1

9 Pojačavači sa MOS tranzistorima

Funkcija pojačavača je da obezbedi povećanje amplitude ulaznog signala bez promene

oblika signala u vremenu. Matematički, pojačanje je zapravo množenje ulaznog signala sa
konstantom.

Blok šema pojačavača

Ekvivalentno kolo unilateralnog pojačavača

Ulazna otpornost RU , izlazna otpornost RI i napon praznog hoda pojačavača vt  avU

određuju se primenom Tevenenove teoreme.

1 2
Rg + Ri +
+ +
vg vU RU avU vi RP

1' 2'

RU 1
vU  vg  vg , za RU  Rg dobija se vU  vg . Zato je poželjno da
RU  Rg 1  Rg / RU
ulazna otpornost naponskog pojačavača bude što veća.
RP 1
vi  avU  avU , za Ri  RP sledi vI  avU . Zato je poželjno da izlazna
RP  Ri 1  Ri / RP
otpornost naponskog pojačavača bude što manja.

 MOS pojaćavač u sprezi sa zajedničkim sorsom ZS

Sors je zajednička elektroda za ulazno i izlazno kolo (S ≡ 1’= 2’) – otuda potiče naziv.
Ulaz je na gejtu (G ≡ 1), a izlaz na drejnu (D ≡ 2).
 2

Radna prava – skup svih mogućih položaja MRT Q – za

kolo sa slike, određena je jednačinom naponske ravnoteže
V v
iD iD  DD  DS i ucrtana u polje statičke izlazne
RD RD
karakteristike MOS tranzistora. Napon vU  vGS određuje
konkretan položaj mirne radne tačke na radnoj pravoj.
Tako je za vU  vGS  VT MOS tranzistor zakočen, jer nije
formiran kanal u podlozi ispod gejta, pa je iD  0 , a MRT
se nalazi u položaju A na slici.
Za VT  vU  vGS  VGS 2 , radna tačka se nalazi negde između položaja A i B , a tranzistor
radi u režimu zasićenja. Položaj tačke B određen je uslovom stiskanja kanala na strani
drejna : vGDB  VT  vGSB  vDSB , odnosno vU B  vGSB  VT  vDSB .
Za VGS 2  vU  vGS  VDD mirna radna tačka se nalazi između tačaka B i C na slici, a
tranzistor radi u omskoj oblasti. Tačka C određena je presekom radne prave i statičke
karakteristike tranzistora za vGS  VDD .

Statička i prenosna karakteristika pojačavača sa prethodne slike

Na osnovu prethodne analize konstruisana je prenosna karakteristika pojačavača ─

zavisnost izlaznog od ulaznog napona, vI  f (vU ) . Prenosna karakteristika se može odrediti
i analitički kada se za svaku oblast rada koristi odgovarajuća veza između struje drejna iD i
napona vGS i vDS .
U integrisanim kolima se umesto otpornika RD u kolu
drejna koristi aktivno opterećenje, kao kod
komplementarnog CMOS pojačavača sa slike. P kanalni
MOSFET sa indukovanim kanalom MF2 predstavlja
aktivno opterećenje NMOSFET-a MF1. PMOSFET MF2 se
polariše preko strujnog ogledala koje čine tranzistori
identičnih karakteristika, MF2 i MF’2 . Strujno ogledalo
preslikava struju I R na NMOSFET MF1 određujući tako
struju njegove mirne radne tačke. Primetimo da
PMOSFET MF’2 radi u zasićenju, jer mu je napon između
drejna i gejta uvek nula.
 3

Prenosna karakteristika pojačavača (zavisnost izlaznog od ulaznog napona) je izuuzetno

pogodna za analizu rada pojačavača i određivanje opsega u kome se vrši pojačavanje
signala bez izobličenja (linearni opseg).

