2.(W2.2.

)Teljesítményelektronikai
félvezetők.
Csoportosítás.
SCR, GTO, LTT, BJT, Power MOSFET, MCT,
IGBT, SITh

1
Csoportosítás

2
3
4
• RCT: Reverse Conducting Thyristor
• SCR: Silicon Controlled Rectifier=Thyristor
• LTT: Light Triggered Thyristor
• GTO: Gate Turn Off Thyristor
• MCT: MOS Controlled Thyristor
• SITh, SIT: Static Induction Thyristor
• BJT: Bipolar Junction Transistor
• IGBT: Insulated Gate Bipolar Transistor
• PIC: Peripheral Interface Controller

5
Classification of Some of the Commonly
Used Semiconductor Switches

+a nemvezérelhető többrétegű félvezető alkatrészek:

Tirisztordióda=négyrétegű dióda=dinisztor (egyirányban képes vezetni)
Kétirányú tirisztordióda=diac (kétirányban képes vezetni)
6
Kétirányú (háromrétegű) dióda=diac
 Classification of Switches
Controllability (Uncontrolled)

Example: diode

7
 Classification of Switches
Controllability (Semi-controlled)

Examples: SCR, LASCR, TRIAC

8
 Classification of Switches
Controllability (Fully Controlled)

Fully controlled: This switch has a control terminal. By giving appropriate signal through this,
both ON and OFF states can be achieved, e.g., bipolar junction transistor (BJT), field effect
transistor (BJT), field effect transistor (FET), metal oxide semiconductor FET (MOSFET),
insulated gate bipolar transistor (IGBT), gate turn off thyristor (GTO) are fully controlled
switches in the I quadrant of i-v plane.

Examples: BJT, MOSFET, IGBT, GTO, SITH, MCT

9
Classification of Switches
Nature of Control Signal

Examples: SCR, LASCR, TRIAC, GTO, MCT

10
 Classification of Switches
Direction of Conduction

Examples: diode, SCR, LASCR, BJT, MOSFET, IGBT, GTO, SITH, MCT (except TRIAC)

11
 SCR,
Silicon Controlled Rectifier

(Már megbeszéltük előző héten a tirisztort.)

12
 Thyristor=SCR and LASCR
Static Characteristic
and circuit symbols
A Gate nyílirányban jobboldalon van a rajzjeleken:

majdnem függőleges

szaggatott vonal:vízszintes

A Gate nyílirányban jobboldalon

van a rajzjelen: (LASCR: Light Activated Silicon Controlled Rectifier)

13
 LTT
Light Triggered Thyristor

14
 Light Triggered Thyristor=
Fény vezérlésű tirisztorok=
(=LASCR: Light Activated Silicon
Controlled Rectifier)
Nagyfeszültségű, nagyteljesítményű megoldásokban, ahol a gyújtóegység a
tirisztorhoz villamosan szigetelő fénykábelen csatlakozik (vagy a tirisztor egy
ablakon át megvilágítható)

A vezérlőelektródára akkora fesz-t kapcsolunk, hogy csak a fény beesésekor

hozzon létre gyújtást. (A fény természetesen a kristályban töltéshordozókat hoz
létre.)

(másik elnevezése: LASCR: Light Activated Silicon Controlled Rectifier, már megbeszéltük)

15
 Triac
Static Characteristic and Circuit Symbol
(Már megbeszéltük előző héten a triacot.)

16
 GTO
Gate Turn Off Thyristor

17
 Gate Turned Off Thyristor
=Kikapcsolótirisztor
Pozitív vezérlőfeszültséggel bekapcsolhatók és negatív vezérlőfeszültséggel
kikapcsolhatók.

Hátrányuk a normál tirisztorhoz képest, hogy a bekapcsoláshoz lényegesen

nagyobb vezérlőfeszültség szükséges, nagyobb a vezetőirányú feszültségesésük,
kisebb a megengedhető záró irányú feszültség, nagyobb a kikapcsolási veszteség
és nagyobb az előállítási költségük.( Alkalmazásuk csak nagy teljesítményen
indokolt.)

18
 GTO (Gate Turn Off Thyristor)

Nature of control signal: pulse triggered

Controllability:fully controlled
Direction of conduction:forward, unilateral

19
Két GTO –ból álló modul
levezetődiódákkal

GTO Thyristor-Gate Turn Off Thyristor

(vezérlőjellel kikapcsolható tirisztor v.
kikapcsolótirisztor)

20
 Különleges alkatrészek
• Az alkatrészek(pl.bipoláris trzsz-ok,tirisztorok)
nagyteljesítményű változatai használatosak
– 1. diszkrét (egyedi)
– 2. modul (csoport)
– 3. array (azonos v. hasonló alkatrészek tömbje)
formákban

21
 Power Diode

Nature of control signal: there is not control input

Controllability: uncontrolled
Direction of conduction: forward, unilateral

22
 PTR(Power Transistor) és
IGBT(Insulated Gate Bipolar
Transistor): hasonló kapcsolások

23
A PTR és az IGBT helyettesítő képe

Darlington kapcs. Insulated Gate Bipolar Transistor

Power Transistor

Nagyon hasonló kapcsolások.

2. bázis vezérelve.

