ĐÁP ÁN KTGK-222 MÔN ĐIỆN TỬ TƯƠNG TỰ&ỨNG DỤNG

Cho MOSFET-N có 𝑉𝑡𝑛 = 1𝑉, 𝑘𝑛 = 2𝑚𝐴/𝑉 2 , 𝜆 = 0.Các tụ điện bypass về mặt AC.
(a) (2.5đ)Tìm 𝐼𝐷𝑄 , 𝑉𝐺𝑆𝑄 , 𝑉𝐷𝑆𝑄 ,suy ra 𝑔𝑚 .
𝐼𝐷𝑄 = 0.5𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝑡𝑛 )2
𝐼𝐷𝑄 = 0.5 × 2(𝑉𝐺𝑆𝑄 − 1)2 (1)
𝑅2
𝑉𝐺𝑆𝑄 = 𝑉 − (𝑅4 + 𝑅5 )𝐼𝐷𝑄
𝑅1 + 𝑅2 𝐷𝐷
1.5
= 5 − (0.1 + 0.9)𝐼𝐷𝑄 = 3 − 𝐼𝐷𝑄 (2) (𝟎. 𝟓đ)
1 + 1.5

Từ (1) và (2) tìm được 𝐼𝐷𝑄 = 1𝑚𝐴 hoặc 𝐼𝐷𝑄 = 4𝑚𝐴 (0.5đ)
Loại 𝐼𝐷𝑄 = 4𝑚𝐴 vì từ (2) 𝑉𝐺𝑆𝑄 = 3 − 4 = −1𝑉
Chọn 𝐼𝐷𝑄 = 1𝑚𝐴 → 𝑉𝐺𝑆𝑄 = 3 − 1 = 2𝑉 (0.5đ)
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 𝑉𝐷𝐷 − (𝑅3 + 𝑅4 + 𝑅5 )𝐼𝐷𝑄 = 5 − 3 × 1 = 2𝑉 (3)
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 2𝑉 > 𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝑡𝑛 = 2 − 1 = 1𝑉 (0.5đ)
MOSFET làm việc trong miền bão hòa
2𝐼𝐷𝑄 2×1
𝑔𝑚 = = = 2𝑚𝐴/𝑉 (𝟎. 𝟓đ)
𝑉𝐺𝑆𝑄 − 𝑉𝑡𝑛 1
(b) (1đ)Vẽ sơ đồ tương đương AC tín hiệu bé hình π mạch điện trên

(c) (2.5đ)Tìm lại hệ số khuếch đại áp 𝐴𝑣𝑠 = 𝑣𝑜 /𝑣𝑠 ,tổng trở vào 𝑅𝑖 nhìn từ nguồn vs, tổng trở ra 𝑅𝑜
nhìn từ tải
Từ sơ đồ tương đương trên tính hệ số khuếch đại 𝐴𝑣𝑠 :
𝑣𝑜 𝑣𝑜 𝑣𝑔𝑠
𝐴𝑣𝑠 = = ×
𝑣𝑠 𝑣𝑔𝑠 𝑣𝑠
𝑣𝑜
= −𝑔𝑚 (𝑅3 ||𝑅6 ) (𝟎. 𝟓đ)
𝑣𝑔𝑠
𝑣𝑔𝑠 = 𝑣𝑔 − 𝑣𝑆 (𝑐ự𝑐 𝑆) = 𝑣𝑠 − 𝑔𝑚 𝑣𝑔𝑠 𝑅4
𝑣𝑔𝑠 1
= (𝟎. 𝟓đ)
𝑣𝑠 1 + 𝑔𝑚 𝑅4
𝑔𝑚 (𝑅3 ||𝑅6 )
𝐴𝑣𝑠 = − (𝟎. 𝟓đ)
1 + 𝑔𝑚 𝑅4
Tổng trở vào nhìn từ nguồn 𝑣𝑠 :
𝑅𝑖 = 𝑅1 ||𝑅2 (0.5đ)
Tổng trở ra nhìn từ tải:
𝑅𝑜 = 𝑅3 (0.5đ)

(d) (1đ)Cho 𝑔𝑚 = 2𝑚𝐴/𝑉,tính 𝐴𝑣𝑠 , 𝑅𝑖 𝑅𝑜 .

𝑔𝑚 (𝑅3 ||𝑅6 ) 2 × (2||10)
𝐴𝑣𝑠 = − =− = −2.78 (𝟎. 𝟓đ)
1 + 𝑔𝑚 𝑅4 1 + 2 × 0.1
𝑅𝑖 = 𝑅1 || 𝑅2 = 1||1.5𝑀 = 600𝐾 (0.25đ)
𝑅𝑜 = 𝑅3 = 2𝐾 (0.25đ)
(e) (1đ)Vẽ DCLL và ACLL trên cùng một đồ thị
DCLL: Từ (3):
5 − 𝑉𝐷𝑆 (𝑉)
𝐼𝐷 (𝑚𝐴) = (𝟎. 𝟐𝟓đ)
3
ACLL:
𝑣𝐷𝑆 𝑉𝐷𝑆𝑄 𝑣𝐷𝑆 (𝑉) 2
𝑖𝐷 (𝑚𝐴) = − + + 𝐼𝐷𝑄 = − + +1
𝑅3 ||𝑅6 + 𝑅4 𝑅3 ||𝑅6 + 𝑅4 1.67 1.67
𝑣𝐷𝑆 (𝑉)
𝑖𝐷 (𝑚𝐴) = − + 2.2 (4) (𝟎. 𝟐𝟓đ)
1.67

Hình vẽ (0.5đ)
(f) (2đ) Tìm biên độ max/swing trong giới hạn tại điểm Q1 tắt và tại điểm Q1 dẫn ở biên miền bão hòa.
Giới hạn biên miền bão hòa: 𝑣𝐷𝑆𝑚𝑖𝑛 = 𝑣𝑂𝑉𝑠 (0.5đ)
Thay 𝑣𝐷𝑆𝑚𝑖𝑛 = 𝑣𝑂𝑉𝑠 và công thức 𝑖𝐷 trong miền bão hòa vào (4):
2
𝑣𝑂𝑉𝑠
𝑖𝐷 = 0.5𝑘𝑛 𝑣𝑂𝑉𝑠 =− + 2.2 (𝟎. 𝟓đ)
1.67
Tìm được: 𝑣𝑂𝑉𝑠 = 1.21𝑉 hoặc 𝑣𝑂𝑉𝑠 = −1.81𝑉 (0.5đ)
Chọn 𝑣𝑂𝑉𝑠 = 1.21𝑉.
Tính max/swing:
∆𝑣1 = 3.67 − 2 = 1.67𝑉
∆𝑣2 = 2 − 1.21 = 0.79𝑉
Suy ra biên độ max/swing=±0.79V (0.5đ)