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第1章(课件)绪论2004年9月15日 PDF
第1章(课件)绪论2004年9月15日 PDF
数字大规模集成电路
清华大学微电子学研究所
周 润 德
2004年9月
上课时间:每周星期三上午9:50 ~ 12:15
上课地点:第六教学楼 A座 6A215
讲课教师:周润德
电子邮件:zhourd@tsinghua.edu.cn
(2)期中考试:20%
11月 9 日(第 9 周),课堂开卷考试,1小时
(3)课程设计:20%
第 6 周布置,独立完成,可以讨论,报告打印,
12月29日交,迟交无效
(4)期末考试:40%
2005年 1月?日,课堂开卷考试,2小时
2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第1章第4页
《数字大规模集成电路》参考资料
(1)Jan M. Rabaey,Anantha Chandrakasan, Borivoje Nikolic :
《Digital Integrated Circuits, A Design Perspective 》, Second Edition,
Prentice Hall (本书第 2 版 影印版:清华大学出版社出版,
中译本: 周润德译,将于2004年9月由电子工业出版社出版)
(2)Neil H. E.Weste & Kamram. Eshraghian:
《Principles of CMOS VLSI Design》,Addison Wesley. First & Second Edition.
(3)李志坚、周润德等:《ULSI 器件、电路与系统》, 科学出版社
(4)John. P. Uyemura: 《Introduction toVLSI Circuits and Systems》,
John Wiley & Sons, INC. (影印版:电子工业出版社出版,
中译本:周润德译,电子工业出版社出版)
(5)Christopher Saint ,Judy Saint: IC Mask Design》
McGraw Hill 。 (影印版:清华大学出版社出版,
中译本:周润德译,将由清华大学出版社出版)
(6)Carver Mead & Lynn Conway: 《Introduction to VLSI》,Addison Wesley.
(7)徐葭生:《MOS数字大规模及超大规模集成电路》,清华大学出版社.
(8) Anantha Chandrakasan,William J. Bowhill, Frank Fox, Editors:
《Design of High Performance Microprocessor Circuits》,IEEE Press
(9) Anantha P. Chandrakasan, Robert W. Brodersen: 《Low Power
Digital CMOS》,Kluwer Academic Publishers
(10)L. A. 格拉泽,D. W. 多贝尔普尔 著,陈天鑫,张建人,李瑞伟,
石秉学 等译: 《超大规模集成电路的设计与分析》,科学出版社.
(11)随课分发的其它参考资料.
2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第1章第5页
第一章 绪论
300
250
200
$billion
150
279.000
244.000
100 195.000
144.404131.966137.203 149.500
125.612
50 101.879
77.310
54.607 59.865
0
91 92 93 94 95 96 97 98 99 2000 2001 2002
Year
–世界半导体硅周期: 10~11年Jugular大周期—1973,1984,1995高峰点。
–4~5年Mitchel小周期— 1991-1995年;2002-2006(?)
今后集成电路的技术进步,仍将继续遵循摩尔定律
硅仍然是制造电路的 主要材料
世界集成电路还有25-30年的高速增长期
• 三要素:IC、硅、MOS
− 集成电路规模定义
z现在微电子集成电路已进入吉规模时代
10 10
4Gb 0.1-0.13µm
10 9 1Gb 0.13-0.18µm
256M b 0.18-0.25µm
芯
10 8 64M b 0.25-0.35µm
片
上 16M b 0.35-0.5µm
的 10 7
位 4M b 0.5-0.8µm
数
10 6 1M b 0.8-1.2µm
256Kb
1.6-2.4µm
5
10 64Kb
10 4
1970 1980 1990 2000 2010
年代
– 特征尺寸:X0.7/3年
– 集成密度:X4/3年
他预见半导体工艺将在每18个月更新一代。
• IC能力随时间按指数规律增长
– 特征尺寸与集成度
– 性能与功能
• 代的定义为4倍能力, 2年/代至3年/代。来自于:
– 特征尺寸:0.7x,意味集成度 x2。
– 速度:2x
• 芯片尺寸:1.5x,意味单芯片面积 x2
• 成本:单位功能成本0.7x/年
单位面积成本大致不变:~$4/cm2
10
11
12
13
14
15
16
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1959
1960
1961
1962
Electronics, 1965年4月19日.
1963
1964
1965
1966
1967
1968
摩尔定律
1969
1970
清华大学微电子所《数字大规模集成电路》
1971
1972
1973
周润德
1974
1975
第 1 章 第 16 页
微处理器晶体管数的增长趋势
(微处理器的发展符合摩尔定律)
单位:千个 10亿晶体管
1,000,000
100,000 每1.96年翻一倍!
