Elektronički Elementi 2

Julijan Šribar
Julijana Divković-Pukšec
ELEKTRONIČKI ELEMENTI
zbirka riješenih zadataka i izvoda
II dio
Zagreb, 1996.
Sva prava pridržana. Nijedan dio ovog teksta ne
smije se preslikavati niti umnažati na bilo koji način,
bez pismenog dopuštenja nakladnika. Za dodatne
obavijesti o dopuštenju, kontaktirajte autore:
Julijan Šribar
ili
Julijana Divković Pukšec
Copyright © 1997 by
Julijan Šribar and Julijana Divković Pukšec
All rights reserved. No part of this text may be

reproduced or transmitted in any form or by any
means, electronical, mechanical, photocopying,
recording or otherwise, without prior written
permission of the publisher. For more information
on getting permission, contact the authors:
Julijan Šribar
or
Julijana Divković Pukšec
Copyright © 1997 by
Julijan Šribar and Julijana Divković Pukšec
http://www2.zemris.fer.hr/~uli/zbirkaEng.html
Predgovor
Dobar prijem, pa i pohvale na prvi dio Zbirke potaknule su nas da što prije
napišemo i nastavak, pogotovo što on pokriva analizu rada bipolarnih tranzistora.
Naime, prema našem višegodišnjem iskustvu, to područje studentima često predstavlja
nepremostivu prepreku u savladavanju gradiva iz predmeta “Elektronički elementi”.
Jedan od glavnih razloga tome je nepostojanje odgovarajuće literature na hrvatskom
jeziku (izuzetak je udžbenik prof. B. Juzbašića Elektronički elementi, koji je posljednji
puta tiskan prije više od desetak godina).
Nastojali smo da pristup gradivu ostane isti kao i u prvom dijelu. I ovdje su
zvjezdicom (*) označena poglavlja ili zadaci koji nisu neophodni za potpuno
razumijevanje gradiva, te se u prvom čitanju mogu preskočiti. Princip označavanja i
oznake su također usklađene s prvim dijelom Zbirke.
Vjerujemo da će, poput prvog dijela Zbirke, i ovaj dio pomoći studentima boljem
razumijevanju fizikalnih principa rada bipolarnih tranzistora. Svaka primjedba, kritika ili
ispravka je dobrodošla i doprinijet će boljoj kvaliteti eventualnih sljedećih izdanja.
Zahvaljujemo se svima koji su izravno ili posredno pomogli pri izradi ove zbirke, a
posebno kolegama sa Zavoda za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne
sustave: Željku Butkoviću, Goranu Zeliću, Ivanu Seksi, Igoru Kroisu i Krunoslavu
Martinčiću. Kolega Dalibor Grgec je uočio i upozorio nas na niz pogrešaka u
prethodnim izdanjima, na čemu mu se iskreno zahvaljujemo. Izrada crteža na naslovnoj
strani omota te priprema fotografije na poleđini ne bi bila moguća bez pomoći Davora
Grgića, Tomislava Bajsa, Srđana Špalja i Davora Škrleca s Fakulteta elektrotehnike i
računarstva, koji su pritom dali na raspolaganje neophodnu opremu. Također se
zahvaljujemo kolegi Igoru Đurđanoviću (Universität Paderborn) za pomoć prilikom
dobave dijela literature.
I naravno, zahvaljujemo se svim studentima i kolegama koji su dali vrlo korisne
sugestije te nas upozorili na pogreške uočene u prethodnim izdanjima oba sveska
Zbirke.
Autori
J. Šribar, J. Divković-Pukšec: Elektronički elementi - zbirka zadataka i

ii Predgovor
Sadržaj
3. BIPOLARNI TRANZISTOR 1
3.0. Uvod ......................................................................................................1
3.1. Statički strujno-naponski odnosi .......................................................6
3.1.1. Naponska područja rada ........................................................................6
3.1.2. Komponente struja .................................................................................7
3.1.3. Efikasnost emitera, transportni faktor baze i faktori strujnog
pojačanja ..............................................................................................38
3.1.4. Ebers-Mollove jednadžbe .....................................................................55
3.1.5. Izlazne i ulazne karakteristike idealnog tranzistora ..............................61
3.2. Utjecaj tehnoloških parametara na transportni faktor i faktor
injekcije...............................................................................................83
3.2.1. Utjecaj raspodjele primjesa u bazi na transportni faktor.......................83
3.2.2. Utjecaj raspodjele primjesa na faktor efikasnosti emitera ....................96
3.2.3. Utjecaj površinske rekombinacije na faktor injekcije ..........................100
3.2.4. Utjecaj degeneracijskih pojava na faktor injekcije ..............................104
3.3. Odstupanja karakteristika realnih tranzistora...............................115
3.3.1. Utjecaj nivoa injekcije na efikasnost emitera......................................115
3.3.2. Utjecaj prostorne raspodjele struja .....................................................116
3.3.3. Utjecaj serijskih otpora .......................................................................119
3.3.4. Modulacija širine baze (Earlyev efekt)................................................127
3.4. Dinamička svojstva..........................................................................142
3.4.1. Ebers-Mollov model............................................................................142
3.4.2. Hibridni nadomjesni sklop ..................................................................150
3.4.3. Hibridni-π nadomjesni sklop ...............................................................169
3.5. Visokofrekvencijska svojstva.........................................................174
3.5.1. Gornja granična frekvencija................................................................181
3.5.2. Visokofrekvencijski hibridni-π nadomjesni sklop.................................202
3.6. Tranzistor kao sklopka ....................................................................206
3.6.1. Nabojski model bipolarnog tranzistora ...............................................207
Zadaci za samostalno rješavanje ...........................................................226
Rješenja ........................................................................................................241
Prilog A: Dokaz recipročnosti Ebers-Mollovog modela.......................249
LITERATURA 255
Knjige ........................................................................................................255
Članci u časopisima.................................................................................257
J. Šribar, J. Divković-Pukšec: Elektronički elementi - zbirka zadataka iii

iv Sadržaj
Popis češće korištenih oznaka†
C kapacitet
CB barijerni kapacitet
Cd difuzijski kapacitet
Cde difuzijski kapacitet emitera
Cdc difuzijski kapacitet kolektora
D difuzijska konstanta nosilaca naboja
dB širina barijere
električno polje
f frekvencija
fT frekvencija jediničnog strujnog pojačanja tranzistora u spoju zajedničkog
emitera (frekvencija širine pojasa)
fα gornja granična frekvencija faktora strujnog pojačanja tranzistora u spoju
zajedničke baze
fβ gornja granična frekvencija faktora strujnog pojačanja tranzistora u spoju
zajedničkog emitera
GB Gummelov broj baze
GE Gummelov broj emitera
hf faktor strujnog pojačanja u hibridnom nadomjesnom sklopu tranzistora
(dinamički faktor strujnog pojačanja)
hi ulazni dinamički otpor u hibridnom nadomjesnom sklopu tranzistora
ho izlazna dinamička vodljivost u hibridnom nadomjesnom sklopu tranzistora
hr faktor naponskog povratnog djelovanja u hibridnom nadomjesnom sklopu
tranzistora
I jakost električne struje
ICBO struja kroz zaporno polarizirani spoj kolektor-baza, uz odspojen emiter
ICEO struja kroz zaporno polarizirani spoj kolektor-baza, uz odspojenu bazu
ICS struja kroz zaporno polarizirani spoj kolektor-baza, uz emiter kratko spojen na
bazu
IEBO struja kroz zaporno polarizirani spoj emiter-baza, uz odspojen kolektor
IES struja kroz zaporno polarizirani spoj emiter-baza, uz kolektor kratko spojen na
bazu
IR rekombinacijska struja baze
† Ako nije posebno navedeno, indeksi n i p se odnose na veličine vezane uz elektrone i šupljine,
a indeksi E, B i C na emiter, bazu, odnosno kolektor.
J. Šribar, J. Divković-Pukšec: Elektronički elementi - zbirka zadataka v

vi Popis češće korištenih oznaka
k Boltzmannova konstanta, k = 1,381⋅10–23 J/K

L difuzijska duljina nosilaca naboja
N neto koncentracija primjesa
NA koncentracija akceptorskih atoma
ND koncentracija donorskih atoma
n koncentracija elektrona
n0 ravnotežna koncentracija elektrona
n0B ravnotežna koncentracija elektrona u bazi tranzistora
ni intrinsična koncentracija nosilaca naboja
nB0 koncentracija elektrona u bazi uz emitersku barijeru
nBw koncentracija elektrona u bazi uz kolektorsku barijeru
p koncentracija šupljina
p0 ravnotežna koncentracija šupljina
p0B ravnotežna koncentracija šupljina u bazi
pB0 koncentracija šupljina u bazi uz emitersku barijeru
pBw koncentracija šupljina u bazi uz kolektorsku barijeru
Q naboj
QB naboj manjinskih nosilaca u bazi
q elementarni naboj (naboj elektrona), q = 1,602⋅10–19 C
rb'b serijski otpor baze
rb'e dinamički otpor spoja emiter-baza
S površina
s brzina površinske rekombinacije nosilaca
T temperatura
t vrijeme
U napon
UK kontaktni potencijal
UT naponski ekvivalent temperature
UTOT ukupni napon na pn-spoju
w širina
xj dubina pn-spoja
yd difuzijska admitancija
α faktor strujnog pojačanja tranzistora u spoju zajedničke baze u normalnom
aktivnom području rada
α0 faktor strujnog pojačanja tranzistora u spoju zajedničke baze na niskim
frekvencijama
Popis češće korištenih oznaka vii
αI faktor strujnog pojačanja tranzistora u spoju zajedničke baze u inverznom

β faktor strujnog pojačanja tranzistora u spoju zajedničkog emitera u normalnom
β∗ transportni faktor nosilaca kroz bazu
γ faktor efikasnosti emitera (faktor injekcije emitera)
ε permitivnost (dielektrična konstanta)
εr relativna permitivnost
ε0 permitivnost vakuuma, ε0 = 8,854⋅10–14 F/cm
µ pokretljivost nosilaca naboja
σ električna provodnost (specifična električna vodljivost)
τ vrijeme života nosilaca naboja
ω kružna frekvencija
Oznake hiperbolnih funkcija

sinh sinus hiperbolni
cosh kosinus hiperbolni
tanh tangens hiperbolni
coth kotangens hiperbolni
arsinh area sinus hiperbolni
arcosh area kosinus hiperbolni
artanh area tangens hiperbolni
arcoth area kotangens hiperbolni
Grčki alfabet
Α α alfa Ι ι jota Ρ ρ ro
Β β beta Κ κ kapa Σ σ sigma
Γ γ gama Λ λ lambda Τ τ tau
∆ δ delta Μ µ mi Υ υ ipsilon
Ε ε epsilon Ν ν ni Φ ϕ fi
Ζ ζ zeta Ξ ξ ksi Χ χ hi
Η η eta Ο ο omikron Ψ ψ psi
Θ ϑ theta Π π pi Ω ω omega
viii Popis češće korištenih oznaka
3. BIPOLARNI TRANZISTOR
3.0. Uvod
Bipolarni tranzistor je aktivna poluvodička komponenta koja se sastoji od tri
područja (elektrode): emitera, baze i kolektora. Emiter i kolektor bipolarnog tranzistora
su istog tipa vodljivosti, dok je baza suprotnog tipa i smještena je između emitera i
kolektora. Po tome razlikujemo dva tipa bipolarnih tranzistora:
- npn tranzistor, kod kojeg su emiter i kolektor n-tipa, a baza p-tipa, te
- pnp tranzistor, kod kojeg su emiter i kolektor p-tipa, a baza n-tipa.
Princip rada oba tipa tranzistora je isti. Gledano s vanjskih stezaljki, pnp i npn tranzistor
se međusobno razlikuju samo po predznacima napona koje treba priključiti između
pojedinih elektroda i smjerovima struja koje teku u elektrode. Interno gledano, temeljna
razlika između pnp i npn tranzistora je u tipu nosilaca koji su dominantni u radu
tranzistora, a koje emiter injektira (“emitira”) u bazu. Kod pnp tranzistora su glavni
nosioci šupljine, a kod npn tranzistora elektroni.
Na slici 3.1 prikazani su grafički simboli pnp i npn tranzistora s označenim
izvodima emitera, baze i kolektora. Izvod emitera je uvijek označen strelicom, samo što
je ona kod pnp tranzistora usmjerena prema bazi, a kod npn tranzistora gleda od baze†.
E p n p C E n p n C
B B
emiter kolektor emiter kolektor
baza baza
Slika 3.1. Grafički simboli pnp i npn tranzistora.
Na slici 3.2 prikazani su tehnološki presjeci bipolarnog tranzistora dobivenog

planarnim postupcima kada se on izrađuje kao zasebna komponenta u vlastitom kućištu
(diskretni tranzistor), odnosno kada se izrađuje kao komponenta u monolitnom
integriranog sklopu (integrirani tranzistor). Planarnom tehnologijom se tranzistori
obično dobivaju dvjema difuzijama (baznom i emiterskom) u epitaksijalni sloj
[Tannenbaum56, Wang81]. Za diskretni npn tranzistor, prvo se na jako dopiranu
† Grafički simbol pnp tranzistora proizašao je iz stiliziranog prikaza prvih “točkastih”

tranzistora, koji su dobivani zabadanjem dva metalna šiljka (emitera i kolektora) u germanijsku
pločicu (bazu) n-tipa [Shockley50].
J.Šribar, J. Divković-Pukšec: Elektronički elementi - zbirka zadataka 1

2 3. Bipolarni tranzistor
diskretni tranzistor
emiterski kontakt bazni kontakt
emiter baza
intrinsični tranzistor
E (n+ )
B (p )
kolektor
C (n )
stražnji kolektorski kontakt
integrirani tranzistor
emiterski kontakt bazni kontakt kolektorski kontakt
emiter baza kolektor
p + izolacijska
difuzija
n izolacijski
otok
p + podloga n + potkolektorski
sloj
Slika 3.2. Tehnološki presjeci diskretnog i integriranog bipolarnog tranzistora.
podlogu n-tipa naraste slabo dopirani epitaksijalni sloj n-tipa, debljine 5 ÷ 15 µm. On će
služiti kao kolektor gotovog tranzistora. Slijedi bazna difuzija akceptorskih primjesa u
epitaksijalni sloj kojom se formira područje baze, odnosno pn-spoj baza-kolektor.
Potom se u tu bazu difundiraju donorske primjese u još višoj koncentraciji, tako da se
formira područje emitera, odnosno pn-spoj emiter-baza. Dubina tako dobivenog pn-
spoja emiter-baza (tj. udaljenost tog spoja od površine) je tipično oko 1 µm, a toliko
iznosi i uobičajena širina baze (tj. udaljenost pn-spoja baza-kolektor od spoja emiter-
baza).
Da bi tranzistor imao dobre karakteristike, neophodno je da je koncentracija
primjesa u emiteru puno veća od koncentracije primjesa u bazi, a širina baze, tj. razmak
između emitera i kolektora puno manji od difuzijske duljine manjinskih nosilaca u bazi.
Na slici 3.3 prikazan je diskretni tranzistor u metalnom kućištu. Tranzistorski čip je
zalegiran za podnožje kućišta, tako da je kolektor električki spojen preko metalnog
kućišta s izvodom koji izlazi izravno iz podnožja kućišta. Priključci emitera i baze
ostvareni su preko tankih zlatnih žičica, spojenih na nožice koje prolaze kroz podnožje.
Na slikama 3.4a i 3.4b prikazana je topologija jednog diskretnog tranzistora.
3.0. Uvod 3
izvod baze izvod

emitera
čip
izvod
kolektora
Slika 3.3. Diskretni tranzistor montiran u metalnom kućištu.
Na slici 3.5 prikazana je raspodjela primjesa u jednom npn tranzistoru dobivenom

gore opisanim postupkom dvostruke difuzije. Na slici 3.5a svjetlijim linijama prikazane
su raspodjele primjesa od pojedinih postupaka, dok je tamnom linijom dana rezultantna
izvod emitera
otvor za baznu bazni emiterski
difuziju kontakti kontakti
izvod
baze
otvori za
emiterske
difuzije
a) b)
Slika 3.4. Fotografija tranzistorskog čipa: a) čip s izvodima emitera i baze, b) uvećan aktivni dio.
10 22
10 21 emiter baza kolektor
20
10
N 10 19
emiterska difuzija
−3
cm 10 18 bazna
difuzija
10 17
epitaksijalni
10 16 sloj
a)
10 150 1 2 3 4 5
x / µm
10 22
emiter
10 21 baza
kolektor
10 20
| N netto| 10 19 podloga (n +)
−3
cm 10 18
10 17
10 16
b)
10 150 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
x / µm
Slika 3.5. Raspodjele neto-koncentracija primjesa u npn tranzistoru
dobivenom difuzijskim postupcima: a) raspodjela primjesa u emiteru,
bazi i dijelu kolektora (u intrinsičnom tranzistoru), b) obuhvaćena i jako
dopirana podloga.
raspodjela neto-koncentracija. Grafom na slici 3.5b obuhvaćen je i dio jako dopirane

podloge. Postupak izrade diskretnog pnp tranzistora je potpuno identičan, samo se
razlikuju tipovi primjesa u pojedinim koracima.
Kod monolitnih integriranih sklopova se u istoj poluvodičkoj pločici ostvaruje velik
broj različitih komponenti (tranzistora, dioda, otpornika, kondenzatora), koje moraju biti
međusobno električki izolirane (vidi npr. [Biljanović82, Millman72, Hamilton75,
Warner65]). Pojedine komponente smještene su u zasebne izolacijske otoke. To su
područja u epitaksijalnom sloju n-tipa, međusobno odvojena “branama” dobivenim
dubokom izolacijskom difuzijom akceptorske primjese. Te brane u potpunosti prolaze
kroz epitaksijalni sloj i nadovezuju se na podlogu p-tipa, tako da je izolacijski otok n-
3.0. Uvod 5
tipa sa svih strana (osim, naravno, prema površini) opkoljen poluvodičem p-tipa.
Reverznom polarizacijom pn-spoja između izolacijskog otoka i podloge, odnosno
izolacijske difuzije, (što se postiže spajanjem podloge na najniži potencijal sklopa - na
negativniji pol izvora napajanja) osigurava se izolacija između pojedinih otoka. Za
razliku od diskretnih tranzistora, kod kojih je kontakt kolektora sa donje strane čipa, pa
se montažom tranzistora u kućište ono električki spaja s kolektorom, kod integriranih
tranzistora kolektorska priključnica mora zbog izolacije biti s gornje strane pločice. Da
bi se smanjio serijski otpor od intrinsičnog (aktivnog) tranzistora do vanjske
priključnice, ispod epitaksijalnog sloja se prije epitaksijalnog rasta formira vodljiviji
potkolektorski sloj (engl. burried layer - pokopani sloj) difuzijom donora u visokoj
koncentraciji (vidi sliku 3.5c).
Danas se često umjesto difuzijskih postupaka koristi ionska implantacija koja
omogućava dobivanje struktura manjih dimenzija, a time i bolje iskorištenje
poluvodičke pločice. Također se, umjesto izolacijskom difuzijom, susjedni otoci
odvajaju dubokim žljebovima dobivenim postupcima lokalnog jetkanja i oksidacije.
Pri analizi električnih svojstava uglavnom ćemo zanemarivati utjecaj serijskih
otpora koji postoje između vanjskih priključnica i aktivnog područja tranzistora -
usredotočit ćemo se na intrinsični tranzistor (vidi sliku 3.2) u kojem se odvijaju sve
pojave bitne u radu tranzistora. Pretpostavljat ćemo da je tok struje u intrinsičnom
tranzistoru jednodimenzionalan, te da su površine emiterskog i kolektorskog spoja
međusobno jednake. Redovito ćemo pretpostavljati da su emiter, baza i kolektor
homogeno dopirani.
10 22
emiter
10 21 baza
kolektor
10 20
| Nnetto| 10 19 potkolektorski
sloj (n +)
−3
cm 10 18
podloga ( p )
10 17
10 16
10 150 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
x / µm
Slika 3.5c. Raspodjela neto-koncentracija u integriranom npn
tranzistoru.
3.1. Statički strujno-naponski odnosi
3.1.1. Naponska područja rada

Budući da su emiter i baza, odnosno baza i kolektor međusobno suprotnih tipova
vodljivosti, očito je da u tranzistoru postoje dva pn-spoja: emiter-baza (emiterski spoj) i
baza-kolektor (kolektorski spoj). Svaki od tih spojeva može biti propusno ili nepropusno
polariziran, pa po tome razlikujemo četiri naponska područja rada tranzistora:
- normalno aktivno područje,
- inverzno aktivno područje,
- područje zasićenja (engl. saturation region), te
- područje zapiranja (engl. cutoff region).
Uvjeti za pojedina područja rada dani su u tablici 3.0. Za npn tranzistor emiterski spoj je
propusno polariziran ako je emiter (n-tipa vodljivosti) na nižem potencijalu od baze (p-
tipa), tj. ako je napon UEB < 0 (ili UBE > 0). Kolektorski spoj je propusno polariziran ako
Tablica 3.1. Definicije naponskih područja rada bipolarnog tranzistora.
polarizacije emiter-baza
pn-spojeva propusno nepropusno
propusno zasićenje inverzno aktivno

kolektor
-baza nepropusno normalno aktivno zapiranje
je kolektor (n-tipa) na nižem potencijalu od baze (p-tipa), tj. ako je UCB < 0 (ili
UBC > 0). Za pnp tranzistor polariteti napona za odgovarajuće polarizacije pojedinih
spojeva su suprotni.
Mi ćemo uglavnom analizirati rad tranzistora u normalnom aktivnom području. To
područje je najzanimljivije, budući da se tranzistor u elektroničkim sklopovima u kojima
radi kao pojačalo signala, polarizira upravo tako da radi u tom području. Područja
zasićenja i zapiranja bitna su za rad tranzistora u digitalnim sklopovima, gdje tranzistor
radi kao strujna sklopka. Kada je tranzistor u području zasićenja, sklopka je uključena, a
kada je tranzistor u zapiranju, sklopka je isključena.
U početnim analizama pretpostavit ćemo da su područja emitera, baze i kolektora
homogeno dopirana. Raspodjele primjesa u tranzistorima dobivenim planarnim
postupcima itekako odstupaju od ovako pretpostavljenih raspodjela (vidi sliku 3.5), ali
je analiza karakteristika tranzistora sa stvarnim raspodjelama bitno složenija. Također
ćemo zanemariti utjecaj degeneracijskih efekata koji dolaze do izražaja kada su
koncentracije primjesa u siliciju veće od 1017 cm−3. Degeneracijski efekti su kod
3.1. Statički strujno-naponski odnosi 7
planarnih tranzistora najizraženiji u emiteru, budući da za dobre karakteristike

tranzistora koncentracija primjesa u emiteru mora biti što viša.
3.1.2. Komponente struja

Struje u tranzistoru ovise o naponima na spojevima emitera i baze, odnosno
kolektora i baze, kako je prikazano na slici 3.6. Prema slici se može zaključiti da
ovisnost struja o naponima mora biti slična kao i kod pn-diode. Međutim, zbog
međusobne blizine emiterskog i kolektorskog spoja, struja kroz kolektorski spoj neće
biti određena isključivo naponom na spoju kolektor-baza, već će na nju utjecati i napon
na spoju emiter-baza. Naravno da isto vrijedi i za utjecaj napona između kolektora i
baze na struju kroz emiterski spoj.
UBE UBC
Boltzmannove Boltzmannove
relacije relacije
nB
nB (x,t) - rješenje
nB0 jedn. kontinuiteta
nBw
E B C
. 0 wB x .
. .
. d nB d nB .
. nB , nB , .
dx x=0 dx x=wB
transportne jednadžbe transportne jednadžbe
IpE InE InC IpC
IE IC
Slika 3.6. Određivanje strujno-naponskih karakteristika tranzistora (prema

[Valkó91]).
Kada tranzistor radi u normalnom aktivnom području, pn-spoj emiter baza je

propusno polariziran. Kroz njega teče struja nosilaca koje emiter injektira u bazu (kod
npn tranzistora to je struja elektrona InE , a kod pnp IpE), te struja nosilaca koje baza
injektira u emiter (IpE kod npn, odnosno InE kod npn tranzistora). Nosioci koje emiter
ubaci u bazu gibat će se prema kolektorskoj barijeri. Tijekom prolaska kroz bazu dio tih
nosilaca će se rekombinirati s većinskim šupljinama. Međutim, kako je baza uska,
najveći dio nosilaca će stići do reverzno polarizirane kolektorske barijere, te će biti
povučeni na stranu kolektora, tvoreći struju kolektora (vidi sliku 3.7).
emiter baza kolektor emiter baza kolektor

nB nB
injekcija sakupljanje sakupljanje injekcija
x x
normalno aktivno područje inverzno aktivno područje
emiter baza kolektor emiter baza kolektor

nB nB
injekcija injekcija sakupljanje sakupljanje
x x
područje zasićenja područje zapiranja
Slika 3.7. Raspodjele manjinskih nosilaca u bazi u svim naponskim područjima rada npn
tranzistora.
Inverzno aktivno područje rada (kada je emiterski spoj zaporno, a kolektorski spoj
propusno polariziran) identično je normalnom aktivnom području, samo što su emiter i
kolektor zamijenili uloge: kolektor injektira nosioce u bazu, a emiter ih sakuplja.
U području zasićenja, kada su oba spoja propusno polarizirana, i emiter i kolektor
injektiraju nosioce u bazu. Baza je zbog toga zasićena manjinskim nosiocima, odakle i
slijedi naziv zasićenje. U zapornom području oba spoja su zaporno polarizirana, tako da
tranzistorom teku samo reverzne struje zasićenja pn-spojeva.
Zadatak 3.1
Izvesti izraze za sve komponente struja u npn tranzistoru koji ima homogeno dopirana
područja emitera, baze i kolektora. Pretpostaviti da su efektivne širine emitera i
kolektora puno veće od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca.
Rješenje:
Iako izrazi koje ćemo izvesti vrijede općenito, za bilo koje područje rada, mi ćemo se
usredotočiti na normalno aktivno područje. To područje rada je najzanimljivije jer se tranzistor,
kada se koristi kao linearno pojačalo, polarizira upravo tako da radi u tom području. Osim toga,
poznavajući princip rada u normalnom aktivnom području, analiza ostalih naponskih područja je
jednostavna.
U normalnom aktivnom području rada emiterski spoj je propusno, a kolektorski spoj zaporno
polariziran. Na slici 3.8 prikazane su struje koje teku npn tranzistorom kada on radi u normalnom
aktivnom području. Kroz propusno polarizirani pn-spoj emiter-baza teče struja koja se sastoji od
elektronske i šupljinske komponente. Elektronsku komponentu InE čine elektroni koje emiter
injektira u bazu, dok šupljinsku komponentu IpE čine šupljine koje baza injektira u emiter -
situacija je potpuno identična kao i kod propusno polarizirane pn-diode. U uvjetima niske
injekcije ubačeni nosioci će se od barijere udaljavati difuzijom, pa se obje komponente mogu
E (n) B (p) C (n)
InE InC
IE IC
IR
IpE ICBO
IB
Slika 3.8. Komponente struja npn tranzistora u normalnom aktivnom

području rada. Velikom crtkanom strelicom predstavljeno je gibanje
elektrona koje emiter injektira u bazu - smjer struje je suprotan.
izračunati kao difuzijske struje manjinskih nosilaca uz odgovarajuće rubove barijere emiter-baza.
Šupljine koje baza ubaci u emiter difundirat će prema emiterskoj priključnici, rekombinirajući se
pritom s većinskim elektronima. Zbog te rekombinacije koncentracija ubačenih šupljina
udaljavanjem od barijere postepeno teži ravnotežnoj, uzrokujući pad gradijenta koncentracije.
Ako je širina emitera puno veća od difuzijske duljine šupljina (kako je zadano u tekstu zadatka),
difuzijska struja manjinskih šupljina na dovoljno velikoj udaljenosti od barijere iščezava, a struju
u cijelosti preuzimaju većinski nosioci, odnosno njihova driftna komponenta.
Slično bi se dogodilo s elektronima koje emiter injektira u bazu, kada bi širina baze bila
puno veća od difuzijske duljine manjinskih nosilaca. Međutim, kako je pn-spoj kolektor-baza vrlo
blizu spoju emiter-baza, tek vrlo mali dio injektiranih elektrona će se rekombinirati s većinskim
Zadatak 3.1
šupljinama, uzrokujući pri tome rekombinacijsku struju baze IR . Većina injektiranih elektrona će
stići (“dodifundirati”) do barijere baza-kolektor, gdje će biti zahvaćeni električnim poljem unutar
barijere. To električno polje je takvog smjera da će sve pristigle elektrone povući na stranu
kolektora, uzrokujući struju kolektora InC . Iako je spoj kolektor-baza reverzno polariziran, kroz
njega teče znatna struja - ta struja nije određena naponom UCB niti ograničena reverznom strujom
zasićenja pn-spoja kolektor-baza, već je određena uvjetima na obližnjem propusno polariziranom
spoju emiter-baza.
Kroz kolektorski spoj teče i struja šupljina koje iz kolektora prelaze u bazu. U normalnom
aktivnom području rada je kolektorski spoj zaporno polariziran, pa baza izvlači manjinske nosioce
iz kolektora - ta struja jednaka je šupljinskoj komponenti reverzne struje zasićenja kolektorskog
spoja te se redovito može zanemarit.
Valja uočiti da su na slici 3.8 crtkanim strelicama označeni smjerovi gibanja nosilaca a
punim crtama smjerovi struja. Smjer struje elektrona suprotan je crtkano označenom smjeru
njihova kretanja.
Na osnovi Boltzmannovih jednadžbi za koncentracije manjinskih nosilaca uz rubove
barijera, možemo skicirati raspodjele manjinskih nosilaca u emiteru, bazi i kolektoru tranzistora,
slika 3.9. Za usporedbu, na slici su svjetlijom linijom nacrtane raspodjele manjinskih nosilaca i za
napon UCB = 0. Razumljivo da se uz napon UCB = 0 raspodjela manjinskih šupljina u kolektoru
poklapa se s ravnotežnom raspodjelom (svjetlija linija na slici). Zato je šupljinska komponenta
struje kolektora (označena kao IpC) jednaka nuli. Radi preglednosti su mjerila na osima na slici 3.9
odabrana različita za područja emitera, baze, odnosno kolektora. Da su odabrana jednaka mjerila
na ordinatama, ravnotežne koncentracije manjinskih nosilaca u emiteru i bazi bi se praktički
poklapale s ordinatom, budući da su one redovito nekoliko redova veličine manje od ravnotežne

pE nB pC
n B0 InE
UCB =0
I nC
I pE pE0 p0C
n0B pC0 IpC UCB >0
p0E nBw
0 0 wB 0
xE xB xC
Slika 3.9. Raspodjele manjinskih nosilaca i pripadajuće difuzijske struje u npn tranzistoru u
normalnom aktivnom području rada.
koncentracije nosilaca u kolektoru. Kao što ćemo kasnije vidjeti, za što bolja svojstva tranzistora
emiter mora biti puno jače dopiran od baze, a baza puno jače dopirana od kolektora. Također su
prostorne koordinate definirane posebno za područje emitera (xE -koordinata), baze (xB -
koordinata), odnosno kolektora (xC -koordinata).
Zadatak 3.1
Da bismo odredili pojedine komponente struja, prvo trebamo odrediti raspodjele manjinskih
nosilaca – na osnovi poznatih raspodjela moći ćemo izračunati difuzijske struje manjinskih
nosilaca uz rubove barijera (vidi sliku 3.6). Pojedinu komponentu struje u tranzistoru uzimat
ćemo kao pozitivnu veličinu, bez obzira da li ona teče u smjeru pozitivne ili negativne x-osi. Radi
toga će trebati u izraze kojima su određene pojedine difuzijske struje dodati predznak minus,
ukoliko struja teče u smjeru negativne x-osi (ili jednostavno uzimati samo apsolutni iznos
izračunate struje). Takav pristup zahtijeva da se prije računa odrede stvarni smjerovi pojedinih
komponenti struja i to na temelju određivanja raspodjele manjinskih nosilaca u području emitera,
baze i kolektora; to znači da treba odrediti kakve su polarizacije pn-spojeva emiter-baza i
kolektor-baza. Najjednostavnije ćemo izračunati šupljinske komponente struja emitera i kolektora,
tj. struje šupljina koje (u normalnom aktivnom području) baza injektira u emiter i izvlači iz
kolektora.
Šupljinsku komponentu struje emitera računamo kao difuzijsku struju šupljina uz rub
barijere emiter-baza (tj. na mjestu xE = 0),
dp E
I pE = − S ⋅ q ⋅ D pE ⋅ . (3.1)
dx E xE =0
Zadana širina emitera je puno veća od difuzijske duljine manjinskih šupljina. Stoga je raspodjela
manjinskih šupljina u emiteru opisana eksponencijalnom funkcijom
æ x ö
p E ( x E ) = p0 E + ( pE 0 − p0 E ) ⋅ expçç − E ÷÷ =
è L pE ø
é æU ö ù æ x ö
= p0 E + p0 E ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú ⋅ expçç − E ÷÷ . (3.2)
êë è U T ø úû è L pE ø
Uvrštavanjem (3.2) u (3.1), dobiva se šupljinska struja emitera
D pE é æU ö ù D pE ni2 é æU ö ù
I pE = S ⋅ q ⋅ ⋅ p0 E ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú = S ⋅ q ⋅ ⋅ ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú . (3.3)
L pE êë è U T ø úû L pE N DE êë è U T ø úû
Kada je emiterski spoj propusno polariziran (UBE > 0), struja IPE teče u smjeru pozitivne +xE
osi, kako je i prikazano na slici 3.9.
Šupljinska komponenta struje kolektora jednaka je difuzijskoj struji (manjinskih) šupljina u
kolektoru uz kolektorsku barijeru
dpC D pC é æU ö ù
I pC = S ⋅ q ⋅ D pC ⋅ = −S ⋅ q ⋅ ⋅ p0C ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú (3.4)
dxC xC = 0
L pC êë è U T ø úû
(predznak struje promijenjen je da bi odgovarao referentnom smjeru na slici 3.8, koji je jednak
stvarnom smjeru struje). Kada je kolektorski spoj reverzno polariziran (UBC < 0), struja IPC je
pozitivna, tj. teče u smjeru –xC osi, kako je to prikazano na slici 3.9. Ako je UCB >> UT šupljinska
komponenta kolektorske struje jednaka je šupljinskoj komponenti reverzne struje zasićenja
D pC ni2
I pCBO = S ⋅ q ⋅ ⋅ . (3.5)
L pC N DC
Struja IpCBO je jedna od komponenti reverzne struje zasićenja spoja kolektor-baza ICBO . Ova
struja je, zbog općeprihvaćene konvencije za smjer struje ICBO , za npn tranzistor pozitivna, a za
Zadatak 3.1
pnp tranzistor negativna†. Ova komponenta struje se redovito u normalnom aktivnom području
rada može zanemariti u odnosu na ostale komponente struja.
Da bismo odredili preostale komponente struja (elektronske komponente struja emitera InE ,
odnosno kolektora InC , te rekombinacijsku struju IR), moramo poznavati raspodjelu manjinskih
nosilaca u bazi. Širina baze redovito je puno manja od difuzijske duljine manjinskih nosilaca u
bazi, pa se stvarna raspodjela može aproksimirati pravcem - izrazi za struje su u tom slučaju puno
jednostavniji. Stoga ćemo prvo u a) dijelu nastavka rješenja izvesti izraze na osnovi egzaktne
raspodjele, da bismo u b) dijelu iz tih izraza izveli aproksimirajuće.
a)
Elektronsku komponentu struje emitera čine elektroni koje emiter injektira u bazu. Izračunat
ćemo ju kao difuzijsku struju manjinskih elektrona u bazi uz rub barijere emiter-baza
dn B
I nE = − S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ . (3.6)
dx B xB =0
Za to trebamo odrediti raspodjelu manjinskih elektrona u bazi, odnosno riješiti jednadžbu

kontinuiteta za manjinske elektrone. Rubni uvjeti za jednadžbu kontinuiteta određeni su
koncentracijama elektrona na rubovima baze, uz barijeru baza-emiter (xB = 0), te uz barijeru baza-
kolektor (xB = wB). Valja uočiti da je u (3.6) dodan predznak minus da bi smjer dobivene struje InE
odgovarao referentnom smjeru na slici 3.8. (Koordinate xE i xC su suprotno orijentirane!)
Općenito rješenje jednadžbe kontinuiteta uz definirane koncentracije na rubovima baze, za
homogenu bazu daje raspodjelu (vidi zadatak 1.44 u prvom dijelu Zbirke)
æ x ö æ w − xB ö
( nBw − n0 B ) ⋅ sinhç B ÷ + ( n B 0 − n0 B ) ⋅ sinhç B ÷
è LnB ø è LnB ø
n B ( x B ) = n0 B + , (3.7)
æw ö
sinhç B ÷
è LnB ø
pri čemu je nB0 koncentracija elektrona u bazi uz barijeru emiter-baza (xB = 0), a nBw je
koncentracija elektrona u bazi uz rub barijere baza-kolektor (xB = wB). Te su koncentracije
uvjetovane priključenim naponima na pn-spojevima emiter-baza i baza-kolektor preko
Boltzmannovih relacija.
Difuzijska struja manjinskih elektrona u bazi proporcionalna je gradijentu koncentracije
nosilaca
dn B
I n ( x B ) = − S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ , (3.8)
dx B
pa deriviranjem raspodjele (3.7) i uvrštavanjem u (3.8) dobivamo da je
(nBw − n0 B ) ⋅ coshç B ÷ + (n B 0 − n0 B ) ⋅ coshç B ÷
DnB è LnB ø è LnB ø
I n ( xB ) = − S ⋅ q ⋅ ⋅ . (3.9)
LnB æw ö
sinhç B ÷
è LnB ø
† Radi lakšeg pamćenja može se uzeti da je referentni smjer struje ICBO određen redoslijedom
oznaka C i B u indeksu, tj. da je referentni smjer od kolektora prema bazi.
Zadatak 3.1
Uvrstimo li xB = 0, dobit ćemo difuzijsku struju elektrona uz emitersku barijeru, tj. struju InE :
æw ö
(n Bw − n0 B ) − (n B 0 − n0 B ) ⋅ coshç B ÷
DnB è LnB ø
I nE = − S ⋅ q ⋅ ⋅ . (3.10)
LnB æw ö
sinhç B ÷
è LnB ø
Koristeći Boltzmannove jednadžbe za koncentracije nB0 i nBw
æU ö n2 æU ö
n B 0 = n0 B ⋅ expç BE ÷ = i ⋅ expç BE ÷ , (3.11)
U
è T ø N AB è UT ø
æU ö n2 æU ö
n Bw = n0 B ⋅ expç BC ÷ = i ⋅ expç BC ÷ , (3.12)
è U T ø N AB è UT ø
izraz (3.10) možemo pisati kao
DnB 1 n2 ìïé æ U ö ù æ w ö é æ U ö ù üï
I nE = − S ⋅ q ⋅ ⋅ ⋅ i íêexpç
BC
÷ − 1ú − coshç B ÷ ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú ý .(3.10a)
LnB æ w ö N AB ïîêë è U T ø úû è LnB ø ëê è U T ø úû ïþ
sinhç B ÷
è LnB ø
Iz izraza (3.10), odnosno (3.10a) očito je da elektronska komponenta struje emitera ne ovisi
samo o naponu emiter-baza, već i o naponu kolektor-baza. Utjecaj tog napona je to veći što je
baza uža, tj. što je omjer wB / LnB manji, jer je tada i vrijednost hiperbolnog kosinusa ispred druge
uglate zagrade u (3.10a) bliža 1. Slijedi da su za vrlo usku bazu utjecaji napona UBE i UBC
ravnopravni! Međutim, u normalnom aktivnom području rada kolektorski spoj je zaporno, a
emiterski propusno polariziran, pa je član u prvoj uglatoj zagradi jednadžbe (3.10a) puno manji
od člana u drugoj uglatoj zagradi, tako da je
DnB ni2 æ w ö é æU ö ù
I nE = S ⋅ q ⋅
⋅ ⋅ cothç B ÷ ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú . (3.10b)
LnB N AB è LnB ø êë è U T ø úû
Emiterska struja u normalnom aktivnom području rada praktično je neovisna o naponu UCB .
Struja InE je pozitivna, a teče u smjeru +xE osi, odnosno –xB osi, kako je prikazano na slici 3.9.
Ukupna struja emitera dobiva se zbrajanjem struja InE i IpE , vodeći računa o smjerovima
pojedinih komponenti (vidi sliku 3.8). U normalnom aktivnom području obje struje teku prema
emiterskoj priključnici, i zbrajaju se po iznosu.
U normalnom aktivnom području rada tranzistora, kolektorska struja sastoji se uglavnom od
struje manjinskih elektrona InC , koji su, nakon što su bili injektirani iz emitera, difuzijom stigli do
kolektorske barijere. I ovu struju možemo odrediti kao difuzijsku struju elektrona, ali sada uz rub
kolektorske barijere
dn B
I nC = − S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ . (3.13)
dx B x B = wB
Kao kod izraza (3.6), i ovdje je dodan predznak minus da bi referentni smjer struje odgovarao
smjeru struje InC na slici 3.8. Uvrštavanjem xB = wB u izraz za difuzijsku struju elektrona u bazi
(3.9), dobit ćemo da je
Zadatak 3.1
æw ö
(n Bw − n0 B ) ⋅ coshç B ÷ − (n B 0 − n0 B )
DnB è LnB ø
I nC = − S ⋅ q ⋅ ⋅ . (3.14)
LnB æw ö
sinhç B ÷
è LnB ø
Izrazimo li rubne koncentracije nB0 i nBw pomoću Boltzmannovih jednadžbi (3.11) i (3.12), dobit
ćemo da je
DnB 1 ni2 ìï æ wB ö é æ U BC ö ù é æ U BE ö ù üï
I nC = − S ⋅ q ⋅ ⋅ ⋅ ícoshç ÷ ⋅ êexpç ÷ − 1ú − êexpç ÷ − 1ú ý . (3.14a)
LnB æ w ö N AB ïî è LnB ø êë è U T ø ûú êë è U T ø ûú ïþ
shç B ÷
è LnB ø
Iz izraza (3.14), odnosno (3.14a) možemo izvući slične zaključke kao i maloprije za struju
InE : (1) struja InC ne ovisi samo o naponu UCB , već na nju ima upliv i napon UBE ; (2) utjecaj
napona UBE je to jači što je baza uža. Najvažnije je ipak uočiti da u normalnom aktivnom
području rada struja InC praktično ne ovisi o naponu UBC ! Naime, u normalnom aktivnom
području rada (UBE > 0, UBC < 0) je član u prvoj uglatoj zagradi izraza (3.14a) puno manji od
člana u drugoj uglatoj zagradi, tako da možemo pisati da je
DnB 1 n2 é æU ö ù
I nC = S ⋅ q ⋅ ⋅ ⋅ i ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú . (3.14b)
LnB æ w ö N AB êë è U T ø úû
sinhç B ÷
è LnB ø
Razliku između difuzijskih struja elektrona uz emitersku, odnosno kolektorsku barijeru,

uzrokuje rekombinacija elektrona s većinskim šupljinama tijekom proleta kroz bazu. Zbog te
rekombinacije pojavit će se manjak šupljina, koji će se nadoknađivati iz vanjskog kruga, preko
bazne priključnice (slika 3.10). Prema tome, rekombinacija elektrona pri prolasku kroz bazu
uzrokovat će rekombinacijsku struju baze jednaku razlici struje elektrona injektiranih iz emitera i
struje elektrona koji su stigli do kolektora
I R = I nE − I nC . (3.15)
Uvrstimo li izvedene izraze (3.10) i (3.14) za struje InE, odnosno InC , nakon sređivanja dobit ćemo
da je
æw ö
coshç B ÷ − 1
D è LnB ø
I R = S ⋅ q ⋅ nB ⋅ ⋅ (n B 0 − n0 B + n Bw − n0 B ) . (3.16)
LnB æw ö
sinhç B ÷
è LnB ø
Zanimljivo je uočiti da bismo do iste formule za rekombinacijsku struju došli da smo

rekombinacijsku struju računali preko definicije za mjeru rekombinacije (vidi poglavlje 1.6.
Rekombinacijski procesi u prvom dijelu Zbirke)
n B − n0 B
R= ,
τ nB
prema kojoj slijedi da je
wB
1 QnB
IR = S ⋅q ⋅
τ nB
⋅ ò [nB ( x) − n0 B ] ⋅ dx = τ nB , (3.17)
0
Zadatak 3.1
InE InC
rekombinacija
Ec
Ev
emiter (n) baza (p) kolektor (n)
IR
Slika 3.10. Tijekom proleta kroz bazu dio injektiranih nosilaca se

rekombinira s većinskim nosiocima. Novonastali manjak većinskih
nosilaca se nadoknađuje rekombinacijskom strujom IR .
tj. da je rekombinacijska struja proporcionalna ekscesnom naboju manjinskih nosilaca u bazi.

Integracijom funkcije raspodjele ekscesnih nosilaca (3.7) duž cijele baze dobiva se ekscesni naboj
æw ö
coshç B ÷ − 1
è LnB ø
QnB = S ⋅ q ⋅ [(n B 0 − n0 B ) + (nBw − n0 B )] ⋅ LnB ⋅ . (3.18)
æw ö
sinhç B ÷
è LnB ø
Dijeljenjem s vremenom života elektrona, dobiva se izraz (3.16).
b)
Efektivna širina baze u bipolarnim tranzistorima uvijek je puno manja od difuzijske duljine
manjinskih elektrona (to je osnovni uvjet da tranzistor ima dobra svojstva), pa se u gornjim
izrazima za raspodjele nosilaca u bazi i za pripadajuće struje u bazi mogu hiperbolni sinus i
hiperbolni kosinus nadomjestiti prvim članovima razvoja u redove potencija
x 3 x5 x 7
sinh( x ) = x + + + +K =& x ,
3! 5! 7 !
x2 x4 x6 x2
cosh( x ) = 1 +
+ + +K =& 1 + ,
2 ! 4 ! 6! 2
Uz ove aproksimacije raspodjela elektrona (3.7)
( nBw − n0 B ) ⋅ sinhç B ÷ + ( n B 0 − n0 B ) ⋅ sinhç B ÷
è LnB ø è LnB ø
n B ( x B ) = n0 B + ,
æw ö
sinhç B ÷
è LnB ø
Zadatak 3.1
prelazi u linearnu raspodjelu

wB − x B
n B ( x B ) = n0 B + (n B 0 − n Bw ) ⋅ , (3.19)
wB
što je jednadžba pravca koji prolazi kroz točke (xB = 0, nB 0) i (xB = wB , nBw), kako je prikazano na
slici 3.11.
nB
nB0
nB0 − nBw
wB
QnB
nBw
n0B
Slika 3.11. Aproksimacija raspodjele
0 wB x manjinskih nosilaca u bazi pravcem.
Uporabimo li gornje aproksimacije hiperbolnih funkcija u izrazu (3.10) za struju InE ,

æw ö
( n Bw − n0 B ) − (n B 0 − n0 B ) ⋅ coshç B ÷
DnB è LnB ø
I nE = − S ⋅ q ⋅ ⋅ ,
LnB æ wB ö
sinhç ÷
è LnB ø
dobit ćemo da je
DnB 1 é æ wB2 ö ù
I nE = S ⋅ q ⋅ ⋅ ⋅ ê(n B 0 − n0 B ) ⋅ çç1 + 2 ÷
÷ − ( nBw − n0 B ) ú =
LnB wB êë è 2 ⋅ LnB ø úû
LnB
DnB é wB2 ù
= S ⋅q⋅
⋅ ên B 0 − n Bw + (n B 0 − n0 B ) ⋅ ú. (3.20)
wB êë 2 ⋅ L2nB úû
Slično ćemo iz izraza (3.14) za struju InC
æw ö
DnB è LnB ø
I nC = − S ⋅ q ⋅ ⋅ ,
LnB æw ö
sinhç B ÷
è LnB ø
dobiti da je
DnB 1 é æ wB2 ö ù
I nC = S ⋅ q ⋅ ⋅ ⋅ ê(n B 0 − n0 B ) − (n Bw − n0 B ) ⋅ çç 1 + ÷÷ ú =
LnB wB êë è 2 ⋅ L2nB ø úû
LnB
Zadatak 3.1
DnB é wB2 ù
= S ⋅q⋅ ⋅ ên B 0 − n Bw − (n B 0 − n0 B ) ⋅ ú. (3.21)
wB êë 2 ⋅ L2nB úû
Prepišimo izraze (3.20) i (3.21) u sljedećem obliku:

DnB D wB2
I nE = S ⋅ q ⋅ ⋅ (n B 0 − n Bw ) + S ⋅ q ⋅ nB ⋅ (n B 0 − n0 B ) ⋅ =
wB wB 2 ⋅ L2nB
DnB (n − n0 B ) ⋅ wB
= S ⋅q⋅ ⋅ (n B 0 − n Bw ) + S ⋅ q ⋅ B 0 , (3.20a)
wB 2 ⋅ τ nB
DnB D wB2
I nC = S ⋅ q ⋅ ⋅ (n B 0 − n Bw ) − S ⋅ q ⋅ nB ⋅ ( nB 0 − n0 B ) ⋅ =
wB wB 2 ⋅ L2nB
DnB ( n − n0 B ) ⋅ wB
= S ⋅q⋅ ⋅ (n B 0 − n Bw ) − S ⋅ q ⋅ B 0 , (3.21a)
wB 2 ⋅ τ nB
te ih promotrimo na trenutak. Prvi članovi u (3.20a), odnosno (3.21a) proporcionalni su
gradijentu
n B 0 − nBw
,
wB
tj. nagibu pravca (3.19) kojim smo aproksimirali stvarnu raspodjelu nosilaca u bazi (svjetlija linija
na slici 3.12). Prema tome
DnB
S ⋅q⋅ ⋅ (n B 0 − nBw )
wB
je difuzijska struja koja bi tekla kroz bazu tranzistora kada bi raspodjela nosilaca u bazi bila
linearna, tj. kada ne bi bilo rekombinacije nosilaca u bazi. Struja InE je veća od te struje za član
DnB wB2 (n − n0 B ) ⋅ wB
S ⋅q⋅ ⋅ (n B 0 − n0 B ) ⋅ 2
= S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ B 0 ,
wB 2 ⋅ LnB 2 ⋅ L2nB
dok je struja InC manja za isti iznos struje (slika 3.12).
nB
InE InC
nB0
nB0 − nBw
wB
(nB0 − n0B) wB
2
2 LnB
nBw
Slika 3.12. Gradijenti
0 wB x koncentracije manjinskih nosilaca
u homogenoj bazi.
Zadatak 3.1
Budući da je omjer širine baze i difuzijske duljine manjinskih nosilaca (wB / LnB) vrlo mali,
drugi član u izrazu (3.20a) može se zanemariti. Stoga ćemo radi jednostavnosti ubuduće struju InE
uvijek računati preko nagiba pravca (3.19) kojim smo aproksimirali stvarnu raspodjelu,
n B 0 − n Bw
I nE = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ . (3.22)
wB
Struju InC računat ćemo kao razliku struje InE i rekombinacijske struje IR .
Rekombinacijska struja jednaka je razlici struja InE i InC . Oduzimanjem jednakosti (3.20a) i
(3.21a) dobili bismo da je
( nB 0 − n0 B ) ⋅ wB
IR = S ⋅q ⋅ .
τ nB
Ovaj izraz daje približno dvostruko veće rekombinacijske struje nego točan izraz (3.16)! Uzrok
tome je što su već izrazi (3.20) i (3.21) aproksimacije u kojima su zanemareni viši članovi razvoja
hiperbolnih funkcija u red potencija. Oduzimanjem se osnovni članovi pokrate, tako da pogreška
zbog zanemarenih viših članova dolazi do izražaja†. Točniji izraz za rekombinacijsku struju dobit
ćemo ako u egzaktnom izrazu (3.16)
æw ö
coshç B ÷ − 1
D è LnB ø
I R = S ⋅ q ⋅ nB ⋅ ⋅ (n B 0 − n0 B + n Bw − n0 B ) ,
LnB æw ö
sinhç B ÷
è LnB ø
aproksimiramo hiperbolne funkcije:
é 1 æ w ö2ù
ê1 + ⋅ ç B ÷ ú − 1
DnB ê 2 è LnB ø ú
⋅ [(n B 0 − n0 B ) + (n Bw − n0 B )] =
ë û
I R = S ⋅ q ⋅
LnB wB
LnB
=
1
⋅S ⋅q⋅
[(nB0 − n0B ) + (nBw − n0 B )] ⋅ wB . (3.23)
τ nB 2
Uočimo da je razlomak
[(nB0 − n0 B ) + (nBw − n0 B )] ⋅ wB
2
jednak površini uspravnog trapeza s osnovkom wB , te bočnim visinama nB 0 − n0B , odnosno
nBw − n0B . Ta površina odgovara nakrcanom naboju manjinskih elektrona u bazi kada je
raspodjela elektrona linearna (vidi sliku 3.11)
QnB = S ⋅ q ⋅
[(nB0 − n0B ) + (nBw − n0 B )] ⋅ wB . (3.24)
2
U normalnom aktivnom području je redovito nB 0 >> n0B >> nBw , tako da (3.24) prelazi u
† Situacija je identična kao kod oduzimanja dva po iznosu vrlo bliska broja: zbog zaokruživanja
jednog ili oba člana može nastati velika (relativna) pogreška u njihovoj razlici!
Zadatak 3.1
nB 0 ⋅ w B
QnB = S ⋅ q ⋅ . (3.25)
2
Nakrcani naboj je dakle proporcionalan površini pravokutnog trokuta s osnovkom wB i visinom
nB 0 (slika 3.13), te je rekombinacijska struja
nB 0 ⋅ w B
IR = S ⋅q ⋅ .
2 ⋅ τ nB
nB0 >> n0B >> nBw

nB nB
nB0 nB0
QnB QnB
nBw
n0B
0 wB x 0 wB x
Slika 3.13. U normalnom aktivnom području redovito se nakrcani naboj manjinskih
nosilaca u bazi može prikazati pravokutnim trokutom visine nB0 .
Zadatak 3.2
Silicijski npn tranzistor ima homogene koncentracije primjesa u emiteru, bazi i
kolektoru iznosa: NDE = 1017 cm−3, NAB = 1016 cm−3 i NDC = 1015 cm−3. Efektivna širina
baze je 5 µm, dok su širine emitera i kolektora puno veće od difuzijskih duljina
manjinskih nosilaca. Površina tranzistora je 1 mm2. Parametri manjinskih nosilaca su:
u emiteru: DpE = 8 cm2/s, LpE = 25 µm,
u bazi: DnB = 32 cm2/s, LnB = 80 µm,
u kolektoru: DpC = 11 cm2/s, LpC = 75 µm,
Temperatura je T = 300 K. Zanemarujući degeneracijske pojave u emiteru, izračunati
sve komponente struja uz napone:
a) UBE = +0,55 V i UCB >> UT ;
b) UBE = +0,55 V i UCB = 0.
Rješenje:
Za zadani tranzistor vrijedi da je efektivna širina baze puno manja od difuzijske duljine
manjinskih elektrona,
wB
= 0,0625 ,
LnB
Zadatak 3.2
tako da se raspodjela manjinskih elektrona u bazi može sasvim dobro aproksimirati linearnom
raspodjelom, a struje u bazi računati pomoću jednostavnijih izraza koje smo izveli u b) dijelu
rješenja prethodnog zadatka.
a)
Za zadani napon UBE = +0,55 V pn-spoj emiter-baza je propusno polariziran, jer je napon
baze prema emiteru veći od nule, pa je baza (p-strana spoja) priključena na viši potencijal od
emitera (n-strane). Napon UCB je pozitivan, tj. kolektor (n-tipa) je na višem potencijalu od baze
(p-tipa). To znači da je kolektorski spoj reverzno polariziran, pa je radna točka u normalnom
aktivnom području.
Struju IpE izračunat ćemo pomoću izraza (3.3)
ni2 é æ U BE ö ù
D pE
I pE = S ⋅ q ⋅ ⋅⋅ êexpç ÷ − 1ú = 17,0 µA .
L pE N DE êë è U T ø úû
Struja je pozitivna, tj. teče u smjeru pozitivne xE -osi, od pn-spoja emiter-baza prema emiterskoj
priključnici.
Struju IpC izračunat ćemo pomoću izraza (3.4)
é æU ö ù
D pC
I pC = − S ⋅ q ⋅⋅ p0C ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú .
L pC êë è U T ø úû
Kako je zadano da je napon UCB >> UT , znači da je napon UBC negativan i po iznosu puno veći od
naponskog ekvivalenta UT . Stoga je vrijednost eksponencijalne funkcije puno manja od 1, pa
gornji izraz prelazi u
D pC D pC ni2
I pC = I pCBO = S ⋅ q ⋅ ⋅ p0C = S ⋅ q ⋅ ⋅ . (3.26)
L pC L pC N DC
Šupljinska struja kolektora jednaka je šupljinskoj komponenti reverzne struje kroz kolektorski
spoj. Uvrstimo li zadane vrijednosti, dobit ćemo da je ta struja 4,47⋅10−13 A. I ova je struja
pozitivna, tj. teče od kolektorske priključnice prema spoju kolektor-baza.
Prije nego što pređemo na računanje struja u bazi, izračunajmo ravnotežnu koncentraciju
elektrona n0B , te koncentracije elektrona uz emitersku i kolektorsku barijeru:
ni2
n0 B = = 1,90 ⋅ 104 cm − 3 ,
N AB
æU ö
n B 0 = n0 B ⋅ expç BE ÷ = 3,31 ⋅ 1013 cm − 3 ,
è UT ø
æU ö
n Bw = n0 B ⋅ expç BC ÷ = 0 .
è UT ø
Koncentraciju uz kolektorsku barijeru nBw možemo uzeti da je jednaka 0, jer je napon reverzne
polarizacije kolektorskog spoja po iznosu puno veći od UT . Kao što vidimo, zadovoljen je uvjet
da je nB 0 >> n0B >> nBw , tako da raspodjelu elektrona u bazi možemo prikazati trokutom (vidi sliku
3.13).
Struju InE računamo preko nagiba pravca kojim smo nadomjestili raspodjelu elektrona u bazi,
tj. pomoću izraza (3.22),
Zadatak 3.2
n B 0 − n Bw n
I nE = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ B 0 = 3,393 mA .
wB wB
Struja je pozitivna, što znači da joj se smjer podudara s referentnim smjerom na slici 3.8 - teče od
baze prema emiteru. Ona je istog smjera kao i struja IpE , pa joj se pribraja po iznosu.
Iznos ukupne struje emitera bit će, dakle
I E = I pE + I nE = 3,41 mA ,
a kako ona teče iz emitera u vanjsku priključnicu, što je suprotno referentnom smjeru, predznak
struje emitera bit će negativan, tj. IE = −3,41 mA.
Struju InC računat ćemo kao razliku struje InE i rekombinacijske struje. Stoga prvo moramo
izračunati rekombinacijsku struju. Na osnovi poznatih rubnih koncentracija možemo izračunati
nakrcani naboj elektrona, koji je proporcionalan površini pravokutnog trokuta, izraz (3.25)
n B 0 ⋅ wB
QnB = S ⋅ q ⋅ = 13,3 pC .
2
Dijeljenjem s vremenom života dobit ćemo rekombinacijsku struju
QnB
IR = = 6,63 µA ,
τ nB
pri čemu smo vrijeme života elektrona izračunali iz zadanih vrijednosti difuzijske duljine i
difuzijske konstante
L2nB
τ nB = = 2,00 µs .
DnB
Slijedi da je struja
I nC = I nE − I R = 3,386 mA .
Struja kolektora jednaka je zbroju elektronske i šupljinske komponente

I C = I nC + I pC = I nC = 3,39 mA .
Kao što vidimo, šupljinska komponenta kolektorske struje (IpC = IpCBO) je zanemariva u odnosu na
elektronsku komponentu. Kolektorski pn-spoj je reverzno polariziran pa baza ne injektira šupljine
u kolektor. Šupljinska struja koja teče kroz spoj tek je vrlo mala struja šupljina koje se generiraju
u kolektoru, uz reverzno polariziranu barijeru, tj. šupljinska komponenta reverzne struje zasićenja
spoja kolektor-baza.
Kada ne bi bilo injekcije elektrona iz emitera, i elektronska komponenta struje kroz
kolektorski spoj bila bi ograničena generacijom elektrona u bazi i njihovom difuzijom prema
barijeri. Ukupna struja kroz kolektorski spoj bila bi jednaka struji ICBO† (slika 3.14a). Međutim,
injekcijom elektrona iz emitera “umjetno” se povećava koncentracija elektrona u bazi (slika
3.14b), tako da je unatoč nepropusnoj polarizaciji kolektorskog spoja, struja elektrona koji ulaze u
kolektor znatna.
† ICBO je struja koja teče kroz zaporno polarizirani kolektorski spoj kada je emiterska struja
jednaka O. Prva dva slova u indeksu oznake ICBO određuju da je to (reverzna) struja između
kolektora i baze. Treće slovo u indeksu (slovo O) iskazuje da je treća elektroda (emiter)
odspojena (od engl. open-circuited) [IRE56].
Zadatak 3.2
E B C E B C
nB pC nB pC
I nE
IE = 0
p0C p0C
n0B n0B
I nCBO
I pCBO I nC I pCBO
x x
a) b)
Slika 3.14. Struje kroz zaporno polarizirani kolektorski spoj. a) Kada nema injekcije
elektrona iz emitera (IE = 0), kroz kolektorski spoj teku samo struje nosilaca koji se
generiraju u bazi i kolektoru, tj. struja ICBO. b) Injekcijom nosilaca iz emitera povećava se
dotična komponenta kolektorske struje.
Algebarski zbroj svih struja koje ulaze u tranzistor mora biti jednak nuli,
I E + I B + IC = 0 ,
pa baznu struju možemo izračunati iz poznatih vrijednosti emiterske i kolektorske struje
I B = − I E − I C = 23,6 µA .
Do istog rješenja došli bismo zbrajanjem komponenti bazne struje (vodeći računa o referentnim
smjerovima)
I B = I pE + I R − I pC .
Da smo umjesto pojednostavljenih izraza za struje koristili egzaktne izraze izvedene u a)

dijelu rješenja prethodnog zadatka, dobili bismo točnije rezultate. Međutim, kako se vidi iz tablice
3.2, vrijednosti struja dobivenih egzaktnim i aproksimirajućim izrazima se neznatno razlikuju
(razlike se javljaju tek na trećoj ili višoj značajnoj znamenki), pa gotovo uvijek možemo koristiti
jednostavnije približne izraze.
Tablica 3.2. Usporedba rezultata dobivenih na osnovi egzaktne

raspodjele nosilaca u bazi s rezultatima dobivenim linearnom
aproksimacijom. U zagradama su navedeni izrazi kojima su dotične
vrijednosti dobivene.
veličina egzaktna raspodjela (3.7) linear. aproksimacija (3.19)
InE 3,397368 mA (3.10) 3,392952 mA (3.22)

InC 3,390744 mA (3.14) 3,386325 mA InE − IR
QnB 13,24940 pA (3.18) 13,25372 pA (3.25)
IR 6,624702 µA (3.16) 6,626859 µA (3.23)
IE −3,414333 mA −3,409916 mA
IB 23,58946 µA 23,59162 µA
IC 3,390744 mA 3,386325 mA
Zadatak 3.2
Valja primijetiti da je zadana širina emitera (wE >> LpE = 25 µm) nerealno velika. Kako je u
uvodu rečeno, širine emitera tranzistora dobivenih planarnim postupcima su reda veličine
mikrometra, što je sumjerljivo ili manje od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca u emiteru.
Zbog toga je i udio struje nosilaca koje baza injektira u emiter u ukupnoj struji emitera kod
realnih tranzistora puno veći.
b)
Kod napona UBE > 0 i UCB = 0, radna točka tranzistora nalazi se na granici normalnog
aktivnog područja i područja zasićenja. Za zadani napon UBE rubna koncentracija nB 0 je puno
veća od ravnotežne koncentracije n0B i rubne koncentracije nBw , pa dominira u svim izrazima za
struje. Koncentracija uz kolektorsku barijeru nBw nema gotovo nikakvog utjecaja na struje, zbog
čega se za napon UCB = 0 (nakon zaokruživanja na 7 značajnih decimalnih znamenki) dobivaju
jednaki rezultati kao i oni navedeni u a) dijelu zadatka, pa ih ovdje nećemo ponovo navoditi.
Izuzetak je šupljinska struja kolektora koja je, zbog UCB = 0, jednaka nuli. Raspodjela šupljina u
kolektoru se naime poklapa s ravnotežnom koncentracijom (vidi sliku 3.9), tako da nema
gradijenta koncentracije, a time ni difuzijske struje šupljina u kolektoru. Naravno, kako je struja
IpC puno manja od svih ostalih struja, navedena promjena nema nikakvog bitnog utjecaja na
ukupne struje baze, odnosno kolektora.
Precizno gledano, rekombinacijska struja IR je kod napona UCB = 0 veća nego kod nekog
napona UCB > 0, jer je u prvom slučaju nakrcani naboj manjinskih nosilaca u bazi veći (slika
3.15a). Naime, kod napona UCB > 0 je koncentracija nBw < n0B , tako da u raspodjeli manjinskih
nosilaca u bazi postoje dva područja (slika 3.15b):
1. područje u kojem je nB > n0B , pa postoji višak naboja manjinskih nosilaca (označen
na slici kao QB+) - u tom području prevladava rekombinacija nosilaca;
2. područje u kojem je nB < n0B , pa postoji manjak naboja manjinskih nosilaca
(označen na slici kao QB−) - u tom području prevladava generacija nosilaca.
nB nB
nB0 QB nB0 QB+
QB−
n0B nBw n0B

nBw
0 wB x 0 wB x
a) b)
Slika 3.15. Ekscesni naboj manjinskih nosilaca u bazi npn tranzistora
u normalnom aktivnom području: a) napon UCB = 0; b) UCB > 0.
Uz pretpostavku linearne raspodjele manjinskih nosilaca u bazi, “neto” ekscesni naboj je (vidi
izraz (3.24))
é (n − n0 B ) − (n0 B − n Bw ) ù
QB = QB + − QB − = S ⋅ q ⋅ ê B 0 ú ⋅ wB .
ë 2 û
Zadatak 3.2
Kako je rekombinacijska struja proporcionalna nakrcanom naboju,

QnB
IR = ,
τ nB
zbog generacije nosilaca u području gdje je nB < n0B , rekombinacijska struja baze je manja.
Rezultat toga je manja razlika između emiterske i kolektorske struje.
Ako je (kao u našem primjeru) pn-spoj emiter-baza propusno polariziran dovoljno velikim
naponom (UBE >> UT), koncentracija nB 0 je puno veća od n0B i nBw , pa se naboj QB− može
zanemariti u odnosu na QB+ . Tada ekscesni naboj manjinskih nosilaca u bazi možemo računati
pomoću jednostavnije formule
n B 0 ⋅ wB
QB = S ⋅ q ⋅ .
2
Razmotrimo detaljnije ovisnost kolektorske struje o naponu UCB . Struju kolektora u
normalnom aktivnom području uglavnom čine nosioci injektirani iz emitera. U npn tranzistoru je
to struja InC . Prema izrazu (3.14)
æw ö
DnB è LnB ø
I nC = − S ⋅ q ⋅ ⋅ ,
LnB æw ö
sinhç B ÷
è LnB ø
utjecaj napona kolektor-baza na struju kolektora ispoljava se preko:
1. promjene koncentracije uz rub barijere nBw - prema Boltzmannovim relacijama
æU ö
n Bw = n0 B ⋅ expç BC ÷ ;
è UT ø
2. promjene širine kolektorske barijere, što će izravno utjecati na promjenu efektivne
širine baze wB .
Budući da je u normalnom aktivnom području emiterski spoj propusno, a kolektorski
nepropusno polariziran, koncentracija nBw je redovito zanemariva prema koncentraciji nB0 , tako
da je i njena promjena nezamjetljiva. Daleko je značajniji utjecaj promjene efektivne širine baze.
Tim utjecajem na struju kolektora temeljitije ćemo se baviti kasnije u zasebnom poglavlju, a za
sada ćemo pretpostaviti da se širina baze ne mijenja s naponom kolektor-baza. Uz tu
pretpostavku, struja kolektora u normalnom aktivnom području ovisi isključivo o struji emitera!
Prema jednadžbi
I nC = I nE − I R ,
struju kolektora sačinjava prevladavajuća komponenta struje emitera (InE kod npn tranzistora),
umanjena za struju nosilaca koji su se rekombinirali pri prolasku kroz bazu (IR). Ako je baza
dovoljno uska, rekombinacijska struja je zanemariva, pa je InC = InE . Također, za realne
tranzistore je emiter puno jače dopiran od baze, tako da je (za npn tranzistore) InE >> IpE , tj.
InE =
IE . Prema tome, struja kolektora gotovo je jednaka po iznosu emiterskoj struji, ali uvijek
neznatno manja od nje za struje IpE i IR .
Gornja razmatranja možemo svesti na dva važna zaključka koja vrijede u normalnom
aktivnom području rada tranzistora:
a) struja kolektora je gotovo neovisna o naponu kolektor-baza;
Zadatak 3.2
b) struja kolektora praktički je jednaka po iznosu struji emitera (ali uvijek manja od
nje!).
Zaključak a) upućuje na to da se tranzistor, gledano sa kolektorske stezaljke, ponaša kao idealni
strujni izvor čija struja ne ovisi o otporu potrošača spojenog na kolektor. Ako je otpor potrošača
veći, bit će i napon na tom potrošaču proporcionalno veći. S druge strane, na emiterskoj
priključnici imamo propusno polarizirani spoj emiter-baza, na kojem je mali napon (0,5 ÷ 0,7 V
za silicijske tranzistore). Vrlo male promjene tog napona dostatne su za značajne promjene
emiterske struje (dinamički otpor propusno polariziranog spoja je mali!), koje će uzrokovati
(prema zaključku b)) gotovo jednake promjene kolektorske struje. Ako je otpor potrošača
spojenog na kolektor dovoljno velik, promjene izlaznog napona će biti desetak ili stotinjak puta
veće od promjena ulaznog napona koje su tu promjenu uzrokovale. Kao što vidimo, iako je
promjena struje kolektora gotovo jednaka promjeni struje emitera, zbog puno veće promjene
izlaznog napona, u odnosu na promjenu ulaznog napona, dobiva se veliko naponsko pojačanje
napona kolektor-baza prema naponu emiter-baza. Izravna posljedica je pojačanje snage koju
tranzistor predaje potrošaču prema snazi koju tranzistor dobiva od izvora spojenog između
emitera i baze. Bit rada tranzistora kao pojačala zasniva se upravo na razlici dinamičkih otpora:
velikog (izlaznog) dinamičkog otpora nepropusno polariziranog spoja kolektor-baza, koji se
preslikava u mali (ulazni) dinamički otpor propusno polariziranog spoja emiter-baza. Iz te je
činjenice proizišao naziv tranzistora (engl.
transfer resistor - prenijeti, preslikati otpor).
Na osnovi zaključaka a) i b) možemo IC
nacrtati izlazne karakteristike npn tranzistora mA IE =
u spoju zajedničke baze† u normalnom 5 −5 mA
aktivnom području. One prikazuju ovisnost 4 −4 mA
(izlazne) kolektorske struje o (izlaznom) 3 −3 mA
naponu kolektor-baza, za konstantne
2 −2 mA
vrijednosti (ulazne) struje emitera (slika
1 −1 mA
3.16). Kolektorski spoj mora biti zaporno
polariziran, tj. UCB > 0 za npn tranzistore, a 0
0 2 4 6 8 10 U / V
struja kolektora je pozitivna, pa je izlazna CB
karakteristika npn tranzistora za normalno
aktivno područje ograničena isključivo na
prvi kvadrant. Prema zaključku a) struja
kolektora je neovisna o naponu kolektor- ICBO
baza, zbog čega je izlazna karakteristika za
pojedine struje emitera horizontalni pravac.
Kako je prema zaključku b) struja kolektora
uvijek nešto manja od emiterske struje, Slika 3.16. Izlazne karakteristike npn tranzis-
izlazna karakteristika za neku struju emitera tora u normalnom aktivnom području za spoj
će sjeći os ordinate pri struji kolektora zajedničke baze. Dio izlazne karakteristike oko
ordinate je uvećan da bi se istaknula struja
iznosom jednakoj toj struji emitera, ICBO .
umanjenoj za struje IpE i IR .
† Izlazne karakteristike općenito prikazuju ovisnost izlazne struje o izlaznom naponu, za

konstantne vrijednosti ulazne veličine (struje ili napona). Značenje pojma spoj zajedničke baze
definirat ćemo kasnije; za sada će biti dovoljno znati da je u spoju zajedničke baze izlazna
struja - struja kolektora, izlazni napon - napon kolektor-baza, a pobudna veličina - struja
emitera.
Zadatak 3.2
Pažljiviji čitatelj će primijetiti da izlazne karakteristike u normalnom aktivnom području nisu

baš potpuno horizontalni pravci (uvećani dio slike 3.16). Prvi uzrok tome je šupljinska
komponenta struje kolektora IpC koja je kod napona UCB = 0 jednaka nuli (vidi npr. sliku 3.9).
Drugi uzrok su različiti iznosi rekombinacijskih struja kod napona UCB = 0 i UCB ≠ 0. Kao što smo
već uočili, kod napona UCB > 0 u dijelu baze (u kojem je nB < n0B ) prevladava generacija nosilaca,
tako da je rekombinacijska struja manja nego kada je napon UCB = 0 (vidi sliku 3.15). Budući da
se izlazne karakteristike crtaju za konstantnu vrijednost emiterske struje, uz (realnu) pretpostavku
da je IE = InE , raspodjele manjinskih nosilaca u bazi su međusobno paralelni pravci (već smo
zaključili da je struja InE proporcionalna nagibu pravca!), kako je prikazano na slici 3.17. Prema
tome, elektronska struja kolektora bit će uz napon UCB >> UT veća od iste komponente pri naponu
nB
IE= InE = konst.
UCB = 0
UCB >> UT
0 wB x
Slika 3.17. Raspodjele manjinskih nosi-
laca u homogenoj bazi za dva različita
napona UCB i jednake emiterske struje.
UCB = 0 upravo za iznos struje elektrona koji su generirani u bazi, tj. za struju InCBO . Za ukupnu
struju kolektora kod napona UCB >> UT možemo dakle pisati da je
I C = I nC 0 + I nCBO + I pCBO = I nC 0 + I CBO ,
gdje je InC 0 elektronska struja kolektora pri naponu UCB = 0 (to je ujedno i ukupna struja kolektora
pri tom naponu!). U većini slučajeva su struje InCBO i IpCBO za silicijske tranzistore zanemarive u
odnosu na ostale komponente struja.
Kao što vidimo iz ovih rezultata, iako je tranzistor nelinearni element (sastoji se od dvije
pn-diode), uz odgovarajuću (strujnu) pobudu, u normalnom aktivnom području dobivaju se
linearne strujno-naponske karakteristike!
Zadatak 3.3
Za tranzistor iz prethodnog zadatka izračunajte:
a) napon UBE ;
b) sve komponente struja;
ako je emiterska struja IE = −10 mA.
Rješenja: a) UBE = 0,578 V, b) IpE = 49,8 µA, InE = 9,95 mA, InC = 9,93 mA, IR = 19,4 µA,
IB = 69,2 µA, IC = InC = 9,93 mA.
Zadatak 3.3
Zadatak 3.4
Za tranzistor iz zadatka 3.2 izračunajte:
a) koliki mora biti napon UBE da bi uz UCB >> UT rekombinacijska struja IR bila jednaka
nuli, te kolike su pritom sve komponente struja;
b) koliki mora biti napon UBE da uz napon UCB = 0 tekla jednaka struja baze IB kao u a)
dijelu zadatka.
Rješenja: a) UBE = 17,9 mV, IpE = 9,76⋅10−15 A, InE = InC = 3,91⋅10−12 A, IpC = 4,47⋅10−13 A,
IE = −3,91⋅10−12 A, IB = −4,38⋅10−13 A, IC = 4,35⋅10−12 A, b) UBE = 88,5 mV.
Zadatak 3.5
Na slici 3.18 prikazane su raspodjele manjinskih nosilaca u pnp tranzistoru u nekoj
radnoj točki. Pokretljivosti manjinskih nosilaca u područjima emitera, baze i kolektora
su: µnE = 400 cm2/Vs, µpB = 400 cm2/Vs, µnC = 1400 cm2/Vs. Vrijeme života manjinskih
šupljina u bazi je τpB =14 µs, površina tranzistora je 0,1 mm2, T = 300 K. Odredite sve
komponente struja te struje vanjskih priključnica kada se zanemare širine barijera.
p,n emiter baza kolektor

−3
cm 6 .1012 2 .10 13
2 .10 11
4 .1011
20 µm x / µm
0 0,7 3,7
Slika 3.18. Raspodjele manjinskih nosilaca u emiteru, bazi i kolektoru pnp
tranzistora iz zadatka 3.5.
Rješenje:
Kao što sa slike vidimo, koncentracije manjinskih nosilaca uz rubove barijera emiter-baza i
baza-kolektor su više od ravnotežnih - oba pn-spoja su propusno polarizirana. Tranzistor je dakle
u području zasićenja; i emiter i kolektor injektiraju nosioce u bazu (slika 3.19). Kako su sve rubne
koncentracije označene na slici veće od intrinsične koncentracije, možemo naslutiti da su one
puno veće od ravnotežnih koncentracija manjinskih nosilaca. Stoga ćemo ravnotežne
koncentracije u izrazima za difuzijske struje zanemarivati. Radi jednostavnosti izraza, definirat
ćemo zasebne prostorne koordinate za bazu (xB -koordinata), emiter (xE -koordinata), odnosno
kolektor (xC -koordinata), kako je prikazano na slici 3.20.
Zadatak 3.5
E (p) B (n) C (p)
IpE IpC
IE IC
IR
InE InC
IB
Slika 3.19. Komponente struja pnp tranzistora u području zasićenja.
Prvo ćemo odrediti difuzijske struje nosilaca koje baza injektira u emiter (InE), odnosno u
kolektor (InC). Difuzijska struja manjinskih elektrona u emiteru određena je gradijentom
koncentracije manjinskih elektrona u emiteru. Iz prikazane raspodjele manjinskih nosilaca na slici
3.18, vidimo da je ona u emiteru linearna (što znači da je efektivna širina emitera puno manja od
difuzijske duljine manjinskih elektrona), pa je
dn E n E 0 − n0 E n
I nE = − S ⋅ q ⋅ DnE ⋅ = S ⋅ q ⋅ DnE ⋅ = S ⋅ q ⋅ DnE ⋅ E 0 .
dx E xE = 0
wE wE
Uvrstimo li vrijednosti zadane u tekstu zadatka, te vrijednosti očitane sa slike 3.18 (wE = 0,7 µm,
nE0 = 4⋅1011 cm−3), dobit ćemo InE = 9,47 µA. Struja teče od emiterske priključnice prema
emiterskom spoju (vidi sliku 3.20).
Prema obliku raspodjele manjinskih nosilaca u kolektoru vidimo da je širina kolektora puno
veća od difuzijske duljine manjinskih nosilaca. Raspodjela manjinskih nosilaca u kolektoru je
eksponencijalna, pa je difuzijska struja kolektora

nE pB nC
IpE
pB0 nC0
IpC
pBw I nC
InE
nE0 n0C
p0B
n0E
xE wE 0 0 wB xB 0 LnC xC
Slika 3.20. Definiranje koordinatnih sustava za područja emitera, baze i kolektora,
te difuzijske struje manjinskih nosilaca.
Zadatak 3.5
dnC nC 0 − n0C n
I nC = − S ⋅ q ⋅ DnC ⋅ = S ⋅ q ⋅ DnC ⋅ = S ⋅ q ⋅ DnC ⋅ C 0 .
dx C xC = 0
LnC LnC
Sa slike 3.18 možemo očitati nC0 = 2⋅1013 cm−3 i LnC = 20 µm, tako da je struja InC = 58,0 µA.
Struja teče od kolektorske priključnice prema kolektorskom spoju (slika 3.20).
Šupljinske komponente struja kroz pn-spojeve određene su gradijentima koncentracija
manjinskih nosilaca u bazi uz rubove (kako je koncentracija šupljina u bazi uz rub emitera veća
od koncentracije šupljina uz rub kolektora, koncentracija šupljina u bazi opada idući od emitera
prema kolektoru, čime je određen i smjer struje šupljina kroz bazu)
dp B
I pE = − S ⋅ q ⋅ D pB ⋅ ,
dx B xB =0
dp B
I pC = − S ⋅ q ⋅ D pB ⋅ .
dx B xB = wB
Za točne vrijednosti šupljinskih komponenti struja emitera i kolektora trebali bi uzeti u

razmatranje stvarnu raspodjelu šupljina u bazi, opisanu funkcijom identičnom funkciji (3.7) za
manjinske elektrone u bazi npn tranzistora. Međutim, kako je širina baze (sa slike 3.18
wB = 3 µm) puno manja od difuzijske duljine manjinskih nosilaca, stvarna raspodjela se praktički
poklapa sa linearnom raspodjelom, tako da je
p B 0 − p Bw
I pE = I pC = S ⋅ q ⋅ D pB ⋅ = 32,0 µA .
wB
U stvarnosti se te struje međusobno razlikuju, budući da postoji uleknuće u raspodjeli manjinskih
nosilaca u bazi, pa su gradijenti koncentracija uz rubove barijera različiti. Međutim, to odstupanje
je u većini slučajeva zanemarivo.
Rekombinacijska struja baze proporcionalna je nakrcanom naboju manjinskih nosilaca u
bazi. Za linearnu raspodjelu u bazi, nakrcani naboj proporcionalan je površini trapeza, tj.
QB 1 p + pBw
IR = = ⋅ S ⋅ q ⋅ B0 ⋅ wB = 10,6 nA .
τ pB τ pB 2
Da bismo izračunali struje vanjskih priključnica, zbrojit ćemo komponente struja unutar
tranzistora, vodeći računa o njihovim međusobnim smjerovima, te o smjerovima u odnosu na
referentne smjerove struja vanjskih priključnica. Tako je struja emitera
I E = I nE + I pE = 41,5 µA ,
struja kolektora je
I C = I nC − I pC = 26,0 µA ,
dok je struja baze
I B = − I nE − I nC + I R = − I E − I C = −67,5 µA .
U normalnom aktivnom području struja emitera, koja ulazi u tranzistor, grana se na struju
kolektora i struju baze koje izlaze iz tranzistora. To vrijedi i u području zasićenja sve dok je
propusni napon na spoju kolektor-baza dovoljno mali. Povećanjem tog napona kolektorska struja
se smanjuje i postaje znatno manja od emiterske struje. Ovo je posljedica injekcije elektrona u
kolektor kroz propusno polarizirani kolektorski spoj, tj. struje InC . Ta struja ima smjer suprotan
Zadatak 3.5
smjeru struje šupljina koje emiter injektira u bazu i koji stižu do kolektorske barijere (IpC), tako da
ju djelomično poništava. Povećanjem napona propusne polarizacije na kolektorskom spoju, zbog
porasta koncentracija manjinskih nosilaca uz rubove kolektorske barijere, smanjivat će se struja
IpC , a povećavati struja InC . Kod nekog napona će se te dvije komponente poništavati, tako će
struja kolektora biti jednaka nuli. Daljnjim porastom napona struja kolektora će poteći u
suprotnom smjeru, iz vanjskog kruga u kolektor – što se je ovdje i dogodilo. Struja baze je sada
najveća i po iznosu jednaka zbroju emiterske i kolektorske struje.
Razmotrimo kako će izgledati izlazne karakteristike u području zasićenja! Da bi pnp
tranzistor radio u normalnom aktivnom području, mora biti UCB < 0, pri čemu je struja kolektora
IC < 0. Stoga se izlazne karakteristike za pnp tranzistor u normalnom aktivnom području rada
nalaze u trećem kvadrantu. Međutim, radi preglednosti se one obično crtaju u prvom kvadrantu
(vidi sliku 3.22), jednako kao i za npn tranzistor. U tom slučaju će područje zasićenja, definirano
uvjetom da je za pnp tranzistor UCB > 0, biti u drugom kvadrantu.
Na granici između normalnog aktivnog područja i područja zasićenja je napon UCB = 0.
Porastom napona UCB tranzistor ulazi u zasićenje, odnosno radna točka ulazi u drugi kvadrant.
Zbog porasta napona kolektor-baza, rasti će i koncentracija manjinskih nosilaca u bazi uz
kolektorsku barijeru. Kada bi napon na barijeri baza-emiter bio konstantan, došlo bi do smanjenja
gradijenta koncentracije manjinskih nosilaca u bazi, a time do pada pripadne difuzijske struje,
odnosno do smanjenja ukupne struje emitera (slika 3.21a). Budući da se izlazne karakteristike
p,n p,n
UBE =konst. IE =konst.
InC . InC
IpC IpC =konst.
InC InC
IpC IpC
E B C x E B C x
a) b)
Slika 3.21. Utjecaj porasta napona UCB na komponente kolektorske struje pnp tranzistora u
području zasićenja: a) uz konstantan napon UBE ; b) uz konstantnu struju IE . Svjetlijim linijama
prikazane su početne raspodjele, a tamnijim linijama raspodjele nakon promjene napona UCB .
crtaju za konstantne struje emitera, očigledno je da za održanje nepromijenjene vrijednosti struje

emitera mora doći do porasta napona propusne polarizacije na spoju emiter-baza.
Zanemarimo struju nosilaca koje baza injektira u emiter (InE), tj. pretpostavimo da je
IE =
IpE ! U tom slučaju, da bi struja emitera ostala konstantna, mora gradijent koncentracije
manjinskih nosilaca u bazi ostati konstantan - raspodjele manjinskih nosilaca u bazi će biti
međusobno paralelni pravci (slika 3.21b). Zanemarimo li rekombinacijsku komponentu struje
baze, odnosno njenu promjenu, tada je i IpC = konst. Vidimo da će do promjene kolektorske struje
doći isključivo zbog promjene struje InC . Budući da ta komponenta struje raste eksponencijalno s
naponom na kolektorskom spoju,
Zadatak 3.5
æU ö æU ö
I nC ∝ expç CB ÷ − 1 = expç CB ÷ ,
è UT ø è UT ø
struja kolektora bit će
æU ö
I C = − I pC + I nC = − C1 + C2 ⋅ expç CB ÷ . (3.27)
è UT ø
Dakle, struja kolektora u području zasićenja pada po iznosu od vrijednosti IC = −IpC pri naponu
UCB = 0, prema nuli. Prema (3.27), za veće struje emitera bit će potreban veći napon UCB kod
kojeg će kolektorska struja pasti na nulu. Štoviše, izjednačavanjem izraza (3.27) s nulom možemo
odrediti napon UCB kod kojeg će se to dogoditi, ako znamo da je konstanta C2 jednaka
elektronskoj komponenti reverzne struje zasićenja spoja kolektor-baza (označit ćemo ju s InCS)
æ I pC ö
U CB = U T ⋅ lnç ÷.
è I nCS ø
Na temelju gornjih razmatranja možemo skicirati izlazne karakteristike tranzistora za spoj

zajedničke baze u normalnom aktivnom području, te u području zasićenja, slika 3.22. Normalno
aktivno područje nalazi se u prvom kvadrantu, dok se područje zasićenja proteže kroz drugi i treći
kvadrant. Pažljiviji čitatelj će sa slike 3.22 odnosno izraza (3.27) odmah uočiti sličnost izlaznih
karakteristika spoja zajedničke baze i I-U karakteristike pn-diode. U suštini se radi o skupu
strujno-naponskih karakteristika kolektorskog spoja zaokrenutih tako da je reverzni dio
karakteristike u prvom kvadrantu. Svaka karakteristika je pritom pomaknuta u smjeru ordinate za
iznos struje koju je emiter injektirao i koja je stigla do kolektorskog spoja.
područje zasićenja normalno aktivno područje
−2 −6
IE = 5 mA
−5
4 mA
−1 −4
3 mA
I C −3
0 2 mA
mA −2
1 mA
−1
0,8 0,7 0,6 0,5 0
+1
+1 0 −1 −2 −3 −4 −5
UCB / V
Slika 3.22. Izlazne karakteristike pnp tranzistora za spoj zajedničke baze†.
† Vrlo često se u literaturi mogu naći neprecizno nacrtane izlazne karakteristike kod kojih već
pri samom prijelazu iz normalnog aktivnog područja u područje zasićenja struja kolektora
naglo opada, što nije točno. Pri malim propusnim naponima na spoju kolektor-baza injekcija
većinskih nosilaca preko tog spoja je mala, a značajnija postaje tek kada propusni napon
poprimi odgovarajući iznos (prisjetimo se propusnog dijela I–U karakteristike pn-spoja).
Zadatak 3.5
= +
područje zasićenja = normalno aktivno područje + inverzno aktivno područje
Slika 3.23. Princip analize rada tranzistora u području zasićenja superpozicijom normalnim i
inverznim aktivnim područjima rada.
Inače, područje zasićenja može se analizirati i superpozicijom normalnog aktivnog i

inverznog aktivnog područja (slika 3.23). Za normalno aktivno područje pretpostavi se da je
napon UCB = 0, dok se napon UEB postavi na zadanu vrijednost; u tim uvjetima se izračunaju sve
struje. Postupak se ponovi za inverzno aktivno područje, za zadani napon UCB , te za UEB = 0.
Zbrajanjem rješenja za oba slučaja, dobiva se ukupno rješenje.
Zadatak 3.6
Raspodjele ravnotežnih koncentracija manjinskih
nosilaca u emiteru, bazi i kolektoru npn tranzistora p, n
−3
prikazane su na slici 3.24. Izračunati struje ICBO , ICS , cm
IEBO , IES , odnosno ICEO , te pripadajuće napone na 40000
pn-spojevima. Efektivna širina baze je 1 µm, dok je
efektivna širina emitera puno veća od difuzijske 1500
duljine manjinskih šupljina. Površine spojeva emiter-
790
baza i kolektor-baza su 1 mm2, parametri manjinskih x
E B C
nosilaca su: DpE = 3,9 cm2/s, LpE = 25 µm,
2
DnB = 20 cm /s, DpC = 11 cm2/s, LpC = 150 µm, Slika 3.24. Ravnotežne raspodje-
τnB = 15 µs. T = 300 K. Pretpostaviti da je raspodjela le manjinskih nosilaca u tranzis-
toru iz zadatka 3.6.
manjinskih nosilaca u bazi linearna!
Rješenje:
Budući da se traži pet različitih vrijednosti struja karakterističnih za tranzistore, rješenje
zadatka ćemo raščlaniti na pet dijelova. Na početku svakog dijela definirat ćemo uvjete koji
moraju biti zadovoljeni da bi tražena struja tekla. Za razliku od prethodnih zadataka, koristit ćemo
jedan koordinatni sustav za emiter, bazu, odnosno kolektor, a kao pozitivan smjer struja unutar
tranzistora uzimat ćemo opet stvarni smjer pojedine struje.
a)
Prvo ćemo odrediti struju ICS . To je struja koja teče kroz reverzno polarizirani pn-spoj baza-
kolektor kada je napon na spoju emiter-baza UBE = 0†. Budući da je napon na spoju baza-emiter
jednak nuli, raspodjela manjinskih nosilaca u emiteru se poklapa s ravnotežnom, dok je
koncentracija manjinskih nosilaca u bazi uz rub barijere baza-emiter jednaka ravnotežnoj (slika
† Ponekad se ta struja označava i kao ICBS ili ICES , pri čemu zadnji indeks (slovo S) dolazi od
engl. short-circuited - kratko spojen [IRE56].
Zadatak 3.6
p,n
p,n
p0C
UBE =0 IE =0 p0C
InC n0B I nE n 0B
IpC p0E
IpE
p0E
E B C x
E B C x
Slika 3.25. Raspodjele manjinskih Slika 3.26. Raspodjele manjinskih nosilaca u tran-
nosilaca u tranzistoru pri određivanju zistoru pri određivanju struje ICBO .
struje ICS .
3.25). Istovremeno, pn-spoj baza-kolektor je reverzno polariziran dovoljno velikim naponom,

tako da su koncentracije manjinskih nosilaca zanemarive u odnosu na pripadajuće ravnotežne
koncentracije. Na osnovi raspodjele manjinskih nosilaca u bazi i kolektoru, lako možemo
izračunati difuzijske struje manjinskih nosilaca:
dn B n0 B
I nC = − S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ = 4,81 ⋅ 10 − 13 A ,
dx B x B = wB
wB
dpC p0C
I pC = S ⋅ q ⋅ D pC ⋅ = S ⋅ q ⋅ D pC ⋅ = 4,70 ⋅ 10 −14 A .
dxC xC = 0
L pC
Obje struje su istog smjera, pa zbrajanjem njihovih iznosa dobivamo traženu struju, koja teče od
kolektora prema bazi, ICS = 5,28⋅10−13 A.
b)
Struja ICBO definira se kao struja koja teče kroz reverzno polarizirani spoj kolektor-baza uz
struju emitera IE = 0†. Struja emitera sastoji se od šupljinske komponente
dp E p0 E é æ U BE ö ù
I pE = − S ⋅ q ⋅ D pE ⋅ = − S ⋅ q ⋅ D pE ⋅ ⋅ êexpç ÷ − 1ú ,
dx E xE =0
L pE êë è U T ø ûú
i elektronske komponente
dn B n0 B æU ö
I nE = − S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ ⋅ expç BE ÷ .
dx B xB =0
wB è UT ø
Struju emitera, koja je jednaka razlici ovih struja, jer teku u suprotnim smjerovima, izjednačimo s
nulom
é æU ö ùp0 E n æU ö
⋅ êexpç BE ÷ − 1ú − S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ 0 B ⋅ expç BE ÷ = 0
I E = I pE − I nE = − S ⋅ q ⋅ D pE ⋅
L pE
êë è U T ø úû wB è UT ø
te dobivamo da je napon na spoju baza-emiter
æ wB ⋅ D pE ⋅ p0 E ö
U BE = U T ⋅ lnçç ÷ = −0,142 V .
÷
è wB ⋅ D pE ⋅ p0 E + L pE ⋅ DnB ⋅ n0 B ø
† Ponekad se ta struja označava s ICO [IRE56].
Zadatak 3.6
Kao što vidimo, pn-spoj emiter-baza je blago reverzno polariziran. To smo mogli i prije
naslutiti iz uvjeta da je struja emitera jednaka nuli. Naime, pn-spoj baza-kolektor je jako reverzno
polariziran, tako da je koncentracija manjinskih elektrona u bazi uz rub kolektorske barijere
zanemariva. Uz pretpostavku da spoj emiter-baza neće biti tako jako reverzno polariziran,
koncentracija manjinskih elektrona u bazi, idući od emitera prema kolektoru, monotono pada.
Gradijent koncentracije manjinskih elektrona u bazi je negativan, tj. difuzijska struja elektrona
teče prema emiteru. Da bi ukupna struja emitera bila jednaka nuli, difuzijska struja manjinskih
šupljina u emiteru mora teći u suprotnom smjeru, prema emiterskom spoju. To znači da
koncentracija manjinskih šupljina uz barijeru baza-emiter mora biti manja od ravnotežne! (slika
3.26)
Rubne koncentracije na barijeri emiter-baza su
æU ö
p E 0 = p0 E ⋅ expç BE ÷ = 3,23 cm − 3 ,
è UT ø
æU ö
n B 0 = n0 B ⋅ expç BE ÷ = 6,14 cm − 3 ,
è UT ø
pa je elektronska komponenta kolektorske struje
dn B nB 0
I nC = − S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ = 1,97 ⋅ 10 −15 A .
dx B x B = wB
wB
Šupljinska komponenta jednaka je onoj iz a) dijela zadatka, tj.
dpC p0C
I pC = S ⋅ q ⋅ D pC ⋅ = S ⋅ q ⋅ D pC ⋅ = 4,70 ⋅ 10 −14 A .
dxC xC = 0
L pC
Obje komponente kolektorske struje teku od kolektora prema bazi (kao i na slici 3.25); reverznu
struju ICBO dobit ćemo zbrajanjem obje komponente
DnB D pC
I CBO = S ⋅ q ⋅ ⋅ nB 0 + S ⋅ q ⋅ ⋅ p0C = 4,90 ⋅ 10 − 14 A .
wB L pC
Važno je uočiti razliku između struja ICS i ICBO . Iako se obje struje definiraju kao struje kroz
reverzno polarizirani spoj baza-kolektor, zbog različitih uvjeta na emiterskom spoju difuzijske
struje manjinskih nosilaca u bazi InC se značajno razlikuju. Ta je struja puno manja pri mjerenju
struje ICBO , jer je, kao što smo vidjeli, u tom slučaju emiterski spoj reverzno polariziran. Struje IpC
su u oba slučaja jednake.
c)
Struja IES je struja koja teče kroz reverzno polarizirani spoj emiter-baza, kada je spoj baza-
kolektor kratko spojen, tj. kada je UCB = 0†. Određujemo je na potpuno identičan način kao što
smo određivali struju ICS . Na temelju raspodjela manjinskih nosilaca na slici 3.27, možemo
odrediti komponente struja emitera:
dn B n0 B
I nE = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ = 4,81 ⋅ 10 −13 A ,
dx B x B = wB
wB
† Ponekad se ta struja označava s IEBS ili IECS [IRE56].
Zadatak 3.6
p,n UBC =0 p,n I C =0

p0C p0C
I pC
n0B n 0B I nC
IpE InE
p0E p0E
E B C x E B C x
Slika 3.27. Raspodjele manjinskih nosi- Slika 3.28. Raspodjele manjinskih nosilaca u tran-
laca u tranzistoru pri određivanju struje zistoru pri određivanju struje IEBO .
IES .
dp E p0 E
I pE = − S ⋅ q ⋅ D pE ⋅ = S ⋅ q ⋅ D pE ⋅ = 1,97 ⋅ 10 − 15 A .
dx E xE =0
L pE
Struja InE je iznosom jednaka struji InC u a) dijelu zadatka budući da je baza homogena. Struje InE
i IpE teku u istom smjeru. Prema tome, zbrajanjem iznosa gornjih struja dobit ćemo traženu struju
IES = 4,83⋅10−13 A.
d)
Struja IEBO jednaka je struji koja teče kroz reverzno polarizirani spoj emiter-baza kada je
kolektor odspojen, tj. IC = 0†. Slično kao i kod određivanja struje ICBO u b) dijelu zadatka, prvo
ćemo odrediti napon koji mora biti na kolektorskom spoju da bi struja kroz njega bila jednaka nuli
n0 B æU ö p é æU ö ù
⋅ expç BC ÷ + S ⋅ q ⋅ D pC ⋅ 0C ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú = 0 .
I C = − I nC + I pC = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅
wB è UT ø L pC êë è U T ø ûú
Iz gornje jednadžbe dobivamo da je napon na spoju baza-kolektor
æ wB ⋅ D pC ⋅ p0C ö
U BC = U T ⋅ lnçç ÷ = −62,5 mV .
÷
è wB ⋅ D pC ⋅ p0C + L pC ⋅ DnB ⋅ n0 B ø
Zbog toga su koncentracije na rubovima barijere baza-kolektor niže od ravnotežnih (slika 3.28)
æU ö
pC 0 = p0C ⋅ expç BC ÷ = 3,56 ⋅ 103 cm − 3 ,
è UT ø
æU ö
n Bw = n0 B ⋅ expç BC ÷ = 134 cm − 3 ,
è UT ø
pa je elektronska komponenta emiterske struje
dn B n Bw
I nE = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ = 4,28 ⋅ 10 − 14 A .
dx B xB =0
wB
Šupljinska komponenta jednaka je onoj iz c) dijela zadatka, tj.
dp E p0 E
I pE = − S ⋅ q ⋅ D pE ⋅ = S ⋅ q ⋅ D pE ⋅ = 1,97 ⋅ 10 − 15 A .
dx E xE =0
L pE
† Ponekad se označava kao ICO [IRE56].
Zadatak 3.6
Zbrajanjem iznosa elektronske i šupljinske komponente struje dobit ćemo traženu struju
IEBO = 4,48⋅10−14 A.
e)
Struja ICEO jednaka je struji koja teče između kolektora i emitera kada je pn-spoj baza-
kolektor reverzno polariziran, a baza je odspojena, tj. IB = 0.
Kada je napon UBE = 0, a kolektorska barijera reverzno polarizirana (vidi a) dio zadatka),
koncentracija manjinskih nosilaca u bazi je svuda manja od ravnotežne. Stoga će u bazi
prevladavati generacija nosilaca, te će rekombinacijska struja
wB
1
IR = S ⋅ q ⋅
τ nB
⋅ ò (nB − n0 B ) ⋅ dx B
0
biti negativna! Uz linearnu aproksimaciju koncentracije elektrona u bazi dobili bi da je
n0 B ⋅ w B
I R = − S ⋅ q ⋅ .
2 ⋅τ B
Negativan predznak ukazuje da u području baze dolazi do generacije elektrona i šupljina.
Elektroni putuju prema kolektoru i elektronska komponenta struje kolektora veća je od
elektronske komponente struje emitera za iznos generirane struje. Šupljine putuju prema baznoj
priključnici i čine dio bazne struje. Smjer ove struje suprotan je smjeru rekombinacijske struje
označenom na slikama 3.8 , odnosno 3.19. Zato će i ukupna struja baze
I B = I R − I PC
biti negativna (komponenta IpE = 0, jer je UBE = 0). Da bi struja baze bila jednaka nuli, očito je da
spoj emiter-baza mora biti propusno polariziran. Prema tome, pri određivanju struje ICEO možemo
koristiti relacije koje vrijede u normalnom aktivnom području.
Izjednačavanjem struje baze s nulom
I B = I pE + I R − I CBO = 0 , (3.28)
odredit ćemo napon na spoju baza-emiter. Difuzijska struja šupljina u emiteru je
dp E D pE é æU ö ù
I pE = S ⋅ q ⋅ D pE ⋅ = S ⋅q⋅ ⋅ p0 E ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú , (3.29)
dx E xE =0
L pE êë è U T ø ûú
dok je rekombinacijska struja (uz pretpostavku linearne raspodjele nosilaca u bazi, vidi sliku
3.15b)
QB w ⋅n é1 æU ö ù
IR = = S ⋅ q ⋅ B 0B
⋅ ê ⋅ expç BE ÷ − 1ú . (3.30)
τ nB τ nB êë 2 è U T ø úû
Uvrstimo li (3.29) i (3.30) u (3.28), nakon izlučivanja napona baza-emiter i sređivanja dobit ćemo
æ I CBO D pE n ⋅w ö
ç + ⋅ p0 E + 0 B B ÷
ç S ⋅q L pE τ nB ÷
U BE = U T ⋅ lnç ÷ = 83,9 mV .
D pE n0 B ⋅ wB
ç ⋅p + ÷
ç L pE 0 E 2 ⋅ τ nB ÷
è ø
Sada možemo izračunati traženu struju ICEO ili kao struju emitera
I CEO = I E = I pE + I nE ,
Zadatak 3.6
ili kao struju kolektora

