KOMPONENTE ENERGETSKE

ELEKTRONIKE
1. Energetska dioda

uvod

Dioda je nelinearni poluvodički

elektronički element s dva priključka.
Poluvodičke diode se izvode se
temelju p/n spoja ili, rjeđe, na
temelju spoja metal-poluvodič
Osnovno i zajedničko svojstvo
poluvodičkih dioda, bez obzira na tip
ili vrstu, je njihovo ispravljačko
svojstvo tj. vode struju u samo
jednom smjeru: od anode prema
katodi.
Međusobno se razlikuju prema
tehnološkoj izvedbi, snazi,
maksimalno dopuštenom naponu i
struji, kućištu itd.
 struktura energetske diode

Monokristal silicija energetske diode sastoji se od dva

jako dopirana P+ i N+ područja između kojih se nalazi
slabo dopirano područje Ns ili Ps tipa, debljine oko 100
do 400 µm ovisno o probojnom naponu. Metalni kontakt
koji se nadovezuje na P+ područje je anoda, a drugi
metalni kontakt je katoda.
 Tijekom razvoja trebalo je riješiti dva
ključna problema:
- proboj na konturama,
- mehaničko naprezanje sendviča
statička karakteristika
 Direktni ili propusni smjer diode je od anode prema
katodi. Napon praga za silicijeve diode je u granicama
0,4 - 0,8 V, a propusni pad napona kod nazivne stuje
iznosi 1,0 – 1,4 V. Gornja granica propusne struje iznosi
oko 1,5 kA ( srednja vrijednost sinusnih poluvalova struje
frekvencije 50 Hz ).
 Inverzni ili zaporni smjer diode je od katode prema
anodi. Napon pri kojem dolazi do naglog porasta struje
naziva se probojni napon. Gornja granica probojnog
napona komercijalnih VN silicijevih dioda iznosi 5 kV.
Diode sa specijalno obrađenim rubom silicijeve pločice
tako da do proboja dolazi u unutrašnjosti pločice
nazivaju se “diode s prinudnim lavinskim probojem”
(avalanche diode).
dinamičke karakteristike

Slika prikazuje
tipične valne oblike
napona, struje i
gubitaka diode kao
sklopke. Pri
prebacivanju iz stanja
zapiranja u stanje
vođenja ili obratno, ne
uspostavlja se odmah
stacionarno stanje.
 Kod uklapanja, kada napon izvora mijenja
polaritet, nosioci naboja trebaju konačno vrijeme
da stignu u centralno područje. Zato je otpor
diode, a s njim i pad napona, u početku veći od
stacionarnog.
Kod isklapanja, nakon što struja padne na
nulu, u centralnom području još ima nosioca
naboja koji se moraju odstraniti. Zbog toga
poteče struja u zapornom smjeru. Tek nakon
toga dioda može preuzeti zaporni napon.
Tokom procesa uklapanja i isklapanja
nastaju gubitci, razmjerni frekvenciji. To
ograničava primjenu dioda na višim
frekvencijama.
 deklariranje diode

• vršni neperiodički napon – najveća

dopuštena trenutna vrijednost zapornog
napona na diodi.
• granična efektivna struja – vrijedi za sve
valne oblike, bez obzira na trajanje. Ne
smije se prekoračiti ni kod najboljeg
hlađenja.
• granična srednja struja – najveća trajno
dopuštena srednja struja određenog
valnog oblika i frekvencije (najčešće
sinusni poluvalovi frekvencije 50Hz) uz
poznatu temperaturu neke referentne
točke, najčešće na kućištu diode.
• udarna struja – podaci se dobivaju razornim
ispitivanjem nizom jednakih strujnih impulsa do
uništenja diode.
• vrijeme odmaranja – vrijeme od prolaza struje
kroz nulu dok struja u zapornom smjeru ne
opadne na 10% maks. Vrijednosti.
Energetska dioda u RLC krugu

