Bài tập chương 3 Môn học: Vật lý bán dẫn GV: Nguyễn Trung Hiếu

CÁC HIỆN TƯỢNG VẬN CHUYỂN HẠT DẪN

Lưu ý các hệ số: k  8, 62.105 eV / K

1. Cho biết khối lượng hiệu dụng của electron trong bán dẫn Ge ở 320K là m  0,55m , với
n o

m  9,1.1031kg . Tính vận tốc chuyển động nhiệt tự do trung bình của electron.
o
Ans: vth  3kT  1, 6.107 cm / s
mn

2. Xét mẫu bán dẫn Si ở 320K. Người ta áp đặt điện trường E = 105 V/m vào mẫu bán dẫn
(không có gradient nồng độ hạt dẫn) thì thấy điện tử có đi được quãng đường trung bình là
2,8 μm sau khoảng thời gian là 0,3ns. Tìm quãng đường chuyển động tự do trung bình của
điện tử. Cho
biết khối lượng hiệu dụng của electron trong bán dẫn Si ở 320K là mn  0, 68mo , với

m  9,1.1031kg .
o
2,8μm
Ans: vn   9, 33.103 m / s
0, 3ns
v
μ 
9, 3.103 m2 μn mn
n   0, 093 τ   0, 36 ps
n
E 105 Vs c
q

v  3kT  1, 46.105 m / s  l  v  52,3nm

τ
th mn c th c

3. Giả sử rằng độ linh động của điện tử trong Silic ở 300K là 𝜇300𝐾 = 1300𝑐𝑚2/𝑉𝑠, và độ linh
động chủ yếu do tán xạ trên mạng nguyên tử. Tìm độ linh động của điện tử ở 200K và 400K.
Ans: Do tán xạ trên mạng chiếm ưu thế:
3

μ300 K
 300  2

K 200     μ200 K
μ200 
K 3

  300 2

μ300 400     μ400 K

K

μ400
1
Bài tập chương 3 Môn học: Vật lý bán dẫn GV: Nguyễn Trung Hiếu
 / Vs / Vs
2388cm 2
 844cm 2

4. Tính độ dẫn điện của bán dẫn thuần Si ở nhiệt độ T = 300 K biết rằng nồng độ hạt dẫn nội tại
là 1.5x1010 cm–3 và độ linh động của electron và lỗ lần lượt là 1200 and 500 cm2/Vs.

A) 4.08 x 10-6 S/cm B) 4.08 x 10-6 S/m C) 4.08 x 10-7 S/cm D) 4.08 x 10-7 S/cm

2
Bài tập chương 3 Môn học: Vật lý bán dẫn GV: Nguyễn Trung Hiếu

Ans: σ  q
 μp ni  4, 08.10 S / cm
6

μ
n

5. Một tấm bán dẫn loại N có điện trở suất là 5 .cm ở T = 300 K. Giả sử bán dẫn được pha chỉ
bởi 1 loại tạp chất, tìm nồng độ tạp chất. Cho biết độ linh động của electron là 1350 cm2/Vs.

A) 2.86 x1014 cm–3 B) 9.26 x1014 cm–3 C) 11.46 x 1015 cm–3 D) 11 x 1015 cm–3

Ans: Bán dẫn N chỉ pha 1 loại tạp chất  n  ND

ρ
1 1  9, 26.1014 cm3
ρn  qμ N  ND  qμ
ρ
n D n n

6. Một thanh Si thuần có tiết diện ngang là 7 x 10-3 m2 và W = 5cm, L = 15cm. Khi cấp V = 5V:

a) Dòng điện qua thanh bằng bao nhiêu?

Ans: σ  q  μ  μ n  1, 2.105 S / cm
n p i

A 1W
Tiết diện vuông góc dòng điện: S  .L  210cm2  R   1, 98K

W σ S
U
I
R  2, 52mA

b) Điện trường cực đại?

V V
Ans: E  1
W cm

(biết Si có ni= 1.5 x 1010 cm-3 ở 300K và có độ linh động µn = 3500 cm2/Vs và µp = 1500
cm2/Vs)

3
Bài tập chương 3 Môn học: Vật lý bán dẫn GV: Nguyễn Trung Hiếu
7. Mẫu bán dẫn Si loại N ở điều kiện cân bằng nhiệt, có nồng độ điện tử thay đồi theo x trong
đoạn [0, 15 µm] như hình sau:

4
Bài tập chương 3 Môn học: Vật lý bán dẫn GV: Nguyễn Trung Hiếu

Biết hệ số khuếch đại Dn = 25 cm2/s.

a) Mật độ dòng điện có chiều như thế nào?

