Gyulai Biro Implantacio

Részlet Giber János, Vargáné Josepovits Katalin, Gyulai József, Biró László Péter: Diffúzió és
implantáció szilárdtestekben (Egyetemi tankönyv, Műegyetemi Kiadó, 1997) könyvből
2. IONIMPLANTÁCIÓ _______________________________________________ 282

2.1. Bevezetés, történeti áttekintés ________________________________________ 282
2.2. Alapfogalmak, alapjelenségek _________________________________________ 293
2.2.1. Az ionok behatolása, fékeződése ___________________________________________ 293
2.2.2. A porlódás jelensége _____________________________________________________ 310
2.2.3. Az atomok és defektek eloszlása ____________________________________________ 316
2.2.3.1. Az implantált atomok mélységi eloszlása _________________________________ 317
2.2.3.2. Az implantált atomok laterális eloszlása __________________________________ 322
2.2.3.3. Nagy dózisok hatása (a felület hátrálása, buborékkékpződés) ________________ 324
2.2.3.4. A primér rácshibák eloszlása ___________________________________________ 326
2.2.3.5. Dinamikus hõkezelõdés _______________________________________________ 332
2.2.3.6. Az amorfizáció ______________________________________________________ 335
2.2.3.7. Implantáció molekulaionokkal _________________________________________ 340
2.2.4. Behatolás kristályos anyagba ______________________________________________ 342
2.2.5. Az ionos keverés (mixing) jelensége _________________________________________ 358
2.2.6. Ionos szintézis __________________________________________________________ 362
2.3. Implanterek _______________________________________________________ 368
2.3.1. Általános kérdések, alaptípusok ____________________________________________ 368
2.3.2. Részegységek, konstrukciós elvek ___________________________________________ 371
2. 4. Implantáció félvezetőkbe ____________________________________________ 379
2.4.1 A rétegek minősítése _____________________________________________________ 379
2.4.2. A másodlagos rácshibák fajtái ______________________________________________ 389
2.4.2.1. A kiterjedt hibák forrásai ______________________________________________ 390
2.4.2.2. Az adalékokra jellemző hibák __________________________________________ 395
2.4.3. Hőkezelési stratégiák, rácshibák hőkezelése __________________________________ 399
2.4.3.1. Hőkezelési stratégiák _________________________________________________ 400
2.4.3.2. A hőciklus és a hőterhelés _____________________________________________ 402
2.4.3.3. A "defekt-tervezés" elvei. _____________________________________________ 403
2.4.4 Szilárdfázisú epitaxia amorfizáló implant után _________________________________ 405
2.4.5. Az implantáció alkalmazásai félvezető eszközök előállítására _____________________ 408
2.4.5.1. MOS tranzisztorok küszöbfeszültségének beállítása ________________________ 408
2.4.5.2. Implantálás során keltett hibák és az ULSI gyártástechnológiák _______________ 409
2.4.5.3. Sekély átmenetek, diffúzió és a tranziens diffúzió (TED) _____________________ 410
2.4.7. Nagyenergiájú implantálás és getterezés _____________________________________ 417
2.4.7.1. Hegymenetű implantált profilok ________________________________________ 418
2.4.7.2. Élettartam tervezés (Lifetime Engineering) _______________________________ 420
2.4.7.3. Getterezés. _________________________________________________________ 424
2.5. Implantáció fémekbe ________________________________________________ 426
2.5.1. Rácshibák fémekben _____________________________________________________ 426
2.5.2. Sugárzási károsodás fémekben _____________________________________________ 429
2.5.3. Tribológiai alkalmazások __________________________________________________ 433
2.6. Implantáció dielektrikumokba és polimérekbe ___________________________ 436
2.6.1. Dielektrikumok optikai tulajdonságainak beállítása _____________________________ 436
2.6.2. Ionbesugárzás egyéb célokra ______________________________________________ 440
2.6.3. Korpuszkuláris sugárzás hatása polimérekre, az elektromos vezetőképesség ________ 442
2.7. Speciális ionos eljárások _____________________________________________ 447
2.7.1. Fókuszált ionnyaláb és alkalmazásai (Focused Ion Beams, FIB) ____________________ 447
2.7.2. Plazma Immerziós Implantáció (Plasma Immersion Ion Implantation, PIII) __________ 449
2.7.3. Ionsugárral segített rétegleválasztás (Ion Beam Assisted Deposition, IBAD) _________ 452
2.7.4. Ionfürtös (klaszter) rétegleválasztás (Cluster Ion Deposition, CID) _________________ 453
2.8. Irodalmi hivatkozások _______________________________________________ 454
280
2.9. Függelék __________________________________________________________ 465

2.9.1 Betűszavak (akronimok) __________________________________________________ 465
2.9.2. A lassú kaszkád porlódás (Kelly [1984], "Slow Cascade Sputtering", 2.2.2.) __________ 468
281
2. IONIMPLANTÁCIÓ
Ebben a fejezetben egy néhány évtizede felfedezett adalékolási

eljárással fogunk foglalkozni. Az eljárás - jellegét tekintve - a magfizika
és a szilárdtestfizika határterületén létrejött ismeretekre épül és
technológiai eljárásként annak fontossága egyre nő. Elsődleges
alkalmazási területe a félvezető integrált áramkörök gyártása, de az ionos
eljárások jelentősek a fémek, polimérek, biokompatibilis anyagok
felületnemesítése terén is. A következőkben rövid történeti áttekintést
adunk.
2.1. Bevezetés, történeti áttekintés
Az ionimplantáció olyan anyag, ill. vékonyréteg-módosítási eljárás,

amelynek során a kívánt adalékatomokat először ionforrásban ionizáljuk,
majd egy elektromos téren áthaladt, felgyorsított ionokkal bombázzuk a
szilárd anyagot, hogy azokat bejuttassuk annak a belsejébe. Az
ionimplantáció és a porlasztás egymástól elválaszthatatlan jelenség-párt
alkot: az ionok lefékeződése ugyanis a céltárgy atomjainak átadott energia,
azaz ütközések révén következik be. Ennek eredményeként ezen atomok
nagyrészt ki is mozdulnak a helyükről. Ha az elmozdulás, illetve további
atomok másodlagos meglökése, azaz a kialakuló "kaszkád" révén egyes
atomok elegendően nagy energiával érik el belülről a felületet, akkor
kilépnek. Ilyenkor beszélünk porlasztásról, ill. porlódásról ("sputtering").
A porlódás és implantáció kozmikus méretekben is jelenlévő
esemény. A napszél, amely főleg keV energájú protonokból áll, és erősen
csökkenő mértékben ugyan, de tartalmaz energikus nehezebb ionokat
(20Ne8+ stb.) is, szintén ionbombázás. Ennek átlagos részecskeáram-
sűrűsége a Föld felett 2-3x108 atom/cm2s. A rendelkezésre álló
"csillagászati idő" alatt a holdi kőzetek felszíni rétegeiben jelentősen
feldúsult a hidrogén (kb. 1 cm3/g), a szén és a nitrogén (kb. 100 g/g) és
- bár a porlódási értékei alacsonyak (kb. 10 -1 nm/év) - a napszél erodálja
a Föld légkörét, a Holdat is. A leporlódó földi részecskék - energiájuktól
függően - csapdázódnak pl. a Holdon, hogy onnan, a holdi talaj
atomjaival együtt tovább repüljenek, zömmel a Napba (Jull és Pillinger
[1978]).
282
Legtöbbször a porlasztással is kombináltan beszélünk tehát ionos

felületalakító módszerekről ("ion beam modification"). Ezek az ionforrások
teljesítőképességével párhuzamosan fejlődtek, mert a felületalakításokhoz
nagy dózisokra van szükség és - ha nem az ionok termikus hatását akarjuk
kihasználni - nem feltétlenül nagy ionáramsűrűségre. (Ez utóbbit csak a
ráfordítási idő vezérli.) Igen nagy dózisok esetén (ha a belőtt ionok
koncentrációja nagyobb 5 - 10 at.% -nál) fázisképződések, -kiválások
tarkítják a képet, további lehetőségeket adva a felületalakításhoz.
Az ionok behatolásának mechanizmusa elsősorban az energiájuktól
és a folyamatban szereplő valamennyi atom tömegének arányától függ.
Mivel a mai implanterek (implantáló berendezések) zömében az ionokat
tömegszeparátoron is átvezetik, az adalékatomok nyalábja akár
spektroszkópiai tisztaságú is lehet. Világos, hogy egy adott anyagba egy
adott energikus ion behatolásának mértékét alapvetően a gyorsítás szabja
meg. Ionimplantációval tehát szabályozható mélységi eloszlást lehet elérni.
Az energia változtatásával lényegében tetszésszerinti mélységi profilok
állíthatók elő, tehát olyanok is, amelyek kizárólag termikus módszerekkel
(diffuzióval) elképzelhetetlenek: pl. olyan eloszlás, ahol a koncentráció a
felülettől befelé növekszik, "hegymenetű" ("uphill", ill. "retrograde"). Az
ionok áramának mérésével, ill. áramintegrálással, a becsapódó ionok
összmennnyiségét megmérhetjük. Ilymódon dózis kontrollt lehet elérni.
Noha az ionokkal való "rajzolás" - a televíziós képernyő mintájára - a
kezdetek óta napirenden van, a minta teljes felületének besugárzását ma
csaknem minden esetben a milliméter, esetleg centiméter átmérőjű
ionnyaláb kétdimenziós pásztázásával oldják meg. Így az iparilag használt
25 vagy a tervek szerinti 40 cm átmérőjű félvezető szeleteknél is gazdaságos
"átbocsátóképesség" biztosítható. A pásztázással egyúttal felületmenti
homogenitás kontroll valósítható meg. A modern ipari berendezéseknél
egyetlen szeleten belül a homogenitás hibájának 0,5 %-nál, szeletről-
szeletre pedig 2 %-nál kell kisebbnek lennie.
Noha az ionok oldalirányú szóródása sem elhanyagolható, sok
alkalmazásnál az ionimplantációt közelítőleg anizotróp adalékolási
eljárásnak lehet tekinteni, azaz maszkolás felhasználásával a laterális
méretek is jól tervezhetők.
Világos, hogy az anyagnak az ionimplantáció révén kialakuló
állapota - szemben a termikus diffuzió utánival - távol van a termikus
egyensúlytól. Ebből következik, hogy az nincs közvetelenül alávetve olyan
termodinamikai korlátoknak, mint pl. a szilárd oldékonyság. Az első
elvekből azonban következik az is, hogy amennyiben az implantációt
izotermálisnak tekinthető hőkezelés követi, a rendszerre már az egyensúlyi
283
termodinamika, pl. a diffúzió törvényei hatnak. Noha ilyenkor a termikus

folyamatok leggyakrabban ún. kiválások létrejöttéhez vezetnek, az
implantációt pl. emelt hőmérsékleten végezve, elérhető olyan
termodinamikai állapot, hogy kémiai fázisok képződjenek - akár
szöchiometrikus összetételben. Ez az ionsugaras szintézis.
Az ionimplantáció - a részecskék fékeződésekor átadott energia
következtében - óhatatlanul sugárkárosodást okoz. Ez a hatás ugyan ál-
talában káros, és - aforisztikusan - az implantációs eljárás kutatásának, fej-
lesztésének fókuszában mindig is a besugárzott anyagnak ezen rácshibáktól
való megszabadításának kérdésköre állt. Esetenként azonban ezek a hibák,
ill. az amorf állapotba átvitt szerkezetek céltudatosan is használhatók (pl. a
félvezetőkben szigetelő vagy a fémekben kopásnak ellenálló réteg
előállítása).
Az ionimplantációnak a félvezető integrált áramkörök gyártása
köszönhet legtöbbet. Itt a fent említett előnyök mindegyike vitális
fontosságú. Mivel az ionimplantáció itt lokális adalékolásként nyer
alkalmazást, azaz mindig az ionok lokális behatolását megakadályozó,
fotolitográfiásan alakított maszkoláshoz kapcsolódik, az implantáció és a
litográfia az áramkörök gyártása során sokszorosan ismétlődő művelet. Egy
modern DRAM vagy egyéb áramkör előállítása során, különböző célokra,
12 - 18 implantációs adalékolási lépést is alkalmaznak. A fémek
kopásállóságának a javítására vagy pl. egyes polimérek elektromos
vezetőképeségének beállítására viszont rendszerint elegendő egyetlen,
többnyire nagydózisú implantációs lépés.
Mindezek az alkalmazások az ionféleségek, az ionenergiák, az
iondózisok széles skáláját ölelik fel: az egyik végletként az ULSI áramkörök
70 nm, ill. még sekélyebb pn-átmeneteit kb. 1 - 5 keV energiájú bór
ionokkal (vagy bórt is tartalmazó molekulaionokkal!) kell kialakítani, a -
"standard" alkalmazások energiatartománya a 20 - 100 keV, a másik
végletként pedig pl. a CMOS áramkörök hegymenetű (retrograde) zseb-
tartományait vagy a teljesítménytranzisztorokban a töltéshordozók
élettartamának beállítását ma 200 - 3000 keV energiájú ionokkal végzik (a
miniatürizálás révén a használt energiák tartománya csökken...).
A félvezető alkalmazásoknál a dózisok a 109 ion/cm2-től 1015
ion/cm2-ig terjednek. Más esetekben gyakori akár a 1017 ion/cm2 dózis is
(tájékoztatásul: a szilícium kristály felületén 1015 atom található cm2-ként;
azaz a legnagyobb dózisok sem haladják meg a mintegy 100 atomi rétegnek
megfelelő atomszámot). Ilyenkor a porlódás (azaz a felület hátrálása) -
különösen kisebb ionenergiák és viszonyítottan nagytömegű ionok esetén -
284
egyébként is korlátozza az elérhető maximális koncentrációt, hiszen a már

belőtt atomok egy része is eltávozik.
Az ionok fékeződését - ezeken az energiákon - mindig a Coulomb-
erők okozzák. Kétféle mechanizmus lehetséges. Az egyik, amelyet elektron
fékeződésnek nevezünk, az érkező ionok és a tárgy atomjainak
elektronfelhői között rövid időre fellépő kölcsönhatás révén áll elő. Ez
dominál a nagyobb (100 keV - MeV) energiákon. A folyamatok itt
"rugalmatlanok", azaz az ionok kinetikus energiája pl. elektrongerjesztés, ill.
fény-, röntgen- stb. sugárzás formájában emésztődik fel. Ez a kölcsönhatás
ugyan "megrázza", polarizálja a rácsot, de csak kevés rácszavart és akkor is
inkább csak ponthibákat képes kelteni.
Kisebb energiákon (tehát az ionpályák végén minden esetben!) a
magok közötti Coulomb-taszítás dominál, amely rugalmas ütközés jellegű
folyamat. Ez vezet az ún. kiterjedt rácshibák ("extended defects")
keletkezéséhez. Ekkor beszélünk nukleáris fékeződésről. Mindezek alapján
már el lehet képzelni a becsapódási jelenség forgatókönyvét. Korai Doppler-
effektus mérések azt igazolták, hogy a primér ion mintegy 10-14 s alatt
elveszti energiáját. Ezt követően, mintegy a 10-13 s végére kialakul az ún.
gyors kaszkád, amelynél még nem beszélhetünk "hőmérséklet"-ről, csak egy
rendkívül erősen gerjesztett állapotról. Attól függően, hogy milyen a
besugárzott anyag kötéstipusa, más és más mechanizmussal egyenlítődik ki
az elektron- és a rácshőmérséklet - mintegy az első ps végére. Ezt követően
a folyamatok már termikusan vezéreltek és a lehűlést követő végállapot
nem-egyensúlyi voltáról mint "befagyás"-ról ("quench") is beszélhetünk. A
kaszkádok átlagos átmérője mintegy 10 nm, így ez az időskála lehetővé teszi
annak megbecslését, hogy milyen ionáramsűrűségek esetén alakul ki tér-, ill.
időbeli átfedés az egyes kaszkádok között.
Egyetlen rácsatomnak olyan mértékű kimozdításához, hogy az ne
tudjon a saját helyére visszaugrani a rács lehűlése közben, mintegy 15 eV-
nyi energiaközlés ("kritikus energia", értéke a kötési energiának sokszorosa)
szükséges. Ebből könnyen számítható, hogy átlagos energiákon akár 104
rácshiba is keletkezik egyetlen beeső ion hatására. Ezeket a hibákat
nevezzük primér rácshibáknak. Ezek zömmel Frenkel párok (FP).
Az implantált atomok impulzusának irányítottságából következően az
átlagos és a felületre merőlegesen mért átlagos behatolási mélységnek (Rp)
mintegy 0,8-szeres mélységéig vakanciákban dús, beljebb, mintegy 2Rp-ig,
pedig rácsközi atomokban dús réteg keletkezik. Az implantáció okozta
primér rácshiba-szerkezet tehát a mélység függvényében nem homogén.
Ennek a következményeire a sekély pn-átmenetek előállításánál térünk ki.
285
Világos, hogy annak rendkívüli jelentősége van, hogy a

kaszkádfolyamat futásához viszonyítottan mikor érkezik egy következő ion
ugyanarra a felületre, azaz mikor keletkezik idő-, ill. térbeli átfedés a
kaszkádok között. Elmondható, hogy térbeli átfedés a kb. 10 nm átmérőjű
kaszkádoknál mintegy 1015 cm-2 dózistartománynál kezdődik. Időbeli
átfedés - a megszokott implantációs áramsűrűségek esetén - nem fordul elő.
Ez azt jelenti, hogy az elemi implantációs folyamatok egymástól
függetleneknek tekinthetők. Noha a fenti időskálán nem teljesen érthető, a
A/cm2 áramsűrűségektől kezdődően már fellépnek olyan hatások, amelyek
az említett függetlenséget megkérdőjelezik - különösképpen a rosszabb
hővezetőképességgel rendelkező anyagoknál. Egészen nagy
áramsűrűségeknél, amelyek fókuszált vagy impulzusszerű ionáramoknál
léphetnek fel, a felület akár olvadt állapotba is kerülhet.
A primér rácshibák rendszerint átalakulnak egyrészt az implantáció
további folyamatában ui. új ion csapódhat egy előző kaszkád környezetébe
(>1014 ion/cm2 dózis esetén ennek már nagy a valószínűsége), így új FP-k
keletkeznek, amely az ún. sugárzás-keltette (nem Fick-i) diffúzió (radiation
enhanced diffusion, RED) jelenségét hívják életre és a többlet-hibák okozta
fellazulás révén létrejött atom-mozgékonyság viszi újabb állapotba a
rendszert. Ez rendszerint az implantált atomok diffúziós elmozdulását is
okozza. A másik mechanizmus vezet a másodlagos (szekundér) hibák
kialakulásához (ezt nevezi az irodalom "as-implanted" állapotnak, ami nem
tévesztendő össze az "As implanted", azaz az "arzénnel implantált"
állapottal): az implantációt követő, emelt hőmérsékleteken végzett
kezelések során termikus eredetű rácshibák vannak jelen, amelyek a primér
rácshibák átalakulásához, a rácshibák reakcióihoz vezetnek. A lehülés után
(mégis) visszamaradó rácshibákat nevezzük másodlagos (szekundér)
hibáknak.
A dózis növelésével többnyire ún. kiterjedt hibák, hibaklaszterek,
"fürtök" keletkeznek. Elegendően nagy, az ún. amorfizációs dózis
elérésével, az implantációt közvetlenül követő állapot amorf állapot is lehet.
Kiderült, hogy az elszigetelt, de kiterjedt hibák nehezen tüntethetők el. Az
amorfitásba vitt implantált rendszer viszont nagy eséllyel (epitaxiásan)
vissza-kristályositható. Ennek hasznára szintén a pn-átmenetek előállítási
kérdéseinek tárgyalásánál térünk vissza.
Az ionbesugárzást más rétegtechnológiai eljárásokkal (vákuum
párologtatás, molekulasugaras epitaxia) kombinálva, új lehetőségek nyílnak
a kutató és a technológus számára különleges tulajdonságú rétegek
előállítására. Példákkal a 2.7. fejezet szolgál.
286
A 2.1. ábrán - némiképp elébe vágva a mondanivalónknak -

összefoglaljuk azokat az alkalmazási területeket, amelyek ma már az
ionimplantáció "standard" alkalmazásait jelentik.
2.1. ábra. Az ionos eljárások alkalmazási területei az ionenergia és a

részecske fluxus tartományai szerint osztályozva. A jelen könyvben a rutin,
az alacsony, ill. a nagyenergiájú implantációval, a plazma immerziós
eljárással, valamint a SIMOX (2.2.6) foglalkozunk részletesebben.
287
Történeti áttekintés
Az ionok fékeződésének tanulmányozása lényegében a radioaktivitás

felfedezésével egyidőben kezdődött (Curie [1900]). A két ponttöltés
szóródásának elméletét - pl. a szimbolika szempontjából mind a mai napig
meghatározóan Thomson [1903] munkája tartalmazza. Ezt követően, Geiger
és Marsden [1909] kísérlete az -sugarak fóliákon való áthaladásának
tanulmányozására elvezetett annak a felismeréséhez is, hogy a
részecskéknek mintegy 0.01%-a visszafelé szóródik. Ezt követték
Rutherford [1911] elméleti eredményei, aki nemcsak kvantifikálta az -
részecskék eltérülését, hanem a visszaszóródásból elsőként vont le
anyagvizsgálat-jellegű következtetést: az alumínium atommagjának kb. 22,
a platináénak kb. 138 töltéssel kell a számításai szerint rendelkeznie. Ebből
fejlődött ki a mai Rutherford visszaszórásnak ("Rutherford Backscattering",
RBS) nevezett anyagvizsgálati módszer, amely az ionimplantáció egyik
oldalágává vált.
Röviddel ezután publikálta Niels Bohr [1913, 1915] alapvető
dolgozatait az ionok anyagban való fékeződéséről - erre a 2.2.1. fejezetben
visszatérünk. Két "nagy" korszaka volt ezt követően az ionfékeződés és a
rácshiba-képződés leírásának. Az egyik a harmincas években, Bethe [1930,
1932], valamint Bloch [1933] alapvető eredményeinek publikálása idején,
majd az ötvenes évektől kezdődően - amikoris az ionimplantáció stratégiai
fontossága kiderült és újból a dán iskola vette át a vezetést - Lindhard
[1953, 54, 63] közreműködésével. A rácshibák leírásával viszont az orosz
Firsov [1957] révén nyerte el az elmélet lényegében a ma is használt alakját.
Nem csak az elmélet fejlődött ezen időszak alatt, hanem a tranzisztor
egyik felfedezője, W. Shockley már gyakorlati lehetőséget látott az
eljárásban: az általa elnyert 2,787,564 sz. U.S. Patent (1954. okt. 28/1957.
ápr. 2), amelynek címe "Forming semiconductor devices by ionic
bombardment", már minden jelentős elemet tartalmaz mind a berendezés,
mind az eljárás szempontjából. Szól pl. a rácshibákat megszüntető hőkezelés
szükségességéről is.
Mindennek ellenére a "konzervativizmus" késleltette. a széleskörű
ipari alkalmazást Pl. az Intel cégnek az ún. MNOS technológiája a hetvenes
évek elején olyan jól működött, hogy hallani sem akartak új eljárásokról. A
változást talán a rendkívüli előnyöket nyujtó, ún. növekményes/kiürítéses
tranzisztorpárokból álló inverter felfedezése hozta 1974 táján, amelynél
288
egyetlen szelet szomszédos területein kellett teljesen eltérő VT

küszöbfeszültségen működő tranzisztor-párokat - eltérő helyi adalékolással -
előállítani.
A Szovjetunió nagy titoktartással foglalkozott ionimplantációval.
Mivel az első implanterei az izotópszeparatárokból átalakított berendezések
voltak, az implantációnak, mint diffúziós előadalékolásnak a szerepét látta
perspektívikusnak - szemben az Egyesült Államokkal, ahol az eljárás
precizitását tartották az eljárás fő értékének.
Mivel az ionsugár az anyagnak szinte minden tulajdonságát
befolyásolja, az alkalmazások köre rendkívül széles. Integrált áramkörökben
ilyen pl. a forrás ("source", S), ill. a nyelő ("drain", D) ellentétes, nagydózisú
adalékolása akár közvetlen implantációs adalékolással, akár poliszilícium-
nak vagy szilicidnek mint diffuziós forrásnak az adalékolásával, az S/D tar-
tományok kiterjesztése a kapuelektródig ("gate", G), a parazita, ill. a
funkcionális tranzisztorok küszöbfeszültségének növekményes, ill.
kiürítéses üzemmódjának beállítására, a bipoláris elemek emitterének (E),
bázisának (B) kialakítására, a szigetelőrétegek marási szögeinek
beállítására, az eszközöket elszigetelő árkok oldalfalainak adalékolására, a
szilicidek kialakítására vagy az alumínium szerkezetének alakítására. Az ún.
Silicon-On-Insulator (SOI), azaz dielektromos szigetelésű áramkörök ma
legelterjedtebb alapanyagánál oxigén implantációval kialakított eltemetett
SiO2 réteget találunk.
289
Mára az integrált áramkörök gyártásában az implantáció talán a

legsokoldalúbb technikává fejlődött: egy standard CMOS áramkörben 13-
féle célra alkalmazzák az ionimplantációs adalékolást (2.2. ábra).
2.2. ábra. Az ionimplantáció alkalmazásai a "standard" CMOS

(Complementary Metal Oxides Semiconductor) inverterekben
A. NMOS (n-csatornás tranzisztor) forrás/nyelő,
B. NMOS n-csatorna küszöbfeszültség,
C. NMOS forró töltéshordozók hatásának kiküszöbölése,
D. p-zseb az NMOS tranzisztor számára,
E. p-tipusú csatorna stop, zsebek közötti és zseben belüli szigetelés,
F. PMOS (p-csatornás tranzisztor) forrás/nyelő,
G. PMOS p-csatorna küszöbfeszültség,
H. PMOS átszúrás megakadályozása,
I. p-zseb az NMOS tranzisztor számára,
J. n-tipusú csatorna stop, zsebek közötti és zseben belüli szigetelés,
K. NMOS átszúrás megakadályozása,
L. PMOS forró töltéshordozók hatásának kiküszöbölése,
M. Poliszilícium kapuelektród adalékolása.
A közeljövő nagy feladatokat ró a szakmára és ugyanakkor nagy

lehetőségeket rejt, de a fizikai határok elérése miatt egy-két terület
elvesztésével is járhat. A "The National Technology Roadmap for
290
Semiconductors" (Semiconductor Industry Association, San Jose CA, 1994)

2010-re a 64 Gbites DRAM eszköz megjelenését vetíti előre, amely 70 nm-
es vonalszélességű technológiára épül és ahol a MOS tranzisztorok vezérlő
dielektrikumának ("gate") megkívánt vastagsága (2  0,2) nm - amit a
szilícium rácsállandójának  0,5 nm-es értékével kell összevetni. Azaz a
Si/SiO2 határfelületen legfeljebb egyatomos lépcsők lehetnek. Ennek a pár
atomnyi rétegvastagságnak kell elviselnie mintegy 107 V/m térerősségű
elektromos terhelést. Kimutatható, hogy ezen lépcsők megengedhető felületi
koncentrációja kisebb, mint 1013 m-2. A mintegy 10 nm mély forrás/nyelő
(S/D) pn-átmenet implantációs előállítása nagy és alig-alig megoldható
feladatot jelent az implantációs technika számára. A 2.3. ábra mutatja be azt
a szinte hihetetlen "törvény"-t, amely szerint az egyetlen chipen
megvalósuló funkciók (tranzisztorok) száma évente kettőződik. Az ábra azt
jelzi, sugallja, hogy 2010-ig nincs szakmai ok, amely ellene szólna az
évtizedes trend folytatódásának - és mindez még a filozófiájában
"hagyományos", csak megoldásaiban újszerű és rendkívüli precizitást,
szakmai alapokat tisztázó szilícium-alapú integrált ártamköri technológiával
áll elő.
291
2.3. ábra. Az egy chipen megvalósítható funkciók

hatványfüggvényszerű növekedése; SIA: Semiconductor Industries
Association prognózisa;
-P: mikroprocesszor; ASIC: Application Specific Integrated Circuit
292
2.2. Alapfogalmak, alapjelenségek
Az irodalomban nem teljesen egyértelműek a használt definíciók,

ezért itt rögzítjük azokat és az angol megfelelőiket, továbbá több,
felhasznált jelölést, rövidítést.
Ion: töltéssel rendelkező atom, molekula, atomfürt. Ha meghatározott
töltésállapotban van, felső indexszel jelöljük, ha ez nem lényeges, vagy
nem ismert "ion"-t írunk.
Ionnyaláb (ion beam). Gyorsított és valamilyen ionoptikával formált
ionnyaláb, tartalmazhat neutrálizálódott ionokat, azaz gyorsított
atomokat is.
Áram (current) , itt szokásos egysége a A, megfelel 61012 ion/s-nak.
Áramsűrűség (flux, current density), egységnyi felületre érkező ionáram,
A/cm2 .
Dózis (fluence), az egységnyi felületre érkezett ionok száma, ion/cm2 .
Ionenergia (ion energy), elektronvolt és többszörösei (keV, MeV).
Esetenként atomi tömegegységre vonatkoztatjuk, ekkor MeV/amu
(atomic mass unit) az egysége.
Az implantáció hőmérséklete: Ti, a hőkezelésé Th, az éppen kérdéses
anyag olvadáspontja Tm, a szobahőmérséklet Tsz, a folyékony nitrogéné
TLN.
2D, 3D: a két-, ill. háromdimenzió(s) rövidítése.
2.2.1. Az ionok behatolása, fékeződése1
Az ionok behatolása és fékeződési folyamatai kettős értelemben is

statisztikus jellegűek: előszöris az ionok becsapódása véletlenszerű,
másrészt a fékeződési folyamatot független ütközések sorozataként
tekintjük. Már a XX. század elején megszülettek azok az elméletek,
amelyek ugyan változtatásokkal, de mindmáig alkalmazhatók a
folyamatok általános jellemzésére. Bohr 1940 kidolgozott egy "effektív
1
Részben követjük J.F: Ziegler: "Ion implantation Physics" fejezetét [Handbook of
Ion Implantation Technology, Ed. J.F. Ziegler (North-Holland, Amsterdam, 1992)] p.
1.
293
töltés" (Z*) leírást, amelynek alapfeltevése, hogy a v sebességgel mozgó

ion minden olyan elektronját elveszti, amelyek v-nél kisebb sebességgel
mozognak:
2.4. ábra. A szórás geometriája laboratóriumi és tömegközépponti

koordináta-rendszerben. Az ion tömege és sebssége ütközás előtt M1 és v0
, utána v1. Az atomé M2 és meglökés utáni sebssége v2 . A P az impakt
faktor. vc sebesség a tömegközépponti rendszerben. A szögeket
értelemszerűen jelöltük.
294
Z1*  Z11/ 3 v / v 0 , 2.2.1.

ahol az "1" index az ionra vonatkozik és v0 a Bohr-sebesség (2,21010
m/s). Ez az effektív töltés szerepel a fékezésben (l. 2.2.27 egyenlet).
Ugyancsak ekkor definiálta Bohr az a12 árnyékolási távolságot, amely
jellemzi két semleges atom kölcsönhatását:
 
1/ 2
a 12  a 0 / Z12/ 3  Z 22/ 3 , 2.2.2
ahol a "2" index a tárgyatomot jelzi és a0 a Bohr sugár (0,0529 nm).

Bohr 1948 a Thomas-Fermi potenciált használta az árnyékolt
Coulomb potenciál becslésére:
Z1 Z 2
V r   exp  r / a 12  , 2.2.3
r
ahol Z1 és Z2 a rendszám, r a magok távolsága és a12 az árnyékolási
paraméter. Firsov 1958 numerikus számításokkal mutatta meg, hogy a
2.2.2 árnyékolási paraméter adja a legjobb közelítést az atom statisztikus
elméletének keretei között.
A nagy lépés a fékezés és a behatolás egységes leírására 1963 után
következett be Lindhard, Scharff és Schiøtt munkái nyomán (LSS
elmélet) 1963. Az elmélet a Thomas-Fermi atomra vonatkozik, ezért
főleg a nagyobb rendszámokra és közepes energiákra pontos. Ekkor
kettes faktoron belül helyesen írja le az energiaveszteség kísérleti
értékeit.
Klasszikus kétrészecske szórás. Felírjuk a mozgó ionra ("ion") és
a tárgyatomra ("atom") a rugalmas szórásban az energiamegmaradás,
valamint az impulzusmegmaradás egyenleteit a 2.4. ábra szerinti
geometriában. Az ábrán M1, M2 a tömegeket jelöli, P az impakt
(ütközési) faktor. A szóródás után az ion v 1 sebességgel,  irányban
folytatja az útját, míg az atom v2 sebességgel,  irányba lökődik:
1 1 1
E0  M 1 v 20  M 1 v 12  M 2 v 22 , 2.2.4
2 2 2
ebből két komponens, a
longitudinális M 1 v 0  M 1 v 1 cos   M 2 v 2 cos , 2.2.5
és a transzverzális 0  M 1 v 1 sin   M 2 v 2 sin  2.2.6
számítható. Ez az egyenlet több változóra is megoldható. Pl. a 
kiküszöbölésével
295
2
 v1   v1  M1 M  M1
    cos   2 0 2.2.7
 v2   v 0  M1  M 2 M 2  M1
adódik.
Az összefüggések transzformálhatók a tömegközépponti
rendszerbe, amikoris a kétrészecske mozgás egyetlen részecskének egy
központi potenciáltérben való mozgására redukálódik. Válasszuk a
rendszer vc sebességét úgy, hogy ebben a rendszerben az impulzus
eltűnjék:
M 1 v 0   M 1  M 2 v c . 2.2.8
Bevezetve az Mc redukált tömeget,
M c  M1 M 2 M1  M 2  2.2.9
adódik, ahol a vc rendszersebesség állandó és nem függ a szögektől:
vc  v0Mc / M2 . 2.2.10
Ezekkel az ütközéskor fellépő Tr energiaátadás:
2
1 M  2 v M cos   2
Tr  M 2 v 22  2  0 c   v 0 M c cos  2 .
2 2  M2  M2
2.2.11
Felhasználva, hogy a tömegközépponti rendszerben definiált  szórási
szögre 2 =  - , az energiaátadás pl. a következő alakba írható:
4E 0 M 1 M 2 
Tr  sin 2 . 2.2.12
M 1  M 2  2
2
Frontális ütközésnél  = , ekkor a transzfer maximális (Tr,max).

Atomközi potenciálok. Különféle potenciál-közelítések
használatosak. A Thomas-Fermi atom Sommerfeld-féle 1932 közelítése
a legelterjedtebb. Emellett a Lenz-Jensen [1932], valamint a Moliére-
potenciál [1947] alkalmazása közkeletű. Valamennyi V(r) potenciálra
igaz, hogy egy 1/r-es távolságfüggő Coulomb tagot, továbbá egy
árnyékoló faktort tartalmaz:
 V r 
 , 2.2.13
Ze r 
 )
ahol  az árnyékolási függvény, e az elektron töltése. A 
kiszámításának legkezelhetőbb módszerét Gombás 1949 ajánlotta és
296
újabban Ziegler et al. 1984számított ki annak alapján egy "univerzális"

árnyékoló potenciált,

 U  0,1818e 3,2 x  0,5099e 0,9423x  0,2802e 0,4028x  0,2817e 0,2016x , ahol
2.2.14
x  r aU , aU  0,8854a12  0,8854a 0 / Z 12 / 3  Z 22 / 3 .
Energiaátadás az ion és az atom között. 2.2.12 alakja a

tömegközépponti rendszerben:
4E c M c 
Tr  sin 2 . 2.2.15
M2 2
Univerzális nukleáris fékeződés. A teljes fékeződés két részből
összetettnek tekintjük: az atom elektronfelhőjének (elektronfékeződés),
illetve az atommagoknak (nukleáris fékeződés) átadott energia. A
nukleáris fékeződés függetlenül tárgyalható, mert az ionsebességek miatt
a folyamat során az atom "lecsatolódik" a rácsról, tehát tárgyalható két
szabad (bár árnyékolt töltéssel rendelkező) részecske rugalmas kinetikai
szórásaként. Ez a közelítés nem veszi figyelembe az esetleges korrelációt
a "kemény" nukleáris ütközések és az elektronfelhővel való rugalmatlan
kölcsönhatás között. Ezt a korrelációt a szilárd testben kicsinynek
vesszük a kollektív hatások feltehető átlagoló hatása miatt. A korreláció
azonban nem elhanyagolható, ha egyedi atomok ütközéseit, vagy
ionoknak vékony rétegekben létrejövő ütközéseit tárgyaljuk.
A fékeződés jellemzője tehát az egységnyi úton leadott energia
dE/dR (másutt dE/dx). Ennek az Sn(E) fékezési keresztmetszettel való
kapcsolatát az anyag N atomi sűrűsége teremti meg: dE/dR = NS n(E).
Maga az Sn(E) átlagos átadott energia a P impaktparaméter valamennyi
értékére való összegzéssel számítható ki:
 p max

S n  E   T E, p2 PdP  2 E 0  sin 2 PdP , 2.2.16
0 0 2
ahol   4 M 1 M 2 /  M 1  M 2  , a tömegközépponti rendszerben a

2
transzformációs egység. Ezzel az LSS elmélet "redukált energiáját"
  a U M 2 E 0 / Z1Z2 e 2  M1  M 2  2.2.17
bevezetve, a nukleáris fékeződés értéke:


S n    S n  E . 2.2.18
 a 2U  E 0
297
Gyakorlati alkalmazások számára ezen univerzális fékeződés a

következő konkrét alakba írható:
8,462  10  15 Z 1 Z 2 M 1S n 
S n E 0   eV / (atom / cm 2 ) . 2.2.19
M 1  M 2  Z 0 , 23
1 Z 0 , 23
2 
Az  redukált energia numerikus alakjában a következő
32,53M 2 E 0
 . 2.2.20

Z 1 Z 2  M 1  M 2  Z 10,23  Z 02,23 
Mindezekkel a redukált nukleáris fékeződés a következőképpen
számítható:
ln1  11383
, 
  30 S n   

2   0,01321 0,21226  0,19593 0,5 
ln  
  30 S n    .
2
2.2.21a-b
Elektronos fékeződés és hatáskeresztmetszet. Bohr [1913] az

atomok kötött elektronjait harmonikus potenciáltérben mozgó töltésként
kezelte, amelyeknek a frekvenciája optikai abszorpciós adatokból
származtatható. Kimutatta, hogy az energiaveszteségben egy levágásos
határ jön létre, ha feltette, hogy a P/v ütközési időtartamot az elektron
"keringési" idejénél, azaz 1/-nél kisebbnek veszi. A  egyébként a
harmonikus oszcillátor frekvenciája. A levágás azt jelenti, hogy hosszabb
kölcsönhatásokat feltételezve az ion egyáltalán nem ad át energiát az
elektronfelhőnek. A ma használt elméletet Bethe-Bloch [1930, 33]
elméletként ismerjük. Ez az elmélet kvantummechanikai úton, első Born
közelítésben oldotta meg a töltött részecske-atom energiaátadást. A
céltárgy atomos jellegét az elektronfelhőnek egy átlagos gerjesztésével
veszik figyelembe. Bohr "távoli kölcsönhatás" elmélete akkor lesz
azonos a "közeli kölcsönhatás" Bethe- elméletével, ha az átlagos
energiaveszteséget valamennyi elektronátmenetre átlagoljuk. Bloch
szintetizálta a két elméletet olymódon, hogy az "kemény" ütközések
esetén a Bohr-közelítésre redukálódik, gyenge kölcsönhatásokra pedig
közelítőleg megegyezik Bethe megoldásával. Mindez akkor igaz, ha az
ionsebesség sokkal nagyobb, mint az elektron "pályasebessége".
298
(Vannak közelítések a belső héjak energikus elektronjainak

figyelembevételére is.) Az ionimplantáció tárgyalásakor - kivéve
egyetlen fejezetet - az ionenergiák kisebbek 10 MeV/amu-nál, amikoris
nincs szükség relativisztikus korrekciókra.
Ma annyiban egzaktabb a tárgyalás, hogy a céltárgy elektronjait
plazmának fogjuk fel és az energiaveszteség is kollektív folyamatokban,
úm. a dinamikus polarizációban zajlik és a plazmonoknak átadott
energiában valósul meg (Fermi [1940], Fermi és Teller [1947]). Ebben a
közelítésben a tipikus energiaveszteség
dE
 v1/ 3 , 2.2.22
dx
ahol  az elektronsűrűség. (Felhívjuk a figyelmet arra, hogy az elektron-,
ill. nukleáris fékeződés eredeti irodalmi tárgyalásaiban az ionsebességet
eltérően definiálják.)
Lindhard [1954] tárgyalása vezetett explicit leíráshoz, amely az
ionimplantáció során fellépő ion-elektronfelhő kölcsönhatás tárgyalására
a legalkalmasabb. A feltételezések itt: 1) az elektronfelhő 0 K
hőmérsékletű (síkhullám) és egy egyenletes pozitív töltésfelhőben foglal
helyet, amelyre igaz a töltéssemlegesség, 2) az elektronfelhő kezdetben
konstans sűrűségű, 3) az ion hatása az elektronfelhő perturbációjaként
jelentkezik, 4) a közelítés nemrelativisztikus. Ekkor az elektronos
fékeződés a következőképpen közelíthető:
S e   I v,Z12 dV , 2.2.23
ahol Se az elektronfékeződés keresztmetszete, I(v,) egy egységtöltésre

vonatkoztatott fékeződési kölcsönhatási függvény, az egységtöltés
sebessége v, Z1 az ion töltése és az integrálást a teljes térfogatra kell
kiterjeszteni. A pozitív háttértöltést Z 2   dV felhasználásával
normáljuk. Mindezekkel Lindhard a következő kölcsönhatási függvényt
vezette le:
  kv
4e 4 i dk  1 
I  2  d  l  1 , 2.2.24
 0 0 k kv   k ,   
2
mv
ahol az l "longitudiális" dielektromos állandót egy bonyolult

összefüggés adja:
299
 l k ,   
2m 202 f E n 
 1
2k 2

n N
 ,
 2   2m 
1
 2   2m  
1
  k  k k n    i   k  2k k n    i  
      
2.2..25
ahol m az elektron tömege, 0 a plazmafrekvencia,  az átadott energia
r
és  2  4 e 2  / m , En az elektron energiája, k n a hullámszáma az n-edik
állapotban, f(En) az eloszlásfüggvény (a hullámszám páros függvénye) és
 egy (kis) csillapítási faktor. A 2.2.25 formulát rendszerint polinomiális
közelítésben használják (Iafrate és Ziegler [1979]).
2.5. ábra. Fékeződési erő az elektronsűrűség függvényében három

ionenergiára. az abszcisszán a v F Fermi-sebességeket is bejelöltük, ez
összeesik azzal a ponttal, ahol a folyamat adiabatikussá alakul és az
atom nem vesz át energiát.
A 2.5. ábra szemlélteti az I-függvény futását. Az alacsony

elektronkoncentrációjú részben a lineáris rész felel meg annak a
tartománynak, ahol az ion sokkalta gyorsabban mozog, mint az
300
2.6. ábra. Töltéssűrűség mint az atomi sugár függvénye 29Cu atomra.

Thomas-Fermi atom esetén - amelynek nincs héjszerkezete, emiatt
analitikusan kezelhető -, ill. Hartree-Fock atomra, amely viszont
pontosabb numerikus élertékeket szolgáltat.
elektronok átlagos sebessége. A lehajlás ott kezdődik, ahol az

ionsebesség a szabad elektrongáz vF Fermi-sebességével egyezik meg:
 h
 
1/ 3
v F    3 2  . 2.2.1.26
 m
Pl. a 100 keV/amu ion sebessége 6x10 10 m/s (az ábrán a folytonos
vonal), a 1030/m3 elektronsűrűséghez vF = 3,5x1010 m/s tartozik - itt
konyul le a görbe. Nagy elektronsűrűségeknél az elektronfelhő
adiabatikusan reagál a nagyobb sebessége miatt, ezért a kölcsönhatás
gyengül. A kölcsönhatás erősségének maximuma minden
elektronsűrűségnél más és más és egybeesik az ahhoz tartozó v F-fel.
A fékeződési elmélet lokális sűrűség közelítése. Foglalkozzunk
először a legkönnyebb ionnal. Ezen közelítésben úgy számoljuk ki a
proton energiaveszteségét, hogy feltételezzük, minden térfogatelem
önálló elektronplazma és a fékeződési erő ezeknek az eloszlásával
súlyozott átlaga, azaz 2.2.1.23 alapján
301
 
S e   I v,  Z1*  v dV ,
2
2.2.27
ahol a * azt jelenti, hogy a proton nincs feltétlenül teljesen megfosztva az

elektronjától. A számítások közelítőleg leírják a He esetét is.
A 2.6-7 ábrák a réz példáján mutatja be az atom sugarát különböző
közelítésekben, másrészt a 2.2.24-25 egyenletek integranduszait
grafikusan (szaggatott vonal). Az ábrán az ion sebesssége mintegy
hússzorosa a Bohr sebsségnek, ezért sokkal gyorsabban mozog, mint az
elektronok, tehát a kölcsönhatás viszonylag független az elektronok
sebességétől (a 2.5. ábra menedékes részére esik).
Elektronikus fékeződési erő nehéz ionok esetében. A leírást
három sebesség-tartományra adjuk meg:
a) kis sebességű ionok, azaz v1 < vF, ahol kiderül, hogy az
energiaveszteség arányos a az ionok sebsségével,
b) nagysebességű ionok, ahol v1 > 3vF, ahol a protonokra érvényes
fékeződés skálázható a nehéz ionra, végül
egy bonyolultabb elmélettel áthidalható a két tartomány, azaz ahol vF <
v1 < 3vF.
2.7. ábra. A 29Cu atom fékeződési erő értékei az atomsugár

függvényében (a 2.2.24-25 egyenletek integranduszai). A pontozott
vonal a  töltés-sűrűség, a szaggatott vonal az I kölcsönhatási súly egy
nagyenergiájú 104 keV/amu részecskére (a belső héj elektronjaira kis
értéket vesz fel). A fékeződési erő integrandusza, I p a folytonos vonal (l.
a 2.2.27 egyenletet).
302
Mivel szilárd testekben vF  vB (Bohr sebesség), a három

tartomány közötti válaszvonalat a 25 keV/amu és a 200 keV/amu
energiák jelentik.
Kis energiák esetén az elektronok sokkalta gyorsabban
mozognak, mint az ion, ezért az ütközések adiabatikusak és nem járnak
energiaveszteséggel. Erre az esetre dolgozott ki Firsov [1958] egy
kváziklasszikus modellt. Ebben a két ion torzítatlan elektronhéjai
összemerülnek és a gerjesztési energia egyenletesen oszlik el az
elektronok között. Az elektronikus fékeződés végülis az atom
ionizációjára fordítódik. A sebességgel arányos fékeződés eléggé jól
teljesül fémekre, de a fontos kovalens kristályokban (Si, Ge) jelentős az
eltérés ettől. Szilíciumra és Z  19-ig a keskeny tiltott sávú anyagokra
sikerült kísérleti formulát találni, amikoris az arányosság a
következőképpen alakul:
S e  v 0,7 . 2.2.28
Nagysebességű ionoknál skálázással lehet továbblépni:
S H v1 Z2  S ni  v 1 Z 2 
 , 2.2.29
S H v 2 Z2  S ni  v 2 Z 2 
ahol az SH egységnyi iontöltésre vonatkozó protonfékeződés, a "ni"
index "nehéz ion"-t jelöl. A kifejezés tovább egyszerűsíthető a  effektív
relatív töltés bevezetésével:
 
2
S ni  S H Z*ni  S H Z 2ni  , 2.2.30
ahol Zni a nehéz ion atomszáma. A  becsülhető a Thomas-Fermi

elméletből abban a tartományban, ahol a Thomas-Fermi atomok és a
Hartree-Fock atomok közelítőleg azonos módon viselkednak, azaz 0,3 
  0,8 esetre.
A skálafaktorok a Thomas-Fermi által definiált Z magtöltésre a
következők:
töltéssűrűség,   Z2,
a teljes elektronrendszer kötési energiája, Ek  Z7/3,
egy elektronra vonatkoztatott kötési energia, ek  Z4/3,
elektron-sebesség, v  Z2/3.
303
Az eredeti Bohr-feltevés szerint, azaz minden olyan elektron

távozik az atomról, amelyek klasszikus sebessége kisebb v-nél, a
következő explicit formulához vezet (Northcliffe [1960]):
 2  1  exp v 1 / v 0 Z12/ 3  . 2.2.31
Közepes energiák esetét Brandt és Kitagawa [1982] számításainak

rövid elemzésével tárgyaljuk. Ekkor az ionizáció feltétele nem v 1-nek v0-
hoz való viszonyításából, hanem v 1 és a közeg elektronjainak sebesség-
arányától függ, amely a kisebb v1-ek esetén jelent eltérést. A kisebb
sebességekre, azaz 1  v1/v0  5-nél, v1  vF és a belső elektronok már
nem tudnak gerjesztődni és a fékeződés a vezetési elektronokon
következik be. A Brandt -Kitagawa model szerint

  q  C1  q  ln 1  2v F / a 0 v 0 
2
, 2.2.32
304
ahol q = 1 - N/Z1 részleges ionizáció (N a még kötött elektronok száma a

Z1 atomon),  egy árnyékoló faktor, mely összekapcsolja az ion
2.8. ábra. Az ionok ionizációs hányada mint a v r "effektív" ionsebesség

függvénye. Kísérlet és Northcliffe becslés (2.2.33. egyenlet). A v r
bevezetése pontosítja a Thomas-Fermi ionvesztés kritériumot a Brandt-
Kitigawa közelítéssel (az elektron leszakadásának küszöbét az ion és a
szilárd test kollektív elektronjainak relatív sebességére vonatkoztatja.
töltésállapotát a sebességével, C egy az anyagtól alig függő állandó,

1
amelynek értéke - kísérleti adatok elemzésével - közelítőleg  v 0 / v F  .
2
2
Bevezetve az ionnak az elektronokhoz viszonyított v r relatív
sebességének fogalmát
v v / v  1  v1 / ve  1
3 3
 
( vr  v1  ve  e 1 e ),
6 v1 / ve
305
továbbá 2.2.31 figyelembe vételével, a Brandt és Kitigawa számítások

nehéz ionok ionizációjára a következő közelítő formulához vezetnek (az
illeszkedés minőségét a 2.8. ábra mutatja):
  0,92 v r 
q  1  exp  . 2.2.1.33
 v 0 Z12/ 3 
Megszokott, hogy első közelítésben a két fékeződési
2.9. ábra. Az (dE/dx)n és (dE/dx)e futása, sematikusan. E' és E'' két

karakterisz-tikus energia: E1 az (dE/dx)n maximuma, E2 az az energia,
ahol - a fékeződés során - az (dE/dx)n veszi át a fő szerepet. E' és E''
értékeit - néhány fontos anyagpárra - a 2.2.1.1. Táblázat tartalmazza
(Mayer és Lau [1990] nyomán)
mechanizmust függetlennek tekintsük. Bevezetve az S tot teljes

fékeződési erőt, ezzel
S tot  S n  S e . 2.2.1.34
A fejezet végén összefoglaljuk és egy közös ábrán (2.9) világítjuk meg a
kétféle fékeződés jellegét. Az egyes ionok fékeződésük során
egyidejűleg végigfutják - valamilyen induló energiától kezdődően -
mindkét görbét. Minden pillanatnyi ionenergián egyszerrre van jelen
306
mindkét fékeződési mechanizmus. Szerepük azonban pillanatról

pillanatra változik.
2.10. ábra. Az (dE/dx)n és (dE/dx)e futása arzén, foszfor és bór ionokra.

