Elektroniki ureaji i elementi

Elektronika je grana tehnike u kojoj se primjenjuju

pojave pri strujanju elektriciteta u slobodnom
prostoru, u plinovima i u poluvodiima.
Za to se upotrebljavaju naprave koje se openito
nazivaju elektronikim ureajima.
Uredaji su sastavljeni od manjih radnih cjelina koji se
nazivaju elektronikim sklopovima.

11

Elektroniki elementi ili sastavnice osnovni su sastavni

dijelovi elektronikih ureaja. Njih se moe razvrstati na
pasivne, aktivne i pomone.

Pasivni elementi uzrokuju samo pad napona, promjenu

meusobnog odnosa elektrinih veliina: struje, napona, rada,
magnetskog polja i si. Glavni su pasivni elementi otpornik,
kondenzator i zavojnica. Svi se ostali pasivni i pomoni
elementi mogu predoiti slogovima otpornika, zavojnica i
kondenzatora.
Aktivni elementi mijenjaju oblik pojedinih elektrinih
veliina, ponaaju se kao izvori novih izlaznih elektrinih
veliina, ovisnih o ulaznim veliinama. Aktivni su elementi
elektronske cijevi i poluvodiki elektroniki elementi.
Pomoni elementi su svi ostali elementi potrebni za
sastavljanje sklopova. To su vodovi, izolatori, sklopke,
preklopnici i sl.
15

Kristalne diode

Poluvodiki se kristal moe s jedne strane dotirati akceptorima, a s

druge donatorima, pa jedna strana postaje kristal P tipa, a druga N
tipa. Tako nastaje PN prijelaz.
U sloju gdje se dodiruju oba tipa kristala slobodni elektroni
popunjavaju upljine, pa u tom sloju nema slobodnih naboja.
Debljina se toga zapomog sloja spontano uspostavlja dok kroz nju
slobodni elektroni vise ne mogu prelaziti.
Ako je kristal sa PN prijelazom prikljuen na istosmjerni napon,
tako da je pozitivan pol na P tipu, a negativan na N tipu, upljine i
elektroni gibaju se prema suprotnom polu. Ve pri vrlo niskim
naponima, reda jednog volta, jakost je polja dovoljna da oni prolaze
kroz zaporni sloj, opaa se tijek elektrine struje kroz kristal.

32

 Ako se polaritet napona izmijeni, naboji se gibaju u suprotnim

smjerovima. Porastom napona debljina se zapornog sloja
poveava, a u kristalu nema vie slobodnih naboja, pa kristal
ne vodi elektrinu struju.
Vodljivost je PN prijelaza ovisna o polaritetu prikljuenog
napona, uz jedan polaritet struja tee, uz obratni ne tee. PN
prijelaz se ponaa kao elektrini ventil. Stoga se takav kristal
naziva kristalnom diodom. Naziv je nastao prema slinom
svojstvu elektronske cijevi diode.

33

 Zenerova dioda je posebna vrsta diode

kojoj struja u zapornom smjeru naglo
raste pri odreenom, tzv. Zenerovu
naponu. U tom podruju promjena struje
ne uzrokuje promjenu napona. Zenerova
se dioda primjenjuje kao element za
odravanje napona na stalnoj vrijednosti,
tzv. stabiliziranje, odreeno tim
Zenerovim naponom.

34

 Tunelna ili Esakijeva dioda je bogato dopirana kristalna dioda,

koja primjenjuje tzv. tunelnu pojavu pretskazanu u kvantnoj
fizici. U stanovitim okolnostima poneki elektron proe
naponsku prepreku, iako to po svojoj energiji ne bi mogao. On
se, slikovito reeno, provue kroz neki tunel u prepreci, i to
brzinom svjetlosti. Ona ne pokazuje zaporno djelovanje, ali u
propusnom smjeru pokazuje porast, pa pad struje i ponovni
porast. U podruju opadanja struje pri porastu napona dioda ima
negativan elektrini otpor. Upotrebljava se za vrlo brze operacije
u mikrovalnom podruju.

