1

Mikroelektronika s technolgia, V. sz gyakorlat

Technolgiai mrsek a monolit IC gyrtsi eljrs ellenrzsre
(Az a s b mrsek kzl az egyik elre megadottat kell elvgezni.)
a.) Kapacits-feszltsg mrse flvezet rtegszerkezeteken
Clkitzs:
A gyakorlat clja a kapacits-feszltsg mdszerek alapvet sajtossgainak
megismerse, klns tekintettel a technolgit minst paramterek meghatrozsi
lehetsgeire. Tovbbi cl a MOS rendszerek fizikai viselkedsnek mlyebb megrtse is.
A mrshez szksges elmleti ismeretek:
A C-V mdszerek adjk a flvezet gyrtstechnika egyik legjobban elterjedt ellenrz
eszkzrendszert. A C-V mrsekbl nyert paramterek egyarnt jellemezhetik a technolgit,
illetve a legyrtott eszkzt.
Az 5.1 bra foglalja ssze rviden azokat a jellemzket, amelyek egy MOS rendszerben
szoros kapcsolatban vannak az ellltsi technolgival.
Meghatrozhat a szilcium adalkolsa, az adalkols helyfggse, s a fellet kzeli
tartomnyok vezetsi tpusa. Ez annl is inkbb fontos, mert az oxidnveszts magas
hmrsklet technolgiai mvelet, ennek sorn az adalkols kisebb-nagyobb mrtkben
megvltozhat.
A szilcium tmb nehzfm szennyezi, valamint ms kristlyhibk a tiltott sv
svszlektl tvol es tartomnyban hoznak ltre megengedett energia llapotokat, amelyek a
kisebbsgi tltshordozk lettartamt cskkentik. Az lettartamokra szintn j becsls adhat C-
V mdszerek alapjn.
A szilcium s oxidjnak hatrfellete megfelel technolgia alkalmazsa esetn igen
kzel ll az idelishoz. Mindazonltal az oxidci sorn az oxid-szilcium tmeneten felszakadt
ktsek kzl egyesek lektetlenek maradhatnak. Ez a hatrfelletre lokalizlt energia
llapotokat eredmnyez a tiltott svban. Ezek tltse (Q
ss
), az llapotok eloszlsa (D
it
) s a
svgrbls mentes esethez (flat-band, FB) tartoz felleti tlts (Q
f
) is igen pontosan
vizsglhat.
A szilcium oxidjban a technolgival vagy egyb krlmnyekkel sszefggsben
tovbbi tltsek tallhatk. Az oxid tmbi hibi is tltttek lehetnek, ionizl sugrzs, vagy
lavinaletrs sorn keletkezett forr-elektronok is bekerlhetnek a szigetelbe (Q
ot
). Nem
megfelel tisztasg mellett az oxid tartalmazhat alkli ionokat, amelyek magasabb hmrskleten
trer hatsra elmozdulhatnak. Ez a mozgkpes tlts (Q
m
) instabilitsokat okozhat a MOSFET
nyitfeszltsgben.
A klnfle tltsek sszegzdtt hatsa az eszkzk mkdst tekintve abban nyilvnul
meg, hogy a vezrl elektrdra adott feszltsg (tlts) egy rsze ezeket a tltseket
kompenzlja. Az eszkz nyitfeszltsgt teht a tltsek jelenlte megvltoztatja. A tiltott svba
es gyors felleti llapotok (D
it
) jelenlte az eszkz meredeksgt is cskkenti, s nveli az
eszkzk zajt is.
2
A C-V mrs f clja, hogy informcit adjon a MOS a rendszer tltsviszonyairl, s a
ksz eszkz vrhat mkdsrl, mg annak elkszlte eltt. Ezek a technolgit jellemz
informcik a MOS rendszer C-V grbjnek elemzsbl kaphatk meg. Az lland rtk
tltsek hatsra a grbe a feszltsg tengely mentn eltoldik, a felleti potenciltl fgg
tltsek (D
it
) hatsra a grbe ellaposodik (5.2 bra). Ugyancsak a grbe eltoldsa az eredmnye
a fm s a flvezet kztti kilpsi munka klnbsgnek (kontakt-potencil). Ennek
megfelelen a tltsek elklntse nem egyszer, fel kell hasznlni a tltsek eredetvel s
tulajdonsgaival kapcsolatos, egyb ismereteket is (pld. hmrsklet-fgg tulajdonsgok).
A technolgus feladata, hogy a mrsbl meghatrozott tltsek ismeretben olyan
vltoztatsokrl, esetleg j technolgiai lpsekrl dntsn, amelyek lehetv teszik az eszkzk
mkdst krosan befolysol tltsek cskkentst, esetleg ms tltsekkel val
kompenzlst.
A mozgkony ionok szma kizrlag a tisztasgi kvetelmnyek nvelsvel s szigor
betartsval tarthat kellen alacsony szinten. A hatrfelleti llapotok srsge (Q
ss
, Q
f
, D
it
)
semleges gzban vagy redukl atmoszfrban val hkezelssel cskkenthet. Ilyen
atmoszfrban ugyanis az oxidci folyamata lell, a magas hmrskleten azonban lehetsg
nylik a hatrfelleti ktsek tovbbi rendezdsre. Lehetsg van az oxidtltsek hatsnak
kompenzcijra s a nyitfeszltsg adott rtkre val belltsra az inverzis csatorna
tartomny implantcijval is.
5.1. bra. A MOS rendszerben C-V mdszerekkel vizsglhat, technolgival sszefgg
mennyisgek
A hatrfelleti tltsek nemcsak az aktv eszkzk mkdsben jtszanak fontos
szerepet, hanem az egsz flvezet lapkn. Minthogy ezek ltalban pozitv tltst jelentenek,
ezrt az N tpus flvezet felletet bort oxid alatt akkumulci tallhat. Gyengn adalkolt P
felleten ezzel szemben inverzis rteg alakul ki, ami a P tartomnyban kialaktott sszes eszkzt
rvidre zrhatja. Az effle parazita csatornk kialakulsnak megakadlyozsra a fellet
3
kzelben ersen adalkolt rtegeket kell ltrehozni az egymstl elvlasztand terletek krl
(csatorna stop).
5.2 bra. Az oxid tltsek s a felleti llapotok hatsa a MOS szerkezet C-V grbire (n
flvezet fellet esetre). A grbe eltoldsa a Q
f
, Q
ot
, Q
m
tltsek s a fm-flvezet kilpsi
munkk eltrsnek kvetkezmnye. A grbe ellaposodst a felleti potencillal vltoz
betltttsg csapdk (D
it
) okozzk
Flvezet-fellet, fm-fellet
A fellet, mint a tmbtl eltr fizikai tulajdonsgokat mutat tartomny, a flvezetk
esetben meglehetsen nagy kiterjeds trrszt foglalhat magba. Ennek oka az, hogy a
flvezetkben a tltsek koncentrcija kicsi, gy a hatrfelleten rvnyesl trer vagy felleti
tlts rnykolshoz jelents trbeli kiterjeds trtlts tartomny szksges.
A trtlts tartomny tltse s a felleti potencil kztti sszefggs a Poisson egyenlet
megoldsval adhat meg. A Poisson egyenlet a mozgkony tltsek elhanyagolsval (kirtses
kzelts) a kvetkez:
N
q

