 1 , T12= T21

王

s
11

s l -- �21 ]
[ ::: - ,�'11 卢 [,I:
、
1
=

S
T=
[;:: ;::]—心 [SI l]

3.3 某些常用元素的S矩阵和T矩阵
＂ ＂
通过分析几种常用的 散射结点 ，可以更清楚地了解S和T矩阵的效用。这些矩阵为

二极管激光器中遇到的许多更复杂的波导网络提供了基础。本书随后一章将进一步分析更
为复杂的集成光路（例如含有方向耦合器的光路）的矩阵。

3. 3. 1 电介质界面
图3. 3所示为电介质界面处的归一化振幅。两种介质的折射率为m和n2。

在任何 一种情况下，都可以自由选择每个端口的参考平面。散射系数的相位将与这些平面

的位置紧密相关。有人认为，通过小心地选择参考平面可以使这样一个非对称问题具有 个对
一

称的散射矩阵，从而使S满足 一
定的数学精确度。不过，这样处理可能造成混淆，并使问题的物
• 48 •
 “ “
理含意模糊不清。因此，我们将在物理边界上 一 直选用 自然的 参考平面。
在本例中，在两种介质材料的物理界面处选择两种参考平面，这样散射结点的长度为
零。利用式(3.5) ，可得

S11 = - — I
b1 =
= n1 -n2
r1= (3.10)
a1 la,-·O 'I n1 +n2
对千最后一个等式，假设平面波垂直入射 。对千弱导 nl
波的介质波导模式，这一点近似成立，但要用模式的有
效折射率汇和汇来替代nl和n2 。请注意在图3.3 中
选择了将n1 端的反射表示 为 － r！而不是十r ，图中显
!
示了两个端口在界面处的参考平面。这是为了为与本
书中的 其他计算相兼容。此外如果n2>n l ，八应 为正 r,
实数。
图3. 3 两个介质材料之间的界面
类似地，对千第二端口有

s 22
= —
b2
a 2 I« I 二()
=
r2 = (
—
r1 ) (3.11)

和
S1 2 = S21 =
t=厂 （3.12)
其中对式(3.12)采用了功率守恒。对于平面波这当然有效，因为长度为零所以没有损耗；但是
对千波导模式而言，功率守恒意味着两个横向模式分布相等（如果 波导模式不匹配，则存 在散
射 损耗。随后一章将对其详细分析）。对于 垂直人射平面波情况，t = 2(n1n2 ) 112 /(n1 +n2 )。
这样，电介质界面的完整的散射矩阵为

:I]
—
s= r
! (3. 13)
[
t
再次，r1的符号与图3.3规定的 一致。相应的T矩阵为

T
=
』[ _\1
r1
-l ] (3.14)

3.3.2 无不连续点的传输线

图3.4所尔的网络是一段长度为L 的无不连续点的波导。事实上，该网络仅由一段波

：
导上的两个参考平面构成 。这样，问题就变成如何将一个参考平面的变量与另一个的变星
： 联系起来， 而这两 个平 面之间没 有散射
a,(0).....,.. i- - - - - - - - - - - - - - - - - _: .....,.. a,(L)=b, 结点。
： ，
b, （ 0)<- ----- ----------- - -;...,_ b,(L)=a,
在这种情况下，通常将归一化振幅表示
为距离的函数，如式(3.2)定义。这样，如果
原点在端口1 处，则hz = a 1 (L),a2 =b1 (L)，如
。

图3.4所示。由千前向和后向传输的波之间
L

z
不存在耦合，Sn = S22 =O。由式(3. 2)所示，
图3.4 长度为L的传输线节段 对千前向和后向的模分别为a八z) =a1 (0)
嘉之
e 和h1 (z) =h1 (0)产。这样

• 49 •
 b2 = a1(L) =a1 (O)e勹pL =a1e一」釭
和
a2 =b1 CL) =b1(0) 产＝ b1 e闵 (3. 15)
求解S12和S21 ，可得
S12 =S21 =e 啦 (3. 16)
该 结果非常重要，因为它验证了前向波和后向波的传输时延相同。换句话说，波导模对所选
定的坐标系一无所知。模式沿着任意方向传输距离L都导致该模式的相移为 一 f3L，生长速
率为f3;L，这里假定沪＝p＋J/3，（如式(2. 19)）。可以将该散射矩阵归纳为

J
~
L
8'
le厂社

、
o
S= C3. 17)

丿
采用式(3. 9)可得相应的T矩阵为

ei L
T= [ : (3. 18)
e厂pL l
表3. 3归纳了一此基本元件的矩阵。对千T矩阵，假设第 1种和第 3种情况为无损耗
镜面。若要分析有损镜面，需要将这两种情况下的T22乘以九十ti2。T矩阵的优点在于只
需将表格中的基本元件的矩阵相乘，就可以构成更为复杂的结构。例如，将表格中第1个矩
阵与第2个矩阵相乘就可得到第3个矩阵。
“ “
.
表33 简单的 积木 元件的 S 矩阵和 T 矩阵一览

散射矩阵 结构 传输矩阵

I 2
] 1 r12
t 12 [ r12 1 ]
2 l 12
八

r12 ]
l t 12

r21 = — r1 2 t21 =t12 中＋小＝1

2 2 2
' '

勹。
:IL : I

。]
．．
．． ． ．
e －－仑·
·I • eJ;
0
[ e--J4
I
I
[ e--;;
,..._.I I -
' ' 0
' '
' '
．．
中＝队L
I 2 2
1 �; r12e ;;
•
．
r12 l12C i> t12 [ r12邑 e勹心 ]
[ 压e j,f, — r12 e j2 夕 ] 喔

＝二） t1 2,｀
二仁 ，.
I
盲

r" 巾＋小＝1

• 50 •
 3.3.3 电介质节段和Fabry-Perot标准具

图3. 5所示为长度为L，折射率为 m 的电介质块。 左侧区域的折射率为 n1 ，右侧区域

的折射率为 n3 。 从中心介质望去，用 r1 和 t1 来表示左侧界面，用 r2 和 t2 来表示右侧界面
（由此，在物理界面处选择参考平面，并假设 n2 >n1，则 r1 应为正实数）。 称这种结构为 Fab­
ry-Perot 标准具。

亡九 r2 习
r,')）丸
n1
n,
aI' .

|喔 L .|

图3. 5 长为L的电介质块

如图所示，可将这 一 问题视为3个散射网络的级联：两个电介质界面和一段传输线。 这
样，通过T矩阵相乘可求解该问题。 这一问题被列在本章结尾的习题中。 不过将在这里演
示如何通过求解归 一 化振幅系统来直接获得S矩阵。 本章将逐步揭示， 一 旦获得了这种电
介质节段的S和T 矩阵， 通过重复使用该结果可以解决大多数的多节段二极管激光器
问题。
参考图3. 5，其中上撇号用千内部变量，并假设 a 2 = O，可得各输出扯 b1 之间的关系
如下：
—
bl = alr1+a亿
b'l= alt1+a亿
b2 = a;t2
b; = a伈
并且还可以表示为
一
a; = b;e 面
(3. 19)
a; =b; e一面
通过该方程组求解 S11 = b1/a] 和 S2 1 = b2 /a] （由于 a2 = O) ，可得

r2e 2ipL
- --
tl2..
S11 =
—
r1+ ~ (3.20)
I -r r e- 2iPL
1 2

t1t2 e -JpL
S2 1 = (3. 21)
I -r1r e-2jpL
2

• 51 •
类似地，当a1 =O时，
-

、
（
3．
2
2
l22r1 e- 2lpL

｀丿
s22= -r2 + — ~
1 r1r2 e 2JpL

）
（
2
3．
3
S12=S21

公共因子1—r1r2 e-2砬导致了 与Fabry-Perot标准具有关的特征谐振和反谐振。

获得Fabry-Perot标准具的相应的T矩阵的方式有如下几种：（1)利用S矩阵系数，采
用式(3.9);(2 ) 采用 适当的折射率，将表3.3中的第1个和第3个矩阵相乘；（3)求解各种
有关比例，T11 =
a1 /b2 和T21 = b1/b2 （当 a2 =
0 时 ）；T12 =
-T11 b2 /a2 和T22 =

b1 /a2—T21 仇／a2 （当a1=O时）。 当a2=0时，

1 炕L
吓＝ ［产—r1r2 e ] (3.24 )
t1tz
1
T21 = -:-- — [r1 e诏 _r2 e 五 J (3. 25)
L L
tlt2
类似地，当a1 =O时，

T12 = —1 - ［r1 e
— 面－
r2 ei /JL J (3. 26)
t1t2
1
T22= �[e jpL —r1r2 产］ (3.27)
t1t2
一

对于后3个T参数，假设界面无损耗来简化表达式，即d=l— 片和d =l— 为。 对千S参数

（式(3.20)~(3.23)），每个镜面的反射和传输都采用了通用形式。 因此，这些公式适用 千任
何长为L的Fabry-Perot标准具。 例如，电介质界面可含有损耗， 或者被锁膜使其反射率r1
和r2 增强到大千式(3.10)所表示的值。
对S11和S2 1求绝对平方可得到由Fabry-Perot标准具反射和传输的功率值与入射场的
波长之间的函数关系。 利用式(3.20)和(3.21)，并假设t; =1—rf， 可 得
(rl —r2 邑）2 ＋4R sin凇L - 4R sin飞L
IS11 尸＝
(l-R)2 +4R sin飞L O -R)2 +4R sin飞L
(1-ry)(l-r）多 e2fi, L (1-R)2
IS21 尸＝ —
(l R) +4R sm飞L - (1—R)2 +4R sin飞L
2

其中R=r1r2 e2fi, 准＝阳低。 式中的箭头代表一种对称的(r1 =r2 入无损耗的（/3, =0)Fabry­

L

Perot腔体的特殊情况。 请注意在无损耗时，正如功率守恒所要求的， S11 I I 2

I
+ S21 尸＝1。
图3. 6所 示为3种不同的反射率情况下，S11 和S21 的振幅和相位与2/3L 之间的关系曲线。
对于这种对称的无损耗情况，S21 传输频谱的周期性极大值为1，而当r值很高时，该极大
值变得非常尖锐。 这些极大值发生在Fabry-Perot腔的轴向谐振或者轴向模式 处，这时
e-ZifL = lr1r2 l/r1r2 =l。 由于 功率守恒，这时净反射S11 的最小值在谐振处为零。 如果 腔
体有损耗，S21 的最大值达 不到1。 当然， 如果该腔体像在激光器中那样有增益的话，该最
大值可超过 1 。 值得注意 的是，在有损情况下，通过使入射镜面的反射率低千出射镜面的
反射率从而满足r1 =r2 e-a1'，仍可将 S11 调节到零值。 这等效于将式（3.2 0)中的第1项和
第2项设为相等，达到谐振状态。 这种非对称的Fabry-Perot结构对丁各种有效的光调
• 52 •
制器和探测器非常有用。
＇
|Sl l | |S21|
l 09 l

0.8 08
0565 r�0.3
06 06

04 04
r=0.3 0.565
0.2 0.2

-2 - 1.5 - I -0.5 0 0.5 I 1.5 2

。
-2 - 1.5 -1 -0.5 0 0.5 I
0.9
1.5 2
(2/3L 五m)/2 亢
－
(2/3L-2Jtm)/2Jt

360
乙 Sll 羞 s2l
r=0.3
270 270
5
180 180

90 90

0-
-2 1.5 -1 -0.5 0 0.5 I 1.5 2 2 - l 5 - l -0 5 0 05 1 15 2
（邓L-2nm)/21t (2{3L-2冗m)/2兀
(a)反射 (b) 传输

注：假设 r = r1 =rz 以及零损耗，图中绘出了 3 条镜面反射率曲线（解理面腔体，对应于 r = O. 565)。

图3. 6 Fabry-Perot标准具的反射(Sll )和传输(S21)系数的振幅
和相位与相对千纭整数倍的腔体环路相位（在右下侧曲
线中，该相位相对千纭的偶数倍）之间的函数关系

3. 3. 4 Fabry-Perot激光器

在第2章中，分析了如何采用Fabry-Perot腔来构成二极管激光器。 基千直观的分析，
将阙值标定为轴向模式的净环路增益与净环路损耗相等的点。 现在可以用S参数更严格地
分析该点。 为了实现激射， 必须在没有入射光的前提下发射出相干光。 因此，激射阔值必须
对应于S 参数的一个极点，该极点给出输出与输人的比值。 观察式(3. 20)~(3. 23)，所有的

S参数在其中一项的分母内都含有因子l-r 1 r2 e- 佃。 将该因子设为零，即得所需的极点。
2

这一阙值定义等价千式(2. 20)。
对于无损耗镜面，式(2.35)给出了微分效率，式(2.36) 给出了输出功率。 不过还没有得
到激光器每个端面输出的相对功率。 现在可以确定每个端面输出功率的比值为P 1/Pon 。
因为它等于仇／b 2 尸。 观 察图 3. 5, 当a 1 = a2 = 0 时，可得b1 = a'1 t1,b 2 = a'山且

a;=a年e 他
。 对千阙值以上的模式，Im｛和＝（I'工y g t h-a l )／2。 则
P
—。I b1 I － I 2 ＝ ti 讨e (I'xy g th
-al )L
。
P2
=
杭 了
t2
(3. 28)

• 53 •
但由式(2.21)可得exp(['工y gth —
a)L= l/(r 1 rz)。因此，
P0 1 片rz
(3.29)
Pz 。 dr1
对于更为复杂的腔体，根据阙值处估算的值P。1 /P。2 = I T21 I = I sll / S21 尸，通常可以从T矩
2

阵或S矩阵系数直接获得更为通用的解。
如果镜面有损耗，即 r; +t; #-1，我们更感兴趣的是从端面 1 输出的功率 P 。)相对千腔体
通过两个镜面输出的总功率Pm 的比值F1。由于F)必须将第 2 章中的微分量子效率表达
式与功率表达式相乘，因此其中假设输出 功率考虑了所有的镜面损耗。再观察图3.5，当
I
a 1= a2 = O时，可得该比值为F1 =P。1 /Pm= b1 尸／（国尸(1 片）＋ a�尸（l —
I —
片）），即

21
t
F1= (3. 30)
(1 片）＋ 2 （l 讨）
— —

r2
因此，采用式(2.35)，由普通的Fabry-Perot激光器的端面l和端面 2输出的光的微分
最子效率为
am
F』 位〉十a
=
T/d]
m

和 刀d2 F2 r; i IT
= (3.31)
a i 〉+am
其中凡 由式(3.30)给出，改变E式中的下角标即可得F2 。根据上式和式(2.36)可得第｝
个端口的输出功率为
hv
。
P ] = TJd] 一（ I- I,h)
q
(3. 32)

对于对称的激光器腔体， r1 = r 2 = r且t 1 =t 2 =t，其 比值为

1 t2
F1 =F尸了二 (3.33)

因此，通过凡和F2 ，考虑了各镜面处 的所有损耗（而不仅仅是作为有用输出耦合的镜面）。

3.4 三镜面和四镜面激光腔

许多现代的二极管激光器结构都在其 腔体内含有至少一个附加的不连续处。在图2. 6
及其相关讨论中，忽略了有源区和无源区之间界面的反射。这里将依次讨论 激光器内含有
一处和两处不连续时的情况。这些附加的不连续处 可能位于半导体材料中，或者位于外腔
结构中半导体与空气的界面处。

3. 4.1 三镜面激光器

图3.7所示为三镜面激光器示意图。穿过界面的传输系数t 2 通常包含所有的散射或
耦合损耗，因此讨十t扫＃ 1。通常，分析对有源 － 有源器件和有源－无源器件都适用，但是这里
得出的结果只有当第一腔体（标为有源腔）为主腔体（提供大部分增益）时才有意义。
图 3.7还显示了等效的两镜面腔体，其中无源腔被一个反射率为m的有效 镜面所取
代。这种替换对千稳态分析有效，但不一定能够正确地模拟动态操作时的复合腔体。正如
• 54 •
上文推导所述，re ff的值正是从有源区观察到的无源区的S110
采用图3. 7和式(3.20)定义的参考平面和镜面反射率，可得
2 2Jµ L
t2 r3 e p p
rerr =r2+ (3. 34)
l+r2 几C 叩
占

|· La . 1. Lp ----I
队 队

t2
r, 九

'
r,' ，二，

I. La ..I

图3. 7 外腔激光器以及采用有效镜面来模拟外部区域的等效腔体

用re ff替代式(2. 20)中的r2（或者通过此 替换求解有源腔S参数的极点），可构成三镜面

激光器的完整的特征方程。不过这种方程相当复杂。采用图 3. 7 中的等效腔体并在计算阙
值时采用re f!，可以获得绝大多数所需的信息。这种方法只对式(2.23)的阙值增益表达式进
行了微弱的调整。即，三镜面激光器的阔值增益为
1. 1
rgth = （q〉.+ —In
L
(3. 35)
• r1 |ref f 1
其中F和(a ， 八只对腔体 的有源节段取平均（尤源节段内的所有损耗都被包含在reff 中）。为
了使该模型完整， 需要设定环路相位的阔值条件。根据 Teff = I Teff I e心 ，并且r] 为正实数，
环路相位必须满足e 2]/3, ae冲di = 1， 进一步可得2/3aLa －扣＝2 亢 m。对 所有与频率有关的变
L

拭取导数，可得

df3.L. - 2d扣＝穴dm (3. 36)

设定dm = l并求解d{3,i，可得相邻模式间的间隔为

dµ =
＇

(3.37)
穴

La - －
2
d扣／d伈

此 式中，用来确定模式间隔的腔长中包含有源节段的长度加上一个附加因子 ，该因子与有效
镜面相位与频率的关系有关，因此可以将这第2个最值视为一段有效长度。然而，由千真正
与知有关的是{3p ，而不是队，选择将该有源长度定义为
l d4eff
Leff = (3. 38)
2 d凡
• 55 •
模式间隔可以用波长定义为df3a=－ cl).(2六／入勹izga ，或用频率定义为 d[3.=dv(2幻C)izga ，其中
“g=;— 入丘／3入。 此外，它满足祁p /J/3. =izgp /izga 。 将上述各式代入式（3.37八用波长或频率
表示的模式间隔为
入2
d入＝ 或 dv= (3. 39)
2( 开ga L a +“gp L eff) 2(“ga L a +ngp L eff)
如果在有源－无源界面处没有反射 (rz =O)，且r3为正实数，则扣＝ －2凡匕且 L e ff=L P ，式
(3.39)简化为式(2.25)。 对于更为普通的Fabry-Perot标准具，相位的斜率将依赖于是否
靠近标准具的谐振点或反谐振点（如图3. 6所示）。 由此，L eff可以大千或者小千 L P 。 然而，
如果在一个模式间隔内，相位变化迅速而且是非线性的（例如，靠近图3. 6中的Fabry-Perot
谐振点(f3L=m心），则式(3.39)很可能不准确，因为这一推导假设至少在 一个模式间隔内，
扣的变化是线性的。
利用式(3.30汃可以分别通过式(3.31)和(3.32)得出端面1输出的微分量子效率和功
率。 在这些单节段激光器的表达式中，应当用re ££完全替换各处出现的第2个镜面的反射率
r2，而镜面损耗“m 则由上式(3.35)中的第2项给出。
图3. 6给出了特殊情况下(r2 =—r3，可忽略损耗）的re ££幅度曲线。 如图所示，该镜面
反射率的幅度变化很大，可以为腔体模式提供滤波效应。 如式(3. 35)所不，首先被激励的是
那些具有最低损耗或最高镜面反射率的模式。 这样，可以用第2个节段或者标准具来滤掉
不想要的模式。 然而，有一 点通常会被误解，即，m的极大值通常发生在标准具的反谐振点
处。 由此，在三镜面结构中，采用高Q值外腔实际上导致模式选择性更差，因为这时的极大
值区域变得非常平坦。 事实上，存在一个净外腔损耗的最佳值，使得re ££在其极大值处具有
最大的曲度。 其实，图 3. 6 并非一种非常实际的情况，因为实际上光在无源腔内传输然后耦
合进入有源区的过程中都是有损耗的，而且通常r2=I=r3。 由此这些极小值一般不是很陡，而
且极大值的形状更为复杂。 这是自然界中损耗有利的一个实例。
在VCSEL中，外腔对轴向模式选择不是非常有用，因为VCSEL的短腔长和有限的增
益带宽通常保证了单一轴向模式操作。 这里更大的问题是侧向模式。 然而，对千长度超过
100 µm的共面激光器，在增益最大值处存在几个轴向模式，而外腔产生的损耗调制有利于
轴向模式的选择。
外腔（标准具）的长度决定了模式选择的方式。 在理想情况下，周期性损耗调制与增益滚
落相结合可以提供单一的净增益最大值，从而在此处选择最近的轴向模式。 图3. 8所示的3
种情况分别对应于相对长度：（a)Lr /L飞<1, ( b)Lr !L. ：：：：：：：： 1(但不等于D山｝亿儿.»1 0
这里显示的是根据式(3.35)得出的am 的变化以及常规的净增益曲线I'工y g-a ， 与波长
的关系，图中还显示了各模式的位置（注意，m的极大值对应于am 的极小值）。 所有3 种情
况下的有源腔长度和增益峰的宽度都保持不变。 当增益在某一点与损耗相同时，位千该波
长的模式达到阙值。 而且，一 旦 一个模式达到阔值，增益将被锁定，如果损耗余额（损耗减去
增益）足够大，其他各模式将被抑制。
如果外腔比有源区短，如情况( a)所示，有源腔的模式间隔将比 Um 极小值的间隔要小。
这时，如果 Um 的变化扯足够大，一个损耗最小值就可以有效地选择有源腔的单一轴向模式。
也就是说，损耗调制的周期不能太大而导致 Um 极小值的间隔像增益峰值的那么宽，这样无
法提供额外的滤波。 另 一 方面，损耗调制的周期又必须足够大从而使 Um 的其他极小值距离
• 56 •
 三
增益峰足够远（如果太接近，这些第二极小值可能选择出其他不想要的重复模式）。

a.（入）
居 a,I)\__j \_;.(A) L, < l,

rga

(a) 与有源区相比，3种外腔的长度更短

二
a，从）
rg-a, '，，(A) L p =L a
(\/

ga
入
b) 与有源区相比， 3 种外腔的长度相同

a,',（入）
rg-a, L_>l
p -,

入
(c) 与有源区相比，3种外腔的长度更长

图3. 8 不同长度外腔对应的净传输增益r巧 g —a ， 和净镜面损耗am 作为波长函数的关系曲线示意图

如果 两个长度相近，如图 3.8Cb) 所示，两个腔体的谐振间隔相似，有源腔的诸模式将以

一种类似于游标尺的方式沿着 Um 的极小值缓慢滑动。 再次，只要差拍周期不是太大或太
小就可以实现较好的模式压缩。 在图 3. 8(c) 所示的第 3 种情况下，除非外腔镜面本身是
一个滤波器，否则一般不可能获得较好的模式压缩。 事实上对于外腔较长的激光器，有时采
用光栅镜面来实现单频操作。
两节段（三镜面）激光器的一个用途是实现可调谐单频光源。 重复模式的存在导致其实
现较为困难，但是其调谐机制仍然值得研究。 如果图3. 7中的无源区由电光材料构成，在该
材料上施加电场可以改变其折射率和环路相位 — f3P L P 。 然后根据式 (3. 34) ，可以随着波长
来调节特征植m和妇。 从图 3.8 可以看到，这将导致依次选择不同的 轴向模式。 然而，由
千 re( （的相位 在每个区域内也可以改变，因此在跳跃到新的模式之前，可以对该腔体模式实
一
现 定的连续调谐。 也许实现调谐性的一个关键原因就在千提供一个有源机理来将损耗最
小值与一个轴向模式最佳地匹配在一起，从而实现最佳的伪模式压缩。

3. 4. 2 四镜面激光器

如果可以将 reff 特性反转，从而其极大值(am 极小值）也位千外腔的谐振点处，其滤波效

• 57 •
果将更佳。如上所述，三镜面激光器无法做到这点，但是四镜面腔体可以。然而 ，各反射器
的相对位置必须提供所需的相位条件。最知名的四镜面激光器范例是耦合腔激光器，它用
一
个窄的空间来隔开两个有源区。在外腔激光器中 对有源区的刻面进行锁膜也可以达到同
样的效果。
为了模拟四镜面激光器，用另一个节段来代替图3.7中有源节段与无源节段之间的界
面，该节段可以用另一个复散射矩阵表示（再次，这 一 分析也支持有源 － 有源情况，这时增益
最高的腔被称为有源腔）。从物理上来看，这 一 界面节段可以是另一个电介质区，其折射率
与有源节段和无源节段的都不相同。图3. 9描述了该模型以及 一 种可能的实施方法。
这时，只需轻微修正m的表达式。用更为常规的项S,11 、S,22 、S,2]和S,12 来分别代替式
(3.34)中的r2 、 -r2 山和 一 t2 ，可得
硕占
Teff
=
S,11 +S, 1S,12r e- i/3占
2 3
2
(3. 40)
I -S,22r3 e
或者重新整理得
R'
r,u =S,11 [1 +勹
(J
] (3.41)

五
其中R'—S、2 2r3 e 古，且a= (S、21S,1 2 /S,11S,2 2)。式(3.41)表明，谐振时R'为正实数。这
样，将第二项与第 一 项相加，为了获得m的最大值，比值 6 必须为正实数。通过式(3.20)~
(3. 23)可证实，这时的界面空间的宽度为半波长的整数倍，只要其折射率高于或者低千两端
的腔体（例如，两段半导体之间存在简单的空气缝隙）。其他各种情况留作习题以伺读者。
但应明确的是，该缝隙因子的相位a将决定 reff 的极大值发生在图 3. 6 中无源腔的谐振点
(L_a= O)还是反谐振点（乙6 ＝ 六）。在三镜面腔体情况下，该缝隙因子的相位总是m
对于最佳情况（乙a= O) 改m 的极小值最为锐利，其模式选择为最佳。而且，如果可以调
节第二腔内的折射率，可以在一定程度上改善其调谐性。特别是，由于m的相位在第二腔
的谐振点变化最为剧烈，这一最佳状态可导致更好的连续调谐性。
L p _＿叫

队
r
`
』

r,“
二

I• La .I

图3. 9 普通的四镜面或三节段激光器及其等效的镜面示意图

• 58 •
 3.5 光 栅

3. 5.1 引言
许多重要的二极管激光器都采用光棚或分布式布拉格反射镜(DBR)来取代一个或两个
腔体镜面。 对千共面激光器，可以利用光栅的频率选择特性来实现单一轴向模式操作，对千
垂直腔激光器，则可以获得非常高的反射率。 光栅是由一个折射率（有时是增益）周期变化
的阵列构成的。 在布拉格频率处，光栅的周期是光在该介质中的平均波长的 一 半。 在该频
率的谐波处也可以产生较大的反射。 垂直腔情况下，需要在生长过程中交替地生长两种折
射率材料不同的薄膜，这两种薄膜的厚度各为四分之 一 波长。 在共面型情况下，通常在波导
的表面蚀刻出沟纹，然后通过二次生长用另一种不同折射率的材料将沟纹填满。 图3. 10阐
＿＿

述了这两种情况。 如图所示，共面型情况通常比VCSEL具有更多的光栅周期。
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！ ！仁
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且
r
1 n, ' n, 1

VCSEL 共面型
(a) 垂直腔激光器中DBR镜面的示意图 (b)共面激光器中DBR镜面的示意图

图3. 10 两种情况的DBR镜面示意图

不管是哪种情况，光栅的定义都是一样的：许多微小的反射可以叠加成为一个较大的净
反射。 在布拉格频率处，每个不连续点处的反射绝对同相叠加。 对于如图所示的矩形光栅，
每个周期含有两个不连续点，每个不连续点的反射率为r。 这样当净反射很弱时，每个不连
续点所观察到的入射场几乎相同，因此由m个光栅周期产生的净反射约为r g �2mr。 当反
射较强时，人射场在光棚内衰落，问题变得更为复杂。 当频率偏离布拉格条件时，从不连续
点处返回至光栅的反射逐步累积具有越来越大的相位失配。 这将导致净反射滚落，光栅越
长，滚落越快。
在垂直腔情况下，由于电介质界面均匀延伸至整个模式，因此可以直接运用第3.3.3小
节的结果。 这样，通过级联T矩阵式(3.24)~(3.27)，可以准确获得净光栅反射率r g 。 对
于共面型情况，为了运用上文的结果，必须假设每个不连续点处具有一定的有效反射率。 请
看图 3. 10 Cb) 内的插图。 对于所示的矩形光棚，将每个 波 导 部 分 的 有 效 折 射 率代 入式
(3. 10)，可以算出每个不连续点处的有效模式折射率。 即，如果宽度为小和d2的波导部分
1和 2 的有效折射率分别为订 和订
1 2 ，从部分 2 到部分 1 的反射率约为

• 59 •
 n2 -n1
了~乡 (3. 42)
订2 +和
附录3概述了计算有效折射率的过程。 上式 ifI 的近似是必要的，因为该横向光栅模式不同
于宽度为d 1 或d2 的均匀波导中的模式（事实上，它介千两个模式之间）。 该近似对千微小
的阻抗断点最为适用。 根据对称性，从部分1到部分2 的 反射率为 — ;。 正如第6章将要
描述的，对于非矩形的其他光栅形状，将式(3. 42)乘以相应谐波的相对傅里叶系数，即可得
每个部分界面处的有效折射率。

3.5.2 传输矩阵理论
图3.11显示了如何利用T矩阵来表示图3.10中的周期性光栅。 如果已知各输出场，
将每个光栅组分的矩阵依次相乘，从输出端开始进行至输入端，就可以确定各输入场（ 从而
确定反射率 r. = B m /A m)。 图3.10所示的简单的均匀光栅只涉及到 两种折射率，由于每个
周期 都是相同的，因此矩阵相乘求解rg 的过程可以简化（ 不过，可能需要不同的 T 矩阵来获
得 各输出组分）。

互勹
厂＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿＿-
:

： ：
2 I I

： ：
l 兀
输入 ----------------------------------------�：输出

图 3. 11 用传输矩阵表征的级联散射结点，该级联的净传输矩阵为 Tg

为了确定一个周期的T矩阵，必须将4个简单的T矩阵相乘起来。 从图3. 10中的参考

平面出发沿着正之方向移动，将依次 遇到：（1) 2-1电介质界面；（2)长度为L1的传输时延；
(3) 1-2电介质界面；（4)长度为L 2 的传输时延。 随后将遇到另一个2-1 界面，从而标志着
下一个周期的开始。 式(3. 24)~(3.27)已推导出了前3个矩阵相乘的结果。 要将这些公式
用千图3. 10，需要略微改变符号标记，即设定r1 =r2 圭 r,t1=t 2 圭 t及L =L 1 。 由此，矩阵
相乘的结合性得到保证，即T1T2T3T4 =
(T1TzT3)T4。 因此，将 3个矩阵的合成与式 (3. 18)
定义的第4个传输时延矩阵相乘，即得一个周期的T矩阵。
另一种方法是，将这些T矩阵聚集成组：（T1T2)(T3T4八每一个矩阵组都等同于表3.3
中列出的第3种结构。 将两个这样的矩阵相乘（采用适当的折射率）也可以得到整个周期的T
矩阵。 不论采用哪种方法，都可得到各通式以及无损耗DBR在布拉格频率点所对应的形式
1 +r2
T11 = 了 [ei •a -r2 e-i•_ J--

T2 , = 2r
-;._[e冲➔ -e- i •_ ]--—

r
T12 = 了 [e 许＋ － e _ J- 2-
J§ r
t2
－
(3.43)
t
1 e 2 J' -－ l+r2
'. e
T22 了 [� r � ]
= j/> ＋ —
2 L . _J
t2
t
• 60 •
其中伈==� 1 L]士和L2，在布拉格条件下的值为1( 或0。为了方便起见，定义 一个光栅周期
—
的平均复传输常数为： f3±A==/3 1 L]土f3 2L2，其中 f3 士 ＝
f3± Ja士／2。令A = L1 +L2, L1 =
入o /4n1 ,I尸入。／4n2（其中入。是布拉格波长）， 得
＝ 卢平ml 1 1 1
f3士
1／n1 +1/n2 丁勹勹［囡 十 ｀ /3- = O
(3.44)
a = a1 /n1士a2/n2 _.a+ =a, a- =
O （如果a1 =
az =a)
士 l/n1 +l/n2
在第一行中，定义队是光栅的平均传输常数 f3，并且不论频率如何，µ一总为零。当折射率差
值较小时，f3～伈～伈。在第二行中，只有当每 一层的损耗相同时，平均损耗才化简为右侧所
示的值。
利用这些定义，可将式(3.43)中的相位项写为冲＋ ＝
Jf3A+a+A/2和冲－＝ a－A/2。并且
在布拉格频率处，每层的相位延迟为伈L1 =j32L2= 亢／2，且伈A= 伈L1+f32L2 ＝ 六。定义失谐
参数为
沪气3 /3 。 (3.45)
无损耗时的相位项简化为
<p I 亢
+8A 少＿ ＝0 (3.46)
=

一
失谐参数的另 一
种表示方法为8A 亢(v-v。)／Vo 。式(3.43)中的箭头代表了就是 在布拉格
频率处没有损耗(8--+0)的情况。
将m个长度为A 的光栅单元的矩阵相级联，即得
吓T12 m
T厂［ ] (3. 47)
T21 T22
通过附录7中推导的数学恒等式可将该式简化。该式的唯 一 限制条件是，该系统必须满足
互换性，即T11T22-T12兀 ＝ 1。换句话说，对千从电介质阵列任何 一个方向入射的光，经由
该阵列的传输都必须是相等的。上述所有的T矩阵都满足这 一 条件 ，即使当各层中存在损
耗或增益的时候也是如此。对整个光栅的各个T参数采用附加的下角标g，并假定互换性
成立，可得
Tg ll = （1+Jrne ffA)coshme
T21
Tg2l =—me ff(l+jA)coshme
Tn
(3.48)
T12
Tg l2= -me ff(1 — j.:'.l)coshm$
T22
Tg 22 = （ 1 — jmen.1)coshm�

其中

士,;= In[ ½(T11+T22 )土 J』 (T11+T22尸l]

T, 2 -T1 1 (3.49)
.1= j
T22+T1 1
=
tanh me;
mcff
tanh,;
• 61 •
公式土 $ = ln ｛土｝表明负根 {-}=l/ ｛十｝或｛ － ｝｛＋｝＝ 1 ，这 一 点很容易验证。 式中的 3
个参数5、A和 m eff 都具有重要的物理意义，并且对于电介质阵列的分析非常重要，下文将予
以分析。
第一个参数是分立的传输常数＄。 其取值与入射光的波长极为相关，并且通常为复数。
将其称为分立的传输常数的原因在千，图3. 11中的场(A,,B) ）在穿过下一个周期时乘以
e蚝（附录7更精确地表明，如果将场分解为矩阵的两个本征矢鼠，在穿过下一个周期时，这
I'
两个矢械分别与本征值e 和e-,相乘）。 例如，如果e在某些波长处是纯虚数，入射场在穿
过 m 个周期后仅获得相位变化 m$ ，没有历经衰减，从而实现了经由阵列的理想传输。 产生
这一现象的波长范围被称为电介质阵列的通带。 如果5在某些波长处为纯实数，则光场在
±
传输通过m个周期后将被衰减e "占倍，从而导致低传输，即高反射。 这些波长区域被称为
电介质阵列的阻带。 在布拉格频率处计算式(3.43)，如下所示，e ＝ j六＋2r，这表明经由每个
周期后，场的相移为穴，衰减为e·Zc 。 如果r足够大，并且周期数足够多，则衰减将非常高，从
而导致非常低的场传输和非常高的反射。
第二个参数被定义为归一化失谐参数心用来测最相对于布拉格条件的偏离程度。 当
反射较小时，将式(3.43)与(3.46)相结合，可得 .1=tan 8A=8A。 在布拉格条件下，尤损耗
电介质阵列满足 T11 =T22 ，根据式(3.49)的定义，,1 = 0 。
第三个参数定义了入射场观察到的有效周期数 m eff 。 当衰减比较弱(Re {�}«l)且周期
数较小时， tanh 函数化简为其自变址，且 men = m。 当衰减较大时， meff 作为 m 的函数在
m en = 1/tanh $值处达到饱和，将该值乘以 A 所得即为场对电介质阵列的透入深度，下文将
予以进 一 步分析。
为了举例计算上述3个参数，下文将分析一种波长满足布拉格条件并且没有损耗或增
益的特殊情况。 由式(3.43)可得，在布拉格频率处，T11 = T22 , T21 =
T12 。 这时的互换条件
土 =
化简为 Tl 1 -T古＝ 1 。 将这些关系带入式(3.49)中的第一式，可得e ' T11 士 T幻 ，由此可得
tanh $ =
T21 / T口。 式(3.49)中定义的3个参数随即化简为
$ =
j亢十ln( — T11 — T21 )
i1=0 (3. 50)
T1 1
meu = �tanh[m ln(-T11 -T21 )]
T2 1
第一个等式中采用了恒等式 ln(-l) = j 穴，从而将负号引入到 In 函数的自变量中。 将 式
(3.43)代入可得

Re冷｝＝ In （言） �2r

(3. 51)
me£1 =
1＋产
T
tanh[m In （二 ） ］～ 了1
l+n 7
�tanh(2mr)

其中通过忽略r中的二阶和高阶项可获得后一关系式（实际上在 ln 函数展开中，二阶项
相互抵消，从而获得很好的近似）。 因此在布拉格波长处，分立传输常数的衰减部分大致
等于 一 个周期内经历的反 射率的总合。 其 有效周 期数也与 2r 成反比。 换句话说，当 r
增加时，场观察到的有效周期数越来越少。 注意，当 m 增加至无穷大时， mcrr 在 1/2r 值
• 62 •
达到饱和。
通常情况下整个阵列所需的反射率为 r.= sgll =
Tg21 IT.11。根据式（3. 48)，该反射
率为

rg = －
T2
TII
1
meff
1+jA
l+jm HA
e
(3. 52 )

如果没有损耗或增益，在布拉格频率处，根据式(3. 50)，第二项消失，反射率化简为

r=
" tanh[m In( 口） ］ �tanh(2mr) (,1 = 0) (3. 53)

其中直到r的二阶，该近似都有效。用折射率来表示r，还可将布拉格频率处的反射率写为
l— (n 1 /n 2 ) "'
2
rg = (.1=0) (3. 54)
l+Cn 1 n / 2 )纽
附录7表明，通过用电介质阵列中每个界面处的低折射率与高折射率的比值的乘积来替换
加
( n 1 ln 2 ) 勹可以将式(3. 54)广泛用千具有不同折射率值（例如，在阵列的输入或输出端）的
电介质阵列。
图3.12中的范例给出了不同的2mr取值情况下根据式(3. 5 2)得出的rg 的幅度和
相位 。 当反射率幅度较低时，曲线趋近千sin (BLg ) / (B片）函数 ，而当反射率幅度较高
时，曲线顶部变平（在数值1处饱和 ）且阳带变宽。在相位谱中，增加2mr可抑制阻带范
围内相位的斜率。此外，每 当反射率通过零点时，相位都会有六值的跃变。反射率的相
星图可表明，当8片接近千零交叉点时，反射率相狱首先指向负实轴，减至零，然后再朝
着正实轴增加。
在低反射极限情况下，由千每个光栅周期内有两个不连续点，并且可以忽略多次反射，
因此净反射峰值应接近于2mr。并且根据傅里叶变换理论，对于m个等间隔为半波长的节
段，每 段的反射率为2r，其频谱响应为
sin(<'JL.)
Ir.I �Zmr (mr<O.2) (3. 5 5)
况飞

其中8为平均传输常数相对千布拉格频率的偏离。式(3. 55) 中的条件表明，该式只对弱反

射情况成立。实际的激光器通常要求每个镜面的功率反射率超过15%，这时便无法忽略多
次反射。因此，实际的二极管激光器很少会用到式(3. 55)，除非在需要镜面反射率较低的
情况下。
2mr是每个光栅段的反射2r与节段数目m 的乘积。回顾历史，那些研究采用长光栅
反射器的共面激光器的研究人员选择了 一 种不同千2mr的无撮纲参数 来定狱分析光栅的
净反射率。该参数是每单位长度的反射 1C 与光棚长度丛的乘积。因此，对千方波型光栅，
该耦合常数 1C 由下式确定
m d" 匕dn
IC匕至2mr＝
了勹（口 (3.56)

其中d庐三国 － if l I 顷兰 (“2十九）／2 。当折射率差值较小时，A = （入。／4) Cl/n1 +l/n2)�

入。／2n，从而K=2d订／入。。当下文第6章介绍耦合模理论时，将发现这种形式是自然生成的
（不过对于那时讨论的正弦型光栅，K 值减少叮4)。因此，还可将式(3. 53)中光栅反射的近
似式写为r,�tanh (K匕）。但是当光栅非常短时（例如VCSEL)，似乎更适合采用2mr的
• 63 •
形式。

3.5.3 光栅的有效镜面模型

从图3. 12得知，相位在反射极大值附近相对呈线性变化。 这时如图3. 13所示，可以用

一个分立的镜面反射来很好地近似该反射，其反射的幅度等于光栅反射的幅度 rg ，但位于 I I
L c rr以远。

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(a)

180"
乙 r,
2mr=4
90
04

"
O

-90°

。
°
180
2
2

4
3

-4 -3 -I
bL,!11

(b)

注 ： 对千小 r 和大 m 的情况，所绘的反射谱只与 2mr 的乘积有关 。 然而当 r 值较大

且／或 m 值较小时，该反射谱与 r 和 m 的取值都有关 。 例如，r = O. 01 且 m = 100
的情况儿乎等价于 r = O. 1 且 m = 10 的情况 。 然而，当 r = O. 2 且 m = 5 时，频谱
会有所改变，虽然这 3 种情况下的 Zmr 乘积都相等 。 在本图中， r = O. 1 、 0. 025 、
0.0] ，而 m 的取值均为 20 。 在相位曲线中， Zmr = l 的情况非常接近千 Zmr = O. 4

的悄况，因此图中没有绘出 。 这里8至p－ 伈，其中p是光栅的平均传输常数。

图3. 12 对于不同的反射参数取值KLg =2mr，光栅反射系数的幅度(a)和相

位 (b) 与归一化频率相对千布拉格条件的偏离星之间的关系曲线
• 64 •
 由式(3.1 5)及上文第3..
3 2 小节所述，在传播至有效镜面并返回的过程中，入射波和反
射波的振幅都经历了大小为 — pLeff 的相移。 因此，由千反射相位在布拉格频率处为零，可将
rg 表示为

- L ,­
I I

If
rg

I I
I l
卢一 Lcfl、一 有效镜面

rg 』兀
图3. 13 光栅反射器的有效镜面的定义

r,=lr,le 。 lI飞((
勾 c µ--µ (| 8Lg | <＜ 六） （3. 57)
将真正的DBR反射相位在布拉格频率处作泰勒级数展开：冲＝戍＋j (/3 —
p(）)（叶／a/3)+…，
并将线性的(/3 —
p。)系数等同于式(3. 57)中的指数因子，则有效长度为

Le rr= _!__性 (3. 58)

2 a/3
该结果与上文用不同方法获得的公式C 3. 3 )
8 相同。 由图3. 12 (6)可知，当 2mr增加时，L eff
在阻带范围内减少。 根据式(3.52)和(3.4 3)，通过简单的数学运算可得，如果忽略r的三阶
或更高阶项，有效长度变为
1
Leff =—tanh(K凸） （愤L g 区玩） (3.59)
2K
其中吐 g == 2mr由 式 (3 . 56) 给定；附录7给出 了Leff 的精确表达式。 对 千弱反射光栅
(tanh «:I飞 _.
K匕），有效镜面的平面 位于 光栅的中心，而对于强反射光栅(tanh «:Lg _. 1),
Le ff -A/（r
4 )～入。／4An。
虽然定义Leff 的目的是用来确定适当的镜面相位，从而可用来确定腔内各模式的位置，
但它也近似给出了光能最在光栅镜面内的透入深度。 如上所述，m eff 是入射场观察到的有效

周期数目。 光功率是场的平方，因此可穿透到距离镜面一半处的深度。 因此，能蜇透入深度

为Lpen = Am,ff /2（详见附录7)。 用式(3. 51)来替代m efi，并令2r= kA ，该定义化简为式
(3.59)，因此I4pen~Leff。 由此，镜内存储的总能戳近似等于入射的能星密度乘以 L effo
将rg 乘以因子e 飞 eff就可以近似地在rg 的无损耗计算中增加一项微弱的传输损耗。
L

这时我们仍在利用有效镜面近似，但式(3.57
)中的f3被其复数形式§代替。 这种微扰方法
不适用于损耗或增益较大时的情况，因为这时能址在光栅中的衰减速率将受到严重影响。

这时，应采用传输矩阵方法并在整个过程中采用复传输常数P来重新计算rg 。 但是，在许
多种实际情况下，可以采用有效镜面的概念在其反射最大值附近对光栅进行模拟，因为这时
只需要求解 (1) 布拉格频率处的无损反射振幅IrgI mad (2)有效镜面位詈L, ff; (3)整个光栅
• 65 •
长度内的传输损耗，用光栅的a ， 表示气
通常，运行图3. 11所示的操作可以用数值方法算出rg = Tg21 /Tgll =B m /A m \ <B。=0)（或
者用S参数表示，rg = s g ll =bm /a m I ( ao�o))。 该数值计算过程从光栅的输出端开始反向 进
行，并首先假设A。为某 一 取值（例如l)。 通过自右向左朝着光栅入射端的方向进行矩阵相
乘，可求得各中间值A ) 和B ) 。 采用这种方法，原则上每个分段都可以互不相同，并且通过
适当地采用式(3. 24) ~ (3. 27)中的复传输常数可以将损耗或增益自然地包含在T ,J 项内。

3. 6 DBR激光器

3. 6. 1 引言

用 一 个尤源光栅反射器来替代一个或两个分立的激光器镜面就可以构成 一 个分布式布
拉格反射器激光器。 图3. 14所示为采用一个光栅镜面的共面型结构和VCSEL 结构的示
意图。
根据定义，光栅反射器是沿着无源波导区构成的，因此 一 个问题就是如何实现有源波导
和无源波导之间的转换而不引入尤谓的不连续性。 这一点对VCSEL情况并不重要，因为
其轴线方向就是牛长方向，在生长过程中通常会多次改变材料。 因此只需生长多个均匀薄
层就可以构成镜面结构。 然而，为了保证沿着轴线方向具有相干性，必须 精确地控制这些薄
层的厚度。
对于共面激光器，实现DBR激光器要相对复杂一些，因为许多结构都必须要沿着品片
表面的方向来形成。 这其中通常 包含有源区和无源区之间的结点、光栅成型以及再生长。
基千这 一原因，只有在需要光栅的 独特特性时才会 采用共面DBR激光器。 除了由于其频率
选抒性而实现的单频特性以外，光栅镜面还具有宽调谐性等其他特性，该调谐性可通过在不
同的区内用不同的电极以电光方式改变其有效折射率来实现。

3.6.2 闽值增益和输出功率
一
DBR激光器的阙值增益与上文具他悄况下的计算结果相同，但必须以正确且 致的方
式来解释其中诸参数。 然而，这种解释方式依赖于DBR建模的选择方式。 如果将光栅反射
器视为独立的元件并用反射和传输的散射参数来表征（如图3. 14(a)例），则腔长为L. +L P 0

然而，如果采用图3. 14中(b)例描述的有效镜面模型，则腔长为LDBR，并且在透入深度L eff

（而不是反射系数）中包含各种光栅无源损耗。 不过只要损耗不是太大，这两种方式在布拉
格频率附近的结果相同。 实际上，当需要减少计算星时，（b）例一般更有用。 当然，（a）例则
更为精确，可用于更详尽的分析。

心 如果传输损耗并非沿着光栅均匀分布（正如 VCSEL 镜面情况），必须使用有效传输损耗：

＇g
a,,cff ＝气o a, （ z)e士／L,ff (1士 cos 2[3z)dz
L,u J
驻波项中的上（下）符号分别用于在布拉格波长处反射相位为 0 （六）的 DBR 。 对于常数损耗， a,(z) =a,。当L g >>Leff >>
入／4 六n 时，该公式化简为 a,.,rr = a,0 o
• 66 •
 基千图3.14中的单光栅镜面结构，式(2.23)给出的阙值增益为
tP,， 2

I
Lg

-－－－丁
一.．•· · \· .、．｀·．全： I l
`． •． -•
f LDBR
La+Lp
rl
J ___ -
I
p"'
VCSEL
(a) 垂直腔表面发射激光器示意图

~—
I
L, “.
I
I,P 偏 1·
I
丛
-
·1
I

p Ol .... 一心
p

I I . I

II.
I
L. ,，RR
- LeI.I
I 卢一
•1
I I
共面型
(b) 共面激光器示意图

注：图中标明了各种长度和参考平面。
图3. 14 两种情况的DBR激光器示意图
(a)例

I'g,h = (a,〉十min
1
［忒］ (3. 60)

其中I'和(a,〉只对腔体的有源区和无源区取平均(DBR区内遇到的各种损耗都被包含在
Ir. I内， Ir. I 是式（3.52)给出的DBR反射率的幅度）。采用有效镜面模型可得

(b)例

I'g,h = (a,〉十 二 In ［五］ （3. 61)

其中I'和(a l 〉为整个有效腔长内的平均值，LoBR = L. +LP + Le ff,DBR区中遇到的各种损耗

被视为L eff中的传输损耗。rg 的右上标（撇号）代表其无损耗值。不论是哪种情况，其模式
间隔都由式(3. 39) 确定，其中的光学长度等千订gaLa + 九gp从＋ffgDBRLeff o
对于VCSEL，通常必须通过式(A5.10)来计算限制因子I'。即使当有源区内的增益均
匀时，也必须利用式(A5.14)来算出I',。如果DBR激光器中采用了两个光栅镜面，必须用
Ir, I 替代式(3.60) 中的 r 1 来表示另一个光栅的反射，并且模式间隔需要包含两个DBR的
• 67 •
 有效长度。
由于通常情况下分布式镜面都是有损耗的，因此必须用式(3. 31)和(3. 32)来分别得出
微分量子效率和输出功率。不过，必须采用适当的 am 值，并且必须用有关的光栅S参数来
代替m和t2。再次重申，两种不同的模型具有不同的表达式。也就是说，对千那些在端面 2
具有单一的布拉格镜面而在端面 l具有分立式镜面的激光器，式(3. 60)给出
(a)例
l 1
am 飞＋LPln(r 1 (3. 62)
| r g 1)
·而对于有效镜面模型，（b）例
1
知
＝

LDBR ln （了 ）
将光栅S参数带入式(3. 30)，可得(a)例中每个端面输出的功率比值。令 rz = sgll =°=r g 且
=S
t 2 g2] 三t g ，可得

(a)例
t
2]

F 1=
r
(1片）＋ ; 1 (l- | r )
2
1
1 r
g

及
I t, I 2
F 2= (3. 63)
(1 |r —
l 2 I I ;)
)+�C1-r
g
rl
对于有效镜面模犁，（b）例
t
2]

F 1=
(1 —
片）十飞「(l-|r'g 尸）

F 2=
I t� I 2
(1 —
| r'g 2
1
)＋
|r Ig I (l片）
—
r1
在此例中，r g 被其无损值六代替，而I"尸被穿过有效镜面的功率传输It；尸代替，该值可通
过令e. o, ,ff It� I = I sg21I 获得。
L 2 2

对于(a)例和(b)例，都有必要确定有损DBR的I sg21 尸值。根据式(3. 43)~(3. 49)，当

均匀损耗a ， 较小时，在布拉格条件处，A= － 阳 ， A/2，且
I sg21I 1;|兀！ I I2 （l — |r� I 2)e 20hH (3. 64)
2=
：：：：：：：：

因此，可以得出如下结论：正如反射功率一样，传输功率也正比千e 。其结果是，穿过 -2a, L,”

有效镜面的传输为It�I2= —
o
I r'g 尸）e- 气切，该值并不等于穿过DBR的无损传输（正如我
2

们可能预期的）。
根据式(3. 63卢可知，（a）例和(b)例中的两端面的输出功率比F ! ／凡相等。而且，（b)
例中的F1和凡值较大。E 和凡值的增加补偿了 (b) 例中较小的镜面损耗，因此(a)例和

CD 译者注：原文有误，为式 (3.64) 。

• 68 •
(b)例中的和值儿乎相等（有效镜面模型趋千高估的和，但如果光栅反射率较高，当a,Leff<
0. 1时或者当损耗较大时，这一点并不显著）。
当端面1处的第2个镜面也有损耗时，也需用其S参数来替换式(3. 62)和(3. 63)中的
r 1 和t 1 值。 对千(b)例需要执行同样的额外置换。 最后，如上所述，每个端面的输出功率可
由式(3. 32)获得。

3.6.3 模式选择和调谐性
与图3. 8形式类似，图3.15所示为DBR情况下的两条曲线。 一个用千共面型激光器
通用的腔体长度，另 一 个用于VCSEL。 与耦合腔情况相比，它与光栅镜面的 一 个关键差异
在千：只存在一个损耗极小值。
共面型
a m （入）

rg-a,

模式位置
VCSEL

a m （入）

rg-a,

am (-")

rg-a,

模式位置
。 入 一 入 ，＇

图3. 15 图解说明如何在共面型激光器或垂直腔DBR激光器内选择单一的轴向模式。
VCSEL波长轴的覆盖范围要大5倍，即两图内的增益曲线具有相同的宽度

对千共面型激光器，am 的相对迅速的提升导致在邻近的轴向模式波长处具有较大的损
耗差值。 如图3. 15所示，邻近轴向模式处的净损耗差值等千净模式增益的滚落值t:.I'g和
镜面损耗的提升值凶知的总和。 下一节将表明，利用该净损耗可推导出稳态模式抑制比
(MSR)的表达式，从而可以算出无用的模式被抑制的程度。
对千VCSEL情况，由千腔长和光栅的长度都比较短，因此相应地模式间隔以及损耗极小
值的宽度都比较大。 因此，如果将其波长轴按比例调整到与共面型情况可比拟的尺寸，土要的
• 69 •
影响就是使增益看起来相对千模式间隔和镜面损耗宽度更窄。 事实上对于VCSEL而言，增益
的滚落比起损耗的提升更为重要。 也就是说，短腔长是实现单 一 轴向模式操作的主要原因。
DBR激光器的潜在调谐性是其具有重要价值的主要原因之 一 。 如图3. 14所示，DBR
通常含有3个区：有源区、无源区和无源光栅区。 对于共面型DBR，方便的做法是以图3. 16
一
所示的方式将3个独立的控制电极置于各区域之上。 个区提供增益， 一个用来实现独立
一
的模式相位控制， 个用来调节具有模式选择性的光栅滤波器。 通过在光栅区上施加控制
电流或电压，其折射率订 DllR改变，而光栅的中心波长则根据 A入 8 ／入 g ＝ A订 DIJR ／ 订DKR 而移动。 当
镜面损耗曲线a,I,（入）相对于增益和各模式移动时，可以选出其他的轴向模式。 这被称为跳
模调谐。 同时，由千光栅是净腔长L,rr的一 部分，因此所有的模式都沿着波长略微移动 。

图3. 16 可调谐单频三节段DBR激光器的示意图

通过在相位控制电极上施加电流或电压，无源区的折射率元改变，从而移动腔体的轴
向模式。 因此，通过在光栅区和相位控制区上联合施加控制信号，可以实现较宽的波长调谐
范闱。 由于有源区内的载流子密度被锁定，该区内的电流变化对其折射率汇只有二阶影
响，从而只能轻微地改变最终的模式波长。 通过式(2. 25)求解相对移动凶“`／入，＇＇，可以更清
楚地了解模式连续移动的发生过程：
应行a La ＋ 知，， I夕P+A竹DBR L cff
竺＝ (3. 65)
入m 订a L a ＋竹 ，,Lp+noBRLe11

由式(2. 26)可知载流子注入是如何改变折射率的。 例如，当横向限制因子为I' ,y = 恤

18
10%时，t:,.N = 10 cm 3造成的有效折射率的变化为An/ 竹 �-0.1%。 当相位控制区和光
栅区位于阔值之上时，可以产生这 一 变化。 在共面激光器中，这些区的长度通常占 LullR 的
一
半，因此在1. 55 µm处，波长连续调谐的范围大约为0. 05%，或0. 8 nm立令式(2.15)中
=
g O且dN/dt = O，可算出无源区内的注入载流子密度。 这样，］区内的有效折射率变化为

=
a行 T/, T ,
A订j (3. 66)
cJN qV,
其中[a万／aN] ：：：：：：：：： —
凡 10 zocm 3 o

(i) 译者注．原文有误，为 8nm 。

• 70 •
 通过线性和二次的电光效应，也可以施加反向偏置电压来改变折射率。 由此可能产生
的有效折射率变化大约为0. 1%，但略小千高注人电流可实现的变化量。 然而这种反向偏
置效应比电流注入具有 更快的响应时间，因为载流子寿命将载流子密度的变化速度限制在
几百赫兹内（类似千LED)。 并且，电流注入导致局部加热，从而将折射率变化的时间常数
限制在几十毫秒的童级。 在多区VCSEL情况下反向偏置更实用。
还有许多比基本的三区DBR更为复杂的结构，第8章关于集成光路的内容将讨论其中
的某些结构。

3. 7 DFB激光器
分 布反馈式激光器(DFB)也采用光栅镜面，但是光栅内含有增益。 这样便可以通过单
一
光栅构成激光器，不过最好能在靠近中心的位置至少设置 一 部分的波长位移，用以促使在
布拉格频率处激射。 历史上，由千DFB激光器具有结构简单并易千制造的特点，因此它在
DBR 之前就已经出现了。 图3. 17所示为其共面型的示意图。 此外也可以采用垂直腔型，
但它并不比 DBR更具有优势，而且制造工艺没有任何简化。

它 rgl

rg22

抗反射镜膜

七r,,

入／4相移DFB
rg ，三

注：整个长度内都有有源材料，并嵌有光栅

图 3. 17 标准的和四分之一波长相移的 DFB 激光器

DFB激光器的基本特征方程与其他各种激光器的相同，即式 (2. 20)，不过这里的增益

要采用复镜面反射率r1和r2。 并且，为了避免棘手的有源区－ 无源区之间的转换，DFB中没
有无源腔(L p =O)，并且附加的有源腔长度(L.)通常仅是波长的 一 部分。 如果在端面处采
用 了抗反射(AR)锁膜，则复镜面反射率由式(3. 52)给出。 如果没有 AR锁膜，在计算光栅
的S 11 以前必须再乘以 一 个巾式 (3.47) 给出的 T 矩阵。
当光栅中没有移位时，由千所有的周期都相同，因此可以在DFB内的任何位置来分析
腔体。 根据选择的镜面参考平面，其左右两侧的折射率都下降，因此这时的有源长度为四分
之一波长（如前所述，这导致在布拉格频率处的光棚反射相位为零）。 因此，在布拉格频率
处，DFB是反谐振的。 由千腔长极短，在镜面的整个反射带内，可以忽略腔长内的任何相位
• 71 •
变化。 这样，将 L 产吠／4 代入式 (2.20) 并假设均匀泵浦，则阙值条件为
rgl (/3 th )rg2(/3 th )＝ -l （无移位） （3.67)
由于该式在布拉格频率处无解，因此必须对每个增益值进行波长扫描，直至满足式 (3.67)
为止。
该例的 一个例外是增益耦合DFB，这时当增加增益或损耗时，折射率的偏移最为纯虚
数。 例如，光栅由折射率为n1 和nz =n1 +jn,的节段交替组成（根据定义，对于增加的增益
n, ＝ 肚／（4 动）。 由 此 对于图 3. 10 所示的选定参考平面，在每个不连续点处的反射 r =
]n,／（2nl )和布拉格频率处的净光栅反射rg 都是纯虚数（反射相位为叮2)。 在这种情况下，
式 (3.67) 在布拉格频率处有基本解。
如果只考虑实数的折射率微扰，且腔长只有波长的 一 半，可得知器件在布拉格频率处谐
振，这时的反射相位为零。 其实如图3. 17 所示，半波长的镜面间隔对应于两个光栅之间四
分之 一波长的相移。 因此这种结构通常被称为四分之 一 波长相移DFB。 这时将La＝入／2代
人式 (2.20) ，均匀泵浦时的阙值条件为

rgl （因）rg2（因） ＝ l (四分之 一 波长相移） （3.68)

一
在四分之一波长相移情况下求解阔值增益和波长要略微容易 些，因为已知这些解位千布
拉格条件附近。 在上述两种情况下，如果腔体两侧的泵浦不同，则每个光栅节段内的复传输

常数即将不同。 这时，将存在一对阔值增益解（每个节段 一个）满足阙值条件。

图3. 18所示为在腔体中心有和没有四分之 一 波长相移的情况下，计算的DFB激光器
阙值增益结果。 其中假设存在抗反射锁膜。
对千无相移DFB，如果不存在附加的微扰反射（例如来自千端面未锁膜刻面的反射）的
话，位千布拉格波长两侧间隔相等的两个模式将同时达到阙值。 这种最简单的DFB 必须依
赖于额外的反射来打破这种无益的简并。 实际上，只要光栅不是很强(K从炙l)，采用至少 一
个切割的镜面就可以达到这 一 功能，这时源千 一 端面的净反射相位与光栅本身产生的相位
不同。 不过这时还存在生产成品率的问题，因为从该刻面反射的光具有随机的相对相位，其
实它最好与初始光反相从而使激光器端面输出的净相位的移动届最大。 这时，必须在式
(3. 47) 上再乘以另一个T矩阵来获得净光棚的S 11 。 图3. 19重新绘出了 一 端含有AR锁
膜、另 一端为解理面的DFB激光器的阙值增益和波长，这里假设刻面的相位正交（即，刻面
位置精确位千光栅的两个界面之间）。
通过观察当增益增加时穿过DFB激光器（或其他任何激光器）的净转换函数 S21 (w) =
l/T11 (w) 的变化，也可以算出阙值增益和波长，而无需求解式 (3.67) 或 (3.68) 。 整个系统
的任意 一个S参数的极点（或者T1 1参数的零点）给出了特征方程的另 一 种形式。 根据式
(3.48) ，两端含有AR锁膜刻面的DFB 的特征方程为
m eIIA = j (3. 69)
其中镜面周期的有效数目m e ff和失谐参数 A 由式 (3.49) 给出。
在数值计算中，当增益增加时，被研究器件的传输谱将达到一个极强的最大值。 使 该最
大值达到某 一 取值所需的增益及其波长就是所需的阙值增益及波长。 该方法用来确定寄生
模式的阙值增益差值，因为即使 在一个模式达到阔值之后，还可以增加增益来寻找可以在不
• 72 •
同波长进发的下一个模式。 图3. 18和图3. 19中显示了前几个模式的阙值增益和波长。

8 7 6
－
7(
p＇芒
-－
q )
5 4
3
2 1 01
KL,=4
KL,=5

oLJ
3 5 7
I
5

-I O -5 0 5 IO 15
OL g

(a)标准 DFB
8 7 6 5 4
8(D,总
7 总 I

0.5
t I—」 KL =4
2

g
KL,=5
1 0 -

oI I l

。
-l O l
5

5
l
5

-I O IO 15
6Lg
(b)入／4相移 DFB

注：其中 K丛（ ==2mr) 的取值以 0.5 为间距从 5 到 0.5,/3 为光栅的平均传输常数 。

图3. 18 标准DFB激光器和四分之一波长相移DFB激光器的
各个模式的阙值模式增益和阔值波长的归一化曲线
5
4

心
3
寸(

。
D
1，志 J)

心心
4 5
2

3
5

�15 -I O -5 10 15
ol
含有解理面的标准DFB
尸
注：其中 K片（圭 2mr) 的取值以 0.5 为间距从 5 到 0.5 。 激光器的一端为 AR 锁
膜，另一端为解理面，从而端面反射（场振幅为 0.565) 相对于微小的光栅反
° —
射为 90 反相（如图右下角所示） 。 其中8 = B /3o，p是光栅的平均传输常数 。

图 3. 19 标准DFB激光器的各个模式的阙值模式增益和阔值波长的归一化曲线
• 73 •
 构成光栅的锯齿也会导致严重的损耗和增益的周期性改变。 也就是说，即使采用上
述选择的参考平面，r］（和IC)也可以是复数（ 具有非零的相角），从而使r]对于实数的折
射率变化为实数。 在纯增益调制 并且没有折射率变化的极端情况，式(3. 42)~(3. 52)
表明，r g 在布拉格波长处的角度为护勹c/4。 因此，如上所述，式(3.67)所 表征的无相移
DFB激光器在光栅的布拉格波长处形成一个模式。 这就是具有实数折射率变化的四分
之一波长相移DFB。 根据上述原因及其他潜在忧势，目前 对这种 增益耦合DFB领域的
研究仍很活跃。

3.8 单频激光器的模式压缩比

如上所述，大家对耦合腔、DBR 和DFB激光器感兴趣的一个主要原因在于其单频运转
”
的潜力。 但是必须意识到，“单频 是一个相对的概念。 本节将讨论一种测措单频纯度的方
式，即模式抑制比(MSR)。 将其定义为从激光器一端输出的主要激光模式与下一个最强的
模式之间的输出功率比值：
P（入。）
MSR= (3. 70)
P（入 ］ ）
其中去掉了式(3.32)给出的输出功率的角标，并用入。来标定主模。 从激光器一端输出的第
n个模式的功率为式(2.33)乘以式(3.30)给出的该端面的输出比例F凶儿）， 即
P（儿） ＝F1（儿）Vg am （儿）NP （儿）hvVP (3. 71)
由式(2. 16)可 得稳态(dP/dt = O)光子密度为
r/3sp 凡（儿）
Np 伈） ＝ (3.72)
1/rp 饥） －I'vg g（儿）
请注意在第2章中，利用式(2.15)来求解凡与终端电流的关系，但在这里我们关心的是如
何用净增益差值（式(3.72)的分母）来表示各种模式的 N p 值。 用这种形式可以观察到当该
分母趋于零时，注入到某一特定模式内的噪声(I'/3sp R sp （儿））被放大到一个 大的稳态值（但是
实际上对于任何有限的功率输出，该分母永远不会达到 零值）。
现在，将式(3.72)代入式(3. 71)，并根据式(3.70)获得所需模式对的比值，即
F1（入。）am （入。）［a;+am 饥） － I'g（入 1 )]
MSR= (3.73)
F 1 01)am (J1) [a; +am （入。） － I'g（入。）］
其中假设自发发射均匀耦合至两个模式中，并且这两个模式在频率、体积和速度上均相似。
这里采用了式(2.24)来表示腔体寿命，即1/rp （儿）＝Vg (a i +am )。 在进一步简化该式之前，
先来回顾损耗和增益与波长之间的常规关系，如图3.20 所示，对于不同类型的激光器，该图
与图3.8、图3.15类似，并间接地与图3.18类似。
最后根据该图得知，式(3.73)的分母括号内包括主模的镜面损耗和净模式增益之间的
差值，BG = am 伈） － ［I'g（入。） － a ＼ ]，损耗差值为凶 ＝ 妇忱） － am （入。），模式增益差值为f::.g =
I'g（入。） － I'g（入l)，由此可将上式简化。 而且，如果后镜面的损耗与频率有关，当该镜面损耗
增加时，从前镜面耦合出的光部分将降低。 结果，从前镜面出射的耦合部分比与镜面损耗比
值的乘积约为1。 这时
• 74 •
 凶十心g
MSR= +1 (3.74)
<JG
更普遍的方法是用光功率的分贝值(dB)来表示MSR:

MSR(dB)=lO lg ［气产＋ 1] (3.75)

a,＇,（入）

rg-a,

入
模式0 模式1

图3. 20 MSR计算中采用的增益和损耗差值的定义

如果利用直接检测来观察频谱，光电二极管的电流与光功率直接成正比，而电功率正比
于该电流的平方。因此，如果频谱分析仪上的电功率用分贝显示，则观察到的MSR将是式
(3. 75)预期值的两倍。
将已有的几个公式相结合，可以根据腔体参数和驱动电流算出＆值。首先，在入。处求
解式(3.71 )和(3.72)可得
F顷m hvVPr(3spRsp
说＝ (3.76)
POl

然后，由式(2.5)和(2.6)求得R，由式(3.30)和(3.32)求得P。
,p 1 ，可得当 I>儿时成立的表

达式为
Ith
<Jc; = (a;+a m )/3sp刀r (3.77)
(I — I th )
并且由式(A4.10)可得自发发射因子出。基千典型的参数取值，＆， 值约为10-3I th /（I-I th)cm l o

习 题

（注：以下问题利用了附录7的内容。）
3.1 (a) 如图3.21所示，写出由一段传输线和一个电介质界面限定的两个端口之间的S
和T矩阵。
(b)当n,=l,nd = 3.5,L, = 10 µm,Ld = 5 µm时，绘出S 11 和S21 与波长在900＜入＜
1 000 nm范围内的关系曲线。
3.2 采用适当的边界条件来求解适当的散射幅度比，从而证明式(3.24)~(3.27)。
• 75 •
 。 。
3． 3．
3 4
证明 F 1 +F2 =
l 且 F 1 /F2 = P 1/P 2 ，从而验证式 (3.30) 。

+
只通过镜面反射率和尺寸来写出三镜面激光器的特征方程（即，答案中没有m项）。

二
尸L ,
－

I
图3. 21 由一段传输线和一段电介质构成的两端口散射节段

3.5 对千图3. 7所示的外腔激光器形式，绘出振荡两个周期以后的有效镜面反射率r,rr与

1. 3 µm 附近的波长之间的关系曲线。 假设外腔介质的折射率为1. 6 ，损耗为 5 cm 1,

长为 Lr =200 µm，且各镜面有 r3 =
-O. 9,r2 =O. 5,t2 =
O. 3（模式失配损耗）。
3． 3．
6 7

习题 3.5 中，如果将外腔的折射率调整 1% ，则m的极大值偏移多少个纳米？

在四镜面耦合腔激光器中，为了实现最佳的模式选择性，八 ff 的极大值的波长间隔最好
比其极小值的间隔更窄。 在1. 55 µm lnGaAsP/InP DH 材料中蚀刻一个既深又窄的
沟槽，制成的器件具有两个有源区。 假设可以精确控制的沟槽的最小宽度为1. 2 µm。
Ca)求解为了实现目标所需的最小的沟槽宽度。
(b)假设在一个节段与另 一 个节段耦合的过程中单程的衍射功率损耗为 50% ，这时
式(3. 41) 中的 S,11 、 R' 、 6 和 r eff 的值各是多少？
Cc)绘出这时两个周期的 reff 与波长的关系曲线。
3.8 证明式 (3.43) 。
3. 9 证实在低反射极限下，式 (3. 52) 化简为式 (3. 55) 。
3. 10 VCSEL 镜面由 3 个光栅周期再加一个金属反射镜构成。 金属反射镜的位置要保证
其反射波与光栅内的波同相叠加。 假设光栅的每个不连续点的振幅反射为 o. 1，金
属层的振幅反射为0. 95。
(a) Bragg频率处的振幅的净反射率是多少？
Cb)用波长表示的有效穿透深度是多少？请务必定义参考平面。
3. 11 图 3. 14 中的 ln0_2Ga0.sAs/AlGaAs VCSEL 具有如下参数：
Cl) L, = O. 02 µm 的 GaAs DH 有源区位千驻波峰值处。
(2) L p +L, = l 介质中的一个波长。
两个 DBR 镜面：每个镜面由 18 个周期的 AlAs/GaAs 四分之一波堆躲构成；顶部（底
部）镜面锁有金属以获得 99.9 ％的镜面净反射率。
平均内部损耗为(a,〉＝ 20 cm 1 o

(a)底部（前部）镜面反射率是多少？
Cb)每个镜面内的有效穿透深度是多少？
(c)阙值模式增益是多少？
Cd) 假设 Y/ ,=100% ，微分效率是多少？
• 76 •
3. 1 2 分析习题3. 11 中的底部（前部）DBR镜面。
(a) 绘出功率反射率与波长相对于 Bragg 波长的相对伯之间的关系曲线。 在中心最
大值两侧各显示两个极小值。
(b)绘出该光栅的lnO/R)与波长的关系曲线。
3. 13 图3. 16 中的可调谐三节段DBR由lnGaAsP/lnP材料构成，工作在 1. 55 µm附近。
在高千阙值时， 在相位区和 DBR无源区注入电流来改变其有效折射率可以调谐波
长。 当没有电流注入 时，下作 波 长 为 1. 57 µm，所有 节段 的 有效折射 率 为3. 4,
3n/JN= 10 21 cm-3，刀 ＝70%，载流子寿命与载流子密度无关，并且在所有节段中都
，

等于3 ns。 所有区域的波导横截面都是0. 2X3 µm；增益、相移和光栅区的长度都是

200 µm， 光栅的每单位长度的反射率为100cm-1。 另一个镜面为解理面。
绘出波长与光栅电流的关系。
（的假设相移区没有施加电流，请指出至少 3个轴向模式跳模。
(b) 当相移区电流足够大从而维持在光栅的 Bragg 波长处丁作时，重复上述问题。
在 (b) 中，请绘出相反轴上所需的相移电流。 在 50 mA电流处终止曲线。
3. 14 1. 55 µm InGaAsPDBR激光器由一个 500 µm长的有源节段与一个500 µm长的无源光
栅节段对接而成。 光栅的耦合常数与长度的乘积为吐g =1。 有源节段的另一端为解
理面。 有源节段的内部效率为70%，穿过两个节段的平均内部模式损耗为20cm l o

请问 TJdl 和刀dZ 是多少？

3. 15 对于习题3. 14，激光器每端输出的MSR是多少？如果使光栅更强从而有 1C匕＝ 2， 两

端输出的微分效率和MSR分别是多少？
3. 16 一个四分之一 波长相移DBR激光器的内部掀子效率为60%，模式损耗为10 cm-1,
具有 AR锁膜刻面，L.=500 µm,/C匕＝1。
(a) 阔值模式增益是多少？
(b)当T才 作在阙值两倍且/3,p =10 4 时，MSR是多少？
(c) 每端的微分效率是多少？
(d) 最佳MSR对应的 K匕值是多少，这是一种什么情况？
!
3. 17 标准的DFB具有内部模式损耗 10 cm ，通过一端为 AR锁膜而另一端为解理面可
以实现各种 K凸值。 假设解理面提供的反射波与光栅内的波反相，且光从AR锁膜
端输出。
(a)最佳MSR对应的斗值是多少，这时的刀di 是多少？
(b) 最差MSR对应的 1C匕值是多少，这时的 TJdl 是多少？

• 77 •
 第4章 增益与电流的关系

言
4.1 引

第1章介绍了半导体中导致载流子产生和复合的各种跃迁 方式。 第2章给出了各

种跃迁发生的速率，从而通过推导速率方程描述了LED和激光器的基本下作原理。 其
中，光增益是根据受激发射速率和受激吸收速率之间的差值来定义的。 辐射效率是根
据自发复合速率和非辐射复合速率来定义的。 第2章假设这些速率和载流子密度之间
具有某种简单关系，从而给出半导体激光器的 一 般行为方式。 本章将进 一 步研究这些
跃迁的本质。
首先将推导出各种辐射跃迁的定最描述，由此来确定光增益及相应的辐射电流密度与
注入电流之间的函数关系。 然后，将分析各种非辐射跃迁，并在不同的 材料系统中将其与辐
射跃迁进行对比。 最后，将给出 一些常用 材料 中增益计算的范例，从而定量地分析增益、载
流子密度和电流密度之间的各种关系。
附录 6 对另一种通常用千分立能级激光器的辐射跃迁描述方式进行了调整，使其适用
千半导体激光器。 我们鼓励读者研读该附录，因为该分析不但填补了爱因斯坦法与此处处
理方法之间的空隙，并且通过从不同的角度来分析同 一 问题，读者可以对半导体中各种辐射
过程的本质获得更深的领悟。
有关本章利用的多种关系的更详尽分析，请参阅附录8~11。 这些分析属于更深层次
上的知识，对本章材料的基本了解并不需要这些内容。 简要来讲，附录 8 给出了有无应变
时，最子阱中价带子带结构的包络函数的近似与计算。 附录 9 根据首要原则推导了用千计
算半导体增益的 一 个关键关系：费米黄金法则。 附录 10分析了得到的跃迁矩阵元及其涉及
到的与偏振有关的各种效应。 最后，附录11讨论了应变对半导体带隙的影响。 对于那些对
应变材料尤其感兴趣的读者，建议阅读附录8和附录11 的后半部分。

4.2 辐射跃迁

4.2.1 基础定义与基本关系

第1章参照图1. 3讨论了各种类型的跃迁。 这里将着重分析各种辐射跃迁。 明确地

讲，在导带和价带之间存在3种类型的辐射跃迁，这些跃迁 对现代半导体激光器非常重要。
• 78 •
 ...
图4. 1绘出了这些能带至能带的辐射跃迁。
勹
•2
o2
且 EC

．如i
E｀： v-f v-f
．如｝ i
lll l, lll,

心· 。如 心0
心·
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-E ，一·"＇, E, "', E`
ol
＇

• 1 ` 01

R1 2 R'sp
R”

注：所有的儿率都以每单位体积定义。

图4. 1 能带至能带的辐射跃迁：受激吸收、受激发射和自发发射

在第1个图中，光子的能损被传递给一个电子，将该电子从价带的某 一 能态1提升至导
带的某一能态2。 这种受激吸收事件产生新的载流子并导致光子的消失。 在第2个图中，
入射的光子激发电子以一个新光子的形式释放能量，该电子从导带的能态2 降落至价带的
能态l。 这种受激发射事件为载流子提供了 一种复合途径，更重要的是，它是产生新光子的
源泉。 第3个图与第2个图的唯一差异在于：用来激发电子发射光子并向下跃迁的场并不
是真正的场，而是一种真空场（根据扯子领域的定义）。 由千这种真空场所致的跃迁在没有
经典场的激励下就可以产生，将其称为自发发射事件。 在没有经典场存在时，自发发射是直
接带隙半导体中载流子复合的主要途径，至今仍是自然界产生光子的最主要来源。
图4.1中3种跃迁过程发生的速率与儿种因素有关。 其中两种主要因素是光子密度和
可用的能态对的密度。 仆如下文所述，与光子密度的关系源千本地的电场强度IE尸。 这
2 v
样， R 12,R 2·, ex; IE 1 , R:p OC . 节将进 一 步介绍
I E -J尸，其中IE叮 尸为真空场强度。 第44
v
真空场并计算I E ·J尸。
跃迁速率与各种能态对密度的关系可被分解为两种成分：一种是严格与材料有关的，另
一
种则与注入电平有关。 第 一种成分是总的能态对密度，可通过在导带与价带中的态密度
之间以适当的方式取平均来获得。 下文将分析如何计算这种降低的态密度函数pr 。 第二种
成分是那些可能参与跃迁的能态对分数。 对于上跃迁，当所有的载流子都位于价带上时，该
分数达到最大。 对于下跃迁，当所有的载流子都位千导带上时，该分数达到最大。 前 一种载
流子分布是自然存在的，但是对千后一种反转的载流子分布，只有用能量（例如，在PN结的
中心注入电流）将载流子泵浦到导带上才能实现。 下文将定量分析这些可能的能态对分数。
现在进 一 步地分析电磁场。 首先需要意识到的是，向下跃迁不但创造了新的光子，而且
创造的新光子与激励光子（不论是真正的光子还是真空场光子）具有相同的光模式。 因此，
如何区分一个光模式内的光子与另 一个模式内的光子非常重要（请参考附录3 和4中有关
光模式的讨论）。 将 IE尸定义为一个光模式的场强度，我们可将图4. 1中的各种跃迁速率
解释为单模跃迁速率（其实，R:p 的上角标撇号用来区分单模自发发射速率与总的能带至能
带自发发射速率R,p)。 将所有的光模式求和就可得总跃迁速率。
向下跃迁的另 一 有趣的特征是，新产生的光子不但出现在同一 光模式内，还对现有的光
场作出积极贡献。 该特征允许光模式构成相干的光场。 但是，真空场相位与光模式中真实
场的相位无关。 其结果是，相对千通过受激辐射产生的相干场，通过自发发射引入该模式的
新的光子具有随机的相位。 虽然相对千通过受激发射引入的光子数目，通过自发发射引入
• 79 •
该模式的光子数目较小，但无法将其完全消除，这表明激光器永远无法实现完全的相干。 第
5章将进 一 步分析自发发射作为相位噪声源的影响。
至此我们尚未对电子态l和2有所特指。 如下文所示，能扯为妇的光子只在那些 在跃
迁过程中同时保持能拭和动鼠守恒的电子能态对之间才能引起向上和向下跃迁。 换句话
说，必须保证E厂E, =E21 =hv且k2=k,。 这些守恒律将导致在半导体的E-k图中只有非
常 特殊的区域内才能产生相互作用，并且 在该区域内只允许垂直跃迁。 图4.2所示为二维
的K空间图。

1 一；；

—二
E

E1c —
E,＇—

E, —

v
注：能董和动量守恒将可能的能态对限制在图中所示的能量与动量二维曲线的
环面上。 占有概率八和J2进一步限制了可能的能态对。

图4.2 在乌处与光子相互作用的能态对

由于电子与声子及其他电子之间的碰撞，电子在某 一 能态上停留的时间通常只有大约
0. 1 ps。 这导致其能星具有不确定性，从而使得图 4. 2 中的环面变得模糊。 为了正确地考
虑这 一因素，总的跃迁速率应在能拭不确定范围内进行积分。 附录6从 一 开始就完全考虑
了这 一 积分。 然而，由千积分会使数学过程更为复杂，因此将该过程留到最后，那时可以引
入更为全面的讨论。
另 一 个必须考虑的限制是，这些跃迁只在填充的初态和空的终态之间产生。 图4. 2所
示为满足该标准可用于向上和向下跃迁的能态对分数。 根据各项费米因子，3种辐射跃迁
速率为
—
R12=RJ10 八）
R21=R,儿(1 一八） （4. 1)
—
R'sp=R尸fz (1 fl)
在公式中，R表示当所有的能态对都可能参与跃迁时的辐射跃迁速率。 对千自发发射速
2
率，必须采用R尸＝Rr ，且IEl --IE口 尸。 随后将推导R 的精确表达式，但从上述讨论已
经得知R，与场强度和降低的态密度函数成正比。
由于R2]和R12是相互竞争的关系： 一 个产生新光子，另 一 个消耗光子，因此还需要知道
半导体中光子的净产生速率，即
R s 1 ==R2 1—R12 =R,（儿—八） （4. 2)
第4. 3节将 以类似千第2章的表象方式显示，净受激发射速率Rst 直接正比千材料的光
• 80 •
增益。
即使在非平衡态下，通常也可以用费米统计来表示式（4. 1)和(4. 2)中的占有概率，这时
导带和价带采用不同的费米能级：
1 1
f1 =
� 和 fz = � (4. 3)

其中启和 E+v 是导带和价带的准费米能级。 在非平衡正向偏置条件下，E氏和 E历的间隔略

小于施加的结电压。
用式(4. 3)来替代占有概率，可以很容易地推导出上述跃迁速率之间的关系：
R21 ＝ f2(1 — 八） = (b.EF -- £21 )/kT
— e (4. 4)
R 12 八(1 f2)
尽= |Ev-J I 2 八(l － 八）＝厂 l
2 J /kT C4. 5)
\ E 1 1 - e ,1 - t.EF
<E
R,, IE I 2 八一八
第 一 个比值式(4.4)表明，只有在下述条件下，受激发射速率才会大于吸收速率：
EFe-EFv 三三 �EF >E 21 (4. 6)
换句话说，只有当准费米能级的间隔大于所需的光子能最时，净受激发射速率（以及由此导
致的光增益）才为正值。 并且由于光子能量必须至少等千带隙能掀，因此为了在半导体中实
现增益，必须具有
�E F >Eg (4. 7)
该条件要求：为了在有源区实现增益，穿过PN结的电压必须高于带隙。
第二个比值式(4. 5)表明了单模自发发射速率和净受激发射速率之间的基本关系。 第
4.4节中将进 一 步讨论这 一 关系。 我们将发现，场强度的比值恰好等千光模式中光子数目的
倒数。

4. 2. 2 辐射跃迁速率的基本描述
只需计算一种跃迁速率Rr （如式(4. 1)），就可以完整地定量分析所有3种辐射跃迁速
率。 附录6的分析还表明，利用爱因斯坦受激速率常数 B2] 就足以确定3种辐射跃迁速率。
然而，爱因斯坦的方法并不能确定半导体中的 B21 值。 不过，利用附录 9 推导的费米黄金法
则所给出的关系可以算出跃迁速率R,。 为了计算费米黄金法则，需要准确地描述晶体中的
电子与电磁场之间的相互作用。
为了全面地描述电子，必须为能态1和2内电子的波函数进行建模。 为了严谨起见，必
须采用适当的品体势能求解薛定鄂 (Schrodinger) 方程来获得中］ 和中2 。 然而，这种精确解
不但难以找到，并且不便于使 用。 不 过，可以采用一种有效近似来将晶体 势 能 分解为 ：
(1) 与晶格同周期的完整的原子级势能；（2)与图4. 3所示的导带边或价带边的（由掺杂或
者材料组分变化所引起的）空间分布有关的宏观势能。 附录8表明，可以将相应的电子波函
数写为如下两个函数的乘积：
cf11 =F1 (r) • U v (r) 和 cf1 2 = F2 (r) • u,(r) (4. 8)
包络函数 F(r) 为慢变函数，它满足采用宏观势能和适当的有效质最的 Schrodinger 方程。
布洛克 (Bloch) 函数 u(r) 为复周期函数，它满足采用原子级势能的 Schrodinger 方程。 晶体
中的每个能带都有自己的 Bloch 函数。 但是，我们并不 需要精确获得 u(r) 。 正如附录 8 所
• 81 •
示，大多数计算只需利用这些函数的对称特性。 这样，便可着重千较为简单的包络函数。

＼－ － － －－ －－－－－ － － － － － － …－－－ － － －
原子级势能 宏观势能

•••••••0000000•••••••

图4. 3 扯子阱势能和相应的最低能址电子波函数的示意图

在均匀掺杂的体材料中，能带是平坦的，这表明宏观势能为常数，因此包络函数的解为
简单的平面波。 在怅子阱势能中，沿着阱平面内的各方向上存在有平面波的解。 但是沿着
限制方向， F(r) 在阱内的分布或者为余弦波或者为正弦波，在阱外以指数方式衰减。 因此，
体材料、植子阱和（通过延伸）植子线的包络函数的形式分别为

( 4. 4.
4. l
9 0 1
、
F (r) = e I灯

,
Jk. r
（体材料）

/
（ （

＼
F(r)=F(z) • e ik•,1 ／坏

丿
（最子阱）

l
、
F(r)=F(x,y) • e

丿
休， z
/江 （植子式）
其中用千归一化目的，V、A、L分别为晶体的体积、面积和长度。 对千星子阱，位置矢阰r11
与械子阱平面平行，F(z)是附录1中分析的量子阱势能的简单一维解。 对千量子线，线的
长度沿着 z 向，F（.r，y)是星子化平面内的二维解。 总的量子阱电子波函数同时包含了包络
函数和 Bloch 函数分量，适用于图 4. 3 所示的整个的晶体势能。 由千许多计算通常只需电
子的包络函数，因此通常将 F(r) 与电子的完整波函数心联系起来。 这一关联通常是无害
的，但是在现有情况下，需要明确它只代表完整的电子波函数的慢变包络。
根据定义的电子波函数，可以继续描述电子与电磁波之间的相互作用。 通过如下矢狱
势能，可将波与电子的相互作用引入 Schrodinger 方程：
A 1
A(r,t) = ;Re{.;#(r)eiwt } = �—2
[ CJ(r)e)“ 十矿(r)e-iw'J (4. 12)

其中;是A方向上的单位偏振矢量，o（行 Q)是光子的角频率（能报）。 通过E = — aA／扣，矢

量势能与电场相关。 通过如下置换可以修正 Schrodinger 方程中描述晶体中电子的动能项
（由 (A8. 1) 给出）：
2 2
p --(p+qA) 2 ：：：：：：：： p +2qA. p (4. 13)
其中q是电子电荷的数鼠。 该修正说明了电磁场使带电粒子进行加速和／或减速（并进而修
正电子动能）的能力。 在展开平方项时，可以忽略矢最势能的平方项，因为该项对最终结果
没有影响（假设可以忽略A在晶体的一个单位元内的空间变化，波函数的正交性确保算子
2
A 不会干扰系统）。 将式 (4. 13)代入 (A8. l)，则新的汉密尔敦函数 (Hamiltonian)为
, • 82 •
 H=H。+［H'(r)产十h.c]
. , H'(r)＝亡汃r)J•p (4.14)

h. C ． 代表厄密共辄，即表示对除了厄密动量算子p之外的所有各项取复共枙。括号内的项
是对初始Hamiltonian函数几在时间上的微扰。该微扰项是导带与价带之间跃迁的驱
动力。
通过研究最初位千价带能态上的电子波动方程的时间演变过程（ 例如，当存在时谐微扰
时电子向上跃迁到价带的情况），有可能确定这些跃迁发生的速率。该执行过程请参照附录
9。最终，每单位体积有源材料内的跃迁速率（单位为s-1 • cm 3)为
2

（
l
5
、
4.
Rr ＝孕 I玑

�
I p/E2 1) I E, 1 一 行。

1
（

）
6
4.
H;1 =（tpz IH'(r)|寸]〉＝ f少z'H'(r)网r
V

式 (4. 15) 被称为费米黄金法则。它表明，每秒钟在每单位有源体积 V 内发生的跃迁数与下

列各项有关：（1）电子可占用的终态的密度p£(E2 1 )（单位为能量单位 •厘米 )'(2)当存
I 3

在式(4. 14)定义的谐波微扰时，初始电子波函数和终态电子波函数之间的空间重叠�该
积分被定义为H; 1 （单位为能址）。值得庆幸的是，只有那些位千终态间隔约为E2 1= 杞w的
能态上的电子才能对该场作出响应。也就是说，两个电子态必须与振荡场形成共振。其结
果是，必须在E2 1＝ 扣w处来计算式 (4. 15) 中的p£CE2 1 ) 和 H;1的值。附录 9 推导出的这一
谐振条件证实了能量是守恒的。
利用式(4. 15) ，确定 R, 的 T 作化简为寻求终态密度和重叠积分（或者按通常的说法，矩
阵元）之间的精确关系。以下两小节将解决这一问题。

4.2.3 跃迁矩阵元

矩阵元 IH� 1 尸确定了两个能态之间相互作用的强度。该相互作用可以很强、很弱，也

可以完全为零，这完全取决千描述两种电子态的波函数。例如，在械子阱中，只允许具有相
同扯子数的子带之间产生跃迁，其他跃迁都是被禁止的。波函数重叠还导致了K选择法则，
该法则规定：只有当两个能态的K矢损相同时（ 两个电子态必须沿着相同的方向传播），才允
许两个平面波态之间产生跃迁。除了上述条件，如果该材料具有某种对称轴优先级的话，该
相互作用强度还与入射光的偏振有关。例如，对千量子阱中导带能态和重空穴能态之间的
相互作用，沿着阱平面的电场的相互作用强度要比垂直于阱平面方向的大得多。
为了推导 IH;1尸的表达式，将式(4. 14)中H'（r)的定义带入式(4. 16)中 IH; 1 尸的定
义。通过式(4.8)用包络／Bloch函数来表示电子和空穴的波函数，可以化简式(4. 16)。将
动量算子对乘积进行运算时，可写为pA B = Bp A + ApB ，因此可将该重叠积分表示为如下
两项的和：

H� 1 =卢』贮 uc* （Yi(r); •p)F 1 u v d3r

＝上［』旷 U 贮(d(r) t • p)F d r+ L[F; s1(r)F ]矿 t. pu 心］

v 1
3
1 （4. 17)

在从导带到价带的跃迁过程中，由于式CA8. 5)中表示的正交性条件，并由于在任何一
• 83 •
个单位晶胞内均可很好地将该被积函数内的其他各项近似为常数，因此括号内的第 一 项积
分消失气为了计算第二项积分，将在整个晶体体积内的积分分解为在每个单位晶胞内的
积分的总和。 因此可以在 一个单位晶胞尺寸内将第二项积分中括号内合并的各项视为常
数。 从而可得

玑＝-/!:- � [F2* si(r)F心＝ r

2m 。 』单位晶胞
uc· ;． pu才r (4. 18)

其中）对晶体内的所有单位晶胞求和，r; 是到第）个晶格的位置矢量。 由千 Bloch 函数 u

在每个单位晶胞内自我重复，可以将整个积分从求和内拖出来，获得

玑＝ q
2m 。［已单位晶胞
uc.epu 心］ 2 ［F;“( r)E]r=r vuc

＝卢 (Uc I ; • PIU v 〉LF勹(r)F扣

V
(4.19)

其中假定单位晶胞的体积很小，可以将求和转换到积分形式。 式中还采用了迪拉克(Dirac)
符号来表示 Bloch 函数重叠积分。
由千 si(r) 的空间变化通常远慢于包络函数的变化，因此可以将其从积分中拖出来，从
而可以进 』步简化式（4. 19) 中的包络函数重叠积分。 假设 si(r) 是形式为劝 e-jk • r 的平面
波，并忽略其空间关系（即指数项），可得

f F；西）F1d3 r � s10 f贮F1d3 r==劝<F2 IF1 〉 (4.20)

V V

下文的式 (4.22)~(4. 24) 将更详尽地分析该积分。 将式 (4.20) 代入式 (4. 19) ，最终得

I H;1 I =
2
(t;
q劝
。) 2
|M1、 | '
2
其中 IMT 1
2
兰 I (U, I ; • P IUv 〉 | 2 l<F2 IF1 〉 1 2
(4.21)

第 一个等式中的前因子直接来源千微扰汉密尔敦函数式 (4.14) 。 第二项 IMT 尸 被称为跃

迁矩阵元，附录 10 对 其进行了着重分析。 第 一 项分量 I<u』: • PIU v 〉尸含有该积分与偏
振的关系，这与导带与价带的 Bloch 函数的独特的对称性有关。 不考虑其偏振关系（可以是
光子能量的函数），可以将给定材料的动量矩阵元视为常数 IM 尸。
正如附录 8 所示，通过实验可以确定常数 IMl 。 表 4. 1 列出了几种重要材料系统的已
2

报道的最为准确的值（请注意 21M尸／ m。的单位为能扯）。 附录 10 给出了如何用 IMl 来

2

表示 IM计 。 其中涉及到将点积展开，并考虑了式 (4. 21) 给出的 IMT 尸中的包络函数的重

2

叠。 表 4.2 归纳了在横电场(TE：电场位千量子阱平面内）偏振或横磁场(TM：电场垂直千
扯子阱平面）偏振时体材料和量子阱材料的结果。 由于能带混合效应，只有当横向 k 矢量 k t
很小时，量子阱的各值才有效。 图 Alo. 5 给出了当K变化时的 IMT 尸 /IM 尸取值。
除了造成偏振敏感性以外，跃迁矩阵元还限制了可以相互作用的能态的类型。 对于在
“体材料 有源介质（即 V- ＝)中的两个平面波能态之间的跃迁，利用式 (4.9) 可得
“

1
<F2 IF1 〉=—f 砂2.re丸·守 r = Bk 1,k, (4.22)
V Jv

少 对于同一能带内的跃进，布洛克函数重叠等于1，并且根据包络函数重叠，第一项积分可能为零也可能不为零 。

• 84 •
 2
表4.1 各种材料系统的IMl 幅度

2|MI2
材料系统 /eV
mo

GaAs 28.8土0.15

A1..Ga1 ,As(x<O.3) 29.83+ 2.85x

In, Ga1 -,As 28.8-6.6x

InP 19.7士0.6

ln1 ,Ga,Asy P 1 yC.r = O. 47y) 19.7+5.6y

表4.2 各种跃迁和偏振状态下的IMT尸／IM尸幅度

体材料 员子阱(k恳0)
偏振
C-HH C-LH C-HH C-LH

TE 1/3 1/3 1/2 1/6

TM 1/3 1/3 。 2/3

其中Kronecker delta函数心 ． K2 当k2 =k 1 时为 1 ，否则为零。 这一空间相位匹配条件

被称为K选择法则，这 是动扯守恒的表现。 这样，只有那些沿着晶体同一方向传输的能
态之间才能相互作用。 如果在推导式 (4. 21) 时没有忽略场的空间关系，式 (4. 22) 中将出
现一个额外的平面波项e-jk.，，而向上跃迁的K选择法则将变成：k2 =k 1 +re。 然而，场的
波矢量re 通常比电子的波矢倡小几个数 扯 级，因此通常可以忽略（论证了上文式 (4. 20)
中的简化步骤）。
量子阱中的包络函数由式 (4. 10) 给出。 如下重叠给出了两个这种扯子阱能态之间的
跃迁：

<F 2 I F 1 〉＝灶贮 (z)e丸·•11F 1 (z)e九五d 3 r

＝ ［贮 (z)F (z)dz
之
1 （当k2 = k 1 ) (4. 23)

这样，可以假设在量子阱平面内采用K选择法则，但仍需计算垂直于平面的 I <F 2 I F 1 〉尸，其

＂ “
中凡和F]是最子阱在导带和价带上的鼠子化能级的 盒子中的粒子 包络函数。
由千橄子阱波函数之间的正交性，对于子带跃迁，式(4.23) 中的重叠积分化简为如下
法则：
I <F2 I F 1 〉1 2 �心 ， “V (4. 24)
这表明，跃迁只在那些具有相同蜇子数(nc = n v )的最子阱子带之间发生。 这 被称为允许跃
迁。 具有不同扯子数的子带之间的跃迁是禁戒跃迁。 如图 4. 4 所示，允许跃迁通常被称为
“ ”
n = l跃迁，n ＝ 2 跃迁等。 式 (4. 24) 中使用 约等千 是因为导带和价带中的有效质鼠和势
垒高度不同，这表明两个能带的波函数并非完全相互正交。 然而，允许跃迁的重叠值通常
• 85 •
（如果并非一贯如此）接近千 1 (0. 9~1) ，而禁戒跃迁的重叠值通常非常小 (O~O. 1) 。
E,

`,
2
| F,IE I ~ 1 | E|F, |'～0

-
-
-

-
-
n

卜
i
l-C

许
允 禁戒

-
-
－
－
－
n

卜
｀
l}

3 -------
E`

“ =
注：粗线突出表示的是最重要的 n I"跃迁。

图4.4 址子阱中的允许跃迁和禁戒跃迁

上述分析可以扩展到在两个维度上具有势垒的昼子线悄况。 例如在拭子线中，E和
“ ”
F l 是两个址子化方向的函数，所以I <F2 IF》尸代表了整个 卧子化平面 上的积分（请看
式(4. 11)）。 这时只在线长度方向上遵循K选择。
在重掺杂材料中，存在有那些受到带电施主或受主束缚的电子态。 如果掺杂浓度足够
高，可以想象，许多靠近带边的跃迁或者是能带至束缚态跃迁，或者是束缚态至束缚态跃迁。
这时，无 法在任何方向上假设k选择法则，因此必须对所有与这些束缚态相对应的包络函数
精确地计算I <F2 IF1〉尸。 早期的研究对这种能带至束缚态跃迁给予了相当的关注。 然
而，只有当大部分有源区是重掺杂时才采用这种分析。 近来，重掺杂有源区已不再流行，取
而代之的是无掺杂的址子阱有源区（ 或者有时是调制掺杂最子阱，这时掺杂的离子在物理上
与最子阱分离）。 其结果是，大多数当前的半导体激光器都操作在能带至能带跃迁机制下。
本章余下内容将着重讨论平面波能态之间的跃迁，这时可以假设k选择法则。
基于式(4. 21)给出的I H;l尸以及建立的K选择法则，我们现在需要更仔细地定义终态
密度。

4.2.4 降低的态密度

附录9在推导费米黄金法则的过程中假设电子最初占据了单 一 能态，并跃迁到众多终
态中的一 个之上。 如图4. 5所示，在半导体中，电子的终态和初态都处千众多相邻能态的包
围之中。 这时，式(4. 15)中的终态密度应被解释为每单位跃迁能量的跃迁对密度()E21。 该
跃迁对密度被称为降低的态密度函数pr (E2l)。 附录6推导了一种特殊的pAE2 l )形式，不
过我们将在这里确定其常规形式。
如果假设采用K选择法则，只有K矢量相同的能态之间才可以构成一个跃迁对，并且在
k空间内只能实现垂直跃迁。 由于这一 限制，()k内的跃迁对数目等于导带或价带内的能态
数目，且pr 8E2l pc旺E2
= =
p心E。 这样我们可以令旺E2 = Cp,/ pc 闷E闪，且旺E = （p,/pV )ME2l o
对这些关系求和，并令3E21 =3E2 +BE1 ，立刻可得
• 86 •
 1, 1
1 －＋—
— = (4. 25 )
Pr PC Pv
该式是费米黄金法则中通常采用的终态密度形式。请 注意当pv-=时，Pr-pC。 附录9讨论
了这一情况，其中将pc 解释为终态密度。当价带中的能态密度 有限时，例如pv=pc，则 pr 值
从pc 降为p,/2（降低的态密度的名称由此而来）。在典型的半导体中，Pv彦5p,或( 5/6)Pc <
Pr 冬pC 。这样pr通常非常接近千pC 。然而，在应变材料中，可以急剧地降低 Pv，从而使pr 更
接近pc/2（如附录8 所示）。
E

�
＿

＿
蠡

撼
6
且

E
人3
Ec

可
T
s
E,
－
u

曹一
[“
E ` >之勹l
E,
KI 能态数／体积＝p(E)oE

图4.5 对于K空间中的给定dk值，导带与价带能量范围之间的关系，其中假设采用K 选择

其实对于常规用途，式(4.25)并不实用。将其与K空间中的态密度联系起来可以得到
p,CE21 )的另一种定义。根据图4.5，令p,CE21 )8E2 1 =p(k)8k。重新整理可得
1 =— 1 dE21 Ck) =— 1 [1dE2 Ck) － dE (k)
1
(4. 26)
p,（E21 ) p(K) dk p(K) dk dk ]
只要已知该点处电子和空穴能 量相对于K 的导数，就可以利用该定义在K空间 的任意 一 点
计算p r (E2 1)。当E2 (k)和E1 (k)不是抛物线函数时，该定义尤其 有用（请参考图A8.4和图
A8. 5中有关QW中非抛物线子带 的示例 ）。表4. 3归纳了各种维度结构的K空间中的态
密度p(k)（请注意，为了与附录8和10保持一致，z向为星子阱的厚度方向，为量子线的轴向）。
表4.3 体材料 {3D)、量子阱(2D)、量子线(lD)结构的态密度（包含自旋）

维度 p(k) p(E)

k2 2m 3 /2
3
穴
2 叫
2 汗]
TC2

2 k m
亢d之 亢杆d,

2
d,d, 尸杆
］ ] /2
立痄
穴

如果跃迁所涉及到的两个能带都是抛物线形的，可以采用更为直观的p,(E21 )定义。通
常情况下，跃迁能最等于带隙能鼠E.=E厂丘加上电子和空穴的动能。如果电子和空穴
遵循抛物线色散曲线，可得
• 87 •
 杆K 2 杆K2 杆妒 1_ 1 , 1
E2=Eg十
一 —+-— =Eg + —一 ，当—-＝—+ — (4. 27)
2mc 2mV 2mr m, mc mv
1

换句话说，区随k 的色散也是抛物线曲线，其曲率用降低的质址mr 来表征。其结果是，沿

着E21 的跃迁态密度完全类比于导带或价带中的态密度函数，其对应关系为
Pr (E2l )<-+p, (Ez) •Pv (E1 )
E21 —Eg -E2 -Ec ,EV -El （抛物线能带）
m, <-+ m,,mv (4.28)
附录6 推导的体材料的 pr (E21)结果验证了这些对应关系。更为常规的情况是，只要能带是
抛物线形的，采用式(4.28)和(4.27)，就可以直接利用附录1给出的以及表4. 3归纳的各种
维度结构下的每单位能址的态密度值来计算p,（E2 l)。
最后，为了计算式(4.3)中的费米占有概率，需要得知每个电子和空穴的能量。基千抛物
线形能带并假设k选择，利用式(4.27)可以相对千跃迁能最来表示每个电子和空穴的能散为
mr m
E2 =E,+CE21 —Eg )— , E1 =Ev -CE21 —E..g )rnv (4. 29)
— r
m,
当能带不是抛物线形时，必须利用通常在K矢阰处算出的E2Ck)和E1 (k)来获得所需的跃
迁能鼠E 21

4.2.S 与爱因斯坦受激速率常数的对应关系

附录6叙述了爱因斯坦对辐射跃迁的最初描述，其中 向下跃迁速率的定义考虑了受激
速率常数B21（ 用辐射谱密度W(v)加权）和可用千向下跃迁的能态对的微分数 d N2 。该速
率常数与R r 有关，从而允许我们利用费米黄金法则来定量求解B21 o

假设线形展宽函数是 delta函数，式 (A6. 11) 中的受激发射速率变为dR2=

1 B21W(v)dN2 o
由于W(v)项的存在，必须对该微分跃迁速率在所有的跃迁对内进行积分。用式 (A6. 8) 表
示 dN2 ，令W(v)王 hvN战(v-v。)，并对跃迁能最积分，可得受激发射速率为
R2= 。
1 B21 hv NP hpr f2( 1 － 八） (4. 30)
将该式与式(4.1)比较，可得
2
'2l I
1 �=上|H
B2= (4. 31)
加。
Np hpr hv Np 仔 。
第二个等式利用了费米黄金法则式(4.15)来展开R r 。根据该式和下文定义的式(4.36)，可
以对B21 和附录6 中所有与B21 有关的关系进行定最分析。

4.3 光增益

4.3.1 增益的常规表示

第2章推导了净受激发射速率和光增益之间的精确关系。为了便于参考，这里以一种
略微不同的方式来复述该推导。如第2章所述，将每单位长度的材料增益定义为当光子沿
着晶体某 一 方向传输时光子密度增长的比例。该定义与跃迁速率的关系为
1 dNp = 1 dNP _ 1
＝
(R —R 1 2) (4. 32)
g 汒正了可二．NP 21
• 88 •
第二个等式利用了群速度 Vg 将空间增长速率转化为随时间的增长速率。由此，在时间上的

增长速率与每单位体积的光子净增长速率联系在一起。最后，利用式(4. 2)可得
Rst R,
g= （儿 — 八） (4.33)
vgNp VgNp

利用费米黄金法则表示Rr，可得
2
2穴 |H; 1 i
g21＝ 万 —
p,(E21 )（儿 八） （ 4. 34)
VgNp

电磁微扰正比千场强度。因此，为了计算比值I H;1尸／Np，需要将场强度与光子密度联系起

来。用光子能械表示的能量密度为趴沁rp 。用电场强度表示的能量密度为 一 n e IE尸。如

2
2
。
果该材料具有色散，该项变为�nng eo IE尸。电场通过一 个时间微分项与矢量势能有关。对
2
千时谐场，可令IE尸＝矿I st尸。将两种版本的能量密度等同，可得所需关系：

卢
nng E心I凶1 叮心v ---+- 1 °Yio I 2 =
2 2行
N
nng Eow P
(4. 35)

利用该关系以及矩阵元式(4.21)的定义，可以令CD
| H'21|
2
- （平
- J°) 2 |MT 尸＝ 矿行 2 |MT I 2
Np Np \2m 。 2 。
nng Eom Q
(4. 36)

每单位长度的材料增益(4.34)变为
g1
2
=gmax (E21)（儿 — 八）

其中
= 对行 1
。 |队(E1 (4.37)
2
gmax(£1
2 ) 2 ) l p,(E21)
nE cm� hv21
最大增益gmax 是 一 种材料特性，而费米因子八
八则与注入电平有关。在GaAs 80~100 A —

趾子阱中，每个子带跃迁的最大增益为gm•x=l0 cm-I（或1µm-1) 。
4

在降阶维度的结构中（例如鼠子阱），Pr 对应于两个扯子化子带之间的降低的态密度。
对全部可能的子带对求和，可得 E21 处的总增益为
g21 = ��矿(nc 'nv ) （蜇子阱） (4.38)
兀 丸

其中的双重求和表明应该考虑所有的子带组合。不过实际上，由式(4.24)和图4.4所示的
包络函数重叠所造成的各个选择法则表明：由 n,=nv 子带对所产生的增益将支配增益谱。
尤其是 n=l增益通常最大，并因此是量子阱激光器中最重要的跃迁。我们将用下 一示例来
演示这一结论，并着重强调用来确定给定注入电平对应的械子阱增益所需的许多其他基本
考虑。
图4.6左侧所示为量子阱导带和价带中的两个最低子能带（为了简化，忽略轻空穴子带
并假设抛物线型子带）。在强正向偏置条件下，平衡态费米能级分裂为两个准费米能级， 一
个用于所有的导带子带， 一 个用于所有的价带子带（虚线表示准费米函数）。两个准费米能

o 有时将增益式中的跃迁矩阵元写为偶极矩矩阵元 q'IX| ＼其中 IX I'= I (u, I :. XI u, 〉「| （F, IF1〉1气 x

为位置算子 。 两者的关系为 q IMT尸＝m� 矿 q'IXI
2 2
。 这样，可以将式 (4. 36) 改写为利用该比值可定义式 (4. 34) 中的

增益，不过本章将不采用增益的这一替换表达式 。
• 89 •
级之间的间隔要满足扯子阱之内保持电荷中和的限制条件（如果电荷不平衡，在二极管的结
点处将产生能带弯曲从而中和这种不平衡）。 因此在屈子阱内必须满足N (EFc) = P(EFv)
（有关该关系更精确的描述，请参照式 CA6. 20) ）。 由于价带通常在每单位能屈内含有更多
的能态，因此价带准费米函数无需像导带准费米函数深入得那么深就可以获得相同的总载
流子密度。 其结果如图4.6所 示，两个准费米能级的间隔并不对称。
图4. 6右侧所示为每个子带的常 数态密度函数，如果将其相加，可在每个能带中形成一
个阶梯形的态密度分布。 当p(E)与能带中填充（空闲）的能态部分相乘时，可得电子（空穴）
随能鼠分布的函数（图中分别绘出了n = l与n = 2子带的贡献）。 载流子分布曲线下的阴影
区构成了总的载流子密度。 由千电荷中和要求N=P，因此不论注人电平如何，导带和价带
内的总的阴影区面积都必须相等。 因此，准费米能级必须具有自我调节能力，以确保该条件
得到满足（因此价带内的阶梯高度较高，这再次解释了价带准费米函数无需深入过深的
原因）。

E(k)
p(E)

E心

Ec l

n=l
（平衡态 ＋
n =2

n,=2

注：其中阐释了各个子带边处的载流子数目、准费米能级和增益之间的关系。

图4. 6 QW各子带及其相应的态密度

根据定义的准费米能级与载流子密度之间的定性关系，接下来可以分析拭子阱的增益。
通过简单的分析就可以定性地确定图4. 6所示的量子阱的许多光学特性。 例如，从式(4. 6)
可 得知在所示的注入电平处，量子阱在最低的子带 边提供增益，原因很简单：
£F, -EFv >Ed —Evl 。 因此，尽管肛处的电子密度略高于Ec1处的电子密度，仍在带边实现
＂ “
了粒子数反转。 这是因为 粒子数反转 要求fz>f!，而不是p c 儿＞ µ f!（正如其名称可能误
导的）。 而且，即使EFv >肛仍能在带边实现增益这 一 事实强化了如下概念：决定增益的是
EFv 和EFc 之间的相对差值而不是其绝对位置（即，无需同时满足EF,>Ec1和EFv <Evl这两个
条件，就可以实现增益）。
将上述分析推进 一 步，可以采用式(4. 37) 来计算带边处的增益。在适当的能最处计算
各项，可得带边增益为gmax I (Egl )（儿(Ecl ) 一 八(Ev1)），其中gmaxl 采用了两个n = l子带之间
的包络函数重叠和降低的态密度。 由图可算出八(Ecl ) 一 八(Ev1 )=O. 8-0. 6 = 0. 2，从而可
• 90 · •
以得出结论：带边增益约为其最大可能值的20%。如果假设g m,xl(E. 1 )=10'cm !
（典型
值），则图中的带边增益约为2 000cm 1 0

当光子能星更高时，粒子数反转明显地减弱了，这表明来自n = l 跃迁的增益在带边处
最大。然而，当光子能最足够高时，第二组载流子群开始对跃迁过程作出贡献。原则上，这
一增加的载流子供应可以显著地增加增益。不过在这种情况下，光子能扯接近于第二个子
带边，由千EFc— E伈 ＜肛 — Ev2，植子阱处于吸收状态。正如式(4. 38)中的求和所暗示的，
该吸收源千两种因素：n = l子带中的载流子数和 n =2子带中的载流子数。从图中算出
八(Ec2) － 八CEv2)=O. 3-0. 8 = -0. 5，可得知源于n =2子带跃迁的吸收为 0. 5gm,x 2 (£g2)。
对于n = l子带跃迁，情况较为微妙，因为必须算出 n = l子带中间隔为 Eg2的电子和空穴的
费米能址。 利用式 (4.29 )， 必 须 算出f2 [Ec1 + (E. 2 - E.1) (m,/mc )] —f, [£v i - (E g2—
乌）（rn,/rnv )］，根据上图该值近似为 0.2-0.7 =— 0. 5。因此第二个子带边处的总吸收为
0. 5(g max I (Eg 2) +g max 2(Eg2)）（还存在有交叉粒子数跃迁，例如 g maxl2和 g max 21，但如上所述
其贡献通常很小）。因此，E.2处的吸收尚未被转化为增益，但是在施加正向偏置的时候，至
少被降低为其最大吸收值的一半。为了在 n =2子带边处获得增益，必须增加正向偏置来实
现 £Fe - EFv >Eg2。为了超过 n = l子带边增益，正向偏置甚至必须更强从而满足
(g maxl(Eg2) +g m,x2 (Eg2))（儿(Ec2) f, (Ev2))>g maxl (Egl)（八(Ecl ）
— 一
八(£v i))
因此，除了正向偏置非常强的情况以外，n = l增益总是占支配地位。
综上所述，通过利用电荷中和将 两个 准费米能级和给定的载流子密度联系起来，算出适
当能最处的准费米函数，并对所有的子带跃迁对求和，可以确定在任何给定光子能拱处相对
于其最大值的增益。第4. 3.3小节将讨论增益谱的更常规情况及其在体材料和屈子阱材料
中的特性。

4.3.2 线形展宽
附录6 中的式(A6.24)给出了增益关千B21的表达式。用式(4. 31)替代B21 并利用式
(4. 36)，可以发现式CA6.24)其实等价于本章推出的式(4. 37)。不过，式(A6.23)中定义的
更为普适性的增益表达式含有 一 个附加的积分项，其中考虑了电子态的能倡不确定性。这
一电子态的能拭展宽最终限制了可以观察到的增益谱的特征分辨率，在降阶维度的结构中
由于降低的态密度函数含有非常陡峭的特征形式，因此考虑这种能掀展宽尤为重要。为了
从式(4. 37)中恢复式CA6.23)，需要考虑电子态的展宽是如何影响增益的。
图 4. 7 显示了当能态展宽时，许多不同的跃迁对都对某一特殊的光子能量处的增益有
所贡献。将这些跃迁对集合在一起，其宽度就基本构成了线形函数的能措不确定宽度，该线
形函数描述了每个 跃迁对可能的能最分布。为了确定加。 处的总增益，必须将 g21对所有跃
迁能最用适当的线形函数穴hv。 E21)进行加权积分。。因此含有线形展宽的增益形式为
—

g(hv。) ＝ I氐15f(hv。— 区）dE21 (4.39)

在式(4. 37)中，hv2]应等于hv0 ，其他与E21 有关的各项都应被视为上述积分的变最。这样该

0 该线形函数其实是所有构成跃迁对的每个电子和空穴线形的组合：

伊(hvo --E,1) = f 51',(E� E,):!'1 ((E—加。）—E1 )dE

• 91 •
增益表达式与附录 6 推导的式 (A6.23) 就一致了。

E EE
，
,

＼ 一／
-
2

－－
I2
2
EC
hv ,
｝

． E｀
E IE' E
＼－
＿＿＿
／
I' l
，

图4. 7 对加。处的增益有所贡献的（诸多个中的）3个跃迁对

通过研究电子态随时间的演化，可以确定式 (4. 39) 中使用的线形函数的特殊形式，该演

化过程考虑了电子与声子和其他电子的相互作用。 在一阶近似中，可以假设在某 一 给定态
中找到电子的概率随着时间呈指数衰减，正如附录 9 中得出的电子与声子的相互作用形式
所示。 将其作傅里叶变换至能植域内，这一简单的随时关系立刻导致了 Lorentzian 线形
函数：
1 行／m
+ (4.40)
—
<f(E E2 1)＝— 2 — 2
亢（行／Tin ) (E E2 1)

