2023/11/3 電子學實驗（一）

實習四、電晶體的認識與 V-I 特性曲線之測量ˍ預習報告

組別：1

姓名：吳承晉、林立恩

學號：B113090001、B113090008
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一、 實習目的
1. 了解電晶體之工作原理。
2. 了解 NPN 電晶體與 PNP 電晶體之差異。
3. 能以三用電表判斷電晶體之良否。
4. 觀察電晶體𝐼𝐵 、𝐼𝐸 、𝐼𝐶 之關係，並測繪其 V-I 特性曲線。
5. 了解電晶體之編號及其意義。

二、 相關知識
1. 電晶體的構造及特性
（1） 結構：由兩塊 P 型半導體之間夾一片很薄的 N 型半導體，或在兩
塊 N 型半導體之夾一片很薄的 P 型半導體組成，三極分別稱為射極，
基極及集極，如圖一所示。

圖一
（2） 特性：以 PNP 電晶體做為例，如圖二，給一順向偏壓 VBE 時會產生
一電流，且 IE=IB，而給一逆向偏壓 VCB 時，因 BC 接面為逆向不導通，
故 IC=IB=0。
若同時在 E–B 極之間加上一順向偏壓 VBE，B–C 極之間加一逆向偏
壓 VCB，會發現所產生的射極電流 IE 大部分都從集極流出，而流向基極
的電流非常的小，主要是因為作為基極的 N 極半導體非常的薄，且摻
 雜的濃度很低，因此在大部分的電洞由射極流入時，很少被結合，因
此產生的電流非常小。

圖二
（3） 電晶體的 β：由於 IB<<IC，而我們只要控制 IB 即可控制 IE，因此
𝐼
電晶體具有放大作用。故我們定義電流放大率β = 𝐼𝐶 ，由以上的說明可
𝐵

知：射極專門發射電洞或電子，集極大量收集電子或電洞，而基極則
用以控制電流之大小。
𝐼
（4） 電晶體的 α：定義α = 𝐼𝐶 ，而 IC 略小於 IE，因此 α 略小於 1。
𝐸

𝐼 𝐼
（5） α 與 β 之關係：利用α = 𝐼𝐶 、β = 𝐼𝐶 以及 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝑐 ，可推得
𝐸 𝐵

β α
α = 1+β 、β = 1−α。

（6） 電路符號：電源電壓的加法如圖三所示。電晶體的電路符號如圖
四所示，其中箭頭的意義：
i. 區分 NPN 和 PNP，NPN 的箭頭向外，PNP 的箭頭向內。
ii. 區分 E 極和 C 極，E 極有箭頭，C 極沒有。
iii. 表示電流的流通方向。

圖三 圖四

2. 電晶體的 V-I 特性曲線：表示電晶體特性最常用的是𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐶 和𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐵 特性

曲線。
（1） 𝑉𝐶𝐸 − 𝐼𝐶特性曲線：稱為輸出特性曲線，描述𝐼𝐵 與𝐼𝐶 間以及 𝑉𝐶𝐸 與𝐼𝐶 間
 之關係，可以分析或設計電晶體電路，如圖五所示。
（2） 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐵 特性曲線：稱為輸入特性曲線，描述輸入電流和輸入電壓
之間的關係，如圖五所示。

圖五

3. 電晶體的編號：目前世界各國對電晶體之編號命名尚無統一規定，各成為
一個體系，主要的編號命名法有日本電晶體之編號、美國電晶體之編號、
歐洲電晶體之編號。

三、 相關知識補充
1. 電晶體的功能：
（1） 放大：輸入訊號為類比訊號時作用，此時輸出的訊號與輸入的訊
息成比例，因此電晶體就成了一放大器。例如收音機，將空中所接受
到的極微弱訊號放大後，驅動喇叭進行發生，此種作用不會改變輸入
訊號的波型，只會將電壓極電流值放大。
（2） 開關：輸入訊號為數位訊號時作用，例如邏輯閘、隨機存取記憶
體（RAM）和微處理器，電晶體的輸出不是完全關閉就是完全導通，使
得訊號在 0 與 1 之間進行切換。
2. 雙極性電晶體（BJT）：同時利用半導體中的多數載子及少數載子導通，雙
極性其結構可分為 NPN 以及 PNP 電晶體。因此會有二個 PN 接面，分別是基
極-射極接面及基極-集極接面，中間隔著一層的半導體，即為基極。 雙
極性電晶體是低輸入阻抗的元件，當基集極電壓（Vbe）提高時，集極射極
電流（Ice）會依肖克基模型及艾伯斯-莫爾模型，以指數形式增加。因此
雙極性電晶體的跨導比場效應電晶體要高。
3. 場效應電晶體（FET）：利用電子或是電洞導通電流。有閘極、汲極、源極
三個極，若不是結型場效應管，還會有一極，稱為體。在場效應電晶體
中，源汲極電流會流過連接源極和汲極之間的通道，導通程度會依閘極和
源極之間的電壓產生的電場而定，因此可以利用閘源極電壓控制源汲極電
流，做為一個簡單的開關。