(Mayer és Lau [1990] nyomán)
A 2.9 ábrán feltüntettük azokat a karakterisztikus energiákat, E'' és

E', amelyek az (dE/dx)e = (dE/dx)n-hez, ill. ahhoz az energiához
tartoznak, ahol (dE/dx)n maximális.
307
A 2.2.1. Táblázatban adjuk meg ezen energia-értékeket néhány

fontos anyagpárra.
Ion \ E' E'' E' E''

Energia (Si) (Si) (GaAs) (GaAs)
(keV)
B 3 17 7 13
P 17 140 29 140
As 73 800 103 800
Sb 180 2000 230 2000
Bi 530 6000 600 6000
Mivel jó közelítéssel igaz az, hogy ha az elektronos fékeződés -

rugalmatlan lévén - főleg pl. röntgen-emissziót és legfeljebb ponthibákat
okoz, és a rugalmas folyamatokat okozó nukleáris fékeződés felelős az
atomok tényleges kimozdításáért, a görbékből kvalitatív következtetés is
levonható a rácshibák eloszlásának jellegére. Eszerint, ahol az ion
energiája E > E'', ott döntően ponthibákat találunk, ahogy csökken E <
E'' ( de E > E') érték alá, ott egyre nő a komplexebb rácshibák száma. A
hibakoncentráció maximuma E = E'-nél található, azaz ott, ahol az
ionnak még van némi energiája, hogy beljebb hatoljon. Emiatt a
hibaeloszlás maximuma közelebb található a felülethez, mint az
implantált atomok eloszlása.
A magfékezés során zajló hibakeltés diszkrét energiaátadason
alapul, jó közelítéssel tekinthető úgy, mint két-részecske ütközések
sorozatából felépülő folyamat, amelynek során az ion, vagy a helyéről
kilökött céltárgy atom ”biliárdgolyószerűen” (rugalmasan) ütközik az
álló céltárgy atomokkal. Ezzel szemben, úgy tekintjük, hogy az
elektronfékezés során (rugalmatlan ütközések) az ion ”folyamatosan”
adja le energiáját a céltárgy elektronjainak. Az egy elektronra jutó
energia nem csak arra elég, hogy kiemelje az elektront a mag
potenciálgödréből (ionizáció), hanem jelentős mértékű mozgási energiát
is biztosít az elektronnak. A nagyenergiájú elektronok rövid idő alatt,
10-16 s, elhagyják a gyors részecske pályájának közvetlen környezetét.
Attól függően, hogy az elektronfékezés értéke meghaladja, vagy sem a
küszöbértéket, képződik, vagy nem képződik maradandó roncsolódás,
ún. nyom (track) a gyors részecske pályája körül. A (dE/dx) e értéktől
308
függ az is, hogy milyen lesz a nyom szerkezete, folyamatos, vagy

szaggatott (Meftah [1993]). A nyom kialakulásának folyamatára két
modellt dolgoztak ki: az elektron-termikus spike (Chadderton [1969])
modellt, és a Coulomb robbanás (Fleischer [1965]) modellt.
Az elektron-termikus spike modell abból a feltevésből indul ki,
hogy az ionizáció során keltett gyors elektronok energiája
rácsrezgésekké alakul, ennek következtében, a nyomot keltő részecske
pályájának néhány nm-es környezetében a hőmérséklet akar
többszörösen is meghaladhatja a céltárgy olvadáspontját. A gyors
hőmérsékletnövekedést, gyors lehülés követi, ami az "olvadt" állapot
befagyásához, ún. kvencseléshez vezet.
A coulomb robbanás modell azon a feltevésen alapul, hogy a gyors
elektronok távozása nyomán, pozitív magokat tartalmazó henger marad
vissza a nyomot keltő részecske pályája körül. A fellépő elektrosztatikus
taszítás arra kényszeríti a magokat, hogy egyszerre (kollektív módon)
kimozduljanak helyükről. A folyamat kollektív voltából következik,
hogy az amorf szerkezet kialakulása akkor is bekövetkezhet, ha a magok
között páronként felhalmozódó elektrosztatikus helyzeti energia nem éri
el a hibakeltési küszöböt.
Mindkét folyamat azt eredményezi, hogy a gyors részecske pályája
körül egy amorfizálódott henger alakul ki.
1., 2. Példa
1. Számolja ki 1) milyen távol vannak az "aktív" kaszkádok különféle
ionáramsűrűségek esetén, 2) milyen ionáramsűrűségeknél kell pl. a felület
megolvadásával számolni.
2. Számítsa ki a direkt ütközéskor átadott energiát Si-ba becsapódó 100
keV-es bór, foszfor és arzén ionokra!
Megoldás. A tömegközépponti rendszerben számítsuk ki az

ionok sebességét. Pl. M1 = 11 és M2 = 28-ra v1 = 0,72v0 és v2 =
0,28v0. Ezzel számítható az ionok energiája a tömegközépponti
rendszerben (52, ill.20 keV). Tmax ezután 81 keV, é.i.t.
309
2.2.2. A porlódás jelensége
Az ionimplantáció csak speciális esete az ún. ionsugaras

felületmódosításoknak, hiszen az ionbesugárzás jelentős egyéb
morfológiai változásokat is okoz. Mint említettük, a porlódás az
implantációnak mindig velejárója, hiszen a kaszkádban részvevő ionok
impulzusa néhány ütközés után kiátlagolódik és jelentős azon atomoknak
a száma, amelyeknél a felület normálisával azonos irányú impulzus-
összetevő is kialakul. Ha ezen atomok a felülethez elegendően közel
vannak és elegendő normális-irányú energiával is rendelkeznek, fellép a
porlódás (sputtering) jelensége.
A porlódási folyamat időskálája lényegében azonos azzal, amit a
Bevezetésben az implantációról elmondottunk. Itt, Kelly [1984] nyomán,
az egyedi folyamatok időbeli futása során változó porlódási
mechanizmusokat foglaljuk össze.
A prompt ütközéses folyamatok során (10-15 t  10-14 s) már
hagyják el atomok a felületet, ezt követik a lassú ütközéses folyamatok
(10-14 t  10-13 s), amelyekre az jellemző, hogy a porlasztott monomér
atomok maximális energiaeloszlása csak E0-2-szerint csökken. A prompt
termikus folyamatok 10-13 - 10-12  t  10-11 - 10-10 s között zajlanak. A
hatásfokot ekkor az egyensúlyi gőznyomás, p határozza meg:
  p2mkT
 1/ 2
2 zdzdt , 2.2.35
ahol m az elektron tömege, k a Boltzmann állandó, T az abszolút

hőmérséklet. A lassú termikus folyamatok (pl. ionkristályokban a
fémkomponens párolgása) is lezajlanak mintegy 10 -10 s-ig.
Alkálihalidokban lép fel a folyamat végén az ún. elektronos porlasztás,
amely a rácsközi halogénionok felszínre diffundálása révén alakul ki.
Nemesgáz ionok és nagy dózisok esetén makroszkópos anyagleválások
(hámlások, hólyagok) is előfordulnak (pl. a fúziós reaktorok fal-anyagain
tapasztalhatók ilyenek).
A prompt ütközések kimutatása igen nehéz, inkább szimulációkból
adódik a létük, bár ferde beesés esetén azért kimutatható egy-egy gyors
részecske, amely a mechanizmussal azonosítható.
310
A lassú ütközéses folyamatok leírása a leginkább kvantitatív

Sigmund [1969, 1972] munkássága nyomán. Tételezzük fel, hogy az ion
-függvényszerű energiaeloszlással érkezik, amely az ütközések nyomán
kiszélesedik és a mozgó atomok egy belső fluxust eredményeznek. Ha az
E 0 , dE 0  energiatartományba eső, v 0 cos  sebességű atomok
koncentrációja H  E 1 , E 0  , ahol a vessző azt jelzi, hogy a kérdéses
mennyiség az anyag belsejében van értelmezve, a fluxus =
H  E 1 , E 0  v 0 cos  d'
 
 E 1 / E 0 2 dE 0 cos d  . 2.2.36
Itt ' a felület normálisától mért polárszög, amellyel a térszög

1
sin  d  . A 2.2.36. egyenlet a következő feltételezésekkel érvényes:
2
az ütközések száma nagy, az anyag amorf, valamint az E1>>E0' és a
szögeloszlás izotróp.
Ha feltesszük, hogy 2.2.36. független a mélységtől, E 1
helyettesíthető egy átlagos energiával, E1n(x)dx-szel, ahol n(x)dx a
2.11. ábra. Ar+-nal bombázott Si és Ge porlódási együtthatói,

Sigmund elméleti görbéi és kísérleti adatok, az ionenergia
függvényében. A görbe jellege valamennyi anyagra hasonló.
311
nukleáris folyamatokban (x,x+dx) között a kristálynak átadott energia

differenciális eloszlásfüggvénye, továbbá, hogy U a felületi kötési
energia, valamint hogy a porlódási együttható, S kaszk. integrálással
adódik:
 / 2
S kaszk .  1 /    H  E 1  n 0 , E 0 dE 0 cos  d 
2
U/cos   0 ,
 4,22 E 1  n 0 / U atom / ion
2.2.37
ahol  az iondózis, a dx-et pedig -val, az atomok távolságával
helyettesítettük. Si-ra az U = 7,81 eV, Ni-re 4,46 eV, Cu-ra 3,52 eV, Pd-
ra 3,91 eV, Ag-re 2,97 eV, Pt-ra 5,86 eV és Au-ra 3,80 eV.
2.12. ábra. A szilícium porlódási együtthatója különböző, 45 keV

energiájú ionokra Andersen és Bay [1975] után
A 2.11. ábrán argonnal porlasztott szilícium és a germánium

porlódási együtthatóinak mind a Sigmund szerinti elméleti görbéi, mind
az illeszkedő kísérleti eredmények kompilációja látható a beeső
ionenergia függvényében. További adatok találhatók a 2.12. ábrán, ahol
45 keV energiájú ionok porlasztási hatásfokát ábrázoltuk szilícium
esetére (Andersen és Bay [1975]). Jellegben hasonló az ehhez
312
2.13. ábra. Porlódási együtthatók az ionenergia függvényében,

TRIM számítások és kísérleti adatok össehasonlítása (Ed. Ziegler
[1996] nyomán)
kapcsolódó 2.13. ábra, amely a 2.2.3. fejezetben ismertetendő TRIM

program által számolt porlódási hatásfokot ábrázolja különböző ionokra
és széles energiatartományra. A számolt hatásfok görbéket
összehasonlítja az irodalmi adatokkal.
A porlódási együttható nem csak a relatív tömegektől függ (az n -
en keresztül), hanem az érkező ionoknak a felület normálisával bezárt
szögétől (a "ferde" kaszkád atomjai könnyebben érik el a felületet) ,
valamint a felület orientációjától is (az U más és más). Sematikusan a
2.14. ábra mutatja S szögfüggését.
Mindezek alapján látható, hogy a leporlódó atomok száma - nem
túl nagy energiákon - rendszeresen meghaladja a bennmaradó
313
(implantált) atomok számát. Az implantáláskor tehát a felület hátrál. Erre

a következőkben visszatérünk.
2.14. ábra. A porlódási együttható, S, függése a beeső ionoknak a

felület normálisával bezárt szögétől, sematikusan. A mintegy 80°-nál
található maximumot, $ ,követően a kaszkád egyre inkább csonkolt, /2-
nél - értelemszerűen - S=0. (Auciello és Kelly [1984] szerkesztette
könyv alapján)
A porlódás jelenségét tudatosan használják felületalakításra. Az S

szögfüggése szabja meg ui. egy tetszőleges felületi alakzat átalakulását a
pórlódás folyamán. A 2.15. ábrán pl. egy szinuszos felületi struktúra
eróziójának modellezését mutatjuk be. Az ábrán látható, hogy egy-egy
kiemelkedés rendkívül nehezen tűnik teljesen el. Korábban több
technikai alkalmazása volt a porlasztásos felületalakításnak. Ma talán a
legelterjedtebb és nélkülözhetetlen alkalmazás a transzmissziós
elektronmikroszkópos (TEM) minták végső vékonyítása jól kollimált,
keV energiájú Ar+ ionokkal. Ennek révén válik a minta "átlátszóvá" az
elektronok számára.
314
2.15. ábra. Egy szinuszos felületi struktúra eróziójának modellezése.

Látható, hogy a csúcs sokkal gyorsabban kopik, mint ahogyan egy völgy
mélyül (Auciello és Kelly [1984] szerkesztette könyv alapján)
A porlódás jelenségének másik aspektusa az ún. ütközéses

implantáció ("recoil implantation"), amikoris idegen, tehát
megkülönböztethető atomok lökődnek beljebb. Ennek leírása implicite
benne van a porlódás formuláiban. Az energia-transzfer formuláiból
(2.2.12) egy egyszerű kép is következik.
Az ütközéses implantáció főleg akkor észlelhető és a szerepe
különösen akkor jelentős, amikor nehéz ionokat (pl. As+) lőnek és - a
szilíciumszelet felületének az implanter vákuumában való
elszennyeződését megakadályozandó - egy vékony védő-oxidon ("screen
oxide") át.
Legyen (vékony, azaz -függvény alakú réteget feltételezve x = x'-
nél) d1 = d1(E1,T) az ion és a meglökésnek kitett réteg atomjainak
differenciális hatáskeresztmetszete.
Ekkor, merőleges beesésre, valamint ha a réteg atomi
koncentrációja Nütk, a következő integrális eloszlást kapjuk az anyagban
(előre-porlódás jellegű görbe, Dzioba és Kelly [1978]):
315
S ütk  N 2ütk/ 3  d 1  E 1 , Tr 2 F 2  x  x ,   atom / ion , 2.2.38
ahol  a visszalökött atom és az ion beesési iránya közötti szög. A

gyakorlatban a behatolás nem nagymértékű, de a felület közelében
jelentős a forrás-réteg koncentrációja, amely azonban gyorsan (tipikusan
nehány tíz nm-en) lecsökken.
A jelenség speciális (csak az ionok kinetikája által vezérelt) esete
az ún. ionos keverésnek ("mixing", 2.2.5. fejezet, l. ott).
2.2.3. Az atomok és defektek eloszlása
A fékeződés statisztikus jellege miatt mind a kialakuló

adalékeloszlás, mind a hibák eloszlása is az. Kezdetben az
energiaveszteség-függvények integráljait próbálták - különféle
egyszerűsítések mellett - megadni. Ezek a próbálkozások - a különféle
tömegarányokra és energiákra - különféle közelítő formulákhoz vezettek.
Mára két irányban halad az implantált atomok mélységi eloszlásának
kvantitatív leírása. Az egyik, amely a gyakorlat számára ad kezelhető
formulát, a kísérleti eloszlást egy több momentumot (általában négyet)
tartalmazó integrállal közelíti. A legelterjedtebb az ún. Pearson-IV eloszlás,
ahol a "IV"-es a négy momentumra utal. MeV és afeletti energiáknál fellépő
aszimmetrikus eloszlásokat a Pearson-VI írja le jobban. A másik út, amelyre
több gépi programot alkottak, már a valóságos (LSS) folyamatokat
modellezi. A megoldás itt is két úton haladt: a Boltzmann-egyenlet
megoldásával dolgozott az egyik, Monte-Carlo módszerrel a másik. Ez
utóbbiak terjedtek el, különösképpen sikeres a PC-kompatibilis TRIM
("Transport of Ion in Matter") program (Biersack és Haggmark [1980])2. A
számítás azzal az egyszerűsítéssel él, hogy az egyedi kaszkádokat addig
követi, számolja, míg az egyes ágakban (szubkaszkád) az ionenergia nem
csökken egy előre megadott érték alá, ill. az atom ki nem lép az anyagból.
Ezáltal jelentősen meggyorsult a futtatás. A programhoz csatlakozó
fékeződési erőre vonatkozó adatbank nemcsak az összes iont tartalmazza, de
az anyagok rendkívül széles körét is (könyvben Ziegler et al. [1984], ill. a
programba beépítve). Az "egyszerű" TRIM az anyagot amorfnak tekinti és
2
Az egyik szerzõt (Gy.J.) felhatalmazták az egyébként szabad forgalmazású program
tulajdonosai, hogy azt az érdeklõdõknek rendelkezésre bocsássa. Jelenleg a TRIM-91
van a birtokában.
316
az egyes becsapódó ionok mindig érintetlen anyagba esnek. A kialakuló

hibák és a megállapodó ionok eloszlását külön gyűjti. A kaszkádok
nyomonkövetése lehetővé teszi - az implantált atomok eloszlásának
meghatározása mellett - a vakanciák eloszlásának, valamint a porlódott, ill.
átmenő ionok számának meghatározását is. A program dinamikus változata
(dyn-TRIM) már képes figyelembe venni a besugárzás során keletkező
roncsolódást, de a kémiai hatásokat még ez sem veszi figyelembe. Ebből
következik, hogy az adalékeloszlást és a defekteloszlást jól írja le, de pl. az
implant atomok rácshelyzetéről nem ad információt. Már az 1960-as
években kezdték kidolgozni az anyag kristályos voltát és a beeső ion
kémiáját is figyelembe vevő MARLOWE proramot (legújabb alakjában:
Robinson [1983]). Elterjedségi körét - az ára mellett - az jelölte ki, hogy
nagygépet, ill. munkaállomást igényel. Több, termodinamikai jellegű
számítás is született az utolsó elektronvoltnyi energiák elvesztésekor fellépő
"kémia" leírására az ún. Miedema paraméterekkel (szilíciumra: Ódor és
Gyulai [1988]). Az óriás komputerek mellett dolgozók a molekuláris
dinamikai számításokat részesítik előnyben, amelyek már sok millió
atomból alkotott rácson számolnak egzakt premisszák alapján (pl. de la
Rubia et al. [1989]).
2.2.3.1. Az implantált atomok mélységi eloszlása
Eredményesek voltak korábban - és a szimulációs programok

kidolgozásához fontos tapasztalatot jelentettek - azok a számítások, amelyek
az eloszlás analitikus leírásával próbálkoztak (Biersack és Ziegler [1982]).
Ennél az ion mozgását egy egységgömb felületén kóborló Brown-
mozgásként fogták fel. Igy, a diffúziós egyenlet alapján, azaz
w   w 
 
  cos  
1  cos 2  
 cos  
, 2.2.39
ahol  ekvivalens a "normális" diffúzió Dt mennyiségével,  az

iránykoszinuszt adó szög az egységgömbön. Felhasználva a kétdimenziós
Einstein-összefüggést,  = Ľ 2 -t , ahol 2 a  növekményhez tartozó
átlagos négyzetes távolság a gömbön.. Ha ezen úton n darab ütközés
következik be, akkor 2.2.15-tel,
n
n n
i2 M T i
M 2 E n
4  i    2 1
 . 2.2.40
1 1 1  M 1 / M 2  M1 E M1 E
317
Itt En egyetlen ütközésben a nukleáris kölcsönhatások során

leadott energia, valamint a kis szögeltérések közelítését használtuk a
 helyettesítéssel. Látszik, hogy a szögszórás a nukleáris
energiaveszteséggel függ össze, azaz En révén a fékeződési erők
beépíthetők. Mindezzel az integrál:
E
M S n dE
 E 0 , E    2 S . 2.2.41
4M 1 E 0 tot
E
Az Rp és az s út felhasználásával 2.2.41 számítható. Ezekkel a

behatolás alapdefiníciói,
E0
dE
s   ds   S  E , 2.2.42
0 tot
E0
R p    cos   ds   exp 2 E1 , E
dE
, 2.2.43
0 S tot  E
ahol s a teljes pálya úthossza és Rp annak a felületre (belülről) merőleges
vetülete és a teljes fékeződési erő, Stot (2.2.34), jó közelítéssel számítható.
Ezen elvi részt követően az eloszlások numerikus közelítéseit
foglaljuk össze. A legtöbb program ezeket használja a kisebb időigény
(költség) miatt. A lefékeződő ionok eloszlása, első közelítésben, a felületnél
kissé csonkolt Gauss-eloszlás. Sok feladat megoldásában ez elegendő
pontosságot ad. Ekkor az eloszlást három paraméterrel, a dózissal (), az
effektív behatolási mélységgel (Rp) és a standard deviációval vagy
szórással (p) lehet leírni.
A Gauss-eloszlás(l. 1.4.1. pont) tehát
 xR   
2

f  x   exp  
p
. 2.2.44
2   p  2 p
2

 
A csúcskoncentráció mint a dózis függvénye ebből
 0,4
n max   . 2.2.45
2   p p
Főleg nagyobb energiáknál, ahol a behatolás kezdeti szakaszán

az elektronos fékeződés jelentős, a profil aszimmetrikussá válik. Ilyen
esetben szokták azt két fél-Gauss eloszlással, három momentummal leírni:
318
2  x  R M 2 
C x   exp  , ha x  R M

 p1   p 2  2  2  2
p1 
.
2  x  R M 2 
C x   exp  , ha 0  x  R M
  p1   p 2  2  2 2
p2 
2.2.46
Az RM közepes behatolást és a standard deviációkat
(szórásokat) pl. táblázatokból lehet meghatározni (l. alább, beleértve a
2.2.49, a  ferdeséget leíró egyenletet is) a következő formulák
segítségével:

R p  R M  0,8  p 2   p1  , 2.2.47
    
2
 p  0,64  p 2   p1 p1   2p1 p 2   2p 2 , 2.2.48
 
   p3  p 2   p1 0,218 2p1  0,326 p1 p 2  0,218 2p 2  .
2.2.49
(Negatív  esetén a p1 és p2 felcserélendő.)
Többrétegű tárgy esetén az egyes rétegeket a rájuk érvényes
fékeződéssel számolják, és az egyes rétegeket függetlennek tekintik,
amelyekbe az előző rétegeken már áthaladt és némileg lecsökkent energiájú
ionok csapódnak be.
A gyakorlatban ma már ritkán kerül sor arra, hogy ne álljon
rendelkezésre számítógép az eloszlások számítására. Emiatt a
komplikáltabb, de egyúttal jobb numerikus közelítések alkalmazása terjedt
el. Különösképpen igaz ez a félvezető technológiai szimulációs
programokra (pl. SUPREM, PRALL, ICECREM vagy az 1970-es években
itthon a Jávor A. által kifejlesztett LOBSTER, stb.), amelyekben az
ionimplantációt követő adalékeloszlást a már említett Pearson-IV
eloszlással írják le. Ekkor az implantált atomok eloszlását
C x   f  x , 2.2.50
alakban veszik figyelembe, ahol az egységre normált f(x)
eloszlásfüggvény és a  dózisra áll, hogy

   C xdx . 2.2.51
0
Ebből az effektív behatolási mélység, Rp ("projected range": a

véletlenszerű ionpálya normális irányú komponense),
319

R p   x  f  xdx , 2.2.52
0
a négyzetes eltérés (standard deviáció) p,


   f  xdx
2
   x  Rp
2
p , 2.2.53
0
a ferdeség, ,

  x  R p  f  xdx
3
 0
, 2.2.54
 3p
a kurtózis, ,

 x  R p 
4
 0
. 2.2.55
 4p
Ezeknek a momentumoknak a használata, amelyekkel tehát
numerikusan jól lehet közelíteni a "fizikai" eloszlásokat, azért szükséges,
mert különféle, járulékos fizikai folyamatok megváltoztatják az egyszerű
statisztikai eloszlást. Ilyen hatás pl. a 2.2.4. fejezetben tárgyalandó
csatornázódás vagy a 2.2.3.5. fejezetben a sugárzás által gerjesztett
diffúzió, amelyek az eloszlás farok-részén okozzák az ionok mélyebbre
hatolását.
Az eloszlást ekkor egy differenciálegyenlet definiálja:
df  y  y  a  f y ,
   2.2.56
dy b 0  ay  b 2 y 2
ahol
 p   3
y  x  Rp, a , b1  a , 2.2.57
A
b0 

 p 4  3 2
2
, b2 
2  3 2  6
; A 10  12  18
A A
. 2.2.58-60
Ha  nem áll táblázatosan rendelkezésre, közelíthető  = 2,8 + 2,42
formulával.
A d diszkrimináns segítségével dönthető el, melyik Pearson-
eloszlást kell használnunk:
320
d  a 2  4b 0 b 2 . 2.2.61
Ha d < 0, a Pearson-IV a jó közelítés, ha d = 0, a Pearson V, ha d > 0,
a Pearson VI alkalmazandó.
Végül megadjuk a Pearson-IV eloszlásnak a "szokásos"
implantációs profilokra érvényes alakját:
1  b / b  2b  2b y  b 
f  y   K b0  b1 y  b2 y 2 2 b2  exp  1 2 1
 A tan 2 1  .
 4b0 b2  b1  
 4b0 b2  b1
2 2
 
2.2.63
Ez a megoldás mindenütt stabil és egyetlen maximuma van x = Rp + a
-nál és simán tart 0-hoz mindkét irányban.
A 2.16. ábrán idézzük fel - történetileg az első pontos - SIMS
(Secondary Ion Mass Spectrometry) profilmérést amorf szilíciumba
különféle energiákon implantált bór esetében (Hofker et al. [1975]),
amelyen kitűnően be lehet mutatni a Pearson-IV eloszlás pontosságát és
leolvashatók annak karakterisztikus jellemzői.
2.16. ábra. Amorf szilíciumba különféle energiákkal implantált

bór kísérletileg (SIMS) mért eloszlása és annak összehasonlítása a
Gauss-, valamint a Pearson-IV eloszlással (Hofker et al. [1975]
321
2.2.3.2. Az implantált atomok laterális eloszlása
A realisztikus eloszlásokat többnyire pl. a félvezető eszközök

előállításakor, helyi maszkoló (tehát az ionok számára átlátszatlan) rétegek
alkalmazásával valósítják meg. A kialakuló profilok leírására tehát
kétdimenziós eloszlásokat kell tekintetbe venni. Ezek az ún. laterális szórás
hatását mutatják. A legelterjedtebb közelítés értelmében, egyetlen ponton
behatoló ionra, az eloszlást a vertikális (x-irányú) és laterális (y-irányú)
eloszlás szorzataként írjuk fel ( a vertikális irányú standard deviáció):
C x
n x, y 
2 

 exp  y 2 / 2   . 2.2.63
Ha a maszk falai függőlegesek és a nyílás y = -a-tól y = +a-ig terjed,

a d(x,y) kétdimenziós eloszlás integrálással nyerhető (2.17. ábra):
a
n  x   ya   y  a 
d x, y   n x, y  ydy   erfc   erfc 
a 2   2    2   
. 2.2.64
Ferde, áttetsző ("opaque") maszkok esetén olyan közelítés is
megszokott, ahol az áttetsző mmaszk(y) görbét egy ekvivalens
szilíciumréteggel mSi(y)-nal vesszük figyelembe. Ekkor

d x, y   n x  m Si  y, y  ydy . 2.2.65

Két ilyen módon számított kétdimenziós profilt mutatunk be a 2.18-

19. ábrán. Az a) ábra egy áttetsző (ferde) maszk esetén mutatja az arzén
eloszlását (50 keV, 1015 cm-2 dózis), míg a b) ábra a maszk direkt
árnyékának hatását mutatja ugyanolyan implantációra. Az ábrán látható 7°
ferdeségre a 2.2.4. fejezetben térünk vissza.
A numerikus közelítések modelljeinek ismeretében visszatérhetnénk
itt a fizikai modellekhez. A TRIM programot fogjuk részletesebben
ismertetni. Mivel azonban ez a program nem csak a behatolást és az implant
atomok eloszlását számolja, hanem a rácshibákat is, az ismertetést a
következő, 2.2.3.4. primér defektekről szóló fejezet végére halasztjuk.
322
2.17. ábra. Ekvikoncentrációs profilok egy 70 keV-es bór implant

esetén, ha egy 1 m-es nyíláson át lövik (Furukawa et al. [1972])
2.18. ábra. 2D- 2.19. ábra. 2D-ekvikoncent-

ekvikoncentrációs vonalak ferde, rációs vonalak árnyékképző maszk
áttetsző maszkoló réteg esetén 50 esetén, ugyancsak 50 keV, 1015 cm-2
keV, 1015 cm-2 arzén implantációra arzén implantációra (Giles [1986]
(Giles [1986] nyomán) nyomán)
323
2.2.3.3. Nagy dózisok hatása (a felület hátrálása,

buborékkékpződés)
A porlódás hatására a felület folyamatosan hátrál. Ezt - általánosan

- egy, a porlódásos erózió (felület-hátrálási) sebességét, ve-t tartalmazó, 
= x - vet koordinátatranszformációval, majd az eloszlás választott
közelítésének integrálásával lehet leírni:
t
C e  x, t    C x  v h t dt  . 2.2.66
0
Gauss-eloszlás esetén, néhány egyszerűsítő feltevés mellett 3

egyszerű formulához juthatunk:
N x  R p   S / N x  Rp 
C x   erf  erf  , 2.2.67
2S  2 p 2 p 
ahol N az atomkoncentráció (Si-ra 51022 cm-3). A telítődési profil (

) alakja:
N x  Rp
C x  erfc , 2.2.68
2S 2 p
a felületnél mérhető maximális Cmax koncentráció értéke
N R p N
C max  erfc  , ha R p  3 p . 2.2.69
2S 2 p 2S
3
1) S konstans, 2) nincs ütközéses implantáció, 3) az implantáció hatására létrejövõ
térfogatnövekedés elhanyagolható
324
A porlódás hatása nagydózisú implantáció esetén jelentős: első

közelítésben a leporlódó réteg d vastagsága, d = S/N. A 2.20. ábrán két
2.20. ábra. Bizmut implant GaAs-be és antimon Si-ba. A porlódás

miatt a felület hátrál és nagy dózisok esetén a nominális és a valódi
(megmaradó) dózis jelentősen eltér (Ryssel [1982] nyomán, Ryssel és
Glawischnig [1982])
példát mutatunk be a felület hátrálása miatt a nominálistól eltérő

lecsökkent ún. "megmaradó" ("dose retention") dózisról. Az eltérés egy
nagyságrendet is elérhet.
Leírtuk, hogy nagyon nagy dózisok esetén a koncentrációra
milyen határok érvényesek. A kialakuló állapot jellege azonban
alapvetően attól függ, hogy a belőtt ion kémiai-termodinamikai
tulajdonságai milyenek az alapanyaghoz viszonyítva. Ha létezik az
anyagok részvételével kémiai fázis, az nagy eséllyel ki is alakul (2.2.6.
Ionos szintézis). Ha nem következik be vegyületképződés, pl.
325
nemesgázok implantálásakor, a felület alatt felgyülemlő implantált anyag

először kiválásokat, ez esetben buborékokat hoz létre ("blistering").
Ezekben a buborékokban a gáz nagyon nagy nyomás alatt van,
olyannyira, hogy pl. a xenon "szilárd" halmazállapotba kerül, amint azt a
diffrakciós képek igazolják. A dózis további növelésével, amikor a
buborékok fala már nem képes a nyomásnak ellenállni, a buborékok
összeszakadnak, a buborékréteg feletti rész elválik a minta tömbi
részétől.
Ez különösen fontos a termonukleáris reaktorok fejlesztése
érdekében végzett anyagkutatások kapcsán, és megfelelő hőkezeléssel
kombinálva a 2.2.6 fejezetben tárgyalt smart cut eljárás alapát adja. A
reaktorok ún. első fala ui. igen intenzív  sugárzásnak van kitéve, emiatt
korróziós jelenségek lépnek fel. A valódi folyamatok jól modellezhetők
MeV-es energiájú hélium implantációval.
Az implantációs paraméterek megfelelő megválasztásával az is
elérhető, hogy az implantáció során fellépő mechanikai feszültségek
olyan instabilitásokhoz vezessen, amelyeknél a szétváló köztes
felületeken az instabilitások rendezett, periodikus (hullámos) struktúrát
alakítanak ki (Pászti et al. [1983]).
A buborékosodásnak egy rendkívül szellemes és - feltehetőleg -
fontos technikai alkalmazását nemrégiben fedezték fel. Erre ismét csak a
2.2.6. Ionos szintézis fejezetben térünk vissza.
2.2.3.4. A primér rácshibák eloszlása
A 2.2.1. fejezetben elmondottak - beleértve az ott említett kvalitatív

képet is - szinte minden információt tartalmaznak arról, hogy kiszámítható
legyen az implantáció utáni primér defektek mélységi eloszlása. Néhány
fogalom és tény azonban szükséges a kép teljességéhez.
A Tr energiaátadás alapján lehet az "al-kaszkádok" generációinak
kezdeti feltételeit számolni. Az ion egyetlen frontális ütközés esetén az
energiájának nagy részét át tudja adni az atomnak. Az ilyen frontális ütközés
ritka, és még pl.  = 135°-os ütközéseknél is Tr = 0,395E0.
Az eddigiekben nem beszéltünk arról, hogy ha a kimozdított atom
csak csekély energiát nyer, jelentõs annak a valószínûsége, hogy az ion
távoztával az atom visszaesik az eredeti helyére a kristályrácsban. Ahhoz,
hogy ez a rekombinációs esemény direkt módon ne valósulhasson meg, az
326
atomnak jelentõsen el is kell távolodnia az eredeti helyérõl. Azt az energiát,

amelynek közlése után ez bekövetkezik, kimozdítási küszöbenergiának, ED,
nevezzük, a folyamatot pedig kimozdításnak, (ezek számát a
reakcióegyenletekben D-vel jelöljük). Ez a küszöb anyagról anyagra
változik, függ pl. a kötés típusától, a különféle defektek keltéséhez
szükséges szabad energiától és nagysága mintegy egy nagyságrenddel
haladja meg a kötési energiát. Szilíciumban a 15 eV érték illeszkedik
legjobban a kísérleti eredményekhez. Egy további mátrix atom
kimozdításához az atomnak nyilván minimálisan 2ED energiával kell
rendelkeznie.
A defekteleoszlást ugyan már nem módosítja észrevehetõen, de hogy
a primér rácshiba végülis milyen típusú defektként marad fenn, az a
céltárgyba belõtt "+1" ion4 (primér kaszkád) utolsó eV-nyi energiájának
átadásakor, már "kémiai" hatásokra is érzékenyen, termodinamikai alapon
dõl el. A mellékkaszkádokban (másodlagos és magasabbrendû kaszkádok)
leálló atomokra hasonló áll. Lényegileg ugyanezt a jelenségcsoportot, csak
más geometriai, fizikai körülmények között tanulmányozzák az ún. "forró",
azaz energikus atomok kémiájának kutatásánál is.
Ha En-nel jelöljük egyetlen ion által az atomoknak nukleáris
kölcsönhatások révén leadott energiát (a 2.2.40 egyenletben szereplõ En
ennek egyetlen eleme - az ilyen típusú energialeadásokból összegzéssel áll
elõ En), akkor nyerjük a Kinchin-Pease [1955] formulát a kimozdított
atomok ND összmennyisége számára:
En
ND  . 2.2.70
2E D
A viszonylag nagy tömegû ionokra és kisebb ionenergiákra, azaz
ahol a nukleáris fékezõdés dominál, En  E0 helyettesítéssel már jó közelítõ
értéket kaphatunk.
4
lásd a 2.4.3. fejezetben az ún. tranziens megnövekedett diffúzióról (Transient Enhanced
Diffusion, TED) mondandókat.
327
A 2.21. ábrán némileg idealizáltan mutatjuk be 10 keV-es Al+ ionok

hatására cirkóniumban a rugalmas, ill. a rugalmatlan folyamatokban
kialakuló defektek eloszlását az ioneloszlással összehasonlítva.
2.21. ábra. A rugalmas, valamint a rugalmatlan folyamatok által

cirkonban létrehozott defektek differenciális mélységi eloszlása és
annak összehasonlítása az ionokéval 10 keV-es Al+ ionokkal való
besugárzás esetén (Auciello és Kelly [1984] nyomán).
A valós helyzetet jobban közelíti a módosított Kinchin-

Pease formalizmus, amely tekintetbe veszi, hogy az az energia, amelyet
az ion a gyorsítás során nyert, nem teljes egészében fordítódik
rácsatomok kilökésére (Nastasi et al. [1996]).
328
A Brice által bevezetett fogalom, a mag-mag ütközések során

leadott energia eloszlása, gyakorlatilag egybevág az elsõdleges hibák
eloszlásával (Brice [1971], 2.22. ábra).
Sn
(eV/Å)
Mélység (µm)
2.22. ábra. Mag-mag ütközések során leadott energia mélységi

eloszlásának (hibakeltésnek) a profilja Si-ban, bór implantáció esetén
(Brice [1971] nyomán)
Most már vállalkozhatunk arra, hogy a TRIM program részletesebb

ismertetésével egységben tárgyaljuk meg az ionok, vakanciák, az átjutott
ionokés kilökött atomok eloszlásának számítási elveit, valamint az
ütközéses implantációval létrejött eloszlást.
Az egyes meglökött atomok különféle ütközésekben vesznek részt.
Az egyik fajtáról, a kimozdító ütközésekrõl beszéltünk. A kimozdító
ütközés végén az anyagban egy vakancia (összes számuk V) keletkezik. Ha
a kilökés után a meglökött atomnak csak ED-nél kisebb energiaja marad, a
kimozdított atom visszaesik a helyére. Ha mind a meglökõ, mind a
meglökött atom azonos anyagi minõségû, az esemény kívülrõl egyszerû
helycserének látszik. Ezt nevezzük helycserés ütközésnek.(összes számuk
R) Ezek száma jelentõs: ilyen ütközések csökkentik le a végsõ vakancia
koncentrációt - mintegy 30%-kal.
A fellépõ defektreakciók alapegyenletei
329
A Kimozdítások (száma) = Vakanciák (száma) + helycserés

reakcik (száma), azaz
D = V + R. 2.2.71
A fenti hibákhoz csatlakozik még a rácsközi atomok (intersticiális,
összes számuk I) keletkezése is: ha a meglökött atom nem válik helycserés
atommá, csak rácsközi atomként állhat meg. Ezekre igaz, hogy a
Vakanciák (száma) = Rácsközi atomok (száma) + a távozó atomok
(száma), azaz
V = I + Tra , 2.2.72
ahol a távozó - porlasztott, ill. az anyagon átjutott (transmitted )
atomok összes számát Tra-rel jelöltük.
A TRIM program ezeket a reakciókat mind figyelembe veszi, azaz,
* ha E2  ED, D keletkezik,
* ha mind E1  ED, mind E2  ED , V keletkezik és mindkét atom
egy-egy kaszkád mozgó atomjává válik,
* a folyamat során a Z2 atom E2 energiája tovább csökken (a
csökkenést Eb-vel jelöljük); ha ezek után E2  ED, az atom nem tud tovább
menni és az energiája fononokként disszipálódik.,
* ha E1  ED és E2  ED, valamint Z1 = Z2, egy R reakció jön
létre, az E1 energia fononokként disszipálódik, az azonos atom helyben
marad (elemi anyagokban keltett nagy kaszkádoknál gyakori) .
* ha E1  ED és E2  ED és Z1  Z2, akkor Z1 álló rácsközi
atomként, I, jelentkezik,
* ha E1  ED és E2  ED, akkor is a Z1 atom I-ként jelentkezik és
az E1 + E2 fononként disszipálódik.
A program figyelemmel tudja kísérni, hogy a meglökött atomokra az
ED érték más és más. A számítások során a TRIM - a behatolás mellett -
szórást, ferdeséget és kurtózist is számít, de ezek definíciója némileg eltér az
elõzõekben megadottól.
A behatolás és az oldalirányú (y-) és radiális (r-irányú) szóródások
alakja:
R p   xi / N   x  , R y   y i / N   y  és
i i
i

R r   y 2i  z i
2 1/ 2
/ N, 2.2.73
330
ahol az xi az i-edik ion effektív behatolása a felületre merõlegesen (x-irány),

 x i az egyes ionbehatolások összege, a  x i / N = x egy ion átlagos
i i
behatolása. A variancia a második momentum. Ez, xi - Rp = xi jelöléssel,

 
 x 2i / N   x i   =   x 2i  / N  R p  
2 2
=  x2  -  x 2 ,
i i
ahol  x 2i az ionok átlagos behatolásának négyzetes eltérése az átlagos

i
közepes behatolástól. A szórás, , a variancia négyzetgyöke:

 
 
[   x 2i  / N  R p ]1/2 =  (xi)2 1/2, ill. a radiális szórás
2
 i 
2.2.74
1/ 2
 
 
 r   y 2i  z 2i / N  R 2r 
 i 
    ri   1/ 2 .
2
A program a laterális szórást analóg módon definiálja (Ed. Ziegler

[1996], p.187).
Az ionimplantáció okozta rácshibáknak van még egy nagyon fontos -
és többé-kevésbé csak tudomásul veendõ5 - kellemetlen sajátsága: a
hibáknak nem csak a koncentrációja változik a mélység függvényében,
hanem ráadásul ez a függés az egyes hibafajtákra más és más. Tehát az
egyes hibafajták relatív szerepe is függ a mélységi koordinátától.
Erre elõször Mazzone [1986] számításai hívták fel a figyelmet,
kísérletileg M. Servidori [1987] röntgen vizsgálatai mutatták ki, hogy az
ionimpulzus irányítottsága miatt a felülettõl 0,8Rp mélységig vakancia-
tipusú, onnan mintegy 2Rp mélységig rácsközi atom-tipusú hibák
dominálnak. Azaz az implantációt követõen a Frenkel-párokat alkotó
vakaciák és rácsközi atomok térben szétválnak. Ez elõre vetíti azokat a
várható gondokat, amelyek a hibamentes állapot visszaállítása útjába
állanak (2.4.3. fejezet).
Az ionimplantálás nem konzervatív jellegének tulajdoníthatóan
(azaz az implantáció végén általában I  V) a rácsközi atomok eloszlása
domináns faktor a ponthibák eloszlásában alacsony- és középenergiájú
implantálás esetén (az ionok energiája kisebb mint néhányszor 100 keV).
A vakanciákban dús tartomány kísérleti kimutatását Servidori a
5
A 2.4.3. fejezetben lesz szó az ún. Defektmérnökségrõl ("Defect engineering"),
amely egyes esetekben kiutat biztosító eszközöket is javasol.
331
hõkezelés elõtt és után végzett nagyfelbontású többkristályos

röntgendiffrakcióval végezte el. Ez a módszer, hõkezelés elõtt
kismértékû rácstágulást mutatott ki a felület közelében. A hõkezelést
követõen a rács összehúzódott. A rácsközi atom által okozott deformáció
jóval nagyobb, mint a vakanciák által okozott és ellenkezõ elõjelû is. A
kísérlet tehát azt mutatta ki, hogy a hõkezeléskor fellépõ rekombináció
eltüntette a rácsközi atomok domináló hatását, és így az átlagos
deformáció a megmaradó vakanciák hatására negatív lett.
A hõkezelés alatt zajló rekombinációt csupán az implantált ionok
által keltett rácsközi atom jellegû hibák élik túl. Ezek koncentrációja
közelítõleg megegyezik a céltárgy saját ionjaival történõ implantálásakor
keltett hibák koncentrációjával (Eaglesham et al. [1994]). Amorfizáló
dózisnál kisebb dózisok esetén a hibaeloszlás maximuma közelítõleg
megegyezik az implantált ionoknak megfelelõ vetített behatolási
mélységgel, de annál mindig kisebb.
Az implantált rétegeket - félvezetõk esetén szinte kizárólagosan -
hõkezelést követõen alkalmazzuk elsõsorban azért, hogy az állapot
metastabilitásától megszabaduljunk vagy legalábbis lecsökkentsük azt. A
hõkezelési stratégiákról a 2.4.3. fejezetben fogunk részletesen beszélni. Itt
csak arra utalunk, hogy a primér hibák ismerete kritikus. A hõkezelések ui.
arra szolgálnak, hogy defektreakciókat indítsanak el, ill. a hõmérséklet és
idõ ciklusaik, T(t) alatt ezen reakciók folyjanak. Ez - egyrészt - azt jelenti,
hogy azonos végállapot több úton is elérhetõ, ill. a különféle reakciók
súlyának befolyásolása a T(t) változtatásával más, kedvezõbb végállapothoz
vezethet.
2.2.3.5. Dinamikus hõkezelõdés
A kristályhibák keletkezésérõl és azok rekombinációjához vezetõ

energetikai feltételekrõl már szóltunk a Kinchin-Pease formula tárgyalása
kapcsán. A primér folyamatok azonban ennél sokkalta bonyolultabbak.
Soroljuk fel a legfontosabbakat, amelyek a defektek számának
csökkenéséhez vezetnek:
* az egyes atomok kinetikai energiája kisebb vagy lecsökken ED
alá és fononfolyamatok okoznak rekombinációt,
* ott keletkezik a kaszkád révén vakancia, ahol a közelben egy
korábbi kaszkádból származó rácsközi atom is van (vagy fordítva) és - az
energetikailag egyébként kedvezõ - rekombináció létrejön kettejük között; a
332
defekteknek az egymáshoz való közelkerüléséhez szükséges energia

származhatik i) az implantáció T  0 hõmérsékletébõl, ii) az elõzõ
kaszkádok lokális hõmérsékletébõl, iii) a rácshibának az új kaszkáddal való
átlapolásából, továbbá iv) kémiai affinitási kérdések, ill. fázisok keletkezési
tendenciái is szerephez juthatnak.
* a kaszkádban keletkezõ erõs részecske-fluxus létrehozza az
ún. sugárzás keltette diffúziót (RED, részletesebben lásd 2.2.5. fejezet).
Ezek a folyamatok eredményezik az ún. dinamikus hõkezelõdést
(dynamic annealing), amely a rácshibák keltésével ellenirányú folyamat. A
primér defekt-állapot e két mérkõzõ folyamat révén alakul ki. Ha az
implantáció feltételei megszabottak, azaz adott az M1/M2 tömegarány, ill. az
ionenergia, a rácshibák keltési mechanizmusát a kinetika egyértelmûen
megszabja. A dinamikus hõkezelõdés súlyát azonban már befolyásolhatjuk.
A legegyszerûbb ezt a minta hõmérsékletével szabályozni (részletesebben
majd a 2.4.3. fejezetben). A félvezetõ anyagok hõvezetési együtthatója, ,
jelentõsen eltér egymástól, de általában igaz, hogy növekvõ hõmérséklettel
egy jó nagyságrendet esik. Ez a csökkenés - lassabban ugyan, de - magasabb
hõmérsékleten tovább tart, míg végül minden félvezetõre és dielektrikumra
  10-1 W/cmK-nél konstanssá válik (fémekre ez nem igaz). A minta emelt
hõmérséklete tehát - azzal, hogy csökkenti az energia kiáramlását a
térfogatból és ezzel megnyujtja a kaszkád aktív idejét - segíti a dinamikus
hõkezelõdést. Az ionáramsûrûség növelése hasonlóan, de nem azonosan
hat. Mindennek határeseteként az ionimpulzusokkal való implantáció
(Pulsed Ion Beam) az impulzusüzemû lézerekkel való hõkezeléshez, ill.
olvasztáshoz hasonlít. Nem termikus folyamatok (pl. foton-, elektron- vagy
ionbesugárzás) is alkalmasak minderre. Ezeket szintén a 2.4.3. fejezetben, a
Defektmérnökség részletezésekor fogjuk ismertetni. Megjegyezzük, hogy a
szilícium hõvezetõképessége - lévén egy viszonylag kisméretû atomokból
álló kovalens kristály - a gyémántétól ugyan elmarad, de még mindig
nagyon jó: megközelíti a réz hõvezetõképességét.
A továbbiakban egy egyszerû termikus modellt ismertetünk (Gyulai
et al. [1995]). Definiáljunk egy félgömböt úgy, hogy az a teljes
kaszkádfolyamatot magába foglalja és képzeletben osszuk fel azt fél-
gömbhélyakra (2.23. ábra). Ekkor, a hõvezetést kvázistatikusnak tekintve
Ti 2 R 2 t Ti   Ti  TiR 2 R  R t  Ti  Ti R
2
, 2.2.75
ahol Ti , Ti, és Ti rendre a hőmérséklet, annak első és második
differenciálhányadosa az i-edik héjnál, t a megfelelő infinitezimális
időintervallum, a többi jelölés az ábra alapján érthető. Ha a hővezetési
333
együtthatót T   0 T n reciprok hatványfüggvénnyel közelítjük, a

következő differenciálegyenlet adódik:
T 2 2T 
T   n . 2.2.76
T R
Ion
(R,,)
2.23. ábra. A hõdisszipáció modellje implantációra. A félgömb magába

foglalja a teljes kaszkádot és a modell a gömbhéjon át távozó hõenergiát
becsüli (Gyulai et al. [1995])
Az olvadáspontnál, T = Tm, a következõ megoldás adódik:

T0
T , 2.2.77a
R 0 Tm  T0 
1
R Tm
ahol R a sugár az olvadt zónán kívül. Ha a hõegyensúlyt a
megszilárdulásnál vizsgáljuk az olvadásnál, a következõ megoldás
adódik:
Tm R 0
Tm  Tcrit   v osz   H , 2.2.77b
Tcrit  m
itt Tcrit egy kritikus hõmérséklet, nevezetesen az, amely elválasztja az
ionok hatására fellépõ kristályosodást az amorfizálástól (l. 2.4.4.
ionsugaras kristályosítás/amorfizáció, Ion Beam Induced Epitaxial
Crystallization/Amorphization, IBIEC/IBIA), v osz az olvadék/szilárd
front sebessége,  az anyag sûrûsége, H az olvadáshõ, m = (Tm).
A lézeres olvasztásnál állapították meg, hogy a visszaszilárdulás utáni
állapotnál a kristályos/amorf állapot határát szilicíumban a vosz  20 m/s
sebesség jelöli ki. Ez, durván, azt jelenti, hogy szilíciumban egyetlen
atomsor kristályos növekedéséhez mintegy 20 ps szükséges. Ha ez nem áll
rendelkezésre, azaz a befagyasztás ennél gyorsabb, az anyag amorf
334
állapotban dermed meg. Ezt a sebességértéket érvényesnek tartjuk a

mikrofolyamatok esetére is, tehát ettõl (is) függ az, hogy az implantációt
követõen a kaszkád térfogatában mekkora amorf mag alakul ki. (Egy igen
kicsiny térfogat mindig amorf eszerint a modell szerint, mivel az R0
csökkenésével vosz elõbb-utóbb átlépi a kritikus határt.) A visszaszilárdulás
sebessége a hõmérséklet beállításával befolyásolható akár a minta
egészében, akár csak a kaszkád tágabb környezetében (Kísérletileg, TLN
implantációnál Holland et al. [1983] 3-5 nm átmérõjû amorf tartományokat
kapott).
2.2.3.6. Az amorfizáció
Akkor tapasztalunk az implantációt követõen amorfizációt - egyszerû

definicióval -, amikor valamennyi kristályatom kimozdulva marad. Az
irodalomban ezzel párhuzamosan szerepeltetnek egy kritikus dózis-értéket,
amelyet amorfizáló dózisnak (kritikus dózis) (amorphous dose, a)
neveznek. Ez az ion/anyag párokra és ionenergiákra specifikus érték
valójában csak bizonyos határok között értelmezhetõ, hiszen az kritikusan
függ a dinamikus hõkezelõdéstõl, azaz a mért értéket még pl. az
ionáramsûrûség, de esetlegesen az egyes implanterek minta-hûtési
megoldásai is befolyásolják.
Mindezek alapján talán meglepõ, hogy a mindmáig a

legelfogadottabb mérések és az ezekre alapozott modellt, Morehead és
Crowder [1971], viszonylag korai eredetû . A Morehead és Crowder által
adott értékeket (2.24. ábra) használják a mai szimulációs programokban is .
335
2.24. ábra. A kritikus dózis mint a Ti implantációs hõmérséklet függvénye 200

keV-es B+ és 40 keV-es P+, As+, Sb+ és Bi+ ionokra szilíciumban. a vonalak a modell
alapján számított értékek (Morehead és Crowder [1971] nyomán)
A modelljük értelmében a Kinchin-Pease formula alapján becsülhetõ

meg a a. Pl. a 40 keV-es P+ ionokra Sn = 500 eV/nm. A  dózis (cm-2)
hatására ui. ND defekt keletkezik cm-3-ként. Figyelembe véve a Si atomi
sûrûségét (5x1022 cm-3), a 40 keV-es foszforionok a értékére 3x1014 cm-2
adódik.
Az amorf állapot - amint arról a hõkezelési stratégia kapcsán a 2.4.3.
fejezetben részletesen beszélünk - igen hasznos lehet a defektek
kiküszöbölése során. Az amorf réteg hõkezelése ui. a szilárd fázisú epitaxia
speciális esete, amikoris planáris növekedés lép fel és elmaradnak olyan
gondok, amelyek a súlyosan károsodott rétegek esetében - metallurgiai
képpel: a nem tökéletes Oswald-érés miatt - a hibák, hibafürtök (klaszterek)
stabilizációját eredményezik.
Külön ki kell emelnünk azokat az újabb eredményeket, amelyek a
különféle eljárásokkal létrejövõ amorf állapotok különbözõségére utalnak.
Az implantációval elõállított amorfitás eltér attól, amit pl. a hideg felületre
vákuumpárologtatással leválasztott réteg mutat, vagy attól, amelyet az
említett módon, excimer lézeres olvasztással (a kis olvadékmélység, tehát a
gyors visszaszilárdulás érdekében) hoznak létre. Jelenleg vitatott, hogy
sérül-e az sp3-hibridizáció az implantált amorfitás esetében. Ma az az
elfogadott nézet, hogy a rövidtávú rend fennmarad. Vannak azonban
336
olyan elektronspektroszkópiai ("Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy"

UPS) eredmények, amelyek - legalábbis a felület közelében - kérdésessé
teszik az sp3-hibridizációt (Petõ et al. [1995]). Az implantálást ultranagy
(UHV) vákuumban végezték, hogy a mindenüvé odatolakodó szén
várható ütközéses implantációját és ennek az atomi környezetre
gyakorolt hatását elkerüljék. Másrészt az irodalomban található eltérõ
amorf-dózisok magyarázata az, hogy az amorfizáló dózis - bizonyos
határok között - függ annak a kimutatására alkalmazott módszertõl ( pl.
"optikai amorf", "RBS amorf").
Nyilvánvaló az is, hogy implantációnál a létrejött amorfitás sokféle
lehet: a kaszkádok vizsgálata során elmondottakból világos, hogy az amorf
réteg képzõdéséhez a nukleáris fékezõdés domináns volta szükséges és,
hogy a rendszer szabad energiájának értéke elérje - ez a kritikus dózis - az
amorf szilíciumnál ismert értéket. Az amorfizálódás akkor kezdõdik el,
amikor a roncsolt Si és az a-Si szabadenergiája egyenlõvé válik
(Swanson et al. [1971])]. Ennek alapján Holland et al. [1989]
szilíciumionoknak szilíciumba való "önimplantálása" alapján a
következõ mechanizmust javasolta. Az amorfizálódás akkor indul be,
amikor a divakanciák koncentrációjának fluktuációja a diszlokáció
hurkok környezetében eléri a spontán kristályos-amorf átmenet
feltételeit. Amint elkezdõdik az amorf Si nukleációja, a divakancia
populáció gyors növekedése figyelhetõ meg. A folyamat a ponthibáknak
az amorf tartományokon történõ getterezésével (l. 2.4.7.) kapcsolatos.
Nagyobb dózisok esetén, a kisméretû amorf tartományok "szívóhatást"
gyakorolnak az I rácsközi hibákra. Itt divakanciák képzõdnek, amelyek
további amorfizálódást eredményeznek. Az amorfizáló dózisok alatti
dózisok esetében a hibák felhalmozódása akadályozott, majd az
amorfizáló dózis túllépése után, gyors növekedési szakasz következik a
teljes amorfizálásig.
Az implantálás atomisztikus modelljében az implantálás utáni
állapotot a nyaláb amorfizáló hatásának és a dinamikus hõkezelõdésnek
a versengése határozza meg. A dinamikus hõkezelõdés lehet termikus
eredetû (ún. "thermal spike", l. 2.2.5.) vagy nem termikus eredetû.
Ezt a kényes egyensúlyt bármelyik irányba el lehet tolni az
implantálás céljától függõen. Például az Ionos szintézis (2.2.6.) esetében
cél a felület kristályos voltának megõrzése, ezért célszerû kis
áramsûrûséget alkalmazni. Ha pedig, ellenkezõleg, a cél éppen az
adalékolás és az elektromos aktiváció, akkor a nagy áramsûrûség
gyorsan elõidézi a felület amorfizálódását, ami nagymértékben elõsegíti
az adalék elektromos aktivációját.
337
Hecking és Te Kaat [1989] modellt javasolt a nagyenergiájú

implantáció során keletkezõ hibák képzõdésére. A modell magyarázza a
nagyenergiájú nehéz ionok (2 MeV Si és 6 MeV Ni) implantálása
nyomán fellépõ roncsolódást 125 és 475 K között. A 2.25. ábrán az
optikailag kimutatott hibaeloszlás profilját mutatjuk be 2 MeV energiájú
Si ionokkal, Si céltárgyba végzett 125 és 400 K hõmérsékletû
implantálás után.
Két fontos tényezõre hívjuk fel a figyelmet: kis dózis esetén, az
elektronfékezés ponthibákat és kisméretû hibafürtöket eredményez,
másodszor, 400 K hõmérsékleten (és fölötte) ön-hõkezelõdés (dinamikus
hõkezelõdés) történik, ami abban jelentkezik, hogy az amorfizálódás
bekövetkeztéig ún. "inkubációs" jelenség figyelhetõ meg a felület
közelében. Azaz a növekvõ dózis ellenére, amely a mélyebb rétegekben
már elõidézi az amorfitást, a felület közelében az ionok által leadott
energia terhére bekövetkezõ dinamikus hõkezelõdés miatt nem
növekszik a hibakoncentráció. Ebben a modellben a szerzõk a hõvezetési
egyenletre alapozva kezelik az ionok által a rendszerbe vitt energia
relaxációját.
Annak érdekében, hogy figyelembe vegyék a termikus diffuzivitás
hõmérsékletfüggését, a Kelly [1977] által javasolt D = 0,005 cm2/sec
értéket használták. A modell paramétereibõl következik, hogy a
magasabb implantálási hõmérséklet elõsegíti a Frenkel párok kaszkádok
közötti rekombinációját, viszont a fürtök kialakulása, vagy kaszkádközi
folyamatok következtében történõ rekombináció mértéke
szobahõmérsékletig állandó.
338
Fig. 2.25. Optikai úton kimutatott rácshibák mélységi eloszlása 2

MeV energiájú Si implantálás után 125 és 400 K hõmérsékleten
(Hecking és Te Kaat [1989] nyomán)
Holland et al. [1988] kimutatta, hogy 1,25 MeV Si+ ionok 77 K

hõmérsékleten végzett implantálása során a hibák kialakulása más
mechanizmust követ, mint szobahõmérsékleten. Alacsony hõmérsékleten
ui. a Frenkel párok megõrzik a kaszkádon belüli helyzetüket jóval a
kaszkád befagyása után is. Ezért a dinamikus hõkezelõdés elmarad és az
amorfizálódás csak akkor következik be, amikor a hibákat tartalmazó
térfogat szabadenergiája eléri az amorf állapotnak megfelelõ értéket. Ezt
a mechanizmust támasztja alá az a tény is, hogy az egyedi ionok pályája
mentén keletkezett amorfizált térfogat jellemzõ átmérõje 3-5 nm. A
szobahõmérsékleten keletkezõ roncsolódás mechanizmusa eltér ettõl: ott
az amorf fázis homogén nukleációja következik be a Frenkel párok
egymással való kölcsönhatása nyomán.
A 2.2.2. fejezetben említett ütközéses implantáció révén kialakuló
defektek a rácshibák fontos csoportját alkotják. Félvezetõ eszközökben
(2.4.8. fejezet) ui. akár a szennyezések elkerülésére alkalmazott vékony
(átlövendõ) oxidból, akár az ún. (természetes) "natív" oxidból oxigén
atomok lökõdnek a felületközeli tartományba - fõleg a nagytömegû, n-
tipusú adaléknak szánt As+ ionok implantálásakor. Az oxigén
koncentrációja közvetlenül a felület alatt elérheti a 10 21 atom/cm3
339
értéket! Bár ez a koncentráció meredeken esik a mélyebb rétegek felé ( a

behatolás néhányszor tíz nm), a hõkezelések során kialakuló másodlagos
hibák képesek jelentõsen rontani a kritikus felületközeli tartomány
elektromos tulajdonságait. Ezen túlmenõen, az ütközéses implantációval
bejutott oxigénatomok jelenléte befolyásolja az amorf réteg
visszakristályosodását is (2.4.4. fejezet).
2.2.3.7. Implantáció molekulaionokkal
Az implantáció elemi folyamatainak ismertetése során a 2.1.

Bevezetésben és a porlódás tárgyalásánál (2.2.2. fejezet) kitértünk az egyes
kaszkádok idõbeli futásának taglalására. Nem beszéltünk azonban egy, a
gyakorlatban is fontosságot kivívott esetrõl, nevezetesen arról, amikor
implantálandó ionokként tudatosan molekula-ionokat választunk. Az
energia-viszonyok miatt világos, hogy a felületbe való beütközéskor a
molekuláris kötések szétesnek és az atomi összetevõk az energia- és
impulzusmegmaradás törvényei alapján "osztoznak" a molekula-ion
energiáján. Ekkor egymást térben és idõben átfedõ kaszkádok keletkeznek.
A jelenség hasonlítható ahhoz, mint amikor az implantáció defektkeltési
tulajdonságát erõsítjük a dinamikus hõkezelõdéssel szemben. Tehát
molekula-ionok esetén erõteljesebb defektkeltést tapasztalunk.
A molekula-ionok kiterjedt alkalmazása valójában egyetlen ionhoz
kötõdik, a metastabil BF2 - neutrális molekulaként nem is létezõ - ionhoz.
Az ötletet két motívum szolgáltatta annakidején (Müller et al. [1971]). Az
egyik, hogy az implanterekben a bórionok forrásaként használt BF3 gázból a
legintenzívebb ionáram BF2 molekula-ionokból áll (többszöröse a B+-
nak!). A másik, hogy az implantok elektromos aktiválása jóval sikeresebb,
ha amorf állapotból való rekrisztallizáció során épülnek be az atomok (2.4.4.
fejezet). Mivel a legfontosabb p-adalékként alkalmazott bór kistömegû, nem
vagy csak igen nagy dózisoknál hoz létre amorf réteget. A bórnál valamivel
nehezebb fluor kaszkádjával átlapoló kaszkád jóval eredményesebb
defektképzõdést, sõt az adalékoláshoz igényelt bór-dózis belövése teljes
amorfizálódást is okoz.
A becsapódó BF2 esetében a bór 22%, a fluorionok egyenként 39%
energiát kapnak. Az a tény, hogy az egy ionra jutó energia alacsony,
akkoriban gondokat okozott, de a méretcsökkenés trendje ezt a
340
tulajdonságot éppen, hogy felértékelte: elõnyös, ha az implanter nominális

energiája magasabb lehet (lásd 2.3. fejezet). Ma a BF2 alkalmazása széles
körben elterjedt, noha bebizonyosodott, hogy a gyártási folyamat végn
visszamaradó fluor ionok szerepe erõsen hátrányos. Emiatt megoszlik a mai
gyakorlat az ún. elõamorfizálás (lásd 2.2.4. fejezet) és a BF2 ionok
alkalmazása között.
Modellként azonban többen implantáltak kétatomos molekulákat, hogy
az átlapoló kaszkádok viselkedését tanulmányozzák (elõször Howe és
Rainville [1981]). A 2.26. ábra összehasonlítja a Bi2 ionok és a
megfelelõ atomos ionok által keltett roncsolódás hõkezelési jellemzõit.
2.26. Különbözõ energiájú, atomos és molekuláris Bi ionok által

alacsony hõmérsékletû implantálás során keltett hibák hõkezelõdése. A
hõkezelés 10 perc idõtartamú izokron lépésekben történt (L. M. Howe
és M. H. Rainville [1981] nyomán).
A megnövekedett roncsolási "hatásfok", azaz a "molekuláris

hatás" megszûnik egy kritikus implantálási hõmérséklet felett (Yang et
al. [1990]). Ebben a kísérletben a molekuláris ionoknak az atomos
ionokhoz viszonyított energiáját kétszeresre választották az azonos Rp
érdekében. Az alkalmazott dózisok pedig éppen a kritikus amorfizáló
dózis alatt voltak. A legnagyobb molekuláris hatást a 380 K
hõmérsékletû implantálás esetében figyelték meg. Ilyen körülmények
341
között a molekuláris ionoknak megfelelõ hibakoncentráció közel

tízszerese volt az atomos ionoknak megfelelõ értéknek.
3. Példa.
Igazolja, hogy 100 keV-es As esetén a Si-nak átadható maximális energia
75 keV.
2.2.4. Behatolás kristályos anyagba
Az eddigiekben a besugárzott anyagot amorfnak tekintettük, azaz

olyannak, ahol az atomok között nincs hosszútávú rend. E feltevéssel
lehetett a kéttest kölcsönhatásokat kvantitatív módon kezelni. Már
említettük, hogy az ionimplantáció legelterjedtebb alkalmazásait a
félvezető eszközök, ill. áramkörök előállításában találta meg, így a
kristályos anyagok ionos besugárzásának kérdései megkerülhetetlen
gyakorlati problémát jelentenek. Ezeknek a megoldása sok
szilárdtesfizikai kérdés fókuszba állítását, tanulmányozását követelte
meg.
Az alapvetően új, tehát a kristályos állapotból eredő jelenség a
csatornahatás (channeling) fellépte. Ennek a szigorúan klasszikus fizikai
jelenségnek az a lényege, hogy a kis szögben érkező inok számára, a
sorokba (vagy síkokba) rendezett atomok egyedi potenciálja egy
"potenciálfal"-lá változik, amely gyenge, elektronos ütközésekkel
kormányozza, fókuszálja a ionokat, azaz igyekszik azokat benntartani a
csatornában. Ennek értelmében különböztetünk meg axiális és planáris
csatornahatást atomsorok, ill. síkok esetén. Az axiális esetben a
kölcsönhatások jóval erősebbek, tehát az axiális csatorna sokkal
kifejezettebben jelentkezik, mint a planáris. Az ionok zöme nem
tökéletesen párhuzamos trajektóriákon érkezik, továbbá - még
hibamentes rácsban is T  0 hőmérsékleten - az eredendően is
"hullámos" potenciálfal, még tovább érdesedik, mert a hőrezgések
következtében atomok rendszertelenül "kiállnak" abból, az ion egyre
inkább helikális pályán fut. Amikor azután egy kritikus E y merőleges
energiakomponenst akkumulál, bekövetkezik egy nukleáris ütközés,
amely nagyszögű irányváltást okoz, fellép a kiszóródás (dechanneling)
342
jelensége. Természetesen előfordulhat, hogy az így eltérült atom éppen

egy új csatornába lép be. Ez is mutatja, hogy a jelenségnek egzakt, pláne
a gyakorlat igényeit is kielégítő pontosságú tárgyalása nem egyszerű
feladat. A könnyű ionok esetében fellépő csatornahatást az ionsugaras
analitika széles körben alkalmazza pl. arra, hogy - akár csak az egyszerű
láthatóság/takarás alapján - a kristály forgatásával eldöntse egy atomról
(legyen az adalék vagy kristályatom, de akár a felületen adszorbeált ún.
adatom), hogy az rácspontban vagy a rácsközi térben - netán
szimmetriával rendelkező pontban - vagy relaxált felületi atomként
foglal-e helyet.
Tárgyunk szempontjából a csatornahatás amiatt jelentős, mert
befolyásolja a kaszkádban mozgó atomok trajektóriáit és ezáltal
megváltozik az implant ion behatolása, sőt kismértékben még a kialakuló
kaszkádok atomjai is másként mozognak. A behatolási folyamat kezdeti
szakaszán két jelentős eltérést tapasztalunk: egyrészt az irányító
elektronos ütközések megnövelik az elektronfékeződés által dominált
szakasz geometriai hosszát, így az ion mélyebbre tud behatolni, másrészt,
ezen szakaszon kevesebb kristályhiba keletkezik. Sok kísérleti munka
foglalkozott a csatornahatás kihasználása lehetőségével, hiszen az, hogy
ugyanazon gyorsító energiával mélyebb implantot lehetne létrehozni,
technikai előnyként kínálkozott. A kísérletek konklúziója inkább negatív
volt: 1) a csatonahatás olyan mértékben érzékeny mind a kristály
orientációjára, mind a felületén lévő szennyezések, natív oxidréteg, ill. a
szándékosan előállított vékonyrétegek szóró hatására (pl. a néhány nm-
es, ún. natív oxidréteg, vagy a felület tisztaságának védelmére felvitt
védőoxid okozta szórásra), hogy reprodukálható használata technikailag
szinte lehetetlen, 2) emellett az áramkörök méretcsökkentési tendenciája
le is értékelte a "mély" implantációt és az igények szerinti egyre kisebb
behatolási mélység miatt annak reprodukálhatósága vált a legfontosabb
követelménnyé (ennek konzekvenciájára a 2.4.4. fejezetben térünk ki),
ill. egyes nagyenergiás alkalmazások esetén az sem okoz gondot, ha
mintegy kétszer nagyobb gyorsítófeszültséget kell az implanterekben
előállítani (pl. az ún. tandem-elv6 erre egyszerű lehetőséget nyújt).
6
A "tandem" gyorsítókban először a keltett pozitív ionokat (alkáli gőzön átfuttatva)
negatív ionokká konvertálják. Ezeket vezetik a gyorsítócsőbe, ahol annak közepéig
haladva elérik a gyorsítófeszültséghez tartozó energiát. Ott egy csőbe lépnek be,
amelyben alacsony nyomású "stripper" gáz, pl. N2, van, amely lefosztja az ionokról a
gyengén kötött elektronokat. Az így újra pozitív töltésű ionok ugyanazt a feszültséget
gyorsító térnek látják, tehát a földpotenciál irányában tovább gyorsulnak. Aszerint
sokszorozódik a végül kilépő ion energiája a nominális gyorsítófeszültséghez képest,
hogy az ion hány egységnyi töltésváltást szenvedett el a gyorsítócső közepén.
343
A csatornahatás további negatív hatása, hogy a mélyebbre hatoló

ionok az eloszlás lecsengő ágát elnyújtják. A félvezető eszközökben az
ún. metallurgiai pn-átmenet abban a mélységben keletkezik, ahol az
implantált (és elektromosan aktív, lásd 2.4. fejezet) eloszlás
koncentrációja lecseng a szilícium alapkristály - mondjuk foszforral
adalékolt n-tipusú - adalékolási szintjére. Világos, hogy egy lankásabb
farokrész nagyobb relatív hibát eredményez az átmenet mélységi
koordinátájában, mint pl. amorf anyagban a Gauss-eloszlás meredek
lecsengése.
A csatornahatás révén kialakuló pályák tipusait mutatjuk be a
2.27. ábrán. Az A ion direkt szórást szenved, az iránya véletlenszerűvé
válik, az ilyen ionoktól származó eloszlás Gauss-görbe alakú (lásd B.
ábra, A és A' profilok). A további trajektóriáknál fontos az a
kristálytengelyekhez viszonyított szög, amelyen az ion érkezik.
Definiálható egy kritikus szög, c, amelynél nagyobb szög esetén az ion
azonnal véletlenszerű pályára kerül. Ennél kisebb szögeltérés esetén az
ion mélyre hatol (B ábra, C görbe). A határhelyzetben valósul meg a B
ábrán látható AC' profil.
A kritikus szöget többféle közelítésben is ki lehet számolni.
Figyelembe lehet venni az atomsorok többé-kevésbé valódi periodikus
potenciálját, de jó közelítést kapunk a potenciál kontinuum közelítésével
is. Az ion addig marad a csatornában, amig arra merőleges energiája, E y,
kisebb, mint a legkisebb megközelítés, Pmin, az ion helyénél. Tehát, a
kiszóródás akkor következik be, amikor
E y  E 0 sin 2  c  V Pmin  . 2.2.78
344
2.27. ábra.Ionimplantáció során fellépő csatornahatás sematikus

ábrázolása. A) direkt trajektóriák tipusai, B) a beesési szög befolyása a
profil alakjára (Simonton és Tasch nyomán,az Ed. Ziegler [1996]-ből)
345
Idézzük vissza a 2.27A. ábrát is, de folytassuk képzeletben egy M2

atomsorként, amely egy x-tengelyt definiál (2.28. ábra). Jelöljük most
d
x
b
E1
y Ey
Ex
-b
Pmin
2.28. ábra. A csatornahatás számításánál használt geometria
-val az ion eltérülésének szögét és legyen az M 1 tömegű ion sebessége

v1. Hasson a V(r) potenciál dt = dx/v 1 ideig. Ekkor a teljes
impulzusváltozás az x-tengelyre merőleges, a csatorna közepétől mért y-
irányban (pl. Townsend et al. [1976])
 dV r  e dx  

2P

2
p        dr   I P ,
dr r v 1   v r 2  P 2    v1
1/ 2

 1 
2.2.79a
ahol alkalmaztuk az impakt paramétert, P-t.
A  szögváltozás kapcsolja össze az eredeti és új impulzust:
 
p 1  dV r  P
     dr  . 2.2.79b
P E1    
1/ 2

r r 2  P2 
Mint mondottuk, a csatornahatásnál egy sor gyenge ütközés
következik be. Axiális esetben ez szukcesszív ütközésekként írható le:
I b  y  ,
2
   2.2.80
d M 1v1 
ahol b a sorok távolsága az x-tengelytől.

Mivel P = b - y és P   y és a haladás szögének időbeli változása
  y / v1 , azaz   y / v1 . Innen az ion y-irányú mozgásegyenlete,
mindaddig, amíg az impulzus definiálható:
346
I b  y  .
2
M 1 y   2.2.81
d
Mindezzel kiküszöböltük az egyes ütközéseket és egy kontinuum

potenciállal közelíthetjük az atomsort. Ezzel 2.2.81-ből kapjuk:
y
 
U  y    I b  y dy .
2
2.2.82
d0
Árnyékolt Coulomb-potenciál közelítéssel az U(y) (Nelson és

Thompson [1963]):
22 Z1 Z 2 a 0 E R exp  b  y / a
1/ 2
U y  , 2.2.83
d  b  y1/ 2 a 1/ 2
ahol a Rydberg állandó ER = 13,6 eV (l. 2.2.2. formula). Mindennek
ismeretében felírhatjuk a csatornában mozgó ion Hamilton-függvényét,
amelyben az az egyszerűsítés lehetséges, hogy az impulzus-közelítéssel
leírható csatornázott részecskék axiális kinetikus energiája konstans és
energiaátadás csak a potenciális energia és transzverzális irányú
kinetikus energia között jöhet létre:
 
E y  U y  p 2x  p 2y / 2M1 , ill. E y  U y  E 2 , 2.2.84
ha  az a szög, amellyel az ion a tengelyhez képest halad. Ebből az

egyenletből következik egy kritikus szög, c, amelyre, ha   c, az
ionok továbbra is a csatornában maradnak, és következik egy P min,
amelynél az atomsorhoz közelebb kerülve kiszóródnak.
A hőrezgés szerepére is ki kell térnünk ezen a ponton. Az
ionsebességekhez mérten a hőrezgések igen lassúak, tehát az ion egy
"fagyott" rácsot lát. A csatornába kinyúló atomok hatását legegyszerűbb
a Pmin -re gyakorolt hatásukkal figyelembe venni, amikoris csak egy
nagyobb, Pc távolságra közelíthető meg veszélytelenül az atomsor:
Pc2  Pmin
2
 k rms , 2.2.85
ahol a konstans k  1,5 és rms a hőrezgés során a rácsatomok
kimozdulásának átlagos négyzetes középértéke.
A kiszóródás feltétele tehát Lindhard [1965] szerint, hogy a
transzverzális energia egyenlővé váljék a Pmin-hez tartozó potenciális
energiával. A számításaiból két karakterisztikus szöget definiál - a kis-,
ill. nagyenergiájú tartományra:
347
1/ 2
 2Z1 Z 2 e 2 
1    , (kis energia) 2.2.86
 Ed 
1/ 2
 a 3  Z Z e 2  1/ 2 
2    1 2   , (nagy energia).
 d  Ed  
2.2.87
Ezekből a karakterisztikus szögekből származtathatók a kritikus
szögek mind az axiális, mind a planáris esetre. Ehhez két korrekciós
függvényt kellett definiálni (Barrett [1971]). Az FR(1,2u1/a)-t, amely az
2.29. ábra. Az axiális csatornázás kritikus szögére vonatkozó

Barrett- féle (Barrett [1971]) korrekciós függvény, Fa(1,2u1/a), a
redukált ionenergia (2.2.17) függvényében.
axiális esetre vonatkozik, bemutatjuk a 2.29. ábrán.
348
Ennek segítségével a kritikus szöget a következő formulával

definiálja:
 1,2u 1 
 c  0,8  Fa    . 2.2.88
 a  1
Itt az u1 függvény - a rácsatomok átlagos kimozdulása -
tartalmazza a hőrezgési korrekciót is (M2 atomi tömegegységben, a.m.u.
- atomic mass unit):
   1  1 1 
1/ 2
u 1 ( nm )  1,21   M2 DD  , 2.2.89
  4 
ahol () a Debye-függvény és DD a Debye hőmérséklet ( = DD/T).
A planáris csatornázás korrekciói bonyolultabbak, mert nemcsak a
hőrezgésekre, de az ion méreteire és a síkok távolságára is korrigálni
kell. A részleteket illetően az olvasónak Barrett [1971] cikkét javasoljuk.
Az előző, szemléletes tárgyalásban az árnyékolt Coulomb-
potenciált használva szemléletes képet adtunk arról, hogyan lehet a
csatornahatást az implantáció során fontos paraméterek esetén
kvantitatíven leírni. A csatornahatás pontos szimulációja azonban az
ULSI (Ultra Large Scale Integration) áramkörök előállításánál
kiemelkedően fontos kérdéssé vált. Park et al. [1991] további korreciókat
alkalmazott az atomsorok átlagos potenciáljának leírására. Ezzel az F-
függvénynek egy finomított alakjához, azaz pontosabb leíráshoz jutott.
Az egyszerű potenciálfal közelítés elveszti érvényességét többek
között alacsony ionenergiáknál. Ekkor ui. az ion sebessége olyan
alacsony, hogy az egyedi atomoktól periódikus potenciál már nem
tekinthatő simának. A realisztikus modellezéshez, az egyébként
nyilvánvaló hatásokon - mint pl. az ion és a kristály relatív mérete -
túlmenően, az elektronok csatornabeli eloszlásának pontos leírása, a
fokozatosan akkumulálódó rácshibák hatása és az ion töltésállapotának
figyelembe vétele is elsőrendűen fontos.
349
2.30. ábra. Bór ionokra vonatkozó kritikus szögek szilíciumban

axiális és két planáris csatornázásra az 1keV-1 MeV
energiatartományban (Park et al. [1991] nyomán)
A 2.30. ábrán példaképp bemutatunk egy szilícium kristályra

végzett számítást (Park et al. [1991]) különböző energiájú bór ionok
becsapódása esetén.
A szilícium csatornái. A behatolás kontrollja - elsősorban a
könnyű implant ionok, ezen belül is a bór esetében - megköveteli a
csatornahatás lehető legteljesebb kiküszöbölését. Ez egyfelől technikai,
azaz az implanterek konstrukciós problémája, másfelől azonban - az
anyagszerkezet adottsága miatt - elkerülhetetlen, tudomásul veendő
gond. Amint arról a a 2.3. fejezetben szólunk, a kezdetek óta úgy
építették a tárgykamrákat (end station), hogy a szilíciumszeletek
felületére érkező ionok pályája a normálissal 7°-os szöget zárjon be. A
jelen fejezetben ezt az értéket kivánjuk érthetővé tenni. A szilícium a =
0,543 nm méretű elemi cellájában (2.31. ábra) az atomok tetraéderek
csúcsain helyezkednek el úgy, hogy a lapcentrált köbös rács kibővül egy
további, (a/4, a/4, a/4) értékkel eltolt, ugyancsak lapcentrált köbös ráccsal.
Ez a gyémántrács.
350
A gyémántrács síkjainak, tengelyeinek legföbb geometriai

tulajdonságait a következőkben foglalhatjuk össze (Cho et al. [1985]). A
síkok egymástól való távolsága valamely síkcsaládra, amelyet a
lehetséges legkisebb Miller indexekkel: h, k, l jellemzünk
2.31. ábra. A szilícium kristályrácsa; a = 0,543 nm. Szaggatott

vonallal jelölt kocka egy alap-tetraédert mutat.
 
a
d pl  K pl   , ahol 2.2.90

 h 2  k 2  l2  
1/ 2
 
1 / 2, ha h + k + l pá ros 
 
K pl   3 / 4, ha mind páratlan  .
 1 / 4, 
 egyé bké nt 
Az axiális csatornákban viszont az atomok távolsága számitható
hasonlóan:
 
1/ 2
d ax  K ax h 2  k 2  l 2 a , ahol 2.2.91
351
 1, ha h  k  l pá ratlan 
 
K ax  1 / 2, ha min deg yik pá ratlan  .
 1 / 2, ha h  k  l pá ros 
 
A planáris csatornákra - amint az 2.2.90-ből is látszik - általában
igaz, hogy minél nagyobbak a Miller index számai, annál ritkább az
atomok sűrűsége a síkokban és annál közelebb vannak a síkok. Az
ionimplantáció során felhasznált krisztallográfiai ismeretek egyik jó
forrása Gemmel [1974] összefoglaló cikke.
2.32. ábra. Szilícium csatornái az 100 iránytól 0 - 20°-os

döntési és 90°-os forgatási tartományban, 1 MeV energiájú He + és N+
ionok visszaszórásával mérve (Ziegler és Lever [1985] nyomán)
352
A 2.32. ábra Ziegler és Lever [1985] egyik mérését mutatja be,

amellyel egy (100)-orientációjú szilíciumkristály egy jelentős irány-
tartományának csatornáit térképezték fel. Ez az a kristályorientáció,
amelyet a mai ipari gyakorlat túlnyomóan használ. A mérések 1 MeV
energiájú He+ és N+ ionoknak a Si atomokról történő nagyszögű
Rutherford visszaszórásának a hozamát (beeső/visszaszórt ionok száma)
ábrázolják egy, az 100 iránytól 0 - 20°-os döntési és 90°-os forgatási
tartományban úgy, hogy minden csatorna szerepel, amelyre c  0,1°. Ez
az energiatartomány, de főleg ezek az ionok ugyan nem számítanak
"tipikus"-nak az ionimplantáció alkalmazásainál, tehát a kritikus szögek
értékei nem jellemzőek, a csatornák elhelyezkedése, relatív méreteik
azonban igen.
A csatornahatás tudatos elkerülésére az ábra útmutatást nyújt.
Technikai okok miatt természetes, hogy az origóhoz közel célszerű az
alkalmas tartományt megkeresni. Az ábrán látható, hogy az 5 - 9° döntés
és kb. 10° forgatás jelöl ki egy, a tengelyektől viszonylag távoli
tartományt. Ma az ipari implanterek konstrukciójánál ezt a tartományt
használják.
353
2.33. ábra. A csatornázás hatása különböző mértékben

félreorientált (111)-szilíciumban, (300 keV, 1,5x1012 cm-2 arzén
esetében).
A következő példákon bemutatjuk, hogy a csatornázás hatása

jelentős a kialakuló profilokra. A 2.33. ábra 300 keV energiájú arzén-
profilokat mutat különböző mértékben félreorientált (111)-szilíciumban.
A referencia-pontosságú mérés mutatja, hogy a (szubamorfizáló dózissal)
belőtt kristályban a dózis jelentős hányada jut két-háromszor mélyebbre
a csatornahatás folytán. Amint említettük, a dózis növekedtével, azaz
354
azáltal, hogy a később érkező ionok már erősen roncsolt, netán

amorfizált anyagba csapódnak be, a kép változik.
2.34. ábra. A szeletek döntésének hatása, a) 0° forgatás mellett,

valamint b) 7°-os döntés mellett a forgatás hatása a csatornázott
profilokra, 5x1014 cm-2 dózisú bórionok esetén (100)-szilíciumban, c)
15 és d) 80 keV ionenergián (SIMS mérés). A csatornázás kritikus
szögei az ábrázolt esetekben: ax(15 keV,100) = 2,85°, a ax(80
keV, 100) = 1,87°; a pl(15 keV, (200)) = 1,9°, a pl(80 keV, (200))
= 1,0°.
A hatás még jelentősebb a könnyű ionok - és mint ilyen, a

gyakorlatban legfontosabb bór - esetében. A 2.34a-d. ábra hasonlítja
össze (Klein et al. [1991] nyomán) a döntés és forgatás hatását 15 és 80
keV-es, 5x1014 cm-2 bór-implantok SIMS-profiljaira. Látható, hogy a
355
kritikus szög révén a szeletdöntés jelentős különbséget okoz. Ha azonban

a döntés túllépi a 3c-t, további hatása alig van. A forgatásra lényegesen
kevésbé érzékeny a profil, különösképpen igaz ez a kisebb energiákra,
esetünkben a 15 keV-es profilokra. A 80 keV-es implantoknál azonban
már ez a hatás is jelentős. A görbék vizsgálatából az látszik praktikus
szabálynak, hogy leglényegesebb az, hogy a 0° döntéshez tartozó {022}-
síktól kell távol maradni. Az egyébként közel kerülő {004}-sík hatása
szinte észrevehetetlen - még 45°-os kidöntés esetén is, amikor pedig az
ionok pályája teljesen egybeesik a {004}-síkkal.
Az implanterek konstrukciós kérdéseiről a 2.3. fejezetben
mondandók előrevetítésével kijelenthető, hogy - különösképpen a ma
használt (6 - 10", azaz 15-25 cm) szeletátmérők esetén - az elterjedt
implantereknél nem teljesülnek a szelet minden pontján a félreorientálás
feltételei. A legelterjedtebb védekezés ez ellen a már említett védőoxid
használata. Ennek - látszólag mindent megoldó - hatását mutatjuk be
2.35. ábra. Védőoxid hatása a csatornázásra, 100 keV-es, 1x1015

cm-2 dózisú, szándékosan 100 irányú bórimplant esetén, egy szelet
három pontján, SIMS-szel mérve (Myers et al.[1981] nyomán). a)
Védőoxid nélkül, b) 150 nm-es védőoxiddal
Myers et al. [1981] nyomán a 2.35. ábrán. Itt 100 keV-es bórt
implantáltak 1x1015 cm-2 dózissal szándékosan az 100 axiális
csatornába. Megvizsgálták (SIMS-méréssel) a kialakult profilokat a
szelet három különböző helyén. Az ábra mutatja a 150 nm-es
védőoxidnak a csatornahatást szinte teljesen közömbösítő hatását. A
356
védőoxid egyúttal segített - főleg a korábbi, még olajdiffúziós

szivattyúkkal működő implanterek esetén - abban, hogy a szeletre került
esetleges szennyezések egy ún. "frissítő marás" segítségével
eltávolíthatók legyenek. Amiért ez a megoldás nem az "igazi", az nem a
fellépő, kismértékű energiaszórás, hanem az ütközéses implantáció,
amely különösképpen nehéz (foszfor, arzén) ionok esetében jelentős, de
bórionokra sem elhanyagolható. A belökött oxigénatomok a termikus
kezelések során töltéshordozó csapdákká változnak, ezáltal jelentősen
rontják a félvezető eszköz karakterisztikáit. A legelterjedtebb
védekezésről, az ún. előamorfizációról (pre-amorphization, másként dual
implantation, Csepregi et al. [1977]) a 2.4. fejezetben lesz szó.
357
2.2.5. Az ionos keverés (mixing) jelensége
Az elmondottak alapján ismertethetjük az ionos felületmódosítás

egy olyan változatát, amellyel sok esetben kiküszöbölhető az
implantációnak az a gondja, hogy a módosított réteg vastagsága erősen
korlátozott. Világos, hogy ez mint hátrány nem az integrált áramköri
alkalmazásoknál jelentkezik, hiszen ott épp a méretcsökkentés a gond,
hanem avastagabb rétegek egységes módosításakor.
Az ionos keverés, mixing, alapvetően az a jelenség, amikor a
besugárzott anyag felszínén kialakított vékony rétegekben vannak jelen
azok az atomok, amelyeket a becsapódó ion kaszkádjának szereplőiként
szánunk. Az ionimplantációval szemben itt a becsapódó ion tehát csak
mint lokális energiaforrás szerepel, azaz csak a tömege és energiája jut
szerephez. A legtöbb esetben csak a nukleáris fékeződés játszik szerepet,
ha azonban az elektronos fékeződés nagyobb, mint 10 keV/nm, ez is
hozhat létre keveredést. A kaszkádról mondottak alapján világos, hogy
egyetlen beeső ion hatására nagyságrendekkel több atom jön mozgásba.
A leggyakrabban nagyobb tömegű nemesgáz ionokat (Ar, Kr, Xe)
alkalmaznak keverésre amiatt, mert ezekre a gázokra jó hatásfokú, nagy
áramsűrűségű ionforrások építhetők. A beépülő gáz eléggé inaktív, és
könnyen el is távozik.
A keveredés - a fékezési mechanizmusok jellegéből, ill. az ion
választott Rp-je és a vékonyrétegek vastagságának viszonyából is
eredően - alapvetően két mechanizmus révén léphet fel. Az egyik a
ballisztikus keveredés, amely - mint a neve is mondja - a kaszkádbeli
kinetikát jelenti és lényegében az ütközéses implantáció közvetlen
rokona. Ez a fő mechanizmus az ún. "ritka" kaszkádokban. A másik
mechanizmus akkor áll elő, amikor a kaszkád olyan "forró" (mintegy 10
ps-ig), hogy abban az anyagot rövid időre olvadéknak kell tekinteni.
Ilyenkor beszélünk "hőcsúcs" ("spike") hatásról. Ekkor, e
magashőmérsékletű olvadék állapotban a gyorsan mozgó atomok
nagyfokú, kémiai hajtóerők által okozott keveredése jön létre. A gyors
lehűlést követően - amennyiben azt termodinamikai okok is motiválják -
új, az egyensúlyi termodinamikában ismeretlen fázisok is
keletkez(het)nek. Az is hasonló kérdés, hogy a keveredés végén
kristályos vagy amorf állapot jön-e létre.
A keveredés jelenségét - a ballisztikus esetre - Sigmund és Gras
Marti (1981), illetőleg - a termikus spike esetére - Vineyard (1976)-
358
Johnson et al. (1985)-Klatt et al. (1989) modelljei alapján ismertetjük.