Na slici je prikazan idealni pojačavač sa prenosnom karakteristikom. Ilustrovano je

postavljanje mirne radne tačke i grafičko određivanja pojačanja u linearnom režimu rada.
Mirna radna tačka Q0 pojačavača postavlja se pomoću jednosmernog kola za polarizaciju na
sredinu strmog, nelinearnog dela prenosne karakteristike. Tako se obezbeđuje maksimalni
opseg za pojačavanje simetričnih ulaznih signala (npr. sinusnih) bez izobličenja.
Opseg vrednosti ulaznog napona za koji nema izobličenja zavisi od oblika prenosne
karakteristike i položaja mirne radne tačke.
Podrazumeva se da se korisni, trougaoni ulazni napon, koji se pojačava, superponira
(sabira) sa jednosmernim naponom u MRT Q0 . Sabiranje, odnosno dovođenje malog,
promenljivog, naizmeničnog signala na ulaz pojačavača vrši se posredstvom sprežnog
kondenzatora, kao što je pokazano na sledećoj potpunoj šemi pojačavača sa ZS.

Potpuna šema MOS pojačavača sa zajedničkim sorsom

Otpornici R1 i R2 određuju položaj mirne radne tačke Q definisanjem napona

R2
VGSQ  VDD . Sprežni kondenzator C , velike kapacitivnosti, služi za dodavanje
R2  R1
 4

malog, promenljivog, korisnog signala vg naponu gejta, tako da se jednosmerni napon gejta
VGS  VGSQ ne promeni.
Pre priključenja korisnog signala (kada je vg  0 ), kondenzator se napunio do napona
uC  VGSQ . Neka je korisni signal simetričan i bipolaran, sa nultom srednjom vrednošću.
Ako je kapacitivnost sprežnog kondenzatora dovoljno velika, vremenska konstatna punjenja
kondenzatora tokom pozitivne poluperiode, odnosno pražnjenja tokom negativne
poluperiode, biće dovoljno velika da se napon na kondenzatoru praktično ne promeni,
održavajući tako konstantan jednosmerni napon na gejtu.
Identičnu funkciju razdvajanja naizmeničnog i jednosmernog signala ima i izlazni sprežni
kondenzator C između potrošača RP i drejna MOSFET-a koji obezbeđuje da do potrošača
stiže samo pojačani naizmenični signal.

 Analiza rada MOS pojačavača sa ZS pomoću modela za male signale

Prenosna karakteristika daje potpuni uvid u ponašanje pojačavača kada se ulazni signal
menja po amplitudi. Jednosmerno kolo za polarizaciju služi da postavi mirnu radnu tačku u
željeni deo karakteristike. Ako je mirna radna tačka postavljena na sredinu strmog,
linearnog dela prenosne karakteristike, a ampituda ulaznog signala dovoljno mala da pri
pomeranju radna tačka ne napusti linearni segment, ostvareno je linearno pojačavanje
ulaznog signala.
Ako je amplituda ulaznog signala velika i menja se u opsegu od vU  0 do vU  VDD izlazni
signal će se menjati u opsegu od vI  VDD do vI  0 (videti prenosnu karakteristiku).
Ovakav režim rada se naziva prekidački režim, jer je izlaz pojačavača ili na masi, vI  0 , ili
na naponu napajanja, vI  VDD . Prekidački režim se koristi u impulsnoj i digitalnoj
elektronici.
Određivanje linearnog pojačanja pojačavača može se vršiti grafičkim putem (preko statičkih
karakteristika), analitičkim putem (koristeći izraze koji povezuju napone i struje tranzistora)
ili pomoću tzv. modela tranzistora za male signale u okolini mirne radne tačke. Analiza rada
pojačavača sa ZS sa prethodne slike pomoću modela za male signale odvija se u 3 koraka.
 1. korak: Koristeći princip superpozicije, rešavanjem kola za velike signale
(jednosmerni režim) odrede se parametri mirne radne tačke.
VDD VDD
RD RD
R1