带间弛豫时间r,n是与电子的指数衰减有关的时间常数。 能扯的全宽与r,n的关系为凶九＝
2 行／r,n（比较式 (4.40) 与 (A6. 27) ）气早期的研究试图将体材料的增益和自发发射谱与实
验进行曲线拟合，最终得出的值为 r,n = O. 1 ps。 不过，其增益和发射谱匹配得并不好，尤其
在靠近带边的低能频谱端，这时线形函数的各个细节最为显著。 因此，随后又出现了许多更
为复杂的确定线形函数的理论方法。
采用扯子力学态矩阵方法，Yamanishi 和 Lee 提出：电子态在初始时间内呈高斯形式衰
减，但随后在更长的时间内保持指数衰减的状态。 这导致线形函数在尾部含有比 Lorentzi­
an 函数更少的能鼠，这 一 点与实验观察更为吻合。 Asada 更详细地分析了量子阱中的带间
散射，得出了 一 种非对称的线形函数，该函数在跃迁的低能端比 Lorentzian 函数滚落得更
快，这与 Yamanishi 和 Lee 的结论相似。 Kucharska 和 Robbins 继续采用 Lorentzian 线形，
但是从理论上推导出 一 个与能量有关的寿命，并指出 一 个能态的散射速率与该能态在能带
中的位置以及该能带的占空程度有关。
为了保持线形函数尽可能的简单并保证一定程度的精度， Chinn 等人将 Yamanishi 和
Lee 推导出的数值线形函数近似成一个简单的曲线拟合，用来描述电子态的时间关系。 该

0 附求9显示，如果能态以时间常数r< = I/W)作指数衰减，则该能态的能量不确定性为t:.EFWHM ＝行／T 。 能态1

和 2 的总的能量不确定性为凶 E21 ＝
行（1/r, + 1/n)。 将Tin定义为平均时间常烽：1/r.n= — -(1/r, +1/n)，可得凶沁＝

2行／r，n o

• 92 •
时间关系为
--/(/)
e
其中
lgl(t)=2+1. 5 lgt — 0. 5✓c2+lgt)2 +o. 36 (4.41)
2
当时间较长时，l(t)-t，再现了指数衰减。 当时间较短时，l(t)-t ，意味着该能态最初呈高
斯状衰减。 利用 Chinn 线 形 函数最有效的办法是将增 益谱作快速傅里叶反变换（反转
FFT)，将其与式(4.41)相乘，然后再作FFT回到能量域。 这被证明是计算式(4. 39)包含的
卷积的最快方法。 将在随后的计算中采用这一简化的 Chinn 线形函数。
图 4.8 举例显示了这些线形函数。 Chinn 线形比 Lorentzian 线形在尾部的能最要少。
然而，同时列举的高斯线形在尾部的能量比其他两种线形明显更少。 图 4. 8 的第 2 图所示
为将这些线形与典烈的量子阱增益谱进行卷积的结果。 将增益谱的陡峭的形状变平滑可以
使峰伯增益显著地降低。 然而在更高的增益处，该降低并不明显。 请注意由于尾部的能员，
Lorentzian 线形函数在带边以下的吸收几乎达到100 cm 1 。 另两种线形并没有这一问题。
气者中，Chinn 线形可能最接近于实际的半导体复线形函数。 然而在实际中，线形函数同时
是跃迁能拭和注入电流的复函数。
'
IO
l
o
2
,
_A dE]
l
o
} 染啋

o
FU
l
4
l
o
5

10"
-300 -200 -100 0 100 200 300
AEImeV
I 500
T,＂＝0 l ps
'.
． 未卷积的

·.
、、
o

'.
0
0

i.、
号 祖

: ＾·
:
g 空荽 I

o
0
5
1

-500
1.22 1.24 1.26 1.28 1.3 1.32
光子能量／meV

图4.8 各种线形函数及其导致的卷积增益谱的对比

• 93 •
 4.3.3 增益谱的 一 般特征

根据普适的增益式(4.37)可知，增益／吸收谱被限制在最大值 I gmax I 内。 当没有载流

－
子注入时，材料处千强吸收状态，其吸收谱等千 gmax (Ez1) 。 当有载流子注入时，可以将靠
— —
近带边处的载流子数反转，并将费米能级J2 几由 1变为＋1，从而从吸收转变为增益。
正如上文图4. 6 所示，载流子反转高度集中在带边附近。 因此，当光子能最增加并远离带边
一 —
时，八 八 必须稳定地降低到 1，而增益谱必须降低到无泵浦时的吸收谱。 图4. 9 描述了
体材料和最子阱材料中这种吸收到增益的转换过程。
在体材料和扯子阱情况下，材料在带隙以下是透明的。 正增益区只存在于紧靠带隙之
上的 一 段区域内。 超过这 一 范围，材料具有强吸收性。 从正增益到吸收的交叉点发生在
f2 － 八处，上文式(4.4)~(4.7)已经讨论了这一情况。 当hv ＝ 凶止时，受激发射和受激吸
收速率完全相抵消（造成材料透明）。 因此，正增益区位于带隙和准费米能级间隔之间：
Eg <hv<t:.EF (4.42)
换句话说，只有当载流子注入足够高从而造成准费米能级间隔超过带隙时，才能在该材料中
实现增益。 而且产生的准费米能级间隔越大，该材料中可以获得的增益带宽就越宽。
—
图4.9中代表 gmax 和 gmax 的边界限制的形状主要由式(4. 37)给出的降低的态密度叩
来决定。 在体材料中，gmax 呈平方根分布，而在械子阱材料中，gmax 呈阶梯状分布，其中每个
尸
阶梯都代表增加 一 对新的子带跃迁。 因此，体材料增益谱比较平滑，而最子阱增益谱则呈锯
＂ “
齿状。 不过在后 一 种情况中，线形展宽将使这些不连续点变得平滑而成为圆滑的 突起 ，每
个突起代表 一个子带跃迁对。
El
A

E, ti.E,.
·············
··· g,m

.• ..·····1_...•···
·· ....•· ;··············· g,,,,,
增
益
区

；
明
透

1
区

广 …·

透明区 高吸收
i

高吸收
g

·
}
＂
、
a
、
·

hv hv

区
区
朝看无泵浦吸收

;、-----
·-... n= I
谱方向会聚
....
n=2
-----g,,,
·······•-g,,,, n= 3 ,,
_

(a)体材料 (b)量子阱材料

注：其中的细平滑曲线表示了线形展宽的作用。

图4. 9 体材料和量子阱材料中的增益谱

在体材料中，随着凶斗的增加 ，增益谱的峰值增加并朝着光子能扯更高的方向移动。
相反，在大多数条件下，卧子阱增益谱的峰值都锁定在靠近带边的n = l增益峰处。 随着载

(j) 还存在有其他包含g ma x(E)的与能最有关的项 。 例如，1／打o的相关性略微修正了g max (E)的形状，但是并不显

著。 仵降阶维度的结构中，矩阵兀也与能量有关，不过此处忽略这一相关性 。
• 94 •
流子注入的增加，当第 一 个子带中的各能态达到完全反转时，n = l增益在 gmaxl 处饱和，而
n =
2增益继续增加达到n =
l增益的两倍处（之所以两倍是因为它同时包含来自n = l和
n = 2 子带跃迁对的贡献）。 这样当载流子注入极高时，整个的增益峰可以跳到n = 2 增益峰
处，如图4. 6所示。 有关最子阱激光器的实验的确显示了当腔长变短时（即当阙值增益增加
时），激射波长从n = l峰跳到n = 2 峰。
在图4. 9的鼠子阱增益谱中，有几点问题被理想化了。 首先，除了图中所示的阶梯以外
还应包含另 一 套间隔与之不同的阶梯，从而同时考虑导带 －重空穴(C-HH)和导带－轻空穴
(C-LII)了带跃迁。 换句话说，这两种类型的跃迁都应存在 一 个n = l阶梯，以此类推。 实际
上在大多数情况下电场位千扯子阱平面内，C-HH跃迁的矩阵元比 C-LH跃迁的矩阵元大
3倍，这表明与 C-LH跃迁有关的阶梯要小得多，因而并不重要。 我们还忽略了禁戒跃迁所
产生的阶梯。 如果包含这些跃迁，由千禁戒跃迁之间虽小但有限的重叠，在那些主峰之间将
出现一些弱小的峰值。 不过实际上通常观察不到这些弱小的峰值。
图4. 9中的另一个简化是，构成 gmax 的所有阶梯具有相同的高度。 实际上，子带跃迁越
高，用来定义矩阵元的重叠积分通常就越小，这表明n = l阶梯的高度通常是最高的（有可能
高 一倍，取决千势垒的高度）。 最后，完全忽略了矩阵元与能量的关系。 附录10阐述了这一
能械相关性。 通常对于我们感兴趣的偏振态，其矩阵元在带边处最大，并随着能量的增高而
衰减到其峰值的 一 半以下。 这样，gmax 阶梯之间的平坦区域实际上应具有向下的斜率，并相
应地修正了增益谱（l／行w相关性也导致了这 一 向下的斜率）。 本章结尾给出的采用实际材
料系统的增益计算将显示这些能谱中的细微特性。

4.3.4 多体效应

当电子与电磁场相互作用时，上述采用费米黄金法则的增益理论把每个原子隔离开来
分析。 换句话说，采用了单粒子理论来获得增益谱。 实际上，在系统中存在密度很高的电子
和空穴。 这些粒子之间的相互作用通常被称为多体效应。 前面讨论的线形展宽其实就是这
些多体效应的一种结果，它涉及到晶体中的粒子和 ／或声子之间的碰撞。 除了这种重要的结
果以外，多体效应还有其他两个重要的结果：激子能态和带隙收缩。 激子能态主要存在于低
载流子密度和低温状态下，而带隙收缩在高载流子浓度时比较显著。
在低载流子密度和低温状态下，电子和空穴可以在一段较长的时间内相互围绕着旋转
（类比千氢原子），从而构成所谓的激子对。 这种激子对具有一 定的结合能，其值等于要把电
子和空穴分离开所需的能最。 因此，当电子从价带被提升到 一 个激子态时将吸收某些辐射
能，该能扯所对应的带隙要小千其结合能（该带隙将表现为红移）。 不过更重要的是，这些双
粒子能态的重叠积分（以及矩阵元）可以非常大。 其结果是，能带至激子的跃迁常常支配了
吸收谱。 不过，激子态被限制在靠近k = O的能态处，因此能带至激子的跃迁集中在带边处
（或子带边）。 其最终结果是在最子阱材料的子带隙附近以及体材料的能带边附近出现非常
强的吸收峰。
在室温下，械子阱中的激子吸收峰清晰可见，图 4. 10所示为典型的 GaAs QW 情况。
＂ ＂
图中可以看到由态密度算出的 阶梯 状吸收谱的前两个阶梯（参见图4. 9)，每个阶梯贡献
4
的吸收值约为10 cm-1。 不过在诸阶梯顶部出现有激子峰，尤其是n = l诸峰，并支配了吸
收谱。 每个观察到的激子峰都与前文图4.4所述的诸子带跃迁中的某 个跃迁相对应。 诸
• 95 •
允许跃迁 (nc =n v ) 清晰可见，不过也可以看到源千禁戒跃迁 (nc =l=n v ) 的吸收痕迹。

3
2
5
C－日日(II)
／ 激子

2
-E 3r
1
5
OI~至 客

(13)C-HH
0
5

（禁戒）

760 780 800 820 840 860 880 900

波长／ nm

图4. 10 室温下 GaAs/Alo. 3 Gao., As lOOA QW的吸收谱

在室温下，体材料内的激子吸收峰并不是很显著。 这是因为降阶维度的结构将电子和
空穴限制并束缚得更为接近，因此形成更高的束缚能。 不过，即使是更高的QW束缚能 也
“ ＂
只有几个毫电子伏特址级。 因此，即使是QW 材料中的激子态也有些 脆弱 ，当与声子和
载流子发生碰撞时可以轻而易举地将激子拆散。 因此，低温和低载流子密度下的激子吸收
峰最强也最陡。 当温度和／或载流子密度升高时，激子寿命缩短，激子吸收峰展宽。 最后当
温度和载流子密度足够高时，激子峰完全消失。 当载流子密度足以在该材料中形成增益时，
激子态完全消失而吸收／发射谱由诸能带至能带跃迁所支配。 因此，激子对材料增益谱的影
响很小。
第二种多体效应发生在高载流子密度状态，这时电荷实际上逃出了原子的吸引力。 当
有效原子势能更弱时，我们感兴趣的单原子电子的波函数越来越宽，相邻电子之间的重叠更
强。 根据附录 1 的讨论，重叠越大导致能带的宽度越宽（图 Al. 7 中的凶E 越大），因而缩小
了能带间的间隙。 虽然这只是定性的描述，但表明了当载流子密度增加时，带隙将收缩。
另一种理论分析是，带隙收缩与载流子之间的平均间隔成反比，即凶九 0C — 1/r, （载流
子越靠近，其库仑势能越能够逃脱出原子势能）。 在体材料中，每个载流子占据的平均体积
l
与载流子密度成反比，因此 Vocl/Nocr� 。 结果可得心E产C N /3 。 在措子阱中，量子阱平
—

面内每个载流子占据的平均面积与面密度成反比，或 Aocl/Nocr; 。 因此在最子阱中，可预

l
期凶兑 0C
—
N /2 。 不过，如果在确定电子库仑势能时考虑了损子阱的有限厚度，则理论上计
算的载流子的幕指数更接近千三分之一幕指数。
实验测得的体材料和扯子阱材料内带隙收缩与载流子密度的幕指数关系都在 0. 32 和
0.38 之间。 至于其绝对偏移，当体材料中的载流子密度为 10 cm·-3 或者在量子阱中为
18

10 12 cm 2 时，带隙的缩减扯为 22~32 meV ，这里假设 N= P（当测橇P型掺杂材料时，假设

电子也对偏移最作出了与 N=P 状态下的激光器相同的贡献，则该偏移措加倍）。 根据测
鼠数据，通常假设体材料和量子阱材料中带隙收缩与载流子密度的幕指数关系都为三分之
一，即
AEg= — cN 13
1
(4. 43)
其中 N 是二维或三维的载流子密度。 通常 在体材料（假设 N =
P) 中采用的带隙收缩常数
• 96 •
（这也在娥子阱材料的测扯范围之内）是
e：：：：：：：：立meV/00 cm __,) 13
1
18
（ 体 材料 GaAs) (4.44)
1 13
c:::::::::32 m eV/(10 2 cm-2)
1
(GaAs/ AlGaAs QW) (4.45)
由于上述的三分之一幕指数律以及c值在实验上具有 一
定 的不 确定性，因此式(4.43)~
(4. 45)并不完全准确。 不过，用它们可以简单且合理地估算带隙收缩的程度。 相比而言，其
他材料系统缺乏足够的数据，因此通常假设 InGaAsP 系统具有相同的值。
带隙收缩的净效应是，当载流子密度增加时，整个增益谱会发生明显的红移。 原则上，
伴随该偏移的是频谱轻微的形变（即变形和升值）。 不过，在一阶近似内，忽略该 形变，简单
地假设高载流子密度造成整个增益谱硬性地移向长波长方向。 在鼠子阱激光器中已经观察
到这一现象，这时高阔值载流子密度将激射波长移到橇子阱的已知带隙波长以外。 当所需
的激光器腔体模式需要和增益谱严格匹配时（例如在短腔长 VCSEL 中），带隙收缩尤其
重要。

4.4 自发发射

4. 4. 1 单模自发发射速率

当注入的载流子密度足够高可以在材料中实现增益时，不可避免地也 增加了自发发射
速率。 正如第2音所述，每当发射一 个自发光子，都必须在有源区内注人 一 个新的载流子，
因此有必要考虑自发发射速率。 在短波长材料中，这一载流子复合机理表明了必须注入有
源区的最大的电流成分。
为了确定每单位有源体积内在一 个光模式中的自发发射速率R伈我们回到式(4. 5) 将
单模自发发射速率和受激发射速率联系起来：

R:p = p st
ns R (4.46)
IE尸
第 一 项用模式的真空场强度IE口 尸来代替场强度。 第二项调整了费米因子。 最后 一 项Rst
通过式(4.33)与增益有关。 附录6讨论的粒子数反转因子nsp 的定义为
儿(l－八）＝
nsp = (4.47)
一
f2 八 1- e<E21 -t,EF /kT )

在激光器通常遇到的增益阙值处，该值通常在 1 和 2 之间。 图 4. 11 所示为各种有源材料中

n,p 与增益的关系。
v
为了计算I E 寸 尸，回顾 一 下光模式的量子力学描述。 略去细节可知 ， 鼠子力学上可以
采用用于谐波振荡器的数学模型来描述光模式。 谐波振荡器的一个基本特性是能态n（通
过产生算子）升到 n+1 的概率正比于 n+1 。 当描述光模式时， n 代表该模式中光子的数目。
这样，模式中增加一个新光子的概率正比于该模式中的光子数目加1，前提是模式中存在一
“ “
个虚拟光子。 用跃迁速率表述，该虚拟光子的场强度导致了 自发 向下跃迁事件。 因此，模
式的真空场强度等于该模式中 一 个光子产生的场强度：I g,-JI 2 = I E1 尸。 该结论与爱因斯
坦的方法 致，该方法得出：引起自发发射的等效谱密度就是每个光模式中含有一个光子
• 97 •
（参见附录6)。

4 3 2
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-2 000 -I 500 -I 000 - 500 0 500 I 000 I 500 2 000

z 。/cm'
L
材料增益X
80A
注：基千GaAs:应变lnGaAs/GaAs 80 AQW和无应变GaAs/AIGaAs 80 AQW。
基千lnP:压应变lnGaAs/lnP30 AQW和无应变lnGaAs/lnP60 A QW。有关
这些材料的细节请参看第46节。每种情况下，都在一个比带隙略大
(II meV)的固定能量处来计算nSP和g。

图4. 11 几种有关材料中，粒子数反转因子与增益的理论关系

经典的场密度可以表示为：IEl =NP VP IE11 ，其中玑是模体积（即N p 环是模式内

2 2

的光子数）。因此，式(4.46)中可令
IE"11 = IE 1 1
2 2

IEl =NP VP IE11 (4.48)

2 2

然后利用式(4.43)令凡＝vg gNp 。式(4.46)变为

vg gnSP = I'Vg gnsp
R:p = (4. 49)
vp V
令第二个等式中1/Vp =I'/V，可得出结论：模式内的自发发射速率在根本上与模式增益有关。

4.4.2 总的自发发射速率

为了获得有源区内发生的自发发射的总数戳，必须将单模速率(4.49)对所有光模式进行
求和。将能晕范围dhv内发生的总的自发发射表示为R;:dhv ，其中R::代表每单位有源体积
内每单位能员的总的自发发射速率。将该式等值于dhv内靠近hv2 1的所有模式的求和，得

R;�dhv = ..�贮＝ n、P

d如模式
2 V沪
dhv模式 P
(4. 50)

由千nsp 只与加有关，上式中将其从求和中提取出来并存hv2 1处计算其值。但是余下的3

项与每个模式的属性都有关（通过模式色散、偏振关系或模式体积）。如果定义这3项的平
均值，该求和可化简为
区 V这2l = v性
�Nmodes (4. 51)
模式 VP VP
• 98 •
其中 Nmodes 是 dhv内的模式数。 只要求和中的每一 项的变化是不相关的（实际情况正是如
此），就可以定义每项各自的平均值。
由于该平均是针对所有方向上的所有模式的，因此可以说平均群速度玑大约接近千有
源区的材料群速度v g 。 与扯子阱增益的关系是通过模式的偏振态来显现的（体材料中无此
关系，g2l =g21)。 假设各偏振态各向同性地分布在两个共面TE偏振和一 个垂直TM偏振
之间，量子阱内的平均材料增益为
— l
g21 =� (2gff十g2TM
1) (4. 52)
3
为了处理1/VP （或等价地处理平均限制因子F)，需要计算 Nmodes 。 当腔体较大时，可采用模
式密度概念轻而易举地找到 N 叩妇 。 如果 假设腔体是一 个体积 为 Vbox 的矩形大金属盒，可推
导出每单位体积内每单位频率的光模式密度。 附 录 4给出 了 该推 导 过程，其结果见式
(A4. 5) ，即

。 8六
p (v)dv = 了 n 2 ngv 2 dv
C
2
(4. 53)

。
每单位能屈的模式密度等于p (v)dv / dE = p (v)/h 。 根据该定义，dhv内的总模数为 。
Nmode 、=p 。 ( V)/h • Vbox dh V (5. 54)
将其代入式(4. 51)后，剩下的未知项是体积 比 Vbox ／立。 如果 激光器腔休是一 个大金属盒，
则模式体积 等千该盒子的体积（不考虑驻波效应，该效应在自发发射带宽内取平均），即
Vbox ／仇＝1 (4. 55)
当然，激光器腔体通常要比 一 个简单的金属盒复杂得多，并且每个光模式的VP 都应不同。
因此，不能保证(4. 55)适用于真实的激光器腔体，也不能保证式(4.53)定义的模式密度是适
用的。
？
但是，如果腔体比有源区内带隙辐射的波长更长，或者如果V,av>>入 ，即使是更为严格
的分析通常也等效于简单的金属盒分析（尤其当发射带宽 比腔体内的谐振更大时）。对于典
3
型的0.2X4X200 µm飞aAs共面激光器，Ycav::=:::::: 10 000入 。 因此，这时可以采用式(4.53) ~
(4.55)中的简单金属盒假设。
在VCSEL中，这一简单的盒子假设越发受到挑战。 不过，典型的GaAsVCSEL的体
3
积 尺寸为1XlOXlO J.L m ，只比典型的共面激光器的体积 小 一 半，即 vcav ::=:::::: 5 000入 3 。 因此，
对于这一大小的VCSEL，仍可以采用简单的盒子假设。 不过，当VCSEL的侧向尺寸减小到
1 µm以下时，会严重偏离这一简单盒子假设。 在此情况下，必须放弃模式密度概念，并采用更
为复杂的模式计算方法来计算总的自发发射速率。 除了模式计算，还需要获得 1 ／仇的平均值
（或等价的F)。 许多对微腔激光器感兴趣的科研人员已经研究了各种腔体几何下的数值解。
假定简单盒子假设成立，将式(4.50)~(4. 55)结合起来，可得每单位有源体积内每单位
能量的总自发发射速率（单位 ： s-1 cm-3 eV -J)为
1 -
R3 = n (4.56)
[p。国）V g ,pg21
该结果与附录6 推导的式(A6. 32)一 致，唯 一 不同之处在于这里更准确地将增益定义为所
有偏振内的平均值。 采用明确的增益表达式(4. 37)和模式密度式(4. 53)，自发发射的常规
• 99 •
表达式为
2 n1e矿 2
�h v21 IM1(Ez1) l p,(E21)八(1一八）
础＝
。
Coh c m
(4.57 )

其中

I队（E21叮＝上�I玑(E21)尸
3 all three
pola,i,ation,
2
在增益表达式中，跃迁矩阵元是唯 一 与偏振有关的因子。 因此只需对/MT 1 项取偏振
平均。
正如增益一样，实际的自发发射谱也受到线形展宽的影响。 类比于式(4. 39) ，考虑了线
形展宽的自发发射谱通过下式与R;�有关：

R勾(hv) = I
R;:!f(hv -E21)dE21 (4.58)

由千电子和空穴都集中在带边处，该频谱的峰值通常位千带隙能最之上。 随着能址增加， 该
频谱逐渐衰减为零。 为了确定总发射速率，必须对所有的光子能址进行积分。 不过，实际上
在带隙能扯附近的一定范围内进行积分就足以考虑 所有的自发发射了。 附录6显示了在
R :� (h v)内积分基本上与在更简单的R 切，｝内积分是 样的。 因此，总 的能带至能带自发发射
速率为

Rsp = I欧dE21 ＝
刀刀
， r 扣 (4. 59)

利用第二个等式可以确定为了实现某一特定增益，在有源区内所需的电流的辐射部分（排除
受激发射）。 本章随后将给出各种材料系统中的计算范例。

4.4.3 自发发射因子

根据以上对自发发射的讨论，可以推导出简单的自发发射因子表达式，将其用在速率方
程中表示总自发发射进入有用模式的部分。 用式 (4. 49) 表示进入 一 个模式的发射速率，用
式 (4.59) 表示总发射速率，可得
R'. I'Vg gnsp
/3sp 圭 二 ＝ (4.60)
Rsp “'rI/q
这里的I不包含受激发射电流。
根据式(4.60)，利用实验上很容易获得的参数就可以算出出。 例如 ，假设激光器 的阙
值电流为lo mA，模式阙值增益为50 cm-1，内部效率为 75%。 如果非辐射复合达到最小
值，则 1J, =1。 如 果 假 设群折射率约为 4，粒子数反转因子约为1. 5，立刻可 以获 得
齿＝1.2Xl0勹这是共面激光器典型的实验测最值。 若要更好地计算{3;p ，需要更精确地确
定c/v8 、nsp 和 1Jr 。 不过，c／vg 通常在4~5 的范围内，对于激光器通常所需的增益，n,p通常在
1.25 和1. 75 之间，而刀r 的典型值在50％和 80％之间，这表明粗略计算c/vg 、nsp 和刀r 可以
使肚较其正确值的偏差保持在1倍以内。
在典型的VCSEL中，每次传输的增益百分比在 0.5%~1％范围内， 而腔长约为1 11- m。
由此得出的 模 式 增 益 为 50 ~100 cm-］。 对千直径10 11-m 的器件，辐射阙值电 流 在
1
0.5~2. 0 mA范围内。 如果假设辐射阔值电流为1 mA，而阙值模式增益为100 cm ，则
• 100 •
f3叩 ：：：：：：：：：： l.8XlO '（再次假设c/vg 和n sp 等千4和1. 5)。 这大约要比典型的共面激光器中观察
到的队值高一个数扯级。 其主要区别在千阙值电流的降低，而这又主要源于VCSEL结构
可以实现较小的有源区体积。
式(4. 60)还表明队不是常数，而与注入电平有关。 当注入电平增加时，正如增益在
g rrlax 处饱和一样，进入一 个模式的自发发射在 一 个最大值处达到饱和。 同时电流和总自发
发射速率继续增加，而频谱继续展宽从而包含发射过程中的更多模式。 其净效应是肛随着
注入电流的增加而减小。 在速率方程分析中，通常将队近似为常数（参见第2和5章）。 这
适合于近阙值和高 于阙值的 分析，只要假定的 队 值是实际上在阙值注人电平附近存在
的值。

4.5 非辐射跃迁

在定义了各种辐射过程之后，现存需要考虑各种非辐射跃迁，用来确定它们在整个载流
子复合过程中的相对重要性。 图4.12所示为3种主要的非辐射跃迁类型。 第1章已经简

f＿
要讨论了这此过程（参见图1.3)。 以下各节将更详尽地讨论每种过程。
40

i
}-
于上

E
EC

�
E, 03 J

飞
E,

E｀
E,
01

Rdc1“C1 Rsurlacc R A"g"

图4. 12 各种类型的非辐射复合路径

4. 5. 1 缺陷与杂质复合

图4.12所示的第 一类非辐射跃迁描述了一个位于带隙中央的能级，该能级临时性地捕
获导带处的电子，然后将其释放给价带。 这种能级有几种起因。 原因之一是晶格结构中的
缺陷。 例如，应有原子处的空缺或者额外的原子落户在晶格结构之间会产生不足的或额外
的轨函数，从而导致共价键图案中的失配。 这种局部的悬垂键导致带隙中部可能出现许多
分立能级。 带隙中部能级的另一常见起因是杂质。 正如掺杂物可以在靠近带隙处产生杂质
能级一 样，其他类型的原子可以在更靠近带隙中部的位置产生杂质能级。 例如，氧气是一种
尤为危险的杂质，因为它大量存在并能在含铝的化合物中产生很高的复合速率。
0
Shockley和Read4年 前在一篇经典的文献中首次分析了缺陷或杂质复合速率R defect
（或缩写为R d )。 Hall在同期得到了相似的结果。 因此人们 将其称为Shockley-Read-Hall
复合理论。 该理论先写下4种可能的进／出陷阱的跃迁速率（自导带向上和向下，自价带向
上和向下）。 令这些速率存热平衡态下相等，得出向上和向下速率之间的关系（类似于附录
• 110 •
6中辐射跃迁速率的推导），进而可以推导出非平衡态复合速率的表达式。 在附录2讨论的
Boltzmann非简并载流子密度范围内，缺陷复合速率的形式为
NP�N2＇
Rd= 长 黄 (4. 61)
(N ＋Nh h +( P ＋P） Te
其中N i 是本征载流子浓度，Te 是从价带处捕获电子所需的时间（假设所有的陷阱都是空
的），Th是从导带处捕获空穴所需的时间（假设所有的陷阱都是满的）。 正如可以预料的，捕
获速率正比千陷阱密度(1/T e ,hcx::;N)，因此陷阱密度越高，捕获时间越短。 分母中出现的
．
N'和P 是电子和空穴密度，当费米能级与陷阱的能级对准时，它们会存在。 这里重要的
一点是，如果陷阱能级靠近任意一个带边，N*或尸会变得非常大，从而显著地降低复合速
率。 因此，最有效的复合中心是那些靠近带隙中部的能级，称为深能级陷阱。 必须格外注意
避免将这些深能级陷阱（例如氧气）引入品格。
很明显，式 (4. 61)与电子和空穴的密度都有密切关系。 不过，对千我们主要感兴趣的处
长
于高电平注入区域的激光器应用，P=N»Nj ,N ，p·。 在此条件下，式（4. 61)可化简为
N
Rd = （高注入电平） (4. 62)
吓十Tc

这样，缺陷或杂质复合与激光器有源区内的载流子密度成线性关系。 根据第2章采用的符
号，可以将具有线性复合常数的缺陷成分定义为：儿 ＝ l／（Th+Te )。
长 长
当注入电流较低时，复合速率的形式有所改变。 如果存在深能级陷阱，则N 和P 均
可忽略不计(N'=P':::=:::::N,)，因此可以将其从式 (4. 61)中删除。 根据N =N。十BN 和 P =
P。十BN（假设额外电子和空穴的数目相同），并假设BN 很小，复合速率变为
N +P 。 。
Rd ＝ l:JN
。
N TI,+P T e 。 （低注入电平） C 4. 63)

复合速率在额外的载流子密度处再次呈线性，不过该速率与材料是N型还是P型掺杂有
关。 对于N型材料，A d= 1/,h（受限千空穴的捕获），对于P型材料，A d= lire （受限千电子
的捕获）。 因此，虽然在低注人电平或高注入电平处，缺陷或杂质的复合速率与额外的载流
子密度都呈线性，但是随着载流子密度的增加，其寿命却从吓或 T e 增加到Th+ T e o
当在非平衡态下在某一区域内注入额外的少数载流子或者载流子时，经由缺陷或杂质
的复合成为主要问题。 相对而言，在重掺杂材料中的多数载流子电流不受缺陷或杂质的影
响（一 种情况除外：缺陷和杂质可以影响掺杂元素的离子化，进而影响掺杂效率）。 换句话
说，含有极高缺陷或杂质密度的材料可能无法作为激光器的有源区，但是如果掺杂的程度足
够高的话，仍有可能很好地传载多数载流子的电流。
采用现代MBE和 MOCVD生长技术，半导体器件的晶体质量可以使得缺陷密度和杂
16 15
质原子的密度最多只有10 cm -3，通常低千10 cm-3。 当陷阱密度如此低时，通常的激光
器应用可以忽略缺陷和杂质的复合速率。 不过，有些情况下这种复合成为很严重的问题。
°
在 MBE生长技术的早期(20世纪70年代末），普遍认为需要将生长温度控制在580 C
以下，以保持良好的表面形貌。 然而，令人困惑的一个难题是，MBE生长的GaAs/ AIGaAs
激光器总是比LPE生长的相同结构具有更高的阙值电流密度。 最后，Tsang等人发现将生
长温度增加到650 ·c急剧地降低了阙值电流密度，比最好的LPE材料还要低。 其解释是：
• 1 02 •
AIGaAs覆盖层中结合了密度极高的杂质（可能是氧气） 从而显著地增加了阙值电流密度。
当生长温度更高时，杂质的含植被降到最低，因此阙值电流被显著地改善。 随后，MBE 系 统
中采用的铝源的纯度得到了明显的改 进，从而允许将生长温度降低到 600 °C ~ 620 °C 。 不
过，对于那些 通 常阙值很低的激光器，如果新生长的激光器具有反常的高阔值电流密度，这通
常表明MBE或MOVCD设备中含有多余的杂质，或者通过系统的泄漏或者通过污染的材料源。
激光器的老化是显示缺陷复合重要性的 一 个范例。 当激光器工作时，不可避免地要经
历剧烈的热变化。 这种重复的热循环可以对晶体产生应力。 这种应力可以造成晶格中的小
缺陷扩张并变大，就像汽车挡风玻璃上的小裂痕可以扩散至整个视野 一 样。 一个尤为有趣
的事例是当激光器被使用了几千个小时后，经常会出现黑线缺陷。 这种缺陷会在激光器表
＂ “
面呈现为黑线，这是由于在 裂痕 传播的区域缺乏载流子并因而缺乏自发发射。 如果晶体
的初始质最很好，可以使这种黑线缺陷最小化。 然而，如果这种缺陷随着激光器的老化而增
加，则激光器的阔值电流将逐渐增加并最终导致激光器死亡。
另一种显不缺陷复合重要性的常用范例涉及到应变层研究的领域。 该研究关注的是和
“ ＂
衬底材料具有不同 天然 晶格常数的外延层材料的生长。 在晶格失配的生长中，外延层试
图改变形状来配合衬底的晶格结构。 然而，当该层越来越厚时，在某个临界厚度处，外延晶
格结构中积累的原子力会突然与形变的品格断裂，并开始强迫品格返回到 其天然的形态下。
厚度低于该临界厚度的应变层的质最可以非常好（并在许多方面优于那些无应变的情况） 。
然而，厚度高千该临界厚度的应变层将不可避免地受到严重的晶格缺陷的困扰。
当应变层越长越厚时，品格缺陷经常沿着生长方向来传播。 其结果是，厚的应变层具有
非常扁的缺陷复合速率，并无法用于任何类型的载流子注入应用（例如激光器）。 不过，有些
技术可以用来阻碍缺陷的传播，从而厚外延层的上半部也能提供高质植的晶格结构，并具有
低的缺陷密度以及低的缺陷复合速率。 例如，利用这种技术已经在硅衬底上成功地生长出
了优质的外延生长GaAs/AIGaAs激光器，虽然这两种半导体的晶格常数极为不同。 而且，
在重度缺陷的跃迁区域进行 高度掺杂可以允许高电流穿过界面，从而允许硅电路与GaAs
激光器进行集成和互连。

4.5.2 表面与界面复合

图4. 12中的第二类非辐射跃迁描述的是电子经由晶体表面能态的复合。 这种两步复

合机制与缺陷和杂质复合机制类似。 不过，这种情况下的陷阱数目由晶体裸露表面的或者
两种材料之间界面的二维面密度来表征。 这些表面态主要源于晶格的终止，这导致每个裸
露的单位晶胞的 一 侧存在儿个不匹配的价键。 如图4. 12所示，这些悬垂键产生的密度很
高，从而构成 一 个微带，而不是独立的能级。 当裸露的表面积与体积之比很大时，换句话说，
当器件的尺寸缩小时，表面复合的危害最大。 当界面质鼠很差时，界面复合会造成危害。 采
用现代的牛长技术，普通的材料中的界面复合已达到最小化，但是在更为实验性的材料研究
中，该复合仍极为有害。 此 外，采用再生长技术（即，在执行了蚀刻或者其他各种处理步骤之
后，将器件再放回到生长室中）的器件会受到劣质界面以及由其引起的高度界面复合的困扰。
根据Shockley-Read-Hall理论，可以用类似千缺陷和杂质复合理 论的方法来描述表面
复合。 不过，与其定义在该材料体积内分布的载流子捕获时间 T，不如定义位于表面的某 一
• 103 •
捕获长度内的载流子的捕获速率：L,压。 捕获长度越长，表面能态在每单位时间内捕获的载
流子就越多，从而导致更高的捕获速率。 根据其单位，该捕获速率被称为速率。 和速率的这
一关系的确有其物理上的重要性。 例如，如果陷阱的捕获速率大千载流子的平均热速率，则
7
捕获速率受限千热速率。 载流子到达表面的最大速率将捕获速率的上限设定在10 cm/s左
右。 大多数半导体中的捕获速率都要比该值至少小 一 个数批级。
重新将电子和空穴的捕获时间定义为捕获速率（即，令互 -- 1 Iv, 和吓 -- llv1,)，当忽略
N'和P"时，采用与式(4. 61)类似的形式表述的表面复合为CD
a、 NP-N�
Rsr (4. 64)
V N /vh+P/ 队
第一项将裸露的表面积a、有效地分布在有源区的体积V内，因为我们将R、，定义为每单位
有源体积的速率．而不是每单位表面积的速率。 图4. 13显示了两种常有的激光器几何形状
下的这 一 几何因子。 如图所示，当柱形的直径或条形的宽度很小时，a、 ／V项导致表面复合
非常重要。

VCSI·.L 共而

尸1 =d八～
？，沁
心 ．， 恐、丁
，安' ,

• .,，. ， '，众邓', 济炒

a,=4D·d (方形） a、=（2/, +2w)·d

a,=rrD·d （圆形）
a、 2 2
�=4Y（二者） 下 ＝ �+了

图4. 13 柱形VCSEL和共而脊形激光器几何结构中裸霖的表面积以及表面积－体积之比

当有源区内的注入电平很高时，P=N»N! ，式(4. 64)简化为

R" ＝轰v, N （高注入电平） (4. 65)

其中
—1 =—
1 +, —
1
(4. 66)
us 劝， vc

根据式中与载流子密度的线性关系，可以将具有线性复合常数的表面复合成分定义为
A,,= (a,/V)v, o 可以将用来控制表面复合速率的表面复合速率vS 视为单个电子和空穴捕获
速率的平均值。 式(4. 66)中采用了速率的倒数反映了如下事实：如果（例如）电子捕获速率
非常高，则表面复合将受到空穴的捕获速率的限制．这时v,= V1,0
根据式(4. 65)，可将激光器的表面复合电流和电流密度写为

CD 式 (4. 64) 史严格的形式需荌对微带内的所有表面能态进行积分（采川可能的与能忧钉关的捕获速度） 。 个过针

对这里的 H 的．我们将假设表面能态具 h 分立的能级 。
• 104 •
 Isr=qa$SN 和 ],, =qv 八（沪） （4.67)

为了计算I`＇，需要知道在表面上存在的载流子密度。作为儿或J S，的一 阶上限估算，可以简

单地采用有源区中心处的载流子密度（如果知道增益作为载流子密度的函数，便可以通过阙
值电流来粗算该值）。 不过，在实际中，表面上的高度复合使表面载流子密度降低到一定程
度，从而使该复合速率与有源区内从中心到表面的梯度驱动的侧向扩散电流之间达到平衡
（细节请参看习题4.6)。 为了确定该载流子密度，需要求解载流子扩散方程 (j)。
正如式(4.62)不同千式(4.63)一 样，当注人电平很低时，表面复合速率发生变化。对千
激光器应用，我们并不对这一情况更为关注。 不过，通常都在这种条件下测量表面复合速率
的实验值。利用式(4.65)来定义环，当载流子密度相对千其平衡态值N。和P。 的偏移侬很
小时， 计算式(4.64)可得
VR sr N +P 。 。
v, == -� =
。
a、8N N /vh+P /Ve 。 （低注入电平） (4.68)

如果在低注入电平条件 下测量表面复合速率，则测址值与存在的掺杂度有关。 对于N型材

料，v, =v1,（受限于空穴的捕获速率），而对于P 型材料，v, =v八受限于电子的捕获速率）。
式(4.68)还假设BN = B P（这无需是事实），由此导致的V,仍不同。对于激光器应用而言，只
有在极强的高注入电平条件下得到的v、值才最为可信。例如，测屈阔值电流与激光器几何
结构的关系是最直接的方法。然而，与几何结构有关的光损耗可以改变阙值增益，从而使测
最结果发生偏差。
相对千长波长InGaAsP系统而言，短波长GaAs系统中的表面复合问题更为严重。这
是因为 GaAs 中的vS 要高两个数量级。GaAs和GaAs/ AlGaAs鼠子阱中在低注入电平条
件下获得的测肚值为
V了过Xl05 ~6X105 cm/s (GaAs，体材料和QW) (4.69)
6 6
在N刮GaAs中，已经报道的值接近于 2X 10 ~ 3X 10 cm/s，这表明Vh 比Ve 大将近 一 个
数量级。应变 InGaAs/ GaAs最子阱激光器的测措结果较 GaAs 有合理的改善：
5 5
v,=1Xl0 ~2Xl0 cm/s (4.70)
在InGaAsP材料中，表面复合一般较低。lnP的测措值为
VS冬10'cm/s OnP，体材料） (4. 71)
对于四元化合物InGaAsP，这样低的值是在预料之中的。
在 GaAs/ AIGaAs和InGaAs/ GaAs 激光器中，小型器件的表面复合可以非常严重。为
了描述这些小型器件的尺寸有多小，图4. 14绘出了在不同 的vs 取值下，典型 的 InGaAs
QW VCSEL和共面激光器的阔值电流密度（其中的增益是载流子密度和下文给出的电流
5
密度的函数）。如果v, = 1X 10 cm/s，当柱形直径减少到1 0 µm 时，VCSEL 的阙值电流密

0 该过程可采用不同程度的复杂性。 最简单的方法是假设一项双极性扩散系数来表示电子和空穴的有效扩散（在
该模型中设定两种载流子密度相等） 。 该复合满足式 (4.65) （式中采用式 (4. 66) 给出的表面复合速率），这时可运用单一
的载流子扩散方程。 更为广泛的模型则允许电子密度和空穴密度不同，并具有各自的扩散常数。 电子和空穴在表面处
的复合速率采用的形式为式 (4.64) ，这时必须已知或者通过拟合获得单个电子和空穴的捕获速率 。 其结果必须满足电
子和空穴的漂移－扩散方程。 最后，必须将漂移－扩散方程与考虑了表面能态的电荷分布的泊松方程相结合 。
• 105 •
度从大约500 A/c而加倍至大约1 000 A/cm2 。 这是InGaAs QW VCSEL的普遍特性。 如
果采用v,�5 X10 5 cm/s 的GaAs QW，则阙值电流密度在50 µm处翻倍！在长波长材料
4
中，了�10 cm/s，在阔值电流密度加倍之前，其柱形直径就可以降低到1 µm。 共面激光器
的情况与之类似，采用lnGaAs QW(v, = lX10 5 cm/s)，当条形宽度小千10 µm时，问题变
得严重。 不过请注意，这些估算都假设整个有源区内的载流子分布是均匀的。 更加实际的
载流子分布将导致阙值电流密度低千预期值，特别是尺寸较小的情况下（参见习题4. 6)。
2 000

I 500
毛
二·.
＜三 l 000

500 t＼芍10'勹
3 QWVCSEL
I,,, I,,, I,,, I,,, I,,, I
O
。 20 40 60 80 100 120 140
柱形直径/µm

600
500
EQ; 400

<七 、300 、
200
JOO 「 SQW共面激光器
0 •''I''' ..
。 20 40 60 80 100
条形宽度/µm

注：两种激光器都采用 Im心彻,As/GaAs soA QW，阙值材料增益都为 I 500 cm ! （利用表 4. 4 和表 4. 5

可得每 QW 具有 Nt1, = 3. 62 X 10 18 cm- 3 和 J,h = 166. 4 A/cm') 。 假设共面激光器的长度为 250 µm 。
图 4. 14 不同的表面复合速率下的阙值电流密度与侧向器件尺寸之间的关系（假设 Dnp= =)

如何将有源区体积降低到图4. 14所示的极限值以下是一个很重要的问题，因此很多人
致力于研究降低或消除表面复合。 一个明显的方法是不蚀刻有源区来确定条形或柱形。 但
是，现在必须设法消除在条形或柱形的边缘存在的载流子的侧向外扩散。 习题4. 6表明，载
流子在有源区之外的双极性扩散在幅度上等千表面复合速率

v sD ＝ 尸＝｀＝ 1X10` ［告卢］ （ 4. 72)

其中Dnp和Lnp是双极性扩散常数和相应的扩散长度，Tnp 是平均载流子寿命。 最后一个等式

＂ ”
采用常用值计算了vsD，并表明载流子的外扩散 速率 和表面复合速率很不巧地处在一个数
量级上。 为了使载流子外扩散最小化，必须将有源区掩埋在带隙更高的材料中，从而为载流
子提供侧向的势垒。 不过这种再生长技术虽然在长波长上很流行又有效，但在含有AIGaAs
• 106 •
的化合物中仍存在问题。
另外还可以采用其他各种用来降低表面复合影响的技术。 一种有趣的方法是表面钝化。
可以想象，表面能态的密度和特性与表面化学紧密相关。 例如，与刚蚀刻过的表面相比，氧化
了的表面具有不同的复合速率。 如果将 GaAs 表面在含有 Na2S、 CNH4)2S 或其他可产生硫水
元素的任 一 种盐类的水溶液中浸泡一会儿，实验已证明其表面复合速率急剧降低，在高注入电
3
流条件下达到 v, = 10 cm/s! 不过，用以将悬垂键系牢并钝化的含硫化合物相当不稳定，因而
裸露在空气中一两个小时内，表面钝化效应就会衰退。 因此，有人试图在表面钝化之后立刻在
表面上形成氧化物或氮化物覆盖层来锁定并保持钝化层，从而使钝化更为持久。

4.5.3 俄歇复合
一 一
图4. 12中的最后 类跃迁描述的是两个电子之间的碰撞，该碰撞将 个电子撞落到价
带并将另 一 个电子撞到导带中的 一 个 更高能级上。 该高能电子最终热化回到导带的底部，
将多余的能植以热散形式释放给晶格。 在重空穴 (HH)能带内的两个空穴之间也可以发生
类似的碰撞；这时，被撞落到价带更低处的空穴被传递至分裂(SO)带或轻空穴 (LH)带。 总
之，与III-V族半导体有关的这3类跃迁被统称为俄歇过程，如图 4. 15所示。 对千显子阱
材料，还可以定义其他类型的子带至子带跃迁和束缚态至无束缚态跃迁，但它们都属于这3
种基本类型。

导带 导带 导带

重空穴带 4

分裂带 轻空穴带

CCCH过程 CHHS过程 CHHL过程

图4. 15 III-V族半导体内的俄歇过程

由于俄歇过程与载流子之间的相互碰撞有关，因此俄歇复合速率RA随着载流子密度
的增加而迅速增加。 CCCH 过程涉及到 3 个电子态和 1 个重空穴态，因此当电子密度高时
非常重要。 CHHS 和 CHHL 过程涉及到 1 个电子态、 2 个重空穴态以及 1 个分裂态或轻空
穴态。 因此这两种过程在空穴密度较高时非常重要。 在激光器中，有源区内的电子和空穴
密度相等（只要有源区不是重掺杂的），因此这3种过程都很重要。
正如辐射跃迁速率，俄歇复合速率也与 各种能态被占满或持空的概率有关。 对千图
4. 15所示的俄歇过程，相应的费米因子为
p 尸3 = fc1 儿(1 — 几）（ 1- f,,) CCCCH) (4. 73a)
—
P3-1 = Cl fv1)(1 - fvz)几 fv, (CHHS 和 CHHL) (4. 73b)
概率P的下标表示了重要的电子复合路径。 费米函数中额外 的c和v下标代表每种情况下
• 107 •
使用的准费米能级：EFc 或EFv
为了显示这些费米因子随着载流子密度的变化，我们采用玻耳兹曼近似（只有在低载流
子密度时才严格有效）。 根据表 A2. 1 可得
—
N =e-( E, · EF, ) /kT P
和— -＝ e-(EF,· Ev ) /kT
(4. 74)
NC NV
该式成立的条件是EFe <＜E且EFv »Ev 。 在此条件下，可以忽略式(4. 3)定义的费米函数分
母中的1，这时
N
f =e,(E-EF,)/kT =N
—e
C
(E E C ) ／kT

、
l _ jf"=e --(Eh--E ) /kT= — p-e--(E, E) lkJ
(4. 7 5)
Nv
根据上述关系，跃迁概率可近似为
N P 2
p 尸 3=N e 位£1 +AE2 飞E
, ) lkT (CCCH) (4. 76a)
汀1/v
P2
p曰 久 N e - （AE +AE + AE ) ／kT
(CHHS和CHHU (4. 76b)
NCN�
—
其中对千导带能态t::,.E; = E, —EC ，对于价带能态t::,.E; =Ev E,。 假设第4个高能态或者完
全为空态(CCCH) 或者完全为满态(CHHS 和 CHHL) 。 这些概率因子表明 CCCH 过程正
比千N千，而 CHHS 和 CHHL 过程正比于NP 。 而且，对于 一 定的电子和空穴密度，俄歇
2

复合的概率随温度而呈指数增长。 俄歇复合与载流子密度和温度紧密相关的特性使其成为
激光器应用中一个具有潜在破坏性的载流子复合路径。
俄歇复合速率还强烈依赖于材料的带隙。 为了理解其缘由，需要分析能最和动扯守恒
的结果。 与辐射跃迁一 样，俄歇跃迁必须保持系统最初的能员和动最。 这将俄歇跃迁限制
在 特定的能带区域内。 尤其是，正如辐射跃迁一 样，最低可能的能最结构并不位千带边处，
而是位于略高的能最处。 图 4. 16 描绘了两种不同的带隙情况下 CCCH 过程的这一“最低
“
能扯 结构。 阴影区代表了假设零温度分布时的电子位置。 材料的带隙越小，能态3处存在
的空穴就越多；这允许在相同的总载流子密度下具有更高的俄歇跃迁速率。 实际上在 零温
度下，当材料的带隙较大时，由于能态3被完全占满，这种最低能量的俄歇跃迁不会发生。
当材料的带隙较小时，两个最初的电子态l和2也更接近带边，由千在有限温度下这两个能
态含有更多的电子，因而进一步加剧了俄歇跃迁速率。
为了更为定鼠地分析带隙对俄歇跃迁速率的影响，需要估算带隙是如何影响式 (4. 76)
中的跃迁概率的。 图 4. 16 显示了当带隙减少时，能态 1、2 和 3 更靠近带边。 用数学术语表
示，当带隙减少时，能量相对于带边的偏移值的总和t::,.E1 +llE2+t::,.丘减少。 利用能量守恒
可以更方便地用凶E来表示该总和。 设定图 4. 15 或图 4. 16 中的 CCCH 过程的初能扯等
千终能鼠，则下式必须成立
t.E1 +t.E2 = — (E. +t.E3 )+t.E4 (4. 77)
其中比为能鼠参考值。 重新整理可得
t.E1 +t.E2+t.E3 = t.E4— 凡 （4. 78)
因此，当凶E最小时，式(4. 76) 中的各概率最大。 凶止的最小值被称为俄歇过程的阙值能
• 108 •
械ET。 图 4. 16 中的最低能量 CCCH 结构对应于这 一 阙值能量过程，因此是最有可能的
CCCH 俄歇跃迁结构。

E,=E炉 E,=－3I E8”

注．4个能态按粗酪比例绘制， 其中µ=mclm11�5。

图 4. 16 两种不同带隙下的最低能扯 CCCH 俄歇跃迁

附录 12 详述了根据动量守恒将式 (4.78)最小化所涉及到的数学推导。 其中提供了阔

值俄歇过程所涉及的所有能抵和 K 矢扯的表达式。 尤其是，图 4. 15 中的所有 3 种俄歇过程
的阙值能量为
Zmc+m 日
ET = E (CCCH) (4. 79)
mc+mH g
2mH+mc
ET = (Eg -A so ) （CHHS) (4. 80)
2m 11 +m (、 -ms
2mr1+mc
ET = E. (CHHL) (4. 81)
2mr1 +mc-mL
对于 CHHS 过程，止是相对于 S(）带边的测扯值。 有效质量的前因子通常在 1.1~1.2 范
围内心。值得注意的重要一点是阔值能量正比于带隙。 将式 (4. 78) 代入式 (4.76),CCCH
俄歇跃迁的最大概率是
Zp
p巨3 � N e (E - E_)/kT
T g (CCCH) (4.82)
N�N C V

其他两种过程类似。 根据ET 立Eg ，当带隙减少时，俄歇跃迁的最大概率呈指数形式增加。

例如，如果将某种材料的带隙减少一半，则 CCCH 俄歇复合的概率增加的倍数为
P(Eg/2) 夕 e - （ 1/2) （ET -Eg) ／kT e (l/2)aEjkT
e- （ET -E) ／ kT
＝
(4.83)
P(E ) gg

其中

0 、
对于GaA (0.87pm), (CCCH, CHHS, CHHL)=(l.15, 1.22, 1.12) 。
对于lnGaA，，仅I. 3 pm), (CCCH,CHHS,CHHU = (1.12, 1.13,1. 07) 。
对千lnGaAsP(I.55 pm), (CCCH,CIIHS,CHHL) = (1.11, 1. 1, 1.06) 。
• 109 •
 a = E T /E"-1 （大约0. l~O. 2) (4. 84)
在GaA豆中， CCCH过程具有a = O. 15，如果带隙降低 一半，则 该 概率在室温下的增加倍数
4 5
为e .14�63。如果a = O. 2，该因子为e ·52�250，暗示这与 ET /E.-1极为相关。虽然该范
例不具有定鼠的准确性（因为其中只考虑了 一 套能级的跃迁概率，并假设玻耳兹曼近似），但
仍然阐述了长波长激光器中该问题的严重性，这时的俄歇复合速率要比短波长激光器中的
大得多。
我们尚未讨论的一类俄歇跃迁涉及到另 一 种粒子－晶格中的声子，该粒子可以在跃迁过
程中吸收大橄的动鼠。在诸如硅这样的间接带隙材料中经常有这种声子辅助的跃迁，这时
可以穿过间接带隙发生强烈的声子辅助吸收，而电子的动址急剧变化（这部分动最被传递给
声子）。通过声子辅助的俄歇过程，两个电子的最终动 扯无须等于其最初动橄（但是包含声
子在内的总动鼠仍守恒）。根据图 4. 16，能态 1 、 2 和 3 可以自由移动到比动量守恒所允许
的更为靠近带边的位置。 由千不再存在 一个阙值能虽（与带隙有关），因此这些跃迁更有可
能发生并且更不受带隙和温度的影响。 不过，声子辅助的俄歇过程需要另一个粒子的参与，
因此总体而言更不易发生。
通常，当普通的俄歇复合极小时（即，在宽带隙材料中且／或低温时），声子辅助的俄歇跃
迁变得重要。例如，GaA豆中的俄歇复合主要是声子辅助的过程，而在室温下lnGaAsP长波
°
长材料中主要是普通的俄歇过程。然而，当温度低千100~ 150 C时，普通的俄歇过程受到
抑制，并且对温度较不敏感，因此声子辅助的过程在长波长材料中也开始变得重要。
为了定量地分析总的俄歇复合速率，在原则上需要利用费米黄金法则来计算一套给定
能态的跃迁速率。其中除了计算式 (4. 73) 定义的费米因子以外，还 涉及到根据库仑势能微
扰来计算4个能态的重叠积分。在已知4个能态之间各种组合的费米黄金法则后，需要对服
从能扯和 动址守恒的所有可能的能态组求和。因为跃迁过程中涉及到4个能态，这意味着要
对4个K矢星进行独立求和。不过，能晕和动量守恒将该求和限制在两个独立的K矢扯内。
Beattie和Landsberg在 1959年发表的开拓性文章中研究了俄歇复合，首次尝试对 上
述过程进行理论建模。从此，人们采用该理论更为精确的版本分析了各种材料系统。Dutta
和Nelson分析了InGaAsP系统，Takeshima还分析了AIGaAs和其他诸系统。Taylor等
人还有其他人尝试着将该理论扩展到措子阱和扯子线材料。不过俄歇复合理论的困难在
“ ”
于，必须精确地掌握能带结构在远离带边处的信息。并且必须得知 远离k空间 的Bloch
函数的重叠积分 。这方面的实验信息很少，而理论又不可避免地采用过于简单的 假设。相
反，第4.4节中分析的自发发射速率可以通过带隙Bloch函数重叠和带边曲度来获得，这些
实验数据都大鼠存在。因此，自发发射速率的计算可以非常精确。
通常 ，理论预测俄歇速率的精度可以在 一个数量级内。这并不是说这些理论不重要。
相反，对千预测俄歇复合速率的趋势（例如与温度和带隙 的关 系），理论仍很有价值。并且，
可以从理论上估算材料成分变化和降阶维度对它的相对影响。另外，可以确定3 种俄歇过
程的相对重要性。大多数俄歇理论都预测在普通的III-V半导体中以 CHHS过程为主，而
CCCH过程几乎小 一个数星级（然而，某些理论估算这两种过程的量级相当）。CHHL过程
要比CHHS或CCCH过程小几个数扯级，因此可忽略其作用。
• 110 •
 如果继续对该理论进行改进，有希望获得更为精确的计算结果。 例如， Takeshima 采用
实际的能带结构改进了他的俄歇理论的精度。 该 模型扩展到导带和价带，在所有能带中都
考虑了非抛物线形状。 并且该能带模型包含了能带结构的各向异性（沿着晶体不同方向的
能带曲度有所不同），他认为这是一个非常重要的因素。 该计算还暗中考虑了声子辅助的俄
歇过程，与其他研究者的结果不同，他认为这些过程在 InGaAsP 材料中非常重要。 他的计
算结果尤其和 InGaAsP 材料的实验所得结果相匹配。
根据上述各种理论挑战，最常用的计算俄歇复合的方法是采用实验获得的诸俄歇系数
并结合计算所得或实验测址的载流子密度，并假设每单位体积的复合速率为
RA =C0 N 2 P+C0 NP2 (4.85)
其中第 一
项源于 CCCH 俄歇过程，第二项源于 CHHS 过程。 这些关系只有在可以采用式
18
(4.76) 的非简并条件下才严格有效。 对千简并载流子密度（大于等千 10 cm-3)，该函数在
某种程度上高估了俄歇复合速率。 不过，式(4. 85) 仍被广泛采用且极为方便。
在采用轻掺杂有源区的激光器应用中，当注入电流较高时 N = P，俄歇复合速率化简为

R A= CN三尘竺 (4.86)
qV
其中 C 是一般由实验确定的俄歇系数，其中一并包含了 CCCH 、 CHHS 和声子辅助的俄歇
过程。 在长波长 InGaAsP 材料中，根据载流子寿命的测最结果可以提取出上述与载流子密
度的立方关系并获得C值， 根据不同的 测趾方法和采用 的 材 料，室温下C值的范围为
10· 29~10 28 cm6 /s。 室温下的代表值为
C=2 X 10- 29~3 X 10-29 cm6 /s （体材料t· 3 µ m, lnGaAsP) (4. 87)
C=7 X10- 9 ~9 X 10 9 cm /s
2 2 6
（体材料 1. 55 µm,InGaAsP) (4.88)
式 (4.87) 与 Takeshima 的预期一致。 对于 GaAs 材料，尚缺乏足够的数据。 Takeshima 的
实验数据表明，其室温下的俄歇系数大约比长波长系统小一个数最级：
C=4Xl0 '0~5Xl0-'0cm'/s （体材料 GaAs) (4.89)
对千其他材料系统，尚未很好地研究其俄歇复合速率。 但是根据材料的带隙，其速率应类似
于式 (4.87)~(4.89) 给出的值。
在肮子阱中，能带结构变为子带，因此应修正俄歇速率。 Smith 和 Taylor 等人的分析
表明，当 aE.>kT 时，在最子阱材料中俄歇系数应减少约✓KT/a 凡倍，其中 a 由式 (4.84)
定义。 对于长波长材料，该因子在 1. 5~2. 0 之间。 Hausser 等人的实验表明，量子阱材料
的俄歇系数比体材料中减小到 1/3 。 因此，降阶维度可以有助千降低俄歇复合，但并未完全
解决问题。
另 一 种减小俄歇复合的方法是采用应变，它可以降低俄歇系数（参见习题 4.7) 。 在长
波长材料系统中，应变显子阱激光器的阔值电流密度已经可以与带隙更宽的最子阱激光器
相比拟，从而表明这些器件的俄歇复合较低。

4.6 有源材料及其特性

本节将用实例来计算两种最常用的材料系统中的体材料和扯子阱材料： GaAs/AIGaAs
和 InGaAsP/InP 。 这此实例可以定量地阐述不同材料中的增益 、 电流和载流子密度之间的
• 111 •
 ．
不同关系。 分析的先后顺序如下，首先将分析不同载流子密度的不同增益谱；然后确定峰值
增益和微分增益作为载流子密度的函数；随后研究自发发射谱及其与载流子密度的关系，由
此可以获得电流作为载流子密度的函数，并最终获得增益作为电流密度的函数；随后将进行
实验比较来评估该模型的精度；最后，将改变量子阱的宽度、掺杂度以及温瘦来分析各参数
的变化。

4. 6. 1 应变材料与掺杂材料

在开始讲解实例之前，需要简要研究 一 下应变 QW 的概念，因为有好几个实例都将包

含应变。 应变 QW 采用的材料具有与周围的势垒材料不同的自然晶格常数。 如果 QW 的
自然晶格常数大于周围的品格常数，则 QW 晶格将在平面内压缩， QW 处千压应变下。 如
果情况相反，则 QW 处于张应变下。 在 GaAs 系统中，在 GaAs 内加入 一 点锁形成 InGaAs
可以增加其自然晶格常数，从而构成 InGaAs/GaAs 压应变 QW。 在 InP 系统中，InGaAs
三元化合物（或 InGaAsP 四元化合物）的晶格常数与 InP 相比既可以更小也可以更大。 因
此，采用 InGaAs/InP QW 可以实现张应变和压应变。 不过，在任何晶格失配的系统中，都
存在 一 个临界厚度，如果超过该厚度，应变的品格将回复到其自然状态，导致高密度的晶格
缺陷。 对于通常的应用，这 一 临界厚度在几百个埃的扯级，因此将应变有源层的厚度限制在
几个 QW。
附录 11 详述了应变对带隙的影响。 附录 8 的后半部讨论了应变对能带曲率的相应影
响。 不论是哪种应变都在本质上增加了价带结构的曲率，从而极大地降低了其有效质员。
不过，采用压应变可以更好地做到这点。 至于应变对增益的影响就更复杂了。 例如，图 4.17
显示了典型的能带结构的中部。 由千高注入条件下的电荷中和性，以及有效质拱的不对称，
两个准费米能级的间隔更为朝向于导带，正如图 4. 6 所讨论的。 应变可以降低价带的有效
质最，从而使准费米能级的间隔更为对称，如图 4.17 所示。

入／ E V vE E l

//
• l --(\--"

(a)应变 (b)无应变无掺杂 (c) p型掺杂

图4. 17 应变与P型调制掺杂对千准费米能级的影响

如下所述是图 4.17(a) 的优点。 集中分析导带，对于给定的准费米能级间隔，左图中的

电子密度通常比中图的更低。 因此，在透明态下，两种情况下的准费米能级被带隙分隔开，
(a)图则不可避免地具有更低的载流子密度。 换句话说，应变材料中的透明载流子密度N"
2
被充分降低。 另外，由千电流大致与N 成正比，因此透明电流儿也被降低。 采用特殊结
构可将其降低至一半！
• 112 •
 图4. 17(a)的另一个优点在千其 微分增益被提高了。 这样不但材料可以更快 地到达透
明态，而且增益随着载流子密度 的增加也更快 。 为了解释这 一 点，必须理解微分增益dg/ N
d
依赖于带边载流子密度 随着准费米能级的运动而 改变的速度 快慢。 由于费米占有概率函数
相对于 能屋的斜率 在准费米能级的位置达到最大，当准费米能级与带边对准时， 带边载流子
密度受到的影响最大。 因此， 为了增加 微分增益，关键在于使两个准费米能级尽可能地接近
带边 。 很明显， 图4. 1 7(a) 实现了这 一 目标（尤其 接近千透明态）。 应变 材料中微分增益的
改善程度 可以最多达到一 倍。
另一种 改善微分增益的方法是采用P型掺杂的有源区。 如图4.17(b)所示 ， 增加 掺杂
可以将准费米能级向下拉到更为对称的位置，正如应变所做的 一样。 类似地， 由于准费米能
级与带边 对 准 ， 微分增益再次得到改善。 不过在 此情况下，虽然在透明态下可以降低电子密
度（原因与应变示例的相似）， 空穴密度却被增加了。 由于电子密度是 简并的而空穴密度是
非简并的 ， 准费米能级向下移动 导致的空穴密度增加 的速度要快千其导致的电子密度降低
的速度(P以近千指数 的形式增加，而N则近千线性地减少）。 因此，这 种 情况下的NP乘
积实际上增加了，从而导致更高的透明电流密度 。 因此与应变材料（透明态和 微分增益都得
到改善）不同，P型掺杂增加了微分增益，但其代价是透明电流密度增加。 下文将 更为定鼠
地分析这 一关系。

4. 6. 2 常用有源材料的增益谱

下面将采用式(4. 37)和(4. 38)并利用附录8推导的降低 的态密度函数来计算增益谱。

其中利用式(4. 39 )和(4.41)作为线形函数来考虑线形展宽使频谱特性变平滑的影响。 通过
假设QW区内的电荷中和（其中直接位千QW态以上 的势垒态都 被填充）， 可以将用来定义
增益的两个准费米能级联系起来。 因此，这里的载流子密度指的是QW区内所有的载流
子。 而且 对 于QW，假设偏振位千势阱平面内(TE偏振 ），因为该偏振态的矩阵元更大。 并
且除非特指， 所有的有源材料都是无掺杂的 。
图4. 18所示为 GaAs系统中3种常用有源材料的增益谱：（l）体材料GaAs , (2)无应变
。 。
GaAs/ Al 2GaD .8As soAQW,(3)压应变ln 0 .2Ga sAs/GaAs soAQW。 图4. 19 所示为 lnP
。
系统中3 种 常 用 有 源 材 料 的 增 益 谱：（l）晶 格匹配体 材 料In 0 . 53 Ga 47 As , ( 2) 无 应 变
。 。 。
In 0 53Ga 41As/(Ql. 08) 60AQW,( 3)压应变In 68Ga 32As/(Ql .08) 30AQW。 应变QW
相对于lnP有十1％的 晶格失配 。 两种QW 的带隙波长都是 1. 5 µm。 符号(Ql. 08)表示四
元化合物lnGaAsP的带隙波长为1. 08µm。
图4. 18和图4.19中的体材料增益谱都要比阶梯状的QW增益谱更加 平滑。 不过，
QW增益谱能够在带边附近提供更高的增益。 比较不同的QW增益谱，无应变的QW具有
更高的 最大值增益 gmax ，这是由于价带中可以参与跃迁的态密度 更大。 不过， 无应变QW
要花费更多的载流子才能达到完全反转。 QW增益谱的其他特性还包含各种 子带跃迁。 下
文将针对这些特性与图4.19中的理想情况相 比较。 在基于 GaAs 的QW中，QW两侧的
100A AIGaAs或GaAs 势垒层将 作为体材料对短波长作出贡献。 事实上，当载流子密度非
常 高时，势垒也被反转，尤其 在 InGaAs/GaAs QW中。 在基于lnP的QW中， 其体材料的
• 113 •
贡献不在所示的波长范围内。 所有各种情况下要达到增益所需的载流子面密度(NLZ )都略
12 2
低于 2Xl0 cm- 0

体材料GaAs
15
完全反转 ，

宁皂 o5
远

0
祖翌菜 I女
O
51 。
l
5
7

0 75 0.8 0 85 09

波长／µm

无应变GaAs/Al"2Ga",As 80A QW
l5
`｀、- －一完全反转
···· ··•a· ,·;t； ·:·:·:·:．二．二．；··············f···········
。 。

｀
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5
3,0
泊芒云蕊 Ii

0 5
l
5

0.7 0 75 08 0 85
波长/µm

应变ln,,,Ga,,,As/GaAs 80 A QW
、
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5
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转 ．
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0
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08 0.85 0.9 0.95

波 长／µm
“ ”
注： 图中各值为载流子面密度： XIO"cm （假设体材料 面 2

密度的宽度为80A)。

图4. 18 基于GaAs材料中的TE模增益谱与载流子密度的关系

• 114 •
 体材料 ln05_1Ga 47AS。
完全反转l

。
40

o
5
一
号
过

rO I
远

0
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o
5
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-l
13 1.4 15 16 17
波长／µm

无应变 In 叩 ,Ga,,,,As/(QI.08) 60 A QW
I I I I
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05
•• • •• ·- -
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l2 13 l4 1.5 16
波长／µm

应变 ln 068Ga(，飞,As/(Q\.08) 30 A QW
犹一
呈

10

0.5
§
3rO l]

0
涟芸 荽

。 5
I长

-I
1.2 1.3 I.4 1.5 16
波长／µm

注： 图中各值为载流子面密度： XIO"cm_,（假设体材
“ ”
料 面 密度的宽度为60 人）。 30AQW的材料增
益被除以2, 以代表与 60AQW相比较小的光限制。

图4. 19 基于InP材料中的TE模增益谱与载流子密度的关系

4.6.3 增益与载流子密度的关系

为了更好地了解增益随载流子密度变化的方式，图4. 20显示了增益谱峰值作为载
流子密度的函数。 图4.20中的上图包含了基千GaAs的有源材料。 Ntr 一般聚集在2X
• 115 •
10 cm· 2 附近。不过，应变 QW 具有最低的Ntr ，并且随着N增加得最快，上文第 4. 6. 1
12

小节已经讨论了这一 点。有趣的是，体材料 GaAs 和GaAs QW 具有相似的特征。换句

话说，80A 的体材料 GaAs 层与80A的 GaAs QW 的表现相似，采用 QW 所获得的最显
＂ “
著的改善并不是 拭子尺寸 效应而仅仅是体积效应。

4 000

3 000

涟 2 000
乏

卡女

I 000

。。 2 4 6 8 IO
载流子面密度／ lO cm
12

6 000 - .. - - ， ， ，
-� lnGaAs/(Ql 08)QWs _/-TM 增益，声2,-
E u 5 000 - （入 1 5µm)
、 036 \.
涟
i 4000 •
�
-1% ,
%＼

一 ＼． ：
J
女
，
3 000 -
+1%
豁 2 000
窑

。[.。 /z.
I 000
；．，．：
2 4 6 8 10
载流子面密度／ lO cm 2
12

注：假设GaAs 的体材料 “ 面 密度的宽度为80 入， In 。 “Ga o47AS的宽度为

“

60 入。在下图中，应变QW的带隙为1.5 µm, 其中： I%=(30A,x..,,=0.68),

0%=(60 A,x..,,=0.53), -0.37%=(120A,x..,,=0.48),-1%=(150 A,x,,,=O 38)。
＂
井且在下图中，虚线为TM增益，而 “ 调整的 材料增益是材料增益与
L/60A 的乘积，用以说明不同宽度QW的限制因子的差别。

图 4. 20 基于 GaAs （上图）和 InP （下图）材料的TE增益峰值与载流子面密度的关系

图 4.20 中的下图包含基千InP 并采用两种应变 QW 的有源材料：（1) —

0.37 ％张应变
。
的 lno.4sGa s2 As/(Ql. 08) 120 A QW, (2)
1 ％张应变的 Ino. 38 Ga s As/(Ql. 08) 150 A
2
一
。
QW，两者的带隙波长都接近千1. 5 µm。对于这些 QW，以C LH跃迁（对垂直于阱平面的
-
偏振 TM偏振 提供更高的增益）为主，因此这两种情况下绘出的都是TM增益峰。
在该系统中，无应变材料和压应变材料的N"都聚集在 1Xl0 2cm- 附近。再次，十 1 ％应变
1 2

QW 随 着载流子密度的增 加最 快。不 过，它比张 应 变 QW 饱和得更快。体 材 料

。
Ino.53Ga 47As具有最低的Ntr，并可以与无应变的 QW 性能相比拟。两种张应变 QW 具有
• 116 •
更高的N"但是饱和得并不迅速，从而允许在高阔值增益处具有较低的阙值载流子密度。
对图 4.20 中的所有增益曲线进行曲线拟合，结果如表 4.4 所示。 采用两参数(Ntr ,g。)
对数函数就可以拟合得很好。 但是对于更为线性的增益曲线（例如体材料增益曲线），这种
拟合就不够了。 作为校正，又增加了第3个线性参数N S 。 对于这种三参数模型，当N S -=
而gs /N/～常数时，对数函数转化为线性函数。 因此，表中的凡越大，曲线的线性越好，两
参数的拟合就越差。 通常，应变材料更接近于纯对数函数。 表中同时列出了两参数和更为
精确的三参数拟合。 表中所有的载流子密度都被转化为载流子体密度，所有的材料增益都
“ “
和特定的阱宽度相对 应（这里没有采用图 4.20 所用的 调整的 材料增益）。

表4.4 三参数和两参数的增益与载流子密度的曲线拟合

N+N,
g = g。 ln ( .,+ ,) g = g。 In C N/N.,)
N N
有源材料
N" NS g。 N,r g。

体材料Ga/\s 1.85 6 4 200 1. 85 I 500

GaAs/Alo 2 Gao s小80入QW 2.6 1. 1 3 000 2.6 2 400

!no 2 Gao 8 As/GaA、80 A

。 QW 1.8 —
0.4 1 800 1.8 2 100

体材料!no s:i Gao 47 As 1.1 5 3 000 1. 1 1 000

lnGaAs 30 A QW(+l%) 3. 3 —0.8 3 400 3. 3 4 000

lnGaAs 60 A QW(O%) 2. 2 1. 3 2 400 2. 2 1 800

lnGaAs 120 A QW( — 0. 37 %) I.85 0.6 2 100 1.85 1 800

lnGsAs 150 A QW(�J%) 1. 7 0.6 2 900 1. 7 2 300

反比关系 微分增益

业＝ g。
N = (N.,+N、)eg %
—
N,
dN N+ N,

注：N的单位为10 18 cm--:<,g的单位为cm-1 o

微分增益 dg/dN是高速激光器 应用中的一个重要参数。 正如第2章所述，这主要

是因为激光器的张弛谐振频率与微分增益的平方根有关，第5章将对其作全面分析。 因
此 较高的微分增益在理论上可以改善激光器的调制响应（不过实际上，其他的阻尼因子
对于确定总的调制带宽也至关重要）。 图 4. 21 绘出了图 4.20 中各增益曲线的 dg/dN,
从而显著地说明了在设计高速激光器时工作在透明态附近 的重要性。 通常的计算值在
2
10-16cm 中部，这也是通常 QW 激光器的观察值（不过，根据激光器的阙值载流子密度，
微分增益的测扯值可能会极为不同）。 在两种材料系统中，应变 QW 相对千无应变 QW
2
有大约 50 ％的改善 。 两种体材料情况的值是最低的，甚至可以低于 5 X 10-16 cm 。 在
lnP系统中，dg/dN 在两种应变极端情况下达到最高，在两个极点之间降低大约三分之
GaAs QW 的dg/dN曲线的第 2 个峰值 对应千切换到 C-LH (11) 跃迁的增益峰，该
• 117 •
增益峰在略短的波长处超出C-HH(ll)跃迁的峰值（参看图4.1 8)。

12

10 lnGaAs 80 A QW
c,

。 8

过 6

4
毯
2

8
6
2 10
12 2
载流子面密度／IO cm
2

' ｀

+1%!``、 、 lnGaAs/（Q1 08) QWs

0

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。。 2 4 6 8 JO
1 2
载流子面密度／lO 2cm
“ “
注：假设GaAs的体材料 面 密度的宽度为 80 入， In rr “Garr47As的宽度
为 60 入。 下图中的应变QW的组分如图4.20中的标题说明。

图 4. 21 基千 GaAs （上图）和 lnP （下图）材料的微分增益峰值 dg/dN 与载流子面密度的关系

4.6.4 自发发射谱和电流与载流子密度的关系

在确定了增益作为载流子密度的函数之后，现在需要分析用来产生辐射复合的自发发
射谱是如何随着载流子密度而变化的。 用式(4.57)和(4. 58)可得自发发射谱。 图4.22 所示
为不同的载流子面密度下的应变 InGaAs/GaAsQW的示例谱。 从中可以观察到阶梯状的
频谱，并可以注意到当载流子密度极高时n = l跃迁达到饱和。 不过，第2个阶梯要比第1
个小得多。 其原因在于QW中的第2个电子态儿乎没有被限制，从而导致C2态和强限制
的HH2态之间的重叠很差（可以从图4.18的增益谱中观察到）。 其结果导致较小的矩阵
元以及随之产生的较小的阶梯高度。
图4.22频谱中虚线表示的第3个阶梯是实际上在 GaAs 势垒层中发生的自发发射。
在该有源材料中，势垒对辐射电流密度的贡献尤其显著。 而在所分析的所有其他QW中，
势垒复合都为最小。 其原因在于在该材料中，由千应变的轻带结构，其QW的价带态允许
• 118 •
EFv 深入的深度要比正常情况 下 更深。 因此，势垒区的N和P都 更 大，这与其他的QW情
况（势垒中的 P 通常很小）相反。 因此，势垒中的 NP 乘积很大，从而导致很高的复合。 并
且其势垒高度也相对较 小，从而允许势垒区的粒子 数随着载流子密度的增加而迅速增加。
通过将 GaAs 势垒增加为 AIGaAs，可以降低 该势垒复合。 但是，直接在 AIGaAs 上生长
InGaAs的材料生长问题使得 InGaAs/A!GaAs QW生长成为困难。

应变InGaAs 80 A QW
5 4 3 2 16 ．、
陶
势垒贡献 ， 乡 、．
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7志 b

。 800 900 950 I 000

波长/nm

注：虚线包含了源自千阱两端的厚为 100 A 的势垒层（总厚度为 200 A) 的自发发射 。 该发射谱被

归一化，因此峰值与带宽（单位为 nm) 的乘积就是单位为 A/cm2 的自发电流密度 。
图4.22 应变I11o.2G孔 8 As/GaAs 80 A QW 中的（每单位波长的）自发发射谱与载流子面密度之间的关系

12
图 4.22 中的自发发射谱覆盖的区域代表了总的自发发射速率。 例如在 4Xl0 cm
时，峰值约为 2 而带宽约为 100 nm。 因此基千纵轴的单位，其（峰值 ） X （带宽）乘积导致的
2
自发电流密度约为 200 A/cm 。 如果通过式 (4. 59)对该曲线下 的区域进行更精确的积分，
可获得自发电流密度作为载流子密度的函数。 图 4.23 中绘出了基千 80 A GaAs 材料和基
于 60 A lnP 材料的这一关系。
图 4.23 中当载流子密度较低时，体材料 GaAs 大致遵循 BN2 律，其 B 值为1. 2x10-10 cm3 /s。
3 1
对于体材料 lno_53Gao_41As,B 值更接近于 0.7x10- 0 cm /s。 这些值都与两种材料的测量值很一致。
后一情况下的系数较小是因为波长越长时，光模式密度就越低（模式 越少，自发发射就越小）。 当载
流子密度较高时，该 BN2 律高估了复合速率。 这是因为平方律只在玻耳兹曼近似下才严格有效。
2
当注入电流高度简并时，复合速率 并没有像 N 增长得那么快。 为了考虑这一因素，有 时将
。 2
双分子复合速率写为 B N -B 1 N 。 这一趋势表现在图 4.23 中的所有情况里。 有趣的是，
QW的B系 数比其体材料类似物的更低。
图 4.23 中还绘出了俄歇复合电流，其中假定两 种材料 系统采用典型值。 在 GaAs 中，
18 18
对千正常的载流子密度 (2X 10 ~4X l0 cm-3 八俄歇复合与辐射复合相比很小。 因此，基
于 GaAs 材 料 的 辐 射 效 率非 常 高， 在低 载 流 子 密 度 时可接 近 于 1。 在 lnP 系 统 中， 当
18
N>2Xl0 cm-3 时，以俄歇电流为主。 因此，在大多数基千 lnP 的激光器中，辐射效率低 于
50%，并经常比该值还要低很多。 在该系统中，光模式密度足够低以至于能产生非常低的辐
• 119 •
｀ 射电流，但是这时又存在诸如俄歇复合的另 一 种机制并将一 切破坏。

I 000

800 [ (qL,)B ：三', ＇

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Jsp
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18
载流子密度／ 10 cm '

注：假设GaAs的体材料 面 密度的宽度为 80 入，In。 ,,Ga 047As的宽

“ “

6
度为 60 入。 图中 B值的单位为 I 0-10cm'/s, C值的单位为 cm /s。

图4.23 基于GaAs（上图）和InP（下图）材料的自发复合电流密度与载流子密度的关系

4.6.S 增益与电流密度的关系

根据已知的信息，现在可以确定增益峰值作为电流密度的函数，如图4. 24所示。 其中
(a) 图所示为基于 GaAs 的材料，其中包含了考虑和未考虑源于俄歇复合和势垒复合的电流
一］
分量的情况（假设C= 3. 5 X 10-30 cm勹 s) 。 当材料增益大千2 000 cm 时，这些电流可以导
致有源材料性能恶化。 从相对于电流密度的曲线清晰可见， lnGaAs/GaAs QW可提供更好的
增益性能，尤其当电流低于 300~400 Ale而时。 应变QW的透明电流密度约为50 A/cm ，这
2

与实验测鼠值很好地 一 致。 无应变 GaAs QW的透明电流密度略高千 100 A/cm 。 通常对千 2

指定的增益，应变QW需要的电流大约只有无应变QW的一半！因此，应变 lnGaAs QW是

基千GaAs 材料的有源层的首选（只要其应用可允许 0. 98 µm 的波长）。 将体材料 GaAs 与
“ “
GaAs QW相比，可知QW在一定程度上具有更好的性能，不过 量子尺寸 效应并不十分显
著。 事实上，体材料 GaAs 80 A阱具有较低的透明电流密度。
• 120 •
 对于 lnP 系统，图 4.24 只包含了各种辐射电流。 其各种趋势基本上和增益与载流子密
度之间的关系相似。 不过在此情况下，无应变QW很明显要优于体材料 lno.53 Ga 47As 。 对 。
2
于压应变材料和无应变材料，透明辐射电流密度约为 10~15 A/cm 。 对千张应变QW，其
2
值接近于 30 ~35 A/cm 。 不过，俄歇复合的存在导致实际上不可能在激光器中实现如此低
的阙值电流密度。

5 000

4 000
－－－－－无俄歇
—有俄歇
----
I
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3
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00 00 00
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（入＝1.5 µm)
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。。 50 I 00
体材料In053Ga 47As

150
。
200 250 300
辐射电流密度／A·cm'
(b)
注：假设GaAs的体材料电流的宽度为80入，In(）53Ga 47AS的宽度为60 入 。 。
其中只在上图中包含了俄歇复合和势垒复合的影响。 有关下图的
各个注解请参见图4. 20的标题。

图4. 24 基于GaAs(a)和InP(b)材料的TE增益峰值与电流密度的关系

表4.5 列出了与增益和载流子密度拟合类似的曲线拟合。 对千基千 GaAs 的有源材

料，利用该曲线拟合可同时获得辐射（自发）电流和包含势垒与俄歇复合的电流（假设QW
两端的势垒宽度为 100 A ， 且 C=3. 5 X 10-3o cm /s) 。 6
对千基千 InP 的有源材料，只拟合了
辐射电流（根据适当的 C 值进行载流子密度曲线拟合，还可获得俄歇电流）。 这里所有的增
“ “
益都不是 调整的 材料增益，而是实际的材料增益，可以将其直接用千光模式重叠积分来确

• 121 •
定模式增益。

表4.5 三参数和两参数的增益与电流密度曲线拟合

J J
g = g。 1n[ , + ,] g = g 。 ln[J/J.,J
J r+J S
有源材料
J, r JS g。 j tr g。

Jsp + libar +］aug ．俨

体材料 GaAs 80 140 1 400 80 700

GaAs/ Alo,Gao 8As 80 A

． QW 110 50 1 600 110 1 300

。 QW
!no,Gao sAs/GaAs 80 A 50 - 10 1 100 50 1 200

J叩

体材料 GaAs 75 200 1 800 75 800

GaAs/ Alo,Gao 8 As 80 A QW 105 70 2 000 105 l 500

。 QW
!no,Gao,As/GaAs 80 A 50 。 I 440 50 1 440

],p

。
体材料 In ,3Gao 11 As 11 30 1 000 11 500

lnGaAs 30 A QW(+l %) 13 2 2 800 13 2 600

lnGaAs 60 A QW(O%) 17 11 1 500 17 1 200

lnGaAs 120 A QW(- 0, 37 ½) 32 18 1 400 32 1 100

lnGaAs 150 A QW( —

1%) 35 10 1 700 35 1 500

反比关系 微分增益

]= (}.,+ ],)e<i<。- ］S gd g。
,
]d L J+ J, LZ

注： 1 的单位为 A/cm2 ,g 的单位为 cm 1"

在第 2 章中，电 流与 载 流 子 密 度 的 关 系是通过经验由多项式 拟 合来 确 定 的（即，

JccAN + BN +CN ) 。
2 3
将表 4.4 与表 4. 5 相结合可得该关系的另一种表述形式：
<
N +N, 7"0N 01
11

J = (J,,+J,)[
—
JS (4. 90)
N t r+Ns]

其中 g。N和 g 。1 分别为用于 N 和 J 的拟合参数 g 。。 虽然这是更为复杂的六参数拟合，但它

还同时提供了增益与载流子密度和电流密度的关系。 在将增益的理论计算转换为实际的工
作模型时，该拟合非常有用。 下章将用到这一点。 还应注意，当在透明态以下使用式 (4. 90)
时，最好采用表 4.4 和表 4.5 中的两参数曲线拟合（即 N,=],=O)来确保当 N 趋于零时 ］
也趋千零。 另外在两参数极限下，］＝],, [N/N,,]"oN/goJ ，因此其功率关系由比值 g 。N/g 。}来
2
确定。 因此对于简单的 BN 关系，可以想象 g 。N是 g 。]的两倍。 比较 表 4. 4 和表 4. 5 中的
两参数拟合，可见这一结论在一定程度内成立。

4.6.6 增益的实验曲线
根据已知的增益与电流密度的关系，可以将理论与共面激光器的实验值相比较来验证
该理论的正确性。 测量阔值和微分效率随着腔长的变化，可以提取出内部损耗、内部注人效
• 122 •
率以及增益作为注入电流密度的函数。 图4. 25所示为这类测量的结果。
在两种材料系统中，图4. 25中的理论曲线都与实验值很好地吻合。 使得 InP 数据最佳
吻合的 C 值也与其他的测扯值一致（式 (4.87) 和（4. 88) ）。 虽然在 InP 系统中，选择 C 值这
一步骤使得该理论更像一种曲线拟合的过程，不过对千 InGaAs/GaAs QW的理论涉及到
非常少的拟合参数，最终与实验非常一致，其不确定性仅仅涉及到俄歇复合速率和势垒复合
速率。 图2. 14也验证了 InGaAs/GaAs QW理论与实验极为 一 致。

2 500 ••
-••••
2 000 jsp
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过涅莹荽I长

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I 000 J sp+J ba,+J aug

(C=3.5e�30)
。
500 In.,,Ga .,.,As/GaAs80A QW

。。 50 100 150
（入＝0.98 µrn)

200 250 300

每QW的电流密度IA·cm'
(a)
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(C=6e-29)
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，

ln053Ga 047As/(QI.25)70 A QW
＇，'

(J=l.55µm)
J
o
uo

200 400 600 800 I 000 I 200

每QW的电流密度／A·cm
(b)

注： 采用具有1个和2个80Aln仆 ,Ga 吓As/GaAsQW有源区的0. 98 µrn激光器

(a)图，和采用具有1个和4个70 A In., 5_,Ga.,,,As/(Q 1.25)QW有源区的
1.55µrn激光器(b)图。图中添加了理论曲线，下图中的增益由两参数
表达式g=5831n(J /8 l)cm_，表示，其中J的单位为A/cm'o

图4. 25 材料增益与注入电流实验值的关系曲线

4.6.7 阱宽度、掺杂与温度的影晌

为了选择最佳的有源材料，在设计激光器时还需做出其他多项优化。 对于QW有源
一
区， 个明显的优化参数是阱宽度。 除了需要掌握所需的特定激射波长以外，最好能够

• 123 •
基于 一 些设计原则来决定最佳的阱宽度。 由千 QW的每个子带本质上都是两维的，因
此可以想象 n = l 跃迁的性能与阱宽度的关系不大。 不过实际上，子带之间的间隔可以
相互干扰并造成问题。
例如，图 4. 26(a) 作为阱宽度的函数绘出了 lno.2Gao.sAs/GaAs QW中为了达到透明态
和30 cm-］模式增益所需的电流。 在中间范围so~100 A值内，QW性能的变化实际上很
小。 不过，随着阱的宽度变宽，子带间隔变窄（如插图所示），因此，在通常的注入电流下，其
他的子带内聚集的粒子数增加，从而使QW性能恶化。 实际上，正如可以在体材料中预料
到的，该电流开始随着阱宽度而线形增加。 当阱宽度较窄时，蜇子 态被集中在 QW的顶部，
非常接近于势垒态（如插图所示）。 其结果是，在通常的注入电流下，势垒开始急剧地聚集粒
子，并再次使QW性能变差。 因此，存在一 个最佳性能窗口，不过对千电流密度，该窗口非
常宽。 另 一 方面，对千微分增益，这 一 现象在60 A附近达到顶峰。 远离该尖峰，阱宽度越
宽，子带间隔就越窄，而较窄的宽度使得QW态更接近千势垒态。
另 一 个设计考虑与有源区的掺杂有关。 有源材料自身内的掺杂可以改变靠近带边的能
带结构，并使性能恶化。 不过， 通过在势垒区内掺杂（调制掺杂），可以改变电荷中和条件。
此时，两个准费米能级的关系如下：
N +N人＝P+N心 (4. 91)
其中在械子阱中，一般将施主和受主的密度定义为面密度。

于守 言 干节 詈
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。。 50 100 150 200

。。 50 100 150 200
阱宽度／入 阱宽度／A
(a) (b)

注： QW 两侧的GaAs 势垒厚度都为 100入各条曲线都采用透明态以及 30cm 模式增益时

的值（假设某 一 SCH结构导致的光模式宽度为 2 500 入）。

图 4. 26 Ino.2GauAs/GaAs QW 中的辐射电流密度和微分增益与阱宽度的关系

第4.6. 1小节讨论了P型掺杂的基本影响。 图4. 27更为械化地描述了采用N型、P

型和无掺杂材料的 GaAs/AIGaAs soA QW的增益和微分增益与电流密度的关系。 P 型掺
杂的准费米能级的向下移动导致NP乘积增加（由千在透明态下 N是简并的而P是非简并
的），而N型掺杂的准费米能级的向上移动使NP乘积减少。 因此，P型掺杂中的J t，增加而

• 124 •
N型掺杂中的儿减少。 但是由于准费米能级与带边对准，P型掺杂显著地增加了微分增
益，而N型掺杂降低了微分增益。 因此，根据应用（超高速激光器或超低阙值电流），P型和
N型掺杂可以改变增益曲线的变化。 不过它们的影响不像应变 一 样更有意义（应变可以同
时降低J”并增加 dg/dN) 。
。
GaAs/AIGaAs80 AQW GaAs/AIGaAs80 A QW
4 000 20

N=
a 5
0
3
0
0
l
,

15

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0

200 400 600 800 I 000

。。 200 400 600 800 I 000
电流密度／ A· cm' 电流密度／A· cm'
(a) (b)

注：施主与受主的面密度单位为lO"cm-'o

图4.27 不同的掺杂程度，GaAs/Alo. 2 Ga"怂80AQW中的TE增益峰值和微分增益与电流密度的关系

另 一 个影响有源材料性能的参数是 一 种外部参数，即工作温度。 图 4.28 阐述了无应变

GaAs QW 和无应变 InGaAs/InP QW 中，温度对增益与电流密度之间关系的影响，其中考

虑了俄歇复合。 通常，为了达到某一增益所需的电流值随着温度的增加而增加。 其主要原

因在于费米占有概率函数的展宽，对千给定的总载流子密度，该展宽使载流子扩散到更宽的
能量范围。 其结果是被转化的载流子的频谱浓度更低，从而导致增益谱的展宽和变平。
。
GaAs/AIGaAs80A QW ln05飞Ga 0 ,,As/(QI.08)60 AQW
4 000 3 000
T=200 K
2 500
o

......... 250
0
3
0
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°
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。。 200 400
600 800 I 000
。。 200 400 600 800 I 000
电流密 度／A· cm 电流密度／A·cm'
(a ) GaAs/AI02Ga 0 ,As80AQW (b) ln,， 5、Ga 0 47As/(Ql.08)60AQW

图4. 28 不同温度下，采用C = 5 X 10-" cm'/ sTE增益峰值与电流密度的关系

在共面半导体激光器中，阔值电流通常随着温度而呈指数增加。 如第2章所述，这一关
系通常被写为

• 125 •
 兀 — T1
I 山 ：：：：：：： eT/T。 --+-T。二＝ (4. 92)
lnU2 / I1)
其中兀是表征激光器阙值电流的热行为的参数。 根据第2个方程可以通过两个不同温度
下的两个阙值测星值来估算 To 。 通过比较图4. 28 中的两组增益曲线，可以发现基千 lnP
的材料受温度的影响要比基千 GaAs 材料的更严重。 测量表明基于 lnP 的共面激光器的
兀值约为50~100 K，而基于 GaAs 的共面激光器的九值约为100~ 150 K。 这些值比图
4.28 中的理论曲线所建议的要小。 不过，还存在其他的与温度有关的效应。 例如，俄歇系数
本身就与温度有关，并且正如附录2的后半部所述，从有源区泄露出的载流子也对温度极为
敏感。

习 题

4. 1 降低的态密度函数决定了可能的总的能态对密度作为光子能最的函数，因此对于确定
增益谱的形状至关重要。 因此，有必要了解这一函数：
(a) 请绘出体材料 GaAs 从 GaAs 带隙能鼠到 Al 2 Gao .s As 带隙能员的 p,CE) 曲线。 。
其中包含 C-HH 和 C-LH 跃迁。
(b) 构想一个具有无限高势垒的100 A GaAs QW，绘出其 p r (E) 曲线，其中假设抛物
。
线型子带，并且考虑在 GaAs 和 Al 2Gao.sAs 体材料带隙之间所有允许的 C-HH
和 C-LH子带对。 在该曲线十叠加绘出体材料 GaAs 的 p,CE) 曲线。 请分析在这
些曲线之间观察到的任何对应关系。
(c) 现在请绘出(b) 中只考虑 C-HH 跃迁的 QW 的 pr (E) 曲线，在该曲线上叠加绘出
体材料 GaAs 的 pr (E) 的 C-HH 分星。 采用类似的方法，请分析 C-LH 跃迁。 请
分析在这些曲线之间观察到的任何对应关系。
(d) 从数学上推导出 (c) 中的比较结果的原因。 提示：先写出 QW 的 pr (E) 的阶梯边
沿与最子数的关系，然后（在某些替换之后）将其与体材料的 p r (E) 相比。
(e) 现在绘出实际 QW 的 p,(E) ，假设该 QW 是具有 Al 2Gao.sAs 势垒的100 A GaAs 。
QW（假设能带个连续值的60％发生在导带中）。 在图中，假设抛物线型子带，并
且考虑在 GaAs 和 Alo . 2Gao. 8 As 体材料带隙之间所有允许的 C-HH 和 C-LH 子带
对。 并且在该图中通过将能量范围扩展50％来考虑 Alo. 2 Gao.s As 体材料带隙对
千 p r (E) 的贡献。 在该曲线上叠加体材料 GaAs 的 pr(E) 。 在比较体材料 GaAs
和 GaAs QW 时，你是否定性地观察到在绘出的能量范围内存在的总的能态对密
度有任何变化？
4. 2 。 。
测量到的 GaAs/Al 2Ga 8As 100 A QW 的吸收曲线（忽略了激子效应）表明对于电场
位于 QW 平面内的偏振光 (TE 偏振），Cl-HHl 吸收阶梯的幅度为10 4 cm-1 o

(a) 确定该跃迁的微分寿命心。
(b) 根据已知的 TE 吸收，可以算出不同泵浦电平下的 TE 增益谱。 对千如下两个不
同的注入电平，绘出预期的从 QW 能带边到体材料 Al 2Gao. s As 带隙能最的增益 。
谱； （ 1 ）Eh>＞Ec] （即 E氏 --+-00
）且 EFv =Ehhl; (2)EF,>＞肛且 EFv =Ehh2 。 图中忽略禁
• 126 •
 戒跃迁、 C-LH 跃迁和体材料势垒跃迁。 并且假设能态对密度和重叠积分对于所
有的子带跃迁对都相同。 进 一 步假设 跃迁矩阵元不是能量的函数。 在计算中忽
略线性展宽。
(c) 该 QW 的 Cl-HHl 子带边处的每单位能量的可能的最大自发发射速率是多少？

其中假设任何方向的偏振光的速率都相同。
(d) 只考虑 C-HH 子带跃迁对，假设单 一 QW 有源区的侧向尺寸为 2 µm X 200 µm,
为了支持 (b) 中绘出的两个增益谱所需的 辐射电流是多少？在计算中，假设在
Cl-HHl 子带边计算的光模式密度与 gmax 都是常数。 并且假设任何方向的偏振
光的发射速率都相同。 其中令 EFc - ～来确保包含所有能量的自发跃迁。
(e) 请解释为什么 (b) 中给出的准费米能级位置是不现实的？

4. 3 上一个问题通过 EF, ---=得以简化，不过 EFv 仍为有限值。 在此情况下，电子密度要比

空穴密度高得多。 实际上， 在高注入条件下有源区的电荷中性要求电子和空穴的密度
相等，因此上一 问题并不实际（但是有利千学术研究）。 还可以采用另一种更为实际的
简化方式来包含电荷中性，其中在分析中忽略除了最低的 Cl-HHl 子带跃迁对以外
的所有跃迁对。
本题利用该近似来研 究导带和 重空 穴 带之 间 的 有 效 质 最的 不 对 称 性。 定义
D=mhh/m, ，请证明电荷中性导致 Cl 和 HHl 子带边的费米函数之间具有如下关系
（忽略所有其他的子带和体材料跃迁对）：
!1 (Ehhl )= (1
一
八(Ec1 )) 11D (4. 93)
利用式(4. 93)，请绘出对千对称(D=l)和非对称(D=5) 能带（假设两种情况下的 mc
相同），如下变最作为 Cl 子带边处填满能态部分（从 0 到 1)的函数：
(a) HHl 子带边处的空的能态部分。
(b) 受激吸收和受激发射的费米因子。

(c) 每种情况下用可能的最大增益归一化的子带边增益。

(d) 用 f2 CEc1 ) =O. 5 处的密度归一化的载流子密度。

这些曲线表明在非平衡条件下工作的对称和不对称能带结构之间的基本差异。
(e) 作为填满的 Cl 子带边能态部分的函数，两个能带结构中的哪 一 个最先达到透明

态？为什么？
(f) 对称和非对称能态 结构中的哪一个具有最低的透明态载流子密度(g = O 时的载流

子密度）？每种情况下的归 一 化载流子密度的值是多少？假设辐射电流密度大致
2
服从 BN 关系，两种情况下的透明态电流密度的差别有多大？
(g) 请推导微分增益 dg/dN 的表达式，其中直接包括 gmax 与 D 和 m C 的关系（忽略线
形展宽）（最好开始令 dg/dN=(dg/df2 (Ec1))/(dN/d八 (Ecl ) ）)。 对称和非对称
能态结构中的哪 一 个在透明态提供更 高 的 微分增益？高多少？请定性 地 解释该
现象。
(h) 在 QW 平面上采用应变可以急剧降低共面的重空穴有效质量。 根据上述分析，以
及你所了解的无应变GaAsQW的有效质量的不对称性，请定最地分析应变QW
• 127 •
 会产生什么样的性能变化。 在激光器的有源区内是否应该采用应变 QW? 好处
是什么？
4.4 假设一 个应变 QW 在导带和价带中具有完全对称的子带结构，其中考虑了子带曲率
和子带间隙（并且假设只存在重空穴子带）。 现在在未泵浦的激光器中，最低子带跃迁
的模式吸收损耗（没有激子效应）的测植值为 400 cm-1 。 如果我们想要确保当模式增
益小于 200 cm 1 时的 n = l 增益总是大千 n = 2 增益，可以允许的两个最低导带能态之
间的最小子带间隔是多少？这里假设 gmax 是常数并且对千每个子带跃迁的幅度都相

等，并且忽略线性展宽效应。
4. 5 比较附录 6 与第 4 章，心与 IMT 尸的关系是什么？
＂ ”
4. 6 利用简单的 宽面 （即无限宽的条形）阙值载流子密度可以算出表面复合速率，然而在
现实中载流子密度分布形状在有源区横截面内变化，尤其是当有源宽度很窄时。 本题
将分析有源区内载流子的有限扩散常数的影响。
假设有源区内的载流子密度足够高，电子和空穴扩散分布之间的差异将建立 一 个电
场，从而将两种密度拉到近乎相等的分布上。 在双极性扩散限制下 ，电子向上拉动 导
致空穴扩散速率增强 一 倍，而空穴向下拉动将电子扩散限制在近乎两倍千正常空穴扩
散速率处。 其总效应导致可以 假设电子和空穴密度在有源区内的任何位置都相等，并
一
且可以用同 个双极性扩散常数 D np 表示。 载流子的侧向分布由一 个扩散方程表示：
2
d N(r) ＝－匡 N（x)
D np 2 ＋ (4. 94)
dx qV ' Tnp
载流子寿命通常是N的函数，然而为了获得解析解，我们可以算出宽面阔值处的寿命
Tnp I th = qL,N,h/J,h o
需要求解图 4. 13 所示的共面激光器的有源区宽度内的载流子密度分布形状。 此时可
以定义两个不同的区域： 一 个在接触层下的w宽度内，假设这里具有均匀的电流注入
分布；另一个在 w 宽度以外 ，此处没有电流注入。 数学上，定义条形的中心为x = O ，当
x<w/2 时 I(x) = I。，当 x>w/2 时 I(x) = O 。 在制作激光器时，可以将条形以外的有
源区原样保留，或者通过在接触区域以外蚀刻穿过有源区来将其去除。 第一 种情况导
致载流子外扩散，而第二种情况导致表面复合。 希望来比较这两种情况。
CD由千有源区远离接触层，载流子自由扩散到条形宽度以外。 绘出这 一 结构的简图
并求解式(4. 94)得出条形内外的 N(x)值，其中假设载流子密度及其导数（即，扩散
电流）在 x = w/2 边界两侧为常数。 请定性地绘出 N(x)。
＠ 蚀刻掉有源区之后，载流子在表面复合。 绘出该结构的简图并求解式(4. 94)得出
条形下面的 N(x)值，其中假设扩散电流（定义为载流子密度的斜率）等千表面复合
电流在 x = w/2 边界处的值 D np dN/dx = -v,N。 请用扩散等效的表面复合速率
vsD = ✓Dnp/Tnp 来表示该结果。 定性地绘出 N (x)。 对比CD中的N(x) 和＠中的
N(x),v、D的重要性是什么？请证明当 Dnp ---= 极限时恢复式(4. 65)。
假设注入电流为 166 . 4 A/cm气与 图 4. 14 中的宽面 阙值相对应），条形宽度为
2 µ m，在同一个图中绘出如下 4 种不同情况下的 N(x)曲线：（ l ）CD中的 N(x) ，以
及当(2) V、 = 1Xl04 cm/s(3)v, = 1 Xl05 cm/s (4)v,=5Xl05 cm/s 时＠中的
• 128 •
 2
N(x)。 所有 情况下都假 设D 0P = 20 cm /s。 同 时请绘出条 形 宽度为10 µ.m 和
20 µ.m时的曲线。
图4. 14中定义的单械子阱共面激光器在上述注入电流密度处于激射状态。 然而，
其有限条形宽度减少N倍，从而 降低 增益，导致无法在166. 4 A/c面处激射。 假
设为了激射，注入电流在条形中心处建立的载流子密度必须等于宽面阙值载流子
密度，请计算并列表给出上 述所 有12种 情况下 的新的阙 值 电 流 密 度。 请将
(2)~(4)的阔值电流密度与利用关于式(4. 67)所讨论的相同方法所得出的结果相
比较。 回答如下问题：
(a)引人载流子扩散将如何影响表面复合电流的幅度计算值？
(b)何时需要考虑载流子扩散？
(c)含有载流子外扩散的阔值电流密度（分布(1)）与3种不同的复合速率分布形状
相比如何？能否利用 vsD 来理解这 一对比？
(d)对千InGaAs QW有源区，蚀刻穿过有源区是否有利？
(e)对于GaAs QW有源区，蚀刻穿过有源区是否有利 ？
与简单地令 N(O)=N山相比，现实中的阔值激射条件更为复杂，因为材料增益
在条形边沿处变缓，导致总的模式增益降低。
(f)请定性地讨论如何通过考虑这一影响来修正阙值以上的电流密度。
4. 7 请构建一个与图4. 16类似的图形，并讨论应变对CCCH俄歇过程的阔值能址的影
响。 假设一种情况下D=5，另 一 种情况下D=l（参见习题4. 3中D的定义）。 请参
考附录12来定最得出每种情况下4种能态的精确位置（使用体材料GaAs 下me 和
止的取值）。 请分析阙值能最的这一差异将如何影响给定电子和空穴密度下的俄歇
跃迁速率？

• 129 •
 第5章 动态效应

言
5.1 引

第 2 章通过直观分析，推导了有源区中的载流子密度和某 一 光模式的光子密度的速率
方程，并且讨论了速率方程的稳态解在阙值以下和阙值以上的限制来理解激光器的丁作。
此外还首次分析了激光器的小信号强度调制响应。 本章将深入展开所有这些简化分析，并
根据第4章中的结果来估算各种产生和复合速率。
首先总结一下第 2 章获得的很多结果。 利用这 一 回顾可以便千参考有关的各个公式。
随后将从速率方程的微分分析着手来研究各种动态效应，并推导出激光器的小信号强度和
频率调制响应以及小信号瞬态响应，然后求出速率方程的大信号解。 这里将讨论激光器的
接通时延以及频率啸啾和调制输出功率 之间的 一 般关系。 随后将考虑激光器噪声。 利用
Langevin方法，将确定激光器的相对强度噪声(RIN)和激光器输出的频率波动，由此确定激
光器的频谱宽度。 此外还将讨论注入电流噪声对确定大功率下的RIN的影响，并检查无噪
声激光器T作所需的各种条件。
在最后两节中，将分析各种特殊类型激光器中的动态效应。 第5. 1节将分析分别限制
异质结(SCH)扯子阱激光器中的各种载流子传输限制，第5. Z节将讨论扩展式腔体激光器
中弱外部反馈的各种影响。

5. 2 第2章回顾

图5. 1总结了第2章中为了获得速率方程所采用的库模型。 为了确保粒子数守恒，流

程图中的每个箭头都代表每单位时间内流通的粒子数目。 这就是为什么要将每单位体积的
速率和密度都乘以载流子库的有源区体积V或者光子库的模式体积队的原因。 在推导速
率方程之前，先来简要回顾一下流程图从输入到输出的过程。
从载流子库出发，已知注入激光器的载流子速率I/q。 在这些载流子中只有n I/q
l 部分
到达有源区，其中刀，是第 2 章介绍的激光器的注入效率或内部效率。 其余的部分在器件的
其他位置复合（其中包含所有那些复合速率与有源区内载流子密度没有直接关系的载流
子）。 一旦进入载流子库，这些载流子具有几种不同的选择。 有一些通过非辐射复合以速率
Rn,V 复合。 其余的以速率Rsp V 通过自发方式复合，其中一部分会以速率R:p V （或者
/3｀ PRsp V，其中肛是自发发射因子）发射出光子进入有用的模式。 其他的载流子以速率R21 V
通过受激发射复合进入有用的模式。 虽然其他模式内 的光子也引起载流子的受激复合，先
• 130 •
来讨论一个模式的情况。最终，光子库内的光子也可以被吸收，以速率R1 2V 产生额外的载
流子源。在第2章中，还考虑了可能以速率R1V 通过侧向扩散和／或热发射从有源区 泄漏出
的载流子。但是由千R1V 通常可以忽略不记，并且在速率方程中的角色与Rn ,V一 样，因此本
章对其不予考虑（任何时侯想要包含载流子泄漏，都可以令Rn , ___..Rn ,+R1)。
liq

热与光

i
R叩 V

冒
， psp
R
r
口

NPT
vpp
·

，
Np Vp
Po
光子库

一
NP vp
(I九） T
热与光

图5. 1 用于分析半导体激光器速率方程的模型

在光子库中，进入该模式的受激发射速率和自发发射速率导致了所需的光子产生速率
为R2 1 v+R: p v。有源区内的受激吸收以速率R1 2 V消耗光子。所有其他的光子以速率
N P 讥飞离开腔体。在所有离开腔体的光子中，只有 1J 。N p
Vp /rp 部分穿过 有用的镜面离开，
从而被收集为有用的输出功率P。，其 中n。是下文将定义 的激光器的光效率。剩余的光子
将穿过不同的镜面离开腔体或者通过如下方式消失：（l）有源区内的自由载流子吸收（不会
增加载流子密度），（2）有源区以外的材料吸收，和／或(3)粗糙表面的散射。

5;2.1 速率方程

令载流子和光子的时间变化速率等于进入相应库的总速率减去从该库出去的总速率，
可以立刻得到载流子数和光子数的速率方程：
dN T/i I —
v －＝— (R, p +R n ,)V— CR21 -R 12 )V (5. 1)
而 q

VP
VP詈＝（R21 -R 12 )V—凡 +R'sp v (5.2)
吓
利用式 (4. 32) 令R21 -R 12 = vg gNP ，分隔开各项，并利用I'=V/Vp（根据队的定义），可以获
得第2章推导的密度速率方程的更为通用的形式：
I
dN 1J ,
dt
(R, p +R0 ,)-v.gNP (5. 3)
qV
dN 1
忑p ＝ ［I'v gg — 伈＋I'R'sp (5.4)
言
• 1 31 •
在分析激光器时是采用密度速率方程还是数目速率方程完全根据个人喜好气本书将采用
密度形式。 该选择要求在所有各处都必须明确包含V和队从而保持更好的记录 （正如第
5. 5节所示），但是最终将获得更为常见的载流子密度和相应各项（例如微分增益，以及A、
B、C系数等）。
为了完整地描述这一过程，该模式的输出功率和所有模式的总自发发射功率定义为

P 。 = TJ 0 hv
N P VP
吓
和 P,p=hvR , p V (55)
.

