UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS “ESPE”

DEPARTAMENTO: ENERGÍA Y MECÁNICA

ASIGNATURA: ELECTRÓNICA FUNDAMENTAL

DOCENTE: MÓNICA ENDARA

GRUPO: 2

PRÁCTICA 7- TEMA: CIRCUITO AMPLIFICADOR EN CONFIGURACIÓN

POLARIZACIÓN FIJA

INTEGRANTES:

•ARMAS ROGER

•CAMACHO MAIRALYS

•PORTERO ISRAEL

NRC: 5523

Sangolquí-Ecuador: 14/07/2021
DEPARTAMENTO: ENERGÍA Y MECÁNICA CARRERA: MECATRÓNICA
MAYO –
PERÍODO
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA FUNDAMENTAL SEPTIEMBRE 2021 NIVEL: 3
LECTIVO:

DOCENTE: MÓNICA ENDARA NRC: 5523 PRÁCTICA N°: 7

TEMA DE LA
CIRCUITO AMPLIFICADOR EN CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN Y POLARIZACIÓN DIRECTA
PRÁCTICA:
INTEGRANTES: •ARMAS ROGER, •CAMACHO MAIRALYS, •PORTERO ISRAEL
OBJETIVOS:

GENERAL: DISEÑAR Y ANALIZAR EL FUNCIONAMIENTO DE UN AMPLIFICADOR EN CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN Y

POLARIZACIÓN DIRECTA
ESPECÍFICOS: ANALIZAR EL COMPORTAMIENTO DE UN CIRCUITO AMPLIFICADOR EN POLARIZACIÓN
VERIFICAR LA SALIDA ACORDE AL DISEÑO
MARCO TEÓRICO:

pág. 1
DISEÑO ANÁLISIS EN DC:

Propuesta de circuito

pág. 2
Figura 1 Propuesta del circuito

Transistor(Q1): 2N3904

Voltaje 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = 4[𝑉𝑉]

Análisis matemático

Analisis en DC :

Primero determinamos los datos necesarios en base a la cuva caracteristica del transistor
empleado 2N3904

pág. 3
pág. 4
Figura 2 Datasheet 2N3904

Diseño de circuito en Divisor de Voltaje

pág. 5
Figura 3 Propuesta del circuito divisor de voltaje

Análisis en DC

En análisis DC los capacitores se comportan como circuitos abiertos por lo que se tendría el
siguiente circuito equivalente

Figura 2 Circuito equivalente DC

pág. 6
Análisis exacto

Para este análisis se utilizará el equivalente de Thévenin para su deducción:

Figura 3 Circuito equivalente Thevenin

• 𝑅𝑅𝑇𝑇𝑇𝑇 : En primer lugar, la fuente de voltaje se reemplaza por un cortocircuito:

Figura 4 Circuito equivalente Thevenin

𝑅𝑅𝑇𝑇ℎ = 𝑅𝑅1 ||𝑅𝑅2

pág. 7
 • 𝐸𝐸𝑇𝑇𝑇𝑇 : Regresamos la fuente de voltaje Vcc a la red y el voltaje de Thevenin aplicando
divisor de voltaje obtenemos:

Figura 5 Circuito equivalente Thevenin

𝑅𝑅2 ∗ 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐
𝐸𝐸𝑇𝑇𝑇𝑇 = 𝑉𝑉𝑅𝑅2 =
𝑅𝑅1 + 𝑅𝑅2

• Con el circuito equivalente de Thévenin aplicamos la primera ley de Kirchhoff , y

utilizamos el análisis de mallas para encontrar 𝐼𝐼𝐵𝐵

Figura 6 Circuito equivalente Thevenin

1. 𝐸𝐸𝑇𝑇𝑇𝑇 − 𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝑇𝑇ℎ − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 − 𝐼𝐼𝐸𝐸 𝑅𝑅𝐸𝐸

Ahora bien si 𝐼𝐼𝐸𝐸 = (𝛽𝛽 + 1)𝐼𝐼𝐵𝐵 sustituimos y resolvemos para 𝐼𝐼𝐵𝐵 :

pág. 8
 𝐸𝐸𝑇𝑇𝑇𝑇 −𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵
2. 𝐼𝐼𝐵𝐵 = 𝑅𝑅
𝑇𝑇ℎ +(𝛽𝛽+1)𝑅𝑅𝐸𝐸