(Felhasználjuk Rossi és Nastasi (1991) formalizmusát is.)
Ballisztikus keveredés - más néven: atermikus tartomány. Ekkor a
keveredés binér ütközések révén zajlik és - konstans ionáramsűrűséget
feltételezve - a keveredés Dt mértéke
Dt  k  r /  E d , 2.2.92
ahol D a (kémiai) diffúziós együttható, t az idő,  az ion által egységnyi
úton leadott energia,  az atomi sűrűség, r a kaszkádbeli atomok
átlagos ugrási távolsága, k konstans. A ballisztikus keveredés jól írja le
pl. fém kettősrétegek esetében a folyamatokat, ha az átlagos rendszám 
20. Nagyobb Z-kre az eltérések azonban, a hő csúcsnak köszönhetően,
nagyon jelentősek.
Ionos keveredés hőcsúcs esetén. A nagyobb atomszámú anyagok
esetében a keveredés jelenségét az alacsony hőmérsékletű 3d-5d és 4d-
5d fém-multirétegekben sikerült a legegzaktabbul leírni. Itt a
termodinamika jelentős szerephez jut a becsapódás után mintegy 100 fs
idő alatt kialakuló kaszkádokban, ill. azok lehűlésekor. A leírás a
következő feltételezésekkel sikerült: a) csak kéttest ütközések lépnek fel,
b) a mozgó atomok csak álló atommal ütköznek ("lineáris" kaszkád), c) a
tárgy amorf, d) a kimozdítási folyamat leáll, ha az ion energiája 5 eV alá
esik. A keveredési folyamatot ún. jelzőatomokkal (marker) figyeljük. Az
a-d) feltételek esetén a jelzőatomok elhelyezkedésének kiszélesedése
Gauss-eloszlást mutat, ennek varianciája pedig -vel és az FD, egy ionra
vonatkoztatott energialeadással (dED/dx per ion) lineárisan nő.
A Vineyard-modell rendkívül egyszerű és tanulságos. Feltételezi,
hogy az ionpálya mentén a hőmérsékleteloszlás -függvény alakú és ez
hővezetéssel terjed, alakul. Ezen túlmenően a termikusan aktivált
diffúziós ugrások a hőcsúcs helyén és tartama alatt a következő 
gyakorisággal jönnek létre:
  A exp Q / kT . 2.2.93
Az ugrások teljes száma ekkor
  A 2 /8CQ 2 , 2.2.94
ahol  az ionpálya mentén, egységnyi hosszra eső energia, C a fajhő.
Kimutatták, hogy a Q paramétera kohéziós energiával korrelál.
359
A Johnson et al. modellje 3d-5d, ill. 4d-5d fém kettősrétegekre,

4Dt
hengeralakú kaszkádra, a keveredés  = mértékét a következő

termodinamikai leírással adja meg:
 4 Dt  5 / 3 H koh H mix
 K1  K1 K 2 , 2.2.95
  2
H koh
ahol Hmix a keveredés entalpiája, K1=0,0037 nm és K2=27,4. A Hkoh =

½(HA+HB) + Hmix, ahol HA és HB a két fém kohéziós energiáját jelöli.
A kétféle keveredési tartomány átfedheti egymást és bonyolultabb
jelenségek lépnek fel. Különösképpen megváltozik a jelenség, ha nem
alacsony hőmérsékleten végezzük a keverést. Ilyenkor beszélünk
termikusan segített keveredésről.
Ebben a tartományban fontos szerephez jut a sugárzás által
stimulált diffúzió, a RED (Sizmann [1968]). A besugárzás alatti
diffúziós együttható, Dsug, nagyon függ a hibák koncentrációjától,
mozgékonyságától és a kapcsolódó emésztők koncentrációjától.
Három tartományt lehet megkülönböztetni:
1) ahol a ponthibák fix nyelőkben semmisülnek meg - ilyenkor a
Dsug nem mutat hőmérsékleti függést - ez az alacsony hőmérsékletű
keveredéshez hasonlít;
2) ha ponthibák egymással rekombinálódnak,
 E    
1/ 2
D sug  A exp    , 2.2.96

 2kTi   t 
ahol E a kevésbé mozgékony ponthiba mozgásának aktivációs
energiája.
3) magas hőmérsékleteken, amikor a termikusan generált hibák
száma megközelíti a sugárzás által keltettekét, a diffúziós együttható
közeledik a termikushoz.
Az egyszerű modelltől való eltérések gyakoriak. Ezek
magyarázataként azt adta Rehn és Okamoto [1989], hogy a E görbék
termikus tartományba való átmenete rendszerint alig van a T sz felett,
szemben 0,6Tm-mel, ahol a RED hatásos lenne. Az alacsony
hőmérsékleteken az nyelőcentrumok száma is magas, ezért nem várható
nagy anyagmozgás. Emellett az átmenet hőmérséklete akkor is csökken,
ha nehezebb ionnal vegezzük a keverést. Így Nb/Si kettősrétegek esetén
E-re 4,5-es szorzófaktoros különbséget okoz, ha a keverést Si + vagy
360
Xe+ ionokkal végezték. Emiatt a RED modelljébe be kellett építeni a

termikus folyamatoknak a kaszkádon belüli diffúzióra gyakorolt erős
hatását (Rossi és Nastasi (1991)) - különösképpen fontos ez olyan
ionáramerősségek esetén, amikor a kaszkádok közötti folyamatok is
jelentősek.
Két azonos szerkezetű (pl. tck) fém, A és B, ionos keveredése
eredményeként létrejövő fázisok közül az a leggyakoribb, hogy az AB
fázis (50-50%) alakul ki, amint azt a
T 1
L G
2 amorf.
(+)  
 
0
Ti (-) 3
+
A B at.% B
2.37. ábra. A szabadenergia
sematikus ábrázolása Ti
2.36. ábra. Egy eutektikum
hőmérsékleten
sematikus fázisdiagramja
folyamatos összetételváltozást7 lehetővé tevő Ni-Al, Pd-Al és Pt-Al

kettősréteg párokon Hung et al. [1983] kimutatta. Ennek az az oka, hogy
ha a termodinamikailag kedvező fázisok kezdeményei (precursor) ki is
alakulnak, az érkező következő ionok okozta sugárzási károsodásnak
áldozatául esnek. Egy ilyen A-B anyagból álló elemi cella
legvalószínűbb állapota, hogy egy A és egy B atom foglal benne helyet,
azaz éppen az AB fázis áll elő - szemben a termikus kezelésekkel,
amikoris valamennyi stabil fázis léte kimutatható.
Az állapot biztosan amorf lesz, ha a két fém kristályszerkezete
eltérő, ill. ha a keveredést követő állapot az egyensúlyi fázisdiagramban
a kétfázisú területre esik. A létrejövő amorfizáció jól megérthető a
metallurgia eszköztárával is (Liu [1985]). Válasszunk modellként egy
egyszerű eutektikumot (2.36. ábra). A kapcsolódó, sematikus
szabadenergia-diagramot mutatja a 2.37. ábra. Essék a multiréteg átlagos
összetételele a vegyes összetételű tartományba. Az amorf fázis
keletkezése ekkor a következő folyamatokban megy végbe. Először a
7
Egy speciális párologtató rendszert terveztek, amellyel olyan, 4 cm hosszú minták
készülhettek, ahol annak egyik vége tisztán A, a másik pedig tisztán B összetételű
volt és közben az összetétel lienárisan változott.
361
kaszkádok az eredetileg rétegelt szerkezet prompt keveredését okozzák,

amikoris a két anyag keveréke gerjesztett állapotba kerül (1. pont az
ábrán). Ezt követően relaxál a rendszer egy alacsonyabb állapotba.
Ahhoz, hogy relaxáció jöjjön létre a kevert 3. állapotban, először kémiai
kiválásnak, majd kristályosodásnak kellene bekövetkeznie. Alacsony
hőmérsékleten azonban ez az átalakulás gátolt és helyette inkább egy
polimorf átalakulás zajlik le a (2) amorf állapotba, mert ehhez sem
összetételváltozás, sem az atomok újrarendeződése nem szükséges.
Hasonló meggondolás alapján amorf állapot jön létre akkor is, ha a
szabadenergia képet két szomszédos fázisra alkalmazzuk.
Az ionos keveredés módszerét alkalmazzák integrált áramkörök
kontaktusterületeinek (szilicidek) kialakításánál. A keverést gyakorta
As+ ionokkal végzik, amikoris a kontaktus alatti n-tipusú tartomány is
kialakul egyúttal. Fontos további alkalmazást jelent a fémek
kopásállóságának, korrózióállóságának növelése pl. titánréteg
bebombázásával. Erre a célra azonban inkább a 2.7.2. fejezetben
ismertetendő ionsugárral segített rétegleválasztást (Ion Beam Assisted
Deposition, IBAD) használják.
2.2.6. Ionos szintézis
Az ionos szintézis fizikai alapjai jól megérthetők a keveredés

ismeretei alapján. Az a kívánság, hogy olyan dózisokat implantáljunk,
amelyek kémiai vegyületek keletkezését teszik lehetővé, nagyon régi - és
azokban a laboratóriumokban vetődött fel elsősorban, ahol nagydózisú
implantációra alkalmas berendezések voltak (Watanabe és Tooi [1966],
Pavlov és Shitova [1967]). A Kurcsatov Intézet által készített ILU-2A
berendezéssel 1970-ben olyan napelem előállítási technológia jutott a
KFKI-ba, amelynél az egyes elemeket (melegített szeletbe végzett)
sekély oxigénimplantációval előállított szilíciumoxiddal szigetelték el
(publikáció: Gusev és Guseva [1979]). Világos azonban a 2.2.3.3.
pontban mondottak alapján, hogy kis- és közepes energiával való
implantáláskor a felület hátrálása egyértelmű korlátot jelent a
bejuttatható anyagmennyiség előtt. E korlát erőssége a porlódási
együtthatótól függ, azaz adott tárgy és ion esetén még a beesési
geometria, valamint az áramsűrűség is szerepet játszik.
362
Az áttörést 1978-ban Izumi et al. [1991] érte el, Japánban, akiknek

sikerült 200 keV energiájú oxigénionokkal, T i  500°C-on, olyan jó
eltemetett oxidréteget szintetizálnia, hogy - további hőkezelést követően
- a felette lévő szilícium "eszköz-minőségű" maradt, ill. olyanná alakult
vissza (Separation with IMplanted OXygen, SIMOX).
363
2.38. ábra. A SIMOX szerkezet kialakulása 200 keV-es oxigén

ionokkal, Ti = 500°C.-on való bombázás esetén, a dózis függvényében
A) a tranzisztor helyén, B) a köztes, oxiddal borított területen,
Hemment et al. [1987] nyomán.
Az 1980-as évek közepétől a már valódi hajtóerőt az ún. SOI

(Silicon-On-Insulator) alapanyag készítése jelentette, mivel a korábbi
364
eljárások vagy drágák voltak, ill. maradtak a polgári alkalmazások

céljaira (Silicon-On-Sapphire, SOS, pl. Lau et al. [1979]), vagy végül
nem vezettek valódi sikerre (Laterális epitaxia, Lam és Pinizzotto [1983],
majd pl. Banisch et al. [1989]). A SOI elemek ui. nemcsak, hogy kisebb
fogyasztást biztosítanak (dielektromos szigetelés), hanem érzéketlenek a
sugárzásokra. Ugyanis, az integrált áramkörbe becsapódó részecskék
működési hibákat (soft error) okozhatnak azáltal, hogy elektron-lyuk
párokat keltenek elsősorban a pályájuk végén. Ezek, elektromos
impulzusként, átkapcsolhatják az érintett tranzisztort, azaz egyszeri
tévesztést okoznak. Ezért nevezik ezt a hibafajtát "soft" hibának. Ha a
részecske az aktív terület alatti szigetelőben áll meg és ott hoz létre helyi
töltést, az ott lokalizálódik és nem okoz az áramkörben zavart. Mindez
gazdasági kérdés is, mert költséges a tokozáshoz használt műanyagokból
a mindig jelenlévő és -aktív tóriumot kivonni.
Az hamarosan kiderült, hogy az emelt hőmérsékleten végzett O +
implantációkor a "kémia" jól működik abban az értelemben, hogy az
implantált oxigén sosem lépi túl a sztöchiometriás mértéket, hanem
először a Gauss-eloszlás csúcsa fokozatosan nyereggé szélesedik és a
SiOx réteg szerencsésen meredek, bár sok rácshibával terhelt (O-
kiválások) átmeneti réteggel fokozatosan terjed mindkét irányban. Nem
ez a helyzet a nitrogén implantációjakor, ott a Si 3N4 sztöchiometria léte
nem jelent határt: a nitrogén szinte korlátlanul oldódik a nitridben.
A 2.38. ábra mutatja be Hemment et al. [1987] nyomán a SOI szerkezet
kialakulását. Az ábráról még az a szerencsés körülmény is leolvasható,
hogy a tiszta Si-felület kevéssé porlódik - a SiO2-vel összehasonlítva. Ma
az így készült SOI szeletek kereskedelmi forgalomban vannak, miután
rendkívül termelékeny, a dinamikus hőkezelődést is felhasználó cél-
implantereket dobtak a piacra. Egy további, minél magasabb
hőmérsékletű hőkezelés után a felszínen megmaradt egykristályos Si-
réteg megfelel az eszköz-minőség követelményeinek.
365
A legutóbbi időkig úgy tűnt, hogy a SIMOX sikeresen versenyez

az ún. direkt szeletkötéssel (Direct Wafer Bonding, DWB) készült SOI
szeletekkel8.
2.39. ábra. A Smart Cut™ folyamatábrája. A nagydózisú

eltemetett buborék-kezdemény réteget létrehozó implantáció, mintegy
30-120 keV, 1016cm-2 H+ , SiO2-n keresztül. A szeleteket
összetapasztó hőkezeléskor a párhuzamosan létrejövő buborékosodás
leveti az implantált szeletet, kivéve a feltapadt, vékony és - egy
érintőleges polírozás után - eszközminőségű lemezkéjét, Auberton-
Hervé et al. [1995] nyomán. A lehántott szelet, szintén enyhe polírozás
után újra felhasználható.
Auberton-Hervé et al. [1995] azonban megvalósított egy olyan

SOI előállítási technikát (Smart Cut™, 2.39. ábra), amely könnyen
lekörözheti valamennyi eddigi eljárást. A Smart Cut nyilvánossá vált
alapgondolata a DWB-nek és a 2.2.3.3.-ban leírt, buborékosodást okozó,
8
A DWB-nél egy oxidos és hidrofillá tett (olcsóbb) Si-szeletre (pormentesen!) a
"vajas" felével ráhelyezünk egy, már az eszköz által megkívánt paraméterű Si-
szeletet. Mintegy 800°C hőkezelés segítségével először a van der Waals erők
összetapasztják, majd a telítetlen kötések kémiailag is összekötik a két szeletet. Ezt
követően a hasznos szeletet csiszolással/polírozással  1m vastagságúra
levékonyítják. Ez nemcsak költséges, de rendkívül kritikus lépés is.
366
könnyű ionokkal való implantációnak a házasítása annak érdekében,

hogy a DWB legnagyobb problémáját, az egyik szelet kényszerű és több
száz mikronon át párhuzamos, nagyfelületű elcsiszolását, majd
polírozását megkerüljék. Az eljárás az oxiddal bevont A szeleten indul,
ahol az oxid alatt, nagydózisú H+-implantációval, tehát tervezett
mélységben, eltemetett buborékkezdeményeket hoznak létre (mintegy
30-120 keV, 1016cm-2 dózis). A - feltehetően most is hidrofillá tett -
oxidra ráhelyezik a B szeletet, majd végrehajtják a DWB tapasztó
hőkezelését. A kötésképződéssel együtt létrejön a hidrogénnek
buborékokba való kiválása, ill. az ezzel járó mechanikai feszültségek
relaxációjakor a A szelet tömbjének a leválása. A feltapadt rétegen egy
érintő polírozást kell végrehajtani, amivel el is készült a SOI szelet. Az A
szelet tömbje, szintén egy érintő polírozást kovetően oxidálható és B
szeletként újra használható.
367
2.3. Implanterek
A Bevezetésben írtunk arról, hogy az első tudatos implantert W.

Shockley rajzolta le a szabadalmi bejelentésében. Három országban
indult meg nagy erőkkel az implanterek építése: az USA-ban,
Nagybritanniában és a Szovjetunióban. Az adottságok miatt eltérő
elgondolások szerint, de mindenütt erősen katonai kutatási témaként, és
főleg a nukleáris kutatóintézetekben. Nagybritanniában és a
Szovjetunióban elsősorban nagydózisú alkalmazásokra alkalmas
berendezések születtek az urán izotópszeparátorok átalakított
változataiként. Az elsőként indító Egyesült Államokban viszont azonnal
az MOS (Metal Oxide Semiconductor) tranzisztorok új generációjának
megvalósítását lehetővé tevő technikaként fogtak a kutatásokba. Ennek a
koncepcionális eltérésnek köszönhetők az eltérő implanter alaptipusok.
2.3.1. Általános kérdések, alaptípusok
A legelterjedtebb (nem tandem-rendszerű) implanterek

alapegységei egységesen a következők: 1) ionforrás a "kihúzó"
gyorsítófeszültséggel, 2) gyorsítótér, -cső, 3) tömegszeparátor, 4)
pásztázó (scanning) egység, 5) tárgykamra (end station), 6) ionáram
integrátor. Mindezekhez kiegészítő tartozékként járulnak nem kevésbé
fontos elemek: 1) a lehetőleg olajmentes vákuumrendszer, 2) a
neutralizálódott ionok csapdája, 3) a csatornázódást elkerülő
megoldások, 4) a szeletek elektromos feltöltődését megakadályozó
rendszer, 5) a szelet hőmérsékletének stabilizátora, 6) a szeletek mentén
az ionáram (laterális) homogenitását ellenőrző, szabályzó rendszerek, 7)
esetleges ionfékező rendszer, 8) szeletváltó automatika, 9) általános
automatika, archiválás, biztonsági berendezések stb.
A mai implantereket 1) a gyorsítófeszültség, 2) az ionáram
nagysága, 3) a tárgykamrában előllítható Ti implantációs hőmérséklet és
a 4) mintamozgató rendszerek szerint osztályozzák. A gyorsítófeszültség
alapján megkülönböztetünk kisenergiájú ( 20 kV), közepes energiájú
(20 - 200 kV), valamint nagyenergiájú (0.4 - 2 MV) implantereket. A
kisenergiájú gépek, ha nagyáramúak (elérhető 10 A/cm2 is)
előadalékolásra alkalmasak, ha közepes áramúak (tipikusan 0,5-
1A/cm2), az ULSI áramkörök Source-Drain implantjainak előállítására
specializáltak. A közepes energiájú gépek a leguniverzálisabban
368
használhatók, de pl. ha egyúttal nagyáramúak és magas hőmérsékleten is

lehet velük implantálni, a SIMOX szeletek előállítására is alkalmasak. A
nagyenergiájú implanterek jelentik a "feljövő" piacot, mert segítségükkel
lehet a legmodernebb CMOS áramkörök előállításában több költséges
lépést takarékosan és egyszerűbben megvalósítani. A töltéshordozók
élettartamának beállítására (2.4.6.) is nagyenergiájú (MV-os) gépek
kellenek. Az első feladatra nagy, a másodikra igen kicsiny ionáramok
szükségesek. A tárgykamrában beállítható hőmérséklet nem csak a
magas hőmérsékletek elérését jelenti, hanem a félvezetőszeletek
hőmérsékletének stabilizálását is a reprodukálhatóság érdekében. A
mintamozgató rendszerek szintén két nagy családba oszthatók: a
félvezetőszeleteken ma gyakori "árkok" oldalfalainak reprodukálható
implantálását kell - a csatornahatás egyidejű elkerülésével - megoldani,
míg pl. a tribológiai célokat szolgáló implanterekben a besugárzandó
tárgyat, pl. szerszámot kell úgy mozgatni és takarni, hogy az ionok
lehetőleg mindig merőlegesen érjék a fémfelületeket.
2.40. ábra.Példák az árkok oldalfalainak implantálására; a) árok

kapacitás és b) elemek közötti oldalfal kívánatos adalékprofilja,
Simonton és Tasch [1996] nyomán
369
2.41. ábra. Két tipikus, 200 kV-os gyorsítást adó, közepes áramú
(a piaci versenyben konkurrens) implanter.
Az alapkonstrukciók szerint kétféle implanterről beszélünk:

gyorsító-, ill. tömegszeparátor típusúról. A gyorsító típusú gépnél (2.41.
ábra) az ionforrásnál csak az ún. kihúzó feszültséget ( 20 kV)
alkalmazunk, ezt követi a tömegszeparátor. Az abból kilépő ionok
kerülnek a gyorsító térbe és nyerik el végső energiájukat, egyúttal -
rendszerint - 2D- elektrosztatikus, vagy 1D elektrosztatikus+1D
370
mechanikai pásztázással terítik be a szeletet. A gyorsító tipusú

implanterek általában nem túl nagy áramúak, viszonylag kis
teljesítményt igényel a tömegszeparálás és előnyös, hogy a tárgykamra
földpotenciálon van. A tömegszeparátor típusú implantereknél a kihúzó
feszültség egyúttal elegendő gyorsítást is ad (akár 50 kV-ot is), emiatt
nagy elektromágnes kell a tömegszeparáláshoz, de a mágnes
földpotenciálon lévén, a táplálása nem nagy gond. Ezután következik
egy esetenként bekapcsolható további, egyes gépeknél változtatható
polaritású gyorsítófeszültség, amely lassító tér is lehet. Az ilyen
implanterek rendszerint nagy áramerősséget tudnak szolgáltatni. Emiatt a
pásztázást 2D mechanikai pásztázással oldják meg. Hátránya ennek a
rendszernek, hogy a tárgykamra magasfeszültségen van, amely nemcsak
balesetveszélyes, de pl. az áramintegrálás is gond (az autonóm integrátor
jelét pl. optikai csatolással kell kihozni). Hasonló, bár nem
megoldhatatlan gond a szeletek hűtésének megoldása nagyfeszültségen.
Ha a nagy ionáramot éppenséggel a szeletek melegítésére is fel akarjuk
használni, mint pl. a SIMOX-ot gyártó gépeken, a hűtés kérdése fel sem
merül.
2.3.2. Részegységek, konstrukciós elvek
Vegyük röviden sorra a gépek egyes szerkezeti elemeit.

1) Ionforrás a "kihúzó" gyorsítófeszültséggel 9. Az ionforrások
konstrukciójának alapelve, hogy a belevezetett gáz- vagy gőzállapotú
anyag (atom, molekula) minél tökéletesebben ionizálódjék. (Adott
gyorsítófeszültség mellett a nagyobb ionenergiák elérésére kívánatos a
többszörös ionizáció, tandem rendszerekben pedig a negatív ionok
fellépte.) Ezek elegendő élettartammal kell rendelkezzenek az ionútba
való jó hatásfokú bevezetéshez. Az ionoptikai elemek, elektrosztatikus,
esetenként mágneses lencsék szerepe már itt elkezdődik.
A gyakorlatban előforduló ionforrásokban az ionokat HF vagy
VHF térrel, ill. elektronbombázással ionizálják, míg egy kisegítő
mágneses tér az ionokat helikális pályára kényszeríti, hogy azok a
forráson belül hosszú utat fussanak be és sok ütközéses ionizációt
9
További olvasmányként javasoljuk K.G. Stephens fejezeteit, p. 455, Ed. J.F. Ziegler
"Handbook of Ion Implantation Technology" (North-Holland, Amsterdam, 1992),
vagy p. 465, Ed. J.F. Ziegler "Ion Implantation Science and Technology" (Ion
Implantation Science and Technology Co., Yorktown, 1996) monográfiákban.
371
okozzanak. A kis- és közepesáramú implanterekben az egyszerű

nagyfrekvenciás ionforráson kívül, amelyek kiválóak nemesgáz ionok
előállítására, az ún. duoplazmatronok a legelterjedtebbek. Ezekben két
kisülési tér van a nagyobb ionizásiós hatásfok elérésére és ionoptikai
okok miatt. A VHF ionforrások egy fontos és terjedő családja a
kisülésbeli elektronokra ciklotron rezonanciát állít be, ECR források.
Ezzel rendkívül jó hatásfokú ionizációt lehet elérni anélkül, hogy a
plazmatérbe pl. izzószálat kellene tenni. Ennél viszont a mikrohullámú
ablak megoldása okoz karbantartási gondokat.
A nagyáramú forrásoknak három tipusa terjedt el. Mindhárom
lényege, hogy a kisülési térbe bevezetett gőzöket/gázokat mágneses
térrel helikális pályára kényszerített elektronok ionizálják. A talán
legelterjedtebb Freeman-forrásban egy izzószál fut az ionforrás
tengelyében, amelyre merőlegesen, vonalszerűen lépnek ki az ionok a
kiszívó elektrodák hatására. Ugyancsak "klasszikus" ionforrás egyes
szovjet gyártmányú implanterek von Ardenne-féle forrása10. Ez abban
tért el a (későbbi) Freeman forrástól, hogy a plazmában nem fut izzószál,
hanem egy segéd-elektronágyúból 6 keV-es elektronok indirekten
felfűtenek egy wolfram-hasábot, amely azután a kisülési térbe emittálja a
gázionizációt okozó elektronokat. Emiatt kisebb a karbantartási igénye,
mint a Freeman-forrásnak. A világpiaci elterjedését az egykori
"titkossági" meggondolások teljesen leblokkolták. A Bernas-forrás
mindkét forrással rokon és sok gyári implanterben alkalmazzák.
2) A gyorsítótér lényegében egy többé-kevésbé homogén terű
gyorítócső, amelyben az ionok elnyerik a megkívánt energiájukat. Egy
egységként a kb. 150 kV a megszokott. Ekkor, a kihúzó feszültséggel
együtt érik el a 200 kV összfeszültséget.
Ha a feszültség V1, a gyorsítócsőből kilépő ionokra
1
M 1 v 12  q 1V1 , 2.3.1.
2
ahol q1 az iontöltés multiplicitása.
Mint említettük, tömegszeparátor tipusú implanterekben a

kettéosztott gyorsítás közül az egyik fékező tér is lehet, hogy pl. a
bórionok esetén ma igényelt  5 keV energia elérhető legyen, sőt
haladunk a 1 keV igényének fellépte felé. A lassító tér azonban, a
10
M. von Ardenne, hadifogolyként, izotópszeparálás céljára tervezte a negyvenes
évek végén.
372
tértöltési hatások miatt nehezen megoldható ionoptikai kérdéseket vet

fel.
3) A tömegszeparátor szinte minden "minőségi" implanternél
mágneses megoldású. A Lorentz-erő hat egy q töltésre:
   
F  q v1  B  , 2.3.2.
 

ahol B a mágneses indukció. Az r-sugarú körpályára kényszerített
q töltésre ható Fc centripetális erő
M 1 v 12
Fc  . 2.3.3.
r
Ezekből az r sugár
M1v1
r . 2.3.4.
q 1B
A 2.3.1. figyelembe vételével a V1 potenciálon végigfutott ionra
2.3.4:
1/ 2
1  2M 1V1 
r   . 2.3.5.
B  q1 
Tehát adott gyorsítófeszültségre és mágneses indukcióra az
ionpálya sugara arányos a tömeg/töltés aránnyal.
Felidézzük, hogy a mágneses tér nem okoz sebesség-, azaz
energiaváltozást. A mágnes maga olyan ionoptikai elemnek tekinthető,
amely csak a saját síkjában fokuszál.
4) A pásztázó egységről már tettünk említést, nevezetesen, hogy

két megoldást alkalmaznak: elektrosztatikus eltérítést, ill. mechanikai
pásztázást. Mindkettő lehet 2D-pásztázás, de kombinálható is a két
módszer egy-egy dimenzió erejéig. Bármilyen is legyen a megoldás, a
pásztázó rendszeren múlik a felületi homogenitásra vonatkozó
követelmények kielégítése.
Az elektrosztatikus eltérítés rendkívül precíz lehet, bár lényeges
konstrukciós kérdés, hogy a kétirányú frekvencia rosszul megválasztott
aránya esetén a nyaláb Lissajous-görbéket ír a szeletre, amelyek fellépte
tönkreteheti a laterális homogenitást és szisztematikus hibát okoz. Nem
meglepő, hogy a csatornázódás elkerülése követelményének kielégítése
miatt manapság terjednek a többszörös eltérítő lemezpárokat alkalmazó,
373
ún. párhuzamos pásztázó (parallel scan) rendszerek. Ezek

alkalmazásával elérhető, hogy a becsapódó ionok a nagyátmérőjű Si-
szeletek távoli pontjaira is azonos szöggel érkezzenek - elkerülendő a
homogenitás ilyetén szisztematikus hibáját. Nagyáramú berendezéseknél
az eltérítő lemezpároknál fellépő tértöltések lehetetlenné teszik az
elektrosztatikus eltérítés alkalmazását.
A kombinált pásztázások egyik elterjedt változatánál vízszintesen
elektrosztatikusan (akár párhuzamos pásztázással) térítik el a nyalábot és
ez a nyaláb esik a szeleteket tartó nagyátmérőjű forgó tárcsára. A
csatornázódás elkerülését ez a rendszer könnyen meg tudja valósítani.
Ezen a ponton ismertetünk egy fontos követelményt: nem csak a
rendszer belső nyomásának, azaz az implanteren belül a vákuum
értékének kell jónak lennie, de rendkívül fontos, hogy - akár
szubmikronos - részecskék ("particulate") se repkedjenek a
vákuumtérben. Ezek ui. előbb-utóbb elektrosztatikus töltést is nyernek és
a szeletre feltapadva katasztrofális hibákat okozhatnak. Ez, a mára
minden vákuumos mikroelektronikai technológiai berendezéssel
szemben megfogalmazódó követelmény széleskörű szerkezetianyag-
kutatást indított el.
Nagyáramú implantereknél a 2D mechanikai pásztázás a
legmegfelelőbb, amely esetén mindaz a gond, amely az intenzív
nyalábok kezelésének, a csatornahatás elkerülésének a nehézségeiből
adódik, fel sem lép.
5) Az ultravákuumot is biztosító tárgykamra - miként talán minden
mai félvezetőtechnológiai eszközben - az implanterekben is a fő
ármeghatározó tétel. A szeletek kezelését végző részecskementes
robotika fajlagos költsége ui. igen magas. Implanterekben emellett még a
legfontosabb segédberendezések is a tárgykamrában találhatók, ill. annak
funkcionalitását segítik. Esetenként tehát nemcsak a 2D pásztázás zajlik
a tárgykamrában, hanem minden esetben itt vannak az áramintegrátor,
ill. az áram homogenitását ellenőrző elemek Faraday-cellái, a szelet
hőmérsékletét stabilizáló szerkezetek, valamint a Si-szeletek feltöltődését
megakadályozni hivatott elektron-elárasztó források, valamint a
neutralizálódott "ionokat" kiiktató megoldások is. A részecske-
szennyezés elkerülésére ma a szeleteket billegtető automatikával,
hűtőrendszerrel méteres küllőkre szerelik, hogy távol legyenek a
csapágyaktól, amelyek potenciálisan fő részecske-emitterek.
6) Az ionáram integrátorral szemben magasszintű követelmények
vannak: a legkisebb praktikus dózis 10 9 ion/cm2, amelynél - ha az
374
ionvezérlés (az ionáram útjában a zárindítás, -elzárás) hibáját

csökkenteni akarjuk - célszerű, hogy a művelet legalább 30 s-ig tartson
(egyszerűsít, ha csoportos - "batch" - megmunkálás folyik). Azaz pA
tartományba eső áramértékektől kell mintegy 10 mA-ig pontosan mérni
és integrálni, ill. a jellel az ionáramot vezérelni, esetleges üzemzavarok
esetén folytatni a megkezdett besugárzást stb. A tömegszeparátorokban
mindezt autonóm módon, földfüggetlenül kell megvalósítani.
A szekundér elektronok hamisító hatása miatt, külön feladat a
valódi dózis megmérése. Elektromos ellenteret vagy a Faraday-cellák
körül erős sztatikus mágneses teret alkalmaznak, hogy a - szerencsére
csak maximum  200 eV energiával - kilépő elektronokat
visszakényszerítsék a mérőelektródba és így azok az árammérést ne
hamisítsák meg.
Az áram/dózismérés meghamisítását okozzák azok az ionok,
amelyek az ionúton neutralizálódnak. Ez a kérdés különösen régen volt
jelentős, amikor a megszokott belső nyomás mindössze 10 -5 mbar táján
mozgott. Ekkor ui. a neutralizáció mértéke kb. 10%/m! A neutrálisok - a
szeletbe jutva - többszörös gondot okoznak. Elöszöris nem biztos, hogy a
neutralizáció előtt elérték a kívánt energiát, másodszor, a szeletbeli
fizikai hatásuk azonos a "szabályosan" érkező ionokéval, tehát
meghamisítják a mért dózist. Védekezésül felhasználhatók az elektromos
eltérítés eszközei, vagy - mechanikai pásztázás esetén - erre a célra kell
egy, a szeletek közelében lévő eltérítő lemezpárt alkalmazni. A mai
megoldások egyszerűsödtek azáltal is, hogy ma a gépek az UHV
tartományban (10-7-10-8 mbar), olajmentes szivattyúkkal működnek.
Igaz, hogy félvezetőkben, az implant ionokkal szemben maszkként
széles körben alkalmazott fotolakk polimérek gázkibocsátása okoz ma is
gondokat, de csak mint a szeletek közelében fellépő lokális
vákuumromlás.
375
2.42. ábra. Az Eaton NV10 elektronelárasztó rendszere
A legnehezebb kérdés a struktúrált, részben SiO2-vel borított szelet

feltöltődésének (2.42. ábra) megakadályozása, mert az oxidba jutó
töltések katasztrófális letöréseket okozhatnak. Hosszú ideje építenek a
szeletek elé elektronágyúkat, amelyekből kilépő, a nyalábot keresztező
elektronáram "elárasztja" ("flooding") és neutralizálja az ionokat. Amíg a
vákuumrendszerek rosszabbak voltak, a gond látszólag kevésbé
mutatkozott meg: a szeletek felületére polimerizálódott/krakkolódott
szerves anyagok ui. (l. 2.6.1.) már kisebb dózisoknál is vezető filmet
vontak a szelet felületére, ami a töltéseket a szelettartón át elvezette. Ezt
- a plazmamarásokat megelőző időkben - nagyon nehezen (HNO3-mal)
lehetett csak eltávolítani.
Az elektronokkal való elárasztás azért bonyolult, mert a strukturált
szelet körüli elektromos tér bonyolult szerkezetű, ezért csúcs- és
élhatások eseleg elektronokat vonzanak oda, ami ugyanúgy problémát
okoz. Az UHV rendszerek miatt azonban az árasztás elkerülhetetlen.
376
2.43. ábra. Hővezetési kép implantáláskor
A szeletek hűtése külön "tudomány" (2.43. ábra). Mint említettük,

a Si hővezetése szerencsés: megközelíti a réz hővezetőképességét. Ennek
ellenére gondoskodni kell a szelet globális hűtéséről - a dinamikus
hőkezelődésről mondottak alapján (2.2.5.) ez nem meglepő. A (T)
változása szilíciumban a Tsz környékén még jelentős, ezért nem tűrhető,
hogy a szelet akár csak 50°C-ra is felmelegedjék. Az ábra mutatta
termalizációs tartományban ui. ekkor már olyan hőmérsékletek
uralkodnának, amelyek nemkívánt mértékben felerősítenék a dinamikus
hőkezelődés szerepét.
Az ionok energiájának sugárzással való eltávozása általában
elhanyagolható a vezetéssel való termalizációhoz képest. Egyrészt a
Stefan-Boltzmann törvényben a T hatványkitevője miatt, másrészt az
ionok energialeadásának zöme az Rp táján történik, ami már közepes
energiák esetén is jelentősen a felület alatt van, tehát a kaszkád magas
"hőmérsékletén" várható kisugárzás gátolt. Tehát a következőkben a
hővezetéses hűtés problémáit ismertetjük.
A hőnek a szeletről való elvezetése a hátsó határfelületen
rendkívül érzékeny kérdés, egyrészt a vákuum miatt, másrészt amiatt,
mert a szeletek hátsó felületét nem szokták polírozni (több ok szól a
377
hátlap-polírozás ellen; az egyikről, a getterezésről a 2.4.7.3. fejezetben

szólunk is). A gondokat növeli, hogy a Si-szeleteket robotok helyezik-
veszik fel, ill. veszik le a szelettartóról, szeletmozgatóról. Emiatt a
rendszernek elegendően flexibilisnek kell lennie, azaz a pl. régebben a
nagyáramú gépekben gyakran alkalmazott szilikonzsírral való
felragasztások ma már emiatt sem felelnek meg.
Két rendszer terjedt el. Az egyik ún. elasztomér anyagokat
használ, amelyekre jól feltapad az acélkerettel leszorított szelet. A másik
még meglepőbb megoldás: a szelet előlapját egy vákuumzáró gyűrűnek
feszítjük és mögötte néhány m-es vastagságú ritkított gázteret hozunk
létre, amelynek nyomását úgy választjuk meg, hogy a gázmolekulák
szabad úthossza nagyobb legyen, mint a légrés. Ekkor ui., az ún.
Knudsen-tartományban nagyon jó, de főleg reprodukálható hővezetés
keletkezik a szeletről a már hűtőközeggel hűtött mintatartóra.
Mind az elasztomér, mind a gázhűtés alkalmazásakor a szeletek
kismértékben meggörbülnek. Ez - főleg a nagyátmérőjű szeleteken - a
csatornázás miatt szisztematikus hibát okoz(hat).
6.Példa Számítsa ki egy 100 kV-ra gyorsított, egyszeres töltésű
As ion sebességét.
v1 = [(2x105 eVx1,6x10-19)/(74.9x1,66x10-27kg)]1/2 = 5,07x105 m/s.
7.Példa Számítsa ki az egyszeresen töltött As-ion pályájának

sugarát V1 = 10 kV és B = 0,5 Wb/m esetén!
r = (1/0,5)[(2x74,9x1,66x10-27x104)/(1,6x10-19)]1/2 = 0,25 m.
378
2. 4. Implantáció félvezetőkbe
2.4.1 A rétegek minősítése
Az implantáció jelentősen megváltoztatja a felületközeli réteg

minden tulajdonságát - ha nem a belőtt anyag, de a szerkezeti hibák
révén mindenképpen. Így bármely tulajdonság alkalmas lehetne a hibák
tanulmányozására. Leggyakrabban 1) a primér, de főleg a szekundér
hibák, 2) az adalékanyag (1D-, 2D-, sőt 3D-) eloszlása, valamint 3)
annak elektromos aktivációja szempontjából - amely korrelál a rácsbeli
elhelyezkedéssel (az "akkomodálás" értelmében is) - szokták az
implantokat vizsgálni. Az optikai, tribológiai, korróziós, katalitikus
tulajdonságok mérése adott esetekben alapvető fontosságú. Az
implantációt a legtöbb esetben követő hőkezelések során bekövetkező
diffuziós és aktivációs folyamatokban a defektek fontos szerepet
játszanak - mindennek figyelése, befolyásolása adja a "minősítés" célját,
értelmét.
A jelen rövid összefoglalóban főleg az implantált félvezetők,
elsősorban a Si minősítésére összpontosítunk. Itt a rácshibák vizsgálatára
klasszikusan alkalmazott módszerek két fő csoportba sorolhatók:
integrális módszerek, amelyek valamennyi hiba együttes hozzájárulását
adják meg, és "spektroszkópiai" módszerek, amelyek alkalmasak az
egyes hibatípusok megkülönbözetetésére. Mint minden osztályozás, ez a
különválasztás is csak bizonyos határok között igaz: vannak ugyanis
olyan módszerek, amelyek mindkét jegyet magukon hordozzák.
Részletes áttekintés található számos, a ponthibák tanulmányozásában
alkalmazott módszerről Agullo-Lopez, Catlow és Townsend [1988]
könyvében, valamint pl. az "Analysis of Microelectronic Materials and
Devices" cimű kötetben (Eds. Grassenbauer és Werner [1991]).
A Backscattering Spectrometry (csatornahatással is kombinált

RBS). Ez a módszer végigkísérte az ionimplantáció kutatását, mert
érzékenysége, mélységi felbontóképessége és az a tulajdonsága, hogy
egyetlen mérésből rendkívül sokféle információ nyerhető, kifejezetten
illeszkedett az implantált rétegek jellemzőihez - bár a két, talán
legfontosabb szilícium-adalék, a bór és a foszfor esetében e módszerrel
csak a rácshibák tanulmányhozhatók.
379
Az RBS az ionsugaras analízis11 egyik speciális, de talán

leguniverzálisabb változata. A módszer egyfajta ionbesugárzás:
célszerűen kollimált, E0 (MeV) energiájú He+, ritkábban H, C, N ionok
nagy szögben (170°, "vissza-")szóródó - a  dózishoz viszonyított -
hányadát mérik energiafelbontásban. Ebben a geometriában a folyamat
teljesen rugalmas (2.2.2-4. fejezetek), így
1) a szóródó ionok energiája direkt kapcsolatban van az atomok
tömegével (energia transzfer, 2.2.15), ill.
2) hozama azok felületi sűrűségével (atom/cm2);
3) a behatoló és a mélyből visszaszóródó ionok energiavesztesége
mélységskálává transzformálható (2.2.34 alapján); mindezzel
mélységfüggő kémiai analízis végezhető (Gyulai et al.
[1970]);
4) csatorna irányban az adott mélységben mért hozam lecsökken,
de a rácshibákkal, rácsközi adalékatomokkal az ionok ütköznek, tehát a
visszaszóródó ionok jelzik ezek jelenlétét;
5) a rácspontokban helyet foglaló adalékok is behatárolhatók
"háromszögeléssel".
Véle Si
tlen MÉLYSÉGSKÁLÁK
irán
HOZAM
yú 0 ELEMENKÉNT
As
0
Csator
názott
-
0.56E0 E0
VISSZASZÓRT IONENERGIA
2.44. ábra. Arzénnal implantált szilícium véletlen, ill. csatornázott

irányú RBS spektruma, sematikusan. A "Hozam" az (E,E+dE) energiasávban
detektált részecskék relatív száma.
11
Az ionsugaras analízis (Ion Beam Analysis, IBA) gyűjtőneve mindazon módszereknek,
amelyek mononergikus részecskenyaláb szóródásából vagy a kiváltott magreakció
termékeiből következtetnek a vizsgált anyag anyagi minőségére, szerkezetére. Az alkalmazott
ionok általában "könnyű" ionok, a detektált "reakciótermék" lehet maga a (szóródott) ionok
árama, energiaeloszlása, az általuk kiváltott reakciótermékek (ionok, karakterisztikus
röntgensugárzás vagy gamma-foton) bármely mérhető paramétere.
380
Egy sematikus RBS-spektrumot mutat a 2.44. ábra. A lépcső-

jellegű görbe a szilíciumatomokról visszaszórt He-ionok hozama. A
felületi Si-atomokról  0,56E0 energiával szóródnak vissza, majd a
fékeződés miatt a detektorba érkező ionok energiája a mélységgel
csökken - innen a balra mutató mélységskála. A nehezebb, eltemetettként
képzelt arzén-eloszlás nagyobb ionenergiánál található (felületi As
atomról EHe  0,80E0). A csatorna irányban felvett spektrum közel
átlátszónak mutatja a kristályt, de a kiszóródás a mélységgel erőteljesen
nő. A felszínnél látható csúcs az ún. felületi csúcs, amely az ionok által
mindig "látott" felszíni atomokról (Si-nál 5x1015 atom/cm2)
visszaszóródó ionoktól származik (részletesebben: Gyulai és Mezey
[1985], Chu et al. [1978]).
A módszer fő korlátjaként megemlítendő, hogy az egymáshoz
közeli tömegű és egyúttal mélységben is közeli atomokról visszaszóródó
ionok energiája közel azonos, tehát ilyenkor az analízis lehetetlenné
válik. Fő előnye viszont, hogy - a detektortól eltekintve - bármelyik IBA
eljárás azonos berendezésre épül, tehát gondok fellépte esetén is szinte
biztosan van mód az analízis elvégzésére, legalábbis részleges
megoldás. További előny pl., hogy mivel a csatornahatással kombinált
RBS-nek a rácshibákra vonatkozó érzékenysége hasonló a
transzmissziós eletronmikroszkópéhoz, de nem igényel hosszadalmas
mintaelőkészítést, az RBS alkalmas annak eldöntésére, hogy érdemes-e
az egyébként képszerű és direktebb információt szolgáltató TEM-
módszerrel próbálkozni.
Transzmissziós és nagyfelbontású transzmissziós

elektronmikroszkópia (TEM, ill. HRTEM). A TEM alapvetően egy
elektronforrásból, a gyorsítófeszültséget ( 100 - 300 kV) biztosító
elektronágyúból, valamint a nyalábformáló (kondenzor) és objektív
szerepet betöltő elektromágneses lencsékből áll. A gyorsított elektronok
áthaladnak a mintán, a kilépő elektronokat az objektív lencsék a
mikroszkóposzlop alsó részében található fluoreszcens ernyőre vetítik. A
kívánt képminőség elérése után, a képet fényképészeti úton vagy
digitálisan rögzítik.
Két képalkotási módszert alkalmazhatunk a transzmissziós
elektronmikroszkópban: az ún. diffrakciós kontraszt módszer
("szokványos" TEM) a helyi diffrakciós és szórási körülmények
változásából származó "átlátszóság" változások kimutatására alapul (pl.
így különböztetjük meg az amorfizált réteget a kristályos szerkezetűtől);
a második az ún. nagyfelbontású (szokták rácsfelbontásúnak is nevezni)
381
leképezés, ilyenkor a kép két vagy több diffraktált elektronnyalábnak a

mintán eltérülés nélkül áthaladt nyalábbal történő interferenciája nyomán
keletkezik. A kép fekete/fehér pontok (diffrakciós
maximumok/minimumok) rendezett elhelyezkedéséből áll, azaz a minta
atomjainak szabályos elrendezését használjuk diffrakciós rácsként. Fel
kell hívni a figyelmet arra, hogy: a) ugyan ebből a képből
visszaszámolható az atomok tényleges elredeződése, de a nyers képen
látható pontok nem azonosak az atomi pozíciókkal b) a számolt atomi
pozíciók tulajdonképpen nem egy atom, hanem egy "atom-oszlop"-ra
vonatkoznak, azaz az elektronsugárral párhuzamos állású oszlopban
található ponthiba nem mutatható ki.
A TEM rutinszerűen alkalmazott a szekundér hibák,
leggyakrabban diszlokációk kimutatásában és újabban mennyiségi
vizsgálatában is. A módszer alkalmazhatóságának alapfeltétele a
megfelelően kis vastagságú,  10 nm (az elektronok számára "átlátszó")
minta kialakítása. Ezt több lépcsőben végzett mintavékonyítással, előbb
csiszolással, majd ionporlasztással vagy kémiai mintavékonyítással érik
el. Rendszerint két nézetet alkalmaznak, az ún. felülnézeti és a
keresztmetszeti mintát. A felülnézeti minta síkja párhuzamos az
implantált réteg síkjával, míg a keresztmetszeti minta síkja, mint
megnevezése is mutatja merőleges az implantált réteg síkjára. A 2.4.2
fejezetben számos példát fogunk adni a TEM alkalmazására implantált
rétegek minősítésében.
Röntgensugár diffrakció (X-ray Diffraction, XRD). A

szilárdtestek néhánytized nm nagyságredű rácsállandója ideális
diffrakciós rácsokká teszi azokat a röntgensugarak számára. Az állítást
megfordítva, a röntgendiffrakció kiválóan alkalmas a kristályos szerkezet
meglétének, vagy hiányának kimutatására. Ezen túlmenően,
bonyolultabb eljárásokkal, amilyen például a kétkristályos
röntgendiffrakció, kimutathatók az implantálás és hőkezelés után
jelentkező rácsfeszültségek. A kétkristályos röntgendiffrakció képes
ezeknek a néhány százalékos rácsállandó változásoknak a kimutatására,
így a módszer lehetőséget ad az implantált rétegben visszamaradó
feszültségek tanulmányozására (pl. Servidori [1987]).
A SIMS módszer (szekundér ion tömegspektrometria,

Secondary Ion Mass Spectrometry) alapgondolata, hogy mélységfüggő
kémiai összetételt lehet meghatározni, ha a mintát kontrolláltan
porlasztjuk és a távozó atomi fluxus ionos részét egy
382
tömegspektrométerbe vezetjük és folyamatosan regisztráljuk annak atomi

összetételét. A SIMS módszer - néhány bonyolult izotópos eljárástól
eltekintve, ill. egy-két elemnél az ionizáció gondjaiból eredő esetet
kivéve - a legérzékenyebb és a legnagyobb dinamikus átfogást biztosító
mikroanalitikai eljárás. Különösképpen alkalmas - az egyéb
módszerekkel nem, vagy alig vizsgálható bórprofilok hat nagyságrendnél
többet átfogó mérésére. Sajnos, a szintén gyakran igényelt
foszforprofilok érzékeny mérése a SIMS-nek is nehézséget okoz. A
mintegy 1-5 keV energiájú porlasztó ion fajtájának megválasztásával
(Ar+, Cs+, O- stb.) akár az érzékenység, akár a dinamikus átfogás
optimumát meg lehet találni. Szemben az RBS-szel, a SIMS-nek a
legnagyobb nehézséget az abszolut mérés jelenti. Relatív mérésekre
kiváló, de a standardok alkalmazása nehézkes. A gondokat főleg a
porlasztás okozza. Egyfelől az elkerülhetelen ionos keverés ront a
határfelületek élességén, másfelől a helyi összetételtől függ a leporlódott
anyag molekuláris és ionizációs állapota. Egyetlen mintán belül is
problémát jelenthet az ún. kedvezményzett (preferált) porlasztás, amikor
a vizsgált anyag egyes összetevői eltérő porlódási együtthatóval
rendelkeznek. Mindez tovább bonyolódik, ha a minta mélységi
összetétele jelentősen változik, és így a porlasztási sebesség is változik a
mérés folyamán. Ha a porlasztás egyensúlyba jutott, a gond enyhül és
noha a felszín összetétele már nem feltétlenül felel meg a minta
sztöchiometriájának - abból az első elvből következően, hogy a minta
teljesen elporlasztható -, a nehezebben porlódó komponens éppen
annyira dúsul fel a felületen, hogy belőle is a nominális összetételnek
megfelelő fluxus jelentkezik.
A módszer minden gondja ellenére a legelterjedtebb analitikai
eljárás a félvezetőipar területén. Új fejlesztésként, a tömegspektrométer-
funkciónak repülési idő ("Time-of-Flight", TOF) detektálásra való
átalakításával napjaink legérzékenyebb analitikai berendezése állt elő.
Kiváló példaként visszautalunk a 2.16. ábrára, ahol bórprofilok
láthatók.
A módszer egy kvantitatív változata az ún. szekundér neutrális
tömegspektroszkópia, az SNMS. Ennél a leporlódott atomok túlnyomó
többségét kitevő neutrális hányadot előbb egy ionforrásba vezetjük, majd
a kapott ionokat analizáljuk a tömegspektrométerrel. A várakozások
ellenére annyi a különféle veszteség, hogy az SNMS általában nem éri el
a SIMS érzékenységét, de mint mondottuk, kvantitatív, ami sok esetben
nagyon hasznos.
383
Terjedési ellenállás módszer. A terjedési ellenállás módszer