Pentium® III
10,000 Pentium® II
Pentium® Pro
1,000 Pentium®
i486
100 i386
80286
10 8086
资料来源: Intel
1
1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010
预计
最先进微处理器的晶体管数目每 2 年翻一倍
P6
486 Pentium ® proc
10 386
286
8080 8086
8085
8008 资料来源: Intel
4004
1
1970 1980 1990 2000 2010
年
100 P6
Pentium ® proc
486
10 8085 386
8086 286
1 8080
8008 资料来源: Intel
4004
0.1
1970 1980 1990 2000 2010
年
最先进微处理器芯片的工作频率每 2 年翻一倍
每晶体管成本:
美分(¢-)
1
0.1 每晶体管的制造投资 (摩尔定律)
0.01
0.001
0.0001
0.00001
0.000001
0.0000001
1982 1985 1988 1991 1994 1997 2000 2003 2006 2009 2012
486
8086 286
386
8085
1 8080
8008
4004
0.1
1971 1974 1978 1985 1992 2000
年
资料来源: Intel
最先进微处理器的功耗持续增长
火箭喷管
1000
功率密度 (W/cm2)
核反应堆
100
8086
10 4004 热金属板 P6
8008 8085 386 Pentium® proc
286 486
8080
1
1970 1980 1990 2000 2010
年
美国半导体行业协会(SIA)在美国政府的大力
支持下,为促进微电子技术的发展,协调各方
面科研、生产的工作,从94年开始,每隔两年
制定或修改一次半导体技术发展规划(开始称
为美国全国半导体技术发展规划:
NTRS,
National Technology Roadmap for
Semiconductor)
1997年,由于日本、欧洲、南韩和台湾的参加,
改称为国际半导体技术发展规划:
ITRS, International Technology Roadmap for
Semiconductor
规划的跨度为 15 年,以 Moore 定律为依据。
特点:除DRAM、MPU外,增加了ASIC技术驱动指标
从97年的规划执行情况来看,微电子技术的发展势头继续加速:
(1)原来担心的物理极限一再延伸,正在向 0.07 微米,甚至
0.05 微米延伸。
(2)推动微电子技术发展的动力。已经由计算机转向网络和通讯。
∝ DSM ∝ 1/DSM
“微观问题” “宏观问题”
• 超高速设计 • 门的数量极多
• 互连 • 高层次抽象
• 噪声、串扰 • 再利用 & IP: 可移植性
• 可靠性, 可制造性 • 可预见性
• 功耗 • 投放市场时间
• 时钟分布. • 等等.
?
2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 33 页
设计能力的发展趋势
每芯片逻辑晶体管数(单位:百万个)
10,000
10,000,000 100,000
100,000,000
1,000
1,000,000 每芯片逻辑晶体管数 10,000
10,000,000
人均每月设计晶体管数
人均每月设计晶体管数
(单位:千个)
100
100,000 1,000
1,000,000
复杂度
设计能力
10
每年复杂度的 100
10,000 综合增长率为58% 100,000
1,0001 10
10,000
x x
0.1
100 1
1,000
xx
xx
x 每年设计能力的
0.01
x 综合增长率为21% 0.1
10 100
0.001
1 0.01
10
1981
1983
1985
1987
1991
1993
1997
1999
2001
2003
2007
2009
1989
1995
2005
资料: Sematech
Courtesy, ITRS Roadmap
芯片复杂度的增长速度超过了设计能力的增长速度
• 纳米MOSFET器件—亚0.1µmMOS
– 微细加工技术:主要是光刻,157nm是光学方法的尽头。新选择:
» 电子束:步进扫描方式,Scalpel(Lucent Technology)
» 离子束
» X射线:IBM
– 高κ栅介质与低阻金属、低κ介质互连材料
– 当前的铜与低κ介质
» 铜取代铝:降低互连线电阻(ρAl=3.0µΩ,ρCu=1.7µΩ;提高抗电迁移
能力IBM(98.9)率先开发成功双镶嵌(Dual Damascene) 结构工艺,用
于月首先推出外频400MHz的PowerPC740/750
SET的结构 SET的照片
– 低维硅基纳米结构和量子器件
» SiGe/Si单电子晶体管
» 硅基电双电子层隧道晶体管
» 量子点组合的元胞自动机(Quantum Cell Automata)
– 分子器件和分子电子学
广义上—纳系统
• 硅功能电子器件
• 量子传感与纳电子机械系统(NEMS)
• 纳分析系统
• 量子计算
• DNA计算
2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 37 页
微系统
– IC产业结构演变:微电子产业分为设计、制版、制造、封装、
测试等环节。三次变革,导致垂直型向水平型转变
(Fabless、Foundry、Chipless的“三足鼎立”成为SOC发展
的基本模式)
• 60至70年代:微处理器、存储器、逻辑IC标准化导致系统公司与IC公
司分离
