第5章 電晶體之直流偏

壓
5-1 直流工作點
5-2 固定偏壓
5-3 分壓偏壓
5-4 回授偏壓

總目錄
5-1 直流工作點
1. 直流工作點
A 點：為零偏壓
（ VCE=0 ， IC=0 ）
，不適合。
位置約在飽和區、
B 點 截止區與最大功率
曲線之間。
可獲得不失真的輸出，是適當的工作點。
C 點：太靠近飽和區和截止區，不適合。
D 點：太接近最高 VCE 處，不適合。
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2. 直流負載線

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(1) 負載線方程式： VCC=ICRC+VCE
 令 IC=0 （即令電晶體截止），則
VCE=VCC=20V
 令 VV CE=0 （即令電晶體飽和），則
20V
IC  CC
  1A  1000mA
R C 20

(2) 直流負載線：於坐標軸上描出 (20V,0) 及

(0,1000mA) 兩點並以直線連接。
VCC
(3) 負載線之斜率 0
y 2  y1 RC 1
m  
x 2  x1 VCC  0 RC
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3. 工作點分別在負載線中間、截止點及飽和點的
工作情形
負載線中間：可得完整最大不失真
的振幅輸出。
工作點 截止點：輸入訊號負半週會進入截
止區而失真。
飽和點：輸入訊號正半週會進入飽
和區而失真。

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4. 改變 RB 、 RC 或 VCC 對 Q 點及直流負載線之影
響

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5-2 固定偏壓
1. 偏壓的設計方法（以 NPN 電晶體為例）
(1) 繪出草圖

(2) JE 設計成順向偏壓， JC 設計成逆向偏壓。

(3) 組合電路

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(4) 含有偏壓電阻 RB 及負載電阻 RC 才可勝
任放 大工作。

(5) VBB 與 VCC 值設計成相等，可共用一組電

壓 源。

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(6) 固定偏壓共射極放大電路（ PNP ）

(7) 電晶體典型各點電壓值（ NPN 型）

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2. 共射極固定偏壓

(1) 輸入迴路
V  VBE VCC
I B  CC ≒
RB RB
(2) 輸出迴路
IC=IB
VCE=VCC ICRC
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(3) 判斷工作點是否屬於作用區
VCC  VCE(sat) VCC
IC(sat)  ≒
RC RC
IC  IC(sat)  作用區
(4) 本偏壓電路不論有否進入飽和區，其 IB 值

幾乎為固定值，故稱固定偏壓。
(5) 電路特性
 穩定性最差。
∵ IB 固定， IC=  IB ，當 T↑ ， ↑，
IC↑ ， Q 點向飽和區移動。
本身無自動降溫功能。 節目錄
(6) 穩定因數 ST
 集極電流 IC 將隨溫度的改變而發生變化。
ICO ：溫度每升高 10°C ， ICO

三個主要因素 增加一倍。
VBE ： 2.5mV/ °C （矽）。
 ：隨溫度之升高而增加。

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  穩定因素 ST 定
I
義 S  S(ICO )  C
ICO β、VBE固定
IC
S'  S(VBE ) 
VBE ICO、β固定
IC
S''  S(β) 
β ICO、VBE固定
 S 在 1 （最佳） ~ 1+ （最差）之間； S'
在 0
（最佳） ~ 1 （最差）之間；而 S'' 則在 0
（最佳） ~ 1 （最差）之間。根據 S 、 S' 、
S''
的定義及求出的值可知，當穩定因數愈大 節目錄
3. 共基極固定偏壓

(1) 輸入迴路
VEE  VBE VEE
IE  ≒
RE RE
(2) 輸出迴路
IC=IE≒IE
VCB=VCCICRC
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(3) 直流負載線
當 IC=0 時， VCB=VCC=20V 。
VCC 20
 當 VCB=0 時， IC=R  5k  4mA。
C

連接這兩點的直線稱之直流負載線。
(4) 直流負載線之斜率
VCC
0
y R C 1
m  
x 0  VCC RC

(5) 集極飽和電流
VCC  (0.6V) VCC  0.6V
IC(sat)  
RC RC
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4. 共集極固定偏壓

(1) 輸入迴路
VCC  VBE ≒ VCC
IB 
R B  (β  1)R E R B  βR E

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(2) 輸出迴路
IE=(1+)IB≒ IB
VE=IERE
VCE=VCCVE
(3) 判斷工作點是否屬於作用區
VCC
I E(sat)  ≒ IC(sat)
RE
若 IE < IE(sat) ，則電晶體工作於作用區。
(4) RE 具有電壓串聯負回授作用，有穩定電
路
功能。

