Algilayicilar & Dönüştürücüler

Prof. Dr.
Osman Gürdal
ALGILAYICILAR
&
DÖNÜŞTÜRÜCÜLER
Algılayıcı ve Dönüştürücülerde Veri Kazanımı Basınç ve Akış Algılayıcıları

Algılamanın Fiziksel Prensipleri Akustik Algılayıcılar
Arabirim Elektronik devreleri Neme duyarlı ve Kimyasal Algılayıcılar
Pozisyon, Seviye ve Yer Değişimi Ölçümü Işık ve Işınım Dedektörleri
Canlı ve Hareket Dedektörleri Elektromanyetik Alan Dedektörleri
Hız ve İvme Ölçümü Sıcaklık Algılayıcıları
Kuvvet ve Gerinim Algılayıcıları Güvenlik ve Yangın Dedektörleri
R Ü & G
LA ÜC LAR LO
K R
A TÜR ICI TA
I E LE
EM ÜŞ AY KA
Lİ
EL N GIL LL
D AL NE
R
FA
N
Ö
BURSA ORHANGAZİ ÜNİVERSİTESİ YAYINLARI– BURSA 2015

ALGILAYICILAR &
DÖNÜŞTÜRÜCÜLER
BURSA ORHANGAZİ ÜNİVERSİTESİ YAYINLARI– BURSA 2015

ÖNSÖZ
Mikroişlemcinin keşfiyle günlük yaşantımıza oldukça akıllı aygıtlar girmiştir. İçinde

mikroişlemcilerin bulunduğu çok sayıda bilgisayarlı aygıtlar çamaşır yıkamakta, kahve yapmakta,
müzik çalmakta, evleri korumakta ve oda sıcaklığını kontrol etmektedir. Bu mikroişlemciler nedir?
Mikroişlemciler elektrik sinyalleri ile temsil edilen ikili kodları manipüle eden dijital aygıtlardır.
Bu aygıtların cisimler arasında fonksiyonda bulunduğu analog bir dünyada yaşıyor olmakla beraber
çoğu sinyaller dijital değildir. Daha da ötesi bu dünya genelde elektriksel değildir (atomik
seviyenin dışında). Dijital sistemlerin karmaşık ve akıllı olmasına rağmen dış dünyadan bilgi
alınması gerekir. Algılayıcılar fiziksel değerler ve sadece hareketli elektrik yüklerinin dilinden
anlayan elektronik devreler arasındaki arabirim aygıtlarıdır. Başka ifadeyle algılayıcılar silikon
çiplerin gözü, kulağı ve burnudur.
Bazı algılayıcılar bir foto-diyot gibi oldukça basit iken karmaşık yapıdaki diğerleri rezistif,
manyetik, optik ve diğer elemanların kombinasyonundan oluşur. Algılayıcılar lise ve üniversite
derslerinde okutulan temel bilimsel prensiplere göre çalışır. Bu elemanların anlaşılması genelde
fizik, elektronik, kimya, biyoloji, vb. gibi alanların disiplinlerarası temel bilgisini gerektirir.
Algılayıcılar ile ders verme ve bununla ilgili projeler yapılması sırasında farklı algılayıcıların
kullanımı, en önemli fiziksel prensipler, tasarım ile ilgili farklı alanlardaki konular hakkında pratik
bilgilerin tamamının toplandığı bir kitaba aşırı derecede ihtiyaç duyulmaktaydı. Maalesef bu
ihtiyaçların hepsine birden cevap veren fizik, elektronik, teknik dergiler ve üreticilerin katalogunda
bir kitap henüz bulunamamış fakat istenilen bu bilgiler çok sayıda kitap içinde yayılmış ve her
konu ile ilgili sorunun cevabı için çok sayıda kaynağın incelenmesi gerekmiştir. Zaman içinde azar
azar toplanan bu bilgiler sonunda birden fazla alanda çalışan kişilere yetecek kadar derlenerek bu
kitabı oluşturmuştur.
Bu kitap çok sayıda modern algılayıcı, dönüştürücü ve dedektörü kapsamaktadır. Amacı

algılayıcıların çalışmasının temeli olan temel fiziksel prensiplerin incelenmesi ve keşfedici bir
okuyucuyu alternatif tasarımların seçimine ve önemsiz problemlere önemli çözümler uygulamasını
teşvik etmektir. Bir kitabın bütün algılayıcı çeşitleri ve uygulamalarını içine alması hatta algılayıcı
ansiklopedisi olarak hazırlansa bile beklenemez. Açıkça, akıllı bir karar vermek için algılayıcının
çalışma prensibinin iyi anlaşılması gerekir. Ek olarak bugünün pazarında neyin mevcut olduğu ve
performans ve fiyat görüş açısından en iyi seçimin ne olacağının bilinmesi zorunludur.
Bu kitap algılayıcı ve dedektörlerin geniş bir alanını içine alırken vurgu daha az bilinenler,
teknolojisi gittikçe artan ve kullanımı önceden ulaşılamayan ölçüm değişkenlerine izin verenler
üzerinedir. Fiziksel prensiplerin teorisi, tasarım ve algılayıcıların bilimsel, endüstriyel ve tüketici
için çeşitli pratik uygulamalarının verilmesi özellikle tercih edilmiştir.
Bu kitap 22 bölüm ve eklerden oluşmakta olup gerçekte üç temel kısma bölünmüştür. Birinci
kısımda pratik tasarım için algılayıcıların temelini biçimlendiren etkiler ve algılayıcıların
prensipleri ve karakteristiklerinin genel bir çerçevesi çizilmiştir. İkinci kısımda algılayıcılar ve
çevresel işleme aygıtları arasında kullanışlı elektronik arabirimleri tanımlanmaktadır. Burada vurgu
algılayıcılar ile entegrasyona uygun devreler üzerine yapılmıştır. Üçüncü kısım yani bu kitabın özü
ölçülecek uyarıcının tipleri ile organize edilmiştir. Bu bölümlerde çok sayıda algılayıcılar ile ilgili
açıklamalar yapılmıştır. Bu algılayıcılardan çoğu halihazırda farklı üreticiler tarafından üretilmekte
iken diğerleri kağıt üzerinde parlak fikirler olarak kalmasını sürdürmektedir. Bazı algılayıcılar
üreticisi tarafından sempozyum ve konferanslarda sunulmuş ve profesyonel dergiler veya
kitaplarda yayınlanmıştır. Buradaki fikirler yazarın kendi tercihi ve yorumunu içermektedir.
Bazıları belirli bir algılayıcının çok detaylı, çok geniş veya çok kısa tanımlandığını bulabilir. Çoğu
durumlarda konuya bağlı olarak detaylı bir açıklama veya basitçe bir kapsama arasında denge
kurulmaya çalışılmıştır.
En iyi algılayıcı veya dönüştürücü en basit olanıdır. Bu yüzden C. F. Kettering’in şu sözünü

hatırlamak burada uygun düşebilir: Keşifler akıl ve malzemelerin kombinasyonudur. Daha fazla
beyin kullanılarak daha az malzemeye ihtiyaç duyulacaktır.
Farnell Şirketi’nin hazırladığı, Algılayıcılar ve Dönüştürücüler ile ilgili elemanları içeren katalog
bölümleri kitabın sonuna ek olarak ilave edilmiştir. Böylece teorik olarak üzerinde çalışılan, ilgili
konularda bahsi geçen elemanların gerçek dünyada nasıl mevcut olduğu ve teknik özellikleri
hakkındaki bilgiler rahatlıkla alınabilecektir.
Bu ders kitabının alanındaki bir ihtiyacı gidereceğini ve faydalı olacağını ümit ediyorum.
Prof. Dr. Osman Gürdal, Bursa 2015

İÇİNDEKİLER
1 BİLGİ VE BİLGİ İŞLEME SİSTEMLERİ.......................................................................................... 1
1.1 ÖLÇME VE KONTROL SİSTEMLERİ ..................................................................................... 2
1.2 DÖNÜŞTÜRÜCÜLER ............................................................................................................. 4
1.2.1 SİNYAL TAŞIYAN ENERJİ BİÇİMİ ................................................................................. 4
1.2.2 DÖNÜŞTÜRÜCÜLERDE SİNYAL DÖNÜŞÜMÜ ............................................................ 5
1.2.3 DÖNÜŞTÜRÜCÜLER ALANINDAKİ TERMİNOLOJİ ..................................................... 7
1.2.4 KENDİLİĞİNDEN ÜRETEN VE MODÜLASYONLU DÖNÜŞTÜRÜCÜLER................... 9
1.2.5 GİRİŞ VE ÇIKIŞ DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİNİN 2 VE 3 BOYUTLU GÖSTERİLMESİ....... 12
1.2.6 MODİFİYERLERDE SİNYAL DÖNÜŞÜMÜ .................................................................. 14
1.3 DÖNÜŞTÜRÜCÜ TEKNOLOJİLERİ ..................................................................................... 16
1.3.1 GİRİŞ............................................................................................................................. 16
1.3.2 SİLİKON DIŞI GENEL TEKNOLOJİLER....................................................................... 17
1.3.3 SİLİKON ........................................................................................................................ 19
1.4 ÖLÇME VE KONTROL SİSTEMLERİNİN GELECEĞİ ......................................................... 20
1.4.1 GELENEKSEL ÜRÜNLER ............................................................................................ 20
1.4.2 MEVCUT YENİLİKÇİ PAZARLAR................................................................................. 20
2 ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERDE VERİ KAZANIMI....................................................... 23

2.1 ALGILAYICILAR, SİNYALLER VE SİSTEMLER................................................................... 23
2.2 ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİN SINIFLANDIRMASI............................................. 26
2.3 ALGILAYICI SEÇİMİ.............................................................................................................. 28
2.4 ÖLÇME BİRİMLERİ............................................................................................................... 28
3 ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜ KARAKTERİSTİKLERİ ........................................................ 35

3.1 TRANSFER FONKSİYONU .................................................................................................. 35
3.2 GİRİŞ ARALIĞI...................................................................................................................... 36
3.3 TAM SKALA ÇIKIŞ ................................................................................................................ 36
3.4 DOĞRULUK .......................................................................................................................... 36
3.5 KALİBRASYON HATASI ....................................................................................................... 38
3.6 HİSTEREZİS ......................................................................................................................... 39
3.7 DOĞRUSALSIZLIK ............................................................................................................... 39
3.8 DOYUM ................................................................................................................................. 40
3.9 TEKRARLANABİLİRLİK ........................................................................................................ 40
3.10 ÖLÜ BANT........................................................................................................................... 41
3.11 ÇÖZÜNÜRLÜK.................................................................................................................... 41
3.12 ÖZEL NİTELİKLER.............................................................................................................. 41
3.13 ÇIKIŞ EMPEDANSI ............................................................................................................. 42
3.14 UYARTIM ............................................................................................................................ 42
3.15 DİNAMİK KARAKTERİSTİKLER ......................................................................................... 42
3.16 ÇEVRESEL FAKTÖRLER................................................................................................... 45
3.17 GÜVENİLİRLİK.................................................................................................................... 47
3.18 UYGULAMA KARAKTERİSTİKLERİ................................................................................... 49
3.19 İSTATİSTİKSEL ANALİZ ..................................................................................................... 49
3.20 ÖZET: ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİN KARAKTERİSTİKLERİ.......................... 53
4 ALGILAMANIN ELEKTRİKSEL PRENSİPLERİ .......................................................................... 55
4.1 ELEKTRİK YÜKLERİ, ALANLAR VE POTANSİYELLER...................................................... 55
4.2 KAPASİTANS ........................................................................................................................ 60
4.2.1 KAPASİTÖR .................................................................................................................. 62
4.2.2 DİELEKTRİK SABİTİ ..................................................................................................... 62
4.3 MANYETİZMA ....................................................................................................................... 65
4.3.1 FARADAY KANUNU ..................................................................................................... 67
4.3.2 BİOT-SAVART KANUNU .............................................................................................. 69
4.3.3 AMPERE KANUNU ....................................................................................................... 70
4.3.4 SELENOİD .................................................................................................................... 70
4.3.5 TOROİD......................................................................................................................... 70
4.3.6 MANYETİK DİPOL ........................................................................................................ 71
4.3.7 SABİT MIKNATISLAR ................................................................................................... 74
4.4 İNDÜKSİYON ........................................................................................................................ 75
4.5 REZİSTANS: DİRENÇ........................................................................................................... 78
4.5.1 ÖZ DİRENÇ................................................................................................................... 79
4.5.2 SICAKLIK DUYARLILIĞI............................................................................................... 81
4.5.3 GERİNİM DUYARLILIĞI................................................................................................ 83
4.6 PİEZO-ELEKTRİK ETKİ ........................................................................................................ 84
4.7 PİRO-ELEKTRİK ETKİ .......................................................................................................... 91
4.8 HALL ETKİSİ ......................................................................................................................... 96
4.9 SEEBECK, PELTİER VE THOMSON ETKİLERİ .................................................................. 99
4.10 ÇALIŞMA SORULARI ....................................................................................................... 108
5 ALGILAMANIN ISIL, OPTİK VE MEKANİK PRENSİPLERİ ...................................................... 111

5.1 MEKANİK ÖLÇÜMLER ....................................................................................................... 111
5.2 MEKANİK BİLEŞENLER ..................................................................................................... 114
5.2.1 STRES......................................................................................................................... 114
5.2.2 GERİNİM ..................................................................................................................... 115
5.2.3 HİSTEREZİS ............................................................................................................... 115
5.2.4 VİZKOS AKIŞ .............................................................................................................. 115
5.2.5 ELASTİKİYET.............................................................................................................. 115
5.2.6 SERTLİK...................................................................................................................... 117
5.2.7 KANTİLEVER .............................................................................................................. 117
5.2.8 YÜZEY AKUSTİK DALGALARI................................................................................... 118
5.3 SES DALGALARI ................................................................................................................ 120
5.4 MALZEMELERİN SICAKLIK VE ISIL ÖZELLİKLERİ .......................................................... 122
5.4.1 SICAKLIK SKALALARI................................................................................................ 123
5.4.2 ISIL GENLEŞME ......................................................................................................... 124
5.4.3 ISI KAPASİTESİ .......................................................................................................... 125
5.5 ISI İLETİMİ........................................................................................................................... 125
5.5.1 ISIL İLETİM.................................................................................................................. 127
5.5.2 ISIL KONVEKSİYON (TAŞINIM)................................................................................. 129
5.5.3 ISIL IŞINIM .................................................................................................................. 129
5.5.3.1 YAYICILIK ........................................................................................................... 132
5.5.3.2 KAVİTE (KOVUK) ETKİSİ ................................................................................... 135
5.6 MALZEMELERİN IŞIK VE OPTİK ÖZELLİKLERİ ............................................................... 136
VI
5.6.1 RADYOMETRİ ............................................................................................................ 137
5.6.2 FOTOMETRİ ............................................................................................................... 142
5.7 OPTİK BİLEŞENLER........................................................................................................... 144
5.7.1 PENCERELER ............................................................................................................ 144
5.7.2 AYNALAR.................................................................................................................... 146
5.7.3 MERCEKLER .............................................................................................................. 147
5.7.4 FRESNEL MERCEKLER ............................................................................................ 148
5.7.5 FİBER OPTİKLER VE DALGA KILAVUZLARI............................................................ 151
5.7.6 YOĞUNLAŞTIRICILAR ............................................................................................... 154
5.7.7 ELEKTRO-OPTİK VE AKUSTO-OPTİK MODÜLATÖRLER....................................... 155
5.7.8 İNTERFEROMETRİK FİBER-OPTİK MODÜLASYON ............................................... 156
5.8 ALGILAYICI MALZEME OLARAK SİLİKON........................................................................ 157
5.9 ALGILAYICI ELEMANLARIN DİNAMİK MODELLERİ ........................................................ 160
5.9.1 MEKANİK ELEMANLAR ............................................................................................. 162
5.9.2 ISIL ELEMANLAR ....................................................................................................... 163
5.9.3 ELEKTRİKSEL ELEMANLAR ..................................................................................... 164
5.9.4 MEKANİK, ISIL VE ELEKTRİKSEL BENZERLİKLER ................................................ 165
5.10 ÖZET: KATI HAL MALZEMELERİNDEKİ FİZİKSEL VE KİMYASAL ETKİLER................ 165
5.10.1 IŞINIM SİNYAL DOMENİ .......................................................................................... 166
5.10.2 MEKANİK SİNYAL DOMENİ ..................................................................................... 167
5.10.3 ISIL SİNYAL DOMENİ............................................................................................... 167
5.10.4 MANYETİK SİNYAL DOMENİ................................................................................... 168
5.10.5 KİMYASAL SİNYAL DOMENİ ................................................................................... 168
6 SİNYAL YÜKSELTME VE UYARTIM DEVRELERİ ................................................................... 171

6.1 ARABİRİM DEVRELERİNİN GİRİŞ KARAKTERİSTİKLERİ ............................................... 171
6.2 YÜKSELTİCİLER................................................................................................................. 175
6.2.1 İŞLEMSEL YÜKSELTİCİLER...................................................................................... 175
6.2.2 GERİLİM İZLEYİCİ ...................................................................................................... 178
6.2.3 TEK KUTUPLU YÜKSELTİCİLER .............................................................................. 179
6.2.4 ENSTRUMENTAL YÜKSELTİCİ................................................................................. 180
6.2.5 YÜK YÜKSELTİCİLERİ ............................................................................................... 182
6.3 UYARTIM DEVRELERİ ....................................................................................................... 184
6.3.1 AKIM GENERATÖRLERİ............................................................................................ 184
6.3.2 GERİLİM REFERANSLARI ......................................................................................... 188
6.3.3 OSİLATÖRLER ........................................................................................................... 189
6.3.4 SÜRÜCÜLER .............................................................................................................. 192
6.4 ÇALIŞMA SORULARI ......................................................................................................... 194
7 SİNYAL DÖNÜŞTÜRME VE İLETİM DEVRELERİ .................................................................... 195

7.1 ANALOG-DİJİTAL (A/D) ÇEVİRİCİLER .............................................................................. 195
7.1.1 TEMEL KAVRAMLAR ................................................................................................. 195
7.1.2 V/F ÇEVİRİCİLER ....................................................................................................... 197
7.1.3 ÇİFT EĞİMLİ ÇEVİRİCİLER........................................................................................ 200
7.1.4 ARDIŞIK YAKLAŞIM ÇEVİRİCİ .................................................................................. 202
7.1.5 ÇÖZÜNÜRLÜĞÜN ARTIRILMASI .............................................................................. 203
7.2 DOĞRUDAN SAYISALLAŞTIRMA ..................................................................................... 204
VII
7.3 ORANTILI DEVRELER........................................................................................................ 207
7.4 KÖPRÜ DEVRELERİ .......................................................................................................... 212
7.4.1 DENGESİZ KÖPRÜ .................................................................................................... 213
7.4.2 SIFIR-DENGELİ KÖPRÜ ............................................................................................ 214
7.4.3 REZİSTİF KÖPRÜNÜN SICAKLIK KOMPANZASYONU ........................................... 214
7.4.4 KÖPRÜ YÜKSELTİCİLER........................................................................................... 220
7.5 VERİ İLETİMİ....................................................................................................................... 222
7.5.1 İKİ-İLETKENLİ İLETİM ................................................................................................ 222
7.5.2 DÖRT İLETKENLİ ALGILAMA .................................................................................... 222
7.5.3 ALTI İLETKENLİ ALGILAMA....................................................................................... 223
7.5.4 TELEMETRİ ................................................................................................................ 223
7.6 ALGILAYICI VE DEVRELERDEKİ GÜRÜLTÜ.................................................................... 225
7.6.1 DOĞAL GÜRÜLTÜ...................................................................................................... 225
7.6.2 İLETİM GÜRÜLTÜSÜ.................................................................................................. 228
7.6.3 ELEKTRİK EKRANI VEYA KALKANI.......................................................................... 232
7.6.4 BYPASS KAPASİTÖRLERİ ........................................................................................ 234
7.6.5 MANYETİK KALKAN ................................................................................................... 235
7.6.6 MEKANİK GÜRÜLTÜ .................................................................................................. 237
7.6.7 TOPRAK DÜZLEMLERİ .............................................................................................. 237
7.6.8 TOPRAK DÖNGÜLERİ VE TOPRAK İZOLASYONU ................................................. 238
7.6.9 SEEBECK GÜRÜLTÜSÜ ............................................................................................ 240
8 POZİSYON, SEVİYE VE YER DEĞİŞİMİ ÖLÇÜMÜ................................................................... 243

8.1 POTANSİYOMETRİK ALGILAYICILAR .............................................................................. 244
8.2 YERÇEKİMİ ALGILAYICILARI ............................................................................................ 245
8.3 ISIL ALGILAYICILAR........................................................................................................... 248
8.4 KAPASİTİF ALGILAYICILAR............................................................................................... 249
8.4.1 GAUGING KAPASİTİF ALGILAYICILAR .................................................................... 249
8.4.2 ORANTILI YER DEĞİŞİM ALGILAYICISI ................................................................... 249
8.5 İNDÜKTİF ALGILAYICILAR ................................................................................................ 251
8.5.1 LVDT VE RVDT........................................................................................................... 251
8.5.2 EDDY AKIM ALGILAYICILARI .................................................................................... 253
8.5.3 FIRÇASIZ ABSOLUT AÇI ALGILAYICISI ................................................................... 254
8.5.4 ENİNE İNDÜKTİF ALGILAYICI ................................................................................... 255
8.6 MANYETİK ALGILAYICILAR............................................................................................... 256
8.6.1 REED ANAHTARLARI ................................................................................................ 256
8.6.2 HALL ETKİLİ ALGILAYICILAR.................................................................................... 257
8.6.3 MANYETO-REZİSTİF ALGILAYICILAR...................................................................... 259
8.7 MANYETO-STRİKTİF DEDEKTÖR..................................................................................... 264
8.8 OPTİK ALGILAYICILAR ...................................................................................................... 265
8.8.1 POLARİZE IŞIK İLE YAKINLIK DEDEKTÖRÜ ........................................................... 265
8.8.2 FİBER OPTİK ALGILAYICILAR .................................................................................. 266
8.8.3 IZGARA BİÇİMLİ ALGILAYICILAR ............................................................................. 268
8.8.3.1 MİL KODLAYICILAR ........................................................................................... 268
8.8.4 DOĞRUSAL OPTİK ALGILAYICILAR......................................................................... 270
8.9 ULTRASONİK ALGILAYICILAR .......................................................................................... 273
8.10 JİROSKOPLAR.................................................................................................................. 275
VIII
8.10.1 MEKANİK JİROSKOP ............................................................................................... 275
8.10.2 MONOLİTİK SİLİKON JİROSKOP ............................................................................ 276
8.10.3 OPTİK JİROSKOPLAR ............................................................................................. 277
9 CANLI VE HAREKET DEDEKTÖRLERİ .................................................................................... 281

9.1 ULTRASONİK ALGILAYICILAR.......................................................................................... 282
9.2 MİKRODALGA HAREKET DEDEKTÖRLERİ ..................................................................... 282
9.3 KAPASİTİF CANLI DEDEKTÖRLERİ ................................................................................. 285
9.4 TRİBO-ELEKTRİK DEDEKTÖRLER................................................................................... 289
9.5 OPTO-ELEKTRONİK HAREKET DEDEKTÖRLERİ ........................................................... 291
9.5.1 ALGILAYICININ YAPISI .............................................................................................. 291
9.5.1.1 ÇOKLU ALGILAYICILAR .................................................................................... 293
9.5.1.2 KOMPLEKS ALGILAYICI BİÇİMİ........................................................................ 293
9.5.1.3 GÖRÜNTÜ BOZULMASI .................................................................................... 293
9.5.1.4 FACET ODAKLAMA ELEMANI........................................................................... 293
9.5.2 GÖRÜNÜR VE YAKIN KIZIL ÖTESİ HAREKET DEDEKTÖRLERİ ........................... 294
9.5.3 UZAK KIZIL ÖTESİ HAREKET DEDEKTÖRLERİ ...................................................... 296
9.5.3.1 PIR HAREKET DEDEKTÖRLERİ ....................................................................... 296
9.5.3.2 PIR ALGILAYICI VERİM ANALİZİ....................................................................... 298
9.5.3.3 AFIR HAREKET DEDEKTÖRLERİ ..................................................................... 302
9.5.3.4 AFIR ALGILAYICI DUYARLILIK ANALİZİ........................................................... 302
9.5.3.5 AFIR HAREKET DEDEKTÖRÜ TASARIMI ........................................................ 304
10 HIZ VE İVME ÖLÇÜMÜ ............................................................................................................ 307

10.1 ELEKTROMANYETİK HIZ ALGILAYICILARI.................................................................... 307
10.2 İVME ÖLÇERLER ............................................................................................................. 308
10.2.1 KAPASİTİF İVME ÖLÇERLER.................................................................................. 311
10.2.2 PİEZOREZİSTİF İVME ÖLÇER ................................................................................ 312
10.2.3 PİEZO-ELEKTRİK İVME ÖLÇERLER....................................................................... 313
10.2.4 ISIL İVME ÖLÇERLER.............................................................................................. 314
10.3 PİEZO-ELEKTRİK KABLOLAR ......................................................................................... 315
11 KUVVET VE GERİNİM ALGILAYICILARI................................................................................ 317

11.1 STRENGEYÇLER ............................................................................................................. 318
11.2 DOKUNMA ALGILAYICILARI ........................................................................................... 319
11.3 QUARTZ KUVVET ALGILAYICISI .................................................................................... 324
11.4 PİEZO-ELEKTRİK KUVVET ALGILAYICILARI................................................................. 324
12 BASINÇ ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİ .................................................................... 327

12.1 BASINÇ KAVRAMLARI ..................................................................................................... 327
12.2 BASINÇ BİRİMLERİ .......................................................................................................... 328
12.3 CİVA BASINÇ ALGILAYICISI............................................................................................ 329
12.4 KÖRÜK, ZAR, İNCE LEVHA VE PLAKALAR ................................................................... 329
12.5 PİEZO-REZİSTİF ALGILAYICILAR................................................................................... 331
IX
12.6 KAPASİTİF ALGILAYICILAR............................................................................................. 335
12.7 DEĞİŞKEN RELÜKTANSLI BASINÇ ALGILAYICILARI ................................................... 336
12.8 OPTO-ELEKTRONİK ALGILAYICILAR............................................................................. 338
13 AKIŞ ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİ ......................................................................... 341

13.1 AKIŞ DİNAMİĞİNİN TEMELLERİ...................................................................................... 341
13.2 BASINÇ GRADYAN TEKNİĞİ ........................................................................................... 343
13.3 ISIL İLETİM ALGILAYICILARI ........................................................................................... 344
13.4 ULTRASONİK ALGILAYICILAR ........................................................................................ 349
13.5 ELEKTROMANYETİK ALGILAYICILAR............................................................................ 351
13.6 MİKRO AKIŞ ALGILAYICILARI ......................................................................................... 352
13.7 HAFİF RÜZGAR ALGILAYICISI ........................................................................................ 355
14 AKUSTİK ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLER ................................................................... 357

14.1 REZİSTİF MİKROFONLAR ............................................................................................... 357
14.2 KONDENSER MİKROFONLAR ........................................................................................ 357
14.3 FİBER OPTİK MİKROFON................................................................................................ 358
14.4 PİEZOELEKTRİK MİKROFONLAR ................................................................................... 360
14.5 ELEKTRET MİKROFONLAR............................................................................................. 361
15 NEM ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİ .......................................................................... 363

15.1 NEM KAVRAMI.................................................................................................................. 363
15.2 KAPASİTİF ALGILAYICILAR............................................................................................. 364
15.3 İLETKENLİK ALGILAYICILARI.......................................................................................... 368
15.4 ISIL İLETKENLİK ALGILAYICISI....................................................................................... 369
15.5 OPTİK HİGROMETRE ...................................................................................................... 371
15.6 OSİLASYONLU HİGROMETRE........................................................................................ 372
16 IŞIK DEDEKTÖRLERİ .............................................................................................................. 373

16.1 GİRİŞ ................................................................................................................................. 373
16.2 FOTO-DİYOTLAR.............................................................................................................. 377
16.2.1 QUADRANT FOTODİYOTLARI ................................................................................ 383
16.3 FOTO-TRANSİSTÖR ........................................................................................................ 384
16.4 FOTO-DİRENÇLER........................................................................................................... 387
16.5 IŞIK-IŞIK DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİ....................................................................................... 389
16.6 SOĞUTULMUŞ DEDEKTÖRLER ..................................................................................... 389
16.7 ISIL DEDEKTÖRLER ........................................................................................................ 391
16.7.1 TERMOPİL ALGILAYICILAR .................................................................................... 393
16.7.2 PİRO-ELEKTRİK ALGILAYICILAR ........................................................................... 393
16.7.3 AKTİF UZAK KIZIL-ÖTESİ ALGILAYICILAR ............................................................ 397
16.7.4 ISIL EMİCİ KAPLAMALAR ........................................................................................ 401
16.8 GAZ ALEVİ DEDEKTÖRLERİ ........................................................................................... 402
X
17 IŞINIM DEDEKTÖRLERİ .......................................................................................................... 405
17.1 PARILTI DEDEKTÖRLERİ................................................................................................ 406
17.2 İYONİZASYON DEDEKTÖRLERİ..................................................................................... 408
17.2.1 İYONİZASYON ODACIKLARI................................................................................... 408
17.2.2 ORANTILI ODACIKLAR ............................................................................................ 409
17.2.3 GEIGER-MUELLER SAYICILARI ............................................................................. 409
17.2.4 YARI-İLETKEN DEDEKTÖRLER.............................................................................. 411
18 ELEKTROMANYETİK ALAN DEDEKTÖRLERİ ...................................................................... 415

18.1 MANYETİK ALAN ALGILAYICILARI ................................................................................. 415
18.1.1 AKI GİRİŞ ALGILAYICILARI ..................................................................................... 416
18.1.2 HALL ETKİSİ ALGILAYICILARI ................................................................................ 417
18.1.2.1 HALL ETKİSİ İLE ELEKTRİK AKIMININ ÖLÇÜMÜ .......................................... 420
18.1.2.2 ÜÇ BOYUTLU ALAN HARİTASI ÇIKARMA ..................................................... 420
18.1.2.3 HALL ÇARPICILARI.......................................................................................... 421
18.1.3 MANYETO-REZİSTİF ALGILAYICILAR.................................................................... 422
18.1.4 MANYETİK KAYIT BAŞLIKLARI............................................................................... 425
18.2 BOLOMETRELER ............................................................................................................. 426
19 SICAKLIK ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİ................................................................. 429

19.1 ISILDİRENÇ ALGILAYICILARI.......................................................................................... 431
19.1.1 REZİSTANS SICAKLIK DEDEKTÖRLERİ (RTD) ..................................................... 431
19.1.2 SİLİKON REZİSTİF ALGILAYICILAR ....................................................................... 433
19.1.3 TERMİSTÖRLER ...................................................................................................... 433
19.1.3.1 NTC TERMİSTÖRLER...................................................................................... 434
19.1.3.2 PTC TERMİSTÖRLER...................................................................................... 440
19.2 ISILELEKTRİK TEMAS ALGILAYICILARI......................................................................... 443
19.3 YARI-İLETKEN PN JONKSİYON ALGILAYICILARI ......................................................... 447
19.4 OPTİK SICAKLIK ALGILAYICILARI.................................................................................. 450
19.4.1 IŞILOPTİK ALGILAYICILAR...................................................................................... 451
19.4.2 İNTERFEROMETRİK ALGILAYICILAR .................................................................... 452
19.4.3 TERMOKROMİK ÇÖZELTİ ALGILAYICISI............................................................... 452
19.5 AKUSTİK SICAKLIK ALGILAYICISI.................................................................................. 453
20 KİMYASAL ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLER ................................................................ 455

20.1 SEÇİCİLİK ......................................................................................................................... 457
20.1.1 ENZİM ALGILAYICILARI........................................................................................... 457
20.1.2 KATALİTİK ALGILAYICILAR..................................................................................... 458
20.1.3 BİYOALGILAYICILAR ............................................................................................... 458
20.2 ISIL ALGILAYICILAR......................................................................................................... 459
20.3 ELEKTROKİMYASAL ALGILAYICILAR ............................................................................ 460
20.3.1 POTANSİYOMETRİK ALGILAYICILAR .................................................................... 460
20.3.2 CHEMFET ALGILAYICILAR ..................................................................................... 461
20.3.3 KONDÜKTOMETRİK ALGILAYICILAR..................................................................... 462
20.3.4 AMPEROMETRİK ALGILAYICILAR ......................................................................... 464
XI
20.4 KONSANTRASYON ALGILAYICILARI ............................................................................. 466
20.5 OSİLASYONLU KÜTLE ALGILAYICILARI........................................................................ 467
20.6 OPTİK ALGILAYICILAR .................................................................................................... 468
20.7 SİLİKON WAFER GAZ KROMATOGRAFI........................................................................ 469
21 GÜVENLİK VE HIRSIZ ALARM SİSTEMLERİ......................................................................... 471

21.1 GİRİŞ ................................................................................................................................. 471
21.2 FOTO-ELEKTRİK IŞINLAR ............................................................................................... 471
21.3 PASİF KIZILÖTESİ DEDEKTÖRLER................................................................................ 475
21.3.1 ALARMI ENGELLEYİCİ ETKENLER ........................................................................ 476
21.3.2 YANLIŞ ALARMLAR ................................................................................................. 477
21.4 ULTRASONİK HAREKET DEDEKTÖRLERİ .................................................................... 477
21.4.1 YANLIŞ ALARMLAR ................................................................................................. 479
21.4.2 ALARMIN ÇALIŞMAMASI......................................................................................... 479
21.4.3 ULTRASONİK ALARMLARDA PROBLEM GİDERME ............................................. 480
21.5 MİKRODALGA HAREKET DEDEKTÖRLERİ ................................................................... 480
21.5.1 YANLIŞ ALARMLAR ................................................................................................. 481
21.6 YAKINLIK DEDEKTÖRLERİ ............................................................................................. 483
21.6.1 YANLIŞ ALARMLAR – KORUMA UYGULAMALARI ................................................ 483
21.6.2 YANLIŞ ALARMLAR – ÇİT UYGULAMALARI .......................................................... 484
21.7 SES DEDEKSİYON SİSTEMİ ........................................................................................... 484
21.7.1 YANLIŞ ALARMLAR ................................................................................................. 485
21.8 KARIŞIK DEDEKTÖRLER ................................................................................................ 486
21.8.1 SİSMİK ...................................................................................................................... 486
21.8.2 STRES....................................................................................................................... 486
21.8.3 CAM KIRILMASI DEDEKTÖRLERİ........................................................................... 486
21.9 GENEL UYGULAMA BİLGİSİ............................................................................................ 487
22 YANGIN DEDEKSİYON SİSTEMLERİ ..................................................................................... 489

22.1 YANGIN DEDEKSİYON SİSTEMLERİNİN TEMEL PRENSİBİ ........................................ 489
22.2 GÖZLEME ALANI.............................................................................................................. 489
22.3 YANGIN KAVRAMI VE DEDEKTÖR TİPLERİ .................................................................. 490
22.4 DEDEKSİYON PRENSİPLERİ .......................................................................................... 490
22.4.1 DUMAN DEDEKTÖRÜ.............................................................................................. 490
22.4.2 ALEV DEDEKTÖRÜ.................................................................................................. 491
22.4.3 ISI DEDEKTÖRLERİ ................................................................................................. 493
EK FARNELL KATALOG ALGILAYICILAR & DÖNÜŞTÜRÜCÜLER İLE İLGİLİ SAYFALARI . 495

SENSORS & TRANSDUCERS – 55 SAYFA ............................................................................ 495
KAYNAKLAR ................................................................................................................................. 551
İNDEKS .................................................................................................................................... 553
XII
1 BİLGİ VE BİLGİ İŞLEME SİSTEMLERİ
İnsanlığın maddi ihtiyaçlarının tamamı üç gruba ayrılabilir. Şekil 1.1’de görüldüğü gibi ilk grup
insanlığın malzemelere (çelik, çimento, oksijen, silikon, vb.) olan ihtiyacı, ikinci grup enerjiye
(mekanik enerji, ısıl enerji, elektrik enerjisi, vb.) olan ihtiyaçları ve üçüncü grup ise bilgiye (hava
tahmini raporu, ulusal ekonomi veya kişisel sağlık raporu, tatil broşürleri ve kullanma bilgileri, vb.)
olan ihtiyaçları ile ilişkilidir. İnsanlığın malzemelere ve enerjiye olan ihtiyaçları karşılanıyor
gözükmekte ve insanlık bilgiye karşı doyma bilmeyen bir iştah kazanmaktadır. Bu ihtiyaç özellikle
endüstrileşmiş dünyada çok açık bir şekilde gözükmektedir. İnsanlar alışılmış bir şekilde öncelikle
görme ve işitme veya duyuları ile dedekte edilebilecek bir yolla bilgi işleme kapasitesine sahip
aygıtlar kullanarak duyularıyla bilgi toplamaktadırlar.
İhtiyaçlar Birimler
Malzemeler kilogram
Şekil 1.1 İnsanlığın ihtiyaçları
Enerji jul
Bilgi bit
Bir termometre kullanılarak bir odanın sıcaklığı hakkında bilgi edinilebilir. Sıcaklık istenilen
sıcaklığa uygun değilse ısıtılan odanın durumuna göre bir anahtar veya bir kontrol vanası
ayarlanılarak sıcaklık istenildiği kadar düzeltilebilir. Bununla beraber sıcaklık hakkındaki bilgi
doğrudan bir regülatör mekanizmasının kontrolünde kullanıldığında, sıcaklığın kontrolü insan
müdahalesi olmaksızın da yapılabilir. Genel olarak burada bilginin bir bilgi işleme sisteminde
işlenerek insanlığın kullanımına hazır şekle getirilmiş veya bilgi durumu doğrudan kontrol
işleminde kullanılmış denilebilir.
Genel bir bilgi işleme sistemi şekil 1.2’de görüldüğü gibi üç adımlı olarak düşünülebilir çünkü
böyle sistemler istisnasız üç üniteden oluşmaktadır. Şekil 1.2’nin solundaki tanımlama ünitesinde
(Identification, I) bilgi araştırılır ve tanımlanır. Böyle bir ünite, bir ısılçift, bir buton, bir TV
kamerası, bir pH ölçüm hücresinden oluşabilir ve bunlara ek olarak hepsinin ortak bir özelliği
tanımlama ünitesinde bilgi taşıyıcının bir biçimden diğer biçime dönüştürülmesidir. Bugün
tanımlama ünitesinin çıkışında bilgi taşıyıcı olarak elektrik enerjisinin olması tercih edilmektedir.
Bunun yanında bazı endüstriyel uygulamalarda bilgi taşıyıcı olarak hala mekanik enerji
2 Algılayıcılar ve Dönüştürücüler
kullanılmaktadır. Şeklin ortasındaki modifikasyon ünitesinde (M) bilgi modifiye edilir,

nitelendirilir veya işleme tabi tutulur. Bilgi taşıyıcının biçimi değişmez fakat bilginin sunuş biçimi
değişebilir. Elektrik enerjisi kullanıldığı zaman modifikasyon ünitesinin girişinde analog sinyalin
olması mümkündür ve bu sinyalin dijital sinyale dönüştürülmesi gerekebilir. Bir modifikasyon
ünitesi ekseriyetle bir çip üzerinde entegre edilmiş elektronik sinyal işleme devrelerinin
toplanmasından oluşur fakat uygun havalandırma düzenine sahip bir oda içine yerleştirilmiş belirli
sayıdaki bilgisayarlar biçiminde de olabilir. Sağdaki presentasyon veya sunuş (P) ünitesinde bilgi
beş duyudan biri ile algılanabilecek bir biçime dönüştürülür. Görme ve işitme açıkça bilgi akışının
kavranılması ile ilgili en etkili duyular olmakla beraber dokunma, koklama ve tatma duyuları da
kullanılabilir. Görme özürlü kişiler için tasarımlanmış bazı bilgi işleme sistemleri dokunma ile
ilgili çıkış üreten sunuş üniteleri kullanır. İyi ses analiz çipleri mevcut olduğu sürece yeni
sistemlerin bilgi çıkış biçimi dokunma yerine işitmeye kayacaktır. Bugünlerde henüz
yaygınlaşmamış fakat kullanılmakta olduğu bilinen bilgisayar ve otomobiller bunlara örnek
verilebilir.
I M P
Tanımlama Modifikasyon Sunuş
ünitesi ünitesi ünitesi
Şekil 1.2 Bilgi işlemenin üçlü adımı
Bir bilgi işleme sisteminin uygulama alanı bilginin sunulmasından daha geniştir. İnsan etkileşimi
olmaksızın bir sistem merkezi ısıtma sistemleri veya endüstriyel üretim aygıtlarının kontrolünde de
kullanılabilir. Böyle durumlarda üçüncü sunuş adımı yürütme veya uygulama ünitesi olarak
adlandırılır.
Bütünlük olması bakımından diğer iki çıkış ihtimaline de değinilmesi gerekmektedir. İşlenmiş
bilginin doğrudan görüntü veya uygulama amacı ile kullanılması gerekmiyorsa ki bu her zaman
olabilir, bilginin depolanması gerekir. Malzemelerde olduğu kadar enerji de bu amaç için bilgi
taşıyıcı olarak kullanılabilir. Bilgi depolandığında, bir bilgisayarın hafızası, enerji bilgi taşıyıcıdır;
bilgi manyetik teyp, fotoğraf filmi veya kağıt üzerine kaydedildiği zaman malzeme bilgi taşıyıcı
olarak hareket eder. Başka bir bilgi işleme sistemi ile depolanan bu bilgi tekrar işlenebilir ve
görüntü veya uygulama olarak kullanılabilir.
Son olarak işlenmiş bilgi bulunduğu yerde gerekli olmayıp uzak bir yerde gerekli olabilir. Bu
işlenmiş bilginin ilgili yere iletilmesini gerektirir, bu durumda üçüncü kısım bir iletim ünitesinden
oluşur. Şekil 1.3 de bu dört ihtimalin genel bir blok diyagramı görülmektedir.
1.1 ÖLÇME VE KONTROL SİSTEMLERİ
Bilgi işleme sistemi terimi bilgisayarlar, osiloskoplar, kapı kilitleri, klinik termometreler, uydular,
kelime işlemciler, yazarkasalar, otomatik meşrubat dağıtan makinalar, görüntü projektörleri, vb.
içeren sistemlerin geniş bir spektrumu anlamına gelir. Bütün bu sistemler herhangi bir yolla bilgiyi
işlerler. Burada bilgi işleme sistemleri olarak modern elektronik ölçme ve kontrol sistemleri ve bu
sistemlerde kullanılan dönüştürücüler ve algılayıcılardan bahsedilecektir. Şekil 1.4 de görüldüğü
gibi, bütün bilgi sistemlerine benzer olarak bu sistemler üç bloklu bir zincir ile gösterilir.
Bilgi ve Bilgi İşleme Sistemleri 3
Sunuş
sergileme
Yürütme
uygulama
Tanımlama Modifikasyon Şekil 1.3 Bilgi işleme
sisteminin blok diyagramı
Depolama
İletim
Giriş Çıkış Şekil 1.4 Ölçme ve kontrol

Modifiyer sisteminin fonksiyonel blok
dönüştürücüsü dönüştürücüsü
diyagramı
Algılayıcı olarak da adlandırılan giriş dönüştürücüsünde ışık şiddeti, yer değişimi, sıcaklık,
manyetik alan veya pH değerleri gibi fiziksel veya kimyasal birimler elektrik veya elektronik
sinyallerine dönüştürülür. Bu amaca yönelik çok sayıda fiziksel ve kimyasal etkiler mevcuttur.
Bir giriş dönüştürücüsünde enerji taşıyan sinyal elektriksel olmayan sinyal biçiminden elektriksel
biçime dönüştürülür.
İkinci blok olan modifiyerde elektronik sinyal modifiye edilir. Modifiyer bir yükseltici kadar basit
bir devre olabileceği gibi bir mikroişlemci veya büyük bir bilgisayarın merkezi işleme birimi de
olabilir. Modifiyerde enerji taşıyan sinyalin biçimi başka bir biçime dönüştürülmez.
Bir modifiyerde analog-dijital veya akım-frekans dönüşümü oluşur; bu durumda sinyal

yükseltilebilir, filtre edilebilir veya modifiyer bir bilgisayardan ibaretse sinyal uzun bir algoritmaya
maruz bırakılabilir. Sinyal modifiyerin çıkışında olduğu gibi girişinde de daima elektrik enerjisi ile
taşınır. Entegre devre teknolojisindeki ilerlemeler çok akıllı modifiyerlerin üretilmesini mümkün
kılmıştır. Örneğin mikroişlemciler, hafıza çipleri ve işlemsel yükselticiler uygun fiyatlarda olup
fiyatlarda devamlı bir düşüş görülmekte ve çok yönlülük ve güvenilirlikte ise artış olmaktadır.
Son olarak çıkış dönüştürücüsünde elektrik sinyali tekrar elektriksel olmayan bir sinyale
dönüştürülür ve beş duyudan biri ile algılanabilir. Örneğin, monitör veya display’de sinyal ışınım
enerjisi ile ve hoparlörde mekanik (akustik) enerji ile taşınır.
Aygıt kontrol amacı ile kullanıldığı zaman çıkış sinyali fiziksel bir birimi kontrol edecek şekilde
mekanik olarak gözükür. Çıkış dönüştürücüsünün çıkışı ve fiziksel birimi üretecek sistemin çıkışı
arasında bir geri-besleme döngüsü yapılır ve fiziksel birim önceden belirlenmiş istenilen seviyede
kontrol edilebilir.
Bilginin kayıt veya depolama işlemi tasarlandığı zaman çıkış dönüştürücüsü olarak bir kayıt kafası
veya ısıl yazıcı kafası kullanılabilir. Sonunda bir çıkış dönüştürücüsü bilginin iletimi için gerekli
olabilir. Elektromanyetik ışınım bir sinyal taşıyıcı olarak kullanıldığı zaman çıkış dönüştürücüsü
basit bir anten biçimindedir. Display aygıtları ve iletim aygıtları arasındaki benzerlik çarpıcıdır.
Optik bir display’de görünür elektromanyetik ışınım izleyen kişinin gözüne bilgi taşır. Bundan
dolayı bir display aygıtı gerçekte bir iletim aygıtıdır.
Yukarıdaki gözlemler kayıt aygıtlarına da uygulanır. Örneğin bir yazıcı kafası bilgiyi kağıt üzerine
taşır. Bunu izleyen bir kişi bu çıkışı hemen kullanabilir, bu durumda yazıcı bir display aygıtı olarak
görev yapar. Daha sonraki kullanımlar için bilginin yazdırılıp depolanmasında yazıcı bir depolama
aygıtı olarak görev yapar.
1.2 DÖNÜŞTÜRÜCÜLER
1.2.1 SİNYAL TAŞIYAN ENERJİ BİÇİMİ

Bir enstrüman sistemi sinyal taşıyan enerji biçimlerinin başka bir biçime dönüştürüldüğü
dönüştürücüler ve diğer blok ise enerji biçiminin değişmediği modifiyer olarak iki bloktan oluşur.
Dönüştürücülerdeki değişik sinyal dönüşümlerini kavramak için enerjinin kendini gösterdiği biçim
ve enerji dönüşümünde yer alan fiziksel etkilerin dikkate alınması gerekir. Fiziksel bir görüş
noktasından fizik kitaplarının çoğunda bilindiği üzere değişik enerji biçimleri aşağıdaki gibi
sıralanabilir:
¾ Elektromanyetik Işınım Enerjisi: Bu enerji elektromanyetik radyo dalgaları, mikrodalgalar,

kızılötesi ve görünür ışık, morötesi, X-ışınları ve gama ışınları ile ilgilidir.
¾ Yerçekimi enerjisi: Bu enerji kütle ve dünya arasındaki yerçekimi ile ilgilidir.
¾ Mekanik Enerji: Bu enerji mekanik kuvvetler, yer değişimleri, akış, vb. ile ilgilidir.
¾ Isıl Enerji: Bu enerji atom ve moleküllerin kinetik enerjisi ile ilgilidir.
¾ Elektrostatik ve Elektromekanik Enerji: Bu enerji elektrik ve manyetik alanlar ile akım ve

gerilim ile ilgilidir.
¾ Moleküler Enerji: Bu enerji bir molekülde atomları birbirine tutan bağ enerjisi ile ilgilidir.
¾ Atomik Enerji: Bu enerji çekirdekler ve elektronlar arasındaki kuvvetler ile ilgili bağ
enerjisidir.
¾ Nükleer Enerji: Bu enerji çekirdekleri birbirine tutan bağ enerjisidir.
¾ Kütle Enerjisi: Bu enerji Einstein’ın relativite veya görecelik teorisinde tanımlanır.
Bugünün alternatif enerji kaynaklarının araştırılmasında elektriksel olmayan enerjinin elektrik

enerji biçimine verimli bir şekilde dönüştürülmesi üzerinde çalışılmaktadır.
Enstrüman alanında dönüştürücüler karakterize edilirken yukarıdaki enerji biçimlerinin hepsinin

dikkate alınması gerekmemektedir. Pratik olarak enerji gurupları altı enerji domenine veya altı
sinyal domenine ayrılır.
Yer çekimi ve mekanik enerji mekanik sinyal domeninde birleştirilmiştir. Elektromanyetik dalgalar
ışınım enerjisi altında düşünülmüştür. Moleküler enerji ve atomik enerji kimyasal sinyal
domeninde birleştirilmiştir. Nükleer ve kütle enerjileri ise burada amacın dışına taştığından dikkate
alınmamıştır. Böylece enerji aşağıdaki gibi altı sinyal domenine ayrılabilir:
n Işınım sinyal domeni

o Mekanik sinyal domeni
p Isıl sinyal domeni
q Elektrik sinyal domeni
r Manyetik sinyal domeni
s Kimyasal sinyal domeni
Bu ayrıma dayanarak bütün ölçme ve kontrol sistemleri şekil 1.5 de görülen blok diyagram ile
gösterilebilir.
Işınım Işınım Işınım Işınım

Mekanik Mekanik Mekanik Mekanik
Isıl Giriş Isıl Isıl Çıkış Isıl
Modifiyer
Elektrik dönüştürücüsü Elektrik Elektrik dönüştürücüsü Elektrik
Manyetik Manyetik Manyetik Manyetik
Kimyasal Kimyasal Kimyasal Kimyasal
Şekil 1.5 Sinyal taşıyan enerjinin altı biçimini gösteren enstrüman sisteminin genel blok diyagramı.
Elektronik termometredeki enerji dönüşümü kareler içinde gösterilmiştir.
Giriş ve çıkış dönüştürücüsünde sinyal taşıyan enerjinin biçimi dönüştürülür fakat modifiyerde
enerjinin biçimi değişmez. Bugün elektrik enerjisi diğer enerji biçimlerinin üzerinde sinyal taşıyıcı
olarak tercih edilir. Elektrik enerjisi çok yönlü olarak görülmekte ve düşük fiyatlı akıllı
mikroelektronik elemanların yapımını kolaylaştırmaktadır. Bir örnek olarak şekil 1.5 deki
elektronik termometre gösterilmiştir. Giriş dönüştürücüsünde ısıl enerji örneğin Seebeck etkisiyle
elektrik enerjisine dönüştürülür. Modifiyerde küçük elektrik sinyali yükseltilerek modifiye edilir ve
analog sinyalden dijital sinyale çevrilir. Çıkış dönüştürücüsünde dijital sinyal örneğin LCD
kullanılarak ışınım (optik) sinyale dönüştürülür. Optik sinyal görünür olarak sıcaklığın okunmasını
mümkün hale getirir. Elektrik enerjisinin modifiyerler için sinyal taşıyıcı olarak çok tercih
edilmesine rağmen diğer enerji biçimleri de bazı uygulamalarda kullanılmaktadır. Civalı
termometrede, barometrede, eğim ölçerde, hız ölçerlerde, standart daktilolarda, tartı aletlerinde ve
daha bunun gibi çok aygıtlarda mekanik enerji hala sinyal taşıyıcı olarak kullanılmaktadır. Böyle
aygıtlar ucuz maliyette imal edilmekte ve güvenilir olmaktadır. Bundan dolayı bu aygıtların daha
uzun yıllar kullanılacağı tahmin edilmektedir. Böyle aygıtlar kontrol sistemlerine uygulandığında,
sinyalin uzun mesafelere iletiminin gerektiği durumda mekanik enerji bir sinyal taşıyıcı olarak
oldukça elverişsiz olmaktadır. Merkezi ısıtma sistemlerinde termostatlar, işleme endüstrisinde
piezo-rezistif basınç algılayıcıları, otomatik doldurma makinalarında yük algılayıcıları, vb. gibi
böyle uygulamalarda elektrik ve elektronik aygıtlar uzun yıllardan beri kullanılmaktadır.
1.2.2 DÖNÜŞTÜRÜCÜLERDE SİNYAL DÖNÜŞÜMÜ

Giriş dönüştürücüsünde elektriksel olmayan sinyal elektrik sinyaline dönüştürülür. Daha önce
bahsedildiği gibi elektriksel sinyal domeni ile beraber altı sinyal domeni vardır. Bir dönüştürücüde
taşıyıcının biçimi dönüştürüldüğünden elektriksel olmayan beş sinyalden birisi giriş
dönüştürücüsünde elektriksel sinyale dönüşür.
Bu ifade biraz uyuşmazlığa maruz kalmakta çünkü akım veya bir elektrik alanı gibi elektriksel
sinyallerin dedeksiyonu için de giriş dönüştürücüleri vardır. Bununla beraber elektriksel sinyaller
giriş ölçeği olarak sayılmazsa önemli giriş dönüştürücülerinin büyük bir grubu hakkında tartışmaya
gerek kalmaz. İçinde elektrik sinyallerinin de olduğu altı sinyal domeninden bir sinyalin bulunduğu
aygıt olarak bir dönüştürücünün tanımı elektronik sinyal modifiyeri olarak değiştirildiğinde bu
probleme bir çözüm olabilir.
Farklı kitapların ve makalelerin incelenmesiyle dönüştürücülerin değişik sınıflandırma yolları

görülmektedir. Literatürde şekil 1.6’da görüldüğü gibi giriş dönüştürücüleri ile ilgili üç esas
yaklaşım bulunabilir.
¾ İlk yaklaşımda dönüştürücü alanının ayrımı bilgiye göredir. Genel olarak insanlar sağlık
durumları, hava durumu, TV programları, trafik durumu, vb. gibi bilgilerle ilgilenirler. Bundan
dolayı bu bilgileri elektrik sinyaline dönüştürecek bir dönüştürücü isterler. Bundan sonra
dönüştürücü alanı da uygulama alanına göre tekrar bölünür: biyomedikal, meteorolojik,
tüketici, otomotiv, vb.
trafik elektrik yer elektrik ışık elektrik

durumu
T değişimi
T şiddeti
T
(a) bilgiye göre (b) uyarıcıya göre (c) fiziksel birime göre
Şekil 1.6 Giriş dönüştürücülerinin (T) farklı tanımları
¾ İkinci yaklaşımda bölünme uyarıcıya göredir. Bir trafik durumunu incelemek için yayalar,
arabalar, toplu taşıma otobüsleri, bisikletler, vb. gibi trafik öğelerinin ölçülmesi gerekir.
Hareket çoğu aygıtların yardımı ile ölçülebilir. Optik, mekanik, elektrik ve hatta ısıl (kızıl ötesi
kamera) işlemler ile bu hareketler hakkında bilgi kazanılabilir. Uyarıcı domenine göre
dönüştürücülerin ayrılması istenilen bir uyarıcının ölçülmesi için gerekli olan dönüştürücünün
kitap ve makalelerde araştırılması yönüyle ilgili kişilere avantaj sağlayabilir.
¾ Üçüncü yaklaşımdaki ayrım ölçüm için kullanılan fiziksel ve kimyasal etkilere yöneliktir. Yer
değişimi optik olarak ölçüldüğünde ışık şiddetini elektrik enerjisine dönüştüren, foto-elektrik
etkiye dayanan bir optik dedektör kullanılabilir. Diğer dönüştürücüler basınç, sıcaklık,
manyetik alan ve diğer miktarları elektrik sinyallerine dönüştürebilir. Genişletilmiş fizik
kitapları dönüştürücülerle ilgili bilgiler içermektedir. Bununla beraber bu bilgiler dönüştürücü
uzmanlarının kolaylıkla ulaşabileceği bir formda değildir.
Farklı bu üç ihtimalin dikkate alınması fizik yönelimli yaklaşımı meydana getirir. Tablo 1.1 de en
önemli fiziksel parametreleri ile altı sinyal domeni verilmektedir.
Tablo 1.1 Altı sinyal domeni

Işınım sinyalleri Işık şiddeti, dalga boyu, polarizasyon, faz, yansıma, iletim
Mekanik sinyaller Kuvvet, basınç, tork, vakum, akış, hacim, kalınlık, kütle, seviye, pozisyon,
yer değişimi, hız, ivme, sarsılma, kabalık, akustik dalga boyu ve genliği
Isıl sinyaller Sıcaklık, ısı, öz ısı, entropi, ısı akışı
Elektrik sinyalleri Gerilim, akım, yük, direnç, indüktans, kapasitans, dielektrik sabiti, elektrik
polarizasyonu, frekans, pals süresi
Manyetik sinyaller Alan şiddeti, akı yoğunluğu, moment, manyetizasyon, geçirgenlik
Kimyasal sinyaller Kompozisyon, konsantrasyon, reaksiyon oranı, zehirlilik, oksidasyon
azalma potansiyeli, pH
Akım ve gerilim gibi elektriksel parametrelerin ölçülmesi gerektiği zaman dönüştürücülerin
kullanılması gerekmez. Elektronik enstrümantasyon alanının tamamı bir modifiyer ve display
ünitesinden oluşan enstrümanlardan yapıldığından burada dikkate alınmayacaktır.
Fiziksel parametre yönelimli yaklaşımda giriş dönüştürücü alanı şekil 1.7 ile gösterilmektedir. Her
küre bir sinyal domenini gösterir ve her dönüştürücüde bir adım dönüşümü okla gösterilen
elektriksel sinyal domeni yönünde oluşur. Örneğin Seebeck etkisi ile sıcaklık farkını elektriksel
sinyale dönüştüren bir dönüştürücü yapılabilir. Piezo-elektrik etki mekanik sinyalin elektrik
sinyaline dönüştürülmesinde de kullanılabilir.
Dönüştürücülerin çoğu Seebeck veya piezo-elektrik etki gibi tek etkinin kullanımına dayanır.
Bunun yanında dönüştürücü alanında çalışılırken iki veya daha fazla etkinin kullanıldığı
dönüştürücülere nadiren rastlanır. Örneğin bazı akış dönüştürücülerinde mekaniksel ölçüm veya
akış elektrik sinyaline dönüştürülmeden önce bir sıcaklık farkına çevrilir. Şekil 1.7 deki
diyagramda bu dönüşümler çizgili oklarla gösterilmiştir. İlk olarak mekanik bir sinyal ısıl sinyale
çevrilir ve ısıl sinyal elektrik sinyaline dönüştürülür. Böyle bir dönüştürücüde iki etki bitişik olarak
kullanılır ve böyle dönüştürücülere bitişik (tandem) dönüştürücü adı verilir.
Işınım
Kimyasal Mekanik
Şekil 1.7 Giriş
dönüştürücülerinde beş sinyal
dönüşümünü gösteren
Manyetik Isıl diyagram. Bir bitişik
dönüştürücü kesikli çizgi ile
gösterilmiştir.
Elektrik
1.2.3 DÖNÜŞTÜRÜCÜLER ALANINDAKİ TERMİNOLOJİ

Ölçme ve kontrolün uygulama alanı çok sayıda farklı dönüştürücüleri içerir ve bunlar çoğu
kitaplarda tanımlanmıştır. Her uygulama alanı kendi terminolojisini kullanır. Dönüştürücüler çok
ilginç uygulama alanlarını temsil ederler çünkü elektrik mühendisliği ile beraber fizik ve kimyanın
çok geniş alanlarını da içine alırlar. Bu alanda çalışan bilim adamları kendi terminolojilerini de
dönüştürücü alanına vermiş olurlar. Bu alanda çalışan bugünün bilim adamları ve mühendislerinin
ayrıntılı görüşü kolaylıkla kaybedebileceklerine ise şaşırmamalıdır. Bundan dolayı bu kısmın amacı
sinyal dönüştürme işlemlerinin analizine dayalı bazı sabit terimleri tanıtmaya çalışmaktır.
Dönüştürücü Terim Bilgisi
Şekil 1.4 de görüldüğü gibi bir ölçme ve kontrol sistemi bir giriş dönüştürücüsü, modifiyer ve çıkış
dönüştürücüsünden oluşur. Eski literatürde dönüştürücü terimi hemen hemen bir sinyal ve enerjinin
başka bir biçime dönüştürüldüğü aygıtı göstermekteydi. Dönüştürücü kelimesi karşıya geçirmek
anlamına gelen Latince transducere kelimesinden çıkarılmıştır. Bir dönüştürücüde enerji ile
beraber sinyal de karşıya geçirilebilir ve sinyal ve enerji dönüşümü arasındaki farkı göstermek için
bazen enstrüman dönüştürücüsü ve enerji dönüştürücüsü kullanılır.
Bir dönüştürücüde sinyal biçimi sadece farklı sinyal domenleri arasında dönüştürülür, dönüştürücü
terimi enstrüman sisteminin hem giriş ve hem de çıkışı için kullanılabilir. Dönüştürücüler
arasındaki farkı belirginleştirmek için giriş dönüştürücüsü ve çıkış dönüştürücüsü terimleri
kullanılmaktadır. Dönüştürücü kelimesi çoğu uygulamalar için iyi bir tanımlayıcı olmakla beraber
diğer ifadeler de kullanılmaktadır. Örneğin otomotiv uygulamalarında algılayıcı (sensör) terimi
giriş dönüştürücüsünden daha popüler olarak kullanılmaktadır.
Algılayıcı terimi insan duyularıyla bağlantı kurulduğunu işaret etmektedir. Uygun modifiyerli ve
çıkış dönüştürücülü bir algılayıcı doğrudan insan duyularıyla algılanamayan fiziksel ve kimyasal
ölçümler hakkında bilgi edinilmesini sağlar. Bazı yazarlar algılayıcı terimini sadece algılayıcı
eleman olarak kullanırken dönüştürücü terimini ise elemanın tamamı için kullanmaktadırlar.
Bunların tersine bazı yayınlarda ölçme elemanının seri bağlı bir algılayıcı ve dönüştürücüden
oluştuğu da gözlenmiştir. Literatürde başka ifadeler de kullanılmaktadır. Örneğin, ölçme aygıtı,
ölçüm hücresi, pickup, verici (transmitter), algılayıcı eleman, dönüştürme elemanı, çevresel aygıt,
algılayıcı aygıt, tanımlama elemanı, sinyal çevirici ve sinyal dönüştürücü. Bundan dolayı
terminolojideki karışıklık ve çelişki dikkat çekicidir. Bu kitapta mümkün olduğu kadar kararlı ve
tutarlı olunmaya çalışılacaktır. Sinyal taşıyan enerji biçimi belirlenmemişse dönüştürücü terimi ve
gerekli olduğu yerlerde ise giriş dönüştürücüsü veya çıkış dönüştürücüsü kullanılacaktır.
Dönüştürücü bir kara kutu olup sinyal taşıyan enerji bu kara kutu içinde dönüştürülür. Modifiyer
olarak adlandırılan kara kutuda ise enerji biçiminin dönüşümü yer almaz.
Daha önce de bahsedildiği gibi çok olumlu performans/fiyat oranı ile mikro-elektronik bileşenlerin
mevcudiyeti esas sinyal taşıyan enerji biçimi olarak elektrik enerjisinin kullanılmasını teşvik
etmektedir. Giriş dönüştürücüsünde elektriksel olmayan enerji biçiminden elektriksel enerji
biçimine bir dönüşüm yer alır. Genel dönüştürücü alanından böyle dönüştürücüleri ayırabilmek için
elektrik sinyal domenine dönüştüren dönüştürücüler için algılayıcı terimi kullanılmaktadır.
Bir elektronik ölçme sisteminde modifiyer elektronik devrelerden oluşmaktadır. Bir algılayıcının
karakteristiklerini geliştirmek için algılayıcı ile sinyal işleme devresinin bir kısmının birleştirilmesi
mümkündür. Diğer bir deyişle algılayıcı ile modifiyer arasındaki arabirim modifiyere doğru
kaymıştır (şekil 1.8).
Algılayıcı Modifiyer
Şekil 1.8 Algılayıcı ve sinyal işleme
devrelerinin birleştirilmesi ile bir akıllı
algılayıcı elde edilir.
Akıllı Algılayıcı Modifiyer
Literatürde böyle bir algılayıcı akıllı algılayıcı olarak bilinmektedir. Bilgi işleme sisteminin
merkezi birimi çok karışıklığa neden olmaz ve modifikasyon ünitesi olarak kullanılmıştır. Ölçme
ve kontrol sistemlerinde modifiyer ’in kullanılması popülerdir. Sinyal taşıyıcı olarak elektrik
enerjisi kullanıldığı zaman sinyal işleyici terimi ile sık olarak karşılaşılır.
Bir sinyal duyularla algılanabilecek şekilde veya bir vananın kapatılması veya bir ısıtıcının
çalıştırılması gibi fiziksel bir sonucu verecek şekilde çıkış dönüştürücüsünde dönüştürülür. Bir
ışınım veya spektrumun görünür kısmındaki optik sinyal çıkış dönüştürücüsünde üretildiği zaman
display terimi kullanılır. Buradaki karışıklığa da dikkat etmek gerekir. Literatürde diğer bazı
terimler de kullanılmaktadır, örneğin, veri sunma elemanı, indikasyon veya gösterge enstrümanı,
okuma aygıtı, indikatör veya dijital okuma çıkışı. Karışıklık sinyallerin insanlar tarafından
algılanabilmesini mümkün hale getirecek diğer yolların da bulunmasıyla artar. Örneğin akustik
domenin kullanılması ile sinyal mekanik domene de dönüştürülebilir. Bir hoparlör sinyalin işitme
duyusu ile algılanılmasını sağlar. Hatta dokunulabilecek, koklanabilecek veya tat alınabilecek bir
yolla sinyalin dönüştürülebileceği de akla getirilebilir. Tablo 1.2 de beş sinyal domeni ile en önemli
insan duyuları arasındaki ilişki görülmektedir.
Tablo 1.2 Sinyal biçimleri ve insan duyuları

Sinyal Domeni İnsan Duyuları
Işınım Görme, dokunma
Mekanik İşitme, dokunma, tartma, dengeleme
Isıl Dokunma
Manyetik -
Kimyasal Koklama, tatma
Çıkış dönüştürücüsü terimi yerine sinyal taşıyan enerjinin duyulardan biri ile algılanabilecek bir
enerji biçimine dönüştüren bütün dönüştürücüleri göstermek için daha genel anlamda display terimi
kullanışlı olabilir. Bu durumda bir hoparlör akustik display olur. Benzer şekilde görme özürlü
insanlar bilgiyi okumak için bir dokunma display’i kullanabilirler.
Bir çıkış dönüştürücüsü sadece bilginin sunulması için kullanılmayıp bazı aksiyonların
yaptırılmasında da kullanılır. Mekanik domene ait olan bir aksiyon başlatıldığında eyleyici veya
aktüatör terimi çok sık kullanılır, bunun yanında aktivasyon aygıtı veya aktör terimleri de bazen
kullanılır.
Bununla beraber, bu terimler bir elektrik sinyalinin örneğin bir şeyin ısıtılması amacıyla ışınım
sinyaline veya çelik levhada bir delik açmak için matkap ile delmeye dönüştürülebilen çıkış
dönüştürücüsü için kullanılmaz. Katı hal veya gaz lazerleri de böyle aksiyonlar için kullanılabilir
ve çıkış dönüştürücüleri display’ler olarak adlandırılamaz çünkü ışınım enerjisi bilginin display
amacıyla kullanılmayıp bazı aksiyonlar için kullanılmıştır. Aynı kural display amacıyla olmayıp
örneğin saat parçalarının temizlenmesi için ultrasonik enerji üreten piezo-elektrik seramikten
oluşan bir çıkış dönüştürücüsüne uygulanabilir. Yukarıdaki örnekler açısından aktüatör teriminin
kullanılması önerilmekte ve bir aksiyonu başlatan aktüatörler bütün çıkış dönüştürücülerinin
adlandırılmasında kullanılır. Tablo 1.3 de genelleştirilmiş aktüatörlerin bazı örnekleri
görülmektedir.
Tablo 1.3 Genelleştirilmiş aktüatörler

Sinyal Domeni Aktüatör Aksiyon
Işınım Enjeksiyon Lazeri Işık yayar
Mekanik Piezo-elektrik kristal Ultrasound üretir
Isıl Isıl yazıcı kafası Mürekkebi eritir
Manyetik Kayıt kafası Manyetize ortam
Kimyasal Batarya Kimyasal reaksiyon
Kağıt gibi malzemelerin üzerine yazan aygıtlar gerçekte aktüatörlerdir. Bununla beraber aynı kara
kutuya ait olarak aktüatör ve kağıt beraber dikkate alınırsa bu kutu enerji yerine sinyal taşıyıcı
malzeme ile bir display aygıtı olurdu. Buradaki karışıklığın giderilmesi için sinyal taşıyıcı olarak
enerji dikkate alınacak ve böylece ısıl yazıcı kafası elektrik enerjisinin ısıl enerjiye dönüştürüldüğü
aktüatör olarak dikkate alınacaktır.
1.2.4 KENDİLİĞİNDEN ÜRETEN VE MODÜLASYONLU DÖNÜŞTÜRÜCÜLER

Farklı dönüştürücüler ve kullanılan etkiler dikkate alındığında bazı etkiler sinyal dönüşümü için
yardımcı enerji kaynaklarına gerek duyulmadan dönüştürücülerin yapımında kullanılabilirken
diğerleri ise bir biçimde enerji uygulandığında kullanışlı dönüştürücüler olabilir. Birinci grup
dönüştürücüler kendiliğinden üreten olarak bilinir. Bu dönüştürücüler ölçülen sinyalden başka bir
güç kaynağına gerek duymazlar; bu kategoriye iyi bir örnek foto-voltaik etkiye dayanan güneş
hücreleri ve Seebeck etkisine dayanan ısılçiftler dir.
İkinci grup dönüştürücüler ise modülasyonlu dönüştürücüler olarak adlandırılır. Böyle

dönüştürücülerde bir enerji kaynağı tarafından beslenen enerji akışı uyarıcı ile modüle edilir; bu
kategorinin örnekleri piezo-rezistif etkiye dayanan basınç hücreleri ve foto-elektrik etkiye dayanan
fotodedektörlerdir. Kendiliğinden üreten dönüştürücüler aktif dönüştürücüler ve modülasyonlu
dönüştürücüler ise pasif dönüştürücüler olarak bilinir. Bu terimler yanlış anlaşılmaya neden olabilir
çünkü elektronikte ekseriyetle pasif olarak anılan elemanlar aktif dönüştürücüler olarak çalışabilir
veya bunun tersi olabilir. Bundan dolayı bu terimlerin kullanılmasından olabildiğince
kaçınılacaktır.
Ölçme ve kontrol sistemlerinin iyi anlaşılabilir diyagramlarının yapılması için farklı

dönüştürücüleri ve modifiyerleri temsil eden sembollerin seçilmesi istenilir. Şekil 1.9a da
görüldüğü gibi kendiliğinden üreten bir dönüştürücü girişinde (s1 sinyali ve e1 enerjisi) ve çıkışında
(s2 sinyali ve e2 enerjisi) okları bulunan kareden oluşan grafik sembolü ile gösterilir. Enerji uyarıcı
tarafından beslenir ve transfer kayıplarından dolayı e2 enerjisi ve e1 enerjisinden daima küçüktür.
Kendiliğinden üreten bir dönüştürücü iki uçlu bir aygıttır.
s1 , e 1 s2, e 2 s1 s2, e2
e1
[s1, s2, 0] [s1, s2, s1]
(a) Girişte s1 sinyali ve e1 enerjisi ve çıkışta s2 (b) bir girişte s1 sinyali ve diğer girişte e1 enerjisi
sinyali ve e2 enerjisi ile kendiliğinden üreten ve çıkışta s2 sinyali ve e2 enerjisi ile
dönüştürücü modülasyonlu dönüştürücü
Şekil 1.9 Kendiliğinden üreten ve modülasyonlu dönüştürücülerin grafik sembolleri
Bir modülasyonlu dönüştürücü şekil 1.9b de gösterilmiş ve s1 sinyal girişinde bir ok, e1 enerji
girişinde bir ok ve çıkışta (s2 sinyali ve e2 enerjisi) bir oktan oluşan çapraz bölünmüş bir kareden
oluşur. Girişte enerjinin gösterilmemesi s1 sinyalinin bir enerji biçimi ile taşınmadığı anlamına
gelmez. Enerji transferi olmaksızın sinyal ve bilginin transferi yer almaz. Sadece esas enerji akışı
(e) harfleri ile gösterilmiştir. Yukarıdaki sembollerle ölçme ve kontrol sistemlerinin
diyagramlarının oluşturulması oldukça kolay olmaktadır. Şekil 1.10 da dijital elektronik
termometrenin olası iki türlü konstrüksiyonu gösterilmiştir.
Şekil 1.10a’da gösterilen termometrede kendiliğinden üreten sıcaklık algılayıcısı olarak bir ısılçift
ve çıkış dönüştürücüsü olarak bir LCD kullanılmaktadır. Modifiyer sıcaklık hakkında bilgi taşıyan
elektriksel giriş enerjisi tarafından modüle edilmiş esas elektriksel enerji akışının yapıldığı 3
terminalden oluşur. Şekil 1.10b de gösterilen başka bir dijital termometrede sıcaklığa duyarlı
transistör ve LED display kullanılmaktadır.
Şekil 1.11a ve 1.11b’de akış algılayıcı ile kontrol edilen vantilatör gösterilmiştir. Akışın yeterli
olmadığı bazı nedenlerden dolayı örneğin vantilatör’ün bir nesne tarafından kapatılması ile
vantilatör otomatik olarak kapatılır. Akış mekanik bir sinyaldir. Bir cisim elektriksel enerji
tarafından ısıtılıp bir hava akışına yerleştirildiği zaman bazı şartlar altında cismin farklı kısımları
arasında sıcaklık farkı oluşur ve bu sıcaklık farkı sıcaklığa duyarlı bir transistör çifti ile dedekte
edilebilir; elektrik sinyali modifiye edilir, örneğin yükseltilir ve böylece vantilatör’ün elektrik
akımı kontrol edilir. Bir aktüatör olan vantilatörde elektriksel enerji mekanik enerjiye dönüştürülür.
ısıl elektrik elektrik ışınım

(a)
elektrik ışınım
ısıl elektrik elektrik ışınım

(b)
elektrik elektrik
Şekil 1.10 (a) Isılçift ve LCD ve (b) sıcaklığa duyarlı transistör ve LED display kullanan dijital iki
elektronik termometrenin diyagramları
mekanik ısıl elektrik elektrik elektrik mekanik
ısıl elektrik elektrik elektrik
elektrik
ALGILAYICI MODİFİYER AKTÜATÖR
(a)
mekanik elektrik elektrik mekanik
(b)
Şekil 1.11 Akış kontrollu fan’ın (a) detaylı olarak, (b) üç bloklu sunuş diyagramları. Giriş
dönüştürücüsü bitişik dönüştürücü ve çıkış akıllı aktüatördür.
Şekil 1.11a da kontrol sistemi farklı elemanların oluşumu şeklinde gösterilmiştir. Geri besleme
döngüsünün akış sinyali ile yapıldığına dikkat etmek gerekir. Şekil 1.11b de sistem üç bloklu
sisteme indirgenmiştir. İlk kara kutunun bir bitişik dönüştürücüyü gösterdiği açıktır ve bu
dönüştürücüde mekanikten ısıla ve ısıldan elektriğe dönüşümler ardısıra oluşur. Elektronik anahtar
modifiyer ile veya çıkış dönüştürücüsü ile birleştirilebilir. Son durumda bir akıllı aktüatör elde
edilir.
1.2.5 GİRİŞ VE ÇIKIŞ DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİNİN 2 VE 3 BOYUTLU GÖSTERİLMESİ

Bir dönüştürücüde sinyal taşıyan enerjinin biçimi dönüştürülür. Önceki kısımlarda altı sinyal veya
enerji domeninin sınıflandırılmasının uygunluğu görülmüştü. Böylece bütün dönüştürücüler ve
dönüştürücü etkilerinin 6×6’lık bir matrisle gösterilmesi mümkündür.
Şekil 1.12’de görülen böyle bir matriste aygıtlar dönüştürücü olarak fonksiyonda bulunurlar.
Dönüştürücünün girişindeki sinyalin biçimi dikey sütunlarla ve çıkış sinyal biçimleri de yatay
satırlarda gösterilmiştir. Çapraz olarak karşılık gelen kutular modifiyerleri göstermekte olup tanıma
göre giriş ve çıkış sinyalleri aynı biçimdedir, örneğin ışınımdan ışınıma enerji dönüşümü optik
filtre ile yapılmaktadır, vb. Aynı matris dönüştürücülerde kullanılan fiziksel ve kimyasal etkiler
için de yapılabilir.
giriş↓ çıkış→ ışınım mekanik ısıl elektrik manyetik kimyasal
ışınım Optik filtre Golay hücre Solar metre Güneş Foto grafik
Dedektörü hücresi işlem
mekanik Çakmak taşı Dişli kutusu Elektrik
jeneratörü
ısıl Sıcaklığa Bimetal Isı Değişimi Isılçift
duyarlı LCD
elektrik LED Hoparlör Soğutucu MOSFET sargı Batarya
eleman
manyetik Manyeto Manyetik Adiabatik Hall levhası Manyetik
optik debriyaj Anti devre
modülatör manyetizer
kimyasal kandil Patlarlı motor Gaz sobası pH ölçüm Kimyasal
hücresi işlem
Şekil 1.12 Sinyal ve enerji dönüşüm aygıtlarını gösteren 6×6 matris

giriş↓ çıkış→ ışınım mekanik ısıl elektrik manyetik kimyasal
ışınım
Foto Işınım basıncı Işınım ısısı Foto-iletken Foto- Foto-
luminesans manyetik kimyasal
mekanik
Foto elastik Korunumlu Sürtünme Piezo-elektrik Manyeto Basınçla
etki moment ısısı striktif indüklenen
patlama
ısıl
Akkor flaman Isıl genleşme Isı iletimi Seebeck Curie-Weiss Endo termik
etkisi kanunu reaksiyon
elektrik
İnject Piezo-elektrik Peltier etkisi pn jonksiyon Amper elektroliz
luminesans etkisi kanunu
manyetik
Faraday etkisi Manyeto Etting-hausen Hall etkisi Manyetik
sertlik Etkisi indüktans
kimyasal
Kimyasal Patlama Exo Termik Volta etkisi Kimyasal
lumin. reaksiyonu reaksiyon reaksiyon
Şekil 1.13 Sinyal ve enerji dönüşüm etkilerini gösteren 6×6 matris

Şekil 1.13 de çok sayıda etkiyi içeren bir matris görülmektedir. Bu etkilerin çoğu kendiliğinden
üreten dönüştürücülerin yapımına izin verir ve diğer etkiler ise modülasyonlu dönüştürücülere
öncülük eder.
Üçüncü bir boyutun dahil edilmesiyle algılayıcı küp’ü adı altında üç boyutlu diyagramın yapılması
mümkündür. Burada bütün fiziksel ve kimyasal etkiler kolaylıkla incelenebilir (şekil 1.14).
Yardımcı enerji kaynağına ihtiyaç duymadan çalışan kendiliğinden üreten dönüştürücülerin tamamı
giriş-çıkış düzleminin tabanına yerleştirilmiştir. Bu düzlemde 36 farklı sinyal dönüşümü ve 6 sinyal
modifikasyonunun yapımı mümkündür. Elektrik sinyali biçimine veya biçiminden dönüşümler için
kullanılan bu etkiler dikkate alındığında taban kendiliğinden üreten giriş dönüştürücülerinin beş
dönüşümünü ve kendiliğinden üreten çıkış dönüştürücülerinin beş dönüşümünü içerir.
Modülasyonlu aygıtlarda kullanılan etkileri göstermek için dikey eksen kullanılır. Manyeto-rezistif
etkiye dayalı bir manyetik alan algılayıcısı dikey eksende [manyetik], giriş ekseni boyunca
[elektrik], çıkış ekseni boyunca [elektrik] koordinatlı bir küp ile gösterilmiştir. Bir elektrik
enerjisinin akışı manyetik alan ile modüle edilir. Esas enerji akışı [elektrik] den [elektrik] ’e
doğrudur.
Algılayıcı küpünün tamamı modülasyon için 216 kutu ve bunların 36’sı modifiyerlere uygulanan
etkiler olup bunların da 6’sı elektriksel modifiyerlere uygulanabilir. Bir modifiyer sinyal biçiminin
dönüşümünün yer almadığı bir aygıt olarak tanımlanmıştı. Taban düzleminde pasif elektrik
devrelerinde oluşan etkiler elektrik modifiyerinde kullanılır. Aktif elektrik devrelerinde oluşan
etkiler [elektrik, elektrik, elektrik] koordinatlı kutu ile gösterilmiştir. Bu kutu hemen hemen
elektronik teknolojisi alanının tamamını temsil etmektedir. Elektronik ile ilgili dönüştürücü
alanının önemi vurgulanırken algılayıcı küpü yanlış kullanıldığında elektroniğin sadece 2 kutu ile
temsil edilip dönüştürücü alanının ise kalan 250 kutu ile temsil edildiği ifade edilebilir. Bununla
beraber dönüştürücü alanının hayati öneminin açıklanması için böyle sayısal oyun taktiklerine
eğilmenin gerekli olmadığına inanmak yeterli olacaktır.
MOD
kimy.
many.
elek.
ısıl
mek. Şekil 1.14 Algılayıcı küpü,

3 boyutlu dönüştürücü
ışın. etkileri diyagramı
. k. ısıl k. ny. imy.
O ışın me ele ma k
ışın. ÇIKIŞ
mek.
ısıl
elek.
many.
kimy.
Ş
Rİ
Gİ
Dönüştürücü veya etkilerin 3 boyutlu gösterimi daha karmaşık dönüştürücü alanını açıklığa
kavuşturur. Her bir dönüştürücü veya etki 3 isimli koordinatlar ile gösterilebilir ve bu
kristalografiden Miller indisi ile kristal eksenlerinin tanımının ödünç alınmasını önerir. Bir
modülasyonlu dönüştürücü giriş ekseni boyunca bileşeni olan bir vektör ile tanımlandığında
yardımcı enerji kaynağının biçimini, çıkış ekseni çıkış sinyali taşıyıcı enerji biçimini ve dikey mod
ekseni giriş modülasyonlu sinyal taşıyıcı enerji biçimini gösterir. [giriş, çıkış, mod] Miller indisi
modülasyonlu dönüştürücüler için ortaya çıkmıştır. Kendiliğinden üreten bir dönüştürücü [giriş,
çıkış, 0] ile temsil edilir ve burada [giriş] sinyal ve enerji girişini ve [çıkış] sinyal ve enerji çıkışını
gösterir. Üçüncü indis sıfırdır çünkü modülasyonlu giriş sinyali kullanılmamıştır. Tablo 1.4’de
Miller indisi notasyonunun birkaç örneği gösterilmiştir.
Algılayıcı küpünde ölçme ve kontrol sistemlerinin tamamı Miller indisi ile tanımlanabilir. Şekil 1.9
daki dijital termometre aşağıdaki şekillerde temsil edilebilir.
[ısıl, elektrik, 0] [elektrik, elektrik, elektrik] [ışınım, ışınım, ışınım]
ve
[elektrik, elektrik, ısıl] [elektrik, elektrik, elektrik] [ elektrik, ışınım, 0]
Değişik sınıftaki dönüştürücüler tablo 1.4 de görüldüğü gibi Miller indisi veya düzlemler ile
gösterilebilir. Bundan dolayı elektrik enerjisi çıkışlı bütün modülasyonlu giriş dönüştürücüleri ve
yardımcı elektriksel güç kaynakları [elektrik, elektrik, mod.] ile tanımlanabilir ve burada [mod.]
beş enerji biçiminden birini gösterir. Miller indisi ile çalışırken giriş sinyalini gösteren indis her
zaman aynı olmayabilir. Modülasyonlu dönüştürücü durumunda son indis kullanılırken
kendiliğinden üreten dönüştürücülerde ise ilk indis kullanılır. Yukarıda tanımlanan yaklaşım doğru
olmakla birlikte sinyal taşıyan enerji biçiminin (sinyalin kendisi değil) başlangıç noktası olması
gerekir.
Tablo 1.4 Miller indisi notasyonu ile dönüştürücüler

Güneş hücresi [ışınım, elektrik, 0]
Foto-iletken [elektrik, elektrik, ışınım]
Piezo-rezistör [elektrik, elektrik, mekanik]
Isılçift [ısıl, elektrik, 0]
Hall elemanı [elektrik, elektrik, manyetik]
Manyetorezistör [elektrik, elektrik, manyetik]
LED [elektrik, ışınım, 0]
LCD [ışınım, ışınım, elektrik]
1.2.6 MODİFİYERLERDE SİNYAL DÖNÜŞÜMÜ

Bir elektronik veya elektrik sinyali modifiyer veya sinyal işleyici içinde modifikasyona uğrar.
Modifiyer bir entegre devre veya bir kart üzerindeki değişik elektronik bileşenlerden oluşur. Bir
modifiyerde analog sinyal filtre edilir, geciktirilir, modüle edilir, dijital sinyale dönüştürülür, bir
referans sinyali ile karşılaştırılır, üzerinde hesaplamalar yapılır, f.m (frekans modülasyonu) veya
p.c.m. (pals kod modülasyonu) sinyaline, vb. dönüştürülür.
Pratikte istenilen tolerans, sıcaklık aralığı, doğrusallık, vb. ile çalışan bileşenler hemen hemen
istenilen bütün modifikasyonlar için bulunabilir ve yeni devre ve sistemlerin sayısı gittikçe
artmaktadır. Bununla beraber akıllı mikroelektronik bileşenler az sayıda uygulama alanlarında
frekans aralığı, gecikme zamanı, bozucu (disturb) duyarlılığı, çok yönlülük, değişkenlik (volatility),
çalışma sıcaklık aralığı veya fiyat/performans oranı ile ilgili istenilen fonksiyonu henüz tam olarak
gösterememektedir. Bu uygulamaların bazıları için modifiyerdeki sinyalin tekrar elektriksel
olmayan sinyal domenine dönüştürebilecek modifiyerlerin tasarımının yapılabilirliği gözükmüştür.
Aygıtın dışından bakıldığı zaman bu çift dönüşüm dedekte edilemez (şekil 1.15).
Dönüştürücü Dönüştürücü
Işınım Işınım Işınım

Mekanik Elektrik Mekanik Elektrik Mekanik
Isıl Isıl Isıl
Manyetik Elektrik Manyetik
Kimyasal Manyetik Kimyasal
Kimyasal
Giriş Modifiyer Çıkış
dönüştürücüsü dönüştürücüsü
Şekil 1.15 Ölçme ve kontrol sisteminin genel temsili. Modifiyerdeki sinyal taşıyıcı altı enerjiden
biri olabilir.
Bu yaklaşımlardan bazıları literatürde geçmekte olup ışınım sinyaline dayalı bir örnek burada
verilmiştir.
Işınım sinyal domeni modifiyerlerini temsil eden araştırma alanı entegre optik olarak adlandırılır.
Optik iletişim sistemlerindeki büyük ilgi aynı zamanda, lazerler, mercekler, prizmalar, ışık
anahtarları ve ızgaralar gibi mikro-optik bileşenlerin tüm çeşitlerine ilgi uyandırmıştır. Bir entegre
optik modifiyerde elektrik sinyali girişte bir optik sinyale dönüştürülür, örneğin şekil 1.16 daki
yarı-iletken lazer. Işık hüzmesi malzeme üzerindeki bir optik dalga kılavuzunda yayılır. Optik
sinyal çıkışta tekrar ışınım sinyal domeni etkilerinden biri ile dönüştürücü tarafından elektrik
sinyaline dönüştürülür. Modifiyerin tamamı bir kutu içerisine alındığında sinyalin iletimi ve
işlenmesinde ışınım sinyal domeninin kullanıldığını dışarıdan görmek mümkün değildir.
Halihazırda ve gelecekte eğilim lazerler, dalga-kılavuzları, anahtarlar ve foto-dedektörlerin aynı
yapı üzerinde birleştirilebileceği AlGaAs sistemi gibi malzemeleri bulmaktır (monolitik entegre
optiği). Bu alandaki uygulamaların öncelikle optik iletişim alanında olması ihtimali büyüktür. Bu
modifiyerlerin avantajı daha küçük bozucu (disturb) duyarlılığı ve modifiyerin giriş ve çıkışı
arasında elektriksel izolasyondur.
Elektrik
Elektrik
Modülatör Polarizer Dedektör

Prizma Şekil 1.16 Monolitik
entegre optiğine dayanan
modifiyer
Elektrik
Lazer
1.3 DÖNÜŞTÜRÜCÜ TEKNOLOJİLERİ
1.3.1 GİRİŞ
Önceki kısımlarda tartışıldığı gibi mikroelektroniğin yeni pazara girişi yeterli ucuz
dönüştürücülerin azlığından dolayı ciddi olarak engellenmektedir. Yakın zamana kadar
endüstrideki araştırma ve geliştirme işlerinin çoğu elektronik modifiyer üzerinde yoğunlaştırılmış
olup bugün gelişen silikon düzlem teknolojisi ile çok sayıda çok akıllı büyük skalalı entegre (LSI
ve VLSI) bileşenlere hizmet sunulmuştur. Bu bileşenlerin etkileyici yüksek performans/fiyat oranı
ve mikroelektroniğin hemen hemen her ürüne bariz ek değer katmasından dolayı bütün dünya
üzerinde halihazırdaki girişimler yenilikçi ürünlere ve servislere mikroelektroniğin uygun bir
şekilde uygulanması üzerinde yapılmaktadır. Bununla beraber bu girişimler karşılaştırılabilir
performans/fiyat oranları ile yeterli dönüştürücünün mevcut olmadığından dolayı ani bir başarıya
öncülük etmemiştir.
Dönüştürücülerin zaten kolayca kullanılmakta ve ucuz olduğu pazarlarda mikroelektronik geniş bir
skalada ortaya çıkmaktadır. Bir hesap makinası veya kelime işlemcinin butonları, bir saatin quartz
kristali, bir hırsız alarmının ışık algılayıcısı veya bilgisayarın faresi gerçekte düşük fiyatlı giriş
dönüştürücüleridir. Sıvı kristal display, TV monitörü ve ışık yayan diyotlar ise ucuz çıkış
dönüştürücüleridir. Bununla birlikte elektronik göstergeli tartı, nem algılayıcı, yıkayıcı, fırın kapı
kilidi, bisiklet dinamosu ve bunun gibi ürünler uygun bir fiyatla pazarda değildir ve bunun nedeni
ise bu ürünler için uygun algılayıcıların henüz olmamasıdır.
Uzun yıllar boyunca dönüştürücüler üzerinde çalışmalar çok sayıda küçük özel endüstrilerde ve
büyük çok uluslu şirketlerin Ar-Ge (R&D) laboratuvarlarında icra edilmiştir. Bu ölçme prensipleri
ve aygıtların uçsuz bucaksız sayısına öncülük etmiştir. Bu alanı tanımlayan kitaplar ansiklopedi
boyutuna ulaşmıştır. Bütün bu çalışmalara rağmen daha iyi düşük maliyetli algılayıcılara büyük
ihtiyaç vardır. Mikroelektroniğin ortaya çıkışının neden olduğu bu ihtiyaç konu üzerinde istekli ve
yenilenmiş bir ilgi meydana getirmiştir. Her yerde yeni malzemeler ve prensipler sürekli olarak
keşfedilmektedir. Teknolojiye göre bütün dönüştürücü alanı şekil 1.17 de görüldüğü gibi temsil
edilebilir.
Diyafram (zar)
Dönüştürücüler
Basınç Dönüştürücüleri
Katı-hal Piezo-elektrik quartz

dönüştürücüleri Basınç Dönüştürücüleri
Yarı-iletken
dönüştürücüler CdS
Basınç Dönüştürücüleri
Difüzyonlu
Silikon mikro Basınç Dönüştürücüleri
dönüştürücüler
Şekil 1.17 Algılayıcılar ve teknolojiler

Civalı termometreler, Bourdon basınç geyçleri, havalı kontrolörler, yer değişimi ölçümü için
doğrusal değişken fark transformotorları ve bunun gibi çoğu makroskobik ilkelerin bütün çeşitleri
ile beraber bütün çalışma alanı katı-hal dönüştürücülerin önemli grubunu da içermektedir.
Bu dönüştürücülerin çalışması katı-halde oluşan fenomene dayanmaktadır. Katı-hal dönüştürücüler

grubu piezo-elektrik quartz basınç dönüştürücüsü, platin dirençli termometreler, LiCl nem
algılayıcıları, vb. ile yarı-iletken dönüştürücülerin ilginç alt gruplarını içermektedir. Bu
dönüştürücülerin fonksiyonu yarı-iletken malzemelerde yük taşıyıcıların yasak enerji aralığı ve
dolu valens bandı olayı ile ilişkilidir. Son olarak yarı-iletken dönüştürücü grubu In/Sb Hall
levhalarına ek olarak CdS foto-dedektörler, GaAs basınç algılayıcıları ve çok sayıda önemli silikon
algılayıcılarının grubunu içermektedir.
Bu elemanların çalışması silikonun yarı-iletken özelliğine dayanır. Silikonun dönüştürücüler için

konstrüksiyon malzemesi olarak kullanımı silikonun düzlem işleme teknolojisinin kullanımı ve
silikonun mükemmel mekanik özellikleri (silikonun kendi başına yarı-iletken özellikleri ile değil)
ile yapılabilir. Mevcut problem yeni enstrümanların konstrüksiyonu için yeterli uygun
dönüştürücünün olmamasıdır. İlk yaklaşım olarak mevcut dönüştürücülerin karakteristiklerinin
sinyal işleme devreleri eklenerek geliştirilmesinden söz edilmelidir. Bugün ideal olmayan
karakteristikler yeniden üretildiği sürece doğrusal olmayan bir bağımlılık veya bir offsetin
düzeltilmesi bir mikroişlemcinin programlanması ile zor değildir. Sıcaklık duyarlılığı da kolaylıkla
düzeltilebilir. Dönüştürücü ve entegre devre sık olarak bir melez paket içinde yapılır. Dönüştürücü
ve entegre devrenin her ikisinin beraber seri imalatı yapıldığında akabinde maliyet düşer ve her iki
bileşenlerin kombinasyonu daha yüksek kaliteli dönüştürücüler ile sonuçlandığından melez paket
övgüye değer bir yaklaşım olmaktadır. Bununla beraber bahsedilen çözüm mümkün olmadığında
yeni malzemeler veya iyi bilinen etkilerin yenilikçi kullanımı uygundur. Aşağıdaki kısımlarda
halihazırda ilgi kaynağı silikon olmayan teknolojilerden bahsedilmektedir.
1.3.2 SİLİKON DIŞI GENEL TEKNOLOJİLER

Uzun yıllar boyunca bazı teknolojiler katı-hal dönüştürücülerin fabrikasyonunda kullanılmaya
çalışıldı. Bu teknolojilerden bazıları yeni olup şimdi bu malzemelerin işlenmesi için yeterli
seviyeye çıkarılmışken diğer teknolojiler çok eski ve mevcut duruma ulaşmak için sürekli olarak
geliştirilmektedir. Bunlardan en önemlileri aşağıdaki gibidir
Piezo-elektrik malzemeler
Malzemelerin belirli sınıfları piezo-elektrik etki gösterir: mekanik gerginlik bir elektrik
polarizasyonu üretir. Ek olarak bu malzemelerde elektrik polarizasyonun bir gerginlik üretmesi
veya boyut değişimi gibi ters etkisi de vardır. Dönüştürücülerin yapımı için çok uygun olan
malzemelerde mekanik domen elektriksel domene çevrilir fakat burada diğer sinyaller de dedekte
edilebilir.
Quartz en sık kullanılan piezo-elektrik malzemedir fakat bazı piezo-elektrik seramikler de sık
olarak kullanılır. LiNbO3 geçen 20 yıl içinde çeşitli uygulamalarda oldukça popüler olmuştur.
Artan kullanım bir piezo-elektrik polimer olan polivinilidenefloride (PVF2) den yapılmaktadır. Sık
olarak piezo-elektrik dönüştürücülerin avantajlarından biri uyarıcının büyük bir doğrulukla
ölçülebilen frekansa dönüştürülmesidir. Bazı quartz plakalarının rezonans frekansının sıcaklığın bir
fonksiyonu olmasından dolayı quartz termometreler yapılabilir.
Piezoelektrik etkinin kullanılabileceği diğer bir aygıt yüzey akustik dalga yayılımına
dayanmaktadır: gerginlik veya sıcaklıktan dolayı yol uzunluğu değişerek büyük bir doğrulukla
dedekte edilebilecek faz değişimlerine neden olur.
Bazı birleşik kristaller sıcaklık değiştiğinde bir polarizasyon oluşturan piro-elektrik özelliği
sergiler. Sıcaklığın ölçümü için çok duyarlı dönüştürücüler bu malzemeler ile yapılabilir.
Polimerler
Bazı polimerlerin iletkenliği, geçirgenliği veya kütlesi belirli gaz atmosferlerine konulduklarında az
miktarda değişir. Elektrik özellikler sandviç kapasitörler yapılarak veya interdijital elektrotlu
paternler polimerle kaplanarak ölçülebilir. Bu malzemeler ile CO, CO2, CH4 ve nem duyarlılığı
sergilenmiş ve polimerlerin elektriksel özellikleri üzerinde dikkatli çalışma sonucu atmosferik
kirletici dedeksiyonu ve nem ölçümünde kullanılabileceği beklenmektedir.
Metal oksitler
Gaza duyarlı metaloksitler alanında çok çalışmalar ilerleme kaydetmiştir. Şimdilik mekanizmalar
çok iyi anlaşılamamakla birlikte yine de pazarda belirli şartlar altında güvenilir algılayıcıların
fabrikasyonunda kullanılabilen bazı malzemeler vardır. SnO, ZrO2, WO3 ve ZnO gibi malzemeler
katalizörlü veya katalizörsüz H2, H2O, O2, CO ve CH4 ’e karşı duyarlıdırlar. Metal oksitlerin
teknolojisi ve anlayış geliştikçe düşük maliyetli kullanışlı gaz algılayıcılarının yeni bir sınıfının
elde edilmesi mümkün olabilir.
III-V ve II-VI yarı -iletkenler
GaAs, GaP, AlSb, InSb, InAs, CdS, CdSe, ZnO, ZnSe gibi malzemeler yarı-iletkendirler. Çoğu
durumlarda bir dönüştürücünün fabrikasyonu için bir yarı-iletken gerektiğinde teknolojisinin iyi
bilinmesi ve seri imalata elverişliliğinden dolayı silikon kullanılır. Bununla birlikte bazen silikon
uygun bir fiziksel etkiye sahip değildir. Bu yüzden doğru bir bant aralığı veya piezo-elektrik yarı-
iletken gerektiğinde silikon yerine GaAs kullanılır. Yüksek mobiliteli bir malzeme gerektiğinde
InSb silikondan çok daha iyi bir seçimdir. Daha geniş bant aralığı istenildiğinde CdS’nin kullanımı
silikon yerine tercih edilir. Çok ilginç aygıtların üretimi için Si yapılar üzerine biriktirme suretiyle
III-V ve II-VI yarı-iletkenlerinin konulması mümkündür.
Kalın ve ince film malzemeler
Rezistif, piezo-elektrik, yarı iletken veya manyetik malzemelerin uygun gövdeler üzerine ince
tabaka biriktirmenin bazı teknikleri vardır. Bu tabakalar sıklıkla yekpare silikon gibi aynı etkiyi
gösterir ve melez paketler içinde elektronik devreler ile kolaylıkla birleştirilebilme avantajına
sahiptir. Hemen hemen bütün sinyal domenleri için iyi fonksiyonda bulunan dönüştürücüler
yapılmıştır. İnce film NiCr strengeyçler, platin sıcaklık algılayıcıları, kapasitif aluminyum yer
değişim algılayıcıları, ince film termistörler, ince Ni-Fe film manyetik kayıt kafaları, kalın film pH
algılayıcıları, ince film ısılçiftler, vb. literatürde rapor edilmiştir. İnce ve kalın film malzemeler
sıklıkla pahalı işleme enstrümanları gerektirmediğinden bu teknikler çoğunlukla sadece az sayıda
seri imalat dönüştürücülerin fabrikasyonu gerektiğinde kullanışlıdır.
Optik cam fiberler
Optik cam fiberler optik iletişim sistemlerinde kullanımı ile bağlantılı olarak icat edilmiştir.
Fiberler ile iletim bazı bozucu etkilerden etkilenme gösterdiğinden akabinde araştırmalar bu etkiyi
göstermeyen malzemeler ve yapılar üzerinde odaklanmıştır. Bu araştırmaların birinde dönüştürücü
alanında çalışan bilim adamları cam fiberlerin çok duyarlı ve kullanışlı dönüştürücülerin yapımında
da kullanılabileceğini göstermiştir. Sıcaklık değişimleri ve mekanik bozucu etkiler kolaylıkla
dedekte edilebilen polarizasyona ve faz değişimlerine neden olur. Örneğin dış kaplama maddesinin
optik özellikleri fiberin iletim özelliklerini etkilediğinden kimyasal algılayıcılar yapılabilir.
1.3.3 SİLİKON
Silikon düzlem teknolojisinde son otuz yıldaki ilerlemeler en cüretkar tahminleri aşmıştır. Şimdiki
sonuç çok sayıda şaşırtıcı derecede iyi performans/fiyat oranlı çok akıllı VLSI bileşenler hizmete
sunulmuştur. Daha önceden bahsedildiği gibi dönüştürücü alanındaki gelişim daha az dramatikti
böylece çoğu yeni uygulama alanlarında mikroelektroniğin mevcut takdimi iyi performans/fiyat
oranlı dönüştürücülerin azlığı ile engellenmektedir. Bu yüzden silikon düzlem teknolojisinin
örneğin basınç, sıcaklık, akış, vb. ne duyarlı dönüştürücü alanına uygulanması makul olarak
karşılanmıştır. Silikonun kullanımı dönüştürücü alanına sadece oldukça gelişmiş ve entegre
devrelerin akıllı seri imalat metotlarının uygulanması mümkün olmayıp aynı zamanda tek bir çip
üzerinde algılayıcı ve entegre devrelerin birleştirilmesini de mümkün hale getirmiştir. Böyle
algılayıcılar bazen akıllı algılayıcılar olarak adlandırılır. Muhtemelen GaAs dışında teknolojilerin
hiçbirinde algılayıcı ve aktif devrelerin entegrasyonu mümkün değildir. Bu yakın gelecekte ana
malzeme olarak silikonu en güçlü aday olarak ortaya çıkarmaktadır.
Silikon dönüştürücüler üzerinde çalışmalar yıllar önce başlamıştır. 1960 dan beri silikon ışığın
dedeksiyonu için kullanılmış ve bu aygıtlar hakkında literatürde geniş çalışmalar bulunmaktadır.
İlk çalışmalarda silikon sıcaklık, basınç ve manyetik alan ölçümünde de kullanılmıştır. Bugün çoğu
araştırma grupları bu alandaki çalışmalarında sürekli ilerlemeler kaydetmektedirler. Eğer silikon bir
dönüştürücü malzemesi olarak kullanılacaksa bu sinyal biçiminin dönüştürülmesi için silikonda
hangi fiziksel etkinin oluşacağının bilinmesi önemlidir.
Silikonda çok fiziksel etkiler oluşur fakat tahmin edilebilir olarak silikon elementi birleştirilmiş
diğer katı-hal malzemeleri gibi bütün etkilerin aynı çeşitliliğini göstermez. Bununla birlikte
silikondaki etkiler çalışmasında etkilerin oldukça çok yönlü olduğu bulunmuştur. Silikonda
gözüken en önemli etkiler tablo 1.5 de sunulmuştur.
Tablo 1.5 Silikondaki fiziksel ve kimyasal etkiler

Sinyal domeni Kendiliğinden-üretme etkisi Modülasyon etkisi
Foto-iletkenlik
Işınım Foto-voltaik etkisi Foto-elektrik etkisi
Piezo-rezistivite
Mekanik Akusto-elektrik etkisi Yanal foto-voltaik etkisi
Yanal foto-elektrik etkisi
Seebeck etkisi
Isıl Isıl-direnç etkisi
Nernst etkisi
Hall etkisi
Manyetik Manyeto-rezistans etkisi
Suhl etkisi
Kimyasal Galvano etkisi Elektrolitik iletim etkisi
Etkiler kendiliğinden üreten ve modülasyonlu dönüştürücüler olarak ayrılır. İlk bakışta bu tabloda
bazı etkilerin uygun olarak yerleştirilmediğine inanılabilir. Örneğin Nernst etkisi kendiliğinden
üreten dönüştürücü kutusuna yerleştirilmekte olup ısıl sinyali elektrik enerjisine dönüştürmektedir.
Bu dönüştürücüsün indisleri [ısıl, elektrik, manyetik] tir. Esas enerji akışı [ısıl] dan [elektrik]’e
doğru ve uyarıcı ise ısıl gradyandır. Giriş enerjisi aynı zamanda giriş sinyalini taşıdığından
dönüştürücü kendiliğinden üreten tip olmaktadır. Manyetik alan dönüşümü sağlamak için gereklidir
fakat genelde bir giriş sinyali değildir. Bununla beraber bazı nedenlerden dolayı Nernst etkisinin
yenilikçi bir uygulamasında yani bu etki ile manyetik alanın ölçümünde dönüştürücü bir
modülasyonlu dönüştürücü olarak görülmelidir. Uyarıcı ısıl enerjiden elektrik enerjisine dönüşümü
modüle eder.
Silikon çok sayıda kullanışlı etkiler sergiler fakat tablo 1.5 den silikonun mekanik veya manyetik
sinyal domenlerinden sinyallerin dönüşümü için kendiliğinden üreten bir dönüştürücü gerektiğinde
kullanılamayacağı görülmektedir. Simetrik kafes yapısından dolayı silikon piezo-elektrik malzeme
değildir. Bu dezavantajın önüne geçmek için bazen standart silikon düzlem işleme teknikleri ile
uyumlu silikon gövde üzerine ilgili tabakaların biriktirilmesi mümkündür. Örneğin bir ZnO piezo-
elektrik filmi piezo-elektrik dönüştürücünün yapımı için konulabilir. Manyetik sinyal domeninde
benzer bir çözüm mümkündür.
Hatta silikon istenilen etkiyi gösterse bile frekans aralığı, ışık spektrumu ve duyarlılık uygun
değilse biriktirme tabakalarının konulması bir çözüm olacaktır. İlerleyen bölümlerde manyetik
kayıt kafalarındaki manyetik tabakalar, gaz algılayıcılarındaki polimer tabakalar ve sıcaklık
algılayıcılarındaki Ni-Cr filmleri ile ilgili teknolojilerden de bahsedilmektedir.
1.4 ÖLÇME VE KONTROL SİSTEMLERİNİN GELECEĞİ
Mikroelektronik bileşenlerin performans/fiyat oranındaki köklü gelişim bilgi işleme sistemlerinde

büyük rol oynayan bilgi grubuna büyük teşvik vermektedir. Bilindiği gibi bu sistemler daima üç
üniteden oluşmaktadır: giriş dönüştürücüsü, sinyal işleyici ve çıkış dönüştürücüsü. Bir bilgi işleme
sisteminin bu analizine dayalı olarak endüstriyel ürünlerin üç grubunun mikroelektronik ürünler
içinde ayırt edilebilmesi mümkündür.
1.4.1 GELENEKSEL ÜRÜNLER

İlk grup uzun yıllar boyunca kullanılan elektronik bileşenleri içine almaktadır. Vakum tüpleri ana
aktif elektronik bileşenler iken elektronik radyo alıcıları, ses cihazları, tv’ler, ölçme aygıtları ve
elektronik bilgisayarlara uygulanmıştır. Geçmişte vakum tüpleri ve pasif bileşenler kademeli olarak
bu ürünlerde ilk önce transistörler ve daha sonra küçük skala, orta skala, büyük skala ve son olarak
çok büyük skala entegre devreler olarak yerlerini almıştır. Bugün bu ürünlerde vakum tüplerinin
kullanılması enerji tüketimi, üretim için gereken insan gücü ve güvenilirliğinin yetersiz olduğundan
dolayı imkansız hale gelmiştir. Uzun yıllar önce vakum tüplerinin bu ürünlerde kullanılmasının
nedeni bu bilgi işleme sistemlerinde uygun dönüştürücülerin çoktan mevcut olmasıydı. Anten,
fonoğraf pikapları, basmalı butonlar, potansiyometreler, elektrik anahtarları, delikli kart
okuyucuları, manyetik kayıt kafaları ve bunun gibi giriş dönüştürücülerinde uygulanması için
aygıtlar zaten bulunmaktaydı. Çıkış dönüştürücüleri ise hoparlörler, resim tüpleri, elektromekanik
okuma üniteleri, karta delik açıcılar, vb. dir. Son yıllarda görüldüğü gibi giriş ve çıkış
dönüştürücüleri sürekli gelişim altına girmiş fakat bugün çoğu sistemlerde önemli bir maliyet
faktörünü temsil etmektedir. Daha da ötesi sistemin güvenilirliği mikroelektronik bileşenlerden
daha çok dönüştürücüler ile belirlenmektedir.
Mevcut pazarda çoğu şirketler ve çoğu ülkeler güçlü bir rekabet içinde ve şiddetli bir pazar
doyumu bulunmaktadır. Bu pazarda sağ kalmanın tek yolu aynı fiyata yeni fonksiyonların
eklenmesi veya işçilik maliyetinin düşük olduğu ülkelere üretimin kaydırılarak fiyat/performans
oranının etkili bir biçimde geliştirilmesidir.
1.4.2 MEVCUT YENİLİKÇİ PAZARLAR

Bilgi işlem sisteminin ikinci grubu yenilikçi bir yolla birinci gruptaki ürünler için geliştirilmiş
kavramlar ve bileşenleri kullanır. Bu ürünler birkaç on yıl önce ya mevcut değildi veya bunlar
mevcut olduğunda elektronik bileşenler kullanılmamıştı. Bu ürünlere örnekler saatler, alarmlar,
hesap makinaları, oyuncaklar, orglar, oyunlar, ev bilgisayarları, kelime işlemciler, kasiyer
makinaları, telefon santralleri, kameralar, veri terminalleri, işitme cihazları ve video
kaydedicilerdir. Bu ürünlerin çoğu için birinci grup dönüştürücüler (basmalı butonlar, hoparlörler
ve resim tüpleri) kullanılabilir. Yeni tasarımlanmış entegre devreler ile yenilikçi bir yolla bu
dönüştürücüler birleştirildiğinde yeni ürünler geliştirilmiştir. İkinci grubun diğer ürünleri için yeni
dönüştürücülerin geliştirilmesi gerekiyordu; gelişim başarılı olduğunda yeni ürünler geliştirildi.
Bundan dolayı quartz rezonatörler ve LCD displayler elektronik saatler, oyuncaklar ve hesap
makinalarının gelişimine izin vermiştir.
Gelecek iyi tasarımlanmış dönüştürücüleri ve özel tasarımlanmış devreleri kullanan bu yenilikçi

ürünlerin çoğunu ortaya çıkaracaktır. Bu pazarların çoğu gelecekte potansiyel büyümeye sahip
olmasına rağmen saatler, hesap makinaları ve orglar şimdiden doyma işareti göstermeye
başlamıştır. Bu yüzden ikinci grup pazarlar endişeden uzak değildir. Rekabet şiddetli olacak ve her
şeye rağmen çoğu şirketler mevcut dönüştürücülerin yapımı ve yeni tasarımlanmış devreler ile bu
pazarlarda çalışmalarını sürdürebileceklerdir.
Üçüncü grup olan gelecek yenilikçi ürünler şimdiden görülebilir, bunlar için gerekli merkezi sinyal
işleme biriminin tasarımında bir problem ortaya çıkmayabilir fakat bunun için uygun
dönüştürücüler henüz mevcut değil veya yavaş yavaş mevcut olmaktadır. Biraz hayal gücü ile
halihazırda mevcut olmayan yüzlerce ürün sayılabilir. Her durumda elektronik devreler ile
karşılaştırılabilir performans/fiyat oranlı bir dönüştürücü yoktur. Bu üçüncü grup CO dedektörleri,
duman alarmları, gaz alevi regülatörleri, yiyecek kalitesi test edicileri, elektronik kilitler, gaz
karışım regülatörleri ve ışınım gözleyiciler gibi ürünlerdir.
Mikro elektronik aygıtlar bilgi işleme sistemleri için kullanılır. Bilginin kontrol veya display
amaçlı gerekli olduğu her yerde bilgi işleme sistemleri uygulanabilir. İklim, politik durum, borsa,
işlem sıcaklığı, vb. hakkında bilgi elde etmeye alışkanlığımız vardır ve aynı zamanda bilginin
gerekli olduğu duruma da ihtiyaç duyarız fakat dönüştürücülerin eksikliğinden dolayı bu bilgiler
elde edilememektedir. Bu dönüştürücü eksikliği şuur altında gerçekten ihtiyacı hissedilen bilgiye
karşı bizi çok daha az duyarlı hale getirir. Örneğin tüketmekte olduğumuz yiyecek hakkında daha
fazla bilgi almak isteyelim. Uygun fiyatlı ekşimiş veya kesilmiş süt veya bozuk et dedektörü çoğu
tüketiciler tarafından kesinlikle alınacaktır. Bir merkezi ısıtma sisteminde gaz, ısı ve elektrik
tüketiminin ölçümünü yapan düşük fiyatlı bir aygıt hala mevcut değildir. Kafeterya, telefon
kabinleri, garajlar, tasnif edilmiş alanlar, vb. gibi farklı yerlerdeki eşyalar ve kişilerin tanımlama
sistemleri büyük skalalı kullanım için hala çok pahalı olmaktadır. Çok sayıda uygulama alanına
göre bu listenin artırılması ise çok zor değildir.
Birinci ve ikinci ürün pazarlarının çoktan gözüken ve beklenen doyumu görüş açısından gerçekte
gelecek yenilikçi ürün grubu elektronik endüstrisi için büyüyen ana alandır. Bu yüzden elektronik
endüstrisi için yeni algılayıcıların geliştirilmesi hayati önem taşımaktadır. Yani gelecek ürünler için
yeni algılayıcılar, displayler, aktüatörler geliştirilmelidir.
Gelecekte yeni ticari yaklaşımlar beklenebilir. Büyük elektronik endüstrileri entegre devreler,
hafızalar ve mikroişlemciler gibi ana ürünlerinde yeterli ciroyu garantilemek için düşük fiyatlı
toptan pazarlar için dönüştürücüler üzerinde yoğunlaşacaklardır. Silikon algılayıcılar ve
arabirimleri burada elektronik endüstrisinin silikon düzlem teknolojisi ile aşinalığından dolayı
önemli rol oynayacaktır.
Uzman enstrüman endüstrileri kendi kullanımları için özel yüksek kaliteli yüksek fiyatlı
dönüştürücüler üzerinde odaklanacaktır. Ek olarak çok sayıda şirket ürün olarak dönüştürücüler
üzerinde yoğunlaşacaklardır. Mevcut şirketler yeni teknolojileri kullanmaya başlayacak ve silikonu
da kullanacaklardır. Tescilli veya patentli dönüştürücülere olan talep yeterli olduğunda özel isteğe
bağlı dönüştürücü endüstrisi pazarda gözükebilir. Özet olarak bilgiye olan ihtiyacın artmasından
dolayı algılayıcı endüstrisi zor fakat denemeye değer bir gelecek ile yüz yüzedir.
2 ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERDE VERİ KAZANIMI
Giriş bölümünde algılayıcı ve dönüştürücülerin detaylı tanımlamaları yapılmış olup bu bölümde bu

elemanların sinyalleri ve bir sistemde bulundukları yerleri bakış açısından nasıl veri kazanımı
sağladıkları ele alınacak, sınıflandırılmaları incelenecek ve algılayıcı seçiminin nasıl yapıldığının
her algılayıcıya göre detayı ilgili bölümlere bırakılıp kısaca genel düşünüş tarzı verilecektir.
2.1 ALGILAYICILAR, SİNYALLER VE SİSTEMLER
Bir algılayıcı sıklıkla bir sinyale veya uyarıcıya tepki veren ve sinyali alan bir aygıt olarak
tanımlanmıştı. Bu tanım çok geniş ve gerçekte o kadar geniştir ki insan gözünden bir tabancanın
tetiğine kadar hemen hemen her şeyi içine alır. Şekil 2.1’de görülen seviye kontrol sistemini
dikkate alalım. Operatör vanayı manipüle ederek depodaki akışkanın seviyesini kontrol eder.
Girişteki akış oranındaki değişimler ve sıcaklık değişimleri (bunlar akışkanın viskozitesini yani
akışkanlığını değiştirerek akabinde vanadaki akış oranını değiştirir) ve benzer bozucu etkiler
operatör tarafından kompanze edilmelidir. Kontrol olmaksızın depo ya taşacak ya da tamamen
boşalacaktır. Düzgün olarak çalışması için operatörün zaman tabanında depodaki suyun seviyesi
hakkında bilgi edinmesi gerekir. Bu örnekte bilgi iki ana parçadan oluşan algılayıcı ile algılanır; bu
parçalar depo üzerindeki seviye tüpü ve optik sinir ile elektrik tepkisi üreten operatörün gözüdür.
Seviye tüpünün kendisi bu kontrol sisteminde bir algılayıcı olmadığı gibi göz de bir algılayıcı
değildir. Sadece bu iki bileşenin bir kombinasyonu dar amaçlı bir algılayıcı (dedektör) oluşturup
sıvı seviyesine seçici olarak duyarlıdır. Eğer seviye tüpü uygunca tasarlanırsa seviyedeki
değişimleri çok çabuk yansıtacak ve böylece algılayıcının çok hızlı tepkiye sahip olduğu
söylenebilir. Eğer tüpün iç çapı verilen bir sıvının vizkositesi için çok küçük yapılırsa tüpün
seviyesi depo içindeki akışkanın seviyesinin gerisinde kalabilir. Bu durumda böyle bir algılayıcının
faz karakteristiği dikkate alınmalıdır. Bazı durumlarda geri kalma kabul edilebilirken diğer
durumlarda daha iyi bir seviye tüpünün tasarımı gerekir. Bundan dolayı algılayıcının performansı
sadece veri kazanç sisteminin bir parçası olarak değerlendirilmelidir.
Bu dünya doğal ve insan yapısı cisimler olarak ikiye ayrılabilir. Yaşayan organizmalarda
bulunduğu gibi doğal algılayıcılar ekseriyetle elektrokimyasal karaktere sahip sinyaller ile tepki
verir. Yani bunların fiziksel yapısı sinir liflerindeki gibi iyon iletimine dayanır (akışkan depo
operatöründeki optik sinir gibi). İnsan yapısı aygıtlarda bilgi elektronların iletimi şeklinde
elektriksel biçimde iletilir ve işlenir. Yapay sistemlerde kullanılan algılayıcıların ara birim
elemanları ile aynı dili konuşmaları gerekir. Bu dil doğası bakımından elektriksel ve insan yapısı
bir algılayıcı bilginin iyonlar yerine elektronların yer değişimi ile taşındığı sinyaller ile tepki
verebilecek özelliğe sahip olmalıdır. Bundan dolayı bir algılayıcının bir elektro kimyasal çözelti
veya sinir lifi yerine elektrik iletkenleri ile elektronik sisteme bağlantısı mümkün olmalıdır.
Bilginin fotonlar ile iletildiği ve taşındığı optik hesaplama ve iletişim alanı ilginç olmakla beraber
bu alan şimdilik bu kitabın amacı dışına taşmaktadır. Bu yüzden bu kitapta algılayıcıların daha dar
bir tanımı kullanılarak algılayıcı sinyal veya uyarıcıya elektrik sinyali ile tepki veren aygıt olarak
tanımlanabilir. Uyarıcı terimi bu kitapta çok kullanılmakta olup iyice anlaşılmalıdır. Uyarıcı
algılanan ve elektrik sinyaline dönüştürülen miktar, özellik veya durumdur. Bazı kitaplarda uyarıcı
kelimesi (stimulus) yerine ölçülen (measurand) terimi kullanılmakta olup aynı anlama sahip
olmakla beraber algılamanın miktarsal karakteristiğini vurgulamaktadır.
Şekil 2.1 Sıvı seviye kontrol sistemi. Bir seviye

tüpü ve operatörün gözü bir algılayıcı yani bilgiyi
elektrik sinyaline dönüştüren bir aygıt oluşturur.
Bir algılayıcının amacı girişindeki bir tür fiziksel özelliğe tepki vermek ve elektronik devreler ile
uyumlu bir elektrik sinyaline dönüştürmektir. Algılayıcı genelde elektriksel olmayan bir değerin
elektriksel değere dönüştürücüsü olarak söylenebilir. Bir sinyalin elektriksel olmasının anlamı
sinyalin kullanılabilmesi, yükseltilebilmesi ve elektronik aygıtlarla modifiye edilebilmesidir.
Algılayıcının çıkış sinyali gerilim, akım veya yük (şarj) biçimde olabilir. Bunlar daha ileri olarak
genlik, frekans ve faz terimleri ile de tanımlanabilir. Bu karakteristik seti çıkış sinyal formatı olarak
adlandırılır. Bu yüzden bir algılayıcı her çeşit giriş özelliklerine ve elektriksel çıkış özelliklerine
sahiptir.
Bir algılayıcı sadece kendisi ile fonksiyonda bulunmaz ve daima diğer dedektörler, sinyal
düzelticiler, sinyal işleyiciler, hafıza aygıtları, veri kaydediciler ve eyleyici veya aktüatörleri
içerebilen çok büyük sistemlerin bir parçasıdır. Aygıttaki algılayıcının yeri ya intrinsik (içsel) veya
extrinsiktir (dışsal). Algılayıcı dış etkileri algılamak için aygıtın girişine pozisyonlandırılabilir ve
dışarıdaki uyarıcının değişimleri hakkında sisteme sinyal verebilir. Algılayıcı aynı zamanda bir
aygıtın dahili bir parçası olarak uygun performansı sağlamak için aygıtın kendi durumunu da
gözleyebilir. Bir algılayıcı daima bir çeşit veri kazanç sisteminin bir parçasıdır. Sıklıkla böyle bir
sistem çok sayıda geri-bildirim mekanizmaları içeren çok büyük bir kontrol sisteminin bir parçası
olabilir. Uygun bir algılayıcıyı seçmek için bir sistem tasarımcısının şu soruyu cevaplamak için
ortaya atması gerekir: Sistemin tüm performansını azaltmaksızın uyarıcıyı algılamanın en basit
yolu nedir?
Giriş bölümünde detaylı açıklandığı gibi bütün algılayıcı elemanlar kendiliğinden üreten ve
modülasyonlu dönüştürücüler olarak iki çeşit olabilir. Kendiliğinden üreten algılayıcılar harici
uyarıcıya tepki olarak doğrudan bir elektrik sinyali üretir. Yani giriş uyarıcı enerjisi ek bir güç
kaynağına gerek duymadan algılayıcı tarafından çıkış enerjisine dönüştürülür. Bunlara örnek
ısılçift, piro-elektrik detektör ve piezo-elektrik algılayıcıdır. Modülasyonlu dönüştürücüler uyartım
sinyali olarak adlandırılan çalışmaları için harici güç gerektirir. Bu sinyal çıkış sinyali üretmek için
algılayıcı tarafından modifiye edilir. Modülasyonlu dönüştürücüler bazen parametrik olarak
adlandırılır. Çünkü kendi özellikleri harici etkiye tepki olarak değişir ve bu özellikler akabinde
elektrik sinyallerine dönüştürülebilir. Örneğin bir termistör sıcaklığa duyarlı bir dirençtir. Hiçbir
sinyal üretmez fakat içinden bir elektrik akımı yani uyartım sinyali geçirilerek direnci akım ve/veya
uçlarındaki gerilim değişimlerinin dedeksiyonu ile ölçülebilir. Bu değişimler (ohm olarak alınır)
doğrudan sıcaklık ile ilişkilidir.
Algılayıcı ve Dönüştürücülerde Veri Kazanımı 25
Büyük sistemlerde algılayıcıların yerinin gösterilmesi için şekil 2.2’de veri kazanç ve kontrol
aygıtlarının bir blok diyagramı görülmektedir. Bir cisim taşıt, uzay gemisi, hayvan veya insan, sıvı
veya gaz gibi her şey olabilir. Her malzemeden yapılan cisim bir ölçme tipinin bir konusu olabilir.
Veri bir cisimden belli sayıdaki algılayıcılar ile toplanır. Bunların bazısı (2, 3 ve 4) doğrudan cisme
yönlendirilir veya cismin içindedir. Algılayıcı 1 fiziksel temas olmaksızın cismi algılar ve bu
yüzden temassız algılayıcı olarak adlandırılır. Böyle bir algılayıcıya örnekler ışınım detektörü ve
bir tv kamerasıdır. Algılayıcı 5 farklı amaca hizmet eder yani veri kazanç sisteminin kendisinin
dahili durumunu gözler. Bazı algılayıcılar (1 ve 3) uygun olmayan çıkış sinyal formatlarından
dolayı standart elektronik devrelerine doğrudan bağlanamazlar ve ara birim aygıtlarının (sinyal
düzelticiler) kullanımını gerektirirler. Algılayıcı 1, 2, 3 ve 5 kendiliğinden üreten tip olarak
elektronik devrelerle enerji tüketimi olmaksızın elektrik sinyali üretirler. Algılayıcı 4 modülasyonlu
tip olarak uyartım devresi ile sağlanan bir operasyon sinyali gerektirir. Modülasyonlu algılayıcıya
örnek bir termistör olarak sıcaklığa duyarlı bir dirençtir. Uyartım devresi olan sabit bir akım
kaynağı ile çalışabilir. Sistemin karmaşıklığına bağlı olarak toplam algılayıcı sayısı bir gibi küçük
bir sayı ile (bir ev termostatı) birkaç bin arasında (bir uzay gemisi) değişebilir.
Algılayıcı
Şekil 2.2 Bir veri kazanç

sistemindeki algılayıcıların
pozisyonu. Algılayıcı 1
temassız, algılayıcı 2 ve 3
kendiliğinden üreten,
algılayıcı 4 modülasyonlu
ve algılayıcı 5 veri kazanç
Algılayıcı sisteminin dahili bir
elemanıdır.
Algılayıcılardan elektrik sinyalleri bir anahtar veya kapı olan bir çoğullayıcıya (MUX) verilir.
Fonksiyonu uygun bir zaman için algılayıcıları her zaman tek tek analog-dijital (A/D)
dönüştürücüye veya çoğullayıcıya ve A/D dönüştürücüye bağlamaktır. Aynı zamanda cisim
üzerinde aksiyonda bulunan aktüatöre kontrol sinyalleri de gönderebilir. Aktüatörlere örnek olarak
elektrik motoru, selenoid, röle, pnömatik valf verilebilir. Sistem bazı çevresel aygıtlar (örneğin,
veri kaydedici, display, alarm, vb.) ve blok diyagramda gösterilmemiş bazı bileşenler içerebilir.
Bunlar filtreler, örnekleme ve tutma devreleri, yükselticiler, vb. olabilir.
Böyle bir sistemin nasıl çalıştığını göstermek için basit bir taşıt kapısı gözleme düzenlemesini
dikkate alalım. Taşıttaki her kapıya kapının açık veya kapalı pozisyonunu dedekte eden bir
algılayıcı yerleştirilir. Çoğu taşıtlarda algılayıcı basit bir elektrik anahtarıdır. Bütün kapı
algılayıcılarının sinyalleri taşıtın dahili mikro işlemcisine gider (bütün kapı sinyalleri dijital
formatta olduğundan bir A/D dönüştürücüye ihtiyaç yoktur: 1 ve 0’lar). Mikro işlemci hangi
kapının açık olduğunu tanımlar ve çevresel aygıtlara (ön panel, display ve işitilebilen bir alarm) bir
indikasyon sinyali gönderir. Taşıt sürücüsü (aktüatör) mesajı alır ve cisme etki eder yani kapıyı
kapatır.
Daha karmaşık bir örnek anestetik buhar verme sistemidir. Bu sistem çok sayıda modülasyonlu ve
kendiliğinden üreten algılayıcıları içinde barındırır. Anestetik maddelerin (halothane (C2HBrClF3),
isoflurane, enflurane) buhar konsantrasyonu havalandırma tüpünün içine yerleştirilmiş bir piezo-
elektrik algılayıcı ile seçici olarak gözlenir. Anestetik buharların molekülleri algılayıcıdaki
osilasyonlu kristalin kütlesine eklenir ve buhar yoğunluğunun bir ölçüsü olarak doğal frekansını
değiştirir. Diğer bazı algılayıcılar nefes alma ve vermeyi ayırt etmek için CO2 konsantrasyonu
gözler ve ek değişkenlerin kompanzasyonu için sıcaklık ve basıncı gözler. Bütün bu veriler
çoğullayıcıdan geçirilir, sayısallaştırılır ve gerçek buhar konsantrasyonunu hesaplayan bir mikro
işlemciye verilir. Bir anestezi uzmanı verilmesi gereken seviyeyi ayarlar ve işlemci doğru
konsantrasyonda anestezi maddesini sürdürmek için aktüatörleri yani vanaları ayarlar.
İlerleyen bölümlerde algılama metotları, algılayıcı operasyonlarının fiziksel prensipleri, pratik

tasarımlar ve arabirim elektronik devleri üzerinde yoğunlaşılacaktır. Genelde algılayıcının giriş
sinyalleri (uyarıcı) hemen hemen algılanabilen her fiziksel veya kimyasal türe sahip olabilir.
Örneğin: ışık akısı, sıcaklık, basınç, vibrasyon, yer değişimi, pozisyon, hız, iyon konsantrasyonu,
vb. Algılayıcının tasarımı genel bir amaç için olabilir. Özel paketleme ve kılıflama algılayıcının
özel bir uygulamaya adaptasyonu için gerekmektedir. Örneğin, mikro makina tekniği ile yapılmış
bir piezo-rezistif basınç algılayıcısına bir kılcal boruda aortik kan basıncının invasiv (bir iğne ile
vücudun bir kısmına girilmesi) ölçümü için su geçirmez bir muhafaza geçirilebilir. Aynı
algılayıcıya osilometrik metot gibi invasiv olmayan kan basıncı ölçümü için farklı bir kılıf
yapılabilir. Bazı algılayıcılar giriş uyarıcısının belli bir aralığında özellikle çok seçici olarak
tasarımlanır ve istenilen sınırların dışındaki sinyallere ise oldukça bağışıklı olabilir. Örneğin bir
güvenlik sisteminin hareket detektörü insanların hareketine duyarlı ve kedi köpek gibi küçük
hayvanların hareketine tepkisiz olmalıdır.
2.2 ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİN SINIFLANDIRMASI
Algılayıcı sınıflandırma şemaları çok basit ile karmaşık arasında bir aralıkta bulunmaktadır. Bir
algılayıcıya bakmanın veya incelemenin iyi bir yolu ne ölçtüğü (uyarıcılar), özellikleri, hangi
fiziksel fenomene duyarlı olduğu, hangi dönüşüm mekanizmasının kullanıldığı, fabrikasyonunun
hangi malzemeden yapıldığı ve uygulama alanının ne olduğu gibi bütün özelliklerini dikkate
almaktır. Aşağıdaki altı tablo (tablo 1-6) böyle bir sınıflandırma şemasını çok geniş olarak temsil
etmektedir. Eğer bir yüzey akustik dalga osilatörlü ivme ölçer dikate alınırsa buna ait tablo girişleri
aşağıda gibi olabilir:
Uyarıcı İvme
Özellikleri İvmenin gram başına frekans kaymasına duyarlılık, birim zaman başına
Hz olarak kısa ve uzun dönem kararlılığı, vb.
Dedeksiyon vasıtası Mekaniksel
Dönüşüm fenomeni Elasto-elektrik
Malzeme İnorganik yalıtıcı
Kullanılma alanı Otomotiv, denizcilik, uzay ve bilimsel ölçümler
Tablo 2.1 Özellikler

Duyarlılık Histerezis Seçicilik
Kısa ve uzun dönem kararlılığı Çalışma ömrü Çevresel şartlar
Doğruluk Maliyet, boyut, ağırlık Doğrusallık
Tepki hızı Uyarıcı giriş aralığı Ölü bant
Aşırı yükleme karakteristikleri Çözünürlük Çıkış formatı
Tablo 2.2 Algılayıcı Malzemesi

İnorganik Yarı-iletken Organik Sıvı gaz veya plazma
İletken Biyolojik madde Yalıtkan Diğer
Tablo 2.3 Algılayıcılarda kullanılan dedeksiyon metotları
Biyolojik Elektrik, manyetik veya elektromanyetik dalga Mekanik yer değişimi veya dalga
Kimyasal Isı, sıcaklık Radyoaktivite
Tablo 2.4 Dönüşüm fenomeni
Fiziksel Kimyasal Biyolojik
Isıl-elastik Isıl-elektrik Kimyasal dönüşüm Biyokimyasal dönüşüm
Elektro-elastik Foto-elektrik Fiziksel dönüşüm Fiziksel dönüşüm
Isıl-manyetik Foto-manyetik Elektro kimyasal işlem Deney organizmasına etki
Isıl-optik Manyeto-elektrik Spektroskopi Diğer
Foto-elastik Elektromanyetik Diğer
Tablo 2.5 Uygulama alanı
Tarım Askeri Çevre Eğitim, oyuncaklar
İnşaat mühendisliği Bilimsel ölçümler Güvenlik Uzay
Dağıtım, ticari, finans Ulaşım Bilgi Konstrüksiyon
Enerji, güç Otomotiv İletişim Meteoroloji
Sağlık, tıp Ev aygıtları Denizcilik Diğer
Tablo 2.6 Uyarıcılar
Uyarıcı : Akustik Uyarıcı : Mekanik Uyarıcı : Elektrik Uyarıcı : Manyetik
Dalga genliği, fazı, Pozisyon (doğrusal, Yük, akım, potansiyel, Manyetik alan (genlik,
polarizasyonu açısal) gerilim faz, polarizasyon,
spektrum)
Spektrum İvme Elektrik alanı (genlik, Manyetik akı
faz, polarizasyon,
spektrum)
Dalga hızı Kuvvet İletkenlik Geçirgenlik
Diğer Stres, basınç Geçirgenlik Diğer
Uyarıcı : Optik Gerginlik Diğer Uyarıcı : Isıl
Dalga genliği, fazı, Kütle, yoğunluk Uyarıcı : Işınım Sıcaklık
polarizasyonu,
spektrumu
Dalga hızı Moment, tork Tip Akı
Kırılma indisi Akış hızı, kütle iletim Enerji Öz ısı
hızı
Yayıcılık, yansıtıcılık, Biçim, kabalık, yön Şiddet Isıl iletkenlik
soğurma
Diğer Katılık, uyum Diğer Diğer
Uyarıcı : Biyolojik Vizkozite
Biyokütle (tip, Kristallik, yapısal
konsantrasyon, durum) bütünlük
Diğer Diğer
2.3 ALGILAYICI SEÇİMİ
Bir tasarımcı veya mühendis belli bir değişkenin gözlenmesi gerektiğine karar verdiğinde bir
ikilem ile yüz yüze gelir; bu iş için en iyi algılayıcı nedir? Çalışan her algılayıcı basit bir kavrama
dayanır - bir algılayıcının fiziksel özelliği harici bir elektrik sinyali ile değiştirilmelidir. Oldukça
sık olarak aynı uyarıcı oldukça farklı fiziksel fenomen ve dolayısıyla farklı algılayıcılar ile
ölçülebilir. Bu yüzden özel bir uygulama için en iyi algılayıcının seçimi bir mühendislik tercih
problemidir. Seçim kriteri, mevcudiyet, maliyet, güç tüketimi, çevresel şartlar, vb. gibi çok faktöre
bağlıdır. En iyi seçim sadece bütün değişkenler dikkate alındıktan sonra yapılabilir. Bu bakımdan
X’i ölçmek için şu algılayıcının kullanılması gerekir? sorusu doğru bir soru olmayacaktır. Uygun
bir soru seçimi bir veya iki tercihe indirmek için geniş bir spektrum şartlarını içermelidir.
2.4 ÖLÇME BİRİMLERİ
Bu kitapta Ağırlık ve Ölçülerin 14. Genel Konferansı’nda (1971) oluşturulan taban birimleri
kullanılmaktadır. Taban ölçümü sistemi SI yani uluslararası birim sistemi olarak bilinir ve
Fransızca “Le Systéme International d’Unites” ile aynı anlama gelmektedir (tablo 2.7). Bütün diğer
fiziksel miktarlar bu taban birimlerinin türevleridir ve bunların bazıları tablo 2.9 listelenmiştir.
Tablo 2.7 SI temel birimleri

Miktar Ad Sembol Ne ile tanımlandığı ve tesis edildiği yıl
Uzunluk metre m Vakumda saniyenin 1/299792458’inde ışığın aldığı
yolun uzunluğu… (1983)
Kütle kilogram kg Platin-iridyum prototipinden sonra… (1889)
Zaman saniye s 133-Sezyum atomunun en düşük enerjisinde
(uyartılmamış olarak) iki hiperfine seviyesi arasındaki
geçişe karşılık gelen ışınımın 9192631770
periyodunun süresi… (1967)
Elektrik akımı amper A Vakum içinde aynı akımı taşıyan paralel iki iletkenin
birim uzunluğu başına etkiyen 2×10-7 newton’a eşit
kuvvet… (1946)
Termodinamik kelvin K Suyun (üçlü) triple noktasının termodinamik
sıcaklık sıcaklığının 1/273,16 fraksiyonu… (1967)
Madde miktarı mol mol Karbon 12’nin 0,012 kg’ındaki atomlar kadar şey
içeren madde miktarı… (1971)
Luminous şiddeti Kandela cd Birim m2 başına 101325 newton basınç altında
Platinin donma sıcaklığında siyah bir cismin 1/600000
m2 ’lik yüzeyine dik yöndeki ışık şiddeti… (1967)
Düzlem açısı radyan rad Ek birim
Katı açı steradyan sr Ek birim
Taban veya türetilmiş birimlerin doğrudan kullanımı sıklıkla uygun değildir - pratikte miktarlar çok
büyük veya küçük olabilir. Mühendislik çalışması ile uygunluk sağlaması bakımından genelde
birimlerin alt ve üst çarpanları kullanılır. Bunlar tablo 2.8’deki bir faktör ile birimin çarpılmasıyla
elde edilebilir. Söylenirken önce ilk hece söylenir. Örneğin 1 amper (A) daha küçük bir birim elde
etmek için 10-3 faktörü ile çarpılabilir: 1 miliamper (mA) bir amperin binde biridir.
Bazen diğer iki birim sistemi kullanılır. Bunlar Gauss Sistemi ve İngiliz sistemi olup Amerikada
bunun düzeltilmiş hali US geleneksel sistemi olarak adlandırılır. SI sıklıkla modern metrik sistemi
olarak adlandırılır. Amerika SI birim sisteminin yaygın olarak kullanılmadığı tek gelişmiş ülkedir.
Bununla beraber SSCB’nin dağılması ve dünyanın entegrasyonunun artması ile uluslararası
işbirlikler güçlü bir moment kazanmaktadır. Bundan dolayı Amerikanın yakın gelecekte SI birim
sistemine dönmesi kaçınılmaz olmaktadır. Bu kitapta genelde SI kullanılmakla beraber Amerikan
üreticilerinin imalatı olan algılayıcı özellikleri için US geleneksel sistem birimleri verilmiştir. Diğer
sistemlerden SI birim sistemine dönüşüm için tablo 2.10 kullanılabilir. Bir dönüşüm yapmak için
SI olmayan bir değer tabloda verilen bir sayı ile çarpılmalıdır. Örneğin 55 ft/s2 ivmesini SI
sistemine dönüştürmek için 0,3048 ile çarpılmalıdır:
55 ft/s2 × 0,3048 = 16,764 m/s2
Benzer şekilde 1,7 faradaylık elektrik yükünün dönüştürülmesi için 9,65×1019 ile çarpılmalıdır:
1,7 faraday × 9,65⋅1019 = 1,64⋅1020 C
Tablo 2.8 SI çarpanları

Faktör Önek Sembol Faktör Önek Sembol
1018 exa E 10-1 desi d
1015 peta P 10-2 santi c
1012 tera T 10-3 mili m
109 giga G 10-6 mikro μ
106 mega M 10-9 nano n
103 kilo k 10-12 piko p
102 hekto h 10-15 femto f
101 deka da 10-18 atto a
Tablo 2.9 Türetilmiş SI birimleri
Miktar Birim adı Temel birimler
ile
Alan metre kare m2
Hacim metre küp m3
Frekans hertz (Hz) s-1
Yoğunluk Metre küp başına kilogram kg/m3
Hız Saniye başına metre m/s
Açısal hız Saniye başına radyan rad/s
İvme Saniye kare başına metre m/s2
Açısal ivme Saniye kare başına radyan rad/s2
Hacimsel akış oranı Saniye başına metre küp m3/s
Kuvvet newton (N) kg⋅m/s2
Basınç Metre kare başına newton (N/m2) veya pascal (Pa) kg/m⋅s2
İş, enerji, ısı, tork joule (J), newton-metre (N/m) veya watt-second kg⋅m2/s2
(W⋅s)
Güç, ısı akısı watt (W), saniye başına joule (J/s) kg⋅m2/s3
Isı akı yoğunluğu Metre kare başına watt (W/m2) kg/s3
Öz ısı Kilogram derece başına joule (J/kg.deg) m2/s2⋅deg
Isıl iletkenlik Metre derece başına watt (W/m.deg) veya kg/s
(J⋅m/s⋅m2⋅deg)
Kütle akış oranı Saniye başına kilogram kg/s
(kütle akısı)
Kütle akı yoğunluğu Metre kare saniye başına kilogram kg/m2⋅s
Eletrik yükü Koulomb (C) A⋅s
Tablo 2.9 Türetilmiş SI birimleri (devamı)

Elektromotor kuvveti volt (V) veya (W/A) kg⋅m2/A⋅s3
Elektrik direnci ohm (Ω) veya (V/A) kg⋅m2/A2⋅s3
Elektrik iletkenliği volt-metre başına amper (A/V m) A2⋅s3/kgm3
Elektrik kapasitansı farad (F) veya (A⋅s/V) A3⋅s4/kg⋅m2
Manyetik akı weber (Wb) veya (V⋅s) kg⋅m2/A⋅s2
İndüktans henry (H) veya (V⋅s/A) kg⋅m2/A2⋅s2
Manyetik geçirgenlik Metre başına henry (H/m) kg⋅m/A2⋅s2
Manyetik akı tesla (T) veya metre kare başına weber (Wb/m2) kg/A⋅s2
yoğunluğu
Manyetik alan şiddeti Metre başına amper A/m
Manyetomotor kuvveti amper A
Luminous akı Lümen (lm) cd⋅sr
Luminance Metre kare başına kandela cd/m2
Illumination Metre kare başına lüks (lx) veya lümen (lm/m2) cd⋅sr/m2
Tablo 2.10 SI dönüşüm çarpanları
İvme : (m/s2)
ft/s2 0,3048 gal 0,01
Serbest düşme (g) 9,80665 in/s 2
0,0254
Açı : radyan (rad)

Derece 0,1745329 Saniye 4,848137⋅10-6
dakika 2,908882⋅10-4 grade 1,570796⋅10-2
Alan : (m2)
(acre) Dönüm 4046,873 hektar 1⋅104
Ar 100,00 mi2 (US yasası) 2,589998⋅106
ft2 9,2900304⋅102 yd2 0,8361274
Bükülme momenti veya tork : (N⋅m)

Din.cm 1⋅10-7 lbf.in 0,1129848
Kgf.m 9,806650 lbf.ft 1,355818
-3
Ozf.in 7,061552⋅10
Elektrik ve Manyetizma
ESU : elektrostatik cgs birimi; EMU : elektromanyetik cgs birimi
Amper saat 3600 Koulomb (C) İndüktans EMU 8,987⋅1011 henry (H)
Kapasitans EMU 109 farad (F) Direnç EMU 8,987⋅10-11 (Ω)
Akım EMU 10 amper (A) faraday 9,65⋅1019 Koulomb (C)

Elektrik potansiyel 10-8 volt (V) gama 10-9 tesla (T)
EMU
İndüktans EMU 10-9 henry (H) gauss 10-4 tesla (T)
Direnç EMU 10-9 ohm (Ω) gilbert 0,7957 amper (A)
Kapasitans ESU 1.112⋅10-12 amper (F) maxwell 10-8 weber (Wb)
Akım ESU 3,336⋅10-10 amper (A) mho 1,0 siemens (S)
Elektrik potansiyel 299,79 volt (V) ohm santimetre 0,01 ohm metre (Ω⋅m)
EMU
Enerji (iş) : joule (J)

İngiliz ısıl birimi (Btu) 1055 kilokalori 4187
Kalori 4,18 kW.h 3,6⋅106
Kalori (kilogram) 4184 ton (nükleer eşdğ.TNT) 4,184⋅109
Elektronvolt 1,60219⋅10-19 therm 1,055⋅108
erg 10-7 W.h 3600
Ft.lbf 1,355818 W.s 1.0
Ft.poundal 0,04214
Kuvvet : newton (N)

-5
dyn 10 ons-kuvvet 0,278
kilogram-kuvvet 9,806 pound-kuvvet (lbf) 4,448
kilopound (kp) 8,906 poundal 0,1382
kip (1000 lbf) 4448 ton-kuvvet (2000 lbf) 8896
Isı
2
Btu-ft/(h.ft .°F) (ısıl 1,7307 W(m-K) cal/cm2 4,18⋅104 J/m2
iletkenlik)
Btu-lb 2324 J/kg cal(cm2.min) 697,3 W/m2
Btu/(lb.°F) (ısı 4186 J/(kg.K) cal/s 4,184 W
kapasitesi)
Btu/ft3 3,725⋅104 °F.h.ft2/Btu (ısıl direnç) 0,176 K.m2/W
cal/(cm.s.°C) 418,4 W(m.K) ft2/h (ısıl difüzyon) 2,58⋅10-5 m2/s
Uzunluk : metre (m)

-10
angstrom 10 mikroinç 2,54⋅10-8
astronomik birim 1.495979⋅1011 mikrometre (mikron) 10-6
Zincir (chain) 20,11 mil 2,54⋅10-5
fermi (femtometre) 10-15 mil (denizcilik) 1852,000
foot 0,3048 mil (uluslararası) 1609,344
inç 0,254 pika (yazıcının) 4,217⋅10-3
Işık yılı 9,46055⋅1015 yard 0,9144
Işık
2 2
cd/in 1550 cd/m lambert 3,183⋅103 cd/m2
footkandil 10,76 lx (lüks) lm/ft2 10,76 lm/m2
footlambert 3,426 cd/m2
Kütle : kilogram (kg)

-4
Karat (metrik) 2⋅10 ons (troy veya 3,110348⋅10-2
apothecary)
grain 6,479891⋅10-5 Peni ağırlığı 1,555⋅10-3
gram 0,001 pound (lb avoirdupois) 0,4535924
Hundred weight (uzun) 50,802 pound (troy veya 0,3732
apothecary)
Hundred weight (kısa) 45,359 slug 14,5939
2
kgf.s /m 9,806650 ton (uzun, 2240 lb) 907,184
ons (avoirdupois) 2,834952⋅10-2 ton (metrik) 1000
Kütle : birim zaman başına (akışla beraber)

perm (0 °C) 5,721⋅10-11 kg/(Pa.s.m2) lb/(hp.h) SPC-spesifik 1,689659⋅10-7 kg/J
yakıt tüketimi
lb/h 1,2599⋅10-4 kg/s ton (kısa)/h 0,25199 kg/s
lb/s 0,4535924 kg/s
Kütle : birim hacim başına (yoğunluk ve kapasite ile beraber) (kg/m3)

oz (avoirdupois)/gal 6,236 oz (avoirdupois)/gal 7,489
(UK sıvı) (US sıvı)
oz (avoirdupois)/in3 1729,99 slug/ft3 515,3788
3 3
lb/gal (US sıvı) 11,9826 kg/m ton (uzun)/yd 1328,939
Güç : watt (W)

Btu (uluslararası)/s 1055,056 Beygir gücü (elektrik) 746
cal/s 4,184 Beygir gücü (metrik) 735,499
erg/s 10-7 Beygir gücü (UK) 745,7
Beygir gücü (550 745,6999 soğutma tonu (12000 3517
ft.lbf/s) Btu/h)
Basınç veya stres : pascal (Pa)

atmosfer, standard 1,01325⋅105 din/cm2 0,1
atmosfer, teknik 9,80665⋅104 (Su) foot (39,2 °F) 2988,98
bar 105 poundal/ft2 1,488164
2
Santimetre civa (0°C) 1333,22 Psi (lbf/in ) 6894,757
Santimetre su (4 °C) 98,0638 torr (mm Hg. 0 °C) 133,322
Işınım birimleri
10
curie 3,7⋅10 becquerel (Bq) rem 0,01 sievert (Sv)
rad 0,01 gray (Gy) röntgen 2,58⋅104 C/kg
Sıcaklık
°Celsius TK = t°C + 273,15 K ° Fahrenheit T°C =(t°F - 32)/1,8 °C
° Fahrenheit TK = (t°F + 459,67)1,8 K ° Rankine TK = T°C/1,8
Hız : (m/s)
ft/s 0,3048 mi/h (uluslararası) 0,44704
in/s 2,54⋅102 rpm (r/dakika) 0,1047 rad/s
knot (uluslararası) 0,51444
Vizkozite : (Pa.s)
-3
centipose (dinamik 10 lbf.s/in2 6894,757
vizcozite)
centistokes (kinematik 10-6 rhe 10 1/(Pa.s)
viskozite)
poise 0,1 slug (ft.s) 47,88026
2
poundal.s/ft 1,488164 stokes 10-4 m2/s
lb/(ft.s) 1,488164
Hacim : (kapasite ile beraber) (m3)

Dönüm (acre)-foot 1233,489 gill (U.S.) 1,182941⋅10-4
barrel (oil, 42 gal) 0,158873 in3 1,638706⋅10-5
bushel (U.S,) 3,5239⋅10-2 litre 10-3
cup 2,36588⋅10-4 ons (U.S. sıvı) 2,957353⋅10-5
ons (U.S. sıvı) 2,95735⋅10-5 pint (U.S. kuru) 5,506105⋅10-4
ft3 2,83168⋅10-2 pint (U,S, sıvı) 4,731765⋅10-4
gallon (Kanada, U.K. 4,54609⋅10-3 Yemek kaşığı 1,478⋅10-5
sıvı)
gallon (U.S. sıvı) 3,7854⋅10-3 ton (register) 2,831658
3
gallon (U.S. kuru) 4,40488⋅10-3 yd 0,76455
3 ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜ KARAKTERİSTİKLERİ
Bir algılayıcı ve dönüştürücü girişinden çıkışına elektrik sinyali göndermesi için bazı dönüşüm
adımlarına sahip olabilir. Örneğin fiber optik algılayıcı üzerine yüklenen basınç ilk önce fiberde
gerginlikle sonuçlanır akabinde kırılma indisinde bir değişime neden olur ve sonra optik iletimi
etkileyerek foton yoğunluğunun modülasyonu ile sonuçlanır. Son olarak foton akısı dedekte edilir
ve elektrik akımına dönüştürülür. Burada fiziksel yapısı veya dönüşüm yapmak için gerekli adımlar
dikkate alınmaksızın bütün algılayıcı karakteristikleri tartışılacaktır. Bir algılayıcı sadece çıkış ve
giriş sinyalleri arasındaki ilişkiler ile ilgilenilen bir kara kutu olarak dikkate alınacaktır.
3.1 TRANSFER FONKSİYONU
İdeal veya teorik bir çıkış-uyarıcı ilişkisi her algılayıcı için mevcuttur. Eğer ideal çalışanlar
tarafından ideal malzemelerle bir algılayıcının tasarımı ve fabrikasyonu yapılmışsa böyle bir
algılayıcının çıkışı daima uyarıcının gerçek değerini temsil edecektir. İdeal fonksiyon tablo
değerleri, grafik veya bir matematiksel eşitlik biçiminde ifade edilebilir. İdeal (teorik) bir çıkış-
uyarıcı ilişkisi transfer fonksiyonu ile karakterize edilir. Transfer fonksiyon algılayıcı tarafından
üretilen S elektrik sinyali ve s uyarıcı sinyali arasındaki bağımlılığı tesis eder. Bu fonksiyon basit
bir doğrusal ilişki veya doğrusal olmayan bir bağımlılık olabilir örneğin logaritmik, üstel veya güç
fonksiyonu. Doğrusal bir ilişki
S = a + bs (3.1)
eşitliği ile temsil edilir burada a kesişim noktası yani sıfır giriş sinyalindeki çıkış sinyalidir ve b
eğim olup bazen duyarlılık olarak adlandırılır. S çıkış elektrik sinyalinin karakteristiklerinden
biridir. S, algılayıcının özelliklerine bağlı olarak genlik, faz veya frekansı olabilir.
Logaritmik fonksiyon:
S = a + b ln s (3.2)
Üstel fonksiyon:
S = ae ks (3.3)
Güç fonksiyonu:
S = ao + a1s k (3.4)
Eşitliklerde k bir sabit sayıdır.
Bir algılayıcı yukarıdaki yaklaşımların hiçbirinin tam ve yeteri kadar uyamayacağı bir transfer
fonksiyonuna sahip olabilir. Bu durumda daha yüksek dereceli polinomsal yaklaşım sıklıkla
kullanılır.
Doğrusal olmayan transfer fonksiyonu için b duyarlılığı (3.1) eşitliğindeki gibi sabit bir sayı
değildir. Herhangi bir so belirli giriş değerinde duyarlılık aşağıdaki gibi tanımlanabilir.
dS ( so )
b= (3.5)
ds
Çoğu durumlarda doğrusal olmayan bir algılayıcı sınırlı bir aralık üzerinde doğrusal olarak dikkate
alınır. Genişletilmiş aralık üzerinde doğrusal olmayan transfer fonksiyonu birkaç düz çizgi ile
modellenebilir. Bu parçalı doğrusal yaklaşım olarak adlandırılır. Bir fonksiyonun doğrusal bir model
ile temsil edilip edilemeyeceğini belirlemek için çıkış değeri gözlenirken girişe artan değişken
değerleri verilir. Doğrusal model ve gerçek tepki arasındaki fark belirlenen doğruluk sınırları içinde
karşılaştırılır.
3.2 GİRİŞ ARALIĞI
Bir algılayıcının dönüştürebileceği, uyarıcının dinamik bir aralığı giriş değer aralığı (span) veya
tam skala giriş olarak adlandırılır. Bu kabul edilemeyecek büyük hataya neden olmaksızın
algılayıcıya uygulanabilecek en yüksek olası giriş değerini temsil eder. Çok geniş ve doğrusal
olmayan tepki karakteristikleri algılayıcılar için giriş uyarıcısının dinamik aralığı sıklıkla desibel
olarak ifade edilip ya güç veya kuvvet (gerilim) oranının logaritmik bir ölçüsüdür. Desibel’in
mutlak değerlerin ölçümü olmayıp sadece değerlerin oranı olduğu hatırlanmalıdır. Bir desibel
skalası çok daha küçük sayılar ile sinyalin genliklerini temsil eder. Doğrusal olmayan skalası
yüksek seviyeli sayıları sıkıştırırken düşük seviyeli sinyaller ile çözünürlüğü temsil eder. Diğer
ifadeyle küçük cisimlerde logaritmik skala bir mikroskop ve büyük cisimlerde ise bir teleskop
olarak çalışır. Tanıma göre desibel güçlerin oranının logaritmasının 10 katına eşittir (tablo 3.1).
P2
1 dB = 10 log (3.6)
P1
Benzer davranışla desibel kuvvet, akım veya gerilimin logaritmasının 20 katına eşittir.
s2
1 dB = 20 log (3.7)
s1
Tablo 3.1 Güç, kuvvet (gerilim, akım) ve desibel arasındaki ilişki
Güç oranı 1,023 1,26 10,0 100 103 104 105 106 107 108 109 1010
Kuvvet oranı 1,012 1,12 3,16 10,0 31,6 100 316 103 3162 104 3⋅104 105
Desibel 0,1 1,0 10,0 20,0 30,0 40,0 50,0 60,0 70,0 80,0 90,0 100,0
3.3 TAM SKALA ÇIKIŞ
Tam skala çıkış (FSO: Full scale output) maksimum giriş uyarıcısı ile ölçülen elektrik çıkış
sinyalleri ve uygulanan en düşük giriş uyarıcısı arasındaki cebirsel farktır. Bu ideal transfer
fonksiyonundaki bütün sapmaları içine almalıdır. Örneğin; şekil 3.1a’da FSO çıkışı SFS ile temsil
edilmektedir.
3.4 DOĞRULUK
Bir algılayıcının çok önemli bir karakteristiği doğruluğu olup gerçekte hatası anlamında da
Algılayıcı ve Dönüştürücü Karakteristikleri 37
düşünebilir. Hata algılayıcı ile temsil edilen bir değerin gerçek değere olan en yüksek sapma oranı
olarak ölçülür. Bu sapma ideal giriş değeri ve algılayıcı tarafından hatasız olarak tekrar gerilime
dönüştürülen değer arasındaki fark olarak tanımlanır. Örneğin doğrusal yer değişim algılayıcısı 1
mm’lik yer değişimi için 1 mV’luk gerilim üretmelidir. Bununla beraber deneyde 10 mm’lik bir yer
değişiminde 10,5 mV’luk bir çıkış üretilmiştir. Bu sayı tekrar geriye dönüştürülerek (1 mV başına 1
mm) yer değişiminin 10,5 mm olması beklenir yani gerçek değerden 0,5 mm daha fazla. Bu
fazladan 0,5 mm’lik bir sapmadır ve bu yüzden 10 mm aralıkta algılayıcının hatası 0,5 mm / 10
mm × % 10 = % 5 ’tir.
Şekil 3.1a ideal veya teorik transfer fonksiyonunu göstermektedir. Gerçek dünyada bir algılayıcı bir
çeşit mükemmelsizlikle çalışır. Mümkün olabilen gerçek bir transfer fonksiyonu kalın çizgi ile
temsil edilmekte olup genelde ne doğrusal ve ne de tekdüzedir. Gerçek bir fonksiyon ideal ile
nadiren çakışır. Malzemedeki değişimler, işçilik, tasarım hataları, üretim toleransları ve diğer
sınırlamalardan dolayı algılayıcılar benzer şartlar altında test edilmiş olsa bile çok geniş bir gerçek
transfer fonksiyonları ailesiyle karşılaşmak mümkündür. Bununla beraber gerçek transfer
fonksiyonlarının hepsi belirlenen doğruluk sınırları içine düşmelidir. İzin verilen bu sınırlar ±Δ ile
ideal transfer fonksiyonu çizgisinden farklılık gösterir. Gerçek fonksiyonlar idealden ±δ kadar
sapma gösterir; burada δ <= Δ . Örneğin x değerinde bir uyarıcıyı dikkate alalım. İdeal olarak bu
değerin çıkış değerinde y ile sonuçlanarak transfer fonksiyonunda z noktasına karşılık gelmesi
beklenir. Bunun yerine gerçek fonksiyon çıkış değerinde y′ meydana getiren Z noktasında tepki
verecektir. Bu çıkış değeri ideal transfer fonksiyonunda z′ noktasına tekabül edip akabinde x’den
daha küçük x′ giriş uyarıcısı ile ilişkilidir. Bundan dolayı bu örnekte algılayıcının transfer
fonksiyonundaki mükemmelsizlikler -δ ölçme hatasına öncülük eder.
(a) Transfer fonksiyonu (b) Doğruluk sınırları

Şekil 3.1 Transfer fonksiyonu ve doğruluk sınırları. Hata, giriş değer terimi ile belirlenir.
Doğruluk oranı parçadan parçaya değişimlerin bileşik etkisi histerezis, ölü bant, kalibrasyon ve
tekrar edilebilirlik hatalarının bileşik etkisini içerir. Belirlenen doğruluk sınırları genelde sistemin
olabilecek en kötü performansının belirlenmesi için en kötü durum analizinde kullanılır. Şekil 3.1b
±Δ’nın gerçek transfer fonksiyonunu algılayıcının doğruluğunda daha iyi tolerans anlamında çok
daha yakından izleyebileceğini göstermektedir. Bu çok noktalı bir kalibrasyon işlemi ile yapılabilir.
Bundan dolayı belirlenen doğruluk sınırları teorik (ideal) transfer fonksiyonu etrafında değil gerçek
kalibrasyon işlemi süresince belirlenen kalibrasyon eğrisi etrafında tesis edilir. Bu durumda izin
verilen sınırlar algılayıcılar arasındaki elemandan elemana değişimleri içine almadığından ve
özellikle kalibre edilmiş üniteye ayarlandığından daha dar olur. Bu metot açıkça daha doğru
algılamaya izin vermekle beraber bazı uygulamalarda yüksek maliyetinden dolayı engelleyici
olabilir.
Hata veya doğru olmama oranı aşağıdaki biçimlerde bir sayı ile temsil edilebilir:
¾ Doğrudan ölçülen değer ile (Δ);
¾ Giriş tam skalasının % ’si olarak;
¾ Çıkış sinyali ile.
Örneğin bir piezo-rezistif basınç algılayıcısı 100 kPa giriş tam skala ve 10 Ω tam skala çıkışına
sahiptir. Hatası ±% 0,5 veya ±500 Pa veya ± 0,05 Ω olarak belirlenebilir.
3.5 KALİBRASYON HATASI
Kalibrasyon hatası, algılayıcının kalibrasyonu fabrikada yapıldığında, üretici tarafından izin verilen
hatadır. Bu hata sistematik bir doğada olup olabilecek bütün gerçek transfer fonksiyonlarına
eklenecek anlamındadır. Bu uyarıcının her noktası için dönüşümün doğruluğunu bir sabit ile
kaydırır. Bu hatanın aralık üzerinde düzgün olması gerekmez ve kalibrasyondaki hata tipine bağlı
olarak değişebilir. Örneğin gerçek doğrusal bir transfer fonksiyonun iki nokta kalibrasyonunu
dikkate alalım (şekil 3.1b’deki kalın çizgi). Fonksiyonun eğimini ve kesişim noktasını belirlemek
için algılayıcıya s1 ve s2 olarak iki uyarıcı uygulanır (Şekil 3.2). Algılayıcı A1 ve A2 çıkış
sinyallerine karşılık gelen iki çıkış sinyali ile tepki verir. İlk tepki mutlak doğrulukta ölçülmesine
rağmen yüksek olan sinyal -Δ hatası ile ölçülmüştür. Bu eğim ve kesişimin hesaplanmasında hata
ile sonuçlanır. Yeni bir kesişim noktası olan a1 gerçek kesişim noktasından,
Δ
δ a = a1 − a = (3.8)
s2 − s1
Şekil 3.2 Kalibrasyon hatası Şekil 3.3 Histerezisli transfer fonksiyonu

kadar farklılık gösterecek ve eğim aşağıdaki gibi hatalı olarak hesaplanacaktır.

Δ
δb = − (3.9)
s2 − s1
3.6 HİSTEREZİS
Histerezis hatası ters yönde yaklaşılırken giriş sinyalinin belirli bir noktasında algılayıcı çıkışındaki
bir sapmadır (şekil 3.3). Örneğin 50 °C de cisim ısınırken 49 °C gösterir ve aynı termometre cisim
soğurken 50 °C de 51 °C ’yi gösterir. Bu durumda histerezis 2 °C (51° - 49°) veya ideal transfer
fonksiyonundan ±1 °C olarak belirlenir.
3.7 DOĞRUSALSIZLIK
Doğrusalsızlık hatası transfer fonksiyonu yaklaşık olarak düz bir çizgi ile gösterilebilen
algılayıcılar için belirlenir (3.1 eşitliği). Doğrusalsızlık, gerçek transfer fonksiyonunun yaklaşık düz
çizgiden maksimum sapması (L) dır. Doğrusallık terimi gerçekte doğrusalsızlık anlamındadır.
Birden fazla kalibrasyon yapıldığında herhangi bir kalibrasyon saykılı süresince görülen en kötü
doğrusallık ifade edilmelidir. Ekseriyetle giriş aralığının % si veya ölçülen değer ile ifade edilir.
Örneğin kPa veya °C. Doğrusallık hangi tür düz çizgi ile ilişkili olduğunu açıklayan bir ifade ile
beraber değilse anlamsızdır. Transfer fonksiyonunda çizginin nasıl bulunduğuna bağlı olarak
doğrusalsızlığı belirlemenin birkaç yolu vardır. Bu yollardan biri terminal noktalarının
kullanılmasıdır (şekil 3.4a). Yani en küçük ve en yüksek uyarıcı değerlerinde çıkış değerlerinin
belirlenmesi ve bu iki noktadan geçen düz bir çizgi çizilmesidir (çizgi 1). Burada terminal
noktalarına yakın doğrusalsızlık hatası en küçük ve ikisi arasında ise en büyüktür.
(a) Doğrusal olmayan transfer fonksiyonun

(b) Bağımsız doğrusallık
doğrusal yaklaşımları
Şekil 3.4
Yaklaşım hattını tanımlamanın diğer bir yolu en küçük kareler metodunu kullanmaktır (şekil
3.4a’da ki çizgi 2). Bu aşağıdaki gibi yapılabilir. Tercihen tam skalanın tamamı üzerinde oldukça
geniş bir aralık üzerinde s giriş değerinde n sayıda S çıkış değerleri ölçülür. En uygun düz çizginin
a kesişimi ve b eğimini belirlemek için aşağıdaki eşitlikler ile doğrusal gerileme (regression)
yapılır:
ΣS Σs2 − Σs Σs S n Σs S − Σs ΣS
a= b= (3.10)
nΣ s 2 − ( Σ s ) 2 nΣs 2 − ( Σs ) 2
Burada Σ n sayının toplamıdır.
Bazı uygulamalarda, giriş aralığının özellikle dar bir aralığında yüksek doğruluk istenilebilir.
Örneğin bir tıbbi termometre 37 °C ve 38 °C arasında ateş (fever) tanım bölgesinde en iyi
doğruluğa sahip olmalıdır. Bu sınırların ötesinde biraz daha düşük doğruluğa sahip olabilir.
Ekseriyetle böyle bir algılayıcı en yüksek doğruluğun istenildiği bölgede kalibre edilir. Sonra
yaklaşım çizgisi c kalibrasyon noktasından geçerek çizilebilir (şekil 3.4a’daki çizgi 3). Sonuç
olarak doğrusalsızlık kalibrasyon noktasının yakınında en küçük değere sahip ve giriş’in uç
değerlerinde artar. Bu metotta çizgi sıklıkla c noktasında transfer fonksiyonuna tanjant olarak
belirlenir. Eğer gerçek transfer fonksiyonu biliniyorsa hattın eğimi b = dS ( so ) / ds eşitliğinden
bulunabilir.
Bağımsız doğrusallık en iyi düz çizgi olarak söylenir (şekil 3.4b) ve gerçek bir transfer
fonksiyonunda bütün çıkış değerlerini içine alan birbirine en yakın paralel iki düz çizgi arasındaki
orta çizgidir.
Özel bir metoda bağlı olarak yaklaşım hatları farklı kesişimlere ve eğimlere sahip olabilir. Bu
yüzden doğrusalsızlık ölçüleri birbirinden oldukça farklılık gösterebilir. Üreticiler kullanılan
metodu tanımlamaksızın doğrusalsızlığı belirlerken olabilecek en küçük sayıyı bildirdiklerinden
kullanıcının dikkatli olması gerekir.
3.8 DOYUM
Hemen hemen her algılayıcı kendi çalışma sınırlarına sahiptir. Doğrusal olarak dikkate alınsa bile
giriş uyarıcısının bazı seviyelerinde çıkış sinyali daha fazla tepki veremez. Uyarıcının daha fazla
artışı istenilen bir çıkış üretmez. Bu algılayıcının giriş-uç değer doğrusalsızlığı veya doyum’a sahip
olduğu şeklinde söylenir (şekil 3.5).
Şekil 3.5 Doyumlu transfer fonksiyonu
3.9 TEKRARLANABİLİRLİK
Tekrarlanabilirlik veya yeniden üretebilme hatasına benzer şartlar altında bir algılayıcının aynı
değeri verememe kabiliyeti neden olur. Belirlenmediği sürece iki kalibrasyon saykılı (şekil 3.6a) ile
belirlenen çıkış değerleri arasındaki maksimum fark olarak ifade edilir. Ekseriyetle tam skalanın
%’si olarak temsil edilir:
Δ
δr = 100% (3.11)
FS
Tekrarlanabilirlik hatasının muhtemel kaynakları ısıl gürültü, biriken yük, malzemenin plastisitesi,
vb. olabilir.
(a) Tekrarlanabilirlik hatası: Aynı S1 çıkış sinyali iki (b) Bir transfer fonksiyonundaki ölü-bant
farklı giriş sinyaline karşılık gelir bölgesi
Şekil 3.6
3.10 ÖLÜ BANT
Ölü bant giriş sinyallerinin belirli bir aralığında algılayıcının duyarsızlığıdır (şekil 3.6a). Bu
aralıkta bütün ölü bant bölgesi üzerinde çıkış belli bir değere yakın (çoğunlukla sıfır) kalabilir.
3.11 ÇÖZÜNÜRLÜK
Çözünürlük uyarıcının algılanabilecek en küçük artışlarını tanımlar. Bir uyarıcı ölçüm aralığı
üzerinde sürekli olarak değiştiğinden aynı algılayıcıların çıkış sinyalleri gürültüsüz şartlarda bile
mükemmel düzgün olmayacaktır. Çıkış küçük adımlarda değişebilir. Bu potansiyometrik
dönüştürücüler, ızgara maskeli canlı kızıl ötesi dedektörleri ve çıkış sinyal değişiminin sadece belli
derecede uyarıcı değişimi üzerine aktif hale geldiği diğer algılayıcılar için tipik bir özelliktir. Belirli
şartlar altında (eğer varsa) çıkışın en küçük adımı ile sonuçlanan girişin genlik değişimi çözünürlük
olarak belirlenebilir. Örneğin canlı dedektörü için çözünürlük şöyle belirlenebilir. Çözünürlük 5
metre uzaklıkta 20 cm’lik cismin minimum eş uzaklıklı yer değişimidir. Tel sarımlı
potansiyometrik açısal algılayıcılar için çözünürlük 0,5° lik minimum açı olarak belirlenebilir.
Bazen tam skala olarak belirlenebilir. Örneğin 270° tam skalaya sahip açısal algılayıcı için 0,5° lik
çözünürlük % 0,181 tam skala olarak belirlenebilir. Adım büyüklüğünün bütün aralık üzerinde
değişebileceğine dikkat edilmelidir. Bundan dolayı çözünürlük tipik, ortalama veya en kötü olarak
belirlenebilir. Dijital çıkış formatlı algılayıcıların çözünürlüğü veri kelimesinde bit’lerin sayısı ile
verilir. Örneğin çözünürlük 8-bitlik çözünürlük olarak belirlenebilir. Çıkış sinyalinde hiç
ölçülemeyen adım yoksa, algılayıcının sürekli veya sonsuz küçüklükte çözünürlüğe sahip olduğu
söylenir (bazen bunun sonsuz çözünürlüğe sahip olduğunun söylenmesi ise hatalı bir söyleyiştir).
3.12 ÖZEL NİTELİKLER
Özel giriş niteliklerinin bazı algılayıcılar için belirlenmesi gerekir. Örneğin ışık dedektörleri sınırlı
optik bant genişliği içinde duyarlı olduğundan bunların bir spektral tepki aralığında belirtilmesi
uygundur.
3.13 ÇIKIŞ EMPEDANSI
Çıkış empedansı, Zçıkış bir algılayıcının elektronik devre ile daha iyi arabirim durumunun bilinmesi
için önemlidir. Bu empedans devrenin Zgiriş empedansı ile ya paralel bağlanır (gerilim bağlantısı) ya
da seri (akım bağlantısı) bağlanır. Şekil 3.7 de iki bağlantı görülmektedir. Çıkış ve giriş
empedansları aktif ve reaktif bileşenler içerebildiğinden genelde kompleks formda temsil
edilmeleri gerekir. Çıkış sinyalindeki bozulmaları en aza indirmek için akım üreten algılayıcı (şekil
3.7b) olabildiğince yüksek çıkış empedansına sahip olmalı ve devrenin giriş empedansı düşük
olmalıdır. Gerilim bağlantısı için (şekil 3.7a) algılayıcı tercihen düşük Zçıkış ve devre olabildiği
kadar pratik yüksek Zgiriş’e sahip olmalıdır.
(a) Gerilim çıkışlı algılayıcı (b) Akım çıkışlı algılayıcı

Şekil 3.7 Algılayıcının arabirim devresine bağlantısı
3.14 UYARTIM
Uyartım aktif dönüştürücü operasyonu için gereken elektrik sinyalidir. Uyartım gerilim ve/veya
akımın bir aralığı ile belirlenir. Bazı dönüştürücüler için uyartım sinyalinin frekansı ve kararlılığı
da belirlenmelidir. Uyartımdaki değişimler dönüştürücünün transfer fonksiyonunu değiştirebilir ve
çıkış hatalarına neden olur.
Uyartım sinyalinin belirlenmesina ait bir örnek aşağıdaki gibidir.

