РАБОТНА ТОЧКА НА БИПОЛЯРЕН ТРАНЗИСТОР

I. Физически смисъл на понятието работна точка на транзистора

Преди да разгледаме как транзисторът усилва променливите токове и

напрежения в динамичен режим, нека подчертаем, че за правилната му работа
той трябва да бъде поставен в подходящ постояннотоков режим и чак тогава на
входа могат да се подават сигнали, подлежащи на усилване. Съвкупността от
тези постоянни токове и напрежения се нарича още работна точка на
транзистора. От това следва, че на електродите на транзистора трябва да
действуват определени напрежения на покой, които от своя страна създават
съответни токове на покой.
На фиг. 1 е показана схема, при която на входа на транзистора действа
определено синусоидно напрежение, подавано от генератор.
Транзисторът е свързан в схема ОЕ. В колекторната верига са включени
източник V2 и товарен резистор R1, а изходното напрежение се получава през
кондензатор С1. За простота нека на първо време пренебрегнем неуправляемия
компонент на колекторния ток, т.е. ще считаме, че когато базовият ток е нула,
колекторният ток също е нула. Освен това нека условно приемем за
положителна посока на тока посоката на движение на часовниковата стрелка.
Когато на входа на NPN транзистор не действа синусоидно напрежение,
транзисторът е запушен и очевидно в изхода няма сигнал .

Фигура 1

Фи
гура 2
 Поради еднопосочната проводимост на участъка база-емитер, когато на
входа действа положителната полувълна на входното напрежение, в базовата
верига ще протече положителен ток, който ще създаде в колекторната верига β
пъти по-голям колекторен ток с отрицателна посока (фиг. 2б и в). При
протичането на този ток през резистора R1 върху него ще се образува
отрицателен пад на напрежение, многократно по-голям от входното
напрежение, който ще се подаде през кондензатора на изхода (фиг. 2д).
Когато на входа действа отрицателна полувълна, тя няма да създаде
базов ток поради еднопосочната, проводимост на прехода база-емитер. Ето
защо през това време транзисторът ще бъде запушен (вж. фиг. 2 в).
Нека да разгледаме същия този процес при PNP транзистора (фиг. 3).
Очевидно при липса на сигнал транзисторът ще бъде запушен. Когато на входа
действува положителната полувълна на входното напрежение (фиг. 4 а) и б)),
базов ток няма да протече поради еднопосочната проводимост на прехода
база-емитер.

V2
R1 12 V
C1

Q1

V1

GND

Фигура 3

Фигура 4

Когато на входа действа отрицателната полувълна, в базовата верига ще

протече отрицателен базов ток, който ще създаде в колекторната верига β пъти
по-голям колекторен ток с положителна посока. При протичане на този ток през
резистора R върху него ще се образува положителен пад на напрежение,
значително по-голям от входното напрежение, който ще се подаде през
кондензатора на изхода на стъпалото.
Виждаме, че при схемите, дадени на фиг. 1 и фиг. 3, транзисторът се
намира в усилвателен режим клас Б (class B), тъй като на входа подаваме
синусоиден сигнал, а на изхода се получават полусинусоиден сигнал. Освен
това при липса на входен сигнал, транзистора е запушен и колекторен ток не
тече, което също е характерно за усилвателен режим клас Б.
За да бъде транзисторът в усилвателен режим клас А, необходимо е
синусоидното входно напрежение да създава синусоидни промени в
колекторния ток. При схема ОЕ това би могло да се реализира, ако в базовата
верига тече предварително определен ток на покой, който под действието на
входното напрежение да става ту по-голям, ту по-малък. Такава схема е
показана на фиг. 5, където в базовата верига е включен източникът V3, чието
напрежение е примерно 0,3-0,7 V. Очевидно този източник ще създаде
определен базов ток на покой Ibп- (индексът “п” означава покой). В резултат на
това в колекторната верига на транзистора ще тече β пъти по-голям колекторен
ток на покой ICп, за който очевидно можем да напишем ICп=β.Ibп. Този колекторен
ток създава определен пад на напрежение върху резистора R1, но поради
наличието на кондензатора С1 на изхода липсва напрежение.

V2
R1

C1

Q1

V1 2N1711

V3

GND

Фигура 5

Нека при това положение на входа на NPN транзистора да подадем

синусоидно напрежение. През положителната полувълна на входното
напрежението е съпосочно с напрежението на източника V3 (фиг. 6а , 6б, 6в) и в
участъка база-емитер действа тяхната сума, от което положителният базов ток
на покой нараства и създава β пъти по-голям отрицателен колекторен ток. При
протичане на този ток през резистора R1 върху него ще се образува
отрицателен синусоиден пад на напрежение, много пъти по-голям от входното
напрежение, койтo ще се подаде на изхода през кондензатора С 1 (през
кондензатора ще премине само променливата съставка на напрежението).

