> > > > > TRANSISTORES BJT Y FET 1. LISTA DE MATERTALES)isiiss/sictigs ise Dos transistores BJT de uso general NPN uno de Germanio y otro de Silicio respectivamente, recomendable BC548 BC557 . Un transistor JFET de canal N. Un transistor IGFET de canal P. Dos potenciémetros, uno de 100 [Ka] y otro de 1 [KQ]. Resistencias de 100 [KA]; 8.2 [KQ]; 2.2 [Kal]; 1 [KO]; 330 [2] y 100 [2] todos de 0.5 [W]. > > > > > 2. LISTA DE INSTRUMENTOS A UTILIZA\ Fuente de alimentacién variable DC. Multimetro. Osciloscopio. Generador de Funciones. Una fuente simétrica fija de +/- 15 [V]. jui3- OBJETIVOS D A REA\ 3.1 OBJETIVO GENERAL Analizar la estructura interna de los transistores, comprobando el estado interno de los mismos, tipo de transistor, asf como identificacibn de sus terminales y estudiar las caracteristicas V-I del transistor y determinar el punto de trabajo estatico de! transistor, Pagina 4 de Laboratorio It Escaneado con CamScanner3.2 OBJETIVOS ESPECIFICOS Los objetivos especificos que a continuacién se sefialan son para cada experimento: a) Aprender a identificar el tipo de transistor con la ayuda solo de un multimetro. b) Mostrar cémo se prueban transistores BJT y JFET con la seccién éhmetfo del multimetro, c) Estudiar las caracteristicas de técnicas segtin las hojas de especificaciones de los fabricantes de los transistores BJT, JFET, IGFET usados en los circuitos. d) Determinas las caracteristicas de salida de un transistor. ) Determinar las curvas caracteristicas e componentes activos, mediante el método punto a punto, en la configuracién Emisor Comtin y Fuente Comin y trazar la recta de carga en contintia verificando su concepto. f) Aprender a obtener en base a los datos obtenidos en anteriores puntos los parametros de un transistor. g) Aprender a obtener la curva caracteristica de un transistor empleando un osciloscopio por el método de barrido por frecuencia. h) Aplicar el funcionamiento de un transistor como regulador de Tensién. i) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la experimentacion y plasmarlos en la proposicién de un ejemplo a desarrollar en laboratorio. a) IDENTIFICANDO TRANSISTORES En base a lo investigado en el pre informe realice lo siguiente: “ Tenga a mano un transistor cualquiera en base a un multimetro mida todas las combinaciones posibles de los tres pines y elabore su conclusién de que transistor es, sin la necesidad de una hoja de datos. “En base al anterior punto tome un transistor conocido y compruebe los pasos que realiz6 verificando la veracidad del método. “+ Realice lo mismo para un PNP o NPN segtin sea el caso. b) PROBANDO TRANSISTORES CON MULTEMETRO Con el Multimetro para medir resistencias realice los pasos aprendidos en el anterior inciso y llene la tabla 1. Pagina 2 de Laboratorio I Escaneado con CamScannerANSI MAN aN ROY SCANS GcUc MPR OMe =I IMN OL Ce) +B-E +G-S -B+E -G+S +C-B +D-G -C+B -D+G +C-E +D-S +E -D+S Tabla 1 mente en las conclusiones los valores obtenidos. ¢) Caracteristicas TECNICAS DE LOS TRANSISTORES Elabore una tablita tipo fichero con los datos obtenidos en el pre informe y téngalo presente para cada laboratorio de los transistores mas empleados y aplique en laboratorio para el cuidado de los mismos en cada circuito armado. BIT NPN LOS VALORES NOMINALES MAXIMOS: Transistor: Voltaje colector — emisor (Vce0). Voltaje colector — base (Vceo) Voltaje emisor — base (Veso). Corriente de colector — continua (lo). Disipacién total del dispositivo a Ta = 25°C (Po). CARACTERISTICAS DE SENAL PEQUENA: Producto ganancia de corriente — ancho de banda (fT). Capacitancia de salida (Cobo). Capacitancia