(Spreading Resistance, SR) gyors és igen elterjedt módszer az implantált
réteg hőkezelése alatt kialakuló átmenet mélységének, és bizonyos
hibahatáron belül az elektromos aktiváció mértékének megállapitására. A
módszer az eredeti felülettel kis szöget bezáró csiszolat ( 0.2°)
kialakításán és ezen a csiszolt felületen végzett, kétpontos
ellenállásmérésen alapul, ahol az egymástól 50 mm nagyságrendű
távolságra található hegyes fémszonda "lépeget". Kiindulópontként az
eredeti felület és a csiszolással kialakított felület alkotta "gerincet"
szokták alkalmazni. A lépegetés során alkalmazható legkisebb
lépéstávolság rendszerint tizedmikronos nagyságrendű.
Egy félvégtelen kiterjedésű homogén felületen D átmérőjű
kontaktuson mért ellenállás értékét az alábbi elméleti összefüggés adja:

Rs  ,
2D
2.4.1
ahol Rs a két pont közötti ellenállás érték,  pedig az anyag fajlagos
ellenállása. A gyakorlatban egy korrekciós tényező alkalmazása is
szükséges:

Rs  k () , 2.4.2
2D
ahol a k() értékét kísérletileg kell meghatározni hitelesítő minták
segítségével. A pn- (np-) átmenetnek ellenállás maximum felel meg. Az
adott mélységnek megfelelő fajlagos ellenállás értékből számolható az
elektromosan aktív adalék koncentrációja. Ezt összevetve a SIMS
mérésről nyert kémiai koncentráció értékkel, információt kapunk az adott
mélységre jellemző aktivációról.
Töltéshordozó élettartam mérések. A töltéshordozók élettartama
rendkívül érzékenyen reagál a rácshibákra, amelyek szórócentrumokként
és csapdákként viselkednek a mozgó töltéshordozókkal szemben. A
kisebbségi töltéshordozók élettartamát leggyakrabban a fotogenerált
töltések relaxációját mérve határozzák meg. Az élettartam reciprokálisan
adódik össze a tömbi és a felületi élettartamból. Ez utóbbit szokták
felületi rekombinációnak nevezni. A tömbi élettartam akkor határozható
meg egyértelműen, ha a felületi rekombináció, pl. a felület jódos
kezelésével, elektrolitbe merítéssel, közelítőleg elhanyagolhatóvá válik.
A vevetőképesség lecsengésének detektálására több lehetőség is van.
Elterjedt és nagyon jó, érintés- és kontaktusmentes módszer a -PCD
(Microwave Photoconductive Decay), amely egy lézerimpulzus által
keltett többlet-töltéshordozók okozta mikrohullámú vezetőképesség
384
lecsengését követve méri az élettartamot 12. A félvezető-elektrolit

kontaktus tulajdonságait, pontosabban a HF-be merített Si felületének az
ideálist megközelítő állapotát használja ki az ún. Elymat módszer
(Electrolytical Metal Tracer, Föll et al. [1989]), ahol a gerjesztést szintén
lézerimpulzus hozza létre és a vezetőképesség lecsengését mérik.
Mindkét professzionális készülék alkalmas a teljes szeletfelület 1 mm 2-
nél jobb felbontású élettartam térképének elkészítésére.
Tranziens mélynívó spektroszkópia (Deep Level Transient

Spectroscopy, DLTS). A DLTS módszer egy Schottky dióda kiüritett
rétegébe injektált töltéshordozók által előidézett kapacitásváltozás
időfüggésének mérésén alapul. A rövid töltéshordozó impulzus
megbontja az egyensúlyi állapotot, a csapdák feltöltődését eredményezi.
Ezután a szabadon hagyott rendszer az egyensúlyi állapot felé tart, azaz
töltéshordozók szabadulnak ki a csapdákból, a folyamat  időállandóját
mérik egy ún. tranziens kapacitásmérés során. Az emissziós folyamat
hőmérsékletfüggését felhasználva, úgy, hogy a mérést pl. a hőmérséklet
változtatásával végezzük, szétválasztható a különböző csapdák
hozzájárulása a kapacitás tranzienshez.
Amikor valamelyik csapda szerepe a kapacitás-tranziens
alakításában dominánssá válik, a Shockley-Read-Hall modell (Shockley
és Read [1952]) alapján a következő összefüggés írható fel a  értékére
1

 
   N t v t exp  E t  E F  / kT , 2.4.3
ahol  a csapda befogási hatáskeresztmetszete, Nt a csapda sűrűsége, vt a

termikus sebesség, Et a csapda energiája és EF a Fermi energia. Látható,
hogy valamely csapda emissziója akkor válik dominánsá, ha Et - EF > kT.
Feltételezve, hogy  nem függ a hőmérséklettől, és figyelembe véve,
hogy Nt ~ T3/2, valamint hogy vt ~ T1/2, azt kapjuk, hogy
1


~T 2 exp  E t  E F  / kT  . 2.4.4.
Tehát a hőmérséklet, és a kapacitás-tranziens időállandója

azonosítja az Et energiájú állapotot.
A DLTS módszert egyaránt alkalmazták a szennyeződések és a
hibák vizsgálatára. Különösen eredményes volt a módszer alkalmazása
az implantálás után fellépő vezetőképesség és élettartam csökkenést
12
Az egyik legkorszerűbb -PCD-t, valamint az alább ismertetendő DLTS készüléket
a magyar Semilab Rt. fejlesztette ki és viszi piacra.
385
előidéző centrumok azonosításában (Keskitalo és Hallén [1994], Hallén

et al. [1996])
In-situ elektromos mérések. Az eddigiekben tárgyalt módszerek

közös vonása, hogy ex-situ módszerek, tehát a mérés az implantálás
befejezése után, úgymond a végállapotban történik. A hibaszerkezet
implantálás közbeni alakulása is nyomon követhető in-situ
vezetőképesség méréssel. Battaglia et al. [1995 ] a dózis függvényében
négy nagyságrendnek megfelelő vezetőképesség csökkenést figyelt meg,
amelyet két nagyságrendnyi növekedés követett. A 400 keV energiájú Si
és 2.7 MeV energiájú Pt implantálás során alkalmazott dózisok a 10 9 cm-
2
dózistól a 1019 cm-2 dózisig terjedtek. A kisebb dózisok esetében
megfigyelt vezetőképesség csökkenés a töltéshordozók számát
csökkentő hibák számlájára írható. A vezetőképesség bizonyos mértékű
javulását a dózis növekedésével az magyarázza, hogy a kiterjedt hibák és
amorf tartományok képződése során a ponthibák koncentrációja
lecsökken.
Pásztázószondás módszerek. Akkor lenne ideális egy módszer,

ha egyszerre "láthatná" a hibát (adalék atomot) atomi felbontásban, és
ugyanakkor a hiba (adalék atom) környezetében jelentkező
tulajdonságbeli módosulásokról is információt nyerhetnénk. A
nemrégiben kifejlesztett pásztázószondás módszerek (Scanning Probe
Methods, SPM), mint a pásztázó alagútmikroszkóp (Scanning Tunneling
Microscope, STM, Binning et al. [1982] és az atomerő mikroszkóp
(Atomic Force Microscope, AFM) [Binning 1986] bizonyos mértékig
eleget tesznek ennek a kívánalomnak. Ezek a módszerek egy nagyon
hegyes tű (a "szonda") és a vizsgált minta felületi atomjai között fellépő
kölcsönhatáson alapulnak. Újdonságuk miatt kissé részletezzük ezeket.
Az STM működési elve a fizikából ismert alagútjelenség. Ha 0,1
nm nagyságrendű távolság választ el egymástól két vezetőt, akkor a
közéjük kapcsolt egyenfeszültség hatására a legmagasabb energiával
rendelkező elektronok "átugorhatnak" a negatív elektródról a pozitívra.
Az így folyó alagútáram erőssége exponenciálisan függ az elektródák
távolságától, ebből ered az STM kiváló felbontása.
Az AFM egy nagyon finom, mintegy 5 mm vastagságú,
egykristályos Si laprugón mikrolitográfiás eljárással kialakított
szilíciumnitrid tüske és a vizsgált felület között fellépő taszító jellegű
erők okozta rugó-deformáció mérésen alapul. A minta és a tű csúcsa
között ható erők jellemző értéke a nanonewton tartományban van.
386
A pásztázószondás módszerek alkalmazása az ionbesugárzással

keltett hibák vizsgálatára viszonylag újkeletű. STM segítségével atomi
felbontásban legtöbbet vizsgált anyagok egyike, a pirolitikus úton
előállított közel egykristályos grafit ("Highly Oriented Pyrolythic
Graphite", HOPG). A szilíciumban jelentkező hibák alagútmikroszkópos
vizsgálata elé a natívoxid gördít súlyos akadályokat. Egyrészt a Si atomi
felbontású leképezéséhez ultranagy vákuum (Ultra High Vacuum, UHV),
azaz 10-7- 10-8 Pa-nál kisebb nyomás szükséges (a natív oxid
kialakulásának késleltetésére), másrészt a már kialakult natív oxid
eltávolítását célzó eljárások (folysavas maratás, 1000°C kifűtés
vákuumban, vagy a felületi réteg eltávolítása ionporlasztás útján) által a
minta szerkezetében előidézett változások gyakorlatilag értelmetlenné
teszik az implantálással keltett ponthibák keresését.
A fent említett okok miatt sok, az implantálással keltett primér
hiba atomi léptékű vizsgálatát célzó kísérletben HOPG céltárgyat
alkalmaztak. A 2.45. ábrán a HOPG második
a
b a
c
b c
2.45. ábra. Atomhiányt mutató torzulás implantált grafitban (HOPG),

AFM mérés, Bíró [1996a] nyomán. A b metszet középső tartományában
megfigyelhető a felület alatti, második rétegben található atomhiány
jellegű hibának tulajdonítható bemélyedés
atomi rétegében elhelyezkedő atomhiányra utaló torzulást mutatunk be

(Biró et al. [1996a]), míg a 2.46. ábrán a HOPG két legfelső atomi
rétege között elhelyezkedő rácsközi atom környezetében megfigyelhető
szerkezetet mutatjuk be.
387
2.46. ábra. Rácsközi atom a besugárzott grafit (HOPG) két legfelső rétege között
a), torzítatlan rács azonos korülmények között felvett képe b). STM mérés, Bíró et
al. [1996a] nyomán
A felülettel párhuzamosan, oldalirányból sugározva be a mintát,

AFM segítségével sikerült szilíciumban tanulmányozni a nagyon nagy
energiájú (209 MeV) Kr+ ionok által előidézett roncsolódást a teljes (Rp
= 28 m) behatolási mélységig (Biró et al. [1996b, 1997]). A 2.47. ábrán,
Biró et al. [1996b]) arra az elvi kérdésre mutatunk rá, hogy hogyan és
milyen torzítással tud az AFM a tű csúcsátmérőjénél kisebb alakzatokat
leképezni. A b) ábra mutatja, hogy az AFM a helyi atomi
sűrűségváltozásokat érzékeli a "kopogtatás" közben. A tű csúcsának
görbületi sugara símító hatású.
kilépô részecske
összenyomás elôtti
felület
Roncsolatlan
kristály összenyomott felület
I I
V
D
2.47. ábra. a) Kitörési kráterek b) A magasabbrendű kaszkádoknál

nyomai 209 MeV-es Kr ionokkal az atomi sűrűségváltozások
párhuzamosan besugárzott Si- jelenlétét mutatja kráternek a
ban, 6 m (0,2Rp) mélységben, "kopogtató"-AFM felvétel.
Biró et al. [1996b]
388
Optikai módszerek, ellipszometria. Ezek - a TEM-hez hasonlóan

- főleg a rácshibákra érzékenyek és csak olyan nagy koncentrációk
esetén érzékelik az implant atomokat, amikor azok a komplex
dielektromos állandó értékét is befolyásolják. Az optikai módszerek a
tökéletes roncsolásmentességük és a méréskor is biztosítható, tökéletes
technológiai higiéne miatt nagyon alkalmasak a minősítésre, noha az így
nyert pl. szerkezeti információ értelmezése nem mindig egyértelmű, ill.
az értelmezés modellfüggő. A legelterjedtebb optikai módszer az
ellipszometria, amely egyetlen mérésből, a polarizációs sík
elfordulásának méréséből tud - megfelelő modell esetén -
rétegvastagságokat is azonosítani. A félvezető technológiában oxidok és
egyéb rétegek minősítésére széles körben használt eljárás alkalmas az
implantok vizsgálatára is (Fried et al. [1989]).
Fordítva szemlélve a jelenségeket: az optikai tulajdonságokban
implantáció (amorfizáció) révén bekövetkező változásokat
felhasználhatjuk integrált optikai elemek előállítására. Mivel az ebből a
szempontból szóbajövő anyagok legnagyobb része dielektrikum, a
dielektrikiumokkal foglalkozó 2.6.1. fejezetben beszélünk erről - akkor
is, ha a vizsgált anyag Si vagy Ge.
2.4.2. A másodlagos rácshibák fajtái
Hőkezelés során a rácsközi atomok hibafürtökké és kiterjedt

hibákká (pl. diszlokáció hurkokká) kondenzálódnak, de egyéb
defektreakciók is lejátszódhatnak. Az így előálló hibákat másodlagos
(szekundér) hibáknak nevezzük. A "másodlagos" hiba kifejezés nem
egyértelmű, hiszen pl. további hőkezelés hatására egyes, már kialakult
másodlagos hibák tovább oldódhatnak, sőt új, termikusan netán nagyon
is stabil hibák is keletkezhetnek. Mint a Bevezetésben említettük, az
alkalmazások tekintélyes részénél az implantált atomok "újraeloszlása"
káros, emiatt a hőkezelések hőmérsékletét igyekeznek alacsonyan tartani,
ezzel a "stabilnak" talált hibák választéka tovább növekszik. Világos,
hogy a másodlagos hibák szerepe rendkívül jelentős.
Nagyon kis implantációs dózisok (1012cm-2 ) esete. Az ilyenkor
keletkező egyszerű, ill. kettős vakanciák (V-V) a kis koncentrációk miatt
nem lépnek egymással kölcsönhatásba, így a hőkezelés hatására
viszonylag alacsony hőmérsékleten (Ta(V) = 460 K, Ta(V-V) =230 K)
hőkezelődnek. Az ilyen célú implantációs kísérleteknél, természetesen,
Ti = 10-100 K hőmérsékleten kell implantálni. Thompson et al. [1980]
389
mutatta ki, hogy 500 K hőkezelés után pl. a 15 keV, 10 12cm-2 As vagy
Sb esetében az eredeti ponthiba koncentrációnak már csak 10%-a
található meg. Ilyenkor, ha az implant atom olyan, hogy képes a rácsba
beépülni, a hőkezeléssel szubsztitúciós helyzetbe kerül és - miután a
"rendes" elektron konfiguráció kialakul - elektromosan is "aktív"-vá
válik. Az implantáció kisdózisú alkalmazásai (pl. 2.4.6.1.) ezért nem,
vagy alig okoznak gondot.
A 2.26. ábrán molekulaionokkal való implantálásra bemutatott
hőkezelési görbék idevonatkozó információt is tartalmaznak pl. a
kisdózisú implantáció defektjeinek a hőkezelődése rekintetében.
2.4.2.1. A kiterjedt hibák forrásai
A következőkben már nagyobb dózisokról beszélünk és az

ilyenkor fellépő hibák osztályozását mutatjuk be Jones et al. [1988]
nyomán. Az implantálás után keletkező hibák két alapvető folyamat
egyikéből származnak. Implantálás után a ponthibák koncentrációja
túltelített, emellett gyakran egy amorf réteg is jelen van. Hőkezelés alatt
a ponthibák kiterjedt hibákká állhatnak össze, amelyek leggyakrabban
"extrinsic" diszlokáció-hurkok. Az extrinsic megnevezés arra utal, hogy
az illető diszlokáció hurkok létrejötte az implantálás során a céltárgyba
jutattott "anyagtöbblettel" függ össze. Ha amorf réteg is volt jelen, akkor
a - bizonyos körülmények között, l. 2.4.4. - tökéletlen újrakristályosodás
is eredményezhet másodlagos, vagy kiterjedt hibákat. Előbb a
ponthibákból származó kiterjedt hibákat, a későbbiekben pedig az
újranövekedésből származó kiterjedt hibákat ismertetjük.
Ponthibák kondenzálódásából származó másodlagos hibák,

küszöb alatti hibák. A ponthibák kondenzációjából hőkezeléssel
keletkező másodlagos hibák három típusba sorolhatók. Ezeket a
ponthibák eredete alapján különböztetjük meg. Az első csoport az amorf
dózisnál kisebb dózisoknál áll elő (I. típusú hibák, vigyázat, római
egyes!). Ezeknek a hibáknak két jellegzetes megjelenési formája van: 1)
rúdszerű, más néven {311} hibák (Takeda és Kohiyama [1993]), 2)
diszlokáció hurkok. A {311} hibák alacsonyabb dózisnál képződnek,
mint a diszlokáció hurkok. A {311} hibáknak megfelelő dózis
küszöbértéke Si-ban 7x1012/cm2, míg a diszlokáció hurkok létrejöttéhez
2x1014/cm2 küszöbérték tartozik. Amint később látni fogjuk, a {311}
hibák sajnálatosan fontosak, mivel ezek oldódása szerepel a fokozott
390
diffúziót (TED) kiváltó rácsközi atom-fluxus forrásaként. Ezek a   a

esetben keletkező hibák alapvetően az ionimplantáció nem-konzervatív
jellegéből erednek: azaz, mivel a kristályba implantált ionok száma
messze meghaladja a vakanciák egyensúlyi számát, a Frenkel párok
rekombinációját követően a rácsközi atomok száma túltelítésbe kerül. A
Frenkel párok rekombinálódása, alacsony energiájú implantálás esetén
(néhány 100 keV alatt) nagyon jó hatásfokkal történik, csak kisszámú
vakancia tűnik el a felületen. Plauzibilis, hogy Si ionokkal "ön"-
implantált szilícium esetében a {311} hibákban kötött Si atomok száma
közelítőleg , amint azt ki is mutatták kvantitatív TEM vizsgálatokkal
(Eaglesham et al. [1996]). A 2.48. ábrán 20 keV, 2x1014/cm2 B+ ion
implantálása és Ta=750°C hőkezelés folyamán a {311} hibákban
megkötött rácsközi Si atomok fogyását mutatjuk be. Ha T a= 900°C
hőmérsékletű, 15 perces hőkezelést alkalmazunk, a {311} hibák
diszlokációs hurkokká alakulnak.
Mivel ezek a másodlagos hibák az implantált ionok által keltett
14
10
Nsi
-2
(cm )
13
10
12
10
20 100
Ta (min)
2.48. ábra. 2x1014 cm-2 bór implantációt követően a {311}
hibákban megkötött rácsközi Si atomok, NSi,számának fogyása
Ta=750°C hökezelés hatására (felülnézeti TEM-mel mérve, Jones és
Gyulai [1996] nyomán).
túltelített ponthiba-koncentráció következtében jönnek létre, az

eloszlásuk maximuma az Rp táján található. Ha az önimplantáció dózisa
meghaladja a 2x1014/cm2 értéket, de még   a, egyaránt
jelentkezhetnek a {311} hibák és a diszlokáció hurkok is. Az I-típusú
hurkokra I  , ami azt jelenti, hogy a diszlokáció hurkok nem képesek
befogni valamennyi, a {311} hibákból kiszabaduló rácsközi atomot. A
{311} hibák viszonylag kevéssé stabilak, 700 és 800°C között
exponenciális sebsséggel feloldódnak
Ha   2x1014/cm2 és Ta  800°C, kiterjedt hibák nem figyelhetők
meg (Jones et al. [1988]). Ha a dózis nagyobb, de még   a , az ún.
391
küszöb alatti hibák figyelhetők meg. Ezek stabilak lehetnek egészen

1000°C-ig. Ebben van részben egyik korábbi kijelentésünknek a
magyarázata, hogy ha nincs amorfitás, a rétegek nehezen
kristályosíthatók vissza.
A küszöb alatti diszlokáció hurkokkal a leggyakrabban B +
implantálás után találkozunk, mivel a bórra a értéke nagy. Ennek
ellenére, a küszöb alatti hibák képződését bonyolítja a bórnak azon
tulajdonsága, hogy hajlamos rácsközi atomokat befogni, ami oda vezet,
hogy lecsökken a kiterjedt hibák képződéséhez rendelkezésre álló I. Az
így befogott rácsközi atomok bór-intersticiális fürtöket képeznek (boron
interstitial clusters, BIC). Ezek mérete olyan kicsiny, hogy nem láthatók
a TEM felvételeken. Oldódásukkor viszont egy további rácsközi atom-
forrást képeznek, amely az általa okozott TED révén mutatkozik meg
(Zhang et al. [1995]). Ezt részletesebben fogjuk tárgyalni a 2.4.6.3.
pontban.
"End-of- range" (EOR) hibák. Ezek a II. típusú kondenzációs

hibák olyan diszlokáció hurkok, amelyek   a implantálást követő
hőkezelés során a kialakult amorf-kristályos (a/k) határfelületnek
megfelelő mélységben képződnek. Ez esetben a már amorfizált
tartományból a még kristályos, de erősen roncsolt a/k határfelület alatti
rétegbe lökött Si-atomok jelentik a diszlokációkban található nagyszámú
rácsközi atom forrását.
Ha Ta alacsony, ezeknek a hibáknak is egyidejűleg két válfaja
figyelhető meg: a {311} hibák és a diszlokáció hurkok. A küszöb alatti
hibákkal ellentétben, ahol {311} hibák képződhetnek diszlokáció hurkok
nélkül is, az a/k határfelület mögött I olyan nagy, hogy egyszerre
jelentkezik mind a kétfajta hiba.
Elfogadott, hogy az I-nek két forrása van: 1) az amorf rétegen
átrepülő ionok, azaz azok az ionok, amelyek a/k határfelületnél
mélyebbre hatolnak; ez hasonlít az   a esethez, attól eltekintve, hogy
az a/k határfelület mögötti implantációs profil integrált területe -nél
lényegesen kisebb ; 2) az ütközéses implantáció által kilökött
rácsatomok, amelyek átlagolt impulzusa az ionnyalábbal egyirányú. Ez
utóbbiak száma meghatározható a TRIM segítségével, ha kellően
nagyszámú ionra (105) végezzük el a szimulációt (Laanab et al. [1994]).
A   a esetén, alacsonyabb energián végzett önimplantációs kísérletek
azt mutatják, hogy - ismét a Frenkel párok rekombinálódásásnak nagy
valószínűsége miatt - az ütközéses implantáció hozzájárulása az I-hez
kicsiny a direkt átrepülő ionokéhoz képest.
392
A   a dózis esetén, a sekélyebb tartományok - ahol a keltett

vakanciák nagyobb hányada található - is amorfizálódnak, a hőkezelés
során bekovetkező szilárd fázisú epitaxiális újranövekedés ("Solid Phase
Epitaxial Growth", SPEG) után sok olyan rácsközi atom marad vissza,
amelynek a vakancia párja a SPEG során eltűnt. Ezek az intersticiálisok
az EOR tartományban található túltelített V vakancia-koncentrációval
együtt hozzájárulnak az EOR diszlokáció hurkok kialakulásához. A
pontos model, amely jól írja le a hurkokban csapdázódott rácsközi
atomok számának ionenergia-, dózis- és Ti-függését is, a rácsközi
atomok mindkét forrását tekintetbe veszi (Laanab et al [1993,94]).
Érdemes megjegyezni, hogy a szilíciumban oldott oxigén (esetleg
szén) szerepet játszhat az EOR hibák kialakulásában: Lorenz et al.
[1991] nagyságrenddel kevesebb EOR hibát talált az egyébként azonosan
amorfizált és hőkezelt Float Zone (FZ) szilíciumban, mint az általánosan
használt Czochralski (CZ) kristályokban (ez utóbbiak nagyságrendekkel
több oxigént és szenet tartalmaznak). Ezért lehetséges, hogy az EOR
hibák nukleációja tulajdonképpen nem homogén, hanem heterogén
nukleáció, amelyben az oxigénnel kapcsolatos hibák is szerepet
játszanak. Egy másik lehetőség az, hogy az oxigén/szén csapda-szerepet
játszik az öndiffúzió során, és ezáltal csökkenti az intersticiálisok
effektív diffuzivitását. A csapdák által korlátozott diffúziót tekintik
jelenleg a legjobb magyarázatnak a bórral adalékolt szupperrácsok
esetében megfigyelt viszonylag lassú diffúzióra is (Stolk et al. [1995]).
Ha a csapdába való befogás nagyobb a CZ Si esetében, akkor a
diszlokáció hurok nukleációja könnyebben megtörténhet, mert az
effektív túltelítettség nagyobb.
Ha tovább folytatjuk a hőkezelést, a diszlokáció hurkok
növekedési fázisa következik (Liu et al. [1995]), Lanaab et al. [1993]
modellje). A növekedési szakaszban I jelentősen csökken a diszlokácó
hurkok környezetében, és ennek megfelelően csökken valamennyi
adalékatom diffuzivitása is. A növekedési szakasz jellemző módón 30-60
perc időtartamú 800°C hőmérsékletű hőkezelés után kezdődik. A szilárd
oldhatóságnál kisebb dózisú implantálás esetén viszonylag magas
hőmérsékletű hőkezelés szükséges az EOR hibák teljes feloldásához.
Ezek a hőmérsékletek, álltalában magasabbak, mint amit a napjainkban
alkalmazott gyártástechnológiák hőterhelése megenged (l. 2.4.3.).
Precipitációval kapcsolatos hibák. Az ötödik csoportként

definiált (V. tipusú) kondenzációs hibák valamilyen szennyező anyag
kiválása nyomán keletkeznek a szilíciumban, ezért ezeket a hibákat
precipitációs hibáknak nevezik. Mivel az implantáció nem-egyensúlyi
393
eljárás, az adalékatomok igen nagy koncentrációban bevihetők a

szilíciumba. Ha ezeknek az anyagoknak a koncentrációja meghaladja a
szilárd oldékonyságot, akkor a hőkezelés kiválást (precipitációt)
eredményezhet. A kiválás két fajtájú hibát kelt. Az első fajta magának a
szennyeződésnek a kiválása. A legszokványosabbak a fémes
precipitátumok mint az Sb, Sn, vagy Ga (Jones et al. [1988]. Az V.
tipusú (vigyázat! római ötös) hibák az implantált ionok behatolási
mélységének tartományában képződnek. Az is előfordulhat, hogy a
precipitáció során olyan nagy koncentrációban keletkeznek ponthibák,
hogy azok kondenzációja nyomán kiterjedt hibák képződnek. Ez a
jelenség leggyakrabban nagydózisú As+ implantálás után figyelhető meg.
Az az elfogadott álláspont, hogy hőkezelés közben egy vakancia körül
egy kis As-fürt keletkezik, amely TEM segítségével még nem mutatható
ki. Ugyanakkor, amint azt majd később részletesebben tárgyaljuk, az As
kiválási folyamata nagyszámú rácsközi atomot eredményez, amelyek
diszlokáció hurkok formájában kondenzálódhatnak. Más adalékok,
úgymint a foszfor, nem képeznek kimutatható precipitációs hibákat, ha a
dózis nem haladja meg az 1 x 1016/cm2 értéket (Jones et al. [1987]).
Szilárdfázisú újranövekedésből származó másodlagos hibák. A

hibák másik nagy csoportját azok a hibák képezik, amelyek az
implantálással amorfizált réteg tökéletlen újranövekedéséből
származnak. Alapvetően két úton jöhetnek létre. Az első az, amikor a
SPEG tökéletlenül zajlik és hibák nukleálódnak az előrehaladó a/k
határfelületen és ezek a hibák belenőnek a kristályosodó szilíciumba. Az
újranövekedési hibák másik fajtája az eltemetett amorf réteg
újranövekedésekor keletkezik. Ezek a hibák akkor keletkeznek, amikor a
két mozgó amorf/kristályos határfelület találkozik, de nem illeszkedik
tökéletesen.
Újranövekedési hibák (III. tipusú hibák). Az újrakristályosodási

folyamat során kialakuló hibák leggyakrabban v-alakú ("hairpin") vagy
más néven áthidaló ("spanning") diszlokációk. Ezek eredete az
egyenetlen a/k határfelülettel függ össze, amely gyengén amorfizáló
ionokkal végzett vagy/és magashőmérsékletű implantáció nyomán
keletkezik. Ezek a hibák nem túlságosan stabilak és kiküszöbölődnek az
atomi síkok alácsúszásával ("glide/climb" mechanizmus), amelynek a
jellemző aktivációs energiája 2 eV (Seidel [1985]). Ugyanebben a
cikkben Seidel arról is beszámol, hogy a Ge alkalmazása
előamorfizálásra csökkenti a III. tipusú hibák számát. Alacsony
hőmérsékleten és jó termikus kontaktussal végzett előamorfizálás
394
esetében kevesebb hiba nukleálódik és az újrakristályosítás hibamentes

lehet mintegy 0,5 m vastagságig. Ezeknek a hibáknak egy másik
gyakori fajtája az <511> ikresedés, vagy torlódási hiba ("stacking fault").
Ez utóbbi hibák elősegítik a fluor felületi szegregációját a BF 2+ ionokkal
implantált mintákban (Carter et al. [1984]). Mivel ezek a hibák nem a
ponthibák egyensúlyának megbomlásából származnak, általában nincs
lényeges befolyásuk a subsztituciós adalékok diffúziójára. Ennek
ellenére, mint bármely diszlokáció, idegen atomokat foghatnak be - és
ha kereszteznek egy p-n az átmenetet - vezető csatornát képezhetnek a
visszáram számára.
Kagylóhéj hibák. Az újrakristályosodási hibák második csoportja

az eltemetett amorf réteg hőkezelésekor jelentkezik. Ha az ionok
energiája elég nagy és a dózis elég kicsi, akkor előfordulhat, hogy az
implantáció eredményeként eltemetett amorf réteg keletkezik. A
hőkezelés során a SPEG mindkét a/k határfelület irányából beindul.
Amikor a két növekedési front találkozik, sok hiba maradhat vissza.
Ezeket a hibákat - alakjuk miatt - "kagylóhéj" hibáknak nevezik (Sadana
et al. [1982]), de nevezik még "húzózár" ("zipper"), ill. IV. típusú
hibának. Az {111}-szilíciumban az ilyen IV. tipusú hibák az EOR
hibáknál nagyobb átmérőjű (100 nm) diszlokáció hurkokból állnak.
Ezek a rétegek a felülettel párhuzamos (111) síkban hibás, extrinsic
diszlokáció hurkokból állnak, tökéletes diszlokáció hurkokat alkotnak az
{110} síkokban. Az eltemetett amorf réteg újranövekedése {100}
szilíciumban nagyméretű csavardiszlokációk kialakulásához is vezethet
(Jones és Prussin [1986]).
2.4.2.2. Az adalékokra jellemző hibák
Ebben a pontban néhány adalékatomokra sajátosan jellemző

hibákkal fogunk foglalkozni.
1) Bór. Az implantált bór, künnyű atom lévén, jószerivel teljesen
elektronfékezéssel lassul, ezért a  1 x 1017/cm2, a pontos érték a
nyaláb-áramsűrűségtől, valamint az implantálás hőmérsékletétől függ
(Jones et al. [1988], Shi et al. [1994]). Ezért a szokványos dózisok
szobahőmérsékleten nem amorfizálják a szilíciumot. Amint arról már szó
volt, a dózis növekedésével az egyszerű hibák (ponthibák) küszöb alatti
(I. tipusú) hibákká kondenzálódnak.
395
Kis dózisok esetén (  1012 -1013/cm2) az elektromos aktiváció,

azaz az implant atomok rácspontba juttatásának hatásfoka viszonylag jó.
Az elektromosan aktiv hányad monoton növekedést mutat "izokron" 13
hőkezelés esetén 400-tól 900°C-ig. Ha a dózis meghaladja a 1 x 10 14/cm2
értéket, az ún. "reverse annealing", azaz fordított hőkezelésnek nevezett
jelenség figyelhető meg. Ennek során az adalék aktivált hányada csökken
a növekvő hőkezelési hőmérséklettel. Ez összefüggésben állhat a bór
fürtök képződésével és oldódásával. A TEM felvételeken két fajta
küszöb alatti hiba mutatható ki, a {311} hibák és a diszlokáció hurkok.
Lehet továbbá egy feltételezett (TEM-mel ki nem mutathatató) bór-
intersticiális fürt (BIC) hiba is, amely szintén kialakulhat. A {311} hibák
képződése függ az implantált ionok energiájától és a dózistól, de
általában nem jelentkeznek 1 x 1014/cm2 és 20 keV alatt. A {311} hibák
és a BIC jelentős szerepet játszanak a fokozott diffúzió során. A
diszlokáció hurkok álltalában csapdaként szerepelnek a {311} hibákból,
valamint a BIC-ből kiszabaduló rácsközi atomok számára.
2. A foszfor amorfizálhatja a szilíciumot már a szokványos
dózisok (6 x 1014/cm2) alkalmazása esetén is. Ezért az alacsony
hőmérsékletű hőkezelés jó elektromos aktivációt eredményez, különösen
a nagy dózissal végzett implantálás után [Tokuyama et al [1978], 2.49.
ábra).
2.49. ábra. (111) Si szeletbe 50 keV energiájú P implantálása és 15

perc 840o C hőkezelés után mért töltéshordozó koncentráció profilok,
Tokuyama et al. [1978] nyomán.
13
Azonos mintán, azonos idõtartamú, fokozatosan növelt hõmérsékleten végzett hõkezelés
neve. Tipikusan 15 perc idõtartamú, 50°C-os lépésekben növelt hõmérsékletet alkalmaznak.
Jelentõs különbséget okoz, ha nem azonos mintán végzik ("Thermal history", Csepregi et al.
[197
396
A töltéshordozók mélységi eloszlásának profilja azt mutatja, hogy

a hibák csak részben hőkezelődnek ki, az alacsony dózisnak megfelelő
görbék ugyanis eltérnek a nagy dózisok görbéitől. Ami a hibákat illeti, a
legszokványosabbak az EOR hibák. Precipitációval kapcsolatos hibák
nem jelentkeznek 1 x 1016/cm2 dózisig. Egy meglepő megfigyelés azt
mutatja, ha a dózist a szilárd oldhatóság határa felé emeljük (50 keV, 5 x
1015/cm2), akkor jelentősen megnövekszik az EOR hibák oldhatósága
900°C-on (Jones et al. [1987]). A dózis növekedése 1 x 1015/cm2 értékről
1 x 1016/cm2 értékre azt eredményezi, hogy az EOR diszlokáció hurkok
stabilitása jelentősen csökken. Ez a hatás valószínűleg a foszfor
precipitációjával áll kapcsolatban, mechanizmusa azonban még nem
tisztázott.
3. Az arzént nevezhetjük mára a legfontosabb n-típusu

adalékanyagnak. Annak, hogy a foszfort gyakorlatilag kiszorította az
integrált áramkörök gyártásából, több oka is van: 1) a szilíciumhoz
képest nagy tömege segít az amorfizálásban, 2) a mindezzel együttjáró
kis Rp és 3) a viszonylag kis diffuzivitása is előnyös, emellett 4) a szilárd
oldatósága egy nagyságrenddel meg is haladja a foszforét, emiatt még
kisebb kontaktusellenállás érhető el vele.
Az As nagy tömegének tulajdoníthatóan az általa okozott
legszokványosabb kiterjedt hibák az EOR hibák. Emellett van egy
sajátos As-okozta rácshiba. Amint az már említésre került a precipitációs
hibák tárgyalásánál, ha 100 keV körüli energián,   2x1015/cm2 dózist
implantálunk, akkor a hőkezelés során egy második hibaréteg is
kialakulhat a behatolási mélység táján. Ezeket a szubmikroszkópikus
méretű (néhány atomnyi) hibákat az As-fürtök egy vakancia körüli
precipitációjának tulajdonítják (Jones et al. [1988]). A fürtök képződése
során rácsközi atomok szabadulnak fel, amelyek diszlokáció-hurkokban
kondenzálódhatnak. Ha ezek a további hőkezelés hatására eljutnak a
felületig, akkor a hurkok félhurkokká fejlődhetnek. Ha mindez a pn-
átmenet tartományába esik, az az eszköz működésére károsan hat.
4. További elemek. A ritkábban alkalmazott adalékanyagok közé
tartozik az alumínium, antimon és gallium. Mindegyiküknek van
valamilyen hátránya, ezért nem rendelkeznek olyan technológiai
jelentőséggel, mint az előzőekben már tárgyalt adalékok. A Si homológ
sorának nehezebb elemeit (Ge, Sn), előamorfizálásra használják, ezeket
nem fogjuk részletesebben tárgyalni.
397
Az alumínium kis oldhatósága miatt a diffúzióval történő Al

adalékolás nem praktikus. Ennek ellenére lehetséges az ötvöződés a Si és
az Al között annak az alacsony hőmérsékletű eutektikumnak
köszönhetően, amelyet e két elem alkot. P-tipusú adalékolásra való
alkalmazása régi küzdelem, amelyet csak mérsékelt siker koronáz. Az
alumíniummal előállított átmenetek jó átütési tulajdonságokkal
rendelkeznek, viszont a szabad töltéshordozók koncentrációja és
mozgékonysága alatta marad a bór implantálással elérhető értékeknek.
Az egyetlen elfogadható eljárás az adalék ki-diffundálásának
csökkentésére a magas-hőmérsékletű implantálás.
Antimon. Korúbban antimont alkalmaztak az ún. szubkollektorok
kialakítására, annak nagyon alacsony diffúziós együtthatója miatt, ami
annak tulajdonítható, hogy az antimon kizárólag vakancia-
mechanizmussal diffundál. Mivel oldhatósága is kicsi (2-4 x 1019/cm3),
az As a legtöbb alkalmazásból kiszorította. Igen nagy tömegének
köszönhetően azonban az Sb nagyon jól amorfizál és előamorfizálásra
alkalmas. Az Sb-okozta kiterjedt hibák leggyakrabban EOR hibák és
fémes Sb precipitátumok.
Gallium. Az Al-hoz hasonlóan, a gallium is egy lehetséges jelölt a
teljesítmény-eszközök előállításában, de szintén hátránya az alacsony
oldhatóság és a ki-diffundálási hajlam. Nagy tömegének köszönhetően
viszonylag alacsony dózisok esetén már amorfizál (a = 2x1014/cm2), így
az EOR hibák a jelentkeznek a legnagyobb számban. Az alacsony
oldhatóság következtében, kis Ga precipitátumok is megfigyelhetők. A
foszforhoz hasonlóan, a szilárd oldhatóságot meghaladó dózisok esetén
az EOR hibák gyorsabban oldódnak a hőkezelés alatt, mint alacsonyabb
dózisokon. Jó elektromos tulajdonságokat sikerült elérni fedőréteg alatt
végzett diffúzióval (Müller et al. [1975]).
Rácshibák szubmikronos áramköri szerkezetekben. A kis

méretekből következik, hogy az egységek kerületi részeinek szerepe
megnő. A hasadékalakú (nagy "aspect ratio") ablakokat tartalmazó
maszkok sarkaiban várhatók új, sajnos zömmel előnytelen jelenségek.
Előszöris, az ionok oldalirányú kiszóródása olyan rácshibákat
eredményezhet, amelyek belenyúlhatnak a sekélyebb rétegekbe.
Másodszor, az ablak oldalfala az ionok behatolása útjában egy áttetsző
tartományt eredményez, amely első közelítésben egy kisebb energiájú
lokális implantálásnak felel meg, azaz a mélységi szórás
megnövekedéséhez vezet. Ez keveredhet a harmadik tényezővel, a maszk
atomjainak ütközéses implantálásával. Végül, a felületen található
398
maszkoló réteg által keltett mechanikai feszültség is hozzájárulhat

diszlokációk kialakulásához (Tamura et al. [1989]).
Bórimplantnál,   a esetben, EOR hibák képződnek, de az
újranövekedés a maszk szélén zavartalan. Amorfizáló P és As dózisok
esetében a hibák az amorf réteg alatt jelentkeznek. Természetük és
méretük nem függ az ablak méreteitől, de bonyolult hibák figyelhetők
meg az ablak szélein, amelyek az amorf réteg tökéletlen visszanövéséből
erednek Ha az implantált réteg hőkezelése során nagy mechanikai
feszültségek vannak jelen, mint például a maszkoló rétegen nyitott ablak
széleinél, akkor éldiszlokációk is keletkezhetnek. Az ilyen hibák
nemkivánatos visszáramot okoznak pl. egy DRAM cellában.
2.4.3. Hőkezelési stratégiák, rácshibák hőkezelése
A csökkenő eszközméretek azt eredményezték, hogy a korábbi

stratégia, amikoris a funkcionális határfelületeket (elsősorban a pn-
átmeneteket) a stabil rácshibák zónájától az implant atomok mélyebbre
diffundáltatásával el lehetett választani, mára nem folytatható, mert a
jelen igényeihez illleszkedő, immár minimális diffúzió nem
kontrollálható. Nagy jelentőséget kapott tehát az, hogy az implantációval
a végleges eloszlást kell előállítani és emiatt a teljes technológiai
folyamatban a lehető legkisebb hőterhelésre kell törekedni. A
hőmérséklet-idő ciklusok (termikus terhelés, "thermal budget") pontos
megtervezése és kézben tartása alapvető feladattá vált.
A hőkezelési filozófiák tárgyalása elején röviden visszautalunk a
dinamikus hőkezelődésre, amely már a teljes folyamatnak is fontos része.
A különböző implantációs eljárások esetén a dinamikus hőkezelődés
termodinamikailag eltérő jellegű. Pl. alacsony hőmérsékleten,
molekuláris ionokkal végzett implantálást - mint dinamikus hőkezelést -
adiabatikusnak tekinthetjük, igaz, csupán egyetlen kaszkádnak megfelelő
térfogatban. Fókuszált ionsugárral, vagy nagy ionáramsűrűséggel végzett
implantálás már az adiabatikus és izoterm (a szelet egésze is fel tud
melegedni) eljárások közötti köztes esetnek tekinthető.
Adiabatikus folyamatként tekinthetők a lézer- vagy részecske-
impulzusokkal14 végzett hőkezelések, mert azok az állapotok
14
Ionimpulzusokkal , ha egy-egy impulzus elegendő felületi energiasűrűséget is képvisel,
önhőkezelő implantáció is lehetséges (pl. Gyulai és Krafcsik [1989]).
399
befagyasztását okozó hülési sebességekkel járnak, azaz metastabil

