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5電晶體偏壓電路

<Transistors Bias Circuits>


分壓器偏差Voltage-Divider Bias)
使用單獨的直流電源VBB,提供基極與射極接面的
偏壓,是為了方便說明電晶體的工作情形,因為它
的變動情形與VCC無關,更實用的方法即使用單電
壓源如圖5-9所示。經由設計,使此分壓偏壓電路
之基極電流<<I2,則因可忽略基極電流的負載影
響,故分壓電路易於分析。這個IB<<I2的分壓電路,稱為
剛性分壓器(stiff vol~ divider),因基極電壓值與電晶體種
類、溫度幾乎不相關。
要分析IB小於I2的分壓器,先利用未負載分
壓公式計算基極電壓:
 R2 
公式5-1 V B   V CC

 R1  R 2 

知道基極電壓以後,可以算出電路的各
個電壓與電流如下:
公式5-2 V E  V B  V BE

VE
公式5-3 IC  I E 
RE

公式5-4 V C  V CC  I C R C
算出VC與VE後可求VCE: VCE=VC-VE
例 βDC=100,試求BJT剛性分壓器偏
壓電路的VCE和IC。
解  R   5 .6 K  
V B   2
V CC  
 10 V  3 . 59 V
 R1  R 2   15 . 6 K  

V E  V B  V BE  3 . 59 V  0 . 7V
 2 . 89 V
VE 2 . 89 V
IE    5 . 16 mA
RE 560 

I C  I E  5 . 16 mA

So, V C  V CC  I C R C  10 V  5 . 16 mA 1 . 0 K    4 . 84 V

s .t .V CE  V C  V E  4 . 84 V  2 . 89 V  1 . 95 V
大部分之分壓電路計算都會用到例題5-2的基本分析方法,但
可能會有些情況需要精確的分析運算。理想情況下,分壓器的
輸出是固定不變的,這代表電晶體不會是沉重的負載。….(略)
要驗證分壓器是否有固定輸出,必須檢查從B極端看進去的DC
輸入阻抗:

圖5-11
分壓器偏壓的負載效應(Loading Effects of Voltage-
Divider Bias)
BJT基極的直流輸入電阻: BJT的直流 輸入阻抗與
βDC成正比,所以會隨著 不同的電晶體而改變。當
電晶體工作 於線性區時,射極電流為βDCIB。因 BJT
的電流增益,從基極電路看進去 的射極電阻值較實
際值多βDC倍。 即 RIN(BASE)= βDCRE 此為分壓器的
有效負載,如圖5-11。 藉比較βDCRE和R2,可很快
估算出分壓器的負載效應。只要βDCRE比R2至少大十
倍,負載效應將≦10%,此分壓器為剛 性分壓器。
如果βDCRE小於十倍的R2,則它將與R2形成並聯
例 試求圖5-12電晶體中從基
極看進去的輸入阻抗。假設
βDC=125。

解 RIN(BASE) = βDCRE = (125)(1.0kΩ)


= 125kΩ
分壓器偏壓的穩定度(Stability of Voltage-Divider
Bias)
茲分析BJT分壓器偏壓電路對基極電路的負載效應。從
BJT B極端往外看,可將圖5-13(a)重繪成(b)圖。將戴維
寧定理 套用到圖中A點左邊的電路。則

R TH  R1 R 2 /( R1  R 2 )  R2 
V TH 
  V CC

 R1  R 2 
此BJT基極分壓器偏壓電路的戴維寧等效電路,顯示於圖
5-13(c) 中的黃灰色區域。依照克希荷夫電壓定律,基極-射極
等效電路為: V V V V  0
TH R TH BE RE

由歐姆定律,求得
V TH  I B R TH  V BE  I E R E

將IB以IE/βDC代入,
V TH  I E  R E  R TH  DC   V BE

求得IE為 I  VTH  V BE
R E  RTH  DC
E
VTH  V BE
IE 
R E  RTH  DC

若RTH/βDC<<RE,則結果與無負載(指
不考慮RTH)之分壓器相同。
由於分壓器偏壓方法僅使用單電壓源,
且偏壓穩定性高,因而廣受歡迎普遍採
用。
基極偏壓(Base Bias)
此偏壓方式常見於開關電路中,如圖5-20。
直接根據βDC來分析此電路線性區的情形
V CC  V R B  V BE  0

V CC  I B R B  V BE  0

整理後求得 I B  (V CC  V BE ) / R B

集極電路上,可得下述方程式:

V CC  I C R C  V CE  0
例 試計算圖5-24電路的Q-點值(IC和VCE)。

解 運用公式5-11。
V CC  V BE 10 V  0 . 7V
IC  
R C  R B  DC 10 k   180 k  100
 788  A

運用公式5-12,集極對射極電壓為

V CE  V CC  I C R C  10 V  788  A 10 k    2 . 12 V
第6章

BJT放大器
6-1 放大器的工作原理
DC數值以大寫字母作為下標表示,如IC、IE、 VC、VCE
等。斜體小寫字母作為下標則用來表示交流數值的有效
值、峰值及峰對峰值等,如I
e
I
c、Ie、Vc 、Vce等。在本書
中,若未特別註明,交流數值都是有效值。瞬間變化的
b
I

數值則字母及下標都以小寫方式標示。


除電壓及電流,在交流及直流分析電路中,電阻也會呈
現不同的數值。其中小寫下標用來表示交流電阻值。例
如,Rc表示集極交流電阻,RC則表示集極值流電阻。在
往後的章節,我們將發現這種區別是必要的。而電晶體
的內部電阻則以”′”(prime)來代表其為內部電阻,並以
小寫字母r表示其為交流阻抗。例如交流設極內部電阻以

r ' e 表示 .
(1)線性放大器可使信號毫無失真地
放大,故輸出信號即為放大後的輸入
信號。
(2)以分壓器偏壓的BJT電路,其中交
流正弦波信號是透過C1電容耦合到
BJT基極。
(3)負載則是透過C2電容耦合到電
晶體集極。
(4)耦合電容器能阻隔直流,故使信
號源內阻與負載電阻不影響電晶體基
極與集極的直流偏壓結果。
(5)但電容器對ac信號則可視為短路。
故信號源正弦電壓會使BJT之VB在
DC位準上下以正弦波方式變動,經
BJT的增益作用,IB變動會引起較大
的IC變動。
(6)當集極的正弦電流增加,集極電
壓將減少。另一方面,ICQ在Q點附
近的變化與基極電流的變化為同相。
(7)由(5) (6)知在Q點上下變動的Vce 與Vs呈
現180 度 反相。故BJT的基極與集極電壓永遠
反相。
圖6-3集極特性曲線分析:基極的正弦波電壓透過交
流負載線,使得基極電流Q點上下變動,如圖中箭
頭所示。
從Ib的峰值向左邊IC軸作垂線,向下
方的VCE軸作垂線,可分別顯示出Ic
和Vce的峰對峰值變動情形。交流分
析電路中的集極電阻是RL並聯RC,
故交流負載線與直流負載線不同。
基極交流電阻rb′值很小,故一般
可視為短路 。集極交流電阻rc′約
為數百k,通常可視為開路。結論:
r參數等效電路圖6-5(a)可以簡化成
圖(b)。
以BJT交流操作情形來說明此模型:射極端與基極
端之間出現電阻re′。這是從順向偏壓BJT的射極”
看進去”的阻抗值。而BJT的集極可視為一個相依
電流源,其值如圖6-6 ,以菱形表示。
分析放大器電路時,交流射極電阻r′e可說是r參數中最
重要的參數。可使用公式6-1以求出r′e的近似值,其值
與溫度有關。在此係以環境溫度為20∘C的條件而推得:
25 mV
r 'e     ( 6  1)
IE
當溫度較高,或BJT的pn接面變化比較平緩(而不陡峭)
之時,上式的分子將變大。這些情況會產生稍微不同
的結果,故大部分的電路設計並不會受re’的影響而產
生重大改變,一般而言下,使用(6-1)式所得到的結果,
會與實際電路相當吻合。其推導參見附錄B。
旁路電容C2可在訊號頻率下,將射極與地端之間予
以短路,故在射極端上並沒有任何訊號。另共射極乃
針對交流操作而言
直流分析
要分析圖6-8的放大器,首先必須
求出決定直流偏壓值。想完成這項
工作,則刪去旁路電容耦合電容後
可得到直流等效電路,因為當直流
偏壓加入時,此兩種電容器會呈現
開路。同時也將負載電組與信號移
除。直流等效電路如圖6-9所示。
R IN ( BASE )   DC R E

 (150 )( 560  )  84 k 

上式為基極輸入阻抗,因其值>10R2,故可用無負載分壓
器近似值來計算各電氣量。直流偏壓為

 R2 
V B   V CC

 R1  R 2 
 6 .8 k  
 12 V  2 . 83 V
 28 . 8 k  

V E  V B  V BE
 2 . 83 V  0 . 7 V  2 . 13 V
 6 .8 k 
VB   12 V  2 . 83 V
 22 k  6 . 2 k 
V E  2 . 83 V  0 . 7 V  2 . 13 V