de entrada (Cibo). Impedancia de entrada (hie). Razén de retroalimentaci6n de voltaje (hre). Ganancia de corriente de sefial pequefia (hfe). Admitancia de salida (hoe). Pagina 3 de Laboratorio It Escaneado con CamScannerBOT PNP LOS VALORES NOMINALES MAXIMOS: ‘Voltaje colector = emisor (Vceo). Voltaje colector ~ base (Veso). Voltaje emisor ~ base (Ves0). Corriente de colector — continua (I). Disipacién total del dispositivo a Ta = 26°C (Po). CARACTERISTICAS DE SENAL PEQUENA: Transistor: Producto ganancia de corriente — ancho de banda (fT). Capacitancia de salida (Cobo). Capacitancia de entrada (Cito). Impedancia de entrada (hie). Razén de retroalimentacién de voltae (re). Ganancia de corriente de sefial pequetia (hfe). Admitancia de selida (hoe). FET LOS VALORES NOMINALES MAXIMOS: Transistor: ‘Voltaje drenaje — fuente (VDS). Voltaje drenaje - compuerta (VDG). \Voltaje compuerta — fuente (VGS). Corriente de drenaje (ID). Disipacién de potencia a TA = 25°C (PD). CARACTERISTICAS DE SENAL PEQUENA: Transadmitancia directa (| Vfsl ). Transcondustancia directa (Re(yfs)). Conductancia de salida (Re (yos)) Conductancia de entrada (Re (yis)) ‘Capacitancia de entrada (Ciss). Capacitancia de transferencia inversa (Crss). Pagina 4 de Laboratorio Il Escaneado con CamScannerd) CARACTERISTICAS DE SALIDA Arme los tres circuitos de la figura 1 y 2 y mueva el potenciémetro de un extremo a otro, del mismo se deben adauiir los datos suficientes como para dibujar la seftal de salida seguin la tabla 2, 3. Los datos a tomarse deben ser como minimo 15 valores para la obtencién de un buen grafico. Todos los valores deben plasmarse en un solo grafico (Curva caracteristica del colector en configuracién Emisor Comin). Para la obtencién de este punto se deberd desarrollar la Implementacién de laboratorio 0 la simulacién tomando valores, datos que representaran puntos de la gréfica de salida de un transistor. Por lo que es conveniente tener un simulador en los ordenadores (PROTEUS, MULTISIM, etc), pasando a desarrollar la obtencién de datos tenemos: 169 Figura 1 Transistor: Ae eto. Brenly Ruy TcmA BUT MeN neu BSE LO Ya We eer A0 Naples Lt as eeeeSS OLIN NL a PAPUAN 1 2 3 4 5 6 i 8 9 10 Tabla 2 Pagina 5 de Laboratorio I Escaneado con CamScannerToma Mi eat i NEM TomA OU =) o]o]NJofufalofnfe | Tabla 3 e) RECTA DE CARGA Arme los circuitos de la figura 3 mueva el potencidmetro de un extremo a otro y tome las lecturas con sumo cuidado llenando la tabla siguiente, realice minimamente 10 medidas para la obtencidn de un buen grafico. Como se presenta a continuacién la simulacién del circuito de tal modo que la representacidn del potenciémetro nos permitira la obtencién de la tabla que se describe posteriormente, una de las caracteristicas de entrada de los transistores es el motivo por el cual se presenta la recta de carga, de tal forma que la interseccidn con esta nos presenta el punto de equilibrio o punto de trabajo predeterminado de tal forma que se opta por trabajar en la zona lineal del transistor. Pagina 6 de Laboratorio It Escaneado con CamScannerRw ona Figura 3 Transistor: Transistor: ‘Transistor: 1 1 1 2 2 2 3 3 3 4 4 4 5 5 5 6 6 | 6 | 2 71 7 8 8 8 9 9 9 10 10 10 Pagina 7 de Laboratorio It Escaneado con CamScannerf) PARAMETROS DE LOS TRANSISTORES En base a los puntos d) y e), arme los circuitos de la Figura 4 y 5. a) Elabore las tablas correspondientes a cada circuito, determine los parémetros para cada transistor (hfe, hie, hre y hoe) parametros del circuito equivalente en la configuracidn de los circuitos armados. b) Compare los valores de los parémetros obtenidos con los del