M M
R2 VGG RG

Ekvivalentno kolo za velike signale pojačavača sa ZS sa prethodne slike

Određivanje položaja mirne radne tačke Q vrši se rešavanjem ekvivalentnog kola za „velike
signale“, kako je već pokazano u odeljku o polarizaciji MOSFET-ova. Radi kompletnosti
postupak cemo ukratko ponoviti.
 5

R2
VGG  VDD i RG  R1 || R2 su parametri ekvivalentnog Tevenenovog generatora u
R2  R1
kolu gejta. Kako kroz RG ne protiče struja (nema struje gejta kod FET-a), a sors je na masi,
to je napon između gejta i sorsa u mirnoj radnoj tački, VGSQ  VGQ  VSQ  VGG .
Pretpostavljajući da tranzistor radi u režimu zasićenja, struja drejna u mirnoj radnoj tački je
onda I DQ  K (VGSQ  VT )2  K (VGG  VT )2 . Napon drejna je tada VDQ  VDD  I DQ RD . Sada je
2 2
još potrebno proveriti da li je VGDQ  VGQ  VDQ  VT , čime se potvrđuje da tranzistor radi u
zasićenju.

 2. korak: Određivanje parametara modela za male signale kojim će se zameniti MOS

tranzistor. Model za male signale je četvoropol čiji parametri povezuju promenljive
komponente napona i struja tranzistora u okolini mirne radne tačke i određuju se
diferenciranjem statičkih karakteristika u okolini MRT.

Model MOS tranzistora za male signale

U ulaznom kolu nema struje gejta ( iG  0 ), pa se između gejta i sorsa nalazi otvorena veza
na čijim krajevima je napon vGS . U izlaznom kolu su dva parametra: zavisini strujni izvor
g m  vGS ( g m ─ transkonduktansa) i izlazna dinamička otpornost rds .
K
Kako je u režimu zasićenja MOS tranzistora iD  (vGS  VT )2 (1    vDS ) ,
2
diferenciranjem u okolini mirne radne tačke Q dobija se:
iD iD 1
diD  Q  dvGS  Q  dvDS  g m  dvGS   dvDS .
vGS vDS rds

iD K
Transkonduktansa g m je onda g m  2 (vGSQ  VT )(1   vDSQ ) , što uz
vGS vDS const
2
vDS=const. i zanemarivanje modulacije kanala (   0 ) zbog male promene napona vGD
uzrokovane malom promenom napona vGS, daje gm  K (vGSQ  VT )  2KI DQ , gde je I DQ0
struja drejna u mirnoj radnoj tački Q.
1 i K
Dalje je  D vGS const  (vGSQ  VT )2      I DQ , pa je onda izlazna otpornost
r ds vDS 2
1
rds  , što ako   0 daje rds   . Primetimo još jednom da parametri modela za
  I DQ
male signale direktno zavise od položaja MRT Q koja je postavljena polarizacijom
tranzistora u prethodnom koraku.
 6

 3. korak: Koristeći princip superpozicije tražene veličine se određuju rešavanjem

ekvivalentnog kola za male signale u kome je tranzistor zamenjen modelom za male signale
u okolini MRT. Parametri modela su određeni u prethodnom koraku.
Formiranje kola za male signale. Sve
nezavisne jednosmerne pobude u kolu
se poništavaju (naponski izvori se
kratko prespoje, a strujni izvori
otvore). Svi sprežni kondenzatori
( C ) se kratko prespoje, a sve
eventualne induktivnosti ( L ) se
otvore.
Zamenom tranzistora modelom za male signale konačno se dobija ekvivalentno kolo
pojačavača za male signale:

R1 || R 2 vi
Zamenom izraza vGS  vg i iD  g m vGS  u izraz za izlazni napon
Rg  R1 || R 2 rds
vi  ( RD || RP )iD i sređivanjem dobija se naponsko pojačanje:
vi R1 || R2 r  ( RD || RP )
Av   g m ds .
vg Rg  ( R1 || R2 ) rds  ( RD || RP )

Za Rg  0 i rds  RD || RP što je karakterističan slučaj u praksi :

vi
Av    g m ( RD || RP ) .
vg

Ulazna otpornost (otpornost koju „vidi“ ulazni signal) iznosi Ru  R1 || R2 .