35

 Varikap dioda (kapacitivna dioda, varaktor) se ponaa kao

promjenljivi kondenzator.
Kristalnu diodu ine dva vodljiva sloja kristala, koji su odvojeni
zapornim slojem kao izolatorom. Svaka je dioda u zapornom
smjeru kondenzator. Kapacitet ploastog kondenzatora osim o
plotini ploa ovisi i o udaljenosti izmeu njih. Ta je udaljenost
debljina zapornog sloja d izmeu vodljivih slojeva kristala, koja je
ovisna o prikljuenom naponu. Kristalna dioda je promjenljiv
kondenzator, kojemu se kapacitet mijenja naponom.
Varikap diode primjenjuju se u elektronikim ureajima kao
promjenljivi kondenzatori kojima se kapacitet ne mijenja
mehanikim nego elektrinim postupkom.

36

 Fotodioda je posebna vrsta kristalne diode u

kojoj svjetlost u zapornom sloju unutarnjim
fotouinkom stvara slobodne naboje. Fotodioda
se spaja u zapornom polaritetu, te dok nema
osvjetljavanja kroz nju tee vrlo slaba, tzv. struja
mraka. Osvjetljavanjem se stvaraju slobodni
naboji, pa diodom potee znatno jaa struja
svjetla. Fotodioda se upotrebljava kao
elektroniki pokaziva (indikator) svjetla.
Material

Silicij

1901100 nm

Germanij

4001700 nm

Indij galij arsenid

8002600 nm

Olovo sulfid

<1000-3500 nm
37

 Svjetlea dioda ili LED (prema engl. Light Emitting Diode)

posebna je vrsta kristalne diode koja pri prolazu elektrine
struje odailje svjetlo. Do odailjanja svjetla dolazi prilikom
popunjavanja upljina slobodnim elektronima, pri emu se u
nekim tvarima viak energije odailje kao foton, pojavom
obratnom vanjskom fotouinku.
aluminium gallium arsenide (AlGaAs) - red and infrared
aluminium gallium phosphide (AlGaP) - green
aluminium gallium indium phosphide (AlGaInP) - red, orange, yellow, green
gallium arsenide phosphide (GaAsP) - red, orange, and yellw
gallium phosphide (GaP) - red, yellow and green
gallium nitride (GaN) - green, and blue, also white
indium gallium nitride (InGaN) - near ultraviolet, bluish-green and blue
silicon carbide (SiC) as substrate blue
silicon (Si) as substrate blue (under development)
sapphire (Al2O3) as substrate blue
zinc selenide (ZnSe) - blue
diamond (C) - ultraviolet
aluminium nitride (AlN),
aluminium gallium nitride (AlGaN) - near to far ultraviolet
38

39

 Laserska dioda je posebna svjetlea dioda koja radi na principu

stimuliranog odailjanja svjetla. Odailje vrlo uzak snop
koherentnog svjetla, u vrlo uskom podruju valnih duljina.
Izrauju se od kristala galij-arsenida (GaAs). Upotrebljavaju se
gdje god je potreban uzak snop koherentnog monokromatskog
svjetla, a nazivaju se i poluvodikim laserom.

40

Tranzistori
Tranzistorima se naziva nekoliko elektronikih
elemenata, kojima je zajedniko da su izraeni od
poluvodikog kristala.
Dvije su vrste tranzistora:
bipolarni tranzistori- slobodni naboji su obaju polariteta
unipolarni tranzistori- slobodni naboji su jednog polariteta

41

 Bipolarni tranzistor, (tranzistorom) elektroniki je element,

izraen od kristala germanija ili silicija, sastavljen od triju
slojeva.
Mogua su dva poretka:
PNP tranzistori
NPN tranzistori

Srednji sloj je osnovni kristal, baza tranzistora, i oznaava se

sa b. Boni se slojevi nazivaju emiter (e) i kolektor (c),

emiter (e)

kolektor (c),

Baza (b)
42

Shematske oznaavanje tranzistora,

u kojem se tip tranzistora razlikuje
smjerom strelice emitera

Tranzistor se moe pojednostavljeno promatrati kao

da je sastavljen od dviju dioda, diode emiter-baza i
diode baza-kolektor, koji imaju jednu zajedniku
elektrodu.

