YMF 2015 Özet Kitapçığı

YOUN MADDE FZ ZMR
TOPLANTISI
17 NSAN 2015
PROGRAM VE ZET
KTAPII
Sizleri Youn Madde Fizii (YMF)-zmir Toplantsnda aramzda grmekten byk

mutluluk duymaktayz. Bu yl drdncs dzenlenmekte olan YMF-zmir toplantsnn amac
Youn Madde Fizii ve ilgili alanlardaki bilimsel almalara katkda bulunmak, bilim insanlar
arasndaki bilgi al-veriini hzlandrmak ve yeni bilimsel ortaklklara vesile olmaktr. Bu
toplantnn dzenlenmesinde emei geen tm komite yelerine, gnll renci arkadalarma,
tm katlmclara, maddi ve manevi her trl katkda bulunan YTE Rektrlne teekkr bir
bor bilirim. Bu vesile ile bu toplantnn tm Trkiye apnda youn madde fizii alanndaki
bilimsel birikime katkda bulunacan dnerek, YMF-zmir toplantsnn herkes iin en gzel,
en verimli ekilde gemesi umudu ile iyi toplantlar dilerim.
YMF-zmir Toplants Dzenleme Komitesi adna

Do. Dr. Yusuf Selamet
DZENLEME KURULU
Ouz GLSEREN (Bilkent niv.)

Mehmet GNE (Mula niv.)
Hamza POLAT ( Dokuz Eyll niv.)
Yusuf SELAMET (YTE)
Levent SUBAI (T)
Hadi ZAREIE (YTE)
zgr AKIR (YTE)
Cem ELEB (YTE)
Devrim GL (YTE)
ORGANZASYON
Alper Yanlmaz (YTE)

Begum Yava (YTE)
Damla Yeilpnar (YTE)
Dilce zkendir (YTE)
Erdi Kudemir (YTE)
Merve Gnnar (YTE)
Selma Mayda (YTE)
Sevil Altu (YTE)
Ula zdemir (YTE)
Zafer Kandemir (YTE)
TOPLANTI PROGRAMI
8:30 9:00
KAYIT
9:00 9:15
1. Oturum
AILI KONUMALARI
9:15 9:45
9:45 -10:15
10:15 - 10:30
S1
Nilhan GRKAN GEDZ

Entanglement in Magnetic Models with Anisotropic Antisymmetric Exchange Interaction
10:30 10:45
S2
Umut ADEM
Kurun iermeyen Bi-tabanl piezoelektrik malzemeler
10:45 11:00
inasi ELLALTIOLU
Titanya zerinde boya temelli gne pilleri: Temel fizikten uygulamaya, ilk-prensip
hesaplardan rendiklerimiz
Bilal TANATAR
ki-boyutlu ultrasouk dipol gazlarinda etkilemeler, kolektif uyarilmalar ve tainim
zellikleri
AY VE POSTER ARASI
2. Oturum
11:00 11:30
smet KAYA
Grafen tabanl OLED ekranlar
11:30 11:45
S3
Erdi KUDEMR
Silisyum karbr tabanl UV foto-detektrler iin epitaksiyel grafen elektrot gelitirilmesi
11:45 12:00
S4
Fethullah GNE
Grafen Filmlerin Katman-Katman Yntemiyle Doplanmas
12:00 12:15
S5
Devrim GL
Grafende Manyetik Adatomlar Aras Spin-Spin Korelasyonu
12:15 12:30
S6
Mehmet BAYKARA
Altn Nano Paracklar ile Nanotriboloji almalar: Ortam Koullarnda Sperkayganlk?
12:30 14:00
YEMEK ARASI
3. Oturum
14:00 14:30
Ali SERPENGZEL
Novel Photonic Lightwave Circuit Elements
14:30 15:00
mer LDAY
Nonlinear Laser Lithography Going 3D
15:00 15:15
S7
Engin KARABUDAK
Mikroekillenmi Silikon ATR-IR
15:15 15:30
S8
Sevilay SEVNL
Souk Rydberg Gazlarnda Etkileimlerin Kontrol
15:30 15:45
AY VE POSTER ARASI
4. Oturum
15:45 16:00
S9
Emre EK
Frekans Kaydrmal Anahtarlama Kiplenimli Saysal Haberleme Sisteminin Bit Hata Orannn
Stokastik Rezonans le yiletirilmesi
16:00 16:15
S10
Ozan ARI
Tek Kristal CdTe Gne Hcresi Sourucu Katmanlarn GaAs zerine MBE ile Bytlmesi
16:15 16:30
S11
smahan DZ
HgTe Kalkojenit Malzemesinin Zincblende ve Cinnabar Fazlarnn Younluk Fonksiyonel
Teorisi ile Yapsal ve Mekanik zelliklerinin ncelenmesi
16:30 16:45
S12
16:45 17:00
S13
17:00 17:15
S14
Fatih ERSAN
Peierls distorsiyonu yardmyla iki boyutlu kararl RuX2 (X= O, S, Se) yaplarnn elde
edilmesi
Sevda SARITA
Gei Metal Katkl, Manyetik zellikli Demir Oksit nce Filmlerin Kimyasal Pskrtme
Tekniiyle Bytlmesi ve Yapsal Analizi
Yelda KADIOLU
Aun, Cun ve AumCun kmelerinin elektronik yaps ve CO, O2 moleklleri ile etkilemesinin
incelenmesi
1
Titanya zerinde boya temelli gne pilleri:
Temel fizikten uygulamaya, ilk-prensip hesaplardan rendiklerimiz
inasi Ellialtolu1
ve
H. nal2, D. Gnceler3, O. Glseren4, E. Mete2
TED niversitesi-Temel Bilimler, 06420 Ankara, Trkiye
Balkesir niversitesi-Fizik Blm, 10145 Balkesir, Trkiye
3
Cornell University-Physics Department, Ithaca, 14853 NY, USA
4
Bilkent niversitesi-Fizik Blm, 06800 Ankara, Trkiye
1
Deiik boya moleklleri ile duyarllatrlm anataz titanya nanotellerinin elektronik ve optik zellikleri
ilk-prensip hesaplar yordam ile incelenmitir. Standart younluk fonksiyonel teorisi (DFT-PBE) dnda,
perdelenmi-Coulomb hibrit DFT-HSE de kullanlm olup, boyananotel sistemine zelti etkisini
grebilmek iin ise dorusal-olmayan kutuplanabilir arka fon (PCM) modelinden yararlanlmtr. Boya
molekllerine rnek olarak, coumarin, C2-1, cyanidin glucoside, ve TA-St-CA seilmi, ve nanotelin (001)
ve (101) fasetlerine tutunmalar gznne alnmtr. Yerel durum younluk erileri, yk younluk
dalmlar, optik sourma spektrumlar karlatrmalar yaplarak, k hasatlamada ve elektrondeik
retiminde daha stn, anoda elektron enjeksiyonu konusunda daha etkin olmalarnn nedenleri
tartlmtr. .
Mortesi k altnda gstermi olduu

mkemmel fotokatalitik baarm yannda
titanya, elektrokimyasal ve tanr yk
iletimindeki tercih edilen zellikleri nedeni
ile, boya moleklleri ile duyarllatrlm
gne pili uygulamalarnda anot malzemesi
olarak en ok aranan isim olmutur. Boya
molekllerinin grnr hasatlayarak
titanya iletim bandna enjekte etmesi diye
zetleyebileceimiz Grtzel tipi gne
pillerinde, molekllerin yzeye tutunmalar
iin apalayacak ular, ba yaplar,
HOMO ve LUMO dzeylerinin titanya
bant kenarlarna gre konumlar, titanya
yzeyinin morfolojisi gibi eitli koullar
gznne alnarak boyatitanya sistemleri
oluturuldu. En kararl ve etkin katalitik
zellikli anataz faz yzey/hacim oran
yksek olmas dolays ile nanotel yaplar
seildi. Kararl fasetler (001) ve (101)
zerine coumarine, cyanidin glucoside, elenikli elektron donr akseptr (D--A)
tipi boyalar olan tetrahydroquinoline bazl
C2-1 ve oligophenylenevinylene bazl TASt-CA moleklleri tutunduunda sistemin
ekil 1: Anataz nanotelin (001) fasetinde bidentate

tutunmu C2-1 molekl ve optik sourma spektrumu.
yapsal, elektronik ve optik zelliklerinde neden

olduklar deiiklikler perdelenmi Coulomb
hibrit DFT ile incelendi. Bu amala elektronik
durum younluu erileri, elektron yk dalmlar, optik sourma spektrumlar karlatrld.
zelti iindeki boyananotel sistemleri iin
beklendii gibi balar zayflad. Bu drt boya
iinde en uygun olann bidentate tutunan TA-StCA olduu sonucuna varld.
Teekkr: Bu alma TBTAK tarafndan 110T394 nolu proje ile desteklenmitir.

Kaynaka
1. H. nal, O. Glseren, . Ellialtolu, and E. Mete, Phys. Rev. B 89, 205127 (2014).
2. H. nal, D. Gnceler, O. Glseren, . Ellialtolu, and E. Mete, J. Phys. Chem. C 118, 24776 (2014).
Iki-boyutlu ultrasoguk dipol gazlarinda etkilesmeler, kolektif uyarilmalar

ve tasinim ozellikleri
B. Tanatar (Bilkent Universitesi)
Elektrik veya manyetik dipol momentlerine sahip atomik gazlar son yillarda oldukca ilgi
cekmektedir. Bu konusmada dipol momentlerin ayni yonde polarize oldugu atomlarin iki-boyutlu
bir duzlemde bulundugu sistemlerin bazi ozelliklerine deginecegiz. 1/r^3 seklinde etkilesen bu
parcaciklar atomik gazlar icin oldukca uzun erimli bir durum gosterir ve Ilk olarak, iki-boyutlu
bozon veya fermiyonlardan olusan sistemlerin kolektif uyarilmalarini inceleyecegiz. Daha sonra,
iki-boyutlu polarize dipol gazlarindan olusan iki paralel duzlem ele aldigimizda bu sistemin
kolektif uyarilmalari ve yogunluga bagli kararsiz oldugu bolgelere bakacagiz. Ayni sistemlerde
bir duzlemdeki parcaciklar hareket ettiginde, duzlemler-arasi etkilesmelerden dolayi diger
duzlemdeki parcaciklarin da suruklendigi suruklenme etkisini (drag effects) ele alacagiz.
Grafen Tabanl OLED Ekranlar

smet nn KAYA
Novel Photonic Lightwave Circuit Elements:

Meandering Waveguide Distributed Feedback Structures
Ceren B. Da,1 Mehmet A. Anl,1 and Ali Serpengzel2
1
Istanbul Technical University, Department of Electronics and Telecommunications Engineering, Maslak, Istanbul
34469 Turkey
Ko University, Microphotonics Research Laboratory, Department of Physics, Rumelifeneri Yolu, Saryer, Istanbul
34450 Turkey
Abstract
Meandering waveguide distributed feedback (DFB) structures are introduced as novel photonic
lightwave circuit elements and their amplitude and phase response are studied in the frequency
domain. A preliminary transfer matrix method analysis is applied for taking the coupling purely
directional and with constant coefficient on geometrically symmetric and anti-symmetric
elements. The meandering loop mirror is the building block of all meandering waveguide based
lightwave circuit elements. The simplest uncoupled meandering DFB structure exhibits Rabi
splitting in the transmittance spectrum. The symmetric and antisymmetric coupled meandering
DFB geometries can be utilized as band-pass, Fano, or Lorentzian filters or Rabi splitters.
Meandering waveguide DFB elements with a variety of spectral responses can be designed for a
variety of lightwave circuit element functions and can be implemented with generality due to the
analytic approach taken. Meandering waveguide distributed feedback structures with a variety of
spectral responses can be designed for a variety of lightwave circuit element functions.
Keywords: coupled resonator induced transparency (CRIT) filter, distributed feedback (DFB),
Fabry-Perot resonator (FPR), Fano resonator, hitless filter, Lorentzian filter, Rabi splitter, self
coupled optical waveguide (SCOW), side-coupled integrated spaced sequences of resonator
(SCISSOR), tunable power divider.
Nonlinear Laser Lithography Going 3D

mer lday
We have recently demonstrated a method (Oktem, et al., Nature Photonics, 2013) that explicitly
exploits nonlocal and nonlinear self-interference of a laser beam with its diffraction from
various material surfaces to fabricate self-organized metal/metal-oxide nanostructures with
unprecedented uniformity, solving a problem that dates back to 1965. Now, aside from taking a
deeper look into the underlying dynamics, including the possibility of stimulating symmetry
breakings to control the range of structures we can fabricate, we are applying the concept of
utilising nonlinear feedback to create microscopic structures within the bulk: By exploiting a
different, but also nonlocal nonlinear effect, we can effortlessly create 3D photonic devices
deep inside silicon, which are the first 3D photonic structures in silicon, to our knowledge.
S1
YOUN MADDE FZ ZMR TOPLANTISI, ZMR YKSEK TEKNOLOJ ENSTTS, 17 NSAN 2015
Entanglement in Magnetic Models with Anisotropic Antisymmetric Exchange

Interaction
Zeynep Nilhan Grkan1 and Oktay Pashaev2
Gediz University- Department of Industrial Engineering, 35665 zmir
Izmir Institute of Technology- Department of Mathematics, 35430 zmir
1
We studied an influence of the anisotropic antisymmetric exchange interaction, the Dzialoshinskii-Moriya (DM)
interaction, on entanglement of two qubits in various magnetic spin models, including the pure DM model and the
most general XYZ model. We find that the time evolution generated by DM interaction can implement the SWAP
gate and discuss realistic quasi-one-dimensional magnets where it can be realized. It is shown that inclusion of the
DM interaction to any Heisenberg model creates, when it does not exist, or strengthens, when it exists, the
entanglement. We give physical explanation of these results by studying the ground state of the systems at T=0.
Nonanalytic dependence of the concurrence on the DM interaction and its relation with quantum phase transition is
indicated. Our results show that spin models with the DM coupling have some potential applications in quantum
computations and the DM interaction could be an efficient control parameter of entanglement.
The entanglement property has been discussed at the

early years of quantum mechanics as a specific
quantum mechanical nonlocal correlation [1, 3] and
recently it becomes a key point of the quantum
information
theory,
quantum
computations,
information processing, quantum cryptography,
teleportation and etc. [4]. The simplest two qubit
interaction is described by the Ising one between spin
particles in the form of
. More general
interaction between two qubits is given by the
Heisenberg magnetic spin interaction models. A
significant point in the study of such models is how
to increase entanglement in situation when it already
exists or to create entanglement in situation when it
does not exist. Certainly this can be expected from a
generalization of bilinear spin-spin interaction of the
Heisenberg form. In this work we study the influence
of the Dzialoshinskii-Moriya (
) [5, 6]
interaction on entanglement of two qubits in all
particular magnetic spin models. We formulate the
general XYZ model with DM coupling and find the
density matrix and eigenvalues for the concurrence
[7]. Then we consider the time evolution and its
relation with the SWAP gate. Starting from the Ising
model with DM interaction in particular we study
realization of the model for description of two
nuclear spins with DM coupling and implications for
the quantum phase transitions in the presence of
magnetic field. Then we consider the XY, XX, XXX
and XXZ models and study the influence of DM

coupling and magnetic field on the concurrence and
the quantum phase transitions. Finally we study the
XYZ model in both antiferromagnetic and
ferromagnetic cases, with inclusion of the DM
coupling and find the nonanalytic behavior at T=0.
We find that in all cases, inclusion of the DM
interaction creates, when it does not exist, or
strengthens, when it exists, entanglement. These
results indicate that spin models with DM coupling
have some potential applications in quantum
computations, and DM interaction could be an
efficient control parameter of entanglement
Kaynaka
E. Schrodinger, 1935. Probability relations
between separated systems, Proc. Camb. Phil.
Soc. 31: 555-63.
2. A. Einstein, B. Podolsky, and N. Rosen, 1935.
Phys. Rev. 47, 777-80.
3. J. S. Bell, 1964. On the Einstein Podolsky
Rosen paradox, Physics ,1, 195.
4. C. H. Bennet and D. P. DiVincenzo, 2000.
Quantum Information and Computation,
Nature, 404:6775, 247-255.
5. I. Dzialoshinski, 1958, A thermodynamic theory
of weak ferromagnetism of antiferromagnetics,
J. Phys. Chem. Solids, 4,241.
6. T. Moriya, 1960. , Phys. Rev. Lett. 120, 91.
7. W. K., Wooters, 1997, Phys. Rev. Lett., 78, 321
1.
S2
Kurun iermeyen Bi-tabanl piezoelektrik malzemeler

