Elektronski fakultet u Niu

ELEKTRONSKE KOMPONENTE

(Semestar II, 2010. god)

Zadaci sa raunskih vebi, drugi deo

ZADATAK 1: Odrediti koncentraciju donorskih primesa kojom mora biti dopiran

silicijum da bi na 300 K imao koncentraciju elektrona dvadeset puta veu od
koncentracije upljina. Koncentracija sopstvenih nosilaca u silicijumu na sobnoj
temperaturi (300 K) je ni = 1.131010 cm3.
......................................
Reenje:
Za poluprovodnike vai zakon o dejstvu masa:
n p ni2
Dato je da je koncentracija elektrona dvadeset puta vea od koncentracije upljina:
n 20 p
Zamenom u prethodni izraz dobija se:
20 p p n i2
20 p 2 ni2

Odavde se zamenom brojnih vrednosti dobija:

n
1.13 1010
p i
0.25 1010 cm 3 2.5 10 9 cm 3
20
20
Znamo da je:
n 20 p
Odavde dobijamo:
n 5 1010 cm3
Kako su na sobnoj temperaturi sve primese jonizovane onda vai:
ND n
Zamenom brojnih vrednosti dobija se:
N D n 5 1010 cm 3

ZADATAK 2: Broj atoma u silicijumu je Nat = 51022 atoma/cm3. Ako se silicijumu

dodaju donorske primese u odnosu 1 atom primesa na 108 atoma silicijuma, nai
promenu specifine elektrine otpornosti u odnosu na sopstveni (besprimesni)
poluprovodnik na sobnoj temperaturi.
Koncentracija sopstvenih nosilaca u silicijumu na sobnoj temperaturi (300 K) je
ni = 1.131010 cm3, a pokretljivosti elektrona i upljina su n = 1450 cm2/Vs i
p = 500 cm2/Vs.
......................................
Reenje:
Kada je poznata pokretljivost upljina i elektrona, kao i njihova koncentracija u poluprovodniku,
specifina provodnost se izraunava prema izrazu:
q ( n n p p )
Specifina otpornost je onda:
1
1

q(n n p p )
U istom (sopstvenom) poluprovodniku koncentracija slobodnih elektrona je jednaka
koncentraciji upljina:
n = p = ni
Sada jednaina za specifinu otpornost postaje:
1
i
2.83 105 cm
qni ( n p )
Koncentracija donorskih primesa izraunava se na sledei nain:
N
N d at8 5 1014 at / cm 3 5 1014 cm 3
10
S obzirom da su sve primese jonizovane na sobnoj temperaturi, onda je:
n Nd = 51014 cm3
Koncentracija upljina se onda rauna na sledei nain:
n2
p i 3.38 105 cm 3
n
Specifina otpornost poluprovodnika se izraunava na sledei nain:
1
.......(1)

q ( n n p p )
Za poluprovodnik n-tipa vai:
p n
.......(2)
Iz (1) i (2) sledi:
1
n
8.62 cm
qn n
Odnos specifine otpornosti pre i posle dopiranja je:

i
32830
n
Dodavanjem primesa specifina elektrina otpornost silicijuma se smanjila 3.3104 puta.

ZADATAK 3: Otpornost nekog poluprovodnika n-tipa po jedinici duine iznosi

R =2 /cm. Koncentracija elektrona u poluprovodniku iznosi n = 1.251017 cm3.
Ako struja kroz uzorak krunog poprenog preseka prenika d = 1 mm iznosi
I = 157 mA nai pokretljivost elektrona, specifinu provodnost i driftovsku brzinu
elektrona.
......................................
Reenje:
Zavisnost brzine e (driftovska brzina) od elektrinog polja moe se izraziti na sledei nain:

n n K
Otpornost poluprovodnika je:
l
R
S
Otpornost po jedinici duine je:

R'

S l

S obzirom da se radi o poluprovodniku n-tipa ( qn n ) otpornost po jedinici duine moe se

izraziti na sledei nain:
1
1
R'

S qn n S
Odavde se za pokretljivost elektrona dobija:
1
n
qnR ' S
S obzirom da je poluprovodnik krunog poprenog preseka njegova povrina je:
S (d / 2) 2 7.85 10 3 cm 2

cm 2
n 3184.7
Vs
Specifina provodnost je sada:
qn n

63.69 (cm) 1
Gustina struje kroz uzorak iznosi:
I
A
J 20
S
cm 2
KJ
J K

V
K 0.314
cm
Na osnovu ovoga za driftovsku brzinu se dobija:
n n K
cm
n 1000
s

ZADATAK 4: Specifina elektrina otpornost silicijuma p-tipa na sobnoj

temperaturi je 0.5 cm. Pod uticajem svetlosti u poluprovodniku se generie 21016
dodatnih parova elektron-upljina po cm3. Odrediti procentualnu promenu
specifine elektrine otpornosti uzrokovanu dejstvom izvora svetlosti. Poznato je da
je na sobnoj temperaturi (300 K): n = 1450 cm2/Vs, p = 500 cm2/Vs, i
ni = 1.131010 cm3.
......................................
Reenje:
Poluprovodnik p-tipa
1

q (n n p p )
n p

.......(1)
.......(2)

Iz (1) i (2) sledi da je specifina otpornost poluprovodnika p-tipa:

1

qp p
Iz prethodnog izraza moemo izraunati koncentraciju upljina:
1
p
2.5 1016 cm 3
q p
Koncentracija elektrona se onda rauna na sledei nain:
ni2
n
5107.6 cm 3
p
Pod dejstvom svetlosti generiu se parovi elektron-upljina
n p 2 1016 cm 3
Koncentracije elektrona i upljina sada iznose:
p1 p p
n1 n n
Zamenom brojnih vrednosti dobija se:
p1 4.5 1016 cm 3
n1 2 1016 cm 3
Na osnovu izraza (1) za specifinu elektrinu otpornost se dobija:
1
1
q (n1 n p1 p )

1 0.12 cm

1
0.38 cm

76 %

Procentualna promena specifine elektrine otpornosti uzrokovana dejstvom izvora svetlosti

iznosi 76%.

