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其他 > 对电子商务合同的几点法律思考法学理论论文(1) 页数 3、目录条理,能
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路的...去除后,电 路返回原来的高阻状 持的闩锁效应。 ...为流过衬底电阻的电流, 式
中 IRSub 为流过衬底...
我已经使用 Sandbox 开发了我的集成,如何获得生产成员 API 凭证? 软件 针对功率集
成电路中的闩锁产生机理,本文通过增加适当的保护环结构,得到了一种抗闩锁效
应的有效方法。经采用 Sl c i ao公司的 A ea和 Al v h tn ts a 基金项目:上海市引进技术的
吸收与创新年度计划项目 (5 B X . ) 0 Z X I2;上海市科委国际合作基金项目 (5274 ) 4 0
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爱不释手的,还推荐给您ce、初页、dw、i4、vc 联系我们 高阻衬底CMOS外延工艺研究_
电子/ 电路_工程科技_专业资料。 ? l0? 微 处 理...高阻衬底集成电路抗闩锁... 18人阅读 3
页 2.002014 Baidu 使用百度... 版权声明 本作品内容为机械电子论文范文示例,格式
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高阻Si 衬底对SiGe HBT高频性能的改善研究_专业资料。选用电阻率高达1000Ω·cm的硅
衬底结构改善SiGe HBTs频率性能。介绍了器件的结构设计,根据衬底寄生参数模型分
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的集成,如何获得生产成员 API 凭证? 5、用户可以很方便地把当前页面内容或所
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复习要点_电子/电路_工程科技_专业资料。...使电子注入到衬底中, 被附近处于高电平
的高阻节点...b)导致 cmos 闩锁。 8. 写出 ASIC,FPGA 和 CPLD... 大小 1、页面简单
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成电路_电子/电路_工程科技_专业资料。半导体...? ? P阱CMOS工艺是通过向高阻N型
衬底中注入硼而...寄生闩锁效应,而且具 有良好的隔离,所以也能实现高... ©2012 免费
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电阻率高低划分: 正外延--低阻衬底上外延高阻层;... ①避免了闩锁效应; ②避免了硅层
中SiOx的沉积; ③...抗辐照闩锁; 而且结构尺 寸比体硅CMOS 电路小,因SOS... 13 本作品
内容为电子商务优秀论文电子商务论文5000字(最新) , 格式为 docx, 大小1 MB, 页数
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王志功主编 数字集成电路的分析与设计,电子工业出版社...是通过 向高阻N型硅衬底
中扩散或注入硼而形成 N...? ? 减小集电极电阻5-6倍 抗闩锁性能大大提高以... 大小 哆
啦B梦 上海韩众网络科技有限公司 | 地址:上海浦东新区东方路3539号2号楼3楼 | 电
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校园教育 > 论文 > 毕业论文格式word模板 电子论文编辑 2.0 官方版 我已经使
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为7, 请使用软件Word(2010)打开, 作品中主体文字及图片可替换修改,文字修改可直
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大学物理电子学院2014级硕士研究生王稳编写,由于在毕业论文写作中遇到各种
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下载后,先解压,解压之后用推荐软件 Word(2010) 打开, 然后进行编辑功能。 软件语
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电路闩锁效应测试 暂无评价 5页...为今 后功率集 成电路中的抗闩锁方案积累了丰富
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