Umut Adem
zmir Yksek Teknoloji Enstits, Malzeme Bilimi ve Mhendislii Blm, 35430, Urla, zmir
Piezoelektrik bileen olarak kullanlan temel malzeme olan Pb(ZrxTi1-x)O3 (PZT)ye alternatif olarak Bitabanl Bi(Ti3/8Fe2/8Mg3/8)O3 malzemesinin BaTiO3 ve CaTiO3 ile oluturduu kat zelti kompozisyonlar
retilmi, kristal yaplar belirlenmi, ferroelektrik histerisis erileri ve piezoelektrik katsaylar (d33)
llmtr. Her iki durumda da oluan kat zelti kompozisyonlarnda ilevsel zelliklerin iyiletii
gzlenmitir. (1-x)Bi(Ti3/8Fe2/8Mg3/8)O3 xBaTiO3 (0x0.25) sisteminde, bir morfotropik faz snr blgesi
elde edilemedii halde kristal yapda meydana gelen deiiklikler sayesinde doyuma ulam ferroelektrik
histerisis erileri elde edilmi, (1-x)Bi(Ti3/8Fe2/8Mg3/8)O3 xCaTiO3 (0x0.4) sisteminde ise bir
morfotropik faz snr olutuu belirlenmitir. Bu snr blgesinde yksek ferroelektrik kutuplanma (50
C/cm2) ve piezoelektrik katsay (d33=52 pC/N) deerleri llmtr. .
Kurun
temelli
Pb(ZrxTi1-x)O3
(PZT)
piezoelektrik malzemeler halen sensr,
aktatr, sonar malzemesi olarak eitli
uygulamalarda kullanlmaktadr. Sahip olduu
stn piezoelektrik zelliklerden dolay PZT
uygulamalarda kullanlan temel malzemedir.
Buna karn kurunun evreye zararl ve zehirli
bir element olmasndan dolay, PZT
kullanmnn kademeli olarak azaltlmas iin
Avrupa Birlii bir eylem plan hazrlamtr ve
PZTye alternatif olabilecek Pb iermeyen yeni
piezoelektrik malzemelerin bulunmas ve
zelliklerinin gelitirilmesi konusunda yaplan
aratrmalar younlamtr [1].
PZTnin
stn
piezoelektrik
zellikler
gstermesinin ana nedeni, PZTyi oluturan
PbTiO3 ve PbZrO3 bileenlerinin belli bir kat
zelti kompozisyonunda (PbTi0.48Zr0.52TiO3)
oluturduklar ve iki farkl simetriye sahip
ferroelektrik fazlar ayran bir morfotropik faz
snrna sahip olmasdr. Bu snr boyunca,
elektrik
alan
uygulanarak
elektriksel
kutuplanmann ynnn bir ferroelektrik
fazdaki ynden dier ferroelektrik fazdaki yne
dnmesinin piezoelektrik katsay artna
yolat bilinmektedir [2].
Bi-tabanl piezoelektrik malzemeler, Bi+3n

PZTdeki Pb+2 iyonuna benzer ekilde bir yalnz
elektron iftine sahip olmasndan dolay Pb
iermeyen piezoelektrik malzeme aratrmalarnda
nemli yer tutmaktadr. Bu konumada, Bi-temelli
Bi(Ti3/8Fe2/8Mg3/8)O3 malzemesinin BaTiO3 [3] ve
CaTiO3 [4] ile kat zelti oluturmas yoluyla
piezoelektrik
ve
ferroelektrik
zelliklerinin
gelitirilmesi anlatlacaktr.
ekil 1: 0.75 Bi(Ti3/8Fe2/8Mg3/8)O3- 0.25BaTiO3
malzemesinin zorlama(strain)-elektrik alan lmnde

elde edilen kelebek erisi [3].
Kaynaka
1.
2.
3.
4.
J. Rdel, K. G. Webber, R. Dittmer, W. Jo, M. Kimura and D. Damjanovic, Transferring lead-free

piezoelectric ceramics into application, Journal of the European Ceramic Society, 35, 16591681 (2015).
D. Damjanovic, Comments on Origins of Enhanced Piezoelectric Properties in Ferroelectrics, IEEE
Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, 56, 1574-1585 (2009).
M. Dolgos, U. Adem, X. Wang, Z. Xu, A. J. Bell, T. P. Comyn, T. Stevenson, J. Bennett, J. B. Claridge and
M. J. Rosseinsky, Chemical control of octahedral tilting and off-axis A cation displacement allows
ferroelectric switching in bismuth-based perosvskite, Chemical Science, 3, 1426-1435 (2012).
P. Mandal v.d., Morphotropic Phase Boundary in the Pb-free (1-x)Bi(Ti3/8Fe2/8Mg3/8)O3 xCaTiO3
System: Tetragonal Polarization and Enhanced Electromechanical Properties, Advanced Materials, baskda,
DOI: 10.1002/adma.201405452, 2015.
S3
Silisyum karbr tabanl UV foto-detektrler iin epitaksiyel grafen elektrot

gelitirilmesi
Erdi Kudemir, Dilce zkendir, Damla Yeilpnar ve Cem elebi
zmir Yksek Teknoloji Enstits, Fizik Blm, 35430, URLA/ZMR
Mkemmel k geirgenlii, stn elektriksel

iletkenlii ve yksek mekanik dayanm gibi bir
ok gelikin fiziksel zellie sahip grafenin,
saydam elektrot olarak kullanlmas byk bir
ilgi oda haline gelmitir. Grafen, fotovoltaik
ve optoelektronik uygulamalarda yeni nesil
effaf elektrot olarak mit vaad etmektedir.
Gnmzde saydam elektrot olarak kullanlan
Ni/Au, Ti, Ti/W ve ITO gibi malzemeler
zellikle 200-400 nm dalga boyu aralndaki
k iin olduka dk (<%80) optik
geirgenlie sahiptirler [1]. Ancak bunlarn
aksine grafenin ayn dalga boyu aralndaki
%90dan daha byk bir oranda
geirebilmektedir [2]. Tek atom kalnlnda
elektrot olma zellii tayan grafen, geni
yasak enerji band aralndan dolay UV a
duyarl silisyum karbr (SiC) yariletkeni
zerinde, hibir aktarma metodu kullanmadan,
epitaksiyel olarak bytlebilmektedir [3-5].
Bu
almamzda
epitaksiyel
grafen
tabakasndan imal edilen elektrotlar ile SiC
altta arasnda oluan Schottky heteroekleminin dzenleyici karakterini inceledik.,
4H-SiC tabannn yzey ve yzeye yakn
blgelerinde, UV k altnda oluturulan yk
tayclar, taban yzeyindeki grafen elektrotlar
ile toplanmtr. rettiimiz bu aygt,
geleneksel
metal-yariletken-metal
akmgerilim karakteristiklerini sergilemesinin yan
sra dk kaak akm deerleri gstermitir.
Gerekletirdiimiz zaman baml foto-akm
lmleri ile grafen/SiC/grafen aygtnn tekrar
edilebilir ve grece hzl foto-tepkiye sahip
olduu bulunmutur. Farkl dalga boylarnda
yaptmz lmler sonucunda, aygtn en iyi
tepki verdii dalga boyu 254 nm olarak
saptanmtr. Elde ettiimiz deneysel sonular,
epitaksiyel grafenin, SiC tabanl optoelektronik
uygulamalar iin effaf bir elektrot malzemesi
olarak kullanlabilecei ortaya koymutur. [6]
Kaynaka
1. Chang S J, Lin T K, Su Y K, Chiou Y Z, Wang C K, Chang S P, Chang C M, Tang J J and Huang B R 2006
Homoepitaxial ZnSe MSM photodetectors with various transparent electrodes Mater. Sci. Eng. B 127 1648
2. Seo T H, Lee K J, Park A H, Hong C-H, Suh E-K, Chae S J, Lee Y H, Cuong T V, Pham V H, Chung J S,
3.
4.
5.
6.
Kim E J and Jeon S-R 2011 Enhanced light output power of near UV light emitting diodes with graphene /
indium tin oxide nanodot nodes for transparent and current spreading electrode. Opt. Express 19 231117
De Heer W A, Berger C, Wu X, Sprinkle M, Hu Y, Ruan M, Stroscio J A, First P N, Haddon R, Piot B and
others 2010 Epitaxial graphene electronic structure and transport J. Phys. D. Appl. Phys. 43 374007
Seyller T, Bostwick A, Emtsev K V, Horn K, Ley L, McChesney J L, Ohta T, Riley J D, Rotenberg E and
Speck F 2008 Epitaxial graphene: a new material Phys. status solidi 245 143646
elebi C, Yanik C, Demirkol A G and Kaya \.Ismet \.I 2012 The effect of a SIC cap on the growth of
epitaxial graphene on SIC in ultra high vacuum Carbon N. Y. 50 302631
Kudemir E, zkendir D, F\irat V, elebi C and others 2015 Epitaxial graphene contact electrode for silicon
carbide based ultraviolet photodetector J. Phys. D. Appl. Phys. 48 95104
S4
Grafen Filmlerin Katman-Katman Yntemiyle Doplanmas

Fethullah Gne
zmir Katip elebi niversitesi-Malzeme Bilimi ve Mhendislii Blm, 35620, zmir)
Grafen, karbon atomlarnn sp2 hibritlemeleri ile karbon atomlarnn bal-petei formunda
balanmalar ile meydana gelmektedir. Sp2 hibritlenmesinden sonra bota kalm olan Pz orbitali
ise bu 2-boyutlu malzemeye birok elektriksel zellikler kazandrmaktadr. Tek-atom kalnlnda
olmas nedeniyle ok effaf olan grafen, elektriksel ve optik olarak ok yksek iletkenlie
sahiptir.
Mekanik olarak ok esnek, yksek optik ve
elektriksel zelliklere sahip ve ayn zamanda da
ucuz olan bu malzemenin henz saydam iletken
kaplamalarda kullanlmakta olan indiyum tin oksit
(ITO) yerinde yaygn olarak kullanlamamasnn en
nemli nedeni doal halinde elektriksel ve optik
iletkenlik orannn
ITOe nazaran endstriyel
oranlarda (DC/op =35) olamaydr. Bu almada
pratik ve etkili bir yntem olan kimyasal doplama
yntemi ile grafenin optik geirgenlii fazla
etkilenmeden elektriksel iletkenliinin arttrlmas
hedeflenmitir.
Tablo 1: Sentezlenen Grafen filmlerin doplama
ncesi ve sonrasnda elde edilen optik ve
elektrksel zelliklerinin karlatrlmalar)
Pristin
AuCl3
LbL doplama
Gr
No
T%
Rs
DC / op
T%
Rs
DC / op
97.6
725
21
96.6
301
36
92.8
690
90.5
111
29
87.1
466
87.0
93
32
85.1
313
85
54
30
ekil 1: Doplama yntemi ematik gsterimi
Bu amala bakr folyolar zerinde sentezlenen tek

katmal grafen effaf ve esnek olan polietilen
tereftalat (PET) yzeylere kaplanm ve her
kaplamadan sonra da metalik tuz (AuCl3) solsyonu
yzeye spin-kaplama yntemiyle kaplanmtr. Bu
ilemler tekrar edilerek endstriyel snr kabul edilen
%85 transmitans (optik geirgenlik) deerine
ulalana kadar, yani 4-katmana kadar, kaplama
yaplarak 54 / alan-diren deerlerine ulalmtr.
Ayrca p-tipi doplanan filmler doplanmayanlarla
karlatrlarak doplanan filmlerin kararllk ve
esneklik deerleri incelenmistir.
Kaynaka
1. F. Gunes, HJ. Shin, C. Biswas, GH. Han, ES. Kim, SJ. Chae, JY. Choi, YH. Lee. Acs Nano 4 (8), 4595-4600,
(2010)
..
S5
Grafende Manyetik Adatomlar Aras Spin-Spin Korelasyonu

Devrim Gl (YTE)
Altn Nano Paracklar ile Nanotriboloji almalar:

Ortam Koullarnda Sperkayganlk?
Mehmet Z. Baykara
Bilkent niversitesi, Makine Mhendislii Blm, 06800 Ankara
Nanometre ve atomik boyutlarda meydana gelen

srtnme olaylarn kontrol eden fiziksel
mekanizmalarn daha iyi anlalmasn salamak,
eitli disiplinlerden gelen bilim insanlar iin
sregelen bir abadr. 1980li yllarn sonunda
kefedilen atomik kuvvet mikroskopisi teknii
(AKM), bahsi geen leklerde nanotriboloji (nano
boyutta srtnme ve anma) almalar
gerekletirmek amacyla baaryla kullanlsa da,
belirli kstlamalara maruz kalmaktadr. Bu
kstlamalardan en nemlileri; (i) u malzemesinin
serbeste seilememesi ve (ii) ula yzey arasnda
oluan temas alannn detayl bir yapsal
karakterizasyonunun yaplamamasdr.
Son olarak, AKM lmleri srasnda yzeye

uygulanan dikey kuvvetin hassas bir ekilde
ayarlanmas vastasyla, altn nano paracklarn
yzey
zerinde
yanal
maniplasyonu
gerekletirilmi, ilgili srtnme kuvvetleri
belirlenmitir. Elde edilen bulgular, ortam
koullarnda, bahsi geen malzeme sistemi iin
sperkayganlk fenomeninin gzlemlendiine dair
kuvvetli iaretler iermektedir.
Bahsi geen kstlamalar amak amacyla; yakn

zamanda, yapsal olarak detayl ekilde karakterize
edilmi nano paracklarn, AKM vastasyla eitli
numune yzeyleri zerinde yanal olarak hareket
ettirildii yeni bir yaklam gelitirilmitir. Bu
ekilde; deiik malzemelerden elde edilen nano
paracklar kullanlarak, AKM tekniine dayanan
geleneksel nanotriboloji aratrmalarna zg
malzeme
kstlamas
almaktadr.
Bunun
haricinde, deiik boyutlarda nano paracklar
numune yzeyinde hareket ettirilirken ortaya kan
srtnme kuvvetleri parack boyutunun bir
fonksiyonu olarak rahatlkla incelenebilmekte,
nanometre boyutunda srtnme mekanizmalarna
yn veren fiziksel prensipler aratrlabilmektedir.
Bu almada, nanotriboloji alannda yakn
zamanda gerekleen ve yukarda bahsedilen
ilerlemelerden ilham alnarak, grafit zerinde sl
buharlatrma yoluyla elde edilmi altn nano
paracklarn yapsal ve nanotribolojik zellikleri
AKM teknii vastasyla incelenmitir. Temasl
kipte kullanlan AKM teknii ile yaplan yanal
kuvvet lmleri, grafit yzey ve altn nano
paracklar zerinde meydana gelen srtnme
kuvvetlerini karlatrmaya olanak salarken,
taramal elektron mikroskopisi (SEM) vastasyla
buharlatrma parametrelerinin ve buharlatrma
sonras tavlamann nano parack morfolojisi
zerine etkisi incelenmitir.
ekil 1: Grafit alttan kenarlar arasna skm

altgen ekilli bir altn nano paracn AKM ile
elde edilmi srtnme kuvveti haritas. Srtnme
kuvveti haritasnda kesikli izgi ile belirtilen kesit
vastasyla, grafit ve altn nano parack zerinde
llen srtnme kuvvetlerinin fark (~0.60 nN)
belirlenebilmektedir. Dahas, AKM kiriinin nano
parack kenarnda deneyimledii ani burulma
sonucu ortaya kan srtnme kuvveti art da
nicel olarak deerlendirilebilmektedir.
Mikroekillenmi Silikon ATR-IR

Engin Karabudak1,
1
zmir Yksek Teknoloji Enstits Fen Fakltesi, Kimya Blm Glbaheky, Urla 35430, zmir, Trkiye
(e-mail, enginkarabudak@iyte.edu.tr)
Mikroekillenmi Silikon ATR-IR Teknii

Mikroakkanlar (microfluidics) dnyada hzl gelien ve birok ilgin uygulama alan ortaya
kan bir aratrma konusudur. Bu konu biyoloji, kimya, canl bilimi ve mhendislikte ilgin ve daha
nce hi dnlmeyen uygulama alanlar amtr. Mikroakkan iplerinin iindeki svnn yerinde
analiz edilmesi tm bu uygulamalar iin nemli bir konudur. Dier taraftan, atenat tm yansmal
kzltesi spektroskopi (attenuated total reflectance infrared spectroscopy) (ATR-IR) teknii gl bir
yzey teknii olarak gelimektedir. Mikroekillenmi Silikon ATR-IR (micromachined Silicon ATRIR) (Si-ATR-IR) ise proje yrtcsnn de iinde bulunduu bilim insanlar tarafndan yeni
gelitirilen 1-4 ve daha da gelimesine ihtiya duyulan mikroakkan iplerinin iinde svlarn analizi
iin gittike kullanm artan bir spektroskopi tekniidir. Bu sunuta bu teknik ayrntl olarak
anlatlacaktr. Ayrca ilk defa gsterdiimiz bu teknik ile yar iletken iinde fotonlar tarafndan
uyarlm elektronlar ve fononlarn nasl alglad gsterilecektir.
Kaynaklar:
1
Karabudak, E. Micromachined silicon attenuated total reflectance infrared spectroscopy: An emerging

detection method in micro/nanofluidics. Electrophoresis 35, 236-244, doi:Doi 10.1002/Elps.201300248
(2014).
Karabudak, E. et al. Disposable Attenuated Total Reflection-Infrared Crystals from Silicon Wafer: A
Versatile Approach to Surface Infrared Spectroscopy. Anal Chem 85, 33-38, doi:10.1021/ac302299g
(2013).
Karabudak, E., Mojet, B. L., Schlautmann, S., Mul, G. & Gardeniers, H. Attenuated Total ReflectionInfrared Nanofluidic Chip with 71 nL Detection Volume for in Situ Spectroscopic Analysis of
Chemical Reaction Intermediates. Anal Chem 84, 3132-3137, doi:10.1021/ac300024m (2012).
Karabudak, E. et al. On the pathway of photoexcited electrons: probing photon-to-electron and photonto-phonon conversions in silicon by ATR-IR. Phys. Chem. Chem. Phys. 14, 10882-10885,
doi:10.1039/c2cp41831b (2012).
Souk Rydberg Gazlarnda Etkileimlerin Kontrol

