Изпит по материалознание

1. Полярните полимерни диелектрици имат:

a) Симетрична структурна формула
b) Структурната формула не влияе върху полярността на материала
c) Несиметрична структурна формула

2. Каква е зависимостта на специфичното съпротивление от температурата ρ=f(T):

a) Синусоидална
b) Линейна
c) Експоненциална

3. Електроизолационните лакове са материали, които служат за защита от:

a) Атмосферното налягане
b) Влажността на околната среда
c) Околната температура

4. Активните загуби в диелектричен материал са пропорционални на:

a) Капацитета на образеца
b) Индуктивността на образеца
c) Намагнитването на образеца

5. В чистия полупроводников кристал при температура Т = 0К:

a) Има свободни йони
b) Няма свободни токоносители
c) Има свободни електрони

6. Проводниците са материали, който:

a) Имат широка забранена зона (> 3eV)
b) Имат тясна забранена зона (oт 0 до 3eV)
c) Нямат забранена зона (около 0eV)

7. При работа на резистора в импулсен режим, при който през резистора преминават къси
периодично повтарящи се токови импулси:
a) Мощността на импулса не може да превишава номиналната мощност на резистора
b) Мощността на импулса трябва да е равна на номиналната мощност на резистора
c) Мощността на импулса може да превишава номиналната мощност на резистора

8. Капацитетът е обратнопропорционален на:

a) Повърхността на взаимно припокриване на двата електрода
b) Диелектричната проницаемост
c) Дебелината на диелектрика

9. Йонната поляризация се осъществява:

a) За кратко време със загуби на енергия
b) За кратко време без загуби на енергия
c) Бавно без загуби на енергия
d) Бавно със загуби на енергия

10. Граничен хистерезисен цикъл се нарича:

a) Хистерезисен цикъл, при който процесите на намагнитване са необратими
b) Хистерезисен цикъл, при който е достигнато насищане
c) Хистерезисен цикъл, от който се определя началната магнитна проницаемост

11. Областта на насищане от кривата на първоначално намагнитване се достига при много силни
магнитни полета и се характеризира с това, че:
a) Започва увеличаване на размерите на домените, които имат магнитен момент по посока
на полето
b) Векторите на магнитните моменти на всички домени са ориентирани по посока на полето
c) Започва ориентиране на векторите на магнитните моменти на домените по посока на
полето
12. За да може електронът да премине от валентната в свободната зона е необходимо:
a) Той да придобие достатъчно енергия и да преодолее забранената зона
b) Да се освободят енергетични нива в забранената зона
c) Да се намали температурата на полупроводниковия кристал

13. Електронната поляризация се осъществява:

a) За кратко време със загуби на енергия
b) Бавно без загуби на енергия
c) За кратко време без загуби на енергия
d) Бавно със загуби на енергия

14. Р-проводимостта в полупроводниците с акцепторни примеси се дефинира като:

a) Насочено движение на свободните електрони и на „дупките“
b) Насочено движение на „дупките“
c) Насочено движение на свободните електрони

15. Поляризацията е пропорционална на:

a) Интензитета на светлината
b) Интензитета на електрическото поле
c) Интензитета на магнитното поле

16. Капацитетът е правопропорционален на:

a) Диелектричната проницаемост и повърхнината на взаимно припокриване на двата
електрода
b) Диелектричната проницаемост и дебелината на диелектрика
c) Повърхността на взаимно припокриване на двата електрода и дебелината на
диелектрика

17. Ъгълът на диелектричните загуби представлява:

a) Фазовият ъгъл между тока и напрежението в капацитивна верига
b) Ъгълът, допълващ до 90° фазовият ъгъл между тока и напрежението в капацитивна
верига
c) Ъгълът, на който се завъртат диполите по време на поляризация
d) Ъгълът, допълващ до 90°, на който се завъртат диполите по време на поляризация

18. Кои течности имат най-висока проводимост:

a) Полярните
b) Неполярните
c) Електропроводимостта не зависи от полярността на материала