Bir termistörden geçen maksimum akım durgun havada 50 μA
suda 200 μA
3.15 DİNAMİK KARAKTERİSTİKLER
Statik şartlar altında bir algılayıcının transfer fonksiyonu giriş değerleri, kalibrasyon, vb. ile tam
olarak tanımlanabilir. Bununla beraber giriş uyarıcısı değiştiğinde, algılayıcının tepkisi genelde
mükemmel kararlılığı izlemez. Bunun nedeni hem algılayıcının ve hem de uyarıcı kaynağına
algılayıcının kuplajının daima ani tepki verememesidir. Başka ifadeyle bir algılayıcı dinamik
karakteristik olarak adlandırılan zaman bağımlı bir karakteristik ile karakterize edilebilir. Eğer bir
algılayıcı aniden bir tepki vermezse, bu uyarıcının gerçekten biraz farklı değerlerine işaret edebilir.
Yani algılayıcı bir dinamik hata ile tepki vermektedir. Statik ve dinamik hatalar arasındaki fark
dinamik hatanın daima zamana bağımlı olmasıdır. Eğer bir algılayıcı kendi dinamik
karakteristiklerine sahip bir kontrol sisteminin bir parçası ise ikisinin kombinasyonu osilasyonlara
neden olabilir.
Isınma zamanı algılayıcıya güç veya uyartım sinyali uygulanması ve algılayıcının belirlenmiş
doğruluk içinde çalışabileceği an arasındaki zamandır. Çoğu algılayıcılar belirlenen doğruluk
sınırları içinde tam olarak çalışmadan önce ihmal edilebilir ısınma zamanına sahiptir. Bununla
beraber özellikle ısıl olarak kontrol edilen ortamda çalışan bazı dedektörler (termostat) belirlenmiş
doğruluk sınırları içinde tam olarak çalışmadan önce saniye ve dakikalara gerek duyabilirler.
Frekans tepkisi giriş uyarıcısındaki bir değişime algılayıcının ne kadar hızlı reaksiyon
gösterebilmesi olarak bir dedektörün önemli bir dinamik karakteristiğidir. Frekans tepkisi belli bir
frekansta çıkış sinyalindeki bağıl azalmayı belirlemek için Hz veya rad/sn ile ifade edilir (şekil
3.8a). Yaygın kullanılan azalma sayısı (frekans sınırı) -3dB’dir. Bu çıkış geriliminin veya akımının
hangi frekansta yaklaşık % 30 düştüğünü göstermektedir. Frekans tepki sınırı, fu bir algılayıcının
işleyebileceği en yüksek frekans olarak dikkate alındığından sıklıkla üst kesim frekansı olarak
adlandırılır.
(a) (b)
Şekil 3.8 (a) Frekans karakteristiği; (b) Üst ve alt kesim frekansları ile sınırlı birinci derece
algılayıcının tepkisi (τu ve τL ilgili zaman sabitleridir.)
Frekans tepkisi doğrudan hız tepkisi ile ilişkili olup birim zaman başına giriş uyarıcısının birimleri
ile tanımlanır. Özel bir durumda frekans veya hız tepkisinin belirtilmesi algılayıcının tipine,
uygulamasına ve tasarımcının tercihine bağlıdır.
Hız tepkisini belirlemenin diğer bir yolu algılayıcının kararlı durumunun % 90’ına veya bir adım
uyarıcıya maruz kalması üzerine maksimum seviyeye ulaşması için gereken zamandır. Birinci
derece tepki için zaman sabitinin kullanılması çok kullanışlıdır. Zaman sabiti τ algılayıcının
ataletinin bir ölçüsüdür. Elektriksel terimler ile zaman sabiti elektriksel kapasitans ve direncin
çarpımına eşittir: τ = RC . Isıl terimlerde bunun yerine ısıl kapasite ve ısıl direnç kullanılmalıdır.
Pratik olarak zaman sabiti kolaylıkla ölçülebilir. Birinci derece sistem tepkisi,
S = S m (1 − e − t / τ ) (3.12)
dir. Burada Sm kararlı durum çıkışı, t zaman ve e doğal logaritma tabanıdır.
S 1
= 1 − = 0,6321 (3.13)
Sm e
t=τ konularak elde edilir. Başka ifadeyle zaman sabitine eşit bir zaman geçtikten sonra tepki kararlı
durum seviyesinin yaklaşık % 63’üne ulaşır. Benzer şekilde iki zaman sabitinden sonra yükseklik
% 86,5 ve üç zaman sabitinden sonra % 95 olacaktır.
Alt kesim frekansı algılayıcının işleyebileceği uyarıcının en düşük frekansının ne olduğunu

gösterir. Üst ve alt kesim frekanslarının tanımları arasında çok benzerlik vardır. Bunlar aynı
anlamlara sahip terimler ve zaman sabitleri ile tanımlanır. Üst kesim frekansı algılayıcının ne kadar
hızlı reaksiyonda bulunduğunu gösterirken alt kesim frekansı algılayıcının ne kadar yavaş uyarıcı
değişimini işleyebileceğini gösterir. Şekil 3.8b hem üst ve hem de alt kesim frekansları
sınırladığında algılayıcının tepkisini göstermektedir. Sonuç olarak tepki olması gereken kararlı
durum seviyesine, Sm ulaşamaz. Birinci derece tepki için bu iki üstel işlemin çarpımı olarak ifade
edilebilir:
S = S m (1 − e −t / τ u )e −t / τ L (3.14)
Bir ana kural olarak basit bir formül, fc kesim frekansı (üst veya alt) ve birinci derece algılayıcının
zaman sabiti arasında bir ilişki oluşturmak için kullanılabilir:
0,159
fc ≈ (3.15)
τ
Açıkça, oldukça dar bant genişlikli algılayıcı için (üst ve alt kesim frekansları birbirine yakın iken)
zaman sabitinin kullanılması uygun olmaz çünkü ölçümlerde iki üstel eğimin ayırt edilmesi hemen
hemen mümkün değildir. Bununla beraber geniş bant genişliğinde bir algılayıcı için (üst kesim
frekansı çok yüksekse, 50 katı) her iki zaman sabiti oldukça doğru bir şekilde ölçülebilir.
Sabit uyarıcıya tepki verebilen algılayıcıların çok büyük bir sınıfı vardır. Böyle algılayıcılar DC
tepkisine sahip denilir bu yüzden τL=∞ ve fL=0 dir. Şekil 3.9 kesim frekanslarının farklı
kombinasyonlarının sonucu olan tipik algılayıcı tepkilerini göstermektedir.
Şekil 3.9 Tepki tipleri (A) sınırsız üst ve alt frekanslar;

(B) birinci derece sınırlı üst kesim frekans; (C) birinci
derece sınırlı alt kesim frekansı; (D) birinci derece
sınırlı üst ve alt kesim frekansları; (E) dar bant genişliği
tepkisi (rezonans)
Belirli bir frekanstaki faz kayması uyarıcı değişimini temsil ederken çıkış sinyalinin nasıl geri
kaldığını tanımlar (şekil 3.8a). Kayma açısal derece veya radyan olarak ölçülür. Eğer algılayıcı bir
geri bildirim kontrol sisteminin bir parçası ise faz karakteristiğinin bilinmesi çok önemlidir. Fazın
geri kalması sistemin faz marjinini azaltabilir ve tüm sistemin kararsızlığı ile sonuçlanabilir.
Rezonans (doğal) frekansı Hz ve rad/sn olarak bir sayı ile ifade edilmekte olup algılayıcının çıkış
sinyalinin önemli ölçüde arttığını göstermektedir. Çoğu algılayıcılar doğrusal, birinci derece
sistemler olarak davranır ve rezonans yapmaz. Bununla beraber eğer bir dinamik dönüştürücünün
çıkışı ikinci derece bir tepkinin standart eğrisi ile uyuşuyorsa üretici dönüştürücünün doğal
frekansını ve sönüm oranını bildirecektir. Rezonans frekansı dedektörün mekanik, ısıl veya elektrik
özellikleri ile ilişkili olabilir. Genelde çalışma frekansı rezonans frekansının oldukça aşağısında (en
azından % 66) veya yukarısında seçilmelidir. Bununla beraber bazı algılayıcılarda rezonans
frekansı çalışma noktasıdır. Örneğin güvenlik sistemlerinde kullanılan cam kırılması
dedektörlerinde rezonans kırılan camın meydana getirdiği akustik spektrum için belirgin olarak
algılayıcıyı dar bir bant genişliğine seçici olarak duyarlı yapar.
Sönüm birinci dereceden daha yüksek tepkiye sahip algılayıcıda osilasyonun gittikçe azalması
veya bastırılmasıdır. Algılayıcının tepkisi kısa süreli darbe şeklinde (overshoot) yani aşım
olmaksızın olabildiğince hızlı ise tepkiye kritik sönümlü denilir (şekil 3.10). Alt sönümlü tepki
aşım’ın oluştuğu zamandır ve üst sönümlü tepki ise kritikten daha yavaştır. Sönüm oranı kritik
sönüm ile ikinci derece doğrusal dönüştürücünün gerçek sönümünün bölümü ile ifade edilen bir
sayıdır. İkinci derece transfer fonksiyonu ikinci derece veya karesel faktör içermelidir:
s 2 + 2 zω n s + ω n2 ; burada ω n doğal frekans, s kompleks değişken ve z sönüm oranıdır. Kritik
sönümlü bir dedektör için z=1 dir. Sönüm faktörü aşağıdaki gibi ifade edilir:
σ σ
z= = (3.16)
ωn σ 2 +ω2
Burada σ kompleks değişkenin gerçek kısmıdır. Şekil 3.9 ’da görüldüğü gibi bir osilasyonlu tepki
için sönüm faktörü sönümün bir ölçüsü olup son derece kararlı durum değeri civarında çıkış
sinyalinin zıt yönlerinde çift ardışık salınımın en büyük değerinin en küçük değerine bölümü olarak
(işaretsiz) ifade edilir. Bundan dolayı sönüm faktörü aşağıdaki gibi ölçülebilir:
F A B
sönüm faktörü = = = = vb. (3.17)
A B C
Şekil 3.10 Farklı sönüm

karakteristikli algılayıcıların
tepkileri
3.16 ÇEVRESEL FAKTÖRLER
Depolama şartları normal çalışma şartları altında algılayıcının performansını kalıcı olarak
değiştirmeksizin belirlenen bir periyot süresince maruz kalabileceği -çalışma dışındaki- çevresel
sınırlamalardır. Ekseriyetle depolama şartları en yüksek ve en düşük depolama sıcaklıkları ve bu
sıcaklıklardaki maksimum bağıl nemi içerir. Algılayıcının yapısına veya doğasına bağlı olarak
depolama için bazı hususi sınırlamaların dikkate alınması gerekebilir. Örneğin maksimum basınç,
bazı gazların veya kirletici dumanın varlığı, vb.
Kısa ve uzun dönem kararlılıkları (drift) doğruluğun belirlenmesinin bir parçasıdır. Kısa dönem
kararlılığı dakikalar, saatler ve hatta günler içinde algılayıcının performansındaki değişimler olarak
ortaya çıkar. Neticede drift çift yönlü olabildiğinden tekrar edilebilirliği ifade etmenin diğer
yoludur. Yani algılayıcının çıkış sinyali artabilir veya azalabilir yani başka ifadeyle çok düşük
frekanslı gürültü olarak tanımlanır. Uzun dönem kararlılığı malzemenin elektriksel, mekanik,
kimyasal veya ısıl özelliklerinde geri dönülmez bir değişim olarak algılayıcı malzemelerinin
eskimesi ile ilişkilendirilebilir. Yani uzun dönemdeki değişimler tek yönlü olarak aylar ve yıllar
gibi oldukça uzun zaman aralığında gerçekleşir. Uzun dönem kararlılığı hassas ölçümlerde
kullanılan algılayıcıların en önemli faktörlerinden biridir. Eskime büyük oranda çevresel depolama
ve çalışma şartları, algılayıcı bileşenlerinin çevreden nasıl yalıtıldığı ve fabrikasyonunda hangi
malzemelerin kullanıldığına bağlıdır. Örneğin cam kaplı metal-oksit termistörler epoksi kaplanmış
olanlara kıyasla çok daha fazla uzun dönem kararlılığı taşırlar. Uzun dönem kararlılığını
geliştirmenin güçlü bir yolu ağırlaştırılmış şartlar altında elemanın önceden yaşlandırılması veya
eskitilmesidir. Ağırlaştırılmış şartlar en düşük ile en yüksek arasında dönüşümlü olabilir. Örneğin
bir algılayıcı periyodik olarak donma noktası ile yüksek sıcaklıklar arasında gezdirilebilir. Böyle
hızlandırılmış bir eskitme sadece algılayıcı karakteristiklerinin kararlılığını geliştirmez. Eskitme
işlemi çoğu gizli bozuklukları da giderdiğinden güvenilirliği de geliştirir. Örneğin epoksi
kaplanmış termistörler kalibre edilmeden ve bir ürün içine konulmadan önce bir ay boyunca +150
°C’ de tutulursa önemli ölçüde iyileştirilebilirler.
Algılayıcının maruz kaldığı çevresel şartlar algılayıcının ölçtüğü değişkenleri içermez. Örneğin bir
hava basıncı algılayıcısı ekseriyetle sadece hava basıncına maruz kalmaz fakat havayı çevreleyen
bileşenlerin sıcaklığı, nem, vibrasyon, iyonize ışınım, elektromanyetik alanlar, çekim kuvvetleri,
vb. etkilere de maruz kalır. Bütün bu faktörler algılayıcının performansını etkiyebilir ve ekseriyetle
de etkiler. Bu şartlarda hem statik ve hem dinamik değişimlerin dikkate alınması gerekir. Bazı
çevresel şartlar çarpıcı (×) bir yapıda yani bunlar bir algılayıcının transfer fonksiyonunu örneğin
kazancını değiştirir. Buna bir örnek rezistif strengeyç olup duyarlılığı sıcaklıkla artar.
Çevresel kararlılık oldukça geniş ve ekseriyetle çok önemli bir gereksinimdir. Hem algılayıcı
tasarımcısı ve hem de uygulama mühendisinin algılayıcının performansını etkileyebilecek olası
bütün çevresel faktörleri dikkate alması gerekir. Örneğin insanların hareketinin dedeksiyonu için
bir piro-elektrik algılayıcı çevre sıcaklığında ani değişim, elektrostatik deşarj, elektriksel yüklerin
formasyonu (tribo elektrik etki), rüzgar, yüksek gürültü, destekleyici yapıların vibrasyonu veya
titreşimi, elektromanyetik parazitler (EMI), vb. ile etkilenirse sahte sinyaller üretebilir. Bir üretici
böyle etkileri belirtmemiş de olsa bir uygulama mühendisi tasarım işleminin prototip fazı süresince
bunları simüle etmelidir. Eğer gerçekten çevresel faktörler algılayıcının performansını azaltıyorsa
düzeltici ek çözümler gerekebilir. Örneğin algılayıcının koruyucu bir kutuya yerleştirilmesi,
elektriksel ekranlama, ısıl yalıtım veya termostat kullanımı.
Sıcaklık faktörlerinin algılayıcının performansı için çok önemli olduğu bilinmeli ve hesaba
katılmalıdır. Çalışma sıcaklık aralığı algılayıcının belirlenen doğruluğu sürdürdüğü en alt ve en üst
noktalar (-20 ile +100 °C) ile verilen çevre sıcaklıkları arasındaki açıklıktır. Çoğu algılayıcıların
çalışması sıcaklıkla değişime uğrar ve transfer fonksiyonları bariz oranda kayma gösterir. Özel
kompanzasyon elemanları sıcaklık hatalarının telafi edilmesi için sıklıkla ya doğrudan algılayıcının
içine ya da sinyal düzeltici devrelerin içine dahil edilir. Isıl etkilerin toleranslarını belirtmenin en
basit yolu hata-bant kavramı ile yapılır ki temelde bu hata bandı olup çalışma sıcaklık bandı
kısımlara ayrılabilirken hata bandı her kısım için ayrı olarak belirlenir. Örneğin bir algılayıcı 0 ile
50 °C aralığında ±% 1 doğruluğa ve +50 ile100 °C aralığında ±% 2 doğruluğa ve bu aralıkların
dışındaki –40 ile +150 °C çalışma sınırları için ±% 3 doğruluğa sahip olarak belirlenebilir.
Sıcaklıklar özellikle vizkos veya koyu sönüm kullanıldığında dinamik karakteristikleri de

etkileyecektir. Oldukça hızlı sıcaklık değişimi algılayıcının sahte çıkış sinyali üretmesine neden
olabilir. Örneğin bir hareket dedektöründeki çiftli bir piro-elektrik algılayıcısı yavaş değişen çevre
sıcaklığına duyarsızdır. Bununla beraber sıcaklık hızlı değiştiğinde algılayıcı sanki bir uyarıcıya
geçerli bir tepki veriyor gibi yanlış pozitif dedeksiyona neden olacak şekilde işleme devresi
tarafından alınabilecek bir elektrik akımı üretir.
Kendiliğinde ısınma hatası bir uyartım sinyali algılayıcı tarafından soğurulduğunda belirlenebilir.
Örneğin bir termistör sıcaklık algılayıcısı algılayıcının gövdesinde ısı kaybına neden olan elektrik
akımının geçmesini gerektirir. Çevreye ile kuplajına bağlı olarak algılayıcının sıcaklığı
kendiliğinden ısınma etkisinden dolayı artabilir. Bu sıcaklık ölçümünde hatalar ile sonuçlanacaktır.
Kuplaj algılayıcının çalışmakta olduğu kuru hava, sıvı, hava, vb. gibi ortama bağlıdır. En kötü
kuplaj durgun hava iledir. Üreticiler sıklıkla termistörler için hava, karıştırılmış sıvı veya diğer
ortamlarda kendiliğinden ısınma hatalarını belirtirler.
Algılayıcı sıcaklığının çevresindeki cisimler üzerinde artış göstermesi

V2
ΔT ° = (3.19)
(ξvc + α ) R
den bulunabilir. Burada ξ algılayıcının kütle yoğunluğu, c öz ısı, v algılayıcının hacmi, α
algılayıcının çevresiyle ısıl kuplaj katsayısı (ısıl iletkenlik), R elektriksel direnç ve V direnç
uçlarındaki etkin gerilimdir. Eğer kendiliğinden ısınma bir hata ile sonuçlanırsa
ΔT ° = V 2 /(ξvc + α ) R eşitliği bir tasarım rehberi olarak kullanılabilir. Örneğin α’nın artırılması
için ısıl iletken gres veya ısıl iletken yapıştırıcılar kullanılarak bir termistör dedektörünün temas
alanının artırılmasıyla cisimle çok iyi kuplaj yapılır. Aynı zamanda yüksek dirençli algılayıcılar ve
düşük ölçme gerilimleri tercih edilir.
3.17 GÜVENİLİRLİK
Güvenilirlik belirlenen periyotta belirlenmiş şartlar altında algılayıcının istenilen fonksiyonu icra
edebilme kabiliyetidir. İstatistiksel terimlerde belirli bir zaman veya kullanma sayısı üzerinde arıza
vermeksizin aygıtın fonksiyonda bulunma ihtimalidir. Güvenilirliğin kısa ve uzun dönem kararlılığı
(drift) veya gürültü kararlılığının bir karakteristiği olmadığına dikkat edilmelidir. Yani güvenilirlik
normal çalışma şartları altında algılayıcının performansının sınırları aşılarak geçici veya kalıcı bir
yetersizliğini veya arızayı belirtir.
Güvenilirlik önemli bir gereksinim olmakla beraber algılayıcı üreticisi tarafından nadiren belirtilir.
Bunun nedeni muhtemelen bunun için kabul edilmiş yaygın bir ölçütün yokluğudur. Amerika’da
çoğu elektronik aygıtlar için serviste güvenilirliğin tahmini işlemi MIL-HDBK-217 standardında
tanımlanan MTBF (arızalar arasındaki ortalama zaman) hesaplamasıdır. Bunun temel yaklaşımı
kullanılan ayrı bileşenlerin ayrı arıza oranlarının hesaplanması ile ve aygıtın göreceği sıcaklık,
stres, çevresel ve ekranlama seviyesi (kalite ölçüsü) operasyon türü faktörü ile aygıt’a ait bir MTBF
oranına varmaktır. Maalesef, MTBF güvenilirliği sadece endirek olarak yansıtır ve aygıtın günlük
kullanımına sıklıkla zor uygulanır. Algılayıcılarda nitelik veya vasıf testleri olabilecek en kötü
şartların kombinasyonunda icra edilir. Bir yaklaşım (MIL-STD-883 ile tavsiye edilen) maksimum
sıcaklıkta yüklü olarak 1000 saat kullanımdır. Bu test hızlı sıcaklık değişimleri gibi önemli etkilerin
nitelendirmesini yapmaz. Testin en uygun metodu hızlandırılmış ömür kalifikasyonudur. Bu
yılların haftalara sıkıştırıldığı, gerçek dünya streslerinin algılayıcının operasyonuna uygulandığı bir
işlemdir. Bu testin ardındaki üç amaç: MTBF’yi oluşturmak; tasarım adımları ile takviye
edilebilecek ilk arıza noktalarını tanımlamak ve tüm sistemin pratik çalışma zamanını
tanımlamaktadır.
Zamanı sıkıştırmanın muhtemel bir yolu maksimum yükleme ve enerjinin verilme ve kesilme
saykılları ile genişletilmiş en yüksek ve en düşük çevresel faktörleri (sıcaklık, nem ve basınç)
içeren gerçek çalışma saykılı ile aynı gerçek profili kullanmaktır. En yüksek ve en düşük sınırlar
normal çalışma sınırlarından çok daha geniş tutulmalıdır. Performans karakteristikleri belirtilen
özelliklerin dışında olabilir fakat aygıt belirlenen çalışma aralığına geri getirildiğindeki değerlerine
geri dönmelidir. Örneğin bir algılayıcı +15 V maksimum besleme geriliminde % 85 en yüksek
bağıl nemde (RH) 50 °C ye kadar çalışması için belirtilmişse bu algılayıcının testi +18 V besleme
geriliminde % 99 RH ve 100 °C ye kadar yapılabilir. Test saykıllarının sayısının tahmin edilmesi
için aşağıdaki deneysel formül kullanışlı olabilir (Sandstrant Aerospace tarafından geliştirilmiştir):
2,5
⎛ ΔT ⎞
n = N ⎜⎜ max ⎟⎟ (3.18)
⎝ ΔTtest ⎠
Burada, N birim ömür zamanı başına tahmin edilen saykıl sayısı, ΔTmax belirlenen maksimum
sıcaklık sapması ve ΔTtest test süresince maksimum dönüşümlü sıcaklık sapmasıdır. Örneğin normal
sıcaklık 25 °C, belirlenen maksimum sıcaklık 50 °C, dönüşüm 100 °C’ ye kadar ve algılayıcının
ömrünün 10 yıl boyunca 20000 saykıla maruz kalacağı tahmin edilmişse test saykıllarının sayısı
aşağıdaki gibi hesaplanır.
2,5
⎛ 50 − 25 ⎞
n = 20000 ⎜ ⎟ = 1283
⎝ 100 − 25 ⎠
Sonuç olarak hızlandırılmış ömür testi 20000 yerine yaklaşık 1300 saykılı gerekmektedir. Bununla
beraber eleman test dönüşümleri ile çok yoğun etkilendiğinden 2,5 faktörünün lehim yorulma
çarpanından çıkartılmış olduğuna dikkat edilmelidir. Bazı algılayıcılar hiç lehim bağlantısına sahip
değildir ve elektriksel iletken epoksi gibi bazıları da sıcaklık içeren dönüşüm faktörlerine lehimden
daha çok duyarlılığa sahip olabilir. Bu durumda faktörün biraz daha düşük seçilmesi gerekir.
Hızlandırılmış ömür testinin bir sonucu olarak, güvenilirlik arıza veya yetmezlik ihtimali olarak
ifade edilebilir. Örneğin 100 algılayıcıdan ikisi (tahmin edilen 10 yıllık ömür zamanı için)
hızlandırılmış ömür testini geçememiş ise güvenilirlik 10 yıl üzerinden % 98 olarak belirlenir.
Uygulamasına bağlı olarak bir algılayıcı performansını potansiyel olarak değiştirebilecek bazı diğer
çevresel etkilere maruz kalabilir veya gizli bozuklukları ortaya çıkabilir. Böyle ilave testler
aşağıdaki gibidir:
¾ Elektriksel olarak tam enerjili iken yüksek sıcaklık/yüksek nem. Örneğin bir algılayıcı % 85-90
bağıl nemde izin verilen maksimum sıcaklığına maruz bırakılabilir ve 500 saat süresince bu
şartlar altında tutulabilir. Bu deney kirleticilerin dedeksiyonu ve paketleme bütünlüğünün
değerlendirilmesi için çok kullanışlıdır. Normal oda sıcaklığında çalışan algılayıcıların ömrü
ekseriyetle % 85 RH ve 85 °C de hızlandırılır ki bazen 85-85 testi olarak adlandırılır.
¾ Mekanik şok ve vibrasyonlar özellikle tel bağlantıları, epoksi yapıştırma, vb. nin
değerlendirilmesinde olumsuz çevre şartlarının simülasyonunda kullanılabilir. Bir algılayıcı
yüksek seviyede ivmeler (3000 gr’lık kuvvete kadar ) oluşturacak şekilde düşürülebilir.
Düşmelerin farklı eksenlerde yapılması gerekir. Harmonik vibrasyonları algılayıcının doğal
frekansını da içerecek bir aralıkta algılayıcıya uygulanmalıdır. Amerika’da mekanik testler için
#750 askeri standartı, 2016 ve 2056 metotları sık olarak kullanılır.
¾ Ağırlaştırılmış depolama şartları, algılayıcının örneğin +100 °C ve –40 °C şartlarında en

azından 1000 saat boyunca tutulmasıyla simüle edilebilir. Bu test depolama ve nakil (kargo,
postalama) şartlarını simüle eder ve ekseriyetle operasyonda olmayan aygıtlar üzerinde icra
edilir. Üst ve alt sıcaklık limitleri algılayıcının fiziksel yapısı ile uygunluk sağlamalıdır.
Örneğin Philips mamulü bir TGS piro-elektrik algılayıcısı +60 °C Curie sıcaklığı ile
karakterize edilir. Bu sıcaklığa yaklaşılması ve aşılması duyarlılığın kalıcı bozulması ile
sonuçlanır. Bundan dolayı böyle algılayıcıların sıcaklığı asla +50 °C ’yi aşmamalıdır ve bu
paketleme malzemesi üzerinde açıkça belirtilmelidir.
¾ Isıl şok veya sıcaklık saykılı (TC) bir algılayıcıyı değişken ağırlaştırılmış şartlara maruz
bırakır. Örneğin algılayıcı -40 °C de 30 dakika çalıştırılabilir sonra aniden 30 dakika boyunca
+100 °C’ye kaydırılır ve tekrar soğuk duruma getirilir. Bu metot 100 veya 1000 gibi toplam
saykıl sayısını belirtmelidir. Bu deney döküm bağlantı, tel bağlantı, epoksi bağlantılar ve
paketleme bütünlüğündeki hataların veya eksikliklerin ortaya çıkarılmasına yardımcı olur.
¾ Deniz şartlarının simüle edilmesi için algılayıcılar, örneğin 24 saatlik belirli bir süre boyunca,
tuz püskürtme atmosferine maruz bırakılabilir. Bu algılayıcının korozyona dayanımını ve
yapısal bozukluklarının ortay çıkartılmasına yardımcı olur.
3.18 UYGULAMA KARAKTERİSTİKLERİ
Tasarım, ağırlık ve dış boyutlar uygulamanın özel alanları içine girmektedir. Algılayıcının
güvenilirliği ve doğruluğu öncelikli önemde olduğunda maliyet ikinci bir problem olarak
kalmaktadır. Eğer bir algılayıcı hayatı destekleyici aygıt, silahlar veya uçaklarda kullanılmak için
amaçlanmışsa yüksek bir fiyat etiketi yüksek doğruluğu ve güvenilirliği sağlama almak için
savunulabilir. Diğer taraftan tüketici uygulamalarının çok geniş bir aralığında algılayıcının fiyatı
sıklıkla tasarımın bir köşe taşı olur. Örneğin insan vücudunun sıcaklıkları tercihen ısıl ışınım
termometreleri ile kulak kanalından alınmalıdır. 1986’da bu aygıtların ortaya çıkarılmasından sonra
birkaç yıl süresince kulak termometrelerinin uygulaması sadece hastaneler ile sınırlanmıştı. Bunun
nedeni ısıl ışınımı algılamak için (oldukça pahalı) termopil dedektörlerin kulak termometrelerinde
kullanılmış olmasıydı. Sonuç olarak böyle bir aygıtın fiyat etiketi 500$-700$ arasındaydı. 1991’de
tıbbi bir kızıl ötesi termometrenin ev tipi bu fiyatın 5 de 1’i olarak piyasaya sürülmüştür. Bu, bir
termopilin çok daha ucuz bir algılayıcı olan piro-elektrik dedektör ile değiştirilmesiyle mümkün
hale getirilmişti.
3.19 İSTATİSTİKSEL ANALİZ
Bir algılayıcıdan bilgi alındığı ve analiz edildiğinde bir sorunun cevaplanması gerekir. Gerçek
uyarıcıyı ne ölçüde (hangi yakınlıkta) temsil ediyor? Önceden de söylendiği gibi bu temsili
değiştirebilecek ve ölçmede hataya neden olabilecek oldukça çok sayıda bozucu etkiler vardır. Bazı
distorsiyonlar sistematik yani kararlı ve tahmin edilebilir özelliktedir. Örnekler doğrusalsızlık,
histerezis, ölü bant, yanlış kalibrasyon, vb. Çoğu diğer distorsiyonlar rasgele ve gürültü
karakteristiğine sahiptir. Bu yüzden algılayıcılar ve veri kazanç sistemleri gürültülü şartlar altında
test edilir ve istatistiksel metotlar ile analiz edilir. İngiltere Başbakanı Benjamin Disraeli’nin dediği
gibi yalanın üç türü vardır: basit yalan, yalan ve istatistikler. Bu komik gözlem istatistiksel
değerlerin herhangi bir özel olay üzerine hatalı olarak transpozisyonu veya konulmasının
sonucudur. İstatistiksel analiz metotlarının sadece çok sayıda ölçümlerin tamamlayıcısı değerler
ürettiği açıkça anlaşılmalıdır. Bunlar birey yerine kalabalığı temsil eder yani bir ağacı değil ormanı
temsil eder. İstatistiksel sayılar büyük miktarda sayılara veya gerçekte tam biçimde asla
olamayacak imajiner olaya uygulandığında kesinlikle yalan olmaz. Bir istatistiksel tanım belirli
olmayan şartlar altında aygıtın beklenen performansı hakkında sayılar verir. İstatistik kelimesi ilk
önce hükümetin etkili planlama, yönetim ve vergi toplama için gerekli bulduğu veriler için devlet
işlerinde uygulanmıştı. Bu bilginin toplayıcıları ve analizcileri işlerinin doğrudan devlet gerçekleri
ile olan ilişkiyi yansıtan statists (statistician değil) olarak adlandırılmıştı.
İstatistiğin algılayıcıların değerlendirilmesi için kullanışlı iki çeşidi vardır. Birincisi tanımlayıcı
istatistik olup veriyi sınıflandırır – veri sınıflandırıldıktan sonra sonuç frekans dağılımına karşılık
gelen veri-performans histogramları, çizgi grafikleri, çubuk grafikleri, resimli grafikler gibi diğer
grafik çeşitleri ile verinin temsili, örnekleme ortalamalarının hesaplanması, medyan veya modlar;
varyansın hesaplanması, ortalama mutlak sapmalar ve aralıklar - bütün bu aktiviteler prensipleri 19.
yüzyılda oturtulmuş tanımlayıcı istatistikten bahsetmektedir.
İstatistiklerin ikinci önemli çeşidi çıkarımsal (inferential) istatistik olarak bilinir. Belirsizliğin
yüzünde bir karar verme bilimi olarak tanımlanır yani eksik ve bozuk varsayılan bilgi tabanında en
iyi kararı vermektir. Bir elemanın çok sayıda test edilmesi ve giriş uyarıcısının temsil edici bir
aralığı üzerinde çıkış sinyalinin ölçülmesi tabanında bozucuların etkisi altında elemanın kararlılığı
hakkında bir çıkarım yapılır. Çıkarımsal istatistik aygıtın bütün performansı hakkında karar vermek
için sınırlı sayıda veri (örnek) kullanımına dayanır.
Gürültülü şartlar altında ayrı ölçümler alındığında algılayıcının temsil ettiği s uyarıcısının biraz
farklı bir s′ değerinde olması beklenir. Bundan dolayı ölçümdeki hata aşağıdaki gibi temsil edilir.
Δ = s '− s (3.20)
Uyarıcının sabit olduğu varsayımı ile hatadaki rasgelelik ölçüm tekrarlandığında çoklu uyarıcı
temsiline öncülük eder. Aynı uyarıcının çok sayıda ölçümünden sonra gerçek değeri ortalama
değerden (beklenen değer) tahmin edilebilir. Beklenen bu değer s uyarıcısına tam olarak eşit
olmamasına rağmen gerçek şartlar altındaki en iyi tahmin olacaktır. Ortalama değer,
s1 + s2 ⋅ ⋅ ⋅ + si + ⋅ ⋅ ⋅ + sn
s= (3.21)
n
olarak ifade edilebilir; burada n ölçüm sayısıdır. Ortalama değerden sapmanın uygun bir ölçümü
ortalama mutlak sapma’dır. Mutlak sapma terimi sapmanın sayısal değeri (pozitif) anlamında olup
basitçe mutlak sapmanın aritmetik ortalaması olup M.A.D. ile gösterilir.
n
∑ si − s
i =1
M.A.D. = (3.22)
n
MAD yayılım veya dispersiyonun kolay bir ölçüsü olmakla beraber varyans’ta olduğu gibi
özellikle uyarıcı değişirken verinin karşılaştırılmasında, mutlak değerler matematiksel analizler için
kullanımda olmadığından daha ileri matematiksel istatistiksel sonuçlar meydana getirmez.
Dispersiyonun daha kullanışlı bir ölçüsü varyans olup ortalama değerden sapmaların karesinin
ortalaması olarak tanımlanır.
n
∑ (si − s )2
v2 = i =1
(3.23)
n −1
Eğer bir uyarıcı metre olarak ölçülürse varyans alan birimi (m2) ile tanımlanacaktır. Sık olarak
dispersiyonun orijinal uyarıcı ile aynı birimde ölçülmesi istenilir ve daha sonra (3.23) eşitliğinden
kare kök alınır.
n
∑ (si − s )2
i =1
v= (3.24)
n −1
Hesaplamaları sadeleştirmek için aşağıdaki alternatif eşitlik kullanılabilir.
1 ⎛ n 2 ⎞
v= ⎜⎜ ∑ si − ns 2 ⎟⎟ (3.25)
n − 1 ⎝ i =1 ⎠
Yukarıdaki eşitlikler örnek standart sapmayı temsil etmekte olup örneklenmiş veride dispersiyonun
uygun bir ölçüsüdür. Çoğu pratik uygulamalar için n büyük iken örnek standart sapma, σ gerçek
standart sapmaya eşit dikkate alınabilir: v=σ. Örneğin, bir algılayıcı tarafından bir cisimden (°C
olarak) sıcaklık ölçümleri için okunan değerleri aşağıdaki gibi alalım.
60,1 60,6 59,8 58,7 60,5 59,9 60,0 61,1 60,2 60,2
Okunan toplam sayı n=10’dur. (3.21) eşitliğinden ortalama değerin 60,11 °C’ye eşit ve (3.15)
eşitliğinden standart sapmanın 0,63 °C’ye eşit olduğu bulunabilir. Algılayıcıdaki sistematik
hatalardan veya veri kazanç sisteminin diğer parçalarındaki sistematik hatalardan dolayı ortalama
değerin gerçek uyarıcıdan oldukça farklı olduğu vurgulanmalıdır. Örneğin algılayıcının -1 °C ile
yanlış kalibrasyonu yapılmışsa yukarıda okunan bütün değerler –1 °C’lik sabit bir hataya sahip
olacaktır. Bu ortalama değerin aynı sayı (-1 °C) ile düzeltilmesini düşündürür. Bununla beraber
eğer algılayıcı doğrusal ise (veya ortalama değer yakınında kısmi doğrusal ise) standart sapma
yanlış kalibrasyon veya diğer sistematik hatadan etkilenmez.
Rasgele olmanın yanında ortalama değerden sapmalar ortak bir şeye sahiptir; örneğin pozitif ve
negatif sapma sayısı ekseriyetle birbirine yakın ve bütün sapmaların toplamı sıfıra yakındır. Çoğu
durumlarda sapmanın büyük olmasıyla oluşumun ihtimali daha azdır. Örneğin yukarıdaki sayı
setinde ±1 °C’nin üzerindeki sapmalar sadece bir kere gözükürken 0 ve ± 0,2 arasındaki sapmalar 7
kere gözükmektedir. Gözükmenin frekansı dağılım olarak adlandırılır. Gauss (veya normal)
dağılımı muhtemelen mühendislik pratiğinde en yaygın kullanılan olasılık dağılımıdır. Kullanma
kolaylığının dışında popülaterisinin diğer bir savunması merkez limit teoremi ile sağlanır. Bu
teorem çok sayıda bağımsız rasgele değişkenlerin toplamı ile biçimlenen rasgele bir değişkenin
limitte Gauss dağılımı aldığını ifade etmektedir. Çoğu mühendislik fenomeni çok sayıda bağımsız
nedenlerin sonucu olduğundan normal dağılım varsayımı çoğu durumlarda savunulur. Gauss
dağılımı
(s −s )2
1
f (s) = e 2σ 2 (3.26)
2πσ
s−s
ile verilen olasılık yoğunluk fonksiyonuna göre çizilebilir. oranı standart normal değer olarak
σ
adlandırılır. Sadece iki parametre olan ortalama, s ve standart sapma, σ ’nın normal dağılımı
belirlemek için gerekli olduğuna dikkat edilmelidir. (3.26)’ya göre hesaplanmış yoğunluk eğrisi
şekil 3.11’de görülmektedir. Eğri ortalama değer etrafında simetrik olup bu grafikte ortalama değer
sıfırdır. Eğrinin biçimi ve değeri ortalama sıfıra eşit değilken değişmez. Eğrinin altındaki toplam
alan 1’e eşit olmakla beraber -3σ ve +3σ arasındaki sınır içinde alan 0,997’e eşit olup hemen
hemen bütün örneklerin ortalamadan +3σ den daha fazla sapmayacağı anlamına gelmektedir.
Yaklaşık olarak aşağıdaki durumlar ifade edilebilir.
değerlerin % 68 ’i ±σ içine düşecek
değerlerin % 95 ’i ±2σ içine düşecek
değerlerin % 99,7 ’si ±3σ içine düşecektir.
Aynı tür ölçümlerin birkaç bağımsız seti karşılaştığında her set içindeki verinin farklı olması
beklenir. Bununla beraber, eğer her set içindeki ölçümlerin sayısı büyükse ortalamalar ve standart
sapmalar birbirine yakın fakat farklı veri setleri için farklı olacaktır. Sonsuz derecede büyük sayı
seti için teorik ortalamalar, μ hesaplanabilir. Gerçekte deneysel ölçümlerin sayısı ortalama değerin,
s hesaplanmasına izin veren n sayısı ile sınırlanır. Bu sayı hassas olarak ölçülemeyecek gerçek
uyarıcının (s) en iyi tahminidir. Buna inanmak için bir neden olmamakla beraber ortalama s tam
olarak μ’ye eşittir çünkü sınırlı sayıda veri ile çalışılmaktadır. Bunun sadece çok yakın bir değer
olduğu ümit edilmektedir. Çok yakın söylemi çoğu pratik amaçlar için yeterli değildir. Yakınlığın
daha iyi tanımlanmış bir ölçüsü gerekmekte veya hatta daha uygun olarak ortalama değeri temsil
eden tek bir sayı yerine ortalama değerin belli sınırlar içinde bulunduğu ifade edilebilir. Örneğin
cismin sıcaklığının 10 kez ölçümünden sonra ortalama değeri 75 °C olarak hesaplanmıştır fakat
gerçek (teorik) ortalama belki de 74,5 °C arasında bir yerdedir. Böyle tahmin edilen sınırlar aralık
sınırları olarak bilinir. Yukarıdaki gibi bir ifade teorik ortalamanın belirli bir aralıkta hangi
ihtimalle bulunduğu bilinmedikçe çok anlamsızdır. Bu yüzden konfidens (güven) veya konfidens
katsayısı ve konfidens derecesi olarak bilinen bir sayı konfidens aralığı olarak bilinen bir aralık ile
beraber verilir. Üst ve alt aralıklar μU ve μL ile gösterilir ve normal dağılım için mutlak değerleri
eşittir. Teorik tartışmada çok derine inmeksizin % 90’ın üzerinde konfidens gereken çoğu amaçlar
için konfidens aralığının yarısının, Δμ mutlak değerinin aşağıdaki eşitlikten bulunabileceği ifade
edilebilir.
1,65σ
Δμ ≈ (3.27)
n
Şekil 3.11 Normal dağılım
Örneğin sıcaklığın bir cisimden 10 kez ölçüldüğü ve 75 °C ’lik bir ortalama değer ve 0,25 °C’lik
bir standart sapma verdiğini varsayalım. Bu sayıların Δμ ≈ 1,65σ / n eşitliğinde uygulanmasıyla
teorik ortalama değerin 75 − Δμ = 74,87 °C ve 75 + Δμ = 75,13 °C arasında bir yerde
bulunabileceği hesaplanır. Konfidens aralığının mevcut veri sayısı arttığında daha dar olacağına
dikkat edilmelidir. Bununla beraber n sayısı karekök altındaki sayı olduğundan büyüme orantılı
değildir: veri sayısının ikiye katlanması konfidens aralığını yaklaşık 1,4 kez daraltacaktır.
Bazı durumlar altında bir algılayıcı aynı uyarıcıya çok kere maruz bırakılırken oldukça farklı çıkış
sinyalleri üretebilir. Yani algılayıcı bir tekrarlayabilme hatasına sahiptir. Benzer şekilde aynı
uyarıcıya açık çok sayıda benzer algılayıcı bazen birbiri ile oldukça kuvvetli şekilde farklılık
gösterir. Burada söz konusu oldukça küçük değişimler değildir çünkü bunlar daima vardır. Bununla
beraber ya bir ender çok kısa süreli intrinsik gürültü (spike) veya iletilen gürültü ender bir hataya
neden olabilir. Bu yüzden kullanıcı bu verinin ciddi olarak dikkate alınacağının veya bir çeşit
büyük gaf sonucu olarak ihmal edilebileceğinin kararının verilmesi problemi ile yüzyüzedir. Diğer
taraftan alışılmamış tepki kesin durumun yanında garip kalan yeni bir fiziksel kavramı temsil
edebilir veya halihazırdaki zaman ve şartlarda tamamen anlaşılamayabilir. Mühendisin
beklentilerine uymayan veriyi tabiki eliminasyon için önceden belirlenmiş bir kriter olmadıkça
atmaması gerekir. Aynı uyarıcının n kez ölçüldüğü ve n sayısı yeteri kadar büyük olduğu durum
dikkate alındığında hataların normal (Gauss) dağılımı beklenebilir. Bu dağılım verilen okunan
değerlerin ortalamadan belli miktarda sapma gösterdiği olasılığın hesaplanmasında kullanılabilir.
Olasılığın 1/n’den çok daha küçük olacağı beklenmez çünkü bunun olma ihtimali çok uzaktır.
Bundan dolayı 1/n’den daha küçük olasılıkla gözüken hatalı verinin eliminasyonu için bir kriter
oluşturulabilir. Pratikte daha sınırlayıcı bir test ekseriyetle veriden şüpheli hataların
eliminasyonuna doğru uygulanır. Bu Chauvenet kriteri olarak bilinir ve eğer ortalamadan belirli
sapma elde etme olasılığı 1/2n ise okunan değerin reddedilebileceğini belirtmektedir. Tablo 3.2’de
Chauvenet kriterine göre farklı n değerleri için kalan (residual) dmax’ın σ standart sapmaya olan
oranının değerleri listelenmektedir.
Tablo 3.2 Veri eliminasyonu için Chauvenet kriteri

Okuma sayısı, n 2 3 4 5 6 7 10 15 25 50 100 300 500 1000
dmax/σ oranı 1,15 1,38 1,54 1,65 1,73 1,80 1,96 2,13 2,33 2,57 2,81 3,14 3,29 3,48
Chauvenet kriterini kullanmak için verinin ortalama ve standart sapması önceden hesaplanmalıdır.
Sonra aynı sonuçların artan değerleri (residual) tablo 3.2’deki bilgi ile kıyaslanır ve kuşkulu
noktalar elimine edilir. Bu metot bir eşiğin seçimi için kullanılabilir - algılayıcı tekniğinde veri
testinin popüler bir metodu. Örneğin bir güvenlik sisteminde kullanılan hareket detektörünü dikkate
alalım. Dedektör kapsama alanı içindeki hareketli aktivitelerin temsilcisi olan bir analog çıkış
üretir. Aygıtın kullanımı ile ilgili olarak iki olay vardır: bir izinsiz girişin varlığı ve yokluğu. İzinsiz
girme durumunun olmadığı şartlar altında eşik komparatoru 0 lojik çıkışı üretmelidir. 1 çıkış sinyali
ise sadece korunan alana birisi girdiğinde eşik komparatoru ile üretilmelidir. Detektörden alınan
analog sinyal karar verme seviyesi olan önceden belirlenmiş bir eşik ile kıyaslanır ve bu seviyenin
üzerinde her sinyal bir izinsiz giriş olarak dikkate alınmalıdır ve lojik 1 sayısı üretilmelidir. Eğer
eşik çok düşük ayarlanmışsa yanlış pozitif dedeksiyonlar sıklıkla oluşur. Eşik seçimi Chauvenet
kriteri ile yapılabilir. Başlangıçta detektörün analog çıkışı izinsiz giriş veya görme durumunun
olmadığı şartlarda belli bir zamana kadar örneğin 5 saat her dakikada gözlenir. Her dakika içinde
emax maksimum analog çıkışı dedekte edilir (örneğin bir pik detektörü kullanılarak). 5 saatlik deney
sonunda 300 nokta olacak ve bunun ortalaması sıfır ve standart sapması σ=265 mV hesaplanmıştır.
Tablo 3.2’den n=300 için d max / σ = 3,14 bulunur ve ortalamadan 265 × 3,14 = 832 mV kadar bir
sapma izinsiz girme durumları olmadığında anormal olarak dikkate alınır. Sonuç olarak eşik değeri
bu gerilime yakın ayarlanabilir ve eşiği geçen her sinyal durgun şartlar yerine farklı durumlarla
ilişkili olarak dikkate alınmalıdır.
3.20 ÖZET: ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİN KARAKTERİSTİKLERİ
Bundan sonraki bölümde çok sayıda algılayıcı ve dönüştürücünün çalışma prensibi açıklanmış ve
diğerleri ile karşılaştırılmaları yapılmıştır. Çoğu algılayıcılar istenilenden farklı bir davranış
gösterirler. Bunun elektronik bir devre ile düzeltilmesi gerekir. Aşağıda algılayıcı
karakteristiklerinin özet olarak bir sıralaması yapılmıştır.
Accuracy (Doğruluk) : Hatanın yüzde olarak tam skala çıkışa oranı.
Conformance (Uyuşum) : Kalibrasyon eğrisinin belirlenmiş eğriye yakınlığı.
Creep (sürünme) : Uyarıcı sabit tutulurken çıkıştaki yavaş ve sürekli değişim.
Cross-sensitivity (Çapraz duyarlılık) : Esas uyarıcının duyarlılığına bir uyarıcının etkisi.
Directivity () : Duyarlılık açıya bağımlıdır.
Drift () : Uyarıcının bir fonksiyonu olmayan, çıkışın istenilmeyen yavaş değişimi.
Dynamic error (Dinamik hata) : Çıkış uyarıcının zaman değişimlerini tam olarak takip etmez.
End points (Son veya uç noktaları) : Algılayıcı aralığının üst sınırlarındaki çıkış değerleri.
Error (hata) : Gösterilen değer ve gerçek değer arasındaki fark.
Frequency Response (Frekans tepkisi) : Sinüsoidal olarak değişen bir uyarıcı için çıkış/uyarıcı
genlik oranının frekansla değişimi
Hysteresis (Histerezis) : Değerin önce artışa ve sonra azalan uyarıcıya yaklaştığı zaman uyarıcının
bir değerinde çıkıştaki fark.
Interchangeability error (Değiştirilme hatası) : Algılayıcı aynı uyarıcı ile aynı tip başka bir
algılayıcı ile değiştirildiği zaman gözlenen hata.
Life (Ömür) : Performansını değiştirmeksizin, algılayıcının çalışabileceği minimum zaman
uzunluğu.
Linearity (Doğrusallık) : Kalibrasyon eğrisinin belirlenmiş düz çizgiye yakınlığı.
Mounting error (Yerleştirilme hatası) : Algılayıcının kutulanmasından ve yerleştirilmesinden
kaynaklanan hata.
Noise (Gürültü) : Uyarıcıda mevcut olmayan, rasgele frekansta ve rasgele genlikteki çıkış sinyali.
Offset () : Uyarıcı sıfır iken çıkış algılayıcısının çıkış sinyali.
Operating temperature range (Çalışma sıcaklık aralığı) : Çıkışın belli hatalar içinde sıcaklık
aralığı.
Range (Aralık) : Algılayıcının amaçlandığı uç noktalar arasındaki değerler.
Reliability (Güvenilirlik) : Belirli zaman uzunluğu için algılayıcının çalışabilirlik ihtimalinin bir
ölçüsü.
Repeatability (Tekrar edilebilirlik) : Aynı uyarıcı uygulandığı zaman algılayıcının aynı çıkışı
verebilmesi.
Resolution (Çözünürlük) : Uyarıcının dedekte edilebilen en küçük adım değişimi.
Resonant frequency (Rezonans frekansı) : Algılayıcının maksimum çıkış gösterdiği frekans.
Response time (Tepki zamanı) : Algılayıcı çıkışının son değerine ulaşması için gereken süre.
Reversibility (Tersine dönebilirlik) : Algılayıcının çıkışına uygulanmış, uyarıcının neden olduğu
sinyal çıkışı algılayıcı girişinde tekrar uyarıcıyı üretir.
Sensitivity (Duyarlılık) : Algılayıcı çıkışı ve uyarıcı değerindeki değişim arasındaki oran.
Sensitivity error (Duyarlılık hatası) : Çıkış doğru değerden sabit bir sayı kadar sapma gösterir.
Time constant (Zaman sabiti) : Çıkışın son değerinin % 63’üne ulaşması için gereken zaman.
Termal shift zero (Isıl sıfır kayması) : Çevre sıcaklığının değişiminden dolayı sıfır kayması.
Transfer function (Transfer fonksiyonu) : Zaman veya frekans domeninde ifade edilen algılayıcı
çıkışının girişine oranı.
Transient response (Geçici tepki) : Uyarıcının bir adım değişiminde algılayıcının tepkisi.
Zero-measurand output (Sıfır uyarıcı çıkışı) : Sıfır uyarıcı (offset) için algılayıcının çıkışı.
4 ALGILAMANIN ELEKTRİKSEL PRENSİPLERİ
4.1 ELEKTRİK YÜKLERİ, ALANLAR VE POTANSİYELLER
Kuru iklimlerde yaşayanlarca iyi bilinen bir fenomen vardır: halılar üzerinde yürüme sonucu
sürtünme ile kıvılcım oluşma ihtimali. Bu triboelektrik etki olarak bilinen etkinin bir sonucu olup
cisimlerin hareketi, elbise liflerinin sürtünmesi, hava türbülansı, atmosfer elektriği, vb. den dolayı
elektrik yük ayrışmasının bir işlemidir. Yüklerin iki tipi vardır. Benzer yükler birbirini iter ve zıt
yükler birbirini çeker. Benjamin Franklin (1706-1790) diğer başarılarının yanında ilk Amerikan
fizikçisidir. Bir yükü negatif ve diğer yükü pozitif olarak adlandırmıştır. Bu adlar bu günlere kadar
kalmıştır. Şimşekli ve yıldırımlı bir fırtınada uçurtma ile atmosfer elektriğinin sürtünmeyle
meydana gelen elektrik ile aynı cinsten olduğunu gösterecek özenli bir deney yapmıştır. Franklin
deneyinde çok şanslıydı çünkü deneyini tekrarlayan çok sayıda başka Avrupalı yıldırım tarafından
çok şiddetli yaralanmışlar ve bunlardan birisi ölmüştü.
Triboelektrik etki mekanik yük dağılımlarının yeniden dağılımının bir sonucudur. Örneğin cam bir
çubuğun ipek şeritler ile ovulması çubuğun yüzeyinden elektronları alarak bol miktarda pozitif yük
bırakır yani çubuğa pozitif yük verir. Elektrik yükünün korunumu olduğuna dikkat edilmelidir –
yeniden yaratılamaz ve yok edilemez. Elektrik yükleri sadece bir yerden başka bir yere taşınabilir.
Negatif yük vermenin anlamı elektronların bir cisimden alınarak başka bir cisim üzerine
konulmasıdır (negatif olarak yüklemek). Bir miktar elektron kaybeden cisim pozitif yük almış olur.
Triboelektrik etki bir cisimdeki toplam elektronik yüke kıyasla oldukça az sayıda elektronları
etkiler. Bir cisimdeki gerçek yük miktarı çok fazladır. Bunu açıklamak için bir bakır penideki (US)
toplam elektron sayısını dikkate alalım. Paranın ağırlığı 3,1 gram ise toplam atom sayısının
2,9×1022 olduğu gösterilebilir. Bir bakır atomu 4,6×10-18 C’luk pozitif nükleer yük ve aynı miktarda
ters polaritede elektronik yüke sahiptir. Bir peni içindeki bütün elektronların kombine yükü q =
(4,6×10-18 C/atom) × (2,9×1022 atom) = 1,3×105 C dur. Tek bir bakır penideki bu elektronik yük 100
W’lık bir ampülü 40 saat boyunca çalıştırabilecek 0,91 A’lik bir akım üretebilir.
¾ Elektrik yükleri ile ilgili olarak üç tür malzeme vardır: iletkenler, yalıtkanlar ve yarı-iletkenler.
İletkenlerde elektrik yükleri (elektronlar) malzeme içinde serbestçe hareket edebilirken
yalıtkanlarda böyle değildir. Mükemmel bir yalıtkan mevcut olmamasına rağmen ergimiş
quartz’ın yalıtım özelliği bakırınkinden yaklaşık 1025 kez daha büyüktür; bundan dolayı pratik
amaçlar için çoğu malzemeler mükemmel yalıtkanlar olarak kabul edilir. Yarı-iletkenler
elektriği iletme kabiliyetinde olan iletkenler ve yalıtkanlar arasında bulunmaktadır. Bu

elementler arasında silikon ve germanyum en iyi bilinen örneklerdir. Yarı-iletkenlerin
elektriksel iletkenliği diğer elementlerin az miktarda eklenmesiyle çok büyük oranda
artırılabilir. Bu amaç için arsenik veya bor elementlerinin çok az miktarları silikona ilave edilir.
¾ Şekil 4.1.1a da q pozitif elektrik yükü taşıyan bir cisim görülmektedir. Eğer küçük bir qo pozitif
test elektrik yükü yüklü cismin yakınına yerleştirilirse itici bir elektrik kuvvetine maruz
kalacaktır. Eğer cismin yanına negatif bir yük yerleştirilirse test yükünü çekecektir. Vektörel
olarak itici veya çekici kuvvet f ile gösterilir. Harfin koyu yazılması vektör notasyonunu
gösterir. Yükler arasında fiziksel kontak olmaksızın test yükünün kuvvete maruz kalması
gerçeği test yükünün işgal ettiği uzay hacminin elektrik alanıyla karakterize edilmesi
bağlamında açıklanabilir.
Her noktadaki elektrik alanı kuvvet ile
f
E= (4.1.1)
qo
olarak ifade edilir. Burada, E vektörü qo bir skaler olduğundan f ile aynı yöndedir. (4.1.1) eşitliği
elektrik alanının, kuvvetin test yüküne bölünmesi ile elde edildiğini ifade etmektedir. Test yükünün
elektrik alanında bozulmaya neden olmaması için çok küçük olması gerekir. İdealde sonsuz
derecede küçük olmasına rağmen yük miktarının belli olması gerektiğinden serbest test yükünün
büyüklüğünün elektronik yükten, e = 1,602×10-19 C daha küçük olması düşünülemez.
(a) Yüklü bir cismin yakınındaki pozitif yük (b) küresel bir cismin elektrik alanı
Şekil 4.1.1
Alan şekil 4.1.1a’da alan çizgileri ile gösterilmekte olup boşlukta her noktada kuvvet vektörüne
tanjanttır. Tanıma göre alan çizgileri pozitif plakadan başlar ve negatifte sona erer. Alan
çizgilerinin yoğunluğu herhangi bir uzay hacmindeki E alanının genliğini gösterir.
Bir fizikçi için her alan fiziksel bir miktar olup verilen ilgili bölge içindeki bütün noktalar için eş
zamanlı olarak belirlenebilir. Örnekler basınç alanı, sıcaklık alanları, elektrik alanları ve manyetik
alanlarıdır. Bir alan değişkeni bir skaler (örneğin sıcaklık alanı) veya bir vektör alanı (yerin
çevresindeki çekim alanı) olabilir. Alan değişkeni zamanla değişebilir veya değişmeyebilir. Bir
vektör alanı akıları (Φ) oluşturan vektör dağılımları ile karakterize edilebilir. Akı elektrik,
manyetik, ısıl, vb. gibi çoğu alanların tanımlanması için kullanışlıdır. Akı kelimesi Latincede
akmak’tan gelen fluere’den türetilmiştir. Akının bilinen bir benzerliği, verilen bir noktada
akışkanın sabit hızı olan v sabit akış vektörü ile karakterize edilen akışkan (su) akışının durgun
Algılamanın Elektriksel Prensipleri 57
veya düzgün alanıdır. Elektrik alanı durumunda formal anlamda hiçbir şey akmaz. Eğer v yerine E
(elektrik alanını temsil eden vektör) konulursa alan çizgileri akıyı oluşturur. Eğer varsayıma
dayanan kapalı bir S yüzeyi (Gauss yüzeyi) dikkate alınırsa q yükü ve akı arasında bir bağlantı
aşağıdaki gibi oluşturulabilir.
ε 0Φ E = q (4.1.2)
Burada ε0= 8,8542×10-12 C2/Nm2 geçirgenlik sabiti olup yüzey üzerinde akının integrali ile
ε 0 ∫ EdS = q (4.1.3)
eşitliği yazılabilir. Burada integral ФE ’ye eşittir. Yukarıdaki eşitliklerde, “Gauss kanunu olarak
bilinir” q yükü Gauss yüzeyi ile çevrelenen net yüktür. Eğer bir yüzey eşit ve zıt yükleri
çevreliyorsa net ФE akısı sıfırdır. Yüzeyin dışındaki yük q’nün değerine katkı sağlamaz veya
içeride yüklerin bulunduğu yer bu değeri etkilemez. Gauss kanunu önemli bir tahminin
yapılmasında kullanılabilir yani yalıtılmış bir iletkendeki tam yük tamamen dış yüzeyindekiler ile
dengededir. Bu hipotezin doğruluğu Gauss kanunu veya Coulomb kanununun uygulanmasından
önce de gösterilmişti. Coulomb kanununun kendisi Gauss kanunundan çıkartılabilir. Bir test
yüküne etkiyen kuvvetin, yüke olan uzaklığın karesi ile ters orantılı olduğu ifade edilmektedir:
1 qqo
f = ⋅ (4.1.4)
4πε o r2
¾ Gauss kanununun diğer bir sonucu simetrik küresel bir yük dağılımının dışındaki elektrik
alanının radyal olarak yönlenmiş ve
1 q
E= ⋅ (4.1.5)
4πε o r2
genliğine sahip olduğudur. Burada r kürenin merkezinden olan uzaklıktır.
¾ Benzer şekilde düzgün bir küre içindeki q yükü radyal olarak yönlenmiş ve
1 qr
E= ⋅ (4.1.6)
4πε o R 3
genliğine sahiptir. Burada R kürenin yarıçapı ve r kürenin merkezinden olan uzaklıktır. Kürenin
merkezindeki elektrik alanının (r=0) sıfıra eşit olduğuna dikkat edilmelidir.
¾ Eğer şekil 4.1.2a da görüldüğü gibi elektrik yükü sonsuz (veya pratik amaçlar için uzun bir
iletken) uzun bir hat boyunca dağılmışsa elektrik alanı hatta dik olarak yönlenmiş ve genliği
λ
E= (4.1.7)
2πε o r
olup burada r hattan olan uzaklık ve λ doğrusal yük yoğunluğudur (birim uzunluk başına yük).
¾ Sonsuz genişlikteki bir yapraktan dolayı elektrik alanı (şekil 4.1.2b) yaprak düzlemine dik ve
genliği
σ
E= (4.1.8)
2ε o
olup burada σ yüzey yük yoğunluğudur (birim alan başına yük). Bununla beraber yalıtılmış iletken
bir cisim için elektrik alanı iki kez daha güçlüdür:
σ
E= (4.1.9)
εo
(a) (b) (c)

Şekil 4.1.2 (a) Sonsuz uzunlukta bir iletkenin etrafında; (b) sonsuz bir yaprağın yakınındaki
elektrik alanı ve (c) yöneltilmiş bir iletken elektrik alanını yoğunlaştırır.
Elektrik alanları arasındaki görünür fark farklı geometrilerin bir sonucu olup önceki geometri bir
sonsuz yaprak ve sonraki ise keyfi biçimdeki bir cisimdir. Gauss kanununun önemli bir sonucu
elektrik yüklerinin sadece dış yüzeyde dağılmış olmasıdır. Bu aynı işaretli yükler arasındaki itici
kuvvetlerin bir sonucu olup bütün yükler birbirinden mümkün olduğunca uzağa kaçmaya çalışırlar.
Bunu yapmanın tek yolu malzeme içindeki en dış yüzey olan en uzak mesafeye gitmektir. En tercih
edilen yerlerden dış yüzeydeki bütün yerlerde en eğimli alanlar bulunmaktadır (şekil 4.1.2c).
Faraday kafesi çok kullanışlı bilimsel ve mühendislik aygıtı olup topraklanmış iletken şeritler veya
metal ağ ile tamamen kaplanmış bir oda biçimindedir. Harici elektrik alanının ne kadar güçlü
olduğuna bakılmaksızın kafes içindeki alan temelde sıfırdır. Bu yıldırımlı havalarda otomobiller ve
metal gemilerin en iyi koruyucusu olmaktadır çünkü bunlar gerçek bir Faraday kafesi olarak
aksiyonda bulunmaktadırlar. Faraday kafesi elektrik alanlarına karşı mükemmel bir kalkan olmanın
yanında kafes kalın ferromanyetik malzemeden yapılmadığı sürece manyetik alanlara karşı
korumada etkisi azdır.
¾ Bir elektrik dipolü 2a uzaklığında yerleştirilmiş zıt iki yükün bir kombinasyonudur (şekil
4.1.3a). Her yük bir test yüküne ayrı ayrı yüklerin meydana getirdiği E1 ve E2 elektrik alanları
ile tanımlanan bir kuvvet ile etkileyecektir. Bir E dipolünün kombine elektrik alanı iki alanın
vektörel toplamıdır. Bu alanın genliği
1 qa
E= ⋅ (4.1.10)
4πε o r3
dir; burada r dipolün merkezinden olan uzaklıktır. Yük dağılımının temel özellikleri yükün genliği,
q ve 2a uzaklığıdır. (4.1.10) eşitliğinde yük ve uzaklık sadece çarpım olarak girilir. Bunun anlamı
eğer elektrik dipolünden farklı uzaklıklarda (uzaklığın a dan çok büyük olması varsayımı ile) E
ölçülürse q ve 2a asla ayrı ayrı çıkartılamaz fakat bunun yerine 2qa elde edilir. Örneğin q ikiye
katlanır ve a yarıya düşürülürse elektrik alanı değişmeden kalır. 2qa çarpımı elektrik dipol
momenti olarak adlandırılır. Bundan dolayı (4.10) eşitliği aşağıdaki gibi yazılabilir.
1 p
E= ⋅ (4.1.11)
4πε o r3
Bir dipolün uzaysal pozisyonu vektör biçiminde p momenti ile belirlenebilir. Bütün malzemeler
dipol momentine sahip olmayıp metan, asetan, etilen, karbon dioksit ve çok sayıda diğer maddeler
de dipol momentine sahip değildirler. Diğer taraftan karbon monoksit çok zayıf bir dipol
momentine (0,37×10-30 C.m) ve su ise kuvvetli bir dipol momentine (6.17×10-30 C·m) sahiptir.
-f E
(a) (b)
Şekil 4.1.3 (a) Elektrik dipolü; (b) elektrik alanındaki elektrik dipolü bir dönme kuvvetine maruz
kalır.
Dipoller kristal malzemeler içinde bulunur ve piezo ve piro-elektrik dedektörler gibi algılayıcıların
temelini oluşturur. Bir dipol elektrik alanı içine yerleştirildiğinde bir dönme kuvvetine maruz kalır
(şekil 4.1.3b). Ekseriyetle dipol bir kristalin bir parçası olup kristalin başlangıç yönünü tanımlar.
Elektrik alanı eğer yeteri kadar kuvvetli ise dipolü kendisi ile aynı hizaya getirecektir. Vektör
biçiminde dipole etkiyen tork
τ = pE (4.1.12)
dir. Harici elektrik alanındaki elektrik dipolünün yönünün değişimi ile harici alan tarafından bir iş
yapılmış olmalıdır. Bu iş dipol ve harici alanın oluşturulmasında kullanılan düzenlemeden oluşan
sistemde U potansiyel enerjisi olarak depolanır. Vektörel biçiminde bu potansiyel enerji
U = − pE (4.1.13)
dir. Dipolün yönlenme işlemine kutuplaşma adı verilir. Aynı doğrultuya getiren elektrik alanının
malzemenin kristal yapısındaki kalıcı veya tutucu kuvveti yenecek kadar yeterli kuvvette olması
gerekir. Bu işlemi kolaylaştırmak için malzeme kutuplaştırma süresince moleküler yapısının
mobilitesini artırmak için ısıtılır. Kutuplandırma piezo ve piro-elektrik kristallerin fabrikasyonunda
kullanılır.
¾ Yüklü bir cismin etrafındaki elektrik alanı sadece E vektör alanı ile tanımlanmayıp bir skaler
miktar olan V elektrik potansiyeli ile de tanımlanır. Her iki miktar birbiriyle yakın ilişkili ve
pratikte ekseriyetle hangisinin kullanıma uygunluğu bir tercih sorunudur. Uzayda belirli bir
noktadaki elektrik alanının tanımlanmasında potansiyel nadiren kullanılır. İki nokta arasındaki
bir potansiyel farkı (gerilim) elektrik mühendisliği pratiğinde en yaygın miktardır. Keyfi iki
nokta arasındaki potansiyel farkının bulunması için yukarıdaki aynı teknik kullanılabilir –
küçük bir pozitif qo test yükü. Eğer elektrik yükü qoE kuvvetinin etkisi altında denge
durumunda kaldığı A noktasında pozisyonlandırılmışsa teorik olarak sonsuza kadar orada
kalabilir. Şimdi yük başka bir B noktasına hareket ettirmeye çalışılırsa elektrik alanına karşı iş
yapılması veya çalışılması gerekir. Yükün A noktasından B noktasına getirilmesi için alana
karşı yapılan -WAB (bu negatif işaretin nedenidir) işi iki nokta arasındaki gerilimi tanımlar.
WAB
VB − VA = (4.1.14)
qo
Sonuç olarak B noktasındaki potansiyel A noktasındakinden daha küçüktür. Gerilimin SI birimi 1

volt = 1 joule/coulomb dur. Uygunluk olması bakımından A noktası bütün yüklerden çok uzakta
seçilir (teorik olarak sonsuz uzaklıkta) ve bu noktadaki elektrik potansiyelinin sıfır olduğu kabul
edilir. Bu başka bir noktadaki elektrik potansiyelinin tanımlanmasına yardımcı olur.
W
V =− (4.1.15)
qo
Bu eşitlik pozitif yükün yakınındaki potansiyelin pozitif olduğunu söylemektedir çünkü pozitif test
yükünün sonsuzdan alan içindeki noktaya getirilmesi bir itici kuvvete karşı yapılmalıdır. Bu
(4.1.15) eşitliğindeki negatif işareti iptal edecektir. İki nokta arasındaki potansiyel farkın test
yükünün hareket ettirildiği yoldan bağımsız olduğuna dikkat edilmelidir. Bu kesinlikle iki nokta
arasındaki elektrik alan farkının bir tanımıdır. Eğer düz bir çizgi boyunca elektrik alanı içinde
hareket edilir ve giderken V ölçülürse l uzaklığı ile V’nin değişim oranı bu yönde gözlenen E’nin
bileşenleridir.
El = −dV / dl (4.1.16)
Eksi işareti E’nin azalan V yönünde olduğunu göstermektedir. Bu yüzden elektrik alanı için uygun
birimler volt/metre olur.
4.2 KAPASİTANS
Keyfi biçimde yalıtılmış iki iletken cisim (plaka) alalım ve bunları bir bataryanın zıt kutuplarına
bağlayalım (şekil 4.2.1a). Plakalar zıt yüklerin eşit miktarlarını alacaklardır. Yani pozitif yüklü
plakada elektron eksikliği meydana gelirken negatif yüklü plaka ilave elektron alacaktır. Şimdi
batarya ile bağlantıyı keselim. Eğer plakalar vakum içinde ve tamamen yalıtılmış ise teorik olarak
sonsuza kadar yüklü kalacaktır. Elektrik yükünü tutabilecek plakaların bir kombinasyonu kapasitör
olarak adlandırılır. Eğer küçük bir qo pozitif test elektrik yükü yüklü plakalar arasına konulursa
pozitif plakadan negatif plakaya bir elektrik kuvvetine maruz kalacaktır. Pozitif plaka test yükünü
itecek ve negatif plaka çekerek sonuçta kombine bir itme-çekme etkisi meydana getirecektir. Zıt
yüklü cisimler arasındaki test yükünün pozisyonuna bağlı olarak kuvvet bir öz genliğe sahip ve f
vektörü ile karakterize edilir.
Kapasitör, şekil 4.2.1a da görüldüğü gibi her iletkenin üzerindeki yükün genliği q ve iletkenler
arasındaki potansiyel fark V ile karakterize edilir. Kapasitör üzerindeki net yükün q olmadığına
dikkat edilmelidir çünkü net yük sıfırdır. Daha da ötesi V her plakanın potansiyeli olmayıp
arasındaki potansiyel farktır. Yükün gerilime oranı her kapasitör için sabittir:
q
=C (4.2.1)
V
Bu sabit C oranına kapasitörün kapasitansı denir. Değeri plakaların biçimlerine ve pozisyonlarına

bağlıdır. C aynı zamanda plakaların daldırıldığı ortama bağlıdır. q ve V için aynı işaret
kullanıldığından C daima pozitiftir. Kapasitansın SI birimi 1 farad = 1 coulomb/volt olup
kısaltılmış olarak Farad ile temsil edilir. Farad çok büyük bir kapasite olduğundan pratikte aşağıda
görüldüğü gibi farad’ın alt katları kullanılır.
1 piko farad (pF) = 10-12 F
1 nano farad (nF) = 10-9 F
1 mikro farad (μF) = 10-6 F
Kapasitans bir elektronik devreye bağlandığında aşağıdaki gibi kompleks direnç olarak temsil
edilebilir.
V 1
=− (4.2.2)
i jωC
Burada j = − 1 ve i frekansı ω olan sinüsoidal akımdır. Buna göre bir kapasitörün kompleks
direnci yüksek frekanslarda düşer. Bu kapasitör için Ohm kanunu olarak bilinir. Eksi işareti ve
kompleks argüman kapasitör uçlarındaki gerilimin akımdan 90° geri kaldığını göstermektedir.
(a) Elektrik yükü ve gerilim ile iki cisim arasındaki (b) paralel plakalı kapasitör
kapasitans tanımlanır.
Şekil 4.2.1
Bir algılayıcı tasarımcısının alet kutusunda kapasitans çok kullanışlı fiziksel bir fenomendir.
Kapasitans mesafe, alan, hacim, basınç, kuvvet, vb. nin ölçülmesinde başarıyla uygulanabilir.
İlerideki temel bilgilerde kapasitörün temel özellikleri bulunmakta ve bazı kullanışlı eşitlikler
verilmektedir. Şekil 4.2.1b bir paralel plakalı kapasitörü göstermekte olup iletkenler birbirinden d
uzaklığı ile ayrılmış ve alanı A olan iki paralel plakayı oluşturur. Eğer d plakanın ölçülerinden çok
küçükse plakalar arasındaki elektrik alanı düzgün olacak yani alan hatları (f kuvvet hatları) paralel
ve eşit aralıklı dağılmış olacaktır. Elektromanyetizma kanunları plakaların kenarlarında akı
hatlarında bir miktar saçaklama olmasını gerektirir fakat yeteri kadar küçük d için bu saçaklama
buradaki amaca yönelik olarak ihmal edilebilir.
4.2.1 KAPASİTÖR
Kapasitansın hesaplanması için (4.2.1) eşitliğine göre kapasitörün q yükünün plakalar arasındaki V
potansiyel farkına bölünmesi gerekir.
q
C= (4.2.3)
V
Alternatif olarak düz bir kapasitörün kapasitansı
ε0 A
C= (4.2.4)
d
den bulunabilir.
(4.2.4) eşitliği kapasitif algılayıcı tasarımında çok önemli olup plakanın alanı ve plakalar arasındaki
açıklık arasında bir ilişki tesis etmektedir. Bunlardan her birinin değiştirilmesiyle kapasitörün
değeri doğrusal olarak değişerek uygun bir devre ile oldukça doğru bir şekilde ölçülebilir.
Yukarıdaki eşitliklerin sadece paralel tipteki kapasitörler için tuttuğuna dikkat edilmelidir.
Geometrideki bir değişim eşitliklerde düzeltme gerektirir. A/d oranı paralel plakalı kapasitörler için
geometri faktörü olarak adlandırılabilir.
Şekil 4.2.2a da görülen silindirik bir kapasitör a ve b yarıçaplarında ve l uzunluğunda iki koaksiyel
silindirden oluşmaktadır. l >> b durumu için saçaklama etkileri ihmal edilebilir ve aşağıdaki
eşitlikten silindirik kapasitörün kapasitansı hesaplanabilir.
2πε 0l
C= (4.2.5)
ln(b / a )
Bu eşitlikte l örtüşen iletkenlerin uzunluğu anlamında (şekil 4.2.2b) ve 2π /[ln(b / a)]−1 koaksiyel
kapasitör için geometri faktörü olarak adlandırılır. Kullanışlı bir yer değişim algılayıcısı eğer içteki
iletken dıştaki iletkenin içine ve dışına doğru hareket ettirilirse böyle bir kapasitör ile yapılabilir.
(4.2.5) eşitliğine göre böyle bir algılayıcının kapasitansı l yer değişimi ile doğrusal bir ilişkidedir.
(a) Silindirik kapasitör (b) kapasitif yer değişim algılayıcısı

Şekil 4.2.2
4.2.2 DİELEKTRİK SABİTİ
(4.2.4) eşitliği plakaları vakum (veya çoğu pratik amaçlar için hava) içinde bulunan paralel plakalı
bir kapasitör için geçerlidir. 1837’de Michael Faraday bir dielektrik ile plakalar arasındaki
boşluğun tamamen doldurulmasının etkisini ilk önce keşfetmiştir. Doldurmanın etkisinin aygıtın
kapasitansını -malzemenin dielektrik sabiti olarak adlandırılan- bir κ faktörü ile artırdığını
bulmuştur.
Dielektriğin varlığından dolayı kapasitansın artışı moleküler polarizasyonun bir sonucudur. Bazı
dielektriklerde (örneğin su) moleküller sabit dipol momentlerine sahip iken diğer dielektriklerde
moleküller sadece harici bir elektrik alanı uygulandığında polarize olur. Böyle polarizasyon
indüklenmiş olarak adlandırılır. Her iki durumda sabit elektrik dipolleri veya indükleme ile
kazanılmış olanlar harici elektrik alanı ile molekülleri aynı doğrultuya getirmeye meyillidir. Önceki
durumda kapasitör plakalarında gerilim yoktur ve bütün dipoller rasgele yönlenmiştir. Kapasitör
yüklendikten sonra dipoller elektrik alan hatları ile doğrultuya gelecek; ancak ısıl ajitasyon (tahrik)
tam bir hizaya gelmeyi engelleyecektir. Her dipol harici elektrik alanı, Eo ile ağırlıklı olarak zıt
yönde yönlenecek şekilde kendi elektrik alanını biçimlendirecektir. Çok sayıdaki dipollerin
kombine etkisinden (E′) dolayı kapasitördeki elektrik alanı kapasitörün dielektriksiz durumundaki
E0 alanından daha zayıf olur (E= E0+E′).
(a) dipoller harici bir elektrik alanı olmaksızın (b) dipoller elektrik alanı ile aynı doğrultuya gelir.
rasgele yönlenir.
Şekil 4.2.3 Dielektriğin polarizasyonu
Azaltılmış elektrik alanı kapasitör uçlarında daha küçük bir gerilim meydana getirir: V = Vo / κ .
Bunun (4.2.3) eşitliğinde yerine konulmasıyla dielektrikli kapasitör eşitliği elde edilir:
q
C =κ = κCo (4.2.6)
Vo
Paralel plakalı kapasitör için
κε o A
C= (4.2.7)
d
elde edilir.
Daha genel biçiminde iki cisim arasındaki kapasitans bir geometri faktörü, G ile ifade edilebilir.
C = ε oκG (4.2.8)
G cisimlerin biçimine ve aralarındaki açıklığa bağlıdır. Tablo 4.1 farklı malzemelerin dielektrik
sabitlerini vermektedir.
Tablo 4.1 Oda sıcaklığında (25 °C) bazı malzemelerin dielektrik sabitleri
Malzeme к Frekans Malzeme к Frekans (Hz)
(Hz)
Hava 1,00054 0 Pleksiglas 3,12 103
Asfalt 2,68 106 Polyester 3,22-4,3 103
Balmumu 2,9 106 Polietilen 2,26 103-108
Benzene 2,28 0 Polivinil klorit 4,55 103
Karbon tetraklorit 2,23 0 Porselen 6,5 0
Selüloz nitrat 8,4 103 Pyrex cam (7070) 4,0 106
Seramik (titanyum 14-110 106 Pyrex cam (7760) 4,5 0
dioksit)
Seramik (aluminyum) 4,5-8,4 106 Lastik (neoprene) 6,6 103
Kalın film kapasitör 300-5000 0 Lastik (silikon) 3,2 103
dielektriği
Elmas 5,5 108 Rutile ⊥ optik eksen 86 108
Epoksi reçine 3,65 103 Rutile ║optik eksen 170 108
Demir oksit 14,2 108 Silikon reçine 3,85 103
Kurşun nitrat 37,7 6.107 Talyum klorit 46,9 108
Metanol 32,63 0 Teflon 2,04 103-108
Naylon 3,50 103 Transformotor yağı 4,5 0
Kağıt 3,5 0 Vakum 1 -
Parafin 2,0-2,5 106 Su 78,5 0
Dielektrik sabitleri test frekansı ve sıcaklık için belirlenmelidir. Bazı dielektrikler çok geniş bir
frekans aralığı üzerinde çok düzgün dielektrik sabitine sahipken (örneğin polietilen) diğerleri
kuvvetli negatif frekans bağımlılığı gösterirler yani dielektrik sabiti frekans ile azalır. Sıcaklık
bağımlılığı da negatiftir. Şekil 4.2.4 sıcaklığın bir fonksiyonu olarak suyun к dielektrik sabitinin
değişimini göstermektedir.
Şekil 4.2.4 Sıcaklığın bir fonksiyonu

olarak suyun dielektrik sabiti
Dielektrikler kapasitansı önemli ölçüde artırır ve bu yüzden algılayıcı uygulamaları için oldukça
kullanışlıdır. Örneğin kapasitif bir su seviyesi algılayıcısını dikkate alalım (şekil 4.2.5a).
Algılayıcının fabrikasyonu bir koaksiyel kablo biçiminde yapılmış olup her iletkenin yüzeyi su
içinde kısa devreyi engellemek için ince bir yalıtkan tabaka ile kaplanmıştır (bu yalıtkan da bir
dielektrik olup bu analizde ölçme işleminde bir değişime neden olmadığı varsayılmıştır). Algılayıcı
bir su deposu içine yerleştirilmiştir. Su seviyesi artarken su algılayıcının koaksiyel iletkenleri
arasındaki boşluğu doldurarak algılayıcının kapasitansını değiştirir.
Koaksiyel algılayıcının toplam kapasitansı
C = C1 + C2 = ε oG1 + ε oκG2 (4.2.9)
dir; burada C1 algılayıcının susuz kısmının kapasitansı ve C2 su ile dolu kısmın kapasitansıdır.
Bununla ilgili geometri faktörleri ile G1 ve G2 gösterilir.
(4.2.5) ve (4.2.9) eşitliklerinden algılayıcının toplam kapasitansı
2πε 0
Ch = [H − h(1 - κ )] (4.2.10)
ln ba
dir; burada h algılayıcının su ile dolu kısmının yüksekliğidir. Eğer su ho seviyesinde veya
aşağısında ise kapasitans sabit kalır.
2πε 0
C0 = H (4.2.11)
ln ba
Şekil 4.2.5b su seviyesi – kapasitans bağımlılığını göstermektedir. Algılayıcının boyutları: a=10

mm, b=12 mm, H=200 mm, kullanılan sıvı: su. Değişim ho dan düz bir çizgi halindedir. Çizginin
eğimi akışkana bağlıdır. Örneğin algılayıcı su yerine transformotor yağının seviyesini ölçerse 22
kat az duyarlılığa sahip olacaktır (tablo 4.1’e bakınız).
(a) Kapasitif su seviye algılayıcısı (b) su seviyesinin fonksiyonu olarak kapasitans

Şekil 4.2.5
4.3 MANYETİZMA
Manyetik özellikler tarih öncesi zamanlarda manyetit (Fe3O4) olarak adlandırılan demir cevheri
mineralinin bazı örneklerinde keşfedilmiştir. Aynı zamanda manyetik malzemeye sürtülmüş olan
yumuşak demirin mıknatıs gibi aynı özelliği kazandığı da keşfedilmiştir. Sürtünme ile gelişen bu
mıknatısın diğer mıknatısları ve demir parçalarını çektiği görülmüştür. Manyetizmanın ilk kapsamlı
çalışması William Gilbert tarafından yapılmıştır. Gilbert’in en büyük katkısı dünyanın çok büyük
bir mıknatıs gibi aksiyonda bulunduğu sonucuna varmasıydı. Manyetizma kelimesi manyetik
taşların bulunduğu yerlerden biri olan Anadoludaki (Asia Minor) Manisa (Magnesia) bölgesinden
gelmektedir.
Elektrik ve manyetizma arasında güçlü bir benzerlik vardır. Bunun bir göstergesi aynı elektrik
yüküyle yüklü iki çubuğun -zıt uçlara sahip iki mıknatısta olduğu gibi- aynı ve zıt uçlara sahip
olmasıdır. Mıknatıslarda bu uçlar S (güney) ve S (kuzey) kutbu olarak adlandırılır. Benzer kutuplar
birbirini itecek ve zıt kutuplar ise çekecektir. Elektrik yüklerinin tersine manyetik kutuplar daima
çift olarak bulunur. Bu mıknatısların istenildiği kadar parçaya bölünmesi ile ispatlanabilir. Her
kısım ne kadar küçük olursa olsun bir kuzey ve bir güney kutbuna sahip olacaktır. Bu
manyetizmanın nedeninin atomlarla veya düzenlemeleri ile veya muhtemelen her ikisi ile ilişkili
olduğunu öne sürmektedir.
Eğer bir yere bir manyetik kutup konulursa kutbun etrafındaki yer önceki durumundan değişmiş
olarak gözükür. Bunu göstermek için bahsi geçen yere bir demir parçası getirelim. Şimdi demir
parçası bir kuvvetin etkisi altında kalacak ve mıknatıs kaldırıldığında bu kuvvet ile
etkilenmeyecektir. Değişen bu uzay veya boşluk manyetik alan olarak adlandırılır. Alanın, içerisine
getirilen her manyetik cisim üzerinde bir kuvvet oluşturduğu düşünülür. Eğer manyetik cisim
küçük bir mıknatıs veya manyetik iğne ise manyetik alanın bir yöne sahip olduğu bulunur. Tanıma
göre her noktadaki bu alanın yönü küçük birime sahip bir kuzey kutbu üzerine etkiyen kuvvetin
yönü ile verilir. Şekil 4.3.1a da alanın yönü oklar ile görülmektedir. Küçücük bir test mıknatısı F
kuvvet vektörünün yönünde eklenmiştir. Doğal olarak test mıknatısının güney kutbu kuzey kutbu
ile yaklaşık aynı fakat zıt yönde kuvvetin etkisi altında kalır.
(a) Bir manyetik alandaki test mıknatısı (b) pusulanın iğnesi elektrik akımının yönüne uygun
olarak döner
Şekil 4.3.1
Manyetik alanın yukarıdaki tanımı sabit mıknatıslar için yapılmıştır. Bununla beraber eğer
manyetik alan içinden akım geçen bir iletken gibi farklı bir aygıt ile üretilirse doğasını değiştirmez.
1820 de Danimarkalı fizikçi Hans Christian Oersted mıknatısın olmadığı yerde bile manyetik
alanın olduğunu göstermiştir. Oersted deneylerinde büyük bir akım meydana getirmek için oldukça
büyük Voltaik pil (batarya) kullanmış ve yakındaki bir pusulanın garip davranışlarda bulunduğuna
dikkat etmiştir. Daha ileri deneylerinde pusula iğnesinin daima akım taşıyan iletkene dik açılarda
yönlendiğini göstermiş, akımın yönü değiştiğinde pusulanın yönü değişmiş ve akım taşıyan
iletkenin aşağı ve yukarısında pusulanın pozisyonunun değişmesi ile iğnenin yönü değişmiştir
(şekil 4.3.1b). Durgun elektrik yükleri manyetik pusulada hiç etki meydana getirmemiştir
(deneyinde kumpas iğnesi olarak küçücük bir test mıknatısı kullanmıştır). Hareketli elektrik
yüklerinin manyetik alanın nedeni olduğu vurgulanmıştı. Bir iletken tel etrafındaki manyetik alan
hatlarının dairesel ve yönlerinin elektrik akımının veya hareketli elektronların yönüne bağlı olduğu
gösterilebilir (şekil 4.3.2). Telin aşağı ve yukarısında manyetik alan hatları zıt yönleri
göstermektedir. Bundan dolayı pusula telin aşağısında iken yönünü değiştirmiştir.
Şekil 4.3.2 Elektrik akımı iletken etrafında

halka şeklinde manyetik alan oluşturur
Manyetizmanın temel bir özelliği hareketli elektrik yüklerinin manyetik alan meydana getirmesidir.
Bunun bilinmesiyle sabit mıknatısın doğası açıklanabilir. Manyetik alanın nasıl meydana geldiğinin
basitleştirilmiş işlemi şekil 4.3.3a da görülmektedir. Bir elektron atomun çevresinde sürekli olarak
girdap (eddy) hareketinde fırıldak gibi döner. Elektronun hareketi atom çekirdeğinin etrafında
dairesel bir elektrik akımı oluşturur. Bu akım küçük bir manyetik alanın oluşma nedenidir. Başka
bir ifadeyle dönmekte olan elektron atomik boyutlarda bir sabit mıknatısı biçimlendirir. Şimdi çok
sayıda böyle atomik mıknatısların organize bir durumda hizaya gelerek manyetik alanlarının bir
bileşke oluşturduğunu varsayalım (şekil 4.3.3b). Bu durumda mıknatıslanma işlemi açıkca
anlaşılabilir – malzemeden hiç bir şey alınmıyor veya eklenmiyor sadece atomların yönlendirilmesi
yapılıyor. Uygun kimyasal kompozisyona ve kristal yapıya sahip bazı malzemelerde atomik
mıknatıslar aynı doğrultuda tutulabilir. Böyle malzemeler ferromanyetik malzemeler olarak
adlandırılır.
(a) Hareketli elektron manyetik alan meydana (b) alan vektörlerinin süperpozisyonu mıknatısın
getirir bileşke manyetik alanı ile sonuçlanır
Şekil 4.3.3
4.3.1 FARADAY KANUNU
Michael Faraday eğer bir elektrik akımı manyetizma üretme kabiliyetine sahipse manyetizma
elektrik akımının meydana getirilmesinde kullanılabilir mi? sorusuna cevap aradı fakat bunun keşfi
için 9-10 yıl harcaması gerekti. Eğer bir elektrik yükü manyetik alan boyunca hareket ettirilirse
saptırıcı bir kuvvet bu yük üzerinde aksiyonda bulunur. Gerçekte neyin harekette bulunduğunun
önemli olmadığına dikkat edilmelidir – yük veya manyetik alan kaynağı. Önemli olan bunların
bağıl yer değişimidir. Hareketli elektrik yükü manyetik alan üretimi ile etkileşiminin bir sonucu
olarak sapabilir; akabinde iletken malzeme içinde elektrik akımı üretimi ile bir gerilim farkına
öncülük edebilir.
Herhangi bir noktada manyetik akının yoğunluğu bu noktada manyetik alana tanjant B vektörü ile
tanımlanır. Daha iyi bir görsel temsil için birim kesit alanı (hatlara dik olan) başına alan hatlarının
sayısı B’nin genliği ile orantılıdır. Hatların birbirine yakın olduğu yerde B büyük ve aralarının
açıldığı yerde ise B küçüktür.
Manyetik alanın akısı veya manyetik akı aşağıdaki gibi tanımlanabilir.
Φ B = ∫ Bds (4.3.1)
Burada integral FB’nin tanımlandığı yüzey üzerinde alınır.
Manyetik akı yoğunluğu vektörünün, B tanımlanması için pozitif elektrik yükü qo’ın test cismi
olarak kullanıldığı bir laboratuvar işlemi kullanılır. Yük manyetik alan içinde v hızıyla fırlatılır.
Yanlardaki FB saptırma kuvveti v ile dik açıdadır. v vektörünün manyetik alan içinde hareket
ederken yönünü değiştirdiğine dikkat edilmelidir. Bu yükün parabolik hareketinden daha çok spiral
bir hareketi ile sonuçlanır (şekil 4.3.4b). Spiral hareket manyetorezistif algılayıcıların temelini
oluşturan manyetorezistif etkinin bir sonucudur. FB saptırma kuvveti yük, hız ve manyetik alan ile
orantılıdır.
FB = qo vB (4.3.2)
(a) Manyetik alan içinde fırlatılan pozitif yük (b) Manyetik alan içindeki elektrik yükünün
yanal kuvetlere maruz kalır. spiral hareketi
Şekil 4.3.4
FB vektörü daima v ve B ile biçimlenen düzleme dik açıdadır ve v ve B ’ye diktir; bundan dolayı
yanal kuvvet olarak adlandırılır. Manyetik saptırma kuvvetinin genliği vektörel çarpım kurallarına
göre
FB = qo NB sin φ (4.3.3)
olur. Burada φ v ve B vektörleri arasındaki açıdır. Eğer v B ’ye paralel ise manyetik kuvvet
kaybolur. Yukarıdaki (4.3.3) eşitliği saptırılan yük, hız ve saptırma kuvveti ile manyetik alanın
tanımı için kullanılır. Bu yüzden B’nin birimi (Newton/Coulomb)/(metre/saniye)-1 dir. SI birim
sisteminde tesla (T) olarak verilir. Coulomb/saniye bir amper olduğundan 1 T = 1
newton/(amper.metre) dir. B’nin eski birimi olan gauss ise hala kullanılmaktadır: 1 tesla = 104
gauss.
4.3.2 BİOT-SAVART KANUNU
Bir elektrik akımının meydana getirdiği manyetik alanın hesaplanması aşağıdaki metotla
yapılabilir. Şekil 4.3.5a da keyfi biçimde bir iletken tel görülmektedir. Harici bir elektrik
kaynağından, örneğin bataryadan, iletken telden I akımı geçirilir. Bu akım iletkenin etrafındaki
manyetik alanın kaynağıdır. Burada P noktasında meydana gelen alan bulunacaktır. Bu noktadaki
manyetik alan akım taşıyan iletkenin küçük parçaları ile üretilen küçük manyetik vektörlerin
süperpozisyonunun bir sonucudur. Küçük kelimesi bir ∫ Bdl = μ0i noktasında pozisyonlandırılmış
ve dl uzunluğuna sahip çok küçük bir iletken parçası anlamındadır. Bu parça düz ve bir yöne sahip
olarak dikkate alınır (dl’nin vektörel notasyonuna dikkat ediniz). Küçük tel parçasının yönü iletken
tele tanjant (kesik çizgi ile görülen) ve akım akışının yönünde bir doğrultuyu göstermektedir. Akım
elemanı akım ile küçük parçanın çarpımı olarak ifade edilir: idl. Akım taşıyan iletken telin tamamı
akım taşıyan küçük elemanların vektörel toplamı olarak düşünülür. Amaç P noktasındaki manyetik
alanın bulunması olduğundan bu noktaya olan uzaklık ve yönünün gösterilmesi için z den P’ye
vektör uzatılır. P noktasında meydana gelen elementer manyetik alanın genliği
μ 0 idl sin Θ
dB = (4.3.4)
4π r2
ile verilir.
(a) Elektrik akımının meydana getirdiği manyetik (b) Bir sargıdaki manyetik alanın formasyonu
alan akımın yönüne ve genliğine bağlıdır
Şekil 4.3.5
(4.3.4) eşitliği Biot-Savart kanunu olarak bilinir ve elektrik alanının Coulomb kanununa benzer. Bu
isim Oersted’in keşfinden kısa bir süre içinde bunun deneysel olarak temelini oturtan iki Fransız
fizikçisinden sonra verilmiştir. dB’nin yönü dl ve r vektörlerinin çarpımı ile belirlenir ve şekil
4.3.5a düzlemine doğrudur. Bu bir yuvarlak içinde bir çarpı ile gösterilir. Bileşke manyetik alanı, B
bulmak için iletken telin bütün temel (elementer) akım parçaları ile oluşan elementer manyetik
alanlar üzerinde integral alınmalıdır. (4.3.4) eşitliğindeki μ0 sabiti geçirgenlik sabiti olarak
adlandırılır. SI birim sisteminde atanmış değeri
μ o = 4π ⋅10−7 T.m/A (4.3.5)
dir. Eğer Biot-Savart kanunu düz bir iletken telin etrafındaki manyetik alanın hesaplanmasında
kullaılırsa sonuç
μoi
B= (4.3.6)
2π r
olup burada r iletken telden dik olan uzaklıktır. Her biri aynı yönde, eşit i akımı taşıyan, birbirine
çok yakın, paralel olarak bağlanmış n sayıda, ince iletken telden r uzaklığındaki bileşke manyetik
alan (r iletken yığının çapından çok büyüktür) aşağıdaki gibi ifade edilir:
μoi
B=n (4.3.7)
2π r
4.3.3 AMPERE KANUNU
Çoğu elektronik problemler Gauss kanunu kullanılarak çözülebilir. Benzer şekilde manyetizma
teorisinde buna eşdeğer etkili bir metot Ampère kanununa dayanır. Genel biçimde bu kanun
∫ Bdl = μ0i (4.3.8)
gibi ifade edilebilir. Burada l uzaklıktır ve integral manyetik alan ve akım dağılımının mevcut
olduğu bölgede kapalı bir döngü üzerinde alınır. Sol taraftaki integral B’nin genliğine ve döngüdeki
yönüne bağlıdır. Sağ taraftaki i’nin miktarı döngüyü delip geçen net akımdır. Ampère kanununun
burada detaylı olarak anlatılması bu kitabın amacının dışına çıkmakla beraber daha ileri bilgi almak
isteyenler fizik ve elektromanyetik kitaplarına müracaat edebilirler. Burada manyetik bileşenler
kullanan algılayıcıların tasarımı için uygulanabilecek Ampere kanunundan çıkartılmış kullanışlı
sonuçlar verilmektedir. Manyetik alanın yapay olarak üretildiği çok çeşitli uygulama tipleri vardır;
örneğin elektrik motorları ve galvanometreler.
4.3.4 SELENOİD
Manyetik alan üreten pratik bir aygıt selenoid olarak adlandırılır. Selenoid birbirine yakın helisel
olarak sarılmış, i akımı geçen uzun bir iletken teldir. Aşağıdaki tartışmada, helis’in kendi çapına
göre çok uzun olduğu varsayılmıştır. Selenoid’in manyetik alanı selenoidi oluşturan bütün sipirlerin
meydana getirdiği alanların vektörel toplamıdır.
Eğer bir sargı (selenoid) çok geniş aralıklı sarımlara sahipse (şekil 4.3.5b) teller arasındaki alanlar
birbirini iptal etmeye meyillidir. Selenoid içindeki noktalarda ve iletkenlerden oldukça uzak
noktalarda B selenoid eksenine paraleldir. Çok sıkıca sarılmış sargı durumunda (şekil 4.3.6a)
selenoid temelde silindirik bir akım yaprağı şeklini alır. Eğer bu akım yaprağına Ampère kanunu
uygulanırsa selenoid içindeki manyetik alanın genliği,
B = μ oio n (4.3.9)
olur. Burada n birim uzunluk başına sipir sayısı ve io selenoid iletkenlerinden geçen akımdır. Bu
eşitlik sonsuz uzunlukta bir selenoid için çıkartılmış olmasına rağmen bir selenoid’in merkezine
yakın dahili noktalardaki manyetik alan ölçümünde gerçek bir selenoid için oldukça kullanışlı
olmaktadır. B selenoid çapı ve uzunluğuna bağlı değildir ve selenoid’in kesit alanı boyunca sabittir.
Selenoid’in çapı eşitliğin bir parçası olmadığından çok katmanlı sarımlar daha yoğun manyetik alan
üretmek için kullanılabilir. Selenoid’in dışındaki manyetik alanın selenoid’in içindeki alandan daha
zayıf olduğuna dikkat edilmelidir.
4.3.5 TOROİD
Manyetik alan üreten diğer bir aygıt toroid olup selenoid’in simit biçiminde bükülmüş hali olarak
tanımlanabilir (şekil 4.3.6b). Bir toroid içindeki manyetik alanın hesaplanması ile aşağıdaki ilişki
çıkartılabilir.
μ o io N
B= ⋅ (4.3.10)
2π r
Burada N toplam sarım sayısı ve r manyetik alanın hesaplandığı ortalama dairenin yarıçapıdır.
Selenoid’in tersine B toroid’in kesit alanı boyunca sabit değildir. Bunun yanında ideal durumda bir
toroid’in dışındaki manyetik alan sıfıra eşittir.
(a) Selenoid (b) Toroid

Şekil 4.3.6 Selenoid ve toroid
Verilen bir yüzey üzerinde manyetik alanın yoğunluğu veya bu yüzeyden geçen manyetik hatların
sayısı bu yüzey için manyetik akı, ΦB olarak tanımlanır.
Φ B = ∫ BdS (4.3.11)
İntegral, yüzey üzerinde alınır ve eğer manyetik alan her yerde sabit ve yüzeye dik açıda ise
integralin çözümü çok basittir: Φ B = BA ; burada A yüzey alanıdır. Akı veya manyetik alanın akışı
elektrik alanının akısına benzer. Manyetik akının SI birimi eşitlikten de çıkartılabileceği gibi
tesla.metre2 olup diğer adı ile weber (Wb) dir.
1 Wb = 1 T ⋅ m 2 (4.3.12)
4.3.6 MANYETİK DİPOL
Manyetik alan ve elektrik akımının ilk ölçü aleti sabit bir mıknatısın manyetik alanı ile elektrik
akımının meydana getirdiği manyetik alanının etkileşimi ile çalışan bir ölçü aygıtı olan
galvanometre idi. Şekil 4.3.7 de B manyetik alanı içindeki akım döngüsü görülmektedir. Döngünün
ekseni alana göre Θ açısı ile pozisyondırılmıştır. Alanların etkileşimi F1 ve F2 çekme kuvveti ve
akabinde bir dönme kuvveti ile sonuçlanacaktır:
τ = BNia sin Θ (4.3.13)
Burada a akım döngüsünün alanı ve N sarım sayısıdır. Bir galvanometrede bir yay ile karşı tork
uygulanırsa bu manyetik torku iptal eder. Yay olmaksızın döngü Θ = 0 oluncaya kadar dönecektir.
Yay döngünün kararlı sapma açısı φ ile sonuçlanan torkla dengeye gelir.
Nia sin Θ = kφ (4.3.14)
Burada k yayın torsiyonel sabitidir. Daha sonra galvanometre iğnesinin sapma açısı,
1
φ =k (4.3.15)
Nia sin Θ
r
olarak bulunabilir. (4.3.13) eşitliğinde Nia manyetik dipol momenti, m olarak adlandırılır.
r
m = Nia (4.3.16)
r
m manyetik alan üreten akım döngüsünün tek bir tanımıdır. Daha sonra tork vektörel biçiminde
aşağıdaki gibi olur.
r
τ = mB (4.3.17)
Şekil 4.3.7 Manyetik alandaki akım döngüsü
Manyetik dipol momentinin yönü döngü düzlemine dik bir eksen boyunda bulunacak şekilde
alınmalıdır ve sağ el kuralı ile bulunabilir: sağ elin parmakları akımın döngüdeki yönü etrafında
sarılır ve uzanmakta olan paşparmağın yönü manyetik dipol momentinin yönünü gösterecektir.
Akım döngüsü manyetik dipol olarak adlandırılır ve ekseni boyunca bir manyetik alan üretir.
r
μm
B( x) = o 3 (4.3.18)
2π x
Burada x döngü düzleminden olan uzaklıktır. Manyetik dipol elektrik dipolüne benzer özelliklere
sahiptir. Bunlar tablo 4.2 de verilmiştir.
Bütün malzemelerde atomlar sabit ısıl ajitasyondadır. Bununla beraber bazı elementler ve çoğu
alaşımlar için bu, yüksek dereceli bir doğrultuya gelmeyi engellemez. Böyle malzemelere örnekler
Co, Ni, Cd ve Dy (dysprosium) dur. Bunlar ferromanyetik olarak adlandırılır ve değişim kuplajı
olarak adlandırılan bitişik atomlar ve moleküller arasındaki özel biçimdeki bir etkileşim ile
karakterize edilir. Bu olay tamamen quantum etkisidir ve klasik fizik terimleri ile açıklanamaz.
Eğer sıcaklık Curie sıcaklığı adında kritik bir değerin üzerine çıkarsa değişim kuplajı aniden
kaybolur. Demir için Curie sıcaklığı 770 °C dir. Eğer ferromanyetik malzeme bir manyetik alana
yerleştirilirse elementer atomik dipolleri harici manyetik alan, Bo ile aynı doğrultuya gelir (Bo
ferromanyetik malzemenin yokluğunda mevcut olan alandır). Bileşke manyetik alan,
B = Bo + Bm (4.3.19)
olur; burada Bm ferromanyetik malzemenin katkısıdır. Çoğu durumlarda Bm Bo dan çok daha
kuvvetli olup mıknatıslanmanın derecesini belirler. Bo ’ın artışı atomik dipollerin büyük kısmının
doğrultuya geldiği seviyeye kadar Bm ’nin hemen hemen orantılı artışıyla sonuçlanır. Doyum olarak
adlandırılan bu seviyeden sonra harici manyetik alan doğrultuya getirme işlemini devam ettiremez.
Şekil 4.3.8b teorik olarak mümkün toplam değişim kuplajının % 75’i civarındaki doyum durumunu
göstermektedir. Ferromanyetik malzemelerin kullanımı, özellikle demir manyetik alanın
yoğunluğunu büyük oranda artırır. Böyle bir mıknatıslanma eğrisi harici manyetik alanın
yokluğunda kendisini izlemez ancak ferromanyetik malzeme az miktarda mıknatıslanmış olarak
kalır. Bu fenomen kalıcı mıknatıslanma olarak adlandırılır. Şekil 4.3.8a da kalıcı mıknatıslanma
noktaları yani x ve y görülmektedir. Manyetik malzeme manyetik alanın değiştiği yönü güya
hatırlıyor gibidir. Bu mıknatıslanma eğrisine histerezis eğrisi denilir.
Tablo 4.2 Elektrik ve manyetik dipollerinin özellikleri

Özellik Dipol Tipi Eşitliği
elektrik τ = pE
Harici bir alandaki tork
manyetik τ = μE
1 p
elektrik E ( x) =
2πε 0 x 3
Ekseni üzerinde bir noktadaki alan
1 μ
manyetik B ( x) =
2πε 0 x 3
1 p
elektrik E ( x) =
2πε 0 x 3
Medyan düzleminden uzak noktalardaki alan
μ0 μ
manyetik B ( x) =
4π x 3
(a) Manyetik malzemedeki histerezis (b) harici manyetik alan içindeki ferromanyetik
malzemenin doyumu
Şekil 4.3.8
Algılayıcı uygulamalarının çoğunda manyetik nüveler kullanılır. Elektrik akımı ve manyetik alan
arasında bir ilişki oluşturan bütün eşitlikler boş uzayın manyetik geçirgenliği olan μ0 miktarını
içerirler. Manyetik nüve kullanıldığında manyetik geçirgenlik boş uzayın geçirgenliğinden farklılık
gösterir. (4.2.6) eşitliğindeki к sabiti gibi bağıl manyetik geçirgenlik adında boyutsuz bir miktar
olan μr tanıtılmış olup boş uzaya (vakum) göre malzemedeki manyetik alanın artışını
göstermektedir. (4.3.19) eşitliğinden
Bm
μr = 1 + (4.3.20)
Bo
elde edilir.
Bir malzemenin geçirgenliği
μ = μo μr (4.3.21)
olarak tanımlanır. κ’nın tersine μ verilen malzeme için sabit değildir çünkü değeri manyetik alana
bağlıdır.
4.3.7 SABİT MIKNATISLAR
Sabit mıknatıslar hareket, yer değişimi, pozisyon, vb. dedeksiyonu için manyetik algılayıcıların
fabrikasyonunda kullanışlı bileşenlerdir. Herhangi bir uygulama için mıknatısın seçiminde
aşağıdaki karakteristiklerin dikkate alınması gerekir:
¾ Artık veya kalıcı akı yoğunluğu (B) gauss veya Tesla olarak – mıknatıs ne kadar güçlüdür?
¾ Giderici (koersif) kuvvet (H) oersted olarak – mıknatıs harici mıknatıslanma giderici
kuvvetlere karşı ne kadar dayanabilir?
¾ Maksimum enerji çarpımı, MEP (B×H) gauss-oersted çarpı 106. Güçlü bir mıknatısın yüksek
MEP’e sahip olarak demanyetizasyona da dirençli olması gerekir. Yüksek MEP değerli
mıknatıslar daha iyi, daha güçlü ve daha pahalıdır.
¾ Sıcaklık katsayısı %/°C B’nin sıcaklıkla ne kadar değiştiğini gösterir?
Tablo 4.3 Manyetik malzemelerin özellikleri

Malzeme MEP Artık Giderici Sıcaklık Maliyet
(G⋅Oe)⋅106 indüksiyon kuvvet katsayısı
(G)⋅103 (Oe)⋅103 %/°C
R.E.-Kobalt 16 8,1 7,9 -0,05 En yüksek
Alniko 1,2,3,4 1,3-1,7 5,5-7,5 0,42-0,72 -0,02 ⎯ -0,03 orta
Alniko 5,6,7 4,0-7,5 10,5-13,5 0,64-0,78 -0,02 ⎯ -0,03 Orta/yüksek
Alniko 8 5,0-6,0 7-9,2 1,5-1,9 -0,01 ⎯ 0,01 Orta/yüksek
Alniko 9 10 10,5 1,6 -0,02 yüksek
Seramik 1 1,0 2,2 1,8 -0,2 düşük
Seramik 1,8-2,6 2,9-3,3 2,3-2,8 -0,2 Düşük/orta
2,3,4,6
Seramik 5,7,8 2,8-3,5 3,5-3,8 2,5-3,3 -0,2 orta
Cunife 1,4 5,5 0,53 - orta
Fe-Cr 5,25 13,5 0,6 - Orta/yüksek
Plastik 0,2-1,2 1,4 0,45-1,4 -0,2 En düşük
Lastik 0,35-1,1 1,3-2,3 1-1,8 -0,2 En düşük
Mıknatıslar özel alaşımlardan imal edilirler (tablo 4.3). Örnekler samaryum ve kobalt alaşımlarıdır.
Bunlar en iyi mıknatıslar olmakla beraber çok sert olduklarından biçimlendirilmeleri zordur ve
taşlanmaları gerekir. Maksimum MEP’leri 16×106 civarındadır. Diğer popüler bir alaşım Alniko
olup aluminyum, nikel, kobalt, demir ve bazı katkılar içerir. Bu mıknatısların dökümü yapılabilir,
bir kalıp içinde metal tozları ile ısıtılarak ve preslenerek ısıl işlemden geçirilebilir. Sinterlenmiş
alniko seri imalata çok uygundur. Seramik mıknatıslar sıkıştırılabilen ve sinterlenebilen bir seramik
malzemenin matrisinde baryum veya stronsium ferrit (veya bu gruptan diğer bir element) içerir.
Bunlar ısı ve elektriği kötü iletirler, kimyasal olarak asal ve H değerine sahiptir. Mıknatıs
fabrikasyonu için diğer bir alaşım Cunife olup bakır, nikel ve demir içerir. Bu alaşım
damgalanabilir, soğuk işlenebilir, çekilebilir veya en son biçim için haddelenebilir. MEP’i yaklaşık
1,4×106 dir. Demir-krom mıknatıslar en son eskitme işleminde sertleştirilmeden önce makina ile
işlenebilecek kadar yumuşaktır. Maksimum MEP’leri 5,25×106 dir. Plastik ve lastik mıknatıslar
plastik matris malzemede baryum ve stronsium dan oluşur. Bunlar çok ucuz ve her biçimde
fabrikasyonu yapılabilir. Maksimum MEP’leri yaklaşık 1,2×106 dir.
4.4 İNDÜKSİYON
1831 de İngilterede Michael Faraday ve Amerikada Joseph Henry elektromanyetizmanın en temel

etkilerinden birini keşfettiler: değişken manyetik alan ile iletken telde elektrik akımının
indüklenmesi. Alanın nasıl meydana geldiği önemli değildir – sabit bir mıknatısla veya bir selenoid
ile – etki aynıdır. Elektrik akımı manyetik alan değiştiği sürece üretilir. Durgun bir manyetik alan
hiç akım üretmez. Faraday’ın indükleme kanunu indüklenen gerilim veya elektromotor kuvvetinin
(emf) manyetik akının devredeki değişim oranına eşittir. Eğer değişim oranı Wb/s ise emf (e) volt
cinsinden olacaktır.
dΦ B
e=− (4.4.1)
dt
Eksi işareti indüklenen emf’nin yönünün bir göstergesidir. Eğer değişken manyetik akı bir
selenoid’e uygulanırsa bu emf her sipirde gözükür ve bütün bu emf’lerin toplanması gerekir. Eğer
bir selenoid veya diğer sargı her sipiri aynı kesit alanına sahip olacak şekilde sarılırsa her sipirdeki
akı aynı olacak ve indüklenen gerilim
dΦ B
V = −N (4.4.2)
dt
olacaktır; burada N sipir sayısıdır. Bu eşitlik bir algılayıcı tasarımcısı veya bir uygulama
mühendisini ilgilendirecek biçimde yazılabilir:
d ( BA)
V = −N (4.4.3)
dt
Eşitlik devredeki gerilimin, manyetik alanın genliğinin (B) değiştirilmesi veya devrenin alanının
(A) değiştirilmesi ile indüklenebileceği anlamındadır. Bundan dolayı indüklenen gerilim aşağıdaki
faktörlere bağlıdır:
¾ Manyetik alan kaynağının hareketi (mıknatıs, sargı, vb.);

¾ Manyetik alanı meydana getiren sargı veya iletkendeki akımın değiştirilmesi;
¾ Sargıya göre manyetik alan kaynağının yönünün değiştirilmesi;
¾ Devrenin geometrisinin değiştirilmesi; örneğin sargının sipir sayısının değiştirilmesi, sargının
boyutunun sıkıştırılarak ve uzatılarak değiştirilmesi.
Örneğin dikdörtgen biçiminde N sipirli ve sabit mıknatısın kutupları arasında hareket edebilen bir
hareket algılayıcısını dikkate alalım (şekil 4.4.1a). Döngü ile çevrelenen akı
(a) Manyetik hareket dedektörü (b) transfer fonksiyonu

Şekil 4.4.1
Φ b = Blx (4.4.4)
olur; burada lx mıknatısın kutupları arasına girmiş döngü kısmıdır. Döngüde indüklenen gerilim
Faraday kanunundan bulunabilir.
dΦ B d dx
V =− = − N ( BLx ) = − nBl = nBlv (4.4.5)
dt dt dt
Burada v = -dx/dt sargı hareketinin hızıdır. Çıkış gerilimi sargı hareketinin oranının doğrusal bir
fonksiyonudur. Eğer sargı dikdörtgen biçimli ise x’in bir foksiyonu olarak geometri katsayısı
eşitliğin bir parçası olarak eklenmelidir. Şekil 4.4.1b dikdörtgen ve dairesel biçimdeki sargıların
gerilimlerini göstermektedir. Sargı mıknatısın tamamen içinde veya dışında ise çıkış geriliminin
sıfır olduğuna dikkat edilmelidir.
Eğer bir elektrik akımı diğer bir sargının yakınında bulunan sargıdan geçirilirse Faraday kanununa
göre ikinci sargıda bir emf gözükecektir. Bununla beraber manyetik alan sadece ikinci sargıyı değil
birinci sargıyı da etkileyecektir. Bundan dolayı manyetik alan aynı sargıda yani kendi üzerinde bir
emf meydana getirir. Bu öz indüksiyon olarak adlandırılır ve sonuç gerilim öz indükleme emf’si
olarak adlandırılır. Bir selenoid’in merkez kısmı için Faraday kanunu
d ( nΦ B )
v=− (4.4.6)
dt
dir. Parantez içindeki sayı halka akısı olarak adlandırılır ve aygıtın önemli bir karakteristiğidir.
Yakınında hiç manyetik malzeme olmayan basit bir sargı için bu değer sargıdan geçen akım ile
orantılıdır.
nΦ B = Li (4.4.7)
Burada L orantı sabiti olup sargının indüktansı olarak adlandırılır. Daha sonra (4.4.6) eşitliği
d ( nΦ B ) di
v= = −L (4.4.8)
dt dt
olarak yeniden yazılabilir. Bu eşitlikten indüktans,
v
L=− (4.4.9)
di / dt
olarak tanımlanabilir.
Eğer bir indüktörün yakınında hiç manyetik malzeme yoksa indüktans sadece sargının geometrisine
bağlıdır. İndüktansın SI birimi volt⋅saniye/amper olup Amerikan fizikçisi Joseph Henry (1797-
1878) onuruna henry (H) adı verilmiştir: 1 henry = 1 volt⋅saniye/amper.
İndüktans eşitliğinden aşağıdaki sonuçlar çıkartılabilir:

¾ İndüklenen gerilim indüktör içindeki akımın değişim oranı ile orantılıdır.
¾ DC de gerilim temelde sıfırdır.
¾ Gerilim akımın değişim oranı ile doğrusal olarak artar.
¾ Gerilimin polaritesi aynı yönde akan akımın azalan ve artan durumları için farklıdır.
¾ İndüklenen gerilim akımın değişimine daima zıt yöndedir.
Kapasitans gibi indüktans da geometrik faktörlerden hesaplanabilir. Sıkıca sarılmış bir sargının
indüktansı,
nΦ B
L= (4.4.10)
i
dir. Eğer n birim uzunluk başına sipir sayısı ise l uzunluğunda halka akısı
NΦ B = (nl ) ⋅ ( BA) (4.4.11)
olur; burada A sargının kesit alanıdır. Selenoid’de B = μ o ni ve bu durumda indüktans,
NΦ B
L= = μ o n 2lA (4.4.12)
i
olur. lA’nın selenoid’in hacmi olduğuna dikkat edilmelidir. Bundan dolayı aynı sipir sayısı ile
sargının geometrisi değiştirilerek indüktansı değiştirilebilir.
Bir elektronik devreye bağlandığında indüktans kompleks direnç olarak temsil edilebilir.
V
= jωL (4.4.13)
i
Burada j = − 1 ve i ω = 2πf frekansına sahip sinüsoidal akım olup indüktörün kompleks

direncinin yüksek frekanslarda artması anlamındadır. Bu indüktörün Ohm kanunu olarak
adlandırılır. Kompleks notasyon akımın gerilimden 90° geri kaldığını göstermektedir.
Eğer iki sargı birbirine yakın getirilirse bir sargı diğerinde v2 emf’si indükler.
di1
v2 = − M 21 (4.4.14)
dt
(a) Selenoiddeki ortak indüktans (b) toroiddeki ortak indüktans

Şekil 4.4.2
Burada M21 iki sargı arasındaki ortak indüktans katsayısıdır. Ortak indüktansın hesaplanması basit
bir alıştırma olmayıp çoğu pratik durumlarda deneysel olarak daha kolay icra edilir. Bununla
beraber oldukça basit kombinasyonlar için ortak indüktans hesaplanarak bulunur. Birim uzunluk
başına n sipire sahip uzun bir selenoid etrafına sarılmış N sipirli bir sargı için ortak indüktans (şekil
4.4.2a)
M = μ oπR 2 nN (4.4.15)
dir. Bir toroid etrafına sarılmış sargı durumunda ortak indüktans (şekil 4.4.2b) N1 ve N2 sipir
sayıları ile tanımlanır.
μ o N1 N 2 h b
M= ln (4.4.16)
2π a
4.5 REZİSTANS: DİRENÇ
Her malzemenin elektronları kapalı bir muhafaza içindeki gaz gibi rasgele hareket ederler. Tercih
edilen bir yön yoktur ve malzemenin herhangi bir kısmındaki ortalama elektron yoğunluğu
(malzemenin homojen olduğu varsayımı ile) düzgündür. Keyfi bir malzemeden l uzunluğunda bir
çubuk alalım. Çubuk uçlarından V gerilimine sahip bir bataryaya bağlandığında (şekil 4.5.1)
malzeme içinde bir E elektrik alanı meydana gelecektir. Elektrik alanının şiddetinin belirlenmesi
kolaydır:
E =V /l (4.5.1)
Şekil 4.5.1 Bir malzeme uçlarındaki

gerilim elektrik akımı meydana getirir
Örneğin çubuğun uzunluğu 1 m ve batarya gerilimi 1,5 V ise elektrik alan şiddeti 1,5 V/m dir. Alan
serbest elektronlar üzerinde aksiyonda bulunarak elektronları alanın tersi yönünde harekete geçirir.
Bundan dolayı elektrik akımı malzemeden akmaya başlar. q elektrik yükünün geçtiği bir
malzemenin kesit alanını dikkate alalım. Akan elektrik yük oranı (birim zaman başına) elektrik
akımı olarak adlandırılır:
dq
i= (4.5.2)
dt
Akımın SI birimi amperdir (A): 1A = 1 coulomb/1 saniye. Bir amper oldukça kuvvetli bir elektrik
akımıdır. Algılayıcı teknolojisinde genellikle çok daha küçük akımlar yani amperin alt katları
kullanılır:
1 mili amper (mA) 10-3 A
1 mikro amper (μA) 10-6 A
1 nano amper (nA) 10-9 A
1 piko amper (pA) 10-12 A
1 femto amper (fA) 10-15 A
Malzemenin kesit alanının homojen olup olmadığına bakılmaksızın herhangi bir kesit alanından
geçen elektrik akımı verilen bir elektrik alanı için daima aynıdır. Bu farklı çaplarda seri olarak
bağlanmış borulardan geçen suyun akışına benzemektedir – Boru kombinasyonundan geçen akış
oranı aynıdır. Dar kısımlarda su daha hızlı akar ve geniş kısımlarda daha yavaş akar fakat birim
zaman başına her kesitten geçen su miktarı aynıdır. Bunun nedeni çok basittir – borulardaki suyun
yeniden yaratılamayacağı ve boşa akıp gidemeyeceğidir. Aynı neden elektrik akımına da uygulanır.
Fiziğin temel kurallarından biri yükün korunumu kanunudur. Kararlı şartlar altında bir malzeme
içindeki yük yeniden yaratılamaz veya yok edilemez. İçeri giren her şeyin dışarı çıkması gerekir.
Bu kısımda herhangi bir yük depolama elemanı (kapasitör) dikkate alınmayıp sadece saf direnç
özelliklerine sahip malzemeler dikkate alınacaktır.
Basitleştirilmiş formunda elektriksel iletim mekanizması şöyle tanımlanabilir. Örneğin bakır gibi
bir iletken malzeme pozitif bakır iyonlarının yarı-katı yay gibi periyodik bir kafesi ile
modellenebilir. Bunlar güçlü elektromanyetik kuvvetler ile kuplajlanmıştır. Her bakır atomu kafes
içinde serbestçe hareket edebilen bir elektrona sahiptir. İletken içinde bir E elektrik alanı
oluşturulduğunda her elektron üzerinde bir –eE kuvveti etkir (e elektronun yüküdür). Bu kuvvet
altında elektron hızlanır ve hareket eder. Bununla beraber elektron komşu atomlar ile çarpıştığında
hareket çok kısa olup malzemenin sıcaklığı ile belirlenen bir şiddette sürekli olarak titreşir.
Elektron kinetik enerjisini kafese iletir ve bu enerji sıklıkla pozitif iyonlar tarafından alınır. Bu
elektrik alanında hareket eden başka bir elektronu serbest hale getirir akabinde kafesin diğer bir
kısmı ile çarpışır. Çarpışmalar arasındaki ortalama zaman τ ile gösterilir. Bu malzemenin tipine,
yapısına, saflığına ve katkı malzemesine bağlıdır. Örneğin oda sıcaklığında saf bakır içindeki bir
iletim elektronu τ = 2,5×10-14 s ile 0,04 μm’lik ortalama bir uzaklıktaki çarpışmalar arasında
hareket etmektedir. Gerçekte bataryanın negatif tarafına yakın malzemeye giren elektronlar pozitif
terminalden dışarı çıkanla aynı değildir. Bununla beraber sabit sürüklenme (drift) veya elektron
akışı malzeme içinde sürdürülür. Malzemenin atomu ile çarpışmalar atomik ajitasyona (tahrik)
eklenir ve akabinde malzemenin sıcaklığını yükseltir. Elektrik alanının yönü boyunca akımın aktığı
yönün tanımlanmasına keyfi olarak karar verilmiştir; örneğin elektronik akışın veya elektron
akışının ters yönü. Bundan dolayı elektrik akımı bataryanın pozitif terminalinden negatif
terminaline akarken elektronlar gerçekte zıt yönde hareket ederler.
4.5.1 ÖZ DİRENÇ
Eğer farklı malzemelerden (örneğin bakır ve cam) geometrik benzerlikte iki çubuğun fabrikasyonu
yapılır ve bunlara aynı gerilim uygulanırsa sonuçtaki akımlar oldukça farklı olacaktır. Bir malzeme
elektrik akımını geçirebilme özelliğine göre karakterize edilir. Bu rezistans veya direnç olarak
adlandırılır ve malzemenin aşağıdaki gibi Ohm kanunu ile tanımlanan bir elektriksel dirence sahip
olduğu söylenir.
V
R= (4.5.3)
i
Saf direnç durumunda (indüktans ve kapasitansı yok) gerilim ve akım birbiri ile aynı fazda yani eş
zamanlı olarak değişirler.
Her malzeme elektriksel dirence sahip olduğundan direnç olarak da adlandırılır. Direncin SI birimi
1 Ohm (Ω) = 1 vot/1 amper dir. Ω’un diğer alt ve üst katları aşağıdaki gibidir:
1 mili ohm (mΩ) 10-3 Ω
1 kilo ohm (kΩ) 10-3 Ω
1 mega ohm (MΩ) 106 Ω
1 giga ohm (GΩ) 109 Ω
1 tera ohm (TΩ) 1012 Ω
Eğer elektrik akımı ile suyun akışı karşılaştırılırsa borunun uçlarındaki basınç (Pascal) direnç
uçlarındaki gerilime (V) benzer, elektrik akımı (C/s) suyun akışına (litre/s) ve elektrik direnci (Ω)
boruda suyun akışına gösterilen dirence benzer. Boru kısa, geniş ve boş olduğunda suyun akışına
gösterilen direnç azdır. Boruya örneğin bir filtre gibi eleman takıldığında suyun akışına karşı
direnci artacaktır. Benzer şekilde koroner (kalple ilgili) kan akışı kan damarlarının iç yüzeyinde
kolesterol birikimi ile sınırlanır. Akış direnci artar ve atar damar kan basıncı kalbin normal
fonksiyonda bulunması için gerekli kan besleme oranını sağlamaya yeterli olamaz ve böylece kalp
krizi denilen olay gerçekleşir.
Direnç bir aygıtın karakteristiği olup iki şeye bağlıdır: direnç malzemesi ve geometrisi.
Malzemenin kendisi aşağıdaki gibi tanımlanan bir ρ öz direnci ile karakterize edilebilir.
E
ρ= (4.5.4)
j
Burada j akım yoğunluğudur: j = i / a (a malzemenin kesit alanıdır). Öz direncin SI birimi Ω⋅m

dir. Bazı malzemelerin öz dirençleri tablo 4.4 de görülmektedir. Sık olarak öz direncin tersi olan
iletkenlik terimi de kullanılır: σ = 1 / ρ .
Bir malzemenin öz direnci çarpışmalar arasındaki ortalama τ zamanı, e elektron yükü, elektronun
m kütlesi ve birim hacim başına iletim elektronlarının n sayısı ile ifade edilebilir.
m
ρ= (4.5.5)
ne 2τ
Bir iletkenin direncini bulmak için aşağıdaki eşitlik kullanılabilir.
l
R=ρ (4.5.6)
a
Burada a iletkenin kesit alanı ve l uzunluğudur.

Tablo 4.4 Oda sıcaklığında bazı malzemelerin öz dirençleri ve direnç sıcaklık katsayıları (TCR)
Malzeme Öz direnç (ρ) 10-8 Ω.m TCR (α)10-3/°K
(oda sıcaklığında)
Aluminyum (% 99,99) 2,65 3,9
Berilyum 4,0 0,025
Bizmut 106
Pirinç (70 Cu, 30 Ni) 7,2 2,0
Karbon 3500 -0,5
Konstantan (60 Cu, 40 Ni) 52,5 0,01
Bakır 1,678 3,9
Evanohm (75 Ni, 20 Cr, 2,5 Al, 2,5 Cu) 134
Germanyum (polikristal) 46×106
Altın 2,24 3,4
demir (% 99,99) 9,71 6,5
Kurşun 20,6 3,36
Manganin 44 0,01
Manganin (84 Cu, 12 Mn, 4 Ni) 48
Civa 96 0,89
Nikrom 100 0,4
Nikel 6,8 6,9
Paladyum 10,54 3,7
Platin 10,42 3,7
Platin + % 10 Rodyum 18,2
Silikon 2,4×106 (saflığa çok duyarlı)
Silicon bronz (96 Cu, 3 Si, 1 Zn) 21,0
Gümüş 1,6 6,1
Sodyum 4,75
Tantal 12,45 3,8
Kalay 11,0 4,7
Titan 42
Tungsten 5,6 4,5
Çinko 5,9 4,2
4.5.2 SICAKLIK DUYARLILIĞI
Bir malzemenin duyarlılığı T sıcaklığı ile değişir ve oldukça dar bir aralıkta direncin sıcaklık
katsayısı (TCR) olan α ile ifade edilebilir.
ρ = ρ o [1 + α (T − To )] (4.5.7)
Burada ρo To referans sıcaklığındaki (0° veya 25°C de) öz dirençtir. Daha geniş bir aralıkta öz
direnç sıcaklığın doğrusal olmayan bir fonksiyonudur.
Hassas olmayan uygulamalar için şekil 4.5.2 de görüldüğü gibi tungsten’in öz direnci α = 0,0058
C-1 ile en uygun düz bir çizgi ile modellenebilir. Bununla beraber bu sayı düşük sıcaklıklarda doğru
olmayacaktır. Örneğin 25 °C civarında ρ’nin eğimi yaklaşık % 20 daha küçük olacaktır: α =
0,0045 C-1. Daha iyi doğruluk istenildiğinde (4.5.7) eşitliğinin veya daha yüksek dereceli
polinomların kullanılması gerekir. Örneğin daha geniş bir sıcaklık aralığı için tungsten’in öz
direnci ikinci derece bir polinom ile bulunabilir:
ρ = 4,45 + 0,0269T + 1,914 × 10 −4 T 2 (4.5.8)
Burada T °C olarak sıcaklık ve ρ ’nin birimi Ω⋅m dir.
Metaller pozitif sıcaklık katsayısına (PTC) α sahip iken çoğu yarı-iletkenler ve oksitler direncin
negatif sıcaklık katsayısına (NTC) sahiptir. Elektronik devrelerde kullanılan dirençlerin çok düşük
TCR’ye sahip olması ekseriyetle istenilir. Diğer taraftan direncin kuvvetli bir sıcaklık katsayısı
termistör ve direnç sıcaklık dedektörü (RTD) olarak bilinen sıcaklık algılayıcısının fabrikasyonuna
izin verir. En popüler RTD platin (Pt) algılayıcı olup yaklaşık –200 °C ile 600 °C üzeri geniş bir
sıcaklık aralığında çalışır. Platin RTD’nin direnci şekil 4.5.3 de görülmektedir. 0 °C de bir
kalibrasyon direnci için en uygun düz çizgi
R = Ro (1,0036 + 36,79 × 10−4 T ) (4.5.9)
eşitliği ile verilir ve burada T °C olarak sıcaklık ve R ’nin birimi Ω dur.
T sıcaklığındaki çarpan algılayıcının duyarlılığı (eğim) olup +% 0,3679 /°C olarak ifade edilebilir.
Şekil 4.5.2 Sıcaklığın fonksiyonu olarak tungsten’in Şekil 4.5.3 Sıcaklığın fonksiyonu olarak
öz direnci platinin direnci
Düzeltilmemiş direnç eğrisinin küçük bir doğrusalsızlığı vardır ve bariz bir hataya neden olabilir.
Pt direncin daha iyi yaklaşımı ikinci derece bir polinom olup 0,01 °C’den daha iyi bir doğruluk
verebilir:
R = Ro (1 + 39,08 × 10 −4 T − 5,8 × 10 −7 T 2 ) Ω (4.5.10)
Bununla beraber polinomdaki katsayılar malzemenin saflığına ve üretim teknolojisine bağlıdır.
Eğer 0°C de bir Pt RTD algılayıcı Ro= 100 Ω dirence sahipse +150 °C de doğrusal yaklaşım,
R = 100 ⋅ (1,0036 + 36,79 × 10 −4 × 150) = 155,55 Ω
verirken ikinci derece bir yaklaşım (4.5.10 eşitliği) ise
R = 100 ⋅ (1 + 39,08 × 10 −4 × 150 − 5,8 × 10 −7 × 150 2 ) = 157,32 Ω

verir. İki değer arasındaki fark 1,76 Ω olup +150 °C de –4,8 °C’lik bir hataya eşdeğerdir.
Termistörler büyük (NTC) veya (PTC) sıcaklık katsayılarına sahip dirençlerdir. Termistörler
yaygın olarak nikel, manganez, kobalt, titan, demir gibi metallerin oksitlerinden yapılan seramik
yarı-iletkenlerdir. Diğer metallerin oksitleri de bazen kullanılabilir. Dirençleri ohm’un birkaç
kesrinden birkaç kilo ohm’a kadar değişebilir. Termistörler disk, damla, tüp, yaprakcık, yonga veya
seramik yapı üzerinde ince film biriktirilmesi şeklinde üretilebilir. Kalın film teknolojisindeki yeni
ilerlemeler termistörlerin seramik gövdeler üzerine baskısına izin vermektedir.
NTC termistörlerin sık olarak boncuk biçiminde fabrikasyonu yapılır. Boncuk termistörler
ekseriyetle platin bağlantı iletkenlerine sahip olup seramik gövdeye sinterlenmiştir. Fabrikasyon
işlemi süresince karıştırılmış metal oksit’in küçük bir kısmı önceden hazırlanmış bir kalıp içinde
hafifçe gerdirilmiş bir çift platin alaşım telin üzerine konulur. Karışım yerleştikten sonra boncuklar
bir tüp fırında sinterlenir. Metal oksit platin bağlantı telleri etrafında çekmeye uğrar ve elektriksel
yapışkan biçimini alır. Boncuklar açık bırakılabilir veya organik veya cam kaplama ile kaplanabilir.
Termistörler doğrusal olmayan sıcaklık-direnç karakteristikleri (şekil 4.5.4) taşımakta olup genelde
birkaç farklı eşitlikten biri ile yakınlaştırılır. Bunlardan en yaygın olanı üstel biçimdir:
Rt = Rto × e β ⋅(1 / T −1 / To ) (4.5.11)
Şekil 4.5.4 İki termistör ve bir Pt RTD

için direnç/sıcaklık karakteristikleri,
(Ro=1 K); termistörler To= 25 °C de
ve RTD 0 °C de kalibre edilmiştir
Burada T0 kalibrasyon sıcaklığı olup yaygın olarak 25 °C dir. Rto kalibrasyon sıcaklığındaki direnç
ve β malzemenin karakteristik sıcaklığıdır. Bütün sıcaklıklar ve β kelvin cinsindendir. Yaygın
olarak β 3000 ve 5000 K aralığında ve oldukça dar bir sıcaklık aralığında sıcaklıktan bağımsız
olarak dikkate alınır ki bu (4.5.11) eşitliğini oldukça iyi bir yaklaşım yapmaktadır. Daha yüksek
doğruluk istenildiğinde genelde polinomsal yaklaşım kullanılır. Şekil 4.5.4 de β = 3000 and 4000
°K’e sahip platin termistörlerin direnç/sıcaklık karakteristikleri görülmektedir. Platinin
karakteristiği daha az duyarlı ve pozitif bir eğimle daha doğrusal iken diğer termistörler daha
yüksek duyarlılık ve negatif bir eğimle doğrusal değildir.
4.5.3 GERİNİM DUYARLILIĞI
Malzeme mekanik olarak deformasyona uğradığında ekseriyetle elektriksel direnci değişir. Bu

piezo-rezistif etki olarak adlandırılır. Bazı durumlarda bu etki bir hata kaynağı olmasına rağmen
stres’e, σ tepki verebilen algılayıcılarda başarı ile kullanılır:
F dl
σ= =E (4.5.12)
a l
Burada E malzemenin Young modülü ve F uygulanan kuvvettir. Bu eşitlikte dl / l = e oranı

gerinim (strain) olarak adlandırılmakta olup malzemenin deformasyonuna normalleştirilmiştir.
Şekil 4.5.5 Gerinim bir iletkenin

geometrisini ve direncini değiştirir
Şekil 4.5.5 de uygulanan bir F kuvveti ile uzamış silindirik bir iletken tel görülmektedir.
Malzemenin v hacmi sabit kalırken uzunluk artar ve kesit alanı daha küçük olur. Sonuç olarak
(4.5.6) eşitliği
ρ
R= l2 (4.5.13)
v
olarak yeniden yazılabilir.
Diferansiyel alındıktan sonra telin uzunluğuna göre direncin duyarlılığı tanımlanabilir.
dR ρ
=2 l (4.5.14)
dl v
Bu eşitlikten, duyarlılığın telin uzunluğu ve yüksek öz dirence sahip ince teller ile daha yüksek
olduğu gözükmektedir. Gerinim altında normalleştirilmiş artımsal direnç e gerginliğinin doğrusal
bir fonksiyonudur ve
dR
= See (4.5.15)
dl
ile ifade edilebilir. Burada Se geyç faktörü veya strengeyç elemanının duyarlılığı olarak bilinir. Bu
değer metalik teller için 2 ile 6 arasında değişir ve yarı-iletken geyçler için ise 40-200 aralığındadır.
İlk strengeyçler metal flamanlardı. Geyç elemanları elektriksel olarak yalıtılmış bir arka film
malzeme üzerinde biçimlenmiştir. Bugünlerde bunlar konstantan (bakır/nikel alaşımı) veya tek
kristal yarı-iletken malzemelerden (bor katkılı silikon) üretilmektedir. Geyç paterni ya mekanik
kesme ile ya da foto-kimyasal kazıma ile biçimlendirilir. Bir yarı-iletken malzeme gerinim altında
kaldığında direnci malzemenin tipine ve katkı dozuna bağlı olarak değişir. Bununla beraber yarı-
iletkenlerde gerinim duyarlılığı sıcaklığa bağımlı olup geniş bir sıcaklık aralığında kullanıldığında
uygun bir sıcaklık kompanzasyonu gerektirir.
4.6 PİEZO-ELEKTRİK ETKİ
Piezo-elektrik etki, kristal malzeme gerginliğe maruz kaldığında elektrik yükü üretmesidir. Etki
quartz (SiO2), yapay olarak kutuplandırılmış insan yapımı seramikler ve PVDF gibi bazı polimerler
gibi doğal kristallerde mevcuttur. Piezo-elektrik malzemenin ferro-elektrik özelliğe sahip olduğu
söylenir. Bu ad ferro-manyetik özelliklere benzediğinden verilmiştir. Piezo kelimesi sıkıştırma
(pres) anlamında Yunanca piezen kelimesinden gelmektedir. Curie kardeşler 1880 de piezo-elektrik
etkiyi keşfettiler fakat piezo-elektrik etki 1917’de Fransız profesör P. Langevin’in sonar’ın
gelişimine öncülük eden su içinde ses dalgalarının üretilmesi ve dedekte edilmesi için x-kesimi
quartz plakalarını kullanıncaya kadar pratikte çok az kullanıldı.
Piezo-elektrik etkinin basit fakat oldukça açıklayıcı bir modeli 1927 de A. Meissner tarafından
önerilmiştir. Bir quartz kristali şekil 4.6.1a da görüldüğü gibi bir silikon (Si) ve iki oksijen (O2)
atomunun bir helis etrafındaki değişken durumunda olduğu gibi bir helis olarak modellenebilir. Bir
quartz kristali x, y ve z eksenlerinde kesilmiştir; bundan dolayı şekil 4.6.1a z eksenindeki
görünüştür. Tek bir kristal hücrede üç silikon atomu ve altı oksijen atomu vardır. Oksijen çift
olarak kümelenir. Her silikon atomu dört pozitif yük ve bir çift oksijen atomu dört negatif yük
(atom başına iki) taşır. Bu yüzden bir quartz hücre stresten uzak şartlar altında elektriksel olarak
nötr’dür. x ekseni boyunca harici bir kuvvet uygulandığında altıgen kafes deformasyona uğrar.
Şekil 4.6.1b bir kristaldeki atomları kaydıran sıkıştırma kuvvetini göstermektedir. Bu sıkıştırma
sonucu silikon atom tarafında pozitif yük ve oksijen çifti tarafında negatif yük birikir. Bundan
dolayı kristal y ekseni boyunca bir elektrik yükü geliştirir. Eğer kristal x ekseni boyunca uzatılırsa
(şekil 4.6.1c) farklı bir deformasyonun sonucu olarak y ekseni boyunca ters polariteli yük birikimi
gerçekleşir. Bu basit model kristal malzemenin mekanik deformasyona tepki olarak yüzeyinde
elektrik yükü meydana getirebildiğini göstermektedir. Benzer bir açıklama bu kısımdan sonra
açıklanacak olan piro-elektrik etki için de uygulanabilir.
(a) (b) (c)

Şekil 4.6.1 Bir quartz kristalindeki piezo-elektrik etki
Elektrik yükünün alınması için kristal kesiminin zıt taraflarına iletken elektrotların kristale
yerleştirilmesi gerekir (şekil 4.6.2). Sonuç olarak piezo-elektrik algılayıcı dielektrik piezo-elektrik
malzeme ile beraber bir kapasitör olmaktadır. Dielektrik bir elektrik yükü generatörü olarak
aksiyonda bulunarak sonuçta kapasitör uçlarında bir V gerilimi oluşur. Kristal dielektrikteki yük
kuvvetin etkidiği yer ile biçimlenmesine rağmen metal elektrotlar yüzey boyunca yükleri
dengeleyerek kapasitörün yöne bağlı seçicilik duyarlılığını engeller. Bununla beraber eğer
elektrotlar kompleks bir paternde yapılırsa seçilen elektrotlardaki tepkinin ölçülmesi ile uygulanan
kuvvetin tam yerinin belirlenmesi mümkündür.
Piezo-elektrik etki geri dönüşümlü fiziksel bir etkidir. Yani kristalin uçlarına gerilim
uygulanmasıyla mekanik bir gerilme üretebilir. Kristal üzerine bazı elektrotlar yerleştirilerek bir
çift elektrot ile kristale gerilim verilebilir ve diğer elektrot çiftlerinden gerinim sonucu gelişen
yükün alınması mümkündür. Bu metot çeşitli piezo-elektrik dönüştürücülerde oldukça yaygın
olarak kullanılır.
Basitleştirilmiş biçiminde piezo-elektrik etkinin büyüklüğü polarizasyon vektörü ile temsil

edilebilir:
P = Pxx + Pyy + Pzz (4.6.1)
Şekil 4.6.2 Piezo-elektrik algılayıcı

kutuplanmış bir kristal malzemeye
elektrot eklenerek biçimlendirilir
Burada x, y, z kristal ekseni ile ilişkili olarak geleneksel ortogonal sistemi göstermektedir. Eksenel
stres, σ terimi ile
Pxx = d11σ xx + d12σ yy + d13σ zz

Pyy = d 21σ xx + d 22σ yy + d 23σ zz (4.6.2)
Pzz = d 31σ xx + d 32σ yy + d 33σ zz
yazılabilir (kompleks katsayılar seti kayma (shear) stresi ve ilgili d katsayılarını da içerir). Burada
dmm kristal kesiminin ortogonal eksenleri boyunca piezo-elektrik katsayılarıdır. Bu katsayıların
boyutları C/N (coulomb/newton), örneğin birim kuvvet başına yük’tür.
Hesaplama kolaylığı için iki ilave birim daha kullanılır. Birincisi bir g katsayısı olup mutlak
elektrik sabiti ile ilgili dmm katsayılarının bölünmesi ile tanımlanır:
d mn
g mn = (4.6.3)
ε oε mn
Bu katsayı birim basınç başına kristalin ürettiği gerilim gradyanını (elektrik alanı) temsil eder ve
birimi aşağıdaki gibidir:
V N
/
N m2
h ile gösterilen diğer bir katsayı ilgili kristal eksenleri için ilgili Young modülü ile g katsayılarının
çarpımı ile elde edilir. h katsayısının boyutu,
V m
/
m m
dir. Piezo-elektrik kristaller mekanik enerjiyi elektrik enerjisine doğrudan dönüştürürler.

Dönüşümün verimi kuplaj katsayıları kmm ile belirlenebilir:
kmm = d mn ⋅ hmn (4.6.4)
k katsayısı akustik ve ultrasonik gibi verimin öncelikli olduğu uygulamalarda önemli bir
karakteristiktir.
Piezo-elektrik kristal tarafından üretilen yük uygulanan kuvvet ile orantılıdır, örneğin x yönündeki
yük
Qx = d11Fx (4.6.5)
Elektrotları ile beraber bir kristal C kapasitansına sahip bir kapasitör biçimini aldığından elektrot
uçlarında gelişen V gerilimi
Qx d11
V= = Fx (4.6.6)
C C
olur ve kapasitans elektrot yüzey alanı, a ve kristal kalınlığı, l ile temsil edilebilir. Buradaki yüzey
alanı, kristalin alanı olmayıp elektrotun yüzey alanıdır. Piezo-indüklenen yük sadece elektrotlar
tarafından kaplanan yüzey ile alınabilir:
a
C = εε o (4.6.7)
l
Daha sonra çıkış gerilimi,
d11 d l
V= Fx = 11 (4.6.8)
C εε o a
olur. Seramik PZT algılayıcıların üretimi çeşitli renklerde, çok ince toz biçiminde, yüksek
saflıktaki metal oksitler (kurşun oksit, zirkonyum oksit, titanyum oksit, vb.) ile başlamıştır. Tozlar
istenilen inceliğe gelinceye kadar öğütülür ve kimyasal olarak doğru oranlarda karıştırılır.
Karışımlar daha sonra kalsine (cismin erimeden önceki sıcaklığına kadar ısıtılması, kirecimsi hale
getirilmesi) adındaki bir işlemde yükseltilmiş sıcaklığa maruz bırakılarak içerik maddelerin toz
biçimi oluşturacak reaksiyonuna izin verilir; her tanecik istenilen son kompozisyona yakın
kimyasal bir kompozisyona sahiptir. Bu aşamada tanecik henüz istenilen kristal yapısını
kazanmamıştır.
Bundan sonraki adım yukarıdaki işlemden geçirilmiş tozun katı ve/veya sıvı organik yapıştırıcılar
(fırınlama süresince yanıp gitmesi amacıyla) ile karıştırılması ve karışımın en son algılayıcı eleman
biçimine yaklaşık olarak getirilmesi için kek biçimde mekanik olarak biçimlendirilmesidir.
Kek’lerin istenilen biçimlerde biçimlendirilmesi için bazı metotlar kullanılır. Bunlar presleme
(hidrolik kuvvetle çalışan piston), döküm (mayi halindeki sıvının kalıba dökülerek kurumaya
bırakılması), ekstrüzyon (karşımın bir kalıpta preslenmesi veya ince levha yapmak için merdaneden
geçirilmesi), şerit döküm (mayi sıvının düzgünce dönen hareketli kayış üzerine dökülerek
çekilmesi) dür.
Kekler biçimlendikten sonra fırına yerleştirilerek dikkatlice kontrollu bir sıcaklık profiline maruz
bırakılır. Organik yapıştırıcıların yanmasından sonra malzeme yaklaşık % 15 çekmeye uğrar.
Kekler kor ateşte ısıtılarak bu durumda bir müddet bırakılır ki bu çekme (soak) zamanı süresince
son kimyasal reaksiyon oluşur. Malzeme soğutulduğunda kristal yapı biçimlenir. Malzemeye bağlı
olarak toplam fırınlama süresi 24 saat alabilir.
Malzeme soğuk iken kontak elektrotları yüzeye konulur. Bu bazı metotlar ile yapılabilir. Bunlardan
en yaygınları: gümüş cam karışımının ipek baskısı ve fırına sürülmesi (a fired-on silver), elektroliz
kaplama (özel bir banyoda kimyasal biriktirme) ve püskürtme (kısmi vakumda metal buharına
maruz bırakma).
Malzemedeki kristal hücreler elektrik dipolleri olarak düşünülebilir. Quartz gibi bazı malzemelerde
bu hücreler doğal olarak kristal eksenleri boyunca yönlendiğinden malzemeye stres duyarlılığı
verir. Diğer malzemelerde dipoller rasgele yönlenmiştir ve malzemenin piezo-elektrik özellik
kazanması için kutuplandırılmaya ihtiyacı vardır. Kristal malzemeye piezo-elektrik özellikler
vermek için bazı kutuplandırma teknikleri kullanılır. En popüler kutuplandırma işlemi ısıl
kutuplandırma olup aşağıdaki adımları içerir:
¾ Rasgele yönlenmiş dipollere sahip (şekil 4.6.3a) kristal malzeme (seramik veya polimer) Curie
sıcaklığının biraz üzerine kadar ısıtılır. Bazı durumlarda (PVDF filmi) malzemeye stres
uygulanır. Yüksek sıcaklık dipollerin güçlü ajitasyonu ile sonuçlanır ve bunların istenilen
yönde kolaylıkla yönlendirilmesine izin verir.
¾ Malzeme güçlü bir E elektrik alanına (şekil 4.6.3b) yerleştirilerek dipoller alan hatları ile aynı
doğrultuya gelir. Doğrultuya gelme tam değildir. Çoğu dipoller alan yönünden oldukça
kuvvetli bir şekilde saparlar; bununla beraber dipollerin istatistiksel baskın yönü sağlanır.
¾ Elektrik alanı uygulanırken malzeme kalınlığı boyunca soğutulur.
¾ Elektrik alanı kaldırılır ve kutuplandırma işlemi tamamlanmıştır. Kutuplanmış malzeme Curie

sıcaklığının aşağısında tutulduğu sürece polarizasyonu kalıcıdır. Dipoller yüksek sıcaklıkta
elektrik alanı ile verilen yönde dondurulmuş olarak kalır. Bu metot seramik ve plastik piro-
elektrik malzemelerin üretiminde kullanılır.
(a) (b) (c)

Şekil 4.6.3 Bir piezo ve piro-elektrik malzemenin ısıl kutuplandırılması
Korona deşarj kutuplandırma adındaki diğer bir metot polimer piezo/piro-elektrik filmlerin
üretiminde de kullanılır. Film 40-50 saniye süresince kalınlığının birim cm başına birkaç milyon
volt gerilim ile elektrottan korona deşarjına maruz bırakılır. Korona polarizasyonunun yapılmasının
karmaşık olmaması ve elektriksel delinme olmadan önce kolaylıkla uygulanabilmesi, bu işlemi oda
sıcaklığında kullanışlı hale getirmektedir.
Algılayıcı elemanın hazırlanmasındaki son operasyon biçimlendirme ve son durumuna getirmedir.

Bu kesme, makinada işleme ve taşlama işlemlerini içerir. Piezo/piro eleman hazırlandıktan sonra
elektrotlarının elektrik terminallerine ve diğer elektronik bileşenler ile irtibatlandırıldığı
algılayıcının kutucuğuna yerleştirilir.
Kutuplandırmadan sonra kristallerin polarizasyonu kalıcı olmakla beraber elektriksel olarak

yüklenme devamlılığını korumaz. Yekpare malzeme içinde oluşan elektrik alanında hareketli
yeterli miktarda serbest taşıyıcılar vardır ve çevreleyen havada bol miktarda yüklü iyonlar vardır.
Yük taşıyıcılar kutuplanmış dipollere doğru hareket ederler ve yüklerini nötrleştirirler (şekil
4.6.3c). Bundan dolayı kısa bir zaman sonra kutuplanmış piezo-elektrik malzeme kararlı şartlar
altında kaldığı sürece elektriksel olarak deşarj olmuş olur. Stres uygulandığında denge durumu
bozulur ve piezo-elektrik malzemede bir elektrik yükü gelişir. Eğer stres bir müddet devam
ettirilirse yükler dahili kaçak ve sızıntılardan dolayı tekrar nötrleştirilir. Bundan dolayı bir piezo-
elektrik algılayıcı kararlı durum yerine sadece değişen streslere tepki verir. Başka ifadeyle bir
piezo-elektrik algılayıcı DC değil bir AC elemandır.
Piezo-elektrik duyarlılıklar (d-katsayıları) sıcaklığa bağımlıdır. Bazı malzemeler için (quartz)

duyarlılık bir –0,016 %/°C eğimi ile düşer. Diğerleri için (PVDF filmleri ve seramikler) duyarlılık
40 °C aşağısı sıcaklıklarda düşebilir ve yüksek sıcaklıklarda sıcaklığın yükselmesi ile artar. Bu
günlerde piezo-elektrik algılayıcıların fabrikasyonu için en popüler malzeme seramiklerdir. İlk
ferroelektrik seramikler kimyasal formülü BaTiO3 olan polikristal baryum titanat idi. Kalıcı
polarizasyonun kararlılığı dipollerin giderici (koersif) kuvvetine dayanır. Bazı malzemelerde
polarizasyon zamanla azalabilir. Kutuplandırılmış malzemenin kararlılığını geliştirmek için
polarizasyonun bulunduğu yerde kilitlenmesi fikrine yönelik olarak temel malzemeye katkı
malzemeleri eklenir. Piezo-elektrik sabiti çalışma sıcaklığı ile değişirken ε dielektrik sabiti aynı
bağımlılığı taşır. Bundan dolayı (4.6.8) eşitliğine göre bu değerlerdeki değişimler pay ve payda
olarak girildiklerinde birbirini götürmeye meyillidir. Bu geniş bir sıcaklık aralığında V çıkış
geriliminin daha iyi bir kararlılığı ile sonuçlanır.
1969 da H. Kawai PVDF’de (poliviniliden fluorid) güçlü bir piezo-elektrik olduğunu keşfetti ve
1975 de Japon Pioneer şirketi piezo-elektrik hoparlör ve kulaklık olarak PVDF’li ilk ticari ürününü
geliştirdi. PVDF yaklaşık % 50 kristallik derecesi ile yarı kristal bir polimerdir. Diğer yarı kristal
polimerler gibi PVDF amorf bölge ile karışık lamel yapıdan oluşur. Kimyasal yapısı çiftli flourinli
ethen CF2-CH2 ’in tekrarlı (repeat: makromolekülde tekrarlayan özel atom düzenlemesi) birimini
içerir. CF2-CH2 ’nin kimyasal formülü aşağıdaki gibidir.
⎡ H F ⎤
⎢ ⎥
⎢ ⏐ ⏐ ⎥
⎢⎯ C ⎯ C ⎯⎥
⎢ ⎥
⎢ ⏐ ⏐ ⎥
⎢ H F ⎥
⎣ ⎦ n
PVDF’nin moleküler ağırlığı yaklaşık 105 olup yaklaşık 2000 tekrarlı birime karşılık gelmektedir.
Film görünür ve yakın kızıl ötesi bölgede oldukça geçirgen ve elektromanyetik spektrumun uzak
kızıl ötesinde emicidir. Polimer 170 °C de erir. Yoğunluğu yaklaşık 1780 kg/m3 tür. PVDF
mekanik dayanımlı ve esnek bir malzemedir. Piezo-elektrik uygulamalarında tek veya çift yönlü
olarak uzunluğunun birkaç katı uzatılır. Elastik sabitleri, örneğin Young modülleri bu çekme
oranına bağlıdır. Bundan dolayı eğer PVDF film 140 °C de 4:1 oranı ile çekilirse modül 2,1 Gpa
iken 6,8:1 çekme oranında modül 4,1 Gpa dır. Filmin direnci de bu çekme oranına bağlıdır.
Örneğin düşük uzatmalarda bu 6,3·1015 Ω·cm civarında iken 7:1 uzatma oranlarında 2·1016 Ω·cm
dir.
PVDF yaygın olarak kullanılan BaTiO3 veya PZT kadar yüksek piezo-elektrik katsayısına sahip
olmamakla beraber çok yüksek alternatif elektrik alanlarına maruz bırakıldığında polarizasyonunu
sürdürme gibi eşsiz bir özelliğe sahiptir. Bu PVDF’nin d31 değerinin PZT’nin % 10 civarında
olmasına rağmen izin verilen maksimum alan PVDF ’nin 100 katı büyük olduğundan PVDF’de
gözlenebilen maksimum gerginliğin PZT’nin 10 katı büyük olması anlamındadır. Film iyi kararlılık
taşır: 60 °C de depolandığında 6 ayda duyarlılığının % 1-2’sini kaybeder. Farklı piezo-elektrik
malzemelerin karşılaştırmalı karakteristikleri tablo 4.5 de görülmektedir.
Tablo 4.5 Piezo-elektrik malzemelerin özellikleri (20 °C de)

PVDF BaTiO3 PZT Quartz TGS
Yoğunluk (×103 kg/m3) 1,78 5,7 7,5 2,65 1,69
Dielektrik sabiti, εr 12 1700 1200 4,5 45
10
Elastik modülü (10 N/m) 0,3 11 8,3 7,7 3
Piezo-elektrik sabiti (pC/N) d31=20 d32=2 d33=-30 78 110 2,3 25
Piro-elektrik sabiti (10-4 C/m2 K) 4 20 27 - 30
Elektromekanik kuplaj sabiti (%) 11 21 30 10 -
Akustik empedans (106 kg/m2s) 2,3 25 25 14,3 -
Piezo-elektrik elemanlar tek kristal olarak veya birkaç plaka veya filmin beraber laminasyonu ile
çok katmanlı biçimde kullanılabilir. Bu, laminasyon arasına elektrotların yerleştirilmesiyle
yapılmalıdır. Şekil 4.6.4 de iki katmanlı bir kuvvet algılayıcısı görülmektedir. Harici bir kuvvet
uygulandığında algılayıcının üst kısmı uzarkan alt kısmı sıkışır. Eğer katmanların laminasyonu
doğru bir şekilde yapılmışsa bu çiftli bir çıkış sinyali üretir.
Şekil 4.6.4 İki katmanlı laminasyonlu

piezo-elektrik algılayıcı
Çift algılayıcılar şekil 4.6.5a da görüldüğü gibi paralel bağlantı veya şekil 4.6.5c de görüldüğü gibi
seri bağlantıya sahip olabilir. Piezo-elektrik algılayıcıların elektriksel eşdeğeri stresle indüklenen
akım kaynağı (i), kaçak direnç (r) ve kapasitansın (C) paralel bağlantısıdır. Katman bağlantısına
bağlı olarak laminasyonlu algılayıcıların eşdeğer devresi şekil 4.6.5b ve d’de görülmektedir. Kaçak
dirençler 1012 - 1014 Ω seviyesinde çok büyük olup algılayıcının oldukça yüksek çıkış empedansına
sahip olması anlamındadır. Bu yük ve akım-gerilim dönüştürücüsü veya yüksek giriş dirençli
gerilim yükselticileri gibi özel arabirim devrelerinin kullanılmasını gerektirir.
(a) (b) (c) (d)

Şekil 4.6.5 (a) Paralel ve (c) seri laminasyonlu piezo-elektrik algılayıcılar ve (b ve d) eşdeğer
devreleri
4.7 PİRO-ELEKTRİK ETKİ
Piro-elektrik malzemeler ısı akışına tepki olarak elektrik yükü üretme kabiliyetinde kristal
maddelerdir. Piro-elektrik etki piezo-elektrik etki ile yakından ilişkili olduğundan okuyucunun
öncelikle bu konu hakkındaki bilgiyi okuması gerekir.
Piezo-elektrikler gibi piro-elektrik malzemeler ısıl olarak indüklenen yüklerin alınabilmesi için zıt
kenarlarına biriktirme suretiyle konulmuş elektrotlar ile silikon dilimler veya filmler biçiminde
kullanılır (şekil 4.7.1). Piro-elektrik dedektör temelde bir kapasitör olup ısı etkidiğinde elektrik
yükü ile yüklenebilir. Dedektörün harici bir elektriksel uyartım sinyaline veya polarlamaya ihtiyacı
yoktur. Sadece yükün ölçülmesi için uygun bir arabirim devresine gerek duyulmaktadır. Farklı iki
metal farklı fakat kararlı sıcaklıklarda tutulduğunda kararlı gerilim üreten ısıl-elektriklerin tersine
piro-elektrikler sıcaklık değişimine tepki olarak yük üretirler. Sıcaklık değişimi temelde ısının
yayılmasını gerektirdiğinden piro-elektrik eleman bir ısı dedektöründen daha çok bir ısı akışı
dedektörüdür. Bazen tepkinin doğasını yansıttığından dinamik algılayıcı olarak da adlandırılır.
Piro-elektrik kristal ısı akışına maruz kaldığında (örneğin kızıl ötesi ışınım kaynağı) sıcaklığı
yükselir ve bir ısı kaynağı olur. Bundan dolayı şekil 4.7.1 de görüldüğü gibi kristalin diğer
kenarından bir ısı çıkışı vardır.
Şekil 4.7.1 Piro-elektrik algılayıcı

kristalin zıt uçlarında iki elektrota
sahiptir. Isıl ışınım 3 nolu eksenden
uygulanır.
Bir kristal eğer doğal sıcaklığa bağımlı polarizasyon taşıyorsa piro-elektrik olarak dikkate alınır. 32
kristal sınıfından 21’i merkezi simetrik değil ve bunlardan 10’u piro-elektrik özellikler taşır. Piro-
elektrik özelliklerin yanında bütün bu malzemeler belli derecede piezo-elektrik özellikler de taşır –
mekanik strese tepki olarak elektrik yükü üretirler.
Piro-elektrik özelliği ilk önce 18. yüzyılda tourmalin kristallerinde gözlenmiştir (bu özelliğin 23
yüzyıl önce Yunanlılar tarafından farkına varıldığı da iddia edilmektedir). Daha sonra 19. yüzyılda
Rochelle tuzu piro-elektrik algılayıcıların yapımında kullanılmıştır. 1915 den sonra bununla ilgili
olarak çok sayıda malzeme mevcut hale gelmiştir: KDP (KH2PO4), ADP (NH4H2PO4), BaTiO3 ve
PZT olarak bilinen PbTiO3 ve PbZrO3 bileşiği. Halihazırda geri dönüşümlü polarizasyonu ile 1000
den fazla malzeme bilinmektedir. Bunlar ferro-elektrik kristaller olarak bilinmektedir. Bunlardan
en önemlisi triglisin sülfat (TGS), lityum tantalat (LiTaO3) tır. 1969 da H. Kawai plastik
malzemeler, polivinil fluorid (PVF) ve poliviniledene fluorid’de güçlü bir piezo-elektrik özelliği
keşfetmiştir. Bu malzemeler aynı zamanda bariz piro-elektrik özellikleri de taşımaktaydı.
Bir piro-elektrik malzeme çok sayıda, her biri küçük elektrik dipolü gibi davranan çok küçük
kristalciklerin kompozisyonu olarak dikkate alınabilir. Bütün bu dipoller rasgele yönlenmiştir (şekil
4.6.3a). Curie sıcaklığı olarak bilinen belli bir sıcaklığın üzerinde kristalciklerin dipol momentleri
yoktur. Piro-elektrik malzemelerin üretimi (kutuplandırılması) piezo-elektriklere benzemektedir.
Sıcaklıklardaki değişimlerin piro-elektrik ile sonuçlanan bazı mekanizmaları vardır. Sıcaklık

değişimleri ayrı dipollerin kısalmasına veya uzamasına neden olabilir. Bu aynı zamanda ısıl
ajitasyondan dolayı dipol yönlerinin rasgeleleliğini de etkileyebilir. Bu fenomenler birincil piro-
elektrik olarak adlandırılır. Aynı zamanda ikincil piro-elektrikler de olup piezo-elektrik etkinin bir
sonucu olarak basitleştirilerek tanımlanabilir yani ısıl genleşmeden dolayı malzemede gerinim
oluşumu. Şekil 4.7.1 de To’ın hacim üzerinde homojen olduğu bir piro-elektrik algılayıcı
görülmektedir. Elektriksel polarizeli olarak dipoller malzemenin bir kenarı pozitif ve diğer kenarı
negatif olacak şekilde yönlenmiştir (kutuplanmıştır). Bununla beraber kararlı şartlar altında serbest
yük taşıyıcılar (elektron ve boşluklar) polarize yükleri nötrleştirir ve elektrotlar arasındaki
kapasitans yüklenmemiş olarak gözükür. Yani algılayıcı sıfır yük üretir. Şimdi ısının algılayıcının
alt kenarına uygulandığını varsayalım. Isı algılayıcıya alt elektrottan emilme ve piro-elektrik
malzemeye ısıl iletim mekanizması ile yayılma suretiyle ısıl ışınım biçiminde girebilir. Alt elektrot
siyah altın veya organik boya gibi ısı emici bir kaplama ile kaplanabilir. Isı emmenin bir sonucu alt
taraf daha ılık olarak (yeni sıcaklık T1) malzemenin alt kenarının genleşmesine neden olur. Bu
genleşme algılayıcının esnemesiyle sonuçlanarak akabinde stres üretir ve dipol yönünü değiştirir.
Piezo-elektrik olarak stres altındaki malzeme elektrot uçlarında zıt yüklü elektrik yükleri meydana
getirir. Bundan dolayı ikincil piro-elektrik özelliği bir olaylar zinciri olarak açıklanabilir: ısıl ışınım
– ısı emilmesi – ısıl olarak indüklenmiş stres – elektrik yükü.
Yekpare piro-elektrik algılayıcının M dipol momenti,

r
M = m Ah (4.7.1)
r
dir. Burada m birim hacim başına dipol momenti, A algılayıcı alanı ve h kalınlıktır. Elektrotlar ile
alınabilen Qa yükü malzeme uçlarında bir dipol momenti geliştirir.
M o = Qa ⋅ h (4.7.2)
r
Qa = m ⋅ A (4.7.3)
olacak şekilde M’nin Mo’a eşit olması gerekir. Sıcaklık değişirken dipol momenti de değişerek
indüklenen yük ile sonuçlanır.
r
Isıl emilme dipol momenti ile ilişkilendirilebilir böylece m hem sıcaklık, Ta ve hem de malzeme
tarafından emilen artımsal ısıl enerji, ΔW ’nin bir fonksiyonu olarak görülmelidir.
r
ΔQa = A ⋅ m(Ta , ΔW ) (4.7.4)
Şekil 4.7.2 de dahili kaçak direnç veya algılayıcıya bağlanmış arabirim devresinin kombine giriş
direncini temsil eden Rb direncine bağlanmış piro-elektrik dedektör görülmektedir. Algılayıcının
eşdeğer devresi sağda görülmekte ve üç bileşene sahiptir: ısı ile indüklenen i akımı üreten akım
kaynağı (bu akımın elektrik yüklerinin hareketinden kaynaklandığı hatırlanmalıdır), algılayıcının C
kapasitansı ve Rb kaçak direnci.
Piro-elektrik algılayıcıdan, çıkış sinyalinin uygulanmasına bağlı olarak, ya yük ya da gerilim

biçiminde alınabilir. Kapasitör özelliğinde olan bir piro-elektrik eleman Rb direncine bağlandığında
deşarj olur. Dirençten geçen elektrik akımı ve direnç uçlarındaki gerilim ısı akışı ile indüklenen
yükü temsil eder. Bu iki piro-elektrik katsayı ile karakterize edilebilir:
dPs
PQ = Piro − elektrik yük katsayısı
dT
(4.7.5)
dE
PV = Piro − elektrik gerilim katsayısı
dT
Şekil 4.7.2 Piro-elektrik algılayıcı ve

eşdeğer devresi
Burada Ps doğal polarizasyon (diğer söyleyişle elektrik yükü), E elektrik alan şiddeti ve T
sıcaklıktır (K). Her iki katsayı elektriksel εT geçirgenliği ve ε0 dielektrik sabiti ile ilişkilidir.
PQ dPs
= = ε rε o (4.7.6)
PV dE
Polarizasyon sıcaklığa bağımlı ve sonuç olarak her iki piro-elektrik katsayısı da sıcaklığın
fonksiyonlarıdır.
Eğer piro-elektrik malzeme bir ısı kaynağına maruz bırakılırsa sıcaklığı ΔT kadar artar ve buna
karşılık gelen yük ve gerilim aşağıdaki eşitlikler ile tanımlanabilir:
ΔQ = PQ AΔT (4.7.7)
ΔV = PV hΔT (4.7.8)
Algılayıcı kapasitansının
ΔQ A
Ce = = ε1ε 0 (4.7.9)
ΔV h
olarak tanımlandığı hatırlanarak (4.7.6), (4.7.8) ve (4.7.9) dan
A εε
ΔV = PQ ΔT = PQ r o ΔT (4.7.10)
Ce h
elde dilir. Tepe çıkış geriliminin algılayıcının sıcaklık yükselmesi ve piro-elektrik yük katsayısı ile
orantılı ve algılayıcının kalınlığı ile ters orantılı olduğu gözükmektedir.
Piro-elektrik algılayıcı ısıl gradyana maruz bırakıldığında polarizasyonu (kristal uçlarında gelişen
elektrik yükü) kristalin sıcaklığı ile değişir. Tipik bir polarizasyon-sıcaklık eğrisi şekil 4.7.3 de
görülmektedir. Gerilim piro-elektrik katsayısı polarizasyon (Pv) eğrisinin eğimidir. Eğri
polarizasyonun kaybolduğu ve malzemenin kalıcı olarak piro-elektrik özelliklerini kaybettiği Curie
sıcaklığı yakınında önemli ölçüde artar. Eğriden, algılayıcının duyarlılığının doğrusallığının
bozulması pahasına arttığı sonucu çıkartılabilir.
En uygun piro-elektrik malzemeyi seçmek için enerji dönüşümünün dikkate alınması gerekir.
Gerçekte bu piro-elektrik algılayıcının ısıl enerjiyi elektrik enerjisine dönüştürmesinin bir

fonksiyonudur. Tasarım aşamasında algılayıcının ne kadar etkili ve verimli olduğu anahtar bir soru
olmaktadır. Verimin bir ölçüsü k p2 olup piro-elektrik kuplaj katsayısı olarak adlandırılır. Piro-
elektrik kuplaj katsayısı piro-elektrik verimin Carnot sınırlayıcı ΔT / Ta değerinden ne kadar daha
aşağı olduğu faktörü göstermektedir. k p2 ’nin sayısal değerleri tablo 4.6 da görülmektedir.
Şekil 4.7.3 Piro-elektrik kristalin

polarizasyonu. Algılayıcı Curie
sıcaklığının aşağısında depolanmalı ve
çalıştırılmalıdır.
Tablo 4.6 Piro-elektrik malzemelerin fiziksel özellikleri (üretim tekniğine bağlı olarak özellikler
değişebilir)
Malzeme Curie Isıl iletkenlik Bağıl Piro-elektrik Piro-elektrik Kuplaj
Sıcaklığı W/(mK) Geçirgenlik yük katsayısı gerilim katsayısı kp2 (%)
°C εr C/(m2K) V/(mK)
Tek kristaller
TGS 49 0,4 30 3,5×10-4 1,3×106 7,5
-4 6
LiTa03 618 4,2 45 2,0×10 0,5×10 1,0
Seramikler
BaTiO3 120 3,0 1000 4,0×10-4 0,05×106 0,2
-4
PZT 340 1,2 1600 4,2×10 0,03×106 0,14
Polimerler
PVDF 205 0,13 12 0,4×10-4 0,40×106 0,2
Poli kristal katmanlar
PbTiO3 470 2 (tek kristal) 200 2,3×10-4 0,13×106 0,38
Tablo 4.6 triglisin sülfat (TGS) kristallerinin en verimli piro-elektrik dönüştürücüler olduğunu
göstermektedir. Bununla beraber düşük Curie sıcaklıklarından dolayı uzun bir zaman için bunların
algılayıcılarda kullanımı pratik olmamaktaydı. Eğer algılayıcının sıcaklığı bu seviyenin üzerine
çıkarsa polarizasyonunu kalıcı olarak kaybeder. Gerçekte TGS algılayıcılar Curie sıcaklığının
altında bile oldukça doğal sinyal kaybı ile kararsızlıklarını göstermişlerdir. Gelişim zamanı
süresince TGS kristallerine L-alanin’in (Philips tarafından patenti alınmış LATGS işlemi) katkı
olarak eklenmesi Curie sıcaklığının altında malzemeyi kararlı hale getirmektedir. 60 °C’ye
yükseltilmiş olan Curie sıcaklığı çoğu uygulamalar için yeterli olan 55 °C üst çalışma
sıcaklığındaki kullanıma izin vermektedir.
Lityum tantalat ve piro-elektrik seramikler gibi diğer malzemeler de piro-elektrik algılayıcıların

üretiminde kullanılmaktadır. Polimer filmler çeşitli uygulamalarda gittikçe artan popülerlik
bulmaktadır. Son yıllarda piro-elektrik kalın filmlerin biriktirme metodu çok geniş araştırılmıştır.
Bu malzemelerden özellikle yüksek piro-elektrik katsayısı ve 490 °C civarında yüksek Curie
sıcaklığına sahip ferroelektrik seramik olan kurşun titanat (PbTiO3) umut verici durumdadır. Bu
malzeme çözelti jelleştirme (sol-jel) spin döküm biriktirme metodu ile silikon gövde üzerine
biriktirme suretiyle kolaylıkla konulabilir.
Şekil 4.7.4 de ısının adım fonksiyonuna maruz piro-elektrik algılayıcının zamanlama diyagramları
görülmektedir. Elektrik yükü hemen hemen aniden tepe değerine ulaşmakta ve sonra τT ısıl zaman
sabiti ile azalmaktadır. Bu zaman sabiti algılayıcının C ısıl kapasitansı ve algılayıcı elemandan
çevresine ısı kaybını tanımlayan R ısıl direncinin çarpımıdır:
τ T = CR = cAhR (4.7.11)
Burada c algılayıcı elemanın öz ısısıdır. R ısıl direncin konveksiyon (taşınım), iletim ve ısıl ışınım
ile çevreye olan bütün ısıl kayıplarının bir fonksiyonudur. Düşük frekanslı uygulamalar için
olabildiğince büyük τT’li algılayıcıların kullanılması istenilirken yüksek hızlı uygulamalar için
(lazer palslerinin ölçümü) ısıl zaman sabitinin çok azaltılması gerekir. Bu amaç için piro-elektrik
malzeme aluminyum veya bakır parçası gibi bir soğutucu ile lamine edilebilir.
Şekil 4.7.4 Piro-elektrik algılayıcının

bir ısıl adım fonksiyonuna tepkisi.
Qo yükü ve vo gerilimi anlaşılması
açısından abartılmıştır.
Piro-elektrik algılayıcı hedefe tutulduğunda hedefin ısıl kapasitesinin çok büyük (sonsuz ısı
kaynağı) ve algılayıcının ısıl kapasitesinin küçük olduğu dikkate alınır. Bu yüzden hedefin Tb
yüzey sıcaklığı ölçüm süresince sabit alınırken algılayıcının Ts sıcaklığı zamanın bir fonksiyonu
olur. Bu fonksiyon algılayıcı elemanın yoğunluğu, öz ısısı ve kalınlığına bağlıdır. Eğer giriş ısıl
akısı adım fonksiyonuna sahipse havada serbestçe duran algılayıcı için çıkış akımı aşağıdaki gibi
üstel fonksiyon ile yakınlaştırılabilir.
i = io e −t / τ T (4.7.12)
Burada io tepe akımdır.
Şekil 4.7.4 de Q yükü ve V gerilimi ne kadar zaman geçerse geçsin tamamen sıfıra gitmez. Isıl
enerji a kenarından piro-elektrik malzemeye girerek malzemenin sıcaklığını artırır (şekil 4.7.1). Bu,
τT ısıl zaman sabiti ile algılayıcının azalan tepkisine neden olur. Bununla beraber algılayıcının diğer
b tarafı daha soğuk bir çevreye baktığından ısıl enerjinin bir kısmı algılayıcıyı terkeder ve çevreye
doğru yayılarak kaybolur. a ve b kenarları farklı sıcaklıklardaki cisimlere baktığından (birisi
hedefin sıcaklığı ve diğeri çevrenin sıcaklığı) piro-elektrik malzeme içinde sürekli bir ısı akışı
mevcuttur. Piro-elektrik algılayıcının ürettiği elektrik akımı malzeme içindeki ısıl akım ile aynı
biçime sahiptir. Doğru bir ölçüm, ısı akışı aktığı sürece piro-elektrik algılayıcının, genliği ısı akışı
ile orantılı sabit bir vo gerilimi üreteceğini gösterebilir. Bunun sonucu olarak piro-elektrik
malzemenin ürettiği elektrik akımının aşağıdaki eşitlik ile temsil edilebileceği sonucuna varılabilir.
dQ d 2Q
i = p1 + p2 2 (4.7.13)
dt dt
Burada p1 ve p2 sabitlerdir. Bu eşitlikten bazı sonuçlar çıkarılabilir:
¾ Algılayıcı içinde ısı akışı yokken çıkış sıfır yani algılayıcı potansiyel olarak bir DC tepki
üretebilir.
¾ Isı akışı sabit iken algılayıcının çıkışı sabittir.
¾ Algılayıcının çıkışı ısı akışının birinci türevi ile orantılıdır.
4.8 HALL ETKİSİ
Bu etki 1879 da Johns Hopkins Üniversitesinde E. H. Hall tarafından keşfedilmiştir. Başlangıçta

etki sınırlı olmasına rağmen metaller, yarı-iletkenler ve diğer iletken malzemelerdeki elektriksel
iletim çalışması için çok değerli bir uygulamaya sahipti. Bugünlerde Hall algılayıcıları manyetik
alanlar, cisimlerin pozisyon ve yer değişiminin dedeksiyonunda kullanılmaktadır.
Etki hareketli elektrik yükleri ve harici manyetik alan arasındaki etkileşime dayanır. Metallerde bu
taşıyıcılar elektronlardır. Bir elektron bir manyetik alanı geçerken yanal kuvvetlerin etkisi altında
kalır.
F = qvB (4.8.1)
Burada q = 1,6 × 10-19 C elektron yükü, v elektronun hızı ve B manyetik alandır. Vektör
notasyonları (koyu harf) kuvvetin yönü ve genliğinin manyetik alan ve elektronun hareket yönü
arasındaki uzaysal ilişkiye bağlı olduğunun bir göstergesidir. B’nin birimi 1 tesla = 1
newton/(amper·metre) = 104 gauss.
B manyetik alanına yerleştirilmiş düz bir iletken şerit içinde elektronların hareket ettiğini
varsayalım (şekil 4.8.1). Şerit bir voltmetreye bağlanmış, sağ ve sol kenarlarında ek iki kontağa
sahiptir. Diğer iki kontak şeritin alt ve üst uçlarına konulmuş olup bir elektrik akım kaynağına
bağlanmıştır. Manyetik alandan dolayı saptırıcı kuvvet hareketli elektronları şeritin sağ tarafına
doğru kaydırarak şeritin sağ ucu sol ucuna göre daha negatif olur. Yani manyetik alan ve elektrik
akımı VH enine Hall potansiyel farkını üretir. Bu potansiyelin işareti ve genliği hem manyetik alan
ve hem de elektrik akımının genliğine ve yönüne bağlıdır. Sabit bir sıcaklıkta bu gerilim
VH = hiB sin α (4.8.2)
ile verilir; burada α manyetik alan vektörü ve Hall plakası arasındaki açı (şekil 4.8.2), h değeri
plaka malzemesine, geometrisine (aktif alan) ve sıcaklığına bağlı tam duyarlılık katsayısıdır.
Şekil 4.8.1 Hall etkili algılayıcıda manyetik

alanın elektrik yüklerinin hareketini saptırması
Tam duyarlılık Hall katsayısına bağlı olup birim akım yoğunluğu başına birim manyetik alan
şiddeti başına enine elektrik potansiyel gradyanı olarak tanımlanabilir. Metallerin serbest elektron
teorisine göre Hall katsayısı aşağıdaki gibi verilmelidir.
1
H= (4.8.3)
Ncq
(a) Hall algılayıcısının çıkış sinyali manyetik alan

(b) Hall algılayıcısının dört terminali
vektörü ve plaka arasındaki açıya bağlıdır
Şekil 4.8.2
Burada, N birim hacim başına serbest elektron sayısı ve c ışık hızıdır. Malzemenin kristal yapısına
bağlı olarak yükler ya elektronlar (negatif) ya da boşluklar (pozitif) olabilir. Sonuç olarak Hall
etkisi ya negatif ya da pozitif olabilir.
Doğrusal Hall etkili algılayıcı ekseriyetle dört terminalli kılıf içinde paketlenir. Kontrol akımının
uygulandığı terminallere kontrol terminalleri denir ve bunlar arasındaki direnç Ri kontrol direnci
olarak adlandırılır (şekil 4.8.3). Çıkış geriliminin gözlendiği terminallere diferansiyel çıkış
terminalleri denir ve bunlar arasındaki direnç ise Ro diferansiyel çıkış direnci olarak adlandırılır.
Algılayıcının eşdeğer devresi (şekil 4.8.4) çapraz bağlı dirençler ve çıkış terminallerine seri bağlı
iki gerilim kaynağı ile temsil edilebilir. Şekil 4.8.2b ve 4.8.3 deki ⊗ işareti manyetik alan yönünün
okuyucudan kağıt düzlemine olduğunu göstermektedir.
Şekil 4.8.3 Hall algılayıcısının

eşdeğer devresi
Algılayıcının özellikleri her iki terminal uçlarındaki Ri ve Ro dirençleri, manyetik alanın

uygulanmadığı durumda offset gerilimi, duyarlılık ve duyarlılığın sıcaklık katsayısı ile
belirlenebilir. Çoğu Hall etkili algılayıcıların fabrikasyonu silikondan yapılır ve iki genel
kategoriye düşer: temel algılayıcılar ve entegre algılayıcılar. Elemanın fabrikasyonu için kullanılan
diğer malzemeler InSb, InAs, Ge ve GaAs içerir. Silikon elementinde arabirim devresi aynı
yaprakcık üzerine dahil edilebilir. Bu entegrasyon özellikle Hall etkisi gerilimi oldukça küçük
olduğundan önemlidir. Örneğin doğrusal bir temel silikon algılayıcı (Sprague ® üretimi UGN-
360K) tablo 4.7 de verilen tipik karakteristiklere sahiptir.
Tablo 4.7 Doğrusal Hall etkili algılayıcının tipik karakteristikleri

Kontrol akımı 3 mA
Kontrol direnci, Ri 2,2 kΩ
Kontrol direnci ile sıcaklık değişimi +% 0,8 / °C
Diferansiyel çıkış direnci, Ro 4,4 kΩ
Çıkış offset gerilimi 5,0 mV (B = 0 Gauss’da)
Duyarlılık 60 μV/Gauss
Duyarlılık ile sıcaklık değişimi +0,1%/°C
Tam duyarlılık 20 V/Ω kG
Maksimum manyetik akı yoğunluğu, B sınırsız
Dahili elektronik arabirim devresi entegre algılayıcıyı iki durumlu bir aygıt haline getiren bir eşik
elemanı içerebilir. Yani çıkışı eşik değerinin aşağısında iken sıfır ve manyetik alan eşik değerini
yeterince geçebilecek şiddete sahipse çıkış ‘1’ dir.
Silikonun piezo-rezistif özelliğinden dolayı bütün Hall etkisi algılayıcıları mekanik stres etkisine
duyarlıdırlar. Bağlantı kablolarına ve kılıfa stres uygulanmasına engel olmak için dikkat
gösterilmelidir. Algılayıcı aynı zamanda elemanın direncine sıcaklığın etki etmesinden dolayı
sıcaklık değişimlerine de duyarlıdır. Eğer eleman bir gerilim kaynağı ile besleniyorsa sıcaklık
kontrol direncini değiştirecek ve akabinde kontrol akımını değiştirecektir. Bundan dolayı kontrol
terminallerinin bir gerilim kaynağı yerine bir akım kaynağına bağlanması tercih edilmektedir.
Hall algılayıcı fabrikasyonunun bir yolu şekil 4.8.4a da görüldüğü gibi iyon implantasyonlu n
kaynakları (well) ile silikon p-gövde kullanmaktır. Elektriksel kontaklar güç kaynağı terminalleri
ile bağlantı sağlar ve algılayıcının çıkışlarını biçimlendirir. Hall elemanı şekil 4.8.4b de görüldüğü
gibi dört elektrotun çapraz olarak yerleştirildiği basit bir karedir. Hall algılayıcısının incelenmesi
amacıyla rezistif bir köprü olarak resimlendirilmesi yardımcı olabilir (şekil 4.8.4c). Bu temsil
köprü devrelerinin tasarım metotlarında en popüler devreler olduğundan algılayıcının pratik
uygulamalarını daha geleneksel hale getirir.
(a) (b) (c)

Şekil 4.8.4 (a, b) Silikon Hall etkili algılayıcı (n-well); (c) eşdeğer rezistif köprü devresi
4.9 SEEBECK, PELTİER VE THOMSON ETKİLERİ
1821 de Estonyada doğan, Berlin ve Göttingen de fizik eğitimi alan Thomas Johann Seebeck
(1770-1831) galvanik düzenlemelerde ısıl etkiler üzerinde çalışırken yarı dairesel bizmut ve bakır
parçalarını kazara birleştirdi ve yakındaki pusula manyetik bir değişimin olduğunu gösterdi (şekil
4.9.1). Seebeck farklı metal kombinasyonları ile farklı sıcaklıklarda deneyi tekrarladı ve bunlarla
ilgili manyetik alanın şiddetine dikkat etti. Şaşırtıcı şekilde bir elektrik akımının aktığına inanamadı
ve etkiyi ısılmanyetizma olarak tanımlamayı tercih etti.
Şekil 4.9.1 Seebeck deneyi
Eğer bir a iletkeni alınır ve bunun bir ucu soğuk bir yere ve diğer ucu ılık bir yere konulursa soğuk
noktaya doğru bir enerji akacaktır. Enerji ısı biçimindedir. Isı akışının şiddeti iletkenin ısıl
iletkenliği ile orantılıdır. Bunun yanında ısıl gradyan iletken içinde doğrudan Thomson etkisi ile
ilişkili bir elektrik alanı meydana getirir. Alan sonucu meydana gelen artımsal gerilim
dT
dVa = α a dx (4.9.1)
dx
olur; burada dT küçük dx uzunluk elemanı uçlarındaki sıcaklık gradyanı ve αa malzemenin mutlak
Seebeck katsayısıdır. Eğer malzeme homojen ve αa uzunluğun bir fonksiyonu değilse eşitlik
aşağıdaki gibi sadeleşir:
dVa = α a dT (4.9.2)
Elektrik akımının gözlenmesi için tellere seri bağlı bir ölçü aleti ile kapalı bir döngü
oluşturulmalıdır (şekil 4.9.2a). Eğer döngü bakır gibi düzgün bir malzemeden yapılırsa hiç akım
akmadığı gözlenecektir. Döngünün sol ve sağ tarafındaki elektrik alanları ia = ib eşit akımları
üreterek sonuçta net sıfır akım ile birbirini yok eder. Isılelektrikliği gözlemek için farklı (veya aynı
iki malzeme, biri gerinim altında diğeri değil) iki malzemeden oluşan bir devre gerekir ve daha
sonra bunların ısılelektrik özellikleri arasındaki net fark ölçülebilir. Şekil 4.9.2b de net Δi = ia = ib
akımı üreten farklı iki metalin döngüsü görülmektedir. Gerçek akım iletkenlerin biçim ve boyutunu
içeren çok faktörlere bağlıdır. Eğer diğer taraftan akım yerine kırılmış veya kesilmiş iletkenlerin
uçlarındaki net gerilim ölçülürse potansiyel sadece malzemelere ve sıcaklık farkına bağlı olup
başka hiçbir faktöre bağlı değildir. Isıl olarak indüklenen potansiyel farkı Seebeck potansiyeli
olarak adlandırılır.
(a) Aynı metalden oluşan birleşme noktaları her (b) farklı metalden oluşan birleşme noktaları her
sıcaklık farkında net sıfır akım üretir. sıcaklıkta Δi net akımı üretir.
Şekil 4.9.2 Isılelektrik döngü
İki iletken beraber bağlanırsa ne olur? Metaldeki serbest elektronlar ideal bir gazdaki gibi
davranabilir. Elektronların kinetik enerjisi malzemenin sıcaklığının bir fonksiyonudur. Bununla
beraber farklı metallerde serbest elektronların enerjileri ve yoğunlukları aynı değildir. Farklı iki
malzeme aynı sıcaklıkta temas ettirilirse serbest elektronlar jonksiyondan geçerek difüzyonda
(yayınım) bulunur. Elektron kabul eden malzemenin elektrik potansiyeli arayüzeyde daha negatif
iken elektron veren malzeme daha pozitif olur. Jonksiyonun uçlarında farklı elektron yoğunlukları
bir elektrik alanı oluşturarak difüzyon işlemini dengeler ve denge durumu meydana gelir. Eğer bir
döngü oluşturulur ve her iki jonksiyon aynı sıcaklıkta ise her iki jonksiyondaki elektrik alanları
birbirini yok eder ki bu durum jonksiyonların farklı sıcaklıklardaki durumu ile aynı değildir.
Daha sonraki bir inceleme Seebeck etkisinin doğal olarak elektriksel özellikte olduğunu
göstermiştir. Bir iletkenin ısılelektrik özellikleri genelde elektriksel ve ısıl iletkenlikleri ile ifade
edilebilir. Bu durumda αa katsayısı bir malzemenin tek özelliği olmaktadır. Farklı iki malzemenin
(A ve B) kombinasyonu kullanıldığında Seebeck potansiyeli diferansiyel Seebeck katsayısından
belirlenebilir:
α AB = α A − α B (4.9.3)
Jonksiyonun net gerilimi
dVAB = α AB dT (4.9.4)
dir. Yukarıdaki eşitlik bir diferansiyel katsayının belirlenmesinde kullanılabilir.
dVAB
α AB = (4.9.5)
dT
Örneğin T-tipi ısılçift’in sıcaklık gradyanının bir fonksiyonu olarak yüksek dereceli doğrulukla
gerilimi aşağıdaki gibi ikinci derece eşitlik ile yakınlaştırılabilir.
VAB = a0 + a1T + a2T 2 = −0,0543 + 4,094 × 10 −2 T + 2,874 × 10 −5 T 2 (4.9.6)
Daha sonra T-tipi ısılçift için diferansiyel Seebeck katsayısı aşağıdaki gibi hesaplanabilir:
dVAB
αT = = a1 + 2a2T = 4,094 × 10 − 2 + 5,748 × 10 − 5 T (4.9.7)
dT
Katsayının, sıcaklığın doğrusal bir fonksiyonu olduğu görülmekte ve bazen ısılçift jonksiyonunun
duyarlılığı olarak adlandırılır. Daha soğuk sıcaklıkta tutulan bir jonksiyon soğuk jonksiyon ve daha
ılık olan ise sıcak jonksiyon olarak adlandırılır. Seebeck katsayısı jonksiyonun tipine veya şekline
bağlı değildir: metaller beraber preslenebilir, kaynaklanabilir, eritilerek birleştirilebilir, vb. Önemli
olan jonksiyonun sıcaklığı ve kullanılan gerçek metallerdir. Gerçekte Seebeck etkisi ısıl enerjinin
doğrudan elektrik enerjisine dönüşümüdür.
1826 da A.C. Becquerel sıcaklık ölçümleri için Seebeck’in keşfinin kullanılmasını önerdi. Buna
rağmen ilk pratik termometre hemen hemen 60 yıl sonra Henry LeChatelier tarafından yapıldı ve
platin ve platin-rodyum alaşım tel jonksiyonunun en yararlı gerilimi ürettiğini buldu. Çoğu
kombinasyonların ısılelektrik özellikleri belgelenmiş ve uzun yıllar sıcaklığın ölçümünde
kullanılmıştır. Tablo 4.8 de bazı ısılçift tiplerinin duyarlılıkları görülmekte ve şekil 4.9.3 de ise
geniş bir sıcaklık aralığında standart ısılçift tiplerinin Seebeck gerilimleri görülmektedir.
Isılçift’lerin 0 °C ye referanslandırılması ise adet haline gelmiştir. Isılçift’lerin yanında Seebeck
etkisi temelde seri bağlanmış çok sayıda ısılçift olan termopillerde de kullanılır. Bugünlerde
termopiller ısıl ışınımın dedeksiyonunda en yaygın olarak kullanılmaktadır. Orijinal termopil
tellerden yapılmış ve çıkış geriliminin artırılması amacını taşımaktaydı. Termopil James Joule
(1818-89) tarafından keşfedilmiştir.
Farklı malzemelerin Seebeck katsayılarının belirlenmesi için referans malzemesi olarak Seebeck
katsayısı çok düşük bir iletkenin seçilmesi uygun olmaktadır. Kurşun Seebeck katsayısının hemen
hemen sıfır olduğu ve hakkında yeterli bilginin çok olmasından dolayı yaygın olarak kullanılır.
Yüksek sıcaklıklarda Seebeck katsayısı kurşundan çok büyük olmasına rağmen yüksek sıcaklık
kararlılığından dolayı kurşun yerine platin kullanılır. İlk bakışta termo difüzyon etkisi metallerdeki
Seebeck etkisinin makul nedeni olarak gözükmektedir. Çubuğun sıcak ucundaki elektronlar soğuk
uca göre artan bir enerji kazanacak ve sonuçta difüzyonla soğuk uçta birikecektir. Elektronlar
negatif yüke sahip olduğundan çubuğun pozitif sıcak ucuna göre soğuk uç negatif olarak negatif
Seebeck katsayısına öncülük eder ki beklentilere de uymaktadır. Bu mekanizma tablo 4.9 da
görülen metallerdeki Seebeck etkisinin açıklanmasına yeterli değildir. Serbest elektronların
hareketi ile iletimin yer aldığı metaller açıkça pozitif katsayılara da sahip olacak ve bunun anlamı
böyle iletkenlerde negatif elektronların çubuğun sıcak ucunda birikmesi demektir. Bunun tam
olarak anlaşılması metallerde iletim işleminin daha derin incelenmesi ile gerçekleşebilir. Şimdilik
metallerde Seebeck etkisi fermi seviyesinin değişmesi, difüzyon katsayısının değişmesi ve

termodifüzyona atfedilmektedir. Denge durumunda bu etkiler çubuğun uçlarındaki yük birikiminin
neden olduğu elektrik alanı ile kompanze edilir.
Tablo 4.8 Bazı ısılçift tiplerinin karakteristikleri

Jonksiyon Duyarlılık Sıcaklık aralığı Harf
Uygulamalar
malzemesi μV/°C (@25 (°C) gösterimi
°C)
40,9 Oksidasyon, indirgeyen,
Bakır/Konstantan asal, vakum. 0 °C’nin T
-270 ⎯ +600 altında tercih edilir.
Nem’e dirençli
51,7 Indirgeyen, asal
Demir/Konstantan -270 ⎯ +1000 atmosfer. Oksidasyon ve J
nem’den koruyunuz.
Kromel/Alumel 40,6 -270 ⎯ 1300 Oksidasyon ve asal K
atmosferler.
Kromel/Konstantan 60,9 -200 ⎯ 1000 E
6,0 Oksidasyon ve asal
Pt (%10) / Rh-Pt 0 ⎯ 1550 atmosferler, indirgeyen S
atmosfer ve metalik
buharlardan koruyunuz.
6,0 Oksidasyon ve asal
Pt (%13) / Rh-Pt 0 ⎯ 1600 atmosferler, indirgeyen R
atmosfer ve metalik
buharlardan koruyunuz.
Tablo 4.9 Elementlerin platine göre bağıl, ısıl emk’ları (jonksiyonun biri 0 °C ve diğer jonksiyon
100 °C)
Element Emk, mV Element Emk, mV Element Emk, mV Element Emk, mV
Bizmut -7,34 Platin 0,00 İridyum +0,65 Altın +0,78
Nikel -1,48 Tantal +0,33 İndiyum +0,69 Kadmiyum +0,90
Kobalt -1,33 Aluminyum +0,42 Karbon +0,70 Tungsten +1,12
Civa -0,60 Kalay +0,42 Radyum +0,70 Seryum +1,14
Paladyum -0,57 Kurşun +0,44 Gümüş +0,74 Molibden +1,45
Kalsiyum -0,51 Magnezyum +0,44 Bakır +0,76 Lityum +1,82
Toryum -0,13 Talyum +0,58 Çinko +0,76 Demir +1,89
Antimon +4,89
Metallere kıyasla yarı-iletkenler oldukça büyük ısılelektrik etkiler göstermektedir. Verimli enerji
dönüştürücüleri yapmak için ZnSb, PbTe, InAs, vb. gibi çoğu yarı-iletken bileşenler üzerinde
yoğun araştırmalar yapılmıştır. Özellikler Rusyada Profesör A. V. Joffe yönetiminde bir araştırma
grubu parafin lamba etrafında enerji dönüşümü için ısılelektrik dönüştürücü yapımında ün
kazanmıştır. Üretilen bu enerji ile Sibiryada elektrik enerji şebekesinin bağlı olmadığı yerlerde
yaşayan çiftçilerin Moskova radyosunu dinleyebilmeleri sağlanmıştı.
19. yüzyılın başlarında bir saat yapımcısı olan Fransız Jean Charles Athanase Peltier (1785-1845)
keşfi ile bir fizikçi olmuştur. Eğer bir cisimden diğer bir cisme elektrik akımı geçerse (şekil 4.9.4)
jonksiyonlarından ısı verilebilir veya emilebilir. Isının emilmesi veya üretilmesi akım yönünün bir
fonksiyonudur:
Şekil 4.9.3 Sıcak-soğuk sıcaklık

gradyanının fonksiyonu olarak
standart ısılçift’lerin çıkış gerilimleri
dQp = ± pidt (4.9.8)
Burada i akım ve t zamandır. p katsayısı gerilim boyutunda ve malzemenin ısılelektrik özelliklerini

temsil eder. Isının diğer jonksiyondaki sıcaklığa bağlı olmadığına dikkat edilmelidir.
Şekil 4.9.4 Peltier etkisi
Peltier etkisi ısının geri dönüşümlü emilmesi ile ilgilenmekte olup ekseriyetle farklı iki metal
arasındaki jonksiyondan elektrik akımı geçtiğinde yer alır. Etki akımın harici olarak uygulanması
veya ısılçift jonksiyonunun Seebeck etkisi ile kendisi tarafından akım indüklendiğinde yer alır.
Peltier etkisi iki amaç için kullanılır. Jonksiyondaki akım yönüne bağlı olarak ısı üretebilir veya
jonksiyonu soğutabilir. Bu hassas ısıl kontrolun gerektiği aygıtlar için oldukça kullanışlı
olmaktadır. Açıkça Peltier etkisi Seebeck etkisi gibi aynı doğaya sahiptir. Peltier etkisinin Joule
ısısından farklı olduğu iyi anlaşılmalıdır. Peltier etkisi Joule ısısının tersine akım akışının genliği ile
doğrusal orantılıdır. Joule ısısı sonlu bir R direncine sahip bir iletkenin her yönünde akım
geçtiğinde meydana gelir. Serbest kalan Joule ısıl gücü P = I 2 R olarak akımın karesi ile
orantılıdır. Peltier ısısının genliği ve yönü temasın gerçek doğası ile hiç bir yönden bağlı değildir.
Sadece jonksiyonu oluşturmak için birbirine temas ettirilmiş farklı yekpare iki malzemenin bir
fonksiyonudur ve her malzeme ısılelektrik özelliklerine bağlı olarak kendi katkısını yapar. Peltier
etkisi ısılelektrik soğutucuların çalışmasının temeli olup uzak kızılötesi aralıkta çalışan foton
dedektörlerinin ve soğutulmuş aynalı hygrometrelerin soğutulmasında kullanılır.
Peltier etkisi iletim işleminin malzemeden malzemeye farklılık göstermesini düzenleyen yük
taşıyıcılarının enerjisinden dolayı ortaya çıkar. Bir jonksiyondaki bu enerji farkı jonksiyonun
soğumasını sağlayacak şekilde kafes tarafından sağlanmalı ve diğer jonksiyonda sıcaklığın
yükselmesini sağlayacak şekilde kafese enerji verilmelidir.
Bir ısı akımı temas yerinden geçerek aktığında ve Jh akım yoğunluğu iken hacim başına yük
taşıyıcılarının sayısı n ve A malzemesindeki yük taşıyıcılarının ortalama enerjisi Ea ve B
malzemesindeki yük taşıyıcıların ortalama enerjisi Eb ve sürüklenme (drift) hızı va ve vb olarak,
Peltier elemanının A kısmındaki akım jonksiyona ekstra ısı verir ve B deki akım aşağıdaki eşitlikte
görüldüğü kadar ısıyı jonksiyondan uzaklaştırır (veya bunun tersi olur).
J ha − J hb = ΔJ h = na Ea va − nb Eb vb (4.9.8)
Jonksiyonun her iki yanındaki elektrik akımının aynı olması gerektiğinden,
J e = na qva = nb qvb (4.9.9)
olarak ifade edilebilir; burada q elektron yükü olup
Je
ΔJ h = (Ea − Eb ) (4.9.10)
q
ile sonuçlanır.
İki iletken arasındaki Πab Peltier katsayısı birim akım başına ısı soğurulma miktarı veya
gelişimidir:
ΔJ h 1
Π ab = = ( Ea − Eb ) (4.9.11)
Je q
Metallerde sadece Fermi seviyesine yakın elektronlar iletim işlemine katılır. Eğer bütün enerji
durum yoğunluk eğrileri basit ve parabolleri benzer olsaydı Fermi seviyesi civarındaki
elektronların enerji dağılımı bütün metaller için aynı olacaktı ve hiçbir Peltier etkisi görülmeyecekti
(şekil 4.9.5). Bununla birlikte metallerdeki enerji durum yoğunluk eğrileri metalden metale farklılık
gösterebilir böylece küçük Peltier etkileri metaller kullanılarak ölçülebilir.
Metal-yarı-iletken jonksiyonlarında Peltier etkisi büyük olabilir. Yarı-iletkenlerdeki iletim iletim

bandının aşağısında elektronlar veya valens bandının üzerindeki boşluklar vasıtasıyla yer alır.
Jonksiyonda metaldeki elektronlar Fermi seviyesinin biraz üzerindedir oysaki yarı-iletkendeki yük
taşıyıcılar sıcaklığa ve katkı konsantrasyonuna bağlı olarak Fermi seviyesinden oldukça uzaktadır
(şekil 4.9.6).
Şekil 4.9.5 Metal

jonksiyonlarında Peltier
etkisi
Şekil 4.9.6 Bir metal-yarı-

iletken arasındaki
jonksiyon
Şekil 4.9.6 daki diyagram metal-yarı-iletken jonksiyonları için bariz Peltier katsayılarının
beklenebileceğini göstermektedir. Pratikte Peltier elemanları seri bağlı metal-yarı-iletken-metal
jonksiyonlarından oluşmaktadır. Peltier elemanları ile ilgili problem akım tarafından üretilen büyük
sıcaklık farklarının sıcak ve soğuk taraf arasında elemanların kendileri tarafından ısı iletimi
şeklinde kaybedilmesidir. Bundan dolayı yüksek elektrik iletkenlikli ve düşük ısıl iletimli
malzemeler tercih edilir. Seebeck etkisinde de bahsedildiği gibi silikon Peltier aygıtlarının yapımı
için çok uygun değildir.
Teknik olarak ilginin fazla olmamasına rağmen temel bir görüş açısından Thomson etkisi Seebeck
ve Peltier etkileri ile hoş bir bağlantı kurmaktadır. Bir iletken çubuktan akım geçtiği zaman Joule
ısısı üretilir. Çubuk boyunca sıcaklık değişimi de olduğu zaman ekstra bir ısı teriminin dikkate
alınması gerekir. Bu etki 1850 yıllarında Thomson ve daha sonra 1855 yılında Kelvin tarafından
keşfedilmiştir. Sıcaklık farklarından dolayı yük taşıyıcılarının toplam enerjisi çubuktaki yerin
fonksiyonu olarak değişebilir. Bu enerji değişimleri kristal kafesli etkileşim yoluyla mümkün
olabilmektedir. Yük taşıyıcılarının -kafesi az da olsa soğutabilecek şekilde- kafesten ısı çekmesi
mümkün olmaktadır.
Tersi durum da uygulanabilir; ekstra ısıtma veya soğutma durumuna karar verecek olan
malzemedir. İlginç bir deney bunu açıklamaktadır. Bir çubuk içinden bir akım geçirelim ve lehim
havyası ile çok küçük bir yerinde sıcak bir nokta meydana getirelim. İlgi noktası zamanın verilen
belli bir periyodunda sıcak noktanın nasıl bir difüzyona uğradığı veya yayılacağıdır (şekil 4.9.7).
Yük taşıyıcılar sıcak noktanın içinden geçerken kafesten ısı alır ve terkederlerken ısıyı bırakırlar.
Sıcak noktanın merkezi yük taşıyıcıları ile aynı yönde hareket edecektir (şekil 4.9.7a). Tersi
durumda ise beklenmeyen fakat deneysel olarak gözlenmiş sonuca göre sıcak nokta ve yük
taşıyıcılar ters yönlerde hareket ederler (şekil 4.9.7b). Yük taşıyıcılarının enerjisinin sıcaklıkla çok
değişmediği malzeme durumunda sıcak nokta oluştuğu yerde yassılaşır ve hareket etmez (şekil
4.9.7c). Thomson etkisi,
ΔJ h = γΔTJ c (4.9.12)
ile ifade edilir; burada γ Thomson katsayısı, ΔJh soğurulan veya bırakılan ısı, ΔT sıcaklık farkı ve Jc
elektrik akım yoğunluğudur.
Yük taşıyıcılar
(a) (b) (c)

Şekil 4.9.7 Farklı malzemeler için Thomson etkisinin gösterilmesi
Özet olarak ısılelektrik akımlar farklı sıcaklıklara maruz farklı iki metalden devre jonksiyonu
biçimlendirildiğinde mevcut olabilir. Bu sıcaklık farkı daima geri dönüşümsüz bir Fourier ısı
iletimi ile eşlik ederken elektrik akımının geçişi daima geri dönüşümsüz bir Joule ısı etkisi ile eşlik
eder. Aynı zamanda elektrik akımının geçişi daima geri dönüşümlü bir Peltier ısınması veya farklı
metallerin jonksiyonunda soğutma etkileri ile eşlik ederken kombine sıcaklık farkı ve elektrik
akımı daima geri dönüşümlü Thomson ısınması veya iletkenlerdeki soğuma etkisi ile eşlik eder.
Geri dönüşümlü iki ısınma-soğuma etkileri farklı dört emf ile net Seebeck emf’sini meydana
getirir:
T2 T2 T2
Es = p AB T + p AB T + ∫ σ A dT − ∫ σ A dT = ∫ α AB dT (4.9.13)
2 1
T1 T1 T1
Burada σ Thomson katsayısı olup σ ve termodinamikteki c öz ısısı arasındaki açık benzerlikten

dolayı Thomson tarafından elektriğin öz ısısı olarak adlandırılmıştır. σ’nın miktarı birim kütle
başına sıcaklık farkı başına ısının emilmesi veya açığa çıkma oranını temsil eder.
Kelvin ilişkileri
Üç ısılelektrik etkinin tanımlarından bunların hepsinin aynı mekanizmaya bağlı olduğu açıkça
anlaşılmaktadır. Bu yüzden üç etkinin birbiri ile güçlü bir ilişkide olduğu beklenebilir; eğer diğer
iki etki bilinirse etkilerden birinin hesaplanması mümkün olabilir. Etkiler arasındaki ilişkiler Kelvin
ilişkileri olarak adlandılır.
Bu ilişkilerin çıkartılması için şekil 4.9.8 de görüldüğü gibi ∇V potansiyel gradyanlı ve ∇T

sıcaklık gradyanlı bir iletken teli dikkate alalım. Je elektrik akım yoğunluğu, Jh ısı akım yoğunluğu
ve Jh/T entropi akım yoğunluğudur.
Şekil 4.9.8 Kelvin ilişkilerinin

çıkartılması
Eğer sistemin doğrusal olduğu varsayılırsa aşağıdaki eşitlik elde edilir:
J e = − L11∇V − L12∇T ⎫
⎬ (4.9.14)
J h / T = − L21∇V − L22∇T ⎭
Şimdi ilk eşitlik ∇V için çözülür ve sonuç ikinci eşitlikte yerine konulur. Eğer, Je ve ∇T ile
− ∇V ve Jh ifade edilirse
J e L12
− ∇V = + ∇T = ρJ e + α∇T (4.9.15)
L11 L11
L21 ⎛L L ⎞
Jh = T J e + T ⎜⎜ 12 21 − L22 ⎟⎟∇T = ΠJ e − λ∇T (4.9.16)
L11 ⎝ L11 ⎠
elde edilir; burada ρ öz direnç, α Seebeck katsayısı, Π Peltier katsayısı ve λ ısıl iletkenliktir.
Bu eşitliklerden,
L12 L21
=α , T =Π
L11 L11
bulunur. Termodinamiğin geri dönüşümsüz teorisine dayalı olarak Onsager L12 = L21 olduğunu
doğrulayabilmişti. Bu daha sonra birinci Kelvin ilişkisi olarak bilinen bir ilişkiye öncülük etmiştir:
α = Π /T (4.9.17)
Bu Seebeck etkisi ve Peltier etkisi arasındaki ilişkiyi tanımlamaktadır.
İkinci Kelvin ilişkisini elde etmek için bir iletken telin Δx kısmını alalım ve akımı ρJ e + α∇T = 0
olacak şekilde ayarlayalım. Bundan
α
Je = − ∇T (4.9.18)
ρ
bulunur. J e∇V = 0 olduğundan Δx de entropi üretiminin olmadığı anlamındadır ve telin bu

kısmına giren entropinin Δx kısmında kaybolan Thomson entropisi artı bu kısmı terkeden
entropiye eşit olması gerekir. Bundan dolayı
Π T + ΔT J e Π T J e γJ e ΔT
=0 (4.9.19)
T + ΔT T T
J e∇T ile bölünerek
[ΠT + ΔT /(T + ΔT )] − ΠT / T −
γ
=0 (4.9.20)
ΔT T
ve
d (Π / T ) γ
= (4.9.21)
dT T
sonucunu verir. (4.9.17) eşitliğinden
d ( Π / T ) dα
= (4.9.22)
dT dT
elde edilir ve (4.9.21) ve (4.9.22) eşitliklerinin birleştirilmesi ile ikinci Kelvin ilişkisi bulunur ki
Seebeck etkisi ile Thomson etkisi arasında bağlantı kurar:
dα γ
= (4.9.23)
dT T
4.10 ÇALIŞMA SORULARI
1. Elektrik yükü, elektrik alanı ve elektrik potansiyelinin açıklamasını yapınız. Aralarındaki

ilişkiyi belirtiniz.
2. Gauss kanunu’nu açıklayınız.
3. Elektrik dipolü ne demektir?
4. Kapasitör ve kapasitans tanımlarını yapınız. Kapasitif yer değişim algılayıcısı ile yer değişimi
nasıl ölçülür?
5. Dielektrik malzemenin polarizasyonu ne demektir?
6. Kapasitif su seviye algılayıcısının çalışma prensibi nasıldır? Suyun saf su olması gerekir mi?
7. Bir manyetik alan içindeki mıknatısın davranışını açıklayınız.
8. Elektron akışı ile manyetik alan arasındaki ilişkiyi açıklayınız.
9. Faraday, Biot-Savart ve Ampère kanunlarını açıklayınız.
10. Manyetik dipol ne demektir?
11. Bir manyetik malzemedeki histerezis ne demektir?
12. Kalıcı mıknatıslarda hangi faktörlere dikkat edilir?
13. İndüksiyon olayını açıklayınız.
14. Manyetik hareket dedektöründe sargının dikdörtgen veya dairesel olması neyi değiştirir?
15. Ortak indüktans ne demektir?
16. Direnç ve öz direnci açıklayınız.
17. Sıcaklık duyarlılığı ne demektir?