dx
? d
Si

2
2
, (5.1)
ahol a fellet krnyezetben kialakul elektrosztatikus potencil, q az elemi tlts, a
flvezet dielektromos llandja, N az ionizlt adalk atomok koncentrcija. A
differencilegyenlet ktszeri integrlsval (peremfelttel: x = x
d
esetn a trer s a potencil is
nulla) az elektrosztatikus potencil helyfggse addik
Si
d
x x qN
?
2
) (
2 2

, (5.2)
ahol x
d
a kirtett rteg vastagsga. A felleten (x = 0) a potencil eltr a tmbi rtktl:
4
Si
d
S
qNx
?
2
2
(5.3)
Figyelembe vve a trtltst:
d
qNx Qsc . (5.4)
A flvezet felletegysgre es tlts az elbbi sszefggsek alapjn
S Si
qN? Qsc 2 (5.5)
A fenti sszefggsek csak a fellet kirlse s gyenge inverzija esetn adnak igen j
kzeltst, akkumulcira s ers inverzira nem rvnyesek.
A trtlts tartomny sszes tltse s a felleti potencil kztti pontosabb sszefggs a
Poisson egyenlet megoldsval adhat meg. A megoldst (F(
s
;
F
) fggvny) az 5.3 bra
szemllteti.
10
100
1000
10000
100000
-0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2 0.3
Potencilgt / V
F
inverzi gyenge inverzi kirls FB akkumulci
5.3 bra. A flvezetk fizikjban alapvet fontossg F(
s
;
F
) fggvny. A
fggleges tengelyen a fggvnyrtk, vagyis Q
sc
/9x10
-12
As/cm
2
(logaritmikus
brzolsban), a vzszintes tengelyen a
s
felleti potencilgt N flvezetre (az
adalkols 2.5x10
15
/cm
3
, a tmbpotencil
F

= -0.31 V).
5
Ltszik a kirls s a gyenge inverzi tartomnyban a ngyzetgyks kapcsolat Q
sc
s

s
kztt (5.5 sszefggs). A beillesztett bra a fellet kzeli tartomny energia svdiagramjt
mutatja az ers inverzi esetre.
A Q
sc
(
s
) trtlts analitikusan, zrt formban megadja az akkumulci, kirls s
inverzi esetre rvnyes valamennyi tlts sszegt (elektronok, lyukak, ionizlt adalkatomok).
A felletegysgre es trtlts-kapacits megadhat a trtlts derivltja segtsgvel:
s
sc
s SC
d
dQ
C

) ( . (5.6)
MOS szerkezet esetn az oxidkapacits s a trtlts-kapacits soros eredje adja a MOS
kapacits rtkt:
( )
( )
( )
s sc ox
s sc ox
s
C C
C C
C
+