I CEO = I C = I nC + I CBO .
U prvom slučaju dobivamo da je
ìï D pE é æU ö ù D æ U ö üï
I CEO = S ⋅ q ⋅ í ⋅ p0 E ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú + nB ⋅ n0 B ⋅ expç BE ÷ ý = 1,24 ⋅ 10 −11 A .
ïî L pE êë è U T ø úû wB è U T ø ïþ
Kao što možemo usporedbom rezultata b) i e) dijelova zadatka uočiti, struja ICEO je puno
veća od struje ICBO , iako su obje struje definirane kao reverzne struje kroz isti, kolektorski spoj.
Osnovni razlog su različiti uvjeti na emiterskom spoju. Kod mjerenja struje ICBO pn-spoj emiter-
baza je reverzno polariziran, pa nema injekcije nosilaca iz emitera. Naprotiv, kod određivanja
struje ICEO emiterski spoj je propusno polariziran, pa postoji injekcija nosilaca iz emitera. Doduše,
napon propusne polarizacije je vrlo mali, pa su zato emiterska i kolektorska struja male.
Opet treba primijetiti da su efektivne širine emitera i kolektora za zadani tranzistor nerealno
velike. Pretpostavljeno je naime da je emiter puno širi od difuzijske duljine LpE = 25 µm, a
kolektor puno širi od LpC = 150 µm. Ni jedna od ovih pretpostavki za većinu realnih silicijskih
tranzistora ne bi bila zadovoljena.
Zadatak 3.7
Odredite komponente struja tranzistora iz zadatka 3.5 superpozicijom područja zasićenja
normalnim aktivnim i inverznim aktivnim područjima rada.
Rješenje:
U normalnom aktivnom području: IpE = IpC = 33,1 µA, IR = 10,3 nA, InE = 9,47 µA (smjer
struja od emitera prema kolektoru). U inverznom aktivnom području: IpC = IpE = 1,10 µA,
IR = 0,343 nA, InC = 58,0 µA (smjer struja od kolektora prema emiteru).
E B C
Zadatak 3.8 pB
Raspodjele manjinskih nosilaca u homogeno dopiranoj cm–3
bazi nekog pnp tranzistora u dvije radne točke (označene s 10 12
1 2
1 odnosno 2) prikazane su na slici 3.29. Struja kolektora u
obje radne točke iznosi 0,15 mA, dok struja emitera u
jednom slučaju iznosi 45 µA, a u drugom 0,17 mA. 10 4 xB
Površine emitera i kolektora su jednake i iznose 1 mm2,
0 1 µm
difuzijska konstanta manjinskih nosilaca u bazi 10 cm2/ s,
UT = 25 mV. Za obje radne točke odrediti sve komponente Slika 3.29. Raspodjele
struja, napone na pn-spojevima, te područja rada. šupljina u bazi tranzistora
u zadatku 3.8.
Rješenja:
Radna točka 1 (normalno aktivno područje): IE = 170 µA, IC = –IpC = –150 µA,
IB = −20 µA, IpE = 160 µA, InE = 9,78 µA, IR = 10,2 µA, UEB = 0,461 V, UCB = 0;
radna točka 2 (inverzno aktivno područje): IE = –45 µA, IC = 150 µA, IB = –105 µA,
IpE = 45 µA, IpC = 48,1 µA, InC = 102 µA, IR = 3,07 µA, UEB = 0, UCB = 0,430 V.
Zadatak 3.8
3.1.3. Efikasnost emitera, transportni faktor baze i faktori strujnog

pojačanja
Kao što smo u prethodnom poglavlju vidjeli, tri mehanizma su bitna za rad
tranzistora u normalnom aktivnom području:
1. injekcija većinskih nosilaca iz emitera u bazu kroz propusno polarizirani pn-spoj
emiter-baza,
2. transport injektiranih nosilaca kroz bazu, u kojoj su oni manjinski nosioci, te
3. sakupljanje manjinskih nosilaca koji su prošli kroz bazu od strane barijere reverzno
polariziranog spoja kolektor-baza.
Za struje kroz propusno polarizirani pn-spoj emiter-baza vrijede svi odnosi do kojih smo
došli pri analizi pn-diode s uskom
stranom (to je ona strana diode koja
odgovara bazi tranzistora). Iako je u
D1 D2 normalnom aktivnom području rada
a) pn-spoj baza-kolektor reverzno
polariziran, zbog injekcije nosilaca iz
E B C njemu bliskog emitera, struja kroz
kolektorsku barijeru neće biti
ograničena reverznom strujom zasi-
ćenja tog spoja. To razjašnjava zašto
b) se dvjema nasuprotno obrnutim pn-
Slika 3.30. Usporedba tranzistora s dvjema na- diodama ne mogu dobiti strujno-
suprotno spojenim diodama: a) električni simboli, naponske karakteristike identične ka-
b) raspodjele manjinskih nosilaca u normalnom
aktivnom području.
rakteristikama bipolarnog tranzistora,
unatoč tome da se bipolarni tranzistor
sastoji od dva pn-spoja (slika 3.30).
Kod spoja dvije diode, svi nosioci koji prijeđu propusno polarizirani pn-spoj i stignu do
metalne priključnice, na njoj će se rekombinirati - niti jedan injektirani nosilac neće stići
do drugog reverzno polariziranog spoja.
Navedeni mehanizmi u bipolarnom tranzistoru kvantitativno se opisuju preko
faktora injekcije emitera (ili efikasnosti emitera, engl. emitter efficiency) i transportnog
faktora baze (engl. base transport factor).
Faktor injekcije definira se kao
struja nosilaca koje emiter injektira u bazu
γ = .
ukupna struja emitera
Za npn tranzistor
I nE
γ = , (3.31a)
I nE + I pE
dok je za pnp tranzistor
I pE
γ = . (3.31b)
I pE + I nE
Kako je nazivnik u (3.31a), odnosno (3.31b), uvijek veći od brojnika, očito će i faktor
injekcije biti uvijek manji od 1. Što je struja nosilaca koje emiter injektira u bazu veća
od struje nosilaca koje baza injektira u emiter, bit će faktor injekcije bliži 1.
Transportni faktor baze definira se kao
struja manjinskih nosilaca baze koji su stigli do kolektora
β* = .
struja manjinskih nosilaca baze koji su krenuli iz emitera
Za npn tranzistor
I
β * = nC , (3.32a)
I nE
dok je za pnp tranzistor
I pC
β* = . (3.32b)
I pE
I u izrazima (3.32a), odnosno (3.32b), nazivnik je uvijek veći od brojnika, tako da je
transportni faktor uvijek manji od 1. Ako je rekombinacija nosilaca pri njihovu prolasku
kroz bazu zanemariva, brojnik i nazivnik će biti vrlo bliski po iznosu, pa će transportni
faktor biti vrlo blizak 1.
Faktor strujnog pojačanja neke elektroničke komponente općenito se definira kao
omjer izlazne i ulazne struje. Kada tranzistor radi u spoju zajedničke baze, tj. kada je
baza zajednička elektroda i ulaznom i izlaznom krugu†, emiter je ulazna, a kolektor
izlazna stezaljka (vidi tablicu 3.3 i sliku 3.31). Stoga je faktor strujnog pojačanja spoja
zajedničke baze definiran omjerom kolektorske i emiterske struje:
IC
− −
IE IC + UBC
IB +
+ + IB UEC
UEB UCB UCE
+
− − UBE +
− −
IE
a) b) c)
Slika 3.31. Spojevi tranzistora s označenim ulaznim i izlaznim veliči-
nama: a) spoj zajedničke baze, b) emitera, c) kolektora.
† Da bi se nekom elektroničkom komponentom moglo ostvariti strujno i/ili naponsko pojačanje,

ona mora imati odvojene ulazne i izlazne stezaljke. Kroz njih moraju teći ulazna, odnosno
izlazna struja, te na njih moraju biti priključeni ulazni, odnosno izlazni napon, pa prema tome
elektronička komponenta mora imati dvije ulazne i dvije izlazne stezaljke. Budući da tranzistor
ima samo tri priključnice, jedna mora biti zajednička ulaznom i izlaznom krugu. Ponegdje se u
literaturi umjesto pridjeva zajednička može naći neprikladniji naziv uzemljena.
Tablica 3.3. Definicije ulaznih i izlaznih stezaljki, struja i napona za pojedine spojeve
tranzistora.
ulazna ulazna ulazni izlazna izlazna izlazni

spoj
priključnica struja napon priključnica struja napon
zajednička emiter IE UEB kolektor IC UCB

baza
zajednički
baza IB UBE kolektor IC UCE
emiter
zajednički
baza IB UBC emiter IE UEC
kolektor
IC
α=− (3.33)
IE U CB = 0
Ako su poznati faktor efikasnosti emitera i transportni faktor baze, faktor strujnog
pojačanja zajedničke baze može se računati kao njihov umnožak
α = γ ⋅β*. (3.34)
Kako su i faktor efikasnosti i transportni faktor po iznosu vrlo blizu 1, to će i faktor
strujnog pojačanja biti α = 1, ali uvijek manji od 1.
Faktor strujnog pojačanja spoja zajedničkog emitera određen je omjerom
kolektorske i bazne struje
IC
β= . (3.35)
IB U CB =0
Ako je poznat faktor strujnog pojačanja spoja zajedničke baze, tada se faktor strujnog
pojačanja zajedničkog emitera može izračunati kao
α
β= . (3.36)
1− α
Budući da je α = 1, nazivnik izraza (3.36) je vrlo mali broj, tako da je faktor strujnog
pojačanja spoja zajedničkog emitera puno veći od 1, tipično nekoliko desetaka do
nekoliko stotina.
Zadatak 3.9
Zanemarujući degeneracijske pojave, odrediti efikasnost emitera, transportni faktor
baze, te faktore strujnih pojačanja spoja zajedničke baze i zajedničkog emitera npn
tranzistora s homogeno dopiranim područjima emitera i baze koncentracijama primjesa
NDE = 1018 cm−3 i NAB = 5⋅1016 cm−3. Efektivne širine emitera i baze su wE = 1 µm i
wB = 1 µm. Parametri manjinskih nosilaca u emiteru i bazi su:
u emiteru: DpE = 3,8 cm2/s, LpE = 40 µm;
u bazi: DnB = 24 cm2/s, τnB = 1 µs.
T = 300 K. Struja ICBO je zanemariva.
Rješenje:
Radi preglednosti, rješenje zadatka ćemo razdijeliti na:
a) izračunavanje faktora efikasnosti emitera,
b) izračunavanje transportnog faktora baze,
c) izračunavanje faktora strujnih pojačanja spoja zajedničke baze i
d) zajedničkog emitera.
Iako nije spomenuto, podrazumijeva se da je tranzistor u normalnom aktivnom području.
a)
Po definiciji, faktor efikasnosti emitera npn tranzistora jednak je kvocijentu struje elektrona
koje emiter injektira u bazu i ukupne struje emitera, izraz (3.31a)
I nE
γ = .
I nE + I pE
Struje InE i IpE su u suštini komponente struje kroz propusno polarizirani pn-spoj emiter-baza.
Struja elektrona koje emiter injektira u bazu npn tranzistora, tj. elektronska komponenta
struje emiterskog pn-spoja općenito je, za homogenu bazu bilo koje širine i uz napon UCB = 0,
jednaka (vidi zadatak 3.1, izraz (3.10b))
æw ö 1
I nE = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ n B 0 ⋅ cothç B ÷ ⋅ =
è LnB ø LnB
DnB æw ö é æU ö ù
= S ⋅q⋅ ⋅ cothç B ÷ ⋅ n0 B ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú =
LnB è LnB ø êë è U T ø úû
DnB æ w ö n2 é æ U ö ù
= S ⋅q⋅ ⋅ cothç B ÷ ⋅ i ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú . (3.37)
LnB è LnB ø N AB êë è U T ø úû
Slično, struja šupljina koje baza injektira u homogeni emiter bilo koje efektivne širine je
D pEæ w ö n2 é æ U ö ù
I pE = S ⋅ q ⋅ ⋅ cothçç E ÷÷ ⋅ i ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú . (3.38)
L pE è L pE ø N DE êë è U T ø úû
Uvrstimo li gornje izraze (3.37) i (3.38) u definiciju za faktor efikasnosti (3.31a)
I nE 1
γ = = ,
I nE + I pE I pE
1+
I nE
Zadatak 3.9
nakon kraćenja ćemo dobiti općeniti izraz za faktor efikasnosti emitera tranzistora s homogenim
emiterom i homogenom bazom
1 D æw ö
⋅ nB ⋅ cothç B ÷
N AB LnB è LnB ø
γ = =
1 D æw ö 1 D pE æ w ö
⋅ nB ⋅ cothç B ÷ + ⋅ ⋅ cothçç E ÷÷
N AB LnB è LnB ø N DE L pE è L pE ø
1
= . (3.39)
N AB LnB D pE tanh( wB / LnB )
1+ ⋅ ⋅ ⋅
N DE L pE DnB tanh( wE / L pE )
U realnim tranzistorima je redovito baza puno uža od difuzijske duljine manjinskih nosilaca
(to je uostalom preduvjet da bi tranzistor uopće pravilno radio!). U gornjem izrazu (3.39) to znači
da je
wB
<< 1 ,
LnB
pa se funkcija hiperbolnog tangensa može aproksimirati prvim članom razvoja u red potencija
æw ö w
tanhç B ÷ = B .
è LnB ø LnB
Zbog toga gornji izraz za efikasnost prelazi u
1
γ = . (3.40)
N AB D pE wB
1+ ⋅ ⋅
N DE DnB L pE ⋅ tanh( wE / L pE )
Ako je, kao u našem primjeru, i efektivna duljina emitera (wE = 1 µm) puno manja od
difuzijske duljine manjinskih šupljina u emiteru (LpE = 40 µm), istu aproksimaciju možemo
primijeniti i na preostali hiperbolni tangens u izrazu (3.40), tako da ćemo dobiti
1
γ = . (3.41)
N D pE wB
1 + AB ⋅ ⋅
N DE DnB wE
Ponekad se kaže da takav tranzistor s uskim emiterom ima transparentni emiter, budući da većina
manjinskih nosilaca injektiranih iz baze proleti kroz njega, ne stigavši se rekombinirati s
većinskim elektronima. Uvrstimo li zadane podatke u (3.41), dobit ćemo γ = 0,99215†.
Iako obje komponente emiterske struje (InE , odnosno IpE) ovise o priključenom naponu baza-
emiter, zbog jednakih funkcijskih ovisnosti o tom naponu, njihov je omjer konstantan. To znači
da će i faktor injekcije biti neovisan o naponu UBE . Uvidom u (3.41) možemo uočiti da ovaj
zaključak vrijedi samo ako se širina baze ne bi mijenjala s naponom UBE . Međutim, budući da je
pn-spoj emiter-baza propusno polariziran, širina pripadne barijere je mala. Promjene širine
barijere pri promjeni napona emiter-baza će stoga biti dovoljno male da se njihov utjecaj na
efektivnu širinu baze može zanemariti.
† Budući da su faktor efikasnosti, transportni faktor i faktor strujnog pojačanja spoja zajedničke
baze po iznosu vrlo bliski 1, zbog točnosti veličina koje se iz njih određuju, treba ih računati s
većom točnošću nego ostale veličine. Zato ćemo ih ispisivati na pet značajnih znamenki.
Zadatak 3.9
Iz gornjih izraza se dade naslutiti kako faktor efikasnosti prvenstveno ovisi o omjeru
koncentracija primjesa u emiteru i bazi. Da bi faktor efikasnosti bio što bliži 1, mora razlomak u
nazivniku izraza (3.41) biti što manji, a to znači da koncentracija primjesa u emiteru mora biti što
veća u odnosu na koncentraciju primjesa u bazi. Ovakav omjer koncentracija primjesa pogoduje
tome da i omjer difuzijskih konstanti DpE / DnB bude mali, jer će u jako dopiranom emiteru
difuzijska konstanta manjinskih nosilaca biti manja od one u slabije dopiranoj bazi. Budući da je
pokretljivost elektrona pri jednakim koncentracijama primjesa veća od pokretljivosti elektrona,
očevidno je da će za jednake omjere koncentracija primjesa u emiteru i bazi, omjer difuzijskih
konstanti manjinskih nosilaca biti manji u npn tranzistoru. Prema tome, npn tranzistor će uvijek
imati efikasniji emiter od pnp tranzistora s jednakim koncentracijama primjesa u emiteru, odnosno
bazi (uz pretpostavku da su im odgovarajuće geometrijske dimenzije međusobno jednake).
Također je za što bolji faktor efikasnosti poželjno da emiter bude puno širi od baze.
Svrsishodno je uočiti da smo pri određivanju difuzijske struje elektrona injektiranih u bazu
(InE ) definirali da je napon na kolektorskom spoju jednak nuli samo zato da bi dobiveni izraz za
tu struju, a time i rezultirajući izraz za faktor efikasnosti, bio jednostavniji i pregledniji. Naravno
da smo faktor efikasnosti mogli definirati i za neki zaporni napon na kolektorskom spoju, ali je
utjecaj tog napona, pri propusno polariziranom emiterskom spoju, redovito zanemariv.
b)
Transportni faktor kroz bazu tranzistora definira se kao omjer struje manjinskih nosilaca koji
su stigli do kolektorske barijere i struje nosilaca koji su krenuli prema njoj, tj. koji su injektirani iz
emitera. Za npn tranzistor je to, prema izrazu (3.32a),
I
β * = nC .
I nE
Za struju InE upotrijebit ćemo izraz (3.37) koji smo koristili već u a) dijelu rješenja, pri
izvodu izraza za faktor efikasnosti,
DnB æ w ö n2 é æU ö ù
I nE = S ⋅ q ⋅ ⋅ cothç B ÷ ⋅ i ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú .
LnB è LnB ø N AB êë è U T ø úû
Podsjetimo se da ovaj izraz vrijedi uz napon UBC = 0!
Struja InC je, pri naponu UBC = 0, jednaka (vidi izraz (3.11) u zadatku 3.1)
1 1
I nC = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ n B 0 ⋅ ⋅ =
æ wB ö LnB
sinhç ÷
è LnB ø
DnB 1 é æU ö ù
= S ⋅q⋅ ⋅ ⋅ n0 B ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú =
LnB æ wB ö êë è U T ø ûú
sinhç ÷
è LnB ø
DnB 1 n2 é æ U ö ù
= S ⋅q⋅ ⋅ ⋅ i ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú . (3.42)
LnB æ w ö N AB êë è U T ø ûú
sinhç B ÷
è LnB ø
Uvrstimo li gornje izraze za elektronsku i šupljinsku komponentu struje u definiciju transportnog
faktora, nakon kraćenja zajedničkih članova, dobit ćemo da je
Zadatak 3.9
1
β* = . (3.43)
æw ö
coshç B ÷
è LnB ø
Kako je u realnim tranzistorima wB << LnB , kosinus hiperbolni u gornjem izrazu može se
aproksimirati prvim članovima razvoja u red potencija
x2
cosh( x ) = 1 + ,
2
tako da za transportni faktor možemo pisati da je
1
β * = 2
. (3.44)
1 wB ö
æ
1+ ⋅ç ÷
2 è LnB ø
Nadalje, budući da je drugi pribrojnik u nazivniku izraza (3.44) manji od 1, možemo iskoristiti
razvoj u red potencija [Abramowitz64]
1
= 1 − x + x 2 − x 3 + x 4 −K ( −1 < x < 1) ,
1+ x
tako da (3.44) aproksimiramo s prva dva člana razvoja. U tom slučaju možemo pisati da je
2
1 æ wB ö
β * =& 1 − ⋅ç ÷ . (3.45)
2 è LnB ø
Iz zadane difuzijske konstante manjinskih nosilaca u bazi (DnB = 24 cm2/s) i zadanog vremena
života (τnB = 1 µs), dobivamo da je LnB = 49,0 µm. Uvrštavanjem u (3.45), za zadanu širinu baze
(wB = 1 µm) dobivamo da je β* = 0,99979.
Do izraza (3.45) može se doći i izravno iz izraza (3.43), ako se zna da je [Abramowitz64]
1 1 5 4 61 6 E æ πö
= sech( x ) = 1 − ⋅ x 2 + ⋅x − ⋅ x +K+ 2 n ⋅ x 2 n +K ç x < ÷ ,
cosh( x ) 2 24 720 (2n)! è 2ø
gdje je En koeficijent Eulerovog polinoma. Zadržavajući samo prva dva člana ovog razvoja,
dobiva se izraz (3.45).
Na slici 3.32 prikazana je ovisnost
1 transportnog faktora o efektivnoj širini baze
normiranoj na difuzijsku duljinu
0,8 manjinskih nosilaca. Kao što se vidi, za
wB ≤ 0,2⋅LB , transportni faktor je praktički
0,6
β* 1 jednak 1. Porastom efektivne širine baze
0,4 w2 iznad te vrijednosti, transportni faktor strmo
wB2 1+ B2 pada na nulu, te je već za wB ≥ 6⋅LB
1− 2 LB
0,2 2 L B2 praktički jednak nuli. Osim funkcije (3.43),
svjetlijim linijama su na slici nacrtane i
0
0,1 1 10 aproksimirajuće funkcije (3.44) i (3.45). Sa
slike vidimo da je izraz (3.44) dovoljno
wB / L B točan za wB ≤ 1,5⋅LB , dok je (3.45)
Slika 3.32. Ovisnost transportnog faktora tran-
dovoljno točan za wB ≤ 0,5⋅LB . Budući da
zistora s homogenom bazom o normiranoj je efektivna širina baze gotovo uvijek puno
efektivnoj širini baze. manja od difuzijske duljine manjinskih
Zadatak 3.9
nosilaca, mi ćemo uvijek koristiti najjednostavniji izraz (3.45).

Osvrnimo se još malo na izraz (3.45)! Nadomjestimo li u njemu difuzijsku duljinu
kvadratnim korijenom umnoška difuzijske konstante i vremena života,
LnB = DnB ⋅ τ nB ,
dobit ćemo da je
1 wB2
β* = 1 − ⋅ . (3.46)
2 DnB ⋅ τ nB
Podsjetimo se da smo kod diode s uskom stranom, razlomak
w2
2⋅ D
definirali kao vrijeme proleta manjinskih nosilaca kroz tu usku stranu. Po analogiji, možemo
definirati vrijeme proleta manjinskih nosilaca kroz bazu,
wB2
t tr = (3.47)
2 ⋅ DnB
U tom slučaju (3.46) možemo napisati kao
t tr
β* = 1 − . (3.48)
τ nB
Izjednačimo li (3.48) s izrazom
I nC I nE − I R I
β* = = = 1− R , (3.49)
I nE I nE I nE
dobit ćemo da je
IR t
= tr .
I nE τ nB
Budući da je rekombinacijska struja obrnuto proporcionalna vremenu života manjinskih nosilaca
u bazi,
Q
IR = B ,
τ nB
možemo zaključiti da je struja nosilaca koje emiter injektira u bazu (InE ) obrnuto proporcionalna
vremenu proleta nosilaca kroz bazu,
Q
I nE = B .
ttr
Ovo je upravo isti rezultat kakav smo dobili za elektronsku komponentu struje diode s uskom p-
stranom! Kao i kod diode, ova relacija je valjana samo ako je efektivna širina baze puno manja od
difuzijske duljine manjinskih nosilaca, tj. dok je aproksimacija (3.45) zadovoljavajuća.
c)
Da bismo odredili faktor strujnog pojačanja spoja zajedničke baze (3.33)
IC
α=− ,
IE U CB = 0
Zadatak 3.9
trebamo naći vezu između kolektorske i emiterske struje.

Kada je npn tranzistor polariziran u normalno aktivno područje, tj. kada je emiterski spoj
propusno polariziran, a kolektorski reverzno polariziran naponom | UCB | >> UT , struja kolektora je
I C = I nC + I CBO . (3.50)
Ako je napon UCB = 0, i struja ICBO = 0, tako da se kolektorska struja sastoji isključivo od
difuzijske struje manjinskih nosilaca u bazi, uz kolektorsku barijeru,
I C = I nC . (3.51)
Struja InC je onaj dio struje elektrona koji su injektirani iz emitera koji se nije rekombinirao
pri prolasku kroz bazu. Prema definiciji za transportni faktor baze npn tranzistora (3.32a),
I nC
β* = ,
I nE U CB = 0
tako da je
I nC = β * ⋅ I nE . (3.52)
Struja InE je jedna od komponenti emiterske struje. Po definiciji za faktor efikasnosti npn
tranzistora (3.31a)
I nE I nE
γ = =− ,
I nE + I pE IE U BC = 0
U BC = 0
pa je
I nE = −γ ⋅ I E . (3.53)
Negativni predznak u gornjim izrazima javlja se zato jer struja InE teče u smjeru suprotnom
referentnom smjeru struje IE .
Uvrstimo li (3.52) i (3.53) u (3.51), dobit ćemo
I C = −γ ⋅ β * ⋅ I E , (3.54)
iz čega slijedi da je faktor strujnog pojačanja spoja zajedničke baze jednak umnošku faktora
efikasnosti i transportnog faktora,
IC
α=− = γ ⋅ β* . (3.55)
IE
Uvrstimo li vrijednosti za navedene faktore, koje smo izračunali u a) i b) dijelovima rješenja,
dobit ćemo da je α = 0,99194.
Još jednom se treba podsjetiti da smo sve gornje izraze izveli uz pretpostavku da je napon
UCB = 0. Ta pretpostavka je bila neophodna da bi se u izrazima za komponente struja izgubio član
nBw − n0B (vidi izraze (3.10) i (3.14), prvi pribrojnik u brojniku razlomka), tako da izvedene
jednadžbe budu bitno jednostavnije i preglednije. Tom pretpostavkom, međutim, izvedeni izrazi
ne gube na općenitosti, pretpostavimo li da se pri promjeni napona na kolektorskom spoju ne
mijenja efektivna širina baze. Naime, zbog propusne polarizacije emiterskog spoja, u korištenim
izrazima dominira član nB 0 − n0B , dok je utjecaj člana nBw − n0B , uslijed reverzne polarizacije
kolektorskog spoja, zanemariv. Stoga možemo gore izvedene relacije primijeniti i na izraz (3.50),
tako da njega možemo pisati kao
I C = −α ⋅ I E + I CBO . (3.56)
Zadatak 3.9
Iz ove relacije se još jednom očituje da je u normalnom aktivnom području rada kolektorska struja
po iznosu približno jednaka, ali uvijek manja od emiterske struje (α je manji od 1, a ICBO je
zanemariva).
d)
Za određivanje faktora strujnog pojačanja spoja zajedničkog emitera, izraz (3.35)
IC
β= ,
IB U CB = 0
trebamo naći vezu između kolektorske i bazne struje.

Krenimo od jednadžbe (3.56),
I C = −α ⋅ I E + I CBO ,
u kojoj ćemo emitersku struju nadomjestiti strujama preostale dvije priključnice. Budući da
algebarski zbroj svih struja koje ulaze u tranzistor mora biti jednak nuli,
I E + I B + IC = 0 ,
uvrštavanjem izlučene emiterske struje dobit ćemo da je
I C = −α ⋅ ( − I B − I C ) + I CBO = α ⋅ I B + α ⋅ I C + I CBO .
Prebacivanjem IC na lijevu stranu i sređivanjem dobivamo da je
α I
IC = ⋅ I B + CBO . (3.57)
1−α 1−α
Kao što već znamo, pri naponu UCB = 0 je i struja ICBO = 0, tako da otpada drugi pribrojnik u
gornjem izrazu, pa slijedi da je faktor strujnog pojačanja spoja zajedničkog emitera
I α
β= C = . (3.58)
IB 1− α
Uvrštavanjem vrijednosti faktora α koju smo izračunali u prethodnom dijelu rješenja
(α = 0,99194), dobit ćemo da je β = 123. Kao što iz ovog rezultata vidimo, kolektorska struja je
po iznosu puno veća od bazne struje. Ova važna činjenica omogućuje da tranzistor u spoju
zajedničkog emitera, osim naponskog pojačanja, pruža i značajno strujno pojačanje.
Faktor strujnog pojačanja spoja zajedničkog emitera će biti to veći što je faktor strujnog
pojačanja bliži 1. Da bi čitatelj stekao bolju predodžbu o toj ovisnosti, nacrtana je slika 3.33, na
kojoj je u linearnom i logaritamskom mjerilu prikazana funkcija (3.58) (na apscisi desnog,
logaritamskog prikaza je nanesen komplement faktora strujnog pojačanja spoja zajedničke baze!).
Iz linearnog prikaza je očito kako se pri manjim vrijednostima faktora strujnog pojačanja spoja
zajedničke baze, faktor β sporije mijenja s promjenama faktora α. Naprotiv, što se faktor α više
približava jedinici, porast faktora β postaje sve brži,
æ α ö
lim ç ÷ =∞,
α →1è 1 − α ø
tako da neznatne promjene faktora α mogu uzrokovati znatne promjene faktora β . U

logaritamskom prikazu funkcija (3.58) za (1 − α) ≤ 0,1 (odnosno za α ≥ 0,9) linearno pada.
Budući da se radi o logaritamskom mjerilu, jednoliki prirasti znače priraste za isti faktor; sa slike
3.33 vidimo da se pri povećanju faktora (1−α) za deset puta (npr. od vrijednosti 0,001 na 0,01 ili
od 0,01 na 0,1), faktor β smanjuje oko deset puta (sa 999 na 99, odnosno sa 99 na 9).
Zadatak 3.9
α
0,999 0,99 0,9 0
200 1000
150
100
β 100 β
10
50
0 1
0,9 0,95 1 0,001 0,01 0,1 1
α 1− α
Slika 3.33. Ovisnost faktora strujnog pojačanja spoja zajedničkog emitera o faktoru
strujnog pojačanja za spoj zajedničke baze.
Promotrimo još na trenutak koliko u tranzistoru iz našeg zadatka na faktor strujnog pojačanja
spoja zajedničkog emitera utječe faktor efikasnosti, a koliko transportni faktor. Pretpostavimo li
da je transportni faktor β ∗ = 1, tada je α = γ = 0,99215, a β = 126. Ako bi pretpostavili da je
faktor efikasnosti γ = 1, tada je α = β * = 0,99979, a faktor strujnog pojačanja spoja zajedničkog
emitera čak β = 4800! Ovo je, za tranzistore s homogeno dopiranim područjima emitera i baze,
nerealno veliki faktor strujnog pojačanja. Kako transportni faktor koji smo dobili ima prilično
realnu vrijednost (kasnije ćemo vidjeti da je on redovito i veći!), možemo zaključiti da je redovito
faktor efikasnosti emitera taj koji određuje faktor strujnog pojačanja. Stoga se njemu pri izradi
tranzistora posvećuje posebna pažnja.
Koristeći izraz (3.58), jednadžbu (3.57) možemo napisati u kraćem obliku
I
I C = β ⋅ I B + CBO . (3.59)
1−α
Drugi pribrojnik u gornjoj jednadžbi je struja koja teče kroz reverzno polarizirani kolektorski spoj
kada prekinemo baznu struju (IB = 0) - to je struja ICEO (vidi Zadatak 3.3). Stoga možemo napisati
I C = β ⋅ I B + I CEO . (3.60)
Izjednačavanjem (3.59) sa (3.60) dobivamo da je
I CBO
I CEO = = (1 + β ) ⋅ I CBO . (3.61)
1− α
Iako obje struje teku kroz reverzno polarizirani spoj kolektor-baza, uz odspojen emiter (ICBO ),
odnosno odspojenu bazu (ICEO ), one se međusobno značajno razlikuju. Struja ICEO je za faktor
strujnog pojačanja spoja zajedničkog emitera veća od struje ICBO ! To je posljedica bitno
drugačijih uvjeta na emiterskom spoju, koji nastaju zbog različitih referentnih uvjeta, u što smo se
uvjerili u Zadatku 3.3.
Ovakav odnos struja ICBO i ICEO može se vrlo jednostavno obrazložiti i pomoću jednostavnog
nadomjesnog sklopa na slici 2.34. U tom sklopu, realni tranzistor prikazan je kao spoj “idealnog”
tranzistora kojemu je struja ICBO = 0, te strujnog izvora ICBO . Iako je vanjska struja baze realnog
tranzistora IB = 0, zbog strujnog izvora u bazu “idealnog” tranzistora teče struja ICBO . Ako je
tranzistor polariziran u normalno aktivno područje rada, kolektorska struja “idealnog” tranzistora
će biti β puta veća, a emiterska struja (1+β) puta veća od bazne struje ICBO . S obzirom da u
Zadatak 3.9
kolektorsku struju realnog tranzistora ulazi i realni tranzistor

struja strujnog izvora, kolektorska struja
realnog tranzistora je (1+β)⋅ICBO . “idealni” β .ICBO
E tranzistor C
Ovdje valja raskrstiti s jednom čestom
predrasudom koja bi se mogla izreći kao:
(1+ β ) ICBO (1+ β ) ICBO
“Faktor β u izrazu (3.60)
I C = β ⋅ I B + I CEO ICBO
je faktor strujnog pojačanja spoja

zajedničkog emitera, dok je α u izrazu
(3.56) IB = 0
B
I C = −α ⋅ I E + I CBO
Slika 3.34. Uz objašnjenje omjera struja ICEO i
faktor strujnog pojačanja spoja zajedničke ICBO.
baze. Zaključak: izraz (3.60) vrijedi samo
kada se tranzistor koristi u spoju
zajedničkog emitera, a izraz (3.56) isključivo kada se tranzistor koristi u spoju zajedničke baze.”
Ovakav zaključak je pogrešan! Kao što smo u prethodnim poglavljima vidjeli, iznosi i odnosi
struja tranzistora jednoznačno su određeni naponima na emiterskom i kolektorskom spoju (tj.
područjem rada tranzistora). Zanemarimo li struje ICEO i ICBO , u normalnom aktivnom području
struja kolektora je za faktor β veća od bazne struje, a za faktor α veća (točnije: manja) od
emiterske struje. Ovaj odnos vrijedi bez obzira u kojem spoju tranzistor radi, tj. bez obzira koju
struju prihvatimo za ulaznu, a koju za izlaznu. “Slučajno” je u spoju zajedničkog emitera
kolektorska struja izlazna, a bazna ulazna, pa se zato β naziva faktorom strujnog pojačanja spoja
zajedničkog emitera. Isto tako, “slučajno” je za spoj zajedničke baze struja emitera ulazna, a
struja kolektora izlazna, pa se zato njihov omjer α naziva faktorom strujnog pojačanja spoja
zajedničke baze.
Zadatak 3.10
Zanemarujući degeneracijske pojave, odrediti kako se mijenja faktor efikasnosti emitera
npn tranzistora, ako se koncentracija primjesa u homogenom emiteru mijenja od 1016 do
1019 cm−3, a baza je homogeno dopirana s NAB = 5⋅1016 cm−3. Efektivne širine emitera i
baze su wE = 1 µm i wB = 1 µm. Parametri manjinskih elektrona u bazi su:
DnB = 24 cm2/s, τnB = 49 µs, a ovisnost vremena života manjinskih šupljina u emiteru o
koncentraciji primjesa opisana je funkcijom [Fossum76]
τ p,max
τp = , (3.62)
N
1+
N p ,ref
gdje je τp,max = 35,2 µs, a Np,ref = 7,1⋅1015 cm−3. T = 300 K. Struja ICBO je zanemariva.
Rješenje:
Pomoću zadane difuzijske konstante i vremena života manjinskih nosilaca u bazi možemo
izračunati njihovu difuzijsku dužinu LnB = 343 µm. Ona je puno veća od efektivne širine baze!
Zadatak 3.10
Pri računanju faktora efikasnosti za različite koncentracije primjesa u emiteru, prvo treba za
odgovarajuću koncentraciju izračunati pripadnu pokretljivost manjinskih nosilaca, te vrijeme
života (pomoću izraza (3.62)). Pomoću njih se izračunaju difuzijska konstanta i difuzijska dužina.
Uvrštavanjem dobivenih vrijednosti u izraz (3.40)
1
γ = ,
N AB D pE wB
1+ ⋅ ⋅
N DE DnB L pE ⋅ tanh( wE / L pE )
izračuna se traženi faktor efikasnosti. U tablici 3.4 dane su izračunate vrijednosti faktora
efikasnosti, zajedno s neophodnim vrijednostima parametara dobivenim tijekom računa. U
Tablica 3.4. Ovisnost faktora efikasnosti o koncentraciji primjesa u emiteru

za tranzistor u zadatku 3.10.
N DE µ pE D pE τ pE L pE
−3 γ β (β* = 1)
cm cm 2 Vs 2
cm s µs µm
1016 420 10,9 14,6 126 0,30661 0,442

17
10 311 8,03 2,33 43,3 0,85659 5,97
18
10 150 3,88 0,248 9,82 0,99195 123
19
10 70,2 1,82 0,0250 2,13 0,99959 2438
zadnjem stupcu tablice su dane i pripadajuće vrijednosti faktora strujnog za spoj zajedničkog
emitera uz pretpostavku da je transportni faktor tranzistora jednak 1. Na osnovi vrijednosti u
tablici nacrtani su dijagrami na slici 3.35.
Kao što iz rezultata u tablici, te s grafičkog prikaza vidimo, efikasnost emitera raste s
porastom koncentracije primjesa u emiteru. Naime, zbog porasta koncentracije primjesa u
1 100
0,8 5 .10
15
10
0,6 5 .1015
γ 5 .1016 β
npn
0,4 pnp 1 5.1016
0,2 NB NB
= 5 .1017 . 17
–3= 5 10
cm–3 cm
0 16 0,1 16
10 1017 1018 1019 10 1017 1018 1019
–3 –3
NE / cm NE / cm
a) b)
Slika 3.35. Utjecaj koncentracije primjesa u emiteru na: a) efikasnost emiter, b) faktor strujnog
pojačanja spoja zajedničkog emitera, uz pretpostavku da je β * = 1.
Zadatak 3.10
emiteru, smanjuje se koncentracija manjinskih šupljina u emiteru, a samim tim i struja nosilaca
koje baza injektira u emiter (potpuno jednako kao kod pn-diode!). Utjecaj promjena parametara
manjinskih nosilaca (pokretljivosti i vremena života) je pri tome zanemariv u odnosu na utjecaj
same koncentracije primjesa (vidi zadatak 2.14, odnosno sliku 2.28 u prvom dijelu Zbirke!).
Za koncentracije donora u emiteru niže od koncentracije akceptora u bazi je faktor
efikasnosti emitera manji od 0,5. Kada bi parametri manjinskih elektrona u bazi i manjinskih
šupljina u emiteru bili međusobno jednaki (uz jednake širine emitera i baze), za NDE = NAB bila bi
efikasnost emitera upravo jednaka 0,5! Radi usporedbe, na dijagramu su nacrtane i ovisnosti
efikasnosti emitera za tranzistor s deset puta jače, odnosno deset puta slabije dopiranom bazom.
Svjetlijim crtama su prikazane krivulje za pnp tranzistore s istovjetnim koncentracijama primjesa
u pojedinim područjima. Za ovisnost vremena života manjinskih elektrona o koncentraciji
primjesa korišten je izraz jednak izrazu (3.62), u kojem je τn,max = 395 µs [Fossum76]. Očito je da
će pnp tranzistor s istim koncentracijama primjesa imati manju efikasnost emitera, što je
posljedica manje pokretljivosti i kraćeg vremena života šupljina.
Na osnovi gornjih razmatranja, očito je da za što veći faktor strujnog pojačanja mora biti
emiter što jače dopiran u odnosu na bazu. Tada će struja nosilaca koje emiter injektira u bazu biti
puno veća od struje nosilaca koje baza injektira u emiter, te će faktor efikasnosti težiti 1. Valja
primijetiti da smo u računu zanemarili degeneracijske efekte, koji upravo zato što se emiter jako
dopira, dolaze u njemu do izražaja. Zanemarenje degeneracijskih pojava uzrokovat će pogrešku
pri izračunavanju manje komponente struje (one koju baza injektira u emiter). Baza je obično
dovoljno slabo dopirana da se degeneracijski efekti u njoj mogu zanemariti. Budući da je faktor
efikasnosti definiran omjerima komponenti struja koje injektiraju baza, odnosno emiter, čak i
mala pogreška u iznosu manje komponente struje, može biti uzrokom velike pogreške u
rezultantnom faktoru efikasnosti, te još veće pogreške u faktoru strujnog pojačanja spoja
zajedničkog emitera!
Zadatak 3.11
Skicirati ovisnost transportnog faktora baze pnp tranzistora o koncentraciji primjesa u
bazi, za koncentracije u rasponu od NDB = 1015 cm–3 do NDB = 1019 cm–3. Širina baze je
2 µm. Vrijeme života manjinskih šupljina u bazi ovisi o koncentraciji primjesa preko
funkcije (3.62)
τ p,max
τp = ,
N
1+
N p ,ref
gdje je τp,max = 35,2 µs, a Np,ref = 7,1⋅1015 cm−3. T = 300 K.
Rješenje:
Transportni faktor ćemo računati pomoću izraza (3.45):
2
1 æ wB ö
β * = 1 − ⋅ç ÷ ,
2 çè L pB ÷ø
pri čemu je zadana širina baze wB = 2 µm, dok se difuzijska duljina manjinskih šupljina u bazi
mijenja ovisno o koncentraciji primjesa. Znamo da je
Zadatak 3.11
L pB = D pB ⋅ τ pB = µ pB ⋅ U T ⋅ τ pB ,
pa za svaku pojedinu koncentraciju trebamo izračunati pokretljivost šupljina i njihovo vrijeme
života.
Tablica 3.5. Ovisnost transportnog faktora o koncentraciji primjesa u bazi pnp

N DB µ pB DpB τ pB L pB
−3
β* β (γ = 1)
cm 2
cm / Vs 2
cm / s s µm
1015 452 11,7 3,09⋅10−5 190 0,999945 18014
1016 420 10,9 1,46⋅10−5 126 0,99987 7931
1017 311 8,03 2,33⋅10−6 43,3 0,99893 936
1018 150 3,88 2,48⋅10−7 9,82 0,9792 47,2
1019 70,2 1,82 2,50⋅10−8 2,13 0,559 1,27
U tablici 3.5 dani su neki brojčani rezultati na osnovi kojih su nacrtani dijagram na slici
3.36. Na slici 3.36a je radi preglednosti prikazan komplement transportnog faktora,
2
1 æ wB ö
1− β* = ⋅ç ÷ ,
2 è LB ø
dok je na slici 3.36b prikazana ovisnost faktora strujnog pojačanja, uz pretpostavku da je faktor
efikasnosti emitera γ = 1, tj.
β*
β=
.
1− β*
Radi usporedbe su nacrtane krivulje i za npn tranzistor s istom širinom baze.
1 10 6
10 –1 wB = 2 µm 10 5
npn
10 –2 10 4
1 – β * 10
–3
pnp β 10 3
pnp
10 –4 10 2
npn
10 –5 10
–6 1 15
10
1015 1016 1017 1018 1019 10 1016 1017 1018 10 19
NB / cm–3 NB / cm–3
a) b)
Slika 3.36. Utjecaj koncentracije primjesa u bazi na: a) transportni faktor baze, b) faktor strujnog
pojačanja spoja zajedničkog emitera, uz pretpostavku da je γ = 1.
Zadatak 3.11
Iz rezultata u tablici, te sa slika možemo uočiti da s porastom koncentracije primjesa

transportni faktor baze pada. Uzrok tomu je pad pokretljivosti nosilaca, te skraćenje njihova
vremena života. Usporedbom sa krivuljama za npn tranzistor odmah postaje razumljiva prednost
npn tranzistora pred pnp tranzistorima. Zbog veće pokretljivosti elektrona i duljeg vremena života
elektrona, npn tranzistor (u kojem su elektroni dominantni nosioci) s istom širinom i jednakom
koncentracijom primjesa, ima bolji transportni faktor, te veći faktor strujnog pojačanja.
Uočimo iz podataka u tablici da je kod koncentracija primjesa u bazi većih od 1018 cm–3,
difuzijska duljina šupljina usporediva sa širinom baze. Zato je pogreška koju uzrokuje
aproksimirajuća formula (3.45) značajna. Međutim, kako se vidi iz grafova na slici 3.36 (crtkanim
linijama nacrtane su vrijednosti dobivene točnom formulom (3.43)), ta pogreška za široki raspon
koncentracija nema značajnog utjecaja na pogrešku u faktoru strujnog pojačanja.
Zadatak 3.12
PNP tranzistor ima faktor strujnog pojačanja α = 0,98 i reverznu struju zasićenja
kolektora ICBO = −10 nA.
a) Izrazite ovisnost struje kolektora o struji baze, ako tranzistor radi u normalnom
aktivnom području. Pomoću dobivene ovisnosti izračunajte kolektorsku struju pri
strujama baze IB = 0 i IB = −100 µA. Kolika je pritom emiterska struja?
b) Izrazite ovisnost struje emitera o struji baze, ako tranzistor radi u normalnom
aktivnom području. Pomoću dobivene ovisnosti izračunajte emitersku struju pri
strujama baze IB = 0 i IB = −100 µA. Kolika je pritom kolektorska struja?
Rješenja:
α I
a) I C = ⋅ I + CBO ;
1− α B 1− α
IB = 0: IC = −0,5 µΑ, ΙΕ = +0,5 µΑ; IB = −100 µΑ: IC = −4,9005 mΑ, ΙΕ = +5,0005 mΑ.
IB I
b) I E = − − CBO ;
1− α 1− α
IB = 0: IE = +0,5 µΑ, ΙC = −0,5 µΑ; IB = −100 µΑ: IE = + 5,0005 mΑ, ΙΕ = −4,9005 mΑ.
Zadatak 3.13
Odredite koliki je faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničkog emitera za tranzistor na
slici 3.37.
5 nA 500 nA
+ +
10 V 10 V
Slika 3.37. Kolektorske struje tranzistora u zadatku 3.13.
Zadatak 3.13
Rješenje: β = 99.
Zadatak 3.14
Dva tranzistora spojena su prema slici
3.38. Faktori efikasnosti oba tranzistora
10 µA su jednaki i iznose 0,99. Transportni
T1 + faktor tranzistora T1 je 0,99, a tranzistora
20 V
T2 T2 je 0,98. Reverzne struje zasićenja
kolektora su: ICBO1 = 20 nA,
ICBO2 = 100 nA. Izračunajte:
a) faktore strujnih pojačanja;
Slika 3.38. Spoj dva tranzistora u zadatku
b) sve struje oba tranzistora;
3.14 c) ukupnu struju naponskog izvora.
Rješenja:
a) α1 = 0,980, β1 = 49,3, α2 =0,970, β2 = 32,6;
b) IB 1 = 10 µA, IC 1 = 494 µA, IE 1 = −504 µΑ, ΙnE 1 = 498 µA, IpE 1 = 5,04 µA, IR 1 = 4,93 µA,
InC 1 = 493 µA, IB 2 = 504µA, IC 2 = 16,4 mA, IE 2 = −16,9 mΑ, ΙnE 2 = 16,7 mA, IpE 1 = 169 µA,
IR 2 = 335 µA, InC 2 = 16,4 mA;
c) I = 16,9 mA.
Zadatak 3.15
Izračunajte efikasnost emitera, transportni faktor baze, te faktore strujnih pojačanja npn
tranzistora koji ima homogeno dopirana područja emitera i baze primjesama
koncentracija NDE = 1018 cm–3, odnosno NAB = 1016 cm–3. Vremena života manjinskih
nosilaca su: τpE = 1 µs i τnB = 5 µs. Širina emitera je wE = 0,8 µm, a širina baze
wB = 1 µm. T = 300 K. Degeneracijske pojave u emiteru zanemarite!
Rješenja: γ = 0,99847, β* = 0,999969, α = 0,99844, β = 641.
Zadatak 3.16
Za tranzistor iz prethodnog zadatka izračunajte sve komponente struja u normalnom
aktivnom području rada, kada je bazna struja IB = 20 µA. Reverzna struja ICBO = 0,1 pA.
Rješenja: IC = 12,82 mA, IE = –12,84 mA, InE = 12,82 mA, IpE = 19,6 µA, IR = 404 nA.
Zadatak 3.16
3.1.4. Ebers-Mollove jednadžbe

Izrazi koje smo dosad koristili vrijedili su samo u određenom području rada
(uglavnom u normalnom aktivnom području), tako da bi uvrštavanje vrijednosti za druga
područja rada dalo nerealne rezultate. Ebers-Mollovim jednadžbama mogu se opisati
strujno-naponske karakteristike idealnog tranzistora za sva područja rada (normalno
aktivno, inverzno aktivno, zaporno područje, te područje zasićenja). To znači da
prilikom uvrštavanja vrijednosti ne treba paziti na područje rada u kojem se tranzistor
nalazi - rezultati će biti realni (naravno u okvirima točnosti samog modela). Ebers-
Mollove jednadžbe za npn tranzistor u svom izvornom obliku glase [Ebers54]
é æU ö ù é æU ö ù
I E = − I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú + α I ⋅ I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú , (3.63)
êë è U T ø úû êë è U T ø úû
I C = α ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú − ICS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú . (3.64)
IES i ICS su reverzne struje zasićenja emiterskog, odnosno kolektorskog spoja uz kratki
spoj na drugom pn-spoju:
I ES = I E U EB >> U T , I CS = I C U CB >> U T .
U BC = 0 U BE = 0
α i αI su faktori strujnog pojačanja spoja zajedničke baze u normalnom aktivnom,

odnosno inverznom aktivnom području rada tranzistora:
IC IE
α=− , αI = − .
IE U BE >> U T IC U BC >> U T
U BC = 0 U BE = 0
Pretpostavlja se da su ti parametri konstantni, tj. da ne ovise o radnoj točki (naponima i

strujama), pa je prema tome, tranzistor u Ebers-Mollovom modelu jednoznačno opisan
samo sa četiri parametra!
Često je umjesto izvornog jednostavnije koristiti Ebers-Mollove jednadžbe u obliku
é æU ö ù
I E = −α I ⋅ IC − I EBO ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú , (3.65)
êë è U T ø úû
é æU ö ù
I C = −α ⋅ I E − I CBO ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú . (3.66)
êë è U T ø úû
IEBO i ICBO su reverzne struje kroz emiterski, odnosno kolektorski spoj uz struju na
drugom pn-spoju jednaku nuli:
I EBO = I E U EB >> U T , I CBO = I C U CB >> U T .
IC =0 I E =0
Struje IES i IEBO, odnosno ICS i ICBO međusobno su povezane izrazima
I EBO = I ES ⋅ (1 − α ⋅ α I ) , (3.67)
I CBO = I CS ⋅ (1 − α ⋅ α I ) . (3.68)
Zadatak 3.0
Zadatak 3.17
Izvesti Ebers-Mollove jednadžbe za npn tranzistor.
Rješenje:
Središnji problem pri izvodu Ebers-Mollovih jednadžbi jest dokaz da se područje zasićenja
može prikazati kao superpozicija normalnog aktivnog i inverznog aktivnog područja. Stoga ćemo,
nakon što se podsjetimo izraza za strujno-naponske karakteristike tranzistora u normalnom
aktivnom, odnosno u inverznom aktivnom području rada, dokazati da vrijedi princip
superpozicije, te na osnovi njega izvesti Ebers-Mollove jednadžbe. Radi općenitosti ćemo
pretpostaviti da je raspodjela primjesa u bazi nehomogena.
U normalnom aktivnom području rada emiterski spoj je propusno polariziran, pa su prema
Boltzmannovim jednadžbama koncentracije manjinskih nosilaca uz rubove barijere veće od
ravnotežnih. Pretpostavimo da je napon UCB = 0, tako da je koncentracija manjinskih elektrona u
bazi uz kolektorsku barijeru jednaka ravnotežnoj (slika 3.39a). Točne raspodjele manjinskih
nosilaca dobivaju se rješenjem jednadžbi kontinuiteta, a iz tih se raspodjela, preko transportnih
jednadžbi, izračunaju komponente struja. Struja emitera, tj. struja kroz emiterski spoj određena je
naponom UBE , slično kao i kod pn-diode
é æU ö ù
I E = − I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú . (3.69)
êë è U T ø úû
Negativni predznak u gornjem izrazu stoji zato jer je referentni smjer emiterske struje u tranzistor,
a ne od p-strane (baze) prema n-strani (emiteru) pn-spoja emiter baza, kao što je bio slučaj kod
pn-diode. Ovaj funkcijski oblik vrijedi neovisno o raspodjeli primjesa unutar tranzistora, tj. emiter
i baza ne moraju nužno biti homogeni. Raspodjela primjesa utječe samo na iznos struje IES .
Budući da je napon UCB = 0, kolektorska struja se sastoji samo od struje elektrona koji su
injektirani iz emitera, te su prošli kroz bazu
é æU ö ù
I C = I nC = β * ⋅ I nE = β * ⋅ γ ⋅ I E = − β * ⋅ γ ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú =
êë è U T ø ûú
é æU ö ù
= −α ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú . (3.70)
êë è U T ø ûú
U gornjim izrazima IES je reverzna struja zasićenja spoja emiter-baza, tj. struja kroz jako reverzno
polarizirani emiterski spoj (UEB >> UT ) kada je UCB = 0.
U inverznom aktivnom području kolektorski spoj je propusno polariziran, tako da je
koncentracija manjinskih nosilaca uz pripadajuću barijeru veća od ravnotežne. Ako je napon
UBE = 0, koncentracija manjinskih nosilaca uz emitersku barijeru je jednaka ravnotežnoj (slika
3.39b). Po analogiji sa normalnim aktivnim područjem, kolektorska struja je
é æU ö ù
I C = I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú , (3.71)
êë è U T ø úû
dok je emiterska struja
é æU ö ù
I E = I nE = β I* ⋅ I nC = β I* ⋅ γ I ⋅ I C = β I* ⋅ γ I ⋅ I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú =
êë è U T ø ûú
Zadatak 3.17
E B C
IE IC
− UBE + + UBC −
nB
InE InC
2
ni
exp (UBE /UT) n^ BN (x) n^ BN =0 jer je UBC =0
NB (0)
2
wB x
ni a)
NB (x)
nB
InE InC
n2i
n^BI = 0 jer je UBE =0 n^BI (x) exp (UBC /UT)
NB (wB)
wB x
b)
nB
n2i n^ BI
exp (UBE /UT) n^ BN n 2i
NB (0) exp (UBC /UT)
NB (wB )
wB x c)
Slika 3.39. Raspodjele manjinskih elektrona u bazi npn tranzistora u:
a) normalnom aktivnom području, b) inverznom aktivnom području,
c) području zasićenja [Valkó91]. nB je ekscesna koncentracija elektrona u
bazi.
é æU ö ù
= α I ⋅ I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú . (3.72)
êë è U T ø ûú
βΙ* je transportni faktor baze u inverznom aktivnom području, tj. od kolektora prema emiteru, γΙ je
faktor efikasnosti kolektora, dok je αI faktor strujnog pojačanja tranzistora u inverznom aktivnom
području rada za spoj zajedničke baze. ICS je reverzna struja zasićenja spoja kolektor-baza, tj.
struja kroz jako reverzno polarizirani kolektorski spoj (UCB >> UT ) kada je UEB = 0.
Zadatak 3.17
Razmotrimo sada područje zasićenja kada su oba spoja propusno polarizirana. Raspodjelu
manjinskih elektrona možemo napisati kao zbroj tri člana (slika 3.39c):
1. ravnotežne raspodjele elektrona u bazi
ni2
n0 B ( x ) = ,
N B ( x)
koja predstavlja partikularno rješenje nehomogenog oblika jednadžbe kontinuiteta;
2. raspodjele ekscesnih elektrona u normalnom aktivnom području n BN ( x ) , koja se dobiva
kao rješenje homogenog oblika jednadžbe kontinuiteta, a koja zadovoljava rubni uvjet da
je koncentracija na mjestu x = 0 određena naponom UBE preko Boltzmannove jednadžbe
ni2 é æU ö ù
n BN (0) = ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú ;
N B (0) êë è U T ø úû
3. raspodjele ekscesnih elektrona u inverznom aktivnom području n BI ( x ) , koja se dobiva
kao rješenje homogenog oblika jednadžbe kontinuiteta, a koja zadovoljava rubni uvjet da
je koncentracija na mjestu x = wB određena naponom UBC preko Boltzmannove jednadžbe
ni2 é æU ö ù
n BI ( wB ) = ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú .
N B ( wB ) êë è U T ø ûú
Ukupno rješenje možemo dakle prikazati kao
n B ( x ) = n0 B ( x ) + n BN ( x ) + n BI ( x ) . (3.73)
Provjerimo da li raspodjela (3.73) zadovoljava rubne uvjete uz emitersku, odnosno

kolektorsku barijeru. Uz emitersku barijeru (x = 0), raspodjela ekscesnih elektrona u inverznom
aktivnom području n BI ( x ) nema utjecaja na ukupnu raspodjelu, jer je
n BI ( 0) = 0 ,
tako da je
ni2 æU ö
n B (0) = n0 B (0) + n BN (0) = ⋅ expç BE ÷ .
N B (0) è UT ø
Identično, uz kolektorsku barijeru (x = wB), raspodjela elektrona u normalnom aktivnom području
n*BN(x) nema utjecaja na ukupnu raspodjelu, jer je
n BN ( wB ) = 0 ,
tako da je
ni2 æU ö
n B ( wB ) = n0 B ( wB ) + n BI ( wB ) = ⋅ expç BC ÷ .
N B ( wB ) è UT ø
Kao što vidimo, ukupno rješenje (3.73) zadovoljava rubne uvjete određene naponima UBE i UBC .
Sljedeći korak je da na osnovi rješenja (3.73) odredimo struje u bazi. Ravnotežna raspodjela
elektrona n0B(x) ne doprinosi strujama, jer su u uvjetima ravnoteže sve komponente struja jednake
nuli. Struje koje odgovaraju raspodjelama n BN ( x ) i n BI ( x ) već znamo: to su izrazi (3.69) i
(3.70) za normalno aktivno područje, odnosno (3.71) i (3.72) za inverzno aktivno područje rada.
Budući da je prema transportnoj jednadžbi za elektrone,
dn
J nB = q ⋅ DnB ⋅ B + q ⋅ µnB ⋅ n B ⋅ ,
dx
struja elektrona linearna funkcija njihove raspodjele, tj. možemo pisati da je
Zadatak 3.17
d
J nB = q ⋅ DnB ⋅ (n0 B + n BN + n BI ) + q ⋅ µnB ⋅ (n0 B + n BN + n BI ) ⋅ =
dx
dn0 B dn dn
= q ⋅ DnB ⋅ + q ⋅ DnB ⋅ BN + q ⋅ DnB ⋅ BI +
dx dx dx
+ q ⋅ µnB ⋅ n0 B ⋅ + q ⋅ µnB ⋅ n BN ⋅ + q ⋅ µ nB ⋅ n BI ⋅ ,
princip superpozicije vrijedi i za struje. Prema tome, emitersku struju dobit ćemo zbrajanjem
izraza (3.69) i (3.72)
a kolektorsku struju zbrajanjem izraza (3.70) i (3.71) (uz odgovarajuću promjenu predznaka)
I C = α ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú − I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú . (3.75)
Formule (3.74) i (3.75) su Ebers-Mollove jednadžbe u svom izvornom obliku, u kojem smo ih
naveli i u uvodu u ovo poglavlje (izrazi (3.63) i (3.64)).
Osvrnimo se na dobivene Ebers-Mollove jednadžbe (3.74) i (3.75) i još jednom ispitajmo
fizikalno značenje pojedinih članova (slika 3.40a). Prvi član u formuli (3.74) za emitersku struju
je “diodna” struja pn-spoja emiter-baza, opisana Shockleyevom jednadžbom
é æU ö ù
I BE = I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú .
êë è U T ø ûú
Toj struji pridodaje se drugi član - struja elektrona koje kolektor injektira u bazu i koju uspiju
proći kroz bazu, a da se ne rekombiniraju u njoj
é æU ö ù
α I ⋅ I BC = α I ⋅ I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú .
êë è U T ø úû
Struja
é æU ö ù
I BC = I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú
êë è U T ø ûú
E (n) B ( p) C(n) IBE α .IBE
IBE α .IBE
IE IC IE IC
E C
αI .IBC IBC
αI .IBC IBC
B
a) b)
Slika 3.40. Ebers-Mollov model npn tranzistora: a) komponente struja u Ebers-Mollovim jedna-
džbama, b) elektronički nadomjesni sklop.
Zadatak 3.17
je “diodna” struja kroz pn-spoj baza-kolektor. Ona je ujedno i drugi pribrojnik u struji kolektora
(3.75). Prvi pribrojnik
é æU ö ù
α ⋅ I BE = α ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú
êë è U T ø úû
je onaj dio struje elektrona koji su injektirani iz emitera, te su uspjeli proći kroz bazu. Negativni
predznaci pojedinih komponenti javljaju se zato jer su smjerovi tih komponenti suprotni
referentnim smjerovima vanjskih struja IC i IE , što se može uočiti i na slici 3.40a. Crtkanim
strelicama su na slici označeni smjerovi gibanja elektrona koje emiter, odnosno kolektor
injektiraju u bazu tranzistora.
Na slici 3.40b prikazan je nadomjesni sklop dobiven iz Ebers-Mollovih jednadžbi. Ovakav
sklopovski prikaz redovito olakšava razumijevanje Ebers-Mollovih jednadžbi. Sklop se sastoji od
dvije diode koje simboliziraju pn-spojeve emiter-baza i baza-kolektor, te dva zavisna strujna
izvora koji su upravljani strujama kroz diode. Zavisni strujni izvori opisuju pojave injekcije i
transporta nosilaca u tranzistoru. Kada tih zavisnih izvora ne bi bilo, model bi se pretvorio u
pasivni spoj dvije nasuprotno spojene diode.
Razmotrimo kako bi izgledale Ebers-Mollove jednadžbe za pnp tranzistor! U pnp tranzistoru
su smjerovi komponenti struja suprotni od onih u npn tranzistoru, ali kako struje IES i ICS za pnp
tranzistore uzimamo negativne, one će svojim predznakom automatski korigirati predznake
komponenti. Međutim, zbog suprotnih tipova vodljivosti pojedinih područja, moraju se
promijeniti referentni polariteti napona na pn-spojevima. Prema tome, za pnp tranzistor Ebers-
Mollove jednadžbe glase
I E = − I ES ⋅ êexpç EB ÷ − 1ú + α I ⋅ I CS ⋅ êexpç CB ÷ − 1ú , (3.76)
U
êë è T ø ûú êë è U T ø ûú
I C = α ⋅ I ES ⋅ êexpç EB ÷ − 1ú − I CS ⋅ êexpç CB ÷ − 1ú . (3.77)
U
Naravno da su u nadomjesnom sklopu pnp tranzistora diode spojene obrnuto nego u

nadomjesnom sklopu za npn tranzistor (prikazanom na slici 3.40b). Međutim, zanimljivo je uočiti
da zavisne strujne izvore ne treba obrtati! Kako struje IES i ICS za pnp tranzistore definiramo kao
negativne, pobudne struje IBE i IBC će u nadomjesnom sklopu biti negativne, što će rezultirati
pravilnim smjerovima struja α · IBE i αI · IBC .
Zadatak 3.18
PNP tranzistor ima sljedeće parametre: α = 0,992, αI = 0,95, ICS = −2⋅10−14 A,
IES = −1,8⋅10−14 A. Izračunajte napone na emiterskom i kolektorskom spoju, ako je
bazna struja IB = −10 µA, a kolektorska struja IC = −0,8 mA, te odredite u kojem
području rada se nalazi tranzistor. UT = 25 mV.
Rješenja: UEB = 0,615 V, UCB = 0,546 V; područje zasićenja.
Zadatak 3.18
3.1.5. Izlazne i ulazne karakteristike idealnog tranzistora