ZADATAK PN1: a) Odrediti temperaturu (u Celzijusovim stepenima) silicijumske

diode ako pri naponu na njoj VD = 0.6 V struja kroz diodu iznosi ID = 1 mA.
Inverzna struja zasienja diode na toj temperaturi je IS = 1011 A.
b) Odrediti inverznu struju zasienja IS pri istim vrednostima napona i struje
(VD = 0.6 V, ID = 1 mA) ako temperatura diode opadne za 50 oC u odnosu na
temperaturu izraunatu pod (a). Poznato je k=8.62105 eV/K.
......................................
Reenje:
a) Iz izraza za struju diode moemo da izostavimo drugi lan u zagradi (exp(VD/UT) >> 1) jer je
napon na diodi 0.6 V.
VD

I D I S e UT 1

Kako je U kT izraz za struju diode sada postaje:

T
q

ID IS e

qVD
kT

Odavde moemo da izraunamo temperaturu silicijumske diode:

qV

D
ID
e kT
IS
I
qV
ln D D
IS
kT
qVD
1 0.6
T

377.866 K
3
ID
10
5
k ln
8.62 10 ln 11
IS
10

T= 104.866 oC
b) Kada temperatura diode opadne za 50 oC dobijamo:
T1= T-50 oC = 104.866-50= 54.866 oC
VD= 0.6 V
ID= 1 mA
IS1= ?
qVD
kT1

T1= 327.866 K

I D I S1 e
Zamenom brojnih vrednosti dobija se vrednost inverzne struje zasienja IS1:

qVD
kT1

I S1 I D e
10 e
13
IS1 = 610 A

10.6
8.6210 5 327 .866

ZADATAK PN2: Na slici je prikazano

osnovno ispravljako kolo. Ako je
Vin = 1 V a inverzna struja zasienja
silicijumske diode IS = 1014 A, odrediti
Vout ako je:
a) R=R1 = 0.5 k
b) R=R2 = 200
......................................
Reenje:

Struja diode pri direktnoj polarizaciji moe se izraziti na sledei nain:

V
I D I s exp D 1 ...............(1)
UT

Za kolo na slici vai:

Vin VD Vout VD R I D
Odavde se dobija:

VD Vin R I D

...............(2)

Zbog eksponencijalne zavisnosti u (1) reenje sistema (1) i (2) se nalazi grafikim putem kao
presek zavisnosti I D f VD i radne prave VD Vin R I D .
Korienjem izraza (1) moemo da izraunamo struju ID za razliite vrednosti napona VD.
Rezultati su prikazani u tabeli, a kriva I D f VD je prikazana na grafiku.
VD (V)
0

ID (mA)
0

VD (V)

ID (mA)

0.6

0.10524

0.05

5.84198E-11

0.625

0.27528

0.1

4.58127E-10

0.64

0.49015

0.15

3.19291E-9

0.65

0.72005

0.2

2.19043E-8

0.66

1.05779

0.25

1.49927E-7

0.665

1.28208

0.3

1.02585E-6

0.675

1.88344

0.35

7.01894E-6

0.68

2.28282

0.4

4.80235E-5

0.685

2.76687

0.45

3.28576E-4

0.69

3.35357

0.5

0.00225

0.695

4.06467

0.55

0.01538

0.7

4.92656

T4

ID=f(VD)

ID(mA)

R2
3

T2

R1
1
0.673V
0.65V

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

T1=T3
0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

VD(V)

Na grafiku su prikazane i dve radne prave.

a) R1 = 0.5 k
Izraz (2) sada postaje:

VD Vin R1 I D
Za ID = 0 dobija se VD Vin 1 V
1
Za VD = 0 dobija se I Vin
2 mA
D
R1 0.5 103

; dobijamo taku T1= (1 V, 0 A)

; dobijamo taku T2 = (0 V, 2 mA)

Povezivanjem T1 i T2 dobijamo radnu pravu.

Iz preseka radne prave i karakteristike diode (to je prikazano na grafiku) odreujemo napon na
diodi VD 0.65 V
Odavde se dobija Vout Vin VD 0.35 V
b) R2 = 200
Izraz (2) sada postaje:

VD Vin R2 I D
Za ID = 0 dobija se VD Vin 1 V
Za VD = 0 dobija se I Vin 1 5 mA
D
R2 200

; dobijamo taku T3=T1= (1 V, 0 A)

; dobijamo taku T4 = (0 V, 5 mA)

Povezivanjem T3 i T4 dobijamo radnu pravu.

Iz preseka radne prave i karakteristike diode (to je prikazano na grafiku) odreujemo napon na
diodi VD 0.673 V
Odavde se dobija Vout Vin VD 0.327 V
Na osnovu dobijenih vrednosti zakljuujemo da vrednost otpornosti u ispravljakom kolu ne
utie znaajno na vrednost Vout usled eksponencijalne zavisnosti I D f VD .

ZADATAK PN3: Kroz kolo na slici protie struja

I = 10 mA. Ako je otpornost otpornika R = 230 i
napon napajanja E = 3 V, izraunati inverznu struju
zasienja silicijumske diode Is na sobnoj temperaturi.
Poznato je UT = 0.026 V.
......................................
Reenje:
Odredimo koliko iznosi pad napona na diodi:

E R I VD
VD E R I 3 230 10 10 3 3 2.3 0.7 V
Iz izraza za struju diode moemo da izostavimo drugi lan u zagradi. Dioda je direktno
polarisana, pa je exp(VD/UT) >> 1.

VD

UT
I I S e 1

Izraz za struju diode sada postaje:

I IS e

VD
UT

Moemo izraziti inverznu struju zasienja diode:

VD
UT

IS I e
Zamenom brojnih vrednosti dobijamo:
I S 10 10 3 e

0.7
0.026

2 10 14 A

ZADATAK PN4: Dato je kolo na slici, pri emu su

upotrebljene identine silicijumske diode (imaju jednako
Is). Izmerena struja kroz diodu D1 iznosi I1 = 10 mA, a
izmereni napon na diodi D2 je V2 = 0.68 V. Izraunati
vrednost otpornosti otpornika R1. Dato je: R2 = 1 k,
E = 3 V i UT = 0.026 V.
......................................
Reenje:
Napon na diodi D2 je V2, a struju kroz ovu diodu oznaiemo sa I2. Za tu granu kola vai:
E R2 I 2 V2

Iz prethodne jednaine moemo da izraunamo struju I2:

I2

E V2 3 0.68

2.32 mA
R2
1000

Iz izraza za struju diode moemo da izostavimo drugi lan u zagradi jer su diode direktno
polarisane (exp(VD/UT) >> 1).