Transformator , osim što

transformira napon, galvanski
odvaja ispravljački dio sklopa
od mreže. Dioda ispravlja
izmjeničnu struju u
pulzirajuću . Dok vodi, na njoj
nastaje pad napona UF.
Napon na sekundaru
transformatora mijenja se po
sinusnom zakonu.
 Transformator , osim što transformira napon,
galvanski odvaja ispravljački dio sklopa od mreže. Dioda
ispravlja izmjeničnu struju u pulzirajuću . Dok vodi, na
njoj nastaje pad napona UF. Napon na sekundaru
transformatora mijenja se po sinusnom zakonu.
 Dok dioda vodi, kroz opterećenje RT
teče istosmjerna struja, koja je uvijek u fazi
s naponom.
Srednja vrijednost napona na
opterećenju približno je jednaka 45%
napona sekundara transformatora.
USR = (US·√2) / π ≈ 0,45 · US
 kapacitivno opterećenje

Zamijenimo omski otpor RT kapacitetom CT.

Svaku drugu poluperiodu dioda propušta struju koja teče
u kondenzator i nabija ga. Napon na kondenzatoru zbog
toga poraste za neki iznos. Nakon određenog broja
perioda napon na kondenzatoru dostigne najveću
moguću vrijednost USMAX.
 Nakon što napon
poraste na maks.
vrijednost, valovitost
ispravljenog napona je
nula.
Dakle, kondenzator je
element u ispravljaču
kojim izvodimo glađenje
ispravljenog napona.
Najviši zaporni napon
ventila ovdje je jednak
URMAX = 2 · US · √2
dakle dvaput veći od
napona pri omskom
opterećenju.
 omsko-induktivno opterećenje

Prigušnica se suprotstavlja prolazu izmjenične struje

jače što su promjene struje brže (veći napon
samoindukcije). Zbog toga se prigušnica induktiviteta LT
ponaša za izmjeničnu struju kao otpor reaktancije
XL= ω·LT = 2·π·f·LT.
 Napon između točaka 1 i 2 sastoji se od
istosmjerne komponente i viših sinusnih
harmonika. Što je induktivitet veći, izmjenična
komponenta struje je slabija, a njezina valovitost
manja.
 omsko-kapacitivno opterećenje

Diodom ispravljeni izmjenični napon US nabija kondenzator

za vrijeme jednog dijela periode. Kroz preostalo trajanje
periode kondenzator se izbija kroz otpornik, dakle, napon
trošilu ne daje transformator s diodom, nego kondenzator koji
se ponaša kao zamašnjak.
 Diodom ispravljeni
izmjenični napon US
nabija kondenzator za
vrijeme jednog dijela
periode. Kroz preostalo
trajanje periode
kondenzator se izbija
kroz otpornik, dakle,
napon trošilu ne daje
transformator s diodom,
nego kondenzator koji
se ponaša kao
zamašnjak.
vremenski dijagram napona:
vremenski dijagram struje diode:
vremenski dijagram struje kroz kondenzator:
vremenski dijagram djelatne komponente opteretne struje:
 2. Energetski tranzistor

Tranzistor u polju izlaznih karakteristika ima tri radna područja:

normalno aktivno područje, područje blokiranja i područje zasićenja.
Energetski tranzistori rade u impulsnom režimu (kao sklopke) tj. iz
blokiranja prelaze u zasićenje i obrnuto.
Bipolarni tranzistori primjenjuju se za radne frekvencije do 5kHz i
snage do 400kW. Uz svaki tranzistor nužna je i tzv. zaštitna ili nul
dioda koja ga štiti od prenapona u trenutku isključivanja zbog
samoindukcije.
Kao elektroničke sklopke rabe se i unipolarni tranzistori tipa
MOSFET koji imaju veću radnu frekvenciju (do 100kHz), ali za
manje snage (do 10kW).
 IGBT (insulated gate bipolar tranzistor) je hibridna vrsta tranzistora
snage s nizom prednosti u odnosu na ostale aktivne komponente u
energetskoj elektronici.
Podaci za 1995.: snaga do 500kW, napon do 1700V, radna
frekvencija do 10kHz.