Često u svojim katalozima proizvođači poluvodičkih komponenata daju grafičke
prikaze strujno-naponskih karakteristika tranzistora. Takvi prikazi su cjelovitiji nego
samo brojčane vrijednosti pojedinih parametara, jer pružaju detaljniji uvid u
karakteristike tranzistora, te omogućavaju lakšu usporedbu karakteristika različitih
tipova tranzistora. Iz tih karakteristika mogu se izlučiti ne samo statički parametri
tranzistora, već i neki dinamički (niskofrekvencijski) parametri.
Bipolarni tranzistor ima tri priključnice (elektrode) na kojima se mogu mjeriti tri
struje (IE , IB i IC), te tri napona (UBE , UBC i UCE). Općenito, dvodimenzionalnim grafom
može se prikazati ovisnost bilo koje od ovih šest veličina (ordinata) o nekoj od
preostalih pet veličina (apscisa), uz konstantnu vrijednost neke od preostale četiri
veličine (parametar). Slijedi da se za svaki tranzistor može nacrtati
æç 6ö÷ = 20
è 3ø
potpuno različitih karakteristika [Valkó91]! Među ovih dvadeset karakteristika dvije
karakteristike možemo otpisati, jer povezuju samo struje, odnosno samo napone - te
karakteristike slijede izravno iz Kirchoffovih zakona za struje, odnosno za napone.
Od preostalih 18 karakteristika, svega nekoliko je bitnih i dostatnih za
sveobuhvatnu analizu svojstava tranzistora. Prvenstveno su to izlazne i ulazne
karakteristike za spoj zajedničkog emitera i za spoj zajedničke baze. Izlazne
karakteristike bipolarnog tranzistora za pojedini spoj prikazuju ovisnost izlazne struje o
izlaznom naponu, uz konstantne vrijednosti ulazne struje. Ulazne karakteristike
prikazuju ovisnost ulazne struje o ulaznom naponu, uz izlazni napon kao parametar.
Najvažnije karakteristike tranzistora su:
1. izlazne karakteristike spoja zajedničke baze; prikazuju ovisnost
kolektorske struje o naponu kolektor-baza, za konstantne vrijednosti
emiterske struje, tj.
I C = f (U CB ) I E ;
2. ulazne karakteristike spoja zajedničke baze; prikazuju ovisnost emiterske
struje o naponu emiter-baza, za konstantne vrijednosti napona kolektor-
baza, tj.
I E = f (U EB )U CB ;
3. izlazne karakteristike spoja zajedničkog emitera; prikazuju ovisnost
kolektorske struje o naponu kolektor-emiter, za konstantne vrijednosti
struje baze, tj.
I C = f (U CE ) I B ;
4. ulazne karakteristike spoja zajedničkog emitera; prikazuju ovisnost bazne
struje o naponu baza-emiter, za konstantne vrijednosti napona kolektor-
emiter, tj.
I B = f (U BE )U CE ;
5. prijenosne karakteristike spoja zajedničkog emitera; prikazuju ovisnost
kolektorske struje o baznoj struji, za konstantne vrijednosti napona
kolektor-emiter, tj.
I C = f ( I B )U CE .
U elektroničkim sklopovima se tranzistor u spoju zajedničke baze ne primjenjuje

često, pa se izlazne i ulazne karakteristike za taj spoj koriste vrlo rijetko. Međutim,
analiza rada tranzistora u spoju zajedničke baze je najjednostavnija, jer ulazni napon
odgovara naponu na jednom pn-spoju, a izlazni napon naponu na drugom spoju. Stoga
se izlazne i ulazne karakteristike najjednostavnije mogu analitičkim putem odrediti
upravo za spoj zajedničke baze (to smo uostalom već i učinili za izlazne karakteristike
kada smo izvodili strujno-naponske relacije tranzistora!). Dakle, ulazne i izlazne
karakteristike spoja zajedničke baze imaju uglavnom pedagoški značaj.
Tranzistor se daleko najčešće koristi u spoju zajedničkog emitera, pa su
karakteristike za taj spoj najrasprostranjenije. To se posebno odnosi na izlazne
karakteristike. Prijenosne karakteristike za spoj zajedničkog emitera bitne su pri analizi
ovisnosti faktora strujnog pojačanja o razinama bazne, odnosno kolektorske struje. S
obzirom da u osnovnoj analizi rada tranzistora pretpostavljamo da je faktor strujnog
pojačanja konstantan, prijenosna karakteristika će biti pravac i od njenog crtanja nema
nikakve koristi.
Zadatak 3.19
Pomoću Ebers-Mollovih jednadžbi treba skicirati:
a) izlazne, odnosno
b) ulazne karakteristike
za spoj zajedničke baze npn tranzistora koji ima α = 0,99, αΙ = 0,91, ICBO = 5⋅10−14 A.
Baza tranzistora je homogeno dopirana, temperatura je 300 K.
Rješenje:
a)
Izlazne karakteristike u spoju zajedničke baze prikazuju ovisnost kolektorske struje o naponu
kolektor-baza uz konstantne vrijednosti emiterske struje. Prema tome, da bismo pomoću Ebers-
Mollovih jednadžbi mogli nacrtati izlazne karakteristike, iz njih moramo izraziti kolektorsku
struju kao funkciju napona kolektor-baza i struje emitera, tj.
I C = f (U CB , I E ) .
Ebers-Mollova jednadžba (3.64) za kolektorsku struju,

I C = α ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú − I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú ,
daje ovisnost kolektorske struje o naponu kolektor-baza, ali se na njenoj desnoj strani nalazi i
napon UBE kao nezavisna veličina. Da bismo uklonili taj napon, te da bi se na desnoj strani
pojavila struja emitera kao varijabla, iz Ebers-Mollove jednadžbe (3.63) za emitersku struju,
I E = − I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú + α I ⋅ I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú ,
izlučit ćemo
I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú = α I ⋅ I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú − I E ,
te uvrstiti u jednadžbu za kolektorsku struju. Nakon sređivanja dobivamo da je
é æU ö ù
I C = −α ⋅ I E − (1 − α ⋅ α I ) ⋅ I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú . (3.78)
êë è U T ø ûú
Na desnoj strani jednadžbe (3.78) figurira struja ICS , čiji iznos u ovom trenutku ne znamo,
ali ćemo ju lako odrediti ako razmotrimo u što će se preobratiti izraz (3.78) za normalno aktivno
područje rada tranzistora. U normalnom aktivnom području rada, za npn tranzistor je UBC < 0.
Ako je UCB >> UT , eksponencijalna funkcija u uglatoj zagradi u (3.78) je zanemariva u odnosu na
1, pa možemo pisati da je
I C = −α ⋅ I E + (1 − α ⋅ α I ) ⋅ I CS . (3.79)
Kada je struja IE = 0, prema izrazu (3.79) kolektorska struja jednaka je
I C = (1 − α ⋅ α I ) ⋅ I CS ,
a od prije znamo da je kolektorska struja u tim uvjetima jednaka struji ICBO . Prema tome
I CBO = (1 − α ⋅ α I ) ⋅ I CS , (3.80)
što upućuje na to da je jednadžba (3.79) ekvivalentna jednadžbi
I C = −α ⋅ I E + I CBO ,
s kojom smo već upoznali kod analize struja tranzistora u normalnom aktivnom području. Slijedi
da jednadžbu (3.78) možemo napisati i kao
é æU ö ù
I C = −α ⋅ I E − I CBO ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú . (3.81)
êë è U T ø ûú
Na osnovi zadanih parametara možemo pomoću jednadžbe (3.81) izračunati kolektorske

struje za razne napone UCB i struje IE . U tablici 3.6 dane su neke vrijednosti prema kojima su
nacrtane izlazne karakteristike na slici 3.41. Da bi se lakše razlučila pojedina naponska područja
rada na izlaznim karakteristikama, ona su različito šrafirana.
Na uvećanom dijelu karakteristika oko ishodišta jasno se mogu razlučiti granice između
pojedinih područja rada; normalno aktivno područje i područje zapiranja nalaze se desno od
ishodišta (UCB > 0), a područje zasićenja i inverzno aktivno područje lijevo od ishodišta
(UCB < 0). Karakteristika UBE = 0 razgraničava normalno aktivno od područja zapiranja, odnosno
zasićenje od inverznog područja. Također se može uočiti da se najdonja izlazna karakteristika
(IE = 0) za napone UCB > 0 nalazi u zapornom području, tj. ispod karakteristike UBE = 0.
Uostalom, to smo već utvrdili u rješenju zadatka 3.6 pri određivanju struje ICBO (vidi sliku 3.26).
Zadatak 3.19
Tablica 3.6. Kolektorske struje za izlazne karakteristike tranzistora u spoju

zajedničke baze na slici 3.41.
IE 0 −1 mA −2 mA −3 mA −4 mA −5 mA
U CB IC
V mA
−0,650 −4,37 −3,38 −2,39 −1,40 −0,410 0,580
−0,625 −1,66 −0,668 0,322 1,31 2,30 3,29
−0,600 −0,629 0,361 1,35 2,34 3,33 4,32
−0,575 −0,239 0,751 1,74 2,73 3,72 4,71
−0,550 −0,0906 0,899 1,89 2,88 3,87 4,86
−0,525 −0,0344 0,956 1,95 2,94 3,93 4,92
−0,500 −0,0130 0,977 1,97 2,96 3,95 4,94
0 0 0,990 1,98 2,97 3,96 4,95
zasićenje normalno aktivno p.

6 IE =
5 –5 mA
4 –4 mA
3 –3 mA
IC
2 –2 mA
mA
1 –1 mA
0 IE = 0
−1 zapiranje
−2
−1 0 1 2 3
inverzno aktivno p. UCB / V
normalno aktivno p.
zasićenje zapiranje
UBE = 0
ICS
IE = 0 UEB >> UT ICBO

(1 − α I ) ICS
inverzno
aktivno p.
Slika 3.41. Izlazne karakteristike npn tranzistora u spoju zajedničke

baze s označenim naponskim područjima rada. Napomena: na
uvećanoj karakteristici strujna os je puno jače razvučena od
naponske!
Zadatak 3.19
Još jednom uočimo kako je za emiterske struje IE < 0, kolektorska struja različita od nule čak
i kada je napon na kolektorskom spoju UCB = 0. Emiterska struja koju “vučemo” iz tranzistora
uzrokuje propusnu polarizaciju emiterskog spoja, odnosno injekciju nosilaca iz emitera u bazu.
Zbog te injekcije i zbog napona UCB = 0, u bazi postoji gradijent koncentracije manjinskih
nosilaca i većina nosilaca će dodifundirati do kolektorske barijere, te potjerati kolektorsku struju
(slika 3.42a).
IE < 0
nB nB pC
injekcija
elektrona
difuzija elektrona IE = konst. dQ nB
prema kolektoru
dQ pC
p0C
n0B n0B
0 wB 0 wB
a) b)
Slika 3.42. a) Emiterska struja IE uzrokuje injekciju elektrona iz emitera u bazu,
pa kolektorska struja teče iako je napon UCB = 0. b) Porastom napona UCB
smanjuje se ekscesni naboj u bazi, te se javlja manjak šupljina u bazi. Zbog toga
se smanjuje rekombinacija u bazi, odnosno povećavaju generacije nosilaca u
bazi i kolektoru, pa raste kolektorska struja. Svjetlijim linijama su označene
raspodjele za UCB = 0.
Povećanjem napona UCB funkcija raspodjele manjinskih nosilaca u bazi se translatira prema
dolje (slika 3.42b). Razumno je pretpostaviti da je (za npn tranzistor) IE = InE , a znamo da je
struja InE proporcionalna gradijentu funkcije raspodjele. Prema tome, za jednake emiterske struje
raspodjele elektrona su međusobno paralelni pravci, koji dodiruju kolektorsku barijeru na
koncentraciji nBw određenoj naponom UCB . Uslijed translacije raspodjele elektrona u bazi prema
apscisi, smanjuje se ekscesni naboj u bazi, a u dijelu baze nastaje i manjak elektrona. Zato će se
smanjiti rekombinacija nosilaca u bazi (u dijelu u kojem je koncentracija elektrona manja od
ravnotežne postojat će i generacija elektrona!), te će doći do porasta kolektorske struje.
Istovremeno se i u kolektoru raspodjela manjinskih šupljina spušta ispod ravnotežne (vidi sliku
3.42b) - generacija šupljina u kolektoru do koje zbog toga dolazi, te njihova difuzija prema
kolektorskoj barijeri dodatno povećava kolektorsku struju.
Teoretski, za beskonačno veliki napon UCB koncentracije nBw i p0C će biti jednake nuli,
rekombinacija u bazi najslabija, a generacija u kolektoru najveća. Stoga će kolektorska struja biti
maksimalna - za struju ICBO veća od kolektorske struje pri naponu UCB = 0. Međutim, kako je
“manevarski prostor” ispod ravnotežnih koncentracija u bazi i kolektoru dosta skučen (ravnotežne
koncentracije su redovito dosta manje od ekscesnih), prirast kolektorske struje (tj. struja ICBO) u
normalnom aktivnom području je i za velike priraste napona UCB redovito zanemariv.
Vjerujemo da će čitatelju ovo razlaganje biti jasnije, ako ga uputimo da se rad tranzistora u
normalnom aktivnom području rada uz neki napon UCB ≠ 0 može prikazati superpozicijom rada uz
istu emitersku struju i napon UCB = 0, odnosno uz IE = 0 i zadani UCB (slika 3.43).
Zadatak 3.19
IE < 0 IE < 0 IE = 0
UCB > 0 UCB = 0 UCB > 0
nB nB ICBO
= pC +
pC nB pC
Slika 3.43. Superpozicija rada npn tranzistora u normalnom aktivnom području uz napon
UCB > 0.
b)
Ulazne karakteristike za spoj zajedničke baze prikazuju ovisnost emiterske struje o naponu
emiter-baza, za različite vrijednosti napona kolektor-baza. Da bismo ih mogli nacrtati, treba nam
dakle funkcija oblika
I E = f (U EB , U CB ) ,
a upravo takvu funkcijsku ovisnost daje Ebers-Mollova jednadžba (3.63) za emitersku struju,
za koju prethodno trebamo izračunati struje IES i ICS . Uočimo da je za nepromjenjivi napon UBC
drugi pribrojnik u gornjoj funkciji konstanta, odnosno ulazna karakteristika ima oblik
é æU ö ù
I E = − I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú + C ,
êë è U T ø ûú
što odgovara strujno-naponskoj jednadžbi diode emiter-baza pomaknutoj duž strujne osi za neki
iznos određen naponom UBC .
Struju ICS lako ćemo izračunati pomoću izraza (3.80)
I CBO
I CS = = 5,05 ⋅ 10 −13 A .
1 − α ⋅αI
Struju IES možemo izračunati iz struje ICS i omjera zadanih faktora strujnih pojačanja α i αI ,
preko relacije
I CS γ
= . (3.82)
I ES γ I
Ova formula dobiva se vrlo jednostavno, znamo li da su
I nES
I ES = , (3.83)
γ
I nCS
I CS = . (3.84)
γI
InES i InCS su elektronske komponente odgovarajućih reverznih struja spoja emiter-baza,
Zadatak 3.19
ni2 DnB
I nES = S ⋅ q ⋅ ⋅ , (3.85)
N B wB
odnosno kolektor-baza
ni2 DnB
I nCS = S ⋅ q ⋅ ⋅ , (3.86)
N B wB
dok su γ i γI faktori efikasnosti emitera, odnosno kolektora. Iz izraza (3.85) i (3.86) očevidno je da
su struje InES i InCS međusobno jednake, tako da iz (3.83) i (3.84) izravno slijedi omjer (3.82).
Kako je baza zadanog tranzistora homogena, u njoj nema ugrađenog električnog polja, pa je
nosiocima u bazi svejedno gibaju li se od emitera prema kolektoru ili obrnuto. Stoga će
transportni faktori baze u normalnom aktivnom području rada i u inverznom aktivnom području
rada biti međusobno jednaki, tj.
β * = β I* .
Koristeći ovu činjenicu, izraz (3.82) možemo proširiti množenjem brojnika i nazivnika razlomka
na desnoj strani s odgovarajućim transportnim faktorima, tako da dobijemo
I CS γ ⋅ β* α
= = . (3.87)
I ES γ I ⋅ β I α I
*
Izlučimo li struju IES i uvrstimo vrijednosti, dobit ćemo da je

αI
I ES = ⋅ I = 4,64 ⋅ 10 −13 A .
α CS
Sada možemo izračunati emiterske struje za razne napone UBE i UBC (vidi tablicu 3.7), te
skicirati ulazne karakteristike (slika 3.44). Ulazne karakteristike nacrtane su za napon UCB = 0, te
za dva napona propusne polarizacije na emiterskom spoju.
Ulazne karakteristike za UCB > 0 se praktično poklapaju s karakteristikom za UCB = 0. Tek se
na uvećanom dijelu ulaznih karakteristika zapaža da te karakteristike leže iznad karakteristike za
UCB = 0 i da samo potonja prolazi točno kroz ishodište koordinatnog sustava. Ulazne
karakteristike za UCB < 0 pomaknute su
prema pozitivnim emiterskim strujama. Do
objašnjenja za ovakav raspored karakteristika Tablica 3.7. Emiterske struje za ulazne
karakteristike npn tranzistora u spoju
za različite napone UCB čitatelj će vrlo lako
zajedničke baze na slici 3.44.
doći, nacrta li raspodjele manjinskih nosilaca
u tranzistoru za te napone i za neki stalni
UCB 0 −0,55 V −0,57 V
napon UEB , najjednostavnije za UEB = 0,
kako je prikazano na slici 3.45. U EB IE
Osvrnimo se na često korištenu V mA
jednadžbu (3.87)
0 0 0,832 1,80
I CS α
= . −0,400 −0,00254 0,829 1,80
I ES α I
−0,450 −0,0175 0,814 1,79
Ona iskazuje recipročnost Ebers-Mollovog −0,500 −0,121 0,710 1,68
modela. Iako smo dokazali da vrijedi za
−0,550 −0,840 −0,00806 0,963
tranzistor sa homogenom bazom, dokaz se
može proširiti na proizvoljnu raspodjelu −0,600 −5,81 −4,98 −4,01
primjesa u bazi [Shockley51, Ebers54]. U − 0,650 −40,2 −39,4 − 38,4
Zadatak 3.19
–5
–4
–3
normalno aktivno p.
IE –2
zapiranje
mA –1
UCB ≥ 0 zasićenje
0
UCB = −0,55 V
1
UCB = − 0,57 V
2
0,2 0 –0,2 –0,4 –0,6 –0,8
UEB / V
inverzno
aktivno p.
UCB >>UT
zapiranje UCB = +10 mV
UCB = 0
α I ICS
normalno Slika 3.44. Ulazne karakteristike
aktivno p. npn tranzistora u spoju zajedni-
IES zasićenje čke baze. Napomena: na
uvećanoj karakteristici je strujna
os puno jače razvučena od
naponske!
inverzno aktivno p.
UEB = 0 UEB = 0 UEB = 0

UCB = 0 UCB > 0 UCB < 0
pC
IE = 0 pC = p0C IE = InE
IE = InE
nB = n0B
pE = p0E
pC nB
pE nB pE
a) b) c)
Slika 3.45. Raspodjele manjinskih nosilaca u npn tranzistoru i emiterska struja uz UEB = 0 i:
a) UCB = 0, b) UCB > 0, c) UCB < 0.
Prilogu na kraju Zbirke dokaz recipročnosti Ebers-Mollovog modela proveden je za tranzistor u

kojemu se koncentracija primjesa mijenja po eksponencijalnoj funkciji.
Zadatak 3.19
500 Ω
+
IE = 10 mA Ie = 4 mA UCC = 10 V
a)
− iE iC
− iE =
14 mA 14 mA 14 mA
Q Q
8 mA 10 mA 10 mA 10 mA
6 mA 6 mA 6 mA
u EB / V
−0,602 −0,624 0 3V 7V uCB
22 mV 4V
b) c)
Slika 3.46. Strujno i naponsko pojačanje tranzistora u spoju zajedničke baze:
a) elektronički sklop, b) ulazne karakteristike, c) izlazne karakteristike [Valkó91].
Budući da sada znamo točan oblik ulaznih i izlaznih karakteristika, možemo i kvantitativno
dokazati da tranzistor u spoju zajedničke baze, iako ima strujno pojačanje manje od 1, može
pružiti veliko naponsko pojačanje, a time i pojačanje snage. Pretpostavimo da je tranzistor iz
našeg zadatka spojen u jednostavni elektronički sklop prema slici 3.46a. Istosmjerni izvor vuče iz
tranzistora emitersku struju IE = −10 mA, na koju je superponirana sinusna struja amplitude
Ie = 4 mA - emiterska struja mijenja se u rasponu od iE,min = −6 mA do iE,max = −14 mA.
Promjena emiterske struje uzrokuje istovremene promjene napona na emiterskom spoju u
intervalu od uEB,min = −0,602 V do uEB,max = −0,624 V (slika 3.46b). Ove vrijednosti dobivene su
preko Ebers-Mollove jednadžbe za emitersku struju (3.63)
u koju je uvršten UBC = 0†, tako da je otpao drugi pribrojnik, a zatim je izlučen napon UBE
† Prešutno pretpostavljamo da je napon na kolektorskom spoju konstantan i jednak nuli! Uskoro

ćemo vidjeti da to nije točno i da u stvari radna točka na ulaznim karakteristikama pri promjeni
emiterske struje (zbog promjene napona UBC) prelazi s jedne ulazne karakteristike na drugu.
Međutim, kako se ulazne karakteristike za normalno aktivno područje gotovo podudaraju (vidi
sliku 3.44 na str. 68), te promjene napona UBC ćemo zanemariti.
Zadatak 3.19
æ−I ö
U EB = −U T ⋅ lnç E ÷ .
è I ES ø
Uvrštavanjem iE,min = −6 mA, te iE,max = −14 mA u gornji izraz (IES = 4,64⋅10−13 A) dobivaju se
navedene vrijednosti za uEB,min , odnosno uEB,max .
Uslijed nelinearnosti ulazne karakteristike, valni oblik izmjenične komponente napona uEB
neće biti vjerna preslika sinusne izmjenične komponente emiterske struje, već će biti više ili
manje izobličen, ovisno o amplitudi promjene emiterske struje. To na izlaznu kolektorsku struju,
te na napon kolektor-baza nema nikakvog utjecaja, jer su oni u normalnom aktivnom području
izravno proporcionalni emiterskoj struji. Radi jednostavnosti ćemo ipak zanemariti izobličenja
napona ueb , te je njegova amplituda jednaka polovici hoda napona uEB :
1 22 mV
U eb = u EB , max − u EB , min = .
2 2
Uz pretpostavke da su izmjenične komponente emiterske struje i emiterskog napona sinusni
valni oblici, snaga koju tranzistoru predaje izvor izmjenične struje je
1
Pe = ⋅ U eb ⋅ I e = 22 µW
2
Zbog promjena emiterske struje, mijenjat će se i kolektorska struja, a time i pad napona na
potrošaču. Uočimo da kolektor tranzistora nije spojen izravno na naponski izvor, već se između
njih nalazi potrošač, pa promjene kolektorske struje uzrokuju i promjene napona na spoju
kolektor-baza. Pri najmanjoj vrijednosti emiterske struje iE,min = −6 mA, kolektorska struja je
iC , min = −α ⋅ i E , min = 5,94 mA ,
dok je napon na spoju kolektor-baza (slika 3.46c)
uCB , max = U CC − iC , min ⋅ R P = 7,03 V .
UCC = 10 V je napon izvora u kolektorskom krugu, a RP = 500 Ω je otpor potrošača. Pri najvećoj
vrijednosti emiterske struje iE,max = −14 mA, kolektorska struja je
iC , max = −α ⋅ i E , max = 13,9 mA ,
a napon kolektor-baza je
uCB , min = U CC − iC , max ⋅ R P = 3,07 V .
Izmjenična komponenta pada napona na potrošaču jednaka je izmjeničnoj komponenti

napona na kolektorskom spoju, jer u kolektorskom krugu nema drugih elemenata na koje bi se
raspodijelio izmjenični napona ucb (napon izvora je konstantan). Stoga je
1
U p = U cb = ⋅ uCB , max − uCB , min = 1,98 V .
2
Naravno da smo napon na potrošaču mogli računati i kao
U p = I c ⋅ RP = α ⋅ I e ⋅ RP ; (3.88)
rezultat bi bio jednak.
Na osnovi dosadašnjih rezultata možemo odrediti naponsko pojačanje sklopa na slici 3.46a
kao omjer napona na potrošaču i ulaznog napona,
Up
AV = = 180 .
U eb
Zadatak 3.19
Kao što vidimo, naponsko pojačanje je puno veće od 1, iako je faktor strujnog pojačanja α = 1.
Prema izrazu (3.88) slijedi da bi za veće otpore potrošača naponsko pojačanje bilo veće.
Međutim, treba voditi računa o tome da radna točka tranzistora ne izađe iz normalnog aktivnog
područja rada, jer u tom slučaju kolektorska struja prestaje biti proporcionalna emiterskoj struji,
tj. prestaje vrijediti odnos
I C = −α ⋅ I E .
Snaga koju se disipira na potrošaču je
1
Pp = ⋅ U p ⋅ I c = 3,92 mW ,
2
pa je pojačanje snage
Pp Up
AP = =α⋅ = 178 .
Pe U eb
Zadatak 3.20
Za npn tranzistor koji ima β = 110, βI = 9 i ICEO = 5 pA, pomoću Ebers-Mollovih
jednadžbi treba nacrtati:
a) ulazne, odnosno
b) izlazne karakteristike
spoja zajedničkog emitera. T = 300 K. Pretpostaviti da je baza tranzistora homogeno
dopirana.
Rješenje:
a)
Ulazne karakteristike za spoj zajedničkog emitera prikazuju ovisnost bazne struje o naponu
baza-emiter, uz konstantne vrijednosti napona kolektor-emiter. Da bismo ih mogli nacrtati,
trebamo dakle iz Ebers-Mollovih jednadžbi izvesti funkciju oblika
I B = f (U BE , U CE ) .
S obzirom da je struja baze

I B = − IC − I E ,
uvrštavanjem osnovnih oblika Ebers-Mollovih jednadžbi (3.63) i (3.64)
I E = − I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú + α I ⋅ I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú
êë è U T ø ûú êë è U T ø ûú
dobit ćemo da je struja baze
I B = (1 − α ) ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú + (1 − α I ) ⋅ I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú .
U ovoj jednadžbi “smeta” nam napon UBC - potrebna nam je ovisnost o naponu UCE . Zato ćemo
napon UCB nadomjestiti s
Zadatak 3.20
U BC = U BE − U CE ,
pa dobivamo da je
é æU ö ù é æU ö æ U ö ù
I B = (1 − α ) ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú + (1 − α I ) ⋅ I CS ⋅ êexpç BE ÷ ⋅ expç − CE ÷ − 1ú , (3.89a)
U
êë è T ø ûú U
êë è T ø è U T ø ûú
ili, nakon grupiranja članova uz napon UBE ,
é æ U öù æU ö
I B = ê(1 − α ) ⋅ I ES + (1 − α I ) ⋅ I CS ⋅ expç − CE ÷ ú ⋅ expç BE ÷ − [(1 − α ) ⋅ I ES + (1 − α I ) ⋅ I CS ] .
êë è U ø
T ú û è UT ø
(3.89b)
Dobili smo da je ulazna karakteristika oblika
æU ö
I B = f (U CE ) ⋅ expç BE ÷ − C .
è UT ø
Prema tome, za određenu vrijednost napona UCE ulazna karakteristika ima isti oblik kao i strujno-
naponska karakteristika pn-spoja emiter-baza, samo je translatirana prema negativnim
vrijednostima bazne struje za iznos konstante C, tj. za član u drugoj uglatoj zagradi izraza (3.89b).
Ako je napon UCE = 0, članovi u obje uglate zagrade izraza (3.89b) međusobno su jednaki, što
znači da će ulazna karakteristika prolaziti točno kroz ishodište koordinatnog sustava.
Da bismo mogli pomoću izraza (3.89b) izračunati struje baze, prvo trebamo iz zadanih
podataka izračunati:
β
α= = 0,991 ,
β +1
βI
αI = = 0,900 ,
βI + 1
I CBO (1 − α ) ⋅ I CEO
I CS = = = 4,17 ⋅ 10 − 13 A ,
1 − α ⋅αI 1 − α ⋅αI
αI
I ES = I CS ⋅ = 3,78 ⋅ 10 −13 A .
α
U tablici 3.8 dane su bazne struje za nekoliko vrijednosti napona baza-emiter i kolektor-
emiter. Prema tim vrijednostima nacrtane su karakteristike na slici 3.47. Na uvećanom dijelu
karakteristika oko ishodišta jasno se vidi da samo karakteristika za UCE = 0 prolazi kroz ishodište
koordinatnog sustava. Karakteristike za UCE > 0 (normalno aktivno područje) prolaze ispod
ishodišta, a za UCE < 0 (područje zasićenja) prolaze iznad ishodišta.
Do fizikalnog obrazloženja zašto ulazne karakteristike za UCE > 0 prolaze ispod ishodišta (tj.
zašto je bazna struja negativna pri UBE = 0) može se doći vrlo jednostavno nacrtaju li se
raspodjele manjinskih nosilaca u bazi za UBE = 0 i za različite napone UCE (slika 3.48). Budući da
je napon UBE = 0, koncentracija manjinskih elektrona u bazi npn tranzistora uz emitersku barijeru
jednaka je ravnotežnoj. Iz istog razloga je cjelokupna raspodjela manjinskih šupljina u emiteru
jednaka ravnotežnoj, pa je struja IpE = 0. Prema tome (uz zanemarenje struje ICBO) struja baze
sastoji se samo od rekombinacijske/generacijske komponente IR .
Zadatak 3.20
Tablica 3.8. Bazne struje za ulazne karakteristike npn tranzistora

u spoju zajedničkog emitera na slici 3.47.
UCE +10 V +50 mV 0 −50 mV

U BE IB
V µA
0,400 0,197 0,513 2,38 15,3
0,425 0,517 1,35 6,27 40,3
0,450 1,36 3,55 16,5 106
0,475 3,58 9,33 43,4 279
0,500 9,41 24,5 114 733
0,525 24,8 64,5 300 1929
inverzno
inverzno aktivno p. zasićenje
aktivno p. 100
zasićenje
80
UCE =−50 mV
IB 60 UCE = −50 mV
µΑ 0
40
UCE = 0 +50 mV normalno
+10 V aktivno
+50 mV 20 područje
zapiranje normalno 0
UCE >>UT aktivno p. −0.2 0 0,2 0,4 0,6 0,8
UBE / V
Slika 3.47. Ulazne karakteristike npn tranzistora u spoju zajedničkog emitera.
Napomena: na uvećanoj karakteristici je strujna os puno jače razvučena od
naponske!
Ako je napon UCE = 0, tada je i napon na kolektorskoj barijeri jednak nuli. Raspodjela
elektrona u bazi se poklapa s ravnotežnom raspodjelom (slika 3.48a), tako da je rekombinacijska
struja baze jednaka nuli - ulazna karakteristika siječe ordinatu u ishodištu.
Za UCE > 0 kolektorski spoj je zaporno polariziran. Zbog izvlačenja manjinskih nosilaca iz
baze u kolektor, javlja se manjak elektrona u bazi (slika 3.48b), koji se nastoji nadoknaditi
pojačanom generacijom nosilaca (parova elektron-šupljina) u bazi. Višak tako generiranih
većinskih šupljina potjerat će generacijsku struju iz baze tranzistora (kao da je rekombinacijska
komponenta negativna!), pa će bazna struja biti negativna - ulazna karakteristika će sjeći ordinatu
kod negativne bazne struje, odnosno ispod ishodišta.
Ako je UCE < 0, kolektorski spoj je propusno polariziran. Ekscesni naboj elektrona (slika
3.48c) uzrokuje rekombinacijsku struju, pa je bazna struja pozitivna - ulazna karakteristika siječe
ordinatu iznad ishodišta.
Zadatak 3.20
UBE = 0 UBE = 0 UBE = 0

UCE = 0 UCE > 0 UCE < 0
nB nB nB
manjak nBw
elektrona
n0B nB0 nB0
ekscesni
nBw elektroni
0 wB x 0 wB x 0 wB x
a) b) c)
Slika 3.48. Utjecaj raspodjele manjinskih elektrona u bazi na rekombinacijsku komponentu
struje baze pri naponu UBE = 0. a) Ako je i napon UCE = 0, raspodjela elektrona u bazi se
poklapa s ravnotežnom, pa je IR = 0. b) Kada je UCE > 0, manjak elektrona uzrokuje
generacijsku struju (tj. rekombinacijska struja je negativna). c) Ako je UCE < 0, ekscesni naboj
elektrona uzrokovat će rekombinacijsku struju.
b)
Izlazne karakteristike spoja zajedničkog emitera prikazuju ovisnost kolektorske struje o
naponu između kolektora i emitera, za konstantne vrijednosti bazne struje. Prema tome, da bismo
ih mogli nacrtati, trebamo iz Ebers-Mollovih jednadžbi izlučiti funkciju oblika
I C = f (U CE , I B ) .
Pođimo od izraza (3.81)

é æU ö ù
I C = −α ⋅ I E − I CBO ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú ,
êë è U T ø úû
u koji ćemo uvrstiti supstitucije:
I E = − IC − I B ,
U BC = U BE − U CE .
Tim supstitucijama ćemo eliminirati struju IE i napon UBC iz gornjeg izraza. Nakon sređivanja
dobit ćemo da je
α I é æU ö æ U ö ù
IC = ⋅ I B − CBO ⋅ êexpç BE ÷ ⋅ expç − CE ÷ − 1ú . (3.90)
1−α 1 − α êë è U T ø è U T ø úû
U ovoj jednadžbi pojavila nam se suvišna varijabla UBE na desnoj strani. Da bismo ju eliminirali,
upotrijebit ćemo jednadžbu
é æU ö ù
I E = −α I ⋅ I C − I EBO ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú , (3.91)
êë è U T ø úû
koja je ekvivalentna jednadžbi (3.81). Iz (3.91) ćemo izlučiti
æU ö I + α I ⋅ IC − I B − IC + α I ⋅ IC I + (1 − α I ) ⋅ I C
expç BE ÷ = 1 − E = 1− = 1+ B ,
è UT ø I EBO I EBO I EBO
pa nakon uvrštavanja u (3.90) i sređivanja dobivamo da je
Zadatak 3.20
æ I ö æ U ö
α ⋅ I B + I CBO − ç I B ⋅ CBO + I CBO ÷ ⋅ expç − CE ÷
è I EBO ø è UT ø
IC = . (3.92)
I CBO æ U CE ö
1− α + ⋅ (1 − α I ) ⋅ expç − ÷
I EBO è UT ø
U normalnom aktivnom području je UCE >> UT , tako da su članovi s eksponencijalnim

funkcijama postaju zanemarivi, pa (3.92) prelazi u već poznati izraz
α I
⋅ I B + CBO = β ⋅ I B + I CEO .
IC =
1− α 1− α
Za inverzno aktivno područje je −UCE >> UT , tako da u (3.92) prevladavaju članovi s
eksponencijalnim funkcijama. Limes gornjeg izraza kada UCE → −∞ dat će za kolektorsku struju
æ I ö
− ç I B ⋅ CBO + I CBO ÷
è I EBO ø − ( I B + I EBO )
IC = = = −(1 + β I ) ⋅ ( I B + I EBO ) .
I CBO 1− αI
⋅ (1 − α I )
I EBO
βI je faktor strujnog pojačanja spoja zajedničkog emitera u inverznom aktivnom području rada.
Kao što vidimo, i za dovoljno velike negativne vrijednosti napona kolektor-emiter karakteristike
su horizontalni pravci. Izlazne karakteristike u inverznom aktivnom području rada su po obliku
slične karakteristikama u normalnom aktivnom području samo su sabijene (faktor βI je za realne
tranzistore puno manji od β) i zarotirane za 180° u treći kvadrant.
U tablici 3.9 dane su neke vrijednosti kolektorske struje prema kojima su nacrtane
karakteristike na slici 3.49. Na slici je crtkanom linijom označena granica između normalnog
aktivnog i područja zasićenja (UCB = 0). Funkcijski oblik te granice možemo dobiti iz početne
Ebers-Mollove jednadžbe za kolektorsku struju (3.64)
U
êë è T ø ûú êë è U T ø úû
tako da uvrstimo uvjet UCB = 0. Dobit ćemo da je granica određena funkcijom
Tablica 3.9. Kolektorske struje za izlazne karakteristike npn tranzistora u spoju zajedničkog
emitera na slici 3.49.
IB 0 10 µA 20 µA 30 µA 40 µA 50 µA
U CE IC
V A
−0,150 −4,08⋅10−13 −9,97⋅10−5 −1,99⋅10−4 −2,99⋅10−4 −3,99⋅10−4 −4,99⋅10−4
−0,050 −3,46⋅10−13 −8,60⋅10−5 −1,72⋅10−4 −2,58⋅10−4 −3,44⋅10−4 −4,30⋅10−4
0 0 −9,24⋅10−6 −1,85⋅10−5 −2,77⋅10−5 −3,70⋅10−5 −4,62⋅10−5
0,025 5,49⋅10−13 1,13⋅10−4 2,25⋅10−4 3,38⋅10−4 4,50⋅10−4 5,63⋅10−4
0,050 1,55⋅10−12 3,34⋅10−4 6,67⋅10−4 1,00⋅10−3 1,33⋅10−3 1,67⋅10−3
0,100 3,90⋅10−12 8,56⋅10−4 1,71⋅10−3 2,57⋅10−3 3,42⋅10−3 4,28⋅10−3
0,150 4,81⋅10−12 1,06⋅10−3 2,11⋅10−3 3,17⋅10−3 4,23⋅10−3 5,29⋅10−3
0,250 5,00⋅10−12 1,10⋅10−3 2,20⋅10−3 3,30⋅10−3 4,40⋅10−3 5,50⋅10−3
Zadatak 3.20
zasićenje UCB = 0 normalno aktivno p.

6 IB =
50 µΑ
5
40 µΑ
4
3 30 µΑ
IC
mA 2 20 µΑ
1 10 µΑ
0 IB = 0
zapiranje
−1
−1 0 1 2 3
inverzno UCE / V
aktivno p.
UBC= 0
normalno aktivno p.
zasićenje IB = 0
zapiranje ICS 1 − α.α I
UBE = 0 I CS
1−α
zapiranje
inverzno inverzno
aktivno p. zasićenje
Slika 3.49. Izlazne karakteristike npn tranzistora u spoju zajedničkog

emitera.
I C = α ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú = α ⋅ I ES ⋅ êexpç CE ÷ − 1ú .
Pogledajmo koliko bi bilo naponsko pojačanje i pojačanje snage ovog tranzistora u spoju
zajedničkog emitera, u sklopu na slici 3.50a. Na osnovi ulaznih karakteristika (uz pretpostavku da
je UCE = 0, te da nema izobličenja) amplituda napona baza-emiter je Ub = 11 mV (slika 3.50b).
Slično kao u primjeru spoja zajedničke baze u prethodnom zadatku (vidi sliku 3.46 i popratni
tekst), dobit ćemo
1
Pb = ⋅ U b ⋅ I b = 220 nW ,
2
I c = β ⋅ I b = 4,4 mA ,
U p = U ce = I c ⋅ RP = 2,2 V ,
1
Pp = ⋅ U p ⋅ I c = 4,64 mW .
2
Zadatak 3.20
500 Ω
+
UCC = 10 V
IB = 100 µΑ Ib = 40 µΑ
a)
iB iC
iB =
15,4 mA 140 µΑ
140 µΑ
Q 11 mA
Q 100 µΑ
80 µΑ 100 µΑ
60 µΑ 6,6 mA 60 µΑ
uBE / V
0,543 0,565 0 2,3 V 6,7 V
uCE
22 mV 4,4 V
b) c)
Slika 3.50. Strujno i naponsko pojačanje tranzistora u spoju zajedničkog emitera:
a) elektronički sklop, b) ulazne karakteristike, c) izlazne karakteristike.
Iz ovih podataka lako se izračunaju naponsko pojačanje

Up
AV = = 200 ,
Ub
te pojačanje snage
Pp U p ⋅ Ic
Ap = = = AV ⋅ β = 22000 .
Pe Ub ⋅ Ib
Ovi rezultati jasno pokazuju da tranzistor u spoju zajedničkog emitera, osim velikog strujnog
pojačanja (definiranog faktorom β), pruža i veliko naponsko pojačanje, što rezultira vrlo velikim
pojačanjem snage. Usporedimo li ove rezultate s rezultatima za spoj zajedničke baze, zapazit
ćemo da su naponska pojačanja približno ista. Međutim, kako je strujno pojačanje puno veće, i
pojačanje snage tranzistora u spoju zajedničkog emitera je puno veće. Iako tranzistor iz
prethodnog zadatka ima nešto manji β (β = 99), to nema značajnog utjecaja na općenitost ovih
zaključaka.
Promatrajući rezultate uz sliku 3.50, nameće se neizbježno pitanje kako fizikalno objasniti
pojavu da u spoju zajedničkog emitera male promjene bazne struje uzrokuju puno veće promjene
kolektorske struje. Kod spoja zajedničke baze situacija je bitno jednostavnija, jer tamo dio ulazne
Zadatak 3.20
emiterske struje sačinjava struja nosilaca koje baza ubacuje u emiter i koja nema nikakvog udjela
u kolektorskoj struji, a dio se gubi u bazi uslijed rekombinacije. Zato je uvijek izlazna kolektorska
struja (odnosno njena promjena) nešto manja od ulazne emiterske struje (njene promjene).
Da bismo dali jednostavno fizikalno objašnjenje, zanemarit ćemo rekombinaciju manjinskih
nosilaca pri proletu kroz bazu, tj. pretpostavit ćemo da je IR = 0, odnosno β* = 1. Iako se ova
pretpostavka u prvi mah čini spornom, na kraju ćemo vidjeti da ona ne utječe na općenitost našeg
objašnjenja. Uzmimo da npn tranzistor ima faktor injekcije γ = 0,99, te da je polariziran u
normalno aktivno područje i to tako da vanjski krug tjera u njega stalnu struju baze IB = 100 µA.
Budući da smo zanemarili rekombinaciju nosilaca u bazi, cjelokupna struja baze činit će struju IpE
(slika 3.51a). Pritom će, uz pretpostavljeni faktor injekcije, teći 99 puta veća struja InE
γ
I nE = ⋅ I pE = 9,9 mA .
1− γ
Ako je na istosmjernu struju baze superponirana periodična izmjenična komponenta (npr.
sinusni signal) amplitude Ib = 10 µA, za pozitivne poluperiode te izmjenične komponente
IB ∆ IB
B
∆UBE +++ +
IpE InE
E ∆ IpE ∆ InE
IB = IpE = 100 µΑ ∆ IB = 10 % IB = 10 µΑ ∆ IpE = 10 % IpE = 10 µΑ