Фигура 6

Когато на входа действа отрицателната полувълна на входното

напрежение, то е противопосочно спрямо напрежението на източника V3 и
резултатното напрежение база-емитер е равно на тяхната разлика. Това
намалява базовия ток, а съответно и колекторния ток. Падът на напрежение
върху R1, който има отрицателна полярност, намалява по абсолютна стойност и
на изхода се появява синусоидна полувълна с положителна полярност (фиг.
6ж). По такъв начин на изхода се получава синусоидно напрежение, значително
по-голямо по амплитуда от входното. Припомняме, че кондензаторът не
пропуска постоянната съставка на колекторния ток и затова падът на
напрежение Ur върху резистора R1 има постоянна съставка, а изходното
напрежение няма.
Нека сега разгледаме същия процес при PNP транзистора (фиг. 7). Очевидно
при липса на сигнал в базовата верига ще тече определен базов ток на покой,
който ще създаде β пъти по-голям колекторен ток на покой. Този колекторен ток
на покой създава определен пад на напрежение върху резистора R1 но заради
кондензатора С1 на изхода напрежение няма.

Фигура 7

Фигура 8
 При положителна полувълна на входното напрежение, резултатното
напрежение между базата и емитера е разлика между напрежението V3 и
входното напрежение(фиг. 8в), което води до намаляване на базовия ток (който
е отрицателен) и съответно до намаляване и на колекторния ток (който е
положителен). От това се намалява падът на напрежение върху резистора R1 и
на изхода се появява отрицателна синусоидиа полувълна (фиг. 8ж), много пъти
по-голяма от входното напрежение.
При отрицателната полувълна на входното напрежение то е съпосочно с
напрежението на източника и в участъка емитер-база действува тяхната сума
(фиг. 8в), от което базовият ток (който е отрицателен) нараства по абсолютна
стойност и създава β пъти по-голям колекторен ток, който е положителен. От
това нараства падът на напрежение върху R1 и на изхода се появява
положителна синусоидиа полувълна.
При схема ОЕ , когато на входа сигналът е положителен, изходният сигнал
е отрицателен, и обратно — когато на входа сигналът е отрицателен,
изходният сигнал е положителен. Следователно схемата ОЕ дефазира
входните сигнали на 180 °. Физично това може да се обясни с факта, че при
NPN транзистора постоянната съставка на базовия ток е положителна, а
постоянната съставка на колекторния — отрицателна (при PNP транзистора
постоянната съставка на базовия ток е отрицателна, а постояината съставка на
колекторния ток положителна).

II. Избор на работна точка на транзистора

Определянето на големината на колекторния ток на покой (при дадено

колекторно напрежение) се нарича избор на работна точка на транзистора.
Изборът на работна точка има твърде голямо значение в цялата транзисторна
техника. Той влияе не само върху изкривяванията на сигнала, но и върху
редица параметри на транзисторните схеми, като входно съпротивление,
коефициент на усилване, собствени шумове и т.н.

Фигура 9
 На фиг. 9 е показана входна верига на NPN транзистор при схема ОЕ,
където чрез източника на напрежение V2 можем да подаваме различни
положителни преднапрежения на базата. (при PNP транзистори
преднапрежението на базата е отрицателно). Или което е все едно, чрез
промяна на напрежението на източника V2 можем да установяваме различен
базов ток на покой Ibп и съответен колекторен ток на покой Iсп. Променливото
напрежение се подава от източника V1 и действа на управляващия преход. С
подобна схема можем да изследваме как влияе изборът на работна точка върху
режима и параметрите на усилвателното стъпало.

Фигура 10

На фиг. 10 е изобразена работната точка А върху входната

характеристика на NPN силициев транзистор Виждаме, че нейното положение
се определя от напрежението между базата и емитера в състояние на покой
Ubeп което се нарича базово пред- напрежение. От своя страна базовото пред-
напрежение създава базов ток на покой Ibп.
Специално внимание обръщаме на факта, че в отпушено състояние при
NPN транзисторите базата е по-положителна спрямо емитера, а при PNP
транзисторите базата е по-отрицателна спрямо емитера (т.е. емитерът е по-
положителен спрямо базата). Големината на базовото пред-напрежение в
усилвателен режим при силициевите транзистори е от 0,4V до 0,8V.
Когато на входа на транзистора подадем променливо напрежение,
работната точка започва да се движи по входната характеристика между
положение 1 и 2 (фиг. 11а). Вдясно от входната характеристика са изобразени
промените на базовия ток и промените на колекторния ток. Обръщаме
внимание, че колекторният ток е β пъти по-голям от базовия и мащабите им на
фиг. 11 са различни.
Щом фиксираме работната точка върху входната характеристика,
нейното положение върху останалите характеристики на транзистора е
еднозначно определено, или казано по друг начин: при даден постояннотоков
режим транзисторът има една единствена работна точка, която може да
бъде изобразявана върху различните характеристики еднозначно.

