ТРАНЗИСТОР

I. УСТРОЙСТВО И ПРИНЦИП НА ДЕЙСТВИЕ НА ТРАНЗИСТОРА

Транзисторът представлява прибор, при който в монокристална

структура посредством подходящ технологичeн метод са създадени два
прехода и са изведени три извода. На фиг. 1 е показано схематично
изображение на транзистор. Върху основна полупроводникова пластина с
електронна проводимост са сплавени двустранно две зрънца индий.
Проникването на атомите на тривалентния индий в полупроводника създава
два прехода. Тези транзистори поради типа на технологията по която се
произвеждат се наричат още сплавни.

Фигура 1. Схематично изображение на транзистор

Преходите могат да се реализират и чрез дифузия на газове, наситени с

акцепторни примеси (дифузионни транзистори). Обикновено разстоянието
между двата прехода е няколко микрона. На фиг. 2 е представена принципна
схема на транзистор с двата прехода и трите р-n-р области. Лявата област се
нарича емитерна, а левият извод емитерен или само емитер. Средната област
е базисна — изводът базисен или само база, и дясната област — колекторна,
със съответния колекторен извод или колектор.

Фигура 2. Принципна схема на транзистор

1
 Левият преход се нарича емитерен, а десният колекторен. В зависимост
от редуването на видовете проводимост се различават два вида транзистори:
транзистори тип р-n-р и транзистори тип n-р-n. Символичното им означение е
дадено на фиг. 3.

Фигура 3. Схематично означение на транзистор

Ще разгледаме принципа на действие на транзистора, като използваме

фигура 4а). На емитерния преход е подадено напрежение в права (отпушваща)
посока, а на колекторния преход в обратна (запушваща) посока. На фиг. 4б са
представени схематично токовете от дупки и електрони, които циркулират в
различните области.

Фигура 4. Принцип на действие на транзистора

2
 Поради правото напрежение на емитерния преход, неговата
потенциална бариера намалява. Това поражда условия за инжекция (дифузия)
на дупки от емитера в базата и на електрони от базата в емитера.
Инжектираният поток от дупки в базата се разделя на няколко части (фиг. 4).
 Малка част от дупките рекомбинират на повърхността (повърхностна
рекомбинация) и в обема (обемна рекомбинация).
 По-значителната част от дупките по дифузионен път се придвижва към
колекторния преход.
За да може да достигнат повече дупки до колекторния преход, базата се
прави достатъчно тънка, така че времето на преминаване на неосновните
токоносители (дупките) през нея да е по-малко от средното време на техния
живот. Освен това в самата конструкция на транзистора има някои особености:
колекторният преход е по-голям и обхваща емитерния (виж фиг. 1).
Дупките, които попадат в полето на колекторния преход, биват
ускорявани и веднага отиват в колекторната област.
Също така в зоната на колекторния преход се извършва, топлинна
генерация на двойки електрон-дупки и още едно допълнително увеличение на
свободните токоносители (електрони и дупки) от ударната йонизация.
Електроните под действието на електрическото поле на прехода отиват в
базата, а дупките — в колектора.
Емитерната, базисната и колекторната област са по принцип
електрически неутрални. Това означава, че когато в тях стане вливане или
оттичане на електрони или дупки през външните изводи, от захранващите
източници моментално влизат или излизат толкова електрони, колкото са
необходими за възстановяване неутралността на тези области. Тогава
базисният ток се определя от преминаването през базисния извод на следните
електрони: [инжектираните електрони в емитера + електроните загубени
поради рекомбинация] — [електроните, попаднали в базата вследствие на
ударната йонизация и на топлинната генерация в областта на колекторния
преход].
При положение, че първите компоненти са по-големи (което е вярно за
повечето случаи при практическата работа на транзистора), то чрез базисния
извод електроните влизат, а техническата посока на базисния ток е навън от
транзистора.
Колекторният ток представлява сумата от достигналите по дифузиoнен
път дупки до колекторния преход плюс дупките, получени от ударната
йонизация и от топлинната генерация. Трябва да се спомене, че режим, при
който се използва ударна йонизация за увеличаване на колекторния ток, се
нарича лавинен режим. Той намира приложение при някои по-особени случаи.
Емитерният ток е сумата от токoвете на инжектираните през емитерния
преход дупки и електрони.
Ако се предположи, че всички носители се движат с еднаква скорост, то в
даден момент от време те ще пристигнат в колекторния преход. Той ще
действа ускоряващо на дупките и отблъскващо на електроните. Следователно

