POLARIZACION Y AMPLIFICADORES Dos transistores BJT de uso general NPN uno de Germanio y otro de Silicio_respectivamente, recomendables BC548, BC558, 2N3904, 2N3906. Un transistor JFET de canal N. Un transistor IGFET de canal P. Dos potenciémetros, uno de 100 [KQ] y otro de 1 [KQ]. Resistencias de 100 [KQ]; 8.2 [KQ]; 2.2 [Ka]; 1 [KQ]; 330 [2] y 100 [Q] todos de 0.5 [W]. vvvyv . LISTA DE INSTRUMENTOS A UTILIZAR » Fuente de alimentacién variable DC. Multimetro. Generador de Funciones. > > Osciloscopio. > > Una fuente simétrica fija de +/- 15 [V]. 43. OBJETIVOS DE LA PRACTICA A REALIZA 3.1 OBJETIVO GENERAL Analizar y dimensionar los componentes que permitan fijar un punto de trabajo Q para los transistores bipolares y unipolares. Pagina 1 de Laboratorio I Escaneado con CamScannerdimensionar los componentes que permitan realizar una amplificacién Analizar y tores bipolares y unipolares. de sefial para transis 3.2 OBJETIVOS ESPECIFICOS Los objetivos especificos que a continuacién se sefialan, son para cada experimento. a) El objetivo de esta practica consiste en disefiar, analizar la polarizacién de un circuito para polarizar un transistor BJT en Ia zona lineal de funcionamiento y extraer experimentalmente algunas de las caracteristicas mas significativas de estos dispositivos. esta practica consiste en disefiar, analizar la polarizacién de un circuito para polarizar un transistor JFET en la zona lineal de funcionamiento y extraer experimentalmente algunas de las caracteristicas ms significativas de estos dispositivos. ¢) Estudiar el comportamiento de un circuito polarizado con la tecnologia MOSFET y ver las diferencias con los transistores JFET. d) Disefiar analizar y caracterizar una etapa amplificadora basada en un transistor Bipolar, realizar la medida experimental de la ganancia de tensién, corriente, impedancia de entrada y de salida que van a caracterizar la etapa justificando las desviaciones existentes con los valores obtenidos de forma teérica. e) Estudiar el comportamiento de los circuitos amplificadores con JFET frente a la sefial de entrada, el disefio de los circuitos para implementarlos posteriormente en el laboratorio, sus variaciones y en general su redisefio con valores normalizados. f) Analizar una etapa amplificadora basada en un transistor MOSFET, realizar la medida experimental de la ganancia de tensién, corriente, impedancia de entrada y de salida. Observar las diferencias con los dems transistores. g) Aplicar los conocimientos adquiridos por el estudiante durante la experimentacién y plasmarlos en la proposicién de un ejemplo a desarrollar en laboratorio. b) El objetivo de a) POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES Para las configuraciones con las que cuenta el transistor, se requiere un disefio dptimo de polarizacién para operar dentro de un punto de trabajo estable. Pagina 2 de Laboratorio III Escaneado con CamScanner@.1) Los siguientes puntos tratan de circuitos de polarizacién en configuracién EC (Emisor Comin) tanto de transistores NPN como PNP, se requiere el punto de trabajo en Q = (SV,3mA). Ajuste los valores mas préximos normalizados de las resistencias ¥ reemplace el punto de trabajo. Calcule la recta de carga en DC y AC, los pardmetros del transistor, la estabilidad para cada circuito y compérelos entre s{ para determinar el més eficiente y estable. Calcule las resistencias para los siguientes casos: a) Circuito de polarizacién fija en Emisor Comin. nv RB [}RC e ct a a1 aL a hy ro Figura 1 b) Circuito de polarizacién Colector Base. Pagina 3 de Laboratorio Ilt Escaneado con CamScannerc) Circuito Autopolarizado o por Divisor de Tensién. SS RBI RC2 ce +10uF . c7 Q3 se Ur RB2 RE2 Figura3 a.2) Determine las corrientes Ic e Ie y los voltajes Vce y Ves para la configuracién BC (Base Comin) de la siguiente figura: co a5 c10 v ve ae sour RE4 C4 tx 2k Figura 4 Posterior al desarrollo, determine las rectas de carga en AC y DC del Circuito, asi como también la estabilidad que se obtiene del mismo. Pagina 4 de Laboratorio Ill Escaneado con CamScannera.3) La siguiente configuracién trata de un circuito en CC (Colector Comin), determine el punto de operacién Q, donde los valores son Vec=15 (VJ, Ri = 8 K{Q], Re = 2 KIO], Re = 1 K{QJ, Re = 1 K{Q]. RLS Figura 5 Realice la recta de carga en AC y DC, asi como también calcule la estabilidad del circuito de polarizacién. Terminado el proceso, redisefie el amplificador para la maxima excursin de voltaje de salida. Cuales son los valores de las resistencias Ri, Re y Vo. b) POLARIZACION DE TRANSISTORES UNIPOLARES (FET) Para lo siguientes circuitos de polarizacién, identifique el tipo de polarizacién del cual se trata, y posterior a esto cambie los ajustes del transistor seguin al que pueda obtener para el laboratorio. Para este hecho realizar un cambio a resistencias normalizadas lo mas cercano posible al valor calculado. b.1) Disefie un circuito de polarizacién fija basado en un transistor JFET de Canal N como el mostrado en la Figura 6. Dado que cuenta con Voo = 15 [V], Ioss = 12 m{A] y Vp =-5 [V]. Calcule los valores de las resistencias, asi como también los voltajes en cada uno de los terminales del transistor. b.2) Con la configuracién del transistor en la Figura 7, determine el punto de operacién del circuito (Vesa, Ing, Vos) asi como también el voltaje que recae en cada uno de sus terminales, realizar las respectivas rectas de carga. Considerar que el transistor presenta las caracteristicas Inss = 12 mA] y Ve =-6 [V]. Pagina 5 de Laboratorio tI Escaneado con CamScannerFigura 7 b.3) Plantee un circuito de polarizacién de un FET por divisor de tensién, calcular los valores Ing y Vesq, para los siguientes valores Ri = 2.1M[Q], Ro = 270 K{Q), Ro = 2.4 k[Q] y Rs = 1.5 k(Q], para esto considere que el transistor presenta Inss = 8 m[A] y Ve = -4[V]. Finalizando esto, determine la recta de carga, asi como también los valores Vos y Vos. ¢) POLARIZACION DE TRANSISTORES UNIPOLARES (MOSFET) De la misma forma que en anteriores puntos, replique el anilisis con los mismos puntos de disefio acorde a transistores MOSFET existentes en el mercado, de esta forma cambiar el punto de trabajo y aplicar dentro de laboratorio los célculos y variaciones referentes al mismo. 1) Para una polarizacién por divisor de tensién se tiene un transistor MOSFET tipo empobrecimiento de canal N, Determinar el punto de trabajo del mismo, la tensién Vos, asi como también las rectas de carga en AC y Pagina 6 de Laboratorio I a sk Escaneado con CamScannerDC. Si presenta Ri = 110 M[QI, Re = 10 M[Q], Ro = 1.8 KIO] y Rs = 750(0), con un Vec = 18 [V]. Posterior a su célculo, variar la resistencia Rs en un +/-20%, y sacar Conclusiones con respecto a ambos resultados obtenidos, (Para esto maneje un Toss = 6 mEA] y Vp = -3 [V]}), €.2) A partir del MOSFET de enriquecimiento mostrado en la Figura 8, cuya Polarizacién mediante realimentacién GD. Determinar el Punto de trabajo Para dicho circulto, la tensién Vos, y determine las rectas de carga AC y DC. Considere: Tovencendidoy = 6 MIA], Vestencencido) = 8 [V], Vescm) = 3 [v]. Figura 8 €.3) Para la red de la figura 9, determinar el punto de trabajo Q, para este mismo considere el MOSFET tipo enriquecimiento (como por ejemplo el 2N4351) con las caracteristicas Ves = 5 [VI, Tovencenada) = 3 m[A] y Vestencendido) = 