OE22

Sveuilite u Splitu
Vladan Papi
PREDAVANJA IZ OSNOVA ELEKTRONIKE
Split, 2005
Manualia Universitatis studiorum Spalatensis
Autor: Doc. dr. sc. Vladan Papi Recenzenti: Prof. dr. sc. Sven Gotovac Prof. dr. sc. Dragan Poljak Doc. dr. sc. Hrvoje Dujmi
Objavljivanje ove sveuiline skripte odobreno je na 28. sjednici Senata Sveuilita u Splitu odranoj 20. sijenja 2005. godine, odlukom br: 01-12/21-2-2004.
CIP-Katalogizacija u publikaciji Sveuilina knjinica u Splitu UDK 628.38(075.8)
PAPI, Vladan Predavanja iz osnova elektronike / Vladan Papi. Split : Fakultet prirodoslovno- matematikih znanosti i odgojnih podruja, 2005. 163 str. : graf. prikazi ; 24 cm. (Manualia Universitatis studiorum Spalatensis) Bibliografija. ISBN 953-7155-02-1
ISBN
953-7155-02-1
Split, veljaa 2005.
Sadraj
I. Fizikalna elektronika
1. Nabijene estice u elektrinom i magnetskom polju 1.1. Uvod i osnovni pojmovi ---------------------------------------------------------------------------1 1.2. Nabijena estica u elektrostatskom polju --------------------------------------------------------2 1.2.1. Elektron u homogenom elektrostatskom polju --------------------------------------------5 1.2.2. Otklon elektrona u katodnoj cijevi ----------------------------------------------------------8 1.3. Nabijena estica u magnetostatskom polju ---------------------------------------------------- 11 1.3.1. Elektron u homogenom magnetostatskom polju ---------------------------------------- 14 1.3.2. Katodna cijev s otklanjanjem pomou magnetostatskog polja ------------------------ 15 1.4. Gibanje nabijene estice pod istovremenim djelovanjem elektrostatskog i magnetostatskog homogenog polja-------------------------------------------------------------- 18 1.5. Elektrostatske lee -------------------------------------------------------------------------------- 21 1.6. Primjene ------------------------------------------------------------------------------------------- 23 1.6.1. Maseni spektrometar ----------------------------------------------------------------------- 23 1.6.2. Linearni akcelerator ------------------------------------------------------------------------ 26 1.6.3. Ciklotron------------------------------------------------------------------------------------- 27 2. Svojstva metala i poluvodia 2.1. Klasifikacija vrstih tijela------------------------------------------------------------------------ 31 2.2. Energetske vrpce u vodiima -------------------------------------------------------------------- 31 2.3. Emisija elektrona iz metala ---------------------------------------------------------------------- 35 2.3.1. Termionska emisija ------------------------------------------------------------------------- 35 2.3.2. Sekundarna emisija ------------------------------------------------------------------------- 36 2.3.3. Fotoemisija ---------------------------------------------------------------------------------- 37 2.4. Poluvodii i energetske vrpce u poluvodiima ------------------------------------------------ 39 2.5. Primjese u poluvodiima------------------------------------------------------------------------- 41 2.6. Generacija i rekombinacija nositelja naboja --------------------------------------------------- 45 2.7. Koncentracija nositelja naboja ------------------------------------------------------------------ 47 2.8. Fermijeva razina ---------------------------------------------------------------------------------- 49 2.9. Pokretljivost nositelja naboja-------------------------------------------------------------------- 42 2.10. Vodljivost poluvodia -------------------------------------------------------------------------- 44 2.11. Difuzija u poluvodiima ------------------------------------------------------------------------ 45
II. Elektroniki elementi i sklopovi

3. Elektroniki elementi 3.1. Poluvodiki P-N spoj----------------------------------------------------------------------------- 59 3.1.1. P-N spoj pod djelovanjem napona -------------------------------------------------------- 62 3.2. Poluvodike diode -------------------------------------------------------------------------------- 64 3.2.1. Strujno-naponska karakteristika P-N dioda ---------------------------------------------- 65 3.2.2. Neke vrste P-N dioda ---------------------------------------------------------------------- 68 3.3. Dovo enje diode u radnu toku i nadomjesni sklop ------------------------------------------ 70 3.3.1. Nadomjesni sklop (ekvivalentna shema) ------------------------------------------------- 72
3.4. Ogranienje snage u poluvodikim diodama -------------------------------------------------- 76 3.5. Usporedba poluvodike i vakuumske diode --------------------------------------------------- 76 3.6. Bipolarni tranzistori ------------------------------------------------------------------------------ 78 3.6.1. Osnovni principi rada tranzistora --------------------------------------------------------- 79 3.7. Statike karakteristike tranzistora--------------------------------------------------------------- 83 3.7.1. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajednike baze ------------------- 84 3.7.2. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajednikog emitera -------------- 84 3.8. Ogranienja u radu tranzistora ------------------------------------------------------------------ 85 3.9. Dinamika svojstva bipolarnih tranzistora----------------------------------------------------- 86 3.10. Tranzistor kao etveropol ---------------------------------------------------------------------- 87 3.11. Nadomjesni sklopovi bipolarnih tranzistora-------------------------------------------------- 90 3.12. Vakuumska trioda ------------------------------------------------------------------------------- 92 3.13. Unipolarni tranzistori --------------------------------------------------------------------------- 93 3.14. JFET ---------------------------------------------------------------------------------------------- 94 3.15. Statike karakteristike N kanalnog JFET-a ------------------------------------------------ 96 3.16. Nadomjesni sklop JFET-a---------------------------------------------------------------------- 98 3.17. MOSFET ----------------------------------------------------------------------------------------- 99 3.18. Statike karakteristike MOSFET-a-----------------------------------------------------------101 3.19. Nadomjesni sklop MOSFET-a----------------------------------------------------------------102 3.20. Ogranienja rada i prednosti unipolarnih tranzistora---------------------------------------103 4. Elektroniki sklopovi 4.1. Pojaala -------------------------------------------------------------------------------------------105 4.1.1. Raunanje u decibelima -------------------------------------------------------------------107 4.1.2. Strujni i naponski izvori-------------------------------------------------------------------107 4.1.3. Ulazni otpor --------------------------------------------------------------------------------114 4.1.4. Naponsko pojaanje i frekvencijski odziv ----------------------------------------------115 4.2. Pojaala s bipolarnim tranzistorima -----------------------------------------------------------118 4.2.1. Strujno pojaalo u spoju ZE --------------------------------------------------------------118 4.2.2. Naponsko pojaalo u spoju ZB-----------------------------------------------------------120 4.2.3. Pojaalo u spoju ZC transformator impedancije (emitersko sljedilo) -------------121 4.3. Pojaala s unipolarnim tranzistorima ----------------------------------------------------------122 4.3.1. Pojaalo u spoju zajednikog uvoda (ZS)-----------------------------------------------122 4.3.2. Pojaalo u spoju zajednikog odvoda (ZD)---------------------------------------------123 4.3.3. Pojaalo u spoju zajednike upravljake elektrode (ZG)------------------------------124 4.4. Kaskadna pojaala -------------------------------------------------------------------------------125 4.4.1. Darlingtonov spoj--------------------------------------------------------------------------127 4.5. Diferencijalno pojaalo -------------------------------------------------------------------------128 4.6. Strujno zrcalo ------------------------------------------------------------------------------------129 4.7. Povratna veza ------------------------------------------------------------------------------------131 4.7.1. Oscilatori------------------------------------------------------------------------------------132 4.8. Operacijska pojaala ----------------------------------------------------------------------------134 4.8.1. Neinvertirajue pojaalo ------------------------------------------------------------------136 4.8.2. Invertirajue pojaalo ---------------------------------------------------------------------137 4.8.3. Diferencijalno pojaalo -------------------------------------------------------------------138 4.8.4. Sumator (zbrajalo) -------------------------------------------------------------------------139 4.8.5. Naponsko sljedilo --------------------------------------------------------------------------140 4.8.6. Strujno-naponski pretvornik --------------------------------------------------------------140 4.8.7. Integrator------------------------------------------------------------------------------------141
4.8.8. Derivator ------------------------------------------------------------------------------------142 4.8.9. RC oscilator realiziran pomou operacijskog pojaala --------------------------------143 5. Digitalna elektronika 5.1. Logiki sklopovi ---------------------------------------------------------------------------------145 5.2. Tehnike realizacije logikih sklopova ---------------------------------------------------------147 5.2.1. Otpornik tranzistor logika (RTL) ------------------------------------------------------150 5.2.2. Diodna logika (DL) ------------------------------------------------------------------------151 5.2.3. Diodno-tranzistorska logika (DTL) ------------------------------------------------------152 5.2.4. Tranzistor-tranzistor logika (TTL)-------------------------------------------------------152 5.2.5. Logika zajednikog emitera (ECL) ------------------------------------------------------153 5.2.6. MOSFET (MOS) --------------------------------------------------------------------------154 5.2.7. Komplementarni MOSFET (CMOS) ----------------------------------------------------155 5.3. Sekvencijalna logika ----------------------------------------------------------------------------155 5.3.1. Razinom okidani bistabili-----------------------------------------------------------------157 5.3.2. Bridom okidani bistabili ------------------------------------------------------------------160 Literatura
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike
1. Nabijene estice u elektrinom i magnetskom polju

1.1. Uvod i osnovni pojmovi U ovom poglavlju, promatrat emo gibanje nabijenih estica u elektrinim i magnetskim poljima. Elektronska balistika je pojam koji vezujemo uz ovakva razmatranja i njena zadaa je odreivanje trajektorija nabijenih estica u tim poljima. Osim trajektorija, potrebno je poznavati i brzine te akceleracije promatranih estica, najee elektrona. Ubrzanje je mogue jedino djelovanjem sila. Ako elektron promatramo kao nabijenu materijalnu esticu, onda na njega mogu djelovati elektrine i magnetske sile. Elektron iz stanja mirovanja moe pokrenuti elektrina sila, a ako se giba, onda promjenu njegovog stanja moe izazvati i magnetska sila. Za razliku od gibanja u prostoru, a naroito pod dinamikim promjenama elektrinog i magnetskog polja, analitiko odreivanje putanje elektrona u jednodimenzionalnim elektrostatskim i magnetskim poljima je razmjerno jednostavno. Putanje nabijenih estica u elektrostatskim poljima su sline putanjama predmeta u gravitacijskom polju, odatle je i porijeklo termina elektronska balistika. Slinost gibanja elektrona u elektrostatskim poljima i gibanja zrake svjetlosti kroz optika sredstva koristi se za analizu gibanja u elektronskoj optici. ESTICA elektron neutron proton NABOJ qe = -1.6 x 10-19 C [As] 0 qp = -qe = 1.6 x 10-19 C [As] MASA me = 9.1 x 10-31 kg mn = 1839 x me = 1.67 x 10-27 kg mp = 1839 x me = 1.67 x 10-27 kg
Naboj protona je, dakle, iznosom jednak, a predznakom suprotan naboju elektrona, dok je masa protona i neutrona za 1839 puta vea od mase elektrona. Masa iona nekog elementa dana je izrazom:
mI = a mP
(1.1.)
gdje je a atomska teina promatranog elementa. Kod velikih brzina kretanja estica, tj. kada brzina gibanja vie nije zanemariva u odnosu na brzinu svjetlosti, gore napisane vrijednosti za masu pojedine estice ne vrijede. Tada treba uzeti u obzir relativistiku korekciju za masu pa dobivamo slijedei izraz: m= m0 v 1 c
2
(1.2)
gdje je m0 masa mirovanja promatrane estice, v je brzina estice, a c = 3108 m/s je brzina svjetlosti. U veini primjena se uzima nekorigirana vrijednost mase jer su brzine gibanja estica relativno male.

1.2. Nabijena estica u elektrostatikom polju
Promotrimo gibanje elektrona ili neke druge estice u vakuumu. estica moe biti u stanju 1 mirovanja ili gibanja odreenom brzinom, dakle ima kinetiku energiju E K = mv 2 . Da bi 2 estica dobila brzinu, mora biti ubrzana, tj. na nju mora djelovati neka sila. esticu moemo ubrzati na dva naina:
djelovanjem fizike sile na masu djelovanjem elektrine sile na naboj
qe C = 1.76 1011 , tj. sila na naboj je 1011 puta manja od sile na me0 kg masu (ona sila koja e pokrenuti elektron). Utjecaj gravitacijske sile na gibanje zanemarujemo. Kada se nabijena estica mase m i naboja q nalazi u elektrinom polju, na nju djeluje sila koja je proporcionalna jakosti elektrinog polja:
Za elektron vrijedi omjer
r r F = qE
(1.3)
r Zamislimo esticu mase m i naboja q. Na nju djeluje sila F . Poto je ova estica promijenila stanje gibanja (pokrenuli smo je iz stanja mirovanja), mora se javiti Newtonova sila reakcije r r ma gdje je a akceleracija (Slika 1.1).
r ma
r r F = qE
m q
Slika 1.1. Nabijena estica u elektrinom polju

U stanju ravnotee je
r r ma = qE r q r a= E m r q r r r r r axi + a y j + az k = Exi + E y j + Ez k m
(1.4)
r r r gdje su i , j , k jedinini vektori. Temeljem relacija (1.4) moemo napisati sustav od 3 skalarne jednadbe
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike q ax Ex m q ay Ey m q az Ez m

d2 q d q x Ex vx Ex 2 m dt dt m 2 d q d q vy Ey y Ey 2 dt m m dt 2 d q d q vz Ez z Ez 2 dt m m dt
(1.5)
Temeljem sustava jednadbi (1.5) moemo odrediti putanju estice u parametarskom obliku, s vremenom t kao parametrom. Poto se promatra estica u elektrostatskom polju tj. polje se ne mijenja u vremenu, polje je odreeno gradijentom elektrinog potencijala U (usmjereno je od toaka veeg ka tokama manjeg potencijala, tj. u smijeru negativne derivacije potencijala):
U U U E gradU ( x, y, z ) x i y j z k U Ex x U Ey y U Ez z odakle slijedi

d 2x q U 2 m x dt 2 d y q U 2 m y dt d 2z q U 2 m z dt
(1.6)
(1.7)
Ponovimo jo jednom, ove jednadbe vrijede za sluaj gibanja estice u elektrostatskom polju. T1 m, q t1 , U1 m, q t2 , U2 Slika 1.2. estica u konzervativnom polju
v1
T2
v2
Imamo jo jednu mogunost promatranja ovog fenomena. Ako je polje konzervativno, onda je u tome polju zbroj energija u vremenskom trenutku t1 jednak zbroju energija u vremenskom trenutku t2, ukoliko se obje promatrane toke nalaze na trajektoriji kojom se giba nabijena estica (Slika 1.2). Zbroj energija je suma kinetike i potencijalne energije estice pa moemo pisati:
1 2 1 2 mv1 qU 1 mv 2 qU 2 2 2
(1.8)
kinetika energija
potencijalna energija (naboj x potencijal)
Temeljem gornje jednadbe, moemo dobiti izraz za krajnju brzinu, v2. 1 2 1 mv 2 qU 2 U 1 mv12 2 2 2q U 2 U 1 v 2 v12 m Ako u t1 = 0 vrijedi: v1 = 0 i U1 = 0, onda je
v2 2 q U2 m
(1.9)
(1.10)
Temeljem jednadbe (1.10) slijedi da, ako elimo esticu iz stanja mirovanja i toke nultog potencijala dovesti u toku T2, onda u toki T2 potencijal U2 mora biti pozitivan (tj. U2 > 0) ako je estica negativno nabijena, dok je za pozitivno nabijene estice potrebno U2 < 0. Za situaciju kad pokreemo elektron iz stanja mirovanja: 1 2 mv 2 qU 2 2 (EK EP ) (1.11)
Zbog openito vrlo malih iznosa energija elektrona, za jedinicu energije se obino uzima elektronvolt (eV). Jedan eV predstavlja kinetiku energiju elektrona koji je iz stanja mirovanja ubrzan potencijalnom razlikom od 1 V. Dakle:
1eV 1.6 10 19 J .
Nadalje emo promatrati iskljuivo gibanje elektrona, a opi oblici jednadbi vrijede i za ione pa se numerike vrijednosti za njih mogu dobiti uvrtavanjem njihovog iznosa za masu i naboj.
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 1.2.1. Elektron u homogenom elektrostatskom polju
U homogenom polju nema prostorne promjene jakosti polja, dakle nema promjene jakosti polja ni na putanji kojom se giba elektron. Takva polja se formiraju u prostoru izmeu dvije bliske ploaste elektrode (Slika 1.3). Elektron moe biti u mirovanju, pa ga polje ubrzava, ili moe ulijetati u polje razliitim brzinama (razni smjerovi i iznosi).
a)
b)
Slika 1.3. Elektrostatsko polje izmeu ploastih elektroda a) Konfiguracija elektroda (k katoda, a anoda, d udaljenost izmeu elektroda, Ua napon baterije) b) Raspodjela potencijala izmeu dvije ravne i paralelne elektrode Baterija s naponom Ua omoguava stvaranje elektrostatskog polja izmeu ploastih elektroda. Elektrino polje je usmjereno od toaka veeg potencijala (anodi) prema tokama manjeg potencijala (katodi) i moe se opisati slijedeom jednadbom:
E Ex i ;
Ex
U U Ex hogomogeno derivacija konstantna a x d

(1.12)
Ukoliko je elektron u trenutku t = 0 emitiran iz katode iji je potencijal odabran kao referentan, tj. jednak nuli, s brzinom vk u smijeru elektrinog polja, diferencijalna jednadba gibanja (vidi jednadbu 1.7) je: q U d 2x 0 a 2 dt m0 d Nakon integriranja dobijemo
q U dx v 0 a t C1 dt m0 d
(1.13)
(1.14)
Budui da je u trenutku t = 0 poetna brzina v = vk , slijedi C1=vk , pa je brzina elektrona:

q U dx v 0 a t vk dt m0 d
(1.15)
a integriranjem (1.15) dobivamo i poloaj elektrona u trenutku t (konstanta C2 = 0):

q0 U a t 2 x vk t m0 d 2
(1.16)
Konstanta integracije C2 u ovom sluaju iezava, jer se za t = 0 elektron nalazi na katodi gdje je x = 0. Iz jednadbi (1.15) i (1.16) proizlazi da brzina raste linearno s vremenom, a prijeeni put (x) raste kvadratino s vremenom. Ovakvo gibanje je uzrokovano konstantnom silom uslijed elektrinog polja i moemo rei da je gibanje analogno gibanju predmeta u gravitacijskom polju. Ukoliko je poetna brzina vk = 0, moemo napisati slijedee jednadbe gibanja
q U dx 0 a t dt m0 d q0 U a t 2 m0 d 2
(1.17)
(1.18)
pa kombiniranjem posljednje dvije jednadbe dobijemo poznati (vidi 1.10) izraz za brzinu neovisan o vremenu, a ovisan o potencijalu unutar ploa:
v 2q0 U ( x) m0
(1.19)
gdje je U(x) potencijal na bilo kojem mjestu unutar ploa, a koji je u sluaju homogenog polja odreen relacijom
U ( x)
Ua x d
(1.20)
Za promatrani sluaj nema brzine u y i z smjeru, pa tako ni promjena poloaja u tim smjerovima, jer je poetna brzina u smjeru polja. U ovom sluaju je trajektorija pravac. Kada je poetna brzina proizvoljno orijentirana, trajektorija elektrona e biti parabola.
Primjer: Neka elektron s brzinom va va i ue u homogeno elektrostatsko polje. Smijer kretanja elektrona (paralelno s osi x) je okomit na homogeno elektrostatsko polje paralelno s osi y. Potrebno je pronai jednadbu putanje elektrona.
E E y ( E ) j ; E E konst.

U E gradU j y U E y 2 d x qe 0 dt 2 me 0
' x C1' t C 2
q d 2 y qe E y e ( E ) 2 dt me 0 me 0 d 2 z qe 0 dt 2 me 0
qe t 2 ' E C1'' t C 2' 2 me 0
' z C1''' t C 2''
U poetnom trenutku (t = 0) vrijedi x = y = z = 0 ; vx = va ; vy = vz = 0. Za x komponentu moemo pisati:

' ' x C1' t C 2 u t = 0, x = 0 C 2 0, v X v a C1' x v a t
Za y komponentu moemo pisati: qe t 2 qe t 2 '' '' '' '' E y E C1 t C 2 u t = 0, y = 0 C 2 0, C1 0 (jer je vy = 0) y me 0 me 0 2 2 Za z komponentu moemo pisati:
' ' z C1''' t C 2'' u t = 0, z = 0 C 2'' 0, v Z 0 C1''' z 0
Dobili smo sustav:

x va t qe x 1 y E 2 x 2 (parabola okrenuta prema gore) (1.21) qe t t y E va m e 0 2v a me 0 2
2
Dakle, do izlaska iz polja elektron se giba po paraboli, a dalje se giba tangencijalnom brzinom v 2 po pravcu. Na elektron u gibanju se moe djelovati elektrostatskim poljem, elektron se otklanja, a otklon je po vertikali. Ako otklonske ploice zarotiramo oko osi x za 90 imamo otklon po horizontali u z smjeru. Rezultantno gibanje, sastavljeno od vertikalnog i horizontalnog otklona daje neku rezultantnu krivulju. Promjenom napona izmeu otklonskih ploica mijenjamo i veliinu otklona elektrona. Elektrino polje izmeu otklonskih ploica je u stvarnosti promjenjivo u vremenu, ali ako su zadovoljeni odreeni uvjeti moemo aproksimativno uzeti da se elektron giba u elektrostatskom polju. Na primjer, za mreu frekvencije 50 Hz osnovni period iznosi T = 20 ms. Vrijeme preleta (tp) kroz polje (Slika 1.4) trebalo bi biti toliko malo (tp << T) da nam elektrino polje bude praktino konstantno za trajanja tp, odnosno, da je promjena napona (pa tim i polja) zanemarivo mala za trajanja tp u odnosu na promjenu tijekom perioda T. to je manje zadovoljen uvjet tp << T, greka u
mjerenju e biti vea. to je vea frekvencija, greka je sve vea, pa osciloskopi imaju neku graninu frekvenciju iznad koje vie ne mogu mjeriti.
Slika 1.4. Utjecaj vremena preleta elektrona na mjerenje Dodatak : Elektronski top Potreban nam je neki metal koji e davati elektrone. Elektroni se otputaju zagrijavanjem. Taj proces nazivamo termionska emisija elektrona iz metala. Katoda nam daje elektrone (anoda ih ubrzava). Prije su se katode izraivale od volframa. Najbolje je kad se rade od metalnih oksida jer je tada potrebna nia temperatura za izbijanje elektrona. Krug s izvorom napona Uf zagrijava icu katode (Slika 1.5). Oko katode se stvara oblak elektrona koji biva povuen od anode. Kroz rupu na anodi prolazi uski snop elektrona ubrzanih pozitivnim naponom anode. Fokusiranje elektrona se obavlja elektronskim leama. To su specijalno strukturirana elektrostatska polja sa svrhom fokusiranja elektronskog snopa.
Uf
+ K A
vA
bokocrt
+ Ua
Slika 1.5. Elektronski top
1.2.2. Otklon elektrona u katodnoj cijevi U prethodnom poglavlju, primjeru i dodatku opisano je djelovanje elemenata koji su osnova katodne cijevi. Na slici 1.6 prikazani su bitni sastavni dijelovi katodne cijevi, a to su: 1. elektronski top, 2. otklonske ploice i 3. zaslon sa slojem fosfora.
Slika 1.6. Otklon elektrona u katodnoj cijevi
Katoda je napravljena od metalnog oksida koji ima veliku izdanost pri termionskoj emisiji. Graena je kao cijev unutar koje se nalazi arna nit (Uf). Izmeu katode i anode stvara se elektrostatiko polje uslijed kojeg se elektron privlai ka pozitivnoj anodi. Otklonske ploice imaju svoj izvor napajanja (UD). Izvor elektrona (A) moramo dovesti na isti potencijal koji pretpostavljamo da vlada po sredini sustava otklonskih ploica. Kad ne bi bilo otpornika, onda bi polje izmeu ploica bilo potpuno neovisno o polju izmeu A i K. Kod izvora napajanja struja (po dogovoru) ide od plusa prema minusu. Kroz otpornik se stvara pad napona. Po dogovoru je + tamo gdje struja ulazi u otpornik. Pad napona je u naem sluaju isti na oba otpornika. Na taj nain smo postigli da je potencijal anode isti kao potencijal na sredini polja izmeu naponskih ploica. Ua je napon kojim ubrzavamo elektrone, a UD je napon kojim otklanjamo elektrone, tj. mijenjamo izgled slike na ekranu. Za zatitu djelovanja vanjskih polja na tok elektrona, esto se ekran spaja s anodom (daje mu se pozitivni potencijal +Ua). To izgleda kao metalni prsten oko ekrana (metalizacija). Odredimo toke T1 i T2. Iz (1.19) i (1.21) proizlazi
y= qe U D 2 x 2 me 0 2dv a
q va = 2 e U a me 0
y=
UD 2 x 4dU a
(1.22)
l Sa slike 1.6 moemo oitati koordinate toke T1(l, y1) i T2 L + , d s 2

y1 = UD 2 l 4dU a
10
pa je koeficijent smjera u T1
y1 = U Dl 2dU a
tangenta: y t = y1 x + b U Dl 2 U l U l2 U l U l2 = D l + b b = D yt = D x D 4dU a 2dU a 4dU a 2dU a 4dU a l poto je i T2 na tangenti, uvrstimo T2 L + , d s u jednadbu: 2 U Dl l U Dl 2 dS = L + 2dU a 2 4dU a dakle apsolutna vrijednost vertikalnog otklona rauna se iz izraza
dS = U D lL 2dU a
(1.23)
Kao to slijedi iz jednadbe (1.23), otklon e biti to vei to su otklonski napon, duina ploica i udaljenost ploica od zaslona vei, a napon ubrzanja i razmak ploica manji. Osjetljivost katodne cijevi S definira se kao omjer otklona i otklonskog napona:
S= dS lL = U D 2dU A
(1.24)
r to je vei anodni napon, manja je osjetljivost (vei Ua vea v a manji utjecaj elektrinog polja manji otklon). Na kraju, objasnimo pojavu svijetle toke na ekranu do koje dolazi uslijed sudara elektrona s povrinom ekrana. Kada elektron pogodi atom fosfora ili nekog materijala, predaje mu dio svoje energije. Ovaj viak energije akumulira se u atomu tako to elektroni iz elektronskih ljuski prelaze u via energetska stanja tj. u elektronske ljuske s veom energijom. Ovakvo stanje elektrona je nestabilno i on se tei vratiti na nii energetski nivo, pri emu se oslobaa kvant energije foton. Neka stanja elektrona su nestabilnija od drugih. Pojava emitiranja svjetlosti koja nastaje kao posljedica vraanja jako nestabilnih elektrona u svoje ljuske naziva se fluorescencija, za razliku od fosforescencije koju izaziva vraanje neto stabilnijih elektrona na nie energetske nivoe. Vana veliina koja opisuje ovu pojavu je perzistencija materijala, a definira se kao vrijeme koje protekne od prestanka pobude do pada intenziteta emitirane svjetlosti na 10% poetne tj. maksimalne vrijednosti.

1.3. Nabijena estica u magnetostatskom polju
11
Sila kojom magnetsko polje djeluje na nabijenu esticu je

r r r F = qv B
(1.25)
r r gdje je v B vektorski produkt brzine elektrona i magnetske indukcije. Sila je u njutnima ako su i ostale jedinice dane u MKS sustavu: q (As), v (m/s) i B (T). Dakle, sila koja djeluje na nabijenu esticu okomita je na smjer gibanja estice i na magnetsko polje.
Uslijed djelovanja sile estica dobije ubrzanje

r r F = ma
r q r r a = vB m
(1.26)
Iz jednadbe (1.26), uslijed prirode vektorskog produkta, proizlazi da sila na nabijenu esticu iezava ukoliko se estica giba u smjeru polja.
r i r r v B = vx Bx r j vy By r k r r r v z = i (v y B z v z B y ) + j (v z B x v x B z ) + k (v x B y v y B x ) Bz
(1.27)
a=
r r q r i (v y B z v z B y ) + j ( v z B x v x B z ) + k ( v x B y v y B x ) m
(1.28)
Ukoliko se jednadba (1.28) rastavi na komponente, dobivaju se slijedee jednadbe za gibanje elektrona u magnetskom polju, u pravokutnom koordinatnom sustavu:
d 2x q = (v y B z v z B y ) 2 m dt 2 d y q = (v z B x v x B z ) 2 m dt 2 d z q = (v x B y v y B x ) dt 2 m
(1.29)
Budui da je smjer sile uvijek okomit na smjer brzine i polja, energija nabijene estice se prolaskom kroz magnetostatsko polje ne mijenja.

Primjer: Kruna putanja
12
r Na slici 1.7 je prikazana nabijena estica koja s brzinom v ue u homogeno magnetsko polje.
z
F v y B X
Slika 1.7. Primjer ponaanja estice u magnetostatskom polju poetni uvjeti

r r r r r Openito znamo da je v = v x i + v y j jer je B = Bk .
r r r r Za primjer na slici imamo da u trenutku t = 0 vrijedi v = v x i tj. F = Fj . Uvrstimo poznate vrijednosti u jednadbu (1.29):
d 2x q = ( v y B ) 2 m dt 2 d y q = (v x B ) 2 m dt 2 d z q = 0 = 0 dt 2 m d 2x q = v y B 2 dt m 2 d y q = vx B 2 dt m 2 d z =0 dt 2
(1.30)
r q r r r q a = v B a = vB = a m m
(1.31)
U gornjim jednadbama q, m, v i B su konstantne veliine. Ovo je jednoliko gibanje. To vrijedi ako se mijenja samo smjer akceleracije. Obodna brzina e biti konstantna. Nabijena estica u magnetskom polju ne dobiva dodatnu kinetiku energiju. Magnetsko polje samo krivi putanju estice, a kinetika energija je odreena iskljuivo poetnom brzinom v. Gornje tvrdnje dokaimo integriranjem izraza (1.30):
13
vx = vy =
q yB + C1 m
(1.32)
q xB + C2 m v z = C3
Uvrtavanjem poetnih uvjeta u t = 0 x = y = z = 0, v x = v , v y = v z = 0 C1 = v ,
C 2 = 0 , C3 = 0 .
vx = vy =
q yB + v m (1.33)
q xB m vz = 0
Poto se ukupna brzina (kinetika energija) ne mijenja, moemo pisati

2 2 v = vx + v y
dakle,
q q 2 xB + yB v = v m m mv mv = x +y qB qB
2 2 2
(1.34)
Jednadba (1.34) je zapravo jednadba krunice po kojoj se estica giba, iji je radijus
r=
y
mv = konst. qB
(1.35)
(0,r) F B v X
Slika 1.8. Rezultantna putanja estice
14
Prethodne zakljuke (1.34) i (1.35) mogli smo dobiti i postavljanjem samo osnovnih jednadbi
F = qBv = ma
te uzimajui u obzir da je sila magnetskog polja ustvari centripetalna sila koja zakrivljuje putanju estice: mv 2 = qBv r Iz jednadbe (1.35) moemo zakljuiti da e radijus zakrivljenosti putanje ovisiti o masi estice. Na ovaj nain moemo odrediti da li se neki element nalazi sam, ili je prisutan i neki njegov izotop. v qB = = r m f (v) - kutna brzina ne ovisi o brzini Period rotacije moemo pisati kao
T=
1 2 2 2m = = = f (v ) f 2f qB
Prethodna razmatranja o ponaanju nabijene estice u magnetskom polju moemo saeti u etiri tvrdnje: 1) Nabijena estica u magnetskom polju ne dobiva dodatnu kinetiku energiju. Magnetsko polje samo krivi putanju estice. 2) Nabijena estica se u magnetskom polju kree jednolikim krunim gibanjem ija ravnina se nalazi okomito na magnetsku indukciju. 3) Radijus je konstantan, ali je funkcija brzine. 4) Kutna brzina, odnosno vrijeme ophoda, nije ovisna o brzini v. 1.3.1. Elektron u homogenom magnetostatskom polju S obzirom na prethodno dobivene izraze za ponaanje estice u homogenom magnetostatskom polju moemo pisati slijedee izraze v r = 5.68 10 12 B 11 = 1.76 10 B
T = 3.57 10 11 f = 2.8 1010 B
1 B
Uobiajene vrijednosti indukcije su oko 10 T, a za vrlo jake magnete 15-20 T.
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 1.3.2. Katodna cijev s otklanjanjem pomou magnetostatskog polja
15
Jedna od vanih primjena krunog gibanja je magnetski otklon elektrona u katodnoj cijevi (Slika 1.9)
homogeno magnetostat.polje
qE mE0
va
b T1(l,y1) ds l L T2(l/2+L,ds) EKRAN x
dio kruznice
Slika 1.9. Otklon elektrona pomou magnetostatskog polja

I u ovom sluaju vrijeme preleta mora biti vrlo malo, inae ne moemo govoriti o magnetostatskom polju (magnetsko polje se, kao i elektrino, sinusno mijenja). Za sluaj prikazan slikom, pretpostavljamo da se radi o strogo ogranienom magnetskom polju (to inae nije tono). Za trajektoriju estice u homogenom magnetskom polju openito moemo pisati:
x2 + (y r) = r 2
2
(1.36)
Za elektron moemo pisati:
x2 + (y + r) = r 2
2
(1.37)
jer je iz (1.35) r =
me 0 v a , a znamo da je q e < 0 . Poto elimo odrediti otklon elektrona ds, qe B potrebno je odrediti jednadbu pravca koji prolazi tokama T1(l,y1) i T2(l/2+L,ds). Derivirajmo (1.37) po x u:
2 x + 2( y + r ) y ' = 0 y = x y+r
y = y1 ; x =l
yT1 =
l y1 + r
Takoer, ako iz (1.37) eksplicitno napiemo y:
16 (1.38)
y = r r 2 x 2
Dva mogua rjeenja predstavljaju gornju i donju toku presjeka krunice (u naem sluaju ona predstavlja krunicu po kojoj se elektron otklanja u magnetostatikom polju) s pravcem paralelnim s osi y (u naem sluaju pravac odgovara desnom rubu polja). Kako pretpostavljamo (a tako je prikazano i na slici 1.9) da je r > l, za rjeenje uzimamo gornju toku presjeka krunice s pravcem, dakle onu u kojoj je y vrijednost manje negativna. Uvrstimo li vrijednosti koordinata toke T1 dobijemo:
m v m v y1 = r + r l = e 0 a + e 0 a q B qe B e
2 2
l2
(1.39)
Uvijek je r >> y1 , pa vrijedi
yT
l r
(1.40)
l2 l2 l2 l2 l2 l2 l y = x + b b = y1 + = r + r 2 l 2 + = r + r 1 2 + r + r + = r r r r r r r
dakle
l2 l l2 y x+ r r r
(1.41)
pa, kad uvrstimo koordinate toke T2, vrijedi:

l l l 2 l 2 lL dS L + + = r 2 r 2r r
l 2 << lL d S dS lL r lLq e B dS = me 0 v a
lL r
(1.42)
(1.43)
Poznavajui ovisnost poetne brzine elektrona i anodnog napona (1.19) moemo pisati
17
va = 2
qe Ua me 0 q q me 0 1 1 = lLB e = lLB e 2q eU a 2me 0 U a 2me 0 Ua
lLBq e dS = me 0
(1.44)
Osjetljivost je jednaka omjeru otklona i indukcije
S=
1
q dS 1 = lL e 2 me 0 B Ua
(1.45)
dakle, S ~
Ua
Osjetljivost nam govori o tome kolika je veliina amplitude na ekranu. Ako naponi nisu jako veliki, osjetljivost ne opada mnogo ni ako koristimo katodnu cijev s elektrostatskim otklonom 1 ), a za vee napone koristimo katodnu cijev s magnetostatskim (za koju vrijedi S ~ Ua otklonom zbog manjeg utjecaja Ua. U osciloskopu se koriste katodne cijevi s elektrostatskim otklonom, dok se u TV i radarskim ureajima koji zahtijevaju znatno vee napone Ua koriste katodne cijevi s magnetskim otklonom.
Napomena: gornji izvod mogao se pojednostavniti polazei od pretpostavke da za male l d kutove otklona vrijedi tg = = S (slini trokuti). r L
r Ako smjer poetne brzine elektrona v a prilikom ulaska u magnetostatsko polje nije okomit na r smjer magnetske indukcije B , tada e rezultantna putanja elektrona imati oblik zavojnice. Ukupna putanja biti e superpozicija krunog gibanja elektrona uslijed komponente brzine r r okomite na B i gibanja uslijed komponente brzine paralelne s B koja se nee mijenjati s vremenom.

1.4. Gibanje nabijene estice pod istovremenim djelovanjem elektrostatskog i magnetostatskog homogenog polja
18
Dosadanja razmatranja temeljila su se na pretpostavci da nabijena estica u polji ima neku brzinu. Da bi mogli ubrzati esticu moramo imati elektrostatsko polje. Primjer koritenja elektrostatskog i magnetostatskog polja su akceleratori ija je osnovna svrha ubrzavanje estica tj. davanje kinetike energije. Ubrzavanje se vri elektrostatskim, a zakretanje putanje magnetostatskim poljem. Putanja estice koja se giba u takvim kombiniranim poljima esto je komplicirana jer ovisi o smjerovima elektrinog i magnetskog polja te o kutu to ga zatvaraju brzina estice i ravnina u kojoj djeluju oba polja. Za specijalni sluaj kad su oba polja paralelna, a brzina prema njima proizvoljno orijentirana, putanja estice je zavojnica s promjenljivim korakom. Ovakva putanja rezultat je toga to magnetsko polje djeluje samo na onu komponentu brzine koja je na njega okomita, pa projekcija putanje na ravninu okomitu na smjer polja ima oblik krunice. Elektrino polje e u pravcu svog djelovanja jednoliko ubrzavati nabijenu esticu to rezultira promjenljivim korakom zavojnice. Openito moemo pisati
r r r r r F = ma = qE + qv B
pa slijedi
(1.46)
r q r r r a= E+vB m
(1.47)
to dalje moemo napisati posebno za svaku komponentu

d 2x q = (E x + v y B z v z B y ) dt 2 m d2y q = (E y + v z B x v x B z ) m dt 2 2 d z q = (E z + v x B y v y B x ) dt 2 m
(1.48)
Primjer: Putanja elektrona u obliku cikloide Promatrajmo putanju elektrona ako su elektrino i magnetsko polje meusobno okomiti kao to je prikazano na slici 1.10. Brzina estice u trenutku ulaska u polje jednaka je nuli. Homogeno magnetsko polje indukcije B djeluje u smjeru negativne osi z, dok homogeno elektrino polje ploastog kondenzatora ije su elektrode razmaknute za d, a izmeu kojih je prikljuen napon U, djeluje u smjeru negativne osi y.

z B d
19
E 0
x0
ym x
Slika 1.10. Primjer putanje elektrona u elektrostatskom i magnetostatskom polju Za na sluaj moemo pisati
r r r r E = jE y E = jE r r r r B = k B z B = k B
Ex = Ez = 0 Bx = B y = 0
odnosno E y = E Bz = B Uvrtavanjem jednadbe (1.49) u (1.48) dobijemo q q dy d 2x = e vy B = e B 2 me me dt dt q dx d 2 y qe = ( Bv x E ) = e ( B E ) 2 me me dt dt d 2z =0 dt 2 (1.50) (1.51) (1.52) (1.49)
U prethodnim razmatranjima smo ve zakljuili da e trajektorija biti u XY ravnini (okomito na B i u ravnini s E) pa z komponentu iz jednadbe (1.52) dalje neemo razmatrati.
20
Uvrtavanjem jednadbe (1.53) u (1.51) i rjeavanjem te diferencijalne jednadbe dobije se rjeenje za y, a nakon toga uvrtavanjem dy/dt u jednadbu (1.50) i rjeenje za x. Dakle, integriranjem (1.50), uz poznate poetne uvjete t = 0; dx/dt = 0; dy/dt = 0; dz/dt = 0; x = y = z = 0 dobijemo
q dx = e By dt me
(1.53)
pa uvrtavanjem u (1.51) moemo napisati

qe U d 2 y qe 2 + y 2 m B y = m d ili && + a y = b dt e e
2
to je nehomogena diferencijalna jednadba drugog reda s konstantnim koeficijentima. Konani izraz, uzimajui u obzir poetne uvjete glasi:
x= qe B qe B m t sin m t e e mU q B y = e 2 cos e t 1 me q e dB meU q e dB 2
(1.54)
z=0
gibanja u smjeru osi z nema, jer nema poetne brzine ni elektrinog polja u tom smjeru. Gibanje opisano jednadbom (1.54) predstavlja cikloidu u ravnini XY. Koordinata x stalno raste s vremenom i srednja brzina kojom se elektron du te osi giba jednaka je U/(dB). Koordinata y se kree stalno izmeu nule i maksimalne vrijednosti. Zanima nas maksimalna vrijednost:
qe B t = +1 y = 0 me mU q B za cos e t = 1 y = 2 e 2 = y max me q e dB
za cos
Ako elimo da elektron dira elektrodu (kritina magnetska indukcija):

y max = d 2meU m 1 =dd = 2 eU 2 B qe q e dB Ako nas zanima na kojem mjestu (x) e elektron dodirnuti anodu (ili imati maksimum), onda je
cos(2k + 1) = 1
qe B t = (2k + 1) me k = 0,1,2,...
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike za k = 0 je t =
21
me
qe B
x=
vrijeme nastupanja prvog maksimuma pa je

meU qe dB 2 q e B me q e B me meU m q B sin m q B = q dB 2 ( 0 ) e e e e e x= me U q e dB 2
1.5. Elektrostatske lee
Promatrajui ponaanje zrake svjetlosti i njenog loma prilikom prolaska kroz optiki razliita sredstva moe se primijetiti slinost s gibanjem elektrona u podruju promjenljivog potencijala u elektrostatskim poljima. Ovakva analogija omoguava nam pojednostavnjenje odreenih problema u elektronici. Prisjetimo se Snellovog zakona (Slika 1.11):
sin 1 n 2 = sin 2 n1
(1.55)
gdje su 1 i 2 kutovi koje tvori zraka svjetlosti s normalom na graninu plohu, dok su n1 i n2 pripadajui indeksi loma.
Slika 1.11. Ilustracija Snellovog zakona Sada promotrimo to se dogaa s elektronom koji dolazi do granine plohe koja razdvaja dva podruja razliitih potencijala (Slika 1.12).
22
v1n
v1t v1
T1 T2 2 v 2t v2n v2
d
U1 U2
U 2 U1
Slika 1.12. Promjena smijera kretanja elektrona prilikom prelaska iz podruja nieg potencijala U1 u podruje vieg potencijala U2. Plohe razliitih potencijala (U1 i U2) nalaze se vrlo blizu (d je vrlo mali). Izmeu njih je elektrostatsko polje E . Polje uzrokuje promjenu kinetike energije elektrona, i to samo one komponente brzine koja je paralelna s tim poljem (normalne). Tangencijalne komponente e ostati nepromijenjene prolazom iz toke T1 u toku T2. Iz slike 1.12 moemo izraziti iznose tangencijalnih komponenata brzine preko iznosa ukupnih brzina i kutova 1 i 2 , pa vrijedi:
v1t v2t v1 sin 1 v2 sin 2

ili analogno Snellovom zakonu iz jednadbe (1.55)
sin 1 v 2 sin 2 v1
(1.56)
(1.57)
Brzina elektrona moe se, kako je ve pokazano, iskazati relacijom
v1
2qe U1 me
2q v2 e U 2 me pa kombiniranjem jednadbi (1.58) i (1.57) dobijemo

sin 1 U2 sin 2 U1
(1.58)
(1.59)
tj. ako je U 2 U 1 1 2 .

