第15章基本放大电路

第 14 章半导体器件
14.1 半导体的导电特性
14.2 PN 结及其单向导电性
14.3 二极管
14.4 稳压二极管
14.5 双极型晶体管
14.6 光电器件
1 章目录上一页下一页返回退出

I
二极管的单向导电性
 正向导通
 反向截止
判断二极管的工作状态
O
U  若 U 为正 ( 正偏 ) ，二极管导通
D
 若 UD 为负 ( 反偏 ) ，二极管截止
 导通压降估算为 0.7V( 硅管）；
应用：钳位、稳压；
隔离；
限幅、检波；

IB/A IC/mA
80 4 100 µA
饱
60 和 80µA
UCE≥1V 区 3
60 µA
40
2 40 µA
20
20 µA
1
0 0.4 0.8 UBE/V IB =0
0 3 6 9 12 U /V
截止区CE

   U CC
IC IC  0 IC 
UBC < 0 UBC < 0 UBC > 0 RC
IB + IB = 0 + IB +
+ UCE + UCE  UCC + UCE  0
+ + +
  
UBE > 0 UBE ≤0 UBE > 0
  
(a)放大 (b)截止 (c)饱和
___
IC ΔIC
   
IB ΔIB

基本要求：
1. 掌握二极管的特性曲线及其等效电路；
2. 掌握稳压管的稳压条件。
3. 掌握三极管的结构；
4. 掌握三极管的结构，三极管的输入输出特性，会
进行状态判断。

第 15 章基本放大电路
15.1 共发射极放大电路的组成
15.2 放大电路的静态分析
15.3 放大电路的动态分析
15.4 静态工作点的稳定
15.5 放大电路的频率特性
15.6 射极输出器
15.7 差分放大电路
15.8 互补对称功率放大电路
15.9 场效晶体管及其放大电路

放大的概念 :
放大的目的是将微弱的变化信号放大成较大的信号
。放大的实质 :
用小能量的信号通过晶体管的电流控制作用，将
放大电路中直流电源的能量转化成交流能量输出。
对放大电路的基本要求：
1. 要有足够的放大倍数 ( 电压、电流、功率 ) 。
2. 尽可能小的波形失真。
另外还有输入电阻、输出电阻、通频带等其他技
术指标。
本章主要讨论电压放大电路，同时介绍功率放
大电路。
放大电路的主要技术指标
RS I i
+ + Au Ro +

_U o
ES U i Ri 放大电路 + RL
- - U _

信号源 o
1. 放大倍数
U o
定义 : Au 
U i
2. 非线性失真系数：所有的谐波总量与基波成分之比，定义为
非线性失真系数。
2 2
U  U  2 3
D
U1
U i
3. 输入电阻 Ri 
I i
4. 输出电阻 U o
Ro  U S  0
I o RL  
5. 通频带：通常将放大倍数在高频和低频段分别下降为中频
段放大倍数的 1/
2 时，所包括的频率范围。
|Au |
| Auo |
0.707| Auo |
通频带
O
f
Pom
6. 最大输出功率 
P
9 V 章目录上一页下一页返回退出
15.1.1 电路组成及各元件作用
RC
C2
+
C1 i B iC +
+ EC
+ + T uCE +
RS RB uBE– – RL uo
+ ui iE –
es EB
– –
共发射极放大电路

晶体管 T-- 放大元
RC 件 , iC= iB 。要保证
C
+ 2
集电结反偏 , 发射结
C1 iB iC +
+ EC 正偏 , 使晶体管工作
+ + T uCE +
在放大区。
+ ui iE –
es EB
基极电源 EB 与基极电
– – 阻 RB-- 使发射结处于
共发射极放大电路正偏，并提供大小适
当的基极电流。

集电极电源 EC -- 为
RC
电路提供能量；并保
C 证集电结反偏。
+ 2
C1 iB iC + 集电极电阻 RC-- 将
+ EC
+ + T uCE + 变化的电流转变为变
+ ui 化的电压。
iE –
es EB
– – 耦合电容 C1 、 C2
信 -- 隔离输入、输出与
共发射极放大电路
号负载放大电路直流的联系
，同时使信号顺利输
源入、输出。
单电源供电
RC
C
+ 2 +UCC
C1 iB i C + RC
+ EC C2
+ + T uCE + RB +
RS RB uBE– – RL uo C1 i B iC +
+ ui iE – +
es EB + + T uCE +
– – RS uBE – RL uo
ui –
+ iE –
共发射极放大电路 es
– –
实际应用中，共发射极放大电路通常采用单电源供电。
集电极电阻 RC 的作用是
基极偏置电阻的作用
将放大的集电极电流转换
是为放大电路提供合
成晶体管的输出电压。
适的静态工作点。 +UCC
RC
RB C2 放大电路提供能
输入耦合电 +
容 C1 的作 C1 i B iC + 量，并保证晶体
用是隔离直 + 管工作在放大区
流和让输入 R + + T uCE +
S
uBE – RL u
交流信号顺 ui – o
利通过。 e + iE –
s – 输出耦合电容 C2 的
–
晶体管 T 在放大作用是隔离直流和让放
信号源负载
共发射极放大电路大的交流信号顺利输出
电路中起以小控大
的能量控制作用。。

15.1.2 电路的电压放大作用
+UCC
RC C2
RB + uo = 0
C1 i B iC + +
+
+ + T uCE uBE = UBE
uBE – uo
ui – uCE = UCE
iE
– –
iC uCE
无输入信号 (ui = 0) 时
uBE iB
IC UCE
UBE IB
O tO tO tO t
结论：
(1) 无输入信号时，晶体管各电极上都是恒定的电压
和电流 :IB 、 UBE 和 IC 、 UCE 。
iB iC
IB Q Q
IC
O uBE uCE
UBE UCE
(IB 、 UBE) 和 (IC 、 UCE) 分别对应于输入、输出特

性曲线上的一个点，称为静态工作点。
15.1.2 电路的电压放大作用
+UCC
RC C2
RB +
C1 iB i C + +
uO uo0= 0
+ T uCE
+ +
uBE – uo uBEu=BEU=BEU+BEui
ui –
iE uCEu=CEU=CEU+CEuO
– –
iC uCE uO
uCE = UCC －(u
有输入信号
无输入信号 (uii≠
CR
= 0)C 时 :
uBE iB
ui O t
O
？
t
UBE IB IC UCE
O tO tO tO t
结论：
(2) 加上输入信号后，各电极电流和电压的大小均发
生了变化，都在直流量的基础上叠加了一个交
流
量，但方向始终不变。交流分量
直流分量
iC 集电极电流 iC iC
ic
+ O t
IC
O t O t
静态分析动态分析

结论：
(3) 若参数选取得当 , 输出电压可比输入电压大 ,
即电路具有电压放大作用。
ui uO
O O
t t
(4) 输出电压与输入电压在相位上相差 180°, 即共

发射极电路具有反相作用。

 实现放大的条件
(1) 晶体管必须工作在放大区。发射结正偏，集电
结反偏。
(2) 正确设置静态工作点，使晶体管工作于放大区
。
(3) 输入回路将变化的电压转化成变化的基极电流
。
(4) 输出回路将变化的集电极电流转化成变化的集
电极电压，经电容耦合只输出交流信号。

UA 大写字母、大写下标，表示直流量。
uA 小写字母、大写下标，表示瞬时值（全量）。
ua 小写字母、小写下标，表示交流分量。
Ua 大写字母、小写下标，表示有效值。
uA ua
全量
交流分量
UA 直流分量
t
15.1.3 直流通路和交流通路
电容对交、直流的作用不同。在放大电路中，如
果电容的容量足够大，可以认为它对交流分量不起作
用，即对交流短路，而对直流可以看成开路。这样，
交、直流所走的通路是不同的。
直流通路：无信号时电流（直流电流）的通路，用来
计算静态工作点。
交流通路：有信号时交流分量（变化量）的通路，用
来计算电压放大倍数、输入电阻、输出电
阻等动态参数。

直流通路和交流通路
放大电路中各点的电压或电流都是在静态直流上
附加了小的交流信号。
直流通路：在直流电源作用下直流电流流经
的通路，用于研究静态工作点。对于直流通路：
1. 电容视为开路；
2. 电感线圈视为短路（即忽略线圈电阻）；
3. 电压源视为短路，但应保留其内阻。

例：画出下图所示放大电路的直流通路。
对直流信号，电容 C 可看作开路 ( 即将电容断
开)。 +UCC
+U CC
RC
RB C2 断开 RC IC
+ RB
断开 iC +
C1 iB IB +
+
+ + T uCE + + TUCE
RS uBE – RL u UBE –
ui – o –
+ – IE
iE
es 直流通路
– –
直流通路用来计算静态工作点 Q ( IB 、 IC 、 UCE )
。
对交流信号 ( 有输入信号 ui 时的交流分量 )
+UCC
XC  0, C 可看作短
RC
RB C2 对地短路路。忽略电源的内阻 ,
+
C1 iC + 电源的端电压恒定，
iB
+ 短路直流电源对交流可看
+ T u CE +
+ uBE – RL u 作短路。
RS
短路 – o
ui 交流通路
+ iE –
es
– –
+ +
交流通路用来计算电压 RS
RC RL uO
放大倍数、输入电阻、输 + ui RB
–
es
出电阻等动态参数。 – –
15.2 放大电路的静态分析
静态：放大电路无信号输入（
静态： ui = 0 ）时的工作状态。
静态分析：确定放大电路的静态值。
( 静态工作点 Q ： IB 、 IC 、 UCE)
分析方法：估算法、图解法。
分析方法：。
分析对象：各极电压、电流的直流分量。
分析对象：
所用电路：放大电路的直流通路。
所用电路：
设置 Q 点的目的：
(1) 使放大电路的放大信号不失真；
(2) 使放大电路工作在较佳的工作状态 , 静态是动态
的基础。
15.2.1 用放大电路直流通路确定静态值
1. 由直流通路估算 IB
+UCC UCC = IB RB+ UBE
RB RC IC U CC  U BE
IB
IB 
+ RB
+ TUCE 当 UBE<< UCC 时
UBE –
–
U CC
IB 
RB
2. 由直流通路估算 UCE 、 IC
根据电流放大作用 I C   I B  I CEO  β I B  β I B
由 KVL UCC = IC RC+ UCE ，所以， UCE = UCC – IC RC 。
例 1 ：用估算法计算静态工作点
。
已知： UCC=12V ， RC= 4k ， RB = 300k ， =
37.5 。
+UCC
RB RC IC
U CC 12 IB
解：I B   mA  0.04 mA +
RB 300 + TUCE
UBE –
I C   I B  37 .5  0 .04mA  1 .5 mA –
U CE  U CC  I C RC
 (12  1.5  4 )V  6 V
注意：电路中 IB 和 IC 的数量级不同。