. (5.7)
A MOS rendszeren es feszltsg az oxidon es feszltsg s a flvezetn es feszltsg
sszege:
s
ox
sc
s ox
C
Q
V V + + . (5.8)
Az elbbi sszefggsek lnyegben a MOS rendszer (
s
sel paramterezett formban
megadott) egyenslyi (alacsonyfrekvencis, 1-5 Hz !) C-V grbje (5.3 bra, a).
Ha a kapacitsmr mrjelnek (kb. 10 Hz! fltti, tipikusan 1MHz-es) frekvencijt az
inverzis rteg genercis-rekombincis folyamatokon keresztl vltoz tltse nem kpes
kvetni, akkor a mrjellel kapcsolatos tltsvltozs az ers inverzihoz (
s
=2
F
) tartoz
llandsult x
dmax
tvolsgban, a kirtett rteg szlnl jn ltre. Ekkor a b jel grbe addik
(kzel lland C
inv
kapacits).
Igen gyors elfeszt impulzust alkalmazva (kb. 10 V/s) az az inverzis rteg tltse nem
kpes kvetni sem a mrjel, sem pedig az elfeszt jel vltozst. Ebben az esetben a vezrl
elektrda tltst csak a kirtett rteg (nem egyenslyi, x
dmax
rtknl jval nagyobb)
megnvekedse kompenzlhatja, amit jl mutat a mrt kapacits tovbbi cskkense (c jel
grbe). A szerkezetre kapcsolt feszltsgbl ilyen krlmnyek kztt 2
F
-nl jval nagyobb
rsz is eshet a flvezetre.
A fentiekben elmondottak rvnyessghez fel kell ttelezni, hogy a vezrlelektrd
tltse elhanyagolhatan vkony rtegben helyezkedik el. Ez a felttelezs fm-elektrdk esetn
tbbnyire jogos: fmek felletn a tltsrteg vastagsgt elhanyagolhatnak tekintve a felleti
tartomnyban a potencilvltozs is elhanyagolhatan kicsi. Polikristlyos Si elektrd esetben
elfordulhat, hogy a vezrlelektrd oldaln is figyelembe kell venni a tltsek vals eloszlst.
Az akkumulci s a kirls tartomnyban a tbbsgi tltshordozk eloszlsnak
mdosulsa a jellemz. Ezek a folyamatok a dielektromos relaxacis id alatt lejtszdnak, a
grbe ezekben a tartomnyokban igen nagy frekvencikig elmletileg nem frekvenciafgg.
PN tmeneten vagy fm-flvezet tmeneten vizsglva a kapacits feszltsgfggst a c
grbhez hasonl addik, azzal a klnbsggel, hogy nagyobb nyitirny elfeszts esetn a
szigetels hinya miatt a szerkezet nem kapacitsknt viselkedik.
6
5.4 bra. Idelis MOS szerkezet C-V grbi s helyettest kapacitsai. A beillesztett brk
mutatjk a tltsek trbeli eloszlst, jellve a mrjellel kapcsolatos tltsvltozst a kirtett
rtegek szln, illetve az inverzis vagy akkumulcis rtegben
tmutat a felkszlshez:
A gyakorlatra ismerni kell a PN tmeneten s a MOS szerkezeteken klnfle
elfesztsek sorn kialakul tltseloszlsokat, a trerket s a potencilokat (energia-
svdiagramokat). A mrs fizikai htterhez a jegyzet vgn tallhat "Olvasmny" ad kiegszt
ismereteket.
Knyv, jegyzet:
Valk-Tarnay-Szkely: Elektronikus eszkzk J5-1367,
72-76.,200-205., 435-449.o.
Dr.Mojzes Imre (szerk.), Mikroelektronika s elektronikai technolgia, Mszaki Knyvkiad,
1995. 40.-41.o.
Internet oldalak: http://jas.eng.buffalo.edu/applets/index.html
http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/
7
A felkszlst ellenrz krdsek:
Hasonltsa ssze a csak fmelektrdkbl ll, s a flvezett is tartalmaz kapacitsokat!
Milyen lehet a tltsek eloszlsa a flvezetk felleti tartomnyban, s milyen a fmek
felletn?
Milyen sszetevkre bonthat a MOS rendszeren es feszltsg?
Milyen trer s potencil eloszls tartozik homogn trtlts rteghez?
Hogyan fgg a kirtett rteg kiterjedse a PN tmenetre kapcsolt zr irny feszltsgtl?
Milyen kapacits mrhet N hordozn ksztett MOS szerkezet vezrl elektrdjra (nagy)
negatv (pozitv) feszltsget kapcsolva? Milyen kapacits mrhet P hordozn ksztett MOS
szerkezet vezrl elektrdjra pozitv (negatv) feszltsget kapcsolva?
Milyen kapacitv elemeket tartalmaz a MOS rendszer helyettest kapcsolsa?
Hogyan alakul a transzfer karakterisztika ugyanilyen az N ill. P hordozn megvalstott MOS
tranzisztor esetn?
Milyen irnyban toldik el a C-V grbe pozitv hatrfelleti tltsek esetn?
Rajzolja fel az N ill. P hordozn megvalstott MOS szerkezet C-V grbit (az oxidtltsek
ltalban pozitv eljelek)!
Milyen lesz a grbe alakja, ha nagyszm olyan llapot van a felleten, melynek betltttsge
fgg a flvezetn es feszltsgtl?
Milyen irnyban toldik el a C-V grbe, ha letrsbl szrmaz forrelektronok kerlnek az
oxidrtegbe? Fgg-e az eltolds irnya a hordoz vezetsi tpustl?
Hogyan becslhet a kisebbsgi tltshordozk lettartama MOS kapacits mrs segtsgvel?
A MOS kapacits inverzis rtege a kisebbsgi tltshordozk lettartamnl tbb
nagysgrenddel hosszabb id (~1 sec) alatt pl fel. Mirt lehetsges mgis a MOS tranzisztor
be- s kikapcsolsa ns alatti idllandval?
Mrsi feladatok, a kirtkels konkrt mdszerei:
1. Nagyfrekvencis C-V grbe felvtele MOS szerkezeten. (MOSCAP menpont, a mszer az
inverzi irnybl indulva mri s trolja a kapacits rtkt, majd akkumulciba feszti el a
mintt, s igen rvid impulzusokkal a nem egyenslyi mly kirlshez tartoz grbt is
megmri.)
llaptsuk meg a flat-band llapothoz, illetve az inverzi kialakulshoz szksges
feszltsgeket, s az adalkols kzelt rtkt!
A szmtshoz szerkesszk r a mrt C-V grbre az 1/C
2
-V grbt, 1/C
2
ox
s 1/C
2
inv
rtkeket!
A nyitfeszltsg az ers inverzi hatrhoz tartoz fmelektrda feszltsg. A nagyfrekvencis
grbn az lland C
inv
kapacits megjelense ktdik az ers inverzihoz:
ox sc inv
C C C
1 1 1
min
+ (5.9) s
dinv
Si
sc
x
C