InE = 9,9 mA ∆ InE = 10 % InE = 990 µΑ
∆ InC = ∆ InE = 990 µΑ
a) b) c)
Slika 3.51. Uz objašnjenje strujnog pojačanja tranzistora u spoju zajedničkog emitera:
a) struje IpE i InE u statičkim uvjetima; b) prirast bazne struje uzrokuje porast napona baza-
emiter; c) zbog porasta napona UBE raste kolektorska struja.
maksimalni prirast bazne struje bit će ∆IB = 10 µA, odnosno 10 % istosmjerne komponente. Zbog
porasta bazne struje povećat će se naboj ekscesnih šupljina u bazi (slika 3.51b). Te šupljine ne
mogu preći u kolektor, jer je kolektorska barijera reverzno polarizirana. Također, zbog
zanemarene rekombinacije u bazi te šupljine se neće rekombinirati s elektronima koji prolijeću
kroz bazu. Zato će se cjelokupni prirast bazne struje utrošiti na prirast struje IpE - porast
koncentracije šupljina povisit će potencijal baze prema potencijalu emitera i to upravo za toliko
koliko je potrebno da se struja IpE poveća za navedeni prirast bazne struje (∆IpE = ∆IB).
Porast napona na emiterskom spoju dovest će do istovremenog porasta elektronske
komponente emiterske struje (InE). Znamo da obje komponente emiterske struje jednako ovise o
naponu baza-emiter,
Zadatak 3.20
æU ö æU ö
I pE ∝ expç BE ÷ , I nE ∝ expç BE ÷ ,
è UT ø è UT ø
pa će prirast struje IpE za 10 %, rezultirati u prirastu struje InE za 10 %. Struja InE je puno veća od
struje IpE (InE = 9,9 mA >> IpE = 100 µA), tako da je i njen 10 %-ni prirast (∆InE = 990 µA) puno
veći od prirasta ∆IpE , koji je cijelu promjenu začeo. Uz zanemarenu rekombinaciju u bazi toliki će
biti i prirast kolektorske struje (InC = InE , ∆InC = ∆InE) (slika 3.51c). Vidimo dakle da je prirast
bazne struje za 10 µA doveo do 99 puta većeg prirasta kolektorske struje, ∆IC = 990 µA.
Uklonimo sada pretpostavku o zanemarivoj rekombinaciji u bazi! To znači da se dio bazne
struje i njenog prirasta gubi na IR , odnosno na njen prirast ∆IR . Međutim, kako je omjer struja IpE
i IR praktički konstantan, 10 %-na promjena bazne struje prouzročit će i dalje potpuno istu
postotnu promjenu struje IpE , te će prirast napona UBE biti potpuno isti kao i uz zanemarenje
rekombinacije. Slijedi da će i prirast struje InE biti isti kao i u gornjoj analizi (10 %), no zbog
porasta rekombinacijske struje baze, smanjit će se broj elektrona koji uspješno prolaze kroz bazu -
ne vrijedi više da je ∆InC = ∆InE , već je prirast kolektorske struje za transportni faktor puta manji
(tj. ∆InC = β*⋅∆InE).
Pronicljivi čitatelj ili čitateljica će sam(a) uočiti da cijela ova priča sa strujnim pojačanjem ne
bi bila moguća bez odgovarajuće polarizacije tranzistora u normalno aktivno područje rada, za što
je neophodan izvor napajanja. Bez zaporne polarizacije kolektorskog spoja, bazna struja i njene
promjene bi se ravnomjerno gubile na oba pn-spoja - tranzistor bi se ponašao kao spoj dviju pn-
dioda, te ne bi bilo efekta pojačanja bazne struje, odnosno njene promjene. Iako se o tranzistoru
govori kao o aktivnoj elektroničkoj komponenti (nasuprot pasivnim komponentama poput
otpornika, kondenzatora, pn-dioda), njegova “aktivnost” nije moguća bez izvora električne
energije. U suštini, tranzistor (kao uostalom sve aktivne elektroničke komponente) pod
djelovanjem signala koji treba pojačati, upravlja protokom struje izvora napajanja kroz potrošač,
pretvarajući pritom istosmjernu energiju izvora u izmjeničnu energiju pojačanog signala na
potrošaču† [Biljanović89].
Zadatak 3.21
NPN tranzistor ima sljedeće vrijednosti parametara Ebers-Mollovog modela: α = 0,992,
ICBO = 1,3⋅10−14 A, IEBO = 10−14 A. Izračunajte napon UCE i struju IC kod kojih se sijeku
izlazne karakteristike za IB 1 = 10 µA i IB 2 = 20 µA. T = 300 K.
Rješenje:
UCE = 6,99 mV, IC =1,93⋅10−13 A.
Zanimljivo je da koordinate presjecišta ne ovise o iznosu bazne struje, tj. da se sve izlazne
karakteristike sijeku u jednoj točki s koordinatama
æI 1ö æI 1ö I CBO − α ⋅ I EBO
U CE = U T ⋅ lnç CBO ⋅ ÷ = U T ⋅ lnç CS ⋅ ÷ , IC = = I CS − α ⋅ I ES ,
è I EBO α ø è I ES α ø 1 − α ⋅αI
kako je prikazano na slici 3.52. Ako vrijedi omjer (3.87)
† Situacija se može poistovjetiti s otvaranjem i zatvaranjem ventila na nekom velikom

cjevovodu; vrlo malim pokretima ruke može se prekidati protok velikih količina vode.
Međutim, ako nema hidrostatskog pritiska u cjevovodu (tj. nema napona napajanja), zatvaranje
ili otvaranje ventila, bez obzira na intenzitet, neće polučiti nikakav vidljivi rezultat.
Zadatak 3.21
IC I CS I α
= CBO = ,
IB > 0 I ES I EBO α I
tada gornje izraze za koordinate možemo pisati
IB = 0 jednostavnije kao
æ 1 ö
I CS − α .IES U CE = U T ⋅ lnç ÷ , I C = (1 − α I ) ⋅ I CS .
è αI ø
0 UCE
Zašto sve izlazne karakteristike ne prolaze
æI ö kroz ishodište UCE-IC koordinatnog sustava?
UT ln α .CS Odgovor na to pitanje dobit ćemo odgovorimo li na
è IESø
pitanje zašto je uz napon UCE = 0 i uz struju IB > 0,
Slika 3.52. Presjecište izlaznih karakte- kolektorska struja negativna.
ristika za spoj zajedničkog emitera.
Pretpostavimo da prvobitno kroz bazu ne teče
struja manjinskih nosilaca, tj. da nema injekcije iz
emitera niti iz kolektora. Pozitivna bazna struja znači da tjeramo struju u bazu tranzistora - ona će
povećati koncentraciju šupljina, podižući pritom potencijal baze (slika 3.53a). Budući da nema
ekscesnih elektrona (nema injekcije!), višak šupljina će se nastojati ukloniti iz baze prelaskom
preko emiterske i kolektorske barijere (slika 3.53b). Stoga će se oba spoja propusno polarizirati, te
IC
C IpC + IpC InC
IB + + + +
+ + + B UCE =0
+ + + +
IpE IpE InE
−
E
a) b) c)
Slika 3.53. Struje npn tranzistora uz UCE = 0 i IB > 0: a) bazna struja povećava koncentraciju
šupljina u bazi, b) šupljine iz baze prelaze u emiter i kolektor, c) zajedno s elektronskom
komponentom InC , struja IpC uzrokovat će IC < 0.
će kroz njih poteći i pripadajuće elektronske komponente (doći će do injekcije elektrona u bazu).
Kolektorska struja će poteći u vanjski krug, te će biti IC < 0 (slika 3.53c). Na slici je strelicama
označen smjer gibanja nosilaca, pa je smjer elektronskih komponenti struja suprotan.
Uočimo da su polarizacije obje barijere potpuno jednake (jer je UCE = 0), zbog čega su i
struje elektrona koje kolektor, odnosno emiter injektiraju u bazu međusobno jednake. Međutim,
radi različitih efikasnosti emitera i kolektora, šupljinske komponente emiterske i kolektorske
struje neće biti međusobno jednake - razlikovat će se za iznos bazne struje.
Porastom napona UCE , napon propusne polarizacije na kolektorskoj barijeri se smanjuje, pa
se smanjuje i injekcija nosilaca preko te barijere - kolektorska struja opada po iznosu. Kod
Zadatak 3.21
dovoljno velikog napona UCE kolektorska barijera je zaporno polarizirana i tranzistor je u

normalnom aktivnom području rada - struja IC je pozitivna, tj. utječe u tranzistor.
Iz brojčanih rezultata kao i iz izvedenih izraza dade se naslutiti da je pomak presjecišta iz
ishodišta koordinatnog sustava vrlo mali, te se redovito može zanemariti.
Zadatak 3.22
Odredite napon UCB u radnoj točki B za npn IC
tranzistor čija je izlazna karakteristika prikazana 0,995 mA
slikom 3.54. Tranzistor ima ICS = 1 pA i A IE = –1 mA
IES = 0,85 pA, baza je homogeno dopirana,
T = 300 K.
Rješenje: UCB = −0,583 V. B
0 UCB
Zadatak 3.23 Slika 3.54. Izlazna karakteristika
tranzistora u zadatku 3.22.
Za tranzistor iz prethodnog zadatka skicirajte ulazne
karakteristike za spoj zajedničke baze, te na njima
označite radne točke A i B. Nacrtajte raspodjele manjinskih nosilaca u bazi za obje
radne točke, te označite na njima rubne koncentracije, ako je ravnotežna koncentracija
elektrona n0B = 3000 cm−3.
Rješenje:
Radna točka A ima u ulaznim karakteristikama koordinate (UEB = −0,540 V, IE = −1 mA,
UCB = 0), a točka B (UEB = −0,588 V, IE = −1 mA, UCB = –0,583 V) (vidi sliku 3.55a). Na slici
3.55b prikazane su raspodjele manjinskih nosilaca. Uočite da su karakteristike međusobno
paralelni pravci, jer su emiterske struje u obje radne točke jednake.
–10 E B C
nB
–8
–6
UCB = 0 cm–3
2,23 .1013
UCB = –0,583 V
–4
IE B
1,88 .10
13
–2 –1 mA A
mA B
0
2 3,53 .1012
A
–0,540 V
4 –0,588 V n0B
6
0 –0,1 –0,2 –0,3 –0,4 –0,5 –0,6 –0,7 0 wB xB
UEB / V
a) b)
Slika 3.55. Uz rješenje zadatka 3.22: a) ulazne karakteristike, b) raspodjele manjinskih elektrona
u bazi.
Zadatak 3.23
Zadatak 3.24
E B C
pB Faktor efikasnosti emitera pnp tranzistora s homogenom
2 .1010p0B bazom je γ = 0,995, faktor efikasnosti kolektora je
γI = 0,99, a transportni faktor baze 0,999. Struja
ICBO = −5⋅10−15 A. Izračunajte baznu i kolektorsku struju
tranzistora u radnoj točki za koju je na slici 3.56 nacrtana
p0B xB raspodjela manjinskih nosilaca u bazi. Nacrtajte izlazne
0 wB karakteristike za spojeve zajedničke baze i zajedničkog
emitera, te na njima označite zadanu radnu točku.
Slika 3.56. Raspodjela šup-
ljina u bazi pnp tranzistora u Rješenja: IB = −35,3 µA, IC = −5,85 mA, te vidi sliku 3.57.
zadatku 3.24.
IC IC
–5,85 mA –5,85 mA IB = −35,3 µΑ
IE = 5,88 mA Q
Q
0 –UCB 0 –UCE
Slika 3.57. Izlazne karakteristike za spoj zajedničke baze i spoj zajedničkog emitera u
rješenju zadatka 3.24.
Zadatak 3.24
3.2. Utjecaj tehnoloških parametara na transportni faktor i faktor injekcije 83
3.2. Utjecaj tehnoloških parametara na transportni faktor i

faktor injekcije*
Utjecaj tehnoloških parametara na transportni faktor i faktor injekcije već smo
djelomično analizirali u zadacima 3.9 i 3.10. Međutim, u svim dosadašnjim analizama,
pa tako i u tim zadacima, pretpostavljali smo da su emiter i baza tranzistora homogeno
dopirani. Ta pretpostavka nam je olakšala izvod strujno-naponskih karakteristika
tranzistora, tako da smo ih izrazili jednostavnim analitičkim funkcijama. Također smo
zanemarivali utjecaj degeneracijskih pojava, koje su naročito izražene u jako dopiranom
emiteru. U ovom poglavlju ćemo stoga razmotriti kako raspodjele primjesa i
degeneracijske pojave utječu na transportni faktor i faktor injekcije emitera.
3.2.1. Utjecaj raspodjele primjesa u bazi na transportni faktor

Kod tranzistora dobivenih planarnim postupcima baza je redovito nehomogena,
zbog čega unutar baze postoji ugrađeno električno polje. Ako je područje baze dobiveno
difuzijskim postupkom, koncentracija primjesa u najvećem dijelu baze opada od emitera
prema kolektoru (vidi npr. sliku 3.5) - ugrađeno električno polje je takvog smjera da
potpomaže prolazak manjinskih nosilaca od emitera prema kolektoru. Iako u raspodjeli
neto koncentracije primjesa u bazi, uz sam emiterski spoj postoji područje u kojem
koncentracija primjesa raste, to područje je vrlo usko i najvećim dijelom je zahvaćeno
emiterskom barijerom. Zato se utjecaj električnog polja u tom dijelu baze, koje se
suprotstavlja prolasku manjinskih nosilaca od emitera prema bazi, može zanemariti.
Prema tome, u tranzistoru s nehomogenom bazom manjinski se nosioci kroz bazu ne
gibaju više isključivo difuzijom, već postoji i značajna driftna komponenta gibanja.
Stoga se takvi tranzistori ponekad nazivaju i driftni tranzistori [Krömer53].
Zadatak 3.25
NPN tranzistor ostvaren je dvostrukim difuzijskim procesom u kolektor jednoliko
dopiran s NDC = 2⋅1015 cm−3 (slika 3.58). Baza tranzistora formirana je difuzijom
akceptora iz ograničenog izvora, a emiter difuzijom donora iz neograničenog izvora.
Difundirani akceptori ravnaju se po Gaussovoj funkciji NAB = NAB0 ⋅exp[−(x/LAB)2], pri
čemu je NAB0 = 2⋅1018 cm-3, a LAB = 1,2 µm. Difundirani donori ravnaju se po
komplementarnoj funkciji pogreške NDE = NDE0 ⋅erfc(x/LDE), pri čemu je
NDE0 = 2⋅1020 cm−3, a LDE = 0,7 µm. Rezultirajuća dubina pn-spoja emiter-baza je
xjE = 1,53 µm, a pn-spoja kolektor-baza xjC = 3,15 µm. Izračunati transportni faktor baze
za:
a) normalno aktivno područje, odnosno
b) inverzno aktivno područje rada.
Pretpostaviti da je difuzijska duljina manjinskih elektrona svugdje u bazi konstantna, te
da iznosi LnB = 220 µm.
21
10
20
10
19
10
18
10
N
−3
cm 17
10
10 16
10 15
10 14
0 1 2 3 4 5
x / µm
Slika 3.58. Raspodjela neto koncentracije primjesa u npn tranzistoru u
zadatku 3.25.
Rješenje:
a)
Da bismo odredili transportni faktor, prvo trebamo pomoću jednadžbe kontinuiteta odrediti
raspodjelu manjinskih nosilaca u bazi. Integriranjem dobivene funkcije raspodjele ekscesnih
nosilaca izračunat ćemo ekscesni naboj manjinskih nosilaca u bazi
wB
QnB = S ⋅ q ⋅ ò [n B ( x B ) − n0 B ( x B )] ⋅ dx B ,
0
a iz njega rekombinacijsku struju baze
QnB
IR = .
τ nB
Transportni faktor onda možemo odrediti kao
I nC I nE − I R I
β* = = = 1− R .
I nE I nE I nE
Kod tranzistora s homogenom bazom, u uvjetima niske injekcije električno polje u bazi je
dovoljno slabo da se njegov utjecaj na manjinske nosioce može zanemariti. Injektirani nosioci se
od emitera prema kolektoru gibaju isključivo mehanizmom difuzije - takvi se tranzistori ponekad
Zadatak 3.25
nazivaju difuzijski tranzistori† [Krömer54]. Zbog toga se u transportnoj jednadžbi za manjinske

elektrone u bazi npn tranzistora driftna komponenta može izostaviti, tj.‡
dn B dn
J nB = q ⋅ µnB ⋅ n ⋅ + q ⋅ DnB ⋅ = q ⋅ DnB ⋅ B .
dx B dx B
To ima dvokratne posljedice:
1. Jednadžba kontinuiteta
∂n B n − n0 B 1 ∂J nB
=− B + ⋅ ,
∂t τ nB q ∂x B
čije rješenje daje raspodjelu manjinskih nosilaca, za stacionarne uvjete (∂nB / ∂t = 0)
postaje homogena diferencijalna jednadžba drugog reda, budući da u izrazu za
gustoću struje (odnosno njenu derivaciju) nema jakosti električnog polja koje ulazi
u funkciju smetnje.
2. Kako je struja manjinskih nosilaca isključivo difuzijska, njen iznos možemo
odrediti jednostavno preko gradijenta koncentracije nosilaca, derivirajući raspodjelu
dobivenu rješavanjem jednadžbe kontinuiteta.
Kod tranzistora s nehomogenom bazom djelovanje ugrađenog električnog polja na gibanje
manjinskih nosilaca nije zanemarivo, tako da transportnu jednadžbu moramo koristiti u njenom
cjelovitom obliku
dn
J nB = q ⋅ µnB ⋅ n B ⋅ + q ⋅ DnB ⋅ B . (3.93)
dx B
Prvi problem predstavlja određivanje električnog polja u bazi, odnosno njegove raspodjele.
U uvjetima ravnoteže, kada tranzistor nije priključen na napon, jakost ugrađenog električnog polja
mogli bismo odrediti kako smo to radili kod nehomogenih poluvodiča: izjednačavanjem ukupnih
struja u transportnim jednadžbama s nulom. Naime, za poznatu raspodjelu primjesa, poznate su
nam ravnotežne raspodjele koncentracija i manjinskih i većinskih nosilaca, tako da jakost
ugrađenog polja možemo odrediti bez ikakvih poteškoća.
Priključimo li tranzistor na odgovarajuće napone, ravnoteža će biti poremećena. Općenito ne
znamo kakva će biti raspodjela nosilaca, sve dok ne riješimo jednadžbu kontinuiteta. Međutim,
ako se ograničimo na režim niske injekcije, kada je prirast koncentracije većinskih nosilaca
zanemariv prema njihovoj ravnotežnoj koncentraciji, možemo uzeti da se stvarna raspodjela
većinskih nosilaca i u uvjetima neravnoteže poklapa s ravnotežnom raspodjelom, tj.
pB(x) = p0B(x). Osim toga, u prethodnim smo zadacima uočili da je kod realnih tranzistora struja
nosilaca koje baza injektira u emiter (kod npn tranzistora je to struja šupljina) puno manja od
struje koje emiter injektira u bazu. Radi jednostavnosti, pretpostavimo da je struja šupljina
jednaka nuli! U tom slučaju, iz transportne jednadžbe za većinske šupljine
† Uočimo razliku između difuzijskog tranzistora i difundiranog tranzistora. U difuzijskom

tranzistoru se nosioci gibaju u područjima izvan barijere gibaju isključivo mehanizmom
difuzije. Difundirani tranzistor je tranzistor ostvaren postupcima termičke difuzije. U njemu su
pojedina područja nehomogena, pa se nosioci gibaju i driftom i difuzijom.
‡ Radi kompleksnosti samog proračuna, koji uz gradijent koncetracije nosilaca uključuje i smjer
električkog polja, u ovom zadatku pri proračunu struja nećemo unaprijed pretpostavljati njihov
smjer. Ukoliko dobijemo pozitivan predznak struja teče u pozitivnom smjeru pretpostavljene
x-osi, dok će negativni predznak ukazivati da struja teče u smjeru negativne x-osi.
Zadatak 3.25
dp B
J pB = q ⋅ µ pB ⋅ p B ⋅ − q ⋅ D pB ⋅ ,
dx B
izjednačavanjem s nulom, dobivamo
1 dp B 1 dN B
( x) = U T ⋅ ⋅ = U T ⋅ ⋅ .
p B dx B N B dx B
NB je neto koncentracija akceptora u bazi tranzistora. Prema tome, transportna jednadžba (3.93) za
manjinske elektrone prelazi u
æ 1 dN B dn ö
J nB = q ⋅ DnB ⋅ ç ⋅ ⋅ nB + B ÷ . (3.94)
è N B dx B dx B ø
Iz ovog izraza može se uočiti nešto zanimljivo. Ako je tranzistor polariziran u normalno
aktivno područje rada, tada je koncentracija manjinskih elektrona nB uz kolektorsku barijeru
zanemariva. Zbog toga je i cijeli prvi pribrojnik unutar okrugle zagrade, tj. driftna komponenta
struje elektrona, uz kolektorsku barijeru zanemariva. Prema tome, iako je baza nehomogena,
struja manjinskih nosilaca uz kolektorsku barijeru, u normalnom aktivnom području je isključivo
difuzijska!
Uvrstimo li dobivenu struju elektrona u jednadžbu kontinuiteta za manjinske elektrone u
stacionarnim uvjetima (∂nB /∂t = 0)
n B − n0 B 1 dJ nB
0=− + ⋅ , (3.95)
τ nB q dx B
dobit ćemo
nB − n0 B d é æ 1 dN B dn ö ù
− + ê DnB ⋅ ç ⋅ ⋅ nB + B ÷ ú = 0 . (3.96)
τ nB dx B êë è N B dx B dx B ø úû
Baza stvarnih tranzistora je obično dovoljno uska da se može zanemariti rekombinacija

elektrona pri proletu kroz bazu. Uz tu pretpostavku, prvi član u gornjoj jednadžbi otpada (kao da
smo pretpostavili da τnB → ∞), tako da (3.96) prelazi u
d é æ 1 dN B dn ö ù
ê DnB ⋅ ç ⋅ ⋅ nB + B ÷ ú = 0 . (3.97)
dx B êë è N B dx B dx B ø úû
Budući da je derivacija izraza unutar uglate zagrade jednaka nuli, sam izraz je konstantan, tj.
æ 1 dN B dn ö
DnB ⋅ ç ⋅ ⋅ n B + B ÷ = C1 . (3.98)
è N B dx B dx B ø
Usporedimo li ovaj izraz s (3.94), možemo uočiti da je konstanta integracije C1
J
C1 = nB ,
q
tako da (3.98) možemo pisati kao
1 dN B dn J nB
⋅ ⋅ nB + B = . (3.99)
N B dx B dx B q ⋅ DnB
Dakle, jednadžba kontinuiteta se za stacionarne uvjete svela na transportnu jednadžbu! Ovo je
bilo za očekivati, budući da smo zanemarili generaciju/rekombinaciju nosilaca. Valja također
primijetiti da je, zbog pretpostavke zanemarive rekombinacije manjinskih nosilaca u bazi, struja
Zadatak 3.25
JnB svugdje u bazi konstantna, te jednaka struji elektrona JnE koje emiter injektira u bazu. Iako pri
rješavanju jednadžbe kontinuiteta zanemarujemo rekombinaciju nosilaca u bazi, za kasnije
određivanje rekombinacijske struje ta činjenica nam nije kritična, jer ćemo tu struju ionako
odrediti iz dobivene raspodjele manjinskih nosilaca, odnosno ekscesnog naboja.
Vratimo se izrazu (3.99) i pomnožimo ga s koncentracijom NB
dN B dn J nB
⋅ nB + N B ⋅ B = ⋅ NB . (3.100)
dx B dx B q ⋅ DnB
Na lijevoj strani imamo zapravo diferencijal umnoška funkcije raspodjele koncentracije primjesa
NB i funkcije raspodjele elektrona nB
d J nB
( N B ⋅ nB ) = ⋅ NB . (3.101)
dx B q ⋅ DnB
Prema tome, integracijom lijeve i desne strane od xB do wB , dobit ćemo†
w
J nB B N B ( x )
q xò DnB
N B ( w B ) ⋅ n B ( wB ) − N B ( x B ) ⋅ n B ( x B ) = ⋅ ⋅ dx + C2 . (3.102)
B
Transportni faktor redovito se definira uz napon UCB = 0. U tom slučaju je koncentracija

manjinskih elektrona uz kolektorsku barijeru jednaka ravnotežnoj,
ni2
n B ( wB ) = ,
N B ( wB )
tako da iz (3.102) slijedi da je
w
J nB B N B ( x )
q xò DnB
− N B ( x B ) ⋅ nB ( x B ) = ⋅ ⋅ dx + C2 − ni2 .
B
Odavde dobivamo općeniti izraz za raspodjelu manjinskih elektrona u bazi npn tranzistora
w
J nB B
N ( x) C2 ni2
nB ( x B ) = − ⋅ ò B ⋅ dx − + . (3.103)
q ⋅ N B ( x B ) x DnB N B (xB ) N B ( xB )
B
Konstantu integracije C2 u gornjem izrazu odredit ćemo preko poznate raspodjele manjinskih
nosilaca u ravnoteži. U ravnotežnim uvjetima struja JnB jednaka je nuli, pa je cijeli član uz integral
jednak nuli. Istovremeno, raspodjela manjinskih nosilaca u bazi se podudara s ravnotežnom
raspodjelom,
ni2
n B ( x B ) = n0 B ( x B ) = ,
N B (xB )
zbog čega, nakon uvrštavanja u (3.103), dobivamo da je konstanta C2 = 0. Slijedi da je raspodjela
manjinskih elektrona u bazi
w
J nB B
N ( x) ni2
nB ( x B ) = − ⋅ ò B ⋅ dx +
q ⋅ N B ( x B ) x DnB N B (xB )
B
† U svim izrazima koji slijede u ovom poglavlju integracija u bazi se provodi po xB-koordinati, a
u emiteru po xE-koordinati. Međutim, kako se te koordinate redovito pojavljuju i u granicama
integrala, radi preglednosti ćemo uvijek kao varijablu integracije navoditi x-koordinatu.
Zadatak 3.25
ili, ako zanemarimo promjenu difuzijske konstante DnB kroz bazu,

w
J nB B
ni2
nB ( x B ) = − ⋅ ò N B ( x ) ⋅ dx + . (3.104)
q ⋅ DnB ⋅ N B ( x B ) x N B ( xB )
B
Funkciju raspodjele elektrona dobili smo kao zbroj raspodjele ekscesnih elektrona (član uz
integral) i ravnotežne raspodjele (zadnji član na desnoj strani), tj.
n B ( x B ) = n B ( x B ) + n0 B ( x B ) ,
pri čemu su
B w
J nB
n B ( x B ) = − ⋅ ò N B ( x ) ⋅ dx , (3.105)
q ⋅ DnB ⋅ N B ( x B ) x
B
ni2
n0 B ( x B ) = .
N B ( xB )
Za određivanje ekscesnog naboja potrebna nam je samo raspodjela ekscesnih nosilaca (3.105).
Primijetimo da je struja JnB u normalnom aktivnom području negativna, jer teče u smjeru −xB osi,
tako da je član uz integral pozitivan!
Zastanimo na trenutak i odlučimo se što ćemo u (3.105) uvrstiti za raspodjelu primjesa
NB(x). Prema jednadžbi (3.105), za određivanje raspodjele manjinskih nosilaca u bazi treba
integrirati funkciju raspodjele primjesa u bazi, a da bi se dobio ukupni nakrcani naboj (pomoću
kojeg se određuje transportni faktor) treba provesti dodatnu integraciju dobivene raspodjele
ekscesnih nosilaca. Kada bismo krenuli od egzaktne raspodjele neto koncentracije
æ x ö é æ x ö2ù
N ( x ) = N DE 0 ⋅ erfcç ÷ − N AB 0 ⋅ exp ê− ç ÷ ú + N DC ,
è LDE ø ê è L AB ø ú
ë û
analitička integracija bi bila prilično mukotrpna, a dobiveni izraz nepregledan [Moll56, Das61].
Čak i ako bi pretpostavili da je raspodjela primjesa u bazi opisana samo Gaussovom funkcijom,
po kojoj se ravnaju difundirani akceptori, dvostruka integracija je zapetljana. Puno jednostavnije
je aproksimirati raspodjelu primjesa u bazi eksponencijalnom funkcijom, integracija koje je
trivijalna.
Ako pozitivan smjer xB-koordinatne osi u bazi ostavimo da gleda od emitera prema kolektoru
(ishodište postavimo uz rub emiterske barijere), neto-koncentracija primjesa opada s xB-
koordinatom, tako da je aproksimirajuća eksponencijalna raspodjela primjesa u bazi
æ x ö æ x ö
N B ( x B ) = N B 0 ⋅ expç − B ÷ = N B 0 ⋅ expç − ηB ⋅ B ÷ , (3.106)
è a ø è wB ø
gdje je
wB
, ηB =
a
normirano električno polje. Uvrstimo li u (3.106) koncentraciju primjesa NB(xB = wB) = NBw ,
dobit ćemo da je
æN ö
ηB = lnç B 0 ÷ .
è N Bw ø
Zadatak 3.25
Kao što već znamo, eksponencijalna raspodjela primjesa uzrokovat će konstantno električno polje
1 dN B U η
= UT ⋅ ⋅ = − T = −U T ⋅ B .
N B ( x B ) dx B a wB
Uvrštavanjem raspodjele (3.106) u (3.105), nakon integracije, sređivanjem dobivamo

raspodjelu manjinskih elektrona u bazi
wB
J nB æ x ö æw ö æ x ö
n B ( x B ) = ⋅ expç ηB ⋅ B ÷ ⋅ ç B ÷ ⋅ expç − ηB ⋅ ÷ =
q ⋅ DnB è w η
Bø è B ø è w Bø xB
é æ x öù
exp ê− ηB ⋅ ç1 − B ÷ ú − 1
J ⋅w êë è wB ø úû
= nB B ⋅ . (3.107)
q ⋅ DnB ηB
Na slici 3.59 nacrtane su raspodjele (3.107) za različite vrijednosti parametra ηB . Na apscisi je
udaljenost od emiterskog pn-spoja, normirana na efektivnu širinu baze. Na ordinati je
koncentracija nosilaca normirana na koncentraciju
J nB
n B 0 H = ⋅ wB , (3.108)
q ⋅ DnB
tj. na koncentraciju uz emitersku barijeru kada bi baza bila homogena. Kao što slijedi iz izraza
(3.107) i (3.108), dijagram prikazuje raspodjele manjinskih nosilaca za jednake struje JnB .
Uočimo da je struja JnB u stvari elektronska
struja kroz emiterski pn-spoj, koju inače
označavamo s JnE . Najviša raspodjela na slici 1
3.59, označena s ηΒ = 0, je upravo linearna
raspodjela u homogenoj bazi
0,8
J ηB = 0
n B ( x B ) = − nB ⋅ ( wB − x B ) . (3.109)
q ⋅ DnB 1
0,6
Očito je da je gradijent koncentracije ^
nB
manjinskih nosilaca uz emitersku barijeru u n^ B0H 2
nehomogenoj bazi manji nego u homogenoj 0,4
bazi, što znači da će difuzijska struja nosilaca 3
biti manja. Međutim, kako je ukupna struja 4
jednaka za sve raspodjele, slijedi da je u 0,2 6
nehomogenoj bazi driftna struja manjinskih
nosilaca veća. Za vrlo strme raspodjele (npr. 8
ηB = 8), raspodjela nosilaca je u većem dijelu 0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
baze konstantna, pa je difuzijska struja
zanemariva, a prevladava driftna komponenta. xB / wB
Sa slike možemo razaznati da će za istu Slika 3.59. Raspodjela manjinskih nosilaca u
struju JnE , u nehomogenoj bazi koncentracija bazi s eksponencijalnom raspodjelom primje-
ekscesnih manjinskih nosilaca biti manja nego sa, u normalnom aktivnom području rada.
u homogenoj bazi (pritom je napon na
emiterskom spoju manji, budući da je i rubna
koncentracija niža!). Uzrok tome je ugrađeno električno polje u bazi koje odvlači injektirane
elektrone prema kolektoru. Zato se injektirani nosioci zadržavaju uz emitersku barijeru kraće, pa
Zadatak 3.25
se ne uspije stvoriti tako veliki gradijent koncentracije nosilaca kao u homogenoj bazi - difuzijska
struja će biti manja. Što je raspodjela primjesa strmija, ugrađeno električno polje je jače, ηB veći,
pa je i ekscesna koncentracija niža. Na temelju ovog razmatranja možemo zaključiti da će i
transportni faktor baze biti bolji, budući da ugrađeno električno polje pospješuje transport
nosilaca kroz bazu.
Ukupni ekscesni naboj manjinskih nosilaca u bazi dobit ćemo integracijom raspodjele
(3.107) duž cijele baze
w
− J nB ⋅ wB B
DnB ⋅ ηB ò0
QnB = S ⋅ ⋅ [exp( −ηB ) ⋅ exp(ηB ⋅ x B / wB ) − 1] ⋅ dx B =
w
− I nB ⋅ wB é w æη ⋅x ö ù B
= ⋅ êexp( −ηB ) ⋅ B ⋅ expç B B ÷ − x B ú =
DnB ⋅ ηB êë ηB è wB ø úû 0
− I nB ⋅ wB2 1 − exp( −ηB ) − ηB

= ⋅ † . (3.110)
DnB ηB2
Podijelimo li nakrcani naboj s vremenom života manjinskih nosilaca, dobit ćemo
rekombinacijsku struju
QnB − I nB ⋅ wB2 1 − exp( −ηB ) − ηB w 2 1 − exp( −ηB ) − ηB
IR = = ⋅ = − I nB ⋅ 2B ⋅ . (3.111)
τ nB DnB ⋅ τ nB ηB2
LnB ηB2
Za transportni faktor ćemo sada dobiti
IR I w 2 η + exp( −ηB ) − 1
β* = 1 − = 1 − R = 1 − 2B ⋅ B . (3.112)
I nE I nB LnB ηB2
Zanimljivo je uočiti sličnost s izrazom
2
1 æw ö
β = 1− ⋅ç B ÷ ,
*
2 è LnB ø
koji smo dobili za homogenu bazu, pa možemo pisati da je transportni faktor općenito [Valkó91]
2
æw ö
β * = 1 − ç B ÷ ⋅ b( N B ) , (3.113)
è LB ø
gdje je b( NB ) faktor koji ovisi o raspodjeli primjesa u bazi. Za bazu s eksponencijalnom
raspodjelom primjesa
ηB + exp( −ηB ) − 1
b( N B ) = . (3.114)
ηB2
Limes funkcije (3.114) kada je ηB → 0 (homogena baza!) je 1/ 2. Na slici 3.60 prikazana je
funkcija (3.114). Vidimo da se s porastom normiranog ugrađenog polja, faktor b( NB ) smanjuje.
Stoga će, suglasno našim predviđanjima, transportni faktor rasti i biti bliži 1.
† Da bi ekscesni naboj u bazi, a i na temelju njega izračunata rekombinacijska struja bili

pozitivni, uz struju elektrona u bazi JnB dodan je predznak “-”.
Zadatak 3.25
0,5
0,4
0,3
b
0,2
0,1
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
ηB
Slika 3.60. Ovisnost faktora b(NB) o
ugrađenom električnom polju.
Također, možemo i nakrcani naboj manjinskih nosilaca u bazi izraziti pomoću faktora b( NB ),
kao
2
wB2 æw ö
QnB = I nE ⋅ ⋅ b( N B ) = I nE ⋅ τ nB ⋅ ç B ÷ ⋅ b( N B ) .
DnB è LnB ø
Da bismo mogli primijeniti dobivene formule, moramo zadanu raspodjelu primjesa na slici
3.58 aproksimirati eksponencijalnom funkcijom. Prethodno ćemo translatirati ishodište
koordinatnog sustava u bazi na pn-spoj emiter baza, koji se nalazi na 1,53 µm od površine. Zbog
toga će se spoj baza-kolektor naći na xjC = 1,62 µm, koliko iznosi i tehnološka širina baze.
Primjenom postupka najmanjih kvadrata na raspodjelu neto koncentracije primjesa u bazi mogu
se dobiti koeficijenti eksponencijalne aproksimacije:
N B0 = 3,43 ⋅ 1017 cm −3 ,
ηB
= 3,28 .
wB
Stoga je normirano električno polje
ηB
ηB = ⋅ wB = 5,31 . 18
wB 10
NB0
Na slici 3.61 tamnijom linijom je 17
10
prikazana odgovarajuća eksponencijalna
funkcija. Kako je određivanje širine barijera N 16
pn-spojeva dobivenih difuzijskim −3 10
postupcima složeno (zahtijeva numeričku
cm NBw
15
integraciju ili primjenu specijalnih krivulja 10
[Lawrence60]), radi jednostavnosti smo
zanemarili širine emiterske i kolektorske 1014
barijere. U tom slučaju je koncentracija 0 1 2
primjesa uz rub emiterske barijere jednaka x / µm
koncentraciji NB 0 = 3,42⋅1017 cm−3, a uz rub
kolektorske barijere Slika 3.61. Aproksimacija raspodjele primjesa u
bazi eksponencijalnom funkcijom.
15 −3
N Bw = N B 0 ⋅ exp( −ηB ) = 1,70 ⋅ 10 cm .
Zadatak 3.25
Uvrštavanjem dobivenih (ηB = 5,31) i zadanih vrijednosti (LnB = 220 µm, wB = 1,62 µm) u
izvedene izraze (3.114) i (3.112), dobit ćemo da je b( NB ) = 0,153, a transportni faktor
β * = 0,99999170. Pretpostavimo li da je faktor injekcije γ = 1, faktor strujnog pojačanja ovog
tranzistora bio bi β = 120470!
Osmotrimo na trenutak koliki bi bili gornji rezultati, kada bi baza našeg tranzistora bila
homogena! Uz jednaku difuzijsku duljinu manjinskih elektrona, dobili bismo β * = 0,9999729,
odnosno β = 36884. Poboljšanje koje ugrađeno električno polje u bazi uzrokuje je više nego
očito.
b)
U inverznom aktivnom području rada kolektor preuzima ulogu emitera - kolektor injektira
nosioce u bazu, a emiter sakuplja nosioce koji su uspjeli proći kroz bazu i stići do reverzno
polarizirane emiterske barijere. Smjer gibanja nosilaca kroz bazu je suprotan nego u normalnom
aktivnom području, pa je za očekivati da će ugrađeno polje u bazi našeg tranzistora, koje je u
normalnom aktivnom području pospješivalo transport kroz bazu, u inverznom aktivnom području
kočiti nosioce. Stoga će i transportni faktor u inverznom aktivnom području rada biti lošiji nego u
normalnom aktivnom području.
Budući da su samo emiter i kolektor zamijenili uloge, analiza je istovjetna kao i za normalno
aktivno područje rada. Koncentracija ekscesnih nosilaca u bazi, uz barijeru emiter-baza je zbog
reverzne polarizacije emiterskog spoja zanemariva, dok je ona uz kolektorsku barijeru određena
naponom propusne polarizacije na spoju kolektor-baza. Umjesto da izraz (3.101)
d J nB
( N B ⋅ nB ) = ⋅ NB
dx B q ⋅ DnB
integriramo od xB do wB , integraciju sada provodimo od 0 (gdje znamo da je u inverznom
aktivnom području, pri UBE = 0 koncentracija ekscesnih elektrona jednaka 0) do xB
xB
J nB N B ( x)
N B ( x B ) ⋅ n B ( x B ) − N B (0) ⋅ n B (0) =
q
⋅ ò DnB
⋅ dx + C ,
0
tako da je raspodjela ekscesnih nosilaca općenito, za konstantnu vrijednost DnB
xB
J nB
n B ( x B ) =
q ⋅ DnB ⋅ N B ( x B )
⋅ ò N B ( x ) ⋅ dx . (3.115)
0
Uvrštavanjem eksponencijalne raspodjele i integriranjem, nakon sređivanja dobivamo
æ x ö
expç ηB ⋅ B ÷ − 1
J nB ⋅ wB è wB ø
n B ( x B ) = ⋅ . (3.116)
q ⋅ DnB ηB
Na slici 3.62 prikazane su normirane raspodjele ekscesnih nosilaca u bazi za različite
vrijednosti parametra ηB. Možemo uočiti da za strmije raspodjele (veće vrijednosti ηB), pri istoj
struji JnB (koja sada, uz zanemarenje rekombinacije u bazi, odgovara elektronskoj komponenti
struje kroz propusno polarizirani kolektorski spoj, tj. JnC), ekscesni naboj u bazi raste. Ugrađeno
električno polje koči nosioce koje je kolektor ubacio u bazu i vraća ih prema kolektorskoj barijeri.
Gradijent koncentracije nosilaca uz kolektorsku barijeru je zbog toga veći nego u homogenoj bazi
(najniža raspodjela, ηB = 0).
Ekscesni naboj nosilaca u bazi dobit ćemo integracijom funkcije raspodjele (3.116)
Zadatak 3.25
10
9
8 ηB = 5
7
^ 6
nB 4
^ 5
nBwH
4 3
3 2
2 1
1
0
0
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
xB / wB
Slika 3.62. Raspodjela manjinskih nosilaca u
bazi s eksponencijalnom raspodjelom primje-
sa u inverznom aktivnom području.
w
J nB ⋅ wB B
DnB ⋅ ηB ò0
QnB = S ⋅ ⋅ [exp(ηB ⋅ x B / wB ) − 1] ⋅ dx B =
I nB ⋅ wB2 exp(ηB ) − ηB − 1
= ⋅ . (3.117)
DnB ηB2
Podsjetimo se još jednom da je InB jednaka elektronskoj komponenti struje kroz propusno
polarizirani kolektorski spoj.
Na osnovi izraza (3.117) dobit ćemo da je transportni faktor u inverznom aktivnom području
IR I 1 QnB
β I* = 1 − = 1− R = 1− ⋅ =
I nC I nB I nB τ nB
wB2 exp(ηB ) − ηB − 1
= 1− ⋅ . (3.118)
L2nB
ηB2
Opet možemo izraz za transportni faktor prikazati u “općenitom” obliku (3.113)
2
æw ö
β I* = 1 − ç B ÷ ⋅ bI ( N B ) ,
è LB ø
gdje je
exp(ηB ) − ηB − 1
bI ( N B ) = . (3.119)
ηB2
Sa slike 3.63, na kojoj je prikazana funkcija (3.119), očito je kako s porastom ugrađenog
električnog polja, tj. s porastom gradijenta raspodjele primjesa u bazi, b(NB ) raste. Zbog toga se
transportni faktor tranzistora u inverznom aktivnom smanjuje.
Uvrstimo li vrijednost parametra ηB koju smo odredili u a) dijelu zadatka (ηB = 5,31), dobit
ćemo da je bI (NB ) = 6,95, a transportni faktor βI* = 0,999623. Pretpostavimo li da je faktor
Zadatak 3.25
50
45
40
35
30
bI 25
20
15
10
5
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8
ηB
Slika 3.63. Ovisnost faktora bI (NB) o ugrađenom električnom
polju za inverzno aktivno područje rada.
efikasnosti kolektora γI = 1, faktor strujnog pojačanja ovog tranzistora za spoj zajedničkog emitera
bio bi βI = 2652. Usporedimo li to s rezultatima iz a) dijela zadatka, očigledno je koliko
električno polje koči nosioce pri njihovom gibanju od kolektora prema emiteru i kvari transportni
faktor u inverznom aktivnom području rada.
Zadatak 3.26*
Za tranzistor iz prethodnog zadatka odredite raspodjelu ekscesnih manjinskih nosilaca u
bazi kada tranzistor radi u normalnom aktivnom području, računajući sa zadanom
raspodjelom primjesa u bazi:
N ( x ) = N DE 0 ⋅ erfcç ÷ − N AB 0 ⋅ exp ê− ç ÷ ú + N DC , (3.120)
è LDE ø ê è LAB ø ú
ë û
pri čemu je NDE 0 = 2⋅1020 cm−3, LDE = 0,7 µm, NAB 0 = 2⋅1018 cm−3, LAB = 1,2 µm,
NDC = 2⋅1015 cm−3.
Rješenje:
Stvarnu raspodjelu ekscesnih elektrona dobit ćemo ako u (3.105)
B w
J nB
n B ( x B ) = − ⋅ ò N B ( x ) ⋅ dx ,
q ⋅ DnB ⋅ N B ( x B ) x
B
umjesto aproksimirajuće eksponencijalne raspodjele, uvrstimo raspodjelu (3.120). Radi

jednostavnije integracije nećemo translatirati koordinate u funkciji raspodjele (3.120), već ćemo
samo promijeniti granice integracije, tako da gornji izraz pišemo kao
x jC
J nB
n B ( x B ) = −
q ⋅ DnB ⋅ N B ( x B )
⋅ ò N B ( x ) ⋅ dx , (3.121)
xB
Zadatak 3.26
pri čemu se xB mijenja od koordinate emiterskog spoja (xjE = 1,53 µm) do koordinate kolektorskog
spoja (xjC = 3,15 µm).
Pri integraciji komplementarne funkcije pogreške koristimo se svojstvom da je (vidi Prilog
prvog dijela zbirke)
x
1
ò erfc( z) ⋅ dz = x ⋅ erfc( x) + π
⋅ [1 − exp( − x 2 ) ] . (3.122)
0
Budući da je donja granica integrala (3.122) jednaka 0, u integralu formule (3.121) treba
integraciju erfc-a razbiti na dva integrala
x jC x jC xB
,1 = ò N DE 0 ⋅ erfc( z) ⋅ dz = ò N DE 0 ⋅ erfc( z) ⋅ dz − ò N DE 0 ⋅ erfc( z) ⋅ dz .
xB 0 0
Uz odgovarajuće supstitucije, dobiva se da je
1 é x jC ö ù
2
æ x jC ö æ
,1 = N DE 0 ⋅ x jC ⋅ erfcç ÷+ ⋅ ê1 − expç − ÷ ú−
L
è DE ø π ë ê è LDE ø ú
û
.
1 é
2ù
æ x ö æ xB ö
− N DE 0 ⋅ x B ⋅ erfcç B ÷ − ⋅ ê1 − expç − ÷ ú
L
è DE ø π ëê è LDE ø ú
û
Pri integraciji Gaussove funkcije također se koristimo jednim od svojstava komplementarne
funkcije pogreške:
x
π
ò exp(− z
2
) ⋅ dz = ⋅ [1 − erfc( − x )] . (3.123)
0
2
I ovdje moramo razbiti integraciju u (3.121) na dva integrala, pa nakon odgovarajućih supstitucija
dobivamo
π é æ x jC ö ù π é æ x öù
,2 = N AB 0 ⋅ ⋅ x jC ⋅ ê1 − erfcç ÷ ú − N AB 0 ⋅ ⋅ x B ⋅ ê1 − erfcç B ÷ ú .
2 êë è L ø
AB ú û 2 êë è L AB ø úû
Integral konstantne koncentracije donora u kolektoru daje nam
,3 = N DC ⋅ x jC − N DC ⋅ x B .
Uvrštavanjem dobivenih izraza u (3.121) i računanjem za različite xB ∈áxjE , xjCñ, moći ćemo
nacrtati funkciju raspodjele ekscesnih elektrona u bazi (slika 3.64, krivulja a). Na slici se ističe
šiljak u raspodjeli nosilaca uz emitersku barijeru. On je posljedica pada koncentracije primjesa
prema emiterskom spoju - električno polje u tom području tjera injektirane elektrone nazad prema
emiteru, uzrokujući značajan porast njihove koncentracije u tom području baze.
Već smo rekli da se utjecaj usporavajućeg polja redovito može zanemariti, tim više što je
najveći dio tog područja obuhvaćen barijerom emiter-baza. Zanemarimo li u promatranom
području baze raspodjelu donora difundiranih u emiter tranzistora (tj. zanemarimo li sve članove s
NDE 0), dobit ćemo krivulju b na slici 3.64. Kao što vidimo, ta je raspodjela već dosta blizu
raspodjeli koju smo u prethodnom zadatku izveli aproksimacijom raspodjele eksponencijalnom
funkcijom (krivulja c na slici).
Zadatak 3.26
0,8
0,6
n^B a
n^BwH
0,4
b
0,2
c
0
1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,6 2,8 3
x jE x / µm xjC
Slika 3.64. Normirane raspodjele ekscesnih elektrona u bazi difundiranog

tranzistora u zadatku 3.26. (a) Stvarna raspodjela primjesa,
(b) zanemarena emiterska difuzija, (c) aproksimacija raspodjele
eksponencijalnom funkcijom.
3.2.2. Utjecaj raspodjele primjesa na faktor efikasnosti emitera

Kod stvarnih tranzistora pn-spoj emiter-baza se redovito dobiva difuzijskim
postupkom ili ionskom implantacijom primjesa. Raspodjele primjesa u emiteru i bazi
takvih tranzistora nisu homogene, što uzrokuje električno polje i u kvazineutralnim
područjima izvan barijere. Zbog toga se struje kroz pn-spoj ne mogu izraziti isključivo
preko difuzijskih struja manjinskih nosilaca, već treba uzeti u obzir i driftnu komponentu
struje.
Budući da raspodjela primjesa ima utjecaj na struje kroz pn-spoj, očito je da će i
faktor efikasnosti emitera ovisiti o toj raspodjeli. Za npn tranzistor s općenitom
raspodjelom primjesa, elektronska komponenta struje emitera je
1 é æU ö ù
I nE = S ⋅ q ⋅ ni2 ⋅ ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú , (3.124)
GB êë è U T ø úû
dok je šupljinska komponenta
1 é æU ö ù
I pE = S ⋅ q ⋅ ni2 ⋅ ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú . (3.125)
GE êë è U T ø úû
Zadatak 3.26
GB i GE u izrazima (3.124) i (3.125) su Gummelovi brojevi baze, odnosno emitera,

wB
N ( x)
GB = ò DnBB ( x ) ⋅ dx , (3.126)
0
wE
N ( x)
GE = ò DpEE ( x) ⋅ dx , (3.127)
0
koji u sebi obuhvaćaju utjecaj raspodjele primjesa na komponente struja kroz emiterski
pn-spoj. Ovo su pojednostavljene definicije za Gummelove brojeve, koje zanemaruju
degeneracijske pojave i pretpostavljaju da je brzina površinske rekombinacije na
emiterskom kontaktu beskonačna. Osim toga, u gornjim jednadžbama (3.126) i (3.127)
podrazumijeva se da su efektivne širine baze i emitera puno manje od difuzijskih duljina
manjinskih nosilaca. Za bazu je to redovito zadovoljeno, dok u emiteru to vrijedi samo
ako je on transparentan.
Uvrštavanjem gornjih izraza u definiciju faktora efikasnosti, dobiva se da je
I nE GE
γ = = . (3.128)
I nE + I pE GE + GB
Zadatak 3.27
Izvesti izraz za faktor efikasnosti emitera npn tranzistora s proizvoljnom raspodjelom
primjesa.
Rješenje:
Polazimo od definicije faktora efikasnosti npn tranzistora
J nE
γ = ,
J nE + J pE
gdje su JnE i JpE gustoće elektronske, odnosno šupljinske komponenta struje kroz pn-spoj emiter-
baza. Da bismo odredili faktor efikasnosti tranzistora, trebamo dakle izvesti izraze za te struje uz
općenite raspodjele primjesa u emiteru, odnosno bazi. Njih ćemo dobiti iz transportnih jednadžbi
za manjinske nosioce
dn B
J nE = − J nB ( x B = 0) = − q ⋅ µnB ⋅ n B ⋅ − q ⋅ DnB ⋅ ,
dx B
dp E
J pE = q ⋅ µ pE ⋅ p E ⋅ − q ⋅ D pE ⋅ .
dx E
Za područja emitera i baze koristimo različite prostorne koordinate (xE , odnosno xB), koje su
međusobno suprotno orijentirane - zato su predznaci u transportnoj jednadžbi za elektrone u bazi
promijenjeni.
Kao što vidimo, za struju JnE trebamo odrediti raspodjelu elektrona i ugrađenog električnog
polja u bazi. To smo već učinili u prethodnom poglavlju kada smo određivali raspodjelu
elektrona, odnosno ekscesni naboj u nehomogenoj bazi (zadatak 3.25). Podsjetimo se postupka:
Zadatak 3.27
1. rješavanjem transportne jednadžbe za većinske nosioce, iz uvjeta da je u uvjetima niske

injekcije struja većinskih šupljina u bazi JpB =
0, odredili smo raspodjelu ugrađenog
električnog polja
1 dN B
( x) = U T ⋅ ⋅ ;
N B dx B
2. dobiveni izraz za električno polje uvrstili smo u transportnu jednadžbu za manjinske
elektrone, te smo dobili raspodjelu struje elektrona u bazi (3.94)
æ 1 dN B dn ö
J nB = q ⋅ DnB ⋅ ç ⋅ ⋅ nB + B ÷ .
è N B dx B dx B ø
Ovaj izraz još nije uporaban, jer ne znamo raspodjelu elektrona nB. Zato smo nastavili:
3. raspodjelu elektronske struje u bazi uvrstili smo u jednadžbu kontinuiteta za stacionarne
uvjete (∂JnB / ∂t = 0), zanemarujući rekombinaciju nosilaca u bazi (τnB → ∞), te smo dobili
diferencijalnu jednadžbu (3.99)
dn B 1 dN B J nB
+ ⋅ ⋅ nB = .
dx B N B dx B q ⋅ DnB
Budući da smo zanemarili rekombinaciju elektrona u bazi, desna strana je konstantna, tako
da imamo diferencijalnu jednadžbu prvog reda, oblika
y ′ + f ( x) ⋅ y = C .
4. Uz poznati rubni uvjet da je u normalnom aktivnom području
ni2
n B ( wB ) = ,
N B ( wB )
rješenjem gornje diferencijalne jednadžbe dobili smo raspodjelu elektrona, izraz (3.104)
w
J nB B
ni2
nB ( x B ) = − ⋅ ò N B ( x ) ⋅ dx + . (3.129)
q ⋅ DnB ⋅ N B ( x B ) x N B ( xB )
B
Prije nego što iskoristimo ovo rješenje, uočimo jednu bitnu činjenicu koju smo već rabili pri
analizi slika 3.59 i 3.62, ali ju nismo posebno isticali. Transportna jednadžba je linearna, tj.
možemo pisati da je
dn B
J nB = q ⋅ µnB ⋅ n ⋅ + q ⋅ DnB ⋅ =
dx B
dn0 B dn
= q ⋅ µnB ⋅ n0 B ⋅ + q ⋅ µnB ⋅ n B ⋅ + q ⋅ DnB ⋅ + q ⋅ DnB ⋅ B , (3.130)
dx B dx B
gdje su n0B i n B raspodjele ravnotežne, odnosno ekscesne koncentracije manjinskih elektrona u
bazi. Dakle, i difuzijska i driftna komponenta struje JnB mogu se prikazati kao zbroj doprinosa
ravnotežne i ekscesne raspodjele elektrona. Kao što znamo, u ravnotežnim uvjetima je ukupna
struja nosilaca jednaka nuli (pomoću tog uvjeta određujemo ugrađeno električno polje u
nehomogenim poluvodičima), pa prema tome zbroj prvog i trećeg pribrojnika u (3.130) mora biti
jednak nuli. Slijedi da je struja nosilaca određena raspodjelom samo ekscesnih nosilaca, tj.
dn
J nB = q ⋅ µnB ⋅ n B ⋅ + q ⋅ DnB ⋅ B .
dx B
Zadatak 3.27
Primijenimo li ovaj zaključak na izraz (3.129), u kojem je član uz integral jednak ekscesnoj
koncentraciji n B , i izlučimo iz tog izraza struju JnB , dobit ćemo da je
1
J nB = − q ⋅ DnB ⋅ N B ( x B ) ⋅ n B ( x B ) ⋅ w . (3.131)
B
ò N B ( x ) ⋅ dx
xB
Elektronska struja kroz emiterski spoj po iznosu je jednaka struji JnB na mjestu xB = 0, tj. uz
rub emiterske barijere. Koncentracija manjinskih elektrona na tom mjestu jednoznačno je
određena ravnotežnom koncentracijom elektrona i priključenim naponom UBE preko
Boltzmannove relacije
ni2 é æU ö ù
⋅ êexpç BE ÷ − 1ú .
n B (0) =
N B (0) êë è U T ø ûú
Zbog toga, uvrštavanjem xB = 0 u (3.131), dobivamo da je
1 é æU ö ù
J nE = q ⋅ ni2 ⋅ ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú , (3.132)
GB êë è U T ø úû
gdje je
wB
N B ( x)
GB = ò DnB
⋅ dx (3.133)
0
Gummelov broj baze [Gummel61]†.
Na osnovi izraza (3.132) i (3.133) moglo bi se pogrešno zaključiti da struja nosilaca koje
emiter injektira u bazu ne ovisi o obliku raspodjele primjesa u bazi, već samo o njihovom
ukupnom broju. Što je taj broj veći (npr. što je koncentracija primjesa u bazi viša), Gummelov
broj baze (3.133) će biti veći, a time struja JnE (3.132) manja. Ne smije se, međutim, zaboraviti da
su ovi izrazi dobiveni uz pretpostavku da su baza i emiter toliko uski da se nosioci pri proletu
kroz kvazineutralna područja ne stignu rekombinirati s većinskim nosiocima. Zbog zanemarene
rekombinacije, raspodjela primjesa, odnosno nosilaca neće imati nikakvog utjecaja na struje.
Uočimo da je za homogenu bazu
wB
NB N
GB = ò DnB
⋅ dx = B ⋅ w B ,
DnB
0
tako da izraz (3.132) prelazi u “klasični” izraz za elektronsku komponentu struje diode s uskom p-
stranom
DnB é æU ö ù
J nE = q ⋅ ni2 ⋅ ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú .
N B ⋅ wB êë è U T ø úû
† Slične izraze za ovisnost struje o raspodjeli primjesa još prije su objavili Moll i Ross [Moll56],
ali se u literaturi (npr. [Graaff77, Biljanović82, Valkó91]) uobičajio naziv Gummelovi brojevi.
Ponegdje se pod Gummelovim brojevima podrazumijeva integral samo koncentracije -
zanemaruje se ovisnost difuzijske konstante o koncentraciji primjesa i računa se s njenom
srednjom vrijednošću.
Zadatak 3.27
Ako je emiter uski, tj. ako je širina emitera puno manja od efektivne duljine manjinskih
nosilaca, istim pristupom možemo doći i do općenitog izraza za struju nosilaca koje baza injektira
u emiter. Dobit ćemo da je
1 é æU ö ù
J pE = q ⋅ ni2 ⋅ ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú , (3.134)
gdje je
wE
N E ( x)
GE = ò D pE
⋅ dx (3.135)
0
Gummelov broj emitera.
Pretpostavimo li da su difuzijske konstante manjinskih nosilaca u emiteru i bazi konstante,
nakon kraćenja odgovarajućih članova dobit ćemo da je faktor efikasnosti emitera npn tranzistora
J nE J pE J pE
γ = = 1− = 1 − =
J nE + J pE J nE + J pE J nE
wB
D pE ò N B ( x ) ⋅ dx
= 1− ⋅ w0 . (3.136)
DnB E
ò N E ( x ) ⋅ dx
0
Dakle, faktor efikasnosti će biti to bolji (bliži 1) što je razlomak u (3.136) manji. Da bi to bilo
postignuto, ukupna količina neto primjesa u bazi mora biti što manja od ukupne količine neto
primjesa u emiteru. Slijedi zaključak do kojeg smo već došli kod tranzistora s homogenim
emiterom i bazom: koncentracija primjesa u emiteru mora biti puno veća od koncentracije
primjesa u bazi. Utjecaj difuzijskih konstanti DpE i DnB je pritom redovito zanemariv.
3.2.3. Utjecaj površinske rekombinacije na faktor injekcije

U dosadašnjim analizama strujno-naponskih karakteristika dioda i tranzistora
prešutno smo pretpostavljali da je brzina površinske rekombinacije na kontaktu
beskonačna. To znači da se svi nosioci koji su injektirani kroz pn-spoj i koji su stigli do
vanjske priključnice (a da se nisu prethodno rekombinirali s većinskim nosiocima),
rekombiniraju na njoj. Zbog toga je koncentracija manjinskih nosilaca u poluvodiču uz
samu priključnicu jednaka ravnotežnoj koncentraciji i to smo koristili kao rubni uvjet pri
određivanju raspodjele nosilaca i struje emitera.
Obuhvati li se površinska rekombinacija u Gummelov broj emitera, tada se on za
npn tranzistor može pisati kao:
wE
N E ( wE ) N E ( x)
GE =
s
+ ò DpE
⋅ dx , (3.137)
0
gdje je s brzina površinske rekombinacije na emiterskoj priključnici, NE je neto
koncentracija donora u emiteru, a NE(wE) je neto koncentracija donora u emiteru uz
samu priključnicu.
Zadatak 3.27
Iako je u stvarnosti je brzina površinske rekombinacije konačna, ona je redovito

tako velika da se može računati kao da je beskonačna. Međutim, kod tranzistora s vrlo
uskim emiterom može iznos brzine površinske rekombinacije značajno utjecati na
vrijednost faktora injekcije. Ovo se posebice odnosi na tranzistore koji umjesto metala
za priključnicu koriste polisilicij. Brzina površinske rekombinacije na takvom spoju je
značajno manja, pa zbog toga takvi tranzistori imaju veće faktore injekcije.
Uočimo da brzina površinske rekombinacije na priključnici utječe prvenstveno na
svojstva emitera. Efektivna širina kolektora je obično dovoljno velika u odnosu na
difuzijsku duljinu manjinskih nosilaca da je utjecaj površinske rekombinacije na
kolektorskom kontaktu zanemariv. Isto tako je utjecaj rekombinacije na baznom
kontaktu zanemariv, jer se on nalazi dovoljno daleko od toka struje koja prolazi kroz
bazu.
Zadatak 3.28
Odrediti kako ovisi faktor injekcije emitera npn tranzistora o brzini površinske
rekombinacije. Izračunati faktore injekcije za tranzistor koji ima emiter homogeno
dopiran s 1017 donora / cm3, a bazu s 1016 akceptora / cm3, ako se brzina površinske
rekombinacije mijenja od s = 0 do s = ∞. Efektivne širine emitera i baze su 1 µm, i puno
su manje od difuzijskih duljina manjinskih nosilaca. Difuzijske konstante manjinskih
nosilaca u emiteru i bazi su DpE = 8 cm2/s, odnosno DnB = 30 cm2/s. Zanemariti
degeneracijske efekte u emiteru.
Rješenje:
Da bismo odredili kako brzina površinske rekombinacije utječe na faktor efikasnosti emitera,
prethodno trebamo odrediti kako površinska rekombinacija utječe na raspodjelu injektiranih
šupljina.
Postupkom identičnim kao i kod određivanja raspodjele manjinskih nosilaca u bazi,
dobivamo općenito da je
wE
J pE N E ( x)
N E ( wE ) ⋅ p E ( wE ) − N E ( x E ) ⋅ p E ( x E ) = −
q
⋅ ò D pE
⋅ dx , (3.138)
xE
gdje je p E ekscesna koncentracija nosilaca u emiteru. Budući da pretpostavljamo da je emiter

transparentan, tj. da je efektivna širina emitera puno manja od difuzijske duljine manjinskih
šupljina, rekombinacija šupljina pri proletu od emiterske barijere do emiterske priključnice je
zanemariva. Zbog toga je struja JpE konstantna, te smo ju izlučili ispred integrala. Naravno da za
široki emiter to ne vrijedi, ali u takvom emiteru će se većina nosilaca rekombinirati prije nego što
stignu do vanjske priključnice, tako da rekombinacija na površini nema značajnijeg upliva na
raspodjelu nosilaca.
Koncentracija ekscesnih nosilaca na mjestu emiterske priključnice (xE = wE) određena je
brzinom površinske rekombinacije preko relacije
J pE ( wE ) = q ⋅ s ⋅ [ p E ( wE ) − p0 E ( wE )] = q ⋅ s ⋅ p E ( wE ) , (3.139)
Zadatak 3.28
pri čemu je s brzina površinske rekombinacije šupljina na emiterskoj priključnici. Struja JpE(wE)
jednaka je struji JpE u izrazu (3.138), jer zanemarujemo rekombinaciju šupljina u volumenu
emitera. Izlučimo li iz (3.139) ekscesnu koncentraciju
J pE
p E ( wE ) = ,
q⋅s
te uvrstimo u (3.138), nakon izlučivanja struje JpE dobit ćemo da je
1
J pE = q ⋅ N E ( x E ) ⋅ p E ( x E ) ⋅ wE
. (3.140)
N E ( wE ) N E ( x)
+ ò ⋅ dx
s x
D pE
E
Ekscesnu koncentraciju manjinskih šupljina uz emitersku barijeru određuje napon na

emiterskom spoju,
é æU ö ù
p E (0) = p E (0) ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú ,
êë è U T ø úû
tako da za xE = 0, nakon uvrštavanja u (3.140), dobivamo da je
1 é æU ö ù
J pE = q ⋅ ni2 ⋅ wE
⋅ êexpç BE ÷ − 1ú . (3.141)
N E ( wE ) N E ( x) êë è U T ø úû
s
+ ò D pE
⋅ dx
0
Ovaj izraz također možemo pisati tako da cijeli nazivnik razlomka obuhvatimo u Gummelov broj
emitera,
1 é æU ö ù
J pE = q ⋅ ni2 ⋅ ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú , (3.142)
pri čemu je
wE
N E ( wE ) N E ( x)
GE =
s
+ ò D pE
⋅ dx . (3.143)
0
Prvi član u ovom izrazu obuhvaća doprinos površinske rekombinacije Gummelovom broju
emitera, dok drugi član obuhvaća doprinos rekombinacije u volumenu emitera, pa se može pisati
da je
N E ( wE )
G ES = , (3.143a)
s
wE
N E ( x)
G EV = ò D pE
⋅ dx . (3.143b)
0
Uz ove oznake je
G E = GES + GEV .
Tranzistor iz ovog zadatka ima transparentni, jednoliko dopirani emiter s koncentracijom

NDE = 1017 cm−3. Prema tome, podintegralna funkcija u (3.143b) je konstantna,
N DE
G EV = ⋅ wE ,
D pE
Zadatak 3.28
i za zadane podatke iznosi GEV = 1,25⋅1012 s/cm4.