Izlazna otpornost (otpornost koju „vidi“ potrošač) iznosi : Ri  rds || RD  RD .

Pri analizi pojačavača na visokim učestanostima moraju se uzeti u obzir kapacitivnosti
između elektroda MOS tranzistora, pa model za male signale izgleda kao na slici. Analiza
rada pojačavača na visokim učestanostima se detaljno izlaže u okviru Analogne elektronike.

Model MOS tranzistora za male signale na visokim učestanostima

 7

 MOS pojaćavač u sprezi sa zajedničkim drejnom ZD

Potrošač se vezuje za sors MOSFET-a, a pobudni generator za gejt.

Potpuna šema diskretnog pojačavača sa zajedničkim drejnom (ZD)

Naponsko pojačanje stepena sa ZD odredićemo primenom modela MOSFET-a za male
signale. Nakon poništavanja ems baterije za
Rg polarizaciju VDD i kratkog prespajanja svih
M kondenzatora dobija se kolo na slici levo.
R1||R2 Zamenom tranzistora modelom za male signale
vg RP u okolini mirne radne tačke dobija se
RS
ekvivalentno kolo pojačavača sa ZD za male
signale sa slike dole. Nakon anuliranja ems
baterije VDD drejn MOSFET-a se nalazi na masi
za mali, naizmenični signal. Ulazno kolo pojačavača, između gejta i drejna (koji je na
masi) zamenjeno je ekvivalentnim Tevenenovim generatorom.

G S

Rg' = Rg || R1 || R2

R1||R2
v g' = v
Rg +R1|| R2 g

D
Iz ekvivalentnog kola za male signale sledi
vP  vs  ( gm  vgs )( RS || RP || rds ) , vgs  vg  vs  vg'  vs  vg'  v p sledi

vP  vs  gm  ( RS || RP || rds )vg'  gm  ( RS || RP || rds )v p

vP (1  gm  ( RS || RP || rds ))  gm  ( RS || RP || rds )vg' .

vP g  ( RS || RP || rds )
AV'   m , odnosno naponsko pojačanje prema vg je
vg 1  g m  ( RS || RP || rds )
'

vP g  ( RS || RP || rds ) R1 || R2
AV   m .
vg 1  g m  ( RS || RP || rds ) Rg  R1 || R2
 8

Naponsko pojačanje je uvek manje od 1, ali je zbog gm  ( RS || RP || rds )  1 blisko jedinici.

Stepen sa ZD naziva se i source follower jer napon sorsa sledi napon gejta.
Ulazna otpornost koju „vidi“ Tevenenov generator vg' je beskonačno velika, dok realni
pobudni generator vg „vidi“ RU  R1 || R2 .
rds || RS
Izlazna otpornost koju „vidi“ potrošač R p je Ri  i vrlo je mala jer je
1  g m (rds || RS )
gm  ( RS || rds )  1 .
vt
Određivanje izlazne otpornosti preko test generatora: Ri 
it
G S
S
+ VGS it it-gmVt it
Rg` Rs + +
Vt Rs||rDS Vt
rDS
gmVGS -gmVt

D D

Očigledno je vGS  vG  vS  0  vt  vt , jer je pobudni generator vg' poništen. Dalje je

vt  (it  gmvGS )(rDS || RS )  (it  gmvt )(rDS || RS ) , pa se rešavanjem po vt dobija
v rDS || RS
vt [1  gm (rDS || RS )]  it  (rDS || RS ) . Sada je Ri  t  .
it 1  g m (rDS || RS )
Kako je ulazna otpornost stepena vrlo velika, izlazna otpornost vrlo mala, a naponsko
pojačanje priblližno 1, to je stepen sa ZD odličan razdvojni stepen, koji realni naponski
izvor ( vg , Rg ) na ulazu „pretvara“ u idealni naponski izvor ( vi  vs  vg , Ri  0 ) na izlazu.