min
, (5.10)
ekkor az inverzis rteg lernykolja a teret a kirtett rteg nvekedse mr elhanyagolhat. (Az
alacsony frekvencis grbe kirts utni jra emelkedse jelzi az inverzis rteg kiplst.)
8
5.5 bra. MOS szerkezet C-V grbi tszerkesztve
A V
FB
keresse esetn az 1/C
2
-V grbe (egyenes) 1/C
2
ox
rtkkel val metszst vesszk
meghatroznak, a V
T
nyitfeszltsg pedig az 1/C
2
-V grbe (egyenes) s az 1/C
2
inv
egyenes
metszspontjaknt hatrozhat meg (
s
= 0 a flat-band, illetve
s
=2
b
az ers inverzi esetn).
Az adalkols (ha a kirts sorn llandnak tekinthet, s a felleti llapotok srsge sem tl
nagy) a grbe kzps szakaszra illesztett egyenes meredeksgbl a
2
2
2
1
NA q V
C

(5.11)
kplettel hatrozhat meg. Ez az sszefggs PN tmeneten (vagy fm-flvezet tmeneten) mrt
C-V grbre is igaz, ahol a gyengbben adalkolt oldal adalkolst adja meg. (Itt A az elektrd
fellete, C a mrt kapacits.)
Hatrozzuk meg az adalkolst az inverzis kapacits s az oxidkapacits rtkbl is!
2. C-T grbe felvtele ugyanazon a MOS kapacitson. (C-T menpont, a mszer akkumulciba,
majd ugrsszeren nem egyenslyi, mly kirtett llapotba feszti el a mintt s mri az
inverzis rteg kialakulsa kvetkeztben fellp kapacits tranzienst. Az oxidvastagsg
megadsval, az akkumulciban mrt oxidkapacitssal s az egyenslyi inverzis kapacitssal
az adalkols rtkt is kiszmolja a program.)
Becsljk meg a C-T diagram alapjn a kisebbsgi tltshordozk lettartamt!

5.6 bra. MOSszerkezet C-t grbje
9
A nem egyenslyi elfeszts (x-x
dinv
) nagysg (nem egyenslyi) nvekedst okoz a kirtett
rteg mlysgben (5.4 bra, c grbe). A megnvekedett kirtett rtegben az I
g
genercis ram
a kapacits tranziensre jellemz T id alatt ltrehozza az inverzis rteget, melynek tltse a
kirtett rteg nem egyenslyi rsznek tltsvel kzel azonos, teht:
A x x qN T
A x x qn
T I
dinv
dinv i
g
) (
2
) (