U1
v
23
U2 U3
U1 U 2 U 3
Slika 1.13. Ilustracija elektronsko-optikog zakona loma Moemo zakljuiti da e negativno nabijena estica koja se kree s plohe nieg potencijala na plohu vieg potencijala skretati prema okomici (Slika 1.13). Dakle, radi se o fokusirajuoj lei. Primjenom elektronsko-optikog zakona loma u velikoj se mjeri olakava odreivanje trajektorija elektrona u elektrostatskim poljima. Dodajmo da se, za razliku od diskontinuirane promjene indeksa loma u svjetlosnoj optici, potencijal u elektrostatskom polju mijenja kontinuirano.
1.6. Primjene 1.6.1. Maseni spektrometar Rad masenog spektrometra zasniva se na injenici da se radijusi krivljenja putanja estica ubrzanih potencijalom U, koje se nau u magetostatskom polju B, razlikuju ovisno o omjeru mase i naboja tih estica m/q (prisjetimo se relacija 1.35 i 1.10): r mv 2qU , v qB m r2 2U m B2 q
Drugim rijeima, ovisno o veliini radijusa r, moemo razlikovati mase razliitih estica (pod uvjetom da imaju isti naboj). Npr. moemo saznati dali je estica osnovni element ili izotop (vie atoma koji imaju isti atomski broj tj. broj protona, ali razliiti maseni broj). Slino, uz pomo masenog spektrometra moemo saznati relativne udjele razliitih elemenata u promatranom uzorku. Rad masenog spektrometra moe se podijeliti u etiri koraka: Korak 1: Ionizacija Atom se ionizira izbacivanjem jednog ili vie elektrona kako bi dobili pozitivni ion. Maseni spektrometri uvijek rade s pozitivnim ionima.
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike Korak 2: Ubrzanje Ioni se ubrzavaju kako bi imali neku kinetiku energiju.
24
Korak 3: Otklanjanje Ioni se otklanjaju magnetskim poljem ovisno o njihovoj masi. to su laki, vie se otklanjaju. Koliina otklanjaja takoer ovisi i o broju pozitivnih naboja u ionu drugim rijeima, o tome koliko smo elektrona izbacili u prvom koraku. to je ion vie nabijen, vie e se otklanjati. Korak 4: Detekcija Zraka iona koji prolaze kroz stroj elektrino se detektira.
Akceleracija Ionizacija Elektromagnet
U vakuumsku pumpu
Vaporizirani uzorak Ogibanje
Detekcija
Pojacalo Prikaz
Slika 1.14. Osnovni elementi masenog spektrometra Ionizacija (Slika 1.15.a): Vakuuum u cijevi je nuan kako bi se omoguilo da ioni dobiveni u ionizacijskoj komori u svom kretanju kroz stroj nigdje ne udaraju u molekule zraka. Vaporizirani uzorak prolazi kroz ionizacijsku komoru, a grija koji je napravljen od metalne zavojnice na koju je narinut napon, isijava elektrone koje privlai elektronski hvata tj. pozitivno nabijena ploa. estice u uzorku (atomi ili molekule) se bombardiraju tokom elektrona i neki sudari imaju dovoljnu energiju da izbiju jedan ili vie elektrona iz nekih estica to za posljedicu ima stvaranje pozitivnih iona. Najvei broj pozitivnih iona ima naboj +1 jer je mnogo tee izbiti elektrone iz ve pozitivnog iona. Dobijeni pozitivni ioni usmjeravaju se u drugi dio masenog spektrometra pomou odbojnika iona koji je lagano pozitivno nabijen. Ubrzanje (Slika 1.15.b): Pozitivni ioni su odbijeni van iz vrlo pozitivne ionizacijske komore (+10000 V) i prolaze kroz tri otvora, od kojih je posljednji na 0 V. Srednji otvor je na nekom meunaponu. Svi ioni su ubrzani u fino fokusiranu zraku. Otklanjanje (Slika 1.15.c): Razliite ione magnetsko polje razliito otklanja. Koliko e otklanjanje biti zavisi o: - Masi iona (to su laki to e biti vie otklonjeni)
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike -
25
Naboju iona (Ioni s 2 ili vie pozitivnih naboja vie se otklanjaju od onih s jednim pozitivnim nabojem)
Ovi faktori kombinirani su u omjer masa/naboj q/m. Na primjer, ako neki ion ima masu 28 i naboj 1+, omjer masa/naboj je 28. Ion s masom 56 i nabojem 2+ e takoer imati omjer mase i naboja 28. Na slici 1.15.c. tok iona A se najvie otklanja on sadri ione s najmanjim omjerom masa/naboj. Tok iona C se najmanje otklanja pa to znai da on ima najvei omjer masa/naboj. Prouavanje iona je jednostavnije ako pretpostavimo da je naboj svih iona 1+. Ova pretpostavka je opravdana, s obzirom da je energija potrebna za ionizaciju atoma na nain da vie od jednog elektrona bude izbijeno daleko vea nego ona koja je potrebna za izbijanje samo jednog elektrona. Najvei broj iona u spektrometru stoga zaista i ima jedinini naboj pa je omjer masa/naboj isti kao i masa iona.
a)
Tok iona B
b)
Elektromagnet
Pozitivni ion
Ulazni tok iona
Tok iona C
Tok iona A
Tok iona B
Metalna kutija Vod do pojacala
elektroni
d) Slika 1.15. Pojedine faze rada masenog spektrometra a) Ionizacija; b) Ubrzanje; c) Otklanjanje; d) Detekcija Detekcija (Slika 1.15.d): Na slici je prikazano da samo tok iona B prolazi skroz kroz spektrometar i stie u detektor iona. Preostali ioni se sudaraju sa stijenkama gdje dobijaju elektrone i postaju neutralni. Na kraju, otklanjaju se iz masenog spektrometra pomou vakuumske pumpe. Kad ion pogodi metalnu kutiju, njegov naboj se neutralizira s jednim elektronom koji preskae iz metala na ion. To ostavlja prazninu u metalu i elektroni se pomiu kako bi je popunili. Tok elektrona u metalnoj ici detektira se kao elektrina struja koja se moe pojaati i snimiti. Struja je dakle, proporcionalna s brojem pristiglih iona. Promjenom magnetskog polja moemo postii promjenu veliine otklanjanja pojedinih tokova iona pa stoga moemo postii da nam do detektora stiu upravo eljeni ioni. Magnetsko polje moe se lako mijenjati mijenjanjem jakosti struje elektromagneta. Moderni spektrometri imaju raunalo koje kontrolirano poveava jakost magnetskog polja
c)
26
od neke minimalne do maksimalne vrijednosti. Pri tome za svaku postavljenu jakost magn. polja B mjeri struju iona sa odgovarajuom masom (onih koji za definirano B uspijevaju doi do detektora). Jakost struje proporcionalna je koliini iona sa odgovarajuom masom. Nakon to se B promijeni od nekog minimuma do maksimuma, mjerenjem struja se moe histogramom prikazati relativni udio pojedinih masa (ili, tonije, m/q) u odnosu na neki maksimum. Npr. na slici 1.14. u uzorku je najvie zastupljen element sa m/q=106, pa mu se pridjeljuje maksimalni relativni intenzitet 100%.
Slika 1.16. Prikaz rezultata na masenom spektrometru 1.6.2. Linearni akcelerator Linearni akceleratori su ureaji kod kojih se primjenjuju elektrostatska polja kao osnovna, a magnetostatska kao pomona (ako su potrebna). Cilj ovih ureaja je postizanje velikih ubrzanja nabijenih estica (npr. pozitivni ioni ili elektroni).
Slika 1.17. Linearni akcelerator Snop nabijenih estica postupno se ubrzava u nizu cilindrinih cijevi prikljuenih na visokonaponski generator koji radi na visokoj frekvenciji (Slika 1.15). Tijekom svake poluperiode estice se ubrzavaju u meuprostorima, ime se postupno poveava brzina estice. Npr. ako se promatra pozitivna estica upravo izala iz cijevi A (koja je pozitivno polarizirana), elektrino polje koje se formira izmeu cijevi A i B ubrzava esticu. Nakon ulaska u cijev B, elektrino polje je nula, s obzirom da je unutranjost cijevi na istom potencijalu (predstavlja tzv. Faraday-ev kavez), tako da se estica unutar cijevi nastavlja kretati istom brzinom, "zatiena" od djelovanja elektrinog polja. Frekvencija generatora je takva da je, po izlasku estice iz cijevi B, polaritet napona okrenut, tako da je sada cijev B pozitivno polarizirana, a cijevi A i C negativno polarizirane. Drugim rijeima, elektrino polje
27
opet ubrzava esticu i u prostoru izmeu cijevi B i C. Kada bi frekvencija generatora bila takva da se, po izlasku iz B polaritet napona jo nije okrenuo, cijev B bi poela privlaiti esticu, te je usporavati (oduzimati joj energiju umjesto dodavanja!). Postupak se ponavlja i za sve sljedee cijevi, sve do postizanja eljene kinetike energije. Kako se vidi sa slike, cijevi imaju progresivno vee duine, kako bi se osigurala sinkronizacija izmeu promjene polariteta izmjeninog generatora (koji ima konstantnu frekvenciju, tj. period) i pozicije estice (koja putuje sve bre, pa u istom vremenu prevaljuje sve vei put). Kod dovoljno velikih brzina poveanje mase (relacija 1.2) postaje nezanemarivo, te ga valja uzeti u obzir pri dimenzioniranju cijevi. Da bi se postigla velika kinetika energija, cijevi moraju biti vrlo duge (npr. Stanford 64 m Ek = 660 MeV; CERN Ek = 400 GeV; npr. Hamburg 33 km - 800 GeV). Zbog velike duine cijevi, do utjecaja dolazi i zakrivljenost Zemlje pa se korekcija putanje vri pomou magnetskog polja. 1.6.3. Ciklotron Ciklotroni se takoer, kao i linearni akceleratori, koriste za ubrzavanje estica. Na slici 1.16 prikazani su tzv. D-ovi (D1 i D2) koji zapravo predstavljaju tanki uplji vodljivi valjak presjeen po pola i razmaknut (slika 1.16. b)). D-ovi su spojeni na visokofrekvencijski generator (VF) frekvencije f=1/T i nalaze se u elinoj komori iz koje je istisnut zrak. U sredini, izmeu D-ova, nalazi se izvor nabijenih estica. D-ovi se, kao i procjep, nalaze u homogenom magnetostatskom polju jakosti B, koje stvaraju jaki elektromagneti izmeu kojih su D-ovi smjeteni, kako pokazuje slika 1.16. b).
Polovi elektromagneta
Slika 1.18. a) nabijena estica se postupno ubrzava pri svakom prolazu kroz el.polje u procjepu izmeu D-ova, sve do konane brzine, kada udara u metu; b) D-ovi se nalaze u magn.polju B Rad ciklotrona e se objasniti uz pomo ilustracije sa slike 1.16. a), tj. pretpostavit e se pozitivan naboj estice i smijer magnetskog polja kako prikazuje slika. Na poetku (u t0=0) se pozitivno nabijena estica ubaci u procjep izmeu D-ova. VF generator izmeu D1 i D2 stvara napon (razliku potencijala) na nain da je D1 negativniji od D2 za napon U. U uskom procjepu izmeu D-ova se stvara jako el. polje usmjereno prema D1. Ovo polje ubrzava pozitivno nabijenu esticu od D2 prema D1. Pri ovome djeluje i magnetsko polje koje e kriviti putanju, meutim put koji estica prevali prilikom ubrzanja (u uskom procjepu) toliko je kratak da se ovo krivljenje putanje moe zanemariti i uzeti da se u procjepu izmeu D-ova giba pravocrtno. Nakon to estica doe do D1, ima brzinu 2q v U (relacija 1.10), te uleti u uplji poluvaljak D1. Unutar D1 nema vie djelovanja m
28
elektr.polja (Faradayev kavez), te se estica nastavlja gibati brzinom v0=v. Meutim, jo djeluje magnetsko polje, te dolazi do krivljenja putanje, kako je pokazano na slici (razmisliti to bi bilo ako bi se obrnuo smijer magn. polja i/ili polaritet naboja estice). U trenutku t1=T/2, estica izae iz D1 i opet upada u procjep, te je opet izloena djelovanju el.polja. Meutim, sada VF generator okree polaritet napona (jer mu je frekvencija f=1/T, kako pokazuje slika 1.16 a)), to znai da D2 postaje negativniji od D1 i el. polje je sada usmjereno od D1 ka D2. Ovo znai da e se estica opet poeti ubrzavati, ali ovaj put prema D2. Nakon to dosegne D2, brzina joj se opet povea za v, te sada iznosi v1= v0 +v= 2v. Unutar D2 ne djeluje el. polje, ve samo magnetsko, te se putanja estice opet krivi, ali ovaj put po veem radijusu nego prije, jer se brzina estice poveala. Po izlasku iz D2 (u trenutku t2=T) VF generator opet okree polaritet napona D-ova, te se cijeli ciklus ponavlja. Pri svakom prolasku kroz procjep (tj. pri svakom djelovanju el. polja), brzina estice se povea za v, pa je radijus sve vei, tj. estica se giba spiralno prema rubovima D-ova. No vrijeme ophoda, tj. vrijeme potrebno estici da napravi puni krug (koje mora biti podeeno tako da je isto kao period VF generatora T), uvijek ostaje isto (prisjetimo se: vrijeme ophoda estice u magnetskom polju ne zavisi o brzini). 1 VF generator ima fiksnu frekvenciju ( f konst.; 2 f konst. ) i mijenja polaritet T napona, tj. D-ova, u tono odreenim trenutcima (svako T/2). Ovo se lako moe dokazati: v B v r v (1.60) konst. q konst. konst. f mv r 2 m r r qB Meutim, ako je potrebno postii vrlo velike energije (velike brzine), moramo uzeti u obzir i poveanje mase estice sa brzinom, definirano relacijom (1.2). Ovo znai da e se vrijeme ophoda poveavati, pa je, kako bi pravovremeno dolo do okretanja polariteta D-ova, potrebno smanjivati frekvenciju generatora. Ciklotroni koji poveanje mase estice kompenziraju smanjenjem frekvencije nazivaju se sinkrociklotroni. Danas se u pravilu koristi drugi nain kompenzacije relativistikog poveanja mase: poveanje jakosti magnetskog polja B - npr. ako se masa estice poveala 2 puta, potrebno je i B poveati 2 puta, kako bi vrijeme ophoda ostalo isto, pa generator zadrava fiksnu frekvenciju. Ovakav tip ciklotrona naziva se izokroni ciklotron.
Prednosti ciklotrona u odnosu na linearni akcelerator su slijedee: potrebni su manji naponi zauzimaju manje prostora
Nedostatci ciklotrona u odnosu na linearni akcelerator su slijedei: konstantno krivljenje putanje estice znai da postoji konstantna promjena komponenti brzine u ravnini zakrivljenja, to izaziva elektromagnetsko zraenje - tzv. ciklotronsko zraenje, koje kod velikih brzina izaziva znaajne gubitke energije koja se predaje estici za postizanje velikih energija, znaajno se poveaju dimenzije D-ova, pa dimenzije elektromagneta mogu postati nepraktino velike
29
Pitanja:
1. Koja je razlika u djelovanju magnetskih i elektrinih sila na elektron? 2. Koja se sila javlja kao posljedica promjene stanja gibanja nabijene estice uslijed djelovanja elektrinog polja? 3. Kada za neko polje kaemo da je elektrostatsko? 4. Izvedi izraz za brzinu nabijene estice u konzervativnom polju. 5. Koju jedinicu energije uobiajeno koristimo pri promatranju ponaanja nabijenih estica u elektrinim i magnetskim poljima? 6. Koje su karakteristike homogenog elektrostatskog polja? 7. Izvedi izraz za brzinu i trajektoriju elektrona izmeu dvije ploaste elektrode poznatog razmaka i napona meu njima. 8. to je vrijeme preleta i zato je ono vano? 9. Navedite osnovne dijelove katodne cijevi i njihovu funkciju. 10. to je osjetljivost i o kojim veliinama ona ovisi? 11. Zbog ega nabijena estica u magnetskom polju ne dobija kinetiku energiju? 12. Napiite izraz za ubrzanje nabijene estice nastalo uslijed djelovanja magnetskog polja. 13. Opii trajektoriju nabijene estice u magnetskom polju odgovarajuom jednadbom. 14. O emu ovisi osjetljivost kod katodne cijevi s magnetskim otklonom? 15. Za koje primjene koristimo katodne cijevi s otklonom pomou elektrostatskog polja, a za koje one s magnetostatskim poljem i zato? 16. Navedite primjer putanje elektrona koji se istovremeno nalazi u elektrostatskom i magnetostatskom polju. 17. Kako glasi Snellov zakon? 18. Objasnite promjenu smjera elektrona prilikom prelaska iz podruja vieg potencijala u podruje nieg potencijala i obratno. 19. Na emu se temelji rad masenog spektrometra? 20. Koji su osnovni dijelovi masenog spektrometra? 21. Koja je razlika izmeu linearnog akceleratora i ciklotrona? 22. Zato sinkrociklotroni imaju promjenjivu frekvenciju oscilatora?
30
93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike
31
6YRMVWYD PHWDOD L SROXYRGLD

.ODVLILNDFLMD YUVWLK WLMHOD YUVWD WLMHOD PRHPR GLMHOLWL SR QMLKRYLP VYRMVWYLPD QD YLH QDLQD, na primjer po strukturi, IL]LNDOQLP VYRMVWYLPD WHPSHUDWXUQD RSWLND PDJQHWVND HOHNWULND LWG (OHNWURQL NRML Ve QDOD]H X YDQMVNRM OMXVFL DWRPD WM YDOHQWQL HOHNWURQL NOMXQL VX ]D UD]XPLMHYDQMH NDNR WLK VYRMVWDYD WDNR L NDUDNWHUD VLOD NRMH GUH DWRPH QD RNXSX $NR SURPDWUDPR VWUXNWXUX WM UDVSRUHG DWRPD L PROHNXOD YUVWD WLMHOD GLMHOLPR QD - amorfna (raspored atoma ili grupa atoma je nepravilan) - NULVWDOLQD SUDYLODQ SRUHGDN DWRPD RGQRVQR PROHNXOD 6 RE]LURP QD NDUDNWHU VLOD NRMH GUH DWRPH NULVWDOD QD RNXSX PRJXH MH NULVWDOH YUVWLK WLMHOD podijeliti na ionske, metalne, kovalentne i molekularne. Ionski kristali. Kod ovog tipa kristala pojedini elektroni vanjske ljuske jednog elementa SUHOD]H QD DWRPH GUXJRJ HOHPHQWD QD WDM QDLQ GD RED WYRUH ]DWYRUHQH OMXVNH 7LSLDQ SULPMHU takvog kristala je NaCl. Natrij, koji ima jedan valentni elektron, predaje taj elektron kloru, to ]QDL GD VH RED DWRPD LRQL]LUDMX L VYDNL ]D VHEH LPD SRSXQMHQH OMXVNH 1D&O-). Sila kristalne veze je elektrostatske prirode i rezultat je ionizacije. Ionski kristali vrlo slabo vode struju, SRJRWRYR QD QLLP WHPSHUDWXUDPD Metalni kristali. Ioni kristalne reetke nastali su otputanjem valentnih elektrona. Ti elektroni QLVX YH]DQL X] VYRMH PDWLQH DWRPH L NUHX VH VORERGQR NUR] LWDY NULVWDO 6ORERGQL HOHNWURQL VX X]URN YHOLNH VSHFLILQH YRGOMLYRVWL PHWDOQLK NULVWDOD 6LOH NULVWDOQLK YH]D L]PH X LRQD kristalne reetke su elektrostatske prirode i ostvaruju ih slobodni elektroni. Kovalentni kristali 8 RYRP VOXDMX VH VLOH NULVWDOQH YH]H RVWYDUXMX GLMHOMHQMHP YDOHQWQLK HOHNWURQD L]PH X VXVMHGQLK DWRPD SDURYL HOHNWURQD ]DMHGQLNL NUXH RNR REMH jezgre). Sile NULVWDOQLK YH]D VX L RYGMH HOHNWURVWDWVNH SULURGH DOL VH QH PRJX REMDVQLWL NODVLQRP &RXORPERYRP VLORP YH YDOQRP SULURGRP HOHNWURQD 8GUXLYDQMH YDOHQWQLK HOHNWURQD X kovalentne veze ima za posljedicu da kovalentni kristali slabo vode struju, a na temperaturi DSVROXWQH QXOH XRSH QH YRGH Sa stajalita elektronike osnovna podjela jest na: - YRGLH - SROXYRGLH - izolatore 2YD SRVOMHGQMD SRGMHOD ]DVQLYD VH QD UD]OLNDPD X YULMHGQRVWL VSHFLILQRJ RPVNRJ RWSRUD PDWHULMDOD $NR MH VSHFLILQL RWSRU R SP 10 3 cm WDGD VH UDGL R YRGLX ]D YULMHGQRVW
R SP > 10 6 cm ULMH MH R L]RODWRULPD 6SHFLILDQ RWSRU YRGLD UDVWH V SRUDVWRP WHPSHUDWXUH dok specifiDQ RWSRU SROXYRGLD RSDGD V SRUDVWRP WHPSHUDWXUH LDNR PRH XQXWDU RGUH HQRJ LQWHUYDOD WHPSHUDWXUQH VNDOH L UDVWL 3RGMHOX YUVWLK WLMHOD QD YRGLH SROXYRGLH L L]RODWRUH PRJXH je L]YULWL XJODYQRP QD RVQRYX YUVWH VLOD NULVWDOQH YH]H =D QDMYHL EURM YRGLD WLSLQL VX PHWDOQL NULVWDOL D ]D SROXYRGLH L L]RODWRUH LRQVNL L NRYDOHQWQL NULVWDOL
VSHFLILQRJ RWSRUD 10 3 cm < RSP < 10 6 cm JRYRULPR R SROXYRGLX D ]D YULMHGQRVWL
(QHUJHWVNH YUSFH X YRGLLPD 9RGL MH HOHPHQW VXVWDYD NRML VDPR XVPMHUDYD HOHNWULQX HQHUJLMX RQD SXWXMH RNR YRGLD 8 supravodljivom stanju metali su skoro LGHDOQL YRGLL WM JXELFL HQHUJLMH NRML VX WRSOLQVNRJ NDUDNWHUD VX ]DQHPDULYL 6XSUDYRGOMLYRVW VH SRVWLH QD YUOR QLVNLP WHPSHUDWXUDPD
32
1D VOLFL SULND]DQD MH YH SR]QDWD VOLND NDWRGH L HOHNWURQVNRJ REODND NRML QDVWDMH X QMHQRM okolini. Ovaj put nas zanima kako dolazi do stvaranja elektronskog oblaka. U samom metalu postoje HQHUJHWVNH UD]LQH SD PRHPR JRYRULWL R WRPH GD H MHGDQ GLR HOHNWURQD X YDQMVNRP RPRWDX DWRPD QHNRJ RGUH HQRJ PHWDOD LPDWL VSRVREQRVW JLEDQMD SRG GMHORYDQMHP YDQMVNRJ HOHNWULQRJ polja. To je YR HQMH VWUXMH NUR] PHWDO 0H XWLP DNR VH WLP VORERGQLP SRNUHWOMLYLP HOHNWURQLPD GDMX YHH energije od energije koja je potrebna da elektron napusti metal, dolazi do pojave emisije elektrona. -HGDQ RG QDLQD GRELYDQMD HOHNWURQD MH vrlo jakim Slika 2.1. HOHNWULQLP SROMLPD 'UXJL QDLQ MH termionska Stvaranje elektronskog oblaka emisija ]DJULMDYDQMH PHWDOD 7UHL QDLQ MH djelovanjem elektromagnetskog polja (svjetlosni zagrijavanjem metala spektar). To je fotoemisija HWYUWL MH QDLQ bombardiranjem povrine metala (metalnih oksida) vanjskim elektronima ili nekim drugim HVWLFDPD sekundarna emisija. Energije elektrona u metalu su VWDWLVWLNL UDVSRUH HQe tj. nemaju svi elektroni unutar nekog pojasa energija jednake energije. 8]LPDMXL X RE]LU VWDWLVWLNX UDVSRGMHOX HQHUJLMD HOHNWURQD PL HPR dakle promatrati FLMHOL HOHNWURQVNL REODN D QH MHGQX LOL GYLMH HVWLFH Elektroni, da bi se gibali, moraju imati neku energiju. Za razliku od fizike koja se zasniva na NODVLQoj statistici, kvantna fizika je pokazala da pri temperaturi od 0 K moraju postojati kvantna gibanja elektrona 2YR MH RVQRYD UD]PDWUDQMD NRMLP HPR REMDVQLWL SRQDDQMH slobodnih elektrona u metalima (Slika 2.2).
d ec DPA0 0% C B @ b ( 9 ( & H` Y ( " 6 )$FaPX6 ' F2$% & " ! T % " 1 " %6 F $# 8G)20$$# F$6W V2$UF82 " 5 6 % ' & % % 3 % C & H % T D 6 )FFI) % 9 % " 6 " 1 % 8 6S$% 28R & ( C ( 9 ( & H & % )QGF0 0% P0 6 )$FI G1 &% & EFDA 9 % 6 $8 67 5 C B @ % ! (
E E
T1 >T2
T=0 0 0 0.5 1
Slika 2.2. Raspodjela energija slobodnih elektrona u metalu (desno) Zaposjednutost energetskih razina od strane elektrona u ovisnosti o temperaturi (lijevo)
f(E,T)dN dn = dE dE
3 " $20) & " 1 ( % ( ' % " ! $# 4
za T >0
T2
T1 >T2
T1
T1>0
T2 EF EF
f(E,T)
33
Objasnimo prvo desnu stranu slike 2.2: Na slici je zapravo prikazana Fermi-Diracova raspodjela tj. IXQNFLMD NRMD RGUH XMH YMHURMDWQRVW GD MH QHNR HQHUJHWVNR VWDQMH ]DSRVMHGQXWR HOHNWURQRP L NRMD VH PRH PDWHPDWLNL napisati nD VOLMHGHL QDLQ 1 f (E,T ) = (2.1) E EF gdje su: EF Fermijeva razina E NLQHWLND HQHUJLMD T apsolutna temperatura k Boltzmannova konstanta 1.38 10 23 J / K 2YD MHGQDGED L]YHGHQD MH QD RVQRYX 3DXOLMHYRJ SULQFLSD LVNOMXLYRVWL na jednom HQHUJHWVNRP QLYRX PRH ELWL VDPR MHGDQ HOHNWURQ L +HLVHQEHUJRYRJ XYMHWD QHRGUH HQRVWL
1+ e
kT
WR MH WHPSHUDWXUD QLD QMHQD NULYXOMD MH EOLD SUDYRNXWQRM NULYXOML 6YH NULYXOMH VLJXUQR SUROD]H NUR] WRNX 0.5; EF $NR LPDPR YRGL QD DSVROXWQRM QXOL QH PRH SRVWRMDWL QL MHGQD razina iznad EF. Na toj temperaturi svi dozvoljeni energetski nivoi (do EF) su stvarno zaposjednuti. $OL YH PDOR L]QDG 0 K (npr. 10 - 15 K PRHPR LPDWL HQHUJLMH L]QDG EF. Dovoljna je minimalna temperatura iznad apsolutne nule pa da postoji neka vjerojatnost (vrlo PDOD GD H i energetske razine iznad EF ipak biti zaposjednute. 0RHPR ND]DWL GD MH )HUPLMHY QLYR RQDM HQHUJHWVNL QLYR LMD MH YMHURMDWQRVW ]DSRVMHGQXD MHGQDND ]D QHNX NRQDQX temperaturu) D RGUH HQ MH UDVSRGMelom energetskih razina i ukupnim brojem elektrona. /LMHYD VWUDQD VOLNH SUHGVWDYOMD UDVSRGMHOX JXVWRH HOHNWURQD SR HQHUJHWVNLP UD]LQDPD L PRH VH RSLVDWL L]UD]RP f ( E , T )dN dn = S ( E ) f (E , T ) = (2.2) dE dE gdje je n NRQFHQWUDFLMD HOHNWURQD X MHGLQLQRP YROXPHQX, a dN/dE tj. S(E) JXVWRD GR]YROMHQLK NYDQWQLK VWDQMD LOL EURM GR]YROMHQLK HQHUJLMD HOHNWURQD X MHGLQLQRP LQWHUYDOX energija u jedinici volumena. Od nulte energetske razine do Fermijeve energetske razine raste broj elektrona koji ]DSRVMHGDMX RGUH HQH UDzine. Na temperaturi apsolutne nule iznad Fermijeve razine nema ni MHGQRJ HOHNWURQD $NR VH WHPSHUDWXUD SRYHD LPDW HPR DVLPSWRWVNL UHS WM L QDMPDQMH SRYHDQMH WHPSHUDWXUH X RGQRVX QD DSVROXWQX QXOX X]URNRYDW H SRVWRMDQMH HOHNWURQD X energetskim stanjiPD L]QDG )HUPLMHYH UD]LQH 'R QHNH HQHUJLMH H VH HOHNWURQL NRML VX L]QDG EF VDPR JLEDWL XQXWDU PHWDOD VWYDUDMX VWUXMX D L]QDG WH QRYH UD]LQH H HOHNWURQL L]OLMHWDWL L] metala (za to je potrebno savladati barijeru izlaza). 3URPRWULPR VDGD MHGQDGEX )
f (E,T ) = 1
1+ e
E EF kT
Krivulja prikazana na slici 2.2 L JRUQML L]UD] VH VDPR DSURNVLPDWLYQR VODX $NR MH 1 E E F 3kT RQGD PRHPR SUHWSRVWDYLWL GD MH f ( E , T ) = 1 . Ako je E E F + 3kT 1 + e 3
93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike onda imamo f ( E , T ) = vjerojatnost).

1 e 3 f ( E , T ) = e 3 1+ e E EF kT
34 NODVLQD 0D[ZHOO-Boltzmannova
f(E,T)
T=0 K
0.5
T=2500 K
EF
Slika 2.3. Dijagram Fermijeve vjerojatnosti na temperaturi 2500 K (radna temperatura volframa) 2.2.1. Izlaz elektrona iz metala 9MHURMDWQRVW GD QHNL HOHNWURQ L]D H L] PHWDOD L HQHUJLMH NRMH VX SRWUHEQH GD EL XRSH PRJDR L]DL L] PHWDOD REMDVQLW HPR SRPRX VOLNH
Slika 2.4. Dijagram energija slobodnih elektrona u metalu
35
Na slici 2.4. EB je energija barijere, EW je izlazni rad (energija koja je potrebna da bi elektron izaao iz metala). X predstavlja dubinu prodora u metal, odnosno povrinu metala, odnosno YDQMVNL SURVWRU 'HVQD VWUDQD VOLNH SUHGVWDYOMD YH SR]QDWX NULYXOMX NRMD QDP JRYRUL R SRWHQFLMDOQRM HQHUJLML HOHNWURQD X PHWDOX WM R HQHUJLML NRMX HOHNWURQ PRUD LPDWL GD EL XRSH PRJDR L]DL iz metala. Ako je temperatura 0 K, svi elektroni nalaze se do energetske razine EF 7DGD QL MHGDQ HOHNWURQ QHPD HQHUJHWVNX UD]LQX YHX RG )HUPLMHYH D EF nije dovoljna da HOHNWURQ L]D H L] PHWDOD EB>EF , EB=EF+EW .DNR WHPSHUDWXUD UDVWH WDNR VH SRYHDva HQHUJLMD HOHNWURQD DOL VH PLMHQMD L UDVSRGMHOD JXVWRH SR HQHUJHWVNLP UD]LQDPD -HGDQ GLR HOHNWURQD PDOL EURM H LPDWL HQHUJLMH YHH RG EB 7DM GLR HOHNWURQD PRH L]DL L] PHWDOD GDNOH GROD]L GR HPLVLMH HOHNWURQD 8 QHNLP VOXDMHYLPD GRYROMQH VX L Panje temperature da GR H GR HPLVLMH QSU NRG RNVLGQLK PDWHULMDOD 0RHPR ]DNOMXLWL GD MH SRVWL]DQMH HPLVLMH ovisno o Fermijevoj razini EF L HQHUJHWVNRM EDULMHUL ]D RGUH HQL PHWDO Svi metali nemaju jednaku krivulju koncentracije elektrona. to je koncentracija elektrona YHD YLD MH SR YULMHGQRVWL L )HUPLMHYD UD]LQD 7D YULMHGQRVW VH NUHH RG -9 H9 9HOLLQD L]OD]QRJ UDGD ]D PHWDOH VH NUHH RG -5 H9 %DULMHUD VH PRH VPDQMLWL MDNLP HOHNWURVWDWVNLP SROMHP 7LPH VH SRVWLH XSDQMH HOHNWURQD L] PHWDOD WM QD WDM QDLQ VPDQMXMHPR EW. .DUDNWHULVWLQH HQHUJHWVNH YUSFH ]D PHWDO SULND]DQH VX QD VOLFL
Slika 2.5. Energetske vrpce za metal Za stanje T = 0 K VYL HOHNWURQL VH QDOD]H X RVMHQDQRP SRGUXMX L QH SRVWRML QLNDNYD PRJXQRVW HPLVLMH 8 VOXDMX SRYHDQMD WHPSHUDWXUH MHGDQ GLR HOHNWURQD SUHOD]L X W]Y YRGOMLYX YUSFX L SRG XWMHFDMHP YDQMVNRJ SROMD WL HOHNWURQL PRJX YRGLWL HOHNWULQL QDERM $NR energija naraste iznad EB, dolazi do emisije, ali tada vie ne govorimo o metalu. 2.3. Emisija elektrona iz metala 2.3.1. Termionska emisija 7HUPLRQVND HPLVLMD QDVWDMH ]DJULMDYDQMHP PHWDOD 0HWDO H QDSXVWLWL VDPR RQL HOHNWURQL LMD MH HQHUJLMD X VPMHUX JUDQLQH SRYULQH PHWDOD YHD RG SRWHQFLMDOQH EDULMHUH EB) na granici katoda-vakuum. Potrebnu energiju elektroni dobivaju zagrijavanjem metala. Na primjer, za katodu od volframa je radna temperatura 2500 K, pa je kod te temperature energija
36
SRMHGLQDQRJ HOHNWURQD ET = 0.22 eV. Ta energija je znatno manja od potrebnog izlaznog rada NRML MH RNR SXWD YHL 7XPDHQMH SRMDYH HPLVLMH HOHNWURQD SUL WLP WHPSHUDWXUDPD ]DVQLYD VH QD LQMHQLFL VWDWLVWLNLK UD]GLRED DVLPSWRWVNL UHS SULND]DQ X SUHWKRGQLP SRJODYOMLPD LQMHQLFD GD VH HOHNWURQL SRQDDMX SR VWDWLVWLNLP UD]GLREDPD RPRJXDYD REMDQMHQMH HPLVLMH elektronD L] PHWDOD =D RELQH NDWRGH L]OD]QL UDG VH NUHH RNR EW H9 (OHNWURQ PRH QDSXVWLWL PHWDO NDGD MH X VPMHUX JUDQLQH SRYULQH QSU VPMHU x NRRUGLQDWH NLQHWLND energija barem jednaka EB SD PRHPR SLVDWL 2E B vX (2.3) me Komponente brzina u drugim smjerovima mogu biti proizvoljne. Sumiranjem svih elektrona NRML PRJX ELWL HPLWLUDQL X VPMHUX RNRPLWRP QD JUDQLQX SRYULQX PRHPR GRELWL L]UD] ]D JXVWRX VWUXMH WHUPLRQVNH HPLVLMH
J e = AT 2 e
EW kT
(2.4)
gdje je A konstanta. Empirijska vrijednost konstante A iznosi A = 60 10 4 A / m 2 K 2 . Odatle PRHPR QDSLVDWL ]D MDNRVW VWUXMH VOLMHGHL L]UD]
I e = S J e = SAT 2 e
EW kT
(2.5)
gdje je S povrina katode i ima dimenziju m2. 2.3.2. Sekundarna emisija 8NROLNR HVWLFH QSU HOHNWURQL LRQL LWG XGDUDMX X QHNL YUVWL PDWHULMDO PRH VH SULPLMHWLWL GD H WDM PDWHULMDO HPLWLUDWL HOHNWURQH 2YLVQR R YUVWL PDWHULMDOD L HQHUJLML HVWLFD NRMH XGDUDMX X PDWHULMDO YDULUDW H L NROLLQD HPLWLUDQLK HOHNWURQD HVWLFH NRMH XGDUDMX X YUVWL PDWHULMDO QD]LYDMX VH SULPDUQH HVWLFH D HPLWLUDQL HOHNWURQL L] PHWDOD VHNXQGDUQH HVWLFH 7HKQLNL MH QDMYDQLMD VHNXQGDUQD HPLVLMD L]D]YDQD HOHNWURQLPD 6OLND
Te
Te Te
Slika 2.6. Sekundarna emisija Omjer emitiranih sekundarnih elektrona na jedDQ SULPDUQL HOHNWURQ R]QDLPR V . Taj NYRFLMHQW MR VH QD]LYD L IDNWRU VHNXQGDUQH HPLVLMH 'DNOH PRHPR SLVDWL
ghi f
37
sek prim
(2.6)
gdje su Isek i Iprim struje sekundarnih, odnosno primarnih elektrona. Za primjer priND]DQ QD VOLFL WDM RPMHU L]QRVL ,QDH ]D PHWDOH MH oko 2, a za okside do 10. Da bi elektron mogao izbiti druge elektrone mora imati energiju od barem 15-20 eV, a PDNVLPXP HPLVLMH VH SRVWLH HQHUJLMRP RG QHNROLNR VWRWLQD H9 Kompozitne povrine OHJXUH VX XYLMHN L]GDQLMH RG LVWLK PDWHULMDOD SD L RG ]EURMD L]GDQRVWL SRMHGLQLK VDVWDYQLK dijelova legura. 2.3.3. Fotoemisija Kod fotoemisije izboj (emisija elektrona) nastaje zbog svjetlosnog udara na povrinu metala (Slika 2.7)
VYMHWORVW (0 YDO
q
Te Te Te
PHWDO
Slika 2.7. Fotoemisija )RWRHPLVLMD RYLVL R MDNRVWL VYMHWORVWL 9H RGDYQR MH GRND]DQD SURSRUFLRQDOQRVW L]PH X EURMD emitiranih elektrona (struje fotoemisije) i jakosti radijacije koja pada na katodu. 0H XWLP RVLP RYH YH]H SULPLMHHQR MH L GD ]a neke vrste svjetlosti ne dolazi do emisije elektrona bez obzira na jakost radijacije. Ova pojava razjanjena je tek 1905. godine. Naime, SR]QDWR MH GD VH VYMHWORVW VDVWRML RG QL]D NRPSRQHQDWD RG LQIUDFUYHQH GR XOWUDOMXELDVWH Svaka boja ima svoju valnu duljinu tj. frekvenciju. Ako je frekvencija svjetlosne komponente LVSRG QHNH JUDQLQH YULMHGQRVWL WDNDY VYMHWORVQL YDO QH PRH SURL]YHVWL IRWRHPLVLMX EH] RE]LUD QD QMHJRYX MDNRVW .DG VH SULEOLLPR LQIUDFUYHQRP GLMHOX VSHNWUD QHPD HPLVLMH (LQVWHLQ MH dokazao da mora vrijediti relacija h EW (2.7)
gdje je h Planckova konstanta ( h = 6,626 10 34 Js ), frekvencija radijacije, a EW potreban E izlazni rad. Dakle, za sve frekvencije ispod = W nema emisije. h Poznata relacija koja povezuje valnu duljinu () i frekvenciju svjetlosne zrake je
38
c c =
(2.8)
gdje je c EU]LQD VYMHWORVWL 8YUWDYDQMHP RYH MHGQDGEH X MHGQDGEX GRELMHPR
c EW ch h EW
ili
(2.9)
gdje je 1 A = 10 10 m .
0
1,986 10 15 0 A EW
(2.10)
Dodatak: Spektralna osjetljivost fotoemisije. Gornja vrijednost valne duOMLQH NRG NRMH GROD]L GR IRWRHPLVLMH RGUH HQD MH NYDQWQLP XYMHWRP L]UDHQLP UHODFLMRP 6YDND IRWRNDWRGD LPD UD]OLLWX RVMHWOMLYRVW ]D SRMHGLQH YDOQH GXOMLQH UDGLMDFLMH D WD VSHNWUDOQD RVMHWOMLYRVW MH NDUDNWHULVWLQD ]D RGUH HQL PDWHULMDO .ULYXOMH spektralne ovisnosti prikazane su na slici 2.8.
% 150 Li Na K 100
Cs - cezij
relativna osjetljivost
ljudsko oko
50
Cs
0 4000
modro
4460
5350 5500 vidljiva svjetlost
7600 crveno
(A)
Slika 2.8. )RWRHOHNWULND VSHNWUDOQD RVMHWOMLYRVW QHNLK PHWDOD L OMXGVNRJ RND Iz slike je vidljivo da H DNR HOLPR SRVWLL RVMHWOMLYRVW EOLVNX OMXGVNRP RNX QDMEROMH rezultate dati fotokatoda od cezijD ELMHOD VYMHWORVW $NR HOLPR YUOR VHOHNWLYQX RVMHWOMLYRVW SRJRGQL VX NDOLM . QDWULM 1D LOL OLWLM /L 1MLKRYH YDOQH GXOMLQH VH NUHX RNR PRGUH QLMDQVH svjetlosti.
93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 3ROXYRGLL L HQHUJHWVNH YUSFH X SROXYRGLLPD
39
Kada smo u poglavlju 2.1. vrLOL SRGMHOX YUVWLK WLMHOD V RE]LURP QD VSHFLILQL RPVNL RWSRU QDYHOL VPR GD SROXYRGLL LPDMX YULMHGQRVWL VSHFLILQRJ RPVNRJ RWSRUD PDWHULMDOD L]PH X 10 3 cm i 10 6 cm . Nadalje, na slici 2.5. prikazan je izgled energetskih vUSFL X YRGLX JGMH je vidljivo da se valentna i vodljiva energetska zona dodiruju. Razlika u rasporedu HQHUJHWVNLK YUSFL YRGLD L SROXYRGLD MH NOMXQD ]D UD]XPLMHYDQMH QMLKRYRJ UD]OLLWRJ SRQDDQMD SD HPR VDGD GHWDOMQLMH REMDVQLWL HQHUJHWVNH YUSFH NULVtala. 'D EL VH QDERML X SROXYRGLLPD PRJOL NUHWDWL WUHEDMX LPDWL RGUH HQH HQHUJLMH 1DV QDMYLH zanimaju germanij (Ge) i silicij (Si). Atom germanija ima 4 glavne ljuske: K L M N 2 8 18 4
.DNR X YDQMVNRM YDOHQWQRM OMXVFL LPDPR HOHNWURQD NDHPR GD je germanij 4-valentni element. Silicij ima 3 glavne ljuske: K L M 2 8 4
3D NDHPR GD MH L VLOLFLM -valentni element. Oba ova elementa se nalaze u kristalnom stanju. U takvom se stanju (Slika 2.9) 4-YDOHQWQL HOHPHQWL NULVWDOL]LUDMX QD QDLQ YDOHQWQRJ YHzivanja DWRPL VH VSDMDMX WDNR GD VYDNL DWRP VYRP VXVMHGX SRVXGL HOHNWURQ
Slika 2.9. Shematski prikaz modela kristalne reetke za Ge ili Si 1D DSVROXWQRM QXOL QHPD QLNDNYRJ NUHWDQMD HOHNWURQD SD MH LWDYD XQXWUDQMRVW NULVWDOD (promatramo je kao mikrostrukturu) u stanju mirovanja. Kako temperatura raste, dolazi do vibracije HOHNWURQL YDQMVNH OMXVNH SRVWLX YHH HQHUJLMH L SRVWRML PRJXQRVW GD VH RWNLQX RG svojih valentnih veza i postoje kao slobodni elektroni unutar kristala. Razlog zbog kojega se
40
SROXYRGLLPD GRGDMX UD]OLLWH SULPMHVH RQHLHQMD MHVW X WRPH WR LVWL SROXYRGLL QH YRGH struju ni pri sobnoj temperaturi. Objasnimo sada energetske razine unutar pojedinih ljusaka atoma. Zbog valne prirode, elektron u atomu ima diskretne vrijednRVWL HQHUJLMH 9H X GYRDWRPQRM PROHNXOL DWRPL PH XVREQR XWLX MHGDQ QD GUXJRJ SD VH RYH GLVNUHWQH YULMHGQRVWL FLMHSDMX 8 NULVWDOQRM UHHWFL postoji utjecaj i ostalih atoma na kretanje elektrona oko jezgre, pa se svaki diskretni energetski nivo cijepa u RQROLNR QLYRD NROLNR LPD DWRPD 0RHPR ND]DWL GD HQHUJHWVNH UD]LQH elektrona po ljuskama postaju intervalne (Slika 2.10). Elektroni vanjske ljuske su najslabije vezani elektroni u atomu pa nas njihove energetske razine ponajvie zanimaju.
Ge Si
E EG N
EC
E EC
EV
EG
M L K
M L K
EV
Slika 2.10. Energetske razine za silicij i germanij Zapravo, zanima nas samo maksimalna energetska razina koju imaju elektroni vanjske ljuske - energija EV je granica valentne vrpce. Da bi neki materijal postigao slobodne elektrone, potrebno im je dodati energiju kojD H LP RPRJXLWL RWNLGDQMH RG YDOHQWQLK YH]D L GDWL VORERGX NUHWDQMD XQXWDU NULVWDOD 7R MH ELWQD UD]OLND RG PHWDOD (OHNWURQL NRG SROXYRGLD QH SUHOD]H direktno u vodljivu vrpcu, nego postoji zabranjena vrpca (Slika 2.11).
E EC EG EV za T=0 valentna vrpca

