C-V 特性曲

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C-V 特性曲線[編輯]
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C-V 特性曲線（電容電壓特性曲線）是用來測量半導體材料和器件的一種方法。
當所加電壓改變時，電容被測出。方法是使用金屬-半導體結（肖特基勢壘）或
者 PN 結或者場效應管來得到耗盡層（其中載流子被全部抽走，但仍然有離子
化的施主或晶體缺陷）。當電壓改變時，耗盡層深淺也發生變化。

應用[編輯]
該測量方法可以得到關於半導體摻雜，晶體缺陷之類的特性。
場效應管在不同柵極厚度下的 C-V 特性曲線。

金屬-氧化物-半導體結構的 C-V 特性[編輯]

金屬-氧化物-半導體結構是 MOSFET 的一部分，用來控制電晶體溝道中勢壘的
高低。
對於一個 n 通道 MOSFET 來說，該結構的工作特性可分為三個部分，分別與右
圖對應：

累積區 (Accumulation region)[編輯]

當施加VGB < 0 時，在 n 區域的表面會形成一個 p 通道。 電洞濃度的增加意味
著電容增加，如附圖 C-V 曲線左側部分所示。

空乏區(Depletion region)[編輯]
當一個小的正電壓 VGB > 0 施加在閘極與基極端（如圖）時，價帶邊緣被推離
費米能階，此時基體的電洞遠離閘極, 電洞濃度減少，造成低載子濃度, 此時電
容變低（如 C-V 曲線中間所示）。

反轉區(Inversion region)[編輯]
當 VGB > 0 且夠強時，接近閘極端的電子濃度會超過電洞。這個在 p-type 半導
體中，電子濃度（帶負電荷）超過電洞（帶正電荷）濃度的區域，便是所謂的
反轉層（inversion layer），如 C-V 曲線右側所示。

MOS 電容的特性決定了金氧半場效電晶體的操作特性，但是一個完整的金氧半
場效電晶體結構還需要一個提供多數載流子（majority carrier）的源極以及接
受這些多數載子的汲極。