. (5.12)
A kapacits az 5.4 bra, c grbjrl teht T id alatt tmegy az 5.4 bra, b grbjre.
Ebbl az lettartam becslhet: T
N
n
i
2
. (5.13)
3. Az idelis MOS C-V grbjnek szmtsa. (MOSSIM menpont, az elbbiekben a C-T
program vgrehajtsa sorn kapott adalkols s elektrda tmr rtkkel.)
Az idelis s a mrt grbe sszehasonltsval becsljk meg a Q
f
fix oxidtltst s a D
it
tiltott
svbeli hatrfelleti llapotsrsget!
A fix tlts (Q
f
) s a kilpsi munkk klnbsge (
MS
) idelis grbe (0) egy lland rtkkel
val eltoldst eredmnyezik (1), azaz
ox
f
MS FB
C
Q
V , (5.14)
amibl (
MS
= -0.3 V, vagy elhanyagolva) Q
f
egyszeren addik (a mozgkony ionok tltst, s
az oxid tmbi tltst egyarnt zrusnak tekintve).
A D
it
tiltott svbeli hatrfelleti llapotsrsg a felleti tltsek svgrblstl (
s
) val
fggst jellemzi. Ha D
it
rtke nagy, akkor az a mrt C-V grbe (az 5.2 brn vastag vonallal
jellve) ellaposodst okozza. A fix hatrfelleti tlts (Q
f
) s a kilpsi munkk klnbsge
(
MS
) ugyanis csak az idelis grbe (0) egy lland rtkkel val eltoldst eredmnyezik (1).
Ha azonban a felleti potencil vltozsakor vltozik a tlts a felleti llapotokon is, akkor pld.
a kirts fel haladva az idelis grbe pontjaibl a vals grbe pontjai egyre nagyobb
eltoldssal addnak. (2, 3, 4, jel grbk). Az egyes pontok eltoldsa:
ms
ox
it f
ms
ox
ss
ms ox
C
d D Q
C
Q
V V +
+
+ +

0
. (5.15)
A D
it
fizikai jelentse teht: fellet egysgenknt mekkora a felleti tlts megvltozsa
leV felleti potencil (svgrbls) megvltozsra nzve.
A grbe pontjainak eltoldsbl differencil illetve differencia mdszerrel D
it
kzelt
rtke addik:
10
( )
qA
C V Q
qA
D
s
ox
s
ss
it

1
. (5.16)
A kirtses tartomnyban a felleti potencilgt (
s
) a kirtett rteg x
d
kiterjedstl
ngyzetesen fgg. A kirtett rteg kiterjedse az oxidkapacitsbl s a mrt kapacitsokbl
hatrozhat meg (5.2, 5.9, 5.10 sszefggsek). gy:

,
_

ox
Si d
C C
A x
1 1
1
1

,
_

ox
Si d
C C
A x
1 1
2
2
(5.17)
Si
d d
s
x x qN
2
) (
2
1
2
2

. (5.18)
A fenti kifejezsek alapjn a (V)-hez tartoz felleti potencilgt megvltozsa
meghatrozhat. (Ha megelgsznk a D
it
egy tlagos rtkvel, akkor a flat-band s az
inverzi kztti (V)-hez a tmbpotencil ktszeresnek megfelel felleti potencillal
szmolhatunk, azaz
s
=2
F
. )
a.) b.)
5.7 bra. A D
it
hatrfelleti llapotsrsg betltsnek megvltozsa klnbz felleti
potencil (svgrbls) rtkek esetre: intrinsic fellet (a), flat band (b)
4. Mrjen C-V grbt klnfle PN tmeneteken, fm-flvezet tmeneteken, flvezet
didkon! ( C-V ill. ABRUPT menpontok.) Hasonltsa ssze a PN tmeneteken mrt grbket a
MOS szerkezetek C-V grbivel!
11
b.) Adalkanyag profil mrse terjedsi ellenllsmrssel
Clkitzs:
A gyakorlat clja azon mdszerek elsajttsa, amellyel a szilciumba a technolgia sorn
bevitt adalkanyagok mennyisge, valamint azok trbeli eloszlsa, vagyis az adalkanyag
(koncentrci) profilok meghatrozhatk. (Pld. brdiffzis vagy implantlt koncentrci profil
mrse.)
A mrshez szksges elmleti ismeretek:
A flvezetk alapvet tulajdonsga, hogy fajlagos ellenllsuk igen ersen fgg az
adalkols szintjtl:
N q

1
, (5.19)
ahol az elektronok, ill. a lyukak mozgkonysga, N a donor vagy az akceptor
adalkkoncentrci, ami a flvezetkben kb.10
13
-10
20
/cm
3
tartomnyban mozoghat. Az
egyenletbl kvetkezik, hogy az adalkols szintje a fajlagos ellenlls mrsvel
meghatrozhat.
5.8 bra. Fajlagos ellenlls mrse
ngyts mdszerrel.
A ngyts fajlagos ellenllsmr
mdszer lnyege az, hogy egyszer
s olcs mrsi elrendezssel meg
tudjuk hatrozni egy flvezet tmb
vagy egy vkony szelet fajlagos
ellenllst. Ehhez egy flvezet
tmbbel ngy tt rintkeztetnk az
bra szerinti elrendezsben, s a
szls kt tn "I" ramot bocstunk
keresztl, akkor a kt kzps tn
keletkez feszltsgessbl szmthat a flvezet tmb fajlagos ellenllsa:
I
U
s s s s s s
3 2 2 1 3 1
1 1 1 1
2
+

+
+

(5.20)
ahol s
1
, s
2
, s
3
a ttvolsgok az bra jellsei szerint. Abban az esetben, ha a ttvolsgok
egyenlek, azaz s
1,
= s
2
=

s
3
= s, akkor rhatjuk, hogy:
I
U
s 2 (5.21)
Ngytus fajlagos ellenllsmrs
s
1
s
2
s
3
I
ramgenertor
Si szelet
12
Az sszefggsek csak akkor adjk a fajlagos ellenlls pontos rtkt, ha a mrend
flvezet kristly mretei a ttvolsgnl jval nagyobbak (a vastagsg >3s, s a tk jval
tvolabb helyezkednek el a minta szltl, mint a ttvolsg.)
Vkony, homogn adalkols lemezek mrse esetn, ha a lemez vastagsga w kisebb,
mint 0,6s, akkor a fajlagos ellenlls kiszmtshoz a kvetkez sszefggs alkalmazhat:
w
I
U
w
I
U
53 . 4
2 ln