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5-3 分壓偏壓
1. 共射極分壓偏壓

(1) 近似分析
 條件： Rin>>RB2 （ Rin≒(1+ )RE≒ R
E ）
 若 Rin>>RB2 ，則 I1≒I2>>IB

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 基極對地電壓
R B2
VB   VCC
R B1 +R B2
 射極對地電壓
VE  VB  VBE
 射極內的電流
VE
IE 
RE

 輸出迴路
IC≒IE
VRC=ICRC
VC=VCCVRC=VCCICRC
VCE=VCVE=VCCICRCIERE 節目錄
(2) 精確分析

 RB1 和 RB2 的戴維寧等效電阻

R B1  R B2
R BB  R B1 // R B2 
R B1 +R B2
 戴維寧等效電壓
R B2
VBB   VCC
R B1 +R B2

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 輸入電流
VBB  VBE
IB 
R BB +(β+1)R E
 輸出迴路
IC  βI B
VCE  VCC  IC (R C  R E )
 分壓偏壓是溫度變化時，穩定度最佳的偏
壓方法。
 電路特性
A. RE 具有自動降溫功能。
B. 因電晶體  老化，也不會影響工作點。

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2. 共集極分壓偏壓

(1) 戴維寧等效電壓及等效電阻為
R B2
VBB   VCC
R B1  R B2
R B1R B2
R BB  R B1 // R B2 
R B1  R B2
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(2) 依據戴維寧定理可以解得基極電流為
VBB  VBE
IB 
R BB  (β  1)R E
(3) 輸出迴路
IE≒IC= IB
VCE=VCCIERE=VCCVE
(4) 電路特性
 工作點與  無關。
1
 若 BB 10  (1  β)R E
R 

則 RBB 可忽略不計，應用近似解即可。

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5-4 回授偏壓
1. 射極回授偏壓

(1) 功能：為了改善固定偏壓電路的不穩定，
在
射極串接 RE ，作為溫度補償以穩定工作點。
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 (2) 直流負載線
 令 IC=0 ，則 VCE=VCC ，找出 x 軸（橫
軸）的
端點 (VCC,0) 。
VCC
IC 
RC  RE
 令 VCE=0 ，則 VCC
(0, ) 。 ，找出 y 軸
RC  RE
（縱

軸）的端點0  VCC
y 2  y1 R C +R E 1
m  
 連接此兩點之直線即為直流負載線。  
x 2  x1 VCC  0 R C +R E
(3) 負載線之斜率
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(4) 輸入迴路

 VCCIBRBVBEIERE=0
VCC  VBE VCC
 I B  R +(1+β)R ≒ R +βR
B E B E

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(5) 輸出迴路
IC  βI B
VCC  VBE
IC  β 
R B +(1+β)R E
IC≒IE

VCE=VCC － IC(RC+RE)

VE=IERE≒ICRE

VC=VCC － ICRC

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(6) 判斷工作點是否屬於作用區
 VCC ≒ IC(sat) (R C  R E )  VCE(sat) ≒ I C(sat) (R C  R E )
VCC
 IC(sat) ≒
RC  RE
 若 IC < IC(sat) ，則電晶體工作於作用區。
(7) 電路特性
 RE 具有電流串聯負回授功能，可以增加穩
定性。
 若於 RE 兩端並接一電容 CE ，則可以防止
負
回授，以提高電壓增益。

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2. 集極回授偏壓

(1) 功能：利用在集極與基極間加一回授電阻來
改善直流偏壓的穩定性。
(2) 輸入迴路
VCC  I'C R C  I B R1  VBE  0
VCC  VBE VCC
 IB  ≒
R1 +βR C R1  βR C
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(3) 輸出迴路
 VCC － IC'RC － VCE=0
 VCE=VCC － ICRC

(4) 回授電阻 R1 功能
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(5) 改良電路
 兩個回授電阻 RF1 及 RF2 來取代 R1 。

 在 RF1 和 RF2 的連接點加一電容 CD 接地，

以
消除交流訊號對直流偏壓的影響。
(6) 本偏壓方式永遠不會進入飽和區，可以省下
在解題時核對是否在作用區內工作的步驟。

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