Za brzinu površinske rekombinacije zadano je da se mijenja od s = 0 do s = ∞, zbog čega se
GES mijenja od ∞ do 0, a cjelokupni Gummelov broj emitera od ∞ do GEV (vidi tablicu 3.10).
Tablica 3.10. Ovisnost faktora efikasnosti i faktora strujnog

pojačanja spoja zajedničkog emitera o brzini površinske
rekombinacije za tranzistor iz zadatka 3.28.
s GES GE
−4
γ β (β* = 1)
cm / s scm scm − 4
0 ∞ 1,00⋅1017 1 ∞
3 14
10 1⋅10 1,01⋅1014 0,99967 3038
104 1⋅1013 1,13⋅1013 0,99705 338
5 12
10 1⋅10 2,25⋅1012 0,98540 67,5
6 11 12
10 1⋅10 1,35⋅10 0,97590 40,5
107 1⋅1010 1,26⋅1012 0,97423 37,8
∞ 0 1,25⋅1012 0,97403 37,5
Baza je također homogeno dopirana, pa je Gummelov broj baze

wB
N B ( x) N
GB = ò DnB
⋅ dx = AB ⋅ wB .
DnB
0
Uvrštavanjem zadanih vrijednosti dobit ćemo GB = 3,33⋅1010 s/cm4.
Sada možemo za različite vrijednosti brzine površinske rekombinacije izračunati GES , GE ,
odnosno faktor efikasnosti emitera
GE
γ = .
GE + GB
U tablici 3.10 navedeni su dobiveni rezultati s neophodnim međurezultatima. Za ilustraciju su u
tablici dani i faktori strujnog pojačanja dotičnog tranzistora u spoju zajedničkog emitera, uz
pretpostavku da je transportni faktor baze jednak 1,
α γ G
β ( β * = 1) = = = E .
1−α *
β =1 1 − γ GB
Na slici 3.65 dan je grafički prikaz ovisnosti faktora strujnog pojačanja o brzini površinske
rekombinacije, uz pretpostavku da je transportni faktor β* = 1. Kao što vidimo iz rezultata danih u
tablici i prikazanih na slici, faktor strujnog pojačanja pada s porastom brzine površinske
rekombinacije. Za velike brzine površinske rekombinacije, kada je GES puno manji od GEV , faktor
strujnog pojačanja asimptotski teži vrijednosti
GEV
β= = 37,5 .
GB
Naprotiv, za vrlo male brzine površinske rekombinacije je GES >> GEV , tako da je faktor strujnog
pojačanja
Zadatak 3.28
1000
−4 s= 0
GB = 3,33 .1010 scm 1
−4
GEV = 1,25 .10 scm
12
−3 0,8 104cm/s
NDE = 1017 cm
105cm/s
β 100 pÊ (xE ) 0,6
pÊ (0) 0,4 106cm/s
0,2
s=∞
10 4 0
10 10 5 10 6 10 7 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
s / cms
−1 xE / wE
Slika 3.65. Faktor strujnog pojačanja spoja Slika 3.66. Raspodjele normiranih eksces-
zajedničkog emitera u ovisnosti o brzini nih koncentracija šupljina u emiteru tran-
površinske rekombinacije za tranzistor iz zistora iz zadatka 3.28.
zadatka 3.28.
GES 1
β ( β * = 1) = ∝ .
GB s
Tipične vrijednosti brzine površinske rekombinacije na metalnom kontaktu su 105 cm/s, dok
na kontaktu silicija s polisilicijem one iznose oko 5000 cm/s [Graaff77]. Prema tome bi, za
tranzistor iz ovog zadatka, faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničkog emitera (uz β* = 1)
iznosio oko 67, ako bi emiterska priključnica bila metalna, odnosno oko 600 za polisilicijsku
emitersku priključnicu.
Da bi utjecaj brzine površinske rekombinacije na faktor efikasnosti emitera bio jasniji,
nacrtana je slika 3.66. Na njoj su prikazane raspodjele manjinskih šupljina u emiteru razmatranog
tranzistora za različite brzine površinske rekombinacije. Na apscisi je prostorna koordinata
normirana na efektivnu širinu emitera, dok je na ordinati koncentracija ekscesnih šupljina
normirana na ekscesnu koncentraciju uz emitersku barijeru. Možemo uočiti da s porastom brzine
površinske rekombinacije pada koncentracija ekscesnih nosilaca na površini emitera, tj. uz
emitersku priključnicu. Zbog toga raste gradijent koncentracije manjinskih šupljina u bazi, pa
raste i struja JpE , tj. struja šupljina koje baza injektira u emiter. Ako je struja JnE nepromijenjena
(ona ovisi o naponu baza-emiter, a raspodjele na slici mogu se uzeti da su nacrtane za konstantan
napon), omjer struja JpE /JnE raste, pa slijedi da raste faktor efikasnosti pada.
Kada je brzina površinske rekombinacije jednaka 0, raspodjela manjinskih nosilaca na slici
je potpuno horizontalna, jer smo zanemarili rekombinaciju nosilaca u volumenu emitera. U
stvarnosti, za konačnu rekombinaciju u emiteru, je to početni dio eksponencijalne raspodjele koja
se dobiva kada je širina emitera puno veća od difuzijske duljine manjinskih šupljina.
3.2.4. Utjecaj degeneracijskih pojava na faktor injekcije

Koncentracije primjesnih atoma u emiterima tranzistora redovito su veće od
1019 cm−3, pa degeneracijski efekti u njima značajno utječu na raspodjelu manjinskih
nosilaca, a time na faktor efikasnosti emitera. Ispoljavanje degeneracijskih efekata na
faktor efikasnosti može se razlučiti na dvije pojave:
Zadatak 3.28
1. Zbog efektivnog suženja zabranjenog pojasa raste efektivna intrinsična

koncentracija, a time i koncentracija manjinskih nosilaca, iznad vrijednosti
koje daju klasični izrazi (vidi 1.9.1. Suženje zabranjenog pojasa). Zbog toga
će struja nosilaca koje baza injektira u emiter (IpE kod npn, a InE kod pnp
tranzistora) biti veća nego uz zanemarenje degeneracijskih efekata, pa će i
faktor injekcije biti manji.
2. U nehomogenom emiteru u kojem su izraženi degeneracijski efekti, osim
ugrađenog električnog polja koje se u ravnotežnim uvjetima suprotstavlja
difuziji nosilaca s mjesta više prema mjestu niže koncentracije, postoji i
ugrađeno kvazi-električno polje. Zbog promjene gustoće kvantnih stanja za
manjinske nosioce, mora postojati kvantno-mehanička sila koja se
suprotstavlja difuziji (isključivo!) manjinskih nosilaca s mjesta više
koncentracije (tj. mjesta gdje su degeneracijski efekti jače izraženi) prema
mjestu niže koncentracije. Kako gibanje nosilaca nastojimo opisati zakonima
klasične mehanike, tu silu pripisujemo ugrađenom električnom polju, s tom
razlikom da kvazi-električno polje djeluje samo na manjinske nosioce (vidi
1.9.2. Transportne jednadžbe u degeneriranom poluvodiču).
Utjecaj obiju pojava može se obuhvatiti Gummelovim brojem emitera tako da se on
(za npn tranzistor) napiše kao
2 wE 2
N E ( wE ) é ni 0 ù N E ( x ) é ni 0 ù
GE =
s
⋅ê ú ⋅ g ( wE ) +
ë ni ( x ) û
ò ⋅ê ú ⋅ g ( x ) ⋅ dx .
DpE ( x ) ë ni ( x ) û
(3.144)
0
Prvi član u ovom izrazu jest doprinos površinske rekombinacije
2
N E ( wE ) é ni 0 ù
GES = ⋅ê ú ⋅ g ( wE ) , (3.144a)
s ë ni ( wE ) û
a drugi član daje doprinos rekombinacije u volumenu emitera
wE 2
N E ( x ) é ni 0 ù
GEV = ò ⋅ê ú ⋅ g ( x ) ⋅ dx .
DpE ( x ) ë ni ( x ) û
(3.144b)
0
Porast efektivne intrinsične koncentracije uslijed suženja zabranjenog pojasa

uključen je u gornje izraze preko članova (ni 0/ni)2, gdje je ni 0 intrinsična koncentracija u
nedegeneriranom poluvodiču, a ni je efektivna intrinsična koncentracija. Ovaj omjer
može se opisati funkcijom [Slotboom76, Slotboom77, Slotboom77a]
2
é ni 0 ù é ∆EG 0 ( x ) ù
ê ú = exp ê− ú, (3.145)
ë ni ( x ) û ë ET û
gdje je ∆EG 0 efektivno suženje zabranjenog pojasa uslijed degeneracijskih efekata,
ìï é N ( x ) ù üï
2 é N ( x) ù
∆E G 0 ( x ) = E 1 ⋅ íln ê ú + ln ê ú + 0,5 ý . (3.146)
N ë N1 û
îï ë 1 û þï
U formuli (3.146) E1 = 9 meV i N1 = 1017 cm−3 su konstante dobivene na osnovi

eksperimentalnih mjerenja.
Jednadžba (3.144) je najopćenitiji oblik Gummelovog broja emitera koji vrijedi
neovisno o efektivnoj širini emitera. Zato su dodani težinski (rekombinacijski) faktori
g(wE), odn. g(x) koji opisuju udio rekombinacije na emiterskom kontaktu i
rekombinacije u volumenu emitera. Oni se definiraju kao
J pE ( x )
g ( x) = , (3.147)
J pE (0)
odnosno
J pE ( wE )
g ( wE ) = . (3.148)
J pE (0)
Određivanje težinskih faktora je središnji problem pri računanju Gummelovog broja

emitera. Razmotrimo ih za dva ekstremna slučaja: (1) potpuno transparentni emiter i (2)
netransparentni emiter. U transparentnom emiteru je rekombinacija manjinskih nosilaca
zanemariva, zbog čega je težinski faktor u podintegralnoj funkciji g(x) = 1. Budući da se
cjelokupna rekombinacija odvija isključivo na priključnici, i težinski faktor na
priključnici g(wE) = 1. Naprotiv, ako je emiter tranzistora puno širi od difuzijske duljine
manjinskih nosilaca, svi nosioci će se rekombinirati prije nego što stignu do priključnice.
Zbog toga je za takav tranzistor g(wE) = 0, a g(x) ima neki funkcijski oblik koji općenito
ovisi o raspodjeli primjesa. Za emitere dobivene difuzijskim postupkom može se
koristiti jednostavna aproksimacija dana u [Graaff77]. Za homogene emitere čija je
širina puno veća od difuzijske duljine manjinskih nosilaca,
æ x ö
g ( x ) = expçç − ÷.
÷ (3.149)
è LpE ø
Zadatak 3.29
Koncentracije primjesa u emiteru i bazi npn tranzistora su homogene i iznose
ND = 1020 cm−3, odnosno NB = 5⋅1016 cm−3. Širina baze je wB = 1 µm, parametri
manjinskih nosilaca u bazi i emiteru su DnB = 24 cm2/s, DpE = 1,3 cm2/s, LpE = 5 µm.
Brzina površinske rekombinacije na emiterskoj priključnici je s = 3⋅105 cm/s,
temperatura je 300 K. Izračunati:
a) efikasnost emitera;
b) faktor strujnog pojačanja spoja zajedničke baze i zajedničkog emitera uz
pretpostavku da je transportni faktor baze β* = 1.
Proračun provesti uz pretpostavke da je efektivna širina emitera puno veća od difuzijske
duljine manjinskih šupljina u emiteru, odnosno da je efektivna širina emitera 0,4 µm.
Rješenje:
Zadani tranzistor ima koncentraciju donora u emiteru puno veću od 1017 cm−3, tako da
moramo uzeti u obzir degeneracijske efekte. Kako je zadano da je emiter tranzistora u jednom
slučaju netransparentan (efektivna širina je puno veća od difuzijske duljine manjinskih šupljina), a
u drugom slučaju transparentan, u suštini se radi o dva tranzistora. Radi preglednosti ćemo
rezultate za oba tranzistora davati usporedo. Prvo ćemo ipak izvesti Gummelov broj emitera za
općenitu raspodjelu primjesa u emiteru [Graaff77, Biljanović82].
Jednako kao i dosada, polazimo od transportne jednadžbe za manjinske nosioce u emiteru,
dp E
J pE ( x E ) = q ⋅ µ pE ⋅ p E ⋅ − q ⋅ D pE ⋅ , (3.150)
dx E
pomoću koje ćemo odrediti struju šupljina koje baza injektira u emiter. Pritom treba uočiti da za
nehomogenu raspodjelu primjesa u emiteru postoji (1) “klasično” ugrađeno električno polje i (2)
kvazi-električno polje kao posljedica različito izraženih degeneracijskih efekata na mjestima s
različitim koncentracijama primjesa.
U ravnotežnim uvjetima struja šupljina u emiteru mora biti svugdje jednaka nuli, pa pomoću
(3.150) možemo odrediti jakost električnog polja,
1 dp0 E
= UT ⋅ ⋅ , (3.151)
p0 E dx E
gdje je p0E ravnotežna koncentracija šupljina. Ona je određena koncentracijom većinskih
elektrona, odnosno primjesa preko zakona termodinamičke ravnoteže,
ni2 ( x E ) n2 ( x )
p0 E ( x E ) = = i E . (3.152)
n0 E ( x E ) N E ( x E )
Intrinsična koncentracija u (3.152) je funkcija prostorne koordinate, budući da su zbog
nejednolike raspodjele koncentracija degeneracijski efekti u različitim točkama različito izraženi!
Uvrstimo li jednadžbe (3.152) u (3.151), dobit ćemo da je jakost polja
N E ( xE ) é ni2 ( x E ) ù
d é 2 dn ( x ) 1 dN E ( x E ) ù
= UT ⋅ ê ⋅ ú = UT ⋅ ê ⋅ i E − ⋅ ú . (3.153)
ni2 ( x E ) dx E
êë N E ( x E ) úû ë ni ( x E ) dx E N E ( xE ) dx E û
Prvi član u uglatoj zagradi predstavlja kvazi-električno, a drugi član električno polje. Jednadžbu
(3.153) možemo napisati i kao
ìï é n 2 ( x ) ù üï
d
i E
= UT ⋅
íln ê úý . (3.153a)
dx E
îï êë N E ( x E ) úû þï
Uočimo da je u nedegeneriranom poluvodiču ili u degeneriranom, ali homogeno dopiranom
poluvodiču, efektivna intrinsična koncentracija svugdje ista, tj.
dni
= 0,
dx E
pa nema kvazi-električnog polja.
U uvjetima niske injekcije, promjena električnog polja u odnosu na ravnotežne vrijednosti
dane jednadžbama (3.153), odnosno (3.153a) je zanemariva, tako da ih možemo uvrstiti u
transportnu jednadžbu (3.150):
Zadatak 3.29
dp E d ìï é N ( x ) ùüï J pE ( x E )
E E
+ pE ⋅ íln ê 2 úý = − . (3.154)
dx E dx E ïî êë ni ( x E ) úûïþ q ⋅ D pE
Iako u desnoj strani jednadžbe (3.154) i difuzijska konstanta DpE općenito (za nehomogenu
raspodjelu primjesa u emiteru) ovisi o prostornoj koordinati, ta se ovisnost redovito zanemaruje,
te se računa sa njenom srednjom vrijednošću.
Poneki čitatelj će dobro primijetiti da struja JpE ovisi o raspodjeli šupljina koju tražimo kao
rješenje diferencijalne jednadžbe, pa općenito ne znamo unaprijed funkcijski oblik desne strane.
Izuzetak su homogeno dopirani poluvodič (za koji smo rješavali jednadžbu kontinuiteta) i
transparentni emiter (kod kojeg je struja JpE konstantna). Zato je jednadžba (3.154) u općenitom
slučaju nelinearna diferencijalna jednadžba koja se može riješiti samo numerički [Mertens73].
Srećom, nas ne zanima raspodjela struje, nego nam je važna samo struja uz rub barijere, da
bismo preko nje izrazili struju kroz pn-spoj. Pretpostavimo da nam je poznata funkcija raspodjele
struje JpE! Tada je (3.154) linearna diferencijalna jednadžba oblika
y ′ + f ( x) ⋅ y = g( x ) .
Riješit ćemo ju postupkom varijacije konstante - prvo nađimo opće rješenje pEH pripadajuće
homogene jednadžbe
dp EH d ìï é N ( x ) ù üï
E E
+ p EH ⋅ íln ê 2 úý = 0 . (3.155)
dx E dx E n
îï êë i E ) úû þï
( x
Separacijom varijabli dobivamo jednadžbu

dp EH ìï é N ( x ) ù üï
= d[ln( p EH )] = − d íln ê 2E E ú ý . (3.156)
pE ïî êë ni ( x E ) úû ïþ
I lijeva i desna strana ove jednadžbe su totalni diferencijali, te je integracija trivijalna. Dobivamo
da je
é N (x ) ù
ln( p EH ) = − ln ê 2E E ú + C1 ,
êë ni ( x E ) úû
odnosno
ni2 ( x E )
p EH = C1 ⋅ . (3.157)
N E ( xE )
Prema tome, opće rješenje nehomogene jednadžbe (3.154) tražimo u obliku

ni2 ( x E )
p E = C1 ( x E ) ⋅ . (3.158)
N E ( xE )
Uvrstimo li (3.158) u (3.154), nakon kraćenja ostaje
N E ( x E ) J pE ( x E )
C1′ ( x E ) = − ⋅ .
ni2 ( x E ) q ⋅ D pE
Integracijom dobivamo da je
xE
1 N E ( x ) J pE ( x )
C1 ( x E ) = −
q
⋅ ò ni2 ( x )
⋅
D pE
⋅ dx + C2 ,
0
Zadatak 3.29
pa je opće rješenje jednadžbe (3.154) [Graaff77]

ni2 ( x E ) é ù
x
1 E N ( x ) J pE ( x )
pE ( x E ) = ⋅ êC2 − ⋅ ò 2E ⋅ ⋅ dx ú . (3.159)
N E ( xE ) ê q 0 ni ( x ) D pE úû
ë
Konstantu integracije C2 odredit ćemo iz rubnog uvjeta na emiterskoj priključnici. Ako je
zadana brzina površinske rekombinacije s, tada je
J pE ( wE ) = q ⋅ s ⋅ [ pE ( wE ) − p0 E ( wE )] =
é n2 (w ) ù
= q ⋅ s ⋅ ê p E ( wE ) − i E ú . (3.160)
êë N E ( wE ) úû
Izlučimo pE(wE), te izjednačimo s (3.159) u koji smo prethodno uvrstili xE = wE :
ni2 ( wE ) é ù J pE ( wE ) n 2 ( w )
w
1 E N ( x ) J pE ( x )
pE ( wE ) = ⋅ êC2 − ⋅ ò 2E ⋅ ⋅ dx ú = + i E .
N E ( wE ) ê q 0 ni ( x ) D pE ú q⋅s N E ( wE )
ë û
Nakon izlučivanja konstante C2 i sređivanja izraza, dobit ćemo da je
w
N E ( wE ) J pE ( wE ) 1 E N E ( x ) J pE ( x )
q ò0 ni2 ( x )
C2 = 1 + ⋅ + ⋅ ⋅ ⋅ dx ,
ni2 ( wE ) q⋅s D pE
pa uvrštavanjem u (3.159) dobivamo raspodjelu šupljina u emiteru kao
ni2 ( x E ) é ù
w
N ( w ) J pE ( wE ) 1 E N E ( x ) J pE ( x )
pE ( x E ) = ⋅ ê1 + 2E E ⋅ + ⋅ ò 2 ⋅ ⋅ dx ú . (3.161)
N E ( xE ) ê ni ( wE ) q⋅s q x ni ( x ) D pE úû
ë
Da bismo ovo rješenje iskoristili za izvod strujno-naponske karakteristike, moramo
koncentraciju povezati s naponom na pn-spoju emiter-baza. Već znamo da je koncentracija
šupljina uz rub emiterske barijere (xE = 0) određena naponom na barijeri,
æU ö n 2 (0) æU ö
p E (0) = p0 E (0) ⋅ expç BE ÷ = i ⋅ expç BE ÷ . (3.162)
è U T ø N E (0) è UT ø
Zato ćemo u (3.161) uvrstiti xE = 0,
ni2 (0) é ù
w
N ( w ) J pE ( wE ) 1 E N E ( x ) J pE ( x )
p E (0) = ⋅ ê1 + 2E E ⋅ + ⋅ ò 2 ⋅ ⋅ dx ú , (3.163a)
N E ( 0) ê ni ( wE ) q⋅s q 0 ni ( x ) D pE úû
ë
te izlučiti na desnoj strani gustoću struje JpE uz emitersku barijeru,
ni2 (0) é 1 N ( w ) J pE ( wE )
w
1 E N ( x) J pE ( x ) ù
p E (0) = ⋅ J pE (0) ⋅ ê + 2E E ⋅ + ⋅ ò 2E ⋅ ⋅ dx ú .
N E (0) êë J pE (0) ni ( wE ) q ⋅ s ⋅ J pE (0) q 0 ni ( x ) D pE ⋅ J pE (0) úû
(3.163b)
Omjere struja JpE u drugom i trećem članu u uglatoj zagradi jednadžbe (3.163b) označit ćemo kao
J pE ( x )
g( x) = , (3.164a)
J pE (0)
J pE ( wE )
g ( wE ) = . (3.164b)
J pE (0)
Zadatak 3.29
To su težinski faktori koji ovise o rekombinaciji šupljina i općenito nisu poznati, budući da ne
znamo raspodjelu struje.
Uz ove oznake (3.163b) možemo pisati preglednije kao
ni2 (0) é 1 N E ( wE )
w
1 E N E ( x) ù
p E (0) =
N E (0)
⋅ J pE (0) ⋅ ê +
êë J pE (0) q ⋅ s ⋅ ni2 ( wE )
⋅ g ( w E ) + ⋅ ò
q 0 D pE ⋅ ni2 ( x )
⋅ g ( x ) ⋅ dx ú.
úû
(3.163c)
Izjednačimo li (3.163c) s (3.162) i izlučimo struju JpE(0), dobit ćemo da je
1 é æU ö ù
J pE (0) = wE
⋅ êexpç BE ÷ − 1ú =
N E ( wE ) 1 N E ( x) êë è U T ø úû
2
q ⋅ s ⋅ ni ( wE )
⋅ g ( wE ) + ⋅
q ò D pE ⋅ ni2 ( x )
⋅ g ( x ) ⋅ dx
0
q ⋅ ni20 é æU ö ù
= 2 wE 2
⋅ êexpç BE ÷ − 1ú =
N E ( wE ) é ni 0 ù N E ( x ) é ni 0 ù êë è U T ø ûú
s
⋅ê ú ⋅ g ( wE ) +
ë ni ( wE ) û
ò ⋅ê ú ⋅ g ( x ) ⋅ dx
D pE ë ni ( x ) û
0
q ⋅ ni20 é æ U BE ö ù
= ⋅ êexpç ÷ − 1ú . (3.165)
GE êë è U T ø ûú
Dakle, dobili smo da je Gummelov broj emitera

2 wE 2
N (w ) é n ù N E ( x ) é ni 0 ù
G E = E E ⋅ ê i 0 ú ⋅ g ( wE ) +
s n ( w
ë i E û) ò ⋅ê ú ⋅ g ( x ) ⋅ dx .
D pE ë ni ( x ) û
(3.166)
0
Prvi pribrojnik,
2
N E ( wE ) é ni 0 ù
G ES = ⋅ê ú ⋅ g ( wE ) , (3.166a)
s ë ni ( wE ) û
jest doprinos rekombinacije na emiterskoj priključnici, dok je drugi pribrojnik,
wE 2
N E ( x ) é ni 0 ù
G EV = ò ⋅ê ú ⋅ g ( x ) ⋅ dx ,
D pE ë ni ( x ) û
(3.166b)
0
doprinos rekombinacije u volumenu emitera. Omjeri intrinsičnih koncentracija [ni 0/ni(wE)]2,
odnosno [ni 0/ni(x)]2 određeni su izrazima (3.145) i (3.146).
a)
Da bismo izračunali faktor efikasnosti emitera,
GE
γ = ,
GE + GB
moramo izračunati Gummelove brojeve emitera i baze zadanog tranzistora.
Baza zadanog tranzistora je homogeno dopirana, pa je računanje Gummelovog broja baze
banalno
Zadatak 3.29
wB
NB N
GB = ò DnB
⋅ dx = B ⋅ w B .
DnB
0
Uvrštavanjem zadanih vrijednosti (NB = 5⋅1016 cm−3, DnB = 24 cm2/s, wB = 1 µm), dobit ćemo da
je GB = 2,08⋅1011 scm−4. Koncentracija akceptora u bazi je dovoljno niska da se mogu zanemariti
degeneracijski efekti. U protivnom bi i u Gummelovom broju baze postojao član [ni 0/ni(x)]2, tj.
wB 2
N B é ni 0 ù
GB = ò ⋅ê ú ⋅ dx .
DnB ë ni ( x ) û
0
Emiter tranzistora je također jednoliko dopiran, tako da je Gummelov broj emitera

2 2 wE
N æn ö N æn ö
G E = E ⋅ ç i 0 ÷ ⋅ g ( wE ) + E ⋅ ç i 0 ÷ ⋅
s è ni ø D pE è ni ø ò g ( x) ⋅ dx ,
0
pri čemu su omjeri intrinsične koncentracije nedegeneriranog silicija i efektivne intrinsične
koncentracije neovisni o prostornoj koordinati,
2 ì é æN ö ùü
æ ni 0 ö ï E æN ö ï
ç ÷ = exp í− 1 ⋅ êlnç E ÷ + ln 2 ç E ÷ + 0,5 ú ý = 8,05 ⋅ 10 − 3 .
è ni ø ïî E ê è N ø è N ø ú
T
ë 1 1
û ïþ
Preostalo nam je još samo odrediti težinske faktore! U tranzistoru sa netransparentnim
emiterom (wE >> LpE), struja JpE eksponencijalno pada,
æ x ö
J pE ( x ) = J pE (0) ⋅ expçç − ÷.
÷
è L pE ø
Zbog toga je težinski faktor

J pE ( x ) æ x ö
g( x) = = expçç − ÷,
÷
J pE (0) è L pE ø
pa je integral težinskog faktora
wE ∞ æ x ö
ò g ( x ) ⋅ dx =
ò expççè − L pE ÷÷ø ⋅ dx = LpE .
0 0
Efektivna širina emitera je puno veća difuzijske duljine manjinskih šupljina, tako da se praktički
sve šupljine injektirane iz baze rekombiniraju prije nego što stignu do emiterske priključnice.
Zbog toga je vrijednost eksponencijalne funkcije na mjestu xE = wE zanemariva, te smo smjeli radi
jednostavnosti gornju granicu integracije pomaknuli na xE = ∞, a da rezultirajuća pogreška bude
zanemariva.
Zbog istog razloga rekombinacija na emiterskoj priključnici nema nikakvog utjecaja na
raspodjelu manjinskih šupljina, te je g(wE) = 0. Možemo zaključiti da je Gummelov broj emitera
za zadani tranzistor s netransparentnim emiterom
2
N E æ ni 0 ö
G E = GEV = ⋅ ç ÷ ⋅ L pE .
D pE è ni ø
U transparentnom emiteru je rekombinacija šupljina tijekom proleta od emiterske barijere do

priključnice zanemariva - struja JpE je praktički konstantna. Zbog toga je težinski faktor
Zadatak 3.29
J pE ( x )
g( x) = = 1 ,
J pE (0)
pa je integral težinskog faktora
wE
ò g ( x ) ⋅ dx = wE .
0
Također je, zbog istih razloga, g(wE) = 1. Prema tome, Gummelov broj emitera za zadani
tranzistor s transparentnim emiterom je
2 2
N E æ ni 0 ö N æn ö
G E = GES + GEV = ⋅ ç ÷ + E ⋅ ç i 0 ÷ ⋅ wE .
s è ni ø D pE è ni ø
U tablici 3.11 dani su brojčani rezultati za oba tranzistora. Kao što možemo vidjeti, zbog
manjeg Gummelovog broja emitera je faktor efikasnosti tranzistora s transparentnim emiterom
manji. Ovdje se ta razlika ne čini značajnom, ali ćemo vidjeti u b) dijelu rješenja da ta razlika
uzrokuje značajnu razliku u faktorima strujnog pojačanja spoja zajedničkog emitera.
Tablica 3.11. Rezultati u zadatku 3.29a.
GES GEV GE
emiter γ
scm − 4 scm − 4 scm − 4
netransparentni 0 3,10⋅1014 3,10⋅1014 0,99933
transparentni 2,68⋅1012 2,48⋅1012 2,74⋅1013 0,99247
b)
Kako je zadan transportni faktor baze β* = 1, faktor strujnog pojačanja spoja zajedničkog
emitera jednak je
γ G
β ( β * = 1) = = E .
1 − γ GB
U tablici 3.12 dani su brojčani rezultati za oba tranzistora. Radi usporedbe, dani su i rezultati koji
bi se dobili kada bismo zanemarili degeneracijske efekte, tj. kada bi pretpostavili da je
Tablica 3.12. Rezultati u zadatku 3.29b.
s degeneracijskim efektima zanemarujući degeneracijske efekte
GE GE
emiter γ β (β* = 1) γ β (β* = 1)
scm − 4 scm − 4
netransparentni 3,10⋅1014 0,99933 1486 3,85⋅1016 0,9999946 184616

13 15
transparentni 2,74⋅10 0,99247 132 3,41⋅10 0,999939 16369
Zadatak 3.29
ni 0
= 1.
ni
Razmotrimo rezultate iz tablice! Prvo uočimo koliko je faktor strujnog pojačanja spoja
zajedničkog emitera za tranzistor s netransparentnim emiterom veći od istog faktora tranzistora s
transparentnim emiterom. Objašnjenje je već dano u rješenju zadatka 3.28, na stranici 104: ta
razlika je posljedica daleko strmije raspodjele šupljina u transparentnom emiteru (takvom ju čini
jaka rekombinacija na bliskoj priključnici), zbog čega je faktor efikasnosti takvog emitera lošiji.
Ono što je bitnije uočiti u tablici 3.12 jest pogreška koja nastaje zanemarenjem
degeneracijskih pojava u poluvodiču! Zanemari li se porast (efektivne) intrinsične koncentracije,
ravnotežna koncentracija manjinskih nosilaca bit će za faktor
2
æ ni ö
ç ÷ = 124
è ni 0 ø
manja, pa će i struja šupljina koje baza injektira u emiter (tj. “nekorisna” struja JpE) biti toliko
puta manja. Posljedica toga su nerealno velike efikasnosti emitera i faktori strujnog pojačanja.
U tranzistorima koji se dobivaju postupcima termičke difuzije ili ionske implantacije.
područja emitera i baze su nehomogeno dopirana. Površinska koncentracija primjesa u emiteru
nerijetko zna iznositi i do 1021 cm−3, ali ta koncentracija pada prema spoju emiter-baza†. Širina
emitera je tipično oko 1 µm. Kao što smo iz rezultata zadatka vidjeli, za što bolju efikasnost
emitera bilo bi poželjno da je emiter što širi, ali je tehnološki vrlo teško dobiti duboke i jako
dopirane slojeve. Također, preširoki emiter kvari neka druga svojstva tranzistora.
Raspodjela primjesa u bazi planarnih tranzistora ima maksimum (vidi sliku 3.58), koji
ponekad može biti i do 1019 cm−3. Širine baze su tipično oko 1 µm. Za što bolji transportni faktor
baze poželjna je što uža baza, ali ako je baza preuska može se dogoditi da se emiterska i
kolektorska barijera spoje (ova pojava naziva se prohvat, engl. punch-through) - struja baze više
neće utjecati na kolektorsku struju, pa se gubi tranzistorski efekt. Prema tome, ako koncentracije u
zadanom tranzistoru shvatimo kao srednje vrijednosti koncentracija u emiteru i bazi, tada su
rezultati za tranzistor s transparentnim emiterom dosta blizu realnim vrijednostima.
Zadatak 3.30
PNP tranzistor ima širinu baze wB = 5 µm, a širinu emitera wE = 2 µm. Koncentracije
primjesa u emiteru i bazi su NE = 1018 cm−3 i NB = 5⋅1015 cm−3. T = 300 K. U nekoj
radnoj točki u normalnom aktivnom području struja emitera je IE = 10 mA. Izračunajte
Gummelove brojeve emitera i baze, strujna pojačanja i sve komponente struja, ako je
ICBO = 0, τnE = 0,1 µs, τpB = 1 µs, s = 105 cm/s.
Rješenja: GE = 6,76⋅1012 scm–4, GB = 2,22⋅1011 scm–4; α = 0,957, β = 22,5; IpE = 9,68 mA,
InE = 319 µA, IR = 108 µΑ, ΙΒ = –426 µA, IC = –9,57 mA.
† Opširan pregled stvarnih raspodjela primjesa u tranzistorima zainteresirani čitatelj može naći u
[Wang81].
Zadatak 3.30
Zadatak 3.31
Silicijska dioda sa skokovitim pn-spojem ima jednolike koncentracije primjesa na p- i n-
strani NA = 1019 cm–3, odnosno ND = 1016 cm–3, širinu p-strane 0,8 µm, dok je širina n-
strane puno veća od difuzijske duljine manjinskih nosilaca. Vremena života manjinskih
nosilaca su τn = 0,5 µs i τp = 5 µs, difuzijske konstante Dn = 2,7 cm2/s i Dp = 10,5 cm2/s,
brzina površinske rekombinacije s = 105 cm/s, a površina spoja S = 2 mm2. T = 300 K.
a) Izračunajte Gummelove brojeve n- i p-strane diode.
b) Za napon propusne polarizacije U = 0,5 V odredite struju kroz diodu, te
c) difuzijske struje manjinskih nosilaca 0,5 µm od rubova barijere.
Rješenja: a) GN = 6,90⋅1012 scm−4, GP = 1,57⋅1013 scm−4 b) I = 31,9 µA, c) Idn = 9,73 µA,
Idp = 22,1 µA.
Zadatak 3.32
PNP tranzistor ima širinu baze wB = 4 µm, a širina emitera je puno veća od difuzijske
duljine manjinskih nosilaca u emiteru. Koncentracije primjesa u emiteru i bazi iznose
1018 cm–3 i 5⋅1015 cm–3. T = 300 K. Izračunajte faktore efikasnosti emitera, te faktore
strujnih pojačanja spoja zajedničkog emitera:
a) uz zanemarenje promjene intrinsične koncentracije zbog visokog dopinga;
b) uzimajući u obzir promjenu intrinsične koncentracije.
Pretpostavite da je ICBO = 0, τn = 0,1 µs, τp = 1 µs, µn = 248 cm2/Vs, µp = 438 cm2/Vs.
Rješenje: a) γ = 0,99859, α = 0,9915, β = 117; b) γ = 0,99276, α = 0,9857, β = 69,1.
Zadatak 3.32
3.3. Odstupanja karakteristika realnih tranzistora 115
3.3. Odstupanja karakteristika realnih tranzistora

U dosadašnjim analizama pretpostavljali smo idealni tranzistor kod kojeg je:
- tok struje jednodimenzionalan, u smjeru od emitera prema kolektoru
(odnosno u suprotnom smjeru);
- serijski otpor od vanjskih priključnica emitera, baze, odnosno kolektora do
aktivnog (intrinsičnog) tranzistora zanemariv;
- širine emitera, baze i kolektora konstantne.
Također smo pretpostavljali da tranzistor radi u uvjetima niske injekcije, tako da su
ovisnosti koncentracija manjinskih nosilaca uz rubove barijera o naponu opisane
Boltzmannovim jednadžbama, a koncentracija injektiranih nosilaca ne utječe na
raspodjelu električnog polja u bazi (zato se u tranzistoru s homogenom bazom manjinski
nosioci kroz bazu gibaju isključivo difuzijom).
Zbog navedenih pretpostavki, strujno-naponski odnosi idealnog tranzistora mogu se
opisati Ebers-Mollovim jednadžbama u kojima su sva četiri parametra (α, αΙ , ICS i IES)
konstantni, tj. neovisni o položaju radne točke (naponima i strujama tranzistora).
3.3.1. Utjecaj nivoa injekcije na efikasnost emitera

Jedna od važnih pretpostavki kod izvoda strujno-naponskih odnosa je pretpostavka
da tranzistor radi u uvjetima niske injekcije. U tom slučaju, obje komponente emiterske
struje jednako ovise o naponu na spoju emiter-baza. Za npn tranzistor:
æU ö æU ö
I nE ∝ expç BE ÷ , I pE ∝ expç BE ÷ . (3.167)
è UT ø è UT ø
Porastom napona propusne polarizacije na pn-spoju, koncentracije manjinskih

nosilaca rastu i postaju sumjerljive s koncentracijama većinskih nosilaca. Zbog toga
prestaju vrijediti Boltzmannove relacije za manjinske nosioce, a struje ne rastu više s
priključenim naponom onako kako je predviđeno u (3.167), već sporije,
æ U ö æ U ö
I nE ∝ expç BE ÷ , I pE ∝ expç BE ÷ . (3.168)
è m ⋅UT ø è m ⋅UT ø
Kako struja kroz spoj raste, faktor m u ovim izrazima postupno teži prema 2, a dioda
ulazi u režim visoke injekcije†.
Da bi se shvatio utjecaj nivoa injekcije na efikasnost emitera, dovoljno je podsjetiti
da je baza planarnih tranzistora redovito slabije dopirana od emitera. Stoga su
ravnotežne koncentracije manjinskih nosilaca u bazi veće od istih u emiteru, pa će baza
ući u režim visoke injekcije kod nižih napona nego emiter - struja manjinskih elektrona u
bazi npn tranzistora će se početi prije otklanjati od izraza (3.167) nego struja manjinskih
† Za detaljnije objašnjenje utjecaja visoke injekcije na karakteristike diode, čitatelja upućujemo

na zadatak 2.15 i sliku 2.33.
β niska visoka šupljina u emiteru. Omjer elektronske i šupljinske

injekcija injekcija
struje emitera će zbog toga početi padati, što će
uzrokovati pad faktora efikasnosti i faktora
strujnog pojačanja, kako je prikazano na slici
3.67.
Na slici je također uočljiv pad faktora
strujnog pojačanja prema malim kolektorskim
IE strujama. On je posljedica rekombinacije nosilaca
unutar emiterske barijere, koja je naročito
Slika 3.67. Tipična ovisnost faktora izražena kod vrlo malih napona na emiterskom
strujnog pojačanja o razini emiterske
struje. spoju.
3.3.2. Utjecaj prostorne raspodjele struja*

Kod realnih tranzistora tok struje nije jednodimenzionalan, tj. struje ne teku
isključivo u smjeru okomitom na ravnine pn-spojeva emiter-baza, odnosno baza-
kolektor. Dva su osnovna uzroka tome:
1. pn-spojevi kod planarnih tranzistora najčešće nisu ravne plohe, već su uz rubove
otvora za difuziju ili implantaciju zakrivljeni. To zakrivljenje postoji zbog
konačnih dimenzija otvora i zbog lateralne difuzije, odnosno lateralnog
raspršenja primjesa;
2. bazna priključnica nalazi se prilično daleko od baze intrinsičnog tranzistora, na
površini poluvodiča.
Ako su topološke dimenzije tranzistora (tj. dimenzije duž površine poluvodiča) puno
veće od dubina emiterskog i kolektorskog spoja, višedimenzionalnost toka struje je
slabije izražena. Naprotiv, kod tranzistora s manjim planarnim dimenzijama prostorna
raspodjela struje ima jači utjecaj na svojstva tranzistora.
Na slici 3.68a prikazan je tehnološki presjek diskretnog tranzistora, s označenim
intrinsičnim tranzistorom. Budući da se bazna priključnica nalazi dosta daleko od
intrinsične baze, sva struja bazne priključnice neće stići do intrinsične baze, već će dio te
struje iscuriti kroz pn-spoj baza-kolektor neposredno ispod priključnice.
Utjecaj otjecanja dijela bazne struje na karakteristike cjelokupnog tranzistora može
se analizirati tako da se na intrinsični tranzistor opisan Ebers-Mollovim jednadžbama
priključi parazitna dioda (slika 3.68b). Očito je da pri reverznoj polarizaciji
kolektorskog spoja, kroz parazitnu diodu kolektor-baza teče zanemariva struja, pa
parazitna dioda u tom području rada nema bitnog utjecaja na karakteristike tranzistora.
Prostorna raspodjela bazne struje također uzrokuje da gustoća struje kroz emiterski
spoj nije svugdje jednaka (slika 3.69a). Ako je npn tranzistor polariziran u normalno
aktivno područje rada, bazna struja teče od vanjske priključnice prema pojedinim
točkama u intrinsičnoj bazi tranzistora. Gotovo sva struja mora proći kroz dijelove baze
koji su najbliži baznoj priključnici, dok kroz udaljene kutke baze teče najmanja struja
E B IE IB
n
p p
n n *
IBC
intrinsični parazitna IC
tranzistor dioda
C IC*
a) b)
Slika 3.68. Parazitna dioda kolektor-baza: a) tehnološki presjek, b) električni nadomjesni
sklop [Valkó91].
(slika 3.69b). Tok bazne struje je lateralan, tj. paralelan s površinom poluvodiča, te
uzrokuje pad napona unutar intrinsične baze. Zbog tog pada napona emiterski spoj neće
biti svugdje propusno polariziran jednakim naponom - neposredno uz baznu priključnicu
napon na emiterskom spoju je najveći, a u najudaljenijim dijelovima baze je najmanji
(slika 3.69c). Na mjestima gdje je emiterski spoj najjače propusno polariziran, bit će
struja kroz emiterski spoj najveća (slika 3.69d) - dolazi do gomilanja emiterske struje
[Webster54], te će najprije na tim mjestima nastupiti visoka injekcija.
B E
C x
0 L a)
JB UBE JE
x x x
0 L 0 L 0 L
b) c) d)
Slika 3.69. Gomilanje emiterske struje: a) dvodimenzionalni prikaz toka struja;
b) lateralna raspodjela gustoće bazne struje; c) raspodjela napona na
emiterskom spoju; d) raspodjela gustoće emiterske struje [Valkó91].
Zadatak 3.33
Izvesti izraze za strujno-naponske karakteristike npn tranzistora vodeći računa o
parazitnoj diodi kolektor-baza (vidi sliku 3.68)
Rješenje: [Valkó91]
Analizu ćemo provesti uz pomoć nadomjesnog sklopa na slici 3.68b u kojem je realni
tranzistor prikazan kao spoj idealnog tranzistora i parazitne diode. Pretpostavimo da je idealni
tranzistor opisan Ebers-Mollovim jednadžbama
I C = α ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú − I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú , (3.170)
U
a parazitna dioda Shockleyevom jednadžbom
*
é æU ö ù
I BC = I SBC ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú . (3.171)
êë è U T ø úû
Zanimljivo je uočiti da, iako su obje struje (ICS ,

N ekstrinsična baza odnosno ISBC) reverzne struje kroz isti pn-spoj, one nisu
$"""""%"""""&
međusobno jednake. Struja ICS određena je raspodjelom
intrinsična primjesa u intrinsičnoj bazi, tj. u području baze ispod
baza
$""%""& emitera. Nasuprot tome, struja ISBC određena je
raspodjelom primjesa u ekstrinsičnoj bazi, tj. u području
baze u koje nije izvršena emiterska difuzija. Iako su oba
područja dobivena baznom difuzijom akceptorskih
primjesa, u području intrinsične baze su naknadno
E B C
difundirane i donorske primjese da bi se dobio emiter, pa se
0 xjE xjC x neto raspodjele primjesa međusobno razlikuju (slika 3.70).
Slika 3.70. Raspodjele primjesa Kolektorska struja realnog tranzistora jednaka je
u intrinsičnoj i ekstrinsičnoj bazi.
razlici struje idealnog tranzistora i struje parazitne diode:
I C* = I C − I BC
*
= α ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú − ( I CS + I SBC ) ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú =
*
= α ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú − I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú = . (3.172)
Matematički gledano, ovaj izraz je jednak izrazu (3.170) - razlikuju se samo u članu ispred druge
uglate zagrade. Slijedi da možemo definirati i faktor
I CS
α I* = α I ⋅ ,
I CS + I SBC
pa se strujno-naponske karakteristike realnog tranzistora mogu opisati modificiranim Ebers-
Mollovim jednadžbama:
Zadatak 3.33
I E = − I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú + α I* ⋅ I CS
*
⋅ êexpç BC ÷ − 1ú ,
I C = α ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú − I CS
*
⋅ êexpç BC ÷ − 1ú .
Iz ovakvog rezultata možemo izvući dva bitna zaključka. Prvo, parazitna dioda baza-kolektor
ne utječe na funkcijski oblik strujno-naponskih karakteristika tranzistora, jer se u Ebers-Mollovim
jednadžbama mijenjaju samo vrijednosti parametara αΙ i ICS . Štoviše, (drugi zaključak:) utjecaj
parazitne diode u normalnom aktivnom području rada je zanemariv, budući da su zbog reverzne
polarizacije kolektorskog spoja, desni pribrojnici u Ebers-Mollovim jednadžbama zanemarivi.
Ovaj drugi zaključak je bio predvidiv, jer znamo da kroz zaporno polarizirani kolektorski spoj
bazna struja ne otječe, već cjelovita ulazi u bazu intrinsičnog tranzistora.
3.3.3. Utjecaj serijskih otpora*