. (5.22)
Az sszefggsben nem szerepel a ttvolsg s teht a mr fejjel szemben csupn az a
kvetelmny, hogy a ttvolsgok egyformk legyenek.
Inhomogn adalkols esetn csak tlagos fajlagos ellenlls adhat csak meg. p-n
tmenetek minstse esetn a p-n tmenet hatrn lev kirtett rteg csak a tvel rintkez
rtegben engedlyezi az ramfolyst, gy az adalkolt rteg tlagos fajlagos ellenllsa
szmthat.
Tekintettel arra, hogy a planris technolgiban alkalmazott Si szeletek vastagsga 0.3-0.6
nm krli, tovbb a minstend adalkolt rtegek vastagsga csupn m nagysgrend, a mm
nagysgrend ttvolsg alkalmazsa esetn a kzelt sszefggs jl alkalmazhat a fajlagos
ellenlls meghatrozsra. Ki kell emelni, hogy a kplet csupn abban az esetben mutatja a
fajlagos ellenlls pontos rtkt, ha a mrend szelet tmrje a ttvolsgnl jval nagyobb.
A ngyts mrs homogn adalkols anyag esetn alkalmas az adalkkoncentrci
mrsre. Diffzis, vagy implantlt rtegek adalkolsa ersen inhomogn. Ilyen rtegek
minstsre is hasznlhat, de az adalkeloszls meghatrozsra nem ad lehetsget. A mrt
ngyzetes ellenllsbl viszont kiszmthat a felletegysg alatt tallhat adalk-atomok sszes
szma (v.. bzis-integrl, Gummel szm, implantlt dzis).
A terjedsi ellenlls mrs
A mrs gy trtnik, hogy kis sugar, kis fajlagos ellenlls ( ) cm , kemny
tvzetbl kszlt tket helyeznk a mrend flvezet anyag felletre s nyomst adunk r. A
tk kzti ellenllst kis egyenram elfeszts mellett mrjk. A mrsek kirtkelse azon a
felismersen alapul, hogy egy makroszkpikus testhez egy mikroszkpikus felletet
csatlakoztatva, az ram sztterjedse az ramkrben egy ellenlls komponenst eredmnyez.
A villamossgtan ismereteit felhasznlva
nhny lpsben levezethet a sztterjedsi
ellenlls els kzeltsben hasznlt kplete. A
geometriai elrendezst az 5.9 bra mutatja.
5.9 bra. Geometriai elrendezs, a flgmb
fellete
2
2r A
A tn I ram folyik keresztl, az ramsrsg
az Y ponttl r tvolsgra:
r
0
r
I
=konst.
0
U U

13
( )

2
2r
I
r j . (5.23)
Az Ohm trvny:
j E , (5.24)
valamint

Edl U (5.25)
felhasznlsval az Y ponttl r tvolsgra a potencil:
( )
r
r
r
r
r
r
r
I
dr
r
I
Edr r U
0 0 0
1
2 2
2 1
]
1

. (5.26)
Ebbl a potencil fggvny:
( )
,
_

r
r
r
I
r U
0
0
1
2

. (5.27)
Ebbl felrajzolhatk az ekvipotencilis felletek is.Lthat, hogy a mrt ellenllst
( )