ovdje su elektroni vezani valentnim vezama
vodljiva vrpca zabranjena vrpca
Pri razini EC pocinje vodljiva vrpca (C-conductivity)
Slika 2.11. Energetske vrpce SROXYRGLD
93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike =D LULQX ]DEUDQMHQH YUSFH PRHPR SLVDWL EG = EC EV gdje EG SUHGVWDYOMD UDG RG VWDQMD YDOHQWQLK YH]D GR RVORER HQMD HOHNWURQD 1D VREQRM WHPSHUDWXUL QL MHGDQ HOHNWURQ QH PRH SUHVNRLWL ]DEUDQMHQX YUSFX Ge: Si: 300 K 290 K 300 K 290 K EG = 0.785 eV EG = 0.72 eV EG = 1.21 eV EG = 1.1 eV
41
(2.11)
=D SROXYRGLH LULQD ]DEUDQMHQH YUSFH QH SUHOD]L H9 (QHUJLMD ET koju elektron dobije na temperaturi T iznosi za T = 300 K (sobna temperatura) ET = 0.026 eV. Ali, u praksi se ipak GRELMH VWUXMD L QD VREQRM WHPSHUDWXUL ]ERJ VWDWLVWLNH UDVSRGMHOH 3ULPMHVH X SROXYRGLLPD 3ROXYRGLL X NRMLPD QHPD QLNDNYLK SULPMHVD D NDNYH VPR RSLVLYDOL X SUHWKRGQRP SRJODYOMX su tzv. LQWULQVLQL LOL LVWL SROXYRGLL LVWL SROXYRGLL SROXYRGLL X LVWRP NULVWDOQRP VWDQMX na sobnoj temperaturi imaju jedan mali broj slobodnih elektrona (Slika 2.12).
E
n slobodnih elektrona -qe
EC
T>0 EV EC - EV = EG
+qe
Slika 2.12. LVWL SROXYRGL SUL VREQRM WHPSHUDWXUL 8 SULPMHUX SULND]DQRP QD VOLFL HOHNWURQD LPD HQHUJLMX YHX RG EC 7R ]QDL GD VX se SUHNLQXOH NRYDOHQWQH YH]H PH X DWRPLPD NRMH VX LK GUDOH SD MH VWRJD DWRPD RVWDOR EH] valentnih elektrona. Kao posljedica otkidanja elektrona i njihovog prelaska u vodljivu vrpcu, DWRPL NRML VX LK VDGUDYDOL VX VDGD SR]LWLYQR QDELMHQL 1HGRVWDMXL HOektroni u valentnoj vrpci QDVWRMH VH SRSXQLWL SUHX]LPDQMHP HOHNWURQD L] VXVMHGQLK NRYDOHQWQLK YH]D LPH VH QHXWUDOL]LUD pozitivan naboj. Taj proces se potom nastavlja jer sada susjedni atom postaje pozitivno
42
nabijen i nastoji preuzeti neki elektron od susjednih atoma. Dakle, uz gibanje elektrona u vodljivoj vrpci postoji i gibanje u nekompletno popunjenoj valentnoj vrpci. Prema tome, u LQWULQVLQRP SROXYRGLX WUDQVSRUW QDERMD VH RGYLMD X GYLMH HQHUJHWVNH YUSFH LOL SRMDVD 8 vodljivoj vrpci gibaju se slobodni elektroni, dok u valentnoj vrpci gibanje valentnih elektrona opisujemo gibanjem pozitivnog naboja tzv. upljina (Slika 2.13). Iako prividno putuju XSOMLQH ]DSUDYR X VXSURWQRP VPMHUX SXWXMX HOHNWURQL SRSXQMDYDMXL XSOMLQH
smjer gibanja elektrona 1. stanje 2. stanje 3. stanje 4. stanje 5. stanje
prividni smjer gibanja supljina

Slika 2.13. Privid gibanja upljina U primjeru prikazanom na slici 2.12. nastaje 5 upljina u valentnoj vrpci. Elektron je nositelj negativnog naboja qe, a upljina je nositelj pozitivnog naboja +qe 8 LQWULQVLQLP SROXYRGLLPD QRVLWHOML VH GDNOH VWYDUDMX UD]ELMDQMHP YDOHQWQLh veza pa se nosioci uvijek stvaraju u parovima, a za njihove koncentracije vrijedi: n = p = ni = p i gdje je n koncentracija slobodnih elektrona u vodljivoj vrpci p koncentracija upljina u valentnoj vrpci ni, pi LQWULQVLQH NRQFentracije elektrona i upljina 'RELYHQD VWUXMD MH SUHPDOD GD EL ]DGRYROMLOD QDH ]DKWMHYH WRND VWUXMH X SROXYRGLX NRML VH QDOD]L X HOHNWULQRP SROMX =DWR SULOLNRP NULVWDOL]DFLMH NULVWDOX UDYQRPMHUQR GRGDMHPR SRJRGQH SULPMHVH 1D WDM QDLQ GRELMH VH GDOHNR YHL EURM VORERGQLK HOHNWURQD L XSOMLQD QD VREQRM WHPSHUDWXUL D WDNYH SROXYRGLH X NRMLPD SULPMHVH LPDMX ELWDQ XWMHFDM QD HOHNWULND svojstva nazivamo HNVWULQVLQL SROXYRGLL 2QHLHQMD VH REDYOMDMX GRGDYDQMHP peterovalentnih i trovalentnih primjesa 3HWHURYDOHQWQH SULPMHVH H SRVWLL YHOLNR SRYHDQMH VORERGQLK HOHNWURQD GRQRU D WURYDOHQWQH H SRVWLL YHOLNR SRYHDQMH EURMD XSOMLQD (akceptor). .DGD VH SROXYRGL RQHLVWL V SHWHURYDOHQWQLP QHLVWRDPD GRELMH VH SROXYRGL N-tipa ili donor (Slika 2.1D D GRGDYDQMHP WURYDOHQWQLK SULPMHVD GRELYDPR SROXYRGL P-tipa ili akceptor 6OLND D 6LOLFLMX VH QDMHH GRGDMH WURYDOHQWQL DOXPLQLM $O WH ERU % LOL peterovalentni fosfor (P), a germaniju trovalentni aluminij (Al) ili galij (Ga), odnosno (2.12)
43
peWHURYDOHQWQL DUVHQ $V LOL DQWLPRQ 6E 2QHLHQMD VH NUHX RG 3 do 1:109 tj. na 103 (109) atoma kristala imamo 1 atom primjese. N-WLS LPD YHOLNX NROLLQX VORERGQLK HOHNWURQD D P-WLS YHOLNX NROLLQX SR]LWLYQLK XSOMLQD , NRG YUOR QLVNLK WHPSHUDWXUa (-150 C) se svi VORERGQL HOHNWURQL XSOMLQH QHLVWRD SRMDYH X YRGOMLYRP RGQRVQR YDOHQWQRP SRMDVX YUSFL
+4
+4
+4
vodljiva vrpca
+4
+5
+4
ED EG valentna vrpca
+4
+4
a)
+4
b)
Slika 2.14. a) Donorska primjesa ima 5 valentnih elektrona. Sa 4 je kovalentno vezana za susjedne DWRPH D SHWL HOHNWURQ YHH VDPR &RXORPERYD sila b) Energetski nivo donora je blizu vodljive vrpce 8 GLMDJUDPX HQHUJHWVNLK YUSFL ]D SROXYRGL 1-tipa (Slika 2.14.b.), prisustvo donorskih QHLVWRD LPD ]D SRVOMHGLFX QDVWDMDQMH GRGDWQRJ HQHUJHWVNRJ QLYRD XQXWDU ]DEUDQMHQH YUSFH L to pri njegovom vrhu. Taj nivo se naziva donorski nivo (ED 'RQRUVNL QLYR OHL X] YUK zabranjene vrpce jer je za prebacivanje elektrona vezanih uz donorske atome u vodljivu vrpcu potreban vrlo mali iznos energije. Kod visokih koncentracija donora diskretni donorski nivo se iri u vrlo uzak pojas energija. Kad je koncentracija donora (ND YHD RG 5 1015 cm 3 HQHUJLMD LRQL]DFLMH GRQRUD LH]DYD D XVNL SRMDV HQHUJLMD GRQRUVNLK SULPMHVD XOD]L X YRGOMLYX YUSFX 7DNDY VH SROXYRGL NRML LPD HNVWUHPQR YLVRNX NRQFHQWUDFLMX SULPMHVD SRQDD VOLQR PHWDOX SD JD VH QD]LYD SVHXGRPHWDO LOL GHJHQHULUDQL SROXYRGL Akceptorske primjese uvode u dijagram energetskih vrpci (Slika 2.15.b.) dodatni akceptorski nivo (EA NRML OHL XQXWDU ]DEUDQMHQH YUSFH $NFHSWRUVNL nivo OHL SUL GQX ]DEUDQMHQH YUSFH MHU VH DNFHSWRUVNH SULPMHVH ODNR LRQL]LUDMX SULPDMXL HOHNWURQH L] YDOHQWQH vrpce. Akceptorski DWRP SULPDMXL HOHNWURQ SRVWDMH QHJDWLYDQ LRQ D NDR SRVOMHGLFD WRJD MH VWYDUDQMH XSOMLQH X YDOHQWQRM YUSFL 'DNOH PRH VH UHL GD DWRP YH]XMH XSOMLQX D LRQL]DFLMRP MH GDMH X YDOHQWQX vrpcu.
44
+4
+4
+4
E
vodljiva vrpca
+4
+3
+4
EG EA valentna vrpca
+4
+4 a)
+4 b)
Slika 2.15. a) Akceptorska primjesa ima tri valentna elektrona b) Energetski nivo akceptora je blizu valentne vrpce
N-tip poluvodia (donorski) EG ED 5 EG
P-tip poluvodia (akceptorski)
T=0K EA 0
3 4
3 4
3 4
3 4
0 4 4 4 4
EG ED
+ T>0K
EG
EA 0
0 +
++
Slika 2.16. Energetske vrpce poluvodia N i P tipa pri temperaturi apsolutne nule i sobnoj temperaturi EG energija barijere zabranjene vrpce; ED energija donora; EA energija akceptora Pretpostavili smo da je, za T>0, od etiri atoma istog kristala (npr. Silicij) samo jedan razbio kovalentnu vezu, a svi atomi primjesa daju slobodne nositelje. Objasnimo sada sliku 2.16.:
45
N-tip: Na temperaturi apsolutne nule nemamo slobodnih elektrona u vodljivoj vrpci. Malim zagrijavanjem svi elektroni donora (4 atoma na slici) prebacuju se u vodljivi pojas. Njihovi matini atomi se pozitivno ioniziraju. Takoer, moe doi i do razbijanja kovalentne veze atoma silicija (potpuno isti mehanizam kao kod istog poluvodia). Kao posljedica razbijanja te veze atom silicija se pozitivno ionizira (jer je izgubio elektron), nastaje upljina ispod nulte razine (valentna vrpca) i slobodan elektron u vodljivoj vrpci. Moemo uoiti da je broj slobodnih elektrona u vodljivoj vrpci (5 elektrona na slici) vei od broja upljina u valentnoj vrpci (1 upljina na slici) pa kaemo da su u sluaju poluvodia N tipa veinski nositelji naboja elektroni, a manjinski upljine. P-tip: Ni u uvom sluaju nemamo slobodnih elektrona u vodljivoj vrpci niti upljina u valentnoj vrpci pri temperaturi apsolutne nule. Ve malim poveanjem temperature atomi trovalentnih primjesa privlae elektrone susjednih etverovalentnih atoma to izaziva negativnu ionizaciju akceptora i stvaranje upljina ispod nulte razine. Drugim rijeima, moe se rei da su akceptorski atomi predali upljinu (manjak elektrona) vika atomima silicija. Takoer, i u ovom sluaju moe doi do pucanja kovalentne veze izmeu etverovalentnih atoma to za posljedicu opet ima slobodni elektron u vodljivoj vrpci, upljinu u valentnoj, kao i pozitivnu ionizaciju atoma silicija. Moemo uoiti da je broj slobodnih elektrona u vodljivoj vrpci (1 elektron na slici) manji od broja upljina u valentnoj vrpci (5 upljina na slici) pa kaemo da su u sluaju poluvodia P tipa veinski nositelji naboja upljine, a manjinski elektroni. Zakljuak: N-tip poluvodia posjeduje veliki broj slobodnih elektrona ije se energije nalaze u vodljivoj vrpci. P-tip poluvodia ima veliki broj slobodnih upljina ije se energije nalaze u valentnoj vrpci. U N-tipu struju ine gotovo iskljuivo slobodni elektroni pod djelovanjem vanjskog polja, a u P-tipu struju slobodne upljine pod djelovanjem vanjskog polja. U N-tipu poluvodia slobodni elektroni su veinski ili majoritetni nositelji naboja, a slobodne upljine su manjinski ili minoritetni nositelji naboja. U P-tipu poluvodia slobodne upljine su veinski ili majoritetni, a slobodni elektroni su manjinski ili minoritetni nositelji naboja. 2.6. Generacija i rekombinacija nositelja naboja Nositelji naboja se tijekom vremena generiraju (stvaraju) i rekombiniraju (spajaju). Pri temperaturi veoj od 0 K (za naa razmatranja je najvanija temperatura od 290 300 K), neprestano se stvaraju novi nositelji naboja i isto tako neprestano nestaju postojei nositelji naboja (vezuju se za vrste strukture). Ako slovom g oznaimo generaciju (broj nositelja naboja /cm3s), a slovom r rekombinaciju (takoer broj nositelja naboja /cm3s), moemo napisati
gr
(2.13)
Dakle, u kristalu postoji stroga ravnotea generacije i rekombinacije. Znai, pri odreenoj temperaturi je broj nositelja naboja konstantan. Vijek trajanja (ivot) jednog nositelja se kree od 10 3 10 9 s. Kristal je prema vani elektriki neutralan tj. ima jednak broj slobodnih elektrona i upljina te slobodne nositelje moe pokrenuti elektrino polje. Ako pretpostavimo da se generacija i rekombinacija odigravaju direktno, tj. kompletiranjem i razbijanjem valentnih veza, moemo uoiti da je vjerojatnost rekombinacije jednog elektrona sa upljinom proporcionalna koncentraciji upljina i jednaka k p , gdje je k faktor proporcionalnosti ovisan o temperaturi. Ukupan broj rekombinacija je proporcionalan i koncentraciji elektrona, pa moemo napisati:
r k n p g
(2.14)
46
Generacija je neovisna o broju elektrona u vodljivoj vrpci i upljina u valentnoj vrpci (osim za vrlo visoke koncentracije nositelja), jer je ona rezultat razbijanja valentnih veza. Prema tome, X] NRQVWDQWDQ XPQRDN NRQFHQWUDFLMH HOHNWURQD L XSOMLQD JHQHUDFLMD MH SURSRUFLRQDOQD QMLKRYRP XPQRNX EH] RE]LUD QD QMLKRY PH XVREQL RPMHU p1:n1, p2:n2). Vrijedi jednakost:
r = k n1 p1 = k n 2 p 2 = k ni2 = g
odnosno:
n0 p 0 = ni2
(2.15)
(2.16)
=DNRQ R WHUPRGLQDPLNRM UDYQRWHL MHGQDGED 3URGXNW UDYQRWHQLK NRQFHQWUDFLMD elektrona u vodljivoj vrpci n0 i upljina u valentnoj vrpci p 0 X QHNRP SROXYRGLX QD GDQRM temperaturi, konstantan je i MHGQDN NYDGUDWX LQWULQVLQH NRQFHQWUDFLMH ,] ]DNRQD R WHUPRGLQDPLNRM UDYQRWHL SURL]OD]L GD H PLQRULWHWQLK QRVLtelja biti manje to je majoritetnih nositelja YLH ,QWULQVLQD NRQFHQWUDFLMD PRH VH L]UDXQDWL L] MHGQDGEH n = C T e
2 i 3 EG ET
(2.17)
gdje je C konstanta u maloj mjeri ovisna o materijalu EG irina zabranjene vrpce u eV k - Boltzmannova konstanta (1.38 10 23 JK 1 ) ET NDUDNWHULVWLQD WHPSHUDWXUQD HQHUJLMD HOHNWURQD NRMD VH UDXQD L] ET = kT / q = T / 11605 (eV). Ni MHGDQ HOHNWURQ X SROXYRGLX QH PRH LPDWL HQHUJLMX YHX RG EV, a manju od EC (zabranjena vrpca). to je energija EG YHD ]D RGUH HQX WHPSHUDWXUX H ELWL PDQML EURM QRVLWHOMD QDERMD to je ET YHD LPDPR YLH VORERGQLK QRVLWHOMD 1D RVQRYX MHGQDGEH PRHPR L]UDXQDWL LQWULQVLQH NRQFHQWUDFLMH ]D VLOLFLM L JHUPDQLM Ge: Si: Pri T = 300 K: Ge: Si:
n0 p 0 = ni2 = 3.1 10 32 T 3 e n0 p 0 = ni2 = 1.5 10 33 T 3 e
ni = 2.5 1013 cm 3
9100 T
(2.18) (2.19)
14030 T
ni = 1.5 1010 cm 3
Silicij je temperaturno otporniji od germanija i zato se vie koristi u primjeni.
93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 2.7. Koncentracija nositelja naboja
47
6YDNL SROXYRGL NRML QLMH XNOMXHQ X HOHNWULQL NUXJ L QLMH SRG GMHORYDQMHP YDQMVNH UDGLMDFLMH SUHPD YDQL MH HOHNWULNL QHXWUDODQ =ERJ WRJD EH] RE]LUD GD OL VH UDGL R LVWRP LOL SULPMHVQRP SROXYRGLX NRQDQD VXPD QRVLWHOMD PRUD LPDWL MHGQDNX NROLLQX SR]LWLYQRJ L QHJDWLYQRJ QDERMD 3R]LWLYQL QDERM LQH XSOMLQH L SR]LWLYQL LRQL D QHJDWLYQL QDERM LQH VORERGQL HOHNWURQL i negativni ioni. Slobodni elektroni se slRERGQR NUHX XQXWDU NULVWDOD XSOMLQH VX VORERGQL SURVWRUL NRML PRJX SULPLWL VORERGQH HOHNWURQH 3R]LWLYQL L QHJDWLYQL LRQL VX DWRPL QHLVWRD NRML LPDMX YLDN LOL PDQMDN HOHNWURQD X RGQRVX QD DWRPH LVWRJ NULVWDOD 'DNOH PRHPR SLVDWL N D + p 0 = N A + n0 (2.20)
3UHWSRVWDYOMD VH GD VX VYL GRQRUL L DNFHSWRUL LRQL]LUDQL GDNOH VYL HOHNWURQL NRML SRWMHX RG GRQRUD VX X YRGOMLYRP SRMDVX D VYH XSOMLQH NRMH SRWMHX RG DNFHSWRUD VX X YDOHQWQRM YUSFL =D SUHWSRVWDYOMHQL VOXDM D NRML MH UHDODQ SUL VRbnoj temperaturi, svi donori i akceptori su ionizirani tj. ND i NA R]QDDYDMX NRQFHQWUDFLMH LRQD NRMH VX MHGQDNH NRQFHQWUDFLMDPD QMLKRYLK DWRPD 8 JRUQMRM MHGQDGEL p0 i n0 SUHGVWDYOMDMX EURM VORERGQLK XSOMLQD SROXYRGLD RGQRVQR broj slobodnih elektrona SROXYRGLD 3R]LWLYQL LRQ MH SR]LWLYDQ MHU MH LPDR YLDN HOHNWURQD koje je pustio u slobodni tok (vodljivu vrpcu), npr. bio je peterovalentan, a osnovno stanje je HWYHURYDOHQWQR 7R QLMH XSOMLQD MHU QHPD WHQGHQFLMX SULYODHQMD HOHNWURQD VWDELODQ MH VD HWYHURYDOHQWQRP YH]RP L QH WUHED PX MR MHGDQ HOHNWURQ a) NRQFHQWUDFLMH LQWULQVLQLK SROXYRGLD =D LQWULQVLQH SROXYRGLH ]ERJ ]DQHPDULYH NRQFHQWUDFLMH QHLVWRD YULMHGL n 0 = p 0 = ni = p i (2.21)
,QWULQVLQH NRQFHQWUDFLMH ]D VLOLFLM L JHUPDQLM PRHPR RGUHGLWL L] MHGQDGEL L b) NRQFHQWUDFLMH HNVWULQVLQLK YRGLD 1-tipa =D SROXYRGLH 1-WLSD SULQFLS R HOHNWULNRM QHXWUDOQRVWL JODVL N D + p 0 = n0 (2.22)
ODQ V NRQFHQWUDFLMRP DNFHSWRUVNLK LRQD MH L]RVWDYOMHQ MHr je koncentracija akceptorskih iona NRG SROXYRGLD RYRJ WLSD PQRJR PDQMD RG NRQFHQWUDFLMH GRQRUVNLK LRQD
N D >> N A N D = N D N A N D N D + p 0 n0 n 0
.DNR X UDYQRWHQRP VWDQMX YULMHGL ]DNRQ R WHUPRGLQDPLNRM UDYQRWHL MHGQDGED PRHPR SLVDWL

2 N D n0 + p 0 n0 n0 2 N D n0 + ni2 n0 2 n0 N D n0 ni2 0
48
5MHHQMHP JRUQMH NYDGUDWQH MHGQDGEH GRELMHPR ]D NRQFHQWUDFLMX PDMRULWHWQLK QRVLtelja n0

n0 =
2 N D + N D + 4ni2
(2.23)
Dakle, poznavanjem koncentracije donora (ND PRJXH MH QD VYDNRM WHPSHUDWXUL X] LVNOMXHQMH YUOR QLVNLK WHPSHUDWXUD RGUHGLWL UDYQRWHQX NRQFHQWUDFLMX VORERGQLK HOHNWURQD Koncentraciju minoritetnih upljina p0 dobijemo iz izraza p0 = c) NRQFHQWUDFLMH HNVWULQVLQLK YRGLD 3-tipa $QDORJQR ]DNOMXLYDQMX SURYHGHQRP ]D 1-WLS SROXYRGLD PRHPR ]DNOMXLWL N A >> N D N = N A N D N A p 0 N A + n0 A SD NRQFHQWUDFLMH L]UDXQDPR L] ni2 n0
p0
2 N A + N A + 4ni2
2
n0 = ni2 p0
(2.24)
.RG YHOLNLK WHPSHUDWXUD GROD]L GR EU]RJ SRUDVWD LQWULQVLQLK NRQFHQWUDFLMD ni). Koncentracije donorskih (ND) i akceptorskih iona (NA) rastom ni, poVWDMX ]DQHPDULYH 8 WRP VOXDMX PRHPR SLVDWL Za T>>:
2 4ni2 >> N D 2 2 4ni >> N A
n0
1 (N D + 2ni ) 2 1 p 0 (N A + 2ni ) 2
P tip N tip
i dalje
49
n 0 ni p 0 ni p 0 ni n0 ni WR VX L]UD]L NRMH VPR YH YLGMHOL NDGD VPR UD]PDWUDOL LVWH SROXYRGLH 0RHPR ]DNOMXLWL GD VH SULPMHVQL SROXYRGL NRG UHODWLYQR YLVRNLK WHPSHUDWXUD SRQDD NDR LVWL SROXYRGL 2.8. Fermijeva razina =D LVWH SROXYRGLH )HUPLMHYD UD]LQD VH QDOD]L X VUHGLQL ]DEUDQMHQH YUSFH .RG SROXYRGLD 3WLSD )HUPLMHYD UD]LQD MH EOLD GRQMRM UD]LQL ]DEUDQMHQH YUSFH D ]D SROXYRGLH 1-tipa gornjoj razini zabranjene vrpce (Slika 2.17).
E EG EF 0 a) EF=EG/2 EF 0 b)
0
E EG
P - tip
E
EG EF
N - tip
c)
Slika 2.17. )HUPLMHYH UD]LQH ]D LQWULQVLQHD L HNVWULQVLQH SROXYRGLH E F 'HJHQHULUDQL SROXYRGL SVHXGRPHWDO LPD ]QDWQR YHX NRQFHQWUDFLMX QHLVWRD RG XRELDMHQH (1017/cm3 LQDH RNR 03-106 8 WRP VOXDMX GROD]L GR SRUHPHDMD )HUPLMHYH UD]LQH 6OLND 2YL SROXYRGLL LPDMX WROLNR VORERGQLK QRVLWHOMD GD GMHOXMX NDR YRGLL
E EG P - tip
E EF EG N - tip
0 EF
Slika 2.18. Fermijeva razina za pseudometale ,] MHGQDGEH VH PRH SRND]DWL GD MH XNXSDQ EURM HOHNWUona (koncentracija) u vodljivoj vrpci jednak

n0 = N C e
E F EG kT
50
(2.25)
gdje je
2 mc kT N C = 2 h2
3/ 2
(2.26)
HIHNWLYQD JXVWRD NYDQWQLK VWDQMD X YRGOMLYRM YUSFL D mc efektivna masa elektrona. 7DNR HU PRH VH GRND]DWL GD MH UDYQRWHQD NRncentracija upljina u valentnoj vrpci
p0 = N V e
EF kT
(2.27)
gdje je
2 mv kT N V = 2 h2
3/ 2
(2.28)
HIHNWLYQD JXVWRD NYDQWQLK VWDQMD X YDOHQWQRP SRMDVX D mv efektivna masa upljine. $NR ]DQHPDULPR UD]OLNX L]PH X HIHNWLYQLK PDVD HOHNWURQD L XSOMLQD L L]MHGQDLPR LK V PDVRP VORERGQRJ HOHNWURQD PRHPR SLVDWL
N C = N V = 4.82 1015 T 3 / 2 (cm 3 )
(2.29)
=D LQWULQVLDQ SROXYRGL YULMHGL

n0 = p 0 N C e
E F EG kT
= NV e
EF kT
(2.30)
RGDNOH PRHPR SLVDWL E F EG = E F E F = EG / 2 /RJDULWPLUDQMHP MHGQDGEL L PRHPR SRND]DWL GD YULMHGH L RHNLYDQH YULMHGQRVWL )HUPLMHYH UD]LQH ]D SROXYRGLH 1-tipa i P-tipa prikazane na slici 2.17. Iz (2.25) za SROXYRGL 1-tipa slijedi
E F = EG kT ln
NC n0
(2.31)
8YMHW HOHNWULNH QHXWUDOQRVWL ]D SROXYRGL N-tipa glasi: N D + p 0 = n0 D ]D LWDYR HNVWULQVLQR SRGUXMH YULMHGL N D n0 . Iz navedenog slijedi
E F = EG kT ln
NC ND
(2.32)
93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike ili u elektronvoltima (eV)

E F = EG N kT N C T ln = EG ln C q ND 11605 N D
51
(eV )
(2.33)
)HUPLMHY QLYR ELWL H EOLH YUKu zabranjenog pojasa to je koncentracija donora (ND) via i to MH WHPSHUDWXUD QLD ,] MHGQDGEH ]D SROXYRGL 3-tipa slijedi
E F = kT ln NV p
(2.34)
.DNR XYMHW HOHNWULNH QHXWUDOQRVWL ]D RYDM WLS SROXYRGLD JODVL N A + n0 = p 0 D ]D LWDYR HNVWULQVLQR SRGUXMH MH p 0 N A , slijedi
E F = kT ln NV NA
(2.35)
ili u elektronvoltima (eV)