例 2 ：用估算法计算图示电路的静态工作点。
+UCC 解：由 KVL 可得出
RB
RC IC U CC  I B RB  U B E  I E RE
IB +  I B R B  U B E  (1  β ) I B R E
+ TUCE U CC  U BE
UBE –
–
IB 
IE RB  (1  β ) RE
IC   IB
由 KVL 可得 U CE  U CC  I C RC  I E RE
 U CC  I C ( RC  RE )
由例 1 、例 2 可知，当电路不同时，计算静态值
的公式也不同。
15.2.2 用图解法确定静态值
用作图的方法确定静态值 +UCC
RB IC RC
优点：
IB
能直观地分析和了解静态 +
+ TU
值的变化对放大电路的影响。 UBE –CE
步骤： –
1. 用估算法确定 IB 。
2. 由输出特性确定 IC 和 UCC 。
UCE = UCC– ICRC 直流负载线方程
I C  f (U CE ) I  常数
B

15.2.2 用图解法确定静态值
UCE =UCC–ICRC
I C  f (U CE ) I  常数
B
由 IB 确定的那条输
U CC IC 出特性曲线与直流负
直流负载线
载线的交点就是 Q 点
RC
。
Q
ICQ U CC  U BE
IB 
RB

UCEQ UCE 1
tan   
UCC RC
直流负载线斜率
　　【例】图示单管共射放大电路及特性曲线中，已知
Rb = 280 k ， Rc = 3 k ，集电极直流电源 VCC = 12 V ，
试用图解法确定静态工作点。
解：首先估算 IBQ
VCC  U B EQ
IBQ 
Rb
12  0.7
( )mA  40 μA
280
做直流负载线，确定 Q
点
根据 U = V – I R
CEQ CC CQ c
iC = 0 ， uCE = 12 V ；
uCE = 0 ， iC = 4 mA .
iC /mA
4 80 µA
3
60 µA
静态工作点
40 µA
2
Q
20 µA
1
M iB = 0 µA
0
2 4 6 8 10 12 uCE /V
图
2.4.3(b)
由 Q 点确定静态值为：
IBQ = 40 µA ， ICQ = 2 mA ， UCEQ = 6 V.
15.3.1. 图解法 iB / A
iB / A
ib Q
IB
O O
t uBE /V uBE /V
O
uBE /V uBE /V
ui
UBE
t
由 uO 和 ui 的峰值 ( 或峰–峰值 ) 之比可得放大电路
的电压放大倍数。
15.3.1 图解法
交流负载线 iC/mA
交流负载线
交流负载线反 C
4 80mA
映动态时电流 iC 和
A
电压 uCE 的变化关系 3 60mA
交流负载线斜率
。 Q
2 40mA
1
tan α    1
RL 20mA
´ B
因为RL  RC , 所 0 4 8 12 D16 20 uCE/V
以交流负载线比直直流负载线
流负载线更陡。
15.3.1. 图解法
iC /mA
80 A
iC /mA
Q1 60 A
Q
iC 40 A
Q2
IC 20 A
5 A
O O
t t O uCE /V
O
uCE /V
UCE uo
t
ui
O t
uBE iC uCE uO
UBE
O t
O t
IC UCE
iB O tO t
IB
O t

动态：放大电路有信号输入 (ui 0) 时的工作状态。
动态分析 :
计算电压放大倍数 Au 、输入电阻 ri 、输出电阻 ro
分析对象：
等。
各极电压和电流的交流分量。
分析方法：
微变等效电路法，图解法。
所用电路：
放大电路的交流通路。
目的：找出 Au 、 ri 、 ro 与电路参数的关系，为设计打
基础。
15.3.2 动态分析的参数
1. 放大电路的电压放大倍数
U o
定义 Au 
RS Ii
U i
+ + Au +
Es Ui 放大 RL Uo
- _
- 电路
电压放大倍数表述放大电路的输出电压与
输入电压的比值。

2. 放大电路的输入电阻
放大电路对信号源 ( 或对前级放大电路 ) 来说，
是一个负载，可用一个电阻来等效代替。这个电阻是
信号源的负载电阻 , 也就是放大电路的输入电阻。
RS Ii
输入电阻是对
 + + Au 交流信号而言的 ,
Es Ui
- - 放大电路
是动态电阻。
信号源
RS I i
定义：
U i E s+ +
Ui ri 放大
输入电阻 ri  - - 电路
I i 信号源

3. 放大电路的输出电阻
放大电路对负载 ( 或对后级放大电路 ) 来说 , 是一
个信号源，可以将它进行戴维宁等效，等效电源的内阻
即为放大电路的输出电阻。
RS
+ Au +
E s _ 放大 RL U o
_ ro
电路
+ +
U o E o_ RL _U o
定义输出电阻：ro 
I o
输出电阻是动态电阻，与负载无关。

15.3.3 微变等效电路
法
微变等效电路：
把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一
个线性电路。即把非线性的晶体管线性化，等效为一
个线性元件。
线性化的条件：
晶体管在小信号（微变量）情况下工作。因此，
在静态工作点附近小范围内的特性曲线可用直线近似
代替。
微变等效电路法：
利用放大电路的微变等效电路分析计算放大电路
电压放大倍数 Au 、输入电阻 ri 、输出电阻 ro 等。
15.3.3 微变等效电路
1.
法晶体管的微变等效电路
晶体管的微变等效电路可由晶体管特性曲线求出。
(1) 输入回路当信号很小时，在静态
IB 工作点附近的输入特性在小范围内
可近似线性化。
IB
Q 晶体管的 U B E ube
rbe  U CE
输入电阻  I U CE
ib ( B
UBE 晶体管的输入回路 B
O UBE 、 E 之间 ) 可用 rbe 等效代替 , 即

输入特性由 rbe 来确定 ube 和 ib 之间的关系
对于小功率晶体管：。
26( mV ) r 一般为几百欧到几千欧。
rbe  200(  )  ( 1  β ) be
I E ( mA )
输出特性曲线在线性工作
(2) 输出回路
区是一组近似等距的平行直线
iC 。
晶体管的电 I C ic
流放大系数
β  
Q
 I B U CE ib
晶体管的输出回路 U CE
(C 、 E 之间 ) 可用一受控电
uCE 流源 ic =  ib 等效代替，即由
输出特性  来确定 ic 和 ib 之间的关
系。
 一般在 20 ～ 200 之间，在手册中常用 hfe 表示。
晶体管的  U CE uce rce 愈大，恒流特性愈
输出电阻
rce   好,
I C I i
B c I B 因 r 阻值很高，一般忽
ce
44
略不计。章目录上一页下一页返回退出
1. 晶体管的微变等效电路
晶体管微变等效电路
ic B ib ic
C C
+ + +
ib
B uce rbe  ib uce
+ ube
ube
- - - -
E E
晶体管的 B 、 E 晶体管的 C 、 E 之间可
之间可用 rbe 等效代替用一受控电流源 ic= ib 等效
。代替。
2. 放大电路的微变等效电路 ic
将交流通路中 C
的晶体管用晶体管微变 ii B ib +
等效电路代替即可得放 + RC RL uO
RS
大电路的微变等效电路 + ui RB
es -
。 - - E
ii ib ic C
B 交流通路
+ +
RS  ib
ui RB rbe RC RL uo
+
es -
- - E
微变等效电路
2. 放大电路的微变等效电路
将交流通路中 ii ib ic C
B
的晶 + +
体管用晶体管微变等效 RS  ib
u R r R R uO
电路代替即可得放大电 + i B be C L
es -
路的微变等效电路。 - - E
微变等效电路
Ii Ib Ic C
分析时假设输 B
入为正弦交流，所以等 + +
RS βIb
效电路中的电压与电流 RB rbe RC RL U O
U i
可用相量表示。 E +
S -
- - E
3. 电压放大倍数的计算 I Ib Ic C
U o B
i
定义 Au  + +
U i RS βIb
例 1 U i  I b rbe U i RB rbe RC RL U O
： E +
-
U   I R
S
o c L - - E
   I b RL RL  RC // RL
RL 式中的负号表示输出电压
Au   
rbe 的相位与输入电压的相位相反。
输出端开路时负载电阻愈小 , 放大倍数愈小
RC 。
Au   β 因 rbe 与 IE 有关 , 故放
rbe 大倍数与静态 IE 有关。
Ii Ib Ic C
B
例1：
+ I R B +
RS βIb
U i RB rbe RC RL U o
E+
s -
- - E
ri
U i U i
ri 
I  I  I
i RB b
 R B // rbe
当 R B   rbe时
ri  rbe
例1
： Ii Ib Ic C Io
B
外加
+ +
RS βIb 共发射极放大电路特
E+
点：
-
s
- - E (1) 放大倍数高；
ro (2) 输入电阻小；
求 ro 的步骤： (3) 输出电阻大。
(1) 断开负载 RL; I o  I c  I RC
(2) 令    0; 
U  0 E I c  β I b I b  0 所以 I c  0
或 i s
(3) 外加电压 U o ;  
U U
(4) 求 ro。 I RC  o
ro  o  RC
RC I o
RS I i
 + + Au
Es Ui
- - 放大电路
信号源
ui ri 1
ii  ui  us  us
ri RS  ri RS
1
ri
输入电阻是表明放大电路从信号源吸取电流大小
的参数。电路的输入电阻愈大，从信号源取得的电流
愈小，因此一般总是希望得到较大的输入电阻。