19. Изпитвателно напрежение на кондензатора е винаги:

a) Равно на номиналното напрежение
b) По-голямо от номиналното напрежение
c) По-малко от номиналното напрежение

20. Основните токоносители в акцепторните полупроводници са:

a) Валентни електрони
b) „дупки“
c) Свободни електрони
21. Магнитнотвъдите материали имат голяма енергия, поради което:
a) Лесно се намагнитват
b) Запазват намагнитеното си състояние дълго време
c) Лесно се размагнитват

22. Подвижността на свободните електрони в металите е правопропорционална на:

a) Дължините на вълните на електроните
b) Скоростта на топлинно движение на електроните
c) Средният свободен пробег на електроните

23. Основните свойства на кондензаторите са:

a) Да променят линейно съпротивлението си при промяна на температурата
b) Да пропускат постоянен и не пропускат променлив ток
 c) Да не пропускат постоянен и пропускат променлив ток
24. В течни диелектрици изградени от неполярни молекули се проявява:
a) Само диполна поляризация
b) Само йонна поляризация
c) Само електронна поляризация

25. Като диелектрик между електродите на кондензаторите се използват:

a) Метали и сплави
b) Високочестотни ферити
c) Слюда, керамика и стъкло

26. Резисторите се разделят на слойни, обемни и жични според:

a) Конструктивното изпълнение на изводите им
b) Конструктивното изпълнение на токопровеждащия елемент
c) Защитата на резистора от въздействие на околната среда

27. Параметрите на постоянните резистори са:

a) Функционална характеристика
b) Номинално съпротивление и толеранс
c) Времеконстанта

28. Йонизационните загуби в диелектричен материал са пропорционални на:

a) Честотата на приложеното напрежение
b) Силата на триене между йонизираните частици
c) Силата на приложения ток

29. Относителната магнитна проницаемост е правопропорционална на:

a) Интензитета на магнитното поле
b) Магнитната индукция
c) Магнитната константа

30. Полупроводникови резистори, чието съпротивление зависи от осветеността се наричат:

a) Варистори
b) Термистори
c) Фоторезистори
31. Магнитната индукция е правопропорционална на:
a) Относителна магнитна проницаемост
b) Относителна диелектрична проницаемост
c) Подвижност на зарядите

32. Параметърът, който в най-голяма степен определя възможността на полупроводниковия

материал да работи във високочестотно поле е:
a) Подвижност на токоносителите
b) Температура на топене
c) Специфично съпротивление

33. Общият магнитен момент на магнитен материал при отсъствие на външно магнитно поле е:
a) Нула, тъй като доменните области имат еднакви размери и магнитните им моменти се
компенсират взаимно
b) По-голям от нула тъй като магнитните моменти на всички доменни области са
еднопосочно ориентирани
c) По-малък от нула тъй като магнитните моменти на всички доменни области са
еднопосочно ориентирани

34. В твърди диелектрици изградени от неполярни молекули се проявява:

a) Само диполна поляризация
b) Само електронна поляризация
c) Само йонна поляризация

35. Полупроводниците са материали, които:

a) Нямат забранена зона (около 0eV)
b) Имат широка забранена зона (> 3eV)
 c) Имат тясна забранена зона (от 0eV до 3eV)
36. При Т = 0К нивото на Ферми е:
a) Най-ниското заето енергетично ниво
b) Най-ниското свободно енергетично ниво
c) Най-високото заето енергетично ниво

37. Съпротивлението е обратнопропорционално на:

a) Специфичното съпротивление на токопровеждащия елемент
b) Дължината на токопровеждащия елемент
c) Площта на напречното сечение на токопровеждащия елемент

38. При газообразни диелектрици основно значение има:

a) Йонна поляризация
b) Диполна поляризация
c) Електронна поляризация

39. Специфичната електропроводимост е пропорционална на:

a) Подвижността на токоносителите
b) Магнитната проницаемост
c) Броят на валентните електрони

40. Ако диелектрик без загуби поставен между два електрода (идеален кондензатор) се включи в
електрическа верига то той ще:
a) Ограничава протичането на постоянен и на променлив ток
b) Ограничава протичането на постоянен, но не и на променлив ток
c) Ограничава протичането на променлив, но не и на постоянен ток