18. Gerinim duyarlılığı ne demektir?
19. Piezo-elektrik etki ve piroelektrik etki’yi açıklayınız.
20. Piezo-elektrik malzemede kutuplandırma nasıl yapılır?
21. Hall etkisini açıklayınız. Malzemelerde Hall gerilimi neye bağlıdır?
22. Seebeck, Peltier ve Thomson etkilerini açıklayınız. Bu etkilerin aralarındaki ilişkiyi

açıklayınız.
5 ALGILAMANIN ISIL, OPTİK VE MEKANİK PRENSİPLERİ
5.1 MEKANİK ÖLÇÜMLER
Cisimlerin mekanik özellikleri mühendislik amaçları kapsamında öncelikle ölçülmüş ve bütün

mekanik karakteristikler hareket olayları üzerinde çalışılan en eski konulardandır. Hareketin analizi
kinematik olarak adlandırılan fiziğin bir kısmını oluşturmaktadır. Hareket kuvvetler ile ilgili
olduğunda dinamik konularını ilgilendirir. Burada algılayıcılar ile doğrudan ölçülebilecek bazı
temel özelliklere kısaca değinilecektir.
Verilen bir koordinat sistemine göre bir cismin pozisyonu vektör notasyonu kullanılarak, r vektörü
ile tanımlanarak aşağıdaki gibi ifade edilebilir (şekil 5.1.1a).
r = ix + jy (5.1.1)
(a) Pozisyon (b) hız ve ivme

Şekil 5.1.1 Bir cismin pozisyon, hız ve ivmesinin vektörel temsili
Burada i ve j koordinat sisteminin x ve y yönlerinde birim vektörleridir. Bu cismin pozisyonunun

uzaklık ve c referans noktasından bir yön ile tanımlanabileceği anlamındadır. Şekil 5.1.1a da
görüldüğü gibi bir cisim kesik çizgili yörünge (iz) boyunca hareket ettiğinde r vektörünün
pozisyonu ani hız olarak adlandırılan v hızıyla değişir:
dr dx dy
v= =i +j (5.1.2)
dt dt dt
dx dy
vx = ve v y = skaler değerleri v hız vektörünün ortogonal bileşenleridir. Değeri ani ivme
dt dt
olarak adlandırılan hızın değişimi ile de değişebilir (şekil 5.1.1b).
dv dv dv y
a= =i x +j (5.1.3)
dt dt dt
Kinematik sadece pozisyon, hız ve ivmenin ani ifadeleri ile ilgilenir. Ortalam hız ve ivme gibi
diğer bazı ifadeler sistemin gözlenmesi ve analizi için gerekebilir. Bununla beraber algılama
aygıtları için önemli olan ani veya ani değere yakın kinematik değerlerdir. Diğer değerler uygun
veri işleme ile ani değerden çıkartılabilir. Yukarıdaki eşitlikler hareketli bir gövdenin iki boyutlu
matematiksel modelini temsil etmektedir. Doğal olarak benzer eşitlikler üç boyutlu uzaydaki
hareket için yazılabilir.
Pozisyon, hız ve ivme vektörel değerler olup ilgili algılayıcının uzayda düzgünce yönlendirilmesi
gerekir. Tek yönlü bir algılayıcı sadece algılayıcı eksenine paralel vektör bileşenine tepki verir.
Şekil 5.1.2a sadece x-x′ yönüne duyarlı bir ivme ölçeri göstermektedir. a ivmesi y-y′ yönünde olan
bir cisim üzerinde pozisyonlandırılmıştır. Algılayıcının sinyali bütün sistemin a ivmesi yerine ax
bileşeninin bir ölçüsüdür. Hareketli cismin yönü tahmin edilemediğinde çok yönlü algılayıcıların
kullanılması gereklidir. Ekseriyetle böyle bir algılayıcı eksenleri birbirine göre 90° ortogonal
yerleştirilmiş tek yönlü üç algılayıcının bir kombinasyonudur.
(a) Yönsüz ivme ölçer (b) dönen bir cismin hızı ve ivmesi
Şekil 5.1.2
Pratik önemi v hız vektörünün yönünün sürekli olarak değiştiği düzgün dairesel harekettir (şekil
5.1.2b). Eğer bir dönüş durgun ise hız vektörünün genliği sabit kalır. Aynı şey ivme hakkında da
söylenebilir. İvme vektörü daima dönüşün merkezine doğru yönlenmiştir. Eğer tek yönlü bir ivme
ölçer dönen bir cisim üzerine pozisyonlandırılmış ve hız vektörü boyunca yönlendirilmişse böyle
bir ivme ölçer sıfır ivme gösterecektir. Eğer ivme ölçer dönüşün merkezine doğru yönlendirilirse
sinyali gerçek ivmenin genliğini temsil edecektir ve bu aşağıdaki eşitlikten hesaplanabilir.
v2
a= (5.1.4)
r
Algılamanın Isıl, Optik ve Mekanik Prensipleri 113
Burada r dönüş yarıçapıdır. SI biriminde hız alt ve üst katları ile saniye başına metre olarak ölçülür.
Doğrusal veya merkeze doğru ivme saniye kare başına metre olarak ölçülür.
Kinematik, cisimlerin pozisyonu ve hareketlerine çalışırken dinamik ise hareketin nedeni nedir?
sorusuna cevap verir. Klasik mekanik ışık hızından oldukça düşük hızda hareket eden cisimler ile
ilgilenir. Atom ve elektron gibi hareketli parçacıklar quantum mekaniği ve görecelik teorisinin
konusudur. Klasik mekanik ile ilgili tipik bir problem Başlangıçta kütle, yük, dipol momenti, vb.
olan bir cismin bilinen kütle, yük, hız, vb. sahip harici cisimlere maruz kaldığında hareketi nedir?’
sorusudur. Yani klasik mekanik makro cisimlerin etkileşimi ile ilgilenir. Daha genel biçiminde bu
problem Galileo’nun öldüğü yılda doğan Sir Isaac Newton (1642-1727) tarafından çözülmüştür.
Newton Galileo ve diğer büyük mekanikçilerin fikirlerini harika bir şekilde geliştirmiştir. Newton
birinci kanununu Her cisim üzerine etkiyen kuvvetler tarafından durumunu değiştirmek için
zorlanmadıkça durgun durumunda düz bir çizgide kalmak ister şeklinde ifade etmiştir. Bazen bu
atalet kanunu olarak adlandırılır. Birinci kanunun diğer bir ifadesi eğer bir cisme hiç net kuvvet
etkilemiyorsa ivmesi sıfır şeklindedir.
Bir cisme kuvvet uygulandığında kuvvetin yönünde cisme bir ivme veya hızlanma verir. Bundan
dolayı kuvvet bir vektörel değer olarak tanımlanır. Newton, ivmenin etkileyen F kuvveti ile orantılı
ve cismin skaler bir özelliği olan m kütlesi ile ters orantılı olduğunu bulmuştur:
F
a= (5.1.5)
m
Bu eşitlik Newton’un ikinci kanunu olarak bilinir ve Newton prensiplerinin yayınlanmasından 65

yıl sonra 1752 de İsviçreli büyük matematikçi ve fizikçi Leonhard Euler tarafından bu ad
verilmiştir. Birinci kanun ikinci kanun içinde özel bir durum için içerilmiştir: Etkileyen net kuvvet
F = 0 iken ivme sıfırdır, a = 0.
Newton’un ikinci kanunu mekanik birimlerin tesis edilmesine izin verir. SI birim sisteminde kütle
(kg), uzunluk (m) ve zaman (s) taban birimlerdir (tablo 2.7). Kuvvet ve ivme türetilmiş birimlerdir.
Kuvvet birimi 1 kg’lık kütleyi 1 m/s2 ivme ile hızlandıran kuvvettir. Bu birim bir newton olarak
adlandırılır.
İngiliz ve Amerikan geleneksel birimler sisteminde kuvvet (lb), uzunluk (ft) ve zaman (s) taban
birimler olarak seçilmiştir. Kütle birimi 1 pound’luk kuvvetle etkilendiğinde 1 ft/s2 ’lik ivme ile
hızlanan kütle olarak tanımlanır. İngiliz kütle birimi slug’dır. Bundan dolayı mekanik birimler tablo
5.1 de görülmektedir.
Tablo 5.1 Mekanik birimler
Birim sistemi Kuvvet Kütle İvme

SI newton (N) kilogram (kg) m/s2
İngiliz pound (lb) slug ft/s2
Newton’un üçüncü kanunu iki cisim arasındaki ortak etkileşim prensibini ortaya koymaktadır: Her
aksiyona daima eşit ve zıt bir reaksiyon vardır veya iki cismin birbiri üzerindeki ortak aksiyonları
daima eşit ve zıt olarak yönlenmiştir.
Mühendislik ölçümlerinde sıklıkla birim hacim başına içerik miktarı olan ortamın yoğunluğunun
bilinmesi gereklidir. Yoğunluk kütle, m ve hacim, V ile aşağıdaki gibi tanımlanır.
m
ρ= (5.1.6)
V
Yoğunluk birimi kg/m3 veya lb/ft3 dir. Bazı malzemelerin yoğunlukları tablo 5.2 de görülmektedir.
Tablo 5.2 1 atm basıncında ve 0 °C de bazı malzemelerin yoğunlukları

Malzeme Yoğunluğu (kg/m3) Malzeme Yoğunluğu (kg/m3)
En iyi laboratuvar vakumu 10-17 Terebentin 860
Hidrojen 0,0899 Mineral yağı 900-930
Helyum 0,1785 Buz 920
Metan 0,7168 Su 1000
Karbon monoksit 1,250 Hidroklorik asit (% 20) 1100
Hava 1,2928 Kömür katranı 1200
Oksijen 1,4290 Gliserin 1260
Karbon dioksit 1,9768 Sülfürik asit (%20) 1700
Styrofoam (köpük) 100 Aluminyum 2700
Benzene 680-740 Civa (0 °C) 13596
Alkol 789,5 Platin 21400
5.2 MEKANİK BİLEŞENLER
Hemen hemen bütün algılayıcılarda mekanik bileşenler kullanılır. Bunlardan bazıları sismik kütle,
sönüm ortamı, vb. gibi özel bir dedeksiyonun temel bileşenleridir. Diğer algılayıcılarda ise
mekanik parçalar destekleyici görev yaparak yardımcı roller oynar. Bu parçaların detaylı
açıklaması ilgili kitaplarda bulunabilir; burada mekanik bileşenlerin temelleri özetlenecektir.
5.2.1 STRES
Stres ekseriyetle bir cismi deforme edecek veya edebilecek birim alan başına kuvvet olarak
tanımlanır. Üç normal stres vardır: σx, σy ve σz hepsi pozitif ve altı kayma stresi vardır: τxy, τyx, τyz,
τzy, τzx ve τxz, hepsi pozitiftir. Eğer eleman statik dengede ise τxy= τyx, τyz = τzy ve τzx = τxz dir. Şekil
5.2.1 çift eksenli veya düzlem stres diyagramını göstermektedir. İki normal stres pozitif yönde
gösterilmiştir. Kayma stresleri saat yönünde iken pozitif olarak alınır. Bundan dolayı τyx positif ve
τxy negatiftir.
Şekil 5.2.1 Stres vektörleri

Mekanik bileşenlerde stresin düzgünce dağılmış olduğu vasayımı oldukça sık olarak yapılır.
Normal stres dışa doğru yönlenmişse saf uzatıcı gerilme ve dışa doğru yönlenmişse saf sıkışma
olarak adlandırılır. Basit kelimesi bazen saf anlamında kullanılmakta olup karışıklığa neden olan
başka etkilerin olmadığını göstermektedir. Normal stresin genel bir ifadesi
F
σ= (5.2.1)
a
dir; burada F kuvvet ve a alandır.
5.2.2 GERİNİM
Düz bir cisim çekme (tensile) yüküne maruz kaldığında cismin boyu uzar. Uzama miktarına
gerilme adı verilir. Cismin birim uzunluk başına uzaması birim gerinim olarak adlandırılır. Bu
tanıma rağmen birim gerinim yerine gerinim (strain) kelimesi ve ortalama toplam uzama veya
cismin deformasyonu yerine toplam gerinim ifadesinin kullanılması gelenek haline gelmiştir.
Gerinim,
δ
ε= (5.2.2)
l
ile ifade edilir; burada δ başlangıçta l uzunluğuna sahip cismin toplam uzamasıdır (toplam
gerinim).
5.2.3 HİSTEREZİS
Mekanik aygıtlarda histerezis sürtünme, geriye doğru yapılan hareket, kırılan veya aşınan
bileşenler ve kirleticiler ile ilişkilidir. Aynı zamanda histerezis malzemenin kristal yapısı ile de
ilişkilidir. Malzeme stres altında kaldığında kristaller kısmi olarak yer değiştirir ve yük
kaldırıldıktan sonra orijinal durumlarına geri dönmez. Mekanik bileşenlerde histerezisin genliği
yüke bağlı fakat zamanın fonksiyonu değildir.
5.2.4 VİZKOS AKIŞ
Vizkos (koyu veya sürünen) akış malzemedeki akış ile ilişkilidir (şekil 5.2.2a). Histerezis ile
karşılaştırıldığında sürünme zaman bağımlıdır. Yük sabit kaldığında azalan bir oranda malzeme
akmaya devam eder. Sürünmenin genliği artan yükle ve sıcaklıkla artar. Sürünme özellikle plastik
gibi ergime sıcaklığı düşük malzemelerde söz konusudur. Sonuçta bileşen kalıcı deformasyona
uğrar.
Sürünme ile ilişkili olgu elastik sonrası etki olarak adlandırılır. Bir aygıta yük uygulanır ve sabit
tutulursa deformasyonla sonuçlanan bir hareketin varlığı söz konusudur (şekil 5.2.2b). Sürünmenin
tersine yükle indüklenen akış kalıcı bozulma ile sonuçlanmaz. Bir müddet gecikmeden sonra
malzeme kalıcı bir deformasyon bırakmadan orijinal biçimine geri döner.
5.2.5 ELASTİKİYET
Elastikiyet malzemenin bir özelliği olup yük kaldırıldığında orijinal biçimini ve boyutlarını
malzemeye tekrar kazandırır. Hooke kanunu belirli sınırlar içinde malzemedeki stres’in kendini
meydana getiren gerinim ile orantılı olduğunu ifade etmektedir. Hooke kanununa uyan malzemeler
için
(a) Vizkos akışkan grafiği (b) Elastik akışkanların grafikleri

Şekil 5.2.2 Vizkos ve elastik akışkanların grafikleri
σ = Eε (5.2.3)
yazılabilir; burada E sabittir. ε boyutsuz olduğundan E stres boyutuna sahip ve elastikiyet modülü
veya bazen rijitlik modülü olarak adlandırılır. Bu rijitliğin (stiffness) bir göstergesi olup
malzemenin temel özelliklerinden birini temsil eder. (5.2.1) ve (5.2.2) nin (5.2.3) de yerine
konularak yeniden düzenlenmesi ile eksenel gerilme (tension) veya sıkışma ile yüklenmiş bir
çubuğun toplam deformasyon eşitliği elde edilir:
FI
δ= (5.2.4)
aE
Deneyler sonucu bir malzeme gerilmeye (tension) yerleştirildiğinde sadece eksenel gerinim
olmayıp yanal gerinimin de olduğu gösterilmiştir. Poisson bu iki gerginliğin Hooke kanunu
aralığında birbirine orantılı olduğunu göstermiştir. Bu sabit aşağıdaki gibi ifade edilir ve Poisson
oranı olarak bilinir.
yanal gerginlik
v= (5.2.5)
eksenel gerginlik
Aynı ilişkiler yanal genleşmenin yer almasıyla sıkışma için uygulanır. Farklı malzemeler için
Poisson oranları tablo 5.3 de verilmiştir.
Tablo 5.3 Bazı malzemelerin mekanik özellikleri

Malzeme Elastikiyet modülü (Gpa) Poisson oranı (v) Yoğunluk (KN/m3)
Aluminyum 71 0,334 26,6
Berilyum bakır 124 0,285 80,6
Pirinç 106 0,324 83,6
Bakır 119 0,326 87,3
Cam 46,2 0,245 25,4
Kurşun 36,5 0,425 111,5
Molibden 331 0,307 100,0
Fosfor bronz 11 0,349 80,1
Çelik (Karbon) 207 0,292 76,5
Çelik (Paslanmaz) 190 0,305 76,0
5.2.6 SERTLİK
Sivri uçlu bir aletin nüfuzuna karşı malzemenin direnci sertlik (hardness) olarak adlandırılır. Çok
sayıda sertlik ölçüm sistemlerinin olmasına rağmen burada bunlardan sadece ikisine değinilecektir.
Rockwell sertliğinin ölçümü kolaydır ve A, B, C,…, vb. ile gösterilen skalalarla ölçülür. Alt skala
birimleri 1, 2 veya 3 olup uygulanan yük 60, 100 veya 150 kg dır. Bundan dolayı Rockwell B
skalası (RB) 100 kg’lık yük ve #2 alt skala kullanır ve 1/16 inç çapında bir küredir. RC skalası elmas
bir koni ve 150 kg’lık yük kullanmaktadır (#2 alt skala). Böyle elde edilen sertlik sayıları bağıldır.
Bundan dolayı RC = 50 sertliği aynı skalayı kullanan diğer bir sertlik sayısı ile ilişkili olarak aynı
anlama sahiptir. Brinell sertliği başka bir metot olup uygulanan kuvvetin küresel yüzey alanına
oranı olarak tanımlanır.
5.2.7 KANTİLEVER
Stres altında silikonun direnç değişim etkisi kullanılarak basınç veya kuvvet ölçümleri yapılabilir.
Piezorezistörler kantilever veya diyafram gibi değişik mekanik yapılarla birleştirilebilir. Şekil 5.2.3
de görüldüğü gibi kantileverin bir ucu sabitlenmiş ve diğer uca ise kuvvet uygulanır.
Piezorezistörlerin uygun bir yere yerleştirilmesi için silikondaki kuvvetlerin yönünün ve genliğinin
bilinmesi gereklidir.
Şekil 5.2.3 Bir kantileverin bükülmesi
Piezorezistörlerler sıklıkla kantileverin üst yüzeyine yerleştirilir. Üst yüzeydeki stres için
σ ( x) = 6 F (l − x) /(t 2 w) (5.2.6)
ifadesi vardır. Burada, l uzunluk, t kalınlık, w genişlik ve F kantileverin ucundaki kuvvettir. Sabit
uçtaki stres maksimum ve
σ (max) = 6 Fl / t 2 w (5.2.7)
’e eşittir. Piezorezistörlerlerin kantileverin kenar yüzeylerine konulması da mümkündür.

Kantileverin orta ucuna kadar stres doğrusal olarak azalır ve ortadaki stres sıfırdır. Alt yüzeyde üst
yüzeye eşit ve ters yönde çekme stresi vardır. Serbest uçtaki sapma miktarı
d = 4 Fl 3 / Ewt 3 (5.2.8)
dir. Burada E elastikiyet modülüdür.
Kantileverler ivme ölçerlerin içinde kullanılır. Kantilevere dik yönde bir hızlanma kantilever
kolunun bükülmesine ve yüzeyde bir gerginliğe neden olur. Bu bükülme piezorezistörler veya
kapasitans değişimi ile ölçülebilir. Bazen kantileverin serbest ucuna bir kütle asılarak yüklenmesi
ile duyarlılık artırılabilir.
Mekanik vibrasyonlar da uygun şekilde işlenmiş ince kantileverler ile ölçülebilir. Kantileverler
silikondan yapılabildiği gibi SiO2 veya polikristal silikon da kullanılabilir. Bir vibrasyon
algılayıcısı değişik uzunluklarda kantileverlerden oluşarak rezonans frekansları ölçülür. Vibrasyon
frekansına yakın rezonans frekansında kantilever titreşime başlar ve bu kapasitans değişiminin
ölçümü ile belirlenebilir. Bir kantileverin rezonans frekansı
f ≅ 0,16( E / ρ )1 / 2 (t / l 2 ) (5.2.9)
dir. Burada ρ malzemenin yoğunluğudur.
5.2.8 YÜZEY AKUSTİK DALGALARI
Yüzey akustik dalga dönüştürücülerinde (Surface Acustic Waves: SAW) elektrik enerjisinden
mekanik (akustik) enerjiye dönüşüm aygıtın girişinde ve mekanik enerjiden elektrik enerjisine
dönüşüm çıkışta yer alır. Aygıt boyunca akustik sinyalin, ışık, stres, sıcaklık, vb. gibi fiziksel
parametrelerden etkilenmesi bu aygıtların algılayıcı elemanlar olmasını mümkün hale
getirmektedir.
SAW prensibine dayalı olarak son yıllarda geniş kapsamlı çeşitli algılayıcı grupları geliştirilmiştir.
Özellikle SAW prensibine dayanan kimyasal algılayıcılar büyük ilgi toplamaktadır. Ana
dönüştürme mekanizması mekanik enerjiden elektrik enerjisine dönüştürmeye dayanır ve silikon bu
aygıtlarda artan bir şekilde kullanılmaktadır.
Bir katı içinde üç tip elastik dalga hareket edebilir. En temel tip şekil 5.2.4a da görüldüğü gibi
boyuna dalga olup malzemenin osilasyonu yayılma yönündedir. İkinci tip şekil 5.2.4b de görüldüğü
gibi yayılma yönüne dik osilasyonlar ile enine dalgadır. Üçüncü dalga Rayleigh dalgası olarak da
adlandırılır; kayma ve boyuna dalgaların bir bileşenidir. Bu dalga biçimi şekil 5.2.4c de görüldüğü
gibidir ve bir depremden sonra yer yüzeyi boyunca yayılan akustik dalgalar biçimindedir. 1885 de
Lord Rayleigh bu dalgaları teorik olarak ilk önce keşfetmişti. Yüzey akustik dalgalarının önemli bir
özelliği yüzey boyunca hareket etmeleri ve dalga boyları ile kıyaslanabilecek şekilde yüzeyden
aşağıdaki bir derinlikte sönmeleridir. Bu dalgaların başka bir özelliği büyük veya yekpare
dalgaların tersine yüzeye yakın şekilde kalmalarıdır.
(a) boyuna dalga (b) enine dalga (c) Rayleigh veya yüzey akustik dalgası
Şekil 5.2.4 Bir katı içindeki elastik dalgalar
White ve Voltmer tarafından keşfedilen yüzey akustik dalga dönüştürücülerinde dalgaların oldukça
kolay üretilmesi ve dedekte edilmesi interdijital dönüştürücüler ile SAW dönüştürücülerine olan
ilgiyi artmıştır. Şekil 5.2.5a da görüldüğü gibi yüzey akustik dalga prensibine dayalı gecikme
hatları entegre devre işleminde kullanılan aynı litografik vasıtalar kullanılarak quartz veya lityum
niobate gibi piezoelektrik gövde üzerine iki adet interdijital dönüştürücünün yerleştirilmesi ile
yapılır. Dönüştürücüye bir r.f. (radyo frekansı) gerilimi uygulandığı zaman piezoelektrik malzeme
alternatif olarak sıkışıp genleşerek iki akustik dalga üretir. Bu dalga dönüştürücünün altında her iki
yönde akustik hızla yayılır (şekil 5.2.5b). Kenarlara emici malzemeler yerleştirilerek akustik
dalgaların istenilmeyen yansımaları engellenir.
Sıkışma Genişleme Sıkışma Genişleme

Soğurucu Giriş Çıkış Soğurucu
(a) Dönüştürücüler ve emiciler ile piezoelektrik (b) dönüştürücülerin elektrotları altındaki elektrik
yapı alanı
Şekil 5.2.5 Yüzey akustik dalga gecikme hattı
Elektriksel sinyalin frekansı ve elektrotlar arasındaki mesafe uygun bir şekilde seçilirse dalganın
genliği yapısal etkileşimden dolayı artar. Dalga ikinci dönüştürücüye ulaştığı zaman karşı bir
dönüştürme işlemi oluşur ve bir r.f. sinyali dedekte edilebilir. f frekansı ve dönüştürücülerin p
periyodu arasındaki ilişki
f =v/ p (5.2.10)
dir. Burada v akustik dalganın yayılma frekansıdır. Bu hız elektromanyetik dalgaların hızından
daha küçük olduğundan uygun boyutlar ile gecikme hatları elde edilebilir. Akustik dalganın dalga
uzunluğu dönüştürücülerin p periyoduna eşittir. Gecikme hatları için çok kullanılan bir
piezoelektrik malzeme olan quartz’daki bir akustik dalganın hızı 3,4 km/s dir. Bu yaklaşık olarak
300 μs/m lik bir gecikme zamanı verir. 1 cm uzunluğundaki bir gecikme hattı 1 μs lik bir gecikme
verir. Bir elektromanyetik dalganın hızı genlikte yaklaşık olarak 105 kat daha büyük ve 1 μs lik
gecikme 1 km lik gecikme hattını gerektirirdi.
Yüzey akustik dalga aygıtlarının temel ve çok cazip bir özelliği f = v / p eşitliğine göre istenilen
frekansın çok iyi kontrol edilebilen fotolitografik patern biçimlendirme işlemi ile elde
edilebilmesidir.
Çıkış sinyali elektronik olarak yükseltilir ve tekrar giriş dönüştürücüsüne uygulandığında gecikme
hatlı bir osilatör elde edilir. Böyle bir osilatör gerekli frekans için birden büyük döngü kazancı ile
çalışır. Daha da ötesi döngü fazının bir n tam sayısı ile -2πn ’e eşit olması gerekir. Döngü fazı üç
bileşenden oluşur:
φ ( f c ) = φ d + φ a + 2φtr = −2πn (5.2.11)
Burada φd gecikme hattından dolayı faz kayması, φa yükselticinin faz kayması ve 2φtr iki
dönüştürücünün faz kaymasıdır.
φd = 2πf cτ (5.2.12)
olduğundan τ gecikme olarak osilasyon frekansı aşağıdaki gibi elde edilir.
f c = (2πn + φa + 2φtr ) / 2πτ (5.2.13)
Böyle gecikme hatlı osilatörler algılama elemanları olarak etkili bir şekilde kullanılabilir çünkü
akustik dalga yüzeyde yayılma gösterdiği için τ zamanı giriş dönüştürücüsünden çıkış
dönüştürücüsüne geçerken alınır ve stres, ışık, sıcaklık veya kütlesel yükleme gibi fiziksel
parametrelerden etkilenir. Gecikme hattının üzerinde bir kantilever kullanılarak bir kuvvet
dönüştürücüsü yapılabilir. Kantileverin serbest ucuna bir kuvvet uygulandığı zaman kantilever
bükülür ve osilasyon süresini uzatır. Osilasyon frekansının azalması sonucu gecikme arttığından
osilasyon frekansı büyük doğrulukla ölçülebilir. Çoğunlukla frekans, uyarıcıya maruz bırakılmayan
benzer referans osilatörünün frekansı ile karşılaştırılır. Yayılma gecikmesi de sıcaklığa bağlı
olduğundan sıcaklıkların ölçümü mümkündür. SAW prensibine göre çalışan gaz algılayıcılarının
yapılması da düşünülmüştür. Böyle aygıtlarda gecikme hattı uygun malzeme ile ince bir tabaka
halinde kaplanır. Bu malzeme ilgili gaza maruz bırakıldığında bu malzemenin kütlesi veya
elektriksel özellikleri, gecikme zamanı ve gecikme hattının osilasyon frekansı değişerek etkilenir.
Bu prensibe dayalı bir NO2 algılayıcısı gecikme hattının üzerinde phthalocyanine tabaka
kullanılarak yapılmıştır.
Akıllı SAW algılayıcıları daima yükseltici ve geri besleme sinyali için elektronik devre ile bir veya
iki gecikme hattından oluşur. Böyle aygıtların tek bir ünite içinde entegrasyonu bir avantajdır.
Silikon entegre elektronik devre malzemesi olarak çok kullanışlıdır fakat piezoelektrik özelliği
olmadığından interdijital dönüştürücüler yüzey akustik dalgaları üretemez veya dedekte edemez.
Bu probleme bir çözüm interdijital dönüştürücülerin üst kısmına ZnO katmanlarının biriktirilmesi
ile bulunmuştur. Böylece yüzey akustik dalgaları dönüştürücüler ve piezoelektrik katmanlar ile
üretilebilmektedir. Sonra dalgalar silikon yüzey boyunca diğer dönüştürücüye yayılacaktır. Bu
dönüştürücü de ZnO katmanı ile kaplandığından yüzey akustik dalgalarını dedekte edebilecektir.
Elektronik devre aynı silikon gövde üzerine konulabilir. NO2 dedekte eden akıllı bir gaz
algılayıcısının fabrikasyonu yapılmış ve test edilmiştir. Diğer kaplama malzemeleri kullanılarak
farklı gazların dedeksiyonu için de algılayıcılar yapılabilir.
5.3 SES DALGALARI
Belli frekansların etkisinde ortamın (katılar, sıvılar ve gazlar) alternatif olarak sıkışma ve
genleşmesi ses dalgaları olarak adlandırılır. Ortamın içeriği dalganın yayılma yönünde osilasyon
yapar ve bundan dolayı bu dalgalar boyuna mekanik dalgalar olarak adlandırılır. Ses kelimesi
yaklaşık 20-20000 Hz arasında insan kulağının işitme aralığı ile ilişkilidir. 20 Hz’nin altındaki
boyuna mekanik dalgalar ses altı (infra sound) ve 20000 Hz üzeri ise ses ötesi veya üzeri (ultra
sound) olarak adlandırılır. Eğer köpek gibi diğer hayvanları içine alan bir sınıflandırma yapılırsa
ses dalgalarının aralığı daha geniş olacaktır.
İnşa yapılarının analizi, deprem tahmini ve geometrik olarak büyük kaynakların dedeksiyonu için
ses altı dedeksiyonu önemlidir. Ses altı kaynağının genliği oldukça yüksek olduğunda insan
tarafından işitilmese bile en azından insan tarafından hissedilerek sinirlendirici veya gerginliğe
neden olan psikolojik etkiler (panik, korku, vb.) meydana getirebilir. İşitilebilen dalgalar titreşimli
teller (telli müzik aletleri), vibrasyonlu havalı veya üflemeli müzik aletleri, vibrasyon plakaları
(bazı vuruşlu veya çarpmalı müzik aletleri, ses telleri, hoparlörler) tarafından üretilir. Ses
üretildiğinde hava alternatif olarak sıkışır ve yoğunluğu azalır. Bu bozulmalar dışa doğru yayılır.
Basit monokromatik seslerden bir metronom veya org’a ve bir keman müziğine kadar dalgaların
spektrumu oldukça farklı olabilir. Gürültü çok geniş bir spektruma sahip olabilir. Düzgün bir
yoğunlukta olabilir veya bazı kısımlarında baskın harmonikler ile renkli olabilir.
Bir ortam sıkıştırıldığında hacmi V den V-ΔV’ye değişir. Basınçtaki Δp değişiminin hacimdeki
bağıl değişime oranı ortamın yekpare elastikiyet modülü olarak adlandırılır:
Δp
B=− = ρov 2 (5.3.1)
ΔV / V
Burada, ρo dıştaki sıkışma bölgesinin yoğunluğu ve v sesin ortamdaki hızıdır. Daha sonra ses hızı
aşağıdaki gibi tanımlanabilir.
B
v= (5.3.2)
ρo
Bundan dolayı ses hızı ortamın elastikiyet (B) ve atalet (ρo) özelliklerine bağlıdır. Her iki değişken
sıcaklığın bir fonksiyonu olduğundan ses hızı sıcaklığa da bağlıdır. Bu özellik akustik
termometrelerin çalışma prensibini oluşturur. Katılar için boyuna hız E Young modülü ve v Poisson
oranı ile tanımlanabilir.
E (1 − v)
v= (5.3.3)
ρ o (1 + v)(1 − 2v)
Tablo 5.4 de bazı ortamlarda boyuna dalgaların hızları verilmektedir. Hız sıcaklığa bağımlı
olduğundan pratik amaçlar için daima akılda tutulmalıdır.
Tablo 5.4 Ses dalgalarının farklı ortamlar içindeki hızı (gazlar 1 atm basıncında ve katılar uzun ince
çubuk şeklinde)
Ortam Hız (m/s) Ortam Hız (m/s) Ortam Hız (m/s)
Kuru hava (20 °C) 331 Deniz suyu 1519 Pyrex® cam 5170
Buhar (134 °C) 494 Kurşun 1190 Çelik 5200
Hidrojen (20 °C) 1330 Bakır 3810 Berilyum 12900
Temiz su 1486 Aluminyum 6320
Eğer bir org tüpündeki ses dalgasının yayılımı dikkate alınırsa havanın her küçük hacim elemanı
denge pozisyonunda osilasyonda bulunur. Saf bir harmonik tonu için denge pozisyonunda bir
parçacığın yer değişimi
2π
y = ym cos ( x − vt ) (5.3.4)
λ
ile temsil edilir; burada x parçacığın denge pozisyonu ve y denge pozisyonundan yer değişimi ve λ
dalga boyudur. Pratikte parçacıkların yer değişimleri yerine ses dalgalarının basınç değişimleri ile
ilgilenilmesi daha uygun olmaktadır. Ses dalgası tarafından uygulanan basınç,
p = (kρ o v 2 ym ) sin(kx − ωt ) (5.3.5)
gibi gösterilebilir. Burada k = 2π / λ dalga sayısı, ω açısal frekans ve birinci parantez ses
basıncının genliğini, ρm temsil etmektedir. Bu yüzden ses dalgası basınç dalgası olarak
düşünülebilir. (5.3.4) ve (5.3.5) eşitliklerindeki sin ve cos terimlerinden dolayı yer değişimi
dalgasının basınç dalgası ile 90° faz farklı olduğuna dikkat edilmelidir.
Ortamda verilen bir noktadaki basınç sabit değildir ve sürekli olarak değişir ve ani ve ortalama
basınç arasındaki fark akustik basınç P olarak adlandırılır. Dalganın yayılması süresince titreşen
parçacıklar ani ξ hızıyla durgun bir pozisyona yakın osilasyonda bulunur. Akustik basınç ve ani hız
(dalga hızı ile karıştırılmamalıdır) oranı,
P
Z= (5.3.6)
ξ
kompleks bir miktar olup genlik ve fazı ile karakterize edilen akustik empedans olarak adlandırılır.
İdeal (kayıpsız) bir ortam için Z gerçek ve dalga hızı ile aşağıdaki gibi ilişkilidir.
Z = ρov (5.3.7)
Bir ses dalgasının şiddeti, I birim alan başına güç olarak tanımlanabilir. Bu aynı zamanda akustik
empedans ile de ifade edilebilir.
P2
I = Pξ = (5.3.8)
Z
Bununla beraber sesin şiddeti yerine ses seviyesi olarak adlandırılan ilgili bir β parametresi ile
belirtilmesi yaygındır ve bir Io= 10-12 W/m2 referans şiddetine göre tanımlanır.
I
β = 10 log10 (5.3.9)
Io
Io’ın genliği insan kulağının en düşük işitme kabiliyeti olduğundan seçilmiştir. β ’nin birimi desibel
(dB) olup Alexander Graham Bell den sonra bu ad verilmiştir. Eğer I = Io ise β = 0 dır.
Basınç seviyeleri desibel olarak da aşağıdaki gibi ifade edilebilir.
p
Π = 20 log10 (5.3.10)
po
Burada po = 2·10-5 N/m2 (0,0002 μbar) = 2,9·10-9 psi dir.
Tablo 5.5 de bazı ses seviyelerine ait örnekler verilmiştir. Bir insan kulağının bütün frekanslara
tepkisi aynı olmadığından ses seviyeleri ekseriyetle kulağın en duyarlı olduğu 1 kHz de Io’a
referanslanmıştır.
Tablo 5.5 1 kHz de Io ’a referanslanmış olarak ses seviyeleri (β)

Ortam dB Ortam dB
50 m de roket motoru 200 Yoğun trafik 80
Supersonik bomba 160 5 m de otomobiller 75
1 m de hidrolik press 130 Bulaşık makinaları 70
Ses dayanma eşiği (üst sınır) 120 1 m de konuşma 60
3 m de 10 W Hi-Fi hoparlör 110 Muhasebe bürosu 50
Susturucusuz motorsiklet 110 Trafiksiz şehir caddesi 30
Rock n-rol bandosu 100 1 m de ıslık 20
5 m de yeraltı treni (metro) 100 Yaprakların hışırtısı 10
3 m de pnömatik matkap 90 İşitme eşik sınırı 0
Niyagara şelalesi 85
5.4 MALZEMELERİN SICAKLIK VE ISIL ÖZELLİKLERİ
Vücudumuz sıcaklık algısına veya duyusuna sahip olup vasıtasız olarak dış ortam ısısının doğru bir
ölçüm metodudur. İnsan duyularının sadece doğrusalsızlık özelliği olmayıp relatifliği önceki
deneyime göredir. Buna rağmen ılık ve soğuk cisimler arasındaki farkı kolaylıkla söyleyebiliriz.
Öyleyse farklı algılamalar üreten bu cisimlere ne oluyor?
Bu evrendeki her parçacık sürekli hareket halinde bulunmaktadır. Sıcaklık en basit şekliyle
titreşimdeki parçacıkların kinetik enerjisinin bir ölçüsü olarak tanımlanır. Hareketin güçlü
olmasıyla parçacığın sıcaklığı daha yüksek olur. Tabiki malzemenin verilen bir hacmindeki
molekül ve atomlar aynı şiddetle hareket etmezler. Yani mikroskobik olarak bunların hepsi farklı
sıcaklıktadır. Çok sayıda hareketli parçacığın ortalama kinetik enerjisi cismin makroskobik
sıcaklığını belirler. Bu işlemler istatistiksel mekanik alan çalışmasında ele alınır. Bununla beraber
burada malzeme parçacıklarının makroskobik ortalama kinetik enerjisini veya diğer bir deyimle
malzemenin sıcaklığını ölçme özelliğine sahip aygıtlar ve metotlar ile ilgilenilecektir. Sıcaklık
moleküllerin hareketi ile ilişkili olduğundan -basınçla yakından ilişkilidir- birim alan başına
hareketli parçacıklar tarafından uygulanan kuvvet olarak tanımlanır.
Bir malzemede atomlar ve moleküller hareket ettiğinde yakınında bulunan diğer malzemeler ile
etkileşimde bulunur. Daha da ötesi titreşen her atom çevreleyen uzaya elektromanyetik ışınım
yayan mikroskobik bir radyo vericisi gibi aksiyonda bulunur. Bu iki tip aktivasyon ılık cisimlerden
soğuk cisimlere ısı iletimin temelini oluşturur. Atomik hareketin daha güçlü olmasıyla sıcaklık
daha fazla ve elektromanyetik ışınım daha güçlü olur. Cisme temas eden veya elektromanyetik
ışınımı alabilen termometre adında özel bir aygıt fiziksel bir reaksiyon veya sinyal üretir. Bu sinyal
cismin sıcaklığının bir ölçüsüdür.
Termometre kelimesi ilk önce 1624 de J. Leurechon’un yazdığı La Récréation Mathematique adlı
kitapta gözükmüştür. Yazar skalası 8 derece ile taksimatlanmış, su dolu bir cam termometreyi
tanımlamıştır. Basınçtan bağımsız ilk termometre 1654 de II. Ferdinand (Grand Duke of Tuscany)
tarafından alkol doldurulmuş sızdırmaz bir tüp biçiminde yapılmıştır.
5.4.1 SICAKLIK SKALALARI
Sıcaklığın ölçümü için bazı skalalar vardır. Bir skala için ilk sıfır 1664 de Robert Hooke tarafından
damıtılmış suyun donma noktasında tesis edilmiştir. 1694 de Carlo Renaldi of Padua doğrusal bir
termometre skalası üzerinde buzun erime noktası ve suyun kaynama noktası için sabit noktalar
oluşturulmasını önermiştir. Ne yazık ki bu teklif hemen hemen 50 yıl unutulmuştur. 1701 de
Newton tarafından da sıcaklık skalası için sabit iki noktanın kullanılması teklif edilmiştir.
Noktalardan biri için buzun erime noktası (sıfır noktası) ve diğeri için ise sağlıklı bir İngilizin
koltuk altı sıcaklığı seçilmiştir (bu nokta 12 noktası olarak işaretlenmiştir). Newton’un skalasında
su 34. noktada kaynıyordu. 1706 da Hollandalı Daniel Gabriel Fahrenheit termometresi için su, buz
ve saf amonyak veya ev tuzu karışımı ile meydana getirilen en soğuk sıcaklıkta sıfır noktasını
seçmiştir. Daha hassas bir taksimat için sağlıklı adamın kan sıcaklığının 96 °F (35,5 °C)
derecesinde diğer bir nokta oluşturmuştur. Sağlıklı adamın ingiliz olması gerekmemekte fakat
şimdi sağlıklı bir kişinin kan sıcaklığının yaklaşık olarak 36,1 ve 37,7 °C (97 ve 100 °F) arasında
değiştiği bilinmektedir. Skalasında, suyun ergime noktası 32 °F ve kaynama noktası 212 °F deydi.
1742 de Uppsala üniversitesinde astronomi profesörü Andreas Celsius buzun ergime noktası olarak
sıfır ve suyun kaynama noktası olarak 100 derecelik bir skala önermiştir.
Bugünlerde bilim ve mühendislikte genelde Celsius ve Kelvin skalaları kullanılır. Kelvin skalası
keyfi olarak suyun triple noktasına dayanır. Su buharı, sıvı ve buzun aynı anda mevcut olabileceği
4,58 mm civa basıncında tek bir basınçta sabit bir sıcaklık vardır. Bu tek sıcaklık 273,16 °K olup
yaklaşık olarak 0 °C ile çakışır. Kelvin skalası bütün hareketli parçacıkların kinetik enerjisinin
sıfıra eşit olduğu en düşük sıcaklıkta sıfır kesim noktası (0 °K) ile doğrusaldır. Bu nokta pratikte
başarılamaz ve tamamen teorik bir değer olup mutlak sıfır olarak adlandırılır. Celsius ve Kelvin
skalaları aynı eğime sahiptir; örneğin 1 °C = 1 °K ve 0 °K= -273,15 °C:
°C = °K − 273,15° (5.4.1)
Celsius ve Kelvin skalaları arasında 0,01 °C’lik bir fark vardır. Celsius’un sıfır noktası Kelvinde
olduğu gibi suyun triple noktasında değil fakat atmosferik basınçta buz ve havaya doymuş suyun
dengede olduğu sıcaklıktadır.
Suyun kaynama noktası 100 °C = 373,15 °K dedir. 1 °C = 1,8 °F olduğundan Fahrenheit

skalasının eğimi daha diktir. Celsius ve Fahrenheit skalaları –40 °C ve F de kesişir. İki skala
arasındaki dönüşüm aşağıdaki gibi olup 0 °C de Fahrenheit skalasının sıcaklığı +32 °F dır.
°F = 32 + 1,8 °C (5.4.2)
5.4.2 ISIL GENLEŞME
Temelde bütün katıların hacmi sıcaklığın artışı ile artar. Bu atom ve moleküllerin titreşiminin bir
sonucudur. Sıcaklık yükseldiğinde atomlar arasındaki ortalama uzaklık artarak bütün katı gövdenin
genleşmesine öncülük eder. Uzunluk, genişlik veya yükseklik gibi doğrusal boyutlardaki değişim
doğrusal genleşme olarak adlandırılır. T2 sıcaklığındaki l2 boyu T1 başlangıç sıcaklığındaki l1
boyuna bağlıdır.
l2 = l1 [1 + α (T2 − T1 )] (5.4.3)
Burada α doğrusal genleşme katsayısı olup farklı malzemeler için farklı değerlere sahiptir ve
Δl 1
α= (5.4.4)
l ΔT
olarak tanımlanır; burada ΔT = T2 − T1 dir. Tablo 5.6 da farklı malzemeler için α değerleri
verilmiştir.
Tablo 5.6 Bazı malzemelerin (birim °C × 10-6 başına) doğrusal ısıl genleşme katsayıları (α)
Malzeme α Malzeme α Malzeme α
Alnico (Sabit mıknatıs) 12,6 Altın 14,2 Yüksek yoğunluklu polietilen 216
Alumina (polikristal) 8,0 Indiyum 18,0 Silikon 2,6
Aluminyum 25,0 Invar 0,7 Gümüş 19,0
Pirinç 20,0 Demir 12,0 Lehim 50-50 23,6
Kadmiyum 30,0 Kurşun 29,0 Çelik (SAE 1020) 12,0
Krom 6,0 Nikel 11,8 Çelik (paslanmaz: tip 304) 17,2
Comol (Sabit mıknatıs) 9,3 Naylon 90 Teflon 99
Bakır 16,6 Fosfor-bronz 9,3 Kalay 13,0
quartz (ergimiş) 0,27 Platin 9,0 Titan 6,5
Cam (Pyrex®) 3,2 Plexiglas (Lucite) 72 Tungsten 4,5
Normal cam 9,0 Polikarbonat (ABS) 70 Çinko 35,0
[ ]
Daha hassas olarak ısıl genleşme l2 = l1 1 + α1 (T2 − T1 ) + α 2 (T2 − T1 ) 2 + α 3 (T2 − T1 ) 3 + ⋅ ⋅ ⋅ gibi daha
yüksek dereceli polinomlar ile modellenebilir fakat çoğu pratik amaçlar için doğrusal yaklaşım
yeterli olmaktadır. Daha dikkatli olarak söylenirse α gerçek sıcaklığa bağlıdır. Bununla beraber
mühendislik amaçları için α daki küçük değişimler ihmal edilebilir. Bir cismin alanındaki ve
hacmindeki kesirsel değişim çok yüksek bir doğrusallık derecesi ile sırasıyla aşağıdaki gibi temsil
edilebilir.
ΔA = 2αAΔT (5.4.5)
ΔV = 3αVΔT (5.4.6)
Isı kalori olarak ölçülür. Bir yiyecek maddesinde ölçülen kalori enerjisi gerçekte 1000 fiziksel
kalori olup kilo kalori olarak adlandırılır. Bir kalori normal atmosfer basıncında bir gram suyun
sıcaklığını 1 °C artıran ısı miktarına eşittir. Amerikada İngiliz ısı birimi Btu (İngiliz ısıl birimi)
genelde kullanılmakta olup 1 Btu = 252,02 kaloridir.
5.4.3 ISI KAPASİTESİ
Bir cisim ısıtıldığında sıcaklığı artar. Isıtma ile belli miktarda ısı (ısıl enerji) cisme iletilir. Isı
atomların titreşimi şeklinde kinetik enerji biçiminde cisim içinde depolanır. Cismin
depolayabileceği ısı miktarı bir su deposunun depolayabileceği su miktarına benzetilebilir. Doğal
olarak depo kapasitesinin bir ölçüsü olan hacminden daha fazla depolayamaz. Aynı şekilde her
cisim yapıldığı malzeme ve m kütlesine bağlı bir C ısı kapasitesi ile karakterize edilebilir:
C = cm (5.4.7)
Burada, c bir sabit olup malzemenin ısıl özelliklerini karakterize eder, öz ısı olarak adlandırılır ve
aşağıdaki gibi tanımlanır.
Q
c= (5.4.8)
mΔT
Öz ısı malzemeyi tanımlarken, ısıl kapasite bu malzemeden yapılan cismi tanımlar. Daha dikkatli
olarak öz ısının malzemenin belirli bir fazının bütün sıcaklık aralığında sabit olmadığı söylenebilir.
Örneğin malzemenin bir fazı katıdan sıvı durumuna değiştiğinde önemli ölçüde değişebilir.
Mikroskobik olarak öz ısı malzemedeki yapısal değişimleri yansıtır. Örneğin suyun (sıvı fazı) öz
ısısı hemen 0 ve 100 °C arasında sabittir. Yaklaşık fakat tam değil: donmaya yakın daha yüksek ve
sıcaklık 35 °C ye yükselirken hafifçe azalır ve daha sonra 38 °C den 100 °C ye tekrar yükselir.
Suyun öz ısısının 37 °C civarında en düşük olduğu burada özellikle dikkat edilmelidir: sıcak kanlı
hayvanların en uygun biyolojik sıcaklığı.
Tablo 5.7 de farklı malzemelerin cal/(g °C) olarak öz ısısı verilmektedir. Diğer bazı tablolarda öz
ısı joule/(g °C) olarak SI enerji biriminde verilir. cal/(g °C) ve joule/(g °C) arasındaki ilişki
j cal
1 = 0,2388 (5.4.9)
g °C g°C
Genelde malzemenin ağır olması ile öz ısısının daha düşük olduğuna dikkat edilebilir.
5.5 ISI İLETİMİ
Isının iki temel özelliği olup iyi tanınması gerekir. Bunlar (1) ısı tamamen öz değildir yani bir kere
üretildikten sonra orijininin ne olduğunun söylenmesi imkansızdır ve (2) ısı bir yerde tutularak
muhafaza edilemez yani sistemin ılık kısımlarından soğuk kısımlarına doğru doğal olarak akar. Isıl
enerji bir cisimden diğerine iletim, konveksiyon (taşınım) ve ışınım olarak üç yolla iletilir. Doğal
olarak ısı veren veya alan cisimlerden biri bir ısıl dedektör olabilir. Isıl dedektörün amacı ısı üreten
cisim hakkında bazı bilgileri temsil eden ısı miktarının ölçülmesidir. Böyle bir bilgi cismin
sıcaklığı, kimyasal reaksiyon, cismin yerinin belirlenmesi veya hareketinin dedeksiyonu, vb.
olabilir.
Tablo 5.7 25 °C de bazı malzemelerin öz ısıları ve ısıl iletkenlikleri
Malzeme cal W g
Öz ısı Isıl iletkenlik Yoğunluk
g ⋅ °C m ⋅ °C cm3
Hava (1 atm) 0,238 0,024 0,0012
Alumina 0,238 6 2,7
Aluminyum 0,115 237 2,7
Bakalit 0,382 0,23 1,3
Pirinç 0,091 120 8,5
Krom 0,110 91
Konstantan 0,095 22 8,8
Bakır 0,092 401 8,9
Elmas 99-232
Fiberglass 0,190 0,002-0,4 0,06
Germanyum 60
Cam (Pyrex 0,191 90,1 2,2
Cam (normal) 1,0
Altın 0,031 296 19,3
Grafit 79-92
Demir 0,108 79 7,8
Kurşun 0,031 35 11,4
Manganin 0,098 21 8,5
Civa 0,033 8,4 13,5
Nikel 0,106 90 8,9
Naylon 0,406 0,24 1,1
Platin 0,032 70 21,4
Polüretan köpük 0,024 0,04
Silikon 0,17 149
Silikon yağı 0,4 0,1 0,9
Gümüş 0,057 429 10,5
Paslanmaz çelik 14 8,02
Styrofoam (köpük) 0,310 0,003-0,03 0,05
Teflon TFE 0,238 0,4 2,1
Kalay 0,054 64 7,3
Tungsten 0,032 199 19,0
Su 10 0,6 1,0
Çinko 0,093 115 7,1
Her katmanı farklı malzemeden yapılmış sandviç biçimli çok katmanlı bir cismi dikkate alalım. Isı
katmanlarda hareket ederken her malzeme içindeki sıcaklık profili kalınlığına ve ısıl iletkenliğine
bağlıdır. Şekil 5.5.1 de ilk katmanı bir ısı kaynağına (sonsuz ısı kaynağına ve yüksek ısıl iletkenliğe
sahip bir aygıt) iliştirilmiş laminasyonlu üç tabaka görülmektedir. Sonsuz ısı kaynağı olarak
aksiyonda bulunabilecek katı malzemelerden biri termostatik kontrollu yekpare bakırdır. Kaynak
içindeki sıcaklık laminasyonlu malzemelere yakın çok ince bölgenin dışında daha yüksek ve
sabittir. Isı bir malzemeden diğerine iletim yoluyla yayılır. Her malzemedeki sıcaklık malzemenin
ısıl özelliklerine bağlı olarak farklı oranlarda düşer. Son malzeme doğal konveksiyon veya taşınım
yoluyla havaya ve çevreleyen cisimlere ise kızıl ötesi ışınım ile ısı kaybeder. Bundan dolayı şekil
5.5.1 de bir cisimden diğerine ısı iletiminin olası üç yolu görülmektedir.
Şekil 5.5.1 Laminasyonlu malzemelerde

sıcaklık profilleri
5.5.1 ISIL İLETİM
Isı iletimi iki madde arasında fiziksel bir temas gerektirir. Ilık bir cisimde ısıl olarak tahrik edilmiş
parçacıklar çalkalanır ve kinetik enerjiyi daha soğuk bir cisme iletir. Sonuç olarak ılık cisim ısı
kaybederken soğuk cisim ısı kazanır. İletim yoluyla ısı iletimi su akışına veya elektrik akımına
benzetilebilir. Örneğin bir çubuktan ısının geçişi Ohm kanununa benzer bir kanun ile idare edilir.
Isı akış oranı (ısıl akım) malzeme uçlarındaki ısıl gradyan (dT/dx) (ısıl gerilim) ve A kesit oranı ile
orantılıdır:
dQ dT
H= = − kA (5.5.1)
dt dx
Burada, k ısıl iletkenlik olarak adlandırılır. Eksi (-) işareti ısının sıcaklığının azalma yönünde
olduğunun göstergesidir (eksi işaretinin iptal edilmesi için negatif türev alınması gerekir). İyi bir
ısıl iletken yüksek k değerine sahip iken (metallerin çoğu) ısıl yalıtıcılar düşük k değerine sahiptir
(dielektriklerin çoğu). Isıl iletkenlik sabit kabul edilmekle beraber sıcaklık biraz artar. Örneğin bir
elektrik iletken telinden geçen ısı iletiminin hesaplanması için her iki uçtaki sıcaklığın (T1 ve T2)
aşağıdaki eşitlikte kullanılması gerekir.
T1 − T2
H = kA (5.5.2)
L
Burada, L telin uzunluğudur. Ekseriyetle ısıl direnç ısıl iletkenlik yerine kullanılır:
L
R= (5.5.3)
k
Bu durumda (5.5.2) eşitliği aşağıdaki gibi yazılabilir.
T1 − T2
H=A (5.5.4)
R
Şekil 5.5.1 de farklı ısıl iletkenliklere sahip laminasyonlu malzemelerin katmanları arasında
idealleştirilmiş sıcaklık profili görülmektedir. Gerçek dünyada bitişik iki malzemenin ara
yüzeyinde ısı iletimi idealleştirilmiş durumdan farklı olabilir. Eğer iki malzeme birleştirilir ve
bunlardan geçen ısı yayılımı gözlenirse sıcaklık profili şekil 5.5.2a daki gibi görülebilir. Eğer
malzemelerin kenarları iyi yalıtılmış ise kararlı şartlar altında ısı akısının her malzemede aynı
olması gerekir. a yüzey alanına sahip ara yüzeyde ani sıcaklık düşümü ısıl temas direncinin bir
sonucudur. Birleştirilmiş elemanlardan ısı iletimi
T1 − T3
H= (5.5.5)
R A + Rc + RB
olarak tanımlanabilir;burada RA ve RB iki malzemenin ısıl direnci ve RC temas direncidir.
1
RC = (5.5.6)
hc a
(a) Birleşme noktasındaki sıcaklık profili (b) yüzey temasının mikroskobik yapısı
Şekil 5.5.2
hc miktarı temas katsayısı olarak adlandırılır. Bu faktör iki malzemenin mekanik birleşmesini
içeren çoğu ısı iletim durumlarından dolayı bazı algılayıcı uygulamalarında çok önemli olabilir.
Mikroskobik olarak birleşme noktası şekil 5.5.2b de görüldüğü gibi olabilir. Hiçbir gerçek yüzey
mükemmel düzgünlükte değildir ve gerçek yüzey kabalığının temas direncinin belirlenmesinde çok
önemli bir rol oynadığına inanılır. Birleşme noktasındaki ısı iletimine iki ana katkı vardır:
¾ Gerçek fiziksel temas ile malzemeden malzemeye iletim,
¾ Kaba yüzeyler tarafından meydana getirilen boşluklardaki sıkıştırılmış gaz (hava) ile iletim.
Gazların ısıl iletkenliği çoğu katılara kıyasla çok küçük olduğundan sıkıştırılmış gaz ısı iletimine
karşı en çok direnci meydana getirir. Bu durumda temas katsayısı aşağıdaki gibi tanımlanabilir.
1 ⎛ ac 2k A k A av ⎞
hc = ⎜⎜ + k f ⎟⎟ (5.5.7)
Lg ⎝ a k A + kB a ⎠
Burada, Lg boşluk kısmın kalınlığı, kf boş kısmı dolduran akışkanın (örneğin hava) ısıl iletkenliği,
ac ve av sırasıyla temas ve boş kısmın alanları ve kA ve kB ilgili malzemenin ısıl iletkenlikleridir. Bu
teori ile ilgili problem, ac ve av alanları ve Lg mesafesinin deneysel olarak belirlenmesinin zor
olmasıdır. Bununla beraber bu analiz temas direncinin ortamdaki gaz basıncının azalması ile
artmasının gerektiği sonucunun çıkarılmasına izin verir. Diğer taraftan temas direnci birleşme
noktası basıncındaki artışla azalır. Bu temas yüzeyinin büyük deformasyonu ile sonuçlanarak ac’yi
genişletir ve malzemeler arasında daha büyük bir temas alanına öncülük eder. Isıl direnci azaltmak
için malzemeler arasındaki kuru temastan kaçınılmalıdır. Birleştirmeden önce yüzeyler düşük ısıl
dirence sahip bir akışkan ile kaplanabilir. Örneğin silikon ısıl gres sıklıkla bu amaç için kullanılır.
5.5.2 ISIL KONVEKSİYON (TAŞINIM)
Isı iletiminin diğer bir yolu konveksiyondur. Bu gaz veya sıvı gibi bir ara maddesi gerektirmekte
olup ılık bir cisimden ısıyı alır, daha soğuk bir cisme taşır, ısıyı serbest bırakır veya daha sonra
ısının diğer kısmını almak için ılık cisme geri dönebilir veya dönmeyebilir. Katı bir cisimden
hareketli bir maddeye veya hareketli madde içindeki ısı iletimi de konveksiyon ısısı olarak
adlandırılır. Konveksiyon doğal (çekimsel) veya cebri (bir mekanizma ile meydana getirilen)
olabilir. Havanın doğal konveksiyonu ile çekim tarafından meydana gelen yüzen kuvvetler hava
moleküllerine etkir. Isınan hava ılık yüzeyin ısısını alarak yükselir. Soğuk hava ılık cisme doğru
alçalır. Cebri hava konveksiyonu bir üfürücü veya vantilatör ile üretilir. Cebri konveksiyon bir
aygıtın sıcaklığının belirlenmiş bir seviyede tutulması için sıvı termostatlarda kullanılır. Konvektif
ısı iletiminin verimi ortamın hareketi, sıcaklık gradyanı, cismin yüzey alanı ve hareketli ortamın ısıl
özelliklerine bağlıdır. Bulunduğu ortamda sıcaklığı çevresindekilerden farklı bir cisim ısı
kaybedecek veya alacaktır. Bu ısı ısıl iletime benzer bir eşitlik ile belirlenebilir:
H = αA(T1 − T2 ) (5.5.8)
Burada, α konvektif katsayısı akışkanın öz ısısı, vizkosite ve hareketin oranına bağlıdır. Havada
serbestçe durabilen bir cisim için α yaklaşık olarak 11 W/m2K ’ya eşittir.
5.5.3 ISIL IŞINIM
Daha önce değinildiği gibi her cisimdeki her atom ve her molekül titreşimde bulunur. Titreşen
parçacıkların ortalama kinetik enerjisi mutlak sıcaklık ile temsil edilir. Elektrodinamik kanunlarına
göre hareketli bir elektrik yükü değişken elektrik alanı ile ilişkili olup alternatif bir manyetik alan
üretir. Akabinde manyetik alanın değişmesi değişken elektrik alanı ile sonuçlanır ve bu olay
böylece dönüşümlü devam eder gider. Bundan dolayı titreşen bir parçacık elektromanyetik alan
kaynağı olarak ışık hızında dışa doğru yayılır ve optik kurallar ile idare edilir. Elektromanyetik
dalgalar yansıtılabilir, filtre edilebilir, odaklanabilir, vb. Şekil 5.5.3 de γ ışınlarından radyo
dalgalarına elektromanyetik ışınımın tamamı görülmektedir.
Wien değişim kanunu
Sıcaklık artışı
Spektral yoğunluk
Şekil 5.5.3
Elektromanyetik
Dalga boyu (m) radyasyon veya ışınım
spektrumu
γ− radyasyonu
Mikro dalga fırın

TV ve FM radyo
Kısa dalga radyo

AM radyo
X-ışınları
Mor ötesi
Yakın kızıl ötesi

Orta kızıl ötesi
Görünür
Radar
Uzak
kızıl ötesi
Termal radyasyon
Dalga boyu belirli bir ortamda c ışık hızı ve v frekansı ile doğrudan ilişkilidir:
c
λ= (5.5.9)
v
λ ve sıcaklık arasındaki bir ilişki daha karmaşık ve 1901 yılında keşfedilen Plank kanunu ile idare
edilir. (1918 de Almanya Berlin üniveristesinde Max K. E. L. Plank keşfi ile Nobel ödülünü
kazanmıştır). Plank kanunu ile Wλ radyant (ısı yayan) akı yoğunluğu λ dalga boyunun ve T mutlak
sıcaklığının bir fonksiyonu olarak tesis edilmiştir. Radyant akı yoğunluğu birim dalga uzunluğu
başına elektromanyetik ışınım gücüdür:
ε (λ ) ⋅ C1
Wλ = (5.5.10)
πλ (eC 2 / λT − 1)
5
Burada ε(λ) cismin yayıcılığı, C1 = 3,74×10-1 W·cm2 ve C2 = 1,44 cm·K sabitler ve e doğal
logaritma tabanıdır.
Sıcaklık oldukça aşırı sayıda titreşen parçacıkların ortalama kinetik enerjilerinin bir sonucudur.
Bununla beraber bütün parçacıklar aynı frekans ve genlikte titreşmez. Farklı çeşitte frekanslar (aynı
zamanda dalga boyları ve enerjiler) birbirine çok yakın bulunmakta olup malzemeyi çok uzundan
çok kısa dalga boylarına hemen hemen sonsuz sayıda frekanslarda ışınımda bulunma özelliği verir.
Sıcaklık ortalama kinetik enerjinin istatistiksel temsili olduğundan parçacıkların belirli bir frekansta
titreşimi ve belirli bir dalga boyuna sahip olarak en yüksek olasılığını belirler. İhtimali en yüksek
olan dalga boyu Wien kanunu ile tesis edilmekte olup (5.5.10) eşitliğinin ilk türevinin sıfıra
eşitlenmesi ile bulunabilir. 1911 de Almanya Würtzburg üniversitesinde Wilhelm Wien’e ısının
ışınımı ile ilgili kanunları keşfinden dolayı Nobel ödülü verilmiştir. Hesaplamanın sonucu radyant
gücün çoğunun yoğunlaştığı dalga boyu (λm) civarıdır.
2898
λm = (5.5.11)
T
Burada λm’nin birimi μm ve T ’nin birimi K dir. Wien kanunu sıcaklığın artışıyla dalga boyunun
daha kısa olduğunu ifade etmektedir (şekil 5.5.3). λ = c / v görüş açısından bütün spektrumda en
muhtemel frekansın mutlak sıcaklık ile orantılı olduğunu da ifade etmektedir:
vm = 1011T [Hz ] (5.5.12)
Örneğin normal oda sıcaklığında uzak kızıl ötesi enerjinin çoğu 30 THz (30·1012 Hz) civarındaki
cisimlerden yayılır. Yayılan frekanslar ve dalga boyları sadece sıcaklığa bağlı iken radyasyonun
genliği aynı zamanda yüzeyin ε(λ) yayıcılığına da bağlıdır.
Teorik olarak bir ısıl ışınımın bant genişliği sonsuz derecede geniştir. Bununla beraber bu ışınım
dedekte edilirken gerçek dünya algılayıcılarının özellikleri hesaba katılmalıdır. Algılayıcılar sadece
ışınımın sınırlı bir aralığını ölçme kabiliyetindedir. Belirli bir bant genişliği içinde ışınım yapan
toplam gücü belirlemek için (5.5.10) eşitliğinin λ1 ile λ2 sınırları ile integrali alınır.
λ2
1 ε (λ ) C1λ−5
Φ bo =
π ∫ eC 2 / λT
−1
(5.5.13)
λ1
Şekil 5.5.4 de sonsuz genişlikte bant genişliği (λ1 = 0 ve λ2 = ∞) için farklı üç sıcaklıkta radyant akı
yoğunluğu görülmektedir. Radyant enerjinin spektral aralıkta Wien kanunu ile tanımlanan bir
maksimum ile oldukça düzgün olmayan bir dağılımda olduğu görülmektedir. Sıcak bir cisim
enerjisinin büyük bir kısmını görünür aralıkta yayarken daha soğuk cisimler tarafından yayılan güç
spektrumun kızıl ötesi ve uzak kızıl ötesi kısmında yoğunlaşmıştır.
Şekil 5.5.4 İdeal ışınım yayıcıdan sonsuz

derecede soğuk bir boşluğa doğru yayılma
durumu için üç sıcaklıktaki spektral akı
yoğunluğu
(5.5.13) eşitliği oldukça karmaşıktır ve herhangi özel bir bant genişliği için analitik olarak
çözülemez. Çözüm sayısal olarak veya bir yaklaşım ile bulunabilir. Geniş bant genişliğinin (λ1 ve
λ2 toplam ışınım gücünün % 50’sinden fazlasını kapsadığında) bir yaklaşımı 4. derece bir parabol
olup Stefan-Boltzmann kanunu olarak bilinir:
Φ bo = Aε ⋅ σ ⋅ T 4 (5.5.14)
Burada σ=5,76×10-8 W/m2K4 (Stefan-Boltzmann sabiti) ve ε dalga boyundan bağımsız varsayılır.

Işınım akısının dalga boyları sıcaklığa bağımlı iken ışınımın genliği yayıcılık (ε) olarak
adlandırılan yüzeyin özelliğinin bir fonksiyonudur. Yayıcılık 0-1 arasında bir skalada ölçülür ve bir
yüzeyden yayılan akının aynı sıcaklığa sahip ideal bir yüzeyden yayılan akıya oranıdır. ε yayıcılığı,
γ saydamlığı ve ρ yansıtıcılığını birbirine bağlayan temel bir eşitlik vardır.
ε +γ + ρ =1 (5.5.15)
1860 da Kirchhoff yayıcılık ve emicilik’in (α) aynı şey olduğunu bulmuştur. Sonuç olarak saydam
olmayan (γ = 0) bir cisim için ρ yansıtıcılığı ve ε yayıcılığı basit bir ilişki ile bağlıdır: ρ = 1 − ε .
Stefan-Boltzmann kanunu T sıcaklığındaki bir yüzeyden sonsuz derecede soğuk uzaya (mutlak
sıfır) doğru giden akıyı belirler. Isıl ışınım ısıl dedektör tarafından dedekte edildiğinde
algılayıcıdan cisme doğru olan karşı ışınımın da hesaba katılması gerekir. Bir ısıl algılayıcı sadece
net ısıl akıya tepki verebilir; örneğin cisimden olan akı kendisinden çıkarılmış (-) akıdır. Cisme
bakan algılayıcının yüzeyi εs yayıcılığına sahiptir (ve akabinde ρ = 1 − ε s yansıtıcılığı). Algılayıcı
sadece kısmi emici olduğundan bütün Φbo akısı algılayıcı tarafından emilmez ve yararlanılmaz.
Bunun bir kısmı, Φba algılayıcı tarafından emilirken diğer kısım Φbr cisme geri yansıtılır (şekil
5.5.5). Bu analizde algılayıcının görüş alanında başka cisimlerin olmadığı varsayılmıştır. Yansıtılan
akı algılayıcının yansıtıcılık katsayısı ile orantılıdır:
Φ br = − ρ s Φ bo = − Aε (1 − ε s )σ T 4 (5.5.16)
Şekil 5.5.5 Bir cisim ve ısıl ışınım

algılayıcısı arasındaki ısıl ışınım değişimi
Negatif işareti Φbo akısına göre ters yönü göstermektedir. Sonuç olarak cisimden çıkan net akı
Φ b = Φ bo + Φ br = Aεε sσ T 4 (5.5.17)
dir. Ts sıcaklığına bağlı olarak algılayıcının yüzeyi benzer bir yolla kendi net ısıl akısını cisme
doğru yayar:
Φ s = − Aεε sσ Ts4 (5.5.18)
Akılar zıt yönlerde yayılmakta ve iki yüzey arasında mevcut son bir net akıda birleşirler:
Φ = Φ b + Φ s = Aεε sσ (T 4 − Ts4 ) (5.5.19)
Bu ısıl algılayıcı tarafından çıkış sinyaline dönüştürülen net ısıl akının matematiksel modelidir. Bu
eşitlik algılayıcı tarafından emilen Φ ısıl gücü ve cisim ve algılayıcının mutlak sıcaklıkları arasında
bir bağlantı tesis eder.
5.5.3.1 YAYICILIK
Bir ortamın yayıcılığı dielektrik katsayısının ve akabinde n kırılma indisinin bir fonksiyonudur.
Olabilecek en yüksek yayıcılık 1 dir ve elektromanyetik ışınımın ideal bir yayıcısı olan siyah cisme
atfedilir. Siyah cisim adı normal oda sıcaklıklarındaki görünüşünü ima etmektedir. Eğer cisim
saydam değil (γ = 0) ve yansıtıcı değilse (ρ = 0) ε + γ + ρ = 1 eşitliğine göre ε = α olduğundan
cisim elektromanyetik ışınımın ideal bir yayıcısı ve emicisi olur. Bununla beraber yayıcılık’ın
genelde dalga boyu bağımlılığına dikkat edilmelidir (şekil 5.5.6). Örneğin bir sayfa beyaz kağıt
görünür spektral aralıkta çok yansıtıcı ve hemen hemen hiç görünür ışık yaymaz. Bununla beraber
uzak kızıl ötesi spektral aralıkta yansıtıcılığı çok düşük ve yayıcılığı yüksek (0,92 civarında) olup
kağıt uzak kızıl ötesi ışınımın iyi bir yayıcısı olmaktadır. Uzak kızıl ötesi merceklerin
fabrikasyonunda yaygın olarak kullanılan polietilen 3,5 ve 6,8 ve 13,5 μm civarındaki dar bantlarda
çok yoğun emicilik ve yayıcılık gösterirken diğer bantlarda oldukça saydamdır (yayıcı değil).
Şekil 5.5.6 Yayıcılıkların dalga boyu bağımlılığı
Çoğu pratik amaçlar için 8-16 μm gibi ısıl ışınımın oldukça dar spektral aralığında yayıcılık sabit
kabul edilebilir. Bununla beraber hassas ölçümler için ısıl ışınımın % 1’lik doğrulukla dedekte
edilmesi gerektiğinde yüzey yayıcılığının ya bilinmesi gerekir ya da çift bantlı kızıl ötesi
dedektörlerin kullanılması gerekmektedir. Çift bantlı dedektör kızıl ötesi akının dedeksiyonu için
dar iki spektral aralık kullanır. Bu durumda sinyal işlemenin orantılı bir tekniği kullanılarak bir
cismin sıcaklığı ölçülür. Hesaplama süresince yayıcılık ve diğer çarpan durumundaki sabitler iptal
edilerek yok edilir.
Normal yönde polarize olmayan uzak kızıl ötesi ışık için yayıcılık,
4n
ε= (5.5.20)
(n + 1) 2
ile ifade edilebilir. Metal olmayan bütün cisimler ±70° civarında katı bir açı içinde ε = 4n /( n + 1) 2
ile tanımlanan dikkate değer sabit yayıcılık ile ısıl ışınımın çok iyi difüzyonlu yayıcılarıdır. Bu
açının ötesinde yayıcılık 90° ye yaklaşırken hızlıca sıfıra azalmaya başlar. 90° yakınında yayıcılık
çok düşüktür. Metal olmayan cisimlerin havaya doğru yöne bağlı yayıcılıklarının tipik hesaplanmış
bir grafiği şekil 5.5.7a da görülmektedir. Isıl ışınımın yayıcılığı kayda değer bir derinlikte oluşan
elektromanyetik etkilerin sonucu olduğundan yukarıda dikkate alınan konuların sadece uzak kızıl
ötesi spektral aralıktaki dalga boylarına uygulanabilir olduğu ve görünür ışık için doğru olmadığı
vurgulanmalıdır.
Metaller oldukça farklı davranır. Yayıcılıkları büyük oranda yüzey işlemesine bağlıdır. Genelde
parlatılmış metaller ±70° civarında katı bir açı içinde zayıf yayıcılar iken daha büyük açılarda
yayıcılıkları artar (şekil 5.5.7b). Tablo 5.8 de 0 ve 100 °C arasındaki sıcaklık aralığında bazı
malzemelerin tipik yayıcılıkları verilmektedir.
(a) Metal olmayan (b) parlatılmış metal

Şekil 5.5.7 Metal olmayan ve parlatılmış metal için uzaysal yayıcılıklar
Tablo 5.8 0° ile 100 °C sıcaklık aralığında farklı malzemelerin yayıcılıkları

Malzeme Yayıcılık Malzeme Yayıcılık
Siyah cisim (ideal) 1,00 Yeşil yaprak 0,88
Kavite yayıcı (Radyatör) 0,99-1,00 Buz 0,96
Aluminyum (anodize) 0,70 Demir veya çelik (paslanmış) 0,70
Aluminyum (oksidize) 0,11 Nikel (oksidize) 0,40
Aluminyum (parlatılmış) 0,05 Nikel (oksidize olmayan) 0,04
Aluminyum (kaba yüzeyli) 0,06-0,07 Nikrome (80Ni-20Cr) (oksidize) 0,97
Asbest 0,96 Nikrome (80Ni-20Cr) (parlatılmış) 0,87
Pirinç (donuk, kararmış) 0,61 Yağ 0,80
Pirinç (parlatılmış) 0,05 Silikon 0,64
Tuğla 0,90 Silikon Lastik 0,94
Bronz (parlatılmış) 0,10 Gümüş (parlatılmış) 0,02
Karbonlu latex boya 0,96 İnsan derisi 0,93-0,96
Karbon Lamp Black 0,96 Kar 0,85
Krom (parlatılmış) 0,10 Toprak 0,90
Bakır (oksidize) 0,6-0,7 Paslanmaz çelik (cilalı) 0,20
Bakır (parlatılmış) 0,02 Çelik (düz kaba yüzey) 0,95-0,98
Pamuk kumaş 0,80 Çelik (ground) 0,56
Epoxy Reçine 0,95 Kalaylı teneke 0,10
Cam 0,95 Su 0,96
Altın 0,02 Beyaz kağıt 0,92
Siyah altın 0,98-0,99 Ağaç 0,93
Grafit 0,7-0,8 Çinko (parlatılmış) 0,04
Katı cisimlerin çoğundan farklı olarak çoğu durumlarda gazlar ısıl ışınıma saydamdır. Işınımı
emdikleri ve yaydıkları durum ekseriyetle sadece belli dar spektral bantlarda gerçekleşir. N2, O2
gibi ve kutupsal olmayan simetrik moleküler yapıdaki bazı gazlar temelde düşük sıcaklıklarda
saydam iken CO2, H2O ve çeşitli hidrokarbon gazları bant genişliğinde bariz bir uzantıda ışımın
yapar ve emicilikte bulunurlar. Kızıl ötesi akı bir gaz tabakasına girdiğinde emilme Beer kanununa
göre üstel bir azalma profiline sahiptir:
Φx
= e −α λ x (5.5.21)
Φo
Burada Φo etkiyen ısıl akı, Φx x kalınlığındaki akı, αλ emilmenin spektral katsayısıdır. Bu oran
belli bir λ dalga boyunda monokromatik ileticilik (γλ) olarak adlandırılır. Eğer gaz geri yansıtıcı
değilse bu durumda yayıcılık
ε λ = 1 − γ λ = 1 − e −α λ x (5.5.22)
ile tanımlanabilir. Gazlar sadece dar bantlarda emici olduğundan yayıcılık ve ileticilik her özel
dalga boyu için ayrı ayrı belirlenmelidir. Örneğin su buharı 1,4 ve 1,8 ve 2,7 μm’lik dalga
boylarında oldukça emici iken 1,6 ve 2,2 ve 4 μm dalga boylarında çok saydamdır.
5.5.3.2 KAVİTE (KOVUK) ETKİSİ
Elektromanyetik ışınım bir kavite veya kovuktan ölçüldüğünde ilginç bir etki gelişir. Bu amaç için
kavite sıcaklığı iç yüzeyinin tamamında düzgün olup iç duvarı genelde düzensiz biçimde çukur
veya iç bükey bir açıklık, boşluk veya oyuk anlamındadır (şekil 5.5.8a). Kavite boşluğunun
yayıcılığı her dalga boyunda düz yüzeye kıyasla aşırı derecede birime yaklaşır. Kavite etkisi
özellikle iç duvarlar oldukça yüksek yayıcılığa sahip olduğunda söz konusudur. Metal olmayan bir
kaviteyi dikkate alalım. Bütün metal olmayan cisimler difüzyonlu yayıcılar ve aynı zamanda
difüzyonlu yansıtıcılardır. Kavitenin sıcaklığını ve yüzey yayıcılığını bütün alan üzerinde homojen
varsayalım. İdeal bir yayıcı (siyah cisim) a alanından Φ o = aσ Tb4 kızıl ötesi foton akısı yayar.
Bununla beraber cismin gerçek yayıcılığı εb ve sonuç olarak bu alandan yayılan akı küçüktür:
Φ r = ε b Φ o (şekil 5.5.8a). Cismin diğer kısımlarından a alanına yayılan akı da Φr’ye eşittir (cisim
ısıl olarak homojen olduğundan akının uzaysal dağılımı dikkate alınmayabilir). Etkiyen Φr akısının
önemli bir kısmı a yüzey alanı tarafından emilirken az bir kısmı difüzyonlu olarak yansıtılır:
Φ ρ = ρΦ r = (1 − ε b )ε b Φ o (5.5.23)
ve a alanından yayılan ve yansıtılan akının birleştirilmesiyle
Φ = Φ r + Φ ρ = ε b Φ o + (1 − ε b )ε b Φ o = (2 − ε b )ε b Φ o (5.5.24)
elde edilir. Sonuç olarak etkin yayıcılık aşağıdaki gibi ifade edilebilir.
Φ
εe = = (2 − ε b )ε b (5.5.25)
Φo
Giriş
εe
Giriş
εe
Giriş
εe
(a) Kavite etkisi yayıcılığı geliştirir (b) siyah gövde kavitelerinin biçimleri, εe>εb
Şekil 5.5.8
Yukarıdaki eşitliğin sonucuna göre tek bir yansımadan dolayı kavitenin algılanan (etkin) yayıcılığı
(2 − ε b ) faktörü ile büyümüş olarak yüzey yayıcılığına eşittir. Tabiki kaviteden çıkmadan önce
ışınımın birden daha çok yansıması olabilir. Başka ifadeyle a alanına etkiyen akı çoktan kavite
yüzeyinin diğer kısımlarından yansıma ve yayılmanın birleştirilmiş etkisinin bir sonucu olabilir.
Akı şiddeti yayılan orijinal Φr akısından daha yüksek olacaktır. Yansımaların herhangi bir sayısı
için etkin yayıcılık aşağıdaki eşitlikten hesaplanabilir.
ε e = 1 − (1 − ε b )ξ +1 (5.5.26)
Burada ξ yansıma sayısıdır. Oldukça yüksek εb (0,9 ve daha yüksek) için eşitlikteki ikinci toplam ξ
daki bir artışla hızlıca sıfıra giderek etkin yayıcılık’ın birime eşit olmasıyla sonuçlanır ki hemen
hemen iç duvarların gerçek yayıcılığından bağımsızdır. Kavite etkisinin fonksiyonda bulunması
için etkin yayıcılık ışınımın kaçmakta olduğu kavitenin girişine atfedilmelidir. Eğer bir algılayıcı
kavite içinde yüzü doğrudan duvara dönük yerleştirilirse kavite etkisi kaybolabilir ve yayıcılık
duvar yüzeyininkine eşit olacaktır. Kavite etkisi siyah cisim ısıl ışınım kaynaklarının
fabrikasyonunda kullanılır. Aynı zamanda iyi doğruluğu sağlamak için yayıcılığı çok düşük bir
cismin sıcaklığının ölçümünde de kullanılabilir. Eğer bir cisim kavitenin dahili parça olduğu bir
biçime sahipse ısıl ışınımın bu kaviteden ölçülmesi gerekir.
Isıl ışınım dedektörlerinin kalibrasyonu ve araştırma amaçları için ekseriyetle siyah cisim kavitesi
gerekir. Pratik bir siyah cismin çok çeşitli metotlar ile fabrikasyonu yapılabilir. Kavite malzemesi
için iyi ısıl özelliğinden dolayı bakır en iyi seçim olmaktadır. Şekil 5.5.8b de siyah cisim
kavitelerinin çeşitli pratik biçimleri görülmektedir. Kavite etrafındaki metal kütle içinde ısıl
gradyanların azaltılması aşırı derecede önemlidir. Bu yüzeyde düzgün sıcaklık dağılımını sağlar.
Kavite kısmının duvarları büyük ısıl kapasiteli metalin kombinasyonunu meydana getirecek şekilde
iyi bir ısıl yalıtıcı ile çevrelenmelidir. Böylece aygıtın yüksek ısıl sabiti oluşturulur. Siyah cismin
ısıtılması elektriksel ısıtıcı elemanlar ile yapılabilirken soğutma dış ortamdaki havanın cebri
soğutulması veya daha geniş bir kontrol aralığı için ısılelektrik soğutma elemanları ile yapılabilir.
Kavitenin iç kısmı organik bir boya ile boyanmalıdır. Boyanın rengi önemli değildir.
Sıvı ısıtma/soğutmalı bir kavite yayıcısı iç yarıçapı uzunluğunun en azından 10 katı daha küçük, bir
ucu kapalı ve iç yüzeyi yüksek yayıcılıkta boya ile boyanmış tüp biçiminde fabrikasyonu
yapılabilir. Böyle tüp tipi kavite duvarları boyunca düzgün sıcaklığın sağlanması için sıvı
banyosuna daldırılmıştır. Ekseriyetle su olan sıvının sıcaklığı hassas olarak kontrol edilerek tüp
etrafında sabit ve düzgün bir sıcaklık sağlanabilir.
5.6 MALZEMELERİN IŞIK VE OPTİK ÖZELLİKLERİ
Işık elektromanyetik özelliğe sahip olarak bir enerji veya elektromanyetik dalgaların yayılımı
olarak düşünülebilir. Dalga frekans spektrumunun farklı kısımlarına özel adlar verilir. Örneğin mor
ötesi (UV), görünür, yakın, orta ve uzak kızıl ötesi (IR), mikro dalgalar, radyo dalgaları, vb. Işık
ismi yaklaşık 0,1 ile 100 μm arası dalga boylarını işgal eden elektromanyetik ışınıma keyfi olarak
verilmiştir. Görebileceğimiz en düşük dalga boyunun (mor) aşağısındaki ışık mor ötesi olarak
adlandırılır ve görebileceğimiz en büyük dalga boyunun (kırmızı) ötesi ise kızıl ötesi olarak
adlandırılır. Kızıl ötesi aralık üç bölgeye ayrılmıştır: yakın kızıl ötesi (yaklaşık 0,9 ile 1,5 μm), orta
kızıl ötesi (1,5 ile 4 μm) ve uzak kızıl ötesi (4 ile 100 μm).
Işınım spektrumunun farklı kısımları fiziğin farklı dallarında çalışılır. Şekil 5.5.3 de görülen
elektromanyetik spektrum γ ışınlarından (en kısa) radyo dalgalarına (en uzun) yayılmıştır. Bu
kısımda ışığın, elektromanyetik spektrumun görünür ve yakın kızıl ötesi kısımlarına ait özellikleri
incelenmektedir. Isıl ışınım (orta ve uzak kızıl ötesi bölgeler) ise ısıl iletim kısmında
incelenmektedir.
Işığın vakumdaki hızı, co dalga boylarından bağımsızdır ve boş uzayın μ 0 = 4π ⋅10 −7 H/m
manyetik ve ε 0 = 8,854 ⋅10 −12 F/m elektrik geçirgenlikleri ile ifade edilebilir:
1
co = = 299 792 458,7 ± 1,1 m/s (5.6.1)
μ 0ε 0
Vakum veya özel bir ortamda ışık dalgalarının v frekansı λ dalga boyu ve ışığın ortamdaki c hızı ile
aşağıdaki gibi bir ilişki içindedir.
c
v= (5.6.2)
λ
Bir fotonun enerjisi ile frekans ilişkisi
E = hv (5.6.3)
dir; burada h = 6,63·10-34J·s (4.13·10-15 eV·s) Plank sabitidir. 1 μm dalga boyunda yakın kızıl ötesi
bir foton 1,24 eV enerjiye sahiptir. Bundan dolayı 1 μm aralığında çalışan optik bir quantum
dedektörünün bu enerji seviyesine tepki verebilmesi gerekir. 37 °C de insan derisi 0,13 eV ’a yakın
enerjiler ile uzak kızıl ötesi fotonlar yaymakta olup daha düşük genlikte bir seviyede olduğundan
dedeksiyonu çok daha zor olmaktadır. Bu düşük enerjili ışınımın sıklıkla quantum dedektörleri
yerine ısıl dedektörler ile dedekte edilmesinin nedenidir.
5.6.1 RADYOMETRİ
Üç katmanlı bir malzemeden geçen ışığı dikkate alalım. Bütün katmanlar ortam olarak adlandırılan
farklı maddelerden yapılmıştır. Şekil 5.6.1 de birinci ortamdan ikinci ortamın düz plakasına ve
daha sonra üçüncü ortamdan geçen ışık ışınına ne olduğu görülmektedir. Etkiyen ışığın bir kısmı
tarihsel olarak Euclid’e atfedilen yansıma kanununa göre birinci ve ikinci ortam arasındaki düzlem
sınırından geri yansır:
Θ1 = Θ'1 (5.6.4)
Şekil 5.6.1 Farklı kırılma indisli malzemelerden

geçen ışık
Işığın bir kısmı farklı bir açıda ikinci ortam plakasına girer. Yeni açı Θ2 Willebrod Snell tarafından
keşfedilen ve Snell kanunu olarak bilinen kırılma kanunu ile belirlenir:
n1 sin Θ1 = n2 sin Θ 2 (5.6.5)
Burada, n1 ve n2 iki ortamın kırılma indisleridir.
Kırılma indisi ışığın vakumdaki co hızının c ortamındaki hızına oranıdır.
co
n= (5.6.6)
c
c < co olduğundan bir ortamın kırılma indisi daima birimden daha büyüktür. Bir ortamda ışığın hızı
doğrudan ortamın εr dielektrik sabiti ile ilişkilidir ve akabinde kırılma indisini belirler:
n = εr (5.6.7)
Genelde, n dalga boyunun bir fonksiyonudur. Kırılma indisinin dalga boyu bağımlılığı Sir Isaac
Newton’un ışık spektrumunda deneylerinde kullanmış olduğu prizmalar ile ortaya çıkartılır.
Görünür aralıkta n kırılma indisi sıklıkla 0,58756 μm dalga boyunda sarı-portakal helyum
çizgisinde belirlenir. Bazı malzemelerin kırılma indisleri tablo 5.9 da verilmiştir.
Dalga boylarının kırılma indisi bağımlılığı dispersiyon veya dağılım olarak adlandırılır. Dalga boyu
ile n deki değişim ekseriyetle çok aşamalı ve sık olarak dalga boyu malzemenin saydam olmadığı
bir bölgeye yaklaşmadıkça ihmal edilebilir. Şekil 5.6.2 bazı optik malzemelerin saydamlık
eğrilerini göstermektedir.
Θ'1 açısında bir sınırda yansıyan ışığın bir kısmı bitişik iki ortam arasındaki ışık hızlarına bağlıdır.
Geri yansıyan Φp ışık miktarı etkiyen Φo ışık akısı ile bir ρ yansıma katsayısı ile ilişkide olup
kırılma indisleri ile ifade edilebilir.
2
Φp ⎛n −n ⎞
ρ= = ⎜⎜ 1 2 ⎟⎟ (5.6.8)
Φ o ⎝ n1 + n2 ⎠
(5.5.20) ve (5.6.8) eşitlikleri hem yansıma ve hem de emilme’nin (yayıcılık) belirli bir dalga
boyunda sadece malzemenin kırılma indisine bağlı olduğunu göstermektedir.
Eğer ışık akısı havadan kırılma indisi n olan cisme girerse (5.6.8) eşitliği aşağıdaki gibi
sadeleştirilebilir.
2
⎛ n −1 ⎞
ρ =⎜ ⎟ (5.6.9)
⎝ n +1⎠
Işık ikinci ortamı geçmeden (şekil 5.6.1) ve n3 kırılma indisine sahip üçüncü ortama girmeden önce
ışığın diğer bir kısmı n2 ve n3 ortamı arasında Θ'2 açısı ile ikinci sınırdan dahili olarak geri yansır.
Işığın kalan kısmı yine Snell kanununa uygun olarak Θ3 açısı ile çıkar. Eğer plakanın her iki
tarafındaki ortam 1 ve 3 aynı ise (örneğin hava) bu durumda n1=n3 ve Θ1= Θ3 dir. Bu durum şekil
5.6.3 de görülmektedir. (5.6.8) eşitliğinden yansıma katsayılarının her iki yönde sınıra çarpan daha
yüksek veya daha düşük kırılma indisleri ile yaklaşan ışık için aynı olduğu anlaşılmaktadır.
Tablo 5.9 Bazı malzemelerin kırılma indisleri (n)

Malzeme n Dalga boyu (μm) Açıklama
Vakum 1
Hava 1,00029
Akrilik 1,5 0,41
As2S3 2,4 8,0
CdTe 2,67 10,6
Crown cam 1,52
Elmas 2,42 0,54 Mükemmel ısıl iletkenlik
Ergimiş silica (SiO2) 1,46 3,5
GaAs 3,13 10,6 Lazer pencereleri
Germanyum 4,00 12,0
En ağır billur camı 1,89
Ağır billur camı 1,65
Irtran 2 (ZnS) 2,25 4,3 IR sensor pencereleri
KBr 1,46 25,1 Hygroscopik
KCl 1,36 23,0 Hygroscopik
KRS-5 2,21 40,0 Zehirli
KRS-6 2,1 24 Zehirli
NaCl 1,89 0,185 Hygroskopik, korosiv
Polietilen 1,54 8,0 Düşük maliyetli IR geçirgen
Polystyrene 1,55
Pyrex 7740 1,47 0,589 İyi ısıl ve optik özellikler
Quartz 1,54
Safir (Al2O3 1,59 5,58 Kimyasal dirençli
Silikon 3,42 5,0 IR sensor pencereleri
Gümüş bromid (AgBr) 2,0 10,6 Korosiv
Gümüş klorit (AgCl) 1,9 20,5 Korosiv
Su (20 °C) 1,33
ZnSe 2,4 10,6 IR sensor pencereleri, kırılgan
Şekil 5.6.2 Farklı optik malzemeler için şeffaflık karakteristikleri

Şekil 5.6.3 Optik plakayı geçen ışık
Plakanın her iki yüzeyinden iki yansımanın birleştirilmiş katsayısı basitleştirilmiş bir eşitlik ile
bulunabilir:
ρ 2 = ρ1 (2 − ρ1 ) (5.6.10)
Burada, ρ1 bir yüzeyin yansıma katsayısıdır. Gerçekte ikinci yüzeyden yansıyan ışık birinci
yüzeyden ikinci yüzeye tekrar geri yansır ve böylece devam eder. Bundan dolayı malzemede hiç
emilme olmadığının varsayımı ile plakadaki toplam yansıma kaybı malzemenin kırılma indisi ile
hesaplanabilir:
2n
ρ2 = 1 − 2
(5.6.11)
n +1
Yansıma yüksek kırılma indis farklarında artar. Örneğin, eğer görünür ışık havadan ağır billur cam
plakaya emilme olmadan geçerse iki yansıma % 11 kayıpla sonuçlanırken hava-germanyum-hava
ara yüzeyleri için yansıma kaybı % 59 civarında olacaktır (uzak kızıl ötesi spektral aralık).
Kayıpları azaltmak için optik malzemelere sıklıkla belirli dalga boylarına uyumlu kırılma
indislerinde ve kalınlığında yansıma engelleyici kaplamalar yapılabilir.
Işınım (radyant) enerji denge eşitliği (5.5.15) optik malzemede iki yansımanın hesaba katılması için
düzeltilmelidir:
ρ2 + α + γ = 1 (5.6.12)
Burada α emilme katsayısı ve γ iletim katsayısıdır. Saydamlık bölgesinde α=0 olduğundan iletim:
2n
γ = 1 − ρ2 ≈ 2
(5.6.13)
n +1
dir. Bu eşitlik optik plakanın teorik olarak olabilecek maksimum iletimini belirtmektedir.
Yukarıdaki örnekte cam plakanın iletimi görünür aralıkta % 88,6 iken germanyumun uzak kızıl
ötesi aralıkta iletimi % 41 dir. Görünür aralıkta germanyumun iletimi sıfır olup ışık akısının %
100’ü yansıtılmakta ve emilmektedir. Şekil 5.6.4 de kırılma indislerinin bir fonksiyonu olarak ince
plakanın yansıtma ve iletimi görülmektedir. Burada plaka kendi kullanışlı spektral aralığında
çalışan yani emicilik kaybı küçük (α≈0) herhangi bir optik aygıt olan pencere veya mercektir.
Şekil 5.6.4 Kırılma indisinin

fonksiyonu olarak ince plakanın
yansıtması ve iletimi
Şekil 5.6.5 etkiyen ışık akısı, Φo yüzeye çarptığında optik plakadaki enerji dağılımını
göstermektedir. Etkiyen akının Φρ kısmı geri yansıtılır ve diğer Φα kısmı malzeme tarafından
emilir ve üçüncü Φγ kısmı malzemeden karşıya iletilir. Işığın emilen kısmı ısıya dönüşür ve bunun
ΔP kısmı ısıl iletim ve konveksiyon ile destekleyici yapı ve çevreleyen ortama yayılarak kaybolur.
Emilen akının kalan kısmı malzemenin sıcaklığını yükseltir. Sıcaklığın artışı malzeme güçlü bir
lazerde bir pencere olarak kullanıldığında problem olabilir. Sıcaklık artışının probleme neden
olabileceği diğer uygulama uzak kızıl ötesi dedektörlerdir. Problem sıcaklık değişiminden dolayı
malzeme tarafından yayılan Φ ε = Φα − ΦP akısı ile ilişkilidir. Bu ikincil ışınım olarak adlandırılır.
Doğal olarak, ışınım spektrumu malzemenin sıcaklığı ile ilişkili ve spektrumun uzak kızıl ötesi
bölgesinde bulunmaktadır. İkincil ışınımın spektral dağılımı, emilme ve yayılma aynı şeyler
olduğundan malzemenin emilme dağılımına karşılık gelmektedir.
Şekil 5.6.5 Optik plakanın ışınım enerji dağılımı
Düşük emicilikteki malzemelerin emilme katsayısı malzemedeki sıcaklık yükselmesi ile

belirlenebilir:
mc 2n ⎛ dTg dTL ⎞
α= ⎜ + ⎟To (5.6.14)
Φ γ n 2 + 1 ⎜⎝ dt dt ⎟⎠
Burada, m ve c optik malzemenin kütlesi ve öz ısısı, Tg ve TL sırasıyla To test sıcaklığında

malzemenin sıcaklık eğrisinin yükselen ve düşen eğimleridir. Malzemedeki ışığın sadece emilme
ile kaybolmayıp saçılma ile de kaybolduğu kesin olarak söylenebilir. Malzeme içindeki
birleştirilmiş kayıp kalınlığına bağlı ve g zayıflama katsayısı ve malzemenin h kalınlığı ile ifade
edilebilir. İletim katsayısı (5.6.13) eşitliği ile belirlenebilir ve zayıflama hesaba katılarak aşağıdaki
gibi yeniden düzenlenebilir:
γ ≈ (1 − ρ 2 )e − gh (5.6.15)
Zayıflama veya tükenme katsayısı olan g ekseriyetle optik malzemelerin üreticileri tarafından
belirtilir.
5.6.2 FOTOMETRİ
Işığa duyarlı elemanlar (foto dedektörler) kullanılırken hem algılayıcı ve hem de ışık kaynağının
dikkate alınması kritiktir. Bazı uygulamalarda ışık farklı kaynaklardan alınabilirken diğerlerinde
ışık kaynağı ölçme sisteminin bir parçası olabilir. Her durumda optik sistemin fotometrik
karakteristiklerinin hesaba katılması gerekir. Böyle karakteristikler akı, yayılma, lüminans
(ışıklılık), parlaklık, vb. içerir.
Işınım şiddeti ve parlaklığını ölçmek için özel üniteler kurulmuştur. Spektrumun görünür kısmında
yer alan ışınım akısı (birim zaman başına yayılan enerji) luminous (ışıksal) akı olarak söylenir. Bu
ayırım farklı görünür dalga boylarındaki güç seviyeleri gibi insan gözünün eşit olarak tepki
verememe yeteneksizliğinden dolayıdır. Örneğin aynı şiddette kırmızı ve mavi ışık çok farklı
algılamalar meydana getirecektir – kırmızı daha parlak olarak algılanacaktır. Bundan dolayı farklı
renklerdeki ışıkların karşılaştırılmasında watt parlaklığın zayıf bir ölçüsü olmakta ve lümen olarak
adlandırılan özel bir birim ortaya çıkarılmıştır. Bu 1 steradyan katı açısında özel bir delikten
görünebilen siyah cisim şeklinde biçimlendirilmiş erimiş platin ile standart bir ışınım kaynağına
dayanır. Katı açı küresel geometride aşağıdaki gibi tanımlanır.
A
ω= (5.6.16)
r2
Burada, r küresel yarıçap ve A ilgili küresel alandır. A = r iken, birim küresel radyan veya
steradyan olarak adlandırılır (kürenin tamamı 4π steradyandır).
İlluminans (ışıksal aydınlık)
dF
E= (5.6.17)
dA
olarak verilir yani diferansiyel alan başına diferansiyel luminous (ışıksal) akı (F) miktarıdır.
Sıklıkla metre kare başına lümen olarak ifade edilir. Luminous (ışıksal) şiddeti katı açı üzerinde
akıyı belirler:
F
IL = (5.6.18)
dω
Birimi en yaygın olarak steradyan veya kandil başına lümen olarak ifade edilir. Eğer luminous
(ışıksal) şiddeti yayılma açısına göre sabit ise (5.6.18) eşitliği aşağıdaki gibi olur.
F
IL = (5.6.19)
ω
Eğer ışınımın dalga boyu değişir fakat illuminasyon (aydınlatma) sabit tutulursa ışınım gücü watt
olarak değişken bulunur. İlluminasyon (aydınlatma) ve ışınım gücü arasındaki ilişki belirli bir
frekansta belirlenmelidir. Bu özel nokta insan gözünün tepe spektral tepkisi olan 0,555 μm olarak
alınmalıdır. Bu dalga boyunda 1 watt’lık ışınım gücü 680 lümene eşittir. Tablo 5.10 da kullanışlı
bazı terminoloji verilmiştir.
Tablo 5.10 Radyometrik ve fotometrik terminolojisi

Tanım Radyometrik Fotometrik
Toplam akı ışınım akısı (F), watt luminous akı (F), lümen
Bir kaynak yüzeyinden Işınım yayıcılığı (W), luminous yayıcılık (L), lümen/cm2
yayılan akı yoğunluğu watt/cm2 (lambert) veya lümen/ft2 (foot-
lambert)
Kaynak şiddeti (nokta ışınım şiddeti (Ir), luminous şiddeti (IL),
kaynağı) watt/steradyan lümen/steradyan/cm2 (kandil)
Kaynak şiddeti (alan radyans (ışınımlılık) (Br), lüminans (BL), lümen/steradyan/cm2
kaynağı) watt/steradyan/cm2 (lambert)
Bir alıcının yüzeyine etkiyen İrradyans (aydınlık) (H), illüminans (E), lümen/cm2 (kandil)
akı yoğunluğu watt/cm2 veya lümen/ft2 (foot kandil)
Elektro optik algılayıcıların seçiminde ışık kaynaklarının tasarım hususları öncelikli problemdir.
Bir ışık kaynağı kaynağın büyüklüğü ve kaynak ve dedektör arasındaki uzaklık arasındaki ilişkiye
bağlı olarak etkin olarak ya bir nokta kaynağı ya da bir alan kaynağı olarak gözükecektir. Nokta
kaynakları kaynak ve dedektör arasındaki uzaklığın % 10’undan daha az çap ile keyfi olarak
tanımlanır. Ekseriyetle bir foto dedektörün yüzey alanı merkezinde bir nokta kaynağı bulunan
küreye tanjant olacak şekilde bir doğrultuya getirilmesi istenilirken dedektör düzleminin tanjant
düzleminden eğimlenebilmesi mümkündür. Bu şart altında etkiyen ışık akısı ϕ eğim açısının
kosinüsü ile orantılı
Ir
H= (5.6.20)
cos ϕ
ve illüminans (ışıksal aydınlık)
IL
E= cos ϕ (5.6.21)
r2
dir. Çapı aralarındaki uzaklığın % 10’undan daha büyük olduğunda alan kaynakları keyfi olarak
tanımlanır. Işık kaynağının R çapı algılayıcıya olan r uzaklığından çok büyük olduğu özel bir
durumda özel bir dikkat gerekir. Bu şart altında
Br As B A
H= 2 2
≈ r 2s (5.6.22)
r +R R
olur. Burada As ışık kaynağının alanı ve Br radyanstır (ışınımlılık). Kaynağın alanı As=πR2
olduğundan irradyans (aydınlık):
H ≈ Brπ = W (5.6.23)
dir. Yani yayılan ve etkiyen akılar eşittir. Eğer dedektörün alanı kaynakların alanı ile aynı ise,
R>>r, toplam etkiyen enerji yaklaşık olarak toplam yayılan enerji ile aynı olacak ve kaynak ve
dedektör arasında birim kuplaj mevcut olacaktır. Optik sistem kanallama, paralel duruma getirme
(collimating) veya odaklayıcı bileşenlerden oluştuğunda verimi ve akabinde kuplaj katsayısının
dikkate alınması gerekir. Nokta ve alan kaynakları arasında önemli ilişkiler tablo 5.11 ve 5.12 de
verilmiştir.
Tablo 5.11 Nokta kaynağı ilişkileri

Nokta kaynak şiddeti Ir watt/steradyan LL lümen/steradyan
Etkiyen akı yoğunluğu I İllüminans (ışıksal aydınlık),
irradyans, H = r2 watt/m2
r I
E = L2 lümen/m2
r
Bir nokta kaynağının toplam akısı P = 4πI r watt F = 4πI L lümen
Tablo 5.12 Alan kaynağı ilişkileri

Nokta kaynak şiddeti Br watt/(cm2⋅steradyan) BL lümen/(cm2⋅steradyan)
Yayılan akı yoğunluğu W = πBr watt/cm2 L = πBL lümen/cm2
Etkiyen akı yoğunluğu Br As BL As
H= 2 2
watt/cm2 E= 2 2
lümen/cm2
r +R r +R
5.7 OPTİK BİLEŞENLER
Yansıma, kırılma, emilme, girişim, polarizasyon ve hız gibi ışık kavramı tasarımcının takım
kutusundaki güçlü aletlerdir. Optik bileşenler ışığın çok yollarla manipülasyonuna yardımcı olur.
Bu kısımda geometrik optik görüş açısından bu bileşenler ele alınacaktır. Geometrik bileşenler
kullanılırken quantum mekaniği ve quantum elektrodinamiği ile daha iyi açıklanabilen ışığın
özellikleri ihmal edilecek ve aynı zamanda ışığın dalga özellikleri de ihmal edilecektir. Işık
hareketli bir ışın gibi ve bu ışın varsayılan ön cepheye dik olarak dikkate alınacaktır. Bunun için
dalga boyuna kıyasla boyutları çok küçük optik elemanlara değinilmeyecektir. Örneğin çok küçük
mikron altı parçacıklar emdirilmiş bir cam pencerede yakın kızıl ötesi ve daha uzun dalga
boylarında geometrik hesaplamalar için bu parçacıkların etkisinin tamamen ihmal edilmesi
gerekmektedir. Bunların böyle bir pencereyi geçen ışığın enerji özellikleri dikkate alındığında
hesaba katılmaları gerekir. Parçacıklar pencerenin sıcaklığının artışı ile sonuçlanan ışınım enerjisi
emerler. Geometrik optik teknikleri ilgili dalga boyundan çok daha büyük bileşenler için
kullanışlıdır. Burada algılayıcı tasarımında uygulanabilen optik bileşenler özetlenecektir.
Geometrik optik konusu hakkında detaylı bilgi için bu konuda yazılmış kitaplara başvurulabilir.
5.7.1 PENCERELER
Pencerelerin esas amacı algılayıcı ve dedektörlerin dahili kısımlarını çevreden korumaktır. İyi bir
pencere en az bozulma ile belirli dalga boyundaki ışık ışınlarını geçirebilmelidir. Bu yüzden
pencereler özel uygulamaya bağlı olarak uygun karakteristiklere sahip olmalıdır. Örneğin su altında
çalışan bir optik dedektör penceresinin muhtemel sahip olması gereken özellikler; su basıncına
dayanıklı mekanik direnç, düşük su emiciliği, ilgili dalga boyuna karşılık gelen iletim bandı ve
uygun kırılma indisi olacaktır. Yüksek basınçlara dayanabilecek kullanışlı bir pencere şekil 5.7.1
da görüldüğü gibi küresel tiptir. Optik bozulmaların en aza indirilmesi için küresel pencereye üç
sınırlamanın uygulanması gerekir: bir D açıklığı (en büyük boyutu) pencerenin küresel R1
yarıçapından daha küçük olmalıdır, pencerenin d kalınlığı düzgün ve R1 den çok daha küçük
olmalıdır. Eğer bu şartlar karşılanırsa pencere eş merkezli küresel bir mercek olur.
Şekil 5.7.1 Küresel pencere
Bir pencerenin yüzey yansıtıcılığı tüm performansı için dikkate alınmalıdır. Yansıma kaybının en
aza indirilmesi için pencerenin bir veya iki yüzeyine özel yansıma engelleyici kaplamalar kaplanır.
Bunlar popüler fotografik mercekler ve filtreler, mavimsi ve amber görünüş veren kaplamalardır.
Penceredeki kırılmadan dolayı (şekil 5.6.3) geçen bir ışın L uzaklığı kadar kaymaya uğrar ve küçük
Θ1 açıları için bu aşağıdaki gibi bulunur:
n −1
L=d (5.7.1)
n
Burada, n malzemenin kırılma indisidir.
Uzak kızıl ötesi aralıkta çalışan algılayıcılar görünür ve mor ötesi spektral aralıkta saydam olmayan
ve ilgili dalga boyunda oldukça saydam olan özel pencerelerin kullanımını gerektirir. Böyle
malzemelerin fabrikasyonu için çeşitli malzemeler vardır. Bazı malzemelerin spektral iletimleri
şekil 5.6.2 de görülmektedir. Uzak kızıl ötesi için malzeme seçerken kırılma indisi ciddiyetle
dikkate alınır çünkü bu yansıma katsayısını (5.6.8), emiciliği (5.5.20) ve akabinde iletimi (5.6.12)
belirlemektedir. Şekil 5.7.2 de iki farklı kalınlıkta silion pencerelerin spektral iletimleri
görülmektedir. Penceredeki toplam ışınım (% 100) üç kısma ayrılır: yansıtılan (bütün spektral
aralık üzerinde % 50), emilen (farklı dalga boylarında değişir) ve iletilen (yansıma ve emilme
sonucu kalan).
Şekil 5.7.2 Silikon pencerenin

spektral iletimi. Kaybın çoğu iki
yüzeydeki yansımadan
dolayıdır.
5.7.2 AYNALAR
Ayna, tasarımı yapılan ve kullanımda olan en eski optik elemandır. Işık bir ortamdan diğerine
geçtiğinde bir miktar yansıma olur. Yansımayı geliştirmek için tek veya çok katmanlı yansıtıcı
kaplama bir düz paralel plakanın veya istenilen biçimde bir cismin ya önüne (birinci yüzey) ya da
arkasına (ikinci yüzey) uygulanabilir. Birinci yüzey aynaları en doğru olanlardır. İkinci yüzey
aynasında ışığın dış ortama göre genelde farklı bir kırılma indisinde plakaya girmesi gerekir (şekil
5.7.3). Görünür ve yakın kızıl ötesi aralıkta çalışma için yüzeye uygulanan yansıtıcı kaplamalar
gümüş, krom ve rodyum olabilir. Altın uzak kızıl ötesi spektral aralıkta tercih edilir. Uygun
kaplama seçimi ile yansıtıcılık 0 ile 1 arasında istenilen değerde sağlanabilir (şekil 5.7.4).
Şekil 5.7.3 İkinci yüzey aynası
Şekil 5.7.4 Bazı ayna

kaplamalarının spektral
yansıtıcılıkları
İkinci yüzey aynasında bazı etkilerin dikkate alınması gerekir. Birincisi, plakanın n kırılma
indisinden dolayı yansıtıcı yüzey daha yakın gözükür (şekil 5.7.3). Küçük Θ1 açıları için taşıyıcının
yaklaşık L kalınlığı aşağıdaki basit bir eşitlikten bulunabilir:
d
L≈ (5.7.2)
n
İkinci yüzey aynasının ön yüzü hayalet yansıması meydana getirecek kadar bariz bir ışık miktarını
da yansıtabilir. Örneğin cam plaka görünür ışığın yaklaşık % 4’ünü yansıtır. Daha da ötesi bir
taşıyıcı malzeme ilgili dalga boyunda bariz bir soğurmaya sahip olabilir. Örneğin bir ayna uzak
kızıl ötesi aralıkta çalışıyorsa ya birinci yüzey kaplaması kullanır veya altlığın ZnSe veya diğer
uzun dalga saydam malzemelerden fabrikasyonu yapılmış ikinci yüzey metal kaplaması kullanır. Si
veya Ge gibi malzemeler çok kuvvetli yüzey yansıtıcılığına sahip olup ikinci yüzey aynalarının
fabrikasyonunda kullanışlıdır.
Geniş bant için en iyi aynalar cam, silika (ergimiş) veya metal cisimler üzerine vakum veya
elektrolitik biriktirme ile konulmuş saf metal katmanlara sahiptir. Yansıtıcı tabaka biriktirme
suretiyle konulmadan önce seviyeleme etkisini sağlamak için aynaya bakır, zirkonyum-bakır veya
molibden astarı yapılır.
Yansıtıcı astarlar gerektirmeyen, ikinci yüzey aynası olarak görev yapabilen kullanışlı diğer bir
yansıtıcı toplam dahili yansıma etkisinin olduğu prizmadır. Toplam dahili yansıma açısı kırılma
indisinin bir fonksiyonudur:
Θo = sin −1 (1 / n) (5.7.3)
Toplam dahili yansıtıcılar yansıma katsayısı birime yaklaştığından dolayı görünür ve yakın kızıl
ötesi aralıklarda en verimlidir.
Yansıtıcı bir yüzey ışığın yönünü saptırmak için pratik olarak her biçimde yapılabilir. Optik
sistemlerde eğri aynalar merceklere eşdeğer etkiler meydana getirebilir. Verebilecekleri avantajlar
(1) özellikle daha uzun dalga boyu spektral aralığında yüksek iletim, (2) saçılmadan (kromatik
sapmalar) dolayı kırıcı yüzeyler tarafından maruz kalınan bozulmaların olmaması, (3) çoğu mercek
tiplerine kıyasla düşük fiyatı ve ağırlığıdır. Küresel aynalar ışığın toplanması ve odaklanması
gerektiğinde kullanılır (Latince focus = odak; ateş yeri anlamındadır – evdeki oturma veya toplantı
odası). Bununla beraber küresel aynalar bir aynaya normale yakın çarpan paralel veya paralele
yakın ışık için iyidir. Bu aynalar sapma veya saçılma adındaki görüntü bozukluklarından dolayı
problem oluşturur. Şekil 5.7.5a da C noktasında eğim merkezi bulunan küresel ayna görülmektedir.
Odak uzaklığı ayna yüzeyinden yarıçapın yarısı uzaklıkta bulunmaktadır. Küresel aynalar
astigmatik olup eksen dışı ışınlar odak noktasının dışında odaklanır. Buna rağmen böyle aynalar
kaliteli görüntünün gerekmediği kızıl ötesi dedektörlerde çok kullanışlıdır. Parabolik ayna eksen
dışı ışığın odaklanmasında oldukça kullanışlıdır. Bu şekilde kullanıldığında, şekil 5.7.5b de
görüldüğü gibi gölge oluşturmadan odak bölgesine tam giriş olabilmektedir.
(a) (b)
Şekil 5.7.5 (a) Küresel ve (b) parabolik birinci yüzey aynaları
5.7.3 MERCEKLER
Mercekler algılayıcı ve dedektörlerde ışık ışınlarının yönünün saptırılması ve istenilen bir biçimde
düzenlenmesi için kullanışlıdır. Şekil 5.7.6 da bir yüzeyi küresel ve diğer yüzeyi düz olan bir düz -
dış bükey (konveks) mercek görülmektedir. Mercek her iki tarafında F ve F′ olarak iki odaklı ve bu
odaklar mercekten eşit -f ve f uzaklıklarındadır. G cisminden ışık ışınları merceğe girdiğinde
yönleri Snell kanununa uygun olarak değişir.
Şekil 5.7.6 Düz - dış

bükey merceğin
geometrisi
Merceğin meydana getirdiği imajın büyüklüğünün ve pozisyonunun belirlenmesi için iki özel ışının
çizilmesi uygundur. Bu ışınlardan biri optik eksene paralel olup kavisli kürenin merkezinden geçen
hattır (A ışını). Işın merceği geçtikten sonra F′ odağından geçer. Diğer ışın öncelikle F odağından
geçer ve mercekten çıktıktan sonra optik eksene paralel olarak yayılır (B ışını). Eğim yarıçapı
merceğin kalınlığından çok daha büyük ince bir mercek aşağıdaki eşitlikten hesaplanabilecek bir f
odak uzaklığına sahiptir.
1 ⎛1 1⎞
= ( n − 1)⎜⎜ + ⎟⎟ (5.7.4)
f ⎝ r1 r2 ⎠
Burada, r1 ve r2 mercek eğiminin yarıçaplarıdır. G′ imajı ters dönerek mercekten b uzaklığında yer
alır. Bu uzaklık ince mercek eşitliğinden bulunabilir:
1 1 1
= + (5.7.5)
f a b
t kalınlığı eğimin yarıçapları ile kıyaslanabilecek kalın mercekler için odak uzaklığı aşağıdaki gibi
bulunabilir.
nr1r2
f = (5.7.6)
( n − 1)[n(r1 + r2 ) − t ( n − 1)]
Bazı mercekler daha karmaşık bir sistem oluşturmak için birleştirilebilir. d uzaklığı ile birbirinden
ayrılmış iki mercek için yeni odak uzaklığı aşağıdaki eşitlikten bulunabilir.
f1 f 2
f = (5.7.7)
f1 + f 2 − d
5.7.4 FRESNEL MERCEKLER
Fresnel mercekler adım profilli yüzeyleri olan optik elemanlardır. Bunlar yüksek kaliteli
odaklamanın gerekmediği algılayıcı ve dedektörlerde çok kullanışlı bulunmuştur. Ana uygulamalar
ışık yoğunlaştırıcılar, yükselticiler ve canlı dedektörlerinde odaklayıcı elemanları içerir. Fresnel
merceklerin akrilik (görünür ve yakın kızıl ötesi) veya polietilenden (uzak kızıl ötesi) fabrikasyonu
yapılır. Fresnel merceklerin tarihi 1748 de Kont Buffon’un bir merceğin kalınlığını en aza indirmek
için yekpare bir cam parçasını taşlayarak adımlı, eş merkezli bölgeleri olan bir mercek
tasarlamasıyla başlar. 1822 de Augustin Fresnel pratik olarak küresel sapmayı yok etmek için bir
mercek yapmış ve bu mercekte merkezden uzaklıklarına göre eksenden gerileyen farklı eğimli
halkalar bulunmaktadır.
Bu merceğin kavramı şekil 5.7.7 de düz-dış bükey mercek ile beraber görülmektedir. Mercek çok
sayıda eş merkezli halkalara dilimlenmiştir. Dilimlemeden sonra bütün halkalar (5.7.4) ile
tanımlanan ortak bir odakta etkiyen ışınları kırılarak gönderen mercekler olarak görev yapar. Işın
eğimli yüzeyi çıktığında açıda bir değişim oluşur. Şekil 5.7.7a da görüldüğü gibi x harfi ile
işaretlenen halka kısmı odaklayıcı özelliklere katkıda bulunmaz. Eğer böyle bütün kısımlar ortadan
kaldırılırsa mercek şekil 5.7.7b deki gibi gözükecektir. Şimdi bütün halkalar düz yüzeyleri birbirine
göre aynı doğrultuya gelecek şekilde kaydırılabilir. Sonuçta düze yakın mercek Fresnel mercek
olarak adlandırılır ve orijinal düz-dış bükey mercek ile aynı odaklayıcı özelliklere sahiptir. Fresnel
mercek temelde etkiyen ışık ışınlarını ortak bir odağa yönlendirecek şekilde tasarımlanmış bir dizi
eş merkezli prizmatik kıvrımlardan oluşmaktadır.
halkalar düze yakın
mercek oluşturmak için
Silindirik aynı doğrultuya getirilmiş
halkalar
kaldırılmış
(a) (b)
Şekil 5.7.7 Fresnel mercek kavramı
Fresnel mercekler geleneksel merceklerin üzerinde düşük ağırlık, ince boyut, istenilen biçime
getirilebilme (plastik mercekler) ve en önemlisi ışık akısının düşük kaybı gibi bazı avantajlara
sahiptir. Son özellik malzemedeki soğurmanın çok yüksek olabileceği uzak kızıl ötesi merceklerin
fabrikasyonu için çok önemlidir. Bu neden polimer Fresnel merceklerin uzak kızıl ötesi hareket
dedektörlerinde hemen hemen eşsiz olarak kullanılmasının gerekçesidir.
Fresnel merceklerin halihazırda iki tipi üretilmektedir. Bunlardan biri şekil 5.7.8a da görüldüğü
gibi sabit adımlı mercek ve diğeri şekil 5.7.8b de görüldüğü gibi sabit derinlikli mercektir. Pratikte
her küçük kıvrımın kavisli yüzeyinin sağlanması zordur; bundan dolayı kıvrımın profili düz bir
yüzeye yakınlaştırılır. Bu adımların birbirine yakın pozisyonlandırılmasını gerektirir. Gerçekte
adımların yakın olması merceğin doğruluğunu artırır.
Sabit adımlı merceklerde her kıvrımın ϕ eğim açısı optik eksenden h uzaklığının bir fonksiyonudur.
Sonuç olarak kıvrımların derinliği merkezden uzaklaştıkça artar. Merceğin merkez kısmı eğer çapı
odak uzaklığından 20 kat daha küçükse düz olabilir. Daha kısa odak uzaklıkları için merkez kısmın
küresel profilinin korunması iyi bir pratiktir. Her adımın eğim açısı küçük h değerleri için geçerli
olmak üzere,
hn
ϕ = tan −1 (5.7.8)
f (n − 1)
eşitliğinden belirlenebilir. Burada, f odak uzunluğudur.

(a) (b)
Şekil 5.7.8 (a) Sabit adımlı ve (b) sabit derinlikte Fresnel mercekler
Sabit derinlikteki mercekler için hem ϕ eğim açısı ve hem de r adım uzaklığı merkezden uzaklıkla
değişir. Aşağıdaki eşitlikler mercek hesabı için kullanışlıdır. Bir kıvrımın merkezden uzaklığı ξ
kıvrım sayısı ile bulunabilir (merkez kısmın numarası 0 varsayılarak):
h = 2 f (n − 1)ξd − ξ 2 d 2 (5.7.9)
ve eğim açısı,
h
ϕ = arcsin (5.7.10)
(h − 1) f
dir. Mercekteki toplam kıvrım sayısı Fresnel merceğin maksimum boyutu olan D açıklığı veya
boşluğu ile bulunabilir:
(n − 1) f − f 2 (n − 1) 2 − D 2
Γ= (5.7.11)
d
Fresnel mercek, algılayıcı tasarımında gerekiyorsa hafifçe bükülebilmekle beraber bükme sonucu
odak noktalarının pozisyonları değişir. Eğer mercek kavisinin içindeki kıvrımları ile bükülürse
odak uzaklığı azalır.
Merceğin küresel yüzeyinin küresel bir sapma meydana getirdiği bilinmektedir. Bu yüzden oldukça
yüksek odaklama gerektiren uygulamalar için kıvrım konturlarının belirlendiği sürekli yüzeyin
küresel değil küreselliğinden biraz bozulmuş olması gerekir. Küreselliğinden kaymış sürekli bir
yüzeyin profili z ekseni etrafında eksenel simetrik standart bir koni eşitliği ile tanımlanabilir (şekil
5.7.9).
CY 2
Z= (5.7.12)
1 + 1 − ( K + 1)C 2Y 2
Burada, C yüzeyinin Z ve Y koordinatları doruk eğimi ve K koni sabitidir. Doruk eğimi ve koni
sabiti merceğin istenilen karakteristiklerine bağlı olarak seçilebilir ve her kıvrımın konturları bu
eşitlik ile şekillendirilebilir. C ve K istenilen odak uzaklığı, kırılma indisi ve özel uygulama gibi
bazı faktörlere bağlıdır.
Şekil 5.7.9 Küresel ve küresellikten

kaymış (küresel olmayan) mercek
profillerinin karşılaştırılması
5.7.5 FİBER OPTİKLER VE DALGA KILAVUZLARI
Işık köşeyi dönemediğinden dalga klavuzları kullanılarak karmaşık yollarda kanallanabilir.

Görünür ve yakın kızıl ötesi spektral aralığında çalışmak için kılavuzların cam veya polimer
fiberlerden fabrikasyonu yapılabilir. Orta ve uzak kızıl ötesi aralıklarda dalga iç yüzeyi oldukça
yansıtıcı boş tüplerden yapılır. Girilemeyen veya girilmesi zor alanlardan ışık enerjisinin iletimi
için fiber kablolar kullanılır; bu şekilde ışık kaynağından ısı taşınmaz. Fiberin yüzeyi veya uç
kesitleri parlatılır. En dış kısmına bir kılıf geçirilebilir. Cam sıcak iken fiberler kesit çapının 20-50
katına kadar yarıçaplarda bükülebilirken soğuduktan sonra ancak 200-300 kat yarıçaplarında
bükülebilir. Polimetil methacrylate den fabrikasyonu yapılan plastik fiberler cam fiberlere göre
daha küçük yarıçaplarda bükülebilir. 0,25 mm’lik polimer fiber için tipik bir zayıflama uzunluğun
birim metresi başına 0,5 dB aralığındadır. Işık fiberde şekil 5.7.10b de görüldüğü gibi toplam dahili
yansıma ile yayılarak ilerler. (5.7.3) eşitliğinden, n kırılma indisli ortamdan havaya geçen ışığın
toplam dahili yansıma açısından kaynaklanan sınırlamalara maruz kaldığı görülmektedir. Daha
genel biçiminde ışık n1 kırılma indisine sahip diğer bir ortama (dış kılıf) geçebilir; bu durumda
(5.7.3) eşitliği aşağıdaki gibi olur.
n1
Θo = sin −1 (5.7.13)
n
(a) Adım indis çoklu fiber (b) Girişin maksimum açısının belirlenmesi
Şekil 5.7.10 Fiber optikler
Şekil 5.7.10a da üzerinde kılıfı olan bir fiberin kırılma indisinin profili görülmektedir; kılıf sınırda
toplam dahili yansımayı sağlamak için düşük kırılma indisine sahip olmalıdır. Örneğin silika kılıflı
fiber çekirdek veya iç malzeme 1,5 kırılma indisinde ve kılıf 1,485 kırılma indisli bir
kompozisyonda yapılmıştır. Kılıf fiberi korumak için tipik olarak bir çeşit koruyucu lastik veya
plastik ceket ile çevrelenir. Bu tip fiber adım indis çoklu mod fiber olarak adlandırılır ve kırılma
indisinin profilini açıklamaktadır.
Işık fibere girdiğinde toplam dahili yansıma ile sonuçlanan maksimum giriş açısının belirlenmesi
önemlidir (şekil 5.7.10b). Eğer dahili yansımanın minimum açısı olarak Θo = Θ3 alınırsa bu
durumda Θ2 Snell kanunundan bulunabilir:
−1 n 2 − n12
Θ 2 (max) = sin (5.7.14)
n
Snell kanunu tekrar uygulanarak ve hava için n≈1 durumu hatırlanarak aşağıdaki sonuca gelinir.
sin Θ giriş (max) = n1 sin Θ 2(max) (5.7.15)
(5.7.14) ve (5.7.15) eşitlikleri birleştirilerek -çekirdekte toplam dahili yansımayı oluşturacak- fiber
ucuna normal en büyük açı elde edilir.
Θ giriş (max) = sin −1 n 2 − n12 (5.7.16)
Θ giriş (max) açısından büyük açılarda fibere giren ışık ceketi geçecek ve kaybolacaktır. Veri
iletiminde bu istenilmeyen bir olaydır. Özel tasarımlanmış fiber optik algılayıcılarda maksimum
giriş açısı ışık şiddetinin modülasyonu için kullanışlı bir fenomen olabilir.
Bazen Θ giriş (max) fiberin sayısal giriş açıklığı veya boşluğu olarak adlandırılır. Fiberin özelliklerinin
değişmesi, bükülmesi ve çarpıklıktan dolayı ışık şiddeti aniden düşmez fakat Θ giriş (max) sıfıra
yaklaşırken kademeli azalarak kaybolur. Pratikte sayısal giriş açıklığı, örneğin maksimum değerden
–10 dB gibi keyfi bir değer kadar ışık şiddetinin azaldığı açı olarak tanımlanır.
Fiber optik algılayıcıların kullanışlı özelliklerinden biri istenilen uygulamaya bağlı olarak çeşitli
geometrik şekillerde biçimlendirilebilmesidir. Bunlar basınç, sıcaklık, kimyasal yoğunluk, vb. gibi
uyarıcılara tepki verebilen minyatür optik algılayıcıların tasarımında çok kullanışlıdır. Algılamada
fiber optik algılayıcıların kullanımının arkasındaki temel fikir fiber içindeki ışığın bir veya birkaç
karakteristiğinin modüle edilmesi ve akabinde bilginin bilinen metotlarla optik olarak demodüle
edilmesidir.
Fiber kimyasal algılayıcı yapmak için bir miyar maddenin (reagent) özel bir katı fazı fibere kuplajlı
optik bir yol ile biçimlendirilir. Miyar, örneğin kırılma indisi veya soğurma katsayısının
modülasyonu için optik olarak dedekte edilebilecek etkiyi üretmek için analit (araştırılan madde)
ile etkileşime girer. Fiberdeki kılıf bazı akışkanların varlığında kırılma indisi değişebilen kimyasal
bir maddeden yapılabilir. Toplam dahili yansıma açısı değiştiğinde ışık şiddeti de değişir.
Optik fiberler iki modda kullanılabilir. Birinci modda (şekil 5.7.11a) aynı fiber uyartım sinyalinin
iletimi, toplanması ve işleme aygıtına optik tepkinin iletimi için kullanılır. İkinci modda uyartım
(aydınlatma) fonksiyonu ve toplama fonksiyonlarının ayrı fiberler ile icra edildiği iki veya daha
fazla fiber kullanılır (şekil 5.7.11b).
(a) (b)
Şekil 5.7.11 (a) Tek ve (b) çift fiberli optik algılayıcılar
Fiber optik algılayıcıların en yaygın kullanılan tipi ışık şiddetinin harici uyarıcı ile modüle edildiği
ışık şiddeti algılayıcısıdır. Şekil 5.7.12 de yansıtıcı yüzeye doğru ışık yayan tek fiberli dalga
kılavuzu olan bir yer değişim algılayıcısı görülmektedir. Işık fiber boyunca yol alır ve yansıtıcıya
doğru konik bir profilde dışarı çıkar. Eğer yansıtıcı fiberin ucuna yakınsa (d uzaklığı) ışığın çoğu
fibere geri yansır ve fiberin diğer ucundaki ışık dedektörüne geri yayılır. Yansıtıcı uzaklaşırsa
ışığın bir kısmı fiber ucunun dışına yansır ve daha az foton geri döner. Yayılan ışığın konik
profilinden dolayı d uzaklığı ve geri dönen ışık şiddeti arasında kısmi doğrusal ilişki sınırlı bir
aralıkta sağlanabilir.
Şekil 5.7.12 Fiber-optik yer değişim algılayıcısı
Mikro bükülmeli strengeyç şekil 5.7.13a da görüldüğü gibi iki deforme edici arasında bir fiber
optik ile tasarımlanabilir. Üst deforme ediciye uygulanan harici kuvvet fiberi bükerek dahili
yansıtıcı yüzeyin pozisyonunu etkiler. Bundan dolayı normalde x yönünde yansıyan bir ışık ışını Θo
toplam dahili yansıma açısından daha az bir açı ile fiberin daha alt kısmına yaklaşır. Böylece ışık
yansıtılma yerine kırılır ve fiber duvarından y yönünde hareket eder. Deforme edicilerin birbirine
gittikçe yaklaşmasıyla daha fazla ışık boşa gider ve daha az ışık fiber boyunca iletilir.
(a) Fiber-optik mikro bükülmeli strengeyç (b) uzak kızıl ötesi ışınım için dalga klavuzu
Şekil 5.7.13
Silikon lastikten (SR) fabrikasyonu yapılmış optik fiberlerin yeni ilginç bir sınıfı farklı
algılayıcıların tasarımında kullanılabilir. Oak Ridge Ulusal Laboratuvarındaki (Oak Ridge, Tenn.)
deneysel çalışmalar silikon lastikten yapılmış fiberlerin ağırlık, basınç, nem, kuvvet, gerinim, yer
değişimi ve diğer değişkenlerin algılanılmasında kullanılabileceğini göstermiştir. Silikon lastik
fiber ışık şiddetini hemen hemen orantılı modüle ederek orijinal uzunluğunun % 100’ü kadar
uzatılabilir. Yani uzunluğun ikiye katlanmasıyla fiber çıkışındaki ışık şiddeti yaklaşık % 50’ye
kadar düşer. Böyle yoğun deformasyonlara maruz kalmasının akabinde fiberler kalıcı bozulma
işareti göstermemişler ve orijinal boyut ve biçimlerine geri dönmüşlerdir. Deneysel silikon lastik
fiberin 2 mm çapında fabrikasyonu yapılmış olup geleneksel cam veya polimer fiberlerden oldukça
kalındır. Daha geniş kesit alanı daha yüksek ışık iletim verimi ile sonuçlanmakla beraber
geleneksel fiberlerdekinden oldukça düşüktür. Silikon lastik 550-700, 750-820 ve 940-970 mm
dalga boylarında hayli saydamdır. Oldukça dar bu bantların dışında malzeme çok yoğun soğurmada
bulunur. Işık iletimindeki değişim 0 ile 100 °C sıcaklık aralığında % 5’e yakındır. Eğer fiber su
geçirmez bir ceket ile kaplanmamış ise ışık iletimi neme bağımlıdır.
Algılamada silikon lastik fiberler kullanılmasının avantajı uygulanan basınç ve uzamaya tepki
olarak ışık iletimini modüle etme özelliğindedir. Bir nem algılayıcısı olarak kılıfsız fiber iletim
katsayısını değiştirmek için su moleküllerine maruz bırakılır. Bu kitabın yazılma aşamasında
bilindiği kadarıyla silikon lastik fiber sadece % 70 RH üzerinde güçlü neme duyarlılık göstermiştir.
Fiberlerde kayıpların çok büyük olduğu spektral aralık çalışmasında ışığın kanallanması için
genelde boş tüpler kullanılır (şekil 5.7.13b). Tüp’ün içi iyice parlatılmış ve yansıtıcı metaller ile
kaplanmıştır. Örneğin ısıl ışınımı kanallamak için tüp’ün pirinçten fabrikasyonu yapılabilir ve iç
kısmı iki katman ile kaplanabilir: yüzeyi seviyelemek için alt katman olarak nikel ve 500-1000 Å
aralığı kalınlığa sahip optik kalitede altın. Boş dalga kılavuzları çaplarının 20 katı veya daha fazla
yarıçaplarda bükülebilir. Fiber optikler toplam dahili yansıma etkisini kullanırken tüp tipi dalga
kılavuzları birinci yüzey ayna yansıma etkisini kullanır ve bu daima % 100 den daha azdır. Sonuç
olarak boş dalga kılavuzlarındaki kayıp yansıma sayısının bir fonksiyonudur. Yani küçük çaplarda
ve boyu uzun tüpte kayıp daha yüksektir. 20 den fazla olan uzunluk/çap oranlarında boş dalga
kılavuzları oldukça verimsiz olmaktadır.
5.7.6 YOĞUNLAŞTIRICILAR
Optik algılayıcılar ve uygulamaları hakkında algılayıcının yüzeyine çarpan foton akısının artan
yoğunluğu ile ilgili önemli bir problem vardır. Çoğu durumlarda sadece enerji faktörleri önemli ve
odaklama veya imajlama gerekmemektedir; özel optik aygıtlar oldukça etkin olarak kullanılabilir.
Bunlar imajlamayan ışık toplayıcılar veya yoğunlaştırıcılardır. Bunlar dalga kılavuzlarının ve
imajlayan optiklerin (mercek ve eğri aynalar) bazı özelliklerine sahiptir. Bir yoğunlaştırıcının en
önemli karakteristiği giriş delik alanının çıkış delik alanına oranıdır. C yoğunlaştırma oranı daima
birimden fazladır. Yani yoğunlaştırıcı daha geniş alandan ışığı toplayarak algılayıcı elemanın
bulunduğu daha küçük bir alana ışığı yöneltir (şekil 5.7.14a). C’nin maksimum teorik değeri,
1
Cmax = (5.7.17)
sin 2 Θi
dir. Burada Θi maksimum giriş yarı açısıdır. Bu şartlar altında ışık ışınları çıkış yüzünde π/2’ye
kadar bütün açılarda ortaya çıkar. Bu, çıkış delik çapının sinΘi katı kadar giriş deliğinden daha
küçük olduğu anlamına gelmektedir. Bu eşit değere yakın verim sürdürülürken doğrusal boyutların
bu sayı ile düşürülebileceğinden dolayı algılayıcı tasarımında bir avantaj sağlamaktadır. Θ açısıyla
giren ışık ışınları bir çıkış konisi olarak ortaya çıkacaktır.
(a) Genel şematik (b) Parabolik profile sahip bir yoğunlaştırıcı

Şekil 5.7.14 İmajlamayan yoğunlaştırıcı
Yoğunlaştırıcıların fabrikasyonu yansıtıcı yüzeyler (aynalar) veya kırınımlı elemanlar (mercekler)

veya her ikisinin kombinasyonundan yapılabilir. Yansıtıcı parabolik yoğunlaştırıcının pratik bir
biçimi şekil 5.7.14b de görülmektedir. Yatık parabolik yoğunlaştırıcıların verimi çok yüksektir –
gelen ışınımın % 90’ının üzerinde ışığı toplayabilir. Bu durumda yoğunlaştırıcının iç yüzeyinin
yansıtıcılığı ideal varsayılmıştır. Eğer daha az verim kabul edilebilir ise konik yoğunlaştırıcı
kullanılabilir. Gelen ışınların bir kısmı koni içinde birkaç yansımadan sonra geri dönecektir
bununla beraber bütün verimi hala % 80 civarındadır. Açıkça konilerin fabrikasyonu parabolik
tiplere göre çok daha kolaydır.
5.7.7 ELEKTRO-OPTİK VE AKUSTO-OPTİK MODÜLATÖRLER
Optik algılayıcılarda uyarıcının dönüşümünün temel adımlarından biri ışığı bir yolla modifiye etme
kabiliyetleridir; örneğin kontrol sinyali ile ışık şiddetinin değiştirilmesi. Bu ışık modülasyonu
olarak adlandırılır. Kontrol sinyali farklı orijinlere sahip olabilir: sıcaklık, farklı kırılma
indislerinde kimyasal bileşenler, elektrik alanı, mekanik stres, vb. Burada elektrik sinyalleri ve
akustik dalgalar ile ışık modülasyonu incelenecektir.
Bazı kristallerde kırılma indisi ile uygulanan elektrik alanı bağlantılanabilir. Etki bir kristalden
geçen ışık ışınının yayılımının genel durumu ile karakterize edilebilir. Keyfi bir yayılma yönü için
ışık kristalin izin verdiği polarizasyon yönlerinde kristal boyunca sabit doğrusal polarizasyonunu
sürdürür. Kristale uygulanan harici elektrik alanı simetriliğini değiştirerek ışık şiddetini modüle
eder. Lityum niobate (LiNbO3) elektro optik elemanlar için en yaygın kullanılan malzemelerden
biridir. Bir kristal birbirine 90° ile yönlendirilmiş iki polarizasyon filtresi arasında
pozisyonlandırılmıştır (şekil 5.7.15). Giriş polarizeri modülasyon kristalinin eksenine 45° de
yönlendirilmiştir. Kristal modülatör yüzeyine konulmuş iki elektroda sahiptir. Modülatör gerilimi
değiştirilerek çıkış polarizerine etkiyen ışığın polarizasyonu değişir ve akabinde ışık şiddetinin
modülasyonuna öncülük eder.
Benzer etki kristal, özellikle akustik dalga gibi mekanik etkilere maruz kaldığında gözlenebilir.
Bununla beraber akusto optik elemanlar fiber optik uygulamalarda optik frekans kaydırıcılar ve
daha az yaygın olarak ışık şiddeti modülatörleri olarak en sık kullanıma sahiptir. Modülatörde
kristalden geçerek yayılan ışık ışını akustik dalganın ürettiği giden dalganın indis bozulması ile
etkileşime girer. Bu bozulma sonucu foto elastik etki meydana gelir ve bunun sayesinde mekanik
gerinim kırılma indisinde doğrusal değişim meydana getirir. Bu, giden dalganın kırınım ağına
(diffraction grating) benzer ki bazı şartlar altında optik ışını etkili olarak saptırır (şekil 5.7.16).
Akusto optik aygıtların fabrikasyonu sıklıkla lityum niobate ve quartz dan yapılır. Akustik dalgalar
bu kristallerden 10 MHz den birkaç GHz’ye kadar frekans aralığı üzerinde etkili bir şekilde
yayılabilmektedir. Lityum niobate de akustik hız yaklaşık 6·103 m/s dir; bundan dolayı 1 GHz’lik
akustik dalga 6 μm’lik dalga boyunda olup kızıl ötesi spektral aralıktaki dalga boyu ile
kıyaslanabilir.
Şekil 5.7.15 İki polarize

filtre ve bir kristalden
oluşan elektro-optik
modülatör
Şekil 5.7.16 Akusto-

optik modülatör çoklu
kırılmış ışınlar üretir
5.7.8 İNTERFEROMETRİK FİBER-OPTİK MODÜLASYON
Optik fiberde kullanışlı çıkış sinyali üretmek için ışık şiddeti modüle edilebilir. Şekil 5.7.17 de iki
kanala ayrılmış optik dalga kılavuzu görülmektedir. Dalga kılavuzları kırılma indisini artırmak için
Ti ile dopinglenmiş LiNbO3 gövde üzerinde biçimlendirilmiştir. Bunların fabrikasyonu standart
litografik kaldırma tekniği ile yapılır. Gövde üzerine foto-maske ile patern yapılır. Bir Ti katmanı
malzeme üzerine elektron ışını ile buharlaştırılır daha sonra foto direnç bir solvent ile yok edilerek
dalga kılavuzu paterninde Ti bırakılır. Ti atomları daha sonra fırınlama ile gövdeye difüzyonlanır.
Bu işlem yekpare değerin % 0,1 den daha yüksek yüzeyde maksimum fark ile kademeli indis
profili ile sonuçlanır. Işık, dalga kılavuzlarına parlatılmış uç yüzeylerinden kuplajlanır. Elektrotlar
dalga kılavuzlarına paralel pozisyonlandırılır ki bunlar çıkışta yeniden birleşir. Elektrot uçlarındaki
gerilim ışık dalgalarında bariz bir faz kayması meydana getirir.
Donanımın optik iletimi, V(t) ile kontrol edilen birleştirilmiş iki sinyal arasındaki Δφ faz kayması
ile sinüsoidal olarak değişir:
Pçıkış 1 ⎧⎪ ⎡ πV (t ) ⎤ ⎪⎫
= ⎨1 + cos ⎢ + ΘB ⎥⎬ (5.7.18
Pgiriş 2 ⎪⎩ ⎣ Vπ ⎦ ⎪⎭
Burada Vπ tam iletim-kesim modülasyonu için gereken gerilim değişimi ve ΘB optimum çalışma
noktası için ayarlanabilen sabittir. Yeniden birleşmeden önce iki dalga kılavuzunda ışık arasındaki
faz farkı Δφ= 0 iken çıkış, çıkış dalga kılavuzu ile kuplajlanır. Kayma Δφ=π iken ışık cisim içine
yayılır. İyi tasarımlanmış modülatörler 30 dB seviyesinde yüksek ışık tükenme oranı sağlayabilir.
(a) (b) (c)

Şekil 5.7.17 (a) Kanal dalga kılavuzu interferometrik şiddet modülatörü, (b) faz kayması sıfır iken
ışık çıkışta yeniden birleşir; (c) Faz kayması π iken ışık cismin içine yayılır
5.8 ALGILAYICI MALZEME OLARAK SİLİKON
Silikon güneş ve yıldızlarda mevcut ve aerolit’ler olarak bilinen meteorlar sınıfının ana bileşenidir.
Silikon oksijenden sonra yer yüzünün en bol ikinci malzemesidir – ağırlık yer yüzü kabuğunun %
27,5’ini oluşturur. Silikon doğada serbest olarak bulunmaz fakat esas olarak silikon oksit ve silikat
olarak gözükür. Bazı oksitleri kum, quartz, taş kristal, ametist, kil, mika, vb. dir. Silikon, karbon
elektrotlar kullanılarak elektrik fırınında silika ve karbon’un ısıtılması ile hazırlanır. Silikon
elementini hazırlamanın diğer metotları da vardır. Kristal silikon metalik parlaklıkta ve griyi
andıran renktedir. Silikon dimetil silikon klorid gibi hidrolize silikon organik klorid ile yapılan
silicone ile karıştırılmamalıdır. Silikone’ler yalıtıcı, yağlayıcı madde ve silikone lastik üretiminde
kullanılır. Czochralski işlemi katı hal yarı-iletkenler ve mikro makina tekniği ile algılayıcı
imalatında kullanılan tek kristal silikon üretiminde yaygın olarak kullanılır. Silikon oldukça asal bir
element’tir fakat halojenler ve seyreltik alkali tarafından zarar görür. Hidrofluorik dışında çoğu
asitler silikonu etkilemez. Element halindeki silikon kızıl ötesi ışınımı iletir ve uzak kızıl ötesi
algılayıcıların penceresinde yaygın olarak kullanılır. Silikon’un atomik ağırlığı 28,055 ±3 ve atom
numarası 14’tür. Erime noktası 1410 °C ve kaynama noktası 2355 °C dir. 25 °C de öz çekimi 2,33
ve valensi 4’tür. Silikonun özellikleri üzerinde iyi çalışılmış ve algılayıcı tasarımlarına
uygulanması dünyada çok geniş olarak araştırılmıştır. Pahalı değildir ve şimdi saflık ve
mükemmelliğin paralel olmayan standartlarında kontrollu bir şekilde üretilebilir ve işlenebilir.
Silikon algılayıcı uygulamaları için oldukça kullanışlı bazı fiziksel etkileri barındırır. Silikon
tabanlı algılayıcılar aşağıdaki uyarıcılara tepki vermektedir:
Uyarıcı Etkiler
Işınım Foto-voltaik etki, foto-elektrik etki, foto-iletkenlik, foto-manyeto-elektrik etki
Mekanik Piezo-rezistivite, yanal foto-elektrik etki, yanal foto-voltaik etki
Isıl Seebeck etkisi, iletkenlik ve jonksiyonun sıcaklık bağımlılığı, Nernst etkisi
Manyetik Hall etkisi, manyeto-rezistans, Suhl etkisi
Kimyasal İyon duyarlılığı
Maalesef silikon piezo-elektrik etki özelliği taşımamaktadır. Hall etkisi, Seebeck etkisi, piezo-
rezistans gibi çoğu etkileri büyük olmakla beraber silikonla ilgili ana problem çoğu uyarıcılara
tepki vermesinin yanında bariz sıcaklık duyarlılığı göstermesidir. Örneğin gerinim, ışık ve
manyetik alan tepkileri sıcaklığa bağımlıdır. Silikon uygun bir etki göstermediğinde silikon
gövdenin üzerinde istenilen duyarlılıkta malzemelerin biriktirme suretiyle konulması mümkündür.
Örneğin ZnO püskürtülerek konulmuş ince filmler piezo-elektrik dönüştürücülerin yapılmasında
kullanılmakta SAW (yüzey akustik dalgaları) ve ivme ölçer fabrikasyonunda kullanışlıdır. İvme
ölçerin kazınmış mikromekanik kantileverinde destekleyici uçtaki gerinim bir ZnO tabakası ile
dedekte edilir.
Silikonun kendisi çok kullanışlı mekanik özellikler sergilemekte olup bugünlerde basınç
dönüştürücüleri, sıcaklık algılayıcıları, mikro makina tekniği kullanılarak yapılmış dokunma
dedektörleri gibi aygıtların fabrikasyonunda yaygın olarak kullanılır. İnce film ve fotolitografik
fabrikasyon işlemleri, elektronik devreler için geliştirilmiş aynı işlemleri kullanan oldukça küçük,
yüksek hassasiyette, çok çeşitte mekanik yapıların uygulanması mümkündür. Çeşitli seri imalat
fabrikasyon teknikleri diğer metotlar ile mümkün olamayan karmaşık, minyatür mekanik
bileşenlerin üretiminde kullanılabilir. Tablo 5.13 de silikon ve diğer popüler kristal malzemelerin
karşılaştırmalı mekanik karakteristikleri görülmektedir.
Tablo 5.13 Bazı kristal malzemelerin mekanik özellikleri

Kuvvet Knoop Young Yoğunluk Isıl Isıl
Malzeme 1010 dyne/cm2 Sertlik Modülü g/cm3 iletkenlik genleşme
(* tek kristal) kg/mm2 12
10 dyne/cm 2
W/cm°C 10-6/°C
Elmas * 53 7000 10,35 3,5 20,0 1,0
SiC * 21 2480 7,0 3,2 3,5 3,3
TiC * 20 2470 4,97 4,9 3,3 6,4
Al2O3 * 15,4 2100 5,3 4,0 0,5 5,4
Si3N4 14 3486 3,85 3,1 0,19 0,8
Demir * 12,6 400 1,96 7,8 0,803 12,0
SiO2 (fiber) 8,4 820 0,73 2,5 0,014 0,55
Si * 7,0 850 1,9 2,3 1,57 2,33
Çelik (maks.) 4,2 1500 2,1 7,9 0,97 12,0
W 4,0 485 4,1 19,3 1,78 4,5
Paslanmaz çelik 2,1 660 2,0 7,9 0,329 17,3
Mo 2,1 275 3,43 10,3 1,38 5,0
Al 0,17 130 0,70 2,7 2,36 25,0
Tek kristal silikon (SCS) plastiksel deformasyona uğrayan çoğu metallere göre, kırıldığında geri
dönüşümü olmayan çoğu oksit tabanlı camların tersine, kırılgan bir malzeme olmakla beraber
bilindiği kadar kırılgan değildir. Silikonun Young modülü 1,9·1012 dyne/cm veya 27·106 psi dir; bu
değer paslanmaz çeliğinkine yaklaşmakta ve quartz ve çoğu camların değerinin üzerindedir.
Silikonun aşırı derecede kırılgan olduğunun yanlış anlaşılması 5-13 cm çapında elde edilen silikon
yaprakcıkların dilim kalınlıklarının 250-500 μm olması gerçeğine dayanmaktadır. Bu boyutlarda
paslanmaz çeliğin bile elastik deformasyonu çok daha kolaydır.
Yukarıda bahsedildiği gibi SCS’nin yapısal ve mekanik dezavantajlarının çoğu ince film biriktirme
suretiyle azaltılabilir. Örneğin püskürtülmiş quartz, havada bulunan yabancı maddeler ve
atmosferik korozyon etkilerine karşı entegre devrelerin pasifleştirilmesinde, endüstride rutin olarak
kullanılır. Diğer bir örnek silikon nitrat biriktirme olup sertliği (3486) elmastan (7000) sonra
gelmektedir. Anisotropik kazıma minyatür üç boyutlu silikon yapıların mikro makina teknolojisi
için anahtar teknolojidir. Pratikte önemli ilgiye sahip iki kazıma sistemi vardır. Bunlardan biri
etilendiamin ve bazı katkı maddeleri ile suya dayanır. Diğeri tamamen KOH, NaOH veya LiOH
gibi inorganik alkali çözeltilerden oluşmaktadır.
Polisilikon (PS) adındaki malzemelerin biçimlendirilmesi eşsiz karakteristikli algılayıcıların

geliştirilmesine izin verir. Polisilikon katmanlar (0,5 μm seviyesinde) yaklaşık 0,1 μm oksit
kalınlığı ile oksitli silikon yaprakcık üzerine vakum biriktirme ile biçimlendirilebilir. Polisilikon
gövdeler yarı-iletken endüstrisinde LPCVD (düşük basınçlı kimyasal buhar biriktirme) olarak
bilinen bir teknikle bor ile dopinglenir. Yüzeyin mikro makina tekniği ile işlenmesinin basit bir
işlemi şekil 5.8.1 de görülmektedir. Silikon gövde veya yapı üzerine belli bir yapı biçimlendirilmek
istenildiğinde önce bir yalıtım katmanı ile kaplanır. Yalıtkan tabaka ve mikro makina yapı arasında
pencereler açılarak mikro makina yapının serbestçe durması sağlanır.
(a) (b)
Şekil 5.8.1 Mikromakina tekniği ile işlenmiş yapı örneği
Şekil 5.8.2a da SCS’ye kıyasla bor dopingli LPCVD polisilikon’un öz direnci görülmektedir. PS
katmanlarının öz direnci bor konsantrasyonu çok yüksek olduğunda bile daima tek kristal
malzemeden daha büyüktür. Düşük doping konsantrasyonlarında öz direnç aniden yükselir;
böylece algılayıcı fabrikasyonu için sadece katkı konsantrasyon aralığı ilgili olmaktadır. PS’nin
sıcaklık ile direnç değişimi doğrusal değildir. Direncin sıcaklık değişimi seçilen dopingden geçecek
şekilde hem negatif ve hem de pozitif çok geniş bir aralıkta seçilebilir (şekil 5.8.2b). Genelde
direncin sıcaklık değişimi doping konsantrasyonunun azalması ile artar. PS’nin bir sıcaklıktaki
direnci aşağıdaki gibi ifade edilebilir
R (T ) = R20 eα R (T −To ) (5.8.1)
1 dR (To )
Burada, α R = sıcaklık katsayısı ve R20 kalibrasyon noktasındaki dirençtir (To = 20 °C).
R20 dT
Şekil 5.8.3a PS’nin sıcaklık duyarlılığını göstermekte olup SCS den barizce büyük ve doping ile
kontrol edilebilmeketdir. Belirli bir doping konsantrasyonunda direnç sıcaklık değişimlerine
duyarsızdır (Z noktası).
Basınç, kuvvet veya ivme algılayıcılarının geliştirilmesinde PS dirençlerin, geyç faktörü ile ifade
edilen gerinim duyarlılığının bilinmesi kritiktir. Şekil 5.8.3b de bor dopingli PS dirençlerin boyuna
ε1 geriniminin bir fonksiyonu olarak stres’in olmadığı şartlar altındaki Ro direnç değerine
referanslandırılmış bağıl direnç değişimlerinin eğrileri görülmektedir. Parametre malzeme içindeki
doz’la değişir. Direncin sıkışma ile azaldığı ve gerilme ile arttığı görülebilir. Geyç faktörünün
(şekil 5.8.3b de çizginin eğimi) sıcaklığa bağımlı olduğuna dikkat edilmelidir. Yüzey etkileri
aygıtın karakteristiklerinde sadece ikincil rol oynadığından PS dirençler en azından SCS
dirençlerinden beklenebilen yüksek uzun dönem kararlılığını gerçekleştirme özelliğine sahiptirler.
(b) farklı katkı konsantrasyonları için silikonun

(a) Bor katkılı silikonun öz direnci
öz direncinin sıcaklık katsayısı
Şekil 5.8.2
(a) Katkının bir fonksiyonu olarak sıcaklık katsayısı (b) silikonun piezo-rezistif duyarlılığı
Şekil 5.8.3
5.9 ALGILAYICI ELEMANLARIN DİNAMİK MODELLERİ
Bir algılayıcının dinamik tepkisinin belirlenmesi için girişine değişken uyarıcı uygulanırken çıkış
değerleri gözlenir. Genelde pratik ihtiyaca bağlı olarak herhangi bir biçimde olabilen bir test
uyarıcısı seçilmelidir. Örneğin bir ivme ölçerin doğal frekansı belirlenirken farklı frekanslardaki
sinüsoidal frekanslar en iyidir. Diğer taraftan bir termistör probu için sıcaklığın bir adım
fonksiyonu tercih edilir. Çoğu durumlarda bir adım veya kare darbe uyarıcı sıklıkla kullanılır.
Bunun nedeni adım fonksiyonunun teorik olarak sonsuz frekansta olmasıdır. Yani algılayıcı bütün
frekanslarda eş zamanlı olarak test edilebilmektedir.
Matematiksel olarak algılayıcının derecesi algılayıcının fiziksel yapısı ve tasarımına bağlı olan bir
diferansiyel eşitlik ile tanımlanabilir. s girişi ve S çıkışı arasında üç genel ilişki tipi vardır: sıfır
derece, birinci derece ve ikinci derece tepkiler.
Sıfır derece statik veya zamandan bağımsız karakteristiktir:
S (t ) = Gs (t ) (5.9.1)
Burada G transfer fonksiyon sabitidir. Bu ilişki, örneğin S = a + bs , S = a + b ln s , S = ae ks ,

S = ao + a1s k gibi biçimleri alabilir. Önemli nokta G’nin zamanın bir fonksiyonu olmamasıdır.
Yani bir adım fonksiyonuna sıfır dereceli tepki bir adım fonksiyonudur.
Birinci derece tepki birinci derece diferansiyel eşitlik ile karakterize edilebilir:
dS (t )
a1 + ao S (t ) = s (t ) (5.9.2)
dt
Burada, a1 ve ao sabitlerdir. Bu eşitlik, -üzerindeki enerjisini etrafa yaymadan önce- enerji

depolayabilen bir algılayıcıyı karakterize eder. Böyle algılayıcıya bir örnek sıcaklık algılayıcısıdır.
Algılayıcının ısıl kapasitesi bulunmakta ve bir ısıl direnç ile çevreye kuplajlanmıştır. Bir adım
fonksiyonuna birinci derece tepki üsteldir:
S (t ) = So (1 − e −t / τ ) (5.9.3)
Burada, So algılayıcının statik tepkisi ve τ ataletin bir ölçüsü olan zaman sabitidir. Tipik bir birinci
derece tepki şekil 3.9b de görülmektedir.
İkinci derece tepki ikinci derece diferansiyel eşitlik ile karakterize edilir.
d 2 S (t ) dS (t )
a2 2
+ a1 + ao S (t ) = s (t ) (5.9.4)
dt dt
Bu tepki, örneğin indüktör veya kapasitör veya sıcaklık algılayıcısı ve kapasitör gibi enerjiyi
depolayabilen iki eleman içeren algılayıcı veya sistem için belirlenmiştir. İkinci derece tepki
osilasyonlu bileşenler içerebilir ve sistemin kararlılığına öncülük edebilir. İkinci derece tepkinin
dinamik hatası doğal frekans, ωo ve sönüm katsayısı, b gibi bazı faktörlere bağlıdır. Bu değerler ve
(5.9.4) eşitliğinin bağımsız katsayıları arasındaki bir ilişki aşağıdaki gibidir:
ao
ω0 = (5.9.5)
a2
a1
b= (5.9.6)
2 a0 a2
Kritik sönümlü bir tepki (şekil 3.10) b = 1 ile karakterize edilir. Üst sönüm tepkisinde b > 1 ve alt
sönümde ise b < 1 dir.
Bir algılayıcının matematiksel modeli performansının değerlendirilmesinde güçlü bir alettir.

Modelleme statik ve dinamik gibi iki konuya hitap eder. Statik modeller ekseriyetle algılayıcının
transfer fonksiyonu ile ilgilenir. Burada algılayıcının dinamik olarak nasıl değerlendirileceğinin
anahatlarına kısaca değinilmektedir. Dinamik modeller bazı bağımsız değişkenlere sahip
olabilmekle beraber bunlardan biri zaman olmalıdır. Sonuç model kabullenilmiş parametre modeli
olarak söylenir. Bu kısımdaki matematiksel modeller bazı kabullenilmiş basit parametreli algılayıcı
elemanlarına uygulanan fiziksel kurallar ile biçimlenir. Diğer ifadeyle bir algılayıcı analiz için her
elemanının ayrı olarak dikkate alındığı basit elemanlarına ayrılır. Bununla beraber elemanları
tanımlayan eşitlikler formül haline getirilirken ayrı elemanlar orijinal algılayıcının matematiksel
modelini oluşturmak için birleştirilebilir. Buradaki düşünce ayrıntıların detaylı verilmesi yerine
sadece konunun tanıtılması amacını taşımaktadır. Dinamik tepkiler hakkında kapsamlı bilgi için
ilgili kaynaklara başvurulabilir.
5.9.1 MEKANİK ELEMANLAR
Dinamik mekanik elemanlar kütle ve ataletlerden yapılmış olup yaylar ve sönümlendiriciler

(damper) eklenmiştir. Sıklıkla, sönüm vizkos özelliktedir ve tutucu kuvvetin doğrusal çizgi
üzerindeki hareketi durumunda ise hızla orantılıdır. Benzer şekilde dönel hareket için tutucu kuvvet
açısal hızla orantılıdır. Aynı zamanda bir yay veya şaft tarafından sarfedilen kuvvet veya tork
ekseriyetle yer değişimi ile orantılıdır. Farklı elemanlar ve bunların eşitlikleri tablo 5.14 de
özetlenmiştir.
Hareket eşitliklerini oluşturmanın en basit metotlarından biri her kütle veya ataleti yalıtmak ve
serbest cisim olarak dikkate almaktır. Daha sonra her serbest cisim denge pozisyonundan ayrılır ve
cisme etkiyen kuvvet veya torklar cismi denge pozisyonuna tekrar geri getirir. Newton’un ikinci
kanunu istenilen hareket eşitliğinin elde edilmesi için her cisme uygulanabilir.
Doğrusal bir çizgide hareket eden sistem için Newton’un ikinci kanunu birimlerin birbirini tutan
sistemi için kuvvetlerin kütle ile ivme çarpımına eşit olduğunu göstermektedir. SI birim sisteminde
kuvvet newton (N), kütle kilogram (kg) ve ivme birim saniye kare başına metre (m/s2) olarak
ölçülür.
Hareketi elektrik sinyaline dönüştürülebilen bir atalet elemanından oluşan tek eksenli ivme ölçeri
dikkate alalım. Dönüşüm mekanizması piezo-elektrik olabilir. Şekil 5.9.1a da böyle bir ivme
ölçerin genel mekanik yapısı görülmektedir. M kütlesi k sıkılığında (stiffness) bir yay ile
desteklenmiş ve kütlenin hareketi b katsayısında bir sönüm elemanı ile sönümlendirilmektedir.
Kütle ivme ölçer kutusuna göre sadece yatay yönde yer değiştirebilmektedir. Çalışma süresince
ivme ölçerin kutusu d 2 y / dt 2 ivmesine maruz kalır ve çıkış sinyali M kütlesinin xo sapması ile
orantılıdır.
İvme ölçerin M kütlesi doğrusal hareketle sınırlandırıldığı için sistem bir serbestlik derecesine
sahiptir. M kütlesine denge pozisyonundan x yer değişimi verilmesi, şekil 5.9.1b de görüldüğü gibi
bir serbest cisim diyagramı meydana getirir. xo x ile sabit yer değişiminin toplamına eşittir.
Newton’un ikinci hareket kanunu uygulanarak aşağıdaki eşitlik elde edilir:
dx
Mf = −kx − b (5.9.7)
dt
Burada, f dünyaya göre kütlenin ivmesidir ve

d 2x d 2 y
f = − (5.9.8)
dt 2 dt 2
ile verilir. f’nin eşitlikte yerine konulması ile istenilen hareket eşitliği aşağıdaki gibi bulunur.
d 2x dx d2y
M + b + kx = M (5.9.9)
dt 2 dt dt 2
Eşitlikteki her terim newton (N) birimine sahiptir. Bu diferansiyel eşitlik ikinci derece olup ivme
ölçerin çıkışının osilasyonlu biçime sahip olabileceği anlamındadır. Uygun b sönüm katsayısı
seçilerek çıkış sinyali kritik sönümlü bir duruma getirilebilir ki çoğu durumlarda istenilen bir
tepkidir.
(a) İvme ölçerin mekanik modeli (b) kütlenin serbest cisim diyagramı
Şekil 5.9.1
5.9.2 ISIL ELEMANLAR
Isıl elemanlar soğutucular, ısıtıcı elemanlar, yalıtıcılar, ısı yansıtıcıları ve soğurucular gibi şeyleri
içerir. Eğer ısı ilgi noktası ise algılayıcı daha büyük aygıtın bir bileşeni gibi görülmelidir. Diğer
ifadeyle kutu ve montaj elemanlarından ısı iletimi, hava konveksiyonu ve diğer cisimler ile ışınım
şeklinde ısı değişimi gözardı edilmemelidir.
Isı üç mekanizma ile iletilir: iletim, doğal ve cebri konveksiyon ve ısıl ışınım. Basit kabullenilmiş
parametreli modeller için elektrodinamiğin birinci kuralı cisimdeki sıcaklık değişimlerinin
belirlenmesinde kullanılabilir. Cismin dahili enerjisinin değişim oranı cisme olan ısı akışı eksi (-)
cisimden dışarı doğru olan ısı akışına eşittir; bu durum bir depodan içeri ve dışarı hareket eden
akışkan gibidir. Denge,
dT
C = ΔQ (5.9.10)
dt
ile ifade edilebilir; burada, C = Mc cismin ısıl kapasitesi (J/K), T sıcaklık (K), ΔQ ısı akış oranı
(W), M cismin kütlesi (kg) ve c malzemenin öz ısısıdır (J/kg·K). Bir cisimden ısı akış oranı cismin
ısıl direncinin bir fonksiyonudur. Bu normalde doğrusal varsayılır ve
T1 − T2
ΔQ = (5.9.11)
R
yazılabilir; burada, R ısıl direnç (K/W) ve T1-T2 ısı iletiminin dikkate alındığı eleman uçlarındaki
sıcaklık gradyanıdır.
Gösterim amacıyla Th sıcaklığında bir ısı elemanı analiz edilebilir (şekil 5.9.2a). Eleman bir
yalıtkan ile kaplanmıştır. Çevreleyen ortamın sıcaklığı Ta dır. Q1 elemana ısı sağlama oranı ve Qo
ısı kaybı oranıdır. CdT / dt = ΔQ eşitliğinden,
dTh
C = Q1 − Qo (5.9.12)
dt
ΔQ = (T1 − T2 ) / R den
Th − Ta
Qo = (5.9.13)
R
ve sonuçta bir diferansiyel eşitlik elde edilir.
dTh Th Q T
+ = 1+ a (5.9.14)
dt RC C RC
Bu birinci derece bir diferansiyel eşitlik olup ısıl sistemler için tipiktir. Bir ısıl eleman eğer geri
beslemeli kontrol sisteminin bir parçası değilse doğal olarak kararsızdır. Basit bir ısıl elemanın
tepkisi ısıl kapasite ve ısıl direncin çarpımı olan τ T = RC , ısıl zaman sabiti ile karakterize
edilebilir. Zaman sabiti zaman biriminde (saniye) ölçülür ve pasif soğutma elemanı için başlangıç
sıcaklık gradyanının yaklaşık % 37’sine ulaştığı zamana eşittir.
(b) Rezistif, kapasitif ve indüktif bileşenler ile

(a) Isıtıcı elemanın ısıl modeli
elektriksel devre diyagramı
Şekil 5.9.2
5.9.3 ELEKTRİKSEL ELEMANLAR
İndüktör, kapasitör ve direnç olarak üç temel elektriksel eleman vardır. Burada da yine ideal
elemanları tanımlayan eşitlikler tablo 5.14 de verilmiştir. İdeal elemanlar için algılayıcının
davranışını tanımlayan eşitlikler doğrudan enerjinin korunumunu izleyen Kirchhoff kanunlarından
elde edilebilir:
¾ 1. Kirchhoff kanunu: Bir jonksiyona gelen toplam akım bu jonksiyonu terkeden toplam akıma
eşittir; örneğin bir jonksiyona doğru akan akımların cebirsel toplamı sıfırdır.
¾ 2. Kirchhoff kanunu: Kapalı bir devrede devrenin her kısmının uçlarındaki gerilimlerin cebirsel
toplamı uygulanan emf’ye eşittir.
Elemanları şekil 5.9.2b de görüldüğü gibi devre elemanları temsil edilebilen bir algılayıcı
varsayalım. Devre eşitliğini bulmak için bazen Kirchhoff akım kanunu olarak adlandırılan birinci
Kirchhoff kanunu kullanılabilir. A noktası için
i1 − i2 − i3 = 0 (5.9.15)
ve akım için
e − V3 1
i1 = = ∫ (V3 − V1 )dt
R1 L
V1 − V2 dV
i2 = =C 2 (5.9.16)
R3 dt
V1
i3 =
R2
yazılır. Bu eşitlikler i1 − i2 − i3 = 0 eşitliğinde yerine konulduğunda sonuç eşitlik
V3 V1 − V2 V dV 1 e
R1
+
R3
+2 1 +C 2 −
R2 dt L ∫ (V
3 − V1 ) dt =
R1
(5.9.17)
gibi olur. Bu eşitlikte e / R1 cebri giriştir ve ölçülebilen çıkışlar V1, V2 ve V3 tür. Bu eşitliğin
oluşturulması için üç i1, i2 ve i3 değişkenlerinin belirlenmesi ve üç hareket eşitliğinin çıkartılması
gerekir. i1 − i2 − i3 = 0 sınırlayıcı eşitliği uygulanarak tek bir ifade içinde üç hareket eşitliğinin
birleştirilmesi mümkün olmuştur. Bu eşitlikte her elemanın birimi amper (A) dir.
5.9.4 MEKANİK, ISIL VE ELEKTRİKSEL BENZERLİKLER
Yukarıda mekanik, ısıl ve elektriksel elemanlar ayrı olarak dikkate alındı. Bununla beraber, bu
sistemlerin dinamik davranışlarında benzerlik vardır. Örneğin mekanik elemanlar veya ısıl
bileşenlerin elektriksel eşdeğer devreye dönüştürülerek ve Kirchhoff kanunu kullanılarak analizi
mümkün olmaktadır. Tablo 5.14 de mekanik, ısıl ve elektriksel devrelerin çeşitli kabul edilmiş
parametreleri ilgili eşitlikleri ile verilmiştir. Mekanik bileşenler için Newton ikinci kanunu
kullanılmış ve ısıl elemanlar için Newton soğuma kanunu uygulanmıştır.
Tabloda ilk sütun doğrusal mekanik elemanlar ve kuvvet (F) terimi ile eşitlikleridir. İkinci sütun
doğrusal ısıl elemanlar ve ısı (Q) terimi ile eşitlikleridir. Üçüncü ve dördüncü sütunda gerilim ve
akım (V ve i) terimleri ile kapasitör, indüktör ve direncin elektriksel benzerlikleri verilmiştir. Bu
benzerlikler bir algılayıcının pratik değerlendirilmesinde ve cisim ve çevreye olan mekanik ve ısıl
arayüzeyinin analizinde oldukça kullanışlıdır.
5.10 ÖZET: KATI HAL MALZEMELERİNDEKİ FİZİKSEL VE KİMYASAL

ETKİLER
Fizik ve kimya bilim adamlarının dikkatini çekmeye başladığı an gözleyebildikleri farklı fiziksel ve
kimyasal birimler arasında mevcut çoğu ilişkiler merak uyandırdı. Bunları ilk gözleyen bilim
adamlarının onuruna bu etkiler sıklıkla bunları keşfedenlerin veya bazen başkanlarının isimlerini
taşıdı. Çok sık olarak bu bilim adamları gözlenen etkinin doyurucu bir açıklamasına sahip
değildiler fakat fenomen hakkında açık bir rapor verebiliyorlardı.
Tablo 5.14 Mekanik, ısıl ve elektriksel benzerlikler
Mekanik Isıl Elektriksel
Kütle, M Kapasitans, C İndüktör, L Kapasitör, C

T
M
d (v ) dT d (i ) d (v )
F =m Q=C V =L i=C
dt dt dt dt
Yay, k Kapasitans, C Kapasitör, C İndüktör, L

T
1 1 1
F = k ∫ (V )dt
C∫ C∫ L∫
T= (Q )dt V= (i )dt i= (V )dt
Sönüm, b Direnç, R Direnç, R Direnç, R
1 1
F = bv Q= (T2 − T1 ) V = Ri i= V
R R
Diğer bölümler ve diğer kısımlarda etkilerin çoğu hakkında detaylı bilgiler verilmiştir. Bu kısımda
elektriksel olmayan sinyalden elektriksel sinyaline doğrudan dönüşüm için kullanılabilecek önemli
etkiler sunulmaktadır. Etkiler ilk uyarıcının ait olduğu domene göre organize edilmiş ve her etki
hakkında özet açıklama yapılmıştır. Bazı etkiler elektriksel olmayan iki uyarıcı üzerinde bir
elektriksel parametrenin bağımlılığını açıklamaktadır. Bu yüzden bu etkiler her iki sinyal
domeninde bahsedilmiştir. Bunlarla ilgili daha geniş bilgiler ilgili literatürde bulunabilir.
5.10.1 IŞINIM SİNYAL DOMENİ
Bir malzeme elektromanyetik ışınıma maruz kaldığında çeşitli etkiler gözlenir. Bu etkilerin çoğu
ışık şiddeti ve dalga boyuna bağlıdır
Foto-voltaik etki : Schottky kontak veya p-n jonksiyon gibi benzer olmayan iki malzemenin
jonksiyonunda ışınım enerjisi tarafından gerilim üretilmesidir
Dember etkisi : Bir yarı-iletken lokal olarak aydınlatıldığı zaman elektron ve boşlukların farklı
difüzyon katsayılarından dolayı aydınlatılmış ve aydınlatılmamış kısımlar arasında bir gerilim
üretilmesidir.
Foto-manyeto-elektrik veya foto Hall etkisi : Uygulanan manyetik alan ve ışınım enerji akısının
ikisine de dik bir elektrik alanının üretilmesidir.
Foto-iletkenlik : Bir yarı-iletken veya bir yalıtkan ışınım enerjisi ile aydınlatıldığı zaman
elektriksel iletkenlik artar.
Foto-elektrik etkisi : Bir yarı-iletken jonksiyonu ışınım enerjisi ile aydınlatıldığı zaman
jonksiyonda direnç azalarak elektronlar ve boşluklar üretilir.
Foto-dielektrik etkisi : Bazı malzemeler ışınım enerjisi ile aydınlatıldığı zaman dielektrik
sabitinde bir değişim gösterirler ve özelliklerini kaybederler.
Foto-kapasitif etkisi : Bir metal-yalıtkan-yarı iletken kapasitör aydınlatıldığı zaman kapasitansı

değişir.
5.10.2 MEKANİK SİNYAL DOMENİ
Bir katı hal malzeme izotropik ve izotropik olmayan gerginliğe maruz bırakıldığında malzemenin
polarizasyonuna veya direnç değişimine dayalı çeşitli etkiler oluşur.
Piezo-elektrik etki : Simetri yapısından uzak bir kristal üzerindeki mekaniksel kuvvet yüzey
yüklerinin gözükmesine neden olur.
Akusto-elektrik etki : Bir kristalde iletim elektroniği ile etkileşimli hareket eden boyuna akustik
dalgalar ile bir elektrik akımı üretilebilir.
Tribo-elektrifikasyon : Uygun malzemelerin beraber ovulması yüzeylerde pozitif veya negatif

yükler üretir.
Piezo-rezistivite : Bir yarı-iletken üzerindeki mekaniksel kuvvet dirençte bazı değişimlere neden
olur.
Piezo-jonksiyon etki : Bir yarı-iletkendeki pn jonksiyon karakteristikleri jonksiyon bir mekaniksel

gerginliğe maruz bırakıldığında değişir.
Yanal foto-voltaik etki : Benzer olmayan iki malzemenin jonksiyonu ışınım enerjisi ile lokal
olarak aydınlatıldığı zaman jonksiyon boyunca bir yanal gerilim oluşur.
Yanal foto-elektrik etki : Ters gerilim uygulanmış bir yarı-iletken jonksiyonunun bir yanındaki iki
kontak arasındaki akım bölünmesi jonksiyondaki ışınım enerjisinin yerine bağlıdır.
Faraday-Henri indüksiyonu : Kapalı bir elektrik devresi manyetik alan içinde hareket ettirilirse
indüklenen akım birim zaman başına akı değişimi ile orantılıdır.
5.10.3 ISIL SİNYAL DOMENİ
Çoğu malzemeler sıcaklık değiştirildiği zaman elektriksel özelliklerini değiştirirler. Bu etkilerin

çoğu mutlak sıcaklığa dayalı olarak tanımlanırken diğerlerinde ise sıcaklık farkında (gradyan)
değişim gözlenir.
Seebeck veya ısıl-elektrik etki : Benzer olmayan iki metal veya yarı-iletkenden oluşan kapalı bir
elektrik devresinde jonksiyonlar farklı sıcaklıklarda tutulduğu zaman bir akım akar.
Piro-elektrik etki : Kutupsal kristaller sıcaklık değiştiği zaman kutuplarında değişme gösterir.
Nernst etkisi : Bir iletkende bir sıcaklık değişimi (gradyan) olduğu zaman sıcaklık değişimine
normal bir manyetik alan ile değişime ve manyetik alana karşılıklı dikey bir elektrik alanı oluşur.
Isıl-dielektrik etki : Ferro-elektrik bir malzemenin dielektrik sabiti sıcaklığın bir fonksiyonudur.
Isıldirençlilik : Sıcaklığın artışı ile yarı-iletkenlerde ve yalıtkanlarda direnç azalırken metallerde

artar.
Isıl-jonksiyon etkisi : Sabit ileri gerilimde bir pn jonksiyonundan geçen akım sıcaklığın artması ile
artar.
Süper-iletkenlik : Belli bir sıcaklığın altında bazı malzemeler direnç göstermez.
Isıl-elastik etki : Bir metal mekaniksel gerginliğe maruz bırakıldığında metalin iki bölgesi arasında
bir elektrik potansiyeli oluşur ve bu potansiyel bölgeler arasındaki sıcaklık farkına bağlıdır.
5.10.4 MANYETİK SİNYAL DOMENİ
Hareketli bir yük taşıyıcı manyetik alan içinde bir Lorentz kuvveti ile karşılaşır. Katı hal
malzemelerindeki bu etkilerin çoğu bu Lorentz kuvvetine dayalıdır.
Hall etkisi : Bir iletkende akım x-yönünde geçer ve manyetik alan z-yönünde uygulandığı zaman y-
yönünde bir elektrik alanı oluşur.
Manyeto-rezistivite : Malzemelerin elektriksel direnci manyetik alan uygulandığı zaman değişir.
Suhl etkisi : Bir yarı-iletkendeki yüzey bölgesinin iletkenliği akım yönüne normal bir manyetik
alan uygulandığı zaman değişir.
Manyeto-elektrik etkisi : Piezo-elektrik ve manyeto-striktiv malzemelerden oluşan karışık

malzemelerde manyetik alan malzemenin elektriksel kutuplanmasına neden olur.
Faraday-Henri indüksiyonu : Değişken manyetik alan kapalı elektrik devresinde elektrik akımı
indükler.
Süper-iletkenlik : Malzemeler belli bir manyetik alanda süperiletkenlikten normal duruma değişir.
Foto-manyeto-elektrik etki : Bu etki uygulanan manyetik alan ve ışınım enerji akısının ikisine
birden dik bir elektrik alanının üretilmesidir.
Nernst etkisi : Bir iletkende sıcaklık değişimi (gradyan) olduğu zaman sıcaklık değişimine normal
bir manyetik alan ile değişime ve manyetik alana karşılıklı dikey bir elektrik alanı oluşur.
5.10.5 KİMYASAL SİNYAL DOMENİ
Aşağıda listelenen birkaç etki katı içinde oluşur ve katının dışındaki kimyasal sinyallerle
gözlenebilir. Bir katı ile gaz, sıvı veya başka bir katı temas ettiğinde katının elektrik, optik, ısıl
veya manyetik özelliklerinde küçük değişimler oluşur.
Volta etkisi : Benzer olmayan iki metal birbiri ile temas etiğinde kontak potansiyeli oluşur.
Galvano-elektrik etki : Farklı iletken malzemelerden yapılan iki levha bir elektrolite daldırıldığı
zaman levhalar arasında malzemeye bağlı bir gerilim ölçülebilir.
Kimyasal-di-elektrik etkisi : Bir malzeme bir gaz ile çevrelendiği veya bir elektrolite daldırıldığı
zaman dielektrik sabitinde bir değişim ve malzemenin özelliklerinde kayıplar meydana gelir.
Kimyasal-alan etkisi : Bir yarı-iletkenin yüzey bölgesinin iletkenliği elektrolite daldırıldığı zaman
veya bir gaza maruz bırakıldığı zaman değişir.
1. Kinematik ve dinamik terimlerinin tanımlarını yapınız.