3
дупките ще преминат мигновено в колекторната област и определят основния
колекторен ток. Той е равен на α.Ie, където α<1 и се нарича коефициент на
усилване по ток. Понеже от базата към колектора излизат α.Ie дупки, за да се
запази електрическата неутралност през базисния извод трябва да навлязат
α.Ie по-малко електрони. С други думи, базисния ток ще намалява с толкова, с
колкото се е увеличил колекторния.
Може да се каже, че колекторния ток се състои от две компоненти.
 Едната компонента е обратният ток на колекторния преход ICB0. Тази
компонента е постоянна, почти не зависи от приложеното напрежение на
колекторния преход и е нерегулируема (зависи единствено от
температурата).
 Втората компонента се предизвиква от достигащите по дифузионен път
до колекторния преход дупки, които са инжектирани в базата през
емитерния преход. Тази компонента е регулируема и зависи от
емитерния ток съгласно равенството

ICreg= α.Ie 1

Ако се изменя напрежението между базата и емитера, ще се изменя

емитерният ток, респективно колекторният ток. Очевидно при транзистора
изходният ток се оказва пропорционален на входния (емитерния ток).
Зависимостта на емитерния ток от напрежението, както е известно за
свързването на един р-n -преход в права посока, е експоненциална. За общия
колекторен ток, който се получава при права поляризация (свързване в права
посока) на емитерния преход, може да се напише:

IC = α.Ie + ICB0 2

Коефициентът на усилване на ток α се определя от произведението на

три други коефициента, които отразяват физическата същност на процесите
вътре в транзистора

α=γβМ 3
γ- коефициентът на инжекция и отразява ефективността на емитерния преход.
От своя страна

Ip Ip
γ= = 4
I n I p+ I n

където Iр е токът, определен от инжектираните дупки в базата, а In— токът,

определен от инжектираните електрони в емитера.
За да се получи стойност за γ , по-близка до единица (γ е винаги <1)
базата се прави много по-високоомна от емитера, така че инжекцията на

4
електрони (In) да е много по-малка от инжекцията на дупки (Ip).
β е коефициентът на пренасяне. Той отразява загубите на дупки в базата
вследствие на рекомбинацията им с електрони.
М е коефициент на умножение на дупките в резултат на ударна йонизация.
Като се има пред вид, че и тук е валиден законът на Кирхоф (същото е
очевидно и от принципа на действие на транзистора), може да се изрази
връзката между токовете на трите извода.

Ie = Ic+Ib 5

като заместим Ie от формула (5) във формулата (2) и получаваме

α 1
I c= I + I 6
1−α β 1−α cbo

Като диференцираме (6) получаваме коефициента на усилване по ток от

базата до колектора.

d IC α
β= ,при U ce =const , β= 7
d IB 1−α

Обикновено α има стойност от 0,96 до 0,99. Тогава β съгласно (7) ще има

стойности от 20 до 100. Веднага се вижда, че коефициентът на усилване по ток
от базата до колектора е много по-голям от 1.
Ако се прекъсне базисният извод, Ib става нула, а от (6) се вижда, че
токът през колектора, респeктивно през емитера, ще бъде β пъти по-голям от
топлинния колекторен ток, т. е.

1
I EO = I ≈ β I CBO 8
1−α cob

Ако емитерният ток се изменя по синусоидален закон, чрез включване на

генератор на ток в емитерната верига, колекторният ток ще се изменя също по
синусоидален закон. Коефициентът на усилване на тока α ще се определя от
отношението на амплитудните, респ. на ефективните, стойности на
колекторния и емитерния ток.