3 [V]. Calcular el punto de trabajo del circuito. Rot Ro @ 33 Roz Rs2 Figura 9 Pagina 7 de Laboratorio iit Escaneado con CamScannerd) AMPLIFICACION CON TRANSISTOR BIPOLAR d.1) Para el circuito mostrado en la Figura 10, emplea un circuito Autopolarizado para su punto de trabajo en DC, Se desea disefiar un amplificador de tensién en EC (Emisor Comtin) con un transistor que tenga un B = 200 y Vee = 0.7. Obtenga una ganancia total de Av mayor a 100. Puede considerar una resistencia asociada al voltaje de entrada de 100 [Q], tomando una carga de salida de 2 k[Q] y una alimentacién por fuente simétrica de +/- 6 [V]. Determine: * Los valores de las resistencias de los circuitos de polarizacién, considerando el valor préximo a resistencias normalizadas; con esto recalcular el punto de trabajo. Graficar las rectas de carga en continua y alterna. Los pardmetros del transistor. Calcular la Ganancia de Corriente e Impedancias de Entrada y Salida. Determinar la maxima excursién de voltaje no distorsionada. En caso que se retire el capacitor paralelo a RE2, calcular el cambio de Av, At, Zin ¥ Zout d.2) Para un amplificador Seguidor Emisor con una ganancia de corriente de Aj = 15, Vec = 18 [V], B = 100, Vee = 0.7 y Ri = 200 [Q]. Determine los valores de los elementos del circuito, los parametros del transistor, las rectas de carga en continua y alterna, calculando Ay, Zin, Zour y encuentre el voltaje de salida no distorsionado pico a pico. d.3) Disefie un amplificador en la topologia BC (Base Comin) como es mostrado en la Figura 11, el cual emplea un transistor NPN, considerando un B = 100, Vcc = 24 [V], Ri = 2 kK{Q], Re = 400 [2]. Este amplificador debe poseer una Ganancia de Voltaje de 20. Determinar: a) Las resistencias y valores restantes del circuito. b) Las rectas de carga en AC y DC. c) Ganancia de Corriente, Impedancias de Entrada y Salida. Figura 10 Pagina 8 de Laboratorio Ill Escaneado con CamScannerva) Figura 11 ©) AMPLIFICACION CON TRANSISTOR UNIPOLAR (FET) €-1) Disefie un amy iplificador CS empleando un JFET de canal N, como el Mostrado en la Fi igura 12, de modo que se obtenga una ganancia de tension de Av = -20, conjuntamente con una ganancia de corriente para el Circuito de A; = -50, con una impedancia de entrada Z: = 500 k[9] y para una impedancia de salida equivalente a Zo = 7 K(Q]. Para el punto de trabajo utilice las caracteristicas del transistor a su conveniencia, en caso de generar una inconsistencia con esta misma, desglose alguno de los parémetros mencionados anteriormente. ges, RL Lif Figura 12 * Calcular los valores de las resistencias para obtener una maxima excursién de voltaje de entrada y salida, “* Graficar las rectas de carga del circuito en continua y alterna, sobre las caracteristicas Tensi6n Corriente V-I, mostrando de forma clara los puntos de operacién estatico y dindmico. * Recalcular los valores de Ganancia de Tensién, Ganancia de Corriente, Impedancia de Entrada e Impedancia de salida, considerando la normalizacin de las resistencias, Pagina 9 de Laboratorio IIL Escaneado con CamScannerEn caso de retirar el condensador Cs, recalcular todos los valores en alterna para determinar Av, Ai, Zo y Zin. e.2) Para un circulto Bootstrap calzador SF, que parte de la topologia Drenador Comin de un. JFET de canal N (solo una etapa), indique su aplicacién y funcionamiento dentro de los circuitos electrénicos, del mismo modo disefie el circuito cuando Voo = 12 [V], Ri = 1 K[Q] y Zn = 1 M{Q], conociendo que el punto Q del transistor se encuentra como sigue: Vos 6 [V], Io = 6.1 mA], Ves = -0.8 [V]. Con esto calcule las ganancias de corriente y voltaje. f) AMPLIFICACION CON TRANSISTOR