2. Pozisyon, hız ve ivme arasındaki ilişkiyi açıklayınız.
3. Mekanik bileşenlerin algılayıcı ve dönüştürücüler ile olan ilişkilerini açıklayınız.
4. Ses dalgaları algılama işleminde nasıl kullanılır?
5. Ses dalgalarının hızı ortama göre nasıl değişir?
6. Isıl iletim, ısıl konveksiyon ve ısıl ışınım tanımlarını yapınız.
7. Elektromanyetik ışınım spektrumunda Wien yer değişim kuralını açıklayınız.
8. Bir cisim ve ısıl ışınım algılayıcısında ısıl ışınım’ın görevini açıklayınız.
9. Yayıcılık ve kavite (kovuk) etkisi terimlerinin tanımını yapınız.
10. Işık sprektrumunda dalga boyunun etkisini açıklayınız.
11. Farklı optik malzemelerin saydamlık özelliği neye bağlıdır?
12. Optik bileşenlerin algılayıcı ve dönüştürücüler ile olan ilişkilerini açıklayınız.
13. Silikon tabanlı algılayıcılar hangi etkilere tepki verir?
14. Algılayıcılar ve dönüştürücüler alanında silikonun önemini açklayınız?
15. Silikon (silicon) ve silicone malzemeleri arasındaki fark nedir?
16. Silikona katkı malzemelerinin eklenmesi hangi özelliğini değiştirir?
17. Mekanik, ısıl ve elektriksel elemanlar arasındaki benzerliği açıklayınız.
6 SİNYAL YÜKSELTME VE UYARTIM DEVRELERİ
6.1 ARABİRİM DEVRELERİNİN GİRİŞ KARAKTERİSTİKLERİ
Bir sistem tasarımcısı bir algılayıcıyı sinyal işleme, gözleme veya kayıt aletlerine nadiren doğrudan
bağlayabilir. Algılayıcı bir elektrik sinyali ürettiğinde bu sinyal genellikle ya çok zayıf ya da
gürültülü veya istenilmeyen bileşenler barındırır. Üstelik algılayıcının çıkışı bir veri kazanç
sisteminin giriş gereksinimlerine uygunluk sağlamayabilir yani yanlış biçimde olabilir. Bu yüzden
ekseriyetle sinyalin (yük veya alıcı özelliğinde) işleme aletine verilmeden önce uygun hale
getirilmesi gerekir. Böyle bir aygıt giriş sinyali olarak ekseriyetle ya gerilim veya akıma gerek
duyar. Bir sinyal işleme, düzeltme veya arabirim devresinin amacı sinyali algılayıcıdan alarak bir
nevi yük olan aygıta uygunluk sağlayacak biçime getirmektir. Şekil 6.1.1 arabirim devresiyle yüke
bağlanmış algılayıcıyı ve etkiyen uyarıcı sinyali göstermektedir. Gelen sinyalin işini etkin olarak
yapabilmesi için arabirim devresinin algılayıcı ve yük aygıtının ortak gereksinimlerini karşılaması
gerekir. Yük aygıtının giriş karakteristiğinin algılayıcının çıkış karakteristiği ile eşlenmesi ve
algılayıcının çıkışının yük elemanı ile bağlanabilmesi gerekir. Bu kitapta her ne kadar algılayıcılar
ve çalışma prensipleri üzerinde odaklanılmışsa da bu bölümde sadece arabirim devrelerinin giriş
katlarına değinilecektir.
Şekil 6.1.1 Arabirim devresi algılayıcı ve yük elemanının sinyallerini eşler.
Arabirim devresinin giriş kısmı, aşağıda açıklandığı gibi bazı standart sayılar ile belirlenebilir. Bu
sayılar arabirim devresinin algılayıcı sinyalini hangi doğrulukta işlediğinin ve devrenin toplam hata
bütçesine olan katkısının hesaplanmasında kullanışlıdır.
Giriş empedansı devrenin algılayıcıyı ne kadar yüklediğini gösterir. Empedans,
V
Z= (6.1.1)
I
gibi kompleks biçimde ifade edilebilir. Burada V ve I giriş empedansı uçlarındaki gerilim ve
akımın kompleks notasyonlarıdır. Örneğin, eğer devrenin girişi R giriş direnci ve C giriş
kapasitansı ile paralel bağlanmış olarak modellenirse (şekil 6.1.2a) kompleks giriş empedansı
R
Z= (6.1.2)
1 + jωRC
olarak temsil edilebilir. Burada, ω açısal frekans ve j = − 1 sanal birimdir. Çok düşük
frekanslarda oldukça düşük kapasitans ve dirençli bir devre hemen hemen giriş direncine eşit bir
giriş empedansına sahiptir; yani Z=R. Frekansın oldukça düşük olmasının anlamı yukarıdaki
eşitliğin reaktif kısmının küçük olmasıdır:
1
RC << (6.1.3)
ω
(b) gerilim üreten algılayıcının eşdeğer

(a) Arabirim devresinin kompleks giriş empedansı
devresi
Şekil 6.1.2
Bir devrenin giriş empedansı dikkate alındığında algılayıcının çıkış empedansı da dikkate
alınmalıdır. Örneğin algılayıcı kapasitif yapıda ise giriş katının frekans tepkisinin tanımlanması için
kapasitansının devrenin giriş kapasitansı ile paralel bağlanması gerekir. (6.1.2) eşitliği giriş
empedansının sinyal frekansının bir fonksiyonu olduğunu önernektedir. Sinyalin değişim
oranındaki artışla giriş empedansı daha aşağı düşer.
Şekil 6.1.2b gerilim üreten bir algılayıcının eşdeğer devresini göstermektedir. Devre algılayıcı çıkış
empedansı, Zçıkış ve devre giriş empedanslarından, Zgiriş oluşmaktadır. Algılayıcının çıkış sinyali
çıkış empedansına seri bağlanmış e gerilim kaynağı ile temsil edilir. Gerilim kaynağı yerine bazı
algılayıcılar için algılayıcının çıkış empedansına paralel bağlı dışarı doğru bir akım kaynağı sinyali
ile temsil edilmesi daha uygundur. He iki temsil birbirinin eşdeğeri olduğundan burada gerilim
kaynağı temsili tercih edilmiştir. Her iki empedans dikkate alınarak Vgiriş gerilimi aşağıdaki gibi
temsil edilebilir.
Zgiriş
Vgiriş = e (6.1.4)
Zgiriş + Zçıkış
Herhangi bir durum için algılayıcının eşdeğer devresinin tanımlanması gerekir. Bu frekans tepkisi
ve algılayıcı arabirim kombinasyonunun fazındaki geri kalmanın analizine yardımcı olur. Örneğin
bir kapasitif dedektör giriş empedansına paralel bağlı saf bir kapasitans ile modellenebilir. Diğer
örnek (10 pF seviyesinde) kapasitans ile şöntlenen çok yüksek bir direnç (1011 Ω) ile temsil
edilebilen piezo-elektrik algılayıcısıdır.
Giriş empedans karakteristiğinin önemini anlatmak için şekil 6.1.2 de görüldüğü gibi giriş
empedansına bağlanmış saf rezistif algılayıcıyı dikkate alalım. f’nin fonksiyonu olarak devrenin
giriş gerilimi
Sinyal Yükseltme ve Uyartım Devreleri 173
e
V= (6.1.5)
2
⎛ f ⎞
1 + ⎜⎜ ⎟⎟
⎝ fc ⎠
ile ifade edilebilir. Burada f c = ( 2πRC ) −1 köşe frekansı yani genliğin 3 dB düştüğü frekanstır. Eğer
genlik dedeksiyonunda % 1’lik bir doğruluk istenildiği varsayılırsa bu durumda devre tarafından
işlenebilecek maksimum uyarıcı frekansı hesaplanabilir:
f max = 0 ,14 f c veya f c = 7 f max (6.1.6)
Yani empedans yeteri kadar yüksek köşe frekansını sağlayacak bir yolla seçilmelidir. Örneğin, eğer
uyarıcının en yüksek frekansı 100 Hz ise köşe frekansı en az 700 Hz seçilmelidir. Pratikte alt
devrelerin ek frekans sınırlamalarından dolayı fc daha yüksek seçilir.
Arabirim devresinin ön yani giriş katının hız tepkisinin gözden kaçırılmaması gerekir. Arabirim
devrelerinin en yaygın olarak kullanılan yapı taşları olan işlemsel yükselticiler ekseriyetle sınırlı
bant genişliğine sahiptirler. Programlanabilen işlemsel yükselticiler polarlama akımının kontroluna
veya programlanmasına izin verdiğinden ön kat frekans tepkisi de programlanmış olur. Akımın
yüksek olmasıyla tepki daha yüksek olacaktır.
Şekil 6.1.3 de pasif yani uyartım sinyali üretmeyen elektronik arabirim devresinin giriş
karakteristiklerinin eşdeğer devresi detaylı olarak görülmektedir; arabirim devresi bir yükseltici
veya A/D çevirici olabilir. Devre Zgiriş giriş empedansı ve birkaç generatör ile karakterize edilebilir.
Bunlar devrenin kendisi tarafından üretilen gerilim ve akımları temsil etmektedir. Bu sinyaller
sahte sinyaller olup düzgünce işlenmediği takdirde ciddi problemlere neden olabilirler. Bu
sinyallerin tamamı sıcaklık bağımlı olup kısım 6.9 da detaylı olarak anlatılmaktadır.
Şekil 6.1.3 Giriş katında elektriksel

gürültü kaynaklarının eşdeğer
devresi
eo gerilimi giriş offset gerilimi olarak adlandırılır. Eğer devrenin giriş terminalleri kısa devre
edilirse bu gerilim eo değerinde bir DC giriş sinyalinin varlığını simüle edecektir. Offset gerilim
kaynağının girişle seri bağlanmış ve sonuç bileşke hatasının algılayıcının çıkış empedansından
bağımsız olduğuna dikkat edilmelidir.
Giriş polarlama akımı, io da devre tarafından dahili olarak üretilir. Değeri çoğu bipolar
transistörler için oldukça yüksek, JFET’ler için çok küçük ve CMOS devreler için çok daha
küçüktür. Bu akım bir algılayıcı veya devre yüksek empedanslı bileşenler içerdiğinde ciddi bir
problem oluşturabilir. Polarlama akımı devrenin giriş empedansından ve algılayıcının çıkış
empedansından geçer ve sahte bir gerilim düşümüne neden olur. Bu gerilim bariz bir büyüklükte
olabilir. Örneğin, eğer bir piezo-elektrik algılayıcı 1 GΩ (109 Ω) giriş direncinde ve 1 nA (10-9 A)
giriş polarlama akımında bir devreye bağlanırsa girişteki gerilim düşümü 1 GΩ × 1 nA = 1 V olur –
gerçekten çok büyük bir değer. Offset geriliminin tersine polarlama akımının bileşke hatası
algılayıcının çıkış empedansı ile orantılıdır. Bu hata düşük çıkış direncindeki algılayıcılar için
ihmal edilebilecek kadar küçüktür. Örneğin bir indüktif dedektör polarlama akımındaki genlik veya
değişimlere duyarlı değildir.
Baskı devre sızıntı akımı yüksek empedanslı devreler ile çalışılırken hata kaynağı olabilir. Bu
akım baskı devrenin daha düşük yüzey direncinin bir sonucu olabilir. Şekil 6.1.4a algılayıcının
çıkış empedansından geçen iL sızıntı akımına neden olan güç kaynağı barası ve plaka (board) arası
direnci göstermektedir. Eğer algılayıcı kapasitif ise çıkış kapasitansı sızıntı akımı ile çabucak
yüklenecektir. Bu sadece bir hataya neden olmayacak hatta algılayıcının bozulmasına neden
olacaktır.
(a) Baskı devre sızıntısı veya kaçağı giriş katını

(b) giriş katında sürülen kalkan veya ekran
etkiler.
Şekil 6.1.4
Baskı devre plakası sızıntı akımının etkisini azaltmak için bazı teknikler vardır. Bunlardan biri
yüksek gerilimleri yüksek empedanslı bileşenlerden uzak tutan dikkatlice yapılmış bir baskı devre
tasarımıdır. Çok katmanlı plakaların kalınlığından geçebilecek sızıntı akımlarının da göz ardı
edilmemesi gerekir. Diğer bir metot eski bir metot olan elektriksel kalkanlama veya ekranlamadır.
Sürülen ekranlama oldukça etkilidir. Burada giriş devresi iletken bir iz ile çevrelenerek giriş ile
aynı potansiyelde düşük bir empedans noktasına bağlanır. Elektrik kalkanı plakanın diğer
noktalarından gelen sızıntıları emerek giriş terminaline ulaşabilecek akımları büyük oranda azaltır.
Tam etkin olması için baskı devre plakasının her iki yanında koruyucu halkaların konulması
gerekir. Örnek olarak yükselticinin eviren girişinin oldukça düşük empedansı ile sürülmüş
koruyucu bir halka şekilde görülmektedir.
Yüksek empedanslı arabirim devrelerinin algılayıcıya olabildiğince yakın yerleştirilmesi tavsiye

edilir. Bununla beraber bazen bağlantı iletkenlerinden kaçınmak mümkün olmayabilir. İyi yalıtımlı
koaksiyel ekranlı kabloların kullanılması gerekir. Kritik uygulamalar için polietilen veya teflon en
iyi yalıtıcı olarak kullanılabilir. Potansiyel yalıtım problemlerine ek olarak kısa bir kablo hareketi
veya fazlalığı bile kabul edilemeyecek yüksek kaynak dirençleri oluşturarak bant genişliğini
azaltabilir. Bu problemlerden kablo ekranının önyüklemesi (bootstrapping: çıkışın bir kısmının
girişe verilerek etkili sonsuz giriş empedansı ve birim kazanç verecek geri besleme işlemi) ile
büyük oranda kaçınılabilir. Şekil 6.1.4b yükselticinin eviren girişine bağlanmış gerilim izleyiciyi
göstermektedir. İzleyici kablonun ekranını sürerek kablonun kapasitansını, sızıntısını ve kablonun
esnemesinden dolayı kaynaklanan sahte gerilimler azaltılır. İzleyicinin evirmeyen girişindeki küçük
bir kapasitans kararlılığı iyileştirir.
6.2 YÜKSELTİCİLER
Çoğu algılayıcılar zayıf çıkış sinyali üretir. Bu sinyallerin büyüklükleri milivolt (mV) veya
pikoamper (pA) seviyesinde olabilir. Diğer taraftan A/D konvertörler, frekans modülatörleri, veri
kaydediciler, vb. gibi standart elektronik veri işlemcileri volt ve miliamper seviyelerinde giriş
sinyalleri ile çalışırlar. Bu yüzden algılayıcı çıkış sinyalinin 1000 gerilim kazancına ve 1000000
akım kazancına kadar yükseltilmesi gerekmektedir. Yükseltme işlemi sinyal işlemenin bir parçasını
oluşturur. Farklı algılayıcılardan alınan sinyallerin yükseltilmesi için kullanışlı çeşitli
konfigürasyonda standart yükselticiler vardır. Bu yükselticiler transistör, diyot, direnç, kapasitör ve
indüktör gibi devre elemanlarından yapılabilir.
6.2.1 İŞLEMSEL YÜKSELTİCİLER
Günümüzde yükselticiler ya bir entegre (monolitik) veya karma (hibrid = monolitik ve çeşitli
parçaların bir kombinasyonu) devre olan işlemsel yükselticilerdir. Bir entegre işlemsel yükseltici
dirençler ve kapasitörlere ek olarak yüzlerce transistörden oluşabilir. Bir analog devre tasarımcısı
işlemsel yükseltici etrafında dirençler, kapasitörler ve indüktörlerden oluşan bileşenler ile sonsuz
sayıda kullanışlı devre tasarlayabilir – bunlar sadece yükseltici olmayıp başka devreler de olabilir.
Aşağıda tanımlanan devreler ekseriyetle farklı algılayıcılar ile beraber kullanıldığında kullanışlı
olmaktadır.
Bir devre oluşturulurken iyi bir işlemsel yükseltici aşağıdaki özelliklere sahip olmalıdır. İşlemsel
yükselticinin temsili şeması şekil 6.2.1 de görülmektedir:
(b) işlemsel yükselticinin kazanç/frekans

(a) İşlemsel yükselticinin genel sembolü
karakteristiği
Şekil 6.2.1
¾ İki giriş: biri eviren (-) ve diğeri ise evirmeyen (+);
¾ Yüksek giriş direnci (yüzlerce MΩ ve hatta GΩ seviyesinde);

¾ Düşük çıkış direnci (küçük değerli Ω);
¾ Düşük giriş offset gerilimi, eo (mV veya pV);
¾ Düşük polarlama akımı, io (pA veya daha az);
¾ Çok yüksek açık döngü kazancı, AOL (104 ile 106 seviyesinde). Yani işlemsel yükseltici iki
girişi arasındaki gerilim farkını, Vin bir AOL faktörü ile yükseltebilmeli;
¾ Yüksek ortak mod rejeksiyon oranı (CMRR). Yani yükseltici her iki girişine uygulanan aynı
fazlı eşit genlikteki giriş sinyallerini, VCM bastırır;

¾ Düşük içsel (intrinsik) gürültü;
¾ Geniş çalışma frekans aralığı;
¾ Güç kaynağının gerilim değişimlerine düşük duyarlılık;
¾ Karakteristiklerinin yüksek çevresel kararlılığı.
Bir örnek olarak algılayıcı arabirimleri için kullanışlı bazı işlemsel yükselticilerin özellikleri tablo
6.1’de verilmiştir. Bununla beraber, daha detaylı bilgi için kullanıcının üretici firmaların veri
sayfalarını incelemesi gerekir. Böyle veri sayfaları işlemsel yükseltici için çok önemli özelliklerin
seçiminde iyi bir rehber olmaktadır. Örneğin işlemsel yükselticiler düşük offset gerilimleri, düşük
polarlama akımları, düşük gürültü ve geniş bant genişliği, vb. gibi kriterler ile gruplandırılır.
Şekil 6.2.1a geri besleme bileşenleri olmayan işlemsel bir yükselticiyi göstermektedir. Bundan
dolayı işlemsel yükseltici açık döngü şartında çalışır. İşlemsel yükselticinin açık döngü kazancı,
AOL bütün frekans aralığında sabit değildir ve şekil 6.2.1b’deki grafik ile yakınlaştırılabilir. AOL yük
direnci, sıcaklık ve güç kaynağındaki değişimler ile değişmektedir. Çoğu yükselticiler % 0,2 - 1 /
°C seviyesinde bir açık döngü kazanç sıcaklık katsayısı ve %/% 1 seviyesinde güç kaynağı kazanç
duyarlılığına sahiptir. İşlemsel yükseltici açık döngü (geri besleme bileşenleri olmaksızın) ile
nadiren kullanılır çünkü yüksek açık döngü kazancı devrenin kararsızlığına, sıcaklık farklılıklarına,
gürültü, vb. neden olabilir. Örneğin açık döngü kazancı 105 ise giriş gerilimindeki 10 μV’luk bir
değişim çıkış gerilimindeki 1 V’luk bir sapmaya neden olacaktır.
İşlemsel yükselticinin küçük genlikte ve yüksek frekanslı sinyalleri yükseltme kabiliyeti kazanç
bant genişliği çarpımı (GBW) ile belirlenir ve bu değer yükselticinin kazancının birime eşit olduğu
f1 frekansına eşittir. Diğer bir ifadeyle yükseltici f1 frekansının üzerinde yükseltemez. Şekil 6.2.2a
R1 ve R2 diençlerinin geri besleme döngüsü oluşturduğu evirmeyen bir yükselticiyi göstermektedir.
Sonuç kazanç, A = 1 + R2 / R1 bir kapalı döngü kazancıdır. Bu çok daha geniş bir frekans aralığı
üzerinde sabit olarak düşünülür (şekil 6.2.1b); bunun yanında f1 frekansı geri beslemeye
bakılmaksızın sınırlayıcı faktördür. Doğrusallık, kazanç kararlılığı, çıkış empedansı ve kazanç
doğruluğu hepsi geri beslemenin miktarı ile geliştirilir. Orta seviyede doğruluk elde etmede bir
kural olarak, işlemsel yükselticinin ilgili en yüksek frekansta açık döngü kazancının kapalı döngü
kazancından en azından 100 kez daha büyük olması gerekir. Daha yüksek doğruluk için açık ve
kapalı döngü kazanç oranının 1000 veya daha büyük olması gerekir.
(b) işlemsel yükselticide offset gerilimleri ve polarlama

(a) Evirmeyen yükseltici
akımları girişine bağlanmış generatörler ile temsil edilir.
Şekil 6.2.2
Tablo 6.1 Algılayıcı arabirimleri için seçilmiş işlemsel yükselticiler
Tc: Vos’nin sıcaklık katsayısı, LTC: Linear Technologies Corp., TI: Texas Instruments Inc, PMI:
Precision Monolithics Inc, AD: Analog Devices Inc.
Parça No Üretici Vos max I (nA) AOL (V/mV) Gürültü Not
(μV)
Tc (Vos) B25°C DC de (10 Hz)
nV Hz
(μV/°C)
TLC2652A TI 1 0,003 4 pA tip. 135 dB min. 94 Kıyıcı kararlı, LinCMOSTM
OP-27E TI, PMI, 25 0,2 10 tip. 1800 6 Düşük gürültü,Yüksek hız
LTC, Motorola
OP-07 PMI 25 0,2 tip. 0,7 tip. 500 10,3 tip. Yüksek kararlı
LT1012C LTC 50 0,7 tip. 0,15 200 30 Düşük Vos , düşük güç
LT1008C LTC 120 1,5 0,1 200 30 Düşük güç
LT1022AC LTC 250 5 0,05 150 50 Yüksek hızlı JFET
OP-41E PMI 250 3 pA tip. 5000 40 Yüksek kararlı JFET
LM11 Motorola, 300 1 17 pA tip. 1200 150 Düşük drift, düşük güç
National
LM108A Motorola, 500 1 0,8 tip. 300 Düşük drift
National
TL051ACP TI 800 8 4 pA tip. 100 75 Hassas JFET
AD549L AD 1mV 10 60 fA 1000 90 En düşük polarlama akımlı
JFET
AD546 AD 1mV 20 1 pA 1000 90 Düşük fiyatlı JFET
LF356A LTC, National, 2mV 5 0,05 75 15 JFET girişleri
Motorola, PMI
TLC271BCP TI 2mV 2 0,6 pA tip. 23 100 Programlanabilir
Thomson LinCMosTM
MC34071 Motorola 3mV 10 100 tip 100 55 Düşük drift
LM324 Genel amaçlı 3mV 7 typ 45 tip 100 10,3 typ dörtlü, düşük fiyatlı tek
beslemeli
MB47833 Fujitsu 5mV 500 tip 110 dB 10 Yüksek hız, düşük gürültü,
çiftli
MC1776 Motorola 5mV 2 tip 200 progr. Mikro güç,
programlanabilir
MB42082 Fujitsu 15mV 30 pA tip 200 90 Yüksek hızlı JFET, çiftli
İşlemsel yükselticinin tipik veri sayfası polarlama ve offset gerilimlerini belirtir. Üretim
teknolojilerindeki sınırlamalardan dolayı işlemsel yükseltici saf bir yükseltici olarak görev
yapmayıp girişi ile ilişkili gerilim ve akım kaynakları olarak da görev yapar (şekil 6.1.3). Bu sahte
sinyaller giriş terminallerine uygulanmış olduğundan yararlı sinyaller ile beraber yükseltilirler.
Offset gerilimleri ve polarlama akımlarından dolayı sıfır giriş sinyali uygulandığında arabirim
devresi sıfır çıkış üretmez. DC kuplajlı devrelerde istenilmeyen bu giriş sinyalleri kullanışlı
sinyallerden ayırt edilemeyebilir. Eğer giriş offset gerilimleri istenilen doğruluğu karşılamada hala
büyük kalıyorsa bunlar yükselticide ya doğrudan kırpılarak düzeltilebilir (eğer yükseltici düzeltme
terminallerine sahipse) veya şekil 6.2.3a da görülen bağımsız bir offset kompanzasyon devresi bu
amaç için kullanılabilir. Devrenin çıkış sinyaline göre eviren çıkış verdiğine dikkat edilmelidir. T1
düzeltme potansiyometresi hem giriş ve hem de düzeltici yükselticilerdeki (U2) offset gerilimlerini
düzeltebilir.
Devre, bununla beraber offset gerilimindeki sıcaklık değişimlerini kompanze etmez. Offset gerilimi
düşük veya yüksek empedans girişli bir eleman kullanıldığında dikkate alınmalıdır. Giriş sinyalinin
DC bileşeni önemli değilse dikkate alınmayabilir. Örneğin sıcaklık ölçümünde tam bir doğruluk
için DC bileşen önemli iken ısıl hareket dedektörlerinde giriş sinyalinin sadece değişken kısmı
yükseltilmektedir. Isıl hareket dedektörü için oldukça yüksek offset gerilimli bir yükseltici
seçilebilir. Offset gerilimindeki ısıl değişimler ekseriyetle termistörler kullanılarak sıcaklığa duyarlı
bileşenler içeren özel devreler ile kompanze edilebilir.
(a) Offset geriliminin düzeltilmesi (b) R3 balans direnci ile offset akımının kompanzasyonu
Şekil 6.2.3
Giriş offset akımı iki girişteki giriş polarlama akımlarının farkıdır. CMOS yükselticilerde offset
akımı 1 pA kadar düşük olabilir. Eğer yükseltici oldukça düşük çıkış direnci olan bir algılayıcı ile
kullanılırsa işlemsel yükselticinin polarlama ve offset akımları algılayıcının çıkış direncinde çok
düşük gerilim düşümü meydana getireceğinden ihmal edilebilir. Diğer taraftan eğer algılayıcı çok
yüksek çıkış direncine sahipse (örneğin piezo-elektrik dedektör) polarlama ve offset akımları
dikkate alınmalıdır. Offset akımının kompanzasyonu için kullanışlı bir teknik şekil 6.2.3b de
görülmektedir. Yükselticinin eviren girişi toplam 500 kΩ eşdeğer oluşturan 1 MΩ ’luk iki geri
besleme direncine bağlanmıştır. Eğer negatif girişte giriş polarlama akımı 1 nA’e eşitse, bu değer
girişte 0,5 V’luk gerilim düşümü ile sonuçlanacaktır. Bu kabul edilemez bir hata kaynağı olabilir.
Bunu kompanze etmek için pozitif girişe 500 kΩ ’luk seri balast direnci bağlanır. Evirmeyen
girişin polarlama akımı ekseriyetle eviren girişteki akıma eşittir. Böylece balast direnci hemen
hemen eşit gerilim düşümüne neden olur. Yükseltici aynı fazlı sinyalleri bastırdığından (ortak mod
rejeksiyonu) her iki girişteki gerilim düşümleri birbirini götürecektir.
Çok sık olarak işlemsel yükselticinin seçiminde fiyat ilk kriter olmaktadır. Eğer finansal
sınırlamalar çok sıkı değilse oldukça yüksek performanslı devre tasarımı için çok sayıda işlemsel
yükselticiler bulunabilir. Özellikle tüketici elektroniğini ilgilendiren çoğu durumlarda maliyet öncü
bir faktördür ve devre tasarımcısı düşük sınıfta işlemsel yükseltici seçimi ile sınırlanır. Genelde
yüksek kaliteli bileşenler ile tasarım yapmak çok daha kolaydır. Pahalı olmayan düşük sınıftaki
parçalar ile yeterli yüksek performansın elde edilmesi ise çok daha zordur.
6.2.2 GERİLİM İZLEYİCİ
Gerilim izleyici (şekil 6.2.4) yüksek seviyeden düşük seviyeye empedans dönüşümü sağlayan
elektronik bir devredir. Tipik bir izleyici yüksek giriş empedansı (yüksek giriş direnci, düşük giriş
kapasitansı) ve düşük çıkış direncine (çıkış kapasitansı önemli değildir) sahiptir. Bir izleyicinin
gerilim kazancı (1) birime çok yakın (0,999) ve akım kazancı yüksektir. Aslında bu bir akım
yükseltici ve empedans dönüştürücüsüdür. Yani izleyicinin yüksek giriş empedansı ve düşük çıkış
empedansı çoğu algılayıcılar ve ve sinyal işleme elemanları arasındaki arabirim için vazgeçilmez
olmaktadır.
Şekil 6.2.4 İşlemsel yükseltici ile gerilim izleyici
İzleyici bir algılayıcıya bağlandığında algılayıcının performansına çok az etkisi olur yani algılayıcı
ile yük arasında bir tampon fonksiyonu sağlanmış olur. İzleyicinin tasarımında aşağıdaki tavsiyeler
yararlı olabilir:
¾ Akım üreten algılayıcılar için izleyicinin giriş polarlama akımı algılayıcı akımından en azından
100 kez daha küçük olmalıdır.
¾ Giriş offset gerilimi hem düzeltilebilir olmalı veya istenilen LSB’den (en önemsiz bit) daha
küçük olmalıdır.
¾ Polarlama akımı ve offset geriliminin sıcaklık katsayısı tüm sıcaklık aralığında 1 LSB’den daha
fazla hata ile sonuçlanmamalıdır.
Uygulama mühendisi çıkış offset gerilimi,
Vo = A( eo + io Reşdeğer ) (6.2.1)
ile ilgilenmelidir. Burada, Reşdeğer girişteki eşdeğer direnç (algılayıcının çıkış direnci ve
yükselticinin giriş direncinin bir kombinasyonu), eo giriş offset gerilimi, io ise giriş polarlama
akımıdır. Offset sıcaklığa bağımlıdır. Yüksek kazançlı devrelerde çıkış offset gerilimi önemli bir
hata kaynağı olabilir. Bu zorluğun üstesinden gelmek için çeşitli yollar vardır. Bunlar düşük
polarlama akımı, yüksek giriş direnci ve düşük offset gerilimli yükseltici seçimidir. Kıyıcı kararlı
yükselticiler özellikle daha etkindir (Tablo 6.1).
6.2.3 TEK KUTUPLU YÜKSELTİCİLER
Tek kutuplu veya monopolar yükseltici kazancının birimden düşük veya yüksek olmasının dışında
gerilim izleyiciye benzer. Bundan dolayı hem akım yükseltici ve hem de gerilim yükseltici (veya
ölçekleme aygıtı : scaling) olarak görev yapabilir. Pratik bir devre şekil 6.2.2a da görülmektedir. R1
ve R2 dirençleri yükselticinin kazancını tanımlamaktadır:
R2
A =1+ (6.2.2)
R1
R1 sonsuz olduğunda minimum kazancın 1 ve yükselticinin bir gerilim izleyici olduğu görülebilir.
R2 ’ye paralel kapasitör gürültünün azaltılmasında önemli olan bant genişliğinin
sınırlandırılmasında kullanılabilir. 3 dB de böyle bir devrenin bant genişliği,
0,159
fu = [Hz] (6.2.3)
R2C
basit eşitliğinden tahmin edilebilir. Şekil 6.2.2a da evirmeyen yükseltici ve şekil 6.2.3b de eviren
yükseltici görülmektedir. Balans direnci, R3 = R1 R2 iken yükselticinin kazancı A = R2 / R1 olarak
tanımlanır. Eğer polarlama akımı bariz hatalara neden olmayacak kadar küçükse R3 direnci
gerekmeyebilir. Böyle bir eviren yükseltici R1 ’e eşit oldukça düşük bir giriş direncine sahiptir. Bu
durum algılayıcının aşırı yüklenmesiyle sonuçlanabilir. Çözüm, algılayıcı ve eviren yükseltici
arasında evirmeyen bir yükseltici veya bir gerilim izleyici kullanmaktır.
6.2.4 ENSTRUMENTAL YÜKSELTİCİ
Enstrumental yükselticinin (IA) iki giriş ve bir çıkışı vardır. İşlemsel yükselticiden ekseriyetle 100
den fazla olmayan sonlu kazancı ve her iki girişinin sinyal kaynaklarına bağlanabilmesi ile farklılık
gösterir. Son özelliği gerekli bütün geri besleme bileşenlerinin eviren ve evirmeyen girişleri yerine
enstrumental yükselticinin diğer kısımlarına bağlanabilmesi anlamındadır. Enstrumental
yükselticinin esas fonksiyonu aşağıdaki eşitlikteki gibi iki girişi arasındaki gerilim farkı ile orantılı
bir çıkış sinyali üretmektir:
Vçıkış = A(V+ − V− ) = A ΔV (6.2.4)
Burada, V+ ve V- giriş gerilimleri sırasıyla evirmeyen ve eviren girişlerdeki giriş gerilimleri ve A

kazançtır. Enstrumental yükseltici ya işlemsel yükseltici veya monolitik biçimde yapılabilir. Her iki
giriş için yüksek giriş direncinin temin edilmesi çok önemlidir; böylece yükseltici doğru
diferansiyel formda kullanılabilir. Yükselticinin diferansiyel girişi, toplayıcı (+) özelliğe sahip
ortak mod parazitlerinin rejeksiyonu için çok önemlidir.
Çeşitli monolitik enstrumental yükselticiler halihazırda mevcut olmakla beraber parçalı bileşenli
devreler daha ucuz ve daha verimli olmaktadırlar. Enstrumental yükselticinin temel devresi şekil
6.2.5 de görülmektedir. Ra uçlarındaki gerilim giriş gerilim farkına, ΔV eşit olmaya zorlanacaktır.
Bu gerilim dirençten geçen akımı i = ΔV / Ra ’ye ayarlar. U1 ve U2 işlemsel yükselticilerinin çıkış
gerilimleri genlik olarak birbirine eşit ve ters fazdadır. Bundan dolayı ön kat (U1 ve U2)
diferansiyel giriş ve diferansiyel çıkış konfigürasyonuna sahiptir. İkinci kat (U3) diferansiyel çıkışı
tek kutuplu bir çıkışa dönüştürür ve ek bir kazanç sağlar. Enstrumental yükselticinin bütün kazancı
aşağıdaki gibidir.
⎛ 2R ⎞ R
A = 1 + ⎜⎜ 1 ⎟⎟ 3 (6.2.5)
⎝ Ra ⎠ R2
Şekil 6.2.5 Üç işlemsel

yükseltici ve eşlenmiş
dirençler ile enstrumental
yükseltici
İyi ve ucuz maliyetli bir enstrumental yükseltici benzer iki işlemsel yükseltici ve birkaç hassas
dirençten oluşturulabilir (şekil 6.2.6). Devre daha düşük gürültü ve daha düşük giriş polarlama
akımları sağlamak için FET girişli işlemsel yükselticiler kullanır. U1 evirmeyen yükseltici ve U2 ise
eviren yükseltici olarak çalışır. Her giriş yüksek empedanslıdır ve bir algılayıcı ile doğrudan ara
birim yapılabilir. Her yükselticinin geri beslemesi kazanç ayarlama direnci, Ra uçlarındaki
gerilimin ΔV’ye eşit olmasını zorlar. Yükselticinin kazancı
⎛ R⎞
A = 2⎜⎜1 + ⎟⎟ (6.2.6)
⎝ Ra ⎠
dir. Buradan, kazanç 2 (Ra ihmal ediliyor) ile potansiyel açık döngü kazancı (Ra = 0) arasında
değişebilir. Şekilde 6.2.6 da bileşenlerin değerleri ile görüldüğü gibi kazanç A = 100 dür. Bunun
yanında giriş offset geriliminin de aynı kazançla yükseltileceği hatırlanmalıdır. CMRR öncelikle R
direnç değerlerinin eşlenmesine bağlıdır. Çok düşük frekanslarda CMRR eşlenmemiş net
fraksiyonel direncin tersidir; % 0,01 eşlenmeme durumu için ortak mod rejeksiyon oranı = 10000 (-
80 dB) dir. Çok yüksek frekanslarda direnç yerine empedans eşlememe dikkate alınmalıdır.
Empedansları dengeye getirmek için trimpot ve kapasitör, C1 kullanılabilir.
(a) İki işlemsel yükseltici ile enstrumental (b) Bir (1) işlemsel yükseltici ile düşük fiyatlı AC
yükseltici enstrumental yükseltici
Şekil 6.2.6
Maliyet gerçekten sınırlayıcı bir faktör ve yüksek kaliteli DC karakteristikler istenilmiyorsa çok
basit bir enstumantal yükseltici sadece bir işlemsel yükseltici ve iki dirençten tasarlanabilir (şekil
6.2.6b). Ra geri besleme direnci monolitik devrenin ön katının çıkışı olan işlemsel yükselticinin
sıfır (null) balans terminaline bağlanır. Ra dan geçen geri besleme miktarı işlemsel yükselticinin
gerçek devresine bağlıdır ve parçadan parçaya az miktarda değişir. TLC271 işlemsel yükselticisi
için devrenin kazancı aşağıdaki gibi bulunabilir ve şekil 6.2.6b de görülen değerler bu kazancı
yaklaşık 50 olarak verir:
Ra
A ≈ 1+ (Ra’nın birimi kΩ) (6.2.7)
2kΩ
6.2.5 YÜK YÜKSELTİCİLERİ
Yük (şarj) yükselticileri aşırı derecede düşük polarlama akımlarına sahip özel sınıf devrelerdir. Bu
yükselticiler kapasitif algılayıcılar, quantum dedektörleri, piro-elektrik algılayıcılar ve çok düşük
yük (pC seviyesinde) ve akım (pA seviyesinde) üreten diğer elemanlardan gelen sinyallerin
gerilime dönüştürülmesinde kullanılır. Şekil 6.2.7a da temel bir yük gerilim dönüştürücü devre
görülmektedir. C kapasitörü işlemsel yükselticinin geri besleme devresine bağlanır. İşlemsel
yükselticinin r sızıntı veya kaçak direnci en düşük çalışma frekansında kapasitörün empedansından
bariz olarak büyük olmalıdır. Yük gerilim dönüştürücüsünün transfer fonksiyonu,
ΔQ
Vçıkış = − (6.2.8)
C
dir. Hassas uygulamalar için özel karma yüke duyarlı ön yükselticiler mevcuttur. Yükseltici 1 pF
kapasitanstan daha düşük kaynaklar ile çalışabilir. Dahili olarak bağlanmış 1pF’lık kapasitör 1pC
duyarlılık başına yükselticinin kazancını 1 volta ayarlar. Kazanç yükselticinin girişine bir veya bir
dizi kapasitör kombinasyonunun bağlanması ile azaltılabilir. Dahili kapasitör düşük gürültü ve 5 ns
den daha az yükselme ve düşme zamanı özellikleri gösterir.
(a) Yük-gerilim dönüştürücüsü (b) akım-gerilim dönüştürücüsü

Şekil 6.2.7 Yük-gerilim ve akım-gerilim dönüştürücüleri
Çoğu algılayıcılar kapasitörler ile modellenebilir. Bazı kapasitif algılayıcılar modülasyonlu yani bir
uyartım sinyaline gerek duyarlar. Örnekler, kapasitif kuvvet ve basınç dönüştürücüleri ve nem
dedektörleridir. Diğer kapasitif algılayıcılar kendiliğinden üretir ve bir uyarıcıyı doğrudan elektrik
sinyaline dönüştürürler. Örnekler, piezo-elektrik ve piro-elektrik dedektörlerdir. Ohm kanunu,
elektrik akımını gerilime dönüştürmek için akımın uygun bir dirençten geçirilmesini ve bu direnç
uçlarındaki gerilimin akımın genliği ile orantılı olduğunu önermektedir. Şekil 6.2.7b suni toprak
olarak görev yapan işlemsel yükselticinin eviren girişine bağlanmış kapasitif akım üreten algılayıcı
ile temel bir akım gerilim dönüştürücüsünü göstermektedir. Yani girişteki gerilim topraklanmış
evirmeyen giriştekine hemen hemen eşittir. Algılayıcı terminal uçlarındaki sıfır gerilim ile çalışır
ve akımı işlemsel yükselticinin çıkışı ile aşağıdaki gibi temsil edilir:
Vçıkış = −iR (6.2.9)
r << R direnç şartı, genelde devrenin kararlılığı için gereklidir. Yüksek frekanslarda, işlemsel
yükseltici, osilasyona neden olabilecek açık döngü kazancına yakın çalışır. Suni toprağın avantajı,
çıkış sinyalinin algılayıcının kapasitansına bağlı olmamasıdır. Devre bir gerilim üretir ve bunun
fazı akım ile 180° kaymıştır. Şekil 6.2.8a da görülen evirmeyen devre sinyali dönüştürebilir ve
yükseltebilir; bununla beraber devrenin hız tepkisi hem algılayıcının kapasitansına ve hem de
dönüştürücünün direncine bağlıdır. Bundan dolayı zaman domeninde bir adım fonksiyonuna tepki
aşağıdaki gibi tanımlanabilir.
⎛ R ⎞
(
Vçıkış = iRb ⎜⎜ a + 2 ⎟⎟ 1 − e − t / RC
R1 ⎠
) (6.2.10)
⎝
(a) Evirmeyen akım gerilim dönüştürücü (b) direnç çarpıcı (×)

Şekil 6.2.8
Piezo ve piroelektrik gibi algılayıcılardan akım dönüştürülürken Rb direnci (şekil 6.2.7b deki R
direnci) on veya hatta yüz GΩ seviyelerinde gerekebilir. Çoğu durumlarda böyle yüksek değerli
dirençler mevcut olmayabilir veya düşük kararlılıklarından dolayı kullanımları pratik olmayabilir.
Yüksek omik direnç, direnç çarpıcı olarak bilinen bir devre ile simüle edilebilir. Bu, yükselticiye
pozitif geri besleme eklenmesiyle yapılabilir. Şekil 6.2.8b de R1 ve R2’nin bir direnç bölücü
oluşturması görülmektedir. İşlemsel yükselticinin yüksek açık döngü kazancından dolayı
evirmeyen ve eviren girişlerdeki gerilimler hemen hemen birbirine eşittir: V+ ≈ V− . Sonuç olarak
bölücüdeki V2 gerilimi
R3 R
V2 = V -
≈V + 3 (6.2.11)
R1 + R3 R1 + R3
dir. Dirençten geçen akım, gerilim düşümü ile
ΔV V − V2 V+ R1
ib = = + = (6.2.12)
Rb Rb Rb R1 + R3
gibi tanımlanabilir. Bu eşitlikte giriş gerilimi giriş akımının ve direnç devresinin bir fonksiyonu
olarak bulunabilir:
⎛ R ⎞
V+ = ib Rb ⎜⎜1 + 3 ⎟⎟ (6.2.13)
⎝ R1 ⎠
Görüldüğü gibi Rb direnci (1 + R3 / R1 ) faktörü ile çarpılmaktadır. Direnç çarpma işlemi güçlü bir
hile olmanın yanında dikkatlice kullanılmalıdır. Özellikle gürültü, polarlama akımı ve offset
geriliminin hepsi de aynı (1 + R3 / R1 ) faktörü ile çarpıldığından bazı uygulamalarda

istenilmeyebilir. Daha da ötesi devre pozitif geri besleme oluşturduğundan devrenin kararsızlığına
neden olabilir. Bu yüzden pratik devrelerde direnç çarpma işlemi 10 faktörü ile sınırlanmalıdır.
6.3 UYARTIM DEVRELERİ
Modülasyonlu algılayıcıların çalışması için harici güç gerekmektedir. Örnekler: sıcaklık

algılayıcıları (termistörler ve RTD’ler), basınç algılayıcıları (piezo-rezistif ve kapasitif), yer
değişimi algılayıcıları (elektromanyetik ve optik). Güç bir algılayıcıya farklı biçimlerde verilebilir.
Bu sabit gerilim, sabit akım, sinüsoidal veya palsli akım olabilir. Hatta ışık veya iyonize ışınım
biçiminde de verilebilir. Harici güç uyartım sinyali olarak adlandırılır. Çoğu durumlarda uyartım
sinyalinin kararlılığı ve hassasiyeti algılayıcının doğruluğu ve kararlılığı ile doğrudan ilişkilidir.
Bundan dolayı algılayıcı sisteminin bütün performansının azalmaması için böyle doğruluktaki
uyartım sinyallerinin üretilmesi zorunluluktur. Aşağıda uygun uyartım sinyalleri ile algılayıcıları
besleyen bazı elektronik devreler incelenmektedir.
6.3.1 AKIM GENERATÖRLERİ
Uyartım devreleri olarak akım generatörleri önceden belirlenmiş akımlarla algılayıcıların

beslenmesi için sıklıkla kullanılır. Genel terimlerde akım generatörü (akım pompası) yük
empedansından bağımsız olarak elektrik üreten bir aygıttır. Yani generatörün kapasitesinin sınırları
dahilinde çıkış akım karakteristiği (genlik, faz, frekans) yükün empedansındaki herhangi bir
değişimden bariz olarak bağımsız olmalıdır. Akım generatörünün sembolü şekil 6.3.1 de görüldüğü
gibi çift çemberdir. Ohm kanununa göre, eğer akım sabitse empedans uçlarındaki herhangi bir
gerilim değişimi empedansın doğrusal bir fonksiyonu olmalıdır. Akım generatörü yüke
bağlandığında, i çıkış akımı kendi Rçıkış direnci ve ZL yük empedansı arasında bölünür:
i = io + iL (6.3.1)
ve yükteki akım,
V
içıkış = i − (6.3.2)
Rçıkış
olur. Çıkış akımının Rçıkış ’a bağımlı terimden olayı akım generatörünün ürettiği akıma tam eşit
olmadığı görülmektedir. Bununla beraber eğer çıkış direnci çok büyük yapılırsa (Rçıkış → ∞) akım
generatörü çıkışının tamamını yüke iletir. İyi akım generatörlerinin pratik olarak yükün direncinden
3-4 kez daha büyük genlikte büyük çıkış dirençlerine sahip olmaları gerekir.
Şekil 6.3.1 Akım kaynağı eşdeğer devresi
Algılayıcı arabirimleri için akım generatörlerinin kullanışlılığı genliği ve biçimi hassas olarak
kontrol edilen uyartım akımları üretme kabiliyetidir. Bundan dolayı akım generatörü sadece yükten
bağımsız akım üretmemeli; aynı zamanda harici bir sinyal kaynağından (çoğu durumlarda bir
gerilim çıkışına sahip dalga biçimi generatörü) kontrol edilebilmelidir. İyi bir akım generatörü
yüksek kararlılıkta kontrol sinyalini izleyen akım üretmeli ve çok geniş empedans aralığındaki
yükten bağımsız olmalıdır.
Akım generatörünün iki ana karakteristiği vardır: çıkış direnci gerilim uyuşması. Gerilim uyuşması
çıkış akımını etkilemeksizin yük uçlarında oluşabilecek en yüksek gerilimdir. Yüksek dirençli yük
durumunda Ohm kanununa göre verilen akım için daha yüksek bir gerilim gerekir. Örneğin, eğer
gereken uyartım akımı, i = 10 mA ise verilen frekansta en yüksek yük empedansı, RL = 10 kΩ olup
en azından iRL = 100 V’luk bir gerilim uyuşmasına gerek vardır. Aşağıda çıkış akımlarının harici
sinyalle kontrol edilebileceği artırılmış gerilim uyuşması ile bazı kullanışlı devreler verilmektedir.
Tek kutuplu akım generatörü ya bir akım kaynağı (dışarı doğru akan bir akım üretir) ya da akım
yutak’ı (sink: içeri doğru akan akım üretir) olarak adlandırılır. Burada tek kutuplu terimi sadece bir
yönde akım akışı üretilmesi anlamındadır. Böyle generatörlerin çoğu transistörlerin akım gerilim
karakteristiklerinden yararlanır. Transistörün kollektör akımının kollektör gerilimlerine çok az
bağımlı olduğu iyi bilinmektedir. Bu özellik akım aynalarının yapımında kullanılmaktadır. Bir
akım aynası bir akım girişi ve en azından bir (birkaç da olabilir) akım çıkışına sahiptir. Bu yüzden
çıkış akımı giriş akımı ile kontrol edilir. Giriş akımı harici kaynaktan beslenir ve bilinen bir
değerde olmalıdır. Şekil 6.3.2a V1 gerilimi ve R1’in içıkış akımı ürettiği Wilson akım aynasını
göstermektedir. Q1 çıkış transistörü akım kontrollu direnç olarak görev yaparak içıkış çıkış akımını
igiriş’e eşit tutarak regüle eder. Q2 transistörünün emiteri birkaç tane olacak şekilde fabrikasyonu
yapılırsa çıkış akımı birkaç kez çarpılır (şekil 6.3.2b). Böyle bir akım yutak’ı ticari olarak
mevcuttur; örneğin TLC014A. Akım aynası 35 V’luk bir gerilim uyuşmasına ve akıma bağlı 2 ile
200 MΩ arasında değişen çıkış direncine sahiptir. Ticari olarak 33 giriş-çıkış oranlarına kadar
ayarlı oranlı akım aynaları mevcuttur.
Gerilim kontrollu akım kaynağı veya yutak’ı bir işlemsel yükseltici içerebilir (şekil 6.3.3). Böyle bir
devrede hassas ve kararlı R1 direnci içıkış çıkış akımını belirler. Maksimum gerilim uyuşmasında
daha yüksek akım vermek için R1 algılayıcı direnci uçlarında olabildiğince az gerilim düşümü
olmalıdır. Gerçekte bu akım V1 / R1 ’e eşittir. Daha iyi performans için çıkış transistörünün beyz
akımı en aza indirilmelidir; bundan dolayı çıkış elemanı olarak bipolar transistör yerine alan etkili
transistör kullanılır.
(a) Temel devre (b) akım çarpıcı ile akım aynası

Şekil 6.3.2 Akım aynaları
Şekil 6.3.3 İşlemsel yükseltici ve

npn transistör ile akım yutak’ı
Çoğu uygulamalar için bipolar akım generatörleri gerekebilir. Böyle bir generatör bir algılayıcıya
(içeri ve dışarı) her iki yönde akabilen uyartım akımı sağlar. Şekil 6.3.4a yükün bir geri besleme
olarak bağlandığı işlemsel yükselticiyi göstermektedir. ZL yükünden geçen akım, yüke bağımlı olan
V1/R1 akımına eşittir. Yük akımı yükselticinin çalışma sınırları içinde V1’i izler. Akımın açık bir
sınırlaması yükün yüzer durumda (floating) olması yani yükün toprak barasına veya diğer bir
referans noktasına bağlı olmamasıdır. Bazı uygulamalarda bu uygun olmakla beraber çoğu
algılayıcıların topraklanması veya referanslanması gerekir. Şekil 6.3.4b de görülen devrede yük
empedansının bir kenarı toprak potansiyeline yakın tutulmaktadır çünkü işlemsel yükselticinin
evirmeyen girişi suni topraklanmıştır. Buna rağmen, bu devrede bile yük topraktan tamamen
yalıtılmış durumdadır. Bu uygulamanın negatif bir göstergesi değişik çeşitte yayılmış gürültülerin
alınmasındaki artış olabilir.
(a) Evirmeyen devre (b) suni topraklı devre

Şekil 6.3.4 Yüzen yükler ile bipolar akım generatörleri
Algılayıcının topraklanmasının gerektiği durumlarda şekil 6.3.5 de görüldüğü gibi akım pompası
kullanılabilir. Pompalama işlemi, işlemsel yükselticinin etrafındaki hem negatif hem de pozitif geri
beslemelerden yararlanmaya dayanır. Yük pozitif döngüye bağlanmıştır. Yükten geçen akım,
R2 V1 − V2
içıkış = (6.3.3)
R1 R5
dir. Düzeltici P direncinin ayarlanması aşağıdaki eşitliğin sağlanması için gereklidir.

R4 + R5
R3 = R1 (6.3.4)
R2
(a) Howland akım pompası (b) iki işlemsel yükseltici ile akım pompası
Şekil 6.3.5 Toprak referanslı yükler ile akım generatörleri
Bu devrede her direnç oldukça yüksek değerde (100 kΩ veya daha yüksek) olabilir fakat R5’in
değeri küçük tutulmalıdır. Bu şart, küçük bir gerilimin R5 uçlarında ve küçük bir akımın da R4 ve R3
den geçerek kaybolmasıyla Howland akım pompasının verimini geliştirir. Devre çoğu omik
yüklerde kararlı olmakla beraber kararlılığı garantiye almak için birkaç piko faradlık bir C
kapasitörü negatif geri beslemeye ve işlemsel yükselticinin pozitif girişinden toprağa eklenebilir.
Yük indüktif iken hızlı geçici kontrol sinyali uygulandığında, ayar akımını vermek için sonsuz
derecede büyük bir uyuşma gerilimi gerekir. Bu yüzden akım pompası çıkış akımının sınırlı
yükselen bir eğrisini meydana getirecektir. Akan akım çıkış terminal uçlarında işlemsel yükseltici
için tehlikeli bir indüktif ani gerilim yükselmesi meydana getirecektir. Büyük indüktif yükler için
yük ile güç kaynağı arasına diyotlar bağlanarak bu tehlikeli gerilimin yok edilmesi tavsiye
edilmektedir.
Eşlenmiş dört diyot ve iki işlemsel yükseltici ile verimli bir akım pompası şekil 6.3.5b de
görülmektedir. Çıkış akımı aşağıdaki eşitlik ile tanımlanabilir:
( V1 − V2 )
içıkış = (6.3.5)
R5
Bu devrenin avantajı, R dirençlerinin oldukça yüksek değerde seçilebilmesi ve daha iyi ısıl izleme
için aynı homojen ısıl kılıf içine yerleştirilebilmesidir.
Düşük seviyeli sabit akımların üretilmesi için monolitik referans gerilimi şekil 6.3.6’da
görülmektedir ve çok kullanışlı olduğu bulunmuştur. Devre U1 gerilim izleyicisinden çıkış akımı
ile beslenen 2,5 voltluk bir referans içermektedir. Gerilim regülatörü R5 uçlarındaki gerilim
düşümünü tam olarak 2,5 V’ta tutarak dirençteki akımı ve akabinde yükteki akımın da sabit
olmasını temin eder. Yük akımı aşağıdaki gibi belirlenir.
2,5 V
içıkış = (6.3.6)
R5
Şekil 6.3.6 Monolitik gerilim

referanslı akım kaynağı
6.3.2 GERİLİM REFERANSLARI
Referans gerilimi güç kaynağındaki değişimler, sıcaklık, yükleme, eskime ve diğer harici faktörler
tarafından çok az etkilenen ve sabit gerilim üreten elektronik elemandır. Böyle gerilimlerin
üretilmesi için bilinen bazı teknikler vardır. Monolitik biçimde çok sayıda gerilim referansları
olmakla beraber özellikle tüketici ürünleri gibi düşük maliyetli uygulamalarda zener diyot olarak
bilinen bir eleman sıklıkla kullanılır.
Zener diyot, devrede daha yüksek bir gerilimden uygun sabit akımla beslendiğinde devrede sabit
bir gerilim düşümüne neden olur. Zener diyotun aktif kısmı ters polarlanmış yarı iletken pn
jonksiyonudur. Diyot ileri polarlandığında (p kısmı daha pozitif) akımın akmasına gösterilen direnç
az olmaktadır. Gerçekte ileri polarlanmış zener diyot normal bir yarı iletken diyota çok
benzemektedir (şekil 6.3.7a). Diyot ters polarlandığında (anotta eksi katotta artı) uygulana gerilim
Vz den daha az ise çok az akım geçer. Bu ters doyum akımı hemen hemen uygulanan gerilimden
bağımsız küçük bir sızıntı akımıdır. Ters gerilim Vz kırılma gerilimine yaklaşırken ters akım
aniden artacak ve eğer sınırlandırılmazsa diyotun aşırı ısınmasına ve bozulmasına neden olacaktır.
Bundan dolayı zener diyotlar ekseriyetle direnç, PTC termistörler ve diğer elemanlar gibi akım
sınırlayıcı bileşenler ile kullanılır. Zenerin yer aldığı en yaygın devre şekil 6.3.7b de görülmektedir.
Bu devrede diyot yüke paralel bağlanarak, adından da anlaşılacağı gibi bir şöntleyici referans
olmaktadır. Zener gerilimi jonksiyonun sıcaklığı yükselirken azalır.
(a) Gerilim-akım karakteristiği (b) şöntleyici tip gerilim referansı

Şekil 6.3.7 Zener diyot
Zener diyotlar (zenerler) 2 ile 200 V gerilim aralıklarında bulunmakta ve 1 ile 50 watt arasında güç
kayıplarına izin verirler. Kullanışlı, uygun ve kolay bulunmalarının yanında zenerler kaynak
akımına duyarlılık (i), sıcaklık, elemandan elemana değişimler gibi sakıncalardan zarar görebilirler.
Çok düşük akımlarda (mikro amper aralığında) çalışan verimli bir gerilim referansı (şekil 6.3.8a)
bipolar transistörün zener modunda kullanılması ile yapılabilir. Devre beyz emiter jonksiyonunun
ters kırılma özelliğini kullanır. Jonksiyon gerilimi Vr’ye ulaştığında, bu gerilim çoğu bipolar
transistörlerde 6 ile 8 V arasındadır, gerilimin daha fazla artışı ters jonksiyon akımında dramatik bir
artışla sonuçlanır (şekil 6.3.8b). Bundan dolayı jonksiyon bir zener diyot gibi davranır. Bir
transistör ve bir direncin kombinasyonu ile paralel (şöntleyici) bir gerilim regülatörü oluşturularak
düşük fiyatlı devrelerde gerilim referansı olarak kullanılabilir. Bununla beraber böyle bir gerilim
referansı sıcaklığa bağımlıdır ve kırılma gerilimi de yarı iletken işleminin üretimine bağlıdır.
Bunların yanında parçadan parçaya değişimler % 20 kadar büyük olabilir. Eğer bir devre hassas bir
referans noktasına gerek duymuyor veya orantılı bir teknik kullanıyorsa bu konfigürasyon
maliyetin sınırlayıcı bir faktör olduğu uygulamalarda oldukça kullanışlıdır. Bu referansın bariz bir
avantajı düşük akımlarda düşük çıkış direncinin sonucu olarak kırılma eğrisinin çok keskin
olmasıdır.
(a) Şöntleyici tip devre (b) gerilim-akım karakteristiği

Şekil 6.3.8 Mikro akım zener diyotu olarak bipolar transistör
Bant aralığı referansları zener diyotların yerine kullanılabilecek kullanışlı elemanlardır. Bunlar
düşük gerilimli zenerlere göre çıkış empedansları tipik olarak 10 kez daha düşüktür ve 1,2 volttan
10 volta kadar çok çeşitli anma çıkış gerilimlerinde bulunabilir.
6.3.3 OSİLATÖRLER
Osilatörler değişken elektrik sinyali üreten generatörlerdir. Osilatör temelde bir kazanç katı ve bir
miktar doğrusalsızlık ve belli bir miktar pozitif geri beslemeden oluşan bir devredir. Tanıma göre
osilatör kararsız bir devre olup zamanlama karakteristikleri ya kararlı ya da önceden belirlenmiş
fonksiyonel bağımlılığa bağlı olarak değiştirilebilir. Fonksiyonel bağımlılık modülasyon olarak
adlandırılır. Genelde zamanlayıcı bileşenlerine göre sınıflandırılmış üç tip elektronik osilatör
vardır: RC, LC ve kristal osilatörler. RC osilatörlerde çalışma frekansı kapasitör ve dirençler ile LC
osilatörlerde kapasitif ve indüktif bieleşenler ile belirlenir. Kristal osilatörlerde çalışma frekansı
ekseriyetle quartz olan malzemenin belirli şekilde kesilmiş kristallerinin mekanik rezonansı ile
belirlenir.
Osilasyon devrelerinin çok çeşitleri olup bunların hepsinin burada anlatılması bu kitabın amacının
dışına taşmaktadır. Aşağıda algılayıcılar ile doğrudan arabirim yapılabilecek veya ekonomik
uyartım sinyalleri üretebilecek bazı pratik devrelerin açıklanması yapılacaktır.
NOR, NAND kapıları veya ikili (binary) inverterler gibi sayısal devreler ile aynı gövdede
yapılabilen çok sayıda multivibratör bulunmaktadır. Aynı zamanda çoğu multivibratörler yüksek
açık döngü kazancında karşılaştırıcı (komparator) ve işlemsel yükselticiler ile tasarımlanabilir.
Bütün bu osilatörlerde bir kapasitör yüklenir ve uçlarındaki gerilim sabit veya değişken başka bir
gerilim ile karşılaştırılır. Her iki gerilimin eşit olduğu an bir karşılaştırıcı ile dedekte edilir.
Karşılaştırıcı iki giriş sinyali eşit olduğunda çıkış sinyali üreten iki girişli bir devredir.
Karşılaştırmanın göstergesi ters yönde yüklenen kapasitörün gerilim yönünü değiştirmek için bir
RC devresine geri besleme yapılır. Yeni yönde yükleme diğer karşılaştırma anına kadar devam
eder. Bu temel prensip temelde şu minimum bileşenleri gerektirir: bir kapasitör, bir yükleme akımı
ve bir eşik aygıtı (karşılaştırıcı). Üreticilerin yapmış olduğu bazı relaksasyon osilatörleri vardır;
örneğin çok popüler bir zamanlayıcı olan 555 entegresi hem tek kararlı ve hem de kararlı modda
çalışabilir. Gösterim amacıyla aşağıda farklı iki kare dalga osilatörünün çalışması açıklanacaktır
fakat bu devrelerin çok sayıdaki çeşitli tipleri çoğu kitaplarda rahatlıkla bulunabilir.
Basit bir kare dalga osilatörü iki lojik evirici ile yapılabilir; örneğin şekil 6.3.9a daki CMOS. Lojik
evirici güç kaynak geriliminin yarısına yakın bir eşik değerine sahiptir. Girişindeki gerilim eşiği
aştığında evirici zıt yönde çıkış sinyali üretir. Yani giriş gerilimi yükselirken güç kaynağının
geriliminin ½ sine ulaştığı anda çıkış gerilimi negatife giden bir geçicilikte olacaktır. Osilatörün
zamanlama özellikleri R direnci ve C kapasitörü ile belirlenir. Her iki kapasitörün aynı değerde
olması gerekir. Devrenin kararlılığı öncelikle R ve C ’nin kararlılıklarına bağlıdır.
(a) İki lojik inverterli (b) komparator veya işlemsel yükselticili

Şekil 6.3.9 Kare dalga osilatörleri
Çok popüler bir kare dalga osilatörü (şekil 6.3.9b) bir işlemsel yükseltici veya bir gerilim
karşılaştırıcısı ile yapılabilir. Bir gerilim karşılaştırıcısı işlemsel yükselticiden çok daha hızlı hız
tepkisi ve TTL ve CMOS lojik devreler ile kolaylıkla arabirimleştirilebilen çıkış devresi ile
farklılık gösterir. Yükseltici iki geri besleme döngüsü ile çevrelenmiştir – birisi negatif (eviren
girişe) ve diğeri pozitif (evirmeyen girişe). Pozitif geri besleme (R3) eşik seviyesini kontrol ederken
negatif döngü C1 kapasitörünü R4 direnci ile şarj ve deşarj eder. Bu osilatörün frekansı
−1
1 ⎡ ⎛ R1 || R2 ⎞⎤
f = ⎢ ln⎜1 + ⎟⎥ (6.3.7)
R4C1 ⎣⎢ ⎜⎝ R3 ⎟⎠⎦⎥
ile belirlenebilir. Burada R1 || R2 paralel bağlı R1 ve R2 dirençlerinin eşdeğer direncidir.
Bir sinüs dalga osilatörü şekil 6.3.10a’da görülmektedir. Pozitif geribesleme Wien köprüsü olup
şekilde görülen bileşenler 1,5 kHz’ye ayarlanmıştır. Q1, Z1 zener diyotu, gerilim refaransı ve ek
pasif bileşenler negatif bir geri besleme döngüsü oluşturur. Çıkış gerilimi algılayıcıya doğrudan
veya ek bir tampon ile bağlanabilir.
(a) RC devresi (b) çok düşük frekanslar için devre

Şekil 6.3.10 Sinüs dalga osilatörleri
Düşük frekanslı sinüsoidal sinyaller üretilirken şekil 6.3.10b de görülen devre oldukça kullanışlı
bulunmuştur. Avantajı frekansının tek bir ayarlı direnç, Re ile bağımsız olarak kontrol
edilebilmesidir. Osilasyon için şartın
C1 ⎛ C ⎞ RR
R6 + R1 ⎜⎜1 + 1 ⎟⎟ = 2 4 (6.3.8)
C2 ⎝ C2 ⎠ R3
olduğu gösterilebilir ve osilasyon frekansı
1 Re || R5
f = (6.3.9)
2π C1C2 R1R4 1 + ( R2 / R3 )
olarak aşağıdaki eşitliğin sağlaması şartıyla verilir.
R2 R4 R6 = R1 [R4 R5 + R3 ( R4 + R5 + R6 )] (6.3.10)
6.3.9’dan f ’nin Re’nin kare kökü ile orantılı ve (6.3.8) ve (6.3.10) şartları ile çatışmaksızın direnç
ile bağımsız olarak ayarlanabileceği görülmektedir. Pratikte C1=C2 ve R1=R3=R4=R6 seçilmesi
uygun olmaktadır.
Diğer iki devre de sinüs dalga sinyalleri üretir. Bunlar yükseltici olarak npn transistörleri ve
osilasyon frekansının ayarlanması için LC devreleri kullanır. 6.3.11b devresi, algılayıcının

transformotoru osilasyon devresinin bir parçası olduğundan özellikle LVDT pozisyon
algılayıcısının sürülmesi için kullanışlıdır.
(a) (b)
Şekil 6.3.11 LC sinüs dalga osilatörleri
Bir radyo frekans osilatörü, anteninin yanına yaklaşan insanların varlığının dedeksiyonunda
kapasitif bir canlı dedektörünün bir parçası olarak kullanılabilir (şekil 6.3.12). Anten bir sargı olup
C2 kapasitörü ile osilasyon frekansını belirler. Anten osilatörün frekansını az da olsa düşüren
dağıtılmış kapasitansı ile çevreyle kuplajlanmıştır. Bir kişi antenin yakınına yaklaştığında,
osilatörün frekansının daha da azalmasıyla sonuçlanacak şekilde ek bir kapasitans oluşturur.
Osilatörün çıkışı taban frekansına (30 MHz civarında) ayarlanmış bir rezonans tankına (tipik bir LC
devresi) bağlanmıştır. Bir insanın varlığı frekansı düşürerek tanktaki çıkış gerilimini bariz ölçüde
düşürür. Yüksek frekanslı sinyal bir pik dedektörü ile doğrultulur ve düşük frekanslı gerilim bir
komparator ile önceden ayarlanmış eşik ile karşılaştırılır. Bu devrede, bir algılayıcı anten ile
frekansı modüle edilen bir osilatör kullanılmaktadır. Bununla beraber diğer uygulamalar için anten
yerine küçük bir indüktör ile aynı devre kararlı sinüsoidal osilasyonlar üretebilir.
6.3.4 SÜRÜCÜLER
Akım generatörlerinin tersine, gerilim sürücüleri çıkış akımlarından bağımsız, geniş yük
aralıklarında ve çalışma frekanslarında çıkış gerilimleri üretmelidir. Bazen bu sürücüler sabit
gerilim kaynakları olarak adlandırılır. Ekseriyetle sürülmesi gereken algılayıcı saf rezistif ise basit
bir çıkış katına sahip bir sürücü yeterli akım verebilir. Bununla beraber yük kapasitans ve indüktans
içerdiğinde yani yük reaktif olduğunda çıkış katı çok karmaşık bir aygıt olmaktadır.
Çoğu durumlarda yük saf rezistif olduğunda bile yükün içinde bir kapasitans var olabilir. Bu
kapasitans yükün uzun iletkenler ve koaksiyel kablolar ile bağlanması durumunda gözükebilir. Bir
koaksiyel kablo eğer kablonun uzunluğu ilgili f frekansında kablo içindeki dalga boyunun ¼
’ünden daha kısa ise ortadaki iletkeni ile dıştaki iletkeni arasına bağlanmış bir kapasitör gibi
davranır. Koaksiyel kablonun maksimum uzunluğu,
c
L ≤ 0 ,0165 (6.3.11)
f
ile verilir; burada c koaksiyel kablonun dielektriğindeki ışık hızıdır.
Şekil 6.3.12 Kapasitif canlı dedektörü olarak LC radyo frekansı osilatörü
3 × 108
Örneğin, f = 100 kHz ise L ≤ 0 ,0165 = 49 ,5 yani 49,5 metreden daha kısa bir kablo yükle
105
paralel bağlanmış bir kapasitör olarak davranacaktır (şekil 6.3.13a). Bir R6-58A/U kablosunun
kapasitansı 95 pF/m dir. Bu kapasitans iki nedenden dolayı dikkate alınmalıdır: devrenin hızı ve
kararlılığı için. Kararsızlık sürücünün Ro çıkış direnci ve CL yükleme kapasitansı ile meydana gelen
faz kaymasından kaynaklanır:
ϕ = tan −1 g 2π f RoCL (6.3.11)
Örneğin, Ro = 100 Ω ve C L = 1000 pF için f = 1 MHz de faz kayması ϕ = 32° dir. Bu faz
kayması tepkinin önemli ölçüde azalmasına neden olur ve kapasitif yükleri sürme kabiliyeti
azalmış olarak geri besleme devresinde faz marjinini önemli ölçüde azaltır. Kararsızlık bütün
sistemin osilasyon yapabildiği tam bir kararsızlık veya sadece sürücünün kararsız olduğu lokal
seviyede olabilir. Lokal kararsızlıklar güç kaynağı uçlarında büyük by pass kapasitörleri (10 μF
seviyesinde) veya sürücü çipinin güç kaynağı pinlerinden toprağa bağlanmış 3-10 Ω ’luk direnç ile
seri bağlı bir seramik disk kapasitörden oluşan Q-spoiler ile giderilebilir.
(a) Kapasitif yük geri besleme ile sürücünün

(b) bir kapasitif yükün dekuplajı
girişine kuplajlanır.
Şekil 6.3.13 Bir kapasitif yükün sürülmesi
Sürücü katının kapasitif yüklere daha toleranslı yapılması için şekil 6.3.13b de görüldüğü gibi
küçük bir seri dirençle yalıtılabilir. Yükselticinin eviren girişine küçük bir kapasitif geri besleme
(Cf) ve 10 Ω’luk bir direnç 0,5 μF kadar büyük yüklerin sürülmesine izin verebilir. Bununla
beraber özel bir durum için direnç ve kapasitör değerlerinin deneysel olarak bulunması tavsiye
edilmektedir.
1. Bir algılayıcı ve dönüştürücüden alınan sinyal hangi işlemlerden geçirilir?

2. Giriş empedansı terimini açıklayınız.
3. Offset gerilimi ve polarlama akımı terimlerini açıklayınız.
4. Baskı devre plakası kaçak direncinin etkisi nedir?
5. İyi bir işlemsel yükselticide bulunması gereken özellikler nelerdir?
6. İşlemsel yükselticide açık döngü kazancı ne demektir?
7. Gerilim izleyicinin kullanılma yerlerini ve çalışma prensibini açıklayınız.
8. Yük yükselticinin çalışma prensibini ve algılayıcılar ile ilişkisini açıklayınız.
9. Akım generatörü ve akım aynası’nın tanımlarını yapınız.
10. Gerilim referansı ne demektir?
11. Osilatörlerin çalışma prensibini ve algılayıcılar alanı ile ilişkisini açıklayınız.
7 SİNYAL DÖNÜŞTÜRME VE İLETİM DEVRELERİ
7.1 ANALOG-DİJİTAL (A/D) ÇEVİRİCİLER
7.1.1 TEMEL KAVRAMLAR
Analog dijital çeviriciler (converter) monolitik entegre devreler (IC), yüksek performanslı karma
devreler ve modüller gibi çok farklı çeşitte ürün aralığına sahiptir. Dönüştürücü (transducer) ve
çevirici (converter) terimleri çoğu yerlerde aynı telaffuzla kullanılmakta olduğundan aradaki fark
iyi anlaşılmalıdır. Aynı zamanda, bilinen standart elemanlar ve özel entegre devreler olarak belirli
uygulamalar için çeviriciler mevcuttur. A/D çeviriciler analog veriyi – ekseriyetle gerilim – dijital
veri işleme aygıtlarına uygun şekilde eşdeğer dijital biçime dönüştürür. A/D çeviricilerin anahtar
karakteristikleri mutlak ve bağıl doğruluk, doğrusallık, kodların kaybolmaması, çözünürlük,
dönüşüm hızı, kararlılık ve fiyat’ı içerir. Fiyat esas problem olduğunda ayrı bileşenler veya
monolitik IC versiyonlar en verimli olanlarıdır. En popüler A/D çeviriciler hız ve doğruluk arasında
doğal bir uyuşmadan dolayı ardışık yaklaşım tekniğine dayanır. Bununla beraber, özellikle yüksek
dönüşüm hızının istenilmediği çok çeşitli uygulamalarda diğer popüler teknikler de kullanılır.
Bunlar çift eğim, dört (quad) eğim ve gerilim frekans (V/F) çeviricilerini içerir. A/D dönüşümünün
tekniği çok iyi geliştirilmiştir. Burada çeviriciler için bazı popüler yapılar incelenmekle beraber
detaylı bilgi için okuyucu bu amaca yönelik literatüre başvurmalıdır.
En bilinen dijital kod binary kod veya iki tabanlı koddur. İkili kodlar integer sayıların temsil
edilmesinde en çok bilinmektedir; örneğin n bit’e sahip doğal ikili integer kod sisteminde en küçük
sayı 20=1, bundan sonra gelen sayı 21=2 ve en büyük sayı ise 2n-1=2n/2 dir. İkili sayının değeri sıfır
olmayan bütün bitlerin ağırlıklarının toplanmasıyla elde edilir. Ağırlıklı bitler toplanırken 0 ile 2n-1
arasındaki değerlerde bulunurlar.
Analog algılayıcılardan sinyaller çevrilirken, tam skala değer çözünürlük bitlerinin sayısından
bağımsız olduğundan daha kullanışlı bir kodlama fraksiyonel ikili olup daima tam skalaya
normalleştirilmiştir. Tam sayı ikili sistemi eğer bütün tam sayı değerleri 2n ile bölünebiliyorsa
fraksiyonel ikiliye çevrilebilir. Örneğin en büyük bit (MSB) 1/2 (2n-1/2n=2-1) ağırlığına, bundan
sonraki bit 1/4 (2-2) ağırlığına ve en küçük bit (LSB) 1/2n (2-n) ağırlığına sahiptir. Ağırlıklı bitler
toplandığında, bunlar her 2n değerleri ile tam skalanın 0 değerinden (1-2-n)’e kadar bir sayı
oluşturur. Ek bitler, basitçe tam skala aralığını etkilemeksizin daha hassas bir yapı sağlar. Bu
ilişkilerin gösterimi için tablo 7.1 de ikili ağırlıkları ve hem desimal ve hem de ikili tam sayılar ve
fraksiyonları ile 1 ve 0’ın 4 bitlik değerlerinin 16 permütasyonu listelenmiştir.
Tablo 7.1 Tam sayı ve fraksiyonel ikili kodları
Desimal İkili MSB Bit2 Bit3 Bit4 İkili Desimal

fraksiyon fraksiyon ×1/2 ×1/4 ×1/6 ×1/16 Tam sayı Tam sayı
0 0,0000 0 0 0 0 0000 0
1/16=2-4 (LSB) 0,0001 0 0 0 1 0001 1
2/16=1/6 0,0010 0 0 1 0 0010 2
3/16=1/8+1/16 0,0011 0 0 1 1 0011 3
4/16=1/4 0,0100 1 1 0 0 0100 4
5/16=1/4+1/16 0,0101 1 1 0 1 0101 5
6/16=1/4+1/8 0,0110 1 1 1 0 0110 6
7/16=1/4+1/8+1/16 0,0111 1 1 1 1 0111 7
8/16=1/2(MSB) 0,1000 0 0 0 0 1000 8
9/16=1/2+1/16 0,1001 0 0 0 1 1001 9
10/16=1/2+1/8 0,1010 0 0 1 0 1010 10
11/16=1/2+1/8+1/16 0,1011 0 0 1 1 1011 11
12/16=1/2+1/4 0,1100 1 1 0 0 1100 12
13/16=1/2+1/4+1/16 0,1101 1 1 0 1 1101 13
14/16=1/2+1/4+1/8 0,1110 1 1 1 0 1110 14
15/16=1/2+1/4+1/8+1/16 0,1111 1 1 1 1 1111 15
Tüm bitler doğal ikilide 1 olduğunda fraksiyonel sayı değeri 1-2-n veya tam skalanın bir (1)
eksiğine normalleştirilmiş olur (1-1/16=15/16). Kesin olarak söylenirse bir tam sayı ile temsil
edilen 0,1111 sayısı 1-0,0001 dir. Bununla beraber 15 sayısının 1111 olarak yazılarak kodlanması
genel bir pratik haline gelmiştir: 1111→1111/(1111+1) veya 15/16.
Kolaylık sağlaması açısından tablo 7.2 de 20 bite kadar ikili sayıların bit ağırlıkları
listelenmektedir. Bununla beraber algılayıcıların çoğu için pratik sınır 16 biti nadiren aşmaktadır.
Tablo 7.2 İkili bit ağırlıkları ve çözünürlükleri
BIT 2-n 1/2-n fraksiyon dB 1/2n desimal % ppm

0
FS 2 1 0 1,0 100 1000000
MSB 2-1 1/2 -6 0,5 50 500000
2 2-2 1/4 -12 0,25 25 250000
3 2-3 1/8 -18,1 0,125 12,5 125000
4 2-4 1/16 -24,1 0,0625 6,2 62500
5 2-5 1/32 -30,1 0,03125 3,1 31250
6 2-6 1/64 -36,1 0,015625 1,6 15625
7 2-7 1/128 -42,1 0,007812 0,8 7812
8 2-8 1/256 -48,2 0,003906 0,4 3906
9 2-9 1/512 -54,2 0,001953 0,2 1953
10 2-10 1/1024 -60,2 0,0009766 0,1 977
11 2-11 1/2048 -66,2 0,00048828 0,05 488
12 2-12 1/4096 -72,2 0,00024414 0,024 244
13 2-13 1/8192 -78,3 0,00012207 0,012 122
14 2-14 1/16384 -84,3 0,000061035 0,006 61
15 2-15 1/32768 -90,3 0,0000305176 0,003 31
16 2-16 1/65536 -96,3 0,0000152588 0,0015 15
17 2-17 1/131072 -102,3 0,00000762939 0,0008 7,6
18 2-18 1/262144 -108,4 0,000003814697 0,0004 3,8
19 2-19 1/524288 -114,4 0,000001907349 0,0002 1,9
20 2-20 1/1048576 -120,4 0,0000009536743 0,0001 0,95
Sinyal Dönüştürme ve İletim Devreleri 197
En küçük sayıya atanan ağırlık n bite sahip sayıların çözünürlüğüdür. dB sütunu en küçük bit
değerinin birime oranının (tam skala) logaritmasının (10 tabanı) 20 ile çarpılmış halini temsil
etmektedir. 2’nin her ardışık gücü 6,02 dB’lik bir değişimi temsil eder [örneğin 20log10(2)] veya 6
dB/oktav.
7.1.2 V/F ÇEVİRİCİLER
Gerilim frekans çeviricileri (V/F) yüksek çözünürlükte dönüşüm sağlayabilir ve uzun dönem
integrasyon, D/A ile birlikte dijitalden frekansa çevrim, frekans modülasyonu, gerilim izolasyonu
ve isteğe bağlı frekans bölümü ve çarpımı gibi bazı özellikleri ile algılayıcılar için kullanışlığını
artırabilir. Çevirici akım veya gerilim şeklinde algılayıcıdan analog çıkışı kabul eder. Bazı
durumlarda algılayıcı A/D çeviricinin bir parçası olabilir. Burada sadece gerilimin frekansa veya
diğer ifadeyle verilen zaman içinde belli sayıda kare dalga palslerine dönüşümü açıklanacaktır.
Verilen bir giriş değeri için saniye başına pals sayısı veya frekans giriş değerinin ortalama değeri
ile orantılıdır.
V/F çevirici kullanılarak en basit ve en ekonomik bir A/D çevirici yapılabilir. Analog gerilimin
dijital sinyale dönüşümü için gereken zaman V/F çeviricinin tam skala frekansı ve istenilen
çözünürlük ile ilişkilidir. Genelde V/F çeviricileri ardışık yaklaşım aygıtlarına kıyasla oldukça
yavaş olmakla beraber çoğu algılayıcı uygulamaları için oldukça uygun olmaktadır. V/F çevirici
A/D olarak çalışırken istenilen örnekleme oranına uygun saat sinyalinde bir sayıcı ile kuplajlanır.
Örneğin çeviricinin tam skala frekansı 32 kHz ve sayıcının saat sinyali saniyede 8 kere ise her
sayma saykılında depolanabilecek en yüksek pals sayısı 12 bitlik bir sayıya karşılık gelen yaklaşık
4000 dir (tablo 7.2’ye bakınız). Aynı (V/F çevirici ve bir sayıcı) bileşenlerinin bir kombinasyonu
kullanılarak uyarıcının belli bir zaman içinde integralinin alınması gerektiği yerlerde bir integratör
eklenebilir. Sayıcı her sayma saykılı başına ortalama pals sayısı yerine belli aralıktaki palsleri depo
eder.
V/F çeviricinin diğer bir kullanışlı özelliği de, palslerinin iletişim hatlarından kolayca iletilebilme
özelliğidir. Palsli sinyal yüksek çözünürlükteki analog sinyale göre gürültülü ortamlara daha az
duyarlıdır.
İdeal durumda çeviricinin çıkış frekansı, fçıkış geriş gerilimi, Vgiriş ile orantılıdır:
f çıkış Vgiriş
= (7.1.1)
f FS VFS
Burada, fFS tam skala frekansı ve VFS giriş gerilimidir. Bir çevirici için f FS /VFS = G oranı sabittir
ve çevirme faktörü olarak adlandırılır; bu durumda:
f çıkış = GVgiriş (7.1.2)
olur. Bilinen birkaç V/F çevirici tipi vardır. Bunlardan en popüleri olanları multivibratör ve yük-
denge konfigürasyonlarıdır.
Multivibrator V/F çeviricisi zamanlayıcı bir kapasitörün yükleme ve boşalmasının giriş sinyali ile
kontrol edildiği serbest çalışan kare dalga osilatörü kullanır (şekil 7.1.1). Giriş gerilimi (Vgiriş) çıkış
sinyali ile iki gerilim-akım çeviricisinin (Q1 ve Q2) kontrol edildiği bir diferansiyel yükseltici ile
yükseltilir. Hassas bir multivibratör zamanlayıcı C kapasitörünü alternatif olarak akım
çeviricilerine bağlar. Kapasitör yarım periyot boyunca ia akımı ile Q1 transistöründen yüklenir ve
zamanlama periyodunun ikinci yarısı süresince Q2 transistöründen ib akımı ile deşarj olur. ia ve ib
akımları giriş sinyali ile kontrol edildiğinden kapasitörün yüklenme ve boşalma eğimleri buna göre
değişerek osilatörün frekansı değişmiş olur. Bu devrenin açık bir avantajı basitliği ve çok düşük
güç tüketimi olmakla beraber giriş sinyalindeki yüksek frekanslı gürültüyü rejeksiyon özelliği yük-
denge mimarisindeki kadar iyi değildir.
Şekil 7.1.1
Multivibratör tipi
gerilim frekans
çevirici
Yük-denge tipi çevirici şekil 7.1.2 de görüldüğü gibi bir analog integratör ve gerilim karşılaştırıcısı
kullanır. Bu devre yüksek hız, yüksek doğrusallık ve iyi gürültü rejeksiyonu gibi avantajlara
sahiptir. Devre çeşitli üreticiler tarafından üretilmektedir; örneğin ADVF32 ve AD650 ve LM650.
Çeviricinin çalışması şöyledir: İntegratöre, Rgiriş giriş direncinden geçerek Vgiriş gerilimi uygulanır.
İntegratör kapasitörü işlemsel yükselticiye negatif geri besleme olarak bağlanmıştır; işlemsel
yükselticinin çıkış gerilimi –0,6 V’luk küçük bir negatif eşik ile karşılaştırılmaktadır. İntegratör
şekil 7.1.4 de görüldüğü gibi testere dişi gerilim üreterek eşik gerilimi ile karşılaştırma anında
karşılaştırıcının çıkışında geçici bir gerilim meydana gelir. Bu geçici gerilim tek atışlı generatörü
çalıştırarak sabit tos süresine sahip bir kare dalga üretir. Hassas akım kaynağı sabit i akımı üreterek
alternatif olarak ya integratörün toplama noktasına ya da çıkışına uygulanır. S1 anahtarı tek atışlı
palsler ile kontrol edilir. Akım kaynağı toplama noktasına bağlandığında integrasyon kapasitörüne
tam olarak ΔQ = itos yükünü verir. Aynı toplama noktası Rgiriş direncinden giriş yükünü de alarak,
net yük Cgiriş integrasyon kapasitöründe birikir.
Şekil 7.1.2 Yük-denge V/F çeviricisi

Igiriş Igiriş
Igiriş Igiriş
Cgiriş Cgiriş
Vgiriş Rgiriş Vgiriş Rgiriş
i-Igiriş i-Igiriş
(a) (b)
Şekil 7.1.3 Yük-denge çeviricisinde integrasyon ve integrasyon dışı fazlar
Şekil 7.1.4 Yük-denge çeviricisinin

integratör çıkışı
Eşik değerine ulaşıldığında tek atış tetiklenir ve S1 anahtarı durumunu yüksek yaparak yeniden
kurma periyodunu başlatır (şekil 7.1.3b). Yeniden kurma periyodu süresince akım kaynağı akımını
integratörün toplama noktasına verir. Giriş akımı integrasyon kapasitörünü üst değere yükler. Eşik
değeri ve integrasyonun bitişi arasındaki toplam gerilim tek atış palsinin süresi ile belirlenir:
dV i − I giriş
ΔV = tos = tos (7.1.1)
dt C giriş
Tek atış devresinin çıkış sinyali düştüğünde S1 anahtarı i akımını integratörün çıkış terminaline
yönlendirir ve bunun Cgiriş integrasyon kapasitörünün durumuna bir etkisi yoktur. Yani akım
kaynağı işlemsel yükselticiden çıkış akımının bir kısmını üzerine alır. Bu zaman integrasyon
periyodu olarak adlandırılır (şekil 7.1.3a ve 7.1.4). İntegrasyon süresince pozitif giriş gerilimi Cgiriş
giriş kapasitörüne I giriş = Vgiriş / Rgiriş akımı verir. Bu, integratörün Vgiriş ile orantılı bir oranda
pozitif gerilim değerinden aşağı düşmesine neden olur. Karşılaştırıcının eşik gerilimine ulaşmak
için gereken zaman miktarı aşağıdaki gibidir:
ΔV i − I giriş 1 i − I giriş
T1 = = tos = tos (7.1.2)
dV / dt C giriş I giriş / C giriş I giriş
Kapasitör değerinin integrasyon periyodunun süresini etkilemediği görülmektedir. Çıkış frekansı

aşağıdaki gibi belirlenir.
1 I giriş Vgiriş 1
f çıkış = = = (7.1.3)
tos + T1 tos i Rgiriş tos i
Bu yüzden tek atış palslerinin frekansı giriş gerilimi ile orantılı olup aynı zamanda integrasyon
direncinin kalitesine, akım generatörünün kararlılığına ve tek atış devresine de bağlıdır. Dikkatli bir
tasarımla bu tip V/F çevirici 100 ppm’nin aşağısında doğrusalsızlık hatasına erişebilir ve 1 Hz - 1
MHz arası frekansları üretebilir.
Yük-denge çeviricisi gibi integrasyon tipi çeviricilerin ana avantajı çok miktarda eklenmiş (+)
gürültüleri reddetme özelliğidir. Ölçümün integrasyonu ile gürültü azaltılabilir veya tamamen yok
edilebilir. Çeviriciden alınan palsler bir sayıcıda T periyodu (gated period) ile biriktirilir. Bu
durumda sayıcı aşağıda görüldüğü gibi transfer fonksiyonuna sahip bir filtre gibi davranır:
sinπ fT
H( f ) = (7.1.4)
π fT
Burada, f palsin frekansıdır. Düşük frekanslarda transfer fonksiyonunun birime çok yakın olması
çevirici ve sayıcının doğru ölçümler yapması anlamındadır. Bununla beraber 1/T frekansı için
transfer fonksiyonu sıfır yani bu frekanslar tamamen reddedilmektedir. Örneğin kapı sürme zamanı
T=16,67 ms veya 60 Hz frekansında ise ki bu çoğu algılayıcılarda bariz hataların kaynağı olan
şebeke frekansıdır; bu durumda 60 Hz gürültüsü reddedilecektir. Daha da ötesi bu frekansın 120
Hz, 180 Hz, 240 Hz ve daha büyük katları olan frekanslar da reddedilecektir.
7.1.3 ÇİFT EĞİMLİ ÇEVİRİCİLER
Bu çevirici tipinde giriş gerilimi endirek dönüştürülür. İlk önce Vgiriş’i zamanın bir fonksiyonuna
çevirir ve daha sonra zaman fonksiyonu bir pals sayıcı ile bir dijital sayıya dönüştürülür. Çift
eğimli çeviriciler oldukça yavaş olmakla beraber hızlı değişimlere sahip olmayan uyarıcılar için
basit yapıları, uygun maliyeti, gürültü bağışıklığı ve potansiyel yüksek çözünürlüğü bakımından
ekseriyetle iyi bir seçim olmaktadır. Çeviricinin çalışma prensibi şu şekildedir (şekil 7.1.5). Yük-
denge çeviricisinde olduğu gibi bir integratör ve bir eşik karşılaştırıcısı vardır. Eşik gerilimi sıfır
(toprak) veya uygun diğer bir sabit gerilime ayarlanmıştır. İntegratör S1 analog anahtarı ile ya giriş
gerilimine veya referans gerilimine seçici olarak bağlanır. Bu basitleştirilmiş şemada giriş gerilimi
negatif iken referans gerilimi pozitiftir. Bununla beraber giriş sinyalinin DC seviyesinin
kaydırılması (ek bir işlemsel yükseltici ile) ile devre çift kutuplu sinyalleri de dönüştürebilecektir.
Karşılaştırıcının çıkışı integratörün çıkış gerilimi sıfırı geçerken lojik kontrol devresine bir sinyal
gönderir. Lojik devre hem S1 anahtarını ve hem de S2 kurma anahtarını kontrol eder. S2 kurma
anahtarının görevi Cgiriş integrasyon kapasitörünün deşarjını sağlamaktır.
Başlama girişi çalıştırıldığında S1 anahtarı integratörü giriş sinyaline bağlar ve lojik zamanlayıcıyı
başlatır. Zamanlayıcı sabit bir T zaman aralığına ayarlanmıştır. Bu zaman süresince integratör giriş
sinyaline göre değişen ve pozitif yükselen bir eğim (rampa) üretir (şekil 7.1.6). Giriş sinyalinin
sabit olmasının gerekmediğine dikkat edilmelidir. İntegrasyon işlemi süresince sinyaldeki bütün
değişimlerin ortalaması alınır. T zamanının geçmesi üzerine integratör çıkış gerilimi
Şekil 7.1.5 Çift eğimli A/D çevirici
T
Vm = V giriş (7.1.5)
Rgiriş C giriş
düzeyine ulaşır. Burada, V giriş T zamanı süresince ortalama giriş sinyalidir. Bu anda S1 giriş
sinyaline göre ters polaritede olan referans gerilimine anahtarlama yaparak integrasyon dışı fazını
kurar (referans gerilimi integrasyonu); bu sürede integratörün gerilimi sıfır eşik değerini geçinceye
kadar aşağı bir rampa izleyerek düşer. Referansın integrali aşağıdaki eğime sahiptir:
Vref
a = - (7.1.6)
RgirişC giriş
Şekil 7.1.6 Çift eğimli A/D

çeviricide integratör çıkışı
İntegrasyon dışı fazı süresince sayıcı saat palslerini sayar. Karşılaştırıcı bir sıfır geçiş gösterdiğinde
sayma durur ve analog integratör S2 yoluyla kapasitörün deşarjı ile yeniden kurulur. Giriş
sinyalinin integrasyon dışı fazı süresince kapasitörün kazandığı yük tam olarak referansın
integrasyon dışı süresince kaybolan yüke eşittir. Bu yüzden
T Δt
V giriş = Vref (7.1.7)
Rgiriş C giriş Rgiriş C giriş
olup sadeleştirme sonucu
V giriş Δt
= (7.1.8)
Vref T
olur. Böylece ortalama giriş gerilimi ve referans geriliminin oranı iki zaman aralığının oranına eşit
olur. Daha sonra sayıcı diğer adıma geçer yani Δt süresince saat palslerini sayarak Δt zaman
aralığını dijital biçime dönüştürür. Toplam sayma V giriş ’in bir ölçüsüdür (Vref ve T sabitlerdir).
Çift eğimli çevirici yük-denge çeviricisindeki aynı avantaja sahiptir; her ikisi de integrasyon
zamanına karşılık gelen 1/T frekansını reddeder. Zamanın T=200 ms seçimi hem 50 Hz ve hem de
60 Hz den kaynaklanan gürültüyü reddederek çeviriciyi şebeke hattı frekansına bağışıklık
kazandırır. Daha da ötesi dönüşüm doğruluğu bileşen değerleri ve saat frekansının kararlılığından
bağımsızdır çünkü aynı saat T zamanını ve sayıcıyı kurmaktadır. Dönüşümün çözünürlüğü sadece
analog çözünürlük ile sınırlanmaktadır; bundan dolayı sinyalin mükemmel hassas yapısı verilen
skala faktör doğruluğunu sağlamak için gerektiğinden daha fazla bitler ile temsil edilebilir.
İntegrasyon yüksek frekanslı gürültününn reddedilmesini sağlar ve T aralığı süresince sinyaldeki
bütün kararsızlıkların ortalamasını alır. Çift eğimli bir dönüşümün hız’ı saniye başına 1/2T
dönüşümden daha az bir değerde sınırlanır.
Devrenin analog kısmında meydana gelen hataların en aza indirilmesi için (integratör ve
karşılaştırıcı) ekseriyetle üçüncü bir zamanlama fazı yapılır. Bu otomatik sıfır fazı olarak
adlandırılır çünkü bu faz süresince Cgiriş kapasitörü sıfır değişim (drift) hataları ile yüklenir ve
integrasyon süresince bunların sıfırlanması için zıt yönde işlem gerçekleştirilir. Statik hataların
azaltılması için alternatif bir yol otomatik sıfır saymalarını depolamak ve bunları dijital olarak
çıkarmaktır.
Çift eğimli çeviriciler sıklıkla analog bileşenler (işlemsel yükselticiler, anahtarlar, dirençler ve
kapasitörler) ve bir mikro işlemcinin kombinasyonu ile yapılır. Mikro işlemci zamanlama, kontrol
mantığı ve sayma fonksiyonlarını yerine getirir. Bazen analog kısım ayrı bir entegre devre olarak
paketlenir; örneğin TS500 modülü.
7.1.4 ARDIŞIK YAKLAŞIM ÇEVİRİCİSİ
Bu çeviriciler 1 Mhz’e kadar yüksek hızları ve 16 bite kadar yüksek çözünürlükleri ile monolitik
biçimde yaygın olarak kullanılırlar. Dönüşüm zamanı sabit ve giriş sinyalinden bağımsızdır. Her
dönüşüm, dahili lojik ve kaydediciler her dönüşümden sonra silindiğinden kendine özgüdür;
bundan dolayı bu A/D çeviriciler çok kanallı çoğullayıcılar için uygun olmaktadır. Şekil 7.1.7a daki
çevirici hassas bir gerilim karşılaştırıcısı, kaydırmalı kaydedici ve kontrol lojiğinden oluşan bir
modül ve dijital çıkışlardan analog karşılaştırıcının girişine geri besleme olarak görev yapan bir
dijital-analog çeviriciden (D/A) oluşmaktadır.
Karşılaştırıcı
(a) blok diyagram (b) 3-bit ağırlığı
Şekil 7.1.7 Ardışık-yaklaşım A/D çevirici
Dönüştürme tekniği, bilinen Vgiriş girişini tam Va gerilimi veya D/A çeviricisi ile üretilmiş akım ile
karşılaştırmaktan ibarettir. Dönüştürme tekniği n sayıda ikili ağırlıkların (1/2 kg, 1/4 kg, 1/8 kg,
1/16 kg, vb. toplam 1 kg ağırlığa kadar) bir grubu ile tartı kullanılarak tartma işlemine
benzemektedir. Dönüştürme saykıllarından önce bütün kaydediciler silinmeli ve karşılaştırıcının
çıkışı yüksek olmalıdır. D/A çevirici girişinde en büyük bite sahip (1/2 skala) ve tam skala giriş
sinyalinin ½’sine eşit uygun bir Va analog gerilimi üretir. Eğer giriş hala D/A geriliminden büyükse
(şekil 7.1.8) karşılaştırıcının çıkışı kaydedicinin çıkışında “1” olacak şekilde yüksek kalır. Sonra
bundan sonraki bit (tam skalanın 2/8=1/4’ü) denenir. Eğer ikinci bit girişi aşacak yeterli ağırlık
eklemezse karşılaştırıcı yine yüksek kalır (çıkışında “1” olarak) ve üçüncü bit denenir. İşlem son
bit deneninceye kadar azalan bir ağırlıkta devam eder. Bu tamamlandıktan sonra durum çizgisi
dönüştürmenin sonunu gösterir ve veri giriş sinyaline karşılık gelen geçerli bir sayı ile
kaydediciden okunabilir.
Şekil 7.1.8 Çözünürlük

geliştirme devresi
Dönüştürmenin geçerli olması için Vgiriş giriş sinyalinin bütün bitler deneninceye kadar
değişmemesi gerekir yoksa dijital okuma hatalı olacaktır. Değişen girişle ilgili problemlerden
kaçınmak için bir ardışık yaklaşım çeviricisi ekseriyetle örnekleme ve tutma devresi ile beraber
kullanılır. Bu devre kısa zamanlı bir analog hafıza olup giriş sinyalini örnekler ve bütün
dönüştürme saykılı süresince DC gerilim olarak depolar.
7.1.5 ÇÖZÜNÜRLÜĞÜN ARTIRILMASI
Ayrı bileşenler ile veya uygulamaya özel entegre devreler (ASIC) ile yapılan çoğu veri kazanç
sistemleri, özellikle maliyet ciddi bir problem olduğunda mevcut bir A/D çeviricinin maksimum
çözünürlüğü sıklıkla 8 bitle sınırlandırılır. Bununla beraber, bu sınırlama bir uyarıcının doğru
temsili için yeterli olmayabilir. Yüksek çözünürlüğü sağlamanın bir metodu çözünürlüğü sadece
mevcut sayıcı oranı ve karşılaştırıcının hız tepkisi ile sınırlanan çift eğimli bir A/D çevirici
kullanmaktır. Çözünürlüğün doğruluk ile karıştırılmamasına dikkat edilmelidir. Diğer bir metot
çözünürlük artırıcı devresi olan 8 bitlik A/D çevirici (örneğin ardışık yaklaşım tipi) kullanmaktır.
Böyle bir devre çözünürlüğü birkaç bit artırabilir; örneğin 8 den 12’ye. Devrenin blok diyagramı
şekil 7.1.8 de görülmektedir. Geleneksel 8 bitlik A/D çeviriciye ek olarak bu devre D/A çevirici,
çıkarma devresi ve A kazancına sahip bir yükseltici içerir. ASIC veya ayrı bileşenli devrelerde bir
D/A çevirici bir A/D kısım ile paylaşılabilir (şekil 7.1.7a).
Vm giriş sinyalinin tam skala değeri E dir; böylece 8 bit çevirici için başlangıç çözünürlüğü:
E E
Ro = 8
= (7.1.9)
2 − 1 255
olur. Görüldüğü gibi çözünürlük bit başına volt ile ifade edilir. Örneğin 5 volt tam skala için 8 bit
çözünürlüğü 19,6 mV/bit olacaktır. Başlangıçta çoğullayıcı (MUX) giriş sinyalini A/D çeviriciye
bağlar ve çevirici bit olarak ifade edilen M değerinde dijital çıkış sinyali üretir. Sonra mikroişlemci
çıkışları D/A çeviriciden geçerek giriş sinyalinin yaklaşık değeri olan analog çıkış gerilimi, Vc
üretir. Bu gerilim giriş geriliminden çıkarılır ve yükseltici ile
VD = (Vm − Vc ) A (7.1.10)
değerine yükseltilir. VD gerilimi gerçek ve dijital olarak temsil edilen sinyaller arasındaki
yükseltilmiş hatadır. Tam skala giriş gerilimi için maksimum hata, (Vm − Vc ) A/D çeviricinin
çözünürlüğüne eşittir; bu yüzden 8 bitlik dönüşüm için VD =19,6A mV tur. Çoğullayıcı bu gerilimi
A/D çeviriciye bağlayarak, VD gerilimi dijital C değerine dönüştürülür:
VD A
C= = (Vm − Vc ) (7.1.11)
Ro Ro
Sonuç olarak mikroişlemci iki dijital değeri birleştirir: M ve C; burada C yüksek çözünürlük
bitlerini temsil eder. Eğer A = 255 ise 5 V tam skala için en küçük bit = 77 μV olur ki toplam 16
bitlik bir çözünürlüğe karşılık gelir. Pratikte D/A çeviriciden kaynaklanan hatalar referans gerilimi,
yükseltici değerlerinin değişimi (drift), gürültü, vb. den dolayı böyle yüksek kararlılığın elde
edilmesi çok zordur. Buna rağmen bu metot 10 veya 12 bitlik ılımlı bir çözünürlük yeterli
görüldüğü zaman oldukça etkilidir.
7.2 DOĞRUDAN SAYISALLAŞTIRMA
Hemen hemen bütün algılayıcılar düşük seviyeli sinyal üretirler. Bu sinyallerin veri işleme
aygıtlarına uygun seviyeye getirilmesi için genelde yükselticiler kullanılır. Maalesef yükselticiler
ve bağlantı kabloları ve iletken teller ek hatalar meydana getirebilir, aygıtın maliyetini artırabilir ve
karmaşıklığı artırabilir. Algılayıcı tabanlı sistemlerde ortaya çıkan bazı eğilimler sinyal düzeltici
yükselticilerin kullanımının en azından bazı çeviriciler için yeniden gözden geçirilmesine neden
olmaktadır. Özel olarak, çoğu endüstriyel algılayıcı beslemeli sistemler dijital veri iletimi ve işleme
aygıtı kullanmaktadır. Bu eğilimlerin yönü, zor bir işlem olan algılayıcı çıkışının doğrudan
sayısallaştırılması noktasında olmaktadır. Bu özellikle tek bir çip üzerinde algılayıcı devrenin
entegrasyonu durumunda doğrudur.
Klasik A/D dönüşüm teknikleri yüksek seviyeli giriş değer aralıkları üzerinde durmaktadır. Bu en
küçük bit adım büyüklüğünün olabildiğince büyük olması, offsetin ve gürültü hatasının
azaltılmasına izin verir. Bundan dolayı minimum en küçük bit sinyali daima en azından 100-200
μV olarak seçilir. Bu yüzden çoğu algılayıcıların doğrudan bağlanması -örneğin RTD sıcaklık
dönüştürücüleri veya piezoelektrik strengeyçlerin doğrudan bağlanması- gerçekçi olmamaktadır.
Böyle dönüştürücülerin tam skala çıkışı birkaç milivolt ile sınırlanır yani 10 bitlik A/D çevirici 1
μV civarında en küçük bite sahip olacak demektir.
Dönüştürücü sinyallerinin doğrudan sayısallaştırılması DC katını elimine eder ve doğruluğu

azaltmaksızın daha iyi performans verebilir. Doğrudan sayısallaştırmanın arkasındaki ana fikir
algılayıcının bir A/D çevirici veya bir empedans-frekans çeviricisi gibi sinyal çeviricinin içine dahil
edilmesidir. Bütün böyle çeviriciler modülasyon işlemi yaptıklarından dolayı doğrusal olmayan
elemanlardır. Bundan dolayı bunlar ekseriyetle eşik karşılaştırıcısı olan bir çeşit doğrusal olmayan
devreye sahiptir. Eşik seviyesinin kaydırılması çıkış sinyalini modüle eder ki bu istenilen bir
etkidir.
Şekil 7.2.1 de modülasyonlu osilatörün basitleştirilmiş devre diyagramı görülmektedir. Devre bir
işlemsel yükseltici ve eşik devresi ile yapılmış integratörden oluşur. Kapasitör, C uçlarındaki
gerilim değeri işlemsel yükselticinin evirmeyen girişindeki gerilimle orantılı olan akımın
integralidir. Bu gerilim eşik değerine ulaştığında SW anahtarı kapanarak kapasitörü tamamen
deşarj eder. Kapasitör saykıl tekrar edinceye kadar akımın integralini almaya başlar. Yükselticinin
çalışma noktası R2 direnci, S foto transistörü ve Vref referans gerilimi ile belirlenir. Transistörün
beyzine etkiyen ışık akısındaki bir değişim kollektör akımını değiştirerek çalışma noktasını
kaydırır. Benzer bir devre, örneğin bir termistör olan rezistif dönüştürücünün doğrudan
sayısallaştırılması için kullanılabilir. Devre daha ileri olarak doğruluğunun artırılması, yükselticinin
offset geriliminin veya polarlama akımının, sıcaklık değişimlerinin, vb. kompanzasyonu ile
geliştirilebilir.
(a) Basitleştirilmiş şematik (b) gerilimler
Şekil 7.2.1 Işık modülasyonlu osilatörün şematiği ve gerilimler
Kapasitif algılayıcılar çoğu uygulamalarda popülerliğini sürdürmektedir. Bugünlerde mikromakina

tekniği küçük monolitik kapasitif algılayıcıların fabrikasyonuna izin vermektedir. Kapasitif basınç
algılayıcılarında, değişken aralıklı kapasitörün bir plakası olarak metal elektrot ve hareketli plakası
olarak ince silikon diyafram kullanılır. Bu kapasitörlerdeki ana problem birim alan başına oldukça
düşük kapasitans değeri (2 pF/mm2) ve sonuçta büyük dış görünüş boyutlarıdır. Tipik bir aygıt,
basınç sıfır iken birkaç piko farad seviyesinde bir kapasitans ile 8 bitlik çözünürlük 50 fF (1 femto
farad = 10-15 F) veya daha az seviyede kapasitif kaymaların dedeksiyonunu gerektirir. Bağlantı
iletkenlerinin parazitik kapasitansı algılayıcının kapasitansına göre çok fazla yani 1 pF seviyesinde
olabildiğinden herhangi harici bir devrenin pratik olmayacağı tamamen açıktır. Bu yüzden böyle
bir algılayıcıyı pratik yapmanın tek yolu arabirim devresini algılayıcının içine eklemektir. Böyle bir
devreyi tasarımlamanın oldukça etkin bir yolu anahtarlamalı kapasitör tekniği kullanmaktır. Bu
teknikte katı hal analog anahtarlar ile bir kapasitörden diğerine yük transferi prensibi uygulanır.
Şekil 7.2.2a’da anahtarlamalı-kapasitör çeviricinin basitleştirilmiş devre diyagramı görülmektedir.

Burada, Cx değişken kapasitans ve Cr referans kapasitansı simetrik silikon basınç algılayıcısının
parçalarıdır. Monolitik MOS anahtarları (1-4) φ1 ve φ2 ters fazlı zaman pals’leri ile sürülür. Saat
anahtarlandığında ortak kapasitans noktasında bir yük gözükür. Yük sabit gerilim kaynağı, VPM ile
sağlanır ve (Cx - Cr) ve dolayısiyle algılayıcıya uygulanan basınçla orantılıdır. Bu yük işlemsel
yükseltici, Cf integrasyon kapasitörü ve MOS deşarj (kurma) anahtarı (5) içeren yük-gerilim
çeviricisine uygulanır. Çıkış sinyali değişken genlikte palsler (şekil 7.2.2b) olup bir iletişim hattı ile
iletilebilir veya doğrusal sinyal üretmek için demodüle edilebilir veya bir dijital sinyale
dönüştürülebilir. İntegrasyon işlemsel yükselticinin açık döngü kazancı yüksek olduğu sürece çıkış
gerilimi kaçak C giriş kapasitansına, offset gerilimine ve sıcaklık değişimlerine duyarsızdır.
Dedekte edilebilecek minimum sinyal (gürültü tabanı) elemanın gürültüsü ve bileşenlerin sıcaklık
değişimleri ile belirlenir. Devre analizi, minimum gürültü gücünün integrasyon kapasitörünün (Cf)
yaklaşık olarak işlemsel yükselticinin frekans kompanzasyon kapasitörüne eşit olduğunda
oluştuğunu göstermektedir.
(a) Basitleştirilmiş şematik (b) zamanlama diyagramı
Şekil 7.2.2 Diferansiyel kapasitans gerilim çeviricisi
MOS kurma anahtarı iletim durumundan kesim durumuna geçtiğinde anahtarlama sinyali kurma
transistörünün kapısından işlemsel yükselticinin toplama giriş noktasına (eviren giriş) bir miktar
yük enjekte eder. Bu yük MOS transistörünün (5) kapı-kanal kapasitansı boyunca yayılır. Bu
enjekte yük çıkışta bir offset gerilimi ile sonuçlanır. Bu hata bir yük yoketme aygıtı ile kompanze
edilerek sinyal-gürültü oranı kompanze edilmemiş yükün genliğinin iki katı kadar geliştirilebilir.
Devrenin sıcaklık değişimi
dVçıkış (C x − C r )
= V PM (TCr − TCf ) (7.2.1)
dT Cf
olarak ifade edilebilir. Burada; TCr Cx ve Cr’nin nominal sıcaklık katsayısı ve TCf Cf integrasyon
kapasitörünün sıcaklık katsayısıdır. Bu eşitlik sıcaklık değişiminin öncelikle algılayıcıdaki
kapasitansların eşlenmemesine bağlı olduğunu ifade etmektedir. Farklı iki Cf integrasyon
kapasitörü için devrenin tipik transfer fonksiyonu şekil 7.2.3 de görülmektedir. Standart CMOS
işlemi kullanılarak 0,68 × 0,9 mm ölçülerinde yukarıdaki devrenin bir benzeri yapılmış ve 10 ile
100 kHz saat frekans aralığında çalıştırılmıştır.
Şekil 7.2.3 İntegratör kapasitansının

iki değeri için kapasitans-gerilim
çeviricisinin transfer fonksiyonu
Halihazırda farklı üreticiler algılayıcı için gerekli arabirim işlemini yapan çok sayıda monolitik
entegre dijital işlem devreleri imal etmektedir; örneğin SSC8830 prosensor düşük gerilimli sinyali
algılayıcıdan kabul etmekte, yükseltmekte, sayısallaştırmakta ve bir işlemci veya bir
mikrokontrolöre seri olarak dijital pals akışı şeklinde çıkış vermektedir. Elemanın analog kısmı bir
diferansiyel giriş, ayarlanabilir kazançlı kıyıcı kararlı yükseltici ve 5 V regülatörden oluşmaktadır.
Kıyıcı yükseltici hata kaynağı olan yükselticinin offset’ini elimine eder. Kıyıcı işlemi giriş analog
sinyali ve örnekleme frekans sinyalinin çarpma (×) işlemidir. Bu işlem giriş sinyalinin spektral
karakteristiğinin düşük frekanstan yüksek frekans domenine kayması ile sonuçlanır; yüksek
frekansta yükseltme offset etkisi ve 1/f tipi gürültüden uzaktır. Yükseltmeden sonra sinyal tekrar
düşük frekans domenine dönüştürülür ve dijital biçim haline getirilir.
7.3 ORANTILI DEVRELER
Algılayıcının doğruluğunu geliştirmenin güçlü bir metodu sinyal düzeltmenin diğer bir yolu olan
orantılı teknik kullanmaktır. Bu metot hata kaynağının çarpıcı (×) özellikte olması ve toplama (+)
özelliğinde olmaması durumunda kullanışlıdır. Bu teknik, örneğin ısıl gürültünün azaltılmasında
kullanışsızdır. Diğer taraftan, bu metot güç kaynağının kararsızlığı, çevre sıcaklığı, nem, basınç,
eskime etkisi, vb. faktörlere algılayıcının duyarlılığının bağımlılığı gibi problemlerin çözümünde
oldukça etkilidir. Teknik, temelde birisi harici uyarıcıya tepki veren ana algılayıcı ve diğeri ise
uyarıcıya karşı yalıtılmış veya duyarsız hale getirilmiş iki algılayıcının kullanımını gerektirir. Her
iki algılayıcı duyarlılıklarını çarpma (×) özelliğinde değiştirecek bütün harici etkilere açık
bırakılmalıdır. Referans olarak adlandırılan ikinci algılayıcı ürünün ömrü boyunca son derece
kararlı bir referans uyarıcısına maruz bırakılmalıdır. Çoğu pratik sistemlerde referans
algılayıcısının aksiyondaki algılayıcı ile tamamen aynı olması gerekmemekle beraber bunların
kararsızlıklara maruz fiziksel özellikleri aynı olmalıdır. Örneğin şekil 7.3.1a aksiyondaki
algılayıcının negatif sıcaklık katsayılı bir termistör (NTC) RT olduğu basit bir sıcaklık dedektörünü
göstermektedir. Kararlı Ro referans direnci referans sıcaklığında, örneğin 250 °C, termistörün
direncine eşit bir değere sahiptir. Her ikisi R geri besleme direnci ile analog çoğullayıcıdan geçerek
yükselticiye bağlanmıştır. Algılayıcının ve referans direncinin ürettiği çıkış sinyalleri sırasıyla

ER ER
VN = − VD = − (7.3.1)
RT Ro
(a) Orantılı sıcaklık dedektörü (b) direnç değerlerinin analog bölücüsü

Şekil 7.3.1
Görüldüğü gibi her iki gerilim E güç kaynağı gerilimi ve R direnci ile belirlenen devrenin
kazancının fonksiyonlarıdır. Güç kaynağı ile beraber direnç de hata kaynağı olabilir. Eğer iki çıkış
gerilimi bir bölücü (÷) devreye verilirse sonuç sinyal Vo = kVN / VD = kRo / RT olarak ifade
edilebilir; burada k bölücünün kazancıdır. Çıkış sinyali ne güç kaynağı gerilimi ve ne de
yükselticinin kazancı ile değişmeyip sadece algılayıcının direncine bağlıdır. Bu, sadece sahte
sinyaller (güç kaynağı veya yükselticinin kazancı) aniden değişmiyorsa doğrudur. Yani bu sinyaller
çoğullama işleminin periyodu süresinde önemli ölçüde değişmemelidir. Bu gereksinim çoğullama
oranını belirler.
Orantılı teknik temelde bir bölme işleminin kullanılmasını gerektirir. Bu işlem iki standart metotla
yapılabilir: dijital ve analog. Dijital biçimde hem aksiyondaki ve hem de referans algılayıcılarından
çıkış sinyalleri çoğullanır ve bir A/D çeviricide ikili koda çevrilir. Akabinde bir bilgisayar veya bir
mikroişlemci bölme işlemini yapar. Analog biçimde bir bölücü sinyal düzeltici veya arabirim
devresinin bir kısmı olabilir. Şekil 7.3.2a daki analog bölücü devre iki giriş gerilimi veya akımı ile
orantılı bir çıkış gerilimi veya akımı üretir:
VN
Vo = k (7.3.2)
VD
Burada, pay VN ve payda VD olarak gösterilmekte ve VN=VD olduğunda ise k değeri çıkış gerilimine
eşit olur. Değişkenlerin çalışma aralığı (çalışma çeyreği) pay ve payda girişlerinin polarite ve
genliği ve çıkışla tanımlanır. Örneğin VN ve VD ’nin her ikisi ya pozitif veya negatif ise bölücü 1.
çeyrek tipidir. Eğer pay çift kutuplu ise bölücü 2. çeyrek tipidir. Genelde bir polariteden diğerine
geçişin sıfırdan geçmesi gerektiği ve akabinde bu durumun sonsuz çıkış vereceğinden (pay da sıfır
olmadıkça) payda tek bir polarite ile sınırlanır. Pratikte payda ekseriyetle sabit bir değer olan
referans sinyalinden bir sinyaldir.
Dört aritmetik fonksiyon içinde bölme işlemi analog devreler ile yapılması en zor işlemdir. Bu
zorluk öncelikle bölmenin doğasından kaynaklanmaktadır: sıfıra yaklaşan bir payda ve sıfır
olmayan bir pay için oranın genliği sonsuza gidecek kadar oldukça büyük olabilir. Bundan dolayı
ideal bir bölücü potansiyel olarak sonsuz kazanca ve sonsuz dinamik aralığa sahip olmalıdır.
Gerçek bir bölücü için bu iki faktör VD’nin düşük değerlerindeki değişim ve gürültünün
yükseltilmesi ile sınırlanır. Yani bir pay için bölücünün kazancı paydanın değeri ile ters olarak
bağımlıdır (şekil 7.3.2b). Bundan dolayı bütün hata offset, gürültü, değişimler (bunların giriş
sinyalinin en küçük değerinden daha küçük olması gerekir) sonucu payda, pay ve payda giriş
hatalarının kazanç bağımlılığı gibi bazı faktörlerin net bir etkisidir. Bunların yanında bölücünün
çıkışının genliklerinden bağımsız olarak pay ve paydanın sabit oranları için sabit olması gerekir.
Örneğin: 10 / 10 = 0,01 / 0,01 = 1 ve 1 / 10 = 0,001 / 0,01 = 0,1 .
(a) Bölücünün sembolü (b) paydanın fonksiyonu olarak bölücünün kazancı

Şekil 7.3.2
Doğrusal oranlı bir devrenin yapılması için bazı yollar vardır. Aşağıda algılayıcı uygulamaları için
oldukça etkili olduğu görülmüş bazı devreler açıklanmaktadır. Şekil 7.3.1b de görülen en basit
devre bir işlemsel yükseltici ve bir referans gerilim kaynağı kullanır. Bu devre sadece termistör gibi
rezistif algılayıcılar için kullanışlıdır. Aksiyondaki RN algılayıcısı çıkış ve eviren giriş arasındaki
geri beslemeye bağlanmış ve RD referans direnci negatif gerilim referansına bağlanmıştır. Negatif
referans,
RN
Vo = −Vr (7.3.3)
RD
gibi tanımlanan pozitif çıkış gerilimi için gerekmektedir. Burada aksiyondaki algılayıcının serbest
yani yüzen durumda olması gerektiğine dikkat edilmelidir; örneğin şekilde görüldüğünden başka
herhangi bir potansiyele veya toprağa bağlanmaması gerekir.
Giriş sinyali olarak akımları kullanan bir analog bölücü şekil 7.3.3a da görülmektedir. Çiftli bir
JFET eşlenmiş iki transistör çifti içermektedir. Devrede suni toprağa bağlanmış iki işlemsel
yükseltici kullanılır. Suni toprak kavramı analog devre tasarımı mimarisinde çok güçlüdür. Fikir bir
işlemsel yükselticinin eviren girişinin yüksek açık döngü kazancının hemen hemen topraklanmış
evirmeyen giriş ile aynı potansiyele sahip olduğu gerçeğine dayanır. Bundan dolayı eviren giriş
gerçek topraktan fiziksel olarak yalıtılmış olarak toprak potansiyelindedir. Bundan dolayı suni veya
yapay toprak adı verilmiştir.
Şekil 7.3.3 Analog bölücü
Şekil 7.3.3 deki devrede ID ve IN olarak iki giriş akımı bulunmakta yani giriş sinyalleri gerilim
kaynakları yerine akım kaynaklarından gelmektedir. Eğer akım kaynakları mevcut değilse seri
bağlı RD ve RN dirençleri ve gerilim kaynakları ile kolaylıkla biçimlendirilebilir. Her iki
transistörün kaynakları g1 ve g2 suni topraklarına bağlanmıştır. Daha iyi doğruluk için daha ileri bir
sinyal işlemeden önce bir gerilim kazanç katının gerekebileceğini dikkate alarak çıkış sinyali 100
mV içinde tutulmalıdır. Devrenin çalışması şöyle açıklanabilir. U1 işlemsel yükselticisi JFET kanal
direncini belirleyen Vr gerilim referansından ID akımını iletmek için sol JFET transistörünün kanal
direncini ayarlar. JFET kanal direnci
Vr
r1 = (7.3.4)
ID
dir. Aynı U1 işlemsel yükselticisi Vo çıkış geriliminden IN akımını iletmek için sağ JFET
transistörünün kanal direncini ayarlar. JFET kanal direnci
Vo
r2 = (7.3.5)
IN
dir. Transistörlerin kaynakları suni toprakta olduğundan ve kapılar aynı gerilimle kontrol
edildiğinden her iki transistörün kanal dirençleri birbirine eşit olur (r1 = r2). Buradan
IN
Vo = Vr (7.3.6)
ID
olup iki giriş akımının bölümü ile orantılıdır. Tam skala Vr ile belirlenir ve daha iyi doğruluk için
değeri 100 mV seviyesinde oldukça düşük seçilmelidir. Devre DC ile birkaç kHz arasında çalışır ve
I N > I D olduğu sürece % 0,2 tam skala doğruluğu vermektedir. Düşük polarlama akımı ve düşük
offset gerilimli işlemsel yükselticiler devrenin performansını geliştirir.
Daha karmaşık bir devre modülasyon/demodülasyon tekniğini içermekte ve şekil 7.3.4a’da blok
diyagramı görülmektedir. Paydaya giden VD sinyali pals-pozisyon modülatörünün (PPM) T
periyodunu modüle eder:
T = k1 VD (7.3.7)
(a) Modülatör-demodülatör
tipi bölücünün blok
diyagramı
(b) zamanlama diyagramları
Şekil 7.3.4
Modülatördeki her a palsi pals genişliği modülatöründe (PWM) bir b pals’ini aktif hale getirir. b
palsinin t süresi VN gerilimi ile kontrol edilir:
t = k2 VN (7.3.8)
PWM palsleri bir sıkıştırma devresine verilir ve sıkıştırma devresi de genlikleri sabit ve Vr referans
gerilimine eşit hale getirir. Olası bir sıkıştırma devresi şekil 7.3.4a da görülmekte ve S analog
anahtarı b palsleri ile kontrol edilir ve referans gerilimini R direncine bağlar. Direnç uçlarındaki c
palsleri Vr genliğine, T periyoduna ve t genişliğine sahiptir. Bu yüzden bu palslerin frekans
spektrumu aşağıda görüldüğü gibi genliği giriş oranı ile orantılı düşük frekanslı bileşen içerir:
t k V
Vo = Vr = Vr 2 N (7.3.9)
T k1 VD
Bu bileşeni çıkartmak için palsler, kesim frekansı giriş sinyalinin üst frekansı ile eşlenmiş düşük
geçiren filtreden geçirilir. Doğal olarak bu bölücü sadece yavaş değişen giriş sinyalleri için
kullanışlıdır. Daha iyi bir filtreleme için PPM ile üretilmiş en düşük frekans giriş sinyalinin en
yüksek frekansının en azından 100 katı olmalıdır.
7.4 KÖPRÜ DEVRELERİ
Wheatstone köprü devreleri orantılı tekniğin kullanılmasında popüler ve çok etkindir. Temel devre
şekil 7.4.1 de görülmektedir. Z empedansları aktif veya reaktif tip olarak piezo-rezistif geyçler gibi
basit dirençler veya kapasitörler veya indüktörler olabilir. Direnç durumunda empedans R,
kapasitör durumunda empedansın büyüklüğü 1/ 2πfC ve indüktör durumunda empedansın
büyüklüğü 2πfL dir; f elemandan geçen akımın frekansıdır. Köprü çıkış gerilimi,
Vref
Z1 Z3
Vçıkış Şekil 7.4.1 Wheatstone

köprüsü genel devresi
Z2 Z4
Toprak
⎛ Z1 Z3 ⎞
Vçıkış = ⎜⎜ − ⎟⎟Vref (7.4.1)
⎝ Z1 + Z 2 Z 3 + Z 4 ⎠
gibi temsil edilebilir. Aşağıdaki şart sağlandığında köprünün denge durumunda olduğu düşünülür:
Z1 Z 3
= (7.4.2)
Z2 Z4
Denge şartı altında çıkış gerilimi sıfırdır. En azından bir empedans değiştiğinde köprünün dengesi
bozulur ve çıkış gerilimi empedansın değişim yönüne bağlı olarak pozitif veya negatif olur. Her
empedansa (kalibrasyon sabiti) göre köprünün duyarlılığını belirlemek için kısmi türevler (7.4.1)
eşitliğinden elde edilebilir:
∂Vçıkış Z2
= Vref
∂Z1 ( Z1 + Z 2 ) 2
∂Vçıkış Z1
=− Vref
∂Z 2 ( Z1 + Z 2 ) 2
(7.4.3)
∂Vçıkış Z4
=− Vref
∂Z 3 (Z3 + Z 4 )2
∂Vçıkış Z3
= Vref
∂Z 4 (Z3 + Z 4 )2
Bu eşitlikler toplanarak köprünün duyarlılığı elde edilir:

δ Vçıkış Z 2δ Z1 − Z1δ Z 2 Z 4δ Z 3 − Z 3δ Z 4
= − (7.4.4)
Vref ( Z1 + Z 2 ) 2 (Z3 + Z 4 )2
(7.4.4) eşitliğinin yakından incelenmesiyle, orantılı kompanzasyonu (sıcaklık kararlılığı ve

değişimler, vb.) elde etmek için sadece bitişik empedans çiftlerinin (örneğin Z1 ve Z2, Z3 ve Z4)
benzer olmasının gerektiği görülmektedir. Dengeli köprüdeki empedansların (7.4.2) oranındaki
denge sağlandığı sürece eşit olması gerekmemektedir. Çoğu pratik devrelerde algılayıcı olarak
sadece bir empedans kullanılır. Bu durumda Z1 için köprü duyarlılığı,
δ Vçıkış δ Z1
= (7.4.5)
Vref 4Z1
olur. Rezistif köprü devreleri strengeyçler, piezorezistif basınç dönüştürücüleri, termistörlü

termometreler ve çevresel faktörlere bağışıklığı olan diğer algılayıcılar ile yaygın olarak kullanılır.
Benzer düzenlemeler kuvvet, yer değişimi, nem, vb. ölçümleri için kapasitif ve manyetik
algılayıcılarda kullanılır.
7.4.1 DENGESİZ KÖPRÜ
Şekil 7.4.2a daki temel Wheatstone köprü devresi genelde dengesiz bir köprü ile çalışır. Bu
ölçmenin sapma metodu olarak adlandırılır ve köprünün çapraz uçları arasındaki gerilimin
dedeksiyonuna dayanır. Köprü çıkış gerilimi dengesizliğin, Δ doğrusal olmayan bir fonksiyonu
olmakla beraber küçük değişimler ( Δ < 0,05 ) için kısmi doğrusal olarak düşünülür. Köprünün
maksimum duyarlılığı R1=R2 ve R3=R iken sağlanır. R1>>R2 ve R2>>R1 iken köprü çıkış gerilimi
azalır. k = R1 / R2 varsayılarak köprünün duyarlılığı aşağıdaki gibi ifade edilebilir:
V k
α= (7.4.6)
R (k + 1) 2
(a) Dengesiz köprü (b) geri besleme kontrollu dengeli köprü
Şekil 7.4.2 Köprü devresi kullanan iki metot
Bu eşitliğe göre hesaplanmış ve normalleştirilmiş bir grafik şekil 7.4.3 de görülmektedir.

Maksimum duyarlılığın k=1 de alınacağı görülmekle beraber duyarlılık 0,5<k<2 aralığında az
miktarda düşer. Eğer köprü gerilim kaynağı yerine akım kaynağı ile beslenirse küçük Δ ve tek
değişkenli bileşen için çıkış gerilimi
kΔ
Vçıkış ≈ I (7.4.7)
2(k + 1)
olarak temsil edilir. Burada, I uyartım akımıdır.
Şekil 7.4.3 Empedans oranının fonksiyonu

olarak dengesiz köprünün duyarlılığı
7.4.2 SIFIR-DENGELİ KÖPRÜ
Köprü devresi kullanmanın diğer bir metodu sıfır (null) denge olarak adlandırılır. Metot iyi bir
doğrusallığı sağlamak için köprünün kolunda küçük değişimlerin (Δ) sınırlamasını kaldırmaktadır.
Sıfır denge temelde köprünün daima dengeli durumda bulunmasını gerektirir. Dengeli köprü
gereksinimi (7.4.2) karşılamak için köprünün diğer bir kolu algılayıcı olarak kullanılan kol ile
beraber değişmelidir. Şekil 7.4.2b bu kavramı göstermektedir. Bir kontrol devresi hata
yükselticinin komutunda R3’ün değerini modifiye eder. Çıkış gerilimi R3 dengeleyici kolunun
kontrol sinyalinden elde edilebilir. Örneğin Rv ve R3 ikisi birden foto-direnç olabilir. R3 foto direnci
hata yükseltici ile kontrol edilen bir LED ile arabirimleştirilebilir. LED’den geçen akım Rv
direncinin ve akabinde algılayıcının dedekte ettiği ışık şiddetinin bir ölçüsü olur.
7.4.3 REZİSTİF KÖPRÜNÜN SICAKLIK KOMPANZASYONU
Wheatstone köprü konfigürasyonunda dört rezistif bileşenin bağlantısı sıcaklık, kuvvet, basınç,
manyetik alanlar, vb. ölçümlerinde oldukça yaygın olarak kullanılır. Bu uygulamaların çoğunda
algılayıcı dirençler sıcaklık duyarlılığı taşırlar. Bu durum doğrusal yaklaşım kullanılarak ifade
edilebilen bir transfer fonksiyonunun sıcaklık duyarlılığı ile sonuçlanır. Sıcaklık ölçümünün
dışında her dedektörde bu sıcaklık bağımlılığı kesinlikle istenilmeyen bir etki olup ekseriyetle
kompanze edilmesi gerekir. Kompanzasyon yapmanın bir yolu elektronik düzeltme için sıcaklıkla
ilgili sinyal üreten sıcaklığa duyarlı bir elemanla dedektörü kuplajlamaktır. Sıcaklık
kompanzasyonunun diğer bir yolu kompanzasyonu doğrudan bir köprü devresine dahil etmektir.
Şimdi Wheatstone köprüsünün çıkış sinyalini Ve uyartım sinyaline göre analiz edelim. Köprünün
her kolu α duyarlılığı ile bir uyarıcıya tepki verebilmektedir; bu durumda her direncin değeri
Ri = R (1 ± αs ) (7.4.8)
dir; burada, R anma direnci, s uyarıcı (örneğin, basınç veya kuvvet) ve duyarlılık α
1 dR
α= (7.4.9)
R ds
olarak tanımlanır. Köprünün çıkış gerilimi ise
Vçıkış = Ve αs + Vo (7.4.10)
dir. Burada, Vo başlangıçtaki köprü dengesizliğinden kaynaklanan offset gerilimidir. Eğer köprü
düzgünce dengeye gelmemişse offset gerilimi bir hata kaynağı olabilir. Bununla beraber
fabrikasyon veya uygulama aparatı süresince köprü algılayıcının düzeltme ile uygunca ayarlanması
bu hatayı kabul edilebilir bir seviyeye düşürebilir. Her durumda offset gerilimi düzgünce kompanze
edilmemiş olsa da sıcaklık değişimleri ekseriyetle algılayıcının transfer fonksiyonunun birkaç katı
küçük genliktedir. Bu tartışmada Vo sıcaklıktan bağımsız ( dVo / dt = 0 ) olarak dikkate alınmakla
beraber geniş bir sıcaklık aralığı için (±15°C den daha geniş) Vo ’ın hesaba katılmaması
düşünülmemelidir.
(7.4.8) eşitliğinde α duyarlılığı genelde çoğu algılayıcılar için sıcaklığa bağımlı ve doğruluğu
azaltan ana bir kaynaktır. (7.4.9) eşitliğinden α’nın eğer R sıcaklığa bağımlı veya dR / ds sıcaklığa
bağımlı ise değişebildiği görülmektedir. Eğer köprü pozitif sıcaklık katsayısına sahipse α katsayısı
sıcaklıkla azalır veya negatif sıcaklık katsayısına sahip olduğu söylenir. Sıcaklığa (T) göre kısmi
türev alınarak (7.4.10) dan
∂Vçıkış ⎛ ∂V ∂α ⎞
= s⎜ α e + Ve ⎟ (7.4.11)
∂T ⎝ ∂T ∂T ⎠
elde edilir. Bu eşitliğin bir çözümü çıkış sinyalinin sıcaklıkla değişmediği durumdur:
∂Vçıkış / ∂T = 0 . Bu durumda aşağıdaki eşitlik yazılabilir:
∂Ve ∂α
α =− Ve (7.4.12)
∂T ∂T
ve son olarak
1 ∂Ve 1 ∂α
=− =− β (7.4.13)
Ve ∂T α ∂T
yazılır. Burada, β köprü kolunun duyarlılığının sıcaklık katsayısıdır.
Yukarıdaki durum tam simetrik Wheatstone köprüsünün ideal sıcaklık kompanzasyonunun bir
şartıdır. Yani α daki sıcaklık değişimlerinin kompanzasyonu için Ve uyartım gerilimi sıcaklıkla
aynı oranda ve zıt işaretli olarak değişmelidir. Ve yi kontrol etmek için kullanışlı devreler
mevcuttur. Şekil 7.4.4 sıcaklığın önceden belirlenmiş bir fonksiyonuna göre köprü uçlarındaki Ve
geriliminin kontrolü için bir sıcaklık kompanzasyon devresi içermektedir. Sıcaklık kompanzasyon
devrelerinin bazı seçenekleri mümkündür.
Şekil 7.4.4 Köprü sıcaklık kompanzasyonu

genel devresi
Seçenek 1: Sıcaklık algılayıcısının kompanzasyon devresinin bir parçası olarak kullanımı. Böyle
bir devre Rt eşdeğer empedansı ile temsil edilirken tüm devre ise RB eşdeğer direnci ile temsil
edilebilir. Bu durumda köprü uçlarındaki gerilim
RB
Ve = E (7.4.14)
RB + Rt
olur. Sıcaklığa göre türev alınarak
∂Ve ⎛ 1 ∂RB RB ⎛ ∂RB ∂Rt ⎞ ⎞⎟

= E ⎜⎜ − 2 ⎜
+ ⎟ (7.4.15)
∂T ⎝ RB + Rt ∂T ( RB + Rt ) ⎝ ∂T ∂T ⎠ ⎟⎠
ve 7.4.14 eşitliği 7.4.15 de yerine konularak
1 ∂Ve 1 ∂RB 1 ⎛ ∂RB ∂Rt ⎞

= − ⎜ + ⎟ (7.4.16)
Ve ∂T RB ∂T RB + Rt ⎝ ∂T ∂T ⎠
1 ∂RB
kompanzasyon şartı elde edilir. Duyarlı (RB=R) ve = γ dört kollu bir köprü için yukarıdaki
R ∂T
eşitlik 7.4.13’e göre aşağıdaki gibi negatif duyarlılığın sıcaklık katsayısına (TCS : duyarlılığın
sıcaklık katsayısı) eşit olmalıdır; burada γ köprü kol direncinin (R) sıcaklık katsayısıdır (TCR :
direncin sıcaklık kaysayısı).
1 ⎛ ∂R ∂Rt ⎞
− β =γ − ⎜ + ⎟ (7.4.17)
R + Rt ⎝ ∂T ∂T ⎠
Bu eşitlik böyle bir kompanzasyonun E eşitliğin bir parçası olmadığından (kompanzasyon devresi
diyot ve transistör gibi aktif bileşenler de içermemektedir) uyartım gerilimlerinin çok geniş bir
aralığında kullanışlı olduğunu ifade etmektedir. Bunu çalıştırmak için Rt rezistif devresi termistör
gibi sıcaklığa duyarlı bir direnç içermelidir. R, β ve ∂R / ∂T bilindiğinde 7.4.17 eşitliği Rt nin
seçimi için çözülebilir. Bu metot sadece TCS ve TCR için değil Ve için de kompanzasyon
devresinin düzeltimini gerektirir. Metot biraz karmaşık olarak biraz azalmış performans ile –20 °C
ile +70 ºC arası çok geniş sıcaklık kompanzasyonuna ve –40 °C ile +100 ºC arası sıcaklık için daha
karmaşık kompanzasyon devresine izin verir. Şekil 7.4.5a bir NTC termistör, R° ve birkaç düzeltici
direnç içeren bir kompanzasyon devresini göstermektedir. Böyle kompanzasyona bir örnek
Motorola basınç algılayıcısı PMX2000 olup silikon içine yayılmış bir termistör ve sıcaklık
değişimlerinin kompanzasyonu ve offsetin kalibrasyonu için 8 adet ince film direnç içermektedir. –
40 °C ile +125 ºC arası sıcaklıkta yüksek kararlılığı sağlamak için çip üzerindeki dirençler
kalibrasyon işlemi süresince lazer ile ayarlanmıştır.
(a) NTC termistör ile (b) sabit direnç ile
(c) sıcaklık kontrollü gerilim kaynağı ile (d) akım kaynağı ile
Şekil 7.4.5 Köprü devresinin sıcaklık kompanzasyonu
Seçenek 2: Kompanzasyon devresi sabit bir dirençtir. Bu rezistif bir Wheatstone devresinin
sıcaklık kompanzasyonu için en popüler devresidir. Şekil 7.4.5b deki sabit direncin, Rt=Rc düşük
sıcaklık duyarlılığına sahip olması gerekir (50 ppm veya daha az). Bu aşağıdaki gibi ifade
edilebilir:
1 ∂Rc
=0 (7.4.18)
Rc ∂T
ve 7.4.17 eşitliği aşağıdaki gibi basitleştirilir
∂R ⎛ 1 1 ⎞
−β = ⎜ − ⎟ (7.4.19)
∂T ⎝ R R + Rc ⎟⎠
⎜
Sıcaklık kompanzasyon direnci için
βR
Rc = − (7.4.20)
∂R
+ βR
∂T
olarak çözülebilir. Sonra kompanzasyon direnci
β
Rc = − R (7.4.21)
γ +β
olur. Eksi (-) işareti eşitliğin negatif TCS β için doğru olduğunu göstermektedir. Bundan dolayı
TCR, TCS ve köprü kolunun anma direnci bilindiğinde E uyartım gerilimine seri bağlı kararlı basit
bir direnç oldukça doyurucu bir kompanzasyon sağlayabilir. Bununla beraber 7.4.19 eşitliğine göre
bu metodu kullanmak için köprü kolunun TCS ’sinin TCR ’sinden daha küçük olması gerektiğine
dikkat edilmesi gerekir (|β|<γ). Birinci seçenek gibi bu devre E çalışma gerilimine göre orantılı tip
olmakta yani kompanzasyon güç kaynak gerilimlerinin çok geniş bir aralığı üzerinde çalışmaktadır.
7.4.21’e göre Rc’nin seçimi çoğu uygulamalar için uygun olmayabilen çok büyük kompanzasyon
dirençleri ile sonuçlanabilir. Algılayıcının TCR’si köprüye paralel direnç eklenerek etkili bir
şekilde azaltılabilir. Büyük Rc direnci kullanıldığında bu kompanzasyon metodu aşağıda görüleceği
gibi seçenek 4’e benzer (çok büyük bir direnç kısmi (quasi) akım kaynağı olarak çalışacağından
dolayı).
Bu seçeneğin ilk izlenimi mükemmel bir çözüm olarak görülmesidir - sadece bir direnç sıcaklık
değişimlerini ideal olarak kompanze etmektedir. Halbuki bu seçenek geniş sıcaklık aralıkları veya
hassas uygulamalar için tatmin edici sonuçlar vermez. Örneğin uygun Rc’yi seçmek için γ ve β’nın
tam olarak bilinmesi gerekir. Yani her gerçek köprünün karakterize edilmesi gerekir ki bu düşük
maliyetli uygulamalarda kabul edilemez. Gerçek değerler yerine tipik değerlerin kullanımı 100
ppm/°C derecesinde hatalar ile sonuçlanır. Daha da ötesi büyük Rc direnci daha düşük çıkış
gerilimleri ve azalmış sinyal gürültü oranına neden olur. Pratik olarak bu kompanzasyonun
kullanışlılığı 25 ±15 ºC aralığında sınırlanmıştır.
Seçenek 3: Bir kompanzasyon devresi sıcaklık kontrollu bir gerilim kaynağı içerir; örneğin diyot
veya transistör (şekil 7.4.5c). Bu devre için TCS β’nın en iyi kompanzasyonu için şartın
sağlanmasında Vc gerilim kaynağının βc sıcaklık duyarlılığı aşağıdaki gibi olmalıdır:
⎛E ⎞
β c = β ⎜⎜ − 1⎟⎟ (7.4.22)
⎝ Vc ⎠
β köprünün bir parametresi olduğundan E ve Vc’nin oynanmasıyla en uygun kompanzasyon

seçilebilir. Kompanzasyon devresi gerilim kaynağı içerdiğinden güç kaynağına göre orantılı
olmamaktadır. Çalışması için bu seçenek regüleli bir E gerilim kaynağı gerektirir. Bu devrenin açık
bir avantajı tahmin edilebilir sıcaklık karakteristikleri ile diyot ve transistörlerin kolaylıkla mevcut
olmasından dolayı basitliğidir. Bu metodun açık bir dezavantajı algılayıcının belirlenmiş sabit
gerilimde çalıştırılma ihtiyacıdır. Bu metodun kullanışlı sıcaklık aralığı 25 ±25 ºC dir.
Seçenek 4: Şekil 7.4.5d deki akım kaynağı bir uyartım devresi olarak kullanılmaktadır. Bu devre
köprü devresinin hususi bir özelliği olarak gereklidir. TCR (β) sinin zıt işaretli olarak TCS (α)’sine
eşit olması gerekir:
α = −β (7.4.23)
Köprü uçlarındaki gerilimin eşitliği:
Ve = ic RB (7.4.24)
Akım kaynağı sıcaklık bağımsız ve köprünün dört ayağı benzer, RB=R olduğundan
∂Ve ∂R
= ic (7.4.25)
∂T ∂T
ve (7.4.25) ile (7.4.24) bölünerek
1 ∂Ve 1 ∂R
= (7.4.26)
Vc ∂T R ∂T
eşitliği elde edilir.
Eğer 7.4.23 şartı sağlanırsa (7.4.12) eşitliği ile tanımlanan ideal bir kompanzasyonun sağlaması
yapılmış olur. Maalesef bu kompanzasyon metodu seçenek 2 deki sınırlamalara sahiptir; özellikle
azalmış çıkış gerilimi ve geniş sıcaklık aralığında kullanıldığında her algılayıcının karakteristiğinin
çıkartılma ihtiyacı. Buna rağmen, bu metot 50 °C üzerinde tam skalanın % 1 ile 2’si arasında bir
doğruluk istenildiğinde kabul edilebilir.
Yukarıdaki seçenekler kompanzasyon tekniklerinin bir çerçevesini sunmaktadır. Pratik bir devre
tasarlarken çoğu değişkenlerin hesaba katılması gerekir: sıcaklık aralığı, izin verilen sıcaklık hatası,
çevresel şatlar, boyut, maliyet, vb. Bu yüzden üniversal bir çözüm önerisi yapmak pratikte
mümkün olmamaktadır – en uygun seçeneğin seçimi tipik bir mühendislik ve tasarım uzlaşmasının
bir sonucu olmalıdır.
7.4.4 KÖPRÜ YÜKSELTİCİLER
Rezistif algılayıcılar için köprü yükselticiler muhtemelen en sık kullanılan algılayıcı arabirim
devreleridir. Köprü yükselticiler istenilen köprü topraklaması ve topraklamalı veya yüzen tip
referans geriliminin mevcudiyetine bağlı olarak bazı konfigürasyonlarda olabilir. Şekil 7.4.6a da
modülasyonlu bir köprü görülmekte olup ayarlı direnç yani algılayıcı topraktan yalıtılmış yüzen
tipte ve işlemsel yükselticinin geri beslemesine bağlanmıştır. Eğer rezistif algılayıcı
Rx = Ro (1 + α ) (7.4.27)
gibi birinci derece bir fonksiyon ile modellenebilirse, bu burumda bu devrenin transfer fonksiyonu
aşağıdaki gibi olur:
1
Vçıkış = - αV (7.4.28)
2
(a) (b)
(c) (d)
Şekil 7.4.6 İşlemsel yükselticilerin rezistif köprü devrelerine bağlantısı (dengesiz mod)
Yüzen köprülü ve yüzen referans gerilimi, V ile bir devre şekil 7.4.6b’de devre görülmektedir. Bu
devre aynı zamanda değeri nRo olan bir geri besleme direnci ile belirlenen bir kazanç sağlayabilir:
V 1 V
Vçıkış = (1 + n)α = (1 + n)α (7.4.29)
4 1+ α 4
2
Asimetrik dirençli bir köprü (R≠Ro) şekil 7.4.6c’de görülen devre ile kullanılabilir. Bu yüzen
referans gerilim kaynağı, V gerektirir:
V 1 V
Vçıkış = nα = nα (7.4.30)
4 1+α 4
Rezistif algılayıcı topraklandığında şekil 7.4.6d’de görülen devre kullanılabilir. Transfer

fonksiyonu aşağıdaki eşitlikten elde edilebilir.
n V α n V
Vçıkış = − =− α (7.4.31)
2 1+ 1 1+α 2 1+ 1
2n 2n
Şekil 7.4.7’de piezo-rezistif basınç dönüştürücüleri için diferansiyel yükselticinin devre diyagramı
görülmektedir. Yükseltici pozitif sıcaklık katsayılı bir KTY sıcaklık algılayıcısı içermektedir.
Algılayıcının köprü ile çok yakın ısıl kuplajda olması gerekir; örneğin basınç dönüştürücüsü ile
aynı kutu içine konulmalıdır. Sıcaklık algılayıcısı silikon köprü dirençlerin TCR’si için
kompanzasyon sağlayarak diferansiyel yükselticinin birinci katının kazancını etkiler.
Şekil 7.4.7 Piezo-resistif köprü için sıcaklık kompanzasyonlu yükseltici

7.5 VERİ İLETİMİ
7.5.1 İKİ-İLETKENLİ İLETİM
İki iletkenli göndericiler veri işleme endüstrisinde algılayıcıların kontrol ve gözleme aygıtlarına
kuplajında kullanılır. Örneğin bir işlemde sıcaklık ölçümü alındığında iki iletkenli gönderici
ölçümü kontrol odasına iletir veya gerilim veya akıma çevirir. İki iletkenli iletim hem gerilim veya
hem de akımın iletiminde kullanılmakla beraber endüstriyel standart olarak akımın iletimi kabul
edilmektedir. Giriş uyarıcısının bütün değerleri 4 ile 20 mA arasında değişen bir akımla temsil
edilmektedir. Sıfır uyarıcı 4 mA’e karşılık gelirken maksimum değer 20 mA dedir. Şekil 7.5.1 de
görüldüğü gibi gerilim yerine akım kullanmanın iki avantajı vardır. Algılayıcı çıkış sinyalini akıma
çeviren iki iletkenli göndericiye bağlanır. Gerçekte gönderici çok yüksek çıkış dirençli akım
kaynağıdır (akım generatörü). İki iletken bir akım döngüsü oluşturarak algılayıcı tarafında
algılayıcı ve iki iletkenli gönderici bulunmakta ve kontrolör tarafında ise birbirine seri bağlı yük
direnci ve güç kaynağı vardır. Bu düzenlemenin ilk avantajı akım kaynağı çıkış direncinin yüksek
olmasından dolayı iletken telin direncinin döngüden akan akım üzerinde etkisinin olmamasıdır.
Gerilim iletim devresinde iletken telin direnci, özellikle iletim mesafesi uzun ise önemli bir
probleme neden olur. Diğer avantaj ise bilgiyi taşıyan aynı akımın gönderici ve algılayıcının
çalışması için gereken gücün sağlanmasında da kullanılmasıdır. Açıkça 4 mA üreten en düşük çıkış
sinyali için bile bu akım döngünün gönderici gücü için yeterli olmaktadır. Döngü akımı kontrolör
tarafındaki yük direnci uçlarında bir gerilim düşümüne neden olur. Bu gerilim alınan sinyal yani
elektronik devreler ile daha ileri işlemeye uygundur.
Şekil 7.5.1 İki iletkenli 20

mA analog veri iletimi
7.5.2 DÖRT İLETKENLİ ALGILAMA
Bazen rezistif algılayıcının uzakta bulunan arabirim devresine bağlanması istenilir. Böyle bir
algılayıcı çok düşük bir dirence sahip olduğunda (örneğin piezo-rezistörler veya RTD’lerin 100 Ω
civarında dirençlere sahip olması normaldir) bağlantı iletkenlerinin dirençleri ciddi probleme neden
olmaktadır. Problem dört iletkenli metot kullanılarak çözülebilir (şekil 7.5.2a). Bu metot bağlantı
iletkenlerinin direncini ölçmeksizin uzaktaki direncin direncinin ölçülmesine izin verir. Ölçülecek
direnç arabirim devresine iki iletken yerine dört iletken ile bağlanır. Bu iletkenlerden ikisi akım
kaynağına ve diğer ikisi ise voltmetreye bağlanır. Sabit akım kaynağının (akım pompası) çıkış
direnci çok yüksek olduğundan döngüden geçen akım hemen hemen döngüdeki bütün direnç, r
değişimlerinden bağımsızdır. Voltmetrenin giriş direnci çok yüksek olduğundan döngüden
voltmetreye bir akım ayrılmaz. Rx direnci uçlarındaki gerilim düşümü
Vx = Rx io (7.5.1)
olup bağlantı iletkenlerinin r direncinden bağımsızdır. Dört iletkenli metot uzaktan ölçüm yapan
dedektörlerde direnç ölçümünün çok güçlü bir yoludur ve endüstri ve bilimde yaygın olarak
kullanılır.
(a) dört iletkenli metot
(b) köprünün altı

iletken ile ölçümü
Şekil 7.5.2 Dirençlerin uzaktan ölçülmesi
7.5.3 ALTI İLETKENLİ ALGILAMA
Wheatstone köprüsü uzak bir yerde konumlandırıldığında kısım 7.4 de görüldüğü gibi köprü
uçlarındaki gerilim köprünün sıcaklık kararlılığında önemli bir rol oynar. Bu gerilim sık olarak ya
ölçülür ya da kontrol edilir. Uzun iletim iletkenleri sıcaklık kompanzasyonu ile etkileşime girecek
şekilde köprü uyartım gerilimi ile kabul edilemeyecek yüksek bir seri direnç meydana getirebilir.
Problem şekil 7.5.2b de görüldüğü gibi iki ek iletken ile köprünün beslenmesi ve köprü uçlarındaki
gerilimin ölçümü için iki iletkenin bunun için ayrılması ile çözülebilir. Köprü uçlarındaki gerçek
uyartım gerilimi ve köprü diferansiyel çıkış gerilimi ihmal edilebilir giriş akımına sahip yüksek
empedanslı voltmetre ile ölçülür. Bundan dolayı doğru köprü gerilimleri uzun iletim hatları ile
etkilenmeksizin veri işleme alanında mevcut olacaktır.
7.5.4 TELEMETRİ
Telemetri terimi bir tür modülasyonlu yüksek frekanslı taşıyıcı kullanan veri iletimi ile ilgilidir.
Şekil 7.5.3a’da görülen çok kanallı telemetri sisteminin blok diyagramı sistemin işleme ve kayıt
devresine radyo kanalı ile bağlanmasının dışında genel bir veri kazanç sistemine benzemektedir.
Algılayıcıdan ve/veya sinyal düzelticiden sinyaller bu sinyalleri kompozit hale dönüştüren bir
çoğullayıcı’ya (MUX) beslenir. Bu bir zaman paylaşımı metodu ile yapılır: bir çoğullayıcı analog
kapıların kombinasyonu olup çok girişli ve bir çıkışlıdır. Kompozit sinyal her birinin bir tek sinyali
temsil ettiği ardışık adımlı sinyallerden oluşur. Bütün algılayıcılar Shannon teoremine dayalı
formül ile tanımlanan bir frekansla seri olarak sorgulanır:
F > 2 f max (7.5.2)

Burada, fmax algılayıcı sinyallerinin en yüksek frekansı ve F ise çoğullama frekansıdır. Pratikte F
fmax’tan en az 4 kat daha yüksek seçilir. F’nin daha fazla artışı sinyal üretiminin aslına uygunluğunu
(fidelitesini) geliştirmez; bununla beraber veri iletiminde bir miktar zorluk çıkartabilir. Eğer T=1/F
örnekleme periyodu çok kısa ise zaman veri iletimi ve işleme için yeterli olmayabilir.
Çoğullayıcıdan sinyaller RF modülatöre gidebilir; bunun fonksiyonu çoğullanmış kompozit sinyal
ile RF osilatöründen radyo frekansının modüle edilmesidir. Şekil 7.5.3 de kompozit sinyalin her
adımı ile orantılı olarak osilatörün frekansını değiştiren RF modülatör görülmektedir. Modifiye
edilmiş (modülasyon yapılmış) RF sinyali radyo vericisi ile yayılır. Veri iletiminin gürültüye daha
dayanımlı yapılması için RF modülasyonundan önce ek alt modülasyon ilave edilebilir. Radyo
kanalı ile veri iletiminde kullanılabilecek çok çeşitli modülasyonlar vardır. Bunlar tablo 7.3 de
görülmektedir.
(a) blok diyagram
(b) bazı sinyaller
Şekil 7.5.3 AM-FM modülasyonlu radyo-telemetri sistemi
Tablo 7.3 Radyo kanalları ile veri iletimi için bazı popüler modülasyon kombinasyonları
AM/FM amplitude/frekans alt-modülasyonsuz
PW/FM pulse-width/frekans alt-modülasyonlu
PP/FM pulse-position/frekans alt-modülasyonlu
DM/FM digital/frekans alt-modülasyonlu
Modüle edilen sinyal radyo alıcısı tarafından alınır ve orijinal sinyalin yeniden oluşturulması için
demodüle edilir; böylece her ölçüm ayrı ayrı değerlendirilir ve görüntülenebilir. Şekil 7.5.4 çok
kanallı sistemler için kullanılan farklı alt modülasyon metotlarını göstermektedir.
Radyo frekanslı taşıyıcı yanında veri iletiminin diğer metotları da mümkündür. Örneğin su altı
telemetrisi şekil 7.5.4a da görülen aynı alt modülasyonlu akustik taşıyıcıları kullanabilir. Verici ve
alıcı arasında doğrudan görüşün sağlanabildiği oldukça kısa mesafelerde bilginin taşınmasında
kızıl-ötesi ışık hüzmesi kullanılabilir. Bununla beraber optik veri iletimi hava kirliliği, sis, duman,
aradaki saydam olmayan cisimlere duyarlı olabilir.
Şekil 7.5.4 Telemetri sistemlerindeki alt modülasyonlar
7.6 ALGILAYICI VE DEVRELERDEKİ GÜRÜLTÜ
Algılayıcı ve devrelerdeki gürültü bariz hata kaynağı olabilir ve ciddi olarak dikkate alınmaları
gerekir. Hastalıklar gibi gürültüden asla kaçınılamaz fakat sadece korunulur, tedavi edilir veya
yapısı, ciddiyeti ve bakım zorluğu/maliyet gibi faktörlere bağlı olarak tahammül edilir. Verilen bir
devre için gürültünün temel iki sınıfı vardır: bunlar devrenin içinden kaynaklanan doğal gürültü ve
devrenin dışından alınan parazit türü iletilen veya iletim gürültüsüdür.
Nasıl tasarlanırsa tasarlansın her algılayıcı giriş sinyalinin ideal temsili olan elektrik sinyalini asla
üretmez. Sık olarak sinyalin iyiliğinin tanımlanması bir karar verme problemidir. Bunun kriteri
doğruluk ve güvenilirliğin özel gereksinimlerine dayanır. Çıkış sinyalinin distorsiyonları ya
sistematik veya stokastik (rasgele değişken içeren) olabilir. Sistematik distorsiyonlar algılayıcının
transfer fonksiyonu, doğrusallığı, dinamik karakteristikleri, vb. ile ilişkilidir. Bunlar tamamen
algılayıcının tasarımı, üretim toleransı, malzeme kalitesi ve kalibrasyonunun sonucudur. Oldukça
kısa bir zaman süresince bu faktörler değişmez veya oldukça yavaşça değişir. Bunlar iyice
tanımlanabilir, karakterize edilebilir ve belirlenebilir (Algılayıcı ve dönüştürücü karakteristiklerine
bakınız). Çoğu uygulamalarda böyle bir belirleme hata bütçesinde bir faktör olarak kullanılabilir ve
hesaba katılabilir. Stokastik bozucular diğer taraftan ekseriyetle düzensiz, belli derecede tahmin
edilemez ve aniden değişebilmektedir. Genelde bunlar doğasına ve istatistiksel özelliklerine
bakılmaksızın gürültü olarak adlandırılır. Gürültü kelimesinin ses aygıtlarındaki gürültü ile ilişkili
olarak sıklıkla düzensiz, biraz hızlı değişen sinyaller ile karıştırılarak hata yapıldığına dikkat
edilmelidir. Bu kelime çok daha geniş anlamı ile uyarıcı ve çevredeki veya DC den üst çalışma
frekanslarına kadar algılayıcı ve devre bileşenlerindeki bütün bozucular için kullanılır.
7.6.1 DOĞAL GÜRÜLTÜ
Algılayıcıdan yükseltilerek alınmış ve dijital biçime dönüştürülmüş bir sinyalin sadece genliği ve
spektral karakteristikleri ile değil dijital çözünürlüğü ile de dikkate alınması gerekir. Bir dönüşüm
sistemi artırılmış dijital çözünürlük kullandığında en düşük bit’in (LSB) değeri azalır. Örneğin 5 V
tam skalalı 10 bitlik bir sistemin LSB’si 5 mV civarında ve 16 bit’te ise 77 μV tur. Bunun kendisi
bariz bir probleme neden olmaktadır. Örneğin eğer kombine bir gürültü 300 μV ise 16 bitlik bir
çözünürlük sisteminin kullanılmasının hiç anlamı olmamaktadır. Gerçek dünyada durum
ekseriyetle çok daha kötüdür. 5 V tam skala çıkış sinyali verebilecek kapasitede hemen hemen hiç
algılayıcı yoktur. Bunların çoğu yükseltilme gereği duyarlar. Örneğin bir algılayıcı 5 mV’luk tam
skala çıkış üretirse 16 bitlik dönüşüm 77 nV’luk LSB’ye karşılık gelecektir – oldukça küçük bir
sinyal olup yükseltilmesi bile aşırı derecede problemdir. Çok yüksek çözünürlükte dönüşüm
gerektiğinde bütün gürültü kaynaklarının dikkate alınması gerekir. Devrelerde gürültü monolitik
yükselticiler ve geri besleme, polarlama, bant-genişliği sınırlama, vb. bileşenlerden meydana
gelebilir.
Giriş offset gerilimleri ve polarlama akımları değişebilir. DC devrelerde algılayıcının ürettiği düşük
genlikli sinyallerden bu değişimlerin farkı ayırtedilemez. Bu değişimler ekseriyetle yavaş (1 Hz’nin
onda biri veya yüzde biri bant genişliğinde) olduğundan çok düşük frekanslı gürültü olarak
adlandırılır. Yüksek frekanslı gürültüden bunların ayrılması için şekil 7.1.3 deki eşdeğer devreye
iki generatör eklenir. Bunlardan biri gerilim gürültü generatörü, en ve diğeri akım gürültü
generatörü, in dür. Bu gerilim ve akım gürültü sinyalleri direnç ve transistörler içinde devrenin
fabrikasyonunda kullanılan fiziksel mekanizmadan kaynaklanır. Kombine etkisi gerilim ve akım
gürültü generatörleri ile temsil edilen bazı gürültü kaynakları vardır. Gürültünün bir nedeni elektrik
akımının parçalı doğasıdır çünkü akımın akışı hareketli yüklerden oluşur ve her yük taşıyıcı belirli
değerde bir yük (1,6×10-19) taşır. Atomik seviyede akımın akışı çok düzensiz veya kararsızdır.
Akım taşıyıcıların hareketi patlayan mısır sıçramasını (popcorn popping) andırır. Bu akımın akışı
için iyi bir benzetme olarak seçilmiş olup aşağıda bahsedileceği gibi popcorn (mısır patlama) sesi
veya gürültüsü ile bir ilgisi yoktur. Mısır patlaması gibi elektron hareketi istatistiksel terimler ile
tanımlanabilir. Bu yüzden akım akışının çok küçük detayları hakkında bilgi sahibi veya emin
olmak asla mümkün olmaz. Taşıyıcıların hareketi sıcaklıkla ilişkilidir ve gürültü gücü bundan
dolayı sıcaklıkla da ilişkilidir. Dirençlerde bu ısıl hareketler sonuçta Johnson gürültüsüne neden
olur. Gürültü geriliminin kare-ortalama değeri (gürültü gücünü temsil eder)
2
en = 4k TRΔf [V2/Hz] (7.6.1)
eşitliği ile hesaplanır. Burada,

k = 1,38×10-23 J/K (Boltzman sabiti)
T = Sıcaklık, K
R = Direnç, Ω
Δf = Ölçümün yapıldığı bant genişliği, Hz
dir. Pratik amaçlar için oda sıcaklığında bir direnç tarafından üretilen Hz başına gürültü
yoğunluğu basitleştirilmiş bir eşitlik ile tahmin edilebilir: en ≈ 0,13 R nV / Hz . Örneğin gürültü
bant genişliği 100 Hz ve ilgili direnç 10MΩ (107 Ω) ise ortalama gürültü gerilimi aşağıdaki gibi
tahmin edilebilir.
2
en ≈ 0,13 107 100 = 4,111 nV ≈ 4 μV
Çok basit bir direnç bile bir gürültü kaynağı olup sürekli elektrik sinyal generatörü gibi davranır.
Doğal olarak oldukça küçük dirençler aşırı derecede küçük gürültü üretmekle beraber bazı
algılayıcılarda Johnson gürültüsünün dikkate alınması gerekir. Örneğin bir piroelektrik dedektör 50
GΩ seviyesinde polarlama direnci kullanır. Eğer algılayıcı bir oda içinde 100 Hz’lik bant
genişliğinde kullanılırsa direnç uçlarındaki ortalama gürültü geriliminin 0,3 mV seviyesinde olması
beklenebilir – oldukça yüksek bir değer. Gürültüyü kıyıda tutmak için arabirim devrelerinin bant
genişlikleri istenilen minimum sinyalin geçebileceği yeterli genişlikte tutulmalıdır. Gürültü
geriliminin bant genişliğinin kare kökü ile orantılı olduğuna dikkat edilmelidir. Bu, eğer bant
genişliği 100 kez azaltılırsa gürültü geriliminin 10 faktörü ile azalacağı anlamına gelmektedir.
Johnson gürültü genliği geniş frekans aralıklarında sabittir. Bu nedenle görünür spektrumdaki
bütün frekanslardan oluşan beyaz ışığa benzerliğinden dolayı beyaz gürültü olarak adlandırılır.
AC akım gürültü kaynağı (in) yarı-iletkenlerde DC akım akışından dolayı kaynaklanan AC

gürültüyü temsil eder. Bu Schottky tarafından önerilmiş olan shot gürültüsü olarak adlandırılır – bu
adın kendi adı ile ilişkisinden daha çok bu gürültünün hedefe vuran dolu şeklindeki atışın çıkardığı
sesten dolayıdır; buna rağmen shot gürültüsü sıklıkla Schottky gürültüsü olarak adlandırılır. Vuruş
gürültüsü de beyaz gürültüdür. Değeri polarlama akımındaki artışla artar. FET ve CMOS yarı-
iletkenlerinde akım gürültüsünün az olmasının nedeni budur. 50 pA’lik polarlama akımında bu
4 fA / Hz = 1 fA = 10 −15 A civarındadır (bu akım saniye başına 6000 civarında elektron hareketine
eşit aşırı derecede küçük bir akımdır). Vuruş gürültüsünün geleneksel eşitliği
isn = 5,7 × 10−4 IΔf (7.6.2)
dir. Burada I piko amper olarak yarı iletkenin jonksiyon akımı ve Δf ise Hz cinsinden ilgili bant
genişliğidir.
Ek bir AC gürültü mekanizması düşük frekanslarda mevcuttur (şekil 7.6.1). Hem gürültü gerilimi
ve gürültü akımı düşük frekanslarda yüksek gürültü içeriğinden dolayı pembe gürültü olarak
adlandırılan kabaca 1/f ile orantılı bir spektral yoğunluktadır (düşük frekanslar da görünür
spektrumun kırmızı tarafındadır). Bu 1/f gürültüsü bütün iletken malzemelerde oluştuğundan bu
gürültü dirençler ile de ilişkilidir. Aşırı derecede düşük frekanslarda 1/f gürültüsünün DC değişim
etkilerinden ayrılması mümkündür. 1/f gürültüsü bazen titrek (flicker) gürültüsü olarak adlandırılır.
Çoğunlukla bu gürültü çoğu algılayıcıların çalıştığı 100 Hz frekanslarında telaffuz edilir. Johnson
ve Schottky gürültüsünü bastırır ve bu frekanslarda hataların ana kaynağı olur. Pembe gürültünün
genliği dirençten veya yarı-iletkenden geçen akıma bağlıdır. Yarı-iletken teknolojisindeki
ilerlemeler yarı-iletkenlerdeki 1/f gürültüsünün azaltılmasında bariz gelişmeler kaydetmekle
beraber bir devre tasarlanırken düşük frekanslarda düşük gürültü mutlak bir gereksinim ise
dirençten bariz akımın geçtiği algılayıcılar ve arabirim devrelerinin ön katlarında metal film ve tel
sarımlı dirençlerin kullanımı iyi bir mühendislik pratiğidir.
Şekil 7.6.1 1/f gürültüsünün spektral

dağılımı
Garip bir AC gürültü mekanizması, çoğu algılayıcı arabirim devrelerinin ana elemanı olan bir
işlemsel yükselticinin çıkışı gözlenirken bazen bir osiloskop ekranında görülür. Bu sinyal dış
uzaydan gönderilen dijital sinyal gibi gözükür – gürültü birkaç milisaniye süresince değişken kare
dalgalı biçimdedir. Gürültünün bu ani tipi bir hoparlörden geldiğinde meydana getirdiği gürültüden
dolayı popcorn gürültüsü olarak adlandırılır. Popcorn gürültüsüne entegre devre üretim tekniklerine
bağlı bozulmalar neden olur. Modern yarı-iletken aygıtların üretimindeki ileri fabrikasyon tekniği
bu tip gürültüyü önemli ölçüde azaltmıştır.
Tüm gerilim ve akım kaynaklarının birleştirilmiş gürültüsü ayrı ayrı gürültü gerilimlerinin
karesinin toplamı ile verilir:
2 2
eE = (en1 + en 2 + ..... + ( R1in1 ) 2 + ( R1in 2 ) 2 + ...... (7.6.3)
Kombine rasgele gürültü aşağıdaki gibi RMS değeri ile gösterilebilir.
1 T 2
T ∫0
ERMS = e dt (7.6.4)
Burada, T gözlem zamanı, e gürültü gerilimi ve t ise zamandır.
Aynı zamanda gürültü keyfi bir aralık süresince gözlenen en büyük pozitif ve negatif pikler
arasındaki fark olan pik değerleri ile de karakterize edilebilir. Tepeden tepeye (p-p) gürültünün
bütün performansı etkilediği bazı uygulamalar için (p-p) ölçümü vazgeçilmez olmaktadır. Gürültü
sinyalinin genel Gauss dağılımdan dolayı (p-p) genliğinin ölçümü pratik olarak çok zordur. Çünkü
RMS değerlerin tekrar tekrar ölçümü çok daha kolaydır ve bunlar gürültü verisinin temsilinde
tartışmasız en yaygın biçimdir. Tablo 7.4 RMS değerleri ile verilen çeşitli pik değerlerinin (aşan
değerler) ihtimallerinin tahmini için kullanışlı olmaktadır. Kazara gözlenen p-p gürültüsü
gözlemcinin sabrı ve mevcut veri miktarına bağlı olarak 3×RMS ile 8×RMS arasında değişir.
Tablo 7.4 RMS ile tepeden tepeye değerler (Gauss dağılımı için)
Anma p-p gerilimi Gürültünün anma p-p değerini aşacağı zamanın % si

2×RMS % 32,0
3×RMS % 13,0
4×RMS % 4,6
5×RMS % 1,2
6×RMS % 0,27
7×RMS % 0,046
8×RMS % 0,006
7.6.2 İLETİM GÜRÜLTÜSÜ
Çevresel kararlılığın büyük bir kısmı algılayıcının direncinden ve orijini harici kaynaklar olan
arabirim devresindeki gürültüden bilinir. Şekil 7.6.2 de iletilen (transmitted) gürültü yayılımının
blok diyagramı görülmektedir. Gürültüler, sık olarak tanımlanabilen bir kaynaktan gelmektedir.
Gürültü kaynaklarına örnek olarak güç hatlarındaki ani gerilimler, yıldırım, ortam sıcaklığının
değişimi, güneşin etkisi, vb. verilebilir. Bu parazitler algılayıcıya ve arabirim devresine yayılır ve
akabinde çıkışta görülecek şekilde bir probleme neden olur. Bununla beraber, bu parazitlerin
bundan önce algılayıcının içindeki algılayıcı elemana, çıkış terminallerine veya devredeki
elektronik bileşenlere bir yolla etki etmesi gerekir. Algılayıcı ve devre parazit alıcı olarak
fonksiyon görürler.
Gürültü Kaynakları
Güç kaynağındaki geçiciler
Manyetik
Elektrostatik Alıcı
Kuplaj Algılayıcı eleman
Radyo frekanslı EM Alanlar Kapasitans
Isıl değişimler Dirençler
Manyetik Alan Kapasitörler
Çekimsel Kuvvet İletken teller
İvme (hızlanma) Ön yükselticiler
Paketleme
Nem
İyonize ışınım
Kimyasal maddeler
Şekil 7.6.2 İletilen gürültünün kaynağı ve kuplajlanması
İletilen gürültü çıkış sinyaline nasıl etki ettiği, algılayıcı veya devreye nasıl girdiği, vb. bağlı olarak
sınıflandırılabilir. Çıkış sinyalleri ile ilişkisine göre gürültü toplayıcı (+) veya çarpıcı (×) olabilir.
Toplayıcı sinyal (en) kullanışlı sinyale (Vs) eklenir ve tamamen bağımsız bir gerilim veya akım
olarak birbirine karışır:
Vçıkış = Vs + en (7.6.5)
Sinyaldeki böyle bozulmanın örneği şekil 7.6.3b de resimlendirilmiştir. Gürültünün genliği gerçek
(yararlı) sinyal değiştiğinde değişmediği görülmektedir. Algılayıcı ve arabirim devreleri doğrusal
olarak dikkate alındığı sürece toplayıcı gürültünün genliği sinyalin genliğinden tamamen
bağımsızdır ve eğer sinyal sıfıra eşitse çıkış gürültüsü hala mevcut olacaktır.
Vçıkış Vçıkış Vçıkış
t t t
(a) gürültüsüz sinyal (b) toplanan (+) gürültü (c) çarpıcı (×) gürültü
Şekil 7.6.3 Gürültü tipleri
Çarpıcı özellikteki gürültü algılayıcının transfer fonksiyonunu veya sinyalin, Vs değerini

değiştirerek veya modüle edecek bir şekilde devrenin doğrusal olmayan bileşenlerini etkiler:
Vçıkış = [1 + N (t )] Vs (7.6.6)
Burada N(t) gürültünün bir fonksiyonudur. Böyle gürültüye örnek şekil 7.6.3c’de görülmektedir.
Çıkışta çarpıcı gürültü kaybolmakta veya sinyalin büyüklüğü sıfıra yakınken çok küçük ve aynı
zamanda toplayıcı olmaktadır. Çarpıcı gürültü Vs sinyalinin genliği ile birlikte büyümektedir.
Adından da anlaşılabileceği gibi çarpıcı gürültü yararlı sinyalin ve gürültüye bağlı iki değerin
çarpılmasının bir sonucu olup temelde doğrusal olmayan bir işlemdir.
İletilen toplayıcı gürültüsüne karşı gürültü kararlılığını geliştirmek için oldukça sık olarak
algılayıcılar çift olarak birleştirilirler yani bunların fabrikasyonu çiftli biçimde yapılarak çıkış
sinyalleri birbirinden çıkartılır (şekil 7.6.4). Bu metot diferansiyel teknik olarak adlandırılır.
Çiftteki bir algılayıcı yani esas algılayıcı ilgili s1 uyarıcısına maruz bırakılır ve diğeri (referans) ise
uyarıcının etkisine karşı ekranlanır.
s1
S1
Ana
S1 -S0 Şekil 7.6.4 Diferansiyel teknik
Gürültü
Referans
S0
Toplayıcı gürültü doğrusal veya kısmi doğrusal algılayıcılar ve devreler için belirgin olduğundan
referans algılayıcısının herhangi bir uyarıcıya maruz bırakılması gerekmemektedir. Sıklıkla bu
sıfıra eşit olabilir. Her iki algılayıcının aynı iletilen gürültüye maruz bırakılması beklenen bir
şeydir; yani bu ortak modlu gürültü olarak adlandırılır. Bu her algılayıcıdaki gürültü etkilerinin
aynı fazda ve aynı genliğe sahip olması anlamındadır. Eğer her iki algılayıcı ortak modlu sahte
uyarıcı ile benzer şekilde etkilenirse çıkarma işlemi gürültü bileşenini yokeder. Böyle bir algılayıcı
ekseriyetle çiftli veya diferansiyel algılayıcı olarak adlandırılır. Gürültü rejeksiyonunun kalitesi
ortak mod rejeksiyon oranı (CMRR) olarak adlandırılan bir sayı ile tanımlanır:
S1 + S o
CMRR = 0,5 (7.6.7)
S1 − S o
Burada, S1 ve S2 ana ve referans algılayıcılarının çıkış sinyalleridir. CMRR uyarıcının büyüklüğüne

bağlı olabilir ve ekseriyetle daha büyük giriş sinyallerinde daha küçüktür. Bu oran aynı genlikli
ortak modlu gürültüye göre çıkışta meydana gelecek gerçek uyarıcının kaç kat büyük olacağını
gösterir. CMRR’nin değeri algılayıcının simetriliğinin bir ölçüsüdür. Gürültü azaltmanın etkili
olması için her iki algılayıcının birbirine olabildiğince çok yakın pozisyonlandırılması, çok benzer
olması ve aynı çevresel şartlara maruz bırakılması gerekir. Aynı zamanda referans algılayıcısı
gerçek uyarıcıya karşı güvenli bir şekilde ekranlanmalıdır yoksa kombine diferansiyel tepki
azalacaktır.
İletilen çarpıcı gürültüyü azaltmak için orantılı teknik kullanımı oldukça güçlü ve prensibi çok
basittir. Algılayıcının bir kısmı ilgili uyarıcıya maruz ve her iki kısmı iletilen çarpıcı gürültüye
neden olan aynı çevresel şartlara maruz bırakılacak şekilde çiftli biçimde fabrikasyonu yapılır.
İkinci algılayıcı referans algılayıcısı olarak adlandırılır çünkü sabit çevresel kararlı referans
uyarıcısı (so) referans algılayıcısının girişine uygulanır. Örneğin dar bir sıcaklık aralığında
algılayıcının çıkış gerilimi yaklaşık olarak aşağıdaki gibi değişir:
V1 = [1 + α (T − To )] f ( s1 ) (7.6.8)
Burada, α algılayıcının transfer fonksiyonunun sıcaklık katsayısı, T sıcaklık ve To kalibrasyondaki

sıcaklıktır. Referans girişi so olan referans algılayıcısı Vo gerilimini üretir:
Vo = [1 + α (T − To )] f ( so ) (7.6.9)
Ortam sıcaklığı algılayıcıyı aynı yolla etkilediğinden iletilen çarpıcı gürültü olarak dikkate alınır.
V 1
Yukarıdaki eşitliklerin oranı, 1 = f ( s1 ) ile aşağıdaki eşitlik elde edilir.
Vo f ( so )
V1 1
= f ( s1 ) (7.6.10)
Vo f ( so )
f ( so ) sabit olduğundan oran sıcaklığa bağımlı değildir. Bununla beraber orantılı tekniğin sadece
beklenen gürültü çarpıcı özellikte olduğunda kullanışlı iken diferansiyel tekniğin ise sadece
toplayıcı gürültü için çalıştığını vurgulamak gerekir. Her iki teknik algılayıcılar ve devrelerde
dahili üretilen doğal gürültü için kullanışlı değildir.
Doğal gürültü çoğunlukla Gauss tipi iken iletilen gürültü ekseriyetle geleneksel istatistiksel
tanımlama için kullanışlı değildir. İletilen gürültü periyodik, ortaya çıkışı düzensiz veya rasgele
olabilir ve radyo yayın istasyonları, güç hattı frekansları ve harmonikleri, mekanik anahtarların
arkları ve reaktif devrelerin (indüktif ve kapasitif yükler) anahtarlanmasından kaynaklanan ani
geçici akım ve gerilimlerden dolayı güç kaynaklarından elektrostatik veya elektromanyetik almayı
en aza indirmek için gerekli önlemler alınarak kolaylıkla azaltılabilir. Böyle önlemler filtreleme,
dekuplaj, kablo ucu ve bileşenlerin ekranlanması, koruyucu potansiyellerin kullanımı, toprak
döngülerinin eliminasyonu, elemanlar ve kablo uçlarının fiziksel olarak yeniden yönlendirilmesi,
röle ve elektrik motor sargılarının uçlarında sönüm diyotlarının kullanımı, uygun yerlerde düşük
empedans seçimi ve düşük gürültülü güç kaynağı ve referans seçimi içerebilir. Vibrasyondan
kaynaklanan iletim gürültüsü uygun mekanik tasarımla azaltılabilir. İletilen gürültünün kaynakları,
tipik büyüklükleri ve bunların tipik çözümleri tablo 7.5 de görülmektedir.
Tablo 7.5 İletilen gürültünün tipik kaynakları
Harici Kaynak Tipik Büyüklük Tipik çözüm

Ekranlama, kalkanlama; toprak döngülerine
60/50 Hz güç hattı frekansı 100 pA
dikkat etme; yalıtılmış güç kaynağı
120/100 Hz kaynak dalgacığı 3 μV Güç kaynağını filtreleme
Doymuş 50/60 Hz
transformotorlardan 180/150 0,5 μV Bileşenler yeniden yönlendirilerek yerleştirilir
Hz’lik manyetik parazitler
Radyo yayın istasyonları 1 mV Ekranlama, kalkanlama
5 ile 100 MHz bileşenlerin filtrelenmesi;
Anahtar arkı 1 mV
toprak döngülerine ve ekranlamaya dikkat
Mekaniksel kuplaja dikkat; giriş terminalleri
10 pA
Vibrasyon, titreşim ve algılayıcılara yakın çok büyük gerilimli
(10-100 Hz)
kablo uçlarının eliminasyonu
Düşük gürültülü kablo kullanımı (karbon
Kablo titreşimi 100 pA
kaplanmış dielektrik kablo)
0,01 – 10 pA / Hz Baskı devrenin iyi temizliği; gerektiği yerde
Baskı devre kartları
10 Hz aşağısı teflon yalıtıcı ve koruyucu kullanımı
Elektriksel gürültü ile kuplajda bulunan ve en sık kullanılan kanal parazitik kapasitanstır. Böyle bir
kuplaj her yerde mevcuttur. Her cisim diğer bir cisimle kapasitif olarak kuplajdadır. Örneğin
yalıtılmış yer üzerinde duran bir insan 700 pF seviyesinde toprakla kapasitans meydana getirir, pin
uçlarındaki elektriksel bağlantı elemanları pinler arasında 2 pF civarında kapasitans oluşturur, bir
opto-yalıtıcının emiter-dedektör kapasitansı 2 pF civarındadır. Şekil 7.6.5a Cs kuplaj kapasitansı ile
algılayıcının dahili Z empedansına bağlı elektriksel gürültü kaynağını göstermektedir. Bu
empedans basit bir direnç olabildiği gibi dirençler, kapasitörler, indüktörler ve diyotlar gibi
doğrusal olmayan elemanların bir kombinasyonu olabilir. Empedans uçlarındaki gerilim gürültü
sinyalinin değişim oranı, Cs kuplaj kapasitansının değeri ve Z empedansının doğrudan bir
sonucudur. Örneğin bir piro-elektrik dedektör 30 pF’lık bir kapasitör ve 50 GΩ’luk direncin paralel
kombinasyonuna eşit dahili bir empedansa sahip olabilir. Piro-elektrik algılayıcı vücudunda 1000
V’luk statik gerilim ile yüzey elektrostatik yüküne sahip hareketli bir kişi ile sadece 1 pF’lık
kapasitans ile kuplajlanır. Eğer insan vücudunun ana frekansı 1 Hz varsayılırsa algılayıcı yaklaşık
30 V’luk bir elektrostatik parazit etkisi altında kalacaktır!. Bu parazit insan vücudundan alınan ısıl
ışınıma tepki olarak algılayıcının normalde ürettiği sinyalin 3-5 katı büyüklüğündedir. Bazı
algılayıcılar ve hemen hemen bütün elektronik devreler doğrusalsızlıklara sahip olduğundan yüksek
frekanslı parazit sinyalleri, radyo frekanslı parazitler (RFI) veya elektromanyetik parazitler (EMI)
doğrultulabilir ve çıkışta DC veya yavaş değişen gerilim olarak gözükebilir.
(a) Kapasitif kuplajlama (b) elektrik kalkanı
Şekil 7.6.5
7.6.3 ELEKTRİK EKRANI VEYA KALKANI
Elektrik alanlarından dolayı bilinen parazitler (özellikle yüksek empedanslı ve doğrusal olmayan
bileşenler) algılayıcı ve devrenin uygun ekranlanması ile önemli ölçüde azaltılabilir. Her ekranlama
problemi ayrı olarak ve dikkatlice analiz edilmelidir. Gürültü kaynağının tanımlanması ve devre ile
nasıl bir kuplajda olduğunun bilinmesi çok önemlidir. Düzgün olmayan ekranlama, kalkanlama
veya koruma sadece durumu daha kötü hale getirir ve yeni bir problem oluşturur.
Ekranlamanın iki amacı vardır: Birincisi gürültüyü küçük bir bölgede sınırlayarak gürültünün
yakındaki devrelere girmesini engeller. Bununla beraber böyle ekranlamalardaki problem
ekranlanarak içeri hapsedilen gürültünün eğer gürültünün dönüş yolu dikatlice planlanmamış ve iyi
bir topraklama sisteminin gereği sağlanmamış ve bağlantılar düzgünce yapılmamış ise hala bir
probleme neden olabilmesidir.
İkincisi eğer devrenin içinde gürültü mevcutsa dedektörler ve devrelerin duyarlı bölgelerine
gürültünün girmesini engellemek için kritik elemanların çevresine ekranlar yerleştirilebilir. Bu
ekranlar devre bölgelerinin etrafındaki metal kutular veya orta iletkenin etrafı ekranlanmış
koaksiyel türü kablolardan ibaret olabilir.
Daha önce bahsedildiği gibi elektrik alanlarından kaynaklanan gürültü metal muhafazalar ile iyi bir
şekilde kontrol edilir çünkü q yükü kapalı iletken yüzeyin iç kısmında mevcut olamaz. Ortak ve
kaçak kuplaj ile kapasitans şekil 7.6.5 de görüldüğü gibi modellenebilir. Burada en gürültü
kaynağıdır. Bu elektrik potansiyeli değişen bir çeşit parça, eleman veya bileşen olabilir. Cs
(herhangi bir frekansta Zs empedansına sahip) kaçak (stray) kapasitans olup gürültü kaynağı ve
devre empedansı, Z arasında bir gürültü alıcısı olarak aksiyonda bulunur. Vn gerilimi kapasitif
kuplajın bir sonucudur. Gürültü akımı
Vn
in = (7.6.11)
Z + Zs
ile tanımlanır ve gerçekte aşağıdaki gibi gürültü gerilimini meydana getirir.
en
Vn = (7.6.12)
⎛ Zc ⎞
⎜1 + ⎟
⎝ Z ⎠
Örneğin, 1,3 MHz de Cs=2,5 pF, Z=10 kΩ (direnç) ve en=100 mV ise çıkış gürültüsü 20 mV
olacaktır (5 V tam skala için bu 12 bit’te 16 LSB dir).
1,3 MHz’lik gürültünün algılayıcının ürettiği düşük frekanslı gürültülerden filtrelenerek kolaylıkla
çıkartılabileceği düşünülebilir. Gerçekte bu yapılamaz çünkü çoğu algılayıcılar ve özellikle
yükselticilerin ön katları doğrultucu olarak çalışan doğrusal olmayan bileşenler (pn yarı-iletken
jonksiyonları) içerir. Sonuç olarak yüksek frekanslı gürültünün spektrumu düşük frekanslı bölgeye
kayarak gürültü sinyali ile algılayıcının ürettiği gerilim benzer hale gelir.
Bir ekran eklendiğinde durumdaki değişim şekil 7.6.5b de görülmektedir. Ekranın sıfır empedanslı
olduğu varsayımı ile sol taraftaki gürültü akımı in1 = en / Z c1 olacaktır. Ekranın diğer tarafındaki in 2
akımı devrenin sağ tarafında sürücü kaynaklar olmadığından temelde sıfır olacaktır. Akabinde alıcı
empedans üzerindeki gürültü gerilimi de sıfır olacak ve duyarlı devre etkili bir şekilde gürültü
kaynağından ekranlanmış olacaktır. Elektrostatik kalkanların uygulanmasında gözlenmesi gereken
bazı pratik kurallar vardır:
¾ Elektrostatik kalkanın etkin olabilmesi için ekranın içinde bulunan herhangi bir devrenin
referans potansiyeline bağlanmalıdır. Eğer sinyal toprağa bağlanmışsa (çerçevenin şasisi veya
toprağa) ekranın da bu toprağa bağlanması gerekir. Ekranın topraklanması sinyalin toprağa
dönüşü yoksa yararsızdır.
¾ Eğer ekranlı kablo kullanılırsa, kablonun ekranı sinyal kaynağı tarafındaki sinyal referans
noktasına bağlanmalıdır (şekil 7.6.6a).
¾ Eğer bağlantı elemanlarında olabildiği gibi ekran parçalara ayrılırsa her segmentin ekranı
birbirine bitişik diğer ekranlar ile bağlanmalı ve en son olarak sadece sinyal referans noktasına
bağlanmalıdır (şekil 7.6.6b).
¾ Bir veri kazanç sisteminde istenilen ayrı ekranların sayısı ölçülecek olan bağımsız sinyallerin
sayısına eşittir. Her sinyal ortak bir referans potansiyelini (sinyal toprağı) paylaşmadıkları
sürece sistemdeki diğer ekranlar ile bağlantısı olmaksızın kendi ekranına sahip olmalıdır. Bu
durumda bütün bağlantılar ayrı bir atlama iletkeni ile tek bir noktada her ekrana bağlanmalıdır
(şekil 7.6.7).
¾ Bir ekran tek bir noktada topraklanmalıdır; algılayıcıya yakın olması tercih edilir. Ekranlı kablo
asla her iki ucundan topraklanmamalıdır (şekil 7.6.7). İki toprak arasındaki Vn potansiyel farkı
bir is ekran akımının akmasına neden olacak ve manyetik kuplaj ile ortadaki iletkende bir
gürültü gerilimi indükleyebilecektir.
(a)
(b)
(c)
Şekil 7.6.6 Giriş kablosunun bir referans potansiyeline bağlantıları
¾ Eğer algılayıcı ekranlı bir kutu içine yerleştirilir ve veri ekranlı kablo ile iletilirse (şekil 7.6.6c)
kablonun ekranı kutu ile irtibatlandırılmalıdır. Ekranlama içinde toprak referans potansiyeli
için ayrı bir iletken kullanımı ve ekranlamanın amacı dışında kullanılmaması iyi bir pratiktir:
ekran içinde ekran akımlarının mevcut olmasına izin verilmez.
¾ Sürülen ekranlar durumu dışında ekranın referans potansiyeline göre başka bir potansiyelde
bulunmasına izin verilmez. Ekran gerilimi kablo kapasitansından geçerek ortadaki iletkeni
kuplajlandırır.
¾ Ekranlar indüktansın azaltılması için kısa iletkenler ile toprağa bağlanır. Bu özellikle hem
analog hem de dijital sinyallerin iletiminde önemlidir.
Şekil 7.6.7 Her iki uçtan

hatalı olarak topraklanmış
kablo ekranlaması
7.6.4 BYPASS KAPASİTÖRLERİ
Bypass kapasitörleri yük noktasında düşük bir güç kaynağı empedansının sağlanması için
kullanılır. Besleme hatlarındaki parazitik direnç ve indüktans güç kaynağı empedansının oldukça
yüksek olabildiği anlamına gelmektedir. Frekans artarken indüktif parazit problem oluşturur ve
devrenin osilasyonuna veya ringing (akım kesildikten sonra osilasyonun devam etmesi) etkilerine neden olabilir.
Devre hatta düşük frekanslarda çalışırken bile radyo istasyonları gibi harici kaynaklardan yüksek
frekanslı gürültü devreye ve güç kaynağı iletkenlerine iletilebildiğinden bypass kapasitörleri yine
önemlidir. Yüksek frekanslarda güç kaynağı ve regülatör sıfır çıkış empedanslarına sahip değildir.
Kullanılacak kapasitör tipi uygulama, devrenin frekans aralığı, maliyet, baskı devrenin kapladığı
yer ve diğer bazı özel durumlar ile belirlenir. Bypass kapasitörünün seçiminde yüksek frekanslar
için pratik bir kapasitörün ders kitaplarında anlatıldığı gibi ideal kapasitörden oldukça uzak
olabildiği hatırlanmalıdır.
Kapasitörün genelleştirilmiş eşdeğer devresi şekil 7.6.8 de görülmektedir. Eşdeğer devre C anma
kapasitansı, r1 kaçak direnci, L uç indüktansları ve R dirençlerinden oluşmakta ve aynı zamanda
kapasitörün içinde ortaya çıkan r ve ca dielektrik emilme terimleri içermektedir. Bypass
uygulamalarında r1 ve dielektrik emilme ikinci derece terimler olmakta fakat seri L ve R değerleri
önemlidir. Bunlar geçicileri sönümlendirmek için kapasitörün özelliğini sınırlar ve düşük güç
kaynağı çıkış empedansı sağlar. Sıklıkla bypass kapasitörleri daha uzun geçicilerin emilebilmesi
için büyük değerlerde (10 μF) olmalıdır; bu yüzden çoğunlukla elektrolitik kapasitörler kullanılır.
Maalesef bu kapasitörler büyük değerli seri R ve L’ye sahiptir. Ekseriyetle tantal kapasitörler daha
iyi sonuç vermekle beraber kutupsuz (seramik veya film) aluminyum elektrolit kombinasyonlu
kapasitörler daha iyi iyileştirme verebilirler. Bypass kapasitörlerin yanlış tiplerinin kombinasyonu
ringing’e, osilasyona ve veri iletişim kanalları arasında crosstalk’a (elektrostatik veya manyetik kuplaj ile bir
devrenin diğer devrede parazit meydana getirmesi) öncülük edebilir. Bypass kapasitörlerinin doğru
kombinasyonunu tanımlamanın en iyi yolu bunların bir breadboard üzerinde denenmesidir.
Şekil 7.6.8 Kapasitör eşdeğer devresi
7.6.5 MANYETİK KALKAN
Düzgün bir ekranlama elektrostatik ve elektrik alanlarından kaynaklanan gürültüyü önemli ölçüde
azaltabilir. Maalesef iletken cisimlere nüfuzundan dolayı manyetik alanlara karşı ekranlama çok
daha zordur. Bir iletkenin etrafına yerleştirilmiş ve bir ucundan topraklanmış tipik bir ekran bu
iletkende manyetik olarak indüklenmiş gerilime karşı çok az etkiye sahiptir. Manyetik alan ekrana
nüfuz ettiğinde genliği üstel olarak azalır. Etkili bir manyetik ekranlama çok yüksek frekanslarda
kalın çelik ekranlar ile yapılır. Manyetik ekranlama çok zor olduğundan düşük frekanslarda en
etkili yaklaşım manyetik alanların şiddetini azaltmak, alıcı uçtaki manyetik döngü alanını azaltmak
ve iletkenlerin en uygun geometrisini seçmektir. Aşağıda bazı pratik kurallar verilmiştir:
¾ Alıcı devresi manyetik alan kaynağından olabildiğince uzağa yerleştirilmelidir.
¾ İletken tellerin manyetik alana paralel pozisyonundan kaçınılmalı ve manyetik alana dik
açılarda yerleştirilmelidir.
¾ Manyetik alanın frekans ve şiddetine uygun malzeme ile manyetik alan ekranlanmalıdır.
¾ Manyetik alan kaynağı olan yüksek seviyeli akım taşıyan iletkenler için bükülü iletken
kullanılmalıdır. Eğer iki iletkendeki akım eşit ve zıt ise bükülü iletkenin büklümünün her
saykılının her yönündeki net alan sıfır olacaktır. Bu düzenlemenin çalışması için akım diğer bir
iletkenle paylaşılmamalıdır; örneğin toprak döngüleri ile sonuçlanabilen bir toprak düzlemi.
¾ Ekranın taşıdığı yüksek seviyeli kaynak devresinin dönüş akımına uygun bir ekranlı kablo
kullanınız (şekil 7.6.9a). Eğer i2 akımı ortadaki iletkenden taşınan i1 akımına eşit ve zıt ise orta
iletkendeki ve ekrandaki alan net bir sıfır alan üreterek birbirini yok edecektir. Bu durum alıcı
devresi için ekran akımının olmaması kuralının çiğnenmesi olarak gözükmekle beraber
buradaki ekranlı kablo ortadaki iletkenin elektrostatik olarak ekranlaması için
kullanılmamaktadır. Buradaki geometri yük durumunda olan elektrik motorunun akımı ile
üretilen manyetik alanın yok edilmesine yaramaktadır.
¾ Manyetik olarak indüklenen gürültü alıcı döngüsünün alanına bağlı olduğundan manyetik
kuplaj sonucu indüklenen gerilim döngü alanının daha küçük yapılması ile azaltılabilir.
(a) Yükün koaksiyel kablo ile beslenerek iletilen

(b) Manyetik ekranlama ekranın kalınlığı ile artar
manyetik gürültünün azaltılması
Şekil 7.6.9
Alıcı döngüsü nedir? Şekil 7.6.10 da algılayıcının L uzunluğunda ve birbirinden D uzaklığı ile
ayrılmış iki iletkenli bir yük devresine bağlantısı görülmektedir. Dikdörtgen devre bir a = LD
döngü alanı meydana getirir. Döngüde seri olarak indüklenen gerilim döngü alanı ve alana olan
açının kosinüsü ile orantılıdır. Bundan dolayı gürültüyü azaltmak için döngü alana dik açıda
yerleştirilmeli ve alanı en aza indirilmelidir.
Şekil 7.6.10 Uzun iletkenler ile düzenlenmiş alıcı döngüsü
Döngünün alanı iletkenlerin uzunluğunun ve/veya aralarındaki açıklığın azaltılması ile

düşürülebilir. Bu bükülmüş bir iletken ile veya bir çift iletkenin sıkıca kablo haline getirilmesi ile
kolaylıkla yapılır. Devre iletkeni ve dönüş yolunun daima beraber olabilmesi için iletkenleri çift
olarak kullanmak iyi bir pratiktir. Bu gereksinim gözardı edilemez. Örneğin tasarımcı tarafından
iletkenler iyi bir şekilde pozisyonlandırılmışsa bir servis teknisyeni tamir süresince bunların
pozisyonunu değiştirebilir. Yeni iletkenin pozisyonu çok zararlı seviyede bir gürültü seviyesi
meydana getirebilir. Bundan dolayı genel kural iletkenlerin alanı ve oryantasyonunun veya
yönünün bilinmesi ve iletkenlerin sabitlenmesidir.
Manyetik alanların elektrik alanlarına göre ekranlanmaları çok daha zordur çünkü bunlar iletken
malzemelere nüfuz edebilirler. Bir iletkenin etrafına yerleştirilmiş ve bir ucundan topraklanmış
tipik bir ekran bu iletkende manyetik olarak indüklenmiş gerilimde çok az etkiye sahiptir. Bo
manyetik alanı alana nüfuz ederken genliği üstel olarak düşer (şekil 7.6.9b). Ekranın deri veya
yüzey kalınlığı havadaki alanın % 37 azalması için gereken derinliktir. Tablo 7.6 farklı
frekanslarda bazı malzemeler için tipik δ değerlerini listelemektedir. Yüksek frekanslarda her
metal etkili bir ekranlama için kullanılabilirken düşük frekans aralığında çelik daha iyi performans
gösterir.
Tablo 7.6 Frekans ile farklı metallerdeki δ yüzey derinliği

Frekans Bakır Aluminyum Çelik
60 Hz 8,5 10,9 0,86
100 Hz 6,6 8,5 0,66
1 kHz 2,1 2,7 0,20
10 kHz 0,66 0,84 0,08
100 kHz 0,2 0,3 0,02
1 MHz 0,08 0,08 0,008
Düşük frekanslı manyetik alan ekranlamasını geliştirmek için yüksek geçirgenlikli manyetik
malzemelerden oluşan bir ekranın (örneğin mumetal) kullanılması düşünülebilir. Bununla beraber
mumetalin etkililiği yüksek frekanslarda ve güçlü manyetik alanlarda düşer.
7.6.6 MEKANİK GÜRÜLTÜ
Vibrasyon ve ivme etkileri de algılayıcılardaki iletilen gürültü kaynakları olup algılayıcının bunlara
bağışıklık kazandırılması gerekir. Bu etkiler transfer karakteristiklerini (çarpıcı gürültü)
değiştirebilir veya algılayıcının sahte sinyaller (toplayıcı gürültü) üretmesine neden olabilir. Eğer
algılayıcı bazı mekanik elemanlar içeriyorsa belli frekans ve genlikte bir eksen boyunca oluşan
vibrasyon rezonans etkilerine neden olabilir. Bazı algılayıcılar için ivme bir hata kaynağıdır.
Örneğin çoğu piro-elektrik dedektörler aynı zamanda piezo-elektrik özellikler de taşır. Dedektörün
ana fonksiyonu ısıl değişimlere tepki vermektir. Bunun yanında çok hızlı değişen basınç, kuvvetli
rüzgar veya yapısal titreşim gibi çevresel mekanik faktörler normal uyarıcının yaptığı etkiden
ayırtedilemeyecek şekilde algılayıcının çıkış sinyalleri vermesine neden olur.
7.6.7 TOPRAK DÜZLEMLERİ
Uzun zamandır toprak düzlemleri elektronik mühendisleri ve baskı devre tasarımcıları tarafından
sahte devre işlemi için gizemli ve problemli bir çözüm olarak bilinmektedir. Toprak düzlemleri
öncelikle devre indüktansının azaltılmasında kullanışlıdır ve temel manyetik teoriden yararlanılarak
yapılır. Bir iletkenden geçen akım bununla ilgili olarak bir manyetik alan meydana getirir. Akı
yoğunluğu ve alan şiddeti i akımı ile orantılı ve iletkenden olan r uzaklığı ile ters orantılıdır:
μ oi
B= (7.6.13)
2πr
Bundan dolayı akım taşıyan bir iletken manyetik alan ile çevrelenmiş olarak tahayyül edilebilir.
İletkenin indüktansı geçen akımın meydana getirdiği manyetik alanda depolanan enerji ile
tanımlanabilir. İletkenin indüktansının hesaplanması iletkenin uzunluğu ve manyetik alanın toplam

kapladığı alan üzerinde alanın integrasyonunu gerektirir. Bununla beraber eğer birbirine yakın iki
iletken zıt yönlerde aynı akımı taşıyorsa manyetik alanları birbirini yok edecektir. Bu durumda
gerçek iletken indüktansı çok daha küçük olacaktır. Zıt yönde akan akım dönüş akımı olarak
adlandırılır. Bu toprak düzlemlerinin ana nedenidir. Toprak düzlemi dönüş akımının akabileceği
akım taşıyan bir iletkenin tam altında dönüş yolu sağlar. Dönüş akımı iletkenle ilgili kollara
bakılmaksızın toprağa giden bir yola sahiptir. Akım daima en düşük empedanslı dönüş yolundan
akacaktır. İyi tasarımlanmış bir toprak düzleminde bu yol sinyal iletkeninin tam altındadır. Pratik
devrelerde toprak düzlemi kartın bir tarafında ve sinyal iletkenleri diğer taraftadır. Çok katmanlı
kartlarda toprak düzlemi ekseriyetle iki veya daha fazla iletken düzlemler arasında sandviç
halindedir. Toplam düzlemleri parazitik indüktansı azaltmasının yanında ek faydalara sahiptir.
Bunların düz yüzeyleri deri etkisinden dolayı (AC akım iletkenin yüzeyinden geçer) rezistif
kayıpları en aza indirir. Toprak düzlemi ek olarak toprağa kaçak kapasitans meydana getirdiğinden
devrenin yüksek frekans kararlılığına yardımcı olur. Aşağıda bazı pratik tavsiyeler bulunmaktadır:
¾ Toprak düzlemlerinin alanı mümkün olabildiği kadar bileşenler üzerinde olmalıdır (veya çok
katmanlı kartlarda iç kısımda bulunmalıdır). Yüksek frekanslı ve dijital sinyallerin bulunduğu
yerdeki alan artırılmalıdır.
¾ Hızlı geçici akımları ileten bileşenler (entegre devreler, transistörler, dekuplaj kapasitörleri,
vb.) karta mümkün olduğunca yakın monte edilmelidir.
¾ Ortak bir toprak referans potansiyeli gerektiğinde toprak akımlarından dolayı gerilim
düşümünden kaçınmak için referans potansiyeli için ayrı iletkenler kullanılmalı ve bunların
hepsi ortak bir noktada toprak düzlemine bağlanmalıdır.
¾ İz (trace) uzunluğu kısa tutulur. İndüktans uzunluk ile doğrudan değişir ve hiçbir toprak
düzlemi mükemmel bir iptal yapamayacaktır.
7.6.8 TOPRAK DÖNGÜLERİ VE TOPRAK İZOLASYONU
Bir devre düşük seviyeli giriş sinyalleri için kullanıldığında devrenin kendisi doğruluğu etkileyecek
kadar bariz problem oluşturacak yeterli gürültü üretir. Bazen bir devre kağıt üzerinde doğru olarak
tasarımlanır ve bir breadboard oldukça doyurucu performans göstermekle beraber baskı devre kartı
ile ürün ptototipi test edildiğinde doğruluk gereksinimi karşılanmaz. Breadboard ve baskı devre
arasındaki farklılık iletkenlerin fiziksel anahatlarında olabilir. Ekseriyetle elektronik bileşenler
arasındaki iletkenler oldukça belirgindir – bunlar bir kapasitörü bir dirence, bir JFET transistörün
kapısını işlemsel yükselticinin çıkışına, vb. bağlayabilir. Bununla beraber çoğu durumlarda en
azından iki iletken olup elektronik devrenin çoğu kısmı ile ortaktır. Bunlar güç kaynağı barası ve
toprak barasıdır. Her ikisi devrenin bir kısmından diğer kısmına istenilmeyen sinyaller taşıyabilir
ve özellikle kuvvetli çıkış sinyalleri ile duyarlı giriş katlarını kuplajlandırabilir.
Güç kaynağı barası devrenin bütün katlarına besleme akımı taşır. Toprak barası da besleme
akımları taşır fakat ek olarak elektrik sinyali için referans tabanı olarak da kullanılır. Bu iki
fonksiyonun etkileşimi toprak döngüsü olarak adlandırılan bir probleme öncülük edebilir. Şekil
7.6.11a da görülen bu durumda algılayıcı büyük kazançlı bir yükselticinin pozitif girişine
bağlanmıştır. Yükseltici güç kaynağına bağlanmış ve toprak barasına i akımı olarak dönen i akımı
çekmektedir. Algılayıcı yükselticinin pozitif girişine verilen Vs gerilimini üretir. Toprak iletkeni
algılayıcı terminallerinin sağına yakın a noktasında devreye bağlanmıştır. Devre görünür bir hata
kaynağına sahip olmamakla beraber çıkış gerilimi bariz hatalara sahiptir. Gürültü kaynağı toprak
iletkenlerinin yanlış bağlantısı sonucu gelişmektedir. Şekil 7.6.11b toprak iletkeninin ideal
olmadığı durumu göstermektedir. Bu iletken sonlu Rg direnci ve Lg indüktansına sahip olabilir. Bu
örnekte kaynak akımı yükselticiden bataryaya dönerken b ve a noktaları arasında toprak barasından
geçerek Vg gerilim düşümüne neden olur. Bu gerilim düşümü küçük olmasına rağmen algılayıcının
ürettiği sinyal ile karşılaştırılabilir. Vg geriliminin algılayıcı ile seri bağlı ve doğrudan yükselticinin
girişine uygulandığına dikkat edilmelidir. Toprak akımları da yüksek frekanslı bileşenler içerebilir
ve bu durumda bara indüktansı oldukça kuvvetli sahte yüksek frekanslı sinyaller üreterek, bu
sinyaller sadece algılayıcının sinyaline eklenmeyip aynı zamanda devrenin kararsızlığına da neden
olabilecektir. Örneğin cismin sıcaklığının 100 μV/°C’sine karşılık gelen bir termopili dikkate
alalım. Düşük gürültülü yükseltici i = 5 mA’lik sızıntı akımına sahip olup Rg = 0,2 Ω dirençli
toprak döngüsünden geçer. Vg = i Rg = 1 mV ’luk toprak döngüsü gerilimi –10 °C’lik bir hataya
karşılık gelecektir! Çözüm oldukça basittir – toprak döngüsünün kırılması gerekir. Devre
tasarımcısı özellikle dijital aygıtlarda daima akım taşıyan topraklardan referans toprağını
ayırmalıdır.
(a) Toprak terminalinin devreye yanlış bağlantısı (b) toprak iletkenleri ile kaynak akımının yolu
Şekil 7.6.11
Şekil 7.6.12 de toprak bağlantısının algılayıcının a noktasından terminalin c noktasına

kaydırılmasının algılayıcı ve R2 geri besleme direncine bağlanmış toprak iletkeni uçlarında sahte
gerilim formasyonunu engellediği görülmektedir. Bunun bir kuralı toprağın bir devre kartında
sadece bir noktada bağlanmasıdır. İki veya daha fazla noktadaki topraklama çözümü ve analizi çok
zor toprak döngüleri oluşturabilir.
Şekil 7.6.12 Algılayıcının ve arabirim

devresinin doğru topraklanması
7.6.9 SEEBECK GÜRÜLTÜSÜ
Bu gürültü farklı iki metal birleştirildiğinde emf’nin gelişmesi sonucu oluşan Seebeck etkisinin bir
sonucudur. Seebeck emf’si küçük ve çoğu algılayıcılar için ihmal edilebilir. Bunun yanında 10-100
μV seviyesinde mutlak bir doğruluk istenildiğinde bu gürültünün dikkate alınması gerekir. Benzer
olmayan farklı iki metalin bağlantısı ile bir sıcaklık algılayıcısı meydana getirilir. Bununla beraber
sıcaklık algılama istenilen bir fonksiyon olmadığında ısıl olarak indüklenen emf sahte bir sinyal
halini alır. Elektronik devrelerde farklı metallerin bağlantısı her yerde bulunabilir: bağlantı
elemanları, röle kontakları, soketler, iletken teller, vb. Örneğin entegre devrenin giriş pinlerine
bağlanmış bakır baskı devre kartı kaplaması 40 μV·ΔT ’luk bir offset gerilimi meydana
getirecektir; burada ΔT farklı iki metal kontakları arasındaki °C sıcaklık gradyanıdır. Bakır
kaplama ile yaygın kurşun kalay alaşımı lehim kullanıldığında jonksiyonda 1 ile 3 μV/°C arasında
gerilim meydana gelir. Bu sahte sinyallerin 0,3 μV/°C den aşağı düşürülmesi için özel kadmiyum
kalay alaşımı lehimler vardır. Şekil 7.6.13 de iki tip lehim için Seebeck emf’si görülmektedir.
Farklı üreticilerin ürettiği benzer iki telin bağlantısı 200 nV/°C seviyesinde eğimli bir gerilimle
sonuçlanabilir.
Şekil 7.6.13 Lehim-bakır

jonksiyonlarında gelişen
Seebeck emf’si
Çoğu durumlarda Seebeck emf’si uygun devre düzenlemesi ve ısıl denge durumu dikkate alınarak
elimine edilebilir. Algılayıcı ve arabirim devresinin ön katı arasındaki jonksiyon sayısının
sınırlanması iyi bir pratiktir. Bu tedbirin devamı olarak bağlantı elemanları, fiş ve prizler ve diğer
potansiyel emf kaynaklarından kaçınmak gerekir. Bazı durumlarda bu mümkün olmayabilir. Bu
durumlarda diferansiyel iptallerin oluşması için devrenin ön katındaki jonksiyonların tipinde ve
sayısında denge sağlamaya teşebbüs edilebilir. Bu yapılırken gerekli jonksiyonların offset’i için
yeni jonksiyonların oluşturulması gerekebilir. İptalleri meydana getirmek amacıyla jonksiyonların
aynı sıcaklıkta tutulması gerekir. Şekil 7.6.14 algılayıcı jonksiyonları, giriş terminal jonksiyonları
ve yükseltici bileşen jonksiyonlarının uzaktaki bir algılayıcıya bağlantısının farklı fakat düzgünce
düzenlenmiş sıcaklıklarda tutulmasını göstermektedir. Böyle ısıl dengeli jonkisyonların ortak bir
soğutucuya yakın fiziksel temasta tutulması gerekir. Baskı devre kartları ve algılayıcıda hava
akımları ve sıcaklık gradyanlarından kaçınılmalıdır.
Şekil 7.6.14 Jonksiyonların

aynı sıcaklıkta tutulması
Seebeck gürültüsünü azaltır
1. Analog-dijital dönüşümü niçin gerekmektedir?

2. V/F çevirici hangi amaçla kullanılır?
3. Çözünürlük nasıl artırılır?
4. Doğrudan sayısallaştırma işlemini açıklayınız.
5. Orantılı teknikle algılayıcının doğruluğu nasıl artırılır?
6. Ölçme sistemlerinde köprü devrelerinin önemini açıklayınız.
7. Köprü derelerinde sıcaklık kompanzasyonu niçin yapılır?
8. İki, dört ve altı iletkenli iletim nasıl yapılır?
9. Algılayıcı ve devrelerdeki gürültü çeşitlerini açıklayınız.
10. Elektriksel ve manyetik ekranlama ve kalkanlama nasıl yapılır?
11. Toprak düzlemi niçin yapılır?
12. Seebeck gürültüsünü ve korunma çarelerini açıklayınız.
8 POZİSYON, SEVİYE VE YER DEĞİŞİMİ ÖLÇÜMÜ
Fiziksel cisimlerin pozisyon ve yer değişimlerinin ölçümü çoğu uygulamalarda çok önemlidir.
Örneğin geri besleme kontrol işlemi, performans ölçümü, ulaşımda trafik kontrolü, robotik
sistemler, güvenlik sistemleri, vb. Pozisyonun anlamı seçilen referansa göre cismin
koordinatlarının (doğrusal veya açısal) belirlenmesidir. Yer değişiminin anlamı belirli bir mesafede
veya açıda bir pozisyondan diğer pozisyona harekettir. Kritik bir uzaklık yakınlık algılayıcıları ile
ölçülür. Aslında yakınlık anahtarı pozisyon dedektörünün bir eşik versiyonudur. Başka bir deyimle
pozisyon algılayıcısı referans noktasından nesneye olan uzaklığı çıkış sinyali olarak gösteren
doğrusal bir aygıttır. Yakınlık anahtarı ise nesneye olan uzaklık belli bir mesafeye geldiğinde bunu
göstermek için çıkış sinyali veren biraz daha basit bir aygıttır. Örneğin proses ve robotik
kontrolünde çok basit fakat yüksek güvenilirlikte yakınlık algılayıcıları kullanılır (sınır anahtarı
gibi). Sınır anahtarı normalde açık ve/veya kapalı kontaklara sahip bir elektrik anahtarıdır. Fiziksel
temas sonucu hareketli cisim anahtarı çalıştırdığında kontrol devresine bir sinyal gönderilir.
Sinyalin anlamı ise cismin son noktaya ulaştığını göstermektedir. Bu tip kontak anahtarlarının bazı
sakıncaları vardır. Örneğin hareketli nesne üzerindeki yüksek mekanik yük ve histerezis.
Yer değişim algılayıcısı daha karmaşık algılayıcıların bir parçası olabilir ve hareketin dedeksiyonu
ise sinyal dönüşümündeki adımlardan birisidir. Buna örnek olarak kapasitif basınç algılayıcısı
verilebilir. Burada basınç diyaframın yer değişimine dönüşür ve daha sonra diyaframın yer
değişimi de basıncı gösteren elektrik sinyaline dönüşür. Bundan dolayı pozisyon algılayıcıları diğer
algılayıcıların tasarımında da önemli bir temel olmaktadır. Pozisyon ve yer değişim algılayıcıları
statik aygıtlar olup hız tepkileri performansları açısından kritik değildir. Bu kısımda tepkisi
zamanın bir fonksiyonu olan bütün dimamik algılayıcılar dikkate alınmayacaktır. Bu algılayıcılar
bundan sonraki diğer bölümlerde ele alınmıştır.
Pozisyon ve yer değişim algılayıcılarının tasarımı ve seçiminde aşağıdaki soruların cevaplanması

gerekir:
¾ Yer değişiminin büyüklüğü ve tipi (doğrusal veya dairesel) nedir?
¾ İstenilen çözünürlük, doğruluk ve hassasiyet nedir?
¾ Ölçülecek nesne hangi malzemelerden yapılmıştır (metal, plastik, ferromanyetik malzeme, …)?
¾ Dedektörün monte edileceği yer ne kadardır?
¾ Hareketli cismin hareket veya oynama alanı ve istenilen dedeksiyon aralığı nedir?
¾ Çevresel şartlar nelerdir (nem, sıcaklık, etkileşim ve parazit kaynakları, vibrasyon, aşındırıcı
maddeler, vb.)?
¾ Algılayıcının beslemesi için ne kadar güç mevcuttur?
¾ Makinanın ömrü boyunca ne kadar mekanik aşınma bekleniyor?