Фигура 11

Входно съпротивление по променлив ток. Изборът на работна точка влияе

силно върху входното съпротивление на транзистора по променлив ток. От
входната характеристика можем да намери входното съпротивление по
променлив ток, отнасящо се за дадена работна точка. От фиг. 12а се вижда, че
при наличност на входен сигнал работната точка непрекъснато се движи върху
входната характеристика между точките 1 и 2.

Фигура 12

Това означава, че входното съпротивление на транзистора непрекъснато се

променя, тъй като съпротивлението в точка 1 е различно от съпротивлението в
точка 2. Когато сигналите са с малка амплитуда (такива сигнали се наричат
малки сигнални), можем с известно приближение да считаме, че участъкът 1-2
лежи не върху характеристиката, а върху допирателната, прекарана към нея в
работната точка А (фиг. 12б). По този начин нелинейната зависимост между
входното напрежение и входния ток за малки сигнали се заменя с линейна.
Колкото амплитудите на сигнала са по-малки, толкова допусканата грешка при
такава замяна е по малка. По такъв начин намирането на входното
съпротивление но променлив ток в работната точка А се свежда до намиране
на ъгловия коефициент на допирателната в точка А.
 За да намерим входното съпротивление по променлив ток в работната
точка А, даваме изменение ΔU на напрежението и отчитаме съответното
изменение ΔI на тока (фиг. 13а).

Фигура 13

От защрихования триъгълник намираме

∆U 0,1
RA= = =2500 Ω
∆ I 40.10−6
Нека сега за същия транзистор изберем работна точка В (фиг. 13), която се
характеризира с пред-напрежение UBE = 0,6V, базов ток на покой I bп = 40 μА и
колекторен ток на покой Icп=β.Ibп. За входното съпротивление в работната точка
Б намираме
∆U 0,1
R Б= = =1250 Ω
∆ I 80.10−6

От тези примери се вижда, че входното съпротивление на транзистора е

толкова по-голямо, колкото е по-малък колекторният ток на покой или което е
все едно, колкото са по-малки базовото преднапрежение и базовият ток на
покой.

Стръмност на транзистора. Това е един от важните параметри на

транзистора. Той показва с колко ще се промени изходният ток при промяна на
входното напрежение с единица. Стръмността на транзистора, както ще се
убедим по-нататък, участва, в редица изчислителни формули, измерва се в
mA/V и се бележи с Y21. За стръмността на транзистора можем да запишем
∆ IC
Y 21=
∆ U BE
 Стръмносттa на даден транзистор не е постоянна величина, а зависи от
избора на работната точка. Това се вижда добре на фиг. 14а, където едно и
също входно напрежение създава различни базови (съответно колекторни)
токове.

Фигура 14

Колкото колекторният ток на покой е по-голям, толкова стръмността е по-

голяма. На фиг. 14б е показано как стръмността на транзистора 2Т3511 зависи
от колекторния ток на покой. Виждаме, че при колекторен ток на покой Icп = 1mA
стръмността е 30 mA/V, а при Icп = 3 mA тя нараства на 90 mA/V.

Нeлинейни изкривявания. В редица случаи работната точка трябва да се

избира с оглед големината на входния сигнал, тъй като от това до голяма
степен зависят нелинейните изкривявания. На фиг. 15а) работната точка А е
избрана твърде наляво, т.е. базовото пред напрежение е относително малко и
базовият ток на покой е малък. При това положение входното съпротивление
на транзистора по променлив ток е значително, но стръмността е малка. Ако
при тази работна точка се подават за усилване сигнали със значителна
амплитуда, очевидно ще се появят големи нелинейни изкривявания.
На фиг. 15 б работната точка В е избрана твърде надясно, т.е. базовото
преднапрежение е сравнително голямо и базовият ток на покой е значителен. В
този случай входното съпротивление по променлив ток е малко, а стръмността
е голяма. От същата фигура се вижда, че при тази работна точка не се
получават нелинейни изкривявания при сигнал с доста голяма амплитуда, но
при слаби сигнали този режим е неикономичен поради значителната стойност
на колекторния ток на покой.
 Фигура 15

Както вече се изясни, изборът на работна точка е основен въпрос в

транзисторната схемотехника, тъй като работната точка влияе почти върху
всички параметри на транзистора (физическите параметри, коефициентите на
усилване, изходното съпротивление по променлив ток, собствения шум на
транзистора, граничните честоти и т.н.). Може да се каже, че при всеки
конкретен случай конструкторите вземат под внимание всички тези влияния,
преди окончателно да изберат работната точка на транзистора.

Литература:
Атанас Шишков, Полупроводникова техника, Част 1. Полупроводникови
елементи, Издателство „Техника“ София.