állapothoz vezetnek.
Az egyre terjedő, halogénlámpákat alkalmazó, "gyors" hőkezelés
időtartama 10-100 s, ("Rapid Thermal Annealing", RTA), ill. a
hagyományos kályhás hőkezelés, amelynek időtartama tíz percekben
mérhető ("Furnace Annelaing", FA). Ezek már nem in situ folyamatok.
Mivel alkalmazásukkor a teljes szelet felmelegszik, ezeket az eljárásokat
az izotermális kezelések közé soroljuk. A a félvezető gyártásban,
ezidáig, kizárólag izotermális hőkezeléseket alkalmaztak.
2.4.3.1. Hőkezelési stratégiák
A hőkezelés mai gyakorlatának időskálája nyolc nagyságrendet

fog át: a 10-4 - 104 s tartományt. A különböző hőkezelési eljárások
osztályozhatók 1) a (T,t) ciklus, valamint 2) a szelet térfogati része
hőmérsékletének idő- és térbeli függése alapján.
Az adiabatikus hőkezelés során a gerjesztés részben atermikus (az
elektrongáz- és a kristályrácshőmérséklete eltérő), s a termalizáció (a
hőmérsékletek kiegyenlítődése) csupán 10 -11 s alatt követetkezik be.
A hibaszerkezet végállapota azonban mindenképpen metastabil. A
metastabil állapotok instabilitását egy aktivációs energia
hozzárendelésével lehet jellemezni. A mergbízhatóság szempontjai miatt
viszont ennek az aktivációs energiának elegendően nagynak kell lennie a
kT termikus energiához képest. Ha nem ez a helyzet, a gyakorlati
alkalmazás lehetőségei kizártak.
A metastabil állapot relaxációját Révész et al. [1980] mutatta ki
először, szilíciumba implantált antimon és lézerimpulzusos kezelés
segítségével. A szeletet a szilárd oldhatóságot meghaladó szintig
adalékolták implantálással és (nem olvasztó) lézerimpulzussal
hőkezelték. Ez után a kezelés után valamennyi implantált atom
elektromosan aktív volt. Ezt követően a lézerrel kezelt mintát egy
hőkezeletlen, összehasonlító mintával együtt izokron hőkezelési
sorozatnak vetették alá. Az aktivált szelet kitűnő felületi
vezetőképessége Ta  600°C kezelés hatására lecsökken ( az Sb-atomok
rácsközi helyre ugrottak) és, végül, 900°C-tól már együtt futott az
összehasonlító minta vezetőképességi görbéjével (amely mindössze az
implantdózis 30%-ának megfelelő elektromos aktivitást érte el Ta =
1000°C-ig). Ez azt mutatja, hogy a néhány tized elektronvolt aktívációs
400
energiával rendelkező metastabil állapotok átalakulása már viszonylag

alacsony hőmérsékleten elkezdődik.
Adiabatikus felmelegítés (pl. lézer vagy részecske (elektron-, ion-)
impulzus) alkalmazásakor is csak a szilárdfázisú reakciók
alkalmazhatók, mert az olvadékfázisbani gyors diffúzió többnyire nem
kerülendő. A szilárdfázisban viszont hőkezeletlen rácshibák
maradhatnak vissza. A hőmérsékleti gradiens bizonyos határok között
tervezhető az félvezető abszorpciós együtthatójának ismeretében: nagy
hullámhosszúságú fotonokat, vagy nagy behatolási mélységű
elektronokat alkalmazva, egyenletes felmelegítést kapunk (kis
hőmérsékleti gradiens), ezzel szemben nagy gradiens érhető el UV
megvilágítás, vagy kisebb behatolású ionok alkalmazásával. A
közelmúltban növekvő érdeklődés mutatkozott az adiabatikus hőkezelési
módszerek iránt. Például a sekély átmenetek előállításában ("Pulsed
Laser Assisted Deposition, PLAD) fokozott erőfeszítések irányulnak a
lézeres felületi olvasztást követő visszanövesztés alkalmazására. Ennek
során a felületet megolvasztják egy az adalékanyagot tartalmazó gáz
jelenlétében és így egy vékony, erősen adalékolt réteget állítanak elő. Az
adalékolás egyenletességével kapcsolatos kérdések azonban korlátokat
szabhatnak az eljárás ipari alkalmazása elé.
IBIEC, IBIA. Ezen a ponton térünk ki az IBIEC kissé
részletesebb ismertetésére. Itt egy, a szeletben már meglévő amorf
réteget ionokkal lövünk át és az ionok váltják ki az epitaxiális
újranövekedést. (A jelenség alapvetően a dinamikus keveredés rokona.)
A kristályosodás és amorfizálódás közötti egyensúlyt ismét a
ponthibák mozgása határozza meg: ha azok el tudják érni az a/k
határfelületet, epitaxiális újrakristályosodás történik, ha nem, akkor az
amorf réteg kiterjed (IBIA). A ponthibák mozgékonyságának a
szabályozása a megfelelő szelethőmérséklet megválasztásával történik.
Az alapvető megállapításokat Elliman et al. [1987] foglalta össze:
1) az IBIEC és az IBIA tartományokat egy Tk kritikus hőmérséklet
választja el (Si esetében: 318oC), 2) a MeV energiájú Ar+ ionokkal
kiváltott növekedés aktívációs energiája 0.24 eV, 3) a visszanőtt réteg
vastagsága arányos -vel, 4) 318°C-on a mért növekedési sebesség 6
nm/1016 Ne+ /cm2.
A magas hőmérsékleten végzett implantálás olyan hőkezelési

elv, amely mérsékelt sikerrel ugyan, de széles körben elterjedt volt a
kezdetektől fogva. A már korábban tárgyaltak alapján belátható, hogy a
Si hővezető-képességének csökkenése a hőmérséklet emelkedésével azt
401
eredményezi, hogy a kaszkádok aktív életszakasza meghosszabbodik és

kevesebb rácsközi atom alkot hibafürtöket. Tehát a magas hőmérsékletű
implantálás elősegíti a hibák mozgékonyságát, a kristályosodást. Ez
bizonyos mértékig igaz a diffúzióra is, ott azonban a körülmények
valamivel bonyolultabbak. A magas hőmérsékletű implantálás
legszélesebb körű alkalmazása a SIMOX rétegek előállítása.
Magashőmérsékletű implantálásnál nem egyszerű szétválasztani a
nyalábfűtés hatásait az izoterm melegítésétől. Belátható, ha a szeletre
szerelt hőmérő ugyanazt az értéket is mutatja, a körülmények a
mikrotérfogatokban nagyonis különbözőek lehetnek.
2.4.3.2. A hőciklus és a hőterhelés
Azt már említettük, hogy a VLSI és ULSI technológiákban a

hőterhelést olyan alacsonyan kell tartani, amennyire csak lehetséges,
hogy az adalék diffúziója elkerülhető legyen. Ugyanakkor, a
hőkezeléseknek biztosítaniuk kell a megfelelő aktívációt és a hibák
hőkezelését.
2.50. ábra. A hőkezelések idő-hőmérséklet ábrája. A szaggatott

vonalak a defektek eltűnésének/megmaradásának (T,t) tartományait, a
folytonos vonalak pedig a bór különböző mértékű, diffúziós
újraeloszlásának tartományait választják el (Fair és Ruggles [1990]
nyomán). Látható,hogy 0,25 m újraeloszlás megkövetelése esetén nem
is lehet szó a defektek teljes hőkezeléséről. angol ábra, szöveg nem
pontos
402
A 2.50. ábra Fair és Ruggles [1990] nyomán illusztrálja a

hőciklusból eredő komplex gondokat. Az ábrán - a defektreakciókat
Boltzmann-folyamatokként leíró Arrhenius-egyenesekként kezelve - a
mély, ill. a sekély rácshibák hőkezelődéséhez minimálisan szükséges
(T,t)-ciklusokat szaggatott vonalakkal ábrázoltuk. A folytonos vonalú
görbesereg elemei azon szempont szerint választják ketté a (T,t)-síkot,
hogy egy adott ciklus alatt az adalékok mekkora újraeloszlást (diffúziót)
szenvednek el. A következtetés egyértelmű: ha a bór-implantnak 0,3
m-nél nagyobb távolságra való diffúziója megengedhetetlen, nincs
olyan hőkezelési ciklus, amely - hagyományos implantációt feltételezve -
a rácshibákat is kiküszöböli. A következtetés kettős: vagy fenntartjuk a
technológia egyszerű voltát és együtt élünk a maradék rácshibákkal,
vagy bonyolultabb eljárásokat dolgozunk ki (pl. a defekt-mérnökség
eszközeit is bevetjük). Ehelyütt ismét meg kell említeni, hogy a TED
jelensége még hozzá is járul az újraeloszlás növeléséhez.
2.4.3.3. A "defekt-tervezés" elvei.
A fogalom lényege a defektektől való megszabadulás tudományos

stratégiáját fedi. A lényege abban foglalható össze, hogy a
defektreakciókat leíró mérleg-egyenletek mögötti folyamatok
Boltzmann-faktorokkal írhatók le, amelyekben egy pre-exponenciális,
amely az ugrásgyakoriságot adja, és a kapcsolódó aktivációs energia
együtt szabja meg a reakciók futását és ezzel a végállapotot. A "defekt-
mérnökség" a folyamatok tudatos tervezését jelenti és speciális
eszközöket is felhasznál; pl. további rácshibák bevitelétől sem riad meg
annak érdekében, hogy egy optimális végállapothoz eljusson. A
defektmérnökség eszköztárát többféleképpen osztályozhatjuk.
Osztályozhatjuk aszerint, hogy a primér kaszkád folyamatait akarjuk
befolyásolni, vagy az utókezelések révén akarjuk elérni a célt.
Beszélhetünk termikus és atermikus módszerekről, ahol a termikus
módszerek a (T,t) ciklusok alkalmazását, az atermikus módszerek
további foton-, elektron- vagy ionbesugárzásokat jelentenek.
A következőkben a primér kaszkádfolyamatok befolyásolására tett
kísérletekből válogatunk. A szinte triviális példa a magas hőmérsékletű
implantálás, amelyet fentebb ismertettünk. Itt ismét két lehetőség van: a
nyalábbal való hőkezelés, amely tartalmaz atermikus elemeket is, hiszen
a kaszkád által észrevehetően nem melegített térfogatokba is
diffundálnak a rácshibák és ott változásokat okoznak. A SIMOX jó példa
403
erre. A másik lehetőség, hogy kis áramsűrűséggeel implantálunk, de

fűtéssel megemelt Ta hőmérsékleten (Yu et al. [1993]). Ilyenkor
tudomásul kell venni a bekövetkező mély diffúziót, de a T a = 7-800°C-
nál részben hőkezelődő réteg elektromos tulajdonságai jók, és habár a
maradék defektek getterezik (2.4.7.3.) az implantált arzént, az implant
atomok elektromosan aktívak maradnak.
Egy további lehetőség, amelyet Morozov és Tetelbaum [1979]
javasolt abban áll, hogy a felületen tértöltést hozunk létre pl.
megvilágítással, és ez a tér tereli a kaszkádban már lasuló, de még
mozgó, töltéssel renelkező ponthibákat. A fotonbesugárzással létrehozott
fotoelektromos erőtér (Mordkovich et al. [1991], Biró et al. [1993]) n-
tipusú Si-ban a negatív, vakancia jellegű hibákat befelé, a pozitív,
rácsközi atom jellegű hibákat pedig kifelé, azaz - mivel a felület
közelében a vakanciák, beljebb a rácsközi tipusú hibák dominálnak -
egymás felé hajtja. Ezzel megnöveli a rekombináció esélyét és a primér
defektek számának csökkenését okozza.
Rokon alapgondolatot fogalmazott meg a pre-amorfizálás esetében
(2.4.4.) Dehm et al. [1991], amikoris az amorfizációt többszörös
implantációval végezte. A Ge-ionok energiáját olymódon növelte, hogy
az új kaszkádokban a vakancia-dús rész fedésbe kerüljön egy másik
belövés rácsközi atomokban dús részével. Ezáltal mind a kaszkádok
lehülésekor, mind a következő hőkezelések során a Frenkel párok
rekombinációs valószínűsége megnőtt. Az így készült diódák jobbaknak
bizonyultak, mint az egyszeres előamorfizációval előállított
kontrollpéldányok.
Az adiabatikus és izoterm hőkezelésekről mint defektmérnöki
lehetőségről nem szükséges külön szólnunk. Itt olyan példákat említünk,
amikor további implantációval - ismét csak kihasználva a defektek
jellegének mélységgel való változásait - olyan feltételeket lehet teremteni
(pl. az Rp táján vakancia-forrást hozni létre nagyenergiájú
implantációval), hogy az utókezelések során a defektek megsemmisülési
valószínűsége nőjön (Lu et al. [1989], Holland, O.W. és C.W. White
[1991]).
Végül itt is megemlítjük a defektmérnökség talán legelterjedtebb
változatát a getterezést (2.4.7.3), amelyet a gyártásban rendszeresen
használnak a szennyezések hatástalanítására.
404
2.4.4 Szilárdfázisú epitaxia amorfizáló implant után
Az amorf állapotból újrakristályosodó szilícium körüli problémák

először Müller et al. [1975] munkájában kerültek felszínre. A 200 keV
As+ amorfizáló implantok vSPE (az SPE rövidítés a szilárdfázisú epitaxiát,
Solid Phase Epitaxy jelöli) növekedési sebessége nagyon erősen függ a
Si-szelet orientációjától:
20vSPE111 = 3vSPE110 = vSPE100.
Az ezt folytató munkában a Si-önimplantációt Csepregi et al.
[1977] még csak a kémiai hatások kiiktatása és az SPE növekedést gátló
natív oxidréteg elkerülése céljából használta, amikor meghatározta az
SPE aktivációs energiáját. Később kiderült, hogy az 100 orientációjú
szilícium SPE növekedésének mechanizmusa a sebesség közel tíz
nagyságrendjén át azonos marad: egy, a lépcsők menti, réteges
növekedés zajlik le (Spaepen és Turnbull [1979]), amelynek aktivációs
2.51.ábra. A szilícium szilárdfázisú epitaxiás növekedési

sebességének Arrhenius-görbéje, (Olson és Roth [1988] nyomán. A
mechanizmus azonos marad tíz nagyságrendet kitevő sebesség-átfogásnál.
405
energiája 2,76±0,05 eV és pre-exponenciálisa vSPE 0

= 3,68x108 cm/s.
(Olson és Roth kompilációja [1988], 2.51. ábra). (Megjegyzendő, hogy a
tíz nagyságrendet átfogó adatsor az irodalomban közölt FA, RTA és
lézerimpulzusos SPE növekedés-mérésekből jöhetett létre. Érdekessége
tehát, hogy az adiabatikus hatású, 10 ns tartamú lézer-impulzus energiája
révén ugyanazon mechanizmus alapján nő vissza a réteg, mint
kemencében netán órák alatt. A 2.2.3.5. fejezetben mondottakat
alkalmazva, az Arrhenius-görbe olyan gyors hüléskor "törik le", amikor
egy atomi réteg növekedéséhez már  1ps idő sem áll rendelkezésre.)
Az SPE növekedés tanulmányozása egyidőben folyt a Si oxidációs
tulajdonságainak egyre mélyebb kutatásával. Szerencsés összeesés volt,
hogy mindkét kutatásból az 100-orientációjú szeletek előnyei
bizonyosodtak be. Ezen kutatások nyomán oldotta meg a Si-
kristálynövesztő ipar az ilyen orientációjú tömbök növesztését. 15
A kutatások egyik további eredménye volt a "termikus előélet"
szerepének felismerése, ill. annak bizonyítása, hogy a tökéletes lépcsős
növekedés feltételeit az 111 orientációjú szilíciumnál is lehet
biztosítani, de ekkor egy alacsonyabb hőmérsékletű, pl. T a = 5-600°C,
hőkezeléssel kell gondoskodnunk a távolról sem atomi símaságú a/k
köztesrétegen egy viszonylagosan homogén nukleáció feltételeinek
kialakításáról. Ezen előkészítés után az ezt követő második hőkezelés
hatása már az elvárások szerint zajlik (Csepregi et al. [1976]). Ezt az
eredményt a félvezető ipar rendszeresen használja.
Az SPE kutatás elvezetett emellett egy, a gyakorlatban talán még
fontosabbá vált eljáráshoz, amelyet "kettős implantációnak",
"előamorfizálásnak", ill. "tökéletes" adalékolásnak neveznek és, amely
immár tizenöt éve az IC-gyártás egyik általánosan alkalmazott eljárása (l.
alább, Csepregi et al. [1977]).
Az adalékoknak az SPE növekedésre gyakorolt hatását is

részletesen vizsgálták. A foszfor, arzén, de különösen a bór elősegíti a
növekedést, akár egy nagyságrenddel is megnövelve a növekedési
sebességet (Csepregi et al. [1977]) míg az oxigén, szén és az implantált
nemesgázok csökkentik a növekedési sebességet. Az adalékok
koncentrációjának hatását vizsgálva arra jutott Williams és Short [1983],
hogy a szilárd oldékonysági határ meghatározó az epitaxiális réteg
15
Ma - nem teljesen világos, de feltétlenül fizikai okok miatt - a bipoláris és a
nagyteljesítményű félvezető alkatrészek előállításában maradt csak fenn az 111
orientációjú szeletek használata.
406
növekedésére. Tökéletes visszanövést csak az oldékonysági határ alatti

koncentrációk esetén lehet elérni. Ahol és amikor az adalékanyag
koncentrációja túllépi ezt a határt, a nukleáció heterogénné válik, s a
növekedés polikristályos, ikresedés jelleggel folytatódik. Ezen határ
túllépése az SPE során is bekövetkezhet az alábbi módon. A
növekedéskor, csakúgy, mint pl. oxidációkor az adalék szilárd
oldékonysága, a növekedési front sebessége és az adalék diffúziós
sebsssége összhangban kell hogy legyen. Ellenkező esetben kialakulhat
pl. az ún. hóeke effektus, amikoris a növekedési front tolja maga előtt az
adalékot. Ekkor a rendszer eljut(hat) az oldékonysági határ túllépéséig,
amely mellett a nukleáció heterogénné válik.
Adalékolás kétszeri implantálással, előamorfizálás. A pn-

átmenet tértöltési tartományában levő EOR hibák megnövelik a
visszáramot. Ezt kiküszöbölendő, a legtöbb implantációs
gyártástechnológia a következő lépéssorozatra épül. Először
amorfizálják a réteget. Ha az ion eléggé nagytömegű, akkor magával az
adalékionnal, vagy ha nem az, akkor ún. előamorfizálást alkalmaznak, és
csak ez után implantálják az adalékot. A hőkezelés két lépcsős, az első
alatt az amorf réteg SPE növekedéssel újrakristályosodik, ill.
kialakulnak a homogén nukleáció feltételei. Egy további hőkezeléssel az
adalékot addig diffundáltatják, amíg az átmenet mélyebbre nem tolódik,
mint az EOR hibák tartománya. Az átmenetnek elég mélynek kell lennie
ahhoz, hogy az EOR hibák az elektromos előfeszítés körülményei között
se kerülhessenek be a tértöltés tartományába. Ezzel az eljárással az EOR
hibák felhasználhatók az anomális diffúzió csökkentésére is anélkül,
hogy elrontanák az átmenet paramétereit.
Az eljárás "konkurrenciáját" a BF2 molekulaionok felhasználása
jelenti. A fluornak ui. jelentős az amorfizáló képessége, a behatolási
mélysége - az energia megosztása után - szinte azonos a bórionokéval.
Mint halogén, rácsközi atom és gyors diffuzáns, továbbá az alkalmazott
hőkezelések után szétoszlik - kivéve a kiterjedt rácshibákat, ahol képes
megkötődni ("getterezés").
407
2.4.5. Az implantáció alkalmazásai félvezető eszközök

előállítására
Mind a 2.1. Bevezetésben, mind az eddigiekben szerepeltek

elszórtan a félvezető alkalmazások. Itt tovább részletezzük azokat,
kezdve azzal, amely legfontosabb volt a sikertörténetben, a VT
küszöbfeszültség beállításával.
2.4.5.1. MOS tranzisztorok küszöbfeszültségének beállítása
2.52. ábra. A VT küszöbfeszültség beállítása mindkét tipusú MOS

tranzisztornál, sematikus ábra. A Vtp - (P+) sereg négy görbéje az n-
zsebre vonatkozik. Ennek elkészültét követően egyetlen kisdózisú
bórimplantáció beállítja a két tranzisztort.
408
A MOS téreffektus tranzisztor kapcsolási küszöbfeszültsége (pl.

Sze [1988])
Q Ox Q
VT   mf   2 b  b , 2.4.5
C Ox C Ox
ahol mf a félvezető-fém kilépési munkája (poli-Si kapu esetén =0), Qox a
kapuoxidbeli töltés, b a szubsztrát Fermi-potenciálja, Qb töltés a
kiürített rétegben és Cox a kapuelektród kapacitása. Egy p-csatornás
eszköz tértöltési rétegébe implantált bór mint kompenzáló töltés, a
pozitív feszültségek felé tolja el VT-t. Egyúttal, ha van n-csatornás
eszköz is a szeleten, a bór annak a feszültségét megemeli. De - ha az
alapkristály adalékolási szintjét jól választjuk, ill. az n-zsebet megfelelő
foszforimplantációval kialakítottuk - egyetlen B+ implantációval el lehet
végezni a kétféle tranzisztor beállítását (2.52. ábra, kísérleti értékeket l.
Ohzone et al. [1980]).
Mint az egyik legkisebb dózist igénylő alkalmazás, a
küszöbfeszültség beállításánál a rácshibák szerepe minimális, azaz a
technológiai folyamat szokásos hőterhelése azok teljes hőkezelődését és
a nominális dózis teljes elektromos aktiválását is eredményezi.
Terjedelmi okok miatt nem lehet tárgyunk, hogy az implantáció
valamennyi, gyakorlatban megvalósított alkalmazását ismertessük.
Példákon azonban bemutatjuk, hogy az implantációs adalékolás
flexibilitása milyen hatékony csatorna- és nyelő-optimálást tesz
lehetővé.
2.4.5.2. Implantálás során keltett hibák és az ULSI

gyártástechnológiák
A 2.4.2-5. fejezetekben elmondottak alapján világos, hogy a

legújabb követelmények csak optimálások, ellentmondó feltételek
kompromisszumaként elégíthetők ki. Emiatt vált talán a legfontosabb
feladattá az ismeretek beépítése a technológia-szimulációs programokba,
amelyek a bonyolult optimálásokat egyáltalán végrehajthatókká teszik.
Ehelyt kell felhívnunk a figyelmet, hogy a szimulációs programok piacán
a legtöbb programcsomag csak igen kevés fizikai, kémiai elvet épít be. A
technológiai adatok kezelése, ezek statisztikai értékelése alapján
működik a legtöbb. Van azonban néhány szimpatikus kivétel, pl. az
409
ICECREM16, amely a legtöbb művelet esetén első elvekre visszavezetve

számolja az eszköz adatait. Ha csak az implantáció műveletét tekintjük, a
korábbiakban említett programok (TRIM, MARLOWE) kielégítik a
tudományos igényeket.
2.4.5.3. Sekély átmenetek, diffúzió és a tranziens diffúzió

(TED)
Az 1 Gbit DRAM előállításánál a még elfogadható pn-átmenet

mélysége xj = 60 nm. Az arzén (implantációs és egyéb) tulajdonságai
lehetővé is teszik az ilyen sekély n +-kontaktus kialakítását. A hasonlóan
sekély p+-kontaktus kialakítása B+ ionokkal azonban már nehézségekbe
ütközik. Mindenek ellenére mégis a bór a legjobb kandidátus, mert ez az
egyetlen p-adalék, amelynek a szilárd oldékonysága is megfelelő a
kisellenállású kontaktusok előállításához. Két problémát kell megoldani:
1) a kistömegű bór ion csatornázódásából, 2) a fellépő tranziens
diffúzióból ("transient enhanced diffusion", TED) fellépő gondokat,
amelyek az átmenet mélyülését okozzák. A TED jelenség lényege, hogy
akár kemencében hajtjuk végre a hőkezelést, mondjuk, 30 percig,
Ta=800°C táján, akár RTA-val néhányszor tíz másodpercig 900°C táján,
az időtartam első tizedében anomálisan gyors diffózióval nagyonis
mélyre jut a bór. Az ezt követő időben szinte nincs diffúzió. Az a
"valami", ami az anomálisan gyors diffúziót okozza, gyorsan elfogy. A
jelenség magyarázata előtt tekintsük át a hagyományos diffúzió esetét
szilíciumban.
Emlékeztetünk arra, hogy az adalékok (szennyezők) a
félvezetőkben a következő mechanizmusok révén tudnak mozogni: 1) a
szubsztitúciós(vakancia, V), 2) a vakancia-intersticiális (V-I), a
kísérletileg megkülönbözhetetlen 3) intersticiós, ("interstitialcy") és
kilökéses ("kick-off") mechanizmus, valamint 4) az egyszerű rácsközi
("interstitial") diffúzió (Mayer és Lau [1990]).
A rácsközi diffúzió a legegyszerűbb: ilyenkor a rácsközi atomok
"bujkálva" mozognak a szubsztitúciós atomok által kifeszített térben.
Ekkor az ugrás gyakoriságát
k 0   0 exp  E m / kT 2.4.6
16
Az ICECREM programot a Fraunhofer Instiotut für Intergrierte Schaltungen B,
Erlangen, Németország fejlesztette és fejleszti.
410
adja, ahol 0 a rács termikus rezgési frekvenciája, Em a migráció

aktivációs energiája (Gandhi [1983]). Így diffundálnak a Si rácsban a H,
a Li, az F és egyes nemesgázok. Ez a leggyorsabb mozgás 17, de az
implantációs fejezet szempontjából ezek az anyagok csak annyiban
tartoznak a tárgyhoz, hogy a félvezetőkben - egy-két kivétellel (lásd
2.4.6.) - nagyon is negatív a szerepük, nevezetesen az eszközök termikus
stabilitásának lerontásáról, a töltéshordozók élettartamát csökkentő
hatásukról, meg lehet és meg kell ehelyt is emlékeznünk.
4
3
1
rácsatom rácsközi Si
vakancia adalékatom
a. b.
2.53. ábra. (a) Szubsztituciós, valamint (b) intersticiós diffúziós

mechanizmus 2D semája. A rácsközi Si kilöki a szubsztitúciós
adalékatomot
A V-I mechanizmusra az jellemző, hogy a legtöbb szennyezőnek

eltérő a szubsztitúciós és rácsköziként való oldékonysága (a
koncentrációk Ns, ill. Ni). Ennek megfelelően helyezkednek is el a
rácsban. A szubsztitúciós és a rácsközi atomok mozoghatnak egymástól
függően, de függetlenül is. Általában NsNi, de a szubsztitúciós mozgás
jóval lassabb. A két független mozgás kombinált ugrásfrekvenciája
s N s   i N i
 eff  , 2.4.7
Ns  Ni
ahol s és i a megfelelő ugrásgyakoriságok. A folyamat egy
szubsztitúciós (S) és egy rácsközi adalék (I) atom továbbá egy vakancia
(V) reakcióegyenleteként írható le
S  I + V. 2.4.8
17
A rácsközi diffúzióhoz tartozó D0 diffúziós együttható értéke a D = D0exp(-Em /kT)
kifejezésből nyerhető, ahol, D0 = 10-3 cm2/s- től (H2, Li). A megfelelő Em aktivációs
energiák közül a legkisebb a H2 0,48 eV, ezt követi a Li 0,7 eV.
411
Az adalékok mozgását a disszociáció sebessége vezérli, mert ez

"termeli" a gyorsabb rácsközi diffuzánst. Nagy koncentrációjú helyekről
az I atomok gyorsan távoznak (2.4.8 egyensúlya jobbra tolódik), ill. -
fordítva - a kis koncentrációjú helyeknél helyben maradnak, lassítva így
a teljes diffúziót. A helyi vakancia-egyensúly fenntartásához vakancia-
nyelők, pl. diszlokációk szükségesek. Ha a vakanciák nem tudnak
megsemmisülni, a disszociáció lassul, 2.4.8 balra tolódik. Érthető, hogy a
V-I mechanizmusnál a diffúziós sebesség erősen függ mind az
adalékatomok, mind a rácshibák koncentrációjától.
A szubsztituciós és az intersticiós mechanizmust egy 2D
sematikus ábrával is bemutatjuk (2.53. ábra). A szubsztituciós-
mechanizmusban (V-mechanizmus) (a) az adalékatom átugrik egy
vakancia-helyre, ha ez utóbbi a szomszédjába vándorolt. Nem meglepő,
hogy ez a mechanizmus lassú diffúziót eredményez. Az intersticiós
mechanizmus (b) lényegét is kiolvashatjuk az ábrából: ha rácsközi Si
atomok és egyidejűleg a rácsatomokhoz hasonló méretű adalékok is
vannak jelen, akkor ez utóbbiak egy része szubsztitúciós. A Si képes
ezeket kilökni és maga kerül rácspontba. A hasonló atmérőjű adalék (III.,
V. oszlopbeli elem) azonban szintén képes egy szomszéd rácsatomot
kilökni és ezzel új rácsközi Si-t létrehozni. A kilökéses mechanizmus
csak abban különbözik az intersticióstól, hogy a kilökések között a
komponensek rácsközi atomként is hosszabban diffundálnak. A két
mechanizmust emiatt kísérletileg nem is sikerült megkülönböztetni.
Általában az az elfogadott, hogy az "intersticiális" adalékokként számon
tartott atomok azok, amelyek hosszabban diffundálnak a két kilökés
között.
A Si legfontosabb adalékai e mechanizmusok kombinációjával
diffundálnak, de amíg az Sb esetében a V-mechanizmus, addig a B és P
esetében az intersticiós mechanizmus dominál. Az As is főleg V-
mechanizmussal mozog, de nagyobb az I-komponense, mint az Sb-nak.
Az Al, Ga és In esetében szintén nagy az I-arány. A Co, Cu, Au, Fe, Ni,
Pt és Ag I-V-diffuzáns, noha "gyors"-ak (a megfelelő Em aktivációs
energiák: Fe 0,9 eV, a Cu 1,0 eV, a Pt 2,2 eV, végül az Au i 0,39eV). A
rácsközi Si 1000°C alatt vakancia-, felette I-kontrolláltan mozog.
412
2.54. ábra. Bór újraeloszlása kemencében, ill. RTA-ban

(kombináltan is) végrehajtott hőkezelési ciklusok esetén (Michel et al.
[1987] nyomán). Meglepő, hogy RTA előkezelés után alig tapasztalunk
diffúziót.
Ezek után visszatérünk a tranziens diffúzió részletezéséhez. Az

első meglepő hőkezelési eredményt Michel et al. [1987] publikálta 60
keV-es, 2x1014/cm2 dózisú bór különféle hőkezelési feltételek mellett
fellépő diffúziójáról. Mind FA, mind RTA kezelést, valamint azok
kombinációját is alkalmazták. A 2.54. ábrán összehasonlítjuk a 35
perces, Ta = 800°C-on végzett hőkezelés utáni profilt azzal a bórprofillal,
amely úgy áll elő, hogy a kemencés hőkezelést megelőzi egy rövid RTA-
kezelés. Világosan látszik, hogy az RTA valamit úgy megváltoztatott,
hogy azt követően a kemencés hőkezelés már alig okozott diffúziót.
Michel et al. az eseményt a defektekből szétáramló rácsközi atomok és a
szubsztitúciós bór kölcsönhatásának tulajdonítja, amely magyarázat
mindmáig igaznak látszik: a rácsközi Si és az eleve jelentős százalékban
(kb. 30%) szubsztitúciós bór az intersticiós mozgással mozog.
A TED során szerepet játszó rácsközi atomok eredetét illetően
legalább két, jól megkülönböztethető forrásról tudunk. (Emlékeztetünk
413
arra, hogy az elsődleges hibák {311} hibákká kondenzálódnak (2.4.2.1.),

és ez már 600°C-on is gyorsan bekövetkezik.)
1) Ha Si+ ionokat implantálunk és ezt egy olyan mintába tesszük,
amelyben egy nagyon keskeny és nagykoncentrációjú B profil van (-
doping), e profil akkor szélesedik, amikor a {311} hibák oldódni
kezdenek.
2) Ha bórt implantálunk tiszta szilíciumba, akkor a TED-hez
szükséges rácsközi Si atomok elsődlegesen a bór-intersticiális fürtök
("boron interstitial cluster", BIC) oldódásából származnak és csak ezután
indul meg a {311} hibák oldódásából származó áram. A {311} hibák,
hosszan elnyújtott, rúdszerű hibák és a {311} síkban találhatók - innen a
nevük. Ezek a hibák az <110> irányban elnyújtottak, és annak ellenére,
hogy több száz nm hosszúságúak lehetnek, szélességük ritkán lépi túl a
10 nm-t. Valószínűnek látszik, hogy ezek nagyon alacsony konfigurációs
energiával rendelkező "rácsközi atom-tartályok"-ként viselkednek.
Térjünk most át arra az esetre, amikor amorf réteg is keletkezik.
Az ilyenkor szinte mindig fellépő EOR hibák igen fontos, bár nem
dicsőséges szerephez jutnak az integrált áramkörök gyártásában. Amorf
rétegek ui. nem csak önimplantáláskor jönnek létre, hanem
megtalálhatók mind a foszfor és arzén, mind pedig a BF 2+ implantálás
esetében. Az EOR hibák kétféle hatást fejtenek ki a gyártási folyamat
során. Először, a 600°C-on történő újranövesztés után megjelennek az
első {311} hibák és hurkok. További, 700 és 800°C közötti hőkezelés
esetén a {311} hibák ugyan feloldódnak, de eközben TED-et okoznak.
Nemrég bizonyították be, hogy a {311} hibák oldódásával TED zajlik az
újranövekedett szilíciumban is (Jones et al. [1996].
A közelmúltban két ok miatt tovább növekedett a TED jelenségre
fordított figyelem. Az első az, hogy lehetetlenné tudja tenni a jelenlegi
kívánalmak kielégítését, ugyanakkor még nehezen is modellezhető. A
modellezés ui. létkérdés egy pontos gyártástechnológiai szimuláció
kidolgozásához. A második ok, hogy nemrégen jelentős előrehaladás
történt: TEM segítségével, Si+ implantálás esetén mennyiségileg is
meghatározták a TED-et előidéző intersticiálisok koncentrációját.
414
A TED mértékének minimálisra csökkentése érdekében különböző

megközelítéseket alkalmaztak. Az egyik első sikeres kisérletet Ozturk et
2.55. ábra. 10 keV, 1x1015 cm-2 bórprofil Ge preamorfizálás

esetén (1x1015 cm-2) (a); ugyanaz kétlépcsős (kemence 550°C, 30 min,
RTA 1050°C 10 s) hőkezelést követően (Ozturk et al. [1988] nyomán)
al. [1988] ismertette (2.55. ábra). Az (a) ábra a csatornázódás hatását

mutatja. A (b) ábra a diffúziónak a előamorfizáció hatására bekövetkező
csökkenését mutatja. A készített diódák elektromos viselkedése a B és C
esetben volt a legjobb, ekkor a pn-átmenet az a/k határ mögé került.
Nemrég Stolk et al. [1995] kimutatta, hogy a szén hatékony
inetrsticiális csapdaként működik, és ha MBE segítségével előre
belenövesztik a szilíciumba, akkor teljesen kiküszöbölheti a TED
hatásait. Ha a szenet implantálják, akkor is csökkenti a TED mértékét, de
nem annyira hatékony, valószínűleg azért, mert ebben az esetben a C
implantálás során keltett rácsközi atomokkal már részben telítődik.
Sajnos, az eszközparaméterek romlanak a szén bevitele miatt, emellett az
MBE bevonása a tömegtermelésbe gazdaságilag elfogadhatatlan.
Egy másik lehetőség a többlet rácsközi atom kiküszöbölésére a
nagyenergiájú implantálás. Holland és White [1996] kimutatta, hogy
alacsony energiájú bórral implantált réteget nagyenergiájú ionnal
felülimplantálva, a TED mértéke számottevően csökkenthető. Az
eredményt az Rp-nél sekélyebb tartománybeli
nagy vakancia-populáció számlájára írják. Ez a megoldás egyike
azoknak, amelyeket "defekt-mérnöki" módszereknek nevezünk.
415
További lehetőséget kínál az amorfizálási küszöb alatti dózisok

alkalmazása. Ekkor a csatornázódás már csökken, de EOR hibák még
nem képződnek: Kase et al. [1990] 10 keV energiájú BF2+ implantálást
alkalmazott a kritikus dózis 30-60%-át elérő dózisban. Schreutelkamp et
al. [1991] az implantálást több lépésben végezte úgy, hogy az egyes
lépésekben   a maradt és köztük stabil hibákat kialakító
részhőkezeléseket alkalmazott. Így a folyamat végén hibamentes rétegek
álltak elő. Sajnos, ez az eljárás sem alkalmas technológiai bevezetésre.
Ismét egy további ötlet, amelyet Sai-Halasz et al. [1987]]
fogalmazott meg, abban áll, hogy az előamorfizálásra - a IV oszlopbeli
ionok helyett - a III. vagy V. oszlopbeli nehéz ionokat kell alkalmazni.
Mivel ekkor a a igen kicsi, akár ellentétes vezetési tipust adó ionok is
alkalmazhatók. A "csak-III.-oszlop" technika érdekes további előnye,
hogy a Ga vagy In roncsolása jóval alacsonyabb hőmérsékleten
hőkezelhető, mint a Si önimplanté vagy Ge-é (Lin és Steckl [1990]).
Ha az elektromos tulajdonságokra gyakorolt negatív hatásokat
minimálisra csökkenthetjük is, az EOR hibák mindenképpen jelentős
hatást gyakorolnak a diffúzióra.A magyarázat az, hogy az EOR hibák I-
forrásként működnek azt követően, amikor a {311} hibák oldódása, majd
a diszlokáció hurkok oldódása már lezajlott. Ugyanakkor azonban az
EOR diszlokáció hurkok be is foghatják a {311} hibák oldódásából
származó rácsközi Si atomokat és ezáltal csökkentik a TED folyamatban
résztvevő intersticiálisok számát.
Vannak (ma még?) kevésbé szokványos eljárások a sekély
átmenetek kialakítására, mint például a plazma immerziós ionimplantálás
(PIII, 2.7.2. fejezet), és a lézerimpulzussal végzett adalékolás (PLAD). A
PIII során a szeletet olyan plazmába "merítsük", amely tartalmazza a
kívánt adalékot, míg a PLAD úgy valósítja meg az adalékolást, hogy a
felületet olyan atmoszférában olvasztja meg, amely tartalmazza az
adalékanyagot. Mindkét eljárás ígéretesnek látszik a tizedmikron mély
átmenetek előállítását illetően. A gondok inkább a nagy felületek
kezelése és az adalékolás egyenletessége körül vannak. Ezeknek az
eljárásoknak a biztató eredményei ellenére, valószínűnek látszik, hogy az
elkövetkezendő néhány generációs IC a már "hagyományos"
implantálásra alapozva fog elkészülni.
416
2.4.7. Nagyenergiájú implantálás és getterezés
Ebben a fejezetben a nagyenergiájú (néhány száz keV - MeV

tartományt értjük ezen) implantációnak három területen való
alkalmazását ismertetjük. Ezeknek köszönhető, hogy az elmúlt években
meredeken nőtt a nagyenergiájú implanterek piaca. A sekély átmenetek
előállítási gondjaira gondolva, nem kizárt, hogy ez az új terep marad meg
a legtartósabban az implantációs eljárás számára.
A nagyenergiájú implantálásnak a CMOS áramkörök zsebeinek
előállítására való felhasználása mindig is kézenfekvő volt 18. Az
érdeklődés feléledését az indította el, hogy az implantációval lehetőség
van hegymenetű ("retrograde", befelé növekvő adalékkoncentráció)
implantált profilok kialakítására is. Ilyen profilok révén egyrészt
elegendő vékonyabb epitaxiás réteget alkalmazni, ill. esetenként el is
hagyható az epitaxiás réteg, másrészt csökken a CMOS eszközökben
elektromos hatásra fellépő parazita bipoláris elemeknek a szerepe.
A második ismertetendő alkalmazás a töltéshordozók
élettartamának beállítása ionbesugárzással, amely a hosszadalmas
nemesfém ("lifetime killer") diffúziót teszi feleslegessé és egyúttal a
teljesítményeszközök technológiájának egységesítését is lehetővé teszi:
az implantációs lépéssel testreszabott termékké lehet alakítani a standard
technológiával elkészült elemeket.
A harmadik terület a getterezés19. A getterezés abban az
értelemben alkalmas kifejezés a félvezető eszközök előállításakor
alkalmazott, rövidesen ismertetendő eljárásra, hogy a káros, de
mozgékony szennyezőket a funkció szempontjából ártalmatlanabb
helyeken (a hátlapon, a felület alatt, de az aktív eszközöktől távol stb.)
stabilizáljuk.
18
A 2.4.6.1. fejezetben ismertetett alkalmazások egy része ebbe a fejezetbe (is) illik.
19
A "getterezés" kémiai/technikai fogalom, a szennyezéseknek "veszélytelen" helyen
való megkötését, így hatástalanítását jelenti. Korábban az elektroncsövek
vákuumának végső javítását (mai kifjezéssel: UHV-t hoztak létre!) végezték a csőbe
forrasztott getteranyagnak (pl. Ti, V stb.) a hideg üvegfalra való átszublimálásával,
amikoris a csőben lévő gázmolekulákat a getter megkötötte.
417
2.4.7.1. Hegymenetű implantált profilok
Egy CMOS áramkörben, ahol kétféle eszköz kétféle tipusú

alapanyagban helyezkedik el, több parazita-hatás léphet fel. 1) Ahol
összeér az n- és p-zseb, a polikristályos Si-vezeték hoz(hat) létre
működőképes tranzisztort, 2) parazita n-csatornás tranzisztor léphet
működésbe az n+ source és a szomszédos n-zseb között, 3) a 2) tükör-
esete, végül 4) parazita pnpn tirisztor kapcsolhat be, ami katasztrofális
hibát okozhat az eszközben. Ez a jelenség a "latch-up", amelyet
lecsapásnak20 is nevezhetünk.
2.56. ábra. a) Egy CMOS inverter keresztmetszete, sematikusan,

a MeV energiájú implantációk helye bejelölve, b) az adalékolás profilja
Mindezek a gondok orvosolhatók az ionimplantáció segítségével.

A mély profil, ha egyúttal hegymenetű is, nem csak gyorsabbá teszi a
zsebek kialakítását, mint a mély, tehát hosszadalmas diffúzió, de a
parazita tirisztor lecsapási érzékenységét is lecsökkenti - legalábbis egy
alsó mérethatárig. Ezzel az "egyszerű" implantált CMOS technológiával
jó karakterisztikájú áramkörök állíthatók elő (2.56. ábra). Többszörös
20
Dr. Mizsei János szó-ötlete: az automata biztosíték lecsapódása analógiájára.
418
implantációval pontosan tervezett emelkedő profilú n-zsebek alakíthatók

ki a CMOS eszközökben. A tirisztor lecsapását (4 m eszközök közötti
távolságnál) szintén jelentősen javítja a módszer.
A lecsapás jelensége azt a folyamatot jelenti, amikor a CMOS
tranzisztorok forrás/nyelő (source/drain, S/D) tartományaiból és a
zsebekből létrejövő két bipoláris tranzisztor tirisztorrá kapcsolódva kezd
működni. Azaz a pnp tranzisztor az npn-nek pozitív visszacsatolást is
eredményező bázisáramot képes szolgáltatni. Ez nagy I H fenntartó
áramot okoz a tirisztor pozitív és negatív végpontja között, ami lezárja a
CMOS eszközt, netán tönkre is teszi. A fenntartó áram
BL  BV  1I Rw  BV  BL  1I Rs
IH  , 2.4.9
BL BV  1
ahol BL a laterális npn, BV pedig a vertikális pnp tranzisztor

áramerősítése, IRw az n-zseb árama, az IRs a szubsztrát és p-zseb árama.
A lecsapás iránti érzékenység csökkentésének az intenzitásokat vezérlő
ellenállások, valamint a B áramerősítések csökkentését igényli.
LOCOS
p-Si
+
FR B
SiO2
n-zseb
p-zseb
2.57. ábra. A két maszkot igénylő eljárás CMOS elemek

előállítására, Borland és Seidel [1996]. Az első maszk a LOCOS (pl. Sze
[1988]) kialakítására és az aktív felületek bór implantjához szükséges, a
második öt implant lépést szolgál ki (pozitív és negatív lakk). FR:  2,5
m fotoreziszt
A ma legsikeresebb, nagyenergiájú implantációt alkalmazó eljárás

(Borland és Seidel [1996]) fő előnye, furcsa módon, nem is csak az, hogy
kisméretű (  0,5 m) eszközöknél is képes az epitaxiás rétegnél
hatékonyabban megakadályozni a tirisztor lecsapását , hanem hogy ötről
háromra, sőt kettőre tudta a maszkok számát leszorítani. A kétmaszkos
"BILLI" eljárást a 2.57. ábrán bemutatjuk be. Az eljárás ötletesen
419
kihasználja, hogy pozitív és negatív fotolakkal tükrözött ábrákat lehet

előállítani, valamint azt, hogy magát a fotolakkot ionokra áttetsző
maszkként lehet alkalmazni pl. a p-zseb befelé való kiterjesztésekor. Az
ábra csak az ötödik implantációt illusztrálja, amikor az n- és a p-zseb
kiterjesztése már kész.
2.4.7.2. Élettartam tervezés (Lifetime Engineering)
A korábbiakból következik az a lehetőség, hogy az ionok okozta

rácshibákat tudatosan is alkalmazzuk a töltéshordozók élettartamának
beállítására (természetesen csak annak csökkentésére). A kisebb
élettartam - mint ismeretes - az eszköz kapcsolási sebességét növeli meg.
Ilyen célra a MeV energiájú könnyű ionok igen alkalmasak, mert
előszöris a már elkészült rétegstruktúrát kell átlőni úgy, hogy a rácshibák
az aktív térfogatban keletkezzenek, másrészt a kistömegű ionok zömmel
csak ponthibákat okoznak, amelyeknek az élettartammal való kapcsolata
egyértelműbb, mint a véletlenszerűen kialakuló szerkezetű és méretű
kiterjedt hibáké. A nagyteljesítményű bipoláris eszközök esetében éppen
tanúi vagyunk az eljárás ipari térhódításának.
Az eddigi technikai szint szerint a töltéshordozók élettartamának
kívánt csökkentését a tiltott sávban mély csapdákat okozó nemesfém
atomoknak (Pt, Au) a tértöltési tartományba való diffúziós bejuttatásával
érik el. Nem nehéz belátni, hogy az eljárás nehézkes és nem könnyen
reprodukálható. Ennek oka egyfelől, hogy ahhoz, hogy a tértöltési
tartományban meghatározott csapdakoncentráció jöjjön létre, az egész
szeletben egyenletes koncentrációt kell elérni. Az ezt biztosító hőkezelés
nem csak hosszadalmas, de szennyeződés-érzékeny is. Másrészt, a
diffúziót nem könnyű kézben tartani, hiszen a szóbanforgó elemek gyors
diffuzánsok. Különösen akkor van gond, ha az eszköz méretei kicsinyek.
Ráadásul, a folyamat izotróp, tehát az élettartamcsökkenés nem csak ott
következik be, ahol az kívánatos, hanem az egész térfogatban.
Az implantációs eljárás ezzel könnyen versenyez feltéve, hogy az
implantációval keltett rekombinációs centrumok termikus stabilitása is
megfelelő. A kísérletek azt mutatják, hogy ez is összemérhető a gyorsan
diffundáló nemesfémek által keltett rekombinációs centrumok
stabilitásával: mindkettőnél gondok vannak, ha az eszköz hőmérséklete
420
200°C fölé emelkedik (2.4.2. fej.). Ez azonban, normális üzemben nem

következhetik be.
Az ionok alkalmazásának van egy további, még vitathatatlanabb
előnye: az eljárás lehetővé teszi egy egységes félgyártmányból kiinduló
"testreszabást". A MeV energiájú implantálás ui. lehet az utolsó, az
elektromos viselkedést beállító lépés egy topológiailag egységes eszköz-
család gyártási folyamatában. A MeV energiájú könnyű ionok behatolása
elegendően nagy ahhoz, hogy a kész eszköz teljes rétegszerkezetén,
beleértve még a végső védőréteget is, úgy áthatoljanak, hogy a szükséges
roncsolódás a megfelelő mélységben, azaz az eszköz aktív zónájában
jöjjön létre. Az még további előny, hogy mindehhez rendkívül kis
dózisok szükségesek: H+ és He+-ből 109 - 1010/cm2. A mai kutatások azt
vizsgálják, hogy a kissé nehezebb (C, N, O) ionok nem alkalmasabbak-e.
A H+ és He+ használata azonban inkább terjed, mert ezekből valamivel
magasabb dózis kell azonos károsításhoz, s ezáltal a már nehezen kézben
tartható, extrém kis dózisok mérési hibája lecsökken.
421
Hüppi [1990] vizsgálta részletesen a proton besugárzás keltette

hibákat egy p+-n-n+ diódán, amelyet neutron transzmutáció21 útján
foszforral adalékolt (111) FZ ("float zone", lebegő zóna) szilícium
szeleten alakítottak ki. A DLTS mérésekkel nyert eredmények szerint a
protonok által előidézett mély nívók zöme azonosítható volt a más úton
keltett és már korábban értelmezett mély nivókkal (pl. Ferenczi et al.
2.58. ábra. Töltéshordozók élettartamának beállítása

protonbesugárzással. A protonbehatolás modellezése a TRIM alapján,
valamint az illesztett értékek: 1, 2, és b az élettartam értékek; Vfit
pedig, a vakancia koncentráció. (Khanh et al. [1997] nyomán)
21
A termikus neutronok a Si természetes izotópjait átalakítják. Míg a 28Si és a 29Si a
stabil 29Si, ill. 30Si-vé alakul, a 3%-ban jelenlévő 30Si egy =1,1x10-25 cm2
keresztmetszetű reakcióval előbb 31Si-gyé, majd -bomlással, 2,6 h felezési idővel,
31
P-rá alakul. A rácshibákat eltüntető, 700-1000°C-os hőkezelés után kitűnő
minőségű, egyenletesen adalékolt n-tipusú alapanyag áll elő. A folyamat tipikusan
100 órás besugárzást igényel a reaktor forró zónájában. A teljesítményelektronikai
eszközök alapanyagaként rendkívül elterjedt eljárás.
422
[1977]). A fellépő defektek fajtáinak, tulajdonságainak részletes

tárgyalása megtalálható Svensson et al. [1993] munkáiban.
Ha nem kész eszközön, hanem próbaszeleten vizsgálják a hibák
mélységi eloszlását, és a mérési módszer "mintavételi" mélysége nincs
azzal pontos fedésben (professzionális eszközt, pl. -PCD típusú
élettartam térképezőt használnak), a mérési eredmények értelmezésénél
figyelembe kell venni a töltéscsomag mozgását a szeleten belül (Biró et
al. [1996c], 2.58. ábra). A fenti vizsgálatokban a -PCD és az Elymat
módszert alkalmazták. Mindkettő nagy behatolási mélységű (20 m)
lézeres megvilágítást alkalmaz a szabad töltéshordozó párok keltésére,
amely mélyebb, mint Rp. Három rétegből álló modellt alkalmaztak: 1) a
gyengén roncsolt Si, 2) az erősen roncsolt Si a behatolási mélység
tartományában és 3) a behatolási mélységnél mélyebben található
roncsolatlan Si. A tartományok vastagságát a TRIM szimuláció által
szolgáltatott hibaeloszlás alapján számították. A modellből számolt
élettartam értékek jól illeszthetők a kísérletei adatokkal (Khánh et al.
[1997]).
2.59. ábra. Protonbesugárzás okozta élettartam-csökkenés a

dózis függvényében. A mérések mikrohullámú fotovezetés mérésével
(-PCD, Semilab), az illesztett értékek a 2.59. ábra modellje alapján
(Khanh et al. [1997] nyomán).
423
A 2.59. ábrán MeV energiájú protonok által előidézett élettartam-

csökkenés mértéke látható (a mérés a Semilab -PCD élettartam
térképező eszközével készült). A görbék a háromréteges modellből
számolt értékek, a szimbólumok a kísérleti adatok.
2.4.7.3. Getterezés.
A félvezető technológiában a "getterezés" olyan eljárás, amelynek