¾ Algılayıcı elemanın ne kadar üretileceği (sınırlı sayıda, orta ölçekli, seri imalat)?
¾ Dedektör ünitesinin hedef fiyatı nedir?
Dikkatli bir analiz uzun dönemde kar ve yarar getirecektir.
8.1 POTANSİYOMETRİK ALGILAYICILAR
Pozisyon veya yer değişim dönüştürücüsü doğrusal veya döner bir potansiyometre ile yapılabilir.
Bu algılayıcının çalışma prensibi direnç değişimine dayanır. Direnç değişimi ise iletkenin doğrusal
uzunluğu ile doğru orantılıdır. Böylece iletkenin uzunluğunu kontrol edecek bir aparat ile pot’ta
olduğu gibi yer değişiminin ölçümü yapılmış olur. Direnç ölçümü elektrik akımı gerektirdiği için
potansiyometrik dönüştürücü modülasyonlu dönüştürücüler sınıfına girer. Şekil 8.1.1’de görüldüğü
gibi potansiyometrenin hareketli kısmına bağlanan uyarıcı (yer değişimi) direnç değişimine neden
olur. Pratik uygulamaların çoğunda direnç ölçümü yerine gerilim ölçümü kullanılır. Doğrusal
pot’un hareketli kısmındaki V gerilimi d yer değişimi ile 8.1 eşitliğinde görüldüğü gibi orantılıdır:
d
V =E (8.1)
D
Burada, D tam skala yer değişimi ve E pot uçlarındaki uyartım gerilimidir. Burada arabirim
devresinin yükleme etkisi dikkate alınmamıştır. Yük etkisinin büyük olduğu durumlarda çıkış
geriliminin doğrusallığı bozulur. Ayrıca çıkış gerilimi uyartım gerilimi ile orantılı olduğundan sabit
tutulmaması ise ayrıca bir hata kaynağıdır. Pot’un direnci formülde yer almadığından belirli bir
sıcaklık aralığındaki kararlılığı doğruluğu etkilemez. Düşük güçlü uygulamalarda, yüksek
empedanslı potların kullanılması istenilir ve bunun yanında yükleme etkisi daima dikkate alınır.
Potun hareketli kısmı algılayıcı şafttan elektriksel olarak yalıtılmıştır.
Şekil 8.1.1 Pozisyon algılayıcısı

E V
olarak potansiyometre kullanımı
Şekil 8.1.2’de tel sargılı potansiyometreler ile ilgili bir problem görülmektedir. Hareketli kontak
sargılar üzerinde gezerken bir veya iki telin üzerine basabilir. Sonuçta adım başına dengesiz gerilim
ve değişken çözünürlük meydana gelir (şekil 8.1.2b). Bundan dolayı N sargılı potlar kullanıldığı
zaman sadece ortalama çözünürlüğün, n dikkate alınması gerekir:
100
n= % (8.2)
N
Hareketli kısmı hareket ettirecek kuvvet ölçülecek cisimden verilir ve sonuç enerji ısı olarak
kaybolur. Tel sargılı potlar 0,01 mm çapındaki iletkenlerden yapılır. İyi bir tel sargılı pot % 0,1 tam
skala çözünürlük verebilirken yüksek kaliteli rezistif film kaplı potansiyometreler ise sonsuz
Pozisyon, Seviye ve Yer Değişimi Ölçümü 245
derecede küçük çözünürlük verebilmekte ve çözünürlük yüzeydeki malzemenin rezistif dağılımına

ve arabirim devresinin gürültü tabanına (noise floor) bağlıdır. Sürekli çözünürlüğe sahip potlar
iletken plastik, karbon film, metal film veya sermet olarak adlandırılan seramik metal karışımından
yapılırlar. Hassas potansiyometrelerin hareketli kontağı hassas metal alaşımlarından yapılır. Açısal
potansiyometrelerin yer değişim duyarlılığı yaklaşık olarak 10° ile dişli mekanizmalı çok
devirlilerde 3000° aralığındadır. Potansiyometreler bazı uygulamalarda çok kullanışlı olmasına
rağmen bazı sakıncaları vardır:
¾ Mekanik yük gereksinimi (sürtünme).
¾ Cisim ile fiziksel bağlantı gerekliliği.
¾ Düşük hız.
¾ Sürtünme ve uyartım gerilimi potansiyometrenin ısınmasına neden olur.
¾ Düşük çevresel kararlılık.
(a) (b)
Şekil 8.1.2 Tel sargılı potansiyometrenin neden olduğu belirsizlik
8.2 YERÇEKİMİ ALGILAYICILARI
Yerçekiminin merkezi ile cismin doğrultusu arasındaki açıyı ölçen eğim dedektörleri yol
yapımında, makinaların yerleştirilmesinde, ataletsel denizcilik sistemlerinde ve yerçekiminin
referans alındığı diğer uygulamalarda kullanılır. Eski ve hala popüler bir pozisyon dedektörü civa
anahtarıdır (şekil 8.2.1). Anahtar iki elektrik kontağı ve bir damla civanın cam tüp içerisine
konulmasıyla yapılmıştır. Algılayıcı çekim kuvvetiyle ilgili olarak pozisyonlandırıldığında civa
kontaklardan uzaklaşır ve anahtar açılır. Anahtarın pozisyonundaki herhangi yer değişimi civanın
kontaklara gitmesine ve kontakların ikisine dokunarak anahtarın kapanmasına neden olur. Civalı
anahtarın bir kullanımı da evlerde kullanılan civalı oda termostatıdır. Burada civalı anahtar bimetal
sargının üzerine monte edilmiş ve ortam sıcaklığı algılayıcısı olarak çalışır. Bimetal sargının ortam
sıcaklığına bağlı olarak açılıp kapanması anahtarın pozisyonunun değişmesine etki eder. Anahtarın
açılıp kapanması ısıtma/soğutma sistemini kontrol eder. Böyle bir tasarımın sınırlayıcı sakıncası ise
açık kapalı işlem yapmasıdır. Civa anahtarı belli bir eşik değerinde çalışan aygıttır yani önceden
belirlenmiş bir dönme açısına ulaşıldığında konum değiştirir. Yüksek çözünürlükte açısal yer
değişimin ölçülmesi için daha karmaşık bir algılayıcı gerekir (şekil 8.2.1c). Hafif yay şeklini almış
bir cam tüp kısmi iletkenlikte elektrolit ile doldurulmuştur. Tüpün uçlarında birer tane ve bir adet
tüp boyunca uzatılmış bir elektrot olmak üzere tüpün içine 3 adet elektrot yerleştirilmiştir. Tüpün
içinde bulunan hava kabarcığı tüpün salınımı ile tüp boyunca hareket edebilir. Ortadaki elektrot ile
uçlardaki elektrotlar arasındaki elektriksel direnç hava kabarcığının pozisyonuna bağlıdır. Tüpün
denge pozisyonundan kayması ile direnç orantılı olarak artar veya azalır. Elektrotlar AC devre ile
uyartılmış bir köprü devresine bağlanarak elektrot ve elektrolitin hasar görmesi engellenmiş olur.
(a) (b) (c)

Şekil 8.2.1 İletken tip yerçekimi algılayıcıları; (a) açık pozisyonunda civa anahtarı, (b) kapalı
pozisyonunda civa anahtarı, c) elektrolit eğim algılayıcısı
Ölçme devresinin salınım açısı ve polaritesi hakkında bilgi vermesi gerekir (şekil 8.2.2). Elektrolit
algılayıcının zarar görmemesi için kare dalga osilatörü ile üretilen uyartım geriliminden bir
kapasitör ile (C1) DC bileşen elimine edilir. Algılayıcı akım kaynağını kontrol eden Wheatstone
köprüsüne bağlanmıştır. Köprünün AC diferansiyel sinyali AC akıma dönüştürülür ve polaritesi
algılayıcı diğer yöne salınım yaptığı zaman değişir. Bu AC akım tam dalga köprü doğrultucu ile
doğrultulur ve C2’yi yükler. Böylece 0,03 μF’lık kapasitör tek yönlü olarak yüklenmiş olur. Bu
kapasitördeki gerilim 2 kazançlı bir diferansiyel yükseltici ile yükseltilir. Temel olarak C2
kapasitörü, diferansiyel yükseltici, analog anahtar ve karşılaştırıcı gerilim kontrollü bir osilatör
meydana getirir. Kapasitördeki gerilim yeterli büyüklükte olduğunda karşılaştırıcının yüksek çıkışı
anahtarı kapalı pozisyona getirerek C2’yi deşarj eder. C3 kapasitörü C2 kapasitörünün
kapasitansının tamamen sıfır yapılması için karşılaştırıcı etrafında bir AC geri besleme
sağlamaktadır. Geri besleme durduğunda karşılaştırıcının çıkışı düşük değere iner ve analog
anahtar açılır. Bu C2 kapasitörünün yeniden yüklenmesine neden olur ve tüm işlem tekrarlanır. Bu
osilatörün frekansı köprü kapasitör konfigürasyonuna verilen sabit akımın genliğine bağlıdır. Ek bir
polarite dedektörü osilatör ve akım kaynağındaki palsleri karşılaştırır. Polarite dedektörü salınımın
yönünü gösteren bir çıkış sinyali üretir.
Daha gelişmiş bir eğim algılayıcısında bir dizi foto-diyot kullanılmıştır. Dedektör yüksek
çözünürlükte karmaşık cisimlerin biçiminin ölçülmesinde, inşaat ve makina mühendisliğinde
kullanışlıdır. Yer ve yol biçiminin ölçümü ve demir bir levhanın yüzey düzgünlüğünün ölçümü
örnek olarak verilebilir. Şekil 8.2.3’deki algılayıcı bir LED ve bir pn jonksiyon üzerine monte
edilmiş yarı küresel alkollü seviye terazisinden oluşmaktadır. Sıvı içindeki hava kabarcığının
gölgesi foto-diyotların bulunduğu yüzeye yansıtılır. Algılayıcı yatay tutulduğunda algılayıcı
üzerindeki gölge şekilde görüldüğü gibi daireseldir ve her foto-diyotun gölge alanı aynıdır.
Bununla beraber algılayıcı eğimlendirilğinde gölge şekilde görüldüğü gibi eliptik olur ve sonuçta
diyotların çıkış akımlarının eşitliği bozulur. Pratik bir algılayıcıda LED’in çapı 10 mm ve LED ile
alt yüzey arasındaki mesafe 50 mm, yarı küresel camın çapı 17 mm ve hava kabarcığının çapı 9
mm’dir. Diyotların çıkışları sayısal biçime dönüştürülür ve değişik eğim açılarında kalibre edilir.
Kalibrasyon verileri bilgisayar ile işlenip tablo haline dönüştürülebilir. Algılayıcı eğimli bir
yüzeyin tüm noktalarında gezdirilerek eğim açılarının x ve y bileşenleri elde edilir ve cismin biçimi
bir bilgisayar ile yeniden çıkartılabilir.
Şekil 8.2.2 Elektrolitik eğim algılayıcısının basitleştirilmiş devre diyagramı
(a) (b) (c)

Şekil 8.2.3 Opto-elektronik eğim algılayıcısı; (a) Tasarım, (b) yatay pozisyondaki gölge, (c) eğimli
pozisyondaki gölge
8.3 ISIL ALGILAYICILAR
Bir tank içindeki sıvı seviyesi sıcaklık ölçüm tekniklerinin uygulanmasıyla ölçülebilir. Kullanılan
teknik gazların ve sıvıların ısıl iletkenlikleri ve farklı fazların ısıl kapasiteleridir. Sıvı seviye
algılayıcısı imal etmenin bir yolu sıvı ve gazın arasındaki sıcaklık farkının kullanılmasıdır. Bir sıvı
çevre sıcaklığından farklı bir sıcaklığa sahip olabilir. Örneğin bir su ısıtıcısında 100 °C sıcaklığında
su bulunabilir. Kazanın dış yüzüne yerleştirilen sıcaklık algılayıcısının ölçtüğü sıcaklık değişik
faktörlerin bir fonksiyonu olacaktır. Bu faktörler kazan yüzeyinin ısıl iletkenliği, kazan içindeki
basınç, su ve çevre sıcaklığıdır. Kazan yüzeyinde suyun yüksekliği boyunca bariz bir sıcaklık
değişimi vardır (T2 - T1). Buhar ile aynı sıcaklıkta bile olsa kazan yüzeylerinin ısıl
iletkenliklerinden dolayı su seviyesinden aşağıda sıcaklık daha düşüktür. Bu sıcaklık değişimi
kazan yüzeyi boyunca yerleştirilen bir dizi sıcaklık dedektörü ile dedekte edilebilir (şekil 8.3.1).
Dedektörler RTD veya termistör olup çıkışları çoğullayıcıya bağlanır; (A/D) sayısal formata
dönüştürülür ve su seviyesinin dedeksiyonu için bir (μP) mikroişlemci ile analiz edilir. Doğal
olarak bu düzenlemenin seviye çözünürlüğü bitişik iki sıcaklık dedektörü arasındaki uzaklığa
eşittir. Doğruluğun artırılması için algılayıcıların dış ortamdan ısıl yalıtımlarının iyi yapılması
gerekir.
Şekil 8.3.1 Sıvı

seviyesinin dedeksiyonu
için bir dizi ısıl dedektör
Başka bir yaklaşım ise modülasyonlu ısıl dedeksiyonuna dayanır ve ısıl algılayıcılar kazan yüzeyi
boyunca ısı kaybını ölçer (şekil 8.3.2). Uzun bir algılama şeriti tank yüzeyinin dışında
yerleştirilmiştir. Şerit iki ısıl bileşenden oluşmaktadır. Birisi termistör özellikleri taşımakta olup
direnci sıcaklığın bir fonksiyonudur ve sıcaklık algılayıcısı gibi çalışır. Şeritteki diğer bileşen ise
ısıtıcı elemandır. Şerit rezistif köprüye ve yükselticiye bağlanmıştır ve ısıtıcı elemanın elektrik
akımını kontrol etmektedir. Sonuçta şeritteki sıcaklığın yükselmesi ile sıcaklık algılayıcısında da
sıcaklık yükselir. Devreye güç verilmesinin hemen akabinde köprü sabit dirençleri ile ayarlanan
belirli sabit bir sıcaklığa karşılık gelen bir denge pozisyonuna ulaşır. Isıtıcı uçlarındaki gerilim esas
olarak üç faktöre bağlıdır. Bunlar ayarlanmış sıcaklık, kazan sıcaklığı ve su seviyesidir. Sıvılar
gazlara göre daha iyi ısıl iletken olduğundan sıvı seviyesinin yüksek olmasıyla şeritten kazan
yüzeyine ve içerisine olan ısıl kayıplar artar. Kazan duvarına olan ısı akışı, Q2 ve sıvıya ısı akışı,
Q3’ün toplamı sıvı seviyesinin üzerinde kazan duvarından olan ısı akışı, Q1’den çok daha büyüktür.
Bundan dolayı şeritin sabit sıcaklığının sürdürülmesi için daha yüksek sıvı seviyelerinde
yükselticinin daha yüksek seviyede gerilim vermesi gerekir. Şekil 8.3.2 de sıvı seviyesi ve ısıtıcı
elemandaki gerilim arasında ilişki kuran eğriler görülmektedir. Kazanın yüksek sıcaklığı eğriyi
aşağıya indirmektedir. Bu nedenle pratik uygulamalar için devreye ek olarak bir sıcaklık
kompanzasyon algılayıcısının konulması gerekir. Doğal olarak şeritin içinde termistör benzeri bir
algılayıcının olması mutlaka gerekmemektedir. Yarı iletkenler, RTD ve diğer sıcaklığa duyarlı
aygıtlar kullanılabilir. Bununla beraber şerit boyunca uzatılmış bir termistör basitlik ve ucuzluk
bakımından çoğu uygulamalarda daha caziptir.
(b) Farklı üç tank sıcaklığı için ısıtıcı

(a) Basitleştirilmiş devre diyagramı
elemanların uçlarındaki gerilimler
Şekil 8.3.2 Modülasyonlu ısıldirenç sıvı seviye algılayıcısı
8.4 KAPASİTİF ALGILAYICILAR
8.4.1 GAUGING KAPASİTİF ALGILAYICILAR
4.2.7 eşitliği ( C = Kε 0 A / d ) göre düz levhalı kapasitörün kapasitesinin levhalar arası uzaklıkla ters
orantılı olduğunu tanımlamaktadır; burada K dielektrik sabiti, d levhalar arası uzaklık ve A levhanın
alanıdır. Bu bağıntı pozisyon, yer değişimi, ölçme (gauging) ve diğer benzer parametrelerin ölçümü
için kullanılabilir. Kapasitif, ölçme (gauge), yakınlık ve pozisyon algılayıcılarının çalışma prensibi
kapasitenin değişimine (kapasitör levhaları arasındaki uzaklık) veya iletken veya dielektrik
malzemelerin varlığındaki kapasitans değişimine bağlıdır. Kapasitif algılayıcıların gerçekte bütün
malzemeleri dedekte etme özelliği çoğu uygulamalarda bunları cazip hale getirmektedir.
Topraklanmış metallerin dedeksiyonunda bu algılayıcıların çalışma prensibi iletkenlerde meydana
gelen fuko akımlarına dayanır ve tipik bir dedeksiyon uzaklığı 30 mm’ye kadardır. Diğer taraftan
dielektrik malzemelerin dedeksiyonu dielektrik sabitine bağlı olarak daha kısa mesafeden
yapılabilir. Örneğin cam ( κ = 4,0 ) 8-10 mm’den dedekte edilebilirken polietilen ( κ = 2,0 ) ise
sadece 2 mm’den dedekte edilebilir.
Kapasitif algılayıcının tasarımı şekil 8.4.1’de gösterilmiştir. Kapasitör levhalarından birisi

koaksiyel levhanın orta ucuna bağlanmış ve diğer levha hedef ile belirlenir. Prob levhası
topraklanmış ekranlama ile korunarak yan etkiler azaltılmış ve doğrusallık geliştirilmiştir. Kapasitif
problar 3 MHz frekanslarında çalışır ve çok hızlı hareket eden hedefleri dedekte edebilirler. Probun
tipik frekans tepkisi (elektronik arabirim ünitesi ile) 40 kHz civarındadır.
8.4.2 ORANTILI YER DEĞİŞİM ALGILAYICISI
Kapasitif yer değişim algılayıcısı biri sabit ve diğeri ise değişken iki kapasitör ile orantılı bir
prensipte çalışır. Kapasitans oranı (2,5 kHz’de ölçülen) nem dahil çevre şartlarındaki değişimden
etkilenir çünkü her iki kapasitör aynı çevresel havaya maruz kalmakta ve dielektrik sabitlerinin
birbirini takip etmesi gerekir (şekil 8.4.2).
(a) Kesit görünüş (b) dış görünüş

Şekil 8.4.1 Koruyucu halkalı kapasitif prob
Şekil 8.4.2 Kapasitif pozisyon

algılayıcısının eşdeğer devresi
Gerçek algılayıcı şekil 8.4.3’te görüldüğü gibi silindire göre pozisyonları sabitlenmiş C, V ve F
elektrotları ile silindirik bir gövdeden oluşur. Bir tüp dielektrik şaft C ortak elektrotu ve V değişken
elektrodu arasındaki kapasiteyi değiştirebilecek şekilde içeri ve dışarı hareket edebilmektedir.
Hareketli şaft yer değişimi ölçülecek cisme tutturulmuştur. Çalışma prensibi çok basittir. Değişken
Cv kapasitesinin değeri şaftın yer değişimine bağlıdır ve sabit değerli Cf kapasitesinin değeri ile
karşılaştırılır ve bu iki değerin oranı elektrik devresi ile işlenir. Yer değişimi son olarak bir gerilim
ile ifade edilerek uygun bir okuma aygıtında görüntülenir. Yer değişimi dönüştürücü devresinin
çıkış gerilimi, Vo
⎛C ⎞
Vo = KV2 ⎜⎜ V − 1⎟⎟ (8.3)
⎝ CF ⎠
dir. Burada, V2 sabit referans gerilimi ve K ise devrenin bilinen kazancıdır.
12 mm’lik maximum yer değişiminde algılayıcının çıkış gerilimindeki bütün değişim l0 V’tur. 21
°C de % 10 - % 85 arasındaki bağıl nem değişiminden dolayı çıkış gerilimindeki değişim 0,035 V
veya tam skalanın % 0,35’idir ki bu çoğu uygulamalar için aşırı derecede yüksektir. Bu etkiyi yok
etmek için iki kapasitör arasındaki havanın karışması için yapı üzerine hava delikleri açılmış ancak
bunun da performansı önemli ölçüde artırmadığı görülmüştür. Bağıl neme bağlı olarak Cv ve Cf’nin
bağımlılığı ile ilgili araştırmalar sonucunda tüm nem aralığında Cf % 0,3 ve Cv % 0,03 artış
göstermiştir. Kapasitanslardaki bu büyük değişim (özellikle Cf) nemli havanın dielektrik sabitini
değiştirmesine dayalı beklenen değişimden çok fazla olmaktadır. Ortak elektrot ve sabit elektrot
bölgesindeki seramik desteklerin buharı üzerinde biriktirmesinin (adsorb) etkisi elektrotların buharı
üzerinde biriktirmesinden daha fazla etki meydana getirmiştir. Nem elektrik akı hatlarını sabit
elektrottan ekranlamaya doğru yönlendirerek kapasitör levhaları arasındaki akıyı artırmakta ve
dolayısiyle kapasitansı artırmaktadır.
Nemin kapasitans bağımlılığını azaltmak için kapasitörlerin akıyı yönlendirmeye karşı

ekranlanarak korunması gerekmektedir. Bu şekil 8.4.3’de görüldüğü gibi topraklama parçalarının
eklenmesiyle yapılabilir. Bu çözüm çıkış sinyalinde ölçülebilecek nem etkisi meydana
getirmediğinden çok etkili olmuştur. Kapasitif algılayıcı açısal pozisyon ölçümleri için de
kullanılabilir. Şekil 8.4.4’de diferansiyel kapasitör görülmekte olup her stator levhası rotor
levhasına göre bir kapasitans oluşturmaktadır. Rotor statorun levhalarına doğru hareket ettikçe
kapasitans doğrusal olarak değişir.
Şekil 8.4.3 Hareketli dielektrik şaftlı silindirik kapasitif algılayıcı (elektrik alanının yönlenmesini
engelleyen ekranlamaya dikkat ediniz)
Şekil 8.4.4 Diferansiyel açısal kapasitif algılayıcı
8.5 İNDÜKTİF ALGILAYICILAR
8.5.1 LVDT VE RVDT
Pozisyon ve yer değişimi elektromanyetik metotlar ile algılanabilir. İki sargı arasındaki manyetik
akı kuplajı cismin hareketi ile değiştirilebilir ve akabinde gerilime dönüştürülür. Akı yolunun
relüktansını (manyetik direnç) değiştiren mıknatıslanmayan ferromanyetik ortam kullanan değişken
indüktanslı algılayıcılar aynı zamanda değişken relüktanslı dönüştürücüler olarak da bilinir. Çoklu
indüksiyonlu bir dönüştürücünün temel düzenlemesi primer ve sekonder olarak iki sargıdan oluşur.
Primerdeki AC uyartım gerilimi (Vref) sekonder sargıda kararlı bir AC gerilim indükler (şekil
8.5.1). İndüklenen gerilimin genliği sargılar arasındaki akı kuplajına bağlıdır. Kuplajı değiştirmenin
iki tekniği vardır. Birisi akı yolu içerisinde ferromanyetik malzemeden yapılmış cismin hareketidir.
Bu akı yolunun relüktansını değiştirir ve akabinde sargılar arasındaki kuplajı değiştirir. Bu teknik
LVDT (doğrusal değişken fark transformotoru), RVDT (döner değişken fark transformotoru) ve
ortak indüktanslı yakınlık algılayıcılarının çalışmasının temelidir. Diğer metot ise bir sargıya göre
diğer sargının fiziksel hareketidir.
Şekil 8.5.1 İndüktif

algılayıcının devre
diyagramı
LVDT mekanik olarak hareketlendirilmiş nüvesi ile bir transformotordur. Primer sargısına kararlı
genlikte sinüsoidal dalga uygulanır. Sinüsoidal dalga transformotorda harmoniklerle ilgili hataları
ortadan kaldırır. Sekonder sargılarında AC sinyal indüklenir. Ferromanyetik malzemeden yapılmış
nüve sargılara fiziksel olarak dokunmaksızın sargıların içindeki silindirik bölgeye yerleştirilir. İki
sekonder birbirine ters fazda bağlanmıştır. Nüve transformotorun manyetik merkezinde olduğunda
sekonder çıkışları birbirini götürür ve çıkış gerilimi yoktur. Nüvenin manyetik merkez
pozisyonundan uzaklaştırılmasıyla sekonder sargıları arasındaki indüklenen manyetik akı oranının
dengesi bozulur ve bir çıkış gerilimi meydana gelir. Nüve hareket ettikçe akı yolunun direnci
değişir. Bu nedenle akı kuplajının derecesi nüvenin eksenel pozisyonuna bağlıdır. Kararlı durumda,
nüvenin yer değişimine göre doğrusal çalışma bölgesinde indüklenen gerilimin genliği orantılıdır.
Sonuçta gerilim yer değişiminin bir ölçüsü olarak kullanılabilir. LVDT yer değişiminin büyüklüğü
yanında yönünü de verebilmektedir. Yön primer (referans) gerilimi ile sekonder gerilimi arasındaki
faz açısı ile belirlenir. Primere uygulanan uyartım gerilimi kararlı bir osilatör ile üretilir. Uygun bir
devre şekil 8.5.2’de görülmektedir. Şekil 8.5.2 de senkron dedektöre bağlı bir LVDT
görülmektedir; senkron dedektör sinüs dalgasını doğrultur ve çıkışta DC sinyali olarak verir.
Senkron dedektör bir analog çoğullayıcı (MUX) ve çoğullayıcının kontrol girişi ile uyumlu, sinüs
dalgalarını kare dalgaya dönüştüren bir sıfır geçiş dedektöründen oluşmaktadır. Sıfır geçiş
dedektörünün bir fazı nüvenin merkez pozisyonunda sıfır çıkış için ayarlanmalıdır. Çıkış
yükselticisi bundan sonraki katlar ile uyumlu sinyal üretimi için istenilen kazanca ayarlanabilir.
Çoğullayıcıdaki senkron saat yükselticinin girişinde RC filtreye gelen bilginin genlik ve faz’a
duyarlı olduğunu göstermektedir. Çıkış gerilimi nüvenin merkezden uzaklığını ve hangi tarafta
olduğunu gösterir.
LVDT’nin ani yer değişimlerini ölçebilmesi için osilatör frekansının hareketin en yüksek
frekansından en azından 10 kat daha büyük olması gerekir. Yavaş yer değişim işleri için kararlı
osilatör yerine 50-60 Hz’lik besleme kaynağı frekansı kullanılabilir.
LVDT ve RVDT’nin avantajları aşağıdaki gibidir:

¾ Algılayıcı çok az sürtünme direnci ile kontaksız bir aygıttır.
¾ Manyetik ve mekanik histerezis ihmal edilebilir.
¾ Çıkış direnci çok düşüktür.
¾ Gürültü ve parazitlere karşı az duyarlılık vardır.
¾ Sonsuz kademede çözünürlük mümkündür.
LVDT algılayıcısının kullanışlı uygulama yerlerinden birisi de aygıtların kalite kontrolü ve ölçme
aygıtı (gauging) olarak kullanılmasıdır. Bu durumda LVDT nüvesine ölçme başlığının önceden
ayarlanmış referans pozisyonuna gelebilmesi için bir yay monte edilmiştir.
RVDT LVDT ile aynı prensipte çalışır; tek farkı döner ferromanyetik nüve kullanılmasıdır.
RVDT’nin öncelikli kullanılma yeri açısal yer değişiminin ölçümüdür. Ölçümün doğrusal aralığı %
1 civarında doğrusalsızlık hatası ile ±40° dir.
Şekil 8.5.2 LVDT algılayıcısının arabirim devresinin basitleştirilmiş diyagramı
8.5.2 EDDY AKIM ALGILAYICILARI
Manyetik olmayan iletken malzemelerin yakınlığının algılanmasında çift sargılı algılayıcıda eddy
akımları kullanılır (şekil 8.5.3a). Sargıların birisi referans olarak ve diğer sargı ise iletken cisimde
indüklenen manyetik akımların algılanılmasında kullanılır. Eddy (girdapsı, dairesel) akımları
algılama sargısının tersi yönünde manyetik alan meydana getirir ve sonuçta referans sargısına göre
bir dengesizlik oluşur. Cismin sargıya yakınlığı manyetik empedansta daha büyük değişim
meydana getirir. Eddy akımlarının meydana geldiği cismin derinliği
1
δ= (8.4)
πfμG
ile ifade edilir. Burada, f frekans ve G cismin iletkenliğidir. Doğal olarak etkili bir çalışma için
cismin kalınlığının bu derinlikten daha büyük olması gerekir. Bundan dolayı eddy dedektörleri
metalik film veya folyo cisimlerin dedeksiyonunda kullanılmamalıdır. Genel olarak sargı
empedansı ve cismin uzaklığı, x arasındaki ilişki doğrusal değildir ve sıcaklığa bağımlıdır. Eddy
akımı algılayıcılarının çalışma frekans aralığı 50 kHz ve 10 MHz arasındadır.
Şekil 8.5.3b ve 8.5.3c de eddy algılayıcılarının ekranlı ve ekranlı olmayan iki konfigürasyonu
görülmektedir. Ekranlı algılayıcının ferit nüvesi ve sargısının etrafına metal koruyucu kaplanarak
manyetik alan algılayıcının uç kısmına odaklanmıştır. Bu şekilde dedeksiyon uzaklığı
etkilenmeksizin algılayıcının metal yapı içerisine konulması sağlanmıştır. Ekransız algılayıcı ön
tarafından olduğu gibi yanlardan da algılama yapabilir. Sonuç olarak ekransız algılayıcının
algılama aralığı aynı çapta ekranlı algılayıcıya göre biraz daha büyüktür. Düzgün bir çalışma için
ekransız algılayıcıların etrafında metal olmayan cisimlerin olması gerekir.
Pozisyon dedeksiyonuna ek olarak eddy algılayıcıları malzeme kalınlığı, iletken olmayan kaplama
kalınlığı, iletkenlik, kaplama kalınlığının ve malzemedeki çatlakların belirlenmesinde kullanılır.
Çatlak ve yüzey kusurlarının dedeksiyonu bu algılayıcılar için çok popüler uygulamalar olmuştur.
Uygulamalara bağlı olarak eddy problarında farklı sargı konfigürasyonları olabilir. Bazıları çok
küçük çaplarda (2-3 mm) olabildiği gibi diğerleri çok büyük (25 mm) çaplarda olabilmektedir. Bazı
şirketler müşterilerin isteğine göre problar üretmektedir. Eddy akımı algılayıcılarının en önemli
avantajı çalışmaları için manyetik malzemelere gerek duymamalarıdır. Dolayısıyla yüksek
sıcaklıklarda (bir manyetik malzemenin Curie sıcaklığının üzerinde) oldukça etkili olabilmekte ve
iletken sıvıların (erimiş metaller dahil) seviye ve uzaklığının ölçülmesinde kullanılabilmektedir.
Dedektörlerin diğer bir avantajı da cisme mekanik olarak bağlanmaları gerekmemekte ve
dolayısıyla yükleme etkileri çok düşüktür.
(a) Elektromanyetik yaklaşım (b) uç kısmı ekranlanmış (c) uç kısmı ekranlanmamış

algılayıcısı algılayıcı algılayıcı
Şekil 8.5.3
8.5.3 FIRÇASIZ ABSOLUT AÇI ALGILAYICISI
Fırçasız açının algılanılması oto transformotor aygıtı meydana getirilerek değişken indüktansın
etkisinin kullanılmasıyla mümkün olabilir. Bu aygıtın çalışma prensibi bazı yönlerden LVDT ve
eddy akım algılayıcılarına benzemektedir. Eğer iki eşdeğer indüktans AC kaynağına seri bağlanırsa
gerilimi eşit olarak paylaşacaklardır. Birinin indüktansı artırılırken diğeri azaltılırsa her iki
sargıdaki gerilim eşitliği bozulacaktır. Şekil 8.5.4 de bu çalışma prensibi görülmektedir. Oto
transformotor sargısı ferromanyetik statorun kutupları etrafına sarılmıştır. Sargının üç terminali
vardır ve B terminali transformotorun orta ucunu göstermektedir.
(a) Fırçasız indüktif algılayıcı stator sargılarındaki V1 ve V2

(b) eşdeğer devre
gerilimlerini karşılaştırarak dönüş açısını dedekte eder
Şekil 8.5.4
Ferromanyetik statorlar manyetik akıyı halka biçimindeki hava aralığından geçirirler. Bu hava
aralığındaki yarıdairesel ekran bir giriş şaftı ile döndürülür. Bu ekranda indüklenen eddy akımları
bir karşı akı üretir ve ekransız statorun indüktansına göre yakınındaki ekranlı kutupların
indüktansını azaltır. Bu yüzden B orta ucu ve C terminali arasındaki V2 gerilimi şekilde görülen
ekranın pozisyonu için A ve C besleme terminal uçları arasındaki gerilimin yarısından daha fazla
olacaktır. Şaftın dönüşü 180° lik aralık boyunca V2 geriliminde bir azalma ile düşük indüktans
bölgesini giderek A-C bölgesine kaydıracaktır. İki gerilim arasındaki fark doğrusal değiştiğinden
180° ’ye kadar olan açılar ölçülebilmektedir. Transformotordan ek uçlar çıkartılarak 360° lik
dönüş açısı çıkış gerilimine uygun elektronik devre işlemi yardımıyla ölçülebilir. Algılayıcının çok
sayıda ekonomik üretimi ferro-plastik manyetik devrelerin kalıp dökümüyle tasarımlanabilir.
8.5.4 ENİNE İNDÜKTİF ALGILAYICI
Diğer bir pozisyon algılama elemanı enine indüktif yakınlık algılayıcısı olarak adlandırılır ve
ferromanyetik malzemelerin çok büyük yer değişimlerinin algılanmasında kullanışlıdır. Adından da
anlaşıldığı gibi algılayıcı sargısındaki indüktansı değiştiren cisme olan uzaklığı ölçer. Sargı
indüktansı harici elektronik devre ile ölçülür (şekil 8.5.5). Öz indüksiyon prensibi böyle bir
dönüştürücünün çalışma prensibinin temelidir. Yakınlık algılayıcıları ferromanyetik cisimlerin
yakınına hareket ettiğinde manyetik alan değişerek sargının indüktansı değişir. Algılayıcının
avantajı kontaksız bir aygıt olması ve cisimle etkileşiminin manyetik alan ile olmasıdır. Sınırlayıcı
etken ise çok kısa uzaklıklardaki ferromanyetik cisimler için kullanışlı olmasıdır.
Şekil 8.5.5 Enine indüktif

yaklaşım algılayıcısı
(a) Yardımcı manyetik disk ile enine algılayıcı (b) uzaklığın fonksiyonu olarak çıkış sinyali
Şekil 8.5.6
Enine dönüştürücünün modifiye edilmiş bir versiyonu şekil 8.5.6’de görülmektedir. Sadece
ferromanyetik cisimlerin ölçülmesi sınırlamasını aşmak için sargının sabit pozisyonunda cisme
ferromanyetik bir disk tutturulmuştur. Alternatif olarak sargı cisme tutturulabilir ve nüve sabit
olabilir. Bu yakınlık algılayıcısı LVDT’ye göre doğrusallığın zayıf olduğu sadece küçük yer
değişimlerinin ölçümleri için kullanışlıdır. Bununla beraber katı malzemeden yapılmış cismin
yakınlığının algılanarak varlığının gösterilmesinde çok kullanışlı bir yakınlık dedektörüdür. Diske
olan uzaklığın bir fonksiyonu olarak çıkış sinyalinin büyüklüğü şekil 8.5.6’da görülmektedir.
Ferromanyetik malzemelerin dedeksiyonunda kullanılan algılayıcı bir metal kutu içine

yerleştirilmiş ve dış yüzeyindeki vida şekli ile montajı kolay hale getirilmiştir (şekil 8.5.7).
Anahtarlama hızı oldukça yüksek olup -25 kHz aralığında- hızlı hareket eden cisimlerin
algılanmasını sağlar.
Şekil 8.5.7 Ferromanyetik

malzemelerin dedeksiyonu
için indüktif yakınlık
algılayıcısı
8.6 MANYETİK ALGILAYICILAR
8.6.1 REED ANAHTARLARI
Manyetik yakınlık algılayıcılarının en basit olanlardan biri şekil 8.6.1 de görüldüğü gibi reed
(kamış) anahtarı ve sabit mıknatıs veya elektromıknatıstan oluşmaktadır. Reed anahtarı kapalı ve
sızdırmaz çubuk içine yerleştirilmiş bir çift kontak olup manyetik akı ile aynı eksene konulduğunda
kontakları kapanır. Tipik kullanma yerleri güvenlik sistemleridir; kapının açılmasını ve
kapanmasını gösterecek şekilde kapının bir köşesine monte edilir. Reed anahtarları oldukça
hızlıdır. Çalışma zamanları 1 ms’den az ve büyük değerde histerezis’e sahip olduklarından
manyetik akıdaki küçük değişimlere karşı bağışıklıkları vardır. Sabit mıknatıs anahtara 5 mm
civarında yaklaştığında çalışırlar ve mıknatıs 10-15 mm uzaklaştığında kontakları serbest kalır.
(a) bir ve iki kontaklı reed anahtarı (b) Uyartım sargısı (c) Devre bağlantısı
Şekil 8.6.1 Reed anahtarı

8.6.2 HALL ETKİLİ ALGILAYICILAR
Hall levhası 4. Bölümde açıklandığı gibi tipik olarak küçük, l uzunluğunda, w genişliğinde ve t
kalınlığında ince bir metal veya yarı-iletkendir. Şekil 8.6.2 de gerçek ölçüleri ile bir Hall
algılayıcısı ve işlemsel yükseltici ile çıkış sinyalinin yükseltildiği bir devre görülmektedir.
0.01 μ +12v
0.01 μ
0.1 μ
10K
V+ 68K 10K
V+ GAIN 0.1 μ
2 7
10K 6 8
2
3 081 10K
082
1 Vo
10K 4 -12v
3 2
V-
V- +12v
10K
1K0
10K
10R
5 OFFSET
10K
7
082 6
10R
10K
-12v
(a) Hall elemanının gerçek (b) Manyetik akı yoğunluğunun ölçümü için Hall elemanı çıkışının
ölçüleri işlemsel yükselticiler ile yükseltilmesi
Şekil 8.6.2
Hall algılayıcılarının iki tipi vardır: doğrusal ve eşik tipi (şekil 8.6.3). Doğrusal algılayıcı kontrol
devresi ile uygun etkileşim sağlanması için ekseriyetle içerisine bir yükseltici yerleştirilmiştir.
Geniş bir gerilim aralığında çalışırlar ve gürültülü çevrelerde daha kararlıdırlar. Bu algılayıcıların
çıkış gerilimi manyetik akı yoğunluğuna göre çok doğrusal değildir (şekil 8.6.4a); bu yüzden
hassas ölçümlerde kalibrasyon gerekir. Eşik tipi algılayıcılarda yükselticiden başka histerezisli
Schmitt tetikleyici vardır. Çıkış gerilimi şekil 8.6.4b’de görüldüğü gibi manyetik akı yoğunluğunun
bir fonksiyonudur. Sinyal iki seviyelidir ve manyetik alana göre bir histerezis göstermektedir.
Uygulanan manyetik akı yoğunluğu belli bir eşik gerilimini aştığında tetikleyici açık ve kapalı
pozisyonları arasında bir geçiş sağlar. Histerezis ölü bir bölge oluşturarak sahte osilasyonları
engeller ve eşik gerilimi değiştiği zaman anahtarlama durum değiştirir. Hall algılayıcıları tek parça
çipler olarak yapılırlar ve epoxy veya seramik paketlere yerleştirilirler.
(a) doğrusal (b) eşik tipi

Şekil 8.6.3 Doğrusal ve eşik tipi Hall etkili algılayıcıların devre diyagramı
Pozisyon ve yer değişimi ölçmeleri için Hall etkili algılayıcıların bir manyetik alan kaynağı ve bir
arabirim elektronik devre ile kullanılmaları gerekir. Bu karakteristik uygulama için manyetik alanın
önemli iki özelliği; akı yoğunluğu ve polarite veya yönüdür. Daha iyi bir tepki için manyetik alan
hatlarının algılayıcının düz yüzeyine dik (veya normal) ve doğru polaritede olması gerekir. Eşik
versiyonlu algılayıcılarda üretime bağlı olarak güney kutbu anahtarlama yaptırırken kuzey kutbu
bir etki yapmamakta veya bunun tersi olabilmektedir.
(a) Doğrusal (b) eşik tipi

Şekil 8.6.4 Doğrusal ve eşik Hall etkili algılayıcıların transfer fonksiyonları
Hall algılayıcısı ile pozisyon dedektörü tasarımlamadan önce bazı durumların analiz edilmesi
gerekir: Öncelikle mıknatısın alan şiddeti araştırılmalıdır. Alan şiddeti kutup yüzeyinde en büyük
olacak ve mıknatıstan uzaklaştıkça azalacaktır. Alan gaussmetre veya kalibre edilmiş Hall
algılayıcısı ile ölçülebilir. Eşik tipi Hall algılayıcısı için algılayıcı çıkışının yüksek durumdan düşük
duruma geçtiği en uzun mesafe bırakma noktası olarak adlandırılır. Bu nokta algılayıcının
kullanışlı olabileceği kritik uzaklığın bulunmasında kullanılabilir. Manyetik alan şiddeti uzaklık ile
doğrusal değildir ve mıknatısın şekline, manyetik devreye ve mıknatısın aldığı yola önemli ölçüde
bağlıdır. Hall iletken şeriti algılayıcı kutucuğunun içinde belli bir derinlikte yerleştirilmiştir. Bu
minimum çalışma uzaklığını belirlemektedir. Bir mıknatısın belirlenen çalışma alanı içinde etkili
olarak işlem yapması gerekir. Mıknatısın ayrılan yere sığması, monte edilebilmesi, bütçeye uygun
olması ve piyasada mevcut olması gerekir.
Hall algılayıcıları hareketli cisimler ile kesme (interrupter) anahtarı olarak kullanılabilir (şekil
8.6.5). Bu mod’da mıknatıs ve Hall algılayıcısı küçük bir hava aralığı ile karşı karşıya
yerleştirilmiştir. Bu şekilde mıknatıs sayesinde algılayıcının çıkışında sürekli gerilim vardır. Eğer
bir ferromanyetik levha veya kanat mıknatıs ile algılayıcı arasına yerleştirilirse levha veya kanat
manyetik şönt oluşturarak manyetik akıyı algılayıcıdan uzaklaştırarak bozar. Bu algılayıcıda iletim
durumundan iletmeme durumuna bir pozisyon değişimi meydana getirir. Hall algılayıcısı ve
mıknatıs bir kutucuk içine yerleştirilmiştir ve böylece pozisyon ayarlama problemleri çözülmüş
olur. Manyetik akıyı kesen ferromanyetik kanat doğrusal veya döner harekette olabilir. Böyle bir
aygıta örnek olarak otomobillerdeki ateşleme distribütörü verilebilir.
Hall etki algılayıcısının küçük yer değişimlerinin izlenmesinde nasıl kullanıldığını göstermek için
otomobilin yakıt tankındaki yakıtın seviye kontrolü açıklanabilir. Algılayıcının basitleştirilmiş
diyagramı şekil 8.6.6’da görülmektedir. Tasarımda kullanılan parçalar: kimyasal maddelere
dayanıklı ekonomik ve sert plastik, iki adet tutturma yayı, bir mıknatıs ve bir Hall algılayıcısı.
Yakıt içindeki yüzen plastik şamandranın seviyesi sıvı seviyesinin minimum ve maksimum
değişmesiyle sadece 2 mm civarında değişmektedir. Şamandranın üzerine Hall algılayıcısının
yakınına bir mıknatıs yerleştirilir. Şamandra tüp içine bir çift yay ile tutturulmuştur ve aşağı yukarı
gidip gelebilmektedir. Sıvı şamandranın altındaki küçük deliklerden içeri girer. Algılayıcıya yakın
üst noktadaki yarıklardan sıvı yükseldikçe hava çıkışı olur. Bununla beraber mıknatısa yakın yerde
hava kabarcığı tutulmaktadır. Bu sıvı içinde oluşabilecek manyetik parçacıkların manyetik alanı
bozmasını engellemek için alınmış bir tedbirdir. Mıknatısın 2 mm tam skala yer değişimi
algılayıcının çıkışında doğru ve tekrar edebilir bir çıkış meydana getirmektedir.
(a) manyetik akı algılayıcının çıkışında iletim (b) manyetik akı bir kanat ile şöntlenerek iletim
meydana getiriyor kesiliyor
Şekil 8.6.5 Kesme anahtarlama modunda çalışan Hall etkili algılayıcı
Şekil 8.6.6 Hall etkili

algılayıcı ile sıvı seviye
dedektörü
8.6.3 MANYETO-REZİSTİF ALGILAYICILAR
Manyeto-rezistif algılayıcılar Hall etkili algılayıcı uygulamalarına benzemektedir. Fonksiyonda

bulunmaları için harici bir manyetik alana gerek duyarlar. Bundan dolayı manyetorezistif
algılayıcılar yakınlık, pozisyon veya dönüş dedektörü olarak kullanıldığı zaman bir manyetik alan
kaynağı ile birlikte kullanılmaları gerekir. Ekseriyetle manyetik alan algılayıcıya monte edilmiş bir
sabit mıknatıs ile sağlanır. Şekil 8.6.7 doğrusal yer değişiminin ölçümü için basit bir algılayıcı ve
sabit mıknatıs kombinasyonunu göstermektedir. Algılayıcı manyetik alan içine yerleştirildiği
zaman x ve y yönlerinde manyetik alana maruz kalır. Şekil 8.6.7a’da görüldüğü gibi eğer mıknatıs x
r r
yönünde yönlendirilirse algılayıcı mıknatısın meydana getirdiği iki alanın, H x ve H y etkisinde
r r
bulunacak ve H y ’deki değişim x yer değişiminin bir ölçüsü olarak kullanılabilir. Şekil 8.6.7b H x
r
ve H y ’nin ikisinin birden x ile nasıl değiştiğini ve şekil 8.6.7c ise ilgili çıkış sinyalini
r r
göstermektedir. Bu örnekte H x ’in sınırları ± H x ’i (algılayıcının karakteristiğinin dönmesine –
flipping- neden olabilecek manyetik alan) asla aşmaz ve algılayıcının karakteristikleri kararlılığını
sürdürerek ölçme alanı boyunca iyi davranış gösterir. Bununla beraber mıknatıs çok güçlü veya
algılayıcı mıknatısın çok yakınından geçerse çıkış sinyali çok farklı olacaktır.
r r
Algılayıcının başlangıçta mıknatısın enine ekseninde (x=0) olduğunu varsayalım. H y sıfır ve H x
r
maksimum değerinde olacaktır ( > H x ). Algılayıcı +x yönünde yönlenmiş olarak çıkış gerilimi
r
şekil 8.6.8b’de görüldüğü gibi değişecektir. Algılayıcının +x yönünde hareketi ile H y ve Vo artacak
r r r r
ve H x sıfıra düşecek ve daha sonra H y − H x ’i geçinceye kadar H x negatif yönde artacaktır. Bu
noktada algılayıcının karakteristiği dönmekte (flipping) ve çıkış geriliminin yönü şekil 8.6.8b da
A’dan B’ye doğru değişim olarak görüldüğü gibi değişmektedir. x’in daha fazla artışı algılayıcı
r
geriliminin BE boyunca değişmesine neden olur. Eğer algılayıcı zıt yönde hareket ettirilirse H x
r
+ H x ’i aşıncaya kadar artar ve Vo B’den C’ye kayar. Bu noktada algılayıcı karakteristiği yeniden
döner ve Vo C’den D’ye değişir. Bu şartlar altında algılayıcı karakteristiği ABCD histerezis
döngüsünü takip edecek ve benzer bir döngü –x yönünde olacaktır. Şekil 8.6.8b ideal durumu
göstermekte olup gerçek durumda yön değiştirmeler görüldüğü gibi ani olmamaktadır.
Şekil 8.6.7 Manyetik eksene

paralel x yer değişiminin bir
fonksiyonu olarak sabit mıknatıs
alanındaki manyeto-rezistif
algılayıcının çıkışı
Mıknatıs yardımcı ve enine

alanları meydana getirir.
Mıknatısa göre algılayıcının ters
döndürülmesi karakteristiği
tersine döndürecektir.
Şekil 8.6.9a KMZ10B ve KM110B manyeto-rezistif algılayıcılarının bir metal nesnenin

pozisyonunun ölçümünde kullanılmasını göstermektedir. Algılayıcı levha ve sabit mıknatıs arasına
yerleştirilmiştir. Sabit mıknatısın manyetik ekseni metal levhaya dik yani normaldir. Levhanın
yapısındaki bir delik veya manyetik olmayan malzeme gibi bir süreksizlik manyetik alanı bozacak
ve algılayıcının çıkış sinyalinde bir değişim meydana getirecektir. Şekil 8.6.9b d aralığının iki
değeri için çıkış sinyalini göstermektedir. Boşluk ve algılayıcının tam olarak aynı eksene geldiği
durumda d uzaklığına ve çevre sıcaklığına bağlı olmaksızın çıkış sıfırdır.
Şekil 8.6.8 Çok kuvvetli

manyetik alanın etkisinde
algılayıcı çıkışı
(a) Algılayıcı sabit mıknatıs ve metal plaka arasına (b) mıknatıs ve metal plaka arasındaki iki
yerleştirilmiş uzaklık için çıkış sinyalleri
Şekil 8.6.9 KMZ10 manyetorezistif algılayıcı ile bir nokta ölçümü
Şekil 8.6.10 açısal yer değişimi ölçümü için diğer bir düzenlemeyi göstermektedir. Algılayıcının
kendisi döner çerçeveye monte edilmiş RES190 sabit mıknatısının ürettiği manyetik alana
yerleştirilmiştir. Algılayıcının çıkışı çerçevenin dönüşünün bir ölçüsü olacaktır.
Şekil 8.6.10 KMZ10 manyetorezistif

algılayıcısı ile açısal ölçüm
Şekil 8.6.11a KM110 algılayıcısı ile dişlinin dönüşü ve yönünün dedeksiyonunu göstermektedir.
Bu metotla dönüş yönünün dedeksiyonu algılayıcının iki yarım köprü çıkışlarının ayrı ayrı sinyal
işleme prensibine dayanır.
(a) Manyeto-rezistif modülünün optimum

çalışma pozisyonu (sabit mıknatıs algılayıcının (b) Modül devresinin blok diyagramı
arkasına yerleştirilmiştir).
Şekil 8.6.11
Algılayıcı dişli veya pinler algılayıcının önünden geçerken meydana getirdiği manyetik
durumlardaki asimetrik durumların ölçüldüğü manyetik bir Wheatstone köprüsü gibi çalışır.
Algılayıcının ve mıknatısın montajı kritik durumlar içerir; algılayıcının simetri ekseni ile dişlinin
ekseni arasındaki açının sıfıra yakın ayarlanarak çakışması gerekir. Şekil 8.6.11b daki devre köprü
çıkışlarını ilgili yükselticilere ve düşük geçiren filtrelere bağlayarak akabinde kare dalga çıkışları
oluşturmak için Schmitt tetikleyiciden geçirmektedir. Her iki çıkış arasındaki faz farkı (şekil
8.6.12a ve b) dönüş yönünün bir göstergesidir. Manyetorezistif algılayıcı modülünün tipik teknik
özellikleri tablo 8.1’de verilmiştir.
Tablo 8.1 KM110BH/31 modülünün teknik özellikleri

Karakteristik Değer
Besleme gerilimi 5V (4-10V, 40 mV pp. ’ye kadar dalgacık)
Çıkışlar 0 ve 5 V sayısal
Sıcaklık aralığı -40 - +125 °C (500 saat için max. 150 °C)
Ölçüm uzaklığı 0,5 – 2 mm
Frekans aralığı 2 Hz – 20 kHz
Çıkış direnci 100 Ω düşük, 10 kΩ yüksek
Minimum harici yük 100 kΩ (pull-up dirençsiz)
Boyutlar 25,4 x 11,8 mm (terminal pin’siz)
(a) (b)
Şekil 8.6.12 (a) 1 ve (b) 2 dönüş yönleri için yükseltici çıkışları
Manyetik Alan Algılayıcıları ile Muhtelif Uygulamalar
Hall levhaları veya manyeto-transistörler ve sabit mıknatısların bir kombinasyonu pozisyon,

yerdeğişimi, hız, ivme ve açı gibi mekanik parametrelerin elektriksel parametrelere kontaksız
dönüşümüne izin verir. Bu yapının avantajı manyetik alan manyetik olmayan malzemelerden
kolaylıkla nüfuz edeceğinden algılayıcının kutulama işleminin problem olmamasıdır. Örneğin optik
yaklaşım algılayıcıları kullanıldığında optik dedektörün optik şeffaf kapağının ve ışık kaynağının
belli bir zaman sonra kirlenmemesine dikkat edilmelidir.
Şekil 8.6.13 de görüldüğü gibi entegre Hall algılayıcısı Schmitt tetikleyici ile kullanıldığında
kontaksız anahtarlama ile pals’li bir çıkış elde edilebilir. Bu özellik kontaksız anahtarlama olarak
adlandırılır ve entegre Hall levhasını çok kullanışlı hale getirir ve milyonlarca uygulama yeri
vardır. Bu uygulamalardan biri bilgisayar klavyeleridir. Bir tuş’a küçük bir mıknatıs ve Hall levhası
monte edilir. Tuşa basıldığı zaman mıknatıs ve Hall levhası arasındaki mesafe azalır ve Hall
levhası Schmitt tetikleyiciyi aktif hale getirir. Parmak tuş’tan çekildiği zaman Schmitt tetikleyici
orijinal durumuna döner. Schmitt tetikleyicinin histerezisi mıknatıs ve Hall levhası arasındaki
değişik mesafelerde açık ve kapalı anahtarlamaya neden olur. Schmitt tetikleyicinin aktif
olduğundan emin olmak için Hall geriliminin offset geriliminden çok büyük olması gerekir. Bunun
için kuvvetli mıknatısların kullanılması gerektiğinden maliyet artar. Daha iyi offset doğrulama
devrelerinin Hall algılayıcı çip’inin üzerine entegre edilmesiyle maliyet düşürülebilir.
Gerilim
regülatörü
çıkış
Hall
levhası
Fark Schmitt
yükseltici tetikleyici
Şekil 8.6.13 Schmitt tetikleyicili entegre Hall levhasının şematik diyagramı
Analog çıkışlı Hall levhaları pozisyon ve yer değişimi ölçümlerinde kullanılabilir. Şekil 8.6.14 de
görüldüğü gibi 3 düzenleme mümkün olabilir. Hall gerilimi uzaklığın bir fonksiyonu olarak
bilinirse (a) düzenlemesi doğrusal olmamasına rağmen doğrudan bir uzaklık ölçümü verir. Tersine
(c) düzenlemesi Hall gerilimi ve uzaklık arasında dar bir aralıkta oldukça doğrusal ilişki verir. (b)
düzenlemesi sayılacak nesnelere küçük bir mıknatıs bağlandığında nesnelerin sayım işinde
kullanılabilir. Hall levhaları fırçasız elektrik motorlarında da kullanılır. Burada sürekli mıknatıslı
rotor veya özel olarak monte edilmiş mıknatıslar bir veya daha fazla sayıdaki Hall levhaları ile
algılanır. Hall levhasının sinyali stator sarımlarındaki akımın ardışık alternasyonunun
zamanlanmasında kullanılır. Hall levhaları krank milinin veya taşıt motorlarının hareketli
parçalarının pozisyonunu belirlemede de kullanılır.
a) Manyetik alan ve hareketin b) Manyetik alan dik ve c) Sürekli mıknatısın eksenleri ve

yönü ikisi birden Hall levhasına hareketin yönü Hall levhasına hareketin yönü ikisi birden Hall
dik paralel levhasına paralel
Şekil 8.6.14 Hall levhaları ile yer değişimi ölçümü
8.7 MANYETO-STRİKTİF DEDEKTÖR
Uzun mesafelerdeki yer değişimlerini yüksek çözünürlükte ölçebilen bir dönüştürücü

manyetostriktif ve ultrasonik tekniklerin kullanılmasıyla yapılabilir. Dönüştürücünün önemli iki
parçası vardır. Bunlar 7 m’ye kadar dalga kılavuzu ve sabit halka mıknatıstır (şekil 8.7.1). Sabit
mıknatıs dalga klavuzuna dokunmadan dalga klavuzu boyunca hareket edebilmektedir. Bu
mıknatısın pozisyonu bir uyarıcı olarak algılayıcı tarafından elektriksel sinyal çıkışına
dönüştürülür. Dalga klavuzunun içindeki iletkene uygulanan elektrik palsi iletken boyunca bir
manyetik alan meydana getirir. Sabit mıknatısın manyetik alanı ise sadece etrafında mevcuttur.
Böylece sabit mıknatısın bulunduğu noktada iki manyetik alan oluşmaktadır. İki alanın toplam
bileşke alanı vektörel toplamdan bulunabilir. Sabit mıknatısın bulunduğu yerde dalga kılavuzunun
etrafındaki bu helizoidal alan dalga klavuzunun çok küçük bir gerginliğine veya bükülmesine
neden olur. Bu bükülme Wiedemann etkisi olarak adlandırılır.
Dalga kılavuzu içindeki koaksiyel iletkene uygulanan elektrik palsleri mekanik bükülme palsleri
meydana getirir ve malzemeye bağlı olarak dalga kılavuzu boyunca ses hızında yayılırlar. Pals
algılayıcının uyarıcı başına geldiği zaman gelişinin tam zamanı hassas olarak ölçülür. Böyle bir
palsin dedekte edilmesinin bir yolu ultrasonik titreşimi elektrik çıkışına dönüştüren dedektör
kullanmaktır. Bu piezoelektrik algılayıcılar ile veya şekil 8.7.1’de görüldüğü gibi manyetik
relüktans algılayıcısı ile yapılabilir. Algılayıcı iki küçük mıknatısın yanına yerleştirilmiş küçük iki
sargıdan oluşmaktadır. Sargılar dalga kılavuzuna fiziksel olarak bağlanmış olup dalga klavuzu
bükülmeye başladığı zaman sarsılırlar. Bu sarsılma sargılarda kısa elektrik palsleri meydana getirir.
Koaksiyel iletkendeki uyartım palsleri ile bu palsler arasındaki zaman gecikmesi halka mıknatısın
pozisyonunun tam bir ölçüsüdür. Uygun bir elektrik devresi bu zaman gecikmesini dalga
klavuzunun üzerindeki mıknatısın pozisyonunu gösterecek şekilde sayısal sinyale dönüştürür. Bu
algılayıcının avantajı doğrusallığının yüksek olması (tam skalanın % 0,05’i) tekrar edilebilirliğinin
iyi olması (3 mm civarında) ve uzun dönem kararlılığıdır. Algılayıcı yüksek basınçlı, yüksek
sıcaklıklı ve kuvvetli ışınıma maruz ortamlara dayanıklıdır. Bu algılayıcının diğer avantajı ise
düşük sıcaklık duyarlılığıdır (iyi bir tasarımla 20 ppm/°C seviyesi elde edilebilir).
Bu algılayıcının uygulama yerleri hidrolik silindirler, enjeksiyon kalıp makinaları (kalıp tutturma
pozisyonu, kalıp malzemesinin enjeksiyonu ve dökülmüş parçanın hareketinin dedeksiyonu),
madencilik (25 μm kadar küçük taş ve kaya hareketlerinin dedeksiyonunda), değirmenler, presler,
döküm ocakları, asansör ve büyük boyutlarda hassas çözünürlüğün istenildiği yerlerdir.
Şekil 8.7.1 Manyetostriktif dedektör sabit mıknatısın pozisyonunun dedeksiyonunda ultrasonik

dalgaları kullanır.
8.8 OPTİK ALGILAYICILAR
Mekanik kontaklı ve potansiyometrik algılayıcılardan sonra optik algılayıcılar muhtemelen

pozisyon ve yer değişimi için en popüler algılayıcılardır. Ana avantajları basit yapıları, yükleme
etkilerinin olmaması ve oldukça uzun çalışma aralıklarının olmasıdır. Kaçak manyetik akılara ve
elektrostatik parazitlere karşı duyarsız olduklarından çoğu duyarlı uygulamalarda çok
kullanışlıdırlar. Optik pozisyon algılayıcısının önemli üç elemanı vardır. Işık kaynağı, foto-
dedektör ve mercek, ayna veya fiber optik gibi ışık yönlendirme aygıtları. Benzer uygulamalar ışık
odaklayıcı mercek ile yönlendirildiği ve yansıtıcı ile geriye döndürüldüğü durumlarda fiber optik
kablo kullanılmaksızın yapılabilir. Günümüzde teknoloji çok gelişmiş olduğundan daha karmaşık
ve akıllı sistemler yapılmaktadır. Gelişmelerdeki ana amaç seçicilik, gürültü bağışıklığı ve optik
algılayıcıların güvenilirliğidir.
8.8.1 POLARİZE IŞIK İLE YAKINLIK DEDEKTÖRÜ
İyi bir opto-elektronik algılayıcı yapmanın bir yolu polarize ışık kullanmaktadır. Her ışık fotonu
birbirine ve yayılma yönüne dik belirli manyetik ve elektrik alan yönlerine sahip olacaktır. Elektrik
alanının yönü ışık polarizasyonunun yönüdür. Işık kaynaklarının çoğu polarize fotonlu ışık
üretirler. Işığı polarize etmek için ışık bir polarizasyon filtresinden geçirilir. Filtre malzemeleri ışığı
yek yönlü geçirir ve yanlış polarizasyondaki ışığı yansıtır veya emer. Bununla beraber
polarizasyonun herhangi bir yönü, birisi filtre ile aynı diğeri ise filtreden geçmeyen iki ortogonal
polarizasyonun geometrik toplamı ile gösterilebilir. Böylece polarizasyon filtresinden önce
polarizasyonun döndürülmesiyle filtrenin çıkışındaki ışık şiddeti ayarlı olarak değiştirilebilir (şekil
8.8.1).
(a) Polarizasyonun yönü filtre ile (b) Polarizasyonun yönü filtreye (c) Polarizasyonun yönü
aynı göre dönmüş filtreye göre dik
Şekil 8.8.1 Polarizasyon filtresinden geçen polarize ışık
Polarize ışık bir cisme çarptığı zaman yansıyan ışık polarizasyonunu sürdürebilir (speküler
yansıma) veya polarizasyon açısı değişebilir. Polarizasyon açısının değişmesi metal olmayan
cisimler için kullanışlıdır. Böylece yansıtıcı yüzeylere (metal kutular, folyo levhalar, vb.) duyarsız
bir algılayıcı yapmak için birbirine dik yerleştirilmiş, biri ışık kaynağında ve diğeri dedektörde iki
polarizasyon filtresinin kullanılması gerekir (şekil 8.8.2a ve b).
(a) (b)
Şekil 8.8.2 Birbirine 90° dik açı ile yerleştirilmiş iki polarizasyon filtresi ile yakınlık dedektörü. (a)
Polarize ışık aynı polarizasyon düzlemi içinde metal cisimden geri döner, b) metal olmayan
cisimler ışığı depolarize eder bundan dolayı polarizasyon filtresinden geçmesine izin verir.
Birinci filtre giden ışığı polarize etmek için ışık kaynağındaki merceğin önüne yerleştirilmiştir.
İkinci filtre alıcı merceğin önüne yerleştirilerek giden ışığın polarizasyonuna göre 90° dönmüş ışık
bileşenlerine geçiş verir. Speküler yansıtıcıdan ışık yansıtıldığı zaman polarizasyonunun yönü
değişmez ve alıcı filtre foto-dedektöre ışığın geçmesine izin vermez. Bununla beraber speküler
olmayan bir davranışla ışık yansıtıldığı zaman ışığın bileşenleri alıcı filtreden geçebilecek yeterli
miktarda polarizasyon içerecekler ve dedektör çalışacaktır. Bundan dolayı polarize elemanlarının
kullanılması metal olmayan cisimlerin yanlış algılamalarını azaltır.
8.8.2 FİBER OPTİK ALGILAYICILAR
Fiber optik algılayıcılar yakınlık ve seviye dedektörü olarak oldukça etkin kullanılabilirler. Örneğin
yer değişim algılayıcısında yansıtılan ışığın şiddeti yansıtıcı yüzeye olan d uzaklığı ile modüle
edilir.
İki fiber ve bir prizmadan oluşan sıvı seviye dedektörü şekil 8.8.3’de görülmektedir. Yararlanma
prensibi havanın (veya bir malzemenin gaz fazı) ve ölçülecek sıvının kırılma (refractive) indisleri
arasındaki farkların kullanılmasıdır. Algılayıcı sıvı seviyesinin üzerinde olduğu zaman fiberden
gelen ışık prizmanın toplam dahili yansıtmasından dolayı alıcı fibere gönderilir. Bunun yanında
prizmanın toplam dahili yansıma açısından daha küçük açılarda prizmanın yansıtıcı yüzeyine gelen
bazı ışık ışınları etrafa yayılarak kaybolur. Prizma sıvı seviyesine ulaştığı zaman sıvının kırılma
indisi havadan büyük olduğundan dolayı prizmanın iç yansıma açısı değişir. Bunun sonucunda ışık
şiddetinde daha büyük kayıp meydana gelir ve bu durum alıcı fiberin ucundaki dedektörle algılanır.
Işık şiddeti uygun bir fotodedektör ile elektrik sinyaline dönüştürülür. Algılayıcının diğer bir
versiyonu şekil 8.8.4’de görülmektedir. Fibere U şekli verilmiştir ve sıvının içine daldırıldığı
zaman içinden geçen ışığın şiddeti değişir. Dedektörün fiberin bükülmüş kısmında, bükülme
yarıçapının en az olduğu yerde duyarlı iki bölgesi vardır. Algılama elemanının hepsi 5 mm
çapındaki bir prob içine yerleştirilmiş ve tekrar edilebilirlik hatası ise 0,5 mm’dir. Algılama
elemanının şekli, prob sıvı seviyesinden uzaklaştırıldığında üzerinde su damlacığı kalmayacak
şekilde yapılmıştır.
Şekil 8.8.3 Kırılma

indisindeki değişimden
yararlanan optik sıvı
seviye dedektörü
(a) Algılayıcı sıvı seviyesinden yukarıda (b) Duyarlı bölgeler sıvıya dokunduğunda
olduğunda çıkıştaki ışığın şiddeti en fazladır. fiberden yayılan ışık azalır.
Şekil 8.8.4 U biçimli fiber optik sıvı seviye algılayıcısı

8.8.3 IZGARA BİÇİMLİ ALGILAYICILAR
Bir optik yer değişim dönüştürücüsü ışık şiddeti modülatörü gibi çalışan, birbirine yakın iki
ızgaradan meydana gelmektedir (şekil 8.8.5a). Gelen ışık öncelikle sabit ızgaraya çarpar ve ışığın
% 50’si ikinci hareketli ızgaraya düşer. Hareketli ızgaranın şeffaf kısımları duran kısmın ışığı ileten
kısımları ile tam olarak ayarlandığından geçen ışık tamamen kesilebilir. Bundan dolayı iletilen ışık
şiddeti pilot ışığın % 0 ile % 50’si arasında modüle edilebilir (şekil 8.8.5b). İletilen ışık
fotodedektörün duyarlı yüzeyine odaklanarak elektrik akımına dönüştürülür.
(a) şematik (b) transfer fonksiyonu
Şekil 8.8.5 Izgara ışık modülatörlü optik yer değişim algılayıcısı
Tam skala yer değişimi şeffaf veya açık ızgara kısmının büyüklüğüne bağlıdır. Modülatörün
dinamik aralığı ve duyarlılığı arasında bir seçim yapılabilir. Izgaranın adımı büyükse duyarlılık
küçük olacak ve tam skala yer değişimi büyük olacaktır. Yüksek duyarlılıklar için ızgaranın
genişliği çok küçük yapılarak ızgaranın çok küçük yer değişiminde büyük çıkış sinyali alınabilir.
Bu tip modülatör bir diyaframın yer değişiminin ölçülebilmesi için duyarlı bir hidrofonda
kullanılmıştır. Izgaranın genişliği 10 μm yapıldığında tam skala yer değişimi 5 μm olmaktadır. Işık
kaynağı 2 mW He-Ne lazer olup ızgaraya fiber optik kablo ile bağlanmıştır. Hidrofonun test
sonuçları 1 kHz’e kadar frekans tepkisi ile 1 μPa’lık referans basıncında 125 dB dinamik aralığında
bir duyarlılık göstermiştir.
8.8.3.1 MİL KODLAYICILAR
Işık modülasyonunun ızgara prensibinin kullanılması döner veya doğrusal kodlayıcılarda (enkoder)
çok popülerdir. Hareketli parça disk şeklinde yapılır ve üzerinde ışığı ileten şeffaf ve ışığı
iletmeyen koyu kısımlar vardır (şekil 8.8.6).
Kodlayıcı disk ışık hüzmelerinin bir opto-yalıtıcı içinde kesilmesiyle fonksiyon görür. Işık diskin
koyu renkli kısmından geçerken dedektörün çıkışı sıfır ve şeffaf kısımlardan geçerken dedektörün
çıkışı maksimum veya sayısal olarak 1’dir. Optik kodlayıcılar 820-940 nm spektral aralığında
çalışan kızılötesi alıcı ve vericiden meydana gelir. Disk plastikten yapılmıştır ve koyu kısımlar
fotografik işlem sonucunda gerçekleştirilir. Diskler hafif, düşük ataletli, ucuz maliyetli ve şok
vibrasyona karşı dayanıklı yapılırlar. Bununla beraber çalışma sıcaklık aralığı sınırlıdır. Daha geniş
sıcaklık aralığı için diskin metal kazıma ile fabrikasyonu yapılır.
Enkoder disklerin iki tipi vardır: Artımsal tip bir adım açısı miktarında döndüğünde çıkış verir ve
absolut tipte açısal pozisyon, şeffaf ve koyu kısımların bir kombinasyonu şeklinde kodlanır (şekil
8.8.6). Kodlama işlemi uygun bir dijital kodlama ile gerçekleştirilir. En çok kullanılanları gray
kodu, ikili (binary) ve BCD (ikili kodu desimal) dir.
(a) Artımsal optik kodlayıcı disk (b) mutlak (absolut) optik kodlayıcı disk
Şekil 8.8.6 Artımsal ve mutlak optik kodlayıcı diskler
Gray kodunda bir adımdan diğer adıma geçerken en az sayıda rakam değişir (şekil 8.8.7). Rakam
değişimi az olduğundan hata oranı en aza düşer. 4 bit kodlu bir disk 360°/24=22,5° ’lik açısal
çözünürlüğe sahiptir. Yani 360°’lik açı 16’ya bölünmüştür. Daha iyi çözünürlük için ek eş merkezli
segmentlerin eklenmesi gerekir.
4 3
5 2 Grey kod
0110 0010
LED Fotodiyot 0111 Desimal
6 0011
LSB LSB
1
0101 0001
7 0
MSB 0100 0000
MSB
Eksen 1000
8 1100 15
Grey 1001
1101
kodlu 9 14
disk 1011
1111
1110 1010
10 13
11 12
(a) Gray kodlu disk (b) Kodlamalar
Şekil 8.8.7 Gray kodlu disk’in şematiği ve kodları
Artımsal kodlama sistemleri mutlak kodlama sistemlerinden daha çok kullanışlıdır. Çünkü fiyatının
düşük ve karmaşık olmamasından dolayı özellikle pozisyon yerine sayma işlemi gereken yerlerde
artımsal kodlayıcı disk kullanılır. Artımsal kodlayıcı diskler kullanılırken hareketin temel
algılanması bir tek optik kanal yani bir alıcı verici dedektör çifti ile yapılabilirken hız ve artımsal
pozisyon ve yönün algılanmasında iki dedektör kullanılır. En çok kullanılan yaklaşım çeyrek
algılama olup iki kanalın çıkış sinyallerinin bağıl pozisyonları karşılaştırılır. Karşılaştırma
işleminden yön bilgisi çıkartılabilirken her bir kanal ayrı ayrı sadece sayma veya hız bilgilerini
verebilmektedir (şekil 8.8.8).
Şekil 8.8.8 İki opto-yalıtıcı ile

yön algılama. Disk saat yönünde
dönerken (CW) A kanalının
sinyali B’den 90° ileridedir; disk
saat yönünün tersinde dönerken
(CCW) B kanalının sinyali A’dan
90° ileridedir
8.8.4 DOĞRUSAL OPTİK ALGILAYICILAR
Kısa ve uzun mesafelerde hassas pozisyon ölçümleri için yakın kızılötesi bölgede çalışan optik
sistemler çok etkilidir. Bir örnek hassas pozisyon algılama, fotoğraf ve video kameralarının
otomatik odaklaması için üretilmiş pozisyona duyarlı dedektördür (PSD). Pozisyon ölçme modülü
modülasyonlu tip olup LED ve foto dedektif PSD’den oluşmaktadır. Cismin pozisyonu üçgen
ölçüm prensibi uygulanarak belirlenir. Şekil 8.8.9’da bir kollimatör (collimator) mercek ile dar açılı
ışık hüzmesi (<2°) üreten yakın kızılötesi LED görülmektedir. Işık hüzmesi 0,7 ms genişliğinde bir
palsdir. Işık cisme vurduğunda dedektöre geri yansır. Alınan düşük şiddetli ışık PSD’nin duyarlı
yüzeyine odaklanır. PSD daha sonra yüzeydeki ışık spotunun merkez pozisyondan x uzaklığı ile
orantılı çıkış sinyali üretir (IB ve IA akımları). Alınan ışığın şiddeti cismin yansıtıcı özelliklerine çok
bağlıdır. Yakın kızılötesi spektral aralığının yansıma yayıcılığı görünür aralığa çok yakın
olduğundan PSD üzerindeki ışık şiddetinin değişim aralığı çok farklı olabilir. Bununla beraber
ölçmenin doğruluğu alınan ışığın şiddetine çok az bağlıdır.
Şekil 8.8.9 Üçgen

prensibi uygulanarak
uzaklığı ölçen PSD
algılayıcısı
PSD foto etki prensibi ile çalışır. Bir silikon fotodiyotun yüzey direncinin kullanılmasına bağlıdır.
MOS ve CCD algılayıcıları gibi çok elemanlı fotodiyot dizilerinin aksine PSD kesintisiz bir
algılama alanına sahiptir. Algılayıcı yüzeyi üzerinde hareket eden ışık şiddeti ile tek boyutlu ve iki
boyutlu pozisyon sinyalleri sağlayabilir. Algılayıcı, bir yüzeyi n+ tipi ve diğer yüzeyi p tipi
malzeme ile kaplanmış yüksek dirençli silikon parçadan yapılmıştır (şekil 8.8.10). Bir boyutlu
algılayıcının p tipi direnç ile elektrik kontağı yapmak için iki elektrodu (A ve B) vardır. Alt
tabakanın ortasında ise bir ortak elektrot bulunur. Foto-elektrik etki üst p-n jonksiyonunda
meydana gelir. Üstteki iki elektrodun arasındaki uzaklık D ve buna karşılık gelen direnç RD’dir.
Şekil 8.8.10 Bir boyutlu

PSD’nin tasarımı
Işık hüzmesinin A elektrodundan x uzaklığında yüzeye vurduğunu varsayalım. Bu elektrot ile ışığın
vurduğu nokta arasındaki direnç Rx olur. Işık hüzmesinin ürettiği foto-elektrik akımı, Io ışık şiddeti
ile orantılıdır. Bu akım dirençlerin ilgili oranları ile algılayıcının her iki çıkışında bir akım
akmasına neden olur ve bu yüzden ışığın vurduğu nokta ve elektrotlar arasındaki uzaklığa göre
RD − Rx R
IA = Io ve IB = Io x (8.5)
RD RD
olur. Eğer direnç ile uzaklık değişimi doğrusal ise dirençler yerine yüzeyde buna karşılık gelen
uzaklıklar konulabilir:
D− x x
I A = Io ve IB = Io (8.6)
D D
Işık şiddeti ile foto-elektrik akımı arasındaki bağımlılığı kaldırmak için orantılı teknik kullanılabilir
böylece akımların oranı,
IA D
P= = −1 (8.7)
IB x
alınıp x’in değeri için yeniden yazıldığında
D
x= (8.8)
p +1
elde edilir. Şekil 8.8.9 ölçme sistemindeki farklı uzaklıklar arasındaki geometrik ilişkileri
göstermektedir. İki üçgen Lo için çözüldüğünde
LB
Lo = f (8.9)
x
olur. Burada, f alıcı merceğin odak uzaklığıdır. Burada x yerine eşitliği yazılırsa akım oranı
vasıtasıyla uzaklık bulunmuş olur:
LB
Lo = f ( P + 1) = k ( P + 1) (8.10)
D
Burada, k modülün geometrik sabitidir. Bundan dolayı modülden cisme olan uzaklık PSD’nin çıkış
akım oranını doğrusal olarak etkiler.
Benzer çalışma prensibi bir endüstriyel yer değişim algılayıcısında uygulanmıştır (şekil 8.8.11).
PSD burada birkaç cm’lik küçük çalışma uzaklıklarının ölçümünde kullanılmaktadır. PSD’nin
algılayıcı modülünün tipik teknik özellikleri tablo 8.2’de verilmiştir. Böyle optik algılayıcılar bir
aygıtın yüksekliğinin ölçümleri (Bilgisayar kartlarının denetimi, sıvı ve katı seviye kontrolü, lazer
ışını yükseklik kontrolü, vb.), dönen bir cismin eksantrikliğinin ölçümü, kalınlık ve hassas yer
değişim ölçümleri, bir cismin varlığı ve yokluğunun dedeksiyonu (ilaç şişesi kapakları vb), vb. de
sürekli (on line) ölçüm için oldukça etkindirler. PSD’li optik yer değişim algılayıcısının en büyük
avantajı doğruluğudur ve bu doğruluk PSD’nin kendisinin doğruluğundan çok daha büyük olabilir.
Şekil 8.8.11 Optik

pozisyon yer değişim
algılayıcısı
Tablo 8.2
Ölçüm uzaklığı 40 mm
Ölçüm aralığı ±5 mm
Spot çapı max. 3 mm
Çözünürlük 10 μm
Doğruluk ±20 μm
Sıcaklık salınımı 0,05%/°C
Çevre çalışma aydınlanması max. 1000 lüx
Çevre çalışma sıcaklığı 0 - 50 °C
PSD elemanları bir ve iki boyutlu olarak iki temel tipte yapılır. Her ikisine ait eşdeğer devre şekil
8.8.12’de görülmektedir. Eşdeğer devre dağıtılmış kapasitans ve dirence sahip olduğundan PSD
zaman sabiti (τ=RC) ışık spotunun pozisyonuna bağlı olarak değişir. Giriş adım fonksiyonuna tepki
olarak PSD’nin küçük bir alanı 1-2 μs’lik bir yükselme zaman aralığına sahiptir. Spektral tepkisi
yaklaşık olarak 320-1100 nm aralığındadır ve mor ötesi (UV), görünür ve yakın kızılötesi spektral
aralığı içine alır. Küçük alanlı bir boyutlu PSD’lerin duyarlı yüzeyi 1×2 ile 1×12 mm arasında
değişirken büyük alanlı iki boyutlular ise 4 ile 27 mm arasında değişen kare biçimli alanlara
sahiptir (şekil 8.8.13). Minyatür bir PSD’nin teknik özellikleri tablo 8.3’de verilmiştir.
(a) bir boyutlu (b) iki boyutlu

Şekil 8.8.12 Bir boyutlu ve iki boyutlu pozisyona duyarlı dedektörlerin eşdeğer devreleri
a) Bir boyutlu b) İki boyutlu

Şekil 8.8.13 Bir ve iki boyutlu pozisyona duyarlı dedektörler
Tablo 8.3 Bir boyutlu S3274 PSD’nin karakteristikleri

Aktif alan (mm) 1×3,5
Algılayıcı boyutu (mm) 4,1×5,0
Pik spektral tepki (nm) 920
Paketin kırılma indisi 1,53
Merkez pozisyon doğruluğu (μm) ±200
Pozisyon dedeksiyon hatası (μm) max. ±35
Elektrotlar arası direnç (kΩ) 140 tipik
Karanlık akımı (nA) 0,05
Terminal kapasitansı (pF) 15 tipik
Yükselme zamanı (μs) 10 tipik
8.9 ULTRASONİK ALGILAYICILAR
Kontaksız uzaklık ölçümleri için bir çeşit pilot sinyali gönderen ve yansıyan sinyali geri alabilen
algılayıcı tasarımlanabilir. Gönderilen sinyalin enerjisi herhangi bir ışınım sinyali (örneğin optik
PSD’de olduğu gibi), elektromanyetik, akustik, vb. olabilir. Ultrasonik enerjinin gönderilmesi ve
alınması çok popüler olan ultrasonik ölçerler ve hız dedektörlerinin temelidir. 20 kHz üzerindeki
frekans aralığındaki ultrasonik dalgalar mekanik olup insan kulağının duyma sınırının üzerindedir.
Bunun yanında bu frekanslar köpek, kedi, kemirgenler, sinekler gibi küçük hayvanlar tarafından
kolaylıkla algılanabilir. Gerçekte ultrasonik dedektörler yarasa ve yunusların biyolojik uzaklık
ölçme aygıtlarıdır.
Dalgalar bir cisme geldiği zaman enerjinin bir kısmı geri yansıtılır. Çoğu pratik durumlarda
ultrasonik enerji yayılımcı bir davranışla geri yansır. Yani enerji geldiği yönden bağımsız olarak,
180° ’ye yaklaşabilen geniş bir katı açıda hemen hemen düzenli olarak yansıtılır. Eğer cisim
hareket ederse yansıyan dalgaların frekansı gönderilen dalgaların frekansından farklı olacaktır. Bu
Doppler etkisi olarak adlandırılır.
Cisme olan uzaklık, Lo ortamdaki ultrasonik dalgaların hızı ve Θ açısı ile hesaplanabilir (şekil
8.9.1a):
vtCosΘ
Lo = (8.11)
2
Burada, t ultrasonik dalgaların cisme ve cisimden alıcıya geri yansıdığı zamandır. Verici ve alıcı
cisme olan uzaklığa kıyasla birbirine yakın yerleştirilmişse cos Θ = 1 olur. Ultrasonik dalgalar
mikrodalgalara göre açık avantaja sahiptirler. Ses hızıyla hareket ederler ve bu mikrodalganın
yayılma hızı olan ışık hızından çok düşüktür. Böylece t zamanı uzun olur ve ölçümü daha kolay ve
ucuz yapılabilir.
(a) temel düzenleme (b) piezo-elektrik dönüştürücünün empedans karakteristiği

Şekil 8.9.1 Ultrasonik uzaklık ölçümü
Ultrasonik içeren bir mekanik dalga üretmek için bir yüzeyin hareketi gerekir. Bu hareket ile gaz
(hava), sıvı veya katı ortamda sıkışma ve genleşme meydana gelir. Ultrasonik yüzey hareketi
meydana getiren bir uyartım aygıtının en çok kullanılan tipi motor modunda çalışan piezo-elektrik
dönüştürücüdür. Adından da anlaşıldığı gibi piezo-elektrik aygıt elektrik enerjisini doğrudan
mekanik enerjiye dönüştürür.
Şekil 8.9.2a uygulanan giriş gerilimi ile seramik elemanın esneyerek ultrasonik dalgalar yaymasına
neden olduğunu göstermektedir. Piezo-elektrik olayı tersine dönüşümlü bir fenomen olduğundan
ultrasonik dalga elemana geldiğinde esneyerek gerilim üretir. Verici piezo-elektrik elemanın tipik
çalışma frekansı 32 kHz civarındadır. Daha iyi verim için sürücü osilatör frekansının elemanın
duyarlılığı ve veriminin en iyi olduğu piezo-elektrik seramik’in rezonans frekansına, fr ayarlanması
gerekir. Ölçme devresi palsli modda çalıştığı zaman aynı piezoelektrik eleman hem verici hem de
alıcı olarak kullanılır. Sistem ultrasonik dalgaların sürekli verilmesini gerektirdiğinde verici ve alıcı
için ayrı piezo-elektrik elemanların kullanılması gerekir. Şekil 8.9.2b’de havada çalışan ultrasonik
algılayıcının tipik bir tasarımı görülmektedir.
(a) giriş gerilimi elemanı esneterek ultrasonik dalgalar (b) havada çalışan ultrasonik
yayar, aynı elemana gelen dalgalar çıkış gerilimi üretir dönüştürücünün açık görünüşü
Şekil 8.9.2 Piezo-elektrik ultrasonik dönüştürücü
8.10 JİROSKOPLAR
Manyetik pusula ile beraber jiroskop çok kullanılan bir yakınlık algılayıcısıdır. Çoğu durumlarda
yerin manyetik alanı -örneğin uzayda- olmayabilir veya bazı parazitler tarafından değişebilir.
Jiroskop bir aracın pozisyonunun tanımlanmasında vazgeçilmez aygıttır. Jiroskop kısaca jiro (yön
tutucu) olarak söylenir ve bir saatteki sarkaç (zaman tutucu) gibi düşünülebilir. Jiroskopun
çalışması açısal momentin korunumu temel prensibine dayanır. Herhangi bir partikül sisteminde
sistem üzerine dış kuvvetlerin etki etmemesi şartıyla boşluktaki sabit noktaya göre sistemin toplam
açısal momenti sabit kalır.
8.10.1 MEKANİK JİROSKOP
Mekanik jiroskop bir eksende dönebilen ağırca bir diskten oluşmaktadır (şekil 8.10.1). Eksen bir
veya iki eksen etrafında dönebilen bir çerçeve ile kuşatılmıştır. Bundan dolayı eksen dönüş sayısına
bağlı olarak jiroskoplar bir veya iki serbestlik dereceli tipte olabilir. Jiroskopun kullanışlılığını
belirleyen iki nitelik aşağıdaki gibidir.
¾ Serbest jiroskopun dönüş (spin) ekseni üzerine dış kuvvetlerin etki etmemesi şartıyla uzaya
göre sabit kalacaktır.
¾ Jiroskop bir tork veya çıkış sinyali üretecek şekilde yapılabilir; bu spin eksenine dik bir eksen
etrafındaki açısal hızla orantılıdır.
Bir teker veya rotor serbest olarak döndüğünde eksenel pozisyonunu korumaya meyillidir. Eğer
jiroskopun platformu giriş ekseni etrafında döndürülürse jiroskop dikey yani çıkış ekseni etrafında
bir moment üretir; böylece spin eksenini çıkış ekseni etrafında döndürür. Bu fenomen jiroskopun
dönüş yalpası (precession) olarak adlandırılır ve Newton’un dönme hareket kanunu ile
açıklanabilir. Verilen bir eksen etrafında açısal momentin değişiminin zaman değişimi verilen
eksene uygulanan momente eşittir. Yani giriş eksenine T momenti uygulandığı ve tekerin (rotor) ω
hızı sabit tutulduğunda rotorun açısal momenti giriş eksenine göre sadece spin ekseninin
izdüşümünün döndürülmesi ile değiştirilebilir; örneğin çıkış ekseni etrafında spin ekseninin dönüş
oranı uygulanan moment ile orantılıdır.
T = Iω Ω (8.12)
Burada, Ω çıkış ekseni etrafındaki açısal hız ve I ise spin ekseni etrafındaki jiroskop tekerinin
ataletidir. Yalpa’nın yönünü belirlemek için şu kural kullanılabilir. Yalpa uygulanan momentin
dönüş yönü ile tekerin dönüş yönünü aynı hizaya getirecek bir yöndedir.
(a) Dış görünüş (b) Tek serbestlik dereceli mekanik jiroskop
Şekil 8.10.1 Mekanik jiroskop
Mekanik jiroskopların doğruluğu istenilmeyen moment ve sürüklemeye neden olabilecek etkilere

çok bağlıdır. Bunların kaynağı sürtünme, balansı bozuk rotor, manyetik etkiler, vb. dir. Rotorun
sürtünmesini en aza indirmek için kullanılan yaygın metotlardan biri rotor ve sürücü motorun
yüksek yoğunluklu bir sıvı içinde (florokarbon gibi) yüzdürülmesiyle süspansiyonun elimine
edilmesidir. Bu metot sıvının sürekli sıcaklık kontrolünü gerektirir ve zamanla özelliğini yitirebilir.
Sürtünmeyi azaltmanın diğer bir metodu gaz yatak kullanmaktır. Rotor mili yüksek basınçlı
helyum, hidrojen veya hava ile vakumlu olarak yataklanır. Daha iyi bir çözüm rotoru elektrik alanı
(elektrostatik jiroskoplar) ile vakumda yataklamaktır. Manyetik jiroskop ise manyetik alan ile
yataklanmış rotordan oluşmaktadır. Bu durumda rotor süper iletken olur ve sistem düşük sıcaklıkta
(cryogenic) soğutulur. Daha sonra harici manyetik alan rotorun içinde ters alan meydana getirir ve
rotor vakum içinde yüzer. Bu manyetik jiroskoplar düşük sıcaklıkta soğutulmuş (cryogenic) olarak
da adlandırılırlar.
8.10.2 MONOLİTİK SİLİKON JİROSKOP
Son yıllarda seri imalata uygun ataletli enstrümanlar’ın (jiroskoplar ve ivme ölçerler) geliştirilmesi
için teşebbüsler yapılmıştır. Böyle bir aygıta en uygun kavram mikro-makina tekniği ile yapılmış
vibrasyonlu jiroskoptur. Aygıt esnek gerdiriciler ile tutturulmuş iki gimbal yapıda olup alt kısım ve
aktif alanda serbestçe hareket edebilmektedir (şekil 8.10.2). Çalışırken dış kısım veya ‘motor’ çok
yakınına yerleştirilmiş elektrotlar ile elektrostatik olarak sabit genlikli bir moment ile sürülür.
Osilasyonlu bu hareket atalet elemanı ile osilasyonlu moment meydana getirerek içerideki
gerdiricilerin katı ekseni boyunca iç gimbal yapıya iletilir. Aygıtın düzlemine normal bir açısal
dönüş oranının varlığında Coriolis kuvveti sürme frekansına eşit frekansla ve momentsel giriş
oranına oranlı genlikle içerdeki gimbal’in zayıf etkisi etrafında osilasyona neden olur. Maksimum
çözünürlük dış gimbal’in iç gimbal’in rezonans frekansında sürüldüğü durumda elde edilir. Çıkış
hareketinin okunması iç gimbal ve çift elektrot arasındaki kapasitansın fark değişimi ile sağlanır.
Açık döngüde çalışırken içerdeki gimbal’in çıkış ekseni etrafındaki açısal yer değişimi giriş oranı
ile orantılıdır. Yani çıkış açısı, Θ atalet oranı terimi, sürme açısı, φo, mekanik Q ve giriş oranı, Ω
ile orantılı ve sürme frekansı ile ters orantılıdır.
⎡ I x + I y − I z ⎤ φ0ΩQ
Θ=⎢ ⎥ (8.13)
⎣ Ix ⎦ ωn
Şekil 8.10.2 Vibrasyon

oranlı jiro kavramı
Pratik uygulamalarda aygıt kapalı döngüde çalışır ve iç gimbal sıfır faz ve çeyrek (quadrature)
durumuna dengelenir. Jiroskopun detaylı açıklaması başka kaynaklarda da bulunabilir.
8.10.3 OPTİK JİROSKOPLAR
Rehberlik ve kontrol uygulamaları için algılayıcıların modern gelişimi Sagnac etkisinin

kullanılması prensibine dayanır (şekil 8.10.3). Bir lazerden üretilen iki ışık hüzmesi R yarıçapında
n kırılma indisinde bir optik halka içinde zıt yönlerde yayılır. Işık hüzmesinin biri saat yönünde
(CW) giderken diğeri saat yönünün tersine (CCW) gider. Işığın halkayı dolaştığı zaman miktarı
Δt = 2πR / nc ’dır. Formülde, c ışık hızıdır. Şimdi halkanın saat yönünde Ω açısal hızında
döndüğünü varsayalım. Bu durumda ışık iki yönde farklı yollar alacaktır. CW hüzmesi
lcw = 2πR + ΩRΔt kadar CCW ise lccw = 2πR − ΩRΔt kadar yol alacaktır. Buradan her iki yol
arasındaki fark
4π Ω R2
Δl = (8.14)
nc
olur. Bu yüzden Ω’nın doğru bir şekilde ölçülmesinde Δl’nin belirlenmesi için bir tekniğin
geliştirilmesi gerekir. Alınan yolun dedeksiyonu için bilinen üç metot vardır:
¾ optik rezonatörler
¾ açık-döngü interferometreleri
¾ kapalı döngü interferometreleri
Saat yönünün tersi Saat yönü
Ω Şekil 8.10.3 Sagnac etkisi
2R
Halka lazer jiroskop için Δl’nin ölçümleri optik kavitenin lazer ışığını yayma karakteristiğinin
avantajları kullanılarak yapılır. Kapalı bir optik kavitede oluşan lazer ışığının yayılma özelliği için
halkanın tamamında tam sayıda dalga boylarının olması gerekir. Bu durumu sağlamayan ışık
hüzmeleri optik yol içinde ardışık hareketlerle kendileri ile etkileşime girerler. Dönüşten dolayı
çevrede (perimetre) meydana gelen bir değişimi kompanze etmek için dalga boyu, λ ve ışık
frekansı, v değişmelidir:
dv dλ dl
− = = (8.15)
v λ l
(8.15) frekans, dalga boyu ve halka lazerdeki perimetre değişimi ile ilişkili bir temel eşitliktir. Eğer
halka lazer Ω hızında dönerse Δl eşitliği halka boyunca tam dalga sayısı kriterini karşılamak için
ışık dalgalarının bir yönde boylarının uzadığı ve diğer yönde boylarının kısaldığını gösterir. Bu iki
ışık hüzmesi arasında net bir frekans farklılığı ile sonuçlanacaktır. Eğer iki ışık hüzmesi beraber
karıştırılırsa sonuçtaki sinyalin frekansı aşağıdaki gibi olur (A halkanın kapladığı alandır).
4 AΩ
F= (8.16)
λnl
Pratikte optik jiroskoplar fiber halka rezonatör veya optik fiberin belli sargı sayısında fiber sargılı
halkadan tasarımlanırlar. Şekil 8.10.4a’da görülen optik halka rezonatör çok düşük çapraz kuplaj
oranlı fiber ışık bölücüden oluşan fiber halkadan oluşmaktadır. Gelen ışık fiber halkanın rezonans
frekansında olduğu zaman ışık fiber kavite ile kuplaja girer ve çıkıştaki ışık şiddeti düşer. Şekil
8.10.4b deki fiber sargılı jiroskop bir ışık kaynağı ve fibere bağlı bir dedektörden oluşur. Hem zıt
ve hem de yayılan hüzmelerin fiber optik sargı içinde aynı yolu almalarını sağlamak için ışık
polarizatörü dedektör ile ikinci kuplaj elemanı arasına yerleştirilmiştir. İki ışık hüzmesi karışır ve
dedektör üzerine vurur; dedektör hüzmeler arasındaki rotasyonel olarak indüklenen faz
değişimlerinin neden olduğu kosinüsoidal ışık şiddet değişimlerini gözler. Bu tip optik jiro’nun
maliyeti oldukça düşük ve 10000’e kadar dinamik aralık ile küçük boyutlu rotasyon duyarlı
algılayıcı içerir. Uygulamaları rota ve yalpalama ölçümü, duruş kararlılığı ve jiro-pusula gibi
yerlerdir. Optik jiroların ana avantajı mekanik jirolar için uygun olmayan zararlı ortamlarda
çalışma kabiliyetleridir.
(a)
(b)
Şekil 8.10.4 Fiber optik jiroskop. (a) Fiber optik halka rezonatör. (b) Fiber optik analog sargılı
jiro
1. Pozisyon ve yer değişimi algılayıcılarının seçiminde hangi faktörler dikkate alınmalıdır? Bu

faktörleri teker teker açıklayınız.
2. Fiziksel cisimlerin pozisyon ve yer değişimlerinin ölçümü niçin yapılır?
3. Yakınlık anahtarı ile pozisyon dedektörü arasındaki fark nedir?
4. Pozisyon, seviye ve yer değişimi dedektörlerinde histerezis’in anlamı nedir?
5. Tel sargılı potansiyometreler ile pozisyon ölçümü yapılırken dikkat edilmesi gereken faktörler
nedir?
6. Yer çekiminin etkisi ile çalışan eğim algılayıcılarının çalışma prensibi nedir?
7. Isıl algılayıcılar ile sıvı veya gazların seviyesi nasıl ölçülür?
8. Kapasitif yaklaşım algılayıcılarının çalışma prensibi nedir?
9. Kapasitif pozisyon algılayıcılarının çalışma prensibi nedir?
10. Diferansiyel açısal kapasitif algılayıcının çalışma prensibi nedir?
11. LVDT’nin çalışma prensibi nedir?
12. RVDT’nin çalışma prensibi nedir?
13. RVDT ve LVDT’nin avantajları nedir?
14. LVDT’ye uygulanan frekansın aralığı neye bağlıdır?
15. Eddy akımı algılayıcılarının çalışma prensibi nedir?
16. Eddy akımı algılayıcılarında uç kısmın ekranlanması neyi değiştirir?
17. İndüktif yaklaşım algılayıcılarında algılanılacak malzemenin ferro-manyetik veya metal olması
neyi değiştirir?
18. Fırçasız mutlak açı algılayıcısının çalışma prensibi nedir?
19. Enine indüktif algılayıcının çalışma prensibi nedir? Ferro-manyetik malzemenin yakınlığı ile
indüktans nasıl değişir?

20. Reed (kamış) anahtarının çalışma prensibi nedir?
21. Hall etkili algılayıcıların çalışma prensibi nedir?
22. Hall etkili algılayıcılar nerelerde kullanılır?
23. İnterrupter (kesici) algılayıcı ile pozisyon, doğrusal yer değişimi, seviye, açısal değişim, vb.
nasıl ölçülür?
24. Manyeto-rezistif algılayıcıların çalışma prensibi nedir?
25. Manyeto-rezistif algılayıcı ile ferro-manyetik malzeme üzerindeki bir delik veya çatlak nasıl
ölçülür?
26. Manyeto-rezistif algılayıcı ile pozisyon, doğrusal yer değişimi, seviye, açısal değişim, vb. nasıl
ölçülür?
27. Manyeto striktif algılayıcının çalışma prensibi nedir?
28. Wiedemann etkisi nerede kullanılabilir?
29. Polarize ışık ile yakınlık dedeksiyonu nasıl yapılır?
30. Polarizasyon ne demektir?
31. Fiber optik algılayıcılar ile sıvı seviyesi, yakınlık, yer değişimi, vb. nasıl ölçülür?
32. Izgara biçimli algılayıcıların çalışma prensibi nedir?
33. Artımsal ve mutlak optik kodlayıcı diskler ile pozisyon nasıl ölçülür? Hassasiyetleri neye
bağlıdır?
34. Doğrusal optik algılayıcılar ile 1 ve 2 boyutlu uzaklık ölçümü nasıl yapılır?
35. Ultrasonik algılayıcıların çalışma prensipleri nedir? Nerede kullanılır?
36. Jiroskop nedir? Pusula ile arasındaki fark nedir? Jiroskopların tipleri ve çalışma prensipleri
nedir?
9 CANLI VE HAREKET DEDEKTÖRLERİ
Canlı algılayıcıları veya bir yerin işgal durumunu (occupancy) algılayan dedektörler gözlem altında
bulundurulan alan içindeki insanların veya cisimlerin varlığını dedekte ederler. Hareket (motion)
dedektörleri ise sadece hareketli cisimlere karşı tepki verirler. İkisinin arasındaki belirleyici fark;
canlı algılayıcılarının bir cismin durgun veya hareketli durumunda sinyal üretmeleri ve hareket
dedektörlerinin ise seçici olarak hareketli cisimlere duyarlı olmasıdır. Bu algılayıcıların
uygulamaları güvenlik, izleme, enerji kontrolü (elektrik ampullerinin kontrolü), kişisel güvenlik, ev
aletleri, oyuncaklar, özel ürünler, vb. içerir. Uygulamalara bağlı olarak insan veya canlının varlığı
insan veya canlı vücudunun özellikleri ve hareketleri ile ilgili vasıtalarla dedekte edilebilir. Örneğin
dedektör vücut ağırlığına, ısıya, seslere, dielektrik sabitine duyarlı olabilir. Aşağıdaki dedektör
tipleri hali hazırda insanların varlığının ve hareketinin algılanılması için kullanılmaktadır:
¾ Kapasitif - insan vücudunun kapasitansı dedektörleri;
¾ Akustik – insanlar tarafından çıkartılan seslerin dedektörleri;
¾ Foto-elektrik - hareketli cisimler ile ışık ışınlarının kesilmesi;
¾ Opto-elektrik - korunan bölgede aydınlanmadaki değişim veya optik kontrast dedeksiyonu;
¾ Paspas altı basınç anahtarları - hırsız veya diğer şahısların ağırlığını dedekte etmek için
yerdeki halıların altındaki basınca duyarlı uzun şeritler;
¾ Gerginlik dedektörleri - yerdeki kirişler, merdivenler ve diğer yapısal elemanların içine
yerleştirilmiş strengeyçler;
¾ Anahtar tipi algılayıcılar - kapılara ve pencerelere monte edilmiş elektrik anahtarları;
¾ Manyetik anahtarlar - kontaksız anahtar tipi algılayıcılar;
¾ Vibrasyon dedektörleri - duvarların veya diğer yapısal elemanların vibrasyonuna tepki;
¾ Cam kırılması dedektörleri - kırılan camın çıkardığı özel titreşime tepki veren algılayıcılar;
¾ Kızıl ötesi hareket dedektörleri - sıcak veya soğuk cisimlerin yaydığı ısı dalgalarına duyarlı
aygıtlar;
¾ Mikro-dalga dedektörler - cisimden geri yansıyan elektromanyetik mikro-dalga sinyallerine
tepki veren aktif algılayıcılar;
¾ Ultra-sonik dedektörler – mikro-dalga dedektörlere benzer fakat elektromanyetik dalga
yerine ultrasonik dalga kullanılır;
¾ Video hareket dedektörleri - hafızaya saklanmış durgun görüntü ile korunmuş alandaki yeni
görüntüyü karşılaştıran video cihazı;
¾ Laser sistem dedektörleri – foto-elektrik dedektörlere benzer, dar ışık ışınlarını ve yansıtıcı
kombinasyonlarını kullanır;
¾ Tribo-elektrik dedektörleri - hareketli cisimlerin taşıdığı statik elektrik yüklerini dedekte
edebilen algılayıcılar.
Canlı veya hırsızın dedekte edilmesindeki en büyük problemlerden biri pozitif dedeksiyondur. Bazı
kritik olmayan uygulamalarda yanlış pozitif dedeksiyonlar bir süre içinde bir kere oluşur. Örneğin
bir oyuncak veya bir odanın elektrik ışıklarını kontrol eden hareket dedektörlerinde bu ciddi bir
problem olmayabilir. Işıklar hatalı bir şekilde kısa bir süre için açılır ve bir zarara neden olmaz.
Diğer sistemlerde özellikle güvenlik araçları için yanlış pozitif dedeksiyonlar bir hırsızın
kaçırılmasına neden olan yanlış negatif dedeksiyonlar kadar tehlikeli olmasa da ciddi problem
olabilir. Kritik uygulamalar için algılayıcının seçiminde dikkate alınacak noktalar günenilirliği,
seçiciliği ve gürültü bağışıklığıdır. Genel olarak simetrik arabirim devreleriyle çok sayıda
algılayıcının kullanılması pratik bir yaklaşımdır. Böylece bir sistemin güvenilirliği özellikle harici
gürültülerin varlığında büyük oranda artırabilir. Hatalı dedeksiyonu azaltmanın etkili diğer bir
metodu farklı fiziksel prensiplerde çalışan algılayıcıların kullanılmasıdır; örneğin kapasitif ve
kızılötesi dedektörlerin birleştirilmesi farklı çeşitte ortama yayılmış gürültülere duyarlı olduğundan
etkilidir.
Bu dedektörler akustik dalgaların cisme gönderilmesi ve yansıyan akustik dalgaların geri alınması
prensibine dayanır. Ultrasonik dedektörlerin çalışma prensibinde uzaklık, pozisyon veya seviye
ölçmedeki aynı prensip kullanılır. Hareket dedeksiyonları daha uzun çalışma aralıkları ve daha
geniş kapsama açılarında yapılır.
9.2 MİKRODALGA HAREKET DEDEKTÖRLERİ
Mikrodalga dedektörleri geniş alanların kapsanması zorunlu olduğunda diğer dedektörlerden daha
cazip olmaktadır. Rüzgar, akustik gürültü, toz, nem, vb. gibi güçlü etkileşimler altında ve geniş
sıcaklık aralığında çalışırlar. Mikrodalga dedektörün çalışma prensibi korunacak alana
elektromanyetik radyo frekansı (RF) ışınımının gönderilmesine dayanır. En çok kullanılan
frekanslar 10,525 GHz (X bantı) ve 24,125 GHz (K bantı) dır. Bu dalga boyları (λ=3 cm X
bandında) hava içindeki toz gibi kirleticilerden geçebilecek kadar yeterli uzunlukta ve daha büyük
cisimlerden geri yansıyabilecek kadar yeterli kısalıktadır. Dedektörün mikrodalga kısmı Gunn
osilatörü, anten ve karıştırıcı diyottan oluşmaktadır. Gunn osilatörü küçük hassas kaviteye
yerleştirilmiş diyota güç uygulanmasıyla mikrodalga frekanslarında osilasyon yapar. Osilatör fo
frekansında elektromanyetik dalga üretir ve bir kısmı dalga klavuzu ve odaklayıcı antenden geçerek
cisme yayılır. Antenin odaklama karakteristikleri uygulama yeri ile belirlenir. Genel bir kural
olarak antenin yönlendirici şeklinin dar olmasıyla anten daha duyarlı olur (anten yüksek kazanca
sahiptir). Başka bir genel kural dar ışınlı anten daha büyük ve geniş açılı anten ise oldukça
küçüktür. Vericinin ışınım gücü tipik olarak 10-20 mW’tır. Gunn osilatörü uygulanan DC
geriliminin kararlılığına duyarlı olduğundan iyi kaliteli gerilim regülatörü ile enerjilenmelidir.
Osilatör sürekli olarak çalışabilir veya palsli modda çalıştırılarak besleme güç kaynağının enerji
tüketimi azaltılabilir.
Mikrodalga osilasyonlarının küçük bir kısmı Schottky karıştırıcı diyot ile kuplajlanmış ve referans
sinyali olarak çalışır (şekil 9.1a). Çoğu durumlarda verici ve alıcı bir modül içine yerleştirilir ve bu
modül verici-alıcı (transceiver) olarak adlandırılır. Bir hedef bazı dalgaları geri yansıtarak antenden
alınan ışınımı karıştırıcı diyota gönderir. Karıştırıcı diyotun akımı gönderilen ve geri alınan
dalgaların arasındaki faz farkını içeren bir harmonik içerir. Faz farkı hedefin uzaklığı ile doğru
ilişkilidir. Faza duyarlı dedektörler cisme olan uzaklığın dedeksiyonunda en kullanışlı olanıdır.
Canlı veya hareket dedektörü için Doppler etkisi mikrodalga ve ultrasonik dedektör işlemlerinin
temelidir. Doppler etki prensibinde çalışan aygıtlar sadece hareketli hedeflere duyarlı olduğundan
gerçek hareket dedektör aygıtları olduğu unutulmamalıdır.
Canlı ve Hareket Dedektörleri 283
(a) Doppler frekansını ölçen devre (b) eşik dedektörlü devre
Şekil 9.1 Mikrodalga canlı dedektörü
Anten fo frekansını gönderir ve bu frekans λo dalga boyu ile tanımlanır:

co
fo = (9.2.1)
λo
Burada, co ışık hızıdır. Hedef, verici antenden uzaklaşırken veya yaklaşırken geri yansıyan ışınımın
frekansı değişecektir. Bundan dolayı hedef antenden v hızıyla uzaklaşıyorsa geri yansıyan frekans
azalacak ve hedef yaklaşırken frekans artacaktır. Bu etki Doppler etkisi olarak adlandırılır.
Avusturyalı bilim adamı Christian Johann Doppler (1803-1853) den sonra Doppler etkisi ilk önce
ses ortamında keşfedilmiştir ve elektromanyetik ışınıma da uygulanabilmektedir. Bununla beraber
ses kaynağının hareketine bağlı hızlarla yayılabilen ses dalgalarının tersine elektromanyetik
dalgalar sabit ışık hızında yayılırlar. Geri yansıyan elektromanyetik dalgaların frekansı görecelik
(relativite) teorisi ile aşağıdaki gibi tahmin edilebilir.
150 yıl önce hassas ölçümler için akustik aygıtlar henüz yoktu bu teoriyi ispatlamak için Doppler bir demiryolu üzerinde düz bir
vagonun üzerine trampetçileri ve vagonların yanında algılama özelliği çok hassas müzisyenleri yerleştirdi. İki gün boyunca lokomotif
vagonlarını ileri geri hareket ettirdi. Trenin ileri ve geri hareketlerinde müzisyenler trampetlerin notalarını kaydettiler. Sonuçta
eşitliklerin tuttuğu görüldü.
1− (v / c0 )2
f r = f0 (9.2.2)
1+ v / c0
Pratik amaçlar için (v / co ) 2 ’ın değeri birim değer (1) ile karşılaştırıldığında çok küçük olduğundan
ihmal edilir. Bu durumda geri yansıyan dalgaların frekans eşitliği akustik dalga durumuna benzer:
1
f r = f0 (9.2.3)
1+ v / co
Doppler etkisinden dolayı geri yansıyan dalgaların frekansı, fr farklıdır. Bir karıştırıcı diyot
gönderilen referans ile yansıyan ışınımın frekanslarını birleştirir ve doğrusal olmayan bir aygıt
olarak her iki frekansın çoklu harmoniklerini içeren bir sinyal üretir. Diyottan geçen elektrik akımı
bir polinom ile temsil edilebilir:
n
i = io + ∑ ak (u1Cos 2π f ot + u2Cos 2π f r t ) k (9.2.4)
k =1
Burada, io DC bileşen, ak diyotun çalışma noktasına bağlı harmonik katsayıları, u1 ve u2 sırasıyla

referans ve yansıyan sinyallerin genlikleri ve t zamandır. Diyottan geçen akım sonsuz sayıda
harmonik içerir ve bunların arasında a2U1U 2 cos 2π ( f o − f r )t fark frekansında bir harmonik vardır
ve bu fark frekansı doppler frekansı, Δf olarak adlandırılır.
Bir karıştırıcıdaki Doppler frekansı, Δf

1
Δf = f o − f r = f o (9.2.5)
co / v + 1
ile bulunur ve co / v >> 1 olduğundan aşağıdaki eşitlik yazılabilir.

v
Δf = (9.2.6)
λo
Bundan dolayı karıştırıcının çıkışındaki sinyalin frekansı hareketli cismin hızı ile doğrusal
orantılıdır. Örneğin bir kişi 0,6 m/s hızında dedektöre doğru yürürse X bantı dedektörünün doppler
frekansı Δf = 0,6/0,03 = 20 Hz olacaktır.
Δf = v / λo eşitliği normal yöndeki hareketler için doğrudur. Bir hedef dedektöre göre Θ açısı ile
hareket ettiğinde Doppler frekansı
v
Δf = cos Θ (9.2.7)
λo
olur. Eşitliğe göre doppler dedektörleri teorik olarak 90° ye yaklaşan açılarda hareket eden
hedeflere karşı duyarsız olacaktır. Hız ölçücüler ile hedefin hızını belirlemek için istenilen şey
Doppler frekansı ve hareketin yönünü belirlemek için fazın ölçülmesidir (şekil 9.1). Bu metot polis
radarlarında kullanılmaktadır. Süpermarket kapıları ve güvenlik alarmlarında frekans ölçme yerine
hareketli hedefin varlığını göstermek için bir eşik komparatoru kullanılır (şekil 9.1b). Eşitliğe göre
Θ=90° ’ye yakın açılarda hareket eden hedef için doppler frekansı sıfıra yakın olsa da korunmuş
alana herhangi bir açıda giren bir hedef alınan sinyalin genliğinde ani bir değişimle sonuçlanır ve
buna bağlı olarak karıştırıcının çıkış gerilimi değişir. Bu değişim ekseriyetle bir eşik dedektörünün
tepkisini tetiklemeye yeterlidir.
Karıştırıcıdan alınan sinyal mikrovolt ile milivolt aralığında olduğundan sinyalin işlenmesi için
yükseltme işlemi gereklidir. Doppler frekansı ses frekansı aralığında olduğundan yükseltici çok
basit olabilir; bununla beraber notch (çentik) filtreleri güç hattı şebeke frekansı ve tam dalga
doğrultucunun ses harmonikleri ve fluoresan lamba etkileşim frekanslarını (50, 100 Hz veya 60,
120 Hz) filtrelemede kullanılmalıdır. Normal çalışma için alınan gücün yeteri kadar büyük olması
gerekir. Bu güç anten alanı A ve hedef alanı a ve hedefe uzaklık r gibi çeşitli faktörlere bağlıdır:
Po A2 a
Pr = ρ (9.2.8)
4πλ2 r 4
Burada, Po verilen veya iletilen güçtür. Etkili bir çalışma için hedefin kesit alanı, a’nın oldukça
büyük olması gerekir çünkü λ2 ≤ a için alınan sinyal aşırı derecede azalır. Daha da ötesi çalışma
dalga boyunda hedefin ρ yansıtıcılığı da alınan sinyalin büyüklüğü için çok önemlidir. Genel olarak
iletken malzemeler ve yüksek dielektrik sabiteli cisimler elektromanyetik ışınım için iyi yansıtıcılar
iken çoğu diğer dielektrik malzemeler enerjiyi soğururlar ve çok azını yansıtırlar. Plastik ve
seramikler de elektromanyetik ışınımı iyi geçirdiklerinden mikrodalga dedektörlerin penceresi
olarak kullanılır. Mikrodalga dedektör için en iyi hedef dedektöre doğru normal (dik)
pozisyonlandırılmış düzgün ve düz iletken plakadır. Düz iletken yüzey iyi bir yansıtıcıdır. Bununla
beraber 0° ’den farklı açılar dedektörü çalışamaz duruma getirebilir. Böylece Θ=45° yansıyan
sinyali tamamen alıcı antenden başka yere yönlendirir. Bu yönlendirme metodu radara
yakalanmayan bombardıman uçağının tasarımında etkili bir şekilde kullanılmıştır.
Hedefin antenden uzaklaşmasını veya yaklaşmasını dedekte etmek için Doppler kavramı alıcı
verici-ünitesine başka bir karıştırıcı diyot eklenerek genişletilebilir. İkinci diyot dalga klavuzuna
öyle yerleştirilmiştir ki her iki diyottaki Doppler sinyali dalga boyunun ¼’ü veya 90° faz farkı
meydana getirmektedir (şekil 9.2a). Bu çıkışlar ayrı ayrı yükseltilir ve kare dalgaya dönüştürülerek
bir mantık devresi ile analiz edilebilir. Devre hareketin yönünü belirleyen bir dijital faz
belirleyicisidir (şekil 9.2b). Kapı kontrolörleri ve trafik kontrolü bu tip modülün iki ana uygulama
alanıdır. Her iki uygulamanın bir tepki çıkışı vermeden önce hedefi seçebilmek için büyük
miktarda bilgi kazanmaları gerekmektedir. Kapı kontrolü için görüş alanının ve verilen gücün
sınırlandırılması yanlış pozitif dedeksiyonları azaltır. Kapı kontrolünde yön seçiciliği isteğe
bağlıdır. Trafik kontrolünde ise yön seçicilik uzaklaşan taşıtlardan gelen sinyali dikkate almamak
için gereklidir. Eğer modül hırsız dedeksiyonu için kullanılırsa binadaki yürüme sonucu meydana
gelen sarsıntı çok miktarda yanlış pozitif dedeksiyonlara neden olacaktır. Bir yön seçici sarsıntıya
alternatif bir sinyal olarak tepki verirken hırsıza ise kararlı bir lojik sinyali verecektir. Buradan yön
seçicilik bir dedektörün güvenilirliğini artırmak için etkili bir metot olmaktadır.
(a) blok diyagram (b) zaman diyagramı
Şekil 9.2 Yöne duyarlı mikrodalga doppler hareket dedektörü
USA’da bir mikrodalga dedektör kullanıldığında Federal Kominikasyon Komisyonu tarafından öne
sürülen gereksinimleri karşılaması gerekir. Benzer yönetmelikler diğer ülkelerde de
uygulanmaktadır. OSHA 1910.97 tarafından belirlendiği gibi 100 MHz ve 100 GHz’lik frekans
aralığı için vericinin emisyonunun 0,1 saatlik periyot üzerinde 10 mW/cm2 den daha az ortalamada
olması da gerekmektedir.
9.3 KAPASİTİF CANLI DEDEKTÖRLERİ
Yüksek dielektrik sabiti ile iletken bir ortam olan insan vücudu çevresine göre bir kapasitans
kuplajı meydana getirir (40 MHz de kas, deri ve kanın dielektrik sabiti 97, yağ ve kemiğin ise 15
civarındadır). Bu kapasitans vücudun büyüklüğü, elbise, malzemeler ve çevredeki cisimler, hava,
vb. gibi faktörlere büyük ölçüde bağlıdır. Kuplaj aralığının büyüklüğüne göre kapasitans birkaç
pikofarad ile nanofarad arasında değişebilir. Kişi hareket ettiğinde kuplaj kapasitansı değişerek
hareketli cisimler ile duran cisimler arasında bir belirginlik meydana gelir. Gerçekte bütün cisimler
birbirlerine göre belli derecede bir kapasitans oluştururlar. Eğer insan veya hayvan kapasitansı
önceden belirlenmiş cisimlerin yakınına yaklaştığında cisimler arasında insan (hırsızın) veya
hayvanın vücudunun varlığından dolayı yeni bir kapasitans değeri meydana gelir. Şekil 9.3 test
levhası ile yer (buradaki yer herhangi bir geniş cisim, yer, toprak, göl, metal çit, araba, gemi, uçak,
vb. olabilir) arasındaki kapasitansın C1 ’e eşit olduğunu göstermektedir. Bir şahıs levhanın yakınına
hareket ettiğinde ek iki kapasitör oluşturur: bunlardan biri levha ve vücut arası kapasitansı, Ca ve
diğeri vücut ile yer arası kapasitansı, Cb dir. Bu durumda levha ile yer arasındaki C kapasitansı ΔC
kadar büyük olur:
CaCb
C = C1 + ΔC = C1 + (9.3.1)
Ca + Cb
Uygun aparatlarla bu fenomen cisimlerin veya canlıların dedeksiyonu için kullanılabilir. Burada
istenilen şey test levhası (prob) ile referans levhası (yer) arasındaki kapasitansın ölçülmesidir.
(a) dedeksiyon devresi (b) kapasitansın eklenmesi
Şekil 9.3 Davetsiz misafir dedeksiyon devresine ek bir kapasitans ekliyor.
Şekil 9.4 de prob kapasitansındaki, Cp değişimleri dedekte eden devre diyagramı görülmektedir. Bu
kapasitans kontrol osilatörünün çıkışı düşük olduğu zaman Q1 transistörü ile biçimlendirilen bir
kapı ile Vref referans gerilim kaynağından şarj edilir. Çıkış yüksek olduğunda Q2 açılırken Q1
transistörü kapanır. Cp prob kapasitansı Q3 transistörü ile yapılmış sabit akım yutak’ı ile boşalır. C1
kapasitörü transistör uçlarındaki gerilim dalgalanmalarını filtre eder. ep ortalama gerilimi Cp
kapasitörünün ortalama değeri ile temsil edilir. Hırsız proba yaklaştığı zaman Cp’nin kapasitansı
artarak C1’deki gerilim yükselir. Gerilimdeki sapma C2 kapasitöründen geçerek sabit eşik gerilimi,
VT ile beraber karşılaştırıcının girişine gelir. Karşılaştırıcı giriş gerilimi eşik gerilimini aştığı zaman
Vout çıkış gerilimi üretir.
Şekil 9.4 Kapasitif hırsız

dedektörünün devre diyagramı
Şekil 9.5 bir otomobilin kapasitif güvenlik sistemini göstermektedir. Algılayıcı prob taşıt
koltuğunun içine yerleştirilmiştir. Prob metal levha, metal örgü veya iletken kumaş olarak
yapılabilir ve Cp kapasitörünün bir levhası olarak şekillenir. Kapasitörün diğer levhası otomobilin
gövdesi veya halının (paspas) altındaki ayrı bir levha olabilir. Sabit veya ayarlı bir kapasitörden
oluşan Cx referans kapasitörünün koltuk probuna yakın yerleştirilmesi gerekir. Prob levhası ve
referans kapasitörü sırasıyla şarj dedektörünün (R1 ve R2 direnci) iki girişine bağlanmıştır.
İletkenlerin sahte sinyallerin azaltılması amacıyla bükülmeleri tercih edilir. Örneğin çift iletkenli
yumuşak şerit iletken kullanılması yeterli olmaktadır. Diferansiyel şarj dedektörü kare dalga üreten
osilatör ile kontrol edilir (şekil 9.6). Koltukta kimse olmadığı durumlarda referans kapasitörü
yaklaşık olarak Cp’ye eşit olarak ayarlanır. Dirençler ve ilgili kapasitörler devrenin zaman sabitini
belirler. Her iki RC devrenin zaman sabitleri τ1’e eşittir. Dirençlerin uçlarındaki gerilimler fark
yükselticisinin girişlerini besler ve Vc çıkış gerilimi sıfıra yakındır. Çıkıştaki çok küçük gerilim
değişimleri bir dengesizliğe neden olur. Bir kişi koltuğa oturduğu zaman oturanın vücudu Cp’ye
paralel ek kapasitans oluşturarak R1Cp devresinin zaman sabitini τ1’den τ2’ye artırır. Bu durum fark
yükselticisinin çıkışındaki ani gerilimlerin genliğinin yükselmesi ile gösterilir. Karşılaştırıcı Vc
gerilimini önceden belirlenmiş Vref eşik gerilimi ile karşılaştırır. Ani gerilim değeri eşik gerilimini
aştığı zaman karşılaştırıcı lojik devreye bir sinyal gönderir ve lojik devre ise taşıtta birisinin
varlığını açıkça gösteren V sinyali üretir. Kapasitif algılayıcının modülasyonlu algılayıcı olmasına
dikkat edilmesi gerekir çünkü kapasitans değerinin ölçülmesi için osilasyonlu test sinyali
gerekmektedir.
Şekil 9.5 Otomobilde kapasitif hırsız dedektörü
Kapasitif canlı (yakınlık) algılayıcısı bir metale yakın veya üzerinde kullanıldığı zaman elektrot ve
aygıtın metal parçaları arasındaki kapasitif kuplajdan dolayı duyarlılığı büyük oranda azalabilir. Bu
kaçak kapasitansın azaltılması için etkili bir yol olarak yönlendirici ekranlama kullanmaktır. Şekil
9.7a metal kollu bir robotu göstermektedir. Eğer robotun kontrol bilgisayarına cisimlere olan
yakınlığı önceden bilgilendirmemişse kol insanlara doğru ve diğer iletken cisimlere doğru hareket
eder ve çarpışabilir. Kol bir cisme yaklaşırken Cso kapasitansına eşit kapasitif kuplaj meydana
getirir. Kol elektrot adında elektriksel olarak yalıtılmış bir levha ile kaplanmıştır. Şekil 9.3’de
görüldüğü gibi kuplaj kapasitansı yakınlığının dedekte edilmesi için kullanılabilir. Bununla beraber
metal kolun yakınında (şekil 9.7b) elektrot ile daha güçlü bir kuplaj meydana gelir ve cisimdeki
elektrik alanını çeker. Uygun bir çözüm şekil 9.7c’de görüldüğü gibi elektrot ile kol arasına
ekranlama yerleştirmektir. Algılayıcının yapısı robot kolunun üzerinde çok katlı bir tabaka olup en
alt kısım bir yalıtıcıdır; üzerinde elektriksel iletken ekranlama ve onun üzerinde tekrar yalıtıcı ve
onun üzerinde taban yalıtıcı ve en üstte dar levhadan bir elektrot vardır. Elektrot ile kol arasındaki
kapasitif kuplajı azaltmak için ekranlamanın elektrot ile aynı potansiyelde olması gerekir yani
elektrot gerilimi ile sürülür (bundan dolayı sürülen ekran adını alır). Bundan dolayı bunların
arasında elektrik alanı yoktur fakat ekranlama ve kol arasında güçlü bir elektrik alanı olacaktır.
Elektrik alanı elektrodun altında sıkıştırılarak cisme doğru yayılır.
Şekil 9.6 Kapasitif

hırsız dedektörünün
zamanlama diyagramı
(b) Ekransız olarak elektrik (c) Sürülen ekran elektrik

(a) Sürülen ekran topraklanmış robotun
alanı yoğun olarak elektrot ve alanını elektrottan cisme
metal kolu üzerine yerleştirilmiş
robot arasında dağılmıştır doğru yönlendirir
Şekil 9.7 Robot koluna bağlı kapasitif yakınlık algılayıcısı
Şekil 9.8 Giriş

kapasitansları ile
kontrol edilen
frekans
modülatörünün
basitleştirilmiş
devre diyagramı
Şekil 9.8 de kare dalga osilatörünün basitleştirilmiş devre diyagramı görülmektedir. Osilatörün
frekansı Csg (algılayıcı yer arası), Cso (algılayıcı cisim arası) ve Cog (cisim yer arası)
kapasitanslarından oluşan net giriş kapasitansına bağımlıdır. Elektrot ekranlamaya bir gerilim
izleyici ile bağlanmıştır. Frekans modülasyonlu sinyal kolun hareketlerinin kontrolü için robotun
bilgisayarına verilir. Bu düzenleme 30 cm aralığındaki iletken cisimlere olan yakınlığın
dedeksiyonuna izin verir.
9.4 TRİBO-ELEKTRİK DEDEKTÖRLER
Bir cisim yüzeyinde statik elektrik depolayabilir. Bu yükler cismin hareketlerinden, elbise
kumaşının sürtünmesi, hava türbülansı, atmosfer elektriği, vb. den dolayı yük ayrımı işleminde
triboelektrik etki sonucu doğal olarak oluşan yüklerdir. Ekseriyetle hava insan vücudu tarafından
çekilebilen pozitif veya negatif iyonlar içerir ve insan vücudunun yükü değişir. İdeal statik şartlar
altında bir cisim yüksüzdür - toplam yükü sıfıra eşittir. Gerçekte yerden geçici olarak yalıtılmış bir
cisim bir miktar toplam yük dengesizliği taşır. Başka bir deyimle elektrik yükü taşıyıcısı olur.
Bir elektronik devre iletken ve yalıtkanlardan yapılmıştır. Eğer devre ekranlanmazsa devrenin
bütün elemanları çevresindeki cisimlere göre belli bir kapasitif kuplaj meydana getirir. Pratikte
kuplaj kapasitansı -1 pF veya daha düşük seviyede- çok az olabilir. Devrenin girişine çevresi ile
olan kuplajı artırmak için bir elektrot eklenebilir. Elektrot bir iletken yüzeyden yapılabilir ve yer ile
yalıtımı iyi yapılır.
Elektrik alanı çevredeki cisimler ve elektrot arasında, en azından birisi elektrik yükü taşıdığında
meydana gelir. Diğer bir deyimle elektrot ve çevredeki cisimler arasındaki bütün kapasitör
biçimleri statik veya yavaş değişen elektrik alanları ile yüklenir. Yükün büyüklüğü atmosferik
durumlara ve cisimlerin yapısına bağlıdır. Örneğin kuru elbise giyen bir kişi yüzme havuzundan
yeni çıkan ıslak bir yüzücüden milyon defa daha güçlü yük taşır. Çevrede canlı olmadığı
durumlarda elektrotun etrafındaki elektrik alanı sabit veya oldukça yavaş değişir.
Eğer bir yük taşıyıcı (insan veya hayvan) pozisyonunu değiştirir, uzaklaşır veya yük taşıyan başka
bir cisim elektroda yaklaşırsa elektrottaki statik elektrik alanı bozulmaya uğrar. Bunun sonucunda
giriş elektrodu ile çevre arasındaki ve diğer kuplaj kapasitörlerindeki yükler yeniden dağılım
gösterir. Elektronik devre girişindeki değişken yeni yükleri algılayabilecek şekilde uyarlanabilir.
Başka bir ifadeyle indüklenmiş olan değişken elektrik yüklerini yükseltebilir ve işlenebilecek
elektrik sinyallerine dönüştürebilir. Böylece doğal olarak meydana gelen statik elektrik cisimlerin
hareketinin algılanması için elektronik devrede alternatif sinyaller meydana getirilerek
kullanılabilir.
Şekil 9.9 tek kutuplu triboelektrik hareket dedektörünü göstermektedir. Dedektör Q1 MOS
transistörü, R1 öngerilimleme direnci, Co giriş kapasitansı, kazanç katı ve pencere
karşılaştırıcısından yapılmış bir analog empedans dönüştürücüsüne bağlanmış iletken elektrottan
oluşmaktadır. Elektronik devrenin tamamı ekranlanırken elektrot çevreye açık bırakılmış ve
çevredeki cisimler ile Cp kuplaj kapasitörü biçimini almaktadır.
Şekil 9.9’da statik elektrik kişinin vücudu boyunca dağılmış pozitif yükler ile kendini gösterir. Yük
taşıyıcı olarak kişi E şiddetinde elektrik alanı üretir. Elektrik alanı elektrotta zıt işaretli bir yüke
neden olur. Statik durumlar altında kişi hareket etmezse alan şiddeti sabittir ve Co giriş kapasitansı
R1 öngerilimleme direnci ile boşalır. Bu direncin değerinin çok yüksek değerde seçilmesi gerekir.
Devreyi oldukça yavaş hareketlere duyarlı yapmak için bu direnç 1010 Ω seviyesinde veya daha
büyük seçilir.
Kişi hareket ettiğinde elektrik alanının şiddeti, E değişir. Bu alan Co giriş kapasitöründe elektrik
yükünün indüklenmesine neden olur ve öngerilimleme direncinin uçlarında değişken elektrik
geriliminin gözükmesiyle sonuçlanır. Alternatif gerilim kuplaj kapasitörü ile kazanç katına verilir
ve çıkışı bir pencere karşılaştırıcısına uygulanır. Karşılaştırıcı şekil 9.10b deki zamanlama
diyagramında görüldüğü gibi sinyali iki eşik değeri ile karşılaştırır. Pozitif eşik gerilimi statik
sinyalden daha büyük iken diğer eşik ise daha düşüktür. İnsanın hareketi süresince karşılaştırıcının
girişinde sinyal aşağı yukarı değişerek eşiklerden birini geçer. Karşılaştırıcının çıkış dalgaları kare
dalgadır ve uygun veri işleme aygıtlarında işlenir. Kapasitif hareket dedektörünün modülasyonlu
bir algılayıcı olmasının tersine triboelektrik dedektörü kendiliğinden üreten özelliktedir yani sinyal
üretmez veya yaymaz.
Şekil 9.9 Tek kutuplu triboelektrik hareket dedektörü
(a) Diferansiyel triboelektrik hareket dedektörü (b) zamanlama diyagramı

Şekil 9.10
Parazite neden olabilecek değişik kaynaklar vardır ve triboelektrik dedektörlerde yanlış

dedeksiyonlara neden olabilir. Yani dedektör etraftaki gürültülere maruz kalarak yanlış pozitif
dedeksiyon verebilir. Bu gürültü kaynakları 50-60 Hz’lik şebeke sinyalleri, radyo istasyonlarının
yaydığı elektromanyetik alanlar, güç elektrik aygıtları ve yıldırım, vb. dir. Bu parazitlerin çoğu
dedektör etrafında oldukça düzgün dağılmış elektrik alanı üretir ve bir simetrik giriş devresi ile
kompanze edilebilir. Şekil 9.10a yüksek ortak mod rejeksiyon oranlı fark giriş yükselticisini
göstermektedir. Giriş katının çok yüksek giriş empedanslı olması gerekir. JFET veya CMOS
devresi tercihli olarak kullanılabilir. Pozitif ve negatif girişlerin her ikisi dirençler ve
kapasitörlerden oluşan benzer devrelerle toprağa bağlanmıştır. Yükselticinin girişleri birbirlerinden
topraklanmış ekranlama ile ayrılmış iki elektroda bağlanmıştır. Her elektrot istenilen yöne
çevrilebilir. Eğer elektrotlar simetrik ise normal yönde maksimum duyarlılık taşırlar ve her iki
elektrot hareketli cismi eşit olarak gördüğü yönde en az duyarlılık verirler.
Elektrotun biçimi duyarlılık paterninin şekillenmesinde önemli bir faktördür. Hareket dedektörünün
ve elektrotlarının gizlenmesi veya güvenlik, estetik, vb. diğer nedenlerden dolayı kamuflajı
istenilebilir. Elektrik alanı tahta, plastik, beton, vb. gibi düşük dielektrik sabitli çoğu
malzemelerden geçerek yayılabildiğinden triboelektrik dedektör optik saydam olmayan cisimlerden
de görebilir yani algılayabilir. Bundan dolayı elektrotlar ve dedektör duvar, pencere veya kapı
çerçevesinin içine gizlenebilir veya kitap kapaklarının içine, metal olmayan dosya dolaplarına,
masa, vb. içine de yerleştirilebilir. Elektrotlara tel, iletken, bant şerit, küre, panel, vb. gibi değişik
şekiller verilebilir. Aynı zamanda vazolar, masa lambaları, resim çerçeveleri, oyuncaklar, kağıtların
üzerine konulan kağıt ağırlıklar, vb gibi farklı dekoratif şekiller alabilir. Cam, seramik veya plastik
cisimlerin yüzeylerindeki iletken ince şeffaf kaplamalar da elektrot görevini görebilir. Örnek olarak
şekil 9.11 yüzeyi elektrot olarak metalize edilmiş bir vazo ve tabanında gizlenmiş dedektör
devresini göstermektedir. Pratik olarak herhangi bir iletken ortam elektrot olarak kullanılabilir.
Örneğin akvaryumdaki su içine daldırılmış bir iletkenin triboelektrik dedektörüne bağlanmasıyla
bir elektrot gibi çalışabilir. Eğer simetrik devre kullanılırsa, şekil 9.10a’da görüldüğü gibi iki
elektrot alanının iyi bir parazit azaltma yapabilmesi için benzer olmaları gerekmektedir.
Şekil 9.11 Triboelektrik hareket dedektörünün

elektrodu bir vazonun yüzeyinde metalize patern
olarak kamuflaj yapılabilir
9.5 OPTO-ELEKTRONİK HAREKET DEDEKTÖRLERİ
Opto-elektronik hareket dedektörleri 0,4-20 μm arasındaki dalga boylarında elektromanyetik

ışınımın optik aralığında çalışırlar. Bu aralık görünür, yakın ve uzak kızılötesi spektral aralığı içine
alır. Dedektörler öncelikle insan ve hayvanların hareketinin algılanılması için kullanılır. Özel
ihtiyaca bağlı olarak birkaç yüz metre aralığında da çalışırlar ve dar veya geniş görüş açısına sahip
olabilirler. Hareketi algılanacak cisim yüzeyinden çevresindeki boşluğa elektromanyetik ışınım
yayar. Böyle bir ışınım harici ışık kaynağından çıkıp cisimden yansıyabilir veya cismin kendisi
tarafından üretilebilir.
Öncelikle mikrodalga veya ultrasonik aygıtlarının tersine optoelektronik dedektörlerin

sınırlamalarına dikkat etmek gerekir. Halihazırda optoelektronik dedektörler hemen hemen sadece
hareketin varlığını veya yokluğunu nicelik olarak değil nitelik olarak dedekte ederler. Başka bir
deyimle optoelektronik dedektörler bir cismin hareketli olup olmadığının dedeksiyonunda çok
kullanışlıdır. Hareketli cisimler arasında seçicilik yapamazlar ve hareketli cismin uzaklığının veya
hızının doğru bir şekilde ölçülmesinde kullanılamazlar. Optoelektronik hareket dedektörlerinin
büyük kullanılma alanları güvenlik sistemlerinde hırsızın dedeksiyonu, odanın ışıklarının açılıp
kapanmasında enerjinin kontrolü ve akıllı evlerde bulunan değişik aygıtların kontrolünde, klimalar,
soğutucu ve vantilatörler, stereo teypler, vb. dir. Robotlar, oyuncaklar ve özel ürünlerde
optoelektronik hareket dedektörlerinin en büyük avantajı basitliği ve ucuzluğudur.
9.5.1 ALGILAYICININ YAPISI
Optoelektronik dedektörün genel yapısı şekil 9.12a’da görülmektedir. Kullanılan algılama

elemanının türüne bakılmaksızın kullanılması gereken ana elemanlar; bir mercek veya odaklayıcı
gibi odaklama aygıtı, ışık dedeksiyon elemanı ve bir eşik komparatorudur. Optoelektronik hareket
dedektörü fotoğraf kamerasını andırır. Odaklayıcı bileşenler odaklama düzleminde görüş alanının
bir görüntüsünü meydana getirir. Kamerada olduğu gibi objektif kapağı yoktur ve film yerine ışığa
duyarlı eleman kullanılır. Işığa duyarlı eleman odaklanmış ışığı elektrik sinyaline dönüştürür.
Hareket dedektörünün bir odaya monte edildiğini varsayalım. Odaklayıcı mercek ışığa duyarlı
elemanın yerleştirildiği yerde odaklama düzleminde odanın bir görüntüsünü meydana getirir. Eğer
odada kimse yoksa görüntü statiktir ve elemanın çıkış sinyali kararlı durumdadır. Odaya bir hırsız
girip hareket ettiğinde odaklama düzlemindeki görüntüsü de hareket eder. Belli bir anda hırsızın
vücudu α açısı kadar yer değiştirir ve algılayıcı eleman ile görüntüsü örtüşür. Hırsızın vücudunun
elektromanyetik akısının görüntüsünün çevrenin statik görüntüsünden farklı olacağı varsayımı ile
ışığa duyarlı eleman V sapma gerilimi ile tepki verir. Başka bir ifade ile hareketli görüntünün çevre
ile belli derecede optik ayrıma (contrast) sahip olması gerekir.
Şekil 9.12b pencere karşılaştırıcısında iki eşik gerilimi ile karşılaştırılan çıkış gerilimini
göstermektedir. Karşılaştırıcının amacı V analog sinyalini sayısal bir seviyeye dönüştürmektir: ∅ -
hareket dedeksiyonu yok ve 1 - hareket dedeksiyonu var. Çoğu durumlarda elemandaki V sinyali
eşik karşılaştırılmasından önce yükseltilir ve uygun hale getirilir (conditioned). Pencere dedektörü
V geriliminin alabileceği pozitif ve negatif eşikler içerir. Hareketli cismin görüntüsü ile ışığa
duyarlı eleman örtüştüğü zaman V gerilimi kararlı durumundan sapar ve iki eşikten birini geçer.
Karşılaştırıcı görüş alanında hareketin dedeksiyonunu gösteren pozitif bir gerilim üretir. Bu
devrenin çalışması daha önceki konularda canlı dedektörlerindeki eşik devreleri ile benzerlik
göstermektedir.
(a)
(b)
Şekil 9.12 Optoelektronik hareket dedektörünün genel bir düzenlemesi. (a) Mercek hareketli cismin
(hırsız) görüntüsünü biçimlendirir. Görüntü algılayıcının optik eksenini geçerken duyarlı elemanla
örtüşür. (b) Algılayıcının tepki olarak verdiği sinyal yükseltilir ve pencere karşılaştırıcısında iki
eşik değeri ile karşılaştırılır.
Şekil 9.12’den de görülebileceği gibi dedektör çok dar bir görüş alanı vardır. Eğer hırsız sürekli
hareket halinde ise görüntüsü pencere karşılaştırıcısının kararlı ∅ çıkışından sonra algılayıcı ile
sadece bir kere örtüşecektir. Bu algılama elemanının çok küçük alanının sonucudur. Bazı
durumlarda dar görüş alanı zorunlu olmakla beraber çoğu durumlarda daha geniş görüş alanı
istenir. Bu değişik metotlarla sağlanabilir.
9.5.1.1 ÇOKLU ALGILAYICILAR
Bir algılayıcı dizisi odaklayıcı ayna ve merceklerin odaklama düzlemine yerleştirilebilir. Dizideki
bütün algılayıcıların kombine dedeksiyon sinyali üretilmesi için çoğullanması veya kendi
aralarında bağlanmaları gerekir.
9.5.1.2 KOMPLEKS ALGILAYICI BİÇİMİ
Eğer algılayıcının alanı görüş alanının tamamını kaplamaya yetiyorsa küçük elemanlara bölünerek
çoklu algılayıcının eşdeğeri yapılabilir. Algılayıcı alanını parçalara ayırmak için algılama
elemanının aldığı patern şekil 9.13a ve b’de görüldüğü gibidir. Böyle algılayıcılar gerçekte şekil
9.13a da görüldüğü gibi serpantin paterninde seri veya şekil 9.13b da görüldüğü gibi ızgara
şeklinde paralel bağlanır.
(a) kompleks algılayıcı elemanın biçimi (seri tip)
(a) kompleks algılayıcı elemanın biçimi (paralel tip) (c) görüntü distorsiyon maskesi
Şekil 9.13
Paralel veya seri bağlı algılayıcılar kombine çıkış sinyali üretirler; örneğin V gerilimi gibi. Cismin
görüntüsü algılayıcının yüzeyi boyunca duyarlı ve duyarlı olmayan alanları geçer. Sonuçta
algılayıcının terminallerinde değişken bir v sinyali meydana gelir. Elemanın duyarlı ve duyarlı
olmayan her alanının cismin görüntüsünün büyük bir kısmı ile örtüşmesi gerekir.
9.5.1.3 GÖRÜNTÜ BOZULMASI
Algılayıcıyı kompleks yapmak yerine görüş alanının tamamı parçalara bölünebilir. Bu algılayıcının
önüne şekil 9.13c’de görüldüğü gibi yeterli alana sahip bir distorsiyon maskesi yerleştirilerek
yapılabilir. Maske saydam değildir ve algılayıcının yüzeyine gelen görüntü maskenin açık
kısımlarından geçer. Maske işlemi bundan önceki kompleks algılayıcı işlemine benzemektedir.
9.5.1.4 FACET ODAKLAMA ELEMANI
Odaklayıcı ayna veya mercekler facet olarak adlandırılan bir dizi daha küçük ayna veya merceklere
bölünerek çok yüzeyli yapılabilir. Her facet şekil 9.14a’da görüldüğü gibi kendi görüntüsünü
meydana getirerek çoklu görüntü oluşturur. Cisim hareket ettiğinde algılayıcıdaki görüntü de
hareket eder ve değişken bir sinyal meydana gelir. Çoklu facetlerin birleştirilmesi ile görüş
alanında istenilen herhangi bir dedeksiyon paterni oluşturulabilir. Facet merceklerinin
yerleştirilmesi odaklama uzaklıkları, facet sayısı ve adımı (birbirine bitişik iki merceğin optik
eksenleri arasındaki uzaklık) geometrik optik kurallar uygulanarak her durum için hesaplanabilir.
Ld
f = (9.5.1)
Δ
p = 2nd (9.5.2)
(9.5.1) ve (9.5.2) pratik formülleri facet’in odak uzunluğunun ve adımının bulunması için
uygulanabilir. Burada, L cismin uzaklığı, d algılama elemanının genişliği, n algılama elemanı sayısı
(eşit olarak dağıtılmış), Δ dedeksiyona neden olabilecek cismin minimum yer değişimidir.
(a) Facet mercekler algılama elemanına yakın (b) kompleks facet dedektörler ile meydana
çoklu görüntüler meydana getirir getirilen duyarlı bölgeler
Şekil 9.14
Örneğin algılayıcıda d=1 mm genişliğinde ve 1 mm aralıkla yerleştirilmiş iki algılama elemanı

varsa ve L = 10 m uzaklıktan Δ = 25 cm’lik cismin minimum yer değişiminin algılanması için
facetin odak uzunluğu f = 1000 cm × 0,1 cm / 25 cm = 4 cm ve facetlerin p = 8 mm adım aralığı ile
yerleştirilmesi gerekir.
Facetlerin birleştirilmesi ile şekil 9.14b’de görüldüğü gibi her facetin duyarlı bir bölge oluşturduğu
geniş görüş açılı bir mercek tasarımlanabilir. Her bölge aynı algılama alanına cismin bir
görüntüsünü yansıtır. Cisim hareket ettiğinde bölge sınırlarını geçerek algılayıcının çıkışında bir
modülasyon meydana gelir.
Yukarıda anlatılan hareket dedeksiyon metotları özellikle görünür ve uzak kızılötesini içine alacak
şekilde geniş spektral aralıkta genelleştirilebilir. Uzak kızılötesi hareket dedektörleri pasif veya
aktif tip olabilir. Aşağıda dedektörlerin üç tipi incelenecektir.
9.5.2 GÖRÜNÜR VE YAKIN KIZIL ÖTESİ HAREKET DEDEKTÖRLERİ
Cisimlerin çoğu sadece uzak kızılötesi spektral aralığında elektromanyetik dalga yayarlar. Bu
nedenle görünür ve yakın kızılötesi ışık hareket dedektörleri odaklayıcı mercek veya aynadan
geçerek cisimden yansıyan ışıkla çalışırlar. Sonuç olarak dedektörün çalışması için harici bir ışık
kaynağı zorunludur. Böyle bir aydınlatma güneş ışığı veya ek bir yakın kızılötesi ışık kaynağından
(projektör) görünmez kızılötesi ışık olabilir. Hareketli cisimlerin dedeksiyonunda görünür ışığın
kullanımı, araştırmacıların uçağın dedeksiyonu için değişik yollar ararken radar alanındaki ilk
çalışmaların yapıldığı 1932 yıllarına dayanır. Bir araştırmada uçak dedektörü odaklama merceğinin
gökyüzüne yönlendirildiği fotografik kamera biçiminde yapılmıştı. Hareketli uçağın görüntüsü
gökyüzünün görüntüsündeki kontrast değişimine tepki veren selenyum fotodiyot üzerine
odaklanmıştı. Doğal olarak böyle bir dedektör bulutların altında sadece gün ışığında uçan uçakları
dedekte edebiliyordu. Açıkça bu dedektörler çok pratik değildi. Görünür ışıkla hareket
dedeksiyonunun başka bir versiyonu bir odadaki ışıkların kontrolü ve interaktif oyuncaklar gibi
daha az kritik uygulamalarda kullanılmaktadır.
Kullanılmayan bir odadaki ışıkları kapatmak için bir hareket anahtarı zamanlayıcı ve güç katı-hal
rölesinden oluşmaktadır. Oda aydınlandığı zaman dedektör aktif hale gelir. Görünür ışık oldukça
yüksek bir enerji taşır ve foto-voltaik ve foto iletken dedektör ile dedekte edilebilir. Böylece optik
sistem oldukça basitleştirilebilir. Hareket anahtarında odaklayıcı kısım şekil 9.15b’de görüldüğü
gibi iğne başı merceklerden yapılmıştır. Mercek saydam olmayan tabaka üzerindeki küçük bir
deliktir. Işık dalgasının kırılmasını engellemek için delik çapının dedekte edilecek en büyük dalga
boyundan daha büyük yapılması gerekir. Pratik olarak hareket anahtarının şekil 9.15c’de görüldüğü
gibi her biri 0,2 mm delik çapında üç facet mercek deliği vardır. Böylece bir mercek teorik olarak
sonsuz derinlikte bir odaklama aralığına sahip olduğundan foto-dedektör herhangi bir uzaklığa
yerleştirilebilir. Bu uzaklık cismin maksimum yer değişimi ve kullanılan foto direnç için
hesaplanmıştır. Şekil 9.15a’da görüldüğü gibi foto direnç serpantin biçimli seçilmiş ve sadece
değişkenin bileşenine tepki verebilen devreye bağlanmıştır. Oda aydınlatıldığında algılayıcı
minyatür fotografik kamera gibi çalışır. Görüş alanının görüntüsü foto direncin yüzeyinde
biçimlenir. Odadaki hareketli insanlar foto direnç üzerindeki kontrastın değişimi şeklinde
görüntünün değişimine neden olurlar. Akabinde direnç değeri değişerek elektrik akımında
modülasyona neden olur. Bu sinyal yükseltilir ve önceden belirlenmiş eşik değerleri ile
karşılaştırılır. Eşik değerinin aşılması ile karşılaştırıcı elektrik palsleri üretir ve 15 dakikalık
zamanlayıcıyı yeniden başlatılır. En son hareketten sonra 15 dakika içinde herhangi bir hareket
dedekte edilmezse zamanlayıcı odanın ışıklarını kapatır. Sonra manuel olarak yeniden açılması
gerekir çünkü hareket dedektörü karanlıkta çalışmaz.
(a) Foto-direncin duyarlı yüzeyi (b) Düz ayna ve iğne başı mercekler
kompleks algılama elemanını foto-direncin yüzeyinde görüntü (c) iğne başı mercekler
biçimlendirir meydana getirir
Şekil 9.15 Işık anahtarı ve oyuncak için basit optik hareket dedektörü
9.5.3 UZAK KIZIL ÖTESİ HAREKET DEDEKTÖRLERİ
Hareket dedektörünün diğer bir versiyonu ısıl ışınımın optik veya diğer adıyla uzak kızılötesi
aralığında çalışır. Böyle dedektörler algılama elemanı ile hareketli cisim arasında yayılan ısı
değişimine tepki verirler. Burada konu hareket halindeki insanların algılanması olsa da aynı
teknikle ılık veya soğuk cisimlerin algılanılması yapılabilir.
Isıl hareket dedeksiyonunun prensibi sıcaklığı mutlak sıfırdan (-273 °C) yüksek herhangi bir
cisimden elektromanyetik ışınım yayılmasının temel fiziksel teorisine dayanır. Bu teorinin temeli 4.
ve 5. Bölümlerde açıklanmıştır.
Hareketin dedeksiyonunda ısıl kontrastın mevcut olabilmesi için cismin yüzey sıcaklığının
çevredeki cisimlerin sıcaklığından büyük olması gerekir. Bütün cisimler yüzeylerinden ısıl ışınım
yayarlar ve ışınımın şiddeti Stefan-Boltzman kuralı ile belirlenir. Eğer cisim çevresinden daha
ılıksa ısıl ışınımı daha kısa dalga boylarına kayar ve şiddeti daha kuvvetli olur. Hareketi dedekte
edilecek cisimlerin çoğu metal değildir ve bundan dolayı yaydıkları ısıl enerji bir yarı küre içinde
oldukça düzgündür. Daha da ötesi dielektrik cisimlerin ısıl ışınımı daha büyüktür. İnsan derisi %
90’lık yayıcılık ile en iyi ısıl yayıcılardan biridir ve çoğu kumaşların yayıcılığı da 0,74-0,95
arasında yüksektir. Aşağıda hareket dedektörünün uzak kızılötesi iki tipi olan pasif kızılötesi (PIR)
algılayıcı ve aktif uzak kızılötesi (AFIR) algılayıcı elemanları tanıtılacaktır. Bu algılayıcılar için
modülasyonlu yerine aktif ve kendiliğinden üreten yerine pasif kelimeleri kullanılmıştır çünkü bu
algılayıcılarda aktif ve pasif kelimeleri isimlerinin bir parçası haline gelmiştir.
9.5.3.1 PIR HAREKET DEDEKTÖRLERİ
Bu dedektörler güvenlik ve enerji kontrolü amacıyla çok popüler olmuştur. PIR algılama elemanı
insanların yaydığı ısıl gücün çoğunun yoğunlaştığı 4-20 μm spektral aralığındaki uzak kızılötesi
ışınıma tepki vermektedir. Bu dedektörler için algılama elemanının üç tipi vardır: termistörler,
termopiller ve piro-elektrik eleman. Piro-elektrik eleman özellikle hareketin dedeksiyonu için
kullanılır; fiyatı düşük, tepkisi yüksek ve dinamik aralığı geniştir.
Piro-elektrik malzeme üzerinden geçen ısıl enerji akışına tepki olarak elektrik yükü meydana
getirir. Bu basitleştirilmiş yolla şekil 9.16’da görüldüğü gibi ısıl genleşmenin ikincil etkisi olarak
tanımlanabilir. Bütün piro-elektrikler aynı zamanda piezo-elektrik olduğundan emilen ısı algılama
elemanının ön tarafının genleşmesine neden olur. Sonuçtaki gerginlik elemanın elektrotları
arasında piezo-elektrik yükün gelişmesine öncülük eder. Bu yük malzemenin diğer kısmındaki
elektrotlardan gerilim olarak açığa çıkar. Maalesef elemanın piezo-elektriksel özellikleri negatif
etkiye de sahiptir. Eğer algılayıcı harici kuvvetle küçük bir mekanik gerginliğe maruz kalırsa
kızılötesi ısı dalgalarının neden olduğu yükten ayırt edilemeyecek şekilde yük üretir.
(a) Başlangıçta, elemanın sıcaklığı

düzgündür.
(b) eleman ısıl ışınıma maruz kaldığında ön

tarafı genleşerek gerginlik sonucu yük
indüklenmesine neden olur.
(a) (b)
Şekil 9.16 Piezo-elektrik etkinin ikincil etkisi olarak piro-elektrik etkinin basitleştirilmiş modeli
Piezoelektrik olarak indüklenen yükten ısıl yükü ayırmak için piroelektrik algılayıcısı simetrik
olarak yapılır (şekil 9.17a) yani benzer iki eleman algılayıcının kutucuğuna yerleştirilir. Elektronik
devreye bağlantıları faz sinyali üretmeyecek şekilde yapılır. Simetrik algılayıcı yapmanın bir yolu
piroelektrik elemanın her iki yanına iki çift elektrot yerleştirmektir. Her elektrot çifti ısı veya
mekanik gerginlik ile yüklenebilen kapasitör biçimindedir. Algılayıcının üst tarafındaki elektrotlar
sürekli elektrot şeklinde birbirine bağlanırken aşağıdaki iki elektrot ayrılarak seri bağlı ters
kapasitörler meydana getirilir. Elektrotların yerleştirildiği tarafa bağlı olarak çıkış sinyali ısıl giriş
akısına göre pozitif veya negatif olabilir. Eğer algılayıcıda iki çift elektrottan daha fazlası gerekirse
çift sayılı yapılmalıdır; böylece çiftlerin pozisyonu daha iyi geometrik simetri meydana getirebilir.
Bazen böyle alternatif bağlantı interdijitize elektrot olarak adlandırılır.
(a) (b)
Şekil 9.17 Çiftli piro-elektrik algılayıcı; (a) Ön (üst) elektrot ve ortak kristal yapı üzerine
biriktirilmiş iki alt elektrot ile algılayıcı eleman, (b) hareketli ısıl görüntü algılayıcının sol
tarafından sağ tarafına hareket ederek öngerilimleme direncinde, R alternatif gerilim üretir.
Simetrik algılama elemanı aynı harici faktörlere maruz kaldığı zaman algılayıcının her iki kısmının
aynı sinyali üretecek şekilde monte edilmesi gerekir. Herhangi bir anda optik elemanın cismin ısıl
görüntüsünü çift elektrot ile işgal edilen algılayıcının sadece bir kısmının yüzeyi üzerine
odaklaması gerekir. Eleman sadece ısıl akıya maruz kalan elektrot çiftinde yük üretir. Isıl görüntü
bir elektrottan diğer elektroda kaydığı zaman algılayıcı elemandan polarlama direncine, R akan i
akımı sıfırdan pozitife, daha sonra sıfıra, negatife ve tekrar sıfıra değişir (şekil 9.17a ve b). Burada
JFET transistörü, Q empedans dönüştürücüsü olarak kullanılabilir. R direncinin değerinin çok
yüksek olması gerekir. Örneğin hareketli kişiye tepki olarak eleman tarafından üretilen tipik
alternatif akım 1 pA (10-12 A) seviyesindedir. Eğer belirli bir uzaklık için istenilen çıkış gerilimi v =
50 mV ise ohm kanununa göre R direncinin değeri R = v / i = 50 GΩ (5×1010 Ω) dur. Böyle bir
direnç elektronik devreye doğrudan bağlanamaz; bundan dolayı Q transistörü gerilim izleyici
olarak çalışır (kazancı birime yakın). Tipik çıkış empedansı birkaç kilo ohm seviyesindedir.
Tablo 4.6 algılama elemanının yapımında kullanılabilen ve piro-elektrik etkiye sahip bazı kristal
malzemeleri göstermektedir. Tablodaki PVDF çoğu katı hal kristalleri kadar duyarlı olmasa da
esnek ve ucuz olma avantajına sahiptir. Bunların yanında istenilen ebatta üretilebilir, bükülebilir
veya istenilen şekilde katlanabilir.
Kızılötesi hareket dedektöründe algılama elemanından başka odaklayıcı bir elemanın da bulunması
gerekir. Bazı dedektörler parabolik aynalı yapılırken, fresnel plastik mercekler pahalı
olmadığından, istenilen şekilde bükülebildiğinden ve odaklama işlemine ek olarak dedektörü

dışarıdaki nem ve kirleticilerden koruduğundan daha popüler olmaktadır.
Plastik fresnel mercek ve PVDF filminin beraber nasıl çalıştığını görmek için şekil 9.18a’da
görülen hareket dedektörünün şekline bakalım. Hareket dedektöründe polietilen çok facet’li eğimli
mercek ve eğimli PVDF film algılayıcı vardır. Algılayıcının tasarımı yukarıda tanımlanan iki
metodu birleştirmektedir: facet mercek ve kompleks elektrot biçimi. Mercek ve film f odak
uzaklığının yarıçapında aynı eğimli olduğundan film daima ilgili facet merceklerinin odak
düzleminde bulunmaktadır. Film elektronik modüle yerleştirilmiş diferansiyel yükselticinin pozitif
ve negatif girişlerine bağlanmış bir çift büyük interdijitize elektroda sahiptir. Yükseltici parazitleri
değil sadece ısıl etki sonucu meydana gelen gerilimi yükseltir. Filmin merceğe bakan yan yüzeyi
uzak kızılötesi aralıktaki emilmeyi artırmak için organik kaplama ile kaplanmıştır. Bu tasarımın
sonucu hassas çözünürlük (uzak mesafedeki küçük yer değişiminin dedeksiyonu) ve dedektör
hacminin küçük olmasıdır (şekil 9.18b). Küçük dedektörler özellikle küçük boyutlu aygıtlar için
çok kullanışlıdır. Örnek olarak duvardaki ışık anahtarının içine yerleştirilmiş dedektör verilebilir.
(a) algılayıcının iç yapısı (b) algılayıcının dış görünüşü
Şekil 9.18 Eğimli fresnel mercek ve bir piroelektrik film ile uzak kızılötesi hareket dedektörü
Eğimli facet merceklerle 360°’lik görüş elde edilmesi diğer bir örnek olarak şekil 9.19’da
görülmektedir. Algılayıcı üst kısımlarından kesilmiş ve alt taraflarından birleştirilmiş ve iki kesik
koni biçimine sahiptir. Üst yarı konik biçim interdijitize elektrotlar ile eğimli PVDF tabaka veya
çoklu katı-hal piroelektrik elemanlı algılama elemanına sahiptir. Algılayıcının alt yarısında facet
fresnel mercekleri bulunmaktadır; algılama elemanlarının yerleştirildiği üst kesik koninin ilgili
kısmı bir hırsızın ısıl görüntüsünü odaklamaktadır. Böyle bir algılayıcı bir direğin üzerine veya
tavana dairesel alan koruması amacıyla yerleştirilebilir.
9.5.3.2 PIR ALGILAYICI VERİM ANALİZİ
Kullanılan optik eleman dikkate alınmadan bütün modern PIR dedektörleri aynı fiziksel etki yani
piroelektrik etki ile çalışırlar. Böyle bir algılayıcının performansını analiz etmek için öncelikle
algılayıcı eleman tarafından elektrik yüküne dönüştürülen kızılötesi güç’ün (ısıl akı) hesaplanması
gerekir. Optik aygıt ısıl ışınımı algılayıcının yüzeyinde minyatür bir ısıl görüntü olarak odaklar. Bu
görüntünün enerjisi algılayıcı eleman tarafından emilir ve ısıya dönüştürülür. Bu ısı daha sonra
piroelektrik kristal eleman ile çok küçük elektrik akımına dönüştürülür.
Algılayıcının yüzeyindeki güç seviyesini tahmin etmek için bazı varsayımlar yapılabilir. Şekil
9.20’de görüldüğü gibi hareketli cisim olarak etkili yüzey alanı b olan bir kişi bu yüzeyi boyunca
sıcaklığı (Tb) düzgün olarak dağılmış ve K ile ifade edildiğini varsayalım. Cismin difüzyonlu yayıcı
(A=2πL2 alanlı yarı küre içinde düzenli olarak yayılan) olduğunu varsayalım. Aynı zamanda
odaklayıcı aygıt her uzaklıktaki cismin keskin (net) bir görüntüsünü meydana getiriyor. Bu
hesaplama için a yüzeyli bir mercek seçiliyor. Algılayıcının K’daki sıcaklığı çevre sıcaklığı ile aynı
ve Ta’dır.
(a) algılama alanı ve iç görünüş (b) tavana monte edilmiş dedektör
Şekil 9.19 360° lik uzak kızılötesi hareket dedektörü
Şekil 9.20 PIR hareket

dedektörünün algılama elemanında
ısıl görüntünün biçimlenmesi
Cisimden çevresine yayılan toplam kızılötesi (ısıl akı) güç Stefan Boltzmann kuralı ile
belirlenebilir:
Φ = bε aε bσ (Tb4 − Ta4 ) (9.5.3)
Burada, σ Stefan Boltzmann sabiti, εb ve εa sırasıyla cismin ve çevrenin yayıcılığıdır. Eğer cisim
çevreden daha ılıksa ki normalde böyledir; bu net kızılötesi güç açık uzaya doğru yayılır. Cisim
difüzyonlu yayıcı olduğundan aynı akının eşit uzaklıktaki yüzeyden algılanabileceği düşünülebilir.
Başka bir deyimle kızılötesi gücün şiddeti L yarıçapındaki kürenin yüzeyinde düzgün olarak
dağılmaktadır.
Çevre ve cismin yüzeyi ideal yayıcı ve emici (εb=εa=1) varsayılıyor ve algılama elemanının
yayıcılığı ise εs ’dir; L uzaklığındaki net ışınımın güç yoğunluğu aşağıdaki gibi çıkartılabilir.
b
φ= ε σ (Tb4 − Ta4 ) (9.5.4)
2π L2 S
Merceğin verimi (iletim katsayısı), γ mercek malzemesinin özelliğine ve tasarımına bağlı olarak 0-
1 arasında değişebilir. Bazı küçük doğrusal olmayan etkiler ihmal edildikten sonra eleman
tarafından emilen güç
2σε S
Φ S = aγφ = aγbTa3 (Tb − Ta ) (9.5.5)
πL2
olarak ifade edilebilir. Bu eşitlikten görülebileceği gibi algılama elemanının yüzeyine mercek ile
odaklanan kızılötesi akı cisimle aradaki uzaklığın karesi ile ters orantılı ve mercek ve cismin
alanları ile doğru orantılıdır. Çok facetli mercek durumunda a mercek alanının toplam mercek alanı
olmayıp sadece bir facetin alanı ile ilişkili olduğuna dikkat etmek gerekir.
Eğer cisim algılayıcıdan daha ılıksa Φs akısı pozitiftir. Cisim daha soğuk ise akı yönünü
değiştirerek negatif olur yani ısı algılayıcıdan cisme gider. Gerçekte bu durum bir kişinin soğuk
ortamdan ılık ortama girmesiyle gerçekleşir. Elbisenin yüzeyi algılayıcıdan daha soğuk olacak ve
akı negatif olacaktır. Bundan sonraki tartışmalarda cismin algılayıcıdan daha ılık ve akının pozitif
olduğu dikkate alınacaktır.
Verilen durum için maksimum çalışma uzaklığı dedektörün gürültü seviyesi ile belirlenebilir.
Güvenilir bir ayırım için en kötü durumdaki gürültü gücünün sinyalin gücünden 3-5 defa daha
küçük olması gerekir.
Piro-elektrik algılayıcı ısıl enerjiyi elektrik yüküne dönüştürür. Enerji akısı ısıl algılama elemanı
boyunca bir sıcaklık değişiminin varlığını zorunlu kılar. Dedektörde h kalınlığındaki elemanın ön
tarafı merceğe açık ve diğer tarafı dedektörün yerleştiği kutuya bakmakta olup buradaki sıcaklık
çevre sıcaklığıdır, Ta. Algılayıcı elemanının ön tarafı εs yayıcılığını olabilecek en yüksek seviyede
veya birime yakın tutmak için ısı emici kaplama ile kaplanmıştır. Isıl akı, Φs elemanın ön
tarafından emildiği zaman sıcaklık yükselir ve ısı algılayıcının arka tarafına doğru yayılmaya
başlar. Piroelektrik özelliğinden dolayı ısı akışına tepki olarak elemanın yüzeyinde elektrik yükü
oluşmaya başlar.
Kızılötesi ışınımın algılayıcıya girmesi sonucu algılayıcı elemanın sıcaklığı emilen ısıl güç, Φs ve
elemanın ısıl kapasitesi, C ile artar (veya azalır):
dT Φ s
≈ (9.5.6)
dt C
Burada, t zamandır. Bu eşitlik algılayıcının ısıl akıya maruz kaldığı çok kısa bir zaman süresince
geçerlidir ve sinyalin büyüklüğünün bulunmasında kullanılabilir.
Algılayıcının ürettiği elektrik akımı temel formülden bulunabilir:

dQ
i= (9.5.7)
dt
Burada, Q piroelektrik algılayıcının meydana getirdiği elektrik yüküdür. Bu yük algılayıcının

piroelektrik katsayısı, P, algılayıcının alanı, s ve sıcaklık değişimi, dT’ye bağlıdır:
dQ = PsdT (9.5.8)
Isıl kapasite, C, öz ısı, c, alan, s ve piroelektrik elemanın kalınlığı, h den çıkartılabilir.
C = csh (9.5.9)
Eşitliklerin birleştirilmesi ile (9.5.6, 9.5.8, 9.5.9 formüllerinin 9.5.7 de yerine konularak) herhangi
bir andaki ısıl akıya tepki olarak algılayıcının ürettiği tepe akım değeri hesaplanabilir.
PsdT PsΦs P
i= = = Φs (9.5.10)
dt csh hc
Akım ile hareketli cisim arasında ilişki kurmak için 9.5.5 eşitliğindeki akı 9.5.10’da yerine
konulduğunda
2 Pσ a γ ΔT
i= bTa3 2 (9.5.11)
πhc L
elde edilir; burada ΔT = (Tb − Ta ) dir.
Bu eşitlikten bazı sonuçlar çıkarılabilir. Formülün ilk kısmı dedektörü karakterize ederken diğerleri
cisimle ilişkilidir. Piroelektrik akım, i cisim ve çevresi arasındaki sıcaklık farkı (ısıl kontrast) ile
doğru orantılıdır. Aynı zamanda cismin dedektöre bakan yüzeyi ile de orantılıdır. Çevre
sıcaklığının, Ta katkısı görüldüğü gibi 3. kuvveti kadar etkili değildir. Çevre sıcaklığı Kelvin
cinsinden girilir ve bundan dolayı skalaya göre değişimleri oldukça düşüktür. Algılayıcı elemanın
inceliği dedektörün duyarlılığını artırır. Mercek alanı da sinyalin büyüklüğünü doğrudan
etkilemektedir. Diğer taraftan merceğin görüntünün tamamını algılama elemanına odaklaması
şartıyla piroelektrik akım algılayıcının alanına bağlı değildir.
Bir sayısal örnek konunun daha iyi anlaşılmasını sağlayabilir. Polarlama direncinin uçlarındaki
gerilimi hesaplayalım. Bu gerilim hareketlerin göstergesi olarak kullanılabilir. Seçilen piro-elektrik
PVDF film algılayıcının özellikleri: P=25 μC/Km2, c=2,4.106 j/m3K, h=25 μM, mercek alanı a=1
cm2, γ=0,6 ve polarlama direnci R=109 Ω (1GΩ) varsayılıyor. Cismin yüzey sıcaklığı 27 °C, yüzey
alanı 0,1 m2 ve çevre sıcaklığı Ta=20 °C ’dir. 9.5.11 eşitliğinden hesaplanan çıkış gerilimi cisim ile
dedektör arası uzaklığın, L bir fonksiyonu olarak şekil 9.21’de görülmektedir.
Çıkış gerilimi, mV
Teorik
Şekil 9.21 PIR dedektöründe

çıkış sinyallerinin hesaplanan ve
deneysel genlikleri
Deneysel
Uzaklık, m
Şekil 9.21’deki grafik optik sistemin bütün uzaklıklarda keskin (net) görüntü verdiği ve görüntünün
algılama elemanının alanından büyük olmadığı varsayılmıştır. Pratikte bu, özellikle kısa
uzaklıklarda görüntünün odak dışı olduğu ve simetrik algılayıcıda elemanın her iki kısmında
dengeli bir şekilde örtüştüğü durumlarda daima doğru değildir. Kısa uzaklıklarda sinyal genliğinin
azalması kaçınılmaz olur ve gerilim grafikteki eğride hesaplandığı gibi büyük çıkmaz.
Karşılaştırma için piroelektrik algılayıcı yerine termopil algılayıcı kullanıldığında çıkış geriliminin
değeri hesaplanabilir. Tipik termopilin tepkisi 20 V/W seviyesindedir. 5 m’lik uzaklık için
kızılötesi akı termopilde 10 μV’luk sinyal gerilimi verir ki bu R polarlama direncinde piroelektrik
algılayıcı ile üretilen gerilimin sinyalinden 100 kere daha küçük değerdedir. Küçük seviyeli bir
sinyal için düşük seviyeli bir yükselticinin kullanılması gerekir. Termopillerin fiyatının yüksek
olması nedeniyle hareket dedektörlerinde kullanılması pratik olmaktan uzaklaşır.
9.5.3.3 AFIR HAREKET DEDEKTÖRLERİ
Ilık cisimlerdeki ısıl ışınımı emen pasif hareket dedektörünün tersine AFIR (aktif uzak kızılötesi)
hareket dedektörü çevresine doğru ısı dalgası yayar. Algılayıcının yüzey sıcaklığı (Ts) çevre
sıcaklığının biraz üzerinde tutulur. Eleman PIR dedektöründe olduğu gibi odaklayıcı sistemle
birleştirilmiştir. Bununla beraber bu sistemin fonksiyonu pasif dedektörlerin tersinedir. AFIR’deki
odaklayıcı kısım ılık algılama elemanının ısıl görüntüsünü çevreye yansıtır. Elektronik devre
elemana ısıya dönüştürülen elektrik gücü sağlar. Bu gücün bir kısmı elemanın yüzeyinden
kızılötesi ışınım şeklinde çıkar. Net ışınımın büyüklüğü ışınımı emen çevredeki cisimlerin bir
fonksiyonudur. Dedektörün görüş alanına, çevre sıcaklığından farklı bir cisim hareket ettiğinde
algılayıcı ve çevre arasındaki ısı alışverişi değişir. Böyle değişen durumlar altında algılayıcının
sıcaklığını önceden belirlenmiş seviyede tutmak için elektronik devrenin algılama elemanına
verilen gücü yeniden ayarlaması gerekir. Bu yeniden ayarlama değişken bir kontrol sinyali
meydana getirir ve bu sinyal görüş alanı içindeki cismin hareketinin bir göstergesi olarak
kullanılabilir. AFIR algılayıcılarının PIR dedektörlerine göre çoğu parazitlere (RFI ve mikrofonik)
karşı bağışıklık gibi bariz üstünlükleri vardır.
9.5.3.4 AFIR ALGILAYICI DUYARLILIK ANALİZİ
Analizi yapılacak hareket dedektörünün üç temel parçası bulunmaktadır: fresnel mercek, AFIR
algılama elemanı ve eşik dedektörü. Çiftli AFIR algılayıcının sadece bir elemanının analizi
yapılacaktır. Algılayıcının yüzeyi ısıtıcı elemandan geçen elektrik akımı ile ısıtılmaktadır.
Kızılötesi akı biçiminde verilen enerjinin bir kısmı yüzeyden çıkıyor ve mercek ile çevreye
yayılıyor (şekil 9.22). Dedektörden çıkan ışınımın tamamı hareketli hedefe (cisim) ve çevreye
yayılmamaktadır. Bir kısmı dedektörün iç yapılarında emilir. Eğer mercek çok facetli ise her facet
dedekte edilecek hareketin bulunduğu çevre boşluğundaki belirli alandaki ısıl akıyı odaklayan ayrı
veya bağımsız mercek olarak düşünülür. Mercek algılama yüzeyinin görüntüsünü beyaz ekranda
görüntü meydana getiren film projektörü gibi çevredeki cisimler üzerinde meydana getirir.
Merceğin verimi algılayıcıdan f uzaklığında varsayılan yarıkürenin A alanına facet yüzey alanı,
a’nın oranı ile tanımlanır:
a a
n =γ =γ (9.5.12)
A 2πf 2
Burada, γ merceğin malzemesi, kalınlığı ve yüzey yansıtıcılığına bağlı mercek iletim katsayısıdır.
Polietilen fresnel merceğin tipik γ değeri 0,6 civarındadır.
Mercek ortalama sıcaklığı, Ta çevre sıcaklığına eşit olan boşluğa ısıl ışınım yayar. Bu boşluğun
içinde aynı zamanda boşluğun bir kısmını dolduran a alanlı ve Tb sıcaklığında hedef
bulunmaktadır. Algılayıcının görüntüsü L uzaklığında oluşmakta ve doğrusal boyutu odak

uzunluğu, f ile ters orantılıdır. Algılayıcının görüntüsünün alanı s'
L2
s' = s (9.5.13)
f2
fonksiyonu ile tanımlanabilir.
Şekil 9.22 AFIR

algılama elemanı ile
üretilen ısı hareketli
cisim tarafından işgal
edilen çevreye yayılır
Aynı şekilde hedefe kızılötesi ışınım yayan algılayıcının kısmi alanı, b' aşağıdaki gibidir.
f2
b' = b (9.5.14)
L2
Dedektörün yaydığı toplam ısıl akı (merceğin bir yüzeyi ile) iki kısımdan oluşur: hareketli hedefe
doğru yayılan Φ2 ve duran cisimlere doğru yayılan Φ1
Φ = Φ1 + Φ 2 (9.5.15)
Hareket dedektörü hassas bir ölçme aygıtı değildir. Bundan dolayı Stefan-Boltzmann kuralındaki
doğrusal olmayan küçük bir kısım ihmal edilebilir. Böylece algılayıcıdan çevreye yayılan kızılötesi
akı
⎛ bf 2 ⎞
Φ1 = 4σ nTS3 (Ts − Tb )⎜⎜ s − 2 ⎟⎟ (9.5.16)
⎝ L ⎠
olur. Bu eşitlikte son parantezdeki değer sadece hareketli hedefe yayılan ışınımın bir kısmı ile
azaltılan algılayıcı alanını yansıtmaktadır. Benzer şekilde hareketli hedefe yayılan akı
⎛ bf 2 ⎞
Φ 2 = 4σ nTS3 (Ts − Tb )⎜⎜ 2 ⎟⎟ (9.5.17)
⎝ L ⎠
dir. (9.5.16) ve (9.5.17) eşitliklerinin (9.5.15) de yerine konularak sadeleştirmeler yapıldıktan sonra
⎡ ⎛ bf 2 ⎞ ⎛ bf 2 ⎞⎤
Φ = 4σ nTS3 ⎢ sTs − Ta ⎜⎜ s − 2 ⎟⎟ − Tb ⎜⎜ 2 ⎟⎟⎥ (9.5.18)
⎣⎢ ⎝ L ⎠ ⎝ L ⎠⎦⎥
elde edilir. Bu eşitlik AFIR algılayıcı elemanından tek bir facet merceğin yüzeyinden hedefin de
içinde bulunduğu çevreye yayılan toplam kızılötesi akının matematiksel modelidir. Eğer hedef
görüş alanı dışındaysa (b=0) (9.5.18) eşitliği hiç bir hareketli cisim içermeyen çevreye yayılan
statik geri plan akısını verecek şekilde basitleştirilebilir.
Φ o = 4σnTS3 (Ts − Ta ) (9.5.19)
Hedef görüş alanına girdiğinde yayılan ısı değişir ve değişken kısmın büyüklüğü (9.5.12), (9.5.18)
ve (9.5.19) eşitliklerinden bulunabilir:
bf 2 ab 3
Δ ≈ Φ − Φ o = −4σnTS3 (Tb − Ta ) = −2 2 γσTs ΔT (9.5.20)
L2 πL
Elemandan daha ılık olan hedefin negatif işareti (Tb>Ta) dedektörden yayılan toplam akının hedef
görüş alanına girdiğinde azalması anlamına gelmektedir. Normal oda sıcaklıklarında 5 m uzaklıkta
hareket eden yetişkin bir kişiye doğru yayılan akıdaki artış 1 μW seviyesindedir. Yukarıdaki ifade
alternatif elektrik sinyaline dönüştürülecek kızılötesi akının bu kısmını temsil etmektedir. Bu sinyal
hareketlerin bir göstergesi olarak eşik devresinde kullanılabilir. Sinyalin merceğin odak uzaklığına
veya algılayıcı alanına bağlı olmadığına dikkat edilmelidir. Bu hedefin tamamının algılama
elemanının izdüşümü ile örtüştüğü durumda doğrudur.
Enerjinin korunumu kanununa göre algılayıcıya verilen elektrik gücü toplam güç kayıplarına eşittir.
Kayıplar iki kısımdan oluşur: ışınım tipi olmayan ısı ve ışınım akısı. Cisim görüş alanına girdiğinde
algılama elemanına verilen elektrik gücü
Vo2 (Vo − ΔV ) 2
δ P= − (9.5.21)
R R
ile artış gösterir. Burada, Vo, R dirençli ısıtıcı elemandaki başlangıç gerilimidir ve ΔV gerilim
artışıdır. Elektrik gücündeki artış akıdaki artışa eşit olduğundan Δ=δP olur. (9.5.20) ve (9.5.21)
eşitlikleri birleştirilerek ve sadeleştirmeler yapılarak algılayıcının çıkışındaki alternatif gerilimin
genliği
R ab
ΔV ≈ − γσTs 3ΔT (9.5.22)
Vo πL2
ile ifade edilir. Ts kelvin cinsinden olduğundan değeri çıkış sinyaline çok katkı sağlamaz. Örneğin
Ts’deki 10° derecelik bir artış ΔV’de sadece % 5’lik bir artış sağlar. Bundan dolayı Ts’nin enerjiyi
korumak bakımından oldukça düşük seviyede seçilmesi gerekir. Bunun yanında algılayıcıdan
çevreye ısı akışının sağlanmasını garantiye almak için algılayıcı sıcaklığının çevre sıcaklığından
daima büyük tutulması gerekir.
Dedektörün ihmal edilecek kadar küçük kayıpla yapılması dedektörün verimi için önemlidir.
Yukarıda da değinildiği gibi Ts’nin çevreden Δt sabit değerinde tutulması istenilen bir şeydir.
Bundan dolayı çevre sıcaklığı, Ta Ts’yi kontrol etmeli ve sonuçta Po kaybı hemen hemen sabit
seviyede tutulabilir.
9.5.3.5 AFIR HAREKET DEDEKTÖRÜ TASARIMI
Isıl iletkenliğin Fourier kuralına göre ısı kaybı oranı Δx uzunluğu boyunca Δt = Ts − Ta sıcaklık
gradyanı ve A kesit alanlı bir malzemenin ısıl iletkenliğinin, k bir fonksiyonudur:
Δt
Po = kA (9.5.23)
Δx
Po’ı kompanze etmek için algılama elemanının bir sıcaklık algılayıcısı ve ek olarak bir ısıtıcıdan
oluşması gerekir. Bir tasarımda algılama elemanı kendiliğinden ısıtma modu ile termistör olup ek
ısıtıcıya gerek kalmaz. Başka bir tasarımda sıcaklık algılayıcısına ısıl kuplajlı bir taban ısıtıcısı ile
ısıtma gerçekleştirilir. Taban ısıtıcısının fonksiyonu algılama elemanını çevre sıcaklığından daha
ılık tutarak ısı kaybının kompanzasyonunu sağlamaktır. Isı kompanzasyon kavramı çok basittir. Bir
hareket dedektörünün güç kaynağı çevreye ışınım olarak yayılandan başka ısıl ısı kaybına eşit bir
elektrik gücü, Wo sağlar:
Wo = Po (9.5.24)
Bunun yanında ısıl ısı değişimlerine, Δ (eşitlik 9.5.21) eşit ısı verecek ek bir ısıtıcıya da gerek
vardır. İkinci ısıtıcı ışınım ısıtıcısı olarak adlandırılır. Taban ısıtıcısının elektriksel gücü Ro direnci
ile ifade edilebilir:
E2
Wo = (9.5.25)
Ro
Burada, E güç kaynağının gerilimidir. (9.5.23), (9.5.24) ve (9.5.25) eşitliklerinin birleştirilmesiyle
algılama elemanı ve çevresi arasındaki sıcaklık farkını veren bir ifade ortaya çıkar:
Δx 2
Δt = E (9.5.26)
kARo
Sıcaklık gradyanı, Δt ’nin Ta’nın bir fonksiyonu olmadığı ve sadece hareket dedektörünün tasarımı
ve komponent seçimine bağlı olduğu görülmektedir. Bundan dolayı taban ısıtıcısı hem ışınım
ısıtıcısını ve hem sıcaklık algılayıcısını çevre sıcaklığının üzerinde sabit Δt değerinde tutacaktır.
(a) (b)
Şekil 9.23 Hareket dedektöründe çiftli AFIR algılayıcı. (a) iki rezistif simetrik katman ortak bir
gövde üzerine biçimlendirilir. b) kontrol devresi taban ısıtıcısına sabit gerilim verir ve geri besleme
kontrolu ile ışınım ısıtıcılarını dengede tutar.
AFIR algılayıcısı ince bir gövde veya yapının üzerine direnç ve yalıtıcı malzeme tabakalarının
biriktirildiği (deposited) sandviç şeklinde yapılır. Yapı ince bir cam, seramik veya polimer film
levha veya mikro makina işlemeli silikon zar olabilir (şekil 9.23a). Hareket dedektörlerinde bir çift
AFIR algılayıcı ısıl ve elektriksel parazitlerin yokedilmesi için kullanılmalıdır. Çiftli algılama
elemanı her iki algılayıcı için ortak olan taban ısıtıcısı ile tamamen aynı olan iki algılayıcıdan, A ve
B oluşur. Taban ısıtıcısının üzerine elektriksel yalıtım için ince bir tabaka konulur. Birbirine
tamamen simetrik iki tabaka grubu bu yalıtıcının üzerine konulur. Bu gruplar simetrik algılayıcının
iki kısmını oluşturur. Işınım ısıtıcılarının, 1 ve 2 oldukça düşük sıcaklık katsayılı direnç
malzemesinden (TCR) yapılması gerekir. R1 ve R2 ek dirençleri taban ısıtıcısının üzerine daha iyi
ısıl kararlılık için konulmuş olup toplam performans açısından çok kritik değildir.
Beyz ısıtıcısı algılayıcının her iki kısmı için aynı ısıyı sağlar ve sıcaklığını Δt sabit değeri kadar
çevre sıcaklığının üzerinde tutar. Şekil 9.23b’deki elektronik devre, algılayıcının her iki kısmı
arasında bir denge sağlar. Hareketli cisim iki algılayıcıda ısıl dengesizliğe neden olur ve akabinde
ısıl dengenin yeniden sağlanması için düzeltici bir sinyal üretir. Işınım ısıtıcılarına verilen düzeltici
sinyal hareket dedektörünün çıkış sinyali olarak kullanılır.
1. Canlı ve hareket dedektörleri arasındaki fark nedir?

2. Canlı ve hareketin algılanılması için hangi tür dedektörler kullanılır? Çalışma prensipleri nedir?
3. Dedektörler ile algılama yapılırken meydana gelen pozitif ve negatif dedeksiyonların anlamı
nedir?
4. Ultrasonik algılayıcılar canlı ve hareket dedeksiyonunda nasıl kullanılır?
5. Mikro dalga dedektörleri ile nasıl algılama yapılır?
6. Doppler etkisi ne demektir?
7. Uçakların radara yakalanmaması nasıl açıklanabilir?
8. Kapasitif canlı dedektörlerinin çalışma prensibi nedir?
9. Bir robot kolunda kapasitif algılama yapılırken ekranlama veya kalkanlama gereği niçin
duyulur?
10. Triboelektrik hareket dedektörünün çalışma prensibi nedir?
11. Opto-elektronik hareket dedektörünün çalışma prensibi nedir?
12. Foto-direnç ile ışık kontrolu nasıl yapılır?
13. PIR dedektörlerinin çalışma prensibi nedir? Duyarlılıklarını etkileyen faktörler ve hatalı
algılama yapmalarına neden olabilecek tasarım aşamasında alınması gereken önlemler nedir?
14. AFIR dedektörlerinin çalışma prensibi nedir? Duyarlılıklarını etkileyen faktörler ve hatalı
algılama yapmalarına neden olabilecek tasarım aşamasında alınması gereken önlemler nedir?
15. PIR ve AFIR algılayıcılarını karşılaştırınız?
10 HIZ VE İVME ÖLÇÜMÜ
Hız bir cismin dinamik karakteristiğidir çünkü Newton’un ikinci kanununa göre hız bir kuvvetin
uygulanmasını gerektirir. Aslında yer değişimi, hız ve ivme birbirleriyle ilişkilidir. Hız yer
değişiminin birinci türevi ve ivme ise ikinci türevidir. Bunların yanında gürültülü ortamlarda
kompleks ve akıllı sinyal işleme devreleri kullanıldığında bile türev alınarak hız ve ivmenin
hesaplanması çok büyük hatalara neden olabilir. Bundan dolayı hız ve ivme pozisyon veya
yaklaşım dedektörleri ile çıkartılmaz bunun yerine özel algılayıcılar ile ölçülür. Bir ana kural olarak
1 Hz civarında düşük frekanslı uygulamalarda pozisyon ve yer değişimleri genel olarak iyi
doğruluk verirler. 1 kHz’den aşağı orta frekanslı uygulamalarda çoğunlukla hız ölçümü tercih
edilir. Yüksek frekanslı hareketlerin kabul edilebilir gürültü seviyesinde ölçülmesinde ise ivme
ölçümü tercih edilir. Bunların yanında hız veya ivme dönüşümü için herhangi bir algılayıcının
dayandığı fikir referans noktasına göre cismin yer değişiminin ölçülmesidir. Bundan dolayı böyle
bir algılayıcının yer değişimine duyarlı elemanları üzerinde taşıması gerekmektedir. Bu duyarlı
elemanlar hakkındaki bilgi 8. Bölümde bulunmakla beraber bunların yer değişiminden daha çok hız
ve ivme dönüşümüne uyarlanma aşamasında, tasarım ve fabrikasyon metotlarında özellikle
dinamik ölçüme yönelik donanım yapılır.
10.1 ELEKTROMANYETİK HIZ ALGILAYICILARI
Faraday Kanununa göre bir sargı içindeki hareketli bir mıknatıs sargı içinde bir gerilim
indükleyecektir. Bu gerilim mıknatısın hızı ve alan şiddetiyle orantılıdır (detaylı bilgi için 4.
Bölüme bakınız):
dφ d dv
V =− = − N ( Blx) = −nBl = nBlv
dt dt dt
Doğrusal hız dönüştürücüleri manyetik indüksiyonun bu prensibini kullanır. Sabit mıknatıs ve sabit
geometrili bir sargı ile sargının çıkış gerilimi çalışma aralığı üzerinde mıknatısın bağıl hızı ile
doğrudan orantılıdır.
Hız algılayıcısında mıknatısın her iki ucu sargı içindedir. Tek sargı ile çıkış gerilimi sıfırdır çünkü
mıknatısın bir ucu ile üretilen gerilim diğer ucu ile üretilen gerilimi yok eder. Bu sınırlamayı
ortadan kaldırmak için sargı iki kısma bölünür.
Mıknatısın kuzey kutbu bir sargıda gerilim indüklerken güney kutbu diğer sargıda gerilim indükler
(şekil 10.1). İki sargı mıknatısın hızı ile orantılı çıkış elde etmek için birbirine ters yönde seri
bağlanmıştır. Dedekte edilebilecek maksimum hız öncelikle arabirim elektronik devresinin giriş
katının özelliklerine bağlıdır. Dedekte edilebilecek minimum hız taban gürültülerine ve özellikle
yakında bulunan AC akım aygıtlarının yaydığı gürültüye bağlıdır. Bu elektromanyetik algılayıcının
tipik teknik özellikleri tablo 10.1’de ve bazı pratik donanım tipleri şekil 10.2’de görülmektedir.
Algılayıcının tasarımı LVDT pozisyon algılayıcısına benzemekte olup aradaki farklılık LVDT’nin
hareketli ferromanyetik nüve ile modülasyonlu algılayıcı ve hız algılayıcısının hareketli sabit
mıknatıs ile kendiliğinden üreten algılayıcı olmasıdır. Hız algılayıcısı akım üreten bir aygıt
olduğundan harici uyartım sinyaline gerek duymaz.
Şekil 10.1 Elektromanyetik hız algılayıcısının Şekil 10.2 Elektromanyetik hız algılayıcılarının
çalışma prensibi farklı tipleri
Tablo 10.1 Elektromanyetik hız algılayıcısının teknik özellikleri

Mıknatıs nüvesi yer değişimi, inç 0,5-24
Duyarlılık, inç/sn başına mV 35-500
Sargı direnci, kΩ 2-45
Sargı indüktansı, H 0,06-7,5
Frekans tepkisi, Hz (yükte >100×sargı direnci) 500-1500
Ağırlık, g 20-1500
Şekil 10.1 de görülen hız dönüştürücüsünün sargıları seri bağlandığında çıkış geriliminin toplamı
alınarak maksimum duyarlılık alınır. Yüksek duyarlılığının yanında dönüştürücü seri bağlı sargıları
ile gürültüye bağışıklık kazanır yani bir sargının ürettiği gerilim diğer sargının ürettiği gerilimi yok
eder. Paralel çalışmada ise duyarlılık yarı değerine düşer ve empedans 4 faktörü ile azalır. Paralel
düzenlemenin avantajı yüksek hızlı uygulamalarda kullanmak için düşük çıkış, düşük giriş
empedanslı devreler ile uygunluk sağlaması bakımından düşük çıkış empedansı ve verilen bir yük
empedansı için daha yüksek frekans tepkisidir.
10.2 İVME ÖLÇERLER
Vibrasyon bir referans pozisyonu etrafında periyodik osilasyonlu hareket içeren dinamik
mekaniksel bir fenomendir. Bazı durumlarda (şok, darbe analizi, doğrusal hızlanma, vb.) osilasyon
cephesi olmayabilir fakat ölçme ve algılayıcının tasarımı aynı kalır. İvme ölçücü bir çeşit sismik
Hız ve İvme Ölçümü 309
kütle, yaylı destek sistemi ve sönüm özellikli çerçeve yapısı ile tek serbestlik dereceli bir aygıt
olarak tanımlanabilir.
İvme ölçerin matematiksel modeli (detaylı bilgi için 5. Bölüme bakınız)
d 2v dx d2y
M + b + kx = M
dt 2 dt dt 2
olarak tanımlanır. Eşitliğin çözümünde Laplace dönüşümü kullanıldığında sonuç
Ms 2 X ( s ) + bsX ( s ) + kX ( s ) = − MA( s ) (10.1)
olarak elde edilir. Burada, X(s) ve A(s) sırasıyla x(t) ve d2y/dt2’nin Laplace dönüşümüdür. d2y/dt2
ivme ölçerin gövdesinin giriş ivmesidir. Eşitliğin X(s) için çözülmesi ile
− MA( s )
X ( s) = (10.2)
Ms 2 + bs + k
olur. Geleneksel ω o = k / M değişkeni ve 2ξω o = b / m terimleri ile (10.2) eşitliği
− A( s )
X ( s) = (10.3)
s + 2ξω 0 s + ω 02
2
olarak ifade edilebilir. ωo’ın değeri ivme ölçerin açısal frekansını temsil etmekte ve ξ
normalleştirilmiş sönüm katsayısıdır.
−1
G ( s) = 2
(10.4)
s + 2ξω o s + ω o
2
olarak alındığında (10.3) eşitliği X ( s ) = G ( s ) A( s ) olur ve çözüm ters Laplace dönüşüm operatörü,
x(t ) = L−1{G ( s ) A( s )} (10.5)
ile Laplace dönüşümünün konvolüsyon teoreminden
t
x(t ) = ∫ g (t − τ )a(τ )dτ (10.6)
0
olarak ifade edileblir. Burada, a ivme ölçerin gövdesinin zaman bağımlı impalsi ve g(t) ters
Laplace dönüşümüdür, L−1{G ( s )} . Eğer ω = ω o 1 − ξ 2 yapılırsa, bu durumda iki çözüm vardır:
birisi alt sönümlü (underdamped) modu (ξ<1)
t
1
x (t ) = ∫ − e −ξω 0 (t −τ ) sin ω (t − τ )a (t ) dτ (10.7)
0
ω
ve diğeri üst sönümlü (overdamped) modu (ξ>1)

t
1
x (t ) = ∫ − e −ξω 0 (t −τ ) sinh ω (t − τ ) a(t )dτ (10.8)
0
ω
dir. Burada, ω = ω o ξ 2 − 1 dir. Yukarıdaki çözümler ivme ölçerin tabanına uygulanan farklı ivme
girişleri için değerlendirilerek hesaplanabilir.
Doğru bir şekilde tasarlanmış, monte edilmiş ve kalibrasyonu yapılmış ivme ölçerin açıkça
tanımlanabilir rezonans (doğal) frekansı ve doğru ölçümlerin yapılabileceği bir düz frekans
tepkisine sahip olması gerekir (şekil 10.3). Bu düz frekans aralığında vibrasyon frekansı değişirken
algılayıcının çıkışı ivme ölçerin frekans karakteristiğindeki değişimler ile sinyali çarpmaksızın
değişimi doğru bir şekilde yansıtacaktır. Koyu (vizkos) sönüm rezonansın sınırlayıcı etkisi ile
kullanışlı frekans aralığını geliştirerek çoğu ivme ölçerlerde kullanılır.
Şekil 10.3 İvme

ölçerin frekans tepkisi
Kalibrasyonu yapıldığında ivme ölçerin bazı karakteristiklerinin belirlenmesi gerekir:
¾ Duyarlılık elektriksel çıkışın mekanik girişe oranıdır. Genel olarak belirli durumlar altında
birim ivme başına volt olarak ifade edilir. Örneğin duyarlılık deniz seviyesinde 45 derece
enleminde 1 V/g olarak belirlenebilir (ivmenin birimi: g = 9,80665 m/s2). Duyarlılık tipik
olarak sinüs dalgası biçiminde tek bir referans frekansında ölçülür. Amerika’da bu frekans 100
Hz ve çoğu Avrupa ülkelerinde 160 Hz dir. Bu frekansların seçilmesinin nedeni bu frekansların
güç şebekesinin frekansları ve harmoniklerinden arındırılmış olmasındandır.
¾ Frekans tepkisi algılayıcının çalışması gereken frekans aralığındaki çıkış sinyalleridir.