manual del transistor usado. aw 2008 108 Figura 4 10k 108 Figura 5 g) CARACTERISTICAS DE SALIDA (VISUALIZACION) Arme el circuito de la figura 6 compruebe su funcionamiento segtin lo investigado en el pre informe elabore los datos suficientes y dibuje la sefial de salida. Realice variaciones en la frecuencia y vea cuales son los cambios producidos, dibuje el grafico para ciertas frecuencias donde los cambios son bien notorios y determine los rangos maximo y minimo de una estabilidad de barrido. Pagina 8 de Laboratorio Il Escaneado con CamScannerentrada voreiea) 4 tezeinal de elorra PF dét oscilozespio Figura 6 Con la investigacién del método de barrido por frecuencia, el estudiante deberd de tener en cuenta que para la perfecta.visualizacién de la curva sea lo més parecido a lo que se muestra. h) FUENTE REGULADA Disefiar una fuente que tenga un voltaje en la resistencia de carga de 9[V] y una corriente 300m[A], con un voltaje de rizado que sea el 10% del voltaje pico. Considerar los siguientes datos: Vprim = 220 Vrms, Veec = 12 Vrms y f = 50[hz] TR ert © : = . ans ce Pagina 9 de Laboratorio I! Escaneado con CamScanneri) APORTE DE ALUMNO En base a los puntos del laboratorio, prepare una funcién e implemente un ejercicio, obteniendo los resultados planteados, explique claramente su funcionamiento. Este punto es dejado a consideracién del estudiante. SIMULACION Para todos los puntos anteriores, utilice un programa de simulacién (workbench, circuit maker, multisim, Proteus, etc.) e implemente con dicha herramienta el Laboratorio. 45. REALIZACION DE LABORATORIO, ; Para la presentacién de laboratorio el estudiante necesariamente debe disponer de todos los Puntos armados en protoboard antes del inicio de sesidn de la practica. a) IDENTIFICANDO TRANSISTORES Arme los circuitos propuestos en el pre informe. Compare los valores obtenidos con los disefiados en el pre informe y enuncie sus conclusiones. b) PROBANDO TRANSISTORES CON MULTIMETRO ‘Arme los circuitos propuestos en el pre informe, y mida con la ayuda de un multimetro Compare los valores obtenidos con los disefiados en el pre informe y enuncie sus conclusiones, c) CARACTERISTICAS TECNICAS DE LOS TRANSISTORES Arme los circuitos propuestos en el pre informe. De forma similar al anterior inciso. d) CARACTERISTICAS DE SALIDA Arme el circuito de la figura y mida los siguientes valores a frecuencia media: Determine si se acercé a los valores de disefio. e) RECTA DE CARGA Arme los circuitos y tome las medidas pertinentes que le permitan determinar las ganancias de tension y corriente. Compruebe que los valores disefiados en el pre informe corresponden al obtenido en forma experimental. f) PARAMETROS DE LOS TRANSISTORES Arme el circuito propuesto en el pre informe y verifique su correcto funcionamiento comparando los valores que obtenga experimentalmente con los calculados en el pre Pagina 10 de Laboratorio It Escaneado con CamScannerinforme. Enuncie en las conclusiones si los resultados son idénticos o varian, explique las causas. g) CARACTERISTICAS DE SALIDA (VISUALIZACION) Arme el circuito propuesto en el pre informe y demuestre su funcionamiento, obteniendo las tablas y graficas necesarias, h) FUENTE REGULADA Arme el circuito propuesto en el pre informe y demuestre su funcionamiento, obteniendo las tablas y graficas necesarias, i) APORTE DE ALUMNO Arme el circuito propuesto en el pre informe y demuestre su funcionamiento, obteniendo las tablas y graficas necesarias. 