Planarni proces

-tehnologija izrade integrisanih

sklopova

Elektronika
Tahirović Zikreta
 Planarni proces

Pitanja za uvod u novu lekciju

1. Šta su aktivne komponente u elektronici?

2. Recite historijsku hijerarhiju razvoja aktivnih komponenti?
3. Šta su integrisani sklopovi, kako nastaju i kad je proizveden prvi
komercijalni integrisani sklop?
4. Šta je stepen integracije i kako smo podijelili integrisane sklopove prema
stepenu integracije, koliki se danas postiže stepen integracije?
5. Koja tehnologija je omogučila izradu integrisanih sklopova i iz kojih faza se
ona sastoji?
•
Cilj ovog časa je da se detaljno upoznamo sa fazama planarne
tehnologije pomoću koje proizvodimo monolitne integrisane
sklopove.

Postoje dvije vrste integrisanih sklopova:

• Monolitni integrisani sklopovi
• Hibridni integrisani sklopovi
 
Monolitni se izrađuju planarnim procesom.
Njihove prednosti su:
• Veća gustoća pakovanja elemenata
• Veća pouzdanost
• Prikladniji za sklopove sa velikim brojem komponenata
A nedostatak je skuplji razvoj i proizvodnja pa se koriste za izradu
standardnih digitalnih i analognih sklopova, koji imaju široku
primjenu.
• Hibridna tehnika kombinuje razne tehnike integracije, pasivne
komponente se izrađuju u tehnici tankog ili debelog filma, a aktivne
komponte se dodaju kao diskretne komponente tj. Čipovi.
• Monolitna i hibridna tehnika za izradu ove dvije vrste integralnih kola
nisu konkurentne jedna drugoj: jedna se koristi za sklopove sa velikim
brojem komponenti i velikim serijama, a druga za manje serije i
sklopove specijalnih namjena.
 Planarni proces

6 faza planarnog procesa: 

1. Formiranje monokristalne Si pločice
2. Epitaksijalni rast
3. Oksidacija Si površine
4. Fotolitografija
5. Difuzija primjesa
6. Metalizacija

U zavisnosti od složenosti konačnog proizvoda ovi koraci

se ponavljaju više puta.
 Planarni proces
1. ) Formiranje monokristalne Si površine
Ingot- šipka prečnika 7cm i dužine 50cm reže se
pomoću lasera na kriške debljine od 150-650µm, a
zatim se ploške bruse poliraju do visokog sjaja
hemijsko-mehaničko poliranje.
 Planarni proces
2. Epitaksijalni rast

•Izrezane Si pločice koriste se kao klica za rast kristala

epitaksijalnim postupkom- tu pločicu nazivamo još i
supstrat. Primjenom epitaksijalne tehnike na podlozi p
tipa raste sloj n tipa nanošenjem atoma Si i
petovalentne primjese.
•Proces se odvija u epitaksijalnom reaktoru na
temperaturi preko 1000 ºC, a debljina epitaksijalnog
sloja iznosi 3-10µm.
 Planarni proces
3.) Oksidacija Si površine

• Oksidacija ili pasivizacija Si površine postiže se tako da

se pločica izlaže visokoj temperaturi od 900- 1200ºC u
atmosferi kisika ili vodene pare. Debljina tako
formiranog oksidnog sloja je 0,1µm.
 Planarni proces

4.) Fotolitografija

 
Da bi mogli izvršiti difuziju primjesa moramo na oksidnoj površini
napraviti otvore kroz koje možemo difundirati primjese. To radimo
postupkom fotolitografije. Ovom postupku prethodi postupak
izrade maski za difuziju i metalizaciju.
Zavisno o vrsti, složenosti sklopa i tehnološkom postupku broj
maski varira od 3 do 8. Izrađuju se u mjerilu 10:1, a u posebnoj
redukcijskoj kameri reduciraju se na stvarne dimenzije. Optička
maska prenosi se na površinu Si prekrivenu oksidnim slojem
fotolitografskim postupkom. Koraci fotolitografskog postupka
predstavljeni su na sljedećim slikama:
 