U svom toku od vanjskih priključnica do aktivnih područja, emiterska, bazna,
odnosno kolektorska struja prolaze kroz neaktivna područja poluvodiča. Konačni otpor
tih područja uzrokuje padove napona, tako da su naponi na pn-spojevima manji od
napona između odgovarajućih priključnica. Budući da struje u prilazu intrinsičnom
tranzistoru moraju proći kroz ta područja, otpori tih područja nazivaju se serijskim
otporima. U njih se redovito uračunavaju i otpori koji postoje između vanjskih
priključnica i poluvodiča, zbog nesavršenosti
spojeva, te fizikalnih svojstava spojeva E B
između metala i poluvodiča (slika 3.71).
Područje emitera je najjače dopirano, a
ree´
udaljenost od emiterske priključnice do
emiterskog spoja je gotovo uvijek vrlo mala. rbb´
Zato je serijski otpor emitera redovito
zanemariv (tipično iznosi oko 1 Ω). Daleko
su izraženiji serijski otpori baze i kolektora. rcc´
Bazna priključnica se također nalazi na C
površini poluvodiča. Kako se neposredno
Slika 3.71. Serijski otpori u bipolarnom
iznad baze nalazi emiter sa svojom tranzistoru.
priključnicom, bazna priključnica mora biti
dislocirana, dovoljno daleko da ne bi
uzrokovala kratki spoj s emiterom. Bazna struja stoga teče lateralno kroz intrinsičnu
bazu prema baznoj priključnici (vidi sliku 3.69a). Velik dio bazne struje mora proći
gotovo cijelu intrinsičnu bazu, u kojoj je specifični otpor poluvodiča znatan, a presjek
mali (određen širinom baze). Zato je i serijski otpor baze dosta velik, tipično od 10 Ω do
100 Ω. Istina, u većini primjena tranzistora tolika vrijednost serijskog otpora baze ne
dolazi do izražaja, jer je bazna struja dovoljno mala, te se serijski otpor može
zanemariti. Iznos tog otpora je od presudnog značenja za karakteristike tranzistora kada
se on koristi za pojačanje signala vrlo visokih frekvencija.
Zadatak 3.33
Kolektor planarnih tranzistora je obično najslabije dopirano područje, a udaljenost

aktivnog područja kolektora do njegove vanjske priključnice najveća. Kod diskretnih
tranzistora se kolektorska priključnica nalazi na donjoj strani čipa (vidi sliku 3.2a), čija
je debljina tipično oko 100 µm. U standardnim integriranim tranzistorima kolektorska
priključnica se redovito nalazi na površini poluvodiča, ali također prilično daleko od
aktivnog kolektora (vidi sliku 3.2b). Kako tijekom rada tranzistora kolektorska struja
poprima znatne vrijednosti, pad napona na serijskom otporu kolektora može biti velik i
značajno utjecati na svojstva tranzistora.
Djelovanje serijskih otpora na svojstva tranzistora najjednostavnije se analizira tako
da se na idealni tranzistor spoje otpornici ree´ , rbb´ i rcc´ , čiji su otpori jednaki serijskim
otporima emitera, baze, odnosno kolektora, kako je prikazano na slici 3.71.
Zadatak 3.34
Bipolarni npn tranzistor dobiven je dvostrukim difuzijskim postupkom u homogeno
dopirani poluvodič n-tipa i ima topologiju prikazanu na slici 3.72. Prostorna raspodjela
neto koncentracije primjesa opisana je funkcijom
N ( x ) = N DE 0 ⋅ erfcç ÷ − N AB 0 ⋅ exp ê− ç ÷ ú + N DC , (3.173)
è LDE ø ê è LAB ø ú
ë û
pri čemu su: NDE 0 = 8⋅1020 cm–3, LDE = 0,45 µm, NAB0 = 6⋅1018 cm–3, LAB = 0,8 µm,
NDC = 5⋅1015 cm–3. Valja izračunati koliki je na 300 K:
a) serijski otpor baze, odnosno
b) serijski otpor kolektora, ako je debljina tranzistora 150 µm.
aBB=10 µm aE=10 µm
kolektor baza
emiter
bazna
bC=100 µm
bE=40 µm
bB=60 µm
priključnica
emiterska
priključnica
aEB aB
aEB=20 µm
aC=100 µm aB=30 µm
Slika 3.72. Topologija tranzistora u zadatku 3.34.
Zadatak 3.34
Rješenje:
a)
Prvo ćemo na osnovi zadane funkcije nacrtati raspodjele neto koncentracija primjesa u bazi,
slika 3.73. Tamna krivulja odgovara raspodjeli primjesa kroz intrinsični tranzistor, tj. duž presjeka
10 21
10 20 1
intrinsična ekstrinsična 2
baza baza
10 19
N
10 18
cm–3
10 17
1 2
10 16
10 15
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3
x / µm
Slika 3.73. Raspodjela neto koncentracije primjesa u tranzistoru iz zadatka 3.34.
(1) na tehnološkom presjeku, dok svjetlija krivulja daje raspodjelu primjesa u ekstrinsičnoj bazi,
duž presjeka (2). Dubina kolektorskog spoja može se izračunati analitički, ako se zanemari
koncentracija emiterskih primjesa na tom mjestu,
æN ö
x jC = L AB ⋅ lnç AB 0 ÷ = 2,13 µm .
è N DC ø
Za dubinu emiterskog spoja neophodno primijeniti neki numerički postupak nalaženja nul-točke
funkcije (3.173); dobiva se xjE = 1,01 µm.
Kao što smo mogli uočiti sa slika 3.68 i 3.69, bazna struja u svom toku od priključnice do
intrinsične baze prolazi kroz geometrijski nepravilno područje. Štoviše, zbog nejednolike
koncentracije primjesa, specifični otpor poluvodiča u tom području se mijenja. Uz površinu je
koncentracija primjesa najviša, pa je i specifični otpor tamo najmanji, dok prema volumenu
poluvodiča koncentracija opada, a specifični otpor raste. Stoga točno određivanje serijskog otpora
baze iziskuje barem dvodimenzionalnu analizu raspodjele struja, odnosno potencijala (zbog
ovakve raspodjele se za serijski otpor baze kaže da je raspodijeljeni otpor). U prethodnoj rečenici
naglašena je riječ barem, jer kod tranzistora s vrlo malim dimenzijama dolazi do izražaja
nejednolikost raspodjele struje duž osi okomite na prikazane tehnološke presjeke, a koja je
posljedica nejednakih širina emiterske priključnice, pn-spoja emiter-baza, odnosno bazne
priključnice (slika 3.74). Da bi se uzela u obzir i ta raspodjela struje, analizu bi trebalo provesti u
sve tri dimenzije.
Pri računanju serijskog otpora zanemarit ćemo prostornu raspodjelu struje - pretpostavit
ćemo da je tok struje jednodimenzionalan. Za potrebe jednostavnog proračuna, aproksimirat ćemo
stvarnu strukturu pravokutnim strukturama. Područje kroz koje teče bazna struja rastavit ćemo na
Zadatak 3.34
baza emiter aC
aB
aBB aEB aE
B E
xjE
xjC
Slika 3.74. Tok bazne

struje gledan iz ptičje
perspektive.
B E
dva pravokutna područja (slika 3.75): područje
ekstrinsične baze (r1) i područje intrinsične baze
(r2). Područje ekstrinsične baze protezat će se od r1 r2
sredine bazne priključnice do ruba otvora za
emitersku difuziju, a područje intrinsične baze od
ruba otvora za emitersku difuziju, do sredine
emiterske priključnice. Uočimo da su na slici 3.75
radi preglednosti dubine emitera i baze nacrtane Slika 3.75. Pojednostavljenje geometrij-
ske strukture tranzistora pri proračunu
neproporcionalno veće nego topološke dimenzije. serijskog otpora baze.
Otpor otpornika pravokutnog oblika je
općenito
l
R = ρ⋅ ,
S
gdje je ρ električna otpornost (specifični otpor) materijala, l je duljina, a S površina poprečnog
presjeka. Ova formula vrijedi uz pretpostavku da je specifični otpor materijala svugdje isti - u
protivnom treba računati srednju vrijednost specifičnog otpora. U poluvodičkoj tehnologiji se
raspodjela specifičnog otpora po dubini poluvodiča obuhvaća slojnim otporom (engl. sheet
resistance), koji je jednak recipročnoj vrijednosti ukupne električne provodnosti (specifične
vodljivosti) neke strukture, promatranoj po cijeloj njenoj dubini†,
1
RS = x . (3.174)
2
ò σ ( x ) ⋅ dx
x1
x1 i x2 su gornja i donja granica područja čiji slojni otpor tražimo, s time da je gornja granica
redovito na površini poluvodiča, tj. x1 = 0.
Da bi nam formula (3.174) bila jasnija, zamislimo da je (npr. difundirana) struktura
razrezana u beskonačno puno tankih slojeva paralelnih s površinom poluvodiča (slika 3.76).
Unutar svakog od tih slojeva debljine ∆x, električna provodnost je konstanta, σ(x). Budući da
struja teče također paralelno s površinom poluvodiča, ukupnu električnu provodnost po cijeloj
† Podrazumijeva se da se električna otpornost mijenja samo u dubinu poluvodiča, dok je

paralelno s površinom poluvodiča električna otpornost konstantna.
Zadatak 3.34
dubini strukture dobit ćemo zbrajanjem ∆l σ (x)

provodnosti pojedinih slojeva, tj. integracijom
∆x
prema formuli (3.174).
Slojni otpor difundiranog ili implantiranog
sloja jednoznačno je određen vršnom I I
koncentracijom primjesa, funkcijskim oblikom
raspodjele i dubinom sloja. Na primjer, ako
znamo dubinu pn-spoja, te funkcijski oblik
raspodjele (erfc ili Gaussova raspodjela),
mjerenjem slojnog otpora možemo točno
Slika 3.76. Uz objašnjenje slojnog otpora.
odrediti površinsku koncentraciju primjesa
[Irvin62]. Zbog toga je slojni otpor važan
kontrolni parametar u postupcima izrade poluvodičkih komponenti, kojim se jednostavno može
provjeriti ispravnost provedenog postupka termičke difuzije ili ionske implantacije.
Ako znamo slojni otpor, tada otpor strukture s pravokutnom topologijom možemo lako
izračunati kao
l
R = RS ⋅ , (3.175)
d
gdje je l duljina strukture (u smjeru toka struje), a d širina strukture. Očito je da će struktura s
kvadratičnom topologijom (l = d) imati otpor upravo jednak slojnom otporu, pa se redovito slojni
otpor izražava u Ω/¨ (ohmima po kvadratu), iako ima dimenziju otpora.
Otpor r1 je otpor ekstrinsičnog dijela baze. Da bismo ga mogli izračunati, prvo moramo
izračunati slojni otpor ekstrinsične baze
1 1
RSB , extr = x = x , (3.176)
jC jC
ò σ ( x) ⋅ dx ò N B ( x) ⋅ µ pB ( x) ⋅ dx
0 0
gdje je NB(x) neto koncentracija primjesa u ekstrinsičnoj bazi,
é æ x ö2ù
N B ( x ) = N AB 0 ⋅ exp ê− ç ÷ ú − N DC ,
ê è L AB ø ú
ë û
tj. bez emiterske difuzije.
Dade se naslutiti da je za zadanu raspodjelu primjesa analitička integracija u (3.176)
neizvediva. Stoga moramo primijeniti numeričku integraciju, na primjer Simpsonovo pravilo. S
obzirom da je podintegralna funkcija u (3.176) prilično glatka, dovoljan je mali broj podintervala.
U tablici 3.13 navedene su vrijednosti neophodne za računanje podintegralne funkcije ako
područje integracije á0, xjCñ podijelimo na četiri podintervala (NBtot je ukupna koncentracija
neophodna za računanje pokretljivosti elektrona). Na gornjoj granici integracije (x = xjC)
podintegralnu funkciju ne treba ni računati, jer je na mjestu pn-spoja neto koncentracija primjesa
jednaka nuli! Iz vrijednosti navedenih u tablici dobiva se slojni otpor baze RSB,extr = 151 Ω/¨.
Točna vrijednost slojnog otpora dobiva se uz veći broj podintervala i iznosi 150 Ω/¨; kao što
vidimo naš rezultat odstupa manje od 1 % od točnoga!
Dobivamo dakle da je otpor ekstrinsičnog dijela baze
Zadatak 3.34
Tablica 3.13. Uz proračun slojnog otpora ekstrinsične baze.
x NB N Btot µ pB σ
−3 −3 −1 − 1
µm cm cm 2
cm V s Scm −1
18 18
0 6,00⋅10 6,01⋅10 80,4 77,3
0,533 3,85⋅1018 3,86⋅1018 92,2 56,8
1,07 1,01⋅1018 1,02⋅1018 149 24,2
1,60 1,06⋅1017 1,16⋅1017 300 5,11
a BB 2 + a EB
r1 = RSB , extr ⋅ = 62,7 Ω ,
bB
pri čemu su aBB = 10 µm, aEB = 20 µm i bB = 60 µm, dimenzije očitane sa topologije tranzistora,
slika 3.72.
Slično ćemo odrediti i otpor intrinsične baze r2 , odnosno njen slojni otpor. Slojni otpor
računamo sada kao
1 1
RSB ,intr = x = x , (3.177)
jC jC
ò σ ( x) ⋅ dx ò | N ( x)|⋅µ pB ( x) ⋅ dx
x jE x jE
tj. integraciju vršimo od emiterskog spoja. Raspodjela primjesa u intrinsičnom dijelu baze je
nepravilnija, te broj podintervala kod numeričke integracije mora biti veći. Mi smo uzeli 8
podintervala, s time da podintegralnu funkciju u (3.177) ovaj puta ne treba računati niti na donjoj
granici (x = xjE). Na osnovi rezultata u tablici 3.14 dobit ćemo RSB,intr = 1537 Ω/¨ (točna
vrijednost je 1534 Ω/¨), pa je otpor intrinsične baze
a E 2 + (a B − a E ) 2
r2 = RSB ,intr ⋅ = 576 Ω ,
bE
pri čemu je aE = 10 µm, aB = 30 µm, a bE = 40 µm. Primijetimo da smo sada širinu područja uzeli
manju: jednaku širini emiterske priključnice bE . Ukupni serijski otpor baze je
rbb′ = r1 + r2 = 639 Ω .
Tablica 3.14. Uz proračun slojnog otpora intrinsične baze.
x | N| N tot µ pB σ
−3 −3
µm cm cm cm V −1s− 1
2
Scm −1
1,15 5,13⋅1017 1,01⋅1018 149 12,3

1,29 4,01⋅1017 4,93⋅1017 195 12,5
1,43 2,36⋅1017 2,57⋅1017 242 9,14
1,57 1,22⋅1017 1,33⋅1017 290 5,68
1,71 5,73⋅1016 6,74⋅1016 337 3,09
1,85 2,36⋅1016 3,36⋅1016 375 1,42
1,99 7,33⋅1015 1,73⋅1016 403 0,473
Zadatak 3.34
Kao što vidimo, serijski otpor baze je dosta velik, prvenstveno zbog velikog slojnog otpora
intrinsične baze. Međutim, u većini primjena i tako veliki serijski otpor baze nema značajnijeg
upliva na svojstva tranzistora. Bazna struja je obično reda veličine desetak do stotinjak
mikroampera, pa je pad napona na serijskom otporu reda veličine milivolta, tj. dosta manji od
napona na pn-spojevima. Štoviše, tranzistor se u elektroničkim sklopovima redovito pobuđuje
strujno, tako da bazna struja ne ovisi o padu napona na serijskom otporu. Ako je ipak potrebno
serijski otpor smanjiti, može se dodati bazni kontakt na suprotnoj strani emitera (tako je
napravljeno kod tranzistora na slici 3.4) ili se odabere drugačija topologija u kojoj bazni kontakt
potpuno okružuje emiter (vidi npr. [Wang81, Valkó91]).
Uočimo da gornji proračun daje precijenjenu vrijednost serijskog otpora baze, jer se zbog
gomilanja emiterske struje, veći dio bazne struje “potroši” bliže baznoj priključnici. Osim toga,
zanemarenjem prostorne raspodjele struje tok struje smo sabili na uže područje. Iako ovaj
proračun predstavlja prilično grubu procjenu, dobro nam može poslužiti za orijentaciju.
b)
Područje kolektora je praktički cijelo homogeno dopirano donorima koncentracije
NDC = 5⋅1015 cm–3. Prema tome, serijski otpor kolektora bit će
wC wC
rcc ′ = ρC ⋅ = ρC ⋅ ,
SC aC ⋅ bC
gdje je ρC električna otpornost područja kolektora
1
ρC = ,
q ⋅ N DC ⋅ µnC
dok su wC = 150 µm i aC = bC = 100 µm širina kolektora (zadana u tekstu zadatka), odnosno
topološke dimenzije (zadane slikom 3.72). Izračunamo li pokretljivost elektrona
(µnC = 1300 cm2/Vs) i uvrstimo u gornje izraze, dobit ćemo da je rcc´ = 144 Ω.
Serijski otpor kolektora se najizravnije ispoljava u izlaznim karakteristikama. Redovito je
kolektorska struja dosta velika, pa uzrokuje znatan pad napona na otporu rcc´ . Na primjer, pri
kolektorskoj struji od 10 mA, pad napona na serijskom otporu rcc´ našeg tranzistora bio bi 1,44 V,
što znači da će napon između vanjskih stezaljki kolektora i emitera biti za 1,44 V veći od napona
između kolektora i emitera intrinsičnog tranzistora. Zato će izlazne karakteristike realnog
tranzistora za spoj zajedničkog emitera biti “naherene” prema većim izlaznim naponima, kako je
prikazano na slici 3.77. Svjetlije izlazne karakteristike pripadaju intrinsičnom tranzistoru, dok
tamna karakteristika pripada tranzistoru s velikim serijskim otporom kolektora, kojeg smo
analizirali.
Iznos serijskog otpora kolektora posebno je važan kod tranzistora snage, kroz koje ponekad
teku kolektorske struje i od nekoliko ampera, te kod tranzistora u digitalnim sklopovima. U
digitalnim sklopovima tranzistori rade kao strujne sklopke: kada je strujna sklopka otvorena
(isključena), kroz nju ne smije teći struja - tranzistor mora biti u zapiranju; kada je strujna sklopka
zatvorena (uključena), kroz nju teče struja, a pritom bi pad napona na sklopki morao biti što je
moguće manji† (u idealnom slučaju ga uopće ne bi smjelo biti!). Pad napona na izlazu tranzistora
najmanji je u području zasićenja i kod idealnog silicijskog tranzistora je tipično oko 0,3 V (vidi
sliku 3.77, svijetle karakteristike). Kod realnog tranzistora bit će taj napon veći zbog serijskog
† Tranzistorska sklopka može se poistovjetiti sa mehaničkim prekidačem struje (“šalterom”);

jedina razlika je da se kod mehaničkog prekidača struja uključuje i isključuje ručno, dok se kod
tranzistora to postiže baznom strujom.
Zadatak 3.34
20 IB =
400 µ A
15
300 µ A
IC IC ⋅rcc´
10
mA 200 µ A
5 100 µ A
0 0
0 1 2 3
UCE / V
Slika 3.77. Utjecaj serijskog otpora kolektora na izlazne karakteristike
tranzistora u spoju zajedničkog emitera.
otpora kolektora, pa će tranzistorska sklopka svojim svojstvima još više odstupati od idealne
strujne sklopke.
Da bi serijski otpor kolektora bio što manji, koncentracija primjesa u kolektoru morala bi biti
što viša. Istovremeno je, zbog pojave modulacije širine baze (koju ćemo opisati u sljedećem
poglavlju), poželjna što slabija dopiranost kolektora. Kao kompromis između ova dva oprečna
zahtjeva, diskretni tranzistori se redovito rade na visokodopiranoj silicijskoj podlozi, na koju se
epitaksijalnim rastom nanosi tanki, slabo dopirani sloj silicija. Nakon difuzije baze i emitera, taj
sloj će služiti kao kolektor intrinsičnog tranzistora. Koncentracija primjesa u epitaksijalnom sloju
mora biti niska (tipično oko 1015 cm–3) da se maksimalno potisne pojava modulacije širine baze.
Epitaksijalni sloj je obično dovoljno tanak da se njegov serijski otpor može zanemariti, dok je
specifični otpor podloge tako mali (koncentracije primjesa u podlozi su tipično 1019 cm–3!) da je
unatoč njegovoj debljini, serijski otpor i tog područja mali.
Zadatak 3.34
3.3.4. Modulacija širine baze (Earlyev efekt)

Kada se tranzistor koristi kao pojačalo, zbog promjena pobudnog signala
neminovno dolazi do promjena napona na pn-spojevima. Pri radu tranzistora u
normalnom aktivnom području (kada je emiterski spoj propusno, a kolektorski zaporno
polariziran), naročito velike mogu biti promjene napona na kolektorskom spoju. Pri
porastu napona reverzne polarizacije na spoju kolektor-baza, povećava se i širina
pripadajuće barijere (vidi sliku 3.78). Širenjem kolektorske barijere na stranu baze
smanjuje se njena efektivna širina (tj. širina kvazineutralnog područja), što uzrokuje
promjene pojedinih komponenti struja u samom tranzistoru. Ova pojava naziva se
modulacija širine baze ili Earlyev efekt [Early52].
Iako se kolektorska barijera širi i na račun kolektora, utjecaj promjene širine
kolektora je redovito zanemariv, jer je obično efektivna širina kolektora puno veća od
difuzijske duljine manjinskih nosilaca.
Budući da je u normalnom aktivnom području rada spoj emiter-baza propusno
polariziran, napon na njemu je mali, a njegove su promjene zanemarive. Stoga se
promjena širine emiterske barijere na komponente struja tranzistora uvijek može
zanemariti. Štoviše, zbog propusne polarizacije emiterskog spoja, u zadacima ćemo
potpuno zanemarivati širinu emiterske barijere.
Zadatak 3.35
Silicijski pnp tranzistor s homogenom bazom polariziran je u normalno aktivno područje
rada. U nekoj radnoj točki nakrcani naboj manjinskih nosilaca u bazi je 50 pC, faktor
injekcije je γ = 0,985, vrijeme proleta manjinskih nosilaca kroz bazu je ttr = 12,5 ns, a
prosječno vrijeme njihova života u bazi τB = 2 µs. ICBO = 0. Izračunati:
a) sve komponente struja u zadanoj radnoj točki.
b) sve komponente struja ako se zbog porasta zapornog napona na kolektorskom spoju,
širina baze smanji za 20 %, dok napon na emiterskom spoju ostaje nepromijenjen.
Rješenje:
a)
Iz zadanih vrijednosti nakrcanog naboja šupljina u bazi, vremena života i vremena proleta
možemo izračunati rekombinacijsku struju baze
Q pB1
I R1 = = 25 µA ,
τ pB
te struju šupljina koje emiter injektira u bazu
Q pB
I pE 1 = = 4 mA .
t tr1
Kolektorska struja jednaka je razlici tih struja,
I C1 = − I pC1 = − ( I pE 1 − I R1 ) = −3,975 mA .
Zadatak 3.35
Zadan je faktor injekcije emitera, pa sada možemo izračunati i ukupnu emitersku struju,
I pE 1
I E1 = = 4,06 mA ,
γ1
te struju nosilaca koje baza injektira u emiter
I nE 1 = (1 − γ 1 ) ⋅ I E 1 = 60,9 µA .
Bazna struja jednaka je po iznosu algebarskom zbroju emiterske i kolektorske struje, odnosno
zbroju struja IR i InE (ICBO = 0!),
I B1 = − I E 1 − I C1 = − ( I R1 + I nE 1 − I CBO ) = 85,9 µA .
b)
Prvo razmotrimo kvalitativno što će se dogoditi smanjenjem efektivne širine baze. Na slici
3.78a prikazane su raspodjele manjinskih šupljina u bazi pnp tranzistora, za dvije različite
vrijednosti napona UCB , dok je napon UBE jednak za obje radne točke. Pri porastu napona na
baza kolektor
pB pB
barijera dpB
$""%""& Þ IpE
dx
dBB2
1 |U CB2| > |U CB1| QpB Þ IR
dBB1
2
dpB
Þ IpC
dx
wB2 x x
wB1
wB0
a) b)
Slika 3.78. Earlyev efekt: a) promjena efektivne širine baze pri porastu reverznog napona
baza-kolektor, b) utjecaj na komponente struja u bazi.
kolektorskom spoju s vrijednosti UCB1 na UCB2 , dio barijere baza-kolektor na strani baze se
povećao s vrijednosti dBB1 na dBB2 . Efektivna širina baze se pri tome smanjila sa wB1 na wB2 .
Budući da je emiterski spoj propusno polariziran, širina pripadajuće barijere je mala, te je njeno
širenje na stranu baze na slici zanemareno.
Sa wB0 je na slici označena tehnološka širina baze - razmak između pn-spoja emiter-baza i
pn-spoja kolektor-baza. Efektivna širina baze jednaka je tehnološkoj širini baze, umanjenoj za
širine emiterske i kolektorske barijere na strani baze. Uočimo da je najveća teoretska moguća
širina baze, u slučaju kada bi oba spoja bila propusno polarizirana, jednaka tehnološkoj širini.
Suženje baze uzrokuje porast gradijenta koncentracije šupljina, a time porast struja IpE i IpC
(slika 3.78b). Ako računamo da je struja IpE proporcionalna gradijentu raspodjele manjinskih
šupljina u bazi, tj. nagibu pravca,
Zadatak 3.35
pB 0
I pE ∝ ,
wB
tada dobivamo da je omjer struja IpE za dvije različite širine baze
I pE 2 p B 02 wB1
= ⋅ .
I pE 1 p B 01 wB 2
Iz zadane promjene širine baze
∆wB wB 2 − wB1
= = −0,2 ,
wB w B1
slijedi da je omjer
wB1 1
= = 1,25 ,
wB 2 0,8
tako da je za konstantnu koncentraciju pB 0 (napon UBE se ne mijenja!)
wB1
I pE 2 = I pE 1 ⋅ = 5 mA .
wB 2
Rekombinacijska struja proporcionalna je ekscesnom naboju šupljina u bazi, a ovaj je

proporcionalan površini trokuta,
I R ∝ Q pB ∝ p B 0 ⋅ wB .
Zato suženje baze (uz konstantan UBE) neminovno dovodi do pada rekombinacijske struje IR . Iz
omjera
I R2 p w
= B 02 ⋅ B 2 ,
I R1 p B 01 wB1
slijedi da je, uz nepromijenjenu koncentraciju pB 0 ,
wB 2
I R 2 = I R1 ⋅ = 20 µA .
w B1
Kako je razlika struja IpE i IpC jednaka rekombinacijskoj struji IR , očito je da će struja IpC
porasti za veći iznos nego struja IpE :
I pC 2 = I pE 2 − I R 2 = 4,98 mA .
Da je efektivna širina baze ostala nepromijenjena, porast struje IpE za neki iznos, uzrokovao bi
jednak rast struje IpC . Međutim, suženjem baze manje šupljina se rekombinira pri proletu kroz
bazu - smanjena rekombinacija dodatno doprinosi porastu struje IpC . Struja InE ovisi samo o
naponu UBE i ne mijenja se pri promjeni širine baze, pa ona u našem slučaju ostaje
nepromijenjena.
Valja primijetiti da je promjena efektivne širine baze uzrokovala porast faktora injekcije s
vrijednosti γ1 = 0,985 na novu vrijednost
I pE 2
γ2 = = 0,988 ,
I pE 2 + I nE
te porast transportnog faktora s vrijednosti
t tr1
β1* = 1 − = 0,99375 ,
τ pB
Zadatak 3.35
na novu vrijednost
I R2
β2* = 1 − = 0,996 .
I pE 2
Izravna posljedica ovih porasta jest porast faktora strujnog pojačanja. Iako se mogućnost
povećanja strujnog pojačanja tranzistora povećanjem zapornog napona na kolektorskom spoju
čini na prvi pogled privlačnom, ona je redovito nepoželjna. Napon na kolektorskom spoju se
tijekom rada tranzistora redovito mijenja u velikom rasponu vrijednosti, što uzrokuje i promjene
faktora strujnog pojačanja. Zbog toga prijenosna funkcija tranzistora neće biti linearna - izlazna
struja neće biti linearno proporcionalna ulaznoj struji, pa će tranzistor uzrokovati izobličenje
signala koji pojačava.
Da bi pojava modulacije širine baze s naponom na kolektorskom spoju bila što slabije
izražena, mora baza tranzistora biti što jače dopirana u odnosu na kolektor. U tom slučaju veći dio
kolektorske barijere širit će se na stranu kolektora, a tek manji dio na stranu baze. Zato će i pri
promjenama napona na kolektorskoj barijeri, promjena širine barijere na stranu baze biti manja.
Što je baza jače dopirana, Earlyev efekt će biti slabije izražen, ali će faktor efikasnosti emitera i
transportni faktor baze biti lošiji.
Na osnovi dosadašnjih razmatranja možemo postaviti vrlo jednostavna pravila glede
koncentracija primjesa u pojedinim područjima tranzistora:
1. koncentracija primjesa u emiteru mora biti što viša u odnosu na koncentraciju primjesa u bazi,
da bi se dobio što bolji faktor injekcije emitera;
2. koncentracija primjesa u bazi mora biti što niža, da bi pokretljivost manjinskih nosilaca bila što
veća, a njihovo vrijeme života bili što dulje - u tom slučaju će i transportni faktor biti bolji;
3. koncentracija primjesa u kolektoru mora biti što manja u usporedbi s koncentracijom primjesa
u bazi, da bi Earlyev efekt bio što slabije izražen.
Očito je treći zahtjev djelomično u suprotnosti s prva dva, te traži kompromis koji se svodi na to
da je emiter bipolarnih tranzistora najjače, baza slabije, a kolektor najslabije dopirano područje.
To je razlogom da se planarnom tehnikom bipolarni tranzistori redovito ostvaruju dvostrukom
termičkom difuzijom (baze i emitera) u slabo dopirani poluvodič (kolektor).
Zadatak 3.36
NPN tranzistor ima jednoliko dopirana područja baze i kolektora primjesama
koncentracija NAB = 5⋅1016 cm−3 i NDC = 1015 cm−3. Tehnološka širina baze wB 0 = 2 µm,
a površina tranzistora je 1 mm2. Tranzistor je priključen na napone UBE 1 = +0,6 V i
UCB 1 = 0, pri čemu je faktor injekcije γ = 0,99. Odrediti postotne promjene struja
vanjskih stezaljki pri promjeni napona kolektorskog spoja na UCB 2 = +10 V, ako je pri
tome:
a) struja emitera konstantna, odnosno
b) struja baze konstantna.
Temperatura je T=300 K, vrijeme života manjinskih elektrona u bazi je τnB = 1 µs,
njihova difuzijska konstanta 24 cm2/s, ICBO = 0.
Zadatak 3.36
Rješenje:
Prema polaritetima napona na emiterskom i kolektorskom spoju vidimo da tranzistor radi na
granici normalnog aktivnog i područja zasićenja (UCB1 = 0), odnosno u normalnom aktivnom
području (UCB2 = +10 V). Stoga možemo u oba slučaja koristiti izraze za komponente struja
tranzistora u normalnom aktivnom području.
Traže se promjene struja za konstantu struju emitera, odnosno baze, pri porastu napona UCB s
0 na 10 V. Da bismo mogli riješiti zadatak, prvo ćemo izračunati sve komponente struja u
početnoj radnoj točki (UBE1 = +0,6 V, UCB1 = 0). Prethodno trebamo izračunati efektivnu širinu
baze, a za nju moramo izračunati kontaktni potencijal spoja kolektor-baza
æN ⋅N ö
U KCB = U T ⋅ lnçç DC 2 AB ÷÷ = 0,680 V .
è ni ø
Uvrštavanjem dobivenog kontaktnog potencijala u formulu za širinu barijere skokovitog pn-spoja,
2⋅ε æ 1 1 ö
d B1 = ⋅ç + ÷ ⋅ U KCB − U BC1 ,
q è N DC N AB ø
dobivamo ukupnu širinu kolektorske barijere dB1 = 0,955 µm. Širina barijere samo na strani baze
bit će
N DC
d BB1 = ⋅ d B1 = 0,0187 µm ,
N DC + N AB
tako da je efektivna širina baze
wB1 = wB 0 − d BB1 = 1,98 µm .
Širinu barijere baza-emiter na stranu baze smo zanemarili, jer je emiterski spoj propusno
polariziran!
Struju InE1, tj. struju elektrona koje emiter injektira u bazu, računamo kao difuzijsku struju i
ona je proporcionalna gradijentu koncentracije elektrona u bazi
nB 01 æU ö 1
I nE 1 = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ = S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ n0 B ⋅ expç BE 1 ÷ ⋅ =
w B1 è T ø w B1
U
ni2 æU ö 1
= S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ ⋅ expç BE 1 ÷ ⋅ . (3.178)
N AB è U T ø w B1
Uvrstimo li brojčane vrijednosti, dobit ćemo da je InE1 = 8,89 mA.
Kako nam je zadan faktor injekcije (γ 1 = 0,99), možemo izračunati ukupnu struju emitera
I nE 1
I E1 = − = −8,98 mA ,
γ1
te šupljinsku komponentu
I pE 1 = − I E 1 − I nE 1 = 89,8 µA .
Poznata nam je efektivna širina baze tranzistora, a difuzijsku duljinu elektrona u bazi
možemo izračunati iz zadanih podataka,
LnB = DnB ⋅ τ nB = 49,0 µm ,
Zadatak 3.36
tako da možemo izračunati omjer

2
1 æ w B1 ö
⋅ç ÷ = 818 ⋅ 10 − 6 .
2 è LnB ø
Taj omjer upotrijebit ćemo za izračunavanje rekombinacijske struje baze. Naime, znamo da je
transportni faktor baze
2
1 æ wB ö I
β* = 1− ⋅ç ÷ = 1− R . (3.179)
2 è LnB ø I nE
Iz zadnje dvije formule u (3.179) možemo izlučiti i izračunati rekombinacijsku struju
2
1 æ wB1 ö
I R1 = ⋅ç ÷ ⋅ I nE 1 = 7,27 µA . (3.180)
2 è LnB ø
Konačno, struje baze i kolektora su

I B1 = I R1 + I pE 1 = 97,0 µA ,
I C1 = − I E 1 − I B1 = I nE 1 − I R1 = 8,88 mA .
a)
Pri porastu napona na kolektorskom spoju, efektivna širina baze se smanjuje. Uvrštavanjem
napona UCB2 = 10 V u odgovarajuće izraze, možemo izračunati širinu kolektorske barijere
(dB2 = 3,79 µm), širinu barijere na stranu baze (dBB2 = 0,0742 µm), te efektivnu širinu baze
(wB2 = 1,93 µm) u drugoj radnoj točki.
Ako bi napon UBE ostao nepromijenjen, pri porastu napona UCB povećao bi se gradijent
koncentracije manjinskih nosilaca u bazi, a time i difuzijska struja InE (slika 3.79a). Kako se
difuzijska struja manjinskih nosilaca u emiteru IpE ne bi mijenjala, jer je napon UBE konstantan,
slijedi da bi se ukupna struja emitera povećala. Prema tome, da bi emiterska struja ostala
nepromijenjena (što se traži u ovom dijelu zadatka), neophodno je smanjiti napon UBE . Odredimo
prvo koliko treba smanjiti taj napon.
.
UBE = konst. IE = InE = konst.
nB nB
d nB d nB
Þ InE InE = konst. Þ = konst.
dx dx
nB0 ÞUBE
x x
UCB Þ wB UCB Þ wB
a) b)
Slika 3.79. Promjena širine baze uz konstantnu struju IE . a) Ako se ne bi mijenjao napon
UBE , struje InE i IE bi rasle. b) Da bi emiterska struja ostala ista, treba smanjiti napon UBE .
Svjetlije krivulje na slici pripadaju početnim raspodjelama nosilaca.
Zadatak 3.36
Struja elektrona koje emiter injektira u bazu je puno veća od struje šupljina koje baza
injektira u emiter (γ = 1), pa struju IpE možemo zanemariti prema struji InE . Uvjet da struja
emitera mora ostati nepromijenjena u tom slučaju znači i da struja InE za obje vrijednosti napona
UCB mora biti ista. Slijedi da gradijent koncentracije nosilaca u bazi mora ostati nepromijenjen -
raspodjele nosilaca u obje radne točke su međusobno paralelni pravci (slika 3.79b).
Kako je struja InE
nB 0 æU ö 1
I nE ∝ = n0 B ⋅ expç BE ÷ ⋅ ,
wB1 è U T ø wB
iz uvjeta jednakosti struja InE 1 = InE 2 , dobivamo da je
nB 01 n B 02
= ,
wB1 wB 2
odnosno, uz uvrštavanje izračunatih efektivnih širina baze,
nB 02 wB 2
= = 0,972 . (3.181)
n B 01 wB1
Budući da je koncentracija nosilaca uz rub barijere određena naponom UBE preko Boltzmannovih
izraza, slijedi da je
æU ö
n0 B ⋅ expç BE 2 ÷
n B 02 è UT ø æU − U BE 1 ö æ ∆U BE ö
= = expç BE 2 ÷ = expç ÷. (3.182)
n B 01 æU ö è UT ø è UT ø
n0 B ⋅ expç BE 1 ÷
è UT ø
Izjednačavanjem prethodna dva izraza (3.181) i (3.182), dobit ćemo da je prirast napona na
emiterskom spoju
æw ö
∆U BE = U T ⋅ lnç B 2 ÷ = −0,734 mV . (3.183)
è wB1 ø
Sukladno našim predviđanjima, napon baza-emiter se smanjio (negativni predznak prirasta).
Rekombinacijsku struju u drugoj radnoj točki izračunat ćemo pomoću relacije (3.180)
2
1 æ wB 2 ö
I R2 = ⋅ç ÷ ⋅ I nE 2 = 6,87 µA .
2 è LnB ø
Kao što vidimo, rekombinacijska struja se smanjila. To smo mogli i predvidjeti, jer se smanjio
nakrcani naboj u bazi, koji je proporcionalan površini trokuta kojeg tvore raspodjele manjinskih
nosilaca na slici 3.79b.
Struja nosilaca koje baza injektira u emiter proporcionalna je gradijentu koncentracije
manjinskih nosilaca u emiteru uz emitersku barijeru,
dp E
I pE = S ⋅ q ⋅ D pE ⋅
,
dx
a gradijent je proporcionalan koncentraciji nosilaca uz emitersku barijeru, odnosno preko
Boltzmannove relacije, naponu na spoju emiter-baza. Zato se može pisati da je
æU ö
I pE ∝ p E 0 ∝ expç BE ÷ .
è UT ø
Zadatak 3.36
Struju IpE možemo dakle odrediti preko omjera

æU ö
expç BE 2 ÷
I pE 2 U
è T ø æ ∆U BE ö
= = expç ÷,
I pE 1 æU ö è UT ø
expç BE 2 ÷
U
è T ø
kao
æ ∆U BE ö w
I pE 2 = I pE 1 ⋅ expç ÷ = I pE 1 ⋅ B 2 = 87,2 µA .
è U T ø wB1
U gornjem izrazu smo eksponencijalnu funkciju nadomjestili omjerom efektivnih širina baza
koristeći jednadžbu (3.183). Struja IpE se smanjila kao posljedica smanjenja napona UBE .
Valja primijetiti da je ova promjena u
nesuglasju s pretpostavkom da je struja InE pE nB
konstantna - budući da struja emitera u obje
radne točke mora biti ista, i struja IpE bi trebala
ostati nepromijenjena. Očito je dakle da struja
InE nije konstantna, već se mora povećati, i to IE = konst.
taman toliko da se kompenzira smanjenje struje
IpE do kojeg dolazi zbog smanjenja napona
UBE . Prema tome, pad napona UBE neće biti
onoliki koliko smo dobili uz pretpostavku
InE = konst.
konstantne struje InE , već nešto manji (vidi
sliku 3.80). Međutim, kao što rekosmo, struja x
InE je puno veća od IpE , tako da mala promjena
Slika 3.80. Raspodjele nosilaca u emiteru i
struje IpE nema gotovo nikakvog utjecaja na bazi uz IE = konst., odnosno InE = konst.
promjenu ukupne struje emitera. Najsvjetlije linije pripadaju raspodjelama
Na osnovi izračunatih komponenti struja nosilaca prije promjene napona UCB .
možemo izračunati ukupne struje vanjskih
priključnica:
I B 2 = I pE 2 + I R 2 = 94,1 µA ,
I E 2 = − I pE 2 − I nE 2 = −8,97 mA = I E 1 ,
I C 2 = I nE 2 − I R 2 = − I E 2 − I B 2 = 8,88 mA .
Prema uvjetima zadatka, emiterske struje u obje radne točke trebale bi biti potpuno jednake. Zbog
jednostavnosti, mi smo se pri definiranju uvjeta konstantnosti struje ograničili samo na većinsku
struju InE . Međutim, zbog neminovne promjene napona UBE , odnosno struje IpE koja iz toga
proizlazi, došlo je do promjene emiterske struje (IE 1 = −8,98 mA, IE 2 = −8,97 mA). Ta promjena
je neznatna, jer je zaista InE >> IpE (InE 1 = 8,89 mA, IpE 1 = 89,8 µA), tako da ju redovito možemo
zanemariti.
Relativne promjene kolektorske i bazne struje su
∆I C I − I C1
= C2 = 4,52 ⋅ 10 − 5 = 0,00452 % ,
IC I C1
∆I B I − I B1
= B2 = −0,0301 = −3,01 % .
IB I B1
Zadatak 3.36
Prirast kolektorske struje poništava se s padom bazne struje. Iako su obje promjene jednake po
iznosu, relativna promjena kolektorske struje je puno manja, jer je sama kolektorska struja puno
veća od bazne.
Razmotrimo kako se dobiveni rezultati ispoljavaju na ulaznim i izlaznim karakteristikama.
Emiterska struja je parametar na izlaznim karakteristikama spoja zajedničke baze; svaka izlazna
karakteristika je dana za konstantnu struju emitera. Prema gornjim rezultatima slijedi da će porast
napona ∆UCB uzrokovati porast kolektorske struje ∆IC . Stoga izlazne karakteristike u normalnom
aktivnom području neće biti horizontalne, već će imati određeni konačni nagib (slika 3.81).
Posljedica toga je manji izlazni dinamički otpor tranzistora, pa izlazni krug tranzistora još više
odstupa od idealnog strujnog izvora s beskonačnim unutarnjim otporom.
IC
∆ IC = 0,401 µA
8,88 mA IE = −8,98 mA
∆UCB = 10 V
0 +10 V UCB
Slika 3.81. Utjecaj Earlyevog efekta na izlazne karakte-
ristike spoja zajedničke baze.
Struja emitera je isto tako i na ordinati ulaznih karakteristika za spoj zajedničke baze. Kao
što smo mogli zamijetiti, da bi struja emitera ostala konstantna, pri porastu napona UCB
neminovno mora pasti napon UBE . Zbog toga su ulazne karakteristike za napone UCB > 0 bitno
više razmaknute nego što se to dobiva jednostavnom teorijom, tj. primjenom Ebers-Mollovih
jednadžbi (slika 3.82).
UCB
IE
UCB = +10 V
UCB = 0
∆UBE = −0,734 mV
− 8,98 mA
+0,6 V U
BE
Slika 3.82. Utjecaj Earlyevog efekta na ulazne karakteristike spoja zajedničke baze.
Zadatak 3.36
b)
Bazna struja npn tranzistora u normalnom aktivnom području sastoji se od tri komponente:
1. struje nosilaca koje baza injektira u emiter, IpE ;
2. rekombinacijske struje IR , koju uzrokuju elektroni pri prolasku kroz bazu;
3. reverzne struje ICBO .
Struju ICBO zanemarujemo, tako da za baznu struju možemo pisati da je
I B = I pE + I R − I CBO = I pE + I R .
Rekombinacijska struja proporcionalna je nakrcanom naboju manjinskih nosilaca u bazi, tj.
površini trokuta kojeg tvori raspodjela manjinskih nosilaca u bazi
æU ö
I R ∝ wB ⋅ expç BE ÷ , (3.184)
è UT ø
dok je struja IpE proporcionalna gradijentu raspodjele manjinskih nosilaca u emiteru uz emitersku
barijeru
æU ö
I pE ∝ expç BE ÷ . (3.185)
è UT ø
Kada bi napon UBE ostao nepromijenjen, suženjem baze (zbog porasta napona UCB ) smanjila bi se
rekombinacijska struja, dok bi struja IpE ostala ista - ukupna bazna struja bi se smanjila (vidi sliku
3.83a). Prema tome, da bi bazna struja ostala ista, neophodno je povećati napon UBE (slika
3.83b). Povećanje napona UBE mora biti upravo toliko da porast struje IpE kompenzira pad
rekombinacijske struje IR .
pE nB UBE = konst. pE nB IB = IR + IpE = konst.
n B0 Þ UBE
QB Þ IR
d pE QB Þ IR
d pE ,I
, I = konst. d x pE
d x pE
x x
UCB Þ wB UCB Þ wB
a) b)
Slika 3.83. Promjena širine baze uz konstantnu struju IB . a) Kada se napon UBE ne bi mijenjao,
struja baze bi se smanjila. b) Da bi bazna struja ostala nepromijenjena, treba povećati napon UBE.
Na osnovi gornjih proporcionalnosti (3.184) i (3.185) možemo napisati da je

wB 2 æ ∆U BE ö
I R 2 = I R1 ⋅ ⋅ expç ÷, (3.186)
w B1 è UT ø
æ ∆U BE ö
I pE 2 = I pE 1 ⋅ expç ÷, (3.187)
è UT ø
Zadatak 3.36
iz čega slijedi bazna struja u drugoj radnoj točki

æ ∆U BE ö æ w ö
I B 2 = I pE 2 + I R 2 = expç ÷ ⋅ ç I pE 1 + I R1 ⋅ B 2 ÷ = I B1 . (3.188)
è UT ø è wB1 ø
Budući da znamo struje IB 1 , IpE 1 i IR 1 , te efektivne širine baze wB 1 i wB 2 , iz zadnje dvije formule
u (3.188) možemo izraziti promjenu napona baza-emiter kao
æ ö
ç ÷
I B1
∆U BE = U T ⋅ lnç ÷.
ç wB 2 ÷
ç I pE 1 + I R1 ⋅ ÷
è wB1 ø
Uvrštavanjem vrijednosti dobit ćemo da je ∆UBE = 54,3 µV, odnosno da je novi napon
UBE 2 = 0,6000543 V.
Pomoću izraza (3.186) možemo sada izračunati rekombinacijsku struju u novoj radnoj točki
wB 2 æ ∆U BE ö
I R 2 = I R1 ⋅ ⋅ expç ÷ = 7,08 µA .
wB1 è UT ø
Isto tako, pomoću izraza (3.187) dobivamo da je struja IpE u novoj radnoj točki
æ ∆U BE ö
I pE 2 = I pE 1 ⋅ expç ÷ = 89,9 µA .
è UT ø
Naravno da njihov zbroj mora dati struju baze jednaku struji u prvoj radnoj točki
I B 2 = I R 2 + I pE 2 = 97,0 µA = I B1 .
Struja InE proporcionalna je nagibu raspodjele manjinskih elektrona u bazi, tj.