Duyarlılığın belirlendiği referans frekansına göre belirlenir.
¾ Alt sönümlü algılayıcıda rezonans frekansı referans frekansındaki tepkiden (açıkça tanımlanan)
3-4 dB daha büyük bir tepe değeri gösterir. Yakın kritik sönümlü bir aygıtta rezonans açıkça
görünmeyebilir ve bu yüzden faz kayması ölçülür. Rezonans frekansında kayma referans
frekansı 180 derecededir.
¾ Sıfır uyarıcı çıkışı (kapasitif ve piezorezistif algılayıcılar için) duyarlı aktif eksenin yer
çekimine dik pozisyonunda belirlenir. Yani çıkış sinyalinde DC bileşen olan algılayıcılarda
çıkışta sıfır mekanik giriş belirlenmeden önce yer çekiminin etkisinin elimine edilmesi gerekir.
¾ İvme ölçerin doğrusallığı giriş sinyallerinin dinamik aralığı üzerinde belirlenir.

Uygulamada algılayıcı seçiminde aşağıdaki soruların cevaplandırılması gerekir:

¾ Vibrasyon veya doğrusal ivmenin tahmini büyüklüğü nedir?
¾ Çalışma sıcaklığı ve çevre sıcaklığının değişim hızı nedir?
¾ Tahmini frekans aralığı nedir?
¾ İstenilen doğrusallık ve doğruluk nedir?
¾ Algılayıcının maksimum büyüklüğü ne olabilir?
¾ Hangi cins güç kaynağı mevcuttur?
¾ Aşındırıcı kimyasallar ve aşırı nem var mıdır?
¾ Tahmini aşırı şok nedir?
¾ Yoğun akustik, elektromanyetik veya elektro-akustik alanlar var mıdır?
¾ Makina topraklanmış mıdır?
10.2.1 KAPASİTİF İVME ÖLÇERLER
Tanıma göre ivme ölçerin bir elemanının hareketinin ivme ölçerin yerleştirildiği kutucuktan geri
kalması gerekmektedir. Bu eleman sismik veya dahili kütle olarak adlandırılır. Algılayıcının
tasarımı veya kullanılan enerji dönüşüm tekniğine bakılmaksızın ölçmenin ana hedefi algılayıcının
kutucuğu ile kütle arasındaki yer değişiminin dedeksiyonudur. Bundan dolayı kuvvetli vibrasyonlar
altındaki mikroskobik hareketleri ölçme özelliğine sahip herhangi bir yer değişim algılayıcısı ivme
ölçer olarak kullanılabilir. Kapasitif yer değişiminin dönüşüm metodu güvenilir ve denenmiş
metotlardan birisidir. Kapasitif ivme algılayıcısı en az iki bileşenden oluşur: bir sabit levha
(kutucuğa monte edilmiş) ve kütleye bağlanmış diğer levha. Bu levhalar bir kapasitör oluşturur ve
değeri levhaların arasındaki d uzaklığının bir fonksiyonudur. Kapasitörün değerinin ivme ile
modüle edildiği söylenebilir. Kapasitif ivme ölçerde ölçülen maksimum yer değişimi 20 μm’yi
nadiren aşar. Bundan dolayı böyle küçük bir yer değişimi parazit ve diğer etkilerin iyi bir
kompanzasyonunu gerektirir. Bu ekseriyetle aynı yapı içine ek bir kapasitör konularak diferansiyel
teknikle yapılır. Aynı yapı içindeki ikinci kapasitörün değerinin birinciye yakın olması gerekir ve
180 derecelik faz farklı değişimlere maruz kalmalıdır. Böylece bir ivme iki kapasitör arasındaki
fark değeri ile temsil edilebilir.
Şekil 10.4a da dahili kütlenin üst kapak ve taban arasında sandviç haliyle kapasitif ivme ölçerin
kesit görünüşü görülmektedir. Algılayıcının tamamı mikro-makina tekniği ile silikondan
yapılmıştır. Kütle dört adet silikon yay ile desteklenmiştir (şekil 10.4b). Üst plaka ve taban dahili
kütleden sırasıyla d1 ve d2 uzaklıklarıyla ayrılmıştır. Her üç parça silikon yaprakçıktan yapılmıştır.
Şekil 10.5 de kapasite gerilim dönüşümünün basitleştirilmiş devre diyagramı görülmektedir.
(b) 4 Si yay ile desteklenen sismik kütlenin üst

(a) yan kesit görünüşü
görünüşü
Şekil 10.4 Diferansiyel kapasitörlü kapasitif ivme ölçer

Şekil 10.5 Silikon

üzerine entegre
edilebilecek kapasitans-
gerilim dönüşümünün
devre diyagramı
Kütle ve kapak arasındaki paralel levhalı kapasitörün, Cmc levha alanı S1’dir. Levha aralığı, d1 kütle
üst plakaya doğru hareket ettiğinde Δ kadar azalır. İkinci kapasitörün, Cmb farklı levha alanı S2 dir
ve kütle ile taban arasında gözükür. Kütle tabandan yukarı üst levhaya doğru hareket ettiğinde d2
aralığı Δ kadar artar. Δ’nın değeri kütle üzerine etkiyen Fm mekanik kuvvetin silikon yayların k
sabitine bölümüne eşittir:
Fm
Δ= (10.9)
k
İvme ölçerin eşdeğer devresi elektrostatik kuvvetler kütle pozisyonunu etkilemediğinde yani
kapasitörler Fm ’ye doğrusal bağlı olduğunda geçerlidir. İvme ölçerin kapasitörleri anahtarlamalı
kapasitör toplayıcı (+) yükselticisine giriş kapasitörleri olarak görev yaptığında çıkış gerilimi
kapasitörün değerine ve akabinde kuvvete bağlıdır:
Cmc − Cmb
Vout = 2 E (10.10)
Cf
Yukarıdaki eşitlik algılayıcı kapasitansındaki küçük değişimler için doğrudur. İvme ölçerin çıkışı
sıcaklık ve kapasitif uyumsuzluğun da bir fonksiyonudur. Bunu gidermek için kalibrasyonun tüm
sıcaklık aralığında yapılması ve sinyal işleme süresince gerekli düzeltmelerin yapılması gerekir.
Yüksek kararlılığı sağlamanın diğer bir metodu kapak veya taban elektroduna yüksek gerilim
uygulanarak ivme ölçerin üzerinde görülen elektrostatik kuvvetlerden yararlanarak kendiliğinden
kalibreli bir sistem tasarlamaktır.
10.2.2 PİEZOREZİSTİF İVME ÖLÇER
Algılama elemanı olarak piezorezistif ivme ölçerde yay destekli kütlelerin gerginliğini ölçen
strengeyçler vardır. Gerginlik kütlenin yer değişim oranı ve büyüklüğü ve akabinde ivme ile
ilişkilendirilebilir. Bu aygıtlar geniş frekans aralığındaki ivmelere karşı duyarlıdır: DC ile 13 kHz
arasında. İyi bir tasarımla 10000 g’lik aşırı şoklara dayanabilirler. Doğal olarak dinamik aralık daha
az olabilir (% 1’den daha az hata ile ±1000 g). Çoğu uygulamalarda aşırı şok kritik bir özelliktir.
Bunun yanında epoxy üzerine yapıştırılmış, dağıtılmış strengeyçli piezorezistif ivme ölçerler
istenilmeyen çıkış sıcaklık katsayılarına sahip olabilirler. Bunlar ayrı ayrı üretildiğinden ayrı ayrı
sıcaklık testi ve parametre eşlemeye tabi tutulmaları gerekir. Bu zorluk modern algılayıcılarda
silikon yaprakcıkların mikromakina teknolojisi kullanımı ile giderilmiştir.
Geniş dinamik aralıklı katı hal ivme ölçerin bir örneği şekil 10.6’da görülmektedir. Mikro-
algılayıcı üç tabaka silikondan yapılmıştır. İçteki çekirdekte kütle ve elastik menteşe
bulunmaktadır. Kütle içeride menteşeye bağlı şekilde asılı tutulmakta ve her iki yanında ise
piezorezistif geyçler bulunmaktadır. Geyçler menteşenin hareketini dedekte ederler. Dıştaki iki
tabaka, gövde ve kapak dışarıdaki kirletici ortamdan hareketli kısımları korur. Her iki parçanın
içindeki boşluk sayesinde kütlenin serbestçe hareketi sağlanır. Algılayıcıya bazı önemli özellikler
eklenmiştir. Bunlardan birisi silikon yaprakçığın düzlemindeki duyarlı eksendir; diğer tasarımlarda
bunun tersine eksen yaprakçığa diktir. Mekanik entegrasyon ve güvenilirlik algılayıcının bütün
bileşenlerinin tek kristal silikondan fabrikasyonu ile sağlama alınmıştır.
Şekil 10.6 Piezo-rezistif ivme

ölçerin açılmış görüntüsü
Duyarlı eksen boyunca bir ivme uygulandığında kütle menteşenin ekseni etrafında döner.
Menteşenin her iki yanındaki geyçler birinde sıkışma ve diğerinde ise gerilme şeklinde kütlenin
dönmesine izin verir. Geyçler çok kısa olduğundan çok küçük yer değişimi bile büyük direnç
değişimi meydana getirir. Piezorezistif köprünün sıfır dengesini ayarlamak için aynı kristal
üzerinde beş adet ayarlama direnci vardır. İvme ölçerlerin karakteristikleri olarak iki marka
arasındaki bir karşılaştırma tablo 10.2’de verilmiştir.
Tablo 10.2 Piezo-rezistif ivme ölçerlerin karşılaştırılması

Karakteristik Endevco Geleneksel
Kalıp boyutu (mm) 1.65×1.78 -
Aralık (g) ±1000 ±1000
Duyarlılık (mV/g) 0.2 0.1 - 0.25
Doğrusallık (%) 1 1-3
Montajlı rezonans frekansı (kHz) 65 25
Enine duyarlılık maks. (%) 3 3
Sıfır uyarıcı çıkışı (mV) ±25 ±50
Çalışma sıcaklık aralığı (°C) -54 +135 -20 +65
Şok dayanıklılığı (g) 10000 5000
Ağırlık (g) 0,8 1-5
10.2.3 PİEZO-ELEKTRİK İVME ÖLÇERLER
Piezoelektrik etki vibrasyon ve ivme algılanmasında doğal bir uygulamaya sahiptir. Etki elektrik
dipollerinden oluşan bir kristal metalde mekanik enerjinin elektrik enerjisine doğrudan
dönüşümüdür. Bu algılayıcılar 2 Hz kadar düşük ve 5 kHz kadar yüksek frekanslar arasında

çalışırlar; iyi bir eksen dışı gürültü rejeksiyonuna, yüksek doğrusallık ve 120 °C kadar geniş
çalışma sıcaklık aralığına sahiptirler. Quartz kristaller algılama elemanı olarak nadiren
kullanılırken en çok popüler olanlar baryum titanat, kurşun zirkonit titanat (PZT) ve kurşun
metaniobit gibi seramik piezoelektrik malzemelerdir. Kristal kılıf ve sismik kütle arasına
yerleştirilmiş olup kristal üzerinde ivme ile orantılı kuvvet meydana gelir (şekil 10.7). Minyatür
algılayıcılarda ekseriyetle bir silikon yapı kullanılır. Silikon piezoelektrik özellikte olmadığından
minyatür bir algılayıcının fabrikasyonunda mikromakina ile işlenmiş silikon kantilever üzerine ince
tabaka kurşun titanat biriktirme tekniği ile konulur. İyi frekans karakteristikleri için piezo-elektrik
sinyal piezo-elektrik kristal ile aynı kutucuğa yerleştirilmiş yük-gerilim veya akım-gerilim
dönüştürücüsünde yükseltilir.
Şekil 10.7 Piezo-elektrik ivme ölçerin temel diyagramı ve dış görünüşü. Kılıfa uygulanan ivme
kütleye göre kılıfı hareket ettirerek kristal üzerine kuvvet uygular. Çıkış doğrudan ivme veya
titreşim seviyesi ile orantılıdır.
10.2.4 ISIL İVME ÖLÇERLER
İvme ölçerin arkasındaki temel fikir sismik kütlenin hareketidir. Bu hareket yer değişimi
ölçümünün ardışık bir dönüşümü olduğundan ısı transferinin ısıl formülü bu ölçüm için
kullanılabilir. Isıl ivme ölçer diğer ivme ölçerler gibi ince kantilevere asılı sismik kütle içerir ve bir
veya iki ısıl yutak (heat sink) arasına çok yakın yerleştirilmiştir (Şekil 10.8). Kütle ve kantilever
yapısı mikromakina teknoloji kullanılarak yapılmıştır. Bu iki eleman arasındaki boşluk ısıl
iletkenlikli bir gaz ile doldurulmuştur. Kütle, yüzeyindeki veya içindeki ısıtıcı ile belirli T1
sıcaklığında ısıtılır. İvme uygulanmadığı durumlarda kütle ve ısı yutakları arasında ısıl denge
sağlanmaktadır: Kütleden gaz yoluyla ısıl yutaklara iletilen q1 ve q2 ısı miktarları M1 ve M2
uzaklıklarının bir fonksiyonudur.
Sismik kütleyi taşıyan kantilever kolun herhangi bir noktasındaki sıcaklık, taşıyıcı koldan x
uzaklığı ve ısıl yutak arasındaki boşluklara bağlıdır ve
d 2T
2
− λ2T = 0 (10.11)
dx
dan bulunabilir. Burada,

K g (M1 + M 2 )
λ= (10.12)
K si DM 1M 2
dir. Burada da Kg ve Ksi sırasıyla gaz ve silikonun ısıl iletkenlikleri ve D kantilever kolun
kalınlığıdır. Sınır şartları için ısıl yutak sıcaklığının sıfır olduğu durumda kolun sıcaklığı için
yukarıdaki eşitliğin bir çözümü ile
P sin gh(λx)
T ( x) = (10.13)
WDK si λ cosh(λL)
elde edilir; burada W ve L kolun genişliği ve uzunluğu ve P ısıl güçtür. Bu sıcaklığı ölçmek için kol
üzerine bir sıcaklık algılayıcısı biriktirme tekniği ile yerleştirilir. Bu kol içine silikon diyotların
entegre edilmesiyle veya kol üzerine seri bağlanmış ısılçiftler (termopil) yerleştirilmesiyle
yapılabilir. Sonuç olarak ölçülen kol’un sıcaklığı elektriksel sinyal biçiminde ivmenin bir
ölçüsüdür. Isıl ivme ölçerin duyarlılığı (g başına çıkış sinyalindeki değişimin % 1’i civarında)
kapasitif veya piezo-elektrik tiplere göre daha az olmasına rağmen çevre sıcaklığı veya
elektromanyetik ve elektrostatik gürültüler gibi parazitlerden daha az etkilenir.
(a) ısıtılmış kısmın kesit görünüşü (b) ivme ölçerin tasarımı
Şekil 10.8 Isıl ivme ölçer
10.3 PİEZO-ELEKTRİK KABLOLAR
Piezo-elektrik etki mineral ile yalıtılmış kablo içerisine yerleştirilmiş vibrasyon algılayıcısında
kullanılabilir. Böyle bir kablo dış yüzeyine basınç uygulandığında içerideki iletkende bir elektrik
sinyali üretir. Piezo-elektrik kablolar turbo-şaft uçak motorlarının kompresör pervanelerinde
vibrasyonun gözlenebilmesi için değişik deneylerde kullanılmıştır. Silolardaki haşeratın
dedeksiyonu ve taşıt trafik analizi diğer uygulamalara örnek verilebilir. Bu uygulamalarda trafik
akışına dik olarak kablolar yolun kaldırım altına gömülür. Düzgünce yerleştirildiği zaman ömürleri
en az beş yıl olabilir. Bu algılayıcılar öncelikle dikey kuvvetlere duyarlı olacak şekilde
tasarlanmışlardır. Piezoelektrik kablo 3 mm dış yarıçapında yalıtılmış bakır kılıf, piezo-elektriksel
seramik tozu ve içteki bakır iletkenden oluşur (şekil 10.9a). Seramik toz dış kılıf ve iç iletken
arasında sıkıştırılmıştır. Ekseriyetle kablo bir ucundan kaynaklanır ve diğer uçta ise 50 Ω’luk
uzatma kablosuna bağlanmıştır.
Piezo-elektrik kablonun diğer bir fabrikasyon metodu kablo yalıtıcı malzemesi olarak PVDF
polimer tabaka kullanmaktır (şekil 10.9b). PVDF piezo-elektriksel yapılarak kabloya algılama
özelliği verilebilir. Kabloya mekaniksel kuvvet uygulandığı zaman piezo-elektrik katman gerilir ve
yüzeyinde ters polaritede elektrik yükleri meydana getirir. İçerdeki bakır iletken ve örgülü kılıf yük
toplayıcı elektrotlar olarak görev yapar.
(a) Vibracoax’ın konstrüksiyonu (b) gerilim üreteci polimer film
Şekil 10.9 Piezo-elektrik kablo algılayıcılar
Kablonun piezo-elektriksel özellik kazanması için algılama elemanının (seramik tozu veya polimer
tabaka) üretim işlemi süresince kutuplandırılması gerekir. Kutuplandırma işlemi kablo Curie
sıcaklığına kadar ısıtılarak ve seramik tozundaki dipolleri veya polimer tabakadaki dipolleri
yönlendirmek için yüksek gerilime maruz bırakılarak yüksek gerilim altında soğutularak
gerçekleştirilir. Kablo algılayıcı kaldırımın altına yerleştirildiği zaman (şekil 10.10) tepkisinin
kalibre edilmesi gerekir çünkü sinyalin biçimi ve genliği sadece kablonun özelliklerine bağlı
olmayıp aynı zamanda kaldırım ve alt yapısının tipine de bağlıdır.
(a) Algılayıcının kaldırıma yerleştirilmesi (b) elektriksel tepkinin biçimi
Şekil 10.10 Karayolunda trafik gözleme amacıyla piezo-elektrik kablo uygulaması

1. Yer değişimi, hız ve ivme arasındaki ilişki dikkate alınarak gürültülü ortamlarda ivme
ölçülürken türev alınması niçin hatalı sonuç verir?
2. Elektromanyetik hız algılayıcılarının çalışma prensibi nedir?
3. Elektromanyetik hız algılayıcılarında sargıların seri veya paralel bağlanmasının etkileri nedir?
4. İvme ölçerlerin kalibrasyonunda dikkate alınması gereken karakteristikleri nedir?
5. İvme ölçerin seçiminde dikkate alınması gereken hususlar nedir? Ayrı ayrı açıklayınız.
6. Kapasitif ivme ölçerin çalışma prensibi nedir?
7. Piezo-rezistif ivme ölçerin çalışma prensibi nedir?
8. Piezo-elektrik ivme ölçerin çalışma prensibi nedir?
9. Isıl ivme ölçerin çalışma prensibi nedir?
10. Piezo-elektrik kabloların kullanıldığı yerler ve çalışma prensibi nedir?
11 KUVVET VE GERİNİM ALGILAYICILARI
Kuvvetin SI birimi Newton’un ikinci kanunundan (a = F / m) çıkartılır ve fiziğin temel

miktarlarından biridir. Kuvvetin ölçümü cisimlerin tartılması, yapay protezlerin tasarlanması, vb.
için makina ve inşaat mühendisliğinde gerekmektedir. Basınç ölçüldüğü zaman kuvvetin ölçülmesi
gerekir. Katılar ele alındığında kuvvet ölçülür ve akışkanlar (sıvı veya gazlar) ele alındığında ise
basınç ölçülür denilebilir. Hareket bir noktaya uygulandığında kuvvet dikkate alınır ve kuvvet
geniş bir alana yayıldığı zaman ise basınç ölçülür.
Kuvvet algılayıcıları nitelik ve nicelik (miktar) bakımından iki sınıfa ayrılabilir. Bir nicelik
algılayıcısı gerçekte kuvveti ölçer ve değerini elektrik sinyali şeklinde gösterir. Bu algılayıcılara
örnek olarak strengeyçler ve yük hücreleri verilebilir. Nitelik algılayıcıları eşik aygıtları olup
kuvvetin değerinin doğruluğu ile ilgilenmezler. Fonksiyonları sadece yeterli kuvvetin uygulanıp
uygulanmadığını göstermektir. Kuvvetin genliği önceden belirlenmiş eşik seviyesini aştığı zaman
çıkış sinyali verir. Bu dedektörlere örnek olarak bilgisayar klavyesi verilebilir. Bir tuşa yeteri kadar
sertçe basıldığında bir kontak meydana gelir.
Kuvveti algılamanın çeşitli metotları aşağıdaki gibi sınıflandırılabilir:

1) Bilinmeyen kuvveti standart bir kütlenin yerçekimi kuvvetine karşı dengeye getirmekle;
2) Kuvvet uygulanmış bilinen bir kütlenin ivmesinin ölçülmesiyle;
3) Kuvveti elektromanyetik olarak meydana getirilmiş kuvvete karşı dengeye getirmekle;
4) Kuvveti bir akışkan basıncına dönüştürüp basıncın ölçülmesiyle;
5) Bilinmeyen kuvvetin elastik malzemede oluşturduğu gerginliğin ölçülmesiyle;
Modern algılayıcılarda en yaygın kullanılan 5. metot olup 3. ve 4. metotlar bazen kullanılır.
Algılayıcıların çoğunda kuvvet doğrudan elektrik sinyaline dönüştürülmez. Bazı ara işlemlerin
yapılması zorunludur. Örneğin bir kuvvet algılayıcısının fabrikasyonu pozisyon algılayıcısı ve
kuvvet-yer değişimi dönüştürücüsünün birleştirilmesi ile yapılabilir. Kuvvet yer değişimi
dönüştürücüsü basit bir sarmal yay olabilir; yayın sıkışma ile yer değişimi, x yay sabiti, k ve
sıkıştırma kuvveti, F ile tanımlanabilir.
x = kF (11.1)
Şekil 11.1a’da görülen algılayıcı yay ve LVDT yer değişim algılayıcısından oluşmaktadır. Yayın
doğrusal aralığında LVDT algılayıcıya uygulanan kuvvet ile doğru orantılı gerilim üretir. Benzer
bir algılayıcı şekil 11.1b’de görüldüğü gibi farklı tipten bir yay ve basınç algılayıcılarından
yapılabilir. Basınç algılayıcısı kuvvetin uygulandığı akışkanla doldurulmuş bir tüpten oluşabilir.
Akışkanla doldurulmuş tüpler basınç algılayıcısının algılayıcı zarı üzerinde giriş olarak uygulanan
lokal kuvvetin dağıtılmasıyla bir kuvvet-basınç dönüştürücüsü olarak fonksiyon yaparlar.
(a) LVDT’li yay gerdirmeli kuvvet algılayıcı (b) Basınç dönüştürücülü kuvvet algılayıcı
Şekil 11.1
11.1 STRENGEYÇLER
Strengeyç direnci uygulanan gerginliğin fonksiyonu (birim deformasyon) olan rezistif elastik
algılayıcıdır. Bütün malzemeler deformasyona karşı direnç gösterdiklerinden deformasyon için bir
miktar kuvvetin uygulanması gerekir. Bundan dolayı direnç uygulanan kuvvet ile
ilişkilendirilebilir. Bu ilişki piezorezistif etki olarak adlandırılır ve iletkenin geyç faktörü, Se ile
tanımlanabilir:
dR
= See (11.2)
R
Platin Se ≈ 6 hariç çoğu malzemeler için Se ≈ 2’dir. % 2’yi aşmayan küçük direnç değişimleri için
(bu çoğunlukla böyledir) metalik telin direnci,
R = Ro (1 + x) (11.3)
dir. Burada, Ro gerinim uygulanmadan önceki direnç ve x = See dir. Yarı iletken malzemeler için
ilişki katkı konsantrasyonuna bağlıdır. Direnç sıkıştırma ile azalır ve gerinim ile artar. Bazı direnç
strengeyçlerin karakteristikleri tablo 11.1’de verilmiştir.
Tablo 11.1 Bazı direnç strengeyçlerin karakteristikleri

Malzeme Geyç faktörü, Se Direnç, Ω TCR (°C-1×10-6) Açıklama
% 57 Cu - % 43 2,0 100 10,8 Se gerginliğin çok geniş bir
Ni aralığında sabittir.
Pilatin alaşımları 4,0 - 6,0 50 2160 Yüksek sıcaklıkta kullanım
Silikon -100 +150 arası 200 90000 Yüksek duyarlılık, yüksek
gerinim ölçümleri için iyi
Tel strengeyç elastik taşıyıcı üzerine arkasından yapıştırılmış bir dirençten oluşmaktadır.
Strengeyçlerin arka tarafı gerinim veya kuvvetin ölçüleceği cisme yapıştırılarak tutturulur.
Ölçülecek gerginliğin strengeyç teli ile güvenilir bir kuplajda olması ve telin cisimden elektriksel
olarak yalıtılması gerekir. Arka kısmın ısıl genleşme katsayısı tel ile uyuşmalıdır. Çoğu metaller
strengeyç yapımında kullanılabilir. En çok kullanılan malzemeler konstantan, nikel-krom, ileri (Ni
% 45, Cu % 55) ve karma (Ni % 74, Cr % 20, Al % 3, Fe % 3) alaşımlarıdır. Tipik dirençler 100 ile
bir kaç kilo ohm arasında değişebilir. İyi bir duyarlılık yakalamak için algılayıcı boyuna uzun ve
enine kısa segmentlere sahip olmalıdır (şekil 11.2); böylece enine duyarlılık boyuna duyarlılığın
Kuvvet ve Gerinim Algılayıcıları 319
sadece % birkaçı olabilir. Farklı eksenlerdeki gerginliğin ölçülmesi için strengeyçlere farklı
düzenlemeler yapılabilir. Tipik olarak bir Wheatstone köprüsü devresine bağlanabilirler. Yarı
iletken strengeyçlerin sıcaklık değişimlerine çok duyarlı oldukları unutulmamalıdır. Bunun için
arabirim devrelerinin veya geyçlerin sıcaklık kompanze devreleri ile donatılmaları gerekir.
(a) doğrusal tip (b) rozet tipi (c) dairesel tip (d) köprü tipi (e) shear tipi (f) çift eksenli
Şekil 11.2 Elastik arka malzemeye yapıştırılmış çeşitli tel strengeyçler
11.2 DOKUNMA ALGILAYICILARI
Dokunma (tactile) algılayıcıları ince bir kalınlık ile karakterize edilen kuvvet veya basınç
dönüştürücülerinin özel bir sınıfıdır. Bu karakteristik algılayıcıyı birbirine yakın iki yüzey arasında
meydana getirilebilen kuvvet veya basınç uygulamalarında kullanışlı hale getirir. Buna bir robot
örnek verilebilir; mekanik hareketlendiricinin parmak ucuna yerleştirilmiş dokunma algılayıcısı
cisim ile kontak sonucu bir geri-bildirim sağlar - insan derisi üzerinde çalışan dokunma
algılayıcıları gibi. Bu algılayıcılar kullanılarak fiziksel kontağın algılanması gereken yerlerde
dokunma ekranlı görüntü aygıtları, klavyeler ve diğer aygıtlar yapılabilir. Uygulamanın geniş alanı
diş hekimliğinde kaplama ve köprü yapılacak yerin tesbiti çalışmaları, hareket süresince insan
ayağının meydana getirdiği kuvvetlerle ilgili çalışmalar gibi biyomedikal alandır. Dokunma
algılayıcıları protez işlemlerinin balansı için suni dizlere vb. monte edilebilir. Makina ve inşaat
mühendisliğinde bağlayıcı (fastening) aygıtların meydana getirdiği kuvvet çalışmalarında
kullanılabilir.
Dokunma algılayıcısının fabrikasyonunda çeşitli metotlar kullanılabilir. Bazıları gerginliğe tepki

veren ince tabaka bir malzemenin biçimlendirilmesini zorunlu kılar. Sadece açık ve kapalı çıkış
veren basit bir dokunma algılayıcısı şekil 11.3’de görüldüğü gibi arasında boşluk olan iki folyo
yapraktan meydana getirilebilir. Boşluk tipi yuvarlak veya istenilen biçimde delik olabilir.
Yaprakların biri topraklanmış ve diğeri ise bir dirence bağlanmıştır. Çok sayıda algılama alanı
kullanıldığında bir çoğullayıcının kullanılması zorunludur. Boşluk içindeki delik kısım üzerindeki
iletkene bir kuvvet uygulandığında iletken esneyerek alt iletkene dokunma sonucu elektrik kontağı
meydana getirir ve direnç ile topraklanır. Uygulanan kuvveti gösteren çıkış sinyali sıfır olur. Üst ve
alt iletken yaprakçıkların Mylar veya polyproplene gibi arka malzemesi üzerine iletken mürekkebin
ipek baskısı ile fabrikasyonu yapılabilir.
İyi dokunma algılayıcıları modülasyonlu ve kendiliğinden üreten modlarda kullanılan (PVDF)

polyvinylidene fluoride gibi piezo-elektrik tabakalar ile tasarımlanabilirler. Piezo-elektrik tabakalı
modülasyonlu kuplajlı dokunma algılayıcısı şekil 11.4’de görülmekte ve üç tabaka aralarında
yalıtılmıştır (şekilde görülmediği halde tabakalar arasında katmanlar mevcuttur). Üst ve alt
tabakalar PVDF olup orta tabaka ise diğer ikisi arasındaki akustik kuplaj içindir. Orta tabakanın
yumuşaklığı algılayıcının duyarlılığını ve çalışma aralığını belirler. Alttaki piezo-elektrik tabaka
osilatörden AC gerilim ile sürülür. Bu uyarı sinyali tabaka üzerinde mekanik büzülmelere neden
olur ve sıkışma tabakası ile kuplaj sonucu üst piezo-elektrik tabaka alıcı olarak çalışır. Piezo-
elektrik etki tersine dönüşümlü bir fenomen olduğundan sıkışma tabakasındaki titreşimlere maruz
kalan üst tabaka bir alternatif gerilim üretir. Bu sinyal osilatör ile yükseltilir ve senkron
demodülatöre verilir. Demodülatör alınan sinyalin genliğine ve fazına duyarlıdır. Üst tabakaya F
sıkıştırma kuvveti uygulandığında üç tabaka arasındaki mekanik kuplaj değişir. Bu, alınan sinyalin
genliğini ve fazını değiştirir. Bu değişimler demodülatör tarafından tanınır ve çıkışında değişken
gerilim olarak gözükür.
Şekil 11.3 Dokunma

algılayıcısı olarak zar
anahtar
Şekil 11.4 Modülasyonlu piezo-elektrik dokunma algılayıcısı
Belli sınırlar içinde çıkış sinyali kuvvete doğrusal bağlıdır. Eğer 25 μm kalınlıkta iki PVDF tabaka
40 μm silikon lastik sıkıştırma tabakası ile katmanlar halinde konulursa koruyucu tabakalar ile
beraber bütün kalınlık 200 μm yi geçmez. PVDF tabaka elektrotlarının fabrikasyonu hem alıcı veya
hem de verici tarafında hücre benzeri bir şekilde yapılabilir. Bu şekilde uygulanan uyarıcının
uzaysal tanınması sağlanarak hücrelerin elektronik çoğullanması yapılabilir. Algılayıcı aynı
zamanda küçük yer değişimlerinin ölçülmesinde de kullanılabilir. Birkaç mm aralığındaki
doğruluğu ±2 μm’den daha iyidir. Bu algılayıcının avantajları basitliği ve statik kuvvetleri tanıma
özelliği olan DC tepkisidir.
Piezo-elektrik dokunma algılayıcısı lastik deri içine gömülmüş PVDF tabaka şeritleri ile yapılabilir
(şekil 11.5a). Bu algılayıcı kendiliğinden üreten özellikte olup çıkış sinyali bir uyartım sinyali
olmaksızın piezo-elektrik tabaka tarafından üretilir. Sonuç olarak üretilen tepki uygulanan stresin
büyüklüğünden daha çok stresin oranı ile orantılıdır. Hızlı vibrasyonlara neden olan kayan
hareketlerin algılanılmasının istenildiği yerlerde robot uygulamaları için tasarımlar yapılmaktadır.
Piezo-elektrik algılayıcı doğrudan deri ile etkileşim içindedir ve böylece piezo-elektrik şeritin
ürettiği elektrik sinyali sürtünme kuvvetinden kaynaklanan esnek lastik üzerindeki hareketleri
yansıtır.
(a) kesit görünüş (b) tipik tepki
Şekil 11.5 Kayan kuvvetlerin dedeksiyonu için piezo-elektrik filmli dokunma algılayıcısı
Algılayıcı bir katı yapı üzerinde (bir robotun parmağı) silikon lastiğin etrafına sarıldığı 1 mm
kalınlığında süngerimsi alt tabakadan üretilmiştir. Daha düzgün yüzey izleme için akışkan alt
tabaka kullanmak da mümkündür. Algılama şeritleri lastik derinin belli derinliğine
yerleştirildiğinden ve piezo-elektrik tabaka farklı yönlere değişik tepki verdiğinden her yöndeki
hareketler için sinyalin genliği aynı değildir. Algılayıcı yüzeydeki pürüzlülük, kesintiler ve 50 μm
yüksekliğindeki çıkıntılara çift kutuplu sinyal olarak tepki verir (şekil 11.5b).
Rezistif dokunma algılayıcısının fabrikasyonu elektriksel direnci gerginliğin fonksiyonu olan

malzemeler kullanılarak yapılabilir. Algılayıcıda direnci uygulanan basınçla değişen, kuvvete
duyarlı direnç (FSR) vardır. Böyle malzemeler iletken elastomerler veya basınca duyarlı
mürekkeplerdir. İletken elastomer silikon lastik, poliüretan ve iletken parçacık veya liflerle
doyurulmuş diğer bileşenler ile yapılabilir. Örneğin iletken lastik dolgu maddesi olarak karbon
tozundan üretilebilir. Elastomerik dokunma algılayıcısının çalışma prensipleri elastomer iletken iki
levha arasında sıkıştırıldığı veya kalınlığı değiştirildiği zaman kontak alanının değişmesi
prensibine dayanır (şekil 11.6a). Uygulanan kuvvet değiştiğinde elektriksel direncin azalmasıyla
sonuçlanacak şekilde itici ve elastomer arasındaki ara yüzeyde kontak alanı değişir (şekil 11.6b).
(a) Elastomer ile kalınlık uygulaması (b) transfer fonksiyonu
Şekil 11.6 FSR dokunma algılayıcısı

Belli bir basınçta kontak alanı maksimum değerine ulaşır ve transfer fonksiyonu doyuma gider
(şekil 11.6b). Bu algılayıcı bazı uygulamalarda çok kullanışlı olmakla beraber robotik ve tıbbi
alanda kalınlığından dolayı dezavantajı vardır; kalınlığı en ince 1 mm civarında yapılabilir.
Algılayıcının diğer bir tasarımında ise zar tipi anahtar kullanılmıştır (şekil 11.7). Strengeyçler ile
karşılaştırıldığında FSR’nin dinamik aralığı çok geniştir: 0-3 kg’lık kuvvet üzerinde üç kat direnç
değişimi ve daha az doğruluk (tipik m % 10). Bununla beraber doğru kuvvet ölçümünün zorunlu
olmadığı çoğu uygulamalarda algılayıcının düşük fiyatı cazip bir alternatif olmaktadır. FSR
polimer algılayıcının tipik kalınlığı 0,25 mm aralığındadır.
Şekil 11.7 Polimer FSR’li

dokunma algılayıcısı
Minyatür dokunma algılayıcıları iyi uzaysal çözünürlük, yüksek duyarlılık ve geniş dinamik
aralığın zorunlu olduğu robotik alanında özellikle çok istenilir. Silikondaki plastik deformasyon
mekanik histerezisli eşik aygıtlarının fabrikasyonunda kullanılabilir. Bir tasarımda küresel biçimde
kapak meydana getirilerek silikon yaprakçık altındaki boşluğa konulmuş gazın genleşmesi silikon
zarın plastik olarak deformasyonu için kullanılabilir. Şekil 11.8’de görülen yapı silikon yaprakçığın
mikromakina teknolojisi ile yapılmıştır. Normal oda sıcaklığında kritik kuvvet aşıldığında üst
elektrot aşağı doğru bükülür ve aşağıdaki elektrot ile kontak meydana getirir.
Şekil 11.8 Sıkıştırılmış gazlı mikro-makina ile işlenmiş eşik anahtarı
Deney sonuçlarında silikon kontaklı algılayıcı 13 psi civarında kapatma aksiyonu ile 2 psi’lik bir
basınç histerezisi göstermiştir. Anahtarın kapatma direnci 10 kΩ civarında olup mikrogüç
seviyesindeki devreler için yeteri kadar düşüktür.
Başka bir tasarımda basınçlı gaz yerine mikrokavite içinde vakum kullanılır. Şekil 11.9’da görülen
bu algılayıcı soğuk alan emisyonlu katot ve hareketli diyafram anot ile silikon vakum
konfigürasyonundadır. Katotta sivri bir uç bulunmaktadır. Anot ve sivri uç arasına potansiyel farkı
uygulandığında, eğer alan 5×107 V/cm’yi aşarsa katodun içinden vakuma elektronların
tünellenmesine izin veren bir elektrik alanı üretilir. Sivri uçtaki alan şiddeti ve yayılan elektronların
miktarı (emisyon akımı) anot potansiyeli ile kontrol edilir. Dışarıdan kuvvet uygulandığında anot
aşağı doğru bükülerek alan ve emisyon akımı değişir.
Emisyon akımı anot gerilimi, V ile

⎛ b ⎞
I = V 2 a exp⎜⎜ ⎟⎟ (11.4)
⎝ βV ⎠
olarak ifade edilebilir. Burada, a ve b sabitler ve β sivri ucun anot ve katot arasındaki uzaklığa
bağlı geometri faktörüdür. Daha iyi bir duyarlılık için sivri ucun fabrikasyonu yaklaşık 0,02 μm
yarıçapında eğimli olarak yapılır.
Şekil 11.9 Vakum diyot

kuvvet algılayıcısının kesit
görünüşü
Bir robotun otonomisi algılayıcıların kullanılması ile genişletilebilir. Böyle bir algılayıcı nesne
hakkında oryantasyon, büyüklük ve gerekli kuvvet paterni gibi yapısal bilgiler içeren bir dokunma
algılayıcısıdır. İyi dokunma algılayıcılarının konstrüksiyonundaki esas problemler uzaysal
kararlılık, transfer karakteristikleri ve robot kontrol sistemlerinin elektronik arabirimleri ile ilgilidir.
Silikon tasarım teknikleri bu gibi gereksinimlerin karşılanmasında mümkün olabilecek alternatifler
sağlamaktadır. Piezo-rezistif, piezo-elektrik veya kapasitif prensiplerden birinin tercihi yapılabilir.
Şekil 11.10 da 1987 de Regtien tarafından yapılan 81 elemanlı dokunma algılayıcısı görülmektedir.
Dokunma algılayıcısı 28×28 mm² lik silikon yapı üzerinde 81 adet 2,5×2,5 mm² lik elektrotlar ve
çevreleyici elektrottan oluşur. Yapının üzerine iletken üst yapı ile elastik yalıtıcı yapı monte edilir.
Dokunma algılayıcısı ile cisim mekanik temasa geçtiğinde elastik tabakanın kalınlığı nesnenin
biçimi tarafından modüle edilir.
Si Elastik Tabaka
Üst Elektrot Taxel'ler
Ortak Elektrot
Şekil 11.10 Kapasitif dokunma algılayıcısı: şematik diyagram ve 32×32 (1 K) elemanlı algılayıcı
Kalınlık değişimi üst iletken tabaka ve aşağıdaki küçük elektrotların herbiri arasındaki kapasitansın
ölçümü ile dedekte edilebilir. Kapasitanstaki değişimler 20 fF seviyesinde çok küçüktür ve çok
komplike dedeksiyon devrelerinin kullanılmasını gerektirir. Bir kapasitans-faz konvertörü
kullanımı ile 1fF kadar düşük çözünürlük sağlanabilir. Her dokunma elemanı (taxel) bir sırayı, bir
sütunu ve bir satırı aktif hale getirecek şekilde adreslenmiştir. Bu amaç için her taxel elektrotun
hemen yakınında silikon gövdeye entegreli kendi adresleme devresini barındırır. Ne yazık ki
çözünürlük elastik malzemeye de bağlıdır. İlk üretimlerde doğal lastik kullanılmış olup
çözünürlüğü 20 fF ile sınırlayan bir histerezis göstermiştir. Diğer malzemeler ve gövde yapıları
ileri araştırma konuları olarak araştırılmaktadır.
11.3 QUARTZ KUVVET ALGILAYICISI
İnce bir quartz kristali 0-1,5 kg arasında oldukça dar aralıkta fakat 11 bit çözünürlüğünde iyi bir
doğrusallık ile kuvvet veya basınç ölçümü için adapte edilebilir. Algılayıcının çalışmasının
arkasındaki temel fikir elektronik osilatörlerde rezonatör olarak kullanıldığında belirli yapıda
kesilen quartz kristaline mekanik yük uygulandığında rezonans frekansını kaydırmasıdır.
Algılayıcının fabrikasyonu için kristalden sadece bir kenarın x eksenine paralel olduğu dikdörtgen
levha kesilir ve levhanın yüzü z ekseni ile yaklaşık Θ=35° bir açıda kesilir. Bu kesme AT kesim
levhası olarak bilinir (şekil 11.11a).
(a) Quartz kristalinin AT kesimi (b) algılayıcının yapısı (c) dış görünüşü
Şekil 11.11 Quartz kuvvet algılayıcısı
Piezo-elektrik etkiden yararlanmak için levhadaki yüzey elektrotları osilatörün pozitif geri
beslemesine bağlanmıştır (şekil 11.11b). Quartz kristali yüksüz iken fo temel frekansında
osilasyon yaparken yükleme sonucu frekansı
Kf o2 n
Δf = F (11.5)
D
kadar kayar. Burada, F uygulanan kuvvet, K bir sabit, n overtone modlarının sayısı ve D kristalin
büyüklüğüdür. Sıcaklık etkisinden dolayı frekans değişimlerini kompanze etmek için kristallerden
birinin sıcaklık kompanzasyonu olarak kullanıldığı çift kristal kullanılabilir. Her rezonatör kendi
osilasyon devresine bağlanmıştır ve sonuç frekanslar sıcaklık etkisinin çıkartılması için birbirinden
çıkartılır (-). Ticari olarak mevcut kuvvet algılayıcısı şekil 11.11c’de görülmektedir.
11.4 PİEZO-ELEKTRİK KUVVET ALGILAYICILARI
Basit bir piezo-elektrik algılayıcı şekil 11.12’de görülmektedir. Bu algılayıcı kendiliğinden üreten
modda kullanılır. Yani mekanik stresi doğrudan elektrik sinyaline dönüştürür. Bununla birlikte bu
algılayıcı değişken uyarıcılara duyarlı olup sabit kuvvetlere karşı duyarsızdır. Algılayıcı bir itici
tabaka ve arka malzemesi (örneğin silikon lastik) arasına konulmuş PVDF tabaka ile beraber 3
tabakadan oluşmaktadır.
İtici tabakanın PVDF tabakasına bakan yüzeyi kıvrımlı yüzeyli olarak biçimlendirilmiş plastik
tabaka (örneğin, Mylar) dan yapılmıştır. Algılayıcıya dokunulduğu zaman PVDF tabakası iticinin
kıvrımları (grove) tarafından gerilir ve elektrik yükü üretilir. Yük tabakadan çıkarak değişken çıkış
gerilimi üreten akım-gerilim (I/V) dönüştürücüsüne akar. Bu gerilimin genliği belli sınırlar içinde
uygulanan kuvvet ile orantılıdır. Böyle algılayıcının modifiye edilmiş versiyonu tıbbi uygulamada
nefes almanın durma dedeksiyonu için uyuyan bebeğin çok küçük hareketlerinin gözlenmesi
amacıyla yapılmıştır. Algılayıcı karyolada yatağın altına yerleştirilmiştir. Normal olarak nefes alıp
veren bebeğin vücudu hareketli diyaframdan dolayı her nefes alış verişte az miktarda kayma
gösterir. Bunun sonucunda vücudun çekim merkezinin yeri değişir ve bu değişim algılayıcı
tarafından dedekte edilir.
Şekil 11.12 Piezo-elektrik

kuvvet oranı algılayıcısı

1. Kuvvet nedir ve nasıl algılanır?
2. LVDT algılayıcısı ve bir yay takımı ile kuvvet nasıl ölçülür?
3. Basınç dönüştürücüsü ile kuvvet nasıl ölçülür?
4. Strengeyç nedir?
5. Dokunma algılayıcılarının çalışma prensibi nedir?
6. Modülasyonlu piezo-elektrik dokunma algılayıcısının çalışma prensibi nedir?
7. Piezo-elektrik filmli dokunma algılayıcısı ile kayan kuvvetlerin dedeksiyonu nasıl yapılır?
8. FSR dokunma algılayıcısının çalışma prensibi nedir?
9. Polimer FSR’li dokunma algılayıcısının çalışma prensibi nedir?
10. Sıkıştırılmış gazlı eşik anahtarının çalışma prensibi nedir?
11. Vakum diyot kuvvet algılayıcısının çalışma prensibi nedir?
12. Quartz kuvvet algılayıcısının çalışma prensibi nedir?
13. Piezo-elektrik kuvvet oranı algılayıcısı ile nefes almanın durma dedeksiyonunda uyuyan
bebeğin çok küçük hareketlerinin gözlenmesi nasıl yapılır?
12 BASINÇ ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİ
12.1 BASINÇ KAVRAMLARI
Basınç kavramı öncelikle Galileo’nun kısa bir süre için öğrencisi olan Evangelista Torricelli’nin ilk
çalışmalarına dayanmaktadır. Torricelli 1643’de civa ile doldurulmuş tabaklarla yaptığı deneyleri
süresince atmosferin yer üzerinde bir basınç meydana getirdiğini anladı. 1647’de diğer büyük
fizikçi Blaise Pascal kayınbiraderi Perier’in yardımıyla Puy de Dome dağının tepesinde ve
aşağısında bir deney gerçekleştirdi ve civa sütununa etkileyen basıncın yükseltiye bağlı olduğunu
gözlemledi. Deneyde kullandığı vakum içindeki civalı aygıta barometre adını verdi. 1660’da
Robert Boyle “sabit sıcaklıktaki hava kütlesi için basınç ve hacim ölçülerinin çarpımı sabittir’’
ilişkisini ifade etmiştir. 1738 Daniel Bernoulli Boyle’nin kanununun analitik olarak
çıkartılabileceği noktada gaz basıncının etki teorisini geliştirdi. Bernoulli aynı zamanda Charles-
Gay Lussac kanunundan önce sabit bir hacimde gazın ısıtılarak basıncının arttığını ifade etmiştir.
Gaz ve akışkanlar dinamiğinin detaylı tanımları için temel fizik kitaplarından birinin incelenmesi
yeterli olacaktır. Aşağıda basınç algılayıcılarının tasarımı ve kullanılması için gerekli bazı temel
bilgiler verilecektir.
Genel anlamda madde katı ve akışkanlar olarak ikiye ayrılabilir. Akışkan kelimesi akabilen şey
anlamına gelmektedir. Bu sıvı ve gazları içine alır. Sıvılar ve gazlar arasındaki ayrım tamamen
belirli değildir. Basıncın değişmesiyle sıvının gaza ve gazın sıvıya değiştirilmesi mümkündür.
Akışkana yüzeyine normalden başka diğer yönlerden basınç uygulanması mümkün değildir. 90
derecenin dışındaki bir açıda akışkan sadece kayacak veya akacaktır. Bu yüzden akışkana
uygulanan her kuvvet tanjant olarak etkir ve sınırlarına etkiyen basınç yüzeyine normaldir. Durgun
bir akışkanın basıncı sınır yüzeyinin birim alanı, A üzerine dik olarak etkiyen F kuvveti ile
tanımlanabilir:
dF
p= (12.1)
dA
Basınç temelde mekanik bir kavram olup kütle, uzunluk ve zaman ölçüleri ile tanımlanabilir.
Basınç sınırları içindeki pozisyonu ile mutlaka değişmekle beraber yönden tamamen bağımsız
olduğu bilinen bir gerçektir. Yükselti ile basınçtaki değişim
dp = − wdh (12.2)
dir. Burada, w ortamın özgül ağırlığı ve h dikey yüksekliktir.

Basınç sınırlayıcı çevrenin biçiminden etkilenmez. Bundan dolayı çok küçük tipte basınç
algılayıcılarının tasarımı biçim ve boyut dikkate alınmadan yapılabilir. Eğer basınç akışkan veya
gazın bulunduğu çevrenin yüzeylerinden birine uygulanırsa basınç değerinden hiç bir şey
kaybetmeden bütün yüzeye iletilir.
Gazların kinetik teorisinin tanımına göre basınç moleküllerin toplam kinetik enerjisinin bir ölçüsü
sayılabilir:
KE 1
p= 2
3
= 3 ρ C 2 = NRT (12.3)
V
Burada, KE kinetik enerji, V hacim, C2 moleküler hızların karesinin ortalama değeri, ρ yoğunluk, N
birim hacim başına molekül sayısı, R özgül gaz sabiti ve T mutlak sıcaklıktır.
(12.3) eşitliğine göre sıkışabilen akışkanların (gazların) basınç ve yoğunluğu doğrusal ilişkilidir.
Basınçtaki artış yoğunluğun orantılı artışı ile sonuçlanacaktır. Örneğin 1 atm basınçta ve 0 °C’deki
havanın yoğunluğu 1,3 kg/m3 iken aynı sıcaklıkta ve 50 atm basınçta yoğunluğu 65 kg/m3 olup 50
kez daha büyüktür. Bunun tersine sıvıların yoğunluğu değişik sıcaklık ve basınç aralığında çok az
değişir. Örneğin;
¾ 0 °C ve 1 atm’de suyun yoğunluğu 1000 kg/m3
Gaz basıncının ortam basıncının üzerinde veya altında olmasıyla aşırı basınç veya vakum hakkında
konuşulmuş olur. Basınç ortam basıncına göre ölçüldüğünde ise bağıl (relatif) olarak adlandırılır. 0
basınçtaki vakuma göre ölçüldüğünde ise mutlak (absolut) olarak adlandırılır. Bir ortamın basıncı
durgun akışkana göre statik veya hareketli akışkanın kinetik enerjisine göre dinamik olabilir.
12.2 BASINÇ BİRİMLERİ
Basıncın SI birimi pascal’dır: 1Pa = 1 N/m2’dir. Yani bir pascal bir metrekarelik yüzey üzerine
dengeli olarak dağılmış bir newton’luk kuvvete eşittir. Bazen teknik sistemlerde 1 atm yi
göstermek için atmosfer kullanılır. Bir atmosfer normal yer çekimi ivmesinde +4° ’de 1 metre
yüksekliğindeki su sütununun bir santimetre karesine etkiyen basınçtır. 1 Pa aşağıdaki ilişkiler
kullanılarak diğer birimlere dönüştürülebilir:
1 Pa = 1,45.10-4 lb/in2 = 9,869.10-6 atm = 7,5.10-4 cm Hg
Pratik değerlendirme amacıyla 0,1 mm H2O’nun kabaca 1 Pa’ya eşit olduğunu hatırlamak kullanışlı
olabilir. Endüstride basıncın diğer bir birimi sık olarak kullanılır. Normal atmosfer basıncında ve
normal yer çekiminde 0 °C ’de 1 mm civaya etkiyen basınç olarak tanımlanır. Bu birime
Torricelli’den sonra isim verilmiş ve torr olarak adlandırılmıştır. Dünya atmosferinin ideal basıncı
760 torr ve fiziksel atmosfer olarak adlandırılır:
1 atm = 760 torr = 101325 Pa
US’nin kullandığı birimler basıncı inç kare başına bir pound olarak tanımlar (lbs/sq) veya psi. SI
birimine aşağıdaki gibi dönüştürülür:
1 psi = 6,89.103 Pa = 0,0703 atm

Basınç Algılayıcı ve Dönüştürücüleri 329
Basınç algılayıcısının çalışma prensibi duyarlı elemana etkiyen basıncın akabinde elektrik sinyaline
dönüşümüne dayanır. Hemen hemen bütün durumlarda basınç belirli yüzey alanına sahip bir
elemanda yer değişimi ile sonuçlanır. Bunun sonucu olarak basınç ölçümü yer değişimi sonucu
meydana gelen yer değişimi veya kuvvetin ölçülmesine indirgenebilir.
12.3 CİVA BASINÇ ALGILAYICISI
Basitliği ile beraber verimli bir algılayıcı şekil 12.1 de görüldüğü gibi bileşik kaplar prensibine
dayanır. U biçimli iletken tel civa içine daldırılır; her sütundaki civanın yüksekliğiyle orantılı
olarak telin direnci kısa devre olur. Dirençler Wheatstone köprüsüne bağlanmıştır ve tüpteki basınç
sıfır olduğu sürece dengede kalır. Tüpün kollarından birine basınç uygulandığında köprünün
dengesi bozularak çıkış sinyali verir. Sol tüpteki yüksek basınç ile bu kolun direnci daha yüksek ve
diğer kolun direnci daha azdır. Çıkış gerilimi civa ile şöntlenmeyen (dokunmayan) kollardaki
iletken tellerin ΔR direnç farkları ile orantılıdır:
ΔR
Vout = V = VβΔp (12.4)
R
Algılayıcı doğrudan torr biriminde kalibre edilebilir. Basit olmasıyla beraber algılayıcının
etkilenebileceği hassas seviyeleme gerekliliği, darbe ve sarsıntıya duyarlılığı ve gazın civa
buharları ile kirletilmesi gibi bazı sakıncalar vardır.
Şekil 12.1 Gaz basıncının ölçülmesi için

civa doldurulmuş U biçimli algılayıcı
12.4 KÖRÜK, ZAR, İNCE LEVHA VE PLAKALAR
Basınç algılayıcılarındaki algılama elemanı mekanik bir aygıt olup gerginlik altında yapısal
değişikliklere uğrar. Tarihsel olarak böyle aygıtlar burdon tüpleri (C biçimli, büklümlü ve
helisoidal), kıvrımlı ve esnek (catenary) diyaframlar, kapsüller, körükler, fıçı tüpleri ve basınç
altında biçimi değişen diğer komponentler’dir.
Şekil 12.2’deki körük basıncı doğrusal değişime dönüştürüp uygun algılayıcı ile ölçülmesi
amacıyla yapılmıştır. Böylece körük basıncın elektrik sinyaline dönüştürülmesinde birinci adımı
yerine getirir. Körük oldukça geniş yüzey alanı ve buna bağlı olarak düşük basınçlarda büyük yer
değişimi ile karakterize edilir. Dikişsiz metalik körüklerin rijitliği (stiffness) malzemenin Young
modülü ile orantılı ve dış çap ve körük bölümlerinin sayısı ile ters orantılıdır. Sertlik aynı zamanda
duvar kalınlığının kabaca üçüncü kuvveti ile artar.
Basıncın doğrusal sapmaya dönüşümünün popüler bir örneği sıvısız (aneroid) barometredeki
diyaframdır (şekil 12.3). Sapma gösteren eleman basınç odacığının en azından bir duvarı görevinde
ve sapmayı elektrik sinyallerine dönüştüren gerginlik algılayıcısına (strengeyç) bağlanmıştır.
Şimdilerde basınç algılayıcılarının çoğu mikromakina teknolojisi ile üretilmiş silikon zarlardan
yapılmaktadır.
Şekil 12.2 Basınç dönüştürücüsünün çelik Şekil 12.3 Basıncın doğrusal sapmasının
körükleri dönüşümü için metal kıvrımlı diyafram
Bir zar N/m olarak ölçülen S radyal uzatıcı gerginliği (tension) altında ince bir diyaframdır (şekil
12.4). Bükücü kuvvetlere karşı gösterilen sertlik zarın kalınlığının çapı ile karşılaştırıldığında çok
küçük olduğundan (en azından 200 kat daha küçük) ihmal edilebilir. Zarın bir tarafına basınç
uygulandığında sabun köpüğü gibi küresel bir şekil alır. Düşük p basınç farklarında zm merkez
sapması ve σm (N/m2) gerginliği basıncın kısmi doğrusal fonksiyonlarıdır:
(a) ince plaka (b) zar
Şekil 12.4 p basıncı altında ince plaka ve zar
r2 p
zmax = (12.5)
4S
S
σ max = (12.6)
g
Burada, r zar yarıçapı ve g kalınlığıdır. Stress genelde zar alanı üzerinde eşit dağılmıştır. Zarın en
düşük doğal frekansı,
1,2 S
fo = (12.7)
πr ρg
eşitliğinden hesaplanır. Burada, ρ zar malzemesinin yoğunluğudur.
Eğer zarın kalınlığı ihmal edilemeyecek kadar küçük değilse (r/g oranı 100 veya daha azsa) zar
ince plaka olarak adlandırılır (şekil 12.4). Eğer levha bir çeşit sıkıştırıcı halkalar arasında
sıkıştırılırsa ince plaka ve sıkıştırıcı halkalar arasındaki sürtünmeden dolayı etkili bir histerezis
meydana getirir. Daha iyi bir düzenleme ise plaka ve destek parçalarının tek parça malzemeden
yapıldığı yekpare yapıdır.
Plakanın maksimum sapması aynı zamanda basınçla doğrusal ilişkilidir:
3(1 − v 2 )r 4 p
zmax = (12.8)
16 Eg 3
Burada, E Young modülü (N/m2) ve v ise Poisson oranıdır. Çevre boyunca maksimum gerginlik de
basıncın doğrusal bir fonksiyonudur:
3r 2 p
σ max = (12.9)
4g 2
Yukarıdaki eşitliğe göre basınç algılayıcısı zar kalınlığının ve ince plakanın sapmasının azaltılması
ile tasarımlanabilir. Bundan sonraki soru sapmanın hangi fiziksel etki ile elektriksel sinyaline
dönüştürüleceğidir. Bunun için bazı seçenekler vardır. Bunlar piezo-rezistif algılayıcılar, kapasitif
algılayıcılar, değişken relüktanslı algılayıcılar ve opto-elektronik algılayıcılar olabilir.
12.5 PİEZO-REZİSTİF ALGILAYICILAR
Basınç algılayıcısı yapmak için iki temel bileşen gerekir. Bunlar, A bilinen alanlı plaka (zar) ve
uygulanan F kuvvetine tepki veren dedektördür. Bu iki bileşen silikondan yapılabilir. Silikon
diyafram basınç algılayıcısı elastik malzeme olarak ince silikon diyafram ve diyaframın içine
dağıtılarak yerleştirilmiş katkı malzemelerinden yapılmış geyç dirençlerinden oluşur. Burada
silikonun üstün elastik karakteristiklerini unutmamak gerekir; neredeyse kuvvetli sabit basınçlar
altında bile kalıcı boy uzaması ve histerezis meydana getirmez. Silikonun geyç faktörü ince metal
iletkenlerden daha çok büyüktür. Strengeyç dirençlerinin Wheatstone köprüsüne bağlanması ise
gelenek haline gelmiştir. Böyle bir devrenin tam skala çıkışı birkaç yüz milivolt seviyesinde
olduğundan çıkışı istenilen biçime getirmek için sinyal düzeltici devreye gerek vardır. Silikonun
sıcaklık duyarlılığının çok olmasından dolayı sinyal düzeltici devreye sıcaklık kompanzasyon
devresinin eklenmesi ayrıca gerekmektedir.
Yarı-iletken dirence bir stress uygulandığında başlangıçtaki R direncine ek olarak piezo-rezistif etki
sonucu ΔR kadar direnç değişimi meydana gelir:
ΔR
= π l σ l + π tσ t (12.10)
R
Burada, πl ve πt sırasıyla boyuna ve enine yönlerdeki piezo-rezistif katsayılardır. Boyuna ve enine

yönlerdeki gerginlikler δl ve δt olarak tasarlanır. π katsayıları silikon kristali üzerindeki dirençlerin
konumuna bağlıdır. Bunun sonucu olarak şekil 12.5’de görüldüğü gibi p-tipi yayılmış direnç <110>
yönünde ve n tipi silikon kare tipi diyafram (100) yüzey konumunda düzenlenir. Katsayılar
πl = −πt = 12 π44 (12.11)

olarak gösterilmiştir. Dirençteki değişim uygulanan gerginlikle ve akabinde de uygulanan basınçla

orantılıdır. Dirençler diyafram üzerinde boyuna ve enine katsayılar ters polariteye sahip olacak
şekilde pozisyonlandırılır ve bu yüzden dirençler zıt yönlerde değişir.
ΔR1 ΔR
= − 2 = 12 π 44 (σ ly − σ lx ) (12.12)
R1 R2
(a) (b)
Şekil 12.5 Silikon diyaframda piezo-rezistörlerin pozisyonu
R1 ve R2 yarım köprü devreye bağlanıp köprü E ile uyartıldığında çıkış gerilimi, Vçıkış
Vçıkış = 14 Eπ 44 (σ ly − σ lx ) ) (12.13)
olur. Sonuç olarak basınç duyarlılığı, ap ve devrenin sıcaklık duyarlılığı, bT kısmi türevler alınarak
bulunabilir.
1 ∂Vout π 44 ∂ (σ ly − σ lx )
ap = = (12.14)
E ∂p 4 ∂p
1 ∂a p 1 ∂π 44
bT = = (12.15)
a p ∂T π 44 ∂T
∂π 44 / ∂T negatif değere sahip olduğundan duyarlılığın sıcaklık katsayısı negatiftir ve yani yüksek
sıcaklıklarda duyarlılık azalır.
Silikon basınç algılayıcısı işleminde kullanılabilecek üretimin değişik metotları vardır. Bir metotta
(100) yüzey konumu ile başlangıç malzemesi n-tipi silikon yapıdır. 3×1018 cm-3 yüzey katkı
konsantrasyonlu piezo-rezistörlerin bor iyon implantasyonu ile fabrikasyonu yapılır. Piezo-
rezistörlerden biri (R1) paralel ve diğeri <110> diyafram konumuna dikeydir. Dirençler ve pn-
jonksiyonlar gibi diğer çevresel bileşenler sıcaklık kompanzasyonu için kullanılır ve piezo-
rezistörlerin yapılma sürecindeki aynı işlemde yapı üzerine yerleştirilir. Bunlar diyaframın kalın
kapak alanına yerleştirildiğinden diyaframa uygulanan basınca karşı duyarsızdırlar.
Gerginlik algılamaya diğer bir yaklaşım şekil 12.6’da görülen Motorola MPX basınç
algılayıcısında kullanılmıştır. Strengeyç olarak görev yapan piezo-rezistif elemanın ince silikon
diyafram üzerine iyon implantasyonu yapılır. Uyartım akımı dirençlerin 1 ve 3 nolu uçlarından
boylamasına geçer ve diyaframı gerdiren basınç akımın akışına 90 derece açı ile uygulanır.
Gerginlik dirençte bir elektrik alanı meydana getirir ve 2 ve 4 nolu uçlardan bu gerilim algılanır.
Tek elemanlı enine gerilim strengeyçi Hall etkili mekanik analog aygıt olarak görülebilir. Bir
eleman kullanılarak Wheatstone köprüsü tasarımı için gereken birbirine yakın değerde dört adet
gerginlik ve sıcaklığa duyarlı dirençlerin kullanılması elimine edilir. Aynı zamanda kalibrasyon ve
sıcaklık kompanzasyonu için gerekli ek devreler de basitleştirir. Bununla birlikte tek elemanlı
strengeyç elektriksel olarak köprü devresine benzer. Balansı (offset) geleneksel köprüde olduğu
gibi eşlenmiş dirençlere bağlı olmayıp enine gerilim uçlarının ne kadar iyi ayarlandığına yani aynı
doğrultuya getirildiğine bağlıdır. Bu ayarlama kontrol kolaylığı bakımından foto-litografik işlemde
yapılır. Tasarımcının işini kolaylaştırmak için çipin içine sıcaklık kompanzasyonu ve kalibrasyon
elemanlarıyla birlikte sinyal işleme arabirim elemanları da eklenmiştir.
Şekil 12.6 Motorola MPX basınç

algılayıcısının kompanze
edilmemiş temel piezo-rezistif
elemanı
Alanı 1 mm² büyüklüğünde ince silikon diyafram kazıma çözeltileri ile şekillendirilir; örneğin
hydrazine suyu (N2H4 H2O) - anisotropik kazıyıcı. SiO2 veya Si3N4 katmanı yaprakçığın alt
yüzeyinde kazıma maskesi ve koruyucu tabaka olarak görev yapar. Kazıma zamanı akmakta olan
çözeltide 90 °C de 1,7 μm/dakika’dır. Diyaframın son kalınlığı 30 μm civarında sağlanır.
Diyafram üretiminin diğer bir metodu silikon füzyon yapıştırmaya (SFB) dayanır; ara katmanlar
kullanılmaksızın tek kristal silikon yaprakçıklar mükemmele yakın ara yüzeyler olarak güvenilir
şekilde yapıştırılabilir. Bu teknik tıp alanında canlı, bitki veya hayvanlar üzerindeki ölçümlerde
kılcal boru (catheter) dönüştürücülerinde kullanılan çok küçük algılayıcıların yapımına izin verir.
Toplam çip alanı normal silikon basınç algılayıcılarının alanından 8 kat daha küçük olabilir.
Algılayıcı iki kısımdan oluşur; alt ve üst yaprakçılar (şekil 12.7a). Alt sınırlayıcı yaprakçığa
(gövde) öncelikle anisotropik kazıma ile diyaframın istenilen ölçülerinde bir kare delik açılır. Alt
yaprakçığın kalınlığı yaklaşık 0,5 mm ve diyaframın yan ölçüleri 250 μm’dir; böylece anisotropik
kazıma ile yaklaşık 175 μm derinliğinde piramit biçimli bir kavite meydana getirilir. Bundan
sonraki adım n-tipi epi tabaka ile p-tipi yapıdan oluşan yaprakçığın üzerine silikon yapıştırma
işlemi (SFB) yapmaktır. Epi tabakasının kalınlığı diyaframın istenilen en son kalınlığına karşılık
gelir. Sonra yaprakçığın üzerindeki fazlalık tamamen kazıma işlemi ile kaldırılır ve böylece
algılayıcının diyaframı biçimini alan tek kristal tabaka silikon üzerinde kendiliğinden yapışık
bırakılmış olur. Bundan sonra dirençlerin iyon implantasyonu yapılır, kontak geçişleri kazınır ve
biriktirme ve kazıma tekniği ile istenilen patern’e getirilir. Son adımda sınırlayıcı yaprakçık
yerleştirilir ve aygıtın istenilen kalınlığında (140 μm civarında) alt yüzeyi parlatılır. SFB çiplerinin
boyutları geleneksel çip boyutlarının yarısı civarında olmasına rağmen basınç duyarlılıkları ise
aynıdır. SFB ve diğer çiplerin karşılaştırılması şekil 12.7b’de gösterilmiştir. Aynı diyafram
boyutları ve çipin dış boyutlarına göre SFB aygıtı % 50 daha küçüktür.
(b) geleneksel diyafram ile SFB çip

(a) üretim adımları
boyutunun karşılaştırılması
Şekil 12.7 Silikon zar fabrikasyonlarında silikon füzyon yapıştırma metodu
Basınç algılayıcıları ekseriyetle mutlak, fark ve geyç basıncı ölçümleri için üç temel
konfigürasyonda yapılırlar. Mutlak basınç barometrik basınç gibi vakum odacığının referansına
göre ölçülür. Odacık dışarıda olabileceği gibi algılayıcının içinde de olabilir (şekil 12.8a). Bir fark
basıncı fark basınç akış metresinde olduğu gibi diyaframın zıt yönlerinden aynı zamanda basınç
uygulanarak ölçülür. Buna örnek olarak atmosferik basınca göre yapılan kan basıncı ölçümü
verilebilir. Her üç düzenlemenin paketlemeleri farklılık gösterirken diyafram ve strengeyç
tasarımları aynıdır. Örneğin bir fark veya geyç algılayıcısı yapmak için silikon parça odacığın içine
yerleştirilir (şekil 12.8b). Parçanın her iki yanında iki açık giriş vardır. Sarsıntılı ortamlardan
algılayıcıyı korumak için kutucuğun iç kısmı silikon jel ile doldurulur; jel basınç sinyalinin silikon
diyaframa geçmesine izin verirken parça yüzeyini ve iletken bağlantıyı izole eder. Fark algılayıcısı
değişik bağlantı çıkışlı aygıtların içine monte edilebilir (şekil 12.9). Sıcak sulu çekiç, aşındırıcı
akışkanlar ve yük hücreleri gibi bazı uygulamalar fiziksel izolasyonu ve çipi taşıyan paket ile
hidrolik kuplajı zorunlu kılar. Bu ek diyafram ve körüklerle yapılabilir. Her durumda sistemin
frekans tepkisinin azalmaması için hava boşluğuna silikon yağı doldurulabilir.
(a) Mutlak tip (b) diferansiyel tip
Şekil 12.8 Basınç algılayıcıları
Bütün silikon tabanlı algılayıcılar sıcaklık bağımlılığı ile karakterize edilirler. Duyarlılığın sıcaklık
katsayısı, bT 12.15 eşitliği ile tanımlanır ve genellikle negatiftir ve doğru basınç algılanılması için
kompanze edilmesi gerekir. Köprü devrelerinin sıcaklık kompanzasyon metotları NTC termistörler
ile, kaynağa seri bağlı sabit dirençler ile, sıcaklık kontrollü gerilim kaynağı ile ve akım kaynağı ile
yapılabilir. Kompanzasyon yapılmaksızın algılayıcının çıkış gerilimi üç farklı sıcaklık için şekil
12.10a’da görüldüğü gibi olabilir.
Şekil 12.9 Çeşitli diferansiyel basınç algılayıcıları
Çoğu uygulamalarda basit fakat verimli sıcaklık kompanzasyonu algılayıcıya seri veya paralel
sıcaklık kararlı direnç bağlanarak yapılabilir. Direncin uygun değerinin seçimi ile algılayıcının
çıkışı istenilen çalışma aralığına ayarlanabilir (şekil 12.10b). Geniş aralıkta daha iyi sıcaklık
düzeltimi zorunlu ise sıcaklık dedektörlerinin bulunduğu daha karmaşık kompanzasyon
devrelerinin kullanılması gerekebilir. Buna alternatif bir çözüm basınç dönüştürücüsü sıcaklığının
dönüştürücüye yerleştirilmiş sıcaklık algılayıcısı ile ölçüldüğü yazılım (software)
kompanzasyonudur. Basınç ve sıcaklık algılayıcısından gelen veriler sayısal (nümerik)
kompanzasyonun sayısal olarak yapılacağı işleme devresine gönderilir.
(b) kompanzasyon direncinin farklı üç değeri

(a) farklı üç sıcaklıkta transfer fonksiyonu
için tam skala hataları
Şekil 12.10 Piezo-rezistif basınç algılayıcısının sıcaklık karakteristikleri
Silikon diyafram kapasitif algılayıcıda basınçtan elektriğe dönüştürme işleminde kullanılabilir.

Burada diyaframın yer değişimi referans plakasına (arka plaka) göre kapasitansta modülasyon
meydana getirir. Bu dönüşüm özellikle düşük basınçlı algılayıcılar için etkilidir. Algılayıcının
tamamının fabrikasyonu tek parça silikon kütleden yapılabilir; böylelikle çalışma kararlılığı
maksimuma çıkartılabilir. Diyaframın tam aralık üzerinde % 25 kapasitans üretecek şekilde
tasarımlanması bu algılayıcıların çıkışının doğrudan sayısal forma dönüştürülmesini kolay hale
getirir. Piezo-rezistif diyaframın kenarlarında maksimum gerginlik olacak şekilde tasarımlanması
gerekirken kapasitif diyafram orta kısmındaki yer değişiminden yararlanır. Bu diyaframlar
diyaframın her iki kenarına yakın yerleştirilen mekanik durdurucular ile aşırı basınçlara karşı
korunabilirler (örneğin fark basınç algılayıcısı). Maalesef piezo-rezistif diyaframlarda aynı koruma
metodu çalışma yer değişiminin küçük olmasından dolayı tamamen etkili olmamaktadır. Sonuç
olarak piezo-rezistif algılayıcıların tipik delinme basınçları tam skala aralığının yaklaşık 10 katı
olurken kapasitif algılayıcılar aşırı basınç durdurucuları veya sınırlayıcıları ile tam skala anma
basıncının bin katına kadar dayanabilirler. Bu özellikle çok yüksek basınç palslerinin oluşabileceği
düşük basınç uygulamalarında önemlidir.
Basınç algılayıcısının tasarımı yapılırken iyi bir doğrusallık için diyaframın düzgünlüğünün
korunması önemlidir. Geleneksel olarak bu algılayıcılar sadece kalınlıklarının boyutundan çok
daha küçük yer değişimleri için doğrusaldırlar. Doğrusal aralığı artırmanın bir yolu mikro-makina
teknolojisi ile diyafram üzerinde kıvrımlı ve dalgalı yollar yapmaktır. Ek olarak kapasitörün paralel
plaka aksiyonunu sürdürmesi için yüzeyi kabartmalı yapılır. Kıvrımların ve kabartmanın
kombinasyonu tam skalada % 0,01’lik bir doğrusalsızlığa neden olmaktadır. Diyafram diğer iki
parça silikon arasına sandviç gibi yerleştirilmiştir. Üstteki silikon parça mekanik aşırı basınç
durdurucu olarak görev yapar. Aşağıdaki silikon parça ise CMOS devresini ve kapasitörün arka
plakasını üzerinde taşır ve aynı zamanda diğer yönde aşırı basınç durdurucu olarak görev yapar.
Algılayıcının tamamı şekil 12.11a’da görülmektedir. Düz diyaframların genel olarak aynı ölçü ve
kalınlıktaki kıvrımlı diyaframlara göre daha duyarlı olduğu düşünülmektedir. Bununla beraber
düzlem içindeki gerdirici streslerin varlığında kıvrımlar gerginliğin bir kısmını bırakma görevi
yaparlar ve böylece daha iyi duyarlılık ve doğrusallık verirler (şekil 12.11b).
(a) Kapasitif diyafram ve arabirim (b) plakadaki gerdirici stres altında aynı boyutlardaki kıvrımlı
elektronik devresi ve düz diyaframların merkez sapması
Şekil 12.11
12.7 DEĞİŞKEN RELÜKTANSLI BASINÇ ALGILAYICILARI
Düşük basınçların ölçümünde ince plaka veya diyaframın sapması çok küçük olabilir. Gerçekte
diyaframa eklenmiş veya içine yerleştirilmiş strengeyçlerin kullanımı düşük çıkış sinyalinden
dolayı pratik olmayabilir. Bu probleme uygun bir cevap malzemenin iç gerginliği yerine diyaframın
sapmasının bir referans tabana göre relatif pozisyonunun ölçüldüğü kapasitif algılayıcı olabilir.
Böyle algılayıcılara daha önce değinilmişti. Özellikle çok düşük basınçlar için kullanışlı diğer bir
çözüm manyetik algılayıcıdır. Değişken relüktanslı basınç (VRP) algılayıcısında bir fark
transformotorunun manyetik direncini modüle eden manyetik geçirgenlikli diyafram kullanılır.
Algılayıcının çalışma prensibi manyetik yaklaşım dedektörlerine çok yakındır. Şekil 12.12a
manyetik akı modülasyonunun arkasındaki temel fikri göstermektedir. E tipi nüve ve sargı
donanımının ürettiği manyetik akı nüveden hava yoluyla diyaframa geçer. E nüveli manyetik
malzemenin geçirgenliği havadan en azından bin kat daha büyüktür ve manyetik direnci havanın
direncinden düşüktür. Havanın manyetik direnci nüvenin manyetik direncinden çok daha büyük
olduğundan hava aralığı nüve sargı donanımının indüktansını belirlemektedir. Diyafram sapma
gösterdiğinde sapma yönüne bağlı olarak hava aralığı artarak ve azalarak indüktansın
modülasyonuna neden olacaktır.
(a) temel çalışma prensibi (b) eşdeğer devre
Şekil 12.12 Değişken relüktanslı basınç algılayıcısı
Basınç algılayıcısı üretmek için manyetik olarak geçirgen bir diyafram transformotorun kabuk
kısmının arasına sandviç şeklinde konulur (şekil 12.13). Her kabuk kısımda bir E-nüve/sargı
donanımı vardır. Sargılar çok yüksek basınçlar altında bile maksimum kararlılığın sürdürülmesi
için sert bir madde içine konulmuştur. Diyaframın her iki yanına ince basınç kaviteleri biçimi
verilmiştir. Diyaframın kalınlığı tam skala çalışma aralığını belirlemekle beraber çoğu durumlar
altında toplam sapmanın 25-30 μm’yi aşmaması bu aygıtı düşük basınçlarda çok duyarlı
yapmaktadır. Daha da ötesi ince basınç kavitelerinden dolayı aşırı basınç durumları altında zar aşırı
basınçtan korunmuş olur. Böylece VRP algılayıcıları doğal olarak güvenilir aygıtlar olmaktadır.
AC akımla uyartıldığı zaman her nüvede ve diyafram yoluyla hava aralığında manyetik akı üretilir.
Böylece algılayıcılar iki indüktans içermekte ve her indüktans köprünün bir kolunu oluşturan
değişken relüktanslı köprünün yarısı gibi düşünülebilir (şekil 12.12b). Diyaframa bir fark basıncı
uygulandığı zaman bir kenarında azalma ve diğer tarafında artma ile diyafram sapma gösterir ve
uygulanan fark basıncı ile orantılı olarak hava aralığı relüktansları elektromanyetik devrede
değişim meydana getirir. Diyaframdaki tam skala basıncı çok küçük olmanın yanında çıkış sinyali
çok büyük olacak ve gürültülerden rahatlıkla çıkartılabilecektir.
VRP algılayıcısının çıkışı modülasyonlu elemanlar olarak eşdeğer indüktif reaktansları, x1,2
kullanan indüktif Wheatstone köprüsünün her bir kolundaki relüktansla orantılıdır. Bir sargının
indüktansı sargı sipir sayısı ve sargı geometrisi ile belirlenir. Alan akısı içine manyetik geçirgenliğe
sahip bir malzeme konulduğu zaman manyetik alanı çekerek düşük dirençli bir yol meydana getirir
ve sargının öz indüktansını değiştirir. Devrenin indüktansı ve akabinde reaktansı manyetik
relüktansla ters orantılıdır yani x1, 2 = k / d dir; burada, k bir sabit ve d hava aralığının
büyüklüğüdür. Köprü AC ile uyartıldığı zaman köprü uçlarındaki çıkış gerilimi uygulanan basınç
ile genlik modülasyonuna uğrar. Bu genlik köprünün dengesizliği ve dengesizliğin yönü ile değişen
çıkış sinyalinin fazı ile orantılıdır. AC sinyali DC tepki üretmek için demodüle edilebilir.
(a) Algılayıcı takımı (b) kavitenin her iki yanındaki çift E nüve
Şekil 12.13 Düşük basınç ölçümleri için VRP algılayıcısının konstrüksiyonu
12.8 OPTO-ELEKTRONİK ALGILAYICILAR
Düşük seviyeli basınçların ölçümünde veya tersine geniş bir dinamik aralıkta kalın zarların
kullanılması zorunlu olduğunda yeterli çözünürlük ve doğruluğu sağlamak için diyaframın değişimi
çok küçük olabilir. Bunların yanında piezo-rezistif algılayıcıların çoğu ve bazı kapasitif
algılayıcıların sıcaklığa duyarlılıkları çok olduğundan ek sıcaklık kompanzasyonuna gerek
duyarlar. Bir optik okuma sistemi diğer teknolojilerin üzerinde avantaja sahip olabilir (yani basit
bir kutulama işlemi, küçük sıcaklık etkileri, yüksek çözünürlük ve doğruluk). Özellikle umut verici
olanlar ışığın karışımı (interference) fenomeni ile çalışan opto-elektronik algılayıcılardır. Böyle bir
algılayıcının basitleştirilmiş devresi şekil 12.14’de görülmektedir. Karışım’ın (interference) anlamı
aynı frekansta fakat farklı fazda iki dalganın birleşiminin dalga genliğinin değişmesine neden
olmasıdır.
Şekil 12.14 Karışım (interference)

fenomeni ile çalışan opto-elektronik
basınç algılayıcısının kesit görünüşü
Algılayıcının temel parçaları şunlardır: silikon üzerinde kazıma ile oluşturulmuş zar ile
kendiliğinden üreten optik basınç çipi, ışık yayan diyot (LED) ve dedektör çipi. Basınç çipi bundan
önce bahsedilen kapasitif basınç algılayıcısına benzemekte fakat burada kapasitör yerine
diyaframın sapmasını ölçen bir Fabry-Perot (FP) interferometre biçimli optik kavite kullanılmıştır.
Silikon çip üzerine arka kısmı kazınmış tek kristal diyafram ince metalik tabaka ile kaplanmış ve
arka kısmındaki metalik katmanın üzeri cam plaka ile kaplanmıştır. Cam, silikon çipten w
uzaklığında iki boşluk ile ayrılmıştır. İki metalik tabaka zar üzerinde basınca duyarlı hareketli ayna
ve cam üzerine yarı şeffaf düz paralel duran sabitlenmiş ayna ile değişken boşluklu bir FP
interferometre oluşturmaktadır. Dedektör çipi üç adet pn jonksiyonlu foto diyot içerir. Bunlardan
ikisi az miktarda farklı kalınlıkta entegre optik FP filtreleri ile kaplanmıştır. Filtreler birinci yüzey
silikon aynaları olarak biçimlendirilmiş, SiO2 tabaka ile kaplanmış ve yüzeyleri ince metal ayna ile
(Al) kaplanmıştır. Algılayıcının çalışma prensibi FP kavitesinin genişliğine bağlı olarak gönderilen
ve yansıyan dalga boylarının modülasyonunun ölçümüne dayanır. Kaviteden yansıma ve iletim
hemen hemen 1/2w periyoduna eşit ışığın dalga boyunun tersinin, 1/λ periyodik fonksiyonudur. w
uygulanan basıncın bir fonksiyonu olduğundan yansıyan ışık dalga boyu modülasyonludur.
Dedektör çipi demodülatör olarak çalışır ve uygulanan basıncı temsil eden elektrik sinyalleri üretir.
Çip, bu iki FP filtresi arasındaki yükseklik farkının oluşturduğu sanal kavite ile basınç
algılayıcısının algılama kavitesinin optik bir karşılaştırmasını yerine getirir. Eğer her iki kavite aynı
ise dedektör maksimum foto akımı üretir ve basınç değiştiği zaman foto akımı ışık kaynağının
ortalama dalga boyunun yarısı ile tanımlanan bir periyot ile kosinüs modülasyonuna uğrar. FP
filtresiz foto diyot referans diyotu olarak görev yapar ve dedektöre ulaşan ışık şiddetini gözler.
Dedektörün çıkış sinyali bilginin orantılı işlenmesi için kullanılır. Doğal olarak algılayıcının çıkışı
doğrusal olmadığından bir mikroişlemci ile doğrusallaştırma işlemi genelde zorunludur. Benzer
optik basınç algılayıcıları fiber-optiklerle tasarlanabilir. Böylece radyo frekansı karışımının ciddi
problem olabileceği yerlerde uzaktan algılama için özellikle kullanışlı hale gelmektedir.

1. Basınç algılayıcılarının tasarımında algılayıcının boyutunun etkisi nedir?
2. Civa basınç algılayıcısının çalışma prensibi nedir?
3. Körük, zar ve diyafram ile basınç nasıl ölçülür?
4. Silikon diyaframda piezo-rezistörlerin pozisyonu nasıl ayarlanır?
5. Mutlak ve diferansiyel basınç algılayıcılarının çalışma prensibi nedir?
6. Basınç algılayıcısında sıcaklığın etkisi nasıl kompanze edilir?
7. Kapasitif basınç algılayıcısında diyaframın kıvrımlı veya düz yapılmasının etkisi nedir?
8. Değişken relüktanslı basınç algılayıcısının çalışma prensibi nedir?
9. Değişken relüktanslı basınç algılayıcısının sargı indüktanslarının değişim eğrisini çiziniz.
10. Opto-elektronik basınç algılayıcısının çalışma prensibi nedir?
13 AKIŞ ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİ
13.1 AKIŞ DİNAMİĞİNİN TEMELLERİ
Fiziğin temellerinden biri de korunumlu miktar olan kütle’dir. Kütle yoktan var edilemez veya yok
edilemez. Kütlenin kaynakları veya yutaklarının yokluğunda sınırlarına bakılmaksızın miktarı sabit
kalır. Bununla beraber sınırlar içinde kütlenin girişi veya çıkışı varsa kütlenin giriş ve çıkışlarının
toplamının sıfır olması gerekir. Aynı zaman aralığında her iki birim ölçüldüğünde sisteme giren
kütle, (Mgiriş) sistemi terkeden kütleye, (Mçıkış) eşittir:
dM giriş dM çıkış
= (13.1)
dt dt
Makina mühendisliğinde akışı ölçülen hareketli ortam sıvılar (su, yağ, uçucu maddeler, gaz yağı,
vb), hava ve gazlar (oksijen, azot, CO, CO2, metan CH4, su buharı, vb.) dır.
Kararlı bir akışta bir noktadaki hız zamana göre sabittir. Hareketli ortamda her nokta boyunca
geçen bir akış hattı çizilebilir (şekil 13.1a). Kararlı akışta akış hattının dağılımı zamandan
bağımsızdır. Hız vektörü her z noktasında akış hattına tanjanttır. Akışın bir demetini çevreleyen
akışın sınırları akış tüp’ü olarak adlandırılır. Böyle bir tüpün sınırı akış hatlarından oluştuğundan
hiçbir akışkan (gaz) akış tüpünün sınırını geçemez ve tüp biçimi olan boru gibi davranır. Akışkan
ortam A1 giriş kesit alanlı böyle bir borunun bir ucundan girer ve A2 çıkış kesit alanındaki aynı
borunun diğer ucundan çıkar. Akış tüpünün içindeki hareketli malzemenin hızı genelde tüp
boyunca farklı genlikte olacaktır.
Bir düzlemi (şekil 13.1b) geçen hareketli ortamın hacmi belirli Δt zaman aralığında
V ΔxdA
Λ= =∫ = ∫ vdA (13.2)
Δt Δt
dir. Burada, v hareketli ortamın hızıdır ve A alanı üzerinde integralinin alınması gerekir ve Δx V
hacminin yer değişimidir. Şekil 13.2 de bir borudaki sıvı veya gazın hızının kesit alan üzerinde
değişebildiği görülmektedir. Ortalama hız tanımı burada kullanışlı olmaktadır:
va =
∫ vdA (13.3)
A
(a) Akış tüpü (b) Düzlem boyunca bir ortamın (maddenin) akışı
Şekil 13.1
Şekil 13.2 Bir borudaki

akışın hız profili
Boyutları boru ölçüsünden oldukça küçük bir algılayıcı ile hızın ölçümünde ortalama hız va iken
çok küçük ve çok yüksek hatalı hız dedeksiyonu ihtimaline dikkat edilmelidir. Ortalama hız ve
kesit alanının çarpımı akı veya akış oranı olarak adlandırılır. SI birimi m3/sn ve US sistemi ise
ft3/sec.’dir. Akı ortalama hız formülünden yararlanılarak bulunabilir:
Ava = ∫ vdA (13.4)
Akış algılayıcısının ölçtüğü değer ekseriyetle va dır. Bundan dolayı akış oranını belirlemek için akış
tüpünün kesit alanının, A bilinmesi gerekir yoksa ölçüm anlamsızdır.
Hacimin yer değişiminin belirlenmesinde akış ölçümü nadiren yapılır. Ekseriyetle gereken şey
hacimden daha çok kütle akışının belirlenmesidir. Burada sıkıştırılamayan akışkanların bahsi
durumunda hacim veya kütleden birisi alınabilir. Sıkıştırılamayan bir maddenin kütlesi ve hacmi
arasındaki ilişki yoğunluk, ρ ile kurulabilir:
M = ρV (13.5)
Bazı maddelerin yoğunlukları tablo 5.2’de verilmiştir. Kütlenin akış oranı,
dM
= ρAv (13.6)
dt
Akış Algılayıcı ve Dönüştürücüleri 343
olarak tanımlanır. Kütle akışının SI birimi kg/sn, US geleneksel sistemi lb/sec’dir. Sıkıştırılabilen
ortam için (gaz) verilen bir basınçta kütle akışı veya hacim akışının belirlenmesi gerekir.
Kütle veya hacmin yer değişim oranını belirleyerek akış hızını ölçebilen çok sayıda algılayıcı
vardır. Hangi algılayıcı kullanılırsa kullanılsın ölçümün doğasında bulunan zorluklar işlemi
karmaşık hale getirmektedir. Bunun için ortam, akışkanı çevreleyen ortam, boru ve silindir
biçimleri ve malzemesi, ortam sıcaklığı ve basınç, vb. gibi doğal karakteristiklerin dikkate alınması
gerekir. Akış ölçümü için özel bir algılayıcının seçiminde üreticinin teknik özelliklerine başvurmalı
ve algılayıcının uygulanmasındaki tavsiyelere dikkatlice uyulmalıdır. Bu kitapta geleneksel türbin
tipi akış metrelere yer verilmemiştir. Özellikle akışı sınırlamayacak (veya çok az sınırlayacak)
hareketli bileşeni olmayan algılayıcılar ilgi alanı olmaktadır.
13.2 BASINÇ GRADYAN TEKNİĞİ
Akışkan mekaniğindeki temel bir eşitlik sadece akıcı olmayan ve sıkıştırılamayan ortamın kararlı
akışına uygulanabilen Bernoulli eşitliğidir:
p + ρ ( 12 va2 + gy ) = sabit (13.7)
Burada, p akış tüpündeki basınç, g = 9,80665 m/s2= 32,174 ft/s2 yerçekimi sabiti ve y ortamın yer
değişiminin yüksekliğidir. Bernoulli eşitliği akış boyunca basınçların ölçümü ile akışkan hızının
bulunmasına yarar.
Akış ölçümünde basınç gradyan tekniği temelde bir akış direncinin tanıtılmasını zorunlu
kılmaktadır. Bilinen bir direncin uçlarındaki basınç gradyanının ölçümü akış oranının
hesaplanabilmesini sağlar. Bu kavram ohm kanununa benzer; sabit bir direncin uçlarındaki gerilim
(basınç) akım (akış) ile orantılıdır. Pratikte akışa karşı dirence neden olan sınırlayıcı elemanlar dar
delikler, gözenekli tıpalar ve Venturi tüpleridir (incelen borular). Şekil 13.3 de iki farklı tipteki akış
dirençleri görülmektedir. İlk durum kanaldaki dar bir geçittir ve diğeri ise maddenin akışını bir
miktar sınırlayan gözenekli tıpadır. Direncin uçlarına bir fark basınç algılayıcısı yerleştirilmiştir.
Hareketli kütle yüksek dirençli alana girdiğinde hızı direncin artışı ile orantılı olarak artar:
v1a = v2 a R (13.8)
Bernoulli eşitliğinden fark basınçları
ρ ρ
Δp = p1 − p2 = (v22a − v12a ) = k v22a (1 − R 2 ) (13.9)
2 2
olarak tanımlanır. Burada her iki basınç ölçümünün aynı yükseklikte (y = 0) yapıldığı
varsayılmıştır. Eşitlikteki k düzeltme katsayısı olup p2 gerçek basıncının teorik olarak
hesaplanandan biraz daha düşük olmasından dolayı zorunludur. Aynı eşitlikten ortalama hız
hesaplanabilir:
1 2
v2 a = Δp (13.10)
2
k (1 − R ) ρ
Birim zaman başına kütlenin akış oranını belirlemek için sıkıştırılamayan bir madde için ortalama
hız eşitliği (13.10) sadeleştirilebilir:
q = ξA2 Δp (13.11)
Burada, ξ kalibrasyonla belirlenen bir katsayıdır. Kalibrasyonun tüm sıcaklık çalışma aralığında
belirli bir sıvı veya gaz ile yapılması gerekir. Sonuç olarak basınç gradyan tekniği temelde bir fark
basınç algılayıcısının veya iki mutlak basınç algılayıcısının kullanılmasını gerektirir. Eğer çıkış
sinyalinin doğrusal bir temsili istenirse bir karekök çıkarımının kullanılması gerekir. Karekök
çıkarım işlemi geleneksel hesaplama tekniklerinden birini kullanan mikro-işlemci ile yerine
getirilebilir. Basınç gradyan metodunun bir avantajı hareketli bileşenlerinin olmaması ve mevcut
standart basınç algılayıcılarının kullanılabilmesidir. Dezavantajı ise direnç oluşturan elemanlar ile
akışın sınırlanmasıdır.
(a) daraltılmış kanal (b) gözenekli tıpa
Şekil 13.3 Akış direnci tipleri
13.3 ISIL İLETİM ALGILAYICILARI
İyi bir akış ölçüm metodu akan maddeyi uygun bir yolla işaretlemek ve işaretin hareketini dedekte
etmektir. Örneğin bu işaret akan ortama göre durgun iken ortamın akışıyla hareket edebilen yüzen
bir cisim olabilir. Cismin akış sonucu bir pozisyondan diğer pozisyona aldığı zaman akış oranının
hesaplanması için kullanılabilir. Böyle bir cisim yüzen flatör, radyoaktif eleman veya akan ortamın
optik özelliklerini (örneğin rengini) değiştiren bir boya olabilir. İşaret aynı zamanda uygun
algılayıcılarla konsantrasyonu veya karışım oranını dedekte edilebilen farklı bir gaz veya sıvı da
olabilir.
Tıp alanında akış ölçümünün boyalı seyreltme (dye dilution) metodu hemo-dinamik çalışmalarında
kullanılır. Çoğu durumlarda bununla beraber akan ortamın içine yabancı maddelerin konulması
hem pratik olmayabilir ve hem de bazı nedenlerden dolayı sakıncalı veya yasak olabilir. Buna
alternatif hareketli ortamın fiziksel özelliklerinden bazılarının değiştirilmesi ve değişen kısmın yer
değişim oranının veya karışım oranının dedekte edilmesidir. Ekseriyetle istenilmeyen sonuçlara
neden olmadan kolaylıkla modifiye edilebilecek en iyi fiziksel özellik sıcaklıktır.
Şekil 13.4a da ısıl-anemometre olarak adlandırılan bir algılayıcı görülmektedir. Bu algılayıcı

hareketli ortamın içine daldırılmış üç adet küçük tüpten oluşmaktadır. İki tüp Ro ve Rs sıcaklık
dedektörlerini içinde barındırır. Dedektörler akışkan ortamla ısıl kuplajlı ve yapısal elemanlar ve
akışın ölçüleceği boru ile ısıl olarak yalıtılmışlardır. Her iki dedektör iletim boyunca ısıl kayıpların
en aza indirilmesi için elektrik iletkenlerine ince ve küçük tellerle bağlanmışlardır (şekil 13.4b).
Algılayıcının çalışma prensibi şöyle açıklanabilir. İlk sıcaklık dedektörü, Ro akışkan ortamın
sıcaklığını ölçer. Isıtıcı ortamı ılık hale getirir ve yükselen sıcaklık ikinci sıcaklık dedektörü, Rs ile
ölçülür. Akışkan durgun ise ısıtıcıdan yayılan ısı ortamdan geçerek her iki dedektöre yayılır.
Akışkanlığı sıfır olan ortamda ısı ısıtıcıdan ısıl iletim ve yer çekimi konveksiyonu ile uzaklaşır.
Isıtıcı Rs dedektörüne daha yakın yerleştirildiğinden bu dedektör en yüksek sıcaklığı kaydedecektir.

Ortam maddesi akmaya başladığında cebri konveksiyondan dolayı ısı kaybı artar. Akış oranının
yüksek olması ile ısı kaybı yüksek olur ve dedektör ile daha küçük bir Rs sıcaklığı kaydedilir. Isı
kaybı ölçülür ve ortamın akış oranına dönüştürülür.
(a) temel iki algılayıcılı tasarımı (b) sıcaklık dedektörünün kesit görünüşü
Şekil 13.4 Isıl-anemometre
Isıl-anemometrenin temel bir ilişkisi King kanununa dayanır:
2πρcdv
ΔQ = kl (1 + )(Ts − To ). (13.12)
k
Burada, k ve c ısıl iletkenlik ve verilen basınçta belirli ortamın öz ısısı, ρ ortamın yoğunluğu, l ve d
algılayıcının uzunluğu ve çapı, Ts algılayıcının yüzey sıcaklığı, To algılayıcıdan uzaktaki ortamın
sıcaklığı ve v ortamın hızıdır. Collis ve Williams King’in teorik kanununa bir düzeltme gerektiğini
deneysel olarak ispatlamışlardır. l / d >> 1 ile silindirik algılayıcı için düzeltilmiş King eşitliği
ortamın hızını verir:
1,87
K ⎛ dQ 1 ⎞
v = ⎜⎜ ⎟ (13.13)
ρ ⎝ dt Ts −To ⎟⎠
Burada, K kalibrasyon sabitidir. Buradan anlaşıldığı gibi akışın ölçülmesi için algılayıcı ve
hareketli ortam arasındaki sıcaklık gradyanının ve kaybolan ısının ölçülmesi gerekmektedir. Bu
durumda doğrusal olmamakla beraber akışkan veya gazın hızı ısıl kaybın oldukça tanımlayıcı bir
fonksiyonu olmaktadır (şekil 13.5).
Rs dedektörünün Ts sıcaklığında kalması ve To’a göre yeterli ısıl gradyanı sürdürmek için ısıtıcı
elemana uygun bir güç verilerek ısı kaybının kompanze edilmesi gerekir. Aynı zamanda ayrı bir
ısıtıcı eleman olmadan da bir akış algılayıcısı düşünülebilir. Böyle bir algılayıcıda Rs dedektörü
kendiliğinden ısıtma modunda çalışır. Böylece direncinden geçen elektrik akımı yeterli Joule ısısı
üreterek sıcaklığını Ts’ye yükseltir. Bu sıcaklıkta ikinci dedektörün sıcaklığı Rs’dir. Bağlantı
iletkenleri ve koruyucu tüp aracılığı ile iletilen ısı kaybının çok küçük olduğu varsayımıyla
enerjinin korunumu kanununa göre elektrik gücü, W akışkan ortamın ısıl kaybına eşittir:
dQ
W= (13.14)
dt
Şekil 13.5 Isıl-anemometrenin

transfer fonksiyonu
Diğer taraftan ısıtıcı direncin elektrik gücü ısıtıcı eleman uçlarındaki e geriliminin karesi ile
orantılıdır:
e2
W= (13.15)
Rs
(13.13-13.15) eşitlikleri ile kendiliğinden ısıtan elemanın uçlarındaki gerilim ile akış hızı arasında
bir ilişki bulunur:
1,87
K ⎛ e2 1 ⎞
v2a = ⎜⎜ ⎟ (13.16)
ρ ⎝ Rs (Ts −To ) ⎟⎠
Şekil 13.6 da sıcaklığı 20-45 °C arasında değişen, hava ortamında çalışan, kendiliğinden ısıtan
termistör (Ts=75 °C) kullanan akış algılayıcısının kalibrasyon eğrisinin bir örneği görülmektedir.
Termistörün sıcaklığı, To’ın tüm aralığı boyunca sabit tutulmuştur. Bu kendiliğinden balanslı direnç
köprüsü ile yapılabilir. Burada Ts’nin daima akışkan ortamın en yüksek sıcaklığından daha yüksek
seçilmesi gerektiğini vurgulamak gerekir.
Şekil 13.6 Farklı üç ısı seviyesi için ısıl-

anemometrede kendiliğinden ısınan
algılayıcının kalibrasyon eğrileri
13.13 eşitliğine göre iki ölçüm metodu mümkündür. Birinci metotta ısıtıcı elemanın gerilim ve
direnci sabit tutulur ve çıkış sinyali olarak sıcaklık farkı (Ts-To) kullanılır. İkinci metotta ısıtıcının e
gerilimini regüle eden kontrol devresi ile sıcaklık farkı sabit tutulur. Bu durumda e çıkış sinyalidir.
Bu metot kendiliğinden ısıtan sıcaklık dedektörlerinin kullanıldığı minyatür algılayıcılarda daha sık
tercih edilir. Kendiliğinden ısıtan algılayıcı (RTD veya termistör olabilir) yüksek uyartım
akımlarında çalışır. Bu akımın iki görevi vardır: dedektörün sıcaklığının belirlenmesi için
dedektörün direncini ölçer ve Joule ısısı meydana getirir. Şekil 13.7 de ayrı bir ısıtıcı ile
algılayıcının tasarımı görülmekte ve şekil 13.8 de akış algılayıcısının çalışma prensibinin
simülasyonu görülmektedir. Akış yokken sıcaklık olduğu yerde yayılmakta ve akış başlayınca
borudaki akışkan (sıvı, gaz, toz) algılayıcının dedektör ucunu soğutmakta ve bir ısıl dengesizlik
meydana getirmektedir.
Şekil 13.7 Isıl akış algılayıcısının dış görünüşü
(a) (b)
Şekil 13.8 Isıl akış metrede akışın ısıl grafiği; (a) Akış halinde olmayan akışkandaki akışın ısıl
grafiği; akış olmayan borudaki akışkan (sıvı, gaz, toz) algılayıcının dedektör ucu tarafından
ısıtılmaktadır. Dedektör ucunun çevresindeki renk tabakaları ısı dağılımını göstermektedir, (b) Akış
halindeki akışkanda akışın ısıl grafiği; akış başlayınca borudaki akışkan (sıvı, gaz, toz) algılayıcının
dedektör ucunu soğutmaktadır.
Çok düşük akış hızlarında köprü (veya dedektör devresi) dengede değildir ve çıkış sinyali
yüksektir. Akış oranı arttığında ısıtılan direnç soğumaya başlar ve sıcaklığı referans dedektörünün
sıcaklığına yaklaşarak çıkış gerilimini azaltır. Şekil 13.9 çeşitli akışkan ve gazlar için algılayıcının
farklı tepkisini göstermektedir. Algılayıcı üreticisi herhangi bir ortam için kalibrasyon eğrilerini
ekseriyetle vermekle beraber hassas ölçümler gerektiğinde algılayıcının kullanılacağı yerde
kalibrasyonun yapılması tavsiye edilmektedir.
Akış-metrede doğru sıcaklık ölçümleri için herhangi tipte sıcaklık dedektörü (rezistif, yarı iletken,
optik, vb.) kullanılabilir. Bununla beraber şimdiki üreticilerin çoğu rezistif algılayıcıları
kullanmaktadır. Endüstriyel ve bilimsel ölçümlerde RTD’ler yüksek doğrusallık, tahmin edilebilen
tepki, geniş sıcaklık aralığında uzun dönem kararlılığından dolayı önemli bir seçim olmaktadır. Tıp
biliminde yüksek duyarlılıklarından dolayı termistörler daha sık tercih edilmektedir. Özellikle
uzaktan algılamada rezistif sıcaklık algılayıcısı kullanıldığı zaman dört iletkenli ölçme tekniği
üzerinde ciddi olarak düşünülmesi gerekir. RTD veya termistör kullanan teknik hatanın bariz
kaynağı olan bağlantı iletkenlerinin sonlu dirençlerinden kaynaklanan probleme bir çözüm
olmaktadır.
Şekil 13.9 Farklı akışkanlarda

algılayıcının tepkileri
Bir algılayıcının tasarımı çalışma sınırlarını belirler. Belli hızda hareketli ortamın molekülleri
ısıtıcının yanından geçerken iki dedektör arasında sıcaklık farkı meydana gelebilmesi için yeterli
enerjiyi absorbe etmeye yeterli zaman olmayabilir. Hız formülünde (13.13) sıcaklık farkı paydada
olduğundan yüksek hızlarda hesaplama hatası kabul edilemeyecek kadar büyük olur ve doğruluk
aşırı derecede azalır. Isıl iletim algılayıcıları için üst çalışma sınırları ekseriyetle deneysel olarak
belirlenir. Örneğin normal atmosfer basıncında ve oda sıcaklığında ısıl iletim algılayıcıları ile
dedekte edilebilecek maksimum hava hızı 60 m/s aralığındadır.
Isıl akış algılayıcıları tasarımlanırken akışkan ortamın dedektörlerden geçerken düzgün olmayan bir
akışta türbülans yapmadan geçmesini sağlamak gerekir. Algılayıcıya ekseriyetle karıştırıcı ızgaralar
veya türbülans kırıcılar konulur ve bunlar kütle dengeleyiciler (mass equalizers) olarak adlandırılır
(şekil 13.4).
Bir ortamın basınç ve sıcaklığı özellikle gazların hacim oranının hesaplanmasında doğruluğa büyük
katkı yapmaktadır. Kütle akış metrelerinde basınçtaki artış kütlede orantılı bir artışa neden
olduğundan basıncın ölçüm üzerinde çok az etkisi olmaktadır.
Isıl iletimin algılanması için veri işleme sisteminin en azından üç değişken giriş sinyali alması
gerekir: akışkan ortamın sıcaklığı, sıcaklık farkı ve ısıtıcı güç sinyali. Bu sinyaller çoğullanır,
sayısal biçime dönüştürülür ve akışın karakteristiklerini hesaplamak için bilgisayarda işlenir. Veri
ekseriyetle hız (m/s veya ft/s), hacim oranları (m3/s veya ft3/s) veya kütle oranı (kg/s veya lb/s)
olarak görüntülenir.
Isıl iletim akışmetreleri diğer tiplerden çok daha duyarlıdırlar ve geniş dinamik aralığa sahiptirler.
Gaz veya sıvılar güçlü akışkan akımlarında olduğu kadar çok küçük yer değişimlerinin
ölçülmesinde de kullanılabilirler. Bu algılayıcıların en büyük avantajı hareketli parçalarının
olmaması ve çok küçük akış oranlarını ölçme özelliğidir. Kanatçık tekerli, menteşe pervaneli ve
fark basınç algılayıcıları düşük akış oranlarında düşük ve doğru olmayan çıkışlar üretirler.
Otomotiv, uçak, tıp ve biyoloji uygulamalarında olduğu gibi tüp çapının küçük olması zorunlu
olduğunda hareketli bileşene sahip algılayıcılar mekanik olarak pratik olmamaktadır. Bu
uygulamalarda ısıl iletim algılayıcılarının kullanılması vazgeçilmez olmaktadır.
Ultrasonik dalgalar kullanılarak akış ölçülebilir. Prensibin arkasındaki ana fikir akan ortamın neden
olduğu frekans veya faz kaymasının dedeksiyonudur. Bir uygulamanın temeli Doppler etkisine
dayanırken diğeri ortamdaki ultrasonik hızın artış veya azalmasının dedeksiyonuna dayanır.
Hareketli ortamda sesin etkin hızı ortama göre sesin hızı artı (+) sesin kaynağına göre ortamın
hızına eşittir. Bunun sonucu olarak akıntıya ters yayılan bir ses dalgası daha küçük etkin hızda
olurken akıntıya doğru yayılan hız ise daha büyük etkin hıza sahip olacaktır. İki hız arasındaki fark
ortamın hızının tam olarak iki katı olduğundan akıntı yönündeki ve tersindeki hız farklarının
ölçülmesi akışkanın hızının belirlenmesine izin verir.
Şekil 13.10a da bir akış tüpünün karşı yönlerine yerleştirilmiş iki ultrasonik generatör
görülmektedir. Bu amaç için ekseriyetle piezo-elektrik kristaller kullanılır. Her kristal hem
ultrasonik dalgaların üretiminde (motor modu) veya hemde ultrasonik dalgaların alınmasında
(generatör modu) kullanılabilir. Başka bir deyimle aynı kristal gerekli olduğunda hoparlör veya
mikrofon olabilir.
(a) Akış içindeki verici ve alıcı kristallerin

(b) devredeki dalga biçimleri
pozisyonu
Şekil 13.10 Ultrasonik akış metre
İki kristal D uzaklığı ile birbirinden ayrılmış ve akışa göre Θ açısı ile yerleştirilmiştir. Aynı
zamanda akış boyunca tüpün tam içerisine küçük kristallerin yerleştirilmesi de mümkündür. Bu
durum Θ=0’a karşılık gelmektedir. İki dönüştürücü, A ve B arasındaki sesin geçiş zamanı ortalama
akışkan hızı, vc ile bulunabilir:
D
T= (13.17)
c ± vc cos Θ
Burada, c akışkandaki sesin hızıdır. ± işareti sırasıyla akıntıya doğru (+) ve ters (-) yönleri
göstermektedir. vc hızı ultrasonik yol boyunca ortalama akış hızıdır. Gessner düzgün bir akış için
vc=4va/3 ve türbülanslı akış için vc=1,07va olduğunu göstermiştir; burada va kesit alanı üzerindeki
ortalama akıştır. Akış yönü ve tersindeki hız farkları alınarak
2 Dvc cos Θ 2 Dvc cos Θ

ΔT = 2 2
≈ (13.18)
c + vc cos Θ c2
olur ki c >> vc cos Θ olduğunda çoğu pratik durumlar için doğrudur. Gürültü sinyal oranını
geliştirmek için geçiş zamanı ekseriyetle akış yönü ve tersinde her iki yön için ölçülür. Yani her
piezo-elektrik kristal bir süre verici olarak ve diğer bir süre alıcı olarak çalışır (şekil 13.11). Bu bir
seçici ile yapılır ve oldukça düşük örnekleme oranı ile zamanlanmıştır (örnekte 400 Hz). Sinüsoidal
ultrasonik dalgalar (3 MHz civarında) aynı saat oranında (400 Hz) kısa süreli darbe şeklinde verilir.
Alınan kısa süreli sinüsoidal darbe akış ile modüle edilerek verilen dalgadan T kadar zaman
gecikmesine uğrar. Bu gecikme zamanı bir geçiş zaman dedektörü ile dedekte edilir sonra her iki
yöndeki zaman farkı senkron dedektör ile bulunur. Böyle bir sistem 4 saatlik periyot üzerinde
5×10-3 m/s2 kadar küçük sıfır değişme ile oldukça iyi bir doğruluk sağlayabilir.
Şekil 13.11 Alternatif verici ve alıcı ile ultrasonik akış-metrenin blok diyagramı
Ultrasonik algılayıcılar ile akışın ölçülmesinde diğer bir metot akıntıya ters ve doğru yönlerde
gönderilen ve alınan palslerin faz farkının dedekte edilmesidir. Faz farkı (13.18) eşitliğinden
çıkartılabilir.
4πfDvc cos Θ
Δf = (13.19)
c2
Burada, f ultrasonik frekanstır. Duyarlılığın frekansın artışıyla iyileşeceği açık olmakla beraber
yüksek frekanslarda sistemde sinyal-gürültü oranında azalmaya neden olabilecek ses zayıflaması
(attenuation) beklenebilir.
Doppler akış ölçümleri için sürekli ultrasonik dalgalar kullanılabilir. Şekil 13.12 de akışkanın içine
yerleştirilmiş verici alıcı donanımlı bir akışmetre görülmektedir. Doppler radyo alıcısında olduğu
gibi gönderilen ve alınan frekanslar doğrusal olmayan bir devrede (mikser) karıştırılır. Çıkıştaki
düşük frekanslı fark harmonikleri bant geçiren filtre ile seçilir. Bu fark
2 fsv
Δf = f s − f r = ± (13.20)
c
olarak tanımlanır. Burada, fs ve fr sırasıyla verici ve alıcı kristallerin frekansları ve ± işaretleri akış
yönünü göstermektedir. Yukarıdaki eşitlikten çıkartılan önemli bir sonuç fark frekansının doğrudan
akış hızı ile orantılı olmasıdır. Açıkça kristallerin boyutunun akış tüpünün iç boşluğundan daha
küçük olması gerekmektedir. Bundan dolayı ölçülen hız ortalama hız yerine akışın lokal bir hızıdır.
Pratik sistemlerde kullanışlı sıcaklık aralığında akışkanın vizkozitesinin katkısının hesaba
katılabilmesi için gerçek akışkanlar ile ultrasonik algılayıcıların kalibrasyonunun yapılması
istenilir.
Ultrasonik piezo-elektrik algılayıcı/dönüştürücülerin bir akışmetrenin gövdesine yerleştirilmiş

küçük seramik disklerden fabrikasyonları yapılabilir. Kristalin yüzeyi silikon lastik gibi uygun bir
malzeme ile korunabilir. Ultrasonik algılayıcıların açık bir avantajı akışkan ile doğrudan temas
olmaksızın akışı ölçme özelliğidir.
Şekil 13.12 Ultrasonik

Doppler akış metresi
13.5 ELEKTROMANYETİK ALGILAYICILAR
Elektromanyetik akış algılayıcıları iletken sıvıların hareketinin ölçülmesi için kullanışlıdır. Çalışma
prensibi Faraday ve Henry’nin elektromanyetik indüksiyonun keşfine dayanmaktadır. Bir iletken
ortam, tel veya bu özel amaca uygun olarak akışkan iletken sıvı manyetik akı hatlarını keser ve
iletkende emf üretilir. Bu emf’nin değeri hareketli iletkenin hızı ile orantılıdır. Şekil 13.13 de B
manyetik alanı içine yerleştirilmiş bir akış tüpü görülmektedir. İletken sıvıda indüklenen emf’yi
almak için tüp içine iki elektrot konulmuştur. Emf’nin genliği
v = e − e'= 2aBv (13.21)
ile tanımlanır. Burada, a akış tüpünün yarıçapı ve v akışkanın hızıdır.
Maxwell denklemlerinin çözümü ile akışkan hızının kesit alanı içinde düzenli değil fakat tüp
eksenine göre simetrik kaldığı tipik bir durum için üretilen emf’nin yukarıdaki ile aynı fakat v
yerine ortalama hız’ın, va geldiği aşağıdaki gibi gösterebilir.
a
1
πa 2 ∫0
va = 2πvrdr (13.22)
Burada, r tüpün merkezinden uzaklıktır. 13.21 eşitliği hacimsel akış oranı ile tanımlanabilir.
2 ΛB
v= (13.23)
πa
(b) Akış ve elektriksel ve manyetik vektörler

(a) Elektrotların pozisyonu manyetik alana dik
arasındaki ilişkiler
Şekil 13.13 Elektromanyetik akışmetrenin prensibi
Yukarıdaki eşitlikten anlaşıldığı gibi toplayıcı elektrotlardan alınan gerilim akış profili veya
akışkanın iletkenliğinden bağımsızdır. Gerilim verilen tüp geometrisi ve manyetik akı için sadece
anlık hacimsel akış oranına bağlıdır.
Toplayıcı elektrotlarda gerilim indüklemenin iki genel metodu vardır. Birincisi manyetik akı
yoğunluğunun sabit ve indüklenen gerilimin DC veya yavaş değişen sinyal olan DC metottur. Bu
metotla ilgili bir problem yüzeylerinden geçen tek yönlü fakat küçük akımdan dolayı elektrotların
polarizasyonudur. Diğer problem ise düşük frekanslı gürültü olup küçük akış oranlarının
dedeksiyonunu zorlaştırmaktadır.
Uyartımın daha iyi diğer bir metodu elektrotların uçlarında AC gerilim gözükmesine neden olan
alternatif manyetik alanlı olanıdır (şekil 13.14). Doğal olarak manyetik alanın frekansı Nyquist
oranının bir şartını karşılamalıdır. Yani uyartım frekansının akış oranı spektrum değişimlerinin en
yüksek frekansından en azından iki kere daha büyük olması gerekir. Pratikte uyartım frekansı 100
ve 1000 Hz arasında bir aralıkta seçilir.
Şekil 13.14 Senkron

demodülatörlü
elektromanyetik
akışmetre
13.6 MİKRO AKIŞ ALGILAYICILARI
Hassas yarı iletken üretimi, kimya ve eczacılık endüstrisi ve biyomedikal mühendisliğinde işlem
kontrolü gibi bazı uygulamalarda minyatürleştirilmiş gaz akış algılayıcılarına gittikçe artan bir
sıklıkta karşılaşılmaktadır. Bunların çoğu ısıl iletim metodunda çalışır ve mikro-makina teknolojisi
kullanılarak silikon kristalden üretimi yapılır. Mikro-akış algılayıcılarının çoğu sıcaklık algılayıcısı
olarak termopil kullanmakla beraber entegre devre (IC) işleminde kullanılan standart elemanların
(silikon ve alüminyum) ısıl-elektrik katsayısı geleneksel ısılçiftlerden 10-100 kez daha küçüktür.
Böylece algılayıcının içine doğrudan entegre edilmiş yükselticilerin kullanılmasını gerektirecek
kadar üretilen çıkış gerilimi çok küçük olabilir (şekil 13.15). Kantileverin kalınlığı 2 μm kadar
düşük olabilir. Algılayıcının fabrikasyonu alan oksidi (field oxide), CVD oksidi ve nitrat
tabakalarından oluşan sandviç biçiminde yapılır. Kantilever algılayıcı uygulanan elektrik gücünün
1 mW’ı başına 26 KΩ oranı ile içine gömülü direnç ile ısıtılır ve akış algılayıcısının tipik bir
transfer fonksiyonu (4 mV, m/s) civarında negatif eğimlidir.
Şekil 13.15 Mikromakina

tekniği ile üretilmiş gaz akış
algılayıcısı
Algılayıcıdaki ısı üç vasıta ile uzaklaştırılır: Lb iletkenliğinde kantilever kol boyunca, h(v) gaz akışı
boyunca ve ısıl ışınım yoluyla. Bunlar Stefan-Boltzmann kanunu ile
4 4
P = Lb (Ts − Tb ) + h(v)(Ts − Tb ) + aσε (Ts − Tb ) (13.24)
olarak ifade edilir. Burada, σ Stefan-Boltzmann sabiti, a kantilever koldan gaza ısı transferinin
oluştuğu alan, ε yüzey yayıcılığı ve v gaz hızıdır. Enerji ve parçacık korunumu prensiplerinden
algılayıcının yüzeyine yakın akan gazda sıcaklık dağılımı, T(x,y)’yi belirleyen genelleştirilmiş ısı
iletim eşitliği çıkartılır:
∂ 2T ∂ 2T vnc p ∂T
+ = y > 0 için (13.25)
∂x 2 ∂y 2 k g ∂x
Burada, n gazın yoğunluğu, cp moleküler gaz kapasitesi ve kg gazın ısıl iletkenliğidir. Yüzeyden
uzağa kaybolan ısıl gradyanın sınır şartları dikkate alınarak (13.25) eşitliğinin çözümünden
⎛ 1 ⎞
ΔV = B⎜ − 1⎟ (13.26)
⎜ μ 2 +1 ⎟
⎝ ⎠
olduğu gösterilebilir. Burada, V giriş gerilimi, B bir sabit ve μ = Lvnc p 2πk g ve L gaz-algılayıcı
temas uzunluğudur. Bu çözüm deneysel veri ile çok iyi uyuşmaktadır.
Isıl iletim algılayıcısının hem sıcaklık algılayıcısı ve hem de ısıtıcı olarak görev yapan 0,1 μm
kalınlığında titan filmler ile diğer bir tasarımı şekil 13.16a’da görülmektedir. Filmler iki tabaka
SiO2 arasına sandviç edilmiştir. Titan yüksek TCR (direncin sıcaklık katsayısı) ve SiO2 ile
mükemmel yapışma özelliğinden dolayı kullanılmıştır. İki mikro ısıtıcı birbirinden 20 μm
uzaklığında dört silikon kiriş ile askıya alınmıştır. Titan filmin direnci 2 kΩ civarındadır. Şekil
13.16b de algılayıcının basitleştirilmiş devresi görülmekte ve algılayıcı akış ve çıkış gerilimi, ΔV
arasında hemen hemen doğrusal bir ilişki sergilemektedir.
(b) arabirim devresi. Ru ve Rd sırasıyla yukarı ve

(a) Algılayıcının tasarımı
aşağı akış yönündeki ısıtıcılardır.
Şekil 13.16 Kendiliğinden ısıtan titan rezistörler ile gaz mikro-akış algılayıcısı
Mikro akış algılayıcısı şekil 13.17’de görülen kapasitif basınç algılayıcısından yararlanılarak
tasarımlanabilir. Algılayıcının çalışma prensibi daha önce değinildiği gibi basınç gradyan tekniğine
dayanır. Algılayıcı silikon mikromakina tekniği ve yapıyı oluşturmak için difüzyonlu bor kazıma
tekniği ile üretilmiştir. Gaz girişten geçerek P1 basıncı ile algılayıcının içine girer ve aynı basınç
kazınmış zarın dış kısmı ile beraber silikon plaka çevresinde mevcuttur. Gaz oldukça yüksek basınç
direncinde dar bir kanal boyunca mikro-algılayıcının kavitesine akar. Sonuç olarak kavite içindeki
basınç P1’den daha düşüktür ve böylece zarın her iki yüzeyinde bir basınç farkı meydana gelir.
Böylece akış oranı 13.10 eşitliği ile hesaplanabilir.
Şekil 13.17 Kapasitif basınç

algılayıcı prensibinden
yararlanan gaz mikro-akış
algılayıcısının yapısı
Basınç farkı kapasitif basınç algılayıcısı ile ölçülür. Kapasitif basınç algılayıcısı p++ bor katkılı,
gerginlik kompanzasyonlu, metal plaka üzerinde askıya alınmış ince silikon zardan oluşur. Basınç
farkı silikon yapı ve metal levha arasındaki kapasitansı, Cx 4 torr civarında tam basınç ile 1
mtorr/1fF çözünürlüğünde değiştirir. Algılayıcının tam çözünürlüğü 14-15 bit civarında ve basınç
ölçümünün doğruluğu 9-10 bit civarındadır. Tam skala basınç farkının yaklaşık iki katında zar
metal plakaya dokunduğundan dolayı dielektrik tabakanın elektriksel kısa devreden korunması
zorunludur ve cam plakalı yapı zarı yırtılmaktan korur. Kapasitans ölçüm devresi standart CMOS
teknolojileri kullanılarak silikon plaka ile entegre edilmiştir.
13.7 HAFİF RÜZGAR ALGILAYICISI
Bazı uygulamalarda akış oranının miktar olarak ölçümünden daha çok sadece hava (veya gaz)
hareketinin dedeksiyonu istenilir. Bu görev hafif rüzgar veya esinti (breeze) algılayıcısı ile
yapılabilir; gaz akışının hızı değişime uğradığında geçici bir çıkış üretilir. Böyle aygıtın bir örneği
Nippon Ceramic, Japonya tarafından üretilen piezo-elektrik hafif rüzgar algılayıcısıdır. Bu
algılayıcı bir çift piezo-elektrik (veya piro-elektrik) eleman içerir. Bunlardan biri çevresel havaya
açıktır ve diğeri ise reçine kaplama içine korunmaya alınmıştır. Çevre sıcaklığındaki değişimlerin
fark kompanzasyonu için iki algılayıcı gerekir. Elemanlar ters-seri olarak devreye bağlanmıştır yani
her iki algılayıcı aynı elektrik yükünü ürettiklerinde Rb direncinin uçlarındaki sonuç gerilim
temelde sıfırdır (şekil 13.18a). Her iki eleman, polarlama direnci ve JFET gerilim izleyici S1
elemanının gaz hareketlerine açık delikleri ile TO-5 metal kılıfına yerleştirilmiştir (şekil 13.18b).
(a) Devre diyagramı (b) TO-5 kılıfındaki görüntü
Şekil 13.18 Piezo-elektrik hafif rüzgar algılayıcısı
Algılayıcının çalışma prensibi şekil 13.19’de gösterilmiştir. Hava akışının olmaması veya çok
kararlı olması durumunda piezo-elektrik elemanın uçlarındaki yük dengededir. Elemanın içindeki
elektrik dipolleri kutuplandırma işlemi süresince yönlendirilir; bu dipoller hem malzeme içindeki
serbest taşıyıcılar ve hem de elemanın yüzeyinde asılı yüklü hava molekülleri tarafından
dengelenir. Sonuçta S1 ve S2 piezo-elektrik elemanlarının uçlarındaki gerilim sıfır olur ve sıfır çıkış
gerilimi, Vçıkış üretir.
Şekil 13.19 Hafif rüzgar algılayıcısında gaz hareketleri piezo-elektrik elemanın yüzeyinden elektrik
yüklerini uzaklaştırıyor.
S1’in her iki yüzeyinde gaz akışı değiştiğinde (S2’nin yüzeyi reçine ile korunmuştur) hareketli gaz
molekülleri elemanın üzerinde yüzen yükleri uzaklaştırır. Bunun sonucunda elemanın elektrot
uçlarında gerilim gözükür çünkü içerideki kutuplanmış dipoller dışarıdaki yüzen yükler ile artık
dengeye gelmemektedir. Gerilim empedans dönüştürücü olarak çalışan JFET gerilim izleyici ile
tekrar edilir ve çıkış terminalinde geçici bir gerilim olarak gözükür.
1. Bir borudaki akışın hız profili nasıldır?

2. Basınç gradyan tekniği ile elektrik devresi arasında nasıl benzetme yapılır?
3. Isıl iletim prensibi ile basınç nasıl ölçülür?
4. Farklı akışkanlar ile basınç ölçülürken ısıl akışkan algılayıcısının tepkisi nasıl değişir?
5. Isıl akış algılayıcılarında akış paterninin etkisi nedir?
6. Ultrasonik algılayıcılar ile akış nasıl ölçülür?
7. Elektromanyetik akış algılayıcılarında uygulanan manyetik alanın sabit veya değişken
olmasının etkisi nedir?
8. Mikro gaz akış algılayıcılarının çalışma prensibi nedir?
9. Hafif rüzgar algılayıcısının çalışma prensibi nedir ve nerede kullanılır?
14 AKUSTİK ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLER
Akustiğin temelleri 5. Bölümde verilmiştir. Burada genelde mikrofon olarak adlandırılan

algılayıcılar üzerinde durulacaktır. Temelde mikrofon geniş spektral aralık üzerinde ses
dalgalarının dönüşümü için adapte edilmiş bir basınç dönüştürücüsüdür. Mikrofonlar duyarlılıkları,
yöne bağlı karakteristikleri, frekans bant genişlikleri, dinamik aralıkları, büyüklükleri, vb. ile
farklılık gösterir. Aynı zamanda tasarımları da ses dalgalarının algılanacağı ortama bağlı olarak
tamamen farklılık gösterir. Katılardaki titreşimlerin ve hava dalgalarının algılanması durumunda
algılayıcı mikrofon olarak adlandırılırken sıvılardaki algılayıcıya hidrofon adı verilir. Basınç
algılayıcısı ile akustik algılayıcı arasındaki fark akustik algılayıcının sabit veya çok yavaş değişen
basınçları ölçme gereği duymamasıdır. Çalışma frekans aralığı ekseriyetle birkaç Hz’den başlar
(bazı uygulamalar için 10 mHz kadar düşük) ve üst çalışma frekans aralığı ise oldukça yüksektir -
ultrasonik uygulamalarda birkaç MHz’e kadar çıkabilir.
Akustik dalgalar mekanik basınç dalgaları olduğundan herhangi bir mikrofon veya hidrofon basınç
algılayıcısındaki aynı temel yapıya sahiptir: hareketli bir diyafram ve diyaframın sapmalarını
elektrik sinyaline dönüştüren yer değişim algılayıcısından oluşmaktadır. Yani bütün mikrofonlar
veya hidrofonlar bu iki temel bileşenin tasarımı ile farklılık gösterirler. Aynı zamanda bunlar
susturucu, odaklayıcı yansıtıcılar, vb. ek parçaları içermekle beraber bu bölümde akustik
algılayıcıların sadece algılayıcı kısımlarına değinilecektir.
14.1 REZİSTİF MİKROFONLAR
Çok önceleri rezistif basınç dönüştürücüleri mikrofonlarda oldukça yaygın olarak kullanılmaktaydı.
Dönüştürücü bir yarı iletken tozdan (ekseriyetle grafit) oluşmakta ve toplam direnci basınca duyarlı
idi. Bugünlerde bu tozun piezo-rezistif özelliklere sahip olduğu söylenebilir. Bununla beraber
önceden kullanılan bu aygıtlar oldukça sınırlı dinamik aralık, zayıf frekans tepkisi ve yüksek taban
gürültüsü barındırıyorlardı. Şimdilerde aynı piezo-elektrik prensip silikon diyaframın integral
kısımları olan strese duyarlı dirençlerin kullanıldığı mikro-makina tekniği ile üretilen
algılayıcılarda kullanılabilmektedir.
14.2 KONDENSER MİKROFONLAR
Eğer paralel plakalı kapasitöre q elektrik yükü verilirse plakaların uçlarındaki gerilim V = q / C ile
değişir. Diğer taraftan kapasite formülüne göre kapasitans plakalar arasındaki d uzaklığına bağlıdır.
Gerilimin iki eşitliğinden
d
V =q (14.1)
ε0 A
eşitliğinden ulaşılır. Burada, εo=8,8542×10-12 C2/Nm2 geçirgenlik sabitidir. Yukarıdaki eşitlik

kondenser mikrofonların veya diğer ifadeyle kapasitif mikrofonların çalışmasının temelidir.
Bundan dolayı kapasitif mikrofon plakalar arasındaki uzaklığı doğrusal olarak gerilime dönüştürür
ve bu gerilim daha sonra yükseltilebilir. Bu eleman temelde genliği doğrudan mikrofonun
duyarlılığını belirleyen bir elektrik yükü, q kaynağını gerektirir. Yük 20-200 V gerilim aralığında
harici bir kaynaktan veya dahildeki elektrik yükü kaynağından sağlanabilir. Bu içeriye konulmuş
polarize di-elektrik kristal olan elektret tabaka ile yapılabilir.
Halihazırda kondenser mikrofonların çoğu iki amaca uygun yapılan silikon diyaframlardan
üretilmektedir: akustik basıncın yer değişimine dönüştürülmesi ve kapasitörün hareketli plakası
olarak görev yapma. Yüksek duyarlılığı başarmak için diyaframın büyük statik sapmasıyla
sonuçlanacak şekilde polarlama geriliminin mümkün olduğu kadar büyük olması gerekir ki bu
azaltılmış şok dirençi ve daha az dinamik aralık ile sonuçlanır. Bunların yanında diyafram ve arka
plaka arasındaki hava aralığı çok küçükse hava aralığının akustik direnci yüksek frekanslarda
mikrofonun duyarlılığını azaltacaktır. Örneğin 2 μm hava aralığında sadece 2 kHz’lik üst kesim
frekansı ölçülmüştür.
Kondenser mikrofonun karakteristiklerini geliştirmenin bir yolu yükselticinin çıkışından diyaframa

mekanik geri besleme kullanmaktır. Şekil 14.1a devre diyagramını ve şekil 14.1b mikrofonun
interdijitize elektrotlarını göstermektedir. Elektrotların iki amacı vardır: birisi diyaframın yer
değişimini A1 yükselticisinin girişinde gerilime dönüştürmek ve diğer elektrot ise elektrostatik
kuvvet vasıtası ile Va geri-besleme gerilimini mekanik sapmaya dönüştürmek içindir. Mekanik geri
besleme açıkça doğrusallığı ve mikrofonun frekans aralığını geliştirmekle beraber sapmayı bariz
şekilde azaltarak daha düşük duyarlılık ile sonuçlanır.
(a) devre diyagramı (b) diyaframdaki interdijitize elektrotlar
Şekil 14.1 Mekanik geri-bildirimli kondenser mikrofon
14.3 FİBER OPTİK MİKROFON

Turbojet ve roket motorları gibi tehlikeli ortamlarda doğrudan akustik ölçümleri yüksek ısı ve
kuvvetli titreşimlere dayanabilen algılayıcıların kullanımını zorunlu kılmaktadır. Böyle zor şartlar
altında akustik ölçümleri bilgisayarlı akışkan dinamiği (CFD) kod onayı, yapısal akustik testler ve
jet gürültüsünün azaltılması için gereklidir. Böyle uygulamalar için fiber optik interferometrik
mikrofon çok uygun olabilir. Böyle bir tasarım tek modlu sıcaklığa duyarsız Michelson
interferometresi ve yansıtıcılı plaka diyaframdan oluşur. İnterferometre akustik basınç ile doğrudan
ilişkili olan plakanın sapmalarını gözler. Algılayıcı optik malzemelerin ısıl olarak korunması ve
diyaframın mekanik özelliklerinin kararlılığının sağlanması için su ile soğutulmuştur.
Gelen ve giden ışık ışınları arasında bir karışım etkisi sağlamak için iki fiber birbirine incelen
kısımlarında bağlanır (şekil 14.2). Fiberler su ile soğutulmuş paslanmaz çelik tüp içine
yerleştirilmiştir. Tüp içindeki boşluk epoxy ile doldurulmuş ve optik fiberler görününceye kadar
tüpün uç kısmı parlatılmıştır. Bundan sonra fiber çekirdeğin bir uç yüzeyine ayna yansıtıcılığı
Akustik Algılayıcı ve Dönüştürücüler 359
yapmak için üzeri alüminyum biriktirme suretiyle kaplanmıştır. Diğer fiber çekirdeğin ucu açık
bırakılmış ve algılayıcı kol olarak görev yapmaktadır. Sıcaklık duyarsızlığı donanımdaki referans
ve algılayıcı kolların birbirine yakın tutulması ile sağlanır.
Şekil 14.2 Fiber-optik interferometrik mikrofon. Bakır diyaframın hareketi dedektörde ışık
şiddetine dönüştürülür.
Lazer kaynağının ışığı (yaklaşık 1,3 μm dalga lazer diyot) fiber çekirdeklerden birine girer ve
birleştirilmiş uca doğru yayılır; burada iki fiber birleştirilmiştir. Işık fiber çekirdeğin ucuna
ulaştığında referans çekirdeğindeki ışık algılayıcının giriş ve çıkış taraflarına aluminyum aynadan
yansır. Işığın girişe doğru giden kısmı kaybolarak ölçümde hiç etkisi olmaz ve ışığın çıkışa doğru
giden kısmı dedektörün yüzeyine çarpar. Algılayıcı çekirdeğe doğru giden ışığın bu kısmı fiberden
çıkar ve bakır diyaframa çarpar. Işığın bir kısmı diyaframdan fibere geri yansır ve referans ışığı ile
beraber çıkış ucuna yayılır. Diyaframın pozisyonuna bağlı olarak yansıyan ışığın fazı değişecek ve
bunun sonucunda referans ışığının fazından farklı olacaktır.
Referans ve algılama ışıkları çıkış dedektörüne doğru hareket ederken birbirleriyle karışırlar ve
sonuçta ışık şiddeti modülasyonuna uğrarlar. Böylece mikrofon diyaframın yer değişimini ışık
şiddetine dönüştürür. Teorik olarak böyle bir algılayıcıda gürültü sinyal oranı 70-80 dB seviyesinde
elde edilebilir; 1Å (10-10m)’lik minimum ortalama dedekte edilebilir diyafram yer değişimi
sağlanabilir.
Şekil 14.3 dedektördeki optik ışık şiddeti ile karışım paterninin fazı arasındaki ilişkinin tipik
eğrisini göstermektedir. Doğrusal transfer fonksiyonu bulabilmek için çalışma noktasının eğimin en
yüksek ve doğrusallığın en iyi olduğu yer olan ışık şiddetinin ortasına yakın seçilmesi gerekir
(şekilde optimum çalışma noktası). Eğim ve çalışma noktası lazer diyotun dalga boyunun
ayarlanması ile değiştirilebilir. Orantılı girişi sürdürmek için diyaframın sapmasının çalışma dalga
boyunun bir çeyreğinde kalması önemlidir.
Diyafram 0,05 mm kalınlığındaki folyodan 1,25 mm çapında üretilir. İyi ısıl iletkenliği ve oldukça
düşük elastikiyet modülünden dolayı diyafram malzemesi olarak bakır seçilmiştir. Bakırın düşük
elastikiyet modül özelliği kullanılabilir doğal frekans ve sapmayı sürdürürken daha iyi ısı
uzaklaştırma sağlaması ile daha kalın diyafram kullanılmasına izin verir. 1,4 kPa’lık basınç 39 nm
(390Å) ’lik maksimum merkezi sapma meydana getirir ve bu çalışma dalga boyunun rahatlıkla ¼’ü
(1300 nm) içindedir. Optik mikrofon ile transfer edilebilecek maksimum akustik frekans yaklaşık
100 kHz de sınırlanmış ve bu frekans yapısal akustik test için gerekli istenilen çalışma aralığının
üzerindedir.
Şekil 14.3 Yansıyan ışık fazının

fonksiyonu olarak ışık şiddeti
14.4 PİEZOELEKTRİK MİKROFONLAR

Piezo-elektrik etki basit mikrofonların tasarımında kristal malzemede gelişen mekaniksel
gerginliğin elektrik yüküne doğrudan dönüşümünde kullanılabilir. Algılayıcı için en yaygın
kullanılan malzemeler piezo-elektrik seramikler olup çok yüksek frekans sınırlarına kadar
çalışabilirler. Bundan dolayı piezo-elektrik algılayıcılar ultrasonik dalgaların dönüşümünde
kullanılabilir (şekil 14.4).
Şekil 14.4 Piezo-elektrik

mikrofon ve ilgili elektronik
devreleri
(d)
Akustik Algılayıcı ve Dönüştürücüler 361
14.5 ELEKTRET MİKROFONLAR

Elektret malzeme piezo-elektrik ve piro-elektrik malzemelere yakın özellik gösterir. Gerçekte bu
malzemeler piezo-elektrik veya piro-elektrik özellikleri geliştirilmiş elektretlerdir. Elektret kalıcı
elektriksel polarizeli kristal dielektrik malzemedir. Elektretlerin mikrofon ve kulaklıkların ilk
uygulaması 1928 yılında yapılmıştır. Elektret mikrofon metalize elektret diyafram ve hava aralığı
ile diyaframdan ayrılmış arka plakadan oluşan elektrostatik dönüştürücüdür (şekil 14.5).
Şekil 14.5 Elektret mikrofonun

genel yapısı. Katmanların
kalınlığı anlaşılması
bakımından abartılmıştır.
Üst metalize parça ve arka metal plaka R direnci ile V gerilimine bağlanmıştır. V gerilimi
yükseltilebilir ve çıkış sinyali olarak kullanılabilir. Elektret kalıcı elektriksel polarizeli dielektrik
olduğundan yüzeyindeki yük yoğunluğu, σ1 sabit ve hava aralığında bir elektrik alanı, E1 meydana
getirir. Diyaframa akustik dalga çarptığında diyafram aşağı doğru saparak s1 hava aralığının
kalınlığını Δs değeri kadar azaltır. Açık devre durumunda çıkış geriliminin değişken kısmının
genliği
sΔs
V= (14.2)
ε 0 ( s + εs1 )
dir. Bunun sonucunda sapmış olan diyafram elektrotlar arasında gerilim üretir. Bu gerilim
diyaframın sapması ile aynı fazdadır. Eğer algılayıcının kapasitansı C ise yukarıdaki eşitlik
sΔs 2πfRC
V= (14.3)
ε 0 ( s + εs1 ) 1 + (2πfRC ) 2
olarak yazılmalıdır. Burada, f sonik dalgaların frekansıdır.
Eğer geri getirici kuvvetler diyaframın (etkin kalınlık, so) arkasındaki hava boşluklarının
elastikiyetleri ve zarın T gerginliğinden dolayı ise diyaframın ses basıncına, Δp karşı yer değişimi,
Δs ihmal edilebilir kayıpların varsayımı ile
Δp
Δs = (14.4)
(γp0 / s0 ) + (8πT / A)
olur. Burada, γ özgül ısı oranı, po atmosferik basınç ve A zar alanıdır. Eğer elektret mikrofonun
duyarlılığı δm=ΔV/Δp olarak tanımlanırsa alt rezonans
ss0σ 1
δm = (14.5)
ε 0 ( s + εs1 )γp0
olarak ifade edilebilir. Görüldüğü gibi duyarlılık alana bağlı değildir. Eğer zarın kütlesi M ise
rezonans frekansı
1 p0
fr = (14.6)
2π s0 M
ile tanımlanabilir. Bu frekans mikrofonun çalışma aralığının en yüksek frekansının oldukça

üzerinde seçilmelidir.
Elektret mikrofonu diğer benzer algılayıcılardan DC polarlama gerilimi gerektirmemesi

bakımından farklılık gösterir. Tasarım boyutları ve duyarlılık karşılaştırılması için kondenser
mikrofon 100 V’un üzerinde polarlamaya gerek duyar. Zarın mekanik gerginliği genelde oldukça
düşük değerde tutulur (100 Nm-1); böylece geri getirici kuvvet hava aralığının sıkıştırılabilme
özelliği ile belirlenir. Zar teflon FEP’ten yapılabilir ve elektret özellikleri verilmesi için elektron
ışını ile kalıcı olarak yüklenmiştir. Elektret mikrofonların duyarlılığının sıcaklık katsayısı -10 +50
°C sıcaklık aralığında 0,03 dB/°C aralığındadır.
Folyo-elektret (diyafram) mikrofonların istenilen özellikleri diğer mikrofon tiplerine göre daha
iyidir. 10-3 Hz’den yüzlerce MHz’e kadar çok geniş frekans aralığında çalışırlar. Bunlar aynı
zamanda düz frekans tepkisi (±1 dB), düşük harmonik bozulması, düşük sarsıntı duyarlılığı, iyi
impals tepkisi ve manyetik alanlara duyarsızlık özelliği gösterir. Elektret mikrofonların
duyarlılıkları birkaç mV/μbar aralığındadır.
İnfrasonik (işitilebilen alt sınırın, 20 Hz altındaki ses frekansları) aralıkta çalışması için elektret
mikrofonun arka plakasında minyatür basınç dengeleme ve boşluklarının bulunması gerekir.
Ultrasonik (işitilebilen üst sınırın, 20 kHz üzerindeki ses frekansları) aralıkta kullanıldığında
elektrete kondenser mikrofonda olduğu gibi kendi polarizasyonuna ek olarak polarlama verilir.
1. Rezistif mikrofonların çalışma prensibi nedir?

2. Kondenser mikrofonların çalışma prensibi nedir?
3. Fiber optik mikrofonların çalışma prensibi nedir ve nerede kullanılır?
4. Piezo-elektrik mikrofonların çalışma prensibi nedir?
5. Elektret mikrofonların çalışma prensibi nedir?
15 NEM ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİ
15.1 NEM KAVRAMI
Etrafımızı çevreleyen havadaki su içeriği insanların ve hayvanların refahı ve iyi hissetmesi
bakımından (politik ve ekonomik rahatlık faktörlerinin dışında) önemli bir faktördür. Rahatlığın
seviyesi iki faktör ile belirlenir: bağıl nem ve çevre sıcaklığı. Kışın hava ekseriyetle kuru iken –30
°C de Erzurumda kendimizi gayet rahat hissedebilirken havanın oldukça fazla miktarda nem
içerdiği Akdeniz kıyısındaki Antalya’da 0° de kendinizi çok berbat ve rahatsız hissedebilirsiniz.
Örneğin yüksek empedanslı elektronik devreler, elektrostatik duyarlı bileşenler, yüksek gerilimli
aygıtlar, hassas mekanizmalar vb. bazı aygıtların çalışması için nem önemli bir faktördür. Bir ana
kural (20-30 °C) normal oda sıcaklığında bağıl nemi % 50 civarında tutmaktır. Bu değer 10
sınıfındaki temiz odalarda % 38 kadar düşük bir değerden hastane ameliyat odalarında % 60
arasında değişebilir.
Nem üretilen çoğu eşyalar ve işlenmiş malzemelerde ortak içerik olarak bulunmaktadır. Üretilen
ürünlerde aranan en önemli niteliğin nem içeriği olduğu söylenebilir. Nem higrometre adındaki
aygıtlar ile ölçülebilir. İlk higrometre Sir John Leslie (1766-1832) tarafından keşfedilmiştir. Nem
içeriğinin dedeksiyonu için higrometre içindeki algılayıcı suya seçici olmalı ve dahili özellikleri su
konsantrasyonu ile modüle edilebilmelidir. Genel olarak ıslaklık, nem ve çiğ sıcaklığı algılayıcıları
kapasitif, iletken, osilasyonlu veya optik olabilir. Gazlardaki optik algılayıcılar çiğ noktası
scaklığını dedekte ederken organik solventlerdeki (çözgen) optik higrometreler 1,9 μm - 2,7 μm
spektral aralığında yakın kızılötesi (NIR) ışığın emilme özelliğini kullanır.
Elektrolitler, organik polimerler ve sıvıyı geçiren gözenekli metal oksit seramikler gibi maddelere
dayalı çok farklı teknolojiler ve prensipler üzerinde çalışmalar yapılmıştır. Çoğu malzemeler ortam
bağıl neminin artışı ve azalması ile su buharını emerler ve dışarı verirler. Bu elektriksel direncin
veya dielektrik sabitinin değişmesine neden olur. Bu değişmelerin çift yönlü ve tekrarlanabilir
olması durumunda malzeme nem algılayıcısı olarak kullanılabilir. Bundan dolayı nem
algılayıcılarının çoğu kimyasaldan elektriksel sinyale dönüştüren direnç, kapasitör ve neme aktif
aygıtların duyarlılığına bağlıdır.
Nem algılayıcılarının literatüründeki artış silikon teknolojisine dayalı olanlarda daha fazla
olmaktadır. Silikonun kullanılması nem algılayıcısının kendisi silikonun yarı-iletken özelliklerini
gerektirmese bile akıllı nem algılayıcılarının tasarımına izin verdiğinden her zaman avantajlıdır.
Endüstriyel veya özel uygulamaya bağlı olarak ıslaklık ve nemin tanımlanması için çok yollar
vardır. Gazların nemi bazen milyon kübik feet gaz başına pound cinsinden su buharı olarak
tanımlanır. Sıvı ve katılardaki nem genel olarak toplam kütle başına (ıslak ağırlık tabanı) su
yüzdesi olarak verilir fakat bazen kuru ağırlık tabanına göre de verilebilir. Düşük su karışabilirliği
ile sıvılardaki nem ekseriyetle ağırlık olarak milyon başına parça olarak tanımlanır (PPMw).
Nem (moisture) terimi genel olarak herhangi bir malzemenin su içeriği ile ilgilidir fakat pratik
nedenlerden dolayı sadece sıvılar ve katılara uygulanır oysa ki nem (humidity) terimi gazlardaki su
içeriği için ayrılmıştır. Aşağıda bazı kullanışlı tanımlar verilmiştir.
Nem (moisture) - sıvı veya katıda emilme veya birikme sonucu oluşan su içeriğidir ki maddenin
kimyasal özelliklerini değiştirmeksizin yok edilebilir.
Karışım oranı (nem oranı) r - kuru gazın birim kütle başına su buharı kütlesi.
Mutlak nem (kütle konsantrasyonu veya su buharı yoğunluğu) - ıslak gazın birim hacim, v başına
su buharı kütlesi m: dw=m/v. Başka deyimle mutlak nem su buharı bileşeninin yoğunluğudur ve
ölçülebilir. Örneğin miktarı bilinen hava nem emici yapıdan geçirilir (silika-jel gibi) ve emilmeden
önce ve sonra tartılır. Mutlak nem kübik metre başına gram olarak veya kübik ayak (foot) başına
tanecik (grains) olarak tanımlanır. Bu ölçüm atmosferik basıncın da bir fonksiyonu olduğundan
mühendislik pratiği için genelde kullanışlı değildir.
Bağıl nem (RH) herhangi bir sıcaklıkta havanın gerçek buhar basıncının aynı sıcaklıkta doyma
buhar basıncının maksimumuna oranıdır. Yüzde olarak bağıl nem
Pw
H = 100 (15.1)
Ps
ile tanımlanır. Burada, Pw su buharının kısmi basıncı ve Ps ise verilen sıcaklıkta doymuş su buharı
basıncıdır. H’nin değeri buharın doymasına neden olan gerekli konsantrasyonun yüzdesi olarak
buhar içeriğini tanımlar yani bu sıcaklıkta su damlacıkları biçimlenerek çiğ oluşur. RH alternatif
olarak boşlukta su buharının mol (gram molekül) kesrinin doyumda boşluktaki su buharının mol
kesrine oranı ile tanımlanır.
Kuru havanın kısmi basıncı, Pa ile beraber Pw’nin değeri bir kapalı yerin basıncına eşit veya eğer
kapalı yer atmosfere açıksa atmosferik basınca, Patm eşittir:
Pw + Pa = Patm (15.2)
Kaynama noktasının üzerindeki sıcaklıklarda su basıncı kapalı yerdeki diğer bütün gazların yerini
değiştirebilir veya dışarı çıkarır. Atmosfer bu durumda tamamen aşırı ısıtılmış buhardan ibarettir.
Bu durumda Pw=Patm dir. 100 °C’nin üzerindeki sıcaklıklarda Ps daima Patm’den büyük olacağından
RH nem içeriğini yanlış gösterir ve maksimum RH % 100’e asla ulaşamaz. Bunun sonucu olarak
normal atmosfer basıncında ve 100 °C sıcaklıkta maksimum RH %100 ve 200 °C de ise sadece %
6’dır. 374 °C üzerindeki doyma basınçları termo-dinamik olarak belirlenmemiştir.
Çiğ noktası sıcaklığı (dew point)- su buharının mevcut olduğu kısmi basınçtaki sıcaklık maksimum
değerinde veya doymuş buhar durumundaki sıcaklık. Çiğ noktası sıcaklığında bağıl nem % 100
dür.
Bağıl nem mutlak sıcaklık ile ters ilişki sergiler. Çiğ noktası sıcaklığı ekseriyetle soğutulmuş bir
ayna ile ölçülür. Bununla beraber 0 °C altındaki çiğ noktasında nem hemen donarak yavaşça kristal
kafes büyümesi oluşacağından (kar tanesi gibi) ölçüm belirsiz olur. Buna rağmen 0 °C altındaki
sıvı fazda uzatılmış bir zaman için moleküler ajitasyon konveksiyon oranı, örnek gaz sıcaklığı,
yabancı maddeler, vb. gibi değişkenlere bağlı olarak nem var olabilir.
Hava ile doldurulmuş bir kapasitör bağıl nem algılayıcısı olarak çalışabilir. Çünkü atmosfer
içindeki nem aşağıdaki eşitliğe göre havanın elektriksel iletkenliğini değiştirir.
211 ⎛ 48 Ps ⎞ − 6
κ =1+ ⎜P + H ⎟10 (15.3)
T ⎝ T ⎠
Nem Algılayıcı ve Dönüştürücüleri 365
Burada, T kelvin cinsinden mutlak sıcaklık, P nemli havanın mm civa olarak basıncı, Ps T
sıcaklığında doymuş su buharının basıncı, H % olarak bağıl nemdir. Yukarıdaki eşitlik nemli
havanın dielektik sabitini ve dolayısıyla kapasitansın bağıl nemle orantılı olduğunu gösterir.
Kapasitör levhaları arasındaki boşluk hava yerine neme maruz kaldığında dielektrik sabiti bariz
olarak değişen uygun bir yalıtkan ile doldurulabilir. Kapasitif algılayıcı her iki yanı metalik
elektrotların biriktirme metoduyla oluşturulduğu higroskopik (nemi emebilen) polimer tabakadan
biçimlendirilebilir. Bir tasarımda dielektrik yapı selüloz asetat bütirat’den yapılmış (8-12 μm
kalınlığında) ince film higrofilik (suyu seven) polimer tabaka ve plastisizer olarak
dimetilephtalate’den oluşturulmuştur. Film algılayıcının boyutu 12×12 mm’dir. 8 mm çapında altın
gözenekli disk elektrotlar (200 Å kalınlığında) vakum biriktirme metodu ile polimer üzerine
konulmuştur. Film tabaka bir tutucu ile askıya alınmış ve elektrotlar terminallere bağlanmıştır. Bu
algılayıcının kapasitansı bağıl nem, H ile yaklaşık orantılıdır:
C h = C0 (1 + α h H ) (15.4)
Burada, Co H=0 daki kapasitans değeridir.
Kapasitif algılayıcılarda kullanmak için % 5 - % 90 RH aralığında % 2 doğrulukta çalışabilecek
basit bir devre şekil 15.1’de görülmektedir. Algılayıcı ve devrenin transfer karakteristikleri şekil
15.2’de görüldüğü gibidir. Algılayıcının % 75 RH’de anma kapasitansı 500 pF’tır. Algılayıcı sıfır
nemde 370 pF civarında offset değeri ve 1,7 pF / % RH’lik eğim ile yarı doğrusal transfer
fonksiyona sahiptir. Devre etkin olarak iki fonksiyonu yerine getirir: kapasitansı gerilime
dönüştürür ve offset kapasitansını çıkartarak (-) sıfır kesim noktasından çıkış gerilimi üretir.
Devrenin kalbi kendiliğinden zamanlayan analog anahtar, LT1043 olup işlemsel yükseltici, U1’in
toplama noktasında (yapay toprak) birkaç kapasitörü çoğullama işlemini yapar. C1 kapasitörü offset
kapasitansını çıkarma işlemini yaparken C2 kapasitörü kapasitif algılayıcı, S1 ile seri bağlanmıştır.
Algılayıcının uçlarındaki ortalama gerilimin sıfır olması gerekir yoksa elektro-kimyasal taşıma
algılayıcıyı kalıcı olarak bozabilir. Polarizeli olmayan C2 kapasitörü algılayıcıyı DC ile
yüklemeden korur. P2 trimpotu algılayıcıya verilen yükün miktarını ayarlar ve P1 algılayıcıdan
çıkartılacak (-) offset yükünü ayarlar. Geri besleme kapasitörü, C3’ün yardımı ile net yük’ün
integrasyonu alınmıştır. C4 kapasitörü toplama noktası algılayıcıdan ayrıldığı zaman DC çıkışının
sürekli olmasını sağlar.

algılayıcı ile nem ölçümünün
basitleştirilmiş devresi
Şekil 15.2 Kapasitif algılayıcı ve

sisteminin transfer fonksiyonları
Benzer bir teknik malzeme örneklerinde nemin ölçülmesinde kullanılabilir. Şekil 15.3 de numune
malzemenin dielektrik sabitinin osilatörün frekansını değiştirdiği kapasitif ölçme sisteminin blok
diyagramı görülmektedir. Nem ölçümünün bu metodu eczacılık ürünlerinin işlem (proses)
kontrolünde oldukça kullanışlıdır. Çoğu tıbbi tabletlerin dielektrik sabitleri suya kıyasla oldukça
düşüktür (2-5 arasında). Numune malzeme LC osilasyon devresinde kapasitör oluşturacak şekilde
iki test plakası arasına yerleştirilir. Frekans ölçülür ve nemle bağıntı kurulur. Sıcaklık ve oda
sıcaklığı gibi çevresel şartlara atfedilen değişimleri azaltmanın en iyi yolu diferansiyel tekniğin
kullanılmasıdır. Yani Δf = f 0 − f1 frekans kayması hesaplanır; burada fo ve f1 sırasıyla boş plakalı
ve bunların arasına numune malzeme konulduğu durumlardaki frekanslardır. Bu metodun bazı
sınırlamaları vardır. Örneğin % 0,5’den aşağı nemler ölçüldüğünde doğruluğu zayıftır. Numune
malzeme oldukça yüksek dielektrik sabitli olmalı, metal ve plastik cisim gibi yabancı
parçacıklardan arınmış olmalıdır. Sıkıştırma yoğunluğu ve sabit numune geometrisinin sağlanması
ayrıca gerekmektedir.

nem algılama sistemi
İnce tabakalı kapasitif nem algılayıcısının fabrikasyonu silikon yapı üzerine yapılabilir. 3000 Å
kalınlığında ince SiO2 katmanı n-tipi silikon üzerine konulur (şekil 15.4b). İki metal elektrot SiO2
tabaka üzerine biriktirme ile biçimlendirilir. Bunlar aluminyum, krom veya fosfor katkılı
polisilikondan (LPCVD) yapılır. Elektrot kalınlığı 2000-5000 Å aralığındadır. Elektrotlar şekil
15.4a’da görüldüğü gibi interdijitize olarak biçimlendirilmiştir. Ek sıcaklık kompanzasyonu
sağlamak için aynı yapı üzerinde sıcaklığa duyarlı iki direnç biçimlendirilmiştir. Algılayıcının üst
kısmı dielektrik tabaka ile kaplanmıştır. Bu tabaka için kimyasal buhar biriktirmeli (CVD PSG)
veya fosfor silikat cam (CVD PSG) gibi çeşitli malzemeler kullanılabilir. Tabakanın kalınlığı 300-
4000 Å aralığındadır.
Algılayıcının basitleştirilmiş eşdeğer elektrik devresi şekil 15.5’de görülmektedir. Devrenin her
elemanı bir RC iletim hattını temsil eder. Bağıl nem arttığında yayılmış yüzeyin direnci düşer ve 1
ve 2 terminalleri arasındaki eşdeğer kapasitans büyür. Kapasitans frekansa bağımlı olduğundan
dolayı düşük nem ölçüm aralığının frekansı 100 Hz civarında seçilirken daha yüksek nemler için
frekans 1-10 kHz aralığında seçilmelidir.
(a) interdijitize elektrotlar kapasitör plakalarını oluşturur (b) algılayıcının kesit görünüşü
Şekil 15.4 Kapasitif ince film nem algılayıcısı
Şekil 15.5 Kapasitif ince

film nem algılayıcısının
basitleştirilmiş eşdeğer
devresi
Zar
Vçıkış
Diyot
(a) Şematik kesit görünüş
Vçıkış
(b) eşdeğer devre (c) ölçüm sonuçları
Şekil 15.6 MOSFET tabanlı nem algılayıcısı
Elektronik elemanlar dersinde bahsedildiği gibi MOSFET’in bir kanalı sadece kapı gerilimi ile
etkilenmeyip dielektriğin değişmesi ile de etkilenir. Bu etkiye dayalı nem algılayıcısı Hijikigawa
tarafından tanımlanmıştır. Şekil 15.6a da gösterildiği gibi algılayıcı yeniden düzenlenmiş bir
MOSFET yapısından oluşmaktadır. Normal MOSFET’in kapı-kapı oksit kısmına çok ince
gözenekli altın kapı, 1 μm kalınlığında selüloz asetat tabakadan oluşan neme duyarlı zar, standart
aluminyum kapı, SiO2 ve Si3N4 tabakadan oluşan bir sandwich yerleştirilmiştir. Şekil 15.6b deki
eşdeğer devreden de görülebileceği gibi V0 DC gerilimi ve küçük v0 AC gerilimi üst altın kapı
elektroduna uygulanır. Her iki kapı bir dirençten geçerek aralarında bağlanmıştır. AC çıkış gerilimi
Vçıkış = v0 RL g m /(1 + C g / Cm ) (15.5)

yazılabilir. Burada, Cg kapı yalıtıcı tabakasının kapasitansı, Cm neme duyarlı tabakanın kapasitansı
ve gm MOSFET’in iletkenliğidir. Şekil 15.6c de gösterildiği gibi parametreler iyi seçilirse çıkış
gerilimi Vçıkış ile bağıl nemlilik arasında oldukça doğrusal ilişkinin ölçülebildiği gözükmektedir.
15.3 İLETKENLİK ALGILAYICILARI
İletken higrometric algılayıcının genel kavramı şekil 15.7’de görülmektedir. Algılayıcı değişken
nem şartları altında direnci bariz olarak değişen oldukça düşük dirençli bir malzeme içerir. Bu
malzeme çok geniş temas alanı sağlamak için iki interdigitize elektrotların üzerine biriktirme
suretiyle konulur. Su molekülleri üst tabaka tarafından emildiğinde elektrotlar arasındaki direnç
değişimi bir elektronik devre ile ölçülebilir. Böyle bir algılayıcı ilk olarak 1935’de F. W. Dunmore
tarafından % 2 - % 5 sulu LiCl çözeltisi içeren higroskopik filmden geliştirilmiştir. İletken nem
algılayıcısının diğer bir örneği Pope elemanı olarak adlandırılır ki istenilen yüzey direnç
karakteristiklerini elde etmek için sülfirik asit ile uygun hale getirilmiş köpük (polystyrene) film
içermektedir.
Şekil 15.7 İletken nem

algılayıcısının kompozisyonu
Elektriksel iletkenliği nem ile değiştiğinden dolayı iletkenlik algılayıcısındaki film malzemesinin
fabrikasyonu için diğer umut verici malzemeler katı poli-elektrolitlerdir. Bu bileşenlerin uzun
dönem kararlılığı ve tekrar edilebilirliği çok büyük olmamakla beraber, polimer devreler ve
taşıyıcılar ve destek ortamının birbirine nüfuzu kullanılarak önemli ölçüde değiştirilebilir. 1
kHz’de, RH %0-%90 arasında değişirken yapılan ölçümde böyle bir filmin deneysel örneğinin
empedansı 10 MΩ - 100 Ω arasında değişim göstermiştir.
Katı-hal nem algılayıcısının fabrikasyonu silikon yapı üzerine yapılabilir (şekil 15.8a). Silikonun
yüzeyinde bulunan vakum biriktirmeli aluminyum elektrot ile elektriksel yol sağlayacak şekilde
yüksek iletkenlikte olması gerekir. Bir oksit tabaka iletken aluminyum tabakanın üzerinde
biçimlendirilir ve bunun üzerine diğer elektrot biçimlendirilir. Aluminyum tabaka gözenekli oksit
yüzey oluşturacak şekilde anodize edilir. Aluminyum üzerindeki gözeneklerin ortalama kesit
boyutu su moleküllerinin nüfuzuna izin vermeye yeterlidir. Üst elektrot gazı geçirebilen gözenekli
altın biçiminde ve aynı zamanda elektriksel temas sağlayabilir. Elektriksel bağlantılar altın ve
silikon tabakalardan yapılmıştır. Aluminyum oksit (Al2O3) çoğu diğer malzemeler gibi buhar
fazında su içeren gaz karışımı ile temas ettiğinde suyu hemen emer. Emilme ve birikme miktarı su
buharının kısmi basıncı ile orantılı ve mutlak sıcaklık ile ters orantılıdır. Aluminyum oksit
dielektrik malzemedir. Dielektrik sabiti ve yüzey direnci suyun emilme özelliği (physisorption) ile
modifiye edilir. Bundan dolayı bu malzeme nem algılama bileşeni olarak kullanılmaya uygundur.
Şekil 12.8b algılayıcının elektriksel eşdeğer devresini göstermektedir. R1 ve C1 değerleri Al2O3 ’in
ortalama gözenek boyutu ve yoğunluğuna bağlıdır. Direnç ve kapasitansın bu bileşenleri
gözeneklere nüfuz eden ve yüzeye yapışan su moleküllerinin sayısı ile değişir. R2 ve C2 gözenekler
arasında bulunan oksit malzemesinin direncini ve kapasitansını temsil eder ve bundan dolayı
nemden etkilenmezler. C3 çok düşük frekanslarda kuru atmosferde toplam direnç bileşenlerinin
ölçümleri ile belirlenmiş seri kapasitans eşdeğeridir. Frekans DC’ye yaklaşırken algılayıcının
direnci çok büyük (> 108 Ω) olur. Bundan dolayı nem ölçümü algılayıcının empedansının ölçümünü
içermektedir. Tipik bir algılayıcıda mevcut neme bağlı olmayan direnç ve kapasitansın kalıntı
değeri neme bağlı değişkenleri şöntleyerek nemin azaltılmasıyla (duyarlılıkta) eğimde sürekli bir
azalmaya neden olur ve akabinde düşük nemlerde doğruluğu azaltır. Sıcaklık nem ölçümünde bir
faktör olduğundan algılayıcı ekseriyetle aynı paket içinde nem algılayıcısı, termistör ve nemin
etkisine karşı korunmuş ve düşük sıcaklık katsayılı referans kapasitansını barındırır.
(a) Al2O3 ince film nem algılayıcısının yapısı (b) algılayıcının basitleştirilmiş eşdeğer devresi
Şekil 15.8
15.4 ISIL İLETKENLİK ALGILAYICISI
Nemi ölçmek için gazın ısıl iletkenliğinin kullanılması termistör tabanlı algılayıcı kullanılarak
yapılabilir (Şekil 15.9a). İki küçük termistör (Rt1 ve Rt2) gövdeye olan ısıl iletkenlik kaybını en aza
indirmek için ince teller ile desteklenmiştir. Soldaki termistör küçük havalandırma deliklerinden
geçen dışarıdaki gaza maruz bırakılırken sağdaki termistör kuru hava içinde sızdırmayacak şekilde
kapatılmıştır. Her iki termistör +E gerilimi ile beslenen köprü devresine (R1 ve R2) bağlanmıştır.
Termistörler elektrik akımının geçişinden dolayı kendiliğinden ısınırlar. Sıcaklıkları çevre
sıcaklığının üzerinde 170 °C’ ye kadar yükselir. Başlangıçta sıfır referans noktası oluşturmak için
köprü kuru havada dengeye getirilir. Bu algılayıcının çıkışı mutlak nem sıfırdan artmaya
başladığında aşamalı olarak artar. 150 g/m3 civarında doyuma ulaşır ve daha sonra 345 g/m3
civarında polaritesini değiştirerek azalır (şekil 15.9b).
(a) tasarım ve elektriksel bağlantı (b) çıkış gerilimi
Şekil 15.9 Kendiliğinden ısıtan termistörler ile mutlak nem algılayıcısı

Bağıl nem çiğ noktası sıcaklığının ölçülmesi ile de iyi bir şekilde belirlenebilir. Kullanılan metot su
yoğunlaşmasının ilk izlerinin görünmeye başladığı çiğ noktası sıcaklığına gelinceye kadar düz
yüzeyi soğutmaktır. Hava kuru ise yoğunlaşmanın gözükmesinden önce yüzeyin daha çok
soğutulması gerekir. Hava oldukça nemli ise sadece sıcaklıktaki küçük bir azalma yeterli
olmaktadır. Soğuk hava az miktarda ve ılık hava daha çok miktarda nem içermektedir. Şekil 15.10
da sıcaklığın bir fonksiyonu olarak doymuş su basıncı görülmektedir. Bağıl nem şu şekilde
belirlenebilir: İlk olarak Ts ortam sıcaklığı için doyma basıncı Ps belirlenir. Daha sonra
yoğunlaşmanın oluşmaya başladığı Td çiğ noktası sıcaklığına kadar yüzey soğutulur. Eğriden çiğ
noktası sıcaklığında Pd doyma basıncı bulunur ve bağıl nem Pd/Ps bölümünden elde edilir.
Şekil 15.10 Sıcaklığın fonksiyonu olarak

doyma su basıncı
Yoğunlaşmayı dedekte edebilecek değişik metotlar vardır. Bu metotlardan birinde fotodedektör ile
yansıyan ışık hüzmesi dedekte edilir. Işığın şiddeti yoğunlaşmanın başlamasıyla azalır. Bu noktada
aynanın sıcaklığı ölçülür. Yoğunlaşmanın başlaması kapasitif metotla da dedekte edilebilir. Suyun
dielektrik sabiti oldukça yüksektir (80). Açık bir kondansatör yapısı kullanıldığında kapasitör
üzerinde su birikmeye başladığı zaman kapasite hızlıca artar.
Regtien tarafından çok zarif, kapasitif duyarlı ve entegre devre teknolojili bir algılayıcı
gerçekleştirilmiştir. Şekil 15.11a da görülen algılayıcı silikon gövde üzerinde tarak biçimli düz bir
kapasitörden oluşmaktadır. Altın, aluminyum veya polykristal silikon kullanılabilir. Algılayıcı
soğutulması için minyatür Peltier eleman üzerine yerleştirilmiştir. Silikon gövdeye sıcaklık ölçen
diyot veya transistör entegre edilmiştir. Silikonun sıcaklık iletkenliği çok yüksek olduğundan bu
sıcaklık algılayıcısı düz kapasitörün kenarına bile yerleştirilse gerçek çip sıcaklığını ölçer. Peltier
elemana gönderilen akımla sıcaklık düşürüldüğü zaman şekil 15.11b de görüldüğü gibi çiğ noktası
kapasitansı hızlı bir şekilde artar. Kapasite ölçücü devrenin çıkışıyla Peltier elemanının akımı
kontrol edildiği zaman çok hassas bir algılayıcı elde edilir. Bu geri besleme sisteminin kullanılması
ile aygıtta yoğunlaşan su miktarı sabit tutulabilir. Çiğ noktası sıcaklığı ve ilişkiden şekil 15.11 de
görüldüğü gibi bağıl nem elde edilir.
4
C ölçümü Td ölçümü
3
Cw
Cd 2
1
Peltier T algılayıcısı
Soğutucu 0
çiğ algılayıcısı 6 7 8 9 10 11 12
Td
(a) ölçme devresi (b) sıcaklığın fonksiyonu olarak kapasite
Şekil 15.11 Geri-beslemeli, kapasitif çiğ noktalı algılayıcı sistemi

15.5 OPTİK HİGROMETRE

Nem algılayıcılarının çoğu bazı tekrar edilebilirlik problemlerini üzerlerinde taşırlar - özellikle %
0,5 - % 1 arasında tipik RH değeri ile histerezis. Hassas kontrol sisteminde bu sınırlayıcı bir faktör
olabilir; bu yüzden nem ölçümlerinin endirek metotlarının dikkate alınması gerekir. En verimli
metot çiğ noktası sıcaklığından geçerek mutlak veya bağıl nemin hesaplanmasıdır. Bahsedildiği
gibi çiğ noktası suyun buhar ve sıvı fazlarının (veya herhangi bir sıvı) dengede olduğu sıcaklıktır.
Buhar ve katı fazlarındaki sıcaklığın dengede olmasına donma noktası denir. Çiğ noktasında
doymuş buhar basıncının sadece bir değeri mevcuttur. Bundan dolayı mutlak sıcaklık basınç
bilindiği sürece bu sıcaklıktan ölçülebilir. Minimum histerezis etkileri ile nem ölçümünün en uygun
metodu optik higrometrenin kullanılmasını zorunlu kılmaktadır. Optik higrometrenin fiyatı oldukça
yüksektir fakat düşük nem seviyesinin izlenmesinin faydası üretimin sonucunu ve kalitesini
geliştiriyorsa fiyat kolaylıkla savunulabilir.
Optik higrometrenin ardındaki temel fikir yüzey sıcaklığının ısılelektrik ısı pompası ile hassas
olarak regüle edilmiş bir aynanın kullanılmasıdır. Aynanın sıcaklığı çiğ oluşumunun eşiğinde
kontrol edilir. Örnek hava aynanın yüzeyine pompalanır ve eğer ayna sıcaklığı çiğ noktasını
geçerse nemi su damlacıkları biçiminde bırakır. Su damlacıkları ışık ışınlarını parçaladığından
aynanın yansıtıcı özellikleri suyun yoğunlaşmasıyla değişir. Şekil 15.12 soğutulmuş aynalı
higrometrenin basitleştirilmiş blok diyagramını göstermekte ve peltier etkisi ile çalışan ısı pompası
içermektedir. Pompa içinde sıcaklık algılayıcısı barındıran ince aynalı yüzeyden ısıyı uzaklaştırır.
Bu sıcaklık algılayıcısı aynanın sıcaklığını gösteren dijital termometrenin bir parçasıdır.
Higrometrenin devresi diferansiyel tip olup üstteki opto-yalıtıcı, ışık yayan diyot (LED) ve
fotodedektör değişimlerin (drift) kompanzasyonu için kullanılırken aşağıdaki opto-yalıtıcı aynanın
yansıtıcılığının ölçülmesi içindir. Algılayıcının simetriliği üst optoyalıtıcının ışık yoluna
yerleştirilmiş takoz biçimli optik dengeleyici ile sağlanır. Aşağıdaki opto-yalıtıcı aynaya göre 45
°C’lik açıda yerleştirilmiştir. Çiğ noktasının üzerinde ayna kuru ve yansıtıcılığı en yüksektir. Isı
pompasının kontrolörü ısı pompası ile aynanın sıcaklığını azaltır. Suyun yoğunlaşması anında
aynanın yansıtıcılığı aniden düşerek foto-dedektördeki foto akımının azalmasına neden olur. Foto-
dedektör sinyalleri aynanın yüzeyinde ek yoğunlaşma veya buharlaşmanın oluşması
istenilmediğinden, aynanın yüzey sıcaklığının çiğ noktası seviyesinde tutulması için ısı pompasının
elektrik akımının regüle edilmesi amacıyla kontrolöre gönderilir. Gerçekte su molekülleri sürekli
olarak yüzeyde tutulma ve yüzeyden kaçma pozisyonunda bulunurlar fakat yoğunlaşma
yoğunluğunun ortalama net seviyesi denge pozisyonuna ulaşıldığında değişmez.
Şekil 15.12 Optik köprü

ile soğutulmuş aynalı
çiğ noktası algılayıcısı
Aynalı yüzeyin algılanan sıcaklığı tam olarak geçerli çiğ noktasını belirlediğinden bu sıcaklık
nemin en temel ve doğru ölçüm metodu olarak düşünülür. Histerezis hemen hemen yok edilir ve
duyarlılık 0,03 °C DP (çiğ noktası)’ye yakındır. Çiğ noktasından % RH, buhar basıncı, vb. gibi
bütün nem parametreleri geçerli sıcaklık ve basınç bilindiği sürece elde edilebilir.
Metotla ilgili bazı problemler vardır. Birisi oldukça yüksek fiyatı, diğeri potansiyel ayna kirliliği ve
üçüncüsü ise ısı pompasının oldukça yüksek güç tüketimidir. Kirlenme problemleri parçacık
filtrelerinin kullanımı ve aynayı çiğ noktasının biraz aşağısında kasıtlı olarak soğutup aşırı
yoğunlaşma ve akabinde hızlı yeniden ılıtma tekniği ile hemen hemen giderilebilir. Böylece
aynanın kirleri uzaklaştırılarak temiz tutulmuş olur.
15.6 OSİLASYONLU HİGROMETRE
Osilasyonlu higrometrenin ardındaki fikir optik soğutulmuş aynalı algılayıcıdakine benzemektedir.
Farklılık çiğ sıcaklığının ölçümünün yüzeyin optik yansıtıcılığı ile yapılması yerine soğutulmuş
plakanın kütle değişiminin dedeksiyonu ile yapılmasıdır. Soğutulmuş plakanın fabrikasyonu bir
osilatör devresinin bir kısmı olan ince quartz kristalinden yapılır. Bu algılayıcı için diğer bir ismi
çağrıştırır: piezo-elektrik higrometre çünkü quartz plakanın osilasyonu piezo-elektrik etkiye
dayanmaktadır. Quartz kristali yüksek doğruluk derecesi ile kristalin sıcaklığını kontrol eden peltier
soğutucu ile ısıl olarak kuplajlanmıştır (Şekil 15.13). Sıcaklık çiğ noktasına düştüğünde ince su
buharı tabakası quartz kristalin açık yüzeyi üzerinde birikir. Kristalin kütlesi değiştiğinden
osilatörün rezonans frekansı fo’dan f1’e kayar. Yeni frekans, f1 verilen su tabakasının kalınlığına
karşılık gelmektedir. Frekans kayması çiğ noktası sıcaklığında kararlı duruma getirmek için quartz
kristalin sıcaklığını değiştirerek Peltier soğutucudan geçen akımı kontrol eder. Piezo-elektrik
higrometrenin tasarımındaki ana zorluk minimum mekanik yüklemede kristalin küçük boyutunu
değiştirmeden soğutucu ve kristal arasında yeterli ısıl kuplajın sağlanmasıdır.
Şekil 15.13
Osilasyonlu nem
algılayıcısı

1. Nemin ölçülmesinin önemi nedir?
2. Kapasitif algılayıcı ile nem nasıl ölçülür?
3. İletken nem algılayıcısının çalışma prensibi nedir?
4. Optik higrometrenin çalışma prensibi nedir?
5. Kapasitif nem algılayıcısı ile cisimlerin nem içeriği nasıl ölçülür?
6. Gözenekli nem algılayıcısının çalışma prensibi nedir?
7. Isıl iletkenlik algılayıcısı ile nem ölçümünün hız tepkisi nasıldır?