其中
吓
1/o =F 知十(a 〉 (5. 6)
,
将这里定义的光效率与注入效率相乘就可产生第2、3章中定义的微分量子效率，Y/d= ？爪。 式
(5.6) 中的前因子是没有被反射回到腔体的那部分功率，正如第 3 章所推导的，这些功率作
为有用的功率从输出耦合镜面输出。 通常定义镜面损耗为am=(l/L)ln Cl/r1r2),(a,〉是
腔体内存在的所有内部损耗的空间平均。 光子寿命为
1=
— v.(am +<a,〉）＝竺 (5. 7)
TP Q
其中 Vg 是包含了材料色散和波导色散的有用模式的群速度。 在复杂的多节段激光器中有
必要采用用腔体的Q值表示的更为通用的r p 定义，因为这时很难定义a m（参见附录5 的后
半部分）。 在这种情况下，可采用定义：Q==w（腔体内存储的能最）／（总损耗功率）。
利用式(4. 49)令式(5.4)内 R:P =I'v.gn, p /V。 不过通过令 R'sp 一
pSP R sp ，并计算肛在阙

值处的值，可以获得一个有用的 R',p 近似式：

肛哼sp th
=
I'v g gnsp
1J , 1J J/q
|
I th
＝工尸］
I h吓
t , r th
1J 1J
（5.8)

其中利用式(4.60) 来定义 psp ，并且 = Rsp /（ Rsp +R nr ) 。 后一等式利用了式(5. 11)。 对千

1J r

短波长材料，括号内的项在阔值处的值通常在1.5和2之间，但是对千长波长材料由于低的
辐射效率（高俄歇复合）其值可高达 10。

5.2.2 稳态解

令方程式(5.3)和式(5.4)的时间导数为零，可得两方程的稳态解。 用式(5.4) 求解稳态

光子密度并用式(5.3) 求解直流电流，可得
I'R:P (N)
N µ (N)= (5. 9)
1/Tp — I'v.g(N)

I(N) ＝仪(R, p (N) +R 0 , (N) +vg g(N) 凡 (N)) (5. 10)

7,
正如其功能所示，可以将N视为系统的独立参数，通过调节该参数可以确定电流和光
子密度的不同的值。 求解式(5.9) 中的 Vg gNP ，利用下式(5.11)来定义 g th ，可将式(5. 10)

0 请注意，在密度形式中，在光子密度速率方程中的增益项含有几而不是在载流子密度速率方程中 。 但是在数目
速率方和中，增益项是对称的 。 文献中通常都忽略了密度速率方程中的这一对称性 。
• 132 •
改写为
心
I(N) ＝ (R,P(N)-R: P (N) +R n,(N) +v.gh ,凡(N)) (5.10')
TJ i

该式的右侧更清楚地确定了电流的最终流向。实际上，在图5. 1 中沿着整个载流子 光
一
子 系统画 个盒子，然后令向内的流扯与所有向外流量的总和相等，就可以推导出式
(5. 10')（与此对应，式(5. 10)是通过只在载流子库外画盒子得出的）。
为了更好地理解式(5. 9)和式(5. 10)，首先来考虑几种限制形式（阙值之下与之上），然
后绘出各方程在整个范围的形式。正如第2章的定义，阙值增益和载流子密度为
1
I'v
g,h==
g
—
和g(N,h )=g,h (5. 11)
吓

下文的前两种情况将分析(1)当增益和载流子寿命远小千式(5. 11)取值时的现象，和(2)两
参数接近其阙值时的现象。
1.例：远低千阔值时
g«l飞时，可以忽略式(5.
当N«N,h且I'v g 9)分母中的 I'v
g，稳态解变为
g

N"(N) = rR :"(N)吓 �o (5. 12)

(5. 13)
心
I(N) ＝ (R,"(N) + Rn , (N))
1/ i
且

。
P ::::::::o和 psp= 7兀
hv
产 (5. 14)

该模式的功率可以忽略不记，因此注入电流只需重新补给那些因为自发复合和非辐射复合
而损耗的载流子。其输出功率接近于零，自发功率以近乎线性的方式随着注入电流而 增加
（如果俄歇复合很显著，因为 7r 减少，该 增加将低于线性）。式 (2. 5) 和式 (2. 7) 也求出了这
些解。当逐渐接近阙值时，式(5. 9)的分母变得很小，该模式的功率开始增加。
2.例：高千阑值
当N_..N,h且I'v.g_..
l冗时，可以在 N th 处计算式(5. 9)和式(5. 10)中的所有各项，除
了式 (5. 9) 的分母以外，因为其中包含了阔值 增益与实际增益的差值。这些项包括：
R's (N th )／vg
N"(N) = p — (5.15)
g th g(N)

g
I(N)＝吐(R,P (N,h ) + Rn,(N, h )）＋吐Vg th 凡(N) (5. 16)
T/ i . T/ i
且

P。 = 7刀。:(I-I th ) 和Psp=" I th 序 (5. 17)

通过重新整理式(5. 16)并利用Vv.g,hN
p P
= 。/（10 hv)，可以得出式(5. 17)中的输出功率。
定义激光器的阔值电流为
心
I th ＝ （R,p(N,h )+Rn ,(N,h)) (5.18)
1/ i
在高于阔值时，输出功率随着电流而线性 增加，自发功率在阔值处饱和。由式(5. 15)可见，
• 133 •
对于有限的输出功率（和有效电流），N 和 g 实际上永远不会到达 N ,h和 g,h。 两者都保持在
＂ ”
略 低千其 阙值 的位置。 其解的推导还见千式(2.30)和式(2.36)。
对于肛相对 较大的激光器，需要对 上述推导进行轻微修改。 例如，将式(5. 16)与式
(5.10'）相比可发现，在 推 导 式 (5. 16) 时 （当令 g-g th 时） 无意中去掉了一 个 因子：
� R:p(N,h 八在式（5. 10')中令 N p--- o 可 获得更为精确的阙值电流。 这样可将式(5.18)修
改为

I,h = �((l — 肛(N,h))R,p (N,h) + R , (N,h))

n (5.18')
T/'
这里定义的阙值电流代表了当载流 子密度接近 N th 时产生的输出功率值所对应的 L I
- 曲线
上的偏移最。 如果 可以忽略非辐射复合，即当肚 (N th)？]时，阔值电流降为零。 在这种
“ “
无阙 值 激光器中， 所 有的注入 电 流 都被转化 进 入 激 射 模 式。 对 于典 型 的 激 光器，
{1, p(N,h)«l ，式（5. 18'）化简为式(5.18)。
利用式(5.17)，可以将阙值之上的电流写为

I =I,h十且
P
。 (5. 19)
hv 1/月o
附录17分析了几种在给定输出功率时如何使该式最小化的方法。
3. 例：低千与高千阐值
为了观察低于和高于阔值之间的过渡，有必要将式(5.9)作为式C 5. 10)的函数形式绘出
来。 图 5.2 所示 为当 N 从 0 到 N th变化时， 一 个典型的共面激光器和 3 种 VCSEL 的各种
- ) 曲线。 有关 VCSEL 和共面型结构的细节请参照表 5.1。 这些曲
参数下的光强－电流(L I
线利用表 4.4 获得 g(N)，并结合表 4.4 和表 4.5 获得 R, p(N) + R , (N) （参见式(4. 90)）。
n

可以通过增益计算CD直接获得 R'.p (N) （图5.2(a)中的实线）或者利用式(5. 8)来近似 R'.p (N)，由

此来定义肛的阙值（图5.2(a)中的虚线）。 从这些范例可以看出，当电流增加到阙值时，/3,p
实际 减少了30%。 其结果是在电流较 低 时，近似的虚线将功率值低估了大约30%。 在阔值
以上，输出功率与肛值无 关，如式(5.17)所示。
“ ”
- 曲线©都显示了输出功率突然增加了约30 dB（或者对千
图5.2(a)中每个 理想 的 L I
小型 VCSEL 约为 20 dB)。 当然这 一 剧烈的变化与激光器的激射阙值相对应，并且表明激
射的转折是非常急剧的。 在激射阙值之下，模式内的功率主要 来自于自发发射速率 rR: p
该功率通常低于l µ W并且器件越小该值越大，这是 因为进入激射模式的自发发射部分随

着模式体积的减小而 增加（参见图(4.49)）。 随着电流的增加，增益接近等于损耗，受激发射

速率急剧增 加。 对于最 大的 VCSEL 和共面激光器， 这一现象发生在大约 o. 7 mA 和
大约1.1 mA处，而小型 VCSEL 由于有源区体积较小因此只需要大约 o. 2 mA 和大约
30 µA。 在激射阔值之上，所有曲线的斜率都接近于单位1，这在log-log曲线上意味着功率

心 令R; p (N) = I'v,gn,µ/V，可利用增益计算求得g和nsp 作为N的函数 。 对千第4.6节分析的lnGaAs/GaAs soAQW,

通过gn,µ = (850 cm- 1 )Xln(l＋N'/2）（其中N的单位是101s cm- 3)可以很好地模拟算出的增益—粒子数反转因子乘积（当
g<2 500 cm 1
时）（如果需要，可以将该结果与g的曲线拟合相结合来计算g>O时的n, p 值） 。
＠ 这里的L-1曲线是理想化的，因为它忽略了高注入电流时的表面复合和加热现象 。 在实际器件中，表面复合将
导致为了到达阔值所需的电流增加（尤其对千小型器件）而加热将限制器件的最大输出功率 。
• 134 •
和电流之间具有线性关系。
100

IO

。
夕 E迳

0
2
恲 云 壬涯
l
0
l l l
0 0
4
,
0
6]
。
l

,
10 - Ol l 10 100
电流lmA
(a)
5

2 500
250 µm X2 µm IPL
(A u I OX )}IC

2 000

g
o
0
l
5
3

祖 莹 蕊 I长
(u

o
0
2

1
0
乒

。
01X )N

05 I 15
电流／mA
(b)

注： （a）图：两个侧向尺寸不同的3QW VCSEL和一个单QW共面激光器(IPL)的光强与电流之
间的关系（所有这些激光器都采用lnGaAs/GaAs 80A.QW) 。 （b)图：同一个共面激光器的光
强与电流之间的线性比例曲线。 该图还显示了载流子密度和材料增益与电流的关系

图5. 2 光强与电流之间的关系曲线

图 5. 2 的 (b)图更为清晰地阐释了共面激光器在阙值之上的线性 L I- 关系。 第 2 章将
阙值附近的 LI 曲线近似为 L-I 斜率上的不连续变化，但是从该图可以更为准确地将其视
为一 个拐点。 对于小型器件，由于进入模式的自发发射速率更高，因此该拐点更为柔缓。 不
过在实验测量中，探测器收集到的光通常包含了激射模式以外的自发发射，这也会导致激射
的转换过程显得更为柔缓。
图5. 2的(b)图还显示了载流子密度和材料增益作为电流的函数。 在阔值以下，可以观
察到载流子密度与电流之间的关系近似为二次型，而增益与电流的关系近似为对数型。 在
此例下，有源材料的透明态发生在闽值的三分之 一 处。 在阙值点，载流子密度和增益在其阙
值附近锁定。 高出阙值时，载流子密度和增益继续增加，但是其增加最只有百分之 一 的量
级。 因此正如第2章所采纳的，从实际角度考虑，可以在阙值之上令N=N,h,g=g,h。 唯一
不能采纳这 一近似的情况就是当需要了解Nth —N或gth—g的差值的时侯。
• 135 •
 对于图 5. 2 阐释的载流子锁定机制，最佳的理解方式可能就是定 义 一 个受激载流子寿
命m并将总的载流子复合速率写为
N , N , N
Rtot (N)＝ — — — + + (5. 20)
T sp Tnr T st
其中
1 +
— 1 =
1 — _R,p+Rn ,
(5. 21)
rs p rn r N

Ts t ＝ ～
N _ N,h 1
(5. 22)
v.gNP v.g,h N P

受激载流子寿命与光子密度之间的反比关系构建了一 个负反馈环路，从而避免了 N 增加超

出其阀值。 例如，随着电流的增加并且锁定的载流子密度朝着 Nt h 增加时，增益增加更接近
于 g th，从而通过式 (5. 15)来增加输出功率。 该输出功率的增加使 rst 降低从而足以避免 N
继续增加，因此通过光子密度对受激载流子寿命的控制而维持了载流子的锁定。 这 一 相互
作用导致在阙值之上的所有注入电流 TJ i (I — Ith) 都被自我调节的 N/r" 消耗了。 因此
n,（I-Ith )被定义为 受激发射电流。 请注意，当 1/r" = 1/r,p + 1/rm 时（即当刀 ， （ I － Ith) ＝刀 ， Ith
时），激光器处于阙值的两倍之处。

5.2.3 稳态多模解

正如第3章所述，如果没有仔细地设计激光器腔体，就会不可避免地存在多个不同的腔
体谐振模式（或者是轴向或者是侧向），这些模式需要类似大小的增益来达到阙值。 更糟的
是，半导体材料的增益谱非常宽，通常可以在至少儿个模式间隔的范围内提供几乎均匀的增
益。 此时在某 一 给定注入电流下，对于不同的腔模式，式 (5. 15) 中的增益差 gth-g 都是相
似的。 其结果就是，在不止 一 个模式内都可以积累光子密度。
在这种多模状态下，每个模式的光子密度的稳态解都保持与原先不变，但是稳态电流必
须包含所有 m 个模式的分量：
几R:pm
Npm = — (5. 23)
1/rp m I'mVgm gm
qV (5. 24)
I= (R,p+Rn ,+ �芞 m gm Np m )
7i m

图 5. 3 绘出了上文分析的共面激光器的 3 个模式的稳态光子密度式 (5. 23)，其中假设模式

0 、 1 和 2 的阙值模式增益分别为 50 、 60 和 70 cm-1。 根据上文的讨论可知，对于有限的电
流，载流子密度不会超过 N,ho 。 这样，模式 1 和 2 的功率不会超出图中显示的值。 因此就像
自发功率在阙值处饱和 一 样，边模的功率也将饱和气但是， N,hl 和 Nth2 越接近 N,ho ，该最
大饱和功率值也就越大。 正如第 3 章所得出的，由式 (5. 23)可以确定模式抑制比（定义为主
模功率与任一边模的功率之比）。 请注意，由千边模的功率会锁定，因此随着主模功率的增

0 。
实际上，高光子密度导致的增益压缩可以迫使N增加从而维持g ""'g,ho 。 其结果是随着主模功率的增加，N可
以略微超出N,ho，边模功率可以在某种程度上超出图5. 3显示的值 。
• 136 •
加，MSR将线性增加。
lO

。
P。

A 旦 祗 否 壬觯
o
l
2

:…:·?：
o
l
3
o
l
,

龟．

，
："

N
婴上
N'
：
勺
10

h
\：一
4\

6
2 载

3
阳
x
，
O
密

m
流

c
子

8
注 ： 模式0、 1和2的阔值模式增益分别为50、 60和70 cm--1 o

图5. 3 一个SQW共面激光器的3个不同模式的光强与载流子密度的关系

5.3 速率方程的微分分析
如果要观察激光器对于系统的某种微扰（例如电流调制）是如何动态反应 的，必须分析
含有时间导数的方程式(5.3) 和式(5. 4) 。但是，无法获得全部速率方程的精确解析解。因
此如果需要解析解，必须采用某些近似。本节在分析速率方程的过程中将假设载流子密度
和光子密度距离其稳态值的动态变化量很小。通过对这两个速率方程取微分就可以获得一
个变扯相对千另一个变晕微 扰的这种小信号响应。将I、N、凡和g视为动态 变量，
式(5. 3) 和式(5.4) 的微分变为

叶譬］＝芷dl — 上dN— v,gdNP -N奴gdg (5.25)

qV

¾
Tt,N

叶詈］＝［I' v gg
—
]dNP +NP I'v , dg+tdN
Tt,N
(5. 26)

其中
1 dRsp dRnr
�=�+��A+2 BN+3CN2 (5.27)
五N dN'dN

之＝岱～ 2[3; P BN＋惊 N B

2
(5.28)

微分载流子寿命rc,.N与本地斜率dR/dN有关，而总的载流子寿命r与总斜率R/ N有关。
由于R与N之间具有二次和三次的混合关系，rc,.N通常比r小2~3倍。用来使光子辐射进
入激射模式的载流子微分寿命r伍通常在几十毫秒的量级，在大多数情况下可以忽略叭
e
)

将1/r岱定义为

: ＝ 吁喉（ 1+n干节）气芒器
可以对该值设定最大限制。 括号内第二项的取值从透明态的 一 1直到无限泵浦电流时的0值 。 这样，后一不等式定义了
l/七母在正增益时的最大可能值 。

• 137 •
 将 所有动态参量在其稳态值周围以形式x(t) =.T。+ d .T（t) ，得到式 (5.25)和式 (5.26)。
忽略含有两个或多个小信号项的乘积项，并消除稳态 解， 可 以获得一组与式 (5. 25)和
式 (5.26) 等价的 dN(t) 和dN P (t) 的近似速率方程。其实第 2 章已经执行了这 一 过程。采
用不同方法只是 采取 一 种重为直接的途径来 获得所需方程。
假设 增益变扯 dg通过下式 同时受到载流子和光子密度 变化的影响 ：
g
d = a dN-a PdN P (5. 29)
一
可以进 步将该变星展开。这里的符号用法 表明：增益随着 载流子密度的增加而增加， 而随
着 光子密度的增加而减少或被压缩。第4章表明，可以用一个对数函数来很好地近似增益
与载流子密度 之间的关系。我们还知道增益与 (1+€Np )成反比，其中常数c被称为增益
压缩因子。这样可以将增益近似为

g (N, N p)=�
�
N+N,
In(�) 。 (5. 30)

根据该表达式，增益微分为
ag
a = �=
g a 。 ＝ 。 (5. 31)
aN (N+N、)（1+eN p) � (1+eN p)
ag = eg
a P= — (5.32)
aN P O+eN p )
在式 (5. 31) 中 ， a。被定义为额定微分增益：当光子密度 为零时（没有增益压缩）a的取值。还
—
请注意，a 或者a P 都不是常数 两者都随着密度的增加而减小。
用式 (5. 29) 代替 dg，合并同类项，并定义一套速率系数，微分速率方程 变为
上＝ V心业1+_g_d nsp 《立立扭
｀ 讥 dN[ n sp dg ]玑 dN

d d = 7 d
—
dt
( N) ----'-- l —
YNNdN-yNPdN P (5. 33)
qV

盖( N )
d
P
=
rrNdN — 丫ppdN P (5.34)

其中

YNN= —+v
五N
g aN p ,YNP= —-——
1 R'.
I'm N
v
P
g a sN P
(5. 35)
r = rR sp
YPN =
千 +I'v g aN ，丫pp
P -＋I'v g a pN p
- —
巨N NP
已经利用稳态 关系 1/rp —I'v gg =
I'R 切N（参见式（
p 5. 9) ）替换了上述定义中的g。 为了解
“ ＂
释各速率系数的角标，有必要记住 先果后因。例如，YNP 定义了P的变化 对 N的影响（即
N p )。这种记忆法可以使我们迅速地将YNN 与微分载流子 寿命联系起来，将 丫pp 与有效光子
寿命、YNP与增益、YPN 与辐射进入该模式 的载流子的微分寿命联系起来。增益式（5. 29)的
变化 还在由N 、YN N和YPN 引起的各速率之上增加了一个正比千a的微分增益项，并在由
N p 、YPP和YNP 引起的各速率之上增加了一个正比千a p的增益压缩项。除了小信号假设以
外，这些速率系数 没有包含任何假设。在远高于阔值的地方,N p 足够大，这样 有几项可以忽
略，各速率系数简化 为
YNN= 1/rt.N +v.aN P ,YNP=1/I'r p — v.a PN P （高于阔值 ） (5.36)
YPN =
I'v.aN P ,YPP =
I'v.a PN P
• 138 •
表5. 1列出了两种特殊激光器结构的上述各参数及其各相关参数（其中假设在阔值处和阔
值以上有N=N,1, l,�o)。
引入各速率系数的目的在千可以用 一 种简洁的矩阵形式来方便地描述微分速率方程：

盖［］勹＝厂
y

;p: / ;PP]
y

［ d 勹＋｀［勹
dN
(5.37)

在该形式中，电流被视为驱动项或施力函数。在下文分析半导体激光器的噪声时，将用各种
噪声源来代替电流施力函数。如果需要，还可以选择任何其他的参数来作为施力函数。例

如，如果可以以某种方式调制镜面损耗，则可以用vg Np l — d仁］替换式（5. 37)中的最后 一

』
项来继续该分析。各速率系数可以保持不变。
对于多模小信号分析，可以用 一 种自然的形式将式(5.37)展开：

:tl NN[l
d dN
:N m l 飞°
—
YNN 0 II
d Y:: P
P dN (5 38)

0
：
言
人

三罣言/t 昙 1
导

: f:
三换勹
：
获来：
气；

表 s. 1 两种激光器结构的常用系数一览

参数 共面激光器 VCSEL
d

80 A 10 µm

w 2 µm 10 µm

I
勺 250 µm 3X80 A

L 250 µm 1. 15 µm

I '" 0.032

I' 之 1.83X0.020 9 = O.038 2

V 4X 10- 12 cm3 2.4Xl0 12cm3

VP l.25Xl0 10cm3 0.628X10- 10 cm3

勹 0.32 0.995
a

45.6 cm- 1 43.6 cm 1

m

a l 5 cm 1 20 cm

Fl 0. 5 0. g

加I �1/,1/o 0.8X0.45=0.36 0. 8XO. 617=0.494

g,h 1580 cm 1 I 665 cm - 1

石， 2. 77 ps 2. 20 ps

• 139 •
 续表
参数 共面激光器 VCSEL

阙值处：
N ]1 1l 7

3.77X1018 cm " 3 3.93X1018cm-3

t
、
，
h

178.3/0.8 = 223 A/cm 2 575.2/0.8=719 A/cm 2

h

1.11 mA 0.719 mA
r

0.840 0.829
a 5.34X10--15 cm2 5.lOX10-16 cm2
ap 2. 37X10 14 cm 2
2.50XJo-1 4 cm2
2.71 ns 2. 63 ns
千J

rA\ 1.57 ns 1. 52 ns
， 44.3 µs 23.0吟
TAN

nsp 1.13 1.11

R'sp 1.02 X10 23 cm 3
/s 2.09X1023 cm叮s

/3、p I,h 0.869X10 飞 l.69Xl0 4

。
P 1�1 mW处：
3. 31 mA 2.32 mA
N,' 2.43Xl014 cm - 3 2.80X1014 cm-3
YNP l.12Xl013 s-1 1.18X1013 s-1
YPN 2.95X10 s-17
3.88X107s ·I
YNN 1.56Xl09s-1 1.67X109 s -1
-
YPP 1.32 X 109 s - 1 1. 93X 10 9 s- 1
压（式(5.49)) 2.907 GHz 3.423 GHz
约压（式(5.51)) 2.904 GHz 3.418 GHz
Y 2.88X109s~l 3.60X109 s-1
Yo 0.651X10 9 s- 1 0.686X10 9 s-1
K 0.265 ns 0.250 ns
(t>v)s1 1.07 MHz 2.27 MHz
RIN peak —112 dB/Hz -111 dB/Hz

两种激光器的材料参数
有源材料
Ono. 2 Ga0.8As/GaAs BOA QWs@ 980 nrn)

Curve fits(from Chapter 4):

N 口 ，N,,goN l.8Xl0 18cm -3,�o.4Xl0 1 8cm· 3 ,1 800 cm-1

。
J t r, J S, g J 50 A/cm2 ,�10 A/cm2 ,l 100 cm 1

。
J t r, J S, g J (],,,only) 50 A/cm2 ,0,1 440 cm· 1

gn,p 850 cm- 1 X ln[l + (N/1018cm-3) 2 /2]

Vg 3/4. 2X10 10 cm/s

1/, 0.8

1.5X10-17 cm3
A B C

假设可以忽略不计

0.8X10 -1 0 cm3 /s（见图4.23)

3.5X10-3 o cm6 /s

• 140 •
 5. 3.1 小信号频率晌应

为了获得正弦电流调制d I(t) 下的小信号响应dN(t) 和dN P(t)，假设解的形式为

d I(t)＝ Il e Jwt

dN(t)= N匡w
t

dN P(t)= N µl e iwt
(5. 39)
令d/dt-+jw并重新整理式(5. 37)可得

尸
｀＋即YN P
—YPN
] ［
N
Ypp +Jo N p1
]
=
？
qV
I

厂o] (5. 40)

该矩阵的行列式为
YN N+jw YN P
A= =(
YNN +jw)（丫pp +J吩十YN PYPN
—YPN 丫pp +jQ

= YN rYrN +YNN丫pp
—
矿十jw(YNN 十丫pp) (5. 41)
由此，可以采用Cramer法则来获得 用调制信号表示的小信号载流子密度 和光子密度：

。
TJJ1 1 11 YN P
N1 = (5. 42)
qV .1 丫pp 十即

w ·云 1 I YN N+jw
TJJ1 1
＝ (5.13)
沁 —YPN 0

将 行列式展开，可将 小信号解写为

?I I l —
N1 ＝－ · Ypp +jw
2 H(w) (5.44)
qV W R
I
Npl= T/I ]．压H(w) (5.45)
qV呻
其中习惯将调制响应用如下的两参数调制传递函数 表示：
2 2
如
WR
H(w)＝—三 — (5.46)
A呻 矿＋jwy

定义 WR为 弛豫谐振 频率，Y 为阻尼因子。这些参数的物理意义请参见第 2 章的讨论。比较

式(5.46)和式(5.41)，可得下述关系：
呻==YN PYrN +rNNYPP (5.47)
Y==YNN+ypp (5.48)
密度 N ] 和N p] 都遵循调制传递函数的频率响应，但是当w = jypp 时 ，载流子密度在复频
率平面上有一个额外的零值。图5.4显示了H(w)的常规行为。它本质上是一个二阶低通
滤波器，其阻尼 谐振位于截止频率附近。在 WR 频率附近之下强度调制一 直都与电流调制一
致，而在弛豫谐振处该响应得到增强。在谐振点之上，该响应急剧降低。根据阻尼的大小，
该谐振的实际峰值频率 Wp 略低于 WR o W3dB 是电功率响应降低到其直流值的一半时的频率，
在弱阻尼下 该频率略高于 WR 。图中标出了 Wp 和 W3dB的关系。为了理解如何使调制带宽或
• 141 •
 如 dB 最大化，需要计算式(5.47)和式(5.48)。
lglH(w)I
I ，
QR~w l' (J);=叭[I-—(yl(J
2 )R) l
|
矶，， 气汴十二
勹
约(WR/y)
／

带宽
Q、` dli

lg(J)
注：其中给出了峰值频率(J),、谐振频率(J)k和下3 dB截止频率(J)d，之间的关系。

图5.4 随着弛豫谐振频率和阻尼因子取值的增加，调制传递函数的简图
利用式(5. 35)可以将表征H(w)的弛豫谐振频率和阻尼因子展开：

呻＝VgaN+
P ［尸�+�](1－竿）＋，1 (5.49)
吓 rc,N P c,N J\ ~ r�N I'r�N吓
'Nr
l + I'R sp
I'ap ]＋ —
y=v,aNP [1+ － a J'rc,N'NP
(5.50)

实际上，可以将 硕的 表达式极度简化。例如，当Np 玑＞nsp 时最后一项与第一项相比很小，

因此在阙值以l: (n、 p� l~2且Np 玑＞＞1 ）可被忽略。在剩余各项中，有两项正比千Np ， 一
项正比千1/Np 。随着光子密度的增加，后者将在高千阔值的某点处成为主要项。对千典
型值（参见表5.1)，这一交叉点离阙值非常近。因此，也可以忽略1/Np 项。比较正比千Np
的两项的系数，由千rt..'l>>r
且p a�I'告，可得a/rp >>I'a P/ rt.N。因此，第一项比任何其他项都
更重要，而呻简化为
vgaNp
硕～ （阙值之上） (5. 51)
吓

这和第2章获得的结果相同，除了这时a =a
。/ （l+eNp)。正如第2. 7节所述，通过增加光
一
子密度或输出功率可以使 WR 增加。该增加将 直持续到光子密度接近1/E为止，这时由千
增益压缩，微分增益略有减小。当光子密度远大千l/e 时，硕变得与输出功率无关，并在
vga。/rpE处饱和（不过，实际上通常不会达到这么高的光子密度，而且当光子密度这么高时，
对于增益压缩假设的形式是否仍有效尚不清楚）。
由千将着重分析激光器在阙值之上的性能，因此将利用式(5. 5 1)来定义 WR ，除非特殊
一
标明。 利用这 简化的 WR 定义可以将阻尼因子重写为

y = K几十y 。 (5.52)
其中
I'觅
K=4五(1+�)和 Yo = 上+ (5.53)
l�N' Np
当谐振频率较高时，K因子描述了响应的 阻尼现象，因此是表征高速激光器的一个重要参
• 142 •
 数。阻尼因子偏移扯y。在低功率时很重要，这 时的弛豫谐振频率较低。实际上，可以通过
激光器的调制响应将K和Yo作为拟合参数提取出来。
由千阻尼以正比千硕的方式增加，因此正如图5. 4所示，当试图用更大的电流来驱动
激光器以增加WR时，该响应将变平坦。在某一点处，阻尼变得足够大从而使响应在低丁WR
频率的地方就跌落到3 dB截止点以下。这就到达了最大带宽处。利用图5. 4中的公式并
il_，

o ，可以确定低阻尼时的调制带宽以及最大的可能带宽：
结合y的定义（忽略Y)

Ji飞～ 1 ．55fR

）
5．
5
4
、
f3dB�j R
l

(y/wR«l)

）
5．
5
5
－戎赞
\

f3 dB I max
'

(y/wR ＝ 迈）
1
,11?1 :1i i

调制带宽随着弛豫谐振频率而线性增加，并一直比几高大约50%，直到阻尼变得非常强 为
止。在强阻尼下，带宽受到影响并最终随着 QR 和Y的继续增加而降低。正如图5. 4的定
义，当wp =
O且WR ＝
。对B时，发生最佳阻尼和最大带宽。该点由K因子确定，并以此由腔体
3

的光子寿命确定。因此K因子确定了激光器的本征调制带宽能力。
直己、
;，扣 平

回到光子密度的交流调制响应式(5. 45)上，可以利用WR的直接定义来简化该关系。利
贮甘忡E

用式(5. 36)中环的高千阙值形式，可以令YPN�I'v g aN., = I'w哀乔。由此可得

也,
屯 ，笠 ＇忱 忙 \夕
L怎．
i!11_

N
— �—
p1 = r;,
I'rp H（砬 (5. 56)
Il qV
利用式 (5. 5) 令rp = r;ohvNP 1 VP / Pi ，输出功率的交流调制响应最终为
守 3

hv
叩

H (w) (5. 57)

pl
[勹刀。－
”

q
该结果与式 (2. 54) 一 致。式(5. 57)的绝对平方给出了我们更为感兴趣的接收电功率。用分
贝表示，频率响应正比于10 lgl H位）尸或20 lg I H(w) I。调制的相移为乙H（吩。
__

图5. 5举例显示了一个InGaAs/GaAs VCSEL在各种偏置下的调制响应。每条曲线

上都清晰可见大约位于WR处的谐振峰值。请注意，随着驱动电流的增加，谐振朝着高频移动。
`l '

96 3
i
，

··-······-········· 飞眉一直－ ．-···········•可·瞿＿ ＿ 亘 ．．． ．． ． ．．

1.1 ,

。
,

··· · · · · ···
r

· ·· ··
,
＇，

mA
．．．．雪． 、 一一··· ·····
2 I中

8P/

5' i.
•.
2 . ．
．飞
－
3 －

,
『

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..一·················� , .-----一.,,···············-x··,···········
. .. ..... .. ·········一..
W詈

1. 5 '. ， , 、
6

•........•.............•�一·•········• •·····••····一··•···• ：年．｀··:.. . .．．．',飞..............一...........

， 匈`
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1.0 \ �'· 飞
�.....� 一一
9

．七 '：;！ 令；；
-l

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2 5

.....................一1: ..........
一上· .. ·· ·- ，＇•···· ··· ···· ·· ··············`．．：：．．．，：：： 1.， I． , 便
},'`．一···一
－－

I : ；．: ：.

it
。

，
l

，＇ ； ＇2,飞:. I I 招·, ;、？翡： ，

4
2

6 8 10 12
频率／GHz

注 ： 其阔值电流为 0. 75 mA ，输出功率分别为 0.2 、 0.4 、 0.9 和 1. 4 mW ，其 MSR

在整个范围内都高于 30 dB 。 虚线为实验曲线，实线为曲线拟合。

图5.5 各种直流偏置下，直径7 µm的平台蚀刻腔内加电的3QW InGaAs/GaAs VCSEL的小估号强度调制

• 143 •
这是由千在阙值之上，输出功率和光子密度都随着电流的增加而增加，从而通过式C 5. 51)增
加了WR。 将式(5. 5)和式(5. 17)代入式(5. 51)，可以将这一 关系更直接地写为
＝ vga
硕 qVP 刀， (I
—
I th ) (5. 58)

当光子密度较高时，由于a = a。/(1+eN p )，因此增益压缩将影响谐振频率。 不过在实际情

况下该影响非常小。 图5. 5中的曲线还表明，随着偏置的增加，谐振峰变平变宽。 这是由千
当呻增加时，根据式(5.53)，阻尼也随着丫而增加。 与谐振频率 不同，由于增益压缩，K因
子被增加约2倍，这与光子密度的幅度无关。

5.3.2 小信号瞬态响应

为了获得式(5. 37)表征的线性化系统的瞬态响应，有必要将双极点调制传递函数重写
为两个单极点传递函数的乘积：
2 2

H (w) = � =� (5. 59)

WR — 矿＋］叨， （iw+ s1)(jw+ Sz)
复频率平面内的根 S1,2 为
1
S1,2 = 2r 士即osc, 。
Q sc ＝叨； ✓ 1- W/2叨;) 2
(5. 60)

由图5.4可和
寸 U人，心 (Qp 十咏）。 根据线性系统理论，这些复数根暗示着如下形式的解：
2
e-yt/2 (e应。sc 1 士e 即心） (5. 61)
为了满足初始条件和最终条件，还需另外加上所需的额外常数。
通常情况下，当系统出现突变时（例如，电流突然增加、光子寿命降低等等），作为响应，
“ ”
瞬态载流子密度和光子密度将以速率 Q 。 SC 呈正弦型地或 振铃 式地振荡，并最终衰减达到
新的稳态值，该衰减由阻尼因子（由此命名）表征。 当系统 在欠阻尼状态，即y/2wR «1时，
其振荡由式(5. 60)中的弛豫谐振频率WR表征汇但是由于yccw伈因此当WR随着输出功率
的增加而增加时，系统接近千临界阻尼，即y/2wR ----+- 1且 Q 。心 ----+- 0。 在此条件下，两密度将以
指数形 式 上升／下降直至达到 其新 的 稳 态 值。 当 输 出 功 率更高 时， 系 统变成过 阻 尼，
y/2叩＞1，振荡频率成为虚数， Q 。 ,c ----+- jy。江，从而使系统变慢，增加了瞬态 解的上升／下降时
＿
间。 当y/2wR = 1／迈（轻微欠阻尼）时，可以实现激光器的最大调制带宽，导致 Q 。、c=Q订迈
（且wp = O)。 因此在实际应用中，激光器通常工作在欠阻尼状态，而振荡则朝着稳态发展。
现在来考虑 一个特殊案例，想要了 解突然将电流增加 dI 的影响。 如果定义瞬态响应
为dN(t) 和dN P(t)，则可以利用式(5.61)来获得其常规形式（即阻尼正弦或阻尼余弦），用
式(5. 37)找到其初始条件和最终条件。 最初，系统处于稳态，可以令dN(O) =dN P(0) =O。
在t ＝ 们时，电流突然增加，但是还没有时间流逝，因此不会观察到载流子密度有任何变化。

叩 在某些处理中，根据定义令W R 与Q。SC相等，且阻尼因子等于y/2，从而满足传递函数的自然根 。 令wR=w。SC的问

题在于输出功率高时如、，趋于零。 更标准的 咋 定义（正如本章的定义）允许在除了输出功率极小以外的所有情况下都可
以采用式(5. 51)。 对千阻尼因子，采用其他的定义并无大碍，但实际上最好采用这里的定义 。 不过在文献中，通常定义
阻尼因子使得衰减速率为y/2，正如这里的定义一 样。 警告：虽然可以采用任何一种定义，必须小心不要把不同定义的结
果混杂起来（这是文献中常犯的错误） 。
• 14 4 •
由于光子密度增加的唯 一 原因是增益增加，这又是由千载流子增加导致的，因此光子密度仍
位于其初始值处。由此可断定 d Nco
+
)= d PN co
+
)=o。因此t＝ 矿时的式(5.37)变为
d
$（d
N +
＝
（t=o ) cs. 62)
N p:)
） ｀门）
这给出初始条件为： d N(t)的初始斜率为有限值并正比千电流增幅，而dNP t
( )的初始斜率
为零（ 在增益开始导致光子密度 变化之前，载流子密度必须上升）。
由千载流子密度在阔值以上锁定，在瞬态 发生阻尼衰减之后， d N(t)的最终值必须近似
为零。这 一
事实与斜率的初始条件合起来表明 d N(t)的形式为阻尼正弦波：
d N(t)= 。N -yt/2sinW
d e osct 5
( . 63)
由式(5.62)可得 d 。N = d/(I qVw。SC) 。
1/i

对于光子密度，其初始斜率为零。这意味着其解为阻尼余弦型。但是，电流已增加，因
此稳态输出功率也必须增加。换句话说， d N"( t )的最终值必须为有限正值。由此，其解更
一
有可能等千最终值减去同 初始值的阻尼余弦：
d = 1
P (=)
PN (t) dN ( -e�''12 cosw。`,t) (5. 64 )
一
进 步研究表明，括号内的项的初始斜率不为零而等于y/2。对千小阻尼情况，可以将其忽
—
略。但是对千大多数情况，需要增加另 一 项：其初始值为零但是初始斜率为 y/2。可以采
用具有适当前因子的阻尼正弦波得出

dNp Ct)= d pN C=)(1 —e飞／2cosw。sct—

Yo e飞／ 2
2Q sc
c
sinw。 st) C 5. 65)

现在该函数的初始斜率为零，其值在稳态下达到dNP (~）。
为了确定 d PN (
～），当t- =
- - 时，式(5. 37)内的时间微分必须趋于零，从而可以写为
YNN YNP d N(=）
＝卫 (:1) Ct==)
[ -yPN Yrr ]J \( d NP (=)I） qV\ 0
5
( . 66)

利用 Cramer 法则求解稳态值，可得
d d
d N(CX)） ＝
n,
qV
I
丫pp
勹～
如
nl
qV
知I
I'吓—
a
(5. 67)

d d
d PN
＝
(
T/, Y I PN~ T/,
)＝－－ - -
qV呻qV
I
'I
吓 (5. 68)

这样就完全指定了光子密度瞬态。但是我们发现，最初假设dN(t)在稳态时必须为零并不
完全正确。有两个因素可以影响最终的载流子密度。首先，为了增加光子密度，必须令增益
更接近千图5. 3所示的阔值。其结果是，载流子密度必须略有增加。此外，当光子密度增加
时，增益压缩使得给定载流子密度处的增益降低。这是因为为了保持某 一 增益，随着光子密
度的增加，载流子密度也必须增加。这两个因素都包含在 Y PP内，但是对千通常的光子密
度，增益压缩项成为主要项，从而导致了式(5. 67) 给出的近似解。
现在的问题在千如何包括 d N( t )的有限最终值。我们需要一个函数，其初始斜率为
零，终值为有限值，就像光子密度一样。事实上，意识到 d N(～）＝（丫pp /Y PN )d PN (
～）促使
我们将载流子密度瞬态的新版形式写为

d N(t)= d e
。N -1112sinw。 t十互
YPN
d SC PN (t) (5. 69)

• 145 •
其中重申 dN。 ＝ 刀 ， dI/(qVw。、c),YrrlYrN ""' aP /a。
我们采用了相当特别的方法，不过很容易验证式C 5. 65)和式(5. 69)满足微分速率方程
式(5. 37)，只要这些瞬态与稳态载流子和光子密度相比很小，这些方程就有效。 通过更为严
格的线性系统方法(H(w)的 Laplace 变换-脉冲响应-阶梯函数响应）也可以推导出这些
解。
图5.6给出了阶梯函数电流瞬态响应的两个示例，其中利用了式(5.65)和式(5.69)以
及速率方程的精确数值解。 第一对曲线用千小电流阶梯情况，这对曲线非常 一 致，而第二对
曲线用千幅度高 一 个数扯级的阶梯，两者都从2倍千阔值的偏置点开始。 对于更高的偏置
点用式(5.65)和式(5. 69)可以近似得出按比例增大的瞬态解。 不过为了达到最佳拟合，解
析解应采用最终的光子密度和载流子密度值来计算诸速率系数（请注意图 5. 6 Cb) 中的叫
和y都更大）。
0.65

2---->2 lf, h 0.6

0
5
5
E 38[

弓 碍 云芒笋
05
Ol
忘函汇涅 蕊
3
8
5
7

0
4
5
3 78
5
3
7
7

3.77
。

3.765
4
3

-I I 2
时间／ns
(a)
2
5

2.....3fth
]
”
号8

0 0
5
Au主
-o
-[

姿云壬等
3i”

3.9
[

3 85
ag
驾

38

3.75
。

3.7
3

-1 I 2
时间／ns
(b)

注；该共面激光器的参数如表5] 所列， 其初始偏置位千阐值2 倍处。 阔值增益

戊,h=50.6cm' ，初始载流子密度 N=3.77X IO"cm' ，初始光子密度 Np= l 23 X
IO"cm 。 (a)2.0 到 2 1 倍 Ith 之间的瞬态，（b)2.0 到 3.0 倍 l,h之间的瞬态。

图 5.6 小信号阶梯瞬态的精确数值解（ 一 ）与解析近似（ －－ ）之间的比较

• 146 •
 对于电流波形如矩形波的小信号数据，可以将式(5 . 65)和式(5. 69)的 时移形式相叠加
来分别得出光子和载流子密度的净时间响应。从线性系统的角度来看，可以将一个矩形波
输入描述成一个正的阶梯函数叠加上 一 个时延的负阶梯函数。系统的线性保证了整个解就
是每个单独的阶梯函数输入造成的诸响应的总和。

5.3.3 小信号FM响应或频率嗯瞅
正如上几节所述，有源区的电流调制同时导致光子密度和载流子密度被调制。调制载
流子密度就调制了增益，但是它还同时调制了有源区的折射率 na 。其结果是，电流调制了
腔体的光长度，从而导致谐振模式在频域上前后移动。当想要动态调谐激光器时，激光器的
这一频率调制(FM)是有益的。但是对于幅度调制(IM)应用，FM或频率嘱啾使激光器的
调制谱展宽，从而阻碍了激光器在光纤通信中的用途。
为了推导Av 和Ana 之间的常规关系，将含有无源区的模式m的频率写为
v饥L.+nPL P ) =mc/2 (5. 70)
为了得出频率偏移，将该方程取微分，并包含有源折射率随着载流子密度而变化的可能性。
第一个微分项为

沁na ) = Avn 三凇 Av＋饭 AN) ＝三＋京AN (5. 71)

对于无源区，直接有A （顽p ) = A 顶gp。在两种情况下，下标g表示群折射率；订g== n+

v dn/dv。令式(5. 70)右侧的 微分为零并求解Av，可得
乞V g—
Av =—- —
d九r
AN (5. 72)
入 dN
其中E = nga L/（“ga I4a +ngp匕），Vg是有源区内的群速度。当L a <＜入时可知，I'之 中还出现了
附录5中分析的驻波 效应（为了推导这一点，需要考虑折射率断点及其导致的有源区和无源
区之间的反射）。
在第6章中，将发现有效传播折射率的变化通过An = I'xyAn与有源材料折射率的变化
有关（参见式(6. 12)和(A5. 13)）， 从 而可以令 d元／dN = I'xy dn/dN。利用这一替换并且
I'xyI'z = I'( = V/VP)，可得

Av = -——
I'v. dn.
入dN
AN (5. 73)

复折射率为ii = n+jni，功率增益与虚折射率之间的关系满足g = 2k n, ＝ 47(九从。用所 。

谓的线宽增强因子可以描述载流子密度对实部和虚部折射率影响之间的关系：
dn/dN －住dn/dN =—红业
a圭— jdN = 入 dg/dN 入adN
(5. 74)
dn
其中再次用a 来定义微分增益。由此定义，载流子密度的变化所导致的频移为

6.v = —
4
a
穴
I' v aAN
g (5. 75)

频率的调制戳正比千线宽增强因子，该因子通常在 4~6 之间，但是在某些有源材料中可以

低至2。
将式 (5.44) 用于载流子密度的交流调制响应，可以立刻获得

—-－
V1

I1 4
a
I'v a
六
刀，丫PP+jw
qVg 2 —
H（吩
WR
(5. 76)

• 147 •
 图5. 7定性地比较了这－FM和第5. 3. 1小节推导的IM的频率响应。 FM和IM都
显示有 一 个谐振峰，但是FM响应在低频段以20 dB/ decade的斜率减小，直至在低于丫pp /
纭处变平坦。 并且矿lH(w）尸的峰值就在WR处。

响应IdB WR

Ig (JJ

图5. 7 半导体激光器的FM和IM响应的定件比较

将式(5. 76)除以式C5. 56)并令呻＝vk uN,,／T,'，可肖接获得结果为

a N叫
初＝—（yPl，十jw) C5. 77)
丘 N,＇
囚此激射谱的频率唬啾随着强度调制的深度而呈线性增加（山千N,,, INp = p I/ p。)。 图5. 8
通过显示在固定调制频率下不同程度的强度调制所对应的激射谱而清晰地阐释了这一效
应。 调制谱的两个端点处的峰值諒于正弦调制信号的时间平均（即，激射频率花了更多时间
来平均正弦波的两个端点）。

注山于频率喟啾的存在，该频诮削石调制电流的增加而展宽。横轴为每格0.5凡

图5. 8 I. 3 µm lnGaAsP激光器在100 MHz正弦调制下的时间平均功率谱

• 148 •
 如果定义FM调制指数为M=v1/f,IM调制指数为m= P1/P。，则利用式(5. 77)的绝
对幅度可得FM-IM调制指数之比为

: ＝ 告二 (5. 78)

由式 (5. 36) 得Ypp ~Fv凸凡。对千典型值，根据输出功率值，该项可以在几百兆赫兹到儿

吉赫兹的范围内。对千更高的调制频率（即矶＞＞丫PP ) ,M/m---a/2，从而提供了一个测量a的
简单而直接的方法。对千较低的调制频率，M/m与调制频率呈反比。通过测量M/m作为
Q 的函数，可以确定YPP，如果得到不同输出功率值处的曲线，（经由a P )可以最终确定增益
压缩因子c。图 5. 9 显示了这种测量。从这些曲线清晰可见，该激光器的丫PP值在 1~3 GHz
之间变化，而a只大千6。
200

1.5 µm InGaASP
。 DFB-VPT激光器
100 。
。
50
亡
� 30
20 L l.6mw--
．． 。
10 ．
5

"t=24
3 2

0.02 005 0.1 0.2 0.3 OS I 2 3 S 10

频率心GHz
注：其中 n, = M,n， 圭
m。

图5. 9 不同输出功率值时FM-IM调制指数之比作为频率的函数

至此只考虑了由载流子密度调制引起的折射率变化。不过，在低调制频率处，当施加电
流调制时，激光器的温度也将被调制。由千折射率随着温度而改变，可以想象频率调制也将
受到热效应的影响。因此可以将激光器的总FM写为两种因素的总和 ：

厂国） carr r 局）
v1
I t:;.v\
I , t:;.v
(5. 79)
ie + thermal

其中

） ＝旦
e
产
t!..1/,.,,,.,
卫
4rcq l+eNV
(1+jo／丫 p)H(o)
p p
p

－
（ l 1Jwp )V也dv/dT
产 ＝
�)the,mal =�

g P N p ，用式 (5. 32) 将a P 展开，并令1/rp =rv.g，这在阙

在第一个公式中，再次令丫pp=I'va
• 149 •
值之上是一个很好的近似。 在第二个公式中，1/wp是输出功率的电光效率P。ut/Pin,乙是第
2章讨论的激光器结构的热阻抗，V山是激光器的阔值电压，假设该值在阔值之上近似为常
数。 T1 是热时间常数，通常在几个毫秒的范围内，它导致热截止频率在几百个千赫兹范围
2
内。 最后， dv/dT= — (c ／入 )d入／ dT 是模式频率随着温度的偏移。 对千发射波长为 1 p.m 的
激光器， cl}./dT=O. 06~0. 08 nm/K，这导致 dv/dT= — 20 GHz/K。
当热阻抗为 o. 1 K/mW 时，在热截止频率以下的温度调谐约为
—
2 GHz/mA （假设
—
(1 1/wp)V,h=lV)。 对千VCSEL，热阻抗更接近千 1 K/mW，这表明其温度调谐的幅度比
共面激光器的要大一个数里级。 对于表5. 1给出的数值，在 丫pp/纭之下的载流子调谐更接
近于 300 MHz/mA，并与温度调谐的符号相反。 图 5. 10 概述了作为调制频率的函数，综合
的频率调谐的各种重要特性。 当调制频率在 1/TT<Q ＜丫pp （即大约 1 MHz<f ＜大约
1 GHz) 之间时，该响应很平坦，其值通常在几百个兆赫兹／亳安范围内。
lgl /\vi/\ II
温度调谐

lgw
注：图中各值用千典型的共面激光器。 由于在低频调制时，温度效应和载流子效应的
符号相反， 我们可能会猜想在综合的调谐曲线中存在一 个值为零的交叉点。 但是
°
由千在高千热截止频率时温度调谐的调制相位移位90 ' 这 一 现象不会发生。

图 5. 10 同时包含温度效应和载流子效应的频率调谐特性作为调制频率函数的草图

5.4 大信号分析

当偏离稳态的量可以与稳态值自身相比时，正如图5. 6(b)所示，早先对速率方程的微
分分析无法再提供正确的解。 因此为了确定激光器对大信号输人的动态响应，必须回到常
规的速率方程式(5. 3)和式(5.4)。 只要包含增益随着 载流子和光子密度的非线性变化，这
些方程对大信号调制也成立。 并且这些方程在阙值以下和阙值以上保持连续。 当然如果激
光器通常保持高千阙值的状态，由千载流子被锁定，即使在瞬态很大的过程中， 载流子密度
也并没有太大的改变。 这里面临的问题是无法用解析方式求解这些方程，因此必须采用数
值方法。 原则上可以用－个小的时间增量llt代替dt，从一个速率方程迭代到另一个方程
来获得这些速率方程的数值解。 一如既往，可以通过Np 计算输出功率，并利用式（5. 75)根
据N相对于某一参考值的偏移戴来获得频率啸啾。

• 1 50 •
 5. 4. 1 大信号调制：多模速率方程的数值分析
本节将讨论多模速率方程的数值求解，并给出多模激光器的大信号动态特性。正如第
5.2 节所述，式 (5. 3)和式 (5.4) 给出的单模速率方程很好地描述了单频激光器的工作动态。
但是激光器通常存在几个具有不同谐振波长的不同模式。在设计精良的共面激光器中，这
主要是由于存在不同的轴向模式，而在VCSEL通常存在不同的侧向模式。由于波长不同，
每个模式具有不同的腔体损耗和不同的增益。在损耗 与频率有关的激光器中，这些差异被
加重。由于所有的模式都与一个公共的载流子库相互作用，因此虽然它们是电磁波动方程
的正交解，这些模式还是会间接地耦合起来。
写出用整数m指代的每个模式的独立的光子密度，式 (5. 3)和 (5.4) 变为
dN = —-
— （R, p +Rn ,) 一 (5. 80)
7l I
�V gm g m Npm
dt qV
dNpm
= （几 Vgm gm — 贮＋几R:pm (5. 81)
dt 己）
通过式(5. 30)采用光子密度 Npm可以得出 g m 。对千数值分析，用 l:!..N、l:!..Npm 和 l:!,.t 分别代
替 dN 、 dNpm和 dt，然后乘以 l:!,.t。设定该时间增量足够小，从而可以精确计算各导数。由
于可以想象该响应将与 WR 附近的振荡有关，因此可以令 At<＜ 1/QR 。然后连续地迭代这些
方程，使每个模式的 载流子密度和光子密度从其初始值逐渐增加。这样在i次迭代之后
(t ＝ 心t) ，载流子密度为 N(i) = N(i — 1) +l:!..N，依此类推。实际上，可以采用诸如四阶
Runge-Kutta 法的数值方法来缩短计算时间，因为这时对于相同的求解精度可以采用更大
的时间步长（简单的迭代法需要非常小的时间步长才能在不引入太大误差的前题下成功地
确定求解）。
如图 5. 11 所示，为了模拟增益在增益峰附近的频谱滚落，通常可以将增益谱近似为
Lorentzian 型。这样可以将每个模式 m 历经的增益描述为
g 。 N+N,
g(N,N p ,m) =
1+ （ Am/M) 1+2 C nm N p nln （凡＋ k) (5.82)

�m=
-3 -2 -1 0 +I +2 +3
腔模式

入／m

图 5. 11 为了便于分析多模激光器而建立的增益谱的简单 Lorentzian 模型

• 151 •
其中!::,.m是被测模式相距中心模式心m= O)的模数，假设该中心模式与增益峰对准，M是
增益降至其峰值一半处的模数。 实际上，可以调整M来与增益峰附近的增益谱的曲率相匹
配，这里的频谱细节最为有用。 式中分母上的求和表示模间增益压缩气
图5. 12为lnGaAs/GaAs Fabry-Perot激光器的各个模式的载流子密度和光子密度的
+
数值曲线。 假设损耗与波长无关。 在t = 0时，电流从零增至I =2Ith 。 如图所示，当有源
区的库被填满时，载流子密度开始增加。 在载流子密度到达其阙值之前，几乎没有光子密度
存在。 在到达阔值后，受激复合开始限制载流子密度随着光子密度的增加而继续增加。 在
“ ”
光子密度 启动 之前的这段时延被称为激光器的启动时延。
图5. 12考虑的Fabry-Perot激光器显然不是一个很好的单模激光器。 最初有多个模
式启动，在稳态时有两个很强的边模心m＝ 土1）继续存在。 因此我们发现，其动态模式压缩
比(MSR)与第3章最后分析的稳态MSR非常不同（更差）。 先进的单频激光器所面临的挑
战在千如何在这种启动瞬态过程中使动态MSR 一 直保待大于30 dB。

5 05

4 」”-」·仁~. 』.，一．口』 ，…·

·~ 04

－
I

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埏 l /_ •
\ I 02锯

勹。 『让立三：0 2 4
时间ins
6 8

注：相对增益宽度为 M=25, 该值适用千共面激光器。 在计算中包含了

25 个模式 (Am＝士 12) 。 假设增益压缩项的总和为CNpn产

图5. 12 SQW InGaAs/GaAs共面激光器的大信号调制，其参数如表5. 1所示

图5. 13阐释了预测的 VCSEL的启动特性，这时的轴向模式间隔更宽。 假设其他各项

情况同上。 这里可以观察到所需的单频行为。 实际上，VCSEL的这种单轴向模式操作将被
多个侧向模式操作（该计算没有对其予以分析）所抵消。 VCSEL设计中的一大挑战在于避
免使激射谱中出现这些侧向模式。 利用第3章讨论的各种频率相关的损耗（例如可以采用

心 如果相邻模式对彼此的增益没有影响，则只有 Cnm的对角项为非零(cmm =c，当 n#-m 时 Cnm = 0)，因此可用

cNpm代替该求和。 在另 一 种极端情况下，如果所有的模式都受到存在的任何光子等效地影响，则所有 Cnm 的项都为
非零(cnm =c)，可用c凡代替求和。 载流子数的谱烧孔和空间烧孔通常导致增益压缩，该现象介于两种极端情况
之间。
• 152 •
DFB或DBR)可以在共面激光器中实现这种单轴向模式操作。

5
2.5

2
4
q-
III”

弓 褪 云壬舞
1
5
E
Q
3 -一
l
Ol[
岂知 J

l
2
丁洼竺

m =O
]

05
。
。

6
2 4 8
时间／ns

注：假设A1=3。

图5. 13 短腔体激光器的大信号调制，其参数采用表5. 1中给出的VCSEL参数

5.4.2 启动时延

图5.12和图5.13中的数值模拟清晰地阐释了在光发射之前载流子密度增加达到阙值所
需的时间。 该启动时延（定义为td )对高速数据链路极为不利，但是可以用来测虽载流子寿命。
计算td的第一种近似方法是：简单地算出载流子密度的初始斜率，然后划一条直线直到阙值
Nth处。 为了确定初始斜率，假设尚无大措光子存在，利用如下载流子密度速率方程：
dN-—
— 刀，I
- （R"+R n ,) (5. 83)
dt qV
从某一初始电流I， 开始，在稳态条件下可以令括号内的项等千7,I,／qV，这样电流变为If，初
始斜率则变为

＝Nt t
—
�NI
— T/i-（ —
=— h N,
If I,) (5. 84)
At t=o qV d

求解启动时延，可得
VN, h — N,
t产生 (5. 85)
1/ i Ir- Ii
利用载流子寿命或微分载流子寿命（两者都为阙值处的计算值）用I代替N，两种极端初始
偏置限制情况下的启动时延为
th
td=r,h CJi=O) (5. 86)
II
Ith —I,
td �气.t,N ,t h (I, ～:I th) (5. 87)
II — I,
其中1/r,h"""'A + BN,h +CN记1/ri;N ,,h::::::,A +2BN,h +3CN; h 。 当初始偏置较小时，启动时延
正比于总的载流子寿命（大约3~4 ns)，而当初始偏置接近于阙值时，启动时延正比千微分
载流子寿命（大约1~2 ns)。 如果已知所有有关的电流，可以很容易通过测量的各种启动时
• 153 •
延算出总的载流子寿命和微分载流子寿命。 在实际应用中，希望启动时延不要太大。其 实
现方式为：（1) 增加L使其尽可能高于阙值，或者(2)调整偏置I，使其接近于阙值。 实际上
当I， 高千阙值 时，启动时延变得非常小，可以用 第 5.3. 2小节讨论的方法来计算。
式(5.86)和式(5. 87)中对 td的一阶计算忽略了这样一个事实：随着载流子密度的增加，
式(5.83)中的复合项也增加。如图5. 14所示，该复合 增加使N 的增加速率从线性降低至
亚线性。因此，虽然 式(5.86)和式(5.87)对 td给出了合理的第一近似，但它们在一定程度上
低估了该值。
当载流子寿命为常数 时（即R,p+R n , = Nlro汃式(5.83)给出的载流子密度在凡处以
指数形式饱和：
N(t)＝N,＋（N f -N,）（1-e-t/ro) （5.88)
当然如图5. 14所示，由于受激发射将N锁定在N, h ,N永远不会达到Nf值。N到达 N t h所
需的时间即为启动时间，因此可以令N(td) = N, h。求解 启动时延可得
If -Il
td =ro Iln ， (r =ro =l=r(N)) (5.89)
I1 -Ith
其中必须通乘以载流子寿命 常数从而将所有的N转换为Tol。请注意，根据图5.14 可以预
期当N 1 »N ， 时（ 或者等效地，当If>＞I， 时），初始的线性近似 式(5.85)也成立，正如式（5.89)
在 (Ii -I,）较大时的泰勒展开所证实的。
N(t) 简单的 现实的

-­ --- ----
线性增加 亚线性饱和
Nr
，
．．

＿－ －－－
，
／
，

．已
夕
.,. .,.
．重．

Nth
N,

Id

/
一阶计算
注：虚线表示如果载流子在阔值处没有锁定时的载流子密度增加。

图5. 14 载流子密度与时间的关系

对千短波长激光器，载流子寿命不是 常数， 但是主要受双分子复合影响（即BN 2 »

AN+CN") 。这时，在凡处的指数饱和变成tanh函数饱和，式(5.83)的解为
N(t) =Nrtanh[BNrt+tanh-1 (N;/Nr)] (5.90)
再次令 N(t d)=N,h并求解 t d，得

td =rr [tanh-1/i-tanh`卫],（BN亨＞AN+CN') (5.91)

I[
✓
其中rr = l/BN1= qVITJ ,I心，并令N- ✓刀，I／qVB。
在长波长激光器中，俄歇复合为主，可以假设CN" »AN+BN 2。 但是，这种情况下无
• 154 •
法获得N(t)的闭式表达式。不过，仍可以通过更为通用的td定义获得求解，即直接将式
(5.83) 积分并求解t d :
dN
td =『th
N/rCN) Nr压
(5. 92) —
N,

其中rr = r(N心。很容易看出，通过令r(N)=ro且1丘(N)=BN，可以从式 (5. 92) 分别得

出式 (5. 89) 和式 (5. 91) 。
采用1压(N)=CN ，启动时延的最终表达式非常长，但是这对长波长激光器应用非常
2

重要。将td表示为两个分量（第一个通常比第二个大得多），可得
t d =td1 +t dz (CN3 »AN+BN勹 (5. 93)
其中
r
t dl
3

石长 [( r [l-- 1) :fi-r- \
r
＝
］
1 n-1
t d2 = rr 』 (tan- 7-ta 7
祁 嘉 乔）
其比值为 r 1 =Nr/N,h和r, = N,／Nth，或等效地rf=Il／儿和 r f=I,／Ith。此外，rr = l/CM,
其中凡由CNl = ( r; )qV)I定义。还可以得出AN+BN »CN 时的启动时延。
2 3

图 5. 15 所示为各种初始电流与阔值之比和最终电流与阙值之比所对应的td I 石，其中
采用了 3 种不同的启动时延表达式 (5.89 八式 (5. 91) 和式 (5. 93) 。在没有预偏置(I, = 0)
时，启动时延通常处于未来的载流子寿命的量级。相反，当存在预偏置且最终电流值远高千
阙值时，可以将启动时延降低为只有最终载流子寿命的一部分。
15 AN
·········BN'
- - - - - CN'

`， ...．
I t-•

－ － ---- - -
· ··．－
l
J-

.－.
······......- .... -
卢

、．
I ••, ••• :
I •

0.5 �、 ． ． 、 ~
．
。

l5 2.5 3.5
lf /Ith

图5. 15 对于3种不同类型的复合，初始和最终电流相对于阙值的不同比值所对应的归一化启动时延

5.4.3 大信号频率嗯瞅

这里将简要介绍一个解析公式，用来从已知的强度调制波形算出频率喃啾，该公式即使
在大信号调制下仍然有效。从光子密度速率方程出发求解增益和损耗之间的差值，可得
1 1 dN"p I'R sp
，
I'v g g
rp N p dt Np
(5. 94)

由于载流子和增益在高千阔值时锁定，增益在其阔值周围的一阶展开即使对大信号仍然近
• 155 •
似得很好，从而可以令
g — g,h+a (N — N,h)- aP 凡 (5.95)
将其代入式 (5. 94)，采用 J'v g gth =}／ 吓 ，利用式 (5. 75) 将载流子密度的偏移表示为频率偏
移，可得
，
v(t)-v,h
a 1 1 dNP I'R�P
飞［汒dt - NP
+I'vg a 心］ (5. 96)

基于 Np =Np0 +Npl e 口 ，频率啸啾公式的时间变化部分化简为早先为 Npl <<Np0 推导出的小

信号结果式 (5. 77) 。 如果调制输出功率变化迅速（以纳秒或更小的数量级），则括号内的第
一项通常为主要项。 在此条件下并基于 N产才％的事实，频率喟啾凶v(t)=v(t) — vt h化简为
如下的简单结果

l:,v(t)＝旦
1 dP (t) 。
。
4 六 P (t) dt
(5. 97)

由此公式，可以直接从调制信号的形状（例如，方波、正弦波、高斯形等）来确定大信号调制时
的频率喘啾。 如果想要使频率喃啾最小化，可以用式(5. 97)来预测出哪种输出波形能产生
最低的喟啾。 由此可以定制相应的电流输入信号。

5.5 相对强度噪声和线宽

到现在为止只讨论了由于刻意的电流调制或其他腔体参数调制所导致的强度响应和频
率响应。 在稳态下，假设载流子和光子密度为常数，但是在现实中，载流子和光子的随机复
合和产生事件导致载流子和光子密度在瞬时内变化，即使没有施加电流调制也如此。 光子
密度的变化导致输出功率幅度的变化，从而形成一个噪声本底，而载流子密度的变化导致输
出波长的变化，进而使激射模式具有一定的频谱宽度。 在详细分析如何处理这些随机噪声
源之前，有必要考虑在实际激光器应用中强度和频率噪声的含义是什么。

5. 5. 1 RIN的常规定义和频谱密度函数

图 5. 16 所示为用于模拟和数字信号传输的含有噪声的激光器输出。 对于模拟应用，用
电的信噪比 (SNR)来定扯描述该噪声。 对于图 5. 16 定义的激光器输出，SNR 为
（店〉 ((Pl sin 叫） 2〉＝叫 Pt
SNR=—= (5. 98)
（人〉 (lJP(t) 2〉 2 (lJP(t) 2〉
其中 IM 调制指数为 m = P1/P。,（〉号表示时间平均。
“ ” “ ”
对于数字应用，位于中点处的判决电平判断所记录的信号是 0 还是 1 。 如果图 5. 16
中的噪声碰巧超出P。/2，则可能会造成误读。 如果噪声在平均功率附近具有高斯形分布，
则为了使找到 I lJP(t) I >P。/2 的概率小于 1/ 10 （即，误码率小于 10-9)，需要
9

P$
>(11. 89) 2 （对千BER<l0-9) (5. 99)
(8P(t) 2〉
其中<<JP(t)勹是假设的高斯形噪声分布的均方值。
对于上述两种应用，都有必要定量地分析激光器的相对强度噪声(RIN):
(8P(t) 2〉
RIN== (5. 100)
P$
• 156 •
通常用分贝表示RIN ，即10 lg(RIN)。对千模拟应用，如果已知所需的电的SNR值，可以
用式(5.98)来确定可允许的最大RIN。例如，如果需要SNR>SOdB且m =1，则激光器
必须具有 RIN<—53dB。而在数字应用中对于误码率BER<IO 9, 式(5.99)要求激光器
必须具有RIN<-21. 5dB 。

P(t) P(t)=P,+P,sinwt汾P(t)

P,

P。

P(I) T I 。I I I 。 l 。? I. I. I 。|

噪声尖峰
（潜在误读）

图5. 16 用千模拟和数字应用的调制激光器信号的噪声

为了定址地分析输出功率的波动（ 进而分析RIN)，更方便的方式是利用如下一对傅里
叶变换在频域内分析：
+
如t)＝气 : 8PCw)eiwdw
' (5.101)
2穴 -=

8P(w)＝厂SP(t)e飞d
' t (5. 102)

其中8P(w)是在频率w 处波动的噪声分量。现在假设用一个频谱分析仪来测匿与该 噪声
有关的电功率（ 即光功率的平方）。如果频谱分析仪用一个通带为F(w)的窄带滤波器对信
号进行滤波，则测最到的时间平均信号的均方值为
+~ ＋~
2
研(t) 〉=
(2
1
吓［」玉
(8P(wMP（矿） ·〉F(o)F（矿）
．
e心
－“)t
如d 矿 (5. 103)

对千完全随机的噪声，任意频率处的噪声幅度与其他频率处的噪声幅度完全不相关。其结
果是，当对两个频率分最的乘积在时间上取平均时，它们之间具有d elta函数相关（参见附
录13)。该delta函数的相关强度被定义为8 P(t)在o 处的频谱密度 S0p (w），可写为
—
<8P(wMP(w') ·〉＝SaP (w)2六 8(w w') (5.104)
一
采用这 置换，可将测量到的功率波动均方值简化为

（和（t)2 〉=」厂SaP
－ 2亢
(w) F<w) dw
～
2 I I (5. 105)

• 157 •
 如果测植滤波器的中心位于如，并且相对于频谱密度的变化为窄带，则根据F(w。) ＝ 1
可得

却（t) 2 〉：：：：：：：：：Sap位。）r= F(w) I I 2

df = Sw位。）2凶 (5. 106)

图5. 17阐释了任意噪声谱的这一关系。请注意，因为必须同时包含正频率和负频率，因此
其有效测昼带宽为2A/。还可以将频谱密度定义为只在正频域存 在 的 单边 谱，即 如图
“ ＂

5. 17 中的虚线所示。这时的测量带宽就是t::.f，但是要在单边谱密度内包含因子 2 。选择采
用单边还是双边谱密度完全是理论上的，只要保持一致即可。本章将谱密度定义为双边谱。
最后请注意，谱密度的单位为：秒X（波动变蜇单位）三

.... 、
••• •｀
s0/,（O) '、 、
• -··畸
••••• •·
．． •• ＼， 单边
F((1)） \/

＼·.`双边
x.．``
、 、、
、、`·
、

_ ＿U＇， (J) 。 «

注：由千噪声谱密度通常是频率的偶函数(S",(-w)=S^，（Q)），如果有必要可以将频谱对折，
并定义只在正频域存在的单边谱，其幅度是双边谱的两倍。

图5. 17 利用窄带滤波器测量到的噪声

从伴随着信号而出现的噪声谱密度的角度来分析，可以将相对强度噪声重新定义为
RIN =2S/iP如）
(5. 107)
Af Pt
其中!::,.f是测鼠装置的滤波器带宽（如果定义谱密度为单边谱，则必须去掉式（5. 107)中的
因子2)。由千测鼠带宽随着应用 的不同而变化，通常将左侧的向址称为单位为dB/Hz 的
RIN 或者每单位带宽的 RIN。将每单位带宽的RIN 在实际系统的（单边）探测带宽内进行
积分即可得总的RIN。在设计通信系统时，所需的SNR或BE R为激光器的总 RIN 设定了
最大上限。如果其RIN 谱很平坦，即可通过下式获得该激光器所需的每单位带宽RIN值：
RIN(dB/Hz) =RIN(dB) — lOlg(t:,.f) (5. 108)
例如，在系统带宽为2 Gbit/s0 GHz汃需要BER<10 9 （即RIN< —21. 5dB) 的数字传输
链路中，激光器必须具有平均值RIN(dB/Hz)< — 21. 5 — 90 = —
111. 5 dB/Hz。如果增加
系统带宽，为了保持系统的总RIN 不变，激光器的每单位带宽RIN 必须降低。

5. 5. 2 Schawlow-Townes线宽

除了强度噪声以外，激光器还产生频率噪声，该噪声会对激射谱造成不利影响。在单模
激光器（例如第3章介绍的DFB 和DBR型）中，激光器输出的频谱宽度被化简为单模的谱
宽度，但是由千存在激光器噪声，该单模仍存在一定的线宽。除非采取格外的措施，实验表
• 158 •
明二极管激光器的线宽通常大千 1 MHz。 对 于大多数应用（例如探测器或者采用相干检测
的通信系统），需要该线宽远小千 1 MHz。 因此，理解二极管激光器的线宽非相干性具有非
常实际的意义。
二极管激光器的线宽源于其输出的相位抖动。 其根源基本有两类：（ l）自发发射，（2）载
流子密度抖动。 第一类是所有激光器都固有的，源于在准相干的谐振腔模式上随机叠加的
自发发射的光子。 第二类只对二极管激光器很重要，其起因在千式(5. 75)表征的b.N和
b.v之间的正比关系；该正比关系的常数包括线宽增强因子a。 该因子之所以存在是因为增
益和折射率都直接与载流子密度有关。
将在分析频率噪声之后来推导激光器线宽的完整的表达式。 现在来简化推导激光器线
宽的自发发射分量，该推导在激光器高千阔值时不完全正确，但是却便千读者理解激光器线
宽为有限值的原因。
在推导第2章中的速率方程时，定义腔体寿命为在没有受激或自发发射源时的谐振腔
内光子的自然衰减速率。 因此在没有任何发射源时，水(5. 4)的解为
N P (t)=N P0 e-thP (5.109)
与该场相应的时间关系为
E(t)=E。e应。 l e t/2rp u(t) (5. 110)
其中 u(t) 是单位阶梯函数，该函数在时间为零时启动，来表示该场是在 t = 0 的瞬间通过
例如受激发射的事件被创造的。 该时域响应的傅里叶变换给出了激光器腔体的频域响应。
指数函数的傅里叶变化是 Lorentzian 函数。 有时将这一无驱动的结果称为冷腔响应：

IE位）尸＝
。
I E(w )1 2
(5. 111)
1+ （ o-Q。)气2Tp )2
由此可以看出，冷腔的半高全宽 (FWHM) 线宽为 纱 ＝ 1 ／ 存 。 该谱宽对应于没有有源材料
存在时（即冷腔响应）的 Fabry-Perot 谐振腔的滤波器线宽。 其关键在千，该谐振宽度与光
子的衰减速率有关。 现在如果将导致腔体内增益的受激项加回来，从式 (5. 4)可以看出所得
解仍然随时间呈指数变化，不过现在用 一 个新的有效腔体寿命来表征：
1 1
寸 ＝—－ I'v g g (5. 112)
<p 吓

当腔体内增益与腔体损耗相抵销时，有效腔体寿命增加。 因此当存在增益时，FWHM 线宽
变为纱 ＝ 1/r�, 这样随着式的增加，谐振宽度减少。 正如第 5.3. 2 小节所述，在稳态下求解
式 (5.4)可得 N p :

N尸
r觅 (5. 113)
l/Tp -I'v g g
用式 (5. 113) 代替式 (5. 112) 中的 0/rp -rv g g)，可将推导的 FWHM 线宽写为
I'R sp
Avspon = ＝
（只有自发发射） (5. 114)
芦2TCNP
式 (5.114) 等同千著名的 Schawlow-Townes 线宽公式。 该公式的 一 个主要结论就是线宽与
光子密度（或输出功率）呈反比。 由千激光器内的光子密度可以增长得非常高，该线宽可以
衰退为非常窄的谱线－ －
—
这是激光器的一个定义的特性。
不过这 一
直观的推导具有一些缺陷。 式 (5.114)正确地给出了低千阙值时的线宽，因此
对千放大的自发发射问题是正确的。 不过，在阔值之上，速率方程之间的非线性耦合抑制了
• 159 •
噪声的两个正交分量中的一项（高于阔值时，场幅度抖动是稳定的） ，从而导致这里预测的线
宽应降低一半。采用校正因子1/2，式（5. 114)变为修正的Schawlow-Townes线宽公式：
I'R'sp
(Av)ST= (5. 1 1 5)
耘Np
不过，修正的Schawlow-Townes线宽仍然只考虑了自发发射噪声而没有包含载流子噪声。
为了描述载流子噪声，则需要推导出用于激光器 噪声的Langevin速率方程方法。

5. 5. 3 Langevin法

为了确定激光器的 RIN 和载流子噪声，必须找到输出功率和载流子噪声抖动的谱密

度。为此引入Langevin噪声源凡(t) 和 Fp(t) 分别作为载流子密度和光子密度的驱动源。
假设这些源为臼噪声（参见附录13)，并假设这些源足够小从而可以利用微分 速率方程。对
于常数驱动电流Cdl = O)，方程式(5. 33)和式(5. 34)变为

（
5 ．5
l l
d

1 1
6 7
、
— ( dN) =,rNN dN — YNr N
d +F N (t)

丿
dt P

（
y

．
d

、
-（ dN P ) ＝ dN — YPP dNP 十片(t)

丿
dt
PN

－y —y
盖 勹＝ ［ ： －
各速率函数一如式(5. 35)的定义。为了便千求解这些方程，可以将其写为矩阵形式：
d P d ）
勹＋ ［ :）］
F

; ;P ] ［dN （5． l1 8)
[dN

为了确定谱密度，必须首先变换到频域。用式（5. 101 )的等效形式替代所有与时间有关的变

ll l
量 ，每个频率分屈都满足：
厂 NN 十即
吓p
] ［
N1位）
= 凡 (5. 119)
YP N YP P +jw J N p1 Cw)
—
片(�:;
o) l
其中见、N p1 、瓦和几代表在频率 o处抖动的各个噪声分量。这一结果类似于第5. 3. 1
小节中获得的小信号结果。 利用 Cramer 法 则和第5. 3. 1 小节中的定义 可以得到
H(w)凡（w） YNP
N 1 (w) = (5. 1 20)
呻Fr(w)丫pp+j(lJ

H(w) IYNN +jw F N (w)

N. 1 (w) = (5. 1 21 )
硕 －YPN 片(w)
利用式(5. 104)可以将载流子密度和光子密度的谱密度定义为
1
SN位）＝云I(N心） N心）
＇
心 (5. 122)
．

SN• (w)_
、
= tf(N
2穴
p1 (w)N.1（矿）
．
心
＇
(5. 1 23)

将式(5. 120)的两侧乘以N 1 （矿） ，式(5. 1 21)的两侧乘以N p1 （矿）

关
，取时间平均，并对矿
长

积分，最后可得

SN(w) = �［沁（ Fp片〉— 2YppYNP(F凡

p 〉＋（治＋矿）（FNF心］（5. 124)

|H(o) |2
SNP (w) = �［（矗＋矿）（ Fr
WR
Fr)+2YNN YP N(Fr凡〉 y 杯( FNF心］ （5. 125)

• 1 60 •
其中的Langevin噪声源的谱密度被定义为

(F,F) 〉 ＝ 上I(F,（w)F) 心） 〉如' (5.126)

．
2 穴
由于凡和凡是自噪声源，因此其噪声谱密度 (F,F) 〉在整个频域上是均匀分布的。这样，
可以将各个(F,F) 〉项在频域内视为常数（细节请见附录13)。因此式(5.124)和式(5.125)
表明载流子密度和光子密度的抖动与频率之间的关系遵循(a1+a2矿门H(w)尸，并在弛豫
谐振频率处达到峰值（下文将定量分析a1和a2)。这其实是由于载流子 － 光子系统的自然谐
振导致谐振点附近存在的任何噪声加强并放大。而且，与呻的反比关系表明，这些抖动和
相应的噪声随着输出功率的增加而减少。为了完整地对这些关系进行定最分析，需要将方
括号内的各项展开。

5. 5. 4 Langevin噪声谱密度与RIN

式(5. 124)和 式(5.125)表明，采用Langevin法可以将计算激光器噪声的工作简化为计

算谱密度或者各种Langevin噪声源之间的噪声相干强度(F,F) 〉。假设在阔值之上N"V产＞l，
1
附录3表明这些项简化为如下项：
<Fp几〉＝2rR:PN P (5. 127)
<FNF心 2R｀心／I'
＝
V g gN P /V+刀,（I+I t h)／qV
—
(5.128)
(Fp凡〉=-zR:PN P +v.gN P /VP (5.129)
这些公式中出现的各个因子本质上是那些与两个库中的光子和载流子的随机产生和复
合／逃逸有关的散弹噪声的总和。通过仔细地设计电流驱动电路，在原则上可以消除或者至
少减弱与注入电流有关的散弹噪声（ 以及式(5.128)中的刀I／
， qV项），将在本节随后讨论这

一点 。
根据式(5.127)~(5.129)，可以将载流子式(5. 124)和光子式(5.125)的谱密度函数展
开。然后可以计算所需的输出功率谱密度函数，即式（5.107)中所需的S8P 位）。不过，由千
在输出镜面处反射的光子和传输的光子之间具有负相干性，因此输出功率中的附加噪声项
使该计算变得复杂。因此，正如附录13所示，58P (w) 与SNP位） 的关系并不仅仅表现在因
子(hvV飞a m F)z 或( 110hvV.飞） 2 中。在首先推导出S为位） 之后，附录13显示在阙值以
上，可以将输出功率的谱密度写为
a1 +a2矿
Sap位）＝hvP[
。 呻 |H(w) I 2+ ]
1 (5.130)

其中

a1 =
。
8邧.6.v)sTP 1
刀。 [ r;
,(I+It h) —
1
hv 也 WR
Ist ]
（ P
a2＝ 际 AhV:ST -2
。 r; 。 Q枭 :
r

, ,, =qP。I r; 。加＝7 1 (I-It h)。并且，凡为从所需刻面输出的功率。

且<.6.v)sT =r R:p I4六N p I
如果发射场是完全相干的，则输出功率噪声（双边）谱密度被限制为最小值hvP。。通常
将相干场的 这 一 量子噪声本底称为标准量子极限，或者 散 弹 噪声本底。因此 可 以 将 式
1 0)方括号内的两个分扯视为激光器的额外强度噪声和固有扯子噪声。在低输出功率
(5.3
时，额外噪声为主要项并在激光器的弛豫谐振频率附近极剧增强。在高功率时，激光器的噪
• 161 •
声通常减弱至标准屈子极限 处，除了在谐振点附近以外，这时即使输出功率非常高，额外噪
声仍然持续很强。图5.18阐释了由表5.1 表征的共面激光器的这些特征。

-100

。－ 。－
z
H.

l
2
ap
ANl
H捩举 拦 疵 啪

l
4

-]60

-]80
0.01 Ol 10 100
频率／GHz

图5. 18 在不同的输出功率下，采用表5. 1给定参数的InGaAs/GaAs共面激光器的相对强度噪声计算值

1. RIN谱的特性
图5.18中绘出的激光器RIN通过式(5.107) 与 StP Cw)有关，可将其写为
RIN=2hv a1 +a2矿
。[
2
�IH(w)l +1] (5.131)
歹 P WR

前因子2hv/P。是激光器RIN最小值的标准量子极限。频率系数a1和a2由式(5.130)定
义。a1和a2 的第 一 项 都与功率无关，而后 一 项分别与庄和P。有关。在低功率时，可以忽略
后两项 ，而 RIN简化为
RIN=
A/
1/r丛十矿 2 2hv
16邧AV) ST� IH(吩| + —
“R P
­。 （ 低功率） （5.132)

在激光器应用中 通常都采用这－RIN形式，而事实上只要激光器电流源是散弹噪声受限
的，在更高功率时该形式也仍是很好的近似。根据式(5.132) ，可以用4个拟合参数来模拟
测量的 RIN谱：TAN、丫、 WR 和心 V) ST o
当式(5.132)中以额外噪声项 为主时，RIN谱在 w<l/rc,N以下降为常数值，该频率通常
在100 MHz的报级，正如图5.18中 的0.25 mW和0.5 mW曲线所示。当功率更高时，这
一常数 RIN的范围增至几个吉赫兹，而低频RIN 值在散弹噪声本底 处饱和。令式(5.131)
中w = O并利用式(5.130)中定义的a ! ，低频RIN变为
RIN=1阮(Av) ST 2hv 1J,（I+Ith)
凶 呻也
+ T/
P [ ° I st
+ （1
。 丁］ (w«wR) (5.133)

第 一 项以1／几方式降低（ 由千（�v )sTccl/P。且呻cc庄），因此随着功率的增加而迅速地

降低到散弹噪声本底以下。在高功率时，T/，(I+It h)／Ith-1，第二项趋近 千散弹噪声，与功
率呈1/P。关系。在图5.18中 ，观察每次将功率加倍而导致的曲线间隔值，可以看出这一
趋势。在低频处，由于其功率关系由1／民变为1/P。，随着功率的增加，其曲线间隔阶梯由
9 dB变为3 dB 。
2
在 RIN峰值 处，式(5.131)中 a2矿＞＞a1 。因此，在该范围内的频率关系由 w I H (w)尸
• 162 •
表征。由式(5. 46)可以看出，该函数 的峰值发生在WR，而与阻尼 的程度无 关；与之相反， 只
有当r/wR«l 时IH位）尸的峰值才位千WR处（参见图5. 4)。 令式(5. 131)中I H(wR ) 尸＝
2
(w订y ) ，并略去式(5. 130)中的噪声本底 极限和a2 的第二项，可得 简单的结果为
皿＝16T(Av)ST (o = OR) ( 5. 134)
Af Y2

通常，由式(5. 52 )可得阻尼因子y =
K几十九。不过当功率更高时，y:::::::::K几立P。。因此由
千(�v )sTocl/P。,RIN峰值趋近千与功率呈l／几关系。换句话说，每当功率加倍，RIN峰
值就会下降9dB ，正如图5. 18中的高功率曲线所示。在谐振频率以上，RIN降为标准最子
极限，每当功率加倍，该值下降3 dB 。
当输出功率为l mW时，图5. 18中的激光器的Schawlow-Townes线宽大致为1 MHz,
9
其 阻尼因子约为 3 X 10 /s， 由此 导致RIN峰值为 一
112 dB/Hz。该噪声峰值刚刚 满 足
2 Gbit/s ( 1 GHz)数字传输链路的标准（参见 式(5. 108)随后的范例）。但是，该峰值超出了
系统带宽，不会增加探测噪声。将图5. 18中的1 mWRIN谱 从O~l GHz积分，每单位带
宽的平均RIN仅为 一 140 dB/Hz，这很容易满足传输链路的需求。
2. 无噪声操作
那些源千电流源噪声的激光器噪声分量被包含在式(5. 130）中m的第二项中。可以通
过 外部方式改善并在理论上完全消除这一噪声分鼠。在式(5. 131 )中，a四 I H(w ）尸导致 2

RIN在WR处 的峰值，而在RIN峰值以外的频谱主要为 2hv/P。。因此 ，a1 I H(w)尸只是严

重地影响远离RIN 峰 （ 或 者 W «WR)的 低 频 RIN。 在 a1 I H(w)尸 的 分母中， 可 以 令
2
（味 — 矿） ＝硃而不会在总的RIN谱中引入太大的误差（只要满足(y/叩）亨＞2/(1+2✓,勹），
其中rP 为相对于散弹噪声本底的RIN峰。根据此修改，并且只关注中高级的功率（这时可
以忽略a 1 的1/P}项），式（5. 13 1)简化为

RIN二妇刀。7,（I+Ith)/ I s t+（1 n。)＋心'; ] 2hva2 矿

— 2

凶 P 。[ 1 + 0气';
2
+p
O WR
4 I H(w)I 2 (5. 1 35)

其中式圭y／呻：：：：：：：：：rp [l+I'aP/a]。 第一项为 RIN噪声本底，而第二项导致了 在WR附近从 噪

声本底升起的RIN峰值。该噪声本底源 于如下几种因素（ 为了在第一项中出现）：（1 ）注入
电流(I)和载流子复合(I,h);(2)输出光子的随机选择（ 分配噪声）；（3 ）与从腔体逃逸出来 的
光子有 关的随机时延（只有当频率接近或者远大于 1／式时才能观察得到）。
如果采用具有亚散弹噪声特性的电流源，可以降低注入电流对RIN噪声本底的贡献。
Yamamoto和其他人建议并演示了如果在驱动激光器中采用高阻抗源， 有可能实现亚散弹
噪声电流 注入。考虑这种情况，可以令 I---+S1/q从而使式(5. 135 ) 更具普遍性， 其中S1 是注
入电流 的双边谱密度。对于完全没有 噪声的电流源，S1 = 0。对于散弹噪声受限的电流源，
S1 =ql。如果激光器的效率非常高n 。---1 ，并且如果远高千阙值从而 I>>儿且 I st：：：：：：：：： T/ iI,
式(5. 135 )（排除 RIN峰的贡献）简化为
RIN __2hvS1/ql＋矿书
凶 P 。 1+ 。气';
（噪声本底） （5. 136)

该函数如图5. 19所示。对于散弹噪声受限的电流源，S1/ql = 1,RIN噪声本底在所有 频率

处都降为标准措子极限常数2hv/P。。当频率远小于1/2六式时， 激光器噪声来源千电流 泵
浦源。这样，如果采用无噪声的泵浦源(S1 =0)，可以降低甚至可能消除 f «1/2亢式下的输
• 163 •
出功率噪声。 不过式(5. 135)表明，当 1J 。-o时， 分配噪声替代了电流噪声的贡献 。 因此原
则上应采用光学效率较高的激光器。

RIN
从腔体逃逸的光子的
Af
1泵浦源产生的噪声 随机时延所造成的噪声
标准械子极限一一

"
l/1p lg(JJ

注：假设该激光器的光学效率很高。如果该泵浦源很安静，可以将低频噪声降低到标准量子极限以下。
图 5. 19 相对强度噪声本底的两个分掀

Yamamoto和Machida演不了正向偏置PN结的电流注入噪声的主要成分是串联电阻
的热噪声，这样其 双边谱密度为S1 = 2kT/Rs。 通过采用较大的串联电阻，可以将泵浦噪声
q 以下 。 换句话说，需要Rs»2kT/qI。 当室温下的驱动电流为 1 mA
降低到散弹噪声极限 I
时， Rs»5on 。 采用串联电阻极大的恒电流源，可以将电流输入噪声极大地降低到散弹噪
声极限以下。 许多研究人员采用这种策略来获得无噪声的激光器操作 。 这种激光器必须具
有很高的光学效率(1/ 。�1)并且必须工作在阙值之上 。
对于尤噪声激光器必须要考虑的另 一个问题就是传输和探测过程。 想象一个理想的无
噪声激光器发出一束有规则的理想光子流。 在传输和探测过程中，将丢失某些光子，这些光
子是从均匀的光子流中随机选取的。 这种相对于理想的有规则光子流的随机空缺导致了探
测信号中的分配噪声 。 当损耗较高时，该分配噪声的幅度接近于散弹噪声极限。 利用附录
13中描述的Langevin法包含这种分配噪声（参见习题Al3. 1)，可以得出探测的噪声谱密
度 和 相应的 RIN 为
2
Sdet (w) =沪(q/hv)SiP位） ＋（1- 1/det) qlde t _ (5. 137 a)
(RJN)det = (RJN) lase , +(1-'Y/ de ,)(RJN),h ot (5. 137 b)
t [比 。 这里
2q[de/ 1J d e t是光电探测器的光子收集效
=
其中Ide , 1/ det (q/hv)P。且(RJN)sh o t =

率，其中包含从激光器到探测器的耦合和 传输损耗(7 det 中没有包含探测器的电流泄漏，因

为各平行电流路径并不 一 定导致分配噪声，这同样适用于激光器端的1)。
l

在式(5. 137 a)中，第一项的系数为 常规传递函数，该函数是在将功率噪声转换为探测

器电流噪声的过程中生成的 。 第二项为标准（双边）散弹噪声项，该项通常与探测器的电流
—
噪声有关，这里包含 一个(1 1J de t )因子更为准确。 式(5. 137 b)给出了探测器电流的相应
RIN 。 两式都表明，为了在光通信系统中实现亚散弹噪声性能，在本质上要使激光器到探测
器之间的各种损耗达到最小。 例如，如果在被转换为电流之前有一半的光被丢失，即使激光
器是理想无噪声的，我们能获得的最佳值也仅仅比标准措子极限低3dB。
请汴意，实现高 'Y/ det 与实现激光器的高1。其实并无差别。 本质上，为了再现理想的正
• 164 •
则性，注入到激光器中的一束理想的有规则电子流与探测器产生的电子必须具有 一 对 一 的
对应关系。在该过程中光子的的任何随机分割或损耗都会导致不规则性，从而表现为接收
机电流中的散弹噪声。
3. 多模激光器的 RIN
由千在推导式(5. 131)时采用的都是单模速率方程，因此图 5. 18 很好地表述了单频激
光器中观察到的实验现象。不过，只要在接收功率中包含所有的模式，也可以将该式粗略用
千多模激光器。另 一 方面，如果从多模频谱中只滤出一个模式， 一 般发现该模式包含更大的
噪声，尤其在低频处。这是由于模式分割。由于能量倾向千在时间平均的频谱内观察到的
各种模式之间随机地往返切换，因而造成任一个模式内都存在功率抖动。如果包含所有的
模式，则其净功率趋千使这些抖动平均化。在光链路中存在许多方式对多模激光器的输出
造成不必要的频谱滤波。例如，在多模光纤中，各空间模式将对激光器频谱的每个频率以不
同的方式进行干扰，从而导致每个频率具有不同的传输比例。如果在光链路中存在某种偶
然的空间滤波，这 一 现象尤为严重，因为不同的空间模式将以不同的方式被耦合。
你也许会感到惊奇，在激光器达到单频激光器状态之前，各个无用模式的模式压缩比
(MSR)有多么大。实验已经验证，即使当MSR::::::::;30 dB时仍会发生严重的模式分割，虽然
这时候模式分割已趋于消失。这些单频激光器一般对来自千光路径外部反射的寄生反馈非
常敏感。本章随后内容将讨论这 一 敏感性问题。

5.5.5 频率噪声
对千频率调制应用，有必要确定频率喃啾或噪声。将式(5. 75) 展开可得
d4 =2六 �v(t)＝旦I'v.a[dN(t)]
— + F (t) (5. 138)
中
dt
第 一 个等号提醒我们，可以将频率偏移量视为场相位的速率方程。后 一 等式在该速率方程
中引入了 Langevin 噪声源，该噪声源与激光器的相位噪声有关。转变至频域，可得
1
劝位） ＝ 立I'v.aN1 位）＋ —F中 位） (5. 139)
47( 27(
附录 13 表明，相位噪声源的相关强度化简为下式

邸〉 ＝ 蔚 <F心 ＝ <F令瓦〉 ＝ 0 (5. 140)

请注意，相位噪声源与光子密度和载流子密度的噪声源不相关。为了确定频率噪声谱密度，
．
和上文 一 样，将式(5. 139) 两侧乘以v! （矿） ，取时间平均，对矿积分，可得
2

）
1
S心） ＝ （旦I'v g a)" S N 位）＋ (F十几〉 (5. 141)
4六 2动
（ 2

这里没有出现交叉项，这是因为载流子噪声和相位噪声之间没有相关性。这样，频率噪声有
两个来源：（1）载流子噪声，引起折射率变化并进而导致激射频率抖动；（2） 激光器的固有相
位噪声，该噪声源于自发射入该模式内的光子。对千半导体激光器，以载流子噪声为主，该
值通常要比另 一 项大 一 个数最级。
利用式(5. 127)~(5. 129)可以计算出式(5. 124)中的载流子噪声谱密度。附录 13 执行
了这 一 任务，并表明可以将载流子密度噪声的谱密度近似为
• 165 •
 8 六[ rR'sp
SN位）＝ (I'v 2 I H(w) J 2 (5. 142)
g a) 4:

用式 (5. 142)表示载流子噪声，并用式 (5. 140)表示相位噪声，频率噪声谱密度（双边）为

1 2
Sv 位）＝—（�v)sTCl＋矿IH位）1 ) (5. 143)
2亢
其中
rR:p
(�v)sT =
耘Np
用下面4个拟合参数可以模拟测最的 FM 噪声：如兀WR和(�V)sT。 图5. 20 绘出了典型的
FM 噪声谱。 在高千弛豫谐振频率 时， 可以忽略载流子噪声，从而将 FM 噪声降至由自发发
射相位噪声产生的自噪声本底处。 正如第 5.3.3 小节所述，由泵浦源的噪声贡献 的附加热
分最也会在低频处对 FM 噪声有所贡献。

FM噪声

:
l+a

自发发射噪声

I I------------__ L_ _ -----------------------
(1)

lgw
R

注：其中描述了来自千载流子噪声和自发发射噪声的贡献。

图5.20 频率噪声谱

5.5.6 线宽

为了 将 FM 噪声与激光器的频谱联系起来，有必要引入激光器光的相干时间。 考虑 一
种测械方式来将发射电场 E(t) 和该电场时延后的 形式 E(t —r)混合起来。 只要两个场的
相位是足够相关的，这两个场将相干叠加。 可以将相干叠加 的交叉项或者该场的 自相关函
数写为
(E(t)E(t — r) 长 〉oceiwre-lrlircoh (5,144)
第 一 个因子给出了相于混合产生所需的干涉条纹。 不过由于激光器发射 的并不是纯的单
频，因此随着时延r的增加，两个场的相位变得越来越不相关，干涉条纹逐渐消失，直至两个
场非相干叠加。 第二个因子给出了条纹图案的包络用以表征其相干时延。 正如其功能所
示，通常用 一 个指数项来描述该 时延，其衰减常数被定义为激光器的相干时间 rco h。 不过更
普遍的情况是，Tco h本身可能就是 时延的函数r,oh(r)，这 时其自相关就不会产生简单的衰减
指数形式。
图 5. 2l(a)给出了 一 种直接测最自相关函数的方法，从而可以从实验中提取出r,oh(r)。
利用图 5. 21Ca)中测最的条纹图案可以 将 自相关函数的包络写为
• 166 - •
 —
- I r I /r,oh = Pi+P2 Pmax Pmm (5. 145)
2 ✓冗冗Pma+P
x min

其中P1 cc (IE1 (t) i 2〉和 P2 CC (IE2Ct—r)I 2〉分别是 干 涉仪两 臂的功 率，而 Pmax CC

— —
(IE1 Ct)+E2Ct 9尸和Pm,ncc (IE,(t)+E2Ct r)I勹是探测器测量到的干涉条纹的最小
和最大功率。 通常将第二个比值称为条纹能见度。 第一个比值使条纹能见度在P1=I=R时被
归 一 化。 用两臂之间时延的函数来测扯对归 一 化的条纹能见度，可以产生自相关函数的包络。

压电边角反射

(a) 相干长度测最

光纤

声光
移位器

(b)自外差法

注： （a）其中增加Mach-Zehnder干涉仪一路的长度直到降低条纹能见度为止。
用 一个压电驱动的镜面来提供微小的长度变化以显示干涉条纹。
(b)其中用一 段很长的光纤（远大千相关长度米闱激光器的发射与其自身的
非相干形式混合起来。 其差频信号将两个信号的合成线形在低频处复制
出来， 从而很容易用RF频谱分析仪观察到。

图 5.21 两种线宽测械方法的示意图

一
旦得知该自相关，可以通过傅里叶变换将其 与模式的频谱P。位）联系起来（参见附
录 13):
P。位）cc 歹[ (E(t)E(t-r) *〉] （5. 146)
例如，如果 Teoh 为常数（即，不是 T 的 函 数），则自 相 关为指数衰减，而相应的激 射 谱为
Lorentzian 型。
从实验上可以通过图5.2l(b)中阐述的实验装置很方便地测量出激射谱。 激光器通过
光隔离器耦合进入光纤（需要用隔离器去掉无用的反馈，否则该反馈可以影响激光器的线宽
（参见第5. 7节））。 光纤的一臂与 一个声光调制器相连，用以将光频率移动40 MHz（典型
值）。 光纤的另 一臂比激光器的相干长度 (L,oh 三
vTcoh) 长很多。 当两个非相关场在探测器
处再次合并时，会在40 MHz处产生 一个差频信号电流，其中包含两个光源合成的FM场噪
• 167 •
声。 因此该电流的平方等千合成的光功率谱。 换句话说，该方法有效地将合成的光功率谱
转换为中心位于40 MHz处的电功率谱，用一个射频谱分析仪可以很方便地测出该电功率
谱。 不过由于该谱包含两个信号的噪声，该谱的电功率
—
3 dB 全宽是初始激光器线宽的两
倍（因子2 就是两个Lorentzian线形的结合）。
理论上，通过确定 r,oh (r) 并利用式(5. 146)就可以获得激射 谱。 相干时间与 FM 噪声
和测量时延的关系如下：

上=六r 『:s 心） sm飞／2）

2 如
（妞·/2)
(5. 147)

该相干时间与激光器的积分频率噪声和 sine气or/2)函数的乘积有关叭由千sine气Qr/2)
的第一个零点位千w = 2亢压，随着时延的增加，整个函数朝着零点靠近。 图5. 22(a)阐释了
这一效应。 当sine气or/2)的峰值和零值 随着时延的增加而掠过噪声的谐振峰时，在重叠曲
线上会产生周期性的波纹（由千重叠曲线或者包含或者排除了谐振峰）。 图 5. 22(b)显示了
这一 1/ rcoh 关系效应。 其衰减振荡是噪声中谐振峰的直接结果，否则它应是线性的 r/rcoh 关
系。 其振荡频率等千谐振的峰值频率（约等千 WR) ，而振荡幅度依赖于谐振的陡度和强
度（约等千1/y)。
亡
lgS,' 增加时延

T
WR
lg(J) 时延
(a)当时延增加时，FM噪声谱和 (b)切·呻 与时延之间的函数关系
2
sinc （血／2）函数之间的重叠

。
lg[P (w)]

。一八
V V。 频率
(c)有无卫星峰时的激射谱

图5.22 时延对线宽测量结果的影响

0 该结果的原因如下 。 假设场正比千ei•'e心）， 其中1'(t)是频率噪声产生的相位波动 。 其自相关(X;(ej心 (r) 〉＝

exp[ －（斗(r)2 )/2]，由此得r/Tco h兰（凶(r) 2 〉/2 。 利用傅里叶变换对凶(r)=M(r) — 少(0)台1'Cw) (e ] 妇一 1)和式
(5. 104) ，可以推导出另一对傅里叶变换（凶(r)“台2S♦(w)(l -coswr)，其中S 令(w)是相位噪声谱密度 。 由于相位和频率
与时间导数有关，可以令S+(w)--+(2 亢) 2 S v (w)／矿 。 这导致(A4(r) 2 〉=2r/r, o h (cc} (4 穴) 2 S v (w) sin2 (wr/2)／矿 。 用式
(5. 101) 来清晰地表示这一傅里叶变换并重新整理，可得式 (5. 147) 。
• 168 •
 最后，d 立oh弛豫回到线性关系。 实际上，当 ,»2幻 WR 时，sine气匹／2）函数的峰值位于
FM噪声谱的低频部分，可以在积分内采用S八w) Sv (O)这 一 近似。这导致其结果直接为 ：：：：：：：：

～ sin
］ ＝硕(0) 位／2） dw = 2鹉(0)
2
『
(, » 2叫WR)
2
(5. 148)
Tcoh -～ （叩／2)
该积分等于2亢丘， 从而抵消了 与 时延的关系。 因此，当时延远大于l／儿时，Teoh是 常数，
r/rcoh线性增加，而其自相关降为指数衰减形式。当时延更短时， 衰减指数含 有 一些 波纹。
从物理角度来看，由随机吸收／发射事件产生的弛豫振荡导致 谐振频率附近的FM噪声
增强。由千这些振荡 是由早先发生的噪声事件产生的，可以说该噪声在某 一 给定时间的某
些分扯反映了约1／几秒以前存在的噪声。这样 时延间隔为约1／儿的两个场之间会发生
更高阶的相关或相干。这正是图5.22(6)所显示的。
对e - I,|／产作傅里叶变换可产生如图5.22(c)所示的激光器的功率谱 。不考虑r/rcoh
中的波纹，该频谱为Lorentzian型。考虑波纹，Lorentzian型包含一 系列间隔为谐振频率的
卫星峰。这些卫星峰的幅度与激光器的阻尼因子有关（ 阻尼越小则峰值越高）。不过，不论
是否包含这些卫星峰，该频谱的FW HM线宽在本质上是 相同的。
利用Teoh的长时延表达式(5. 148)将自相关的指数分量隔离起来，然后进行傅里叶变
换 ，可得主要的Lorentzian线形。通常，如果指数衰减常数为氏，则变换后的Lorentzian的
FWHM为纱 ＝ 2/ro。 在以简化方式获得式(5. 1 14)的线宽的过程中，m对应千场衰减或者
2吓 ，导致 纱 ＝ 1／环 。这里，ro对应千 相干时间从而可得
1
!::,.vFw = ___::___ = 2亢 sV (0) (5. 149)
亢rco h

将I H(O)尸＝1代入式(5. 143 )，可得

I'R sp
11vFw = (L'.1v)sT (1＋忒） ＝ (1＋矿 ） （ 5. 1 50)
钰Np
由 此在半导体激光器中，修正的Schawlow-Townes线宽表达式被增强 1＋矿倍（这就是a被
称为线宽增强因子的原因）。其中的值 1代表自发发射噪声的贡献，而矿代表载流子噪声
贡献。
通过令R:P = I'vg g,hn,µ/ V, NP =P。 /hvVµ Va
g m F且am F r; 0 '
=
I g,h，可以用外部参数将高
于阔值的线宽写为
(I'vg g,h)
2
。7
凶码w =
。 sphv (l ＋ 忒）
1J

4P穴

=
38 MHzX (�)
ng
2
(d
、
gh
t )
50 cm-I
2
( 卫）（巨）（一）（
0.4 1. 5 l . 5 eV
l mW
。
P )
（ 1 +a
26
2
) (5. 1 51)

其中采用了各典型值来计算线宽(1/ 0 的值代表单面效率，而P。代表单面功率）。 一 般说 来，
典型的半导体激光器的毫瓦量级功率产生的线宽在几十兆赫兹量级。这样， 为了实现小千
兆赫兹的线宽，需要将功率增加到远大千 1 0 mW。另 一 种减少线宽的方法是 采用外腔，第
5. 7节将讨论这 一 方法 。

5.6 载流子输运效应

在以上各节中均忽略了载流子到达有源区的输运时间。当PIN二极管的本征区和有
• 1 69 •
源区是一个区且相同时，例如对千简单的体材料DH结构，该假设通常适用。不过对于批子
阱有源区采用的分别限制异质结(SCH) ，我们发现必须考虑输运效应。该结构如图1.5所
示。为了下面的讨论，图5. 23给出了更为详细的SCH结构。
在20世纪80年代，人们无法解释为什么屈子阱激光器不能提供上述计算所预期的调
制带宽。从式(5. 51)和更早的版本中，可以清楚地看到谐振频率与微分增益成正比，而采用
植子阱有源区可以获得更高的微分增益。因此，当实验表明乱子阱激光器的带宽与体材料
DH结构的大致相同时，的确令人吃惊。在人们发现输运效应造成的载流子注入时延非常
严重之后，改进了激光器的设计，带宽从而激剧增加。木节将回顾有关的理论。
参考图5. 23，为设计SCH构造了一套3个速率方程。其变化在千用两个新的方程来
代替载流子方程。第 一 个用于势垒区内的载流子密度Nll，而第二个用千有源区内的载流
子密度N。还可以将所有的势垒区叠加在一 起，用来处理多个拭子阱有源IX。新的速率方
程为
皿＝I'，1 订＿凶＋且 (5. 152)
dt qV r,'T e
dN ＝ NB － 1 1
盂 F , N ［－＋ — ]－v,g凡 (5. 153)
扛 . L r. re

dN,
�=[rv.1-;
）
—— ]N +r.觅
p (5. 154)
石）

其中I'" =V /Vsrn是SCH区被掀子阱有源区占据的部分，N订rS 是载流子从SCH区到址子

阱有源区的损耗速率，N/r，是载流子从批子阱到SCH区的损耗速率，其他符号的定义与上
文相同。在这 一 简化处理中，忽略了空穴来源于结的一侧而电子源于另 一侧的事实。不过，
其他分别对待空穴和电子的更为深入的处理方法所产生的结果与这种简化分析大致相同。
员子阱

屯了汴入
左SCH

空穴注入 右SCH

x = -L, x=O x= L,

图5. 23 载流子输运栈戏中采用的含有SCH的单拭子阱激光器示意图

如果只考虑小信号微扰，可以像第5. 3节一样将上述速率方秤线性化来获得微分速率
方程。其矩阵形式为

• 170 •
d d d
N N N 的

， 、
, `
［：／勹

7 YN0 数 Y

yBY YP Ts
、B

BB B

N
0

d-

-
二
dt矩

N
N
(5. 155)

t
y P

＿率

N
，
;P ]

P速
l
的

为
角

子
左
上

2
x
2

／
1
＿＿
BB

,
YBN= rq /re
'YN B= l/I'也， Y,NN= 'YNN +llre (5.156)
其他速率系数的定义与式(5. 35)中相同。将其转换至谱域并利用Cramer法则，可得
—

－
YBB+jw YBN
Np 1位）＝
I'可 II1位）l － YNB Y, NN +jw (5. 157)
qV.1,
0 -YP N
其中
YBB十即 'YBN 0
At 至 一
YNB Y, NN +iw YNr I (5.158)
0 -YP N 丫pp+jo
A t 中唯一的非零部分是(1)左上元素和右下角2X2子矩阵的行列式的乘积；（2）乘积
— —
YBNYN B(ypp十即八将分母中的因子 (YBB+iw)去掉，令YBNYNBI (YBB灯w)=yBNYN BIYBB ]w (x
1)，并承认YNN =Y, NN -yBNYNBIYBB，可得

I'q 1JJ1位）YNBYP N 1/X

Np1 位）＝ (5. 159)
qV YBB+jQ QfR— 矿十jQYt
其中
w;R = (YNPYPN +YN N丫P P) 以 (5.160)
Yt=yN N仅＋Ypp (5. 161)
YBNYNBIYBB
x==l+ (5.162)
YBB+jQ
新的项x被称为输运因子。利用速率系数的定义式(5. 35)和式(5.156)，并另外令yPN = r
V ga N p = I'xw沁p 且Tp = 11 0 hvNpV
1 P /P 1 ，可得小信号输出功率调制响应为
P 1 (w) hv l ”》R
t
= 1 i1 7 — (5. 163)
I1 (w) '/ '/o q l +jw,,w�R 一 矿＋jwy,
其中
吐＝Q 枭／x = v.(a/x)凡／ pT (5.164)

y, = v. (a/X)Np [1 �勹＋
+a/x 1 ＋ I'R (5. 165)
'Tt.NX'Np
J

X =1 +�
(1 +］吭 )
=1＋
s
五
(5.166)

弛豫谐振频率的近似表达式忽略了式(5.49)中的最后两项，并利用了如下事实：在大多数激
光器中，a/ rp >> I'a P/ •t.N 。输运因子的近似表达式忽略了第二项的频率滚落。对于室温下的
典型SCH-SQW激光器中：：：：：：：：100~500 ps中：：：：：：：：20~100 ps，而输运因子为x：：：：：：：：L趴
利用。牍的近似表达式，可将阻尼因子用K因子的形式重写为
Yt= kt广R+YtO (5.167)
• 171 •
其中

K,=4五 [1+
I'a
｀］和 y10= — —
互NX
1 , I'R'.
凡
(5. 168)

从式 (5. 164) 和式 (5. 165) 可以得出结论：经由 SCH 区的输运有效地将微分增益从值a

降为 a/x，并有效地将微分载流子寿命从 rt,.N 增至 r"'NX 。 该模型没有修改增益压缩因子。
降低的微分增益使弛豫谐振频率降低而使 K 因子增加。 微分载流子寿命的增加使阻尼因
子的偏移量 yt0 减少。 此外（可能更为重要的是），产生了 一 个新的前因子，该因子提供了低
通滤波效应，其截止频率为 w = 1 比。 该前因子产生的潜伏的类寄生滚落看起来就像 RC
滚落。
图 5. 24 为 SCH 结构中输运效应的范例。 请注意， SCH 区越窄，低通滤波器效应被消
除，从而允许更宽的调制带宽。
10
5

l3
兰芯竺詈
。

-5
5

10 15 20
频率／GHz
(a) SCH宽度＝760入

10
5
。
8P/
$詈

-5

-10
。 5 10 15 20
频率／GHz
(b) SCH宽度＝3 oooA
注：在相似的功率级上， 宽SCH激光器的调制响应显示了由千载流子
输运造成的有害的低频滚落效应。

图5. 24 窄SCH和宽SCH-SQW激光器的调制响应（除此之外两个激光器完全相同）

• 172 •
 5.7 反馈效应

在典型的二极管激光器应用中，部分光会反射回到激光器腔体内。例如，在尾纤方式中
光纤前表面的反射大约为 4% ，其中约有十分之 一 的光会被反射进入激光器腔体。但是即
使是这么微弱的反馈也会对激光器的线宽和噪声特性造成巨大的影响，对于单频激光器尤
其如此。事实上， 0.4% （ — 24 dB) 的反馈已经很大 了。实验表明单频激光器甚至连 － 60 dB
的反馈也无法接受。
为了理解反馈的影响，现在来分析第3章中的三镜面腔结果。图3. 7和式(3. 34)描绘
的有效镜面的概念将外部腔体的作用折化为有源激光器二极管节段。由此出发可以来研究
反馈对激光器的输出功率和频谱的影响。在定散地分析其静态特性后，将考虑它对激光器
的线宽和噪声谱的动态影响。

5. 7. 1 静态特性

式(3. 34)描述了激光器刻面处主反射r 2 和反馈项的矢量叠加。如图5. 25所示。当反

馈相对较弱时，可以忽略外部腔体谐振（即，可以忽略式 (3. 34)中的分母），因此 反馈项
r eff—rz ＝ 凶r的同相(ip)和正交(q)分量为

t,,.rip = d ✓亢cos(2f3LP )

Mq =-t� ✓环sin(2f3匕） (5. 169)

一
其中 2pL P 是外腔的环路相位。并且，外部反馈值fext 表示发射的功率耦合回到激光器的
部分。用它代替式(3. 34)中的r3 来表示通过外腔往返路径 一 次所经历的额外的耦合和传
输损耗。

Ircil.I
ri r2 hxt=p/P2

巨＃
p
|外部反射
! 2

rCIJ`
邓LP

三 扣
尸L

P
(a)

注： （a） Ar表示反馈，可以改变m的幅度和相位。re"的幅度和相位图表述了其正交关系。

图5.25 激光器输出端的有效反射的极坐标图

• 173 •
 反馈的同相分量t.r;p通过改变镜面＃2处的有效反射率的幅度来影响激光器。它修改
了腔体的光子寿命，并继而改变了激光器的阙值增益、阙值载流子密度和阙值电流。扰动后
的光子寿命为
一
』=_!_＋心am
吓 吓
飞守［ 产 (5.170)

其中 R =r1 r2且t.R =r心r;p。将这些项展开并定义激光器腔体的环路时间为rL = 2L/v.,

可以将镜面损耗的变化表示为

Vg l:.a m = — 2 t;／卢
—
cos(2f3凸）＝ —
2们 cos(2f3匕） (5.171)
r2 TL
这里引入的反馈速率ICf = （tg J兀-;/r2 )lh代表每次腔体环路时间（即每次反弹）内镜面＃2
处反射的场的部分增量。
镜面损耗的变化导致了阙值模式增益的改变，或f:.(I'g,h) ＝ 凶am 。当变化较小时，可以
利用微分增益a ＝ 凶g/t:.N 来确定阔值载流子密度的相对改变，可写为
2/Cf
凶g th= — ——cos(2f3LP ) (5.172)
I'v.
2/Cf
ANth=— cos(2(3L P ） (5. 173)
I'v.a
还可将微扰阙值电流写为
I勾＝ Ith— |6.I,hI cos(2f3LP ) (5.174)
其中与式(5.173)类似，通过定义每单位电流密度的微分增益 aj 可以获得AI t h。当外部反
射与镜面＃2处的反射同相时（即当2P匕＝2亢m时），re l!的增加导致阙值减小。当外部反射
反相时（当2[3匕＝2六m＋心，re l!的减小导致阔值增加。
镜面损耗的变化还影响微分效率和输出功率。将式(3. 30) ~ (3. 32)以Ar,P/r2展开至
一
阶，可以获得如下各项的新的微扰值：总微分效率 T/汃每个镜面发出的光部分F;, 2 和相应
2 =
的输出功率P� 1 .02。利用式(5.174)并假设两个激光器刻面都是无损耗的（即t 1— r2 八镜
面＃1 和＃2 的微扰输出功率为
。 —
P�_ 1 ,0. 2 =P 1 .0. 2 [1 µ 1, 2 cos(2队凸）］ (5.175)
其中

µ 1 ,2 = [2/C1rp (�-1)
叽
］士 [/C1rL (1 —
F1.2 ) (�
�)] （广兄） —

上加号用千 伈 而下减号用于 伈 。提醒读者： I l:iI,hI 表示阙值电流峰 － 峰变化值的 一 半。

式(5.175)表明，如果改变激光器和造成反馈的反射面之间的光路径长度，随着外部反
射与镜面＃2 处的反射之间的相位关系在同相和反相之间变化，输出功率将以正弦形式振
荡。该振荡是如下几种原因的综合结果（按 µ ] ， 2 的出现顺序）：（ l）总微分效率的变化；（ 2）从

每个刻面出射的功率部分的变化；（3）阔值电流的变化。对于从镜面＃2出射的光，前两种
效应相互增强（上符号），而对于从镜面＃l出射的光则相互抵消（下符号）。而且，当叽较
小时第 一 种效应增强，而当从被测刻面出射的光部分较小时第二种效应增强。在阔值附近
第三种效应增强。在某些工作点处，所有三种效应可以相互完全抵消。不过当偏置电流远
• 174 •
高千阔值时，可以忽略第三种效应。 通过对反馈相位扫描并记录峰至峰的功率变化，可以直
接测量 伈 ,2 。 利用该方法可以计算 Kf 和反馈值fext。 不过，由千当反馈很弱时很难探测到
输出功率的变化，该方法仅限用千反馈较大的情况。
图5.26很好地反应了反射是如何影响激光器的L-I曲线的。 如图所示，衬底发射
VCSEL的衬底－空气界面提供了很强的外部反射。 这种情况下输出功率的振荡不是由外部
路径长度的变化引起的，而是由电流增加导致的激射波长的稳定增加而引起的 （这等效千通
过纭的整数倍来扫描反射相位-4 亢 npLp ／入） 。 在3 mA处，微分效率变化和阔值变化的影
响相互抵消。 由于模式牵引，反馈本身通过许多无法预测的方式改变了 p（下文将分析这些
效应），所以振荡并不像式 (5.175) 所示是完全正弦形的。 为了避免输出功率中出现这种振
荡，通常在VCSEL的衬底采用抗反射锁膜。
3.5
2
5
AE迳
2 5 1
妥云 壬涯
。 l
5

10 12
电流lmA

注：当电流增加时， VCSEL的温度增加。 这导致谐振腔的折射率和光路径都增加， 从而导致电流增加时激射

波长稳定增加（并且造成反馈相位的移动）。 当反馈场与 VCSEL腔的循环场相减（相加）时，输出功率到达
高峰（低谷）处（正好与我们想象的相反）。 在高千8mA时l-1 曲线发生的滚落是由于各种热效应造成的。

图5. 26 当衬底空气界面处存在强反射时，衬底发射 VCSEL 的连续波 L I- 曲线

虽然凶 rlP 影响阙值和输出功率，反馈的正交分最6.r q 将镜面＃2处的净反射的相角从零

一
变为知＝6.r q / r2，从而影响腔体的谐振波长。 没有反馈时，当 o
2/3L=27t:m时满足谐振条
一
件。 存在反馈时，积累的环路相位必须满足： 2/3L＋扣 2n:m圭 —2/3儿。 换句话说，p必须
＝

自我调整来满足2(/3—/3。）L＝知。 在色散介质中心f3 =
6.叫 Vg ，允许将外部反馈导致的频移
写为
1'ell
� w+ = � = -,crsin(2/3匕） (5.176)
TL
—
如果令环路相位变化为战r-t = -AQTI，可知该式等价于 A4r-t/n = 4e ff/rL，并简化为
凶r·· I ＋扣 ＝ 0。 换句话说，环路相位变化补偿了镜面＃2处改变的相位。
此外，通过线宽增强因子 q ，阔值载流子密度的变化也可以改变环路相位。 这导致激射
频率产生额外的移动。 将阙值载流子密度变化式 (5.173) 代入式 (5. 75) ，可得导致的载流子
所致频移为
!::. WN = -atcrcos(2f3Lv ) (5. 177)
• 175 •
将式(5.176)和式(5.177)相加，并利用三角恒等式：asin扣＋bcos¢,
=
,Jc了平Ysin［护十tan 1 (b/a)],
总的频移变为

A w= － Kf』sin(2J3匕＋仇）圭 杜 —
(5.178)

其中仇＝tan-1 a （随着 a的增加而在 0 和 亢／2之间变化）。 定义4句为镜面＃2的有效相位，

一
这是载流子所致 环路相移的 一 部分，则式(5.1 78)等效为 A少广1 /rL =4' eff压， 并简化为
＇
凶尸＋4ef1= 0。 请注意，a令礼增强 并导致正交sinx关系 变为co sx关系，更加与阙值增
益的变化式(5.172)同步。
我们的目的在千确定模式频移A(tJ。 首先直接用频移和外腔环路时间<ext =2L /V
p gp 将

反馈相位写为
。
祁匕＝心(tJ<ext +2{3, L P
·
(5.179)
。
2/3, L P 是存在于激光器的无微扰频率处的反馈相位。 将其代入式（5.178)，产生 一
个无法用
解析法求解心o的超越方程。 不过，通过分别绘出左侧和右侧 并找到 满足方程的频率点，可
以获得求解。 图5.27显示了这种图形求解法。 图中作为频率的函数绘出了3个内部腔体
—
模式的环路相移的负俏 A4r-t = Awr1和镜面＃2的 有效相位＃句。 只要当两个相位 相销
-A4r t＝礼，即表明只要两条曲线相交时，就会出现一 个腔体模式。
对千弱反馈，每个初始内腔模式只存在一个模式。 但是对于强反馈，有 可能在 每个
初始内腔模式周围聚集着多 个模式。 如图所示， 这 些外 腔 模 式 之 间的间隔略为不均
匀。 不过，当反馈和振荡幅度增加时，外 部模式间隔变为均匀 并接近千心(tJm =兀压ext（每
个零交点 一 个）。 这是有可能预计的 模式间隔的 一 半。 例如，无微扰的内腔模式的间
隔为凶）m ＝2亢压。 采用六 相位间隔 而不是通常的红相位间隔的原因在千同相和反相
反馈反射情况（间隔为六）都代表有效解 （当 a=0,2f3o匕＝切m)，因为 两种 情况下都保持
镜面＃2的反射 相位 无微扰。 由于反相 解 具有更高的阙值增益（参见式(5.172) ），因
此在多模激射谱中不是很显著。
通常，该求解不会产生纯的同相或反相反馈模式（ 通过它与Agth极点对准的程度可以
识别 这 一 点）。 不过，这些模式并不会格外倾向于某 一 种。 例如，在图5.27中，可以将源于
模式0的第1、第3和有可能第5个外腔模式列为相对同相，而第 2和第4个模式 明显地更
接近千反相模式。 在 3个相对同相的反馈模式中，具有最低阙值增益的那个（即具有最大同
相反射的那个）成为频谱中的主要模式，从 而代替了没有反射时激光器的内部模式。 从图中
可以看出，主腔体模式无需是最靠近初始内部模式的那个外部模式。
从单模解到多模解的转变显示了激光器模式谱的 一 个显著变化，有必要对其进行定最
.
分析。 从图527 可以清晰地看出，当直线的斜率( — !::;.¢,,I) 超过振荡曲线的最大斜率

（杜） 时，不 会 存 在多 个 解。 利 用 式 (5. 1 78), 杜／n的 最 大 斜 率 为氏<ext ✓门飞气而

—
A4r -1/n的斜率为1。 这样，当满足下式时不会存在多个解：
C＝ 虹ext卢<1 (5.180 )
反馈系数C通过它对激光器 模式结构的影响表征了反馈的程度(C =
|d§'II/d(wrl
e )| max )。
从图5.27显而易见，此快且／ 或强的振荡可以导致多个解。 式(5.1 80)反应了 这 一 现象，这
• 176 •
表明长外腔和／或强反馈情况可以产生多个外腔模式。
一五心os(A0环）

。
(J)一(J)

w-w I)

强反馈
AWT!+27t
模式－ 1 模式 0 模式＋1

注：直线和正弦相位曲线的交点代表了弱反馈和强反馈时的腔体模式。 图中的虚线
代表了在强反馈情况下聚集在模式0附近的外腔模式的相对阔值增益（这些曲线
假设2{3,L p=27tm)

图 5. 27 具有外部反馈的激光器的腔体模式求解的示意图

5.7.2 动态特性与线宽

上 一 节讨论的激光器的静态行为考虑了由进入 激光器的反馈所导致的闾值、输出功率
和模式谱的基本变化。 但是当载流子和光子密度随机抖动时，这些稳态解并不总是处千稳
定状态。 换句话说，激光器的固有噪声可以造成动态不稳定性，从而可以在特定反馈条件下
完全失去控制。 导致这些不稳定状态的因素主要有两种。
第 一 种因素与图5. 27 所示的模式解有关。 在特定条件下，两条相交曲线可以互为正
—
切，正如具有弱反馈的十1 模式（在零交点处）或者具有强反馈的 l模式（在正弦波的极点
处）所示。 这种状态没有很好地满足谐振条件，从而使模式的准确位置对载流子导致的环路
相位的抖动极为敏感。 模式的随机位置还会影响阔值增益，如果其他解具有相似的阔值增
益，便会造成不规则的跳模。 第二个因素与反馈场相对于再循环模式的外部环路时延有关。
功率和相位抖动的延时再注入可以急剧地加重激光器的不稳定。 其最终结果就是外部反馈
会极度地影响单频激光器的噪声、线宽和动态特性。 一定程度的反馈和时延会造成自脉动、
线宽非常宽、或者低频噪声极度增强。
实验上已经确认了存在反馈时的激光器性能的5个不同区域。 如图5. 28所示。 先来
一
看 下I区中曲线的底部。 当反馈较弱且外腔相对较短时，C<l并且每个初始的内部激光
器模式只存在 一 个模式。 在此区域内，已经观察到某些反馈相位会使激光器线宽变窄，而其
他情况下则会加宽。 RIN值也会有类似的减少和增加。 图5. 27可以解释这一行为。 如上
所述，当两个相交曲线相互正切时，模式位置会抖动，从而导致线宽增加。 对于弱反馈的十l
模式， — 凶'Pr -【和＃句的相位斜率互为平行，从而造成不稳定状态。 不过，当两个相位斜率相
• 177 •
互交叉（正如具有弱反馈的0模式）时，反馈使模式位置达到稳定，从而使线宽变窄并使激光
器的噪声变低。 更为严格的分析表明激光器的线宽与两相位斜率之间的差值成平方反
比叭即cc[d（凶少r -- t ＋的）／d(wrL) J-2。 利用式(5. 178 )来计算诸导数，可以将具有反馈时的
线宽用无微扰的线宽表示为