0
2r I
U
R
m

(5.28)
elssorban a t hegyhez kzeli rtegek hatrozzk meg. Felletszer rintkezsnl levezethet,
hogy az ellenlls rtke:
0
4r
p
R . (5.29)
Ekkor az ekvipotencilis felletek ellipszoidok, amelyek igen kzel vannak a gmbhz. Lthat
mg, hogy azonos rintkezsi sugr esetn a kt kplet gy rhat fel:
p
Kr
R
0
1
. (5.30)
Ahol K 4 lapos, felletszer rintkezs esetn, mg K2, ha az rintkezs flgmbszer. Az
elzekben kiszmtottuk a terjedsi ellenlls rtkt homogn anyagban. Diffzis,
ionimplantlt s epitaxilis rtegeknl sohasem tekinthet az anyag homognnek. Ezrt a
klasszikus kpletet a terjedsi s a fajlagos ellenlls kztt alkalmazzk. A mrt terjedsi
ellenlls bonyolultabb sszefggsben ll a vertiklis fajlagos ellenlls profiljval. Ezrt kell a
klasszikus kpletet megvltoztatni a korrekcis faktorral, amely fgg a fajlagos ellenlls
profiljtl.
14
A szelet preparlsa
A mrs megkezdse eltt az els lps a minta preparlsa. A szeletbl ki kell vgni egy
tglalap vagy ngyzet alak mintt, s ferdecsiszolattal kell elltni. Fontos, hogy a minta mindig
egyforma nagysg legyen, mert ez befolysolja a mrt sztterjedsi ellenllst.
A ferdecsiszolat szerepe a kvetkez: a csiszolat szgnek ismeretben a mlysg mrst
vissza lehet vezetni egy sk irny mozgs mrsre, amit pedig a gpen pontosan lehet
irnytani. A ferdecsiszolat minsge egyik fontos tnyezje a profilmrs pontossgnak.
5.10 bra. A ferdecsiszolat.
A ferdecsiszolat ltrehozsa
Erre a clra csiszol berendezs ll rendelkezsre. A mintt, kivgsa utn, fel kell
ragasztani mhviasszal a mintatartra. Tbb ilyen mintatart van, amelyek a hajlsszg
nagysgban klnbznek egymstl. Tipikus szgtartomny: 16'-1144'. Attl fggen, hogy
milyen mlyen van a vizsgland tartomny, s milyen felbontsban kvnjuk vgezni a mrst,
vlasztjuk ki, hogy milyen hajlsszg mintatartn mrjk a mintt. A mintatartt felmelegtjk,
gy megolvad a rhelyezett mhviasz. Ebbe belehelyezzk a mintt gy, hogy az egyik le a szg
cscsnl s azzal prhuzamos legyen. Vigyzni kell tovbb, hogy a kis minta a mintatart
kzepn helyezkedjk el, mert ez fontos a csiszolt szg optikai mrsnl. Ha ez ksz, akkor a
15
mintt ersen, egyenesen r kell szortani a mintatart ferde felletre, s le kell hteni. A hts
utn a felesleges megkttt viaszt el kell tvoltani alkohollal.
A minta csiszolsa egy sk veglapon trtnik, melynek felleti rdessge 1m. A
csiszol veg felletre m szemcsetmrj gymnt pasztt kennk fel egyenletesen. A
mintatart blokk, rajza az 5.10 brn lthat.
5.11. bra. A mintatart blokk. A mintatartt
csavarral kell rgzteni a nehz fmhengerhez,
figyelembe vve a megfelel csiszolsi irnyt az
bra szerint. A nehz fmhenger slynl fogva
a mintt az veghez szortja, ezltal csiszoldik a
minta fellete.
A csiszolskor fontos, hogy a fmhenger
ne forduljon el, mert az a csiszolat
tnkremenshez vezet. A hajtkart kzzel vagy
motoros meghajtssal lehetleg egyenletesen,
rngats nlkl kb. 1 ford./s fordulatszmmal
kell forgatni. A csiszolsi idt a minta minsge
(kemnysge) s a vizsgland tartomny
kiterjedse hatrozza meg.
A terjedsi ellenllsmr felptse
Az SSM 130 tpus terjedsi ellenllsmr kszlk fbb rszei a kvetkezk:
- srtett levegvel mkd lptet motor, amely tttel segtsgvel mozgatja az X-Y asztalt X
irnyba elre. A motort szmtgp vezrli s mindig az aktulis mrs utn kapcsolja be. Az
tttel vltoztathat, gy az asztal 0, 25-250 m-es tartomnyban klnbz fix lpsekben
tud mozogni. Az asztalt kzi irnytssal is lehet pontosan mozgatni csavarmikromterrel.
- A t felfggesztsi rendszere. A berendezsben 2 t foglal helyet, melyek emelst srtett
levegvel mkd emelrendszer vgzi. Ezt a rendszert is szmtgp vezrli, minden mrs
utn felemeli a tket, majd az asztal tovbblptetse utn jbl lerakja. A tk terhelst s az
egymstl val tvolsgt manulis ton lehet vltoztatni. Nagyon fontos, a tk mozgatsakor
a terhels s a kztk lev tvolsg ne vltozzon, mert akkor hibs eredmnyeket kapunk.
Ezrt a tkhz nylni tilos !
- mikroszkp A mikroszkp alatt helyezkedik el az X-Y asztal. A mikroszkp segtsgvel
lehet a mintt pozcionlni, a csiszolsi szget optikai ton megmrni s az asztal magassgt
belltani, hogy a terhels pontos legyen.
- Szmtgp: IBM PC szemlyi szmtgp plotterrel s printerrel elltva irnytja a mrst s
rtkeli a mrt adatokat. A mrt terjedsi ellenlls rtkbl kiszmolja a fajlagos ellenlls
s a koncentrci mlysgtl val fggst, majd a plotteren ki is rajzolja a fggvnyeket. A
rdestett csiszol veg
csavar
Henger
Mintatart
szg
cilinder
minta
16
szmtgphez specilis program tartozik, amely az ellenllsmr sokrt felhasznlst
teszi lehetv.
A kszlk kalibrcija
A mrs eltti msodik lps a mrtk felletnek vizsglata. A tk felletn apr
kiemelkedsek vannak, amelyek a Si felletvel mikrokontaktusokat alkotnak. Ezek szma
hatrozza meg a kontaktus minsgt. Minl tbb kiemelkeds van a tk felletn, annl jobb a
kontaktus.
A kontaktus ellenrzse a kvetkez mdon trtnik: a minta helyre betesznk 1m
vastag epitaxilis rteggel elltott, kalibrl Si szeletet. Az epi rteg alatt egy nagyon jl vezet
anyag van. Ez biztostja, hogy az ellenlls mrsekor csak a kontaktus ellenllst mrjk, ez
pedig jellemz a t llapotra. A kontaktus ellenlls rtke egy adott tnl 600-1000
tartomnyban legyen, kt tnl ez ktszeres rtk. Ha ez nem teljesl, akkor a tk fellett
"kondicionlni" kell. Ezt specilis csiszol szerszmokkal vgezzk, amelyeket sorban a minta
helyre tesznk, s 5-10-szer rengedjk a tket. Elszr a durvbbal (1 m-es szemcsemret),
utna a finomabbal (0,25 m-es szemcsemret) vgezzk a tk csiszolst. Ezutn ellenrizzk
a tk llapott, s ha mg mindig nem felelnek meg, ismteljk az eljrst.
A mrtk anyaga nagy kemnysg wolfram-ozmium tvzet. Gyrti ksrletekkel
igazoltk, hogy egyformn ohmos kontaktust ltest az n
-
, n
+
, p
-
,p
+
anyaggal. (Nem alakul ki a t
s a szilcium rintkezsekor fm-flvezet tmenet.)
A klasszikus kplet flvgtelen homogn mintn:
a
R
4