– IC公司为包含设计与制造乃至所有环节的垂直型集成器件制造(IDM)公司
• 80至90年代:ASIC设计技术观念变革导致专职设计的Fabless-IC公司
与专职加工的Foundry-IC公司分离
– Fabless所占半导体产业比重日益增加
年份 1998 1999 2000 2001 2002 2003
销售额(亿USD) 83.66 107.49 145.47 181.54 237.43 292.8
Fabless比重 6.66% 7.19% 7.46% 7.44% 8.51% 9.76%
• 21世纪:随着IC向IS转变,芯片系统(SOC)成为方向。它强调基于硅智
权模块(SIP)的设计,导致专职SIP开发的Chipless-IC公司的兴起
– 收入来源:授权金61%;提成费22%;服务与维护17%
– 世界前十名IP公司:ARM,MIPS,RAMBUS,MENTOR GRAPHICS,
SYNOPSYS,InSilicon,DSP Group,Artisan,Sican,SSL
2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 38 页
– 狭义:信息系统的芯片集成,即片上系统(System on-a-Chip,
SOC)
• SOC是微电子技术当前最迫切、现实的方向
– IC制造技术已经提供了构成SOC的能力,IC设计技术相对落后于这一形势
成为瓶颈
– 人类社会信息化迫切需求:计算机、通信与网络、消费信息产品(3C)
– IC向IS转变需要概念上的突破
» 信息系统对芯片集成度、速度、功耗无止境的要求
信息 语言 音频 视频 DTV HDTV
码 率 (k b p s) 64 768x2 36k 216k 1200k
» 海量多媒体信息压缩是基本技术。压缩的代价是高计算量(操作率);
视频图象 M P E G -1 M P E G -2
压缩标准 编码 解码 编码 解码
操 作 率 (G o p s) 1~100 3 ~ 0 .5 1~1000 1~10
» 多媒体通信要求高传输速率、宽带:>1Gbps
» 3G(Gbit、Gops或Gips、Gbps)走向3T(Tbit、Tops、Tbps)
• 智能微系统芯片
– 把计算(或判断,决策)功能与信息获取和执行功能结合为一体
– 象当年的IC一样,各行业都将逐步形成各自的集成微系统产业
» 微电子机械系统(MEMS):静电、晃动、线性、压电等各种微马达;泵、
阀门、齿轮等各种微机械部件;加速度计、麦克风、数字化微镜等各
种信息传感器;
» 航空、航天:微惯性测量单元(MIMU)、微陀螺仪、微型卫星
» 微型测量仪器:微光谱仪、微气体色谱仪、微力学测量平台
» 生物医学工程:微型的疾病诊断、清理、修复、药液注入医疗器械与
系统;人工视网膜等人造器官;微型生物基因扫描DNA探针阵列等生
物芯片
» 化学:微流量控制;微化学分析
» 光学:微光开关、光阵列
– 集成微系统的发展将形成微机械学、微机械电子学、微光学、微制造学和
微仿生学等新的科学分支及其结合、交叉与渗透
系统
模块
+
电路
G
器件
S D
n+ n+
(一)深亚微米(DSM)与超深亚微米(VDSM)设计
(1)精确的模型
1. SPICE 模型
器件中原来的二级效应成为一级效应。
一维模型成为二、三维模型。
不同几何尺寸(W, L)器件的电学特性也不相同。
Level 1~3 13 28 39 47 49
其中BSIM短沟绝缘栅场效应晶体管(Berkeley
Short-channel IGFET Model)被工业界广泛采用,
成为事实上的工业标准。
模拟电路特别是射频电路用的精确模型更加复杂。
前端网表设计与后端物理设计不再脱节
1. 布局布线稳定性
网单变化时版图变化不剧烈,以保证设计迭代收敛
2. 物理综合
. 黑盒子规划
. RTL 规划
. 门级规划
. 布线与物理设计
软硬件协同设计的主要步骤:
(1)系统建模
(2)系统估计
(3)优化划分
(4)协同综合
(5)协同仿真
2004-9-15 清华大学微电子所《数字大规模集成电路》 周润德 第 1 章 第 47 页
(三)SOC的验证
(1)快速与完备性验证
(2)后验证
(3)系统测试产生
静态时序分析(STA)
形式验证(Formal Verification)
等价性验证
性质验证
用二叉树决策图(BDD)建立FSM模型表示电路
用CTL(计算树逻辑)时态语言描述性质
符号模型判别(Temporal Logic Model Check
(1)系统—模块—逻辑—电路各层次上的功耗
分析、综合与优化、诊断
(2)探索新的低功耗电路型式
绝热(Adiabatic)计算或可逆计算技术
相应的电荷恢复电路或绝热电路
(1)IP 模块的属性:
1. 由专家完成,通过授权的技术转移用到SOC 中
2. 必须可复用
3. 有硬核(Hardcore)
软核(Softcore)
固核(Firmcore)
(1)传统的ASIC设计方法是以功能设计为基础的,而SOC 的
设计方法则以设计复用或功能组装为基础,包括高层次
的系统设计、软硬件协同设计与验证多层次的验证要求
更为严格;
(2)嵌入式软件设计需要集成到 SOC 的设计流程中,嵌入的
软件需要查错、调试,因此软件的查错与调试也成为 IC
设计的一项重要内容;
(3)要运用多层次的验证方法;
(4)完成一个 SOC 设计,设计咨询是不可缺的。
SOC 设计采用自顶向下的设计方法,从系统的角度出发,
把模型算法、电路结构、不同层次的电路以及器件的设计结合
起来,利用单个或少数几个芯片完成系统的功能。
(一)深亚微米(DSM)与超深亚微米(VDSM)设计
(二)软硬件协同设计
(三)SOC的验证
(四)低功耗问题
(五)智权(IP)模块与设计复用
(1)微电子新技术或产品的完整的生命周期
生产 约5年 1 5