Sevilay Sevinli
zmir Yksek Teknoloji Enstits- Fizik Blm, 35430 zmir
Atomlarn dorusal olmayan optik tepkilerinin genellikle ok kk olmas sebebiyle bu zelikleri arttracak bir
ok yeni malzeme ya da sistem nerilmektedir. Kuvvetli lazer etkileimine ihtiya duymadan dorusal olmayan
duygunluk deerleri elde edilebilen malzemelerin varl olduka nemlidir. Elektromanyetik Olarak
Indklenmi effaflk (Electromagnetically Induced Transparency, EIT) fenomeni ultra-yava grup hzlar ve
n depolanmas gibi uygulamalarn gereklemesine olanak salayarak dorusal olmayan optik almalar
iin nemli olanaklar salamtr. Rydberg atomlaryla EIT olaynn birlikte kullanm son yllarda kuramsal ve
deneysel olarak youn ilgi oda olmu ve Rydberg atomlarnn isel olarak sahip olduklar dorusal olmayan
zellikler, onlar dorusal olmayan optik uygulamalar iin nemli bir aday yapmtr.
Bu konumada, Rydberg atomlar arasndaki kuvvetli etkileimleri dolaysyla da optik zelliklerini kontrol
etmek iin kullanlabileceini ne srdmz mikrodalga dzeneini sunacam. Bu neri, baz parametre
rejimlerinde Rydberg-Rydberg etkileimlerini tamamen ortadan kaldrma imkan sunmasnn yan sra
normalde az gzlemlenen -parack etkileimlerini nemli lde arttrmaya da olanak salamaktadr [1].
Kaynaka
1. S. Sevinli, T. Pohl, Microwave control of Rydberg atom interactions, New J. Phys. 16, 123036 (2014).
..
Frekans Kaydrmal Anahtarlama Kiplenimli Saysal Haberleme Sisteminin Bit

Hata Orannn Stokastik Rezonans le yiletirilmesi
M. Emre ek1, Gl Glpnar2, Elif Karata1
Dokuz Eyll niversitesi, Mhendislik Fakltesi, Elektrik-Elektronik Mhendisli Blm, 35160,
zmir
2
Dokuz Eyll niversitesi, Fen Fakltesi, Fizik Blm, 35160, zmir
Bu almada, geleneksel saysal haberleme sistemlerinde kiplenim amacyla frekans kaydrmal

anahtarlama kullanan haberleme sisteminin performans stokastik rezonans yntemiyle artrlmaktadr.
Szkonusu performans kriteri bit hata orandr. Her bir mesaj sembolnde tek bit tand duruma gre
yaplan modellemede, ift-kararl dinamik sistemin iki durumu arasnda anahtarlama yapmas ve bu
anahtarlama frekansnn kestirimi ile mesaj bitlerine karar verilmesi alcnn mesaj bitlerini daha dk
iaret grlt oranlarnda daha az bit hata oranyla kestirmesini salamtr..
kestirilmeye allmtr. Bit hata oran

performansnda stokastik rezonansn belirgin
bir iyileme salad grlmtr.
aret + Grlt
Spektrum
3500
3000
a)
Genlik
2500
2000
c) 1500
-2
1000
500
-4
200
400
600
800
1000
Stokastik Rezonans
0.01
3500
0.03
Stock Rez.
Sinyal + Grlt
3000
1
b)
0.02
Spektrum (Stok. Rez.)
Genlik
Stokastik rezonans, belli bir eik deer

altndaki genlie sahip bir periyodik iaret
etkisi altndaki dorusal olmayan bir dinamik
sisteme, grltnn eklenmesi sonucunda,
meydana gelen periyodik durum deiiklii
olarak dnlebilir. Stokastik rezonans
tanmlamak iin tercih edilen fiziksel
modellerden biri olan ift-kararl sistem, zayf
iaret kestirimi iin frekans anahtarlamal [1],
frekans ve faz anahtarlamal [2] haberleme
sistemlerindeki iaretlerin stokastik rezonans
kullanlarak
kestiriminde
kullanlmtr.
Ref.[1]deki alma, frekans anahtarlamal
haberleme sisteminin farkl tr olan
minimum kaydrmal anahtarlama sisteminde
Duffing salncs [3] ile gerekletirilmitir. Bu
almada ise, bit hata oran stokastik rezonans
ieren alc modeli iin bilgisayar simulasyonu
ile hesaplanm olup geleneksel tek bit frekans
kaydrmal anahtarlama saysal haberleme
sisteminin performansyla kyaslanmtr. Bu
noktadaki temel varsaym, ift-kararl dinamik
sistemin girii olan periyodik iaretin
frekansnn ve eklentisel beyaz Gauss
grltsnn varyansnn bilinmiyor olmasdr.
Bu sebeple deien iaret grlt oranna bal
olarak
ift-kararl
dinamik
sistemin
frekansndan
mesaj
bitleri
dorudan
2500
2000
d)
1500
1000
-1
500
-2
200
400
600
Zaman (sn)
800
1000
0.01
0.02
0.03
Frekans (Hz)
ekil 1: Saysal haberleme sisteminde stokastik

rezonansn performansnn gsterimi
Mesaj sembolne ilikin rnek bir gsterim olarak,

ekil 1a ve 1b, alc giriindeki grltl iaret ve
frekans kestiriminde faydalanlacak ift kararl
dinamik sistem kn, ekil 1c ve 1d ise bu
iaretlere karlk gelen frekans spektrumlarn
srasyla gstermektedir.
Kaynaka
F. Duan, D. Abbott, Signal detection for frequency-shift keying via short-time stochastic resonance,
Physics Letters A 344, 401410 (2005).
2. F. Duan, D. Abbott, "Binary modulated signal detection in a bistable receiver stochastic resonance ",
Physica A 376, 173190 (2007)
3. S. Wei, T. Zhang, C. Gao, F Tan, The United detection of weak MSK signal using Duffing oscillator and
stochastic resonance, IEEE International Symposium on Microwave, Antenna, Propagation and EMC
Technologies for Wireless Communication, 447453 (2011)
1.
Tek Kristal CdTe Gne Hcresi Sourucu Katmanlarn GaAs zerine MBE ile
Bytlmesi
Ozan Ar1, Mustafa Polat1, Merve Gnnar1, Elif zeri1, Yusuf Selamet1
zmir Yksek Teknoloji Enstits- Fizik Blm, 35430 zmir
(Tek kristal yapda gne hcresi sourucu katmanlar yksek verimli gne hcresi cihazlar iin byk
nem tamaktadr[1]. Tek kristal, III-V atomlarndan oluan sourucu katmanlar yksek verimli gne
hcrelerinde en ok kullanlan malzemelerdir. Bununla birlikte III-V atomlar arasndaki ban dominant
kovalent karakteri[2] sourucu katmanlarda nokta kusurlarna yol amakta ve gne hcresi verimlerini
ciddi bir ekilde snrlandrmaktadr[1]. Poli-kristal yapda CdTe sourucu katman barndran gne
hcrelerinin verimi % 21 e ulamtr[3]. Dier yandan poli-kristal sourucu katmanlarn kristal kalitesinin
kt olmas aznlk yk tayclarnn mrlerini kstlamakta ve gne hcrelerinin ak devre
potansiyelini kstlamaktadr[4]. II-VI sourucu katmanlarndaki atomlarn arasndaki balarn III-V
atomlar arasndaki baa gre daha iyonik olmas nedeniyle, II-VI alam yar-iletken katmanlarndaki
aznlk yk tayc mrleri ve dolaysyla II-VI sourucu katmanlardan oluturulan gne hcrelerinin
veriminin yapsal kusurlardan daha az etkilenmesi beklenmektedir [1].
Bu almada, GaAs taban zerine CdTe

sourucu katmanlar Molekler Ak Epitaksi
(MBE) yntemi ile CdTe kaynak kullanlarak
bytlmtr. GaAs tabanlarn byme ncesi
oksit tabakalarnn kaldrlmasnda standart bir
yntem olan As aks yerine In aks
kullanlmtr. In aksnn oksit kaldrma
zerine etkisi, ilem srasnda Yansma Yksek
Enerji Elektron Krnm (RHEED) ve ilem
sonras X-n Foto-elektron Spektroskopi
(XPS) ve Atomik Kuvvet Mikroskobu (AFM)
ile incelenmitir. Ayrca In aks ile oksit
kaldrlan GaAs taban zerine CdTe katmanlar
bytlm ve bu katmanlarn kristal yaps X(422) RC
Absorber Layer
Initiation Layer
Cumulative Fit Peak
1.6x10
1.4x105
Intensity (a.u.)
n Krnm (XRD) yntemi ve elektronik

zellikleri Spektroskopik Elipsometre (SE) ile
llmtr.
Ayrca
bytlen
CdTe
katmanlarn kalnl Fourier Dnml Kzltesi (FTIR) sisteminde farkl noktalarda
alnan iletim spektrumlarndaki giriim
saaklarndan haritalanmtr.
1.2x105
1.0x105
8.0x104
ekil 2: CdTe Sourucu katmann FTIR letim

spektroskopisinden elde edilen kalnlk haritas
6.0x104
4.0x104
2.0x104
0.0
32.48
32.56
32.64
32.72
w (Degrees)
ekil 1: GaAs taban zerine bytlen CdTe(211)

katmann (422) Yksek znrlkl XRD Rocking Erisi
1.
2.
3.
4.
Garland, J. W., Biegala, T., Carmody, M., Gilmore, C. & Sivananthan, S. Next-generation multijunction solar cells:
The promise of II-VI materials. J. Appl. Phys. 109, 102425 (2011).
elebi, C., Ar, O. & Senger, R. Cleavage induced rows of missing atoms on ZnTe (110) surface. Phys. Rev. B 87,
85308 (2013).
NREL. http://www.nrel.gov/ncpv/images/efficiency_chart.jpg. (2014). at
<http://www.nrel.gov/ncpv/images/efficiency_chart.jpg>
Kranz, L. et al. Tailoring impurity distribution in polycrystalline cdte solar cells for enhanced minority carrier
lifetime. Adv. Energy Mater. 4, 110 (2014).
HgTe Kalkojenit Malzemesinin Zincblende ve Cinnabar Fazlarnn Younluk

Fonksiyonel Teorisi ile Yapsal ve Mekanik zelliklerinin ncelenmesi
Ismahan Dz, Sevgi zdemir Kart
Pamukkale niversitesi, Fen Edebiyat Fakltesi, Fizik Blm, 20017 Denizli
Bu almada, Younluk Fonksiyonel Teorisine (DFT) dayal ab-initio hesaplama metodu kullanlarak
HgTe kalkojenit malzemesinin Zincblende (ZB) ve Cinnabar (C) yaplarnn basnca bal faz gei
davran, yapsal ve mekanik zellikleri incelenmitir. almada hesaplanan yapsal parametrelerin ve
elastik sabitlerin dier deneysel ve teorik almalarn sonularyla uyum iinde olduu grlmtr.
Ayrca ZBden C yapsna faz gei basncnn 1,75 GPa olduu bulunmu olup, deneysel almalara
olduka yakn kmtr..
Son yllarda, yarmetal ve/veya sfr enerji

aralkl yariletkenler olarak adlandrlan II-VI
grubu Hg bazl kalkojenitler parabolik olmayan
iletim band ve ters band yapsna sahip
olmalar nedeniyle ilgi ekmektedir. Hg
kalkojenitler optoelektronik ve spintronik
uygulamalar iin aday gsterilmektedir. zel
olarak, HgTe; X-n dedektrleri, gne
pilleri
gibi
optoelektronik
aletlerde
kullanlmaktadr. Bu almada, HgTenin ZB
ve C yaplarnn rg parametresi, bulk modl
ve basnca gre trevi yapsal zellikler olarak
ve elastik sabitleri mekanik zellikler olarak
incelenmitir. Ayrca bu iki yap arasndaki faz
geii basn altnda incelenmitir.
Bu almada, DFT'ye dayal ab-initio
simlasyon hesaplar PAW potansiyeli
kullanlarak gerekletirilmitir. Toplam enerji
hesaplar VASP paket program kullanlarak
elde edilmitir. Elektronik dei-toku ve
korelasyon etkileri GGA yaklamyla hesaba
katlmtr. Elde edilen veriler 3. Mertebe
Birch-Murnaghan durum denklemine fit
edilerek yapsal parametreler hesaplanm olup,
Tablo 1'de verilmitir. Sisteme zor tensr
uygulayarak, toplam enerjinin deformasyon
parametresine gre deiiminden elastik
sabitleri bulunmutur.
Tablo 1de grld gibi elde edilen yapsal

zellikler deney ve dier teorik alma ile
uyum ierisindedir. C yapsnn bulk
modlnn
trevinin
yksek
olmas
malzemenin basnca gre hassas olduunu
gstermektedir. Ayrca bu faz yapsnn
yaklak 1 GPa basnta yar kararl olduu
bilinmektedir. ZB yapsnn C11, C12 ve C44
elastik sabitleri elde edilmi olup deneysel
sonularyla uyumludur. ZB yaps 1,75 GPa
basnta Cinnabar yapsna gemi olup,
deneysel deeri olan 1.6 GPaya ok yakndr.
Tablo 1:HgTe'nin ZB ve C yaplarnn rg parametresi
a,b,c (A0), bulkmodl B (GPa), bulk modln basnca
gre trevi B'.
Yap Metod
ZB
Bu al.
Deney1
Teorik2
C
Bu al.
Deney3
Teorik4
a
6.66
6.45
6.66
4.71
4.45
4.69
10.38
9.89
10.42
Kaynaka
W. Szuszkiewicz, E. Dynowska, P. Dluzewski et al., Phys Status Solidi B, 229, 7377 (2002).
S. Y. Girgis, A. M. Salem, M. S. Selim, J. Phys. Condens. Matter, 19, 116213 (2007).
A. Werner, H. D. Hochheimer, K. Strssner, A. Jayaraman, Phys. Rev. B, 28, 3330 (1983).
S. Biering, P. Schwerdtfeger, J. Chem. Phys., 137, 034705 (2012).
1.
2.
3.
4.
B0
34.39
42.30
34.40
12.02
16.00
21.31
B'
5.93
5.20
21.96
7.30
5.10
Peierls distorsiyonu yardmyla iki boyutlu kararl RuX2 (X= O, S, Se)

yaplarnn elde edilmesi
Fatih ERSAN, Ethem AKTRK
Adnan Menderes niversitesi-Fizik Blm, 09010 Aydn
Son yllarda yaplan deneysel ve teorik almalar pek ok metal-oksit ve dikalkojenlerin (MX2) iki boyutlu
(2B) formlarnn kararl olduunu gstermitir. Bu almalarn etkisiyle, ncekilerden farkl fiziksel ve
kimyasal zellie sahip yeni malzemelerin var olup olamayaca sorusu nem kazanmtr. Bu nedenle, bu
almada bulk yapya sahip RuX2 (X= O, S, Se) yaplarnn iki boyutlu kararl yaplarnn olup olmayaca
ilk prensipler yardmyla incelendi. Bu yaplarn, Hegzagonal (H) ve oktahedral (T) formlar kararsz iken
distorsiyon uygulandktan sonra, T formundaki ferromanyetik RuX2 lerin pozitif fonon frekanslarna sahip
manyetik olmayan yar iletken malzemelere dnt bulundu. T - RuO2 0.167 eV luk dorudan band
aralna sahip olduu ve bu band aral deerinin yar iletken elektronik devre eleman ve sensr
yapmna uygun bir deerde olduu saptand. Buna ek olarak T - RuS2 ve T - RuSe2 iin optoelektronik
aygtlar iin uygun olan srasyla 0.863 ve 0.939 eV luk dorudan olmayan band aralklarna sahip olduklar
hesapland. Ayrca H ve T formlar kararsz olan bu tr yaplarn kararl olmasnda ki en byk etken
Peierls distorsiyonunun etkili olmasdr. .
Dk boyutlu sistemlerde Kuantum

etkilerinin etkin olmas nedeniyle, iki boyutlu
materyallerin fiziksel ve kimyasal zellikleri
boyutlu
hallerine
gre
deiiklik
gstermektedir.[1,2,3]
Son yllarda gei metalleri ve kalkojenlerin
birleimi ile elde edilen tek tabaka MX2
yaplar kendilerine has sahip olduklar fiziksel
ve kimyasal zellikler nedeniyle, hem teorik
hem de deneysel olarak youn bir ekilde
allmaktadrlar
[4].
Bu
almada
fotokatalitik reaksiyonlarda yksek katalitik
zellie sahip Ru tabanl yaplarn bu tr bir
kararl yap gsterip gstermedii incelendi.
Dzlem dalga metodunu kullanan temel-ilkeler
hesaplar ile ilk olarak T yapya sahip RuX2 ler
elde edilerek fonon dalm erileri incelendi.
Bu erilerde bulunan negatif frekanslar H ve T
formunun kararsz olduunu gstermektedir.
Oktahedral (T) yaplara Peierls distorsiyonun
uygulanmas ile tm frekanslarn pozitif olduu
(ekil 1) T - RuX2 kararl yaplar elde edildi.
ekil 1: T - RuX2 sistemlerinin fonon dispersiyon erileri,

titreimsel durum younluklar ve baz zel frekans
deerlerinin atomik titreim dorultular.
Kaynaka
K.S. Novoselov et al., Electric field effect in atomically thin carbon films, Science, 306, 666 (2004).
S. Cahangirov et. Al., Two and One dimensional honeycomb structures of silicon and germanium, Phys.
Lett., 102, 236804 (2009).
3. F. Ersan et. al., Bimetallic two-dimensional PtAg coverage on h-BN substrate: First-principles
calculations, Appl. Surf. Sci., 303, 306-311 (2014).
4. S. Tongay et. al., Monolayer behaviour in bulk ReS2 due to electronic and vibrational decouplingNature
Commun. 5, 3252 (2014)
1.
2.
Gei Metal Katkl, Manyetik zellikli Demir Oksit nce Filmlerin