EF = N kT N V T ln = ln V q N A 11605 N A
(eV )
(2.36)
8 SROXYRGLX 3-WLSD )HUPLMHY QLYR OHL LVSRG VUHGLQH ]DEUDQMHQH YUSFH L WR EOLH QMHQom dnu WR MH NRQFHQWUDFLMD DNFHSWRUD YLD L WHPSHUDWXUD QLD
E E E E n
EC EG EV
EC EF EV
EC EF EV
EC EF
EV
p
x a)
dN/dE b)
f(E,T)
dn/dE (dp/dE) d)
c)
Slika 2.19. ,OXVWUDFLMD RGUH LYDQMD UDVSRGMHOH JXVWRH HOHNWURQD L XSOMLQD SR HQHUJLML ]D LVWL SROXYRGL D(QHUJHWVNL VSHNWDU LVWRJ SROXYRGLD E 5DVSRGMHOD JXVWRH HQHUJHWVNLK QLYRD c) )HUPLMHYD VWDWLVWLND UDVSRGMHOD G 5DVSRGMHOD JXVWRH HOHNWURQD L XSOMLQD SR HQHUJLML
52
1D VOLFL SULND]DQ MH QDLQ RGUH LYDQMD UDVSRGMHOH JXVWRH HOHNWURQD L XSOMLQD SR HQHUJLML ]D LVWL SROXYRGL 5DVSRGMHOD JXVWRH HOHNWURQD L XSOMLQD SR HQergiji (d) dobije se umnokom UDVSRGMHOH JXVWRH HQHUJHWVNLK QLYRD E L )HUPLMHYRP VWDWLVWLNRP UDVSRGMHORP F Dodatak: S obzirom na Paulijevo QDHOR NRMH RJUDQLDYD EURM PRJXLK HOHNWURQD QD QHNRM energetskoj razini te SROD]HL RG +HLVHQEHUJRYLK XYMHWD QHRGUH HQRVWL PRH VH L]YHVWL ]DNRQ UDVSRGMHOH JXVWRH HQHUJHWVNLK QLYRD SR HQHUJLML
dN 4 3/ 2 = 3 (2m ) E 1 / 2 dE h
(QHUJLMD ( MH HQHUJLMD HOHNWURQD L]UDXQDWD RG GQD SURPDWUDQH ]RQH *RUQMD MHGQDGED vrijedi za metale i elektrone u vodljivoj vrpci poluvodiD UDXQDMXL SUL WRPH HQHUJLMX RG GQD YRGOMLYH ]RQH 6WDYOMDMXL ( EC umjesto E, dobijemo:
dN 4 (2m )3 / 2 ( E EC )1 / 2 = dE h 3
1D LVWL QDLQ VH GRELMH L UDVSRGMHOD HQHUJHWVNLK QLYRD ]D XSOMLQH
dN 4 (2m )3 / 2 ( EV E )1 / 2 = dE h 3
2.9. Pokretljivost nositelja naboja KadD QD YUVWR WLMHOR QLMH SULNOMXHQ QDSRQ QRVLWHOML HOHNWULFLWHWD VH JLEDMX NDRWLQR (OHNWURQL VH PH XVREQR VXGDUDMX L SULOLNRP VXGDUD PLMHQMDMX VPMHU NUHWDQMD =D RYX YUVWX JLEDQMD MH NDUDNWHULVWLQR GD VX VYL VPMHURYL JLEDQMD SRGMHGQDNR YMHURMDWQL SD PRHPR UHL GD MH XNXSQL ]EURM NUHWDQMD QRVLWHOMD MHGQDN QXOL WM NUR] SURPDWUDQR YUVWR WLMHOR QH WHH VWUXMD Uslijed djelovanja YDQMVNRJ HOHNWULQRJ SROMD MHGDQ RG VPMHURYD JLEDQMD SRVWDMH IDYRUL]LUDQ tako da u cjelini dolazi do usmjerenog gibanja nabojD GDNOH HOHNWULQH VWUXMH 6OLND
E
E=0
E <> 0
Slika 2.20. 6YDNL SXW L]PH X VXGDUD HOHNWURQ VH SRPLH X SUDYFX HOHNWULQRJ SROMD
53
Sila koja djeluje na elektron jednaka je
& & F = qe E
(2.37)
.DNR VPR YH QDYHOL VLOD MH VXSURWQRJ VPMHUD RG VPMHUD HOHNWULQRJ SROMD MHU MH QDERM HOHNWURQD QHJDWLYDQ $NFHOHUDFLMD NRMX HOHNWURQ GRELMH ]ERJ GMHORYDQMD VLOH PRH VH L]UD]LWL VOLMHGHRP MHGQDGERP
& & qe E a= me
(2.38)
Ubrzavanje se vri od jednog do drugog sudara. Prilikom sudara elektron mijenja smjer NUHWDQMD SD PRHPR VPDWUDWL GD MH QHVWDOR NRPSRQHQWH EU]LQH X VPMHUX SROMD 1DNRQ VXGDUD SRQRYR SRLQMH XEU]DYDQMH SD EU]LQD X VPMHUX SROMD SRQRYR UDVWH RG QXOH %U]LQD HOHNWURQD X SUDYFX SROMD ]DYLVL R YUHPHQX L]PH X VXGDUD ,]QRV srednje brzine X SUDYFX SROMD PRHPR L]UDXQDWL L]
v=
gdje je
q 1 a i = e i E = n E 2 2 me
(2.39)
n =
q e i 2me
m2 V s
(2.40)
D QD]LYD VH SRNUHWOMLYRVW HOHNWURQD 3RNUHWOMLYRVW RYLVL R WHPSHUDWXUL L VYRMVWYLPD SROXYRGLD To je vidljivo i iz jednadEH MHU YULMHPH L]PH X VXGDUD HOHNWURQD i) ovisi o WHPSHUDWXUL L YUVWL SROXYRGLD 1DLPH, ]DJULMDYDQMHP SROXYRGLD HOHNWURQL GRELYDMX YHH HQHUJLMH GROD]L GR VWYDUDQMD YHHJ EURMD VORERGQLK HOHNWURQD NRML VH EUH VH NUHX SD MH L EURM sudara elekWURQD V GUXJLP HOHNWURQLPD L UHHWNRP YHL 3RVOMHGLFD YHHJ EURMD VXGDUD MH PDQMH YULMHPH L]PH X VXGDUD HOHNWURQD Za upljine vrijedi
p =
GDNOH RSHQLWR
q e i 2m p
m2 V s
(2.41)
vd = E
(2.42)
gdje je vd brzina drifta ili poPDND L NDH QDP NRMRP H VH EU]LQRP SRPLFDWL VORERGQL QRVLWHOM QDERMD DNR VH SROXYRGL QDOD]L X HOHNWULQRP SROMX MDNRVWL E. Na 300 K: Ge: Si:
n = 3800
n = 1300
p = 1800
p = 500
93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 9RGOMLYRVW SROXYRGLD
54
=ERJ SRVWRMDQMD HOHNWULQRJ SROMD NUR] SUHVMHN SROXYRGLD H VH MDYLWL VWUXMD I (Slika 2.21). Po GRJRYRUX VPMHU VWUXMH MH VPMHU NUHWDQMD SR]LWLYQRJ QDERMD *XVWRD VWUXMH MH NROLLQD QDERMD NRMD SURWMHH NUR] RGUH HQL SUHVMHN SROXYRGLD X MHGQRM VHNXQGL
y E
IP IN
I = IN + IP
Slika 2.21. (OHNWULQD VWUXMD X SROXYRGLX Kako koncentracija nositelja ovisi o temperaturi (raste porastom temperature), a pokretljivost WDNR HU RYLVL R WHPSHUDWXUL SDGD SRUDVWRP WHPSHUDWXUH L YRGOMLYRVW RYLVL R WHPSHUDWXUL Ovisnost vodljivosti o temperaturi prikazana je na slici 2.22.
5$'12 32'58-(
OR J
v u t
&
7 UDVWH
Slika 2.22. =DYLVQRVW YRGOMLYRVWL RG UHFLSURQH YULMHGQRVWL WHPSHUDWXUH *XVWRD VWUXMH GULIWD SR]LWLYQLK L QHJDWLYQLK QRVLWHOMD QDERMD QDSLVDQD MH VOLMHGHLP L]UD]RP
7
7
7
93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike J dP = q e p v dP = q e p P E = P E J dN = q e n v dN = q e n N E = N E
55
(2.43)
gdje je P vodljivost pozitivnog naboja, a N vodljivost negativnog naboja. Na osnovu JRUQMH MHGQDGEH PRHPR QDSLVDWL RSX UHODFLMX ]D JXVWRX VWUXMH GULIWD Jd = E SD ]DNOMXXMHPR GD MH J d = J dP + J dN = ( P + N )E = E = P + N = q e (p P + n N ) (2.45) (2.44)
PUL QLVNLP WHPSHUDWXUDPD SRGUXMH & QD VOLFL V SRUDVWRP WHPSHUDWXUH UDVWH YRGOMLYRVW zbog porasta koncentracije nositelja koji nastaje ionizacijom primjesa. Na temperaturi T1 su VYH SULPMHVH LRQL]LUDQH SD VH GDOMLP SRUDVWRP WHPSHUDWXUH SRGUXMH % vodljivost malo smanjuje zbog smanjenja pokretljivosti, a promjena koncentracije je mala. Sve primjese su LRQL]LUDQH D WHPSHUDWXUD MH MR XYLMHN SUHQLVND ]D LRQL]DFLMX DWRPD SROXYRGLD 3RUDVWRP temperature iznad T2 SRGUXMH $ SROXYRGL VH SRLQMH SRQDDWL NDR LVWL SROXYRGL (vodljivost uglavnom ovisi od stvorenih parova upljina-HOHNWURQ 5DGQR SRGUXMH MH SRGUXMH % *XVWRD MH GHILQLUDQD MDNRX SROMD L YRGOMLYRX NRMD MH NDUDNWHULVWLND EURMD MHGQLK L GUXJLK naboja i njihove pokretljivosti. Ako sH UDGL R LVWRP SROXYRGLX QHPDPR NRQFHQWUDFLMH n i p, nego ni (n = p = ni):
= q e ni ( P + N )
Za N-WLS SROXYRGLD YULMHGL
(2.46)
a za P-tip:
n ND = qe N D N p << n n << p = qe N A P p NA
(2.47)
(2.48)
.RG RQHLHQLK SROXYRGLD Yodljivost, osim o konstanti qe RYLVL R NROLLQL SULPMHVQLK naboja. 'LIX]LMD X SROXYRGLLPD 2VLP HOHNWULQRJ SROMD SURWMHFDQMH HOHNWULQH VWUXMH NUR] YUVWD WLMHOD PRH ELWL X]URNRYDQR L difuzijom. Difuzija je kretanje nositelja naboja kroz neki SUHVMHN X SROXYRGLX XVOLMHG UD]OLLWH JXVWRH QDERMD V MHGQH LOL GUXJH VWUDQH SUHVMHND NRML SURPDWUDPR 1DERML VH NUHX V PMHVWD YHH NRQFHQWUDFLMH QD PMHVWR PDQMH NRQFHQWUDFLMH X] WHQGHQFLMX L]MHGQDDYDQMD NRQFHQWUDFLMD Ako pretpostavimo da se koncentracija mijenja samo u smjeru osi x JXVWRD VWUXMH ]ERJ difuzije je proporcionalna gradijentu koncentracije upljina u smjeru osi x 'LIX]LMVND VWUXMD H
56
X VOXDMX LVWLK JUDGLMHQDWD NRQFHQWUDFLMH ]D UD]OLLWH HVWLFH ELWL SURSRUFLRQDOQD VSRVREQRVWL HVWLFH da difudira tj. konstanti difuzije D. Ako se radi o koncentraciji elektrona imamo
n n J DN = q e D N E = q e D N ( grad n ) = q e D N = q e D N x x
(2.49)
i analogno tome, za upljine
J DP = q e DP E = q e D P (grad p ) = q e DP
p x
(2.50)
6WUXMD X JRUQMLP MHGQDGEDPD MH NDNR MH WR XRELDMHQR X]HWD V NRQYHQFLRQDlnim smjerom, tj. VPMHURP X NRMHP EL VH JLEDOL SR]LWLYQL QDERML ,] MHGQDGEL L PRHPR GDOMH SLVDWL
n p J D = qe DN DP x x
(2.51)
8NXSQD JXVWRD VWUXMH XSOMLQD XVOLMHG VWUXMD GLIX]LMH L HOHNWULQRJ SROMD MHGQDND MH QMLKRYRP zbroju J = Jd + JD (2.52) (2.53)
J P = P E q e DP
a za elektrone
J N = N E + qe D N
p p p = q e p P E q e D P = q e p P E D P x x x
n n n = q e n N E + q e D N = q e n N E + D N x x x
(2.54)
=D SR]LWLYQH QDERMH VH JXVWRH VWUXMH PH XVREQR RGELMDMX D ]D QHJDWLYQH QDERMH ]EUDMDMX (dogovor). 9H]D L]PH X NRQVWDQWH GLIX]LMH L SRNUHWOMLYRVWL LVWRYUVQLK HVWLFD PRH VH L]UD]LWL VOLMHGHRP MHGQDGERP
D kT = qe
[V ]
(2.55)
Gornja relacija, koju nazivamo i Einsteinova relacija, YULMHGL ]D QHGHJHQHULUDQH SROXYRGLH L plinove. kT = ET q e
U T = ET =
[J ]
kT qe
- energija nositelja nabRMD ]D RGUH HQX WHPSHUDWXUX
[eV ]
HVWLFX V SURVMHQRP WHUPLNRP NLQHWLNRP HQHUJLMRP
- potencijalna energija (UT NRMD PRH ]DXVWDYLWL QDHOHNWUL]LUDQX
93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike Pitanja:
57
1. 1DYHGLWH YUVWH NULVWDOD YUVWLK WLMHOD V RE]LURP QD NDUDNWHU VLOD NRMH GUH atome kristala na okupu. 2. .RML VX RVQRYQL QDLQL GRELYDQMD HOHNWURQD L] PHWDOD" 3. Nacrtaj i objasni grafove raspodjele energija slobodnih elektrona u metalu te zaposjednutosti energetskih razina u ovisnosti o temperaturi. 4. Koja je maksimalna energija koju elektroni u metalu mogu imati na temperaturi od 0 K? 5. .ROLNR L]QRVH WLSLQH YULMHGQRVWL L]OD]QRJ UDGD ]D PHWDOH" 6. .DNR REMDQMDYDWH SRMDYX GD LDNR SUL WHPSHUDWXUL RG . HQHUJLMD SRMHGLQDQRJ elektrona u katodi od volframa iznosi 0.22 eV, ipak dolazi do pojave termionske emisije? 7. to je faktor sekundarne emisije? 8. Zato za neke vrste svjetlosti ne dolazi do emisije elektrona bez obzira na jakost radijacije? 9. WR VH GRJD D ]DJULMDYDQMHP NULVWDOQH UHHWNH" 10. Zato dolazi do pojave energetskih vrpci elektrona po ljuskama atoma, a ne do diskretnih vrijednosti energija elektrona u atomu? 11. Koja energetska vrpca nam je najzanimljivija i zato? 12. 8 NRMLP HQHUJHWVNLP YUSFDPD GROD]L GR WUDQVSRUWD QDERMD L R NRMLP MH JLEDQMLPD ULMH" 13. =DWR VH GRGDMX SULPMHVH X SROXYRGLH" 14. Na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
58
59
3. Elektroniki elementi
3.1. Poluvodiki P-N spoj Poluvodi s neravnomjernom raspodjelom primjesa ima i neravnomjernu raspodjelu nositelja naboja. Zbog razliitih koncentracija nositelja dolazi do struje difuzije, kako je ve opisano u prethodnim poglavlju. Odlaskom pokretnih nositelja s mjesta vee koncentracije poremetit e se elektrina ravnotea izmeu pokretnih nositelja i primjesnih iona, a posljedica ovog poremeaja je stvaranje elektrinog polja koje e se suprotstavljati difuznom kretanju nositelja. Posljedica elektrinog polja je struja drifta. U ravnotenom stanju su struje drifta i difuzije jednake po veliini a suprotnih smjerova. Kao primjer velike neravnomjernosti koncentracija primjesa je spoj dva suprotna tipa poluvodia.
P
manjinski n-nositelji
E * -
N
vecinski n-nositelji
EG EFN EFI EFP 0

+ vecinski p-nositelji +I -I manjinski p-nositelji
Slika 3.1. Energetski dijagram P-N spoja prije uspostavljanja ravnotee * - pomone energetske osi prikazuju razdiobu naboja (p i n) u dva razliita tipa poluvodia. E + EC Za isti poluvodi vrijedi E FI = V . Gornja energija valentne vrpce EV na slici je 2 oznaena s 0. Na slici 3.1 prikazan je dodir P i N tipa poluvodia. Uspostavljen je kontakt, ali bez uspostavljanja ravnotee nositelja naboja. Ako pretpostavimo da na P-N spoj nije prikljuen napon, uz konstantnu temperaturu i bez djelovanja dodatne radijacije, moemo zakljuiti da kroz spoj ne moe tei struja tj. spoj se nalazi u ravnotei. Oigledno, razlike u koncentracijama nositelja na P strani (p0P i n0P) i N strani (n0N i p0N) prouzrokovati e difuzijsko kretanje nositelja s mjesta vie koncentracije prema mjestu nie koncentracije. Dakle, elektroni prelaze na P-stranu, a upljine na N-stranu. Elektroni koji prijeu u P-stranu rekombiniraju se sa upljinama iz P-strane, to izaziva gubitak upljina uz odgovarajue akceptore. Podruje P strane najblie kontaktu prvo "izgubi"
60
upljine kroz rekombinaciju, to izaziva da sada u ovom podruju nema slobodnih nositelja naboja, te ostaju samo negativno nabijeni akceptorski ioni. Na isti nain upljine iz P-strane difundiraju u N-stranu, gdje se rekombiniraju sa elektronima. Podruje N-strane neposredno uz kontakt gubi slobodne elektrone, te ostaju samo pozitivno nabijeni donorski ioni. Podruje oko kontakta u kojem nema slobodnih nositelja naboja naziva se podruje osiromaenja ili podruje prostornog naboja (s obzirom da ovdje postoje samo nepokretni naboji akceptorski tj. donorski ioni). Posljedica prostornog naboja je stvaranje unutranjeg elektrinog polja u zoni kontakta P i N strane (Slika 3.2).
dE K q = dx
EK =
q( x)dx
; permitivno st
Slika 3.2. Elektrino polje kontakta koje nastaje kao posljedica difuzije naboja. Unutranje polje ili polje kontakta je orijentirano prema negativnom naboju. Polje EK e postupno sprjeavati difuziju pozitivnog naboja kao i negativnog naboja. Prostorni naboj koji se sve vie gomila difuzijom oko kontaktne povrine konano potpuno zaustavi proces difuzije pa kaemo da je uspostavljeno ravnoteno stanje (Slika 3.3) tj. ukupna struja elektrona i upljina jednaka je nuli. Ravnotea nastupa kada se meusobno izjednae Fermijeve razine. Energetska razina N-strane se spustila za EB. Prijelaz nije skokovit, ve postepen. irina barijere na P-strani (dBP) ne mora biti jednaka irini barijere na N-strani (dBN). Energetsku razliku nazivamo barijerom jer ta energetska razlika koja je nastala, sprjeava dalji proces difuzije. Nakon uspostavljanja barijere, u P-poluvodiu imamo slobodne sve minoritetne nositelje naboja (jer su svi u vodljivoj vrpci), a samo mali broj slobodnih majoritetnih nositelja naboja (ispod iscrtane linije tj. E < EV EB). Napomenimo da je na slikama 3.1. i 3.3. energija EV oznaena s 0 jer ostale energije promatramo upravo u odnosu na gornju energiju valentnog pojasa. Isto tako, u N-tipu imamo slobodne sve minoritetne nositelje naboja, a samo mali broj slobodnih negativnih majoritetnih nositelja naboja (E > EG). Neto struja kroz barijeru mora u ravnotenim uvjetima biti jednaka nuli, posebno za elektrone i posebno za upljine. To se postie na taj nain da visina barijere (EB) koja postoji samo za veinske nosioce naboja, dozvoljava difuziju samo u onoj maloj mjeri kolika je potrebna da bi se ponitile struje manjinskih nositelja za koje barijera ne postoji. Za stanje ravnotee moemo dakle napisati sljedee relacije: I DN + I SN = 0 ; I DP + I SP = 0 (3.1)
61
gdje su IDN i IDP struje veinskih nositelja koji se injektiraju u svoja manjinska podruja (elektroni i upljine respektivno), a ISP i ISN struje manjinskih nositelja (upljine i elektroni respektivno).
P E N
EG EB (energija barijere)
EFP 0
EFN
dB
+ + + +
dBP dBN
Slika 3.3. Energetski dijagram P-N spoja u ravnotei. dB irina barijere (obuhvaa prostorni naboj) Potencijalna razlika izmeu P i N strane koja postoji pod ravnotenim prilikama naziva se kontaktni potencijal UK i iznosi
U K = E K ( x)dx
(3.2)
Kontaktni potencijal raste s porastom koncentracija veinskih nositelja u poluvodiu tj., to su koncentracije neistoa s obje strane barijere vee, to e i kontaktni potencijal biti vei. Tipine vrijednosti kontaktnog potencijala za nedegenerirane germanijeve P-N spojeve kree se u granicama od 0.2 0.6 V (najee 0.2 V), a za silicijeve P-N spojeve ove vrijednosti se kreu od 0.4 0.9 V (najee 0.7 V). Takoer, to je kristal vie oneien, debljina barijere je manja:
d BN N = A d BP N D
(3.3)
62
Kontaktni potencijal polagano opada s porastom temperature jer porastom temperature P i Nstrana tee intrinsinom stanju (Fermijev nivo se pribliava sredini zabranjene vrpce). Za ekstrinsino temperaturno podruje vrijedi izraz
UK kT N A N D ln q ni2
(3.4)
3.1.1. P-N spoj pod djelovanjem napona Ako P-N spoj smjestimo u elektrino polje, slobodni nositelji naboja e se moi, pod djelovanjem vanjskog polja, kretati, odnosno prelaziti dodirnu povrinu. To znai da e vanjsko polje utjecati na polje stvoreno kontaktom P-N, tako ga pojaati i na taj nain stvoriti veu barijeru ili ga smanjiti i stvoriti manju barijeru. Drugim rijeima, vanjsko polje kontrolira prijelaz nositelja naboja s jedne na drugu stranu dodirne povrine. Ispravljako djelovanje P-N spoja sastoji se u tome to e struja uz isti napon kod promjene polariteta (smjera narinutog polja) biti razliita.
Slika 3.4. Energetski dijagram P-N spoja za propusnu i nepropusnu polarizaciju Djelovanje vanjskog elektrinog polja zapravo znai da smo na P-N spoj prikljuili neki naponski izvor. Energetski dijagrami prikazani na slici 3.4. odgovaraju spajanju P-N spoja na naponski izvor kako je prikazano na slici 3.5.
63
P
I = - IS +
P
I = ID - IS +
Nepropusna polarizacija
Propusna polarizacija
Slika 3.5. Nepropusna i propusna polarizacija P-N spoja Ako na P-stranu P-N spoja spojimo pozitivni pol vanjskog napona, potencijalna barijera se smanjuje, a ako spojimo negativni pol, potencijalna barijera se poveava. U prvom sluaju difuzija veinskih nositelja se olakava, pa dolazi do pojaane injekcije elektrona na P-stranu i upljina na N-stranu tj. P-N spoj je propusno polariziran. Za sluaj poveavanja potencijalne barijere (minus pol na P-stranu), postoji samo struja manjinskih nositelja koja je vrlo mala i ne ovisi o naponu. Ovakva polarizacija se naziva reverzna ili nepropusna polarizacija. Dakle, s obzirom na postojanje majoritetnih i minoritetnih nositelja imamo dvije mogue struje: - ID : struja koja je rezultat kretanja veinskih (majoritetnih) naboja ili struja difuzije - IS : struja koja je rezultat kretanja manjinskih (minoritetnih) naboja ili struja saturacije tj. zasienja U propusnom sluaju ukupna struja je jednaka razlici struje difuzije i zasienja (Slika 3.6.a.): I = ID IS (3.5)
Minoritetni naboji uglavnom miruju ( I D [mA] >> I S [A] ), a ako se gibaju, onda je to u suprotnom smjeru od majoritetnih. U nepropusnom sluaju ukupna struja jednaka je struji saturacije (Slika 3.6.b.): I = I S
P IS ID N P IS N
(3.6)
a)
b)
Slika 3.6. Struje difuzije i saturacije za a) propusnu i b) nepropusnu polarizaciju
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 3.2. Poluvodike diode
64
P-N spoj koji ima izvode na N-strani i P-strani moe se ukljuiti u elektrini krug kao njegov element. Taj element nazivamo poluvodika dioda ili krae dioda. Osnovna osobina diode je nelinearnost karakteristike, tj. u jednom smjeru proputa veliku struju, a pad napona na njoj je mali. U drugom smjeru i pod velikim naponom struja je zanemariva. Pozitivan kraj pri proticanju struje zove se anoda, a negativan katoda.
Slika 3.7. Simboliki prikaz diode Ako na diodu spojimo izmjeninu struju, ona e je ispravljati. To je tzv. poluvalno ispravljanje (Slika 3.8.a).
Slika 3.8. Napon na otporniku R ako je napon izvora a) Izmjenini b) Istosmjerni (dioda propusno polarizirana) c) Istosmjerni (dioda nepropusno polarizirana)
65
Bitni sastavni dijelovi neke P-N diode dobivene postupkom difuzije neistoa prikazani su na slici 3.9.
metalni prikljucak
metalizirani film
0.2 mm
P N
1 mm
metalni prikljucak
Slika 3.9. Sastavni dijelovi P-N diode Da bi se izradila dioda, uzima se blok kristala, u prikazanom primjeru N-tipa. Jedan dio se tehnoloki obradi u P poluvodi i tako dobijemo diodu. Da bi se dioda mogla koristiti, potrebno ju je spojiti s ostalim elementima. Na povrini se nalaze metalni spojevi s izvodima. Na mjestima gdje je metal nanesen na diodu imamo jo jednu granicu tj. spoj metalpoluvodi. Taj spoj ima neki otpor koji je omski (neispravljaki) ako je energija rada izlaza metala manja od energije rada izlaza N poluvodia (EWM < EWN), odnosno za P-tip poluvodia energija rada izlaza metala treba biti vea od energije rada izlaza poluvodia (EWM > EWP). to je manji otpor, dioda e se manje zagrijavati. Ako elimo prenositi velike energije tankim icama, treba sniziti temperaturu (supravodljivo stanje). 3.2.1. Strujno-naponska karakteristika P-N dioda Pomou statike karakteristike diode moemo zakljuiti o stvarnim odnosima izmeu struje koja protjee diodom i napona na koji je ona prikljuena. Na slici 3.10. pozitivna i negativna strujna os nisu u istom mjerilu, jer bi inae struja IS bila premala da bi je primijetili na grafu. Ako poveavamo nepropusni napon, poveava se barijera. Izgleda kao da se nita ne dogaa. Ali, nije tako: poveavanjem negativnog napona ubrzavaju se minoritetni nositelji koji postiu tolike brzine da dolazi do proboja granice i unitenja P-N spoja. Taj napon zove se napon proboja (UPR). U propusnom podruju struja vrlo lagano raste do tzv. napona koljena ( U ), poslije ega nastupa vrlo strm rast (kaemo da dioda "vodi"). U propusnom podruju za struju kroz P-N diodu vrijedi jednadba do koje je doao Shockley: qU I = I S e kT 1 (3.7)
Na sobnoj temperaturi, T = 290 K (17C) vrijedi kT q = 0.025 = 40 I I S e 40U q kT
66
Slika 3.10. Statika karakteristika diode Dakle, s obzirom na radne temperature i napone, izraz (3.7) u praksi moemo pojednostavniti i koristiti jednadbu
qU
I I S e kT
(3.8)
Moe se pokazati da struja zasienja ili reverzna struja IS ovisi o temperaturi i irini zabranjene vrpce
I S = KT 3 e
odakle moemo dobiti izraz za struju diode
I = KT 3 e
EG kT
(3.9)
EG qU kT
(3.10)
Kako je ve napisano, naponi kod kojih dolazi do naglog porasta struje variraju u irokim granicama i kreu se od nekoliko volti do nekoliko kilovolti, ovisno o vrsti diode i tehnolokom postupku pri izradi, nazivaju se naponi proboja. Proboj nastupa zbog dva uzroka: a) tuneliranje (Zenerov proboj) b) lavinski proboj
67
Kod tuneliranja dolazi do prelaza valentnih elektrona iz P-poluvodia u vodljivu vrpcu Npoluvodia. Ovakav proboj nastaje u sluaju vrlo uskih barijera, odnosno za velika oneienja primjesnog poluvodia i objanjava se valnom prirodom elektrona. Iz fizike je poznato da elektroni uslijed svoje valne prirode mogu prolaziti kroz potencijalnu barijeru. Prolaenje elektrona kroz barijeru mogue je ako on moe zadrati svoju energiju i na drugoj strani barijere. Vjerojatnoa prolaenja je to vea to je barijera ua, a takoer i to vie ima elektrona s jedne strane barijere i vie slobodnih mjesta (nepopunjenih energetskih nivoa) s druge strane (Slika 3.11).
ECP EB E0 dB dB EVP ECN EVN
a)
b)
Slika 3.11. Tunelski proboj. a) Elektron moe proi kroz potencijalnu barijeru ako na suprotnoj strani postoji prazno mjesto (slobodan energetski nivo) i ako moe zadrati svoju energiju b) U P-N spoju elektroni iz valentne vrpce poluvodia P tipa mogu prei u vodljivu vrpcu poluvodia N tipa ako je dno vodljive zone ECN ispod nivoa valentne vrpce EVP i ako je pri tome irina barijere dB mala.
Lavinski proboj je uvjetovan manjinskim nositeljima koji slobodno prolaze barijeru, razbijaju valentne veze unutar barijere, zbog ega dolazi do stvaranja dodatnih parova elektron-upljina pa naglo raste ukupna struja. Ova pojava je mnogo ea i do nje dolazi kod irih barijera. Openito moemo pretpostavljati da za napon proboja UPR < 5 V dominira Zenerov efekt, za UPR > 8 V dominira lavinski efekt, a izmeu tih vrijednosti imamo simultano djelovanje oba mehanizma.
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 3.2.2. Neke vrste P-N dioda
68
Osim ve opisanih dioda iji se rad temelji na nelinearnosti opisane statike karakteristike, postoje i druge vrste dioda koje imaju neke specifinosti koje se u primjenama mogu iskoristiti. Najee su: Zener diode Tunel diode (Esaki diode) Diode s povrinskom barijerom (Schottky dioda) Varikap (kapacitivne) diode LED diode
Zener diode rade u zapornom (nepropusnom) podruju. Po svojoj konstrukciji i vanjskom izgledu Zenerova dioda je ista kao i ve opisane usmjerivake (ispravljake) diode. Razlikuju se po koncentraciji primjesa u poetnom poluvodiu. Naime kod Zenerovih dioda se mora tono odrediti koncentracija primjesa u poluvodiu, kako bi se dobio eljeni napon proboja. Ove diode koriste probojno svojstvo diode za stabilizaciju napona. Dobra Zenerova dioda ima malu struju zasienja sve do proboja, a probojni napon (koji nije destruktivan) je gotovo neovisan o struji. Za stabilizaciju napona najee se primjenjuju diode s probojnim naponima do 30 V.
Uul RE Uiz = Uz
Slika 3.12. Jednostavni regulator napona Tunel (Esaki) diode. Za dobivanje tunel diode koristi se poluvodiki materijal velikog oneienja, tj. degenerirani poluvodi. Tunel dioda ima karakteristiku koja je u velikoj mjeri razliita od standardne karakteristike (Slika 3.13). Koristi se iskljuivo u propusnom podruju. Struja u nepropusnom smjeru i u poetnom dijelu propusnog smjera je rezultat tuneliranja elektrona kroz barijeru.
I
g=0 g<0 g>0 g>0
g=0
1.
2.
3.
Slika 3.13. Strujno-naponska karakteristika tunel-diode
69
U podruju 1. i 3. prikazanim na slici 3.13. vodljivost normalno raste s poveanjem napona, a u podruju 2. vodljivost opada (negativan otpor ili vodljivost). Statika vodljivost (Slika 3.14) moe se izraziti kao: I G0 = 0 = tg 0 (3.11) U0
Slika 3.14. Grafiko odreivanje statike i dinamike vodljivosti Dinamika vodljivost je omjer struje i napona u radnoj toki, ali za male promjene napona i struje, tj. u okoliu radne toke. Sa slike 3.14. moemo oitati dinamiku vodljivost:
g0 =
dI I 2I = g0 = = tg 0 dU 2U U
(g = 1 / r )
(3.12)
gdje je r dinamiki otpor. Statika vodljivost je odreena kutom sekante, a dinamika kutom tangente. Kod tunel diode je u prvom podruju kut tangente pozitivan, na maksimumu je nula, a u drugom dijelu negativan. Zato kaemo da tunel dioda ima negativnu dinamiku vodljivost izmeu dva ekstrema. U tom podruju statika vodljivost opada poveanjem napona.
P ECP EVP EF ECN EVN a) Nema vanjskog polja (U=0) P N EFN ECN N ECP EVP EFP P N malo tuneliranje
EFN ECN EVN
b) Mala propusna polarizacija (U1>0) P N malo tuneliranje EFN ECN EVN d) Jo vea propusna polariz. (U3>U2)
ECP EVP
ECP EVP EFP
maksimalno tuneliranje
EFP
EVN c) Vea propusna polariz. (U2>U1)
Slika 3.15. Struja zbog tuneliranja kod propusne polarizacije tunel diode
70
Ono to razlikuje tunel diode od dioda kod kojih postoji samo Zenerovo tuneliranje jest dodatno tuneliranje elektrona iz vodljivog pojasa N-tipa u valentni pojas P-tipa i u podruju propusne polarizacije. To tuneliranje jo se zove i Esakijevo tuneliranje. Ovo tuneliranje mogue je ako je vrh valentnog pojasa P-tipa (EVP) iznad dna vodljivog pojasa N-tipa (ECN) to je mogue samo kod degeneriranih poluvodia, kao to prikazuje slika 3.15. Energetski dijagrami za razliite propusne polarizacije na slici 3.15. objanjavaju izgled UI karakteristike sa slike 3.13. Radi jednostavnosti, dijagrami su prikazani za T=0 K, dakle sva stanja ispod EF su popunjena, a sva stanja iznad EF su prazna. Temeljni princip rada je naravno isti i za vie temperature, no onda se mora voditi rauna da podjela izmeu praznih i popunjenih energetskih stanja nije "otra" kao za T=0 K. Slika 3.15.a) prikazuje energetski dijagram u ravnotenom stanju, kada nema nikakvog vanjskog polja. Tuneliranje elektrona, unato vrlo uskoj barijeri, nije mogue jer na suprotnoj strani nema dostupnih slobodnih energetskih stanja u koja bi elektroni doli. Meutim, ako se dioda propusno polarizira nekim malim naponom, dolazi do smanjenja polja kontakta, odnosno smanjenja barijere. Ovo je prikazano na slici 3.15.b) kao malo podizanje energija na N strani. Sada postoji mali broj elektrona u vodljivom pojasu na N strani za koje postoje odgovarajua (na istim energijama) slobodna energetska stanja na P strani. Ovo je na slici 3.15.b) prikazano kao malo osjenano podruje na energetskom dijagramu. Svi uvjeti za tuneliranje su za te elektrone ispunjeni, te oni tuneliraju iz vodljivog pojasa N strane u valentni pojas P strane. Drugim rijeima, uz vrlo malu difuznu struju veinskih nositelja (kao kod ispravljake diode), sada u propusnoj polarizaciji poinje tei i struja uslijed tuneliranja. Kako se napon propusne polarizacije poveava, ovo "preklapanje" energetskih stanja u P i N strani je sve vee, tj. broj elektrona koji tuneliraju je sve vei, tj. struja tuneliranja poinje naglo rasti (znatno bre nego difuzna struja, koja je jo uvijek vrlo mala). Upravo opisani proces porasta struje primarno uslijed tuneliranja odnosi se na podruje 1. na slici 3.13. Kada napon propusne polarizacije poraste do razine da postoji maksimalno "preklapanje" izmeu zauzetih energetskih stanja vodljivog pojasa na N strani i slobodnih energetskih stanja valentnog pojasa na P strani, struja tuneliranja je maksimalna, to prikazuje slika 3.15.c). Ova situacija odgovara granici izmeu podruja 1. i 2. na slici 3.13. Ako se napon propusne polarizacije nastavi i dalje poveavati, tj. ako se energetske razine na N strani nastave i dalje podizati, "preklapanje" zauzetih i dostupnih slobodnih energetskih razina na N, odnosno P strani poinje se smanjivati, kako prikazuje slika 3.15.d). Ovi naponi propusne polarizacije odgovaraju podruju 2. na slici 3.13. Javlja se situacija da sa poveanjem napona struja pada, to odgovara negativnom dinamikom otporu (vodljivosti), i upravo ovo podruje je ono gdje se tunel dioda u pravilu koristi. Daljnje poveanje napona propusne polarizacije nastavlja smanjivati broj elektrona koji mogu tunelirati, odnosno struju tuneliranja. Istovremeno, difuzna struja se nastavlja monotono poveavati. U podruju 3. na slici 3.13. difuzna struja se toliko povea da dominira u odnosu na struju tuneliranja, koja sa daljnjim poveanjem napona propusne polarizacije potpuno iezava - tunel dioda ponaa se sada kao obina ispravljaka dioda. Diode s povrinskom barijerom (Schottky diode). Za razliku od konvencionalnih dioda s P-N spojem koje se formiraju na spoju dva razliita tipa poluvodia, Schottky diode se formiraju na spoju izmeu metala (npr. Al) i poluvodia. Ispravljaki kontakt zavisi samo o veinskim nositeljima naboja i mnogo je bri od P-N spojeva ija je brzina rada ograniena relativno sporom rekombinacijom manjinskih nositelja naboja. Ova vrsta dioda takoer ima relativno mali pad napona (tj. mali napon koljena) od oko 0.25 V pa se esto koriste pri izradi brzih logikih vrata.
71
Varikap (Varaktor) diode. Varikap diode koriste kapacitet reverzno polariziranog P-N spoja. Ovaj kapacitet ovisi o reverznom naponu na P-N spoju, odnosno diodi. Prema tome, moe se koristiti kao promjenljivi kondenzator kod kojeg se kapacitet mijenja inverzno naponu reverzne polarizacije. Razlika u odnosu na obine ispravljake diode je to je proizvodnim procesom realiziran znatno vei kapacitet barijere. Tipina varikap dioda ima kapacitet od 160 pF pri naponu od 1 V, za razliku od kapaciteta od 9 pF pri naponu 10 V. LED (Light Emitting Diode). Prilikom rekombinacije elektrona sa upljinom, potencijalna elektrina energija se pretvara u elektromagnetsku energiju. Svakom rekombinacijom kvant elektromagnetske energije se emitira u formi fotona s frekvencijom (bojom) ovisnom o vrsti poluvodikog materijala, tonije o energetskom razmaku izmeu vodljive i valentne vrpce PN spoja. Npr. dioda od galij-fosfida (GaP) daje zelenu ili crvenu boju, a dioda od galij-arsenidfosfora (GaAsP) daje crvenu ili utu boju. Ova vrste diode radi na naponima od 1-4 V (napon koljena vei od 1V) i strujama od 2-40 mA.
3.3. Dovoenje diode u radnu toku i nadomjesni sklop
Na poluvodike diode obino se prikljuuju izmjenini naponi. Tim naponima je esto superponirana i istosmjerna komponenta napona. Ovisno o veliini amplitude izmjeninog napona razlikujemo rad u reimu malih signala kod kojeg se ne mora uzeti u obzir nelinearnost strujno-naponske karakteristike diode te rad s velikim amplitudama izmjeninog napona. Kod ovog reima rada mora se uzeti u obzir nelinearnost karakteristike. Diodu u radnu toku (I0, U0) dovodimo pomou istosmjernog napona U0. Izmjenini napon u(t) diodu dovodi u dinamiko stanje.
+
u(t)
+
U0
Slika 3.16. Dioda u radnoj toki

I0
2* 1
I0 + i(t)
2
1*
u(t)
+ +
U0
U0
a)
Slika 3.17. Dovoenje diode u radnu toku a) Statiko stanje; b) Statiko i dinamiko stanje
b)
72
Na slici 3.17.a prikazano je statiko stanje diode. U ovom sluaju u elektrinom krugu imamo istosmjerni napon. Pretpostavka je da dioda nee djelovati kao kratki spoj. Sama dioda predstavlja neki otpor u strujnom krugu, a taj otpor moemo odrediti iz
R= U0 1 = = ctg I 0 tg
(3.13)
R je omski otpor diode ili statiki otpor diode u radnoj toki. Drugi dio jednadbe (3.13) odgovara ve napisanom izrazu (3.11) u prethodnom poglavlju. Izmjenini napon (Slika 3.17.b) je znatno manji od U0. Izmjenini napon dovodi do promjene napona izmeu toaka 1 i 2 pa imamo izraz za dinamiki otpor r= 1 = ctg tg (3.14)
3.3.1. Nadomjesni sklop (ekvivalentna shema) Nadomjesni sklop diode za istosmjerni napon prikazan je na slici 3.18.a) i zapravo odgovara slici 3.17.a), dok je nadomjesni sklop za izmjenini napon (dinamiko stanje) prikazan na slici 3.18.b).
I0 1* R U 2*
1**
i(t) r u(t)
2**
a)
b)
Slika 3.18. a) Nadomjesni sklop diode za istosmjerni napon b) Nadomjesni sklop diode za izmjenini napon Za reim malih signala moemo pomou Shockleyeve jednadbe izraziti dinamiku vodljivost:
qU I = I S e kT 1 I S = KT e
3 EG kT
dI dU qU q I S e kT g= kT g=
(3.15.a)
73
Dinamiku vodljivost moemo odrediti i na drugi nain pomou izraza
I = ISe
qU kT
IS I + IS = ISe
qU kT
g=
q (I + I S ) kT
(3.15.b)
Za podruje propusnih polariteta vrijedi I >> I S pa drugi lan moemo zanemariti:
g=
Ako kaemo da je struja kroz diodu
q I kT
qU kT
(3.16)
I ISe
onda je dinamika vodljivost diode
g
i dalje
q q I= I S e kT kT kT
qU
(3.17)
q KT 3 e ( EG qU ) / kT kT qK 2 ( EG qU ) / kT g T e k
(3.18)
Za podruje nepropusnih polariteta vrijedi I = I S odakle uvrtavanjem u izraz (3.15.b) za vodljivost dobijemo
g=0
(3.19)
Na viim frekvencijama ponueni nadomjesni sklop nije dovoljno toan. Potrebno je u ekvivalentnu shemu uvesti i kapacitivnosti do kojih dolazi zbog difuzije naboja (Cdif) te parazitne kapacitivnosti dovoda (Cpar). Takoer, zbog tonosti uzet emo u obzir i omski otpor dovodnih spojeva (rs). dQ . Kapacitet difuzije moe se objasniti pomou poznate relacije za kapacitet C = dU Promjenom napona koji prolazi kroz diodu, promijenit e se i naboj (upljine difudiraju od barijere) i struja nakon uspostavljanja novog stacionarnog stanja. Omjer promjene ukupne vrijednosti injektiranog naboja upljina i promjene napona narinutog na diodu daje nam veliinu difuzijskog kapaciteta: Cdif = dQ dU (3.20)
74
Nastojimo da otpor dovodnih spojeva bude to manji. To postiemo smanjivanjem dovoda (skraivanjem iica). Na taj nain smanjujemo i parazitni kapacitet (kapacitet dovoda). Dioda e biti idealnija to su joj vodljivost (g) i kapacitet difuzije vei. Nadomjesni sklop dinamikog stanja diode u uvjetima propusne polarizacije prikazan je na slici 3.19.
rs <<
g >>
Cdif >>
Cpar <<
Slika 3.19. Nadomjesni sklop dinamikog stanja u uvjetima propusne polarizacije Za nepropusno polariziranu diodu imamo iskljuivo reverznu struju diode (Slika 3.20).
IS0 IS0 R >>
+ +
U0
IS a) b)
U c)
Slika 3.20. Nepropusna polarizacija diode a) Statino stanje ; b) Reverzna struja diode ; c) Nadomjesna shema za statino stanje Otpor R je vrlo velik jer je struja ISO vrlo mala. Dioda zatvara prolaz struje. Ukoliko imamo izmjenini napon na diodi u nepropusnom podruju vrijedi slika 3.21. Na slici 3.21.b) nije nacrtan istosmjerni izvor napona. Kod dinamikih pojava se izostavljaju istosmjerni izvori, ali se pretpostavlja da se dioda nalazi u nekoj unaprijed odreenoj statikoj radnoj toki.
75
IS0 r >>
u(t)
+
u(t)
U0
a)
b)
Slika 3.21. Pojednostavnjeni nadomjesni sklop diode u dinamikom stanju u nepropusnom podruju Za promjenu napona nema promjene struje. Izmjenina struja i(t) je toliko mala da se moe zanemariti. To znai da je dinamiki otpor diode r vrlo velik. Za nepropusnu polarizaciju pri viim frekvencijama (dinamiko stanje) nadomjesni sklop prikazan na slici 3.21. nije dovoljno toan. U ovoj nadomjesnoj shemi, za razliku od sheme propusne polarizacije, nema difuzije (radi obrnute polarizacije) pa nemamo kapaciteta difuzije. Umjesto njega, prisutan je kapacitet barijere (Cbar). Kapacitet barijere ovisi o promjeni naboja u barijeri (irina barijere se mijenja promjenom napona) dok kapacitet difuzije ovisi o promjeni naboja van barijere.
rs <<
g <<
Cbar
Cpar
Slika 3.22. Nadomjesni sklop dinamikog stanja u uvjetima nepropusne polarizacije Dakle, da zakljuimo: ako se dioda postavi pomou istosmjernog izvora baterije u odreenu statinu radnu toku propusno polariziranog stanja, onda se elektriki moe prikazati za dinamino stanje malih signala nadomjesnim sklopom na slici 3.19., a za nepropusnu polarizaciju nadomjesnim sklopom sa slike 3.22.
V.Papi : Predavanja iz osnova elektronike