VD

I I S e U T 1

Izraz za struju diode D2 sada postaje:

V2
UT

I2 IS e

Moemo izraziti inverznu struju zasienja diode:

IS I2 e

V
2
UT

2.32 10

0.68
0.026

1.016 10 14 A

Struja kroz diodu D1 je I1, a napon na ovoj diodi oznaiemo sa V1. Za tu granu kola vai:
E R1 I1 V1

Iz prethodne jednaine moemo da izraunamo vrednost otpornika R1:

R1

E V1 .................(1)
I1

Nepoznat nam je pad napona na diodi D1:

Iz izraza za struju diode D1: I1 I S e

V1
UT

moemo da odredimo V1:

10 10 3
I
0.718 V
V1 U T ln 1 0.026 ln
14
IS
1.016 10
Sada iz (1) dobijamo:
E V1 3 0.718
R1

228
I1
10 10 3

ZADATAK PN5: Dve razliite silicijumske diode

vezane su paralelno kao na slici. Izmerena ukupna
struja iznosi I = 100 mA. Ako su inverzne struje
zasienja prve i druge diode IS1 = 1 pA i IS2 = 4 pA,
respektivno, izraunati:
a) Napon na diodama.
b) Struje koje protiu kroz svaku diodu na
sobnoj temperaturi.
Poznato je UT = 0.026 V.
......................................
Reenje:
a) Inverzne struje zasienja ovih dioda iznose:
I S1 1 pA
I S 2 4 pA

Treba izraunati napona na diodama (V=?), i struje koje protie kroz njih (I1=?, I2=?).
Ukupna struja iznosi

I I1 I 2
Kako su diode direktno polarisane moemo da zanemarimo drugi lan u zagradi izraza za struju
diode (jer je exp(VD/UT) >> 1), pa se ukupna struja moe izraziti na sledei nain:
I I S1 exp(V / U T ) I S 2 exp(V / U T )
I ( I S1 I S 2 ) exp(V / U T )
100 mA (1 pA 4 pA) exp(V / UT )

V
UT

100 103

2 1010
12
5 10

Odavde se dobija napon na diodama

V U T ln(2 1010 ) 0.61669 V

b) Struje koje protiu kroz diode na sobnoj temperaturi iznose:

I1 I S1 exp(V / UT ) 1 1012 2 1010 20 mA
I 2 I S 2 exp(V / U T ) 4 10 12 2 1010 80 mA

ZADATAK PN6: Kroz kolo na slici protie struja

I = 10 mA. Ako su silicijumske diode identinih
karakteristika, otpornost otpornika R = 470 i
napon napajanja E = 6 V, izraunati inverznu
struju zasienja dioda Is na sobnoj temperaturi.
Poznato je UT = 0.026 V.
......................................
Reenje:
Diode su identinih karakteristika, vezane su redno, pa vai:

VD1 VD 2 VD
Odredimo koliko iznosi pad napona na diodama:

E R I 2VD
Sreivanjem i zamenom brojnih vrednosti dobijamo:
2VD E R I 6 470 10 10 3 6 4.7 1.3 V

VD 0.65 V
Iz izraza za struju diode moemo da izostavimo drugi lan u zagradi. Diode su direktno
polarisane, pa je exp(VD/UT) >> 1.

VD

I I S e U T 1

Izraz za struju diode sada postaje:

I IS e

VD
UT

Moemo izraziti inverznu struju zasienja diode:

VD
UT

IS I e
Zamenom brojnih vrednosti dobijamo:
I S 10 10 3 e

0.65
0.026

1.39 10 13 A

ZADATAK PN7: Za date ulazne napone (Vin) prikazane na slikama 1 i 2 nacrtati

oblike napona (Vout) na izlazima ispravljaa.

Slika 1

Slika 2
......................................
Reenje:
Maksimalna vrednost izlaznog napona (Vmaxout) na slici 1 iznosi:
Vmax out Vmax in 0.7V 5V 0.7V 4.30V
Maksimalna vrednost je smanjena za 14%. Oblik izlaznog signala prikazan je na slici 3.

Maksimalna vrednost izlaznog napona (Vmaxout) na slici 2 iznosi:

Vmax out Vmax in 0.7V 100V 0.7V 99.30V
Maksimalna vrednost je smanjena za 0.7%. Oblik izlaznog signala prikazan je na slici 4.

ZADATAK BJT1: NPN bipolarni tranzistor u kolu sa

slike ima strujno pojaanje = 550, dok je RC = 1 k i
V + = 5 V. Odrediti minimalnu struju baze IB pri kojoj e
se tranzistor nai u zasienju. Pretpostaviti da je
VBE = 0.7 V.

......................................
Reenje:
Tranzistor e biti u zasienju ukoliko su ispunjeni sledei uslovi:
Oba spoja direktno polarisana: VBE 0 , VBC 0 .....................( I )
I C I B
.....................( II )
Iz (I) se dobija

VBC 0
VBE VEC 0
VBE VEC
VBE VCE

VBE V I C RC
Iz ovog uslova se dobija:
I C RC VBE V
V VBE
RC
5 0. 7
IC
4.3 mA
1000
IC

S druge strane iz uslova ( II ) je:

I C I B
IB

4.3 mA
7.82 A
550

IB

IC

IC (mA)

ZADATAK BJT2: Na slici su

prikazane
izlazne
karakteristike
bipolarnog
tranzistora u kolu pojaavaa
sa zajednikim emitorom za
sluajeve razliitih baznih
struja. Odrediti radnu taku i
reim rada tranzistora za date
razliite struje baze ako je
vrednost otpornika koji se
vezuje u kolo kolektora:
a) RC1 2k ;
b) RC 2 5k .

2.0

IB=17.5A
1.5

IB=12.5A
1.0

IB=7.5A
0.5

IB=2.5A
0.0
0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

VCE (V)

Poznato je VCC 3V .
......................................
IC (mA)

Reenje:
2.0

IB=17.5A

T2

1.5

IB=12.5A
1.0

IB=7.5A

T4

0.5

RC1

RC2

T1=T3

0.0

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

VCE (V)

a) RC1=2 k VCE=VCCRC1IC
Za IC = 0 dobija se VCE VCC 3 V
dobijamo taku T1= (3 V, 0 A)
Za VCE = 0 dobija se I VCC
C

RC1

3
1.5 mA
2 103

dobijamo taku T2 = (0 V, 1.5 mA)

Povezivanjem T1 i T2 dobijamo radnu pravu.
b) RC2=5 k VCE=VCCRC2IC
Za IC = 0 dobija se VCE VCC 3 V
dobijamo taku T3=T1= (3 V, 0 A)
Za VCE = 0 dobija se I VCC
C

RC 2

3
0.6 mA
5 103

dobijamo taku T4 = (0 V, 0.6 mA)

Povezivanjem T3 i T4 dobijamo radnu pravu.