16 IŞIK DEDEKTÖRLERİ
16.1 GİRİŞ
Morötesi-kızılötesi spektral aralığındaki elektromanyetik ışınım dedektörleri ışık dedektörleri

olarak adlandırılır. Algılayıcı tasarımcısının görüş açısından algılayıcı malzeme ile fotonların
emilmesi quantum veya ısıl tepki ile sonuçlanabilir. Bu bakımdan bütün ışık dedektörleri quantum
ve ısıl olarak adlandırılan iki ana gruba ayrılabilir. Quantum dedektörleri morötesinden orta
kızılötesi spektral aralıkta çalışırken ısıl dedektörler orta ve uzak kızılötesi spektral aralıkta daha
çok kullanışlı olup oda sıcaklıklarındaki verimleri quantum dedektörlerini aşmaktadır.
Şekil 16.1 de elektromanyetik spektrumun tamamı ve şekil 16.2 de ise ışık spektrumunun
genişletilmiş hali görülmektedir. İnsan gözünün duyarlı olduğu görünür ışık spektrumu yaklaşık 0,4
ile 0,7 μm arasında bulunmaktadır.
DALGA BOYU (m)
-15 -12 -9 -6 -3 0 3 6
10 10 10 10 10 10 10 10
Gama Mor Kızıl Radyo

Işınları Ötesi Ötesi dalgaları
Kozmik X Mikro Uzun
Görünür Elektriksel
Işınlar Işınları dalga
Osilasyon
23 21 18 15 12 9 6 3 0
10 10 10 10 10 10 10 10 10
FREKANS (Hz)
Şekil 16.1 Elektromanyetik spektrum
Quantum dedektörleri (foto-voltaik ve foto-iletken aygıtlar) yarı iletken malzemelerin kristal kafesi
ile ayrı veya serbest fotonların etkileşimine dayanmaktadır. Çalışma prensipleri A. Einstein
tarafından keşfedilen ve Nobel ödülü kazanan foto elektrik etkiye dayanmaktadır. A. Einstein
1905’de ışığın doğası hakkında en azından bazı şartlar altında ışık enerjisi daha sonra foton olarak
adlandırılan lokalleştirilmiş demetler şeklinde yoğunlaştırılır önemli varsayımını yapmıştır. Bir

fotonun enerjisi
E = hv (16.1)
ile verilir; burada, v ışığın frekansı ve h = 6,63×10-34 Js (veya 4,13×10-15 eVs) ışığın dalga teorisi
temelinden çıkartılmış Plank sabitidir. Foton bir iletkenin yüzeyine çarptığında bir serbest elektron
üretebilir. E foton enerjisinin φ kısmı elektronu yüzeyden ayırmak için kullanılırken diğer kısım
kinetik enerjiyi vermektedir. Foto-elektrik etki
hv = φ + K m (16.2)
olarak tanımlanabilir; burada, φ yayıcı yüzeyin iş fonksiyonu olarak adlandırılır ve Km elektronun

yüzeyden çıkışındaki maksimum kinetik enerjisidir. Bir yarı-iletken pn-jonksiyonu ışınım
enerjisine maruz bırakıldığında aynı işlem oluşur: foton enerjisini bir elektrona transfer eder ve
eğer enerjisi yeteri kadar yüksek ise elektron hareketli hale geçerek elektrik akımı ile
sonuçlanabilir.
DALGA BOYU (µm)
0,390
0,455
0,492
0,577
0,597
0,622
0,770
0,1 1 10
YAKIN KIRMIZÖTESİ
UZAK KIRMIZIÖTESİ
ORTA KIRMIZIÖTESİ
YAKIN MORÖTESİ
UZAK MORÖTESİ
AŞIRI MORÖTESİ
TURUNCU
KIRMIZI
YEŞİL
MAVİ
SARI
MOR
15 14 13
10 10 10
FREKANS (Hz)
Şekil 16.2 Işık spektrumu
Kristal malzemenin periyodik kafesi katı içinde bulunan elektron için izin verilen enerji bantlarını
meydana getirir. Saf malzemenin içindeki herhangi bir elektronun enerjisi boşluklar veya yasak
enerji aralıkları ile ayrılabilen bu enerji bantlarından birisi ile sınırlandırılmalıdır.
Eğer uygun dalga boyundaki ışık (fotonların yeterli derecede yüksek enerjisi) yarı-iletken kristale
çarparsa kristalde yük taşıyıcıların konsantrasyonu (elektronlar ve boşluklar) artarak kristalin artan
iletkenliği olarak açıkça gözükür:
σ = e( μ e n + μ h p ) (16.3)
Burada, e elektron yükü, μe elektron hareketliliği, μh boşluk hareketliliği ve n ve p sırasıyla
elektron ve boşlukların konsantrasyonlarıdır.
Şekil 16.3a yarı-iletken malzemenin enerji bantlarını göstermektedir; burada Eg eV olarak yasak
bant aralığının büyüklüğüdür. Aşağı banta valens bantı denilir ki kristal içinde belirli kafes
bölgeleri ile sınırlanmış elektronlara karşılık gelmektedir. Silikon veya germanyum durumunda
Işık Dedektörleri 375
bunlar kristal içinde atomlar arası kuvvetleri oluşturan kovalent bağın parçalarıdırlar. Bundan
sonraki daha yüksek bant iletim bantı olarak adlandırılır ve kristal boyunca serbestçe hareket
edebilen elektronları temsil etmektedir. Bu bant içindeki elektronlar malzemenin elektriksel
iletkenliğine katkı sağlar. İki bant bir bant aralığı ile ayrılmıştır ve bunun büyüklüğü malzemenin
yarı-iletken veya yalıtkan olup olmadığını belirler. Kristal içindeki elektronların sayısı valens bantı
içindeki mevcut tüm bölgeleri tamamen doldurmaya yeterlidir. Isıl uyartımın yokluğunda hem
yalıtkanlar ve hem de yarı-iletkenler bu bakımdan valens bantının tamamen dolu ve iletim bantının
boş olduğu bir konfigürasyona sahip olacaklardır. Bu şartlar altında teorik olarak herhangi bir
elektriksel iletkenlik göstermezler. Bir metalde işgal edilen en yüksek enerji bantı tamamen dolu
değildir. Bu yüzden elektronlar malzeme içinde baştan başa kolaylıkla hareket edebilmektedir
çünkü bunlar işgal edilmiş durumların üzerinde sadece artan küçük bir enerjiyi sağlamaya ihtiyaç
duyarlar. Metaller bu yüzden daima çok yüksek elektriksel iletkenlik ile karakterize edilirler.
Yalıtkanlar veya yarı-iletkenlerde diğer taraftan elektronun iletim bandına erişmesi için enerji bant
aralığını öncelikle geçmesi gerekir ve iletkenlik bundan dolayı çok düşük büyüklüklerde
olmaktadır. Yalıtkanlarda bant aralığı oldukça düşüktür (tablo 16.1).
(a) düşük (b) yüksek
Şekil 16.3 Düşük ve yüksek enerjili fotonlar için yarı-iletkendeki foto-elektrik etki
Tablo 16.1
Malzeme Bant aralığı En uzun dalga Malzeme Bant aralığı En uzun dalga
(eV) boyu (μm) (eV) boyu (μm)
ZnS 3,6 0,345 PbS 0,37 3,35
CdS 2,1 0,52 InAs 0,35 3,54
CdSe 1,8 0,69 Te 0,33 3,75
CdTe 1,5 0,83 PbTe 0,3 4,13
Si 1,12 1,10 PbSe 0,27 4,58
Ge 0,67 1,85 InSb 0,18 6,90
Foton v1 frekansında kristale çarptığında enerjisi elektronu valens bantındaki bölgesinden ayırmaya
ve bant aralığından geçerek daha yüksek enerji seviyesindeki iletim bandına itmeye yetecek kadar
yüksektir. Bu bant’ta elektron bir akım taşıyıcı olarak görev yapar. Valens bantında bir elektronun
eksikliği de akım taşıyıcı olarak da görev yapan bir boşluk meydana getirir. Bu malzemenin öz
direncinin azalması olarak açıkça görülür. Diğer taraftan şekil 16.3b de daha düşük v2 frekanslı
fotonun elektronu bant aralığından itmeye yetecek kadar enerjiye sahip olmadığı görülmektedir.
Enerji bir akım taşıyıcı meydana getirmeden serbest kalır.
Enerji aralığı bir eşik görevi yapmakta olup bu eşik değerinin aşağısında malzeme ışığa duyarlı
değildir. Bununla beraber eşik ani değişimli değildir. Foton-uyartım işlemi boyunca momentumun
korunumu kanunu uygulanmaktadır. Moment ve boşluk-elektron bölgelerinin yoğunluğu hem

valens ve hem de iletim bantlarının merkezinde daha yüksektir ve bantların en üst ve en altlarında
sıfıra düşerler. Bu bakımdan uyartılmış valens-bant elektronunun iletim bantında moment gibi bir
bölge bulma ihtimali bantların merkezinde daha büyük ve bantların uçlarında en küçüktür. Bu
yüzden bir malzemenin foton enerjisine tepkisi Eg’den derece derece maksimum değerine ve sonra
valens bantının aşağısı ve iletim bantının üzeri arasındaki farka karşılık gelen enerjide tekrar sıfıra
düşer. Yarı-iletken malzemenin tipik spektral tepkisi şekil 16.4’de görülmektedir. Bir yekpare
malzemenin ışık tepkisi değişik katkılar eklenerek değiştirilebilir. Bu katkılar malzemenin spektral
tepkisinin yeniden biçimlenmesi ve kaydırılmasında kullanılabilir. Elektromanyetik ışınımın
fotonlarını yük taşıyıcılara doğrudan dönüştüren bütün aygıtlar quantum dedektörleri olarak
adlandırılır ve genelde foto-diyot, foto-transistör ve foto-direnç biçiminde üretilirler.
Şekil 16.4 Kızıl ötesi foto-

diyotun spektral tepkisi
Farklı foto-dedektörlerin karakteristikleri karşılaştırıldığında ekseriyetle aşağıdaki özelliklerin

dikkate alınması gerekir:
NEP (gürültü eşdeğer gücü) dedektörün içsel (intrinsik) gürültü seviyesine eşit olan ışık
miktarıdır. Farklı ifadeyle bu birime (1) eşit sinyal gürültü oranı elde etmek için gereken ışık
seviyesidir. Gürültü seviyesi bant genişliğinin kare kökü ile orantılı olduğundan NEP W / Hz
birimleri ile ifade edilir:
gürültü akımı ( A / Hz )
NEP = (16.4)
λ p de radyant duyarlılık ( A / W )
D* (D - yıldız) dedektörün 1 cm2 ’lik duyarlı alanı ve 1 Hz’nin gürültü bant genişliğinin
dedektivitesi olarak söylenir:
alan (cm 2 )
D* = (16.5)
NEP
Dedektivite algılayıcının sinyal - gürültü oranını ölçmenin diğer bir yoludur. Dedektivite çalışma
frekanslarının bütün spektral aralığında düzgün olmadığından kıyıcı frekansı ve spektral içeriğinin
de belirlenmesi gerekir. Dedektivite cm Hz / W birimleri ile ifade edilir. D* ’nin daha yüksek
değeri dedektörün daha iyi olması anlamına geldiği söylenebilir.
IR kesim dalga boyu (λc) spektral tepkinin uzun dalga boyu sınırını temsil eder ve sıklıkla
dedektivitenin tepe değerinden % 10 düştüğü durumdaki dalga boyu olarak listelenir.
Maksimum akım sabit akımlarda çalışan (HgCdTe gibi) foto iletken dedektörler için
belirlenir. Çalışma akımının maksimum sınırı asla aşmaması gerekir.
Maksimum ters gerilim Ge ve Si foto-diyotları ve foto-iletken hücreler için belirlenir. Bu

gerilimin aşılması bozulmaya ve algılayıcının performansının ciddi bozulmasına neden olabilir.
Işınım tepkisi verilen bir dalga boyunda etkiyen ışınım gücü ile çıkış foto akımının (veya
gerilimi) oranıdır ve A/W veya V/W ile ifade edilir.
Görüş alanı (FOV) algılayıcının ışınım kaynağına tepki verebileceği boşluğun hacminin
açısal bir ölçüsüdür.
Jonksiyon kapasitansı (Cj) paralel plakalı kapasitörün kapasitansına benzer. Yüksek hız
tepkisinin istenildiği durumlarda dikkate alınmalıdır. Cj’nin değeri ters polarlama gerilimi ile düşer
ve daha geniş diyot alanları için daha büyük değerdedir.
16.2 FOTO-DİYOTLAR
Foto-diyotlar yarı-iletken optik algılayıcılardır ve daha geniş tanımıyla güneş pillerini de içine
alırlar. Bununla beraber burada bu aygıtların güç dönüşümünden daha çok sadece bilgi veya sinyal
yönü dikkate alınacaktır. Basitçe bir fotodiyotun çalışması aşağıdaki gibi tanımlanabilir. Eğer pn
jonksiyonu ileri yönde polarlanmış (bataryanın pozitif tarafı p yanına bağlanmış) ve uygun
frekansta ışığa maruz bırakılmışsa akımın artışı karanlık akımına nazaran çok küçük olacaktır. Eğer
jonksiyon ters polarlanmış ise akım önemli ölçüde artacaktır (şekil 16.5). Fotonların çarpması
jonksiyonun her iki yanında elektron boşluk çiftleri meydana getirir. Elektronlar iletim bandına
girdiğinde bataryanın pozitif tarafına doğru akmaya başlarlar. Bununla ilişkili olarak meydana
gelen boşluklar negatif terminale akar yani ip foto akımı devreden akar. Karanlık şartı altında sızıntı
akımı, io uygulanan gerilimden bağımsız ve esas olarak yük taşıyıcılarının ısıl generasyonunun
sonucudur. Bundan dolayı ters polarlanmış fotodiyot’un elektrik eşdeğer devresi (şekil 16.6a) iki
akım kaynağı ve bir RC devresi içerir.
Şekil 16.5 Foto-

diyotun yapısı
Optik dedeksiyon işlemi optik enerjinin (fotonlar biçiminde) elektronik sinyale (elektronlar
biçiminde) dönüşümünü içerir. Eğer hv enerjisinde bir fotonun bir dedeksiyonda bir elektron
üretme olasılığı η ise bu durumda etkiyen P optik gücünde bir ışın için elektron üretiminin
ortalama oranı, < r >
ηP
<r>= (16.6)
hv
(a) Foto-diyotun eşdeğer devresi (b) gerilim-akım karakteristiği
Şekil 16.6
ile verilir. Sabit oranda, < r > etkiyen fotonlardan dolayı elektron üretimi zamanla rasgele
dağılmıştır ve Poisson istatistiğine uyar; böylece belli bir τ ölçüm aralığında m elektron üretilme
olasılığı
1 −< r >τ
p ( m,τ ) = (< r > τ ) m e (16.7)
m!
ile verilir. Optik dedeksiyonla ilgili istatistikler dedekte edilebilecek minimum sinyal seviyelerinin
belirlenmesinde ve bundan dolayı algılayıcıların en yüksek duyarlılığını belirlemede çok önemlidir.
Bu noktada bununla beraber elektrik akımının dedektöre etkiyen optik güçle orantılı olduğuna
dikkat edilmelidir:
ηeP
i =< r > e (16.8)
hv
Burada, e bir elektronun yüküdür. Giriş gücündeki bir değişim, ΔP (örneğin algılayıcıda ışık şiddeti
modülasyonundan dolayı) çıkış akımı, Δi ile sonuçlanır. Güç akımın karesi ile orantılı olduğundan
dedektörün elektriksel güç çıkışı dedektörü “kare-kanunu” dedektörü yaparak optik giriş gücü ile
quadratik veya ikinci dereceli olarak değişir.
Tipik bir foto-diyotun akım-gerilim tepkisi şekil 16.6b’de görülmektedir. Eğer diyota (i = 0
durumuna karşılık gelen) yüksek giriş empedanslı bir voltmetre bağlanırsa optik gücün artmasıyla
gerilimin oldukça doğrusal olmayan bir şekilde değiştiği gözlemlenir. Gerçekte değişimler
logaritmiktir. Kısa devre durumları için (V = 0) yani diyot bir akım-gerilim dönüştürücüsüne
bağlandığında akım optik güç ile doğrusal değişir. Foto-diyotun akım-gerilim tepkisi
i = io (e eV / kbT − 1) − is (16.9)
ile verilir. Burada, io elektron-boşluk çiftlerinin ısıl generasyonundan dolayı olduğu bilinen ters
veya karanlık akımı, is dedekte edilen optik sinyalden dolayı akım, kb Boltzman sabiti ve T mutlak
sıcaklıktır. (16.8) ve (16.9) eşitliklerinin birleştirilmesiyle
ηeP
i = io (e eV / kbT − 1) − (16.10)
hv
elde edilir ki bu eşitlik bir foto diyotun genel karakteristiğidir. Optik gücün elektrik gücüne
doğrudan dönüşümünün verimi oldukça düşüktür. Tipik olarak % 5 - 10 aralığında olmakla beraber
1992’de bazı deneysel fotosellerin % 15’e kadar yüksek verime erişebildiği rapor edilmiştir.
Bununla beraber algılayıcı teknolojilerinde fotoseller genelde kullanılmaz. Bunun yerine p ve n tipi
malzemenin arasına yüksek dirençli ek bir öz tabaka konulur ve bu diyot PIN foto-diyotu olarak
adlandırılmıştır (şekil 16.7). Bir fotonun foto-diyota nüfuz edebileceği derinlik dalga boyunun bir
fonksiyonudur ve dalga boyu bir algılayıcının spektral tepkisinde yansıtılır.
Şekil 16.7 Akım-gerilim dönüştürücüsüne bağlanmış PIN foto-diyotunun yapısı
Çok popüler PIN diyotlarının yanında ışığın algılanmasında farklı foto-diyot tipleri de kullanılır.
Genel olarak fonksiyon ve konstrüksiyona bağlı olarak bütün foto-diyotlar aşağıdaki gibi
sınıflandırılabilir:
1. PN foto-diyotları dış yüzeyinde SiO2 tabakası içerebilirler (şekil 16.8a). Bu düşük

seviyede bir karanlık akımı ile sonuçlanır. Diyotun yüksek hızlı bir versiyonunun fabrikasyonu için
boşaltım tabakası artırılarak jonksiyon kapasitansı azaltılır (şekil 16.8b). Diyotu mor ötesine daha
duyarlı yapmak için p tabakası ekstra ince yapılabilir. Düzlem difüzyonlu tipin bir versiyonu pnn+
diyotu olup (şekil 16.8c) kızılötesine daha az duyarlı ve daha kısa dalga boylarına daha çok
duyarlıdır. Bu öncelikle nn+ sınırını boşaltım tabakasına yaklaştırmak için düşük dirençli kalın n+
silikon tabakasından dolayıdır.
2. PIN foto-diyotları (şekil 16.8d) düşük kapasiteli düzlem difüzyonlu diyotların

geliştirilmiş bir versiyonudur. Tepki zamanını geliştirmek için p ve n tabakaları arasında ekstra
yüksek dirençli bir I tabakası kullanılır. Bu aygıtlar ters polarlama ile daha iyi çalışırlar; bu yüzden
bunlar düşük sızıntı akımı ve yüksek kırılma gerilimlerine sahip olarak tasarımlanırlar.
3. Schottky foto-diyotları (şekil 16.8e) bir Schottky pn-jonksiyonu oluşturmak için n tabaka
üzerine püskürtülmüş ince bir altın kaplamaya sahiptir. Dış yüzeyden jonksiyona uzaklık küçük
olduğundan mor ötesi duyarlılığı yüksektir.
4. Çığ foto-diyotları (şekil 16.8f) eğer bir ters polarlama pn-jonksiyonuna uygulanır ve
boşaltım tabakasında yüksek şiddette bir alan bulunmakta ise foton taşıyıcılar alan ile hızlanacak ve
ikincil taşıyıcıları üreten atomlar ile çarpışacaklardır. Bundan dolayı çığ isim verilmiştir. Akabinde
yeni taşıyıcılar akımın aşırı derecede hızlı çığ-tipi artışı ile sonuçlanacak şekilde yeniden
hızlanırlar. Bu bakımdan bu diyotlar oldukça düşük seviyede ışık seviyelerinin dedeksiyonu için
kullanışlı yükselticiler olarak çalışırlar.
Foto-diyotun iki genel çalışma modu vardır: foto-iletken (PC) ve foto-voltaik (PV). Foto-voltaik
modunda polarlama gerilimi uygulanmaz. Sonuçta karanlık akımı olmadığından sadece ısıl gürültü
vardır. Bu düşük sinyal seviyelerinde çok daha iyi duyarlılığa izin verir. Bunun yanında hız tepkisi
Cj deki artıştan dolayı daha kötü ve daha uzun dalga boylarındaki tepkisi de azalmaktadır.
(a) (b) (c)
(d) (e) (f)
Şekil 16.8 Foto-diyotların altı tipinin basitleştirilmiş yapıları
Şekil 16.9a foto-voltaik modunda bağlanmış foto-diyotu göstermektedir. Bu bağlantıda diyot akım
üreten aygıt olarak çalışarak eşdeğer devrede bir akım kaynağı, ip ile temsil edilir (şekil 16.9b). Rb
yük direnci yükselticinin girişinde oluşan gerilimi belirler ve yük karakteristiğinin eğimi bu
dirençle orantılıdır (şekil 16.9c).
Foto-diyot foto-voltaik modunda kullanırken büyük kapasitansı, Cj devrenin hız tepkisini sınırlar.
Saf direnç yük ile çalışma esnasında şekil 16.9a’daki gibi foto-diyot esas olarak dahili kapasitansı,
Cj ile sınırlı bir bant genişliği taşır. Şekil 16.9b böyle bir bant genişliği sınırını modellemektedir.
Foto-diyotlar öncelikle bir akım kaynağı olarak çalışırlar. Büyük R direnci ve diyot kapasitansı
kaynağı şöntler. Diyot alanının büyük kısmına bağlı olarak kapasitans 2-20000 pF aralığındadır.
Şönte paralel olarak yükselticinin giriş kapasitansı bir giriş kapasitansı, C ile birleşir. Diyot direnci
ekseriyetle yük direnci, Rb’den çok daha küçük olduğundan ihmal edilebilir. Net giriş devresi giriş
devre tepki etkisini (rolloff) belirlemektedir. Sonuç giriş devre tepkisinin bir kırılma frekansı,
f1 = 1 / 2πRL C vardır ve tepkisi
− RLi p
Vçıkış = (16.11)
f
1+ j
f1
dir. Tek kutup tepkisi için devrenin 3 dB bant genişliği kutup frekansına eşittir. İfade tipik bir
kazanç ile bant genişliği uyuşmasını yansıtmaktadır. Rb’nin artırılması daha büyük bir kazanç verir
fakat f1’i azaltır. Devre perspektifinden bu uyuşma devre kapasitansları üzerine sinyal geriliminin
uygulanmasından kaynaklanmaktadır. Sinyal gerilimi giriş kapasitansının uçlarında C = C j + COPAM
olarak gözükür. Uyuşmadan kaçınmak için giriş geriliminin sadece direnç üzerinde oluşup
kapasitansları yüklemesi istenilmez. Bu şekil 16.10a’da görüldüğü gibi bir akım-gerilim
yükselticisi (I/V) kullanılarak yapılabilir. Yükseltici ve geri besleme direnci, RL diyot akımını
mükemmel bir doğrusallıkla tamponlanmış çıkış gerilimine dönüştürür. Şekile eklenmiş geri
besleme kapasitörü, CL faz kompanzasyonu sağlar. İdeal bir yükseltici iki girişini aynı gerilimde
tutar (şekildeki toprak); böylece eviren giriş yapay toprak olarak adlandırılır. Foto-diyot terminal
uçlarında sıfır gerilimle çalışarak tepki doğrusallığını geliştirir ve diyot kapasitansının
yüklenmesini engeller. Bu şekil 16.9c’de gösterilmiştir; burada yük hattı hemen hemen akım ekseni
ile çakışır çünkü hattın eğimi yükselticinin açık döngü kazancı, A ile ters orantılıdır.
(a) Foto-diyotun evirmeyen yükselticiye foto-

(b) eşdeğer devre
voltaik modunda bağlantısı
(c) yük karakteristiği
Şekil 16.9
(a) Akım-gerilim dönüştürücüsünün kullanılması (b) frekans karakteristiği
Şekil 16.10
Pratikte yüksek fakat sonlu açık döngü kazancı diyot uçlarında küçük ancak sıfır olmayan gerilim
oluşturarak performansı sınırlar. Bu durumda kırılma frekansı
A
fp = = Af1 (16.12)
2πRL C
olarak tanımlanır; burada A yükselticinin açık-döngü kazancıdır. Bu yüzden kırılma frekansı, f1’e
kıyasla bir A faktörü ile artırılır. Frekans artarken A kazancı azalır ve foto-diyota bağlanmış yapay
yük indüktif olarak gözükür. Bu A kazancının faz kaymasının sonucudur. Yükselticinin kullanışlı
frekans aralığı üzerinde A 90° ’lik bir geri faza sahiptir. Yükselticideki 180° faz dönüşümü
indüktif empedans için belirleyici olan 90° ileri faza dönüştürülür. Bu indüktif yük giriş devre
kapasitansı ile fp’ye eşit frekansta (şekil 16.10b) rezonans yapar ve bir osilasyon tepkisi veya devre
kararsızlığı ile sonuçlanabilir (şekil 16.11). Kararlılığı sağlamak için bir kompanzasyon kapasitörü,
CL geri besleme devresinin uçlarına yerleştirilir. Kapasitörün değeri
1
CL = = CCc (16.13)
2πRL f p
den bulunabilir; burada Cc = 1 / 2πRL f c ve fc işlemsel yükselticinin birim kazanç geçiş (crossover)
frekansıdır. Kapasitör yüksek frekanslarda Rc’yi şöntleyerek eviren girişteki sinyali güçlendirir.
Şekil 16.11 Kompanze edilmemiş devre ile foto-

diyotun tepkisi
Düşük seviyeli ışığın dedeksiyonu için foto-diyotların kullanımında gürültü tabanının (noise floor)
ciddi olarak dikkate alınması gerekir. Foto-diyotta gürültünün iki ana bileşeni vardır: shot gürültüsü
ve Johnson gürültüsü. Algılayıcının yanında yükseltici ve yardımcı bileşen gürültülerinin de hesaba
katılması gerekir.
(a) devre diyagramı (b) yük karakteristiği
Şekil 16.12 Foto-iletken çalışma modu

Foto-iletken çalışma modu için foto-diyota ters polarlama gerilimi uygulanır. Sonuç daha geniş bir
boşaltım bölgesi, daha düşük jonksiyon kapasitansı, Cj, daha düşük seri direnç, daha az yükselme
zamanı ve daha geniş ışık şiddet aralığı üzerinde foto akımındaki doğrusal tepkidir. Bunun yanında
ters polarlama artarken karanlık akımından dolayı vuruş gürültüsü de artar. Foto-iletken modu
devre diyagramı şekil 16.12a’da ve diyotun yük karakteristiği şekil 16.12b’de görülmektedir. Ters
polarlama yük hattını tepki doğrusallığının foto-voltaik modundan (ikinci çeyrek) daha iyi olduğu
üçüncü çeyreğe kaydırır. Yük hattı E polarlama gerilimine karşılık gelen noktada gerilim
ekseninden geçerken eğim yükselticinin açık-döngü kazancı, A ile ters orantılıdır. Foto-iletken
modu sinyal-gürültü oranında bir artışla beraber yüzlerce MHz’lik bant genişlikleri sağlamaktadır.
16.2.1 QUADRANT FOTODİYOTLARI
Quadrant fotodiyot elemanları çeyrek geometrili şekilde yerleştirilmiş 4 adet fotodedektörden

oluşmaktadır. Lazer ayarlaması ve ışığın pozisyonlandırılması gibi 1 μm’lik doğruluk derecelerinde
bulunmaktadırlar. Bunlar aynı zamanda uyduyu güneşe göre belirli yönde çevirmek için güneş
pozisyon algılayıcıları olarak da kullanılır.
Çeyrek geometri daire veya kare biçiminde olabilir. Fotodiyot pozisyon algılayıcısı olarak
kullanılırken ışık algılayıcıya dik geldiğinde dört adet fotodiyotun eşit olarak aydınlanması için
aygıtın üzerine ışık geçirmeyen bir pencerenin konulması gerekir. Eğer daire biçiminde pencere
seçilirse alandaki değişim yer değişimi ile doğrusal değişmez; oysaki kare pencere alan değişimi ile
yer değişimi arasında doğrusal değişim göstermektedir. Şekil 16.13 de değişik biçimlerde quadrant
dedektörler görülmektedir.
dA
(a) (b) (c) (d) (e)
Şekil 16.13 Quadrant dedektör. (a) daire ve (b) kare fotodiyotlar ve pencereleri, (c) kare
fotodiyotlar ve çapraz biçimli pencereleri, (d) kare (), daire ({) ve çapraz (×) biçimli
pencerelerin yer değişimine karşılık alan değişim eğrileri ve (e) quadrant foto diyotun dış görünüşü
Güneş pozisyonu fotodedektörü: Quadrant fotodedektörün üzerine gelen ışık hüzmesi dik değilse
ışık 4 adet fotodiyotu dengeli bir şekilde aydınlatmayacaktır. Işık hüzmesinin açısı 4 algılayıcı
çıkışından ölçülebilir. Geri beslemede kullanılacak algılayıcının normalde ışık kaynağına (lazer,
güneş, vb.) doğru yönelmesi beklenir. En iyi duyarlılık daire veya kare biçimli pencere yerine
çapraz biçimli pencere kullanılması durumunda elde edilir fakat bu durumda elektriksel çıkış bariz
şekilde azalır. W genişliğinde ve h yüksekliğinde yerleştirilmiş kare fotodedektör kullanıldığı
zaman 4 adet fotodiyotun aydınlanan kısımları şekil 16.14 de görülmektedir. 4 fotodiyotun sadece
birinin üzerine ışık geldiği zaman αmax maksimum açısı mevcuttur. Bu açı için dA değeri W/2 ye
eşittir. αmax açısı
α max = arctan 2h / W (16.14)

olarak hesaplanır. Eğer α max < arctan(2h / 3W ) ise ışık algılayıcının üzerine düşmez. Aygıtın
doğrusal olmaması αmax açısına dolayısıyla h/W oranına bağlıdır. Eğer oran küçükse çıkış αmax
civarında doğrusal olmayacaktır.
Şekil 16.14 Kare pencereli quadrant

dedektörde 4 adet fotodiyotun aydınlanan
kısımları
16.3 FOTO-TRANSİSTÖR
Foto-diyot fotonları doğrudan yük taşıyıcılara dönüştürür; daha belirleyici olarak bir foton başına
bir elektron ve bir boşluk (boşluk-elektron çifti). Foto-transistörler akım kazancı sağlamaya ek
olarak çok daha yüksek duyarlılıkla beraber aynı şeyi yapabilirler. Kollektör-beyz jonksiyonu ters
polarlanmış bir diyot olarak yukarıda tanımlandığı şekilde fonksiyondadır. Eğer transistör kaynak
içeren bir devreye bağlanırsa beyz-emiterden oluşan devreden bir foto-indükleme akımı akar. Bu
akım kollektör akımında bariz bir artışla sonuçlanarak geleneksel transistördeki aynı davranışla
transistör tarafından yükseltilir.
Fototransistörün enerji bantları şekil 16.15’de görülmektedir. Fotonun indüklediği beyz akımı
emiter ve harici devreden geçerek kollektöre döner. Böylece elektronlar elektrik alanı tarafından
kollektöre çekilen emiter tarafından beyz bölgesine beslenir. Foto-transistörün duyarlılığı kollektör-
beyz diyot quantum verimi ve transistörün DC akım kazancının da bir fonksiyonudur. Bu bakımdan
duyarlılığın tamamı kollektör akımının bir fonksiyonudur.
Değişken çevre sıcaklığına maruz kaldığında kollektör akımı °C başına 0,00667’lik pozitif bir
eğimle doğrusal olarak değişir. Bu değişim sıcaklık katsayısının büyüklüğü kollektör-beyz foto
akım sıcaklık katsayısı °C başına sadece 0,001 civarında olduğundan öncelikle akım kazancı ile
sıcaklıktaki artışın sonucudur. Kollektör akımı-kollektör gerilimi karakteristikler ailesi geleneksel
transistörlere çok daha benzemektedir. Bu özellik foto-transistörlü devrelerin transistör devre
tekniklerinin bilinen metotları kullanılarak tasarımlanabileceğini vurgulamaktadır; farklılık
transistör beyzinin kollektörü tarafından beslenen foto indüklemeli akımın bir girişi olarak
kullanılmasıdır. Taşıyıcıların gerçek foto generasyonu kollektör-beyz bölgesinde oluştuğundan bu
bölgenin daha geniş olmasıyla daha fazla taşıyıcı üretilir; bundan dolayı foto-transistörler üzerine
vuran ışığın çok geniş bir alanını alacak şekilde tasarımlanırlar. Foto-transistör hem iki uçlu veya
hem de üç uçlu eleman olabilir. Üç uçlu durumda beyz ucu vardır ve transistör ışık algılama
kapasitesine ek olarak standart bir transistör gibi kullanılabilir (veya kullanılmayabilir); böylece bir
tasarımcı devrenin geliştirilmesinde daha fazla esnekliğe sahip olur. Bununla beraber iki uçlu
eleman foto-algılayıcı olarak kullanımda daha popülerdir.
Şekil 16.15 Foto-

transistördeki
enerji bantları
Transistörün beyz ucu boş olarak dikkate alındığında şekil 16.16’da görülen eşdeğer devre ile
temsil edilebilir. İki Cc ve Ce kapasitörleri hız sınırlayıcı faktörler olarak beyz-kollektör ve beyz-
emiter kapasitanslarını temsil eder. Foto-transistörün maksimum frekans tepkisi,
gm
f1 ≈ (16.15)
2πCe
den tahmin edilebilir; burada f1 akım-kazanç-bant genişliği çarpımı ve gm transistörün ileri
iletkenliğidir.
Şekil 16.16 Foto-transistörün

eşdeğer devresi
Foto-dedektörün daha yüksek duyarlılığı istenildiğinde özellikle yüksek hız tepkisi önemli değilse
entegre bir Darlington dedektör tavsiye edilir. Bu emiteri bipolar transistörün beyzine bağlanmış
bir foto-transistörden oluşur. Darlington bağlantının akım kazancı iki transistörün akım
kazançlarının çarpımına eşit olduğundan devre duyarlı bir dedektör yapmak için verimli bir metot
olmaktadır. Foto-algılayıcısının tipik özelliklerini göstermek için tablo 16.2 de Motorola tarafından
üretilen MRD711 dedektörüne ait veriler görülmektedir.
Çoğu algılayıcı uygulamaları için hem ışık kaynağı ve hem de dedektörün uzaysal
çözünürlüklerinin ciddi olarak dikkate alınması gerekir. Algılamanın çok yüksek verimi zorunlu
olduğunda optik bileşenler kullanışlı olmaktadır. Örneğin foto-dedektör ile dedekte edilmesi
gereken bir nokta ışık kaynağını ele alalım (şekil 16.17a). (16.10) eşitliğine göre algılayıcının çıkışı
alınan fotonik güçle orantılı dolayısıyla alıcının yüzey alanı ile orantılıdır. Şekil 16.17b odaklayıcı
merceklerin kullanımının alanı dramatik olarak arttırdığını göstermektedir. Bir merceğin verimi n
kırılma indisine bağlıdır. Duyarlılıktaki tam gelişim 5. Bölümdeki ρ = [( n − 1) /( n + 1)]2 ve
ρ 2 + α + γ = 1 (5.6.9 ve 5.6.12) eşitliklerinden aşağıdaki gibi tahmin edilebilir.
A⎡ ⎤
2
⎛ n −1 ⎞
k= ⎢1 − 2⎜ ⎟ ⎥ (16.16)
a ⎢⎣ ⎝ n +1⎠ ⎥⎦
Burada, A ve a sırasıyla merceğin etkin alanı ve foto-diyotun algılama alanıdır. Görünür ve yakın
kızıl ötesi spektral aralıkta camlar ve çoğu plastikler için eşitlik aşağıdaki gibi sadeleştirilebilir.
A
k ≈ 0,92 (16.17)
a
Tablo 16.2
Karakteristik Sembol Değer Açıklama
Maksimum kollektör-emiter terminal uçlarında izin verilen
VCEO 60 V
gerilimi maksimum gerilimi gösterir
dinamik aralığın hesaplanmasında
Kollektör karanlık akımı ID 100 nA max.
kullanışlı
Kapasitans (@5V, 1 Mhz) CCE 3,9 pF hız tepkisini belirler
Kollektör ışık akımı (@5V,
H=500μW/cm2, I=940 nm, IL 25 mA tipik duyarlılığı gösterir
RL=100 Ω)
İletim zamanı (@5V,
H=500μW/cm2, I=940 nm, ton 125 μs tipik ışık varken hız tepkisi
RL=100 Ω)
Kesim zamanı (@5V,
H=500μW/cm2, I=940 nm, toff 125 μs tipik ışık yokken hız tepkisi
RL=100 Ω)
Doyum gerilimi (@5V,
optimum hız tepkisi için yükün
H=500μW/cm2, I=940 nm, IC=2 Vce(sat) 150 μs
hesaplanmasında kullanışlı
mA)
Maksimum duyarlılığın dalga
Is 125 μm tepe spektral tepki (yakın kızıl ötesi)
boyu
(a)
(b)
Şekil 16.17 Dedektörün verimi (a) yüzey alanına veya (b) odaklayıcı sistemin alanına bağlıdır
Bir merceğin keyfi olarak rasgele yerleştirilmesinin yardımcı olmaktan çok daha zararlı
olabileceğinin vurgulanması gerekir. Yani mercek etkin olması için dikkatlice düzlemine
konulmalıdır. Örneğin üzerine mercek yerleştirilmiş çoğu foto-dedektörler paralel ışınlara
etkilidirler. Eğer böyle dedektörün önüne ek bir mercek konulursa optik sistemin doğrultusu
bozulacak ve zayıf performansla sonuçlanarak girişte paralel olmayan ışınlar meydana getirecektir.
Bundan dolayı ek optik aygıtların kullanılmasında dedektörün kendi optik özelliklerinin dikkate
alınması gerekir.
16.4 FOTO-DİRENÇLER
Foto-direnç foto-diyot gibi foto-iletken bir aygıttır. Fabrikasyonu için en yaygın malzemeler
yüzeye gelen ışık ile direnci değişen yarı-iletkenler olan kadmiyum sülfit (CdS) ve kadmiyum
selenid (CdSe) dir. Foto-direnç çalışması için güç kaynağına ihtiyaç duyar ve foto akımı üretmez.
Foto-elektrik etki malzemenin elektriksel direncindeki değişim ile kendini gösterir. Şekil 16.18a
foto-direnç hücresinin şematik diyagramını göstermektedir. Foto-iletkenin her iki ucuna bir elektrot
bağlanmıştır. Karanlıkta malzemenin direnci yüksektir. Bundan dolayı uygulanan V gerilimi
sıcaklık etkisine mal edilen küçük bir karanlık akımına neden olur. Yüzeye ışık etkidiğinde ip akımı
akar.
(a) Foto-direncin yapısı (b) serpantin biçimli plastik ile kaplanmış foto-direnç
Şekil 16.18
Akım artışının nedeni şöyledir. Kristalin iletim bantının hemen aşağısı bir donor seviyesidir ve
valens bantının üzerinde bir akseptör seviyesi vardır. Karanlıkta her seviyedeki elektron ve
boşluklar hemen hemen kristal içindeki yerlerinde sıkışıp kalarak yarı-iletkenin yüksek bir direnci
ile sonuçlanır.
Işık foto-iletken kristali aydınlattığında fotonların emilmesi sonucu valens bandı elektronlarının
enerjileri artar. Bu enerji elektronları iletim bandına hareket ettirerek malzemenin iletkenliğinin
artışı ile valens bandında serbest boşluklar meydana getirir. Valens bandı civarı serbest elektronları
serbest boşluklar kadar kolay alamayan ayrı bir akseptör seviyesi olduğundan elektron ve
boşlukların yeniden oluşma (rekombinasyon) olasılığı azalır ve iletim bandındaki serbest elektron
sayısı yüksektir. CdS 2,41 eV’luk bant aralığına sahip olduğundan emilme dalga uzunluğu sınırı
λ = c / v = 515 nm olup görünür spektral aralıktadır. Bundan dolayı CdS 515 nm ’den daha kısa
dalga uzunluklarındaki ışıkları dedekte etmektedir. Diğer foto-iletkenler farklı dalga uzunluğunda
emilme sınırlarına sahiptir. Örneğin CdS daha kısa dalga uzunluk aralığında en çok duyarlı iken Si
ve Ge yakın kızıl-ötesinde en verimlidir.
Bir yarı-iletkenin iletkenliği

Δσ = ef ( μ nτ n + μ pτ p ) (16.18)
ile verilir. Burada, μn ve μp serbest elektron ve boşluk hareketleri (cm/Vs), τn ve τp serbest elektron
ve boşluk ömrü (saniye), e elektronun yükü ve f birim hacim başına saniyede üretilen taşıyıcı
sayısıdır. CdS hücre için μ nτ n >> μ pτ p olduğundan serbest boşlukların iletkenliği ihmal edilebilir.
Bu durumda algılayıcı n-tipi yarı-iletken olmaktadır. Böylece (16.18)
Δσ = efμ nτ n (16.19)
olur. Bir fotonun ürettiği elektron sayısı ile foto-direncin duyarlılığı, b tanımlanabilir (taşıyıcının
ömrü sona erinceye kadar):
τn
b= (16.20)
tt
Burada, tt = l 2 / Vμ n algılayıcının elektrotları arasında elektronun geçiş zamanı, l elektrotlar

arasındaki uzaklık ve V uygulanan gerilimdir. Bu durumda
μ nτ nV
b= (16.21)
l2
’ye gelinir. Örneğin μn = 300 cm2/Vs, τn = 10-3s, l = 0,2 mm ve V = 1,2 V ise bu durumda duyarlılık
900 olup bir foton iletim için foto-direnci bir foto çarpıcı gibi çalıştırarak 900 elektronu serbest
bırakmaktadır. Gerçekte foto-direnç çok duyarlı bir aygıttır.
Daha iyi bir duyarlılık ve daha az hücre direnci için elektrotlar arasındaki l uzaklığı azaltılırken
algılayıcının d genişliğinin artırılması gerektiği gösterilebilir. Bu algılayıcının çok kısa ve çok geniş
olması gerektiği anlamına gelmektedir. Pratikte bu algılayıcının serpantin biçimi ile fabrikasyonu
yapılarak icra edilir; elektrotlar terminal uçlarına bağlanmıştır (şekil 16.18b).
Üretim işlemine bağlı olarak foto-direnç hücreler sinterlenmiş tip, tek kristal tipi ve buharlaştırmalı
tipe ayrılabilir. Bunlardan sinterlenmiş tip yüksek duyarlılık ve çok geniş alanlı elemanların kolay
fabrikasyonu avantajlarıyla daha düşük fiyatlı olmaktadır. CdS hücrenin sinterleme (eritmeden ısıl
işlemle birleştirme) işlemi aşağıdaki adımlardan oluşmaktadır:
1. Yüksek saflıktaki CdS tozu uygun katkılarla ve yumuşatıcı bir madde ile karıştırılır.
2. Karışım suda çözeltilir.
3. Pasta biçimindeki çözelti seramik yapının yüzeyine uygulanır ve kurumasına izin verilir.
4. Seramik alt yapılar çoklu kristal yapı biçimlendirmek için yüksek sıcaklıktaki bir fırında
sinterlenir. Bu aşamada foto-iletken katman biçimlenir.
5. Elektrot katmanları ve uçlar (terminal) eklenir.
6. Algılayıcı pencereli veya penceresiz olarak plastik veya metal kutuya yerleştirilir.
Foto-direncin spektral tepkisini uyarlamak için birinci adımdaki toz bazı değişimler içerebilir;
örneğin selenid’in eklenmesi veya hatta CdSe yerine CdS konulması spektral tepkiyi daha uzun
dalga boylarına doğru (portakal ve kırmızı) kaydırır.
Foto-dirençlerin nasıl kullanılabileceğini göstermek amacıyla şekil 16.19 da iki devre

görülmektedir. (a) şeklindeki devre bir otomatik ışık anahtarını göstermekte olup aydınlık seviyesi
düştüğünde ışığı açar (bu devrede ışığın kesilme kısmı gösterilmemiştir). (b) şeklindeki devre bir
multivibratörlü feneri göstermektedir; karanlıkta foto-direncin direnci yüksek olduğunda ışığı açar.
(a) ışık anahtarı (b) fener ışığı
Şekil 16.19 Foto-direnç uygulama örnekleri
16.5 IŞIK-IŞIK DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİ
Çoğu uygulamalarda ışık şiddeti çok küçük olduğundan foto-dedektör çıkışı çok zayıf bir sinyal-
gürültü oranına sahiptir ve bunun ötesinde yapılan her yükseltme işlemi boşuna olmaktadır.
Bundan dolayı ışığın bir foto-dedektöre verilmesinden önce yükseltilmesi istenilmektedir. Bu
amaca uygun olarak vakum tüplü foto-çarpıcıları bilinmektedir. Bunlar çok yüksek hız tepkisi (100
ps aralığında) ve morötesinden yakın kızıl ötesi spektral aralıklarında, 2×106’ya kadar çok yüksek
bir kazancı sağlayabilirler. Bunun yanında foto-çarpıcılar çalışmaları için 240-1500 volt aralığında
yüksek gerilim gerektirirler.
Diğer çözüm katı hal ışık-ışık dönüştürücüleridir. Bu bir entegre foto-transistör (HPT) ve lazer
diyot’tan (LD) oluşmaktadır (şekil 16.20). Lazer diyot dahili pozitif optik geri beslemeyi
kullanmaktadır. Dönüştürücü InGaAsP ile beraber p-InP ve n-InP çoklu yarı-iletken
katmanlarından oluşmaktadır. AuGe/Ni/Au ağ elektrodu aygıtın giriş tarafında ve AuZn/Au
elektrodu yapı üzerinde biriktirme ile biçimlendirilir. Dönüştürücünün tamamı gümüş bir ısıl
soğutucu üzerine yapıştırılmıştır. Dönüştürücü sadece 4 V’luk bir polarlama gerilimine ihtiyaç
duymakta ve çok yüksek optik kazanç, 6×105 ’e kadar verebilmektedir. Aygıt 7 nW kadar küçük
güçte giriş ışığını dedekte ettiğinde 4 mW’lık bir lazer ışını yayabilmektedir.
Şekil 16.20 Katı hal

ışık-ışık dönüştürücüsü
16.6 SOĞUTULMUŞ DEDEKTÖRLER
2 eV ve daha yüksek aralıkta foton yayan cisimlerin ölçümlerinde genelde oda sıcaklığında
quantum dedektörleri kullanılır. Daha küçük enerjiler için (daha uzun dalga boyları) daha dar bant
genişlikli yarı-iletkenler gerekir. Bununla beraber eğer quantum dedektörü yeteri kadar küçük
enerji bant aralığına sahip olsa bile oda sıcaklıklarında kendi intrinsik gürültüsü bir foto-iletkenin
sinyalinden çok daha büyük olacaktır. Gürültü seviyesi sıcaklığa bağlı olduğundan uzun dalga
boylarında fotonlar dedekte edilirken sinyal-gürültü oranı çok küçük olabildiğinden doğru ölçüm
mümkün olmamaktadır. Bundan dolayı yakın ve uzak kızıl-ötesi spektral aralıklarda bir dedektörün
sadece yeteri kadar dar enerji aralığına sahip olmayıp sıcaklığının da intrinsik gürültüsünün kabul
edilebilir bir seviyeye azaltıldığı seviyedeki değerine indirilmesi gerekmektedir. Şekil 16.21 de
tavsiye edilen çalışma sıcaklıkları ile bazı dedektörlerin tipik spektral tepkileri görülmektedir. Çok
düşük sıcaklıkta (cryogenic) soğutulmuş dedektörün çalışma prensibi foto-direnç ile hemen hemen
aynı olup farklılık soğutulmuş dedektörün çok daha düşük sıcaklıklarda daha uzun dalga boylarında
çalışmasıdır. Bundan dolayı algılayıcının tasarımı oldukça farklıdır. İstenilen duyarlılık ve çalışma
dalga boyuna bağlı olarak aşağıdaki kristaller bu tip algılayıcıda tipik olarak kullanılmaktadır:
kurşun sülfit (PbS), indiyum arsenid (InAs), germanyum (G), kurşun selenid (PbSe) ve civa-
kadmiyum-tellürid (HgCdTe).
Şekil 16.21 Bazı kızıl-ötesi dedektörlerin çalışma aralıkları
Soğutma ile tepkiler daha uzun dalga boylarına kayar ve duyarlılık artar. Bununla beraber PbS ve
PbSe’nin tepki hızları soğutma ile yavaşlar. Soğutma metodu kuru buz, sıvı azot, sıvı helyum
kullanılarak Dewar soğutması veya Peltier etki ile çalışan ısıl-elektrik soğutucularını içerir (şekil
16.22).
Bir örnek olarak tablo 16.3 MCT fotoiletken dedektörünün tipik özelliklerini listelemektedir. MCT
duyarlı bir elemanın civa-kadmiyum-tellürid tipini simgelemektedir.
Çok düşük sıcaklıkta soğutulmuş quantum dedektörlerinin uygulamaları geniş bir spektral aralıkta
optik gücün ölçümü, ısıl sıcaklık ölçümü ve ısıl görüntüleme, su içeriğinin dedeksiyonu ve gaz
analizini içerir.
(a) Dewar tüpünün boyutsal çizimi (b) Dewar dedektörlerinin dış görünüşü
Şekil 16.22 Çok düşük sıcaklıkta soğutulmuş MCT quantum kızıl ötesi dedektörleri
Tablo 16.3
Duyarlı Sıcaklık Ip Ic FOV Karanlık Yükselme Maks. D*
alan (°C) (μm) (μm) (°) direnci zamanı akım @ Ip
1×1 -30 3,6 3,7 60 1 kΩ 10 μs 3 mA 109
1×1 -196 15 16 60 20 kΩ 1 μs 40 mA 3×109
Şekil 16.23 farklı moleküller için gaz moleküllerinin emilme spektrasını göstermektedir. Su
kuvvetli olarak 1,1 μm, 1,4 μm, 1,9 μm ve 2,7 μm de emiciliğe sahiptir. Böylece nem içeriğini
belirlemek için örneğin kömürde monokromatik ışık test ve referans örnekleri üzerine yansıtılır.
Geri yansıyan ışık dedekte edilir ve oran emilme bantları için hesaplanır. Gaz analizörü spektrumun
kızıl ötesi bölgesindeki emilmeden yararlanır. Bu gaz yoğunluğunun ölçümüne izin verir. Bundan
dolayı otomobil eksoz gazlarının (CO, HC, CO2), emisyon kontrolünün (CO, SO, NO2), yakıt
sızıntısının (CH4, C3H2), vb. ölçümü mümkündür.
16.7 ISIL DEDEKTÖRLER
Isıl kızılötesi dedektörler öncelikle kontaksız sıcaklık ölçümlerinde kullanılmakta olup Yunanca
kelime pur (ateş) kelimesinden pirometre adı altında yaklaşık 60 yıldır endüstride bilinmekte ve bu
aygıtlara ışınım pirometreleri denilmektedir. Bugün ölçmenin kontaksız metotları alevin
sıcaklığından oldukça uzak olan sıfırın altındaki sıcaklıkları da içeren çok geniş bir sıcaklık
aralığını kapsamaktadır. Bu yüzden ışınım termometresi bu teknoloji için daha uygun bir terim
olarak gözükmektedir.
Tipik kızılötesi kontaksız sıcaklık algılayıcısı aşağıdaki elemanlardan oluşmaktadır:

Şekil 16.23 Gaz moleküllerinin

emilme spektrası
1. Algılayıcı eleman - kızılötesi dalga boyu aralığında elektromanyetik ışınıma tepki veren
bir bileşen. Eleman için ana zorunluluk ısıl ışınıma hızlı, tahmin edilebilir ve güçlü tepki vermesi
ve iyi bir uzun dönem kararlılığıdır.
2. Algılayıcı elemanı tutacak ve ışınıma maruz bırakacak bir destek yapısı. Yapının ısı
kaybını en aza indirmek için düşük ısıl iletkenliğe sahip olması gerekir.
3. Algılayıcı elemanı çevreden koruyan bir kılıf veya kutu. Ekseriyetle sızdırmayacak
şekilde kapatılmalı ve argon veya azot gibi bir asal gazla veya kuru hava ile doldurulmalıdır.
4. Algılayıcı eleman ve terminaller arasında elektriksel bağlantıyı sağlayan iletken teller

veya iletken epoksi kontaklar.
5. Çevresel faktörlere geçirgen olmayan ve dedeksiyonun dalga boyunda şeffaf, koruyucu

bir pencere. Pencere şeffaflığı artırmak ve spektrumun istenilmeyen kısımlarını süzmek için yüzey
kaplamalarına sahip olabilir.
Orta kızıl ötesinden aşağıda ısıl dedektörler quantum dedektörlerinden daha az duyarlıdır. Çalışma
prensibi ardışık olarak ısıl ışınımın ısıya ve daha sonra bilinen ısı dedeksiyonu metotları
kullanılarak ısı seviyesi veya akışının elektrik sinyaline dönüştürülmesine dayanmaktadır. Prensip
olarak herhangi bir ısı dedektörü ısıl ışınımın dedeksiyonu için kullanılabilir. Bununla beraber bir
ısıl dedektörle emilen kızıl ötesi akı ışınımın düzgün uzaysal dağılımının algılayıcı alanına eşit
olduğu bir geometri faktörü, A ile orantılıdır. Örneğin 5 mm2 yüzey alanı ve ideal emiciliğe sahip
25 °C de ısıl ışınım algılayıcısı 100 °C sıcaklığında bir ışınım kavitesine yerleştirilmişse algılayıcı
başlangıçta 3,25 mW’lık bir ışınım gücü alacaktır. Isıl kapasitesine bağlı olarak algılayıcının
sıcaklığı algılayıcı ve cisim arasındaki ısıl denge sağlanıncaya kadar yükselecektir. Algılama
elemanının sıcaklığının cismin sıcaklığına asla ulaşamayacağına dikkat edilmelidir. Bunun nedeni
eleman ışınım ile ısı alırken ısının bir kısmı çekim konveksiyonu ile beraber algılayıcının
bulunduğu destekleyici yapı ve bağlantı iletkenlerinden kaybolmasıdır. Bundan dolayı denge
sıcaklığı daima cisim sıcaklığı ve ısıl dedektörün başlangıç sıcaklığı arasında bir yerde olacaktır.
Bütün ısıl ışınım dedektörleri iki sınıfa ayrılabilir: pasif kızıl ötesi (PIR) ve aktif kızıl ötesi (AFIR)
dedektörleri. Pasif dedektörler gelen ışınımı emip ısıya dönüştürürlerken aktif dedektörler cisme
doğru ısıl ışınım yayarlar.
16.7.1 TERMOPİL ALGILAYICILAR
Termopiller PIR dedektörleri sınıfına girer. Çalışma prensibi ısılçift ile aynıdır. Gerçekte termopil
seri bağlanmış ısılçiftlerden oluşur. Orijin olarak Joule tarafından bir ısıl-elektrik algılayıcısının
çıkış sinyalini artırmak amacıyla keşfedilmiştir. Joule çok sayıda ısılçift’i seri bağlamış ve bunların
sıcak birleşme noktalarını birleştirmiştir. Bugünlerde termopillerin farklı konfigürasyonları vardır.
Öncelikli uygulaması ise uzak kızıl ötesi ışınımın ısıl dedeksiyonudur.
Termopil algılayıcının eşdeğer şeması şekil 16.24a’da görülmektedir. Algılayıcı soğuk

jonksiyonların yerleştirildiği oldukça büyük ısıl kütleli bir tabandan oluşmaktadır. Tabana bir
referans sıcaklık algılayıcısı ısıl olarak akuple edilebilir veya bunun yerine sıcaklığı bilinen bir
termostat konulabilir. Tabanın üzerine ısıl kapasitesi ve ısıl iletkenliği küçük ve sıcak
jonksiyonların bulunduğu ince bir zar konulmuştur.
(a) referans sıcaklık algılayıcısı ile eşdeğer devre, A ve (b) TO-5 kılıfındaki algılayıcının dış
B farklı malzemelerdir görünüşü
Şekil 16.24 Isıl ışınımın dedeksiyonu için termopil
Termopillerin yapım metotları bir ölçüde farklılık gösterebilir fakat hepsi bizmut ve antimon gibi
ısıl-elektrik malzemelerin yapım ve uygulanma sürecinde vakum biriktirme teknikleri ve
buharlaştırma maskeleri içerir. Jonksiyonların sayısı 20 ile birkaç yüz arasında değişir. Sıcak
jonksiyonlar kızıl ötesi ışınımın emiciliğini artırmak için ekseriyetle siyaha boyanır (örneğin siyah
altın veya organik boya). Termopil bir DC aygıt olup çıkış geriliminin sıcak jonksiyonun sıcaklığını
takip etmesi oldukça iyidir. Termopil sabit dirençle seri bağlanmış ısıl akı kontrollu gerilim kaynağı
olarak modellenebilir. Algılayıcı kızıl ötesini geçiren dayanıklı şeffaf, örneğin silikon, germanyum
veya kurşun selenid pencere ile sızdırmaz metal kutu içine yerleştirilmiştir (şekil 16.24b). Çıkış
gerilimi, Vs etkiyen ışınım ile hemen hemen doğru orantılıdır. Termopil’in çalışma frekans sınırı
esas olarak zarın ısıl kapasitesi ve ısıl iletkenliği ile belirlenir ve bir ısıl zaman sabiti ile kendini
gösterir. Algılayıcı eşdeğer direncinin ısıl gürültüsüne eşit yani 20 - 50 kΩ gibi oldukça düşük bir
gürültü sergiler. Termopil algılayıcılarının tipik özellikleri tablo 16.4’de verilmiştir.
16.7.2 PİRO-ELEKTRİK ALGILAYICILAR
Piro-elektrik algılayıcılar PIR dedektörleri sınıfına girer. Katı-hal piro-elektrik algılayıcının tipik
yapısı şekil 16.25a’da görülmektedir. Daha iyi bir ekranlama için TO-5 veya TO-39 metal kılıf’a
yerleştirilmiş ve silikon veya uygun bir pencere ile çevre etkilerinden korunmuştur. Kutucuğun
içinde kalan boşluk ekseriyetle kuru hava veya azot ile doldurulur. Ekseriyetle ani ısıl değişimler
ve akustik gürültü ve vibrasyonlar sonucu mekanik gerginliklerin daha iyi kompanzasyonu için iki
algılama elemanı birbirine ters seri veya paralel bağlanır. Bazen elemanlardan biri ısı emici boya
veya siyah altın ile kaplanırken diğer eleman ışınıma karşı ekranlanır ve daha iyi yansıtıcılık
kazanması için altın ile kaplanır. PIR hareket dedektörü uygulamaları için her iki elemanın
pencereye karşı açık olması gerekir.
Tablo 16.4
Parametre Değer Şartlar
Duyarlı alan 0,5 – 2 mm2
Tepki 50 V/W 6-14 μm, 500 k
Gürültü 30 nV / Hz 25 °C, RMS
Eşdeğer direnç 50 kΩ 25 °C
Isıl zaman sabiti 60 ms
TCR 0,15 % / K
Tepkinin sıcaklık katsayısı -0,2 % / K
Çalışma sıcaklığı -20 +80 °C
Depolama sıcaklığı -40 +100 °C
Fiyat 8 – 50 US$ bir adet
(b) metal elektrotlar malzemenin zıt kenarlarına

(a) Metal kutu içinde algılayıcının yapısı
biriktirme ile konulur
(c) çiftli elemanın eşdeğer devresi
Şekil 16.25 Çiftli piro-elektrik algılayıcı
Çiftli elemanın fabrikasyonu tek yaprakcık şeklinde kristal malzemeden yapılır (şekil 16.25b).
Yaprakcığın her iki tarafındaki metalize patern seri bağlanmış iki kapasitör, C1 ve C2’yi
oluşturmaktadır. Şekil 16.25c çiftli piro-elektrik elemanın eşdeğer devresini göstermektedir. Bu
tasarım her iki elemanın ortak-mod etkileşimlerinin (parazit) daha iyi rejeksiyonu ile sonuçlanan iyi
bir denge avantajına sahiptir. Piro-elektrik dedektörlerinin tasarımındaki ana problem mekanik
gerginliğe ve vibrasyonlara duyarlılığıdır. Bütün piro-elektrikler aynı zamanda piezo-elektrik
olduğundan ısıl ışınıma duyarlı olmanın yanında piro-elektrik algılayıcılar bazen mikrofonik
adındaki etkileşimlere de duyarlıdır. Daha iyi gürültü rejeksiyonu için kristal elemanın dış
ortamdan özellikle pinler ve metal kutucuk ile gerekli bağlantılarında mekanik kuplaj içinde
olmaması gerekir.
Piro-elektrik eleman kaçak dirence paralel bağlanmış bir kapasitör ile modellenebilir. Bu direncin
değeri 1012 - 1014 Ω seviyelerindedir. Pratikte algılayıcı bir öngerilimleme direnci, Rb ve bir
empedans çevirici (şekil 16.25’deki devre) içeren devreye bağlanmıştır. Çevirici bir gerilim izleyici
(örneğin JFET transistörü) veya bir akım-gerilim çevirici olabilir. Gerilim izleyici (şekil 16.26a)
algılayıcının yüksek empedansını (Rb polarlama direnci ile paralel C kapasitansı) izleyicinin çıkış
direncine dönüştürür; bu şekildeki 47 kΩ’a paralel transistörün iletkenliği ile belirlenir. Bu
devrenin avantajı basitliği, düşük maliyeti ve düşük gürültüsüdür. JFET izleyici en ucuz maliyetli
ve basit olmanın yanında iki sakıncayı üzerinde taşımaktadır. Birincisi algılayıcının kapasitansı, C
ve polarlama direnci, Rb’nin çarpımı olan ve elektriksel zaman sabiti olarak adlandırılan hız tepkisi
bağımlılığıdır:
τ e = CRb (16.22)
Örneğin C = 40 pF ve Rb = 50 GΩ’a sahip tipik bir çiftli algılayıcıda τe = 2 s’dir ki bu yaklaşık 0,08
Hz’e eşit 3 dB seviyesinde üst kesim frekansı ile birinci derece frekans tepkisine karşılık
gelmektedir - gerçekte çok düşük bir frekans. Bu hız tepkisinin çok önemli olmadığı yerlerde
gerilim izleyiciyi sadece sınırlı uygulamalar için uygun hale getirir. Örnek olarak insanların
hareketinin dedeksiyonu verilebilir. Devrenin ikinci sakıncası çıkış direnci uçlarındaki büyük offset
gerilimidir. Bu gerilim transistörün tipine bağlı ve sıcaklığa bağımlıdır. Böylece Vçıkış çıkışı birkaç
volt kadar büyük offset gerilimi ve mili volt seviyesinde olabilen alternatif piro-elektrik gerilimi
olarak iki gerilimin toplamıdır.
(a) JFET ile gerilim izleyici (b) işlemsel yükseltici ile akım-gerilim çevirici
Şekil 16.26 Piro-elektrik algılayıcılar için empedans çeviriciler
Daha verimli fakat piro-elektrik algılayıcı için daha pahalı bir devre bir I/V (akım-gerilim)
çeviricidir (şekil 16.26b). Avantajı daha hızlı tepkisi ve algılayıcı elemanının kapasitansına
duyarsızlığıdır. Algılayıcı yapay toprak olarak adlandırılan özelliklere sahip işlemsel yükselticinin
eviren girişine bağlanmıştır. Yani eviren girişteki gerilim sabit ve topraklanmış evirmeyen girişteki
gerilime hemen hemen eşittir. Böylece algılayıcının uçlarındaki gerilim geri-besleme ile sıfıra
yakın değerde kalmaya zorlanır. Çıkış gerilimi algılayıcının ürettiği elektrik akımının (yüklerin
akışı) şeklini izler. Devrenin çok düşük polarlama akımı ile (1pA seviyesinde) bir işlemsel
yükseltici kullanması gerekir. Bu devreyi kullanmanın üç büyük avantajı vardır: hızlı tepki,
algılayıcının kapasitansına duyarsızlık ve düşük offset çıkış gerilimi. Akım-gerilim çevirici geniş
bant aralıklı devre olmanın yanında daha yüksek gürültü ile karşı karşıyadır.
Çok düşük frekanslarda her iki devre (JFET ve I/V çevirici) piro-elektrik akımı, ip’yi çıkış
gerilimine dönüştürür. Ohm kanunu’na göre
Vout = i p Rb (16.23)
dir. Örneğin 10 pA (10-11 A)’lik piro-elektrik akımı ve 50 GΩ (5×1010)’luk polarlama direncinde

çıkış gerilimi 500 mV’tur. Hem JFET transistörünün ve hem de işlemsel yükselticinin tüm çalışma
sıcaklık aralığı boyunca düşük giriş polarlama akımlarına (IB) sahip olması gerekir. CMOS işlemsel
yükselticiler genel olarak 1pA seviyesinde polarlama akımlarına sahip olduklarından tercih
edilirler.
Yukarıda bahsedilen devrelerin (şekil 16.26) oldukça farklı biçimlerde çıkış sinyalleri ürettiklerine
dikkat edilmelidir. Gerilim izleyicinin çıkış gerilimi algılayıcı eleman ve Rb uçlarındaki gerilimin
tekrarlanmasıdır (şekil 16.27a). Bu iki eğim ile karakterize edilir: τ e = CRb elektriksel zaman
sabitinde bir öncü eğim ve τT ısıl zaman sabitinde azalan bir eğim. Akım-gerilim çeviricide eleman
uçlarındaki gerilim temelde sıfır ve izleyicinin tersine çeviricinin giriş empedansı düşüktür. Başka
ifadeyle gerilim izleyici voltmetre olarak görev yaparken akım-gerilim çevirici ampermetre olarak
görev yapar. Çıkış geriliminin öncü kenarı hızlıdır (çıkış gerilimi Rb uçlarındaki kaçak kapasitans
ile belirlenir) ve azalan eğim bölgesi ise τT ile karakterize edilir. Böylece çevirici çıkış gerilimi
algılayıcının piro-elektrik akımının biçimini tekrar eder (şekil 16.27b).
Şekil 16.27 Isıl ışınımın adım fonksiyonuna

tepki olarak (a) gerilim izleyicinin (b) akım-
gerilim dönüştürücüsünün çıkış sinyalleri
Giga-ohm aralığındaki dirençlerin fabrikasyonu önemsiz bir iş değildir. Yüksek kaliteli polarlama
dirençlerinin iyi çevresel kararlılığa, direncin düşük sıcaklık katsayısına (TCR) ve direncin düşük
gerilim katsayısına (VCR) sahip olması gerekir. VCR
R1 − R0,1
ξ= %100 (16.24)
R0,1
olarak tanımlanır; burada, R1 ve R0,1 sırasıyla 1 ve 0,1 volt gerilimlerde ölçülen dirençlerdir.
Ekseriyetle VCR negatif yani direncin değeri uçlarındaki gerilimin artışı ile azalır (şekil 16.28a).
Piro-elektrik algılayıcının çıkışı piro-elektrik akım ve polarlama direncinin çarpımı ile orantılı
olduğundan VCR algılayıcının transfer fonksiyonunun doğrusal olmaması ile sonuçlanır. Yüksek
empedanslı bir direncin fabrikasyonu seramik (alumina = doğal aluminyum oksit) gövde üzerine
ince yarı-iletken mürekkep tabakasının konulması, fırında pişirilmesi ve daha sonra koruyucu
katman ile yüzeyinin kaplanmasıyla yapılır. Yüksek kaliteli oldukça kalın (en azından 50 μm
kalınlığında) hidrofobik (su geçirmeyen) kaplama neme karşı koruma için önemlidir; bu kaplama
aynı zamanda çok küçük miktarda su moleküllerinin yarı-iletken tabakaya ulaşarak oksitlemesini
de engeller. Oksitlenme sonucu direnç bariz olarak artar ve uzun dönem kararlılığı azalır. Yüksek
empedanslı direncin tipik bir tasarımı şekil 16.28b’de görülmektedir. Isıl hareket dedeksiyonu gibi
yüksek doğruluğun zorunlu olmadığı uygulamalarda polarlama direnci yerine birbirine ters-paralel
bağlanmış bir veya iki sıfır polarlamalı silikon diyotlar kullanılabilir.
(a) direncin üç tipi için VCR (b) doğal aluminyum oksit gövde üzerindeki direncin yapısı
Şekil 16.28 Yüksek empedanslı direnç
Isıl ışınımın dedeksiyonu için aşağıdaki iki durum arasında bir belirginlik vardır; piro-elektrik
malzeme ve çevreye olan ısıl kuplajı ile tamamen farklı isteklerin karşılanması gerekmektedir:
a) Hızlı algılayıcılar yüksek şiddetli ve 1 MHz seviyesinde çok kısa süreli (nanosaniye) lazer
ışınımı palslerini yüksek bir tekrarlama ile dedekte ederler. Bu algılayıcıların ekseriyetle lityum
tantalat (LiTaO3) veya triglisinsülfat (TGS) gibi tek kristal piro-elektriklerden fabrikasyonu
yapılır. Bu tepkinin yüksek doğrusallığını sağlar. Malzemeler ekseriyetle bir ısıl soğutucunun
üzerine yapıştırılır.
b) Duyarlı algılayıcılar oldukça düşük değişim oranı ile - düşük şiddetli ısıl ışınımı dedekte
ederler. Örnekler kızıl-ötesi termometre ve hareket dedeksiyonudur. Bu algılayıcılar ışınım
alanı içinde keskin bir sıcaklık yükselişi ile karakterize edilirler. Bu genel olarak bir ısı kaynağı
ile iyi bir ısıl kuplaj gerektirir. Odaklayıcı mercekler ve dalga kılavuzları gibi optik aygıtlar
gerekir. Eğer iyi tasarlanırsa böyle bir algılayıcı çok düşük sıcaklıklarda soğutulmuş quantum
dedektörünün duyarlılığına yaklaşan duyarlılığa sahip olabilir. Ticari piro-elektrik algılayıcıları
TGS ve LiTaO3 veya kurşun zirkonat titanat (PZT) seramikleri gibi tek kristal temelinde
yapılır. Yüksek hız tepkileri ve iyi yanal çözünürlükte PVDF filmleri de sıklıkla kullanılır.
16.7.3 AKTİF UZAK KIZIL-ÖTESİ ALGILAYICILAR
Aktif uzak kızıl-ötesi algılayıcılarda ısıl ışınım akısının ölçüm işlemi pasif (PIR) dedektörlerden
farklıdır. PIR algılama elemanının tersine AFIR algılama elemanının sıcaklığı hem çevre ve hem de
cismin sıcaklığına bağlıdır. AFIR algılayıcısının yüzeyi çoğu uygulamalarda belirlenmiş Ts
sıcaklığında olacak şekilde tüm ölçme işlemi süresince sabit değerde aktif olarak kontrol edilir.
Algılayıcının yüzey sıcaklığını kontrol etmek için bir kontrol (veya uyartım) devresiyle P elektrik
gücü sağlanır (şekil 16.29a). Ts’yi regüle etmek için devre tarafından elemanın yüzey sıcaklığı
ölçülür ve dahili referans ile karşılaştırılır. Isıl akı elemana doğru yönlendiğinde güç için pozitif
işareti seçilir. Açıkça giriş gücü Ts’yi çevreden daha yüksek sıcaklıkta tutar. Bazı uygulamalarda Ts
cismin en yüksek sıcaklığından daha yüksek seçilir. Bundan dolayı PIR dedektöründe olduğu gibi
eleman cisimden pasif olarak ısı emme yerine cisme doğru uzak kızıl ötesi akı, Φ yayar. Tabiki
yayılan net akı Stefan-Boltzman kanunu ile belirlenir. Eğer AFIR elemanında bir soğutucu eleman
(örneğin Peltier etki prensibinde çalışan ısıl-elektrik eleman) varsa Ts çevre sıcaklığında veya daha
aşağısında tutulabilir. Bununla beraber pratik görüş açısından elemanın ısıtılması soğutulmasından
daha kolaydır. Aşağıda, yüzeyi ek bir ısıtıcı eleman veya bir sıcaklık algılayıcısının kendiliğinden
ısıtma etkisinden dolayı ısıtılan AFIR algılayıcıları tartışılmaktadır.
(b) ışınım akısının, yüzey sıcaklığının ve

(a) AFIR elemanı cisme doğru ısıl akı yayar
sağlanan gücün zamanlama diyagramları
Şekil 16.29
Dinamik olarak herhangi bir ısıl elemanın Ts sıcaklığı (aktif veya pasif) genel olarak birinci derece
diferansiyel denklem ile tanımlanabilir:
dTs
cm = P − PL − Φ (16.25)
dt
Burada, P güç kaynağı veya uyartım devresinden (eğer varsa) elemana verilen güç, PL ısıl iletim ve
konveksiyon’a bağlanan ve ışınım tipi olmayan ısıl kayıptır, m ve c sırasıyla algılayıcının kütlesi ve
özgül ısıdır.
PIR dedektöründe harici bir güç verilmez (P = 0); bundan dolayı hız tepkisi sadece algılayıcının ısıl
kapasitesi ve ısı kaybına bağlıdır ve ısıl zaman sabiti τT ile karakterize edilir. AFIR elemanında bir
ısınma periyodundan sonra kontrol devresi elemanın yüzey sıcaklığını Ts’de sabit kalmaya zorlar.
Bu
dTs
=0 (16.26)
dt
anlamına gelmektedir ve (16.25) eşitliği cebirsel hale gelir:
P = PL + Φ (16.27)
PIR algılayıcılarının tersine AFIR dedektörü sonsuz ısı kaynağı olarak davranır. İdeal şartlar
altında tepkisi ne ısıl kütleye bağlı ve ne de zamanın bir fonksiyonudur. Eğer kontrol devresi
oldukça etkili ise güç, P’nin ışınım ile yayılan Φ akışındaki değişimleri yüksek kararlılıkla izlemesi
gerekir. Bu gücün büyüklüğündeki değişimler algılayıcının çıkış sinyali olarak kullanılır. (16.27)
eşitliği AFIR elemanının teorik olarak PIR’e kıyasla çok daha hızlı bir aygıt olduğunu tahmin
etmektedir. AFIR dedektörünün verimi hem tasarım ve hem de kontrol devresinin bir
fonksiyonudur.
Işınım tipi olmayan PL kaybı Ta çevre sıcaklığı ve αs kayıp faktörünün bir fonksiyonudur:
PL = α s (Ts − Ta ) (16.28)
AFIR algılayıcısında ısının üretilmesi için R elektriksel direncinde ısıtıcı eleman bulunmaktadır.
Çalışma süresince ısıtıcı elemanın harcadığı güç direncin uçlarındaki gerilimin bir fonksiyonudur:
P =V 2 / R (16.29)
(5.5.19), (16.28) ve 16.29 eşitlikleri (16.27)’de yerine konularak T = Tb ve Ts > Tb varsayımı ile
birkaç manipülasyondan sonra cismin sıcaklığı ısıtıcı elemanın uçlarındaki V geriliminin bir
fonksiyonu olarak ortaya çıkartılabilir:
1 ⎡V 2 ⎤
Tb = 4 Ts4 − ⎢ − α s (Ts − Ta )⎥ (16.30)
Aσε sε b ⎣ R ⎦
αs katsayısı AFIR dedektöründen çevreye olan ısıl iletkenlik anlamına sahiptir. Şekil 16.30 farklı
kayıp katsayıları ve αs = 0 ideal durumu için hesaplanmış eğrileri göstermektedir.
(a) Farklı üç α değeri için AFIR ısıtıcı

elemanın uçlarındaki gerilim ile temsil edilen (b) AFIR algılayıcısının yapısı
cismin sıcaklığı
Şekil 16.30
AFIR elemanın fabrikasyonunun bir yolu oldukça geniş yüzey alanlı (4 - 20 mm2) termistör film
kullanmaktır. Negatif sıcaklık katsayılı (NTC) termistörün Ts’deki direnci (4.5.11) eşitliği ile
modellenebilir. Termistörden geçen elektrik akımı termistörün sıcaklığını çevre sıcaklığının üzerine
çıkartarak kendiliğinden ısıtma etkisi meydana getirir. Bir kontrol devresi termistörün sıcaklığını
önceden belirlenmiş Ts seviyesinde tutacak şekilde akımı regüle eder. Sabit sıcaklık sonucunda ise
Rs direncinin değeri sabit kalır.
Alternatif olarak bir termistör kontrol devresine geri-besleme sağlayan sıcaklığa duyarlı bir tabaka
gibi görev yaparken bu termistörün alt kısmına ısıtıcı eleman olarak görev yapan yayılmış bir
direnç katmanı konulabilir (şekil 16.30b). Isıl ışınım üst tabakadan yayılır. Isıtıcı tabaka uçlarındaki
gerilim çıkış sinyali olarak görev yapar. Bu yüzden kendiliğinden ısıtan termistörün tersine yüzey
sıcaklığının ölçümü ve ısıtma işlemi ayrı olarak yapılmaktadır. Bu fonksiyonlar elektriksel yalıtımlı
tabakalar ile gerçekleştirilir. Çok katmanlı bir elemanın fabrikasyonu için ince bir yapı (örneğin
cam plaka veya silikon zar) üzerine 500 Ω civarında ince film şeklinde ısıtıcı tabaka konulur.
Isıtıcı ince yalıtkan kaplama ile kaplanmıştır. Kaplamanın en üzerine vakum biriktirilme suretiyle
sıcaklığa duyarlı bir tabaka konulmuştur.
Çoğu uygulamalarda çevre şartlarındaki değişimlerin kompanzasyonu ve benzer iki algılayıcıdan

yayılan kızılötesi akılarındaki fark ile orantılı çıkış sinyalinin üretilmesi istenilir. Bu şekil
16.31a’da görülen diferansiyel AFIR elemanı kullanılarak yapılabilir. Bu örnekte sıcaklığa duyarlı
iki tabaka (eleman 1 ve eleman 2) ortak bir yapı üzerine konulmuştur. Her eleman yayılan akının
kompanzasyonu için kendi ısıtıcı alt tabakalarına (H1 ve H2) sahiptir. Her iki kısım ışınım tipi
olmayan (iletim ve konveksiyon tipi) ısı kaybının kompanzasyon ısısını sağlayan diğer bir ısıtıcı
elemanı (ortak ısıtıcı, Hc) paylaşır. Böyle bir kompanzasyon algılayıcının daha iyi tepki vermesi
için çok önemlidir. (16.27) eşitliği kompanzasyon devresinden Pc ısısını dahil etmek için
düzeltilebilir: P = PL − Pc + Φ . İdeal durumlar altında kompanzasyon gücünün güç kaybına eşit
olması gerekir: Pc = PL . Bu durumda (16.27) ve akabinde (16.30) eşitliği çevre şartlarından
bağımsız olur:
V2
Tb = 4 Ts4 − (16.31)
ARσε sε b
Diferansiyel elemanın her iki kısmı ısıl olarak dekuple olmalıdır yoksa iki eleman arasında enerji
aktarımı sonucu kontrol devresinin kararsızlığına neden olabilecek istenilmeyen sinyaller
(crosstalk) meydana gelebilir.
Kontrol devresi şu temel bileşenleri içermelidir: ayarlanmış referans sıcaklığı, hata yükselticisi ve
sürücü katı. Ek olarak kontrol devresi döngü tepki fonksiyonunu düzelten ve çalışmasının
kararlılığı için RC devre içerebilir aksi durumda bütün sistem osilasyona eğimli olabilir.
(a) Isıtıcı ve algılayıcı katmanların sandviç yapıda

(b) gerilim kontrollu akım yutak’ları ile
biriktirme ile yapıldığı ortak gövde üzerine
kendiliğinden dengeli köprü devresi
fabrikasyonu yapılmış çiftli AFIR elemanı
Şekil 16.31
Kendiliğinden ısıtan bir NTC termistör şekil 16.31b’de görülen basitleştirilmiş devre ile kontrol
edilebilir. Isıtıcı termistör (AFIR elemanı) ve referans direncinden, Ro geçen elektrik akımları iki
akım generatörü ile regüle edilir. Bu akımlar, io ve is yükselticinin çıkış gerilimi ile sabit oranda,
örneğin 1:1 kontrol edilir. Yükselticiden yapılan geri-besleme termistörü Ts sabit sıcaklığında
kalmaya zorlar. Termistörün bir direnci akımların ters orantılılığını sağlamak için sabit seviyede
tutulacaktır:
Rs io
= (16.32)
Ro is
Eğer akım generatörleri benzer ise (io = is) devre Rs=Ro durumunu sürdürecektir. Doğal olarak
AFIR dedektörleri ile çalışabilecek, kullanışlı çok çeşitli kontrol devreleri vardır.
16.7.4 ISIL EMİCİ KAPLAMALAR
Bütün ısıl ışınım algılayıcıları, PIR veya AFIR uzak kızıl-ötesi elektromanyetik dalgaların
emilmesi veya yayılması prensibine dayanırlar. Kirchhoff’un keşfine göre α emiciliği ve ε
yayıcılığı aynı şeydir. Algılayıcının verimli çalışması için bu değerlerin maksimumda tutulması
gerekir; örneğin mümkün olduğu kadar birime yaklaştırılması gerekir. Bu algılayıcının yüzeyinin
yüksek yayıcılıkta yapmak için işlenmesiyle veya yüksek yayıcılıkta kaplama ile kaplanmasıyla
sağlanabilir. Böyle bir kaplamanın iyi bir ısıl iletkenliğe sahip olması ve çok küçük ısıl kapasiteye
sahip olması gerekir yani çok ince olmalıdır.
Yüzeye yayıcılık özellikleri verecek bazı metotlar bilinmektedir. Bunlar oldukça iyi yayıcılıkta ince
metal film (Ni-krom gibi) birikimleri, gözenekli siyah platinin galvanik birikimi ve düşük basınçlı
azotun atmosferde metal buharlaşması. Yüksek emicilikte veya yayıcılıkta malzeme üretmenin en
verimli yolu malzemeyi gözenekli yüzeyden oluşturmaktır. Dalga boyundan çok daha küçük
parçacıklar genelde ışığı emer ve yansıtırlar. Gözenekli yüzeyin yüksek yayıcılığı geniş bir spektral
aralığı içine alır; bununla beraber dalga boyunun artmasıyla yayıcılık azalır. 500 μg/cm2’ye karşılık
gelen kalınlığı ile siyah altın filmi yakın, orta ve uzak kızıl-ötesi spektral aralıklarda 0,99’ın
üzerinde yayıcılığa sahiptir.
Gözenekli bir siyah platini biçimlendirmek için aşağıdaki elektro-kaplama tarifi kullanılabilir:
Platin klorit H2PTCl6 aq 2g
Kurşun asetat Pb(OOCCH3)2 3H2O 16 mg
Su 58 g
Bu galvanik banyonun dışında, filmler bir altın alt tabaka filmi ile silikon yaprakcık üzerinde oda
sıcaklığında geliştirilir. Akım yoğunluğu 30 mA/cm2 dir. 0,95 den daha iyi bir emicilik
kazandırmak için 1,5 gr/cm2 ’lik film gereklidir.
Buharlaştırma ile siyah altını biçimlendirmek için işlem 100 Pa azot atmosfer basıncında ısıl
buharlaştırma reaktöründe yapılır. Gaz bir mikro vana ile enjekte edilir ve altın kaynağı yaklaşık 6
cm uzaklıktan elektrik akımı ısıtılmış tungsten tel ile buharlaştırılır. Buharlaştırılmış altının azot ile
çarpışmasından dolayı altın atomları kinetik enerjisini kaybeder ve ısıl hıza yavaşlarlar. Yüzeye
yaklaştıklarında enerjileri yüzey hareketliliğine izin verecek kadar çok düşük ve yüzeye ilk
dokunuşlarında yüzeye yapışırlar. Altın atomları 25 nm civarında doğrusal boyutlarda iğne
biçiminde yüzey yapısı oluşturur. Yapı bir ameliyat pamuğu tipini andırır. En iyi sonuç için siyah
altın 250 ile 500 μm/cm2 arasında bir kalınlıkta olmalıdır.
Yayıcılığı artırmanın diğer popüler metodu genelde yüksek yayıcılıkta metal oksit yapmak için
metal filmin yüzeyini oksitlemektir. Bu kısmi vakum içinde metal biriktirme ile yapılabilir.
Yüzey yayıcılığını geliştirmenin diğer metodu yüzeyi organik boya ile kaplamaktır (boyanın
görünen rengi önemli değildir). Bu boyalar 0,92 - 0,97 arasında uzak kızıl-ötesi yayıcılıkta olmakla
beraber organik malzemeler düşük ısıl iletkenliğe sahiptirler ve 10 μm’den daha az kalınlıklarda
biriktirme işlemleri yapılamaz. Bu algılayıcının hız tepkisini önemli ölçüde yavaşlatabilir. Mikro-
makina tekniği ile yapılan algılayıcılarda üst yüzey pasifleştirici cam tabakasına ayrılabilir; bunun
yayıcılığı uzak kızıl-ötesi spektral aralıkta 0,95 civarındadır ve aynı zamanda çevresel koruma da
sağlar.
16.8 GAZ ALEVİ DEDEKTÖRLERİ
Gaz alevinin dedeksiyonu güvenlik ve yangın koruma sistemlerinde çok önemlidir. Çoğu yönlerden
özellikle duman konsantrasyonunun alarmı tetiklemek için bir eşik seviyesini aşamayacağı harici
ortamlarda yangının alev dedektörü ile dedekte edilmesinden daha duyarlı bir yoldur.
Yanan gazı dedekte etmek için alevin eşşiz yani tek bir özelliğinin kullanılması mümkündür.
Alevin optik spektrumunun göze çarpan kısmı mor ötesi spektral aralığında bulunmaktadır (şekil
16.32). Güneş ışığı atmosferden geçtikten sonra 250 nm üzerinde bulunan mor ötesi spektrumunun
büyük bir kısmını kaybederken bir gaz alevi 180 nm den aşağı mor ötesi bileşenler içerir. Bu aleve
seçici olarak duyarlı ve güneş ışığı veya diğer elektrik ışıklarına duyarsız mor ötesi spektral
aralığında, dar-bant genişliğinde bir elemanın tasarımını mümkün hale getirir.
Bağıl duyarlılık, bağıl şiddet
Şekil 16.32 Farklı

kaynakların
elektromanyetik
spektrası
Dalga uzunluğu (nm)
Mor ötesi Görünür Kızıl ötesi
Böyle bir aygıta örnek şekil 16.33a’da görülmektedir. Eleman gazın çoğaltma etkisi ile
metallerdeki foto-elektrik etkiden yararlanan mor ötesi dedektördür. Dedektör asal gazla
doldurulmuş bir tüptür. Mor ötesi geçirgen kutucuk hem yatay ve hem de dikey düzlemlerde geniş
görüş açısına olanak sağlar. Aygıt çalışması için yüksek gerilime ihtiyaç duyar ve normal şartlar
altında elektriksel iletkenliği yoktur. Aleve maruz kalması üzerine yüksek enerjili mor ötesi
fotonlar katoda çarparak gazla doldurulmuş tüpün içine serbest elektron bırakırlar. Gaz atomları
yayılan elektronlardan yoğun bir enerji alırlar ve sonuçta mor ötesi spektral aralığında gaz
parıldaması meydana gelir. Bu akabinde daha fazla elektron yayılmasına neden olarak daha fazla
mor ötesi parıldamasıyla sonuçlanır. Böylece eleman anot-katot bölgesini elektriksel iletken hale
getirecek hızlı çığ tipi elektron çoğalması gerçekleştirir. Bundan dolayı eleman gaz alevine maruz
kalmanın üzerine çıkışında güçlü kısa süreli gerilim (spike) üreten bir anahtar olarak çalışır (şekil
16.33c). Yukarıdaki tanıma göre eleman alevin dedeksiyonuna tepki olarak mor ötesi ışınım üretir.
Her ne kadar düşük şiddetli olsa da mor ötesi ışık insanlara zararlı olmamakla beraber yakınındaki
benzer algılayıcılar arasında istenilmeyen sinyallere (crosstalk) öncülük edebilir.
(a) gaz dolu tüp (b) yatay düzlemde görüş açısı (c) örnek çalışma devresi
Şekil 16.33 Mor ötesi alev dedektörü
1. Işık dedektörlerinin genel çalışma prensibi nedir?

2. Foto-elektrik etki nedir?
3. Spektral tepki nedir?
4. Foto-diyotlar ile foto-transistörleri karşılaştırınız.
5. Foto-direnç veya foto-iletkenin çalışma prensibi nedir?
6. Işık-ışık dönüştürücüsünün kullanılma amacı nedir?
7. Işık dedektörlerinin soğutulma amacı nedir?
8. Termopil algılayıcıların çalışma prensibi nedir?
9. Piro-elektrik algılayıcıların çalışma prensibi nedir?
10. AFIR algılayıcısının çalışma prensibi nedir?
11. Alev nasıl dedekte edilir?
17 IŞINIM DEDEKTÖRLERİ
Şekil 16.1 de elektromanyetik dalgaların spektrumu görülmektedir. Sol tarafında γ ışınımı bölgesi
vardır. Bu bölge elektromanyetik dalgaların olabilecek en kısa boyu değildir. Bunların yanında
maddelerden doğal olarak yayılan ışınımın elektromanyetik olması gerekmez. Atomun
çekirdeğindeki parçacıklardan yayılan nükleer ışınım vardır. Bunlar iki tip olabilir: yüklü
parçacıklar (α ve β partikülleri ve protonlar) ve yüksüz parçacıklar olan nötronlardır. Bazı
partiküller iki nötrondan oluşan helyum atomunun çekirdeği gibi karmaşık α partikülleri iken diğer
partiküller ya elektron veya pozitron olan β partikülleri gibi genelde daha basittir. γ ve X ışınları
elektromanyetik ışınımın nükleer tipine aittir. Bundan sonra dalga boyuna bağlı olarak X ışınları
sert, yumuşak ve çok yumuşak ışınlara ayrılır.
Doğal olarak oluşan bazı elementler kararlı değildir fakat çekirdeklerinden bir kısmını atarak
yavaşça parçalanırlar. Bu radyoaktivite olarak adlandırılır ve 1896’da Henry Becquerel tarafından
uranyum atomlarının (atom sayısı, Z=92) ışınım vererek fotografik plakaları buğulamasından sonra
bulunmuştur. Doğal olarak oluşan radyoaktivitenin yanında insan yapısı radyoaktif çok çekirdek
vardır. Bu çekirdek nükleer reaktörde üretilir ve sonucunda oldukça yüksek kararsız elementler
üretilebilir. Radyoaktif maddenin kaynak veya yaşına bakılmaksızın aynı matematiksel kurala göre
azalırlar. Bu kanun henüz azalmamış çekirdek sayısı, N ve küçük dt aralığında azalan çekirdek
sayısı dN ile ifade edilir. Deneysel olarak
dN = −λNdt (17.1)
olduğu ispatlanmıştır; burada λ verilen bir madde için azalma sabitidir. (17.1) den λ birim zamanda
azalan çekirdek fraksiyonu olarak tanımlanabilir:
1 dN
λ=− (17.2)
N dt
Radyoaktivitenin SI birimi becquereldir (Bq) ve saniye başına doğal geçiş (transition) oranında
radyonüklid azalmanın aktivitesine eşittir. Böylece becquerel zaman birimi olarak ifade edilir:
Bq=s-1. Eski birim olan curie’nin dönüşümü için becquerelin 3,7×1010 ile çarpılması gerekir (tablo
2.10).
Emilen doz grays (Gy) olarak ölçülür. Bir gray birim kütle başına iyonize ışınım tarafından
maddeye enerji verildiğinde emilen dozdur. Yani kg başına joule, Gy = J/kg.
X ve γ ışınlarına maruz iken ölçme gerektiğinde iyonize ışınımın dozu kg başına Kulomb olarak
ifade edilir ki 1 kg kuru hava başına elektrik yükünün 1 Kulomb üretimi ile sonuçlanacak kadar
ışınıma maruz kalmaktır. SI de bir C/kg birimi eskiden kullanılan röntgen birimine karşılık gelir.
Her ışınım dedektörünün fonksiyonu dedektörün kendi malzemesi ile ışınımın etkileşimi
davranışına dayanır. Radyoaktivitenin dedeksiyonu konusunda yazılmış çok kitap bulunmaktadır.
Işınım dedektörlerinin üç genel tipi vardır: parıltı dedektörleri, gazlı dedektörler ve yarı iletken
dedektörler. Daha ötesi bütün dedektörler fonksiyonlarına göre iki gruba ayrılabilir: çarpışma
dedektörleri ve enerji dedektörleri. Çarpışma dedektörleri sadece radyoaktif partiküllerin varlığını
dedekte ederken enerji dedektörleri enerjisini ölçebilirler. Yani bütün dedektörler ya nicelik ya da
nitelik tipindedir.
17.1 PARILTI DEDEKTÖRLERİ
Parıltı (sintilasyon veya sürükleyici) dedektörlerin çalışma prensibi bazı malzemelerin nükleer
ışınımı ışığa dönüştürme özelliğine dayanır. Böylece parıltı meydana getiren malzeme ile optik
foton dedektörünün kombinasyonu bir ışınım dedektörü biçimini alır. Dönüşümün yüksek
verimliliğine rağmen ışınım sonucu oluşan ışık şiddetinin oldukça küçük olduğuna dikkat etmek
gerekir. Bu sinyalleri dedekte edebilecek seviyeye getirmek için büyütme işlemi yapan foto-
çarpıcıların kullanılma ihtiyacını doğurur.
İdeal bir parıltı meydana getiren malzemenin aşağıdaki özelliklere sahip olması gerekir:
¾ Yüklü partikülün kinetik enerjisini yüksek verimle dedekte edilebilecek ışığa

dönüştürebilmelidir.
¾ Dönüşüm doğrusal olmalıdır. Yani üretilen ışık geniş dinamik aralıkta giriş enerjisi ile orantılı
olmalıdır.
¾ Işığın azalma zamanı (ışılışıma sonrası) hızlı dedeksiyona izin vermesi için kısa olmalıdır.
¾ Malzemenin kırılma indisi foto-çarpıcı tüple ışığın verimli optik kuplajı için camın kırılma
indisine yakın olmalıdır.
En yaygın kullanılan parıltı maddeleri inorganik alkali halide kristal (bunların içinde sodyum iyot
meşhurdur) ve organik tabanlı sıvı ve plastik içerirler. İnorganikler daha duyarlı fakat genelde
yavaştır, organikler daha hızlı iken daha az ışık üretirler. Parıltı algılayıcısının basitleştirilmiş genel
bir düzenlemesi foto çarpıcı ile beraber şekil 17.1’de görülmektedir.
Parıltı meydana getirici eleman foto-çarpıcının (PM) ön ucuna yerleştirilmiştir. Ön tarafta bir foto
katot bulunmakta olup potansiyeli toprak seviyesindedir. PM tübünün içine yerleştirilmiş dinot
adında çok sayıda jaluzi perdesi şeklinde özel plakalar vardır. Her dinot bir pozitif gerilim kaynağı
ile foto-katottan uzakta bulunan dinot daha yüksek potansiyelde olacak şekilde irtibatlandırılmıştır.
Tüpteki son bileşen anot olup bazen bir kaç bin volt seviyesinde olabilen en yüksek pozitif
terminale sahiptir. Foto-çarpıcının bütün bileşenleri cam vakum tüpün içine kutulanmış ve bazı
odaklayıcı elektrotlar ve ekranlama, vb. gibi bazı elemanları da içerebilmektedir.
Bu algılayıcı foto çoğaltıcı olarak adlandırılmasına rağmen çalışması süresince PM tüpü içinde
sadece elektronların olup fotonların olmamasıyla gerçekte bir elektron çarpıcıdır. Gösterim için 0,5
MeV kinetik enerjili bir gama ışını partikülünü varsayalım. Bu belli sayıda bağımsız foton
oluşturacak şekilde parıltı meydana getiren kristal üzerinde birikir. Talyum aktivasyonlu sodyum
iyotunda parıltı verimi % 13 civarındadır; böylece 0,5 × 0,13 = 0,065 MeV veya 65 keV toplam
enerji ortalama 4 eV enerji ile görününür ışığa dönüşür. Bu yüzden gama palsi başına yaklaşık
15000 (≈ 65 / 4) parıltı fotonu üretilir. Bu sayı sıradan bir foto dedektör ile dedekte edilmek için
Işınım Dedektörleri 407
çok küçüktür; bu bakımdan gerçek dedeksiyon yer almadan önce bir çoğaltma etkisi
gerekmektedir. 15000 fotonun muhtemelen 10000 kadarı foto-katoda ulaşır; bunun quantum verimi
% 20 civarındadır. Foto-katot etkiyen ışık fotonlarının düşük enerjili elektronlara dönüşümünde
görev yapar. Bundan dolayı foto-katot pals başına 2000 civarında elektron üretir. PM tüpü doğrusal
bir aygıttır yani kazancı hemen hemen çarpılan veya çoğaltılan elektronların sayısından
bağımsızdır.
(a) Foto-çarpıcılı parıltı dedektörü (b) dış görünüş
Şekil 17.1
Bütün dinot’lar pozitif potansiyelde olduğundan (V1 den V10) foto-katottan serbest bırakılan bir
elektron birinci dinota çekilir ve elektronun yüzeye vuruşuyla çok düşük enerjili bir miktar elektron
serbest kalır. Böylece dinot’ta bir çoğaltma etkisi yer alır. Bu elektronlar birinci dinot’tan ikinci
dinot’a elektrostatik alan ile kolaylıkla yönlenirler. Artan sayıdaki bu elektronlar ikinci dinot’a
çarpar ve üçüncü dinota hareket eden daha fazla elektron üretirler ve bu işlem son dinot’a kadar
aynı şekilde devam eder. İşlem mevcut elektronların gittikçe artan bir sayısı ile sonuçlanır (çığ
etkisi). PM tüpünün çoğaltma özelliği 106 seviyesindedir. Sonuç olarak 2×109 civarında elektron
elektrik akımının üretilmesi için yüksek gerilimli anotta (Va) mevcut olacaktır. Bu akım elektronik
devrede işlenebilecek yeterli güçte bir elektrik akımıdır. PM tüpünün kazancı
G = αδ N (17.3)
olarak ifade edilir; burada N dinot sayısı, α PM tüpü tarafından toplanan elektronların fraksiyonu, δ
dinot malzemesinin verimi yani vuruş sonucu serbest kalan elektron sayısıdır. Bunun değeri yüksek
çıkış veren bir dinot için 5-55 aralığındadır. Kazanç uygulanan yüksek gerilime duyarlıdır çünkü δ
hemen hemen dinot arası gerilimin doğrusal fonksiyonudur.
Parıltı sayıcılarının büyük sınırlamalarından biri oldukça zayıf enerji çözünürlüğüdür. Dedeksiyona
öncülük eden olaylar zincirinde düşük verimli çok adım vardır. Bu yüzden bir bilgi taşıyıcıyı
üretmek (bir foto-elektron) için gereken enerji 1000 eV seviyesinde veya daha fazladır ve tipik bir
ışınım etkileşiminde meydana getirilen taşıyıcı sayısı ekseriyetle birkaç binden fazla değildir.
Örneğin sodyum iyodin parıltı dedektörleri için enerji çözünürlüğü 0,662 MeV γ ışınımının
dedeksiyonunda yaklaşık % 6 ile sınırlanmıştır ve bu büyük oranda foto-elektron istatistiksel
sapmalar ile belirlenir. Enerji çözünürlüğünde istatistiksel sınırlamayı azaltmanın tek yolu pals
başına bilgi taşıyıcılarının sayısını arttırmaktır. Bu aşağıda tanımlanan yarı iletken dedektörler
kullanılarak yapılabilir.
17.2 İYONİZASYON DEDEKTÖRLERİ
Bu dedektörler iyonize ışınıma tepki olarak iyon çiftleri üretmek için bazı gaz ve katı metallerdeki
özelliğe dayanır. Daha sonra pozitif ve negatif iyonlar elektrostatik alanda ayrılabilir ve ölçülebilir.
Atomun içinden yüksek hızda geçen yüklü partiküller elektronların ayrılması sonucu ile yeterli
elektromanyetik kuvvetler meydana getirebildiğinden iyonizasyon olur ve böylece iyonlar meydana
gelir. Ayrıca aynı partikül enerjisi harcanmadan önce çoklu iyon çiftleri meydana getirebilir.
Yüksüz parçacıklar (nötronlar gibi) çekirdek ile çarpışma sonucu iyon çiftleri meydana getirebilir.
17.2.1 İYONİZASYON ODACIKLARI
Bu ışınım dedektörleri en eski bir sistem olmanın yanında yaygın olarak kullanılmaktadır. İyonize
partikül iyonizasyona neden olur ve geçtiği izi boyunca gaz moleküllerini uyartır. Minimum olarak,
partikülün iyonizasyon işleminin oluşmasına izin vermesi için gaz molekülünün iyonizasyon
enerjisine eşit miktarda enerjiyi transfer etmesi gerekir. Işınım dedektörleri ile ilgili çoğu gazlarda
gevşek bağlı elektron çekirdekleri için iyonizasyon enerjisi 10 - 20 eV arasındadır. Bununla beraber
etkiyen partikül iyon meydana getirmeksizin gaz içinde enerji kaybedebilen diğer mekanizmalar
vardır; örneğin gaz elektronlarının hareket ettirilmeden yüksek enerji seviyesine çıkartılması. Bu
yüzden biçimlenmiş bir iyon çifti (W-değerli olarak adlandırılır) başına bir partikül tarafından
ortalama enerji kaybı daima iyonize enerjiden daha büyüktür. W değeri gaz’a, ışınım tipine ve
enerjisine bağlıdır (tablo 17.1).
Tablo 17.1
W değeri (eV/iyon çifti)
Gaz Hızlı elektronlar Alfalar
A 27,0 25,9
He 32,5 31,7
N2 35,8 36,0
Hava 35,0 35,2
CH4 30,2 29,0
Elektrik alanının varlığında iyonlar ve elektronlar ile temsil edilen pozitif yüklerin sürüklenmesi
(drift) bir elektrik akımı meydana getirir. Verilen bir gaz hacminde iyon çiftinin biçimlenme oranı
sabittir. Küçük bir gaz hacmi için biçimlenme oranı iyon çiftlerinin hacimden ya yeniden oluşma
(rekombinasyon) ya da difüzyon veya hacimden uzaklaşarak kaybolma oranı ile tam olarak
dengelenecektir. Eğer yeniden oluşma ihmal edilebilir ve bütün yükler etkili olarak toplanırsa
üretilen kararlı durum akımı iyon çifti formasyon oranının doğru bir ölçüsüdür. Şekil 17.2 de bir
iyonizasyon odacığının temel yapısı ve akım/gerilim karakteristikleri görülmektedir.
Bir hacim gaz elektrik alanı meydana getiren elektrotlar arasına konulmuştur. Bir ampermetre
gerilim kaynağı, E ve elektrotlar arasına seri olarak bağlanmıştır. Elektriksel iletkenlik yoktur ve
iyonizasyon yokken akım geçmez. Gelen ışınım gaz içinde pozitif ve negatif iyonlar üretir ve
iyonlar ilgili elektrotlara doğru elektrik alanı ile çekilerek elektrik akımı oluşur. Odacıktaki akım ve
gerilim karakteristikleri şekil 17.2 de görülmektedir. Oldukça düşük gerilimlerde iyon yeniden
oluşma oranı kuvvetlidir ve çıkış akımı uygulanan gerilim ile orantılıdır çünkü daha yüksek gerilim
yeniden oluşma iyonlarının sayısını azaltmaktadır. Yeterli kuvvete sahip bir gerilim mevcut bütün
iyonları elektrotlara doğru çekerek bütün yeniden oluşumları bastırır ve akım gerilimden bağımsız
olur. Bununla beraber bu durum yine gelen ışınımın şiddetine bağlıdır. Bu bölge iyonizasyon
odacığının normalde çalıştığı doyum olarak adlandırılan bölge olmaktadır.
(a) İyonizasyon odacığının basitleştirilmiş diyagramı (b) akım-gerilim karakteristiği
Şekil 17.2
17.2.2 ORANTILI ODACIKLAR
Orantılı odacıklar gaz doldurulmuş bir dedektör tipi olup hemen hemen palsli mod’da çalışır ve gaz
çoğalma fenomenine dayanır. Bundan dolayı bu odacıklar orantılı sayıcılar olarak adlandırılır. Gaz
çoğalmasından dolayı çıkış palsleri geleneksel iyon odacıklarına göre daha güçlüdür. Bu sayıcılar
genelde dedeksiyonda ve düşük enerjili X ışınımının spektroskopisi ve nötronların dedeksiyonunda
kullanılır. İyonizasyon odacıklarının tersine orantılı sayıcılar yüksek elektrik alanlarında çalışırlar
ve çarpışma süresince serbest kalan elektronları daha büyük oranda hızlandırabilirler. Eğer bu
elektronlar yeterli enerji kazanırsa nötr bir gaz molekülünü iyonize edebilir. Böylece ek iyon çifti
meydana getirir. Bundan dolayı işlem elektrot akımında bariz bir artışla sonuçlanan çığ tipidir. Bu
işlemin adı Townsend çığıdır. Orantılı sayıcıda çığ işlemi elektronun anotla çarpışmasıyla durur.
Orantılı sayıcıda elektronun gaz iyonizasyon seviyesine ulaşması gerektiğinden çığ işleminin
oluşumundan sonra bir eşik gerilimi vardır. Atmosferik basınçta tipik gazlarda eşik alan seviyesi
106 V/m derecesindedir.
Çeşitli gaz sayıcıları arasındaki farklar şekil 17.3 te gösterilmiştir. Çok düşük gerilimlerdeki
elektrik alanı iyon çiftlerinin yeniden oluşumundan kaçınmak için yetersizdir. Doyum seviyesinde
bütün iyonlar elektrotlara sürüklenir. Gerilimdeki daha ileri bir artış gaz çoğaltması ile sonuçlanır.
Elektrik alanının bir bölgesinde gaz çoğaltması doğrusal olacak ve toplanan yük iyonizasyon
çarpışması sırasında meydana gelen orijinal iyon çiftlerinin sayısı ile orantılı olacaktır. Uygulanan
gerilimin daha fazla artışı doğrusal olmayan etkileri ortaya çıkartabilir ki bu yavaş hızlarından
dolayı pozitif iyonlarla ilişkilidir.
17.2.3 GEIGER-MUELLER SAYICILARI
Geiger–Mueller sayıcı (G-M) 1928 de keşfedilmiş ve hala kullanımdadır. Basitliği, düşük fiyatı ve
kullanma kolaylığı önemli özelliklerindendir. G-M sayıcı diğer odacıklarda çok daha yüksek
uygulanan gerilim ile farklılık gösterir (şekil 17.3). G-M çalışma bölgesinde çıkış pals genliği
iyonize ışınım enerjisine bağlı değil ve tamamen uygulanan gerilimin bir fonksiyonudur. Bir G-M
sayıcının fabrikasyonu ekseriyetle merkezde bir anot iletkeni ile tüp biçiminde yapılır (şekil 17.4).
Tüp helyum veya argon gibi bir gazla doldurulur. Reaksiyondan sonra sayıcının tekrar
tetiklenmesini engellemek için zayıflatma (quenching) amacı ile ekseriyetle gaza ikinci bir bileşen
eklenir. Tekrar tetikleme istenilen palslerin dışında çoklu palslere neden olabilir. Zayıflatma bazı
metotlar ile yapılabilir. Bunlar tüpe uygulanan yüksek gerilimin zamanının azaltılması, anoda seri
yüksek empedanslı dirençlerin kullanılması ve % 5-10 yoğunluklarında zayıflatma (quench)

gazının eklenmesidir. Çoğu organik moleküller zayıflatma gazı olarak uygun özellikleri taşırlar.
Bunlardan etil alkol ve etil format en popüler olanıdır.
Şekil 17.3 Gaz doldurulmuş

dedektörler için farklı çalışma
gerilimleri
Şekil 17.4 Geiger-Mueller

sayıcının devresi, • sembolü
gazı göstermektedir
Bir orijinal elektronun meydana getirdiği tipik bir çığda ikincil iyonlar meydana gelir. Bunlara ek
olarak uyartılmış çok gaz molekülleri biçimlenir. Birkaç nano saniye içinde bu uyartılmış
moleküller morötesi fotonlar biçiminde enerji yayarak orijinal durumlarına geri dönerler. Bu
fotonlar G-M sayıcıda oluşan zincir fonksiyonununda önemli rol oynarlar. Morötesi fotonlarından
biri gazın bir bölgesinde veya katot yüzeyi ile etkileştiğinde foto-elektrik emilme ile yeni bir
elektron serbest kalarak akabinde anoda doğru hareket eder ve diğer bir çığı tetikler. Geiger
boşalmasında zincir reaksiyonunun hızlı yayılması çok çığlara öncülük ederek tüp boyunca rastgele
radyal ve eksenel pozisyonları başlatır. İkincil iyonlar böylece anot iletkeni çevreleyen silindirik
çoğaltıcı bölge boyunca biçimlenir. Bundan dolayı ilk önce başlayan olayın pozisyonuna
bakılmaksızın boşalma (deşarj) anot iletkenin tamamını çevreleyerek büyür.
Geiger boşalması belli bir seviyeye ulaşır ulaşmaz; burada ayrı ayrı bütün çığların toplam etkisi rol
oynar ve sonunda zincir reaksiyonunu durdurur. Bu nokta çığların sayısına bağlı ve başlatıcı
partiküllerin enerjisine bağlı değildir. Böylece G-M akım palsi daima aynı genlikte olduğundan G-
M sayıcıyı ışınımın sadece bir göstergesi yapar çünkü iyonize enerjideki bütün bilgi
kaybolmaktadır.
G-M sayıcıda yeterli enerjide tek bir partikül 109-1010 iyon çifti meydana getirebilir. G-M sayıcının
gazında biçimlenen bir tek iyon çifti tam Geiger deşarjını tetikleyebildiğinden tüpe giren herhangi
bir yüklü partikülün sayıcılık verimi temelde % 100’dür. Bununla beraber G-M sayıcılar sayma
işlemindeki düşük verimlerinden dolayı nötronların sayılmasında nadiren kullanırlar. G-M
sayıcıların γ ışınlarını saymadaki verimi yüksek Z malzemeli katot duvarlı yapılan tüplere göre
daha yüksektir. Örneğin bizmut (Z = 83) katotları Xenon ve kripton gibi yüksek atom numaralı
gazların işbirliği ile γ ışını dedeksiyonunda geniş alanda kullanılır ve 10 keV dan aşağı foton
enerjileri için % 100’e kadar sayıcılık verimine sahiptirler.
17.2.4 YARI-İLETKEN DEDEKTÖRLER
Modern ışınım dedektörlerinde en iyi enerji çözünürlüğü yarı iletken malzemelerin kullanılmasıyla
elde edilebilir. Verilen bir ışınım olayının oluşması için oldukça büyük taşıyıcı sayısının meydana
geldiği bu malzemelerde temel bilgi taşıyıcılar dedektör boyunca yüklü partikül tarafından alınan
yol boyunca meydana gelen elektron-boşluk çiftleridir. Yüklü partikül birincil ışınım veya ikincil
partikül olabilir. Bazı açılardan elektron-boşluk çiftleri gaz doldurulmuş dedektörlerin meydana
getirdiği iyon çiftlerine benzemektedir. Yarı iletken malzemeye harici elektrik alanı
uygulandığında meydana gelen taşıyıcılar ölçülebilen elektrik akımı biçimini alır. Bu prensibe
dayalı çalışan dedektörler katı-hal veya yarı iletken diyot dedektörler olarak adlandırılır. Bu ışınım
dedektörlerinin çalışma prensibi yarı iletken ışık dedektörleriyle aynıdır. Ana fikir elektronların
enerji kazandıkları ve kaybettiklerinde bir enerji seviyesinden diğer enerji seviyesine geçişine
dayanır. Katılardaki enerji bant yapısının tanımı için kısım 16.1 incelenebilir.
Şekil 16.1 deki bant yapısı ile yüklü bir parçacık yarı iletkeni geçtiğinde tam bariz etki partikül’ün
izi boyunca çok miktarda elektron-boşluk çiftlerinin üretimidir. Üretim işlemi direkt veya endirekt
olabilir; partikül yüksek enerjili elektronlar (veya Δ ışınları) üreterek akabinde bunlar enerji kaybı
ile daha fazla elektron-boşluk çiftleri meydana getirir. Buradaki gerçek, mekanizmaya
bakılmaksızın konuyla ilgili olan birincil yüklü parçacık tarafından harcanan ortalama enerjinin
bir elektron-boşluk çifti ürettiğidir. Bu miktar sıklıkla iyonizasyon enerjisi olarak adlandırılır. Yarı-
iletken dedektörlerin büyük avantajı iyonizasyon enerjisinin küçüklüğünde yatar. Tipik bir gaz
doldurulmuş dedektörde bir iyon çifti meydana getirmek için gereken 30 eV ye kıyasla silikon veya
germanyum için bunun değeri 3 eV tur. Böylece yük taşıyıcılarının sayısı ölçülen ışınımın verilen
bir enerjisi için katı-hal dedektörlerinin 10 katı büyüktür.
Katı-hal dedektörünün fabrikasyonu için yarı iletken malzeme boyunca en azından 2 kontağın
bulunması gerekir. Dedeksiyon için kontaklar taşıyıcı hareketini sağlayan bir gerilim kaynağına
bağlanır. Homojen Ge veya Si’nin kullanımı tamamen pratik olmamaktadır. Bunun nedeni
malzemenin oldukça düşük direncinin (silikon için 50 kΩ.cm) neden olduğu yüksek sızıntı
akımıdır. Harici gerilim böyle bir dedektörün terminallerine uygulandığında çok küçük ışınım
sonucu indüklenen elektrik akımından 3-5 kat daha büyük bir elektrik akımına neden olur. Böylece
dedektörlerin fabrikasyonu tıkayıcı jonksiyonlar ile yapılarak sızıntı akımını büyük oranda
düşürecek şekilde ters polarlanırlar. Gerçekte dedektör bir yarı-iletken diyot olup anodu pozitif
terminale (jonksiyonun p tarafı) ve katodu negatife (jonksiyonun n tarafı) bağlandığında iletken
duruma geçer (düşük dirençli). Bağlantı yön değiştirdiğinde diyot çok az akım iletir (yüksek
dirençli). Bu duruma ters polarlama adı verilir. Eğer ters polarlama üreticinin belirttiği sınırın
üzerinde çok büyük yapılırsa ters sızıntı akımı aniden artarak (kırılma etkisi) dedeksiyon
özelliklerinin veya diyotun bozulmasına neden olabilir.
Silikon diyotların bazı konfigürasyonları hali hazırda üretilmektedir. Bunlar difüzyonlu jonksiyon
diyotları, yüzey engel diyotları, iyon implantasyonlu dedektörler, epitaksiyel tabaka dedektörleri ve
diğerleridir. Difüzyonlu jonksiyon ve yüzey engel dedektörlerinin α partikülleri ve diğer kısa aralık
ışınımın dedeksiyonu için geniş alanda uygulamaları vardır. İyi bir katı-hal ışınım dedektörünün
aşağıdaki özelliklere sahip olması gerekir.
¾ Mükemmel yük iletimi;
¾ Etkiyen ışınım enerjisi ve elektron-boşluk çifti sayısı arasında doğrusallık;
¾ Serbest yüklerin yokluğu (düşük kaçak veya sızıntı akımı);
¾ Birim ışınım başına elektron-boşluk çiftlerinin maksimum sayıda üretimi;
¾ Yüksek dedeksiyon verimi;
¾ Yüksek tepki hızı;
¾ Geniş toplama alanı;
¾ Düşük fiyat.
Yarı iletken dedektörler kullanılırken bazı faktörlerin ciddi olarak dikkate alınması gerekir. Bunlar
dedektör katmanının ölü bandı ve olabilecek ışınım hasarıdır. Eğer ağır yüklü partiküller veya diğer
zayıfça nüfuz eden ışınımlar dedektöre girerse partikül yarı iletkenin aktif hacmine ulaşmadan önce
bariz enerji kaybı olabilir. Enerji metal elektrotlarda ve elektrotun hemen altındaki oldukça kalın
silikon gövdede kaybolabilir. Eğer iyi bir kompanzasyon isteniliyorsa bu kalınlığın doğrudan
kullanıcı tarafından ölçülmesi gerekir. En basit ve sık kullanılan teknik tek-enerjili yüklü partikül
ışınımının geliş açısını değiştirmektir. Geliş açısı sıfır olduğunda (yani dedektörün yüzeyine dik)
ölü tabakadaki enerji kaybı
dEo
ΔEo = t (17.4)
dx
ile verilir. Burada t ölü katmanın kalınlığıdır. θ geliş açısı için enerji kaybı
ΔEo
ΔE (θ ) = (17.5)
cosθ
dir. Bu yüzden sıfır ve θ geliş açısı arasında ölçülen pals yükseklikleri arasındaki fark
⎛ 1 ⎞
E = [ Eo − ΔEo ] − [ Eo − ΔE (θ )] = ΔEo ⎜ − 1⎟ (17.6)
⎝ cosθ ⎠
ile verilir. Eğer geliş açısı değişirken bir dizi ölçüm yapılırsa (1 / cosθ − 1) ’in fonksiyonu olarak
E’nin grafiği düz bir çizgi olup eğimi ΔEo’a eşittir. Gelen ışınım için dEo/dx’in verileri kullanılarak
ölü katman kalınlığı (17.4) eşitliğinden hesaplanabilir.
Dedektörlerin aşırı kullanımı kristalden geçen ölçülen ışınımın bozucu etkisinden dolayı kristal
yapısının kafesine zarar verebilir. Bu etkiler hafifçe iyonize ışınım (β-partikülleri veya γ ışınları)
için küçük etkiye sahiptir. Fakat ağır partiküllerin kullanıldığı tipik şartlar altında etki oldukça bariz
olmaktadır. Örneğin silikon engel dedektörlerinin füzyon fragmentlerine uzun süre maruz
bırakılması kaçak (sızıntı) akımdaki ölçülebilir bir artışa ve dedektörün enerji çözünürlüğünde
bariz bir kayba neden olacaktır. Aşırı ışınım hasarı sonucu tek-enerjili partiküller için kaydedilen
pals yüksekliği spektrumunda çoklu pikler görülebilir.
Yukarıda değinildiği gibi difüzyonlu jonksiyon diyotları ve yüzey engel diyotları nüfuz eden
ışınımın dedeksiyonu için tam uygun değildir. Ana sınırlama bu algılayıcıların 2-3 mm’yi nadiren
geçen sığ aktif hacmidir. Bu ise örneğin γ ışını spektroskopisi için yeterli değildir. Bu dedektörlere
ışınımın daha fazla nüfuzu için pratik bir metot iyon sürükleme (drift) işlemidir. Bu yaklaşım
dengeli donor katkı sayısı ile kalın bir bölge meydana getirmekten oluşur ve malzemeye p veya n
özelliği ekler. İdeal şartlar altında denge mükemmel ise yekpare malzeme saf yarı iletkenden (p ve
n gibi her iki özellikte olmayan) oluşur. Bununla beraber gerçekte mükemmel pn dengesine asla
ulaşılamaz. Si veya Ge’da olabilecek en yüksek saflıktaki saf malzeme p tipi olmaya meyillidir.
İstenilen kompanzasyonu başarmak için donor atomlarının eklenmesi gerekir. En pratik
kompanzasyon donoru lityumdur. Fabrikasyon işlemi p kristaline lityum difüzyonunu içerir;
böylece lityum donorları açıktaki yüzeye yakın n tipi bölge meydana getirerek büyük ölçüde
orijinal alıcıların sayısını artırır. Daha sonra sıcaklık yükseltilir ve jonksiyon ters polarlanır. Bu
durum orijinal katkının mükemmele yakın kompanzasyonu için p tipi içine lityum donorlarının
yavaşça sürüklenmesi ile sonuçlanır. Ulaşılan dengeyi korumak için dedektörün düşük sıcaklıkta
tutulması gerekir: germanyum dedektörleri için 77 K. Silikon çok düşük iyon hareketliliğine sahip
olduğundan dedektör oda sıcaklığında tutulabilir ve çalıştırılabilir. Bununla beraber germanyuma
(Z=32) kıyasla silikonun (Z=14) daha düşük atom sayısı γ ışınlarının dedeksiyonunda silikonun
veriminin çok düşük olması anlamındadır ve genel γ ışını spektroskopisinde yaygın olarak
kullanılmaz.
Lityum sürüklemeli dedektörün basitleştirilmiş şeması şekil 17.5a’da görülmekte ve öz kristalin

ortada bulunduğu üç bölgeden oluşmaktadır. Daha büyük aktif hacimli dedektörler yapmak için
biçim silindirik yapılır (şekil 17.5b); 150 cm3 ’e kadar aktif hacimli Ge gerçekleştirilebilmektedir.
Germanyum lityum sürüklemeli dedektörler Ge(Li) ile gösterilir.
(a) dedektörün yapısı (b) dedektörün koaksiyel konfigürasyonu
Şekil 17.5 Lityum sürüklemeli pin-jonksiyonlu dedektör
Silikon ve germanyum dedektörlerin yaygın popülaritesine bakılmaksızın bazı görüş açılarından

ideal değillerdir. Örneğin, germanyumun ısıl olarak üretilen akımın azaltılması için daima çok
düşük sıcaklıklarda çalıştırılması gerekirken silikon γ ışınlarının dedeksiyonunda verimli değildir.
Oda sıcaklıklarında ışınımın dedeksiyonunda oldukça kullanışlı bazı yarı-iletkenler vardır. Bunlar
kadmiyum tellürit (CdTe), Civa iyodin (HgI2), galyum arsenit (GaAs), bizmut trisülfit (Bi2S3) ve
galyum selenit (GaSe). Bazı yarı-iletken malzemelerin ışınım dedektörleri için kullanışlı özellikleri
tablo 17.2 de verilmiştir.
Tablo 17.2 Bazı yarı-iletken malzemelerin özellikleri

Malzeme Z Bant aralığı, eV Elektron-boşluk başına enerji, eV
Si (300 K) 14 1,12 3,61
Ge (77 K) 32 0,74 2,98
CdTe (300 K) 48-52 1,47 4,43
HgI2 (300 K) 80-53 2,13 6,5
GaAs (300 K) 31-33 1,43 4,2
Bu kitabın hazırlanması aşamasında muhtemelen en popüler malzeme kadmiyum tellürit olup oda
sıcaklığında çalışabilen yeterli büyük bant aralığı enerjisi (1,47eV) ile oldukça yüksek Z değerini
(48 ve 52) üzerinde taşır. Yüksek saflıktaki kristaller öz dedektörün fabrikasyonu için CdTe’den
oluşturulabilir. Alternatif olarak klorin katkısı ekseriyetle alıcıların fazlalığının kompanzasyonu ve
malzemeyi yakın öz tipi yapmak için kullanılır. Ticari olarak CdTe dedektörler çap olarak 1-50 mm
boyutunda ve gürültüde aşırı bir artışa gitmeksizin 50 °C ye kadar sıcaklıklarda rutin olarak
çalıştırılabilir. Böylece mevcut iki tip CdTe dedektörü vardır: saf ve katkılı tip. Saf tipinin 10 Ωcm
kadar yüksek hacim direncine sahip olmanın yanında enerji çözünürlüğü büyük değildir. Katkılı tip
daha iyi enerji çözünürlüğüne sahip olmakla beraber daha düşük direnç (10 Ωcm) ve daha yüksek
sızıntı akımına neden olur. Bunların yanında bu dedektörler performanslarını bariz ölçüde
azaltabilen polarizasyona eğimlidirler.
Katı hal dedektörlerinde gaz doldurulmuş dedektörlerde olduğu gibi çoğaltma etkisinin başarılması
da mümkündür. Orantılı dedektörün bir benzeri düşük enerjili ışınımın gözlenmesinde kullanışlı
olan çığ dedektörüdür. Böyle bir dedektörün kazancı ekseriyetle birkaç yüz aralığındadır. Bu yarı-
iletken içinde yüksek seviyeli elektrik alanları meydana getirilerek elde edilir. Aynı zamanda
ışınım PSD’leri de mevcut olup çalışma prensibi yakın kızıl ötesi bölgede fonksiyonda bulunan
benzer algılayıcılara benzemektedir.
1. Elektromanyetik spektrumda nükleer ışınım bölgesi ile diğer spektral aralığı karşılaştırınız ve
radyoaktiviteyi açıklayınız.
2. Parıltı dedektörlerinin çalışma prensibi nedir?
3. Parıltı işleminde kullanılacak malzeme hangi özelliklere sahip olmalıdır?
4. İyonizasyon dedektörlerinin çalışma prensibi nedir?
5. Katı hal ışınım dedektörü hangi özelliklere sahip olmalıdır?

18 ELEKTROMANYETİK ALAN DEDEKTÖRLERİ
18.1 MANYETİK ALAN ALGILAYICILARI

Manyetik alan ölçümleri jeomanyetik çalışmaları, denizcilik, gemicilik, navigasyon, üretim
işlemleri, tıp, vb. alanlarda yaygın olarak kullanılır. Manyetik alan ölçen aletler manyeto-metre
olarak adlandırılır. Bunların çoğunda elektronik devreler kullanılır ve ekseriyetle hareketli parçalar
içermez. Keşfedilen ilk algılayıcı muhtemelen manyetik pusuladır. M.Ö. 2634’de Çinde iki
tekerlekli bir savaş arabası bir manyetit parça ipek iplik ile asılı tutularak yönlendirilmiştir. 1070
yılında Çinliler ilk önce deniz ulaşımında manyetik pusula kullanmışlardır. Avrupa’da, deniz
pusulasının Marko Polo tarafından Çin’den getirildiği 1269’dan beri bilinmektedir. Manyetik
pusulanın Hava ulaşım topluluğu’na tanıtılması bir Fransız deniz Teğmeni olan Jean Canneau
tarafından 1911 de Paris’ten Madrid’e bir hava yarışında gerçekleşmiştir. Manyetik alan yerin en
önemli karakteristiklerinden biridir. Şiddeti ortalama 0,5 gauss civarındadır. Alan iki kısımdan
oluşmakta ve iç kısım toplamın % 90’ıdır. Yerin çekirdeği ve kabuğu arasındaki diferansiyel
rotasyona mal edilmektedir. Dış kısım toplamın % 10’udur ve iyonosferik halka akımlarından
olduğu bilinmektedir. Alan hem zaman hem de uzayla değişen bir dipol ile temsil edilebilir. En
uygun dipolün yeri merkezden 440 km uzaklıkta ve dünyanın dönüş ekseninden 11° eğimlidir.
Modern manyetik pusulalarda mıknatıslanmış iğne yerine daha duyarlı manyetik alan dedektörleri
kullanılmıştır. Bunun ana nedeni iğneli pusulaların bazı dezavantajlarından dolayıdır. Birincisi
mekanik pusulanın iğne takımının hareketinin sönümü özellikle zor olduğundan herhangi bir
sönümlendirici ortamın hareketli aracın çerçevesindeki alıcıya tutturulması gerekmektedir. Bundan
dolayı taşıtın hareketleri sönümlendirici ortamdan geçerek iğne takımına iletilir. İkincisi taşıtta
meydana gelen elektromanyetik veya ferromanyetik anomaliler yerin manyetik alanının etkilediği
gibi aynı yolla pusulayı etkiler. Bu lokal manyetik alanlar belli bir ölçüde pusulanın yakınındaki
küçük sabit mıknatıslar veya elektromıknatısların manipülasyonu ile giderilebilir. Hava taşıtında
belirgin diğer problem kuzeye dönüş hatasıdır ki özellikle hava taşıtı kuzeye yönlendiğinde hatayı
artırır. Mekanik pusulanın ikamesi için önemli gelişmeler NASA Langley Araştırma Merkezinde
yapılmıştır.
Manyetometre veya manyetik dedektörlerin iki sınıfı vardır. Birisi toplam alan manyetometresi
olarak adlandırılan yönsüz aygıt olup aygıtın içinden geçen manyetik alanın genliğinin bir
fonksiyonu olan çıkış üretir; bu metotta aygıtla manyetik alanın vektörel ilişkisinin ne olduğu
önemli değildir. Bu sınıf, proton-yalpa manyetometreleri ve optik pompalamalı manyetometreleri
içerir. İkinci sınıf vektörel manyetometreleri içermekte olup sadece duyarlı eksene paralel manyetik
alan bileşeninin genliğine duyarlıdır. Bu doyumlu nüve, Hall etkili ve manyetorezistif
manyetometreleri içine alır.
Manyetik alan ölçümleri manyetik algılayıcılar için önemli bir uygulamadır. Bununla beraber
bunların pratik sistemlerde geniş kullanım alanları pozisyon, kuvvet ve basınç ölçümleri, yakınlık
dedeksiyonu, açısal hızın algılanması ve kuvvetli elektrik akımlarının ölçümüdür.
18.1.1 AKI GİRİŞ ALGILAYICILARI
Zayıf manyetik alanların doğru ölçümünde çoğu algılayıcılar öncelikle akı-giriş adındaki prensibe
dayanır. Şekil 18.1a da mumetal, permaloy veya süper malloy gibi yüksek geçirgenlikli tipik nüve
malzemesinin B-H eğrisinin genel biçimi görülmektedir. Nüveye uygulanan H manyetik alanı bir B
manyetik akısı indükler:
B = μH (18.1)
(b) doymamış nüve

etrafındaki manyetik alan
(c) doymuş nüve

etrafındaki manyetik alan
(a) Ferromanyetik nüvenin mıknatıslanma

eğrisi
Şekil 18.1
Burada, μ malzemenin geçirgenliğidir. B ’nin daha fazla artışı ile malzeme doyuma gider yani
manyetik akısı daha fazla artmaz. Başka bir ifadeyle doyumdaki geçirgenliği aşırı derecede küçük
olur. Bu malzemelerde bir miktar histerezis vardır ki B’ nin artan ve azalan değerlerinde farklı yol
izleyen bir eğriye neden olur. Nüve doyumda değilken (μ yüksek) nüve malzemesi çevreleyen
uzayda manyetik akı hatlarına düşük empedanslı bir yol gibi davranır. Malzemenin hemen
bitişiğindeki akı hatları şekil 18.1b’deki gibi nüvenin içine çizilmiştir. Nüve doyumda iken
manyetik akı hatlarının yönü nüve tarafından etkilenmez (şekil 18.1c). Her zaman nüve doymamış
durumdan doyum durumuna ve bunun tersi bir durum altında kalır; manyetik akı hatları bir değişim
altındadır. Nüvenin etrafına sarılmış bir toplayıcı veya alıcı sargı vardır ve manyetik akı hatları
nüveden dışarı çekilirken sargıda kısa süreli bir pozitif akım palsi indükler. Manyetik akı hatları
nüvenin içine doğru çekilirken ise sargıda kısa süreli negatif akım palsi indükler. Bu kısa süreli
akımların genliği algılayıcı sargının eksenine paralel yatan akı vektörünün şiddeti ile doğrudan
orantılıdır. Palsin yönü bu vektörün yönünü gösterir.
Elektromanyetik Alan Dedektörleri 417
Bu etkiyi manyetik alanın algılanmasında kullanışlı yapmak için nüvenin doyum içine ve dışına
sürülmesi gerekir. Bu alternatif akım ile uyartılan (şekil 18.2a) ikinci bir sargı (sürme sargısı)
eklenerek yapılabilir. Uyartım sargısı algılayıcı sargıda akım indükleyerek bu akımın indüklenen
harici akı palslerinin üzerine ekleneceği açıktır (şekil 18.2b). Bu sinyaller doğrulukta bariz bir
kayıpla beraber elektriksel olarak birbirinden ayrılabilir.
(a) Çiftli sargı algılama metodu (b) çıkış palsleri

Şekil 18.2
Daha iyi bir yaklaşım uyartım sargısını algılayıcı sargıda istenilmeyen bir sinyal indüklemesine
meydan vermeden nüveyi doyuma götürecek şekilde yerleştirmektir. Ortogonal (veya transflux)
olarak adlandırılan bu metot uyartım sargısını algılayıcı sargıya göre dik açıda yerleştirmeye
dayanır; böylece içinde bir indükleme akımı meydana getiremez. Şekil 18.3a metodun pratik
popüler uygulamasını göstermektedir. Burada uyartım sargısında toroidal nüve ve algılayıcı sargıda
silindirik sargı kullanılır. Şekil 18.3b algılayıcı sargıdaki palsleri göstermektir. Bu palsler
jeomanyetik uygulamalarında yerin manyetik alanının nüveden içeri ve dışarı doğru geçmesi ile
indüklenir.
(a) Toroidal nüveli manyetometre (b) çıkış palsleri
Şekil 18.3
18.1.2 HALL ETKİSİ ALGILAYICILARI
Hall etkisi algılayıcıları manyetik alanın hem yönüne ve hem de şiddetine tepki verirler. Algılayıcı
gerilim kaynaklarının dirençler ile seri bağlandığı bir direnç köprüsü ile temsil edilebilir.
Hall algılayıcıları ile ilgili bir problem oldukça büyük offset gerilimidir. Bu gerilim aygıtın
kalibrasyonu süresinde düzeltilebilir. Bununla beraber çok daha güvenilir bir yol offset geriliminin
dinamik olarak giderilmesidir. Şekil 18.4a manyetik alan yokken Hall algılayıcısının eşdeğer
devresini göstermektedir. Dirençlerin eşlenmemesinden dolayı algılayıcı bir offset gerilimi taşır.
Offset gerilimi işleme teknikleri ve piezo-elektrik etki içeren birçok nedenin sonucudur. Manyetik
alan dik ve algılayıcı düzleminden dışarı doğru uygulandığında çıkış gerilimi algılayıcıdaki
manyetik akı yoğunluğunun genliği ile orantılı miktarda artar. Bu gerilim
⎛ W ⎞ R'− R
ΔVa = V2 − V1 = ⎜ μ H E ⎟B + E (18.2)
⎝ L ⎠ 2( R + R ' )
ile temsil edilebilir. Burada, μH elektron Hall hareketliliği, W/L Hall elemanın etkili genişlik
uzunluk oranı, E uyartım gerilimi, β manyetik akı yoğunluğu, R nominal köprü direnci ve R'
eşlenmemiş köprü direncidir. (18.2) deki ikinci terim ile tanımlanan hatayı azaltmanın bazı
metotları vardır. Bir yol aygıtın kalibrasyon işlemi süresince offset’i sıfırlamaktır. Diğer ve daha
verimli metot offsetin dinamik olarak giderilmesidir. Metot düşük iletim dirençli ve yüksek kesim
dirençli hızlı analog anahtarlar kullanılarak köprü terminallerinin anahtarlanmasına dayanır. Şekil
18.4b aynı algılayıcıyı terminali ters bağlı olarak göstermektedir yani V2 çıkışı ve uyartım
terminalleri toprak ve V1 terminalleri ile beraber anahtarlanır. Bu anda yeni Hall gerilimi aşağıdaki
gibi yazılır:
⎛ W ⎞ R '− R
ΔVb = V2 − V1 = ⎜ μ H E ⎟B − E (18.3)
⎝ L ⎠ 2( R + R ' )
(a) (b)
Şekil 18.4 Farklı iki bağlantı metodu ile Hall algılayıcısının eşdeğer devresi
Offset terimi işaretini değiştirirken manyetik alana bağımlı terim bu değişimle etkilenmez. Bu
metot uygulanan alanın varlığında Hall offsetini iptal etmenin bir yolunu sunmaktadır. ΔVa ve ΔVb
gerilimleri toplanarak
⎛ W ⎞
ΔV = 2⎜ μ H E ⎟B (18.4)
⎝ L ⎠
elde edilir; burada B’nin köprünün değişik durumlarında ihmal edilebilir değiştiği varsayılmıştır.
Toplama işlemi analog toplayıcı veya geleneksel anahtarlamalı kapasitör devresi ile yapılabilir.
Sıfırlama devresi Hall algılayıcısı ile arabirimli tamamen diferansiyel anahtarlamalı kapasitör
kazanç katından oluşmaktadır. Kazanç sağlamaya ek olarak kazanç katı A/D çevrimi için kullanışlı,
Hall etkisi algılayıcısından ardışık iki örneğin toplamasına izin veren örnekleme ve tutma
fonksiyonu (φ3 anahtarları) içerir. Yükseltici kendi DC offsetini sıfırlar ve işlemsel yükselticinin
düşük frekanslı gürültüsünü bastırır. Ek bir diferansiyel katı simetrilik durumundan simetri olmama
durumuna dönüşüm ve ek kazanç, A sağlar. Offset sıfırlama devresinin çıkış gerilimi saat sinyalinin
uygun bir sırasından sonra aşağıdaki gibi olur:
Co ⎛ W ⎞
Vçıkış = 2 A ⎜ μH E ⎟B (18.5)
Cf ⎝ L ⎠
Şekil 18.5 de görülen devrenin pratik uygulaması geri besleme anahtarlarından, φ5 diferansiyel yük
enjeksiyonunun giderilmesi gereğinden dolayı biraz daha karmaşıktır. Bu daha karmaşık yükseltici
tasarımı ile yapılabilir. Çıkış geriliminin sıcaklık bağımlı olduğuna dikkat edilmelidir çünkü μH
sıcaklığın bir fonksiyonudur. Bu bağımlılığın kompanzasyonu için sıcaklık kompanzasyonunun
standart teknikleri kullanılabilir.
Şekil 18.5 Hall algılayıcısında offset geriliminin giderilmesi için anahtarlamalı kapasitör devresi
Silikon n-dopingli Hall algılayıcısının sıcaklık kompanzasyonunun etkili bir metodu sıcaklık kararlı
akım kaynağı, Io kullanmaktır. Hall algılayıcısı sabit gerilim kaynağı yerine Io ile beslenir. Bu
durumda uyartım gerilimi
L
E = I o RH = I o (18.6)
qμ N N DWt
olur. Burada, μN elektron sürüklenme (drift) hareketliliği, t Hall elemanının kalınlığı, ND n-well
katkı yoğunluğu ve q elektron yüküdür. Yukarıdaki E eşitliği (18.5) eşitliğinde yerine konularak
Co μ H I o
Vçıkış = 2 A B (18.7)
C f qμ N N D t
elde edilir. μH yaklaşık olarak μN’ye eşit olduğundan çıkış gerilimi (18.5) eşitliği ile tanımlanandan
daha fazla sıcaklık kararlıdır.
Hall levhalarının etkililiği akı yoğunlaştırıcı kullanılarak geliştirilebilir. Şekil 18.6 da görüldüğü
gibi yüksek manyetik geçirgenlikli iki manyetik çubuk arasına Hall levhası yerleştirilir. Çubuklar
ölçülecek manyetik alanla paralel olacak şekilde tutulur.
Şekil 18.6 Manyetik

yoğunlaştırıcı kullanılarak
manyetik alanın yoğunlaştırılması
Hall Levhası
Hall levhasının bulunduğu yerdeki alan yoğunlaştırıcı uygulanmadığı duruma göre daha büyüktür.
Çubuklar arasındaki açıklık küçük ve çaplarına göre boyları büyükse 100 den büyük yükseltilme
faktörleri oluşturulabilir. Çoğu uygulamalar için çubukların bilinmeyen alana paralel ayarlanması
gerektiğinden manyetik yoğunlaştırıcı kullanımı pek pratik olmamaktadır.
18.1.2.1 HALL ETKİSİ İLE ELEKTRİK AKIMININ ÖLÇÜMÜ
Manyetik alanın yönü ile ilgili bir uygulama elektrik akımının kontaksız ölçümünde görülebilir.
Şekil 18.7 de görüldüğü gibi böyle bir aygıt hava boşluğundaki Hall levhası ile manyetik nüveden
oluşmaktadır. Ölçülecek akım iletken boyunca geçer. Akım tarafından oluşturulan manyetik alan
Hall levhasının düzlemine dik manyetik alan meydana getiren yumuşak demir nüveyi manyetik
hale getirir. Böyle bir aygıtın büyük bir avantajı akımın genliğinin ölçülmesi için devrenin
kesilmesinin gerekmediğidir. Şekildeki konfigürasyon 1 A ile 1000 A arasındaki büyük akımların
ölçülmesi için uygundur. Bir iletken yerine sargı kullanılması durumunda daha küçük akımların
ölçülebilmesi için hava aralığı uygun hale getirilir. Bir konfigürasyonla ölçülebilecek maksimum
akım manyetik malzemenin gösterdiği doyum etkisine bağlıdır. Bu durumda histerezis nedeniyle
Hall gerilimi akımın genliğinin bir fonksiyonu olmaz. Bu ölçüm metodunun akım transformotorlu
olanlardan farkı AC ’ye ek olarak DC ’yi de ölçebilmesidir.
B Hall Levhası
Manyetik Nüve
(a) Akımın kontaksız ölçümü için manyetik nüve ve

(b) Hall akım algılayıcısı
Hall levhası
Şekil 18.7
18.1.2.2 ÜÇ BOYUTLU ALAN HARİTASI ÇIKARMA
Manyetik devrelerin veya sabit mıknatıs düzenlemelerinin optimizasyonu için manyetik alanın 3
bileşeninin yüksek uzaysal kararlılık ile eşzamanlı ölçümünde manyetik alan algılayıcılarına büyük
ihtiyaç vardır. Böyle bir algılayıcı bir küp’ün ortogonal yüzlerine 3 adet Hall levhasının
yerleştirilmesiyle yapılır. Bununla birlikte böyle bir yapı istenilen yüksek uzaysal kararlılığı
göstermez. Kordic 1988 yılında ilk kez dikey manyetotransistör prensibine dayalı 10 × 10 × 10 μm3
uzaysal kararlılığında 3 boyutlu alan haritası algılayıcılarını ortaya çıkarmıştır (şekil 18.8).
(a) (b)
Şekil 18.8 (a) Manyetik alanın x, y ve z bileşenlerinin eş zamanlı ölçümü için manyetik
algılayıcının kollektör düzenlemesinin şematik diyagramı; (b) manyetik alanın x, y ve z
bileşenlerine kollektörlerin tepkisi (ΔIzx manyetik alanın x bileşeninin neden olduğu z
kollektörlerinin akım farkıdır)
18.1.2.3 HALL ÇARPICILARI
Hall gerilimi akım ve manyetik alanın çarpımı ile orantılıdır. Çarpıcıların yapımına izin veren çok
sayıda fiziksel etki bulunmamaktadır; Hall etkisi bunlardan biri olup analog çarpıcıların yapımında
kullanılabilir.
YÜK
Şekil 18.9 Hall güç sayacının

şematik gösterilişi
T
Hall Gerilimi
Çarpılan Hall levhasından geçen akım ile orantılı ve çarpan uygulanan manyetik alanla orantılı
olduğunda Hall gerilimi sonuç çarpım ile orantılıdır. Hall levhasının çarpma kapasitesinin ilginç bir
uygulaması elektrik güç sayaçlarıdır. Şekilde 18.9 da görüldüğü gibi Hall levhası manyetik nüvenin
hava aralığına yerleştirilmiştir. Yük akımı hava aralığında kendisiyle orantılı manyetik alan
meydana getirir. T transformotorunun sargısından geçen akım Hall levhasına transformotor
aracılığı ile uygulanan yük gerilimi ile orantılıdır. Bileşenler iyi tasarımlanmışsa Hall gerilimi
yükte harcanan güç ile orantılıdır. Evlerde kullanılan elektromekanik watt/saat sayaçlarının yerine
bunların kullanılması durumunda doğrusallık, zamanla değişim, offset ve çalışma aralığı ile ilgili
gereksinimlerin ayarları iyi yapılmalıdır.
18.1.3 MANYETO-REZİSTİF ALGILAYICILAR
Manyetorezistif etki harici manyetik alanın varlığında akım taşıyan manyetik malzemenin
direncinin değişim özelliği olarak iyi bilinen bir etkidir. Bu değişim akım yönüne göre
mıknatıslanmanın dönüşünden kaynaklanır. Örneğin permalloy (% 20 demir ve % 80 nikel içeren
ferromanyetik alaşım) durumunda mıknatıslanmanın 90° dönüşü dirençte % 2 - % 3’lük bir
değişim meydana getirecektir. Düşük sıcaklıklarda bazı malzemeler, örneğin bizmut direncini 106
kadar büyük bir faktörle değiştirebilir. Çoğu iletkenlerin manyeto-rezistivite’si pozitiftir; örneğin
dirençleri manyetik alanın varlığında artar. Az sayıda diğer iletkenler ise negatif manyeto-rezistif
özelliği taşırlar ki bunun iletkenin homojen olmayan yapısı ile ilişkili olduğu görülmektedir.
Manyeto-rezistivitenin temel nedeni elektronların çarpışmalar arasında eğri yollar izlemesine neden
olan Lorentz kuvvetidir. Manyetik alanın küçük değerleri için dirençteki değişim manyetik alan
şiddetinin karesi ile orantılıdır. Büyük manyetik alanlar için ise dirençteki değişim yine manyetik
alan şiddetinin karesi ile değişmeye devam edebilir, doyuma gidebilir veya karmaşık patern
izleyebilir.
Manyeto-resiztif algılayıcının fabrikasyonu silikon yapı üzerine yerleştirilmiş permalloy şeritlerden

yapılır. Her şerit dolambaçlı patern’de düzenlenir (şekil 18.10) ve Wheatstone köprüsünün bir
kolunu oluşturur. Köprü dengesizliğinin derecesi manyetik alan şiddetinin veya tam anlamıyla
akım yönüne normal permalloy şeritlerin düzlemindeki manyetik alan değişiminin bir göstergesi
olarak kullanılır. Düzeltme ve ayarlama amaçları için yapı üzerine ek sabit direnç yerleştirilir. Bu
dirençler manyetik alan sıfır iken köprüyü dengeye getirmek için lazerli sistemle ayarlanmıştır.
Üretim işlemi süresince kuvvetli bir manyetik alan şerit eksenine paralel uygulanır. Bu permalloy
şeritlerde tercihli bir mıknatıslanma yönü meydana getirir. Böylece harici manyetik alanın
yokluğunda bile mıknatıslanma daima şeritlerle aynı doğrultuya gelmeye meyilli olacaktır. Bu
yüzden algılayıcı şeritlerin dahili mıknatıslanması kararlı iki pozisyona sahiptir. Eğer herhangi bir
nedenden dolayı algılayıcı dahili manyetik alanına zıt güçlü bir manyetik alanın etkisi altına
girmesi gerekirse mıknatıslanma bir pozisyondan diğer pozisyona değişerek döner ve şeritler zıt
yönde mıknatıslanır (örneğin +x den -x yönüne).
(a) Wheatstone köprüsünün kollarını oluşturan dört manyeto-rezistör (b) eşdeğer devre
Şekil 18.10
Şekil 18.11 de görüldüğü gibi bu durum algılayıcının karakteristiklerinde köklü değişimlere

öncülük edebilir. Şekildeki düz çizgi normal bir algılayıcının karakteristiğini göstermekte (örneğin
+x yönünde mıknatıslanma ile) ve kesik çizgi pozisyonu dönmüş algılayıcı içindir. Algılayıcının
mıknatıslanmasının döndürülmesi için gerekli H-x manyetik alanı Hy enine alanının genliğine
bağlıdır. Hy alanının büyük olması ile H-x alanı daha küçük olur. Bunun nedeni şudur: Hy’nin daha
büyük alanları için mıknatıslanma hemen hemen 90° ye yaklaşır ve bundan dolayı alanın -x
yönünde buna karşılık gelen kararlı pozisyona döndürülmesi daha kolay olacaktır. Bu durum şekil
18.12a’da görülmektedir; Hy’nin bazı değerleri için Hx’in bir fonksiyonu olarak algılayıcının çıkış
gerilimini, Vo göstermektedir.
Şekil 18.11 Manyeto-rezistif algılayıcının

karakteristiği. Koyu çizgi +x yönünde
yönlenmiş mıknatıslanma ile normal
algılayıcının ve kesik çizgi ise pozisyonu
dönmüş algılayıcının karakteristiğini
göstermektedir
Örneğin Hy = 0,5 kA/m değerinde düşük şiddetli enine alan Hx’in olabilecek bütün değerleri için
kararlı algılayıcı karakteristikleri ile sonuçlanır ve 1 kA/m’lik bir ters alan pozisyonun
döndürülmesi için gerekir. Hy = 4 kA/m de diğer taraftan algılayıcı Hx’in çift pozitif değerlerine
kayacaktır (1 kA/m civarında). Şekil aynı zamanda pozisyonun dönmesinin ani olmadığını
göstermektedir. Bu farklı permalloy şeritlerin farklı dönme işlemlerinin (flipping) sonucudur. Daha
da ötesi büyük bir histerezis etkisinin olduğu da görülebilecektir ve son olarak (şekil 18.12)
algılayıcının duyarlılığı Hx’in artışı ile azalmaktadır.
(a) Hy’nin bazı değerleri için Hx’in fonksiyonu (b) Hx’nin bazı değerleri için Hy’in fonksiyonu
olarak algılayıcının çıkış gerilimi, Vo olarak algılayıcının çıkış gerilimi, Vo
Şekil 18.12
Yukarıdaki tartışma bazı pratik tavsiye maddeleri ile özetlenebilir:
1. Algılayıcıyı negatif harici alanların, H-x etkileyebileceği ortamda çalıştırmaktan kaçının.

Tercihen Hy’nin çalışma aralığında herhangi bir pozisyon dönmesi ihtimalinden korumak için
yeterli genlikte pozitif yardımcı alan, Hx uygulayınız.
2. Kararlı çalışmayı sağlayacak minimum yardımcı alan kullanınız. Yardımcı alanın büyük
olması duyarlılığın daha düşük olmasıdır. KMZ10B algılayıcısı için tavsiye edilen minimum
yardımcı olan 1 kA/m’dir.
3. Algılayıcının ilk kullanımından önce en azından 3 kA/m’lik pozitif yardımcı alan

uygulayınız. Bu alan etkin olarak algılayıcının geçmişini silecek ve artık histerezis’in kalmasını
engelleyecektir.
Dünyanın manyetik alanı gibi zayıf manyetik alanlar ölçülürken algılayıcının dahili
mıknatıslanması ortamda mevcut kaçak manyetik alanlar tarafından pozisyon dönme tehlikesi
altında olabilir. Zayıf manyetik alanların ölçümündeki daha ileri bir problem ölçümün doğruluğu
olup hem algılayıcının ve hem de yükseltici offset’inin sapması veya hatası ile sınırlanır. Bu
problemler KMZ10 algılayıcılarının pozisyon dönme (flipping) karakteristikleri kullanılarak ve
algılayıcıyı bir sargı ile beslemek suretiyle çözülebilir; sargının eksenel alanı periyodik olarak
ardışık pozitif ve negatif pals’ler ile yön değiştirir. Sonuç olarak sargının içine yerleştirilmiş
algılayıcının dahili mıknatıslanması (şekil 18.13a) sürekli olarak normal durumundan ters
polariteye ve bunun tersine pozisyon değiştirir (şekil 18.13b). Böylece ortamda mevcut kaçak
manyetik alanların etkisi ortadan kaldırılmış olur. Bunların yanında offset gerilimi de AC yükseltici
kullanılarak elimine edilir. Daha sonra çıkış pozisyon dönme (flipping) kaynağı ve demodülatör’ün
ortak saat sinyali ile kontrol edilen bir senkron demodülatör ile doğrultulabilir. Sonuç DC çıkış
gerilimi ölçülecek manyetik alan ile orantılıdır.
(a) Bir sargılı tertibat, sargının

(c) algılayıcının çıkış
manyetik alanı periyodik olarak (b) pals diyagramı
karakteristikleri
yön değiştirir
Şekil 18.13 Manyeto-rezistif algılayıcı ile zayıf manyetik alanların ölçülmesi. Algılayıcı uçları
sargı eksenine paraleldir
Algılayıcı bağlantı uçlarına paralel dahili mıknatıslanmaya sahip olduğundan algılayıcının sargı
eksenine paralel bağlantı uçları ile sargının içine monte edilmesi gerekir. Sargı tarafından
uygulanan anahtarlama alanının 3 kA/m den daha az olmaması gerekir. Donanım içinde başka
yardımcı alan olmadığından donanımın duyarlılığı yaklaşık olarak 22 mV/V/(kA/m) dir ve 50
A/m’ye kadar alanlar kararlılık problemi olmaksızın ölçülebilir.
Bir örnek olarak şekil 18.14 birbirine dik monte edilmiş iki KMZ10A1 algılayıcısı kullanan
manyetik pusulayı göstermektedir. Burada da yine sargının içindeki alan offset ve değişmeye (drift)
bağımlı olmayan çıkış sinyallerinin elde edilmesi için periyodik olarak anahtarlanır. Orantılı
pusulanın alan yönü iki çıkış sinyalinin yönüne bağımlı ve bunların mutlak değerlerine bağımlı
olmadığından sıcaklık düzeltilmesine ihtiyacı yoktur. Pusula için uygun sargı bir sargı kalıbına
sarılmış bakır iletkenden 0,35 mm çapında iletkenden 100 sipir olabilir; bu sargının direnci 0,8 Ω,
indüktansı 37 mH ve eksenel manyetik alanı 8,3 (kA/m)/A dir.
Şekil 18.14 Sargı içinde birbirine ortogonal iki manyetorezistif algılayıcı kullanan manyetik pusula
18.1.4 MANYETİK KAYIT BAŞLIKLARI
Disk hafızalarının yoğunluğunun artışı ile okuma/yazma başlıkları geliştirilmiştir. Bu gelişim,

manyetik geçişlerin indüktif olarak algılanması yerine Ni-Fe filmlerinin manyetik rezistivite
özelliğine dayanan okuma başlıklarıyla doğrudan alan ölçümleri ile mümkün olmuştur. Hall
levhaları ve manyetotransistörlerin manyetik kayıtta (MR) kullanılmasının çeşitli nedenleri vardır.
Manyetik kayıt başlıklarının sinyal/gürültü (S/N) oranı silikon aygıtların sinyal/gürültü oranına
göre üstünlük sağlamış ve gerekli track (iz) ve bit yoğunluğuna izin vermiştir.
İndüktif başlıklara kıyasla MR başlarının başka bir avantajı alışılagelmiş indüktif kayıtta olduğu
gibi manyetik alana duyarlı olup zaman türevine duyarlı değildir. Bundan dolayı MR başlıkları
kredi kartları ve benzerlerinin üzerindeki manyetik izlerin okunması için de uygundur. MR başları
manyetik Ni-Fe tabakaları ve ince film sargılarının kombinasyonundan oluşur ve yarı-iletken
teknolojisinden alınmış hassas biriktirme işlemi ile yapılır. Şekil 18.15 de indüktif ve manyetik
kayıt ve okuma başlıkları görülmektedir.
(a) İndüktif okuma ve kayıt başlığı (b) Manyetik okuma başlığı
Şekil 18.15
Yakın gelecekte silikon Hall levhaları veya MR’nın manyetik kayıt işleminde çok önemli rol
oynacağı görülmemektedir. Optik kayıt başlıkları ile 107 bits/cm² ve daha fazla yoğunluklar
alınabildiğinden bundan sonraki yıllarda manyetik kayıt başlıkları yerine tamamen optik kayıt ve
okuma işleminin kullanılacağı beklenmektedir. Optik kayıt ve okuma işlemi yapan aygıtlara örnek
olarak CD ve DVD’ler verilebilir.
18.2 BOLOMETRELER
Bolometreler minyatür RTD veya termistörlerdir; esas olarak mikro dalgalardan uzak kızıl ötesi
çok geniş spektral aralık içinde elektromanyetik sinyallerin RMS değerlerinin ölçümünde
kullanılır. Uygulamalar kızıl ötesi sıcaklık dedeksiyonu ve görüntüleme, yüksek güçlü lokal
alanların ölçümleri, mikro dalga silahların test edilmesi, tıbbi mikro dalga ısıtmanın gözlenmesi,
vb. içerir. Çalışma prensibi emilen elektromanyetik sinyal ve kayıp güç arasındaki temel ilişkilere
dayanır. Bolometredeki enerji dönüşüm adımları aşağıdaki gibidir:
1. Omik direnç elektromanyetik ışınıma maruz bırakılır. Işınım direnç tarafından emilir ve
ısıya dönüştürülür.
2. Emilen ısı direncin sıcaklığını çevre sıcaklığının üzerine çıkartır.
3. Sıcaklığın artışı elektromanyetik gücün temsilidir. Doğal olarak bu sıcaklık farkı uygun
bir metot ile ölçülebilir. Sıcaklık ölçüm metotları 19. Bölümde anlatılmaktadır. Burada kısaca
bolometrenin fabrikasyonunun en yaygın metotlarına değinilecektir.
Gerilim polarlamalı bolometre uygulamasının temel devresi şekil 18.16a’da görülmektedir. Devre
R direncinde bir bolometre, kararlı referans direnci Ro ve E polarlama geriliminden oluşur. Ro’ın
uçlarındaki V gerilimi devrenin çıkış sinyalidir. Bu gerilim her iki direnç eşit olduğunda en yüksek
değerdedir. Bolometrenin gelen elektromanyetik ışınıma (EM) duyarlılığı
αεZ T E
βv = (18.8)
4 1 + (ωτ ) 2
olarak ifade edilebilir. Burada, α = (dR / dT ) / R bolometrenin TCR’si (direncin sıcaklık katsayısı),
ε yüzey yayıcılığı, ZT bolometrenin tasarım ve destekleyici yapısına bağlı ısıl direnci, τ
bolometrenin ısıl kapasitesine ve ZT ’ye bağlı ısıl zaman sabiti ve ω frekanstır.
(a) Elektriksel polarlamalı bolometrenin eşdeğer

(b) optik bolometrenin tasarımı
devresi
Şekil 18.16
Bolometrenin sıcaklık artışı, ∆T
E2
ΔT = T − To = PE Z T = ZT (18.9)
4R
olduğundan ve RTD bolometrenin direnci basitleştirilmiş (19.7) eşitliği ile
R = Ro (1 + α o ΔT ) (18.10)
olarak temsil edilebildiğinden (18.8) eşitliği
1 Ro ZT ΔT
β v = εα o (18.11)
2 (1 + α o ΔT )[1 + (ωτ ) 2 ]
olarak yazılabilir. Bu yüzden bolometrenin tepkisini geliştirmek için elektriksel direncinin ve ısıl
empedansının artırılması gerekir.
Bolometrelerin fabrikasyonu ekseriyetle ince tellere asılı termostatlar olarak yapılır. Bolometre
fabrikasyonunun diğer popüler metodu ekseriyetle Nikrom metal film biriktirme tekniği
kullanımıdır. Çoğu modern bolometrelerde ısıldirenç ince film malzeme mikro makina tekniği ile
işlenmiş silikonun yüzeyine veya silikon çerçeve ile desteklenen bir cam üzerine biriktirilir.
Şekil 18.17a kaviteli yapı üzerine biçimlendirilmiş metal film bolometreyi göstermektedir.
Uygulama yerine bağlı olarak yapı alüminyum oksit, seramik, cam, yalıtılmış metal veya silikon
yaprakcıktan hazırlanabilir. Küçük kavite aynı yapıya biçimlendirilmiştir. Alüminyum seramikler
yüksek hızlı elmas matkaplar ile delinebilir veya uygun boşluklar ile önceden biçimlendirilirken
silikon dilimi şeklindeki yaprakcıklar kazınabilmektedir. Daha sonra yapı üzerine yapışkan
tamponlar (pad) hazırlanır ve yapının yüzeyine organik veya inorganik film konularak bunun en
üzerine ince metal film biriktirilir. Metal film (nikel, altın veya bizmut) bolometreyi oluşturur.
Alternatif olarak ince zar ardışık metal vakum biriktirmeli arka tarafı kazınmış silikon yaprakcık
olabilir.
(a) Delinmiş ve kazınmış iki tip kavite tipi (b) iki boyutlu bolometre
Şekil 18.17 İnce film bolometreler
Şekil 18.18 altından yapılmış büklümlü biçimli bir ölçüm katmanını göstermektedir. Bolometrenin
fabrikasyonu öncelikle parlatılmış ve oksitlenmiş alüminyum folyodan bir taşıyıcı üretilerek
yapılır. İletken altın tabaka oksit tabaka üzerine yüksek vakumda bir maskeden geçirilerek
buharlaştırılır. İletken tabakanın kalınlığı 20 nm civarındadır. Taşıyıcının arka tarafı altın
bolometrik direnci destekleyen çok ince alüminyum oksit tabaka oluşturmak için kazıma ile
biçimlendirilir.
Şekil 18.18 Aluminyum oksit

tabaka üzerine biçimlendirilmiş
altın film bolometre
Gelen, odaklanmış elektromanyetik ışınımın pozisyonunun dedekte edilmesi istenildiğinde bu

amaca uygun iki boyutlu bolometre şekil 18.17b de görüldüğü gibidir. Bolometre dört kontak ile
ince bir bizmut katmanından biçimlendirilmiştir. Bizmut katman kontaklar arasında dağıtılmış
sıcaklığa duyarlı dirençleri oluşturur. R1 - R4 dirençleri ayrı ayrı ölçülür. Algılayıcının yüzeyine bir
ışınım enerjisi odaklandığında ışınım enerjisinin lekesinin (izinin) ilgili kontaklara yakınlığı ile
orantılı olarak dirençlerin değeri değişir.
(18.11) eşitliğine göre bolometre tasarlanırken daima çözülmesi gereken kritik problem (veya bu
amaca yönelik diğer bir sıcaklık algılayıcısı için) algılayıcı elemanın destekleyici yapı, bağlantı
iletkenleri ve arabirim elektronik devreleri ile iyi ısıl yalıtımını sağlamaktır. Yoksa elemandaki ısı
kaybı büyük hatalar ve azalmış duyarlılık ile sonuçlanabilir. Isı yalıtımını sağlamanın bir metodu
metal iletkenleri tamamen elimine etmek ve bolometrenin sıcaklığını fiber-optik tekniği kullanarak
ölçmektir. Tasarımda (şekil 18.16b) minyatür bolometre optik probun ucunda askıda tutulur ve
sıcaklığı fluoroptik sıcaklık algılayıcısı ile ölçülürken diğer benzer optik algılayıcılar ∆T’yi
hesaplamak için çevre sıcaklığını ölçmektedir.

1. Akı giriş algılayıcılarının çalışma prensibi nedir ve nerede kullanılır?
2. Hall-etkili algılayıcıların çalışma prensibi nedir ve nerede kullanılır?
3. Akımın kontaksız ölçümü nasıl yapılır? Akım transformotoru ile Hall etkili akım algılayıcısını
karşılaştırınız.
4. Manyeto rezistif algılayıcıların çalışma prensibi nedir ve nerede kullanılır?
5. Manyetik, indüktif ve optik kayıt ve okuma başlıklarını karşılaştırınız.
6. Dönen iğne takımı olmaksızın statik manyetik pusula nasıl tasarlanabilir?
7. Bolometrenin çalışma prensibi nedir ve nerede kullanılır?
19 SICAKLIK ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİ
Tarih öncesi zamanlardan beri insanlar ısıdan haberdardı ve sıcaklığını ölçerek şiddetini
değerlendirmeye çalışıyordu. Muhtemelen sıcaklığın algılanması için en basit ve kuşkusuz en
yaygın kullanılan fenomen ısıl genleşmedir. Bu, cam termometrelerdeki sıvının temelini oluşturur.
Elektriksel dönüşüm için algılamanın farklı metotları kullanılır. Bunlar: rezistif, ısıl-elektrik, yarı-
iletken, optik ve piezo-elektrik dedektörlerdir. Sıcaklığın alınması veya ölçülmesi temelde cismin
ısıl enerjisinin küçük bir kısmının algılayıcıya iletimini gerektirir; algılayıcının fonksiyonu bu
enerjiyi elektriksel sinyale dönüştürmektir. Temaslı bir algılayıcı cismin üzerine veya içine
yerleştirildiğinde cisim ve prob arasındaki ara yüzey boyunca ısı iletimi yer alır. Prob ısınır veya
soğur; örneğin cisim ile ısı değişimi yapar. Ne kadar küçük olursa olsun bir prob ölçme alanını
bozucu yönde etkileyecektir. Bu algılamanın bütün metotları için geçerlidir: kondüktif, konvektif
ve ışınım. Böylece uygun algılayıcı tasarımı ve doğru ölçüm tekniği ile hatanın en aza indirilmesi
bir mühendislik ve tasarım problemi olmaktadır.
Temaslı sıcaklık ölçümü kontak yüzeyi ve probun iç kısmı arasında ısıl gradyan olmadığı sürece
tam olarak kabul edilmektedir. Bu işlem belli bir zaman alır çünkü prob yerleştirildikten sonra
özellikle temas yüzeyi kuru ise cisim ve algılayıcı arasındaki ısıl dengeye ulaşma yavaş bir işlem
olabilir. Sıcaklık hesaplamasının tahmini metodu kullanıldığında bir sıcaklık dengesi
gerekmemektedir; burada denge noktası ısı transfer oranı ile belirlenir.
Temaslı algılamada transfer edilen ısı miktarı termometrenin algılama elemanının ani sıcaklığı, T
ve cisim sıcaklığı, T1 arasındaki sıcaklık gradyanı ile orantılıdır:
dQ = aA(T1 − T )dt (19.1)
Burada, a algılayıcı-cisim arayüzeyinin ısıl iletkenliği ve A ısı veren yüzeydir. Eğer algılayıcı c
özgül ısılı ve m kütleli ise emilen ısı
dQ = mcdT (19.2)
dir. Eğer bağlantı ve destek yapısı boyunca algılayıcıdan çevreye olan ısı kaybı ihmal edilirse
(19.1) ve (19.2) eşitlikleri birinci derece bir diferansiyel eşitlik verir:
aA(T1 − T )dt = mcdT (19.3)
Isıl zaman sabiti, τT
mc
τT = (19.4)
αA
olarak gösterilir ve akabinde diferansiyel eşitlik
dT dt
= (19.5)
T1 − T τ T
biçimini alır. Bu eşitliğin çözümü
T = T1 − Ke −t / τ T (19.6)
dir; burada, K sabittir. Bu analizde T1 algılayıcının başlangıç sıcaklığından bağımsız olarak dikkate
alınmıştır. Bu cismin ısıl kütlesinin algılayıcının ısıl kütlesinden çok kez daha büyük ve cismin ısıl
iletkenliğinin yüksek olduğu duruma karşılık gelmektedir. Böyle bir cisim sonsuz ısı kaynağı (veya
yutak, soğutucu) olarak adlandırılır.
Yukarıdaki çözüme karşılık gelen T sıcaklığının zaman geçiciliği şekil 19.1a’da görülmektedir.
Zaman sabiti T sıcaklığının T ve T1 arasındaki başlangıç gradyanının % 63,2’sine ulaşması için
gereken zamana eşittir. Zaman sabiti küçük ise algılayıcı sıcaklıktaki değişimlere daha hızlı tepki
verir.
(a) algılayıcı cisimle ideal kuplajlı (b) algılayıcı çevresine ısı kaybediyor
Şekil 19.1 Isıl algılayıcının sıcaklık değişimleri
Teorik olarak T1 ve T arasındaki mükemmel dengeye ulaşmak sonsuz zaman almaktadır. Bununla
beraber ekseriyetle sadece sonlu doğruluk gerekli ve yeterli olduğundan en pratik durumlar için bir
kısmi-denge durumu 5-10 zaman sabitlerinden sonra dikkate alınabilir. Eğer algılayıcı sadece
sıcaklığı dönüştürülen cisimle temasta olmayıp belli bir ölçüde diğer cisimlerle de irtibatlı ise ek bir
hata meydana gelir. Diğer cisimlere örnek bir bağlantı kablosu olabilir. Kablonun bir kısmı
algılayıcıya bağlı iken diğer kısmı cisimden oldukça farklı olabilen çevre sıcaklığına maruzdur.
Kablo hem elektrik sinyali ve hem de algılayıcıdaki ısının bir kısmını iletir. Şekil 19.1b, bu
durumda algılayıcının asla cismin gerçek T1 sıcaklığına ulaşamayacağını göstermektedir. Bu ısı
kaybı sonucu algılayıcının sıcaklığı, ∆T farkı kadar azalmış olarak (T1 yerine) daha düşük T2
seviyesinde kalır. Tipik temaslı sıcaklık algılayıcısı aşağıdaki bileşenlerden oluşur (şekil 19.2a):
¾ Algılayıcı eleman – kendi sıcaklığındaki değişime tepki verebilen malzeme. İyi bir elemanın
düşük özgül ısı, yüksek ısıl iletkenlik, güçlü ve tahmin edilebilir sıcaklık duyarlılığına sahip
olması gerekir.
Sıcaklık Algılayıcı ve Dönüştürücüleri 431
¾ Kontaklar iletken pad, tampon veya teller olup algılayıcı eleman ve harici elektronik devre
arasındaki arabirim görevi görürler; kontakların olabilecek en düşük ısıl iletkenliğe ve
elektriksel dirence sahip olması gerekir. Aynı zamanda bunlar ekseriyetle algılayıcıyı da
taşımaktadır.
¾ Koruyucu bir zarf, kılıf veya dış kaplama algılayıcı elemanı çevreden fiziksel olarak ayırır.
İyi bir kılıf düşük ısıl dirence ve yüksek elektriksel yalıtım özelliklerine sahip olmalıdır. Neme
ve algılayıcı elemanı hatalı olarak etkileyebilecek diğer faktörlere karşı geçirgen olmaması
gerekir.
Temassız sıcaklık algılayıcısı (şekil 19.2b) ısıl ışınım algılayıcısı olup tasarımı 16. Bölüm’de
açıklanmıştır. Burada sıcaklığa tepki verebilen algılayıcı eleman içeren temaslı algılayıcıdan
bahsedilmektedir. Bu algılayıcı ek olarak optik pencere ve beraberinde arabirim devresine sahip
olabilir.
(a) temaslı algılayıcı (b) ısıl ışınım algılayıcısı
Şekil 19.2 Sıcaklık algılayıcılarının genel yapısı
19.1 ISILDİRENÇ ALGILAYICILARI
1821’de Sir Humphry Davy farklı metallerin direncinin sıcaklığa bağımlı olduğuna dikkat etmişti.
1871’de Sir William Siemens ilk önce platin dirençli termometrenin kullanımını anahatları ile
belirtmiştir. 1887’de Hugh Callendar bir makale yayınlayarak platin sıcaklık algılayıcılarının pratik
olarak nasıl kullanıldığını açıklamıştır. Isıldirenç algılayıcıların avantajları arabirim devrelerinin
basitliği, duyarlılığı ve uzun dönem kararlılığındadır. Böyle bütün algılayıcılar üç gruba ayrılabilir:
RTD’ler, pn-jonksiyonlu dedektörler ve termistörler.
19.1.1 REZİSTANS SICAKLIK DEDEKTÖRLERİ (RTD)

Bu terim ekseriyetle iletken tel veya ince film şeklinde fabrikasyonu yapılmış metal algılayıcılar ile
doğrudan ilişkilidir. Bütün metallerin ve çoğu alaşımların dirençlerinin sıcaklık bağımlılığı
bunların sıcaklık algılanılmasında kullanılmasına bir fırsat verir (tablo 4.3). Gerçekte bütün
metaller hemen hemen algılamada kullanılabilirken platin tahmin edilebilir tepkisi, uzun dönem
kararlılığı ve dayanıklılığından dolayı eşi bulunmaz bir özelliğe sahiptir. Tungsten RTD’ler
ekseriyetle 600 °C’nin üzerindeki sıcaklıklar için uygulanır. Bütün RTD’ler pozitif sıcaklık
katsayılarına sahiptir. Bunların bazı çeşitleri farklı üreticilerde mevcuttur:
¾ İnce film RTD’ler ekseriyetle mikromakina ile işlenmiş ince silikon zar gibi uygun yapı
üzerine ince platin veya alaşımlarından fabrikasyonu yapılmıştır. RTD’ler sıklıkla yeterli
büyüklükte uzunluk/genişlik oranını elde etmek için serpantin şeklinde yapılır.
¾ Tel sarımlı RTD’lerde platin sargı bir seramik tüp içinde yüksek sıcaklığa dayanıklı cam
yapıştırıcı ile kısmi olarak tutturulur. Bu konstrüksiyon endüstriyel ve bilimsel uygulamalar
için en kararlı dedektör tipi olmaktadır.
Uluslararası Pratik Sıcaklık Skalası’na (IPTS-68) göre hassas sıcaklık aygıtlarının bazı
malzemelerin tekrarlanabilir denge durumlarında kalibrasyonunun yapılması gerekir. Bu skala
kelvin sıcaklıklarını T68 ve Celsius skalasını t68 ile gösterir. (4.5.10) eşitliği platin için en uygun
ikinci derece yaklaşımı verir. Endüstride soğuk ve sıcak olarak adlandırılan sıcaklıklar için farklı
yaklaşımların kullanılması adet haline gelmiştir. Callendar-van Dusen yaklaşımları platinin transfer
fonksiyonunu temsil etmektedir:
-200 °C ile 0 °C aralığı için

Rt = Ro [1 + At + Bt 2 + Ct 3 (t − 100°)] (19.7a)
ve 0 °C ile 630 °C aralığı için bu (4.5.10) ile aynıdır:
Rt = Ro [1 + At + Bt 2 ] (19.7b)
A, B ve C sabitleri algılayıcının konstrüksiyonunda kullanılan platin’in özellikleri tarafından
belirlenir. Alternatif olarak Callendar-van Dusen yaklaşımı
⎧⎪ ⎡ ⎛ t ⎞⎛ t ⎞
3
⎛ t ⎞ ⎛ t ⎞⎤ ⎫⎪
Rt = Ro ⎨1 + α ⎢t − δ ⎜ ⎟⎜ − 1⎟ − β ⎜ ⎟ ⎜ − 1⎟⎥ ⎬ (19.8)
⎪⎩ ⎣⎢ ⎝ 100 ⎠⎝ 100 ⎠ ⎝ 100 ⎠ ⎝ 100 ⎠⎦⎥ ⎪⎭
olarak yazılabilir. Burada, t °C olarak sıcaklık ve A, B ve C katsayıları

⎛ δ ⎞
A = α ⎜1 + ⎟, B = −α δ 10 −4 , C = −α β 10 −8 (19.9)
⎝ 100 ⎠
dir. δ ’nın değeri yüksek sıcaklıkta kalibrasyon ile elde edilir; örneğin çinkonun donma noktasında
(419,58 °C) ve β negatif sıcaklıkta kalibrasyon ile elde edilir.
Tablo 19.1 Sıcaklık referans noktaları (Tripple noktası maddenin katı, sıvı ve buhar fazları
arasındaki dengedir)
Noktanın tanımı °C Noktanın tanımı °C
Hidrojenin tripple noktası -259,34 Kalay’ın donma noktası 231,968
Normal hidrojenin kaynama noktası -252,753 Bizmut’un donma noktası 271,442
Oksijenin tripple noktası -218,789 Kadmiyum’un donma noktası 321,108
Azotun kaynama noktası -195,806 Kurşun’un donma noktası 327,502
Argonun tripple noktası -189,352 Çinko’nun donma noktası 419,58
Oksijenin kaynama noktası -182,962 Antimon’un donma noktası 630,755
Karbon dioksitin süblimleşme noktası -78,476 Aluminyum’un donma noktası 660,46
Civanın donma noktası -38,836 Gümüş’ün donma noktası 961,93
Suyun tripple noktası 0,01 Altın’ın donma noktası 1064,43
Suyun donma noktası (su-buz karışımı) 0,00 Bakır’ın donma noktası 1084,88
Suyun kaynama noktası 100,00 Nikel’in donma noktası 1455
Benzoik asitin tripple noktası 122,37 Paladyum’un donma noktası 1554
İndiyum’un donma noktası 156,634 Platin’in donma noktası 1769
IPTS-68 ile uyuşması için Callendar-van Dusen yaklaşımının düzeltilmesi gerekir. Düzeltme
oldukça karmaşık ve kullanıcının IPTS-68’in detaylarını incelemesi gerekir. Farklı ülkelerde bazı
ulusal özellikler RTD’lere uygulanır. Örneğin Avrupa’da bunlar BS 1904; 1984; DIN 43760-1980;
IEC 751; 1983 ve Japonya’da JIS C1604-1981. USA’da farklı şirketler α değerleri için kendi
standartlarını geliştirmişlerdir. Örneğin SAMA Standart RC21-4-1966 α = 0,003923 °C-1 ’i
belirtirken Avrupa DIN standardı α = 0,003850 °C-1 ve İngiliz Hava Taşıt endüstrisi standartı α =
0,003900 °C-1 belirtmektedir.
Ekseriyetle RTD’lerin laboratuvarda yüksek doğrulukla tekrarlayabilen standart noktalarda

kalibrasyonu yapılır (tablo 19.1). Bu noktalarda yapılan kalibrasyon α ve δ yaklaşık sabit
değerlerinin hassas belirlenmesine izin verir.
Tel sarımlı RTD’lerin tipik toleransları ±10 mΩ olup ±0,025 °C’ye karşılık gelmektedir. Yeterli
doğruluğu sağlama ve aygıtın paketleme yalıtımının ciddi olarak dikkate alınması gerekir. Bu
durum yalıtkanların direncinin bariz olarak düşebileceği yüksek sıcaklıklarda özellikle doğrudur.
Örneğin 550 °C’de paralel 100 MΩ’luk direnç -0,0075 °C’lik sıcaklık hatasına karşı gelen 3
mΩ’luk rezistif hata ile sonuçlanacaktır.
19.1.2 SİLİKON REZİSTİF ALGILAYICILAR

Yekpare silikonun iletken özellikleri PTC karakteristikli sıcaklık algılayıcılarının fabrikasyonunda
başarı ile uygulanmıştır. Philips tarafından üretilen KTY sıcaklık dedektörleri iyi doğrusallığa
(basit kompanzasyon devreleri ile geliştirilebilen) ve uzun dönem kararlılığına (yıl başına tipik
olarak ±0,05 K) sahiptir. Pozitif sıcaklık katsayısı bu dedektörlerin ısıtma sistemlerinde çalışmasını
doğal olarak güvenli hale getirmektedir - orta seviyede bir aşırı ısınma (200 °C den aşağı) RTD’nin
direncini artırarak kendiliğinden koruma ile sonuçlanır.
Saf silikon, polisilikon veya tek kristal silikon saf negatif direnç sıcaklık katsayısına sahiptir (şekil
5.8.2a). Bununla beraber silikon n tipi katkı ile dopinglendiğinde belli bir sıcaklık aralığında
sıcaklık katsayısı pozitif olur (şekil 19.3). Bunun nedeni daha düşük sıcaklıklarda yük taşıyıcı
hareketliliğindeki düşmedir. Daha yüksek sıcaklıklarda serbest yük taşıyıcılarının sayısı, n doğal
olarak üretilen ni yük taşıyıcıların sayısından dolayı artar ve silikonun öz yarı-iletken özellikleri
baskın hale gelir. Böylece 200 °C’den aşağı sıcaklıklarda ρ direnci pozitif sıcaklık katsayısına
sahip iken 200 °C’den yukarı sıcaklıklarda negatif olur. Temel KTY algılayıcısı bir tarafı metalize
hale getirilmiş ve diğer tarafında kontak alanına sahip olarak 500×500×240 μm yaklaşık
boyutlarına sahip n tipi silikon hücreden oluşur. Bu üretim toleranslarında algılayıcının
bağımlılığını bariz şekilde azaltarak kristal boyunca konik bir akım dağılımına neden olan yayılmış
direnç etkisi üretir. KTY algılayıcısı özellikle yüksek akımlarda ve yüksek sıcaklıklarda akım
yönüne biraz duyarlı olabilir. Bu problemi azaltmak için ters seri tasarım kullanılarak iki algılayıcı
çiftli algılayıcı oluşturmak için ters polaritelerde seri bağlanır.
PTC silikon algılayıcısının tipik duyarlılığı % 0,7/°C seviyesinde yani direnci her santigrat derece
için % 0,7 değişir. Diğer algılayıcılar gibi yumuşak bir doğrusalsızlık ile KTY algılayıcısının
transfer fonksiyonu ikinci derece bir polinom ile yakınlaştırılabilir:
RT = Ro [1 + A(T − To ) + B (T − To ) 2 ] (19.10)
Burada, Ro ve To bir referans noktasındaki direnç (Ω) ve sıcaklık (K) tır. Örneğin -55 ile +150 °C
aralığında çalışan KTY-81 algılayıcıları için katsayılar: A = 0,007874 K-1 ve B = 1,874×10-5 K-2 dir.
Tipik bir algılayıcının transfer fonksiyonu şekil 19.4’de görülmektedir.
19.1.3 TERMİSTÖRLER
Termistör terimi sıcaklık (temperature) ve direnç (resistor) kelimelerinin kısaltılmışıdır. Bu ad
ekseriyetle damla, çubuk, silindir ve kalın film şeklinde fabrikasyonu yapılan metal-oksit
algılayıcılar için kullanılır. Termistörler iki gruba ayrılır: NTC (negatif sıcaklık katsayısı) ve PTC
(pozitif sıcaklık katsayısı).
Şekil 19.3 n-dopingli

silikon için serbest yük
taşıyıcılarının direnci ve
sayısı
Şekil 19.4 KTY silikon

sıcaklık algılayıcısının
transfer fonksiyonu
19.1.3.1 NTC TERMİSTÖRLER
Geleneksel metal oksit termistör negatif sıcaklık katsayılı (NTC) yani direnci sıcaklığın artışı ile
azalır. NTC termistör elemanın direnci diğer dirençler gibi fiziksel boyutları ve malzemesinin
direnci ile belirlenir. Direnç ve sıcaklık arasındaki ilişkinin doğrusallığı iyi değildir (şekil 4.5.4).
Pratikte bu bir polinom ile veya en popüler ılımlı doğruluk uygulamalarında olduğu gibi üstel
fonksiyon ile yakınlaştırılabilir. Normalde üstel yaklaşım için termistör iki sayı ile belirlenir: bir
referans sıcaklığında (To = 25 °C) anma direnci, RTo ve duyarlılığı temsil eden β değeri:
⎛1 1 ⎞
β ⎜⎜ − ⎟⎟
⎝ T To ⎠
RT = RTo e (19.11)
Burada, RT kelvin cinsinden ölçülen T sıcaklığındaki dirençtir. β termistörün karakteristik sıcaklığı

olarak adlandırılır. Değeri (kelvin derece olarak) iki farklı T1 ve T2 sıcaklıklarında R1 ve R2 direnç
ölçümü ile belirlenir:
1 R1
β= ln (19.12)
⎛1 1 ⎞ R2
⎜⎜ − ⎟⎟
⎝ T To ⎠
Bu eşitlik dar bir sıcaklık aralığı uygulamasında yeterli doğrulukta olabilir. β bir termistörü
belirtmekle beraber doğrudan duyarlılığını tanımlamaz; termistörün duyarlılığı negatif sıcaklık
katsayısıdır, α(NTC). Bu (19.11) eşitliğinin diferansiyeli ile bulunabilir:
1 dRT β
α= =− 2 (19.13)
RT RT T
NTC’nin hem β ve hem de sıcaklığa bağımlı olduğu görülmektedir. Bir termistör düşük
sıcaklıklarda çok daha duyarlıdır ve duyarlılığı (NTC) sıcaklığın artışı ile hızlıca düşer. Gerçekte β
sabit değildir ve sıcaklığa tamamen bağımlıdır. Bu yüzden üstel ifade (19.11) sadece çok özen
gerektirmeyen uygulamalar için yeteri kadar iyidir. Hassas ölçümler için Steinhart-Hart ilişkisi
termistörün direncinden kelvin olarak sıcaklığının hesaplanmasında yaygın olarak endüstri
uygulamasında kabul görmektedir. Eşitlik üçüncü derece deneysel bir polinomdur:
1
= A + B ln RT + C ln 3 RT (19.14)
T
Burada, A, B ve C deneysel olarak çıkartılmış katsayılardır. Bu katsayıları bulmak için üç eşitlik
sisteminin üç farklı sıcaklık için çözülmesi gerekir. Steinhart-Hart direnç eşitliği
⎧⎡ 1/ 3 1/ 3
⎫
⎪ α α2 β3 ⎤ ⎡ α α2 β3 ⎤ ⎪
RT = exp⎨⎢− + + ⎥ + ⎢− − + ⎥ ⎬ (19.15)
⎪⎩⎢⎣ 2 4 27 ⎥
⎦ ⎢⎣ 2 4 27 ⎥ ⎪
⎦ ⎭
biçimini alır; burada,

1
A− B
α= T , β= (19.16)
C C
dir. (19.15) eşitliği yaklaşık ±0,02 °C’lik doğrulukla sonuçlanır. Daha hassas ölçümler için yüksek
dereceli polinomların kullanılması gerekir.
NTC termistörlerde duyarlılık, α -% 2/°C (skalanın ılık tarafı) den -% 8/°C (skalanın soğuk tarafı)
sıcaklık aralığında değişir ve bu çok duyarlı bir aygıt olduğu anlamına gelmektedir; kabaca
RTD’ye göre daha sıcaklık duyarlı. Bu özellikle oldukça dar sıcaklık aralığında yüksek çıkış sinyali
istenildiği uygulamalarda önemlidir.
Genel olarak termistörler fabrikasyon metoduna bağlı olarak üç ana grupta sınıflandırılabilir.
Birinci grup boncuk tipi termistörlerden oluşur. Boncuklar çıplak, cam kaplanmış, epoksi veya
metal ceket içine kutulanmış olabilir (şekil 19.5). Bütün bu boncuklar seramik gövde ile
sinterlenmiş, platin alaşımı iletken uçlara sahiptir. Fabrikasyonu yapılırken uygun bir kapak ile
metal oksit karışımının uygun bir kısmı hafifçe gerdirilmiş paralel iletken uçların üzerine
yerleştirilir. Karışımın kurumasına veya kısmi olarak sinterlenmesine izin verildikten sonra
boncuğun telleri destekleyici yapıdan ayrılır ve bir tüp fırına son sinterleme için yerleştirilir. Metal
oksit bu fırınlama işlemi süresince iletken uçlar üzerinde büzülür ve özel bir elektriksel yapışkan
biçimini alır. Daha sonra boncuklar telden ayrı ayrı kesilir ve uygun bir kaplama ile kaplanır.
Şekil 19.5 Cam ve epoksi kaplı

termistörler
Diğer bir termistör tipi iletken uçlar yerine yüzey kontakları bulunan çip termistördür. Ekseriyetle
çiplerin fabrikasyonu bir teyp döküm işlemi ile ve akabinde ekran baskı, boyama veya yüzey
elektrotlarının vakum metalizasyonu ile yapılır. Çipler yaprak şeklinde veya istenilen geometride
kesilir. Eğer istenilirse çipler istenilen toleransı karşılamak için topraklanabilir.
Termistörlerin üçüncü tipinin fabrikasyonu cam, alüminyum, silikon, vb. gibi uygun yapı üzerine
yarı-iletken malzemenin biriktirilmesi ile yapılır. Bu termistörler entegre algılayıcılar ve ısıl kızıl-
ötesi dedektörlerin özel sınıfında kullanılmak için tercih edilir.
Metal yüzeyli temaslı termistörler arasında yaprak biçiminde ve kaplanmamış çipler en kararsız
olanlardır. Uygun kararlılık epoxy kaplama ile elde edilebilir. Seramik gövde içine sinterlenmiş
iletken uçlu boncuk tipi 550 °C’ye kadar yüksek sıcaklıklardaki çalışmaya izin verir. Metalize
yüzeyli temaslı termistörler ekseriyetle 150 °C’ye kadar anma değerlerindedir.
Hızlı tepki zamanı istenildiğinde boncuk termistörler tercih edilmekle beraber çip tipine göre daha
pahalıdır. Bunların yanında boncuk termistörlerde istenilen anma değerini ayarlamak daha zordur.
NTC termistörlerin kullanımında olabilecek hata kaynaklarına dikkat edilmelidir. Bunların biri
eskime olup düşük kaliteli algılayıcılarda bu +% 1/yıl kadar büyük olabilir. Şekil 19.6 da
sinterlenmiş cam kaplı cam termistörlere kıyasla epoxy kaplanmış çip termistörlerin direncindeki
tipik yüzde değişim görülmektedir. İyi bir çevresel koruma ve önceden eskitme metodu algılayıcı
karakteristiğinin kararlı hale getirilmesinde güçlü bir metottur. Önceden eskitme süresince
termistör en azından 700 saat süresince +300 °C’de tutulur. Daha iyi bir koruma amacıyla algılayıcı
paslanmaz çelik ceket içinde epoxy ile doldurularak kutulanır.
Termistörün performansında önemli diğer bir problem kendiliğinden ısınma etkisidir. Termistör
modülasyonlu algılayıcı sınıfına girer yani çalışması için uyartım sinyaline ihtiyaç duyar. Sinyal
ekseriyetle termistörden geçen DC veya AC’dir. Akım Joule ısısına ve akabinde sıcaklık artışına
neden olur. Çoğu uygulamalarda bu ölçülen cismin sıcaklığının yanlış belirlenmesi ile
sonuçlanabilen bir hata kaynağıdır. Farklı diğer uygulamalarda kendiliğinden ısınma etkisi sıvı
akışı, ısıl ışınım ve diğer uyarıcıların algılanmasında ise başarı ile kullanılır.
Elektrik gücü uygulandığında termistördeki ısıl olayların analizi yapılabilir. Şekil 19.7a da akım
sınırlayıcı R direncinden geçerek RT termistörüne bağlı E gerilim kaynağı görülmektedir.
Şekil 19.6 Termistörlerin uzun

dönem kararlılığı
(b) termistörün sıcaklığı ısıl zaman sabiti, τT ile

(a) Termistörden geçen akım termistörü ısıtır.
yükselir (PL : çevreye olan kayıp ısıl güç)
Şekil 19.7
Devreye P elektrik gücü uygulandığında (şekil 19.7b’deki iletim anı) termistöre sağlanan enerji
oranı kaybolan HL enerji oranı ile termistörün gövdesi tarafından emilen Hs enerji oranının
toplamına eşit olmalıdır. Emilen enerji termistörün ısıl kapasitesinde, C depo edilir. Güç denge
eşitliği
dH dH L dH s
= + (19.17)
dt dt dt
dir. Enerjinin korunumu kanununa göre termistöre verilen ısıl enerji oranı E gerilim kaynağı ile
verilen elektrik gücüne eşittir:
dH V2
= P = T = VT i (19.18)
dt R
Burada, VT termistördeki gerilim düşümüdür. Termistörden çevresine kaybolan ısıl enerji oranı
termistör ve çevre sıcaklığı, Ta arasındaki ΔT sıcaklık gradyanı ile orantılıdır:
dH L
PL = = δΔT = δ (Ts − Ta ) (19.19)
dt
Burada, δ kayıp faktörü olup termistörden çevresine olan ısıl iletkenliğe eşittir. Bu kayıp gücün ve
sıcaklık gradyanının (verilen bir çevre sıcaklığında) oranı olarak tanımlanır. Kayıp faktörü
algılayıcının tasarımı, iletken uçların uzunluk ve kalınlığı, termistör malzemesi, destekleyici
bileşenler, termistör yüzeyinden ısıl ışınım ve termistörün yerleştirildiği ortamın bağıl hareketine
bağlıdır.
Isı emme oranı algılayıcı takımının ısıl kapasitesi ile orantılıdır:

dH s dT
=C s (19.20)
dt dt
Bu oran termistörün Ts sıcaklığını çevre sıcaklığının üzerine yükseltir. (19.19) ve (19.20) eşitlikleri
(19.18)’de yerine konularak
dH dT
= P = Ei = d (Ts − Ta ) + C s (19.21)
dt dt
elde edilir.
Yukarıdaki eşitlik termistörün ısıl davranışını tanımlayan diferansiyel bir eşitliktir. Şimdi bu iki
durum için çözülür. Birinci durum algılayıcıya verilen sabit elektrik gücüdür: P = sabit. Bu
durumda (19.21) eşitliğinin çözümü
δ
P⎡ − t⎤
ΔT = (Ts − Ta ) = ⎢1 − e C ⎥ (19.22)
δ ⎢⎣ ⎥⎦
olur. Burada, e doğal logaritmanın tabanıdır. Yukarıdaki çözümde görülmektedir ki elektrik
gücünün uygulanması üzerine algılayıcının sıcaklığı çevre sıcaklığının üzerine üstel olarak
yükselecektir. Bu bir ısıl zaman sabiti, τ T = C / δ ile karakterize edilen geçici durumu
belirtmektedir. Burada 1 / δ = rT ’nin değeri algılayıcı ve çevresindekiler arasındaki ısıl direnç
anlamına sahiptir. Üstel geçicilik şekil 19.7b’de görülmektedir.
Kararlı durum seviyesine, Ts ulaşmak için yeteri kadar uzun beklemenin üzerine (19.21)
eşitliğindeki değişim oranı sıfıra eşit olur ( dTs / dt = 0 ) ve daha sonra ısı kaybı oranı verilen güce
eşit olur:
d (Ts − Ta ) = δΔT = VT i (19.23)
Eğer düşük besleme gerilimi ve yüksek direnç seçimi ile i akımı çok düşük yapılırsa sıcaklık
yükselmesi ΔT ihmal edilebilecek kadar küçük olur ve kendiliğinden ısınma hemen hemen
yokedilir. Bu durumda (19.21) eşitliğinden
dTs δ
= − (Ts − Ta ) (19.24)
dt C
elde edilir. Bu diferansiyel eşitliğin çözümü bir üstel fonksiyonla (19.6) sonuçlanarak algılayıcının
τT zaman sabiti ile çevre sıcaklığının değişimine tepki verdiği anlamına gelmektedir. Zaman sabiti
algılayıcının çevresiyle kuplajına bağlı olduğundan ekseriyetle belli şartlar için belirlenir; örneğin
durgun havada τT = 1 s @ 25 °C veya karıştırılmış suda 0,1 s @ 25 °C. Yukarıdaki analizin ısı
akışının basitleştirilmiş bir modelini temsil ettiği akılda tutulmalıdır. Gerçekte bir termistörün
tepkisi üstel değişimi iyi olmayan bir biçimdedir.
Bütün termistör uygulamaları üç temel karakteristikten birinin kullanımını gerektirir:
¾ Direnç sıcaklık karakteristiği şekil 4.5.4’de görüldüğü gibi. Bu karakteristiğe dayalı çoğu
uygulamalarda kendiliğinden ısınma etkisi istenilmez. Bundan dolayı termistörün RTo anma
direnci yüksek seçilmeli ve cisimlere olan kuplajı maksimuma çıkartılmalıdır (δ daki artış).
Karakteristik öncelikle sıcaklık algılanması ve ölçümü için kullanılır. Tipik uygulamalar
temaslı elektronik termometreler, termostatlar ve ısıl kesicilerdir.
¾ Akımla zaman değişimi (veya dirençle zaman değişimi) şekil 19.7b’de görüldüğü gibi.
¾ Gerilimle akımın değişim karakteristiği (şekil 19.8) kendiliğinden ısınma etkisinin kullanıldığı
veya ihmal edilemediği uygulamalar için önemlidir. Besleme gücü ve kayıp dengesi (19.23)
eşitliği ile kontrol edilir. Eğer δ ’daki değişimler küçük (ekseriyetle böyledir) ve direncin
sıcaklıkla değişim karakteristiği biliniyorsa bu durumda (19.23) eşitliği statik gerilim ile
akımın değişim karakteristiği için çözülebilir. Bu karakteristik ekseriyetle log-log
koordinatlarında çizilir; sabit dirençli çizgiler +1 eğimli ve sabit güçlü çizgiler -1 eğimlidir
(şekil 19.8).
Şekil 19.8 Durgun havada, 25 °C de NTC termistörün gerilim-akım karakteristiği
Çok küçük akımlarda (şekil 19.8’in sol tarafı) termistörde kaybolan güç ihmal edilebilecek kadar
küçük ve karakteristik belirli bir sıcaklıkta (şekil 19.8’de 25 °C) termistörün sabit direnç çizgisine
tanjant’tır. Bundan dolayı termistör basit bir direnç gibi davranır. Yani VT gerilim düşümü i akımı
ile orantılıdır.
Akım artarken kendiliğinden ısınma da artar. Bunun sonucu olarak termistörün direnci azalır.
Termistörün direnci daha fazla sabit olamadığından karakteristik düz bir çizgiden ayrılmaya başlar.
Karakteristiğin eğimi ( dVT / di ) dirençtir ve akımdaki artışla düşer. Akım artışı dirençteki daha
ileri bir düşmeye öncülük ederek akabinde akımı artırır. Sonuç olarak akım Vp maksimum
geriliminde ip maksimum değerine ulaşacaktır. Bu noktada termistörün direncinin sıfır olduğuna
dikkat edilmelidir. ip deki daha ileri artış eğimde sürekli bir azalma ile sonuçlanacaktır ki direncin
negatif bir değere sahip olması (şekil 19.8’deki sağ taraf) anlamındadır. Hatta akımdaki daha ileri
artış dirençte diğer bir azalma meydana getirecektir; burada algılayıcı terminal uçlarının iletken
dirençleri bir katkı faktörü olmaktadır. Bir termistör asla böyle bir durumda çalıştırılmamalıdır.
Termistör üreticisi ekseriyetle termistörler için maksimum anma gücünü belirtir.
(19.23) eşitliğine göre kendiliğinden ısınan termistörler δ, ΔT veya VT deki değişimlerin ölçümünde
kullanılabilir:
¾ δ ’nın değiştiği yer uygulamaları vakum manometreleri, anemometreler, akış metreler, sıvı
seviye algılayıcıları, vb. içerir.
¾ ΔT ’nin değiştiği yer uygulamaları mikrodalga güç ölçerler, AFIR dedektörleri, vb. içeren
uyarıcılardır.
¾ VT ’nin değiştiği yer uygulamaları otomatik kazanç kontrolu, gerilim regülasyonu, gerilim
sınırlama, vb. gibi bazı elektronik devrelerdir.
19.1.3.2 PTC TERMİSTÖRLER
Bütün metaller PTC malzemeleri olarak adlandırılabilmekle beraber dirençlerinin sıcaklık

katsayıları (TCR) oldukça düşük (tablo 4.4) ve tüm sıcaklık aralığında çok az değişir. Aksine belli
sıcaklık aralığında seramik PTC malzemeleri çok geniş sıcaklık bağımlılığında karakterize edilir.
Bunların fabrikasyonu polikristal seramik maddelerden yapılır. Polikristal seramik maddelerin
taban bileşikleri ekseriyetle baryum titanat veya baryumun katı çözeltileri ve strontiyum titanat
(yüksek dirençli malzemeler) gibi doping katkılarının eklenmesiyle yarı iletken hale getirilir. Curie
sıcaklığının üzerinde kompozit malzemenin ferro-elektrik özellikleri direncindeki bir yükselme ile
birkaç katı seviyesinde hızlıca değişir. PTC termistörünün tipik transfer fonksiyonu eğrisi şekil
19.9 da NTC ve RTD tepkileri ile karşılaştırmalı olarak görülmektedir. Eğrinin biçimi kolay
matematiksel yaklaşıma izin vermediğinden üreticiler ekseriyetle PTC termistörleri bir sayı seti ile
belirtirler. Bu sayılar:
¾ Kendiliğinden ısınmanın ihmal edilebilecek kadar küçük olduğu 25 °C deki sıfır güç direnci,
R25;
¾ Minimum direnç, Rm termistörün TCR’sinin pozitif değerden negatife değiştiği eğrideki

değerdir (m noktası);
¾ Geçici sıcaklık, Tτ direncin aniden değiştiği sıcaklıktır. Bu malzemenin Curie noktası ile
yaklaşık olarak çakışır. Geçici sıcaklıkların tipik aralığı -30 ile +160 °C dir (Keystone Carbon
Co.);
¾ TCR standart formda

1 ΔR
α= (19.25)
R ΔT
olarak tanımlanır. Katsayılar çok bariz olarak değişir ve ekseriyetle x noktasında belirlenir yani
en yüksek değerinde, 2/°C kadar büyük olabilir (dirençte °C başına % 200 değişim
anlamındadır);
¾ Maksimum gerilim, Emax termistörün her sıcaklıkta dayanabileceği en yüksek değerdir.
¾ Isıl karakteristikler ısıl kapasite, kayıp sabiti δ (çevreye olan kuplajın verilen şartları altında
belirlenir) ve ısıl zaman sabiti (belirlenen şartlar altında hız tepkisini tanımlar) ile belirlenir.
PTC termistörlerin iki faktörünün anahtar rol oynadığını anlamak önemlidir: çevresel sıcaklık ve
kendiliğinden ısınma etkisi. Bu iki faktörden her biri termistörün çalışma noktasını kaydırır.
PTC termistörün sıcaklık duyarlılığı şekil 19.10’daki gerilim-akım karakteristiğinde görülmektedir.