Una vez sacada 𝐼𝐼𝐵𝐵 los demás valores se los puede obtener de la misma manera en que
se obtiene en la configuración de polarización de emisor

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 (𝑅𝑅𝑐𝑐 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 )

Análisis Aproximado

El voltaje de la base se puede determinar utilizando la regla del divisor del voltaje

𝑅𝑅2 ∗ 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐
𝑉𝑉𝐵𝐵 =
𝑅𝑅1 + 𝑅𝑅2
Anteriormente se dio la siguiente igualdad 𝑅𝑅1 = (𝛽𝛽 + 1)𝑅𝑅𝐸𝐸 ≅ 𝛽𝛽𝑅𝑅𝐸𝐸 , utilizando el método de
aproximación que es :

𝛽𝛽𝑅𝑅𝐸𝐸 ≥ 10𝑅𝑅2

Esta condición postula que si 𝛽𝛽𝑅𝑅𝐸𝐸 es x10 menos el valor de 𝑅𝑅2 , se puede aplicar el método de
aproximación.

Obteniendo el valor de 𝑉𝑉𝐵𝐵 se puede calcular el 𝑉𝑉𝐸𝐸 con :

pág. 9
 𝑉𝑉𝐸𝐸 = 𝑉𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵

A partir de aquí podemos obtener la corriente del emisor:

𝑉𝑉𝐸𝐸
𝐼𝐼𝐸𝐸 =
𝑅𝑅𝐸𝐸

𝐼𝐼𝐶𝐶𝐶𝐶 ≅ 𝐼𝐼𝐸𝐸

Por último, el voltaje colector emisor es:

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐸𝐸 𝑅𝑅𝐸𝐸

Pero la relación
𝐼𝐼𝐶𝐶 ≅ 𝐼𝐼𝐸𝐸

Determina la siguiente formula:

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 (𝑅𝑅𝐶𝐶 − 𝑅𝑅𝐸𝐸 )

RECTA DE CARGA:

Mediante polarización por divisor de voltaje

Hoja de datos

• DATOS:

𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = 4[𝑉𝑉]

𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 = 0.7 [𝑉𝑉]

𝐼𝐼𝐵𝐵 = 100𝜇𝜇 [𝐴𝐴]

pág. 10
 Figura Curva característica del transistor 2N3904

Datos obtenidos de la curva característica:

Para que el transistor trabaje en un punto óptimo, en base al análisis de la curva característica
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉
que 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 = es igual a la mitad del voltaje dado por la fuente DC seleccionada.
2

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 = 2 [𝑉𝑉]

𝐼𝐼𝑐𝑐 ≅ 21𝑚𝑚𝑚𝑚

Mediante la fórmula:

𝐼𝐼𝑐𝑐 = 𝛽𝛽 ∗ 𝐼𝐼𝐵𝐵

(Obtenido de: Boylestad.R, Polarización de cd de los BJT,Cap 4,Pag: 162 )

𝐼𝐼𝐼𝐼 21𝑚𝑚𝑚𝑚
𝛽𝛽 = = ≅ 210
𝐼𝐼𝐵𝐵 100𝜇𝜇𝜇𝜇

Obtenemos que: 𝛽𝛽 ≅ 210

pág. 11
ANALISIS MATEMATICO:

1
Vcc < 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 < 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 (Criterio de diseño obtenido "Electrónica: Teoría de circuitos y
10

dispositivos electrónicos 10ma edición-Robert L. Boylestad")

𝐼𝐼𝐶𝐶 21𝑚𝑚𝑚𝑚
𝐼𝐼𝐵𝐵 = = = 𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏𝟏−𝟒𝟒 𝑨𝑨
𝛽𝛽 210

1 1
𝑉𝑉𝐸𝐸 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = (4𝑉𝑉) = 𝟎𝟎. 𝟒𝟒 𝑽𝑽
10 10

𝑉𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 + 𝑉𝑉𝐸𝐸 = 0.7𝑣𝑣 + 0.4𝑣𝑣 = 𝟏𝟏. 𝟏𝟏𝟏𝟏