3.4. Ograni enje snage u poluvodi kim diodama
76
Protok struje I kroz poluvodi ki kristal uzrokuje pad napona U, pa je snaga koja se razvija:
P U I
(3.21)
Ta se snaga (zbog omskog optere enja) o ituje kao toplina, odnosno kao porast temperature u poluvodi u u odnosu na temperaturu okoline. Ako temperatura poluvodi a TS prije e neku maksimalnu vrijednost TSmax, dolazi do unitenja poluvodi kog elementa (u ovom razmatranju, diode). Npr. za Ge-diode ova maksimalna temperatura je (grubo) oko 100 C, dok je za Si-diode oko 200 C. Stoga je o ito da je u radu diode (kao uostalom i bilo kojeg drugog poluvodi kog elementa) potrebno voditi ra una da snaga koja se razvija (disipira) na elementu ne izazove porast temperature iznad neke (od proizvo a a navedene) maksimalne vrijednosti TSmax. Porast temperature u poluvodi u ovisi o dva temeljna mehanizma. S jedne strane, snaga, zadana relacijom (3.21), koja se disipira kao posljedica protoka struje, "gomila" toplinu u materijalu i tako nastoji povisiti temperaturu poluvodi a. No, s druge strane, poluvodi je smjeten u okoli koji je u pravilu na nioj temperaturi. Toplina stoga prelazi prvo na ku ite u kojem je poluvodi smjeten a onda sa ku ita na okoli u kojem element radi (tipi no zrak), ime se temperatura poluvodi a nastoji sniziti (tj. izjedna iti sa temperaturom okolia). Prvi mehanizam o ito zavisi o elektri nim parametrima (tj. struji kroz poluvodi i padu napona), dok drugi zavisi o mehani koj izvedbi i okoliu. Radna temperatura poluvodi a TS dosegne se kada se ova dva mehanizma generiranja i odvo enja topline uravnotee (tj. kad je "priljev" topline uslijed disipirane snage P jednak "odljevu" topline prema to kama na nioj temperaturi, tj. okoliu). Ako je sa TA zadana konstantna temperatura okolia (ambijenta) onda e poluvodi biti na vioj temperaturi TS za ve u disipiranu snagu P (tj. ve i "priljev" toplinske energije). Drugim rije ima, razlika temperatura izme u poluvodi a i okolia, proporcionalna je snazi P koja se disipira uslijed protoka struje I:
TS
TA
K P
(3.22)
Konstanta proporcionalnosti K [C/W] se zove ukupni toplinski otpor kristal-okolina i esto se ozna ava sa RT. ili RTH . to je toplinski otpor K manji (uz konstantnu P i TA), toplina lake odlazi sa kristala u okoli (ve i "odljev", tj. bolje hla enje), pa e i TS biti nia. Stoga je maksimalna doputena snaga P koja se smije disipirati na diodi
Pmax TS max T A K
(3.23)
Vidimo da se maksimalna doputena snaga na diodi (i samim tim maksimalna struja I, uz pretpostavku da je pad napona na diodi U konstantan) moe pove ati na dva na ina. Prvi je da se snizi temperatura okolia TA , a drugi (koji se u pravilu koristi) je da se snizi K, tipi no dodavanjem vanjskog hladila. Kona no, potrebno je napomenuti da se upravo izloeno razmatranje analogno moe primijeniti i na ograni enja snage bilo kojeg drugog poluvodi kog elementa.
V.Papi : Predavanja iz osnova elektronike

3.5. Usporedba poluvodi ke i vakuumske diode
77
Elektronska cijev je izala iz upotrebe jer je za njenu upotrebu potrebna ve a energija. Ta energija se odnosi na zagrijavanje katode zbog emisije elektrona (elektronski oblak). Vakuumska dioda je gra ena od staklenog balona koji sadri katodu i anodu (Slika 3.24). Katoda je metalni cilindar gra en od metalnog oksida iji je izlazni rad elektrona dosta mali. Grije se arnom niti koja se napaja iz baterije (Uff). Vakuumska dioda djeluje kao ispravlja ka elektronska cijev.
IA
Smjer kretanja elektrona (dogovorni smjer struje)
Uizl(t) UIZL(t) = R * iIZL(t)
iIZL K
Uul(t)
Uizl(t) t
+ UFF
UA
+
t
a)
b)
Slika 3.24. a) Vakuumska dioda b) Poluvalno ispravljanje

Dok je anodni napon pozitivan, te e struja i dobivamo izlazni napon, a za negativni anodni napon nema privla enja elektrona pa struja ne te e (poluvalno ispravljanje). Karakteristika vakuumske diode razlikuje se od poluvodi ke (Slika 3.25). Anoda vakuumske diode porastom napona privla i sve vie elektrona, ali za odre enu vrijednost anodne struje dolazi do zasi enja polja. Struja e porasti jedino ako jo vie zagrijemo katodu. Zna i, vakuumska dioda ne moe pregoriti pove anjem napona. Ipak, kad napon toliko poraste da prostor izme u anode i katode nije dovoljna izolacija, sko it e iskra, odnosno dolazi do proboja. Probojni napon za vakuum je 2.5 kV/cm.
VAKUUMSKA DIODA Ia POLUVODICKA DIODA I povecanjem napona termicki sagori
IS
Ua u negativnom podrucju se ne dogada nista
napon proboja
Slika 3.25. Usporedba karakteristike vakuumske i poluvodi ke diode

3.6. Bipolarni tranzistori
78
Bipolarni tranzistori (transfer resistor otpornik prijenosa) su aktivni poluvodiki elementi koji u pravilu imaju tri elektrode. Za razliku od unipolarnih tranzistora, kod bipolarnih tranzistora korisnu struju kroz tranzistor ine veinski i manjinski nositelji naboja. Koriste se kao pojaala i elektronike sklopke. Bipolarne tranzistore moemo zamisliti kao spoj dva poluvodika spoja, pa mogu biti PNP i NPN tipa. Zbog toga se ovi tranzistori jo nazivaju i spojni (junction). Osnovna razlika izmeu ova dva tipa su obrnuti polariteti baterija. Osnovna ideja prilikom istraivanja koja su rezultirala prvim tranzistorom (1948. Barden i Brattain, 1949. Shockley) je bila pokuaj da se naponom i strujom (veliki napon i struja) u jednom elektrinom krugu upravlja pomou struje (male) iz drugog kruga.
N B
P B
B a)
b) Slika 3.26. Shematski i simboliki prikaz a) P-N-P i b) N-P-N tipa tranzistora

Tri elektrode koje tranzistor ima su: E emiter (emitira nositelje naboja), C- kolektor (sakuplja nositelje naboja), B baza.
E B
P N P
N P
C
a)
b) Slika 3.27. a) Legirani tranzistor b) Difuzno-planarni tranzistor
79
Baza je poluvodiki dio kroz koji prolaze nositelji naboja na putu iz emitera prema kolektoru. Ovisno o primijenjenom tehnolokom postupku proizvodnje tranzistora, irina baze varira. Ukoliko je koriten postupak legiranja (Slika 3.27.a), baza je fiziki ira (do 10-3 cm) nego to je irina baze dobivena difuzno-planarnim postupkom (Slika 3.27.b) gdje je irina baze manja od 10-4 cm. Legirani tranzistori imaju homogenu bazu i prikladni su za rad na niim frekvencijama, a difuzno-planarni tranzistori imaju nehomogenu bazu i rade na viim frekvencijama. 3.6.1. Osnovni principi rada tranzistora Normalno polarizirani P-N-P tranzistor prikazan je na slici 3.28. Openito imamo dva kruga ulazni i izlazni i dvije baterije koje osiguravaju potrebne napone tj. polarizacije. Mogua je i izvedba s jednom baterijom kojom se realiziraju dva napona. Ovisno o vrstama spoja (zajednikoj elektrodi) tranzistora moemo imati: spoj sa zajednikom bazom (ZB) spoj sa zajednikim emiterom (ZE) spoj sa zajednikim kolektorom (ZC)
Za tranzistor na slici ulazni krug je krug emiter-baza, a krug kolektor-baza je izlazni. Baza je zajednika za ulazni i izlazni krug pa kaemo da se radi o spoju sa zajednikom bazom. Za upoznavanje osnovnih svojstava i rada tranzistora spoj sa zajednikom bazom je najprikladniji pa emo njega objasniti iako se spoj sa zajednikim emiterom najee koristi. Kod uobiajenog rada tranzistora, bez obzira na vrstu spoja, dioda emiter-baza polarizirana je propusno, a dioda kolektor-baza nepropusno.
E P IE + UEB IB
B N
C P IC + UCB IE + UEB
E
PNP C
IB
IC + UCB
Slika 3.28. P-N-P tranzistor u spoju sa zajednikom bazom Kirchoffov zakon: IE + IB +IC = 0 (dogovor je da sve struje ulaze u tranzistor)
Za razliku od prikazanih polarizacija P-N-P tranzistora, za N-P-N tip tranzistora eljene polarizacije spojeva emiter-baza i kolektor-baza postiu se suprotnim polaritetom napona napajanja. Osnova rada tranzistora: Potrebno je omoguiti upljinama, koje su iz emitera injektirane u bazu, to potpuniji transport kroz bazu u kolektor. Nepoeljna rekombinacija upljina s elektronima u bazi e, kako je ve spomenuto, ovisiti o irini baze.
80
P E
E
IPE -INE
N B
-IR
P
E
IPC ICB0
IE + UEB
IB + UCB
IC
Slika 3.29. Unutranja kretanja nositelja naboja u normalno polariziranom P-N-P tranzistoru u spoju sa zajednikom bazom (ZB) Objasnimo sada unutranja kretanja naboja u normalno polariziranom P-N-P tranzistoru u spoju sa zajednikom bazom (Slika 3.29). U emiteru su majoritetni nositelji naboja upljine, a minoritetni elektroni, a u bazi je obratno. Kod spoja emiter-baza, vanjsko polje je orijentirano tako da smanjuje barijeru tj. imamo propusnu polarizaciju spoja emiter-baza. Javlja se kretanje i majoritetnih i minoritetnih nositelja naboja. Ta dva kretanja predstavljaju struju unutar emitera IE, gdje je IPE struja pozitivnih nositelja, a INE struja negativnih nositelja u emiteru. Po dogovoru je kretanje pozitivnih nositelja smjer struje, a kretanje negativnih nositelja je u suprotnom smjeru, pa tu struju oznaavamo s INE: I E = I PE + I NE (3.24)
upljine koje iz emitera stignu u bazu preko propusno polariziranog PN spoja emiter-baza sada u bazi predstavljaju manjinske nositelje, koji bi se, da je rije o normalnoj diodi, rekombinirali sa veinskim nositeljima u bazi (elektronima). Meutim, rekombinacija se ne dogaa trenutno, ve je potrebno neko konano vrijeme dok upljina ne "naie" na slobodni elektron. Zbog ovoga upljine koje iz emitera dou u bazu prou neki konaan put (difuzijsku duljinu) prije nego ieznu u procesu rekombinacije. Baza je fiziki izvedena na nain da je znatno ua od difuzijske duljine, pa se veina upljina koji su doli iz emitera ne stigne rekombinirati u bazi prije nego dou do spoja kolektor-baza. S obzirom da je ovaj spoj zaporno polariziran, el. polje du PN spoja kolektor-baza zahvaa pristigle upljine (koje su u bazi manjinski nositelji) i transportira ih u podruje emitera. Ovo predstavlja struju upljina u kolektoru, IPC. Dakle, moemo rei da emiter "emitira" upljine, i, zahvaljujui vrlo uskom podruju baze, veinu ovih upljina (tipino oko 99%) "pokupi" kolektor. Preostalih 1% upljina u bazi se uspijeva rekombinirati sa elektronima iz baze formirajui struju IR. Struja kolektora IC sastoji se gotovo iskljuivo od ovih upljina pristiglih preko baze iz emitera, IPC, a manjim dijelom i od struje zasienja ICB0 koja predstavlja vrlo malu struju zaporno polariziranog spoja kolektor-baza: I C = I PC + I CB 0 (3.25)
81
Struja baze IB ima tri komponente struja veinskih elektrona INE iz baze koji difuzno odlaze u emiter kroz propusno polariziran spoj, struja elektrona IR koji se uspiju rekombinirati sa manjim djelom upljina injektiranih iz emitera, te ve spomenuta struja zasienja ICB0: I B = I NE I R I CB 0 (3.26)
S obzirom da se tek oko 1% upljina koji iz emitera pristiu u bazu (IPE) rekombinira sa elektronima u bazi (formirajui IR), moe se rei da na svaki elektron u bazi koji se rekombinira emiter mora poslati oko 100 upljina, od kojih oko 99 "pokupi" kolektor. Drugim rijeima, struja IPC je oko 100 puta vea od struje IR, to predstavlja osnovu pojaivakog efekta tranzistora: mala promjena struje IB izaziva malu promjenu struje IR, ali to izaziva znatno veu promjenu IPE, samim tim i IPC, te konano struje IC. Oito je da, ako se eli postii to vei efekt pojaanja, potrebno je ostale komponente struja (koje ne doprinose opisanom efektu) minimizirati. Struja zasienja ICB0 je, kako je pokazano u razmatranju PN spoja, zanemarivo mala, pa je njen utjecaj malen. Meutim, struja INE se sastoji od veinskih nosilaca koji ne doprinose efektu pojaanja, pa se baza tipino vrlo slabo oneisti u odnosu na emiter. Na ovaj nain postie se da je difuzija elektrona iz slabo oneiene baze znatno manja nego upljina iz jako oneienog emitera, tj. |INE |<<| IPE|. Izraz za strujno pojaanje tranzistora u spoju sa zajednikom bazom je
I PC I = {I C = I PC + I CB 0 , I CB 0 << I PC } C IE IE
(3.27)
Iz opisanog principa rada tranzistora oito je uvijek IC < IE. U praksi je [0.95,0.995] . Faktor pojaanja je definiran pomou istosmjernih struja pa ga, strogo uzevi, nazivamo istosmjernim faktorom strujnog pojaanja spoja zajednike baze. Izmjenini faktor strujnog pojaanja raunamo iz omjera promjene struje kolektora i promjene struje emitera uz konstantni napon UCB (struja ICB0 ostaje konstantna):
' = (iC / i E )U
CB
(3.28)
Statika i dinamika vrijednost strujnog pojaanja se moe aproksimirati na istu vrijednost, ako promjene struje emitera i kolektora shvatimo kao amplitude izmjeninih vrijednosti tih struja uz dovoljno malu frekvenciju signala na kojoj moemo zanemariti reaktivne uinke. Moemo zakljuiti da tranzistor u spoju zajednike baze ne pojaava struju, odnosno koristi se kao naponsko pojaalo jer je redovito U CB >> U EB . Naponsko pojaanje posljedica je razlike dinamikih otpora ulaznog i izlaznog kruga. U ulaznom krugu propusno polarizirani spoj emiter-baza ima mali dinamiki otpor, a u izlaznom krugu nepropusno polarizirani spoj kolektor-baza ima veliki dinamiki otpor. Izlazna struja u dinamikim uvjetima je praktino neovisna o otporu potroaa u izlaznom krugu jer je taj otpor redovito puno manji od otpora baza-kolektor. Uz priblino jednake struje emitera (ulazna) i kolektora (izlazna) i vrlo veliku razliku u dinamikim otporima ulaznog i izlaznog kruga, na potroau iji je otpor vei od ulaznog dinamikog otpora, dobit emo vei izmjenini napon od ulaznog. Spoj zajednikog emitera (ZE) je najee koriten spoj tranzistora. Kod ovog spoja, baza je ulazna elektroda, a izlazna elektroda je kolektor (Slika 3.30). U normalnom radnom podruju spoj emiter baza je propusno polariziran, a spoj kolektor-baza nepropusno. Za P-N-P tranzistore vrijedi UCE = UBE + UCB, pa za nepropusnu polarizaciju spoja kolektor-baza mora takoer biti ispunjen uvjet U CE > U BE .
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike Faktor strujnog pojaanja spoja zajednikog emitera definiran je sa :
82
IC IB
(3.29)
Temeljem prvog Kirchhoffovog zakona IB + IC + IE = 0, te relacije (3.27) slijedi:
I E I E = = ( I E + I C ) I E I E 1
(3.30)
obino ima vrijednosti od 20 do 200. Dakle, tranzistor u spoju zajednikog emitera ima
veliko strujno pojaanje pa se koristi kao strujno pojaalo.
PNP B C
IC
E
IB
IE + UBE UCE Slika 3.30. - P-N-P tranzistor u spoju zajednikog emitera. U CE > U BE .
Spoj zajednikog emitera zbog U CE > U BE raspolae i s naponskim pojaanjem zbog ega imamo znatno pojaanje snage. Kao i kod spoja s zajednikom bazom, mogue je faktor strujnog pojaanja definirati omjerom promjene struje kolektora i baze:
= (iC / i B )U
CE
(3.31)
Spoj zajednikog kolektora (ZC) je spoj kod kojeg je kolektor zajedniki za ulazni i izlazni krug (Slika 3.31). Ovaj spoj nazivamo jo i emitersko slijedilo. Naime, kod ovakvog spajanja elektroda tranzistora, svaka promjena napona na bazi izaziva praktiki jednaku promjenu napona na emiteru pa moemo kazati da emiterski napon slijedi bazni. Naponskog pojaanja nema, ali ovaj spoj ima znaajno strujno pojaanje.
PNP B E
IE
C
IB
IC UBC UEC Slika 3.31. - P-N-P tranzistor u spoju zajednikog kolektora. U EC > U BC .
Vie o koritenju tranzistora za pojaanje signala elektronikim sklopovima.
biti e objanjeno u poglavlju o
83
Prema polarizaciji emiterskog i kolektorskog spoja, razlikujemo rad tranzistora u etiri podruja: 1. Normalno aktivno podruje. Spoj emiter-baza je polariziran propusno (PNP: UEB > 0), a kolektor-baza nepropusno (PNP: UCB < 0). Rad tranzistora u ovom podruju smo prethodno analizirali i ovo je uobiajeni nain rada kad tranzistor koristimo kao pojaalo. 2. Inverzno aktivno podruje. Kod ovog naina rada uloge emitera i kolektora su izmijenjene pa je spoj kolektor-baza propusno polariziran (PNP: UCB > 0), a spoj emiter-baza nepropusno (PNP: UEB < 0). Zbog konstrukcije tranzistora, faktor pojaanja je povoljniji ako se za emiter upotrebi elektroda predviena od strane proizvoaa iako nema bitnih razlika prema radu u normalnom aktivnom podruju. 3. Podruje zasienja. Oba spoja su propusno polarizirana (PNP: UEB > 0, UCB > 0). Naponi propusnih polarizacija su mali to uzrokuje mali otpor izmeu bilo kojih elektroda tranzistora. Rad tranzistora u podruju zasienja moe se prikazati kao superpozicija rada u normalnom i inverznom aktivnom podruju. 4. Zaporno podruje. Oba spoja su nepropusno polarizirana (PNP: UEB < 0, UCB < 0). Kao rezultat polarizacije imamo veliki otpor spoja emiter-baza kao i spoja kolektorbaza te malu struju (minoritetnih nositelja). Prebacivanje tranzistora iz zapornog podruja u podruje zasienja i obratno, koristi se u impulsnim elektronikim sklopovima za rad tranzistora kao sklopke. 3.7. Statike karakteristike tranzistora Grafiki prikazane zavisnosti izmeu ulaznog napona, ulazne struje, izlaznog napona i izlazne struje nazivaju se statikim karakteristikama. Ovisno o vrsti spoja i promatranim veliinama, imamo dvanaest familija karakteristika. Moemo ih podijeliti u etiri grupe: Ulazne karakteristike (npr. za spoj ZB: I E = f (U EB )U CB = konst . )
Izlazne karakteristike (npr. za spoj ZB: I C = f (U CB )I E = konst . )
Prijenosne karakteristike (npr. za spoj ZB: I C = f (I E )U CB = konst . )
Karakteristike povratne veze (npr. za spoj ZB: U EB = f (U CB )I E = konst . )
Pri tome je jedna od veliina, izlaznih odnosno ulaznih, konstantna. Za konstantnu veliinu odabiremo onu veliinu koju je najlake odravati konstantnom tijekom mjerenja. Najee se daju ulazne i izlazne karakteristike i s njima su statika svojstva tranzistora na odreenoj temperaturi odreena u potpunosti. Takoer je potrebno napomenuti konvenciju oznaavanja predznaka napona. Kako znamo, napon je razlika potencijala izmeu 2 toke. Obino se ove dvije toke oznae u indeksu napona. Npr. UCB predstavlja razliku potencijala izmeu kolektora (C) i baze (B). Pretpostavlja se da je potencijal toke prvog indeksa u oznaci napona vei od potencijala. Ako ovo nije tono, napon je negativan. Npr. UBE = -1V znai da je potencijal baze 1 V nii od potencijala emitera. Umjesto ovoga moglo se napisati i UEB = 1V. (isto kao UBE = -1V).
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 3.7.1. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajednike baze I UL = I E I IZ = I C U UL = U EB U IZ = U CB
84
Izlazna karakteristika: I C = f (U CB )I E = konst .
Ulazna karakteristika: I E = f (U EB )U CB = konst .
Slika 3.32 PNP tranzistor u spoju zajednike baze (ZB) a) Ulazne karakteristike; b) Izlazne karakteristike Iz ulaznih karakteristika prikazanih na slici 3.32.a) vidljivo je da porast napona propusne polarizacije UEB uzrokuje eksponencijalni porast struje emitera IE. Vea reverzna polarizacija spoja kolektor-baza uzrokuje neto veu struju emitera. Ulazne karakteristike imaju poznati oblik propusno polariziranog PN spoja, to je, s obzirom na opisani princip rada bipolarnog tranzistora, i oekivano. Izlazna karakteristika prikazana na slici 3.32.b). Za napon UCB < 0 tranzistor radi u normalnom aktivnom podruju, a za UCB > 0 tranzistor je u podruju zasienja. Vrlo mali porast struje IC s porastom iznosa napona UCB je posljedica Earlyevog efekta (efekt promjene irine baze kod promjene napona reverzne polarizacije). Mala ovisnost ulaznih karakteristika o izlaznom naponu UCB je takoer posljedica Earlyevog efekta. esto se ova ovisnost ulazne struje o izlaznom naponu zanemaruje i uzima kao jedna UI-karakteristika propusno polariziranog PN spoja emiter-baza, bez obzira na iznos izlaznog napona UCB. Napomena: primjeri su za P-N-P tranzistor. 3.7.2. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora za spoj zajednikog emitera I UL = I B I IZ = I C U UL = U BE U IZ = U CE
Izlazna karakteristika: I C = f (U CE )I B = konst .
Ulazna karakteristika: I B = f (U BE )U CE = konst .
85
IB [ A]
-120
UCE =-2V
IC [mA]
-12
IB = -300 A IB = -250 A
-100
-10
IB = -200 A
-80
UCE =-8V
-8
I = -150 A
-60
UCE =0V
-6
I = -100 A
-40 -4
I = -50 A
-20 -2
IC =ICE0
-0.3 -0.6 -0.9
IB = 0 A
-4 -6 -8 -10 -12 -14 -16
UBE [V]
-2
UCE [V]
Slika 3.33. PNP tranzistor u spoju zajednikog emitera (ZE) a) Ulazne karakteristike; b) Izlazne karakteristike Porastom napona UBE = -UEB struja IB raste eksponencijalno (Slika 3.33.a). Promatrajui izlaznu karakteristiku (Slika 3.33.b) moemo primijetiti znaajniji porast struje kolektora u ovisnosti o naponu UCE., dakle Earlyev efekt je u znaajnije izraen u izlaznim karakteristikama tranzistora u spoju ZE. Lijevo od koljena karakteristike tranzistor je u podruju zasienja jer vie nije U CE > U BE , to znai da je napon UCB>0 (propusna polarizacija). Isto tako, ako ne tee ulazna struja (IB=0) ulazni spoj baza-emiter nije propusno polariziran (po apsolutnom iznosu je manji od napona koljena PN spoja baza-emiter). U ovom sluaju tranzistor je u podruju zapiranja. 3.8. Ogranienja u radu tranzistora Ogranienja u radu tranzistora mogu se podijeliti u tri grupe: naponska ogranienja strujna ogranienja ogranienja snage
Za svaki tranzistor bi trebalo biti zadano polje izlazne karakteristike podruja unutar kojega je dozvoljeno da se nalazi radna toka tranzistora. To znai da moramo ograniiti struju, napon i snagu. PC = I IZ U IZ (3.32)
Naponska ogranienja su povezana s dozvoljenim vrijednostima napona spojeva kod kojih dolazi do proboja. Maksimalna dozvoljena toplina rada tranzistora izravno utie na tzv. ogranienja snage, a maksimalna dozvoljena snaga utie i na ogranienje struje. Postoje jo i frekvencijska ogranienja, ali ona su vezana uz dinamika svojstva tranzistora koja e biti izloena u narednim poglavljima.

PCMAX
86
IIZ IIZMAX
Slika 3.34. Ogranienja rada tranzistora radna toka se nalazi unutar osjenanog podruja 3.9. Dinamika svojstva bipolarnih tranzistora Istosmjerni naponi UBE, UCE, itd. (ovisno o vrsti spoja tranzistora) odreuju statiku radnu toku tranzistora. Osim ovih napona, djeluju i izmjenini (vremenski promjenjivi) naponi koji se superponiraju (zbrajaju) na istosmjerne pa kaemo da tranzistori rade pod dinamikim uvjetima. S obzirom da se bilo kakav izmjenini signal moe prikazati kao suma signala sinusoida razliitih amplituda i frekvencija, pravilu se analiza u izmjeninim uvjetima sprovodi nad signalom sinusoidalnog oblika. Kao posljedica ove izmjenine komponente je pomicanje radne toke po karakteristici oko statike radne toke Q (Slika 3.35). To je dinamiko stanje tranzistora. Sad i struja postaje promjenljiva vremenska veliina. Moemo primijetiti da e do veih promjena struje, zbog promjene napona, doi ako je karakteristika strmija.
UIZMAX UIZ
Slika 3.35. Rad tranzistora pod dinamikim uvjetima (PNP tranzistor u spoju zajednikog emitera) a) Dovoenje tranzistora u radnu toku; b) Izmjenina ulazna struja kao posljedica izmjeninog napona na ulazu Q je statika radna toka na ulazu Nelinearnost karakteristike uzrokovat e izoblienje u obliku izmjenine struje (u odnosu na ulazni napon), tj. struja nee biti potpuno sinusoidalnog oblika. Reim malih signala predstavlja linearnu aproksimaciju strujno-naponske ovisnosti. Ova aproksimacija vrijedi za
+
t
ube(t)
87
male ulazne izmjenine napone, kod kojih se moe uzeti da je oblik struje isti kao oblik napona (jer se nelinearna krivulja na malom segmentu oko statike radne toke tretira kao pravac, tj. kao da je linearna) 3.10. Tranzistor kao etveropol Ako nam sva svojstva tranzistora i nisu u potpunosti poznata, moemo ga prikazati kao etveropol (Slika 3.36). Openito, za neki element kojeg prikazujemo kao etveropol nije nuno znati na kojem principu radi i od kojih se elemenata sastoji. Dovoljno je znati zavisnost izmeu napona na njegovim krajevima i struja koje protjeu kroz te krajeve. Ukoliko su zavisnosti izmeu struja i napona linearne, potrebno je poznavati parametre etveropola. Osnovni razlog prikazivanja tranzistora kao etveropola je to se tranzistor aproksimira samo linearnim elementima (otpornik, te naponski i strujni izvori), to omoguava znaajno jednostavniju analizu itavog sklopa, nego da se u obzir uzimaju sve nelinearnosti u ponaanju tranzistora. Ovisno o vrsti jednadbi kojim opisujemo povezanost izmeu ulaznih i izlaznih napona i struja, postoji tri tipa etveropola: Z, Y i H.
PNP C B E E B
u1=UUL
+ i1=IUL
h11
+ - h21i1 +
1/h22
i2=IIZ
C
u2=UIZ
h12u2
crna kutija (cetveropol)
Slika 3.36. Tranzistor kao etveropol U Z-tipu su koeficijenti u sistemu jednadbi otpori (impedancije), u Y-tipu koeficijenti su vodljivosti (admitancija), a u H-tipu koeficijenti u sustavu jednadbi su mijeani (impedancija, vodljivost i bezdimenzionalne veliine). H-tip etveropola ili hibridni tip se vrlo esto koristi, njegovi parametri lako se odreuju iz statikih karakteristika tranzistora, pa emo njega i detaljnije objasniti. Dodatak: pojam efektivne vrijednosti u (t ) = U max cos(t + ) ; i (t ) = I max cos(t + ) Efektivna vrijednost izmjenine struje jednaka je onoj vrijednosti konstantne istosmjerne struje Ief koja na otporu R za vrijeme T proizvede istu koliinu topline kao i promatrana izmjenina struja i na istom otporu za isto vrijeme. Napiimo izraz za toplinu:

T
88
2 Q = i (t ) 2 Rdt = I ef RT I ef = 0
1 2 i(t ) dt T 0
i dalje
T T I2 1T I2 1 I2 1 2 1 2 I i (t )dt = I max cos 2 (t + l)dt = max [1 + cos(t + l)]dt = max T = max = max T 0 T 0 T 20 T 2 2 2
2
Napomena: Ako se sustavi jednadbi piu malim slovima, radi se o dinamikim (izmjeninim) veliinama, a ako se piu velikim slovima, to nije statika (istosmjerna) vrijednost, nego efektivna. Napiimo sada jednadbe H-tipa etveropola: u1 = h11i1 + h12 u 2 i2 = h21i1 + h22 u 2 ili u matrinom obliku
u1 h11 i = h 2 21 h12 i1 h22 u 2
(3.33)
(3.34)
Hibridne parametre definiramo na slijedei nain: u u h11 = hi = 1 ; h12 = hr = 1 i1 u =0 u2

2
;
i1 = 0
i h21 = h f = 2 i1
;
u2 =0
i h22 = ho = 2 u2
(3.35)
i1 = 0
Fizikalno znaenje hibridnih parametara: - hi je ulazna (eng. input) impedancija uz kratko spojeni izlaz za izmjenini napon () - hr je faktor naponske povratne (eng. reverse) veze uz otvoren ulaz za izmjeninu struju (broj bez dimenzije) - hf je faktor prijenosa struja sa ulaza na izlaz (eng. forward) uz kratko spojen izlaz za izmjenini napon (broj bez dimenzije) - ho je izlazna admitancija (eng. output) uz otvoren ulaz za izmjeninu struju (1/ = S Siemens) Na desnoj strani slike 3.36. prikazan je nadomjesni sklop za dinamiko stanje bipolarnog tranzistora u spoju zajednikog emitera. 3.10.1. Grafiko odreivanje hibridnih parametara na temelju ulaznih i izlaznih statikih karakteristika Parametre moemo izraunati iz statikih karakteristika uzimajui umjesto izmjeninih veliina prirataje odgovarajuih istosmjernih veliina (Slika 3.37). Prvo definirajmo parametre za tranzistor u spoju zajednikog emitera (ZE).
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike Ulazni h-parametar za spoj zajednikog emitera moemo definirati na slijedei nain:
h11 = hie = U BE I B
89
(3.36)
U CE = konst .
Povratni h-parametar za spoj zajednikog emitera definiramo kao:

h12 = hre = U BE U CE
(3.37)
I B = konst .
Prijenosni h-parametar za spoj zajednikog emitera definiramo kao:

h21 = h fe = I C I B
(3.38)
U CE = konst .
Izlazni h-parametar za spoj zajednikog emitera definiramo kao:

h22 = hoe = I C U CE
(3.39)
I B = konst .
IB
UCE=konst.
IB IB=konst.
UCE=UCE2-UCE1 UCE1 UCE2
IB
U BE hie = I B
UBE UBE
U CE = konst .
a)
U BE hre = U CE
UBE UBE
I B = konst .
b)
IC IC
IC
IB2
IB=IB2-IB1
B1
IC
IB=konst.
h fe =
I C I B
UCE=konst.
U CE = konst .
UCE
hoe =
c)
I C U CE
UCE
I B = konst .
UCE
d)
Slika 3.37. Definiranje h parametara iz statikih karakteristika. a) Ulazni parametar; b) Povratni parametar; c) Prijenosni parametar; d) Izlazni parametar Parametri za tranzistor u spoju zajednike baze (ZB) izraunavaju se na isti nain. Potrebno je samo uzeti odgovarajue karakteristike.
90
Ako su zadani hibridni parametri, oni vrijede za odreenu radnu toku. Obratno, ako su zadane statike karakteristike, moemo izraunati hibridne parametre za bilo koju radnu toku. Konano, treba napomenuti kako se esto koristi pojednostavljeni model u kojem se povratni i izlazni parametar (hre i hoe) zanemaruju, s obzirom na njihove vrlo male vrijednosti (jasno vidljivo iz slika 3.37 b) i d) ).
3.11. Nadomjesni sklopovi bipolarnih tranzistora
Nadomjesni sklopovi su sklopovi koji nam pokazuju zamiljenu unutranjost etveropola, te na taj nain omoguavaju proraun sklopova. Za idealni tranzistor u spoju zajednike baze, kod kojeg nemamo dodatnih otpora, kapaciteta i induktiviteta, oznaimo hibridne parametre na slijedei nain: h11b = re h12b = ec h21b = h22b = g c - dinamiki ulazni otpor idealnog tranzistora - faktor naponske povratne veze idealnog tranzistora - faktor strujnog pojaanja idealnog tranzistora - izlazna vodljivost idealnog tranzistora
Ako tranzistor nije idealan, onda realni hibridni parametri imaju neto izmijenjene oblike: h11b = h11b + rb 'b (1 ' )
' h12b = h12b + rb 'b g c h21b = h21b h22b = h22b
b b rbb b b
Slika 3.38. Idealni (iscrtano) i realni tranzistor (crta-toka) prikazan kao etveropol
a) ZB (Earlyjev nadomjesni sklop)
Sklop koristi jedan strujni i jedan naponski izvor. Naponski izvor ima vrijednost ec u cb . Napon u cb je napon na idealnim stezaljkama. Ce kondenzator na emiterskom otporu
91
Cc kondenzator na kolektorskoj vodljivosti. Ovo su parazitski kapaciteti koji se javljaju pri visokim frekvencijama, tj. za niske frekvencije kondenzatori na slici 3.39. mogu se zanemariti. ic + + ie c e re
Ce
+ -
ecucb
-ie Cc
1/gc
ueb
ucb
ib b
rbb b
Slika 3.39. Earlyjev nadomjesni sklop

b) ZE (Giacolettov nadomjesni sklop)
Ovaj nadomjesni sklop sadri samo jedan izvor (strujni). Hibridni nadomjesni sklop (shema ima oblik ) spoja zajednikog emitera je openito jedan od najee upotrebljavanih. Za niske frekvencije se kondenzatori na slici 3.40. mogu zanemariti. ' gm strmina tranzistora g m re Cbc
+ ib
rbb
b 1/gbc
ic
gmube ube ube 1/gbe 1/gce Cbe uce
e
Slika 3.40. Giacolettov nadomjesni sklop

3.12. Vakuumska trioda
92
Trioda (Slika 3.41.b) je elektronska cijev koja se sastoji od tri elektrode: katode, reetke i anode. One su smjetene u vakumiranoj posudi od stakla ili metala. Katoda je graena kao i kod katodne cijevi: metalni cilindar je prekriven metalnim oksidom, a unutar cilindra se nalazi grijae tijelo koje se napaja istosmjernim izvorom (Slika 3.41.a).
IA
Uff
K UG G a) + UAA b) +
Slika 3.41. a) Katoda b) Vakuumska trioda G reetka (mreica)

Emitirani elektroni bivaju privueni pozitivnim naponom anode. Ako elimo smanjiti anodnu struju, mreica mora biti takvog naboja da koi elektrone i tako se regulira struja. Kad je mreica na nultom naponu imamo maksimalnu anodnu struju i svi elektroni s katode dou na anodu. Anodni napon UAA moe biti i oko 200-300 V, dok je napon mreice UGG oko 5-6 V. Ipak, djelovanje reetke je jae jer je ona blie katodi. Za vakuumsku triodu (kao i za sve druge elektronske cijevi) vrijedi Barkhausenova relacija:
= S ru
(3.40)
gdje je pojaanje diode, S strmina, a ru unutranji otpor. Iz karakteristike triode prikazane na slici 3.42. moemo primijetiti da negativniji napon reetke UG ima za posljedicu manju anodnu struju. Strmina S je omjer vrlo male promjene anodne struje i vrlo male promjene napona reetke pri konstantnom anodnom naponu. Drugim rijeima, kae nam koliko je jak utjecaj negativnog napona reetke na anodnu struju:
di i S = A = A du G U A = konst . u G
(3.41)

IA (mA)
93
UA1 UA2 UA3
-UG3
-UG2
-UG1
-UG (V)
UA (V)
U G1
Slika 3.42. > U G 3 ; U A1 > U A3
Unutarnji otpor ru je omjer vrlo male promjene anodnog napona i odgovarajue promjene anodne struje pri konstantnom naponu reetke:
du u ru = A = A di A U G = konst . i A
(3.42)
Faktor pojaanja je omjer vrlo male promjene anodnog napona i odgovarajue promjene napona reetke pri konstantnoj anodnoj struji:
= A du G I
du
=
A = konst .
u A u G
(3.43)
3.13. Unipolarni tranzistori
Ideja o upravljanju prolaza struje (i njenom pojaanju) kroz poluvodie pomou vanjskog elektrikog polja, iako starija od one koja je dovela do konstrukcije bipolarnih tranzistora, zbog tehnolokih problema uspjeno je realizirana tek 1953. godine. Kod unipolarnih tranzistora, izlazna struja je struja veinskih nositelja koja nastaje uz zanemarivo malo djelovanje manjinskih nositelja. Oni se lake proizvode od bipolarnih tranzistora i zauzimaju manje prostora pa se intenzivno koriste u proizvodnji integriranih krugova. Imaju vrlo veliku ulaznu impedanciju, tako da ih se moe usporediti s elektronikim cijevima. Openito troe manje snage, ali imaju i manje pojaanje. Unipolarni tranzistor je, kao i elektronska cijev, naponsko upravljani elektroniki element, dok je bipolarni tranzistor strujno upravljani elektroniki element. Moe se kazati da se bipolarni tranzistori vie koriste u analognim, a unipolarni u digitalnim sklopovima.
94
Unipolarni tranzistori se jo nazivaju i tranzistori s efektom polja (Field Effect Transistor FET), a postoje dva osnovna konstrukcijska oblika: spojni tranzistori s efektom polja (Junction Field Effect Transistor JFET) metal oksidni poluvodiki tranzistor s efektom polja (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor MOSFET) ili tranzistor s efektom polja s izoliranom upravljakom elektrodom
3.14. JFET
Spojni tranzistori s efektom polja (JFET), kao i MOSFET tranzistori imaju tri elektrode: upravljaka elektroda ili vrata (G gait) odvod ili ponor (D drain) uvod ili izvor (S- source)
Odvod (D) i uvod (S) su osnovne elektrode, a vrata (G) upravljaka elektroda. Ovi tranzistori se proizvode s kanalom N i P tipa, a tehnoloki postupci koji se koriste pri proizvodnji su legiranje i difuzija (noviji).
UGS ID D SiO2
+ -
G P
metal
G G P N
+
P
-
UDS
N P
osiromaseni sloj
osiromaseni sloj (barijera)
S
+ -
metal
UGS
-
UDS a) b)
Slika 3.43. Prikaz spojnog FET-a s izvorima napajanja (zajedniki uvod ZS) a) N-kanalni JFET dobiven procesom legiranja ; b) N-kanalni JFET dobiven procesom difuzije
Iako su prvi tranzistori bili izraeni od germanija, uglavnom se koriste silicijevi kristali zbog boljih svojstava silicija pri visokim temperaturama. Simboli spojnog FET tranzistora prikazani su na slici 3.44. Objasnimo sada rad JFET-a prikazanog na slici 3.43.a). Slabo dopirani N tip poluvodia koji ima oblik tapa predstavlja kanal s odvodom ili ponorom (D-drain) na jednom kraju i uvodom (S-source) na drugom. Dva jako dopirana P podruja nalaze se sa strane glavne osi kanala i meusobno su povezana. Ova dva jako dopirana podruja (3-valentne neistoe) i
95
slabo dopirano N podruje (5-valentne neistoe) zajedno tvore PN spoj, a cijelo to podruje se naziva upravljaka elektroda ili vrata (G gate).
D D
S a) b)
Slika 3.44. Simboli JFET-a a) N kanalni JFET; b) P kanalni JFET

Izmeu elektroda D i S prikljuen je napon UDS (UDS > 0), a izmeu prikljuaka P podruja oznaenih s G i elektrode S prikljuen je napon UGS. Napon UGS osigurava reverznu polarizaciju PN spoja (UGS = - USG < 0). Napon izmeu elektrode D i G je pozitivan (UDG > 0 ).
D ID + UDS G UGS + S a) b) G + UGS -
D ID UDS +
Slika 3.45. Ispravna polarizacija FET-a: a) N kanalni; b) P kanalni