�v =
。
�v
。 [1 +c cos(2队匕＋仇）］ 2 (5. 181)

其中仇＝ tan--1 a,C 由式(5. 180)给出。

V:稳定、 窄的单谱线（主动反馈）
- IO

-2 0 W：相干塌陷
－士 (JJK 处的边模失控
－对千所有的反馈相位，谱线都变宽
-30
－ 4。。
8P飞 j

田：对千所有反馈相位，单一窄谱线
5
－

II :多模
－对反馈相位敏感
-6 0 －窄谱线或者分裂的宽谱线
－跳 模

-70
I:单模
－对反馈相位敏感
－窄谱线或谱线变宽
-80

-90
5 10 20 40 80 160 320 640
相距反射点的距离／cm

注：这里绘出的区域边界是 一 个特殊激光器的测量结果，该边界可以根据
激光器的结构和偏置级有所变化。 例如，箭头表示随着输出功率的增
加的边界移动方向。

图5.28 5个反馈区的示意图

当反馈相位被调至2/3匕＝2亢m－仇时，两个相位斜率交叉，线宽变窄至t:.v。/O+C) 2 0
— 2
当 2/3Lp= 2亢m+六一仇 时，两相位斜率平行，线宽变宽至t:.v。/（1 C) 。 在两个极点之间
（例如在 一 1模式处），反馈相位的斜率接近千零，线宽---t:.vo。 通常将0模式的交叉相位斜
“ “
率结构称为具有 同相 反馈，不过只有在仇＝0时这一点才成立。 同样的，十1模式的平行
“ “
相位斜率结构被称为具有 反相 反馈。 a越大，两种结构就越接近千具有正交反馈相位。
通过调节2/3。匕可以将图5. 27中的所有正弦曲线向左或向右移动所需的位置，从而可以将
激光器的主模（即0模式）调谐到这两种结构的任一种。 2/3oL P 每改变六值就会将相位斜率
的对准关系从相交变为平行。 在任一种情况下，无论反馈相位如何，当C<O.05时，反馈将

(!) 只要尸，＜ r,ol， 该式就成立，这样反馈场与腔内的再循环场相干干涉 。

• 178 •
使线宽改变小千10%，在许多应用中都可以将激光器视为足够隔离。当c-1时，变窄和变
8 )算出反相反馈结构的线宽为无穷大（即，当两个相
宽的现象将增强，直至最终通过式(5.11
位斜率完全相互相切）。现实中，激光器的模式分裂为两个模式，这定义了区域1和II之间
的边界。
对于长外腔，即使是相对较弱的反馈也能导致 C>l，从而进入图5. 28 所示的区域II。
区域II用区域1描述的相同的反馈相位敏感度来表征。不过，在该区内存在多个解。实验
上，随着 C 的增加，0 模式的同相反馈结构继续提供窄的单一谱线。很明显，当交叉相位斜
率使该线宽稳定时，即使存在其他的模式解，激光器也倾向于该模式。对于十1模式的反相
反馈结构，当正弦波的极点随着反馈的增加而穿过直线相位曲线时， 一个模式分裂成3个模
式解。从图5.27可以看出强反馈下十1模式的3个模式。在3个模式中，穿过零点的模式
通常具有较高的阙值增益，因此并没有出现在频谱中。不过可以通过2伈匕来轻微调谐外
部的两个模式解直到它们具有相同的阔值增益为止。对千这 一 反馈相位，激光器的谱线分
裂为两个距离很近的模式。这样，区域II内的反相反馈结构的特征是 一个双峰线形。
随着反馈的增加， 两个模式之间的间 距增加并最终达到 2 亢／rext （正弦波的 一 个整周
期）。这样，总的有效激光器线宽可增加到心~4/rex1。而且，激光器不会同时存在两个模
式。相反，它将在两个模式之间以几兆赫兹益级的速率来回跳跃。这一跳模产生的低频噪
声对 一 些应用非常不利。但对于区域 I 和II，有意地采用具有适当反馈相位的反馈可以改
善激光器性能。实际上，维持适当的反馈相位可能存在一 定的难度，通常最好保持C<O. 05
或者完全远离区域I和II。
随着反馈的增加，反相反馈结构(+l模式）的两个模式间隔接近2亢丘ext，这时跳模的速
率减小并最终停止，这标志着转换进入区域III。激光器稳定在两个模式中的一个上。有趣
的是，源千＋ 1 模式的两个外部模式已经沿着正弦波移动到交叉的相位斜率上，并导致了稳
定的窄线宽结构。实际上，图5.27已经接近了这 一 程度。其结果是，同相和反相反馈结构
的线宽都变窄，使区域III与反馈相位无关。实验表明，区域II和III之间的边界与外腔长度无
关（正如图5.28 所述的所有其他反馈更高的区域边界）。虽然区域III提供稳定的、低噪声、
单 一 窄谱线的激光器操作，但是它只覆盖了 一 小部分反馈程度范围。当输出功率增高时，该
反馈区域变宽，可是相对而言仍然很小。虽然可以有意设计一 个具有严格容许度的反馈系
统从而将反馈程度保持在区域III内，但是这并不实际。
当反馈程度继续增加时，激光器进入新的区域，用多个相对较强的外部模式解之间的复
动态相互作用可以表征该区域。当反馈如此之高时，含有反馈场时延的场和相位的速率方
程模型造成了不稳定的解和无秩序的行为。的确，实验表明线宽如此宽以至于激光器的相
干长度降到 1 cm以下（与几十米相反）。因此，区域W被称为相干塌陷区。该塌陷开始于区
域N的转变过程中，这时由噪声所致的弛豫振荡引起的通常很小的卫星峰（如图5. 22 所述）
变得越来越大，最 终 可以与中心峰相比拟，并使 线 宽 极剧变宽。已经发现，当反馈速率
Kr�WR 时，区域III和N之间发生转变。下面给出对反馈临界级的更为精确的理论估计：

fext I ccit ＝ 命（K八十Yo) 2 （了） （5.182)

其中定义激光器的耦合因子为C=d/2r2 （对千Fabry-Perot腔）。K因子和兀由式(5. 53)

• 179 •
给出。 当输出功率更大（通过几）、a更小、腔长更长或者激光器耦合因子更小时，临界反馈
级增加。 人们已经从理论上计算并从实验上验证了相干塌陷区内的最大线宽和 RIN 值。
其值如下：
心vlmax=/R厂二 (5. 183)
RIN ＝ ＝ (5. 184)
!:,.f I max y Kf; +ro
当谐振频率为5 GHz，且a= 5时，可得最大线宽为30 GHz! 不过，当输出功率为几个毫瓦
时，典型的阻尼因子为10 10 s-1，可得 RIN 值为－ 100 dB/Hz。 该 RIN 值较大但并不是最
大。 这样，只要线宽不是很重要的因素，简单的系统也可以在区域W内勉强工作。 图5. 29
归纳了反馈对激光器线宽的影响，其中包含了区域I到W。 在测量结果上叠加的包络表明
了由反馈相位造成的线宽变化。
反馈系数c�
50
5
10
5
lO

互、1=5 ns

4
lO
。
z
H者V捩悉
飞｀

赘
．

10
2
｀
， 乌
＼
d

¥
II

m
I N

`
10
10
-, -, -4
10 10" 10 lO

有效外部反射率R还1 ---

注：罗马数字 I ~IV表示图528 给定的区域。 在本例中，假定 InGaAsP/InP激光器的各参数

为： T,,.= 5 ns, T._= 9 ps, R,=O32, a = 6, 且每个刻面的输出功率为5mW(R知 刍切入1)。

图 5.29 频谱线宽与外部光反馈值的关系

最后，当反馈级非常高时，外部镜面变得可以与激光器的镜面反馈相比拟，可以观察到
• 180 •
一个稳定的区域。 通常只有在有目的地精心设计反射时才能达到区域V。 例如，第3章分
析的一体化复腔体就属千这 一 类别。 一个外部镜面通过镜面＃2上的抗反射锁膜与激光器
腔体很好地耦合，由此也可以达到区域V 内的反射级。 该反馈区具有稳定的模式解，并具
有非常窄的线宽。 如果镜面＃ 2 反射很小，可以将整个激光器腔体视为一个模式间隔为
2 幻(<L +,ext) 的 一体的激光器。 这样通过在模式增益中增加 一项填充因子可以直接算出线
宽的影响。 上文推导的线宽表达式(5.151) 与尸有关。 这样，其他各项相等，可以将区域 V
中变窄的线宽表述为
2
�v=�v。( 已＋订
n Lga
pL
a

g P )
(5. 185)

由千 Cccngp LP ／订g a La ，该 结果并非与同 相条件下算出的式（5.181) 完全不同。 采用典型值

L,=300 µm 、 LP = 5 cm 、订g , = 4. 2 和 ifgp = 1, 线宽变窄约 (1/40) 。 因此外腔将线宽从
2

100 MHz变窄为 62. 5 kHz！结合频率选择滤波器来获得单模操作，对于那些要求高度相干

光的应用领域，这种外腔反馈非常有用。 但是对千无意地产生的反射，很小的反射（例如源
于 一 定距离之外的光纤接头）就很容易落入区域V。 因此光通信系统通常需要采用光隔离
器来提供大千 60dB的光隔离。

习 题

5. 1 图 5. 1 中相对千阙值的电流是多少？
5. 2 推导镜面损耗调制的激光器（而不是电流调制的激光器，即假设dl(t)=0,dam (t) =
知 I e iwt )的 H(w)和P1 。 两种调制类型的主要区别是什么？
5. 3 假设腔体内存在两个竞争模式，并且忽略模式间的增益压缩，请推导 H 位）。 在哪种
情况下总光子密度的调制响应分别与每个模式的调制响应相似（换句话说，在哪种情
况下可以忽略光子分开进入不同模式）？
5.4 一
个激光器含有串联电阻R 和穿过二极管的平行的分路电容C，因此并非所有的终端
电流I]都能到达有源区，请推导其P1/I!。 将结果 用总的转移函数 HRC 位）H(w)表
示出来，其中考虑RC寄生电路。 假设串联电阻为 10 0，激光器的阻尼忽略不计，其弛
豫谐振频率为 20 GHz，请确定电容为多少时，激光器的3dB带宽将降低至无寄生时
带宽的 90% 。
5.5 求解式 (5.59) 的极点，证明式(5.60) 是正确的。
5. 6 利用表 5. 1 ，计算式(5. 49) 中的所有各项，并且验证式(5.51) 。
5. 7 利用电流阶梯函数的解析近似，对千从两倍千阙值的初始值突然上升 10 ％的电流，请
绘出一个长 300 µm 、宽 3 µm 、具有解理面的In GaAs/GaAs 3QW 掩埋异质结激光器
的 一 端输出功率对此响应后在时间上的曲线。 该激光器的发射波长为0. 98 µm ，内部
一］
损耗为 5cm ，内部效率为 80% ，量子阱宽为 80A ，限制因子为 6% ，其增益与复合参
数如表 5.1 所示。
5.8 对千图 5.6(a) 示例给出的瞬态响应，假设线宽增强因子为 5 ，请绘出频率咙啾与时间
的关系曲线。
• 181 •
5.9 对于表 5.1 和图 5.6 描述的共面型器件，在两倍千阙值的偏置电流处施加频率变化的
小信号正弦电流。 其频率响应在某一频率处达到峰值然后迅速滚落。 请间该峰值 频
率是多少？它与弛豫谐振频率相差多少？
5. 10 一个发射波长为1. 55 µm 的 InGaAsP/InP 激光器的线宽增强因 子 为 5 ，将其在
1. 5~4.5 倍于儿的范围内调制，导致输出功率在 1~7mW 内变化。 假设在 1 Gbit/s
处的输出为梯形，每个极点处的线形过渡区为 0.5 ns，常数功率平台为 0.5 ns，请绘出
10101 …序列的两个周期内的喃啾图。
5.11 一个发射波长为1. 3 µm 的 InGaAsP/InP 激光器的阙值载流子寿命为 3 ns，将其偏
置在 0.9儿处。 在 t = O 时，驱动电流突然增加到 2Ith 。 其导通时延是多少？这里可
以采用任何必要的假设。
5.12 考虑参数如表 5. 1 所示的 InGaAs/GaAsVCSEL 在 100 MHz 处发出的噪声。
(a) I = 2儿时的 RIN 值是多少？ （是否可以假设几很小？）
Cb) I = 5儿时的 RIN 值是多少？ （是否可以假设 P。很大？）
5. 13 习题 5.12 的两种情况下的线宽值是多少？其中假设线宽增强因子为 5。
5. 14 计算习题 5. 13 中两种情况下的 3 dB 调制带宽。
(a)忽略输运效应。
(b) 考虑输运效应，其中由于最子阱内的弛豫效应而导致 SCH 区内的载流子寿命为
50 ps，并且忽略量子阱以外的泄漏。
(c)考虑输运效应，其中用 200 ps 的额外的寿命来表征从量子阱泄漏出进入 SCH 区
的部分。
5. 15 证明式 (5. 145) 。 如果归一化的条纹能见度以指数方式衰减，并且当时间衰减为 3 ns
时等于 0. 2，激光器的线宽是多少？
5. 1 6 在图 5.26 中，计算输出功率为 2.5 mW 时的 伈 。 由此利用表 5. 1 中的VCSEL 参数
来确定反馈程度 fext ，其中假设所有的光都从镜面 2 耦合出射，并且远高千 阙值。
VCSEL 的腔长和折射率分别为 1 µm 和 4.2 。 将该反馈级另外用 dB 表示。
5. 17 请计算图 5.26 中VCSEL 的衬底厚度。 其中假设器件丁-作在阔值以上，常数电压为
° °
3V，热阻抗为 3 C/mW，波长移位为 0.08 nm/ C，衬底与空气之间的反射为 32% ，衬
底的群折射率为 4.2。
5.18 在一个长为 300 µm 、具有解理面的1. 55 µm 的共面激光器中，从一个光纤端面的强
度反馈为 4% ，其中大约有四分之一将耦合回到 激射模式 中（穿过镜面2的传输
除外 ）。
(a) 绘出当 a = O, 2, 4, 6 时，反馈参数 C 与光纤长度 L P (n fibec =1. 45) 的关系曲线，
L P 最长为 1 km。
(b) 绘出可以用于区域 I~ill 的线宽变窄和变宽因子与 C 的关系曲线，其中 O<C<lO。
请分析当 C 接近千 1 时的情况。

• 182 •
 第6章 微扰与耦合模理论

言
6.1 引

从本章开始的以下3章将着重从电磁场角度来分析光波传播，并将其用千二极管激光
器及其涉及的栠成光路。 本章将采用重要的微扰法和耦合模方法，近似地求解非常复杂的
问题，否则必须通过数值方法来处理这些问题。
这些方法通常要求必须先获得相对简单的波导结构的某些本征模，然后用这套基本的
本征模来表示那些含有微扰的或者更为复杂的结构的解。 利用这套基本模式之间的正交关
系，可以推导出 一 些常规公式，这些公式有助于求解那些特殊的问题。 这些公式的重要性在
于它们只涉及到物理尺寸以及 一 些最基本的函数。
首先回顾第2章中介绍的波导本征模电场E 的 一 种简便形式。 对千模式 m，电场作为
空间和时间的函数（式 (2. 18) ）为
Em (x,y,z,t)= e ;EomUm (x,y)ei 伍 i-{Jmz) (6. 1)

其中;是沿着第1个坐标的单位矢量（给定偏振方向），Eom是电场的振幅，um是模式m 的归
一
化横向模式分布形状。 为了方便起见，可以将偏振态包含在 um 中，即U m=;,Um。 因此
利用本征模之间的正交性可得

f止• Un dA = fJmn (6. 2)

其中仁是Kronecker Delta函数，当m= n时该值等于 1 ，其他情况为零（对千正交偏振，即

使当m= n时点积也为零）。 均匀波导的正交模式之间并不相互作用。 此外值得提及的是，
通过普通的波导问题求解过程，可以发现本征函数um 提供了一 套完整的解。
已知 um构成 一 套完整解，用所有这些波导本征模（包括非导波的辐射模）的正交模式
展开可以表示波导附近的任意场。 这样
E(x,yz
, t
, )—区凡(x,yz
, t
, ) (6. 3)

其中求和号中各项的幅度就是式(6. 1)中的Eom。 式(6. 1)和式(6.3)都是如下波动方程的解：

\72E+.;(x,yz
, )k扭＝0 (6.4)
其中o;(x,y,z)是相对介质常数人是该介质的自由空间传播常数。 对千波导的 一
个模式，
将式(6. 1)代入式(6.4) ，可以获得横向模式分布形状U 的波动方 程 ：
WU+[e:(x,y,z)k�—矿]U=O (6. 5)
2 2
其中利用了了E= 3 E/3z 十环E 。
即使是 一 个简单波导的高阶模式也可能会很复杂，但是在本章的所有讨论中，最多只需
• 183 •
要知道两个模式的细节。实际上，大多数问题都只需表征 一 个模式。

6.2 微扰理论

6.2. 1 均匀介质微扰

许多实际的波导结构都是在一 个数学上较为简单的结构上叠加轻微的微扰，该基本结
构的本征模分布形状U,'，和传播常数队都是已知的。通常可以用相对介质常数的变化侬
生来表示该微扰，该变化址在 一 般情况下是复数并且／或者沿着 z 向呈周期变化。
如果用 c＋上来代替式 (6.4) 中的c，在大多数情况下必须假设用式 (6. 3) 来表示微扰
场。不过，首先我们认为这些微扰足够弱，因而可以忽略进入其他模式的散射。这种情况最
易千在单模波导中发生。而且在该范例 中，假设 Ac沿之向是均匀的。因 此， 为了与
C-c +Ac对应，可以令式 (6. 5) 中仕•[3+ !::,./3 且u-u +1::,.u。可得
焊 (U+AU) ＋［（c +Ac ) kt-（/3十凶例］（U＋丛U) =O (6. 6)
展开乘积项，去掉尤微扰的横向波动方程（等千零）和二阶微扰项，其余可得
焊t:,.U+ek沁U+t:,.ck江U-2/3A/3U— 矿丛］ ＝ o C6. 7)
现在介绍一种用来简化复数表达式的技巧，本章将反复用到这种方法：乘以横向模的复
共辄并在横截面 上积分。在随后的案例中，根据模式正交性可以去除更多的无用项。在本
案例中，可得

uu 美 － 矿t:,.UU']dA
2f3竿{IUl 2 c1A = f1::,.出IUl 2 c1A十J[(辜U)U* +ck沁 C6.8)

正如附录14所 示，只要丛U和U在无穷远处都消失并且无微扰的c 和p基本为实数，就可

以忽略等式右侧的第二项。这表明由千Ac造成的横向模式分布形状的微小变化t:,.U在一
阶上对传播常数没有影响。因此，在一阶近似内，模式分布形状的变化不会改变该平均值，
只需知道最初无微扰时的横向模式。
然后，求解 A/3，可得所需的微扰公式为

IA法�IUl 2 dA
凶f3 = � (6.9)
2/3{IUl 2 dA

如果根据式(6.2 将
) U归一化，分母积分为1。通常，折射率微扰被限制在侧向范围内，甚至
在 一 定范围内还是常数，这时很容易积分。这里需要注意的是，除了实际的微扰生以外，
所有其他的扯都用千最初的无微扰问题。下面将要分析的范例是在一个简单的三层平板波
导上增加掀子阱有源区来构成更为复杂的SCH-QW激光器。

6.2.2 量子阱激光器的模式增益与折射率微扰的范例

在三层平板波导上增加一个量子阱是一个可以采用上述微扰理论求解的相对简单的问
题。该方法为 一 个相对复杂并且技术上非常重要的问题给出了迅速而简单的结果。
图6. 1为该问题的示意图。式(6.9) 只需要无微扰的横向本征模 U丘，y) 和传播常数
/3，以及实际的微扰项 A6 = Acr +jAc,，在本范例内该项为复数。该积分被限制在有源区A
• 184 •
内，因为其他各处的生都为零。将Ap根据实际的有效折射率和模式增益微扰展开，并将
AE根据有源区内的实际折射率和增益分最展开，可得

。 2nA
k�
I （也＋ J 4TC
2入
f;)\u[ dA

II
2TC6.ff (g〉恤'Y
凶p= +j (6. 10)
-

入 2 2f3
u I 2 dA

有源区
／
SCH波导｛ 一了

图6. 1 址子阱激光器示意图，其中将有源层视为微扰

分别求解模式增益和有效折射率微扰，得

IA
也JUJ 2 dA
(g〉 .,.y = 行 = r“ 如 (6. 11)
IWI 2 dA

纽＝
飞勹A IUl 2
dA
＝I'xyAnA (6. 12)
归尸 dA
其中假设有源区内的增益和折射率微扰都是常数，其值分别为gA和b,_nA。如果以正确方式
将U归 一 化，则分母中的积分等千1。
对千该波导结构的模式增益和有效折射率的增加显，式(6. ]])和式(6. 12)与附录5和
第2章所述的表达式相同。

6.3 耦合模理论：两模式耦合

沿着波导引入折射率和损耗微扰，可以便千不同的基模（当然在没有微扰的情况下是正
交的）之间进行耦合。例如一个被孤立的均匀波导的基模组，由千两个无耦合的模式的传播
常数不同，因此为了形成这种耦合，微扰通常必须沿着传播方向具有 一 定的周期性。 一 个重
要的实例就是光栅，其周期性使得源千 一 个波导模式的散射相干地耦合进入另一个反向的
模式中。
另 一 方面，如果将两个相同的均匀波导置于 一 起，从而使其无微扰的简并模式相互重
叠， 一 个波导的折射率的存在将干扰另 一 个波导的模式，从而导致相干耦合。由于只有具有
相同速度，沿着相同方向传播的模式之间才能耦合，因此将其称为方向耦合器。更为通常的
• 185 •
情况是，可以在耦合波导上加入周期性的折射率微扰来构成更为复杂的耦合器。下文首先
分析单一波导中的简单光栅，然后讨论均匀波导间的耦合，最后分析所谓的两个波导 之间的
光栅辅助耦合。

6.3.1 反向耦合：光栅

1.一般理论
首先考虑两个沿着相反方向传播的相同波导的相同模式之间的耦合。这种耦合反映了
激光器腔体内的某种特殊模式，因此非常重要。根据这一假设，并将讨论限制在折射率波导
结构（这时的相前与波导轴向垂直），可以将净场表示为两个反向传播的相同模式之 和。利
用式(6. 1) 和式(6. 3) 得
心 f3z) + 卢t+ /3之）
( y
Ex , ) [E 1e
( y
, ,z,t) =Ux Ebe ］ ( 6. 13)
－

其中E和丘 为两个反向传播模式的振幅。
现在采用假定的微扰 e-e＋6.e(Z），将式(63
. )代入波动方程式(64)。令Ae是z的函
.
数，因为只有如此才能产生所需的耦合。如果存在耦合，振幅 Er和丘将随z变化，因此需
要完整的波函数式 (6. 4)。不过，如果假设该耦合很弱，则这两个振幅的变化将非常缓慢。
因此，如果这些系数不太大，在进行波函数展开时，可以去掉那些含有二阶导数的项。并且
为了更具普遍性，我们允许小的丛八虽然该项可能不会出现在最终结果内（类似千6. 2. 2
小节的微扰结果）。
由千无微扰的e和U所产生的项满足无微扰的波动方程，去掉微扰内的二阶项以及二
阶导数，可得

`(U五U)詈庐＋Zj/3（U＋心）詈妒

=-[VJ1::,.u+（法t -f心U][E｛ 产＋Eb 产］－凶z)k5U[Ere-;µ, +E1,e)勹(6. 14)

将其与u·点积，并对横截面积分。根据附录14可知，式右侧的第一项为零，正如上文式
(6.8)中的情况。其次，含有1::,.U(dE, Idz) 的各项其实是二阶项，与其他各项相比可以忽略。

最后，将其除以 — Zj/3jU
l l 2dA可得

dE dEbe沿2 = － . K 2 I!::,.e(z)U|
| 2dA
一f e �[E1 e 沿z
+Eb 产］ ( . 15)
6
dz~
沿'———
dz 2f3
I|U|2dA

( ) 沿着z是均匀的，由千这时dE1/dz=－ 沁卧沁且dEb /dz= jb.[3凡，最终

请注意，如果 Aez
剩下的就是两个相互独立的前向和后向传输波的微扰公式。可以想象，生(z )中的直流分
扯导致传播常数均匀地改变了 Af3。不过为了将前向和后向波相互耦合起来，生(z)必须包
含因子exp（士2j[3z)。
对千更为普遍的情况，Ae(z)是复杂的空间周期性函数，其横截面可能是不均匀的。这
时，可以利用傅里叶分析获得
泣(xy , )＝兰兰( X ,y)e-j/(2,/A) z
, z 6
( . 16)

其中2 六 l/i\.是基本周期为A的任意周期性微扰的各种空间谐波。将其代入式 6
( . 15)，并寻
找前向和后向波相互耦合的可能解，就可以确认那些在所有z点都为方程两端提供相似指
• 186 •
数因子的项。即

I邑 (X, Y) I u I 2dA
K2 产 -J(（2"／
dEf 沿 =— 立
e J 趴 e (6. 17)
扣 2/3 |U尸dA
2 A)2

根据剩余各项可得相似的dEb／中方程

6.E-1 (X, Y) I LJ I 2dA

dEb 竺Ee lp e压／ A ） I
巴＝ J (6. 18)
d之 2/3 JI[} I 2dA

根据式(6. 17)和式(6. 18)，可得知为了使dEf／扣或dEb /上在

一
定距离内保持相同的符
号，也就是说，为了实现耦合的相干同相，必须满足如下条件
4六订
(6. 19)
2
A 入
7(
l — =2(3=

因为我们只对E和压在几个波长或更长的距离内的净效应感兴趣，所以可以忽略其他各
项。也就是说，除非满足式C 6. 19)，微分方程式C 6. 17)和C 6. 18)不会改变E和E1，与之的关
系。式C 6. 19)表明，对千好的反射光栅，折射率微扰的周期A应该是入／颂的某 一 整数l倍。
这就是Bragg条件。图6. 2所示的波导含有用于前向和后向波耦合的折射率光栅。

Ac（二）
E(x,y,::)
石 J

注．相对介电常数（折射率的平方）沿抒＝向在其平均值E周围作周期性变化，
因而各反射分供同相相加。

图6. 2 含有用于反向耦合的折射率光棚的波导

在继续求解方程式(6. 17)和(6. 18)之前，需要进行一些替换。如上所述，用 圭 号代替

“ ”

式C 6. 19)中的 ：：：：：：：： 号，可得出在Bragg条件处的传播常数。并且，令 /3o ==压／A来定义

＂ ”

l（请注意：l的更高阶使我们可以用更长的光棚周期来获得相同的
Bragg波长为入。屈兰2A/
入。）。此外，令

k6气
I （x,y) IU尸dA
上1 ＝昴 (6. 20)
J|U|2dA
k

如前所述，如果根据式(6. 2)将U归 一 化，分母为1。请牢记：Ac土，是式(6. 16)给出的傅里

叶系数，而不是折射率微扰的实际幅度。例如，当微扰为森cos (2 六 z/A
－
伈时，令l＝士1,
式(6. 16)可以获得两项，其幅度为Acl＝土 I =8e:/2。即，可以将余弦函数展开得

生（工，y,z) =
& （x,y)
e el(2 ／A ）
+ & （x,y) eJ e ／
2 2
J4 亢 之 今 j(2 亢 A ）:

• 187 •
 一）（2六／Alz
= 6.E--1 (x,y)e'cZ,/AJz + 6.E+1 (x,y)e (6.21)
因此，将式 (6.21)和森 (x,y) = 2n.8n. (x,y) 代入式 (6.20)，可以获得余弦型介质微扰的耦
合系数，其相位相对于 z = O 为任意值。即

/C尸＝�fr.rYg（矶） e
土冲
IC 士 1 (6.22)
=

对千第二个等式，假设波导侧向的某 一 部分具有均匀的光栅微扰，其中I'古 是侧向光栅区的

限制因子，tn.是假定的余弦型折射率微扰的幅度（峰 峰变化值的一 半），m是光栅区的平均
折射率。
最后，令失谐参数为沪三p /30 ，因此式(6.17)和式 (6.18) 变为
—

dEf (z) —
= J氏趴(z)e扣 (6.23)
dz
和

dE 凶z) =
i K-1E r (z)e- 沪
2
(6.24)
d之
方程式 (6.23)和 (6.24) 较为清晰地表述了前向和后向光波之间的耦合。它们表明， 一
个波振幅的变化鼠直接正比千另一个波的振幅，该比例与耦合常数 k士 1 有关，该常数依赖千
周期性折射率微扰的重叠址和模式的能量密度，并与移位因子有关，当不满足Bragg条件时
该因子不等于 1。根据式 (6.20)或式 (6.22)可知，对千实数生（之） 和 /3,K--1 ＝ 石，并且对千
具有微弱增益或损耗的波导（即f3主要为实数，正如通常情况），该条件仍然近似成立。
现在需要求解耦合方程式 (6.23)和式 (6.24)。但是，这些方程的形式仍不便于数学求
解 9 式（6. 13)通过前向和后向场的线性叠加的方式给出了沿着波导的净电场的解。也可以
将该净场用两个沿着 z 向变化的新的因子来表示，A(z)= Er(z)e 和 B (z)= E 凶 z)e气可
飞之 ]

得
E（x,y,z)=U[Er( 乏)e 讯'+ E b (z)产］＝U[A( 之)e 顶。 •+B(z)e戊。 2 ] (6.25)
由于对于给定光栅伈 ＝
六l/A是常数，后 一
种形式将耦合效应和去相位效应包含在沿 z 变化
的系数A和B内。
将式 (6.23)和式 (6.24)内的 Er(z) 和 E b (z) 用 A(z) 和 B(z) 来表示，可得
dA
-jklB — j8A (6.26)
dz
和
dB=
— j,c_lA+jlJB (6.27)
dz
令

A = A 1 e-•z +A2 e", (6.28)

和

B= B1 e "'+B2 产 （6.29)
通过常规方式可以直接求解这两个耦合微分方程。将式 (6.28)和式 (6.29) 代入式 (6.26)和
(6.27)，分别令 e 和 e- ＂的系数相等（因为对于所有的 z 值，中间表达式都必须为实数），可
“

得A和 B1 、 A2 和队之间的关系，例如
j/C － lA 1 j1C-1A2
B1 = 和 B2= (6.30)
— a—
j8 (1
—
jiJ
• 188 •
以及a的解为
矿＝幻K-l
—
§=k2 _扩 (6. 31)
其第二个等号利用了式(6. 22)。
对千含有增益或损耗的波导，p为复数，因此失谐参数8也为复数。 根据先前的命名，得
; 2 = ,c2 _护 (6. 32)
其中
21C订 ．（ g〉xy -a ，一世
J = � — µ。 = ＋] (6. 33)

当�€(Z)是复数时（即存在显著的周期性增益或损耗），IC为 复 数，且亿［＃矿。 不过式

(6.32)仍然成立，因为其推导过程并不需要该条件 。 如果在波导横截面的 一 定区域内同时
存在余弦型的折射率和增益微扰，式(6. 22)的推导产生

/C ＝ 气I'xyg （矶＋ J 凭） (6.34)

其中如是光栅区内余弦型增益微扰的幅度。 因此，这时可以在式C 6. 32)和其他地方利用

式C 6.32)。
将式(6. 28)和式（6. 29)代入传播电场的表达式(6. 25)（其中 6气 J萨=:)，可观察到
4种相位因子的组合 ，每种组合分别用于A和 B 系数之中的一个：
汹 ＝ 士j(/3。士J罗 歹）
＝
（6. 35)
因此在每个频率 或等效的护 µ /3。 伍 。)／ vg 处，光栅的传播常数比具有 4种可能
＝ — ＝ —
Q Q

解。 在远离 Bragg 频率处（愤I>次），这些解是士µ和土([3— 2/30)。 如图 6. 3 所示，这些解分

别是Ca)无微扰的前向和后向波的传播常数土p，和（b）光栅导致这些传播常数移动平2亢／A
（当 l=l 时）之后的复制值。 远离 Bragg 条件时，这两组解不会相互作用，后一 组解含有 的
能量非常少CA2,B1::::::::0)。
.

0动 0+vgd
,,
、－ 、

三
』
、
A、
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，

2
，
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顽
，
＇

后向波
命
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6
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K

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心

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雌

＂
＂
复
制

“ ”
、

前向波 复制 ,'
\' f3一21t!A
，
仇

-21t/A -f3,＇ 27t/A A

注：其中的细直线表示无耦合解。每个光栅产生的复制解（虚线）与每个普通的前向和后向波解（实线）
都与所示的A或B系数中的一个相对应。图中还绘出了0和f3 方向上阻带的宽度（其中v．是无微扰
模式的的群速度）。不过，图中没有显示在整个阻带内存在的复瓦解。最后，为了满足弱耦合条
件而考虑到 K<<1tA, 图中夸大了阻带的比例。

图 6. 3 光栅内反向耦合的耦合 pg 解的硕p 图

• 189 •
 在Bragg频率处Co=O,Wo = （（压）（六／A）），其解为士(/3。士肛）。 即所有的场的解以士 f3
传播，但是山于一 个解与另 一 个解 之间以相干方式相互转换能拭，因此每个解的幅度在传播
过程中以速率k 增长或衰减。 这时，这些解相互剧烈作用，所有的4个A和B 常数的幅度
都很大。 当失谐拭为lol =
K或w =w。土v"时，传播常数变为纯实数并等千土凡或士订A 。
进 一
步失谐时，二解分离并以渐进方式接近千其无耦合时的值。 这样，如图所示，二解之间
＂ ＂
的耦合导致在lol<K处产生 一个 阻带 。 在阻带内，二解具有复传播常数，其实部保持固
定为土队。 在该区域内入射场在光栅内衰减，并最终被反射回去（因此名为阻带）。
2. 无后向反射的有限长光栅
现在，分析真实物理间题的某些实际特性。 例如，考虑图6. 4中的有限长为丛的光栅。
假设从左侧入射的前向（沿＋z传输）波在之 ＝0处进入光栅，并分裂为一 个在z =O处出现的
净反射后向（沿—z传输）波和 一 个在 之 ＝ L 只 处出现的被传输的前向波。 当然，如果该光栅
含有增益或损耗，则被传输和被反射的功率的总和不会等于入射功率。 在光栅内，当越来越
多的能拭被耦合进入后向波时，前向波逐渐衰减。 后向波在向左传播的过程中逐渐增长。
这里我们假设不存在来自千光栅以外的反射，囚此反向波在z＝ 长处的振幅为零。

l(O
)
一叫甘甘甘甘甘甘训甘 Iii 甘 II 广► £,(L,
)

从(0)

凡（二） a cosh a(L,一二）＋_jo sinh a(L,－二）

注：随祚后向波的增长，前向波逐渐衰减。在==L丛 处，后向波为零，
而前向波的一 部分被传输。图中还显示了光栅内A（二）和B（二）的功
能。阴影区表示折射率较低的区域。

图6. 4 有限长光栅

对于这种没有来自光栅右侧的反射的情况，其边界条件为E ]，位 ＝ L,) =O，因此要求

B(之 = L k ) ＝ 们将净反射波与入射波的振幅比值定义为光栅反射系数：
E凶0)—B(0) =B+B2
r, = (6. 36)
Er CO) A(O) A, +A2
王L
根据z＝ 匕处的右侧边界条件以及式(6.29 )，可得凡 ＝ — 队e ,。 利用该式与式(6.30),
可得
反＿Itanh6 I立
石 ＝— J (6.37)
；；＋淆tanha L,
其中用上波浪线来表不耦合常数k，失谐参数8和衰减常数6都可以是复数。 将式(6.37)与

e 2戊。长相乘，并以k勹代替k～-{（该相位因子源于式（6.25)中A和B的定义），可得到来自千
光棚另 一 侧的反射率。
• 190 •
 该推导中还假设参考平面位千 z = O 处。 如果光栅没有移位（即式 (6. 22) 中护＝ 0 ）且折
射率微扰为实数，则 IC~ l 为实数，最大的正偏离在 z = O 处，即，对 Ac 具有余弦型空间谐振。
（这时，光栅具有对称的正实数傅里叶系数）。 式 (6.37)显示在 Bragg 频率处，反射系数相对
千该平面的相位为 －
叮 2。 图 6. 5 显示了该参考平面及其与方波折射率光棚的对应关系，
这时更容易观察反射相位。 即，在 Bragg 频率处，所有的反射分扯同相相加，来自于方波光
栅的反射相位在折射率的下降沿处必须为零。 该光栅的第一个傅里叶分最在该点处为零，
在向后四分之一波处为最大值。 因此，当参考平面位于第一傅里叶分量的这一 最大值处时，
—
光栅相位为 µA/2= － 六／ 2。

中=0的参考平面
nt /
..
＼
.....寸�4／兀 ．． A
···. .：. .....
一］ ·· 1
．．． ·. ．:· :
I

·.. /I 1··.、
•\ ..． ＼ : ,
.．．: :
、 I
心
�A三

妒－亢／2的参考平面 ， 一兀
一冗／2 :
L,
－
注：耦合模方程假设折射率分布形状的傅里叶分量以cos卤坛 中）形式变化。第一 套参考
平面用于俨－冗／2，其z=O平面与方波光栅的折射率下降沿对准（这是第3章假定的参考
平面）。第勹套参考平面令中＝0,从而将平面向左移动到更为对称的位置。

图6. 5 有限长光栅中定义z = O和z ＝ 匕的参考平面示意图

大多数情况下，对千在 Bragg 频率处无损耗的光栅，左侧入射波在 rf, = O 平面处的反射

)飞 项 L
j 1cc-je 确定。 对千右侧入射波，在z ＝ 丛平面处的4r 由 一 jK心 。 g CC
相位4，由 — K
！，
—
卢e--2谁。 g确定。 图6. 5显示了当选择两种不同的光栅相位rJ,并且当光栅长度为L.=mA
时的这些反射相位。 当光栅与其他元件集成时，最好选择对称的参考平面。 为 此，令 rf, = O
可将输入平面调整至余弦峰值处。 不过当Lg #mA 时，如果将输出平面置于IJg 处，将不会
与余弦峰值重合。 为了保持对称性，必须略微移动输出平面，从而造成两个参考平面的间隔
勾p(L L )
满足L,=mA。 在来自千右侧的反射相位上增加相移e ,- g 可以实现这一点。 来自于
勾P L L
右侧的总反射相位变为 —
jeie
• , -2j/i(L, - . ) = -je)今 ，当Lr ＝匕或8=0时其中的近似关
。 e
系成立。 实际上，对千任何的光栅长度，都可以将 Bragg 频率处来自于光栅两侧的反射相位
—
设定为 句 2。 当远离 Bragg 频率且／或具有增益或损耗时，反射相位保持对称（当Lr= L g
—
时），但是不再精确等千 幻2。
虽然可以任意选择参考平面，但是重要的一点是不能任意选择Lg ，因为它决定了反射
率幅度。 通常对于共面激光器而言，匕对应千光栅的物理长度（即，从均匀折射率终止的位
置到均匀折射率再次开始的位置）。 不过，情况并非总是如此。 例如在图 6. 4 和图 6. 5 （以
及第 3 章分析的光栅）中，匕比光栅的物理长度要长 A/2。 其原因在千光栅以外的折射率与
光栅内部的平均折射率之间的相对关系有关。 如果这两者不匹配，在边界处将产生额外的
反射，可以增强或降低光栅的总反射率。 耦合模理论通过修改匕 来近似考虑了这一 因素。
在图 6.5 中，每个 A/4 分段都贡献一个大小为 �n/2 的台阶。 这样，在物理边界处增加�n/2
• 191 •
的失配近似等于将I飞 增加A/4，只要该失配反射与光栅反射是同相相加的。 在图6.4和
图6. 5中，光栅两侧的折射率比光栅的平均折射率大 �n/2。 因此两个 �n/2 失配等效于将
匕增加 A/2。 共面激光器中通常光栅较长而失配较小，在这种情况下，就不必如此精细地修
正 Lg 了。
图6.6(a)绘出了不同的 K 匕值下光栅的功率反射谱（由式(6. 37)的绝对平方给出）。 该
曲线具有和图 3. 12 的曲线相似的特性，当 1C匕较小时具有sin x/x谱形，而当 K丛较大时呈
现为明确的传输阻带。 其中的虚线代表 18i=/C 转换。 在该转换点外（即当 1 引＞K 时），反
射率急剧下降。 因此，可以近似用 2/C 来表征光栅的传输阻带（或反射带宽）。 根据第 3 章定
义的光栅透入深度，可知该反射带宽近似等于透入深度的倒数 (LeH""='l/2/C) 。
令人惊奇的是，虽然耦合模公式 (6. 37)看起来与通过传输矩阵理论推 导出的公式
(3. 52)并不相像，但是却导致几乎一样的反射谱（正如图6.6(6)所示）。 这是因为其中存在
着对应关系。 数学推导使这一关系变得模糊。 有兴趣的读者可参考附录 7 来了解两个公式
之间潜藏的对应关系。

。上8 口＼＼＼ lO
(R心 '- RC,＇,）
(

=4 0|＝k
H_-
8

1-R"""
)MV兰 令H 割 迷
0
6

6
，
，
飞A
_

4
0

4
2
0

2
。
0

0
2
3

-2 -I 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3

OLg17t 界面反射率y
(a) (b)

(w — wo)
注： （a)图所示为 4 种不同的社时，光栅的功率反射谱与失谐参数 8=p — (3o= • (rr//l.)（历饰）
WO
＝
之间的关系，其中A 入。／ 2n。 在这一量级内，可以忽略精确解与耦合模结果之间的差别。 (b)图所
示为利用耦合模公式计算的谐振处的传输的百分比误 差 。 例如，如果精确解预测R. = 99%，则
10 ％的传输误差对应的耦合模预测值具有R. = 98. 9%。

图6.6 利用耦合模公式计算的光栅反射率及其误差

正如第 3章所述，我们感兴趣的反射参数是KL g 。 在当前情况 下，利用式 (6. 32) 在

Bragg 频率处计算式(6. 37)可了解这一点：
户g = — j tanhKL, (8=0) (6.38)
请注意当 K丛较小时， 1rg 卜六匕。 即，可将 k 解释为单位长度的反射，正如第3章所述。 不
过与第 3章的结果（如图 3. 12 的标题）不同的是，耦合模的计算结果只由 k 匕的乘积决定，

而与 k 的大小无关。 事实上，当微扰较大时 (K 较大，且更重要的是，采用 第3章的行话，每

半周期的反射 2r 较大），即使对小＂匕值耦合模结果也不再成立。 不过，即使当界面场反射
率 (l::in/2n) 高达 18% ，而吐g =4 时，图6.6 表明在阻带中心处的传输误差仍小于 10% 。
图6. 6还表明如果采用耦合模公式(6.37)，常规VCSEL半导体DBR中采用的界面反射率
的范围和 K匕值将导致传输误差约为 1% ，因此在该区域内耦合模理论仍然运行良好。 不过
实际上，VCSEL镜面边界处的折射率与DBR的平均折射率大不相同，这最终导致耦合模公
• 192 •
式并不适用于这种情况。 对于这种边界折射率非常不同的情况（例如DBR与空气交界），可
以利用附录7结尾的分析来决定反射率峰值；不过，必须利用第3章介绍的传输矩阵法以数
值方式来计算其反射率频谱。
第3章还介绍了其他一些重要的 可用千 DBR和 DFB激光器的光栅关系。 例 如式
(3.55) 给出了 K匕较小时的反射，而式（ 3.59) 给出了光栅有效反射平面间隔（或透入深度）
Leff o

图 6.4 中穿过光栅的传输为
t = Ef (Lg)e-jph =A(Lg)e-lP。 Lg (6.39)
g E1(0) A(O)
其 中的相位因子源于如何用式 (6.25) 中的总电场来定义E和A 的方式。 利用式 (6.28) 求
得 A(L.)，采用边界条件B(z=L.)=O，并用式(6. 30) 将A，和B ，联系起来，可得
~ ascchaL e-JP。 Lg
_� ＿`

t = (6.40)
ii +i B tanhiiLg
g

式中再次用上波浪号来表示可能存在复数 因子。 请注意和反射一样，传输的前因子是6而

不是反 。 这是理所当然的，因为当耦合趋于零时，传输不应为零。 实际上，对千无 损光栅
l

(1<= 0)，可得 6王沁且t g-e一）肛勹很容易看出这是两个参考平面之间的传输时延。 因为传

输只通过亿元l 项与耦合有关，光栅相对千参考平面的相位＃不起作用（根据式(6. 22) 得
出）。 因此与反射相位不同，传输相位与两个参考平面的特定位置无关，而只与两者的间隔
有关。 例如，在Bragg频率处，传输相位为 —
穴匕／A，当Lg= mA 时，该值化简为 －
m穴，并
与两个参考平面相对千光栅的位置无关。 然而，如果两个参考平面的间隔为L,＃Lg，应当
L
采用e姐。 e,
位 L ,-L, )
e-lB。 L , （当L今匕时该式近似成立）来代替式(6. 40) 中的相位因子。
：：：：：：：：：

最后应注意 ，来自光栅另一端的传输与式 (6.40) 一 致。

6. 3. 2 DFB激光器

l. 无端面反射
一个没有任何端面反射的DFB激光器是由具有 增益的有限长光棚构成的。 在阔值处，
增益足够大可以克服内部损耗和传输损耗 ，并目在没有输人的前提下提供输出。 根据上一
节内容，从rg或tg的极点（ pole) 可获得这种激光器的特征方程，通过将光栅反射（式 (6.37))
或传输（式 (6.40) ）系数的分母设为零可获得这些极点。 因此，决定阙值增益和波长的特征
方程为
= —
rJ th jathtanh6thLg (6. 41)
上文已定义了式中的各个符号，这里重申在阔值处的定义为
.．
忒h= k2 _ ；；fh
—
8,h = /3th /3o
. (g〉工yth - （q〉” (6.42)
因＝/3,h +j 2
队＝2邧／压 和 伈＝六l/A
我们通常感兴趣的基本项量是阔值模式增益(g〉工y th和波长加。 因此，将上述定义代人式
• 193 •
(6. 41) 就可通过数值方法获得诸如图 3. 18 所给的解。
根据式 (6. 20) 可计算涉及到的特定介质光栅微扰的耦合常数 K。 实际的 DFB 激光器
可采用几种不同的结构。 图 6. 7 所示为 一 种常用波导的横截面，以及 k 在 一 定波纹深度范
围内的计算值。 由千在通常的半导体波导光栅中通常会改变某一层的厚度，而不是像在卜
文计算中 一 样假定该层的折射率，因此最好是首先算出有效折射率在一个微扰周期内作为
z 的函数。 通过在微扰周期内反复利用式 (6. 9) 可以实现这一步。 然后就可以利用该有效
折射率变化最，就好像折射率微扰在整个波导横截面内都是均匀的一 样。 最后，利用傅里叶
分析来获得有用的空间谐波。 在 获得该空间谐波的幅度彻 之后，利用 I'巧 • = l 和 n g ＝ 兀用
彻 来代替式 (6. 22) 中的彻 g ，可得

=—8n • e ＋冲
六 "'
k士 l (6. 43)
入

对千方波波纹图案，有效折射率在力 ］ 和元之间交替突变，这暗示着力(z)也是一 个方波，其

峰－峰变化拭为凶 ＝ 兄 — 凡。 该方波的基本余弦分扯的峰－峰值的变化最为(4压）凶订，令其
等千 28订，从而导致彻 ＝ （ 4压）（ 6.n/2) （参见图 6.5) 。 因此对于方波波纹，,c= 2凶订／入，这与
第 3 章获得的结果一 致（参见式 (3. 56) 随后的讨论）。 对于其他的波纹图案，通常必须用数
值方法来计算n(z)和彻，因此这种确定耦合常数的方法并不完美。
还可以从另 一种角度推导出耦合常数。 该方法不考虑波的耦合，而是根据射线以某一
角度和某 一 有效宽度（该宽度考虑了进入覆盖层的深度）弹射进入波导的方式来定义模式
（参见第 7 章）。 这样很容易确定每单位长度内弹射的次数。 然后将光栅微扰视为衍射光
栅， 一 个平面波以 一定角度入射共中，在每次弹射时都将一 定的能量以相同于入射射线的角
度向后衍射，用光栅的衍射效率来表征每次弹射衍射的能最值。 该方法的优点在于，它推导
出的耦合常数的闭式表达式与上文所述的数值法的结论完全一致。 其三层波导的表达式为

。
,c = Gk a
n；旷 l l
当心 ＝ d＋ — + — (6. 44)
2ndcff Yxl Y丑
定义覆盖区 i= 1 和3内的衰减速率为九， ＝ k。 J尸二氝_,d 是导波区的宽度。 导波区和两
个覆盖区的折射率分别为 n g 和妇，加。 整个波导的高度为 2a，且 k。 ＝
2亢／入。 最后，G 是光
= 1, =4
栅图案的空间傅里叶系数：（ 1 ）对千正弦形变化， G (2) 方波图案， G 压，（3）三角形锯
= =
齿图案，G 8 ／记，（4）渐变方波，G (4／动 sin x-/x ，其中在无渐变（完美的方波）时，x = O ，当
完全渐变（完美的锯齿图案）时，x ＝ 亢／2，而通常情况下x ＝ 丘／2)X（渐变材料部份）。 当
K。 a 接近千l时，G通常比这里列出的值更为复杂。 如果对耦合模采用光栅图案的傅里叶
谱的更高阶分扯，则必须对 G 进行相应的修改。
图 6.7 所示为耦合常数作为波导宽度的函数，这时光棚的总高度为 50 nm。 可以看出，
存在 一 个最佳波导宽度，随着波导与覆盖层之间折射率差的增加，曲线在该宽度处变得越来
越尖。 将正弦光栅转换为方波光栅，可以将耦合常数增加4／穴：：：：：：：：1. 27倍。 此外，耦合常数
与光栅深度早线性关系，因此可以采用非常深的沟槽来获得较大的 1C 值。 通常，对于不同的
G和 a 值，可以将图6. 7中的曲线进行比例换算。
耦合常数的闭式表达式 (6.44) 只能用于已知波导有效折射率的情况，通常必须采用附
录 3讨论的方法才能获得该有效折射率。 但是，如果该波导是对称的 (n c =n cl= n c3 ) ，可以
精确地获得该有效折射率为
• 194 •
 ln(l+V2 /2)
矿＝ n�b+n 仅 1 — b) ， 当 b;:::;::l — (6.45)
V2 /2
该式中，定义b为场限制因子（即所用的加权函数是场而不是场的平方）。 对千几可采用归
。
一化频率V = k d✓,汀＝芷来近似得出b值。 式 (6.45) 中的近似导致有效折射率在整个V
范围内的误差小于1. 2%。 实际上，将式 (6.45) 代入式 (6.44) 所获得的曲线与图 6.7 中的
曲线几乎毫无差别。

300卜n,＝3 5 I I I
、\＼\＼＼\\、$_ ncl --

n
g
-
2a
2
o
0

nc3
i
,
E3
Pl
o
0
l

。。 0.2 04 06 08
波导宽度dlµm
注：其中假定诸参数为：入＝1. 55 µm,n,=3.17(InP在1. 55 µm), 2a= 50 nm,G=1（正弦形一阶光栅）。
图6. 7 对于3种不同的导波折射率，三层波导中的TE基模的耦合常数作为波导宽度的函数

2. 含有端面反射
如图 6.8 所示，在实际的 DFB 激光器中经常会遇到光栅的端点具有端面反射的情况。
该图还表明可以采用第3章建立的散射理论来模拟该情况。 具体来讲，因为已知对称光栅
的反射和传输参数，因此可以通过散射矩阵来描述该光栅，并将其带入由端面反射构成的
Fabry-Perot 谐振器中。

将光栅和后反射器结合起来可获得一个有效反射器，该反射器与前反射面相结合构成
了简单的两镜面谐振器，可以写出其特征方程。 首先，将光栅和后反射器结合起来，其中假
设所有的传输相位都包含在 r2 中。 根据图 6.8，则
2
tg 乃
re n =rg + (6.46)
1-rg 乃

和
tg 几
teff = (6.47)
1 — . r2
r

其中 t 2 是刻面 2 的传输系数。 当然，式 (6.46) 和式 (6.47) 与式 (3.20) 和式 (3.21) 其实相同，

虽然这里的 rg 和 2 以及 t g 和 t2项分别包含了相对于光栅参考平面的各反射和传输的相位。
r

请注意，根据上 一 节的参考平面，光栅任一端的反射都是 rg ，这与第 3 章的范例有所不同

（该范例采用了物理参考平面，且光栅的两端的反射具有相反的符号），参见图 6. 5 。
现在，用式 (6.46) 和式 (6.47) 来表征新的有效后镜面，可以写出整个结构的净传输：
t1 t,ff t1 lg t2
女＝
＇
l- r1 rcff (6.48)
1 — rg 2)
1 — rgr2 ] (
[l
l-— —
r1irg - r
�

其特征方程再次由极点给出：
• 195 •
 r 1 r心 =1 (6. 49)
(l -r i rg ) （l -r2 rg )
和上文 一 样，利用各成分之间的关系可求解该公式来获得闾值增益和波长。 对于无光栅的
简单情况，可以令 r8 = 0，则式(6. 49)化简为 Fabry-Perot 阙值条件 r1r心＝1。 或者，当
r 1 =r2 =O时，该式化简为标准的 DFB 闾值条件 l g = ～。 当 r1=O (r2 =O) 时，该式化简为
r2 r.=l(r 1 r,=l) ，这是含有有源镜面的激光器的阅值条件。 在求解闽值时，请记住 r 1 和 r2
中暗含的相位延迟包含了刻面1或刻面2与光栅折射率变化拭的第一个余弦最大值之间的
往返距离（因为对千该光栅参考平面我们选择了 rf,=O，且 L,=mii) 。

刻面l 刻面2

r
，＿
IL一11

注． 为了方便起见，r， 和r，的相位中包含了到刻面
反射的距离。 即， 参考平面就是光栅的平面。

图6. 8 具有刻面反射的光栅的净传输和／或反射的计算过程

6.3.3 同向耦合：方向耦合器

本节将讨论两个沿着相同方向传输的不同俟式。 这些模式可能是同 一 波导的两个正交

模式，或两个起初分开的波导的模式，如图6. 9所示。 介质微扰可以将任 一 种情况下的两个
模式相互耦合起来。 在图6. 9 (a) 中， 一 个波导的折射率受到扰动（通常以 一 种周期性方
式），而在图6. 9(6)中，每个起初分开的波导都是另一个波导的介质微扰。 图(a) 的 一 个例
子是在 一 个波导中 TE 与 TM 模的耦合；而图 (b) 的一个例子是方向耦合器，用来耦合分离
的，但是间隔很近的两个波导的模式。 在任一种情况下，都可将净场表示为
E( 工 ,y,z) =E 1 (z)U 1 位，y)e一和＋ E2 (z)Vz (x,y)e 和 （6, 50)
其中U和 U2 以及队和 B2 代表两个无耦合的模式的无微扰解，而 E，是净场中每个分量的
振幅。
为了实现两个模式之间的耦合，需要加入介质微扰。 对于图(a) ，假设 c （工， y, z) =
｀工，y）＋生(.1.`,y,z) ，其中 €.(x,y) 是无微扰的波导，而生（ x,y,z) 是 U 1 和从都观察到

的（可能为周期性的）介质微扰。 对于图(b)诮参考图6.10， 可见 !:::,.€2 是U的介质微扰，而

• 1 96 •
Ac1是从的微扰。因此，这时eCx,Y) =e c + l::.€1 (X, Y) +l::.€ 2 (X, Y)，其中后两项既是波导又
是微扰。下文推导的各式均用千图(b)。但是如果在这些公式中令l::.€1 =l::.€2＝ 生，就可获
得图Ca)的结果。

从 ， {3,
x 蠡
x蠡

u2,f32
一
(a)同 波导中的无耦合本征模 (b) 不同波导中的无耦合本征模

图6. 9 同向耦合方法

U, 、 {:i， 从，化

x
i.l 图中显示了为波导增加的折射率区域对其他波导起到微扰的作用。
其中的本征模和传输常数是无微扰悄况下的值。

图6. 10 方向耦合器的横截面示意图

与上文过程 一 样，加入介质微扰，将新的受扰模式分布形状写为U，十t::.U,，并将假设的
净场代入波动方程式(6.4)。去掉二阶项（假设伈：：：：：：：：伈）和无微扰解之后，可得
dE l dE2
2珑U e和＋2泌U 2 �e－吁
dz dz
=!::.€ 2(x,y)的U 1 E 1 e一扣＋!::.€1 (x,y)kgU2丘e 和 （6. 51)
另外还存在右与式 (6. 14)的右侧类似的包含t::.U,和丛］ 2 的附加项。但是式 (6. 5]）没有包
含这些项，因为正如其他的微扰问题的处理过程 一 样，如果将这些项与Ut或U；点积并在
整个横向横截面内积分的话，其结果为零（证明结果为：首先定义受扰模式分布形状为u:=
U，十t::.U,，令诸t::.U，项为零，可以证明，到一阶为止，为了计算模式间的耦合，只需要掌握无
微扰的模式分布形状）。
与U 1赞点积（对称情况采用U 2"，下角标互换）之后，对方程式(6. 51)进行积分，可得

邵1
dEl
寸 I u, I 2dA + 2i(3 詈心如• U dA
e一） P 2 2

＝畔e一）胪 J l::.€2 I U I I 2dA + k6 E2e 沿

叶竺Vt • U 2dA (6. 52)

接下来，必须分别考虑图6.9(a)和(b)。但是在两种情况下，方程左侧的第二项和右侧
的第一项都可以被忽略或者对耦合不重要。然后算出dE1 /dz的基本表达式。最后通过将
• 197 •
式 (6. 51) 与 U 2长相乘并积分，可以对应地写出 dE2 /dz 的表达式。 下面将详细说明两种情况
下忽略那些无用项的原因。
(1)图 (a) 中U和 U 2 是同 一 波导的本征模，此时因为无微扰的本征模是相互正交的，因
此式 (6. 52) 左侧的第二项为零。 无需忽略式 (6. 52) 右侧的第 一 项，但它只给出了开始由生
的直流部分算出的单模f3微扰，而没有给出模式耦合效应。 事实上在此情况下，为了实现两
个不同的p之间的耦合，Ac必须沿着z轴呈周期性，这样该周期项在右式第 一 项中的积分
为零。
(2) 图 (b) 中： U和 U 2 是两个不同波导的本征模，图 6. 10 所示为方向耦合器中的重叠
场，该图还表明位于波导 1 附近的波导 2 对所分析的波导 l 造成微扰。 对千弱耦合波导而
言，式 (6.52) 左侧的第 一 项远比第二项更大，因为在积分的横截面的任何位置，两个模式的

f
幅度都不可能同时达到很高。 两个积分的系数应相当。 换句话说，由于选择了忽略左侧的

第二项，只有当两个模式的重叠非常小（满足
2
I
卫 I dA » Vt . U 2 dA) 时该理论才成立
“ ”
（如果不满足该条件，需要叠加五层系统的精确 超模 来确定从 一 个介质条附近到另 一 个介
质条附近的净能址转换。 下文将讨论这一点）。
为了忽略 (b) 例中式 (6. 50) 右侧的第 一 项，必须将积分限定在波导 2 的横截面内，根据
弱耦合假设，U必须非常小，从而右式的第 一 项积分也非常小。 由千在波导 1 内存在积分
的地方，U1 »U2 ，因此将保留第二项。 并且因为 k6E卢>/32 dE2 /dz，所以该项远大于左侧的第
二项。
根据上述分析，可以只采用式 (6. 52) 最左侧和最右侧的项来分析方向耦合器。 当波导
2是波导1的微扰时：

郘譬e-i/3寸 IU 1 I 2 dA = k6 丘e沪＝ It::,.

如 •U 2 dA (6.53)

对于波导l是波导 2 微扰的情况， 通过将式 (6. 51) 与 U 2长点积并积分，可以得出与式 (6. 52)

类似的方程。 在忽略微小项后：

2j/32
dE2
dz
e-)/3叶 IU 2 l 2 dA = k 扭I e如＝ It::,. 如． U 1 dA (6. 54)

f
或者经过重新整理可得：

Kt 2 e-i屯哨产 曰如 • U 2 dA

f卫
dEl = — . —E
J (6.55)
dz 2/31 2
1 dA

Kt I 竺 U '•U1dA
I
dE
—=-2 .
]— E1 e勹 俐 P产
－
2
(6. 56)
dz 2P2 I U| 2dA

这就是同向耦合的基本耦合模表达式。 这表明除非生，包含某种空间周期性因子，否则对
于 一 定距离内的相干耦合 (E，单调增长），/31 必须与伈几乎相等。 这就是均匀方向耦合器的
情况。 但是如果 /31 ＃伐，则生，必须具有周期性来导致 一些差异。 这通常就是图 (a) 的情况，这
• 198 •
时 U1 和 U2 是同 一 波导的无微扰本征模；这也可能是两个耦合波导互不相同时图 (b) 的情况。
当伈 =l=/32 时，如式（ 6. 16)所示，可以用傅里叶来分析生，，并且可以修改式 (6. 55) 和式
(6. 56) 来明确表示 Ac，与 z 的关系，这一 点与式 (6. 17) 和式 (6. 18) 类似。 对千反向耦合的
情况，为了实现耦合的相干相加，这些修改的方程要求微扰具有空间周期。对千现在的同向
耦合情况：

l 赞＝ 1 /32 -/31 I = ¥ I无 — 订11 (6.57)

可见，这一条件所得出的周期比反射光栅情况下的周期要大。 实际上，由于两个模式有效折
射率的差值元 一 ”]通常不是很大，因此该周期一 般有几十个波长那么长。
此外，在图 6. 9(a)中只存在 一个波导的微扰，因此 Ac1 和 Ac2 没有区别。 因此在下文分
析同向耦合结果时，可以去掉式(6. 55) 和 (6.56)中的下标。 不过在下文中，将详细讨论略为
复杂的图 6.9(6) ，这时通常要求 Ac1 和 �€ 2 互有差异。 当然，这也导致技术上非常重要的四
端口方向耦合器 。
“ “
在分析四端口方向耦合器之前，先用第3章介绍的 归一化振幅 a，来重新改写耦合模
方程式 (6. 55) 和(6.56) 。 利用式(3.2) 采用如下替换：
a1 (z) 万＝ E 1 (z)e扣， a2 (z)写＝丘（z)e 扣 (6.58)
—

这时，假设总电场为
E= 写a1U1+石叫九 (6. 59)
从式 (6.59) 可见，正z方向上的功率流为 la1 I'+ la2 I 勹这正是归 一
化振幅情况的值。注
意，与上文相同，可以忽略诸交叉项。
将式 (6.58) 代入式 (6. 56) 和(6.57) ，忽略 TJI 和 T/2 之间的差异，可得

岊＝ — j/31a1 — j/C12a2
da2 —
— = j/32 a2 — j幻 1 a1 (6. 60)
dz
其中

k5 f炉 E,)Ut • U2 dA
—

/C1 2 =—
2PI I 伲1 2 dA
(6. 61)

K2 1 = －
k5 I G2年
—
E,)U2* • U1 dA

颌 J 卫 1 2 dA
正如图 6. 10 所示，该积分只有在微扰区域内才精确，这时存在附加的 Ac, ＝ （ c, — cc ) 来构成
额外的波导 。G2代表构成波导2的附加折射率材料的横截面面积，依此类推。 再次重申，C
是相对介质常数。并且请注意，虽然化，J 的系数 k 5/(2/3,) =w/(2c元）线性正比于光频率，但
是随着波长的减小，重叠积分急剧降低；因此在方向耦合器中，实际土 k,J 会随着光频率的增
加而略微降低。
在无损波导中心o 和 D.€2 是实数，模式的相前平坦并与传播方向垂直，这表明 U 1 和 U2
• 199 •
都是实函数。 因此k12和幻1都是实数。 对于含有微小增益或损耗的波导，只要Ac1和Ae 2 主
要是实数（通常 如此），这 一 结论仍近似成立。 这时，可以利用每个波导中微扰的实部来计算
1C12和1C21 。 此外，如果波导是对称的，则1C1 2 = 1C21＝ 以对于非对称波导，仍可定义其平均值为

/C
＝ J示百）。

方程式(6. 60)的形式很便千求附，因此现在来寻找其通用解。 为此，假设其尝试解为

a, =a,oe 和u 2=u 20c lPC:，其中对于耦合波导，a 10 和I U 20 是与z无关的实常数，队是某个
戌cz

未知的传播常数（可能具有多个解）。a，（z)的通用解是所有这些特殊解的线性叠加。 将这
些尝试解代入式(6. 60)并求解队可得
z
/3e ＝气气（气） +K12 K21 (6. 62)

或
/3c =P 士s (6. 63)
其中

P＝ 三 且 s= ｀二） 2 2 +K 吐21

还可以定义一个同向失谐参数<J== ((32一 /31)/2，由此5 K 12 K21十矿，也就是式(6. 31)的同向

2=

类似。
根据式(6. 63)，通用解的形式为
a1 (z) =e 企 [A 1 产＋A 2 e-;"] (6. 64)
a2(z)=e 企
[B 1 ei " + B2 e ”之
］
现在准备好了来分析具有真实边界条件的真实问题。

6.3.4 四端口方向耦合器

图 6. l]所示为由两个有限长为L的耦合波导所构成的四端口方向耦合器的示意图。
实际上，无需特别考虑长度就可以推导出大多数方向耦合器的表达式，但是俙要假设各输出
是相互匹配的从而不存有反射。 这样可以推导出方向耦合器的通用散射参数，根据这些参
数可以添加各种不同的边界条件，并用散射理论来求解。
l
a,(O) a,(l)
波 导l
II

L
a2
、
（
�g

波导2
IIIIFL

图6. 11 山一个输入端激励的四端口方向耦合器

首先，令a1 (O) = a, (0)，且a2(0) =O，并代入式(6. 64)来获得Bl=－ 凡和a, (0) = A1 +A2 o

接下来，在z = O处计算式(6. 60)，利用式(6. 63)和式(6. 64)来求解B 2。 可得

B尸 竺 －a ) （0） (6. 65)

2s
• 200 •
利用式(6.64)可得

a 2 (z)＝ — j 气如 (0)尸sin sz (6.66)

然后利用相同的方程来求解A]和A2。可得

a 1 (z) = a 1 (O)e卢 [ cos sz+j，色二庄

�sin sz] (6. 67)

因此，通过线性叠加令端口 2 处的入射为a2 (0) = a2 (0) ，可得

a 1 (z) = [a 1 (0) (cos sz十）气sin sz) －]气a 2 (O)sin sz Je-il'z (6. 68)

根据对称性，可以互换角标来求解a 2 (z)。

卢）＝［ — J 平 1 (O)sin sz+a (0) (cos sz J 气庄sin sz) ]e 企

2
—
(6.69)

图6.12显示了当µ＝伐和p尹噙时，这些归一化振幅与 z的关系，其中初始假设为a2 (0) = O。

2 ---P2=f3，
园， 队1 ·········/3 - /3 1=0 8（兀ILJ
,

05

0.5 l5 2.5
zll,

图6. 12 在传播常数匹配和失配的情况下，两个耦合波导之间的能量交换作为传播距离的函数

对于简单的相同波导耦合情况，/31 =
/32，且s = ✓,乙乙-=K。当耦合器长度为L时，式
(6.66)给出
a2 (L)l =_.
2
sin',cL (6.70)
a 1 (0)
从中可得出从波导1到波导2完全耦合所需的长度L为

L c＝卫 (6.71)
2K

通常将其称为耦合长度。如图 6.12所示，在式(6.71)给出的长度的奇数倍处也可以实现完
全耦合。
将方向耦合器视为四端口网络（如图6. 11所示），可以获得一个四端口散射矩阵，从而
可以采用第3章中的方法。根据图6. 13中的标注，可以采用式(6.66)~(6.69)来确定这些

。 J 。
参数，即
-Jc

。 — 。
。 。
J jc
S= I l e 一说 (6.72)
-jc

。 。
尸
— JC 厂
• 201 •
其中当K12 =K21 =K时

c = _::_sin sL
K .

.I

请注意此处继续用a,（z)和b,（z)来表不波导t中的前向波和后向波，而没有采用图6. 13
中标准的 输入 和 输出 定义。为了与第3市中标准的散射理论术语保持一致，必须令
＂ “ “ “

a1 三a1 (0),b1 ==b, (0),a 2 ==仇（L),b2 ==a, CL),a3 ==a2 (0),b｝三三；

. b2 CO),a.1 三 b2 (L),h, ==a 2 (L)。 三

2
3

b2
,I
l
（
I I II
b,(0)
。

L
图 6. 13 巾两个耦合波导构成的四端 11 网络刀、意图

将式(6. 72)给出的通用散射矩阵与各种边界条件相结合可以得出各种更为复杂的集成

1
光路的散射矩阵。例如，考虑图6. 14中的结构，这时波导2在z = O和z = L处的反射率分

厂
别为r1和口。其边界条件导致反向传输波为b1 （心和优(z)。这时可得b2 CL) =r,a2 (L)
和a 2 (0) = r心(0)。经过简单运算，可得该两端口网络的散射参数为

e e、丿

、
孕
厂

c
2 -

22
4
C l
r
r
－

3
4

—1-r3::3 / )e
孕
（

e
4

S=
r
r

享
"

(6. 73)

磷
勹

c'r3r,, ✓勹e 亭
2
C

JF了 －
r
31

1 — r3r4 (1 — c )e ]/lL
l
（
－

必
2

2 2
r

，
3

a , ＝a ,（ ! a, = b,(L)
一1`＼`＼`、波导l \＼`＼`＼ 斗恕湍=
｀
b,=b,(0) i b, =a,(L)

，，
I
亡 二，
。

I.` r,
I
L

图6. 14 在方向耦合器的端门3和4放笐反射器所构成的两端口

6.3.5 同向耦合滤波器与电光开关

1. /J, �JJ2

如果将两个相同的波导靠得足够近而构成方向耦合器，该器件可以在很宽的入射波长
带宽内工作。这是因为两个无微扰的本征模都相同，每个分址波导的色散特性也相同。因
此总是能够发生相位匹配的耦合。图6. 15以图阐释了这种色散，其中绘出了式(6. 62)的两
个f3解作为光频率的函数。两个无微扰的本征模之间的重叠随肴波长而变化，根据式
C 6. 61)，这导致耦合常数 1C 发生变化。最终，当 1C 随着波长的增加（光频率降低）而增加时，
• 202 •
两个传播常数的解逐渐分开。
对于 一 定的耦合程度，可以选择长度从而实现在工作波长处从
一
个波导到另 一 个波导
的耦合达到 100% 。 该长度等于式(6. 71) 中的耦合长度Le 或其奇数倍。 如果现在改变波
长，根据式(6. 70) ，在比该波长更短或更长的波长处的净转换都会变小。 实际上，在设计波
长选择性的滤波器时，通常整个器件都比耦合长度长许多倍，这样当波长改变而 k 改变时，
一
传递部分（式(6. 71) ）将以正弦方式变化。 因此，该器件在 个波长处可能是传递长度的奇
数倍而在另一个波长处可能是整数倍，从而分别导致 100 ％或者 0 ％的传递。 这种滤波器可
用千将间隔非常宽的不同波长分离开来（例如1. 3 µm和1. 55 µm)，但是由于 k 随着波长的
变化很缓慢，因此这种方法不能有效地提供较窄的滤波器通带。 式(6. 68) ~ (6. 72) 定量地
分析了这种四端口方向耦合器的滤波行为。 如前所述，无微扰的传播常数之间可以存在微
小的失配 。

U)
f3l=f32=f3
。
C_
RP
＿
＿
-n

i:
uI,
l ?Z ·，, ：．

i． i．
： ：：
：
：： ：：
．．． ．．．
B�

』 l

i! /3, ： ）

2IC
注：光的工作角频率O。导致两个传播常数与仇相隔士 K（其中凡是
每个波导的无耦合f3在该点处的值）。

图6. 15 相同波导耦合时在靠近工作波长处的色散图

如果器件是用电光材料制成的，采用这种所谓的相同耦合波导可以实现电压控制的开
关或调制器。 III~ V族化合物半导体具有电光性，因此这些器件可以与二极管激光器兼容。
附图 15 简要地介绍了电光效应。 这里忽略细节只给出结论：对千某种电光材料的特定方
向，采用频率比光波频率低很多的电场（从直流到至少 100 GHz) 可以改变一定光波偏振态
的折射率。 因此，对方向耦合器内的波导施加不同的电场可以轻微地改变传播常数使得
/31 =l=/3 2 ，并根据式(6. 66)和式 (6. 67) 降低耦合的相干性。
为了举例说明电光调制，图 6. 16 所示为垂直方向耦合器的结构，其中可以分别控制每
个波导上施加的低频电场，图中还绘出了当 L=L,和 5LC 时，式(6. 66) 给出的常规方向耦合
2
器的功率传递部分 la 2 (0/a1(0) 1 。 可见，当方向耦合器的长度为一个耦合长度时，在如
下条件下，两个波导之间没有传递发生。

色 ＝欢忱 (6. 74)

2
因为在该点处 s 已从 k 增至2K。 更为常规的情况下，当耦合器长度为 L=mLc 时，如果失
配为
• 203 •
 愤—/3I )L,. ＝二六 ✓[(m+1)／m] 2 -1
这时，从一个波导到另一个波导的传输为零。 因此，如图6. 16所示，耦合器越长(m越大），
为切断功率传递所需的失配员就越小。

芦I - L=LC
出射光a2 …-．L=5L,

05
SI

乡
飞1 /3,
-10 -5 0 5 10
入射光a,
供－(3,)L,

图6. 16 垂直力向耦合器电光开关的示意图，以及功率传递与曲个波导的归一化折射率偏差之问的／J�例曲线

2. P1 #Pi
如果方向耦合器中的两个波导成分不同，或者相同波导的两个不同的模式之间产生耦
合，这可能产生更为锐利的波长滤波效应。 上文已经结合式(6. 55)和式C6. 56)讨论了任一
种耦合的相干控加条件。 这时存在几种特殊的可能性。 图6. 9描绘了两种情况。 在图(a)
中，微扰需要具有一定的粗周期性，用以将相同波导中具有不同传播常数的模式耦合起来。
在图(b)中，如果两个f3不同，通常需要对折射率进行调制。 对千两种情况，式(6. 57)都给
出了周期性与两个传播常数之差之间的关系。 不过，在某些情况下两个波导可能不同，但是
由于其不同的色散特性，即使不存在折射率调制，它们也可以在某一特殊波长处具有相同的
传播常数。 这就是第三种情况：（c），这时可以构成同向波导滤波器。 图6. 17的“p曲线归
纳了这--.种情况。
为了定扯地理解这些悄况的滤波行为，回顾式(6. 55)和式(6. 56)以及随后讨论的傅里
叶分析生。 这导致幕指数项的自变数中产生一项士2亢／A，并用傅里叶系数6.e士，来替代积
分中的生。 现在针对图6. 17上图
所述的特殊情况(31>(32，为了实现相位匹配，在式(6. 55)
一
中选择 2六／A而在式(6. 56)中选择＋2亢／A。 等效地，令

队 ＝
/31 + 2A
六
(6. 75)

并用队代替所有方程中的队。 这样在式(6. 66)中，s和 i 都带有撇号，以表明用式(6. 75)代

替了凡。
式(6. 75)导致图6. 17所示的两个有效传播常数之间存在一个较大的交叉角。 由千两
条曲线在 Wo 附近的接近程度决定了耦合的相位相十程度，因此大的交叉角表明该滤波 器的
带宽相对较窄。 图6. 18根据式(6. 66)并利用式(6. 75)举例给出了传递函数I a2 (L) /a, (0)尸
与失谐参数之间的关系。

• 204 •
 u
鲁
／ 271
/, /3 1+ �
/＇ A

矶， ．，.....................子····+·· ......
艾
/
/
/
／
／
／

B
.
2Jt
一－
化（矶1 )=/3 ， （w (）)＋ A

(a)和（b) 例
U}

-.
�
。

化（叫，， 响(w n)

(c) 例
注：其中两个不同的模式之间存在耦合。在上图中，用光栅微扰来提供矶处的相位匹配。
在(a)例中存在相同波导的两个模式，在(b)例中存在两个耦合波导。在下图的(c)例中，
通过设计两种不同的波导尺寸使其在O。处的P值在耦合之前相等。右侧插图将交叉区
域放大用来显示耦合导致的 一对新的PC解。

图6. 17 两类同向耦合器滤波器的色散特性
µO
））
ao

r』
~al

—l=l
····· l=5l,

0.5

。
｀
·r, 1,' `m `b
0-
6 -4 -2 2 4 6
6L C
注： d 兰 (/3,优）／2=(w-w。)/w,）．(7t/A)(An，应），其中A＝入，IAn。对千通常的
半导体耦合波导，群有效折射率之差ng2--=-n,1与有效折射率之差n产几
的比值为心i/An~3，从而相应地降低了滤波器的带宽。

图 6. 18 在光栅耦合的波导中，两种不同的传递长度下的功率传递与失谐参数之间的关系

• 205 •
 将上述滤波器与电光材料相结合可以实现可开关或可调谐的滤波器。在一 个波导上施
加电场可以改变其折射率，从而改变“p图中色散曲线的斜率。 由于两个色散曲线的 斜率
相近并且其偏移矗2亢／A并不改变，因此交点 Wo 改变的相对拭比折射率更大（类似于剪子的

交叉点比刀刃木身的移动更快，尤其当两个刀刃近乎平行时）。 这样，光棚辅助的同向耦合
器滤波器的中心频率的相对调谐范围要比折射率木身大得多。 图6. 17 中的(c)例与此类
似，因为这时两个无耦合的色散曲线以 一 个较小的角度交叉。 这种增强的调谐速率与大多
数滤波器（包括反向光栅滤波器，其中心频率或Bragg频率的 相对调谐址与折射率的变化相
同）完全相反。
更粘确地讲，对于图6. 17 上图所示的光栅辅助的同向耦合器滤波器，相位匹配时/32 =
/31+2亢／A．与波导2的折射率变化相对应的中心频率和波长的变化为
凸w = — A = A汀 2
(6. 76)
w 入 11"2 -n.,

角标g表不群折射率，其出现是由于折射率与频率有关。 对千图6. 1 7中的(c)例，通过不同

的推导过程可以获得相同的结果。正如第8范将要描述 ，式(6. 76)给出的凋谐增强特性可
用于可凋谐激光器 。

6.4 模式激发

有将各种光波导部件互连起来的过程中，经常要面对的 问题就是确定在结点处有多少
功率被传输，有多少被反射。 为了推导出该间题的常规表达式，先回顾正规模的展开式
(6. 3)，对千被激励的新的波导节段，利用该式可以用本征模E,＇，的叠加来表示任意的激励场
E,。 图6. 19以图示意了这 一问题。 对于该问题采用归 一 化振幅较为方便，因为振幅的平方
就是功率流，它与介质的阻抗无关。 因此，将被激励波导的第m个本征模表示 为
。
Em =E ”,U,＇，（工，y)e 飞，f ＝J玩工U"' (6.77)
由此，只要根据式(6. 2)将横向模式函数U,＇，适当地归一化，沿着正z方向的功率流址即为
Em I 2
p 二”, =I Um I 2 = f I �dA (6. 78)

-二0
注 可将该场表示为该波导的所有本征校（包括辐射校）
的线性叠加 n

图6. 19 波导祚z = O处被某一仔意场激励

根据图6. 19，假设给定的任意场在z= O处射入波导。 利用式(6. 3)可 得

E,(O) = �E ,,,(O) = �立示也，，（0）V,“ (6. 79)

• 206 •
将该式与U}点积并在横截面内积分。 可得

屈． E,(O)dA = JI: 写a ,,.(O)U/ • U,,.dA (6. 80)

接下来，承认在求和中除了第l项以外的所有各项都为零，并求解在波导入口处所需的本征
模的振幅a1CO)为

｀
a1CO) = -k-Jv/. E.(O)dA (6. 81)

可以将式(6.81)用千任何我们想要的本征模数l。 不过，只需知道我们感兴趣的模式的横
向栈式函数。
为了说明如何利用式(6. 81)，现在来分析图6. 20所示的常规情况，图中所示为两个不
同波导的接点。 如图所示，功率P汇1 从波导l入射， 一 部分P,2 被传递给波导2的基模。 其
他各模式也可能被激励，但是暂时不予考虑（如果该波导只支持 一个导模，则求和中的其他
各模都是辐射校，超过一定距离这些模式就不起作用了）。

辐射校

图6.20 两个波导之间的对接耦合以及右侧波导被左侧波导激励的本征基楼
一
该问题以及许多相似问题中的难点在于如何确定边界右侧（区域2)的激励场。 旦确
定该场，就可以将其代入式(6. 81)来获得所需的a20。 但是严格地确定E C (0)是个相当复
杂的问题。 不过，对千弱介质波导，已发现边界右侧的场在形状上与左侧类似，但是幅度被
一定的传输系数减弱。 并且在此情况下，在平面波公式中利用波导的有效折射率，可以很好
地近似得出传输系数。 考虑所有这些因素可得
+
P,2 co )"'='Pc1 co)t 2 (6. 82)
其中

t2 = 钮顷2
仇＋元） 2
因此
E c (Q 1)= y',沭a
t 10 CO)U io (6. 83)
其中祚是区域2内激励场的有效阻抗。 它是被激励的各模式的阻抗的某种加权平均值。
采用式(6. 81)可得
+
P20 (0
) a 2O (01) 2 2
P10(0-） ＝ a1 0 (0) ＝ 1 寸贮• U10dA (6. 84)

木之间的差值，如果大部分能最都位于模式0内，或者如果被激励的各主
其中忽略了 T/20和

要模式的阻抗没有太大区别，这 一 假设很好地成立。 通常可以求解P20 /P 1 ,'，来获得第m个

模式的激励。
• 207 •
 6.5 结 论

本章介绍了微扰和耦合模方法以获得较复杂的问题的闭式解析解。 求解这些间题的唯
－前提是，用来在不同模式之间产生传播常数变化和／或耦合现象的介质微扰必须很小。 利
用这些方法可以非常有效地分析许多重要的实际问题。 即使当微扰较大时，仍可以利用这
些方法来获得近似解，并可确定问题中各种参数之间的关系。
当微扰较大时，微扰和耦合模方法不再有效，通常需要采用某种数值方法来研究整个问
题。 不过在许多情况下，都可以利用纯解析方法来获得精确解。 例如，将量子阱置千上文讨
论的分别限制波导中，就变成了 一 个五层波导问题，这时存在解析解。 实际上，采用下章介
绍的方法就可以分析多层波导。
另 一个可以精确求解的情况是方向耦合器， 可将其视为一种不同的五层波导。 如图
6. 21所示，将五层区域的第一个偶数本征模和奇数本征模相叠加，可以来近似一个三层波导
的本征模（该模激励了耦合区）。 五层区的偶数和奇数本征模的相速度不同，因此在经过一
定的传播距离I久 之后，其叠加值导致大多数的能掀都与第二个高折射率区对准，从而激励
了第二个出射波导。 因此，可以将这 一 问题的大部分丁＿ 作化简为计算无耦合区和耦合区之
间边界处的不同本征模组的激励。 利用第6.4节可以分析这一间题。

注入射场激励了这个五层系统的第一个偶数（实线）和奇数（虚线）本征模
的仵加。 经过耦合长度， 偶数模穿过了整数倍的导模波长， 但是相速
度页商的奇数模所穿过的距离要较之短半个波长。

图6. 21 从模式干扰角度来分析方向耦合器

习 题
一
6.1 个对称的渐变折射率平板波导内有一个高斯型横向模式，其有效折射率为3. 5。 在
波长1. 55 µm处，其一半能星位千波导的300 nm中部位置。
(a)如果改变 从中心到模式 一 侧宽为150 nm的 区域，使得折射率改变0. 02，则凶3是
多少？
(b)如果沿着波导长度以入／2n为周期、50％为占空比周期性地插入(a)中的变化区域，
所得光棚的 k 值是多少？
(c)要使该周期性微扰波导节段的功率反射系数达到0. 5，其长度是多少？
• 208 •
6.2 利用耦合模分析，推导有效反射平面与光栅起始点距离 L eff 的表达式。
6. 3 利用耦合模分析，证明长光栅的 L eff 与能最衰减长度 L P 有关。
6.4 利用光栅镜面的耦合模理论，推导并绘出具有 一 个解理面和一个光栅镜面的 DBR 激
光器的阔值模式增益与失谐参数8的关系。 光栅镜面在 解理面处终止，具有相对反射
相位仇假设入 ＝1. 55µm，没有无源腔节段，有源区长度近似 为 250µm，整个腔体内
的内部损耗为 15 cm- 1 ，光栅的 x: =
50 cm 一勹模式与镜面 Bragg 条件在1. 55 µm 波长
=O ° °
处对准。 绘出 <f, 、90 、 180 ，且光栅的 x:L 值为 0.5 和 1 时的曲线。
6. 5 说明微小的 传输损耗是如何改变光栅反射和传输系数的。 将结果表示为无损表达式
乘以各种相乘因子。
6. 6 请利用耦合模结果写出四分之 一 波 相 移 DFB 激光器的阙值条件（特征方程）的表达
式。 忽略各种刻面反射。
6. 7 对千如下器件，根据没有刻面反射的标准 DFB 激光器的耦合模特征方程，计算前两个
模式的阙值模式增益 (g 〉 工y ，并推导出相对于 Bragg 条件的偏移量汛L
(a) 1. 55 µm InGaAsP/lnP DH 激光器，x:L =l，长为 L = 400 µm。
(b) 习题 6.6 中分析的类似的四分之一波相移 DFB，具有与上例相同的光栅和总长度。
假设内部模式损耗为 20 cm-1 。 请给出 (a) 和(b) 例中的 MSR。 假设 r = 1, /3,p TJ
=

lO 4, I
= 2I
th o

6.8 一
段无源光栅节段由覆盖在 InP 内的1. 3 µm 带隙的 波导材料构成，在1. 3 µm 材料
的 一 侧具有对称的三角形光栅，使得波导的宽度在 200 ~210 nm 之间变化，请利用耦
合模分析计算其耦合常数 K。
6.9 利用式 (6. 49) 确定 DFB 激光器的归 一 化阔值模式增益 (I'g,h -ai) 匕和波长相对
Bragg 条件的偏移量 8丛与刻面反射的关系。 当 x:L8 = 1 且镜面反射取值如下时，绘
出两个狱值与第二个刻面反射的相位'P2之间的关系曲线：
(a) r1 = O 且I 乃 I = O.566;
(b) r 1 = O.566 且 I r2 I = O.566;
印2
(c) r1 = 0. 566e 且I r2 I =O. 566。
1
假设 ai =15 cm· ,L g= 300µm,,1. =1. 55 µm。 请利用本章得出的解析方程。
6. 10 两个相同的 3µm 宽的沟槽波导，中心折射率比周围的覆盖层材料 (n = 3.5)高0.04,
两个波导中心轴的间距为 20 µm。 侧向限制因子为 40% 。 第一个波导的侧向场在
第二个波导的中心处衰减至其峰值的 10% 。
=
(a) 什么是 K21 K12 ? 近似求解积分，不要计算精确的模式形状。
(b) 实现 100 ％能量传递的耦合长度 是多少？
6.11 一个方向耦合器滤波器由位于lnP上的宽度不同、折射率不同的两个波导构成，两个
波导在1. 55µm 处的有效折射率都是 3.5，但是在1. 50µm 处的折射率分别为 3. 51
和 3.52 ，该滤波器的 3 dB 带宽是多少？在1. 55µm 处，x:2 1 ""='K 12= 0.0lµm- 1 0

6. 12 两个由1. 3µm 带隙的 lnGaAsP/lnP 构成的三层平板波导对接耦合在 一起，其中心

轴对准。 左侧波导厚为 200 nm，右侧波导厚为 400 nm。 计算对于1. 55µm 的横向基
模，穿过边界耦合过程中的功率损耗是多少？请计算两次： 一 次从左到右耦合， 一 次
从右到左耦合。
• 209 •
 第7章 介质波导

言
7.1 引

至此讨论的许多内容中都利用了介质波导的横向模式函数U，但是没有涉及其实际的
形式，不过附录3对其作了简要的介绍。 选择这种方式的原因之 一就是强调在许多情况下，
无需了解介质层结构可能支持的所有可能的横向模式的细节。 其主要原因是使本文着重在
有源器件的主题之上，而避免转移重心。 实际上，我们无法过多地关注介质波导，因为这已
超出了本文的主题。 我们更希望能介绍求解介质波导问题的几种不同方法，既可以补充附
录3中的场理论方法，又可以为学生提供 一 种更为宽泛、更为直觉的方法来理解这些结构中
的波导本质。
首先来回顾一下以任意角度从平面介质界面入射的平面波的反射，如图7. 1所示。 通
过其边界条件可以得出TE和TM偏振态的反射系数的常规表达式。 如果入射平面波所在
的介质比边界以外的介质具有更高的折射率，就可能实现完全内反射。 在介质边界的入射
端，入射和反射平面波形成了一 个具有一 定驻波比的驻波，当入射角超过临界角时该驻波比
为无穷大。 并且在此情况下，虽然当入射角小于临界角时反射系数为正实数（反射相位为
0
0 ) ，但是当其大于临界角时反射系数则为复数（即反射相位非零而幅度为1)。 这样当入射
角小于临界角时，在边界处形成驻波最大值，但是当入射角超过临界角时，该驻波最大值从
边界处移开。 下文将定最地分析上述现象。
X

飞
九 一庄

注：入射角小千临界角。

图7. 1 平面波入射平面边界示意图

• 210 •
 7.2 入射到平面介质边界上的平面波

参考图 7. 1 中的术语和上文第 2 章及附录 3 中的术语， 将 TE 和 TM 情况下的入射场、

反射场和传输场表示为
TE
Ei(x,z)=E(i O,z)也e 兑,x e 一心
＾ (7. 1)

＾
一八 ，工 工 一Jk,z
Er(x,z)＝Er(0,z) eye e
jk.,工 －
jk,z
Et(x,z)＝Et(0,z) e ye e
TM
A jk 工
H, （x,乏)＝H, （0,乏) eye'""e 屯
＾
Z

JK.r － JKzz (7.2)

Hr (x,z)＝Hr (0,z) eye 'r e
Ht 釭，z)=H,(O,z)tye伐， "e ]炉

因为各切线电场E和磁场H在x=O处必须相等，因此上式利用了从＝肛＝ktz=p这一事
实。 此外根据这一点可得0r＝队，以及斯涅耳(Snell)定律k;sin (); =k, sin (),。 一如既往，各
传播矢量分扯之间满足吐＋杜＝k; =k; =k硝
g ＝k扣，依此类推。
在任何介质中，平面波的电场与磁场之间的关系都满足Maxwell旋度方程。 基千式
(7. 1)和式(7.2)的假设形式，可得

H =—kXE (7.3)
Qµ

其中 µ 是介质的导磁率。 现在将式(7. 1)和(7.2)代人式(7.3 )，并采用电场和磁场在x=O

处连续的边界条件，可以求解反射电场与入射电场之间的比值。 对于等导磁率的 TE 模情
况：
Er
:;c I = rTE=kix —kt.r (7.4)
El x=0 k，工＋k丘
对千TM模情况：
el
kix-=.!c.._k丘
—r
E = r™= 眨
(7. 5)
Ei 工 =0
K xi + 言 tx
C1

对于图7. 1所述的情况，区域1的折射率大于区域2的折射率。 因此，当入射角增加到某一

值时，丸等于从。 该值称为临界角如利用Snell定律sin e,=n2ln1可精确定义该角度。 当
入射角更大时，从必须为虚数才能满足下式：
k炉＝肘 —k;,=k; —k忙＝k� 一 矿 (7.6)
即，当丸＞如时，0＞肛且

杠＝士j ff＝飞＝ － j兀 （7.7)

其中需要选择兀的符号用来在区域2内产生衰减解。 图7.2显示了这一状态。
将式(7.7)代人式(7.4)，可得在超过临界角时
• 211 •
 TE = 丸＋jy口
r (0i>队） (7. 8)
KI X — jytx
和

Klx + J. e1眨
-Ytx
™= (7. 9)
. —
e1
k，工—J Y口
e2

两种情况下的幅度都是1，但是反射波具有一个相角4。 即r = I rl e ，根据式(7.8)可得，对
i今

于TE情况：

炉＝tan- 1 [t ]-tan-1[
K
—

厂］ (7. 10)

矿＝2tan
·· 1 [c] (7. 11)

其中

正＝✓1 （ K坏）
－ 2
和 0,＞ 0c (7. 12)
k，工 汃k ! ／阶—l
对千 TM 模，利用式 (7. 9)可得类似于式 (7.11) 的方程，其中几需乘以 E1/E2 o

X
-

i
.
.
.
i
．

．
咖
．

．
夕
．

.
．

.
乡

．
.
譬
．
"

.
kl

．
乡

`
}．

．
， 辱

．
．
｀．
．

.
｀
f

｀
a

,
a
n

n2
z

江 －J九
． ．：丸＝
k1
•• •

．········厂．·：．．. .••
0
入
k

图7. 2 入射到介质界面的平面波，其入射角大于临界角

如图7.3 所示，当入射角小于临界角时，反射相角为零，超过临界角后，反射相角单调增
°
加直到18 0 。 这导致随着入射角的增加，驻波的最大值逐渐远离边界。 当全反射时，区域2
内仍存在能最，但是随着远离边界，该能量呈指数衰减，在x方向上没有功率流。
将式(7. 1)给出的入 射波和反 射波叠加可以算出驻 波。 对于 TE波 当0,＜队时，
E, (0,z) =E; (0,z)e • 。因此
i

E; +E,=E; (0,z);y[e
灶，工x
+ei • e 飞，勹e 芷 (7. 13)
或
• 212 •
 汁／ 2
Ei+E, =2Ei(O,z) t,e cos(kixx-,f,/2)e -jp, (7.14)
图7.3给出了两个具有不同4的示例，它说明当0， 变大时，其余弦峰值是如何远离界面的。
图 7.3 中将 最大值和界面的间隔标为如，该值与反射相位的关系为

＿
r = lrlei+ = e-2灶，x(-1,ff) = e招， xleff

或
2灿＝¢,/ k ox (7.15)

小
E
，
亢

IcIl

^····•. 斗．．？，立．

。
。
: ····
· ♦

X
c 0,
/

(a)当平面波以略大千（虚线）和远大于 (b)反射相角与入射角的关系
（实线）临界角的角度入射时， 所产
生驻波的示意图

图7. 3 人射角对界面反射的影响

7.3 介质波导的分析方法

7.3.1 驻波法

根据上文的准备，现在可以开始利用多次全内反射来分析波导的结构。 图7.4绘出了
（如图 7.3 所示的）由平面波的全内反射所形成的驻波。 如上所述， 第一个极大值位于距离
边界灿处。 图中的虚线对应千各对称平面，对千给定的入射角，可以在这些对称平面处插
入与初始边界一 样的另一个边界而不改变两个边界之间的驻波图案。
采用该结构实际上构成了 一个波导，该波导将平面波限制在初始的入射角上，迫使该平
面波在z方向上曲折前进，从而将光能量的净传播限制在z方向上，如图7.5 所示。 该场在
两边界之间具有式(7. 14)的形式，并且根据式(7.1) 中的 Et （从用式(7.7)表示）在两个外
层区内为消逝波。
根据图7.4，所构成的波导的宽度为
入江
d =2l e ff+m - (7. 16)
2
其中m为模数，对千最低阶的对称模m等千零，对千第 一 个奇数模等千1，依此类推，儿＝
，
2n:/ 从为沿着x方向的驻波波长。 利用式(7.11汃式(7.15)和式(7.16)，可得TE模的波导
色散关系为
4 亢— 2 ,... 1 Y口
d= +m-?- = �tan / m
六

互 兀丁 忙）＋ 互
或

k; xd =2tan-1 伲）＋m 亢 m= o,1,2,.., (7.17)

• 21 3 •
对千对称的三层平板波导，式 (7. 17) 等价千附录 3 推导的色散关系式 (A3. 10) 。 式 (7. 12)
将兀／从根据沿着之向的波导传播常数p展开。 TM模的结果与之相同，但要将 兀
乘以el /e:2 o

m=2

一 勹 一一一一乙－－－－－－－－－－－－－－－－－L______

d, m= I
I
d,

4牛》二二i: 、、
,
i 'm=O

z
lcIl

注：左侧为给定驻波；右侧为基模(m=0)和第 一 个高阶模(m= l)。

图7.4 在给定驻波的对称点处插入第二个界面（上部的交叉阴影区）后形成的波导结构

X d

注：平面波的每个射线交替从另 一 个边界被反射，其入射和反射相角
相同，从而与其他在同 一 方向传播的射线形成同相叠加。

图7. 5 波导的曲折射线简图

利用相同的方法，可以推导出普通的三层不对称波导的色散关系。 图7. 6所示的两个

覆盖层具有不同的折射率。 这样，底部和顶部界面处的色散相位伤和'P3，以及驻波极大值
的间隔伍和灿均不同。
用d= leff2＋压来构成一个非对称波导，利用式 (7. 15) 和式 (7. 11) ，可得 TE模的色散
关系为
'Pz I'P3
k1 xd= 歹勹十 m尸tan-1 （芢）＋ tan-1 倍） I m7r C7. 18)

其中与上文相同：

杠 ＝ 尸， Y2工 ＝ 4勹， 九＝尸 (7. 19)

通过式 (7. 14) 以及4＝兑可以得出两边界之间的电场，而式 (7. 1) 则给出消逝区的电场（其
• 214 •
中用式(7. 7)和式(7. 19) 表示从）。

n,>n,>n飞

z
注：在整个过程中射线角保持不变，但顶部反射的相角大千底部
反射的相角（请注意， 本章的折射率定义与附录3的有所不同）。

图7. 6 不对称波导的基模

7.3.2 横向谐振

另 一 种分析介质波导的方法是横向谐振法。 该方法等效于上文介绍的波导结构法和附
录3介绍的场理论法。 如图7. 7所示，所谓横向谐振意味着每部分射线在经过 一 个完整的
循环后，其横向的往返相位必须是纭的整数倍。 即，随着能扯沿着波导向下传播，在平面波
成分上下曲折地完成 一 个完整的横向周期之后，本征模 的场必须实现自我复制。 这与之前
在确定Fabry-Perot谐振腔模式时施加的条件完全相同，只是这里将其推广到非垂直人射
的情况。 换句话说，与边界垂直的K矢量分量确定了相位在该方向上的演变。
X
z

图7. 7 波导横截面，其中给出了横向谐振计算所涉及到的各个变量

对于横向模式，必须具有横向谐振，即
e-2JK 卫泸泸＝ e-21m 亢
(7. 20)
其中各变最的定义参见式(7. 19)和(7. 11)。 这表明
2k 1 工d-¢2 -¢3 =2m 亢 (7. 21)
该式与式(7. 18)等效。
横向谐振法是 一 种相对简单的方法，可用来获得较为复杂的介质波导结构的色散关系。 即，
区域2和3可以包含多个介质界面，利用第3章中的方法可以计算净反射系 数，并由此获得反射
• 215 •
相位42 和杠然后可以采用式(7.21)。 对于无损耗波导，这些反射系数的幅度必须为1。 在下文
将分析的情况中，反射略小千1，而光能量除了经历轻微的传播损耗外仍被很好地引导。
＂ ” “ ”
7.3.3 截止和 泄漏 或 准模式

当射线角足够大时（从波导轴向z测量）， 一 些能量会在 一 个或另 一 个边界处被传输出

去，这种情况被称为截止（这时的入射角不再大于临界角） 。 不过，光能量仍然以适度的衰减
继续传播，因为当角度接近截止态时，在波导边界处的反射幅度仍然相对较大。 从波导泄漏
出的光仍会沿着正向辐射，从而会与波导平行地前进 一 段距离。 这是介质波导和金属波导
之间的关键差异之一，在金属波导中截止态一 般导致信号高度衰减和／ 或高反射 。
引入更多的数学项最，截止态时具有兑---o或p-KJ ，其中）＝2, 3。 换句话说，波导的
传播常数必须一直大千任 一 个覆盖层的平面波传播常数 。 图7. 8 以有效折射率n = /3入／2 六

的形式说明了这种状况。

n
_
n

二 ]J_＿二。」－－J-
截止
X
n—

(a)对称 (a)不对称

注：当频率减小（波长变长）时，石朝着截止值移动。

图 7.8 不同的模数对应的有效折射率示意图

对于对称波导，色散关系 式(7. 17)变为

k1 d I cutoff,s;;;m亢
工 (nz = n3 ) (7.22 )
=
由此可得知除了在零频率或零宽度d时，基模m O没有截止态。 对于非对称 波导，色散关
系 式(7. 18)变为

杠dI cutof 尽tan-1 伲）＋ m兀 (n,>n2 >n3 ) (7. 23)

这时，对千 一 定的有限频率或者当波导宽度足够小时，基模存在截止态。 附录3给出了这种

波导的色散特性的归 一 化曲线。 图7. 9绘出了 一 种非对称波导示例的有效折射率与归 一 化
频率之间的关系。
对于某 一射线角度，即使当 一 个或两个波导边界处的反射系数小千1时，仍可以满足横
向谐振条件。 图7. 9中 的虚线给出了当波导内的射线角逐渐增加直到与侧面 边界垂直
＂ ＂
（即n--o)时的这些 泄漏模 的色散。 由于反射相位在截止态以下为零，这些泄漏模继续
具有导模的 特 性，并且根据波导的对称性， 这些泄漏模满足当 k1 ,. d <k 丘 d I c u t off 时 的 式
(7. 22)或(7. 23)。 在这些情况下，光能量仍然在 横向上传播，并且通过相加干涉累积，就像
在任何的Fabry-Perot谐振器中 一 样 。 这样，光能量仍然集中在波导轴附近，并且仅以适度
“ “
的损耗沿着z方向传输。 这种结构的 模式 通常被称为泄漏模或准模式，因为在z向上的
• 216 •
传播能址的确改变了它沿着波导的幅度。Fabry-Perot激光腔的轴向模式就是这种泄漏模
式的一种实例，因为为了实现有用的输出必须存在镜面传输。

_
n
n,仁一一一一一一一一一一一一一一一一一一一一一一一一一一
m=l�-

一
［
／？ :
7[ /

· ··
二7[
cos 0'· · · 0
.... 17 '.· · cos ,J

＼ i
．．
：
； ；

。L
泄漏模或准模式
:
：
i
：
： ：

冗 2兀 k,d

注 实线为真正导模的有效折射率。当模式变为泄漏模时就是截止态。
虚线是截止态以下满足横向谐振的各点的轨迹。角度轧是1-3界面
处的临界角，这并不是截止角。截止角是1-2界面处的临界角。

图7. 9 不对称平板中3个最低阶模式的有效折射率色散曲线的示意图

7.3.4 辐射模

上文讨论的泄漏模并不是真正的模式而只是准模式。严格地讲，所谓模式必须沿着z
方向具有均匀的形状和幅度。但是（参照本章前部或附录3所述）导模并不构成完整的模式
＂
组，因为无法通过这些模式的叠加来构成任意场。对于完整的模式组，需要包含 辐射模",
这些模式可以具有那些导模和横向谐振泄漏模所不具备的射线角。
为了使平板波导结构的辐射模成为真正的模式，必须在x方向足够远的地方插入某些
额外的全反射边界，从而可以完整地描述位千波导平板中心附近的任何场分布形状。实际
上，插入这些边界仅仅是为了满足数学上的需要，而不是实际上在实验中加入的元素。图
7. 10显示了所分析的结构。
x

-—-
－ 兀厂

(a)波导横截面，其中在x=土112处 (b)用丸作为横向传播常数，
插入了全反射平面，以提供一 套 通过多层界面算出的上
辐射模 半部的净反射rA

图7. 10 用千分析辐射模的波导结构图
• 217 •
 如图7. 10所示，在距离波导平板两侧l/2远的位置放置一个全反射面。 现在可以利用
横向谐振法来获得各个辐射模的色散关系。 为了将其简化，分别从相对千波导中心的参考
平面的正r向和负x向来观察，计算其净反射rA 和rH。 这样横向谐振条件（式(7. 20)）简化
为
-2)”'
rAr8= 1 = e (7. 24)
六

对于对称悄况，rA =ru，根据图7. 10中的插图可以算出rA :

产）C Jkz./
r A =re 凡， ，＇＋ —(l— —c Jk 1 ,d
( . 25)
7
“正
l -rc
用式(7. 4)表示r并将式C7. 25)代入色散关系式（7. 24)，可以得出同时适用于偶数和奇数辐
射模的色散关系；

cot （军）主叫了 － 叶 尸{ 六／2

0 偶数
奇数
(7. 26)

通常，令l>＞d，这样色散关系式C7. 26)的解在频域（或射线角）上的间隔比较小。 用这
套很好的基木模式可以分析任意光能恨分布形状沿着z向的传播。 实际上，只有在描述完
全位千l内的光场时，这套校式才是完整的。 因此，l必须至少和近似求韶的场的宽度 样

长。 实际上，令l/d>lO所产生的基函数组通常就足够用来合成集中在波导中心附近的忏
意场分布形状。
辐射模的场分布形状是在两个外层镜面之间的驻波，其幅度和相位在波导平板区域内
具有 一 定的变化。 某些辐射模可能在波导界面之间构成横向谐振。 由于多次反射的相干叠
加，这部分模式场的幅度会沿着波导有所增加。 可以在波导区域内找到奇数模和偶数模。
即， 模式在波导的中心处或者是波节或者是波腹，图7. 11举例说明了这一 点。
x

(a)偶数辐射模 (b)奇数辐射模
汀 两种情况下， 波导、臼板内都近似满足横向谐振。

图7. 11 在距离波导平板两侧士l/2处放置全反射而所形成的偶数和奇数辐射膜的爪意图

图7. 12归纳了在w-p曲线中各辐射模相对于导模的位管。 图中的虚线是满足波导内

横向谐振的辐射模。 这些特性与上义中讨论的泄漏模的特性相同。 当l为有限长时，必须

• 218 •
适当选择外层镜面的位置使其同时满足内部和外部边界条件。
u

p
汁 图中显示j，各种校式的相对位性。 渐进线的斜率等l·波导、f板1x:(c/11,)和
附，盓区(cln,)内的·P:而波的相速度。 校式特征曲线的In}部斜率为其群速度。
虚线给出f波导内满足横向谐惊的辐射校的色散 c
图7. 12 对称平板波导的w- /3 I冬l

7.3.5 多层波导

上节用千谐振模的横向谐振法也可用于分析多层波导的导模。 也就是说，式(7. 24)通

常都成立，并可用在任何层数的介质波导的中心处。 中心的选择实际上并不是关键所存，通
常都选择一个便千用韶析或数值方法来分析波导色散特性的参考平面。
图7. 13所示为一个m层波导示例。 可以采用第3章中为多层反射器得出的方法来计
算rA和压。 不过，在这里所有的计算都用横向传播常数丸来代替轴向传播常数K三唷。 当
层数很少时，有可能推导出闭式表达式，正如1一文中的辐射模 。 例如，对千五层波导，可以用
式(3. 40)得出rA 和门。 如果使用的是一对菏层的多次周期，则可以采用光栅公式。 也就是
说可以用式(3. 52)求得rA 和rll，不过仍要用适当的丸来代替f3。
7

气－
了＼／雪'＼／\／／＼、＼／＼／＼／＼ ／ ＼／＼ ／醴、/

ri1 校式必须满足 rA ri1= l =e'）“'咒

图7. 13 用于确定多层波导模式的常规横向谐振法示意图

7.3.6 用千任憩波导形状的WKB方法

在本兹至此讨论的所有结构中，折射率在某些区域内是常数，然后在区域之间的边界处
发生突变。 这样在每个区域内，推导横向波动方程所涉及的诸假设（例如均匀的介质常数）
都成立，通过利用适当的边界条件可以求得全部精确解。
• 219 •
 在许多实际情况下，折射率在某些波导区域内连续地变化而不是如上所说的间断地变
化。 这时严格地讲，横向波动方程式(6. 5)并不像第6章讨论的那样有效。 不过，当介质常
数变化非常缓慢时，VE丘，y) 相对于p很小，仍可以用它获得很合理的结果。 否则，波动方
程需要保留那些与 VE（x,y) 有关的项，从而变得难以求解。 图7. 14显示的波导包含了一
个折射率连续变化的区域。
n(x)

U(x)

x＾ xR X

注： XA 和x，是射线转向点，在该点处横向模式也相互影响。

图7. 14 折射率连续变化的波导的横向折射率和模式变化
Wentzel、Kramers和 Brillouin 3人发现，在这种折射率分布形状缓慢变化的情况下可
以推导出很好的近似解。 这种所谓的WKB 近似仍保持了 均匀介质的波动方程形式，但是
采用了可以横向变化的平面波k矢鼠。 也就是说，式(A3. 3)变为
V2U(x,y) +[k气x) 一 矿]U(x,y)=O (7. 27)
该式与只允许x向变化的式(6. 5)相同。 这样仍假设波导在z方向上是均匀的。
WKB近似还忽略了由于缓变折射率导致的任何背向散射。 对千导波，我们只对那些
近似与折射率梯度垂直（即与z向平行）传输的射线感兴趣。 因此，即使沿着x向的折射率
变化非常迅速，射线也只能经历轻微的梯度。 正如可以预期的，这时候射线将弯曲，这种弯
曲等效千类似的三层平板波导的曲折射线。
首先，将局部的平面波传播常数K用其矢植分量表示为
肚(x)＋肚＝妒(x) (7.28)
其中折射率和K矢肚都是x 的函数。 不过对于波导模式，k, ==胪式顷与 x无关。 这时可得
丸(x)=k 。 ✓矿(x) －
� (7.29)
在其截止条件处n等于最高的相邻覆盖层折射率 n2o
还可以用射线角(}, (x)来表示波导传播常数，由此可求得该角度为
仇(x) =cos-1 ［卢］＝ cos：主］ （7. 30)

由式(7. 30)可知，射线角必须随着x改变，随着n(x)的降低而减小，直到n(x)=n时达到
零度。 这样 如图7. 15 所示，射线实际上在该点处转向，随着光波沿着之向传播而以类正弦
的路径婉蜓前进。 在转向点处，x=x A ,xsk 丘 (x)=O。 这与式(7.29)一致。 因此可得
n(x A )=n(xs)＝订 或 k(x A )=k(x8)=f3 (7. 31)
当 x>xB或x<xA时，由式(7. 29)可得知丸为纯虚数，这表明光场逐渐衰减，从而很好地将
• 220 •
能量限制在沿着 z 轴的方向。横向波动方程(6.5)也证明了横向模式具有形变点，即在这些
2
转向点处 au 口）／厅 ＝ 0。
X

z
注：其最大值位千转向点XA 和x,之间。 图中显示了射线相对千波导轴向的角度凡

图 7. 15 在折射率平缓变化的情况下，婉蜓前进的射线路径简图

现在推导色散关系或特征方程。为此，需要采用经由式 (7. 21) 扯化的横向谐振法。不

过，在本例中穿过波导的往返相位并不单纯是2k！工d，而必须将K八I)在x A ~x B 并返回来
的范围内积分求得。这样式(7. 21) 变为

寸� kx (x)dx 'Pz -'P3

— = 2m 六 (7. 32)

其中丸（x)由式(7: 29) 给出，并可以利用式(7.31) 中实际的折射率变化用有限折射率行或

传播常数 f3 来表示积分的上下限。
剩下的问题就是解决响是多少。为此可以利用反射系数的表达式，对千 TE 或 TM 模，
该式分别为式 (7. 4) 或式 (7. 5) 。对千从和 K 丘 ，我们注意到在 x x A 或XB 处，根据
=

式(7.29) ，本例中的横向丸由纯实数变为纯虚数。这样，这种情况与突变折射率不连续的
情况类似，可以用式(7.8) 和式(7. 9) 并采用 K ，工＝ kx (xs)｛或 k八五） ｝和兀勹龙（式） ｛或
丸
J (x A )）来表不反射系数。即，参考图 7.15 ，假设为 TE 模，在上部的转向点处：
丸(x;)＋忆（五）
B)=
rTE (x (7.33)
kx (x;) 一 九(xii)
由千k, (x -.x B)--+-0且Yx (x --+-XB)--+-0，必须将其相对千对展开，其中令平面波传播常数为
—
k(x;) =f3+13k 和 K （五）＝ f3 13k。即，利用式(7.19) 给出的定义，可得一阶近似如下：

丸(x;)＝ ✓炉(xE)－ f= ✓顷＋2妢k) f —

和
兀(xJ)＝ 灯f —k 2 （五） ＝ 灼f — 偉 2皎k) (7. 34)
因此

产(x B)=� !
1 — J =j (7.35)

其他的转向点 也类似。对于TM模，需将兀乘以 €1 /€2 ，但是对千连续的折射率变化，该值

在转向点处趋千1 。因此，对千 TE 和 TM 模，少2 =</,3 =rc/2 ，而式(7.32) 变为

寸B丸(x)dx
工
= (2m + 1) 六 (7.36)
}
或者利用式 (7. 29) 得
• 221 •
 2k。『}，二心 ＝ （2m+l压 (7.37)

为了解释如何使用WKB法，考虑这样一个重要示例，其介质常数呈抛物线变化：

n 口）＝ n二[1+(t (7.38)

f ]
2

其中选择 .T 轴的原点位于该函数的最大值处。如图 7. 16所示，采用WKB法时，只有当折

射率范围很小时，该函数才有用，这样才能将光能量很好地限制在 IX I «.:r。内。

2
n" (x)

X
-X,'

"
X

图7. 16 式(7. 38)给出的抛物线介质常数变化

将式(7.38)代入式(7.37)可得

2k。『B [二— n�ax 王 气dx = (2m + l)TC (7.39)

2

(X。)
根据对称性xA =— 压。由千 n（.TB)＝ 计或丸 ＝0,在积分的上下限处，积分的自变量为零。
因此可以由式(7.38)求解得到XB 为
X B= 土x 。 ✓1- （n/n max) ＝士x战 (7.40)
2

为了便千求解该积分，可以改变变最为x =
x戎sin<p，其中 <p 无需具有任何物理含义 然后
利用式(7. 40)对式(7. 39)积分，可得色散关系为
0

(2m+l)n max
旷＝ n max
2
(7. 41)
K X
—
。。
将其代回式(7.40)，可得模式m 的最大射线偏移掀为
2m+1 1/2
压＝立。[ K n (7.42)
maxI 。 。]
介质常数必须继续以式(7.38)的方式呈抛物线形变化，其变化范围的宽度要比转向点的间
隔（两倍于式(7.42)）更宽一些。也就是说，在大多数实际情况下，若要使其结果基本有效，
抛物线形介质的宽度必须是环的4~5倍。
将式(7.41)代入横向波动方程可得出U(x)的表达式。其结果表明这种抛物线形介质
的本征模具有Her m ite-Gaussian函数的形式：

U产）＝立H m 卢） e - x /w; (7. 43)

2

。
W

其中Hm (f）是Hermite多项式，Wo 是1/e高斯光斑直径。作为参考，前3项Hermite多项式为

H。($)=1, H ］ 伶）＝2$, Hz($)=4$2 —2 (7.44)
此外还希望能推导出图7. 15所示的射线路径的表达式。根据定义，有
dx (z) ＝ 丸(x)=k.r釭）
(7. 45)
dz (3 k。 ”
• 222 •
由式(7. 29) 、 式 ( 7.38)和式(7.40) 可得
。
丸 (x)=k n max ✓矿 一 (x/m)
2
(7.46)
以及 nmax /n （ 1 $) /2 。 将式（ 7.46)代入式(7.45)，则
— —1
=

dx ( z) 气8` (7.47)
dz
再次将变星变为 x = xo8sin<p，通过积分可得

x(z) ＝ 心sin ［干丿 (7.48)

即，在抛物线形介质中，射线在波导轴向周围以周期为 2 虹On/n max 的正弦波形式振荡。 正如

色散关系式 ( 7.41) 的情况一样，这是近似波动方程的精确解。 由于订＝ n max ，请注意射线 振
荡周期与初始射线角 dx(O) /dz = 8 的关系非常微弱。 不 过，射线距离波导轴向的最大偏移
扯 x8 = x 战则呈线性增加。 图 7. 17 解释了这一行 为。 射线沿着 z 向的曲折周期并不随着
角度的变化而呈太大改变，这一事实说明各种满足横向谐振条件的可能模式的传播常数并
不改变。 式(7. 41) 显示了这种小的模式色散。 当然，抛物线形渐变波导的特性与上文讨论
的三层平板波导的特性极为不同。

x(z)

x旧
, ． －－ － 、、 ， ,·-----、 、 、
,,,-．
＇， 一 －－－ 、、、、、
7
、 , 一 、、、
－、 一 ,' 乡． ·· - － － －- •• 、、、、
X,i1
－－
,：，��-:...
少 ---···· ·······---.."、`
、"
、、 、
.：···· ····:.