𝐼𝐼𝐶𝐶 ≅ 𝐼𝐼𝐸𝐸

𝑉𝑉𝐸𝐸 𝑉𝑉𝐸𝐸 0.4

𝑅𝑅𝐸𝐸 = ≅ = = 𝟏𝟏𝟏𝟏. 𝟎𝟎𝟎𝟎𝛀𝛀
𝐼𝐼𝐸𝐸 𝐼𝐼𝐶𝐶 21𝑚𝑚𝑚𝑚

𝑉𝑉𝑅𝑅𝑅𝑅 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐸𝐸 4𝑣𝑣 − 2𝑣𝑣 − 0.4𝑣𝑣

𝑅𝑅𝐶𝐶 = = = = 𝟕𝟕𝟕𝟕. 𝟏𝟏𝟏𝟏𝛀𝛀
𝐼𝐼𝐶𝐶 𝐼𝐼𝐼𝐼 21𝑚𝑚𝑚𝑚

1 𝑅𝑅2
𝑅𝑅2 ≤ 𝛽𝛽𝑅𝑅𝐸𝐸 ; 𝑉𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝑉 (Criterio de diseño obtenido "Electrónica: Teoría de
10 𝑅𝑅1 +𝑅𝑅2 𝐶𝐶𝐶𝐶

circuitos y dispositivos electrónicos 10ma edición-Robert L. Boylestad")

1
𝑅𝑅2 ≤ (210)(19.04)
10

𝑅𝑅2 = 𝟑𝟑𝟑𝟑𝟑𝟑. 𝟖𝟖𝟖𝟖Ω

𝑅𝑅2 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
𝑅𝑅1 = − 𝑅𝑅2
𝑉𝑉𝐵𝐵

pág. 12
 (399.84Ω)(4𝑉𝑉)
𝑅𝑅1 = − (399.84Ω)
1.1 𝑉𝑉

𝑅𝑅1 = 1054.12 Ω

Diseño de circuito en polarización por retroalimentación

Figura 4 Malla base-emisor

Análisis Matemático:

Malla 1 (Base-emisor).

La figura 3 muestra la malla base-emisor para la configuración de realimentación del voltaje.

Al escribir la ley de voltaje de Kirchhoff se tiene:

𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 − 𝐼𝐼´𝐶𝐶 𝑅𝑅𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝐵𝐵 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 − 𝐼𝐼𝐸𝐸 𝑅𝑅𝐸𝐸 = 0

Es fundamental mirar que la corriente por medio de 𝑅𝑅𝐶𝐶 𝑛𝑛𝑛𝑛 𝑒𝑒𝑒𝑒 𝐼𝐼𝐶𝐶

pág. 13
Teniendo en cuenta que 𝐼𝐼 ′ 𝑐𝑐 = 𝐼𝐼𝑐𝑐 + 𝐼𝐼𝐵𝐵 en donde 𝐼𝐼 ′ 𝑐𝑐 ≅ 𝐼𝐼𝑐𝑐

Sustituyendo 𝐼𝐼 ′ 𝑐𝑐 ≅ 𝐼𝐼𝑐𝑐 = 𝛽𝛽𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑦𝑦 𝐼𝐼𝐸𝐸 ≅ 𝐼𝐼𝑐𝑐 𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑒𝑒𝑒𝑒 𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟𝑟

𝑉𝑉𝑉𝑉 − 𝛽𝛽𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝐵𝐵 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 − 𝛽𝛽𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝐸𝐸 = 0

Resumiendo, los términos se obtienen:

𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 − 𝛽𝛽𝐼𝐼𝐵𝐵 (𝑅𝑅𝑐𝑐 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 ) − 𝐼𝐼𝐵𝐵 𝑅𝑅𝐸𝐸 = 0

Y resolviendo para 𝐼𝐼𝐵𝐵 obtenemos:

𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵
𝐼𝐼𝐵𝐵 =
𝑅𝑅𝐵𝐵 + 𝛽𝛽(𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐶𝐶 )

El formato es muy semejante a las ecuaciones de IB que se obtuvieron para configuraciones

anteriores.

Nuevamente, el numerador es la diferencia de niveles de voltaje accesibles, en tanto que el

denominador es la resistencia de la base más los resistores del colector y del emisor reflejado
por 𝛃𝛃. Generalmente, por lo tanto, la trayectoria de realimentación crea una meditación de la
resistencia RC de vuelta al circuito de ingreso, muy parecida a la meditación de RE.