VE 2 . 13 V
IE    3 . 80 mA
RE 560 
V C  12 V  3 . 80 mA 1 . 0 k 
 12 V  3 . 80 V  8 . 20 V
V CE  8 . 20 V  2 . 13 V  6 . 07 V
交流分析:分析放大器的交流信號工
作情形,須先取得交流等效電路:
(1)設C1,C2,C3之容抗值Xc在信號頻
率下夠低而視為0 。(2)設直流電壓源
無內阻,故其兩端無ac壓差,而以接地
取代(此稱ac接地)。

圖 6-10(a)
圖6-8共射極放大器的ac等效電路圖
如6-10(a)所示。圖中R1,R2都有一端
交流接地(紅色),此因實際電路中,
它們都是接到Vcc,但Vcc在分析中已
被交流接地了。因旁路電容C3使得
射極交流接地,所以圖6-8的放大器
稱為共射極放大器.
若信號源內部電阻Rs不為零,則計算基
極實際信號電壓時,必須考慮三個因素
(1)Rs (2)偏壓電阻R1|| R2
(3)BJT基極端的交流輸入阻抗Rin(base)

R in ( tot )  R 1 R 2 R in ( base ) ;

 R in ( tot )  圖 6-11(a)
Vb   V
 R  R  s
 s in ( tot ) 
圖 6-11

R in ( tot )  R 1 R 2 R in ( base ) ;

V b  [ R in ( tot ) /( R s  R in ( tot ) )]V s


為求交流電源向基極端看進去的交流輸入阻抗表示式,
使用簡化的r參數模型。如圖6-12,電晶體集極連接了RC
而由基極端看進去的輸入阻抗為

V in Vb
R in ( base )  
I in Ib
I e r 'e
   c r 'e
I e /  c
輸出阻抗:共射極放大器往集極看進
去的輸出阻抗,約略等於集極電阻

R out  R C

事實上 , R out  R C r ' c


圖 6-12
但因 r ' c  R C , 故
R out  R C
例:求基極信號電壓,
已知 IE= 3.8 mA

25 m V 25 m V
r'  
e IE 3.8 m A
 6.58  
R   r'
in ( base ) ac e
 160(6.58  )  1.05 k 
1 1 1 1
R  R 1 || R 2 || R (   )  873 
in ( tot ) in ( base ) 22 k 6.8 k 1.05 k
信號源電壓由R 及R 分壓,故
S in ( tot )
873 
V ( )10 m V  7.44 m V
b 300   873 
電壓增益:利用圖6-14的模型,
可求得共射極放大器交流電壓增
益公式。

V out Vc
Av  
V in Vb
I e RC RC
 
I e r 'e r 'e
V out Vc I e RC RC
Av       ( 6 .5 )
V in Vb I e r 'e r 'e

式6-5是從基極到集極的電壓增益。若想取得從信號源
電壓到集極的總增益,必須考慮輸入電路的衰減效應
衰減(Attenuation)是訊號通過電路時,訊號電壓降
低的現象,相對應地,此時增益小於1。舉例,若訊
號振幅少了一半,則衰減率是2,因增益是衰減的倒
數,故可表為0.5的增益。若某訊號源產生了10mV的
輸入訊號,且訊號源內阻與負載所形成的組合,使得
輸出訊號具有2mV的電壓。
若某訊號源產生了10mV的輸入訊號,且訊號源內阻與
負載所形成的組合,使得輸出訊號具有2mV的電壓。在
這種情形下,衰減率是10mV/2mV=5。換而言之,輸入
訊號衰減了5倍。而這個結果可以是用放大增益表示出
來,即1/5=0.2。
放大器從基極到集極的電壓增益是Av
從訊號源到基極的衰減率是Vs/Vb。
此衰減是由訊號源內阻和放大器的總
輸入電阻所造成,故衰減率為

Vs R s  R in ( tot )
 圖6-15
Vb R in ( tot )
放大器的總電壓增益為

Vc
A' v 
Vs
圖6-15
 Vb  V c 
  
 V


 Vs  b 

=衰減率倒數 × 基極到集極的電壓增益。
射極旁路電容對電壓增益的影響 射極旁路電容在交流
信號分析中阻抗為零,讓射極電阻短路,可使射極端交
流接地。進而使放大器的增益達到最大值,而令

A v  R C / r 'e
旁路電容的設計原則是,放大器的最低工作頻率下,旁
路電容的阻抗 XC 必須小於RC的1/10。亦即

10 X C  R E
例:若放大器工作頻率範圍由200Hz
到10kHz,求可作旁路電容之最小C2
值。 10 X  R  C2 E

RE
X C2  
10
1 560 

2  fC 2 10
1
 C2 
2  f  (56  )
1
 C  ( 2   200  56)  14.2  F
2 (m in)

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