Kimyasal Pskrtme Tekniiyle Bytlmesi ve Yapsal Analizi
Sevda SARITA1, Erdal TURGUT2 Mutlu KUNDAKI, Bekir GRBULAK ve
Muhammet YILDIRIM
Atatrk niversitesi- Fen Fakltesi Fizik Blm,25240,Erzurum
1 Atatrk niversitesi- Fen Bilimleri Enstits Fizik Anabilimdal,25240,Erzurum
2 Atatrk niversitesi- Akale Meslek Yksekokulu,25240,Erzurum
Gnmzde elektroniin yerini artk spintronik almaya balamtr. Spintronikte,
elektronun yk ile spinini birletirerek yeni fonksiyonlara ve artan performansa sahip spin
kontroll vanalar, anahtarlar, transistorlar, hafzalar, dedektrler, manyetik sensrler ve lazerler
elde etmenin amaland gz nnde bulundurularak spin kutuplu akmlar filtreleyebilecek
manyetik malzemeler retmek nem arz etmektedir. Son yllarda gncel aratrma konularndan
biri olan spin transistr aygtlar yaplmaktadr. Bu dorultuda yaptmz bu almada; Fe3O4,
DyFe2O4 ve ZnFe2O4 , MgO altlk ve cam altlk zerine kimyasal pskrtme teknii ile baarl
bir ekilde bytlmtr. Ayrca, spintronik teknolojisinin ihtiyalarn karlamak amacyla
farkl manyetik zellie sahip malzemeler retilmesine de devam edilmektedir. Bu
amala, AB2X4 (A=Zn, Ni, Co, Fe, Dy; B=Fe; X= O) tipi ikili ve l ferromanyetik
yariletken ince filmler Kimyasal Pskrtme (KP) Teknii kullanlarak cam ve MgO gibi farkl
alttalar zerine bytlm ve bytlen ince filmler XRD, SEM, EDX, grntleri yardmyla
yapsal zellikleri incelenmitir. Bu filmlerde en iyi sonu MgO altlklar zerine bytlen ince
filmlerde alnmtr. Bu almada asl ama elektronlarn yukar-spin ve aa-spin hareketleri
arasndaki fark kullanarak aygt zerindeki akmn kontroln gerekletirmektir. Spin kutuplu
akmlarn elektrik alanla kontrol edilebilecei gsterilerek bu ynde nemli bir aama
kaydedilecektir.
Aun, Cun ve AumCun kmelerinin elektronik yaps ve CO, O2 moleklleri ile

etkilemesinin incelenmesi
Yelda Kadolua, Gkhan Gkolub, Olcay zengi Aktrka
a
Adnan Menderes niversitesi -Fizik Blm, 09100 Aydn

b
Karabk University-Fizik Blm, 78050 Karabk
CO ve O2 molekllerinin saf Aun (n=2-5), Cun (n=2-5) ve bimetalik AumCun (m=1,2,3; 1n6) kmeleri
zerine adsorblanmas younluk fonksiyonel teori ile incelendi. Atom kmelerinin kararl yaplar, durum
younluklar ve yk farklar elde edildi. Aum kmeleri O2 molekl ile ba yapmazken, bu kmeler CO
moleklne kar gl reaktivite gsterdii grlmtr. Tek sayl Cun kmelerinin ift sayl Cun
kmelere gre hem CO hemde O2 adsorpsiyonunda daha yksek adsorpsiyon enerjisi gsterdii
bulunmutur. CO ve O2 moleklleri AumCun kmelerine Cu atomu tepe noktas zerinden balanmaktadr.
Durum younluu sonular Cu ve O atomlar arasnda sp hibritlemesi olduunu gstermektedir. O 2
adsorplanm baz kmelerin ise spintronik uygulamalar iin ideal zellik olan yarmetalik (halfmetallicity)
zellik gsterdii grlmtr..
Metal nanokmeler kataliz reaksiyonlar,

elektronik ve daha birok uygulamadaki
kullanm nedeniyle byk teknolojik neme
sahiptir [1,2]. Bu kmeler zerindeki
aratrmalar
elektronik
ve
katalitik
zelliklerinin kmelerin boyut ekil ve
kompozisyonlarna duyarl ekilde bal
olduunu gstermitir [3,4].
Tablo 1: CO adsorplanm AuCun kmelerinin
adsorpsiyon enerjisi (Ea), mknatslanma (M) ve
HOMO-LUMO aral (HLG) deerleri .
Kme
Ea (eV)
AuCu
AuCu2
AuCu3
AuCu4
AuCu5
AuCu6
1.62
1.58
1.45
1.46
1.55
1.10
M(
0
1.06
0
0.88
0
0.57
HLG(eV)
2.08
1.11() 1.76()
1.80
1.18() 1.26()
1.38
0.88() 0.71()
ekil 1: CO adsorpsiyonlanm AuCun kmesinin ierdii

Cu atomu saysna karlk adsorpsiyon enerjisi
Bu almada Aun , Cun ve AumCun kmelerinin CO

ve O2 iin adsorpsiyon enerjileri bu kmelerin ekil
ve kompozisyonlarna hassas biimde bal olduu
grlmtr.AumCun kmelerinin CO ve O2 adsorpsiyonunda HOMO-LUMO aral deerleri tek-ift
salnm gstermektedir.Au2Cu2 kmesi adsorpsiyon
ve elektronik kararllk anlamna gelen en yksek
HOMO-LUMO aralna sahiptir. Mknatslanma
zellikle O2 adsorpsiyonu yaplan kmelerde baskn
durumdadr. O2 adsorpsiyonu sonucu yarmetalik
kmeler oluumu gzlenmitir.
Kaynaka
A.K. Santra, D.W. Goodman, "Oxide-supported metal clusters: models for heterogeneous catalysts", J.
Phys. Condens. Matter 15 R31 (2003).
2. R.R. Zope, T. Baruah," Conformers of Al13, Al12M, and Al13M (M = Cu, Ag, and Au) clusters and their
energetics", Phys. Rev. A 64 053202 (2001) .
3. D.R. Rainer, D.W. Goodman, "Metal clusters on ultrathin oxide films: model catalysts for surface science
studies", J. Mol. Catal. A 131 259 (1998).
4. T. Hayashi, K. Tanaka, M. Haruta, "Selective vapor-phase epoxidation of propylene over Au/TiO2
catalysts in the presence of oxygen and hydrogen", J. Catal. 178 566 (1998).
1.
Grafen Kuantum Noktalarnn Optik zellikleri

Abdulmenaf Altnta
zmir Yksek Teknoloji Enstits Fizik Blm, 35430 zmir
Bu almada, 10806 atomdan oluan saf ve saf olmayan grafen kuantum noktalarnn (GKN) optiksel
zellikleri teorik olarak inceledik [1]. Hesaplamalarmzda sk balanma ve ortalama alan Hubbard
yakalamlarn kullandk ve saf olmayan durumu modellemek iin ek olarak rasgele retilmi bir
potansiyel modeli sisteme dahil ettik. GKN iin bulduumuz optiksel iletim deeri, izole tek tabakal
dzlemsel grafen yaps iin deeri (/2)*e^2/h olan evrensel optik iletim deerine ok yakn
olduunu gzlemledik [2,3]. Dzensizlik oluturmak iin eklenen potansiyelden kaynakl Fermi
seviyesinde oluan elektron ve ukur anormalliklerinin, elektron-elektron etkileimi de hesaba
katlnca kaybolduunu ve optiksel iletimini de bozukluklara kar gl kldn gsterdik.
Kaynaka
1. A. D. Gl, P. Potasz, and P. Hawrylak, Zero-energy states of graphene triangular quantum

dots in a magnetic field, Phys. Rev. B 88, 155429-(2013)
2. Nair, R. R. et al, Fine Structure Constant Defines Visual Transparency of Graphene, Science
320 5881-1308 (2008).
3. Kin Fai Mak et al, Seeing Many-Body Effects in Single- and Few-Layer Graphene: Observation
of Two-Dimensional Saddle-Point Excitons, Phys. Rev. B 106, 046401-(2011)
Magnetron Sputter le Kaplanan nce Nikel Filmlerin zerinde

Grafen Bytlmesi
Alper YANILMAZ, Hasan AYDIN, Elif ZCER, Emine BAKAL, Ozan ARI ve
Yusuf SELAMET
zmir Yksek Teknoloji Enstits, Fizik Blm,Glbahe Kamps, Urla, 35430 zmir Trkiye
Bu almada, Magnetron Sputter yntemi ile farkl alttalar zerinde polikristal Nikel (Ni) ince filmler
bytlm olup, atmosferik basn altnda kimyasal buhar biriktirme yntemi ile bir veya birka katmanl
grafen sentezi konusunda bytme parametreleri allmtr. Ni film ile tampon katman/taban arasnda
zayf bir ekim kuvveti mevcut olduundan bu ekim kuvvetini (yapma veya filmin yzeyi slatmas)
arttrmak iin plazma oksidasyon almas yaplmtr. Elde edilen sonulara gre oksijen plazma ile yzey
modifikasyonu ile kaplanan Ni ince film yzeyinin, tampon (Al2O3) ve adhesif (Cr) katman kullanlarak
kaplanan filmlere gre daha homojen olduu grlm ve film zerine geni alanda grafen bytlmtr.
Gei metali Ni ince film zerine literatrde

olduka kapsaml grafen almalar mevcuttur
[1, 2]. Ni filmin zelliklerinin kontrol grafenin
bytlmesi iin bir n kouldur. Bu kapsamda
gei metali filminden nce oksit tamponlar ya
da yapma katmanlar kullanlmaktadr [3].
Sputter yntemiyle kaplanan Ni ince filmler
iin altta olarak safir katman, oksijen plazma
ile temizlenmi, plazma yaplmam oksit
katman ve oksit katman kullanlmadan, direk Si
taban kullanlmtr. Bu yntemde kaplamann
yaplaca
hazne
10-6 mbara
kadar
vakumlanmtr. Filmler 9,95 sccm Ar gaz
kullanlarak,
~10-2 mTorr basn altnda
alttalar zerine bytlmtr.
Farkl altta zerine kaplanan Ni filmlerin
kalnlklar profilometre ile belirlenmi olup
Tablo 1 de bytme parametreleri verilmitir.
iin, kimyasal buhar biriktirme yntemi ncesi,

850 oC scaklkta 150 sccm Ar ve 100 sccm H2
gaz ak altnda 90 dak. boyunca Ni filmler
sl ileme tabi tutulmutur.
Grafen bytme almalar her film iin
Ar:H2:C2H4 gaz ak altnda gereklemitir.
Raman spektrumlar 514 nm dalgaboylu lazer
ile alnarak grafenin D, G ve G' pikleri analiz
edilmitir. Ni20 filmi kullanlarak oksijen
plazma ile temizlenmi oksit katman zerine
150:100:10 sccm oranlar ile bytlen
GRP288 rneinin farkl blgesinden alnan
Raman Spektrumlar ekil 1 de verilmitir.
Literatr baz alndnda Ni film zerinde tek
ve/veya ok katman grafen elde edildii
sylenebilir [4]. Bu alma 112T946 nolu
Tbitak projesi tarafndan desteklenmektedir.
Tablo 1: Nikel filmlerin bytme parametreleri.
(a)
(b)
(c)
Siddet (a.u.)
G'
Tavlama ilemi ile filmdeki tanecik

boyutlarnn bymesi salanr. Bu nedenle
byk boyutlarda grafen katmanlar elde etmek
1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800 3000
Raman Kaymasi (cm-1)
ekil 1. GRP288 rneinin (a), (b) ve (c)

blgelerinden alnan Raman Salmalar.
Kaynaka
1. Baraton L, He Z, Lee CS, Maurice J-L, Cojocaru CS, Gourgues-Lorenzon A-F, et al. Synthesis of few-layered
graphene by ion implantation of carbon in nickel thin films. Nanotechnology 2011;22:085601.
2. Li X, Cai W, Colombo L, Ruoff RS. Evolution of graphene growth on Ni and Cu by carbon isotope labeling. Nano
letters 2009;9:4268-72.
3. zeri E. Influence of Ni Thin Flim Structural Properties Over Graphene Growth by CVD: zmir Institute Of
Technology, zmir; 2013.
4. Yu Q, Lian J, Siriponglert S, Li H, Chen YP, Pei S-S. Graphene segregated on Ni surfaces and transferred to
insulators. Applied Physics Letters 2008;93:113103.
MAGNETK ALANDA YARILETKEN KUANTUM TELLERNDE

TERMOELEKTRK HAREKET KUVVET
Arif Babanl1,Ekrem Artun1
Sleyman Demirel niversitesi, Fen Edebiyat Fakltesi Fizik Blm, 32260 Isparta/Trkiye
Son zamanlarda dk boyutlu sistemlerde termoelektrik hareket kuvveti ile ilgili aratrmalar
artmtr [1,2].[2] ite magnetik alanda termoelektrik hareket kuvveti teorik olarak hesaplanm
ve onun magnetik alana bal olarak titreim yapt grlmtr. Haimzade ve arkadalar [3]
parabolik snrlayc potansiyeli olan ince filmlerde termoelektrik hareket kuvveti iin gl
dejenere ve dejenere olmayan durumlarda analitik ifade bulmular. Bu almada z ekseni
ynnde ynelmi sabit magnetik alanda Rashba spin-orbital etkilemesi dikkate alnarak
kuantum tellerinde termoelektrik hareket kuvveti gl dejenere olmu olan durumda
analitik ifade bulunmutur. Enine termoelektrik hareket kuvveti
() =
(1)
Forml ile hesaplanr[3].burada elektron gaznn entropisi, n-younluu, e ise ykdr.
= ( )
(2)
termodinamik potansiyel, kimyasal potansiyeldir. z ekseni ynnde ynelmi sabit magnetik

alanda Rashba spin-orbital etkilemesi dikkate alnarak kuantum tellerinde elektronlarn enerji
spektrumu hesaplanmtr.Termodinamik potansiyeli hesaplamak iin elektron gaznn klasik
dalm fonksiyonunun ifadesinden yararlanlmtr.Termodinamik potansiyeli hesap ettikten
sonra (2) forml ile entropi hesaplanr. Entropi ifadesini (1) denkleminde yazarsak,
termoelektrik hareket kuvveti iin aadaki ifadeni buluruz.
() =
2
3/2
3 en
((+) +
2 + 2 +
=0
)(3)
+ 2 +2 +
=0
burada
L1 L2 L3
2
(2)2 3
= B, = ,
(3) denklemini kullanarak termoelektrik hareket kuvvetinin magnetik alana, Rashba spin-orbital
etkileim parametrene bal deiimini analiz etmek mmkndr.