II. СТАТИЧНИ ХАРАКТЕРИСТИКИ НА ТРАНЗИСТОРА. ТРИ ОСНОВНИ

СХЕМИ НА СВЪРЗВАНЕ

Транзисторът представлява прибор с три извода. Един усилвател на

електрически сигнали се характеризира с четири изводни клеми — две входни
и две изходни. Следователно един от изводите на транзистора, който работи
като усилвател, ще бъде общ както за входната, така и за изходната верига.

5
Когато общият извод е базата се казва, че транзисторът работи в схема с обща
база (ОБ). По аналогичен начин се получават и останалите две схеми на
свързване — схема общ емитер (ОЕ) и схема общ колектор (ОК). На фиг. 5 са
представени трите схеми на свързване и приетите положителни посоки за
токовете и напреженията. Посоките на токовете се смятат за положителни,
когато сочат към транзистора. В обратен случай пред символа на тока се
поставя отрицателен знак.

Фигура 5. Основни схеми на свързване на транзистора.

Напреженията на електродите се измерват спрямо общия електрод

(„земя“ или „0“) Вземат се със съответните им знаци. Връзките между
входните и изходните величини се дават със статичните характеристики
на транзистора.
В зависимост от схемата на свързване статичните характеристики биват
при схема ОБ, ОЕ и ОК. Когато са известни статичните характеристики за
едната схема на свързване, те могат да бъдат определени и за останалите две
схеми на свързване, след като се знае, че сумата от токовете и напреженията
на трите електрода са поотделно равни на нула. Обикновено в каталожните
данни фигурират статичните характеристики при схема ОЕ поради най-
широкото й приложение.
Изчисляването на режима на транзисторите може да стане или с
помощта на графики, или с помощта на формули. Графичният начин с по-
нагледен и по-често се използва в практиката.
На фиг. 6а) са показани схематично токовете и напреженията па
транзистора при схема ОЕ. Тези шест величини не могат да имат произволна
стойност, а са свързани помежду си. Взаимната връзка между токовете и
напреженията в транзистора може да бъде изразена с графики, които се
наричат характеристики на транзистора. Понеже характеристиките биват
статични и динамични, нека поясним разликата между статичен и динамичен
режим на транзистора.
При статичния режим в колекторната верига липсва товарно
съпротивление (фиг. 6b). При наличност на входен сигнал колекторният ток
става ту по-голям, ту по-малък, но напрежението U ce, приложено на колектора,
не се променя и остава равно на напрежението на източника.

6
 Фигура 6.

При динамичен режим (фиг. 6c) в колекторната верига на транзистора е

включено товарно съпротивление R1, върху което се образува определен пад
на напрежение вследствие на протичането на колекторен ток и колекторното
напрежение е по-ниско от това на източника. Когато на входа действа някакъв
сигнал, той променя колекторния ток, с което се променя и падът на
напрежение върху товарното съпротивление. В резултат на това и
колекторното напрежение постоянно се изменя, т.е. режимът е динамичен.
В реални условия транзисторите работят най-често в динамичен режим и
изчисленията се правят именно за него. Тук може да се зададе въпросът:
“Защо се разглежда статичният режим, щом като той почти не се среща в
практиката?’'. Това е така, защото в справочниците се дават статичните
параметри и статичните характеристики на транзисторите, които са характерни
за самия транзистор. Динамичните параметри и динамичните характеристики
зависят от елементите на схемата и най-вече от товарното съпротивление. Но
товарното съпротивление може да има различни стойности например 1 кΩ, 2
кΩ, 3 кΩ и т.н., за всяка една от тези стойности динамичната характеристика ще
е различна, поради което не се дава в справочниците.

1. Модулация на ширината на базата

Преди да разгледаме статичните характеристики на биполярния
транзистор, нека изясним едно важно явление в транзистора. Както знаем, при
увеличаване на колекторното напрежение ширината на обратно включения
колекторен преход се увеличава и понеже преходът почти изцяло е разположен
във високоомната база, това води до нейното стесняване. Именно това
намаляване на широчината на базата при увеличаване на колекторното
напрежение се нарича още модулация на широчината на базата на транзистора
или ефект на Ерли.