41. Неполярните полимерни диелектрици имат:

a) Несиметрична структурна формула
b) Структурната формула не влияе на полярността на материала
c) Симетрична структурна формула

42. За примесни полупроводници от донорен тип е в сила съотношението:

a) n=p
b) n<p
c) n>p
43. Ако енергията на сигнала на изхода на елемента е по-голяма от енергията на входа (елементът
усилва), той е:
a) Активен
b) Линеен
c) Пасивен
d) Нелинеен

44. Силиция се използва в производството на:

a) Транзистори и диоди
b) Сигнални трансформатори
c) Резистори и кондензатори

45. Полупроводникови резистори, които изменят силно съпротивлението си при промяна на

температурата се наричат:
a) Варистори
b) Фоторезистори
c) Термистори

46. Поляризацията е пропорционална на:

a) Броят на дупките в единица обем
b) Броят на атомите в единица обем
c) Броят на примесите в единица обем

47. При контакт между два метала с различно ниво на Ферми започва преминаването на електрони
от:
a) Метала с по-ниско ниво на Ферми към метала с по-високо ниво на Ферми
 b) Не е свързано с нивото на Ферми
c) Метала с по-високо ниво на Ферми към метала с по-ниско ниво на Ферми
48. Диелектричната якост на течни диелектрици е:
a) Еднаква с тази на газообразните диелектрични материали
b) По-малка от диелектричната якост на газовете
c) По-голяма от диелектричната якост ма газовете

49. Номиналната мощност на резистора е правопропорционална на:

a) Квадрата на съпротивлението и тока
b) Квадрата на напрежението и съпротивлението
c) Квадрата на тока и съпротивлението

50. Параметрите на постоянните кондензатори са:

a) Номинален капацитет и толеранс
b) Функционална характеристика
c) Номинално съпротивление и толеранс

51. Ако единият край на метален проводник е с по-висока температура от другия, то:
a) Топлият край се обогатява с електрони и се зарежда отрицателно
b) Студеният край обеднява на електрони и се зарежда положително
c) Топлият край обеднява на електрони

52. Кои от изброените електронни градивни елементи са пасивни?

a) Кондензатори
b) Диоди
c) Транзистори

53. Магнитните материали се разделят на магнитномеки и магнитнотвърди в зависимост от:

a) Точката им на Кюри
b) Магнитната енергия
c) Механичната им твърдост
d) Температурата им на топене

54. Съпротивлението е правопропорционално на:

a) Специфичната маса на токопровеждащия елемент
b) Специфичнато съпротивление на токопровеждащия елемент
c) Специфичната плътност на токопровеждащия елемент

55. При Т = 0К нивото на Ферми е онова енергетично ниво, вероятността за заемането на което P(W)
e:
a) P(W) = 0.5
b) P(W) = 0
c) P(W) = 0.7

56. При обратно свързване на електролитните кондензатори:

a) Дебелината на оксидния слой се увеличава и капацитетът на кондензатора се увеличава
b) Оксидния слой се разгражда и кондензатора се разрушава
c) Дебелината на оксидния слой се увеличава и капацитетът на кондензатора намалява

57. Загубите от вихрови токове са обратнопропорционални на:

a) Специфичната топлина
b) Специфичното съпротивление
c) Специфичното налягане

58. Как се променя вероятността за генериране на свободни електрони с промяна на температурата

на полупроводниците P(W) = f(T):
a) По линеен закон
b) По синусоидален закон
c) По експоненциален закон

59. С увеличаване на температурата специфичното съпротивление на чистите метали:

a) Не се променя
 b) Намалява
c) Нараства
60. При диполна поляризация локалното електрически поле:
a) Не влияе на поляризацията на постоянните диполи
b) Затруднява поляризацията на постоянните диполи
c) Подпомага поляризацията на постоянните диполи

61. N-проводимостта в полупроводниците с донорни примеси се дефинира като:

a) Насочено движение на велентните електрони
b) Насочено движение на „дупките“
c) Насочено движение на свободните електрони