Por lo común, la ecuación de IB tiene el siguiente formato:

𝑣𝑣′
𝐼𝐼𝐵𝐵 =
𝑅𝑅𝐵𝐵 + 𝛽𝛽𝛽𝛽′

Sin 𝑅𝑅´ la configuración de polarización fija 𝑅𝑅´ = 𝑅𝑅𝐸𝐸 .

Para la configuración de realimentación del colector. El voltaje 𝑉𝑉´ es la diferencia entre dos
niveles de voltaje.

Como:

𝐼𝐼𝐶𝐶
𝛽𝛽 =
𝐼𝐼𝐵𝐵

𝛽𝛽𝛽𝛽′
𝐼𝐼𝐶𝐶𝐶𝐶 =
𝑅𝑅𝐵𝐵 + 𝛽𝛽𝛽𝛽′

Cuanto mayor sea 𝛽𝛽𝛽𝛽´ comparada con 𝑅𝑅𝐵𝐵 , menor será la sensibilidad de 𝐼𝐼𝐶𝐶𝐶𝐶 a la variación de 𝛃𝛃

Entonces si 𝛽𝛽𝛽𝛽′ ≥ 𝑅𝑅𝐵𝐵 y 𝑅𝑅𝐵𝐵 ≅ 𝛽𝛽𝛽𝛽′, entonces

𝛽𝛽𝛽𝛽´ 𝛽𝛽𝑣𝑣 ′ 𝑣𝑣′

𝐼𝐼𝐶𝐶𝐶𝐶 = ≅ =
𝑅𝑅𝐵𝐵 + 𝛽𝛽𝛽𝛽´ 𝛽𝛽𝑅𝑅 ′ 𝑅𝑅′

pág. 14
Donde 𝐼𝐼𝐶𝐶𝐶𝐶 es independiente del valor de beta.

Malla 2 (Colector-emisor)

Figura 5 Malla colector-emisor

La malla colector-emisor. Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff alrededor de la malla

indicada en el sentido horario es:

𝐼𝐼𝐸𝐸 𝑅𝑅𝐸𝐸 + 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 + 𝐼𝐼𝑐𝑐′ 𝑅𝑅𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝑐𝑐𝑐𝑐 = 0

Como 𝐼𝐼′𝐶𝐶 ≅ 𝐼𝐼𝐶𝐶 𝑒𝑒 𝐼𝐼𝐸𝐸 ≅ 𝐼𝐼𝐶𝐶 tenemos

𝐼𝐼𝐶𝐶 ( 𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 ) + 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 0

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝐼𝐼𝐶𝐶 (𝑅𝑅𝐶𝐶 + 𝑅𝑅𝐸𝐸 )

RECTA DE CARGA

Datos obtenidos de la curva característica:

pág. 15
 Figura 6 Curva característica del transistor 2N3904

Para que el transistor trabaje en un punto óptimo, en base al análisis de la curva característica
𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉
que 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 = es igual a la mitad del voltaje dado por la fuente DC seleccionada.
2

𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 = 4[𝑉𝑉]

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 = 2[𝑉𝑉]

𝐼𝐼𝐵𝐵 = 100𝜇𝜇𝜇𝜇

𝐼𝐼𝑐𝑐 ≅ 21𝑚𝑚𝑚𝑚

Teniendo los valores de corrientes en el punto Q se puede obtener 𝛃𝛃

𝐼𝐼𝑐𝑐
𝛽𝛽 =
𝐼𝐼𝐵𝐵

21 𝑚𝑚𝑚𝑚
𝛽𝛽 = = 210
100𝜇𝜇𝜇𝜇

CALCULAR LOS VALORES DE LAS RESISTENCIAS DE POLARIZACIÓN

1
𝑉𝑉 < 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 < 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
10 𝐶𝐶𝐶𝐶

(Criterio de diseño obtenido del texto "Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos

electrónicos 10ma edición-Robert L. Boylestad “)

pág. 16
Primero se debe escoger un valor para que 5 ≤ 𝑛𝑛 ≤ 10 la cual es la relación entre 𝑅𝑅𝐶𝐶 𝑦𝑦 𝑙𝑙𝑙𝑙 𝑅𝑅𝐸𝐸
obteniendo la siguiente ecuación con 𝑛𝑛 = 10