 MOS pojaćavač u sprezi sa zajedničkim gejtom ZG

Diskretni pojačavač sa zajedničkim gejtom prikazan je na sledećoj slici. Potrošač se vezuje
za drejn MOSFET-a, a pobudni generator za sors. Sprežni kondenzator CS između gejta i
mase dovodi gejt na masu za naizmenični signal.

Potpuna šema diskretnog NMOS pojačavača u sprezi sa zajedničkim gejtom (ZG)

 9

S D

Rg Rs RD Rp Vp
G
Vg +

Ekvivalentna šema za male signale (svi sprežni kondenzatori su kratko spojeni, a ems
baterije VDD poništena).

gmVGS
S D
+
Rg RD
Rs VGS Rp Vp
Vg +
+ G

Ekvivalentna šema za male signale u kojoj je N MOSFET zamenjen modelom za male

signale u okolini mirne radne tačke (MRT) uz rds   .
Nakon primene Tevenenove teoreme između tačaka S i G i ekvivalentiranja otpornosti
između drejna i gejta, dobija se sledeće jednostavnije kolo:
gmVGS
S D
+
Rg’=RgIIRs
+ VGS Rp’=RD||Rp Vp
Vg’=VgRs/(Rs+Rg)
+ G

Kako je vP   gmvGS  Rp ' , a vGS  vG  vS  0  vS  vS , to je vP   gmvGS  Rp'  gmvS  Rp' .

Dalje je vS  v'g  gmvGS Rg'  v'g  gmvS Rg' , pa nakon sređivanja dobijamo
vS (1  gm Rg ')  vg ' , tj. vS  vg '/ (1  gm Rg ') Sada je izlazni napon
g m R 'p
vP  g m R p  vS 
'
 vg ' .
(1  g m Rg ')
vP g m Rp'
Naponsko pojačanje AV '   , odnosno naponsko pojačanje stepena sa ZG u
vg ' 1  g m Rg'
odnosu na mali, pobudni, promenljivi signal vg je

vP g m Rp ' RS g m ( Rp || RD ) RS
AV      .
vg (1  g m Rg ') RS  Rg 1  g m ( Rg || RS ) RS  Rg
 10

Pojačanje je značajno samo kada je otpornost pobudnog generatora mala i tada iznosi:
vP
AV   g m ( Rp || RD ) .
vg
Rg 0

Ulazna otpornost koju „vidi“ pobudni generator vg određuje se uobičajenim postupkom iz

sledećeg kola (uz rds   ):
gmVGS
S D

It
+ RD
Vt Rs VGS Rp

+ G

vt v v
it   g m vGS  t  g m (vG  vS ). Kako je vS  vt , sledi it  t  g m vt . Sređivanjem
RS RS RS
izraza dobija se RS it  vt  gm RS  vt  (1  gm RS )vt , odnosno ulazna otpornost je
v RS
RU  t  i vrlo je mala.
it 1  g m RS
Izlazna otpornost koju „vidi“ potrošač je Ri =RD (uz rds   ) i određena je iz sledećeg kola:
gmVGS
S D

It +
RD Vt
Rg Rs VGS
+ G

Strujno pojačanje nije beskonačno veliko, kao kod stepena sa ZS i ZD, već je
i '
Ai  P  1 , što je očigledno iz sledećeg kola (uz rds   ) .
ig '
gmVGS
S D
+
Rg’=RgIIRs Ig’ Ip’
+ VGS Rp’=RD||Rp Vp
Vg’=VgRs/(Rs+Rg)
+ G

Stepen sa ZG naziva se i current follower (strujni pratilac), jer ima malu ulaznu i veliku
izlaznu otpornost i strujno pojačanje po modulu jednako 1.