IB=2.5A

a) Za IB=2.5 A, IB=7.5 A, IB=12.5 A

Za IB=17.5 A
b) Za IB=2.5 A
Za IB=7.5 A, IB=12.5 A, IB=17.5 A

tranzistor je u aktivnom reimu

tranzistor je u zasienju
tranzistor je u aktivnom reimu
tranzistor je u zasienju

Radna taka:

a)
b)

IB=2.5 A

IB=7.5 A

IB=12.5 A

IB=17.5 A

VCE=2.48V IC=0.26mA
VCE=1.73V IC=0.26mA

VCE=1.47V IC=0.76mA
VCE=0.04V IC=0.59mA

VCE=0.46V IC=1.26mA
VCE=0.01V IC=0.59mA

VCE=0.04V IC=1.47mA
VCE=0.01V IC=0.59mA

IC (mA)

ZADATAK BJT3: Na slici su prikazane izlazne karakteristike bipolarnog

tranzistora u kolu pojaavaa
sa zajednikim emitorom za
4
IB=20A
sluajeve razliitih baznih
struja. Prikazana je i radna
3
IB=15A
taka M za sluaj kada je
struja baze IB=10 A.
a) Odrediti vrednost otpornosti
otpornika koji je vezan u kolo
kolektora RC1.
b) Ako se otpornik RC1 zameni
otpornikom RC2 koji ima 4 puta
veu otpornost odrediti u kom
reimu radi tranzistor ako je

M (VCE=3V, IC=2mA)

IB=10A

IB=5A

0
0

struja baze IB=10 A?

Poznato je VCC 6 V .

VCE (V)

......................................
IC (mA)

Reenje:
4

IB=20A

IB=15A
M (VCE=3V, IC=2mA)

IB=10A

T2 M
1
1

IB=5A

RC2=4RC1
T1

0
0

a) Treba odrediti vrednost otpornosti

otpornika RC1.
U radnoj tatki M vai:
VCEM=VCCRC1ICM.................................(1)
Odavde se dobija:
V VCEM
63
RC1 CC

1.5 k
I CM
2 10 3
b) Ako se RC1 zameni otpornikom RC2= 4RC1=6 k
VCE=VCCRC2IC.................................(2)
Za IC = 0 dobija se VCE VCC 6 V
dobijamo taku T1= (6 V, 0 A)
Za VCE = 0 dobija se I VCC
C

RC 2

6
1 mA
6 103

dobijamo taku T2 = (0 V, 1 mA)

Povezivanjem T1 i T2 dobijamo radnu pravu za sluaj RC2 =6 k.
Sa slike moemo videti gde je radna taka M1 (za sluaj kada je struja baze 10 A).
Tranzistor je u zasienju.

VCE (V)

IC (mA)

ZADATAK BJT4: Na slici su

prikazane
izlazne
karakteristike
bipolarnog
tranzistora u kolu pojaavaa
sa zajednikim emitorom za
sluajeve razliitih baznih
struja. Prikazane su i radne
take M1 i M2 za sluaj kada
su struje baze 30 A i 20 A,
respektivno.
Odrediti vrednost otpornosti
otpornika koji se vezuje u
kolo kolektora RC i vrednost
napona napajanja VCC.

10

IB=50A

IB=40A
M1

IB=30A
M2

IB=20A

0
0

VCE (V)

......................................

IC (mA)

Reenje:
10

T2

IB=50A
IB=40A

8
M1

IB=30A
M2

IB=20A

2
T1

0
0

VCE (V)

Treba nacrtati radnu pravu.

RC=?
VCC=?
VCE=VCCRCIC.................................(1)
Kroz take M1 i M2 provuemo radnu pravu.
Gde se radna prava presee sa VCE osom dobijamo taku T1
Gde se ta prava presee sa IC osom dobijamo taku T2
U taki T1= (5 V, 0 A) vai da je IC=0.
Iz izraza (1) se onda dobija:
VCE VCC 5 V
Treba uzeti VCC=5 V.
U taki T2= (0 V, 10 mA) vai da je VCE=0.
Iz izraza (1) se onda dobija:
V VCE
50
RC CC

0.5 k
IC
10 103
Treba uzeti RC=0.5 k.

IC (mA)

ZADATAK BJT5: Na slici su prikazane izlazne karakteristike bipolarnog

tranzistora u kolu pojaavaa sa zajednikim emitorom za sluajeve razliitih
baznih struja. Prikazana je i
4
radna taka M1 za sluaj
IB=20A
kada je struja baze 10 A, a
kada je u kolu kolektora
3
IB=15A
prikljuen naponski izvor
VCC1.
M (V =3V, I =2mA)
2
IB=10A
Kada se umesto naponskog
M (V =1V, I =2mA)
izvora VCC1 stavi naponski
izvor VCC2 pri struji baze
1
IB=5A
10 A dobija se radna taka
M2 .
Odrediti
vrednost
0
napona naponskih izvora
0
1
2
3
4
5
6
VCC1 i VCC2.
VCE (V)
Poznato je: RC=1.5 k.
1

CE

CE

......................................
Reenje:
RC=1.5 k
VCC1=?
Ako je naponski izvor VCC1 onda vai:
VCEM1=VCC1RCICM1.................................(1)
Odavde se dobija:
VCC1= VCEM1 +RCICM1=3+1.51032103=6 V
VCC2=?
Ako je naponski izvor VCC2 onda vai:
VCEM2=VCC2RCICM2.................................(2)
Odavde se dobija:
VCC2= VCEM2 +RCICM2=1+1.51032103=4 V

IC (mA)

Ako se u kolu kolektora ne menja vrednost otpornika RC radna prava ne menja nagib.

IB=20A

IB=15A
RC

RC

M1 (VCE=3V, IC=2mA)

IB=10A

M2 (VCE=1V, IC=2mA)
1

IB=5A
T1

T2

0
0

VCE (V)

IC (mA)

ZADATAK BJT6: Na slici su prikazane izlazne karakteristike bipolarnog

tranzistora u kolu pojaavaa sa zajednikim emitorom za sluajeve razliitih
baznih struja.
4
IB=20A
Odrediti vrednost otpornosti
otpornika RC koji treba da
se vee u kolo kolektora,
3
IB=15A
tako da pri struji baze od
10 A
radna
taka
2
IB=10A
tranzistora bude u aktivnoj
oblasti.
Na
raspolaganju
su
1
IB=5A
otpornici sledeih vrednosti
otpornosti: 6.8 k, 3.3 k i
0
1.5 k.
0
1
2
3
4
5
6
Poznato je VCC 6 V .
VCE (V)
......................................
IC (mA)

Reenje:

T4
4

IB=20A

IB=15A
1.5 k

2
T3

IB=10A
3.3 k

1
T2

IB=5A
6.8 k
T1

0
0

VCE (V)

Treba nacrtati radne prave za sve tri vrednosti otpornika RC.