RS
+ Au +
E s _ 放大 RL U o
_ ro
电路
+ +
E o_ RL
定义 _U o
U o
输出电阻：ro 
I o
输出电阻是表明放大电路带负载能力的参数。电路
的输出电阻愈小，负载变化时输出电压的变化愈小，
因此一般总是希望得到较小的输出电阻。
例2 +UCC
： RB RC C2
C1 +
+
+
+
RS RL uo
ui RE +
+ CE Ib Ic
es –Ii B C
– –
+ βI b
RS rbe +
U i RB
E 
R C RL U o
 +
微变等效电路 Es Ie -
RE
- -

U o Ic
定义 Au  Ii Ib C
U i B
+ βI b
RS rbe +
U i
例2：  I b rbe  I e R E U i RB
E 
R C RL U o
E +
 I b rbe  (1  β ) I b R E -
s
RE Ie
-
U o   I c RL    I b RL -
β RL RL  RC // RL
Au  
rbe  (1  β ) RE
当电路不同时，计算电压放大倍数 Au 的公式也不
同。要根据微变等效电路找出 ui 与 ib 的关系、 uo
与 ic 的关系。
例2： Ii Ib Ic
B C
+ I R B βI b +
RS rbe
U i E RC RL U o
RB
E +
s
- RE Ie
-
-
ri U i  I b rbe  I e R E
 I b rbe  (1  β ) I b R E
U
I b  i
rbe  (1  β ) RE
ri  R B // rbe  ( 1  β ) R E 
例2
： I 求 ro 的步骤：

I Ic
i B b C
βIb (1) 断开负载 RL;
+ (2) 令 
rbe Ui  0 E s  0 ;
RS 或
E
Io (3) 外加电压U o ;
U i RB Ie 外加 (4) I o ;
E + +
求
IRRLE U o
S
- RE
- 1
- ro 
ro 1  1

rbe  R // RS RE
I o   I b   I b  I R E
 U o   U o U o
  
rbe  RB // RS rbe  RB // RS RE
2. 图解分析
iB/A iC/mA
80A
iB/A iC/mA
Q1
60A
Q Q
ib iC 40A
Q2
IB IC 20A
5A
O O
t uBE/V O t O uCE/V
O O
uBE/V uCE/V
ui
UBE UCE uo
t t
3. 非线性失真
若 Q 设置过高 , 晶体管进入饱和区工作 , 造成饱和失真
如果 Q 设置不合适，晶体管进入截止区或饱和区
。
工作，将造成非线性失真。
解决办法：适当减小基极电流可消除失真。
iB/A iB/A iC/mA
80A
Q1 Q1
60A
40A
20A
5A
O O O
t uBE/V uCE/V
O O
uBE/V uCE/V
ui
uO
t t
3. 非线性失真
若 Q 设置过低 , 晶体管进入截止区工作 , 造成截止失真
。
解决办法：适当增加基极电流可消除失真。
iB/A iB/A iC/mA
80A
60A
40A
20A
Q2 Q2
5A
O O O
t uBE/V uCE/V
O O
uBE/V uO uCE/V
ui
使放大电路的工作范围超出晶体管特性曲线上
如果 Q 设置合适，信号幅值过大也可产生失
的线性范围所引起的失真，称为非线性失真。
t
真 , 减小信号幅值可消除失真。 t
15.4 静态工作点的稳定
合理设置静态工作点是保证放大电路正常工作的
先决条件。但是放大电路的静态工作点常因外界条件
的变化而发生变动。
前述的固定偏置放大电路简单、容易调整，但在温
度变化、晶体管老化、电源电压波动等外部因素的影
响下，将引起静态工作点的变动，严重时将使放大电
路不能正常工作，其中影响最大的是温度的变化。

15.4.1 温度变化对静态工作点的影响
在固定偏置放大电路中，当温度升高时，
UBE 、  、 ICBO  。
I C  β I B  I CEO
U CC  U B E
 β  (1  β ) I CB O
上式表明，当 RB UCC 和 RB 一定时， IC 与
UBE 、
 以及 ICEO 有关，而这三个参数随温度而变化
温度升高时， IC 将增加，使 Q 点沿负载线上移
。
。

温度升高时，输
iC/mA
出特性曲线上移
结论：
Q´
当温度升高时， IC
Q
将增加，使 Q 点沿负载线
上移 , 容易使晶体管进入
饱和区造成饱和失真，甚
O
uCE/ V 至引起过热烧坏晶体管。
固定偏置电路的工作点 Q 点是不稳定的，为此需
要改进偏置电路。当温度升高使 IC 增加时 , 能够自动
减少 IB , 从而抑制 Q 点的变化，保持 Q 点基本稳定
。
15.4.2 分压式偏置电路
1. 稳定 Q 点的原理若满足 I2   IB
+UCC
I1 IC U CC
RB1 RC C2
I1  I 2 
C1 V I + RB 1  RB 2
+ B B
+ VE + VB  I2RB2
RS I2
RL uo
ui RB2 RE + RB 2
+
es
CE – VB  U CC
– – RB 1  RB 2
基极电位 VB 与晶体管的参数无关，不受温度的影
响。
15.4.2 分压式偏置电路
1. 稳定 Q 点的原理 VB  U B E
IC  IE 
+UCC RE
I1 IC
RB1 RC C2 若满足V B   U BE
C1 V I +
+ B B VB  U B E
+ VE + IC  IE 
RS I2
RL uo RE
ui RB2 RE +
+
es
CE – VB
– –

RE
集电极电流基本恒定，不随温度变化。

从 Q 点稳定的角度
参数的选择看 , 似乎 I2 、 VB 越大
+UCC 越好。
I1 IC 但 I2 越
RB1 RC C2
C1 V I + 大， RB1 、 RB2 必须取得
+ B B
V + 越小，将增加损耗，降
+ I E
RS 2
R u 低输入电阻。
ui RB2 R + L o
es
+ E CE – 而 VB 过高必使 VE
– – 也增高，在 UCC 一定时
，势必使 UCE 减小，
在估算时一般选取
从而减小放大电路输出
I2= (5 ~10) IB ， VB= (5 ~10) UBE
电压的动态范围。
RB1 、 RB2 的阻值一般为几十千欧。
Q 点稳定的过程 RE 为温度补偿电阻。
+UCC
I1 IC 对直流： RE 越大 ,
RB1 RC C2 稳定 Q 点效果越好。
C1 V I +
+ B B 对交流： RE 越大 ,
+ VE +
RS I2 交流损失越大 , 为避免
RL uo
ui RB2 RE +
+ CE – 交流损失 , 加旁路电容
es
– – CE 。
VB 固定
T IC VE UBE
IC IB

2. 静态工作点的计算估算法 :
RB 2
+UCC VB  U CC
I1 IC RB 1  RB 2
RB1 RC C2
C1 V I + VB  U B E
+ B B IC  IE 
+ VE + RE
RS I2
RL uo
ui RB2 RE + IC
+
es
CE – IB 
– – β
U C E  U CC  I C R C  I E R E
 U CC  I C ( R C  R E )
3. 动态分析
+UCC
I1 IC 如果去掉 CE
RB1 RC C2 ，
C1 V I +
+ B B Au 、 ri 、 ro
+ VE +
RS I2 如何变化 ?
RL uo
ui RB2 RE +
+ CE –
es
– –
旁路电容
对交流：旁路电容 CE 将 RE 短路， RE 不
起作用 , Au 、 ri 、 ro 与固定偏置电路相同。
+UCC
如果去掉 CE
RB1 RC 对地
C2 短路，
C1 +
+ Au 、 ri 、 ro
短路 +
+
RS + RL uo
如何变化 ?
ui RB2 RE
+ CE
es –
– –
Ii Ib Ic
B C
去掉 CE 后的微变等效电 +
I βIb +
路 RS
RB r
be
U i E RC RL U o
RB
R B  R B 1 // R B 2 E +
s
- RE Ie
- -
分压式偏置电路
有旁路电容 CE 无旁路电容 CE
R L β R L
Au   β Au  
rbe rbe  (1  β ) R E
Au 减小
ri  R B // rb e r i  R B 1 // R B 2 // r b e  ( 1  β ) R E 
ri 提高
ro  R C ro  R C ro 不变

例 1 ：在分压式偏置电路中 , 已知： UCC
=12V ，
RB1= 30 k, RB2 = 10 k , RC = 4k, RE = 2.2k ,
RL = 4 k , CE = 100 µF , C1 = C2 = 20 µF, 晶体管
 = 50 。试：
(1) 计算静态值 IB 、 IC 和 UCE ; +UCC
(2) 计算 Au 、 ri 和 ro 。 RB1 R C C2
C1 +
+
+
+
RS RL uo
ui RB2 RE +
+ CE
es –
– –

解： (1) 可用估算法求静态值
RB2 10
VB  U CC   12V  3V
RB1  RB2 30  10
IC≈ IE = VB – UBE 3– 0.6
= 1.09 mA
=
RE 2.2
IC +UCC
1.09
IB = = = 21.8 µA RB1
 50 RC C2
C1 +
UCE= VCC–IC (RC+RE) +
+
= 12–1.09(4+2.2) +
RS RL uo
=5.24V ui RB2 RE +
+ CE
es –
– –