segítségével a nemkívánatos szennyeződést/adalékot arra kényszerítjük,
hogy olyan tartományba diffundáljon és ott rögzítődjék, ahol nincs
zavaró hatása, vagy legfeljebb csökkent mértékben. Ennek megvalósítása
érdekében szándékosan alakítanak ki hibákat. A kezdetben alkalmazott
megoldás a szelet hátlapján ionimplantálással kialakított hibák voltak, a
csökkenő eszközméretek azonban szükségessé és - a lecsökkent diffúziós
úthossz miatt - lehetségessé tették az eszközök közötti/melletti terület
bevonását, az ún. oldairányú getterezés alkalmazását is.
Buck et al. [1972] majd Seidel és Meek [1973] írta le először a
hátlapi implantálás alkalmazhatóságát a szükséges hibák kialakítására -
korábban a szeletek homokfúvott hátlapja vagy az oda leválasztott
foszforüveg hozta létre azt a diszlokáció-hálót, amely a káros gyors
diffuzánsokat megköti. Ryssel et al. [1980] mutatta ki, hogy valamennyi
szokványosan implantált atom, beleértve a nemesgázokat, foszfort, és a
molekuláris BF2+ iont is, kielégítő getterként viselkedik. Mérték az
arannyal getterezett rétegekben kisebbségi töltéshordozók élettartamát.
Ar, BF2 C, N és O implantálással körülbelül egy nagyságrendnyi
élettartam-csökkenést értek el.
A nagyenergiájú implantálás új lehetőséget kínál a getterezésre.
Wong et al. [1988] 2,4 MeV energiájú szén és 3,0 MeV energiájú oxigén
14
ionok implantálását alkalmazta az 5x10 /cm2-től 2x1016/cm2
dózistartományban. A szén egy nagyságrenddel jobban getterezi az
aranyat, mint az oxigén. A szén másik vonzó tulajdonsága az, hogy a
hőkezelés után nem alakulnak ki kiterjedt hibák. Ezt azzal magyarázták,
hogy a C jelenléte csökkenti a rácsállandó értékét és ezáltal szabad
térfogatot hoz létre az a szén/intersticiális komplexek számára (U.
Gösele [1984]). Ezzel a C csökkenti a rácsközi atomok számát és jobb
felé tolja el az Aui + V  Aus egyensúlyt ("i" itt is a rácsközi helyzetet
jelzi).
424
Végül megemlítendő Wong-Leung et al. [1995] szellemes

elgondolása, amelyet azonban a gyakorlat még nem igazolt vissza.
Méréseik szerint, a nagydózisú (3 x 10 16/cm2) H+ implantálással az anyag
belsejében létrehozott mikroszkópikus üregek jól megkötik az aranyat. A
getterezés hatásfoka jobb, mint a diszlokációs hurkoké. A jelenség
magyarázata az üregek belső felületén lévő telítetlen kötésekben rejlik.
Sajnos, a vasat - amely a legfontosabb lenne - az üregek csak gyengén
getterezik.
425
2.5. Implantáció fémekbe
Az ionimplantáció a fémek terén is a tulajdonságok jelentős

megváltoztatását okozza és ezzel azoknak az alkalmazás által megkívánt
értékre való beállítását is lehetővé teszi - legalábbis bizonyos korlátok
között. A geometriai méretek és a besugárzott felületek fajlagos
gazdasági értéke miatt azonban korlátozottabb azon alkalmazások köre,
ahol az ionimplantáció gazdaságos. Elsősorban az űrkutatás, a katonai és
az egészségügyi alkalmazások olyanok, ahol a nyújtott előnyök
kiegyensúlyozzák a költségeket. Természetesen, ekkor is meg kell oldani
a tárgyak olyan mozgatását, amely biztosítja a (közel) merőleges beesést
és az egyenletes dózist. Mindennek jelentős költségvonzata van. Egyes
alkalmazásoknál viszont - ha az ionforrás anyagait jól választják és a
nyaláb elegendően tiszta - a tömegszeparálás mellőzhető.
Az igények is más jellegűek, mint a félvezető áramköröknél.
Előszöris, a beállított tulajdonságokra általában nagyobb, összefüggő
felületeken van szükség és nem kis struktúrákon. Továbbá, e megkívánt
tulajdonságok rendszerint az anyag kémiai összetételével kapcsolatosak,
tehát az alkalmazott dózisok jelentősen nagyobbak, mint félvezetők
esetén. A felületi rétegben néhány atom % nagyságrendjébe esik az
adalékanyag igényelt koncentrációja.
Anyagtudományi különbség is van. Ez a kovalens félvezetőkkel
szemben az, hogy a fémekben a rácshibák mozgékonysága eltérő.
A fejezetben foglalkozunk azzal a kérdéssel is, amikor a
besugárzásnak a szerkezeti anyagokra gyakorolt káros hatásait kell
tudomásul vennünk.
2.5.1. Rácshibák fémekben
Nyilvánvaló, hogy az energialeadás mechanizmusára a kémiai

kötéstipusnak nincs hatása: itt csak a tömegek és az ionizációs állapotok
számítanak, azaz a Kinchin-Pease model érvényes a kimozdított atomok
számának becslésére. Ha a kaszkád kialakulása hasonló is, a teljes
lefutása azonban - ahol már a kötési erőknek is szerepe van - rendkívül
eltérő. Molekuladinamikai számítások mutatják, hogy a fémekre is igaz
az, hogy a kaszkádban egy vakanciákban dús központi magot egy
rácsközi atomokban gazdag tartomány vesz körül. Az ionok
426
becsapódásakor létrejövő jelenségek kvalitatív képének kialakításához

három hőmérsékleti tartományt tárgyalunk (Wiedersich [1985]).
Alacsony hőmérsékleteken a rácshibák (V, I és kis hiba-fürtok)
nem mozgékonyak, a keletkező rácshibák száma monoton nő a dózissal.
Ahogy a kaszkádok átlapolódnak, az ellentétes rácshibák rekombinációs
valószínűsége nő és eszerint meg is semmisülnek. A fémek egyszerű
kristályrácsa is hozzájárul ahhoz, hogy a rácshibák száma nem
akkumulálódik és nem vezet a rács összeomlásához, mint kovalens
kristályokban. Az kváziegyensúly úgy áll be, hogy az új hibák a már
meglévő rácshibák néhány nm-es rekombinációs környezetében
keletkeznek. Így a kialakuló rácshiba-sűrűség sohasem haladja meg a 10-
3
at.%-ot. Némileg magasabb hőmérsékleteken a rácsközi atomok és a kis
hiba-fürtök mozgékonysága nagyobb, mint a vakanciáké, így azok a
stabil hibák közelébe diffundálnak, ahol vagy rekombinálódnak, vagy
aggregátumokként kötődnek meg. Kimutatható azonban, hogy a
mozgékony hibák jelenléte ellenére sem tér el lényegesen az
kváziegyensúlyi hibakoncentráció az alacsony hőmérsékleten észlelttől.
Növekvő hőmérséklettel a kevésbé mozgékony hiba-fajta
kváziegyensúlyi koncentrációja csökken, de a termikus ugrás
frekvenciája (pre-exponenciális) megnő. Emiatt az egyes hibák
rekombinációs tartományában a hiba megsemmisülhet mielőtt ugyanott
új hiba keletkeznék. A mozgékony hibák rekombinációja révén is
keletkezhetnek stabil hiba-fürtök, de az egyébként lassú hiba-nyelők,
mint a felszín, a szemcsehatárok, diszlokációk is segítenek a
rekombinációban. A hibáknak az anyag belsejéhez képest felépülő
koncentráció-gradiense megindítja az anyag belsejéből az ottani
egyensúlyi hibák kiáramlását. Ezen mozgások hatására végül fémekben
is kialakulhatnak ionbesugárzáskor újtipusú szerkezetek, úm. sugárzási,
vagy sugárzás által gerjesztett fázisátlalakulások, diszlokációk, ill. üreg-
növekedések.
Sugárzás-gerjesztette diffúzió (RED) fémekben.
A diffúzió fémekben túlnyomóan a vakancia-mechanizmussal

zajlik. A 2.2.3.4-5 és 2.2.5-ben mondottak alapján könnyen belátható,
hogy a diffúziós együttható RED esetében
1 1
D vak   R 2     R 2  z vak Pvak  vak , 2.5.1
6 6
427
ahol  R 2  az egyedi ugrások hosszának négyzetes átlaga, és az

= z vak Pvak vak az üres szomszéd-helyre való ugrás valószínűsége,
z vak Pvak , és vak a kicserélődés frekvenciájának szorzatával; zvak a
közvetlen szomszéd helyek száma és Pvak annak a valószínűsége, hogy a
szomszéd helyen vakancia található. A Pvak valószínűség jó közelítéssel
(az ötvözők és a vakanciák közötti kötési energiákat a tömbivel
azonosnak véve) megegyezik a vakanciák atomi koncentráció-arányával,
V-vel. Noha a rácsközi atomok I relatív koncentrációja sokkalta kisebb,
a diffúzió pontos értéke
 b2 
D sug  D vak  D i    z vak V vak  I i  , 2.5.2.
 6
ahol b a legközelebbi szomszédok távolsága.
Tényleges elméleti/kísérleti adatokkal 2.5.2. olyan D sug értéket ad
fémekre is, amely a dinamikus keveredéshez és a termikus
folyamatokhoz tartozó diffúziós együtthatók közé esik.
Sugárzás gerjesztette kiválás.
Ez a folyamat, amely szintén a rácshibák nagy távolságokra való

vándorlása révén keletkezik, bizonyos értelemben a RED ellentett
folyamata: míg a RED közelít a termikus egyensúlyhoz, a rácshibákkal
kölcsönható ötvözők szegregációja távolíthat attól. A folyamat leginkább
közepes hőmérsékleteken jelentkezik: alacsony hőmérsékleteken a sok
rácshiba elnyomja a nagyobb távolságú migrációt, magas
hőmérsékleteken pedig a gyors diffúzió megakadályozza az ötvöző
atomok felhalmozódását. Sok anyagban az ötvözők a hiba-nyelők
környezetében gyülemlenek fel akár a szilárd oldékonyságot meghaladó
mértékben is, így jön létre kiválás a felületeken, szemcsehatárokon és
diszlokációknál.
A jelenség érdekessége (Ni3Si-nál mutatta ki Rehn et al. [1984]),
hogy azonos energialeadás mellett hatékonyabbak a könnyebb ionok,
mint a nehezebbek. Ennek az az oka, hogy a sűrű kaszkádokban a hibák
koncentráltan vannak jelen és nem tudnak onnan kiszabadulni, hogy
segítsék az ötvözőket nagyobb távolságokról összegyűlni.
428
Metastabil fázisképződés.
A 2.2.5. fejezetben részletesen tárgyaltuk a multirétegek

keveredését, most - fémekre konkretizálva - összefoglaljuk azokat az a
feltételeket, amelyek az ionok keltette metastabil, amorf fázisok
létrejöttéhez szükségesek (Follstaedt [1984], Hung et al. [1983]):
* ha a két/több anyag kristályszerkezete eltér,
* ha az ötvözők vegyülési képződéshője negatív,
* az egyszerű összetételű fázisok "élik túl" a sugárkárosodást,
* ha a fázisdiagramban az oldékonysági tartomány keskeny.
2.5.2. Sugárzási károsodás fémekben
Amint az igen gyakori, a rokon, de párhuzamosan fejlődő

tudományágakban az azonos fogalmak némileg eltérően ágyazódnak be.
Pédául a reaktorokban alkalmazott szerkezeti anyagok
sugárkárosodásának kutatói - noha az ottani hatások nagyon hasonlóak,
hiszen az energikus neutronok szintén főleg Frenkel-párokat keltenek - a
hibakeltésre fordítódó energiát ("direct transfer", T) a fékeződés
formulájában külön tagként szerepeltetik:
dE dE dE dE
   . 2.5.3.
dx dx e dx n dx D
A sugárzási károsodásnál - érthetően - a primér defektek és azok
direkt hatása talán a legfontosabb, de mivel éppen a reaktorok szerkezeti
elemei akár 500°C-ra is felmelegedhetnek, a másodlagos hibáknak
aszerkezeti tulajdonságokat módosító szerepe is fontos lehet.
Talán a fúziós reaktorokban fellépő  14 MeV-es neutronok, vagy
a spallációs reaktorokban keletkező GeV-es neutronok és protonok és az
általuk okozott magreakciók termékei játsszák a fő szerepet. A termikus
neutronok ugyan közvetlenül nem, de a különféle anyagoknál fellépő
(n,) reakciókon keresztül lehetnek ED-nél nagyobb visszalökések
okozói. Minthogy gyakoriak az (n,) és (p,) reakciók is, a keletkező
hélium okoz gondokat azáltal, hogy magasabb hőmérsékleten
buborékokként válik ki, amely az ún. magashőmérsékletű ridegedést
okozza.
429
Tanulságos összehasonlítani a különféle károsító hatásoknál a T

teljes átadott energiának a visszalökésre fordítódó W(T) hányadát. A
gyakorlatban előforduló különféle sugárzásokra ez rendkívül eltérő. A
2.60 . ábra. A nukleáris folyamatokban átadott teljes T

energiának visszalökött ionokat eredményező W hányada a T
függvényében nikkelben, különféle sugárzások esetében, Ullmaier[1997]
nyomán.
2.60 ábra mutatja ezt 5 MeV-es elektronokra, protonokra és nikkel

ionokra, valamint a fúziós reaktorokban keletkező  14 MeV
neutronokra.
430
A kilökött atomoknak a besugárzott anyag atomi sűrűségéhez

viszonyított számát szokás e tárgykörben dpa-nak ("displacement per
atom") nevezni. Ez
dpa   D  , 2.5.4.
ahol D a visszalökés hatáskeresztmeteszete; praktikus ilyenkor a -t a
fluxus és a besugárzási idő szorzataként tekinteni. Fémeknél az E D
küszöbenergia 25 eV-től (alumínium) akár 90 eV-ig (volfrám) terjed.
A következő fejezetben fogunk az implantációval mint tudatos
keményítéssel foglalkozni, az itt elmondandók azonban vonatkoznak
majd erre az esetre is. Az alacsony hőmérsékletű ( 0,35 Tm)
"felkeményedést" lck fémekben, pl. ausztenites acélokban, a kisebb
dózisoknál diszlokáció hurkok, míg nagy dózisok esetén a diszlokáció
hálózatok okozzák, amelyek egyaránt akadályozzzák a diszlokációk
mozgását. Szórt eloszlásban tételezve fel ezen diffúziós gátakat, a
jelenségek jól értelmezhetők (Lucas [1993]). Ferrit- vagy martenzit-
acéloknál a kérdés bonyolultabb, mert a szokásos szennyezések, ill.
adalékok (C, N, O, P, Cu,...) - noha a koncentrációjuk kicsiny - a
sugárzás hatására nagyon erősen hathatnak a mechanikai
tulajdonságokra. A másik ok az eredő feszültségnek a csökkenő
hőmérséklettel való erős növekedése, amely a csavardiszlokációknak a
tck-szerkezetben való kis mozgékonyságából ered és amely gyakran
akadályozza akár az ötvözéses, akár a sugárzásos felkeményedést. Ez a
felkeményedés az oka a rugalmas-rideg átmenetnek, amely töréshez
vezet, ha egy kritikus hőmérséklet alatt az eredő feszültség túllépi a
törési feszültséget. Ez a kritikus hőmérséklet mind az alacsony
ötvözöttségű ferrit-acél atomreaktor tartályokra, mind a fúziós
alkalmazások nagy Cr-tartalmú martenzites acél szerkezeteire 0°C táján
van! A besugárzás növeli az eredő feszültséget, de nem befolyásolja a
törési feszültséget, ezzel a kritikus hőmérséklet növekedését okozza. A
kritikus hőmérséklet még inkább növekszik alacsonyabb besugárzási
hőmérsékleten és mintegy 10 dpa-nál (azaz, ha minden atom tízszer
kimozdult) annak telítődése figyelhető meg, amely azonban lehet akár az
üzemi, de még könnyebben a leállási hőmérséklet. Korai
reaktortartályoknál rézben és foszforban dús kiválásokat találtak. Ezért a
mai tartályok anyagánál a Cu koncentráció felső határa 0,1%, a P-
koncentrációé pedig mindössze 0,01%. A rugalmas-rideg átmenet
hőmérsékletének megemelkedése a fúziós reaktorok Mo- és Mo-
ötvözetből készülő limitereinél kritikus. Hasonló gondok léphetnek fel
431
Ta- és W-ötvözeteknél, amelyek a spallációs neutronforrások egyébként

kiváló anyagai.
A sugárzási károsodás jelentős (akár tízszázalékos!) térfogati
növekedést is okoz az üregesedés ("void") következtében. A jelenség
0,3Tm  T 0,6Tm között lép fel és - 10-6dpa/s áramsűrűség mellett,
amely tipikus mind a hasadásos, mind a fúziós reaktorokra - 0,45Tm táján
mutat maximumot, amely érték csökkenő részecskeárammal csökken.
Egy dózis-küszöb elérése és egy átmeneti szakasz után a relatív
térfogatváltozás a legtöbb használt anyagra lineárisan nő a dózissal (1%
dpa-nként).
Míg a lineáris tartományban az anyagi tulajdonságoknak,
ötvözőknek alig van hatása, az átmeneti szakasz jellegét ezek határozzák
meg. Ezt kihasználva hoztak létre tágulásnak ellenálló ötvözeteket: pl.
1% Ti hozzáadása a 316-os ausztenites acélhoz a térfogati tágulás
felléptének dózishatárát 25 dpa-ról 100 dpa-ra lehet eltolni.
A következő károsodás-típus a sugárzási kúszás ("irradiation
creep"). Ez, a feszültséges anyagokban a sugárzás hatására fellépő
plasztikus deformáció már 0,2Tm-nél is felléphet - egy átmeneti állapotot
követően. A jelenség egy konstans sebességű kúszás, amelynek
nagyságrendje 10-10 - 10-11 s-1dpa-1Pa-1. Ez - szemben a termikus
kúszással - alig függ a hőmérsékletttől. A térfogati növekedés kritikus
hőmérdéklete alatti kúszást a rácsközi atomok preferált abszorpciójának
tulajdonítják az uniaxiális feszültséghez viszonyítottan párhuzamos és
merőleges orientációjú diszlokációkon.
Nem-köbös szerkezetű anyagokon a sugárzás hatására akkor is
felléphet térfogatváltozás, ha nincs feszültség az anyagban. Az
anizotrópia hatására a vakanciák és a rácsközi atomok kondenzációja
függhet a síkok orientációjától. Az ortorombos urán és a hcp cirkon és
ötvözeteinél észlelték.
A magreakciók révén keletkező, már említett héliumnak 0,45Tm
feletti buborékosodása hirtelen és súlyos ridegedéshez vezet - ez a
veszély a gyors szaporító, magas hőmérsékleten működő, valamint a
fúziós reaktoroknál áll fenn. Az üregek különösen a szemcsehatárokon
veszélyesek. A legérzékenyebbek erre a Ni-alapú szuperötvözetek, míg a
Fe-Cr ferrites/martenzites acélok 700°C-ig stabilak akár 1000 at.ppm He
szennyeződésre. Ausztenites acélok, ha sikerül bennük finom diszperz
karbidkiválásokat létrehozni, szintén ellenállók.
432
2.5.3. Tribológiai alkalmazások
A különféle anyagok kopása a GDP 1-4%-át felemésztő probléma

(Goode [1989]). A tömbi anyag edzése mellett, esetenként helyette
alkalmazzák a felületek keményítését, amely sok esetben egyúttal a
kopási tulajdonságok javítását is jelenti. A kopás sok okra vezethető
vissza. Okozhatja az összehegedő vagy összekapcsolódott felületi
kiemelkedéseknél fellépő nyíró erő, a kiemelkedések fáradása, abrazív
erők, felületi vagy felület alatti repedés-terjedés (ami hámláshoz
vezethet), környezet korrozív hatására fellépő kopás. A kopás mértéke az
egységnyi úton lekoptatott anyag térfogata, ami így terület-dimenziójú.
Szokás a kopást dimenziónélküli Ki faktorokkal is definiálni, amely a
kopás mértékének a tényleges érintkezési felülethez való viszonyítása
(Archard [1980]). Az adhéziós kopásra ez:
V H
K1   , 2.5.3
L W
ahol V az L úton lekoptatott anyag térfogata, H az anyag keménysége, W
a terhelés és a levezetés során figyelembe vette Archard, hogy egyetlen
kiemelkedés környezete plasztikus deformációt szenved, amikoris az
érintkezési felület, A és a kiemelkedésre ható W terhelés között
A=W/H áll fenn. E folyamatok integráljaként adódik 2.5.3.
Mindez bonyolódik, ha egy kemény részecske beágyazódik a két
anyag közé vagy a kenőanyagban marad - amikoris abrazív kopásról
beszélünk. A kopási állandó erre az esetre
2 V H
K2  ctg 0  á tl. p   , 2.5.4
 L V
2
ahol ctg 0  á tl. egy geometriai tényező (nagyságrendje 10-1), amely az

abrazív részecskék átlagos alakját és orientációját tartalmazza. Tipikusan
csak a lekopott anyag p (10-1) része jelentkezik a kenőanyagban, (1-p)-
ed része csak "szántja" a felületet anyagleválás nélkül. Emiatt K 2 10-2
nagyságrendű.
A felület rugalmassági határát jelentő feszültségekhez kapcsolódó
fáradási folyamatokhoz a K3 együttható tartozik. A keletkező repedések,
amelyeknek a mérete a mikroszkópos kiemelkedések nagyságrendjébe
esik, futhatnak akár merőlegesen, akár párhuzamosan a felülettel és
anyagleváláshoz vezetnek.
433
A korróziós kopás egy további együttható bevezetését jelenti.

Archard leírásában a
K 4  q 0 d / r , 2.5.5
ahol r a kiemelkedések érintkezéseinek átlagos sugara, q 0 annak a
valószínűsége, hogy egy leváló részecske keletkezik, amelyik egy d
vastag réteg megnövekedésének sebességétől függ.
A kopási folyamatban érintett anyag három rétegből áll (Vingsbo
és Hogmark [1989]). Acél esetében a legkülső réteg rendkívül finom
szemcsézettségű, amely gyakorta ún. dinamikus átkristályosodással áll
elő. Szénacélokban a súrlódási hő elég is lehet az ausztenites anyag
ilyetén szerkezeti változásaihoz. Ha a réteg hűléskor martenzitesedik,
súrlódásos martenzitnek is nevezik. Szénacélokban a második zóna egy
részben martenzitesedett texturált szerkezetet mutat, míg a harmadik
zóna leginkább a kovácsolással keményített anyaghoz hasonlít. Itt az
eredeti szemcseszerkezet megmarad, de a diszlokációk száma nagyobb és
megkezdődik a texturált szerkezet képződése. A negyedik zóna az
eredeti anyag.
A kopás csökkentésére sok eljárás ismeretes. A bevonatoló
keményrétegek egyidejűleg növelik a keménységet, csökkentik a
tapadást, a surlódást és gátolhatják a korróziós kopást is. Vékony
bevonatok esetén az alapnak mechanikailag kellően teherbírónak kell
lennie, a bevonatnak viszont kellően rugalmasnak, hogy együtt
mozogjanak (TiN, TiC, Ti(C,N), Cr7C3, gyémánt stb.).
Ionimplantáció esetén a belőtt nitrogén, bór vagy szén jelenléte
megnöveli szinte valamennyi acél, alumínium és titánötvözet
ellenállóképességét, legtöbbször az Rp-nél akár nagyságrenddel nagyobb
lekoptatott rétegvastagságokig. A kedvező hatást előidéző főbb
mechanizmusok acélok esetén a következők:
* Oldódási keményítés. Már közepes dózisnál erős
kölcsönhatás lép fel a nitrogén és a vakanciák között, dipólok
képződnek, ami megakadályozza a diszlokációk vándorlását, azaz növeli
a belső súrlódást. 1017 cm-2 esetén ezek fürtösödnek és tovább nő a
belső súrlódás. A legnagyobb dózisoknál a belső súrlódás ugyan nő, de a
nagy fürtök miatt a diszlokációk mozgékonysága mégis csökken.
* Kiválásos keményítés. Ha a titán vagy a króm ötvözőként
van jelen az anyagban, a nitridképződés is kedvező hatást okoz.
434
* Kopás közbeni fázisátalakulások. Az implantáció

lecsökkenti, lelassítja a kopás közben létrejövő ausztenit-martenzites
átalakulásokat.
* Súrlódási együttható csökkenése. Az implantációt kísérő
porlódás következtében símábbá váló felületen kisebb a hőfejlődés,
emiatt az adhézió és a kopás is.
A következőkben néhány példát mutatunk be az egyes
acélfajtákon létrehozott változásokra (Kluge et al. [1989]). Magas
krómtartalmú acéloknál a nitrogén implantáció akár 1/8-ad részére
csökkentheti a (kenés nélküli) kopást. A martenzites X90CrMoV18
acélnál a bór bizonyult hatásosnak: két nagyságrenddel csökkentette a
kopást. A szén viszont az alacsony krómtartalmú szerszámacéloknál
(100Cr6) hatásos (1/10-edére csökkenti a kopást), amelyeknél a nitrogén
hatástalan.
Az ütközéses implantáció is felhasználható a kopásállóság
növelésére. Mintegy 50 nm-es Al réteget mintegy 90 keV-es nitrogén
ionokkal átlőve, egy közepes széntartalmú acélon a kopás tizedrészére
csökkent.
Külön kell szólnunk az orvosi alkalmazásokról. Mesterséges
protézisek (implantok) több stratégiával készíthetők. Lehet "testazonos"
vagy immunreakciók szempontjából "neutrális" anyagokkal próbálkozni.
A testazonos anyagok (pl. csontprotéziseknél a hidroxiapatit) kiválóak,
de esetleg felszívódnak mivel éppen az azonosságuk miatt
bekapcsolódnak az anyagcserébe. A neutrális anyagok közül a titán a
legalkalmasabb. Ez néhány százalék vanádiummal és krómmal ötvözve
mechanikai szempontból is megfelelően ellenálló anyag, amelyet a
szervezet akár két évtizeden át észrevétlenül megtűr (V- vagy Cr-allergia
esetén - a némi kompromisszummal a teherbírás terén - elemi Ti is
használható). Az ízületi fej kopási tulajdonságai tehát rendkívül
kritikusak. Az USA-ban jelenleg egyedül a nitrogén ionokkal való
implantáció az engedélyezett felületkezelés a megfelelő kopásállóság
elérésére. Emiatt ez az alkalmazás az, amely nagy termelési értéket
képvisel.
435
2.6. Implantáció dielektrikumokba és polimérekbe
A dielektrikum- és polimér-kutatások, szerkezetátalakítások is

sokat köszönhetnek az ionbesugárzásnak és az implantációs
adalékolásnak, bár az alkalmazások nem annyira elterjedtek, mint a
félvezetőknél. Ennek oka abban keresendő, hogy a technika által
megközelíthető piac is szűkebb. Igen korán ismertté vált, hogy az
anyagok, elsősorban kvarc, üveg, zafir stb. optikai állandóit az
ionbesugárzás jelentősen módosítja. Az elmúlt évtizedekben - mivel az
implantáció ennél az anyagcsoportnál (a kerámiákat is beleértve),
teljesen átalakítja a felületi réteg szerkezetét - rendkívül kiszélesedett a
lehetséges, sőt egy-egy esetben unikális alkalmazások köre.
Polimérek esetén az ultraibolya, valamint az elektron besugárzás
kettős hatása régóta ismert volt. Azaz, hogy a foton, ill. az elektron
energiája egyrészt az atomok gerjesztésére, másrészt a kötések
megszüntetésére is fordítódhat. Az első hatás további polimerizációs
folyamatokat indukál, míg a második ezzel ellentétes eredménnyel jár, a
polimérekből gázfelszabadulással járó lebomlást, végül grafitizációt
eredményez. Az UV- és elektron-besugárzással végzett polimerizáció
(pl. felületi bevonatoknál) ma ipari gyakorlat.
2.6.1. Dielektrikumok optikai tulajdonságainak beállítása
A dielektrikumok különféle tulajdonságainak (keménység, törési

ellenállás, stb.) módosításai közül az optikai tulajdonságok beállítása
nyert eddig széles körben alkalmazást, az integrált optika motivációja
révén.
Az észlelt hatások eléggé eltérőek attól függően, hogy milyen
dielektrikumot vizsgálunk. A legfontosabbak az amorf kvarc (kisebb
mértékben a kristályos is), az egykristályos zafír és a lítiumniobát. Abból
a régen ismert tényből is következően, hogy ezekben az anyagokban az
UV- vagy elektronbesugárzás színcentrumokat hoz létre, világos, hogy
az ionbesugárzáskor az elektronos fékeződés szerepe is jelentős
változásokat okoz. Az ionokra specifikus hatásokat azonban a nukleáris
folyamatokban leadott energia okozza.
Amorf kvarcban a keltett rácshibák tömörítik az anyagot, így a
törésmutató nő, míg kristályos kvarcban a jelenség fordított. Ez
436
utóbbiban a rácskárosodás felgyülemlése során, a rácsközivé vált Si

atomok relatív térfogati sűrűségét (Ni/NSi, ahol Nsi = 2,66x1022 cm-3)
mint az iondózis függvényét mérve, három tartomány figyelhető meg
(Götz [1987]). A fékeződés és a dózis szorzataként definiált G nmax = 
(dE/dx)nmax mennyiség értékével jellemezhetők ezen tartományok. Ha
Gnmax  1020 keVcm-3, a zömmel ponthibák koncentrációja lassan nő egy
kritikus Nic/NSi = 0,15 értékig. Efelett, az 1x1020 keVcm-3  Gnmax 
2,5x1020 keVcm-3 tartományban már amorfizálódott mikrotérfogatok
keletkeznek, amelyeknek a száma exponenciálisan nő. Még ennél is
nagyobb dózis, azaz fajlagos energialeadás felett a kristályos kvarc
teljesen amorffá válik. Az 575 nm-en mért törésmutató, amely növekvő
átadott energiával az amorf kvarc törésmutatójának értékéhez tart, a
2.61. ábrán látható. A jelenségnek az ionfajtától való függetlensége azt
igazolja, hogy a hatás teljes egészében a rácshiba-keltéssel
magyarázható.
437
2.61. ábra. Kristályos és amorf kvarc 575 nm-en mért

törésmutatója a nukleáris folyamatokban leadott teljes energia, Gnmax
=  (dE/dx)nmax függvényében, n0kr a kristályos, nfs az amorf kvarc
eredeti törésmutatója (Götz [1987] nyomán, Hines és Arndt [1960]
adatait is ábrázolva)
Az első tartománybeli dózisoknál a rácshibák folyamatosan, de T a

= 800°C-nál már teljesen hőkezelődnek, azaz a törésmutató eredeti
értéke visszaáll. A középső tartományban a teljes hőkezelődés csak T a =
1270°C-nál következik be. A harmadik tartományba eső besugárzásnál a
hőkezelés nem a kristályos kvarc n0kr = 1,54 törésmutató értéke felé,
hanem éppen ellenkezőleg, az amorf kvarc n0amorf = 1,46 felé közelíti a
törésmutatót, amelyet Ta = 1200°C táján gyakorlatilag el is ér.
438
2.62. ábra. A LiNbO3 törésmutatójának csökkenése a nukleáris

folyamatokban leadott teljes energia függvényében (Townsend [1987]
nyomán), no ordináris, ne extraordináris törésmutató.
Az egykristályos LiNbO3-nál az ionbesugárzás szintén - és ismét

ionfajtától függetlenül - csökkenti a törésmutatót. A 2.62. ábra
Townsend [1987] összefoglaló cikke nyomán mutatja be N+, O+, He+ és
Ne+ esetére a n = -0,1 nagyságrendű változást.
Schineller et al. [1968] publikált először olyan eltemetett
hullámvezetőt, amelyet protonbesugárzással állított elő kvarcban. Emiatt
pl. az optoelektronikai elemek, fényvezetők szinte az első demonstratív
alkalmazások közé kerültek. A fotolitográfiás eljárással előálított, az
ionok behatolását megakadályozó maszkok lehetővé tették, hogy a
gyakorlatban szükséges hullámhosszakra (1,54 m) jó tulajdonságú, kis
veszteséget adó optoelektronikai elemek álljanak elő ionbesugárzással.
Az még ma sem eldöntött kérdés, hogy a hatás a rácshibák miatt némileg
összeroskadó rácsnak vagy részben a kémiai hatásoknak köszönhető.
A következőkben összefoglaljuk az ionbesugárzás okozta
változásokat a legfontosabb dielektrikumokban (Townsend [1987]):
1) Törésmutató változás:
439
Amorf kvarc tömörödik, n növekszik,  2%,

Na-üveg Na-ot veszít, n csökken,  12%,
Kristályos kvarc amorf lesz, n csökken,  5%,
(Kristályos) kalcit amorf lesz, n csökken,  5%,
LiTaO3 amorf lesz, n csökken, 5%,
LiNbO3 amorf lesz, n csökken, 5%,
Al2O3 felületi O-t veszít, n csökken, 1%.
2) Kettőstörés megszűnik.
3) Reflexiós együttható az n változásai miatt változik -
antireflexiós rétegek készíthetők,
4) Elektrooptikai, piezooptikai, piroelektromos hatások
megszűnnek.
5) Fázisátmenet pl. V2O5 fém-félvezető átmenet hiszterézisének
beállítása.
6) Kémiai reakcióképesség
amorf kvarcnál 3-szoros
LiTaO3, LiNbO3, gránátoknál 1000-szeres.
7) Felületi akusztikus hullám sebességváltozása  10 %,
8) Elektromos vezetőképesség nő, főleg a halogén, ill. oxigén
távoztával.
9) Mágneses domén kijelölése (mágneses "buborék"
mozgékonyság beállítása),
10) Felületi diszlokációk száma csökken.
2.6.2. Ionbesugárzás egyéb célokra
A kerámiák törési szilárdsága nagyban függ felületük állapotától.

Gyakori, hogy a törés a felületi hibákból, netán repedésekből indul el.
Azzal lehet hatásosan megjavítani a kerámiák szilárdságát, ha a felületen
nyomófeszültséget adó réteget alakítanak ki. Ennek - a hagyományos
kémiai megoldásai mellett - az ionbesugárzás is jó eszköze. Zafirba (-
Al2O3) implantált Cr, Zr az anyag keménységét 28-45%-kal növeli, a
440
törési szilárdságát pedig mintegy 15%-kal (McHargue et al. [1982]). Az

egyik oldalán implantált zafir (400 keV N+, 1017 cm-2) hajlítószilárdsága
is jelentősen negnő, mintegy 600 MPa-ról mintegy 900 MPa-ra.
Az ionbesugárzás okozta felületi átrendeződések jól
kihasználhatók pl. a dielektrikumokra felviendő vékonyrétegek
tapadásának javítására. Két anyag, A és B, atomosan meredek
határfelületén a tapadás kritériuma, hogy a két anyag felületi szabad
energiájának összege (sA+ sB) nagyobb legyen, mint az AB
köztesrétegé, i,AB . Ezzel az Ead adhéziós energia definiciója (Baglin
[1987]):
E ad   sA   sB   i,AB . 12.1
A  i ,AB (amely a homogén anyag bármely belső síkján eltűnő
mennyiség) növekszik, ha rácshibák, diszlokációk, vagy feszültségek
vannak a köztesrétegen. Csökkenteni azzal lehet, ha a felületi atomok
relaxálhatnak, és felvehetik az optimális konfigurációt. Az a legjobb
konfiguráció, amikor nincsenek telítetlen kötések, pl. epitaxia, de az is
kedvező, ha kémiai kötés alakul ki pl. atomok szegregálódása révén. Ha
ez nem lehetséges, a felületi atomok lehetőség szerinti szoros
illeszkedését kell elérni. A kötés lehet a 10nm távolságon 1/r2-függő
van der Waals ( 0,4 eV) erő, a felületi Fermi nívó kiegyenlítődésével
fellépő elektrosztatikus vonzás, fémes, ill. kovalens kötés.
Az ionok hatása ilyenkor - amelyet ionos varrásnak is neveznek -
nem teljesen tisztázott: a határrétegen áthaladó és elektronos
fékeződéssel fékeződő ionok, amelyek legfeljebb dinamikus keveredést
okozhatnak, megnövelik a tapadást több rendszernél. Példaként Au-nak
teflonra, Cu-nak zafírra való jóminőségű kötődését említhetjük (Baglin
[1987]). Khanh et al. [1992] Si-egykristálymembránt "varrt" SiO2-re
MeV-energiájú nitrogén ionokkal. A membrán egykristályos voltát
sikerült jóminőségben megőrizni, ill. hőkezeléssesl helyreállítani.
441
2.6.3. Korpuszkuláris sugárzás hatása polimérekre, az

elektromos vezetőképesség
Az ionbesugárzásnak a polimérekre gyakorolt hatása sok

szempontból hasonlít a dielektrikumok esetére, mert az elektronos
fékeződés szerepe itt is jelentős. Nagy eltérés van azonban amiatt, higy a
polimérek alapvetően kis rendszámú elemekből állnak és a termikus
hatásokra igen érzékenyek. Emiatt az ionáramsűrűségek megválasztása
kritikus. A szerves molekulák ionbehatásra könnyenszéttöredeznek, a
gyakran gáz halmazállapotú fragmrntumok és el is távoznak.
Összefoglalóan, 2 MeV Ar+ besugárzásra, a  függvényében a
2.6.3. ábra folyamatai zajlanak le.
Az energiaveszteség folyamatai a Bethe-Born mechanizmus
|______|_______|_______|________|________|________|________|________|________
 (cm )
10 12 14 16 18 -2
10 10 10 10 10
_____________
Lánc átkötés/elvágás, litográfia
___________________
Monomérek polimerizációja
_____________________
Polimérek disszociációja
________________________________
Oxigén felvétel, optikai tulajdonságok változása
_________________________
Szenesedés, szervetlen vegyületek
__________________________________
Elektron-transzport megváltozása
2.63. ábra. Tipikus ion-polimér kölcsönhatások 2 MeV Ar+ hatására, a

dózis függvényében (Venkatesan et al. [1987] nyomán)
442
(Bethe [1930]) alapján érthetőek, de a polimérek különböző fajtáinál

nagyon eltérő értékek lépnek fel. Példánk (2.64. ábra) hélium ionokra
mutatja a fékezési keresztmetszetet [eV/(1015monomér.cm2)
egységekben] polisztirén és polietilén esetében.
2.64. ábra. Fékezési keresztmetszet hélium ionokra polisztirolban

(C8H8) és polietilénben (CH2)n (Venkatesan et al. [1987] nyomán)
Ezek után nem meglepő, hogy az Rp behatolás is jelentősen eltér

az egyes poliméreknél. A 2.6.1. Táblázatban foglaltuk össze, ugyancsak
Venkatesan et al. [1987] nyomán három polimérre a 100 keV-es ionokra
vonatkozó fékeződést és a behatolási mélységet. A három polimér:
polisztirol (C8H8)n , polietilén (CH2)n és egy elterjedt fotoreziszt, a
polimetilmetakrilát, PMMA.
443
2.6.3.1. Táblázat. Néhány ion fékeződési keresztmetszete és

behatolási mélysége egyes polimérekbe (Venkatesan et al. [1987]
nyomán)
Anyag Polistirol Polietilén Polimetilmetakrilát

PMMA
Ion dE/dx Rp (m) dE/dx Rp (m) dE/dx Rp (m)
(eV/nm) (eV/nm) (eV/nm)
H 876 1,28 112 1,07 89,8 1,36
He 190 1,05 211 0,85 160,7 1,08
Ar 600 0,14 641 0,1 517 0,12
Kr 1167 0,07 1195 0,05 1010 0,06
Az energialeadás leírására vonatkozóan visszautalunk a 2.2.1.

fejezetre, a Kinchin-Pease [1955], ill. az LSS [1963] és az elektronos
fékeződés Brandt-Kitagawa [1982] elméletére. A folyamatok, ED=20 eV
érték feltételezésével, a TRIM kóddal jól szimulálhatók. A kísérletek
összhangban vannak továbbá azzal a koncenpcióval is, hogy
elsődlegesen az
elektron-folyamatok felelősek a telítetlen kötések és az
oldalkapcsolódások létrejöttéért, míg főleg a
nukleáris folyamatok okoznak lánc-töréseket (Lee [1996], 2.65.
ábra).
444
A besugárzás hatására először a hidrogén távozik a polimérből.
Oldalkötés
2
Telítetlen kötés
Láncszakadás
3
2.65. ábra. Az oldalkötés (1), a telítetlen kötés (2) és a

láncszakadás (3) sematikus ábrázolása
Könnyű ionokkal besugározva (1,5 MeV-es hélium) pl. az eredeti

C:H=1:2 arány C:H=1:0,85 értéknél stabilizálódik. A távozó hidrogén az
észleléskor (tömegspektrométer) már molekuláris H2 és a mennyisége -
átmenő sugárzás esetén - arányos a rétegvastagsággal, ami azt bizonyítja,
hogy a H-fejlődés a teljes vastagságban bekövetkezik. Valóban, tipikus
értékként, =6x1015 cm-2 esetén, a 4m vastag PE-ből 1,2x1019 H2/cm2 ,
a 8m vastagból pedig 2,4x1019 H2/cm2 hidrogén molekula távozik
(Calcagno és Foti [1985]).
Egy másik rendkívül fontos anyagcsalád a poliimid,
különösképpen a Kapton márkanevű, amely 4K-től 400°C-ig megtartja
kiváló tulajdonságait. Ionbesugárzás hatására megváltozik az optikai
sűrűsége és az elektromos vezetőképessége, s ezek pontosan be is
állíthatók. Különösen fontos azonban a keménységének és ezzel a
kopásállóságának a megnövekedése. A kontroll Kapton-minta 0,45 GPa
keménysége 640 keV C+-ionok 4x1015 cm-2 dózisának hatására 6,6 GPa
értékre, 1 MeV Ar+-ionok 4,7x1015 cm-2 hatására pedig 13 GPa értékre
nő meg (Lee [1996].
A félvezetőiparban használt standard fotolakk (Novolack)
súrlódási együtthatójának mintegy 100-szoros csökkenését (azaz a
koptatási ciklusok számának ilyen megnövekedését) mutatta ki Öchsner
[1991] pl. 200 keV P+ 1017 cm-2 dózisú implantációjának hatására. Ennek
a gyakorlatban ott lehet hasznát látni, hogy a fotolakk jól tapadó
rétegben felvihető pl. acél felületére is és, ha kenés nélkül kell a darabot
alkalmazni, az implantált fotolakk segít a súrlódás lecsökkentésében.
445
Az elektromos vezetőképesség "beállítása" kifejezést használtuk.

Ez azt jelenti, hogy - típusosan - 1014 és 1016 cm-2 iondózisok hatására a
legtöbb polimér vezetőképessége 10 10 ohmcm-ről mintegy 10-2 ohmcm-
re csökken. Az iondózisok pontos kézben tartásával lényegében
tetszőleges vezetőképességet lehet ezen határok között beállítani.
Nagyobb dózisoknál pedig a vezetőképesség a grafit mintegy 10 -3
ohmcm értékénél állapodik meg (Venkatesan et al [1983]).
A költségek miatt azonban ma csak speciális alkalmazásoknál
használják az implantációt (űrkutatás stb.), mert ha csak polimerizációról
van szó és nem kelle pl. vezető réteget előállítani, hasonló hatás UV-
besugárzással jelentősen olcsóbban elérhető. Nemrég alakult ki az
ionbesugárzásnak - igaz, végülis a költségek miatt az "egyszerű" plazmás
kezelésnek - egy tömegárú piaca: a gépkocsik műanyag
üzemanyagtartályának ionos kezelése, hogy a benzin-adalékok
kipárolgását, ezáltal az oktánszám fokozatos lecsökkenését
megakadályozzák.
446
2.7. Speciális ionos eljárások
Ebben a fejezetben ízelítőt adunk azon eljárásokból, amelyek

rokonai az ionimplantációnak. A különféle kombinált eljárásoknak
széles arzenálja fejlődött ki az elmúlt évtizedben, valamennyi
ismertetésére nem is térhetünk ki. Néhány prespektívikus módszerről
azonban röviden beszámolunk. Az implantációs ismeretek alapján az
egyes eljárások alapjai könnyen megérthetők.
2.7.1. Fókuszált ionnyaláb és alkalmazásai (Focused Ion

Beams, FIB)
A Bevezetésben már ejtettünk szót arról, hogy a fókuszált

ionnyalábok felhasználása mindig is szerepelt a tervek között - valójában
azonban, egészen a legutóbbi időkig nem alakult ki a FIB
alkalmazásainak azon köre, amely már meggyőző lehetett. Technikailag
még egy fontos kérdést kellett megoldani. Az optika azon elve, hogy egy
fényforrrást önmagánál kisebb felületre jó minőségben fókuszálni
bonyolult, természetesen igaz az ionoptikára is. Kis felületi fényességű,
nagy felületű források tehát alkalmatlanok a FIB céljaira. A változáshoz
a fémolvadék ionforrások (Liquid Metal Sources) megalkotása volt
szükséges. Ezek a források - legelterjedtebben - az alacsony
olvadáspontú és kis gőznyomású galliumot használják. Egy fűtött, -
alakú W-huzal egyik (spirálalakúra hajlított) vége olvadt Ga-ot
tartalmazó tégelybe merül. A felületi feszültség/nedvesítés révén az
olvadt Ga elkúszik a huzal másik, kihegyezett végére, ahonnan mintegy
max. 40 kV-os feszültség okozta térionizáció révén pozitív Ga-ionok
válnak le. Világos, hogy egy ilyen ionforrás felületi fényessége rendkívül
nagy és kiválóan alkalmas szubmikronos ionnyalábok előállítására. Ezek
után nem meglepő, hogy egy FIB berendezés felépítése - a polaritástól és
az ionforrástól eltekintve - gyakorlatilag azonos egy
elektronmikroszkópéval.
Az új generációs FIB-berendezések első sikeres alkalmazása talán
az a bór ionokkal implantált zseb volt, amely a VLSI/ULSI
áramkörökben szokásos szigetelő árkot helyettesítette, azaz amely
gátolja két szomszédos tranzisztor nemkívánt kapcsolatát ("cross-talk").
A vizsgálatok során kiderült, hogy a megkívánt dózis/pásztázási idő
kapcsolata miatt a FIB használatakor jelentős önhőkezelődés is létrejön,
447
így a rétegek tulajdonságai eltérnek a hagyományosan implantáltétól.