, (5.31)
ahol a a kontaktus sugara a minta fajlagos ellenllsa.
Az sszefggs kt t esetn, melyek tmrje jval nagyobb, mint a kontaktus sugara, az albbi:
( a D >> )
a
p
R
2
2
, (5.32)
ahol az R
2
jells a kt tvel mrt terjedsi ellenllst jelenti.
A gyakorlatban a fenti kplet helyett egy kalibrcis grbt hasznlnak, amelyben a mrt
terjedsi ellenllst brzoljk a fajlagos ellenlls fggvnyben az
m
m
C R , sszefggs
szerint, ahol R
m
a mrt terjedsi ellenlls, a fajlagos ellenlls, C konstans.
Az effektv kontaktus sugarat megkaphatjuk a grbe cm 1 -es pontjbl:
C
a
2
1
. (5.33)
Megfigyeltk, hogy az m kitev rtke n tpus mintnl 1 kr esik, mg p tpus
mintnl ennl kisebb. Msodszor az n tpus effektv kontaktus sugara mindig 1/2, 1/3 szorosa a
p tpusnak, ez a piezoelektromos hatsnak tulajdonthat.
17
Az elmletileg szmtott <111> p tpus kontaktus sugara 10 %-kal nagyobb, mint az
ugyanilyen anyagon mrt tnyleges sugr, mg <111> n tpusnl a fele. A mrseket SEM
fotkon vgeztk. Mindezek alapjn belthat a kalibrci szksgessge.
A kalibrci mvelete
Ehhez n s p tpus <111> s <100> orientcij szablyos mintasorozatokat mintkat
hasznlunk, amelyek fajlagos ellenllsai a 0,001 cm 400 cm tartomnyba esnek, s
pontosan ismerjk az rtkket.
A tk megfelel elksztse utn megmrjk a kalibrl mintk terjedsi ellenllst.
Mindegyiket tbb pontban kell mrni, a szmtgp kiszmtja ezek tlagt. Ehhez megadjuk az
ismert fajlagos ellenlls rtkeket. Ezekbl az adatokbl specilis program szmtja ki a
kalibrcis grbt. Ez a tk llapotnak megfelelen az elmleti grbtl eltrhet.
tmutat a felkszlshez:
A gyakorlatra ismerni kell az ellenlls mrsi mdszerek kzl a ngyts- s a ktts-
mrs elmlett s gyakorlatt, a mrshez szksges minta elksztsi mdszereket, a
ferdecsiszolat ksztsnek technikjt, a technolgia sorn ellltott adalkeloszlsok vrhat
jellemzit. A mrs fizikai htterhez a jegyzet vgn tallhat "Olvasmny" ad kiegszt
ismereteket.
Knyv: Simonyi Kroly: Villamossgtan, Akadmiai kiad(1973) 260-261., 408-415.o.
Internet oldalak: http://www.eet.bme.hu/semic_lab/
A felkszlst ellenrz krdsek:
Mitl fgg a mrt terjedsi ellenlls rtke? ( ) ....... f R
m

Hogyan hatrozhatjuk meg szilciumon a mrt terjedsi ellenllsbl a fajlagos ellenllst?
A ferde csiszolaton trtn mrs menete.
Hogyan vltozik egy pn tmenetet is tartalmaz ferdecsiszolaton a terjedsi ellenlls?
Hogyan vltozik egy npn bipolris tranzisztorban az adalkkoncentrci?
Milyen az adalkols mlysg fggse klnfle integrlt ramkrkn (bipolris, CMOS),
illetve az integrlt ramkrk egyes tartomnyaiban (szigetel P+, n zsebek, bzisdiffzi,
megnyomott ellenlls, npn s pnp vertiklis tranzisztorok)?
Feladatok:
1. Ferde csiszolat ksztse diffundltatott szilicium egykristlyon. Terjedsi ellenllsmrs
(SRT demonstrci). A diffzis rteg ellenlls profiljnak adalkanyag koncentrcis profill
konvertlsa.
2. A kapott eredmnyeket kirtkelse.