7
 Последствията от това са следните:
 При по-тънка база рекомбинацията на токоносителите е по-малка. Ето
защо, ако при неизменен емитерен ток увеличаваме колекторното напрежение,
базовият ток слабо ще намалява, а колекторният слабо ще се увеличава.
 При по-тънка база времето за преминаването на инжектираните
токоиосители в нея е по-малко, т.е. при по-високи колекторни напрежения се
подобряват честотните свойства на транзистора.
 Обратният ток на емитерния преход зависи от широчината на базата и
следователно измененията на колекторното напрежение ще влияят върху волт-
амперната характеристика на емитерния преход. Това показва, че в
транзистора съществува вътрешна обратна връзка по напрежение, която
е отрицателна, т.е. ако Ie=const, при увеличаване на колекторното
напрежение (по големина) емитерното напрежение намалява. Нека добавим,
че с увеличаване на честотата, ефектът на Eрли намалява. Освен това той е
по-силно изразен в транзисторите с широка и високоомна база.
От ефекта на Ерли следва, че ако увеличаваме колекторното
напрежение, ще дойде момент, когато обеднената област ще заеме цялата
база. Тази стойност на напрежението между колектора и емитера се нарича
напрежение на допир и се бележи Uce допир. При това напрежение токът между
колектора и емитера очевидно нараства силно и транзисторът може да излезе
от строя. Затова по време на работа напрежението на допир в никакъв случай
не бива да се достига.

2. Входни статични характеристики

Схема с общ емитер. Тук входните статични характеристики изразяват
графично зависимостта на базовия ток Ib от напрежението база — емитер UBE
при определени постоянни стойности на колекторното напрежение. На фиг. 7а)
са показани схеми, чрез които могат да се снемат входните характеристики на
NPN и PNP транзистори.

8
 Фигура 7
На фигура 7б) са показани входните характеристики на германиев (Ge) и
силициев (Si) транзистори. Вижда се, че тези характеристики напомнят
характеристиките на полупроводников диод, което и трябва да се очаква, тъй
като преходът база — емитер е фактически един диод. Показаните
характеристики са снети при две напрежения на колектора: 0 V и 6 V, като с
увеличаване на колекторното напрежение те се отместват съвсем слабо
надясно. (Групата входни характеристики, снети при различни колекторни
напрежения, се нарича семейство входни характеристики.) При редица
практически изчисления това отместване не се взема под внимание, тъй като то
е най-голямо при нарастване на колекторното напрежение от 0 до 1 V, след
което, ако увеличаваме колекторното напрежение, отместването е едва
забележимо.
Причината, поради която при по-високи колекторни напрежения входните
характеристики при схема ОЕ се отместват надясно, е ефектът на Ерли.
И наистина при по-високи колекторни напрежения базата става по-тясна,
рекомбинацията в нея намалява, а от това намалява и базовият ток.
Следователно, ако поддържаме входното напрежение постоянно (например U BE
=0,2V), базовият ток при UCE = 6 V ще бъде по-малък отколкото при UCE = 0 V
(фиг. 7).
Обръщаме внимание, че входната характеристика на биполярния
транзистор е нелинейна, т.е. базовият ток зависи експоненциално от
приложеното входно напрежение. Тази особеност има основно значение за
цялата транзисторна техника. Това означава още, че при относително неголямо
нарастване на входното напрежение входното съпротивление (както по
постоянен ток, така и по променлив ток) силно намалява.

Схема обща база. При схема обща база входните статични характеристики
изразяват зависимостта на емитерния ток IE от напрежението емитер — база
UЕВ при определена постоянна стойност на колекторното напрежение U CB. На
фиг. 8 са показани схеми, чрез които могат да се снемат входните
характеристики на NPN и PNP транзисторите.

9
 Фигура 8

На същата фигура са показани входни характеристики при схема ОБ на

маломощен германиев и силициев транзистор. Виждаме, че те са подобни на
входните характеристики при схема ОЕ, обаче при едни и същи напрежения
емитерният ток е много пъти (около β пъти) по-голям. Друга разлика е тази, че
при увеличаване на колекторното напрежение те се отместват наляво. Понеже
това отместване е относително малко, при практически пресмятания то често
се пренебрегва. Причината за отместването на характеристиките и тук е
ефектът на Ерли. И наистина, ако Uев=const, при увеличаване на колекторното
напрежение базата става по-тънка, градиентът на концентрацията на дупките в
∆ pn
базата расте, поради което расте и емитерният ток.
∆x