(2) 由微变等效电路求 Au 、 ri 、 ro 。
Ii Ib Ic C
B
+ +
RS βIb
 +
Es -
- - E
26 26
rbe  200  (1   )  200  51    1.42
IE 1.09
RC//RL 4//4
Au= –  = – 50  = –70.4
rbe 1.42
ri = RB1 // RB2 // rbe = 30//10//1.42=1.19 k
ro = RC= 4 k
例 2:
在图示放大电路中，已知 UCC=12V, RC= 6k ,
RE1= 300 , RE2= 2.7k , RB1= 60k  , RB2= 20k  ,
RL= 6k  ，晶体管 β= 50 ， UBE= 0.6V, 试求 :
(1) 静态工作点 IB 、 IC 及 UCE ； +UCC
(2) 画出微变等效电路； RB1 RC C2
C +
(3) ri 、 ro 及 Au 。 1
+
+ +
RB2 RE1 RL uo
ui
+ –
RE2 CE
–

解： (1) 由直流通路求静态工作点。
RB 2 20
VB  U CC   12 V  3 V
RB 1  RB 2 60  20
V B  U B E 3  0 .6
IC  IE   mA +UCC
RE 1  RE 2 3 RB1 RC
IC
IB +
 0 .8 mA VB
I C 0.8 UCE
IB   μ A  16 μ A RE1 –
β 50 RB2
U CE  U CC  I C RC  I E ( RE 1  RE 2 ) IE
RE2
 (12  0 .8  6  0 .8  3 ) V
 4 .8 V
直流通路
(3) 由微变等效电路求 Au 、 ri 、 ro 。
其中 RB  RB 1 // RB 2  15 kΩ
26 26
rbe  200  (1   )  200  51  Ω  1 . 96 kΩ
IE 0 .8
r i  R B // rb e  ( 1  β ) R E 1  (2) 微变等效电路
 8 .0 3 k Ω Ii B Ib Ic
C
ro  R C  6 k Ω + βIb +
IRB r
RS
β R L be
E
Au   U i RB RC RL U o
rbe  (1  β ) R E 1 E +
s
- RE1 Ie
  8 .6 9 - -

15. 6 射极输出器
+UCC
RB 交流通路
C1 +
C2 +
RS + RS
+ +
ui + ui R
+
es RE RL uo e + B RE RL uo
– – s– – –
–
因为对交流信号而言，集电极是输入与输出
回路的公共端，所以是共集电极放大电路。
因为从发射极输出，所以称射极输出器。
15.6.1 静态分析直流通路
+UCC +UCC
RB IC
RB
C1 + IB +
C2 UCE
RS + +
+ UBE –
ui + – I
+ RE RL uo RE E
es
– – –
求 Q 点：I  U CC  U B E
B
R B  (1   ) R E
I E  (1   ) I B U CE  U CC  I E RE

15.6.2 动态分析  Ic
Ii I
B b C
+ + βIb
RS rbe
ui R + RS
+ B RE RL uo E
es
– – U i RB Ie
– + +
E s
交流通路 - RE RL U o
- -
1. 电压放大倍数
R L 
R E // R L 微变等效电路
U o 
I e R L （ 1   ） I b R L
U 
i I r  I R   I r  ( 1   ) I R 
b be e L b be b L
( 1   )  R
I （1   ） R 
电压放大倍数 Au  1 且输入输出同相，输出电压跟随
I r  (1   ) I R   r  (1   ) R 
b L
Au  L
输入电压，故称电压跟随器。
b be b L be L
2. 输入电阻
Ib B Ic
C 射极输出器
+ βIb
rbe 的输入电阻高
RS E ，对前级有利
U i RB Ie 。
E + +
S ri 与负载有关
- RE RL U o
- - 。
ri ri ri  R B // ri
U i I b rbe  I e ( R E // R L )
ri    rbe  (1   ) R L
I b I b
r i  R B // rb e  ( 1   ) R L  R L  R E // R L
3. 输出电阻
Ii B Ib I c
C
+ βI b rbe  R S
rbe ro  R E //
RS 1 β
E
U i RB Ie R S  R B // R S
+ +
E s 通常 ( 1  β ) R E   r b e  R S
- RE RL U o
- -
ro
射极输出器的输
rbe  RS
ro  出电阻很小，带
1  负载能力强。

共集电极放大电路 ( 射极输出器 ) 的特点：
(1  β ) R L
Au 
rbe  (1  β ) R L
ri  RB // rbe  (1  β ) RL 
rbe  RS
ro 
1 β
(1) 电压放大倍数小于 1 ，约等于
1;
(2) 输入电阻高；
(3) 输出电阻低；
(4) 输出与输入同相。
例:
在图示放大电路中，已知 UCC=12V, RE=
2k,
RB= 200kΩ ， RL= 2k ，晶体管 β= 60 ， UBE=
0.6V, 信号源内阻 RS= 100 ，试求 :
+UCC
(1) 静态工作点 IB 、 IE 及 UCE
RB；
(2) 画出微变等效电路； C1 +
C2
(3) Au 、 ri 和 ro 。 RS + +
ui +
+ RE RL uo
es
– – –

解 : (1) 由直流通路求静态工作点。
U CC  U B E 12  0 . 6
IB   mA  0 . 035 mA
R B  (1  β ) R E 200  (1  60)  2
I E  (1   ) I B +UCC
IC
 (1  60)  0.035mA RB
IB +
 2 .14mA UCE
+
U CE  U CC  I E RE UBE –
– I
 12  2  2.14 V RE E
 7.72 V
直流通路

(3) 由微变等效电路求 Au 、 ri 、 ro
。 26 26
rbe  200  (1   )  200  61  Ω  0 . 94 kΩ
IE 2 . 14
(1   ) R L (2) 微变等效电路
Au 
rbe  (1   ) R L Ib B Ic
C
 0 .9 8 + βIb
rbe
RS E
r i  R B // rb e  ( 1  β ) R L  U i RB Ie
E + +
 4 1 .7 k Ω s
- RE RL U o
- -
rbe  R S 940  100
ro   Ω  17 . 3 Ω
 60
射极输出器的应用
主要利用它输入电阻高和输出电阻低的特点。
1. 因输入电阻高，它常被用在多级放大电路的第
一级，可以提高输入电阻，减轻信号源负担。
2. 因输出电阻低，它常被用在多级放大电路的末
级，可以降低输出电阻，提高带负载能力。
3. 利用 ri 大、 ro 小以及 Au 1 的特点，也可将射
极输出器放在放大电路的两级之间 , 起到阻抗匹配作
用，这一级射极输出器称为缓冲级或中间隔离级。

放大器的输入信号一般很微弱，因此常采
用多级放大，才可在输出端获得必要的电压幅度或
足够的功率，以推动负载工作。此外，多级放大的
输入级或输出级也常采用射极输出器以获得高输入
电阻 ri 或低输出电阻 ro ，从而改善工作性能。

例: 如图所示的两级电压放大电路 , 已知 β1=β2=50,
T1 和 T2 均为 3DG8D 。
(1) 计算前、后级放大电路的静态值 (UBE = 0.6V);
(2) 求放大电路的输入电阻和输出电阻；
(3) 求各级电压放大倍数及总电压放大倍数。
+24V

RB1 RC2
RB1 1M 82k 10k C3
+
C1 + T2 +
T1 C 2
+ +  510 
RE2

RB2 UO
U i RE1 
43k RE2 +
27k CE
– 7.5k –

+24V

RB1 RC2
RB1 1M 82k 10k C3
+
C1 + T2 +
T1 C2
+ + 
RE2 510 U
RE1 
RB2 O
U i 
RE2
27k 43k +
7.5k CE
– –
解：在图示两级电压放大电路中，前、后级之间是
解：
通过耦合电容 C2 及下级输入电阻连接的，故称为阻容
耦合。由于电容有隔直作用，它可使前、后级的直流工
耦合
作状态相互之间无影响，故各级放大电路的静态工作点
可以单独考虑。耦合电容对交流信号的容抗必须很小，
单独考虑
其交流分压作用可以忽略不计，以使前级输出信号电压
差不多无损失地传送到后级输入端。
解 :(1) 两级放大电路的静态值分别计算。
+24V

RB1 RC2
RB1 1M 82k 10k C3
+
C1 + T2 +
T 1 C2
+ +  510 
RE2

RB2 UO
U i RE1 
43k RE2 +
27k CE
– 7.5k –
第一级是射极输出器。
U CC  U BE 24  0.6
I B1   mA  9.8μA
RB1  (1  β ) RE1 1000  (1  50)  27
I C1  I E1  (1   ) I B1  (1  50)  0.0098 mA  0 .50 mA
U CE  U CC  I E1 RE1  ( 24  0.50  27 )V  10.5V
解 : 第二级是分压式偏置电路。
+24V

RB1 RC2
RB1 1M 82k 10k C3
+
C1 + T2 +
T 1 C2
+ +  510 
RE2

RB2 UO
U i RE1 
43k RE2 +
27k CE
– 7.5k –
U CC 24
VB2   
RB2  43V  8.26V
  RB2
RB1  82  43
VB2－U BE2 8 .26  0 .6
I E2   mA  0 .96 mA
  RE2
RE2  0 .51  7 .5
解 :第二级是分压式偏置电路
+24V

RB1 RC2
RB1 1M 82k 10k C3
+
C1 + T2 +
T 1 C2
+ +  510 
RE2

RB2 UO
U i RE1 
43k RE2 +
27k CE
– 7.5k –
I E2 0 .96
I B2   mA  18 .8 μA
1  2 51
  RE2
U CE2  U CC  I E2 ( RC2  RE2  )
 24  0 .96(10  0 .51  7 .5)V  6 .71V
(2) 计算 r i 和 r 0
。 I b 1 I c 1 I b 2 I c 2
+ β I b 1 β I b 2 +
rbe1 rbe2
U i RB1 RC2 U o
+  R B 2
R B1
RE1 U o1 R E 2
_ ri  ri 1 _ ri 2 _
ri  ri1  RB1 // rbe1  (1   ) RL1