Kaynaka
[1] C.W.Z. Beenakker, A.A.M. Staring. Phys. Rev. B46, 15, 9667 (1992).
[2] E.N. Bogachek, A.G. Scherbakov, Uzi Landman. Phys. Rev.B54, 16, 11 094 (1996).
[3]F.M. Hashimzade,A.M.Babayev,X.A.Hasanov. Physics of the Solid State,2001,43,10,1776
Peculiarities of defective formations in textures of nematic liquid crystals

A.E. Mamuk and A. Nesrullazade
Mula Stk Koman University, Department of Physics; 48000,Mula,Turkey
aemamuk@mu.edu.tr
At definite condition in polycrystalline and monocrystalline textures of liquid crystals various types of
the point-like, linear and surface defects can be appear. Studies of defective formations and defective
textures of liquid crystals textures are important topics from both fundamental and application points
of view.
In this work peculiarities of various defective formations (the inversion walls, singular points and
disclinations, which can spontaneously arise or can be stimulated in the aligned and non-aligned
textures of nematic liquid crystals, have been investigated for large temperature interval. The
interaction force and mean approach velocity of the singular points, having opposite optical sign, have
been calculated. The optical mappings and sketches of the inversion walls and singularities, taking
place in textures of nematic mesophases are presented.
Comparative investigations of morphologic and thermo-morphologic properties

in three homologs of 4'-(alkylloxy)-4-biphenylcarbonitrile
A.E. Mamuk and A. Nesrullazade
Mula Stk Koman University, Department of Physics; 48000, Mula, Turkey
aemamuk@mu.edu.tr
Liquid crystals exhibit number of liquid crystalline mesophases, which have different structures and
various types of point-like symmetries. In these mesophases display of polycrystalline (confocal,
polygonal, fan-shaped, finger-print, mosaic etc.) and monocrystalline (homeotropic, planar and twist)
textures. Types of textures, their morphologic and thermo-morphologic properties are sufficiently
important for identification and classification of liquid crystalline mesophases.
In this work we present results detailed investigations of morphologic and thermo-morphologic
properties specific and non-specific textures in three homologs of 4'-(alkylloxy)-4-biphenylcarbonitrile
{4'-(pentyloxy)-4-biphenylcarbonitrile, 4'-(hexyloxy)-4-biphenylcarbonitrile and 4'-(octyloxy)-4biphenylcarbonitrile}. Structural, orientational and optical peculiarities of these textures are discussed.
Microphotographs of specific and non-specific textures of above mentioned liquid crystals will be
presented.
[Ni/Pt/CoO]x ok Katl Filmlerde Kaydrma Etkisi

Aye Snmez1, Mustafa ztrk1, Erdem Demirci1, Mustafa Erkovan2, Umut Parlak3, Osman
ztrk1 ve Numan Akdoan1
Gebze Teknik niversitesi, Fizik Blm, 41400, Kocaeli, Trkiye
Sakarya niversitesi, Metalurji ve Malzeme Mhendislii, Sakarya, Trkiye
3
Peter Grnberg Institute, Electronic Properties (PGI-6), 52425 Julich, Almanya
1
Kaydrma etkisi (KE, EB, Exchange Bias) manyetik sensrlerde spin vanas, sabit disklerde okuyucu
balk ve bilgisayarlarda manyetik RAM (Random Access Memory) olarak kullanm alanlarna sahiptir. [1]
KE ilk olarak 1956 ylnda Co paracklaryla alan W. H. Meiklejohn ve C. P. Bean tarafndan, rnek
yzeyindeki Co paracklarnn oksitlenmesi sonucu gzlemlenmitir. [2,3].
manyeto-optik Kerr etkisi (MOKE), kaydrma

etkisi zelliklerinin incelenmesinde ise
titreimli rnek manyetometresi (VSM)
teknikleri kullanlmtr.
-HKE (kOe)
Ferromanyetik (FM) ve antiferromanyetik

(AFM) malzemelerden oluan rnek sistemi,
ferromanyetik malzemenin Curie scakl (TC)
altnda, AFM malzemenin Nel scaklnn
(TN) stnde bir scaklkta iken manyetik alan
(HFC) uygulanarak TN scaklnn altna
soutulduunda, AFM malzemenin spinleri
uygulanan alan vastasyla dzene girer ve FM
malzemenin spinleri ile etkilemeye balar. Bu
etkileme sistemin mknatslanma erisinin,
genellikle uygulanan alana zt ynde nadiren
alan ekseni boyunca yer deitirmesine sebep
olur. Mknatslanma erisinin yer deitirmesi
kaydrma etkisi olarak bilinir.
1.2
[Ni/Pt/CoO]1
0.9
[Ni/Pt/CoO]3
[Ni/Pt/CoO]2
[Ni/Pt/CoO]4
0.6
0.3
0.0
160 180 200 220 240 260 280 300
Literatrde farkl FM/AFM malzemeler

kullanlarak tek/ok katl ince film rnek
sistemleri allmtr [4-6]. Bu almada
kullanlan rnek sisteminde manyetik olmayan
(n-M), FM, AFM malzemeler ve altta olarak
srasyla Pt, Ni, CoO ve tek kristal Si(111)
kullanlmtr.
Filmler
[FM/n-M/AFM]x
formunda ve ok katl ince film yapsndadr.
Filmlerin yapsal zelliklerinin belirlenmesinde
x-n krnm (XRD), mknatslanma
erilerinin kolay eksenlerinin belirlenmesinde
ekil 1: [Ni/Pt/CoO]x iin scakla bal kaydrma

etkisinin deiimi.
Bu alma 112T857 ve 212T217 nolu
projeler kapsamnda TBTAK tarafndan
desteklenmitir.
Kaynaka (Times New Roman, Bold,10 punto)

Nogus, J. and Schuller, I. K., 1999, Exchange bias. J. Magn. Magn. Mater. 192, 203-232.
W.H. Meiklejohn, C.P. Bean, Phys. Rev. 102 (1956) 1413.
W.H. Meiklejohn, C.P. Bean, Phys. Rev. 105 (1957) 904.
M. ztrk, E. Snr, E. Demirci, M. Erkovan, O. ztrk and N. Akdoan, Exchange bias properties of
[Co/CoO]n multilayers, J. Appl. Phys. 112, 093911 (2012).
5. E. Demirci, M. ztrk, R. Topkaya, S. Kazan, N. Akdoan, M. Obaida and K. Westerholt, Thickness and
temperature dependence of exchange bias in Co/CoO bilayers, J. Supercond Nov. Magn.25, 2591 (2012).
6. E. Demirci, M. ztrk, R. Topkaya, S. Kazan, N. Akdoan, M. Obaida and K. Westerholt, Thickness and
temperature dependence of exchange bias in Co/CoO bilayers, J. Supercond Nov. Magn.25, 2591 (2012).
1.
2.
3.
4.
..
Dzlem-ii manyetik alan altndaki iftlenimli ift kuantum telin enerji

spektrumu ve spin yaps zerine spin-yrnge etkileri
Bircan Gii1 , Yenal Karaaslan1, Serpil akirolu2 , smail Skmen2
1
Dokuz Eyll niversitesi, Fen Bilimleri Enstits, Fizik Blm, 35390, zmir
2
Bu almada simetrik anharmonik potansiyeli ile tanmlanan iftlenimli ift kuantum telinin spin-ayrk
altbant enerji dalm ve spin yaps zerine spin-yrnge iftlenimi ile dzlem-ii manyetik alan etkileri
teorik olarak aratrlmtr. Elde edilen sonular enerji dalmnn ve spin yapsnn spin-yrnge
etkileim byklne, manyetik alann iddeti ve ynelimine gl ekilde bal olduunu gstermitir.
Fiziin birok dalndan kimyaya kadar ok

saydaki sistem ift kuyu potansiyeli ile
modellenerek zellikleri incelenmitir[1]. Bu
potansiyel ile tanmlanan dk boyutlu
sistemlerde elektron yknn yan sra spin
serbestliinden yararlanlmas mevcut olanlara
gre daha hzl, daha kk ve daha gl
kaydadeer yeni devreler vaat etmektedir.
Yariletken
heteroyaplarn
karakteristik
zellikleri olan inversiyon asimetrisinden
kaynaklanan makroskopik elektrik alanlarn
varl nedeniyle ortaya kan isel spin-orbit
etkileimleri spin maniplasyonlarnn kontrol
edilebilirliini gerekletirmektedir[2,3].
Bu almada dzlem-ii manyetik alan
altndaki simetrik anharmonik hapsetme
potansiyeli ile tanmlanan iftlenimli ift
kuantum telinin enerji spektrumu, spin yaps
ve spin beklenen deeri zerine Rashba ve
Dresselhaus spin-yrnge etkileimi etkisi
aratrlmtr. Sistemin enerji zdeerleri ve
zfonksiyonlar
Schrdinger
denkleminin
nmerik zmnden elde edilmitir. Galerkin
yntemine dayal olan bir boyutta sonlu
elemanlar yntemi kullanmtr[4].
ekil 1: B=1T, R=0.2, D=0.01, =0 iin lineer

momentumun fonksiyonu olarak tek-elektron enerjileri
(sol panel). farkl yaylma momentumu iin spin
yaplar (sa st panel) ve spin beklenen deerleri (sa
alt panel).
Manyetik alann ve spin-yrnge iftleniminin

birlikte varl daha karmak enerji dalmna ve
spin yaplarnn olumasna sebep olmaktadr. Elde
edilen sonularn sistemin elektronik, spintronik ve
tanm gibi zelliklerinin anlalmasnda katk
salamas beklenmektedir.
Kaynaka
P. Pedram, M. Mirzaei, S.S. Gousheh, Accurate energy spectrum for double-well potential:periodic basis,
Molecular Physics 108, 1949-1955 (2010).
2. S. Zhang, R. Liang, E. Zhang, L. Zhang, Y. Liu, "Magnetosubbands of semiconductor quantum wires with
Rashba and Dresselhaus spin-orbit coupling", Physical Reviev B 73, 155316 (2006).
3. M. Governale, U. Zlicke, "Spin accumulation in quantum wires with strong Rashba spin-orbit coupling",
Physical Reviev B 66, 073311 (2002).
4. O.C. Zienkiewicz, R.L. Taylor, J.Z. Zhu, The Finite Element Method: Its Basis and Fundamentals, (2005).
1.
..
Spin-Momentum Bal Fermiyon Sisteminin Richardson Kesin zm

Bura Tzemen ve Levent Suba
stanbul Teknik niversitesi-Fizik Mhendislii Blm, 34469 stanbul
Spin yrnge etkileimleri, kuantum spin Hall etkisi, topolojik yaltkanlar ve optik rglerdeki ultra souk
atomlar gibi konular ierisinde nemli bir aratrma konusu haline gelmitir. ekici etkileimler altnda bu
sistemlerin speriletken/sperakkan durumlar konvansiyonel sper olaylarn tesinde topolojik
speriletkenlie yol amaktadr. Bu tip speriletkenler, destekledikleri Majorana modlar sayesinde
topolojik kuantum hesaplama iin aday sistemlerden birini oluturmaktadr. Bu almada speriletkenliin
Richardson modeline spin-momentum etkileimi eklenerek ortalama alan yaklam tesinde numerik
olarak kesin sonu elde edilebilmitir.
Fermiyonik sistemler etkileimler ve topolojik

yaplaryla sradan uyarlmalardan farkl zelliklere
sahip quasiparacklar meydana getirebilirler.
rnein,
bu
quasiparacklarla
qubitler
oluturulduunda bu qubitler topolojik olarak
korunakl olabilir. Bu da demektir ki, bu qubitlerden
oluturulan bir quantum bilgisayardaki dolank
durumlar, dardan gelecek yerel grltye kar
korunakl olacaktr. Youn madde sistemlerinde
Majorana fermiyonlar uyarlm quasiparack
durumlar olarak bulunabilir. Kuramsal olarak
nerilen modellerin (rnein bir boyutlu Kitaev
modeli) deneysel olarak gerekletirilmesi iin hem
spin-momentum
balanmasna
hem
de
speriletkenlie ihtiya vardr. [1]
Speriletkenliin mikroskopik modeli olan BCS

hamiltonyeninin kesin zmn elde etmek iin
Richardson, makalesinde elektron iftlerinden
oluan bir zm nerisi yazar. [2,4] N tane Cooper
ifti ieren sistem iin N adet birbirine bal, lineer
olmayan, cebirsel denklemin zlmesi gerekir.
Bununla beraber denklem sistemi tekillik
barndrmaya eilimlidir. Bu tekillikler, sistemi
uygun deiken dnmleri ile ufak kmelere
ayrarak ortadan kaldrlabilmektedir. [3]
Bu almada kesin zmn deiik etkileim
iddeti ve spin-momentum balanmas iin deerleri
hesaplanmtr.
Kaynaka
1. J. Liu, Q. Han, L. B. Shao, and Z. D. Wang, Exact Solutions for a Type of Electron Pairing Model
withSpin-Orbit Interactions and Zeeman Coupling, Phys. Rev. Lett. 107, 026405 (2011)
2. R. Richardson, Numerical study of the 8-32-particle eigenstates of the pairing hamiltonian,
PhysicalReview, vol. 141, 3 (1966)
3. S. Rombouts, D. V. Neck, and J. Dukelsky, Solving the Richardson equations for fermions,
PhysicalReview C, vol. 4, 6 (2004)
4. J. Dukelsky, S. Pittel, and G. Sierra, "Exactly solvable Richardson-Gaudin models for many-body quantum
systems", Rev. Mod. Phys. 76, 643 (2004)
..
Farkl zelti Kaynaklar ile Hazrlanan Kobalt Oksit Filmlerinin ncelenmesi

Hilal AKO, Seda UZKALAN, Ferhunde ATAY ve dris AKYZ
Eskiehir Osmangazi niversitesi-Fizik Blm, 26480, Eskiehir
Bu almada gei metal oksitlerden kobalt oksit yariletken filmleri ekonomik ve uygulama kolayl ile dikkat eken
Ultrasonik Kimyasal Pskrtme teknii ile iki farkl kaynak (kobalt klorr ve kobalt asetat) kullanlarak 290 5 C taban
scaklnda elde edilmitir. Elde edilen filmlerin optik, elektriksel ve yzeysel zellikleri incelenmitir. Filmlerin
kalnlklar (164 ve 179 nm) ve optik sabitleri Spektroskopik Elipsometri teknii ile belirlenmitir. Optik metot kullanlarak
optik bant aralklar ve her iki filmde de grlen alt bant enerjileri hesaplanmtr. Drt u teknii kullanlarak elektriksel
zdiren deerlerinin 9.65 ve 14.51 .cm olduu saptanmtr. Atomik kuvvet mikroskobu kullanlarak filmlerin yzey
morfolojileri aratrlm ve przllk deerleri belirlenmitir.
Kobalt oksit, gei metal oksitler arasnda en ok

allan oksitlerden biridir. Kobalt oksite dayal
malzemeler bilimsel ve teknolojik alanlarda
potansiyel uygulamalarndan dolay byk ilgi
grmektedir. Kobalt oksit, zellikle enerji ve
evre ile ilgili uygulamalarda umut vaat eden bir
malzeme olarak dikkat ekmektedir. zellikle
suni fotosentez sistemlerinde kobalt oksit nano
paracklarnn kullanm ile baarl sonular
elde edilmitir [1-3].
Sourma spektrumlar incelendiinde her bir filmde

optik bant aral yannda bir de alt bandn bulunduu
tespit edilmitir. Yzey incelemeleri sonucunda
kullanlan kaynak zeltinin morfoloji zerinde etkili
olduu grlmtr.
ekil 2: Kobalt oksit filmlerinin AFM grntleri.