1 1
𝑉𝑉𝐸𝐸 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 = (8𝑣𝑣)
10 10

𝑉𝑉𝐸𝐸 = 0.4 𝑉𝑉

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 4−2

𝑅𝑅𝐸𝐸 = = = 0,0861𝐾𝐾Ω
(𝛽𝛽 + 1)(1 + 𝑛𝑛)𝐼𝐼𝐵𝐵𝐵𝐵 (210 + 1)(1 + 10)100𝑢𝑢𝑢𝑢

𝑅𝑅𝐶𝐶 = 𝑛𝑛 . 𝑅𝑅𝐸𝐸 = 90Ω

𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 − 𝑉𝑉𝐵𝐵𝐵𝐵 2 − 0,7

𝑅𝑅𝐵𝐵 = = = 13𝐾𝐾Ω
𝐼𝐼𝐵𝐵𝐵𝐵 100𝜇𝜇

DIBUJAR FORMA DE ONDA ENTRADA/SALIDA

Grafica de onda de entrada:

Grafica de onda de salida:

Ilustración 1 Grafica del estudiante

pág. 17
Simulación del circuito de divisor de voltaje

Voltaje de entrada:

Voltaje de salida:

Simulación del circuito de retroalimentación

Voltaje de entrada:

pág. 18
Voltaje de salida:

pág. 19
DEFINICION DE ELEMENTOS A USAR

• CAPACITORES: También conocidos como condensadores son dispositivos capaces de

almacenar energía a través de campos eléctricos. Para está práctica se van a usar para
que almacenen energía que después será entregada cuando el voltaje de entrada en
onda disminuya, y así tener un voltaje constante. En el circuito se utilizó un capacitor de
47uF.

• RESISTENCIAS: Se denomina resistencia o resistor al componente electrónico diseñado

para introducir una resistencia eléctrica determinada entre dos puntos de un circuito
eléctrico. Es un material formado por carbón y otros elementos resistivos para disminuir
la corriente que pasa. Se opone al paso de la corriente. En el circuito se utilizó cuatro
resistencias de 100𝛀𝛀, una resistencia de 3k 𝛀𝛀.

• TRANSISTOR 2N3904: Pertenece a los más frecuentes transistores NPN principalmente

utilizado para amplificación. Es un transistor de 200 miliamperios, 40 voltios, 625 mili
vatios, con una Frecuencia de transición de 300 MHz con una beta de 100.

• FUENTE DC: Las fuentes de alimentación DC son dispositivos que, desde la tensión de
red, son capaces de proporcionarnos una señal de tensión continua para alimentar al
circuito al que se conecta. Se usan, para alimentar circuitos que necesitan laborar con
tensiones sucesivas.

CONCLUSIONES

• Se diseñó y analizo el diseño del circuito amplificador en configuración divisor de voltaje

y retroalimentación tanto de manera teórica como práctica.
• Se analizó el comportamiento de las señales de entrada y de salida del circuito
propuesto arrojando datos similares entre las configuraciones empleadas tanto en
análisis matemático como en el simulador.
• Los transistores bipolares utilizados como amplificadores pueden varía enormemente
su rango de amplificación dependiendo de varios factores, como la beta típica del
transistor, el capacitor que se coloca en el emisor y la resistencia de carga. Así un
amplificador en emisor común puede amplificar desde 4 hasta más de 200 veces. Hay
que considerar que en esta configuración lo que se pretende amplificar es el voltaje.
Otra consideración importante es la resistencia de carga ya que esta produce una caída
de tensión a la salida del amplificador.
• La presencia de condensadores en un amplificador hace que la ganancia de éste
dependa de la frecuencia.

pág. 20
 • También logramos determinar que, en la configuración de emisor común, la ganancia
de voltaje es inversora.
• Se debe tomar en cuenta el valor de resistencias y capacitores para la construcción de
amplificadores ya que un ligero valor nos podría llevar al transistor a otro estado como
el de saturación.

RECOMENDACIONES

• Es necesario regular de buena manera el osciloscopio para tener una buena apreciación
de la magnitud de amplificación que se está haciendo.
• Se debe tomar en cuenta el valor de resistencias y capacitores para la construcción de
amplificadores ya que un ligero valor nos podría llevar al transistor a otro estado como
el de saturación.

REFERENCIAS

Robert L. Boylestad , Luis.Nashelsky -Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos electrónicos

10ma edición-Capitulo 4 –Paginas 161-280

pág. 21