逢甲大學普通物理中文導讀 單元十二

單元十二：電容
12-1 電容之定義與例子
z 電容器(capacitor)：一種可儲存電荷的電路元件。通常來說，電容器所能儲存的電荷量是
和元件端電壓成正比，因此我們可以據此來定義電容器的『容量』 （電容值）。
Q Coulomb
z 電容值(capacitance)： C ≡ （均取正）， 單位： ≡ F （法拉）。
ΔV Volt
z 例子一：平行板電容
考慮一電容是由兩間隔 d 的平行金屬板所組成，且兩金屬版面積為 A（參考圖一）
。在忽
略金屬板本身的厚度以及金屬板邊緣的邊界效應下，若兩金屬板分別帶有 Q 的電量與- Q
的電量，則板上之電荷密度 σ 為
Q
， σ= (1)
A
而兩平行板間的靜電場強度我們已經知道，為（請參考『電場』部分之說明）：
σ Q
E=
= ， (2)
ε0 ε0 A
其中 ε 0 為真空之電容率(permittivity)，值為。因此兩平板間之電位差為：
Qd
ΔV = Ed = 。 (3)
ε0 A
根據電容之定義，我們可以算出平行板電容之電容值為：
Q Q ε A
C= = = 0 (4)
ΔV Qd ε 0 A d

d
－Q
a b
Q
＋Q －Q

A
l

(圖一) (圖二)
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z 例子二：圓柱型電容
考慮一電容是由一高度 l ，半徑 a 的金屬圓柱與高度 l ，半徑 b 的金屬圓桶組成（參考圖
二）。若金屬圓柱與圓桶分別帶有 Q 的電量與- Q 的電量，在忽略圓桶本身的厚度以及上
下邊界效應下，我們可以計算空間中的靜電場分佈（請參考『電場』部分之說明）：
E=0 for r < a
2k λ
= e for a < r < b (5)
r
=0 for r > b
其中 r 為距離圓柱圓心之垂直距離； ke = 1/ (4πε 0 ) ； λ = Q / l ，為線電荷密度。因此，我
們可以算出圓柱與圓桶間的電位差：
b
r r b
ΔV = Vb − Va = − ∫ E ⋅ ds = − ∫ Er dr
a a
b
1
= −2ke λ ∫ dr (6)
a
r
b
= −2ke λ ln( )
a
根據電容之定義，我們可以算出平行板電容之電容值為：
Q Q l
C= = = (7)
ΔV 2k Q ln( b ) 2k ln( b )
e e
l a a

z 例題一：一電容充電至 780nC 時，電位差為 31V ，則此電容之電容值為多少？

Q
答：根據電容值之定義， C ≡
ΔV
780 nC
因此代入 Q = 780nC ， ΔV = 31V 可得到 C = = 25 nF
31V
*注意 n 為 nano 之縮寫，表示 10-9
*Q 為電容兩電極中其中一電極之電量。以此例中電容之正極累積了 780nC 的正電
荷，而負極累積了- 780nC 的負電荷。在計算中我們一律取正。

z 例題二：一矩形平行板電容，其平板之長為 0.45m ，寬為 0.15m ，兩板之間距為 0.36mm 。

當兩板間之電位差為 19V 時，每一平板帶電若干？此電容之電容值為若干？

答：根據題意我們處理的是平行板電容，因此可以直接使用(1)~(4)式。
第一個問題問得是電位差與電量間的關係，因此我們可以使用第(3)式：
ε 0 AΔV (8.854 ×10−12 C 2 / N ⋅ m 2 )(0.45m × 0.15m)(19V )
Q= =
d (0.36mm)
∴ Q = 32 nC

第二個問題是問電容值，而電容值和電位差無關，僅和幾何形狀有關，故我們使
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ε 0 A (8.854 ×10−12 C 2 / N ⋅ m2 )(0.45m × 0.15m)

用(4)式： C =
= = 1.7 nF
d 0.36mm
注意由上一小題已經算出 19V 下電容儲存之電量，故本小題亦可直接以電容之定義算出：
Q 32nC
C= = = 1.7 nF
ΔV 19V

12-2 介電質(Dielectrics)的影響
在上述的兩個例子中，我們都是假設電極與電極間是真空的。如例子一中，兩平行金屬
板間是沒有任何東西的。若我們以電壓為 V0 的電池接在電容兩端時，在平衡狀態下電容
所儲存的電量為 Q0 。根據電容值的定義，此電容的電容值為：
Q0
C= (8)
V0
另一方面，若我們在兩平行金屬板間填充一些稱為介電質的非導體介質（為何不能是導
體？），我們發現以同樣的電池接在電容上時，在平衡狀態下電容所儲存的電量變為
Q = κ Q0 。因此電容的電容值變為：
Q κ Q0
C′ = = = κC 。 (9)
V0 V0
換句話說，電容值變成了原本的 κ 倍。κ 稱為介電係數(dielectric constant)，對一般的介電
質來說 κ > 1 。因此當平行板電容中間填充介電質時，可以將電容的電容值提昇 κ 倍。最
後根據(4)式與(9)式，我們可以寫出包含介電質之平行板電容公式：
ε0 A
C′ = κ (10)
d
由此式我們可以清楚的看出若要增加電容器的容值，我們可以(1)增加有效面積 A (2) 減
少平行板之間距 d，以及 (3)填充具有高介電係數之介電質。然而方法(1)與(2)各有其缺
點，因此方法(3)為調整電容器容值最有效的方法。