43

 Tranzistor se kao zajedniki element ukljuuje u dva strujna kruga,

tako da je jedna elektroda zajednika za oba kruga (spoj tranzistora
sa zajednikim emiterom).
Dioda baza-emiter spojena je u prvom krugu u propusnom smjeru,
(P na pozitivan pol, a N na negativan pol), pa u tome krugu tee
struja baze Ib.
Emiter i kolektor spojeni su u drugom krugu, a zbog toga to je
kolektor (P tip) spojen na negativan pol, nepropustan smjer.
Ako su istodobno ukljuena oba strujna kruga, struja u krugu baze
uzrokuje pojavu struje i u krugu Ic.
Promjene struje baze Ib uzrokuju znatno vee promjene struje
kolektora Ic. Te se injenice nazivaju tranzistorskom pojavom.
U ovom je spoju baza upravljaka elektroda sklopa.
44

Ic/mA

Karakteristike se tranzistora
najee prikazuju kao ovisnosti
struje kolektora o naponu
kolektora za razne struje baze. Iz
njega se za stalan napon kolektora
oita koliko e se u nekom
podruju kolektorskog napona
promijeniti struja kolektora pri
promjeni struje baze.
Tranzistorska pojava na
bipolarnom tranzistoru
omoguava da se on upotrebljava
kao element za pojaavanje
elektrinih promjena ili kao
elektronika sklopka.

45

 Unipolarni tranzistor ili FE T

(prema engl Field Effect Tranzistor,
tranzistor s uinkom polja) ini
poluvodiki kristal jednog tipa (P ili
N), koji se naziva kanalom.
Kristal je spojen elektrodama koje
se nazivaju uvod (s; source) i odvod
(d; drain).
Bono je osnovni kristal dopiran, pa
se na tim mjestima uspostavlja PNprijelaz i zaporni sloj. Ta se mjesta
nazivaju zasun (g; gate).
Zasun ne mora biti u vodljivoj vezi
s kanalom, jer e biti dovoljno da
elektrinim poljem djeluje na
naboje u kanalu.

46

 FET se ukljuuje kao zajedniki element u dva strujna kruga,

tako da je jedna elektroda zajednika za oba kruga.
Dioda zasun-uvod spojena je u prvom krugu, u nepropusnom
smjeru (N na pozitivan pol, a P na negativan pol).
Kanal je spojen u drugom strujnom krugu i njime uz neki napon
odvoda Ud izmeu uvoda i odvoda tee kanalom struja odvoda Id.
Promjenom napona Ugs izmeu zasuna i uvoda mijenja se
debljina zapornog sloja, time i propusnost kanala i po tome i
struja kroz kanal, pa se zasun naziva i upravljakom elektrodom
FET-a.

47

Id/mA

Karakteristike se FET-a prikazuju kao

ovisnosti struje odvoda o naponu odvoda,
za razne struje baze.
FET-u se upotrebljava kao element za
pojaavanje elektrinih promjena ili kao
elektronika sklopka.
Za upravljanje strujom kanala nije potrebna
struja kao kod bipolarnog tranzistora, nego
napon. Njegov je ulazni otpor je mnogo
vei od odgovarajueg otpora bipolarnog
tranzistora, pa se njime moe upravljati
gotovo bez utroka energije.
FET ima jednaka svojstva kao elektronska
cijev, te je omoguio gotovo potpuno njeno
naputanje.

48