 Planarni proces

a) b) c)

d) e) f)
a) Prekrivanje SI pločice fotoosjetljivom emulzijom ili fotorezistom,
b) Područje gdje treba biti otvor za difuziju na već izrađenoj optičkoj maski je zatamnjeno i neprozirno za
UV svjetlo kojim se djeluje odozgo,
c) Osvijetljeni dio se polimerizira, a neosvijetljeni ostaje neploimerizan širine a
d) Sada se pomoću razvijača odstrani dio fotorezista širine a, a na ostali dio pločice on ne djeluje
e) Pomoću hlorovodonične kiseline oksid se ukloni na širini a dok ona ne djeluje na ostale dijelove
f) Pomoću H2SO4 ukloni se preostali polimerizirani fotorezist i konačno je dobijen jedan otvor za difuziju
na SI pločici ili jedan difuzijski prozor
 Planarni proces
5.) Difuzija primjesa

 
Difuzijom primjesa p-tipa na epitaksijalni n sloj dobija se pn spoj. Područje
u koje difundiraju primjese je nešto šire od prozora predviđenog maskom
tako pn spoj dolazi na površinu silicijumske pločice ispod oksidnog sloja.
Proces difuzije obavlja se u difuzijskim pećima, trajanje depozicije primjese
je od 10 do 20 minuta pri temperaturi 800 do 1100ºC, a dubina prodiranja
primjesa je manja od 0,2µm.
 Planarni proces
6.)  Metalizacija

Ovaj postupak služi za izradu metalnih kontakata s

pojedinim komponentama monolitnih sklopova kao i za
vanjske veze preko sloja oksida. Najčešće se koristi Al,
ima mali el. otpor, dobro prijanja na SiO2 i dobro odvodi
toplotu. Izrada metalnih veza od Al-a vrši se tako da se
naparava tanki film od Al-a u uslovima visokog vakuma.
Debljina dobijenog Al filma kreće se od 0,5 do 2 µm i
nanosi se po cijeloj površini pločice. Da bi se uklonio taj
tanki Al film, gdje nisu potrebni kontakti, koristi se
fotolitografski postupak.
 Planarni proces

Završni dio:

U prethodnom dijelu časa upoznali smo se detaljnije sa svakom

fazom planarnog procesa. Iz tog izlaganja može se zaključiti o
kakvom složenom i osjetljivom procesu se radi, pa prema tome
oprema i svi uređaji, koji se koriste za ostvarenje ovog procesa, su
vrlo sofisticirani i skupi. Iz toga zaključujemo da ovakva složena i
skupa proizvodnja može biti isplativa samo ako se radi o velikim
serijama. Relativno je malo firmi u svijetu koje proizvode integrisane
sklopove npr. Motorola, Intel, Philips, Texas Instruments, RCA, itd.
Zaisno od složenosti sklopa sve ove faze ponavljaju se nekoliko
puta kako bi se dobila konfiguracija cijelog sklopa u integrisanoj
tehnici.
 
 Planarni proces
Također treba reći da se na jednoj kriški ingota tj. Si pločice
pravi istovremeno oko 300 integrisanih sklopova proizvedenih
planarnom tehnologijom. Oni se zatim pojedinačno režu i
razdvajaju pomoću lasera i smještaju u kućišta koja mogu biti
metalna, plastična i keramička. Po obliku su okrugla ili
pravougla.
Pitanja
1. Koje vrste integrisanih kola postoje ?
2. Navedi sve što znaš o hibridnim integrisanim sklopovima !
3. Navedite prednosti i nedostatke monolitnih integrisanih sklopova !
4. Kojim se postupkom proizvode MIS i nabrojte faze tog postupka ?
5. Šta je to INGOT ?
6. Kako se dobiju pojedinčne kriške SI pločice ili substrata ?
7. Objasnite fazu epitaksijalni rast !
8. Objasnite fazu oksidacija SI površine !
9. Kako se pomoću fotolitografije dobija otvor za difuziju primjesa ?
10. Objasnite postupak metalizacije !
11. Koliko integrisanih sklopova može biti na jednoj kriški INGOT-a ,
kako se razdvajaju i u kakva kućište se smještaju ?
Hvala na pažnji!