3. Входно съпротивление на транзистора

Входните характеристики дават възможност да определяме лесно
входния ток, когато знаем входното напрежение, и обратно да намираме
напрежението, което действа на входа, когато знаем входния ток. Например на
фиг. 9а) можем да отчетем, че при входно напрежение 0,5 V базовият ток на
транзистора 2Т3511 е 20 μА, а при входно напрежение 0,6 V базовият ток ще
нарасне на 100 μА. От същата характеристика можем да отчетем, че за да
имаме базов ток 200 μА, напрежението между емитера и базата трябва да е
0,65 V.
Входната характеристика позволява да отчетем постояннотоковата
мощност, изразходвана в базовата верига. Например, ако на входа действа
напрежение 0,6V, базовият ток ще бъде 100μА, а постоянно-токовата мощност
ще има стойност P=U.I= 0,6.100.10-6 = 60 μW.
С помощта на входната характеристика лесно се намира входното
съпротивление на транзистора както за променлив, така и за постоянен ток.
Входно съпротивление на транзистора за променлив ток. От входната
характеристика можем да намерим входното съпротивление за променлив ток
(диференциално или динамично входно съпротивление), отнасящо се за
дадена точка от характеристиката.

10
 Фигура 9
Например, за да намерим променливо-токовото съпротивление в същата
точка Б (фиг. 9б), даваме съответни изменения ΔU на напрежението и ΔI на
тока. От защрихования триъгълник намираме
ΔU 0,4
RБ = = =4 kΩ
Δ I 100.10−6

Опитите показват следния важен резултат: входното съпротивление за

променлив ток на транзистора не е постоянна величина, а зависи от
избраната работна точка; с увеличаване на тока в работната точка
променливото съпротивление намалява. Променливо-токовото
съпротивление е изобщо по-малко от постоянно-токовото съпротивление в
същата точка.
При схема ОБ променливо-токовото входно съпротивление на
транзистора е по-малко, отколкото това съпротивление при схема ОЕ.
Трябва да се подчертае, че малката стойност на променливо-токовото
входно съпротивление на биполярните транзистори (при схема ОЕ - от 500 до
5000 Ω, и при схема ОБ — от 10 до 100 Ω) е много съществен факт в цялата
транзисторна техника.
Входно съпротивление на транзистора за постоянен ток. От входната
характеристика на транзистора 2Т3511 можем да намерим неговото входно
съпротивление за постоянен ток (статично входно съпротивление). Например
от фиг. 9а) за точките А, Б и В ще получим съответно:
UA 0,5
RA= = =25 kΩ
I A 20.10−6
UБ 0,6
R Б= = =6 kΩ
I Б 100. 10−6
UВ 0 , 65
R В= = =3 , 25 kΩ
I В 200. 10−6

Този пример показва следния много важен резултат: входното

11
съпротивление на транзистора за постоянен ток не е постоянна величина,
а зависи от входното напрежение, съответно от входния ток. С
увеличаването на входния ток входното съпротивление на транзистора
намалява.
Оттук следва, че входната верига на транзистора за постоянен ток
представлява нелинейно съпротивление.