VCE=VCCRCxIC.................................(1)
Za IC = 0 dobija se VCE VCC 6 V
dobijamo taku T1= (6 V, 0 A)
Za VCE = 0 dobija se I VCC
C

RCx

- Ako je RC=6.8 k dobijamo IC=0.882 mA. Oznaiemo ovu taku sa T2 = (0 V, 0.882 mA)
- Ako je RC=3.3 k dobijamo IC=1.818 mA. Oznaiemo ovu taku sa T3 = (0 V, 1.818 mA)
- Ako je RC=1.5 k dobijamo IC=4 mA.
Oznaiemo ovu taku sa T4 = (0 V, 4 mA)
Sada moemo da nacrtamo radne prave za sve tri vrednosti otpornika RC. Moe se videti da se za
otpornike otpornosti 6.8 k i 3.3 k tranzistor pri struji baze od 10 A nalazi u zasienju. Ako
je otpornost otpornika 1.5 k tranzistor se pri struji baze od 10 A nalazi u normalnoj aktivnoj
oblasti.
Treba uzeti RC=1.5 k.

ZADATAK BJT7: Pri baznoj struji IB = 1 A, napon

izmeu emitora i kolektora NPN tranzistora sa
uzemljenim emitorom (kao na slici), koji ima
koeficijent strujnog pojaanja = 200, iznosi
VCE1 = 5 V. Kada kroz tranzistor protie kolektorska
struja IC = 1 mA, napon izmeu emitora i kolektora
tada iznosi VCE2 = 1 V. Izraunati koliko iznose
vrednosti napona napajanja VCC i otpornost otpornika
RC. Poznato je da VCES tranzistora iznosi 0.2V.
......................................
Reenje:

IB = 1 A
IC = 1 mA

VCE1 = 5 V
VCE2 = 1 V

VCE = VCC - ICRC

...................(1)
Tranzistor je u normalnoj radnoj oblasti, pa vai:
IC= IB
VCE1, VCE2=VCES
Zamenom u (1) dobija se:
VCE1 = VCC - IB1RC
VCE2 = VCC IC2RC =VCC - IB2RC
Zamenom brojnih vrednosti dobijamo:
5=VCC 2001106 RC
...................(2)
3
1=VCC 110 RC
...................(3)
Oduzimanjem (2) (3) dobijamo:
800106 RC = 4
Odavde se dobija:
RC = 5 k
Iz (2) se onda dobija:
VCC = 6 V

ZADATAK BJT8: Koeficijent strujnog pojaanja NPN

tranzistora sa uzemljenim emitorom iznosi =200. U
radnoj taki M struja baze iznosi IBM=5 A. Ako se struja
baze povea na vrednost IB1=8 A, napon izmeu
kolektora i emitora tranzistora tada iznosi VCE1=2 V.
Izraunati:
a) Otpornost RC u kolu sa slike.
b) Napon izmeu kolektora i emitora u radnoj taki VCEM.
Napon napajanja u kolu sa slike je VCC 10 V . Poznato je
da VCES tranzistora iznosi 0.2V.
......................................
Reenje:
Za kolo sa slike vai:
VCE=VCCRCIC
.....................(1)
Pri strujama IBM i IB1 tranzistor je u normalnom aktivnom reimu, pa vai:
IC= IB
Zamenom u (1) dobija se:
VCEM = VCC - IBMRC .....................(2)
VCE1 = VCC - IB1RC .....................(3)
Iz (3) se dobija:
V VCE1
10 2
RC CC

5 k
I B1
200 8 10 6

IC (mA)

Iz (2) se dobija:
VCEM = VCC - IBMRC=1020051065103=5 V

T2

(1)

IB1=8A
(M)

IBM=5A

VCEM
0

T1
0

10

VCE (V)

ZADATAK BJT9: Za kolo sa slike odrediti da li je tranzistor u zasienju. Poznato

je: VBB=3 V, VCC=10 V, RB=10 k, RC=1 k, VBE=0,7 V, VCE(sat)=0,2 V, = 50.

......................................
Reenje:

Na osnovu kola baze moe se napisati:

VBB = RB I B +VBE
odakle se za struju baze dobija:

IB =

VBB VBE
= 0.23 mA
RB

tako da je:
I B = 11.5 mA
S druge strane, kada je tranzistor u zasienju, na osnovu kola kolektora je:
I C sat =

VCC VCE sat

RC

= 9.8 mA

Poto je:
I C sat < I B

zakljuuje se da je tranzistor u zasienju.

ZADATAK BJT10: Tranzistor u kolu pojaavaa sa zajednikim emitorom sa slike

ima sledee tehnike specifikacije: maksimalna snaga disipacije PD(max) = 800 mW,
maksimalni napon izmeu kolektora i emitora VCE(max) = 15 V i maksimalna struja
kolektora IC(max) = 100 mA. Odrediti maksimalnu vrednost napajanja VCC za koju e
tranzistor raditi u okviru specificiranih vrednosti.
Poznato je: VBB = 5 V, RB = 22 k, RC = 1 , VBE = 0.7 V, = 100.

......................................
Reenje:

Maksimalne vrednosti snage disipacije, napona izmeu kolektora i emitora i struje

kolektora se definiu za aktivni reim rada tranzistora.
Da bi tranzistor radio u okviru specificiranih vrednosti njegova radna taka treba da se
nalazi unutar oblasti ograniene pravama VCE(max), IC(max) i krivom PD(max).

Kolo baze zadovoljava relaciju:

VBB=VBE + RBIB,
iz koje se za struju baze dobija:
IB

VBB VBE 5 V 0, 7 V

195 A
RB
22 k

U aktivnom reimu rada struja kolektora je odreena vrednou struje baze i iznosi:
IC I B
IC 100 195 A=19.5 mA
Ova vrednosti je manja od maksimalne struje kolektora IC< IC(max).

Za kolo kolektora vai relacija:

VCC=VCE + RCIC.
Vrednosti RC i IC su poznate tako da je maksimalna vrednost VCC odreena ili
maksimalnom vrednou napona VCE (VCE(max)) ili maksimalnom vrednou snage
disipacije PD(max).
Kada je ograniavajui faktor napon VCE(max) za maksimalnu vrednost napajanja se dobija:
VCC(maxV)=VCE(max) + RCIC,
VCC(maxV)=15 V + 1 k 19.5 mA= 34.5 V.
Kada je ograniavajui faktor snaga disipacije PD(max) napon izmeu kolektora i emitora
VCE(maxP) za poznatu vrednost struje IC je:
VCE(maxP)= PD(max) /IC = 41 V.
S obzirom da je vrednost VCE(maxP) vea od specificirane dozvoljene vrednosti VCE(max) nju
ne moemo uzeti za proraun maksimalne vrednosti VCC.
Zakljuuje se da maksimalni napon izmeu kolektora i emitora predstavlja
ograniavajui faktor, tako da je maksimalna dozvoljena vrednost napona napajanja
VCC(max) = 34.5 V.