ekil 1: Kobalt oksit filmlerinin sourma spektrumlar.
Kaynaka
1.
2.
3.
Shinde, V.R., Mahadik, S.B., Gujar, T.P., Lokhande, C.D., 2006, Supercapacitive cobalt oxide
(Co3O4) thin films by spray pylrolysis, Applied Surface Science, 252,
7487-7492.
Jimenez, V.M., Fernandez, A., Espinos, J.P:, Gonzalez-Elipe, A.R., 1995, The state of the oxygen at
the surface of polycrystalline cobalt oxide, Journal of Electron Spectroscopy and Related
Phenomena, 71, 61-71.
Tanaka, M., Mukai, M., Fujimori, Y., Kondoh, M., Tasaka, Y., Baba, H., Usami, S., 1996, Transition
metal oxide films prepared by pulsed laser deposition for atomic beam detection, Thin Solid Films,
281-282, 453-456.
The effects of de-ionised water treatment on the minority carrier diffusion lengths and
sub-bandgap absorption in highly crystalline thick (>1 m) microcrystalline silicon
films deposited on the rough glass substrate using VHF-PECVD
Gkhan Yilmaz1 , Mehmet Gnes1, V. Smirnov2 and F.Finger2, R. Brueggemann3
1
Mugla Sitki Kocman University, Department of Physics, Kotekli Yerleskesi, Mugla, Turkey.
2
Forschungszentrum Jlich, IEK-5 Photovoltaik, 52425, Jlich, Germany
3
Institut fr Physik, Carl von Ossietzky Universitt Oldenburg, 26111 Oldenburg, Germany.
Highly crystalline thick (>1 m) microcrystalline silicon films having slightly n-type conductivity with
Fermi level position 0.24-0.34 eV from the conduction band edge were deposited by VHF-PECVD with
different power regimes on rough glass substrates at 200 oC. Temperature dependent dark
conductivity, dark, steady-state photoconductivity(SSPC), ph, steady-state photocarrier grating (SSPG),
and dual beam photoconductivity (DBP) methods were used to detect the reversible and irreversible
changes created by (a) long term exposure to room ambient and (b) to five hours de-ionised (DI) water at
80C. Standard measurement procedures [1] were carefully applied for reliable characterization of
metastable changes at room temperature and in high vacuum. SSPC and SSPG measurements were
performed using He-Ne laser light with different intensities. Ag parallel electrodes were evaporated on the
sample with 0.05cm width and 0.5 cm length and a dc voltage in the Ohmic region was applied between the
electrodes during the measurements. All measurements were performed in high vacuum with the pressures
of 1-2x10-6 mbar..
The samples were first characterized after one and a
half year exposure to room ambient in dark. Then,
they were annealed at 430 K in dark to get rid of
the metastability effects.
It was found that
reversible changes occurred after long term
exposure to room ambient, where dark(300K)
increased more than two orders of magnitude
while ph increased within factor of 2 to 4 after the
annealing process. In contrast, relative sub-bandgap
coefficient at 0.9 eV increased by factor 2,
indicating an increased in the density of occupied
defect states below the dark Fermi level, which
consistently decreased the minority carrier diffusion
length, LD, by approximately 50 nm in the annealed
state. After five hours of DI water treatment, as the
steady-state condition of dark conductivity was
established, there was no significant change in
dark(300K) from that of annealed state. However,
ph increased more than one order of magnitude and
relative sub-bandgap absorption coefficient at 0.9
eV decreased by the same factor, indicating a
significant decrease in the density of occupied bulk
defect states located below the Fermi level. As a
result, minority carrier diffusion length, LD,

improved significantly within 50nm to 100 nm after
DI water treatment. Such changes caused by DI
water treatment were found to be almost irreversible
after the annealing process since no significant
changes in measured parameters of the samples
were detected at room temperature. We investigated
two types of effects: (i) exposure to ambient air
which is reversible and accompanied with and
increase in the absorption coefficient and reduction
in LD and (ii) DI water treatment which is
irreversible upon annealing and decreases
absorption coefficient and increases LD. The
differences in behavior are discussed in terms of the
effects of band banding and relative changes in the
Fermi level position and possible changes in the
bulk defects.
Kaynaka
1. M.Gnes, H.Cansever, G.Yilmaz, H.M.Sagban, V.Smirnov, F.Finger, R. Brggemann,
Canadian Journal of Phys. 92: 768773 (2014), dx.doi.org/10.1139/cjp-2013-0630.
2.
..
LuMg Bileiinin Basnca Bal Temel Fiziksel zelliklerinin Ab-initio

Yntemlerle ncelenmesi
rem ner Alp1 ve Yasemin ztekin iftci2
1,2
Gazi niversitesi, Fen Fakltesi, Fizik Blm, 06500, Ankara
Bu almada LuMg bileiinin yapsal, elastik, elektronik ve titreimsel zelliklerinin basnca ball
younluk fonsiyoneli teorisine dayal ilk ilkeler hesaplamalar ile ele alnmtr. Genelletirilmi gradyan
yaklamnn Perdew-Burke-Ernzerhof (GGA-PBE) parametrizasyonuna dayal izdmsel geniletilmi
dzlem dalga (PAW) szde potansiyel metodu kullanlarak Cambridge Sequential Total Energy Package
(CASTEP) [1] ile kbik LuMg (Pm3m, uzay grup no:221) incelenmitir. Dzlem dalgalar iin dalga
fonksiyonlar 600 eVluk kesilim enerjisine kadar geniletilmitir. Brillouin blgesinin nmerik
integrasyonu 12x12x12 Monkhorst-Pack k-nokta rnekleme emas aracl ile yaplmtr.
Nadir toprak metali-magnezyum alamlar

teknolojik uygulamalar asndan kullanl
fiziksel zellikler gsterir [2] ve almalar
lantanit katksnn magnezyumun mekanik
zelliklerine etkisi zerinde younlamtr.
Lantanitlerin metalik karakterde farkl valans
durumlar sergileyebildii grlmektedir [3].
Bu durum dikkat ekici yapsal, elektronik ve
manyetik zellikleri beraberinde getirir. Bu
nedenle sz edilen alamlar yeni malzeme
tasarm, bilimsel ve teknik aratrmalar iin
byk nem tamaktadr. Bahsedilen aileye
mensup LuMg, kbik CsCl yapda (Pm3m,
uzay grup no:221) kristalleir. Hesaplanan rg
parametreleri ve elastik sabitleri Tablo 1de
sunulmutur.
Tablo 1: LuMg bileiinin kararl-hal rg
parametreleri ile elastik sabitleri.
Bu
Teorik Deneysel
Referans
alma
[1]
[6]
3.7271
3.717
3.727
a ()
55.94
54.13
C11 (GPa)
--39.00
40.14
C12 (GPa)
--45.34
41.43
C44 (GPa)
---
ekil 1: LuMg bileinin elektronik band yaps ve

toplam durum younluu (t-dos) grafii.
Bileik mekaniksel olarak kararldr ve band yaps

ekil 1de grld gibi metalik karakterdedir. 50
GPaya kadar rg parametreleri ve elastik sabitleri
hesaplanmtr. Bunun yannda 25 ve 50 GPa iin
elektronik band ve dos yaplar ile titreimsel
zellikleri incelenmitir. Fonon hesaplamalar
LuMgnin termodinamik olarak da kararl olduunu
gstermitir. Sonular dier teorik ve deneysel
almalarla uyum iindedir.
Kaynaka
S. J. Clark, M. D. Segall, C. J. Pickard, P. J. Hasnip, M. J. Probert, K. Refson, M. C. Payne, First
principles methods using CASTEP, Zeitschrift fuer Kristallographie, 220, 567-570 (2005).
2. G. Pagare, S. S. Chouhan, P. Soni, S. P. Sanyal, M. Rajagopalan, Electronic, elastic and thermal properties
of lutetium intermetallic compounds, Solid State Sciences, 18, 141-148 (2013).
1.
..
Ruthenium Boyalarn Elektronik Yaplarnn Younluk Fonksiyoneli Kuram ve

Hartree-Fock + KMC Metodu Kullanlarak ncelenmesi
Irmak alar BERKMAN, Zafer KANDEMR, Selma MAYDA ve Nejat BULUT
zmir Yksek Teknoloji Enstits- Fizik Blm 35430 zmir
Haldane-Anderson modeli [1] yar-iletken bir maddeye gei elementi safszlklar eklendiinde oluan sistemin elektronik
zelliklerini betimlemek iin gelitirilmitir. Bu almada safszlk atomu Ruthenium olan boyalar Haldane-Anderson
modeli kullanlarak incelenmitir. Ruthenium boyalarn, Haldane-Anderson modelini oluturmak iin younluk
fonksiyoneli kuram [2] ve Hartree-Fock metodu [3] kullanlarak safszlk atomu ve ev-sahibi enerji seviyeleri ile bunlar
arasndaki hibridizasyon parametreleri bulunmutur. Hartree-Fock metodu ile elde edilen sonulara gl Coulomb
etkileimesi etkileri Hirsch-Fye Kuantum Monte Carlo [4] algorithmas kullanlarak eklenmitir. Sonu olarak gl
Coulomb etkilemesinin Ruthenium atomunun 4d orbitallerinin doluluk oranlarn nasl etkiledii ve bu etkinin elektronik
yapdaki sonular incelenmitir.
Kaynaka
1.
F.D.M. Haldane and P.W.Anderson, Simple model of multiple charge states of transition-metal impurities in
semiconductors, Phys. Rev. B, 13, 6, 2553:2559, 1976.
3.
W. KOHN and L.J. Sham, Self-Consistent Equations Including Exchange and Correlation Effects, Phys.Rev.,140,
A1133-A1138, (1965).
J.C. SLATER, A simplification of the Hartree-Fock Method , Phys. Rev. 81, 385, 1951
4.
J.E.Hirsch and R.M.Fye, Monte Carlo method for magnetic impurities in metals, Phys. Rev. Lett., 56, 2521, 1986.
2.
Tl1-xIn1-xGexSe2 (x=0, 0.25) Alamnn Elektronik zellikleri
smail Ycel1, Seyfettin akmak2, Ekrem Artun2 ve Arif Babanl2

Sleyman Demirel niversitesi, Fen Bilimleri Enstits,32260 Isparta/Trkiye
Sleyman Demirel niversitesi, Fen Edebiyat Fakltesi Fizik Blm, 32260 Isparta/Trkiye
1
Bu almada, l TlInSe2 ve drtl Tl0.75In0.75Ge0.25Se2 alamnn elektronik zellikleri (durum younluu,

yasak band aral ve elektron yk younluu), Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) [1] dei toku korelasyon enerji
fonksiyonu ieren genelletirilmi gradyent yaklam (GGA) kullanarak younluk fonksiyonel teori (DFT) ile
incelenmitir. WIEN2k yazlm paketinin 14.2 srm[2] kullanlmtr. ekil 1, TlInSe2 ve Tl0.75In0.75Ge0.25Se2
alamlarnn hesaplanan band yap grafiklerini gstermektedir. TlInSe 2 alamnda iletkenlik bandnn
minimumu ile valans bandn maksimumunun =0 noktasnda olmas dorudan geii tanmlamaktadr. Yasak
band enerjisi 0.72 eV dr. Tl0.75In0.75Ge0.25Se2 alamnda iletkenlik bandnn minimumu M noktasnda iken
valans bandnn maksimumu ve X noktalar arasnda olup yasak band enerjisi 1.21 eV dr. Tablo 1'de verilen
alamlarn deneysel ve teorik verileri bu almada elde edilen yasak band enerji deerleri ile uyumaktadr.
Tablo 1. Farkl alamlar iin yasak band enerjileri.

Alamlar
TlInSe2
TlInSe2
TlInSe2
TlInSe2
Tl0.75In0.75Ge0.25Se2
Tl0.90In0.90Ge0.10Se2
Tl0.80In0.80Ge0.20Se2
Yasak band
enerjisi (eV)
0.72
0.60
1.10
1.12
1.21 at 0 K
1.72 at 100 K
1.88 at 100 K
Literatr
Bu alma
Teorik [3]
Deneysel [5]
Deneysel [6]
Bu alma
Deneysel [4]
Deneysel [4]
ekil 1. (a) TlInSe2 ve (b) Tl0.75In0.75Ge0.25Se2

alamnn band yap erisi.
Tl0.75In0.75Ge0.25Se2 alamnn durum younluu hesaplamalarndan valans bandn altnda bir alt band olutuu
belirlenmitir. Bu alt bandn olumasnda In-Ge yer deitirmesi ve kristal yapdaki kusurun etkili olduu
dnlmektedir. Elektronik yk younluu hesaplamalarna gre Tl-In ve Tl-Se atomlar arasndaki baskn ba
yapnn iyonik balanma iken, In-Se ve Ge-Se atomlar arasndaki baskn ba yapnn kovalent balanma
olduu gzlenmitir.
Kaynaka
1. John P. Perdew, Kieron Burke, Matthias Ernzerhof, Generalized Gradient Approximation Made Simple,
Physical Review Letters 77, 3865-3868 (1996).
2. K. Schwarz, P. Blaha, G.K.H. Madsen, Electronic structure calculations of solids using the WIEN2k
package for material sciences, Computer Physics Communications 147, 7176 (2002).
3. Guseyn Orudzhev, Nazim Mamedov, Hisao Uchiki, Nobuyuki Yamamoto, SeishiIida, Hideyuki
Toyota, Eldar Gojaev, Firudin Hashimzade, Band structure and optical functions of ternary chain
TlInSe2, Journal of Physics and Chemistry of Solids 64, 17031706 (2003).
4. O.V. Zamurueva, G.L. Myronchuk, G. Lakshminarayana, O.V. Parasyuk, L.V. Piskach, A.O.
Fedorchuk, N.S. AlZayed, A.M. El-Naggar, I.V. Kityk, Structural and optical features of novel Tl1-xIn1xGexSe2 chalcogenide crystals, Optical Materials 37, 614620 (2014).
5. D. G. Kilday, D. W. Niles, and G. Margaritondo, Electronic structure of the "chain" chalcogenide
T1InSe2, Physical Review B 35, 660-663 (1987).
6. A. M. Panich, Electronic properties and phase transitions in low-dimensional semiconductors, Journal
of Physics: Condensed Matter 20, 293202 (42pp) (2008).
Saydam letken Oksit CdO Filmlerinin ncelenmesi

dris AKYZ ve Kutay YAMAN
Eskiehir Osmangazi niversitesi-Fizik Blm, 26480, Eskiehir
Gnmzdeki saydam iletken oksit teknolojisi sadece birka malzemeye bal kalmtr ve son yllarda ZnO, SnO ve ITO
tabanl malzemelerin bu teknolojide yeterli olduu dncesi deimeye balamtr. Bunun nedeni, mevcut malzemelerin
performans snrlarnn artk daha iyi anlalmas ve retilebilecek yeni ve alternatif malzemelere olan ihtiyacn artmasdr.
Yeni malzemelerin aray yannda, mevcut malzemeler zerinde yaplan katklama ve tavlama gibi ilemler de bu tip umut
vaat eden malzemelerin retimini salamak amac ile deerlendirilebilir. Bu amala almamzda, CdO filmlerinin
ekonomik ve uygulamas kolay olan Ultrasonik Kimyasal Pskrtme (UKP) teknii ile retilmesi hedeflenmitir. Alternatif
karakteristiklere sahip CdO filmler aray amac ile filmler 3 farkl gaz ortamnda (oksijen, azot ve argon) tavlama ilemine
tabi tutulmutur. retilen CdO filmlerinin yapsal ve yzeysel zellikleri x-nlar krnm ve atomik kuvvet mikroskobu
ile incelenmitir.
Son yllarda, Zn, In, Sn ve Cd oksitlerin filmleri

ilgi oda olmaya balamtr. Bunun ana nedeni,
bu filmlerin fotovoltaik gne pilleri, gaz
sensrleri, saydam elektrotlar ve dier optoelektronik aygtlar gibi nemli potansiyel
uygulamalarnn bulunmasdr. CdO, 1907 de
ilk bulunan saydam iletken oksitlerden biri
olmasna ramen; belki de zerinde en az
alma yaplan malzemelerdendir. Son yllarda,
bu filmler foto-transistrlerde, ara tabakalar
olarak diyotlarda, gne pillerinde, gaz
sensrlerinde, sv kristal gstergelerde ve antiyanstc kaplamalarda uygulama alan bulmutur
[1-2].
Filmlerin yapsal zelliklerini incelemek iin
x-n krnm teknii kullanlmtr. XRD
desenlerinde tm filmler iin (111) ve (200) CdO
dzlemlerinden olan yansmalara ait iki iddetli
pik n plana kmtr. Filmlerin yzeysel
zelliklerini incelemek ve przllk deerlerini
belirlemek amacyla Atomik Kuvvet Mikroskobu
kullanlmtr. zellikle, maliyet asndan
bakldnda
fotovoltaik
gne
pilleri
teknolojisinde nemli bir yere sahip olan saydam
iletken oksit CdO tabakalarnn retimine
ynelik olan bu alma, pahal vakumlu
sistemlere alternatif olarak CdO filmlerinin
ekonomik bir teknikle ve tatmin edici kalitede
elde edilebileceini gstermesi asndan nem
arz etmektedir.
ekil 1: CdO filmlerinin XRD desenleri.
ekil 2: CdO filmlerinin AFM grntleri
Kaynaka
1.
2.
Carballeda-Galicia, D.M., Castanedo-Perez, R., Jimenez-Sandoval, O., Jimenez-Sandoval, S., Torres-Delgado, G. and
Zuniga-Romero, C.I., 2000, High transmittance CdO thin films obtained by the sol-gel method, Thin Solid Films, 371,
105-108.
Rusu, R.S and Rusu, G.I., 2005, On the electrical and optical characteristics of CdO thin films, Journal of
Optoelectronics and Advanced Materials, 7 (3), 1511-1516.
Bir Boyutlu Nano Cihazlarda Tanmn Transfer Matris Metodu ve