4. Изходни статични характеристики

Най-често в практиката се използват изходните статични характеристики

на транзистора. С тяхна помощ твърде лесно могат да се изчислят редица
величини - токове, напрежения, мощности, необходими товарни
съпротивления, изкривявания, к.п.д.
Схема с общ емитер. В този случай изходната статична характеристика
изразява зависимостта на колекторния ток Iс от колекторното напрежение U CE
при определени постоянни стойности на базовия ток IB. Тези характеристики
може да се снемат по схемата, дадена на фиг.10, където с потенциометъра R2
подаваме различни колекторни напрежения U CE И отчитаме съответния
колекторен ток IC . По време на отчитането базовият ток трябва да се поддържа
(с R1) постоянен и получената характеристика се отнася именно за този базов
ток. На фиг.10б са показани семейство изходни характеристики на силициевия
транзистор 213511 при схема ОЕ. Виждаме, че при малки колекторни
напрежения (под 0,5 V) колекторният ток силно зависи от колекторното
напрежение, а след това той почти не зависи от него, т.е. характеристиките са
почти хоризонтални. Тази слаба зависимост на колекторния ток от
колекторното напрежение се обяснява така.
При увеличаване на колекторното напрежение нараства и резултатното
напрежение в колекторния преход, но не се увеличава броят на инжектираните
токоносители от емитера в базата. Ето защо при постоянна стойност на
базовия ток дори значителни изменения на колекторното напрежение водят до
съвсем слаби промени в колекторния ток. Причината, поради която
колекторният ток, макар и слабо, расте при увеличаване на колекторното
напрежение, е ефектът на Ерли, т.е. при по-големи напрежения базата става
по-тясна. При по-тясна база рекомбинацията на неосновните токоносители не е
толкова голяма и по-голям процент от тях достигат до колекторния преход, т.е.
колекторният ток нараства.
Както се вижда от фиг.10б, при намаляване на колекторното напрежение
всички изходни характеристики практически се сливат в една линия, която
съответства на т.нар. съпротивление на насищане на транзистора RCsat.

12
 Фигура 10.

Тази величина е важен параметър, който при маломощните транзистори има

стойност примерно 5-50 Ω, а при мощните може да бъде и по-малко.
От казаното става ясно, че при малки колекторни напрежения (например
под 0,5 V ) колекторният ток вече не се влияе от базовия, т.е. транзисторът губи
своите усилвателни качества. Това най-малко колекторно напрежение се
нарича още колекторно напрежение на насищане (или остатъчно напрежение)
и се бележи Ucesat, то е важен параметър на транзисторите, като точната му
стойност зависи както от вида на транзистора, така и от неговия режим. На
практика най-често Ucesat 0,1 - 0,5 V.
От фиг. 10 се вижда, че най-долната характеристика се отнася за Ib = 0,
т.е. тази характеристика дава представа за големината па остатъчния ток и
неговата зависимост от колекторното напрежение. Напомняме, че остатъчният
ток ICEO тече през транзистора само когато базата е плаваща. Друга особеност
на изходните характеристики при схема ОЕ е тяхното сгъстяване при по-големи
базови токове. Причината за това е, че при по-големи токове концентрацията
на електрони и дупки в базата е по-голяма и рекомбинацията нараства,
следователно при по-големи колекторни токове коефициентът β, макар и слабо,
намалява.

Схема с обща база. При схема ОБ изходните статични характеристики

изразяват зависимостта на колекторния ток Ic от колекторното напрежение Ucb
при определени постоянни стойности на емитерния ток. На фиг. 11а) е показана
схема, по която те могат да се снемат при транзистори от двата типа. На фиг.
11б) е показано семейство изходни характеристики на транзистора 2Т3511 при
схема ОБ. Те представляват почти хоризонтални прави, еднакво отдалечени
една от друга. Следователно при определена стойност на емитерния ток
колекторното напрежение практически не влияе на колекторния ток. Обръщаме
внимание, че изходните характеристики при схема ОБ са значително по-

13
хоризонтални, отколкото тези при схема ОЕ. И ако при тях все пак има малък
наклон, той се обяснява, от една страна, с нарастването на Icbo при увеличаване
на колекторното напрежение, а от друга страна, този наклон се дължи на
вътрешната обратна връзка на транзистора (ефект на Ерли), която води до
това, че при по-високи напрежения на колектора базата се стеснява,
рекомбинацията в нея намалява и по-голям процент от инжектираните дупки в
базата достигат колектора, т.е. с увеличаване на напрежението коефициентът
α (макар и значително по-слабо от коефициента β) нараства.
Разположението на най-долната характеристика (при Ie = 0) ни дава
представа за обратния колекторен ток 1сво и неговото изменение при
нарастване на колекторното напрежение.