ZADATAK BJT11: Za kolo na slici u kome tranzistor radi kao prekida odrediti:
a) Napon VOUT kada je VIN = 0 V.
b) Najmanju vrednost struje baze za koju e tranzistor ui u zasienje, ako je
= 125 i VCE(sat) = 0.2 V.
c) Maksimalnu vrednost RB za koju je obezbeen uslov zasienja ako je VIN = 5 V.
Poznato je: VCC = 10 V, RC = 1 k, VBE = 0.7 V.

......................................
Reenje:

Kroz kolo protiu struje naznaene na slici:

Napon na izlazu kola je:

VOUT = VCE = VCC - RCIC.
a) Kada je VIN= 0 V bazni spoj je zakoen tako da je IB = 0, a samim tim i IC 0. Odatle
sledi da je:
VOUT = VCC = 10 V.
b) Naponski uslov za tranzistor u zasienju je VCE= VCE(sat). Za kolektorsko kolo vai
relacija:
VCC=VCE(sat)+RCIC,

odnosno u zasienju struja kolektora iznosi:

IC

IC

VCC - VCE ( sat )

RC
10 V - 0.2 V

= 9.8 mA
1 k

Strujni uslov zasienja je IC < IB odnosno IB > IC / .

Odavde se za najmanju vrednost struje baze koja obezbeuje zasienje tranzistora dobija:
I B (min) =

9.8 mA
= 78.4 A.
125

c) Kolo baze zadovoljava relaciju:

VIN =VBE + RBIB.
Maksimalna dozvoljena vrednost RB za uslov zasienja se dobija pri minimalnoj
vrednosti struje baze:
RB (max)

RB (max)

VIN - VBE
.
I B (min)

5 V - 0.7 V
54.85 k
78.4A

ZADATAK BJT12: Odrediti radnu taku (VCE, IC) za tranzistorsko kolo napajano
preko naponskog razdelnika prikazano na slici. Poznato je: VCC = 10 V, RE = 560 ,
RC = 1 k, R1 = 10 k, R2 = 5.6 k, VBE = 0.7 V, = 100.

......................................
Reenje:
Kroz kolo protiu struje naznaene na slici:

Napon na bazi tranzistora je:

VB = R2I2.
Istovremeno vai relacija:
VCC= R1(IB+I2)+ R2I2.

Kola napajana preko naponskog razdelnika se realizuju tako da je struja baze mnogo manja od
struje koja protie kroz otpornik R2 (IBI2). Time se gornja relacija moe pojednostaviti:
VCC (R1+ R2)I2.
Za struju I2 se dobija:

I2

VCC
,
R1 R2

odnosno za napon na bazi tranzistora:

VB

R2
VCC
R 1 R2

VB

5.6 k
10 V=3.59 V
10 k 5.6 k

Napon na emitoru tranzistora je VE = VB-VBE = 3.59 V-0.7 V = 2.89 V, a na osnovu njega struja
emitora:
V
2.89 V
IE E =
= 5.16 mA
RE
560
Struja kolektora je:

IC = I E - I B I E
IE
1
100
IC
5.16 mA 5.11 mA
100 1
Naponska relacija za kolo kolektora je:
VCC = RCIC + VCE + VE,
to za napon izmeu kolektora i emitora daje:
VCE = VCC - RCIC - VE.
VCE = 10 V- 1 k 5.11 mA- 2.89 V = 2 V.
Radna taka je odreena vrednostima VCE = 2 V, IC = 5.11 mA.

ZADATAK BJT13: Odrediti radnu taku (VCE, IC) za tranzistorsko kolo prikazano
na slici. Poznato je: VCC = 12 V, RC = 560 , RB = 330 k, VBE = 0.7 V, = 100.

......................................
Reenje:
Kroz kolo protiu struje naznaene na slici:

Za kolo baze vai naponska relacija:

VCC = RBIB+ VBE,
na osnovu koje se struja baze odreuje kao:

IB
IB =

VCC - VBE
RB

12 V- 0.7 V
= 34.2 A
330 k

Struja kolektora je IC=IB= 10034.2 A = 3.42 mA, dok se za napon izmeu kolektora i
emitora dobija:
VCE = VCC - RCIC
VCE = 12 V - 560 3.42 mA = 10.1 V
Radna taka je odreena vrednostima VCE = 10.1 V, IC = 3.42 mA.

ZADATAK BJT14: Odrediti radnu taku (VCE, IC) za tranzistorsko kolo prikazano
na slici. Poznato je: VCC = 12 V, RC = 560 , RB = 330 k, RE =1 k, VBE = 0.7 V,
= 100.

......................................

Reenje:
Kroz kolo protiu struje naznaene na slici:

Za kolo baze vai naponska relacija:

VCC= RBIB+ VBE + REIE.
Veza izmeu struje emitora i struje baze je:
IE= IC+ IB= IB+IB = ( +1)IB.
Zamenom IE dobija se:
VCC = RBIB+ VBE + RE( +1)IB,

odnosno struja baze se odreuje kao:

IB
IB =

VCC - VBE
RB RE ( 1)

12 V - 0.7 V
= 26.2 A
330 k + 1 k (100+1)

Struja kolektora je:

IC= IB= 100 26.2 A= 2.62 mA,
a struja emitora:
IE= ( +1) IB= (100 +1)26.2 A = 2.65 mA.
Za kolo kolektora vai naponska relacija:
VCC = RCIC+ VCE + REIE,
dok se za napon izmeu kolektora i emitora dobija:
VCE = VCC - RCIC - REIE
VCE = 12 V - 560 2.62 mA - 1 k 2.65 mA = 7.88 V.
Radna taka je odreena vrednostima VCE = 7.88 V, IC = 2.62 mA.

ZADATAK BJT15: Odrediti radnu taku (VCE, IC) za tranzistorsko kolo prikazano
na slici. Poznato je: VCC = 10 V, RC = 10 k, RB = 180 k, VBE = 0.7 V, = 100.

......................................

Reenje:
Kroz kolo protiu struje naznaene na slici:

Za kolo baze vai naponska relacija:

VCC = RC(IC+IB) + RBIB+ VBE.
Struja kolektora je IC= IB tako da se dobija:
VCC = ( +1) RCIB+ RBIB+ VBE.
Odavde se struja baze odreuje kao:

IB
IB =

VCC - VBE
RB ( 1) RC

10 V - 0.7 V
= 7.82 A
180 k + (100+1) 10 k

Za struju kolektora se dobija:

IC = IB= 100 7.82 A = 782 A,
a za napon izmeu kolektora i emitora:
VCE= VCC - RC(IC+IB)
VCE = 10 V - 10 k (782 A+7.82 A) = 2.1 V.
Radna taka je odreena vrednostima VCE = 2.1 V, IC = 782 A.