``、 ·,
、、 、、`、 ·-----··,·
.., ,
、、 、、
、、
、--- -,
,' ，
，＇
、- - -

注：各射线源千原点处的一 个点源。 初始射线角0导致正弦形振幅为x1,＝动而周期

近似为 2 江（利用n,naj诠 I) 。

图 7. 17 抛物线形介质中的射线路径示意图

现在如果对抛物线形渐变波导的本征模感兴趣的话，可以用某些允许值来代替:rot。
即，将式(7.40) 和式(7.42)代入式(7.48) ，可得

x(z) = x0 R。二 K �sin[��

王 。] （波导本征模） (7.49)

这样，本征模只能具有某些确定的离散射线角，但它们仍可以具有与上文所述几乎相同的传
播常数。 在许多情况下，我们可能对那些并不满足横向谐振的射线感兴趣，因此这时可以继
续使用式(7.48) 。
当没有双折射时，行波的相前与射线方向垂直。 正如三层平板波导的情况，可以将诸分鼠射
线的相前叠加来形成本征模的净相前或波顶点。 当可以忽略增益或损耗时，两种情况下都造成
本征模的平面相前与z向垂直。 对千抛物线形介质，诸分量相前必须弯曲来跟踪射线路径，因此
它们不会是平面波。 不过当WKB近似有效时，这些相前必须在距离x和z方向儿个波长远的距

• 22 3 •
离内近似平行。 换句话说，在沿着射线的这一距离内，分掀射线的角度不会有显著改变。
采用抛物线形渐变折射率波导结构 的 一个实际器件范例就是所谓的渐变折射率棒 或
GRINROD透镜。 这时我们真正感兴趣的并不是波导的本征模，而是任何给定的入射射线
如何传播并在某一距离以外会聚。 虽然严格地讲，通常应将入射场表示为波导诸本征模的
叠加来追踪其沿着波导进化的方式，但是如果波导足够大的话可以采用射线追踪法。 当传
播距离很短时这种 方 法尤为合理。 在GRINROD情况下， 一 个跨度几个波长但却远小千
GRINROD直径的笔直的光束将沿着像式(7.48)给出的射线路径来传播。 式(7.49)给出的
本征模限制（其模式横截面作为z 的函数没有变化） 并不适用，因为必须将许多相互干涉的
本征模叠加起来，来表示这种笔直的光束。
GRINROD实际上是径向折射率 变化的 圆柱体，但是可以用平面分析来理解射线沿着
含有棒轴的平面传播的方式（所谓的子午线射线）。 对千近轴射线（小角度），式 (7. 48)表明
可以用斜率 d汃0)/dz�8�0, CO）＝仇来表征在z = O处进入GRINROD 的沿着轴线传播的
射线。 即写为
:r(z) =:r o0。sin（之压。） （GRINROD) (7. 50)
根据式(7.38) ，工。的倒数代表了折射率平方形状的曲率，仇是初始射线角。
可以用周期来表征GRINROD，对千近轴射线它就是射线振荡的周期 2六环。 这样，对
于四分之 一 周期的GRINROD，任何在其了之原点以角度仇 ， 入射的射线在经过了四分之 一
振荡波长杠o/2之后都被转化为与z轴平行但距离互仇， 远的射线。 即，它就像 一个住距为
亢 Io/2的理想透镜。 图7.17以图解释了这 一 事实。 任何长度的GRINROD 都表现得像透
镜 ，但是其聚焦特性并非都像四分之 一周期和半周期情况那么简单。

7.3.7 用千沟道波导的有效折射率法简介

本兹至此 一 直在讨论平板波导，并且只考虑了 一 维导波的悄况。 而大多数实际应用都

需要采用同时涉及到横向（工）和侧向(y)的二维导波。 对于大多数这种 结构都需要采用数值
方法来推导准确解。 圆柱形状是一个例外，这时通过在波动方程中采用圆柱坐标系，可以用与
上文讨论的平板波导类似的方式来推导圆形对称模式的解。 这时只涉及到 一个变址（矢径）。
为了分析二维的或涉及两个独立坐标的沟道波导结构，有时需要采用近似有效折射率法。
附录3介绍了 一种 用该方法求解的步骤。 这里将通过图7. 18 所示的两个范例来介绍这种方法。
2

3
r,
＿

： ： i
3.17

，
I I

二斡355 臧径 µm
U

3 17=
I I
- 2µm
, ......
I I

3.17 3.17

(a) (b)

注: (a)波导沟道掩埋在四周折射率均相等的材料中， 例如， 测员波长为1.55 µm、 覆盖层为

lnP的1.55 µm lnGaAsP波导。(b)衬底为一种折射率而用不同折射率的材料稷盖的波导沟
道， 例如， 波长为1.55 µm、 衬底为lnP而用1.3 µm lnGaAsP稷盖的 1.55 µm lnGaAsP波导。

图 7. 18 示例沟道波导的横截面

• 224 •
 (a ) 例为简单的掩埋异质结激光器，其带隙为 1 . 55 µm的InGaAsP有源区通过再生被
掩埋在lnP中。 为了提高效率，采用附录3中式(A3. 2
1 ) 定义的归 一 化频率、传播常数
和非
对称参数。 直接分析TE 模，但是正如附录所述，当折射率差异很小时，在本近似方法中可
以忽略TE和TM模之间的差异。
有效折射率法的第 一 步就是寻找每个侧向区域的横向有效折射率，就好像每个区域是
无限宽的平板波导。 在区域1和3内，所有x处的材料都是lnP。 因此 两区域内的有效折
射率就是ff 1=ff3= 3.17。 在区域2内，利用式CA3.12)可得
2 2亢
V2 = 为（叶—叶） 1/2— . 2 ) 1 1 2 =1 . 30
200(3. 55 2—317
1 550
和 a2= 0
由图A3.2 可得知b2 =O. 31 。 然后求解中心侧向区的有效折射率元可得
2 2 2 1 2
ii2= [0. 31 X (3. 55 - 3. 17 )+3. 17 ] 1 =3.292
现在，在掌握了所有3 个侧向区的有效折射率后，可以开始求解新的侧向有效平板波
导。 再次利用式CA3.12)可得
2亢
V— X2000X [3.2922 — 3.17 2 ] 112= 6 . 42
1 550
从图A3.2可读出b=O8
. 6。 这样净有效折射率为
n= [0.86 X (3.2922 — 3.17 2 )+3.17 2 ] 11 2= 3.275
如附录3所述，用这 一 净有效折射率可以计算区域2内的侧向丸以及区域1和3内的侧向
衰减常数九，但是要用ii2来获得所有各区的横向丸 和衰减常数Yx o
图7 . 18中的(b)例更为有趣，因为该器件是由多个不同的折射率区域生长而成的。 因
为区域l和3内只有两种不同的折射率层 ，必须采用另外一种方法，而不能只是计算三层 波
导的横向有效折射率。 如果波导在这些区域内处千截止态，也必须采用另外的方法。 当然，
可以先算出区域2内的有效折射率，然后来确定横向模式分布形状，并将其用于所有3个横
向区域。 这后 一 点为我们如何计算外区内的有效折射率提供了很好的线索。 即，应利用中
心区域的模式分布形状为外区提供 适当的折射率加权（实际上，也可以将这一概念运用在外
区存在导波的情况，不过由千其复杂性通常并不这样采用）。
对千(b)例，首先求解中心区的横向问题。 请注意，应选择折射率最大的覆盖层作为参
考层（用层川表示）。 否则，a将是负数。 计 算 式C A3. 12) 可得V2 = l. 242, a2 = l. 45 ,
b2 = O. 1 0,因此元 ＝ 3. 4 1 5。 b值较小，这表明已接近于这 一 非对称波导的截止态。
现在再来观察外层侧向区。 获得其横向有效折射率的最好方法就是利用微扰公式( 6 . 9 )。
将层II的折射率减去0. 1 5 就可通过区域2 获得区域1和3。 微扰公式自然地利用了区域2的
本征模，这正是我们所寻找的。 因此，可算出&=2n凶n = —2X (3. 55 ) X (0. 1 5 ) = -1 . 065。
通过利用区域 2 的 丸和兀来计 算 微 扰积分，可得ii 1 =3. 34。 然 后 求解侧向问题可得
V= B. 6 6 ,a= O, b= O. 92和n= 3. 409 。 由此可见该基模接近于截止态。 但是，这也是有效
折射率法开始缺乏可靠性的区域，因为只要波导的有效折射率轻微减少就会导致消逝场迅速
展开。

7.3.8 波动方程的数值求解
许多问题都无法通过有效折射率法或WKB法来精确求解。 这时通常采用数值方法。
利用当前计算机和适当软件的实用性，很容易采用这些数值方法。 求解常规标根波动方程
• 225 •
式(7. 27)的最直接的数值方法是所谓的有限差分法。 如图7. 19所示，在待解的侧向波导形
状上招盖 一个有限周期的栅格。 通过将微分方程式 (7. 27)转化为诸栅格点处特定的有限差
分方程组，可获得栅格各节点处的侧向归 一 化场U（x,y)。 这套线性方程的本征值就是待
解的模式的有效折射率。 因此，需要将偏微分方程式C 7. 27) 转化为可用线性代数求解的本
征值问题，而线性代数可以用计算机轻松求解。 这就是有限差分法的本质。
x

计符窗n
{/+1,0)

/';,,,I

波导

(0,0) (0畸 J+\)

图7. 19 掩埋脊形波导上的有限差分栅格示意图

有限差分过程的第 一 步就是选择适当的计算窗口。 为了提高计算效率，需要限制计算

范围的大小。 另 一 方面，该范围必须足够大以包含需要计算的整个场分布。 最常用的方法
是将衔口边界处的场值设定为零。 从物理角度分析可以帮助确定最佳的窗口尺寸。 在初步
猜测之后，可以改变窗口尺寸来检查其结构是否受到影响。 若要更精确地计算窗口边界，可
以采用适当的边界条件使窗口变为透明。
第二步是利用图7. 19所示的栅格使计算窗口离散化。 该栅格可以是均匀的也可以是
非均匀的。 非均匀的栅格有利于对那些可能具有长的消逝尾部的强导波模式进行适当的取
样。 必须同时考虑横向和侧向尺寸的变化。 为了介绍该方法，下文将假设均匀栅格从而使
数学尽可能简化。 即
J. = lA工， i = O,l,2, … ，l +1
(7.51)
y = J 6.y, j = 0, l, 2, … ,J+l
在转化标掀波动方程式(7. 27)之前，将算子炉在直角坐标系内展开，并将自由空间平面波
传播常数如从其线性项中提取出来。 由此可用侧向折射率分布形状n(x,y)和模式有效折
射率行将该方程写为
护U(x,y) 沪U（工，y）
＋ 十kt [n2 口，y) — 沪]U(x,y)=O (7. 52)
a 工～ Jy 2
现在利用有限差分来近似求解偏微分。 可以利用在相邻栅格点处光场的二阶泰勒级数
展开来实现这一点。 即

U釭＋6.x,y) =U (:1·, y) + 6.:1、 JU（工，y)

aI
十
（幻） 2 沪U(x,y)
2 ax 2 十…

和 (7. 53)

U(x — !:::,.x,y) =U(x,y) — Ax

3x 2
+
cJU(x,y) __l_ (!:::,.x)2 沪U(.x,y)
a艾 2
．．．

• 226 •
将两式相加并求解二次偏微分：
千U(x,y) - U(x+Ax,y) － 2U(x,y)＋U(x—Ax,y)
(7. 54)
：：：：：：：：：

3x2 (t:.x) 2
其中如果栅格足够小的话，可以忽略高阶项。当然，可以推导出类似的关千 y的二阶偏微
分表达式。
由于已将空间 离散化，因此只需（只能求解）这些点处的函数解。这样，利用式(7. 51)可
表示为U(x,y)=U1,U(x+ t:,..T，y)=U尸，U(x — t:,.x,y) =U尸。然后
护U(my) ＝ U尸 — 2U;＋ U尸
ay 2 (t:,.x)2
类似地， (7. 55)
护U(x,y)＝u;＋ 1-2U;＋u; 1
3y 2 (Ay)
2

现在可将标猷波动方程写为离散形式。即
+l
u; -2U;+U尸 U1 +1 — 2U1+U;- 1
(l::.x)2 '
+
(l::.y) 2
＋k权矿－矿）U;=O (7. 56)
2 2 2 2
为了便千计算，将其除以 k6，并引入无星纲项t:.X = k沁x 和 AY =k沁y 。由此可将式
(7. 56)写为矩阵本征值方程：
立＋归－ （上＋上－ （nl )飞＋归 ＝旷U'
AX 2 AY2 AX 2 AY2 2 ＋豆
AX2
(7. 57)
AY
其中产O~l+l,j=O~J+l。
正如附录16所述，可以通过数值方法求解这一有限差分矩阵方程获得本征值行和场
分布形状U。其中为了简洁起见可以利用 矩阵操作，并且可以利用大多数基本的数值分析
软件包都包含的标准的线性 矩阵求解算法。该附录还举例说明了这一过程。在大多数情况
下， 一 旦输入基本的有限微分方程，都可以很快地获得求解。
考虑光场的矢歉本性可以对有限差分方法予以改进。有人还开发出了模式匹配方法来
获得各种等效网络。另外还可以应用有限元方法来求解矢量场。

7.4 导模功率与有效宽度
许多计算都需要将本征模归 一 化或者对本征模的一 部分进行积分。本节将计算导模沿
着传播方向携带的时间平均的坡印廷矢量功率P，该功率可被用于上述计算。对于简单的
三层平板波导，可以用波导中心处 的电场振幅的平方和有效宽度 deff 来表示，它代表被存储
在消逝场内的能量。并且对于侧向宽度比横向宽度宽很多的二维波导，可以获得类似的
结果。
沿z向传播的时间平均功率为

』
P=歹Re (EX H*) • ;,dxdy (7. 58)

电场E由式(6. 1)给出，而磁场H可通过E的卷积获得。先考虑其电场与x向对准的TE
模。由于经过矢最乘积后只有E工和H y 存留下来，且 Hy = (j/wµ)dEx ldz，可得

P=�fI IE工尸dxdy =玩JI J E x J 2 dxdy (7. 59)

其中和 ＝ 叫心产377/n n 为波导阻抗，且

• 227 •
 j(wi
Ex =EomU工 m (x,y)e -pz) (7. 60)
对千横截面为矩形的波导，偶 数 （对称）模的横向模式分布形状U (x,y)由式(A3. 16) 、
(A3. 21) 和(A3. 22)给出。
为了简化，希望分析一个侧向宽度比横向宽度宽很多（即w»d)的波导。对千侧向尺
寸，只考虑两种极端情况：（a）侧向基模，或(b)均匀场。在两种情况下，由于w很大，可以忽

r=
略IYl>w时的任何场。这样(a)例时的侧向积分为

IU(x,y)尸dy = IUCx) I f勹／cos

2
2
2
（士） dy = I UCx) I 旱 2
（侧向基模）

(7. 61)

r=
而(b)例时 ：

IU(x,y)尸dy IU(x) ! f:� dy IU(x) l 2w （均匀侧向场） （7. 62)

w/2
= 2 =
12
-w/2

这样，对千均匀场情况，侧向积分仅加乘了宽度，而对余弦侧向模情况只加乘了宽度的一半。
现在将式(A3. 16)和(A3. 21)中的U(x)代入式(7.59)，并执行积分。对于对称波导的
偶数模，则
P=五 IE心。1 2
2刀g
［寸: cos (k
12
d/2
2
1 xx)dx + 2f:cos2 (k 1工d/2)e- ''
2
2 （工
d/ZJ dx] (7. 63)

其中对于侧向波导(a)和(b)例，p分别为 2 或 1 。利用波导特征方程式(7. 17)或(A3. 9)来

简化，可得

P=�IE心。1 2 凸 (7. 64)

2TJg 2
其中
2
deu =d+ （对称波导） (7. 65)
Yx
对于奇数模可得相同的结果。如果考虑更为常规的非对称波导，可得

deu =d+ －＋ —
1 1
(非对称波导） （7. 66)
Y纭 Y3x
在所有情况下可见，沿着波导传播的功率都与波导内场振幅峰值的幅度平方IEoU。尸和有
效宽度心成正比，该宽度等千平板厚度加上覆盖区内的消逝场的衰减长度。在对横向模
式进行近似积分（例如笫6章的微扰积分）时，这 一 点非常有用。另外请注意，式(7.63)中的
积分贡献了 一 个deff/2因子，就好像横向场是 一 个余弦函数的半周期，它在1x| =
de ff/2处
达到零。不过，这种余弦函数的横向周期比波导的实际余弦函数的略长。
如果为TM模，则重复上述步骤可得

霍＝d＋也＋也 (7. 67)

Y2x Y釭
其中
8,= 杜＋
［kt+ rfx ]旦
（c/c, ） 元c,
2

除了总功率外，还需要知道波导层和覆盖层内包含的相对功率，正如式(7. 63)中的两个积分
所代表的。利用附录3介绍的归 一 化频率 V =d.fl了丁万，可以很方便地为对称波导的TE
基模写出对应于每个积分的各项。利用式(7. 17)，令被算积分内cos (k xd/2) = k xdlV 和
sin (k xd/2)＝Yxd/V，可得
• 228 •
 心＝ d ［ ＋ 2了］＋ ［ i 2了］
—
（7.67')

第 一 对括号里是波导内的相对功率，第二个括号为覆盖层内的相对功率。 式(A3. 14)给出

了所得的TE基模的限制因子（九质因子除外）。
通过小的折射率差异或者窄的波 导宽度 （由小 V 值表征） 可以获得弱导波，这时式
CA3.14)中的正切函数化简为其自变数，由此可以得出兀d-.Jf=曰万－l,::::::V2 /2 。 在该弱
导波限制下，利用式(7.67')可得几-2d/dcrr。 通过考虑宽度为心的很薄的区域（只对波导
的场峰取样）也可 以获 得 这 一 结果。 该区域内包含的 功率正比于 1 氐U。尸心。 观察式
(7.64)，该功率部分为E＝心／ （dcrr/2)= 2小／d.rr。 该结果等价于在SCH波导的模式峰值
处放置一个宽度为小的扯子阱，或者等价千 一 个弱导波模式，其波导本身只在场峰值处取
样从而可以设定dA=d。 对于后者，当导波变强时，由于E和d/dc rr都会聚为1，因而前因
子 2 趋于1 。 通常，对千强导波，d/dc rr<I'x <l，且I', =/=did叫，直到两者都为1 。 因此，第 2
章定义的d,rr（参见第 2 .4节）并不是这一有效宽度，而是模式的有效宽度，根据定义其常数
横截面等于心／F.，．（其中心为有源区宽度）。
式 (7.65)中定义的有效宽度不仅有利千建立模式的光场峰值与总功率之间的关系，它
还具有图7. 20所示的物理含义。 虽然在曲折射线图中，波的相前在间隔为订丸的两个有
效金属平面之间弹跳，沿着波导传播的能拭的有效弹跳平面实际上位于每个投盖区以内衰
减长度的位置，从而导致弹跳之间的总宽度为dc rr。 该能批深入考虑了位于狻盖层内的消
逝场，它导致入射光束在被界面反射回之前获得一定的轴向位移和时延。 该轴线位移被称
为Goos-Hanchen位移，它描绘了实验室可观察到的真实的能扯移位。
d
副
－
．
一．
＿
＿
一

有效能员弹射平面

图7. 20 三层波导中能从传播的曲折射线图

为了严格地推导Goos-Hanchen位移LGll，必须考虑在界面处以超过临界角被反射的
空间波包的群特性。 不过，通过分析相速度wl/3 和能批速度dw/d/3 之间的常见关系也可以
猜出该结果。 对千反射波，因为 exp( — jf3z)exp(j,f,)=exp [-jf3(z —4/B)］，相前沿着 z 向
向前移动 r 1'!/3。 因此可以预测能拭向前移动或移位了d,f,/d/3。 事实上，详细的波包分析可
以验证这一预测。 也就是说，Goos-Hanchen位移在数学上与反射相角归的色散有关。 用式
(7. 11)来表示TE模的反射相位，可以计算微分得出
4 2 tan0
LG II ＝d ＝ （ 位移） （ 7. 68)
d/3 兀
正如图7.20的右侧所示，该结果和如果能掀在被反射之前必须（横向）传播一段附加距离
1/y.r 所导致的结果一样。 在两侧都采用 Goos-Hanchen位移后，总的有效能扯传播宽度 就
是式(7.65)或(7.66)所定义的de rr，正如最初所假设的。 还要注意一点，能量实现一次横向
a 0。
往返所需的波导长度为2de rrtn
• 229 •
 7.5 名义上导模的辐射损耗

存一些实际情况下，无损耗的导模会变为泄漏模。 一种悄况是将波导弯曲使波导的轴
向移位。 这在实际的器件中非常常见。 另一种情况是在某些器件区域内，移去或者用更高
折射率的材料来替换对称波导的某些覆盖层。 这导致波导不对称，从而使其可能处千截止
（即泄漏）态。 另 一 种情况是反波导，这时的覆盖区具有最大的折射率。 在后 一 种情况下，我
们想要利用那部分泄祸出来的能员；波导的轴向仍为召即通过曲折射线在一个或两个波导
边界处产生的传输量可以箕出光泄漏比率（或传播损耗）。 每单位长度的损耗比率等千该传
输损耗除以射线横向往返穿过波导所经历的轴向长度。
先考虑图7. 21 所不的对称反波导悄况。 虽然在每个边界处存在部分传输，只要满足横
” “
向谐振，光能盘就会以相对较低的损耗被 导波 。 当n, <112 时每个边界处会有（相移，因此
反波导的横向谐振条件为
k,d =(m+l压 （反波导） （7. 69)
—
假设TE偏振，每个边界处的传输为(1 产），其中r由式(7. 4)给出。 每经过距离幻， 后，
射线将到达边界处。 令式(7. 69)中kI：：：：：：：： 丸d/t:::.之，对千近轴射线（小角度）可得
2n l d2
A之 ＝ (7. 70)
(m+1)入
～
假设功率以PCz) =P(O)e 方式呈指数衰减，根据每单位长度的相对功率改变可以求解衰
减常数，其近似解为
— 2
l AP (1
a = －-－－－= r) (m+ 1)入
（反导波） (7. 71)
b,.z P 2n,d2
式(7. 71)给出了对称反波导中传播光波 的衰减常数，其中忽略了辐射场的任何相卜叠加。
这存大多数情况下都是有效的，因为在辐射场有机会沿着可测址的长度相叠加之前，某些吸
收或散射边界就将该辐射场拦截了。 根据各参数的值，其衰减可能很大也可能很小。 例如，
在一种典型情况下，m = O,入 ＝ 1 µm, n 1 =3. 5, d = 3 µm，折射率差值导致射线反射系数为
户＝0.9。 代人式C7. 71)可得a = l5.9 cm 1 ，这对于半导体波导来说并不是极大的损耗。 所
用的d值表明，对千半导体情况这可能是侧向波导尺寸而不是横向尺寸。 如果d很小，例
如在该不例中为上述取值的十分之 一 ，则损耗将大100倍，这将是非常高的损耗。
x

图7. 21 在111<11,的反波导中．边界处的辐射示意图

• 230 •
 如果包含的多个边界都具有反射并在某些波长处同相叠加，则可以急剧降低泄漏波导
的净传播损耗。 这样即使当芯子很宽时仍可以实现准单模操作，因为只有 一 个特殊的射线
角经历的损耗较低。 这会在半导体波导的输出端面处形成有益的、较低的垂直衍射角。 这
“ ”
种 波导 被称为反谐振反射光波导或ARROW。 图 7.22 所示为 一 个 ARROW 波导示例。

n。

nl
n2
A一 上 、、 :2/2
丁
夕

>乏
nI
A dr
．俨 ,
n～,
、、
、
nI

注：其上表面用 一个低折射率介质(n0)束缚，衬底端用 一个（或多个）高折射率(n2)反

谐振反射层束缚 c

图 7. 22 ARROW 平板波导

当损耗较低时，希望平板模式在低界面处的值为零。 利用 一 个在平板 和 第一 高折射率

反射层之间的界面具有结点的垂直驻波可以实现这 一 点。 如果顶部表面折射率差值很大，
则平板 中的曲折射线角度必须为。：：：：：：：：：cos -J （入／2n 1 d 1 ) 。 为了使厚度为t、折射率为 n2 的反射
层对于高反射处千反谐振态，需要
2 入2 - 1 /2
入
t= — (2N+D [ 1 卫＋ ] N= 0,1,2, … (7.72)
4n 2 沽 4咕di
其距离第二个高折射率反射面的间距 d2 也应是反谐振的，从而使净反射最大化。 即
d1
d2=— (2M十1) M= 0,1,2, … (7.73)
2
利用第7. 3. 5小节的横向谐振方法以及上述计算幅射损耗的方法，可以严格地计算出
进入衬底的辐射损耗。 图 7.23 给出了由图 7.22 所绘示例得出的结果。 根据上述的近似设
计规则可以改变反射层的厚度以及平板 厚度。
除了具有较低的传播损耗和 较大的基模尺寸以外，ARROW模式中的光能最与第一反
射层之间的重叠也极低，这使得该模式非常有吸引力。 这样可以在采用吸收反射层的同时
实现较低的光波导损耗。 在高损耗层处设置一个零点提供了 一 种在低损耗波导附近立刻放
置高损耗层（例如增益层）的独特方法。
如图 7.24 所示，第 3 种示例考虑将 一 个最初无损耗的波导以R为半径弯曲而产生的
辐射损耗。 对于该问题，我们采用 一 阶微扰法，其中在微扰问题中利用无微扰本征模来计算
损耗。 当该模式进入半径为R的弯道处时，假设该模式保持在波导中心处，其相前相对于
曲率的中心一 直沿着半径。 从图中可看出，在某些半径 XR 处，无微扰模式的指数形拖尾的

行近速度必须比覆盖层介质中的光速更快，这样才能和模式的其他部分同步。 当然，这是不
• 231 •
被允许的，因此必须假设超出该半径的光将辐射进入覆盖区。

0 9 8 7 6
I O O O O
25

0
2
-Eu
· SP/li

1
U I
53
1

u·8P
\M

/
疤迎

li
宝芯圣
0
1

3 2
O O 0 0
5

8
6

7
rJ

4 5
芯千厚度／µm
汁． 只中n,,= I.0. n,=3. 17、/1,=3.4。

图7.23 在l. 513 µm双反射层ARROW中，两个最低损耗的TE模的辐射损耗与平板厚度的计符义系

d

图7. 24 进人半径为R的波导弯道的本征模简图，该模式的外尾部必须辐射

为了获得环值，讷注意局部相速度等于径向距离乘以角扫描速度，并假设它与在波导
中心处(r = R)的无微扰波导的相速度w馆相等，即
d�_ 1 w
v.,(r) =r — = r —— (7. 74)
dt . R/3
这样根据所采用的标准可得Vp (R+:rR ) w/k 乙 。 山此 ：
=

xR = R(/3/k 2— 1) (7. 75)

对于反波导情况，问题在于确定经过一定的增加距离Az后的被损耗的功率比t::,.P/P，这样
可以计算衰减常数。 再次，将忽略辐射场的相干叠加，虽然通常这并不是个很好的假设。 对
千损耗的相对功率，利用辐射的那部分模式中包含的功率部分（图7. 24中的阴影区）。 利用
• 232 •
无微扰模式可以很直接地得出该积分。
更为复杂的是如何计算将这部分能量辐射出该模式所需的有效距离。为此采用衍射距
离，在该距离处的峰值功率密度跌至其初始值的1/e。如果衍射能量在衍射的过程中保持
相同的函数分布形状的话，该定义就很有意义，因为这时候平板几何中的 一 维衍射能量的宽
度在相同的距离内会增加 e 倍。我们发现，之前在式 (7. 43)中介绍的 Hermite-Gaussian 函
数不但是抛物线形介质常数介质的本征模，还是自由空间的本征模，因为即使其特征宽度w
增加，这些模式仍在侧向保持相同的函数形式。因此它们就是天然的基函数组，由此可以扩
展得到均匀介质中的任何激励场分布形状。这 一 重要特性的产生原因在千， Fresnel 衍射积
分将生成函数的傅里叶变换，而 Hermite-Gaussian 函数和其他的 Hermite-Gaussian 函数之
间将相互转换，在经过一定的衍射距离后可以复制回原函数而只改变其宽度。
因此，确定衍射距离的程序就是 将辐射激励场展开为 Hermite-Gaussian 基函数，并确
定使其宽度增加 e 倍的距离 Az。图 7. 25 显示了只利用前两个 Hermite-Gaussian 函数 所实
现的展开。在这时，激励场的形式为指数衰减：
Ee(O) = Ae —沪
飞
x> 环
)
(7.76)
而基函数由式(7.43)给出。通过迭代法寻找最佳拟合，可以发现高斯1/e光斑直径 w。必须
近似为

。 =－
W
0. 6
y工
(7.77)
E

·
1
x- XR
.、｀
、 ····乡-·
、
(t=R＋环）

注：将前两个Hermite-Gaussian基函数叠加可以近似该场。 其特征宽度决定了衍射距离 c

图7. 25 x>xR时波导本征模的辐射部分
对于自由衍射的 Hermite-Gaussian光束，特征宽度w在 z = O 处为 Wo ，其形式为

w2=wg[1+(�
『] (7. 78)

有趣的是，该式不但对基本函数成立，对所有的高阶函数也都成立。因此，无需了解不同的
特征宽度， 一 旦解决了激励问题，衍射问题就完全确定了。
对于所需的衍射长度，令式（7. 78)中 w/w 。 = e，并利用式(7. 77)对初始宽度的计算，
可得

• 233 •
 nw g：：：：：：：：三
釭＝ ｀亡尸 (7. 79)
入 入冗

其中n2 和几分别是覆盖区（辐射发生的区域）内的折射率和无微扰模式衰减常数。 经历了

Az 距离之后，衍射 Hermite-Gaussian 函数的波前明显弯曲，从而抑制了导模的各平面波前
的相干交互作用。
现在利用下式可以算出衰减常数a为
=
立 I Ey尸dx
三＝卢） 2n』
讥五 I/~
XR
a = Az (7. 80)
P
| Ey 尸dx

通过积分（类似千为了获得式 (7. 64) 所做的工作）可得

入 y: y ( /J/k2 - l)R
(k1 d/2)e " e -Z x
y d
(7.81)
2
a=
n2<rx d+2) cos
工

为了揭开重要的解析关系并绘出归一化曲线，可以用下式来近似式 (7.81) 。
a=C1 e-c,
R

由式 (7. 81) 可得C] ～冗／k 2 ，而C2 ""='冗／k�，假设弱导波，从而f3/k 2 ::=::::l +o. 5 (y工 ／k 2 )2。 不
2
过更精确的计算表明，最好用C'2 ~ — y;／的来计算第 2 个量值。 利用这 一 结果，并根据在弱
3
一
导波情况下，仅用归 一 化频率 V 就可以完全表示 y,d （如附录 3 所述，即 y,d� ✓丁丁萨 — 1)
的事实，可以获得图 7. 26 所示的归 一 化曲线。 值得注意的是，这些计算并没有包含直线段
和曲线段之间的模式失配损耗。
L\n!n�O 01 - - - - - �nln�0.003

4
10

6
10
PV

Nll
10
8

\
2

vl
-10 5I I [\ ,I」 ｀ :II` ｀\|
10
10'
3
10
4
10
Rid

图7. 26 对于不同的归一化频率和折射率差值，弯曲损耗作为弯曲半径的函数
习

题
7. 1 当TM平面波入射平面介质边界时，有可能同时实现全传输和全反射。 这被称为布
鲁斯特 (Brewster) 角。 请推导 Brewster 入射角与两介质的相对介质常数之间的关系
表达式。

• 234 •
7. 2 入 ＝ 0. 85 µm的平面波从折射率为3.5的介质入射进入另 一 个折射率为3. 0的电介
°
质。 平面界面处的反射系数为1乙60 。 请问TE偏振的入射角是多少？TM偏振的
入射角是多少？
7. 3 一
个对称三层平板波导的芯子区厚为0.4 µm。 其折射率为3.4，覆盖区的折射率为3.2。
(a) 请确定由基本的TE导 模构成的反射平面波的射线角是多少。
（b)要使第 一个高阶奇数TE模具有相同的射线角，则波导宽度应为多少？
(c) 如果一 侧的覆盖层的折射率变为3.0，为了使基本的TE模获得相同的射线角所需
的波导宽度是多少？假设入 ＝ 1. 55 µm。
7. 4 对于图7.27 所示的多层平板波导 ，0. 1 µm< d< 0.2 µm，且入 ＝ 1. 3 µm，绘出有效折
射率与中心层厚度d之间的关系曲线。 请同时绘出所有高阶模式的色散曲线，其中
假设所有的模式都没有损耗。

"．
n,=3.4
0 2 µm 恤幽驾过， 7 ， ＝ 30

n、=3.4

0.2 µm n,=3.4
．
n ， 弓0

n,=3.4

图7. 27 多层平板波导示意图

7. 5 在激发 一 个 0.3 µm厚的GaAs平板波导时，许多激发能量都转化成 为辐射模。 为了

将该激发以系统的本征模的形式展开，假设在平板两侧土30 µm处各存在一个全反射
。
平面。 疫盖层材料为Al 2Ga0_8As，波长为1. 0 µm。 绘出传播常数与所有各模式的模
数之间的关系。
7.6 对于如图7. 28 所示的三角形折射率分布的基模，4. 0 µm< d < 1. 0 µm，利用WKB
法，确定有效折射率与波导底座宽度之间的关系曲线。 假设入 ＝1. 0 µm。 请标出所有
WKB近似可能不太准确的区域。 并且，绘出d=2. 0 µm处的模式的射线路径。

1.0
f--d －升

图7.28 三角形折射率分布波导

7. 7 四分之一 周期的GRINROD，直径为1 mm，长为2 mm。 中心 处的折射率最大值为

l．见如果在GRINROD的前面1 mm处放置一个物体，从物到像的总距离是多少？放
大倍数是多少？
7.8 波长为1. 3 µm的铅笔状光束，其偏振 与入射平面垂直，该光束从折射率为3的介质
° °
以入射角0，射到空气界面上。 绘出反射光束中心的移位与0， 在0 <0,<90 范围内的
• 235 •
 关系曲线。
7.9 对于一个由夹在折射率为3.4的介质之间的厚为1. 0 µm、折射率为3. 2的平板构成
＂ “
的反波导，满足横向谐振的基本 泄漏 模的损耗是多少？假设炉＝1. 3 µm。
7. 10 为了将方向耦合器呈扇形展开与两根紧邻的光纤耦合，需要采用如图7. 29所示的对
称的S形弯曲波导节段。假设该BH波导由Q=l. 3 µm的材料包围在InP中，光波
长为1. 55 µm，波导厚度为0. 4 µm，宽为2. 0 µm，弯曲半径为Rb，从而实现总的侧向
移位70 µm。由输入端口和输出端口之间的4个弯曲节段造成的总的额外损耗是多
少？其中R1， 分别为100 µm, 150 µm。
2µm

图7. 29 为 r 与光纤耦合，在输入端和输出端采用S形弯曲的方向耦合器
7. 11 对于图7. 30所示的脊形波导，采用有限差分法来数值求解标拭波动方程，请找出
1. 55 µm处基模的有效折射率百和场分布U(x,y)。提示：这是一个强导波波导，因
= O的计算窗口边界与波导芯的距离非常近。在初次试验中，可以采用宽
此满足U
4. 8 µm(y向） 、高2. 3 µm(.x向）的窗口以及C::,.x = O. 1 µm、t::..y = O. 4 µm的栅格尺寸。
令窗口狻盖高折射率脊条上部0. 25 µm、下部0. 65 µm、左右两侧1. 4 µm的空间。
更详细信息请参考M. J. Robertson等人的Semiconductor waveguides: analysis of
optical propagation in single rib structures and directional couplers, IEE Proceed­
ings, Part J, 132(6), (1985)。

矗
x

n,,=I

f-- 2.0µm--1

丁
•
y

n,=3.44

图7.30 脊形波导横截面

• 236 •
 第8章 集成光路

言
8.1 引

前两章介绍了分析波导和复杂的波导结的各种方法。 本章将这些方法应用千实际的集
成光路 CPIC)范例中。 其目的并不是要全面地归纳 PIC 技术，而是在于解释这些力法的重
要性并使读者能够熟练地使用这些方法。 为了保持本书有源器件的主题，我们将强调那些
包含二极管激光器或放大器的 PIC，或者来设计相对复杂的二极管激光器。 本章还会强调
调制器和激光器的集成。
所谓 PIC，该器件必须至少含有两个节段，在节段中间存在 一 个光波导接头。 第 3 章中
已经介绍了儿种范例。 例如，图 3. 16 所示为 一 个三节段 DBR 激光器，各节段分别含有增
益、模式相位和Bragg波长的控制电极。 每个节段都与 一 个具有不同光波导特性的区域相
连。 本章首先将简要回顾这些基于反射光栅的波导器件。 除了上文介绍的多节段激光器分
析结果，这些器件的主要问题是在各个波导接头处实现有效的模式激发（即，微弱散射或模
式失配损耗）。 本章将主要分析激光器 －调制器和宽调谐激光器。
第二类范例采用波导方向耦合器将能量从 一 个器件移走或者将不同的器件耦合起来。
采用方向耦合器的两个 PIC 范例是采用方向耦合器输出抽头的环形激光器和相干接收机，
这些器件的结构要比串联多节段器件复杂得多。 在这些情况下，对波导弯曲半径的限制尤
为重要。
第三类范例是采用同向耦合滤波器的宽调谐激光器和滤波器。 将回顾如何基于 一 系列
的限制条件来设计光栅辅助的耦合器。 在讨论中还将简要介绍声光耦合波导滤波器。 其中
还将包含一 个波导内模式之间的耦合以及两个名义上分离的波导的模式之间的耦合。
最后将回顾几种重要的数值方法，用来分析那些无法通过解析法精确分析其特征的波
导接头。 光束传播法(BPM)是主要采用的方法。 其应用范例包括零间隙方向耦合器和Y
分支接头。

8.2 采用串联光栅反射器的可调谐激光器和激光器－调制器

正如第3章所述，光栅反射器可用于波导内，以提供频率选择性的反射。 假设波导位千
PIN 异质结二极管的1区域内，通过施加正向偏置来注入载流子（自由载流子等离子体效
应）或者通过施加反向偏置来增加电场（电光效应）可以改变其折射率。 这样，可以以正比于
折射率变化的方式来实现光栅反射器中心频率的调谐。 如图 3. 16 所示，将这种可调谐
DBR 镜面与增益和相移区结合起来，人们已经实现了可调谐 DBR 激光器。 加人相移区允
• 237 •
许腔体模式的 波长以独立于DBR镜面中心频率的方式移动。 并且该区域为同时移动腔体
模式和镜面中心频率提供了灵活性 ，从而可以实现真正的单模连续调谐性。 如果没有相移
区，光栅折射率的调谐将造成镜面中心频率在整个 轴向模式频谱内移动，从而导致分立的跳
模调谐。

8.2.1 两段和三段DBR激光器

图8. 1所示为一个常见的具有3个独立控制节段的多段DBR激光器：每个节段分别用
千增益、模式相移和移动频率选择性镜面。 如图(c)所示，施加在这些节段上的电流分别主
要影响3个方面：增益、模式调谐和模式滤波。 不过，通常不太可能保证 一 个电极只控制单
频激光器操作的 一个方面。 例如，改变光栅折射率不但移动光栅中心频率，还将轻微移动激
射模式。

＼
l
＇
-
n
，

1-- ，一一
L; Lp -+-L, —­
(a)激光器示意图

LDRR

(b)确定模式间隔和调谐特性的有效腔体
赵涯

增益 － I,
模式位置－I
入

(c)腔滤波器的相对频谱特性、附益和各模式的简图

图8. 1 三段DBR

对于两段的悄况，不包含相移段。 可以直接控制增益和滤波器波长。 根据位于光栅内

的模式体积比，在光栅调谐的同时，只能轻微地移动各模式的位置。 当询节光栅电流时，滤
波器将在梳状模式范围内移动，轮流选择各轴向模式。 其中心波长祁以如下方式调谐。
凶 B ＝鸟
(8. 1)
入B 兀
• 238 •
其中n g 是光栅的有效折射率。 在调谐光栅滤波器的过程中，只有当给定模式位千其选择中
部附近的一点时，它才会位千光栅的Bragg频率处。 在这些点上选择的模式之间的频率间
隔为

6.J = C 8. 2)
2[（元，） g L8 十国） g 归］ ｀
其中（元） g 和（fig) g 是有源段和镜面段的群折射率。 图8. 2所示为这种两节段分立调谐
DBR的一 个实验范例。 这种器件已被广泛应用于波分复用(WDM)系统实验中。
II A 、 1;1<
I JJINL

P lnGaAs
一一一 一二
lnGaAs/lnGaAsP
一阶波纹
MQW有源区
l 3 µm入
lnp蚀刻 lnGaAsP
停止层

lnp

-－
＝
(a)

｀二二三勹

丿
－
I 527

：
－

二
UI

I 526
-

"'='f"
U/* �

615µm 源区长度

＿_
？
I 525 ，， 94

I 524

I 523 I

I 522

I 521 r
298µm
1 520 1

I 519 匕
0.0 20 0 40 0 60 0 80 0
讷谐电流／mA

(b)

图8. 2 两段DBR激光器的轴向结构示意图，和输出调谐特性与光栅段的调谐电流之间的关系

通过加入一段有限长的相移节段可能实现理想的连续单模调谐。 这里通过同时在相移
段施加电流，可以在移动光栅滤波器的同时来移动梳状模式。 由千该节段只包困了 一 部分
模式体积，该节段内的折射率变化只能比光栅中的更大。 尤其希望楼式波长丛与DBR镜
面的Bragg波长灿相同，从而获得最好的模式纯度（最佳的边模抑制比）。 对千波长调谐，
模式波长的相对变化应等于光棚Bragg波长的相对变化，即
A丛 = A杠—A
— 九 (8. 3)
入m 汕 ng
• 239 •
利用 式(3.65)可获得为了实现该校准所需的相移区的折射率变化：
竺＝竺 1+ 行aLa －竺呈 (8. 4)
( )
凡， 入m 开 PL p na n P L P
这样，为了在三段DBR中实现连续的单模调谐 ，应施加主询谐信号来调节光栅的折射
率 ，然后根据式(8. 4)来推导出第2个信号来调节相移区。实际上，为了推导出所需的跟踪
信号，并不需要测最式(8.4) 中所有的独立参数 。这是由千，当获得理想校准时，腔体损耗在
这一点最小，因而输出功率达到局部最大。因此可以利用 一个 简单的反馈环路来探测输出
功率并调节相位控制电极的信号，从而实现局部最大。图8. 3所示为简单的设计图。原则
上，该 反馈环路可位于激光器封装之内。

注．杆该校准处可获得输出功率的局部最大值 。

图8.3 利用一阶反馈来设定功率值的电路以及将模式波长锁定为光棚Bragg波长的主AFC

为了达到只用两个控制输入（ 一个用千功率，另一个用于波长）实现可调谐激光器的这
－最终目的，图8. 3 中 增加了第2个独立的反馈环路来控制增益段的电流，这样可以使监控
功率的探测器输出保持在 一个给定参考电流上。目前光波系统环境下的大多数激光器已经
广泛应用了后 一 种反馈环路来设定输出功率。实际上，这些控制电路要比图中描绘的更为
复杂。

8.2.2 两段器件范例
现在来设计 一个可调谐的两节段 1. 55 11-m lnGaAs/lnP DBR（增益区的 一 端为刻面，另
一端为无源光栅），当调谐光栅折射率时，其输出频率为50 GHz等间距，也就是说，这 一 设
计与图8. 2所示类似。假设一个四杖子阱增益区，其特征如图4. 25所示。如图 8. 4所示，
该增益区被包围在一个带隙波长为1. 25 11-m 的四元化合物分别限制波导之中，该波导之外
是lnP狻盖层。其横向和侧向限制因子的乘积为6%。其光栅区域是以如下方式构成的：
先移去拭子阱，然后在剩余的 0. 3 11-m 四元化合物波导的顶部蚀刻一个三角锯齿形 一 阶光
栅，该光栅的峰－峰深度为50 nm。这是为了实现 12个轴向模式(50 GHz间隔）范围内的输
出调谐所需要的。采用的BH波导宽度为3 11-m，其内部效率为0. 8，沿着整个器件长度的内
• 240 •
部损耗为10 cm 1，在不考虑损耗时其光栅长度的功率反射为70%。
为了实现设计，需要确定光栅区和增益区的长度；绘出刻面端的输出功率与增益节段的
注入电流之间的关系曲线；然后绘出输出频率偏移拭与光栅 节段的注入电流之间的关系，其
中假设只存在带隙为Q=l.25 µm的材料内的辐射复合。

卜 L 几 LR —寸

50
上丁
nGaAsP(1.25 µm)

lnP

图8.4 具有独立的增益和镜面调谐电极的两节段DBR激光器

首先来确定所需的光栅长度。 净功率反射为KLg ，但衙要根据波导几何尺寸来计算 K。

对千无源光栅 区，首先利用附录3来计算其有效折射率和宽度。 利用表1 . 1中平板波导的

折射率内插值n1 = 3. 37，可得归一化频率为V = 1. 39；归一化传播参数为b =O. 30，以及n =
3.231。 其横向k矢显和衰减常数分别为K.r ＝3. 879 f-1-ill I 和y, =2. 539µm 1。 因此根据式(7.65)
可得心＝1.088 µm。
根据式(6.44)并利用G = 8/rr2 、a = 25X10-3 µ.m和n1 =3. 37，可得光栅耦合常数 。 结
果为" = O.010 7 µm 1 。 由r� = O. 70=tanh飞片可得光栅长度为L. = 115 µm。 计算可得光
栅深入深度为Lcn = O. 5(tanh"片）压＝39 . 1 µm。
对于50 GHz的模式间隔，利用式(8 .2)可得LoBR =L'，十L cn = c/ (2 (n〉"6.f)= 750 µm,
其中利用了平均有效群折射率为(n〉�=4。 减去光栅深入深度可得有源区长度为
L. = LoBR -L.n =750-40= 710 µm (8 .5)
为了绘出输出功率曲线 ，需要确定阙值电流和刻面端的微分效率 。 阙值增益['g,h为
=
a，十知, = lO+�ln = 20 cm 1
rgt h 0.075 ✓0. 32 XO.70
(8. 6)

1
因此g,h = (750/710)( 1/0.06)20= 352 cm 。 由图4.25可得J,h = l50X4= 600 A/cm20
由此l,1, =wL..儿／ r; ;=l6 mA。 刻面端＃1的微分效率为
am
和 I =F, T/; =—h = 0. 4F, (8. 7)
Fgt
从1端耦合出射的比份为
t
21

F1 = 0. 77 (8. 8)
( 1－ 产）＋勹（1 － 叶）
r.
因此加 I =3Q. 8 %。 这样，从刻面端出射的功率为

。
P l ＝
hv
和1 一 （J-J,h ) = O.246([-16) mW
q
(8 . 9)

为了获得12个间隔为50 GHz的输出频率，需要总的光栅折射率变化为
• 241 •
 凶g = 飞勹）
Af
＝ －3.24(1 X
1.55
2 50)�= 0.010 —
(8. 10)
3
， 中战／aN~ — I'工1Y 0--20 cm 。I'xy 是0. 3 µm无源波导的限制因
现在凶ig=（沛／JN)N 其
子，近似为V勹 (2+V2 ) =49% 。只考虑辐射复合，N 正比千光栅调谐电流的平方根。求解
光栅的频移与调谐电流的 关系，可获得所需的曲线：
1
凶＝fI' 工1y 0 20 [ TJ I g ] /2=376 汇GHz (8.11)
九 qV B
图8.5 所示为该范例问题的刻面端输出功率与增益区电流关系式(8. )
9 的曲线以及输
出频率与镜面调谐电流关系式(8. 1 )
1 的曲线。实线表示光栅反射 的 中心频率。粗水平条表
示当激光器保持在所选的轴向模式时的电流范围。实际上 ，随着镜面反射相位的变化，波长
将在该范围内轻微地变动。并且在实际中，当电流超过 1 mA时 ，该范例中只存在辐射复合
的假设是不准确的。在1 mA 处，由式 (8 .11 )中的平方根括号可得知载 流 子密度为
X 10 17 cm 3。这时 的俄歇复合大 约占了总复合的17%（根据俄歇复合系数C=
7
X3 10 29cm勹s)因。 此这时实际 需要1. 2 mA电流。在8 mA处，俄歇电流将大约是总电流
的三分之 一 。这样实际上为了获得所需的载流子密度，总电流需要为12 mA。
P,川/mW
54 3 2
。

10 20 30 40 //mA
(a) 刻面端的光功率与有源区电流的关系

600

500
Z

400300200
HD/
f;t
lf!11

l
Jt)!i11

100

。 0 2 4 6 8 10
光栅电流/mA
(b) 两节段DBR范例的输出频率偏移与调谐电流的关系

图8. 5 刻面端的输出功率与增益区电流关系及输出功率与镜面洞谐电流关系

• 242 •
 8.2.3 更宽调谐范围的四段DBR

为了实现比三段DBR的8~10 nm调谐更宽的洞谐范围，可以采用其他具有更宽调谐
范围的激光器。 图8. 6列举了几种范例。 其中的四段涸制光栅DBR 是基千基本的三段
DBR设计构建的。

调谐电流1
洞谐电流2

增益
(a)耦合Y腔激光器

增益 相位 GACC滤波器

(b) 光桶辅助的同向耦合器

取样光栅l 增益 相位 取样光栅2

(c)取样光栅DBR激光器

图8. 6 更宽调谐范围激光器示例

图8. 7显示了这种调制光栅器件与三段DBR的唯 一 差别就在于：其两端镜面采用

了两个独立电接触的光栅反射器，每个反射器都包含了光栅幅度或相位的周期性调制 。
这种周期性空间调制（可以仅仅是光栅周期性地消隐）在频域上产生了具有周期性极大
值的相应反射谱。 对于光栅非常长并具有非常短的光栅分段的特殊情况，很容易通过弱
反射的特殊情况来理解这一点。 这时的脉冲响应是 一 个梳状函数，梳状函数的傅里叶变
换是频域上的另 一 个梳状函数。 图8.8显示了连续光栅的周期性消隐是如何导致梳状
反射谱的。
如上所述，最简单的调制光栅是取样光栅，这时的均匀光栅被周期性地消隐，通过在全
息制作过程中采用双曝光可以实现这一 点。 对于有限长光栅，梳状反射极大值的每个峰值
处的反射系数都具有和无取样光栅相同的形式，即式(6. 37)，不过这时候的全反射谱由这些
反射成分的叠加构成，每个成分代表梳状谱的一个峰值（反射级）。 并且，耦合常数 K,，和归

• 243 •
 (8. 12)
－化传播常数 妇 都是取样函数的占窄因子m／之。和梳状反射峰的峰数（或级数）p的函数。

空间频率
ftffftt -
汴 图中所示两镜面在1 55µm处对准，这样总的镜面损耗只在155µm处具有

将连续光棚和 一 个取样函数相乘就可实现该光栅的取样
梳状取样
觉棚空Ita 函数
唯·值。略微改变 一 个镜而的折射率就会将对准点移到另 一 对峰值处。

梳状取样光栅
-l p=O l
匡

l/A
····'，
· ．．
．,·
'·． ···
···

卷积
1 58
． ．
； 斗

傅里叶空间
上
. . •
1
.
}
. －
. －
. － •
.
.
} .
－ .
－ .
'·.4..7:4:： ：· ., ＂s
.-7

｀
4.,
镜而2

,.
i'

具彴扩展调谐范围的匹段激光器
…
… …. .: 5

1
了十
.
． .
． ．
． ．
．

(b)曲个取样光棚镜向的反射率R ， 和R、
． ． ． ．
之。

注．在傅里叶域中，连续光栅的de lta 函数谱在梳状函数中复制。

． ．
． ．
．

：－一
心5 飞 ． ＇．
、
、
.？· “
”八，7．甘3：· 尸 ． ．
”怀 ！

5.
} } } � 6
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，令
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． ·….，f．……: . …：…． 5
i.
．
. ．
. . . `． l
．
z1 sin( 亢Pz1/z。) e

.
＇; ·
;···
·· ，＇,'`
··,' ,
'，＇•,
. ·＇
, .
,'
＇ ，
＇，．
Z。 丘Pz1/z。)
相位

i
． � 55尸
(a)器件结构

. ．
. ． ．. ',＇
, ．,'．
,' ．．．
'
,．．
．．．
． ． ． ． l长
R2 ．．
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．
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． ．
． ．
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＇ 4
1
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．
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一,'，
',＇ ，
'，
． ＇ ，
'， ＇
＇,,1·'，''
,，·'•. ,
..＇． ，，＇ 5
'.

- I-- A
． ． ． ．
对于简单的周期性光栅消隐，耦合常数为

培益

．
． ．
． ．
． ．
．
-

:： .下．
,
， 7．
． ． 7
．.
.，杠 ，，归 ， 心 j.: “'
kp =kg

R }

□
． �
． � ．
． ． V＿
r
,
]`

图8. 7
尸 ·} ．i， , ｀ l
．
． ．
． ．
．
．
． ．
． ．
} －－ ．

1
．
. ．
. .'，＇，'
镜而1

一 ，＇，· ·
，'

取样函数
.
'｀·
.5

取杆光栅
., . . － :· ,：、
}
勹U一

荨
,i

实空间
o_

相乘
3 2
0 0

0.4

0.1

图8.8
。

连续光栅
哥云凶洗云

• 2 4.4. .
其中 Kg 是连续的无取样光栅的耦 合常数， Z1 是光栅分段的长度，之。是 取样周期。 由式
(6.37)可得，每个反射级的反射系数为

-j/C;tanh[(Jp凸］
rp= (8. 13)
(JP +i�ptanh[(Jp匕］

其中
—
ap= ✓1kp 尸 岛

必＝妇—j立三－劝
入 2 A z 。
a是净传播功率损耗。 总的取样光栅的净反射系数为

rg = 2 乃 (8. 14)

在式(8. 14)的求和中，在任一波长处都只采用最大的rp 值，从而和耦合模公式（即一次只考

虑一阶傅里叶）的假设保持一致。
如图 8. 7 所示，四段取样光栅 DBR 激光器采用了两个不同的取样光栅镜面。 通过
以不同的周期对光栅 取样，每个镜面的反射极大值具有不同的波长周期。 因此如图 8.
7(6)所示，如果一个镜面的某一反射极大值 与第2个镜面的一个极大值对准，则其他
的极大值将不会对准，因此腔体损 耗的两个 反射谱的乘积将只有一个最大值。 这样，
激光器仍将是很好的单频激光器，具有很好的边模抑制比 (MSR) 。 现在，同时调谐两
个镜面，例如通过将两个电极相连，将获得一个有效的三段 DBR，其功能与普通的三段
DBR 相同。 这样，通过同时调谐相位电极，可以在1. 55 µm处获得大约 8 nm的连续单
模调谐。
但是，如果 一 个光栅的折射率的调谐方式与另 一 个不同，则可以成功地将相邻的两
个极大值对准。 将这种用以将不同的反射极大值对准的微分调节方法称为信道变更，
而上述两个镜面的联合调节称为精细调谐。 如果希望覆盖整个 波长范围，镜面反射极
大值的信道间隔应小千约为8 nm的精细调谐范围。 由于各极大值的周期可能只有轻
微的差异，因此只需较小的微分折射率变化就可以切换信道。 因此，利用小于约 0. 1 %
的微分有效折射率变化，就可以在不同的反射极大值 信道之间切换对准点。 可以看
出，这种滑尺行为与游标尺的功能非常相似。 图 8. 9 所示为近1. 5 µm的脊形波导取
样光栅器件的实验结果。 可以看出它可以获得很大的调谐范围并具有很好的边模抑
制比。

• 245 •
 l
l2

邑一
抗反膜 抗反膜

(a)采用两个张应变lnGaAs从f阱的取样光棚实验器件的示意图

I 580

I 560

!
仁
己 I 540

I 520

I 500
。

I 480
-20 20 40 60 80
电流差/mA
(b)脉冲和连续波调谐特性与(/，士）的关系曲线
-10
-20
-30
� -40
芯－
赵 50
""'-60
画

-70
-80
I 480 I 500 I 520 I 540 I 560 I 580
波长t/nm
(c)图(b)所示的7个偏隍点的频谱。 在I 543 nm处的连续波输出功率约为IOmW

图8. 9 取样光棚激光器

8.2.4 激光器－调制器或放大器

近年来发展较快的 一 种重要的PIC是激光器 』 调制器。 该激光器通常是 一 种可调谐激

光器，因此如图8. 10所示，该器件具有至少3个波导节段。 不过这时， 一个节段（调制器）跨
过DBR镜面位于激光器腔体之外。 该询制器节段在某种程度上与连续调谐激光器的相移
节段类似。 不过，这里实现的是强度调制器而不是相位调制器，因此激光器可以工作在连续
波下，而发出的光波将在腔体以外被调制。 激光器 － 调制器PIC的主要优点在于其外部调
制器在调制的过程中导致的波长嘶啾很小，其调制带宽大千激光器的调制带宽（通常从调谐
或其他角度考虑来优化激光器）。
如果无需波长调谐，可以采用简单的单节段DFB激光器来构成更为简单的激光？护调
• 246 •
制器PIC，而不需要如图8. 10所示的三节段DBR。 图8. 11显示了这种结构及其实验结果。
该示例中的DFB利用了四分之一波移位设计，其调制器利用了Franz-Keldysh效应导致的
电吸收。 为了实现低喃啾操作，激光器和调制器节段之间的隔离电阻必须大千500 kO。 这
类器件可用于长光纤链路，例如海底光缆。
1. Franz-Keldysh调制器
最流行的强度调制器可能就是体材料Franz-Keldysh调制器了。 该调制器由一个
直段波导和一个有源区简单构成，该有源区的带隙能最略大千被调制波导的光子能
掀。 施加的反向偏置场通过Franz-Keldysh效 应使吸 收边降低，并减弱发射光。 如 图
8 . 12所示，由于施加电场而可能发生的载流子侧向隧穿，电子－ 空穴可以被低于带隙的
光子所激发，这就是Franz-Kcldysh效应。 可以将其等价地理解为，在施加电场时，载流
子波函数扩展到禁带内。

HR AR

恤相位黜l

HR

心益 恤相位叫

.、 ........

．---
HR AR
- －－ -.

倡相位叫｀;
．--

注． 上图所示为Franz-Keldysh吸收调制器， 中图为调制的后放大器，
下图为波导／反波导折射率调制器。

图8. 10 采用可调谐DBR激光器的激光器－调制器示意图

• 247 •
 r·
'
；；
膜
抗
反

＇
；+．
;：;

InGaAsP（缓冲区入,= I.25 µm)

·,
1·

InGaAsP（吸收入,=145µm)
·

＿
·

注：该激光器为 300 µm长的非对称四分之 波移位 DFB, 调制器为长290 µm

一

的加载缓冲层的电吸收结构。 隔离的绝缘区长50 µm 。
(a)激光器示意图
6
。 3－ 6－

1: 1 \
3
Lm=290µm
仁I 548µm
8P
/Zi\'/

己｝
了
客

丑 20
茫 3
0
-9

40 � -12
0 -] -2 -3 0 2 4 6 8 IO
偏置电压N 频率／GHz
(b)调制消光比作为调制器偏置电压的函数 (c)调制器频率响应

图 8. 11 采用掺铁半绝缘再生长来构成侧向 BH 结构并将各节段相互隔离的单片集成激光器 调制器 i

三二 E2-AE
E,

(a) (b)

注： （a）没有电场时， 以及(b)和(c)施加强场时从而能量低达AE的光子可以被吸收。
(b)图所示为隧穿模型， 而(c)图为等效的波函数重叠模型。

图 8. 12 产生电子－空穴对的光子吸收示意图

• 248 •
 离子化所需的光子能量的降低最凶E/q由施加电场E和有效隧穿距离�x的乘积给出。
5 5
隧穿效应在几个纳米的距离内都很显著，而在 PIN 结构上施加约 2Xl0 ~3Xl0 V/cm 的电
场是很容易的。因此可以将吸收边降低E凶、 ：：：：：：：10 meV （或者将 1. 3 µm 附近的吸收波长增加约
10nm ) 。结果，在实际的 PIN DH 波导中施加几个伏特的电压就可以将位于吸收边附近儿
个纳米内的给定波长的衰减常数从 1cm
]
增加到 100cm- ］以上。对于所需的调制比P I 。
P in 和可能的模式损耗变化(A幻k 〉，所需的调制器长度为

Lm =
P。
l n 一— (8. 15)
(�aFK〉 Pin
实际的 Franz-Keldysh 调制器的长度通常约为 300 µm。另一个重要的设计考虑是零场 损耗
侐〉必须足够小，从而可能的输出功率不会降低太多。这 一 点限制了操作波长与无微扰的
吸收边的距离。
图8. 13 给出了当施加电场时，在带边附近的吸收的详细实验测量结果。同时显示的还
有量子阱材料的类似测扯结果。在最子阱情况下，吸收主要是由千激子效应。为了强调所
涉及的不同物理原理，该效应被称为拭子受限 Stark 效应。可以看出，最子阱吸收边的主要
差异在于其形状更为尖锐。这样可以在较窄的波长范围内获得更大的场效应。不过由于该
效应主要限制在吸收边附近，利用该效应的器件需要波长精确定义，并且与体材料 Franz­
Keldysh 效应器件相比，它对温度更为敏感。因此对于可调谐激光器应用，采用体材料效应
的器件可能是更好的选择。
2.调制放大器
对千宽调谐激光器，即使是体材料效应吸收调制器也可能没有足够的光带宽用千实现
有效的外部调制器。为了获得更宽的光带宽，人们研究了各种不同的强度调制器。图8. 10
的后两个例子能够在更宽的光带宽内提供调制。调制放大器由 一 个增益段和激光器串联简
单构成。为了制作简单，其材料可以是和激光器相同的增益材料。这样，其光带宽应和激光
器的增益材料 一 样宽。事实上，根据放大器节段的偏置方式，其光带宽有可能比激光器的还
要宽。回顾第4章中的增益谱范例就可以理解这一点。
除了喃啾，调制激光器的主要问题在千调制带宽的幅度。对于最好的开关比，需要将调
制电流在透明值之上和之下切换。然而，正如载流子密度速率方程式(2. 15)所示，当增益很
小（或为负值）时，载流子衰减时间可以与正常的载流子寿命相比。其典型值约为3 ns ，从而
将调制带宽限制为大约 100 MHz。但是，如果放大器的偏置电流相对较高从而使受激发射
项占主导，调制该放大器则有可能获得超过 1 GHz 的调制带宽并具有合理（约 10dB) 的开
关比。
根据受激发射，利用式(2. 15)可得有效载流子寿命r'为
1 l l IPI' xy
7 = — +a'v gNpo = — +a (8. 16)
r r r wdhv
其中在偏置点处a' =g/N，且P是流进模式内的光功率。由此可知，最佳偏置点位千增益
曲线的拐点处，这时g/N 为最大值。由载流子寿命限制的调制带宽为
1 _ l 忨
11 L JPI'xy
fc=
芦飞 ＋ a'�] (8.17)
2
在1. 55 µm 波长处代入输入功率密度 1 mW/µm ，并代入增益特性拐点处的增益偏置点
a'::=::::::1 0-15cm 2 ，可得 r'=lns。输入功率密度越高，该值越小，当光子密度沿着放大器长度增
• 249 •
长时， T，也会进一步减小。 因此，有可能实现吉赫兹的操作。 不过，除非采用极高的输入功
率密度，否则不太可能使调制放大器工作在远超出吉赫兹的量级上。

4
10

10
飞
-U l
呈客 3

2
IO
－］
10
I F/kV • cm
254
197
10
I)

140
-I
83
10 26

860 880 900 920 940 960 980

波长/nm

(a)
爪

2 50
.
·

,
··'··'.,＇•

E,,=1.4 V/µm
'．

E, =3.8
2
0
0

E,=6.2
且
I
,

E,=8.6
E,=11.0
l
lS姿 宰

5
0

E, =13.4
£6= 15.8
l OO

I ----------
""
0.50

0.00
I
830 840 850 860 870 880
波长／nm
(b)

注：施加电场如图所示。 (b)例中d0w=9.5 nm而Aloi祖，（7As有db,m«=3.5 nm 。

图8. 13 当施加电场时，（ a ）体材料和(b)量子阱材料的吸收边

如果放大器的输人（或输出）功率相对较高，还必须考虑放大器的功率饱和特性。 当载
流子速率方程中的受激发射项可以与其他的载流子复合项相比时，载流子密度以及由其造
成的增益随着光功率的增加而降低。 用式(8. 16)来替代光子密度，可得载流子速率方程为

竺＝正 — N_g PI'xy (8. 18)

dt qV r wdhv
在稳态且光功率较低时，N = N。 ＝ 刀 ， Ir/(qV)，在一定的偏置范围内，可以将增益近似为g=
a(N-N")。 因此，可将稳态增益写为g = a [ 11 ,lr/(qV) — N"]。 然后，求解更高光功率时 。
• 250 •
的稳态载流子密度和增益（这时必须包含受激发射项）可得
l
N= 刀j r — _PI'xyT (8.19)
qV gwdhv
和

g= g 。 (8.20)
l+P/P,
其中
wdhv
P ,= (8.21)
aI',yr
对千屋子阱分别限制波导放大器，其典型值约为 P,�1~10 mW。
现在为了获得放大器的净响应，必须将下式在增益区的长度内 积分
dP
gP (8.22)
dz
将式 (8.20) 代入式 (8.22) 并在长度 L内执行积分，可得大信号 增益 G =P(L)/P(O) =P。I
P, n 的固有关系为

。
G = G exp[ -
G-lP
— 。 (8.23)
G Ps ]
其中 G。= exp (g。L)为P。<<R时的未饱和增益。由此可推出当增益跌落至 G。的 一 半时，
输出饱和功率P。｀为

P。 。
= G ln2 P 、 (8.24)
S
G。— 2
因此可知P。 略小于Pso
S

调制放大器方法的另一个问题是宽带自发发射幅度。虽然很容易保持较低的频谱密度
幅度，但是如果入射信号不够高的话，自发能扯的积分值还是可以与所需输出波长处的能星
相比较。利用谨慎的空间滤波可以消除远离轴向的自发能械，但是仍会有固有的自发发射
进入所需的模式内。可以证明噪声指数 FA = (SNR),n/ (SNR) 。ut 必须大于等于 2n,p ，其中
n,p是第4章介绍的粒子数反转因子。事实上，根据第4章的细节信息可以定星地测拭该自
发发射相对于增益的值。内部损耗a ， 和任何刻面反射都可以进一步增加噪声指数的最小
值。忽略刻面反馈，可以将噪声指数写为

FA =2n,p (g 二）＝ 2 勹厂 /l) （二）

通常，半导体放大器中 FA=5 dB。
3. 波导／反波导调制器
集成调制器的第三种范例是波导／反波导调制器，如图 8.10 所示。与其他两种范例不
同，这种器件利用各种折射率来实现强度调制。不过，与这种类型的其他器件（例如Mach­
Zehnder 或方向耦合器调制器）不同的是，它并不依赖千与长度有关的模式差拍和干涉效
应。因此，它受波长和温度变化的影响更小。它由一个电场所致的波导区及其周围的同一
电场所致的覆盖区构成。如图 8.14 所示，通过施加电压来产生侧向折射率波导或者反波导
形状，从而实现强度调制的功能。因此，与 Franz-Keldysh 和放大器调制器相似，它基本上
由一个直形波导节段构成，而无需很长的波导弯曲或其他转换。在输出波导处必须将反导
• 251 •
波态中的辐射能措在空间上滤掉；利用光纤耦合可以很自然地实现这一 点。

图8. 14 (a)开和(h)关状态下的波导／反波导调制器示意图

8.2.5 激光器－调制器范例

图8. 15所示为下文将要设计的可刺谐激光器－调制器示意图。 该器件工作在能够产生

5mW输出功率的最小偏崖电流处，具有士2 nm的连续调谐范围，存施加2 V的峰－峰悯制
时具有10 : l的开关比。 增益、相移、DBR和调制器区内的有源层特性分别由图4, 25、
第8. 2. 2小节的不例和参考文件给出。 其问题在于确定各节的长度。 一
种最终准则就是基千
2
各种预期的器件发热和可靠性问题，忏何节段的总注入电流密度都不能超过10 kA/cm o

)'L
IIR AR

(a)
尸口国二中
丿丁／丁1
(b) 广 03} ITI
XL

仁。 99 r, 二
汴 其中标明了各项参数 (a)顶视图； （b）横截面侧视图。 假设各处的内部模式损耗均为10cm飞
假设各处的电流注入的内部员了效率均为0.8。 每个顶部电极都有独寸．的电流源。

图8. 15 DBR可词谐激光器－FK调制器范例

还需要确定每个波导结点处的失配损耗，从而可以计算总的内部损耗。 每个区域都会
有略微不同的模式横截面和波导阻抗，制造可实用器件的一个关键问题就在于降低这些节
段之间的失配损耗。 为此采用校式激发公式(6.81)，由其可近似得出式(6.84)。

• 252 •
 首先来计算每个波导节段的有效折射率，然后来计算有源区和无源区的限制因子。 由
第 8.2.2 小节可知，计p=3.24,n.=3. 23。 4 个扯子阱有源区的叠加导致 “a= 3.30。 根据微
扰理论，I',ya=0.06，并由第 8.2.2 小节可得 I'工YP =O. 49。 将 这些信息代入式(6.84)可以分
析各个界面。 增益区到相移区的功率传输为 98% 。 在相移区和光栅区之间或者光栅区和
调制器区之间的传输接近千 l。 增益区和相移区之间大部分未被传 输的能最都被损耗成为
向前传播的辐射模。 不过， 一 小部分（约 0.2% ）会反射回来。 这可显示为腔体损耗的轻微
调制，但是由千主镜面具有更大的反射率，因此可将其忽略不记。
在研究最佳镜面反射率之前，需要确定相移区和调制器区的最小长度。 相移区必须足
够长来提供大于4 nm 的连续调谐。 忽略各有效折射率的差异和增益区的相移，由式(8. 4)
可得

A 厂p = l
订 归 (1+�) (8. 25)

由此可见，当 L.,»I五 时，需要凶口np >o.002 6。 如果令 Lp= La ，则在儿乎整个调谐范围

内心n,,/ 凡圣 0.005（所需的最大光栅有效折射率变化为 4/ 1 550，或者是该数值的一半）。 这
大概是可以利用注入电流获得的最大值，否则自由载流子损耗就会严重增加 ，因此 选择
Lp =L. 。 由式(3.66) 可算出相移区或光栅区所需的最大调谐电流为
qwdL1
Ii=— - 2O A” ) (8.26)
I'xyT/ ;r X 10
其 中下角标）三g或 p。 当 凶ig= — 0.01，凶i p = —
0. 02，目载流子寿命为 r = 3 ns 时， Ig=
90.9L.mA/mm 且 I p= l81.SL. mA/mm 。 因此相移区的最大电流密度为 6. 1 kA/cm 气该
值足够低。
对千外部调制器，可利用式(8. 15)以及吸收参数。 首先明确，对千 较 高掺杂的 PIN 结
构，其零偏置内置电压为 o. 8 V， 并假设调制电压为 0~2 V。 因 此， 内 部 调 制电场在
0. 8V/O.3 µm 和 2.8V/O. 3 µm 之间变化。 对于 1.55 µm 处的带隙为 1.45 µm 的材料，可得
凶aFK = l40cm 1 。 在式(8.15)中令限制因子为 0.66，且 P。／ P;n= lO，可得
0. 66
Lm lnC10)�250 µm (8. 2 7)
140
＂
当剩余损耗为 10cm 1 时，“开 态时调制器中的净损耗为 1. 1 dB。 因此，必须在光栅镜面处
获得 6.4mW 的输出功率才能保证在输出刻面的功率为 5mW。
为了选择有源区和光栅的长度以获得最小的驱动电流，可以参考附录 17。 在该 附录
中，儿是包含光栅深入深度在内的无源区的总长度。 根据讨论还得知，为了获得最大的镜
面反射率和最短的增益长度，应将驱动电流最小化，这与其他的实际限制相一致。 一个实际
的限制是穿过光栅过程中的附加损耗， 附录 17 没有包含该损耗。 另一个限制是在高电流密
度时器件的发热。 因此可知需要采用指定长度的光棚。 在第一次设计迭代中， 采用第 8.2.2
小节中已有的设计，因为其反射相对较高。 对千该 设计，r. =O.7,Lg= 115 µm ,Leu =40 µm 。 因此，
利用有效镜面模型，可通过剩余的光栅长度获得附加传播因子 exp[-2X 40XO.001]= 0.92 ；或者
在有效镜面输出端需要Poi =6.9mW。
回顾附录 17 可知，由千 光栅的深入，现有的示例并非与任何一种分析过的范例真正匹
• 253 •
配。C例（固定L,,／L a) 是最为接近的；但是，在代入上述数据后，发现所获得的最佳阔值增
2
益远大于增益特性的拐点，即电流密度远大于10 kA/cm ，从器件发热、载流子泄漏和加速
老化的角度来看这是不实际的。Al例（固定L)是另一个极端情况，这时的最佳阙值增益位
于增益与电 流 特 性 关 系 曲 线 的 拐 点处。分析这 两种极端 情 况 并利 用 图 4. 25 ，可得
g。P'(C) ：：：：：：：：1 500 cm-1; g。P'(Al)=600 cm-1。由于没有任何范例与示例相匹配， 选择这两个
极端情况的中间值作为第一次迭代。在该点，对千四植子阱有源区，J 仆：：：：：：：： 1. 9 kA/cm2 。然后
利用I',yg,hL, =a, (2L a+L,rr)+ ln(l /R)可算出I勺 （假设L p
= L.)
为

矶4 eff+ln(1 /R) =lOXO.004+ln( l＋汃） = 1 m (8.2 8)

L.11 = 5 µ
I'xy g th I 1 — 纽 0.06X 1 050 —2Xl0
对千第一次尝试， 有源区所需的驱动电流为
_J t hwL a,L l
I.1
=�
勹 [ln(l
a
/R)
＋1
] 嘉P 。 l

l 900X3X51Xl0 8), 1 10.00 1 Xl42 +

+ [ 1]x 1. 55X6.9
0. 8X 10 -3 '0. 8 LlnO/ ✓启） 1.24
=3.64+19.36

=23. omA (8. 29)

这里我们观察到，第一项为 阔值电流，第二项为实现6. 9mW输出功率所需的电流。我们还
2
注意到，器件下作在6.3倍于阙值的状态，其净输入电流密度约为 15 kA/cm 。这明显超出
了所允许的驱动电流密度。这时将可能引起严重的发热问题及其导致的载流子泄漏和退化
2
问题。这时，优化问题被取代为需要将工作电流密度降低到10 kA/cm 。这就需要更低的
阙值电流密度和更长的长度。并且需要考虑其他镜面的反射率来实现最佳设计。
为了能以最清晰的方式来分析所选的镜面反射率和有源区长度之间的权衡，在图8. 16
中绘出由式(8. 29)算出的总驱动电流与式(8.2 8)确定的有源区长度之间的关系曲线。对于
增益曲线，采用图4.25 标题中给出的解析表达式。除了初始值凡＝r; =0.7 ，图 8. 1 6 还显
示 了两个输出光栅功率反射率的值为0.5 和0.3 。垂直箭头标记了每条曲线上总电流密度
2
超出 10 kA/cm 的第一个点。所有左边的点都具有更高的电流密度因而被排除在考虑 之
外。因此，即使 更高的镜面反射率与更短的有源区相结合可以获得更低的最小驱动电流，其
电流密度还是太高而无法被考虑。
从该图看出，50％的光栅功率反射率是最佳的折衷方式，既可获得最 低的驱动电流
2
义不会超出 10 kA/cm 的电流密度。对于垂直箭头的右侧，阙值增益为1 100 cm勹阙
值电流密度为2. 1kA/ cm ， 总驱动电流为23. 6mA，当有源区长度为 83 µ
2
m 时驱动电流
2
密度为9.5kA/cm 。因此这是这种情况的最佳方案。如下总结了这些参数和其他器件
参数为
r, =0.707 L. = 84 µ
m L,rr =34 µ
m
L, = 83 m LP= 83 µ
m
µ (8.30)
I,h = 6.6mA J,h =2. lkA/cm2
I. =23. 6mA
J. = 9. 5
kA/cm
2

结束该设计后，应注意到即使是10 kA/c而对于lnGaAsP材料系统的激光器而言也仍
• 2 54 •
是很高的电流密度。 如图8.16所 示，当La 增加远离最小值时，总驱动电流的增加速度相对
缓慢。 这样，通常发现需要设计器件使其有源区长度比获得最小电流值时的长度略长 一 些，
这样可以极大地降低电流密度。 例如，如果将长度增加至173 µm，驱动电流增至29.6mA,
2 2
但是驱动电流密度和闾值电流密度分别降至5. 7 kA/cm 和1.1 kA/cm 。 并且，由千上例
中的镜面反射率为30%,170 µm长的有源区需要电流为27. 9 mA，而驱动电流密度和闾值
2 2
电流密度分别为5. 5 kA/cm 和1. 7 kA/cm 0

40

36
。
。
口

。
2
3
VE[
hl
涟1
2
8

24
。

20
100 200 300 400
有源区长度L/µ111

注 在DBR激光器节段的有效镜面处需要6.9111W。 这些点表示阙俏增益增加员为50cm',
每个反射优砐左侧的点对应的闲值增益为2 000 cm'。 当，?,=0.7和0.5时砐右侧的点为
飞
550 cm-,, 而当R,= O 3时端点为600cm一，。 垂贞箭头标记了l ．作电流密度达到10 kA/cm'
的点。 其解选抒L,=L,＇， 假设节段间的耦合损耗为零， 并利用示例中给出的参数。

图8. 16 DBR可问谐激光器－FK调制器为了达到5mW输出功率所需的驱动电流

8.3 利用方向耦合器实现输出耦合和信号合成的PIC

另 一 类PIC利用方向耦合器将光能拭从 一 个波导分接并耦合给另 一 个波导。 与仅用

轴向耦合波导的PIC相比，这种侧向或横向耦合展现了新的机会。 在精确地对接耦合两个
微小的半导体波导时所面临的模式失配和制造问题都不复存在。 正如在微波电路中 一 样，
可以将能扯分接出来而不会强烈干扰原来的波导。 举例说明，就像 一 个部分传输镜面 一 样，
方向耦合器可以将能员从激光器腔体中分接出来，但是其输出终止在 一 个仍位于该半导体
材料中的平行波导中，从而可以继续处理。 另 一 个示例是可以将两个波导的光波合成进入
一
个波导来叠加两个独立的信号，或者进入两个波导来实现信号混合。 该过程是构成光外
差接收机的核心。 在这些以及其他示例中，采用方向耦合器的一个关键困难在千用来将耦
合区内所需的紧密间隔分离开所需的波导转换。 这通常需要渐进的波导弯曲，该弯曲占据
了光路中相当一 段长度。
图8. 17阐释了利用方向耦合器作为环形激光器的输出耦合器，以及单块相干接收机中
的信号合成器。 后两节将分别研究这两种范例。 假设其无源和有源波导区与上文范例中的
• 255 •
相同。

I• 500 µm .1 嘈 250 µ111--1

I I I

(a)具有方向耦合器输出分接的环形激光器

(b)与预放和本地振荡器集成的外差接收机

注 这里继续假设两种结构内的内部模式损耗为!Ocm-,（不包含任何辐射损耗），
而内部效率为08。 方向耦合器内的波导间距为!µ111。

图8. 17 方向耦合器器件范例

8.3.1 采用方向耦合器输出分接的环形激光器

图8. 17的(a)图所示为一个环形激光器范例。 假设该器件具有如图4. 25所示的四趾

子阱增益区，分析其性能。 其x向上的无源波导横截面与上文范例中分析的相似，即，厚为
0. 3 µm，波长1. 55 µm处的折射率为3. 37, InP覆盖层折射率为3. 17。 不过这里调整其侧
向宽度以确保单一侧向模式操作。 再次，假设BH结构并具有lnP侧向覆盖。 首先感兴趣
的是其L-I特性。 因此，先要确定输出耦合损耗（类似于镜面损耗）。 然后来计算阙值模式
增益、闾值电流和微分效率。
为了计算耦合比，首先需要确定式C 6. 61)给出的波导到波导的耦合常数 K。 假设具有
最低阶对称侧向模式，可将式(7. 60)、（A3. 16)和CA3. 19)代入式(6. 61)并求解。 对千相同
波导的侧向耦合可得

• 2 56 •
 2kg年 — c c )yy cos2 (k 1yw/2) e- r_y,
k = FI (8. 31)
彻eff(t+K飞）令
其中I',是横向限制因子，C1 和 c 2 是波导平板和周围覆盖层的相对介质常数（折射率的平
方），九是波导外 部 的侧 向 衰减常数，w是 侧 向波导宽度，w.rr是 有 效 宽 度 （用 y 替代式
(7. 65) 中的x)，而s是 耦合器区域内的波导间隔。
首先，需要利用有效折射率法来确定波导宽度 w 和侧向传播与衰减常数。 对于单一侧
向 模式，vy �3. 2s 。 因此，根据式 (A3. 12), w�l. 2 µm 。 然后利用元 ＝ 3. 24 可得： n =
3. 216,k y =l. 60/ µ m，且 Yy =
2. 20/ µm 。 这些参数导致 WeE1 =
2.5l µm 。 然后将其代入式
(8. 31)可得方向 耦合器内两个波导之间的耦合常数为
2(2TC/l.5 5 ) 2 (3. 216 2 -3.172 )2. 2Xcos2 (1. 6Xl. 2/2) _-- 2 _2xi
K = O. 49
[2TC(3.216)/1. 5 5]2. 51(2. 2 2 +1. 62 )
=1. 57 cm 1 C 8. 32)
忽略各种内部损耗，经过 500 µm 长的耦合器长度后，从 一
个波导耦合进入另一个波导的功
率比为
c2 =sin飞L = sin2 05. 7 X 0.05) = O. 498 (8.33)
— 2
这表明如果忽略损耗，（l c ) =O
. 502 的功率将传输进入另一个波导。
对于环形激光器，需要确定各种长度，从而可以利用式(2. 22) 或式(2.23)来求解阔值模
式增益。 这里只考虑单方向的传播，因为正向和 反向波之间没有耦合。 很明显，有源区长度
为 L. = 500 µ m ，无源区的总长度为 L P =（的 oo+soo) = 2 071 µ m 。 式(2.22) 和式 (2. 23) 中
的平均镜面反射率等效值 R 就是(1
－
产），回顾式 (2. 22) 的推 导可以验证这一点。 因此输
出 耦合损耗（等价于镜面损耗）为
l 1
知l =—In �2 = Z. 7 cm 1 (8.34)
L tot 1-c
下面必须确定由于弯曲处的辐射而造成的附加损耗。 各处的内部模式损耗为 10 cm 1 ，但它
并不包含辐 射 损 耗。 为此 利用式 (7. 81) 或 其等 效 图 7. 26 。 对于本例，归一化频率 为
V = 3. 25 ，半径与波导宽度之比为 313 。 因此由图可得弯曲处的辐射衰减 0:R 为
知 ＝ 10 w= 6. 3 cm- 1
3/ (8. 35)
因此平均内部模式损耗为
ZX500XlO+l 571Xl6. 3
(ai〉= 13.8 cm 1 (8. 36)
2 571
现在来计算体积模式增益的阙值为
I'肛 h = (ai 〉十“m =16. 5 cm- (8. 37)
横向、侧向和轴向的限制因子分别为0.06 、0.84 和 0.194 。 因此阙值增益为 g,h = 1 688 cm 1 ，由此
2
可从图(4.25)外推得出］ ,h = 5.2 kA/cm 。 因此，阙值电流为I,h = J,hwL./ f/i= 52 mA。 这是非
常高的阙值增益和电流密度。 在实际中应尽抵采用更多的量子阱，从而通过增加横向限制
因子来增加模式增益。 例如，采用6个最子阱可以将阔值增益和电流 密度分 别降低至
1 125 cm-1 和 3.3 kA/cm 2 ，这些值对 1.55 µm 来说更为合理。
对千完整的 L I
- 曲线，还需要确定微分量子效率。 利用上述数值但是排除输出波导的
• 257 •
损耗，可得微分效率为
,
＝ 2.7 =
叽 0.8X� l3.1% (8.38)
16. 5
对于输出功率，必须将其乘以从耦合器到输出刻面之间的附加衰减因子。 在环形腔内已经
包含了耦合器损耗，但是在计算耦合出的能扯时没有考虑这 一 损耗。 仔细回顾该理论可发
现，在计算光波的耦合和未耦合部分的传播损耗时都采用了平均传播常数。 如果该常数为
2
复数，两种情况下引入的都是衰减因子。 即，在本例中被耦合的功率为 c exp( — aiL) ，而未
2
耦合的功率为(1 �c ) exp( — a,L) 。 通过在 LP 内包含耦合器长度，已经包含了未耦合部分
内的所有损耗，但是对千 一 体化的耦合器，该损耗仅仅包含了 一个波导内的损耗（即，对于耦
合的功率部分只包含了一半的耦合器损耗）。 因此对于耦合出的能报，必须包含一个附加因
子 e- (!OXO. 25) （换句话说，将耦合器视为一个位千实际耦合器中心处的有效体材料耦合器）。
由于在耦合器之后的扩展波导内另外还有250 µm，降低的净微分效率变为
r;�=0.13le cioxo.os) =7.9% (8.39)
利用上述的儿和加值，由式(2.36)可以确定其LI特性（图8.
- 18)。 很显然，该环形激
光器并不是 一个很有效的器件，这主要是由于有损耗的无源波导节段太长。
AE之祷云壬等
4

A=1 55 µm
2

。。 50 100 150

增益区驱动电流//mA

图8. 18 环形激光器范例的 L I- 特性

8.3.2 集成外差接收机

图 (8. 17)的 (b) 图所示为一个单片集成的外差接收机。 这种结构已作为接收机被广泛

研究用千相干光纤通信系统。 图8. 19所示为Koch和Koren开发的结构。 采用外差接收
机的原因之 一 在于：与采用某种光滤波技术的直接探测系统相比，它可能改进接收机的灵敏
度和波长选择性（下 一 节将考虑这种直接探测接收机）。 在本例中，从探测器二极管流进的
接收光电流正比千接收信号幅度与本地振荡器(LO)幅度的乘积。 因此，当LO功率增加
“ “
时，接收机灵敏度增加。 因为信号和LO光波在探测器二极管内被 合成 ，输出电流的IF
载波频率等千两个光波的光频率的差值。 因此，可以用 一 个相对简单的微波滤波器来去除
WDM应用中无用的相邻波长信道。 通常并不采用本例中所示的预放大器，这里只是用千
• 258 •
补偿耦合 损耗和波导损耗。如果存在多个波长信道的话，它还会造成串扰问题。
零偏冗MQW
／波导探测器＼

部分传输前端Bragg段

商反射后端Bragg段

掩埋脊形 半绝缘封闭的
半绝缘搅盖层 掩埋异质结
尤源波导 MQW-DBR波导

一
注 该光路中包含一个连续可调谐LO、一个低损掩埋脊形平行输入端、 个可调节的3 dB
耦合器和两个零偏罚MQW波导探测器。

图8.19 MQW平衡外差接收机集成光路示意图
弅望能够通过分析一个范例来求解图8. 17 Cb)所示的外差接收机所需的各个长度和电
流。当然，该结构中存在多个需要指定的元素。插图标题中已经解释了 一 些独立的元件参
数。希望能设计这样一个器件：其预放大增益不但能够补偿任何入射耦合和传输损耗还能
实现净6 dB的光增益，其本地振荡器具有10 mW的输出功率，其辐射弯曲损耗足够小从而
导致弯曲中的总传播损耗最小化（考虑背景损耗为10 cm 1)，其3 dB方向耦合器能够为两
个差动迕接的探测器提供平衡驱动。假设其波导区、增益区和方向耦合器与图8. 17(a)中
分析的环形激光器的各区类似。而且，要求两波导相隔141 µm用千光纤耦合，此外入射耦
合损耗为4 dB。
假设方向耦合器与上文的 一 样，其中K = l5. 7 cm'，可算出为了获得3 dB耦合所需的
长度，即利用式(6. 70)，为

L [)( （3 dB)＝—sin_，卢＝ 迈 ＝450 µm (8. 40)

205. 7)
这段距离内的内部损耗所造成的附加传输因子为exp( — 0. 001 X450) = 0. 64，即 — 2dB。
已知由于散射和自由载流子吸收而导 致的背景传播损 耗相对较高为10 cm'， 即
4. 34 dB/mm。现在考虑弯曲半径，希望能使总损耗最小化。每个S形弯曲必须使波导在侧
向上移位70 µm，或者每个节段必须使波导在y向上移位约35 µm。根据图8. 20可知，每半
个S弯曲沿着半径为R的弧所划过的角度为0 1, =cos-1 [ (R —35)/R]。
因此穿过 一 个S形弯曲的总损耗为

毗 i,=[(a,〉+C l e勹(2R)co 、 1 (
R— S1/2
R ) CR>S 1 /2) (8. 41)

• 259 •
其中 S1 为所需实现的侧向波导位移（在该例中为70 µm)，而 C1 = r� ／如和 c; = + 冗／妗是
式(7.81)给出的两个辐射弯曲损耗常数。 通过对式(8.41)取导数并在其 结果 曲线 中标定零
交叉点，可将该式最小化。 不过，由千该超越方程需要绘图，也可以直接将式(8.41)绘图出
来。 图8. 21 为根据现有各参数 所绘的结果。 可见， 最佳R值为205 µm。 在该最小值处 每
个S弯曲的总损耗为1.12 dB。

35 µm

35 µm
R-35 µm

图8, 20 两个波导的每个耦合器端点处的单波导S弯曲
26
2
4
2
2
gp

2 8 6 4
g世志圭专 S
l 1 1
2
l

I
100 150 200 250 300 350
弯曲半径Rlµm
注：其中y,=2.2/µm, k,=12 85/µm, S,12=35 µm, 背景传播损耗为a,=10 cm-•。

图8.21 S弯曲损耗与弯曲半径的关系曲线

除了提供所需的6 dB 净光路增益以外， 其中的预放大还必须补偿入射信号的总损耗，

即4 dB+2Cl.15 dB)+2. O dB = 8.3 dB。 这样，净的预放大增益必须为14. 3 dB。 从图4.25
可知，4个星子阱的每单位电流的增益最大值 所对应的点为(600 cm-1, 900 A/cm 2)。 因此，
当横向侧向限制因子为I'工y = O. 05时，在该点工作 所需的放大器长度为
G 14.3
LP-A = = l 628
µm (8.42)
(I、工y g — -a;) (0.05X600 — lO)X4.34
其中净 预放大增益减去了内部损耗 10 cm-1。 所需的驱动电流为IP-A =JwLP-A勺 ，＝ 22.0 mA。
由于内部损耗与模式增益相近，因此导致该器件非常长。 因此，可以考虑 将其工作在增益曲
线的较商点来缩减其长 度。 例如，如果采用第8. 2. 5小节考 虑的偏置点 (1 050 cm 1,
1. 9 kA/cm 2 )，可得所需长度为775 µm，这样则需要 驱动电流为22.1 mA。 当长度为941 µm
时，在(900 cm 1, 1. 5 kA/cm勹点处可获得最小电流为21.2 mA。 由此可见 驱动电流的最
• 260 •
小值范围还是很宽的。 当长度为775 µm时，电流密度仅为2.4 kA/cm气因此选择这 一 点比
选择最小电流点更为适当。 这样，最终的 预放大设计为
L PA = 775 µm, I PA =22.1mA (8.43)
最终，DBR本地振荡器以近乎最为有效的方式输出lOmW 的功率。 这里假设唯一的
无源腔长度是光栅的深入长度。 对千后部镜面希望采用合理的光栅长度来获得最小的传
输。 我们来看一下 K匕＝2时的情况。 这时tanh K匕＝0.96，该值相对较高。 采用上文
DBR设计中的K =
80 cm-1，则光栅长度为L g h = 250 µm，后部镜面的有效深入长度为Leffb
=
60 µm。 由于预放大器很长，因此光栅不应该占用光衬底上的任何额外空间。 这里的增
益值比上例中的更高，希望可以获得更大的输出功率。 这样，输出镜面应具有较低的反射
率。 即由图8. 16 可证，该值比第8. 2. 5 小 节中选择的更低。 这样可 选择上节中考虑的
30％镜面。 由此可得IJg f= 59 µm,Lcfff= 26 µm。
由千 预 放 大 器 非 常 长， 无需增加芯片尺寸就仍有很多增益空间。 即L a I max=
(775 — 250-59) =466 µm。 检查附录17 ，可知采用非常短的有源区可以使电流最小化，但
是功率密度仍较高。 这样再次利用(1 150 cm-1, 1. 9 kA/cm勹点来观察所导致的长度。 与
式（8.10)类似， 但是没有无 源 区， 可得 L. = 148 µm。 利用式 (8. 11)可得阔俏电流为
4.22mA，为了获得 10mW所需的阙值以上电流为21.7mA。 不过，这 导致电流密度为
14. 6 kA/cm2 ，因此需 要 较 长的 长度。 利用 最初为预 放 大考虑的增益曲线的 保 守拐点
(600 cm飞900 A/cm飞需要长度为344 µm，这 比 可用空间要短，因此可以采用该长度。
这时的阙值电流为3.1mA，为了获得 10mW所需的电流为26. 8mA。 其总驱动电流
29.9mA导致电流密度为7.2 kA/cm2 ，因此这一较为保守的设计是可行的。
因此，LO激光器的诸长度和驱动电流如下：
L.b = 250 µm, L.1 =59 µm
L, = 344 µm, ho = 29.9mA (8.44)
其输出特性如图8.22所示。
AE泣云
0
云壬婆
5

。。 IO 20 30
驱动电流／mA

图 8.22 本地振荡器激光器的光输出与驱动电流的关系

• 261 •
 8.4 采用同向耦合滤波器的PIC

如第6章所述，如果两个耦合波导不相同，则方向耦合器就变为波长滤波器。并且，调
谐的比率可以比折射率变化比例还大，因此正如图8. 6所指出的，可以获得的激光器调谐范
围为丛／入＞An/n。这种滤波器还可用千 WDM系统的可调谐接收机中。这种器件的 一 个
难题就是该滤波器的带宽随着调谐范围的增加而变大。这样就很难实现同时具有宽调谐范
围和大MSR的激光器，对于接收机要使多个可分辨的信道都具有较低的串扰就更为困难。
但是，在未来的集成光路中同向方向滤波器 一 定是非常重要的元件。
需要介绍两种重要的范例：声光调谐滤波器(AOTF)和光栅辅助同向耦合(GACC)滤
波器。两者都利用了一个波导的有效折射率的附加K矢址来实现两个耦合波导之间的相位
匹配。在AOTF中，有效折射率调制是通过用一个波长为A(Ja )的同向传输超声波所产牛
的声光效应来实现的；而在GACC滤波器中，有效折射率调制是通过以周期A来调制波导
的儿何尺寸来直接实现的。AOTF通过声频fa 可以实时控制增加的光栅，而 GACC则通
过以电光或者电流注入方式（与上文讨论的情况类似）改变背景折射率来实现调谐。在两种
情况下，如第 6. 3 节所述，当满足如下条件时可发生最大耦合：

/3三＋？或尸（九 元）A (8.45)

由千两个耦合模式的有效折射率之间的差值通常小千 0. 1 ，折射率微扰的周期通常比光波
一
长10倍。这使得GACC滤波器中的波纹相当粗糙，并且由千声音的速度通常在10 气量
级，因此 AOTF中可以采用VHF声频。
如果折射率差值的调谐虽为An，则滤波器中心频率的调谐方式将依据式(6. 76)或者 如
下方式：
凶
—= 心力 ＝ — A订
F (8.46)
入 ff l g 一 ”2g ”g 1
—
其中调谐增强因子F = n g l/（hg l 订 g2)导致调谐范围加倍，正如可以用相同的相对折射率抵

值来调谐激光器一样。并且与该调谐增强相伴，滤波器的FWHM光带宽凶1/2也存在类似
的增加。对千长为止的均匀相互作用区域，由图 6. 19 可知，该带宽为
F
丛1;2 =O. 8 汇 (8.47)
叭 I L(
因此，对于 一 般的窄带滤波器，F值不会太大。这意味着两个耦合模式之间的有效折射率差
值必须相对较大。
对千合理的调谐增强，因为 AOTF中的声波长比光波长大许多，所以通常很难保证只
对两个耦合光波导中的一个波导进行声光调制而不是对两个同时调制。因此，AOTF通常
涉及到单 一光波导中TE到TM模式的转换。这通常是第6. 3. 3小节中(a)例的一个示例。
由于很难通过波导色散本身获得很大的有效折射率差值，因此必须通过材料双折射来获得
为了制作相对窄带滤波器所需的色散屈。本书考虑的各种半导体材料都不满足这 一 要求，
所需的是诸如锐酸锥(LiNb03)的高度各向异性的材料。在这里就不再分析AOTF的特殊
示例了。不过，其导波版本的结构在 WDM光波系统中已变得非常重要。
图8.23阐示了构建GACC滤波器的一种方法 。 这里通过在一个耦合波导的一侧形成
• 2 62 •
波纹来引入所需的折射率调制。

IN

OUT

图8. 23 采用波纹状波守的折射率凋制来实现相十耦合的GACC滤波器

该可调谐滤波器可用千上述的各种激光器和接收机中。 不论是哪种情况，都可以采用
几种不同的几何结构。 图8. 24所示为两种不同的激光器结构和 一 个两级接收机。 虽然所
示为AlGaAs/GaAs系统，但是大多数系统都采用InGaAsP/I nP材料系统以便在1. 5 µm
附近工作。
无耦合节段 有源耦合器

,,忒侬
.ll.
、、、
AIGaAs - 、 =
p

lnGaAs SQW

(a) 有源耦合器可调谐激光器

有源节段 无源耦合器

lnGaAs MQW
GaAs—
N

、.、 、
、 、
AIGaAs - 心·""一“～~ -'3
-－

(b) 无源耦合器可调谐激光器

放大器 GACC可诮谐滤波器 探测器

lnGaAs MQW

GaA
AIGaAs

(c)光集成预放大可调谐接收机

图8. 24 GACC可淜谐器件示意图

• 263 •
 第一个激光器结构采用PNP（或NPN)结构从而独立地偏置上下两个波导。这样可以
为下波导提供增益并为上波导沿着耦合器方向提供折射率调谐。无耦合节段可以很短，通
过存该节段施加反向偏置可以使下波导中的无耦合能员衰减。其优点在于山于沿着耦合器
存在增益，因此轴向限制因子可以很大。其缺点存于难以制作所需的电接触并对下有源波
导的两个节段实行电隔离。
第二个激光器结构（图8. 24(6)）采用非有源的下波导从而克服了某此制作困难。但是
山千耦合器是完全无源的，因此必须在上波导内实现有源 － 尤源之间的连接，从而使该激光
器具有相对较小的轴向限制因子 。 实际上，对千很好的单校行为，希望使腔体内的耦合器滤
波器部分最大化，因为任何附加的长度都将导致模式间隔减小并导致滤波器通带内具有更
多的校式。利用式(8.47)可以将模式间隔A丛和滤波器的FWHM 6.入 1/2 联系起来：
A丛 1 Le
(8.48)
A入 12 1.6FL'/
其中亿是激光器模式历经的总有效腔长，即，式(8. 48)的右侧是滤波器通带内模式数目的
倒数。随春训谐增强因子F的增加，被包含的轴向模式数目也增加。但是．只有靠近通带
中心的那些校式中的 一 部分才对激光器的频谱很重要。将图8. 23 Cb)中池例的中心模式与
紧临的下 一 个校式相比较，可得模式压缩比的近似解析表达式为
2P。ut
2
L·1
MSR= （匕上) (8. 49)
行如vRn,,,I'g,hlnCl/R) \L1 F J LT-L<
这里观察到该式与耦合器长度以及调谐增强因子的倒数成平方关系。图8. 25以归一化形
式绘出了这 一 关系，并绘出了归 一 化滤波器带宽作为调谐增强因子F的函数。可见，当
层／lJ1L,＇ ～ 1时，仍可以在高输出功率时具有合理的MSR值。当然这不会像普通的DFB
或DBR激光器那样好。
40 _, 4
SP/

3
5

.
l2W
“
。、

Y
、
(•
•
HSW
、

r
II ,

翠辛乏妄 盂笠笠志
l) ”

r
、
l
丑寺出y笠

V
3
勹～

勹』
0
？～

15巳
10 5 15 20
诮谐增强因子F-I
注．假设n=4，
g
加＝I eV, r=g,h=SO cm .' R=0.3, ,=1.2"
11、

L,.=L,-L,。

图8. 25 川U!<L"LT）归 一 化的模式压缩比及其在不同功率倌处与调谐增强因(-F的关系曲线

如图8. 24(C)所不，可以将这－GACC滤波器与集成可调谐接收机合成在一起。所示
结构采用(6)图中激光器的相同概念，但是两个级是级联的，并且在刻面处需要AR锭膜来
避免再生的反馈或激射。接收机中各节段的工作状态与激光器情况非常不同。增益材料的
第 一 节段是预放大器；两级滤波器从入射频谱中选择 一 个波长信道，并移去该频带外的自发
• 264 •
发射；增益材料的第二个区域被反向偏置用做波导探测器。预放大器和波导探测器一般可
以采用相同的增益材料，这样其制作过程与 (b)图中的激光器基本相同。
采用两级或多级滤波可以提供额外的自由度来控制接收信号通带的形状。这样可以更
好地滤掉相邻信道并获得顶部更为平坦的传递函数，从而允许入射信号的波长存在轻微的
偏移。由于入射信号可能较小，因此有效地去除频带外的放大自发发射是非常重要的。对
沿着每个滤波器长度上的耦合常数进行加权也可以进一步降低滤波器的旁瓣幅度。
该放大器的设计与上文8. 3.2小节所分析的类似。即，通常需要补偿输入耦合损耗、传
输损耗和滤波器插入损耗，用来避免影响接收机的灵敏度。通常采用额外的预放大增益来
改进接收机的灵敏度。但是由千预放大器将所有的入射信道都予以放大，在这里采用高增
益倒不如在第一个下传信道滤波器之后增加一个额外的增益级。通过将两个图 8. 24(c )结
构级联起来可以实现这一点。这样，第 2 个有源区变成第 2 个放大器而不是探测器，而第 3
个有源节段才是探测器。同样可以采用与上文接收机相同的步骤来制作这个双放大器、四
级滤波器的器件。
波导探测器设计需要在戴子效率与电容星之间进行权衡，因为这两者都随着长度而增
加。由千必须选择负载电阻来提供足够的带宽用以接收数据的最高频分量，因此接收机的
灵敏度与电容植呈反比。对于所需的星子效率爪，探测器长度应为

压＝ 1 ln l
(8.50)
rry“D 1- ？D
其中I'诬D是探测器中的模式吸收常数增植。 吸收常数aD 就是第4章给出的增益在零注
入状态下取值的负数。例如从图 4. 18可知，lnGaAs量子阱中a0=5 000 cm-i 。为了使RC
受限的接收机带宽等千比特率 B（即，接收机带宽是数据中最高基频分最的两倍），所需的负
载电阻R1为
1
R1, = (8. 51)
2六 BCD
假设为FET放大器前端，则接收信号与栅极上的电压信号呈正比。该电压等于探测器的光
电流lL)乘以负载电阻。对于输入光功率P,，可利用式(8.50)和式(8.51)获得
酰 dI' y吵
Vc = ioR1. = (8.52)
工
－
hv 2吐知wnl Cl— 沪 1
其中d'€D和w分别是计算电容时所用的波导探测器区的厚度、介质常数和宽度。其有效
值也许需要考虑边缘效应和寄生电容。
采用第8. 3节中的波导设计，aD=5 000 cm-1，所需的爪值为90%，由式(8. 50)可得

Lo = ln — = 92 m
0. 05(5 000)... �
1 0.9
µ

对于该长度的示例波导，处于反向偏置下的电容约为100 fF，这允许存在一定的边缘效应和
寄生电容。这样对千I Gbit/s的数据速率，式(8.51)给出其负载电阻为

Rl,= 1 = I =1.6 kO
纭BCD 纭(109 X 10-13)
当探测器的光人射功率为l µ W时，可得FET的栅极信号电压为Vc
=l.8mV
。

• 265 •
 8.5 分析PIC 的数值方法

8. 5. 1 引言

很多集成光路都无法用简单的解析方法来精确分析。 并且，即使可以使用解析法，在进
一步投资生产新结构之前也经常会用数值方法来验证各种设计。 实际上，数值方法已变得
越来越有效方便。 第7. 3.8小节中介绍了有限差分法来分析介质波导。 本节将介绍光束传
播法CBPM)来分析任意的波导传播问题，并将介绍有限差分BPM作为一种最佳方法。 将
发现该方法是基千第7章和附录16中开发的有限差分法而建立起来的。
在集成光学中处理电磁波传播最为严格的方法就是利用适当的边界条件来求解Max­
well方程组。 不过，这种PIC结构具有特殊的特性使得该方法难以执行。 其主要原因在千
传播距离和传播能讯的横向或侧向尺寸之间的比值非常大。 其横截面可能在Z µmX5 µm
的窗口之内，但其传播距离可能有几个厘米之长。 因此，为了边界值方法需要建立足够细的
栅格，这对计算机内存和CPU性能都造成了巨大的挑战。 不过，由于PIC中的导波具有一
些其他特性，因此可以采用某些近似。 例如在大多数情况下，用标拭波函数来描述波传播就
足够了。 第二，导波的波前为近平面波，或者其平面波谱非常窄。 因此，这些波为近轴波。
第三，在许多情况下，沿着传播方向的折射率变化比较小而且是渐变的。 因此，正如第6章
所述，在这些情况下的波幅度变化缓慢，并且可以忽略后向反射。 在这些条件下，可以将标
( .4)简化为近轴波动方程，即
量波动方程式 6
叩 于心 护少
r —=—+
2诀。n= , 一
＋k江矿(x,yz ) 说］少 (8. 53)
心 归2 ay2

, )= E (z)U(义 ,y)。 即，n,

其中n,是参考折射率，用以描述波的平均相速度，而cf, (x,yz
确定波的迅速变化的成分，而心包含了沿着传播方向缓慢变化的幅度。 这样对于有用的偏
。
, )＝中(x,y,z)exp( — JK nrz)。 为了获得精确解，必须仔细地选择折射率
振态，E (x,yz
nr 。 在导波问题中通常将其选定为衬底折射率。
与边界值问题相反，近轴波动方程描述的是初始值问题。 结果是，可以从一个任意的初
始波幅度tp (x,y,O)出发，该幅度可以是诸如由透镜形成的高斯光束。 通过对近轴波动方
程在�z内积分可以获得在�z远处产生的幅度。 重复该过程可以获得初始场分布形状在
整个集成光路中的演化过程。 请注意，为了计算z=�z处的场值，只需知道z =O处的场
值。 因此，无需存储或利用场在z向每个栅格处的取值，而边界值问题的求解过程则需要了
解这 一点。 这样在计算上BPM更易千处理并且更为有效。 而且，波的所有部分（包括导波
和辐射谱）都被同时处理。 因此无需进行模式分解或者忽略频谱的辐射部分。 不过，由于它
源千近轴波动方程，因此它不处理背向反射和广角传播。
BPM的最初过程涉及到算子法和FFT。 但是近来的研究表明采用有限差分法可以获
得更为有效且功能更强的算法。 由于其显著优点，这里只描述有限差分BPM(FD-BPM)。
利用隐性法或显性法都可以产生FD-BPM算法。 在本文的 基本处理中将只给出基千
Crank-Nicolson算法的隐性算法。 读者可以参考讨论显性FD-BPM的文献。
• 266 •
 8.5.2 隐性的有限差分光束传播法

隐性有限差分 光束传播法的基本思想是利用第7.3.8小节描述的有限差分法来近似近
轴波动方程式(8.53)。这需要在横向空间(x,y) 内选择 一 个计算窗口，并在z向上选择 一
个栅格。该计算窗口必须足够大从而包含所有想要的沿着传播路径的场分布。不过，由于
总是存在 辐射场，因此将计算窗口边界处的场值设为零会造成一些难点。这是因为这种边
界条件有效地创造了 一 个反射边界，辐射场将反射回来 并造成假的场分布。消除 这一难点
的 一 个办法就是采用吸收边界。通过在计算窗口周围引入 一 个人为的复折射率分布来产生
一个有损耗的边界 可以实现这一点。这样辐射场在到达窗口边缘之前 就被吸收了。 实际
上，一 般在边界周围设定不到10个具有复折射率的网格点就足够了。而且，折射率的虚部
逐渐变小以避免反射。请记住要保证该吸收器位千有用的场形状之外。另 一 种方法就是利
“ ”
用 透明边界条件 来 避免吸收器。
根据适当选择计算窗口和z 栅格，x= p凶 x,y= q凶y且z = l凶之。选择Crank-Nicolson
算法的原因在千该算法是无条件稳定的且具有么正性。需要注意，如果直接执行FD-BPM
会导致算法不稳定，其功率可能不守恒，从而允许轻微的四舍五入误差并导致非物理性的结
果。采用Crank-Nicolson法，不论网格尺寸Llx、凶y或心如何，光场都不会毫无物理原因
地发散或减弱。但是当网格尺寸太大时会丢失其精度。
, )＝哟，q，并用前向差分来近似
为了 将方程式(8.53)转换为有限差分形式，令ip (x,yz
左侧的z偏微分，可得
｀ －
= （心 归
� (�) C 8.54)

方程右侧只涉及到工和y的导数，对千式(7.54)给出的二阶偏导数 利用普通的有限差分近
似来近似得出。对z= lt:.z和z = (l + 1) t:.z处的离散值取平均可将其提取出来。即
－ 2矿＋少 t
Il q 十心． q － 2忙＋少； 1．q
（ �)
气＝上立． q ;
(8.55)
厅 2 立
灼q1+1 -2贮＋归） 哟． q＋ 1 -2哟 ．q 飞．q l
臼＝ =上 ＋
+ (8.56)
fj ½ (� �)

1 ：哟"-
对千最后一项：

(（ n言）
2
(n; q )2 - f 毋-+q)
k� (n 2 -n;埽＝kt n ) (8.57)

。
为了归 一 化，将整个方 程除以kg，并 令k t:.z = t:.Z, k心X = t:,.X'k t:,.y= t:.Y。将式 。
(8.54)~(8.57)代入式(8.53)，并将具有相同q指数的项合并，可得
＿毋飞，q — — 哟片， q
－
＋ （ 恸沁'.-1 +a p， 冲古 停言➔ I)
2AX2 2AX2
少�-1, q 四－ l，q (8.58a)
2 ＋ （柲�.q-1 +c p , q 哟 ，q +柲�.q +I ) +
2AX 2AX2
其中
• 267 •
 b=
26.Y 2
2jn, － 1 _ q-(n言） ＋ （n伈）
2 2
a p.q = - ＋ ＋ 2 —n;]
AZ AX2 AY厂了[
4jn r
l p,q =
、 —
a p,q+ ——
6.Z
在计算衔口内p= l~P,q= l~Q，在每个z步处都获得PXQ个耦合方程，每个p和q值都
对应一个方程式(8. 58a)。求解这些方程最好的办法是利用矩阵。下面采用附录16介绍的
方法将这些方程简化为矩阵，其中还假设了附录16中详细讨论的零场边界条件。
首先定义一个矢量p来包含每个x位置处的y值，从而将y向结合在矩阵符号内：

然后垂直地列出某－p值对应 的所有Q方程式(8. 58a)，可将相同p指数合并成一个沿着I

叱
＝

ltl
向的矩阵差分方程：
—
B炉+ \ +A 冲尸 —
B叭店＝B叭1+Cp贮＋B叱汁1 (8. 586)
其中
1
B = ll. 2 I

-b 。 。 。
2 X
ap,I
。 。 -b

。
b
。
a p, 2
—

-b

。 。 。 a p,3 b
Ap = I
。
。 。 。 。 。 。
—
b a p,Q- l —
b
—
b a p ,Q

。 。
Cp,1 b

。
b
。
b C p, 2

。 。 。
b l p,3
、
b
C p= I
。 b C p,Q--1
b
b
c p,Q
0 0 … 0
而1是QXQ单位矩阵。如果在所分析的问题中没有 y 方向，则 v;- 心伈A p ---
a p 、Cp --- C p 、
B --- l/26:..X 2 ，方程式（8. 586)简化为沿着r向的单一微分方程。

。 。
。
现在将所有沿着工向的P方程式(8. 586)写成矩阵形式，可得
+1 。 。 。
A1 B
。 。 'l'li C1 B
。 。 VI
— I

—B A 2 -B t+ l
W2
。 。 。
B Cz B
。 W2
l

-B A 3 -B + 1

。 。 。 V3 l B c3 B
。 。 W3
I

。
。 。 。
-B A p-1
—
B
—

Ap
B "' tp+l1
"' t+ l
P
。 。
。 。 。 ．．．
B C p-1 B
-B C
p
j l "'�;
I/I l P
I

(8. 58c)
• 268 •
 ［？
可将其象征性地写为

A广＝Cv,'且旷＝ (8. 59)

l
右侧是已知的，因为C和w （场在前一传播步的取值）都：』知的。为了求解下一步的未知
场值，必须求解这套线性方程。随着光束的传播，需要在每个传输步执行这一过程。如果问
题是两维的，即只 存在一个横向维度，则A变为三对角矩阵。求解三对角方程组可以采用
一些非常有效的算法。因此如果可能的话，最好采用有效折射率从而近似将三维问题转化
为二维问题。在全三维的情况下，通常最好采用迭代法，而不是在每步都将矩阵A进行
反转。

8.5.3 利用光束传播法计算z不变波导的传播常数

利用式 (8. 59) 表述的算法可以计算 z 不变波导中各处的场分布心（ x,y,z)。在传播光

束的计算过程中，需要计算如下相关函数

P(z) = II吩 (x,y,O)cp(x,y, 之 )dx dy (8. 60)

此外，可以用之不变波导的正交本征函数的叠加来表示cjJ (x,y 心），即

叭 x,y，心＝�E卫 (x,y)exp(- i/3尸） C 8. 61)

其中 Un (x,y)和阰是通过近轴波动方程式 (8. 53) 获得的第 n 个模式的本征函数和传播常

数。该展开式假设不存在简并，这对于介质波导而言是很好的近似。如果将式(8. 61)代入
式 (8.60) ，可得
P(z) =区I En I 2 exp(— j/3pn Z) C 8. 62)

式 (8. 62) 的傅里叶变换为

P(f3)=�IE. 飞([3 — {3pn ) (8.63)

这样，通过数值计算相关函数 P(z) ，对其进行傅里叶变换，并找出其在傅里叶域内的峰值，

就可以获得其传播常数肛。理论上讲，只有当光束无限地传播下去或者已知任何 z 处的电
场值时，才能精确地确定肚的值，因为只有当 z 扩展到无穷远时，式 (8. 62) 的傅里叶变换才
能产生式 (8.63) 。然而实际上，只能将光束传播到一定远的距离，因此在一定的 z 范围或 z
窗口内的场值都是巳知的。在数学术语中，这等价于将式 (8. 60) 乘以街口函数 w(z) ，该函
数代表传播的有限长度。这样相关函数Pw(z)的傅里叶变换为
尺 (f3) = � I E. 尸L(/3 — (3pn ) (8. 64)

其中将传播距离D的线形函数定义为
l D
飞飞）＝局 exp口(/3飞）z]w(z)dz (8. 65)
。
得知该线形函数后，可以利用曲线拟合从频谱 P心 依）中精确地确定传播常数。正如文
献所示，在计算 Hanning 窗口函数的过程中，通常利用 w( 乏)＝ l-cos[(2rcz)/D] 。近轴波
• 269 •
动方程式(8. 53)的本征函数与最初的标最 Helmholt方程的本征函数相同。不过，
z 需要利
用下述关系通过近轴方程的传播常数伈来获得Hemhol
l tz方程的传播常数/3h
。 。
/3 h= k n,(l +2/3 p /k n,)112 (8. 66)

8.5.4 利用光束传播法计算本征模形状

如果将式(8.6 1)的两侧乘以D-1w(z) exp (jf3z)

并从O~D积分，可得

）
6
8．
7
卢心＝卢厂 tf;(x, y, z) exp(j/3z)w(z)dz

）
6
8．
8
（
—
=�肛Un (x,y)L(/3 肚）

这样，对于沪喟p '，可将<P (x,y ，心）表示为

心亿y,f3p;) = E;U;(.r,y)L(O)＋区E n 亿(.:i·,y)L（肚— {3pn ) (8. 69)
ncfc,

式(8. 69) 表明，假 如大部分激射功率都属千有用的第 1 模式，通过利用f3＝伈，计算式C 8. 6 7)

的积分，就可以确定本征模分布形状U,（ .T ，y)。实际上，在大多数介质波导情况下都可以实
现这种激励。

习 题

8. 1 s /lnP B
请设计一个可调谐的两节段 1. 55 µmInGaAP D R激光器， 增益区的一端是 解
理面，另一端为无源光栅，令该激光器在调谐光栅折射率时，其 输出频率为等间隔的
100GHz 。假设其含有4个最子阱 的增益区具有图4.25所示的特征，其四元化合物
势垒的带隙波长为1. 25 µm。 该有源区位于0. 25 µm厚的 1.25 µm带隙材料 的波导
之上，所有的覆盖层都 是lnP（必须确定限制因子、有效折射率等）。 光栅区是通过去
除扯子阱并蚀刻出一 阶近似的三角形锯齿光栅形成的，其峰－峰值深度为30 m
n 并
， 位
千剩余的0. 25 µm 四元化合物波导之上。 在此之上再覆盖InP。希望能够将该激光
器输出调谐跨过8个轴向模式（间隔为 100GHz)。
假设BH波导的宽度为1. 5 µm沿
，
着整个器件长度的内部损耗为10 cm -1， 内部载流子注入效率为70%，并且在没有损
耗时光栅的长度给出的功率反射率为50%。
( )
a 确定光棚区和增益区的长度。
(b) 绘出解理面的输出功率与增益区的注人电流之间的关系 曲线。
(c)假设在 1.25 µm带隙的Q材料中同时具有辐射和俄歇复合，绘出输出频率偏移量

与光栅区的注入电流之间的关系 。
8.2 请设计一个集成有放大器作为调制器的1.55 µm DFB激光器。DFB激光器遵循四分
之一 波相移设计，每半个 光栅周期具有吐＝0. 7。 其总长度为 400 µm。 有源区由4
个量子阱 位于分别限制 波导中构成，其 增益曲线如图4. 25所示，横向限制因子为
6%。 该有源区贯穿整个器件，在激光器节段和放大器节段之间没有显著的间隙。
假
设 输出刻面锁有理想的AR锁膜， 内部效率为70%，整个器件的内部损耗为15 cm-1 o

激光器输出3mW的CW光进入放大器节段。希望放人器－调制器的工作速率越快越
• 270 •
 “
好，消光比为 10 dB,“ 开 态的输出功率为 lOmW。
(a) 请确定放大器的长度和宽度（与激光器同宽：对于单一侧向模式操作不能超过5 µm) 。
“ “
(b) 确定 激光器的总电流和放大器的 开／关 态电流。

(c) 最大的调制数据速率是多少？
(d) 当 激光器和调制器的偏置不 同时，是否可以改善调制速率？
8.3 请设计 一 个具有四分之一波相移的1. 5 5 µm DFB，使其在输出功率为 10mW 时具有
最大的总功率效率（输出功率／输入功率）（假设串联电阻与有源面积呈反比，当面积为
100 但正时电阻等于 10 n。 令结电压近似等于准费米能级间隔）。 在 300 K时，假设
增益如图 4.25 所示，横向限制因子为 6%，内部效率为 70%，内部损耗为 15 cm-1,K =
50 cm 1 。 然而，温度每升高 1 ·c ，根据经验，增益曲线和内部效率降低 1 %。 假设 热阻
抗由式(2.65) 算出，其中假设衬底厚度为 h =
lOO µm，有效热传导 率为 �=W/(cm • °C) 。
假设侧向覆盖层为 lnP。
(a) 最佳长度和宽度是多少？

(b)绘制得出的L-1曲线。
8.4 请设计一个如图 8.24(b)所示的1. 55 µm GACC 激光器，其调谐增强因子为 F = l5，输出功
率为 5mW 时具有最大的MSR。 假设其 增益特性如图 4.25 所示，横向增益区的限制因子
为 6%，内部效率为 70%, n,p =1. 2, ng1 = 4，顶部 波 导 的 有 源和无源节段的 内部损耗为
]
15 cm ，底部波导的内部损耗为 5 cm-1 ，波导到波导的耦合率的设计值为 100%，有源区长
度为 300 µm。 有源区的工作电流密度最高为8 kA/cm2 0

(a) 耦合器内的 波纹周期是多少？

(b) 为了实现 100 ％的耦合率所需的 d 值是多少？

(c) 为了实现最大MSR 所需的最佳耦合器 区域长度是多少？
(d) 有源区在左侧刻面处的 宽度为 3 µm，调节耦合器使得 一 个 模式与其滤波器峰值

对准，请绘出此时的L-1特性曲线。
8. 5 请分 析 一 个结构如下的平板波导。 其自由空间波长为1. 3 µm。
选择计算窗口如图8. 26 所 示，即在芯子之上有 1 µm 位千空气中，在芯子之下 有
0. 5 µm位千衬底中。 在计算窗口的边界两侧引入厚度为 0. 5 µm 的吸收区。 在吸收
区中，需要在实际的折射率分布中引入负的虚部。 例如，可以选择空气中和衬底中的
吸收器的折射率分别为 1-jO.08 和 3. 1 —jO. 08。 现在建立一个栅格令 �x = 1/6 µm。

—
[
如图所示这产生 18 个棚格点。 在 z = O 点入射一束高斯光束，其分布形状为
2
卢， o ） ＝
exp (:;)y ） ]
其中x的单位为微米。
该高斯分布的中心位于芯子中较低的栅格点处，也就是更靠近衬底界面的栅格点。 利
= 3.
用FD-BPM将该高斯束沿着平板传输 100 µm。 可以选择 n, 1, �z = 5 µm。 在
100 µm的尽头，请将得到的场分布 与用解析法得到的相同网格中的离散解相比较。
• 271 •
 在此例中，由于几何形状沿着z向不变，因此可以看出最好计算A的逆矩阵一次。 增
加网格的点数和传播距离可以改善精度，但是这将增加计算工作最。
///////////////
perfect conductor ;,

l
3 gnd pomts 0 5 µm n =l

．
3 gnd points 0 5 µm n =3 4

土·．
6 gnd points A I µm n =3 I
T:

图8. 26

• 272 •
 附录1 固态物理基础回顾

Al.1 量子力学入门

Al. 1. 1 引言

在拭子力学中，用波函数（ 或态函数）V来定义粒子的特性和运动；其幅度的平方给出
了在单位体积 dV 内在某一 时间点处找到一个粒子的概率密度。或者，换句话说，粒子在空

间某一 点的密度正比千中＊亚请注意对于 正确归一化的态函数，f1Jt'*'IJl'dV = 1 ，因为在

任意某处发现该粒子的总概率为 1 。在这里对两种 粒子感兴趣：电子和光子。对于 光子的

描述大致等 效于标 准 的电 磁 理 论 ， 这时的 波 函 数 类 似 千归一化的电场。光子场则用
Maxwell 方程来描述。本附录将更为着重讨论电子的特性。
在量子力学中，测最的精度受到测不准原理的限制，凶、凶九泛行／ 2，其中 Px 是 .T 方向上的
动鼠（电磁理论中的等效陈述为心A丸多 1/2) 。对该波函数执行与可观察最 a 相对应的算子
A，可算出某种观察的期望值（或均方值）。获得均方值的运算类似千标准的加权平均：

<a〉 = f If/* AlfldV C Al. 1)

其中 a 是算子A的 一 种 可能的观察值。在许多情况下，算子直接是可观察变歉的倍数，而
在其他情况下则较为复杂，例如动量p，其算子为 － j 行立
粒子的运动符合 Schrodinger 方程：

—
一行
2m
2
-v7 2
lfl+Vlfl = j 杆眢 (Al.2)

其中 m 是粒子（例如电子）的质卧， V 是势能算子（与可观察植相同），而( — 行2 /2m)V 2 是动

能算子（ 等千扩／2m) 。合起来，这两者构成了总能量算子，被称为汉密尔敦函数 (Hamil to­
nian) 。可以将态函数表述为空间相关和时间相关的因子的乘积， 'IJI'(r, t) ＝少(r)w(t) 。如果
将其代入式 (Al. 2) 并除以如），可得左侧的函数只与r有关，右侧的函数只与t有关。这样，
为了使该式对所有的r和t都成立，两侧都必须等于一个常数 E，即
飞归＋V＝违严＝E (A1. 3)
2m 少 w 扣
由此可以立刻得出
W(t) =ce-j(E／行）t (Al. 4)
由该式可确 定E=liw，其中 Q 是振荡的角频率。对于与时间无关的部分，则
-Ii2
2m V飞＋ w＝均 (Al. 5)

• 273 •
可以将均匀势能悄况下的常规解写为两个反向传播的平面波之和：
少(r) = Aeikz Be 勹
妇 + CAL 6)
将其代回式(Al.5) 可得

k2 -—2m —
行2 (E V) (Al. 7)

Al. 1. 2 置子阱与束缚电子

在大多数状况下电子都被某种势能所限制着。 最基本的示例就是原子，这时的电子被
＝—
带正电的原子核的限制势能束缚着。 以简单的氢原子为例，V(r) q勹(47C€o r) ，由此可以
获得与时间无关的 Schrodinger 方程式(Al.5) 的解析解。 但是，对千原子数更高、电子更多
的原子，只可能获得数值解。 不过，电子总是处千某种限制势能下。
当这些原子形成固态时，原子外围的电子受到的束缚较小，因此受到相邻原子的引力势
能的严重影响。 事实上，在共价键固体中，外层的共价电子由许多原子共享，由其形成的波
函数延伸到整个晶体。 这时，原来的原子限制势能的细节就不复存在了。 这样，无法再对该
问题进行详述。 相反，将调查位于简单的矩形势阱中的电子的特性，从而来形成对于原子通
用的受限波函数和分立能级的概念。
下文将表明，通过将 一 系列这样的势阱耦合起来，可以构成一种周期性势能，其造成的
电子特性与真实品体中的电子特性非常相似。 通过这一过程可以更多地了解固体中电子的
特性。 正如我们所知， 一个关键结果是，固体中电子的行为可以非常接近于具有平面波解并
具有式(Al. 7)所示的抛物线形 E k
- 关系的自由电子。 不过，它们具有一个有效质最 m* ，该
质措不同千自由电子质量。 并且，该有效质植的近似通常受到较低的动能的限制。 最后，将
考虑量子受限的结构，该结构采用异质结来构成比单一原子宽得多的势阱。 不过，其数学计
算非常相似，并且可以采用本节获得的大多数结果。
首先，考虑如图 Al. 1 所示的宽度为 l 的 一 维势阱。 最简单的求解方法就是承认存在 3
个分立的势能均匀的区域，每个区域的 Schrodinger 方程的解都具有式 (Al. 6)的形式。 这
样，如果假设所有区域内的有效电子质量都相同，通过要求这3个区域中的每个区域的成分
解的值和斜率都在边界处相互匹配，可以形成一个完整的波函数。 这样，概率密度函数中就
不会出现任何断点。 对千 E<V。时的束缚解，可以将每个区域内的常规解式(Al. 5) 写成
如下形式。 在中心区域II内：
A cos kx （对称解）
归＝ { (Al. 8)
A sin kx （反对称解）
其中 k2 = ZmE／斤。 在区域III内：
归＝ Be 了 (Al. 9)
2
其中y =2m(V。-E) ／斤。 在区域 I 内，如 ＝ Be
" ，但是根据对称性，只需利用在 x= l/2 处
区域11和ill之间的单边界条件。 在 x= l/2 处，有如＝少m和创Il ＝
妇。 对于对称解，可得

A cos( 了)＝ Be飞／ 2

KL
(Al. lOa)

和
kl ）＝ By
Ax sin 巨 e r112 (Al. 10b)

• 274 •
将式 (Al. 106) 除以式 (Al. lOa) ，可得特征方程为

k tan （孕） ＝Y (Al. 11)

与之相似，对于反对称解，可得

k tan （孕— f)=r (Al. 12)

其中利用了.r =— tan (x— 亢／2）来表述对称和反对称特征方程之间的相似性。

E
`

V
。
- /12 1/2 X

I 11 I III

图Al. 1 电子限制的 一 维势阱

通过K和 y 项，电子能植E同时出现在特征方程的两侧，这表明只有E的分立值才能
满足波函数及其导数在边界处连续的这一需要。由于正切函数是周期性的，因此可以获得
E 的多个解，从而存在一 套满足边界条件的分立的波函数。
图 Al. 2 给出了前几个波函数的示意图，作为参照，将这些波函数画在其各自位于势阱
的各个能级上，很显然这些解是束缚解。当 E> 忆时也存在解但不是束缚解，其波函数一
直延伸至土～。所有这些解的一个有趣的特性是它们必须是正交的。即，如果将一个波函
数与另一个波函数的复共扼相乘并在整个空间内积分，积分值必须为零。如果波函数是归
一化的，则一个波函数与 其自身的复共辄的乘积的积分为整数1，这样的波函数是标准正
交的。
E
Vo
、

寸／2 112 X

图Al. 2 一维势阱的能级和波函数，图中绘出了3个束缚解

• 275 •
 为了确定束缚解，需要求解上述的特征方程。当V。无穷大时，波函数在边界处为零，
即,p(l/2) = O，对称和反对称情况下的特征方程都简化为
kl n亢
n = l,2,3,··· (Al. 13)
2 2'
其中奇（偶）扯子数对应千对称（反对称）态。相应的分立能级与量子数的关系为
E"=n2 E了 (Al.14)
其中
行2 kf 行飞 2 。
E了－ ��=3.76(m /m)ClOO A/l) 2
2m 2ml2
。 mcV

当V。从无穷大减小时，仍可以用式(Al.14)找出各分立能级，但是这时的植子数不再是简
= 25
单的整数，而是实数，用 nQW表示。例如， 当 V。 E了时，无限势垒下 的整数扯 子 数
n= l, 2 , 3 , 4 , 5变为nq w= 0.886, 1.77, 2.65, 3.51, 4.33。
为了计算任意V。时的nQW ，需要求解式（Al. 11)和式(Al. l2)给出的特征方程。利用
式(Al.14)，并结合式(Al.8)和式(Al. 9)随后给出的K和y的定义，可以 方便地将特征方
程归一化为

tan （沪 W) =�
Q
n W
(n�,x-n如） /
Q
1 2
（对称） (Al. 15)

tan （责（nQW
—
1))=�(n盂ax -n如）1 /2 （反对称） CAL 16)
nQW
其中

nQw==J` ：和 nmax == f{F (Al.17)

将左侧(LHS)和右侧(RHS)作为nQw的函数画图，可以通过图解方式求解这些方程。图
Al.3阐述了4种不同的忆值下的这一求解过程。
RHS LHS

叭，a,=30
10
3
1
n＝3 nT

。 2 3 4 5 6
nQW
注：方程的左侧和右侧之间的交点生成了给定nma\ （或等效的V,))下nQW的
可能值。每条切线旁显示的奇（偶）量子数对应千对称（反对称）特
征方程的左侧。

图Al. 3 式(Al. 15)和式(Al. 16)的图解

• 276 •
 一
请注意，对千给定的势垒Vo ，只存在一套数目有限的最子数。 将归 化变最nmax四舍
例如，当V。= 3E了时，根据
五入为最近的整数，可得给定V。下可能的束缚态的最大数目。

式 (A1.17) ，可得nmax ＝点＝1. 73 。 这样在此条件下只存在两个束缚态。 通过绘出可能的

n QW 作为nmax 的连续函数可以更清晰地阐述这一 点。 图Al. 4给出了llmax �6下所有的可能
解（这些解涵盖了所有有用的实际情况）。 请注意，当nmax 增加至无穷时，所有的量子数都接
近于其整数极限。 此外，当给定的扯子数接近千下一个最低态的整数值时，扯子数不再满足
上述方程（用空心圆环表示）。 利用下式可以以士 1 ％的精度近似得出最低的戳子数为

nQw""=' — -tan I
[nmax (1 +o. 6::,1}) J (Al. 18)
＇
六
6
5

_＿___
4
夕f

3
u

＿ ＿——丁
..... !..... .......) ..」．．．
2

．．
....
\
--\— －

: !
················--+-一·······················…一·············七······-·····-•·······�···-·-···-···•····'
-－ i !
。。 • i , i
2

3
n,na\

0.8
能态
( l _ u )I

0.6
弓U

0.4

0.2

。。
4

6
勹～

3
nma、

注：量子数与片和E的关系如式(Al\7)所示。 下图给出了上图各曲线的放大特写
（为了显示在一起， 各曲线在垂直方向有所位移）。

图Al. 4 蜇子数作为允许的最大量子数的函数曲线，该最大扯子数由势垒高度讥确定

• 277 •
 Al. 2 固态物理基础

Al. 2. 1 晶体中的电子和能带

由于晶格离子处的势阱是等间隔的，因此晶体中的电子历经周期性势能。图 Al. 5 为
这种晶格的 一 维示意图。正如第 1 章所述，当NA个电子以这种方式相互耦合时，组成原子
的每个原子能级分裂成一组由NA个分立能级构成的能带。不过这种分裂只对那些两个原
子相互作用的最高能级才极为重要。
求解这 一 间题的方法有几种。 Kronig-Penney 模型用一个方波势能来近似图 Al. 5 中
的实际周期势能，然后以上述的简单矩形势阱解作为起点。不过，其结果是 一个复杂的超越
方程，必须通过数值求解。第二种方法是费曼等人的耦合模方法，可以提供更好的闭式解析
解。为了达到精度，该方法需要计算一些相当复杂的复函数，但是采用其常规形式仍可以较
好地了解这些解的本质。
E

孤立原子的势阱

..:····---...____ 1 . -······ ...•··

. .