Фигура 11

От фиг. 11б) се вижда, че колекторен ток протича дори и тогава, когато

колекторното напрежение е нула. Причината за това са източникът в
емитерната верига и високоомната база. При UCB = 0 малкият базов ток,
създаден от напрежението UBE , протичайки през високоомната база, образува
в нея над на напрежение r.Iв (вж. фиг. 11б). Този пад се оказва включен във
веригата, колектор база, като минусът му е към колектора (в случая
транзисторът е тип PNP). Именно това напрежение създава колекторен ток в
случая, когато колекторът е свързан накъсо с базата. За да се анулира
колекторният ток, необходимо е да сменим полярността на колекторното
напрежение, а големината му да бъде 0,02- 0,5 V (фиг. 11б).

5. Изходно съпротивление на транзистора

С помощта на изходните характеристики можем да намерим една от

величините Ib, Ic, UCE, когато знаем другите две.

14
 От фиг. 12, например, лесно може да се отчете, че при колекторно
напрежение UCE = 4,5 V и ток в базата Ib = 40 μA колекторният ток ще има
стойност Iс = 4,5 mА (точка В). Също така от тези характеристики можем да
отчетем, че при напрежение UCB =4,5 V токът в базата трябва да има стойност
Ib=40 μA, за да имаме колекторен ток 1с = 8 mА (точка В).

Изходно съпротивление на транзистора за променлив ток. Изходните

характеристики дават възможност да намерим изходното съпротивление на
транзистора за променлив ток, отнасящо се за дадена точка. Нека да намерим
променливо-токовото съпротивление за точката Б (фиг. 12б). За целта даваме
съответни малки изменения ΔUCE и ΔIC на изходното напрежение и изходния
ток. От почернения триъгълник намираме
∆ U CE 4
RB = = =40 kΩ
∆ I C 0 , 1. 10−3

Изходното съпротивление за променлив ток зависи от избора на

работната точка, като при схема ОЕ неговата стойност е най често в границите
от 20 до 50 kΩ. При схема ОБ това съпротивление е още по-голямо и достига
примерно 0,5- 2 МΩ.
Изходното съпротивление на транзистора за променлив ток, а също и
входното съпротивление за променлив ток са много важни величини, защото
въз основа на тях става съгласуването на отделните транзисторни
усилвателни стъпала.

Фигура 12

Изходно съпротивление на транзистора за постоянен ток. То не е постоянна

величина, а зависи от колекторното напрежение и от колекторния ток.
Например за точките А, Б и В (фиг. 12а) ще се получи съответно:

15
 UА 4,5
RА= = =90 kΩ
I А 0 , 05.10−3
UА 4,5
RА= = =1 kΩ
I А 4 ,5. 10−3
UА 4,5
RА= = =560 Ω
I А 8.10−3

Този пример показва, че изходното съпротивление на транзисторите за

постоянен ток при дадено напрежение на колектора зависи силно от
колекторния ток, съответно от базовия ток. И наистина знаем, че при липса на
базов ток транзисторът е почти “запушен” (т.е. изходното му съпротивление за
постоянен ток с много голямо 50-500 kΩ), а при значителен базов ток
транзисторът е “отпушен” (т.е. изходното му съпротивление за постоянен ток е
малко — 5 - 100 Ω). Тези особености на транзистора се използват в така
наречения ключов режим, който намира приложение в автоматиката и
импулсната техника.

6. Статични характеристики на правото предаване по ток

Схема с общ емитер. При това свързване статичните характеристики на

предаване по ток изразяват зависимостта на колекторния ток Iс от базовия ток
Ib. Тези характеристики с известно приближение представляват една права
линия, минаваща почти през началото на координатната система. На фиг. 13а)
е показана характеристиката на предаване по ток на транзистора 2Т3511, снета
при U CE = 6 V. От нея се вижда, че при Ib = 0 (плаваща база) колекторният ток
има стойност I CЕ0 . Ако базовият ток стане отрицателен, тогава колекторният ток
има стойност Iсво.
От характеристиката на предаване по ток може лесно да се намери
коефициентът β на даден транзистор. От фиг. 13а) например отчитаме
ΔI C 0 , 8.10−3
β= = =80
ΔI b 10.10−6
Нека отбележим, че характеристиката на предаване по ток e линейна
само до дадена граница, след което се закривява надолу. Това означава, че
коефициентът β може да се разглежда като постоянна величина само до
определена стойност на колекторния ток, след което започва силно да
намалява.
Схема с обща база. В този случай статичните характеристики на предаване по
ток изразяват зависимостта на IC от IE при параметър UCB. На фиг. 13б) е
дадена характеристиката на предаване по ток при схема ОБ за българския
транзистор 2Т3511.