UNIPOLAR (MOSFET) En el circuito de la Figura 13, se hace uso de un E-MOSFET 2N7000, cuyas especificaciones son k = 104 x 1074/V?, Incon) = 600 m[A] y Vescumbray = 2.1 [V]. Determine: * Calcule Ves € Io. “ Determine gm. “ Grafique las curvas de polarizacién en DC y AC. “ Calcule la tensién pico de salida. “+ Halle la Ganancia de Tensién Av y Ganancia de Corriente Ai. +» Repita el procedimiento cambiando el valor de Re a 330k{2]. WS = Ros Rot ears | — ce wa, ct Bah) 27000 ae || au RG2 Figura 13 Nota: Si no se cuenta con el transistor propuesto, se debe realizar todos los cAlculos para el transistor con el que se trabaja en el laboratorio y realizar todos los cdlculos propuestos en la guia. g) APORTE DEL ALUMNO En base a los puntos del laboratorio, prepare una funcién e implemente un ejercicio, obteniendo los resultados planteados, explique claramente su funcionamiento. Pagina 10 de Laboratorio IIL Escaneado con CamScannerSIMULACION Para todos los puntos anteriores, utilice un programa de simulacién (workbench, circuit maker, multisim, Proteus, etc.) e implemente con dicha herramienta el Laboratorio. lua5. REALIZACION DE LABORATORI. 7 aii Para la presentacién de laboratorio el estudiante necesariamente debe disponer de todos 'oS puntos armados en protoboard antes del inicio de sesién de la practica, @) POLARIZACION DE TRANSISTORES BIPOLARES ‘Arme los circuitos propuestos en el pre informe, y con la ayuda de un multimetro mida lo siguiente: * Una vez conectador la alimentacién mida Vcc y verifique su exactitud. * Mida la corriente de colector. * Mida la tensién Vce y anote esos valores, Compare los valores obtenidos con los disefiados en el pre informe del punto Q de trabajo y enuncie sus conclusiones. b) POLARIZACION DE TRANSISTORES UNIPOLARES (JFET) Arme los circuitos propuestos en el pre informe, y con la ayuda de un multimetro mida lo siguiente: “Una vez conectador Ia alimentacién mida Voo y verifique su exactitud, * Mida la corriente de drenador. + Mida la tensién Vos y anote esos valores, Compare los valores obtenidos con los disefiados en el pre informe del punto Q de trabajo y enuncie sus conclusiones. ©) POLARIZACION DE TRANSISTORES UNIPOLARES (MOSFET) Arme los circuitos propuestos en el pre informe y verifique el punto Q de trabajo en forma similar al anterior inciso. d) AMPLIFICADOR CON TRANSISTOR BIPOLAR Arme el circuito de la figura y mida los siguientes valores a frecuencia media: “+ Mida la tensién de entrada usando un osciloscopio. ‘+ Mida la tensién de salida usando el otro canal y determine la ganancia de tension. Mida los valores de impedancia de entrada y de salida. Pagina 11 de Laboratorio Int Escaneado con CamScannersy opovesoger 2p Zt euieed souoyesoael fo eAey ouUN|e je anb o| 2p ofeyad OANA [9 ples uUoju! 23SS ‘au0JU! [2 UP opequaseid AK yjead eARY OS qqueno opoL + *BULIOJU! ua ofeqesy OWO> opeynoal 6 sns uo? oJUN{pe sseanpadse Seoye! ‘ouoyesoge| UB opez! openiidxa ‘opetiereP 405 042P ns ua ojepunua Aejajdwoo ugjsnjpuod eun eywe ugpevedwoo geasequa + -quoqesogel ua opeyjouesep oqund ja A epeinuiis efoy 2] enue ug}evedtuoo pun aoyeed & ‘aqua|puadapul euuoy ua oNoye10qeT @P oqund epeo eved sauojsnjpuco sey eyWwa + sauuojul [ap jeuy uppeoaele ep ered sequeyodu) Anw uos sand eoqzeid e| 8P soagafqo so} eqUen> ua awoL “seuss Se| ep SeUO|SsN|DUOD awe A opipuaide o| & oadsas u0d squopeesqo seampedsas se| Jezi|ee4 sepesoge|> seoppeid se] ap pun eped eed ‘sopjuayqo SODISY SOJUA! wwepodwod so] ap OUN eper opueyesdiaqul ‘sopluayqo sajequawliedxe SOJeP so| ap sisijeue sonpadsed so] UO ‘quoyesoge| ue sopluaiqe SoPeqnse1 So} 1e\Uaseld . 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