J
l. a 尺
．|
净限制势能 晶格离子

注：图中绘出了标称束缚电子态位）和自由电子态（叭）的波函数。

图Al. 5 沿着一维品格的净势能变化的示意图

第 一
步是回到 Schrodinger 方程，并考虑微扰系统例如将原子置于晶体内的可能常规
解。正如在矩形势阱下所得的，孤立原子有一套标准正交的波函数解。当对初始势能施加
微扰时，将存在 一 套新的标准正交波函数。但是现在也许无法求解 Schrodinger 方程。通
常可以用初始的标准正交函数组的叠加来表示新的解。下文在讨论光学解时将采用这种
“正规模展开 。
”

在这种情况下令
cp = �w i (t)少i (r) (Al. 19)

将其代入式 (Al.2) ，乘以西并积分。可得

芷 (t)f<pk* H卢idV= j 行笘勹伈飞 dV (Al. 20)

其中的汉密尔敦函数为 H = ［( — 斤／ 2m) v +v]，其中的 V 包含了微扰。由千初始的基函

2

• 278 •
数是标准正交的，因此除了）＝k以外，其他最终的积分都为零。。利用速记符号，则

几＝ f釭K.H劝jdV (A1. 21)

最终得
dwk
J行 Hk W
dt � j J
(Al. 22)

这就是所需的与空间变扯无关的耦合模方程。它表明概率密度作为时间的函数将在各个初
始态之间来回转换来构成新的能态。请注意在式 (Al. 21) 中当 k = j 时，用该方程可以确定
初始波函数的能猷期望值（上文计算的本征值E)。这样，Hk}矩阵中的对角项是各个无微扰
能态的能量本征值。那些非对角项表示各个能态之间的耦合强度。它们确定了某一 初始能
态历经的能扯分裂的幅度。还需意识到的是，在大多数情况下，都无需了解波函数的实际形
式甚至矩阵元素幅度的 H幻 。通常可以利用实验测量来确定它们的实际值。
第一个示例是将 两个相同的原子耦合在一起。对千足够弱的耦合，在求和项中只利用
每个原子对该能态的基函数，就可以近似得出耦合对某一特殊能态的影响（很显然，对于难
以察觉的弱小耦合，可得出精确解）。然后，将式 (Al. 22) 展开为两个耦合模方程：

沛詈＝H11w1+H12Wz

顶节＝H21w1+H正 (Al. 23)

令被讨论的态能戳为H11 =H22 =Eo，耦合能量为H12 = H21 =llE，然后假设解为Wj (t) =

Ci exp( — jEt／行），并将其代入式 (Al. 23) ，可得特征方程，该方程必须满足
E=E。士llE (Al. 24)
这样，孤立原子在E。处的初始能级分裂为两个位千其两侧的等间隔的能级，该间距为非对
角矩阵元素的幅度凶E。对NA个原子进行同一处理则导致在初始能级附近间隔对称地存
在NA个能级。
现在来分析当晶体中的许多个原子耦合在一起 时是如何形成能带的。首先来考虑简单
的一维晶体。图 Al. 6 所示为一排原子，间距为a，其状态与图 Al. 5 的类似。

(x,-a) (x,+a) 晶格离子

图 Al. 6 一维耦合原子的晶格，利用耦合模方法来推导出能带

0 实际上，在许多有用的重要情况下，中k 和电可能包含侧向移置的原子的基函数，用来更好地近似微扰解 。 这样
对于求和中的某些项，积分倌比1要小得多 。

• 279 •
 第一个近似是忽略除了最邻近原子以外所有其他原子的微扰。 然后来考虑 一个普通原
子（第k个原子），用 它来代表这个长链中的每个原子。 根据式 (Al. 22) ，令 H 11= H kk= E 口
且 H 12= Hk k 士 1 = t:,,E，则
dw k
j杆— =心Ew, 1 I E 1 w k I t:,,EwH1 (Al.25)
dt
再次令 w1 (t) = C1 exp(-jEt ／行）， 并代入式 (Al. 25) ，可得特征表达式为
EC k= E 1 C k +t:,,E[C,-1-C H 1 ] (Al. 26)
但是由于下标k对应千常规的晶格位置 x k， 其相邻原子位千 x k 士 a 处，因此令 CK ⇒ C(x,) 和
c k士 1 ⇒ C(x, 士a)，可将式 (Al. 26) 重写。 这样 就获得了一个用空间变植 x 表示的微分方程。
最后代入如下假定解：
飞） ＋eJK( 工k
Ee 戊气＝ E 1 ei曰＋AE[eJK(IK ➔ a)
J
或
E=E 1 +2AEcos ka (Al. 27)
式 (Al. 27) 表明，在 这种无穷大的 一
维晶体中，可允许在 E =
E] 士 2AE 之间存在连续的能级
值。 这与固态和半导体T困程师通常所称的能带类似（本附录随后一节将提醒我们，对千有限
的晶体，在任何实际情况下各分寸能级的间隔都非常接近）。
当原子被束缚在 一 起构成晶体时，所有更高位置的能级也存在相同的能带进化。 这样，
由千最邻近的耦合能最 AE' ，下一个位于 能蜇丘处的位置更高的能级 （译者注：原文为能
1
带）也分裂为一 个能带。 因此，它提供新的能带并且 E = E2+2 凶E'cos ka，在直接带隙半导
体中， AE'的符号是反的。 并且对千位置越高的能级，波函数的重叠就越大 。 这样根据式
(Al. 21) ，耦合能量就越大，且能带就越宽。 图 Al. 7 显示了两个这样的能带。 如图所示，曲
线的一个周期就是所谓的布里渊区。 由于该曲线对于 更大的K值将自我重复，通常只需考
虑第一 个布里渊区。
E

。
271

27l k,
_

＂
71 71
a

a 11

尸 布里渊区 �
注：图中显示了两个初始分立能态所产生的两个能带。

图Al. 7 一维耦合原子链所产生的能带

在半导体中当T = OK时，价带中所有能带的所有能态都被填满，而在下一个位置更高
的能带（被称为导带） 中所有的能态都 是空的。 可以想象，图 Al. 7 表示直接带隙（例如

• 280 •
GaAs 或 lnP) 的导带和价带。 在这种半导体中影响电子的势能要比上述简单示例（只考虑
最近邻的相互作用）所描述的略为复杂。 因此， E-k 曲线不是理想的正弦波。 并且， 在这些
材料中，价带实际上分为两个能带，分别叫做轻空穴带和重空穴带。 这源千所涉及的波函数
的不对称性，以及在计算式 (Al. 21) 时不同相对方向产生的重叠差异。
对于晶格常数为 a 、 b 和 c 的实际三维晶体，利用式 (Al. 22) 的三维形式，并采用耦合系
数凶：工 心Ey 和凶E, 以及如下的三维包络波函数，则
w(X, y, Z, t) = e -,Et ／行矿炉飞y+k,z) (Al. 28)
可以运行相同的过程并获得
E = E1 +2�Ex cos k xa +2�Ey COS k yb+2�E,cosk zc (Al. 29)
实际情况要比式 (A1. 29) 得出的一阶计算更为复杂。 图 Al. 8 给出了 GaAs 和 InP 沿着
(100〉和 (111 〉方向的实际能带结构。

1
I 齐＼ 6

2
• l w,=1'fL.ev
W/eV
O �.. 一、 j
3

V
-2 I- I I
I
1L \＼、、／

�,b=o:3.3 eV
-4 I- I I ＼ I叭eV
-3

尸 ＼
-6

-6
-8

-10

� 12

L A 「 A X L A 「 A X
f-- <Ill> --1 董 <100>--1 I- <Ill> -t- <100> -1

注：导带以及重空穴、 轻空穴和分裂价带分别由 c、 hh 、 lh 和sb标识。

图Al. 8 GaAs 和 InP的能带结构

Al. 2. 2 有效质置

在价带的顶部和导带的底部附近，有时可以用抛物线来近似 E-k 极值点的形状。 在这些

情况下，有效质量的概念是很有用的，并且能态密度有可能具有简单的表达式。 不过，人们已

• 281 •
经将有效质拭的概念扩展到了非抛物线能带中的有限区域（当抛物线近似仍然有效时）。
为了确定有效质屈的表达式并证实抛物线能带是有用的，用一种半经典方法来计算电
子在应用电场作用力下在固体中的加速情况。 用经典方式可将粒子上的作用力qE表示为
＝
其动最 p的时间变化速率。 在量子力学中p 行K。 这样作用力就是
dk
F=qE＝行— (Al. 30)
dt
用其群速度来定义粒子的速度 v.=d 叫 dk = （ l ／行） dE/dk，该式显示了速度与 E-k 特性的斜
率之间的正比关系。 由千加速度a 是速度的时间微分，可写为
dvg dvg dk 1 d 2 Edk
a ＝ 面－＝ 正面＝ 杆 (A1. 31)
dk2 面
将式(Al.30)除以式(Al. 31)，定义有效质最为 m* =F/a，可得
m = 2 2 (Al. 32)
d E/dk
由此，正如对均匀势能所观察到的（例如式(A1.7)），对于抛物线形能带，电子就像自由粒子
长 长
一样移动，但是具有有效质量 m ，该质鼠与能带的曲率有关。 对千非抛物线形能带，m 不
- 关系的本地斜率和曲率来获得能最为 E 的粒子的速度和加速度。
是常数，必须用 E k

Al. 2. 3 利用自由电子（有效质詈）理论分析态密度

在上文刚刚了解到如果位千抛物线形 E k
- 曲线中的某一点处 ，电子在晶体中的行为更
像是自由电子在均匀势能区域中的运动。 这 一 结果值得注意，因为我们知道品体中的势能
是非常不均匀的。 然而，这一发现允许我们来分析非常复杂的问题。 例如，如果考虑有限尺
寸为d 工 、d y 和d,的晶体，只要di »a，就可以或多或少忽略以晶格常数a为最级的周期性晶
格势能（图Al. 9)。 但是，必须根据 E k
- 图的曲率来确定不同的有效质量。
E

图Al. 9 厚度为d的晶体（或扯子阱）的势能图，虚线阱是实际势能的近似

通过分析能带极值附近 (E-k 曲线趋于抛物线形的部分）的电子能量，可以再次采用第

Al. 1. 2小节归纳的电子在具有均匀势能区域的简单势阱内的物理本质。 也就是说，可以找
出有限晶体块内或者具有第1章所述的双异质结所产生的势阱的晶体块内的能态。 最简单
的情况是势垒很大从而可以假设束缚波函数在边界处为零。 这样由式(Al. 13)和式(Al. 14)
• 282 •
可得
红 2汇
E＝ m•
2 m*
(k; +k!＋忙）
＝ (Al. 33)

为了完整性，其中已经包含了所有 3 个维度，并假设有效质量各方向上都是相同的。采用大
势垒下的边界条件kid i = n;rc，可得
2
E＝ 巨［位）勹位） 位）勹 +
(Al. 34)

由式(Al. 34)得知，每套扯子数(n_,. ,ny ,n,)都对应一个能态。为了确定能态之间的能星间距的

大小，可以计算系数行 1r /2m
z 2
。 =
376 meV • nm2 ，其中采用了 自由电子质扯而不是有效质量。
在GaAs中，电子质拭m* =
O. 067皿，因此对千导带中的系数应当用15X376 = 5 640 meV • nm2 o
由此可以看出，能态之间的能扯间隔非常小。例如，对于di =
l µm 的立方体，前两个能态
之间的能饿差值为E(211) —
£(111)=17 X 10-3meV。由千室温下 kT=26 meV ，该能扯差
小千kT 的千分之一。另一方面，对千尺寸为di =lO nm的立方体，该能报差约为 170 meV，或
者大 千室温下的 6kT。
根据上文可得出结论，当 尺寸d] 多1 µm时，掀子 效 应 在 室温下不是很显著，可以将E-k
图作为连续能态来描述。将其称为体材料区。换句话说，当 d] <lOO nm时， 必须考虑式
(Al. 34)表述的能级分立，将其称为蜇子受限区。
即使在所谓的体材料区内能态的间隔可以非常近，仍需要能够数出其数目，从而来确定
对千给定的载流子密度必须被填充满的载流子密度和能植。对千更小的结构，则需要采用
更为有效的方法来确定能态的数目。通常 采用的方式是定义态密度p，当将其在 一 定范围
内积分可得出该范围内的能态数。在各种不同的坐标系中，态密度可以用各种变机（例如
E、p或k)来表示。如果凡是直到某点处的能态数，通常可写为

N,(u) = vf><u)du (Al. 35)

其中 u 是所需的变社， 而V是体积。一旦采用该定义 ，可写出

p(u)du = frdN,(u) (Al. 36)

V
应当了解到，不论区域的大小如何，都可以定义并采用p(u)du。对于较小的结构，它含有断
点甚至脉冲函数，但它仍是个很 有用的函数。
为了确定各种有用情况下的p(u)du，可以执行如下标准过程：（l）计算能态或n维空间
内的体积来确定能态数N,(n);(2)做变扯代换 n = f(u)来得出 N,(n);(3)利用式(Al.36)
得出所需的p(u)du。下文给出几个有用的替换示例以供参考。
第 一 个示例采用体材料尺寸，球坐标系，并以能量为变扯。球坐标意味着要分析的是一
个球形能态空间。式(Al. 34)是用直角坐标表述的，但是正如随后所述，每套扯子数，或者 n
维空间内的每个体积元， 都 代 表 一 个可以被电子占据的能态。图 Al. 10显示了该 n维空
间。首先计算体积N,(n)
4 1
N,(n)＝—穴矿X2X— (A1. 37)
3 8
第 一 个因子为体积的标准表达式。但是必须将其乘以 2 ， 因为由千自旋简并，每个允许的能
虽处实际存在两个能态。并且由于址子数只能为正值，因此 必须再乘以因子1/8。现在对
• 283 •
千第二步，在球坐标内采用式 (A1. 34) （与式 (Al. 14) 一 致），用 E 来求解 n，并将其代回式
(Al. 37)，可得
2m E d2 \ 3 ;2
N,(E) ＝ 气
长
(Al. 38)
3 扣2)
对于第三步，利用式(Al. 36)并采用 V = d ，可得
3

p(E)dE ＝卢［勹］ 12 E 3
112 dE (Al. 39)

式 CAL 39) 为最终解。 在计算与激光器的体材料有源区有关的载流子密度、增益和其他最

值时该结果都极为有用。
nx

图 Al. 10 球坐标下的态空间或n维空间，每个方块都对应于一个特殊能态并具有单位尺寸

第二个示例将考虑体材料尺寸、直角坐标，并将动最作为变量。 这样n维空间的体积为
N, (n)= 2n"n yn, 。 每个方向］上的动星为
杆六n1 _hn1
P1 ＝行ki= (Al. 40)
J 2dJ

｀） 3
求解 nx 、 ny 和 n z，并代入 N,(n)，可得

Ns(Px,Py •P 之） ＝ 2 九P yP z (d止d z ) (Al.41)

利用式 CAL 36)~CA1.41)可得出所需的态密度为

2 \
2

p(p工，Py,P z )= dp,.dp ydp z = 2( 下 )dp工 dp ydp 2 (Al. 42)

令 dpxdp ydp z= 41'C扩 dp/8，由上 式可得出具有一定动扯的能态的总密度 p(P) 。 由千 式

(Al. 42)定义的是驻波能态的密度 psw (Px , PY , Pz )，而该密度并不区分动最的正值和负
值，因此该式要除以因子8。 这样就将该密度限制在第一象限内。 还可以定义在任何方
向上传播的平面波能态的密度仵W(p工，Py ,P z ) 。 利用周期性边界条件，可得 k) ＝ 21'[n1 /d)
而不是 K尸飞n1 /d}，但是现在要将 n] 的正值和负值都视为独立的能态。 这样在三维下，
prw (p,,p y •P z) = psw (p工，Py ,p z )/2 ，并分布在动量空间的所有象限内。 因此对于 prw (p工 '
3

Py ,Pz )，可以令 dpx dp ydp z = 41'[扩 dp 。 在任一种情况下，都有 prw (p) = psw (p) = 81'C 扩／h '
3

并且由此可得 p(k)= (k/1'[)2 （因为 p(k)dk= p(p)dp) 。

第三个示例考虑量子阱（ 一 个方向上的尺寸很小入柱坐标，并用能最作为变鼠。 令 dx
• 284 •
为小尺寸。和前两例一样，用式(Al. 34)可得出能拭值，但是现在需要找出y-z平面上的态
密度 ，并将其对每个n.，．求和。图Al.ll(a)利用式CAL 34)绘出了矗子阱区域内的能拭E
相对千k.r一如平面的关系。这里用拭子数 (n.r，n y ,n,）来标识位置最低的能态n x =l和 2。由
千d.r很小，因此在k= O附近没有能态 。 为了清晰起见，图Al. ll(b)在二维图中正新绘出
了能员与丸（或k y )的关系。(a)图只显示了正丸和正如。

，
k．
八
L

，
．
v

(a) :维E-k曲线， 其中显示了山千d,很小所导致的k， 的分立跳跃取值 （ a) 垂直－队轴的投影

图Al. 11 Ek
- 曲线

现在为了确定该扯子阱的态密度，根据图Al.12的圆盘图来确定N,(n)。具有单位高
度的圆盘存第一象限的体积为（考虑自旋，乘以2)

沁(n .v之）＝；（n ＋咕） ； (Al.43)

用式(Al.34)中的y和z项来表示Ey之 和(n;＋式），令d1 = (d;+d;)，并假设y和z向的有

效质址相同，可得
rn • d2
N, (Ey,) = 2
EY' (Al.44)
亢行

这里再次利用式(Al.36)，并承认这需要令n".=1。这样通常可得

p(E)＝上
d.T
2 正－H(E-E ,)
亢行
,, （对QW) (Al.45)

其中通过式(Al.14) 和l = d.,. ， 可得知n.T和E的 关 系，而H ( E-E,,

, )是海维赛德
(Heaviside)单位阶梯函数。
17
｀

图Al. l2 从子阱中每个 II 』 所对应的二维能态空间

• 285 •
 图 Al. 13 比较了体材料有源区和量子阱有源区的态密度：它们分别用式 (Al. 39) 和
式 (Al. 45) 表示。可以看出，体材料曲线构成了最子阱情况下各阶梯的包络，这些阶梯对应
于掀子数为 (nx ,1,1) 时的能扯。

p(E)
泌＿
drc
h 勹
r

2m
dr7t斤

m
2
d,动

E，

E
EIll E2

．
l
注：如果势垒不是无穷大， 则量子阱能量略有降低。 根据需要， 利用有效
值d,=d;.（每个能态的取值不同）将态密度的平台降低， 从而使极值继
续与体材料特性曲线相交。

图Al. 13 具有无穷大势垒的植子阱和体材料的态密度

• 286 •
 附录2 费米能横和载流子密度与
泄漏之问的关系

A2.1 常规关系

附录1概述了能带和能带中的态密度的基本概念。这里将解释载流子是如何填充
满半导体的这些能态的 。由此 可以将载流子密度与那些必须被占满的能态联系起来。
这里缺乏的关键信息是能措E处的态占有 概 率 f (E)。当态密度 较大时，该函数等千
能员 E 处被占满的能态部分。对于固体中的粒子 ，相应的函数是 Fermi-Dirac （费米－狄
拉克）分布 ：

f(E)= e<E- EFJ/kT + 1 (A2. 1)

其中能 扯丘 被称为费米能级。该概率分布在E＝丘处为 1/2，当E在趴以下几个kT时

接近整数1，当E在丘之上几个kT时接近为零。实际上，当E在几两侧几个kT内，概率
分布以指数形式渐进地接近千上述极限值。有时将这些区域称为 Boltzmann 拖尾，因为它
们类似千经典的 Maxwell-Bo!tzmann 分布。当 T=OK 时，f(E)本质上是一个阶梯函数，在

E＝丘处从1跃变为 0。
现在可以将载流子密度N写为导带中被填充能态的密度在整个能最上的积分：

N = Ipc (£)f(£)d£ (A2. 2)

与 之相似，将空穴密度P写为价带中未 被填充能态的密度在整个能量上的积分：

P = IPV (E)［1— f(E)]dE (A2. 3)

其中pc (E)和 p,(E)分别是导带和价 带的（每单位能量单位体积）的态密 度。图 A2.

所示为非平衡条件下的体材料半导体在 T=O K 和 300 K 时，导带中的填充 能态和价
带中的 未填充能态的密度与电子能械的关系示意图。图 A2. 2 所示为拭子阱情况下的
相应曲线。
这两种情况都只显示了价带中的重 空穴带。实际上，轻空穴带也是pe (E)的一个重要
部分，有些空穴会占据这这些能态。在扯子阱中由于在有限的丸处（最低能鼠处）轻空穴带
与重空穴带之间具有一定间隔，因此轻空穴带较为次要。
当已知态密度时，式 (A2. 2) 和式 (A2. 3) 给出了 载流子密度和费米能级丘 之间的关
• 287 •
系。考虑 一 个非常简单的示例：T=OK下的屈子阱，其电子密度为N 。在这种情况下，如图
A2. 2(a) 所示，类似阶梯状的费米函数只不过将积分的下限值从第一个允许态 E111 变为 E巨

根据式 (Al. 45) 和式 (A2. 2) ，假设不靠近 n,=2，可得

m·
N= �( EF- E111) (A2. 4)
穴行2d工

这样求解压得
亢斤d
凡＝E111+ �N (QW,nx =l,T=O K) (A2. 5)

E
E

(a) T=O K (b) T=300 K p

注：在非平衡条件下， 例如当存在电流时， 电子和空穴分别采用
不同的费米函数和准费米能级局和E,、 0

图 A2. 1 非平衡条件下的体材料半导体导带和价带中的填充能态密度
E
E

(a) T=O K (b) T=300 K

图 A2 . 2 非平衡条件下的量子阱导带和价带中的填充能态密度

• 288 •
 在有限温度下，费米函数不再是简单的阶梯函数，在积分中必须采用常规形式CA2.1)。
这使得积分更为复杂，但是采用鼠子阱的态密度函数，该积分仍具有闭式解。在有限温度下
重复上述计算，可得

N= CA2. 6)
笃 (E E 吁T +
�I:＂工 ll e F 1
其中式(Al. 45)中的H(E-En,)使积分下限移位。采用替换u = exp [- (E-EF )/kT]，可
以很容易地执行该积分。这样对于图A2. 2(6)的情况：
kTm
N= � �ln[l +e(EF-En,11 ) /kTJ (A2. 7)
穴行 2 d工 nr
(QW)

当nx =l且(EF -E111 )»kT时，式(AZ. 7) 简化为式(A2. 4)。

A2. 2 体材料的近似

但是若要在有限温度下计算载流子密度，不能像图A2.l(b)那样简单地利用类休材料
的态密度函数。体材料中的载流子密度的常规形式为

上（三－ ） 3/2 [ 八尸了

N= E (A2. 8)
归 行2 IEc 1 + e(E E} )\d

其中EC 是导带边。定义v = (EF -E,)/kT和y = (E-E,)/kT，可将积分改写为更加归一

化的形式，即
=
N = NC
2 [�Jy y NC -Fl CA2. 9)
忑 r d /2(v)
_J _'"
圭
2

r"
石
（旷 KT 3/2 m长 3 /2
T 3/2
N三2纭 }
行 = 2.51Xl0 19 X
五 （ ） x 国） c m-3 CA2.10)

其中F1;2 (V)被称为1/2 阶Fermi-Dirac 积分（源千分子中的y /2项），而NC 是导带中的 有

l “

效 态密度。当v«O时（也就是说，当EF<＜且时），可以忽略分母中的1，从而将Fermi函数
“

简化为 Boltzmann指数极限，从而可以闭式计算该积分。该结果简化为
N Nce(E厂互归
：：：：：：：：： （体材料，Boltzmann极限） (A2.ll)
当v较大时，则必须采用其他的近似方法。表A2. 1和表A2. 2归纳了多年来累积的求解
Fermi-Dirac积分的各种近似方法（及其有效范围）（参见Blakemore的概述）。第1个表格给
出了N与v 的关系，而第 2个表格给出了v 与N的关系。

• 289 •
 2
表 A2.1 载流子密度 N=N飞尸F,1z(v) 的各种近似概述
冗

名称 数学表达式 相对误差(j)<1 ％的范围

Fermi-Dirac积分 F1 ;z(v)= 『o 1 +5eY- dy 飞

精确定义

v 至 (Er —
E,)/kT

y==(E —
E,)/kT

Boltzmann 近似 F 1 12<v) 卢已 v<—3.5

2
Unger 近似 一阶
F1 12<v)三乒妇＋a2z+..,J v<— 2. 7
(a, =O)
al =1 二阶
v<l. 7
心 二－
2
（ 1 —上 ） =O. 146 45 (a, =O.146 45)
迈
二阶
之＝ ln(l +eV) v<7. 6
(a, =O. 15)
Sommerfeld 近似 2
F 1 /2(v)~ — v 312
[a1 +a,v 2
+…J v>ll
3 一阶(0)

a1 =l 二阶(1.233 7) v>2.9

二阶 0.3) v>l. 7
a2 = -';;--""'l.233 7
六

8
2
归(v)勹 z3/2 [1 ＋子 2 ＋…]
2
一阶 (0) v>ll
了
修正的Sommerfeld 近似
二阶(1.233 7) v>3
之三 ln(1+e])
全球近似 F1 1,(v)气(1.3+o.3x)Fi,
误差<0.06%
（多种中的 种）一
+<D.76+0.24.r）式］ P 1/
－ 00 ＜v<OO

石
FL = —
-Z
2
请注意
2
FH =-',;--z312 z-----> ev
3
(v«O)
:r ＞
- 1
3.25) /8
p=3＋厂 0.19e-
—

2
(v

z-v
xeeetanh<O.S(v-2.7)) (v»O)
x-1
z=ln(l＋心）

心误差至 IF1 1 2—Fcs1cl/F1 12 0

表 A2.2 费米能级 v= f(N/N,) 的各种近似概述

名称 数学表达式 绝对误差 (D<0.04＠的误差

Fermi-Dirac积分反转 v =
F甚[F1 ／卢）］ 精确定义

=F1 ; ［乐NIN,] 圭 f(r)

v==(E, — E,)/kT,r==N/N,

• 290 •
 续表

名称 数学表达式 绝对误差＠＜ 0, 04@ 的误差

Boltzmann 近似 v�ln r v<-2. 1

Joyce-Dixon 近似 v=ln r+A 1 r+A 2 产十… 一阶 v<2. 1

A 1= l邓 二阶 v<4.2

A 2 ~ — 4.950 09X 10-3 三阶 v<5. 6

四阶 v<6. 8
A,= 1.48386Xl0-4

A 4 ~ — 4.425 63X 10-•

Pade近似 v=ln r+A 1r K 1= 4. 7

+[K 1 lnO+K2r) — K 1K 2 r] 误差 <o.000 4 v<9. 8

K1=4.7- 5.2惨 K 1= 4.9

k 尸 ✓2|A2I/k] 误差 <0.02 v<l8.8

A 1 ,A 2 定义如上 K 1= 5.2

误差 <0. 1 v<28
二阶 Unger 反转近似
v动n { exp ［点汇飞了— 1) ］— 1} (a2 �o. 146 45) v<2. 8
(a2= 0. 15) v<7. 4
V""' （平） /3
2 v>20
一阶Sommerfeld 反转近似

ln r fH 误差 <0.006
v""'�+
Nilsson 全球近似 l — 产 1+<o.24+1. osJH )-2 — OO<v<OO

几＝ （五
4
r) 2/3

CD 在室温下，误差＝ IV-vcalc1戏）凶店～土I meV 。

图A2. 3绘出了表A2. l中列出的各种近似所涉及的误差。 上文讨论的Boltzmann极

限对千大的负值v有效，但是当v接近于零时（即，当丘接近于带边时），则迅速地开始高估
载流子密度。 在其他极限情况下， 采用Sommerfeld展开（该展开基本上确定了绝对温度下
的载流子密度，其中加以校正项来考虑有限温度下Fermi函数的平滑度）可以确定大的正v
值时的Fermi-Dirac积分。 图(a)中绘出了Boltzmann和Sommerfeld极限的一阶项。 可以
—
观察到，两个极限都无法覆盖 2<v<5这一范围。 Unger介绍了一个函数z，在小v情况
下通过该函数可以将Fermi-Dirac积分有效地展开。 图(b)绘出了Unger展开的相对误差。
图中绘出的多条曲 线采 用 了二阶展开系数作为曲线拟合参数。 将a2 从其真实值约
0. 146 45增加到0. 15~0. 1537显示了 这样一个趋势：曲线的初始峰脊降低，而其他位置的
误差 增加。 请注意当a2 =O. 15时，在v达到7以前，Unger展开的误差都小于约1%（其实
当a2 =O. 151时， 初始峰值仍低千1%，但是我们可以四舍五入）。 这表明，丘可以深入到导
带内7kT，这时Unger近似仍可以 精确估算出载流子密度。 也可以采用Unger近似的更高
阶项，但是它们并不能显著增加或延伸该近似的精度。
对千某些应用，需要知道比Unger近似能够处理的更大的v值的费米函数。 对千这些
• 291 •
情况，可以切换到二阶 Sommerfeld 展开，但是最好能够用 一 个表达式覆盖整个 v 范围。 可
以考虑在两个极限近似之间搭桥来建立一种全局近似。 但是 Sommerfeld 展开对 v 冬0 无
效。 为了构建全局近似，可以用 (a) 中给出的两个极限形式来代替之。 图 (c) 绘出了表达式
“ “
结果。 请注意， 修正的 极限形式比 (a) 中绘出的极限形式表现更好。 表AZ. 1中给出的全
“ “
局近似填满了这些 修正的 极限形式之间的空隙。 全局近似的总表达式较为复杂，但是它
达到了预期目的－如图 (d) 所示，它在 v 的整个范围内对 Fermi-Dirac 积分的近似误差在
“ ＂
0.06 ％之内，并且在 难度区 的两侧具有很好的收敛。

100 100

10 10
令 令

,
仁｝

巨0 I 巨01
5 5
比 比

001 001

0001
-]0 5 。 1)
5 10 15 20
0001
-IO -5 。 5
V
10 15 20

(a) F,,(v)的极限形式 (c) 修正的极限形式

10' IO'

IO " 10"

：：：：:: 10-1 2 1 0'

竺
,\·一·t-． - ,寸_...｀．•
, ．r 、． f' ..、\
一，
飞
王 IO 2 . .,.,`
J
k."去 10 ，． ' ...<...4
r, C,

k. I O ｀ 一飞
t.., 10

lO lO
4 4

-5
。 。
5
lO lO
-JO -5 5 10 15 20 -I O -5 5 10 15 20
1J V

(b) 相对误差（低端限值函数） (d) 相对误差（高低端）

注： （ a）对于高 、 低 v 值， Fermi 压rac 积分在一阶极限下的曲线 。 (b) Baltzmann 近似和 一 阶与二阶 Unger 近似的相对
误差。 (c) 采用 Unger 引入的 z 函数替换的修正的一阶极限 。 (d) Boltzmann 近似、 一 阶和二阶 Unger 近似 、 修正
的一阶和二阶 Sommerfeld(MSF)近似 、 以及全局近似的相对误差(Sommerfeld 和修正的 Sommerfeld 展开的误差
略有不同）。

图 AZ. 3 各种近似方法的误差

表 A 2 .1 给出了N与 v 的关系。 但是通常情况下已知载流子密度，而需要确定费米能

级。 这就需要计算 Fermi-Dirac 的逆积分。 表 A 2 . 2 归纳了用来获得这 一 结果的各种近似。
其中，] oyce-Dixon 近似是最为人熟知的。 这是因为它在 Boltzmann 近似上简单地增加了校
正项，这对解析性地描述半导体器件非常有用 。 表格中还列出了 Unger 近似。 事实上，二
阶 Unger 近似的一个非常吸引人的特征是其可逆性！图 A2. 4 绘出了各种近似用以比较。
• 29 2 •
在(a)中，当v>10时，偶数阶Joyce-Dixon级数展开将迅速发散，而奇数项却保持得很好。
Unger展开实际上比 Joyce-Dixon展开更好地保持精确解。 然 而，图(b)显示对于小的v
值，二阶Unger展开的绝对误差比更高阶的Joyce-Dixon展开的误差更大。 为了扩展这一
范围，Nilsson通过在Boltzmann逆展开和Sommerfeld逆展开之间搭桥，构建了 一 种全局逆
“ “
近似。 图(c)显示了该全局近似的误差。 虽然其绝对误差保持较低，但是在 难度区 两侧的
收敛性并不是特别强。
图(d)中所示的Pade近似是Joyce-Dixon近似的一种变异形式，它避免了偶数阶Joyce­
Dixon级数所涉及到的高发散特性。 当v<l0时，Pade近似是至今最为精确的近似，这时
的K1被设为 4. 7。 该近似的 一 个很好的特性是其可调节性。 例如，为了扩展范围 ，可以通
过将K1最大增加到5. 2（超过该值，误差将非常大）来略微牺牲其精确度。

100 10'
IO"-··
令还

飞10'
己I 仁 ／ Nilsson
38 」

三10-,
;
I
(I,
IU匕

10
,
j

1 0-
。

,
10-
5

IO 15 20 - IO -5 0 5 IO 15 20
V V
(a) Fermi-Dirac积分以及各种阶数的Joyce-Dixon(JD)
近似和二阶Unger近似的曲线 (c) Nilsson全局近似的绝对误差
lO ' I O'

IO
" 10 °
0
l l
-
0
l l

1
,

-
-
l
-

3
－

万010-
g0_a-

0
0

2
2

－
－

11
11

av
2V
，

0
l
0
l

P
－
1`
－

-, ,
I0 . 10 -
。

10-
, 10-,
5 v

-I O -5 IO 15 20 -10 -5 5 10 15 20

(b) JD与 Unger近似的绝对误差 (d) 不同的可调节参数K 1 取值下， Pade 近似的绝对误差

图A2.4 各种积分及其误差对比

这时可以看出，通过Fermi-Dirac积分的各种近似，可以以非常高的精度来确定体材料
中载流子密度和费米能级之间的关系。 事实上，量子阱费米能级要比体材料费米能级更难
以计算，这是因为戳子阱载流子密度的表达式（式 (A2. 7) ）中的求和使我们无法将方程
反转。
,

• 293 •
 A2. 3 穿越异质势垒的载流子泄漏

在双异质结中，当能扯大于有源材料与覆盖层之间的能带差时，不能再采用图 A2. 1 和
图 A2. 2 所示的用于体材料有源层和最子阱有源层的能带图。 这样， 一 旦载流子填充到势
垒的顶部，它们将自由扩散进入覆盖区。 当温度有限时（正如这些曲线的(b)部分所示），高
能拖尾处的载流子在理想状态下将延伸到势垒以上的能扯处。 这样，实际上在有源区以外
“ “
存在着 载流子泄漏 ，并随着载流子的扩散而最终导致电流的泄漏。 随着温度的升高，高能
拖尾处的载流子部分将增加从而导致载流子泄漏电流增加。
18
图 A2. 5绘出了当电子密度为 2Xl0 cm-3 时，用 AIGaAs 覆盖的 GaAs 有源区内的载
流子分布，其净有效势垒高度为 o. 3 eV。 其横轴为电子谱密度 Pc CE) f(E)。 为了计算势垒
以上的电子密度 Nik（如图中阴影区所示），将电子谱密度从有效势垒的顶部开始积分（其中
包含所有剩余的能带弯曲效应）。 这样正如式 (A2. 2)所示，只不过积分是从肛而不是 El
处开始，从而可得
c

Nik= [ Pc (E)f(E)dE (AZ. 12)

EB,

或者对于类体材料的态密度：
/2 ~ （E — E c ) /2
1 (2m` 3
l
Ni k =
�dE (A2.13)
幻了） f:B

假设势 垒 高 度 为 E 8 = 0. 3 eV，并且如果费米能级根据式 CA2. 2) 所产生的总密 度 为

N= 2X 10 cm-3 ，如图 A2. 5所示可得室温下 N ik= 3. 4 X 10 4 cm-3
18 1
0

05
N,.=3.4XIO"cm
气

04

03
A;i
/g

02

0.1
。

E.,

10'、10" IO" IO" IO" IO" IO'" 10凶

lf(E)lcm -'- ev-•
p,(E
注：阴影区为 AIGaAs势垒在0.3 eV 以上的泄漏密度N" 。 总的有效
势垒高度(EH-E,)包含了正向偏置下的剩余能带弯曲和导带的
不连续性心、C C

图 AZ. 5 Ga心导带中当总的积分密度为 2Xl018 cm-3 时，室温下的电子能最与电子谱密度之间的关系

• 294 •
 如 图A2. 6所示，有些高能电子能够逃出有源区而扩散进入P型覆盖材料。 其实际原
因包含几个因素。 例如，有些接近覆盖势垒的电子虽然具有足够的能量来穿过势垒，但是仍
然被反射回来（正如光子从介质界面处被反射）。 对于 简单的势能台阶，该 反射系数不是很
大，当电子能抵比势垒只增加3％时就已经降到 50 ％以下。 然而，特殊设计的覆盖层可以反
射更高比例的高能电子。

＿
费米能级
电子注入
一电子泄漏电流
E,

P型覆盖层

有源区

图A2. 6 双异质结的能带示意图，其中显示了有源层内的电子能扯分布以及泄漏电流

另 一个要考虑的因素是在热分布中，电子速率随机地分布在所有的方向上（只是略微倾
向千电流流动的方向）。 因此只有 一 部分高能电子朝着P型覆盖势垒移动。 最后，有些进
入到 P型覆盖势垒的电子将扩散回 到有源区中。 这样，必须考虑电子在两个方向上的流
动。 采用热电发射理论可以通过计算高能电子朝向势垒的平均热速率来估算出电子 到P烈
覆盖层的最大供给率。 不过，其棘手之处在于需要确定有多少电子可能会回流。
另 一 种研究电子穿过势垒的的流动细节的方法是 简单地假设势垒两侧的电子数处千热
平衡态，从而可以使势垒两侧的准费米能级达到匹配。 如果假设这种情况，则在Boltzmann
极限下，P型覆盖层边沿处的电子数为
N p0= N c e(EFc EB ) ／kT （假设EF, I act =E F, I c1.d) (A2.14)
通过该式算出的 P型覆盖层内自我建立起来的实际的泄漏载流子密度通常是式CA2.13)所
得值的20%~30%。 该式还表明泄漏载流子密度（以及最终的载流子泄漏电流）与温度呈
强烈的指数关系。
一
旦得知P型覆盖层边沿处的电子密度，通过假设电子是作为少数载流子横向扩散进
入P型覆盖材料的（其初始密度为N po，扩散长度为L n )，就可以计算出电子泄漏电流。 令
x= O起始千 P侧的势垒处（而电子从相反 一 侧注入），可将 P型覆盖层内的电子分布写为
N(x)= N 0 e~x/Ln (A2.15) p

其中令L n= /互言，rn 是 少数载流子寿命，互是 P型覆盖材料的扩散常数。 根据Einstein

=
关系kT/q D/µ，利用测量的迁移率就可以计算出扩散常数。
假设任何剩余电场的影响都可忽略不记，并假设 P层足够厚，则相关的泄漏电子的扩
散电流（忽略正负号）为
d N= N po N po
J n | 工 =o = qD n —
dx
_ �"
q几 ——=
I吓
qLn
吓
(A2.
16)

公式最后的形式表明，扩散电流等千在 一个扩散长度内均匀散布开的载流子密度的复合。
18 3
在图A2. 5的示例中，N =2 X10 cm- , E F, E,=79 meV，利用GaAs的凡值作为简化
—

(AlGaAs的 N C 值略大，根据x值可能需要包含其他的导带极小值），根据式(A21
. 4)可得
0.3eV 的势垒产生Np0 — 8.5Xl013 cm-3。 当Ln — 5µm,r0= 5 ns时，可得室温下l n =l. 4A/cm2 0
• 295 •
 “
对于空穴，也存在类似的泄漏电流。 当P=2Xl0 时，Ev —
EFv = —
28meV。假设净势垒为
14
0. 25 eV，采用GaAs的Nv,hh +Nv ,lh作为简化，可得P00 = 1. 4Xl0 cm3。 当Lp = l /1-mr
, p =5 ns
2
时，可得其他势垒处的空穴泄漏电流为 J P :":::0. 5 A/cm o
由千典型的激光器阔值电流密度至少是几百个安培每平方厘米，对于高势垒的GaAs/
AIGaAs示例，载流子泄漏在室温下并不重要。 不过，在那些没有大的异质势垒的材料系统
中（例如在630~680 nm发射的AIInGP
a 系统），载流子泄漏可以成为一个大问题，因为该
值通过式(A2. 14)中的N po项与势垒高度呈指数关系。 载流子泄漏还随着温度而迅速增加，
因此即使是势垒相当商的激光器也会在高温下受到影响。 最后，如果覆盖材料具有高的缺
陷密度，即使对千小的N po值，降低的少数载流子寿命也可以导致很高的载流子泄漏电流。
如果P型覆盖层的电阻很大，电场将辅助电子 扩散离开有源区，从而提高泄漏速率。
如果包含这一因素并且考虑在相距x [，以远处存在的接触层（假设该区域内的电子寿命为
零），则电子泄漏电流结果的更为常规的表达式为

l n = qD 心（ 上+
口 L:f
v:; ✓f -＋上环
coth
口 Lnf
二）
L:f
(A2. 17)

其中
2kT a"
Lnf=
q J101

m是P覆盖区域的电导率，J tot是总的二极管电流密度。 与扩散长度类似，可以将Ln f视为

漂移长度，该长度随着总电流的增加（随着覆盖区内电场的增加）而减小。 当电流较低而P
型电导率较高时，L n i»Ln ，载流子泄露电流的主要成分是上述的扩散分员。 然而当覆盖区
内的电流较高且／或P型电导率较低时，有可能存在Ln i«Ln ，这时载流子泄露电流主要是
漂移分量，该分措随着总电流的增加而增加并随着Np0而增加。 尤其是当Ln i<<Ln , Xp 时，
J n -炉nN pO Jtot／外。 与注入电流之间的双重关系导致 漂移分量对温度更为敏感，这在低异
质势垒的激光器中非常严重。 如果接触层的位置与有源区接近从而使xp «L",L叶，则电流
简化为l n --- qDnN p0/.T p ，从而与漂移长度和扩散长度都无关。 最后 应注意到，当Xp __.0或者
Lnf-0 时，载流子泄露电流并非真的趋千无穷而是受到给覆盖区提供载流子的速率的限制
（受限于热电发射而不受限于漂移与扩散）。
至此已经分析了有源区填满整个波导的 简单的双异质结激光器。 在最子阱激光器中，
有源区被限制在势阱的宽度内。 在这种情况下，载流子泄露具有双重含义。 载流子可以泄
露进入分别限制波导 (SCH)层并从整个SCH波导区泄露出去而进入掺杂的覆盖层。 利用
式(A2. 16)并用SCH区的宽度代替扩散长度，这样可以近似得出SCH区内的载流子数所
导致的复合，即
N SCH
J 双日 ＝
qLS(、H CA2. 18)
Tn
17 2
当Ls（日 ＝
1 500A、Tn =5 ns时，可得每10 cm-3的载流子密度具有］ 汉H �soA/cm 。 这突显
了在激光器的波导区域内保持载流子数较低的重要性。 当然，根据SCH区的材料质鼠，载
流子的寿命可长可短，从而会相应地影响载流子泄露电流。
在第2章中，为载流子泄露引入了每单位有源体积所对应的有效复合速率R!。 用总的
载流子泄露电流表示，j I = j n +j +j
p SCH ，可定义
• 296 •
 11
R1= — (A2. 19)
qd
其中d 是有源区厚度。 如果侧向载流子泄露很重要，则应将其加入到R中并用侧向有源宽
度来代替式(A2. 19)中的d。 例如，在脊形激光器中，由千不存在异质势垒，载流子 可以自
由地侧向扩散。 第4章将讨论凡的这一 侧向扩散分 量。

A2. 4 内部量子效率

最后来分析载流子泄露是如何影响第2章介绍的内部量子效率？， 的。实际上，T/i 的定义是导

—
致受激发射的位千阔值之上的电流部分，即 T/i (I It h) ＝Ist 。 输出功率为P。 = （hv/q) • r,,I,,,
其中作是第5章中 介 绍的激光器腔体的光效率。 因此P。 =
（ hv/q) • T/爪(I —It h)。 该
PI曲线的斜率与7月。有关，由此可以根据实验提取出7产 刀， 的阙值之上的定义与第 2
章中给出的定义略有不同；不过，如果？ ， 在阙值以上不 是电流的函数，这两个定义则相
同。
如果指定总电流为受激电流加上n个各种其他分屈（即，自发、 俄歇、泄露等）的总和，即
I = Ist + 2 I 和I h
n t =: In 山，则可以将1-7展开并重新整理获得

Is I � (In - Tn , t h)
T/ i =
=1 —
(A2. 20)
I — Ith I — It h
从该式可以清楚地看出，任何在阙值处随着载流子密度而锁定的电流都对7， 的降低没有任
何贡献。 在激光器领域中通常都对这一点存有误解。 通常所犯的错误在于令 T/ i =I.. d/I，其

中 Irad 是有源区内的辐射电流。 该定义源于LED中对辐射效率的定义，它与阔值以上的激

光器性能没有任何关系。 为了阐释这一点，考虑一个激光器，其阔值电流的90％是俄歇电
流，其余的是有源区内的自发发射电流（没有泄露电流）。 由千俄歇电流和自发电流都在阙
值处锁定（即In =In .th八式(A2.20)表明即使阙值附近的辐射效率只有10%，我们仍可以获
得 T/ , =100%。 在该情况下，真实的辐射效率并不能接近100%，除非受激 发射电流远大于

阔值。
其主要问题在于，哪些电流真正导致刀，减小？其简单的答案是那些在阙值以上仍继续
增加的电流。 现在由于有源区内的载流子密度N在阙值处锁定，所有那些与N单调有关
的电流都应对刀，没有影响，其中包含R, p 、Rn ,以及泄露到有源区以外的载流子 R1（因为最后
一节定义的N的 原则上应随着N而锁定）。 然而在激光器的所有各个区域内，模式增益的
锁定（这是真正锁定的变鼠）并不总是导致载流子密度完全锁定。
例如，随着光子密度的增加，总是存在某些微植的增益压缩（参见第5章），这要求提供
额外的载流子来恢复阙值模式增益。 由光模式造成的载流子密度分布形状的空间烧孔可以
导致本地载流子密度产生更大的变化。 这些二阶效应可以允许Rsp 、Rn r和R1增加超过其阙
值，从而根据式CA2.20)导致刀， 降低。 不过，这些效应通常并不十分显著。
更为重要的考虑因素是在第 A2. 3节定义的周围区域内的载流子密度NscH 和Np0 的不
完全锁定。 例如，SCH抵子阱PN结的 一个模式表明，势阱内的载流子与另一个位于 SCH
区内的载流子库相耦合，这些载流子 并不在阙值处锁定，而是通过一 套捕获寿命（参见第5
章）与势阱载流子有关。 因此SCH区内的载流子密度和式(2. 18)定义的对应电流随着阙
• 297 •
值之上的注入电流而增加，而量子阱内的增益则保持固定。
从另一个角度分析，我们无法保证SCH区和覆盖区内的准费米能级随着有源区内的
准费米能级而在阙值处锁定。 结果，只要在这些区域内存在大最的载流子数并且其准费米
能级在阔值之上保持未锁定或者只是部分锁定，远离有源区的复合速率就可以急剧地降低
刀 ， 。 但是在现实中对于整个激射结的锁定的建模是个非常复杂的工程。 因此，很难预期这
些效应能使 r; i 降低多大程度。 r; i 的实验值通常在 70%~80 ％的范围内，但有时可低达 40%
或高达 95% 。
在第 2 章中，特别假设载流子泄露出有源区的速率Rl与有源区内的载流子密度单调有
关。 这 一 假设主要用来强调，载流子泄露在原则上并不影响内部扯子效率。 基于上述讨论，
这 一假设并不总是成立，由千某些载流子泄露电流可以锁定或者部分锁定而其他电流并不
锁定。 不论如何，只有阔值之上的泄露歉RI —RLth才能使 r; i 降低。 对于那些在阙值处部分
锁定的泄露电流，该值通常要比R本身的幅度要小得多。
修正第 2 章中的推导可以包含上述的各种效应。 首先将式 (2. 31) 中的n t (I — Ith )展开
为(I-IL) — (I t h — IL ,th)=(l-I,h) — (IL — IL .th)，其中L是泄露电流，该电流并不在有源区
—
内产生载流子（参见图 2.2)。 然后通过将载流子泄露的复合项RI R1 ,1h相加，并与之类似
将所有 其他复合速率相加，可以利用式 (A2.20)将载流子密度速率方程简化回到式 (2.31),
其新的 r; ， 项包含所有不在阙值处锁定的电流。
最后值得注意的是，即使载流子密度在任何各处都锁定，式 CA2. 17) 定义的漂移载流子
泄露将在阙值以上继续增加，因为它与总的电流密度有关。 因此即使N的 在阔值以上固定，
如果漂移载流子泄露很大，它也可以导致7 ， 显著降低。

• 298 •
 附录3 简单双异质结构中的光波导引论

言
A3.1 引
由 Maxwell 方程出发可以推导出如下波动方程，该方程与 Schrodinger 方程极为相似：

五＝阵卫 (A3. 1)
cJt2
其中 e 是介质常数，µ是导磁率。该推导假设了 e 在空间内均匀分布，µ和 e 都可以是复数，
不过对千我们感兴趣的半导体材料矿=::::; µo。e的虚部包含了在这些材料中可能发生的增益
或损耗。由千要寻找沿着 z 向传播的时间谐波场，因此可以尝试着令式 (A3. 1)的解为
E(x,y, z, t) = t,EoU(x,y) ei(w,-'ii z) C A3. 2)
单位矢量; ， 给出其偏振。E的单位为伏特，U(x,y) 的单位为每单位长度，通常假设该值

是归一化的，即J I U(x,y) 尸 dA = l 。将式 (A3. 2) 代入式 (A3. 1)并合并同类项，可得横向

幅度函数 U(x,y) 必须满足

V2 U(x,y) ＋（矿k 尸 µ2)U(x,y) = O (A3. 3)
其中折射率的平方为矿＝e／c0 ，自由空间传播常数为K尸＝ Q平。E:o = (2六八） ，计和z向上的
2

传播常数§都是复数。将µ =f]+j/3j 展开，由式（ A3. 2)的形式可以得出 f3 ＝砬 Vp ，其中 Vp

是相前的速度，即相速度。还可以引入有限折射率订，因此 f3 = k n = wn/c = 2邧／入。第 2 章 。

将分析激光器中的 f31 是如何包含各种增益和内部损耗项的。

A3. 2 三层平板介质波导
如图 A3. 1所示，二极管激光器采用的双异质结构成了一种三层薄膜结构，其中每层都

X
y

图A3. l 三层平板波导示意图。假设各折射率在z 向上是均匀的

• 299 •
具有不同的折射率。通常，我们对激光器中那些折射率在横向和侧向上都有变化的区域更
感兴趣。这样可以将式CA3.3)修正为

V屯(x,y)＋［矿(x,y)k6 — 扩]U( x,y)=O CA3. 4)

“ ”
不过正如 = 号所表示的，山于推导假设了e（并且因此而假设了n)在空间内是均匀的，该
式现在只是近似地满足Maxwe ll方程。
在现在的一维薄膜情况下，所有3个区域都有均匀的n值，这时求解式CA3. 3)并令界
面处的边界条件匹配，可以获得精确解。请注意，在所有感兴趣的实际情况下，折射率的实

部与虚部的比值都非常大，因此可以用µ来代替？，而不会导致模式形状U(x,y)有太大误
差。仍可采用式CA3. 2)来包含传播模式中的增益或损耗。
该求解过程与附录1中求解一维矩形势阱中 电子受限能态的过程极为相似。其实，横
向电场的波动方程的形式CA3.3)与时间无关的Schrodinger方程式(Al. 5)并无区别。因
此，如果其边界条件类似，则其解将 具有相同的形式。对于在y向上偏振的TE模，其解相
似，而对千在x向上偏振的TM模则略有不同。

A3. 2.1 对称平板惰况

对于对称的三层平板波导 (n I =
nm)，可以儿乎完全仿效附录1中 一维势阱的解。在中
心区域，假设其解的形式为
A cos kIx （对称解）
Un (x) = { CA3.5)
A sin k, x （反对称解）
在区域l中，
U I (x)=Be-rI CA3. 6)
分别令n nu和n 1 ，将式(A3. 5)和式CA3. 6) 分别代入式CA3. 3)，可得
=

—
K尸＝k6叶 矿
和
f土矿 — k记 CA3. 7)
=Be
在区域II中，Um '·'，但是由千该例具有对称性( n I =
nm)，只需在区域II和I之间的
x= d/2处
一
次性采用边界条件。
对于TE模，在x = d/2处存在U厂＝U，和 U'n =
U'1 。这些条件源于如下要求：在边界
两侧 的切线电场和切线磁场分别相等。对于对称解，可得
k,d
Acos �=Be rd12 (A3. 8a)
2
和
k,d
Ak r sin �=Bye rd12 (A3. 8b)
2
令

将式(A3. 8b)除以式(A3. 8a)，可得特征方程为

k xd
kxtan =y (A3. 9)
2
类似地，对于反对称解，可得k x cot k xd /2 =
丫。由千tan函数和cot函数之间具有幻2 相
—

移，因此可以将两式合并成一个特征方程。这样，在用式(A3. 7)替换k,和y并利用f3 = k。”

• 300 •
之后，可得
。
k d ( 2u �矿）112 =t n 1
一
旷—n21 \ 11 2
号
（叶
—
n a - — n2) ＋(m 1 (A3. 10)
2
其中m = l,2,3, … ，分别表示基模和高阶模。 对于TM模，在边界处的切线电场和磁场的
z
连续性导致式(A3. 9)右侧以及式(A3. 10)的 tan-1 函数的括号中含有附加因子 (n徇／ n 1)。
采用附录1中针对受限电子的图解方式（如图1. 3所示）也可以求解该超越方程。 可以
想象，该对称薄膜情况与其结果类似。

A3.2.2 常规非对称平板情况

为了使这里的范例更具有普适性，针对反对称的三层薄膜波导重复上述过程。 这时
n产n川。 对于TE模，特征方程式(A3. 9)变为
（兀／k,)+<r 111 /kx )
tan k x d = (A3. 11)
1-r1 Ym /k;
其中y 1 和Ym分别是式(A3. 7)定义的上层覆盖区和下层覆盖区内的衰减常数。 可以用图
解方式来求解式(A3. 11)，但是为了更好地显示其结果，可以定义一个归一化频率V、传播
参数b和非对称参数a。 如下为这些归一化参数的定义：
V三 kod(n u 心） /
2 一 1 2

旷 － n徇
b圭
。
n -nm
和
2 _2
nm -nI
a三三 2 2 (A3. 12)
n Il -nm
图A3. 2绘出了对于不同的归一化非对称参数，归一化传播参数作为归一化频率的函数曲线。

09

08

07

06
心

05

04

03

02

0I

U讥 1LLIL
2 4 6 8 10 12 14 16
｀＇

图A3. Z 在 一 定的非对称范围内，前三个TE模的归一化传播参数与归一化频率的关系

• 301 •
 对千TM模，可以利用 图A3. 2，但是由千该图忽略了介质常数比（应在色散关系中乘
以Y ] 和yIIl项），因此具有一定的误差 。 不过在弱介质波导中，该误差可以忽略不计。

A3.2.3 横向限制因子E

定义三层薄膜波导的横向限制因子为被限制在有限薄膜区域内的光能最部分。 正如附
录5中式(A5. 13)所定义的，可以 将该能最部分近似为（忽略n／n)

J�: I U(x,y) l 2 dx
12
I '.T =
『
-d/2
(A3. 13)
|U(x,y) 尸 dx

对千对称情况(a = O)，可以在式CA3. 13)中利用式CA3. 7)和式(A3. 5)获得：

1 +2yd/V2
I'工＝ 1 +2/rd CA3.14)

对千折射率差值相对较小的基模，可将式CA3.14)近似为
2
V
r.T ～ 2+v 2 CA3.15)

图A3. 3给出了儿种不同的n旧 取值下，该近似公式与精确的限制因子（忽略n/n)之间的

对比。

0.8

0.6

I:..; 0.4

0.2
3
2

0.5 1.5 2.5

dn n 从

图A3. 3 对于不同的覆盖层折射率值，作为波导厚度函数的薄膜基模的精确限制因子（实线）与近似公
式(A3. 15)（虚线）之间的对比。

A3. 3 二维波导的有效折射率法

正如第1章和第2章所述，实际的二极管激光器通常在侧向y向 和 横 向x向上都
采用波导。 这被称为二维波导或沟槽波导。 式(A3.4)随后的分析表明有可能获 得如
图A3. 4所示的这种二维问题 的精确解析解 。 其问题在于对于 所有 的工值都要满足侧

• 302 •
向边界匹配 条件。

婆 n y
-I佟左盈么

I
Ill

2 I 3
侧向
注：分别将横向和侧向划分为区域I、II和田以及1、2和3。

图A3. 4 垂直于z向的波导横截面

在有源区覆盖区界面处存在折射率极度不连续的极限情况下，有源区内的场将在边界
处降至零，这样在周界处可以满足边界条件。 即，对于I[ -2区（有源区）内的对称模式：
。
U(x,y)=U coskix coskyy (I[ -2区） （A3.16)
对于反对称模式，用正弦函数来代替余弦函数。 顺次考虑上两式，通过边界条件得出k,d=
叩I 和k yw＝ 亢叭，其中 m] 为各自的模数(m1 =l为各方向上的第一对称模式，m 1 =2为第
一反对称模式等）。 这样，对称模式的常规解为

umm<x,y)=U 。 cos =,
x y
m 工X
d
穴m yy
cos �
w
六
(Don_.心:::i) CA3. 17)

但是在大多数情况下都无法假设折射率极度不连续（不过，半导体笞f气界面的折射率差值
足够大，只要半导体的厚度超过几个波长，就可以忽略其外部场）。 因此，必须采用其他的近
似方法。 最常用的方法是有效折射率法。 该方法涉及到反复求解图A3. 4所述的问题。 当
区域1、2和3内的横向薄膜模式解几乎都相同并且满足w/d»l时，这种求解最为精确。
有效折射率法是一种严格方法的极限形式。 在 这种严格方法中，令图A3. 4所示的
y＝ 士w/2处区域1、2和3之间界面处的场在侧向上对所有的x值都 匹配。 该严格方法将
第 A3. 2节推导出的沿着x向的(y向均匀）薄膜的各个简单模式的解相叠加，用来表示这3
个侧向区各自的总沟槽波导模式形状。 为了达到完全严格，在每个区域内都必须采用一整
套沿着x向的薄膜模式（包含辐射模式）来精确地合成任意的模式形状。 另一个要考虑到
的是，沟槽波导模式的所有成分都必须以相同的相速度（或者相同的传播常数f3)沿着之向
传播。
为了将展开式中各个薄膜模式的p值调整为相同的值，必须在传播方向中增加一个y
分址。 例如，如果凡是第m个薄膜模式的传播常数，f3是沿着z向的传播常数，则对于沿着
之向传播的薄膜模式，有凡＝队正如上文所假设的）。 现在，如果将传播方向朝着y向略为
倾斜，则位＝矿＋k;m。 这样，可以用 k ym来填补固定的p值和每个薄膜模式的队值之间的
一
差值。 因此对于区域2内的每个薄膜模式，定义k ym＝打汇二 f ，这在y向上生成余弦和正
弦的模式分布形 状（当伈 2 > {3时）。 在 区 域l和3内，可以预见µ>比 1 ， /3m3 ，因此 定 义
Yyml ＝
卢和Yym3 =
ff刁江。 因此这些区域内沿着y向具有我们熟悉的消逝衰减解。
• 303 •
 将y向模式分布形状叠加到:r 向的每个薄膜模式解中，可以将总的沟槽薄膜模式表示
为每个侧向区域内的薄膜模式的加权求和：
E1 (:r，y) = � B m 1Um1 釭）e 1ym l y

E2 (x,y) = �A;,,Um2(x)coskym Y + �A�卢（x)sink ym Y

m m

丘(x,y) = �B m3um3(x)e->ym3 Y
m

式中的 B ml 、A己凡和B m3是加权或扩展系数，调节这些系数可以精确地合成每个侧向区域

内的总沟槽波导模式。uml (X) 、Um2(x)和 um3(x)是第m个薄膜模式在区域1、2和3内的
横向模式分布形状。
最后的下作就是利用E！、丘和E3使区域l和2、2和3之间的平面处满足边界匹配条
件。如果电场主要沿着 I 向偏振(TM横向模），可以很好地将切线电场和磁场的匹配近似
等价为在每个边界处令E`，和aE,/Jy匹配（忽略微小的 E之 和E y 分掀）。如果侧向波导是
对称的，可以定义侧向对称解和反对称解，这两个解只需在一个边界处匹配。对于对称解，
可以令Bm l B m2 至B m .A�n
= =
O，和A仁三人， 。 令这些场及其 y向导数在y= w/2边界处匹
配，产牛

归心 (:r )cos k了＝ ¥凡 u 3(:r）e-r.,m

m
w /2 . 8a)
CA31

区A ,,,Um2 (x)kym
m
si
m sin 7
k w
—�B m 卢(x)yym e-yym w/2
m
CA3. 186)

其中
k;m ＝卢 － 矿 和 冗rn ＝
矿
—
忆3 CA31
. 9)
/3m2和/3m 3分别是第m个薄膜模式在区域2和3内的传播常数解。 只有当f3取某些分立值
时，儿和凡扩展系数才能在所有的工值处都满足式CA31 . 8)，这时会生成总沟槽波导的各
个导模解。
如果与之相反，电场主要是沿着y向偏振的(TE横向模），正如更为通常的情况，则切
线电场和磁场在y= w/2边界处的匹配近似地等价千出 y 和oEY / oy匹配。这样对于 TE横
向模，式CA3. 18a)的右侧应出现介质常数比e3口）／e2釭）。 不过通常可以忽略该因子而不
会造成很大的误差。
. 8)，存在多少扩展系数，就需要有多少个方程。如果在区域2的求和
为了求解式(A31
内总共有M个模式，区域3内有M个模式，则总共有ZM个未知系数， 每个 I 位置处有两
个方程。这样为了沿着侧向边界获得足够的方程，必须在M个工值处计算侧向边界条件。
只有当这些因子与每个扩展系数相乘所构成的矩阵的行列式为零时，上述方程组才有唯一
解。将p值在某一适当范围内进行搜寻可以以数值方式获得其零交点。 如上所述，如果相
邻侧向区域内的横向薄膜模式形状相似，只需几个薄膜模式就可以得出很好的结果。
当只用区域2和区域3的一个横向薄膜模式来近似沟槽波导场时，有效折射率法的效
果很好。因为在每个区域内（总共两个）只存在一个未知系数，只需沿着工轴在一点（通常
在工＝ 0）处计算边界条件。在这种极限情况下，式 CA31. 8)简化为先前用来求解一维薄膜
模式的式CA3. 8)。 这样，侧向波导问题的求解变得与横向波导问题一样，唯一区别在千要
• 304 •
用式CA3.19)来替换式(A3. 7)，或者用/3m 2替换幻并用/3m 3替换k111（等千k门。 更为普遍的
方法是，用每个侧向区内薄膜模式的有效折射率来替换式(A3.12)定义的归一化参数中的
介质折射率。
概括来说，有效折射率的求解顺序如下：
(1)首先在最小的维度（图A3.4中的x向）上利用n I 、nl、n111来求解三层薄膜问题，假
设这些区域在其他更长的(y)维度上是均匀分布的。 在图A3. 4列出的3个侧向区域的每
个区域内都重复这一过程来获得九、元和元。 在最终解中采用中心(#2)区域内的有效折
射率来获得横向丸和几。
(2)现在将已经获得的3个有效折射率（九、元和元）用在新的三层薄膜问题中来分析
另一个(y)方向。 这样便可获得这个二维问题的最终有效折射率。 将其用于求解侧向丸和
兀。 由此一如既往，净轴向传输常数f3满足
。
(k n 0 )2 =k; +k;＋矿 (A3. 20)
相继利用图A3. 2可以较为容易地实施该有效折射率法。 虽然严格地讲，该图只适用千TE
模，但是只要折射率差值较小，也可将其近似用于TM模。 究竟是TE还是TM模则是由最
小的横向尺寸决定的。 有效折射率的后一半求解过程所涉及到的偏振态实际上与前 一 半的
相反。 不过只要两个折射率相近，其结果的差异可以忽略不计。
U(x,y)的对称模式的全部解与有源区（区II -2)内的式(A3.16) 一 致。 在区I -2内，与
y有关的因子保持不变，但是与x有关的因子变为像式CA3. 6 )一 样的衰减指数项。 即
kxd e 飞
U(x,y)=U cos�2
。 G -d/2)
coskyy （区I -2) (A::l.21)

其中t来自千有效折射率法中的第一步，也来自于第二步。 请注意，其幅度与区II -2内的

解匹配。 对于区II -3,x向上的解还是来自于第一步，侧向上的解来自于第二步：

U(:r，y)=U cos 丸 。 －
� (cosk,:r）e 飞 (y 叫”
2
(区II-3) CA3.22)

其他区域内的U(:r，y)函数形式则显而易见了。
用式CA3.15)的侧向等价式可以近似得出侧向限制因子I'y 。 即
Vf
I'y = (A3.23)
2+vf
。
其中V, =k w （沿—对）
1 /2 0

A3. 4 远场

只要波导的横截面沿着激光器的长度保待均匀不变，就可以假定上文给出的波导场分
布保持不变。 在输出刻面处，该场从激光器波导发出并自由衍射进入周围的电介质（通常为
空气）中。 在大多数应用中，需要将输出光捕获进入某种其他波导或探测器中。 在影响实际
捕获的光数量的诸多因素中，其中一个因素就是位于捕获物体横截面处的光束的尺寸和形
状。 因此，有必要分析场在输出刻面以外的场分布。
在衍射理论中，将由激光器波导发出的场称为近场，在一定距离以外的衍射场称为远
场。 其转换大致发生在w2 从处，其中w是近场图案的某一特征全宽值。 在实际的折射率
• 305 •
引导型波导中，波前在接近发射刻面时为平面波。在近场中仍 近似保持为平面波，但在转换
为远场时开始出现明显的曲率。在进入远场 一 定距离后，波前接近千球形，其测最的曲率半
径起始千波前仍为平面波的刻面处的发射模式中心。在高斯模式理论中，将最窄的平面波
前位置称为束腰。图A3. 5描绘了由发射近场所产生的远场。

忙�

z
- x -

图A3. 5 近场图案U(1,y)和远场元素d队的简图，该元素在i z平面内的波导轴上与刻面的矩离为R

为了确定如图A3. 5定义的远场图案UF，以及相距原点的距离R和角度仇，将近场图
案 U(x,y)的每个幅度增拭视为一个辐射点源。每个点源或者 球面子波 传播一定的距离
” “

r来产生一个远场分显dU,.。将所有子波分员进行相关叠加可获得在任一给定点的远场总
幅度。可以将由增械心dy 内的近场幅度加权并且相距其源点为r的每个球面子波的场
写为
e Jk,
劂 ＝ dxd yU(x,y)7(-cos} 0,) (A3.24)

其中k =2六从，队为r和之轴之间的角度（如果激光器以外的介质不是空气，则入一入／n)。括
号内的各个附加因子是对最早由 Huygen提出的直观子波概念的数学改进。这些后来由
Fresne!（以及Rayleigh和Sommerfeld)引入的因子可以将Huygen原理应用到更宽泛的标
量衍射问题中并具有很好的精度。其中最重要的一项是倾斜因子cos队，该因子为每个球
面子波增加了方向性图案（这说明在偏离轴向观察时，每个发射体增量的面积明显减小）。
如果对于U(x,y)幅度显著的所有｀r和 y值都满足工，y«R，可以将该增蜇相距测员点
的距离近似为
r=R —工 SIn0,. — y sin队 (A3.25)
其中队和仇分别是z轴与工或y 轴之间的测量角度。由于相位因子是最为敏感的，因此
应在式CA3.24)的指数项中采用式(A3. 25)。不过在分母中，可以令r=R且仇＝0 R 。根据
这些远场近似，通过将式(A3.24)在整个近场发射平面内积分可以对所有的子波分械求和：

Ur (0，护＝ JC 諒0!._e j RIIu(x'y) e

k iksinO,, eiksinO,y dxdy (A3. 26)

其中cos OR = cos Oxcos()Y I (1- 邓 in(),. sin飞） /2

2 I
0

令()y =O从而集中在一个轴上，对幅度取平方，可得远场的角功率谱为
• 306 •
 2
cos 仇
IUF(0x) I
入2 R2 fU(x)
12=� e戊Sln8产 dx I 2
CA3. 27)

其中U(x) == fU(x,y)dy。首先可以看出，就像球面波 一 样，远场强度随着1／氏而下降。此

外，对千小角度，sin仇～仇，cos Bx :=::::: 1，可发现UF （Bx )和U(x)互为傅里叶变换。在此近似

下，远场角频谱就是近场的傅里叶变换，这 表明窄的发射孔径（即波导）导致远场具有宽的
角分布，反之亦然。当角度更大时，该傅里叶变换关系不再成立，但是近场和远场光束宽度之
间的反比关系仍然定性地保持正确。
对于共面激光器，横向波导宽度通常比侧向宽度小很多。这导致横向远场图案比侧向
远场图案具有更大的角分布。不过，只要U(x,y)为实数（即，具有平面波前），远场波前与
式CA3. 26)中的常数exp( — jkR)因子相比仍为球面形。换旬话说，即使发射的功率分布不
对称，但是输出光束并不散光。因此，很容易用一个简单的球面透镜将发射光束准直成为平
面波前。不过，其强度图案将是椭圆形的。为了对此予以修正，可以将准直光束折射穿过一
个具有非平行平面表面的镁形物从而将一个轴拉长。这可以产生圆形的准直光束，但是其
过程相当复杂。对千VCSEL，其横向和侧向波导的宽度通常相同，因此在远场形成很好的
圆形输出光束。

• 307 •
 附录4 光模式密度黑体辐射和自发发射因子

A4.1 光腔体模式

图 A4. l 显示了尺寸为 d“dy 和 d z 的光腔体。 如果假设每个边界处的反射系数都是

实数，则对千每个传播常数分最k ) ，谐振的边界条件为
2k1d 1 =2mi n: (A4. 1)
其中)=x,y或z,m ) 为各自的模数。 该公式基于如下事实：谐振模式的电场在腔体内往返
一次后其相位必须复制。 因此，考虑所有3个分最，对于腔体的某些谐振模式，其传播常数
的幅度为
2
lk 尸 ＝ 矿卫）勹勹） + （勹］ (A4. 2)

其中 lkl=wn/c。

K
1/：
d“

X
kx

图A4. 1 尺寸为d,、dy 和小的光腔体，图中叠加显示了一个光模式的K矢量分解

现在正如分析电子态时一样，希望能够计算光能态或模式的密度。 其原因相同。 想要
了解在一定能扯范围内光模式的数目，但是相对千通过实验来数出这些模数来说，更愿意对
态密度进行积分。 其过程和结果都相同，因为从概念上讲，电子波函数和归一化的光电场之
间并没有多少差别。 正如附录1和附录3所述，两者都满足相似的波动方程和边界条件。
不过，光子和电子之间具有一个本质的区别。 一个电子态内只能有 一 个电子（考虑了由
于自旋而被加倍的可能的能级数），而同一个光模式内可以存在无限多个光子（再次，考虑了
由于偏振而被加倍的允许的K值数）。 也就是说，对千光子不存在泡利不相容原理。 这样，
在算出光子模数之后，若要得知总的光子数，仍必须确定每个模式内存在的光子数。
仿效式 (Al. 36) 之后归纳的过程，现在来计算每单位体积每单位频率内的光模数（也可
以采用能最E = hv，这里只不过是换一种变扯来分析）。 正如附录l中所示，首先考虑体材

• 308 •
 料尺寸、球坐标系，但是换用频率作为变最。 第一步是计算图Al. 10所示的模数空间内的
体积N,(m)。 与式(Al.37)类似，确定球体的体积，乘以2来考虑两个偏振态，除以8来只
考虑正的模数，可得

N,(m) =—穴m 3X2X (A4. 3)

8
现在，在球坐标中，扩＝（2 亢 v) 勹(c/n) =1{ m /d ，其中 n 为折射率，旷＝ m;+m;+m; ，且
2 2 2 2

=d尸＝ d;=d; 。求解 m （ __..zdnv/ C)并代入式(A4. 3) ，则

2
d
3
,'

N,(v) = f
（气） 矿
,

(A4. 4)

。
最后，采用式(Al. 36)（令p (v)dv= 0/V)(dN,/dv)dv)，并利用 V=d 得
,

3
I

=8六 22 2
伈(v)dv 丁n n. v (A4. 5)
; a

寸
午 十

dv
l
,“ ;

其中 定义群折射率 ng = [n+ v(cln/clv) ］，因为折射率可以与频率有关。

，
丸沁 ＇．＄

如果光腔体的尺寸非常小，例如d忑�io入，这些模式的间隔不会太小，建议用式(A4.2)
占

＂ ＂
来计算一定波长或频率范围内的模数。 这种状态类似千电子的 屋子盒 。 由千能态之间的
间隔很宽，在遇到每个能态时，态密度变成一系列的 delta 函数。 如果只有一个维度较小，
遇到的状态则类似于附录l中讨论的电子的最子阱。
it仁良

A4. 2 黑体辐射
r心
35:
5-
俨

式(A4. 5) 给出［所需的光能态密度，但是如上所述，这些能态内可以存在任何数目的
-4,4

光子，因此需要额外的信息来确定每单位频率内的光子密度。 一个可以用来确定光子密度
的有趣的边界条件是热平衡。 这里采用 Maxwell-Bo!tzmann 分布来得出光能态的占有概率
支

与频率的函数关系。 Maxwell-Boltzmann 统计表明，在温度T下，能最为E的能态在热平

ii,

衡态下被占有的概率为 exp( E/kT)。 因此，对可能的能最及其占有概率进行加权平均，

—
1111 ,

可以算出每个能态的平均能星(E〉。 由于光被最化为能最为加的光子，因此所允许的能虽
为E尸｝加，j=0,1,2…。 因此可以将所有允许的能最乘以其占有概率然后求和，再除以所
＇

有概率的总和来归 一 化，即
Oe +h ve lkT +Zh ve 2 lkT +…
加 加

+…
O
<E 〉 =
1 +e
归／ kT
+ e- 2hv/kT CA4. 6)

对无限数列求和并相除，可得每个模式内的平均能扯为
hv
<E 〉 = e归／kT — 1 (A4. 7)

将式(A4. 5)乘以式(A4.7)即可获得黑体辐射密度 W(v)dv。 即，每单位体积单位频率内的

平衡能最等千每单位体积单位频率内的模式 数乘以每个模式在热平衡态下的平均能最。
因此：
p (v)加 。
W(v)dv= ehv/kT — l dv=
8六旷mh矿／ c3
ehv/k T — 1
dv CA4. 8)

A4. 3 自发发射因子儿

从每单位体积单位频率内的光模式密度（式(A4.5)）出发，通过对腔体体积和自发发射
• 309 •
带宽进行积分来找出那些必须包含总自发发射的光模数，可以获得自发发射因子。 通常，假
设对千所有各模式的耦合都是相同的，因此这些有用模式的数目的倒数就 是进人每个模式
的能量部分 肛。 首先，基于该假设，将式(A4. 5)从v到v+t:,.叩积分，可得腔体模式在带宽
Avsp 内的数目为
8六
Nsp =VC 飞
－
n2 n
-- __ 2
g VAvsp (A4. 9)
C

其中 V 为腔体体积。 取倒数并利用b.v, p /v＝ 丛 sp ／入，可得

C

rr 入 4
psp = (A4. 10)
际V忙ng 凶 sp
其中I'c =V/Vc, V 是有源区体积。 对千典型的参数取值，肛在 10 5 ~10-4之间。
这里假设自发发射均匀地分布在 丛 sp 内的各个腔体模式内，但是这一假设通常并不成
立。 在实际器件中，发射谱作为频率和波长的函数更像是条钟形曲线。 如果有用的模式落
在发射谱的峰值处，则应令l/A入sp -（峰值）／（面积）来修正式(A4. 10)，其中面积代表发射
谱下的总 面 积或者总 的发 射 速 率。 例如， 如 果发 射 谱遵循Lorentzian线形， 可 以令
（峰值）／（面积） ＝ （2压）／丛 s p,FW ，其中FW表示半高全宽。 这样，式(A4. 10)内应含 有一个
附加因子 2／六。 对于更为复杂的线形，（峰俏）／（面积）的比值与1／凶 sp 有关，但是精确的前
因子则与确切的线形有关。
其他各项考虑还包括有源区内模式的波函数的强度。 (A4.10)表示的自发发射部分代
表模式自发发射速率，该速率必须考虑有用的模式与有源区之间的重叠。 在附录5 中给出
了如何考虑这种模式平均。 在式(A4. 10)中有意令1/V,=I'c /V，从而来强调这一模式平均
过程。 这 一 替换的一 个有趣结果是，如果有源区很薄， 并且我们要来计算/3,p的模式在该点
处为零，则I'c = O，由此还可得出肚＝0。 如果在式(A4. 10)中仅仅采用1/Vc ，该结论就不会
如此显而易见。
式(A4. 10)是自发发射因子的半经典表达式。 第4章将从量子力学的角度出发来推导
更为有用的自发发射因子表达式。 该星子表达式更为通用，且更易于计算。

• 310 •
 附录5 模式增益、换式损耗与限制因子

言
A5. 1 引

在激光器腔体中，增益和损耗并没有均匀地 分布在有用的光模式所占据的体积内。 实
际上，增益区通常只占据了光楼式所占体积的百分之几，而材料吸收损耗通常位于腔体内极
为不同的区域。 这样，必须定义某种重叠因子来获得某一光模式的净增益或损耗。
为了完全常规化，将本地的材料增益定义为3个空间维度的函数：g(x,y,z)。 为了得
出g(x,y，心对模式的总的净影响，必须在整个腔体体积内对增益分布进行适当的加权平
均。 现在根据第4章我们已知，增益随着受激发射速率而变化，而该速率又与电场的平方有
关。 这样，可以采用合适的谐振模的电场图案E （工，y,z)作为加权函数。 这样根据经典力
学或楹子 力学中对加权平均的标准定义可以得出模式增益的定义如下：

f E* (x,y,z)g(x,y,z)E(x,y,z)dV
(g) = (A5. 1)
I I E(x,y,z)尸dV

在将该结果用于典型的激光器结构之前，有必要更为仔细地检查一下这一特别定义的适
用性。

AS. 2 模式增益的经典定义

在定义波导模式所历经的模式增益或损耗的过程中，为了严格地确定适当的加权函数，
我们来回顾一下腔体内增益或损耗的经典描述。 如果定义wE (x,y,z)为整个腔体内的能
扯密度，则每单位时间内的增益和损耗与该本地 能截密度的时间变化速率 dwE /dt有关。
例如，如果在腔体内某点处dwE/dt>O，在该点会产生能量从而表明该材料内存在增益。 将
dwddt在整个腔体内积分便可确定总的能量产生速率。 将单位时间内的模式增益定义为
能量的部分产生速率，可得

1 dWE _ f dwe/dt dV
<G〉= －-＝ (A5. 2)
W E dt
fwE dV

其中WE 为腔体内的总能最。 为了确保该经典定义与第2章得出的定义一致，可以利用

W E = hvNP 队将总能最用光子密度的形式来表示。 这样式(A5. 2)简化为我们熟悉的速率
方程，其中(G)＝vg (g)，（g)为模式增益（第2章中将其明确地写为I'g )。
• 311 •
 式(A5. 2) 给出了每单位时间内的模式增益的严格的经典定义 。现在想要把该定义通
过给定波导模式的电场的形式来表示。利用Poynting定理的 一 种变型形式（该形式利用随
时间缓变的相鼠）可以表明，dwE/dt通过介电常数的虚部c， 与本地的场强度有关。其精确
关系（假设 µ=µo )为
dwE 1
=—wEoE;E • E* A
( 5. 3)
dt 2
2
其中E为电场矢戴。令色散关系的各虚部相等，［ ＝矿 片co e，可得coc; = k(x,y,z)g(x,y,z)／矿 片 ，

其中g 三 2Im｛和。将整个场分解为在腔内反向传播的两个场E+ (x,y,z)和E · (x,y,z),

则上述关系变为
dwE 1
=—(kg/wµo)IE+ +E-1 2
(A5. 4)
dt 2
为了便于标记，读者需要知道，如果电场 矢最含有个止 一 个分瞿，则IE尸意味着E • E*。
我们可以在式(A5. 2) 的分子中利用该表达式。现在需要替换分母。
为了将腔内的总能量与电场联系起来，从腔体横截面积内的能蜇密度与Poynting 矢屈
之间的积分关系入手：

寸vEdA ＝扫严。寸[ I Et I 、
2 2
+ IE TI ]dA (A5. 5)

在等式左侧，模式的群速度 vg 将被积的能量密度转化为流过横截面的总功率。在右侧，时
间平均的前向和后向Poynting矢扯的总和定义了本地的功率密度，如果将该密度积分也将
产生流过横截面的总功率。这里将Poynting矢虽明确地用横向电场分报和模式的有效传
播常数f3来表示。
为了确定总能扯，需要将式(A5. 5) 在整个腔长（这里为z向 ）内积分。为了在波导结构
中包含可能的轴向变鼠， 令Vg ---+ Vg (Z)且/3---+/3(z)。将 Vg 移到右侧，对z进行积分，并令
dAdz---dV，可得

f
wE dV = f ±贮）／叩
v.(z)
2
[IEtl +IE T 尸]dV (A5. 6)

利用式(A5. 4)和式(A5. 6)，可以将<G〉用电场的形式表示。然后可以利用有源波导内的群

速度将每单位时间的模式增益转化为 每单位有源长度的模式增益：（g〉 ＝ （G〉 /vga 。 令k =
nk。且f3(z)＝ 订(z)k。，最后获得

f +E- I
f
gn I E + 2 dV
(g〉= CA5.7)
Vga
订(z) (IEtl2+ IE :;、 |2)dV
Vg (z)
如果材料增益g与电场的偏振有关（在横子阱和屈子线有源材料中的确如此），则应将公式的分
子更为精确地写为gx IE工尸＋gy IEy尸＋gz IEz尸的形式（其中每个电场分星代表E,++E，的
总和）。
请注意，式(A5.7)分子中的能址产生速率包含各种相干效应（例如驻波），而分母中则
没有。这是 因为介质内的增益是通过与电场相互作用而特别获得的。因此，腔体内的能量
产生速率集中在电场驻波图案的诸峰值处。另 一 方面，存储的能械存在千相互之间持续往
• 312 •
返转换的电场和磁场之中。结果，时间平均的能扯分布与驻波图案无关。
当群速度或传播常数都不是轴向变械时，可以令vg a/vg (z) ＝ 1并将订拖出积分来将式
(A5. 7) 简化为

如E++E l2dY
g = ， =
其中g g 奇 (AS. 8)
( 〉 I[[贮|2 + I肛门dV

在加权平均中定义一个有效材料增益g（用第 4 章给出的增益表达式中的有效折射率替代
折射率来获得），可以严格地定义模式增益来模仿我们的初猜式(A5. 1)。实际上，对于没有
纵向电场分扯的TE模，该对应 关系是精确的（除了分母中的不相干求和以外）。对于含有
纵向电场的TM模，式(A5.8)和式(A5. 1)之间仍有些许差异。对千激光器应用，我们通常
感兴趣的模式是TE模，因为该模式较好地受限千有源区内，这表明n=n，并由此g=g。因
此，通常在定义模式增益时在式 (A5. 1)中采用实数材料增益g。该过程通常引入微鼠误
差。不过，完全严格地讲，应当采用式(A5.8)（或式(A5. 7)，当波导结构中有轴向变最时）。

AS. 3 模式增益和限制因子

图2. 6阐示了激光器腔体，在一部分宽度和长度上，增益区与光模式相交。图A5. 1更
为详细地描绘了典型的激光器腔体。该腔体中电场的第1个分量为
E, (x,y,z) =U,(x,y)拉cos [3z (A5. 9)
其中 U,(x,y) 就是附录 3 为三层薄膜推导出的归一化的横向电场形状，[3(=2兀／入 z= 2邧／入）
是传播常数K的z分星。式(A5.9)中忽略了p的虚部，由此忽略了腔体内电场的增长（参
见第A5. 5节）。简单的余弦函数还表明，这里假设z向上的驻波比为无穷大。这种情况实
际上只在腔体的 一 定范围内存在，这时两个反向传播波的幅度相等（参见图 A5. 3) 。对于镜
面反射率较大 (r>O. 9) 的腔体，例如垂直腔激光器，该范围扩展至整个腔体。对于镜面反射
率较低的激光器(r>O. 2) ，驻波比只在腔体的一小部分内为无穷大。在任一种情况下，如果
在多个波长内进行轴向(z向）积分， 都可以将这个因子的影响平衡掉。
·-－－－－-－-－－··-－－ －－-－－－···-－：多可

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／
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· · · ·· La a L/
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了_.- ·····T乓
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扫···

图 A5. 1 含有有源和无源轴向节段的常规激光器腔体

如果假设有源区 和无源区 内的群速度和传播常数相同（或者非常相近）， 可以用式

(A5.8)来定义模式增益。将式(A5.9)代入式CA5.8)并在分母内分开考虑 cosf3z 的 e 咱 和
之

e-jpz 分星，可得

• 313 •
 皿＂ 2 2
g(:r,y,z) IU(x,y) l 2cos {3zd:r dy dz
(g〉= CA5.10)
』
2

L I U(:r ,y) I2dx dy

这里假设只存仕一个电场分蜇，因此式中去掉了横向电场中的t角标。如果U;(:r，y)是归
一化的，分母积分将为1。不过我们还是保留它用来包含那些没有归一化的情况。
在将式C A5.10)用于图A5.1内的激光器腔体时，通常考虑如下假设。对千共面激光
器，假设增益在有源区内为常数，该区的横向厚度为d，宽为w，长为LA。因此 ，可以将 增益
从积分中移出，用这些尺、」来替换积分的上下限。假设原点位于有諒区的中心，并令
g= gn/n（其中n是有源材料的折射率），则有
／2
(g〉=g�
厂 2/ 厂厂
J w/2J 2/
L, d
2
IU(x,y) I 22cos f]z dx dy dz
CA5.ll)
订
LJJiUCx,y) 12扣dy

沿着 I 和y的积分将产生横向限制因子I'xy和横向模式增益(g〉xy =I'.,y- g，该增益定义了有

源节段内场增长的增拭速率（排除任何存在的损耗）。沿着z的积分将给出轴向限制因子
E和总的腔模式增益：
(g〉=I', (g〉xy = F ryr 上g恤 CA5.12)
其中
2
／ IU(.T，y) | 2dx dy
rTY ;-［勹 2
/ 『- d 2
/
CA5.13)
压
=
2
(x,y) j dx dy

2
＝订勹／ 2cos工;f]zdz
，2
1 r(A5.14) =节（ ＋子）
／
式CA5. 13)中的比值n质通常接近于 1并且通常可以忽略不计。可以进一步将轴向限制因
子分离为填充因子I'r;i1 ＝
仁／L和增强因子I'en h = 1 + sin ({3L,) /{3L ，因此I',=I'r;i1I'
a cn l,。图

A5. 2绘出了通常情况下对称的三层薄膜波导结构的一维横向限制因子几（有与没有n／行
时）和I'en h o
瓜
勹．
v`
)
l

／＼
k

严
2

08
、

0.6
)
甩j

V
已

04
n l= 3 4
。
＇
n 0=3.6 ／
2 n.=3.4 05
＼闱瓣f
0 0.5 I 1.5 2 2.5 3 0 0.5 I 1.5 2 2.5 3
d/（入／no) L/(J/n)

(a) 典型的三层薄膜波导的横向限制因子与 (b) 增强因子与归 一 化有源长度之间的

归 一 化波导厚度之间的关系 关系（其中；；为波导的有效折射率）
注 插图显示了腔体内的驻波图案及其与有源材料的重叠。

1冬I A5. 2 典划的＝层油膜波导的一维横向限制因子几和I'cnh

314 •
 AS. 4 内部模式损耗

用 a，替换式 (A5.7) 中的g将给出内部模式吸收损耗伍，〉的正确表达式。 但是即使我

们在特定区域内将其视为常数，它也无法像模式增益那样简化。 这是由于它与增益不同，无
源损耗无处不在。 然而，由于上文已经定义了横向限制因子和轴向限制因子，如果假设损耗
在有源和无源沟槽波导区域以及在整个周边的覆盖材料中都为常数，仍可以获得模式损耗
在该特殊情况下的省略形式。 在图 A5.1 中将各个损耗值标识为 a,a 、a,P和 a,C 。 然后利用式
CA5.13) 可以将有源节段和无源节段内的横向模式平均值定义为
(a,〉:y =I'xya ia + (1 —
rxy )a,C
(a,〉�Y =I'xy a ip + (1 —
I'xy )a, c (A5.15)
然后利用式 CA5.14) 获得整个腔体内的总模式平均（假设两个节段内的群速度相似）：
(a,〉 =I'z (a,〉：y + （l-E) （a,〉？ y CA5.16)
将这些公式合并起来可得
+
（矿＝I'aia I',, (1 —I',)ai p + (1 —
I',,)ai, CA5. 17)
其中腔体限制因子为I'=I'ryI'z 。 在某些情况下，模式损耗的表达式可以比本文列出的要复
、

杂得多。 例如，有源区两侧的P和N覆盖区可能具有不同的损耗。 而且，在分别限制激光

器中（包括最子阱激光器）存在额外的波导（势垒）层，其损耗与有源材料和覆盖材料的都不
相同。 在此情况下，必须对具有不同损耗值的每一层分别计算横向限制因子。 在 VCSEL
中，损耗通常为轴向的函数。 在此情况下，必须为内部损耗计算轴向限制因子，其方法正如
第3章所述：将式 (A5. 14) 积分，在分布式布拉格反射器内包含q（心和驻波图案的附加轴
向变量（诸如指数衰减）。 由于模式损耗的精确形式 是每种腔体所特有的，因此在大多数表
达式中将继续用（矿来表示腔体模式损耗。

AS. 5 有源／无源节段腔体的更精确分析

在定义各种轴向平均时，第 A5.3 和 A5. 4 节采用了两个简化假设：（1) 式 (A5. 9)中的

传播常数p为纯实数，（2) 有源和无源节段内的群速度相同。 本节将去除这两个假设。 不
过，为了保持相对简单的表达式，必须假设在有源－尤源界面处没有任何反射。 这种情况下，
叭 ET尸在整个界面内守恒，在腔体内不存在多次弹射。 由于随后的分析主要应用千共面
激光器，因此将忽略驻波效应。 不过，文中的注脚将指明驻波效应会改变结果的情况。 我们
将首先检查轴向限制因子，然后比第 2 章更为细致地描述阔值条件和微分效率。

AS. 5.1 轴向限制因子

如果在有源节段内包含场的增长（即，允许式 (A5. 9)中的p为复数），则轴向限制因子

（忽略相干效应）不再等于简单的几何填充因子La /L。 检查图 A5.3 可以理解这一点，假设
有源节段提供净增益而无源节段提供损耗，图中阐示了功率在激光器腔体内往返流动。 将
功率流动曲线下的面积除以每个节段内的群速度，其值与腔体内的总能量成正比。 从图中
• 315 •
显而易见，当场显示出指数增长和哀减的特性时，不可忽视有源节段内包含的部分面积。
为了确定有源节段内包含的能杜部分（即轴向限制因子），需要将功率曲线沿着z向积
分。图A5. 3给出了每条曲线的功能。执行积分（忽略相干效应），并依照式(A5. 7)用群速
度对每个节段内的面积进行加权，可得轴向限制因子为CD
P1+P2
/
ln /a vga
I', = CA5. 18)
P 1 +P2 , P 2 -P3
m
.,
ln 囮 亡 ／
vga
In顶凇产／V
gp+
其中
1
P, == —
邓＝镜面t输出的相对功率 (A5. 19)
邓
；
式CA5. 18)等效千E=W' /W +，其中W F 为有源节段内的总能最。如果无源节段没有损耗，
”

w;,
一
则分母内的第二项（即， 对交叉点处的功率进行归一化）简化为(1 /J瓦干J瓦 ）LP /vgpo

R, R,(=R,e'，心 ） R,

古exp{-f:"·ln六 ｝

pf
｀
，

．
P
仁

== -L ==0
平xp ｛万 In六｝ 际 exp ｛亡 1n)I}
汴 假设有沥－尤源界面处没有反射。 R为有源节段在二＝0点观察到的无源镜面(R,)的有效功率
反射率。在界面处协条功率曲线的幅度是用相对千交叉点处有源节段内的功率值来表示的。
图中还给出了徘条曲线的功能。在有源节段内，用阑值条件将净增长率表示为．（g入，一
(a,〉，:--In (I ／厌本）／如在无源节段内，用凡的定义将衰减几率表示为a,P三a,>.� --In(』汀冗）／ Lr°

佟I AS. 3 含有有源和无源节段的激光器腔体内的功率流动示意图
—
通常有源节段内的净横向模式增益（即(g〉.,·} (a， 凡）大于无源节段内的损耗（a,〉�y ，这
表明有源节段内的功率流动曲线的弓形更大，因此有源节段内曲线下的面积减小得更大。
其结果是，其填充因子要比几何填充因子更小。不过，这些曲线越是线形，式(AS. 18)就越
接近千几何填充因子。例如，线 形曲 线意味着低增 益或者高镜面反射率。如果令
R,=1-T,，并分析当R,, R2,R 3 -l时的极限，可得P，-T;, In Cl/R 1 R 2 )-T 1 +T2 ，且
In (R 3 /R2)一兀 — T3。该极限情况下的轴向限制因子简化为

r -n a
nkn La

La +凡 ,,L,＇ （近乎线形增长或衰减） （AS. 20)

g

虽然该极限形式通常略微高估了轴向限制因子，但是 该形式非常便于使用。请注意，在式中
用群速度对长度进行加权。对千单片集成的有源节段和无源节段，群速度的变化 不大，可以

CD 如果有游节段非泭短．可以将式 (A5. 18) 乘以 renh （正如式 (A5. 1/4) 定义）来近似说明驻波效应 。

• 316 •
从表达式中去除群折射率。但是如果激光器与外腔相耦合，则 figp -1 ，包含群折射率就变得
很重要。
为了在推导轴向限制因子的过程中包含有源 －无源界面处的反射，必须确定整个腔体内
的 功率分布，然后计算有源节段内包含的能量部分。

AS.5. 2 闱值条件和微分效率
根据定义的轴向限制因子，现在可以来确定图A5. 3中的有源／无源节段腔体的阔值条
件 和微分效 率。令能星产生速率等于由吸收以及耦合出射腔体的功率（即 P1 +P3 ) 所产生
的损耗速率，可以得出阙值条件 。根据式(A5. 2) 和式(A5. 12) ，可以将每单位时间的总能
扯产生速率写为 I'zV ga (g) Iy w E。用类似的方式定义每单位时间的吸收损耗，并除以总能星

WF，可得
Pi+P3
I'之V ga < g〉 xy =I',V ga <a; 〉：y +（l-E)vgp (a, 〉 ty + CA5. 21)
WE
最后一项 对应千每单位时间的镜面损耗部分。或者 ，利用类似于第 2 章描述的过程（参见第
2. 5 节和式(2.22)）， 根据往返腔体一次的功率曲线，可以得出更为标准的阙值条件形式为
1
(g〉I.yL =（a,〉�_yL ,+ <a; 〉 fy 儿＋ In CA5. 22)
J霆
根据该形式， 如果除以 L 可得 I' z =L,/L，这与腔体内场的任何指数增长或者有源和无源节
段之间的群速度差值无关CD。相反，式C A5. 21) 中的E就是实际的轴向能址限制因子式
CA5. 18) 。这两种阙值条件的形式是等效的，其表现不同是由于前者令总的产生速率和损
耗速率相等，而后者简单地令累积的指数增长因子和衰减因子相等。因此虽然后一形式
CA5. 22)更便于使用， 但它缺乏有源／无源节段激光器的产生和损耗速率之间的一对一对应
关系。
例如，式C A5. 22) 中的 Cl/L) In ✓1/R1 凡项通常与镜 面 损 耗有关。 但 是， 利 用式
CA5. 21)可以确定每单位有源长度的真实镜面损耗速率为：am =(P, +P3 )/(v,,WE) 。用式
CA5. 18) 令 WE= W�/I'之 ，真实的镜面损耗变为©
P1+P[l l
am � n (A5. 23)
P 产 P2La 』

没有无源节段时，am -Cl/L,)ln ✓1/RR2 。这样，镜面损耗与标准 定义之间的 差别只在于

附加了无源节段。当无源节段没有损耗时， P2 = P3 ,R2 =R3 ，且妇 -(E/La )ln ✓1/RR3 。
当镜面反射率较高且两个群速度相似时， rz -L. ／L 。将这些限制综合起来，发现其标准定
义为：妇 - ( 1/L) ln ✓1/RR3 。在 VCSEL 中，通常损 耗较小而反射 率 较 高， 则

知弓－（九十兀）／（L. +LP Vg ./Vgp ) 。

0 当有源节段非常短时，如果考虑由增益不连续性造成的有源－无源界面处的反射来更为仔细地分析往返路径，
可得I'en hL,/L而不是L,/L 。
＠ 当有源节段非常短以致驻波效应很重要时，r,=I', nhW;、/WE以致于在真实镜面损耗的表达式中几王E/I'enho
换旬话说，驻波导致的增益增强并不影响镜面损耗 。

• 317 •
 由千E#La/L，还得知总 的产生速率 并 非 严 格 地等千从式 ( A5.22)推论得 出 的
(g〉、TYL.IL，而总的吸收损耗速率并非严格地是侐〉�y L,/L+<ai江L"/L。 这一 现象对<g〉 吓
的阔值没有影响，因为式CA5.21)和式CA5.22)都预测到相同的结果。 但是，在定义与这些
项的比值有关的微分效率时，这—点变得重要。 利用式(A5.12)和式CA5.23)，可得有源／
无源节段腔体的微分效率为

= am _=
ln✓fl1[;R;P1 +P3 =
刀, （g 〉 刀, （g 〉“L P1 +P2 (A5.24)
叽 ＂da n d p
其中
ln』刀邓＝ ln 二 (A5.25)
TJda
=

(g〉工上 (a\La +ln』飞飞：

P1 +P3 Cl — R)／凇＋（l-R 3)／凇
7d p = P1 +P2 ＝ CA5.26)
(l-R 1)／邓＋ （1 —R3 e- 2.,p Lp）／邓e -•;p Lp
利用式(A5.22)和式(A5.19)并采用R 2 =R 3 e-2",P％可以将有源和无源节段的效率 TJda 和加
展开。
为了更清晰地领悟高镜面反射率的极限情况，可以利用双曲线定义和代数方法将式
(A5.26)重新改写来获得
— [In✓l/ —
sinh RR 3 ] cosh [In✓瓦飞］
加＝ 2 2
(A5.27)
sinh卢三〉也＋In汀飞瓦］cosh卢三〉�y 匕＋In顶屈门