62. Процесът на намагнитване при прилагане на външно магнитно поле с голям интензитет е:
a) Необратим, поради преодоляването на всевъзможни дефекти в кристалите при
преместването на границите на домените
b) Необратим, поради ориентирането на векторите на магнитните моменти на всички
домени по посока на полето
c) Обратим

63. При газообразни диелектрици основно значение има:

a) Електронната поляризация
b) Йонната поляризация
c) Диполната поляризация

64. Изолационното съпротивление е обратнопропорционално на:

a) Утечния ток
b) Напрежението
c) Капацитетът

65. Неорганичните изолаторни диелектрици притежават:

a) Малка относителна диелектрична проницаемост
b) Голяма относителна диелектрична проницаемост
c) Стойността на диелектричната проницаемост не е от значение

66. Кои течности имат най-висока проводимост:

a) Електропроводимостта не зависи от полярността на материала
b) Полярните
c) Неполярните

67. При електрически пробив в твърди диелектрици, ако електрическото поле и структурата на
образеца са еднородни пробивното напрежение е:
a) Линейна функция на площта на електродите на образеца
b) Не зависи от геометричните размери на образеца
c) Линейна функция на дебелината на образеца

68. Активните загуби в диелектричен материал са пропорционални на:

a) Ъгловата скорост на зарядите
b) Кръговата честота на приложеното напрежение
c) Енергията на дисоциация на йоните

69. Основните токоносители в донорните полупроводници са:

a) Валентни електрони
b) „дупки“
c) Свободни електрони

70. След премахване на въздействието на електрическото поле газообразните диелектрици:

a) Проявяват проводникови свойства
b) Не възстановяват диелектричните си свойства т.е. пробивът в тях е необратим процес
c) Възстановяват диелектричните си свойства т.е. пробивът в тях е обратим процес

71. Ако се приложи електрическо поле между два паралелни електрода във вакуум, то:
a) Между тях ще се придвижат свободни електрони
 b) Върху тях ще се натрупа електрически заряд
c) Между тях ще се придвижат свободни йони
72. Загубите при диполна поляризация са:
a) По-големи от тези при електронната и йонната
b) По-малки от тези при електронната и йонната
c) Практически еднакви

73. За изработването на токопровеждащия елемент на разистора се използват:

a) Високочестотни ферити
b) Пиролитичен въглерод
c) Полистирол и поликарбонат

74. Величината тангенс на ъгъла на диелектричните загуби отразява загубите на енергия, появили се
в резултат от въздействието на:
a) Променливо електрическо поле
b) Не се влияят от вида на електрическото поле
c) Постоянно електрическо поле

75. Основните свойства на металите и сплавите използвани за припои са:

a) Висока температура на топене
b) Малко тегло
c) Ниска температура на топене

76. Относителната диелектрична проницаемост при електронната поляризация има стойност:

a) По-малка от 1
b) По-голяма от 50
c) По-малка от 5
d) По-голяма от 500

77. Магнитномеките материали имат:

a) Малка магнитна проницаемост
b) Хистерезисен цикъл с голяма площ
c) Хистерезисен цикъл с малка площ
d) Голям корцесивен интензитет

78. Концентрацията на електроните в донорните полупроводници зависи от:

a) Плътността на енергийните състояния във валентната зона
b) Плътността на енергийните състояния в свободната зона
c) Плътността на диполите в двете зони

79. Относителната диелектрична проницаемост на материалите винаги е:

a) Равна на 1
b) По-малка от 1
c) По-голяма от 1
d) По-малка от 0

80. Основното свойство на благородните метали, определящо приложението им в електронните

апаратури е:
a) Имат ниско специфично съпротивление
b) Имат висока топлопроводимост
c) Имат малко тегло

81. Неутралните флюсове (обикновено на основата на колфон) се използват за:

a) Получаване на окисен слой по време на запояването
b) Понижаване на температурата на топене
c) За почистване и предпазване от оксидиране на запояващите повърхности