   320 kΩ ro  ro 2  R C 2
27  14
  RE1 // ri2 
RL1 kΩ  9 .22 kΩ
27  14
26
rbe2  200  (1   )  1 .58kΩ
IE
 // rbe2  (1   ) RE2
 // RB2
ri 2  RB1    14 kΩ
(3) 求电压放大倍数
I b 1 I c 1 I b 2 I c 2
+ β I b 1 β I b 2 +
rbe1 rbe2
+  R B 2
R B1
RE1 U o1 R E 2
_ _ _
ri 2
U o U o 1 U o
Au    Au 1 Au 2
U i U i U i 2
第一级放大电路为射极输出器
  RE1 // ri2  9 .22 kΩ
RL1

(1   1 ) RL1 (1  50)  9 .22
Au1    0 .994

rbe1  (1   1) RL1 3  (1  50)  9 .22
(3) 求电压放大倍数
I b 1 I c 1 I b 2 I c 2
+ β I b 1 β I b 2 +
rbe1 rbe2
+  R B 2
R B1
RE1 U o1 R E 2
_ _ _
第二级放大电路为分压式偏置放大电路
RC 2 10
Au 2  －  －50   18.1
rbe2  (1   2 ) RE 2 1 .58  (1  50)  0 .51
总电压放大倍数
Au  Au1  Au 2  0 .994  ( 18.1)  17 .99
15.5 放大电路的频率特性
阻容耦合放大电路由于存在级间耦合电容、发
射极旁路电容及晶体管的结电容等，它们的容抗随
频率变化，故当信号频率不同时，放大电路的输出
电压相对于输入电压的幅值和相位都将发生变化。
频幅频特性：电压放大倍数的模 |Au| 与频率 f 的
率
关系
特
性相频特性：输出电压相对于输入电压的相位移
 与频率 f 的关系

耦合、旁路晶体管结电
|Au |
电容造成容、 造成
| Au0 |
0.707| Au0 |
通频带
O
fL 幅频特性 fH f
 下限截止上限截止
频率频率
–90°
–180°
f
–270°
相频特性
在中频段：
由于耦合电容和发射极旁路电容的容量较
大 , 故对中频段信号的容抗很小，可视作短路。
晶体管的极间电容和导线的分布电容很小，
可认为它们的等效电容 C0 与负载并联。由于 C0 的电
容量很小 , 它对中频段信号的容抗很大，可视作开路
Ib Ic C
。 B
+ + +
RS βI b
 RB U rbe RC RL U o
+ Ui be
E s -
- - - E
所以，在中频段可认为电容不影响交流信
号的传送 , 放大电路的放大倍数与信号频率无关。
所讨论的放大倍数及输出电压相对于输入电
压的相位移均是指中频段的。
在低频段：
由于信号的频率较低，耦合电容和发射极旁路
电容的容抗较大，其分压作用不能忽略。以致实际送到
晶体管输入端的电压 U be Ui
比输入信号要小，故
U o
放大倍数降低，并使产生越前的相位移 ( 相对于
C0 的容抗比中频段还大，仍可视作开路。
中频段 )。
C1 B Ib Ic C C2
+ + +
RS βI b
 RB U be rbe RC RL U o
U
E s+
i
-
- - - E
所以，在低频段放大倍数降低和相位移越前
的主要原因是耦合电容和发射极旁路电容的影响。
在高频段：
由于信号的频率较高，耦合电容和发射极
旁路电容的容抗比中频段还小，仍可视作短路。
C0 的容抗将减小，它与负载并联，使总负载阻抗
减小，在高频时晶体管的电流放大系数  也下降，因
U o
而使输出电压减小 , 电压放大倍数降低 , 并使
产生滞后的相位移 ( 相对于中频段 ) 。
Ib Ic C
B
+ +
RS βI b
 RB
U rbe RC RL U o
E s+ C0
i
-
- - E
高频段放大倍数降低和相位移滞后的主要原因
是晶
体管电流放大系数、极间电容和导线分布电容的影响。
15.6 放大电路的三种组态
15.6.1 共基极放大电路
+UCC
1. 电压放大倍数为正，
RB1
C2 数值与共射放大电路相
C1
+ + 当;
2. 输入电阻低；
RS + + 3. 输出电阻高；
ui RL uo
CB 4. 通频带宽，常用于宽
es+ – RE RB2 – 频带放大电路。
–
静态工作情况与共射相同

三种基本组态的比较
组态共射共集
性能
共基
大大小
Ai 几十 ~ 上百几十 ~ 上百小于、接近 1
  1 
大小大
Au 几十 ~ 几百小于、接近 1 几十 ~ 几百
中大小
Ri 几十千欧以上
几百 ~ 几千几欧 ~ 几十
欧中小欧
Ro 大
几十 ~ 几百千欧几欧 ~ 几十几百千欧 ~ 几兆
频率欧
差较好好
响应
多级放大电路及其级间耦合方式
输输
入出
输入第二级推动输出级
级级
多级放大电路的框图
耦合方式：信号源与放大电路之间、两级放大电
路之间、放大器与负载之间的连接方式。
常用的耦合方式：直接耦合、阻容耦合、变压器
耦合和光电耦合等。
静态：保证各级有合适的 Q 点
对耦合电
路的要求波形不失真
动态 : 传送信号
减少压降损失
1. 阻容耦合
两级之间通过耦合电容 C2 与下级输入电阻连接
+24V

RB1 RC2
RB1 1M 82k 10k C3
+
C1 + T2 +
T 1 C2
+ +  510 
RE2

RB2 UO
U i RE1 
43k RE2 +
27k CE
– 7.5k –
信号源第一级第二级负载

15.7 差分放大电路
2. 直接耦合
将前级的输出端直接接后级的输入端。可用来放大
缓慢变化的信号或变化的直流信号。
+UCC
RC1 RC2
R1
R2
T2 +
T1
+ uO
uI
RE2
– –
15.6.3
直接耦合存在的两个问题：
(1) 前后级静态工作点相互影响；
(2) 零点漂移。
零点漂移：指输入信号电压为零时，输出电
零点漂移：
压缓慢地、无规则地变化的现象。
uO
O t
产生的原因：晶体管参数随温度变化、电
产生的原因：
源电压波动、电路元件参数变化。
零点漂移的危害：
直接影响对输入信号测量的准确程度和分辨能
力。
严重时，可能淹没有效信号电压，无法分辨是
有一般用输出漂移电压折合到输入端的等效漂
移电压作为衡量零点漂移的指标。
效信号电压还是漂移电压。输出端
漂移电压
uO d
uId 
输入端等效 Au 电压
漂移电压放大倍数
只有输入端的等效漂移电压比输入信号小许
多时，放大后的有用信号才能被很好地区分出来。
抑制零点漂移是制作高质量直接耦合放大电
路的一个重要的问题。
由于不采用电容，所以直接耦合放大电路具
有良好的低频特性。
|A | u
| Au0|
0.707| Au0|
通频带
O f
幅频特性 fH
适应集成化的要求，在集成运放的内部，级
间都是直接耦合。
差分放大电路是抑制零点漂移最有效的电路结构。
15.7.1 静态分析 +UCC
RB2 RC RC RB2
+ uO –
RB1 RB1
T1 T2
+ +
uI1 uI2
– –
差分放大原理电路
电路由完全相同的两个共射极单管放大电路
组成，要求两个晶体管特性一致，两侧电路参数对称
。该电路有两个输入端、两个输出端 ( 双端输
入双端输出 ) 。
1. 零点漂移的抑制
+UCC
RB2 RC RC RB2
+ uO –
RB1 RB1
T1 T2
+ +
uI1 uI2
– –
静态时， uI1 = uI2 = 0 uO= VC1 － VC2 = 0

当温度升高时 ICVC ( 两管变化量相等 )
uO= (VC1 + VC1 ) － (VC2 +  VC2 ) = 0
对称差分放大电路对两管所产生的同向漂
移都有抑制作用。若采用单端输出 , 无法抑制零点漂
移。 110 章目录上一页下一页返回退出
1. 零点漂移的抑制 +UCC
RC RC
+ uO –
RB RB
T1 T2
+ RP +
uI1 RE uI2
– UEE
– –
典型差分放大电路
RE 的作用：稳定静态工作点，限制每个管子的漂移。
的作用：
UEE ：用于补偿 RE 上的压降，以获得合适的工作点
。
电位器 RP : 起调零作用。
2. 静态分析
I R e  I E1  I E2  2 I E
R B 1I B  U BE  2REIE  U EE
+UCC
RC RC
+ uO –
RB RB
T1 T2
+ RP +
U EE
IC  IE 
2 RE uI1 RE uI2
– UEE
– –

2. 静态分析
R B 1I B  U BE  2REIE  U EE
上式中前两项较第三项小得多略去，
则每管的集电极电流
U EE +UCC
IC  IE  R C IC
2 RE
RB1 IB +
发射极电位 VE  0 + T1 +UCE
IC U EE UBE IE 
每管的基极电流 I B   
 2  RE
每管的集–射极电压 RE 2IE
U EE R C UEE
U CE  U CC  RC I C  U CC 
2 RE 单管直流通路
共模信号
15.7.2 动态分析需要抑制
1. 共模信号
uI1 = uI2 　大小相等、极性相同。
两管集电极电位呈等量同向变化，所以输出
电压为零，即对共模信号没有放大能力。
差分电路抑制共模信号能力的大小，反映了
它对零点漂移的抑制水平。差模信号
2. 差模信号是有用信号
uI1 = – uI2 　大小相等、极性相反。
两管集电极电位一减一增，呈等量异向变化，
uO= (VC1 － VC1 ) － (VC2 + VC １ ) = － 2 VC1
即
，对差模信号有放大能力。
2. 差模信号 +UCC
uI1 = – uI2 　 RC RC
+ uO –
RB RB
T1 T2
+ RP +
uI1 RE uI2
– UEE
– –
由于差模信号使两管的集电极电流一增一
减，其变化量相等，通过 RE 的电流近于不变， RE
上没有差模信号压降，故 RE 对差模信号不起作用
，可得出下图所示的单管差模信号通路。
+UCC
2. 差模信号 RC RC
+ uO –
uI1 = – uI2 　 RB RB
T1 T2
RE 对差模信号不起反 + RP +
馈作用
uI1 RE uI2
– UEE
– –