Ans: Vùng 0 đến 5cm, cùng chiều Ox. Vùng 5 đến 15cm, ngược chiều Ox.

b) Mật độ dòng tại 3 µm và 13 µm.

Ans: J
 qD  dn  2
J 4400 A / cm ,  qD  dn  2200A / cm2
 
n1
n
  n2
n
 
 dx 1  dx 2

c) Vẽ đồ thị mật độ dòng theo x?

Ans: Sinh viên dựa vào kết quả câu a và b để vẽ.

8. Xét bán dẫn trực tiếp loại N có n  1015 cm3

n0 τ  , với bơm mức thấp làm cho
và P
15μs
p  3, 2.106
n 3 . Tìm đó tốc độ tái hợp của hạt dẫn thiểu số. (Giả sử bán dẫn có
cm
n  1,5.1010 cm3
i
).
2
Ans: pn0 ni
 2, cm3
15
 25.10
nn0
pn  pn0
R  2.1011cm3 / s
τP
9. Mẫu bán dẫn loại N được chiếu ánh sáng không đổi (t < 0) và nguồn sáng này bị lấy đi tại t =
0. Khi đó nồng độ hạt dẫn thiểu số suy giảm theo thời gian như hình.

5
Bài tập chương 3 Môn học: Vật lý bán dẫn GV: Nguyễn Trung Hiếu

a) Tìm thời gian sống của hạt dẫn.

τ
Ans: Từ đồ thị ta có: 300 10
   7, 73μs
P
τ
P
8 300

b) Tìm được tốc độ sinh hạt bởi ánh sáng GL tính theo đơn vị hạt/cm3.s.

Ans: p (300
GL    0, 038cm3 / s
τ P 10)10
3

7, 73.106

10. Mẫu bán dẫn loại N có chiều dài >> chiều dài khuếch tán của hạt dẫn thiểu số Lp, người ta
chiếu ánh sáng vào 1 đầu của thanh bán dẫn, ánh sáng được hấp thu tại x = 0, ở trạng thái xác
lập thì ánh sáng không bị hấp thu ở x > 0. Giả sử nồng độ hạt dẫn thiểu số theo chiều dài x có
dạng như hình. Tìm chiều dài khuếch tán của lỗ?

6
Bài tập chương 3 Môn học: Vật lý bán dẫn GV: Nguyễn Trung Hiếu
Ans: Từ đồ thị ta có:
LP 2000 10  39,8μm
τ  
P
40 2000

7
Bài tập chương 3 Môn học: Vật lý bán dẫn GV: Nguyễn Trung Hiếu

11. Xét mẫu bán dẫn Ge ở 300K được pha tạp chất thành bán dẫn loại P. Người ta áp đặt điện
trường E = 3.105 V/m vào mẫu bán dẫn (không có gradient nồng độ hạt dẫn) thì thấy điện
tử có đi được quãng đường trung bình là 4,2 μm sau khoảng thời gian là 0,26ns. Tìm
chiều dài khuếch tán của hạt dẫn thiểu số. Cho biết thời gian sống của điện tử và lỗ lần
lượt là 4µs và 1µs.

Ans: 4, 2μm
  1, 6.104 m / s
vn 0, 26ns
v m
2
μ  1, 6.10 4
  μ  3 m
2

 Dn VT
n  0, n 1, 4.10
n 054
E 3.105 Vs s
Ln   74,83μm
Dnτn

12. Xét mẫu bán dẫn Si có  1,5.1010

ni ở 300K. Mẫu bán dẫn được pha tạp chất As với
cm3

nồng độ 5,8.1016 cm3 . Giả sử khi chiếu ánh sáng, quá trình sinh hạt dẫn tạo ra thêm điện

tử với lỗ là n  p  3.1013cm3 .
a) Tìm nồng độ n và p tại lúc này?
16 3 16  n2 3 3
Ans: N  5,8.10 cm  n  n  N  5,8.10 cm 3
và p  i
 3,88.10 cm
D i o D o
no

n  n  no
 5,8.1016 cm3
p  p 
po  3.1013cm3

b) Tìm vị trí các mức tựa Fermi

FN và FP .

Ans:
n
F  E  kT ln  0,39eV
N i  
n
 i
 p
E  F  kT ln  0,197eV
i P  
n
 i