Denge D Green Fonksiyonu ile ncelenmesi
Mehmet BATI, Serpil AKROLU, Kadir AKGNGR ve smail SKMEN
Dokuz Eyll niversitesi Fizik Blm, 35390 zmir
Denge-d Green fonksiyonlar (NEGF), ak nano-lekli cihazlarda kuantum tanm modellemede
kullanlan etkin bir yntemdir. Bu almada, rezonans tnelleme cihaznda kuantum tanm hesaplar,
NEGF yntemi iin sonlu farklar metodu (FDM) ve sonlu elemanlar metodu (FEM) kullanlarak
gerekletirilmitir. Farkl Fermi seviyelerindeki kontaklar z-enerji fonksiyonlar kullanlarak
rezervuarlara balanarak ilgilenilen devre blgesi iin zm yaplmtr. Ayrca sonular Airy fonksiyonu
bazl transfer matris metodu (AF-TMM) kullanlarak da elde edilmi ve literatrdeki sonularla
kyaslanmtr.
Gnmzde transistr boyutlar nano metre

mertebelere inmitir [1]. Bu mertebelerde tanm
modellemede kuantum mekaniksel simlasyon
teknikleri kullanlmaldr. Nano cihazlarda tanm
incelemek iin Pauli mastr eitlii, younluk matrisi,
Wigner fonksiyonu,
kinetik Monte Carlo
yaklamlar, transfer-matris metodu ve Green
fonksiyonu [2] gibi yntemler kullanlmaktadr.
Son yllarda, salma mekanizmalarn ve ak snr
koullarn uygun bir ekilde ele alabilmesi ile
denge-d
Green
fonksiyonlar
(NEGF)
yaklamlar nano lekli devrelerin tanm
modelleri iin yaygn olarak kullanlmaya
balanmtr [3-6]. NEGF formalizmi kullanlarak
nano-cihazlarda fonon tanm, spin tanm,
elektron
dinamii,
simlasyonlar
gerekletirilebilir.
ekil 1: Rezonans tnelleme cihaznn NEGF ve AF-TMM

yntemiyle elde edilmi iletim katsays enerji grafii
Bir boyutlu rezonans tnelleme cihaz iin uzay

kesikletirilmesi
ve
z-enerji
matrislerinin
tanmlanmas sonlu farklar metodu (FDM) ve sonlu
elemanlar yntemi (FEM) ile yaplm, iletim
katsays karakteristikleri NEGF ve TMM ile elde
edilmitir. Sonularn literatrdeki sonularla
uyumlu olduu grlmtr. Nano cihazlar
incelemede NEGF ynteminin uzayn FDM yerine
FEM ile ayrklatrlmas ile bilgisayar zamann
ksalmas, dzensiz geometrilere uyum ve enerji zdeerlerinin daha hassas elde edilmesi gibi
stnlkleri
vardr.
Bu
almada
rezonans
tnelleme
cihaz
incelenmitir (ekil-1).
Bu tip sistemlerin
incelenmesinde durumlar younluu (DOS), iletim
katsays,
akm
voltaj
karakteristiklerinin
incelenmesi nem arz eder.
Kaynaka
1. http://www.intel.com
2. D. K. Ferry, S. M. Goodnick, and J. Bird, Transport in Nanostructures, Cambridge University Press,
Cambridge, 2009.
3. S. Datta, Nanoscale device modeling: the Greens function method, Superlattices and Microstructures 28,
253 (2000).
4. E. Polizzi and S. Datta, "Multidimensional Nanoscale device modeling: the Finite Element Method applied
to the Non-Equilibrium Green's Function formalism", IEEE-NANO 2003 Third IEEE Conference on
Nanotechnology 2, 40 (2003).
5. M. Boucherit, A. Soltani, M. Rousseau, J.-L. Farvacque and J.-C. DeJaeger, Effect of heterostructure
design on current-voltage characteristics in AlxGa1xN/GaN double-barriers resonant tunneling diode, J.
Appl. Phys. 112, 114305 (2012).
6. P. Greck, S. Birner, B. Huber, and P. Vogl, Efficient method for the calculation of dissipative quantum
transport in quantum cascade lasers, Opt. Express, 23, 6587 (2015).
-V3PC2 ve -V3PC2 Bileiklerinin Yapsal, Mekanik, Elektronik Titreimsel ve

Termodinamik zelliklerinin Ab-initio Yntemle ncelenmesi
Mehtap Altay1, Gkhan Src2, Yasemin ztekin ifti1, Kemal olakolu1
1
Gazi niversitesi, Fen Fakltesi, Fizik Blm, 06500, Ankara, TRKYE

2
Ahi Evran niversitesi, Kaman MYO, Krehir, TRKYE
MAX faz olarak adlandrlan kristaller hekzagonal yapda olup 194 uzay grubunda P63/mmc yapsnda
kararldr. Mn+1AXn gsteriminde n=1, 2, 3 deerlerini alabilir. M=Gei elementlerinin ilk ksm, A=A
grubu elementler, X=C veya N olabilir [1]. Bu MAX fazlar nemli klan fiziksel, kimyasal, elektriksel ve
mekaniksel zelliklerinin yan sra metal ve seramik karakteristik gstermeleridir. MAX fazlar kat, hafif,
oksidasyona ve korozyona kar direnli malzemelerdir. Yksek termal ve elektriksel iletkenlik zelliinin
yan sra termal ok zellii sergileyip havada 1300Cye kadar dayanabilme zelliine sahiptirler [2].
Bu almada -V3PC2 ve -V3PC2 bileiklerinin

taban durum zellikleri Younluk Fonksiyonel
Teorisi (DFT) dahilinde Genelletirilmi Gradyent
Yaklam (GGA) temel alnarak VASP paket
program kullanlarak incelendi. Hesaplamalarda
kesilim enerjisi 800eV, potansiyel olarak ultrasoft
psedopotansiyel, Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) [3]
tipi fonksiyonel ve 16x16x4 Monkhorst-Pack knoktas a kullanld. nce rg sabiti (a), Bulk
modl (B) ve Bulk modlnn basnca gre birinci
trevi (B') Murnaghan hal denklemine fit edilerek
bulundu. Oluum entalpisi (H) teorik olarak
hesapland. -V3PC2 yapsnn oluum entalpisi
pozitif olup yapsal olarak karaszdr. Sonular Tablo
1 de verilmitir. - V3PC2 ve -V3PC2 yaplar iin
enerji-hacim grafii ekil 1 de verilmitir. Denge
konumunda elde edilen rg sabitlerinden

yararlanarak, bileikleri oluturan elementlerin
ayr ayr s, p ve d orbitallerinden durum
younluuna gelen katklar ve bileik
durumundaki toplam durum younluklar
incelenmitir.
Tablo 1: - V3PC2 ve -V3PC2 iin yapsal parametreler
Yap
a
(A)
c
(A)
B
(GPa)
H(eV/
atom)
- V3PC2
3.02
15.8
258.4
-0.59
-V3PC2
2.83
18.2
208.5
0.49
ekil 1: - V3PC2 ve -V3PC2 iin enerji-hacim grafii
Elastik sabitler zor-zorlama yntemi kullanlarak

hesapland. Elastik sabitlerinden elde edilen veriler
yardm ile Zener Anizotropi faktr(A), Young
modl (E), Poisson oran() ve sertlik (Hv) gibi
dier mekaniksel zellikleri hesaplanarak - V3PC2
yapsnn mekaniksel olarak kararl olduu -V3PC2
yapsnn kararsz olduu gzlendi. Fonon spektrum
hesaplamalar PHONOPY kodu yardmyla Lineer
response yntemi kullanlarak hesapland. Fonon
frekans deerlerinden - V3PC2 yapsnn dinamiksel
olarak da kararl olduu -V3PC2 yapsnnda
dinamiksel olarak kararsz olduu doruland.
Termodinamik zellikleri yar-harmonik Debye
modelle hesapland.
Kaynaka
Sun. Z. M., International Materials Reviews, 56,3,143-166, (2011).
Barsoum, M. W., American Scientist, 89, 334-343 (2001).
Perdew, J. P., Burke, K. and Ernzerhof, M. Phys.Rev.Let., 77, 3865-3868 (1996).
1.
2.
3.
..
GaAs Taban zerine MBE ile Bytlen CdTe Filmlerinin Spektroskopik

Elipsometre ile Karakterizasyonu
Merve Gnnar, Elif Bilgilisoy ve Yusuf Selamet
zmir Yksek Teknoloji Enstits
Bu almada (211) ynelimli GaAs zerine molekler demet epitaksisi (MBE) ile bytlen CdTe ince
filmleri bytme sonras spektroskopik elipsometre (SE) ile karakterize edilmitir. Yzey przll,
kalnl ve optik zellikleri tayin edilmitir.
Civa Kadmiyum Tellur (MCT, HgCdTe) IR

dedektrler iin yaygn kullanlan bir
malzemedir. Cd orannn deimesiyle IR
spektruma karlk gelen enerji band aral
elde edilmektedir. Gece gr dedektrlerinde
yksek znrlkte bir grnt elde etmek
iin MCT malzemesinin yksek kristal kalitede
bytlmesi gerekmektedir. Ayrca bytlen
malzemenin tm yzeyinin homejen ve ayn
kalitede olmas hedeflenmektedir.
HgCdTe bytmede alt taban olarak kullanlan
CdZnTe malzemesi rg uyumu ve termal
genleme
uyumu
sebebiyle
tercih
edilmektedir[1]. zellikle uzun dalgaboyu IR
blgesi (8-12 m)
iin %4lk Zn
kompozisyonuna sahip CdZnTe alt taban
kullanlmaktadr. Fakat bu malzemenin kristal
kalitesinin ve Zn dalmnn alt taban yzeyi
zerinde homojen dalmamas, krlgan olmas
gibi dezavantajlar mevcuttur. Bu sebeple
almalar CdTe tampon katman ile kullanlan
Si, Ge, GaAs ve InSb gibi alternatif alt tabanlar
zerine younlamaktadr [2, 3].
Bu almada GaAs zerine Molekler Demet
Epitaksisi (MBE) ile bytlen CdTe ince
filmlerinin spektroskopik elipsometri ile
karakterizasyonu yaplmtr. Atomik kuvvet

mikroskobundan elde edilen yzey prznn
kalnl
elipsometri
datas
ile
karlatrlmtr.
Pseudo
dielektrik
fonksiyonun imajiner ksm olan <e2>nin
3.311 eVdeki deerlerin AFMden elde edilen
deerlerle korelasyonu elde edilmitir. 4 inlik
CdTe rneinin <e2> (3.311 eV) deerleri
haritas ekil 1de grlmektedir.
10,80
10,88
10,96
11,04
11,12
11,20
0
11,28
11,36
11,44
11,52
11,60
<e2> Map at 3,31 eV
ekil 1: 4 inlik CdTe rneinin <e2> (3.311 eV)

deerleri haritas
Kaynaka
1. Zanatta, J., et al., Heteroepitaxy of HgCdTe (211) B on Ge substrates by molecular beam epitaxy for infrared
detectors. Journal of electronic materials, 1998. 27(6): p. 542-545.
2. Sporken, R., et al., Molecular beam epitaxial growth of CdTe and HgCdTe on Si (100). Applied Physics
Letters, 1989. 55(18): p. 1879-1881.
3. Badano, G., et al., In situ real-time analysis of the MBE growth of CdTe on Ge: A comparison of
ellipsometry data analysis techniques. Journal of crystal growth, 2006. 296(2): p. 129-134.M.
..
Youn Lazer Alan Altndaki Asimetrik Gaussian Kuantum Kuyusunun

Optik Sourma ve Krlma ndisi Deiimleri
Necda am 1, Serpil akirolu 2, smail Skmen
1
2
Yksek-frekansl youn lazer alan ve statik elektrik alan altndaki asimetrik Gaussian kuantum kuyusunun
optik sourma katsays ve krlma indisi deiimleri teorik olarak incelenmitir. Lineer ve lineer olmayan
optik zellikler iin analitik ifadeler kompakt younluk matris yaklam ve iteratif ema kullanlarak elde
edilmitir. Tipik GaAs kuantum kuyusu iin elde edilen sonular, sourma katsays ve krlma indisi
deiimlerinin youn lazer alann ve elektrik alannn iddetine, ayrca sistem parametrelerine bal
olduunu ortaya koymaktadr..
Dk-boyutlu yariletken materyaller,

gl kuantum snrlama etkilerine maruz
brakldnda kle yaplara oranla daha
belirgin dorusal olmayan optik zellikler
gsterirler [1]. Bu dorusal olmayan optik
zellikler nc ve ikinci harmonik retimi,
lineer olmayan optik sourma katsays ve
krlma indisi deiimleridir. Madde zerinde
bu etkilerin incelenmesi nano-sensrler, kzl
tesi lazerler ve foto-dedektrler gibi
optoelektronik
cihazlarn
gelimesini
salamtr [2]. te yandan youn lazer
alannn madde zerine etkisinin aratrlmas
son yllarda ilgi ekici alan olmutur [3].
Bu almada monokromatik lineer polarize
yksek frekansl youn lazer alannn elektrik
alan altndaki asimetrik Gaussian potansiyal
kuyu sisteminin optik zellikleri zerine
etkileri incelenmitir. Sonlu elemanlar metodu
(FEM)
kullanlarak
hesaplanan
enerji
zdeerleri ve zfonksiyonlar yardmyla
ekil 1: : Lineer, nc-derece lineer olmayan ve

toplam sourma katsays (a) ile krlma indisi
deiimlerinin (b) gelen foton enerjisine bal deiimi.
asimetrik Guassian potansiyel kuyusu iin lineer ve

nc-derece lineer olmayan optik sourma
katsays ve krlma indisi deiimleri aratrlmtr.
Nmerik sonular youn lazer alannn ve elektrik
alann optik zellikleri belirgin ekilde etkilediini
gstermektedir.
Kaynaka
1. A. Guo, J. Du, Superlattice and Microstructures, "Linear and nonlinear optical absorption coefficients and
refractive index changes in asymmetrical Gaussian potential quantum wells with applied electric field" 158166, 64(2013)
2. E. Rosencher, Ph. Bois , Phsical Review B, "Model system for optical nonlinearities: Asymmteric quantum
wells", 11315-11327, 44 (1991)
3. S. Panda, B.K. Panda, Superlattice and Microstructures, "Effect of intense laser field on nonlinear optical
susceptibilities in an asymmetric single quantum well " 124-133, 61 (2013).
..
Giant Magnetoresistance and Current induced magnetization switching

measurements in nanolithographically defined Co2MnSi / Ag / Co2MnSi
nanopillars
aban Trpanc 1,2*, Daniel E. Brgler 2, Claus M. Schneider 2 , Bulat Rameev1, and Bekir Akta 1
1
Department of Physics, Gebze Technical University, P.B. 141, Gebze-Kocaeli 41400, Turkey
Peter Grnberg Institute, Electronic Properties (PGI-6, Research Center Jlich GmbH, D-52425 Jlich,
Germany
2
Heusler Alloys are known for a long time. In recent years new properties and
functionalities of these alloys have been discovered. One of these properties is Half
Metallicity. This property makes Heusler alloys reasonable candidate for spintronic
applications, especially for MRAM (Magnetic Random Access Memories) applications.
Co2MnSi (CMS) is one of the ferromagnetic members of Heusler Alloys. It has Curie
temperature at 985 0C. Spin polarization of CMS structures are measured as 50-60 % [1].
In this work, we have investigated a multilayer structure consisting of MgO substrate / Cr
(20 nm)/ Ag (60 nm)/ CMS (20 nm)/ Ag (8 nm)/ CMS (5 nm)/ Ag (2 nm)/ Au (50 nm).
The samples were prepared employing an ultrahigh vacuum magnetron sputtering system
in Tohoku University [2].Ellipsoidal nanopillars with diameters between 120 nm to 300
nm are fabricated by e-beam lithography and ion-beam etching for spin-torque
measurements in current-perpendicular-plane (CPP) geometry in clean room enviroment.
Giant magnetoresistance and Current induced magnetization reversal measurements will
be given in this work.)
Fig 1. Nanopillar structure written by e-beam writer
Kaynaka
1.
2.
R. Okura et al., Appl. Phys. Lett. 99, 052510 (2011

Y. Sakuraba et al.,. Phys. Rev. B 82, 094444 (2010)
..
InSe ve InSe:Sn Yariletken Kristallerinin Lineer Sourma Katsaylarnn,

Tavlama Scaklna Gre Deiimi
Burcu AKA, Salih Zeki ERZENEOLU, Bekir GRBULAK
Atatrk niversitesi-Fizik Blm, 25240 ERZURUM
Bu almada Bridgman/Stockbarger metoduyla bytlm InSe ve InSe:Sn yariletken kristallerinin
lineer sourma katsaylarnn, tavlama scaklna gre deiimleri incelenmitir. Bu yariletkenlerin lineer
sourma katsaylarnn, tavlama scakl ile deiimi lam zerine buharlatrlmadan ve ayrca daha
homojen bir yzey elde etmek iin lam (cam) zerine buharlatrlm olarak iki grup halinde
deerlendirilmitir. Kristal kalnlklar srasyla 638 ve 630 m dir. Lam zerine buharlatrma ilemi,
termal buharlatrma yntemiyle ince film kaplama sistemi kullanlarak 76x26 mm/3x1 in boyutlu 1 mm
kalnlkl lamlar zerine yaplmtr. ki grup iinde deiimin en iyi gzlendii sre olan sabit tavlama
sresi 30 dakika olarak tespit edilmitir. Tavlama scaklklar ise 0-60-120-180 olarak belirlenmitir.
Maksimum tavlama scakl kristalin yanma veya lamn atlama scakldr.
Deneyde bir Si(Li) dedektr, iddeti 100 mCi

olan Am-241 radyoaktif kaynann 59,5 keV
enerjili fotonlar ve sayma sistemi olarak da
enerji ayrml X-n spektrometresi (EDXRF)
kullanlmtr. InSe ve InSe:Sn kristallerinin
yapsal karakterizasyonlar, XRD lmleri

vastasyla analiz edilmitir. InSe ve InSe:
Sn XRD spektrumu ekil 1 de verilmitir.
Camberra DSA-1000 spektrum analizr 4096
kanala ayarlanarak 600 saniyelik saymlar
numuneli ve numunesiz olarak en az kez
tekrarlanmtr ve ortalamalar alnmtr.
Alnan ller MATLAB-R2007a programnda
ilenerek
OriginPro
7.5
programna
aktarlmtr ve foton iddet alanlar
hesaplanmtr. Daha sonra grafikler iin
OriginPro 8.0 program kullanlmtr.
ekil 1: InSe ve InSe:Sn iin XRD spektrumu
Yariletken numunelerin lineer sourma katsaylar