S obzirom na mnogo vee oneienje P podruja, barijera (osiromaeno podruje) koje nastaje uslijed reverzne polarizacije PN spoja, kako je i vidljivo sa slike 3.43.a), iri se gotovo iskljuivo na N stranu. Najiri dio barijere je u podruju prikljuka odvoda (D) jer su na tom podruju PN spojevi najvie inverzno polarizirani (UDS > 0 za N - kanalni JFET). Struja koja tee kroz preostali dio kanala ovisi o naponu UDS, ali i o naponu UGS.
96
Naime, uz neki konstantni iznos napona UDS, struja e biti sve manja kako poveavamo napon reverzne polarizacije UGS. to je napon reverzne polarizacije vii, ui je kanal (iri se barijera). Kako otpor direktno ovisi o irini presjeka kanala, ui kanal ujedno znai i vei otpor. Iz Ohmovog zakona znamo da uz konstantni napon i vei otpor dobijemo manju struju. Za dovoljno veliku vrijednost inverznog napona UGS (tzv. napon dodira, UP) kanal cijelom irinom postaje nevodljiv i struja kroz njega pada na nulu. Za sluaj N kanalnog FET-a, nosioci naboja su elektroni (veinski nosioci u kanalu), a kod P kanalnog FET-a nosioci su upljine. Manjinski nosioci nemaju nikakvu ulogu u radu tranzistora. Drugim rijeima, rad tranzistora ovisi samo o nosiocima jednog polariteta. Stoga se ova vrsta tranzistora naziva i unipolarni. Efekt polja se oituje u injenici da su osiromaena podruja u kanalu rezultat djelovanja elektrinog polja na inverzno polariziranim PN spojevima (upravljaka elektroda kanal). Osim prikazanog sluaja zajednikog uvoda (ZS), kao i kod bipolarnih tranzistora moemo imati spojeve sa zajednikom upravljakom elektrodom (ZG) i zajednikim odvodom (ZD). 3.15. Statike karakteristike N kanalnog JFET-a Ponaanje JFET-a bitno je odreeno osiromaenim PN spojem. Uobiajeno je promatrati ponaanje struje ID u ovisnosti o naponu UDS za neku konstantnu vrijednost napona UGS (izlazna karakteristika JFET-a). Objasnimo ovu karakteristiku uz UGS = 0 (Slika 3.46).
ID (mA) IDSS
triodno p. pod. zasicenja pod. proboja
UP
UPR
UDS (V)
Slika 3.46. ID = f(UDS); UGS = 0 Razlikujemo tri podruja rada: triodno podruje (ili ohmsko podruje), podruje zasienja i podruje proboja. Normalni rad JFET tranzistora je u podruju zasienja. Struja ID koja prolazi kanalom, stvara pad napona zbog otpora kanala. Kao posljedica ovog pada napona, napon izmeu upravljake elektrode (G) i neke toke na kanalu nije konstantan. To dovodi do razliitog irenja osiromaenog sloja du kanala. Najvea inverzna polarizacija PN spoja je u podruju odvoda (D) pa je i osiromaeni sloj upravo tu najiri. Promotrimo sada ponaanje struje ID u ovisnosti o naponu UDS ako su upravljaka dioda (G) i uvod (S) kratko spojeni (UGS = 0). Za manje napone UDS porast struje ID je priblino linearan. Zbog sve vee inverzne polarizacije PN spoja poveavanjem napona UDS, kanal se suava i otpor raste. Kada napon toliko naraste da dolazi do prekida kanala,
97
dolazi do struje zasienja IDSS. Ovo je maksimalna struja koja se moe postii. Ovaj napon (UP) naziva se napon prekida ili dodira (pinch off voltage). Podruje napona do napona dodira naziva se triodno podruje jer je karakteristika slina karakteristici triode. Za napone vee od napona dodira (UDS > UP) daljnjim poveanjem napona UDS dolazi do neznatnog poveanja struje ID. Ovo podruje naziva se podruje zasienja. Za vrijednost napona UDS = UPR dolazi do proboja i vjerojatnog unitenja tranzistora. Spajanjem UGS < 0 (N kanalni tranzistor), jo vie se inverzno polarizira PN spoj pa i pri UDS = 0 postoji osiromaeno podruje u kanalu. Posljedica ovog napona je ua poetna irina kanala, dakle vei otpor pa stoga krivulja ID = f(UDS) ima manji nagib. Za negativnije napone UGS dovoljni su nii naponi UDS kako bi uli u podruje zasienja. Izlazna karakteristika N kanalnog tranzistora prikazana je na slici 3.47.
ID (mA) 10 8 6
UGS= -2.5 V UGS= -1.5 V triodno p. pod. zasicenja UDS= UGS+ UP UGS= 0
4
UGS= -3.5 V
2 0 5 10 15 UDS (V)
Slika 3.47. Izlazna karakteristika realnog N kanalnog JFET-a. U podruju zasienja ovisnost ID o ulaznom naponu UGS moe se priblino izraziti pomou jednostavne relacije:
U I D (U GS ) = I DSS 1 + GS UP
2
(3.44)
odnosno
I D (U GS ) = K (U GS + U P ) ;
2
K=
I DSS
2 UP
(3.45)
gdje je K konstanta ovisna o fizikim parametrima i geometriji tranzistora (za N kanalni tranzistor napon UP > 0, a UGS < 0). Prikaz ovisnosti struje ID o naponu UGS uz konstantan UDS, predstavlja prijenosnu karakteristiku (lijeva strana slike 3.48). Faktor naponskog pojaanja tranzistora moemo izraunati iz:
=
U DS U GS
(3.46)
I D = konst .
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike a dinamiki otpor pomou izraza

rd = U DS I D
98
(3.47)
U GS = konst .
Strmina, tj. parametar gm, govori koliko e promjena ulaznog napona promijeniti izlaznu struju tranzistora uz konstantan izlazni napon:
gm = I D U GS
(3.48)
U DS = konst .
ID (mA)
IDSS
triodno p.
pod. zasicenja UGS= 0
10 8 6
UDS= 10 V UGS= -2.5 V UGS= -1.5 V
4
UGS= -3.5 V UGS= -UP
2 -3.5 -1.5 0 5 10 15 UDS (V)
UGS (V)
Slika 3.48. Prijenosna karakteristika N kanalnog JFET-a. ID = f(UGS); UDS = konst. 3.16. Nadomjesni sklop JFET-a Na slici 3.49. prikazana je nadomjesna shema JFET-a. Na niskim frekvencijama mogu se zanemariti kapaciteti Cgd i Cgs.
G Cgd D
Ugs
Cgs
gmUgs
rd
Uds
Slika 3.49. Nadomjesni sklop JFET-a.
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 3.17. MOSFET
99
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ili tranzistor s efektom polja s izoliranom upravljakom elektrodom se kao i JFET proizvodi u dva podtipa: N kanalni na podlozi Ptipa (Slika 3.50) i P kanalni na podlozi N - tipa. Takoer se mogu proizvesti kao osiromaeni i obogaeni tip. Kod ove vrste tranzistora ne postoji vodljivi kontakt izmeu upravljake elektrode (G) i poluvodikog materijala pa zbog toga ne moe doi ni do struje u krugu upravljake elektrode ak i u sluaju kad je napon UGS > 0 (propusna polarizacija PN spoja). Osnovna karakteristika MOSFET tranzistora je vrlo veliki ulazni otpor (~1015 ).
S G
metal SiO2
N+ P (podloga)
N+
Slika 3.50. N kanalni MOSFET Za primjer MOSFET-a obogaenog tipa sa slike 3.50, na podlozi od visokootpornog poluvodikog materijala P-tipa (Si) difuzijom su oformljena dva podruja jako dopiranog materijala N-tipa. Jedno N podruje predstavlja izvor ili uvod (S), a drugo odvod (D). Cijela povrina je prekrivena tankim slojem silicijevog oksida koji slui kao dielektrik s otvorima za metalne prikljuke uvoda i odvoda na odgovarajue N podruje. Upravljaka elektroda (G) nalazi se na povrini izmeu odvoda i uvoda. Zbog ove slojevitosti metaloksid-poluvodi i nastao je naziv MOSFET. Sada razmotrimo ponaanje N-kanalnog MOSFET-a. P-kanalni MOSFET ponaa se na isti nain, ali uz obrnute polarizacije napona. U normalnom radu N-kanalnog MOSFET-a, napon izmeu odvoda (D) i uvoda (S) prikljuen je tako da je UDS > 0 (Slika 3.51). Ako na upravljakoj elektrodi nije prikljuen nikakav napon, podloga P-tipa i dva N podruja predstavljaju dvije PN diode od kojih je jedna propusno, a druga nepropusno polarizirana. Kako obje diode nisu propusno polarizirane, cijeli spoj se ponaa kao veliki otpor izmeu uvoda i odvoda. Prikljuivanjem pozitivnog napona (s obzirom na uvod) na upravljakoj elektrodi, u P-tipu poluvodia e se inducirati negativni naboj, tj. elektroni e biti privueni u blizinu metalne ploe upravljake elektrode, ali zbog sloja SiO2, nee prei na nju. Ovi elektroni, koji za podlogu predstavljaju manjinske nosioce, skupljajui se ispod ploe u podruju od uvoda do odvoda. Ulazni napon UGS pri kojemu koncentracija elektrona postaje jednaka koncentraciji upljina u podlozi P-tipa naziva se napon praga UP (ili UT, eng. treshold). Pri ovome naponu izmeu izlaznih elektroda uvoda i odvoda formira se kanal N-tipa, pa potee izlazna struja ID. S obzirom da se u podlozi (poluvodiu P-tipa) formira kanal (poluvodi N-tipa) ovaj efekt naziva se inverzija kanala. Promjenom potencijala na upravljakoj diodi mijenja se i "dubina" kanala ("dublji" kanal manji otpor) pa se na taj nain upravlja strujom odvoda. Poveanjem pozitivnog napona upravljake elektrode (G) sve vie elektrona je privueno kanalu te se poveava
100
koncentracija elektrona (kanal postaje "dublji"), pa je i ID.vea. Obrnuto, smanjenjem UGS smanjuje se i ID.. Ovo je osnovni princip kontrole ID pomou UGS. Kanal prikazan na slici 3.51 zapravo nije ravnomjerno "dubok" (tonije, nema ravnomjernu koncentraciju elektrona) cijelom duljinom. Ravnomjerna "dubina" kanala bila bi za napon UDS = 0, ali zbog postojanja napona, to nije sluaj. Kako smo ve vidjeli, kod N-kanalnog MOSFET-a odvod (D) je pozitivniji od uvoda (S). Zbog toga je u blizini odvoda kanal znatno pozitivniji prema upravljakoj diodi (G) nego to je to sluaj na drugom kraju, odnosno uvodu (S). Manja razlika potencijala izmeu odvoda i upravljake diode u usporedbi s razlikom potencijala izmeu upravljake diode i uvoda kao posljedica ima mnogo "plii" kanal uz odvod (D), a "dublji" uz uvod (S). Porast potencijala odvoda (kao posljedica porasta ID) uzrokuje smanjenje koncentracije elektrona u podruju oko odvoda, odnosno smanjenje vodljivosti kanala tj. jo "plii" kanal u blizini odvoda zbog smanjenja razlike potencijala izmeu upravljake elektrode (G) i odvoda (D). Ovaj efekt je sve izraeniji sa rastom UDS , zbog ega je porast ID sve sporiji. .
UGS +
G D
kanal N-tipa
ID
G2
UDS +
Slika 3.51. Ispravna polarizacija napona N-kanalnog MOSFET-a Kada napon UDS poraste dovoljno da razlika potencijala izmeu odvoda i upravljake elektrode (UGS-UDS) dosegne napon praga, tj. kada UDS=UGS-UP, kanal iezava u podruju odvoda, no struja se odrava na konstantnoj razini zbog velikog elektrinog polja koje "prebacuje" elektrone preko osiromaenog podruja. Daljnje poveanje napona odvoda ima vrlo mali utjecaj na struju odvoda ID. Za tranzistor u ovom stanju kaemo da je u zasienju.
Slika 3.52. Simboli MOSFET-a
101
Tvorniki se moe oformiti kanal s istim tipom primjesa kao uvod i odvod. Na ovaj nain postie se proticanje struje ID i kad je napon UGS = 0, ukoliko postoji napon izmeu uvoda i odvoda, a ovakav tip MOSFET-a naziva se osiromaeni tip. Kod ovog tipa, mogue je i smanjivati UGS (i samim tim smanjivati ID) "osiromaiti" kanal - tako da UGS <0 i to sve dok UGS.= UP. Nakon ovoga kanal vie ne postoji i struja ID =0. Simboli za obogaeni i osiromaeni tip MOSFET-a prikazani su slikom 3.52. 3.18. Statike karakteristike MOSFET-a MOSFET, kao i JFET, ima dva osnovna podruja rada s prijelaznim podrujem izmeu njih. Za male napone UDS, tranzistor je u triodnom podruju kod kojeg je struja odvoda priblino proporcionalna naponu UDS. Vie vrijednosti napona UDS dovode do zasienja, a tada je struja odvoda gotovo neovisna o naponu UDS. U ovom drugom podruju rada, struja odvoda odreena je naponom upravljake diode. Tipine izlazne i prijenosne karakteristike prikazane su na slikama 3.53. i 3.54.
Slika 3.53. Izlazne karakteristike N-kanalnog MOSFET-a.
Slika 3.54. Prijenosne karakteristike N-kanalnog MOSFET-a. Kao to se vidi, osiromaeni tip vodi struju ID i za negativne (do UP) i za pozitivne polarizacije napona UGS. Takoer, za razliku od JFET-a, kod MOSFET-a nema
102
maksimalne struje IDSS. Struja ID moe rasti sve dok se poveava UGS (naravno, uz ogranienja snage koje navede proizvoa). MOSFET, (kao i JFET) kada radi kao pojaalo, uobiajeno radi u podruju zasienja gdje je izlazna struja odreena prvenstveno ulaznim naponom, a utjecaj izlaznog napona (na odvodu) nije velik. U triodnom podruju moe se koristiti kao naponski upravljan promjenjiv otpornik. U podruju zasienja veza izmeu struje ID i napona UGS moe se opisati jednostavnim izrazom
I D = K (U GS U P )
2
(3.49)
gdje je K konstanta koja ovisi o fizikalnim parametrima i geometriji tranzistora. Granica izmeu triodnog podruja i podruja zasienja ovisna je o naponu dodira UP prema izrazu U DS (dodira ) = U GS U P (3.50)
Iz nagiba prijenosne karakteristike moe se odrediti parametar gm (strmina) i rd (otpor odvoda). Vrijede isti izrazi kao i za JFET:
gm = I D U GS ;
U DS = konst .
rd =
U DS I D
(3.51)
U GS = konst .
Ulazni otpor je praktino beskonaan (jer je upravljaka elektroda potpuno izolirana). 3.19. Nadomjesni sklop MOSFET-a Nadomjesni sklop MOSFET-a gotovo je u potpunosti jednak onom JFET-a. Na malim frekvencijama nema nikakve razlike dok kod viih frekvencija u razmatranje uvodimo osim parazitnih kapaciteta Cgd i Cgs i parazitni kapacitet Cds.
Cgd
Ugs
Cgs
gmUgs
rd
Cds
Uds
S
Slika 3.55. Nadomjesni sklop MOSFET-a
103
3.20. Ogranienja rada i prednosti unipolarnih tranzistora
Ako iz nekog razloga raste temperatura u okolini tranzistora, i kod JFET-a i kod MOSFET-a dolazi do linearnog pada struje. Kod MOSFET-a je pad manje izraen (Slika 3.56). Ovo svojstvo je prednost nad bipolarnim tranzistorima kod kojih porastom temperature dolazi do porasta struje, to dovodi do veeg pada napona koji uzrokuje poveanje snage. Poveanje snage uzrokuje poveanje temperature... sve do termikog bijega (proboja). Kod unipolarnih tranzistora ne moe doi do termikog bijega.
ID(T) ID(T=250C) 2 1.5 1 0.5 0 -50 -25 0 25 50 75 100 T(0C)
JFE T
MOSFET
Slika 3.56. Ovisnost struje ID o temperaturi

Proboj kod JFET tranzistora je u osnovi proboj izmeu kanala i upravljake elektrode. to je apsolutni napon upravljake elektrode vei, probojni napon odvoda je manji. Proboj MOSFET-a nastupa zbog poveanja napona odvoda i poveanja napona upravljake elektrode. Na odvodu zapravo dolazi do proboja PN-spoja odvoda. Proboj je lavinski i ovisi o otpornosti poluvodia. ei je proboj upravljake elektrode. Izmeu nje i kanala, odnosno uvoda, nalazi se vrlo tanak dielektrik. Ve pri naponima od 40-50 V polje u dielektriku je toliko veliko da nastaje proboj dielektrika. Posljedica proboja je nagli porast struje ID. Moemo kazati da su najvee prednosti unipolarnih tranzistora: vrlo veliki ulazni otpor tj. nulta ulazna struja (upravljanje bez snage) opadanje struje poveanjem temperature jednostavnost izrade brzina
dok bipolarni tranzistori imaju linearniju karakteristiku i vee pojaanje.
104
Pitanja: 1. 2. 3. 4. 5. 6. to je posljedica razlike koncentracija nositelja naboja na P i N strani P-N spoja? Kada nastupa ravnoteno stanje? Kako izgleda energetski dijagram P-N spoja u ravnotei? O emu ovisi kontaktni potencijal i koje su njegove tipine vrijednosti? to se dogaa sa irinom barijere ako poveavamo koncentraciju primjesa? Objasnite razliku izmeu energetskih dijagrama za propusnu i nepropusnu polarizaciju P-N spoja. 7. O kojim strujama ovisi ukupna struja u P-N spoju? 8. Navedite sastavne dijelove P-N diode. 9. Kojom jednadbom moemo opisati struju kroz P-N diodu u propusnom podruju? 10. Koja je razlika izmeu Zenerovog i lavinskog proboja? 11. U kojem podruju rada koristimo Zener diode i zato? 12. Po emu je specifina strujno-naponska karakteristika tunel-diode? 13. Izvedite izraz za dinamiku vodljivost diode. 14. Nacrtajte nadomjesni sklop dinamikog stanja u uvjetima propusne polarizacije. 15. Koje su donje i gornje temperaturne granice silicijevih i germanijevih dioda? 16. Koja je razlika U-I karakteristike vakuumske i poluvodike diode? 17. Kakvu polarizaciju spojeva treba osigurati da bi tranzistor radio u normalnom aktivnom podruju? 18. Objasnite unutranja kretanja naboja normalno polariziranog P-N-P tranzistora u spoju ZB. 19. Koja je razlika izmeu istosmjernog i izmjeninog faktora strujnog pojaanja? 20. Kako izraunavamo strujno pojaanje u spoju ZB, a kako u spoju ZE i o kolikim se iznosima tipino radi? 21. Koja je specifinost spoja zajednikog kolektora? 22. Navedite podruja rada tranzistora prema polarizaciji emiterskog i kolektorskog spoja. 23. U koje etiri grupe moemo podijeliti karakteristike tranzistora? 24. Nacrtajte ulazne i izlazne karakteristike P-N-P tranzistora za spoj ZE i ZB. 25. Koja su ogranienja na koja moramo paziti prilikom izbora radne toke tranzistora? 26. Objasnite pojam "reim malih signala". 27. Kakvo je fizikalno znaenje pojedinog hibridnog parametra? 28. Kako moemo odrediti vrijednosti hibridnih parametara? 29. Kako izraunavamo naponsko pojaanje vakuumske triode? 30. Navedite osnovne prednosti i nedostatke unipolarnih tranzistora u odnosu na bipolarne tranzistore. 31. Objasnite princip rada spojnih tranzistora s efektom polja. 32. Zbog ega dolazi do razlike u irini kanala uz uvod i odvod kod JFET-a? 33. Koja podruja rada JFET-a poznajete? 34. Objasnite princip rada MOSFET-a. 35. Zbog ega dolazi do razlike u irini kanala uz uvod i odvod kod MOSFET-a? 36. Nacrtajte i objasnite tipinu izlaznu karakteristiku MOSFET-a. 37. U emu je razlika izmeu nadomjesne sheme JFET-a i MOSFET-a? 38. Zbog ega kod unipolarnih tranzistora ne dolazi do termikog bijega?
105
4. Elektroniki sklopovi
4.1. Pojaala Pojaala su linearni elektroniki sklopovi (zapravo su linearni samo onda kada se promatraju pod djelovanjem malih signala) sastavljeni od aktivnih i pasivnih elektronikih elemenata. Pod aktivnim elementima ubrajamo poluvodike diode, bipolarne i unipolarne tranzistore dok su otpornici, zavojnice i kondenzatori pasivni elementi. Elektrini signal koji se pojaava moe biti strujni ili naponski, a izlazni signal (pojaani) takoer moe biti strujni ili naponski. Aktiviranje tranzistora znai njegovo dovoenje u neku statiku radnu toku. O statikoj radnoj toki ovise hibridni parametri tranzistora, a tako i sve veliine koje ovise o njima. Princip rada: 1) uzeti aktivni elektroniki element 2) aktivirati ga tj. prikljuiti istosmjerni napon 3) dovesti signal na ulaz 4) na izlazu dobiti pojaani signal Pojaalo moemo prikazati kao etveropol (Slika 4.1). Pojaalu pomou generatora dovodimo signal na ulaz. Da bi na izlazu dobili napon, moramo staviti otpornik (Rp) koji zapravo predstavlja otpor nekog potroaa.
Iul Pojaalo Iiz Ic -
Uul
Rul
AiIul
Riz
RP
RP
+
UP = IcRP
+ a) b)
Slika 4.1. a) Pojaalo kao etveropol; b) Otpor potroaa na izlazu pojaala sa zajednikim emiterom Rp otpor potroaa, Iiz = Ip struja potroaa. Izlazni otpor pojaala Riz rauna se uz iskljueni generator G tj. uz UG = 0 ili IG = 0 (ovisno o tome radi li se o naponskom ili strujnom generatoru). Veliine Uul i Iul su efektivne vrijednosti ulaznog napona i ulazne struje, a Uiz i Iiz su efektivne vrijednosti izlaznog napona i struje. Ukoliko promatramo odnose snaga, openito vrijedi (Slika 4.2):
Pul + Pnap = Piz + Ptop
(4.1)
tj. suma snage ulaznog signala (snaga iz generatora G) i napajanja (izvor istosmjernog napona) jednake su sumi snage pojaanog signala i toplinskih gubitaka. Izlazna snaga pojaanog signala tada je
Piz = Pul + Pnap Ptop
(4.2)
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike pa uz
106
K=
Ptop Pnap
tj. Ptop = K Pnap
dobijemo izraz za ukupnu izmjeninu snagu na izlazu koja se preda potroau
Piz = Pul + (1 K ) Pnap
(4.3)
gdje je 0 < K < 1. Iz relacije (4.3) moemo zakljuiti da se ulazni signal pojaava zbog pretvaranja dijela snage istosmjernog izvora u snagu izlaznog signala.
Ptop Pul
ulazni signal
toplinski gubici
POJACALO
Piz
pojacani signal
Pnap
napajanje
Slika 4.2. Odnosi snaga
Za idealno pojaalo vrijedio bi izraz

Ptop = 0 K = 0
Piz = Pul + Pnap
(4.4)
Izlazna i ulazna snaga moe se opisati pomou odgovarajuih struja, napona i otpora
2 Piz = I iz U iz = I iz R p = 2 U iz Rp
U2 2 Pul = I ul U ul = I ul Rul = ul Rul
(4.5)
Ulazna struja i ulazni napon doivljavaju pojaalo kao izlazni otpor. Na izlazu se snaga razvija na otporu potroaa Rp, a ne na Riz. Elektroniki element je u neku ruku pretvornik istosmjerne u izmjeninu snagu ako se radi o pojaanju izmjeninog signala. Meutim, postoje i pojaala istosmjernog signala. U tom sluaju elektroniki element ne djeluje kao pretvornik, nego jednostavno crpei istosmjernu snagu iz napajanja, pojaava istosmjerni signal na izlazu.
107
4.1.1. Raunanje u decibelima Dobitak snage (G Gain dobitak) moemo definirati kao omjer snage izmjeninog signala predanog potroau i snage signala predanom ulaznom krugu pojaala
G= Piz Pul
(4.6)
Kod snage ne govorimo o pojaanju, nego o dobitku. Uobiajeno se ovaj dobitak izraava u decibelima:
G[dB ] = 10 log G[dB ] = 10 log Piz Pul
2 I iz R p 2 I ul Rul
= 10 log
2 U iz / R p 2 U ul / Rul
(4.7)
nadalje, iz (4.7) moemo pisati

G[dB ] = 20 log Rp Rp I iz + 10 log = AI [dB ] + 10 log Rul Rul I ul
U R R G[dB ] = 20 log iz + 10 log ul = AV [dB ] + 10 log ul Rp Rp U ul
(4.8)
gdje su AV i AI naponsko i strujno pojaanje (A Amplification pojaanje). Ukoliko je otpor potroaa jednak ulaznom otporu pojaala (Rp = Rul), dobitak snage je jednak naponskom ili strujnom pojaanju:
R p = Rul G[dB ] = AI [dB ] = AV [dB ]
G[dB ] = 10 log I iz U iz I U 1 = 10 log iz + 10 log iz = ( AI + AV ) I ul U ul I ul U ul 2
4.1.2. Strujni i naponski izvori Realni strujni izvor prikazan je na slici 4.3. Krug sa strujom IG je idealni strujni izvor, a zajedno s RG (npr. otpor elektrolita) to je realni strujni izvor. Sa slike vidimo da je
I G = I '+ I p I p = IG I '
(4.9)
Uz
I'= Up RG
(4.10)
108
struja na potroau
I p = IG I p = IG Up RG I p Rp RG
(4.11) (4.12)
i dalje
Rp I p 1 + R = IG G RG + R p Ip = IG RG
(4.13)
odakle dobijemo ovisnost struje potroaa o generatoru IG, vrijednosti otpora potroaa Rp i otpora generatora RG: Ip = RG IG RG + R p (4.14)
IG I IG RG
Ip
Rp
Up = Ip Rp
realni strujni izvor
Slika 4.3. Realni strujni izvor: IG struja generatora, RG otpor generatora, Rp otpor potroaa Idealni strujni izvor je izvor koji bi na izlaznim stezaljkama imao uvijek istu veliinu izlazne struje. Stoga Ip mora biti konstantna, tj. ne bi smjela ovisiti o Rp. Za R p << RG I p I G = konst. Idealni strujni izvor postie se, ne stavljanjem Rp = 0, nego RG . Tada je Ip = IG. Idealni strujni izvor prikazan je na slici 4.4. Kada elimo odrediti statiku radnu toku, moemo je odrediti grafiki, i to presjecitem karakteristike s radnim pravcem (Slika 4.5). Nagib radnog pravca ovisi o otporu potroaa.
109
IG
IG = Ip
IG
Rp
Up = IG Rp
idealni strujni izvor
Slika 4.4. Idealni strujni izvor Strujni izvor je prikazan pomou odsjeka na ordinatnoj osi (IG) i odsjeka na apsolutnoj osi ( I G RG ). Spajanjem ove dvije toke dobili smo pravac koji ovisi iskljuivo o izvoru (karakteristika izvora - vidi jednadbu 4.11) i pravac koji ovisi iskljuivo o potroau (radni pravac vidi sliku 4.3. U p = I p R p ). U njihovom sjecitu je statika radna toka.
Ip
IG
idealni strujni izvor

r ad ka ra kte r ist ik p ni ac r av
Ip1
T1
ai zv
ora
Up1
IGRG
Up
Slika 4.5. Grafiko odreivanje statike radne toke strujnog izvora tg = 1 / R p ; tg = 1 / RG Realni naponski izvor prikazan je na slici 4.6. vor je mjesto grananja struja. Za vor uvijek kaemo da je suma ulaznih i izlaznih struja jednaka nuli. Za razliku od realnog strujnog izvora, ovdje umjesto grananja struja u voru imamo petlju. Za petlju kaemo da je suma napona petlje jednaka nuli. Jedan napon je UG, drugi je onaj zamiljeni U' (na RG), a trei je napon na potroau Up. Struja izlazi iz pozitivnog pola izvora, a pozitivni pol pada napona na pasivnim elementima je mjesto ulaska struje. Izvori imaju napone, a pasivni elementi pad napona. Promatrajmo petlju sa slike 4.6. u jednoj rotaciji, najee u smjeru kazaljke na satu. Pretpostavimo da je, kad struja izlazi na plusu, napon pozitivan. Moemo pisati U G U 'U p = 0
(4.15)
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike Karakteristika izvora je

U G = I p RG + U p
110
(4.16)
i dalje iz
U G = I p RG + I p R p
(4.17)
dobili smo izraz za struju na potroau

Ip = 1 UG RG + R p
(4.18)
a takoer i za napon na potroau
Up =
Rp R p + RG
UG
(4.19)
+ + UG RG
Ip + Rp Up = Ip Rp
U=IpRG
realni naponski izvor
Slika 4.6. Realni naponski izvor

U idealnom sluaju napon potroaa jednak je naponu generatora.
Ip + UG Rp idealni naponski izvor
+ Up = UG
Slika 4.7. Idealni naponski izvor
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike Ako je otpor generatora mnogo manji od otpora potroaa onda vrijedi:
111
RG << R p U p U G
tj. za idealni naponski izvor (Slika 4.7) vrijedi RG 0 U p = U G Slino kao kod strujnog izvora, iz jednadbi 4.16. i IP = Up/RP mogue je grafiki odrediti radnu toku naponskog izvora (Slika 4.8).
Ip
idealni naponski izvor
r av ip dn ac
UG RG
ra
Ip1
T1
ka
r ak
ter ist ika
izv or a
Up1
UG
Up
Slika 4.8. Grafiko odreivanje radne toke naponskog izvora tg = 1 / R p ; tg = 1 / RG

Svaki izvor koji daje na prikljunim stezaljkama neki napon moe se prikazati modelom strujnog i naponskog izvora. (Nortonov i Theveninov teorem).
Theveninov teorem: Bilo koji dio aktivne linearne mree moe se nadomjestiti s obzirom na dvije stezaljke (a i b) realnim naponskim izvorom, iji unutarnji napon ET (Theveninov napon) i unutarnju impedanciju ZT (Theveninovu impedanciju) odreujemo iz zadane mree.
Theveninov napon ET odreujemo tako da izraunamo ili izmjerimo napon Uab0 na otvorenim stezaljkama a-b linearne mree (Uab0 > 0 ET ima plus prema a; Uab0 < 0 ET ima plus prema b. Theveninovu impedanciju ZT odredimo tako da kratko spojimo sve naponske izvore i iskljuimo sve strujne izvore te onda izraunamo ili izmjerimo ukupnu impedanciju izmeu toaka a i b.
Nortonov teorem: Bilo koji dio aktivne linearne mree moe se nadomjestiti s obzirom na dvije stezaljke (a i b) realnim strujnim izvorom iju struju IN (Nortonovu struju) i unutarnju impedanciju ZN (Nortonovu impedanciju) odreujemo iz zadane mree.
Nortonovu struju IN odreujemo tako da izraunamo struju koja tee od a prema b kada su stezaljke a-b kratko spojene. Nortonovu impedanciju ZN odredimo tako da kratko spojimo sve naponske izvore i iskljuimo sve strujne izvore te onda izraunamo ukupnu impedanciju izmeu a i b.
112
Pretpostavimo da u kuitu imamo nepoznati sklop (Slika 4.9) koji se moe sastojati od veeg broja nezavisnih strujnih i naponskih izvora te otpornika. Sklop ima dvije vanjske stezaljke. Cilj nam je odrediti ekvivalentni sklop za ovaj sluaj.
nepoznato
Slika 4.9. Nepoznati sklop (izvor)

Ekvivalentni sklop odreujemo u tri koraka: 1) Odredimo (izmjerimo) napon otvorene petlje UOP (ET) 2) Odredimo (izmjerimo) struju kratkog spoja IKS (IN)izmeu stezaljki sklopa 3) Izraunamo unutranji otpor iz R = UOP/IKS (=RN = RT).
Napomena: Nortonova struja zapravo je jednaka struji kratkog spoja, odnosno struji strujnog generatora. (IN = IKS =IG). Theveninov napon zapravo je jednak naponu otvorene petlje odnosno naponu generatora (ET = UOP = UG). Nepoznati sklop sada moemo zamijeniti realnim naponskim ili strujnim izvorom (Slika 4.10).
Slika 4.10. Zamjena nepoznatog sklopa realnim naponskim ili strujnim izvorom
Iako se napon otvorene petlje UOP uobiajeno mjeri voltmetrom koji ima veliki unutranji otpor, esto nije prikladno mjeriti struju kratkog spoja kratko povezujui stezaljke zbog moguih oteenja sklopa. Postoji vie metoda indirektnog mjerenja struje kratkog spoja. - Metoda I: Na izlazne stezaljke izvora spojimo varijabilni otpornik i mjerimo izlazni napon i struju za razliite vrijednosti postavljenog otpora varijabilnog otpornika (potroaa). Nacrtamo graf ovisnosti napona o struji kako bi iz dobivenog pravca odreivanjem presjecita pravca s apscisom odredili struju kratkog spoja IKS (Slika 4.11). - Metoda II: Izmjerimo napon otvorene petlje UOP pomou voltmetra s velikim unutranjim otporom. Nakon toga prikljuimo vanjski otpor r izmeu stezaljki sklopa i mjerimo napon U
113
na otporniku r (Slika 4.12). Unutranji otpor R moemo izraunati iz relacije a zatim i struju kratkog spoja I KS =
U OP . R
U r , = U OP r + R
UOP
0 0 IKS I
Slika 4.11. Mjerenje struje kratkog spoja : Metoda I
R UOP r U
Slika 4.12. Mjerenje struje kratkog spoja : Metoda II

- Metoda III: Ova metoda je kombinacija prethodne dvije metode. Izmjerimo napon otvorene petlje prije nego to smo spojili varijabilni otpornik izmeu stezaljki sklopa. Mjerimo izlazni napon i podeavamo otpor dok napon na otporniku ne padne na polovicu vrijednosti 1 napona otvorene petlje U = U OP . U tom trenutku je vanjski otpor jednak unutranjem 2 otporu R i struja kratkog spoja IKS se ponovo moe izraunati iz omjera napona otvorene petlje i otpora R kako je pokazano ranije.
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 4.1.3. Ulazni otpor
114
Kad na ulazne stezaljke neke realne elektrine mree prikljuimo napon, potei e elektrina struja. Jakost struje ovisit e o ulaznoj impedanciji Zul sklopa ili mree (Slika 4.13.a). U velikom broju sluajeva ulazni krug moemo prikazati samo kao otpor, pa u tom sluaju govorimo o ulaznom otporu Rul sklopa ili mree (Slika 4.13.b).
Zul
Rul
a)
b)
Slika 4.13. a) Nadomjesna shema ulaza; b) Pojednostavnjena nadomjesna shema ulaza esto se vrijednost ulaznog otpora sklopa moe odrediti na osnovu poznavanja sklopa. Ukoliko nae poznavanje sklopa nije dovoljno, ulazni otpor odreujemo mjerenjem (Slika 4.14). R
RG UOP Ui Uul Rul
Slika 4.14 Mjerenje ulaznog otpora sklopa Mjerenje ulaznog otpora nepoznatog sklopa: 1) Sklop koji ispitujemo spojimo u seriju s varijabilnim otpornikom i naponskim izvorom. 2) Mjerimo izlazni napon izvora Ui i napon na stezaljkama sklopa (Uul) kojeg ispitujemo. 1 3) Mijenjanjem vrijednosti varijabilnog otpornika R namjestimo da bude U ul = U i . 2 Sada je vanjski otpor R jednak ulaznom otporu Rul. 4) Izmjerimo R i odredili smo Rul (R = Rul).
Unutranji otpor izvora RG ne utie na ovu metodu jer je za mjerenje koriten izlazni napon izvora Ui, a ne napon otvorene petlje UOP.
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 4.1.4. Naponsko pojaanje i frekvencijski odziv
115
Kako je ranije definirano (4.6), naponsko pojaanje pojaala je omjer izlaznog napona i ulaznog napona u pojaalo. Niti jedno pojaalo nema jednako pojaanje na svim frekvencijama ulaznog signala. Uobiajeno se za iznos pojaanja zapravo daje pojaanje u sredini frekvencijskog opsega normalnog rada pojaala. Promjene pojaanja u ovisnosti o frekvenciji nazivamo frekvencijskim odzivom pojaala. Poetak i kraj podruja normalnog rada pojaala odreeni su donjom i gornjom graninom frekvencijom. To su frekvencije na kojima pojaanje pada za 3 dB u odnosu na pojaanje u sredinjem pojasu. Ovaj iznos odgovara padu dobitka snage na polovicu od maksimalne snage (snage u sredinjem pojasu). Kako je snaga na izlazu proporcionalna kvadratu izlaznog napona (4.5) proizlazi da na gornjoj i donjoj graninoj frekvenciji naponsko pojaanje pada na 1 / 2 ili 0.707 od maksimalne vrijednosti. Na slici 4.15 prikazan je tipini frekvencijski odziv pojaala. Zbog irokog opsega frekvencija uobiajeno je crtanje frekvencija logaritamskom skalom.
AV (dB) sirina frekvencijskog pojasa
3 dB
fd
fg
f(Hz)
Slika 4.15. Tipian frekvencijski odziv pojaala Niskofrekvencijski odziv pojaanja najee je odreen utjecajem veznog kondenzatora CV (Slika 4.16) koji slui za proputanje samo izmjeninog dijela ulaznog signala i postizanje neovisnosti istosmjernih uvjeta mree ispred i iza kondenzatora. Visokofrekvencijski odziv ovisi o neeljenoj pojavi kapaciteta CP (difuzijski i barijerni kapacitet). Pri malim frekvencijama vrijedi
1 >> R pa u ukupnom otporu zanemarujemo kapacitet CP jer e sva struja j 2fC P prolaziti preko otpornika R. Otpor generatora RG zanemarujemo jer je RG << R pa vrijedi UG =Uul (idealni naponski generator). Kapacitet veznog kondenzatora pri ovim frekvencijama ne moemo zanemariti jer je ovaj kapacitet vezan u seriji s otporom R. Stoga za ukupnu impedanciju pri malim frekvencijama vrijedi: f << f g
116
1 j 2fCV odakle moemo izraziti i naponsko pojaanje za male frekvencije:

f << Zd = R + AV = U0 = U ul R =
(4.20)
1 1 1+ j 2fCR
1 R+ j 2fCV
(4.21)
Amplituda naponskog pojaanja dobije se iz jednadbe

AV = 1 1 1+ C R V
2
(4.22)
Ovo pojaanje ima iznos jednak
1 2
pri donjoj graninoj frekvenciji koja iznosi (4.23)
1 1 1 = 1 2f d = fd = d CV R CV R 2CV R
RG UG Uul
CV CP R U0
Slika 4.16. Kapaciteti koji utjeu na rad pojaala na niskim i visokim frekvencijama
Ukljuivanjem otpora RG u jednadbu (4.21) dobijemo

AV = U0 = UG R RG + R + = R R + RG
1 1+ 1 jCV ( R + RG )
1 j 2fCV
(4.24)
ili na drugi nain

AV = A'
1+ d j
A' f 1 j d f
(4.25)
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike gdje je A' =

R ; R + RG
117
fd =
d =
1 ; CV ( R + RG )
d 2
1 0 za jCV R . Zbog paralelnog spoja otpornika R i kondenzatora CP, u ovom sluaju za izraun gornje granine frekvencije uzimamo vrijednost ovog kondenzatora. Ukupna ulazna impedancija pojaala sada je: Pri visokim frekvencijama zanemarujemo kapacitet veznog kondenzatora jer
Zg = 1 1 + j C P R = R 1 + jC P R (4.26)
Unutranji otpor generatora ne moemo zanemariti jer, kako smo vidjeli, ulazna impedancija porastom frekvencije pada. Uz konstantan napon generatora UG, dolazi do pada napona na otporu R jer dio napona ostane na otporu RG. Moemo napisati izraz za naponsko pojaanje pri visokim frekvencijama:
R R R + RG 1 + jC P R = AV = R RRG RG + 1 + j C P R+R 1 + jC P R G
A' = 1 + jC P Reff
A' f 1+ j fg
(4.27)
gdje je pojaanje A' = otpor Reff =

fg =
R koje bi mrea imala bez kapaciteta CP, R + RG
RRG je efektivni otpor paralelnog spoja otpornika R i RG, R + RG
1 je gornja granina frekvencija 2C P Reff
Idealno strujno pojaalo ima ulazni otpor jednak nuli to uzrokuje da nema gubitaka struje dobivene iz strujnog generatora. U izlaznom strujnom krugu nalazi se idealni strujni izvor koji daje struju I iz = AI I ul = AI I G (4.28.a) Struja na izlazu iz takvog pojaala ne ovisi o otporu potroaa prikljuenog na izlazne stezaljke pojaala. Kod idealnog naponskog pojaala AV ne ovisi o otporu potroaa i frekvenciji pojaavanog naponskog signala. Idealno naponsko pojaalo ima ulazni otpor beskonano velik. Vrijedi U iz = AV U ul = AV U G (4.28.b)
Napon na izlazu iz takvog pojaala ne ovisi o otporu potroaa prikljuenog na izlazne stezaljke pojaala.

