Güç Transistörleri

BJT (power Bipolar Junction Transistor)

BJT
BJT İletim Durumu
Örnek
FET (Field Effect Transistor)
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
IGBT; elektronik devre elemanını sürerken mosfet gibi,
(voltaj kontrollü) iş yaparken bipolar transistör (yüksek
akım) gibi davranır.

IGBT MOSFET’ler gibi yüksek giriş empedansı ve BJT’ler gibi düşük iletim
kayıplarına sahiptir.

IGBT’nin anma akımı 400 A ve gerilimi 1200 V ve anahtarlama frekansı 20 kHz’ye

kadar olabilir. IGBT’lerin DC ve AC motor sürücüleri gibi orta güçlü uygulamalarda, güç
kaynaklarında, katı-hal rölelerindeki uygulama alanları artış göstermektedir.
 IGBT

IGBT, gerilim kontrollü bir elemandır. Kapısından (Gate) geçirilen potansiyel fark ile iletime
geçer. Tam kontrollü olduğundan dolayı bu gerilim ortadan kaldırıldığında otomatik olarak
kesime gider ve hızlı bir eleman olmasını sağlar. Simgesi ise transistör simgesinin çift
çizgili halidir.
 IGBT

Sanayi tipi, düşük güçlü bir IGBT

IGBT
 SIT (static induction transistor = statik
indüksiyon transistörü)
• SIT; yüksek güçlü, yüksek frekanslı bir aygıttır.
• İletim durumunda gerilim düşümü yüksektir; tipik
olarak 180 A’lik eleman için 90 V ve 18 A’lik eleman
için 18 V’tur.
• SIT normalde iletim durumundadır
ve bir negatif kapı gerilimi
kesim durumunda tutar.
• SIT’in anma değerleri 300 A, 1200 V’a kadar ve
anahtarlama hızı 100 kHz kadar yüksek olabilir.
 Güç Mosfetleri
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor)
Güç Mosfetleri