ZADATAK MOS1: NMOS tranzistor realizovan je tako da mu je napon praga

VT = 1 V, duina kanala 5 m, irina kanala 50 m, pokretljivost elektrona u kanalu
n = 800 cm2/Vs i debljina oksida gejta 40 nm. Izraunati:
a) Kolika e biti struja drejna pri VDS = 4 V i VGS = 4.8 V?
b) Za koliko e se promeniti struja drejna ako se pri istom naponu na drejnu
(4 V) napon na gejtu povea na vrednost 5.8 V?
Poznato je: o = 8.851014 F/cm i rox = 3.9.
......................................
Reenje:
a)

VDS = 4 V

VDSsat VGS VT 4.8 1 3.8 V

VGS = 4.8 V

VDS VDSsat

tranzistor je u zasienju

Struja drejna u oblasti zasienja I Dsat moe se izraziti na sledei nain:

2
,
I D sat k (VGS VT ) 2 kVDSsat

Gde je:

n oxW 800 8.85 1014 3.9 50 10 4

A

3.4515 10 4 2
7
4
2tox L
2 40 10 5 10
V

2
I D sat kVDSsat
3.4515 10 43.82 4.984 mA

b)

VDS = 4 V

VDSsat VGS VT 5.8 1 4.8 V

VGS = 5.8 V

VDS VDSsat

tranzistor je u triodnoj oblasti

Struja drejna u triodnoj oblasti I D moe se izraziti na sledei nain:

2(5.8 1) 4 4 7.731mA

2
2
I D k 2(VGS VT ) VDS VDS
k 2(VGS VT ) VDS VDS

3.4515 10 4

Struja drejna se promenila za:

I D 7.731 4.984 2.747 mA

Grafiki prikaz:

ZADATAK MOS2: NMOS tranzistor realizovan je tako da mu je napon praga

VT = 1 V, duina kanala 5 m, irina kanala 50 m, pokretljivost elektrona u kanalu
n = 800 cm2/Vs i debljina oksida gejta 50 nm. Izraunati:
a) Kolika e biti struja drejna pri VDS = 5 V i VGS = 5 V?
b) Za koliko e se promeniti struja drejna ako se pri istom naponu na gejtu
(5 V) napon na drejnu smanji na vrednost 3 V?
Poznato je: o = 8.851014 F/cm i rox = 3.9.
......................................
Reenje:
a)

VDS = 5 V

VDSsat VGS VT 5 1 4 V

VGS = 5 V

VDS VDSsat

tranzistor je u zasienju

Struja drejna u oblasti zasienja I Dsat moe se izraziti na sledei nain:

2
,
I D sat k (VGS VT ) 2 kVDSsat

14
4
Gde je: k n oxW 800 8.85 10 3.9 50 10 2.7612 10 4 A
7
4
2

2tox L

2 50 10

5 10

2
I D sat kVDSsat
2.7612 10 4 4 2 4.41792 mA

b)

VDS = 3 V

VDSsat VGS VT 5 1 4 V

VGS = 5 V

VDS VDSsat

tranzistor je u triodnoj oblasti

Struja drejna u triodnoj oblasti I D moe se izraziti na sledei nain:

ID

n oxW
2
2
2(VGS VT ) VDS VDS
k 2(VGS VT ) VDS VDS

2t ox L

2.7612 10 4 2(5 1) 3 32 4.1418 mA

Struja drejna se promenila za:

I D 4.41792 4.1418 0.27612 mA

Grafiki prikaz:

ZADATAK MOS3: Odrediti radnu taku (VDS, ID) za

tranzistorsko kolo prikazano na slici. Napon praga ovog
tranzistora je VT = 3 V. Merenjem je utvreno da je
napon VGS = 8.5 V.
Poznato je: VDD = 15 V, R1 = 10 M i RD = 4.7 k.

......................................
Reenje:
Kroz kolo protiu struje naznaene na slici:

Struja IG = 0, pa kroz otpornik R1 ne protie struja. Onda VG = VD. Odavde se dobija da je:

VGS = VDS = 8.5 V

Za napon VGS 8.5 V vrednost saturacionog napona VDSsat iznosi:

VDSsat VGS VT 8.5 3 5.5 V

Kako je VDS VDSsat zakljuujemo da je tranzistor u zasienju.
Kako je IG = 0, kroz otpornik RD protie samo struja ID.
Za kolo drejna onda vai relacija:
VDD = VDS +RDID
Odavde se dobija struja ID:

ID

VDD VDS
RD

Zamenom brojnih vrednosti dobija se:

I D 1.383 mA
Radna taka je odreena vrednostima: VDS 8.5 V i I D 1.383 mA .

ZADATAK MOS4: Za kolo prikazano na slici, napajano

preko naponskog razdelnika, uzeti su sledei otpornici:
R1 = 10 M i R2 = 4.7 M. Ako je napon praga ovog
tranzistora VT = 5 V, a k = 2104 A/V2 da li je ovakvim
izborom otpornika R1 i R2 obezbeen rad tranzistora u
zasienju?
Poznato je: VDD = 10 V i RD = 1 k.

......................................
Reenje:
Kroz kolo protiu struje naznaene na slici:

Struja IG = 0, pa kroz otpornike R1 i R2 tee ista struja I1:

I1

VDD
R1 R2

Napon VGS se onda moe izraziti:

VGS R2 I1

R2
VDD
R1 R2

Zamenom brojnih vrednosti dobija se:

VGS 3.197 V
Kako je VGS < VT zakljuujemo da je tranzistor zakoen.

ZADATAK MOS5: Odrediti radnu taku (VDS, ID) za

tranzistorsko kolo prikazano na slici. Napon praga ovog
tranzistora je VT = 2 V, dok pri naponu na gejtu VGS = 4 V
struja drejna u zasienju iznosi IDsat = 200 mA.
Poznato je: VDD = 24 V, R1 = 100 k, R2 = 15 k i
RD = 200 .

......................................
Reenje:
Kroz kolo protiu struje naznaene na slici:

Struja IG = 0, pa kroz otpornike R1 i R2 tee ista struja I1:

I1

VDD
R1 R2

Napon VGS se onda moe izraziti:

VGS R2 I1

R2
VDD
R1 R2

Zamenom brojnih vrednosti dobija se:

VGS 3.13 V
Kako je VGS > VT zakljuujemo da tranzistor nije zakoen.
Pretpostavimo da je pri naponu VGS 3.13 V tranzistor u zasienju. Tada vai:
2
I D sat k (VGS VT ) 2 kVDSsat

......................................(1)

Potrebno je odrediti vrednost parametra k. Poznato je da pri naponu na gejtu VGS2 = 4 V struja
drejna u zasienju iznosi IDsat2 = 200 mA. Odavde moemo da izraunamo vrednost parametra k.