24
A PTR és az IGBT helyettesítő képe
Darlington kapcs.
Power Transistor
Nagyon hasonló kapcsolások.
2. bázis vezérelve.
Insulated Gate Bipolar Transistor
Az alapkristályt nyíllal jelöljük.
Az alapkristály a csatornát jelképező vonaldarabkával érintkezik
Ha a nyíl a csatornától el mutat akkor P-csatornás a MOSFET.
Az N-alapkristályt (p-csatornás esetben) (a Source és a Drain közül)
a pozitívabb elektródához, ill. az ák. legpozitívabb pontjához kötjük,
azért hogy az alapkristály-csatorna átment zérus vagy záróelőfeszítésű legyen,
ne nyisson ki a PN-átmenet.
Ha a csatorna szaggatott akkor növekményes a MOSFET
Ha a csatornát jelképező vonaldarabka folytonos akkor kiürítéses a MOSFET.
25
 Az ASCR és a záróirányban vezető
tirisztor karakterisztikái hasonlóak

Asymmetrical Controlled Rectifier

(aszimmetrikusan vezérelt
egyenirányító)
26
 Az ASCR és a záróirányban vezető
tirisztor helyettesítő képe

Asymmetrical Controlled Rectifier

(aszimmetrikusan vezérelt
egyenirányító)
27
Néhány teljesítményelektronikai
alkatrész hatátadata

28
 BJT
Bipolar Junction Transistor

29
BJT (Power Bipolar Junction Transistor)

Nature of control signal: continuous, level-triggered

Controllability: fully-controlled
Direction of conduction: forward, unilateral
30
 Power MOSFETs

Nature of control signal: continuous, level triggered

Controllability: fully-controlled
Direction of conduction: forward unilateral
31
 Power MOSFETs
MOSFET is one of the widely used switching devices in power electronics.
It has 3 terminals:G,S,D. The figure shows the circuit symbol of an n-channel,
enhancement type (other type is depletion) MOSFET and its i-v characteristics.
The three terminals are respectively similar to base, emitter and collector of a BJT.
But unlike a BJT, which is current controlled device, MOSFET is a voltage controlled
device.
When the drain is more positive with respect to the source, it can be turned on
and kept in that state by continuous application of appropriate value of gate-source
voltage. It can be turned off by making the gate-source voltage zero. The input
impedance measured across gate and source is very high. Because of this, the power
required to control the device is very less.
When the source is more positive with respect the drain, the device cannot block
this voltage.
Since there are no stored charges within the device, fast switching is possible with
ON and OFF times being less than one micro-second. So the switching power loss in the
device is much less compared to a BJT.

32
 MCT
MOS Controlled Thyristor

33
 MCT (MOS Controlled Thyristor)

Nature of control signal: pulse-triggered

Controllability: fully controlled
Direction of conduction: unilateral forward
34
MCT (MOS Controlled Thyristor)
It is basically a thyristor with two MOSFET-s built into the gate structure.
The ON-FET is responsible for turning ON the device and the other
the OFF-FET is responsible for turning OFF the device.

P-MCT is latched into conduction by a short negative pulse on the gate

with respect to the anode. It is turned off like a GTO, but with a short positive
pulse on the gate with respect to the anode.

N-MCT is turned ON by giving a positive gate-cathode voltage and turned off

by a negative gate-cathode voltage.

MCT combines the load characteristics of the thyristor with the control
characteristic of the MOSFET.

35
 IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor)

36
 IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor)

Nature of control signal: continuous, level-triggered

Controllability: fully controlled
Direction of conduction: unilateral, forward

37
Insulated Gate Bipolar Transistor

38
Static Induction Thyristor (SITh)

39
Static Induction Thyristor (SITh)
circuit symbol:

Nature of control signal: continuous, level-triggered

Controllability: fully controlled
Direction of conduction: unilateral, forward

40
 Static Induction Thyristor (SITh)
The Static Induction Thyristor-also known as Field Controlled Thyristor (FCT)-
has anode (A), cathode (K), and gate (G). This device was first commercially
manufactured by Toyo Electric Company of Japan in 1988. It is a normally-ON
device which means that with zero voltage between gate and cathode, it is in the
ON state. However, a small gate voltage is usually used to improve ON state
performance. It is in many respects similar to GTO. But unlike GTO which requires
a negative gate current for turn off, SITh needs a reverse voltage applied to the gate
with respect to the cathode to turn it off. Once the SITh has been turned off,
the gate has to be maintained in reverse bias until it has to be turned on again.

Its ON state voltage drop is higher when compared to GTO or SCR.

Compared to other thyristor devices, the SITh is very fast switching and has
lower switching losses. Normally OFF SIThs are also being developed.

41
 Classification of Some of the Commonly
Used Semiconductor Switches
Revision

+a nemvezérelhető többrétegű félvezető alkatrészek:

Tirisztordióda=négyrétegű dióda=dinisztor (egyirányban képes vezetni)
Kétirányú tirisztordióda=diac (kétirányban képes vezetni)
42
Kétirányú (háromrétegű) dióda=diac (kétirányban képes vezetni)
The type of switch used in a power converter depends upon the nature of power conversion
required.

For example, in rectifiers and ac voltage controllers where the supply voltage is sinusoidal, SCRs
are used because, in these circuits, a conducting SCR turns OFF on its own when the supply
voltage polarity reverses without the use of any additional elaborate turn-OFF circuit.

In contrast, in inverters und choppers, where in the supply voltage is dc, fully·controlled
switches like IGBT, MOSFET etc. are used (instead of semi—controlled switches like SCR)
because, (unlike an SCR that requires an elaborate additional turn-off circuit, )they can be
turned OFF elegantly by giving an appropriate control signal.

It is the job of power electronics engineers to select the type of switch most suited to a
particular application. This requires an awareness of the merits and demerits of different types
of switches available in the market.

43
44