2. 差模信号 uI1 = – uI2 　
RB i b iC +
单管差模电压放大倍数
T1
uO1  β ib R C βR C + RC
uO1
A d1    uI1
u I1 i b ( R B  rbe ) R B  rbe
 
同理可得
uO2  RC
A d2    A d1 单管差模信号通路
u I2 R B  rbe
双端输入−双端输出差分电路的差模电压放大倍数为
uO  RC
Ad   A d1  
u I1  u I2 R B  rbe

2. 差模信号 uI1 = – uI2 　
当在两管的集电极之间接入负载电阻时
 R L
Ad  
R B  rbe
式中
1
R L  R C // R L
2
两输入端之间的差模输入电阻为
ri  2 ( R B  rb e )
两集电极之间的差模输出电阻为
ro  2 R C
例 : 在前图所示的差分放大电路中 , 已知
UCC=12V, UEE =12V,  =50, RC=10k, RE =10k,
RB=20 k ， RP =100 , 并在输出端接负载电阻 RL =
20k, 试求电路的静态值和差模电压放大倍数。
+UCC
RC RC
+ uO –
RB RB
T1 T2
+ RP +
uI1 RE uI2
– UEE
– –

+UCC
解:
U EE 12 RC RC
IC   3
A  0.6 mA + uO –
2 R E 2  10  10 RB
T2
RB
T1 RP
+ +
uI1 RE uI2
I C 0.6
IB   mA  0.012 mA – UEE
 50 – –
U C E  U C C  R C I C  ( 1 2  1 0  1 0 3  0 .6  1 0  3 ) V  6 V
 R L 50  5
Ad      11
R B  rbe 20  2.41
1
式中 R L  R C // R L  5 k 
2
26 26
rbe  200  ( 1   )  (200  51  ) Ω  2.41 k 
IE 0.6
单端输出时差分电路的差模电压放大倍数为
uO1 uO1 1 βR C
Ad    ( 反相输出)
u I1  u I2 2 u I1 2 R B  rbe
uO2 u O 2 1 βR C
Ad    (同相输出)
u I1  u I2 2 u I2 2 R B  rbe
即单端输出差分电路的电压放大倍数只有双端输出差
分电路的一半。
双端输入分双端输出和单端输出两种。此外
，还
有单端输入的 , 即将 T1 输入端或 T2 输入端接“地
” , 而另一端接输入信号 uI 。单端输入也分为双端
输出和单端输出两种。 121 章目录上一页下一页返回退出
差分放大电路的输入、输出接法
四种接法的动态参数特点归纳如下表：
电路
Ad Ri Ro Ac
类型
RL
双入双出  ( RC // )
2 2(R b  rbe ) 2 Rc 0
电路 
Rb  rbe
双入单出 1  ( Rc // RL ) 2(R b  rbe ) 0

电路   Rc
2 Rb  rbe
RL
单入双出  ( RC // )
 2 2(R b  rbe ) 0
电路 2 Rc
Rb  rbe
单入单出 1  ( Rc // RL )
电路
  2(R b  rbe ) Rc 0
2 Rb  rbe
3. 比较输入
ui1 、 ui2 的大小和极性是任意的。
如 : uI1 = 10 mV, uI2 = 6 mV
只放大两个
可分解成 : uI1 = 8 mV + 2 mV
输入信号的
uI2 = 8 mV － 2 mV
差值信号的
如 : uI1 =20 mV, uI2 = 16 mV 电路称差分
放大电路。
可分解成 : uI1 = 18 mV + 2 mV
uI2 = 18 mV － 2 mV
共模信号差模信号
这种输入常作为比较放大来应用，在自动控
制系统中是常见的。
15.7.3 共模抑制比
为全面衡量差分放大电路放大差模信号和
抑制共模信号的能力，引入共模抑制比。
共模抑制比差模放大倍数
Ad Ad
K CMRR  K C MR  20 lg ( dB )
Ac Ac
共模放大倍数 KCMR 越大 , 说明差分放大电

路分辨差模信号的能力越强，
而抑制共模信号的能力越强。

对于双端输出差分放大电路，若电路完全
对称 , 理想情况下共模放大倍数
Ac = 0 ，K C M R R  
输出电压 uO = Ad (uI1  uI2) = Ad
uId 若电路不完全对称，
则 Ac 0
实际输出电压 uO = Ac uIc + Ad uId
即共模信号对输出有影响。

15.8 互补对称功率放大电路
功率放大电路是放大电路的输出级，推动负载工作
。例如使扬声器发声、继电器动作、仪表指针偏转、电
动机旋转等。
15.9.1 对功率放大电路的基本要求
(1) 在不失真的情况下能输出尽可能大的功率。
(2) 由于功率较大，要求提高效率。
负载得到的交流信号功率
η 
电源供给的直流功率

iC iC 放大电路的工作状态
甲类工作状态
Q
晶体管在输入信号的
IB=0 整
O t O uCE 个周期内都导通 , 静态 IC 较
iC iC 大 , 波形好乙类工作状态
, 管耗大 , 效率
低。晶体管只在输入信
号的半个周期内导通 ,
Q I =0 静态 IC= 0, 波形严重失
B
O t O uCE 真，管耗小 , 效率高。
iC iC
甲乙类工作状态
晶体管导通的时间大
Q 于
IB=0
o 半个周期 , 静态 IC  0, 一
t O uCE
127 般功放常采用此种工作状态
章目录上一页下一页返回退出
15.8.2 互补对称放大电路
互补对称电路是集成功率放大电路输出级的
基本形式。当它通过容量较大的电容与负载耦合时，
由于省去了变压器而被称为无输出变压器 (Output
Trans formerless)
formerless 电路，简称 OTL 电路。若互补对
称电路直接与负载相连，输出电容也省去，就成为无
输出电容 (Output Capacitorless) 电路，简称 OCL 电
路。
OTL 电路采用单电源供电， OCL 电路采用双
电源供电。
1. OTL 电路 +UCC
(1) 特点
T1
T1 、 T2 的特性一致； C
一个 NPN 型、一个 PNP B A +
+
型 ; 两管均接成射极输出 +
ui T2 RL uO
器；输出端有大电容；
单电源供电。 - -
(2) 静态时 (ui= 0)
U CC OTL 原理电路
调整输入的直流电压使VＢ 
2
U CC
由于 T1 、 T2 对称，使 u A 
2
U CC
于是电容两端电压 uC  , IC1 0 ， IC2  0 。
129
(3) 动态
时设输入端在 UCC/2 直流基础上加入正弦信号。
输入交流信号 ui 正半周
U CC
VＢ  T1 iC1
2 u uO
T1 导通、 T2 截止； iC1 A + o -
流过负载，并向电容充 + RL
ui T iC2
电输入交流信号 ui 负半周 2
U CC -
VＢ 
2 交流通路
T2 导通、 T1 截止； iC2 流过负载，
若输出电容足够大，其上电压基本保持不变，则
负载上得到的交流信号正、负半周对称。
同时电容放电，相当于电源
(4) 交越失真 ui
当输入信号 ui 为正弦波时，
+
输出信号在过零前后出现的 o _ t
失真称为交越失真。
交越失真产生的原因 : uO 交越失真
由于晶体管特性存在非线性，
uI  死区电压晶体管导通不好。 O
t
克服交越失真的措施 :
　采用各种电路以产生有不大的偏流，使静态工作
点稍高于截止点，即工作于甲乙类状态。

(5) 克服交越失真的 OTL 互补对称放大电路
+UCC
两个晶体管
R3
T1 T1
C +
(NPN 型 ) 和 T2(PNP +
　　静态时 , 调节 iC1 uO
型 ) 的特性基本相同 R1
R , 使 A 点的电 ui CL
。3 D1 A +
1 + O
位 2 CCU t
O t D2
为　　输出电容。 C R uo
L L
1
上 U CC T2 iC2
2 R2 
R1 和 D1 、 D2
的电压也等于 
上的压降使两管获
。 OTL 互补对称放大电路
得合适的偏压，工作在甲乙类状态。
当输出功率较大时常采用复合管
复合管的构成
C
方式 1
C ic
ic ib
B NPN
ib ib= ib1
T1
B ib2= ie1=(1+1 ) ib1 ie
NPN
T2 E
ic1= 1 ib1
NPN
ie ic2=2 ib2 = 2 (1+1 ) ib1
ic = ic1+ ic2
E
=[1+2 (1+1 )] ib1
 1 2 ib1
方式 2 E
ie E
ib ie
T1 ib
B PNP B PNP
T2
NPN ic
ic C
C
复合管的类型与复合管中第一只管子的类型相同
 复合管的电流放大系数    1 2
产品手册中常把复合管称为“达林顿”晶体管
。
用复合管组成的互补对称放大电路常称为准互补对
称放大电路。
讨论一
判断下列各图是否能组成复合管
在合适的外加电压下，每只管子的电流都有合适的
通路，才能组成复合管。
 用复合管组成的互补对称放大电路常称为准互补
对称放大电路。
思考 OTL 准互补对称放大电路
(1) R4 、 D1 、 D2 的作用
+UCC
？避免产生交越失真。 R3
(2) T1 和 T3 、 T2 和 T4 T1
R4
构成什么工作方式？ T3
构成复合管。 D1 R
D 6 R CL
(3) R8 和 R9 的作用 ? 2 8
+
引入电流负反馈， R1
T +
使电路工作稳定。 + 2
+ T5
(4) R6 和 R7 的作用 ? T4 RL uO
ui _
分流 T1 、 T2 的 ICEO ， R2 + R5 R7 R9
_
提高温度稳定性。
2. 无输出电容 (OCL) 的互补对称放大电路
+UCC
OCL电路需用正、负
R3
两路电源。其工作原理 C
+
与OTL电路基本相同。 + T1
ui R1
 D1 A +
D2 RL uO