6. INFORME FINAL. Presentar los resultados obtenidos en laboratorio, con los respectivos andlisis de los datos experimentales obtenidos, interpretando cada uno de los comportamientos fisicos obtenidos, para cada una de las practicas elaboradas realizar las respectivas observaciones con respecto a lo aprendido y emitir conclusiones de las mismas. Tome en cuenta los objetivos de la practica pues son muy importantes para la elaboracién final del informe: ? Emita Las conclusiones para cada punto de Laboratorio en forma independiente. “ Realice una comparacién entre la hoja simulada y el punto desartollado en laboratorio. > En base a la comparaci6n emita una conclusién completa y entincielo en su informe. + Todo cuanto se haya realizado en laboratorio, debe ser detallado, explicado y presentado en el informe, adjunto con sus graficas respectivas. Este informe seré el vivo reflejo de lo que el alumno haya ejecutado como trabajo en laboratorio. Pagina 11 de Laboratorio It Escaneado con CamScanner[Ale— = /°54(yw)or = $? ugisesado ap ound ja ua “6 ap sojen [2 4eIN2|29 [aloz = ??A ugequawje ap afe31on (q “eJoueynpuoasuen ap enuno e| ap A eBseo ap ej22J ©] ap pedi e| e ug}pe1ado ap oIung (2 Yep saqUaINgls so] ejduuno as anb opows je) ap A ugisuay ap sosiAIp Jod 134 uN JezZUe}og “OBE = ¥ ap BpSd¢ JOIs|sue. UN ap auodsip as ‘“([Yw]E = 21 ‘[AJot = 924) 0 uoinesado ap oqund ja ua afeqe.y anb opezyejod oyne oyna,|9 UN 4eUasiG “sound saqusi94Ip so] ua sauo|suay A sapepisuayul se] sepoy seinsje5‘[4]Z'0 = 29/001 = J un auay dNd Joxs|suen un uod esndy e| ap o3!N2W19 | 244 “04:sosyauupied 50} 134 103515233 UN Ua equasasdes anb anbipu (y e918" 2294 ap ugtouny ua ‘ey109 ‘Augpeinyes ap euoz e| ua 2352 179 s03sIsue.y un anb e1ed sopipuaidwuod upysa So40|eA 90? (3 “1g Joysisueny un Ua 089, 404984 |a euasaudas anb anbiput (J “ugiKayap ap 134SOW (2 “ugioonpUul ap 134SOW (P “Laur Ug|UN ap odwes ap oy>aya ap Jo3sisuedt (2 “uaysixe soda anb seayjdxa A sejodun soysisuen (4 “uays}xa sod anb seoljdxe A sejodiq soysysueay (2 reuyea SSYOLSISNVUL ZN VOUDVUd € T Escaneado con CamScanner5. 6. Utilizando en transistor BF24SC (Iss para que opere en el punto Q\Vps a) £Cual es la tensién de salida en la Figura? 42V b) éCual es la corriente del LED en la Figura? Escaneado con CamScanner7. El seguldor de fuente de la Figura tiene la curva de transconductancla mostrada, {Cudl es la tensién alterna de salida? +0 Joma sma 25mA Yes av av av avo 8. Latensién de alimentacién del circuito de la‘Figura es de 24 [V] ya valvula del agua posee una resistencia de 12 [0 Determinar: eCudl es la corriente a través de la valvula del agua cuando las sondas estén sumergidas? Net et actA DELAPIECINA, a) En la Figura 1 mostrada a continuacién: Ecusdles son los valores de ra, y Vout utilizando una mo de 4000 [WS]? ECudl es la impedancia de entrada aproximada del circuito? No Figura 2 b) Enel circuito de la Figura 2, halle: i) Ves ii) Ip til) 9m Escaneado con CamScanneriv) Vou Las especificaciones del MOSFET son: k = 104x10~3 [4 600[m4A]; Vescumbran = 2.1[V] 10. Se desea disefiar un circuito de polarizacién de transistor como el que se ilustra en la figura, use un transistor 2N2222 para el cual se tiene que: Binintmo = 100; Bnominat = 173; Is = 3.3x107**[A]; V4 = 100[V]. La corriente de operacién del colector se tiene que ajustar a Tcq = 1[mA]. La fuente de alimentacién de CD es Vec = 9{V]. Supéngase Vag = 0,7[V] en la regién activa y que By = By, calcular ademés los parémetros Tq, JmTo del transistor. qvccni’ R2 RE om 15 NOTA. - Se tomar en cuenta, en la calificacidn los siguientes puntos: > El procedimiento de los ejercicios > Lapuntualidad en la entrega de las practicas > La “similitud” entre las practicas de los estudiantes. Escaneado con CamScanner