I D sat 2
(VGS 2 VT ) 2

200 10 3
A
5 10 2 2
2
(4 2)
V

Zamenom brojnih vrednosti u (1) dobijamo:

I D sat 5 10 2 (3.13 2) 2 63.845mA

Za kolo drejna vai relacija:
VDD = VDS +RDID
Odavde se za napon VDS dobija:
VDS=VDDRDID
Zamenom brojnih vrednosti dobija se:

VDS 24 200 63.845 10 3 11.231 V

Za napon VGS 3.13 V vrednost saturacionog napona VDSsat iznosi:

VDSsat VGS VT 3.13 2 1.13 V

Kako je VDS VDSsat zakljuujemo da je tranzistor u zasienju. Polazna pretpostavka je u redu.
Radna taka je odreena vrednostima: VDS 11.231 V i I D 63.845mA .

ZADATAK MOS6: Odrediti radnu taku (VDS, ID) za

tranzistorsko kolo prikazano na slici. Napon praga ovog
tranzistora je VT = 5 V, a k = 2104 A/V2.
Poznato je: VDD = 10 V, R1 = 4.7 M, R2 = 10 M i
RD = 10 k.

......................................
Reenje:
Kroz kolo protiu struje naznaene na slici:

Struja IG = 0, pa kroz otpornike R1 i R2 tee ista struja I1:

I1

VDD
R1 R2

Napon VGS se onda moe izraziti:

VGS R2 I1

R2
VDD
R1 R2

Zamenom brojnih vrednosti dobija se:

VGS 6.803 V
Kako je VGS > VT zakljuujemo da tranzistor nije zakoen.
Pretpostavimo da je pri naponu VGS 6.803 V tranzistor u zasienju. Tada vai:
2
I D sat k (VGS VT ) 2 kVDSsat

......................................(1)

Zamenom brojnih vrednosti u (1) dobijamo:

I D sat 2 10 4 (6.803 5) 2 0.65 mA

Za kolo drejna vai relacija:
VDD = VDS +RDID

Odavde se za napon VDS dobija:

VDS=VDDRDID
Zamenom brojnih vrednosti dobija se:

VDS 10 10 103 0.65 10 3 3.5 V

Za napon VGS 6.803 V vrednost saturacionog napona VDSsat iznosi:

VDSsat 6.803 5 1.803 V

Kako je VDS VDSsat zakljuujemo da je tranzistor u zasienju. Polazna pretpostavka je u redu.
Radna taka je odreena vrednostima: VDS 3.5 V i I D 0.65 mA .

ZADATAK OPTO1: U kolu sa slike bipolarni

tranzistor (u ulozi prekidaa) u sprezi sa LED-om
radi kao indikator stanja. Za VIN=VOFF =0 V LED ne
svetli, dok za VIN=VON LED daje intenzivnu svetlost.
Odrediti vrednosti otpornika RC i RB za koje je
obezbeeno funkcionisanje indikatora, ako je struja
neophodna da LED daje intenzivnu svetlost 30 mA,
pri emu je napon na njemu VLED=1.6 V.
Poznato je: VCC=9 V, VBE=0.7 V, VCE(sat)=0.2 V, =50,
VON=5 V.
......................................
Reenje:
Kada je na ulazu napon VIN=VOFF =0 V tranzistor je zakoen
(stanje otvorenog prekidaa) i kroz njega ne protiu struje. Ni kroz
LED ne tee struja i on ne emituje svetlost. Time je ovim
indikatorom definisano iskljueno stanje.
Kada je na ulazu VIN=VON=5 V tranzistor ima ulogu zatvorenog
prekidaa i kroz LED treba da tee struja od 30 mA kojom je
obezbeena intenzivna svetlost. Time je ovim indikatorom
definisano ukljueno stanje.
Kada svetli, napon na LED-u je VLED= 1.6 V dok je struja kroz
LED istovremeno i struja kolektora tranzistora IC. Kada
predstavlja prekida u zatvorenom stanju tranzistor radi u
zasienju i napon izmeu kolektora i emitora je VCE(sat).
Na osnovu datih podataka piemo naponsku relaciju za
kolektorsko kolo:

VCC RC I C VLED VCE ( sat )

Poto struja IC treba da ima vrednost od 30 mA za vrednost otpornika RC se dobija:
VCC VLED VCE ( sat )
,
RC
IC
RC

9 V 1.6 V 0.2 V
240 .
0.03A

Da bi tranzistor bio u zasienju mora da je ispunjena strujna relacija IC<IB odnosno da je:
I
0.03A
I B min C
600A .

50
Za bazno kolo tranzistora vai naponska relacija:

VIN VON RB I B VBE .

Odavde se za otpornost RB dobija:

RB max

VON VBE 5V 0.7 V

7.166 k .
I B min
6 104 A

ZADATAK OPTO2: Kolo optokaplera sa slike

sadri LED i fototranzistor. Ako je koeficijent
sprege (odnos struje kolektora fototranzistora i
struje direktno polarisanog LED-a - CTR) 8%,
odrediti vrednost napona polarizacije V1 za koju
e na izlazu kola biti naponski nivo logike nule.
Poznato je: VCC=5 V, RC=50 k, R1=5 k,
VCE(sat)=0.2 V, VLED=1 V.
......................................
Reenje:
Napon na izlazu kola jednak je naponu izmeu
kolektora i emitora tranzistora VOUT=VCE. Za kolo
kolektora vai naponska relacija:

VCC RC I C VCE ,
odnosno:

VOUT VCE VCC RC I C .

Kada nema svetlosnog signala sa LED-a tranzistor
ne vodi (IC=0) i na izlazu je nivo logike jedinice,
odnosno VOUT=VCC.
Kada sa LED-a na bazno-kolektorski spoj
fototranzistora dolazi svetlosni signal, postoji
odreena struja kolektora IC proporcionalna
osvetljaju, odnosno struji kroz LED I1.
Da bi na izlazu kola bio naponski nivo logike nule fototranzistor treba da je u zasienju
(VOUT=VCE(sat)) i njegova struja kolektora je tada:
V V
I C CC CE ( sat ) ,
RC

5V 0.2 V
96A .
5 104

IC
Koeficijent sprege je:

CTR

IC
100% ,
I1

tako da se za struju LED-a dobija:

IC
100%
CTR
96A
I1
100% 1.2 mA .
8%
Za kolo LED-a vai naponska relacija:
I1

V1 R1 I 1 VLED ,
i za napon polarizacije LED-a se dobija:

V1 5 k 1.2 mA 1V=7 V .