4.2. Pojaala s bipolarnim tranzistorima
118
4.2.1. Pojaalo u spoju ZE Pojaalo zamiljamo kao realni strujni izvor. Potroa (RP) spajamo na kolektor. Pomou otpora RB smo izbjegli jo jednu bateriju i osigurali da postoji neka struja baze IB ak i ako je ulazna struja Iul nula (eng. bias). Bitno je napomenuti da spoj na slici 4.17. predstavlja jedan od najjednostavnijih spojeva pojaala u spoju ZE, koji se praktino ne koristi esto zbog termike nestabilnosti, a ovdje je obraen prvenstveno radi jednostavnosti.
ip RB B iul I0 RG ib RP C E UCC
Slika 4.17. Pojaalo u spoju ZE AI i AV su pojaanja koja se postiu kad se tranzistor realizira u jednom od spojeva i ona ne zavise iskljuivo o svojstvima tranzistora ve i o pasivnim elementima koji se nalaze u konkretnom sklopu. i su koeficijenti pojaanja koji se odnose iskljuivo na sami tranzistor.
Iul G Uul Iizl Uizl RP G RB hreuce hfeib hie
iul
ib
ic 1 hoe
iizl RP
Rul
Rizl
Slika 4.18. Pojaalo kao etveropol Za sklop ZE bitno je strujno pojaanje , pa kako je = h fe biramo tranzistor iji je parametar h fe velik. Tipino se otpornik RB bira na nain da je znatno vei od ulaznog otpora tranzistora u spoju ZE, tj RB >> hie. U tom sluaju, moe se uzeti Rul hie iul ib . Nadalje, s obzirom da je
119
tipino hre << 1, utjecaj izlaznog napona na ulaz etveropola moe se zanemariti. Uvaavajui ove aproksimacije, slijedi jednostavan izraz za strujno pojaanje: AI = Ako je R p << Riz AI U drugom sluaju, ako je R p >> Riz AI Riz Rp (4.31) (4.30) Riz iiz iiz Riz h fe = = Riz + R p iul ib Riz + R p (4.29)
Za sluaj iz jednadbe 4.31. moemo primijetiti da je pojaanje AI manje nego to nam sam tranzistor to omoguuje ( ). Kod strujnog pojaala najei je sluaj R p << Riz . Iz slike etveropola prikazanog u spoju ZE (4.18) proizlazi Riz 1 ; hoe Rul hie (4.32)
pa nam je u interesu da parametar hoe bude to manji tj. izlazni otpor Riz to vei. Primjer vrijednosti h parametara tranzistora za strujno pojaalo: hie = 0.51.5 k, hfe = 50-500; hre = 10-4; hoe = 10-510-4 S. Naponsko pojaanje se, uz aproksimaciju (4.30), izraunati iz strujnog na nain: AV = a pojaanje snage: G = AI AV = Rp Rul 2 (4.34) Rp Rp Rp u izl R p iizl , h fe = AI = = Rul Rul u ul Rul iul Rul (4.33)
Naponsko pojaanje izaziva obrtanje faze. Da bi dobili to vee naponsko pojaanje, parametar tranzistora hie mora biti to manji. Dakle, traimo tranzistor za kojeg e pojaalo imati dovoljno veliki izlazni otpor Riz (radi to veeg strujnog pojaanja) i dovoljno mali ulazni otpor Rul (radi to veeg naponskog pojaanja). Da bi se tranzistor doveo u odgovarajuu radnu toku Q (u aktivnom podruju) u kojoj postoji eljeni iznos faktora strujnog pojaanja, potrebno je osigurati istosmjerne napone i struje kolektora i baze u radnoj toki (Slika 4.19). Iz slike 4.17. moe se odrediti tzv. radni pravac (ovisan o naponu napajanja Ucc, te otpornika u kolektoru RP): U CC I C R p U ce = 0 I C = U 1 U ce + CC Rp Rp (4.35)
120
Napon izmeu baze i emitera se tipino kree oko 0.7 V, pa, uvaavajui ovu aproksimaciju, moemo odrediti i struju baze koja presijeca radni pravac: I BQ = (U CC 0.7) / RB .
IC UCC RP
PODRUJE ZASIENJA (UCE0.2V)
IB6
AK T
IB5
IV N O PO
ICQ
DR
JE
IB4=IBQ IB3 IB2 IB1
UCEQ
PODRUJE ZAPIRANJA (IB=0)
UCC
UCE
Slika 4.19. Postavljanje tranzistora u radnu toku
4.2.2. Naponsko pojaalo u spoju ZB Spoj bipolarnog tranzistora sa zajednikom bazom (Slika 4.20) ne koristimo za strujno pojaanje nego samo za naponsko pojaanje. Ulazna struja (struja emitera) uvijek je za iznos struje baze vea od struje kolektora pa je faktor strujnog pojaanja uvijek malo manji od jedan. Izborom otpora potroaa Rp utjeemo na veliinu naponskog pojaanja. Kako smo ve mogli vidjeti u poglavlju 3.6.1., naponsko pojaanje posljedica je razlike dinamikih otpora ulaznog i izlaznog kruga (ulazni krug propusno polariziran, a izlazni nepropusno).
iC
RG RB uG UEE UCC
RP
Slika 4.20. Pojaalo s tranzistorom u spoju zajednike baze
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike Za strujno pojaanje vrijedi
121
AI h fb 1
(4.36)
dok je naponsko pojaanje

AV Rp Rul >> 1
(4.37)
Veliko naponsko pojaanje posljedica je tipino znatno manjeg ulaznog otpora Rul (propusno polariziranog PN spoja) u odnosu na otpor potroaa Rp. Otpor RB sa slike 4.20 je vrlo velik. On zanemarivo utjee na struju IE, ali je potreban za odravanje statike radne toke ako se odspoji izvor izmjeninog signala. 4.2.3. Pojaalo u spoju ZC transformator impedancije (emitersko sljedilo) Tipino pojaalo s bipolarnim tranzistorom prikazano je na slici 4.21. Potroa je spojen u krugu emitera, a kolektor je spojen direktno na bateriju (UCC). Naponsko djelilo sastavljeno od serijskog spoja R1 i R2 osigurava statike uvjete (struju baze u statikim uvjetima) iz baterije izlaznog kruga, ime je izbjegnuto koritenje jo jedne baterije (u ulaznom krugu).
R1 UCC RG R2 izlaz RP
Slika 4.21. Pojaalo s tranzistorom u spoju zajednikog kolektora
Strujno pojaanje je veliko, a naponsko vrlo blizu jedinici izmjenini izlazni napon je praktino isti kao ulazni (slijedi ga), stoga i ime emitersko sljedilo. Razlog ovome lei u injenici to propusno polarizirani ulazni PN spoj baza-emiter ima vrlo mali dinamiki otpor, tako da se praktino kompletna promjena napona na ulazu "preslikava" na izlaznom otporniku Rp. AI >> 1 (4.38) (4.39) AV 1 Ulazni otpor je vrlo velik, a izlazni mali
Rul = R p Rul >>
(4.40) (4.41)
Riz <<
Ovaj sklop tipino se koristi za transformiranje velike na malu impedanciju (kada je RG>>RP).

4.3. Pojaala s unipolarnim tranzistorima
122
4.3.1. Pojaalo u spoju zajednikog uvoda (ZS) MOSFET tranzistori ovisno o tipu (obogaeni ili osiromaeni tip) mogu raditi s razliitim naponima na upravljakoj elektrodi (G). MOSFET osiromaenog tipa moe raditi s oba predznaka napona na upravljakoj elektrodi (u osiromaenom i obogaenom modu), dok MOSFET obogaenog tipa moe raditi samo s jednim predznakom tog napona (samo u obogaenom modu). JFET-ovi su uvijek osiromaenog tipa, no mogu raditi samo u osiromaenom modu. Kad bi sklop prikazan na slici 4.22 radio u osiromaenom modu, onda bi napon UGG imao obrnuti polaritet. Polaritet UGG prikazan na slici "obogauje" kanal pa MOSFET radi u obogaenom modu.
Slika 4.22. Pojaalo u spoju zajednikog uvoda (ZS) rad u obogaenom modu
Na osnovu ve prikazanih statikih karakteristika unipolarnih tranzistora, moemo zakljuiti da u je podruju zasienja struja odvoda (ID) konstantna uz konstantni napon izmeu upravljake elektrode i uvoda (UGS) pa se u tom podruju rada MOSFET ponaa kao strujni izvor. Kako struja ne ovisi o naponu UDS ona, uz U DS U GS U P (zasienje), gotovo ne ovisi ni o otporu potroaa RP. Dakle, ulazna veliina je napon, a izlazna struja (upravljana ulaznim naponom), pa se ovdje radi o strminskom pojaalu. Izraz za strminu zadan je jednadbom (3.51). Nadomjesni sklop za pojaalo u spoju zajednikog uvoda prikazan je na slici 4.23. Iz sheme je vidljivo da Rul . Izlazni otpor je takoer velik (Riz >>), a iz izraza za naponsko pojaanje primjeujemo da ovo pojaalo obre fazu
AV = uizl id i RD rd R r ( RD rd ) = d = = gm D d uul u gs u gs RD + rd RD + rd
(4.42)
Dinamiki otpor rd je velik (u podruju zasienja izlazna struja MOSFET-a je gotovo konstantna), najee znatno vei od RD, tako da se struja kroz rd moe zanemariti u odnosu na struju kroz RD. Ovo implicira Riz RD., kao i pojednostavljenje relacije (4.42):

AV = g m RD rd RD = gm = { RD << rd } g m RD RD RD + rd +1 rd
123 (4.43)
U sluaju prikljuenja potroaa RP, struja protjee ne samo kroz RD, ve i kroz RP, pa slijedi:
AV g m ( RD RP ) = g m RD RP = {ako RP << RD } g m RP RD + RP
(4.44)
RG uG
+
uGSgm
S
rd
RD
uizl
Slika 4.23. Nadomjesni sklop pojaala u spoju zajednikog uvoda (ZS)
4.3.2. Pojaalo u spoju zajednikog odvoda (ZD) Pojaalo u spoju zajednikog odvoda prikazano je na slici 4.24.a. Koritenjem dva otpornika kao djelitelja napona (R1 i R2), dovoljna nam je samo jedna baterija (UDD), a suvina je posebna baterija za postavljanje napona upravljake diode (UGG). Potroa RP je spojen u krug uvoda (S), a odvod (D) je spojen na bateriju UDD to znai da je za izmjenini signal odvod (D) zapravo uzemljen.
R1
D
UDD
uG
RG
R2
RP
Slika 4.24.a Pojaalo u spoju zajednikog odvoda (ZD) rad u obogaenom modu
124
I ovaj sklop prikazan na slici radi u obogaenom modu jer je upravljaka elektroda (G) pozitivno polarizirana u odnosu na uvod (S) (R1 i R2 se biraju tako da je potencijal na G vei od potencijala na S). Sklop ima svojstva slina spoju zajednikog kolektora (emitersko sljedilo). Nema naponskog pojaanja, ne obre fazu i prilagoava impedanciju sa velike ulazne na malu izlaznu impedanciju (tj. otpor).
Rul >> Riz << AV 1 AI > 0
Izraz za naponsko pojaanje moemo dobiti iz slike nadomjesnog sklopa

u gs = uul uizl ; u AV = izl uul r R uizl = g m u gs d P = { RP << rd } g m RP u gs rd + RP uizl / u gs uizl g m RP = = = u gs + uizl 1 + uizl / u gs 1 + g m RP
(4.45)
a uz g m RP >> 1 dobijemo AV 1 . Koristi se kao jedna vrsta meusklopa tj. sklopa za sueljavanje (transformatora impedancije). U sluaju da je unutranji otpor RG naponskog generatora (tj. sklopa iji se napon eli pojaati) velik, a otpor potroaa RP malen, direktno spajanje potroaa na naponski generator bi izazvalo znatno naruavanje napona na potroau (bio bi znatno manji od UG). Drugim rijeima, spajanje potroaa bi znatnije poremetilo stvarni iznos napona koji se eli dovesti na potroa. U ovakvim sluajevima se stoga potroa spaja preko sklopa transformatora impedancije. Ovakav sklop ima vrlo veliki ulazni otpor (tipino znatno vei od RG), ime je osigurano da se praktino kompletan UG dovodi na ulaz sklopa. Ovim se osigurava da napon na potroau malog otpora RP stvarno slijedi UG, bez obzira na veliki unutranji otpor RG. Iz dosadanjeg izlaganja moe se zakljuiti da spoj FET-a sa zajednikim odvodom ima istu funkciju kao spoj bipolarnog tranzistora sa zajednikim kolektorom (emitersko sljedilo).
Slika 4.24.b. Nadomjesni sklop pojaala u spoju zajednikog uvoda (ZD)
4.3.3. Pojaalo u spoju zajednike upravljake elektrode (ZG) Izvedba pojaala u spoju zajednike upravljake elektrode prikazana je na slici 4.25.a.

S RG G + UG RS C D ID
125
UDD
Slika 4.25.a. Pojaalo u spoju zajednike upravljake elektrode (ZG) rad u obogaenom modu
Ulazni signal se dovodi u krug uvoda (S), a izlazni signal (pojaan) se predaje potroau u krugu odvoda (D). Otpor RS je dodan da bi pol bio spojen na uvod (S) ak i ako odspojimo generator. Naponsko djelilo realizirano preko R1, R2 osigurava statiku radnu toku. Kondenzator C slui za uzemljenje izmjeninog signala na upravljakoj elektrodi (G) (kondenzator se aproksimira kao kratki spoj za izmjenini signal). Nadomjesni sklop prikazan je na slici 4.25.b.
RG S gmUgs D rd UP ID` G Rul Rul` RP ID
+ UG Us RS
Ugs
Slika 4.25.b. Nadomjesni sklop pojaala u spoju zajednike upravljake elektrode (ZG)
Izlazni i ulazni napon su u fazi (AV > 0), a porastom otpora potroaa raste i naponsko pojaanje. Pojaalo u spoju zajednike upravljake diode ima mali ulazni i veliki izlazni otpor. Ulazna struja (u dovod) ista je kao izlazna struja (struja odvoda), jer struja kroz upravljaku elektrodu ne postoji. Stoga se ovaj spoj moe takoer koristiti kao transformator impedancije, no za strujne generatore - kako bi "preslikao" ulaznu struju strujnog generatora sa malim unutranjim otporom na potroa velikog otpora.
4.4. Kaskadna pojaala
Kaskadna pojaala predstavljaju niz od dva ili vie pojaala meusobno spojenih tako da bi se postiglo vee pojaanje nego to ga moemo postii samo s jednim tranzistorom. Stupnjevi u kaskadi karakterizirani su odgovarajuim iznosima naponskog i strujnog pojaanja (AV1, AI1,
R2
R1
RP
126
AV2, AI2,...), a takoer i odgovarajuim iznosima ulaznih i izlaznih otpora. Izlaz prvog stupnja pojaala, predstavlja ulaz drugog stupnja itd. Potrebno je napomenuti da je svaki stupanj u kaskadi prikljuen na istosmjerni izvor kako bi se osigurale potrebne radne toke tranzistora u kaskadi. Izraunajmo ukupno pojaanje napona i struje u kaskadi prikazanoj na slici 4.26:
AV = U3 U3 U2 = = AV 2 AV 1 U1 U 2 U1
(4.46)
Openito vrijedi
AV = AVi
i =1 n
(4.47)
ili ako pojaanje izrazimo u decibelima

AV [dB ] = AVi [dB ]
i =1 n
(4.48)
Za strujno pojaanje moemo napisati

AI = I3 I3 I 2 = = AI 2 AI 1 I1 I 2 I1
(4.49)
i openito
AI = AIi
i =1 n
(4.50)
ili u decibelima
AI [dB ] = AIi [dB ]

i =1
(4.51)
I1
I2
I3
RG + UG U1
Av1 U2 AI1
Av2 U3 AI2 RP
Slika 4.26. Kaskadna pojaala

Veza meu stupnjevima moe se izvesti kao izmjenina ili istosmjerna. Kod izmjenine veze s izlaza jednog stupnja na ulaz drugog stupnja se prenosi samo izmjenina komponenta signala, a istosmjerna je blokirana (obino koristimo vezni kondenzator).
127
4.4.1. Darlingtonov spoj esto koriteni spoj kaskadnog pojaala s istosmjernom vezom je Darlingtonov spoj (Slika 4.27). Izmjenina struja dovodi se na ulaz (bazu) prvog tranzistora. U krugu kolektora prvog tranzistora tee struja hfe1Ib1 gdje je hfe1 faktor strujnog pojaanja u spoju zajednikog emitera. Struja baze drugog tranzistora ujedno je i struja emitera prvog, pa vrijedi
I b 2 = I e1 = (1 + h fe1 )I b1 h fe1 I b1
nadalje,
(4.52)
I c 2 = h fe 2 I b 2 I b1 h fe1 h fe 2
pa je ukupna struja kolektora
(4.53)
I c = I c1 + I c 2 h fe1 I b1 + h fe1 h fe 2 I b1
odakle je ukupni faktor strujnog pojaanja
h fe = Ic = h fe1 (1 + h fe 2 ) h fe1 h fe 2 I b1
(4.54)
(4.55)
Tranzistori T1 i T2 na slici su tzv. upareni tranzistori. Oni imaju potpuno iste karakteristike (svi parametri su im isti) T1 T2 . Strujno pojaanje prvog tranzistora pomnoeno je strujnim pojaanjem drugoga da bi postigli kombinaciju koja se ponaa kao jedan tranzistor s faktorom strujnog pojaanja h21 (hfe = IC / IB) jednakim umnoku pojaanja dva tranzistora.
ib1 ulaz Rul T1 ib2 Rul2

Slika 4.27. Darlingtonov spoj
ic UCC ic2 T2 izlaz RP
Darlingtonov par se esto koristi zbog poveanja ulaznog otpora bipolarnih sklopova. S obzirom da su tranzistori spojeni u spoju zajednikog kolektora, kako je opisano u poglavlju 4.2.3., ulazni otpor e biti velik. Vodei rauna o relaciji (4.40), za sklop na slici 4.27. moemo napisati
128
Rul 2 h fe 2 RP Rul h fe1 Rul 2 h fe1 = h fe 2 = h fe Rul h 2 RP fe
(4.56)
Npr. za Rp =1K te hfe = 100 ulazni otpor Darlingtonovog para je 10M. 4.5. Diferencijalno pojaalo Naziv ovog pojaala proizlazi iz injenice da na izlaznim stezaljkama imamo napon koji ovisi o razlici U1 U2. Tranzistori T1 i T2 sa slike 4.28 su identini: T1 T2 . Otpori RB slue za dovoenje istosmjerne struje u baze tranzistora ime osiguravamo rad tranzistora u normalnom aktivnom podruju. Dva ulaza su na bazama tranzistora, a izlazi su na kolektorima. Emiteri su spojeni u zajedniku toku. Kada na ulazima pojaala nema signala, struja IE se zbog istih tranzistora i simetrinosti sklopa, podjednako dijeli na oba tranzistora.
UCC
RB
RC Uizl T1 T2
RC
RB
U1 IE
U2
Slika 4.28. Diferencijalno pojaalo T1 T2 Dovoenjem razliitih signala na ulaze, poremetit e se stanje ravnotee pa e struja jednog emitera porasti, no s obzirom da, zbog strujnog izvora, suma emiterskih struja mora uvijek biti konstantna, struja drugog emitera mora se smanjiti za isti iznos. Posljedica razliitih emiterskih struja su i razliite kolektorske struje, pa su i padovi napona na kolektorskim
129
otpornicima RC razliiti, to konano izaziva odgovarajue promjene potencijala na kolektorima oba tranzistora i samim tim izlaznog napona. Pojaanje ne ovisi o tome da li se signal dovodi simetrino (koristei oba ulaza) ili asimetrino (samo na jedan ulaz). Pojaalo pojaava razliku napona na ulazima. Pojaanje za simetrini diferencijalni izlaz (potroa se spaja na oba kolektora) dvostruko je vee nego pojaanje za asimetrini izlaz (kada se potroa spaja samo na jedan kolektor i uzemljenje). Pojaanje razlike signala na ulazu naziva se diferencijalno pojaanje. Idealno, ako se naponi na ulazima mijenjaju, no ostaje U1 = U2, izlazi (potencijali kolektora) se ne mijenjaju bez obzira na iznose U1, U2. No, kod realnog diferencijalnog pojaala ipak dolazi do male promjene izlaza i u ovom sluaju (iako nema razlike napona izmeu ulaza). Ova promjena reflektira se kroz faktor zajednikog pojaanja. Omjer diferencijalnog i zajednikog pojaanja zove se faktor potiskivanja diferencijalnog pojaala. Ovaj parametar diferencijalnog pojaala tipino ima vrlo visoke iznose (diferencijalno pojaanje je znatno vee od zajednikog). 4.6. Strujno zrcalo Strujno zrcalo je jedan od naina realizacije konstantnog strujnog izvora, gdje je proizvedena struja jednaka nekoj ulaznoj struji. Ovaj princip ilustriran je slikom 4.29. Dva tranzistora T1 i T2, imaju povezane baze i emitere pa stoga imaju jednake napone izmeu emitera i baze. Ukoliko su tranzistori T1 i T2 identini, kolektorska struja e im takoer biti jednaka. Struja I0 koja preko otpornika R dolazi na tranzistor T1 (ulazni tranzistor), biti e jednaka struji koja prolazi potroaem RP spojenim na kolektoru tranzistora T2 (izlazni tranzistor).
UCC I0 R I0 RP
T1
T2
Slika 4.29. Osnovni princip rada strujnog zrcala Ovakav nain preslikavanja eljene struje moe se koristiti i za realizaciju strujnog izvora kakvo je bilo potrebno za realizaciju diferencijalnog pojaala prikazanog na slici 4.28. Objasnimo sada rad sklopa prikazanog na slici 4.30. (ovaj put radi se o NPN tranzistorima). eljena struja I0 se generira u grani: masa, otpor R1, tranzistor T4, napon UEE. Ova grana nema nita zajednikog sa sklopom diferencijalnog pojaala, ali ta grana omoguava da se preko tranzistora T3 preslika njena struja I0 u kolektor tranzistora T3. Struju koja prolazi kroz otpor R1 oznaimo s I0'', a kolektorsku struju tranzistora T3 oznaimo s I0'. Te dvije struje zapravo i nisu potpuno jednake, ali moemo pokazati da je razlika vrlo mala. Struje baze su,
130
zbog identinih tranzistora T3 i T4 te zajednikog emiterskog napona UEE, jednake. Tada je struja I0' jednaka I0 '= 0 I B a struja kroz otpor R1 je jednaka I 0 ' ' = 0 I B + 2 I B = ( + 2 ) I B Odatle moemo dobiti i vezu izmeu struja I0' i I0'' : (4.58) (4.57)
0 0 I0 ' = I0 '= I0 '' 0 + 2 I0 '' 0 + 2
(4.59)
Iz jednadbe (4.59) vidimo da razlika meu zrcalnim strujama postoji, ali nije velika, jer se 0 kree od 50 200. Iznos struje I0'' je odreena iz pada napona na otporu R1 kao
I0 ''= U EE U BE R1
(4.60)
to znai da promjenom otpora R1 podeavamo iznos struje I0'', a time i struju I0'.
RB T1 RB I0 = 0IB U1 R1 I0 = 0IB + 2IB 0IB T4 IB IB - UEE

Slika 4.30. Strujno zrcalo kao strujni izvor diferencijalnog pojaala
T2 U2
2IB T3
131
Tehnika strujnog zrcala esto se koristi za dobivanje veeg broja istih struja u sklopu. To se postie spajanjem veeg broja izlaznih tranzistora na jedan ulazni tranzistor. Strujna zrcala iroko se primjenjuju u integriranim sklopovima gdje je mogue postii gotovo identine tranzistore. Male udaljenosti izmeu tranzistora u sklopu takoer osiguravaju i zanemarive razlike u temperaturi to je povoljno zbog varijacije strujno-naponskih karakteristika tranzistora kao funkcije temperature.
4.7. Povratna veza
Sustavi s povratnom vezom na osnovu informacije o izlaznom signalu iz sustava modificiraju ulazni signal kako bi dobili eljeni rezultat. Povratna veza koristi se u gotovo svim biolokim i umjetnim sustavima, ali emo mi nae razmatranje suziti na elektronike sklopove. Postoje dvije vrste povratne veze: negativna i pozitivna povratna veza. Negativna povratna veza izaziva smanjenje iznosa pojaanja signala. Iako zbog toga ova vrsta povratne veze na prvi pogled djeluje nepoeljno, postoji vie razloga njena koritenja. Navedimo osnovne: - stabiliziranje iznosa pojaanja s obzirom na promjene parametara aktivnih komponenata sklopa zbog promjene temperature, napona napajanja, starenja komponenata itd. - prilagoenje ulazne i izlazne impedancije sklopa na eljeni iznos - reduciranje nelinearnih izoblienja (linearizacija prijenosne funkcije) - poveanje irine pojasa pojaala Pozitivna povratna veza izaziva poveanje iznosa pojaanja. Ova vrsta povratne veze koristi se pri izradi oscilatora.
ulaz G xul
+ K xf -
xa A
xp
izlaz
xp
Slika 4.31. Tok signala u sklopu s povratnom vezom Objasnimo princip negativne povratne veze prikazan na slici 4.31. Generator G nam daje signal xul koji se dovodi na komparator. Iz komparatora K izlazi signal xa koji ulazi u pojaalo A (A Amplification - pojaanje) koje na izlazu ima signal xp. Na izlaz dolazi signal xp, ali se taj signal takoer dovodi i na B mreu koja je sastavljena iskljuivo od pasivnih elemenata (otpornik, kondenzator, zavojnica). Na izlazu dobivamo signal xf (f feedback - povratna veza). Dakle, signal prolazi kroz pojaalo, zatim se prolazom kroz mreu smanjuje x f < x p i tako smanjen se vraa na komparator. Razlika ulaznog i povratnog signala djeluje kao ulazni signal xa u pojaalo A itd...

xul x f = x a xul = x a + x f
132
(4.61)
Pojaanje pojaala je jednako omjeru izlaznog i ulaznog signala pojaala
A=
dok je pojaanje, odnosno smanjenje B mree
xp xa
(4.62)
B=
xf xp
(4.63)
odakle dobijemo izraz za pojaanje s povratnom vezom
xp Af = xp xul = xa xf xa
gdje je F faktor povratne veze (F = BA + 1) .
xp = xf +1 x p xa xa xp = A A = BA + 1 F
(4.64)
+1
Ovisno o faktoru povratne veze imamo tri mogua sluaja: -
F > 1 tj. pojaanje s povratnom vezom je manje od pojaanja pojaala BA > 0 . Za ovaj sluaj kaemo da se radi o negativnoj povratnoj vezi. F < 1 tj. pojaanje s povratnom vezom je vee od pojaanja pojaala BA < 0 . Za ovaj sluaj kaemo da se radi o pozitivnoj povratnoj vezi jer su A i B razliitih predznaka pa se signal na komparatoru ne oduzima nego zbraja to uzrokuje poveanje signala. F = 0, tj. BA = 1 . U ovom sluaju pojaanje s povratnom vezom A f = tj. uz xul =
0 dobivamo x p 0 . Sklop bez djelovanja vanjskog generatora na ulazu, sam generira izmjenini signal xp na izlazu, pretvarajui istosmjerni napon napajanja u izmjenini izlazni napon. Takav sklop nazivamo oscilator i on se koristi za generiranje izmjeninih signala. 4.7.1. Oscilatori Za oscilatore mora, kako je ve navedeno, biti zadovoljen Barkhausenov uvjet osciliranja: BA + 1 = 0 . Openito, B i A su kompleksni brojevi pa moemo pisati
Re(BA) + i Im(BA) = 1
(4.65)
odakle je
Re(BA) = 1 Im(BA) = 0
(4.66)
133
- UCC
R1
RP C C C
R R2 RE CE
R3
Slika 4.32. RC oscilator * R3 + h11e = R Odavde dobivamo uvjete koji nam kau da li odreeni sklop moe oscilirati ili ne. Najee iz uvjeta Im(BA) = 0 dobijemo frekvenciju osciliranja, a iz Re(BA) = -1 dobijemo meusobne odnose elemenata sklopa koji moraju biti zadovoljeni da bi sklop oscilirao. Primjer jednog RC oscilatora prikazan je na slici 4.32. Ovo je najjednostavniji tip oscilatora. Kad bi uklonili kondenzator CE, dobili bi laganu negativnu povratnu vezu na otporniku RE. Ali, to bi imalo smisla jedino u sluaju kad bi imali samo pojaalo. Na ovo pojaalo su spojene tri RC elije (*). S tree RC elije vuemo napon i vraamo ga na ulaz oscilatora. Ove elije moraju smanjiti amplitudu izlaznog signala na zahtijevanu veliinu radi odravanja titraja (oscilacija), a takoer moraju i zakrenuti fazu izlaznog signala za onoliko za koliko je pojaalo zakrenulo fazu u odnosu na ulazni signal. Dakle, signal povratne veze mora biti istofazan s ulaznim signalom, inae dolazi do guenja. Nae pojaalo sainjeno je od jednog tranzistora u spoju zajednikog emitera pa ono zakree fazu za . Ove tri RC elije moraju ponovo zakrenuti fazu za , tj. svaka elija je mora zakrenuti za / 3 . Kondenzatorima smo sprijeili da istosmjerni napon UCC doe na izlaz. Tako smo dobili oscilator s frekvencijom titranja
f = 1 2RC 6 + 4 RP R
koja prvenstveno ovisi o vrijednosti RC.

4.8. Operacijska pojaala
134
Najvei dio pojaala realizira se izradom svih potrebnih komponenti na jednom silicijskom ipu koji tako formiraju monolitni integrirani sklop koji se sastoji od vie tranzistora, dioda, otpornika, kondenzatora, zavojnica,... Takva pojaala, izvedena u monolitnoj, tehnici nazivamo operacijska pojaala. Openito, operacijska pojaala mogu izvesti razliite operacije kao to su zbrajanje, oduzimanje, integriranje, deriviranje i pojaanje ulaznog signala. Operacijsko pojaalo se, u pravilu, sastoji od tri stupnja: I stupanj: diferencijalno pojaalo koje omoguava dva ulazna signala, osigurava veliki ulazni otpor i pojaanje signala II stupanj: vrlo veliko pojaanje III stupanj: osigurava mali izlazni otpor i veliki hod izlaznog signala
Na primjer, pojaalo LM741 koje je u najiroj primjeni, sastoji se od 20 tranzistora i zauzima povrinu od 1 mm2. Ukupno pojaanje iznosi oko 110 dB (300000 puta). Idealno operacijsko pojaalo trebalo bi imati ove osobine: beskonano veliko pojaanje ( AV = ) beskonano velik ulazni otpor (Rul = ) izlazni otpor jednak nuli (Riz = 0 ) prijenos svih frekvencija
Ovo su, to se tie ulaza i izlaza, karakteristike sline emiterskom sljedilu. Realni ulazni otpor varira u velikom rasponu (LM741 2 M, moe od 300 k 100 M), za vrlo velike ulazne otpore koristimo operacijska pojaala bazirana na FET-ovima (1012 ). Izlazni otpor je obino 75 za operacijska pojaala bazirana na bipolarnim tranzistorima. Ulazne struje su od 10-20 mA, a postoje i posebno dizajnirani sklopovi koji rade s veim strujama. S obzirom na jako veliko naponsko pojaanje, moglo bi se zakljuiti da za npr. ulazni napon od 1 V na izlazu tipinog 741 pojaala dobijemo 300000 V. To, naravno, nije tako: uobiajeno je maksimalni izlazni napon neznatno nii od napona istosmjernog napajanja. Pojaalo prikljueno na pozitivni istosmjerni napon od + 15 V i negativni -15 V, moi e na izlazu proizvesti napon u naponskom opsegu od npr. 13 V.
Slika 4.33. Operacijsko pojaalo. B1 invertirajui ulaz, B2 neinvertirajui ulaz
135
Potrebno je napomenuti jo jednu karakteristiku operacijskog pojaala. Ukoliko je ulazni napon u pojaalo nula (npr. tako da kratko spojimo ulaze), izlazni napon, iako to oekujemo, kod realnih operacijskih pojaala nikad nije nula. Ovo odstupanje (pomak) izlaza od nule posljedica je nesavrenosti realnih tranzistora i ostalih komponenti i naziva se offset. Ovaj efekt se moe shvatiti kao postojanje vrlo malog naponskog izvora unutar operacijskog pojaala koji se zbraja na ulazni napon, tako da, ak i kada je ulazni napon nula, na ulazima diferencijalnog pojaala postoji ovaj mali napon, koji se onda pojaa i izaziva postojanje nekog esto nezanemarivog napona na izlazu. Ovaj "virtualni" mali napon na ulazima operacijskog pojaala naziva se napon offseta (Uoff). Ako se na ulaze dovede napon koji je po predznaku suprotan, a po iznosu jednak Uoff, izlaz operacijskog pojaala biti e nula. Za operacijsko pojaalo prikazano na slici 4.33, moemo rei da je diferencijalnog tipa. Ulaz B1 je invertirajui, a B2 neinvertirajui ulaz. Razlika ova dva ulaza je ulazni napon (Uul =U1 U2), pa je u ovom sluaju. pojaanje negativno (obrtanje faze). Izlazni napon Uiz se dobije kao umnoak naponskog pojaanja i ulaznog napona. Nadomjesni sklop operacijskog pojaala (koji uzima u obzir Uoff) prikazan je na slici 4.34.
Slika 4.34. Nadomjesni sklop operacijskog pojaala
V-
Slika 4.35. Tipine izvedbe operacijskih pojaala
136
Najvei broj operacijskih pojaala pojavljuje se u obliku integriranih sklopova (IC) koji obino sadre jedan, dva ili etiri pojaala. Slika 4.35. prikazuje primjere sklopova s pinovima (prikljucima). Pinovi integriranih sklopova oznaeni su brojkama u smjeru obratnom od kazaljke na satu. Oznaka orijentacije je zarez na jednom kraju kuita ili krui na pinu broj jedan. Oznaka NC uz pin oznaava da nema veze (no connection), V- je negativni napon napajanja, V+ pozitivni napon napajanja. Neki sklopovi imaju ulaz za nulti offset (offset null) koji se moe koristiti za uklanjanje efekata napona offseta. 4.8.1. Neinvertirajue pojaalo Objasnimo neinvertirajue pojaalo prikazano na slici 4.36. U+ oznaava neinvertirajui, a s U- invertirajui ulaz operacijskog pojaala. Kako pojaanje A tei beskonano velikoj vrijednosti, za konane vrijednosti izlaznog napona Uiz, ulazni napon operacijskog pojaala (Uul = U+ - U-) mora teiti nuli. Stoga moemo napisati: U = U + = U ul (4.67)
Uz vrlo veliki ulazni otpor (Rul ) moemo zanemariti ulaznu struju u pojaalo. Stoga vrijedi
U = U iz R2 R1 + R2
(4.68)
U ul = U iz
R2 R1 + R2
(4.69)
odakle je ukupno pojaanje

Af = U iz R1 + R2 = U ul R2
(4.70)
Slika 4.36. Neinvertirajue pojaalo
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 4.8.2. Invertirajue pojaalo
137
Negativna povratna veza ovog sklopa (Slika 4.37) nastoji odrati napon na invertirajuem ulazu U- jednak naponu na neinvertirajuem ulazu U+, koji je uzemljen (0 V). Naime, to Upostaje pozitivniji, izlaz postaje negativniji, pa preko otpornika R2 ulaz U- postaje negativniji. Slino, to je U- negativniji, izlaz postaje pozitivniji to za posljedicu ima poveanje pozitivnosti U-. Za idealno pojaalo, pojaanje je beskonano, stabilizacija je savrena i ulaz U- je stalno na 0 V. Stoga je ulazni napon operacijskog pojaala U+ - U- jednak nuli tj. vrijedi
U = U+ = 0
(4.71)
Kako je ulazna struja u operacijsko pojaalo zanemariva, struje I1 i I2 moraju biti jednake po iznosu i suprotnog smjera. Za struju I1 moemo napisati
I1 = U ul U U ul 0 U ul = = R1 R1 R1 U iz U U iz 0 U iz = = R2 R2 R2 I1 = I 2
(4.72)
a za struju I2
I2 =
(4.73) (4.74) (4.75)
Iz relacije slijedi
U ul U = iz R1 R2
pa je ukupno pojaanje
Af = U iz R = 2 U ul R1
(4.76)
Slika 4.37. Invertirajue pojaalo U ovom sklopu invertirajui ulaz (-) se nalazi na nultom potencijalu iako nije direktno uzemljen. Zbog toga se ova toka esto naziva virtualno uzemljenje, a itav sklop pojaalo s virtualnim uzemljenjem.
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 4.8.3. Diferencijalno pojaalo Za sklop sa slike 4.38. vrijede slijedee relacije
U + = U ul1 R2 R1 + R2 R1 R1 + R2
138
(4.77)
U = U ul 2 + (U iz U ul 2 )
(4.78)
Kao i u sluaju invertirajueg pojaala, kao posljedica negativne povratne veze naponi U+ i Use nastoje izjednaiti pa je stoga
U ul1 R2 R1 = U ul 2 + (U iz U ul 2 ) R1 + R2 R1 + R2
(4.79)
odakle dobijemo
U ul1 R2 = U ul 2 R1 + U ul 2 R2 + U iz R1 U ul 2 R1 U iz = U ul1 R2 U ul 2 R2 R1
Dakle, izlazni napon moemo izraunati iz

U iz = (U ul1 U ul 2 ) R2 R1
(4.80)
Izlazni napon je jednak razlici ulaznih napona pomnoenih s omjerom otpora R2 i R1. Moemo primijetiti da za jednake otpore R2 i R1, izlazni napon je jednak Uul1 Uul2 pa imamo jednostavno oduzimanje napona.
Slika 4.38. Diferencijalno pojaalo
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 4.8.4. Sumator (zbrajalo)
139
Toka U- na slici 4.39 je toka virtualnog uzemljenja. Stoga moemo rei da je na nultom potencijalu (0 V) i struje koje ulaze u toku se mogu izraunati:
I1 = U ul1 ; R1 I2 = U ul 2 ; R1 I3 = U iz R2
(4.81)
S obzirom na zanemarivo malu ulaznu struju operacijskog pojaala, suma struja u invertirajui ulaz (U-) je nula.
I 3 = ( I 1 + I 2 )
U U iz U = ul1 + ul 2 R R2 R1 1
(4.82) (4.83)
Odakle za izlazni napon dobijemo

U iz = (U ul1 + U ul 2 ) R2 R1
(4.84)
Izlazni napon je odreen sumom ulaznih napona i omjerom otpornika R1 i R2. Negativni predznak pokazuje da sklop obre fazu. Za jednake otpore R1 i R2, izlazni napon bi bio jednak (U ul1 + U ul 2 ) . Ovaj sklop se moe jednostavno modificirati dodavanjem vie ulaznih signala. Neogranieni broj ulaznih otpornika mogu se paralelno spojiti, i ukoliko su svi s istom vrijednou R1, izlazni napon e biti:
U iz = (U ul1 + U ul 2 + U ul 3 + ...) R2 R1
(4.85)
Slika 4.39. Sumator
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 4.8.5. Naponsko sljedilo
140
Ovo pojaalo je zapravo specijalni sluaj neinverirajueg pojaala kojemu je otpor R1 nula, a otpor R2 beskonaan. Jednadba (4.70) moe se napisati i na sljedei nain
Af = R1 +1 R2
(4.86)
Zamjenom odgovarajuih vrijednosti otpora dobijemo

Af =
0 +1 = 1
(4.87)
to je pojaalo s jedininim pojaanjem. Kao i emiterska sljedila koja realiziramo s tranzistorima, i ovaj sklop se esto koristi kad imamo izvor napona s velikom unutranjom impedancijom, a elimo povui veu struju nego izvor moe proizvesti. Rjeenje je u preslikavanju ulaznog napona Uul na izlaz operacijskog pojaala Uiz koje moe proizvesti veu struju bez smanjenja izlaznog napona jer je unutranji otpor operacijskog pojaala manji od unutranjeg otpora originalnog izvora.
Slika 4.40. Naponsko sljedilo
4.8.6. Strujno-naponski pretvornik Zbroj struja koje ulaze u toku virtualne nule (U-) jednak je nuli (Slika 4.41).
I ul + I R = 0
(4.88)
Kako je napon U- = 0, struju IR moemo napisati kao

IR = U iz R U iz R
(4.89)
odakle vrijedi
I ul = I R =
(4.90) (4.91)
i nadalje
U iz = I ul R
Iz jednadbe (4.91) moemo zakljuiti da je izlazni napon direktno proporcionalan ulaznoj struji. Negativni predznak znai da se faza signala okree.
141
Slika 4.41. Strujno-naponski pretvornik
4.8.7. Integrator Sklop koji se ponaa kao integrator dobit emo zamjenom otpornika R2 invertirajueg pojaala s kondenzatorom C (Slika 4.42).
Slika 4.42. Integrator
Sa slike moemo zakljuiti da vrijedi