当R 1 ,R 3 --l,R1＝凡，且a,P片<<1时，可以用其幅角来替换sinh函数，并令cosh函数为1,
由此得出
In✓1/RR 3
和p = CA5. 28)
〉
<ai �y 匕＋In✓1/RR 3
和
In✓l/RR3
雇TJd p � (A5.29)
(a,\La +(a,〉�y 匕＋In✓1/RR 3
在此极限下，微分效率化简为利用标准的阔值条件式(A5.22)可以假定的一个比值。
另 一 个需要分析的是每个刻面输出的功率部分。 根据由式CA5.19)得出的r严飞几飞和
P, = （l-rf)／r,，可以迅速得出
=
P1 (1 — 片）／r1
F1 CA5.30)
P1 +P3 (1 —
片）／r1 +（l — 片）／r3
P3 Cl — 片）／r3
F3 = CA5.31)
P1+P3 Cl —
片）／r1+Cl－ 片）／r3
将F1乘以tf/(1-rf)并将F3 乘以t切(1 — 片）来分析可能的有损耗镜面，可以获得相同于
第3章推导的表达式(3.30)。 这样，有损耗无源节段不会影响输出的功率部分。
实际上，I'又值与儿何填充因子的偏差通常并不是很大。 其结果是，那些包含阙值条件
标准形式(A5.22) 的项通常代表产生速率和损耗速率的合理近似，这表明通常可以用式
(A5.29)很好地近似微分效率。 基于这一原因，我们更愿意在本书中采用更为简单、更为直
• 318 •
观的公式(A5. 22)和式(A5. 29)。 然而，在有些特定情况下，式(A5. 29)尤法准确地预计微
分效率。
例如，如果R1 =O. l且R3 =O. l，当a, p L p 冬1时，近似的微分效率式(A5. 29)相对于精
确的式(A5. 26)的误差在 5％范围内。 对于无锁膜刻面(R1 =R, =O. 3)，当a, vL P = 0. 5时，
这低估了精确值约为 10%；对于更大的损耗a, p L p = 1，则低估了约30%。 如果R1 = l而
R, =O. 1，当alP凸＝0. 5时，其低估了接近25%；当a, pL p =l 时，则几乎达60%。 通常，凡值
越小且a,pL p 值越大时，该近似越差，但是 受R值的影响 不大。 这样，当a, p L p 冬0. 5且
R,�o.3时，近似的微分效率式(A5. 29)通常比较准确。
在本节的结尾应当注意到，如果在有源 － 无源界面处没有反射，则E和所有有关的表达
式都将与本节得出的有所不同。

AS. 6 色散对模式增益的影响

最后附带分析一下材料和波导色散对模式增益的影响。 式CA5. 8)表明(g〉eel顷。 物理上，

该关系反应了这一事实：有效折射率控制了平面波由 波导反弹回来的角度（参见第7章）。
有效折射率越小 ，平面波在每单位长度内反弹的次数就越多。 其结果是，该模式在每单位长
“ ＂
度内有效 看到 的有源材料就越多，这表明 每单位长度内的模式增益 有所增加。 换句话说，
波导色散使模式变慢，允许在每单位长度内捕获更多的受激跃迁进入该模式。 这样，每单位
长度的模式增益被波导色散增强。 对于材料色散，式(A5. 8)与整个的群速度无关，这表明
(g〉与材料色散尤关。
由于(g〉与订 g 无关，由<G〉 =Vg (g〉定义的每单位时间的增益与群 有效折射率成反比。
现在由于大多数情况下ffg >n，我们得出结论：波导和材料色散使每单位时间的模式增益降
低。 "g 的波导色散分量被（炉内隐含的l/n项近乎抵消。 忽略波导色散，我们仍发现«为被
材料色散抵消。 其物理原因在千：色散介质内的本地能量密度与ngn IE尸成正比（其中n g
是唯 一与材料色散有关的群折射率）。 这样，对于给定的能戴密度，群折射率的增加抵消了
电场强度，从而导致本地受激发射速率降低。 其结果导致腔体内每单位时间的模式增益降
低。 每单位长度的模式增益并不受此结果影响，因为当ng 增加时，波的移动变慢，从而允许
每单位长度内捕获更多的受激跃迁。 场强的降低和模式的变慢相互抵消，从而导致每单位
长度的模式增益与材料色散无关，这与上文得出的结论 一 致。

• 319 •
附录6 关千增益与自发发射的爱因斯坦方法

言
A6.1 引

式(2. 14)给出了增益和受激复合速率之间的关系：
R、 t —
VggNp (A6. 1)
如图1. 3所示，净受激速率R,, =R21 -R12 为光子的受激发射速率减去受激吸收速率。 这
样，通过计算凡就可以获得增益g。 正如第1章和第2章所述，受激发射速率和吸收速率
与 该跃迁发生所涉及的导带和价带中可能的电子态数目及其占有概率有关。 一旦这些因素
被确定，就可以计算 R s t和增益g。
爱因斯坦给出了一 种计算这些速率的方法，该方法无需深入地了解这些受激发射的物
理细节，而是在 一 套特殊的边界条件下确定所需
的速率常数。 但是 一 旦获得这些常数后，就可以
将这些常数广泛应用于其他情况。 如图A6. 1所
示，介质被置于 一 个封闭腔体内并被保持在热平
衡态，该腔体既没有输入也没有输出。 这样可以
建立 一 个 动 态平衡方程，用平衡态光能呈密度
W(v)来表示所需的各项速率。 由于我们（通过
附录4)已知该密度，因此可以确定诸速率常数。
图A6. 1 一个任意封闭腔体的示意图。 其输
在此情况下，动态平衡方程中必须包含所有
入或输出能扯可忽略不计，其容扯必
的载流子复合机理。 非辐射速率产生热最，不过
须处于热平衡态下
该封闭系统中自然考虑了这 一 因素。 采用这样
或那样的方法，这些速率在平衡态下必须饱和。 因此，在平衡态下，对千导带和价带内的 一
对能扯（分别为丘和E1汃可得
dN P = =
O R2 1 +R,p.2 1 -R1 2 CA6. 2)
dt
其中前两项分别代表通过受激过程或自发过程复合的电子，后一项表示受激吸收产生的电
子。R,p的下标21将这个两能级自发速率与我们在其他情况下分析的半导体内两能带之间
的净复合区分开来。 总结式CA6. 2) 可得知，向下跃迁速率（即导带至价带）必须等千向上跃
迁速率。
某 一 温度下的平衡态占有速率由附录2 引入的费米函数给出：
1
f,= e(E, -EF)/kT + 1 (A6. 3)

• 320 •
其中i = I或2分别为价带或导带内涉及的跃迁能械。即，儿等千丘内填充的能态部分，
八等千E1 内填充的能态部分。图A6. 2解释了各个 能级作为参考。
在附录1中，还定义了能态密度p(E)用来描述能带内的能态分布。这些能态均匀地分
布在K空间内，但是通过在某一能量范围内对 p(E)积分，可以获得 该范围内的能态数。如
图A6. 2所示，电子和空穴的辐射复合 涉及到导带和价带内具有相同k矢扯的能态。也就
是说，该复合必须同时满足能量守恒(E21 =hv21 )和 动量守恒（电子的行k=空穴的行K)（正如
第4章所述，光子的动量忽略不计）。因此，在计算位千E21处由电子 －空穴复合所产生的发
射时，可以考虑能态 对密度或者降低的态密度p,(E2 1)。虽然我们应当精确地推导抛物线能
带下的pr (E21 )来获得一个解析表达式，不过该概念是完全通用的。

丘（非平衡态）
EJ

E\（平衡态）

k
EV

注：图中阐示了导带和价带中两个能态之间的跃迁。图中还给出了
平衡态和非平衡态下载流子密度的准费米能级。

图A6. 2 能扯与动且关系的示意图

参考图A6. 2并采用附录1的结果，可将跃迁能扯差E2 -E1 = E21表示为

2
矿k 2 行 K2 ,m; +m,•
E21 = Eg +�+�=Eg +E (A6. 4)
2m: 2m v. m:
其中对于抛物线能带，E'＝斤K勹2m c.。当有源区相对较厚（体材料）时，由附录］中的式
(Al. 39)可得
1 12mc* 7
pCE')dE' ＝石[�
312
r,
(E')'l 2 dE' CA6. 5)

通过式CA6. 4)求解E'并构成dE'，可得
mv
E '= (E21 -Eg )
me* +m:
CA6. 6)
mv
dE' = ;;f+;;;;d E21

最后，将式(A6. 6)代入式(A6. 5) ，可得所需的降低的态密度为

p,(E2 1) ＝卢（宁） 3; (E 2
21 - E.)112 (A6. 7)

其中 m; =
m;旷／（m; +m:)。
• 321 •
 A6. 2 爱因斯坦系数A与B

爱因斯坦的常规方法是为式CA6. 2)中出现的3种复合过程分配不同的速率常数，其中
假设这些速率必须正比千载流子密度。 其经验写法为R,p.21 = A2 1N2,R2 1 =B21W(v)凡和
R12=B12W(v)N1。 通常来说，A速率常数与自发过程有关，而B速率常数与受激过程有
关，并因此用（附录4引入的）辐射谱密度W(v)加权。 在爱因斯坦时代 ，人们感兴趣的大多
数复合跃迁都发生在能级孤立且陡峭的原子之间。 因此那时的载流子密度指的就是电子位
千能级1或2处的原子的密度。 而在现代分析中，由千在半导体中能级既不孤立又不陡峭，
因此必须用不同的方式来解析 这些定义。
为了处理半导体中能态的连续性，我们将注意力集中在E2 1和E21+dE2 1之间存在的能
态对的粒子数差值上。 采用上文推导的降低的态密度函数，可用来产生向下跃迁的微分粒
子数为
dN2= f2(l — f1) p,CE21 )dE21 CA6.8)
其中d义恒等千可能与E2 1附近的光子相互作用的位于E21和E21+dE2 1之间的每单位体积
的能态对数目，这时高能态满，低能态空。 类似地，可用来产生向上跃迁的微分粒子数为
dN1＝ !1 Cl — 八）p,CE21 )dE2 1 CA6. 9)
其中dN1恒等千可能与E21附近的光子相互作用的位千E21 和E21 +dE21 之间的每单位体积
的能态对数目，这时低能态满，高能态空。
半导体中另 一 个必须考虑的因素是由于与其他电子和声子的碰撞，p,CE2 1)中的能态具
有有限 的寿命。 其结果是，一 个给定的微分粒子数实际上只出现在一 个微小的能撮范围内
并因此与某一 较窄的能鼠范围凶�21内的光子相互作用。 如图A6. 3所示，我们用某一线形
函数L(E-E2 1) 来表征在远离E21 的能鼠处 找 到 该 粒 子数的 概 率，该函数的半高全宽
(FWHM)值为凶区 ，其中心位千区处。 给定能态的寿命越长，其 能最的扩展凶记就越窄，
因此在区处找到该能态对的机会也越大。

l(E-E,,)
（具有较长寿命的能态）

2
兀凶今 ，

凶21

E2I E
注：该曲线被归 一 化， 因此其面积等千l （该能态必须存在千
某 一 位置！假设图中所示的峰值概率为Lorentzian分布）。

图A6. 3 线形函数与跃迁能最的关系曲线
一
能态寿命为有限值的 个直接的影响是，当考虑微分粒子数和能量为hv 的光子之间的
一
相互作用时，必须考虑这 事实：粒子数停留在该光 子能量处的时间只是其总时间的一部
分。 换句话说，必须用在光子能量hv 和hv+hdv 之间找到粒子数的概率（即L(hv�E21 )hdv)
“ ＂
来对微分粒子数进行加权。 因此光子在能最hv处 看到 的微分粒子数为

• 322 •
 dN2 --.dN2 • L(hv —E21 )hdv
dN1 --.dN1 • L(hv —E2 1)hdv (A6. 10)
这是分析半导体时必须采用的 N1 和 凡的形式。
根据定义的微分粒子数，现在可以利用爱因斯坦的 A和 B系数。由微分粒子数 dN2
产生的微分向下跃迁为

鸣＋dR,p, 21 = I [dN双Cv)B2, + dN心］L(hv -E21 )hdv CA6.11)

对千光子频率的积分需要包含W(v)在d凡扩展到的整个能量范围内所做出的贡献。
式CA6.11)左侧的微分跃迁速率的单位为（体积- 时间 ）。粒子数密度 d凡的单位
1 ！

－l
为（体积 )。因此，自发复合速率常数 A21 的单位为（时间 1
)，并经常被表示为自发寿命
的倒数1/r,p。在原子系统中，A2 ]表示能级 2 的自发寿命的倒数。然而，在本文中，A21 只
与微分粒子数d凡的自发寿命（用出表示）有关，而该寿命不等千整个能带到能带的自发
寿命丘。随后我们将确定两能级寿命心和亡 p 之间的关系。对千受激项，W(v)表示每单
位体积每单位频率的光能屈。因此，受激复合速率常数 B2 1的单位为［（体积X频率）／（能
屈X时间）］。
微分粒子数dN 1 产生的微分向上跃迁速率为

dR 12 = f [dN1 W(v)B12 ]L(hv —

E21 )hdv CA6.12)

其中肛是受激产生速率，其单位与 B2 1的相同。

A6. 3 热平衡

爱因斯坦法为我们提供了一种直观的方法将式(A6. 11)和 式(A6.12)中出现的 3个速

率常数联系起来。在热平衡态下，根据式(A6. 2)（假设该式对于微分速率和积分速率都成
立），可以令式(A6.ll)等于式(A6.12)。为了去除对千光子频率的积分项，我们注意到平
衡态黑体辐射是宽带的，并且在线形函数涉及到的典型线宽凶�21内变化很小。这允许我们
将线形视为 delta函数，即hL(hv — E2 1)---8(V — V2 1)。换旬话说，我们简单地在 V21 处积分来
计算所有各项。该平衡方程则简化为
dN2 W(V21 )B2 1 +dN心＝dN1 W(v21 )B12 (A6. 13)
重新整理可得
dN2 W(v2 1)B12
CA6.14)
dN1 W(v21 )B21 +A21

或者，根据式(A6.8)和式(A6.9)，利用式(A6.3)及E21 =hv21 ，可得简单的结果为

dN2 ＝八（1 �e- h v21 /kT
—
(A6. 15)
dN1 八（1 — 八）
令式(A6.15)等于式(A6.14)并求解W<v2 1)，可得
A21 /B
W(v21 ) = (A6.16)
21
(B12 /B21 ) ehv21 /H -1
根据附录4，可以将用来定义热平衡态下光子密度的黑体辐射公式写为

W(v21 ) =
。
p (v2 1)hv21
(A6.17)
eh v21 /kT -1
• 323 •
比较式(A6. 16)与式 (A6.17)，可知只有当如下两等式成立时，这两个公式才能满足所有的
温度情况：
B12 = B21 (A6.18)
A 21 =
。
p (V21 )hv21氐 (A6. 19)
式 (A6.18) 表明，受激发射和受激吸收的确是具有相同速率常数的互补过程。 更为重要的
是，爱因斯坦法通过式(A6. 19) 在受激发射和自发发射过程之间建立了 一 种本质的联系。
这样，通过分析热平衡态下的系统，爱因斯坦法允许我们将3个不同的速率常数简化为一个
独立的常数 B 21。 我们可以将 A 21 表示为独立常数，但是这通常会导致不正确的结论： B21 与
光模式密度 p。 (V21)成反比。 更为准确的是，应当将 B21视为单一光模式的速率常数，而 A 2 1
是该速率常数与等效谱密度的乘积，从而在 V21 附近的整个光模式密度内引起自发发射。 值
得注意的是，等效谱密度 p。 (vz 1 )hv21 表明每个光模式有一个光子。 第4章从量子力学的视
角进 一 步分析了这 一 问题。

A6. 4 增益计算

现在我们已经建立了3个速率常数之间的联系，因此可以脱离封闭系统、热平衡的环
境，来计算在非平衡条件下的单色辐射场的增益。 在正向偏置下，有源区的费米能级分裂为
两个准费米能级从而反应了非平衡态下的电子和空穴密度。 这 一 分裂大致对应千施加电

f f
压。 这样可通过下式来计算非平衡态的载流子密度：

N = p,(E)f,(E)dE = P = p v CE)[l —
八(E)]dE (A6.20)

其中由于有源区内的掺杂可以忽略不计，因此可以假设 N=P。 因子 p C (E) 和 p V (E)分别对

应千导带和价带的态密度。 而且，八 (E) 和 f v (E)是费米函数，其中丘分别由导带和价带
的准费米能级 EFC 和 EFv 来代替。
为了计算增益，我们回到式 (A6. 1)来将增益与净受激发射速率联系起来。 不过请记
住，大致分布在可以与线形宽度凶九相比较的能量范围内的诸多微分粒子数都对某一特殊
辐射频率 v。处的增监有所贡献。 每个粒子数贡献的增益为

dg （加。） ＝吧＝
vg N P
k:f
vg N P
W(v)Bz 1 [d凡 —
dN1]L(hv —
E 21)h dv (A6.21)

令 dR" = dR21 — dR1 2 并利用式(A6.ll)和式(A6. 12) （其中 B12 = B21 )，可得第二个等式。 对

千单色场，W(v)---hv。N 战(v — v。)，其中 delta 函数的强度等千场的能量密度， V。是波的频
率。 采用该替换，上式的积分简化为在 Vo 处计算所有与光子频率有关的因子，由此可得
hv —
dg （加。） ＝ 纽— B 21 CdN2 dN 1 )L(hv 。 -E21 ) (A6.22)
Vg
线形函数的出现提醒我们，微分粒子数的跃迁能最距离光子能量越远，它在该频率处对增益
的贡献就越小。
将 dg 对所有现存的可能与该场相互作用的能态对的粒子数积分，可获得 hv。处的总增
益。 利用式(A6. 8)和式 CA6. 9) 将式 (A6. 22) 中的微分粒子数展开，简化费米因子，并对所
有可能的跃迁能屈积分，可得
• 324 •
 g(hv 。) ＝
加。 中 21p,CE 1)(fz - f1)L(hv 。 — E2 1)dE21 (A6. 23)
2
了
—
如果与能虽有关的 因子 B2 1Pr (E2 l) （儿 八）相对千线形函数变化缓慢，可以 令 L(hv 。—
—
E21 )---lJ(hv(） E21 ) ，则增益表达式简化为
、 一
g2 ] ＝ 妇 hB21 p,CE21 ) (j 2 八） （ �E21 气） （A6. 24)
Vg
其中区是所需的光子能鼠处的计算值（即 g21 圭 g(hvo =Ezi)）。
式 (A6. 23)是本节的核心结果。它表明，增益直接正比于速率常数 B2 ] 、降低的态密度
和费米概率因子。由式 (A6. 24) 显而易见，为了获得正增益，必须创造足够的电子和空穴以
满足 f 2 >f1 。这对准费米能级设定了 一个条件并 化简为下述要求：准费米能级间隔必须大
千入射的光子能植，即凶丘＞ hv0 。第 4 章将更详尽地分析这些问题。
为了完整地计算增益，我们仍需确定速率常数 B21 。在采用原子跃迁的激光器中 ，通过
测趾指定跃迁的自发发射线 宽可以算出 A 2 ] ，只要线形展宽主要取决于自发发射 寿命
T、 p = 1/A2 ] 。根据这一信息，利用式CA6. 19) 可以立刻确定 B21。这样，采用爱因斯坦法以及
这一简单的测址结果，可以完全地描述出原子系统中的增益和自发发射 。
但是由于在半导体中自发发射谱表示的是所有的 微分粒子数的 跃迁的叠加，因此半导
体中的这一情况并不如此简单。其导致的发射谱较宽，使我们无法隔离出 一个微分粒子数
的线宽，因此无法直接通过实验算出 A 2 ] （以及 B21) 。半导体中 必须遵循的方法是：采用 其
他更为深入的理论来计算诸跃迁速率，然后用得到的表达式回溯到 B2 ] 和 A21 。第 4 章详细
地介绍了通过更为基础的量子力学分析来精确地估算诸跃迁速率所需的理论。其中 将给出
B21 的精确表达式。
还可以用自发速率常数或者两能级寿命斗＝l/A21的形式来表示 增益。将式 (A6. 19)
代入式 (A6. 24) ，增益的形式为

g2l =
。
A21 h
p (v21 )v g
－
p r (E21)（J厂fl)

入 t hp, CE21 ) (fz

一
八） CA6. 25)
8六矿母
其中 根据式 (A4. 5) 令 p 。 (V21) = 8穴矿／氐 Vg ， 其 中入。三 c/v21 。虽然该 表 达 式等效于式
CA6. 24) ，但是基千如下两点原因，该式极具欺骗性。
首先，文献中的 一个普遍错误在于令心等千能带到能带的自发 寿命 环 ，从而不正确地

将增益与载流子寿命联系起来。实际上，有些文献甚至将 A 21 与总的自发发射带宽联系起
来（类似千原子跃迁）：这一过程在半导体中纯粹是误导，但是却因为将增益写成 A21 的形式
而得到鼓励。
第二个问题在千，这种书写形式可能 会让人觉得增益与光模式密度成反比。但是通过
更仔细地检查，我们会意识到其实是两能级寿命动隐含地与模式密度呈反比关系（即，模式
密度越高，寿命越短）。其结果是，乘积 p。 (V21 )动（以及增益）变得与光模式密度无关：这一
“ ＂
结论通过式 (A6. 24) 显而易见。在极小的VCSEL结构（或 微腔 ）中可能存在降低的光模
式密度，有些研究者利用式 (A6. 25) 得出结论：增益由 此而 增加，这个结论再次是错误的。
基于这些原因，最好采用式 (A6. 24) 更恰当地用单模受激速率常数 B2 1 来定义增益。
另外还需要决定应该采用式CA6. 24) 还是更为复杂的式 (A6. 23) 来计算增益。在典型
• 325 •
的半导体中电子碰撞之间的时间间隔为0.1ps鼠级，这导致凶�21 的FWHM约为14 meV
—
（假设 Lorentzian线形）。 在室温下，该带宽足够小，从而可以假设儿 几近乎为常数。 而
“ “
且，B 21 并非强烈与能童有关。 由此，我们主要 关心的是p, (E21)。 在 体材料 有源区中，
l 2
p,(E21 )随着E / 而改变，其变化率与线形函数的带宽相比可以忽略。 换句话说，在室温下，
可以将式(A6. 24)广泛用千体材料有源区。
对于最子阱，利用式(Al. 45)中的降低的质量可以得出降低的态密度。 在导带和价带
中第一 个允许的能态（这时n之 ＝ 1,即(Ed — Ehl))之下，该值都为零。 然后该值突增为
m, 长

p,(hv21) = �E2 21 >CEc1 -Eh1) (A6.26)

六行 d
在到达n z=2点之前该值再次保持为常数，然后再增加相同的数量。 这样，与式(A6. 23)和
式(A6.24)之间做出的有关带宽凶沁缓慢变化的假设相矛盾。 因此必须采用式(A6. 23)。
但是，至今尚未有很好的实际线形函数的模观。 通常采用Lorentzian型，但是其结果在一定
程度上并没有物理意义；因此人们开发出其他更为复杂的函数来更好地与实验数据相拟合。
令FWHM为t-E21 ，简单的Lorentzian形式为
2/ 六 �E21
L(E — E21 )= CA6.27)
1+4CE — E21) I �E�1
2

将式(A6. 23)与式(A6.27)积分可以缓和量子阱（以及最子线和扯子盒）激光器中pr (E21)的

不连续性。 然而，只要我们远离台阶边沿超过b.E21，将式CA6.26)代入式(A6. 24)获得的增
益平台就是正确的。 第4章中通过数值增益计算更为定量地描述了这 一 行为。
所有有源材料（不论是线形展开还是降阶维度）的 一 个共同特征在 千：增益最初为无泵
浦的吸收值g21 （八 ＝0,/1 =l)，然后增加到透明增益值g叭f2 ＝ 八），最终随着越来越多的
载流子注入有源区而接近于饱和值gz1(fz = l，儿 ＝
0 ）（幅度上等千无泵浦的吸收值）。 图
A6. 4图解说明了这一特性。

f2= 1,i=0
g21 I- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

注：直线近似只在一定范围内有效

图A6. 4 增益与载流子密度的关系

第4章 得出结论，可以用一 个指数函数很好地近似该特性；然而，对于许多情况，我们只

对透明点附近及其之上的 一 小部分曲线感兴趣。 在这些情况下，通常可以很好地采用直线
近似，即

• 326 •
 g 21 = a(N-N") (A6. 28)
其中a是微分增益，Nt，是透明载流子密度。

A6. 5 自发发射速率计算

在半导体中通过增加d凡与d凡的差值来实现所需的增益值，但是与此同时也造成自
发发射在相对很宽的频率范围内都很高。 本节将推导出自发发射光子的频谱关系，将该频
谱积分可以确定每秒钟产生的自发光子的总数目。
首先来定义在一个小的能扯积分内的自发发射 R勾(hv)hdv，其中 R勾是在 hv 处发生的
单位体积每单位能量内的发射速率。 与增益相同，我们需要对所有的微分粒子数求和来确
定每个频率处的发射速率。 d凡在加处出现的概率为 L (hv — E21 )hdv。 用该因子对 dN2

f
加权，乘以自发速率常数 A 2 ] ，并对所有的能态对积分，可得

础 (hv)h dv = 心 [L(hv - E21 )h dv]dN2 CA6. 29)

f
等式两侧的 hdv 相消，展开 dN2 ，可得所需的结果为
－
欧 (hv) = 儿 中,(E21 ) 儿(1 八） L(hv - E21 )dE21 (A6. 30)

式 (A6. 30)表明，通过与上文讨论的增益谱相同的方式，自发发射谱 变得平滑。 有趣的是，虽然

必须满足乌＞片才能保证降低的态密度为非零值，但是由千当 hv— E21<0 时 L(hv-E21)可
以是非零值，因此有可能出现 hv<E, 。 这样， 实际上可以在能量低千带隙约 6.E21/2 处观察
到自发发射。 这反应了带边处能态的不确定性，从而导致这些能态上的电子具有有限的
寿命。
再次，如果 A21p,<E21 )儿(1 — 八）较线形函数相比变化缓慢，可以令 L(hv— E21)-t(hv-E21),
则式 (A6. 30) 简化为
R;�::=:::::A 21p,(E21)!2 (1 — f1 ), (6.E2 1-0) (A6.31)
其中与 g 21类似定义 R盓聿 R笃 (hv E21) 。 将 R勾与式 (A6. 24) 给出的 g 21 相 比，可以发现两
=

者极为相似。 事实上，可以通过下式将 E21处的自发发射用 E21 处的增益来表示：

1
。
－
R3= Vg A2 1 儿(1－ 八） g 2 l = p (Vz 1 )vgn,pg 21 (A6. 32)
h 勺2 1 B 21 （儿 f1) h
其中采用了式 CA6. 19)表示的诸速率常数之间的关系。 我们还通过如下定义引入了粒子数
反转因子：
儿 (1-fl) = 1
nsp= l—e (A6. 33)
(f2 — 八） (hvzl-t,EF ) /kT

这里普遍采用的 sp 下标源千如下事实：人们最初将 ns p 称为自发发射因子，但是由千肛也

被定义为自发发射因子，因此后来为了避免冲突而更改了 ns p 的名称。 现在将 nsp称为粒
子数反转因子，因为它是原子激光物理中遇到的 N2/（N2 — N 1 ) 比值的半导体激光器等效
物。 在原子物理中，当 N2 -N,>O 时，我们称粒子数被反转，凡／（N2 — N1 ) 比值 为正数，
从而获得光增益。 与之相似，当 nsp>O 时，在半导体中建立了粒子数反转，从而实现光的
净增益。
如果已知半导体中的准费米能级间隔，利用式 CA6. 32)，在已知增益时就可以确定自发
• 327 •
 •
发射速率，或者在已知自发发射速率时可以确定增益。第4章更为详尽地研究了自发发射
和增益之间的这 一 基本关系。
将式CA6.30)对所有的光子能卧进行积分可以来确定总的自发发射速率R,p:

f
Rsp= 础(hv )h dv

= JJA21p,CE21)儿（l —
八）L(hv - E21)dE21 h dv

�I f
A21p,(E 2 1)八(1 — 八）［ L(hv - E21)hdv ]dE21
(A6. 34)

=I心pr(E21)fz(l -八）dE21 = I劂dE21

将积分顺序调转并 将所有与光子频 率无关的项提取出来，就可以获得第3个等式。采用近
似符号的原因是由于 A 2] 并非完全与光子频率无关(A 2］文 v,根据式CA6. 19)并采用 p:i (v)cc寸以
及B 21 ccv z（参见第4章））。然而，与 L(h v —
E21)相比，可以忽略这 一 关系。因此括号内的
积分化简为1 ，从而导致了第4个等式。换句话说， 线形展开对总的自发发射速率没有影
响，可以简单地将式CA6.31)定义的化简的R�；积分。
在式(A6.34)中令A21 = 1/r飞，R,p =N/r,p，可以通过如下这一并非简单的关系用局部
自发寿命来定义总的自发寿命：

［I 位
l
扫＝N CE21)八(1 - !1)dE2 r (A6.35)
T
1
sp

通常来说，由千括号内的项与准费米能级之间存在双重关系，该项将趋于与N 成正比。其
2

结果正如第2章所假设的，总的自发寿命通常与1/N成正比。
在执行总的自发发射速率的实际计算时，有必要将 A21 替换为单模 速率常数B21。这
样， 式(A6.34)变为

R P= I 。
肛hV21p (v2l)Pr(E21)八Cl - !1)dE21 CA6.36)

由此，我们发现自发发射速率同时包含光子和电子的态密度函数。
将腔体尺寸减小到材料中发射波长的损级，原则上可以急剧地改变光模式密度，从而可
以实际上改变自发发射速率。研究这些微腔效应的一
个很活跃的学术领域就是试图极大地
降低自发发射速率。其动机表现在：

Rsp= 1, 1r CA6.37)
qV
即，总的自发发射速率代表每秒钟因为自发复合而损失的载流子数目，因此可以与注入电流
的辐射部分同等对待。通过使R,p 最小化，研究者希望能够将某些种类激光器的阙值电流
最小化。尤其是VCSEL，由于其尺寸可缩放，该激光器成为这种实验的最佳候选。
总结本附录，采用式CA6.20入式CA6. 23八式(A6.36)和 式CA6.37)，可以通过准费米
能级计算得出有源区内的载流子密度、光增益和辐射电流。这样土尔和 EFv完全 确定了非
平衡条件下的所有有关参数。而且， 通过载流子的中和性，只要给定 E氏，就可以采用式
CA6. 20)得出 EFe，从而将整个问题简化为一个独立参数。换句话说，将 EFv在适当的范围
内扫描，可以获得增益与电流、增益与载流子密度或者电流与载流子密度之间的关系。第2
章中讨论的增益与载流子密度之间的线形关系以及电流与载流子密度之间的平方关系是本
附录推导出的更为严格复杂的关系式的近似形式。
• 328 •
 附录7 周期结构与传输矩阵

言
A7.1 引

分布式布拉格反射器(DBR)在许多激光器应用中极为重要，这是因为：（1）它可提供极
高的反射率；（2）它可用作频率选择滤波器。 如果其介质堆跺完全是周期性的，则可以精确
地确定整个反射谱。 如果介质堆跺不是绝对周期性的，则出于实际目的，可以通过解析方式
来确定反射率峰值。 本附录的主要部分将分析周期性堆堁，首先在布拉格频率处获得反射
率峰值，然后在远离布拉格频率处确定整个反射谱。 随后将给出精确分析与近似傅里叶分
析以及耦合模分析之间的对应关系。 最后将考虑布拉格频率处的非周期性介质堆堁。

A7. 2 本征值和本征矢量

从图 A7. 1 所示的均匀介质平板着手。 把平板分成多个半波节段，可以将第 1 个平面处

的向前和向后传播的场幅度归一化：

，三 亡
］
e (A7. 1)

这里定义e，为含有两个分址的场矢措，其中包含归 一 化幅度为A，的前向波和归一化幅度
为B，的后向波。
e”, e, el e {）
. . . . . . . . .
n2

-i� ti if tiif tiif ti'f A

气 t t ! i i i －
一

: i t i t i t i t
! !

仁4
A＝幻2n2
注：其参考平面位千各个半波长间隔处， 各箭头表示前向和后向波的相位

图A7. 1 场在折射率为n2的均匀介质平板内的传播

现在由于各平面的间隔是波长的 一 半，当从 一 个平面移动到下 一 个平面时，各个波的相

=—
位必须改变亢，因此e;+1 e,。 还可以用第3章引入的半波相位延迟传输矩阵的形式来表
一
示这 关系：
e,+l =
（T入／ 2 )e; = e'"e, (A7. 2)
• 329 •
这样，在任一场矢届上运算的半波节段的传输矩阵都化简为 一 个倍增常数。输入端的场与
输出端的场的关系如下：
e,n= （T 入／2 尸e。 =e"飞。 (A7.3)
这样，输入场简单地等于输出场乘以倍增常数的m次方，由此可以立刻获得穿过该结构的
反射和传输 。
对于更为复杂的介质结构，将一个平面的场与下一个平面的场联系起来的T矩阵化简
为一个只用于两个特殊场矢屋的倍增常数。不过可以看出，将这两个场矢址加权并相加可
以构成任何所需的场矢量。在数学术语上，这两个场被称为本征矢址，相应的倍增常数是传
输矩阵的本征值。对千满足T11T22 -T12T21 =1 的互逆矩阵，两个本征矢肚的本征值的乘
积等于1，从而可以将其表示为如下形式：
Te+- =e "e十 和 Te =e花 (A7.4)
+

其中e十 和e代表T矩阵的两个不同的本征矢量，而 e 是相应的本征值。用指数形式表

±e

示，5代表传播常数。不过，这里所谓的 传播 是从平面到平面的传播，因此更适宜千将g定
“ ”

义为将一个平面的场矢植与下 一个平面的场矢侬联系起来的分立的传播常数。对于平面间
隔为半波长的均匀的平板，式(A7.2)表明e = JTC。在复介质结构中，Re书｝＃0，并且e+ 和
e沿着堆跺的传播分别增长和衰减。
写出式(A7.4)中隐含的公式，就可以求解本征值和本征矢最，或者用T矩阵分扯表示
的本征系统：

［；： ：：：］ ［：±士］

＝e
±e

『;:] (A7.5a)

1
e土e= — CT11 +T22)士J-¼c T1 1+T22 尸1 CA7.56)
2 4
A+- = T1 2＝尸 －T22
(A7. 5c)
B± e归－
T11 T21
将式(A7.5a)中所有各项移到左侧，令所得的行列式为零，并采用T11T2 2 -T12T21 = 1来简
化平方根项，可以获得本征值。对千本征矢掀，与之有关的只是两个分扯的比值（ 可以任意
选择其绝对幅度）。采用式(A7.5a) 中的上下两个公式就可以分别获得式(A7.5c ) 中A/B
的两种形式。

A7. 3 应用千布拉格条件下的介质堆堍

如图A7.2 所示，用不同的电介质或折射率n ] 来粗略填充图A7.1 中定义的每个节段

的 一
半，得到的就是第3章中引入的四分之一 波分布式布拉格反射器。根据式(3.43) ，该结
构的一个周期的T矩阵系数在布拉格条件处是对称的，即Tll =T22 ,T2 1 =T12 ,T片 —
T片＝1。
这些关系极大地简化了本征系统：
A±
e 士 <=T1 1士T21 和 士1 (A7.6)
B±
可以简单地选择两个本征矢拭为
• 330 •
 e + = [ :] 和 e =(_:] (A7.7)

现在回到我们的目的，我们想用堆跺的输出场来表示输入场。假设右侧没有入射波 (B。 = 0),

则平面0处的场矢扯为

=
e 。 ［:]三 (e1+e_) (A7.8)

为了确定平面1处的场矢址，将T矩阵用于e。，当其遇到两个本征矢拭时被简化为两个本

』
征值。反复应用T矩阵，可以确定第z个平面处的场矢蜇：
l
=( )'e。= c t ,c l +e';
cosh芯
e, T 了( e e )＝ [ (A7.9)
smh

＿
根据式CA7. 9)，图A7. 2中在每个平面处绘出了该场矢拭的前向和后向波分员。从物理角
度分析，折射率的不连续性导致前向波的功率反馈给了后向波，导致前向波沿着堆跺方向衰
减而后向波则从输出点由零增加。
C,“ e, « ,j ，，
A “' - - ......
＿ 胪"晒 - I

口 11,
B,“
口几
丈
，

．．
§·
， A,＇=l
？
BI,=0
入 入
^= —工 ＋ －上
4n, 4n,

图A7. 2 光棚反射器中的前向和后向波
从图A7. 2中显而易见，周期越多，在输入端的后向和前向波的幅度就越接近，而堆躲
的反射率就越高。在第m个平面处计算式(A7. 9)并取反射波与入射波的幅度比，可得
B,“
r�= —=tanh m$ CA7.10)
A,“
或者利用r1 = tanh $=T21 /T凶 一 个周期的反射率），可得
tanhm�
r,=r1mc11 其中 merr == CA7.ll)
tanh �
这样，总的反射率就是一 个周期的反射率乘以入射场观察到的镜面周期的某 一 有效数目
m山。当m-=时，m,"达到饱和，其值为me rr-1/tanh $=1代（当＄值较小时）。从物理观点
“ ”
来看，前向波进入镜面后以近乎指数形式衰减，从而有效地 观察 到只有1压个周期。
为了进 一 步定拭地分析反 射 率，必须计算分立 的传 播 常 数。利用式(3. 43)令
2=
T11 =— (1＋户）兀且T?I =— 2r／广可算出该值，其中r 是2与1之间界面处的反射率，l
l-r2 。根据这些替换，可得
e'=T1 1 + T21 = - [Cl+r)／吓＝n 2/n 1 (A7.12)
当界面反射率很小时，第 一
个关系式简化为 一
Cl +2r)。求解分立的传播常数，可得尸千r+2r。
除了均匀平板观察到的相移外，分立传播常数的实部导致人射波的衰减。当r较小时，每单
• 331 •
位长度的衰减仅为 2r/A，或者每半波长内有两次 反射： 这的确是很直观的 结 果。 将 式
(A7.12)的后一等式代入式CA7.11)，可得布拉格频率处镜面周期的有效数目为
tanh [mln(n 2 /n 1 )]
meff = CA7.13)
tanh [ln(n 2 /n 1 )]
为了确定反射率，将式 (A7. 10) 展开为指数形式，用式CA7. 12)表示 e乌
= Cn 2 /n 1 尸 － （ n 2 /n 1 )-m = l-Cn 1 /n 2 ) 2m
(A7.14)
r
g
+
(n 2 /n I 尸＋（m／n l ) m 1 （ n 1 /n 2 ) 2m
当 m 接近千无穷大时，该比值接近于 1，折射率差值越大则收敛得越快（参见习题 A7. 1)。
在本附录的最后 一 节，我们将推导出式CA7.14)的更为常规的形式，可将其用于更为广泛的
满足布拉格条件的四分之 一 波堆跺。

A7. 4 应用千远离布拉格条件下的介质堆堍

上述分析对应千位于反射率峰值的四分之一波堆堁，这时所有的界面反射都是 同相的。
当每层的厚度精确地是四分之一波长时，T矩阵极大地简化，从而可以使本征系统的描述变
得简化。 在远离布拉格条件的更为普遍的情况下，T11#-T22 且 T21#-T12 ，本征系统变得更为
复杂。 对千这种更为普遍的情况，我们不再重复上述过程（参见习题 A7. 2)，而是采用另 一
种方法：用单一 周期的 T矩阵来确定总的光栅矩阵。
可以通过下式将光栅矩阵与单周期 T矩阵的本征矢址和本征值联系起来：
= e 土咬 e
Tg e 士 T e± CA7. 15)
＝ m
±

该公式表明，光栅矩阵的本征矢鼠 Tg 实际上与单周期 T 矩阵的本征矢掀相 同，其本征值是

相应 本征值的m次方。 其结果是，根据式 (A7. 5c)的第一个等式，可以令
Tgl 2 T12
=
e士 e— T11 (A7. 16)
e 士吱— Tg ll
用该公式的减号形式减去其加号形式，可以立刻获得：Tg12 sinh � = T, 2 sinh m�。 如果现在将
减号形式与加号形式相 加，可得：（ sinh m�) (cosh � — Tu) = (sinh �) (cash m�-Tg11)。 求解
光栅矩阵系数，可得
sinh m$T' _ sinh m$ cosh $-cosh m$ sinh $
T""
gll = T11
sinh $ sinh $ (A7.17)
sinh m5
Tgl2 = T 12
sinh �
采用式CA7. 5c)中的第 2 个等式可得 Tg22 和 Tg2 1的同等关系。 这样总的反射率则为 Tg21 /Tg11，即
T.21 T21 /T1,
rg =—= CA7.18)
Tg1l 1- sinh (m-1)�
T11sinhm�
其中采用了如下恒等式：
sinh m� cash � — cash m� sinh � = sinh(m-1)�
虽然式 (A7. 17) 提供了光栅的 反射率，但它并不能提供有 关 反射率是如何随着频率变
化的任何信息。 rg 的近似表达式采用第 3 章引入的失谐参数 8 = {3— /3。来表征该频率 关系。
这里定义常规的失谐参数，并用对角矩阵系数中的非对称性来表征：
• 33 2 •
 T22 �T11
A 圭j (A7.19)
T2 2 +T11
在布拉格频率附近的低界面反射率极限下，A-8A= 1'((v — v。)/v。（参见无损耗下的式 (3.43) ）。
为了将 A 用千式CA7.17)，首先用(coshx) (tanhx) 来替换所有的 sinhx 函数。 然后可 以
用镜面周期的有效数目 me11= tanh 唳：／ tanh 到来替换 tanhx 函数，这样剩下的就只有 coshx 函
数了。 将式(A7.56)的正和负形式相加，可以令
1 T1 1 . Tzz
cosh e= 2CT11+T22 ) = �= — CA7.20)
1+ill 1 jA
后一等式利用了式 (A7. l9) 。 用 cosh e = T11 /Cl+ill) 来表示 Tgll 和 T如 ，并用 cosh e=
T22 /Cl 勹A) 来表示 Tg 2 2 和 Tgl2 ，式（A7.17) 变为
Tgll= （1+jmeffA)cosh me
T21
Tg 2 1 =—meff(l+lA)cosh m5 (A7.21)
T11
和
T12
Tgl2 = �me rr(1 — j .1)cosh m�
T22 CA7.22)
Tg22= (l -jm e r1.1)cosh m�
用式CA7.21) 来定义光栅反射率 rg= Tg21 /T.11 ，可得
1+jA
rg= r1me rr (A7. 23)
1+imeff .1
其中 r1 = T21IT] ］为 一 个周期的反射率。
在 这一 版本的 rg 式中，可以更为清晰地看出其频率关系。 例如，在布拉格频率处，A-0，
式CA7.23) 立刻简化为式 (A7.ll) 。 当略微偏离布拉格条件时，可以将分母展开至一阶 A
得到
—
r8 = r1m, 11 [l -j(me1 1 1)A] 三r1 meHCl — j28L,11) (A7.24)
戊 81
作为e .,fl 的一阶展开，后一等式表明，可以将反射相位偏差用一个与某一有效长度或深
人长度相关的简单的传播时延来近似。 当布拉格频率附近的界面反射率较小时，A ＝8A,
me 11>>l,Le11 = --;';--me1心。 用更为严格的分析来计算布拉格频率处的精确相位斜率表明

一产 ffA(1+r 一二；）
1 d忙 ＿l
Le 11 圭 －
－ e （A7.25)
2丽 8 =0
2

其中 melf 为布拉格条件下的取值，r 是界面反射率。 当 r 较小时， me"较大，括号内的项近似

为1。 习题 A7.3 检查了用千计算在布拉格频率处光栅的能量分布和吸收损耗的深入深度

概念。 其中表明，在 r 小 m 大的极限下，可以再次令 Leff = － meffA。 Leff 等于场观察到的镜

面周期的有效数目的 一 半，由于能扯分布和功率与场的平方成正比，因此其衰减的快慢程度
是场的两倍。
为了完整地描述光栅反射率，需要精确地定义 r! 、 A 和 m elf与第 3 章得出的矩阵系数之
间的关系。 式 (3.43) 中采用了两个相位因子：先＝趴 L] 士？儿 2 。 当没有损耗时，可以用式
(3.46)令<p I = 穴 +8L,<f,_ = O，其中 8 圭p-/30 ,µ 是式 (3.44) 定义的光栅的平均传播常数。 对
• 333 •
于无损耗的DBR，式（3.43) 变为
1
T 11=— 尸 (e凶 十产）， T22= -t(e 网 ＋产）
(A7. 26)
T21=— 尔产＋1), T12= -{z
<e 网 ＋ 1)
t
由上述关系 可以立刻确定 r1 和.1:
兀 cos(M/2)e 凶／ 2
�,
r1 = �= 2r (A7. 27)
T11 1 +r2 e 囡
T22 -T11 ＝ sin丛
.1=j CA7. 28)
T22 +T11 cos lJA +r2
为了协助确定本征值和m叫，采用
1 l
一(T11 +T22 ) ＝－了(cos丛十产） (A7. 29)
2 t

《十(T ll +T22 ) 2— 1 ＝上［2产(1 +cos趴） － sin 趴J /

t
2 1 2
CA7. 30)

在式 (A7. 5b)中代入这些关系，可以算出5和m叫。这样就通过如下基本的光栅参数完整地定义

了反射系数：m,r=(n厂 n1 )/(n 2 +n心t = 』二了和趴 ＝（f3— 旷A，其中1//3= 了 [1俏＋1／配。

A7. 5 与近似方法的对应关系

本节将分析如何将精确的反射率表达式简化为通常的近似表达式。将考虑两种极限情
况。第一种近似忽略了 产及高阶项，而保留了所有与机有关的项。在这种情况下，反射率
简化为傅里叶极限。第二种近似保留了产 以下的项，并将频率偏移限制在(8A) 项；在这
2

种情况下，反射率简化为第6章考虑的耦合模极限。

A7. 5. 1 傅里叶极限

为了采用傅里叶分析来分析光栅反射器，将一个脉冲函数送入堆堁并跟踪导致反射的
脉冲函数随时间的分布。这种分析给出了光栅的脉冲响应。脉冲响应的傅里叶变换应与反
射谱相对应。虽然这种方法在原则上是精确的，但实际上当脉冲函数在多层堆堁内反复弹
射后，在输入端出现的将是无限多个脉冲函数，因此通常情况下这种方法在数学上难以操
作。不过，如果界面反射很小，任何脉冲函数经过两次或多次弹射后回到输入端时，其幅度
就已很小并可忽略不计。在此极限下，只有一串小且均匀的脉冲函数返回（假设通过每个界
面的传输并不降低脉冲的幅度）。经过傅里叶变换后，该脉冲响应的方形包络导致一个
sin xix型的反射谱。这是我们希栩通过精确的表达式 (A7. 23) 可以再现的功能。
为了将简化的傅里叶分析近似，忽略r中除了线形项以外的所有各项，用来模拟单次弹
射的近似情况。不过，我们完整地保留了频率变化，因为采用傅里叶法可以准确地确定这一
变化。采用这些近似，式 (A7. 27) 和式 (A7. 28) 简化为
r1 =2r cos（趴／2)e 飞／2
ti=tan 8A (A7.31)
• 334 •
在式 (A7. 56)和式 (A7. 11) 中采用式 (A7. 29)和式 (A7. 30) 获得的分立传播常数和镜面周
期的有效数目简化为
1
—(Tu +T22 )=-cos丛
2

`Tll +T22 ) 2 -l=jsin趴

4
e •=-cos趴士j sin趴＝芒e 臼丛
±

meff
tanh m�-. tanm趴
= tanh
� - tan趴
＝ CA7. 32)

在傅里叶极限下，分立传播常数就是含有失谐效应的镜面周期之间的相位延迟顶平 jM。
在反射率的表达式 (A7.23) 中采用这些近似，可得
2tanm凶1+jtan丛
石：：：：：：：：为 cos (M/2)e 飞
／
CA7.33)
tan oA 1 +jtanm丛
为了将该式简化为傅里叶极限，将第一个部分中的余弦移到第二部分，并将整个第二部分转换
成指数 形式。然后假设 可以将穿过 一 个周期的相位偏移展开至二阶，这样 cos (M/2) ：：：：：：：： l,
sin&A ：：：：：：：：机。穿过整个光栅的累积的相位偏移扯 m8A 可能很大，因此将其保留为常规形
式。根据 mA. = L g （光栅的长度），式 (A7. 33) 简化为
sin8L m- I/ 2 l/m]
r.g IFouner =2mr�e 勹 8L,[( CA7.34)
8Lg
该结果就是通过简化的单次弹射傅里叶分析可以获得的精确解 ，这表明弱反射光栅在本质
上具有 sn
i xix型的频谱关系。相位因子中的 m-1/2 项来自于片的定义，从而使输出参
考平面位于光栅的最终反射点之内半个周期的位置。

A7.5.2 耦合模极限

第6章所讨论的耦合模方法是通过求解波动方 程来分析光栅的，其中假设波的变化足
够缓慢以致于可以忽略其幅度的二阶微分。这一 限制意味着各个界面的反射必须不能太
强，并且忽略了高千户的各项。由于耦合模法包含产 项，对千接近布拉格条件的强反射光
栅，它比傅里叶法更为精确。耦合模理论的另 一 基本近似在千它只保留了那些能够在布拉
格条件下有效地将前向和后向波耦合起来的折射率变化的傅里叶分最。在远离布拉格条件
处，折射率变化的其他各傅里叶分屋开始对前向和后向波之间的耦合作出贡献。 当忽略这
些贡献时，可以想象与傅里叶法相反，耦合模法只在 一 个有限的频率范围内有效。因此，为
2
了再现耦合模近似，将频率偏移址限制为 (M)
采用上文的过程，将各项保留至产和(M)气而忽略其他各项。我们还忽略r和机 之
间的所有乘积。在此情况下式 (A7. 27)和式 (A7. 28) 简化为
r1 ：：：：：：：：为三迅
,1::::::::M (A7. 35)
k 兰 2r/A ，在耦合模理论 中它表示前向和后向波之间每单位长度
一
这里引入了 个新的变量
的耦合。对于这里分析的方波形状，耦合常数 k 就等千每光栅周期的两次反射。在 余下本

节中将用 k 来代替r。
在式 (A7. 5b)和 (A7. 11) 中采用式 (A7. 29)和式 (A7. 30) 获得的分立传播常数和镜面
• 335 •
周期的有效数目简化为
1
2
—
(T11 +T22 ) ～ —
[l+（心） 2 ／ 2 — (M) 2 /2]

`（Tll +T立 1=[（叭） 2— (m] 1 /2 气A

e 六 = — [l =fai\ +(ai\) 2
/2] ～产e
飞

(A7. 3 6)
meff
= �
tanh 5
=�
6A

为了与第6章采用的耦合模符号保持 一 致，引入了另一个新的变量 6三 J了＝了。分立传播

常数就是F勹动， 在动 中算到二阶。在阻带< ltl </C)内，a = Re{$/J\}，可以将其解释为
每单位长度的衰减常数。
利用式(A7.35)和式(A7. 36)中 包含的各种近似，反射率 式(A7.23)的常规表达式简化为
l
rg I =竺tanh 6L g CA7.37)
l+i tanh a匕
coupled-mode
6 . 8
—
6

在 推导该结果的过程中，与1相比已经忽略了 分子中的凶，并令mi\. =L g 。式CA7. 37)与耦

合模结果 式(6 .37)等效，除了那里列出的 — J相位因子，该因子是因为选择了不同的输入参
考平面（详情请见第6章）。

A7. 6 布拉格条件下通用的反射率

上述分析假设可以用单一周期 T矩阵的m次方来表示总的光棚矩阵。这种方法的缺
点在于它假设光栅是完全周期性的且只有两个折射率交替的层。实际上，输入和输出层的
折射率通常与构成光栅交替层的 两种折射率有所不同。更为普遍的是，光栅内部的许多层
也互不相同。本节 将对第A7. 3节的结果予以推广来包含这种非周期性的光栅。但是， 这
类分析不可能远离布拉格条件，因此我们将重点来确定布拉格频率处的反射率。
将光栅 分割成其基本组分，可以看出我们需要考虑的矩阵有3种类型：（1) 由高到低 的
界面（参照从左到右），（2） 由低到高 的界面，（3）四分之一波相位延迟。用THL 、TLH 和T入／4来
表示，我们来分析 一下这些矩阵对如下矢扯的作用：

e+= [l和
� - [-�l
e= (A7.38)

利用表3.3，可得出
=e Tm_e= 'e- ._
THLe 'e
+ , - e
+

(A7.39)
+

+ =e··
TLHe +,
,e TL心－ ＝e 'e _
+

T入／4 e
+
=
je,_ - je
T入／4e= +

其中对千第1个界面
1, n几
s, ＝ 歹In汇 CA7.40)

加，是第1个界面处的高折射率，n［，是低折射率。由 式 (A7.39)可知，e
+ 和e实际上是 THL

和TLH的 本征矢星， 这说明s，就是第1个界面的 分立衰减常数。然而对于四分之一 波延迟，

• 336 •
e十 和e一不是本征矢损，T).／4 并不能将 一 个变换成另 一 个。习题A7. 4要求读者验证这些
关系。
根据式(A7.39)就可以完全确定穿过任何结构的传播，其中可以包含折射率断点和多
个四分之一波节段。我们尤为感兴趣的光栅是折射率层遵循HLHL顺序，并且每层的厚度
为四分之一 波长的那种光栅。首先利用式(A7. 8)将输出场矢扯展开，传播经过该结构的第
一个半波长之后，假设界面0为由高到低，而界面1为由低到高，可得

。
TLIIT).／ 4 THLT).／4e = TLHT).／4TH LT).／4 ½<e+ +e-)

=TLH T.).／4 j ½( -
e '0e- +e+ '0e 1.)

= －—21 [-e sl
（ 气。 ）
e＋ ++(s
e 1 +5。 e-J
)
CA7. 41)

这样，两个界面的s参数 简单地相互叠加。继续重复上述过程，从输入端直至穿过N个界
面，求解反射与入射波幅度 的比值，可得

\ r. \ = tanh � s, (A7. 42)

其中N是光栅中四分之一 波的层数。用式(A7. 40)表示s,，可以将反射率用另一种方法表

示为

Ir. I = ｝：:， 其中 b= 汇汇 (A7. 43 )

如果n1和nH 在光棚内没有变化 ，有N= 2m个四分之一波层具有n1,o/n =

Ho 1（参见图A7. 2),

则b= (n1,/nH )气式CA7. 43)简化为上文推导出的更 具有局限性的式CA7. 14) 。

这里开发的工具也可用于那些间隔为半波长的介质结构，以及不遵循HLHL交替顺序
e
的结构（其中一例就是抗反射锁膜）。欢迎感兴趣的读者将这 一 方法与Corzin、Yan和
e
Coldrn讨论 的方法相比较，该方法采用了基本上相同的方法来分析更为广泛的介质结构。

习 题

A7. 1 设计VCSEL的光栅镜面使其满足如下要求：
(i)输出耦合器镜面的功率反射率峰值必须尽可能接近千99%。
(ii)后反射镜的功率反射率峰值必须大千99. 9%。
请就如下两种材料系统设计镜面，并明确设计周期数和每层的厚度：
(a) Al 。 2 Gao.s As/AIAs交互层，提供的反射率峰值位于0. 87 µm。
Cb) InP/InGaAsP(1. 3 µm)交互层，其反射率峰值位于 1. 55 µm。
表1.1对正确设计可能有所帮助。对千后反射镜，假设两侧的光栅都在高折射率材
料处终止。对于输出耦合器，假设一端在高折射率材料处终止，而另 一 端终止于空
气（在输出耦合器设计中，请确保折射率遵循 高低高低 的顺序，以保证反射波之间
＂ “

存在正确的相位关系）。请绘出最终镜面设计的折射率分布曲线简图。
如果 VCSEL 两个镜面之间区域的厚度为一个光波长，假设典型的生长速度为
• 337 •
 1 µm /h，则需要多长时间来生长短波长和长波长VCSEL?请从这个角度就短波长
和长波长材料系统的优缺点进行评论。
A7. 2 采用第 A7. 3 节的方法来推导光栅反射率的常规表达式 CA7. 23) 。尤其是：
(i) 利用式 CA7. 5c) 的第二种形式来确定木征矢措。
(ii) 将输出矢措用两个本征矢最的形式展开。
(iii) 将场传输到入射平面。
(iiii) 计算反射场与入射场的振幅之比。
在确定本征矢械的过程中，可以 令 e 上 e = T11 Cl士 tanh �) / (1 + jti) 且T22 = T11 Cl —
jti) / (1 +jti) （不过，如果无需使用这些关系，请验证这些关系的正确性）。
A7. 3 穿透深度的概念不但适用千计算位于Bragg条件附近的光栅的线性相位偏离，还可
用千计算光栅在Bragg频率处的能最分布和吸收损耗。
(a)能橇穿透深度的定义如下：假设入射能屉以常数形式进入镜面，在该穿透深度内
的总能散等千实际上光栅长度内积分的总能蜇。令入射能量乘以能措穿透深度
等于在所有周期的能址的总和，可得

(A工＋B;凡）L句＝ 2（A, A, ＋B，飞，）A ＊ (A7. 44)

这里每个周期内的总能鼠近似等千左边沿的能扯密度乘以 一 个周期的厚度。如
果A值与叠层的长度相比很小(m很大），该近似很好地成立。
用式 (A7. 9) 来表示Bragg频率处的 A， 和B，，请证明能扯穿透深度近似等千：

L�££=
tanh 2m�
A (A7. 45)
2e
提示：令 A___..dz,iA___..z，则求和项近似等千积分项。

请证明在 r 很小且m 很大的极限情况下，该表达式等效于 meffA。

2
—

(b)吸收损耗穿透深度的定义如下。如果 在光栅内均匀地分布着微小的吸收损耗
a，光栅的 反射率在某种程度上降低。如果把反射镜模拟成 一 个硬性镜面凹陷
在有损材料中的某一穿透深度处，则造成的环路哀减等于e-2aL!rr 1 - 2aI点（当 =
损耗较小时）。将用功率反射率表示的 有 效缩减量等千真正的衰减量，即可得
L加的定义。
在式C 3. 43)的 相 位 项§士中包含 一 项 均 匀损 耗， 请 证 明 在 Bragg 频 率 处
�= — JaA/2 而不等于零。根据此结果和 式 (A7. 23) ，假设损耗项展开至 一
阶，请

推导出 L加的近似表达式。并证明在 r 较小的极限情况下，L ：

f1
2
= —
me 11A 。

(c) 请推导式 (A7. 25) 给出的相位穿透深度 L 如的精确表达式。

A7. 4 验证式 (A7. 39) 中的所有关系。半波长相位延 迟情况下相应的关系如何？请通过
如下方式来回答该问题：
(a)直接利用半波长矩阵。
(b) 将两个四分之一波长相位延迟串联。
• 338 •
 利用刚才推导出的半波长相位延迟特性和第 A7. 6 节开发出的其他工具，请推导由
如下节段组成的结构的反射率：
一
(i) 个低－高界面。
(ii) 一
个半波长相位延迟。
一
(iii) 个高－低界面（两个界面的高层相同）。
将反射率用 3 个折射率的形式表示出来，并将其表示为每个界面反射率的形式。 假设
相位延迟是四分之 一 波长而不是半波长，请重复上述推导。 将这些表达式与第3章中推导
的Fabry-Perot腔表达式相比较，请分析比较结果。

• 339 •
 附录8 半导体中的电子态

言
A8.1 引

附录l给出了周期性电势中电子态的基本描述。 其中介绍了诸如能带、电子有效质量
和态密度的重要概念。 所有这些概念对于理解光与半导体晶体 之间相互作用的方式极为重
要。 然而，为了定最地描述这些材料中的光增益，需要更为完整地描述这些电子态。 本附录
将较为详细地分析为了计算跃迁矩阵元（参见附录10)所需的电子的波函数。 此外，将讨论
重空穴和轻空穴带之间的耦合所涉及到的价带混合效应。 最后将考虑应变对应变星子阱的
子带结构的影响。 具中的一些讨论将针对附录1中所介绍的材料。

AS. 2 电子态的 一 般描述

薛定鄂方程将晶格的系统Hamiltonian H。与电子的能植E联系起来，求解该方程可以
获得半导体导带和价带中的电子波函数。 可以将其写为

归＝ ［ �+V(r)］尸均 (A8. 1)

其中p是动县算子， r 是位置矢最， m 。是自由电子质最，心是电子的波函数， V (r)是晶格产

生的电势。 由于 V(r) 具有周期性，上述方程 的解具有Bloch波的形式：
心＝e •ru (k,r) (A8. 2)
ik

其中k是电子的波矢量，u是Bloch函数，其特殊性在 于它随着晶格是周期性变化的，因此
在晶体的每个单位晶胞中都重复。 在大多数实际情况下，我们并不需要了解Bloch函数的
精确描述。 不过重要的是，Bloch函数在导带和价带中具有对称性，第 A8. 3节将对其予以
分析 。
为了分析措子阱和歉子线中遇到的这此本地化的电子态，需要考虑式 (A8. 2)中Bloch
波函数的线形组合。 采用任意 一 套展开系数 A(k) ，可以将空间本地化的波函数表示为

少＝ ［A(k)e •ru (k,r)d k :=:::,; u(O,r)fA(k)e •rd k

ik 3 ik 3
罕 F(r)u(r) (A8. 3)

式(A8.3)中对于本地化能态的描述被称为包络函数近似。 这里的关键假设在于在给定的
能带中，Bloch函数不是K的强函数（至少在带边附近如此），因此可以 近似 表示为带边
(k = O)的Bloch函数 u(O,r)=u(r) 。 这样可以将其从展开式中提取出来，并定义一个包络
函数 F(r) ， 其傅里叶谱由式(A8. 2) 表示 的解的平面波分扯构成。 这样，给定能带中归纳的
近似解由带边Bloch函数乘以 一 个慢变包络函数组成。 令这两个分僵归一化，用Dirac符
• 340 •
号可将其表示为

<FI F〉三
f 广F d3 r = 1, <uI u〉圭
了 ］
UC 单位晶胞
旷ud3r=l (A 8.4)

对千包络函数，V是品体的体积。对于Bloch函数，我们只需考虑晶体的一个单位晶胞的体
积 VUC 。请注意，根据我们选择的定义， 包络函数的维 度 为 y-1/2 ，而Bloch函数是没有
维度的。
仅仅考虑其对称性，就可以得知导带和价带的Bloch函数是相互正交的。用Dirc
a 符
号表示，可以将该正交性写为
(U, I Uv 〉= （ Uv I U, 〉 =o (AS.5)
一
第A8.3节将更详细地讨论Bloch函数，进而说明为什么存在这一正交性。另 方面可以
一
精确地确定包络函数。例如，在体材料中，归 化的包络函数就是简单的平面波，即
1
F=— ejk • r CA8.6)
汀
附录 1 及本附录随后都分析了量子阱材料中的包络函数。
我们尤为感兴趣的是式(AS. 1)给出的电子或空穴能扯E与式(A8.6)给出的电子波函
数K之间的关系。通常假设导带和价带中的能带都是抛物线形的，这样我们可以引入有效
质址的概念：
仔k� 作kf
Ez(k)=E,+�,， E 1 Ck)=E v (AS. 7)
2 mc 2m v
其中 Ec,V 是带边能最， mc,V 是两个能带的有效质量，K队 ］是给定电子或空穴的波函数的幅度。
然而，这些表达式对于现实情况过于简单。首先，E(k) 沿着晶体的各个方向并不相同，并且
不能简单地用K来代替k。例如，我们知道GaAs中的重空穴带作为K矢歉方向的函数是高
度各向异性的（相比而言，导带和轻空穴带在靠近带边的能量处更为各向同性）。其次，在远
离带边的能星处，能带曲度并非完全是抛物线形的，在轻空穴带中尤为如此。在拭子阱和量
子线材料中，价带是极其非抛物线的。因此在定义增益的关系时，必须牢记：对于实际情况
式(A8. 7)并非总是近似得很好。

AS. 3 Bloch 函数和动量矩阵元

为了更为精确地确定电子态，首先分析各种能带的Bloch函数。图A8.l所示为导带
和价带的示意图。 3 种价带通常被称为重空穴 (HH) 带、轻空穴 (LH) 带和分裂 (SO) 带。如
附录 1 介绍，可以将每个能带视为起源千构成晶体的孤立原子的分立原子能级。这样，可以
将导带视为剩余的s原子轨道，而3个价带是剩余的3个p原子轨道：P尸 九和p之 。这里将
这些轨道相应的Bloch函数表示为u，和u工 、Uy 和u.。这种对应关系非常有用，因为Bloch
函数保持了原子轨道所具有的许多对称性。
例如，导带Bloch函数u，在每个单位品胞内的所有3个方向上都具有偶对称性，这类似
于球形对称的s原子轨道。用类似的方法， U又在每个单位晶胞内的z向上具有奇对称，但是
在其他两个方向上具有偶对称，这与p之 原子轨道类似。仅从这两个事实我们 就可得出结
论，沿着z向的净的奇对称必须给出<u, Iu.〉 =0（其中括号 表示在一个单位品胞内积分）。
• 341 •
然而，用 动扯算子P,对u,进行运算将 导致z 向 上 的对称性 反转，因 此 动 量 矩 阵 元
(u,lp,lu,〉通常是非零的。 由此以及类似的分析可以立即写 出 一 些有用的对称关系 及 定义
I ; I u) 〉=0 ，
<u, p 当巧勺 (A8. 8)
I ; lu,〉聿M
<u, I pl u,〉＝（u, P (A8. 9)
<u, lplu,〉＝O (AS. 10)
其中i=x,y, z,u，和u，分别代表上旋和下旋函数。 第3个关系式基千如下事实：自旋反向的
．． 两个Bloch函数之间没有 相 互作用。 在
这里将常数 M定义为基函数 动星矩阵
元。 这样，通 过简单的对称性分析，可以
E

将us 和3个 u，之间所有的各种动扯矩阵

，

元都直接与一个常数M联系起来。
通常将与图A8. 1的能带对应的 价

。
“ ＂
带Bloch函数uhh、Uih和U,o写为 基 函数
U工 Uy 和u,的线形组合，其 方式类似千分
、

注：图中给出了导带，重空穴带、轻空穴带和分裂带 子能带研究中构成混合 轨 道的 方 法。 3
及其相对的能量间隔。还给出了真正的（实线）和 种能带中都存在 自 旋简 并 ，因此实际上
近似的（虚线)C能带及其相应的有效质量(4个能带
的相对尺寸大致与GaAs相对应）。 需要定义6种Bloh
c 函数。 定义电子的K
矢最直接朝向 z方向，可以将 价带 Bloch
图A8. 1 典型的III-V族半导体的能带结构示意图
函数写为
1 1
Uh h=— —(u工 十juY )' fl hh =—(U工 juy)
迈
—

欢
U1b= － 上 也＋j uy — 2u,), ii 1h=上 (u工 — juy +2瓦） (A8. 11)
次 病
U,o=— —(ii.r ＋j 豆y +u,), ii,o=—(u.r— j uy—u2 )
祁 屈
其前因子为归一化常数，具有任意的相位（这里选择的相位是Brodi o和Sham采用的相
位）。 对千朝着另 一 个方向的K，必须重新定义上述关系（然而，如果在排列中也包含k的方
向，则x、y和z的循环排列的确产生等效的关系）。
人们将上述基函数的线形组合称为角动量表示 法。 当我们考虑p轨道的角动扯与电
子的自旋角动量之间的自旋－轨道相互作用时，它们非常有用。 在上述表示中，自旋－轨道相
“ ＂
互作用项是 对角化的 。 如果不存在自旋－轨道相互作用，则SO带与HH带 和LH带是简
并的。 当存在自旋－轨道相互作用时，该简并被去除，SO带从其他两个能带处被压低了 一 个
自旋－轨道分裂能扯A，该能量在GaAs中约等于 o. 34 eV。
根据上文对价带的描述 ，可以更为完整地描述对跃迁矩阵元。 不过，我们仍不知道基函
数动量矩阵元的幅度。 因此，本节最后将用上述关系的一个实例来获得IM尸幅度的近似表
达式。
2
人们最初算出体材料中IM尸的方法是从理论上将IMl 与导带的曲率联系起来。 利用
被称为kp法的二阶微扰法，可以将电子的K矢扯方向（根据式(AS. 11)的定义是z方向）上
的导带有效质量表示为
• 342 •
 卢＝卢［1 ＋笘卢 I (uC 上CP飞 :n 〉|�] (A8. 12)

其中求和项对晶体的所有n个能带求和（不要与猷子阱的子能带混淆），且和EC 是每个能
带的带边能量。 从式(A8.12)可以看出，导带有效质量与自由电子质量的差异来源千晶体
中导带和其他所有能带之间的相互作用。
值得注意的是，由千分母的符号，能最越高的能带越发导致有效质最变重并趋于使导带
变得平坦，而较低的能带越发趋于使有效质量降低，从而增加导带的曲率。 在任何一种情况
下，给定能带的作用都是迫使导带远离该能带。
也是由于分母的作用，只有那些能鼠接近于导带的能带才对求和的贡献很大。 忽略求
和中除了 3 个价带以外的所有其他能带，利用式(A8.8) ~ (A8. 10) 和 式(A8.11) 给出的关
系，可以获得导带有效质量的近似闭式的表达式。 请注意 HH 带的 Bloch 函数并不包含
u z ，因此它对求和的贡献为零。 这样，对 LH 和 SO 带求和并利用图 A8.l 定义的能最间隔，
可得
21M尸 2 1 l l
芷1 _1
＝ 1
［＋ 1
。 (½瓦十了 (E尸Li))] (A8.13)
I

m
．
近似的导带有效质最m 应略轻千真实的有效质最，这是因为在近似中忽略了所有更高能
带的影响。 图 A8.l绘出了近似的导带（其曲率与m 有关）和真实的导带。
．

利用回旋加速器谐振法可以通过实验在 一 定精度内测量出真实的导带有效质量。 这
样，假设旷接近千真实的有效质最mc ，可以将式(A8.13)重新整理获得
IMl 2 =(:—1) （Eg 飞二。 E g (A8. 14)
平 g
十
产）
因此可以看出通过式(AS.8)~(A8.10)和式(A8.ll)给出的简单的价带描述所直接导致的
2
公式可以粗略地估算IMl 。 虽然上述关系并不精确，它的确说明IM尸近乎正比于半导体
的能带隙与导带有效质鼠的比值。
利用价带 Bloch 函数作为练习已经推导出了式 (A8.14)。 对于那些还没有完全被鉴定
的材料，这个公式非常有用。 然而对千较 为常用的材料，例如 GaAs，存在更为精确的方法
2
来确定IMl 。 式(AS.14)的不准确性源于这一事实：较高能带的贡献较大，因此而并非总
是很好地近似真实的有效质扯mC 。 例如，在 GaAs 中叩尸近似等千 0.050 2m。，而真实的有
效质扯为 0. 067m。。 因此，在式 (A8. l4) 中采用真实的有效质量导致低估了矩阵元大约
26% 。 许多以前的计算都没有对此予以校正（参见 Yan 等人对此的讨论），这表明计算的自
发发射（以及由此引起的计算的辐射电流密度）和光增益将被低估 26% ，这可是一个不小的
因子。 采用电子自旋谐振法实际上已经对IM尸给出了最为精确的估算。 在表4. 1中，列出
了通常在半导体激光器应用中采用的几种材料系统的最为精确的IM尸的报道值。

AS. 4 量子阱中的能带结构

利用上文定义的 Bloch 函数，现在要来着重定义并求解导带和价带的包络函数。

AS. 4. 1 导带

对于非简并能带（排除自旋），例如导带，Luttingcr和Kohn（利用kp公式）已经证明可
• 34 3 •
 “ ”
以为式 (A8.3) 定义的包络函数 F2 推导出一个 有效质扯方程 或者类薛定鄂方程。 该方程
为
(He +V)F2 =E2 (k)F2 (AS. 15)
其中导带的 Hamiltonian 就是
2
几＝
2
—行 炉？ 行
(K:＋从＋肚） (A8. 16)
2mc . 2m c
箭头表示（当 V 是常数时）Hamiltonian 对于平面波解的形式。 这时的电势 V 对应于材料带
边的变化，而电子的总能量丘 (k) 是相对千导带底部测量的。 与式 (AS. 1 ) 相比，有效质卧
方程极为吸引人的地方就在于它已经将 Bloch 函数从方程中移出，由晶格造成的周期性电
“ “
势的作用已经由导带 有效 质最m C 来代替。 在此近似中，由具有不同带隙的3种材料相接
＂ ”
触所构成的量子阱实际上变成了教科书中的 盒子中的粒子 问题，F是波函数，材料带隙是
电势 V。 附录 1 分析了式 (AS.15) 和式 (AS. 16) 对千措子阱的求解。

AS.4.2 价带

1. 简井的有效质量方程
员子阱导带中的能带结构的简化依赖千如下假设：导带与其他各能带的相互作用足够
弱，从而通过用导带有效质最来代替该相互作用就可以用微扰方式来对待该作用。 然而，对
千能量中的能带简并，这种弱相互作用的假设并不好，必须摒弃。 由此，必须修正有效质员
方程式 (AS. 15) 来明确地包含强简并能带的相互作用。
Luttinger 和 Kohn 还研究了简并能带有效质鼠方程的 一 种修正衍生版本。 在这种情
况下，对千每个简并能带也得到类似于式 (AS.15) 的有效质蜇方程，但是由于简并，该方法
引入 一 个耦合项将各方程耦合起来。 对于位千带边附近的简并的 HH 带和 LH 带（参见图
A8.1) ，这意味着必须处理 4 个耦合的有效质量方程（必须包含自旋简并）！实际上可以在
这套耦合方程组中随心所欲地包含任意多的能带（每个自旋简并能带对应于两个方程）。 例
如，除了 HH 带和 LH 带，Eppenga 等人在其四能带模型中包含了 SO 带和导带，从而导致
了 8 个耦合方程！然而，到目前为止 HH 带和 LH 带之间的相互作用是最强的，忽略其他
能带并不会造成太大影响。 只有当考虑深入价带的能级时（其能肮与自旋－轨道分裂能最A
可比拟），才需要仔细地考虑 SO 带。 在 GaAs 和 lnGaAs 中心＞300 meV，这表明对千这些
材料的大多数增益计算，都可以完全忽略 SO 带。 然而在 lnP 中心 ＝ 100 meV，该系统中通
常采用的势阱材料更接近千晶格匹配的 InGaAs，这时 A 更接近于 300 meV。
通过利用最初由 Kane 并随后由 Bro1do 和 Sham 提出的理论可以极大地简化4个有效
质最耦合方程。 他们将 4 个 Bloch 函数进行合适的线形组合 (llhh, ll 1 h, ilhh, il 1 h) 来构成 4 个
新的 Bloch 函数 (U A • U B, Uc, U D) ，将4个方程去耦合变成两个等同的二耦合方程组。 这样，
实际上在分析中只需考虑两个耦合方程。 然而，这种便利是要付出代价的。 现在必须将注
意力限制在分析 晶体的给定平面内的 E1 (kxy )上（必须指定仁的方向）。 而且，只有对
{100} 和{ 110} 平面，这些方程才是完全通用的。 然而对于当前的任务，这些限制都很次要。
可以将简并能带的两个有效质扯耦合方程表示为
(Hhh+V)Fhh+WF1 h =E1 (k)Fhh (AS. 17)
(H1 h+V)Fu,+W飞＝E1 (k)F1 h (AS. 18)
• 344 •
其中 Fhh ,lh是重空穴和轻空穴包络函数，与下节定义的两个新的 Bloch 函数 UA,B 相对应。 它

们在该耦合情况下代替了通用的价带包络函数 F1 。 E1 (k)是从价带边处测掀的空穴的总能
十
歉。 并且，w 是 W 的厄密共辄。简并的式 (A8. 17) 和式 (A8. 18)以及非简并的式 (A8. 15)
有效质星方程之间的主要差异在于其耦合项W。 我们想要求解的是能量 E1 (k)，但是由于
w，现在必须同时求解两个方程才能得到它。
Hamiltonian 的形式 H hh ,lh 也与式 (A8. 16) 略有不同。 定义丸和K为两个垂直的 K 矢量
分植，其中从沿着 (100 〉方向，而 K ［ 或者沿着 (100 〉方向或者沿着 k x-丸平面内的 (110 〉方向。
根据这些定义，可以写出（假设平面波解）
H hh= <r1 — 2r2)k;+<r1 +r2 )k; (AS. 19)
H, h= Cr1 +2r2)k;+<r1 -r2)k; (AS. 20)
其中
行2
Y1 — 2Y2= ， Y1 +2Y2 兰 (A8. 21)
2m hh 2m1h
在写出 H hh ,l h 的过程中，为了便利，假设 E1 (k) 在价带内为正值。 请注意，式 (A8. 19) 和式
(A8. 20) 的形式与式 (A8. 16) 非常类似。 唯一令人吃惊的特征在千沿着丸和K采用了不同
的有效质扯。 正如下节所示，包含耦合项弥补了体材料中明显的不对称性。 然而在星子阱
材料中，该对称性导致势阱平面内的 HH 质蜇比限制轴向上的更轻。 我们将材料常数 Y1 ,2
称为 Luttinger 参数，通过式 (A8. 21) 很容易将其与 HH 和 LH 的有效质量 m hh 和 m1h 联系
起来。 耦合项 W 内存在第 3 个 Luttinger 参数 Y3 。 当 k t 沿着 (100 〉和 (110 〉方向时，耦合项
的形式略有不同。 可以将这两种形式定义为
W ＝ 急（沁 t— j2 汃） 对于 {100} 平面 (A8. 22)

W ＝ 忍环 k t — j2 汃） 对于{110}平面 (A8. 23)

其厄密共扼为
+ ＝
w 急 (y2(3) 九十 j2 江） （ AS. 24)
十
它与女是否是复数无关（即在定义 W 时不用对 Hermitian 算子丸求复共辄）。 不论是哪种
形式，都可注意到，当 k,= O 时，耦合项消失，有效质扯方程去耦合！这样，在量子阱中，可以
为 HH 和 LH 价 带 的抵化值 E ln (0) 独立地 求 解 每个有 效 质最方 程 式 ( AS. 17) 和
式 CA8. 18) ，就像上节对导带分析的那样。 不过对于有限的 K t 值（即远离带边时），这些方程
相互耦合，求解 El n (K t ) 变得更为复杂。
2. 体材料解
在导带中，求解量子阱问题的第一步是找到每种材料中的体材料解。 为了找到体材料
中 E1 Ck) 的通用解，适宜于将有效质屋方程式 CA8. 17) 和式 (AS. 18) 变换成矩阵形式：
－V
厂 Hi h
w F

+V ] ［ F勹＝
E1 (k) [:』 (A8. 25)

对千体材料解，令 V 为常数 Vo 。 然后观察式 (A8. 19) 和式 (A8. 20) ，可得知对千给定的 K 矢

量，2 X 2 H amiltanian 矩阵由各个简单的常数构成。 这种情况下可以很容易地求解本征值
问题来获得本征能量。 在常规形式下，HH 和 LH 带的体材料 E1 (k) 关系为
— 1
=— —1 2 t 1 2
V。
2 (Hhh + H,h ) 土 2 [ CHhh
E1 (k) - H,h ) +4w wJ 1 (A8. 26)

• 345 •
利用式(A8.19) ～式(A8.24) ，可以用任何 {100} 平面内的 K 将 E 1 (k) 精确地表示为
E1 (k) =y1 (k;＋氐）士[4计(k;+ k;) +12Crl－计）忙k门 1 (A8.27)
2 1 2

其中令 V。 = 0 。 在任何{ 110} 平面内可以为 E 1 (k) 获得相似的方程。 图 A8.2 为 HH 带的

解（负根）和 LH 带的解（正根）绘出了式(A8.27) 的能量等高线。 根据这些曲线可以看出，

第 3 个 Luttinger 参数 Y3 与有效质械在 (100 〉和 (110 〉方向上的各向异性有关（由于 Y3 = r2 ,
根据式(A8.27) ，等高线将变成环线）。 沿着丸或 K 观察（沿着(100 〉方向），式(A8.27) 中的
交叉项消失，这样可得
E】 (k) = (y
l 土2 y2 )妒， k指向任何(100〉方向 (AS.28)
根据式(A8.21) 中定义的 Luttinger 参数，可以发现由式 (A8.28) 可以获得标准的 HH 和
LH 的 E 1 (k) 关系。 由此，与式(A8.19) 和式(A8.20) 所建议的相反，沿着丸和忆的有效质
扯与体材料中（在 {100} 平面内）的一致。

<100 〉 l (II
/

勹 00
kz

kz

- 0.02 0.02 -O O2 k,IA 0 02

重空穴 轻空穴
注：每个等高线之间的能量间隔为 0,5 meV (HH带）和 3 meV (LH带）。

图A8.2 体材料GaAs中HH带和LH带的K空间的任何(100}平面内的能量等高线

为了完全确定体材料解，我们还需找出式(A8.25) 的本征矢量。 根据式 (A8.26) 的两

个根所给出的 Ehh(k) 和 E,h(k) ，除了归—化常数，还可得本征矢员为

少1 (k,r) =
r:::] e •r[“
= ik 飞： E h A
h) =eJK r [ lh （ )
K）
A l (K)
CA8.29)

［凡 ]
少2 (K.r) ＝
Flh
e
= lk
r[－
Hlh+V。 — Elh A2h(K)
Wt) =d r[A2l(K)
k

） (A8.30)

其中对千这两个解，矩阵符号表明
少＝FhhllA + F1h 匹 (A8.31)
将式(AS.29) 和 (AS. 30) 代入式 (AS.18) 可以检验这两式的有效性。 此外式 (AS.19)~
(A8.24) 内的 Hamiltonian 隐含地假设了平面波解，由此必须将其包含在式 (AS. 29) 和
(A8.30) 内。 式(AS.31) 用矢量符号给出了波函数。 Bloch 函数 uA.B 相互正交（类似千真实
空间内的两个正交单位位置矢量），并可表示为第 A8.3 节定义的价带 Bloch 函数的线形组
合。 可将其写为
• 346 •
 1
UA=—-（auh h—a iih h)
兴
(A8.32)
迈
UB = �(/3豆lh—矿u,h) (A8. 33)
欢
对千{loo}平面，a = /3＝1。 对于{110}平面，a = exp口3幻8]且f3= exp[-j亢／8］。
3.量子阱解
为了求解措子阱问题，再次选择蜇子阱方向沿着z向（这不是强制性的，但是有效质扯
方程在带边或者其他位置处不能去耦合，参见式(A8. 22)~(A8. 24) 。 在这种情况下，正如
图A8.3(a)所示， K Z 沿着限制轴向，龙是位于势阱平面内的横向K矢量分量。现在可以利用
每 种材料内在给定能量处存在的所有的体材料解来构成常规解。从图A8.3 (6)可以看出，
在给定能量处通常存在4个平面波解。这4个波的线形组合可以给出图A8.3(c)的每个区
域内的常规解为
甲＝I:A士心八士khh,k,,r)+I:B± t/;2（土k1h,k,,r) (AS.34)
式中对于正向和负向的波求和，khh,lh 的定义如图A8.3(6)所示。4个系数A士，B士为未知常
数。类似于导带中的式(Al. 6)， 式 (A8.34)是其 价带 版本。由此，类 似于式(Al.7)， 式
CA8. 27)是较为复杂的价带版本。根据式(A8.29)和式(A8.30)内的定义，心1 和仇都是含有
两个分扯的矢鼠。其常规解甲也是一个含有两个分损的矢扯。 每个分袜为
F hh = eik,,, [�A± 斗（土khh,k,)e切khh 2 十:凡华（士klh,K t) e切klh z ] (A8.35)

F1h = e杆，［�A土 A 11 （士khh,k,)e切khh 2 十:凡凶（士k1h,k,)e匀klh 之 ］ （AS. 36)

式 中已经将共同的横向平面波分量提取出来。这样在价带情况下，正如图A8.3(c)所示， 每
个区域内存在4个未知系数A土和B士，这不同于只存在两个未知系数的导带情况。
<100〉

-k,,
,,
-k, k, k,.
<100>

(a) (b)
V“

A'I ..,_ 酝A'.

甘<- 一七g

势垒 势阱 势垒
(c)

注： （a）价带模型中采用的坐标系。 K矢量横向或共面分量kt 可以指向(100〉或(110〉方向，而限制轴必须沿着<100〉

方向。 (b)当kt = 0时，体材料价带结构中在给定能量处存在的4个平面波能态示意图。 (c)在求解简并的有效质
量方程过程中采用的量子阱电势和 8 个系数（参见式 (AS. 34) ） 。 1 和r上标分布代表上 、 下系数 。

图 A8. 3 求解量子阱问题过程中的各种定义

• 347 •
 为了找到这些系数，令两个 势阱－势垒界面处的每个区域内的常规解相互匹配 。简并 有
效质扯方程的边界条件导致界面上 的如下四个量值相互匹配
dFhh
Fhh 和 (Y1 —2rz)� +)3Y3 k,F lh (AS.37)
dz
dF1h —
F1h 和 (y1 +2y2) {环k,Fhh (A8.38)
dz
当 kt= 0 时，对于非简并情况，上述边界条件与附录 1 给出的 一 致。此外，对于任意 kt，如果
界面两侧的 Luttinger 参 数 相同 ，第2 个 边 界 条 件 简化为简单的斜率连续 性条件。 将
式(A8.25)在横跨界面两侧的 一个极小的厚度内积分，可以得出常规化的斜率连续条件
式(AS.37)和式(AS.38)。 然而，首先必须保证 Hamiltoni an 对称，这涉及到在式(AS.19)
和式(AS. 20)内令(y ] 土2r 2 )k:?女（Y 1 土Y2 )从，并且在式(AS. 22) ~ (AS. 24)内令 Y3 k, __.
(y3 k,十k,兀）／2，最后由千 Y 1 、Y2和 y3 都与z 有关而令k z __.勹盯心。这些 导致对称的替换保
证了式(AS. 25)中的 Hamiltonian对千与任何z都有关 的九、Y2和兀都保持厄密共辄。应
注意到，上述边界条件在{100}和{ 110}平面内都成立。 这里应当小心，只有当两种材料的
Bloch函数相似时（其Luttinger参数的取值也应具有相似性），上述边界条件才成立。
将这 4个边界条件用千每个界面可 给出总共8个方程。 在这 3个区域中，每个区域都
有 4个未知系数，即总共有12个。然而，通过要求包络函数在无穷远处达到零值，可以得出
如图AS.3 (c)所示的总共8个未知系数。这样，我们的问题就完全确定了，通过数值方法找
出 8X8 行列式的根就可以求解这 8个齐次方程。
获得E 1 (k, ) 的常规步骤如下：（l）利用附录1 的传统方法找出特定HH或LH带边能
级的E1 " (0) ; (2)增加龙并在新的能态处猜测；（3）从式(AS. 26)给出的两个E1 (k) 关系中
找出每种材料的 khh,lh（每种材料具有其自身的V。及其自身的Luttinger参数组）；（4）根据式
(AS. 29)和式(AS.30)的定义计算每种材料的A值 ；（5）计算 8X8系数行列式；（6）如果它
不等于零，利用牛顿法重复上述过程直到对于给定丸找到能戳根为止；（7）利用更新过的初
猜值，增加kt 并 重复整个 过 程来找出 新 的 能量 根。 这 样 通 过这种 方 法可 以追踪整个
E凶女）。对千这类问题，其收敛速度非常好。例如，对千每个 龙，通常可以在 2~3次迭代内
找到能鼠根（图AS.4 是通过一 台Mac n
i tosh Quadra 650机在不到30 s的时间内产生的）。
至此我们完整地描述 了价带子带结构，现在 来举个例子。导带中的 一 维扯子限制导致
在势阱平面内存在 一 套抛物线子带。在价带中， HH和LH子带之间的耦合使情况急剧改
变，导致 能 带 结 构 更为有趣。 图 AS. 4 给出 了 一
个 在 势 垒 区中x = 0. 2 的 SOA.GaAs/
Al,Ga1,As扯子阱的 价带子带结构，其计算过程如上所述。由此可见其子带结构远非抛物
“ “
线形，并且在某些区域内，能带曲率甚至反转，导致负的 本地 空穴质量。
在预测具 有图AS. 4所示子带结构的材料可以获得的光增益时，尤其对各子带的态密
度感兴趣，同样如图AS. 4所示。 正如附录 2所示，态密度之所以重要是因为它确定了载流
子密度和该能带的准费米能级之间的关系。 从图AS.4 可知 ，P v 在带边附近约等千2.5pc ,
但是当能带之间的混合开始变得重要时， 该值迅速变得很大。P c 和 Pv 之间的失配以及总的
高Pv值降低了蜇子阱的性能，增加 了透明能级并降低了微分增益（理想情况下图AS. 4 中的
DOS曲线是幅度为1 的直线）。
由于最子阱内010〉和(100〉方向上的能带有所不同，原则上要在所 有共面k矢措方向
• 34S •
 一
上取平均来计算任何给定能量处的态密度。 不过，只对 组能带计算态密度（这组能带是图
A8.4所示的000〉和(llO〉色散曲线之间的某一适当平均），就可以很好地近似该过程。 通
过在能带计算中采用一个形式为 Wave= (W100 + Wuo) /2的耦合项，可以找出这些平均能
带。 该方法通常被称为轴向近似。 用它来计算图A8.4和图A8.6中的态密度以及第4音
“ ＂
中的所有最子阱增益计算。 对于 体材料 势垒区，利用有效质鼠沿着晶体内所有方向上的
“
“球面平均 ，可以找出各能带(HH 和LH有效质报）。 其中根本涉及到在式(AS. 21)中用
Y 2 替换(2Y2+3兀）／5，该方法被称为球面近似。
一
。
<110> (l00) -

-20
。-。-
A3尽 觑 淫

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· · · · · ．．I :． ． .： .：． ．． ·． . · .
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5
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10 15 20 25
1 1
30

共面k矢量／入 Pv(E)lpJE)

注：图中左侧为 soA GaAs/Alo.2Gao.sAs量子阱(V。 =95 meV)的价带子带结构。 右侧为总的（实

线）和Hl子带（虚线）的态密度，其值是对千第一个价带(Cl)子带态密度的相对值 。

图A8.4 量子阱的价带子带结构和态密度

A8.4.3小节将研究各种通过引入应力从有益的方面来修正Pv 的方法。

AB. 4. 3 应变置子阱

将压应变引入半导体的品格可以导致半导体激光器的性能 增强，这一概念首先是由
Yablonovich和Kane以及Adam独立提出的。 为了理解其原由，需要检查应变的影响，尤
其在量子阱中。 将压应变引入鼠子阱结构是非常简单的；只需选择势阱层的材料使其自然
的晶格常数大于势垒层的晶格常数。 由于扯子阱层通常非常薄，因此晶格通常在势阱的平
面内压缩来与势垒层的相匹配，而不会造成失配位错。 此外，如图A 8.5(a)所示，与该平面
垂直的方向上的晶格常数被加长（用来努力保持每个单位晶胞的体积不变）。
由于半导体的能带隙与其晶格间隔有关，可以预想晶格中的失真应导致应变层带隙的
变化（仅由量子限制造成的变化除外）。 事实上，存在两种类型的修正，附录11将详细地讨
论其产生原因。 第一种效应导致导带向上移动而两个价带都向下移动，从而使总的带隙增
加扯值H（ 该值对压应变为正，对张应变为负）。 字母H表示，该移动源于应变的流体静力
分最。 第2个更为重要的效应将HH带和LH带分隔开来，每个能带都从中心处向相反的
方向移动量值S。 字母S表示该移动源于应变的剪力分抵。 这样，两个价带的带边简并被
去除，现在必须定义两个能 带隙。 总的应变带隙被写为E.+H士S，其中上符号代表C-LH
带隙E.(LH)，下符号代表C-HH带隙E.(HH)。 图A8.5(6)中已经绘出了无应变的体材
料带隙以及位千GaAs（其品格常数小于lnGaAs)衬底上的InGaAs的两个压应变体材料带
• 349 •
 雷
隙。 请注意，由于E,(LH)>E,(HH)，上文定义的S对千压应变为正值。 对于张应变，S
应为负值 ，则带隙顺序应相反。

a,II
I | | | | | ＝
田扫
a, a(=a,）女lo<礼

（a) 处于压应变下的晶格变形

In,Ga,,As on GaAs
1.5 250

1.3
200
l l
A总 罕 辛 華

A;}
150

E]
09

3 ～万
100
07

50
u nstrained Eg
。。
05
-． ．
j
3 0
02 04 06 0.8 I
In量分数
(b) ln,Ga,.,As体材料带隙， 这时的共面内晶格常数被压缩到与 GaAs 的相等
工
v

LH

(c)量子阱价带中修正的电势形状， 这时的势阱材料处干压应变下

图A8. 5 最子阱的应变

随着In的量分数的增加，晶格常数的失配将线性增加，并且两个能量的位移H和S也
依次线性增加。 应当预料到，带隙差值E. (LH)-E. (HH)（图中被定义为Stot )应是In量
分数的线性增加函数，因为根据上述讨论Stot = 2S。 当In量分数较小时，从图中可以验证
这一点。 然而，当In扯分数增加时，S101 开始饱和。 这是LH带和SO带之间相互作用的结
果。 当考虑这一点时，该相互作用在应变 LH带隙的表达式中引人 一 个修正项，由此直到第
二阶都满足Stot= 2S(1-S/A)，其中A 是自旋－轨道分裂能量。 附录11更为详细地讨论了
应变带隙。
在量子阱中，HH带和LH带的分裂可以具有很大的影响，因为 HH带和LH带的混
合直接导致了图A8.4中子带结构显著的非抛物线形状。 如果将图AS.5(b)中所示的应变
带隙置千量子阱中，其状态如图AS.5(c)所示，轻空穴观察到的最子阱深度将减低分裂能量
值Stot 。 为了预测图AS.5(c)中应变量子阱的价带子带结构，只需要在描述势阱 LH带的有
效质量方程中增加一个电势偏差。 这样，上一节中的方程式(AS. 25)就变成
• 350 •
 凡＋V W Fh Fh
] ［ h] ＝E] （K) [ h] (A8. 39)
［
w 十
几＋ ＋ Stotv凡 Flh

其中 V在势阱中为零， Stot在势阱之外为零。在应变量子阱中求解式(AB.39) 的过程完全类似千

第 A8.4.2 小节中用千无应变量子阱的过程。这样，可以立刻跳到利用式CA8. 39) 计算的示例。
为了直接对比，采纳第 A8. 4. 2 小节 示例中采用的 GaAs/AIGaAs 80A.量子阱，只是在
势阱层中增加一点 In 。较 GaAs 相比， InGaAs 具有较大 的自然晶格常数，这样当被夹在两
层 AIGaAs 中时，它在势阱平面上被压缩。对于 20 ％的 In量分数，导致的HH-LH 分裂能
量 Stot 约为 80 meV，或者具有1. 4 ％的压应变 。
图 A8.6 给出了由式CA8.39) 算出的 80A.lno.2Gao.sAs/ Al 2Gao.sAs 应变量子阱的价带 。
子带结构和态密度。我们立刻可以看出，LH带被深深推进能带 中（图中没有显示势阱的总
深度）。 其结果是 ，能带弯曲被急剧降低。 与图 A8.4 相比表明，应变量子阱中的态密度被
急剧降低，Pe 和Pv 之间的匹配被急剧改善。正如第4章的增益计算所显示的，这两个特征导
致透明载流子密度降低，微分增益增加。
式(A8.39) 不仅能 用于屋子阱，还可用于体 应变材料。 采用 上 一节 中式CA8. 25) 的方
法（参见式(A8.26) 和式CA8. 27) ），通过寻找式(A8.39) 的本征能址可以得出体材料中的
E(k) 关系（第 A8. 4.2 小节给出的 H 和 W 的定义在这里也成立）。 可以得出式CA8.39) 的
本征能掀的常规体材料解的闭式形式，但是较 式(A8.27) 相比有些杂乱。我们将其留给读
者作为练习来得出：在 y2 妒／ S 的一阶内（即，在大应变区内 S>>y2 妒），可以将式CA8. 39) 的
本征能量表示 为

一
E1 (k II) = (Y 1 干 Y 2 ) 村士 Stot /2 (K z =0) (A8. 40)
。

E1 (k」 )＝（ Y 1 士 2Y2) 眨士 Stot /2 (K t =

0) (A8. 41)
<110〉 <100〉-

-20
AJW/

4
0
-
掣拦

6
0
－

-80

-100
-0.1 -0.05 。 0.05 0 5 IO 15 20 25 30
P、(E)lpcCE)
I
共面k矢量／A

注：图中左侧为 80A.lno. 2 Gao. s As/ Alo. 2 Gao. s As 应变量子阱的价带子带结构 (V。 ""175 meV) 。 由于应变，
LH 带被远远推出了势阱，采用图中所示的能量比例尺无法看到该能带 。 右图为总的（实线）和 Hl 子带
（虚线）态密度与第一导带 (Cl) 子带的态密度之间的相对关系 。

图A8.6 应变扯子阱的价带子带结构和态密度

上符号代表LH带的解，下符号代表HH带的解（已去除了带隙 中的任何共同位移，从而着
重千LH 和HH带隙能量的差值）。 平行（共面内）和垂直（垂直与 平面）k矢量引用图
• 351 •
AS. 5(a)中采用的符号。 请注意，令W=O也可获得上述关系（将式(AS. 19)和式(AS. 20)
与式(AS. 39)结合）。 这是合理的，因为在大应变区，一 般地讲 s»w，从而可以完全忽略能
带之间的耦合。 图A8.7按比例显示了式(AS. 40)和式(AS. 41)给出的修正的能带结构。
“ “
这样即使在体材料中，应变仍导致HH带的有效质展在 压缩平面 内急剧降低。 然而有趣
的是，垂直千平面时，除了HH带和LH带的分裂不算，色散关系式(AS. 41) 与式(AS. 28)
相比保持不变。
至此还没有提到应变对导带的影响。 其原因是由于导带与其他能带相对隔离，其曲率
相对来说不受移位的能带隙的影响。 式(AS. 13)表明，带隙的增加 导致导带有效质晕有些
许增加。 然而，这里必须小心，因为该公式中的第3个参数IM尸并不需要保持 为常数（例
如，IM尸可以按比例随着带隙而增加，而不会影响m.）。 在任何情况下，导带曲率的变化
都应是轻微的。
尤应变 压应变
^E E

---k I kl - - k I k 上一
注：相对的能带曲率是根据在大应力极限下推导出的式(A840) 和式(A841)
给出的（真正的色散曲线不会像图中所示的那样相互交叉）。

图A8. 7 压应变对体材料价带结构的影响
．

• 352 •
 附录9 费米黄金法则

言
A9.1 引

本附录将推导当存在谐振微扰时，从匮子力学初态到连续的终态集的衰减速率的表达
形式。 由于这一 常规结果可以用于许多量子力学系统，将得出的跃迁速率表达式称为费米
黄金法则。 这里将着重分析光与物质的相互作用。
用物理术语来讲，由于光子的振荡场改变了电子波函数的振荡相位，使其变得与通常位
于不同能带的另一个电子波函数的振荡相位类似，由此就产生了辐射跃迁。 时间上的相位
匹配导致这两个电子态之间产生强耦合，这与第6章中分析的波导模式间的耦合相似。 在
后 一 情况下，耦合导致最初位于 一 个模式内的能鼠在两个模式之间往返传递。 如果耦合只
涉及 到两个电子波函数，电子也将在两个能态之间振荡（在量子世界内称之为Rabi振荡）。
然而在大多数情况下，与初始电子波函数耦合的是众多的能态，因此电子从其初始波函数转
化到众多谐振波函数中的 一个的过程呈指数衰减。 这一 电磁导致的相位匹配以及由此造成
的电子从 一 个能态到另 一 个的转换是辐射跃迁的基本机理。 下文将量化地分析这些物理
问题。

A9. 2 跃迁速率的半经典推导

为了表征电子系统及其与光的相互作用，采用两个Hamiltonian算子：第一个H。描述
处千孤立状态的电子系统，第2个H'(t)描述电磁场产生的经典微扰。 用Dirac符号表示的
波函数 1 甲(t)〉描述了电子的能态。 它随时间的演化满足薛定鄂方程，即
d
dt
。
顶一冲(t)〉＝｛ H +H'(t)} I 如 t) 〉 （A9. l)

我们想要通过式(A9. 1)解决的问题是吸收过程（受激发射与吸收类似，因此导致相同的结
果，而自发发射在第4章被分别对待）。 为了模拟 一 次吸收事件，假设电子最初占据系统的
某 一 基态 1 心o〉。 时间变化场的存在激发了电子能态发生变化。 在适当的条件下，可以将电
子激发到任意 一个具有更高能量的终态 1 少s 〉上，其中第s个能态与基态的能最距离为扣uso
图 A9. l描述了这一 终态。
我们并不知道电子最终占据哪个能态，因此假设电子的初态和可能终态与时间相关的
叠加为

I 。
如 t) 〉＝ c (t)|cpo 〉 +�c,(t)e-iw,
t
I 矿 (A9. 2)

• 353 •
其初始条件为

和
。
C (0) = 1 c,(O)=O (A9. 3)
式中明确地包含了无微扰波函数的时间关系项 e 飞心用来从展开系数的时间关系项中去除
连续终态 迅速振荡的相位（假设I r/J。〉和1}s 〉与时间无关）。
一一 -11/Js I 〉 请注意，由千H。 1 少，〉＝ 扣us 闭〉且H。I r/Jo〉 = 0，当
士
E`＝加｀ 11/J`〉 没有微扰存在时，式(A9. 2) 满足式(A9. 1) 。
为了获得一套有用的方程，先将式(A9. 2) 代
入式(A9. 1)。首先要意识到，所有的能态都相互
U)＇，

N 正交，因此< r/Jo I少 ·, 〉 = 0且饷

＇
冲，〉＝ 0。而且，
产
E=O 11/J,＇〉
（你 1 卢 ＝ 1,（弘冲，〉 ＝ 1。如果将式(A9. 1) 从左
初始基态
侧乘以（r/Jo I，可以得到一个关于系数 c。的方程。
图A9. 1 为吸收过程假设的模型 将式(A9. 1)从左侧乘以（从 1 ，得到另外一套方程
组，每个方程对应一个系数 c.，：

j Ii靡＝ H�0c 。十归 'sO l Se JW,I、

(A9. 4)
J 屯＝ H'.0 c 。 e 十归'',cs e
]ws1 ](w w )t

其中采用了下述简写定义：
几二（少,|H'中〉 （A9. 5)
为了进一步简化式(A9. 4)，需要精确地表示出微扰的时间关系式。对于谐振微扰，可以令
H'(t)- -♦H'(e )宁十 e 勹宁） （A9. 6)
其中。。是入射电磁波的谐振频率。该电磁波的幅度被包含在H'中，不过对于本附录的目
的我们无需了解H'的具体细节。
式(A9. 4) 中的方程组是精确的。采用的第一个近似被称为旋转波近似，其中忽略了所
有在近似千或者大千 Q.， 或W o 的频率处振荡的各项。其原因在于这些项的正负振荡要比
c(t)变化所涉及的时间尺度快得多， 因 此随着时间 的增长其平均值的净贡献为零。将
式(A9. 6) 代入式(A9. 4) ，出现如下的角频率 组合：Wo,w,土灿，（也 — Qs) 土Wo。如果假设
也：：：：：：：： Q。且 Q:：：：：：：：：也，则除了 Q厂 Q。以外的所有组合都近似千或者大于 Qs 和叭 o
除了那些含有电子频率与电磁频率差值o·,— Q。的各项，式(A9. 4) 中的其他各项都被
忽略，由此可得运动的中心方程为
H 'sO C,e-J(os 。 ）t
J肆 三2,
切

dt
dc s ＝ (A9. 7)
］行- H's0 e。e巳 w。 ） t
－
dt
这些方程被称为旋转波近似内的 Wigner-Weisskopf 方程。
为了求解式(A9. 7)，将第2个方程在 O~t 内积分，其中利用式(A9. 3)内表示的初始条
件，可得

c,(t) ＝— 。
杻'o: f: C (t') e 凡 “o )t dt'
－
CA9. 8)

将式(A9. 8) 代入式(A9. 7) 的第一个方程，可得

• 354 •
 。
de (t) =— l
`: I H:o I J。e。 (t')
2 e--j(w,-,.。 )（t－t'）dt'
t
(A9. 9)
dt
其中利用了H'Os =（H',0丫这 一 事实。假设各终态的间距很小从而构成 一 个由能量表示的
态密度函数表征的连续分布，可以将终态的求和转换为积分，即

2 I
|H'sO 尸-11 H'(E,) l p1CE,)行如
2
(A9. 10)

矩阵元IH'(E,)尸表示IH',o尸在能鼠相距基态约为E的所有s终态的平均。并且，终态
密度函数pf表示每单位能最的能态的总数目。
将式(A9. 10)代入式CA9. 9)并且掉换积分顺序，可以发现该方程的 部分就是矩阵元
一

与态密度乘积的傅里叶逆变换：

f(t—t') ＝厂 ½ I H'(E,) I飞(E,)e一心， 飞。 ）（t -t'）也 (A9. 11)

根据该定义，式(A9. 9)就变成
。
de (t)
dt
=— I。 。
C (t') j (t - t')dt'
、
(A9. 12)

在特定条件下，可以准确求解这一 微分－积分方程。其解关键依赖于IH'(E.， )1飞 (E,）乘积

的傅里叶变换，该变换用时域响应函数J(t-t')表示。下面我们来分析3个这样的解，其中
第一个导致了著名的费米黄金法则。

A9. 2.1 惰形I：矩阵元与终态密度的乘积为常数

如果终态的密度均匀地分布在很宽的能量范围内，并且如果矩阵元在该范围内不变，可
以将IH'(E,) I飞(E,)设为常数。进行傅里叶变换，可将f(t-t'）变成一个时间上的 delta
函数，这一 点通过如下关系可以显而易见：
『 e一心 －W。 ）（1 -1')也
＝ 2邧(t - t') (A9. 13)

这种情况下的微分－积分方程简化为 一 个简单的 一 阶微分方程：

IH'(E,)I2p1(E,)-IH'I p1
2

f(t — t') = ½IH'1 2p1. 2邧(t — t')

(A9. 14)
dc0 (t) ＝ － 2六
dt 行 H
。
| '飞．f e (t'冷(t — t')dt
1
＝— 骨 I H'I2pi. C 。 (t)
在最后 一 个等式中，代表delta函数下的总面积的因子纭化简为穴，因为时间积分在 delta
函数的中心处终止从而导致只包含了一 半的面积。式(A9. 4)的解为衰减指数：
。
e (t) =e-w'12--+ Ic (t) 12 =e-Wt 。 CA9. 15)
其中衰减率为

W ＝ 钥 H'I飞 (A9. 16)

我们还可求解终态 概率系 数来确定电子在跃迁之后停留的位置。在式 (A9. 8) 中利用式

(A9. 15) ，可得
I兀1
2
lc,<t---=)1 2 = (A9. 17)
倩W/2)气(E飞卢
如果对该概率在所有终态内求和（即，把式(A9. 17)乘 以p1dE,并对所有能量积分），总概率
• 355 •
将等于1。 这样，电子将最终出现在连续集中的某处，我们只是不知道其精确位置。 其峰值
概率发生在能虽为Es ＝
扣。。的能态处。 电子也可以出现在其他能态上，然而这 一 发生概率
随着远离该峰值而下降，其分布特征为Lorentzian剧， �EFWHM ＝
行W。
式(A9.17)还告诉我们，电子只与聚集在Es =杞 Q。周围的那些终态相互作用。 换句话
说，那些没有位于谐振能最周围行W/2 之内的能态不会有效地参与跃迁。 因此，我们可以将
I 2
以前做出 的 关于 H'l pr 在 很大 的 能植范 围 内 必 须 为 常 数 的 假 设 重 新写为：只 要
I H (E,) I 2 pr(E,)在式(A9.17)幅度极大的能掀范围内是 平坦的，就可以采用案例I的解。
1

2
这转化为在Es ＝扣 Q。处计算 1 订(E,)l p1(E,)，并要求它在远大于 行W的能量处为常数。
2
在半导体应用中，I H'l pr 通常是E, 的足够平缓的函数，因此很容易满足这 一 要求。 因此，
光和半导体材料之间的相互作用通常导致系统的初态具有指数衰减解。
费米黄金法则，我们最终的目的是要获得一个可以用于速率方程的跃迁速率。 通过上
述分析，可以确定将光子从电磁场中去除的速度有多快。 例如，每个跃迁事件以衰减速率
W来衰减。 如果每过l/W秒就为基态重新提供一个新的电子，则基态将保持填满的状态，
并且平均每过l/W秒就有一个光子被吸收。 因此可以将W视为光子在有源区内被吸收的
速率，或者跃迁速率。 如果NP 是光子密度，队是模式体积，则 一 个给定模式内存在有
N PV P 个光子。 我们可以将这些光子的消失速率表示为
dN PVP =-
W (A9. 18)
dt
将其除以模式体积并引入限制因子，光子密度速率方程变为
dN
dt
———-=
VW －
I'R, (A9.19)
V PV
其中I'(=V!VP )是光限制因子，R,(=W/V)被定义为每单位体积内有源材料的辐射跃迁速
率。 如果将1 /V 引入pf，可以将终态密度解释为每单位能量和体积的密度（正如惯例），则
每单位体积的跃迁速率为

R =符 |H'(E,) l p1(E,) I E厂 气 (A9. 20)

2

这 一 结果及其作 为跃迁速率的解释被称为费米黄金法 则。 其赋值号提醒我们， 参考式

(A9. 17)所讨论的原因，必须在E.,=li Wo 处来求乘积IH勹初的值。
这里的推导假设电子做出向上跃迁来模拟吸收。 然而，还可以通过令w, --- -w.， 来假设
电子做出向下跃迁，从而可以模拟受激发射。 这一替换要求在微扰Hamiltonian式(A9. 6)
中采用相反的时间谐振，不过除了这一简单的改变，其余的推导都是 一 样的。 因此，对千吸
收和受激发射，R，具有相同的形式。 只有当考虑在初态内找到电子而在终态内找不到电子
的概率时，向上和向下跃迁速率之间才会出现差异。 第4章给出的增益理论 更详细地阐述
了这一 问题，因为吸收和受激发射之间的平衡是理解各种材料中光增益的关键。

A9. 2. 2 情形I[：矩阵元与终态密度的乘积为delta函数

与连续的终态密度集相反，这里假设只存在一个终态，这和从一个能级到另 一个能级的
原子跃迁相似。 用一个单位为能量的delta函数替换终态密度来表示单独的能级Ef ，可以
模拟这一 状态。 为了将问题简化，假设 Q[
＝
如，因此电子和电磁系统之间存在完美的谐振
1
（有关更常规的求解，参见习题A9.2)。 执行delta函数的傅里叶变换，可得f(t —t )是 一．个
• 356 •
与时间无关的常数，这允许我们再次精确地求解式(A9. 12)。 将这些结果求和，可得

pr(E,)-方8(w '， － wr)

f(t — t') ＝嘉IH'l 2 （假设E尸行wo)

。
de (t) — 1
= 行2 I H'i2J>o(t')dt'___. c Ct) = cos Ot, 02=ffe I H'I 2
。 CA9. 21)
dt 。
将 O尸妞。代入式(A9. 8)，终态概率幅度为 Cf (t) = sin O t。简单地说，当只有一个可能的终
态与电子相互作用时，概率幅度在初态和终态之间以正弦形式往返振荡。该振荡频率与相
互作用的幅度1H'（Ef)尸有关。从物理上讲，能最在电磁场和电子之间往返转换。
从更为常规的角度来看，可以将f(t t'）视为记忆函数用来表示以前的事件与现在的
—

变化在c。(t)中相耦合的强弱程度。当只有一个终态与之相互作用时，系统具有无限大的记
忆(J(t-t')与时间无关），则该相互作用以相同的周期形式无限期地持续下去。电磁场与
电子的这 一周期性的能最交换是Rabi振荡的特性，只要耦合系统对该相互作用呈现出很强
的记忆功能时就会发生。
相反，案例I中分析的系统（费米黄金法则）对以前的事件没有任何记忆(J(t- t'）在时
间上是delta函数）。众多具有均等可能性的跃迁路径的存在摧毁了系统的记忆，因此该相
互作用只与电子当前的状态有关。从另一个角度来讲，各种路径的概率幅度以一 种方式来
结合导致该过程不可逆转，从而使初态以指数形式朝着终态衰减（而不是无限期地往返振
荡）。下一个案例填补了案例I和案例11之间的空隙，其产生的系统具有有限记忆力并且具
有 指数振荡衰减解。

A9.2.3 情形皿：矩阵元与终态密度的乘积为Lorentzian型
在分析位于高度谐振腔体内的两能级系统的自发发射过程时，会发生这种情况。通常，
自发发射分析导致的方程与式(A9. 12)相同，唯一不同之处在于电子终态密度被解释为自
由空间光模式密度，并且令矩阵元内的场强度等于E处的自由空间模式的真空场强度。当
腔体内存在两能级系统时，自由空间光模式的真空场强度在腔体谐振处被加强，并进一步增
强了矩阵元。对于高度谐振的腔体，这一增强在每个谐振处具有Lorentzian线形。
将\ H'(E,) \ p1(E,)设定为Lorentzian型，其傅里叶变换f(t-t')在时间上呈指数衰
2

减。换句话说，当它从当前状态回退时，系统的记忆以指数形式衰减。一种理解方法是，自
发发射光子在其逃逸之前在腔体内只有有限的寿命，从而将系统的记忆限制在有限的阶段
内。在任何一种情况下，都可以再次精确求解式CA9. 12)，然而其解不如案例I和案例11中
的那样明显（参见习题A9. 3)。总而言之，即

IH'(E,)！凇(EJ---1 H'I凇K
1+(2A血<p ) 2
。 ;2,
f(t-t')=� e - 1,-,'1 P
4吓
。
de Ct) —KW
=
。 t (t') e-1,-t'I / rp dt'，
吓厂。 2 其中 W 。 = 符 |H' l2p1 (A9. 22)
dt 4
在上述公式中心w ==w 厂 Wo,rp 是腔体的光子寿命（请注意凶WFWHM rp = 1), K是腔体内真空
场强度在谐振峰值处的增强(Kccrp ) , W。是案例I中获得的衰减速率（在这种情况下p1是
• 357 •
自由空间光模式的密度）。 利用式(A9. 3)中表示的初始条件，可以将满足式(A9. 22)的函
数写为
P+ ep -, - P- ep+,
。
e (t) = — ， 其中p ± = 一[1士(1-4rpKW ) ]
—
4吓
1 12
。 (A9. 23)
pt p_
如果由光子寿命 rp 表征的系统记忆非常短以致于 4rpKW:。<＜1，其解简化为

P+：：：：：：：—- —， P一：：：：：：： —－KW:。， 且 亿 (t) 尸：：：：：：： e--KW。' (A9. 24)

2吓
除非时间非常短，最后 一 个等式总是有效，通过式(A9. 23)以及P+»P的事实可以验证这
一点。 简单地讲，当光子逃逸的时间远小千实现跃迁所花的时间时（由不等式 4Tp kW。<<1
表示），初态以指数形式衰减，正如案例I中对 于无记忆系统所分析的。 从另 一 个角度来讲，
不等式4rpKW。<＜1允许我们可以对千远大千行KW。 的能最范围将I H'I飞设定为常数，从
而使该案例等效于案例I。 然而在本案例中，腔体内部的真空场强度的增强K令衰减速率
增强。 这一衰减或发射速率的增强是由Purcell在许多年前首先提出的。
如果走向另 一 个极端，假设系统具有很强的记忆（腔体内的光子寿命非常长）以致于
4rpKW。<＜1，则其根为
1 . kW。 1 2
/
P士 ：：：：：：：：一
石 ±i(�) CA9. 25)
2
这些复根表明，亿(t) 1 显示出阻尼振荡行为。 这种本质上的Rabi振荡也是由于系统具有
很强的记忆所造成的。 换句话说，腔体内的场寿命非常长从而导致额外的电磁场吸收和再
发射。 然而，与案例II相反，le。(t)尸最终在衰减速率约为1/2 存 时减为零（这与腔体内场
幅度的衰减速率相对应）。
从理论上来讲案例III可能是最为有趣的一 个，因为它填补了前两个案例之间的鸿沟，从
而清晰地显示了当腔体的光子寿命由无限大变化为零的过程中振荡解是如何变换为指数衰
减解的。

习 题

A9.1 假设IH'I初在能量范围E，士凶E/2内为常数，在其余各处则为零，请确定案例I中
—
的f(t—t'）值。 利用该式来表示f(t t'），请定性地描述c。(t)的解呈指数衰减的范
围。 在描述过程中，请考虑如下因素：
(a) �E与W有关；
(b) E,与仁。 有关。
在分析过程中，可以尝试在预期的c。(t'）关系曲线上定性地叠加绘出f(t-t')曲线。
A9. 2 去除Er ＝ 扣切的假设，请求解案例11中的c。(t)和c, (t)。 绘出两者作为时间的函数
2
曲线，其中假设能量差值(E广行 Q 。) 等千
(a ) I H'尸；
(b) 1 2I H'I 2 0

你如何理解将E1调谐到扣心的重要性？
A9. 3 利用式( A9. 3)中的初始条件，请推导案例IIl中的式(A9. 23)，其中假设其解是具有
• 3 58 •
常系数的两个指数项之和。 当4rp KW。等于：
(a) 100;
(b) 1;
(c) 0. 01。
。
时，请绘出c (t)作为t乓函数的数值曲线。 请绘出你所感兴趣的其他各种情况，并
尝试解释这一行为。

• 359 •
 附录10 跃迁矩阵元

Al0.1 一般推导

正如第4章所推导的，可以 将 矩阵元I H' 21 尸写成跃迁矩阵元IM1尸的形式。 先来回

顾一下该方程式( 4.21):