Hemen hemen sıfır TCR ile normal direnç Ohm Kanunu’na göre düzgün karakteristiklidir. NTC
termistör gerilim akım bağımlılığının pozitif eğriliğine sahiptir. Negatif TCR’nin göstergesi eğer
böyle bir termistör sabit gerilimli kaynağa bağlanırsa Joule ısı kaybından dolayı kendiliğinden
ısınma sonucu direncinin azalmasıdır. Akabinde bu akımın daha fazla artışına ve daha çok
ısınmaya öncülük edecektir. Eğer NTC termistöründen dışarı ısı akışı sınırlanırsa kendiliğinden
ısınma aşırı ısınmaya ve sonunda elemanın bozulmasına neden olabilir.
Şekil 19.9 PTC ve NTC termistörlerin RTD ile Şekil 19.10 PTC termistörün gerilim-akım
karşılaştırmalı transfer fonksiyonları karakteristiği
Pozitif TCR’ler olarak metaller sabit gerilim kaynağına bağlandıklarında aşırı ısınmaz ve
kendiliğinden sınırlayıcı aygıtlar olarak davranırlar. Örneğin akkor flamanlı lambanın flamanı
yanarak kopmaz çünkü sıcaklığındaki artış direncinin artışıyla sonuçlanarak akımını sınırlar. Bu
kendiliğinden sınırlama etkisi (kendiliğinden regüle eden) PTC termistörlerde büyük oranda
gelişmiştir. Gerilim-akım karakteristiğinin biçimi oldukça dar sıcaklık aralığında PTC termistörün
negatif dirence sahip olduğunu göstermektedir yani
Vx
Rx = − (19.26)
i
dir. Bu dahili negatif geri besleme ile sonuçlanarak aygıtı kendiliğinden regüleli termostat haline
getirir. Negatif direnç bölgesinde termistör uçlarındaki gerilimin artışı sonucu ısı üretilerek
akabinde direncini artırır ve ısı üretimini tekrar azaltır. Sonuç olarak PTC termistöründeki
kendiliğinden ısınma etkisi aygıtın sıcaklığını sabit bir seviyede, To tutacak şekilde ısı kaybını
dengeleyen yeterli ısı üretir (şekil 19.9). Bu sıcaklık eğrinin tanjantının en yüksek değerde olduğu x
noktasına karşılık gelir.
PTC termistörün kendiliğinden ısınma etkisinin oldukça kullanışlı olduğu bazı uygulamalar vardır.
Burada bunlara kısaca değinilecektir:
1. Devre koruması. PTC termistör elektrik devrelerinde bozulması mümkün olmayan

(yeniden kurulmaya gerek olmayan) sigorta gibi çalışabilir. Şekil 19.11a da yükü i akımı ile
besleyen E gerilimli güç kaynağına seri bağlı termistör görülmektedir. Oda sıcaklığında termistörün
direnci daha düşüktür (tipik olarak 10 – 140 Ω arasında). Yük uçlarında VL gerilimi ve termistör
uçlarında Vx gerilimi meydana gelir. VL>>Vx olduğu varsayılmaktadır. Termistörde kaybolan güç, P
= Vxi etrafa yayılarak kaybolur ve termistörün sıcaklığı çevre sıcaklığının üzerinde olmak üzere az
miktarda yükselir. Çevre sıcaklığı çok sıcak veya yük akımı çok arttığında (örneğin yükteki dahili
bir hata sonucu) termistördeki ısı kaybı direncin artmaya başladığı Tτ bölgesine sıcaklığını
yükseltir. Bu akımın daha fazla artmasını sınırlar. Kısa devreli yük şartları altında Vx = E ve i akımı
en az seviyesine düşer. Bu durum yükün normal direncine yeniden kavuşmasına kadar
sürdürülecektir; bu işleme sigortanın kendisini yeniden kurması adı verilir. E < 0,9Emax’ı sağlamak
önemlidir yoksa termistör geri dönüşü olmayan bozulma ile karşılaşabilir.
(a) akım sınırlayıcı devre (b) mikro termostat
Şekil 19.11 PTC termistör uygulamaları
2. Mikro-elektronik, biyomedikal, kimyasal ve diğer uygun uygulamalarda minyatür tip

kendiliğinden ısınan termostat’ın (şekil 19.11b) tasarımı PTC termistörden yapılabilir. Geçici
sıcaklığının uygun olarak seçilmesi gerekir. Termostat çevreden ısıl olarak yalıtılmış tabak tipi
yapıdan oluşur ve termistör ile ısıl olarak kuplajlanmıştır. Isıl gres kuru temasın giderilmesi için
tavsiye edilir. Termistörün terminalleri
E ≥ 2 δ (Tτ − Ta ) R25 (19.27)
ile tahmin edilebilen gerilim kaynağına bağlanmıştır. Burada, δ çevreye olan ısıl kuplaja bağlı ısı
kaybı sabiti ve Ta çevre sıcaklığıdır. Termostatın ayar noktası seramik malzemenin fiziksel
özellikleri ve dahili ısıl geri besleme ile belirlenir; aygıt güç besleme geriliminin oldukça geniş
aralığında ve çevre sıcaklıklarında güvenli olarak çalışır. Doğal olarak çevre sıcaklığının daima Tτ
’den az olması gerekir.
(a) devre diyagramı (b) sargıdan geçen akım
Şekil 19.12 PTC termistör zayıflatıcı ile mıknatıslanma giderici bir aygıt
3. PTC termistörleri ile zaman geciktirmeli devreler yapılabilir; buradaki özellik elektrik
gücünün uygulanarak ısınma ve düşük direnç noktası arasındaki uzun geçici zamandır. Şekil 19.12
de sargıdaki elektrik akımı ve PTC termistör ısınırken akımın meydana getirdiği manyetik alanı
azaltan basit bir mıknatıslanma giderici aygıt görülmektedir. Osilatör kapatıldığında termistör
soğuk ve direnci düşüktür. Osilatörün çalışması üzerine sargıdan geçen akım sıcaklıktaki dereceli
bir artışla termistörü ısıtacaktır. Akabinde termistörün direnci artarak akım azalacaktır.
4. Isı kaybı prensibine dayalı çalışan akışmetre ve sıvı seviye dedektörleri PTC
termistörleri ile çok basit olarak yapılabilir (kısım 13.3’e bakınız).
19.2 ISILELEKTRİK TEMAS ALGILAYICILARI
Isılelektrik temas algılayıcıları ısılçift’ler olarak adlandırılır çünkü bir algılayıcı yapmak için en
azından farklı iki iletken gerekmektedir. Kısım 4.9 bunların çalışmasının daha iyi anlaşılması için
fiziksel bilgiler verilmekte ve tablo 4.8 de bazı popüler ısılçift’ler listelenmiştir. Farklı ısılçift’lerin
tanımı ve uygulamaları çoğu kitaplarda bulunabilir. Aşağıda bu algılayıcıların kullanımındaki en
önemli bazı tavsiyeler yer almaktadır.
T tipi: Bakır (+) ile Konstantan (-) nemli atmosferde korozyona karşı dirençli ve sıfırın
altındaki sıcaklık ölçümleri için uygundur. Oksitleyici ortamda hava içinde kullanımı bakır ısıl
elemanın oksitlenmesinden dolayı 370 °C (700°F) ile sınırlanmıştır. Bunlar bazı atmosferlerde
yüksek sıcaklıklarda kullanılabilir.
J tipi: Demir (+) ile konstantan (-) 0-760 °C (32-1400 °F) sıcaklık aralığında, oksitleyici,
indirgeyen (reducing) veya inert (diğer maddelerle kimyasal olarak birleşmeyen) atmosferde ve
vakumda uygundur. Demir ısıl elemanda oksitlenme oranı 540 °C (1000 °F) den yukarı hızlıdır ve
daha yüksek sıcaklıklarda uzun ömür istenildiğinde ise ağır geyçli veya daha kalın tellerin
kullanımı tavsiye edilir. Bu ısılçift buz noktasından daha aşağı kullanımda tavsiye edilmez çünkü
demir ısıl elemanın paslanma ve kırılganlığı T tipinin kullanımını J tipinden daha kullanışlı hale
getirir.
E tipi: % 10 Ni/Cr (+) ile konstantan (-) oksitleyici ve inert atmosferlerde –200 ile 900 °C
(-330 ile 1500 °F) aralığındaki sıcaklıkta kullanımı tavsiye edilir. Bunlar indirgeyen atmosfer,
alternatif olarak oksitleyici veya reducing atmosferler, marjinal oksitleyici atmosferler ve vakumda
K tipi ile aynı sınırlamalara maruz kalmaktadır. Bu ısılçift’ler yüksek nem içerikli atmosferlerde
korozyona maruz kalmadığından sıfırın altında sıcaklık ölçümleri için uygundur. Yaygın kullanılan
bütün diğer tiplerden derece başına en yüksek emf’yi verir ve ekseriyetle bu özelliğinden dolayı
öncelikle kullanılır.
K tipi: % 10 Ni/Cr (+) ile % 5 Ni/Al/Si (-) -200 ile 1260 °C (-330 ile 2300 °F) sıcaklık
aralığında oksitleyici ve tamamen inert atmosferde kullanılması tavsiye edilir. Oksitlenmeye karşı
dirençlerinden dolayı ekseriyetle 540 °C’nin üzerindeki sıcaklıklarda kullanılır. Bununla beraber K
tipinin indirgeyen atmosferde, sülfürlü atmosferlerde ve vakumda kullanılmaması gerekir.
R ve S tipi: Pt/Rh (+) ile Pt (-) 0 ile 1480 °C (32 ile 2700 °F) sıcaklık aralığında oksitleyici
ve inert atmosferlerde sürekli olarak kullanılması tavsiye edilir.
B tipi: % 30 Pt/Rh (+) ile % 6 Pt/Rh (-) 870 ile 1700 °C (1000 ile 3100 °F) sıcaklık
aralığında oksitleyici ve inert atmosferlerde sürekli olarak kullanımı tavsiye edilir. Bunlar aynı
zamanda vakumda kısa süreli kullanım için de kullanışlıdır. Bunların indirgeyen atmosferler veya
metalik veya metalik buhar içeren atmosferlerde kullanılması gerekir. Bunların bir metal koruyucu
tüp veya kutuya doğrudan yerleştirilmemesi gerekir.
Pratik amaçlar için uygulama mühendisinin ısılçiftlerin uygun bağlantısı için temel kuralları
meydana getiren üç temel kuralı dikkate alması gerekir. Bununla beraber bir elektronik arabirim
devresinin daima benzer iki iletken ile bağlanması gerektiğini vurgulamak gerekir. Bu iletkenler
ısılçift’in döngü kollarını biçimlendirmektedir. Devreye ölçme aygıtının bağlanması için bu kol
kesilir. Kesilen kol şekil 19.13a’da A malzemesi olarak gösterilmektedir.
(a) (b)
(c)
Şekil 19.13 Isılçift kurallarının gösterimi
Kural No.1 - Isılelektrik akım homojen bir devrede ısı ile oluşturulamaz.
Bu kural Seebeck potansiyelinin üretimi için homojen olmayan bir malzemenin gerektiğini
belirtmektedir. Eğer bir iletken homojen ise boyu üzerindeki sıcaklık dağılımına bakılmaksızın
sonuç gerilim sıfırdır. Benzer olmayan iki iletkenin birleşme noktası gerilimin üretilmesi için
gereken şartı oluşturur.
Kural No.2 - Eğer bütün jonksiyonlar düzgün sıcaklıkta ise benzer olmayan malzemelerden oluşan
elemanların kombinasyonunda herhangi bir sayıdaki devrenin ısılelektrik kuvvetlerinin cebrik
toplamı sıfırdır.
Bu kural ek C malzemesinin ek birleşme noktaları aynı sıcaklıkta olmak koşuluyla (şekil 19.13a’da
T3) sonuç gerilimini, V1 etkilemeksizin ısılelektrik döngünün kollarından birine
yerleştirilebileceğini öne sürmektedir. Konulan her malzemenin bulunduğu yerdeki kontaklar aynı
sıcaklıkta olduğu sürece yerleştirilen iletkenlerin sayısında sınırlama yoktur. Bu arabirim
devresinin her iki kontak için düzgün sıcaklığı sağlayacak davranışla eklenmesi gerektiği
anlamındadır. Kuralın diğer bir sonucu ısılelektrik birleşme noktalarının herhangi bir teknikle
biçimlendirilebilmesidir; örneğin lehim gibi ara malzemesinin kullanıldığı durumda bile. Birleşme
noktaları kaynak, lehimleme, bükme, füzyon, vb. ile Seebeck geriliminin doğruluğunu
etkilemeksizin biçimlendirilebilir. Kural aynı zamanda ek malzeme kuralını da öne sürmektedir
(şekil 19.13b): Eğer referans iletkenine göre (A) iki iletkenin (B ve C) ısılelektrik gerilimleri
biliniyorsa bu iki iletkenin gerilimlerinin kombinasyonu referans gerilimine göre gerilimlerinin
cebirsel toplamıdır.
Kural No.3 - Eğer T1 ve T2 sıcaklıklarındaki iki jonksiyon V2 Seebeck gerilimi ve T2 ve T3

sıcaklıkları V1 gerilimi üretirse bu durumda T1 ve T3 sıcaklıkları V3=V1+V2 üretecektir (şekil
19.13c).
Bu bazen ara sıcaklık kuralı olarak da bilinir. Bu kural ısılçift’in bir sıcaklık aralığında
kalibrasyonuna izin vererek daha sonra diğer bir sıcaklık aralığında kullanılmasına izin verir. Aynı
zamanda aynı kombinasyondaki uzatma iletkenlerinin doğruluğu etkilemeksizin döngüye
yerleştirilebileceğini öne sürmektedir.
Yukarıdaki kural ısılçift’lerin çok çeşitli kombinasyonlardaki farklı pratik devrelerde

kullanılmasına izin verir. Bunlar iki cisim arasındaki sıcaklık farkının ölçülerek cismin ortalama
sıcaklığının ölçülmesi ve ısılçift algılayıcıların referans jonksiyonları görevinden başka
kullanımlar, vb. amacıyla düzenlenebilir.
Isılelektrik gerilimin oldukça küçük ve özellikle uzun iletkenli algılayıcıların yayılan farklı
parazitlere duyarlı olduğuna dikkat edilmesi gerekir. Gürültü azaltma ile genel bilgiler 7. Bölümde
bulunabilir.
Şekil 19.14a ısılçift ve termopil’in eşdeğer devresini göstermektedir. Devre bir gerilim kaynağı ve
seri dirençten oluşur. Gerilim kaynağı genliği sıcaklığın bir fonksiyonu olan Seebeck gerilimini
temsil eder. Devrenin terminallerinin aynı malzemeden yapılmış olduğu varsayılmıştır; bu örnekte
bakır iletken kullanılmıştır.
(a) ısılçift eşdeğer devresi (b) yarı-iletken referans algılayıcısı ile termometrenin ön ucu
Şekil 19.14 Isılçift’in kullanımı
Geleneksel olarak ısılçift’ler, sıcaklığının 0 °C’de tutulması için referans buz banyosuna
daldırılarak soğuk jonksiyonla kullanılmaktaydı. Bu çoğu pratik uygulamalarda ciddi bir sınırlama
oluşturmaktadır. 2. ve 3. ısılelektrik kurallar basitleştirilmiş bir çözüme izin verir. Bir soğuk nokta,
sıcaklık hassas olarak bilindiği sürece çevre sıcaklığı dahil olmak üzere her hangi bir sıcaklıkta
tutulabilir. Bu bakımdan soğuk jonksiyon referans kompanzasyonu gerektirmeyen ek bir sıcaklık
algılayıcısı ile ısıl olarak kuplajlanır. Ekseriyetle böyle bir algılayıcı ısıldirenç veya yarı-iletken tip
olmaktadır.
Şekil 19.14b ısılçift’in elektronik devreye doğru olarak bağlantısını ve soğuk jonksiyon referans
noktasını göstermektedir. Hem soğuk jonksiyon ve hem de referans algılayıcısının yakın veya iyi
ısıl kuplaj ile pozisyonlandırılması gerekir. Ekseriyetle bunlar bakır kalıp içine gömülmüştür. Kuru
teması engellemek için ısıl iletken gres veya epoxy’nin daha iyi ısıl izleme amacıyla uygulanması
gerekir. Bu örnekteki referans sıcaklık algılayıcısı yarı-iletken devredir, LM35DZ. Devrenin iki
çıkışı vardır: Birisi Seebeck gerilimi Vp’yi temsil eden sinyal ve diğeri referans sinyali Vr’dir.
Şemadan da görüldüğü gibi baskı devrenin giriş terminallerine bağlantı ve sonra evirmeyen
yükselticinin girişine ve toprak barasına bağlantı aynı tip iletkenlerden (Cu) yapılır. Bununla
beraber baskı devre giriş terminallerinin soğuk jonksiyon sıcaklığında olması gerekmez. Bu
özellikle baskı devre sıcaklığının soğuk jonksiyon sıcaklığı, Tr’den farklı olabildiği uzaktan
ölçümler için önemlidir.
Tam bir ısılçift algılama takımı genelde aşağıdakilerden biri veya birkaçından oluşur: algılama
eleman takımı (jonksiyon), koruyucu tüp (seramik veya metal ceket), termokuyu (bazı kritik
uygulamalar için bunlar yekpare çubuklar delinerek hassas toleranslı yapılır ve korozyonu
engellemek için iyice parlatılır), terminaller (vidalı tip, açık tip, fiş ve jack birleşmeli, askeri
standart tipi konnektörler, vb. olabilir). Bazı tipik ısılçift takımları şekil 19.15’de görülmektedir.
İletken teller açık veya üzerine elektrik yalıtkanları konulabilir. Yüksek sıcaklık uygulamaları için
yalıtıcılar yeterli esneklik sağlayabilecek balık sırtı veya top seramik tipi olabilir. Eğer ısılçift teller
elektriksel olarak yalıtılmamışsa ölçme hatası oluşabilir. Yalıtım nem, aşınma, esneme, aşırı
sıcaklıklar, kimyasal darbe ve nükleer ışınım ile ters oranda etkilenir. Yalıtıcı malzemelerin özel
sınırlamalarının iyi bilinmesi doğru ve güvenilir bir ölçümün temelidir. Bazı yalıtkanlar doğal nem
direncine sahiptir. Teflon, polivinil klorid (PVC) ve bazı polyamit biçimleri bu gruba örnektir.
Fiber tipi yalıtkanlar ile nem koruması mum, reçine veya silikon bileşikler ile yapının
emdirilmesinden kaynaklanır. Aşırı sıcaklığa sadece bir kere maruz kalınmasıyla emdirilmiş
malzemenin buharlaşarak koruma kaybı ile sonuçlanacağına dikkat edilmelidir.
(b) tüp taşıyıcıya yapıştırılmış ısılçift telleri

(a) çıplak ısılçift elemanı, bükülü ve kaynaklı
(kullan at tipi)
(c) yalıtılmış ısılçift, bükülü ve kaynaklı (d) ucu kaynaklı (butt) balık sırtı yalıtıcılı ısılçift
Şekil 19.15 Bazı ısılçift takımları
Nemin nüfuzu ısılçift’in algılama ucu ile sınırlı kalmaz. Örneğin eğer ısılçift sıcak veya soğuk
bölgeyi geçtiğinde yoğunlaşma yeterli nem koruma sağlanmadığı sürece ölçmede hatalara neden
olacaktır.
Yüksek sıcaklıklarda kullanmak için esnek yalıtkanların temel tipleri fiberglas, fiberli silika ve
asbesttir (sağlığa zararlı olduğundan uygun bir tedbirle kullanılmalıdır). Ek olarak ısılçift’lerin
alaşımlara uygun olmayan atmosferlerden korunması gerekir. Koruyucu tüpler ısılçift’i mekanik
hasara karşı korumanın yanında teller ve çevre arasında koruyucu kalkan olarak çifte koruma amacı
taşımaktadır. Koruyucu tüpler karbon çelikler (oksitleyici atmosferlerde 540 °C’ye kadar),
paslanmaz çelik (870 °C’ye kadar), ferrik paslanmaz çelik (AISI 400 serisi), yüksek nikel
alaşımları, nikrom, inkonel, vb. (oksitleyici atmosferlerde 1150 °C’ye kadar) den yapılabilir.
Pratik olarak bütün baz-metal ısılçift telleri üretici tarafından tavlanarak kırılganlığı giderilerek
yumuşatılır yani kararlı hale getirici ısıl işlem yapılır. Böyle bir bakım genelde yeterli görülür ve
kullanmadan veya test edilmeden önce telin daha ileri tavlama suretiyle ısıl işlemi nadiren tavsiye
edilmektedir. Yeni platin ve platin-radyum ısılçift tel satıldığı gibi üretici tarafından çoktan ısıl
işlemden geçirilmesine rağmen doğru bir kalibrasyona teşebbüs etmeden önce yeni veya önceden
kullanılmış olsun olmasın bütün R, S ve B tipi ısılçift’lerin çoğu laboratuvarlarda yeniden ısıl
işlemden geçirilmesi pratik adet olmuştur. Bu ekseriyetle ısılçift’in hava içinde elektriksel
ısıtılmasıyla yapılır. Isılçift’in tamamı birbirine yakın iki sıkıştırıcı çubuk arasına konulur; böylece
tellerin gerginliği ve uzaması sıcak iken minimumda tutulur. Telin sıcaklığı uygun şekilde optik
pirometre ile belirlenir. Mekanik gerginliğin çoğu 1400-1500 °C sıcaklığının ilk birkaç dakikası
süresinde giderilmiş olur.
İnce film ısılçift’ler folyo maddelerin yapışkan jonksiyonları ile biçimlendirilir. Bunlar ince lamine
malzeme içine gömülü algılayıcı ile matris tipinde ve serbest taşınabilir flaman stilinde mevcuttur.
5 μm kalınlığında folyo oldukça düşük kütle ve ısıl kapasite verir. İnce düz jonksiyonlar ölçülen
yüzey ile yakın ısıl kuplaj sağlar. Folyo ısılçift’ler çok hızlıdır (tipik ısıl zaman sabiti 10 ms’dir) ve
standart arabirim elektronik aparatları ile kullanılabilir. Küçük kütleli algılayıcılar ile sıcaklık
ölçülürken bağlantı iletkenleri boyunca ısıl iletimin dikkate alınması gerekir. Uzunluk ve kalınlık
oranı çok büyük (1000 civarında) film ısılçift’lerde iletkenlerdeki ısı kaybı ihmal edilebilecek kadar
küçüktür.
Film ısılçift’i bir cisme tutturmak için genelde bazı metotlar kullanılır. Bunlar çeşitli özel
çimentolar ve alev veya plazma sprey seramik kaplamalardır. İşleme kolaylığı için algılayıcılar
sıklıkla sert, esnek ve boyutsal kararlı geçici polyamit film içinde taşınır. Bunun ısıya dayanıklı ve
inert olması gerekmez. Montaj süresince taşıyıcı kolaylıkla sıyrılabilir veya ısının uygulanmasıyla
serbest kalır. Serbest folyo algılayıcılar topraksız jonksiyon elde etmek için ince bir katman haline
getirmek amacıyla kolaylıkla fırçalanabilir. Çimento seçiminde korosiv bileşiklerden
kaçınılmalıdır. Örneğin fosforik asit içeren çimentolar bir kolu bakırlı ısılçift’ler ile kullanılırken
tavsiye edilmez.
19.3 YARI-İLETKEN PN JONKSİYON ALGILAYICILARI
Diyot ve bipolar transistördeki yarı-iletken pn-jonksiyon oldukça güçlü ısıl bağımlılık taşır. Eğer
jonksiyon sabit akım yani DC kaynağına bağlanırsa sonuç gerilim jonksiyon sıcaklığının bir ölçüsü
olur (şekil 19.17a). Böyle bir algılayıcının cazip özelliği yüksek doğrusallık derecesidir (şekil
19.16). Bu özellik bir eğimi (duyarlılık) ve bir kesişimi tanımlayan sadece iki nokta kullanan basit
kalibrasyon metoduna izin verir. Şekil 19.17 da ileri polarlanmış pn-jonksiyon sıcaklık
algılayıcıları görülmektedir.
Şekil 19.16 Sabit akımda ileri polarlanmış yarı-iletken jonksiyonun gerilim-sıcaklık bağımlılığı
pn-jonksiyonlu diyotun akım-gerilim, V eşitliği
I = I o exp(qV / 2kT ) (19.28)

olarak ifade edilebilir. Burada, Io doyum akımı olup sıcaklığın güçlü bir fonksiyonudur.
Jonksiyondaki sıcaklığa bağımlı gerilimin
Eg 2kT
V= − (ln K − ln I ) (19.29)
q q
olarak ifade edilebildiği gösterilebilir; burada, Eg 0 K da silikon için enerji bant aralığı (mutlak
sıfır), q bir elektronun yükü ve K sıcaklığa bağımlı olmayan bir sabittir. Yukarıdaki eşitlikten
jonksiyon sabit akımda çalıştığı zaman gerilim sıcaklıkla doğrusal olarak ilişkilidir ve eğim
aşağıdaki gibi olur.
dV 2k
b= = − (ln K − ln I ) (19.30)
dT q
(a) diyot (b) diyot olarak bağlanmış transistör
Şekil 19.17 İleri polarlanmış pn-jonksiyon sıcaklık algılayıcıları
Tipik olarak 10 μA’de çalışan silikon jonksiyon için eğim (duyarlılık) yaklaşık olarak –2,3 mV/°C
iken 1 mA akım için yaklaşık –2,0 mV/°C’ye düşmektedir. Sıcaklık algılayıcısı olarak her hangi bir
diyot veya transistör kullanılabilirken özel amaçlara uygun özel aygıtlar vardır. Örnek olarak
Motorola MTS102 algılayıcısı verilebilir. Sıcaklık algılayıcısı olarak kullanılan transistörün pratik
bir devresi Şekil 19.17b’de görülmektedir. Bir E gerilim kaynağı ve kararlı bir R direnci akım
kaynağı yerine kullanılır. Transistörden geçen akım aşağıdaki gibi belirlenir.
E −V
I= (19.31)
R
Akımın, I = 100 μA seviyesinde kullanılması tavsiye edilir; böylece E = 5 V ve V = 0,6 V için
direnç, R = (E–V)/I = 44 kΩ’dur. Sıcaklık arttığında V gerilimi düşerek I akımında küçük bir artma
olur. (19.30) eşitliğine göre bu duyarlılıkta bir azalmaya neden olarak akabinde doğrusalsızlık
olarak gözükür. Bununla beraber doğrusallık özel bir uygulama için ya küçük olabilir ya da sinyal
işleme süresince çaresine bakılabilir. Bu durum basitliği ve ucuzluğundan dolayı bir transistörü
(veya diyot) sıcaklık algılayıcısı olarak çoğu uygulamalarda çok cazip hale getirmektedir. Şekil
19.18 100 μA’de çalışan PN100 transistörü ile yapılan sıcaklık algılayıcılarının hata eğrisini
göstermektedir. Hatanın oldukça küçük ve çoğu pratik uygulamalar için bir doğrusallık
düzeltiminin gerekmediği görülmektedir.
Diyot algılayıcı sıcaklık kompanzasyonuna ihtiyaç duyan çoğu monolitik algılayıcılarda silikon
yapı içinde biçimlendirilebilir. Örneğin piezo-rezistif elemanların sıcaklık bağımlılığının
kompanzasyonu için silikon basınç algılayıcısının mikromakina ile işlenmiş zarının içine
difüzyonlama suretiyle konulabilir.
Ucuz hem de hassas yarı-iletken sıcaklık algılayıcısı mutlak sıcaklıkla (K) orantılı gerilim üreten
transistörlerin temel özelliklerinin kullanılmasıyla yapılabilir. Bu gerilim doğrudan kullanılabilir
veya akıma dönüştürülebilir. Bipolar transistörün beyz-emiter gerilimi (Vbe) ve kollektör akımı
arasındaki ilişki doğrusal yarı-iletken sıcaklık algılayıcısı üretmek için anahtar özelliktir. Şekil
19.19a basitleştirilmiş bir devreyi göstermektedir; Q3 ve Q4 akım aynasını biçimlendirir. Bu iki eşit
akımın, IC1=I ve IC2=I Q1 ve Q2 transistörlerinden geçmesini zorlar. Kollektör akımları R direnciyle
belirlenir. Bir monolitik devrede Q2 transistörü birbirine paralel bağlı birkaç benzer transistörden
yapılabilir; örneğin 8 adet paralel bağlı transistör. Bu yüzden Q1’deki akım yoğunluğu Q2
transistörlerinin her birindekinden 8 kat büyüktür. Q1 ve Q2’nin beyz-emiter gerilimleri arasındaki
fark aşağıdaki gibidir:
kT ⎛ k ⎞ kT ⎛ I ⎞ kT
ΔVbe = Vbe1 − Vbe 2 = ln⎜ ⎟− ln⎜ ⎟= ln r (19.32)
q ⎜⎝ I ceo ⎟⎠ q ⎜⎝ I ceo ⎟⎠ q
Şekil 19.18 Sıcaklık

algılayıcısı olarak
silikon transistörün
(PN100) hata eğrisi
(a) Yarı-iletken sıcaklık algılayıcısının

(b) akım-gerilim eğrileri
basitleştirilmiş devresi
Şekil 19.19
Burada, r akım oranı (bu örnekte 8), k Boltzman sabiti, q bir elektronun yükü ve T kelvin olarak
sıcaklıktır. Iceo akımları her iki transistör için aynıdır. Sonuç olarak R direncinin uçlarındaki akım
VT = 179 μV·T gerilimi üretir ki bu akım kollektör akımlarından bağımsızdır. Bu yüzden
algılayıcıdan geçen toplam akım
⎛ k ⎞
I T = ⎜⎜ 2 ln r ⎟⎟T (19.33)
⎝ qR ⎠
olarak r = 8 akım oranı, R = 358 Ω direnci ile doğrusal transfer fonksiyonu, IT/T = 1 μA/°K üretir.
Şekil 19.19b farklı sıcaklıklar için akım-gerilim eğrilerini göstermektedir. 19.33 eşitliğindeki
parantezin değerinin özel bir algılayıcının tasarımı için sabit olduğuna dikkat edilmelidir ve üretim
işlemi süresinde istenilen bir eğim, IT/T için hassas olarak ayarlanabilir. Eğer örneğin 10 kΩ’luk
direnç algılayıcıya seri bağlanırsa direnç uçlarındaki gerilim mutlak sıcaklığın bir fonksiyonu
olacaktır.
Şekil 19.19a’nın basitleştirilmiş devresi sadece mükemmel transistörler (β=∞) ile yukarıdaki
eşitliğe göre çalışacaktır. Pratik monolitik algılayıcılar gerçek transistörlerin sınırlamasının
üstesinden gelmek için çok miktarda ek bileşenler içerirler. Bazı şirketler bu prensibe dayalı
sıcaklık algılayıcıları üretmektedir. Örnekler LM35 (gerilim çıkış devresi) ve AD590 (akım çıkış
devresi) dir.
Şekil 19.20 de °C başına 10 mV’luk duyarlılık ile Celsius skalasına ayarlanmış doğrusal çıkışlı
LM35Z sıcaklık algılayıcısının transfer fonksiyonu görülmektedir. Fonksiyon oldukça doğrusal
olup doğrusalsızlık hatası ±0,1° içinde sınırlanmıştır. Fonksiyon (19.34) ile modellenebilir:
Vout = Vo + aT (19.34)
Burada, T C derece olarak sıcaklıktır. İdeal olarak Vo’ın sıfıra eşit olması gerekmekle beraber
değerinin kısım kısım değişimleri ±10 mV kadar büyük olabilen 1 °C’lik hataya karşılık
gelmektedir. a eğimi 9,9 ile 10,1 mV/°C arasında değişebilir.
Şekil 19.20 LM35DZ yarı-

iletken sıcaklık algılayıcısının
tipik transfer fonksiyonu
19.4 OPTİK SICAKLIK ALGILAYICILARI
Bazen sıcaklıkların çok güçlü elektriksel, manyetik, elektromanyetik alanlar veya yüksek gerilimler
altında ölçülmesi gerekebilir; yüksek gerilimler sıcaklık ölçümünü ya parazitlere duyarlı ya da
operatör için çok tehlikeli hale getirebilen çok tehlikeli ve zararlı ortamlar olabilir. Problemi
çözmenin bir yolu 16. Bölümde tanımlandığı gibi sıcaklık ölçümünün temassız metotlarını
kullanmaktır. Bununla beraber ölçme alanında herhangi bir elektronik aygıta gerek duyulmaksızın
sıcaklığı algılayabilen ve bilgiyi iletebilen kontaklı optik algılayıcılar da vardır.
19.4.1 IŞILOPTİK ALGILAYICILAR

Işıloptik (fluoroptik) algılayıcılar ışık uyartımına tepki olarak fluoresan sinyal veren özel bir fosfor
bileşeninin taşıdığı özelliğe dayanırlar. Tepki palsinin biçimi sıcaklığın bir fonksiyonudur. Tepki
palsinin azalması (decay) geniş bir sıcaklık aralığında oldukça iyi bir şekilde tekrar edebilir. Bir
algılama malzemesi olarak tetravalent manganez ile aktif hale getirilen magnezyum fluoromanyetit
kullanılır. Bunun diğer adı fosfordur; civa buharlı sokak lambaları için renk düzeltici olarak
aydınlatma endüstrisinde uzun zamandır bilinmektedir; yaklaşık 1200 °C’de katı-hal reaksiyonu ile
toz olarak hazırlanır. Bu madde ısıl olarak kararlı, oldukça inert ve biyolojik açıdan zararsız ve
çoğu kimyasallar veya mor ötesi ışınıma uzun süre maruz kalma sonucu hasara duyarsızdır. Mor
ötesi veya mavi ışınım ile fluoresana uyartılır. Fluoresan yayıcılığı derin kırmızı bölgededir ve
fluoresan azalması (decay) temelde üstel değişime sahiptir.
Uyartım ve yayılan sinyaller arasındaki etkileşimi en aza indirmek için yayılan sinyaller bant
geçiren filtreden geçirilerek güvenli bir şekilde ilgili spektruma ayrılır (şekil 19.21a). Palsli uyartım
kaynağı (Xenon flaş lambası olabilir) çoklu bir algılayıcı sisteminde belli sayıdaki optik kanallar
arasında paylaşılabilir. Sıcaklık ölçümü şekil 19.21b’de görüldüğü gibi fluoresanın azalma oranının
ölçülmesi ile yapılır. Yani sıcaklık -200 ile +400 °C sıcaklık aralığında beş kat düşen bir τ zaman
sabiti ile temsil edilir. Zamanın ölçümü ekseriyetle en basit ve en hassas işlem olup elektronik
devre ile yapılabilir; sıcaklık iyi çözünürlükte ve doğrulukta ölçülebilir: kalibrasyonsuz bütün
sıcaklık aralığı üzerinde ±2 °C civarında doğruluk ile.
(a) uyartım ve yayılan sinyallerin spektral (b) T1 ve T2 sıcaklığı için yayılan sinyalin üstel
tepkileri azalması
Şekil 19.21 Sıcaklık ölçümünün ışıloptik metodu (e doğal logaritma tabanı ve τ azalma zaman
sabiti)
(a) cismin yüzeyinde (b) cismin yüzeyinde (c) probun ucunda
Şekil 19.22 Işıloptik metotta fosfor bileşeninin yeri

Zaman sabiti uyartımın şiddetinden bağımsız olduğundan çeşitli tasarımlar mümkündür. Örneğin
fosfor bileşen doğrudan ilgili yüzeye kaplanabilir ve optik sistem fiziksel temas olmaksızın
ölçümleri alabilir (şekil 19.22a). Bu ölçüm alanında bozulmaya neden olmaksızın sürekli sıcaklık
gözlemini mümkün hale getirir. Diğer tasarımda fosfor cisimle temasında iyi kontak alanı
oluşturularak bükülebilir bir probun ucuna kaplanır (şekil 19.22b ve c).
19.4.2 İNTERFEROMETRİK ALGILAYICILAR

Sıcaklık ölçümünün diğer metodu iki ışık ışınının karışımı ile ışık şiddetinin modülasyonuna
dayanır. Bir ışın referanstır ve diğeri sıcaklığa duyarlı ortamdan geçerek sıcaklığa bağlı olarak biraz
gecikmeye uğrar. Bu bir faz kayması ve akabinde girişim sinyalinin azalmasıyla veya
kaybolmasıyla sonuçlanır. Benzer bir prensip kısım 12.8 de açıklanmıştır. Sıcaklık ölçümü için
kırılma indisi sıcaklıkla değişen ince silikon katman kullanılabilir ve böylece ışığın aldığı yol
modüle edilir.
Şekil 19.23 ince film optik algılayıcının şemasını göstermektedir. Algılayıcının fabrikasyonu 100
μm çekirdek ve 140 μm dış örtü çapında adım-indis çok modlu fiberlerin uçlarına 3 tabakanın
püskürtülerek konulması ile yapılır. İlk tabaka silikon ve sonraki silikon dioksit’tir. Probun ön
ucundaki FeCrAl tabakası alttaki silikonun oksitlenmesini engeller. Fiberler 350 °C’ye kadar
kullanılabilir; bunun yanında altın tampon kaplamalı çok daha pahalı fiberler 650 °C’ye kadar
kullanılabilir. Algılayıcı 860 nm aralığında çalışan LED ışık kaynağı ve mikro-optik spektrometre
ile kullanılır. Fiber-optik girişim sinyallerinin ölçümü için kullanışlı bir aygıt fiber-optik
refraktometredir. Bir örnek olarak böyle bir aygıt MetriCor Inc., Woodinville, WA şirketi
tarafından üretilmektedir.
Şekil 19.23 İnce film optik

sıcaklık algılayıcısı
19.4.3 TERMOKROMİK ÇÖZELTİ ALGILAYICISI

Biyomedikal uygulamaları için elektromanyetik parazitlerin probleme neden olabileceği yerlerde
sıcaklık algılayıcısının fabrikasyonu kobalt klorit (CoCl26H2O) gibi termokromik çözeltinin
kullanımı ile yapılabilir.
Bu algılayıcının çalışması termokromik çözelti ile (şekil 19.24a) 400-800 nm görünür aralıkta
spektral emilmenin sıcaklık bağımlılığının etkisine dayanır. Bu algılayıcı ışık kaynağı, dedektör ve
cisimle ısıl kuplajlı kobalt klorit çözeltisinden oluşur. Verici ve alıcı optik fiberlerin kobalt klorit
çözeltisi ile kuplajlandığı iki olası tasarım şekil 19.24b ve c’de görülmektedir.
(a) kobalt klorit çözeltisinin emilme spektrası (b) yansıtıcı fiber kuplajlama (c) iletimli kuplaj
Şekil 19.24 Termokromik çözelti algılayıcısı
19.5 AKUSTİK SICAKLIK ALGILAYICISI
Ağırlaştırılmış şartlar altında sıcaklık ölçümü zor bir iş olabilmektedir. Bu şartlar çok soğuk
sıcaklık aralığı, nükleer reaktörde yüksek ışınım seviyeleri, vb. durumları içerir. Olağan olmayan
diğer bir durum bilinen ortamla çevrelenen kapalı muhafaza içindeki sıcaklığın ölçümüdür; burada
temaslı algılayıcılar yerleştirilemez ve muhafaza kızılötesi ışınımı geçirgen değildir. Böyle olağan
olmayan şartlar altında akustik sıcaklık algılayıcıları oldukça kullanışlı olabilmektedir. Böyle bir
algılayıcının çalışma prensibi ortam sıcaklığı ve ses hızı arasındaki ilişkiye dayanır. Örneğin
normal atmosfer basıncında kuru havadaki ilişki
T
c ≈ 331,5 m/s (19.35)
273,15
dir. Burada, c ses hızı ve T mutlak sıcaklıktır.
Akustik sıcaklık algılayıcısı (şekil 19.25) üç bileşenden oluşur: ultrasonik verici, ultrasonik alıcı ve
gazla doldurulmuş sızdırmaz kapalı tüp. Verici ve alıcı olarak seramik piezo-elektrik plakalar
kullanılmıştır. Sesin yayılımının öncelikle içerdeki gazdan geçmesini sağlamak için piezo-elektrik
elemanların akustik olarak tüp ile dekuplajı sağlanmıştır; gaz olarak çoğu pratik durumlarda kuru
hava kullanılır. Alternatif olarak verici ve alıcı kristaller sıcaklığı ölçülmesi gereken ve içerik
maddesi bilinen kapalı muhafazanın içine konulabilir. Yani dahili ortamın hacmi ve kütlesinin sabit
tutulduğu durumlarda ara tüp gerekmeyebilir. Tüp kullanıldığında aşırı sıcaklık şartları altında
mekanik deformasyon ve sızdırmazlık kaybının korunması için dikkat edilmelidir. Tüp için uygun
bir malzeme invar olabilir.
Düşük frekanslı bir saat sinyali (100 Hz’e yakın) vericiyi tetikler (alıcı kristal henüz
çalıştırılmamıştır). Piezo-elektrik kristal esneyerek tüp boyunca ultrasonik dalga gönderir. Alıcı
kristal bu dalga yüzeyine gelmeden önce çalışır duruma getirilir ve mekanik sinyali geçici
elektriksel sinyaline dönüştürür. Bu elektrik sinyali yükseltilir ve kontrol devresine gönderilir.
Kontrol devresi tüp boyunca yayılma zamanını belirleyerek sesin hızını hesaplar. Daha sonra ilgili
sıcaklık bir tablodaki kalibrasyon sayılarından belirlenir. Diğer bir tasarımda termometre alternatif
olarak verici veya alıcı modunda çalışan sadece bir ultrasonik kristal içerebilir. Bu durumda tüpün
bir ucu kapalıdır. Ultrasonik dalgalar kapalı uç yüzeyden geri yansıyarak kristale geri yayılır,
dalganın varış anından önce kristal alıcı moduna dönüştürülür. Elektronik devre alınan palsleri tüp
sıcaklığına karşılık gelen bir sinyale dönüştürür.
Şekil 19.25 Ultrasonik

dedeksiyon sistemli
akustik termometre
1. Kondüktif, konvektif ve ışınım ısılarını örneklerle tanımlayınız.

2. Temaslı sıcaklık algılayıcısı asla cismin gerçek sıcaklığını ölçemez, niçin?
3. Isıl sıcaklık algılayıcılarının (RTD) çalışma prensibi nedir?
4. Silikon direnç algılayıcılarının çalışma prensibi nedir?
5. NTC ve PTC termistörleri karşılaştırarak açıklayınız.
6. Isılçift’in çalışma prensibi nedir ve farklı tipteki ısılçiftlerin arasındaki fark nedir?
7. Yarı-iletken pn-jonksiyonlu algılayıcıların çalışma prensibi nedir?
8. Işıloptik metotla sıcaklık nasıl ölçülür?
9. İnterferometrik algılayıcılar ile sıcaklık nasıl ölçülür?
10. Termokromik çözelti algılayıcısı ile sıcaklık nasıl ölçülür?
11. Akustik sıcaklık algılayıcısı nerede kullanılır?
20 KİMYASAL ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLER
İnsanoğlu çok eski çağlardan beri yemek yapmak ya da ihtiyaçlarını karşılamak için kullandığı
araçların malzemesinin kompozisyonuna ilgi duymuştur. Yıllar geçtikçe bu ihtiyaç analitik kimya
disiplinleri içinde gelişmiştir. Günümüzde modern ve çok pahalı cihazlar ve araçlar sayesinde
atomlar, iyonlar ve moleküller incelenebilmektedir. Bununla beraber bu ihtiyaç doğrultusunda
kullanılan aletler genellikle çok geniş hacimli ve özel eğitim almış personel tarafından uygun
laboratuvar şartlarında kullanılabilmektedir. Daha da kötüsü çoğu ölçümlerin alınması çok zaman
gerektirmektedir.
İnsanoğlunun çevresine olan ilgisi arttıkça endüstriyel kontrolda gaz karışımlarının kontrolu,
ameliyat esnasında kandaki oksijen miktarının monitörlerle izlenebilmesi, güvenilir yangın alarmı,
taşıt motorlarının performansının optimum hale getirilmesi, vb. gibi olan ihtiyaçlar ucuz fiyatlı,
atılabilir, çok küçük kimyasal algılayıcıların yapılması için ulusal ve endüstriyel laboratuvarları
harekete geçirmiştir. Son yıllarda atomların, moleküllerin ve iyonların incelenmesinde pek çok
silikon olmayan kimyasal algılayıcı kullanılmıştır. Bu algılayıcılar metaloksitler, organo-metalik
bileşikler, seramikler, iletken polimerler ve katalizörler, cam elyafı, zarlar, ısılçiftler, iyon seçici
elektrotlar, vb. gibi malzemelere dayalı olmaktadır. Silikon düzlem teknolojisi de seri ve ucuz
üretimi sağlayarak kimyasal algılayıcıların fabrikasyonunda kullanılmaktadır. Silikon algılayıcılar
ekseriyetle çok küçüktür ve algılayıcı çipi üzerine elektronik devrelerin de konulması ile akıllı
algılayıcılar üretilebilmektedir.
1970’lerin başlarından itibaren başlıca iki tip cihaz silikon kimyasal algılayıcı alanında
kullanılmaya başlanmıştır. Bunlar 1970 de Hollanda Twente üniversitesinde biyoalgılayıcı grubu
başkanı Piet Bergveld tarafından keşfedilen ISFET ve 1975 de İsveçte Linköping üniversitesinde
kimyasal algılayıcı grup başkanı Lundstrom tarafından keşfedilen palladium kapılı MOSFET
olarak adlandırılmaktadır. ISFET giriş kontağı olmayan basit bir MOSFET’dir. ISFET bir
elektrolite (iyon içeren çözelti) daldırıldığında akım elektrolitteki hidrojen, sodyum ve potasyum
iyonlarının konsantrasyonuna bağlı olarak değişebilir.
Paladyum kapılı MOSFET adından da anlaşılacağı gibi aluminyum kapı yerine paladyum kapı
kullanılan bir MOSFET türüdür. Paladyum oldukça katalitik aktif metal olup hidrojen
moleküllerini hidrojen atomlarına ayırabilir. Bu atomlar paladyum silikon dioksit ara yüzeyine
nüfuz ederek MOSFET’in akaç akımına etki eder.
İlerleyen kısımlarda çeşitli algılayıcı elemanlar incelenmeden önce kimyasal algılayıcıların ne

amaçla kullanıldıkları ele alınacktır. Madde tabiatta üç halde bulunmaktadır:
¾ Katı Hal (monokristaller, polikristaller veya amorphous)
¾ Sıvı Hal
¾ Gaz Hal
Maddenin hangi halde bulunacağını belirleyen sıcaklık ve basınçtır. Pek çok durumlarda madde
gazların, sıvıların ve katıların karışımı formunda görülebilir. Aynı zamanda katı içinde çözünmüş
gaz veya gaz içinde küçük parçacıklar halinde katı olması da mümkündür.
Tablo 6.1 de örneklerle görülen matris içinde olası dokuz durum görülmektedir. Kutuların herbiri
malzeme araştırma bilimi, uygulamalı kimya ve analitik kimya alanında ayrı bir disiplinin varlığını
gösterir. Gaz karışımlarını ortaya çıkarmak için örneğin gaz kromatografları veya kütle
spektrometreleri geliştirilmiş, bir metalde başka bir metalin izlerini bulmak için X ışınlı fluoresan
teknikleri geliştirilmiş ve bu gibi çok teknikler mevcuttur. Çok sayıda kullanışlı metotlar ve aygıtlar
içeren analitik kimya üzerinde gittikçe artan bir literatür mevcuttur.
Tablo 6.1 Maddenin birbiri içerisindeki 9 durumu

GAZ içinde SIVI içinde KATI içinde
GAZ Gaz karışımları Sudaki oksijen SmCo içinde H
SIVI Sis Sıvı karışımları Islak Kağıt
KATI Duman Süspansiyonlar Alaşımlar
Bugün laboratuvar ortamı dışında kimyasal analizleri gerçekleştirebilen yenilikçi kimyasal

algılayıcılara olan ihtiyaç gün geçtikçe artmaktadır. Böyle ideal bir algılayıcının tablo 6.2 deki
gereksinimleri karşılaması istenilmektedir.
Tablo 6.2 İdeal kimyasal algılayıcının karşılaması gereken gereksinimler

Sıcaklık ve ışınıma duyarsız Elektriksel çıkış Güvenilir çalışma Kimyasal seçici
Sağlam konstrüksiyon Basit fabrikasyon Geri dönüşümlü Hızlı tepki
İyi sinyal/gürültü oranı Seri imalata uygun Küçük boyut Kirletmeyen
Diğer gazlar tarafından olumsuz Gerçek zamanlı Akıllı aygıtların
Düşük fiyat
etkilenmeye duyarsız ölçüme izin verme yapılabilirliği
Tabiki bütün bu gereksinimleri doyuran aygıtlar mevcut olmamakla beraber üzerinde yoğun
araştırmalar yapılan silikon algılayıcı malzeme olarak bu alanda doyurucu ümitler vermiştir.
Bununla beraber maalesef silikon algılayıcıların diğer uygulama alanlarının tersine silikon
kimyasal algılayıcıların ticari olarak yeterli başarıyı gösterememiş olduğu ifade edilebilir. Bunun
olası nedenlerinden biri silikon kimyasal algılayıcıların tasarımı için çok sayıda disiplin
gerekmektedir. Bununla beraber yarı-iletken fizik bilgisi, düzlem teknolojisi, elektronik devre ve
analitik kimya alanlarının hepsi birden bir tek araştırma grubunda mevcut değildir. Maalesef
elektrik ve kimya bölümleri arasında işbirliği de dünya üzerinde oldukça seyrektir; bundan dolayı
kimyasal algılayıcıların anlaşılması ve silikon tabanlı kimyasal algılayıcıların ticarileştirilmesi
gerçekten çok yavaş olmaktadır.
Algılayıcılara olan ihtiyaç acil olmasına rağmen bazı ataklara ve ticari başarılara öncülük edecek
araştırmaların uzun yıllar boyunca devam etmesi beklenebilir.
Çeşitli kimyasal algılayıcı türleri incelendiğinde algılayıcıların başlıca iki grupta toplanabileceği
görülmektedir. Birinci grup algılayıcılar iki kademede çalışmaktadır. Birinci kademede; bir
kimyasal sinyal, optik, mekanik, ısıl ya da manyetik sinyale dönüştürülür. İkinci kademede ise bu
Kimyasal Algılayıcı ve Dönüştürücüler 457
sinyalden elektrik sinyaline dönüşüm yapılır. Örneğin kızıl ötesi kaynak ve dedektör kullanılarak
CO dedektörü yapılabilir. İlk adımda CO konsantrasyonu kızıl ötesi ışık şiddetini modüle eder ve
ikinci adımda ışık şiddeti elektrik sinyaline dönüştürülür.
İkinci grup kimyasal algılayıcılar kimyasal bilginin doğrudan elektrik sinyaline dönüştürüldüğü
aygıtlardan oluşur. Bu gruba dahil olan algılayıcılar da kendi içinde sınıfa ayrılır. Homojen
katmandan oluşan birinci sınıf aygıt ilgili kimyasal uyarıcıya maruz bırakıldığında direnci veya
dielektrik sabiti değişir. Bunlara örnek olarak (chemo) kemo-direnç ve kemo-kapasitörler
verilebilir. Kimyasal algılayıcıların diğer bir sınıfı heterojen yapılardan oluşur. Silikon pn
jonksiyonlar, MIS (metal-yalıtkan-silikon) ve Schottky diyotları kimyasal uyarıcıya maruz
kaldığında karakteristiklerini değiştirebilir. Kimyasal algılayıcılar olarak MOSFET yapıları
üzerinde çok geniş çalışılmaktadır. ISFET çevreleyen elektrolitteki iyon konsantrasyonuna
duyarlıdır. Paladyum kapılı MOSFET hidrojen ve diğer gazlara duyarlıdır. Kimyasal algılayıcıların
özel bir ailesi ise neme duyarlı aygıtlardan oluşur.
Kimyasal algılayıcılar değişik kimyasal bileşik veya elementler tarafından meydana getirilen
uyarıcılara duyarlıdır. Bu algılayıcıların en önemli özelliği seçiciliğidir. Kimyasal algılayıcının
genelde önemli diğer bir özelliği çok küçük elektrik sinyalidir. Böyle bir algılayıcıda herhangi bir
elektriksel yükleme alınan bilgiyi bozacaktır. Bu yaygın olarak yüksek kaliteli arabirim elektronik
devrelerinin kullanımını gerektirir.
20.1 SEÇİCİLİK
Seçicilik algılayıcının öncelikle sadece bir kimyasal elemente veya diğer türlerin varlığında
bileşene (türe) tepki verme özelliği olarak tanımlanır. Çoğu biyolojik sistemlerde belirginlik
(specificity) bir çeşit basmakalıp ile karşılaştırmayı içeren biçim tanıma ile sağlanır. Yüksek
seçicilik birincil türün katkısının baskın (dominant) olduğu ve karışım türlerinin katkısının en az
olduğu anlamına gelmektedir. Bu yüzden kimyasal algılayıcının performansının
değerlendirilmesinde en önemli fonksiyonlardan biri seçiciliğin niteliğidir. Algılayıcının sadece
birincil türün aktivitesinin (konsantrasyonu) artırılarak tepkisinin değerlendirilmesi pratikte daha
yaygındır. Arka plan numune maddesi olarak yoğunlaştırılmış (saf) birincil türün miktarının
artırılarak test konsantrasyonlarının sürekli geniş aralığını hazırlamak bunun tersini yapmaya göre
daha uygun olduğundan kabul görmektedir. Tümüyle seçici bir algılayıcı gerçekte yoktur ve daima
bir miktar girişim (birincil madde dışındaki diğer maddeler) mevcuttur.
20.1.1 ENZİM ALGILAYICILARI
Seçiciliği sağlamanın bazı yolları vardır. Bunlardan biri enzimatik katmanlı algılayıcıların
kullanılmasıdır. Enzimler özel tip bir katalizör, canlı organizmalarda bulunan 6-4000 kdalton
moleküler ağırlığında proteinlerdir. Bunların iki önemli özelliği vardır: (1) verilen bir yapıya aşırı
derecede seçicilerdir ve (2) reaksiyonların artış oranında olağanüstü etkilidir. Bu yüzden bunlar
hem seçicilik ve hem de çıkış sinyallerinin genliğine önemli katkıda bulunurlar. Reaksiyonun
maksimum hızı enzim konsantrasyonu ile orantılıdır. Enzimatik algılayıcının genel diyagramı şekil
20.1’de görülmektedir.
Algılayıcı eleman ısıtılmış bir prob, elektrokimyasal algılayıcı veya optik algılayıcı olabilir.
Enzimler sadece su bulunan ortamda çalışır; bundan dolayı bunlar jeller ve özellikle hidrojeller
olan immobilizasyon matrisleri içine dahil edilebilirler. Temel çalışma prensibi şöyledir. Bir enzim
(katalizör) yapının difüzyonlandığı bir katmanın içine immobilize edilir (yerleştirilir). Enzim yapı
ile reaksiyona girer ve bunun sonucu meydana gelen ürün katmandan yayılarak örnek çözeltinin
içine girer. Reaksiyonla ilgili olan diğer türlerin de katmandan içeri ve dışarı yayılması gerekir.
Şekil 20.1 Enzim algılayıcısının şematik diyagramı
20.1.2 KATALİTİK ALGILAYICILAR
Bu algılayıcılar ısıl enzimatik algılayıcılara benzer prensipte çalışırlar. Isı algılayıcının yüzeyinde
yer alan katalitik reaksiyon sonucu olarak ortaya çıkar ve aygıtın içinde değişen ilgili sıcaklık
ölçülür. Diğer taraftan bu sistemin kimyası yüksek sıcaklıklı kondüktometrik oksit algılayıcılarının
kimyasına benzemektedir. Katalitik gaz algılayıcıları özellikle madenlerde yeraltındaki hava
ortamında yanıcı gazların düşük konsantrasyonunun dedeksiyonu için tasarımlanmıştır. Bu
algılayıcılar ekseriyetle pelistör olarak adlandırılır. Bu algılayıcılar oldukça basittir. Platin sargı
paladyum veya platin gibi gözenekli katalitik malzeme ile kaplanmış ThO2/Al2O3 maddesine
gömülür. Sargı hem ısıtıcı ve hem de sıcaklık algılayıcısı (RTD) olarak çalışır. Doğal olarak diğer
herhangi tip bir ısıtıcı eleman ve sıcaklık algılayıcısı burada rahatlıkla kullanılabilir. Tutuşabilen
gaz katalitik yüzey ile reaksiyona girdiğinden reaksiyon sonucu ısı yükselerek maddenin (pellet) ve
platinin sıcaklığı ve dolayısiyle direnci artar. Algılayıcının olabilecek iki modu vardır. Birisi
izotermaldir; sargıdan geçen akımın sıcaklık sabitini sürdürmek elektronik devre ile sargı akımı
kontrol edilir. İzotermal olmayan mod’da algılayıcı Wheatstone köprüsünün elemanı olarak
bağlanır ve Wheatstone köprüsünün çıkış gerilimi gaz konsantrasyonunun bir ölçüsüdür.
20.1.3 BİYOALGILAYICILAR
Kimyasal reaksiyonların çoğu sıcaklığın artırılması ile hızlandırılır. Bunun istenilmediği

durumlarda katalizörler kullanılır. Katalizör normal sıcaklıklarda kimyasal reaksiyonun hızını
artırabilen bir malzemedir. İnsan vücudunda organizmanın fonksiyonda tutulması için çok miktarda
biyolojik reaksiyonlar olmaktadır. Bu reaksiyonlar 37 °C civarındaki normal sıcaklıklarda oluşur ve
özel ölçümlerle bu reaksiyonların hissedilmesi çok yavaştır. Burada katalizör madde reaksiyonun
hızını artırır; özel bir metotla katalizör madde sadece bir reaksiyona etki eder. Bu katalizörler
enzim olarak adlandırılır, kompleks molekül yapısındadırlar ve bugün binlercesi bilinmektedir.
Enzimler yiyecek, ilaç, deterjan, vb. üretiminde önemli rol oynamaktadırlar. Enzimler hayatı
belirleyici olarak özellikle hastalıktan dolayı enzim konsantrasyonunun yetersizliğinde canlı
organizmalarda enzim konsantrasyonunun kontrolünün olabilirliği üzerinde büyük ilgi vardır.
Örneğin şeker hastalığında önemli rol oynayan enzim insülin enzimidir. Şeker hastalarında aşırı
glikoz bulunur ve bu durum düzenleyici insülin ile tedavi edilir. Kandaki şeker seviyesinin küçük
bir sistem ile sürekli gözetlenerek, yeterli miktarda insülinin otomatik olarak enjekte edilmesi ve
oldukça küçük yapılarak hasta tarafından taşınabilmesi hasta açısından çok önemlidir. Silikon
tabanlı kimyasal algılayıcılar çok küçük yapılabilir ve daha da ötesi algılayıcı çipinin üzerinde
elektronik devrenin çoğunu taşıyabilir. Bu algılayıcılar enzim biyokimyasal alanında büyük ilgi
çekmektedir. Değişik enzim algılayıcıları literatürde tanıtılmıştır. Biyoalgılayıcılardaki potansiyeli
göstermek için ENFET olarak adlandırılan bir algılayıcıdan bahsedilecektir. İnsan kanındaki üre
konsantrasyonu böbreklerin fonksiyonerliliğinin bir göstergesidir ve bundan dolayı klinik pratikte
önemlidir.
Üreaz (urease: üreyi bakteri oluşturacak şekilde amonyak ve karbon diokside ayrıştıran enzim)
enzimi aşağıdaki reaksiyona katalizörlük yapar:
(NH 2 ) 2 CO + 2H 2 O + H + → 2NH +4 + HCO3− (20.1)
Çözeltinin pH si reaksiyon tarafından etkilenir ve bu pH ISFET tarafından ölçülür. Şekil 20.2a

EN(zim)FET in kesit görünüşünü göstermektedir. Alışılagelmiş n-kanallı yapının üzerinde SiO2 ve
Si3N4 tabakaları ısıl oksidasyon ve kimyasal buharlı biriktirme işlemi ile ISFET yapısı elde etmek
için konulur. Daha sonraki bir ayrıntılı işlemde üreaz enzimi içeren bir jel yapının üzerine konulur.
ENFET şimdi üre içeriğinin yavaşça değiştiği bir çözeltiye maruz kalmıştır. Çıkış sinyali enzimle
kaplanmamış ISFET referansı ile karşılaştırılır. Şekil 20.2b de deneme mahiyetindeki sonuçlar
görülmektedir. Güvenilir aygıtların yapılması için bunların üzerinde daha çok çalışılması
gereklidir. Biyoalgılayıcılar alanında ISFET lerin potansiyeli büyüktür.
mV
70
referans 34,9 °C
elektrodu 60
50
40
ne
re ç i
Vçıkış
enzim 30
20
n+ Si N n+ 10
3 4 SiO2
pSi 0
-5 -4 -3 -2 -1
10 10 10 10 10 gr/ml
Cüre
(a) (a) Üre duyarlı ISFET (kesit

(b) üre yoğunluğunun fonksiyonu olarak çıkış gerilimi
görünüş)
Şekil 20.2
20.2 ISIL ALGILAYICILAR
Bir sistemin dahili enerjisi değiştiğinde buna ısının emilmesi veya yayılması eşlik eder. Bu
termodinamiğin birinci kanunu olarak adlandırılır. Bu yüzden ısı ile ilişkili kimyasal reaksiyon
uygun bir ısıl algılayıcı ile dedekte edilebilir. Bu algılayıcılar mikro kalorimetrenin temelini
oluşturan temel prensiplerde çalışırlar. Isıl algılayıcının çalışma prensibi basittir: bir sıcaklık probu
kimyasal seçici tabaka ile kaplanır. Prob numune madde ile karşılaşınca numune madde ve
kaplama arasındaki reaksiyon süresince ortaya çıkan ısı prob tarafından ölçülür.
Böyle bir algılayıcının basitleştirilmiş çizimi şekil 20.3’de görülmektedir. Algılayıcı çevreye olan
ısı kaybının azaltılması için ısıl kalkan ve katalitik tabaka ile kaplanmış termistörden oluşur.
Tabaka bir matris içine enzim yerleştirilerek yapılabilir. Böyle algılayıcıya örnek immobilize
oksitleyici (GOD) kullanan enzim termistörüdür. Enzimler termistörün ucunda immobilize edilir ve
sonra çevreleyen çözeltiye olan ısı kaybının azaltılması için cam ceket ile çevrelenir. İmmobilize
inek serumlu albumin taşıyan benzer başka bir algılayıcı referans olarak kullanılır. Her iki termistör
Wheatstone köprüsünün kollarını oluşturacak şekilde bağlanır. Kimyasal reaksiyon sonucu artan
sıcaklık entalpideki artışsal değişim, dH ile orantılıdır:
dT = − dH / C p (20.2)
Burada, Cp ısı kapasitesidir. Yüzey kaplamasındaki kimyasal reaksiyon
GOD
β − D − glikoz + H 2 O + O 2 → H 2 O + D − glikonik asit, ΔH1 (20.3)
ve
kataliz
H 2O 2 → 1/2O 2 + H 2 O, ΔH 2 (20.4)
dir. Burada, ΔH1 ve ΔH2 kısmi entalpilerdir; yukarıdaki reaksiyon için bunların toplamı yaklaşık
olarak –80 kJ/mol’dur. Algılayıcı hidrojen peroksit (H2O2) konsantrasyonuna bağlı olan dinamik
aralıkta doğrusal tepki verir.
Şekil 20.3 Kimyasal ısıl

algılayıcısının şematik
diyagramı
20.3 ELEKTROKİMYASAL ALGILAYICILAR
Elektrokimyasal algılayıcılar diğer kimyasal algılayıcılara göre çok yönlü ve daha iyi
geliştirilmiştir. Çalışma moduna bağlı olarak bunlar gerilimi ölçen (potansiyometrik), elektrik
akımını ölçen (amperometrik) ve iletkenlik veya direnci ölçen (kondüktometrik) algılayıcılar olarak
sınıflandırılabilir. Bütün bu metotlarda ya bir kimyasal reaksiyonun yer aldığı ya da yük iletiminin
reaksiyon ile modüle edildiği özel elektrotlar kullanılır. Elektrokimyasal algılayıcının temel kuralı
daima kapalı bir devre gerektirmesidir yani ölçüm yapmak için elektrik akımının (DC veya AC)
akması gerekir. Elektrik akımının akışı temelde kapalı bir devre gerektirdiğinden algılayıcının en
azından iki elektroda ihtiyacı vardır ve bunlardan birisi dönüş elektrodu olarak adlandırılır.
Potansiyometrik algılayıcılarda ölçüm için akım akışı gerekmemekle beraber gerilim ölçümü için
döngünün yine kapatılması gerektiğine dikkat edilmelidir.
Genel olarak elektrokimyasal algılayıcılarda gerilim, akım, direnç veya kapasitans ölçülür. Sıklıkla
algılayıcı elektrokimyasal hücre olarak adlandırılır ve algılayıcının nasıl kullanıldığı esas olarak
duyarlılık, seçicilik ve doğruluğa bağlıdır.
20.3.1 POTANSİYOMETRİK ALGILAYICILAR
Bu algılayıcılar elektrokimyasal hücrede elektrot-elektrolit arayüzeyinde oluşan redoks

reaksiyonlarının denge konsantrasyonu etkisini kullanır. Elektrot yüzeyinde yer alan redoks
reaksiyonundan dolayı bu arayüzeyde bir elektrik potansiyeli gelişebilir:
Ox + Ze = Red (20.5)
(Ox oksidantı ve Red indirgenmiş ürünü gösterir) Bu reaksiyon elektrotların birinde oluşur (bu
durumda katodik reaksiyon) ve yarım-hücre reaksiyonu olarak bilinir. Termodinamik kısmi denge
şartları altında Nernst eşitliği uygulanabilir ve
RT Co*
E = Eo + ln (20.6)
nF C R*
olarak ifade edilebilir; burada Co* ve C R* sırasıyla Ox ve Red konsantrasyonları, n transfer edilen
elektron sayısı, F Faraday sabiti, R gaz sabiti, T mutlak sıcaklık ve Eo standart durumda elektrot
potansiyelidir. Potansiyometrik algılayıcıda iki yarım hücre reaksiyonu her elektrotta eş zamanlı
olarak yer alacaktır. Bununla beraber reaksiyonların sadece biri ilgili türün algılanmasını içerir,
diğer yarı-hücre reaksiyonu isteğe bağlı tersine dönüştürülebilir, etkileşimsizdir ve bilinmektedir.
Potansiyometrik algılayıcının hücre potansiyelinin ölçümü sıfır akım veya kısmi denge şartları
altında yapılmalıdır; bundan dolayı çok yüksek empedans girişli bir yükseltici (elektrometre)
genelde gerekmektedir. Yük transferi açısından elektrokimyasal arayüzeyin iki türü vardır: ideal
polarizeli (saf kapasitif) ve polarize olmayan. Sadece inert elektrolit (örneğin H2SO4) içeren
çözeltiler ile temaslı bazı metaller (örneğin Hg, Au, Pt) ideal polarizeli arayüzey davranışına
yaklaşırlar. Buna rağmen hatta böyle durumlarda sonlu bir yük transfer direnci böyle bir
arayüzeyde mevcuttur ve fazla yük çift-katman kapasitansı ve yük transfer direncinin çarpımı
( τ = Rct C dl ) ile verilen zaman sabiti ile sızarak kaybolur.
İyon seçici zar bütün potansiyometrik iyon algılayıcıların anahtar bileşenidir. Bu numune
maddesinde farklı diğer iyon bileşenlerin varlığında ilgili iyona algılayıcının tepkisi ile referans
oluşturur. İyon seçici zar çözelti ile polarize olmayan arayüzey biçimindedir. İyi davranışlı bir zar
kararlı, tekrarlayabilir, birikme (adsorb) ve karıştırma etkilerine bağışıklı ve seçici olup hem
yüksek mutlak ve hem de bağıl akım yoğunluğu değişimine sahiptir.
20.3.2 CHEMFET ALGILAYICILAR
Alan etkili transistör (FET) kullanan kimyasal potansiyometrik algılayıcılar CHEMFET’ler olarak
bilinir. Bunlar küçük boyut ve düşük güç tüketiminin temel olduğu alanda çok popüler olmuştur.
Örnekler biyolojik ve tıbbi gözlemlemedir. CHEMFET’ler seri imalat fabrikasyonuna uygun katı
hal algılayıcılarıdır. Yüzey alan etkisi potansiyel oluşumu için istenilen mekanizma olup yüksek
kimyasal seçicilik ve duyarlılık sağlamaktadır. CHEMFET’ler transistörün metal olmayan kapı
yüzeyi ve referans elektrodu arasına yerleştirilen elektrokimyasal potansiyel ile temelde
genişletilmiş kapı alan etkili transistördür. Genel olarak CHEMFET algılayıcıların dört tipi vardır:
iyon seçici, gaz seçici, enzim seçici, ve immuno seçici algılayıcılar. Şekil 20.4a pH ölçümü için
silikon nitrat kapılı iyon seçici bir CHEMFET’i göstermektedir. Bu algılayıcı temelde metal-yalıtıcı
yarı-iletken FET olup çıplak silikon nitrat kapı yalıtıcı numune çözeltiye açılarak pH duyarlılığı
verilir.
İnorganik oksit CHEMFET’in çalışma prensibi şekilde görüldüğü gibi yük türlerinin yüzey
birleşmesi ve ayrılması ile alan birleşme modeline dayanır. İyonik konsantrasyon değişirken
CHEMFET’in kapı algılama alanında yüzey yük yoğunluğu da değişir. İyon seçicilik kapı
yalıtıcının yüzey dokusu ile belirlenir. Ek olarak, geleneksel iyon seçici zarlar farklı kimyasal
algılayıcıların çok geniş aralığını oluşturmak için kapı yalıtıcının üzerine biriktirme suretiyle
konulabilir.
(a) pH gözleme için iyon seçici Chemfet’in yapısı (b) kaynak izleyici modunda elektriksel bağlantı
Şekil 20.4
Yüzey yük yoğunluğundaki bir değişim CHEMFET kanal kondüktansını etkileyerek akaç akımında
değişim olarak ölçülebilir (şekil 20.4b). Bundan dolayı, eğer E polarlama gerilimi CHEMFET’in
akaç ve kaynağına uygulanırsa sonuç i akımı elektrokimyasal potansiyel ile kontrol edilir ve bu
çözeltideki farklı elektrolitlerin konsantrasyonunun bir fonksiyonudur. Elektrolitlerin
konsantrasyonuna tepki olarak akaç akımının değişimleri çıkış gerilimi, Vçıkış gibi düşünülebilir.
CHEMFET algılayıcının temelde üç terminalli bir aygıt olduğu görülmektedir. Bunlar akaç (D),
kaynak (S) ve referans elektrodu (G)’dur.
CHEMFET’in üretim işlemi standart MOSFET teknolojisine benzer. Şekil 20.5 pH CHEMFET’in
fabrikasyon işleminin ana adımlarını göstermektedir. İşlem p-tipi <100> yönlendirilmiş silikon
yaprakcık ile başlar. Başlangıç oksitlemesinden (a) sonra akaç bölgesini kapatmak ve p-tipi yapının
yüzey inversiyonundan dolayı kaynak elektrotları ve akaç arasındaki kaçağı en aza indirmek için p+
koruyucu halka biçimlendirilir (b). (c) adımında akaç ve kaynak elektrotları fosforlu difüzyon
işlemi ile biçimlendirilir. Yaklaşık olarak 600 Å kalınlığında dioksit tabakası daha sonra silikon
yapının ısıl oksidasyonu ile biçimlendirilir (d). İnce bir tabaka silikon nitrat kimyasal buhar
biriktirme tekniği kullanılarak biriktirilir (e) ve son adım (f) akaç ve kaynak elektrotlarında kontak
metalizyonunu içerir.
CHEMFET algılayıcının kapı alanı elektrolitle temasta olduğundan aygıtın paketlenmesi duyarlı
bölgenin çözeltiye açık olacak şekilde muhafazalanmasını gerektirir. Bütün iletken uçlar ve iletken
bileşenlerin çözelti ile temasının yalıtılması için çok dikkat edilmelidir. Bu durum bu teknolojinin
uzun dönem elektrolitlere açık kalacak şekilde uygulama zorluklarından biridir. Şekil 20.6 da
algılayıcının nasıl kullanıldığını göstermek için silikon lastik ile fabrikasyonu yapılmış tıbbi kılcal
algılayıcının ucu görülmektedir. Algılayıcının açık kısmı gümüş-klorit referans elektrodu ve kapı
(geyt) penceresine açılmaktadır.
20.3.3 KONDÜKTOMETRİK ALGILAYICILAR
Elektrokimyasal iletkenlik algılayıcısı elektrokimyasal hücrede elektrolitin iletkenliğindeki

değişimi ölçer. Elektrokimyasal algılayıcı elektrotların polarizasyonu ve faradik ve yük transfer
işleminden kaynaklanan kapasitif empedans içerebilir.,
Homojen elektrolit çözeltisinde elektrolitin kondüktansı G(Ω-1) elektrik alanı boyunca çözelti
segmenti, L ile ters orantılı ve elektrik alanına dik kesit alanı, A ile doğrudan orantılıdır:
ρA
G= (20.7)
L
Burada, ρ(Ω-1 cm-1) elektrolitin öz iletkenliği olup konsantrasyon ve iyonik tür yüklerinin
büyüklüğü ile nicelik olarak ilişkilidir. Kohlarausch’a göre herhangi bir konsantrasyondaki
çözeltinin eş değer kondüktansı, C mol/l olarak veya uygun birimlerde
Λ = Λ o − β C 0,5 (20.8)
ile verilir; burada, β elektrolitin karakteristiği ve Λo sonsuz seyreltme (dilution) durumunda

elektrolitin eşdeğer kondüktansıdır.
Kapı (geyt) oksit
(a) (d)
Başlangıç oksidasyonu Kapı (geyt) oksit gelişimi
Nitrit/oksinitrit
Koruyucu halka
(b) (e)
Koruyucu halka için p-difüzyonu Nitrit veya oksinitrit biriktirmesi
Aluminyum
(c) (f)
Akaç ve kaynak için n-difüzyonu Kontak metalizasyonu
Şekil 20.5 CHEMFET fabrikasyonunun ana adımları
Şekil 20.6 Tıbbi

uygulamalar için
CHEMFET pH
algılayıcısının
kılcal ucu
Elektrokimyasal kondüktivite algılayıcısı ile elektrolit kondüktansının ölçüm teknikleri yıllar

boyunca temelde aynı kalmıştır. Ekseriyetle köprünün direnç kollarından birini oluşturan
elektrokimyasal hücre (algılayıcı) ile Wheatstone köprüsü kullanılır. Bununla beraber bir katı’nın
iletkenliğinin ölçümünden farklı olarak elektrolitin iletkenlik ölçümü ekseriyetle çalışma
geriliminde elektrotların polarizasyonundan dolayı karmaşıktır. Elektrot yüzeylerinde faradik veya
yük iletim işlemi oluşur. Bu yüzden kondüktivite algılayıcısının faradik işlemin oluşamayacağı bir
gerilimde çalıştırılması lazımdır. Hücreye potansiyel farkı uygulandığında her elektroda yakın çift
katman formasyonu dikkate alınması gereken önemli bir husustur. Bu durum Warburg empedansı
ile tanımlanır. Bundan dolayı faradik işlemin yokluğunda bile iletkenliğin ölçümü süresince çift
katmanların etkisinin dikkate alınması önemlidir. Faradik işlemin etkisi algılayıcının L/A hücre
sabitinin yüksek tutulması ile en aza indirebilir; böylece hücre direnci 1 ve 50 kΩ arasındaki
bölgede bulunur. Bunun anlamı küçük elektrot yüzey alanı (A) ve büyük elektrotlar arası uzaklık
(L) kullanılmasıdır. Bununla beraber, bunun sonucu olarak Wheatstone köprüsünün duyarlılığı
azalır. Sıklıkla bunun çözümü için çoklu elektrot konfigürasyonu kullanılır. Hem çift katman ve
hem de faradik işlemin etkileri yüksek frekanslı düşük genlikte alternatif akım kullanılarak en aza
indirilebilir. Diğer iyi bir teknik hücreye yakın köprü alanının direncine paralel değişken kapasitör
bağlanarak hücrenin hem direnci ve hem de kapasitansının dengelenmesidir.
20.3.4 AMPEROMETRİK ALGILAYICILAR
Amperometrik kimyasal algılayıcıya örnek, fikri 1956’da ortaya atılan Clark oksijen algılayıcısıdır.
Taşıt eksoz kontrolü, hasta gözleme, endüstriyel güvenlik kontrolü, fırın verimliliğinin
geliştirilmesi ve diğer uygulamalarda minyatür oksijen algılayıcılarının seri imalatı gittikçe
artmaktadır. Oksijenin algılanması için çok prensip vardır ve bu algılayıcının ebatlarını düşürmek
ve seri imalata uygun hale getirmek için araştırma ve geliştirme çalışmaları yapılmaktadır.
Halihazırdaki oksijen algılayıcılarının çoğu (a) TiO2, Nb2O5 ve CeO2 gibi yarı-iletkenlerin direnç
değişiminin ölçümüne veya ortam kısmi oksijen basıncının azaltılmasına, (b) elektrokimyasal ZrO2
hücresinden geçen (elektrik alanı tarafından hücreye pompalanan oksijenin neden olduğu) akımın
ölçülmesine ve (c) Clark hücresine dayanır.
Cazip işleme kabiliyetleri ile silikon minyatür oksijen algılayıcılarının yapımında da kullanılır.
Hastanelerde ameliyat esnasında solunum gazlarındaki veya hastanın kanındaki oksijenin sürekli
gözlenmesi istenilir. Kan örneklerinin laboratuvar analizi için devamlı alınması da zaman alıcıdır.
Bundan dolayı standart kılcal (catheter) borularına yerleştirilecek kadar küçük, silikon tabanlı Clark
hücresi laboratuvarlarda geliştirilmiştir.
Clark hücresindeki elektrotun çalışma prensibi oksijen geçiren zardan oksijeni metal katoda ileten
elektrot takımı içindeki elektrolit çözeltisinin kullanımına dayanır. Katot akımı (20.9) ile ifade
edilebilen iki adımlı oksijen indirgeme işleminde artış göstermektedir:
O 2 + 2H 2 O + 2e _ → H 2 O 2 + 2OH _
(20.9)
H 2 O 2 + 2e _ → 2OH _
Şekil 20.7a elektrot ucu boyunca gerdirilmiş zarı göstermektedir; zar ince elektrolit katmanından
geçerek katodun oksijen difüzyonuna izin verir. Algılayıcı takımı içinde hem anot ve hem de katot
bulunmakta ve dış kısımdaki numune madde ile elektriksel temasları yoktur. Clark elektrotunun
birinci derece difüzyon modeli şekil 20.7b’de görülmektedir. Zar-elektrolit-elektrot sistemi zar
yüzeyindeki kısmi basınç denge kısmi basıncına, po eşit ve katottaki kısmi basınç sıfıra eşit olarak
bir boyutlu difüzyon sistemi olarak görev yapar. Kararlı durum elektrot akımının
4 FAα m Dm po
I≈ (20.10)
xm
olduğu gösterilebilir; burada, A elektrot alanı, αm zar içindeki oksijenin çözünürlüğü (solubility), F
Faraday sabiti, Dm difüzyon sabiti ve xm zarın kalınlığıdır. Akımın elektrolit kalınlığı ve difüzyon
özelliklerinden bağımsız olduğuna dikkat edilmelidir. Teflon zar oksijen geçirgen film olarak
kullanılır. Algılayıcının duyarlılığı akımın oksijenin kısmi basıncına oranı olarak tanımlanabilir:
I
S= (20.11)
po
Örneğin zar 25 mm kalınlığında ve katot alanı 2·10-6 cm2 ise bu durumda duyarlılık yaklaşık olarak
10-12 A/mm Hg’dir.
(b) sistem boyunca oksijen şiddeti dağılımının birinci derece

(a) Clark elektrotu
bir boyutlu modeli
Şekil 20.7
Clark hücresinin bir dezavantajı gümüş katodun yavaşça tükenmesinin sonucu olarak minyatür bir
Clark hücresinin çalışma ömrünün sadece birkaç saat olmasıdır. Tıb alanında kullanılan
algılayıcıların çoğunun kullanıldıktan atılması gerektiğinden bu ciddi bir problem değildir.
Yukarıdaki reaksiyonlar elektrolit içerisinde oksijen yokken oluşmaz. Hücreden akan akım sıfırdır.
Standart bir ölçme düzeneğinde Clark hücresi oksijen içeriğinin ölçülmesi istenen kan sıvısı içine
daldırılır. Zar oksijen geçirgenliğine sahipse elektrolitteki oksijen yoğunluğu kandaki oksijen
yoğunluğu ile sabit bir ilişki içerisindedir. Bundan dolayı hücreden geçen akım kandaki oksijen
yoğunluğunun bir ölçüsüdür. Bu algılayıcıların klinik uygulamalarda daha etkin olarak kullanılması
için paketleme, canlı yapısına uygunluk, sterilizasyon, uzun çalışma ömrü ve tepki zamanı gibi bazı
problemlerin çözülmesi gerekir.
Enzimatik tip Amperometrik algılayıcı iki Clark oksijen elektrotu ile enzimatik reaksiyonun neden
olduğu bağıl oksijen eksikliğini ölçebilen bir algılayıcı ile yapılabilir. Algılayıcının çalışma
prensibi şekil 20.8 de görülmektedir. Algılayıcı benzer iki oksijen elektrottan oluşur; bunlardan
birisi (A) aktif oksit tabakası ile diğeri (B) ise aktif olmayan enzim tabakası ile kaplanmıştır.
Uygulamanın bir örneği glikoz algılayıcısı olup inaktivasyon işlemi kimyasal, ışınım veya ısıl yolla
yapılabilir. Algılayıcı iki Pt katot ve bir Ag anot’u destekleyen cam koaksiyel tüpler ile plastik bir
taşıyıcıya yerleştirilmiştir. Enzim reaksiyonunun yokluğunda bu elektrotların oksijen akısı ve buna
baülı difüzyon sınırlayıcı akımlar yaklaşık olarak birbirine eşittir. Çözeltide glikoz mevcut ve
enzimatik reaksiyon yer aldığında aktif elektrota ulaşan oksijen miktarı enzimatik reaksiyon ile
tüketilen miktar kadar azalır ve sonuçta bir akım dengesizliği meydana gelir.
Şekil 20.8 Glikozun dedeksiyonu

için uyarlanmış amperometrik
Clark oksijen algılayıcısının
basitleştirilmiş diyagramı
20.4 KONSANTRASYON ALGILAYICILARI
Bu algılayıcılar belli bir kimyasal malzemenin konsantrasyonuna reaksiyon gösterirler.

Malzemenin konsantrasyonu algılayıcının bazı fiziksel özelliklerini yani direncini veya
kapasitansını değiştirebilir (modüle eder). Genel anlamda algılayıcıda kimyasal reaksiyon yer
almadığından bu algılayıcılar fiziksel algılayıcılar olarak adlandırılır.
Bir sıvının varlığının dedeksiyonu için algılayıcının algılanacak maddenin (agent) belli bir
konsantrasyonuna özgü veya duyarlı olması gerekir. Yani algılayıcının sıvının fiziksel ve/veya
kimyasal özelliklerine seçici olması gerekir. Böyle bir algılayıcıya örnek hidrokarbon yakıt (fuel)
kaçaklarının rezistif tip dedektörüdür (orijinal olarak gömülü telefon kablolarının korunması için
tasarlanmıştır). Dedektör silikon ve siyah karbon karışımdan yapılır. Polimer matris algılayıcı
eleman olarak görev yapar ve iletken dolgu maddesi oldukça düşük hacim direncinin sağlanması
için kullanılır; bu direnç başlangıçtaki bekleme durumunda 10 Ωcm seviyesindedir. Karışım çok
büyük solvent-polimer etkileşim katsayısı ile solventin varlığına seçici olarak duyarlıdır. Algılayıcı
su veya alkol gibi kutuplu solventlere duyarsız olduğundan yer altı ortamında kullanılmaya
uygundur. Algılayıcının fabrikasyonu çok büyük yüzey/kalınlık oranında ince film biçiminde
yapılır. Solvent film algılayıcıya uygulandığında iletken partiküller arasında bir açılma oluşarak
polimer matris şişer. Bu karışım filmin iletken durumdan 109 Ωcm veya hatta daha yüksek direnç
ile yalıtkan duruma dönüşmesine neden olur. Film algılayıcının tepki zamanı 1 saniyeden daha
azdır. Algılayıcının hidrokarbon yakıt (fuel) ile teması kesildiğinde normal iletken durumuna geri
dönerek aygıtı yeniden kullanılabilir duruma getirir.
Konsantrasyon algılayıcısının diğer örneği tüp seramik yapı üzerine yarı-iletken malzemenin
biriktirme suretiyle konulduğu hava temizliği algılayıcısıdır. Algılayıcının ortam sıcaklığının
üzerinde ısıtılması gerekir. Yarı-iletken malzeme saf rezistif bileşen olarak metil mercaption
(CH3SH), etil alkol (C2H5OH), sigara dumanı, v.b. gibi oda içi kirli gazların varlığında direnci
düşer. Şekil 20.9a da algılayıcının devresi görülmekte ve şekil 20.9b çeşitli kirleticilere göre
duyarlılık karakteristiğidir. Algılayıcının çıkışı R balast direnci uçlarında gelişen V gerilimidir.
(a) Devre şeması (b) duyarlılık karakteristiği
Şekil 20.9 Hava temizliği algılayıcısı
20.5 OSİLASYONLU KÜTLE ALGILAYICILARI
Osilasyonlu algılayıcının arkasındaki fikir yüzeyinde ek kütle biriktiğinde piezo-elektrik kristalin

rezonans frekansındaki kaymadır. Piezo-elektrik quartz osilatör seri (fr) veya paralel (far)
rezonansla ilişkili olarak bir frekansta rezonans yapar. Her frekans kristalin kütlesinin ve biçiminin
bir fonksiyonudur. Kimyasal bileşenin molekülleri kristalin yüzeyinde birikerek kütlesini ve
akabinde rezonans frekansını düşürür. Elektronik devre numune gazdaki kimyasal konsantrasyonun
hemen hemen doğrusal bir ölçüsü olan frekans kaymasını ölçer. Eklenen kütle aşırı derecede küçük
olduğundan bu metot mikro-gravimetrik teknik olarak adlandırılır. Metodun mutlak doğruluğu
kristalin mekanik bağlantısı, sıcaklık, vb. gibi faktörlere bağlı olduğundan ekseriyetle ölçüm aralığı
üzerinde kalibrasyon yapılması gereklidir. Osilasyon algılayıcıları aşırı derecede duyarlıdır.
Örneğin tipik bir duyarlılık 5 MHz·cm2/kg aralığında olup 1 Hz’lik frekans kayması yaklaşık 17
ng/cm2 eklenen ağırlığa karşılık gelmektedir. Dinamik aralık oldukça geniştir: 20 μg/cm2 ’ye kadar.
Seçiciliğin sağlanması için kristal ilgili malzemeye duyarlı veya uygun kimyasal tabaka ile
kaplanır.
Tekniğin olası uygulamalarından biri aerosol ve süspansiyonlar (hava veya gaz ortamında bulunan
duman veya sis gibi tanecikler) gibi heterojen numunelerin gözlemlenmesidir. Vuran ve yapışan
partiküllerden dolayı (sıvı aerosol veya katı süspansiyonlar) kütle artışı güçlü bir frekans kayması
meydana getirmekle beraber rezonans frekansı partikülün boyutuna da duyarlı olup partikülün
büyüklüğünün dedeksiyonu veya sabit partikül boyutlu numunelerin gözlemlenmesi mümkündür.
Kristalin yapışkanlık özelliğini geliştirmek için ya kimyasal işlemden geçirilir ya da elektrostatik
etki kullanılabilir.
Osilasyon dedektörünün diğer tipi 5. Bölümde bahsedilen yüzey akustik dalga (SAW)
algılayıcısıdır. SAW daha düşük yoğunlukta hava gibi bir ortamla temasta olan katının yüzeyi
boyunca yayılan mekanik dalgalarla ilgili fenomendir. Bu dalgalar Rayleigh tarafından 1885 de
tahmin edilmiş ve bazen Rayleigh dalgaları olarak adlandırılır. Yüzey akustik dalga algılayıcısı üç
ana bileşenli bir iletim hattıdır: piezo-elektrik verici, iletim hattı olarak kimyasal seçici özellikte bir
katman ve piezo-elektrik alıcı. Elektrik osilatörünün ürettiği sinyal piezo-elektrik vericinin

elektrotları ile yapıyı esneterek mekanik bir dalga üretir. Dalga kimyasal seçici özellikteki iletim
yüzeyinden alıcıya yayılır. Yapının fabrikasyonu ekseriyetle yüksek piezo-elektrik katsayılı
LiNbO3 den yapılır. İletim hattının piezo-elektrik olması gerekmez; bu şekilde algılayıcının farklı
malzemelerden tasarımı mümkün olur. İletim yüzeyi kaplamanın seçiciliğine bağlı olarak numune
partiküller ile etkileşime girerek yayılan dalgaların modülasyonuna neden olur. Dalgalar bir uçtan
alınarak elektrik sinyaline dönüştürülür. Ekseriyetle bu ölçüm metodunda diğer bir referans
algılayıcısı vardır ve ürettiği sinyal test algılayıcısının ölçtüğü sinyalden farkı alınmak suretiyle
çıkartılır.
20.6 OPTİK ALGILAYICILAR
Optik algılayıcılar elektromanyetik ışınımın cisimle etkileşimine dayanmakta olup ışınımın bazı
özelliklerinin değişmesi ile sonuçlanır. Böyle modülasyonlara örnek olarak ışınımın şiddeti,
polarizasyonu ve ortamdaki ışık hızındaki değişimler verilebilir. Optik modülasyon spektroskopi
alanına girer; spektroskopi polimerlerdeki atomlardan dinamik durumlara kadar farklı mikroskobik
yapılarda bilgi sağlar. Genel bir düzenlemede monokromatik (tek renkli) ışınım numune maddeden
(gaz, sıvı veya katı olabilir) geçer ve özellikleri çıkışta incelenir. Alternatif olarak numune gaz
ikincil ışınıma tepki verir ve bu tepki ölçülür.
Optik kimyasal algılayıcılar sadece tasarımcının hayal gücü ile sınırlanan çok çeşitli tasarımlarla
yapılabilir. Burada optik algılayıcının nasıl çalıştığını göstermek için sadece bir tip aygıt üzerinde
durulacaktır. Gösterim amacıyla şekil 20.10 da CO2 algılayıcısının basitleştirilmiş konfigürasyonu
görülmektedir. Algılayıcı iki odacıktan oluşmakta ve bu odacıklar ortak LED ile aydınlatılır. Her
odacık daha iyi dahili yansıtıcılık kazanması için yüzeyleri metalleştirilmiştir. Sol odacıkta gaz
geçirgen zar ile örtülü yarıklar bulunur. Yarıklar CO2’in odacığa difüzyonuna veya girmesine izin
verir. Odacıkların alt kısımları camla yapılır. A ve B yaprakcıklarının her ikisi optik dalga
kılavuzlarını biçimlendirir. Test odacığı CO2 ile etkileşime girebilecek madde (reagent) ile
doldurulurken referans odacığı doldurulmaz. Algılayıcının CO2 ’ye açık numune kısmı seyreltilmiş
çözeltide (sol odacık) pH göstergesinin optik emilmesini gözler; optik emilme Beer-Lambert
kanununa uygun olarak değişir:
I = I o exp[−a (λ , pH )Cd ] (20.12)
Burada, I verilen ışık şiddeti, Io kaynak ışık şiddeti, a molar emicilik, λ dalga boyu, C
konsantrasyon ve d optik yol uzunluğudur.
Şekil 20.10 Optik CO2

algılayıcısının basitleştirilmiş
konfigürasyonu
Ortamdaki CO2 etken maddede (reagent) bikarbonat iyon tampon sistem ile dengelenir (geleneksel
Severinghaus-Stow CO2 elektrotunda yapıldığı gibi). CO2, H2CO3 ve HCO3 arasındaki denge
çözeltinin pH’sinde bir değişim meydana getirir. Çözelti pH 5 den pH 7 ye 560 nm de optik
emilmede keskin, hemen hemen doğrusal değişim taşıyan pH-indikatör Klorofenol Red içerir. Sol
odacıktaki tampon konsantrasyonu 0 ile 140 Torr arası kısmi CO2 basınçlarında istenilen ölçüm
aralığında pH değişimi sağlayacak şekilde seçilebilir. Tampon pH karbon dioksitin kısmi
basıncının (pCO2) logaritması ile doğrusal olarak değiştiğinden optik emicilikteki değişimlerin
pCO2 nin logaritması ile doğrusal değişmesi de beklenebilir.
Algılayıcının her iki yarısı için konulmuş ortak LED pH duyarlı numune maddeden geçerek test
foto diyotuna (PD1) ışık gönderir. İkinci foto diyot (PD2) LED’in ışık şiddetindeki değişimlerin
etkisinin azaltılması veya ihmal edilmesi için referans amacıyla konulmuştur. Sıcaklık kararlılığı
için algılayıcının sıcaklık kararlı çevrede çalıştırılması gerekir.
20.7 SİLİKON WAFER GAZ KROMATOGRAFI
Kimyasal algılayıcılarının çoğunluğunun dezavantajı sadece bir kimyasal ölçüme duyarlı olmayıp
çok şeye tepki göstermeleridir ki bu da bu algılayıcıların iyice tanımlanmış şartlar altında
kullanılmasını gerekli kılar. Bundan dolayı geniş aralıktaki örnekleri dedekte edebilecek kimyasal
algılayıcılar büyük ilgi odağıdır. Böyle bir aygıt olan gaz kromatografı silikon yağıyla kaplanmış
dar sütundan oluşur. Bilinmeyen gazlar ve taşıyıcı gaz sütuna pompalanır ve yüzeydeki gazların
farklı etkileşimlerinden dolayı gazlar sütunun sonunda değişik zamanlarda gözükür.
Bu tekniğe dayalı aygıtlara gaz kromatografları adı verilir ve literatürde çok yerde
bahsedilmektedir. Aygıtın seçiciliği diğer şeylerin yanında sütunun çapına bağlıdır. Silikonun
mikro-işlenilebilmesi ile iyi tanımlanmış sütunlar yapılabilmektedir. Literatürde 5 cm çapında
silikon wafer üzerine mikro-işleme ile kromatografın tümünün konulabileceği yer almaktadır.
Wafer tabanlı gaz kromatografının blok diyagramı şekil 20.11a da görülmektedir. Aygıtın temel
bileşenleri taşıyıcı gaz beslemesi (Helyum), bilinmeyen gazları enjekte eden minyatür vana, gazları
ayıran sütun ve sütunun çıkış ucunda gözüken gazları ölçmek için bir dedektördür. Sütun boyunca
herbir gazın taşınma oranı taşıyıcı gazın hızı ve yüzeyle olan etkileşime bağlıdır. Yapılan bir
deneyde sütun genişliği 200 μm, derinlik 30 μm ve uzunluk ise 1,5 m olup fotolitografik ve kazıma
işlemleri ile fabrikasyonu yapılmıştır. Bilinmeyen gazlar için giriş silikondan kazıma suretiyle
yapılan kapalı selenoid kontrollü küçük boşluklarla sağlanmıştır.
Ayırma
sütunu 1.0
Örnek
1
çıkış
gaz
taşıyıcı
gaz
V çıkış
0.5
2
3
wafer 0.0
He2 0 1 2 3 4 5 sn
enjeksiyon ısıl td
vanası dedektör
(a) Wafer-tabanlı gaz kromatografının blok (b) (1) Azot, (2) Pentane ve (3) Hexane ile
diyagramı kromatogramlar
Şekil 20.11
Gazların ısıl iletkenliği büyük farklılık gösterir ve bu özellik sütunun çıkışında dedektör tarafından
kullanılır. Sabit akımda direncin (ince film nikel direnç) uçlarındaki gerilim direncin üzerinden
geçen gazın ısıl iletkenliğine bağlıdır. Şekil 20.11b (1) Azot, (2) Pentane ve (3) Hexane piklerini
gösteren gaz kromatograf çıkışının kromatogramını göstermektedir. Azotun silikon yağı ile
herhangi bir etkileşimi olmayıp helyum ile enjeksiyondan 2,6 saniye sonra birleşir.
Wafer-tabanlı gaz kromatografları üzerinde daha ileri çalışmaların yapılması gerekmektedir. İyi bir
çözünürlüğe ve zaman tepkisine sahip olmanın yanında taşınabilirliğinin sağlanması kullanışlılığını
artıracaktır.
1. Kimyasal algılayıcıların tasarımında hangi faktörler dikkate alınır?

2. Enzim algılayıcılarının çalışma prensibi nedir? Bu algılayıcının içinde elektriksel olaylar nasıl
gelişir?
3. Katalitik algılayıcıların çalışma prensibi nedir? Bu algılayıcının içinde elektriksel olaylar nasıl
gelişir?
4. Elektrokimyasal potansiyometrik algılayıcının çalışma prensibi nedir? Bu algılayıcının içinde
elektriksel olaylar nasıl gelişir?
5. CHEMFET algılayıcıların çalışma prensibi nedir? Bu algılayıcının içinde elektriksel olaylar
nasıl gelişir?
6. Kondüktometrik algılayıcıların çalışma prensibi nedir? Bu algılayıcının içinde elektriksel
olaylar nasıl gelişir?
7. Amperometrik algılayıcıların çalışma prensibi nedir? Bu algılayıcının içinde elektriksel olaylar
nasıl gelişir?
8. Konsantrasyon algılayıcılarının çalışma prensibi nedir? Bir odadaki havanın sürekli ve
otomatik temizliği nasıl sağlanır?
9. Osilasyonlu kütle algılayıcılarının çalışma prensibi nedir?
10. Optik kimyasal algılayıcıların çalışma prensibi nedir?
21 GÜVENLİK VE HIRSIZ ALARM SİSTEMLERİ
21.1 GİRİŞ
Güvenlik insanoğlunun var oluşundan beri önemli olgulardan biri olmuştur. Güvenlik sistemleri
çağımızın teknolojisi olan elektronik teknolojisinin kullanılması ile birlikte sürekli gelişme
göstermektedir. Hırsızlık tüm yerleşim yerlerinde en çok korkulan olaylardan biridir. Bu olayların
başlangıç anında ilgili birimlerin hemen haberdar edilmesi için ihbar ve alarm sistemlerine ihtiyaç
vardır. Gelişen teknolojinin amacı ise caydırıcı unsurları ile bu olayları en aza indirmek ve
olabilecek tehlikeleri önlemektir. Bunun için güvenlik sistemleri kişilerin günlük yaşantılarını
bozmayacak şekilde projelendirilir.
Güvenlik sistemleri genelde alarm sistemi adı verilen hırsızlık, saldırı, yangın ve gaz kaçağı gibi
tehlikelere karşı kurulan erken uyarı sistemleridir. Bu tehlikelerin herbirine karşı ayrı sistemler
kurulduğu gibi hepsini kapsayacak şekilde sistemler de kurulabilmektedir.
Güvenlik ve hırsız alarm sistemlerinde algılayıcılar ve dönüştürücüler en önemli rolü

oynamaktadır. Bundan sonraki kısımlarda yukarıda sayılan özellikle hırsız ve izinsiz giriş
durumunu dedekte edebilecek algılayıcılar ve bunların ilgili yerlerdeki uygulamalarındaki pratik
durumlardan bahsedilecektir. Bu algılayıcılar ve dönüştürücülerin çalışma prensipleri kitabın ilgili
bölümlerinde özellikle 9. Bölümde verilmiştir.
21.2 FOTO-ELEKTRİK IŞINLAR
Foto ışınları olarak da bilinen foto-elektrik ışınları çok basit bir prensiple çalışır. Işık kaynağı
belirli uzaklıktaki foto-dedektörün üzerine yansır. Işığın yolunu kesen hırsız ve diğer kimseler
alarmın çalışmasına neden olur. Daha uzun ışın boylarında ışını odaklamak için aynalar ve
mercekler kullanılır. Bunlar halihazırda kullanılmakta olduğu gibi yaklaşık 50 yıldır
kullanılmaktadır.
Foto-elektrik ışınları değişik tiplerde olup aşağıdaki gibi sınıflandırılabilir:

¾ Görünen - görünmeyen kızıl ötesi (IR) ışınlar
¾ Duran - palsli ışınlar
¾ Akkor - LED (IRED) - lazer ışınlar
¾ Çift uçlu - tek uçlu ışınlar
İlk kullanılan foto ışınları görünür, akkor ve duran ışık kaynaklarıydı. Bu ışığın bir hırsız tarafından
görülmesi ve bundan kaçması çok kolaydı. Ayrıca hırsız alıcıya ışık tutarak bu bariyeri kolayca
geçebilmekteydi. Yine kazara alıcı üzerine güneş ışığı veya diğer bir ışık düşmesi halinde de aynı
durum olmaktaydı. Akkor lambanın flamanının yanarak sönmesi de aynı problem durumunu
oluşturuyordu. Ayrıca bu akkor lambaların kullanılması besleme kaynağının kesilmesi durumunda
yedek bataryanın çalışma ömrünü sınırlamaktaydı.
Bununla ilgili yapılan ilk gelişim akkor flamanın gerilimini azaltıp (ve dolayısiyle ömrünün
artması) ve ışığın önüne bir kızıl ötesi (IR) filtre konularak ışının görünmez hale getirilmesi
olmuştur.
Alternatif metot ise görülebilen ve pals’li bir ışığın kullanılması olmuştur. Alıcı tarafından dedekte
edilen pals’ler vericideki pals’ler ile karşılaştırılır ve bunlar arasındaki herhangi bir fark alarm
şeklinde dedekte edilir. Böylece ışık tutarak sistemi geçmeye çalışan bir hırsız kendi alarmını
çalıştırmış olur. Bununla birlikte ışın görülebilir olduğu için aynı ışığın yeniden yansıtılabilme
ihtimalinden dolayı bundan da kaçınılmıştır.
Günümüz foto-ışınlarının çoğu LED’lere benzemekte olup kızıl ötesi ışın çıkaran ve görünmez ışın
yayan IRED’lerdir. Uzun mesafelerde çoğunlukla askeri amaçlı olmak üzere lazer ışınları
kullanılır. LED ışını görünür ışığa göre daha uzun mesafeli pals’li mod’da çalıştırılır ve lamba
tutarak geçme teşebbüsü, güneş ve diğer ışınların parlak zemin, metal, cam gibi nesnelerden
yansıyarak kazara düşmesi gibi olaylara karşı emniyetlidir. Çoğu foto ışınları çift uçlu yani verici
ve alıcı iki ayrı ünite olarak şekil 21.1a da görüldüğü gibi bir odanın zıt kenarlarına monte edilir.
Bu üniteler marka ve modeline bağlı olarak 15 – 300 metreye kadar aralıkta mevcuttur. Kapsamayı
artırmak veya bir köşeyi dönmek (ışın uzunluğunu artırmak için değil) için ışığın yansıtılmasında
bir ayna şekil 21.1b de görüldüğü gibi kullanılabilir.
(a) Üstten
görünüşü ile
kapsamanın geniş
açı paterni. Çift
uçlu sistem
(b) Uzun aralık

paterni. Bir köşe
etrafında ışığın
yansıtılması
Şekil 21.1 Pasif kızıl ötesi dedeksiyon paternleri

Güvenlik ve Hırsız Alarm Sistemleri 473
Tek uçlu ışınlar hem verici ve hem de alıcıyı bir ünite içinde barındırır. Bunlar bisikletteki gibi geri
yansıtıcı (reflektör) kullanarak şekil 21.2a da görüldüğü gibi ışının alıcıya geri gelmesini sağlar. 23
– 76 metre maksimum aralığına sahiptirler ve sadece bir ünitede tesisat ve montaj işlemlerinin
yapılabilmesinden dolayı popülerlik kazanmışlardır. Yansıtıcı karşıya asılabilir veya yansıtıcının
doğrultusu kritik olmadığından duvara monte edilebilir. Tek uçlu sistemde tesisat ve kablolamadan
önemli ölçüde tasarruf yapılabilir.
(a) Geri yansıtıcı

kullanan tek uçlu
sistem
(b) Foto-elektrik
ünitesine yakın, ışığın
rengindeki cisimler
dedekte edilmemiş
koruma alanına neden
olabilir.
Şekil 21.2 Pasif kızıl ötesi dedeksiyon paternleri
Tek uçlu foto ışınının sakıncası alıcı ünitesine yakın kazara veya bilerek yerleştirilmiş ışık renginde
veya yansıtıcı bir cisim şekil 21.2b de görüldüğü gibi yeterli kızıl ötesi ışığı yansıtarak ışın yolunun
tamamlanmasına neden olabilir. Bu durumda koruma alanının bir kısmı kayıp durumunu bildirecek
bir bildiri veya ihbar yapılmaksızın kaybolur. Bu yüzden çift uçlu ışın yolunu kesen her şeye karşı
duyarlı olduğundan tek uçlu sisteme göre daha fazla güvenlik sağlar. Yani tek uçlu sistem iyi bir
koruma yapamamaktadır. Bütün dedektörler kesinlikle bazı sınırlamalara sahip olduğundan
bunların tesisatı ve montajında dikkatli olunmalıdır. Foto ışınlar tesis edilirken üniteler açık bir
yola sahip olmalı ve montajı sıkıca yapılmalı ve düzgünce doğrultuya getirilmelidir. Bunların aynı
zamanda darbelere karşı da korunup doğrultularının bozulması engellenmelidir. Çoğu üreticiler bu
amaca yönelik isteğe bağlı koruyucu ön paneller üretmektedirler. Örneğin bir depodaki çatal
kaldırıcılardan (fork lift) dedektörü korumak için zeminin içine dedektörün içinde bulunduğu çelik
borular gömülebilir ve yüzeyle fiziksel teması iyi sağlanabilir.
Foto ışınları ile yaygın bir istek bunların aralığının aşılması veya çok sayıda ayna kullanılmasıdır.
Bu istek sıklıkla daha ucuz ve daha kısa aralıklı ünite veya uzaklığın kapsanması için gerekli iki
ünite yerine sadece bir ünite kullanılarak tasarruf yapma teşebbüsünün sonucudur.
Aynalar kullanılabilir fakat kullanılan her aynanın doğrultuya getirilmesinin daha zor ve daha kritik
olduğu unutulmamalıdır. Her ayna maksimum ışın yolunu % 20-50 arasında azaltacaktır. Pratik bir
başlangıç noktası olarak ayna başına % 25 kayıp alınabilir. Ayna kullanımı tercihen bir ile
sınırlandırılmalı ve ışın başına ikiden fazla olmamalıdır. Aynalara alıcı ve verici ünitelerinde
olduğu gibi aynı güvenli montaj yapılmalıdır. Diğer optik elemanlarda olduğu gibi aynaların da
tozdan, kirden ve nem yoğunlaşmasından uzak tutulması sağlanmalıdır.
Foto ışın üniteleri ekseriyetle bir duvara veya sert bir yüzeye monte edilir. Bazı küçük ünitelerde
hem tek ve hem de çift uçlu tipler yüzey veya duvara düz montaj için mevcuttur. Bunlar açık bir
görüş sağlar ve fiziksel darbelerden oldukça iyi korunma sağlar. Bazı üniteler bir duvarın düzenli
görüntüsü gibi gizlenir. Ender bir ayna uygulaması aynanın kapı üzerine monte edilerek kapının
açılması ile alarmın tetiklenmesidir. Bu örneğin bir deponun kapısı gibi tek bir kapının
kapsanmasını sağlayabilir ve manyetik kontak kullanarak uzun iletkenlerin tesisatının
gereksinimini ortadan kaldırır. Bununla beraber bazı önlemlerin alınması gerekir: (1) kapı esnek
olmamalı ve menteşelerinden sıkıca tutturulmalıdır böylece kapının oynaması sonucu olabilecek
yanlış alarmlar engellenebilir ve (2) en iyi dedeksiyon için ışının yerleştirilmesinde kapıya
yönlendirilecek ışının hırsızın girmesi muhtemel olmayan yönde yerleştirilmesinden kaçınılmalıdır.
Foto ışının olağandışı fakat mantıklı bir uygulaması alarm sinyali için kablosuz iletim yoludur.
Birkaç yüz metre uzaklıkta korunması gereken iki binayı dikkate alalım. Binalar arasında hiç hat
yok ve güvenli bir hattın konulması ise pahalı olmaktadır. Seçeneklerden biri foto ışın vericisinin
diğer binaya yönlendirilmiş olarak uzaktaki binaya yerleştirilmesidir. Uygun hava ve çevresel
koruma ve açık görüş hattı tabiki gerekmektedir. Uzaktaki binadaki alarm kontrolü bir alarm
durumu meydana geldiğinde foto elektrik vericisinin beslemesini kesecek şekilde düzenlenir. Bu
olduğunda diğer binadaki foto elektrik alıcı alarm durumuna gidecektir. Foto ışın dış ortam güvenli
değilse yanlış alarmlara meydan vermemek için yeteri kadar yükseğe monte edilebilir veya eğer
binalar arasındaki alanın güvenliği sağlanacaksa uygun yükseklikte monte edilebilir. Şekil 21.3 de
sistemin düzenlenmiş hali görülmektedir.
Şekil 21.3 Birbirinden uzak iki bina arasında foto elektrik ışın kullanarak koruma sağlanması
Dış ortama monte edilen bütün foto elektrik ışınlarda bazı hususların dikkate alınması gerekir.
Örneğin soğuk iklimlerde optik parçalar üzerinde yoğunlaşma veya donmayı engellemek için
termostatik kontrollu ısıtıcıların kullanılması gerekebilir. Güvenli çalışma ve yeniden şarj için
yedek bataryaların tercihen +5 °C den yukarı sıcaklıkta tutulması gerekir. Daha aşağı sıcaklıklarda
da kullanım mümkündür fakat kapasite azalması oluşur ve bataryalar yeniden şarj sırasında zarar
görebilir.
Hava ve çevre şartlarına karşı uygun koruma ve doğrultunun mekanik olarak korunması açıkça
mutlaka olması gereken unsurlardır. Alıcı üzerine güneş ışığı veya diğer ışık kaynaklarının
düşmesinden kaçınılmalıdır. Alıcı ve verici yerlerinin değiştirilmesi ve/veya ışık kalkanlarının
kullanılması ekseriyetle beklenmeyen ışık problemlerini çözebilir. Kaçınılması gereken diğer

etkenler hayvanlar, kuşlar ve rüzgarla uçuşan yapraklar, enkaz veya ağaç dallarını içerir.
Foto-ışınlı dedektörler genelde iyi davranışlı dedektörlerdir ve uygulanmaları kolay ve yanlış alarm
verme ihtimali oldukça düşüktür. Hareket algılayan dedektörlere nazaran daha ucuzdurlar ve
hacimsel tipteki dedektörlerin aksine düz bir hat boyunca dedeksiyon işlemi yaparlar.
Yanlış alarmlar ışının kesilmesi veya parlak ve duran ışıklar tarafından kaynaklanır. Pals’li tiplerde
aynı tip’ten ışının yansıtılması gerekir. Işın kesilmeleri ışın yolu üzerindeki karton kutular veya
diğer eşyalar, ışın yolu üzerine park etmiş araçlar, düşen kartonlar, hayvanlar, böcekler, yanan
ampüller, optik dengenin bozulması, kirli veya ıslak optik yüzeyler, vb. tarafından gerçekleşebilir.
Güneş veya diğer parlak ışıkların doğrudan düşmesi veya parlak bir yüzeyden yansıması da pals’li
tip ışın oluşturabilir.
Foto-ışınların iyi bir tarafı hava türbülansı, hareketli nesneler, aspiratörler, ışın yolu dışındaki
makinalar, dolu, yağmur, çift yönlü radyolar (telsizler), ziller, alarmlar, sirenler, ıslık, gürültü,
fluoresan ışıklar ve hareket algılayan dedektörlerde probleme neden olan diğer şeylerin etkisiyle
yanlış alarm verme ihtimallerinin az olmasıdır.
Bir hatalı alarmın tek ihtimali tek uçlu bir ışının yakınına yerleştirilmiş yansıtıcı cisim olabilir.
Kullanıcının uyanıklığı bu eksikliği engelleyebilir. Eski tip duran ışın (palsli olmayan) durumunda
parlak bir duran ışın alarmı geciktirebilir. Bunda bir şüphe oluşursa şüpheli ışın varken ve güneş
ışını şüpheli bir açıda geldiğinde ışının bütün kısımlarında yürüme testi yapılır. Aynı zamanda
alıcının tam önünde gözle vericiye bakılarak parlak ışık lekesi veya parıltı olup olmadığı
anlaşılabilir.
21.3 PASİF KIZILÖTESİ DEDEKTÖRLER
Adından da anlaşıldığı gibi pasif kızıl-ötesi (infra-red = IR) dedektörler pasif yani kendiliğinden
üreten aygıtlardır. Foto-ışınları, ultrasonik veya mikrodalgaların tersine enerji iletmez ve
yaymazlar. Sadece IR ısı enerjisi değişimlerini araştırırlar.
Bütün nesneler -273 °C olan mutlak sıfır değerinden daha yüksek olan sıcaklıklarda sıcaklık
oranlarına göre enerji yayarlar. Örneğin vücut sıcaklığı 37 °C olan bir insan sıcaklığı 20 °C olan bir
duvardan daha fazla enerji yayar. Böylece korunan bölgeden bir hırsız geçtiğinde (IR) ısıl
enerjideki değişim dedekte edilir.
Burada bir soru akla gelebilir: Duvarın sıcaklığı 37 °C ise ne olur? Bu durumda duvarın sıcaklığı
insan vücudunun sıcaklığına yaklaştırıldığında dedektörün duyarlılığı azalır. Pratik olarak geri
plandaki bütün kısımlar aynı sıcaklıkta olmayacaktır. Vücut sıcaklığı 37 °C olan bir insanın
giyinmeye bağlı olarak elbisesinin dışındaki sıcaklığının da değişebildiğine dikkat etmek gerekir.
Bu nedenlerden dolayı çevre sıcaklığının 37 °C olması durumunda bile bu dedeksiyon hala
güvenilirdir.
Değişik PIR dedektörleri mevcuttur ve iki değişik dedeksiyon paterni vardır. Örneğin bunlardan
birisi 75° - 80° lik bir açıyı ve 12 metreye kadar bir alanı kaplayan geniş açı paternidir. Bu geniş
açı paternli dedektörler duvar tiplerinde 270° ye kadar ve tavan tiplerinde 360° yapılmaktadır. Bir
köşeye yerleştirildiklerinde bitişik iki duvar boyunca ısı kaynaklarının neden olduğu potansiyel
yanlış alarmlardan kaçındıkları gibi odanın çoğunu kaplarlar. Şekil 21.4a da görüldüğü gibi
dedeksiyon paterni aktif olmayan alanlarla ayrılmış, belli sayıda duyarlı açısal ışınlardan oluşur.
Herhangi bir kişi veya hırsız aktif ve aktif olmayan alan arasındaki sınırı geçtiğinde dedekte edilir.
Buradaki ışın yayılan ışın anlamında olmayıp fresnel merceklerin yapımından kaynaklanan
algılama paternidir.
Diğer dedeksiyon paterni uzun ince ışınlardan oluşan uzun mesafeli patern’dir. Bazı dedektörler
şekil 21.4b de görüldüğü gibi yanlış alarmlara duyarlı olmayan dengeli iki ışın kullanırlar. Bunlar
tipik olarak hol ve koridorlarda ve bazen foto-ışınlarının yerine kullanılırlar ve dedeksiyon
mesafeleri 30 m - 300 m arasında değişir. Halihazırda mevcut bazı IR dedektörler kapağındaki
fresnel merceğin tersine çevrilmesi ile isteğe bağlı olarak geniş ve uzun algılama paternleri
arasında geçiş yapabilmektedir.
(a) Geniş açı paterninin

üst görünüşü
(b) Uzun paternin üst

görünüşü
Şekil 21.4 Pasif IR dedeksiyon paternleri
21.3.1 ALARMI ENGELLEYİCİ ETKENLER

Pasif IR dedektörleri uygulanırken hatırlanması gereken en önemli şey dedeksiyon paterninin
gözden geçirilmemesi ve denetlenmemesidir. Yani kızıl ötesi enerji herhangi bir inşa
malzemesinden geçemeyeceğinden yığılı karton kutular, yeni ilave edilmiş duvarlar, vb.
dedeksiyonu engelleyecek ve hiç alarm meydana gelmeyecektir. Dedeksiyon ünitelerinin bazen bir
darbe sonucu doğrultuları da bozulabilir. Burada da yine kapsama kaybı gözden kaçabilir.
Ultrasonik ve mikrodalga dedektörlerinde olduğu gibi tek çözüm test alanının düzenli olarak
yürüme testinden geçirilmesi gerekir.
Çift ışınlı dar ışın ve uzun aralık IR dedektörleri kullanılırken ünitenin iki ışın yan yana olacak
şekilde monte edilmesi gerekir. Yanlış monte edildiğinde (bir ışın diğerinin üzerinde) bir hırsız iki
ışını aynı zamanda kesecek ve bu hatalı dedeksiyonla sonuçlanacak veya dedeksiyon
gerçekleşmeyecektir.
21.3.2 YANLIŞ ALARMLAR

Pasif IR dedektörleri ısıya veya daha uygun anlamıyla sıcaklık değişimine tepki verir. Sıcaklığında
çok ani değişim olan birşey potansiyel yanlış alarm nedenidir. Buna tipik örnekler ışıklar ve açık
elemanlı elektrik ısıtıcıları gibi ısıtıcı tipleridir. Çoğu kalorifer radyatörleri ve diğer ısıtıcılar
dedekte edilemeyecek kadar yavaşça ılık hale gelirler. Alarm sistemi konulduktan sonra tesis edilen
lambalar da probleme neden olabilir. Belli bir süre alarm sistemi düzgünce çalıştıktan sonra
problem oluşursa sonradan takılan ışık kaynağına şüpheli olarak bakılabilir.
Geniş açı tipli IR dedektörler ışık veya diğer problem kaynağının kör segment içine düşürülmesi
için yeniden ayarlanabilir. Eğer bu pratik değil veya iki veya daha fazla problem kaynağı varsa bu
durumda tek alternatif ya problem kaynağının veya kaynaklarının yerini değiştirmek veya bunları
dedektörün görüş açısından ekranlamaktır. Hemen hemen her malzeme bir ekran veya kalkan
olarak görev yapabilir. Buna örnekler tahta, karton, kağıt, folyo, taş, levha malzeme ve kuru duvar
olabilir. Eğer ekranlama kullanılacaksa şunun akılda tutulması gerekir: bir hırsızın rahatlıkla
dedekte edilmeden hareket edebileceğinden daha büyük kör alan meydana getirilmemelidir.
Kolayca tutuşabilecek malzemeler yangın tehlikesine neden olacak şekilde ısı kaynağının yakınına
yerleştirilmemelidir. Isıtıcı veya diğer aygıtların normal çalışmasını etkileyebilecek şekilde hiç bir
malzeme yerleştirilmemelidir. Bir ekran olarak genişleyebilen veya delikli malzemeler
kullanılmamalıdır.
Hangi düzeltici aksiyon alınırsa alınsın kullanıcının gayretlerinin boşa gitmeyecek şekilde düzeltme
metodu ve gerekliliğini anlaması yerinde olacaktır.
Yanlış alarmların diğer potansiyel kaynağı kapsama alanı içindeki hayvanlardır. Dedektörden
uzaklığı ve bağıl büyüklüklerine bağlı olarak köpek ve kediler probleme neden olabilir. Fare ve
kuşlar dedektörün 50-100 cm yakınından geçmediği sürece probleme neden olma ihtimalleri azdır.
En iyi iddia kuşlar ve büyük hayvanların korunan alanın dışında tutulması olacaktır. Uzun, dar
ışınlı IR dedektörler sıklıkla hayvanlardan kaçınmak için taban seviyesinde monte edilir ve
yönlendirilir. Geniş açı tipli dedektörler ekseriyetle dedektöre yaklaşma ve kurcalamayı
engellemek için dedektörün önüne yakın dedeksiyon sağlaması bakımından aşağı doğru
yönlendirilmiş şekilde koruma ışınlarına sahiptir. Bu tip IR dedektörleri ile ünitenin yeteri kadar
yüksek konularak iyi hırsız dedeksiyon kapasitesi sürdürülürken taban seviyesindeki hayvanlardan
kaçınmak zor veya mümkün olmayabilir.
Normal olarak pasif IR dedektörleri uygulanmaları kolay ve iyi davranışlıdır. Ultrasonik ve

mikrodalgaları yanlış alarm verdirebilen rüzgar, çift yönlü radyolar (telsizler), hava türbülansı,
hareketli işaretlerden çok etkilenmezler. Pasif IR dedektörleri bir hırsız dedeksiyon ışın paternini
enine geçtiğinde en iyi duyarlılık ve ışın paternini boyuna geçtiğinde ise en az duyarlılık
gösterirler. Bu ultrasonik ve mikrodalgaların tersine bir durumdur.
21.4 ULTRASONİK HAREKET DEDEKTÖRLERİ
Ultrasonik hareket dedektörü aktif, hacimsel tip bir aygıttır. Bir veya birden fazla vericiden
korunacak odanın tamamına veya bir kısmını dolduracak şekilde ultrasonik ses gönderilir. Sesin
frekansı insanların çoğu tarafından duyulamayacak kadar çok yüksektir fakat köpekler veya diğer
hayvanları rahatsız edebilir. Bir hırsız veya izinsiz bir kişi bu boşlukta hareket ettiğinde ses
enerjisinin frekansında Doppler kayması adı verilen bir kayma meydana getirir. Kaymış bu
frekanslar bir veya birden fazla alıcı tarafından toplanarak hareket aksiyonunun varlığı dedekte
edilir.
Ultrasonik Doppler fikri ilk kez hırsız dedeksiyonu olarak kullanıldığında bilinmeyen nedenlerden
dolayı aşırı derecede yanlış alarmlar vermekteydi. Ek olarak rekabet nedeniyle kapsama alanında
da bir yarış vardı. Bu durum vericilerin aşırı kullanılmasına ve akabinde verici arızalarına öncülük
ediyor ve hırsızlar tarafından dedekte edilemeyecek teşebbüslere kapı açıyordu.
Bu problemler hemen hemen bir hırsız dedeksiyon aygıtı olarak ultrasoniklerin sonunun gelmeye
başladığını ifade etmeye başladı. Bununla beraber problemler aşamalı olarak tanımlandıkça alarm
şirketleri bu problemleri bulup bunlardan kaçınmaya başladılar ve aygıtlar üzerinde de iyileştirme
gerçekleştirdiler. Bu teşebbüslerden biri küçük rahatsız edici etkilere tepki olarak yanlış alarmları
azaltmak için devrenin otomatik olarak duyarlılığının azaltılmasıdır. Bu sistemin uyku veya
dinlenme moduna geçerek bir hırsızın dedekte edilmesini engelliyordu. Bu nedenlerden dolayı
tanınmış şirketler bu metodu kullanmamaya başladı. Bununla beraber yakın geçmişte yapılan
geliştirmeler ile makul dedeksiyon kapasitesi sürdürülürken yanlış alarm dedeksiyonu ihtimali
büyük oranda düşürülmüştür. Anlaşılması gereken ve güvenli bir çalışma için düzeltilerek
kaçınılacak bazı alanlar hala mevcuttur. Bunlar ultrasonik aygıtın incelenmesiyle açıklığa
kavuşturulabilir.
Ultrasonik aygıtlar üç kategoriye bölünebilir: (1) mini sonik olarak adlandırılan her şeyi içinde
barındıran tek üniteler; (2) ana-ek ve (3) çoklu kafa.
Her şeyi içinde barındıran üniteler en küçük ve en ucuzdur. Yaklaşık 7,6 metre uzunluğunda ve en
geniş noktasının yarısı kadar tipik eliptik kapsama sağlarlar. Kapsama paterninin yönlendirilmesi
ekseriyetle tüm ünitenin kendi etrafında dönebilen hareketli bir dirseğe montajını gerektirir. Sınırlı
kapsaması ile bunlar tipik olarak küçük bir odanın veya geniş bir alanda önemli değere sahip bir
alanın korunmasında kullanılır.
Gerekli olduğunda iki veya daha fazla ünite kullanılabilmekle beraber ana – ek tipi sistem
ekseriyetle daha ekonomiktir ve en azından üç veya daha fazla mini ünite ile beraber kullanılabilir.
Eğer her şeyi içinde barındıran iki veya daha fazla ünite aynı alanda kullanılacaksa bunların kristal
kontrollü kulanılması gerekir. Yoksa frekanslarındaki cüzi farklılıklardan dolayı birbirini
etkileyerek yanlış alarm verme ihtimalleri artacaktır. Hatta açık bir kapıdan diğer odadaki başka bir
üniteye ulaşan ultrasound da bu probleme neden olabilir.
Bir ana-ek sistem verici ve alıcı bir çift dönüştürücü içeren ana ünite, gerekli elektronik devre ve
isteğe bağlı yedek bataryadan oluşur. Fiyatı herşeyi içinde barındıran bir üniteden daha fazla
olmasına rağmen daha geniş bir kapsama alanı (12×6 m) sağlayabilir ve bazı üniteler kapsama
paterninin biçiminin değiştirilme donanımına sahiptir.
Ana-ek tipi sistemin en büyük avantajı pahalı olmayan ek dönüştürücülerin ana sisteme bağlanarak
ek küçük bir maliyet ile kapsamanın artırılması mümkündür. Farklı sistemlere ek kapsama
sağlamak için birden sekize kadar ek ünite bağlanabilir. Ek üniteler dış görünüşü ile ana üniteye
benzer. Bazı sistemler daha geniş esnek kapsama yapabilmek için farklı alıcı ve farklı vericilere
bağlanabilir veya yöne bağlı dönüştürücüler de bağlanabilir.
Çok başlı sistemler geniş kapsama alanı için gerekir. Ana-ek sistemin tersine elektronik ve yedek
batarya içeren ultrasonik kontrol kutusu dönüştürücü içermez. Ayrı verici ve alıcı dönüştürücüler
ultrasonik kontrol kutusuna bağlanır. Bu sistemler ekseriyetle çeşitli yönlü veya yönsüz vericiler
veya alıcıları veya alıcı-verici kombinasyonlarını üzerinde barındırabilir. Farklı sistemler 20-100
çift dönüştürücü çiftini barındırabilir. Bunların kapsayabileceği maksimum yer alanı 18000 metre
karedir.
Bazı sistemlerde elektronik devreler ile tümleşik yapılmış alıcılar kullanılır. Bu zayıf sinyalin ön
yükseltilmesini sağlayarak ekranlı kablo yerine bükülmüş çiftli iletken ile ultrasonik kontrol
kutusuna bağlantı yapılmasını sağlar. Böylece tesis masrafı azalır. Daha iyi sistemlerde ayrı bölge
duyurusu vardır ve büyük sistemlerde bu özellik girilen alanı belirlemeye ve yanlış alarmın yerinin
bulunmasında çok faydalı olmaktadır.

Ultrasonik sistem yanlış alarmları iki nedenden kaynaklanır: ultrasonik gürültü ve hareket. Doğru
frekansta ultrasonik gürültü bir Doppler kayması ve akabinde alarm olarak dedekte edilecektir.
İştilebilen gürültüye ek olarak zil, alarm, ıslık, buhar ve sıkıştırılmış gaz kaçakları, sesli makina
yatakları da yanlış alarma neden olan ultrasonik enerji meydana getirecektir. Böyle gürültülerin
işitilebilen kısımları sıklıkla böyle problemlerin kaynaklarının teşhisinde yardımcı olmaktadır.
Rasgele zamanlarda çalan klasik telefon zillerinin problem kaynağı olarak teşhis edilmeleri zordur.
Eğer şüphelenilirse numara çevrilip telefon zili çaldırılır ve sistemdeki etkisi gözlenir. Eğer bir
probleme neden oluyorsa telefonun içindeki gonglara bir miktar bant yerleştirilir veya telefonun
altına ses emici altlık yerleştirilir. Geliştirilmiş ultrasonik sistemler ile bugün telefon zilleri artık
problem olmamaktadır. Zaman saati ile kontrol edilen diğer zil türleri veya otomatik olarak çalışan
makinalarda böyle yanlış alarm kaynaklarının teşhisi zor olmaktadır. En iyi çözüm böyle şeylerin
varlığını kullanıcıya sormaktır. Eğer varsa ziller çaldırılır ve makina, vb. çalıştırılır ve sistem
üzerindeki etkisi gözlenir.
Yanlış alarmların endirek nedeni sıcaklık ve bağıl nem ile değişir. 21 °C civarında sıcaklık ve % 38
civarında bağıl nemde ultrasonik dedektörün dedeksiyon aralığı minimumdur. Bu noktaların aşağısı
ve yukarısında etkili aralık iki katı kadar olabilir. Eğer sistem minimum şartlarda kurulmuşsa
sıcaklık ve bağıl nem bariz olarak değiştiğinde (örneğin 31 °C ve % 90 RH) dedeksiyon aralığı
kapsamanın istenilmediği alanlara kayabilir ve bu alanlardaki olası yanlış alarm kaynaklarını
dedekte eder.
Sıkıştırılmış hava, buhar ve gaz kaçakları varsa kullanıcı tarafından tamir ettirilmelidir. Acil
durumda ultrasonik gürültü nedenini perdelemek (emmek) için kaçak üzerine kilim, sünger, lastik
veya inşaat yalıtım malzemesi konulabilir.
Kapsama alanı içinde hareketli cisim ultrasonik sistemde yanlış alarmların nedeni bir adaydır. Buna
tipik örnekler rüzgarda çarpan kapılar, sallanan işaret levhaları veya diğer displayler, vantilatörler,
makina ve benzeri şeylerdir. Vantilatörler, ısıtıcılar ve hava kondisyonerlerin neden olduğu hava
türbülansı yanlış alarm meydana getirebilir. Geliştirilmiş filtreleme teknikleri ile bugünkü sistemler
eski sistemlerin çok etkilendiği bu etkilerden daha az etkilenmektedirler. Bu durum özellikle
hareketli işaret levhaları ve gıcırdayan kapılar gibi ileri geri hareket tipleri için doğrudur. Böyle
durumların yanlış alarm nedeni sayılmaması doğru değildir. Tavana asılı ısıtıcılar ve büyük
hareketli parçalar veya büyük mesafeler kateden (30 cm) ünitelerin meydana getirdiği güçlü hava
türbülansına özellikle dikkat edilmelidir.
21.4.2 ALARMIN ÇALIŞMAMASI

Yanlış alarmlara ek olarak düzgün çalışmayı engelleyen bazı şeyler vardır. Dönüştürücülerin
önünün tıkanması buna yaygın bir örnektir. Eğer kullanıcı yeni bir büro veya depo yapmak için
duvar örer veya dönüştürücülerin monte edildiği orijinal tavanın bulunduğu yerden aşağı asma
tavan yaparsa bu problem ortaya çıkabilir. Diğer örnek bir marketin deposunda çalışmaların en
yoğun zamanlarda karton kutu veya diğer malzemelerin yığılarak depo edilmesidir. Sistemin
tesisatı hasar görebilir veya dönüştürücülerin darbe sonucu istenilen alanı kapsamayacak şekilde
yönlerinin bozulmasıdır. Sıcaklıktaki ve/veya bağıl nemdeki değişimler de kapsama alanını

azaltabilir. Bu nedenlere karşı tek güvenli çözüm kullanıcının günlük yürüme testi yapması ve
yetersiz kapsamayı rapor etmesidir.
21.4.3 ULTRASONİK ALARMLARDA PROBLEM GİDERME

Ultrasonik sistemde problem gidermek için dikkat edilmesi gereken çok nokta vardır. Bunların
çoğu önceki kısımlarda değinilmişti. Herhangi bir problem giderme durumunda olduğu gibi uygun
ve doğru işlem ne yapıyor olduğunuzu ve iyi girişim planına sahip olduğunuzu bilmektir.
Yanlış alarm kaynakları aranırken problem iki alana bölünür yani gürültü ve hareket. Ultrasonik
kontrol kutusundaki bütün verici dönüştürücülerinin bağlantısını kesiniz. Eğer bu kolaylıkla
yapılamıyorsa verici birkaç katlı kumaş ile örtülür. Alıcı dönüştürücülerinin bağlantısını
kesmeyiniz veya örtmeyiniz.
Üreticinin yönergesine uygun olarak ultrasonik kontrol kutusuna test aletini bağlayınız. Ölçü
aletinin gösterdiği gürültü miktarını gözleyiniz. Bu gürültü telefon, diğer ziller veya ıslık, makina,
vantilatör veya diğer ses çıkaran aygıtlardan kaynaklanabilir. Teşhis edildikten sonra bunu
gidermek için gerekli adımları atınız. Eğer problem giderilemezse verici gürültü kaynağına yakın
olacak şekilde verici ve alıcının yerlerini değiştiriniz. Böylece alıcı problemin kaynağından
uzaklaşır ve problem çözülebilir.
Ana-ek veya çok başlı sistemlerde gürültü kaynağını öncelikle ayırmak gerekir. Bu işlem alıcı
gruplarının ve sonra grup içindeki ayrı alıcıların bağlantısının kesilmesi ile yapılabilir ve böylece
problemin kaynağının bulunduğu alan belirlenebilir.
Problemin ultrasonik gürültü olarak gözükmediği durumda cisim hareketi veya hava türbülansının
varlığı keşfedilmelidir. Bu işlem vericilerin yeniden bağlantısı veya üzerlerindeki örtünün
kaldırılması ile yapılabilir. Eğer ölçü aleti problemin varlığını gösteriyorsa şüpheler doğrulanmış
olur. Doğru test sonuçlarının alınması için vantilatör, hava üfürücüler veya şüpheli makinaların
çalıştırılması gerektiği unutulmamalıdır.
Sonuç olarak problemin çözümü için geçici olarak sistemin gruplara ayrılması işlemi birden daha
fazla dönüştürücüsü olan sistemlere uygulanabilir. Bölge ve gruplardaki dönüştürücülerin
bağlantısı kesilir ve sonra problem bulununcaya kadar şüpheli bölge veya gruplardaki vericiler
teker teker ayrılır.
21.5 MİKRODALGA HAREKET DEDEKTÖRLERİ
Mikrodalga hareket dedektörleri ultrasonik hareket dedektörlerine benzer şekilde enerji yayarlar ve
hırsızın hareketinden kaynaklanan frekans kaymasını ararlar. İnsan kulağının duyabileceği sesin
biraz üzerindeki frekans yerine yüksek radyo frekanslarında çalışırlar.
İlk dedektörler 915 MHz’de çalışmaktaydı. Bunlar bütün yönlere çalışabildiğinden anten etrafında
360° lik dedeksiyon paterni vardı yani mikrodalga yerine bazen radar olarak da kabul ediliyorlardı.
Bugünün mikrodalga hareket dedektörleri eski sistemin 11 katı olan 10,525 Ghz’de çalışmaktadır.
Yeni sistem yöne oldukça bağlıdır. Kapsama alanı dönüştürücünün önündeki boynuz tipi anten
tarafından belirlenir. Değişik boynuzlar şekil 21.5 de görüldüğü gibi farklı mesafe ve kapsama açısı
sağlarlar. Çoğu mikrodalga üniteleri tek uçludur yani enerjinin yayılması ve Doppler kaymasının
tekrar geri alınması aynı ünite içinde yer alır. Tabiki frekanstaki Doppler kayması ünite tarafından
hırsız veya izinsiz giriş dedeksiyonu olarak algılanır. Şekil 21.6 da Doppler kayması prensibine
göre çalışan mikrodalga verici modülü görülmektedir.
Şekil 21.5 Tipik

mikrodalga kaplama
paternleri
Tipik kaplama alanı 23 m uzunluğunda ve 11 m genişliğindedir. Çift uçlu başka bir tipte ise
dedeksiyon paterni oldukça dar fakat uzundur. Tipik kaplama alanı 95 m uzunluğunda ve 5 m
genişliği ve yüksekliğindedir. Bu üniteler çitle çevrili iç ve dış alanlarda çevre dedeksiyonu olarak
kullanılır. Bu görüşe göre bunlar standart çift uçlu foto ışınlarının kullanıldığı prensibe uygunluk
taşırlar. Mikrodalganın foto ışını üzerindeki avantajı mikrodalga ışın paterninin yükseklik ve ene
sahip olmasıdır. Bu özellik temelde kalem kalınlığında ışını olan foto ışında yapılan korumada
olduğu gibi hırsızın alttan veya üstten geçebilme ihtimalini düşürür.
Şekil 21.6 10 m çalışma

aralığına sahip mikrodalga
X bant doppler modülü
Mikrodalga ünitesi bir ultrasonik üniteden daha pahalı olmasına rağmen daha büyük kapsama alanı
ile daha ekonomik olabilir. Gerçekte bir mikrodalga ünitesi birkaç ultrasonik sistemin gerektiği bir
alanı kapsayabilir. Azaltılmış tesisat işçiliğinin de dikkate alınması gerekir. Diğer taraftan yanlış
alarm ihtimali yüksek şartlarda ekonomik de olsa mikrodalga sisteminin kullanılmaması gerektiği
durumlar mevcut olabilir.

Yanlış alarmların en büyük tekrarlama oranı muhtemelen mikrodalga enerjinin inşaat
malzemelerinden geçebilmesi gerçeğinden kaynaklanmaktadır. Önceki 915 MHz’lik üniteler metal
dışında hemen hemen her inşaat malzemesinden geçebiliyordu. Yeni 10,525 GHz’lik üniteler daha
az nüfuz etme gücünde fakat ahşap, cam, kuru duvar ve sıvadan yine geçebilmektedir. Taş duvarlar
(tuğla, beton, taş) ise kolaylıkla nüfuz edilememektedir.
Duvara nüfuz bazen bir ünite ile birkaç odanın korunabilmesi açısından avantaj gibi reklam edilir.
Yeterli dikkat edilmedikçe dedeksiyon paterni harici duvarlara veya bölme duvarlarına nüfuz
ederek masum kişilerin yanlış alarm verdirmelerine neden olacaktır. Hatta bu problemi gidermek
için duyarlılık ayarlansa bile yine zorluklar ortaya çıkabilir. Örneğin dış caddeden geçen bir
kamyon yanlış alarmlara neden olabilir. Hatta binadan uzakta olmasına olmasına rağmen yaya
kaldırımındaki bir yaya da yanlış alarmlara neden olabilir.
Büyük kamyonlar potansiyel nüfuz etme problemini test etmek için daima pratik değildir ve şöyle
bir test yapılabilir. Harici duvarların dışı boyunca sistem enerjili iken bir kapı taşıyınız. Bu kapının
ağırlığı hafif fakat iç kısmında metalik örgü bulunmaktadır. Plastik veya cam fiber ağ iş görmez.
Kapı büyük bir kamyon kadar olmasa da dış duvara yakın olduğundan güvenilir bir testin
yapılmasına izin verebilir. Burada hariç tutulması gereken bir durum binanın çok yakınında
bulunan bir patika veya dar geçitten geçen kamyon olabilir.
Eğer yanlış alarmlar yukarıdaki testler sonucunda meydana geliyorsa ilk eğilim duyarlılığı
azaltmaktır. Bu kabul edilebilir fakat neticede dahili ortamda istenilen kapsama alanında güvenilir
olmayan bir dedeksiyon noktasına erişilebilir. Daha iyi bir yaklaşım genelde dedektörün yerinin
değiştirilme teşebbüsü olup nüfuz probleminin daha az problem olabileceği farklı bir duvara
yönlendirilerek monte edilmesidir. Bazen dedektörün tabana bakma yerine daha yukarıyı görecek
şekilde monte edilmesi mümkündür. Bu sıklıkla nüfuz problemini azaltacak veya elimine edecektir.
Daha ileri düzeltici bir tedbir olarak nüfuz metal ile ekranlama suretiyle kontrol edilebilir. Yekpare
levha metal, metal ekran teli veya metal folyo kullanılabilir. Hoş bir dekoratif etki için folyo duvar
kağıdı kullanılabilir. Bir uygulamada mikrodalgalar kuru duvarı ve plastik kanalizasyon borusunu
geçmiş ve üst katın banyosundaki tuvaletteki rezervuar boşaltıldığında yanlış alarm meydana
getirmiştir. Problemin kaynağının teşhisinde alınan zorluktan sonra folyo duvar kağıdı borunun
üzerine kaplanarak ekranlama yapılmıştır.
Vantilatörler ve diğer hareketli makinalar da yanlış alarmlara neden olacaktır. Metal ekran telleri
ile bazen hareketli aygıt ekranlanarak mikrodalganın bunları görmesi engellenir. Kullanıcıya bu
ekranların toz birikiminden uzak tutması gerektiği söylenmeli ve vantilatör ve diğer hareketli
aygıtların düzgün çalışması için yönlerini ayarlaması gerekir. Kullanıcıya aynı zamanda bu
ekranların olması gereken yerde tutulması gereği söylenmelidir. Ekranlama tekniklerinin
kullanılması yerine alarm sistemi çalışırken vantilatör ve makinaların çalışmasının durdurulması
genelde daha kolaydır. Bununla beraber otomatik kontrol edilen vantilatör veya makinalarda bu
durum mümkün olmayabilir.
Ekranlama yardımcı olabilir fakat metal yüzeyler genelde çift yönlü bir lütuftur. Mikrodalgalar
metal veya ince ağlı metal ekranlara nüfuz etmezken bunlar tarafından geri yansıtılacaktır. Bu
durum yanlış alarmlar üretebileceği beklenmeyen alanlara mikrodalgaların yansıtılması ile
sonuçlanacaktır. Buna örnek mikrodalga dedektörün ön pencere üzerine doğru olarak monte edilip
deponun içini görecek şekilde yönlendirilmesidir. Herşey depo içinde karşı duvarlara metal
görünümlü rafların yerleştirilmesine kadar iyi çalışmış fakat sonrasında mikrodalgalar metal
raflardan yansıyarak pencereden dışarı çıktığında bir kamyonun geçmesiyle sisteme yanlış alarm
verdirmiştir. Eğer rafların yerinin kaldırılması zor ise tek çözüm mikrodalga ünitesinin yerinin
değiştirilmesidir.
Yanlış alarmların diğer potansiyel nedenleri metal çatılar, rüzgarda çarpan duvar ve kapılar, polis,
itfaiye, ambülans, uçak, gemi telsizleri ve fluoresan lambalardır. Geliştirilmiş sistem tasarımları ile
bu nedenler eski sistemlerde olduğu kadar problem oluşturmamaktadır. Özellikle ileri geri hareket
ve fluoresan lambalar az bir problem gösterebilir. Çıkış güçlerine, uzaklık ve frekansına bağlı
olarak telsizler bazen problemlere neden olabilir. Hayvanlar da büyüklüklerine ve mikrodalga
ünitesinden uzaklıklarına bağlı olarak yanlış alarmlara neden olabilir. Diğer dedektörlerle
karşılaştırıldığında mikro dalga dedektörler hava akımları, gürültüler veya ışıklar tarafından yanlış
alarmlara neden olmazlar.

Önceki kısımda açıklandığı gibi ekranlama problemi olan alanlarda metaller kullanılabilir.
Metallerin tesisi kapsama alanının kaybına da neden olur. Buna örnekler metal folyo duvar kağıtları
ile yeni dekorasyon veya metal depolama raflarının eklenmesidir. Böyle kapsama alanının
dedeksiyonunun tek yolu kullanıcının bütün kapsama alanı içinde periyodik yürüme testi yapması
ve kapsamanın olmadığı alanları rapor etmesidir. Bir darbe sonucu sistemin dedeksiyon kapasitesi
kayba uğrayabilir. Burada da yine uygun kapsama alanının kontrol edilmesi için yürüme testi iyi
bir metot olmaktadır.
Yukarıdaki sistemin dışında diğer bir durum çevresel çift uçlu mikro dalga sistemdir. Burada sinyal
yolunun işgal edilmesi bir alarm durumu oluşturacaktır. Çift uçlu foto ışınında olduğu gibi sinyal
yolu denetlenmelidir.
21.6 YAKINLIK DEDEKTÖRLERİ
Yakınlık alarmları kasa alarmları olarak bilinir ve daha çok kasanın, para çekmecesinin, dosya
dolabının veya benzer metal cisimlerin korunmasında kullanılır. Bunlar kapasitans alarmları olarak
da bilinir çünkü korunan nesneye yaklaşık 5-7 cm yaklaşıldığında hırsızın vücudunun kapasitesini
algılarlar.
Bahçe çitlerinin korunması amacıyla da değişik tipte yakınlık alarmları kullanılır. Algılama
elemanı topraktan yalıtılmış ve çit’in 30-60 cm içerisinde gerilmiş bir teldir. Dengelenmiş bir
düzenlemede duyarlı iki tel ve yanlış alarm ihtimalini azaltmak için de koruyucu teller kullanılır.
Çitin dışındaki kişilerden algılayıcı kabloları korumak için uygun koruyucu teller kullanılır.
21.6.1 YANLIŞ ALARMLAR – KORUMA UYGULAMALARI

Bir kasa veya diğer cisim korunurken cismin topraktan iyice yalıtılması gerekir. Bunun aksi durum
yanlış alarm ile sonuçlanacaktır. Kapasitans alarm üreticileri ekseriyetle uygun yalıtıcı bloklar
sağlamaktadırlar.
Yaygın bir problem duyarlılığın çok yüksel kurulması eğilimidir. Yaklaşık 5-7 cm dedeksiyon
aralığı ekseriyetle yeterli olacaktır. 30 cm veya daha fazla dedeksiyon aralığının kurulması
ekseriyetle aşırı yanlış alarmlar ile sonuçlanacaktır. Diğer yaygın problem kasa veya korunan cisme
yakın telefon, lamba veya elektrik aygıtının bulunmasıdır. Aygıt elektriksel olarak yalıtılmış olsa
bile kapasitansı sıklıkla alarmı tetikleyecektir. Yakınlık sisteminin tesisatı yapıldığında yakınlık
kontrolunun mutlaka toprağa bağlanması gereklidir. Bunun tersinin yapılması güvenilir olmayan
operasyon ile sonuçlanacaktır.
Eğer kasa veya korunan cisim bir bölme duvarının yakınına veya dışına yerleştirilirse korunan
binanın dışındaki bir kişinin alarmı tetikleme ihtimali mümkündür. Bu problemden kaçınmak için
korunan cisim duvardan uzaklaştırılır ve/veya duyarlılık azaltılır. Duyarlılığın güvenilir dedeksiyon
noktasından daha aşağı azaltılması doğru değildir. Eğer yukarıdaki metotlar çalışmazsa kasa veya
korunan cismin yeri değiştirilir. Eğer bu mümkün değilse son çare kasanın arkasına bir metal
parçası yerleştirmektir. Burada herhangi bir metal levha kullanılabilir. Kenarlardan ve üstten 15-30
cm uzatılmış metal parçası kasanın üzerine düşmeyecek şekilde sabitlenmelidir. Ekran monte
edildikten sonra dedeksiyon sisteminin yeniden ayarlanması gerekecektir. Eğer zorluk ortaya
çıkarsa kapasitansın azaltılması için kasanın duvardan biraz uzağa çekilmesi gerekebilir.
Normal operasyonunda bir kasa veya para kasası konut veya işyerinin alarmından ayrı olarak
merkezi istasyonda bir alarm hattına bağlanır. Bu işlem bina güvenlik altına alınmadan önce işin
kapanışında kıymetli eşyaların emniyete alınmasına izin verir. Bazen temizlikçi personeli veya geç
çalışanlar alanda olabilir. Eğer bunlar korumaya alınmış cisme çok yaklaşırlarsa yanlış alarma
neden olacaklardır. Böyle kişilerin yeterli uzaklıkta durması veya yaklaşmaması
bilgilendirilmelidir.
Alarmın çalışmamasının yaygın bir nedeni yanlış alarmdan kaçınmak için duyarlılığın çok düşük
ayarlanmasıdır. Yanlış alarmlar kısmında anahatları verilen düzeltici aksiyonlara ek olarak yeniden
ayarlama bu problemi elimine edecektir.
Diğer bir problem çok sayıda cismin korunma teşebbüsünde ortaya çıkar. Bir yerde birden fazla
para kasası olması ihtimali düşük olmasına rağmen metal masalar ve dosya dolapları çok yaygındır.
Bir dedeksiyon sistemi ile üreticinin belirlediği maksimum korunacak cisim sayısını aşılmamalıdır.
Benzer problem yakınlık dedektörü kontrol kutusunun korunacak cisimlerden çok uzak
yerleştirilmesinde oluşur. 3-6 m pratik bir sınır olmakla beraber bu kullanılan kablo tipi ve korunan
cisimlerin büyüklüğüne bağlıdır. Üreticinin talimatlarına uyulmalıdır.
21.6.2 YANLIŞ ALARMLAR – ÇİT UYGULAMALARI

Çim, çalı veya yabani otların algılayıcı hatlardan uzak olarak kesilerek düzeltilmemesi sonucu
dallar rüzgarda uçabildiğinden yanlış alarmlara neden olabilir. Köpek gibi büyük hayvanlar
probleme neden olabilirken fare gibi küçük hayvanlar problem olmaz. Hasar görmüş, kırılmış veya
sarkmış algılayıcı teller veya hasarlı çit probleme neden olabilir. Çitlerin sürekli bakımda tutulması,
tamir edilmesi, algılayıcı tellerin yaylarla tutturularak ısıl genleşme ve çekmeye dayanıklı
olmasının sağlanması özellikle gerekmektedir. Duyarlılığın çok düşük ayarlanması veya çok uzun
çitin korunma teşebbüsü bir hırsızın dedeksiyonunda başarısızlıkla sonuçlanabilir.
21.7 SES DEDEKSİYON SİSTEMİ
Ses dedeksiyon sistemlerinin beş tipi vardır. Bunlardan biri Doppler kayması sonik sistemidir.
İkinci tip dedeksiyon sistemi mikrofon, yükseltici ve röleden oluşur ve fiziksel saldırı sonucu
çıkan sesin alınmasında kullanılır. Bu sistem alınan seste ayrım yapmadığından hemen hemen
bütün seslere tepki verir. Bu yüzden dış ortamdaki sesin ulaşamadığı ortamlar olarak kubbe veya
yeraltı ortamı ile kullanımı sınırlanmıştır.
Üçüncü ses alarmı ses ayırıcı (diskriminatör) olarak adlandırılır. Normal ses alıcı sisteme çok
benzemekte olup yükselticisinde ses ayırıcı filtreler bulunur ve arka plan gürültüsünü ihmal ederek
bir şeyin kırılması veya bir yere girildiğini gösteren seslerinin dedeksiyonu amacını taşımaktadır.
Bu kağıt üzerinde iyi anlaşılıyor gözükebilir fakat gerçek operasyon tam açık ve net değildir.
Ses ayırıcıları her şeyi içinde barındıran ünite veya merkezi rapor sistemleri olarak mevcuttur. Bu
aygıtların uygulanmasında yeterli dikkat gösterilmeli ve normal ve normal olmayan arka plan
gürültülerinden kaynaklanan yanlış alarmlardan kaçınmak için bu aygıtların tesisatında dikkatli test
yapılmalıdır.
Dördüncü tip dedeksiyon sistemi korunan mekanlardaki mikrofonları ve yükselticileri kullanan

merkezi ses istasyon sistemidir. Ses sinyali merkezi istasyondaki özel alıcıya ses kalitesinde telefon
devresi ile gönderilir. Ayarlanmış bir eşik gürültüsü aşıldığında alıcı işitilebilen bir alarm verir ve
gösterge ışığını çalıştırır. Daha sonra operatör alıcıdaki küçük bir hoparlör ile sesi dinlemeye alır.
Eğitilmiş operatör ekseriyetle normal arka plan gürültüsü ve hırsızın çıkardığı sesler arasında bir
ayrım yapabilecek ve daha sonra sinyali önemsemeyecek veya uygun tepkiyi davet edecektir.
İstenilirse ses sinyali daha sonraki bir kullanım için kaydedilebilir. Bu tip sistem öncelikle sese
dayanır. Bazı sistemler manyetik kontaklar veya diğer hırsız dedeksiyon aygıtları içeren koruyucu
döngüler barındırır. Okullar veya diğer enstitülerde yeni mikrofonlar yerine mevcut çağırma
sistemi veya dahili konuşma sisteminin kullanılması mümkündür. Bu mevcut çağırma veya
interkom sisteminin türüne bağlıdır. Mümkün olduğu yerde tesisat masrafında önemli tasarruf
sağlayabilir.
Beşinci sistem tipi gerçekten bir dedeksiyon aygıtı olmayıp korunan mekanda mikrofon ile dinleme
yapan operatör olup teyp ve dijital telefon kullanmasına izin verir. Açıkça bu aygıtlar ile hırsızın
dedeksiyonu ve bir telefonun aranması gerçekleştikten sonra sistem çalışmaya başlar. Eğitilmiş bir
operatör normal arka plan gürültüsü ve gerçek izinsiz giriş arasındaki farkı görebilir. Önceki
sistemin tersine telefon sadece bir mikrofon ile kullanılabildiğinden yeterli kapsama
sağlamayabilir. Aynı zamanda dinleme zamanı birkaç dakika ile sınırlanmıştır.

Yanlış alarmlar izinsiz bir girişi temsil etmeyen mevcut gürültülerden kaynaklanır. Sabit
gürültülerden kolaylıkla kaçınılabilir. Kesik kesik gürültüler tesisat süresince oluşmayabilir ve
bunlara yeterli dikkat verilmeyebilir. Bunlara örnekler telefon zilleri, otomobiller, kamyonlar,
uçaklar, fabrika sirenleri, otomatik makinalar, fırınlar, hava kondisyonerleri, zaman saatleri, dolu,
yağmur, dışarıda oynayan çocuklar, gök gürültüsü, havlayan köpekler ve diğerleridir.
Kaynağına bağlı olarak dahili kaynakların önüne geçilmesi mümkün olabilir veya olmayabilir.
Örneğin güvenlik saatlerinde bir zaman saatinin durdurulması mümkün olabilir fakat kış
mevsiminde boruların donma ihtimalinden dolayı hafta sonu bir fırının durdurulması mümkün
değildir. Dahili gürültü kaynakları bazen kırılan camların yerine yenisi takılarak, çerçevesine tam
oturmayan kapıların tamir edilmesi ve sesin girebileceği diğer açık yerlerin kapatılması ile kontrol
edilebilir.
Yanlış alarmların azaltılmasına yardım edebilecek bazı genel teknikler mikrofonların şüpheli
parazit gürültü kaynağından uzağa yerleştirilmesi ve/veya mikrofonlar ve/veya sistemin
duyarlılığını ayarlamaktır. Bunu yaparken dedeksiyon kapasitesinin kaybına izin verilmemelidir.
Bilinen büyüklük ve adım hızları ile yürüme testi yapılabilen hareket dedektörlerinin tersine
maalesef ses dedektörlerinin testi için bir standart bulunmamaktadır. Herkesin kendi metodunu
geliştirmesi gerekmektedir. Örnekler: sopa kırmak, misket kutusunu çalkalamak, bir tahtaya çekiçle
vurmak veya kullanılan sistemin modeli veya markasına bağlı olarak güvenilir gösterge verebilecek
her şey.

Alarmın çalışmaması az sayıda mikrofon, mikrofonların zayıf yerleştirilmesi veya duyarlılığın çok
düşük ayarlanmasının sonucu olabilir. Çalışmama durumu mikrofon kablolarının kesilmesi veya
kısa devre edilmesinden de kaynaklanabilir. Bütün sistemler tesisatlarını sürekli denetim altında
tutmamaktadır.
Mikrofonun önündeki karton veya diğer cisimler ses alma etkililiğini önemli ölçüde azaltabilir. Bu
durum özellikle kumaş veya diğer emici malzeme için doğrudur. Genelde bir odada ses emici
malzemelere ek olarak halı, perde, kumaş, akustik tavanlar etkili ve verimli bir alıcılığı azaltabilir.
Bazı sistemlerde ses yoketme kanalı kullanılmaktadır. Bu fikirdeki öz bilinen yanlış alarma neden
olan gürültü kaynağının yakınına bir mikrofonun yerleştirilmesidir. Bu sinyal yanlış alarmları
elimine etmek için iptal etme devresinin girişine beslenir. Mikrofonların yanlış yerleştirilmesi veya
iptal kanalının duyarlılığının çok yüksek olması bazen mantıklı izinsiz giriş seslerinin ihmal
edilmesi ile sonuçlanabilir.
21.8 KARIŞIK DEDEKTÖRLER
Diğer dedektör tiplerinin çok çeşitleri vardır. Bunlardan bazıları özel amaçlara hizmet eder. Çoğu
özel yapıları, fiyatları, tesis zorluğu veya güvenilirlik probleminden dolayı geniş kullanma alanı
bulamamıştır. Bu elemanların özellikleri hakkında bilgi edinilmeli ve özel durum oluştuğunda
bunlar kullanılabilmeli veya yaygın dedektör tiplerinden daha iyi iş yapabildiğine inanıldığı zaman
kullanılabilmelidir.
21.8.1 SİSMİK
Sismik veya basınç tipi dedektörlerin farklı tipleri vardır. Bunlar normalde harici sınır ve çevre
koruması için toprak içine gömülürler.
İlk uygulamalardan biri donmaya karşı korunmuş sıvı ile doldurulmuş hortum veya tüplerin toprak
altında değişik kısımlara gömülmesiydi. Daha iyi bir metot birbirinden yaklaşık 80-90 cm uzaklığa
yerleştirilmiş iki hortum veya tüp kullanmaktır. Bu hortumların uçları duyarlı anahtarlara
bağlanmıştır. Toprak üzerinde yürüyen kimsenin adımlarının meydana getirdiği basınç basınca
duyarlı bir anahtarı (tek hortum) veya bir fark anahtarını (çift hortum) çalıştırarak alarmı
çalıştırmaktaydı. Çift hortumlu sistemde toprak her iki hortumu eşit derecede sarsacağından yanlış
alarmlara daha az duyarlıdır.
Diğer tip jeologların petrol aramada kullandığına benzer geofon dedektör dizisi kullanmaktadır.
Dedektörler üreticinin tavsiyesine göre arazi tipine bağlı olarak aralıklı yerleştirilir. Dedektörler ve
kablolar ekseriyetle gizleme amacıyla gömülür.
21.8.2 STRES
Stres dedektörleri manyetik kontağının büyüklüğüne göre küçük aygıtlar olup kirişlerin ve yangın
çıkışlarının altında beton içine konulur. Yürüyen kişinin ağırlığı kirişte küçük bir sapma meydana
getirerek oluşan stres dedektör ile algılanır ve ilgili elektronik devrede analiz edilir. Elektronik
ünitenin çıkışı alarm koruyucu döngüye bağlanır. Dedektörlerin montajı elemanların binanın
yapımı süresince tesisatlarının yapılmasını gerektirdiğinden ancak özel uygulamalarda
kullanılabilmektedir.
21.8.3 CAM KIRILMASI DEDEKTÖRLERİ
Takılmalarının çabuk, kolay ve hasar görmelerinin zor olması bakımından cam kırılması
dedektörleri popülerlik kazanmaktadır. Bunlar küçük aygıtlar olup ekseriyetle camın üst kısmına
bir yapıştırıcı veya çift taraflı bant ile iliştirilir. Burada kullanılan yapıştırıcının mükemmel olması
gerekir çünkü pencereler ıslanabilir ve camdan algılayıcıya gelen sok dalgalarını aşırı şekilde
zayıflatmamalıdır.
Bazı modeller sızdırmaz plastik kutularda özel mekanik anahtarlar ile donatılmış ve üreticiler
kontak yüzeylerini kaplamış olmalarına rağmen korozyona maruzdurlar. Aynı testler sızdırmaz
olmayan manyetik kontaklar ve vibratörlere uygulanır. Bunlarla ilgili tek önemli problem camdan
sökülebilmeleridir.
Bazı modeller cam kırılması karakteristiklerindeki frekansa ayarlanmış civa anahtarlar kullanır.
Duyarlılık bir vidanın gevşetilip aygıtın döndürülmesi ile ayarlanır. Bunlar bir koruyucu döngüye
doğrudan bağlanabilmekle beraber tepki zamanı oldukça kısa olduğundan sistemi tetiklemesi için
test edilirken özel dikkat gösterilmelidir. Test camın özel bir çekiçle veya plastik tornavida sapı ile
vurularak yapılır. Eğer çok sıkı ayarlanırsa dedektör dedeksiyonda başarısız olacaktır. Çok
duyarsız ayarlanırsa muhtemelen yanlış alarm verecektir. En iyi çözüm üretici tarafından sağlanan
pals genişleticiye bağlanıp normal bir döngüye bağlamaktır. Bu durumda duyarlılık yanlış alarmları
engellemek için düşük ayarlanabilir ve pals genişletici güvenilir bir dedeksiyonu garantiye
alacaktır.
Döngü tepki zamanı uygun duyarlılığı sağlamak için beş milisaniyedan daha az olmalıdır (pals
genişletici kullanılmadığı sürece). Civalı tip ünite 25-100 milisaniye hızında döngüde
kullanıldığında test çekicine tepki verebilir fakat hızlı bir cam kırılmasına tepki vermeyebilir.
Şekil 21.7 de cam kırılmasını algılayan geliştirilmiş iki dedektör tipi görülmektedir. Bu dedektör
tablo 21.1 de teknik özellikleri görüldüğü gibi camın yakını veya üzeri yerine 7,6 m kadar uzaklığa
yerleştirilebilmektedir. Dedektör cam kırılma ses frekansının dışındaki frekanslara karşı bağışıklık
kazandırılmıştır.
(a) (b)
Şekil 21.7 Cam kırılmasını dedekte eden iki tip dedektör
Tablo 21.1 Cam kırılmasını dedekte eden dedektörün tipik teknik özellikleri
Çalışma sıcaklığı 0 °C ile +49 °C
Dedeksiyon aralığı 7,6 m
Besleme gerilimi 8-14 V DC
Besleme akımı 25 mA @ 12V dc
Alarm rölesi çıkışı 125 mA/25V DC
21.9 GENEL UYGULAMA BİLGİSİ
Bu bölümde diğer bölümlerden farklı olarak genel kullanım hakkındaki açıklamalar dikkati
çekebilir. Hırsız dedeksiyon aygıtlarının seçimi, uygulaması ve servisi nadiren tam bir problem
olarak ortaya çıkmamakta yani her uygulama yerine göre özel önlemlerin alınması gerekmektedir.
Bazı servis elemanı ve tesisatçılar kendi tecrübeleri hakkında çok şey söyleyebilirken diğerleri özel
bir problemle asla karşılaşmayabilirler. Buradaki amaç prensipleri açıklamaktır. Eğer her dedektör
tipinin nasıl çalıştığı ve yanlış alarmların tipik nedenleri ve alarmın çalışmaması iyi anlaşılırsa
sorunlar büyük oranda aşılabilir.
Dedeksiyon aygıtlarının çalışma prensiplerinin bilinmesine ek olarak hırsız dedeksiyon aygıtlarının

her tipinin seçimi, uygulaması ve servisinde önemli olan bazı genel kavramlar vardır. Gerçekte bu
noktaların çoğu tüm alarm sistemine uygulanır. Buradaki nokta dedeksiyon aygıtının uygunca
seçimi ve iyi bir şekilde uygulanmasıyla daha sonra gereken servis miktarı azalacaktır.
Bir sistemin seçiminde bina ve müştemilatı dikkatlice denetimden geçirilmeli ve gerekli olan şu
sorulara cevap aranmalıdır: Ne korunacak? Değeri nedir? Bu değerli eşyayı kim çalabilir? Buraya
nasıl girebilirler? Böyle teşebbüslerin dedeksiyonu için en iyi metot nedir? Kaybı engellemek için
ne tür tepki gerekiyor? vb. Tablo 21.2 de dikkate alınması gereken bazı faktörler listelenmiştir.
Tablo 21.2’in gözden geçirilmesiyle sadece birkaç faktörün değil bunlardan bazılarının
paylaşılamayan ortak özellikte olduğu görülmektedir. Örneğin yüksek risk uygulaması için yeterli
bir sistem pahalı olacak ve ekonomiyi karşısında bulacaktır. Bunun tersine yetersiz bir sistem uzun
dönemde zayıf ekonomi ile sonuçlanacaktır. At çalındıktan sonra ahırın kilitlenmesi artık çok
geçtir. Yapılabilecek en iyi şey güvenlik ve alarm sistemleri hakkında iyi bir temele sahip olmaktır.
Tablo 21.2 Alarm aygıtı seçim faktörleri

1 Ne korunacak?
2 Değeri nedir?
3 Onu kim çalabilir?
4 Onu nasıl çalabilirler?
5 Değerli eşyalar nerede bulunuyor?
6 Ne tür fiziksel koruma mevcuttur?
7 Fiziksel korumanın zayıf tarafları nedir?
8 Hangi tür alarm sistemi değerli eşyaları en iyi koruyabilir?
9 Hangi parazit problemleri yanlış alarmlara neden olabilir?
10 Bu problemlerin üstesinden nasıl gelinebilir?
11 Hangi problemler alarmın çalışmamasına neden olabilir?
12 Bu problemlerin üstesinden nasıl gelinebilir?
13 Alarm aygıtının maliyeti ne kadardır?
14 Tesis masrafı ne kadar olacaktır?
15 Sistemin kullanıcıya değeri ne olacaktır?
16 Kullanıcı ne kadar yatırım yapmayı düşünüyor?
17 Hangi miktarda alarm dedeksiyon kapsama alanı gerekiyor?
18 Hacimsel, alan, ışın veya nokta kapsamanın hangi kombinasyonu işi en iyi yapacaktır?
19 Alınması düşünülen aygıt ile şirketin güvenilir deneyimi nedir?
20 Kullanıcı ve şirket düşünülen aygıtın uygulanması ve servisi ile ne kadar aşinadır?
21 Düşünülen aygıt için üretici/dağıtıcı tarafından ne tür eğitim/servis sağlanıyor?
22 Aygıtın tesisi ne kadar kolaydır?
23 Aygıtın servisi ne kadar kolaydır?
24 Gelecekte daha geniş kapsama ihtiyaç olduğunda aygıt/sistem genişletilebilir mi?
25 Kullanıcı tarafından sistemin kullanılma kolaylığı nedir?
26 Sistemin kontrolu için kullanıcı personelin sorumluluk bağımlılığı nedir?
27 Sistemi kuracak kişilerin ciro oranı nedir?
29 Kullanıcının sigorta yaptırma zorunluluğu var mı dır?
Sistem tesis edildikten, en son düzeltildikten ve en son servis edildikten sonra ne gibi
30
değişimler yer aldı?
31 Hangi alarm yönetmeliğine uyulması gerekiyor?
22 YANGIN DEDEKSİYON SİSTEMLERİ
22.1 YANGIN DEDEKSİYON SİSTEMLERİNİN TEMEL PRENSİBİ

Otomatik yangın dedeksiyon sistemleri duman, alev veya ısının görünmeyen ürünleri gibi yangın
fenomenlerinden birinin teşhisi ile yangını dedekte ederler. Yangın dedeksiyon sisteminin tepkisi
olarak kontrol ünitesi bir alarmı ve önceden programlanmış kontrol fonksiyonlarını başlatır. Yangın
dedeksiyon sisteminin temel tasarımı blok diyagram olarak şekil 22.1 de görülmektedir. Yangın
dedeksiyon sisteminin fonksiyonu insan yaşamını ve malzeme servetini kurtarmak olduğundan
zayıf noktalara sahip olması beklenemez. Sonuç olarak böyle bir sistemin çok katı gereksinimlere
cevap vermesi gerekir. Alarm sisteminin çalışması ile binada yaşayanlar ve itfaiye servisinin
uyarılması ve toplam hasarın en aza indirilmesi mümkündür.
Otomatik yangın dedektörleri yangına karşı binanın odalarını gözler ve duman, ısı ve aleve tepki
olarak kontrol ünitesine sinyal gönderir. Manuel çağırma noktaları ani alarm başlatılmasına izin
verir. Kontaklar ve söndürme sistemleriyle kontrol ünitesinde normal alarm işlemi başlatılarak ek
yangın söndürme tedbirleri alınabilir. Yangın dedeksiyon sisteminin kontrol ünitesi bir dedeksiyon
sisteminin beyni olup dedektörlerden alınan sinyalleri işler. Görsel ve/veya işitilebilen alarm
sinyalleri itfaiye servisine ihbarın yanında kontrol ünitesi tarafından kontrol edilir.
22.2 GÖZLEME ALANI
Binada her oda yangın dedeksiyon sistemi tarafından erken uyarıyı sağlamak için gözlenmelidir.
Sürekli gözleme daima tavsiye edilir çünkü yangının ne zaman ve nerede başlayacağı tahmin
edilemez. Yaklaşık olarak yangınların üçte birinin az kullanılan veya az gidilen odalarda oluştuğu
gösterilmiştir. Seçici gözleme özel durumlarda ve projeden sorumlu koruma mühendisinin onayı ile
seçilmelidir. Makina ve aygıtlar yakınlarına yerleştirilmiş nokta tipi dedektörler ile gözlenebildiği
gibi hava örnekleme tipi duman dedektörleri ile de gözlenebilir. Önemli elektriksel kontrol
sistemleri aynı oda içinde bulunan dedektörler veya hava örnekleme tipi duman dedektörleri ile de
gözlenebilir.
Şekil 22.1 Yangın dedeksiyon sisteminin blok diyagramı
22.3 YANGIN KAVRAMI VE DEDEKTÖR TİPLERİ

Yangın kavramı ve yangın çeşitlerine uygun dedektör tipleri tablo 22.1 de görülmektedir.
Tablo 22.1 Yangın kavramı ve yangın çeşitlerine uygun dedektör tipleri

Standart dedektörler Yardımcı dedektörler
Geniş
Sıcaklık
spektrumlu Isı
Dinamik analizli Çoklu algılayıcı Hava örnekleme yükselme oranı
duman yükselme/sabit
neuronal duman duman duman dedektörü, sabit Kızıl ötesi alev dedektörü
dedektörü sıcaklık
dedektörü dedektörü dedektörü sıcaklık
(dağılmış ışık dedektörü
dedektörü
prensibi)
Duman dedektörleri Isı dedektörü Alev dedektörü
Yanan ateşten
duman ve/veya Hafif renkli
Görünür duman Fosfor, sodyum, magnezyum,
ısı görünür duman Yangın
çıkaran yangın, Alevli yangın, örneğin ahşap, hidrojenin dışında karbonlu
çıkaran alevsiz oluşturabilecek
örneğin plastik, solvent, plastik, mineral yağı malzemelerin örneğin ahşap,
Ahşap, kağıt, yanma, örneğin dumanın ilk
yağ, vb. alevli ürünleri içeren plastik, alkol, mineral yağı
plastik, vb. elektriksel aşaması
yangınlar ürünleri içeren alevli yangın
içeren alevsiz yangın, vb.
yanma
Duman Sıcaklık artışı Isı ışınımı
22.4 DEDEKSİYON PRENSİPLERİ
22.4.1 DUMAN DEDEKTÖRÜ

Dağılmış ışık duman dedektörü
Şekil 22.2a da görüldüğü gibi ışık kaynağı, ışık durdurucu ve ışık alıcısı kaynaktan alıcıya doğru
bir yoldan ışık iletimi olmayacak şekilde düzenlenir. Labirent içinde sadece duman parçacıkları
mevcut olduğunda alıcıya bir miktar ışık gelir. Işık kaynağı ile labirent içine belirli frekansta kısa
Yangın Dedeksiyon Sistemleri 491
ve şiddetli ışık palsleri gönderilir. Alıcı sinyali sadece ışık pals vericinin frekansı ile senkronize
olduğunda değerlendirilir.
(a) Çalışma
prensibi
(b) Tasarım
Şekil 22.2 Dağılmış ışık prensibine göre çalışan duman dedektörü
Doğrusal duman dedektörü
Şekil 22.3 de görüldüğü gibi doğrusal duman dedektörü ışığın tükenmesi veya azalması prensibine
göre çalışır yani dumanın etkisi ile azalan ışık ölçülür. Verici optik ölçme kısmına güçlü
odaklanmış kızıl ötesi ışık yayar. Eğer duman mevcut değilse ışığın büyük kısmı yansıtıcıya ulaşır
ve aynı yoldan kaynak noktasına geri döner. Gelen ışık alıcı foto diyotta elektrik sinyali üretir.
Eğer duman ölçme kısmına nüfuz ettiğinde ışığın bir kısmı emilir ve bir kısmı duman parçacıkları
tarafından saçılır yani ışık ışınları basitçe yönlerini değiştirir. Kalan ışık yansıtıcıya ulaşır ve ölçme
sisteminin içinden geçerek burada tekrar zayıflamış olur. Sonuç olarak ışığın sadece küçük bir
kısmı alıcıya ulaşır. Sinyal daha küçük değerde olduğundan alıcı bir alarmı başlatır.
22.4.2 ALEV DEDEKTÖRÜ

Şekil 22.4 de görüldüğü gibi dedektörde farklı iki dalga boyuna duyarlı iki piroelektrik algılayıcı
bulunmaktadır. Birinci A algılayıcısı karbon içeren malzemelerin yanması ile meydana gelen 4,1 -
4,7 μm spektral aralığında CO2 karakteristiğinde kızıl ötesi aktif gaz alevlerine tepki verir. İkinci B
algılayıcısı parazit kaynaklarından (örneğin güneş ışığı, suni ışık, ışınım ısıtıcıları) yayılan 5 - 6 μm
dalga boyu bölgesindeki kızıl ötesi enerjiyi ölçer. 2 - 20 Hz tipik yanıp sönme frekansındaki alev
sinyalleri elektronik devrede genlik ve faz uygunluğu için karşılaştırılır. Alevlerden kızıl ötesi
enerji yayıldığında birinci algılayıcının sinyal genliği ikinci algılayıcıdan daha büyük olacak ve
alarm çalıştırılacaktır.
(a)
(b)
Şekil 22.3 doğrusal duman dedektörünün çalışma prensibi, (a) Dumanın yokluğunda doğrusal
duman dedektörü; (b) dumanın varlığında doğrusal duman dedektörünün ölçme prensibi. Işık
dumanın varlığında soğurma ve saçılarak dağılma suretiyle azalır.
Algılayıcı B (5 - 6 μm)
Algılayıcı A (4,1 - 4,7 μm)
(a) Alev dedektörü (b) alev ve sahte sinyallerin bağıl spektrası
Şekil 22.4 Alev dedektörü
Örneğin motor gibi titreşimli sıcak bir cisim A ve B kanallarında senkron sinyaller üretir. Bu
durumda A kanalındaki sinyalin genliği B kanalındakinden küçük olacak ve bir alarm durumu
olmayacaktır. Eğer aynı zamanda bir alev meydana gelirse A kanalında senkron olmayan bir sinyal
üretilerek hemen alarmı çalıştıracaktır. Duyarlılık ve tepki entegrasyon zamanı bir anahtar ile lokal
şartlara uyarlanabilir.
Yangın Dedeksiyon Sistemleri 493
22.4.3 ISI DEDEKTÖRLERİ

Sabit sıcaklık dedektörleri
Sabit sıcaklık dedektörleri şekil 22.5 de görüldüğü gibi bir alarmın başlatılacağı maksimum
sıcaklığı değerlendirir. Böyle dedektörler termistör, eriyebilen halka, bimetal şerit veya genleşme
sıvısı ile çalışacak şekilde tasarlanır. Isı dedektörleri alevli yangınları dedekte ederek dedektörde
önceden ayarlanmış maksimum sıcaklık aşıldığında alarmı çalıştırır. Bunlar sıcaklıkta ani artışın
beklenebileceği açık yangınların dedeksiyonu ve hızlı tepkili dedektör gereken yerler için
uygundur.
Şekil 22.5 Sabit

sıcaklık dedektörünün
çalışma prensibi
Sıcaklık artış oranı dedektörleri
Sıcaklık artış oranı dedektörleri birim zaman başına sıcaklığın yükselme oranını (°C/dak)
değerlendirerek alarmı başlatırlar. Sıcaklık artış oranı dedektörleri termistör, elektriksel direnç
kablosu veya genleşme sıvısı ile çalışacak şekilde tasarımlanır.
Şekil 22.6 da görüldüğü gibi dedektörün algılayıcısı iki NTC direncinden oluşmakta ve bunlar
Wheatstone köprü devresinin kollarını oluşturur. NTC1 dedektörün hemen önündeki ortamda
havaya maruz bırakılırken NTC2 dedektör kutusunun içindeki yerine konulmuştur. Yangın
durumunda ortam sıcaklığı hızlıca artar ve NTC1’in direnç değeri NTC2’nin direncine göre daha
hızlı düşer. Önceden belirlenmiş eşik seviyesi aşıldığında alarm aktif hale gelir. Eğer sıcaklıkta çok
yavaş bir yükselme sonucu NTC1 ve NTC2’nin direnci eşit olarak azalırsa üçüncü bir direnç ile
belirlenen maksimum sıcaklığa ulaşıldığında alarm çalışır. Artış oranı dedektörleri verilen birim
zamanda sıcaklık artışına neden olan alevli yangınları dedekte ederler; bu yüzden alevli yangınların
dedeksiyonu uygun bir kullanım yeri olmaktadır.
(a) NTC ile sıcaklık artış oranı dedektörü (b) sıcaklık artış oranı dedektörünün çalışma prensibi
Şekil 22.6 Sıcaklık artış oranı dedektörünün termistör ile çalışma prensibi (NTC direnci)
EK
FARNELL KATALOG
ALGILAYICILAR & DÖNÜŞTÜRÜCÜLER

İLE İLGİLİ SAYFALARI
496 Algılayıcılar & Dönüştürücüler
EK FARNELL KATALOG Algılayıcılar & Dönüştürücüler ile ilgili sayfaları 497
KAYNAKLAR
1. Alan S. Morris, Principles of Measurement and Instrumentation, Prentice Hall, UK, 1993
2. Cerberus Guideliness Planning and Application, Fire Protection, Corporation by Cerberus

AG., Germany, 1996
3. Clyde, F. Coombs, Jr., Basic Electronic Instrument Handbook, Mcgraw-Hill Book Company,
New York, 1972
4. Daniel H. Sheingold, Transducer Interfacing Handbook, Analog Devices, Massachusetts,

1980
5. David Kerr, M. J. Sheilds, Position Sensing Angle and Distance Measurement For
Engineers, Butterworth Heinemann, Oxford, UK, 1985
6. E. A. Parr, Endüstriyel Kontrol Elkitabı, MEB Yayınları, Ankara, 1994
7. Ekiz, Hüseyin, Sayısal Elektronik, Değişim Yayınları, Adapazarı, 2000
8. Ernest O. Doebelin, Measurement Systems Application and Design, McGraw-Hill

International Editions, USA, 1990
9. Farnell Catalog, Farnell Corp., UK, 2011
10. Ian R. Sinclair, Sensors and Transducers, Butterworth-Heinemann Ltd., London, 1991
11. J. Mcghee, Electronics of Measuring Systems, John Wiley&Sons, UK, 1987
12. J. Michael Jacob, Industrial Control Electronics – Applications and Design, Prentice Hall,
New Jersey, USA, 1988
13. Jacob, Fraden, AIP Handbook of Modern Sensors, AIP Press, Colorado, USA, 1995
14. Jorge De Sousa Pires, Electronics Handbook, Chartwell-Bratt Ltd., Sweden, 1989
15. M. J. Usher, Sensors and Transducers, Macmillan, London, 1989
16. P. H. Mansfield, Electrical Transducers For Industrial Measurement, Butterworth Group,

London, 1973
17. Peter H. Sydenham, Transducers In Measurement and Control, Adam Hilger Ltd., Bristol
and Boston, 1985
18. Pastacı, Halit, Elektrik ve Elektronik Ölçmeleri, Yıldız Teknik Üniversitesi, İstanbul, 2000
19. Ryoji Ohba, Intelligent Sensor Technology, John Wiley&Sons, Chichester, 1992
20. S. Middelhoek, S. A. Audet, Silicon Sensors, Academic Press Limited, London, 1989
21. William David Cooper, Albert D. Helfrick, Electronic Instrumentation and Measurement
Techniques, Prentice/Hall International Inc, New Jersey, 1970
İNDEKS
A C
A/D çevirici, 195, 197, 201, 202, 203, 204, 205, 208 Carnot, 94
açısal, 29, 245 CdS, 17, 18, 375, 387, 388
AFIR, 296, 302, 303, 304, 305, 306, 392, 397, 398, CdTe, 139, 375, 413, 414
399, 400, 401, 403, 440 Chauvenet kriteri, 53
akı, 4, 5, 6, 23, 24, 25, 27, 29, 30, 36, 42, 55, 56, 61, civa anahtarı, 245
66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 74, 75, 76, 77, 80, 90, 92, CMOS, 173, 178, 190, 207, 227, 290, 336, 355, 396
96, 97, 98, 100, 103, 104, 105, 106, 116, 127, 129,
130, 131, 132, 134, 135, 136, 142, 143, 144, 163, CMRR, 175, 181, 230
164, 165, 167, 168, 172, 173, 174, 175, 177, 178, Co2, 18, 26, 134, 341, 391, 468, 469, 491
179, 182, 183, 184, 185, 186, 187, 188, 189, 192, Coriolis kuvveti, 276
194, 197, 198, 199, 200, 203, 210, 214, 217, 218, Coulomb kanunu, 57, 69
219, 222, 226, 227, 228, 229, 231, 234, 235, 237, Curie sıcaklığı, 48, 72, 88, 91, 93, 94, 95, 254, 316,
239, 246, 250, 251, 252, 254, 255, 256, 257, 259, 440
271, 272, 283, 286, 297, 298, 299, 300, 301, 302,
Ç
303, 308, 317, 321, 327, 328, 335, 337, 341, 342,
343, 344, 345, 346, 347, 348, 349, 351, 352, 356, çıkış biçimi, 2
358, 375, 376, 377, 378, 380, 381, 384, 385, 391, çıkış empedansı, 42
392, 393, 396, 397, 398, 400, 401, 407, 408, 410, çiğ sıcaklığı, 363, 372
411, 416, 417, 418, 419, 420, 421, 422, 428, 433, çoğullayıcı, 204
437, 439, 440, 442, 443, 444, 447, 448, 449, 450,
çözünürlük, 26, 41, 54, 203, 241, 272
455, 460, 461, 464, 465, 466
D
akım aynası, 185
dalga klavuzu, 264
akım generatörü, 184, 194
denizcilik, 27
akış, 4, 6, 7, 10, 11, 19, 23, 27, 29, 56, 65, 79, 80,
115, 127, 163, 327, 328, 334, 341, 342, 343, 344, depolama şartları, 45
345, 346, 347, 348, 349, 350, 351, 352, 353, 354, desibel, 36
355, 356, 342, 343, 344, 345, 347, 349, 350, 352, dielektrik sabiti, 6, 63, 64, 89, 93, 138, 167, 168, 249,
440 250, 281, 285, 290, 363, 365, 366, 370, 457
akustik, 27, 90, 118, 119, 121, 155, 281, 357, 453, dielektrik, 6, 63, 64, 85, 89, 93, 132, 138, 167, 168,
454 231, 235, 249, 250, 251, 281, 284, 285, 290, 296,
alev dedektörü, 490, 492 354, 361, 363, 365, 366, 368, 370, 457
alev, 403, 490, 492 dinot, 406, 407
altın, 154, 365, 367, 368, 379, 393, 394, 401, 427, dipol, 59, 63, 71, 72, 91, 92, 108, 113, 415
428, 452 direnç, 80, 108, 166, 183, 211, 212, 226, 244, 30, 31,
amperometrik, 464, 465, 470 318, 368, 434, 438
analog bölücü, 208, 209 diyafram, 117, 205, 322, 330, 331, 332, 333, 334,
anten, 20, 192 335, 336, 337, 339, 357, 358, 359, 361, 362
atmosfer, 364 diyot, 175, 187, 188, 217, 218, 219, 282, 283, 285,
323, 325, 339, 359, 370, 371, 377, 378, 380, 381,
ayna, 146, 474
384, 389, 411, 447, 448, 469
B
doğal frekans, 26, 44, 45, 48, 160, 161, 330, 359
bant aralığı, 189, 375, 413
doğruluk, 26, 36, 37, 53, 272
basınç, 29, 33, 122, 159, 317, 318, 325, 327, 328,
doğrusal, 35, 36, 39, 40, 98, 113, 162, 209, 244, 257,
329, 334, 335, 339, 344, 354, 356, 357
258, 270, 280, 307, 336, 359, 491
Becquerel, 101, 405
doğrusallık, 26, 39, 54, 176, 313
Bernoulli, 327, 343
doğrusalsızlık, 39
bimetal sargı, 245
doping, 159, 160, 440
bolometre, 427, 428
Doppler, 284, 285, 481
Boltzmann sabiti, 299
doyum, 40, 73, 386, 409
Boyle, 327
dönüş, 203, 238
btu, 31, 33, 125
E güvenilirlik, 47, 54
eddy akımları, 253, 255 güvenlik, 27, 471
Einstein, 4, 373 H
ekranlama, 231, 234, 482 hafif rüzgar, 355, 356
elektret, 358, 361, 362 hareket dedektörü, 290, 292, 296, 298, 305
elektrik yükü, 29, 56, 57, 60, 66, 67, 68, 79, 84, 85, hata, 37, 38
89, 91, 92, 93, 129, 289, 296, 298, 300, 301, 325, hava temizliği, 467
355, 357, 358, 360, 405 Henry, 30, 31, 77
elektrolit, 235, 245, 246, 461, 462, 464, 465 HgCdTe, 376, 390
elektrot, 85, 86, 87, 92, 205, 245, 250, 271, 277, 287, hırsızlık, 471
288, 289, 290, 291, 297, 298, 322, 351, 356, 358,
366, 368, 387, 409, 460, 461, 464, 465 hız, 33, 29, 43, 121, 284, 307, 308, 348
emf, 75, 76, 77, 106, 164, 240, 351, 443 higrometre, 371, 372
empedans, 171, 214, 232 histerezis, 26, 39, 54, 115, 257, 372
enerji aralığı, 17, 390 I
enerji bandı, 375 ısı akışı, 6, 29, 91, 92, 96, 128, 163, 248, 300, 304,
438, 441
enzim, 457, 458, 459, 461, 465
ısı iletimi, 105, 106, 123, 126, 127, 128, 129, 163,
eskime, 46 164, 429
F ısı kaybı, 47, 95, 164, 248, 304, 305, 345, 392, 398,
facet, 294 400, 428, 429, 430, 438, 441, 442, 447, 459
farad, 30, 61, 206 ısıl, 4, 5, 6, 9, 12, 19, 27, 29, 43, 46, 48, 54, 91, 92,
ferromanyetik, 58, 67, 72, 73, 243, 251, 252, 254, 94, 96, 100, 125, 126, 127, 128, 131, 133, 136, 137,
255, 258, 308, 415, 422 157, 158, 163, 166, 169, 178, 279, 296, 297, 300,
fiber optik, 35, 152, 153, 155, 265, 267, 268, 278, 301, 304, 314, 315, 316, 347, 348, 353, 356, 372,
358 375, 391, 393, 394, 396, 397, 399, 429, 440, 442,
fiyat, 195, 394 454
fiziksel etkiler, 4, 19, 157 ısılçift, 12, 14, 101, 444, 447, 454
fluoroptik, 428, 451 ısılelektrik, 100, 443, 445
fotodedektör, 267, 370, 371, 383 ısıtıcı, 136, 163, 164, 248, 249, 302, 304, 305, 314,
345, 346, 348, 353, 398, 399, 400, 401, 458, 477
fotodiyot, 270, 295, 377, 383
ışık, 6, 9, 15, 32, 136, 138, 143, 144, 146, 151, 152,
frekans tepkisi, 172, 173, 249, 268, 308, 310, 334, 153, 154, 156, 169, 205, 265, 267, 268, 270, 271,
357, 362, 385, 395 277, 295, 359, 374, 383, 387, 403, 490, 492
frekans, 6, 14, 20, 24, 26, 43, 44, 49, 54, 64, 119, ışıloptik, 451
120, 121, 130, 136, 137, 155, 172, 173, 175, 176,
184, 195, 197, 198, 206, 207, 211, 224, 227, 235, ışınım, 4, 5, 6, 9, 12, 15, 19, 27, 33, 131, 136, 140,
237, 238, 249, 253, 268, 273, 278, 283, 284, 285, 142, 143, 157, 306, 377, 398, 406, 408, 426
288, 308, 310, 311, 312, 314, 324, 334, 349, 357, İ
358, 359, 360, 362, 366, 372, 381, 382, 385, 393, iletim, 127, 142, 222, 228, 386, 468
395, 467, 480 iletken, 27, 79, 235, 246, 351, 368, 372, 427, 446
Fresnel, 148, 149, 150 iletkenlik, 27, 368, 369
G indirgeyen, 102, 443
gallon, 34 indüksiyon, 108
gaz, 12, 327, 328, 329, 348, 354, 391, 392, 401, 402, indüktans, 30, 31, 77, 238
408, 409, 410, 456, 469 istatistik, 49
geçirgenlik, 6, 30, 57, 69, 73, 358 ivme ölçer, 158, 162, 309, 310, 312, 316
gerilim izleyici, 194, 395, 396 ivme, 26, 27, 29, 30, 112, 113, 158, 162, 309, 310,
gerilim referansı, 194 312, 314, 316
gerilim, 6, 42, 77, 93, 178, 185, 187, 188, 194, 197, J
198, 222, 352, 356, 395, 396, 426, 445 JFET, 173, 177, 209, 210, 238, 290, 297, 355, 356,
germanyum, 56, 374, 390, 393, 411, 413 395, 396
geyç, 84, 159, 318, 331, 334 jiroskop, 275, 276, 278, 279
giriş empedansı, 171, 194 K
görüntü, 292 kaçak direnç, 90
görüş alanı, 132, 285, 292, 293, 294, 302, 304 kalibrasyon, 38, 53, 54, 246
gürültü, 54, 120, 177, 225, 226, 228, 229, 230, 232, kalori, 31
237, 238, 252, 350, 376, 390, 394, 445
İndeks 555
kantilever, 117, 353 manyetometre, 415

kapasitans, 30, 31, 61, 77, 166, 249, 355, 366, 386, manyetostriktif, 264, 265
483 maske, 293
kapasitif, 65, 108, 193, 205, 232, 249, 279, 281, 286, mekanik, 4, 5, 6, 9, 19, 27, 48, 113, 115, 118, 157,
287, 290, 306, 311, 316, 323, 354, 364, 365, 366, 165, 166, 169, 237, 245, 265, 275, 276, 313, 358,
367, 372 415, 447
kapasitör, 60, 63, 92, 108, 166, 198, 205, 365, 382 mercek, 148, 149, 295, 298, 301, 302
karakteristik, 262, 272, 273, 308, 313, 386, 438 metal oksit, 18, 83, 436
karşılaştırıcı, 202, 286, 287, 290, 292 metalize, 291, 361, 394, 433
katalitik, 458, 470 metre, 29, 30
katı açı, 28 mıknatıs, 75, 260, 308
katkı, 57, 79, 84, 89, 94, 104, 128, 159, 169, 304, mikrodalga, 282, 283, 480
318, 331, 332, 348, 375, 413, 419, 433, 439 modülatör, 155
kavite, 134, 135, 136 N
kayıp faktörü, 398, 437 nem, 102, 250, 363, 364, 366, 371
Kelvin, 105, 106, 107, 108, 123, 124, 301 NEP, 376
kg, 315 Newton, 68, 275, 307, 317, 113, 123, 138, 162, 165
kırılma indisi, 27, 138, 141, 267 O
kırılma, 27, 138, 141, 267 odak, 147, 148, 149, 150, 151, 271, 294, 298, 302,
kızıl ötesi, 134, 136, 281, 490 303, 304
kilogram, 29 offset gerilimi, 174, 177, 178, 194, 418
kimyasal, 5, 6, 9, 12, 19, 27, 89, 139, 157, 456, 457, offset, 54, 173, 174, 177, 178, 179, 194, 418, 419
458, 459, 460, 469, 470 Ohm kanunu, 297, 343
kinematik, 112, 113, 169 Ohm, 61, 77, 80, 127, 182, 184, 185, 395, 440
King kanunu, 345 optik, 5, 6, 8, 12, 15, 18, 23, 35, 42, 64, 111, 129,
Kirchhoff, 131, 164, 165, 401 137, 138, 139, 140, 141, 142, 143, 144, 146, 148,
kodlayıcı disk, 269, 280 149, 152, 153, 154, 155, 156, 168, 169, 184, 224,
kondüktometrik, 462, 470 263, 265, 266, 267, 268, 269, 270, 272, 273, 277,
konstantan, 81, 102, 126, 443 278, 279, 280, 281, 290, 291, 292, 294, 295, 296,
297, 298, 302, 338, 339, 344, 347, 358, 359, 362,
konveksiyon, 129 363, 371, 372, 377, 378, 385, 387, 389, 390, 397,
koruyucu, 46, 152, 174, 231, 250, 253, 320, 333, 402, 406, 416, 425, 426, 428, 429, 431, 447, 450,
345, 392, 396, 443, 446, 462, 473, 483, 485, 486, 451, 452, 453, 456, 457, 468, 469, 474, 475, 491
487 orantılı odacık, 409
körük, 339 orantılı teknik, 208, 241
kuvvet, 28, 36, 56, 58, 60, 61, 66, 67, 68, 74, 79, 85, ortalama değer, 50
86, 87, 90, 96, 113, 114, 115, 117, 119, 123, 153,
154, 159, 162, 165, 167, 182, 213, 214, 215, 244, osilatör, 119, 189, 192, 246, 252, 287, 319, 372, 467
314, 315, 317, 318, 319, 321, 322, 323, 324, 325, Ö
327, 358, 362, 416 ölü bant, 26, 41
kütle, 4, 27, 28, 29, 32, 113, 162, 166, 311, 312, 314, öz ısı, 125, 126
343, 348 öz ısı, 27, 29
L öz indüksiyon, 255
Laplace dönüşümü, 309 P
LED, 10, 11, 12, 14, 214, 246, 270, 339, 371, 452, pascal, 29, 33, 328
468, 469, 471, 472 Peltier, 371, 372
lityum, 95, 102, 155, 413 pencere, 292, 392
lümen, 30 ph, 1, 3, 6, 12, 18, 459, 461, 462, 463, 468, 469
LVDT, 192, 251, 252, 253, 254, 256, 279, 308, 317, PIR, 296, 298, 299, 301, 302, 306, 392, 393, 397,
318, 325 398, 401, 475
M piroelektrik, 300, 301
maliyet, 17, 20, 26, 28, 49, 74, 178, 181, 203, 219, Plank, 130, 137, 374
225, 235, 263, 478
platin, 81, 82, 102, 114, 124, 126, 318, 401, 432, 458
manyetik, 5, 6, 9, 12, 19, 20, 27, 30, 65, 66, 67, 68,
70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 96, 108, 157, 235, 236, polarizasyon, 93, 266, 280
237, 252, 253, 256, 257, 258, 260, 263, 264, 275, polarize ışık, 266, 280
281, 415, 416, 418, 420, 422, 425, 428 polarlama akımı, 173, 179
polietilen, 64, 139, 302 termometre, 123

polimer, 89, 95, 322, 325, 466 termopil, 101, 393, 403
potansiyel, 174 Tesla, 74
prizma, 267 Thomson, 99
PSD, 270, 271, 272, 273, 414 toprak, 182, 186, 200, 209, 231, 233, 234, 236, 237,
pusula, 280, 425 238, 239, 285, 365, 381, 395, 406, 418, 445, 486
PVDF, 84, 88, 89, 90, 94, 297, 298, 301, 315, 319, toroid, 70, 71
320, 324, 325, 397 transformotor, 64
Q triboelektrik, 55, 306
quantum dedektörleri, 373 tungsten, 81, 102, 124, 126, 431
quartz, 17, 88, 90, 139, 314, 324, 325 U
R ultrasonik, 273, 274, 280, 282, 306, 349, 350, 351,
reed anahtarı, 256 356, 362, 454, 476, 477, 478, 479, 480
robot, 288 ultrasound, 9
RTD, 82, 83, 184, 205, 222, 248, 347, 426, 427, 431, UV, 136, 272
432, 433, 435, 440, 441, 454, 458 uyarıcı, 6, 19, 24, 26, 27, 53, 54, 157
RVDT, 251, 252, 279 uyartım, 24, 25, 42, 43, 47, 91, 152, 173, 182, 184,
S 185, 186, 189, 214, 215, 217, 218, 219, 223, 244,
Sagnac etkisi, 277, 278 245, 246, 251, 252, 264, 274, 308, 320, 347, 352,
397, 398, 417, 418, 419, 436, 451
sargı, 76, 255, 308, 424, 458
uzaklık ölçümü, 263, 274, 280
saw, 118, 120, 158, 467
Ü
Schottky, 166, 227, 282, 379, 457
üstel fonksiyon, 95, 435, 438
Seebeck, 5, 7, 9, 12, 19, 26, 457, 99, 100, 101, 103,
104, 105, 106, 107, 108, 109, 157, 158, 167, 240, V
241, 444, 445 vizkozite, 27, 33
selenoid, 70, 71, 77 W
ses altı, 120 Wheatstone köprüsü, 212, 214, 215, 223, 246, 262,
ses, 120, 121, 169, 274, 484 319, 329, 331, 333, 337, 422, 458, 459, 464
seviye, 23, 243 X
sıcaklık, 1, 6, 17, 18, 27, 33, 46, 64, 74, 91, 92, 102, X ışını, 409
105, 108, 123, 124, 130, 141, 214, 216, 218, 221, Y
226, 262, 272, 305, 324, 359, 366, 369, 372, 391, yakınlık, 243, 255, 279, 483
426, 429, 431, 432, 448, 449, 451, 452, 456, 469, yangın, 489, 490
490, 493 yanlış pozitif dedeksiyon, 46, 53, 282, 285, 290
sıvı seviyesi, 248 yansıma, 140, 144, 145
silikon, 17, 19, 20, 21, 64, 81, 98, 99, 120, 124, 126, yansıtıcı, 147, 153, 155
134, 139, 154, 157, 158, 159, 169, 276, 314, 318,
323, 332, 334, 335, 339, 370, 374, 411, 413, 419, yansıtıcı, 473
433, 454, 455, 457, 458, 469 yayıcılık, 131, 132, 133, 134, 135, 136, 138, 143,
sinyal, 3, 4, 5, 8, 9, 12, 14, 19, 257, 380, 436, 491 296, 401
siyah altın, 92, 134, 393, 394, 401 yer değişimi, 3, 6, 17, 23, 26, 27, 37, 41, 62, 67, 74,
96, 108, 121, 154, 162, 184, 213, 243, 244, 245,
siyah cisim, 132, 134 249, 250, 251, 252, 257, 259, 260, 261, 264, 265,
Snell kanunu, 138, 148, 152 268, 277, 279, 280, 243, 250, 294, 295, 298, 307,
sönüm, 45, 166 308, 311, 313, 314, 316, 317, 329, 335, 341, 342,
strengeyç, 325, 331, 332 343, 358, 359, 361, 383
stres, 27, 89, 114, 117, 486 yoğunluk, 29, 90, 113, 114, 116, 126, 158
su, 33, 64, 114, 123, 126, 134, 139, 368, 371, 391, Young modülü, 84, 86, 121, 158, 330, 331
401 yük, 27, 58, 68, 89, 105, 115, 171, 182, 186, 187,
T 194, 206, 244, 325, 358, 383, 421, 441, 461
tam skala çıkışı, 38, 205, 331 yükseltici, 178, 180, 182, 190, 221, 238, 298, 380,
TCR, 81, 82, 216, 217, 218, 219, 221, 306, 318, 354, 418
394, 396, 426, 440, 441 Z
tekrar edilebilirlik, 54 zaman sabiti, 43, 54, 164, 438, 452
tepki hızı, 26 zar, 465
termistör, 433 zener diyot, 188, 189, 190

Algilayicilar & Dönüştürücüler

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Algilayicilar & Dönüştürücüler

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Prof. Dr.

Algılayıcı ve Dönüştürücülerde Veri Kazanımı Basınç ve Akış Algılayıcıları

BURSA ORHANGAZİ ÜNİVERSİTESİ YAYINLARI– BURSA 2015

BURSA ORHANGAZİ ÜNİVERSİTESİ YAYINLARI– BURSA 2015

Mikroişlemcinin keşfiyle günlük yaşantımıza oldukça akıllı aygıtlar girmiştir. İçinde

Bu kitap çok sayıda modern algılayıcı, dönüştürücü ve dedektörü kapsamaktadır. Amacı

En iyi algılayıcı veya dönüştürücü en basit olanıdır. Bu yüzden C. F. Kettering’in şu sözünü

Prof. Dr. Osman Gürdal, Bursa 2015

2 ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERDE VERİ KAZANIMI....................................................... 23

3 ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜ KARAKTERİSTİKLERİ ........................................................ 35

5 ALGILAMANIN ISIL, OPTİK VE MEKANİK PRENSİPLERİ ...................................................... 111

6 SİNYAL YÜKSELTME VE UYARTIM DEVRELERİ ................................................................... 171

7 SİNYAL DÖNÜŞTÜRME VE İLETİM DEVRELERİ .................................................................... 195

8 POZİSYON, SEVİYE VE YER DEĞİŞİMİ ÖLÇÜMÜ................................................................... 243

9 CANLI VE HAREKET DEDEKTÖRLERİ .................................................................................... 281

10 HIZ VE İVME ÖLÇÜMÜ ............................................................................................................ 307

11 KUVVET VE GERİNİM ALGILAYICILARI................................................................................ 317

12 BASINÇ ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİ .................................................................... 327

13 AKIŞ ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİ ......................................................................... 341

14 AKUSTİK ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLER ................................................................... 357

15 NEM ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİ .......................................................................... 363

16 IŞIK DEDEKTÖRLERİ .............................................................................................................. 373

18 ELEKTROMANYETİK ALAN DEDEKTÖRLERİ ...................................................................... 415

19 SICAKLIK ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİ................................................................. 429

20 KİMYASAL ALGILAYICI VE DÖNÜŞTÜRÜCÜLER ................................................................ 455

21 GÜVENLİK VE HIRSIZ ALARM SİSTEMLERİ......................................................................... 471

22 YANGIN DEDEKSİYON SİSTEMLERİ ..................................................................................... 489

EK FARNELL KATALOG ALGILAYICILAR & DÖNÜŞTÜRÜCÜLER İLE İLGİLİ SAYFALARI . 495

KAYNAKLAR ................................................................................................................................. 551

İNDEKS .................................................................................................................................... 553

kullanılmaktadır. Şeklin ortasındaki modifikasyon ünitesinde (M) bilgi modifiye edilir,

1.1 ÖLÇME VE KONTROL SİSTEMLERİ

Giriş Çıkış Şekil 1.4 Ölçme ve kontrol

Bir modifiyerde analog-dijital veya akım-frekans dönüşümü oluşur; bu durumda sinyal

1.2.1 SİNYAL TAŞIYAN ENERJİ BİÇİMİ

¾ Elektromanyetik Işınım Enerjisi: Bu enerji elektromanyetik radyo dalgaları, mikrodalgalar,

¾ Yerçekimi enerjisi: Bu enerji kütle ve dünya arasındaki yerçekimi ile ilgilidir.

¾ Isıl Enerji: Bu enerji atom ve moleküllerin kinetik enerjisi ile ilgilidir.

¾ Elektrostatik ve Elektromekanik Enerji: Bu enerji elektrik ve manyetik alanlar ile akım ve

¾ Nükleer Enerji: Bu enerji çekirdekleri birbirine tutan bağ enerjisidir.

¾ Kütle Enerjisi: Bu enerji Einstein’ın relativite veya görecelik teorisinde tanımlanır.

Bugünün alternatif enerji kaynaklarının araştırılmasında elektriksel olmayan enerjinin elektrik

Enstrüman alanında dönüştürücüler karakterize edilirken yukarıdaki enerji biçimlerinin hepsinin

n Işınım sinyal domeni

Işınım Işınım Işınım Işınım

1.2.2 DÖNÜŞTÜRÜCÜLERDE SİNYAL DÖNÜŞÜMÜ

Farklı kitapların ve makalelerin incelenmesiyle dönüştürücülerin değişik sınıflandırma yolları

trafik elektrik yer elektrik ışık elektrik

Şekil 1.6 Giriş dönüştürücülerinin (T) farklı tanımları

Tablo 1.1 Altı sinyal domeni

1.2.3 DÖNÜŞTÜRÜCÜLER ALANINDAKİ TERMİNOLOJİ

Tablo 1.2 Sinyal biçimleri ve insan duyuları

Tablo 1.3 Genelleştirilmiş aktüatörler

1.2.4 KENDİLİĞİNDEN ÜRETEN VE MODÜLASYONLU DÖNÜŞTÜRÜCÜLER

İkinci grup dönüştürücüler ise modülasyonlu dönüştürücüler olarak adlandırılır. Böyle

Ölçme ve kontrol sistemlerinin iyi anlaşılabilir diyagramlarının yapılması için farklı

Şekil 1.9 Kendiliğinden üreten ve modülasyonlu dönüştürücülerin grafik sembolleri

ısıl elektrik elektrik ışınım

ısıl elektrik elektrik ışınım

mekanik ısıl elektrik elektrik elektrik mekanik

ısıl elektrik elektrik elektrik

mekanik elektrik elektrik mekanik

1.2.5 GİRİŞ VE ÇIKIŞ DÖNÜŞTÜRÜCÜLERİNİN 2 VE 3 BOYUTLU GÖSTERİLMESİ