IC + I R = 0 I C = I R = U ul R
(4.92)
Kako je napon U- = 0, izlazni napon Uiz je jednak naponu na kondenzatoru

q 1 U iz = = I C dt + B1 . C C0
t
142
(4.93)
gdje je B1 konstanta jednaka poetnom naboju na kondenzatoru u trenutku t = 0. Ako pretpostavimo da u poetnom trenutku nije bilo naboja na kondenzatoru, supstitucijom izraza (4.92) u (4.93) dobijemo t t 1 U 1 U iz = ul dt = U ul dt (4.94) C0 R RC 0 Izlazni napon je proporcionalan integralu ulaznog napona, a konstanta proporcionalnosti odreena je vremenskom konstantom koja je jednaka umnoku RC. 4.8.8. Derivator Derivator moemo realizirati zamjenom pozicija otpornika i kondenzatora u integratoru (Slika 4.43). Kao i ranije, U- je virtualna toka uzemljenja i zbroj ulaznih struja u ovu toku mora biti jednak nuli. U (4.95) I C + I R = 0 I C = I R = iz R Kako je napon U- = 0, napon na kondenzatoru jednak je ulaznom naponu Uul
1 U ul = I C dt + B1 C0
t
(4.96)
Deriviranjem lijeve i desne strane po t dobijemo

dU ul I C = dt C
(4.97)
Iz jednadbe (4.95) nadalje slijedi

dU ul U = iz dt RC
(4.98)
odakle smo dobili ovisnost izlaznog o ulaznom naponu

U iz = RC dU ul dt
(4.99)
Dakle, izlazni napon proporcionalan je derivaciji ulaznog napona po vremenu. U praksi se ovaj sklop rijetko koristi u ovom obliku jer znaajno pojaava um visokih frekvencija i neeljene iljke signala pa je stoga nestabilan. Obino se u seriju s kondenzatorom doda otpornik koji smanjuje neeljeno pojaanje uma.
143
Slika 4.43. Derivator
4.8.9. RC oscilator realiziran pomou operacijskog pojaala RC oscilator prikazan na slici 4.32. moe se, umjesto pomou tranzistora, realizirati operacijskim pojaalom. Ovakav sklop prikazan je na slici 4.44. Osnovno pojaanje (A) prikazanog operacijskog pojaala iznosi R2/R1.
R2 R1
UU+
R*
B
Slika 4.44. RC oscilator (R1 R * = R ) .
144
Princip rada je jednak kao i kod sklopa koji koristi tranzistor za pojaanje, dakle B mrea se sastoji od tri RC sekcije su odgovorne za zakretanje faze povratnog signala za 180. Moe se dokazati da je frekvencija titranja ovakvog oscilatora
f 0 = 2 6 RC
Pitanja:
1. Koje su ulazne, a koje izlazne vrste snaga koje se javljaju kad govorimo o pojaalima? 2. Kada i zato moemo kazati da je pojaalo pretvornik istosmjerne u izmjeninu snagu? 3. Koja je razlika izmeu realnog i idealnog strujnog odnosno naponskog izvora? 4. Koji su koraci pri grafikom odreivanju statike radne toke strujnog izvora? 5. Koje metode indirektnog mjerenja struje kratkog spoja poznajete? 6. Kako mjerimo ulazni otpor nepoznatog sklopa? 7. Kako odreujemo donju i gornju granicu frekvencijskog pojasa pojaala? 8. emu je jednako strujno pojaanje pojaala u spoju ZE? 9. Za koju vrstu pojaanja koristimo spoj tranzistora sa ZB i o emu to pojaanje ovisi? 10. Nacrtajte pojaalo u spoju ZC i navedite koje su njegove specifinosti. 11. Zato u podruju zasienja, za tranzistore s efektom polja, kaemo da rade kao strminska pojaala? 12. Koje su karakteristike rada pojaala u spoju zajednikog odvoda? 13. Kakve su prednosti rada pojaala s unipolarnim tranzistorom u obogaenom modu? 14. Koje su osnovne karakteristike kaskadnih pojaala? 15. Objasnite rad Darlingtonovog spoja. 16. Zato koristimo uparene tranzistore u diferencijalnom pojaalu? 17. Kada koristimo tehniku strujnog zrcala? 18. Koji su razlozi koritenja negativne povratne veze? 19. Navedite osnovne stupnjeve operacijskog pojaala. 20. Koje bi trebale biti osobine idealnog operacijskog pojaala? 21. to ograniava maksimalni izlazni napon operacijskog pojaala? 22. Objasnite rad invertirajueg pojaala. 23. Izvedite izraz za izlazni napon diferencijalnog operacijskog pojaala. 24. Kako koristimo operacijsko pojaalo za zbrajanje vie ulaznih napona? 25. Koja je razlika izmeu strujno-naponskog pretvornika i obinog inverirajueg pojaala? 26. Na koji nain koristimo operacijsko pojaalo za integriranje ulaznog signala? 27. Nacrtajte derivator realiziran pomou operacijskog pojaala. 28. Kako moemo realizirati RC oscilator?
145
5. Digitalna elektronika
5.1. Logiki sklopovi Napredak tehnologije omoguio je izradu mikroprocesora koji sadri do nekoliko milijuna tranzistora ukomponiranih na silicijskoj ploici upakiranoj u plastino kuite. Sklopovlje jednog mikroprocesora se bazira na manjim elementima koje nazivamo logiki sklopovi ili logika vrata (eng. gate) koja su jednostavni sklopovi sastavljeni od manjeg broja tranzistora i pasivnih komponenti. Elektronike sklopove moemo klasificirati ovisno o broju standardnih logikih vrata koja sadre, tj. klasificiramo ih ovisno o njihovu stupnju integracije (Tablica 5.1). Stupanj integracije Niski stupanj integracije (SSI) Srednji stupanj integracije (MSI) Visoki stupanj integracije (LSI) Vrlo visoki stupanj integracije (VLSI) Ultra visoki stupanj integracije (ULSI) Integracija na ploici waferu (WSI) Broj logikih vrata (red veliine) 100 101 103 104 105 107 Primjena Osnovna vrata i bistabili Brojai, registri, male memorije Memorije i jednostavni mikroprocesori Velike memorije, mikroprocesori Kompletni sustavi (SCC, DSP) Mikroprocesorski sustavi
Tablica 5.1. Stupnjevi integracije digitalnih sklopova Osnovni logiki sklopovi zajedno s njihovim tablicama istine, prikazani su na slici 5.1. U ovu skupinu logikih sklopova ubrajamo NE, I, ILI logike sklopove. Iako se kombiniranjem navedenih sklopova moe realizirati bilo koja logika funkcija, vrlo esto se koriste i neto sloeniji sklopovi (NI, NILI, iskljuivo ILI) koji su takoer prikazani na slici 5.1, a njihove nadomjesne sheme su prikazane na slici 5.2. Primjer: zbrajanje dva binarna broja pomou logikih sklopova Pravila zbrajanja dva jednoznamenkasta binarna broja su sljedea: 0+0=0 0+1=1 1+0=1 1 + 1 = 10 Sklop kojim realiziramo ovu logiku funkciju nazivamo polusumator. Blok dijagram sklopa i pripadajua tablica istine prikazani su na slici 5.3.
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike Sklop Simbol I sklop ILI - sklop
146
Tablica istine
Sklop Simbol
A B Z 1 1 1 0 1 0 1 0 0 0 0 0 Iskljuivi ILI sklop
A 1 0 1 0
B Z 1 1 1 1 0 1 0 0 NE - sklop
Tablica istine
A 1 0 1 0
Sklop Simbol
A
B Z 1 0 1 1 0 1 0 0 NILI - sklop
A
Z=A+ B
A 1 0
Z 0 1
NI - sklop
Z=A B
B
Tablica istine
A 1 0 1 0
B 1 1 0 0
Z 0 0 0 1
A 1 0 1 0
B 1 1 0 0
Z 0 1 1 1
Slika 5.1. Logiki sklopovi simboli i tablice istine
A Z B
A Z Z B
a)
b)
c)
Slika 5.2. Nadomjesne sheme a) NI; b) NILI; c) Iskljuivo ILI
147
A 0 0 1 1 a)
B 0 1 0 1 b)
C 0 0 0 1
S 0 1 1 0
Slika 5.3. Polusumator: a) Blok dijagram; b) Tablica istine Blok dijagram na slici 5.3 sadri dva ulaza (A i B) te dva izlaza (C prijenos i S suma). Na osnovu tablice istine moemo napisati dva Boolova izraza za izlaze polusumatora u ovisnosti o stanjima na ulazu: C = A B (5.1) S = ( A + B ) AB = A B + AB Izraz za izlaz S moemo napisati i na drugi nain
S = A B
(5.2)
Polusumator moemo realizirati na razliite naine, a jedan od moguih naina prikazan je na slici 5.4.
Slika 5.4. Polusumator realizacija jednim I i iskljuivo ILI logikim sklopom Polusumator na slici 5.4 obavlja samo operaciju zbrajanja. Da bi se prijenos obuhvatio pri zbrajanju bit-ova vee teine potrebna su tri ulaza. To znai da se potpuni sumator sastoji od dva polusumatora od kojih jedan vri binarno zbrajanje, a drugi pribraja prijenos koji dobiva od prethodnog sumatora.
5.2. Tehnike realizacije logikih sklopova Postoji vie tehnika realizacija logikih sklopova tzv. logikih familija. Svaka od ovih tehnika ima prednosti i nedostatke tako da ne postoji idealna tehnika koja bi ispunila sve zahtjeve: neke rade na velikim brzinama, druge imaju mali utroak snage a tree su vrlo otporne na um. Logike familije integriranih sklopova mogu se podijeliti u dvije osnovne grupe: sklopove koji se temelje na radu bipolarnih tranzistora i one koji koriste MOSFET tranzistore.
148
Navedimo tehnike koje su se tijekom godina pokazale najuspjenijima, a kojima emo neto kasnije vie biti napisano: otpornik-tranzistor logika (RTL) diodna logika (DL) diodno-tranzistorska logika (DTL) tranzistor-tranzistor logika (TTL) logika zajednikog emitera (ECL) MOSFET (MOS) komplementarni MOSFET (CMOS)
Od navedenih tehnika, diodna logika se ne koristi u integriranim sklopovima dok se RTL i DTL tehnike vie ne primjenjuju. Prije upoznavanja s ovim tehnikama, upoznat emo se s radom bipolarnog i MOSFET tranzistora kao logike sklopke, a tako er i s logikim invertorom. Logiki sklopovi mogu biti realizirani u pozitivnoj i negativnoj logici. Pozitivna logika je ona kod koje je nivo '1' pozitivniji od nivoa '0' tj. U(1) > U(0), a negativna logika je ona kod koje je nivo '1' negativniji od nivoa '0' tj. U(1) < U(0). Drugim rijeima, negativna logika predstavlja inverziju pozitivne logike (Slika 5.5).
Slika 5.5. Pozitivna i negativna logika Svako realno linearno pojaalo ima ogranieni opseg izlaznih napona koji je odre en naponom napajanja. Karakteristika tipinog invertirajueg linearnog pojaala prikazana je na slici 5.6.
Slika 5.6. Invertirajue linearno pojaalo Ako takav sklop elimo koristiti kao linearno pojaalo, moramo osigurati da ulazni napon bude unutar linearnog podruja rada sklopa. Sklop moemo koristiti i kao logiki sklop. Ako je ulazni signal uvijek izvan linearnog podruja rada pojaala, dva preostala ulazna podruja napona moemo predstaviti s '0' (podruje niih ulaznih napona) i '1' (podruje viih ulaznih
149
napona) to je prikazano na slici 5.7. Izlazni napon moe imati samo dvije mogue vrijednosti maksimalna izlazna vrijednost ('1') i minimalna izlazna vrijednost napona ('0').
Slika 5.7. Prijenosna karakteristika logikog invertora (pozitivna logika) Prilikom odabiranja komponenti i podeavanja njihovih parametara namjetamo maksimalne i minimalne izlazne vrijednosti napona tako da njihove vrijednosti odgovaraju vrijednostima '0' i '1' ulaznog napona. Sa slike 5.7 vidimo da za vrijednost na ulazu '0', na izlazu imamo '1', i obratno. Dakle sklop ima karakteristiku logikog invertora ili NE sklopa. Kako su ulazni i izlazni naponi kompatibilni, izlaz iz ovakvog sklopa moe se dovesti na ulaz nekog slinog logikog sklopa. Potrebno je napomenuti da se pri izradi logikih invertora nastoji linearno podruje tj. podruje prelaza iz jednog stanja u drugo to vie smanjiti odnosno postii to bri prelaz iz jednog stanja u drugo.
Slika 5.8. Bipolarni tranzistor kao logika sklopka Logiki inverter (NE sklop) moemo realizirati koritenjem bipolarnog i MOSFET tranzistora. Prvo emo ukratko objasniti rad bipolarnog tranzistora kao logike sklopke (Slika
150
5.8). Kad je ulazni napon Uul blizu nule, tranzistor je iskljuen i kroz kolektor protie zanemariva struja. Izlazni napon Uiz je zbog toga po iznosu gotovo jednak naponu napajanja UCC (mali pad napona na otporniku RC). Kad je ulazni napon visok, tranzistor je ukljuen i izlazni napon je jednak naponu zasienja sklopa, koji openito iznosi oko 0.1 V. Dakle, sklop radi kao logiki invertor, napon blizu UCC predstavlja logiku jedinicu, napon blizu 0 V logiku nulu. Na slici 5.8.b. prikazan je odnos izme u ulaznog signala invertora i odgovarajue struje kolektora i izlaznog napona. Moemo primijetiti da postoji kanjenje izme u promjene ulaznog napona i odziva na izlazu tranzistora. Vrijeme iskljuenja je znaajno dulje od vremena ukljuenja. Osnovni razlog je u duljem vremenu potrebnom minoritetnim nositeljima da napuste bazu prilikom iskljuenja. MOSFET je dominantan oblik koritenja FET-ova za primjenu u digitalnoj tehnici. Dok za analogne primjene ove sklopove najee nazivamo FET-ovi, u digitalnim sustavima ee se koristi izraz MOS sklopovi koji opisuje nain izrade umjesto naina rada. Kako je ve navedeno, glavne prednosti MOS tranzistora u odnosu na bipolarne tranzistore su njihova jednostavnost i jeftinija izrada. MOS logiki sklopovi zauzimaju manju povrinu na siliciju pa time omoguavaju smjetanje veeg broja elemenata na ipu. Tako er je manja i potronja snage to uvelike umanjuje probleme zagrijavanja. Nedostatak MOS tranzistora je sporiji rad. Primjer MOS tranzistora kao logike sklopke prikazan je na slici 5.9.
Slika 5.9. MOS tranzistor kao logika sklopka Kad je ulazni napon Uul (UGS) blizu 0 V, n-kanalni MOSFET je iskljuen jer je tranzistoru potreban pozitivan napon na upravljakoj elektrodi za formiranje kanala izme u uvoda (S) i izvoda (D). Struja izvoda je stoga zanemariva pa na otporniku R nemamo gotovo nikakav pad napona. Izlazni napon je blizu napona napajanja UDD (logika '1'). Kad je veliina ulaznog napona blizu napona napajanja, MOSFET je ukljuen i struja tee kroz otpornik R, to za posljedicu ima da je izlazni napon blizu 0 V (logika '0'). 5.2.1. Otpornik tranzistor logika (RTL) Jednostavni invertor prikazan na slici 5.8. moe biti osnova za cijelu grupu logikih sklopova. Dodavanjem drugog tranzistora dobili smo NILI sklop s dva ulaza (Slika 5.10). Dodavanjem vie tranzistora moemo realizirati sklop s vie ulaza.
151
Slika 5.10. NILI sklop u RTL logici Prednosti RTL tehnike su jednostavnost i kompaktnost. Nedostatci su u relativno niskom imunitetu na utjecaj uma i maloj brzini rada. 5.2.2. Diodna logika (DL) I i ILI logiki sklop moemo izraditi koristei samo diode i otpornike (Slika 5.11). Moemo primijetiti da za I sklop sa slike 5.11.a) napon koji odgovara logikoj '0' na izlazu nije jednak ulazu jer je uvean za napon na diodi, uobiajeno oko 0.7 V. Na izlazu I sklopa pojavit e se pozitivan impuls samo onda, ako je pozitivni impuls (logika '1') prisutan na oba ulaza. U mirnom stanju vode obe diode i na izlazu je napon 0.7 V. Nai e li pozitivni impuls na diodu, ona prestaje voditi. Ako pozitivni impuls dovedemo na obje diode, na izlazu emo dobiti napon UCC jer struja sada prolazi samo kroz otpornik R. Za ILI sklop na slici 5.11.b. izlazni napon koji odgovara logikoj '0' jednak je ulazu, dok je logika '1' smanjena za napon na diodi. Diodna logika je jednostavna, ali je pasivna pa signal prolaskom kroz niz sklopova postupno erodira tj. napon koji predstavlja logiku '0' se poveava, a napon koji predstavlja logiku '1' se smanjuje sve dok razlika ne postane nedovoljno velika da bi se mogla prepoznati. Zbog toga diodnu logiku koristimo samo za jednostavne logike operacije.
Slika 5.11. Diodna logika: a) I sklop i b) ILI sklop
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 5.2.3. Diodno-tranzistorska logika (DTL)
152
Veina problema diodne logike moe se rijeiti dodavanjem pojaala na izlazu sklopa kako bi se korigirali logiki nivoi. Sklop na slici 5.12. predstavlja modificirani I sklop sa slike 5.11.a). Kako je dodano invertirajue pojaalo, dobili smo NI sklop. Dodatna dioda D3 spojena je u seriju s tranzistorom kako bi snizili napon baze tranzistora s 0.7 V na 0 V u sluaju logike '0' na jednom od ulaza. Napon u toki E treba biti vei od zbroja napona ukljuenja tranzistora i diode D3. S obzirom da je napon ukljuenja za diodu i tranzistor oko 0.5 V, samo e mala struja prolaziti otpornikom RC, dokle god napon u toki E ne dosegne 1 V. Kad na bilo koji ulaz dovedemo logiku '0', napon u toki E pada na otprilike 0.7 V, tranzistor se iskljuuje i na izlazu dobijemo logiku '1'.
U0 = UCEZAS = 0.1 V U1 = UCC
UCC
R
RC
Z
A B 0 0 1 1 0 1 0 1
E A B
D3
1 1 1 0
0V
Slika 5.12. Diodno-tranzistorska logika: NI sklop 5.2.4. Tranzistor-tranzistor logika (TTL) Promatrajui sklop sa slike 5.12. moemo primijetiti da svaki ulaz vidi kombinaciju dvije obrnuto orijentirane diode. Zapravo se radi o NP PN spoju kojeg moemo zamijeniti NPN tranzistorom (Slika 5.13). Umjesto dioda, sada imamo tranzistor pa kaemo da imamo sklop realiziran u tranzistor-tranzistor logici (TTL). TTL logika je jedna od najrairenijih tehnika realizacije logikih sklopova, naroito za sklopove niskog i srednjeg stupnja integracije.
Slika 5.13. Tranzistor-tranzistor logika: NI sklop
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 5.2.5. Logika zajednikog emitera (ECL)
153
Prednost ECL tehnike je vrlo velika brzina rada jer tranzistori u radu ne ulaze u podruje zasienja. Nedostatci su velika osjetljivost na um i velika potronja snage zbog toga to su tranzistori stalno u aktivnom podruju. Primjer logikog sklopa koji radi s tranzistorima koji ne ulaze u podruje zasienja prikazan je na slici 5.14.
UCC RC Z Z A B 0 0 1 1 0 1 0 1 Z Z 0 1 1 1 1 0 0 0 RC
T1
T2
T3
UBB
UE
RE
Slika 5.14. Logika zajednikog emitera: I - NILI sklop Ako su ulazi A i B sa slike 5.14. u logikoj '0', oba napona su manja od napona UBB. Logiki naponi U0 i U1 se odabiru tako da U0 bude malo manji od UBB, a U1 malo vei od UBB. Tranzistor T3 je ukljuen, a napon na emiterima tranzistora UE jednak je
U E = U BB U BE U BB 0.7V Kako su naponi na A i B nii od UBB, napon izme u baze i emitera tranzistora T1 i T2 e biti nii od 0.7 V, dakle tranzistori su iskljueni. Struja IE jednaka je
IE = U E U BB 0.7 RE RE
i ona protie iskljuivo kroz T3 jer su T1 i T2 iskljueni. Napon u toki Z je U Z = U CC RC I E = U CC RC
(U BB 0.7 )
RE
a napon u toki Z' je priblino jednak UCC. Uz odabir odgovarajuih UBB, RC i RE, moe se podesiti da tranzistor T3 ostane u aktivnom podruju. Ako se A ili B postavi u logiku '1', napon UE se povisi na U1 0.7 V smanjujui napon baza-emiter tranzistora T3 ispod 0.7 V. Zbog toga se ukljuuje odgovarajui tranzistor i iskljuuje T3. U ovom sluaju je struja emitera
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike U E U 1 0.7 = RE RE
154
IE =
Ova struja e tei iskljuivo kroz odgovarajui tranzistor tako da je napon u toci Z' jednak U Z ' = U CC RC I E = U CC RC
(U 1 0.7)
RE
dok je napon UZ priblino jednak UCC. Uz odgovarajui odabir komponenti, tranzistor nee biti u podruju zasienja.
5.2.6. MOSFET (MOS) Na poetku ovog poglavlja ve je prikazan primjer koritenja MOSFET-a kao logikog invertora. Koritenje otpornika u integriranim sklopovima nije ekonomino pa se kao aktivna optereenja koriste MOSFET tranzistori. Prikaz realizacije invertora i NI sklopa koritenjem n-kanalnih MOSFET tranzistora (NMOS) dan je na slici 5.15. Slini sklopovi se mogu realizirati i koritenjem p-kanalnih tranzistora (PMOS). Jedna od velikih prednosti MOS tehnologije je njena jednostavnost. Tranzistori-sklopke ponaaju se kao gotovo savrene sklopke i sklopovi su otporni na um.
Slika 5.15. NMOS: a) NE sklop; b) NI sklop
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 5.2.7. Komplementarni MOSFET (CMOS)
155
Komplementarna MOSFET tehnika odlikuje se vrlo velikom brzinom rada i vrlo malom potronjom. Ovi sklopovi koriste po jedan n-kanalni i p-kanalni sklop, pa odatle i naziv komplementarni MOSFET. Kao i kod NMOS sklopova, napon UDD predstavlja logiku '1', a 0 V predstavlja logiku '0'. Kako su razliito polarizirani, tranzistori se razliito ponaaju s obzirom na napon na upravljakoj elektrodi. Dok napon UDD na upravljakoj elektrodi ukljuuje n-kanalni tranzistor, istovremeno iskljuuje p-kanalni. Obratno vrijedi za nulti napon na upravljakoj elektrodi. Primjer realizacije NE i NI sklopa u CMOS tehnologiji prikazan je na slici 5.16.
Slika 5.16. CMOS: a) NE sklop; b) NI sklop Iako je CMOS sklopove tee proizvesti nego NMOS ili PMOS sklopove jer je potrebno izraditi istovremeno oba tipa sklopova, velika brzina, mala potronja i velika otpornost na um imaju za posljedicu da je ova tehnologija, najrairenija tehnologija koja se koristi pri izradi novih integriranih sklopova.
5.3. Sekvencijalna logika
Za razliku od kombinacijske logike predstavljene u prethodnim poglavljima kod koje su stanja na izlazu odre ena iskljuivo trenutnim ulaznim stanjima, kod sekvencijalne logike izlazi nisu odre eni samo ulazima ve i sekvencom ili slijedom ulaza koji su doveli do trenutnog stanja. Drugim rijeima, sklopovi koji koriste ovu logiku imaju svojstva memorije. Na slici 5.17 prikazan je openiti sekvencijalni sustav koji se sastoji od kombinacijske logike, memorije i povratne veze. Memorijski elementi su sklopovi koji mogu pohraniti binarnu informaciju tj. izlaz je u bilo kojem trenutku odre en trenutnim ulazima i podacima pohranjenim u memorijskim elementima. Informacija pohranjena u memoriji odre uje stanje sklopa u bilo kojem trenutku, dok je slijedee stanje sustava odre eno trenutnim stanjem i ulazima.
156
Sekvencijalni sklopovi mogu se podijeliti na sinkrone i asinkrone. Kod sinkronih sustava ulazi, izlazi i unutranja stanja su uzorkovana u odre enim vremenskim trenucima, a vremenski slijed se upravlja signalom takta (clock). Sklopovlje asinkronih sustava u bilo kojem trenutku moe promijeniti stanje s obzirom na promjenu stanja na ulazima.
Slika 5.17. Openiti sekvencijalni sustav Iako je veliki broj elektronikih sklopova sekvencijalan, najee koriteni su razliiti tipovi multivibratora. Multivibratori su openito sklopovi koji imaju dva izlaza koji su me usobno komplementarni te nijedan, jedan ili vie ulaza. Izlaze najee oznaavamo s Q i Q . Razlikujemo tri osnovne grupe multivibratora: Bistabilni multivibrator: Oba izlazna stanja su stabilna-sklop ostaje u jednom od mogua dva stanja sve dok ulazni signal ne prouzrokuje promjenu. Monostabilni multivibrator: Jedno stanje je stabilno, a drugo kvazistabilno. Sklop ostaje u stabilnom stanju dok ulaznim signalom ne prouzrokujemo dovo enje sklopa u kvazistabilno stanje. U takvom stanju ostaje odre eno vrijeme, a potom se automatski vraa u stabilno stanje. Astabilni multivibrator: Oba stanja su kvazistabilna. Sklop ostaje u svakom od nih odre eni vremenski period, a potom automatski prelazi u drugo kvazistabilno stanje.
Na osnovu navedenog, oito je da se multivibratori mogu koristiti za generiranje impulsnih signala (bistabilni multivibrator- naponski skok, monostabilni multivibrator- pravokutni impuls, astabilni multivibrator-pravokutni val). Tako er, monostabili se mogu koristiti kao sklopovi za kanjenje, a bistabilni multivibratori ili bistabili se koriste i kao temeljni memorijski sklopovi koriteni u digitalnim sustavima. Zbog toga emo posebnu panju posvetiti bistabilima. Bistabil ima dva izlaza, pri emu jedan uvijek pokazuje komplementarnu vrijednost od drugoga. Bistabil ima dva stabilna stanja i sve dok je prikljuen na izvor napajanja ne mijenja stanja na svojim izlazima. Iako se u literaturi moe pronai da se za sve bistabile koristi izraz flip-flopovi, tonije ih je podijeliti u dvije skupine: Razinom okidani bistabil (latch): Bistabil koji daje odziv na svojim izlazima kod promjene ulazne razine.
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike -
157
Bridom okidani bistabil (flip-flop): Ovaj bistabil daje odziv na ulazne promjene samo u vremenskim trenucima promjene ulaznog signala, signala takta.
5.3.1. Razinom okidani bistabili U ovu grupu bistabila pripada SR bistabil (SET-RESET) prikazan na slici 5.18. Dva ulaza oznaena su s S i R, a izlazi s Q i Q . Blok shema i pripadna tablica istinitosti prikazani su na slici 5.19.
R
Slika 5.18. SR bistabil realiziran pomou dva NILI sklopa

Ako na ulazu imamo S = 0 i R = 0, sklop ne mijenja stanje na izlazima pa ovo stanje nazivamo i memorijskim modom sklopa. Nadalje uz R = 1, i S = 0, izlaz Q postavlja se u 0 bez obzira na njegovo prethodno stanje. Tako er, izlaz Q postavlja se u 1. Zbog simetrinosti sklopa, lako moemo zakljuiti da e se za stanje na ulazima R = 0, i S = 1, izlaz Q postaviti u 1 bez obzira na njegovo prethodno stanje, a izlaz Q u 0. Dakle R = 1 postavlja izlaz Q u 0 (RESET), a S = 1 postavlja izlaz Q u 1 (SET). Moemo primijetiti da uz stanja na ulazima S = 1 i R = 1, oba izlaza imaju vrijednost 0 i vie ne vrijedi komplementarnost izlaza. Stoga je ovakva kombinacija na ulazu zabranjena.
S S Q R
Qn
Qn
0 0 1 1
0 1 0 1
Qn-1 Qn-1 Nema promjene 0 1 0 1 0 0

b)
RESET SET Neodredeno
a)
Slika 5.19. a) Blok shema SR bistabila; b) Tablica istine SR bistabila

Primjer vremenskog dijagrama za razinom okidan SR bistabil prikazan je na slici 5.20. Ovu vrstu bistabila moemo smatrati za jednostavan oblik elektrine memorije jer sklop pamti koji je od dva ulaza posljednji postao aktivan (1).
158
R Q
Slika 5.20. Vremenski dijagram SR bistabila

esto je korisno omoguiti upravljanje radom bistabila na nain da signal s ulaza bude omoguen u nekim trenucima, a onemoguen u drugim. Neto sloeniji sklop SR bistabila s tri ulaza omoguava takvo upravljanje (Slika 5.21).
S S
Q
E
S E R
Q
R R
a)
b)
Slika 5.21. a) SR bistabil s E ulazom; b) Simbol sklopa
Q
E
D E
Q
R
a)
b)
Slika 5.22. a) Jedna od moguih izvedbi D bistabila; b) Simbol sklopa
159
Ulaz E (Enable) koristi se za omoguavanje ili zabranu djelovanja preostala dva ulaza na izlazna stanja. Kad je ulaz E = 0, S ' i R ' su u 0, bez obzira na stanja ulaza S i R. Zbog toga je bistabil u memorijskom modu rada, dakle onemoguena je promjena stanja na izlazu. Kada je ulaz E = 1, stanja se postavljaju ovisno o ulazima S i R na ve opisani nain za SR bistabil. Nepoeljno stanje SR bistabila (S = R = 1) izbjegava se zabranom istovremenog postavljanja ulaza u 1. To se postie D (Data) bistabilom koji je zapravo modificirani SR bistabil (Slika 5.22). D bistabil ima dva ulaza D i E. Za E = 1, izlaz Q postaje jednak trenutnoj vrijednosti D, a za E = 0, Q zadrava vrijednost koju je imao (Slika 5.23).
Q
Slika 5.23. Vremenski dijagram D bistabila
Na ovaj nain zapravo nam je omogueno pohranjivanje jednog bita informacije pa se D bistabili uglavnom koriste u grupama kako bi se pohranile itave rijei (Slika 5.24). Za primjer prikazan na slici izlazi Y0 Y7 su identini ulazima X0 X7 ukoliko je ulaz E = 1. Postavljanjem ulaza E u 0, izlazi su zamrznuti u stanjima kakva su bila u trenutku kada je E postavljen u 0, dakle pohranjuje se neka odre ena vrijednost. Ova tehnika se iroko koristi u radu mikroraunala i drugim podrujima digitalne elektronike.
X7 X6 X5 X4 X3 X2 X1 X0
Y7 Y6 Y5 8 D bistabila Y4 Y3 Y2 Y1 Y0
Slika 5.24. Pohranjivanje 8-bitnog podatka pomou 8 D bistabila
V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 5.3.2. Bridom okidani bistabili
160
esto puta se kod digitalnih sklopova pojavljuje potreba za sinkronizacijom rada veeg broja razliitih sklopova i korisno je precizno upravljati trenucima kada sklop moe mijenjati stanja. Bridom okidani bistabili su sastavljeni od osnovnih razinom upravljanih bistabila, a upravljani su signalom takta kao ulaznim signalom. Takt, CK, je signal pravokutnog valnog oblika prikazan na slici 5.25. S obzirom na takt, razlikujemo dvije vrste bridom okidanih bistabila: oni koji mijenjaju stanja izlaza na rastuem ili padajuem, odnosno pozitivnom ili negativnom bridu takt impulsa. Primjer simbola SR bistabila okidanog pozitivnim i negativnim bridom dan je na slici 5.26.
CK a)
CK b)
CK c)
Slika 5.25. a) Signal takta; b) Pozitivni brid; c) Negativni brid

S CK R a) Q R b) Q S CK Q Q
Slika 5.26. a) Simbol SR bistabila okidanog pozitivnim bridom; b) Simbol SR bistabila okidanog negativnim bridom Bridom okinuti bistabil uzima uzorke signala s ulaza samo na bridovima signala takta i izlazi se mijenjaju samo kao rezultat pojave brida signala takta.
S E
S E
Q S 0 0 1 1 R 0 1 0 1 CK Qn Qn Qn-1 Qn-1 0 1 0 b) 1 0 0 Nema promjene RESET SET Zabranjeno
CK a)
Slika 5.27. Primjer SR bistabila okidanog pozitivnim bridom (tzv. master-slave konfiguracija) a) Sklop; b) Tablica istine
161
Bridom okidan SR bistabil razlikuje se od razinom okidanog SR bistabila po tome to ulazi djeluju na ovaj sklop samo za vrijeme pozitivnog, odnosno negativnog brida takta (ovisno o vrsti sklopa). Jedna od moguih izvedbi ovog sklopa, zajedno s tablicom istinitosti, prikazana je na slici 5.27. Primjer vremenskog dijagrama sklopa prikazan je na slici 5.28.
CK
S=1 R=0 SET
S=0 R=1 RESET
S=1 R=0 SET
S=0 R=0 bez promjene
S=0 R=1 RESET
Slika 5.28. Vremenski dijagram SR bistabila okidanog pozitivnim bridom

Bridom okidani D bistabil prikazan je na slikama 5.29. i 5.30.
D
D CK CK Q Q D CK CK Qn Qn
S
CK
0
Q
0 1 c)
1 0
RESET
SET
R b)
a)
Slika 5.29. D bistabil okidan pozitivnim bridom: a) Simbol; b) Nadomjesna shema; c) Tablica istinitosti
Ve navedeni nedostatak SR bistabila zbog zabranjenog stanja koje nastupa kada su oba ulaza u 1 (S = 1, R = 1) osim koritenja D bistabila moe se izbjei i koritenjem JK bistabila. Ako pogledamo tablicu istinitosti SR bistabila, moemo primijetiti da imamo tri definirana izlaza: - Nema promjene; Q = Qn-1 ako su oba ulaza jednaka 0 - RESET (brii); Q = 0 ako je S = 0, R = 1 - SET (postavi); Q = 1 ako je S = 1, R = 0 Neodre eno stanje JK bistabil nema, ve umjesto njega ima stanje prebacivanja (TOGGLE). Dakle, ako su oba ulaza u 1, onda izlaz mijenja stanje. Ovaj sklop u osnovi koristi SR bistabil s dva I vrata u povratnoj vezi. Simbol i tablica istinitosti JK bistabila prikazani su na slici 5.31.
162
CK
D=1 Q=1
D=0 Q=0
D=0 Q=0
D=1 Q=1
D=1 Q=1
Slika 5.30. Vremenski dijagram D bistabila okidanog pozitivnim bridom

J J CK K Q Q K CK
Qn
Qn
0 0 1 1
0 1 0 1
Qn-1 Qn-1 Nema promjene 0 1 1 0

RESET SET
Qn-1 Qn-1 Prebaci b)
a)
Slika 5.31. JK bistabil okidan negativnim bridom: a) Simbol; b) Tablica istinitosti

JK bistabil moe se iskoristiti za realizaciju drugih bistabila kao to su SR, D i T bridom okidani bistabili. Navedimo znaajke T bistabila (Slika 5.32). J i K ulazi JK bistabila su spojeni kako bi dobili samo jedan ulaz kojeg oznaavamo s T (Toggle - prebaci). Ako je ulaz T u 0, sklop je u memorijskom modu i zadrava trenutno stanje. Ako je ulaz T = 1, oba ulaza J i K su jednaka 1 i sklop mijenja stanje svakim taktom.
T 0
Q a)
T CK
J CK K
CK
Qn
Qn
Qn-1 Qn-1
Qn-1 Qn-1
b)
Slika 5.32. T bistabil okidan pozitivnim bridom: a) Izvedba pomou JK bistabila; b) Tablica istinitosti

Pitanja:
163
1. Klasificirajte elektronike sklopove s obzirom na stupanj integracije. 2. Koji su osnovni, a koji izvedeni logiki sklopovi koje poznajete? 3. Prikaite realizaciju izvedenih logikih sklopova pomou osnovnih logikih sklopova. 4. Nacrtajte jednu od moguih realizacija polusumatora. 5. Od kojih elemenata bi se trebao sastojati sumator? 6. Koja je razlika izme u pozitivne i negativne logike kod realizacije logikih sklopova? 7. Objasnite rad tranzistora kao logike sklopke. 8. Prikaite realizaciju NILI sklopa s tri ulaza u RTL tehnici. 9. Prikaite realizaciju NI sklopa s dvije razliite tehnike. 10. Koje su osnovne prednosti CMOS tehnologije u realizaciji logikih sklopova? 11. Objasnite rad NE sklopa realiziranog CMOS tehnikom. 12. to su multivibratori i kako ih moemo podijeliti? 13. Koje su modifikacije potrebne da od SR bistabila s E ulazom dobijemo D bistabil? 14. Koja je primjena D bistabila? 15. to je preduvjet za promjenu izlaza kod bistabila okidanih bridom? 16. Nacrtajte tablicu istinitosti JK bistabila. 17. Koje su znaajke T bistabila?
164
Literatura:
1. 2. 3. 4. 5. 6. -X]EDL (OHNWURQLNL HOHPHQWL NROVND NQMLJD =DJUHE %LOMDQRYL (OHNWURQLNL VNORSRYL NROVND NQMLJD =DJUHE Peruko, Digitalna elektronika, kolska knjiga, Zagreb, 1996. 6ODSQLDU ,PSXOVQD L GLJLWDOQD WHKQLND )(6% 6YHXLOLWH X 6SOLWX Storey, Electronics: A Systems Approach, Prentice Hall, 1998. 6ODSQLDU *RWRYDF (OHNWURQLNL VNORSRYL 6YHXLOLWH X 6SOLWX

OE22

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

OE22

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Sveuilite u Splitu

PREDAVANJA IZ OSNOVA ELEKTRONIKE

Manualia Universitatis studiorum Spalatensis

CIP-Katalogizacija u publikaciji Sveuilina knjinica u Splitu UDK 628.38(075.8)

Split, veljaa 2005.

II. Elektroniki elementi i sklopovi

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

1. Nabijene estice u elektrinom i magnetskom polju

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Za elektron vrijedi omjer

Slika 1.1. Nabijena estica u elektrinom polju

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike q ax Ex m q ay Ey m q az Ez m

U U U E gradU ( x, y, z ) x i y j z k U Ex x U Ey y U Ez z odakle slijedi

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

potencijalna energija (naboj x potencijal)

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike 1.2.1. Elektron u homogenom elektrostatskom polju

U U Ex hogomogeno derivacija konstantna a x d

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Budui da je u trenutku t = 0 poetna brzina v = vk , slijedi C1=vk , pa je brzina elektrona:

a integriranjem (1.15) dobivamo i poloaj elektrona u trenutku t (konstanta C2 = 0):

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

qe t 2 ' E C1'' t C 2' 2 me 0

' z C1''' t C 2''

U poetnom trenutku (t = 0) vrijedi x = y = z = 0 ; vx = va ; vy = vz = 0. Za x komponentu moemo pisati:

Dobili smo sustav:

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Slika 1.5. Elektronski top

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Slika 1.6. Otklon elektrona u katodnoj cijevi

l Sa slike 1.6 moemo oitati koordinate toke T1(l, y1) i T2 L + , d s 2

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Sila kojom magnetsko polje djeluje na nabijenu esticu je

Uslijed djelovanja sile estica dobije ubrzanje

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Slika 1.7. Primjer ponaanja estice u magnetostatskom polju poetni uvjeti

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Poto se ukupna brzina (kinetika energija) ne mijenja, moemo pisati

Slika 1.8. Rezultantna putanja estice

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

T = 3.57 10 11 f = 2.8 1010 B

Uobiajene vrijednosti indukcije su oko 10 T, a za vrlo jake magnete 15-20 T.

b T1(l,y1) ds l L T2(l/2+L,ds) EKRAN x

Slika 1.9. Otklon elektrona pomou magnetostatskog polja

Za elektron moemo pisati:

Takoer, ako iz (1.37) eksplicitno napiemo y:

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

Uvijek je r >> y1 , pa vrijedi

pa, kad uvrstimo koordinate toke T2, vrijedi:

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

qe Ua me 0 q q me 0 1 1 = lLB e = lLB e 2q eU a 2me 0 U a 2me 0 Ua

Osjetljivost je jednaka omjeru otklona i indukcije

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

to dalje moemo napisati posebno za svaku komponentu

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

pa uvrtavanjem u (1.51) moemo napisati

Ako elimo da elektron dira elektrodu (kritina magnetska indukcija):

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike za k = 0 je t =

vrijeme nastupanja prvog maksimuma pa je

1.5. Elektrostatske lee

V.Papi: Predavanja iz osnova elektronike

v1t v2t v1 sin 1 v2 sin 2

Brzina elektrona moe se, kako je ve pokazano, iskazati relacijom

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

6YRMVWYD PHWDOD L SROXYRGLD

VSHFLILQRJ RWSRUD 10 3 cm < RSP < 10 6 cm JRYRULPR R SROXYRGLX D ]D YULMHGQRVWL

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike onda imamo f ( E , T ) = vjerojatnost).

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

gdje je c EU]LQD VYMHWORVWL 8YUWDYDQMHP RYH MHGQDGEH X MHGQDGEX GRELMHPR

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 3ROXYRGLL L HQHUJHWVNH YUSFH X SROXYRGLLPD

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 2.7. Koncentracija nositelja naboja

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike ili u elektronvoltima (eV)

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike 9RGOMLYRVW SROXYRGLD

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike J dP = q e p v dP = q e p P E = P E J dN = q e n v dN = q e n N E = N E

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike Pitanja:

93DSL 3UHGDYDQMD L] RVQRYD HOHNWURQike