IH;1 尸＝ （又） 2 IMr 1 2

, 其中
2
（ C I ;． pluV 〉 | l <F2 IF1 〉|
lMT 1 = | u
2 2

(A10. l)
2
正如附录8 所述，通过实验可以算出动质矩阵元1M| 。 现在需 要通过 IM尸来确 定
IM1、 尸。 两个 矩阵元之间的差异在于IM尸确定了us 和基函数(u,、Uy 、U之 或者集合u,）之
间的跃迁概率，而IMT 尸确定了u,(=u,）和价带Bloch函数(UhhU
、 1h、止。或者集合Uv )之间
的跃迁概率 。 通过式(A8. ll) 将Uv 用u,展开，可以用 IMl 2 来表示1MT 尸。 不过在此之
前， 需要来讨论一下自旋简并以及如何将其 考虑在内。
附录1 和附录8中对 态密度函数的定义包含了一个简单的因子2用来考虑自旋简并。
然而，如果仅仅简单地在过程中包含一个因子2，经常会忽略其中涉及到的许多微妙之处。
例如，为了在计算1M,r尸的过程中包含自旋简并，很显然必须对U,_.Uv 和aC -凡这两个跃
u

ic 迁进行求和 。 然而，不明显的是在求和中还必须包含
L-

4
几 _..Uv 和uC -u v 跃 迁！其必 需之原因在 于正如 式
CA8.11)中的定义所示，LH和SO价带Bloch函数是
ll`
由上旋和下旋基函数构成的 。 因此如图AlO. 1所示，
必需考虑总共4个跃迁。 由于态密度函数中已经考虑
-
u｀

u`
了自旋，因此将 对这些跃迁求和然后除 以 2 来去除自旋
图AlO. 1 自旋简并的C和V带之间简并。 因此请记住，本附录推导的 跃 迁矩阵元 IM1 尸
的4种可能跃迁，在计算跃的所有表达式中已 去除了自旋简并。
经
迁矩阵元时必需将其全部
对 图AlO.1 中所示的4种跃迁求和，式CAlO. 1)定
考虑在内
义的跃迁矩阵元变为

I I� =
MTT I� t1 � � I (U, I t•P IUv 〉 1
2 . )
(AlO2
uc,Uc uv'％

其中因子1/2用来去除自旋简并。 其中已经令包络函数重叠积分I <F2 IF1 〉尸等于1，因为

此时感兴趣的是两个体材料平面波电子态之间的跃迁。 下文中将 回到式(AlO.2)的更为常
规的形式，其中包含了 包络函数重叠积分。
• 360 •
 为了将式(Al0.2)化简，首先将单位偏 振矢 最和 电子动量算子之 间 的点积:. p
替换为展开式e,p,+eyp y +ezp,。然后利用式(A8. 8)~(A8. 10)给出的选择法则，结
合式(A8. 11)给出的价带Bloch函数的展开，可以将IMT尸的表达式简化为一种非常
简单的形式。为了帮助读者理解该推导，这里给出将IMT尸简化为3 个 价带跃迁的中
间步骤：

IM1、 If,h 飞 IMl 2

{ I飞飞尸＋o+o+ \e,-jey 尸｝

息I出＝卢IMl 2 {I2e乞 1 2 +le工 一］eyI +I —e厂 jey I 2 +I2e.I2}

2
(Alo.3)

IM1l!
、 o =tlMl { 1-ezl +le厂 jeYI +I-ex -jey I + I
2 2 2 2 —
e,I2}

括号中的每一项都与4 种自旋 － 简 并跃迁中的 一种相对应（这些项从左到右的顺序与图

Alo.1 中所不的编号相对应）。请注意在每种情况下，第1 项都与第4项相等，而 第 2项与
第3项相等（从而导致用于自旋简并的标准因子为2)。
为了使最终的表达式尽可能地常规化，首先将每次出现的e;＋式用等效的表达式

l —
式来替换（因为;是单位矢量）。这 一 替换使所有各项都用e之 表示。随后可以将ez 解

释为平行于电子k矢址的; 的分量，因为K 的指向为z轴（这是定义式CA8. 11)时所做的

假设）。换旬话说，可以令ez = f • ;，其中 i 是沿着k 方向的单位矢戴。利用这些替换，
可得

1 1
一（e� +式） ＝一(1 -1i ·仓I 2) 用于HH带 (AlO.4)
2 2
1
| MT 忙/ I Ml = —
2
6
(e; +e; +4式） ＝ 1－（—＋
1
2 3
|i. :尸) 用于LH带 (AlO. 5)

1 1
一(e; + e; + e;) = --;;- 用于SO带 (AlO. 6)
3 3
式(AlO.4)~(Al0. 6)给出的相对跃迁强度将计算增益所需的跃迁矩阵元IMT 尸与实验可
测量的矩阵元IM尸联系起来。请注意，可以通过点积将任何参考系都转化为一种坐标系
统，并因此可以去除电子k矢最必须指向z向的限制（换旬话说，其物理并不依赖于所选择
的坐标系，而是依赖于场偏振; 和电子k矢量之间的相对方向）。
为了以一种更为直观的方式来分析式(AlO.4)~(Al0. 6)与场偏振的关系，在图Alo. 2
中将C-HH和C-LH跃迁的相对跃迁强度表示为电子k矢量和电子场偏振;之间的夹角。
这些三维图表明，每个电子平面波态与 光子之间相互作用的强度都与偏振极为有关。然而 ，
图Al O. 2 的这 一
显著特征并没有呈现在体材料中，这是因为这 时指定偏振态的光子与多个
电子相互作用，这些电子的K矢量都朝向不同的方向。将这些相互作用平均导致图Alo. 2
中这些有趣的形状变成了均匀的球形。事实上，将 i 在所有三维下扫描得到的 If · ;尸 的
平均值等千1/3。这样，对于所有3种价带跃迁，在任何电场偏振，体材料 跃迁矩阵元都只
• 361 •
 2
等于l/3X IM尸（排除自旋）。

kf丿

E
丿
k

C-HH C-Ll-1

汴：对千C-HH跃迁，当E II k时IM,尸为零，而当E..lk时变成尿大值l/2X IM I 2。 对千C-LH

跃迁，当E II k时lM, l 2的峰值为一X IMI'，而当E..lk时降至一X IMl2o

图AlO. 2 跃迁强度IM,尸与电子的K矢拭和入射电子场矢拭E之间夹角的关系C-SO跃迁与角度无关

AlO. 2 与偏振有关的效应

上述推导为包络函数假设了 平面波态，这导致了图Alo. 2所示的偏振相关性。 在忧子

限制结构中，包络函数通常由两个（或多个）平面波态构成。 通常，式(Alo. 2)中的跃迁矩阵
元的幅度平方值含有那些构成限制态的各个平面波之间的交叉项。 在如下讨论中，为了使
分析更为简单化，将忽略这些交叉项。 随后将看到，在最子阱中，这里推导的结论与带边附
近的跃迁的能带混合模型一 致。
忽略式(AlO. 2)中的交叉项意味着可以将构成限制态的各 平面波视为相互间独立
的。 在此近似中，每个平面波的K矢蜇方向都具有类似千第Alo. 1节推导的和图
Al 0. 2所示的相应偏振关系。 在量子限制结构中的带边附近，K矢量沿着确定的方向
拯化，图Alo. 3所示为典型的拭子阱和拭子线下的状态。 在措子阱中，所有的K矢最
都指向相同的轴向，并且偏振关系都类比于图Al 0. 2。 然而，在员子线情况下，必须将
每个平面波的偏振关系平均（正如图Alo. 3右下角中的虚线所示）。 为了址化平均的
偏振关系 ，选择坐标系沿着该结构的限制轴向。 这样仅仅通过用某一适当的平均k矢
扯方向 k.ve 来替换式(AlO. 4)~(Al0. 6)中的 i ， 就可以算出沿着3个正交场偏振 ;r 、

• 362 •
;.y 和 ;z 的平均跃迁强度。

(a)透视图
歹
量子阱 星子线

(b)侧视图

注：在量子阱情况下，在每个电子的K矢量上添加了C-HH跃迁强度。 最子阱
的侧视图表明， 当光在势阱平面内偏振时，C-HH与光的相互作用最强。
在量子线情况下，采用C-L日跃迁强度。 其侧视图表明电于具有两种可能
的K矢量方向。 虚线表示了平均的C-LH跃迁强度。

“ ＂
图 Alo. 3 图解说明扯子阱和扯子线中的最子限制是如何使带边电子的动植沿着确定方向 偏振 的

我们留给读者来判断，只要找到坐标系第一卦限内的所有允许的K矢鼠的平均方向，就

可以获得i avc （如果在平均中包含所有的卦限， ave就会永远是零）。下面列举了体材料结构 k

和各种最子限制结构下带边能态的 k ave（其中 “
带边 表明总的K矢戳就等于屈化的K矢最）
”

为
K
i ave =（1／点）（ 三(+k,) 体材料

k.v,=t 量子阱(L z )
(AlO. 7)
i ave=（l／迈）（t+t) 量子线CL,=L,)

仁＝（l／石）（i 』 ＋2i 之 ） 量子线(L,=2Lz )

其中各前因子均为归一化常数，因为 k ave是 一
个单位矢最。 最后 一 个公式是通过假设
kccl/L来获得的（只有对于无限深势阱才确实为真）。
图Alo.4阐示了上文列举的4种结构中的3种正交偏振的带边跃迁强度，这是通过将

每种结构定义的 k a e代入式(AlO. 4)~(Al0.

v 6)获得的。 当乘以IMl 2
时，图Alo. 4中的数
字给出了每种特殊情况的跃迁矩阵元的幅度IM门气排除自旋）。请注意，对千每种类型的
跃迁，各跃迁强度在 3 种偏振下的总和总是等于IM|＼这与体材料的情况一样。因此，带边
跃迁的 总 跃迁强度总是守恒的。其差别在于，在量子限制结构中由千k矢械方向的不均
“ “

匀分布，跃迁强度在 3 种偏振之间重新分配。
为了对待任意偏振态，通常将场分为图AlO. 4所示的3种正交分 鼠。跃迁矩阵元则由
这 3 种分量 的三角求和给出：
• 363 •
 IM1、 I�= IM 1
2
江 S 了， i = x,y,z (AlO. 8)

其中S;'是图AlO. 4确定的跃迁强度。为了举例说明式(AlO. 8)，我们来检查最子线结构的

t
偏振相关性。根据图AlO. 4(c)，当;与线平行时，C-LH和 C-HH跃迁之间的跃迁矩阵元

的比值为十，当;与线垂直时为 。通常，根据图AlO. 4(c)和式(AlO. 8)，可得

—cos2 0+ —sin2 0
|Mr ifh = 3 CAlO. 9)
IMTI盓 cos2 0+ —sin勺
2
A
其中0是e 和线的轴向之间的夹角。

C-HH,C-LH

Il
I-
，
2
6
(a)体材料 (b)QW
l-
旦30
l_
5-
，

10
4
12

l-
I_
］一
上6

，
，

6
2
2

2
4-
5-
l-

一
，
15
、

5
4
12

(c)L,=L, (d)L,=2L,
2
注： （a）中显示了文中提到的坐标系。 跃迁矩阵元的幅度是通过将各相对值乘以Ml 获得
2
的。 例如， 当光沿着(c)的线方向偏振时， 带边C-LH 跃迁强度为IM沪＝飞XIMl o

图 AIO. 4 各种扯子限制结构的相对带边跃迁强度

AlO. 3 量子阱中包络函数的引入

正如附录8所示，量子限制通过各包络函数的相互作用和混合改变了价带结构。也就
是说，式(A8. 31)中的常规价带波函数由HH和LH价带包络函数分呈构成。因此，必须修
正式(AlO. 1)中的跃迁矩阵元，现在将其表示为

I MT甘＝� I (Uc I ; • P I llA〉<F2 I Fhh〉十(U c I ; • P I llB) (F2 I Flh 〉| 2

u.
C
uC

(AlO. 10)
对uA和uR的自旋简并副本(uc和uD的Bloch函数）求和所产牛的等效项导致上述求和值
• 364 •
加倍。因此可以去除式(AlO. 2)中出现的因子 （贯穿该附录，在跃迁矩阵元中去除自旋简
—

并，＇并将其包含在第4 章的降低的态密度函数中）。
遵循与第Alo. 1 节所述类似的过程，可以将式(AlO.lO)中的跃迁矩阵元写成更为精巧
的形式。然而，在现在的情况下，必须将跃迁矩阵元在所有共面k矢措方向上取平均来去除
对式(AlO. 10) 平方时所产生的交叉项。利用式CA8. 32 八式(A8. 33) 和式CA8. 11) ，跃迁矩
阵元化简为

IM飞=|Ml
2
［宁 <F2IF,h 〉 |2] TMC; II 心 (AlO. 11)
2
IMl
|M/ = 2
[|（F2 飞〉尸十 — |（F2 IF1h〉尸
］ TM(t J_ 心 （Alo. 12)

其中假设z为鼠化方向。在带边处（对千HH态F1h = O，对于LH态Fhh = O)，如果假设重

叠积分接近于 1，上述表达式给出的跃迁强度与图AlO. 4给出的相同（其准确度通常在
5%~10 ％内，如果 C 和 V 带的有效质拭相同则精确为真）。然而，当远离带边时，会发生能
带混合从而在任何一个波函数内都同时存在Fhh和F1h，从而改变了图Alo. 4所示的跃迁强
度。为了说明这一现象，图Alo. 5以横向K矢鼠K为函数绘出了跃迁强度的取样计算。

＿
07 07 ｀
、
CI-HHI CI-LHI
｀
、
T、
M、
06 06
｀｀

05 05
、｀
.、,
04 ”···· ·· 吕
赵 04
、

．- ．
匈

赵
一．．
眠
、
．
＇

i
．
一

-
-
．
多
• .，
哺•
．
·a
限
.
耄

03 03
-
出
·

谥 }

i
02 02

i
。。
0I 0I

002 004 006 008 0.02 0.04 0.06 0.08

共面k矢量／k
＇
共面k矢量／入

注：虚线表示假设抛物线型子带时的计算结果。 这里绘出的跃迁强度被定义为1MT尸／IMI'（其体材料值为1/3)。

图AlO. 5 无应变GaAs／凡。 2 也。,As 8oAQw 中两个最低子带跃迁的 TE和TM 光偏振的相对跃迁强度

在寻找包络函数和数值求解重叠积分的过程中，必须确保它们是正确归一化的。通过
如下关系可以获得波函数的归一化，即

F,．＝ F,
＇ 其中 Nhh,lh = (FhhIFhh) + (F,h IF,h 〉
次
N 2 = <F2IF2 〉 (AlO. 13)
上述包络函数代表沿着限制方向的函数，而括号表示沿z向的积分。共面包络函数就是平
面波。这样，需要在势阱平面内满足K守恒，由此导致共面重叠积分为1，因此将体积分转
化为只沿z向的积分是合理的。

• 365 •
 附录11 应变带隙

本附录将详细地分析应变是如何影响III-V族半导体的带隙的。 为了提供 一 些背景知

识，首先来回顾一下晶格中的应力和应变的概念。

All.1 应力和应变的 一 般定义

当晶格感受到外力时会通过某种形式的形变来反应。 通常将每单位面积的外力或应力
定义为应力张量6"，如图All. 1所示。 应力的剪力分植(i#-j)将导致晶体旋转，除非存在
等址且相反的分拭（例如 o23 = 632) 。 如果的确存在等拭且相反的分扯，则剪力应力将使 一 个
立方晶格变形为 一 个非矩形的形状（即，品体的各轴向不再相互垂直）。 在典型的半导体应
用中，这类形变非常少见，对于现在的目的，将假设对于卢勺有 6"
=
0。 应力的法线分扯
(l = ）)将导致晶体沿着晶体轴向拉伸或收缩，但是与剪力应力相反，其变形后的晶格保持为
矩形。 立方晶体的6个面可以承受3个法线外力的作用： a11 、 622 和 (733 。 由千我们只考虑
法线分鼠，其符号被缩写为a1、 62 和 63 。 正如图All. 1所示，对于方向朝外的外力，定义其
a，为正值。
另一个考虑涉及到晶格失真的数学描述。 通常将晶格的应变态定义为应变张扯e,）。
应变张蜇的每个分掀都定义了晶格相对于其无应变形状的某一类失真。 如果只要分析法线
力对品格的影响，则只需考虑应变张最的3个对角分员： E11 、 C22 和 £33 （因为晶体的各轴向保
持相互垂直）。 再次利用缩写符号，可将其写为： c！、 C2 和和。 如图All.1所示， e，测扯了晶
格沿着第1个轴向的部分增加(e>0)或部分减少(e,<0)。 例如，如果将晶格失真描述成
E1 =0, Ez = 0.01, E3= -0.0l，则可知该晶格沿着x向不失真，沿着y向变大1%，沿着之向
变小1%，图中在y － 之平面内定量地描述了这一点。
根据定义的应力张址和应变张扯，现在需要将它们联系起来以预测特定的应力或外力
组是如何导致特殊的应变或晶格变形的。 在均匀材料中，只要保持在材料的弹性极限内，应
变正比千施加应力的幅度。 将胡克 (Hooke) 定律应用于各向同性的介质内，可以将这 一 标
量关系表示为a=Ce，其中常量C为杨氏模数。 在晶体中，一 种类型的应力导致不止一种类
型的应变，这表明应力和应变张量的各个分量是潜在相关的。 排除应力的剪力分星，可将
Hooke 定律的更为常规的形式写为
5 cn5
ccc

3』 Cll
，

，
、
、
1111126

ejez5
,

、
l
l
＿＿

(All. 1)
l
2
、

、
2
，

，
'

C,J被称为弹性劲度系数或者弹性模数。 这里写出的表达式假设该品体具有立方对称性，从
• 366 •
而 所有的非对角元素都相等，所有的对角元素都相等，因此只剩下两个弹性模数，用Cu和
釭表示。对千对称性较弱的晶体，可能需要指定更多的C'J 分扯（如果包含剪力应力，则需

□
要另外的C”来完善立方 晶体中的应力和应变的描述）。在通常的半导体中，C1 1 ,C12>0且
C11 >Ci2 ，两者的单位都是l0 N/cm
6 2

aLo

au
Oae
L。
a2= au(l+cl)
勹

I
a

E`＜0
立

立
a

07
7

a2=a,,（l+e2 )
6

g>0
应力分量 应变分量

图 All. 1 位于y-z平面内的应力张量分量 6,，以及缩写的应变张械c，示例

图 All. 2显示了用式(All. 1)得出的一些有关示例。在左侧显示的前两个示例中，在
立方体的所有4个x和y面上都施加了应力从而(1l ＝
也，各个之面上没有应力，因此(13 =0。
对于这两种情况，晶体处于双轴应变下。当应力方向朝外时((11 >0)，导致的应变被称为双
轴张应变，而向内((11 <0)的应力则导致双轴压应变。利用式(All. 1)可以算出导致的品
体变形。由于对称性，以及(11=(12 ,x和y向上的应变必须相等，可以令cl c2 。利用(13 0
和cl =c2 ，式（All. 1)中的第1和第3个方程化简为
= =

<11 =C1 10:1 +C12 E1 +C12 E3

(All. 2)
O=C心1 +C畦1+C11氐
这些公式对千张应变和压应变都成立。根据下式可以立刻得出这些应变分最之间的关系：
2
e3 = --C12
－—E1 (All.3)
C11
由于C11 ,C12>们可以得出如下结论，如图All. 2 所示，在双轴应变下，晶格沿着z向的变
a,=O (J,=O a飞＝ dP

叮 启
－

al >0 o,<O � dP
卢言

a-
，贮

-a dP
勹
．

a,=a
一

~ 1
产 2
C
I
11

El=c2= c3 <0
-dP=(C11+2C1,) • E,
＜变
仁压
乌应
变
）
双
轴
应

(b}均匀压力

图 All. 2 应力与应变之间的关系示例

• 367 •
形与沿着x或y向的变形相反。 这种现象与挤压气球相似：当侧边被压缩时，顶部和底部
被拉伸， 因为气球试图保持相同体积 的 气体。 在 式 (Al 1. 2) 的第 一 个 公 式 中采用 式
(Al 1. 3)，可得
2
(JI =C11 €1 [l +C12 /C11 — 2CC12 /C1 1) ] (All. 4)
通过该公式可以绝对地测出为了获得给定的应变所需的应力。 请注意如果 C12 =
O ，与应力
平面垂直（即沿着 z 向）的应变降低为零，而 Hooke 定律化简为标最关系： a1 =
C1 1 e1
图 All. 2 右侧所示的示例对应于在晶体的所有侧面都等扯地施加均匀应力的情况。
=
如果将这种向内的应力定义为一个包围在晶体周围的微分压力变化 dP，则可以令 (J1 (J2 =
(J3= — dP 。 将式 (All.l) 中的所有 3 个公式相加，立刻得出
-3dP= (C11 +2C12 )(E1 +e2 +e3) (All. 5)
忽略e之间的交叉项，晶格体积中的部分变化为
dV /V""='E1 +e2 +e3 (All. 6)
因此，可以通过式 (Al 1. 5) 确定由千晶体周围均匀压力的改变而导致的品体体积变化。 下
文将利用这 一 关系将实验测屈到的带隙与压力的关系与晶格的应变联系起来。

All. 2 应变和带隙的关系

在理解了特殊应力是如何导致特殊应变之后，需要确定特殊应变是如何影响半导体带
隙的，这是本附录的主要议题。 Pikus 和 Bir 在 1959 年提出了基本的理论来描述晶格变形
是如何影响 Hamiltonian 的，该理论描述了 3 种价带之间的相互作用：重空穴、轻空穴和分
裂带。 其分析涉及到利用应变张最将描述晶体电势和空穴波函数的坐标系转换为一 种新的
变形坐标系。 在 一 阶应变内，该理论表明，为了考虑应变必须增加 一 项在形式上与附录8中
描述的 Luttinger-Kohn(LK)价带 Hamiltonian 一
样的 Hamiltonian 算子。 利用如下置换可
以直接从 LK Hamiltonian 中 获 得 这 种 新 的 Pikus 和 Bir Hamiltonian 或者应 变
Hamiltonian, 即
k;k j _._. €,,
Y 1 ___.a
—
(All. 7)
2y2 - b

-2祁Y3___. d
在这些置换中， k ，是出现在 LK Hamiltonian 中的各种波矢扯， y, 是 Luttinger 参数，详见附
录8的讨论。 C,］是描述晶格变形的应变张量分量 ，a、b和e是品格变形位势，它们将价带中

的移位与应变张措联系起来。 另外还存在与应变有关的自旋－轨道相互作用 Hamiltonian,

但是与这种相互关系有关的变形位势通常比 Pikus 和 Bir Hamiltonian 有关的位势小一个
扯级，因此这里将其忽略不计。
在本附录中，只考虑应力张械的法线分量，对千t#)可以令 O 。 而且，如果着重于 E,j
=

双轴应变则还可令 E1 =
e2 。 在此条件下，可以把使 3 个双重自旋－简并价带联系起来的 6X6
应变 Hamiltonian 分块对角化变成两个一样的 3X3 Hamiltonian （其 中去除了自旋相反的
能态之间的相互作用）。 由此可以将 3X3 应变 Hamiltonian 写为
• 368 •
 so
。 。
HH LH

。
H-S HH

。
H+S 迈S LH (All. 8)

迈S H+Ll so
其中
H =aCc1 +c2 +c3) (All. 9)

S =b ［伈＋ E2)
— E3] (All. 10)

A是将SO带与HH带和LH带 分开的自旋－轨道能最。 能最H和S通过a和b变形位势

与应变张最有关（只有在考虑应力的剪力分量时，变形位势d才出现）。
式(Al1. 9)表明 H
， 正比于应变导致的晶格体积的变化（与式(Al 1. 6)相比）。 将其称
为应变的流体静力分最。 由于H与Hamiltonian式(Al 1. 8) 的每个对角项 都同号，因此可
以得出结论，品体体积的变化导致所有3个价带在能措上或者向上或者向 下地硬性移动，其
移动方向与体积变化是 正还是 负有关。
式(All. 10)定义了应变的剪力分量S。 剪力应变能最正比千平行和垂直于应力平面
的两个 应 变之间 的不对称性 （在此情况下不 应将 剪 力 应 变与剪 力 应力相混淆）。
Hamiltonian与S的关系较其与H 的关系更为复杂。 HH带与其他两个能带隔离开，但是
LH和SO带 通过拉5项相耦合。 如果S<＜心可以忽略LH-SO带之间的 耦合，S的主要贡
献出现在HH和LH对角项中，在这里HH和LH带朝着相反的方向 分裂开。
用空穴能晕来表示应变Hamiltonian ，这样正能扯朝着价带移动 。 对千双轴压应变，H
和S都为正值，这表明带隙增加。 对于双轴张 应变，H和S都为负值。 图All.3绘出了两
种类型的双轴应变下，3个价带 的带隙位移。 只有 应变的流体静力分批才能 导致导带产生
位移。 事实上，可以定义一个单独的H' ， 其相应 的变形位势a'与价带 的移动 有关。 然而，
实验上很难将H'与总的带隙位移分隔开来。 通常的方法是将 应变Hamiltonian（以及变形
位势a)中的H解释为流体静力应变导致的带隙的总能量 位移，而不去担心如何将总位移
在导带和 价带之间划分 。 事实上，为了计算应变带隙，将H 分成H'和H-H'并不恰当。

张应变<-畸 无应变 一刁酝 压应变

注：在每种能量位移旁边标出了该位移的幅度。 灰色能量包含了LH-SO带的耦合。

图All. 3 对于双轴压应变和张应变，导带和 3 个价带能量位移的定性描述

• 369 •
对千异质界面应用（包括应变 QW)，将 H 分成 H' 和 H-H' 可以表明应变是如何影响导带
偏移Q的。 然而，实际上可以通过其他方法从实验上测出Q，这再次表明我们无需H'。
其结果是，通常利用 H和测扯的Q值来定义应变带隙及其与其他材料带隙之间的相对
位置。
为了定扯地分析图 All.3 中所述的能最位移，需要算出H 和S。 很容易将位于应力平
面内的应变分量 E:1 和 e2 识别为应变材料的共面晶格常数的部分变化。 上文已经参考图
Al 1. 2 讨论了垂直千应力平面的应变氐，利用式 (All.3)可以将该值与 e 1 和 e2 联系起来。
如果假设应变材料的共面晶格常数 a II 通过应变与衬底的晶格常数相匹配，从而 a II =a,ub,

则可以将应变定义为
c= a natIVC - a `ub
(All.11)
a native

其中 a na<ive 是应变材料天然的无应变晶格常数。 各种应变分量之间的关系定义如下：

2C12
el =e2= — e 和 E:3 = e (All. 12)
ell

按照常规定义，晶格失配参数c与共面应变分最的符号相反，即对于压应变e>O，对于张应
变e<O。 将其代入H和S的定义，可得
C11-C12
H = (-a)2 � e (All. 13)
C11
C11+2C12
S=（ — b) c (All.14)
C11
由千在通常的半导体中a,b<O，因此式中在变形位势周围施以括号。 这样括号围起的是正
数，而c的符号决定了H和S的符号。
当 S«Ll 时，可以用式（All.8)的对角项来近似得出HH、LH 和 SO 带隙的变化。 然而
当应变较大时，必须将矩阵对角化。 由于 HH 带是分离的，该问题化简为求解 2X2 子矩阵
的本征值（该矩阵将 LH 和 SO 带耦合起来）。 执行该过程，带隙位移变成
b.EHH =H-S
b.Eu1 =H+S — 8 (All.15)
b.Eso =
H+Ll+8
2
汇了L:l{ [1 — 2(S/A)+9(S/A)2 ] 1 / -（1 — SfLl)} =2S飞

能植 8 表示 LH 带和 SO 带之间额外的斥力，它随着 S 近似呈平方增加，因此对于张应变和
压应变都为正值。 图 All. 3 中用灰色能级表示 LH-SO 带耦合的这一能扯位移。 式(All.
5)中的带边能植位移都是相对于材料的无应变直接带隙Ego的相对值。 一旦在各能址位移
上增加Ego，就完整地定义了应变带隙。 为了求解应变带隙而必须掌握的材料参数（除了尤
应变带隙和品格失配参数以外）是 a、b、C11、C12 和 A。
通过文献可以获得所有所需的应变参数的值。 然而，比较难以追踪到流体静力的变形
位势 。 目前尚无很好的标准将 a 值在价带和导带之间分开。 其结果是，a 有时代表导带位
a

移有时代表价带位移，或者有时代表两者之和（这正是我们感兴趣的）。 但是，通常很难得知
在特定引用下采用的是哪种定义。 基于这一原因，我们通常基千测量到的带隙与压力之间
的关系来算出 a 。 上文参考图 All. 2 给出的应变表明，均匀压力与体积变化的关系如下：
• 370 •
 -3dP=(C +2C )
11 i2 (e1 +e2 +e3) (All. 16)
而且，对千均匀压力可以令S=O，这表明HH和LH带隙的位移只是由H造成的。 这样，
由压力的微分变化造成的带隙的微分变化就是
dE=a(e:1 +e:2 +e:3) (All.17)
将式(All.17)除以式(All.16)，可得
= ——(Cu +2C ) dE
a 12 (All. 18)

由 千dE/dP>O，可得知a<O，正如上文所述。 一
旦得知带隙与压力的关系，就可以通过该
1
公式确定任何带隙的a值。 通常能量隙与压力的关系的单位为 10- 6 eV/bar，有时也表示
2 2
为10-6 eV • cm /kg(l bar =1. 019 kg/cm )。 以 这种方式定义a时， 个有用的转换因
一

子是
l0�6eV/barXl0 11dyn/cm2=0.l eV (All.19)
表All.1 中综述了III-V族半导体材料的与 应变有关的各种参数。 为了完整性，其中
包含了与剪力应力有关的各应变参数d和 c44 ，但是在计算双轴应变带隙时并不需要 这些
值。 利用式(All.18)根据表中的其他参数可以算出流体静力变形位势a；表中的dE/dP值
对应千直接带隙随着压力的变化。 前5项主要由Adachi求得，其余则由Lando! -t Bornstein
求得。 对于AIP，无法获得完整的数据 。 因此，用其他两种磷化物的平均值来填充该行的空
缺项。

表All. I III-V 族半导体的应变参数

10-6
晶格常数 变形位势／eV 弹性模数／1011 dyn • cm-2
材料 eV/bar

a!A a b d C11 C12 C" dE/dP Ll/eV

GaAs 5. 653 3 - 8.68 —1.7 -4.55 11.88 5.38 5.94 11. 5 0.34

lnAs 6. 058 3 —5.79 - l.8 -3.6 8.329 4.526 3.959 10.0 0,371

AlAs(]) 5.661 1 -7.96 —I.5 -3.4 12.02 5.70 5.89 10.2 0.30

GaP(j) 5. 451 2 —9.76 -1.5 —4.6 14. 12 6.253 7.047 11. 0 0.10

lnP 5.868 8 —6.16 -2.0 —5.0 10.22 5.76 4.60 8.5 0.10

AlPOJ 5.463 5 - 8.38 —1.75 —4.8 13.2 6.3 6. 15 9.75 o. 10

GaSb 6.095 9 —8.28 - l.8 —4.6 8.842 4.026 4.322 14. 7 0.8

lnSb 6.479 4 —7.57 -2. 0 - 4.8 6.47 3.65 3.02 16.5 0. 98

AlSbCD 6,135 5 2.04 -1. 35 —4. 3 8.769 4.341 4.076 -3. 5 0.75

0间接带隙。

举例说明，如果想要知道长在GaAs上的lnGaAs的应变带隙作为In量分数的函数，可
以通过在表All.1列举的GaAs和InAs 值之间进行线形内插法来确定InGaAs三元化合
物的应变参数。 这种方法适用于大多数三元化合物。 对千四元化合物，可以采用Vegard
法则来 获得合理的推算。

• 371 •
 All. 3 应变与能带结构的关系

本附录讨论的能扯位移专门代表带边位移。 为了预测远离带边处的能带结构 ，必须在

LK Hamiltonian上增加应变Hamiltonian，并且必须将结合物对角化。在附录8中，这一结
合的 Hamiltonian 采用 HH带的带边作为零能散参考点。因此，应变Hamiltonian 的所有
对角项都应被减去H-S。 一旦将应变Hamiltonian 对角化 ，其净结果就是需要在LK
Hamiltonian的LH对角项中增加 HH和LH带边之间的差值。附录8将 HH和LH带之
间的总分裂能最定义为 s,ot。利用式 (All. 15) ，可以写出
s,o,===ELH — E1 rn = 2S-8=2S(1 — S/.1) (All. 20)
其中后一近似将8展开至S 的二阶。
附录8的子带结构计算中采用的LK Hamiltonian 忽略了与 SO 带的耦合。Chao和
Chuang分析了这种近似的 后果并且发现考虑 SO 带耦合与否的确导致其子带结构存在差
异。然而，他们在没有考虑 SO 带耦合的计算中假设了 Stot= 2S （即，完全忽略了 SO 带耦
合）。通过假设 Stot= 2S － 趴至少可以部分地考虑 SO 带耦合 ，因为在布里渊区中心处（即，
在子带边处）可以获得更为精确的LH子带能晕计算。对于在LK Hamiltonian中忽略了
SO 带耦合的应变子带结构计算 ，这一过程将提高其精确性。
4

• 372 •
 附录12 俄歇过程的闽值能散

A12.1 CCCH过程

对于图4. 15中的CCCH过程，可以将动量和能根守恒律（即初态＝状态）写为
k 1 +k2 =k3 +k4 CA12. la)
nE 1 +nE 2 = -CE,+n丘）＋ nE 4 CA12. lb)
其中各个k是K空间上的矢最，第2个公式中采用EC 作为能量参考值。 重新整理能最守恒
律，可得
nE,-E. = nE 1 +nE 2+nE3 CA12. 2)
根据式 (4. 76) 可知，最有可能发生的跃迁对应于能量最小的能态 4。 A 丘的这一最小值被称
为俄歇过程的阙值能撮ETo
为了确定该阀值能员，需要将式（ A l2. 2)最小化。 如果假设所有的能带都是抛物线型的，
可以令 3 个价带 能态具有 nE, cx::k, • k, Ime ，而价带 具有凶了3 CX::k3 • k3/m H= µk 3 • k3/mc ，其
中 µ= mc/mH 。 在最小值处， 凶且与任何 K 矢 扯 的变化都无关。 任何一项 的微分都是
d(k, • k,) = k, • dk, +dk, • k, 。 对式 CA12. 2) 求总微分并令其为零，可得
k. • dk. = k1 • dk1 +k2 • dk2+µk 3 • dk3 = O (Al2. 3)
dk 3= dk 1 +dk2 -dk4 (Al2.4)
第 2 个公式是对约束条件式 (Al2. la) 求微分得到的。 用式 (Al2.4) 来替换式 (Al2. 3)中的
dk3 ，可得
(k1 +µk 3) • dk, +<k2+µk 3 ) • dk2 — µk3 • dk. = O CA12. 5)
由于根据式 (A12. 3) 有 k4 • dk4 =
O ，当 k3 II k4 时最后一项为零。 当 k 1 = k2 = —
µk 3 时，对千
任何 dk, 和 dk2 ，其余两项都为零。 将其代入式 (Al2.la) ，可以确定 k4 。 综述之，可得
k1 =
k2= -µk 3 (Al2.6)
k 4 =-0+2沁k3 (Al2. 7)
其中 µ =
mc/mH 。 这样，当所有的 4 个 K 矢扯都是线性对应的并且 K 的指向与其他 3 个相
反时，最有可能发生俄歇跃迁。 图 4. 14 中的俄歇跃迁反映了这一结论。 在式 (Al2. lb)中
利用式 (Al2.6) 和式 (Al2. 7) 并求解 k 比可得

尽＝ 片 (Al2. 8)
(1+2µ)(1＋叫
其中 k g 对应千 E. ＝行2片／2mc。 利用式 (Al2. 8) 可以很容易得到所涉及的 4 个能态的能量：

凶E1 = �E2 =µ 凶E 3= � E CA12. 9)

Cl+2µ)Cl＋吩 g
• 373 •
 邱＝旦纭止 (A12.10)
l+µ
因此可得CCCH 过程的阔值能最为
2mc+m H
E严邱＝旦趴＝ Eg (Al2.ll)
l+µ �" mc+m H
这样便完整地定义了最有可能的CCCH俄歇跃迁。

A12. 2 CHHS和CHHL过程

对于图A4.14中的CHHS过程，再次从书写动量和能扯守恒律入手：
k 1 +kz = k 3 +k1 (Al2.12a)
—
- (b.E 1 + b.E 2 ) = E.+b.E3 (�、o+b.E,) (Al2.12b)
在此例中，后一式利用Ev 作为能量参考值。 重新整理能拭守恒律，可得
b.E 1 - (E. -� so ) = b.E 1 + b.E 2 +b.E 3 (Al 2. 13)
再次，我们想要将凶;:;4最小化来使跃迁概率最大化。 采用与上述相同的过程，可得最小的K
矢最为
k 1 = k2 = -k3 /µH (A12.14)
= — (1 +2/µ11)k3 (A12.15)
k
其中 µH
=
mc/mH。 再次，所有 4个K矢掀都是线性对应的，而K的指向与其他3个相反。
所涉及到的4个能态的能量为
= =
您6.E 1 µs6.E 2 6.E3

= 1伍s
(Eg — .1,o) CA12.16)
(1 +2/µH )(l+2/µ11 — 1/µs)
(1+2/µH)
AE 4= (E厂A so) (Al2. 17)
(1+2/µH — 1/µs)
其中 µs = mc/ms。 因此CHHS过程的阙值能最为
2m H +mc
ET 圭 6.E4= �(E .1,o) (Al2. 18)
2m H +mc — ms 厂
令A so -0且ms---- mL就得到CHHL过程的方程。

• 374 •
 附录13 Langevin噪声

本附录将更详细地分析第5章中采用 的Langevin噪声源。 本附录A主要有3节 ，

第一节将分析Langevin噪声源的基本 特 性并涵盖两种 Langevin噪声源之 间相关强度
的常规定义和计算。 第二节考虑如下三者之间特殊的Langevin噪声相关 ：（1）光子密
度和载流子密度Langevin噪声源；（ 2）光子密度和输出概率Langevin噪声源；（ 3）光子
密度和相位Langevin噪声源。 最后 一 节根据第5章推导出的公式，利用这些特殊的相
关强度来计算光子密度、输出功率和载流子密度的 噪声谱密度。 此外 还 将讨论这些冗
长的表达式的实际近似。

A13. 1 Langevin噪声源的特性

A13.1.1 相关函数和谱密度
Langevin噪声源F(t) 的一个定义特征是其完全随机 的本性。 实际上，F(t)最好的类比
就是随机数发生器，该 发生器在6.t-0的极限下每隔At秒在士～之间产生一个新的数字。
在数学术语中，将这 一 特性描述成 一种无记忆过程，这表明F(t)在时间t处的值和任何以前
的F(t-r)值（包括r-们）之间绝对不存在相关性。 现在由千F(t)是正值还是负值的可能
—
性一样大，其时间平均值为零：（F(t)〉＝砂。 而且，由于F(t) 和F(t r)相对千彼此是随机
波动 的 ，它们随时间变化同号的可能性与异号的可能性一样大。 其结果是，两者的乘积在时
间t内的 平均值也是零：（F(t)F(t— r)〉＝0。 唯一的例外是，当r= O时的乘积总是正值：
<F(t)F(t)〉=<F(t) 2 〉= ～（其幅度为无穷大，因为F（矿可以在0和～之间取任何值，其 平
均值则为无穷）。 这样作为 r的函数，相关函数<F(t)F(t—r)〉显示出一种类似于delta函数
的行为。 将这 一结果常规化，可以将任何两种（ 无记忆的）Langevin噪声源之间的相关函数
定义为
(F, （t)F (t-r) *〉=S,J ． 8(r) CA13. 1)
2
其比例常数 S,)定义了两种噪声源之间的相关强度（其单位为秒X（ 波动 变量单位） ）。
当i=j时，S,，定义了自相关强度。 当i-=/=-j时，S ,J 定义了互相关强度，只有当一个 噪声源的
波动以某种方式与另 一种噪声源的波动相关时该值才不等千零。 相关函数的定义中包含有

CD 括号（〉实际上表示了对于在相同时间t处的许多状态相似的系统的统计平均。 然而，如果所涉及到的统计过程
既是静止的又是各态历经的（假设这就是此处讨论的情况），通过将单一系统在扩展的时间间隔内平均就可以获得相同
的结果。 这样，究竟是将（〉定义为统计平均还是时间平均只不过是出千概念上的便利 。 在时间域内，通常便千从时间平
均角度来分析，而在频率域内通常更适宜于采用统计平均 。

• 375 •
复共扼，用 来 说明可能的复Langevin 噪 声 源 （ 例 如 在 r = O时，自 相 关 函 数化简 为
I
< F; (t) I 2 〉 )。
有趣的是，根据式(Al3.1),Langevin噪声源的均方值为 无穷大：(IF;(t)尸〉 ＝ ～。然
而，只有用一个带宽为 无穷大的探测系统才能观察到这 一 结果。实际上，示波器上观察到的
波动永远不会是无穷大，因为 它们受到系统上升时间或者测量带宽的 限制。正如第5. 5节
中的式(5.10 3)~(5.105)所得出的，实际测扯到的均方噪声是由测量带宽和噪声源的谱密
度的重叠得到的。
通过如下方 式来检查频域相关函数，可以将谱密度与相关函数联系起来，即

（
<F，位）F 1 心） 〉 ＝ JF;(r)e飞• f F j (t) ． 产dt)
．

= JJ<F, (t十年(t).〉e -jw re 卢 o) ／ dtdT

= I (F; (t+吭(t).〉e飞· fe-J(o o)tdt

= f <F, (t)F j (t— r) •〉e ]国. 2邧(Q — 矿）

圭 S;j (w) • 2邧(o — w') CA13. 2)

该推导中的第一 步利用式(5. 102)来变换到时域。第二步令T王t+r（根据 dr= dr)并重新合
并，将统计平均（参见脚注CD）限制在统计变化的过程内。第三步和第四步假设(F(t十r)F(t)勹
只与两个函数的相 对时延 T 有关而与绝对时间t无关。这 一 特性被描述为 静态过程，该特
性不但适用于Langevin噪声源，而且适用千本书中所有的统计 过程。这样对于静态过程，
可以在第三步中将对 t的积分分离出来，并在第四步中将时间原点从t移到 t— T。第四步
还承认对 t的积分是强度为纭的 delta函数。
式(Al3. 2)中的最后 一 步将频域 delta函数的相关强度定义为谱密度S ,} 位）（ 与 式
(5.104)相比），其中

s ，J 位） ＝f(F; Ct) F j Ct— r) •〉e飞 （Al3. 3)

简单来说，谱密度就是相关函数的傅里叶变换。这一基本关系被称为Wiener-Khinchin （维
纳－辛钦）定理，适用千所有类型的静态过程（不仅是Langevin噪声）。例如，第5 . 5. 6小节
在讨论线宽时，声称功率 谱等千电场自相关函数的傅里叶变换。式(Al3.2) 就证明了这 一
点。然而，我们在这里感兴趣的是将这 一 结果应用于Langevin噪声。
将Langevin噪声相关式CA13.l)代入式(Al3. 3)，可得

S;j(w) ij f8(r)e-iwr dr =S ,J
=S
（Al3. 4)

这样，Langevin噪声谱密度就等于相关强度并且与频率无关：它是 白 噪声源（这对任何无
“ ＂

记忆的静态过程都成立）。由千 Langevin噪声谱密度和相关强度可以互换使用，我们用．
个公共的符号来表示两者，即
(F;F 1 〉==S;j 位） ＝S ，J CA13.5)
在某些情况下，将(F,F ) 〉解释为噪声谱密度更有意义，而在其他情况下，其 相关性更为凸显。
在本附录中，将(F,F ) 〉统称为 相关强度。请注意，谱密度和相关强度的单位都是秒X（波动
• 376 •
 2
的时间域变量单位）

A13. 1. 2 Langevin噪声相关强度的计算

此处以及第 5 章中讨论的 Langevin 噪声源采用了 McCumber 以及诸如 Lax 等人建立

的散弹噪声模型，该方法化简了激光器中噪声的严格的量子描述。在该模型内，假设激光器
噪声来源千进出载流子和光子库的离散随机的粒子流所涉及的散弹噪声 。 可以表明，散弹
噪声的谱密度为常数并且与粒子流的平均速率成正比。 这样，考虑一个粒子库，粒子通过各
种离散随机过程流进和流出该库。在 Langevin 公式中，每种离散过程对库内的总噪声的贡
献都是白噪声。因此，为了确定总的 Langevin 噪声谱密度或者相关强度(F;F]〉，需要对所
有的散弹噪声贡献求和，或者对所有流进和流出库i的粒子速率求和。为了确定两个库l
和）之间的互相关强度<FiF)〉，只需对同时影响两个库的粒子流进行求和。 然而在此情况
下，当一个库获得—个粒子时(F,>O)，另一个就失去 一个粒子(F1 <0)。这样，乘积(F,Fl 〉
总是 负值，两个水库之间的噪声就是所谓的负相关。
这样在散弹噪声 Langevin 模型中，通过检查出入各个库的速率就可以获得各种 Lan­
gevin 噪声源之间的相关强度，即
(F,F,〉＝�R;＋�R-;- CA13.6)

<F,F1 〉= － (�凡＋�R1i) CA13. 7)

粒子库的 Langevin 噪声源 F，和 F ) ，流进和流出库的粒子流速率 R,＋和 R,_ ，以及两个库之

间的粒子流速率凡和R )，的单位都是每单位时间的数目。 对于单边谱密度，需要在这些定
义的右侧乘以 一个因子2。
作为采用式 (A13.6) 的示例，我们来考虑一个简单并且可能很熟悉的例子：探测器中的
散弹噪声。由离散随机的吸收事件产生的电流所涉及的散弹噪声。为：（心(t) 2 〉 =2qlt::,.f,
其中 I 是 平均电流， t::,.J 是探测系统的带宽。用 Langevin 噪声源来定义电流噪声可以获得
相同的结果：i(t) = I+F1 Ct)。在转换为每单位时间内的纯数字之后（即I/q和F1 /q)，可以
用式CA13.6)来确定该噪声的谱密度或者相关强度<F1F1 汃即
l I
了 <F1F1〉＝—-+-(F1F/〉＝ql (A13. 8)
q q
2
将这 一 双边谱密度乘以 26.f（参见式 (5. 106) ）可得出（压(t) 〉的散弹噪声表达式。这一练
习的主要目的在千显示为了获得正确的比例常数（在此情况下为q)，首先将其转换为每单
位时间的数目是极为重要的。

A13. 2 特殊的 Langevin 噪声相关

A13. 2. 1 光子密度和载流子密度Langevin噪声相关

图 5. 1 显示了进出载流子库和光子库的所有速率。在将其单位转换为每单位时间的数

(j) 如果吸收的光子不是以完全随机的方式到达，则可能产生一个比标准的散弹噪声电平更低的噪声电流 。 通过半

导休激光器可以产生这种非随机的、或者亚散弹噪声受限的光子流（详情参见第 5. 5. 4 小节） 。

• 377 •
目之后，每个库有关的密度Langevin噪声源启和片变成VFN和 V I,Fr。利用图5.1并结
合式CAl3. 6)和式C Al3. 7)可以立刻获得
V;, (FpFr〉 = N P V P /rr + CR21 +R12 +R:P )V CA13. 9)
2 ＝7 I /q+
V (F N 瓦） ， （R 寸， 十R"'+R21+R12)V (Al3.10)
－
V P V<FrF心＝ （R21 +R12 +R:r)V (Al3.11)
根据电流泵浦源的噪声特性，式(Al 3.1 0) 中的电流项7, I /q可能更小也可能更大。
利用如下替换可以将相关强度简化。根据稳态关系，在式(Al3. 9)中可以令凡V,，／吓
= CR 21— R, 2+R:p )V。根据基本关系式(4. 32)和式（4.48)，还可令R,2 =
R21 - v8 gN"，且
岛＝觅N P V P 。最后根据式(5.18)采用R," - R:p +R"'=？ ， 儿／qV，可得

(FI，片〉 ＝ 2rR's 心（ 1 心） + （Al3.12)

(F N 瓦〉 ＝
2R 产 (1+ 2N,，l V,＇)
/ggN P +T/, （I+Itl、)
V qV
(Al3.13)

(Fr启〉 ＝— 2R:心 (1 + 2N V)
p. p
+
Vg gN,＇
VP
(A13.14)
15
对千那些在闾值以上输出几个亳瓦功率的激光器，腔体内的光子数通常在10 或者更高的
员级。这样通常可以假设N P 玑＞＞1。基千这一原因，书写式(5.127)~(5.129)时都没有包
含括号中的各项。

A13.2.2 光子密度和输出功率Langevin噪声相关

在第2章和第5章中，只用P。 = （hvV 卢卢mF)N,，或者等效式P。 = （ TjohvV P /r)凡来将

光子密度转换为输出功率。然而，当考虑腔体内部和外部的噪声时，就必须小心了。为了理
解其原因，我们来考虑图 Al3.1绘出的入射到一个部分反射镜面的完全均匀的光子流。虽
然平均30％的光子被反射，每个独立光子必须完全传输或者完全反射。这种反射和传输光
子之间的随机分割导致反射和传输光子流内都存在分割噪声。
｀
、

＿
、
、
、、
、
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｀｀、、、
｀、飞、
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“安静 的入射光子流
、
、

一 一呻
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＊一
｀、
`、
、
｀｀、
、
、
。 i、
、3

三成光子随机反射 七成光子随机传输
。。
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／
』`

注．儿关键在千在镜面刻面处反射的和传输的分割噪声之间存存一种负相关 。

图Al3. 1 由部分反射镜面产生的分割噪声图解

• 378 •
 在 (F p F 卢内通过式（ A13. 9)中的 Np V p /rp 项考虑了反射回到腔体内的分割噪声，该项
等效千由逃逸出腔体的光子所产生的散弹噪声。 然而从腔体传输出来的分割噪声不同于反
射回去的分割噪声。 事实上正如图 A13.1 所示，它是反射噪声的精确反转。 当与其他噪声
贡献相加时，腔体外的功率所涉及的总噪声并不等于腔体内的光子密度所涉及的总噪声。
这一微妙之处是由 Yamamoto 利用更为基本的星子力学分析首先提出的气
将输出光子流视为另一个具有其自身相关的 Langevin 噪声源的光子库，可以再次利用
Langevin 法来确定这一负相关分割噪声的影响（类似于最初讨论的探测器电流）。 改写式
(5. 118) ，可得输出功率抖动为
aP(t) = C 1'JohvV" 飞）N"1 (t) +F Ct) 。 CA13. 15)
．
与式 (5.12 4)和式 (5. 125)的推导过程相同，将其转换为频域，两边乘以 8P （矿） ，取时间平
均，并对矿积分可得
Sap 位）＝ （ 7'/ohvVP 飞） 5N 位）＋ ZRe[( 7'JohvV" 年）（ NplN。〉]+（ F。E) （ A13. 16)
2

该式中的第一项是我们根据直觉就可预期的关系。 然而，位千镜面刻面处的分割噪声产生
了两个额外的噪声贡献，考虑这两者非常重要，当输出功率较高时尤为如此。
用式 (5.121)来求解 Np1 位），可以令
H(w)
(Np1 Fo) = �[ (YNN +jw) (FrF心十YPN (FN Fo〉] CA13. 17)
WR

这样，为了求解式(Al3.16) ，需要了解 3 种噪声源 F。、凡和凡之间的各种相关关系。 首

先，载流子噪声和图 Al3.11 中绘出的现象之间没有相关性。 因此，立刻可以设 (F N Fo 〉 =0 。
对于其他两种相关强度，利用 F。 /hv 和 V P 启来应用式(Al3.6)和式 (A13.7)，可得
<F。F。〉 = n 凡 V P 飞. (h叮＝枷P。 (Al3. 18)
<F 江。〉 ＝— fJoNp V p 飞• (hv/V p ) =—
P。 /V P (Al3. 19)
(F N Fo) =O (Al3. 20)
利用这些公式并结合式(Al3. 12)~(Al3. 14)，可以求解 SNP (w)式(5. 125)和 <Fpl 凡〉式 CA13.17),
并由此来最终获得输出功率谱密度函数 S 8P (w)式（ Al3. 16) 。 其完整的表达式留待下一节
完成，届时将求解光子密度、输出功率和载流子密度的所有3个噪声谱密度函数。

A13. 2. 3 光子密度和相位Langevin噪声相关

通过研究激光器腔体内的电场可以获得相位 Langevin 噪声源 F中 (t)及其有关的相关强

度。 首先来假设电场内的噪声包含同相和反相波动，其平均场如图 A l3.2 所示。 定义同相
和反相随机场为 nE,(t) 和 nE;(t) ，总的瞬间场和有关的复 Langevin 噪声源为
。
E(t) =E +nE,(t) +jnE, (t)
(Al3.21)
F(t) =F, (t) +iF i (t)

CD Yamamoto 将分割噪声描述成从腔体外部入射到镜面刻面上的真空场波动 。 在此情况下，传输进人腔体的真空

场与那些从镜面刻面反射出去的场具有负相位关系，这就为腔体内部和外部的刻面噪声之间提供了负相关性 。 尽管其
解释方式有所不同， Yamamoto 的推导导致的输出功率噪声结果与本附录所分析的相同（然而， Yamamoto 的推导需要一
个镜面反射率极高的谐振器） 。

• 379 •
其中 F,(t) 代表同相场波动，F;(t)代表反相场波动。

Im{E}

+�E「 +JAE,
乙E AE,IE。
包 \ _ AEl

Re{El

图Al3. 2 瞬间场幅度和正交（同相和反相）噪声分量之间的矢最关系图

通过下式可以将功率和相位波动及其有关的 Langevin 噪声源与同相和反相噪声分量

联系起来，即
E'E=Et+2E心E 和 乙E＝凶E;/E 。
; CA13. 22)
Fr Ct) ：：：：：：：： 2忒F,(t) 和 F今 (t)=F; Ct)/,/FJ
当 AEr ,AE, ＜＜ E。时，这些近似式成立。 对千后两个关系，E'E 的波动部分转换成光子密度
波动 F p (t) ，而 E6 转换为平均光子密度 N p ( 并山此丘转换为J风：）。 现在如果假设场噪声
的同相和反相分址的谱密度的幅度相等（即(F,F,〉 = （F,F,〉)，可得
I'R sp
，
1
<F,F,〉 = （FP FP 〉 (Al3. 23)
4N p 2
I'R
(F;,几〉＝一 <Fi F,〉＝-－ (EFr 〉＝二 （Al3. 24)
NP NP 2NP
第一个公式利用式 CA13. 12) 来令 (FpF伈＝ 2rR:P N P ，其中假设 N p Vp »l 。
为了确定互相关，请注意根据式 CA13. 22) 满足（F;凡〉＝ 2(Fi F, 〉。 假设 t::..E, (t) 和 AEi (t)
是完全不相关的，可以令 (Fi F, 〉＝0 。 至于(F4F 心，我们注意到由千载流子密度的变化而导
致的相位波动是和线宽增强因子a分开来考虑的（参见式(5. 138) ）。 这样，那些即使当a= O
时仍然存在的固有相位波动与载流子噪声无关。 根据 这些分析，可以得出结论为
（几F 伈＝（F今F 心＝0 (Al3. 25)
最后应注意到，正如 Yamamoto 所分析的，腔体内部和外部的相位波动之间存在差异。 然
而这种情况下的差异相对较小，这里不予考虑（只有当频率近似于或者大于 1/rp 才重要）。

A13. 3 噪声谱密度计算

A13.3.1 光子噪声谱密度

作为参考，第5章推导的光子密度噪声的谱密度为
IH位）尸
SNP 位） ＝ 4 [（沁＋矿）（Fp 片〉＋ 2yNNYP N(Fp 凡〉十 TPN (FN F心］ （5. 125)
WR

利用式(5. 35)定义的速率系数以及式(Al3. 12)~(Al3. 14) 定义的 Langevin 噪声相关强

度，光子密度噪声为
• 380 •
 NP _ a: +a芦
s`P (）
Q
=
v吓 ·
p ”》R
4 IH(w)尸 (Al3. 26)

其中
，
f a2
a'1 = -=;-
2
rAN
+ T-—+
22
QR
NT
4
QR
n, （ I+ Ith)
+1]
A P [ Ist
,_8 亢(Av)STN P忆 l
a;=�(l＋见V
P)
且(Av) ST= I'R'sp / 4贰凡 ，I、t = qNPVP 飞。为了化简该表达式，令l/T,AN-0 从而忽略单模自
发发射速率与N的关系。并且 在定义a;时，已经令v gaNP ITp ＝呻。 这样在a;内，谐振频
率被定义为： Q 负圭v gaNP飞。
1
包含a 1 的3个项构成 了战的幕序列，或者等效地成为NP的幕序列。在功率很低时
以第 一 项 为主，而当功率从中到高时以最后的呻项 为土。实际上当功率非常高时，a;中的
呻项成为式(Al3. 26)的整个分子的主要部分，并且（对于散弹噪声受限的电流源）它在括号内的
一］
系数减为2。当功率非常高时，如果忽略增益压缩，还可令IH(w)尸～（l+矿式） （存在增益压缩
时，!"p 由y／咏代替）。这样在此极限下·,sNP (w)�(2Np /Vp) • rp / (1＋矿式）。利用式 (5.105)，可
以求解光子数波动的均方值。将SNP (w)V�对所有频率积分，可得(IBNP(t)Vp 尸〉 ＝ NP vpo
这一结果表明，在高功率极限下，腔体内光子数的统计朝着泊松分布收敛，（用量子光学的语
言来说）呈现相干态的表现。

A13. 3. 2 输出功率噪声谱密度

作为参考，上文推导出的输出功率噪声的谱密度为
SaP Cw) = ( 1JohvVP 飞）2SN Cw)+ 2Re{ ( 'f/。加VP历）（Np1F。〉} +(F。E〉
P
利用式CA13.17)给出的(Np1 F心表达式以及式(Al3. 18) ~ CA13. 20) 定义的Langevin噪声
相关强度，输出功率噪声为

。
a1+az矿
Sap (w) = hv P [�IH(w)l 2 +1] (Al3. 27)

其中
际(Av)STPO 1 1 1J , （ I+I h)
t
a1 = (1＋ 厄＋忭
4
OR
s -1]
hv 凡 VP [ I t

-2 己（呻十点）
a尸
际(A S P 1
[ T ( 。 ＋心）— 2已[I于＋
'
4TC S
2) T]

且(Llv)sT = rR:p / 4 rc凡，I,, = q P。/ 110 hv。为了化简该表达式，令1 /r'AN-0从而忽略了单模

自发发射速率与N的关系。并且，在定义a1 和 a2时，已经令v.aNp /rp ＝呻。这样在定义
a1 和a2时，谐振频率被定义为： Q 枭圭v gaNµ /rp。那些含有谐振频率精确表达式的其余各项
被拆解成变量：Qi 圭YNPYPN+ YNNYpp-v gaNP／ 吓。

在a1内，第 一
项 与功率无关，并在功率极低时成为主要项。第二项正比于Pi，并在功
率至高时成为主要项 ，虽然 1j i(I+ I th) /I st在高功率时趋于1（对于散弹噪声受限的电流源）。
• 381 •
除了功率极小的情况以外，对于所有其他情况都可忽略第三项泌，因为 v.aNp /rp 和实际的
呻之间的差值通常可以忽略不计。在 a2 内，第一项与功率无关，但是对于除了功率极高 以
外的所有情况，该项都为主要项。第二项正比于P。，因此它最终可以与第一项相比。然而，
增益压缩限制了硕的极值，因此实际上第二项永远不会增加超过第一项。在第二项的方
括号内，由于丘(b.v)sT/w 枭 吓 与 1/Fg 成正比，除了功率极小以外的所有情况下，I'a p /a 都为
主要项。
将 S和 位）与 S\/I，位）相比，我们注意到除了略微更为复杂的频率系数， S护 位）中还出现
“ “
一个新的 十 l 因子。该因子确保了对于所有的频率，输出功率的谱密度永远不会跌至
hvP0 的散弹噪声极限以下 （ 除非电流源具有亚散弹噪声特性）。由于S和 位）内隐含了散弹
噪声，原则上不需要再在光 探测器的噪声电流中凸显地增加一个散弹噪声项。然而实际上，
光子在从激光器到达探测器过程中的随机损耗所造成的分割噪声贡献了一项与(1 -T/det)成
正比的类散弹噪声项，我们应将该项加到探测器的电流噪声中 （ 详情参见式(5. 137) ）。
第 5 章给出的 S护 位）的表达式忽略了 a1 的选项，以及 a2 中呻项方括号内的第二项。
假设在阔值以上 N P VP »l ，这里还令 a1 和 a2 内的第一个方括号等于 1。

Al3.3. 3 载流子噪声谱密度

用千参考，第5章推导的载流子密度噪声的谱密度为
lH位）尸
SN(w) = � ［六p （ Fp 片〉 — 2 丫PP YNP <FrFN)+ (r和十矿） <FN F心］
WR

利用式(5.35) 定义的速率系数以及式 (Al 3. 12) ~ (Al 3. 14) 定义的 Langevin 噪声相关函

数，载流子密度噪声为
际N�
SN 位）＝ （ b.v)sT Cl+B) I H(w) I 2 (Al3. 28)
广式呻
其中

8＝ 飞言：)2{ l+eN 一心 [r; (II：儿）＋1]}

p

＋矿吓＋卢 [r;, （ II：儿）－ 1]}

且（心 v)ST = I'R:P 1丘N p , I,, =
qN P 队飞。为了化简这种情况下的表达式，令增益等于损耗
(f'vg g = 1/rp ) ，并假设 NP V产＞ 1 。我们还利用式 (5.32) 明确地写出了 aP ，并令 R:p v吓 -nsp 。对
于实际应用，我们发现无需考虑 8。例如在低功率时，整个第一项简化为 — eNp /n,p ，该值与
1 相比可以忽略不计 （ 在阙值以上 n,p=l)。在功率极高时，当沁lp = 1 时该值达到最大值
-1/4n,p （ 对于散弹噪声受限的电流源，在高功率时有 r; , (I+I th)/ I,t -1)。这样，在功率极
高时，增益压缩可以使低频载流子噪声最多降低 25% ，然而在第 5 章中忽略了这一因素。
当硒＜1／存时，第二项与第一项相比很小，因此除非要研究的就是极高频率处的载流子噪声，
否则也可以将其忽略。
第 5 章给出的 SN(w）的表达式(5. 124)忽略了式(Al3. 28)中的 8，并且令咏－ Vg aNP /rp o
• 38 2 •
 习 题

A13. 1 一个激光器的噪声谱密度为 S,，假设其输出功率被分束器一分为二并且传给

两个光探测器。 请用 Langevin 法确定探测到的噪声谱密度。 首先用 Lange­
vin 噪声源 (F,' 瓦和 Fd2) 来定义入射的和探测到的光子束库。 对于入射的光
子库，假设激光器有一个流入蜇 I 、两个流出最n和(1 — r;)I。 对于探测器库，
假设只有来自于人射光子库的流入量（这里可以使用流程图）。 接下来，定义3
个 Langevin 噪声源之间的所有自相关和互相关强度，其中考虑人射光子库中
的流入量相关项是S， 而不是散弹噪声I（为了简便，假设所有的库中都采用光
子数流量速率）。 最后，利用小信号分析，证明第一束探测光子流的谱密度 (Id1
Id! 〉等千乘积 (( r;F; + Fdl) ( r;F; + Fdl) 〉，然后计算两个探测器的乘积。 请解释
如何将该结果用于式(5. 137) 。 分束器是如何并且为什么影响探测器噪声的？
A13. 2 对于习题 Al3. 1 中描述的过程，请说明探测光子流之和的谱密度中将再现入
射光子流的噪声，且与 r; 无关。 在常规情况下，当 r; =O. 5 时，两个探测光子流
之间的差异将产生什么样的谱密度？利用和与差的谱密度结果，请设计一种
测量方法将激光器的强度噪声测量值相对于散弹噪声本地进行校准。 这类结
构被称为平衡探测器对，通常用来确定激光器是否工作在噪声的标准址子极
限以下。

• 383 •
 附录14 微扰公式的推导细节

在第6章中，有几处计算都涉及到了推导一个已知波导的微扰问题的近似解。其求解
过程通常是：将一个试验场代入到波动方程中，去掉二阶项，乘以无微扰问题的横向模式本
征函数的复共辄，在横截面内积分，并利用模式正交化以及其他条件来去掉多余各 项，至此
就推导出了一个简单的解析公式。
在这些计算过程中，反复遇到许多由作用于波动方程的横向模式微扰构成的项。式(6.
8)给出了第一个这样的示例，该结果是通过乘以 U 并在横截面上积分得到的。即
长

I 2
四 IUl dA= fA配IUl2dA

+f[( •U)U 十动沁UU* — 矿AUU*]dA

长

其中各个未知项都含在公式右侧的第2个积分中（第2行）。现在要来证明，在我们感兴趣
的情况下，该积分为零或者可以被忽略。
首先，将横向波动方程式(6. 5)的复共枙乘以 AU可得
AU(焊U ）十AU[e*(x,y,z)k&-{3*2]U ＝ 0 CA14. 1)
长 兴

2
（矿一{3. )U 来代替式(6. 8)最后一个积分中
这样，可以用 一AU(V}U*)+Ce 百）k江尸
－ — 菁

的后两项。如果e 和 p都是实数，我们只需
－
丛U(V}U*)。实施如下替换：

f[（V沁U)U 十忒沁uu·－矿AUU* ]dA

长

= I [ (V沁U)U
长 －
AU(V霍）］dA

+f[(e －百）k沁UU
长 —
（矿 庐）AUU ]dA
并
(Al4. 2)

现在，由千下式，右侧的第一个积分同样为零，即

J [(V拉U)U* - t:::.U(V汇）］dA = I m· [（V心U)U*—凶(VT U*) JdA

= f : n. [(VT !::::.U)u * - !::::.U(VTu*) Jds 0

=
兰

(Al4. 3)
后一 等式利用了Green定理将横截面积内的积分转换为一个沿着横截面直径（在此情况下，
达到无穷远处）的线积分。矢屈 是在积分等高线的法线方向上的单位矢措。在无穷远处
;n

的等高线积分为零，因为对于任何的导模，U 和 !::::.U 在无穷远处都消失。对于实数的e 和 f3'

式CA14.2)右侧中的第2个积分也同样为零。事实上即使对于复数的e 和 f3，由于t:::.U«U
并且因为通常可以选择无微扰问题的损耗或增益使该积分值足够小，与式(6. 8)右侧中的第
• 384 •
一
个积分相比，在大多数情况下也可以将该积分忽略不计。 只有在极限情况下，当增益提供
大部分导波效应时（正如在增益引导型激光器中），才不能将这 一 项忽略。 在这种罕见情况
下，是否能够采用Af3就是一个值得怀疑的问题了。

• 385 •
 附录15 电光效应

对千许多可调谐激光器和集成光路，需要通过施加直流（或者交流）电场来改变 其折射
率。 在那些没有反转对称性的晶体中，利用所谓的电光效应可以实现这一点。 由千折射率
是随着电场瞬态改变的，因此我们可以将这一效应用千调制带宽极高的调制器和可调谐滤
波器中。
电光效应是一 个比较复杂的现象，因为当施加直流场的方向 一 定时，不同偏振的光场所
对应的折射率变化通常有所不同。 并且电光效应通常涉及到各向异性晶体，这种晶体对于
不同的初始光偏振具有不同的折射率。 因此，我们需要用全介质张鼠来将电位移 D 与光波
的电场 E 联系起来。 这样，对于不同的方向，位移可能并不总是与电场平行。 另外，施加的
直流或交流场通常具有另一个方向，因此在该过程中需要跟踪的方向有3个。
电位移场通过介质张晟与光电场有关D＝ 正，或者
e e e

e e e
e e e
D D DZ

EIE y
，

、
、

xy yy zy
工

立
＿
＿

(Al5. 1)
Y

Ex
8
红
｀

，
，

I[ ］ lI: l
n
如果选择各个轴使该矩阵对角化，我们就找到了该介质的介质主轴。 切换到光折射率上，则有

[ ：立
(A15. 2)
e noO n:
我们仍然允许折射率具有各向异性，但是定义了一个轴向沿着材科主轴的折射率椭球。
当场沿着这些轴向中的 一 个偏振时，D将与E平行。 在大多数材料中，这3个折射率分量
中的至少两个是相等的。 我们称这两个为寻常折射率，而称第3个为异常折射率。 那些电
场与这些方向对准的光线也被称为寻常光线或者异常光线。 按照常规，将n 立 标定为异常折
射率，并将z轴称为光轴。 具有这两 种折射率的材料被称为双折射。 在本书分析的IIIV
族半导体材料中，在没有施加额外的直流或交流场时，其折射率为各向同性。 因此在没有施
加场时，所有的折射率都相同。 然而在施加场时，这些材料也变成双折射了。
根据式 (Al5. 2) ，常规的折射率椭球为
三＋立 ＋ 三 =l
2 ' 2 2 (Al5. 3)
n. .r
了 n;y n立
通过建立 一个与其k矢蜇垂直的平面来穿过椭球的原点，可以找出任意传播波的折射率。
这样波的电场方向就是位千该平面上穿过原点的 一 条线。 它到椭球表面的距离就是折射
率。 图 Al5. 1 阐示了这一 结构。 请注意，对千 GaAs 或 InP，在没有施加任何直流或交流场
时，该椭球就是一个球休。
• 386 •
 在对电光材料施加直流或交流场时，该椭球变形，因此通常在式(Al5. 2)中会出现非对
角项。我们根据折射率椭球中每 一 项的微扰来定义电光张最，即

A 仁）＝ �rijk凡 （Al5.4)

其中r是线性电光张星，丘是施加的直流电场。我们需要用3个下标来分别表示晶轴、光电
场和直流电场的相对方向。此外，二次效
光轴
应可能也很重要，因此还可以定义 一个相
似的方程，其中用广代替E，用二次电光
张址s来代替r。对于体材料和MQW波

s
导，当波长靠近吸收边时，二次效应较为
重要，这 时电场可以使有效吸收边移动。
并且，在PN结的耗尽区如果有大鼠的载
｝ 流子密度被同时耗尽，二次效应也变得非
常重要。我们在分析完线形效应后再来
一
讨论这 话题。
为了在 一定程度上使符号简化，通常
引入 一种缩写的角标符号法，从而可以用
二维来表示三维张扯。该符号法用1~6
X 的数字表 示前两个 角 标， 其 中l==x工，
图Al5. 1 折射率椭球曲线 2==yy, 3==zz, 4==yz, 5==xz, 6==xy。
最后一个角标也是数字角标，用来表示施
加的直流或交流电场的方向，其中l三x, 2=y, 3=z。这样，式(Al3.4)变成

心） t ＝ 2 r,,E,， i = 1,2, … ，6 (Al5. 5)

在施加直流或交流场时，失真的折射率椭球的形式为

(』） X +(�) y + （卢） 召＋2 （ 记． ） 1yz+2(�),

I
2
2
2
3
I -l xz 2 � 6xy
+ ( )
=
l CA15. 6)

其中各附加项完全由式(A15. 5)产生，如果式(Al5. 5)产生非零的微扰项，也可能会改变各

原始项。为了确定传播光波的折射率变化，必须再次使折射率矩阵对角化，也就是等效地为
失真的折射率椭球找到新的主轴。这通常涉及到在原始轴的空间内旋转。一旦找到这个新
的主轴组(x',y',z'八折射率椭球将冉次具有式（Al5.3)的形式。对于沿着x'轴偏振的光
场以及类似地对于其他各分昼，X 的系数将给出微扰折射率n工的平方的倒数。
l2

在GaAs、InP或其合金的情况下，寻找微扰主轴及其有关折射率的过程在 一定程度上
被简化了，因此对于这种闪锌矿类（立方43m)晶体，对千与晶轴对准的兀y 和 z只有r,1、
m和m为非零值。并且，它们都具有相同的值，因此这里令它们都等于 r41。这样，对于位
于之向或者[001]向上的直流场，式CA15. 6)变为
x2 +y2 + 之 2

+2r41E,xy 1
=
(Al5. 7)
ng
• 387 •
其中m是各向同性半导体 在所有方向上的无微扰折射率 。即，在x-y平面上，折射率椭球
在第1和第3象限内被压缩，在第2和第 4象限内被拉伸。为了 将 式 CA15. 7)表示成式
CA15.3)的形式，可以证明需要将坐标系沿着 z轴旋转45度，即，z=z'，且
° °
x= x'cos45 +y'sn
i 45
° °
y= - x'sin45 +y'cos45 (Al5. 8)
这样新的（主）轴变成 x' =[llO],y' =[llO]。将 其代入式(Al5.7)，可得

（卢—r41 气 '2+ (�+r, 上）y' + （卢） z =l 2 2 CA15. 9)

这样
1 1 l l
n工 n -
， 。
丁 = 飞 . r,1 1Ez 和 一＝—＋
n,2 n_2 。
r 41E, (Al5. 10)

对千r 4lEZ <＜1 /n[，可以近似求解所要的微扰折射率，即

n,, =n。+ －r 41E之

n3 。
2
n。
。——
3

ny' n r CA15. 11)

2 41且
=

上述计算的结果表明，沿着[110]方向（即 x' 向 ）偏振的光场的折射率 将被增 加

(n5/2)r,1E之 倍，而 沿着[110]方向（即 y'向）偏振的光场的折射率 将被减少(n5/2 )r 41 E,
倍 。对丁沿着施加场方向[001]的光场的分量，折射率没有变化。这样在这些III-V 族材
料中，对于位于(001)晶片上与自 然(110)劈开平面垂直 对准的波导，施加与表面垂直的场将
导致TE模的折射率改变，但是并不改变TM模 。
1
在GaAs中，r 11 在0. 9~1.3 µm的波长范围内 为1.1X 10 12 ~l. 5X 10- 2m/V。其他
材料的电光系数可以比这大 得多。当然，对千一 定的施加场，能够给出折射率变化最佳测最
2
值的其实是乘积n3r,）。在GaAs中，n汗41 约为55X 10-1m/V。这样对于约为400 kV/cm
的场 （可以在PIN的无掺杂区内获得，以及在PN结的耗尽区内获得 ），凶n/n 约为0. 001 。
在半导体区以外，最为广泛的集成光路材料就是锐酸悝 (LiNb03) 。在这种三方 晶 — 3m材
料中，电光张拭中有好几项都为非零值 。在1.3 µm 处，r13 = —r 2 3""='7 ; r 2 = —r1 2 = -r61 ""='
2
3.3;r 33 ""='30；且 r 51 =r,2""='26X 10-1 m/V。其正常和异常
2
折射率 分别为2.22和2.14 。并
且，n5r 33 ""='328X 10 -lzm/V 。
在某些III-V族器件结构中，二次电光效应要 比线性效应更大 。当光波的波长接近千
体材料或械子阱材料的吸收边时会发生这种情况。当施加电场时，吸收边或者通过体材料
中的Franz-Keldysh ( FK) 效应或者通过MQW中的最子受限Stark 效应CQCSE )朝着长波
长移动。在吸收边 以 上，折射率大致随着 1从而降低，因此施加电场会导致 折射率 在这个区
域内的某些波长处 增加。其总效果导致 折射率 与 电场大致呈平方关系。并且，如果 当施加
电场时自由载流子被耗尽，例如在PN结的耗尽区内，由于消除了自巾载流子存在时导致的
折射率降低，并且去除了 能带填充所导致的吸收边的移动，因此折射率将 增加。这 一 效应再
• 388 •
次与施加电场近似成平方关系。
与线性效应类似，在所有情况下都可以将二次折射率变化写成
nl
Anq =－sE; (Al5. 12)
2
这些情况下的难点在千，二次系数s也随着相距吸收边的距离的增加而减少，因此我们很难
像线性电光效应那样有效地将问题参数化。 当存在与MQW中的激子所产生的吸收有关
的 QCSE 时，每单位电场改变所导致的折射率变化可以比体材料 GaAs 中的变化还要大，但
是该效应随着波长的增加而衰减得更快。 例如，在距离吸收边约40 nm 处 ，二次效应要比线
性效应更小，而在体材料中，吸收边自身所产生的二次效应要比100 nm 以外的线性效应还
大。 只有在体材料中才能有效地实现电荷耗尽，因为在蜇子阱中电荷趋于对激子进行筛选。
因此，采用鼠子阱是否能够改善实际光电调制器的性能并非显而易见。
图 Al5. 2 绘出了处千反向偏置的掺杂 GaAs 波导中可能的相位调制。 该器件在掺杂
波导中心处有一个PN结，该波导沿着[011]方向，因此除了线性效应又增加了二次效应。
图中绘出了每个物理效应各自的曲线。 利用下面的公式，根据绘出的相移效率 1jp, 可以获得

在长为L的器件中的净相移岭为
凶＝可p,L(�V) (Al5. 13)
其中t::,.V是施加的电压变化。
300
17
NnpP N=5 X 10 cm'
V=-4 V
。 。
[(E E ·

- --- PL
2

---BF
-－
- - ·ER
A )·

伈－

LEO
oA孤 记

`
l ­

一
．
一

i
『

L2 1.4 1.01.6
波长/µm
注：其中 Lm=740 µm,在0.25 µm厚的GaAs波导中心处具有
相等的N和P型掺杂。 AIGaAs 覆盖材料含有40％的铝。
PL、BF、ER和LEO分别指代等离子、 能带填充、 电
折射和线性电光效应。 在本结构中，除了LEO以外的所
有各项都与施加的反向偏置近似呈二次方关系。

图 Al5. 2 计算的和测掀（数据）的相移效率与波长之间的关系

在所有情况下，工作波长可以靠近吸收边的程度都受到损耗的限制。 也就是说，虽然当
波长接近吸收边时，可能的折射率变化量有所增加，但是损耗和损耗变化截也在增加。 因此
在比较各种不同类型的折射率调制时，很重要的一点就是将剩余损耗和损耗变化限制在一
定的值内。 正如第2章定义的，折射率的实部与虚部变化的比值被称为呢啾参数a。 这样
• 389 •
对于具有低损耗的好的相位调制，该参数应该很大。 作为比较，图Al5. 3显示了无掺杂的

『
体材料波导和MQW波导的相位调制效率和喃啾参数的计算值和测量值。
波长／ µm 波长／ µm
0.9 lO ll l2 l3 0.9 lO ll l2 13

00 80 60 40 20
00
Undoped

二
Undoped
80 60 40 20
-

-
(EE.

(ul
V=--4V V=-4V

Ul
TE

，
•
.

．
A)

． A)娑
．o褥

I
记
0 }
A 疫

0.1 02 03 04

波长移动/µm 波长移动／µm

波长／µm 波长／µm
0.9 IO ll l2 13
勹 j

09 IO l l 13

—I well
5

二二 书
5
I
豁 伶苦窖

额 倯苦 窖
0

0
I
5

01 02 03 0.4 0.1 02 03 04
波长移动/µm 波长移动／µm
(a) 体材料 (b) MQW

注：在 0. 87µm 的体材料波导和 0. 855 µm 的 MQW 波导中，计算的和测量的无掺杂材料的相移效率

（上）和喟啾（下）与波长相距零偏置吸收边的偏离量之间的关系。 其波导区 (MQW 分别限制区）宽
为 0. 25 µm ，由 Alo. 4 Gao., As 覆盖 。 该体材料波导是无掺杂的 GaAs;MQW 区含有 1 个 、 4 个或 17
个 GaAs 势阱，厚为 10 nm，由 Alo. 2 Gao., As 势垒分开 。 在所有情况下，都在 0--4 V 的范围内计
算相移效率和啸啾 。 对于体材料情况(a)，圆圈为TE模测量值；方块为TM模 。 短虚线为计算的
二次电折射 (ER) 的净效应，长虚线为线性电光 (LEO) 的净效应，实线为总效应 。 对千 MQW 情况
(b)，只测量了TE模 。

图Al5. 3 无掺杂材料的相移频率和嘱啾与波长相距零偏置吸收边的偏离扯关系

• 390 •
 附录16 有限差分问题的求解

A16.1 矩阵形式
在第7. 3. 8小节中，为了求解任意沟槽波导结构的有效折射率和场分布，引人了有限差
分法。将标量波动方程离散化，可以得出如下的线性 矩阵方程：
贮归－+ （上＋�-(n；）叩＋囡＋贮 于U; (Al6. 1)
AX2.6.Y2 .6.X2.6.Y2 .6.Y2.6. X2
其中U；和n;是栅格点（八J)处的归一化电场和折射率，i= 0,1, 2, …,I+I,j=O,1,2,···,
J+l。并目，.6.X = A :r和.6.Y=k。.6.y是栅格点之间的归一化的坐标步长，订是波导模式
k。
的有效折射率。
为了使问题完整，需要指定边界条件。虽然存在各种不同的选择，最简单的选择就是令
计算窗口边界周围的场为零。只 要距离导波层足够远以致千真实场的解为零，这一近似就
成立。通过对计算窗口的大小进行实验就可以确定这— 近似的有效性。因此，边界条件为
UJ =U尸＝m = u归＝0，只需求解窗口内的场。换句话说，需要为i= I~I和）＝l~J求
解所有的方程，即总共．IX]个耦合方程。
对那些具有共同j指数的项定义系数，式(Al6. 1)变成
UJ' l u:+
1
－

+ (bU )- 1 +a;u; +bUi + l) + ＝矿U'J (A16. 2)

t:,.X2 t:,.X2
其中
2 2
a1 = (n沪
AX2AY2

b 2
AY
通过定义一个矢扯来包含每个x位置i的y值，可以将y方向也包含在矩阵符号内，即

厂u,
U产 CA16. 3)
l
这样，通过为给定的1垂直地列出所有的J方程式(Al6. 2)，可以将共同的i指数聚合成为
一
个沿着x向的矩阵差方程：
BU'-1+A'U'+BU'+1= 订2U' (A16. 4)
其中

• 391 •
 a\ 。 。 。
。 。
b ．．．

a2
。 。
b b
a 13
A' = I
。 。
b b

0 0 b a1 1 b
0 0 … 0 b a1
I
llX
B= 2

而 1 是]X]单位矩阵。 在A矩阵的顶部和底部两行中没有出现第2个b，因为 Uo = O 且
U1t1 = O （实际上这正是我们需要将边界处的场设为零的原因）。
现在用矩阵形式写出沿着x向的所有I个方程式 (A16. 4)，可得
Al 。 。 。 u
l ul
。 。
B ．．．

A u u
。 。
2 2 2
B B
A3 3 3
u u
。 。 = n2 (Al6. 5)
B B

。 。 B A 1 �1 B u
1-1
u
1--1

0 0 0 · B A1丿 l u1 丿 l u

I
1
…
其中由千 U
0=
0 且 U 1 +1 = O，在上下两行中没有出现第 2 个 B。 可以将该方程 用符号写为

AU＝旷 u, 其中 U=
[： II
CA16. 6)

这就是要为本征值矿和本征矢戳U求解的矩阵方程。 在这一 简洁的形式中，A表示 一个

IXI矩阵，其矩阵元自身就是 JXJ矩阵，而U是一个 长度为I的矢量，其分量自身就是长
度为J的矢量。 为了求解 该方程，将A的每个元素扩展成JXJ矩阵块，这样A变成一个具
有标量元素的(I]) X(I])矩阵。 类似地，将U的分扯矢扯展开，因此 U 变成一个具有标址
分最的 长为IJ的矢扯。 然后可以采用各种矩阵方法来确定本征值和本征矢措。

A16. 2 一维介质平板示例

为了阐示基本的数值方法，我们来分析最为简单的平板波导问题。 在本例中，标量波动
方程 正确地描述了TE模，如图 Al6. 1 所示，其电场沿着y向偏振。
在本例中，本征值方程式 (A16. 5) 简化为
。

（对 — 点） 心 。 U1 ul

1
t:.X
2 （咕 — 忒2 2) AX1 2 。 U2 I I U2
气I I (Al6. 7)
。
。 。 1
nX
2 （对 一 点） IIU门 |UI
• 392 •
其中因为）只取了一个值，进而通过令n; =n尸且U; =U；而在y向上没有折射率变化，因此
我们将一维情况下的符号简化。
图 Al6. 2 所示为一维问题。 为了展现栅格大小的重要性，我们来求解具有几个不同的
有限差分步长大小和两个不同平板厚度的问题。 其结果列于表 A16. 1 和表 Al6. 2 。

图 Al6. 1 介质平板波导示意图，其中假设在 z向上传播

计算窗口

"
图 Al6. 2 一维平板波导示例
．
表Al6. l 图 A16.2 中的平板波导的有限差分计算结果

t:>x/pm 空气栅格点数 波导栅格点数 衬底栅格点数 矩阵大小 有效折射率 误差（％）

0.25 2 2 4 8X8 3.31523 1. 081
0, 125 4 4 8 16X 16 3.292 13 0.376
o.062 5 8 8 16 32 X 32 3.283 29 o.107
o.031 25 16 16 32 64X64 3.280 70 0.028

＊ 平板波导厚度为 d=O.5p.m（单一横模） 。 精确的有效折射率为 tlo = 3.279 790（对于入。 ＝ 1. 3 p.m) 。

．
表A16.2 图 A16.2 中的平板波导的有限差分计算结果

Ax/µm 空气栅格点数 波导栅格点数 衬底栅格点数 矩阵大小 有效折射率 误差（％）

0.25 2 4 4 lOX10 3. 36583 0,242
3.272 23 1. 234
0.125 4 8 8 20X20 3.360 46 0.082

3.245 07 0.394
0.0625 8 16 16 40X40 3.358 49 0.021
3. 235 82 0.108
0.031 25 16 32 32 80X80 3. 357 92 0.006

3. 233 22 0.028

＊ 平板波导厚度为 d=l.O µm（允许两个模式）。 精确的有效折射率为 n。 = 3. 357 718（对于入。 ＝ 1.3 µm),

• 393 •
 附录17 激光器腔体的优化设计

A17.1 一般方法

本附录将着重分析如何使激光器电流最小化，通过式(2. 36) 或式(5. 19)可 获得该电流

为

I=I,h十凡庄 (Al7. 1)
hv加
使该值达到最小化的腔体参数包括有源区长度、无源区长度 和腔体长度(L,'上和L八平均
镜面反射率R= rr;;; 、有源区横截面积A 以及光限制因子r =r巧r,。具他较为 独立 的
＇
“ ＂

腔体参数包括有源区和无源区内部损耗 ala 和知、有源区注入效率刀 ， 以及从所需的镜面刻面

耦合出的光部分F。 我们之所以称后儿项参数为独立的是由千这些参数通常可以被优化 从
而与其他的设计选择无关。图 A5. l 解释了与典型的共面激光器有关的腔体尺寸。
为了将式(Al7.l)用各种腔体参数更明确地表达出来，我们先定义每单位体积的阙值电
流密度L V ，从而Ith = 1 VAL.。根据式（3.31)还可以令l/ 'YJd =[l+a;L/lnO/R)］／（叫，F)。通过这些
置换，激光器电流为
、a,L
I= JAL.+Ip (l+ (Al7. 2)
ln(I/R))
其中

Ip =
q p 。 (Al7. 3)
hv1J iF
式(Al7. 3)将输出功率转换为注入电流，其中考虑了当 1J ；和F小于1时所损失的电流。在
设计激光器时，应当通过巧妙设计载流子限制区域来使 1J， 最大化，并在实际条件下使接近千
输出端的镜面尽可能地接近1来使F 最大化。
假如可以任意调整所有的腔体参数，其优化过程将不可避免地导致镜面反射率为 1 而
腔长为0的设计结果，因为这样的设计消除了内部损耗并产生了最小可能的模体积。然而，
实际上腔体设计存在一种甚至多种限制。例如，可能存在 一 个长度固定的相移器无源区，或
者为了保证所需的模式间隔而需要固定的总腔长。 或者在设定其他各种参数的前提下只想
优化 一 个腔体参数，例如优化有源区中采用的量子阱数目。
下文将总结在设计激光器时经常遇到的各种（但非全部）限制的有关方程。前3种案例
将优化如下 3种情况下的共面激光器的有源长度：（A）固定总腔长；（B）固定无源区长度；
(C)固定无源与有源区的长度比。后两种案例将优化如下两种 激光器 中的植子阱数目：
(D)共面激光器；（E)VCSEL。每种案例都分析 3 个方程。方程 1 采用某种形式 的电流增
• 394 •
益转换因子来表示激光器电流。方程2根据图A17.1所示的增益曲线上的最佳主作点g。pt
来优化该参数。方程3给出固定各种参数时的最佳反射率。

g
g叩

....

J
Jop<

V
(a)

＿＿
-｀
g

，
”
－
g,,pt

a-
g
r lap
J,
＋

．
印
A

Rl
J`
I,a Jop,
A ln(I/R)
(bl
注： （a）对千案例A]与案例E, 增益曲线的拐点代表最佳设计 。
(b)对千其他案例， 根据内部损耗与所需的输出功率， 最
佳设计点从拐点移开。 对千每种特殊的设计限制，（b）中的
内部损耗G具有不同的形式。 注意， 该图为材料增益与体电
流密度之间的关系。

图Al 7. 1 增益曲线上的最佳工作点

A17. 2 特殊情形

A17.2.1 情形Al：固定L (a;a =a1p )来优化La

利用共面激光器的阔值增益条件（当I',nh = 1时），可以用L, = [ (a,L+ln(l/R) ]/(I' yg) 工

代替式(Al7. 2)中的La 项。重新整理可得

三山产 ln(l/R)+lp
][1+Gf: 扣］ (Al 7. 4)

a,L+ lnCl/R)
L. I opt = (Al 7. 5)
I'工y g。pt

Rlop, = exp[-�
伍／片） mn] (Al 7. 6)

第 2 和第 3 个方程将在随后讨论。我们先来分析第 1 个方程。首先请注意，激光器电流并
非直接与IJa有关。I五对激光器电流的唯 一 影响暗含在第一项］ v /g中。因此，为了使激光
器电流最小化，需要调节La 从而使J v /g最小化。其实现方法为：用La 来调节阙值增益使
• 395 •
其达到图 Al 7. l(a)中所示的增益曲线的最佳工作点。该最佳下作点g。pt 使斜率g/J v 最大
从而使］ v ／g最小。 一 旦从有源材料的增益曲线得知g。 pt ，我们便可以用式(Al7. 5)来确定
最佳La 值。
当 R 固定时，我们无法再做进 一 步的优化。但是如果可以调节 R ，式（Al 7. 4) 显示了与
R的关系存在折中。第一项（阙值）表明我们应当令R-］，然而最后 一 项（输出功率）表明我
们应当令R-0。当这两项相等时（即，（ax+b/ X) m;n-+ Xm;n= 』汇i) ，其和最小。求解R，可
得式(Al 7. 6) 。因此，当腔长L固定时，对于指定的功率输出IP，可以通过式(Al 7. 6) 确定
所需的最佳R值。将该R值用于式(Al7. 5)便可确定最佳I4 a o

A17. 2. 2 惰形 A2 ：固定 L (aia-:/=aip ) 来优化 La

这是案例Al的更为普遍的形式 ，这时必须考虑内部损耗与有源区长度的关系。根据
＝a —
aiLai,La +aipLp 并且固定L，首先必须令 Lp=L—La 。定义凶 a,p ，可以在式(Al7. Z)中
令a,L＝凶L a + a,PL。合并与 L a 有 关的 项 并利 用 阙 值 增 益条件（再次 根据I',nh = 1 ) 令
=
，a

L. [a;rL+ln 0/R)]/ (I'工yg 凶 ） ，可得

[［]十三三 』
= －

I ln(l R)＋IP (1+ CA17. 7)

ln 言）
a,pL+lnO/R)
L . I opt= (Al7. 8)
I'xyg 。 pt- 6.a

R|op =exp 』 J压L 丁／ ［］十三

I'
fu]J (A17.9)

当有源损耗和无源损耗不相等时，式(A17 7)中的最小比；五:国/17 1(a) 中的增益曲

线的拐点相对应。相 反 ，其最佳工作点沿着增益曲线移动，如图Al7. l(b) 所示 ，与该增益曲
线相切的直线的原点向上移动了t::.alI'xy，向左移动了Jpt::.a/ Aln Cl/R)。当ai,>aip（知为
正）时，最佳工作点沿着增益曲线向上滑动， 较案例 Al 相比倾向千 较短的有源节段。当
ai,<aip（凶为负）时，最佳丁作点沿着增益曲线向下滑动，倾向千更长的有源节段。这两种
工作点的移动反应了降低总的内部损耗的趋势。当增加输出功率时，工作点移动远离增益
曲线的拐点的程度变得更为极端，这表明与维持低阙值电流相比，降低aiL更为重要。
旦确定了最佳工作点在增益曲线上的位置g。pt （该位置与所需的输出功率和镜面反
射率有关） ，可以利用式CAl 7. 8)来确定最佳L a 。如果除了La 还想要优化R，则再次需要将
一

式(Al7. 7)对于R最小化。但是g。pt与R的关系令该问题复杂化。如果利用R的初猜来确
定g。pt，并假设式(Al7. 7)中方括号内的项对R的变化相对不敏感，则可以着重分析方括号
以外的两个In 0/R) 因子。采用与案例Al 相同的方式利用这些因子将电流最小化 ，可得
式(Al7.9)。这种方法获得的最佳R值并不准确 ，但是对千小的输出功率比较接近。在高
输出功率时，可能需要将上述过程重复一 到两次来更为准确地计算 R 和g。pt

A17.2.3 惰形 Bl ：固定 Lp (Lp= O) 来优化 L .

在此情况下，没有无源节段 ，其问题就是求最佳腔长。首先可以令L, =L, ai, =ai。合

• 396 •
并式 CA17. 2)中与 L 有关的各项，利用阙值增益条件（根据 I'enh = 1)令 L = ln 0/R)(I'xy g q,)，
—

可得

L(

－
－
＋

5lI l y
J

A g
(Al7.10)

A-
）
na-
v
＿

／
(
R
� ＿

Ip
＋
I
＿

1
n

、
｀
Fxy1 / 。pI

丿
-
E

－(
－

) ai
R
(Al7.11)

n＿ xy
L

＿
_
OPt

g
r
Rl op, = l (Al7. 12)
没有内部损耗时，最佳T． 作点再次位千案例 Al 中获得的增益曲线的拐点处。 但是当存在
有限的内部损耗时，最佳工作点沿着增益曲线向上滑动，倾向于较短的腔长，如图 Al7.l(b)
所示导致 ajL 降低，随着输出功率的增加，工作点的位移也增加。 这种情况类似千案例 A2。
一旦确定g。pt ，利用式 (Al7. 11) 可以获得最佳腔长。 如果还要优化R，应当注意到案例
Al 和 A2 中出现的第 2 个 1/ln Cl/R) 项并未出现在式 (Al7. 10)中。 其结果是，令 R--+-1
可以获得最佳 R 值。 将其用于式 ( Al7. 11) ，通过令 L--+-0 可以获得最佳腔长。 这－最佳
(L = O, R = I) 腔体设计确定了可能的最低所需电流，但是，它并不代表实际的设计（虽然
VCSEL 朝着这种极限冒进）。 因此，当 L p= O 时想要同时优化腔长和镜面反射率并没有意
义，因为最佳设计总是倾向于 L--+-0 和 R---1 。 达到一定程度时，这两个参数的实际极限将
最终决定了激光器的设计，在此基础上可以优化其他参数。

A17.2.4 惰形B2：固定Lp (Lp -:#0)来优化La

这是案例 Bl更为常规的版本，这时必须将各个内部损耗的固定部分分离开来。 首先

：
令 ajL = ai.La +aipL p 。 合并式 (Al 7.2)中与 L a 有关的各项，利用阙值条件（根据 I'enh = 1)来
令 L. = [aip L r + In Cl/R)](I'xy g aia)，可得

』
—

j+ iR)l
I [ Al: 产lnO/R)+I, (l+
ln芦 ） (Al7.13)
g

L a |I opt
妇匕＋ lnCl/R) (A17.14)
I'工y g。pt — a,a

R| p =exp ［ 加上气／［1 ＋ Al:EIR)l

g
I'xy
』
J min
(Al7.15)

其在增益曲线上的T.作点与案例Bl的相同，只是用a,．来定义 增益曲线上距离拐点的偏移。
用确定的 g op，和式 (Al7.14)可以求得最佳有源长度。 对千这一更为常规的案例，可以定义
一个最佳R，该值不会像案例Bl中那样趋 向千1。 由于无源节段中的局部损耗a,P 儿，我们
无法完全地去除内部损耗，这表明对于有限的输出功率，最佳R 必须总是小于1。 正如其他
案例一样，对千与阙值相对应的零输出功率， Ip = 0，并且最佳 R 值趋于 1。 与案例 A2 相
同，我们必须多次迭代式 (Al7.15)（每次迭代都会更新g。pt) 才能精确地求解高输出功率时
的最佳R值。
• 397 •
 A17. 2. 5 惰形C：固定Lp儿来优化La

对于这种情况，令 a;L= (a; . +a; pLp /L,)L.。合并式(Al7. 2)中与La 有关的各项，利用

阙值增益条件（根据I'enh = 1)来令L, = In 0/R)(I'xy g-a;.一 知 凸／La )，可得
IP(a1. ＋atp 匕／La )
I= [ “气古 al ln(1/R)＋IP (A17. 16)
fv+
产
I'xy
g—

ln(1/R)
L a l opt = (Al7.17)
I'xy g。pt-ala -a甲凸／La
Rl op, = 1 CA17.18)
在此情况下，内部损耗项 ala +a巾匕／L a 决定了相距增益曲线拐点的偏移量。一旦确定g。pt'
利用式(A17.17)可得最佳有源长度。正如案例Bl 中一样，由于没有第2 项1/ln 0/R)，这
种情况下的最佳R值也趋向千1。因此，考虑同时优化有源长度和镜面反射率也是 没有 意
义的。还应当意识到，当L厂心且R-o时就可以获得最佳设计。

A17. 2. 6 惰形D：固定L温 和LP 来优化凡（共面激光器）

对千共面量子阱激光器，可以令A = wN w 小，其中 w是侧向有源宽度，N是址子阱数

还可令 I'工, = I',I'1Nw ，其中E是每个势阱的横向光限制因子。对于内
目，d1是势阱宽度。
w

部损耗， 可 以定义 每 个 势 阱 的材料的自 由载流子损耗为a叫，并将总的有源损耗写为

a1a =ala0+I'y I' 心1Nw ，其中 aIOL = a1a0L丘alPLP 。合并式(Al 7. 2)中与凡有关的各项，利用
阔值增益条件令N w = [a;oL+ln 0/R)]/[I'Y I' 1L .(g — ala1)］，可得

I= ｛ ［尸占芦霖）］空生
g-aia l
ln(1/R)＋I P
I' y I'l
1+
』
aIOL
(ln(1/R))
(Al7. 19)

a,oL+lnO/R)
N w l op, = (Al 7.20)
I'yI'1L.(g。p,-aial)

R|op =exp{-J 压。心／［三勹气』 (AI7.21 )

如果aia]很小，就可以利用式(A17.20)来选择扯子阱的数目，用以使阙值增益与增益曲线的
拐点对准。利用式(Al 7.21) 也 可以确定给定腔长时的最佳R值。如果无法忽略不计每个
量子阱内的自由载流子损耗，则最佳工作点沿着增益曲线滑动而离开拐点，从而趋向千更少
的势阱。图Al7. l(b)阐示了这 一 移动。为了准确地求解最佳R 和g。pt，也必须对这二者迭
代计算一到两次。
另 一个利用式(A17. 1 9)可以解决 的问题是如何令横向和侧向光限制最佳化。很显然，
有必要使每个势阱的每单位势阱宽度的横向光限制 I'1/d 1 最大化，因此应当提供 一 个紧密
限制的横向光波导，因为将限制改善一倍就能导致阔值电流降低一半。对于侧向限制，通常
可以假设 一个宽度为w 的简单的 3层导波结构。为了使 w／几最小化，利用附录3 中的式
(A3.23)可以获得E的近似表达式。其比值为
• 398 •
 2 1
w ,
冗＝w＋k沁nw -W。pt = ：心 /2 CA17. 22)

其中凶是中心导波区的横向有效折射率与侧向覆盖区的横向有效折射率之间的差值。当
w较大时，实现了很好的光限制，且w/I'y=w，这表明应当努力将w 最小化。然而当w变
得非常小时，光限制消失，w/I'y实际上开始随着宽度的进 一 步减小而增加。当含有w/ I'y

的两项相同时，w/I'y在Wopt 处达到最小值。因此应保持w彦w opt。当折射率差值低达0.01

且波长为1 /.J- m 时，wopt= 2. 25µm。当折射率差值高达0.1时，Wopt=0.7 仰 m。这样，实际

上Wopt非常小，对于大多数情况，应当努力使w 越小越好。
从 更为常规的角度来看，可以将比值d1 II1
' 和 w/ I'Y 视为横向和侧向维度上的模宽度，
就好像VI I' 定义了模体积一样。实际上，可以将模式的横截面积定义为AP =A/I' y。在本
7 19)或者式(A17.4)~(A17.16)中的任
上下文中，从式(Al . 式都可以看出，要使激光器
工

的阔值电流最小化，重要的不是有源区本身的横截面积，而是更为基本的光模式的横截
面积。

A17.2.7 惰形E ：固定 L来优化N w (VCSEL)

对于量子阱VCSEL，有源长度为L.=NwL1，其中L1为势阱宽度。我们还必须考虑驻
波增强，因此I'=I'enI
h 巧
' 。对于这种情况，我们还将采用 如下的简化假设： I'enh I'xyaa; JNwLI远
小于腔体内的其他内部损耗，这通常都是很好的假设。基于该假设，还可以假设a,L与NW
无关。用L.=[a;L+Jn0/R)]/ (I'en hIx' yg) 来代替式(Al7.2)中的La 并重新整理，可得

I= ｛卢）I' ? n(l/R)+I 寸 (1+Gf:沁） （Al 7.23)

en I'工�l

a,L+lnO/R)
N w \ opt = (Al7.24)
t I
I'en h I'工yg。pL

R\ opt=exp { - ✓ 儿aLI'
fI 卢） m } n
(Al.
7 25)

与 案例Al 一样，为了使激光器电流最小化，只需使］ v ／g最小化。如图Al 7.l(a)所示，通

过选择量子阱的 数目，使 得阙值增益与增益曲线的拐点对准 就可实现这 一 点。实际上，
VCSEL的设计要从求解腔体的内部损耗开始，由于总的激光器电流I与aiL直接成正比，
因此应当努力使这些损耗最小化。一旦得知这 一点，就可以利用式(Al 7.25)来为所需的输
出功率确定最佳的R值。最后可以利用式(Al .
7 24)来求解所需的势阱数目。
求解式(A17.25)的唯一困难在千Ie' n h 与N W 之间的隐含关系，在得知R之前，Nw 在原
则上是 一个未知最。为了解决这个难点，可以为NW 假设一个合理的猜测值来求解一个值
用 千I'enh。求解式(A17.25)和式(Al .
7 24)来确定R和N w ，可以确定我们对NW 的初猜是
否准确。如果第一次猜测值不准确，可以更新I'enh并重新求解式(Al .
7 15)和式(A17.24)来
获得R和N w 的更为准确的求解 。

A17.2.8 情形A-E的总结

上述分析的所有案例的激光器电流、最佳有源长度（只对案例A ~C入最佳反射率的 一
般形式为
• 399 •
 I {
[J 十三a /R)
l
A ln(l/R)＋1 }(1+
ln CA17.26)
I' I' 言）
a。L+ lnO/R)
I' 巧

(Al 7. 27)
I'巧 。

』— yI +：三／i<IL}
L a 1 。pl=
g pt—a

R | OI1 = exp J压L I'en入 .， [

jV (Al7. 28)
I' ．

各种案例之间的唯一不同在千a和 L琐。 是损耗，其； 五长』］积与设计变拭成比 a。 a

上

例，而 L 是腔体的固定背景损耗。表Al7. 1归纳了这两项对千所有的案例A~E的特殊

a。
形式。并且，对于除了VCSEL以外的所有案例，I',nh = 1。请注意当 = O时，最佳设计发生 a
在增益曲线的拐点处，参见图Al7. Ha)。当 oL= O时，最佳反射率为1而最佳有源长度为0。 a
表Al 7. I 最佳设计参数一览
a,）L
｛｛

l久，可变
条件 a

(a,．=a,＂） l - 。 a,L
l -
定
固

(a,.=a,P＋凶）
L

1 - Aa a pL
1 - l

(L,=O) I I a, 。
定
固
L n'

(l,土0) l - a,. a”,lI'

1 -
Lp
固 l4,，／L. a,.+a,p_ _． 。
L

—
1 -
1 -
N,，可变
共而激光器
l I r,Eq., N` a,,,L
。

YCSEL (a,.,""o) 吕 a,l

定
A17. 3 增益曲线上的最佳工作点
对千许多设计限制，增益曲线的拐点（这时g/]= dg/d})定义了最佳丁-作点，通过第4
在给出的增益曲线拟合可以确定该拐点：g = g In [U+J,)/(J,，十上）］。如果线性参数}, 。
为零，g/} =dg/d]的解为
J 。pt = ej tr • g。p, = g 。
以及 (J,=O) (Al 7.29)

（气I ＝ 。L, eJtr

• 400 •
g mm g
由千 JV 是每单位体积的电流，因此分母内出现势阱宽度LZ 。 这样对于许多设计，我们只想
确保阔值增益位千g。附近。
当线性参数不为零时，我们无法明确地求解增益曲线的拐点，然而仍可以写下
l )—
s e /O+J,/Jopt JS
j opt=(] + j ) t<

(Js#0) (A17. 30)

g。pt 1
g 。
= +LIJ。pt
在笫 一 个公式中，两边都有J。m。 为了求解该公式，可以用］ opt = eJ,，作为右手边的第一猜
测值，然后迭代几次。 一旦得知］ opt，就很容易找出g。pt
另外还可以通过图解方式找出增益曲线上的拐点。 图Al7. l(a)阐示了一种方法。 只
要绘出增益曲线并从原点画 一 条切线。 不过一种更具洞察力的方法是直接绘出 Jv/g作为
材料增益的函数。 图Al7. 2 所示的是第4章分析的3种基于GaAs的有源材料。

8
7
6

!
!:
5
4
寸心 GaAsrAlGaAs
3臼． 、皿皿，
一
�,..

80AQW

s80AQW — -
。。 I 000 2 000 3 000 4 000 5 000
材料增益／cm'

注：对千体材料 GaAs ，假设厚度为 80A （有关这些材料的细节，请见第 4. 6 节）。 对于？，＜ l ，应将 l v /g轴除以 7 尸

图Al 7. 2 对千 3 种基千 GaAs的有源材料，计算出的电流－增益的转换因子作为材料增益的函数曲线

图Al7. 2中的曲线表明了关于这3种有源材料的几点见解。 例如，从图中可以立刻看

出，工作在过千接近透明态或者过千远离透明态而进入增益饱和态所造成的不利后果。 并
且通过比较3种有源材料的J/g最小值，立刻可以看出lnGaAsQW与GaAsQW相比改

进了一 倍，而体材料GaAs只比GaAsQW 多25%。 另外，可以立刻确定］ v ／g最小值发生

的位置并且最小值有多宽。 因此，通过该图可以迅速确定阙值材料增益的最佳值以及选择
其他工作点的容忍度。 如下总结了3种有源材料的有关特性：
1. 4 mA/ µ m音1 250 cm-1(650~2 100 cm-1) (lnGaAs QW)
忙）＝｛2．9
g I min
mAI J-1 而当1 450 cm-1(750~2 500 cm l) （GaAs QW)

3. 8 mA/ µ 而当1 000 cm-1 (450~1 900 cm-1) (GaAs体材料）

(Al7. 31)

括号内显示的是每种情况下l v /g保持在最小值左右20％之内的范围。 因此（举例来说）虽

• 401 •
然可以设计一 个 InGaAs QW 激光器使其具有 1 250 cm-1 的阙值材料增益来提供最低的
］ v /g，我们还可以选择阙值增益在 650~2 100 cm-1 范围内的其他位置而不会付出太大的代
价。 这样通常来说，只要我们保待在一定的界限以内，激光器阙值增益的设计是极为灵
活的。
J v /g 之所以有用的原因在于，它是在阔值电流表达式内唯 一一 个与有源材料有关的
项。 例如在案例 Al 和E中，电流的阙值分扯为

I th ＝ 厂）
lv\ A
g renhr工y
压， L+lnCl/R)] (Al7.32)

对千具有 I'cnh = 1. 8,I'xy =

1, ai L = O. 3%, ln 0/R) = O.6 ％的 10 X 10 µ而 VCSEL, I,h 与
f vf g之间的关系系数为0. 5四旷。 这 样， 不考虑表面复合和内 部蜇子 效 率， 如 果采用
lnGaAs QW, GaAs QW 或体材料 GaAs 有源区，可以预期阙值电流约为 0.75mA 、 1. 5 mA
或 2mA。 只要我们选择拭子阱的数目使得阙值材料增益落在图 A17.2 绘出的f v /g 最小
值内某处，这一 点就成立。 当 T/i <l 时，实际的］ v ／ g 值与理论计算值的关系如下： ]Jg =
(J v /g) 理论 勺 ， 。 因此，通过式(Al7. 32)中的 (]Jg) 理论 算出的阙值电流应当除以刀 ， ，从而表
明内部扯子效率小千 1。

A17. 4 增益曲线上偏移的最佳工作点
对于案例 Al 和 E, J v /g 的最小值确定了激光器的最佳设计。 然而，对千所有其他案
例，我们都希望 [J v + Ira/Aln (1/R)]/( g-a/LY ) 能最小化，其中正如表 A17.1 所归纳
的，对千特殊的案例a具有不同的形式。 对于这些案例，为了确定最佳增益工作点，最好的
方法是绘出该比值作为材料增益的关系曲线。 图 A17.3 阐示了当假设损耗为 10 cm-1时，
单 一 量子阱共面激光器在不同的输出功率处的这一 求解过程。 在阙值处(OmW)，内部损耗
令其最小值向右偏移了约 a/I'工y 。 对于有限的输出功率，其最小值被推向史高的增益点处且
取值更高。 图 Al7.1 定性地显示了朝向更高增益的这一偏移。 然而，利用图 A17.3 可以定
扯地求解应采用的最佳T.作增益。
例如，如果想要找到一 个腔长（案例B)来使输出功率为 20mW 时的激光器电流最小
化，图 Al7.3 告诉我们应当调节腔长来提供约为 2 800 cm-1 的阙值材料增益。 利用图标中
的参数以及式(A17.11) ，可得 L = llO µm。 然后可以利用该最小值通过式 (A17.26)来求解
。
激光器电流，这时 a = lO cm-1, a L = O （假设没有无源区）。 利用图标中给出的参数，可得
Ir = l5. 81mA。 取 6mA/µ而为该曲线的最小值，由式(Al7. 26)可得 / = 18.54mA。
我们可以将一般的激光器优化过程归纳如下。 首先必须确定增益与电流之间的关系曲
线（或者通过理论或者通过实验），并采用一 种曲线拟合（诸如第4章讨论的两参数或三参数
拟合）。 为了基于给定的限制条件来优化激光器，用表 Al7. 1 来定义 a 和 a L。 然后根据选 。
择的输出功率，绘出 U v +Ira/Aln 0/R)]/(g-a/I'工y) 作为材料增益的函数曲线，并为该
激光器选择一 个令该曲线最小化的工作增益。 然后可以调节有源长度或者扯子阱数目来获
得这一 材料阙值增益。 然后根据式 (Al7.26) 找出激光器电流。 如果想要同时使镜面反射
率优化，还应求解式 (Al7.28)并将其与最初假设的 R 值相比较。 如果不相同，则应利用优
化的 R 值再次绘出 [J v +Ira/Aln (1/R)]/(g-a/I'xy )。 曲线上新的最小值利用新的最佳
R 值定义了一 种新的设计。 随后应当迭代这一过程，直到新的 R 值与旧值接近为止。 当 R
• 402 •
值自我一致时，就得到了所需的使电流值最小化的激光器设计。
8

:：t : 。。 I 000 2 000 3 000

a=IO cm' -·····

4 000 5 000

材料增益／cm

注：在纵轴图标中， ] i, = lpa/Aln 0/R) 。 其中假设各参数为： a = 10 cm- 1, I'xy =4%,R = o. 32,A= 2 µmX soA,
hv = 1. 265 mW/mA 。 当 7,<1且／或F<l 时，应将功率值解释为 P 1刀，F，并应将纵轴除以肛 。
图Al 7. 3 不同输出功率时，lnGaAs/GaAs 80A QW的偏移的电流与材料增益函数的关系曲线

A17. 5 其他设计考虑

A17.5.1 高速设计

对千高速激光器，除了要使激光器电流最小化以外，还要使微分增益最大化，从而增强
弛豫谐振频率，正如第2章和第5 章所讨论的（例如参见式(2.56)）。 然而，我们发现最大的
微分增益发生在透明态处，根据图Al 7. 2这远远不能使阔值电流最小化。 因此，在获得低
阙值电流和高微分增益之间存在着平衡。
图Al 7. 4 绘出了InGaAs QW 有源材料的 J v /g 和 dg/dN 作为材料增益的函数曲线。
该图立即验证了这两者之 间的 平 衡关系。 例 如， 我 们可以看出将阔 值材 料 增 益从
]
2000cm 1降至1 000cm 对阙值电流的影响很小，但它令微分增益增加了约一倍。 将阙值
材料增益降低到500cm-］以下导致阙值电流显著增加，但是微分增益并未增加太多。 这样
／

]
可得出结论，在500~1 000cm 范围内的某处 存在一个合理的平衡工作点。
6

12
．

lnGaAs/GaAs 80 A QW
H

1
5

.
｀

:
土
i

.
．．
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仑

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}

I 000 2 000 3 000 4 000 5 000

材料增益／cm'

图Al 7. 4 InGaAs/GaAs 80 A QW的电流增益转换因子和微分增益作为材料增益的函数曲线

• 403 •
 A17. 5. 2 热效应

通常，各种内部损耗都是与腔体无关的参数，因此应努力将其最小化。 然而在VCSEL
中，需要对与掺杂有关的内部损耗的量值进行折中。 对于低掺杂情况，内部损耗很低，因此
需要较低的激光器电流来获得给定的输出功率。 然而，更低的掺杂还意味着电流达到有源
区遇到的电阻更大，从而导致器件加热。 对千直流操作，热效应限制了VCSEL中可能的最
大输出功率，因此应增加掺杂来使加热最小化并增加最大的输出功率。 设计掺杂分布时遇
到的这 一 折中与VCSEL的特殊几何形状及其有关的热阻抗有关。 然而， 一 般来讲，不论掺
杂程度所产生的内部损耗有多大，掺杂应当足够大用来保证将串联电压降到1~2V以下。
对千共面激光器，热效应也是一个问题，它导致激光器早死或者迅速衰退。 其最大输出
功率也与激光器到达的温度有关（其他因素除外，例如镜面刻面处的灾变性光损伤）。 这种
热产生与注入进激光器的电流密度有关。 因此除了要使总电流最小化以外，同样重要的是
将总的电流密度保持在 一 定的值以下。 虽然本附录讨论的设计过程的确使总电流最小化，
实际上这种设计可能并不是最佳的，尤其对千那些没有足够热沉的激光器如果需要达到几
十个千安培每平方厘米的话。 对于这些情况，如果最佳电流设计造成电流密度过大，最好采
用电流密度最大值来作为设计的封顶，并相应地修正丁作增益。 第8章更详尽地讨论了这
些问题。

• 404 •
 译 者 跋

我对这本由Larry A. Coldren和Scott W. Corzine合著的专业书的认识，是从来到美

国的第 一 天开始的。 在北京邮电大学获得博士学位后，我得到机会来到Coldren教授在UC
Santa Barbara的实验室T什作。 第一天来到学校，我就注意到很多老师和学牛的办公桌上都
摆放着这本书。 不久我就发现，这本书不仅是 一 本优秀的教科书，而且还是做学术研究的很
重要的参考书。 后来我到T＼业界做具体的产品开发，仍然觉得这本著作非常实用。 它不 但
涵盖了半导体激光器所涉及到的所有基本知识，而且从各个方面分析了该领域最前沿的技
术。 掌握了书中的各个知识点，读者就可以融会贯通，举 一 反三。 这本书不但可以作为研究
牛或本科高年级的教材，而且也非常适合科研人员和T业界人士作为参考书。
从我萌生翻译这本书的念头到开始着手翻译，不过一 两个星期的时间，但是到定稿却经
过了一年半左右的挑灯夜战，节假日更是成了我的T作日。 这期间我的儿子也出生并度过
了一岁的牛B。 我第一次体会到小孩子学习与成长的惊人速度，既感到欣慰，义受到鼓励。
可以说，这本译书是和我的儿子一 同孕育、一同成长的。
在此，我要感谢北京邮电大学的任晓敏教授对我的翻译丁作的大力支持。 我还要感谢
刘凯博士、杨启敏博士和佟建博士对译稿的审校。 感谢我的朋友李阴凌女士在英文翻译上
给f的建议和帮助。 最后，特别感谢我的先牛费光明给予我的支持和鼓励。
由千本人能力有限且时间仓促，译书中的错误在所难免，敬请读者批评指正。 欢迎读者
提出宝贵的意见和建议，并就任何感兴趣的话题展开讨论。

史寒星
2006年4月
美国达拉斯市

• 405 •