(),
Beer-Lambert
yasas
kullanlarak
hesaplanmtr. Elde edilen sonular grafiksel olarak
verilmitir [1].
Kaynaka
B. Aka, S. Z. Erzeneolu, B. Grbulak, Measurement of -ray transmission factors of semiconductor
crystals at various annealing temperature and time Indian Journal of Pure & Applied Physics 53 (1), 49-55
(2015).
1.
..
ki-boyutlu Gaussian kuantum nokta sisteminde youn lazer alannn

optik sourma katsays ve krlma indisi deiimleri zerine etkileri
Selma Durak1, Serpil akirolu2, smail Skmen2
2
Bu almada, Gaussian hapsetme potansiyeli ile tanmlanan iki-boyutlu kuantum nokta yapnn, lineerolmayan optik zellikleri zerine yksek-frekansl youn lazer alan etkileri aratrlmtr. Radyasyon
alannn etkisi, pertrbatif olmayan yaklam erevesinde ele alnarak lazer-giydirilmi potansiyel ile
tanmlanmtr. Elde edilen sonular, lineer ve lineer-olmayan optik sourma katsays ile krlma indisi
deiimlerinin uygulanan alana nemli lde bal olduunu gstermektedir.
Dk-boyutlu yariletken sistemlerde yk

tayclarnn hapsedilmesi neticesinde, kle
yaplara gre, bantlar aras geilerle ilikili
daha belirgin lineer-olmayan optik zelliklerin
ortaya kmas son yllarda youn ilgi konusu
olmutur. Bu yaplarn yksek hzl elektrooptiksel modlatr, kzltesi fotodedektr vb.
gibi pratik uygulamalar iin geni potansiyel
uygulama alanna sahip olmas teorik
aratrmalara hz kazandrmtr [1]. Kuantum
noktalar elektronlar tm uzaysal ynlerde
snrlandrmayla oluturulan dk-boyutlu
yariletken sistemlerdir [2]. Yk tayclarnn
hapsedilmesini tarif etmek iin Gaussian
potansiyel kullanlabilir [3].
Bu almada, monokromatik dairesel polarize
youn lazer alan altndaki iki-boyutlu
Gaussian kuantum nokta sisteminin optik
sourma katsays ve krlma indisi deiimleri
incelenmitir. Sistemi ifade eden Schrdinger
denklemi Kramers-Henneberger dnm ve
Fourier-Floquet seri alm kullanlarak lazergiydirilmi potansiyel ieren zamandan
bamsz forma dntrlmtr. Galerkin

metoduna dayal sonlu elemanlar yntemi
kullanlarak hesaplanan enerji zdeer ve
zfonksiyonlar yardmyla optik sourma
katsays ve krlma indisi deiimleri elde
edilmitir. Nmerik sonular optik zelliklerin
uygulanan lazer alannn iddeti ve kuantum
noktann yapsal parametrelerinden nemli
lde etkilendiini gstermektedir.
ekil 1: Lineer, nc-mertebe lineer-olmayan ve

toplam sourma katsays (a) ve krlma indisi
deiimlerinin (b) foton enerjisine gre deiimi.
Kaynaka
W. Xie, Optical absorption and refractive index of an exciton quantum dot under intense laser radiation,
Physica E 43 1704-1707 (2011)
2. Gh. Safarpour, A. Zamani, M.A. Izadi, H. Ganjipour, Laser radiation effect on the optical properties of a
spherical quantum dot confined in a cylindrical nanowire, Journal of Luminescence 147 295-303 (2014)
3. L. Lu, W. Xie, H. Hassanabadi, Laser field effect on the nonlinear optical properties of donor impurities
in quantum dots with Gaussian potential, Physica B 406 4129-4134 (2011)
1.
..
Vitamin B12nin Elektronik Yapsnn Haldane-Anderson Modeli erevesinde

ncelenmesi
Selma MAYDA, Zafer KANDEMR ve Nejat BULUT
zmir Yksek Teknoloji Enstits Fizik Blm, 35430 zmir
Vitamin B12nin (C63H88CoN14O14P) elektronik yapsn ok-orbitalli Haldane-Anderson [1] modelini
kullanarak inceledik. Bu model yar-iletken bir ev-sahibi ierisinde bulunan gei metali safszlk atomunun
elektronik zelliklerini tanmlamaktadr. almamzdaki amacmz, gei metali safszlk atomundan
kaynaklanan ok-ktleli etkileri anlamaktr. Bu balamda, vitamin B 12de bulunan kobalt (Co) atomunun
3d orbitallerini safszlk atomu, bunun dndaki btn orbitalleri ev-sahibi yap olarak tanmladk.
Haldane-Anderson modelinin parametrelerini, Hartree-Fock (HF) yaklam kullanarak hesapladk ve
molekln elektronik yapsn elde ettik. Daha sonra, Hirsch-Fye kuantum Monte Carlo (HFKMC) [2]
algoritmasn kullanarak vitamin B12 iin oluturulan bu etkili Haldane-Anderson modelinin manyetik
korelasyon fonksiyonlarn ve orbitallerin doluluk oranlarn hesapladk. Hesaplar sonucunda, safszlk 3d
orbitallerinde var olan gl Coulomb etkilemelerinden dolay yar-iletken bant aralnda yeni elektron
mevkilerinin olutuu ve bu elektron mevkilerinin en dk bo molekl orbitaller olduunu grdk.
Bunlara ek olarak, Co atomu evresindeki yk dalmn ve spin etkilemelerini inceledik.
Kaynaka
1. F. Haldane and P. Anderson, Simple Model of Multiple Charge States of Transition-metal Impurities in
Semiconductors, Physical Review B, 13, 2553-2559, (1976).
2. J. E. Hirsch and R. M. Fye, Monte Carlo Method for Magnetic Impurities in Metals, Phys.Rev.Lett., 56,
2521-2524, (1986).
..
Grafen Katmanlarnn Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) Yntemiyle

retilmesi
Y. E. Tan1, B. Yldz1, H. Satlm1, C. G. nl2, Y. zmen2
1
Pamukkale niversitesi, Malzeme bilimi ve Mhendislii Blm, 20070, Knkl, Denizli,

2
Pamukkale niversitesi, Biyomedikal Mhendislii Blm, 20070, Knkl, Denizli
2004 ylnda kefedilen karbon tabanl 2D nano-malzeme olan grafen, yksek en boy oran, mkemmel
elektronik ve optik zellikleri, yksek mekanik dayanm ve biyo-uyumluluu gibi dikkat ekici fiziksel,
kimyasal ve biyolojik zellikleri sayesinde daha ok ilgi kazanmtr. Bu almann amac biyomedikal
uygulamalarda kullanmak zere grafen katmanlar retmek ve retilen katmanlarn karakterizasyonunu
gerekletirmektir. Grafen katmanlar Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD) yntemiyle sentezlendi. Grafen
katmanlar, bakr altlk zerine deiken alma scaklklarnda ve farkl gaz ak oranlarnda biriktirildi.
retilen grafenin morfolojisi, atomik yaps ve elektrokimyasal zellikleri Raman Spektroskopisi, XRD,
SEM, EDX, AFM analizleri yaplarak belirlendi.
ekil 1: Bakr zerine bytlm grafen katmanlarn Raman

Spektroskopisi
ekil 2: Bakr zerine bytlm grafen katmanlarn AFM

analizi
Kaynaka
S. Goenka, V. Sant, S. Sant, Graphene-based Nanomaterials For Drug Delivery And Tissue Engineering,
Journal Of Controlled Release 173, 7588 (2014).
2. Y. Zhang, L. Zhang, C. Zhou, Review of Chemical Vapor Deposition of Graphene and Related
Applications, Acc. Chem. Res. 46, 23292339 (2013).
3. C. Mattevi, H. Kim, M. Chhowalla, A Review of Chemical Vapour Deposition of Graphene on Copper,
J. Mater. Chem. 21, 3324-3334 (2011).
4. D. Bitounis , H. Ali-Boucetta , B. H. Hong , Dal-Hee Min , K. Kostarelos, Prospects and Challenges of
Graphene in Biomedical Applications, Adv. Mater 25, 22582268 (2013).
5. A. Kumar, C. H. Lee, Synthesis and Biomedical Applications of Graphene, Present and Future Trends,
Advances in Graphene Science (2013).
1.
..
Elektronlu Poligonal Kuantum Noktalar

Zeynep DEMR, Serpil AKROLU, Kadir AKGNGR ve smail SKMEN
Dokuz Eyll niversitesi Fizik Blm, 35390 zmir
Bu almada, elektron ieren poligonal (altgen, kare ve gen) kuantum noktalarn elektronik yaps
teorik olarak incelenmitir. Farkl elektron-elektron etkileim iddetleri iin ekillenim Etkileim Yntemi
kullanlarak sistemin taban durum enerji ve dalga fonksiyonlar elde edilmitir. Nmerik sonularmza
gre sistemin taban durum spini ve yk younluu dalm kuantum noktann ekline kuvvetli bir ekilde
baldr.
Kuantum noktalar, d bir alan etkisinde kontrol

edilebilir sayda elektron ieren yariletken
nanoyaplardr [1]. Yariletken teknolojisindeki son
gelimeler ile birlikte dikdrtgen, gen ve altgen
gibi farkl ekil ve byklklerde kuantum noktalar
retmek mmkndr [2]. Elektron korelasyon
etkilerinin incelenebildii ideal sistemler olmalar
nedeniyle, kuantum noktalarn elektronik yap ve
tanm zelliklerinin aratrlmas teorik ve deneysel
adan youn ilgi alan olmutur. [3,4,5].
Bu almada, altgen, kare ve gen formda kuatma
potansiyeline sahip elektronlu kuantum noktalarn
enerji spektrumu ve spin konfigrasyonlar
ekillenim Etkileim Yntemi (CI) ile incelenmitir.
Elektron-elektron etkileim bykl deitirilerek,
kuantum noktann eklinin sistemin taban durum spin
polarizasyonu ve yk younluu dalm zerindeki
etkisi ayrntl olarak incelenmitir (ekil 1). Elde
edilen sonular, sistemin taban durumunun kuantum
noktann ekline ve elektron-elektron etkileimine
bal olduunu ortaya koymaktadr.
ekil 1: Farkl ekillere sahip kuantum noktalar iin

S=3/2 ve S=1/2 spin durumlar arasndaki enerji farknn
elektron- elektron etkiim iddetine gre deiimi.
Kaynaka
1- S. M. Reimann, M. Manninen, Electronic Structure of Quantum Dots, Rev. Mod. Phys. 74, 1283 (2002).
2- M. Jo, T. Mano, M. Abbarchi, T. Kuroda, Y. Sakuma, K. Sakoda, Self-Limiting Growth of Hexagonal and
Triangular Quantum Dots on (111)A, Cryst. Growth Des. 12, 1411 (2012).
3- E. Rasanen, H. Saarikoski, M. J. Puska, R. M. Nieminen, Wigner molecules in polygonal quantum dots: A
density-functional study, Phys. Rev. B 67, 035326 (2003).
4- M. Ishizuki, H. Takemiya, T. Okunishi, K. Takeda, K. Kusakabe, Shape of polygonal quantum dots and
ground-state instability in the spin polarization, Phys. Rev. B 85, 155316 (2012).
5- S. A. Mikhailov, Quantum-dot lithium in zero magnetic field: Electronic properties, thermodynamics, and
Fermi-liquid and Wigner solid crossover in the ground state ,Phys. Rev. B 65, 115312 (2002) .
..

YMF 2015 Özet Kitapçığı

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

YMF 2015 Özet Kitapçığı

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

YOUN MADDE FZ ZMR

Sizleri Youn Madde Fizii (YMF)-zmir Toplantsnda aramzda grmekten byk

YMF-zmir Toplants Dzenleme Komitesi adna

Ouz GLSEREN (Bilkent niv.)

Alper Yanlmaz (YTE)

Nilhan GRKAN GEDZ

Mortesi k altnda gstermi olduu

ekil 1: Anataz nanotelin (001) fasetinde bidentate

yapsal, elektronik ve optik zelliklerinde neden

Teekkr: Bu alma TBTAK tarafndan 110T394 nolu proje ile desteklenmitir.

Iki-boyutlu ultrasoguk dipol gazlarinda etkilesmeler, kolektif uyarilmalar

B. Tanatar (Bilkent Universitesi)

Grafen Tabanl OLED Ekranlar

Novel Photonic Lightwave Circuit Elements:

Nonlinear Laser Lithography Going 3D

Entanglement in Magnetic Models with Anisotropic Antisymmetric Exchange

The entanglement property has been discussed at the

and XXZ models and study the influence of DM

Kurun iermeyen Bi-tabanl piezoelektrik malzemeler

Bi-tabanl piezoelektrik malzemeler, Bi+3n

ekil 1: 0.75 Bi(Ti3/8Fe2/8Mg3/8)O3- 0.25BaTiO3

malzemesinin zorlama(strain)-elektrik alan lmnde

J. Rdel, K. G. Webber, R. Dittmer, W. Jo, M. Kimura and D. Damjanovic, Transferring lead-free

Silisyum karbr tabanl UV foto-detektrler iin epitaksiyel grafen elektrot

Mkemmel k geirgenlii, stn elektriksel

Grafen Filmlerin Katman-Katman Yntemiyle Doplanmas

ekil 1: Doplama yntemi ematik gsterimi

Bu amala bakr folyolar zerinde sentezlenen tek

Grafende Manyetik Adatomlar Aras Spin-Spin Korelasyonu

Altn Nano Paracklar ile Nanotriboloji almalar:

Nanometre ve atomik boyutlarda meydana gelen

Son olarak, AKM lmleri srasnda yzeye

Bahsi geen kstlamalar amak amacyla; yakn

ekil 1: Grafit alttan kenarlar arasna skm

Mikroekillenmi Silikon ATR-IR

Mikroekillenmi Silikon ATR-IR Teknii

Karabudak, E. Micromachined silicon attenuated total reflectance infrared spectroscopy: An emerging

Souk Rydberg Gazlarnda Etkileimlerin Kontrol

Frekans Kaydrmal Anahtarlama Kiplenimli Saysal Haberleme Sisteminin Bit

Bu almada, geleneksel saysal haberleme sistemlerinde kiplenim amacyla frekans kaydrmal

kestirilmeye allmtr. Bit hata oran

Spektrum (Stok. Rez.)

Stokastik rezonans, belli bir eik deer

ekil 1: Saysal haberleme sisteminde stokastik

Mesaj sembolne ilikin rnek bir gsterim olarak,

Bu almada, GaAs taban zerine CdTe

n Krnm (XRD) yntemi ve elektronik

ekil 2: CdTe Sourucu katmann FTIR letim

ekil 1: GaAs taban zerine bytlen CdTe(211)

HgTe Kalkojenit Malzemesinin Zincblende ve Cinnabar Fazlarnn Younluk

Son yllarda, yarmetal ve/veya sfr enerji

Tablo 1de grld gibi elde edilen yapsal

Peierls distorsiyonu yardmyla iki boyutlu kararl RuX2 (X= O, S, Se)

Dk boyutlu sistemlerde Kuantum

ekil 1: T - RuX2 sistemlerinin fonon dispersiyon erileri,

Gei Metal Katkl, Manyetik zellikli Demir Oksit nce Filmlerin

Aun, Cun ve AumCun kmelerinin elektronik yaps ve CO, O2 moleklleri ile

Adnan Menderes niversitesi -Fizik Blm, 09100 Aydn

Metal nanokmeler kataliz reaksiyonlar,

ekil 1: CO adsorpsiyonlanm AuCun kmesinin ierdii

Bu almada Aun , Cun ve AumCun kmelerinin CO

Grafen Kuantum Noktalarnn Optik zellikleri

1. A. D. Gl, P. Potasz, and P. Hawrylak, Zero-energy states of graphene triangular quantum

Magnetron Sputter le Kaplanan nce Nikel Filmlerin zerinde