Noha ez az alkalmazás már sok előnyt bizonyított, mégsem okozott
áttörést.
A várt áttörést az a koncepcióváltás hozta, amely az integrált
áramkörök minőségellenőrzésének korábbi stratégiáját tette
korszerűtlenné, gazdaságtalanná. Korábban ui. a szeletek elkészültekor
az egyes chipeket - a kontaktusaikra "rálépő" tűkontaktusok segítségével
(a sztatikus karakterisztikák lehetőleg teljes, a dinamikus
karakterisztikák korlátozott kimérésével) funkcionálisan bemérték,
tesztelték. Ezt követően a hibás chipeket kiiktatták a tokozás
költségeinek megtakarítására. A mai áramkörök ezen állapotukban már
olyan értéket jelentenek, hogy selejtezésük nem gazdaságos: kialakult a
chipek megjavításának igénye, ill. ez vált stratégiává. Elsősorban a fémes
összeköttetések javítása, azaz egyes vezetékek porlasztásos elvágása, ill.
új összeköttetések készítése lett a FIB igazi területe. Annak
köszönhetően, hogy a becsapódó Ga-ionok szekundér elektronokat
váltanak ki, az in situ és valósidejű pásztázó elektronmikroszkópi
képalkotás is lehetővé válik, a FIB készülékben folyamatosan
megfigyelhető a megmunkálási folyamat. Ez a konkurrens lézeres
rétegeltávolítás ("ablation"), ill. lézeres kémiai rétegleválasztással
szemben nagyon kellemes előny. A hibás helyek lokalizációja
mindkettőnél azonos nehézségű feladat (a készülékek árának nagyobb
része ennek megoldásától függ). A porlasztás révén szinte tetszőleges
alakú és mélységű metszetek készíthetők, ill. az ionok energiája révén
(pl. W-tartalmú) ún. fémorganikus gázokból kívánt alakú fémcsíkok
választhatók le.
448
2.7.2. Plazma Immerziós Implantáció (Plasma Immersion Ion

Implantation, PIII)
A ma PIII-nek nevezett eljárás fokozatosan alakult ki. Először a

vákuumpárologtatáskor alkalmaztak egyenfeszültséget az ionos hányad
felgyorsítására, hogy az belebombázza a neutrális atomokat is a
2.66. ábra. Getterezés Plazma Immerziós Implantációs eljárással.

a) Hátoldali Ar-implantáció, hibakeltésre, b) hőkezelés révén a
fémszennyezések a hátlaphoz diffundálnak és ott megkötődnek (Cheung
[1991] nyomán).
449
felületbe. Ez a 2.7.3.-ban ismertetendő IBAD alapgondolata is. A

beviendő anyagot tartalmazó gáz plazmaállapotba való alakítására több
lehetőség kínálkozik. A legegyszerűbb és emiatt legelterjedtebb eljárás
az, hogy a ritka gázelegyet nagyfrekvenciás térrel ionizálják (Penning
kisülés). A negatív feszültségre előfeszített tárgy és a plazma között
PLAZMA ION IMMERZIÓ Si MULTIKRISTÁLYBA
Rétegellenállás vs. immerziós idõ
140
120 Ub=950 V, Gáz: 1% PH3-H2

Hõkezelés: 600oC, 10 min
Rs [/] 930oC, 5 min
100
80
60
40
0 2 4 6 8 10
Immerziós idõ [min]
2.67. ábra. A felületi rétegellenállás csökkenése növekvő dózis

(besugárzási időtartam) esetén, 980 V egyenfeszültség hatására, sekély
np-átmenet előállítására (Pintér I. [1997])
létrejön egy - a kisülési csövek fizikájából ismert - ionokat tartalmazó

tértöltési réteg ("sheath"). Az implantáláshoz, azaz az ionoknak a tárgy
felülete felé való gyorsításához lehet egyenfeszültséget vagy - akár 100
kV-os - impulzusokat alkalmazni. Ez utóbbi esetben minden impulzus
alkalmával a plazma teljes "kiürülése" is elérhető. Ha a plazma
elegendően sűrű (1010-1011 cm-3), a tárgy és a plazma közötti tér jelentős
feszültségesést tud fenntartani. Az ionok a semleges atomokkal való
ütközéseikhez tartozó szabad úthossznak megfelelően jutnak el a tárgyba
vagy enyésznek el a vákuumrendszerben. Az ionok energia- és
irányeloszlása a gáznyomástól, az alkalmazott feszültségtől, az ionok
töltésállapotától és a tárgy felületének alakjától függ. Egyszerű alakjában
a PIII-nál nincs sem tömegszeparáció, sem ionoptika, de az
ionáramsűrűség nagyon nagy lehet (akár 10 16 cm-2s-1) és nagyfelületű
tárgyak is gyorsan besugározhatók.
450
Ha a t=0 időpillanatban feszültségimpulzust alkalmazunk, 10 -9 s

idő alatt felépül a kezdeti réteg, amelyből a tér kiszorítja a
mozgékonyabb elektronokat. A pozitív ionoknak a tárgy felé való
gyorsulásával együtt - mintegy s alatt - kiterjed a tértöltési réteg. Ezt
követően kialakul az egyensúly a Child-Langmuir törvény szerint. A
feszültség lekapcsolása után, ill. annak újraindításával a folyamat
ismétlődik. Az implantáció hatékonysága tehát olyan optimálási feladat,
amelynél azt kell elérni, hogy az ionok ne tudjanak a tértöltési rétegen
áthaladtukban rekombinálódni (Cheung [1991]).
A 2.66. ábra a PIII egy sikeres félvezetős alkalmazását, a
getterezést mutatja be. Egy további alkalmazást mutat a 2.67. ábra,
amely PH3 gázkeverékből előállított foszfor-ionokkal hoz létre np-
átmenetet olcsó napelemek előállítása céljából. A gyorsító tér 950 V
egyenfeszültség volt volt.
A fémek kopásállóságának növelésére ma már gyártmány-jellegű
berendezések jelentek meg. A legimponálóbb alkalmazást a Los Alamos
Nemzeti Laboratórium (USA) fejlesztette ki: mintegy két méter átmérőjű
vákuumkamrában egyidejűleg 50 darab A390 alumínium-ötvözetből
készült motor-dugattyút lehet felületkezelni: első lépés egy alacsony
energiájú Ar ion bombázás, ezt követi egy nagyenergiájú szén ion
implantálás, amelynek révén Al-C és Si-C keletkezik, ezt követi ismét
egy alacsony energiájú Ar besugárzás a felületi grafitréteg eltávolítására,
végül alacsony energiájú szén bombázással alakul ki az ellenálló réteg
(Kodali és Nastasi [1996]).
451
2.7.3. Ionsugárral segített rétegleválasztás (Ion Beam Assisted

Deposition, IBAD)
A részben ionizált anyag-áramlás seítségével megvalósított

rétegfelvitel, párologtatás két szempontból is kedvező a hagymányos
vákuumpárologtatáshoz képest. Előszöris az ütközéses implantáció,
valamint a sugárzás gerjesztette diffúzió, RED, révén létrejövő keveredés
nem csak jobb rétegtapadáshoz, hanem eltérő kémiai fázisok
2.68. ábra. Ni-réteg leválasztása IBAD segítségével,

molekuladinamikai számítás. Az egyenes vonalak mutatják az atomok
újraeloszlását (Müller [1987] nyomán)
létrejöttéhez is vezethet. A hazánkban, Vágó Gy. által kifejlesztett

magnetronos változat ipari termékként kiemelkedő.
A folyamatot molekuladinamikai modellezéssel mutajuk be a 2.68.
ábrán. Az ábra négy időpontban mutatja egy 100 eV energiájú Ar-ion
hatását a párologtatással érkező Ni atomok újraeloszlására (Müller
[1987]).
452
Korrózió- és kopásálló felületi bevonatok készítésénél a módszer

terjedőben van. Részletesebb ismertetését megtalálhatja az olvasó Itoh
[1989] által szerkesztett monográfiában. Ugyanitt foglalkozik egy fejezet
az Ion-fürtös (klaszter) rétegleválasztással is (253. o.).
2.7.4. Ionfürtös (klaszter) rétegleválasztás (Cluster Ion

Deposition, CID)
A CID alapötletét (Takagi et al. [1972]) a molekulaionokkal való

implantáció adhatta (2.2.3.7.). Ha atomcsoportokat, molekulákat
ionizálunk és felgyorsítunk, azok a becsapódáskor atomokra esnek szét
és az egyes atomok, ionok a megmaradási tétel szerinti megosztásban
viszik tovább a teljes impulzust. Ha nagy atomszámú a molekula,
aránylag kis, a termikusnál nem sokkal nagyobb energia jut egy-egy
atomra. (Többszörös ionizációra nem kell gondolnunk, mert a molekula
automatikusan tovább bomlik, ha netán több atomja ionizálódik.) Ha
tehát sikerül pl. ezer azonos atomból álló fürtöt előállítani és azt,
mondjuk, 10 kV feszültséggel felgyorsítani, egy-egy atomra 10 eV
energia jut, ami a felületi újraeloszlás mértékét valahol a
molekulasugaras epitaxia (MBE) és az alacsonyenergiás implantáció
között rögzíti. Ilyen nagy atomi fürtöket egy lefojtott, de megfelelően
méretezett kilépő nyílással ellátott, párologtató forrással (pl.
elektronsugaras) állítanak elő. Amikor ui. a (fém)gőz a nyíláson elhagyja
a nagy gőznyomású teret, adiabatikusan kiterjed, lehűl és atomi fürtök,
klaszterek képződnek. Ezeket ionizálják és gyorsítják.
Egy 1630°C-on lévő tégelyből, 1 mm2-es fúvóka-nyílás esetén az
ezüst-atomoknak mintegy 60%-a alkot 1000-2000-atomos fürtöket.
Az egyes atomokra jutó energia ahhoz elegendő, hogy a felületen a
termodinamikai egyensúlytól nem nagyon távoli metastabil állapotban
akkomodálódjanak az atomok, ahhoz azonban kevés, hogy az
implantációhoz hasonlítva jelentős mennyiségű rácshibát okozzanak. A
CID révén tehát speciális metastabil szerkezetek állíthatók elő, olyanok,
melyeket egyéb módon eddig nem sikerült előállítani. Így tudtak pl.
(111)-orientációjú szilíciumra ugyancsak (111)-orientációjú epitaxiális
alumíniumréteget növeszteni.
A technika elterjedésének napjainkban lehetünk tanúi.
453
2.8. Irodalmi hivatkozások
Agullo-Lopez, F., C. R. A. Catlow, P. D. Townsend, "Point Defects in

Materials" (Academic Press, 1988, London),
Andersen, H.H. és H.L. Bay, J. Appl. Phys. 46 (1975) 1919
Andersen, H.H. és Ziegler, J.F., Hydrogen Stopping Powers and Ranges
in All Elemental Matters (Pergamon Press, NY, 1977)
Archard, J.F., p.59, Eds. M.B. Peterson és Winer W.O., Wear Control
Handbook ( The Amer. Soc. of Mechanical Engineers, 1980)
Auberton-Hervé, A., Semiconductor International, 1995 Oct., p. 97
Auciello, O. és R. Kelly, Eds., "Ion bombardment Modification of
surfaces, Fundamentals and applications" (Elsevier, Amsterdam, 1984)
Baglin, J.E.E., p. 585, Eds. P. Mazzoldi és G.W. Arnold "Ion beam
modification of insulators" (Elsevier, Amsterdam, 1987)
Banisch, R., B. Tillack, H.H. Richter, B. Hunger, P.B. Barna, V. Schiller,
A. Adam és J.Gyulai, phys. stat. sol. /a/ 112 (1989) 721
Barna, Á., G. Radnóczi és B. Pécz, in Handbook for Microscopy, Eds. S.
Amelickx, D. Van Dyck, J. van Tendeloo, Vol. 3. Applications, II.
Special Topics, Chapter 3 (VCH Verlaggesellschaft mbH, Weinheim,
Germany, 1997) p. 751-801,
Barna, A., A Sulyok és M. Menyhard, Surf. and Interface Anal. 19
(1992) 77
Barrett, J.H., Phys. Rev. B3 (1971) 1527
Battaglia, A., S. Coffa, F. Priolo, C. Spinella, és S. Libertino, Nucl. Instr.
Meth B96 (1995) 2081
Bethe, H. A., Ann. Physik 5 (1930) 553
Bethe, H.A., Z. f. Physik, 76 (1932) 293,
Biersack, J.P. és L.G. Haggmark, Nucl. Instr. Meth 174 (1980) 257
Biersack, J.P. és J.F. Ziegler, az Ion Implantation Techniques, Eds. H.
Ryssel és H. Glawschnig (Springer Vl., Berlin, 1982)p.157
Binning, G., H. Rohrer, C. Gerber és E. Weibel, Phys. Rev. Lett. 49
(1982) 57
Binning, G., C. Quate és C. Gerber, Phys. Rev. Lett. 56 (1986) 930
454
Biró, L. P., J. Gyulai, H. Ryssel, L. Frey, T. Kormány, N. M. Tuan és Z.

E, Horváth, Nucl. Instr. Meth B 80/81 (1993) 607
Biró, L. P., J. Gyulai és K. Havancsák, Nucl. Instr. Meth. B112 (1996a)
270
Biró, L. P., J. Gyulai., K. Havancsák, A. Yu. Didyk, S. Bogen és L. Frey,
Phys. Rev B. 54 (1996b) 11853
Biró, L.P., J. Gyulai, N.Q. Khánh és P. Tüttő, Nucl. Instr. Meth. B112
(1996c) 173
Biró, L. P., J. Gyulai, K. Havancsák, A. Yu. Didyk, L. Frey és H. Ryssel,
Nucl. Instr. B 122 (1997) 559
Bloch, F., Ann. Physik 16 (1933a) 287
Bloch, F., Z. f. Physik, 81 (1933b) 363,
Bohr, N., Phil. Mag. 25 (1913) 10
Bohr, N., Phil. Mag. 30 (1915) 581,
Bohr, N., Phys.Rev. 58 (1940) 654
Bohr, N.: Mat.Fys.Medd.Dan.Vid.Selsk 18, No.8 (1948)
Borland, J.O. és T.E. Seidel, Solid St. Technol. (1996 jún.) 89
Brandt, W. és M. Kitagawa, Phys. Rev. B25 (1982) 5631
Brice, D. K., p. 101, Eds. F.H. Eisen és L.T. Chadderton "Ion
Implantation" (Gordon Breach, New York, 1971a)
Brice, D. K., Rad. Effects 11 (1971b) 227
Buck, T. M., K. A. Pickar, J. M. Poate és C.-M. Hsieh, Appl. Phys. Lett.
21 (1972) 485
Calcagno, L. és G. Foti, Appl. Phys. Lett. 47 (1985) 363
Carter, C., W. Maszara, D. K. Sadana, G. A. Rozgonyi, J. Liu és J.
Wortman, Appl. Phys. Lett. 44 (1984) 459
Chadderton L. T., H. MontaguüPollock, Proc. Roy. Soc. A274 (1969)
239
Cheung, N.W., Nucl. Instr. Meth. B55 (1991) 811
Cho, K., W.R. Allen, T.G. Finstad és W.-K. Chu, Nucl. Instr. Meth. B7/8
(1985) 265
Cramér, H., Mathematical Methods of Statistics (Princeton Univ. Press,
Princeton, 1946)
Csepregi, L., W.-K. Chu, H. Müller, J.W. Mayer és T.W. Sigmon, Rad.
Effects 28 (1976) 227
455
Csepregi, L., E.F. Kennedy, T.J. Gallagher, J.W. Mayer és T.W. Sigmon,
J. Appl. Phys. 48 (1977) 4234, valamint E.F. Kennedy, L. Csepregi,
J.W. Mayer és T.W. Sigmon, J. Appl. Phys. 48 (1977) 4241
Chu, W-K., J.W. Mayer és M-A. Nicolet "Backscattering Spectrometry"
(Acad. Press, New York, 1978)
Curie, M., Comptes Rendus, 130 (1900) 76,
Dehm, C., J. Gyulai és H. Ryssel, Appl. Surf. Sci. 53 (1991) 313
Dzioba, S. és R. Kelly, J. Nucl. Matl. 76 (1978) 175
Eaglesham, D.J., P.A. Stolk, H.-J. Gossman, J. M. Poate, Appl. Phys.
Lett. 65 (1994) 2305
Eaglesham, D.J., P.A. Stolk, P.H. Chi és D.S. Simons, Appl. Phys. Lett.
67 (1995)
Eaglesham, D. J., P. A. Stolk, H. J. Gossmann, T. E. Haynes és J. M.
Poate, Nucl. Instr. Meth. B, in press 1996
Echenique, P.M. és R.H. Ritchie, Sol.St.Comm. 37 (1981) 779
Elliman, R.G., D.C. Jacobson, J. Linnros és J. M. Poate, Appl. Phys.
Lett., 51 (1987) 314
Erokhin, Yu. N., J. Ravi, C. W. White és G. A. Rozgonyi, Nucl. Instr.
Meth., B96 (1995) 219
Fair, R.B. és G.A. Ruggles, Solid State Technology (1990 május) 107
Ferenczi, G., C. A. Londos, T. Pavelka, M. Somogyi és A. Mertens, Inst.
Phys. Conf. Ser. 46 (1977) 273
Fermi, E., Phys. Rev. 57 (1940) 485
Fermi, E. és E. Teller, Phys. Rev. 72 (1947) 399
Firsov, O. V., Zh. Eksper. Teor. Fiz., 32 (1957) 1464, ibid. 33 (1957) 696,
Firsov, O.V., Zh. Eksper. Teor. Fiz. 34(1958)447
Fleischer R. L., P. B. Brice, R. M. Walker, J. Appl. Phys. 36 (1965) 3645
Föll, H., V. Lehmann, F. Gelsdorf, G. Zoth és B. Göttinger,
Productronica, 1989; H. Föll, Appl. Phys. A 53 (1991) 8
Follstaedt, D.M., Nucl. Instr. Meth. B7/8 (1984) 11
Fried, M., T.Lohner, J.M.M. de Nijs, A. van Silfhout, L.J.Hanekamp,
Z.Laczik, N.Q.Khanh és J.Gyulai, J. Appl. Phys. 66 (1989) 5052
Furukawa, S., H. Matsumura és H. Ishiwara, Jpn. J. Appl. Phys. 11 (1972)
134
456
Gandhi, S.K., "VLSI Fabrication Principles, Silicon and Gallium Arsenide"

(Wiley, New York, 1983) Ch.4.
Geiger, H. és E. Marsden, Proc. Roy. Soc., 82 (1909) 495,
Gemmel, D.S., Rev. Mod. Phys. 46 (1974) 129
Ghaly Mai és R. S. Averback,Phys. Rev. Lett. 72 (1994) 364
Giles, M.D., IEEE Trans. CAD 5 (1986) 679
Gombás, P. "Die statistische Theorie des Atoms und ihre Anwendungen"
(Springer-Verlag, Austria, 1949)
Goode, P.D., Nucl. Instr. Meth. B39 (1989) 521
Gösele, U, p. 419, Ed. U. Gösele "Oxygen, Carbon, Hydrogen and
Nitrogen in Crystalline Silicon" (Academic Press, New York, 1984)
Götz, G., p.412, Eds. P. Mazzoldi és G.W. Arnold "Ion beam
modification of insulators" (Elsevier, Amsterdam, 1987)
Grassenbauer, M. és H. W. Werner, Eds., "Analysis of Microelectronic
Materials and Devices" (John Wiley & Sons, Chichester, 1991)
Grob, A., J. J. Grob, A. Piero, P. Thevenin, és P. Siffert, p.197, MRS
Symposia Proceedings Vol. 147 (MRS, Pittsburg, 1989)
Gusev, V.M. és M.I. Guseva, Priroda No.12 (1979) 26
Gyulai, J., O. Meyer, J.W. Mayer és V. Rodriguez, Appl. Phys. Lett. 16
(1970) 232
Gyulai J. és Mezey G., "Felületek és vékonyrétegek vizsgálata MeV
energiájú ionokkal", Ed. T.Siklós "A szilárdtestkutatás újabb
eredményei" Vol. 14 (Akadémiai Kiadó, Budapest, 1985)
Gyulai, J. és I. Krafcsik, Nucl. Instr. Meth. B37/38 (1989) 275
Gyulai, J., F. Pászti és E. Szilágyi, Nucl. Instr. Meth. B106 (1995) 32
Hallén, A., N. Keskitalo, F. Masszi és V. Nágl, J. Appl. Phys. 79 (1996)
3906
Hecking, N. és Te Kaat, Appl. Surf. Sci. 43 (1989) 87
Hemment, P.L.F., K.J. Reeson, J.A: Kilner, R.J.Chater, C. Marsh, G.R:
Booker, J.R: Davis és G.K. Celler, Nucl. Instr. Meth B21 (1987) 129
Hines, R.L. és R. Arndt, Phys. Rev. 119 (1960) 623
Hofker, W.K., D.P. Oosthoek, N.J. Koeman és H.A.M. De Grefte, Rad. Eff.
24 (1975) 223
Holland, O. W., M. K. El-Ghor és C. W. White, Appl.Phys. Lett. 53
(1988) 1282
457
Holland, O. W., S. J. Pennycook és G. L. Albert, Appl. Phys. Lett. 55

(1989) 2503
Holland, O. W., C. W. White. M. K. ElGhor és J. D. Budai, J. Appl. Phys
68 (1990) 2081
Holland, O.W. és C.W. White, Nucl. Instr. Meth. B59/60 (1991) 572
Holland, O.W., L. Xie, B. Nielsen, és D. S. Zhou, J. of Elect. Mat. 25
(1996) 99
Howe, L.M. és M.H. Rainville, Nucl. Instr. Meth. 182/183 (1981) 143
Hung, L.S., M. Nastasi, J. Gyulai és J.W. Mayer, Appl. Phys. Lett. 42
(1983) 672
Hüppi, M. W., J. Appl. Phys. 68 (1990) 2702
Iafrate, G. J. és J. F. Ziegler, J. Appl. Phys. 50 (1979) 5579 és Erratum
Itoh, T. Ed., "Ion beam assisted film growth" (Elsevier, Amsterdam,
1989)
Izumi, K., M. Doken és H. Ariyoshi, Electron. Lett. 14 (1978) 593
Javor, A.: LOBSTER-M: A Mixed Model Simulator for CAD, p. 669,
Ed. Trappl, R. "Cybernetics and Systems'86" (D. Reidel Publishing
Company, 1986)
Johnson, W.L., Y.T. Cheng, M. Van Rossum és M-A. Nicolet, Nucl.
Instr. Meth. B7/8 (1985) 657
Jones, K. S. és S. Prussin p. 172, in Defect structures generated by buried
amorphous layer regrowth in <100> arsenic implanted silicon, 1986,
Jones, K. S., S. Prussin és E. R. Weber, J. Appl. Phys 62 (1987) 4114
Jones, K. S., S. Prussin és E. R. Weber, Appl. Phys. A 45 (1988) 1
Jones, K. S., D. K. Sadana, S. Prussin, J. Washburn, E. R. Weber és W. J.
Hamilton, J. Appl. Phys. 63 (1988) 1414
Jones, K. S. és G. A. Rozgonyi, "Extended Defects from Ion
Implantation and Annealing" (Acadenic Press, Orlando, 1993)
Jones, K.S. és J. Gyulai, p.265, Ed. J.F. Ziegler, "Ion Implantation
Science and Technology" (Ion Implantation Science and Technology
Co., Yorktown(1996a)
Jones, K. S., V. Krishnamoorty, L. H. Zhang, M Law, D. S. Simons, P.
H. Chi, L. Rubin és Elliman, G., közlésre benyújtva Appl. Phys. Lett.
(1996b).
458
Jull, A.J.T. és C.T. Pillinger, p.1509, Eds. J. Gyulai, T. Lohner és E.

Pásztor Proc. Intl. Conf. "Ion Beam Modification of Materials, IBMM-1"
(KFKI Publ., 1978)
Kase, M., M. Kimura, H. Mori és T. Ogawa, Appl. Phys. Lett. 56 (1990)
1231
Kelly, R., Rad. Effects, 32 (1977) 9
Kelly, R. "Implantation, recoil implantation, and sputtering", p.27,
Auciello és Kelly, Eds. (1984),
Keskitalo, N. és A. Hallén, Solid- St. Electronics 37 (1994) 55
Khánh, N.Q., M. Fried, A. Toth, J. Gyulai, B.Pecz, J. Appl. Phys., 72
(1992) 5602.
Khánh, N.Q., P. Tüttő, O. Buiu, E.N. Jároli, L.P. Biró, A. Manuaba, J.
Gyulai, Nucl. Instr. B (1997) in press]
Kinchin, G.H. és R.S. Pease, Rept. Progr. Phys. 18 (1955) 1
Klatt, J.L., R.S. Averback és D. Peak, Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1295
Klein, K., C. Park, A. Tasch, R. Simonton és S. Novak, J. Electrochem.
Soc. 138 (1991) 2102
Kluge, A., K. Langguth, R. Öchsner, K. Kobs és H. Ryssel, Nucl. Instr.
Meth. B39 (1989) 531
Kodali, P és M. Nastasi, személyes közlés (1996)
Kótai, E., F. Pászti, A. Manuaba, G. Mezey és J. Gyulai, Nucl. Instr.
Meth. B 19/20 (1987) 312
Lanaab, L., C. Bergaud, M. M. Fahey, J. Faure, A. Martinez és A.
Claverie, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 279 (1993) 381
Laanab, L., A. Martinez, A. Essaid, C. Bonofos és A. Claverie, Ann.
Chim. Fr. (1994) 459
Lam, H.W. és R.F. Pinizzotto, J. Cryst. Growth 63 (1983) 554
Lau, S.S., S. Matteson, J.W. Mayer, P. Revesz, J. Gyulai, J. Roth, T.W.
Sigmon, Appl. Phys. Lett. 34 (1979) 76
Lee,E.H. p. 471, Eds. M.K. Gosh és K.L. Mittal "Polyimidees,
Fundametals and Applications" (Marcel Dekker, Inc., New York, 1996)
Lenz, W., Z.f.Physik 77(1932)713, H.Jensen Z.f.Physik 77 (1932) 722
Lin, C.-M. és A. J. Steckl, Solid St. Electr. 33 (1990) 472
Lindhard, J. és M. Scharff, Mat. Fys. Med. Kgl. Dan. Vid. Selsk., 27, No.15
(1953),
Lindhard, J., Mat.Fys.Medd.Dan.Vid.Selsk. 28, No.8 (1954a)
459
Lindhard, J., Mat.Fys.Medd.Dan.Vid.Selsk., 28, No.58 (1954b),

Lindhard, J., M. Scharff és H.E. Schiott: Mat.Fys.Medd.Dan.Vid.Selsk.
33, No14.(1963)
Lindhard, J., Mat.Fys.Medd. Dansk.Vid.Selsk. 34, No. 14 (1965)
Liu, B.-X. Nucl. Instr. Meth. B7/8 (1985) 547
Liu, J., M. E. Lawn és K. S. Jones, Solid-State Electronics 38 (1995)
1305
Lorenz, E., L. Frey, J. Gyulai, H. Ryssel és N. Q. Khánh, J. Mat Res. 6
(1991) 1695
Lu, W.X., Y.H. Qian, R.H. Tian, Z.L. Wang, R.J. Schreutelkamp, J.R.
Liefting és F.W. Saris, Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 1838
Lucas, G.E., J. Nucl. Mater.206 (1993) 287
Mayer, J.W., L. Eriksson és J.A. Davies "Ion Implantation in
Semiconductors" (Acad. Press, New York, 1970)
Mayer, J.W. és S.S. Lau "Electronic Materials Science: For Integrated
Circuits in Si and GaAs" (Macmillan Pub., New York, 1990),
Mazzone, A.M., phys. stat.sol. (a) 95 (1986) 149
McHargue, C.J., H. Naramoto, B.R. Appleton, C.W. White és J.M.
Williams, p. 147, Eds. S.T. Picraux és W.J. Choyke "Metastable Materials
Formation by Ion Implantation" (North-Holland, New York, 1982)
Meftah, A., F. Brissard, J. M. Constantini, M. Hage-Ali, J. P. Stoquert, M.
Toulemonde, Phys. Rev. B48 (1993) 920
Menyhard, M., A. Barna, J.P. Biersack, K. Järrendahl és J-E Sundgren, J.
Vac. Sci.Techol. A13 (1995) 1999
Michel, A.E:, W. Rausch, P.A. Ronsheim és R.H. Kastl, Appl. Phys. Lett.
50 (1987) 416
Moliére, G., Z.Naturforschg. A2 (1947) 133
Mordkovich, V. N., A. B. Danilin, Yu. N. Erokhin és S. N. Boldyrev,
MRS Symp. Proc. 201 (1991) 477
Morehead, F.F. és B.L. Crowder, p.25, Eds. F.H. Eisen és L.T. Chadderton
"Ion Implantation" (Gordon and Breach, New York, 1971)
Morozov, N. P. és D. Tetelbaum, phys. stat. sol. (a) 51 (1979) 629
Müller, H., H. Ryssel és I. Ruge, p. 85, Eds. I. Ruge és J. Graul "Ion
Implantation in Semiconductors" (Springer Vl., Berlin, 1971)
Müller, H., J. Gyulai, W. K. Chu, J. W. Mayer és T. W. Sigmon, J.
Electrochem. Soc. 122 (1975) 1234
460
Müller, K.-H., Phys. Rev.B 35 (1987) 7906

Myers, D.R., J. Comas és R.G. Wilson, J. Appl. Phys. 52 (1981) 3357
Nastasi, M., J. W. Mayer és J. K. Hirvonen "Ion Solid Interactions"
(Cambridge University Press, 1996) p. 151
Nelson, R.S. és M.W. Thompson, Phil Mag. 8 (1963) 1677
Northcliffe, L. C., Phys. Rev.120 (1960) 1744
Öchsner, R., A. Kluge, L. Frey és H. Ryssel, Nucl. Instr. Meth. B59/60
(1991) 793
Ódor, G. és J. Gyulai, Nucl. Instr. Meth. B30 (1988) 217
Ohzone, T., H. Shimura, K. Tsuji és T. Hirao, IEEE Trans. El. Dev., ED-
27 (1980) 1789
Olson, G.L. és J.A. Roth, Matl. Sci. Rept. 3 (1988) 1
Park, C., K. Klein, A. Tasch és J.F. Ziegler, J. Electrochem. Soc. 138
(1991) 2107
Pászti, F., L. Pogany, G. Mezey, E. Kotai, A. Manuaba, L. Pocs, J. Gyu-
lai és T. Lohner, J. Nucl. Materials 98 (1981) 11
Pászti, F., M. Fried, L. Pogány, A. Manuaba, G. Mezey, E. Kótai, I.
Lovas és L. Pócs, Phys. Rev. B28 (1983) 5688
Pavlov, P.V. és E. Shitova, Sov. Phys. 12 (1967) 11
Pető, G. és J. Kanski, Solid State Comm. 96 (1995) 919
Pintér, I. és az MTA ATKI munkatársai, személyes közlés (1997)
Rehn, L.E., P.R. Okamoto és R.S. Averback, Phys. Rev. B30 (1984)
3074
Rehn, L.E. és P.R. Okamoto, Nucl. Instr. Meth. B39 (1989) 104
Révész, P., Gy. Farkas és J. Gyulai, Rad. Eff. 47 (1980) 149
Robinson, M.T., Phys. Rev. B27 (1983) 5347
Rossi, F. és M. Nastasi, J. Appl. Phys. 69 (1991) 1310
de la Rubia, T. D., R.S. Averback, R. Benedek és H. Hsieh, J. Mat. Res. 4
(1989) 579
Rutherford, E., Phil. Mag. 21 (1911) 212 és 699,
Ryssel, H. és I. Ruge "Ion implantation of Semiconductors" (Edward
Arnold, London, 1976)
Ryssel, H., H. Kranz, P. Bayerl és B. Schmiedt, Rad. Eff. 48 (1980) 125
Ryssel, H. és H. Glawschnig, Eds., "Ion Implantation Techniques" (Springer
Vl., Berlin, 1982)
461
Sadana, D. K., J. Washburn és G. R. Booker, Philos. Mag. B46 (1982)

611
Sai-Halasz, G.A., M.R. Wordeman, D.P. Kern, E.Ganin, S. Rishton, D.S.
Zicherman, H. Schimd, M.R. Polcari, H.Y. Ng, P.J. Restle, T.P. Chang és
R.H. Dennard, IEEE Electron. Dev. Lett. EDL-8 (1987) 463
Schineller, E.R., R.P. Flam és D.W. Wilmot, J. Opt. Soc. Amer. 58
(1968) 1171
Schreutelkamp, R.J., J.S. Custer, J.R. Liefting és F.W. Saris, Appl. Phys.
Lett. 58 (1991) 2827
Seidel, T.E. és R.L. Meek, p. 305, Ed. B.L. Crowder "Ion implantation
in Semiconductors and Other Materials" (Plenum, New York, 1973)
Seidel, T. E., Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 45 (1985) 7
Servidori, M., Nucl. Instr. Meth. B19/20 (1987) 443
Shi, J., T. Boden és L. A. Larson, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 316
(1994) 153
Shockley, W. és W. T. Read, Phys. Rev. 87 (1952) 835
Sigmund, P., Phys. Rev. 184 (1969) 383
Sigmund, P., Rev. Roum. Phys. 17 (1972) 1079
Sigmund, P. és A. Gras Marti , Nucl. Instr. Meth. 182/183 (1981) 25
Simonton, R., L. Rubin és Yu. Erokhin (1996), p. 1, Ed. J.F. Ziegler (1996)
Sizmann, , J. Nucl. Matl. 69/70 (1968) 386
Sommerfeld, A.: Z.f.Physik 78 (1938) 283
Spaepen, F. és D. Turnbull, p. 73, Eds. S. Ferris, H.J. Leamy és J.M.
Poate "Laser-Solid Interactions and Laser Processing" (AIP Conf. Proc.
Vol. 50, New York, 1979)
Stolk, P. A., H. J. Gossmann, D. J. Eaglesham. D. C Jacobson, J. M.
Poate és H. S. Luftman, Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 568
Svensson, B. G., C. Jagadish és J. S. Williams, Phys. Rev. Lett. 71
(1993) 1863
Swanson, M. L., J. R. Parsons és C. W. Hoelke, Radiat. Eff. 9 (1971) 249
Sze, S.M. Ed. "VLSI Technology" (McGraw Hill, New York, 1988), p.
438
Takagi, T., I. Yamada, M. Kunori és S. Kobiyama, p. 790, Proc. Intl.
Conf. Ion Sources, (Öst. Studienges. für Atomenergie, Vienna, 1972)
Takeda, S. és M. Kohyama, Am. Inst. Phys. Conf. Ser. 134 (1993) 33
462
Tamura, M., M. Horiuki és Y. Kawamoto, Nucl. Instr. Meth. B37/38

(1989)329; M. Tamura, S. Shukuri és Y. Kawamoto, Mat. Res. Soc.
Symp. Proc. 147 (1989) 143
Thompson, D.A., A. Golanski, H.K. Haugen, L.M. Howe és J.A. Davies,
Rad. Eff. Lett. 50 (1980) 125
Thomson, J.J. "Conduction of Electricity through Gases" (Cambridge
University Press, 1903)
Tokuyama, T. , M. Miyao és N. Yoshihiro, J. Appl. Phys. 17 (1978)
1301
Townsend, P.D., J.C. Kelly és N.E.W. Hartley "Ion implantation,
Sputtering and their Applications (Academic Press, London, 1976)
Townsend, P.D., Rept. Progr. Phys. 50 (1987) 501
Ullmaier, H., MRS Bulletin 22 (1997) 14
Venables, D. és K. S. Jones, Nucl. Instr. B 59/60 (1991) 1019
Venkatesan, T., S.R. Forrest, M.L. Kaplan, C.A. Murray, P.H. Schmidt
és B.J. Wilkens, J. Appl. Phys. 54(1983)3150
Venkatesan, T., L. Calgano, B.S. Elman és G. Foti, p. 301, Eds. P.
Mazzoldi és G.W. Arnold "Ion beam modification of insulators"
(Elsevier, Amsterdam, 1987)
Vineyard, G.H., Radiat. Eff. 29 (1976) 245
Vingsbo, O., és S. Hogmark, p. 373. Ed. D.A. Rigney "Fundamentals of
Friction and Wear of Materials (Amer. Soc. for Metals,1989)
Winterbon, K.B., P. Sigmund és J.B. Sanders, Mat. Fys. Med. Kgl. Dan.
Vid. Selsk., 37, No.14 (1970),
Watanabe, M. és A. Tooi, Jpn. J. Appl. Phys. 5 (1966) 737
Wiedersich, H. Nucl. Instr. Meth. B7/8 (1985) 1
Williams, J.S. és K.T. Short, Nucl. Instr. Meth. 209/210 (1983) 767
Wilson, R.G., H.L.Dunlap, D.M. Jamba és D.R. Myers, Natl. Bureau of
Standards Rept. SP 4-49, Nov. 1978.
Wong, H., N.W. Cheung. P.K. Chu, J. Liu, és J.W. Mayer, Appl. Phys.
Lett. 52 (1988) 1023
Wong-Leung, J., J.S. Williams, R.G. Elliman, E. Nygren, D.J.
Eaglesham, D.C. Jacobson és J. M. Poate, Nucl. Instrum Meth. B96
(1995) 253; J. Wong-Leung, E. Nygren és J.S. Williams, Appl. Phys.
Lett 67 (1995) 416
463
Yang, G.Q., N.Q. Khanh, M. Fried, E. Kótai, Vera Schiller, L.C. Lu, J.
Gyulai és S.C. Zou, Rad. Effects, 115 (1990) 183
Yu, Y.H., R. Schork, P. Pichler és H. Ryssel, Nucl. Instr. Meth. B83
(1993) 167
Ziegler, J.F., Helium Stopping Powers and Ranges in All Elemental
Matters (Pergamon Press, NY, 1977)
Ziegler, J.F., J.P.Biersack és U.Littmark: The Stopping and Range of
Ions in Solids, Vol.1 (Pergamon Press, NY, 1984)
Ziegler, J.F. és R.F. Lever, Appl.Phys. Lett. 46 (1985) 358
Ziegler, J. F., Ed., "Ion Implantation Science and Technology, 2nd
Edition" (Acad. Press, Boston, 1988).
Ziegler, J.F., p. 1, Ed. J.F. Ziegler "Handbook of Ion Implantation
Technology" (North-Holland, Amsterdam, 1992)
Ziegler, J.F., Ed. "Ion Implantation Science and Technology" (Ion
Implantation Science and Technology Co., Yorktown, 1996)
Zhang, L. H., K. S. Jones, P. H. Chi és D. S. Simons, Appl. Phys. Lett.
67 (1995) 2025
464
2.9. Függelék
2.9.1 Betűszavak (akronimok) 22
AES Auger elektronspektroszkópia ("Auger Electron

Spectroscopy"); elektrongerjesztésen és az Auger elektronok
detektálásán alapuló felületvizsgálati módszer, rétegeltávolítással
kombinálva mélységi profilok is nyerhetők.
BiCMOS mind bipoláris, mind CMOS eszközöket kombináló
IC-technológia
CMOS komplementer ("Complementary"), azaz p-csatornás,
PMOS, ("Metal-Oxide-Semiconductor") és n-csatornás, NMOS,
tranzisztor-párokból álló inverter
DRAM dinamikus véletlen hozzáférésű memória "Dynamic
Random Access Memory"
DWB szeletek szilárdfázisú "hegesztése" ("Direct Wafer
Bonding"), elsősorban a SOI-technológia alkalmazza, ilyenkor a két Si-
szeletet egy SiO2-réteggel elszigetelten hegesztik; 2.2.6.
FA kemencében való hőkezelés rövidítése ("Furnace
annealing")
FP Frenkel-pár (rácshiba, vakancia-rácsközi atom pár)
IBAD Ionbesugárzás kíséretében végzett
vákuumpárologtatás ("Ion Beam Assisted Deposition"); 2.7.3.
IBIA Amorf-kristályos átmenet eltolása az amorf réteg
javára a rétegen áthatoló ionbesugárzás segítségével; 2.4.3.1.
IBIEC Kristályos anyag felületén lévő (tetszőlegesen
létrehozott) amorf réteg epitaxiás visszanövekedése a rétegen áthatoló
ionbesugárzás segítségével; 2.4.3.1.
IC integrált áramkörök általános rövidítése ("Integrated
Circuit")
KFKI MTA Központi Fizikai Kutató Intézet; 1992-ben
formálisan megszűnt, öt független intézetté alakult.
22
A vastag betűvel szedett betűszavak külön is szerepelnek, a fejezetszám jelzi,
hogy részletesebb információ is található a tárgyról.
465
LSS-elmélet Lindhard-Scharff- Schiott elmélete az ionok

behatolására; 2.2.1.
MNOS "Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor" (értsd Si3N4 és
SiO2 kettős dielektrikummal szigetelt) technológia. A nitrid kiválóan
gátolja a szennyezések diffúzióját.
MOS Fém-Oxid-Félvezető, más néven unipoláris
tranzisztor ("Metal-Oxide-Semiconductor")
NMOS n-csatornás MOS-tranzisztor
PMOS p-csatornás MOS-tranzisztor
RBS Rutherford visszaszórásos vizsgálati módszer
("Rutherford Backscattering Spectrometry"),
RED Diffúzió (általában) sugárzás jelenlétében ("Radiation
Enhanced Diffusion"); 2.2.5.
RTA, RTP (Halogén)lámpás hőkezelés, ill. rétegnövesztés
("Rapid Thermal Annealing, - Processing"), tartama a 10s-tartomány -
innen a "gyors" jelző
SEM Pásztázó elektronmikorszkóp ("Scanning Electron
Microscope")
SIMOX A SOI-technológia egyik jelentős alapanyaga
("Separation by IMplanted Oxygen"); 2.2.6.
SIMS Szekundér ion tömegspektrometria ("Secondary Ion
Mass Spectrometry")
SOI Dielektromos szigetelésű eszközök/technológiák neve
("Silicon-On-Insulator")
SOS Zafíron epitaxiásan növesztett Si-kristály ("Silicon-
On-Sapphire"); a SOI egy fajtája, ma már a költséges volta miatt
kiszorulóban van.
SPEG Szilárdfázisú epitaxiás növesztés ("Solid Phase
Epitaxial Growth", SPE-ként is)
TED A hőkezelések elején fellépő nemkívánatos diffúzió
("Transient Enhanced Diffusion")
TEM Transzmisssziós elektronmikroszkóp ("Transmisssion
Electron Microscope")
TRIM A behatoló ion okozta folyamatok Monte-Carlo elvű
szimulációja ("TRansmisssion of Ions through Matter")
466
UHV Ultranagy vákuum, 10-9 mbar és alatta ("Ultrahigh

vacuum")
ULSI A mai legnagyobb bonyolultságú áramkörök neve
("Ultra Large Scale Integration"); 0,5 m-nél kisebb vonalszélességű
technológiákkal készülnek.
UPS Ultraibolya fotoelektronspektroszkópia ("UV Photon
Spectroscopy")
VLSI A 2 - 0,5 m-es vonalszélességű technológiákkal
készült áramkörök neve ("Very Large Scale Integration")
XTEM Keresztmetszeti TEM ("Cross-sectional TEM");
mindkét oldaláról maratott mintán végzett TEM vizsgálat. Szemben a
merőlegesen vékonyított mintán, rátekintéses ("plane view") módon
készült felvétellel, mélységskálát is ad.
467
2.9.2. A lassú kaszkád porlódás (Kelly [1984], "Slow Cascade

Sputtering", 2.2.2.)
A 2.2.3.1. fejezetben foglalkozunk az implantált atomok mélységi

eloszlásával. Ott szerepel a Pearson eloszlások ismertetése is. Itt
hasonlóan járunk el. Winterbon et al. (1970) adta meg azt az
integrálegyenletet, amely az ion-szilárdtest kölcsönhatáskor egyrészt a
szilárdtestben előre, másrészt visszafelé mutató momentumok által
létrehozott eseményekkel számol. Továbbá, ugyanaz az egyenlet
alkalmazható mind az atomok, mind a rácshibák eloszlásának leírására.
Most ez utóbbiakkal foglalkozunk. A folyamatot a negyedik momentum
mélységéig (x, x2,...) szokták tárgyalni (a momentumok jelöléseiben
- ahol egyértelmű - alkalmazkodunk a 2.2.3.1. fejezet jelöléseihez). E
momentumok behelyettesíthetők egy 1D-Edgeworth sorfejtésbe (pl.
Cramér [1946]), amelynek fő eleme egy Gauss-eloszlás. A 2.2.3.1.
jelölésével analóg jelöléssel, a nukleáris energialeadás (" n" index)
differenciális eloszlása így írható:
f ndiffer .  xdx 
dx
2 p ,n

exp   2n  
,
 1  
 1 
 6
  
n 3 n   3n  n 15 2n  10 4n   6n 
72 

2.10.1.
ahol   (x - x)/p,n.
Tegyük fel, hogy 2.2.36. független a mélységtől. Ekkor E 1
helyettesíthető E1fndiffer.(x)dx-szel, ahol fndiffer.(x)dx az (x,x+dx) között a
kristálynak a nukleáris folyamatokban átadott energia differenciális
eloszlásfüggvénye. Legyen továbbá U a felületi kötési energia. Ha
2.10.1-et behelyettesítjük 2.2.36-ba és integrálunk E0' szerint U/cos2'-tól
-ig, valamint ' szerint 0 és /2 között, továbbá, ha dx helyett a  atomi
távolságot és x = 0 helyettesítünk, a lassú kaszkádok okozta porlódási
együtthatóra a következő adódik:
 / 2
S kaszk .  1 /     
H  E1f ndiffer . 0, E 0 dE 0 cos  d ,
, 2.2.37
U /cos 2   0
 4,2 E f
2 differ .
1 n 0 / U atom / ion
468
ahol  az ionfluxus és  nm-ben mérendő.

Ez az eredmény egyébként alkalmazható az ütközéses implantáció
leírására is.
469

Gyulai Biro Implantacio

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Gyulai Biro Implantacio

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Részlet Giber János, Vargáné Josepovits Katalin, Gyulai József, Biró László Péter: Diffúzió és

implantáció szilárdtestekben (Egyetemi tankönyv, Műegyetemi Kiadó, 1997) könyvből

2. IONIMPLANTÁCIÓ _______________________________________________ 282

2.9. Függelék __________________________________________________________ 465

Ebben a fejezetben egy néhány évtizede felfedezett adalékolási

2.1. Bevezetés, történeti áttekintés

Az ionimplantáció olyan anyag, ill. vékonyréteg-módosítási eljárás,

Legtöbbször a porlasztással is kombináltan beszélünk tehát ionos

termodinamika, pl. a diffúzió törvényei hatnak. Noha ilyenkor a termikus

egyébként is korlátozza az elérhető maximális koncentrációt, hiszen a már

Világos, hogy annak rendkívüli jelentősége van, hogy a

A 2.1. ábrán - némiképp elébe vágva a mondanivalónknak -

2.1. ábra. Az ionos eljárások alkalmazási területei az ionenergia és a

Az ionok fékeződésének tanulmányozása lényegében a radioaktivitás

egyetlen szelet szomszédos területein kellett teljesen eltérő VT

Mára az integrált áramkörök gyártásában az implantáció talán a

2.2. ábra. Az ionimplantáció alkalmazásai a "standard" CMOS

A közeljövő nagy feladatokat ró a szakmára és ugyanakkor nagy

Semiconductors" (Semiconductor Industry Association, San Jose CA, 1994)

2.3. ábra. Az egy chipen megvalósítható funkciók

2.2. Alapfogalmak, alapjelenségek

Az irodalomban nem teljesen egyértelműek a használt definíciók,

2.2.1. Az ionok behatolása, fékeződése1

Az ionok behatolása és fékeződési folyamatai kettős értelemben is

töltés" (Z*) leírást, amelynek alapfeltevése, hogy a v sebességgel mozgó

2.4. ábra. A szórás geometriája laboratóriumi és tömegközépponti

Z1*  Z11/ 3 v / v 0 , 2.2.1.

ahol a "2" index a tárgyatomot jelzi és a0 a Bohr sugár (0,0529 nm).

Frontális ütközésnél  = , ekkor a transzfer maximális (Tr,max).

újabban Ziegler et al. 1984számított ki annak alapján egy "univerzális"

Energiaátadás az ion és az atom között. 2.2.12 alakja a

ahol   4 M 1 M 2 /  M 1  M 2  , a tömegközépponti rendszerben a

transzformációs egység. Ezzel az LSS elmélet "redukált energiáját"

bevezetve, a nukleáris fékeződés értéke:

Gyakorlati alkalmazások számára ezen univerzális fékeződés a

Elektronos fékeződés és hatáskeresztmetszet. Bohr [1913] az

(Vannak közelítések a belső héjak energikus elektronjainak

ahol Se az elektronfékeződés keresztmetszete, I(v,) egy egységtöltésre

ahol az l "longitudiális" dielektromos állandót egy bonyolult

2.5. ábra. Fékeződési erő az elektronsűrűség függvényében három

A 2.5. ábra szemlélteti az I-függvény futását. Az alacsony

2.6. ábra. Töltéssűrűség mint az atomi sugár függvénye 29Cu atomra.

elektronok átlagos sebessége. A lehajlás ott kezdődik, ahol az

ahol a * azt jelenti, hogy a proton nincs feltétlenül teljesen megfosztva az

2.7. ábra. A 29Cu atom fékeződési erő értékei az atomsugár

Mivel szilárd testekben vF  vB (Bohr sebesség), a három

ahol Zni a nehéz ion atomszáma. A  becsülhető a Thomas-Fermi

Az eredeti Bohr-feltevés szerint, azaz minden olyan elektron

Közepes energiák esetét Brandt és Kitagawa [1982] számításainak

ahol q = 1 - N/Z1 részleges ionizáció (N a még kötött elektronok száma a

2.8. ábra. Az ionok ionizációs hányada mint a v r "effektív" ionsebesség

töltésállapotát a sebességével, C egy az anyagtól alig függő állandó,

továbbá 2.2.31 figyelembe vételével, a Brandt és Kitigawa számítások

2.9. ábra. Az (dE/dx)n és (dE/dx)e futása, sematikusan. E' és E'' két

mechanizmust függetlennek tekintsük. Bevezetve az S tot teljes

mindkét fékeződési mechanizmus. Szerepük azonban pillanatról

2.10. ábra. Az (dE/dx)n és (dE/dx)e futása arzén, foszfor és bór ionokra.

A 2.9 ábrán feltüntettük azokat a karakterisztikus energiákat, E'' és

A 2.2.1. Táblázatban adjuk meg ezen energia-értékeket néhány

Ion \ E' E'' E' E''

Mivel jó közelítéssel igaz az, hogy ha az elektronos fékeződés -

függ az is, hogy milyen lesz a nyom szerkezete, folyamatos, vagy

Megoldás. A tömegközépponti rendszerben számítsuk ki az