z 例題三：一矩形平行板電容，其平板之長為 0.45m ，寬為 0.15m ，兩板之間距為 0.36mm ，

且平板間填入介電常數為 7.5 之介電質。當兩板間之電位差為 19V 時，每一平板帶電若
干？此電容之電容值為若干？

答：本題和例題二之差別在於電容填充了介電質。因此可以從例題二之答案算出：
Q′ = κ Q = 7.5 × 32 nC = 240 nC
C ′ = κ C = 7.5 × 1.7 nF = 13 nF
若我們沒有例題二之答案，我們也可根據(10)式和(8)式直接算出：
ε0 A (8.854 ×10−12 C 2 / N ⋅ m 2 )(0.45m × 0.15m)
C′ = κ = 7.5 × = 12.75 nF ≈ 13 nF
d 0.36mm
Q′ = C ′ΔV = 12.75 nF × 19V ≈ 240V
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12-3 電容的串聯與並聯
z 電容並聯
考慮兩電容（ C1 與 C2 ）和一直流電源並聯，如圖三所示。我們希望找出此兩電容之等效

電容 Ceq 。根據電容之定義，等效電容在同樣電源下所儲存的電量應和兩電容儲存的電量

和一樣，即

Ceq ΔV = C1ΔV + C2 ΔV (11)

因此我們可以得到電容並聯時的等效電容公式：

Ceq = C1 + C2 (12)

z 電容串聯
考慮兩電容（ C1 與 C2 ）和一直流電源串聯，如圖四所示。我們希望找出此兩電容之等效
電容。由於電容之結構中間是不導電的，因此我們可以推斷兩串聯電容上累積（儲存）
的電荷量應該要一樣。另一方面，等效電容兩端之壓降亦應等於兩串聯電容最左右兩端
之壓降，
ΔV = ΔV1 + ΔV2 (13)
代入電容關係式，得到
Q Q Q
= + ， (14)
Ceq C1 C2
所以我們可以得到電容串聯時的等效電容公式：
1 1 1
= + (15)
Ceq C1 C2

C1

ΔV1 ΔV2
C2

C1 C2
ΔV ΔV

(圖三) (圖四)
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z 例題四：兩電容器 C1 = 12 μF ； C 2 = 6 μF 。當其串聯時則其總電容為多少 μF ？當其並

聯時則其總電容為多少 μF ？

答：根據式子(15)，電容串聯時
1 1 1 1 1 1
= + = + = ∴ Ceq = 4 μ F
Ceq C1 C2 12 μ F 6 μ F 4 μ F

根據式子(12)，電容並聯時

Ceq = C1 + C2 = 12 μ F + 6 μ F = 18 μ F ∴ Ceq = 18 μ F

12-4 帶電電容所含的電能
電容是一種儲存電荷的元件。而電荷的累積需要作功，因此我們也可把電容視為一種儲存
電位能的元件。而儲存於其上的總電位能有多少呢？同樣以平行板電容為例，我們發現要
移動電荷需要克服電力，因此外力所需要作的功為：
q
dW = ΔVdq = dq (16)
C
因此一電容在儲存電荷過程中所累積的總電位能為外力所作的總功：
Q
q Q2 1
U=W= ∫ dW= ∫ dq = = C (ΔV ) 2 (17)
0
C 2C 2

由(17)式可以發現電容所儲存之電能僅和電容之容值以及端電壓有關。事實上，(17)式的
積分結果亦適用在任意形式的電容器上，並不限於平行板電容。對於平行板電容來說，我
們還可以利用(3)式與(4)式進一步的把(17)式整理成：
1 ε0 A 1
( Ed ) = ε 0 ( Ad ) E 2
U=
2
(18)
2 d 2
因此在電容中的能量密度（單位體積的能量）為：
U 1
= ε0 E2 (19)
( Ad ) 2
我們可以注意到電容中的能量密度是和電場的強度平方為正比。我們也可以這樣解釋：能
量是以電場的形式儲存在電容中的。再一次的，(19)式並不侷限於平行板電容中才成立，
在其他形式的電容中甚至在非電容中，也是成立的。

z 例題五：某電容當電位差為 100V 時，電能為 1mJ ，若此電容之電位差為 200V 時，電能

較原值增加多少？

答：根據式子(17)，電位能和電位差平方成正比，即 U1 : U 2 = ΔV12 : ΔV22 。

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因此我們可以得到 1 mJ : U 2 = (100 V ) 2 : (200 V ) 2 = 1: 4

∴U 2 = 4 mJ
因此電能增加量為 U 2 − U1 = 3 mJ