T2
R2
UCC
OCL 互补对称放大电路
15.8.3 集成功率放大电路
目前集成功放电路获得了广泛的应用 , 其
内部电路一般均为 OTL 或 OCL 电路。集成功率放
大电路除了具有分立元件 OTL 或 OCL 电路的优点
外 , 还具有体积小、工作稳定可靠、使用方便等优点
。
低频集成功放的种类很多 , 下面以 LM386
为例作一简单介绍。
LM386 是一种低电压通用型低频集成功放。该
电路功耗低、允许的电源电压范围宽、通频带宽、
外接元件少 , 广泛用于收录机、对讲机、电视伴音
等系统中。

15.8.3 集成功率放大电路
R2
集成功放 LM386 接线图 +UCC
+C
特点 : 4
去耦，滤掉高
工作可靠、 8 频交流
C1
使用方便。 + ∞
+
2 + 5 + C5
只需在器件 ui LM386 +
_ R1 3 +
外部适当连 R3
uO
线，即可向 4 7+
C2 C3 _
负载提供一 
定的功率。相位补偿 , 消
消振，防止高除
频自激自激振荡 , 改
善
140
高频负载特性退出
章目录上一页下一页返回
15.9 场效晶体管及其放大电路
场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种
半导体器件，即是电压控制器件。它的输出电流决定
电压控制器件
于输入电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，
所以它的输入电阻高，且温度稳定性好。
按结构不同场效晶体管有两
种:
结型场效晶体管
绝缘栅场效晶体管
由于绝缘栅场效晶体管制作工艺简单，便于集成
化 , 且性能优于结型场效晶体管 , 因此得到广泛应用。
本节仅介绍绝缘栅场效晶体管
15.9.1 绝缘栅场效晶体管
按工作状态可分为：增强型和耗尽型两类，每类又
增强型和耗尽型两类，
有 N 沟道和
沟道 P 沟道之分。
沟道
1. 增强型绝缘栅场效晶体管
(1) N 沟道增强型管的结构
源极栅极漏极
金属电极 S G D SiO 绝缘层
栅极和其 2
他电极及硅
+ +
片之间是绝 N N
缘的，称绝
缘栅场效晶高掺杂N区
体管。 P型硅衬底

由于金属栅极和半导体之间的绝缘层目前常用二
氧化硅，故又称金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管
，简称 MOS 场效应管。
源极栅极漏极
金属电极 S G D SiO 绝缘层
符号： D 2
+ +
N N
G
高掺杂N区
S P型硅衬底
由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电
阻很高，最高可达 1014 。
(2) N 沟道增强型管的工作原理
由结构图可见， N+ 型漏区和 N+ 型源区之间
被 P 型衬底隔开，漏极和源极之间是两个背靠背的
PN 结。
S D U GS
S- +G D
当栅−源极电压 UGS =
0 时 , 不管漏极和源极之＋＋
N N
间所加电压的极性如何，
其中总有一个 PN 结是反 P型硅衬底
向偏置的，反向电阻很高
，漏极电流近似为零。
144 章目录上一页下一页返回

跳转退出
(2) N 沟道增强型管的工作原理
当 UGS > 0 时， P 型衬底中的电子受到电场力的
吸引到达表层，填补空穴形成负离子的耗尽层；当
UGS >UGS （ th ）时，还在表面形成一个 N 型层，称反
型层，即勾通源区和漏区的UN 型导电沟道，将漏极
GS
和源极连接起来。 S - +G D
N沟道
UGS 正值愈高，
耗尽层
导电沟道愈宽。 +
N - - - - N
+
P型硅衬底

UDS
当 UGS  UGS(th ）后，场 – +
UGS
效晶体管才形成导电沟 S – + G D ID
道 , 开始导通，若漏–源
之间加上一定的电压 UDS, + +
N N
则有漏极电流 ID 产生。
在一定的 UDS 下漏极电 N沟道
P型硅衬底
流 ID 的大小与栅源电压
UGS 有关。所以，场效
应管是一种电压控制电 N型沟道增强型绝缘栅场效
晶体管的导通
流的器件。
在一定的漏源极电压 UDS 下 , 使管子由不导
通变为导通的临界栅源极电压称为开启电压 UGS(th ）
。 146 章目录上一页下一页返回退出
(3) 特性曲线
恒流区
ID/mA 可变电阻区
ID/mA 4V
UDS=常数
3V
开启电压 UGS(th
2V
）
UGS(th) UGS= 1V
O O
无沟道有沟道 UGS/V UDS/V
截止区
转移特性曲线输出特性曲线

(4) P 沟道增强型
结构符号：
SiO2 绝缘层
D
+ +
P P
G
N型硅衬底
S
加电压才形成
P 型导电沟道
增强型绝缘栅场效晶体管只有当 UGS  UGS(th ）时

才形成导电沟道。
2. 耗尽型绝缘栅场效晶体管
如果 MOS 管在制造时导电沟道就已形成，称为
耗尽型场效晶体管。
(1 ) N 沟道耗尽型管 SiO2 绝缘层中
掺有正离子
符号： D
+ +
G
P型硅衬底
S
预埋了 N 型
导电沟道
由于耗尽型场效晶体管预埋了导电沟道，所以在
UGS= 0 时，若漏–源极之间加上一定的电压 UDS ，也
会有漏极电流 ID 产生。
这时的漏极电流用 IDSS 表示，称为饱和漏极电流
。当 UGS > 0 时，使导电沟道变宽， ID 增大；
当 UGS < 0 时，使导电沟道变窄， ID 减小；
UGS 负值愈高，沟道愈窄， ID 就愈小。
当 UGS 达到一定负值时， N 型导电沟道消失，
ID= 0 ，称为场效晶体管处于夹断状态（即截止）。
这时的 UGS 称为夹断电压，用 UGS(off ）表示。
(2) 耗尽型 N 沟道 MOS 管的特性曲线
耗尽型的 MOS 管 UGS= 0 时就有导电沟道，加反向
电压到一定值时才能夹断。
ID/mA ID/mA
16 1V
16
UDS=常数
12 IDSS 12 UGS=0
夹断电压
8 8 1V
UGS(off) 4 4
2V
3 2 1 0 1 2 UGS /V 0 4 8 12 16 20 U DS
转移特性曲线输出特性曲线

(3) P 沟道耗尽型管 SiO 绝缘层中
2
掺有负离子
符号： D
+ +
P P
G
N型硅衬底
预埋了 P 型 S
导电沟道

增强型耗尽型
D D D
D
G G G G
S S S S
N沟道 P沟道 N沟道 P沟道
G 、 S 之间加一在制造时
定电压才形成导电沟就具有原始导电沟
道道

3. 场效晶体管的主要参数
(1) 开启电压 UGS(th) ：是增强型 MOS 管的参数
(2) 夹断电压 UGS(off) ：是结型和耗尽型
(3) 饱和漏电流 IDSS ：MOS 管的参数
DSS
(4) 低频跨导 gm ：表示栅−源极电压对漏极电流的
控制能力
Δ ID
gm  U DS
Δ U GS
极限参数：最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。

场效晶体管与双极型晶体管的比较
双极型晶体管场效晶体管
电子和空穴两种载电子或空穴中一种
载流子流子同时参与导电载流子参与导电
控制方式电流控制电压控制
类型 NPN和PNP N沟道和P沟道
放大参数   30 ~ 300 gm  1 ~ 5mA/V
输入电阻 10 2 ~ 104 Ω 较低 107 ~ 1014 Ω 较高
输出电阻 rce很高 rds很高
热稳定性差好
制造工艺较复杂简单，成本低
对应电极 B—E—C G—S—D
15.9.2 场效晶体管放大电路
场效晶体管具有输入电阻高、噪声低等优点 ,
常用于多级放大电路的输入级以及要求噪声低的放
大电路。
场效晶体管的源极、漏极、栅极相当于双极
型晶体管的发射极、集电极、基极。
场效晶体管的共源极放大电路和源极输出器与
双极型晶体管的共发射极放大电路和射极输出器在
结构上也相类似。
场效晶体管放大电路的分析与双极型晶体管放
大电路一样，包括静态分析和动态分析。

15.9.2 场效晶体管放大电路
+UDD
1. 自给偏压偏置电路
RD C2
T 为 N 沟道耗尽型场效晶体
管 C1 +
T
+
+
UGS = –RSIS RG UGS _ uo
ui +
RS IS CS
= –RSID _ _
栅−源极电压 UGS 是由场效晶体管自身的电流

提供的 , 故称自给偏压。
增强型 MOS 管因 UGS = 0 时， ID  0 ，故不
能采用自给偏压式电路。
静态分析可以用估算法或图解法 ( 略 ) +UDD
估算法： RD C2
列出静态时的关系式 +
C1
+ T
UGS = – RSID
+
U GS 2 RG UGS _ uo
I D  I DSS (1  ) ui
RS
+
CS
U GS(off) IS
_
_
将已知的 UGS(off) 、 IDSS 代入上两式 , 解出

U由 UDSD=。UDD –ID(RD+ RS) 解出 UDS 。
GS 、 I
对增强型 MOS 管构成的放大电路需用图解法来

确定静态值。
例 : 已知
UDD=20V 、 RD=3k 、 RS=1k 、 RG=500k 、 U
+U
GSDD
(off)
= –4 V 、 IDSS= 8mA ，确定静态工作点。 RD C2

解：用估算法。
C1 +
T
列出关系式 +
+
UGS = – 1 ID R UGS _uo
ui G +
U GS 2 RS
IS CS
I D  8(1  ) _ _
4
解出 UGS1 = –2V 、 UGS2 = –8V 、 ID1=2mA 、 ID2=8mA
因 UGS2 <UGS(off) 故舍去，所求静态解为
UGS = –2V ID=2mA
UDS= [20 – 2(3 + 1) ]V = 12 V
（ 2 ）动态分析
电压放大倍数 RG G D
+
U o   I d RD + +
gmU gs Id
  g mU gs RD U i
U gs RD
U o
U i  U gs
- -S -
U o
Au    g m RD
U i 微变等效电路图
输出电阻 RO  RD