16
 Фигура 13
От характеристиката на предаване по ток може да се отчете коефициентът α.
Например от фиг. 13б) намираме
ΔI C 0 , 99.10−3
β= = −3
=0 , 99
ΔI Е 1.10

7. Статични характеристики на обратно предаване по

напрежение

Схема с общ емитер. При тази схема статичните характеристики на обратното

предаване по напрежение изразяват зависимостта на базовото напрежение U B E
ОТ колекторното напрежение U C E при определена постоянна стойност на
базовия ток. На фиг. 14 е показано семейство статични характеристики на
обратното предаване по напрежение за транзистора 2Т3511. Те представляват
почти хоризонтални прави линии, което показва, че при постоянен базов ток
базовото напрежение се влияе слабо oт колекторното напрежение.

Фигура 14

8. Влияние на температурата върху статичните характеристики

на биполярните транзистори

17
 Температурата влияе в една или друга стенен на всички параметри на
билолярния транзистор. Това се отнася също и за статичните характеристики.
На фиг. 15а) е показано влиянието на температурата върху входната
характеристика на силициев транзистор при схема ОБ. Виждаме, че при по-
високи температури характеристиката се отмества наляво. Съвсем аналогично
е отместването при схема ОЕ. Подобно на диодите това отместване се
характеризира количествено чрез температурния коефициент на
отместване на входната характеристика ТКUВХ, който се бележи още с
буквата ε. Този коефициент е отрицателен, като има стойност 2-2,5 mV/°С при
силициеви транзистори. Следователно
∆ U вх 0
ε = ТКUВХ= =2−2, 5 mV /C
∆t

Въз основа на тази формула, ако при стайна температура (при IE=const)
входното напрежение на транзистора е UBE(25) . при температура t то ще има
стойност:
U BE(t) = U BE(25) - ε.∆ t

Пример: Дадено е, че при t = 25 °С напрежението емитер база има стойност

UBE = 0,6 V. Какво ще бъде това напрежение при t = 80 °С акo IE=const?

U BE(t) = U BE(25) - ε.∆ t

U BE(t) = 0,6 – 0,002.(80−25) = 0,49V

На фиг. 15б) е показано влиянието на температурата върху изходните

характеристики при схема ОБ. Тук при нарастване на температурата
характеристиките се отместват нагоре. Обаче това отместване е твърде малко
дори в широк температурен интервал.

Фигура 15
Влиянието на температурата върху входните характеристики при схема
ОЕ на силициев транзистор е показано на фиг. 16а. При нарастване на
температурата те също се отместват наляво средно с 2 mV/°С. При схема ОЕ

18
температурата влияе и върху изходните характеристики на транзисторите, като
при неизменен базов ток ги отмества нагоре.

Фигура 16
Теорията и практиката показват, че това отместване при схема ОЕ е по-
голямо, отколкото при схема ОБ. Ето защо температурната стабилност на
схема ОЕ е по-лоша, отколкото тази на схема ОБ. Това е причина за на-
лагането на специални мерки за температурна стабилизация на реалните
усилни стъпала.
По принцип с намаляване на температурата намаляват и обратните
токове на транзистора, т.е. подобряла се температурната стабилност. Също
така при по-ниски температури условията за охлаждане стават по-
благоприятни. Освен това в този случай намалява интензитетът на собствените
шумове в транзистора, което е особено важно при усилване на слаби сигнали.
Едновременно с това при понижаване на температурата усилвателните
качества на биполярните транзистори започват да се влошават, тъй като
стойността на коефициента β започва да намалява. Причината за това е, че с
понижаване на температурата все по-голяма част от примесните атоми не са
йонизирани. А именно тези атоми определят концентрацията, съответно
електрическата проводимост на полупроводника. Практиката показва, че най-
ниската температура, при която биполярните транзистори могат с успех да се
използват като усилвателни прибори, е от -50°С до -60°С, след което
усилвателните им качества започват силно да се влошават.

19