2. 分压式偏置电路
(1) 静态分析
估算法：列出静态时的关系式。
+UDD
流过 RG 的电流为零
RG2 RD C2
U GS  U DD  I D RS RG1
RG1  RG2 C 1
U GS 2 +
+
I D  I DSS (1  ) R uo
U GS(off) ui RG RG2RS
+ L
CS –
将已知的
–
UGS(off) 、 IDSS 代入
上两式，解出 UGS
由 U
、I 。
DS= UDD – I D( RD+ RS) 解出 UDS
D
I d
(2) 动态分析交流通路 D
电压放大倍数 G T
+
U o   I d ( RD // RL ) +
RG RD RL U O
  gmU gs ( RD // RL ) U i –
RG1 RG2
U i  U gs – S
I i G D
U o + + +
Au    gm ( RD // RL )

Ui RG 
gRmU gs是为了提
I d
U i U gs
G
RD RL U o
输入电阻高输入电阻 ri
RG1 RG2
Ri  RG  (RG1 //RG2 ) 而设置的。
S -
- -
输出电阻 RO  RD
3. 源极输出器 ( 共漏极放大电路）
+UDD
交流通路 D
RG1 G T
C1 + + U S I S
C2 RG gs –
+ + +
+ U i RS RL U O
ui RG RG2 RS RL uo RG1 RG2 –
– –
–
I i G U S
+ + gs - +
RG g mU gs Id
U i RS RL U o
RG1 RG2
- D -
1. 电压放大倍数 I i G U S
+ + gs - +
U  I (R //R )
o d S L RG gmU gs Id
 gmU gs ( RS // RL ) U i RS RL U o
RG1 RG2
U i  U gs  U o - D -
 U gs  gmU gs ( RS // RL )
3. 输出电阻
U
U o gm ( RS // RL ) I  0  g U  ( 1  g )U
0 m 0 m 0
Au   1 RS RS

U i 1  gm ( RS // RL ) 1
R0  //RS
2. 输入电阻 gm
Ri  RG  (RG1 //RG2 ) 特点与晶体
管的
射极输出器一样
基本要求：
1. 掌握二极管的特性曲线及其等效电路；稳压管的
稳压条件。
2. 掌握三极管的结构，三极管的输入输出特性，会
进行状态判断。
3. 掌握放大电路的组成原则；
4. 掌握直流通路和交流通路的画法。
5. 图解法确定静态工作点，分析失真。
6. 掌握晶体管的小信号等效模型，会用等效电路法
分析动态指标。 ( 共射，共集 )

7. 掌握两级放大电路的分析计算 ;
8. 掌握差分电路的工作原理，两种接法差分电路的
静态和动态计算。（双入双出和双入单出）
9. 掌握互补式功率放大电路的工作原理。（甲乙类
）
10. 了解 MOS 场效应管的结构和工作原理，及其基
本放大电路。

练习 1 ：分别判断图 4 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
解：（ a ）可能
（ b ）可能
（ c ）不能
（ d ）不能， T
的发射结会因电
流过大而损坏。
（ e ）可能

2 ．下列各电路中能实现交流电压放大的是图（
b ）。
12V 12V
+ +
+ + +
+
+ +
uo uo
ui ui
+ +
- - - -
(a ) ( b)
12V 12V
+ +
+ + +
+
+ +
uo uo
ui ui
+ +
- - - -
(c)
(d)

3 ．如图所示的放大电路（c ）。
(a) 不能稳定静态工作点。
(b) 能稳定静态工作点，但比无二极管 D 的电路效果要差。
(c) 能稳定静态工作点且效果比无二极管 D 的电路更好
U CC
+
+
+
+
D uo
ui
- -

第15章 基本放大电路

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

第15章 基本放大电路

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

第 14 章 半导体器件

1 章目录 上一页 下一页 返回 退出

2 章目录 上一页 下一页 返回 退出

3 章目录 上一页 下一页 返回 退出

(a)放大 (b)截止 (c)饱和

4 章目录 上一页 下一页 返回 退出

5 章目录 上一页 下一页 返回 退出

6 章目录 上一页 下一页 返回 退出

10 章目录 上一页 下一页 返回 退出

11 章目录 上一页 下一页 返回 退出

14 章目录 上一页 下一页 返回 退出

(IB 、 UBE) 和 (IC 、 UCE) 分别对应于输入、输出特

18 章目录 上一页 下一页 返回 退出

(4) 输出电压与输入电压在相位上相差 180°, 即共

19 章目录 上一页 下一页 返回 退出

20 章目录 上一页 下一页 返回 退出

22 章目录 上一页 下一页 返回 退出

23 章目录 上一页 下一页 返回 退出

28 章目录 上一页 下一页 返回 退出

30 章目录 上一页 下一页 返回 退出

37 章目录 上一页 下一页 返回 退出

39 章目录 上一页 下一页 返回 退出

40 章目录 上一页 下一页 返回 退出

41 章目录 上一页 下一页 返回 退出

O UBE 、 E 之间 ) 可用 rbe 等效代替 , 即

51 章目录 上一页 下一页 返回 退出

53 章目录 上一页 下一页 返回 退出

60 章目录 上一页 下一页 返回 退出

61 章目录 上一页 下一页 返回 退出

64 章目录 上一页 下一页 返回 退出

66 章目录 上一页 下一页 返回 退出

70 章目录 上一页 下一页 返回 退出

71 章目录 上一页 下一页 返回 退出

72 章目录 上一页 下一页 返回 退出

74 章目录 上一页 下一页 返回 退出

76 章目录 上一页 下一页 返回 退出

78 章目录 上一页 下一页 返回 退出

81 章目录 上一页 下一页 返回 退出

83 章目录 上一页 下一页 返回 退出

84 章目录 上一页 下一页 返回 退出

86 章目录 上一页 下一页 返回 退出

87 章目录 上一页 下一页 返回 退出

88 章目录 上一页 下一页 返回 退出

ri  ri1  RB1 // rbe1  (1   ) RL1

96 章目录 上一页 下一页 返回 退出

101 章目录 上一页 下一页 返回 退出

信号源 第一级 第二级 负载

104 章目录 上一页 下一页 返回 退出

静态时， uI1 = uI2 = 0 uO= VC1 － VC2 = 0

112 章目录 上一页 下一页 返回 退出

116 章目录 上一页 下一页 返回 退出

117 章目录 上一页 下一页 返回 退出

119 章目录 上一页 下一页 返回 退出

双入单出 1  ( Rc // RL ) 2(R b  rbe ) 0

共模放大倍数 KCMR 越大 , 说明差分放大电

124 章目录 上一页 下一页 返回 退出

125 章目录 上一页 下一页 返回 退出

126 章目录 上一页 下一页 返回 退出

131 章目录 上一页 下一页 返回 退出

138 章目录 上一页 下一页 返回 退出

142 章目录 上一页 下一页 返回 退出

144 章目录 上一页 下一页 返回

145 章目录 上一页 下一页 返回 退出

第15章基本放大电路

第15章基本放大电路

第 14 章半导体器件

1 章目录上一页下一页返回退出

2 章目录上一页下一页返回退出

3 章目录上一页下一页返回退出

4 章目录上一页下一页返回退出

5 章目录上一页下一页返回退出

6 章目录上一页下一页返回退出

10 章目录上一页下一页返回退出

11 章目录上一页下一页返回退出

14 章目录上一页下一页返回退出

18 章目录上一页下一页返回退出

19 章目录上一页下一页返回退出

20 章目录上一页下一页返回退出

22 章目录上一页下一页返回退出

23 章目录上一页下一页返回退出

28 章目录上一页下一页返回退出

30 章目录上一页下一页返回退出

37 章目录上一页下一页返回退出

39 章目录上一页下一页返回退出

40 章目录上一页下一页返回退出

41 章目录上一页下一页返回退出

51 章目录上一页下一页返回退出

53 章目录上一页下一页返回退出

60 章目录上一页下一页返回退出

61 章目录上一页下一页返回退出

64 章目录上一页下一页返回退出

66 章目录上一页下一页返回退出

70 章目录上一页下一页返回退出

71 章目录上一页下一页返回退出

72 章目录上一页下一页返回退出

74 章目录上一页下一页返回退出

76 章目录上一页下一页返回退出

78 章目录上一页下一页返回退出

81 章目录上一页下一页返回退出

83 章目录上一页下一页返回退出

84 章目录上一页下一页返回退出

86 章目录上一页下一页返回退出

87 章目录上一页下一页返回退出

88 章目录上一页下一页返回退出

96 章目录上一页下一页返回退出

101 章目录上一页下一页返回退出

信号源第一级第二级负载

104 章目录上一页下一页返回退出

112 章目录上一页下一页返回退出

116 章目录上一页下一页返回退出

117 章目录上一页下一页返回退出

119 章目录上一页下一页返回退出

124 章目录上一页下一页返回退出

125 章目录上一页下一页返回退出

126 章目录上一页下一页返回退出

131 章目录上一页下一页返回退出

138 章目录上一页下一页返回退出

142 章目录上一页下一页返回退出

144 章目录上一页下一页返回

145 章目录上一页下一页返回退出

147 章目录上一页下一页返回退出

151 章目录上一页下一页返回退出

152 章目录上一页下一页返回退出

153 章目录上一页下一页返回退出

154 章目录上一页下一页返回退出

156 章目录上一页下一页返回退出

160 章目录上一页下一页返回退出

165 章目录上一页下一页返回退出

166 章目录上一页下一页返回退出

167 章目录上一页下一页返回退出

168 章目录上一页下一页返回退出

169 章目录上一页下一页返回退出