1 æU ö
I nE ∝ ⋅ expç BE ÷ . (3.189)
wB è UT ø
Iz ove proporcionalnosti slijedi da je
wB1 æ ∆U BE ö
I nE 2 = I nE 1 ⋅ ⋅ expç ÷ = 9,16 mA .
wB 2 è UT ø
Pošto smo izračunali sve komponente struja, možemo izračunati i ukupne struje emitera i
kolektora
I E 2 = − I nE 2 − I pE 2 = −9,25 mA ,
I C 2 = I nE 2 − I R 2 = − I E 2 − I B 2 = 9,15 mA .
Relativne promjene tih struja su
∆I E I − I E1
= E2 = 0,0307 = 3,07 % ,
IE I E1
∆I C I − I C1
= C2 = 0,0310 = 3,10 % .
IC I C1
Promjene kolektorske i emiterske struje su po iznosu međusobno jednake, ali kako je emiterska
struja nešto veća, njena relativna promjena je manja.
Zadatak 3.36
Usporedimo li ove rezultate s onima iz a) dijela zadatka, uočit ćemo da je za jednaku

promjenu napona na kolektorskom spoju, promjena kolektorske struje veća kada struju baze
držimo konstantnom, nego kada je emiterska struja konstantna. To znači da će izlazne
karakteristike u normalnom aktivnom području imati veći nagib za spoj zajedničkog emitera, nego
za spoj zajedničke baze (slika 3.84). Iako su na apscisama izlaznih karakteristika različiti naponi
(za spoj zajedničke baze napon UCB , a za spoj zajedničkog emitera UCE), oni se međusobno
razlikuju za napon UBE ,
U CE = U CB + U BE ,
koji se neznatno mijenja, tako da su promjene napona UCB i UCE praktički jednake
(∆UCB = ∆UCE).
IC
∆ IC = 275 µA
IB = 97,0 µA
8,88 mA
.
∆UCE = ∆UCB = 10 V
0,6 V 10,6 V UCE

Slika 3.84. Utjecaj Earlyevog efekta na izlazne karakteristi-
ke spoja zajedničkog emitera.
Do sličnog zaključka mogli smo doći uspoređujući promjene raspodjela manjinskih nosilaca
u bazi za slučaj konstantne struje emitera (spoj zajedničke baze), odnosno za slučaj konstantne
struje baze (spoj zajedničkog emitera), kako je prikazano na slici 3.85. Budući da se izlazni
naponi za ta dva spoja (UCB , odnosno UCE) razlikuju za napon UBE , koji je puno manji od oba
napona, možemo uzeti da jednaki iznosi izlaznih napona i njihovih prirasta uzrokuju praktički
jednake širine baze, odnosno jednaka suženja baze.
Ako emitersku struju održavamo konstantnom, uz pretpostavku da je InE >> IpE , struja InE
mora ostati nepromijenjena. U raspodjeli manjinskih nosilaca u bazi to znači da gradijent
nB . nB .
IE = InE = konst. IB = IR = konst.
InE ∝ dnB /dx
IR ∝QnB
.
InC = konst. QnB = konst. InC
0 wB2 wB1 0 wB2 wB1

Slika 3.85. Promjene kolektorske struje za jednake promjene izlaznog napona
uz: a) konstantnu emitersku struju, b) konstantnu baznu struju.
Zadatak 3.36
koncentracije uz emiter ostaje isti, odnosno da se pravac raspodjele elektrona pri promjenama
napona UCB samo translatira duž osi ordinate (slika 3.85a). Kolektorska struja proporcionalna je
gradijentu koncentracije manjinskih nosilaca uz kolektorsku barijeru. Površni čitatelj bi,
zaboravljajući da funkcija raspodjele nije baš pravac, već slabo uleknuta krivulja koju smo
aproksimirali pravcem, mogao zaključiti da će i kolektorska struja ostati nepromijenjena. Istina je
da će promjena kolektorske struje biti vrlo mala, ali će ipak postojati jer se zbog promjene
raspodjele smanjio nakrcani naboj u bazi, a time i rekombinacija nosilaca pri proletu kroz bazu -
kolektorska struja će neznatno porasti.
Za slučaj konstantne struje baze, pretpostavit ćemo radi jednostavnosti da je rekombinacijska
komponenta bazne struje puno veća od struje nosilaca koje baza injektira u emiter, tj. IR >> IpE †.
Kako je rekombinacijska struja proporcionalna nakrcanom naboju manjinskih nosilaca, tj.
površini trokuta ispod funkcije raspodjele nosilaca, za konstantnu struju baze moraju površine
trokuta biti međusobno jednake (slika 3.85b). Sa slike je više nego očito da u ovom slučaju
imamo daleko veće promjene gradijenta koncentracije manjinskih nosilaca uz kolektorsku
barijeru, odnosno veće promjene kolektorske struje, nego za slučaj konstantne emiterske struje.
Na ulaznim karakteristikama za spoj zajedničkog emitera također dolazi do cijepanja
karakteristika na više krivulja za različite vrijednosti izlaznog napona UCE >> UT , ali, za razliku
od spoja zajedničke baze, sada većim vrijednostima izlaznog napona pripadaju položenije
karakteristike (slika 3.86). Usporedbom dobivenih promjena napona UBE u a), odnosno b) dijelu
UCE
IB
UCE = 0,6 V
UCE = 10,6 V
∆UBE= 53,6 µV
97,0 µA
0,6 V U
BE
Slika 3.86. Utjecaj Earlyevog efekta na ulazne karakteristike spoja zajedničkog

emitera.
zadatka, vidimo da je ta promjena manja u b) dijelu zadatka, pa će stoga ulazne karakteristike u

spoju zajedničkog emitera biti “zgusnutije”, tj. bliže jedna drugoj.
† Iako ova pretpostavka ne odgovara stvarnosti, ona nema presudni značaj za kvalitativni prikaz,
a bitno će nam olakšati analizu.
Zadatak 3.36
Zadatak 3.37
Raspodjele manjinskih nosilaca u bazi npn tranzistora za tri radne točke označene na
ulaznim karakteristikama prikazane su na slici 3.87. Faktor efikasnosti emitera u radnoj
točki C je 0,99. Odredite spoj za koji su ulazne karakteristike nacrtane, te sve
komponente ulazne struja za sve tri radne točke.
nB | IUL | UIZ
B
0,2 mA C
0,1 mA
A
xB UUL
Slika 3.87. Raspodjele elektrona u bazi i ulazne karakteristike

Rješenja:
Spoj zajedničke baze. Radna točka A: InE = 99 µA, IpE = 1 µA; radna točka B: InE = 199 µA,
IpE = 1 µA; Radna točka C: InE = 198 µA, IpE = 2 µA. Uputa: Radne točke A i B imaju isti ulazni
napon (UBE), a točke A i C imaju isti izlazni napon, tj. jednake širine baze. Na osnovi toga odredi
se koja raspodjela pripada kojoj radnoj točki.
Zadatak 3.38
Na slici 3.88 prikazane su ulazne karakteristike
tranzistora u normalnom aktivnom području. | IUL | UIZ = +5 V
Vrijeme života manjinskih nosilaca u bazi
τB = 5 µs. U radnoj točki A nakrcani ekscesni 5 µA
A
B
naboj u bazi je QB = 12,5 pC, a vrijeme proleta
kroz bazu ttr = 50 ns. UT = 25 mV, ICBO = 0.
Odredite: UUL / V
a) tip tranzistora i spoj za koji su ulazne
+0,598 +0,6
karakteristike prikazane;
b) sve komponente struja u radnoj točki A; Slika 3.88. Ulazne karakteristike
c) relativnu promjenu širine baze i vremena
proleta kroz bazu pri pomaku radne točke iz A
u B;
d) sve komponente struja u radnoj točki B.
Zadatak 3.38
Rješenja:
a) NPN tranzistor u spoju zajedničkog emitera; b) IB = 5 µA, IR = 2,5 µA, IpE = 2,5 µA,
InE = 250 µA, IE = –253 µA, IC = InC = 248 µA; c) ∆wB / wB = –0,154, ∆ttr / ttr = –0,284;
d) IB = 5 µA, IR = 2,29 µA, IpE = 2,71 µA, InE = 320 µA, IE = –323 µA, IC = InC = 317,7 µA.
Zadatak 3.39
NPN tranzistor radi u normalnom aktivnom području u spoju zajedničkog emitera. U
radnoj točki 1 faktor injekcije γ = 0,99, a struja emitera 2 mA. Ako se izlazni napon
promijeni tako da se širina baze promijeni za 2 %, a ulazni napon ostane isti, struja
kolektora će se promijeniti na 2 mA (radna točka 2). T = 300 K, ICBO = 0. Odredite sve
komponente struja u radnoj točki 1, te nacrtajte izlazne karakteristike i označite na njima
radne točke 1 i 2.
Rješenje:
InE1 = 1,98 mA, IpE1 = 20 µA, IR1 = 20,8 µA, IB1 = 40,8 µA, IC1 = InC1 = 1,96 mA; vidi sliku 3.89.
IC
IB1 =40,8 µA
2 mA 1 IB2 =40,4 µA
1,96 mA 2
UCE
Slika 3.89. Izlazne karakteristike u zadatku 3.39.
Zadatak 3.39
3.4. Dinamička svojstva

Pri analizi rada elektroničkih sklopova s bipolarnim tranzistorima, tranzistori se
obično nadomještaju nekim modelom (npr. [Nagel75, Antognetti86, Antognetti88]).
Nadomjesni model se sastoji od idealnih elemenata (otpora, kapaciteta, zavisnih izvora)
spojenih tako da “oponašaju” tranzistor. Pritom valja voditi računa o tome da je
tranzistor, općenito, nelinearna elektronička komponenta. Stoga se nadomjesni sklopovi
tranzistora mogu podijeliti u dvije osnovne skupine:
1. nadomjesni sklopovi za režim velikog signala, koji su primjenjivi za sva naponska
područja rada tranzistora (normalno/inverzno aktivno područje, zaporno područje,
zasićenje), te
2. linearni nadomjesni sklopovi za režim maloga signala, koji su valjani samo u
neposrednoj okolici radne točke za koju su parametri nadomjesnog modela određeni.
Nadomjesni sklopovi za režim velikog signala su nelinearni modeli koji uzimaju u
obzir nelinearnosti strujno-naponskih karakteristika tranzistora, tako da se oni mogu
primijeniti za sva naponska područja rada tranzistora, iako su parametri modela
konstantni. Najrasprostranjeniji modeli za režim velikog signala su Ebers-Mollov
[Ebers54] i Gummel-Poonov model [Gummel70]. Ebers-Mollov model je jednostavniji
(opisan je samo sa četiri parametra), međutim ne obuhvaća niz efekata, poput
modulacije širine baze, serijskih otpora priključnica, parazitnih kapaciteta. Doduše,
izvorni model se može proširiti tako da se obuhvate i ti efekti, ali to onda vodi
složenijem (i točnijem) Gummel-Poonovom modelu [Getreu78]. Treba naglasiti da se
nelinearni modeli uglavnom zasnivaju na fizikalnim pojavama u samom tranzistoru.
U linearne modele najčešće spadaju klasični četveropoli (admitancijski, π, hibridni)
koji ne vode računa o fizikalnim pojavama u tranzistoru, već su formirani isključivo na
osnovu naponskih i strujnih pobuda, odnosno odziva na priključnicama tranzistora
(princip “crne kutije”). Kako su ti modeli linearni, njih je ispravno koristiti samo kada su
pomaci radne točke dovoljno mali da se nelinearnost karakteristika tranzistora ne
ispoljava.
3.4.1. Ebers-Mollov model

Ebers-Mollov model tranzistora upoznali smo kod analize strujno-naponskih
karakteristika idealnog tranzistora. On sadrži četiri parametra: α, αI , ICS i IES . Može se
pokazati (vidi Prilog A na kraju Zbirke, odnosno [Shockley51, Ebers54]) da su u
uvjetima niske injekcije ta četiri parametra međusobno povezana,
α I
= CS ,
α I I ES
pa se bilo koji od njih dade prikazati pomoću tri preostala parametra. Stoga možemo reći
da je Ebers-Mollov model potpuno opisan sa tri parametra.
3.4. Dinamička svojstva 143
Zadatak 3.40
Za sklop na slici 3.90 odrediti valne oblike
napona i struja korištenjem Ebers-Mollovog
modela tranzistora. Tranzistor ima α = 0,995, RC
iC
αI = 0,9, ICS = 0,5 nA. Otpor potrošača
RC = 1 kΩ, naponi istosmjernih izvora su iB + +
UBB = 0,42 V i UCC = 12 V, dok je izmjenični uCE UCC
signal +
ub(t) = Ubm⋅sin(ω⋅t),
ub ~ uBE
−
+
amplitude Ubm = 10 mV. T = 300 K. UBB −
Rješenje:
Na slici je zadan jednostavni sklop pojačala s Slika 3.90. Sklop u zadatku 3.40.
tranzistorom u spoju zajedničkog emitera. Sinusni
signal ub koji želimo pojačati dovodimo na bazu
tranzistora, dok je potrošač spojen na kolektor; emiter je zajednička elektroda ulaznom i izlaznom
krugu. Istosmjerni naponski izvori polariziraju tranzistor u normalno aktivno područje rada. Izvor
UBB osigurava propusnu polarizaciju emiterskog spoja, dok napon UCC (UCC > UBB) daje kolektoru
viši potencijal od potencijala baze, odnosno osigurava da je kolektorski spoj zaporno polariziran.
Da bismo tranzistor u sklopu mogli nadomjestiti Ebers-Mollovim modelom, prethodno
moramo izračunati struju
α
I ES = I CS ⋅ I = 0,452 nA .
α
Nadomjestimo li tranzistor u sklopu na slici 3.90 Ebers-Mollovim modelom za npn tranzistor,
dobit ćemo sklop prema slici 3.91a. Budući da se ulazni napon baza-emiter sastoji od istosmjerne
komponente UBB na koju je nadodana izmjenična komponenta ub , sve struje kroz tranzistor i
naponi na tranzistoru također će sadržavati i istosmjernu i izmjeničnu komponentu. Zato smo ih,
shodno ustaljenim pravilima [IRE56], označili malim slovom veličine i velikim slovima u
indeksu.
C C
iBC α⋅iBE α⋅iBE

RC RC
B B
iBE αI⋅iBC + iBE +

ub ~ UCC
ub ~ UCC
+ +
UBB E
UBB E
a) b)
Slika 3.91. Pojačalo sa slike 3.90 u kojem je tranzistor nadomješten Ebers-Mollovim modelom:
a) cjelokupni model, b) pojednostavljeni model za normalno aktivno područje rada.
Zadatak 3.40
Ako je tranzistor u normalnom aktivnom području rada, kolektorski spoj je zaporno

polariziran. U tom slučaju struja iBC =
−ICS , te ju možemo zanemariti u odnosu na struju iBE . To
nam dozvoljava da pojednostavimo nadomjesni sklop, izostavljajući diodu baza-kolektor i zavisni
strujni izvor αI⋅iBC , kako je prikazano na slici 3.91b. Naravno da pritom treba paziti da radna
točka pod djelovanjem signala ne uđe u područje zasićenja, kada je i kolektorska barijera
propusno polarizirana, pa struja iBC više nije zanemariva.
Na osnovi nadomjesnog sklopa na slici 3.91b, struja baze je
é æu ö ù
i B = i BE − α ⋅ i BE = (1 − α ) ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú , (3.190)
êë è U T ø úû
gdje je uBE ukupni napon na spoju emiter-baza, koji se sastoji od istosmjerne i izmjenične
komponente,
u BE = U BB + ub .
Kolektorska struja je
é æu ö ù
iC = α ⋅ i BE = α ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú , (3.191)
êë è U T ø ûú
dok je napon između kolektora i emitera
uCE = U CC − iC ⋅ RC . (3.192)
Da bismo odredili vremenski oblik struja i napona, trebamo za pojedine trenutke izračunati
ulazni napon uBE , te pomoću izraza (3.190) - (3.192) izračunati tražene struje, odnosno napone. U
tablici 3.15 dani su rezultati za nekoliko različitih kutova ω⋅t, prema kojima su nacrtani dijagrami
na slici 3.92.
Tablica 3.15. Struje i naponi u zadatku 3.40.
ω ⋅t ub u BE iB iC uCE
rad mV mV µA mA V
0 0 420,0 25,51 5,077 6,923
π/4 7,07 427,1 33,54 6,675 5,325
π/2 10,00 430,0 37,55 7,473 4,527
3π/4 7,07 427,1 33,53 6,673 5,327
π 0 420,0 25,52 5,078 6,922
5π/4 −7,07 412,9 19,40 3,861 8,139
3π/2 −10,00 410,0 17,33 3,449 8,551
7π/4 −7,07 412,9 19,41 3,863 8,137
Iz navedenih rezultata možemo uočiti da tranzistor u zadanom sklopu daje strujno pojačanje
jednako faktoru strujnog pojačanja tranzistora u spoju zajedničkog emitera
I α
AI = cm = β = = 199 ,
I bm 1− α
Zadatak 3.40
40
430
Ubm
uBE iB 30
420
mV UBB µΑ
Ubm
20
410
10
0 π/2 π 3π/2 2π 0 π/2 π 3π/2 2π
(ω t)/rad (ω t)/rad
8 10
6 8
iC uCE
mA V
4 6
2 4
0 π/2 π 3π/2 2π 0 π/2 π 3π/2 2π
Slika 3.92. Valni oblici napona i struja.
ali i značajno naponsko pojačanje

U cem I cm ⋅ RC
AV = = = 201 .
U bm U bm
Icm, Ibm, Ucem, Ubm su amplitude izmjeničnih komponenti kolektorske i bazne struje, odnosno
napona kolektor-emiter i kolektor-baza. Uočimo da su sinusni naponi između baze i emitera ube ,
odnosno između kolektora i emitera uce međusobno u protufazi - za vrijeme pozitivne poluperiode
napona ube , sinusni napon uce prolazi kroz negativnu poluperiodu, i obrnuto.
Kao što vidimo, napon uCE je uvijek veći od napona uBE , pa je zadovoljena naša
pretpostavka da je tranzistor cijelo vrijeme u normalnom aktivnom području rada i da vrijedi
jednostavniji sklop na slici 3.91b. U protivnom, kada bi provela dioda kolektor-baza (tj. kada bi
tranzistor ušao u zasićenje), kolektorskoj struji bi doprinosila i struja iBC . S obzirom da je ta struja
ovisna o naponu kolektor-baza,
é æu ö ù
i BC = I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú ,
êë è U T ø ûú
Zadatak 3.40
a on ovisi o kolektorskoj struji (izraz (3.192)), dade se naslutiti da će se dobiti transcedentna

jednadžba, u kojoj se struja iBC ne može eksplicitno izraziti. Proračun će se značajno
zakomplicirati za sklopove sa više tranzistora, odnosno dioda, jer tada struje i naponi jednog
tranzistora ovise o strujama i naponima ostalih tranzistora. Za takve sklopove je točan proračun
praktički nemoguće provesti bez korištenja programskih paketa namijenjenih rješavanju
elektroničkih sklopova, u kojima su modeli poluvodičkih komponenti već ugrađeni (npr. SPICE
[Nagel75]).
Na slikama 3.92 možemo primijetiti da su izlazni napon i struja izobličeni. Uzrok tome je
prevelika amplituda ulaznog napona, zbog čega dolazi do izražaja nelinearnost ulazne
karakteristike tranzistora (problem je sličan kao kod pn-diode, vidi zadatak 2.24). Osim toga,
karakteristike tranzistora u normalnom aktivnom području su linearne samo uz strujnu pobudu.
To je najzornije usporede li se izlazne karakteristike nekog tranzistora uz strujnu, odnosno uz
naponsku pobudu, slika 3.93. Za strujnu pobudu (slika 3.93a) su izlazne karakteristike za jednake
priraste ulazne struje jednako razmaknute. Naprotiv, za naponsku pobudu (slika 3.93b) su izlazne
karakteristike kod manjih ulaznih napona gušće, a prema većim ulaznim naponima (unatoč
∆ IB = konst. ∆ UBE = konst.

IC IC
IB4 UBE4
IB3
IB2
UBE3
IB1 UBE2
UBE1
UCE UCE
a) b)
Slika 3.93. Izlazne karakteristike tranzistora u spoju zajedničkog emitera za:
a) jednake priraste bazne struje, b) jednake priraste napona baza-emiter.
jednakim prirastima napon UBE) razmak između karakteristika eksponencijalno raste. Stoga, ako
želimo maksimalno iskoristiti raspoloživo normalno aktivno područje, tranzistor moramo
pobuđivati strujno, tj. unutarnji otpor izvora signala mora biti puno veći od ulaznog otpora
tranzistora (vidi sljedeći zadatak).
Budući da zbog izobličenja amplitude pozitive i negativne poluperiode signala nisu jednake,
u proračunima strujnog i naponskog pojačanja računali smo sa aritmetičkim sredinama tih
amplituda.
Zadatak 3.40
Zadatak 3.41
Za sklop na slici 3.94 skicirati kolektorske iC
struje i napon kolektor-emiter, ako je iB +
amplituda sinusnog generatora ibb : RC
uCE
a) Ibm = 20 µA, odnosno +
−
b) Ibm = 35 µA. ibb IBB uBE UCC
Tranzistor ima α = 0,995, αI = 0,9 i − +
ICS = −0,5 nA. Elementi sklopa imaju
sljedeće vrijednosti: UCC = 12 V,
IBB = 35 µA, RC = 1 kΩ. T = 300 K.
Slika 3.94. Sklop s tranzistorom u zadatku
3.41.
Rješenje:
Sklop na slici 3.94 je sličan onome iz
prethodnog zadatka, s tom razlikom da je sada tranzistor pnp-tipa, a umjesto naponom, baza
tranzistora se pobuđuje strujno. Iznosi parametara tranzistora, te otpora i napona napajanja su
jednaki kao i u zadatku 3.40.
Budući da se u sklopu koristi pnp tranzistor, polariteti napona za rad u normalnom aktivnom
području moraju biti suprotni nego u sklopu iz prethodnog zadatka - zato je napon napajanja u
kolektorskom krugu negativan. Strujni izvor IBB vuče struju iz baze tranzistora, te time osigurava
propusnu polarizaciju spoja emiter-baza.
Za dinamičku analizu tranzistor opet možemo nadomjestiti Ebers-Mollovim modelom, ali za
pnp tranzistor (slika 3.95a). Kao i u prethodnom zadatku, za normalno aktivno područje možemo
koristiti pojednostavljeni sklop (slika 3.95b).
C C
iBC α⋅iBE α⋅iBE

RC RC
B B
iB iB
iBE αI⋅iBC UCC iBE UCC
+ +
E E
a) b)
Slika 3.95. Sklop sa slike 3.94 u kojem je pnp tranzistor nadomješten Ebers-Mollovim
modelom: a) cjelokupni model, b) pojednostavljeni model za normalno aktivno područje
rada.
U normalnom aktivnom području emiterski spoj je propusno, a kolektorski nepropusno

polariziran, zbog čega praktički sva struja izvora u ulaznom krugu teče kroz diodu emiter-baza,
i B = − I BB − ibb .
Zadatak 3.41
Bazna struja u normalnom aktivnom području teče iz baze pnp tranzistora, tj. njen smjer je
suprotan referentnom smjeru označenom na slici 3.95 - struja iB je negativna. Struja iB u
nadomjesnom sklopu na slici 3.95b grana se u tranzistoru na struju iBE i struju α⋅iBE ,
i B = i BE − α ⋅ i BE = (1 − α ) ⋅ i BE , (3.193)
dok je kolektorska struja
iC = α ⋅ i BE . (3.194)
Iz izraza (3.193) i (3.194) proizlazi poznata veza između kolektorske i bazne struje
α
iC = ⋅ iB . (3.195)
1− α
Iz strujno-naponske karakteristike emiterskog spoja
é æu ö ù
i BE = I ES ⋅ êexpç EB ÷ − 1ú ,
êë è U T ø ûú
možemo izlučiti napon baza-emiter
æi ö
u BE = −U T ⋅ lnç BE + 1÷ , (3.196)
è I ES ø
dok je napon između kolektora i emitera
uCE = U CC − iC ⋅ RC .
Struju IES računamo iz uvjeta recipročnosti, kao
αI
I ES = ⋅ I = −0,452 nA .
α CS
U tablici 3.16a navedene su vrijednosti bazne i kolektorske struje, te napona baza-emiter i
kolektor-emiter za nekoliko različitih kutova ω⋅t, za slučaj kada je amplituda ulaznog signala
Ibm = 20 µA, kako je zadano u a) dijelu zadatka. Iz rezultata vidimo da je napon uCE cijelo vrijeme
po iznosu veći od napona uBE (|uCE| > |uBE|), tako da radna točka tranzistora ne izlazi iz normalnog
aktivnog područja.
Tablica 3.16. Naponi i struje u rješenju zadatka 3.41.
a) b)
ω ⋅t iB u BE iC uCE iB u BE iC uCE
rad µA mV mA V µA mV mA V
0 −35,0 −428 −6,96 –5,04 –35,0 –428 −6,97 –5,04
π/4 −49,1 −437 −9,78 –2,22 –59,7 –442 −11,8 –0,216
π/2 −55,0 −440 −10,9 –1,06 –69,9 –442 −11,9 –0,127
3π/4 −49,1 −437 −9,78 –2,22 –59,7 –442 −11,8 –0,216
π −35,0 −428 −6,96 –5,04 –35,0 –428 −6,97 –5,04
5π/4 −20,9 −415 −4,15 –7,85 –10,3 –396 −2,04 –9,96
3π/2 −15,0 −406 −2,99 –9,01 –0,0624 –259 −0,0124 –12,0
7π/4 −20,9 −415 −4,15 –7,85 –10,3 –396 −2,04 –9,96
Zadatak 3.41
U b) dijelu zadatka amplituda pobudne struje je veća (Ibm = 35 µA). Štoviše, ona je jednaka
istosmjernoj vrijednosti pobudne struje IBB , tako da će u vrhovima negativnih poluperioda
pobudnog signala (ω⋅t = 3π/2), bazna struja biti jednaka nuli. U tom trenutku tranzistor će biti na
granici prema zapornom području i kolektorska struja će biti jednaka nuli (točnije: bit će jednaka
struji ICS).
U vrhovima pozitivnih poluperioda pobudne sinusne struje, bazna i kolektorska struja
postaju tako velike da rezultirajući pad napona na potrošaču RC potiskuje potencijal kolektora
iznad potencijala baze tranzistora. Kolektorski spoj se propusno polarizira i tranzistor ulazi u
zasićenje. Pojednostavljeni sklop na slici 3.95b prestaje vrijediti, već treba koristiti cjelokupni
model sa slike 3.95a. Zbog međuovisnosti struja i napona u modelu, proračun je složen (zahtijeva
dvostruku iteraciju). Stoga ga nećemo ovdje provesti, već ćemo u tablici 3.16b samo navesti
konačne rezultate, dobivene gotovim programom za analizu sklopova s poluvodičkim elementima.
Na slici 3.96 prikazani su usporedno valni oblici struja i napona za obje amplitude pobudnog
signala. Za signal amplitude Ibm = 20 µA (svjetlije krivulje) vidimo da su izobličenja kolektorske
struje i napona kolektor-emiter zanemariva - oni su vjerna preslika pobudnog sinusnog signala,
–60 –300
Ibm
iB uBE
µΑ –40 mV
IBB –200
–20 Ibm
0 0
0 π/2 π 3π/2 2π 0 π/2 π 3π/2 2π
–12 –12
–8 –8
iC uCE
mA V
–4 –4
0 0
0 π/2 π 3π/2 2π 0 π/2 π 3π/2 2π
Slika 3.96. Valni oblici struja i napona u zadatku 3.41.
Zadatak 3.41
iC iB osim što je napon uce fazno pomaknut za

iB 180°. Za pobudni signal amplitude
Ibm = 35 µA (tamnije krivulje) jasno se
uočava izobličenje oko ω⋅t = π/2, koje
nastaje zbog ulaska radne točke u područje
Q π 2π zasićenja (slika 3.97). Kao što smo
0 ωt spomenuli, kod kuta ω⋅t = 3π/2 radna
točka doseže samu granicu područja
zapiranja. Da je amplituda signala još veća,
u CE došlo bi do izobličenja (“rezanja”)
0 izlaznog signala i za vrijeme negativnih
poluperioda pobudnog signala. Zanimljivo
π je uočiti veliko izobličenje napona ube .
2π Međutim, zbog linearne povezanosti bazne
ωt i kolektorske struje, to izobličenje nema
nikakvog utjecaja na izobličenje izlazne
Slika 3.97. Izobličenje napona kolektor-baza struje i napona.
zbog ulaska radne točke u područje zasićenja.
Usporedimo li ove rezultate s
rezultatima prethodnog zadatka, očita je
prednost strujnog pobuđivanja tranzistora; iako je hod kolektorske struje gotovo dvostruko veći,
izobličenja su puno manja.
3.4.2. Hibridni nadomjesni sklop

U sklopovima kojima su sastavni dijelovi, tranzistori su priključeni na napone koji
se općenito sastoje od istosmjerne i izmjenične komponente. Zbog toga se struje
pojedinih priključnica tranzistora i naponi između njih mogu prikazati kao zbroj
istosmjerne i izmjenične komponente:
iB = I B + ib , iE = I E + ie , iC = I C + ic ,
uBE = U BE + ube , uBC = U BC + ubc .
Ako je amplituda izmjeničnog signala dovoljno mala da nelinearnost karakteristika
tranzistora ne dolazi do izražaja, tada tranzistor radi u režimu malog signala. Pri analizi
rada može se u tom slučaju koristiti metoda superpozicije:
1. Prvo se na izračunaju istosmjerne veličine, tj. odredi se statička radna točka
Q.
2. Na osnovi rezultata statičke analize izračunaju se elementi lineariziranog
nadomjesnog sklopa (koji općenito ovise o položaju statičke radne točke), te
se tranzistor u sklopu nadomjesti tim modelom.
3. U dobivenoj linearnoj mreži odredi se odziv tranzistora na priključeni
izmjenični signal.
Ukupni naponi i struje dobivaju se zbrajanjem rješenja statičke analize (točka 1) i
dinamičke analize (točka 3).
Zadatak 3.41
Ako tranzistor radi kao linearno pojačalo, on radi u režimu malog signala - njegova
se statička radna točka mora nalaziti u normalnom aktivnom području. Pri tome,
tranzistor može raditi u bilo kojem od tri osnovna spoja: spoj zajedničke baze, spoj
zajedničkog emitera ili spoj zajedničkog kolektora (emitersko sljedilo). Naime, iz teorije
električnih mreža znamo da aktivni četveropoli uvijek moraju imati definirane po dvije
ulazne, odnosno izlazne stezaljke za ulaznu i izlaznu struju (iUL , iIZ ), te ulazni i izlazni
napon (uUL , uIZ ). Tranzistor ima samo tri stezaljke, te jednu od njih moramo pridružiti i
ulaznom i izlaznom krugu tranzistora.
Ovisno o tome koje od veličina (iUL , iIZ , uUL ili uIZ) odaberemo kao zavisne, a koje
kao nezavisne veličine, dobivamo različite tipove četveropola. Za nadomještanje
tranzistora najčešće se koriste hibridni i hibridni-π četveropoli.
Definiraju li se ulazna struja iUL i izlazni napon uIZ kao nezavisne veličine, a izlazna
struja iIZ i ulazni napon uUL kao zavisne veličine,
uUL , iIZ = f (iUL , uIZ )
četveropol će biti opisan hibridnim parametrima (h-parametrima). Promjene totalnih
vrijednosti zavisnih veličina bit će definirane preko promjena nezavisnih veličina:
æ ∂u ö æ ∂u ö
duUL = ç UL ÷ ⋅ diUL + ç UL ÷ ⋅ du IZ , (3.197a)
è ∂iUL ø è ∂u IZ ø
æ ∂i ö æ ∂i ö
di IZ = ç IZ ÷ ⋅ diUL + ç IZ ÷ ⋅ du IZ . (3.197b)
è ∂iUL ø è ∂u IZ ø
Parcijalne promjene u (3.197a, b) određuju h-parametre† :
1. Ulazni dinamički otpor hi (uz kratko spojen izlaz),
∂uUL duUL uul
hi = = = ; (3.198a)
∂iUL duiz = 0
diUL u IZ = konst.=U IZQ
i ul uiz = 0
2. Faktor naponske povratne veze hr (uz odspojen ulaz),

∂uUL duUL u ul
hr = = = ; (3.198b)
∂u IZ diUL = 0
du IZ iUL = konst.= IULQ
uiz iul = 0
3. Faktor strujnog pojačanja hf (uz kratko spojen izlaz),

∂i IZ di IZ iiz
hf = = = ; (3.198c)
∂iUL duIZ = 0
diUL u IZ = konst.=U IZQ
i ul uiz = 0
† Umjesto brojčanih indeksa, koji su uobičajeni u teoriji četveropola, mi ćemo za tranzistore

koristiti slovčane indekse, koji odražavaju značenje pojedinog parametra [IRE56]. Prvo slovo
indeksa (i, o, f ili r, od engl. input, output, forward, reverse) određuje koji je parametar, dok
drugo slovo (b, e ili c) iskazuje koji je spoj (zajednička baza, zajednički emiter ili zajednički
kolektor).
4. Izlazna dinamička vodljivost ho (uz odspojen ulaz),

∂i IZ di IZ iiz
ho = = = . (3.198d)
∂u IZ du IZ uiz
diUL = 0 iUL = konst.= IULQ iul = 0
Kao što se iz izraza (3.198a) do (3.198d) vidi, promjene struja i napona u (3.197)
mogu se tretirati kao izmjenične veličine, pa se izraz (3.197) može napisati kao:
uul = hi ⋅ iul + hr ⋅ uiz , (3.199a)
iiz = h f ⋅ iul + ho ⋅ uiz . (3.199b)
Ovim jednadžbama koje određuju ulazni napon i izlaznu struju četveropola

definiran je nadomjesni sklop prikazan na slici 3.98. To je nadomjesni sklop tranzistora
iul hi iiz
+ +
+
uul hr .uiz h f .iul ho uiz
− −
Slika 3.98. Nadomjesni sklop tranzistora s hibridnim

parametrima.
sa h-parametrima za niske frekvencije. Na visokim frekvencijama svi parametri postaju

ovisni o frekvenciji - ulazni otpor prelazi u ulaznu impedanciju, izlazna vodljivost u
izlaznu admitanciju (vidi poglavlje 3.5).
Ovaj nadomjesni sklop vrijedi za spoj bilo koje zajedničke elektrode; razlika je
samo u izboru pojedine elektrode kao zajedničke, ulazne, odnosno izlazne (vidi tablicu
3.17), te u iznosima tih parametara.
Tablica 3.17. Definicije spojeva tranzistora.
ulazna elektroda, izlazna elektroda,

zajednička elektroda oznake h-parametara
uUL , iUL uIZ , iIZ
baza emiter, uEB , iE kolektor, uCB , iC hib , hrb , hfb , hob

emiter baza, uBE , iB kolektor, uCE , iC hie , hre , hfe , hoe
kolektor baza, uBC , iB emiter, uEC , iE hic , hrc , hfc , hoc
Na temelju definicija (3.198a, b, c, d), hibridni parametri se mogu odrediti na tri

načina:
1. analitički, deriviranjem strujno-naponskih relacija;
2. grafičkim putem iz poznatih izlaznih i ulaznih karakteristika, pri čemu treba

derivacije zamijeniti odgovarajućim promjenama,
∆uUL ∆uUL
hi = , hr = ,
∆iUL uIZ = konst.=U IZQ
∆uIZ iUL = konst.= I ULQ
∆iIZ ∆i IZ
hf = , ho = .
∆iUL u IZ = konst.=U IZQ
∆u IZ iUL = konst.= IULQ
3. mjerenjem, pri čemu se derivacije zamjenjuju sa izmjeničnim komponentama

struja i napona,
uul uul
hi = . hr = ,
iul uiz =0
uiz iul =0
iiz iiz
hf = , ho = .
iul uiz =0
uiz iul =0
Zadatak 3.42
Izvesti analitičke izraze za hibridne parametre npn tranzistora u normalnom aktivnom
području rada za spoj zajedničke baze, te iz njih izvesti parametre za preostala dva
spoja.
Rješenje:
Za analitičko određivanje hibridnih parametara najzgodnije je krenuti od hibridnih
parametara za spoj zajedničke baze, tj. hb-parametara. U spoju zajedničke baze ulazni napon
jednak je naponu na pn-spoju emiter-baza, a izlazni napon jednak je naponu na spoju kolektor-
baza, pa su strujno-naponske jednadžbe najjednostavnije. Naprotiv, kod spojeva zajedničkog
emitera i zajedničkog kolektora, izlazni napon (uCE , odnosno uEC) je napon na serijskom spoju
dva pn-spoja. Stoga ćemo u a) dijelu rješenja izvesti parametre za spoj zajedničke baze, a zatim
ćemo u b) i c) dijelu izvesti pretvorbene formule koje povezuju parametre spoja zajedničkog
emitera, odnosno kolektora sa hb-parametrima.
Treba naglasiti da će izvod hibridnih parametara biti napravljen za intrinsični tranzistor, pa
parazitni serijski otpori emitera, baze i kolektora neće biti obuhvaćeni.
a)
Shodno općenitoj definiciji (3.198a), hib parametar je
du EB
hib = . (3.200)
di E uCB = konst. = U CBQ
Trebamo dakle derivirati strujno-naponsku jednadžbu koja povezuje napon emiter-baza sa

emiterskom strujom. Pritom je napon na spoju kolektor-baza konstantan, tj. jednak istosmjernoj
komponenti tog napona u statičkoj radnoj točki (uCB = konst. = UCBQ).
Emiterska struja npn tranzistora sastoji se iz dvije komponente: struje većinskih nosilaca
emitera koje emiter ubacuje u bazu (iNE) i struje većinskih nosilaca baze koje baza injektira u
emiter (iPE),
n0 B æu ö p æu ö
i E = −i NE − i PE = − q ⋅ S ⋅ DnB ⋅ ⋅ expç BE ÷ − q ⋅ S ⋅ D pE ⋅ 0 E ⋅ expç BE ÷ . (3.201)
wB è UT ø XE è UT ø
Oznaka XE ovisi o širini emitera; za široki emiter XE je jednaka difuzijskoj duljini manjinskih
nosilaca u emiteru (XE = LpE), a za uski emiter Xe je jednaka širini emitera (XE = wE). Uočimo da
je u (3.201), zbog pretpostavke da tranzistor radi u normalnom aktivnom području i da je
emiterski spoj propusno polariziran, zanemaren član –1 koji stoji u strujno-naponskoj jednadžbi
uz eksponencijalnu funkciju, tj.
æu ö æu ö
expç BE ÷ − 1 = expç BE ÷ .
è UT ø è UT ø
Konstantni napon na spoju baza-kolektor znači da se širina baze wB ne mijenja, pa

deriviranjem (3.201) po naponu baza-emiter, dobivamo
di E æ D ⋅n D pE ⋅ p0 E ö æu ö 1
= − S ⋅ q ⋅ ç nB 0 B + ÷ ⋅ expç BE ÷ ⋅ .
du BE è wB XE ø è UT ø UT
Sređivanjem ovog izraza dobiva se da je
du EB du BE UT U
hib = =− =− =− T . (3.202a)
di E uCB = U CBQ di E uCB = U CBQ iE I EQ
w B = konst. w B = konst.
Kako se h parametri određuju u statičkoj radnoj točki Q, to je ukupna struja iE jednaka

istosmjernoj struji IEQ . Izraz (3.202) potpuno je identičan izrazu za dinamički otpor pn-diode - hib
parametar jednak je dinamičkom otporu diode emiter-baza, gledano s emiterske stezaljke. Ulazni
dinamički otpor je pozitivna veličina, a s obzirom da je emiterska struja npn tranzistora u
normalnom aktivnom području rada negativna, pojavljuje se u (3.202a) predznak minus.
Za pnp tranzistor dobio bi se sličan izraz,
U U
hib = T = T . (3.202b)
iE I EQ
Razlika je samo u predznaku, jer je emiterska struja pnp tranzistora u normalnom aktivnom
području pozitivna!
Iz općenite definicije (3.198c) parametar hfb
d iC
h fb = . (3.203)
di E u CB = konst. = U CBQ
Kako u normalnom aktivnom području vrijedi da je

iC = −α ⋅ i E + I CBO , (3.204)
slijedi da je
d iC
h fb = = −α . (3.205)
di E uCB = U CBQ
w B = konst.
Zadatak 3.42
Faktor hfb jednak je po iznosu faktoru strujnog pojačanja u spoju zajedničke baze, ali je
negativnog predznaka! U normalnom aktivnom području struja teče u kolektor npn tranzistora, pa
je iC > 0, dok emiterska teče iz emitera te je iE < 0. Porast struje koja teče iz emitera (∆iE < 0)
uzrokovat će porast kolektorske struje ∆iC > 0 (vidi sliku 3.99). Kao što vidimo, negativni hfb je
posljedica definicije referentnih smjerova struja koje ulaze u četveropol.
iE t
iE < 0
stvarni smjer emiterske struje

i njenog prirasta: ∆ iC + iC ∆ iE < 0
referentni smjer: iC
( iE < 0 ) ∆ iC > 0
(∆ iE < 0 )
iC > 0 t
Slika 3.99. Uz objašnjenje negativnog predznaka parametra hfb.
Budući da (3.204) vrijedi i za pnp tranzistor, i za njega je hfb određen s (3.205) i negativan
je.
Prema definiciji (3.198b) faktor naponske povratne veze za spoj zajedničke baze hrb je
du EB
hrb = . (3.206)
duCB i E = I EQ
On odražava utjecaj promjene (izlaznog) napona na kolektorskom spoju na promjenu (ulaznog)

napona emiterskog spoja, uz konstantnu emitersku struju. Kada ne bi bilo pojave modulacije
širine baze, napon na kolektorskom spoju ne bi imao nikakva upliva na napon emiterskog spoja,
pa bi bio hrb = 0. Razmotrimo kako Earlyev efekt utječe na hrb !
Struja emitera sastoji se od dvije komponente: iNE i iPE . Struja iPE ovisi o naponu na pn-spoju
emiter-baza i efektivnoj širini emitera (za uski emiter), odnosno difuzijskoj duljini manjinskih
šupljina u emiteru (za široki emiter) (razmatramo npn tranzistor!),
p0 E æu ö
i PE = q ⋅ S ⋅ D pE ⋅ ⋅ expç BE ÷ . (3.207)
XE è UT ø
Struja iNE ovisi također o naponu uEB , te o efektivnoj širini baze
n0 B æu ö
i NE = q ⋅ S ⋅ DnB ⋅ ⋅ expç BE ÷ , (3.208)
wB è UT ø
tj. ovisi o nagibu pravca koji opisuje raspodjelu manjinskih elektrona u bazi. Uslijed Earlyevog
efekta, promjena napona uCB mijenjat će efektivnu širinu baze, te je očevidno da će se zbog toga
mijenjati i struja iNE . Struja iPE pritom ostaje nepromijenjena.
Unatoč tome što se mijenja omjer struja iNE i iPE , budući da je za realne npn tranzistore
redovito iNE >> iPE , razumne promjene struje iNE neće bitno utjecati na promjenu faktora injekcije,
Zadatak 3.42
i NE
γ = .
i NE + i PE
Kod proračuna hibridnih parametara podrazumijevaju se male promjene napona, pa je promjena
širine baze, a time i struje iNE , mala. Zbog toga će promjena faktora injekcije biti zanemariva, te
ćemo radi jednostavnosti pretpostaviti da je
faktor injekcije emitera konstantan. Uz takvu
nB pretpostavku, struja emitera će biti konstantna
ako konstantnom ostane struja većinskih
UBE2 < UBE1 .
IE = InE = konst. nosilaca koji se iz emitera injektiraju u bazu -
raspodjele manjinskih nosilaca u bazi za
UCB2 > UCB1 konstantnu struju iE moraju biti međusobno
1
paralelni pravci (slika 3.100).
Porast reverznog napona na spoju
2 kolektor-baza uzrokovat će smanjenje efektivne
x širine baze. Da bi struja iE pritom ostala
0 wB2 wB1 nepromijenjena, pravac raspodjele elektrona u
bazi na slici 3.100 mora se translatirati prema
Slika 3.100. Porast kolektorskog napona,
zbog uvjeta konstantne emiterske struje, nižim koncentracijama. Pri tome se smanjuje
uzrokuje pad napona baza-emiter. koncentracija elektrona uz emitersku barijeru
(nB 0), a za to je neophodno smanjiti napon na
emiterskom spoju. Vidimo da porast napona
uCB uzrokuje, zbog uvjeta konstantne emiterske struje, smanjenje napona uBE , odnosno porast
napona uEB . Zato je hrb uvijek pozitivan broj.
Na osnovi prethodne analize, dade se naslutiti da ćemo faktor naponskog povratnog
djelovanja najlakše izračunati ako (3.206) rastavimo na dvije parcijalne derivacije,
du EB æ ∂u ∂wB ö
hrb = = ç EB ⋅ ÷ . (3.209)
duCB i E = konst.
è ∂w B ∂uCB ø
i E = konst.
Veza između napona uEB i efektivne širine baze wB sadržana je u (3.208). Izlučimo li efektivnu
širinu baze iz te jednadžbe,
S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ n0 B æ u ö
wB = ⋅ expç − EB ÷ ,
i NE è UT ø
deriviranjem po naponu uEB , uz konstantnu struju iNE = INE , dobit ćemo da je
∂wB S ⋅ q ⋅ DnB ⋅ n0 B æ u ö æ 1 ö w
= ⋅ expç − EB ÷ ⋅ ç − ÷=− B , (3.210)
∂u EB I NE è UT ø è UT ø UT
pa (3.209) možemo napisati da je
U T æ ∂wB ö
hrb = − ⋅ç ÷ . (3.211)
wB è ∂uCB ø
i E = konst.
Parcijalna derivacija u (3.211) određuje promjenu širine baze sa naponom na spoju kolektor-
baza i ona ovisi o raspodjeli primjesa oko spoja kolektor-baza (vidi sljedeći zadatak). Iz ovog
izraza vidimo da će faktor naponske povratne veze biti veći po iznosu ako je širina baze manja, te
Zadatak 3.42
ako se širina baze jače mijenja s promjenom napona uCB. Za pnp tranzistor dobiva se jednak izraz,
samo umjesto napona uCB treba računati s naponom uBC†.
Prema definiciji (3.198d), izlazna dinamička vodljivost hob određuje se uz isti uvjet kao i
faktor naponske povratne veze hrb , tj. uz konstantnu struju emitera,
diC
hob = . (3.212)
duCB i E = konst.
Do promjene kolektorske struje pri promjeni napona kolektor-baza dolazi prvenstveno zbog
Earlyevog efekta. Uvidom u sliku 3.100, čitatelj će lako uočiti da se suženjem baze, uz uvjet da je
struja iE =
iNE konstanta, smanjuje nakrcani naboj manjinskih elektrona. Zbog toga će se smanjiti i
rekombinacijska struja, pa će veći postotak elektrona injektiranih iz emitera stići do kolektora.
Jednostavnije rečeno, zbog manje širine baze elektroni će brže proći kroz nju, pa će ih se manji
broj stići rekombinirati s većinskim šupljinama u bazi. Prema tome, porastom napona uCB
povećavat će se transportni faktor kroz bazu, što će uz uvjet konstantne struje emitera, rezultirati
porastom kolektorske struje.
Promjenu kolektorske struje kada se promjeni napon uCB uzrokuje promjena širine baze.
Zato ćemo derivaciju u (3.212) rastaviti na dvije parcijalne derivacije,
diC æ ∂i ∂wB ö
hob = =ç C ⋅ ÷ . (3.213)
duCB i E = konst.
è ∂wB ∂uCB ø
i E = konst.
Kolektorska struja je, prema (3.204)

iC = −α ⋅ i E + I CBO = −γ ⋅ β * ⋅ i E + I CBO . (3.214)
Prema definiciji (3.213), emiterska struja je konstantna (iE = IEQ = konst.), tako da je
∂iC ∂α ∂β *
= − I EQ ⋅ = −γ ⋅ I EQ ⋅ . (3.215)
∂wB ∂wB i E = I EQ
∂wB
i E = I EQ i E = I EQ
Uočimo da smo i ovdje pretpostavili da se efikasnost emitera ne mijenja pri promjeni širine baze!
Za homogenu bazu transportni faktor je‡
2
1 æ wB ö
β* = 1 − ⋅ç ÷ , (3.216)
2 è LnB ø
tako da je
∂β * w 2 ⋅ (1 − β * )
= − 2B = − . (3.217)
∂wB Lnb wB
Uvrštavanjem u (3.213), dobit ćemo
† Da bismo otklonili sve nedoumice glede predznaka, čitatelju dajemo jednostavan naputak: svi
h parametri, s izuzetkom hfb i hfc , su pozitivne veličine, pa je u većini slučajeva dovoljno
računati s apsolutnim vrijednostima veličina koje se uvrštavaju! Namjerno smo naglasili u
većini, jer kod oduzimanja i zbrajanja ne smijemo izgubiti iz vida predznak pojedine veličine.
‡ Izvod se može poopćiti i za nehomogenu bazu, samo što će faktor ispred drugog člana biti
različit od 1/2 (vidi poglavlje 3.2.1. Utjecaj raspodjele primjesa u bazi na transportni faktor,
izraz (3.113)).
Zadatak 3.42
diC 2 ⋅ γ ⋅ (1 − β * ) ⋅ I EQ æ ∂wB ö
hob = = ⋅ç ÷ . (3.218)
duCB i E = I EQ
wB è ∂uCB ø
i E = I EQ
Emiterska struja IEQ npn tranzistora u normalnom aktivnom području je negativna, ali je i
promjena efektivne širine baze s naponom uCB (∂wB / ∂uCB) negativna, tako da je izlazna dinamička
vodljivost (naravno!) pozitivna veličina.
Slično kao i kod hrb , izlazna dinamička vodljivost raste što je promjena širine baze s
promjenama napona kolektor-baza veća. Uz to, jak utjecaj na dinamičku vodljivost ima
istosmjerna komponenta emiterske struje IEQ . S obzirom da je dinamička vodljivost direktno
proporcionalna nagibu izlaznih karakteristika, izlazne karakteristike tranzistora u spoju zajedničke
baze će za veće emiterske struje imati proporcionalno veći nagib. Ekstrapolacija tih karakteristika
dat će jedinstveno presjecište na osi apscise, kod nekog napona koji se naziva Earlyev napon
(slika 3.101).
iC iE
UCB,Early u CB
Slika 3.101. Earlyev napon na izlaznim karakteristikama za spoj
zajedničke baze (nije crtano u mjerilu!).
Izraz za dinamičku vodljivost pnp tranzistora je potpuno isti kao (3.218). Iako je emiterska
struja pnp tranzistora u normalnom aktivnom području pozitivna, zbog negativnog predznaka
napona uCB , parcijalna derivacija ∂wB/∂uCB je pozitivna, pa je dinamička vodljivost pozitivna.
Na temelju provedene analize vidimo da su, s izuzetkom parametra hfb , svi ostali hibridni
parametri spoja zajedničke baze pozitivne veličine. To vrijedi kako za npn, tako i za pnp
tranzistore! Ovisnost o statičkoj radnoj točki sadržana je eksplicitno u dobivenim izrazima za hib ,
hrb , odnosno hob , i te ovisnosti su međusobno jednake za npn i pnp tranzistor. Ovisnost hfb o
položaju statičke radne točke nije eksplicitno vidljiva - on se mijenja kako se mijenja faktor
strujnog pojačanja α.
Nadomjesni sklop za spoj zajedničke baze nacrtan sa hb parametrima jednak je onom na slici
3.98. Nadomjesni sklopovi za npn i pnp tranzistore su međusobno potpuno jednaki. Iako su
smjerovi ukupnih struja i polariteti napona suprotni, promjene struja i napona na ulazu izazivaju
identične promjene struja i napona na izlazu kod oba tipa tranzistora. Radi toga su i hibridni
parametri istog predznaka kod oba tipa tranzistora.
b)
Kada su poznati hibridni parametri jednog spoja tranzistora, vrlo je jednostavno dobiti
parametre za drugi spoj. Da bismo izrazili hibridne parametre spoja zajedničkog emitera pomoću
hb parametara, nacrtat ćemo konfiguraciju za zajednički emiter (bazu na ulaz, kolektor na izlaz,
emiter na ulaz i izlaz), te između elektroda “razapeti” nadomjesni sklop s hb parametrima, kako je
prikazano na slici 3.102. Primjenom definicija (3.198a, b, c, d) za h parametre, ali sada
modificirane za spoj zajedničkog emitera (vidi dalje) dobit ćemo tražene pretvorbene formule.
Zadatak 3.42
hob
iul =ib B C iiz=ic
+ + hie
hfb .ie ib ic
.
h rb u cb +
+ + +
uul =ube uiz =uce ube hre.uce hfe .i b hoe uce
hib − −
ie
− −
E
Slika 3.102. Pretvorba hb parametara u he parametre.
Ulazni dinamički otpor hie i faktor strujnog pojačanja hfe definirani su uz kratko spojene
izlazne stezaljke za izmjenični signal:
ube
hie = , (3.219)
ib u ce = 0
ic
h fe = . (3.220)
ib u ce = 0
Naglasimo da sada za struje i napone promatramo isključivo izmjenične komponente, jer

nadomjesni sklopovi na slici 3.102 vrijede samo u dinamičkim uvjetima. Prema tome, uvjet da je
uce = 0 ne znači da su kolektor i emiter električki kratko spojeni, već da je samo izmjenična
komponenta jednaka nuli, tj. da je napon između kolektora i emitera konstantan.
Spojimo li kratko kolektorsku i emitersku stezaljku u lijevom dinamičkom nadomjesnom
sklopu na slici 3.102, dobit ćemo nadomjesni sklop na slici 3.103a. Za hie parametar trebamo u
tom sklopu povezati napon ube i struju ib . Napišemo li za vertikalnu granu Kirchoffov zakon za
napone (uočimo da je zbog kratkog spoja na izlazu ucb = ueb),
iul =ib
hob i iz=ic hob
i iz=ic
B C B C
iul=i b =0
+ + + +
hfb .ie hfb .ie
h rb .u cb h rb .u cb
+ +
uul =ube uiz =uce= 0 uul =ube uiz=uce
hib hib
ie ie
− − − −
E E
a) b)
Slika 3.103. Nadomjesni sklop sa hb parametrima: a) konfiguracija za određivanje hie i hfe
parametara; b) konfiguracija za određivanje hre i hoe parametara.
Zadatak 3.42
ube = −ie ⋅ hib − hrb ⋅ ucb = −ie ⋅ hib + hrb ⋅ ube ,

a za kolektorsku priključnicu Kirchoffov zakon za struje,
ic = h fb ⋅ ie + hob ⋅ ucb = h fb ⋅ ie − hob ⋅ ube ,
pomoću uvjeta da je
ib = −ie − ic ,
dobit ćemo da je
ube hib
hie = = , (3.221)
ib (1 + h fb ) ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
ic h fb ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
h fe = =− . (3.222)
ib (1 + h fb ) ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
Izlazna dinamička vodljivost i faktor naponske povratne veze definirani su uz odspojen ulaz
za izmjenični signal:
ube
hre = , (3.223)
uce ib = 0
ic
hoe = . (3.224)
uce ib = 0
Uvjet da je ib = 0 znači da u bazu tranzistora teče samo istosmjerna komponenta. U dinamičkom

nadomjesnom sklopu na slici 3.102 odspajamo ulaznu stezaljku, tako da dobivamo nadomjesni
sklop na slici 3.103b. Pomoću Kirchoffovog zakona za napon vertikalne grane,
ube = −ie ⋅ hib − hrb ⋅ ucb ,
i Kirchoffovog zakona za struje kolektorske priključnice,
ic = h fb ⋅ ie + hob ⋅ ucb ,
pri čemu je (zbog ib = 0)
ie = −ic ,
dok je napon
uce = ucb + ube ,
sređivanjem dobivamo da je
ube hib ⋅ hob − hrb ⋅ (1 + h fb )
hre = = , (3.225)
uce (1 + h fb ) ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
ic hob
hoe = = . (3.226)
uce (1 + h fb ) ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
Izraze za he parametre ćemo detaljnije razmotriti u sljedećem zadatku. Za sada samo

spomenimo da su svi he parametri pozitivne veličine.
c)
Za spoj zajedničkog kolektora pretvorbene formule dobivaju se jednakim postupkom kao i u
b) dijelu rješenja za spoj zajedničkog emitera. Na slici 3.104 je nacrtan nadomjesni sklop pomoću
kojeg se određuju pretvorbene formule.
Zadatak 3.42
hrb.ucb
iul =ib B +
hib E iiz =ic
+ +
uul =ubc hob uiz =uec
hfb.ie
− −
C
ib hic ie
+ +
+
ubc hrc.uec hfc.ib hoc uec
− −
Slika 3.104. Pretvorba hb parametara u hc parametre.
Uspostavljanjem odgovarajućih uvjeta na ulaznim, odnosno izlaznim stezaljkama, pomoću

Kirchoffovih zakona dobivaju se sljedeći rezultati:
ubc hib
hic = = , (3.227)
ib uec =0
(1 + h fb ) ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
ie 1 − hrb
h fc = =− , (3.228)
ib u ec =0
(1 + h fb ) ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
ubc 1 + h fb
hrc = = . (3.229)
uec ib =0
(1 + h fb ) ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
uec hob
hoc = = , (3.230)
ie ib = 0
(1 + h fb ) ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
Zadatak 3.43
Izračunajte hibridne parametre za sva tri spoja silicijskog npn tranzistora za radnu točku
u normalnom aktivnom području, u kojoj je IE = –10 mA i UCB = +10 V. Faktor
efikasnosti emitera γ = 0,999, baza i kolektor su homogeno dopirani primjesama
koncentracija NAB = 5⋅1016 cm–3, odnosno NDC = 1015 cm–3. Tehnološka širina baze je
2 µm. Difuzijska duljina manjinskih elektrona u bazi je 35 µm. Temperatura je 300 K.
Rješenje:
a)
Odredimo prvo hibridne parametre za spoj zajedničke baze. Koristit ćemo formule koje smo
izveli u prethodnom zadatku.
Zadatak 3.43
Za ulazni dinamički otpor hib imamo zadane sve neophodne podatke. Uvrštavanjem
brojčanih vrijednosti u (3.202a)
UT
hib = − ,
IE
dobit ćemo da je hib = 2,58 Ω.
Za izračunavanje faktora strujnog pojačanja hfb , prema formuli (3.205)
h fb = −α = −γ ⋅ β * ,
nedostaje nam transportni faktor β*. Za homogenu bazu
2
1 æ wB ö
β* = 1 − ⋅ç ÷ .
2 è LnB ø
Efektivnu širinu baze wB dobit ćemo oduzimanjem širine barijere baza-kolektor kod zadanog
napona, na stranu baze. Ukupna širina kolektorske barijere je
12 ⋅ ε æ 1 1 ö
dB = ⋅ç + ÷ ⋅ U TOTCB = 3,80 µm ,
q è N AB N DC ø
pri čemu je
U TOTCB = U KCB − U BC = 10,7 V ,
jer je kontaktni potencijal
æN ⋅N ö
U KCB = U T ⋅ lnçç AB 2 DC ÷÷ = 0,680 V .
è ni ø
Širina barijere samo na baznu stranu spoja
N DC
d BB = ⋅ d B = 7,45 ⋅ 10 − 2 µm ,
N DC + N AB
pa efektivna širina baze kod zadanog napona iznosi
wB = wB 0 − d BB = 1,93 µm .
Uvrštavanjem dobivenih vrijednosti u formulu za transportni faktor, dobit ćemo β* = 0,9984,
odnosno hfb = –0,9975.
Za izračunavanje faktora naponske povratne veze pomoću izraza (3.211)
U T æ ∂wB ö
hrb = − ⋅ç ÷ ,
wB è ∂uCB ø
i E = konst.
trebamo prethodno odrediti parcijalnu derivaciju ∂wB / ∂uCB . Širina baze jednaka je tehnološkoj
širini baze (wB 0) umanjenoj za širinu barijere spoja baza-kolektor na strani baze (dBB)
wB = wB 0 − d BB .
Za skokoviti pn-prijelaz, širina barijere proporcionalna je drugom korijenu iz ukupnog napona na
spoju baza-kolektor,
d BB = K ⋅ uTOTCB ,
Zadatak 3.43
pa je†
∂wB ∂d BB K d BB
=− =− =− . (3.231)
∂uTOTCB ∂uTOTCB 2 ⋅ uTOTCB 2 ⋅ uTOTCB
Ukupni napon na pn-spoju kolektor-baza uTOTCB , jednak je razlici konstantnog kontaktnog
potencijala kolektorskog spoja i vanjskog priključenog napona,
uTOTCB = u KCB − uBC = u KCB + uCB ,
tako da je u (3.231)
∂w B ∂w B
= . (3.232)
∂uTOTCB ∂uCB
Izjednačavanjem (3.232) i (3.231) dobit ćemo da je
∂w B d BB
=− , (3.233)
∂uCB 2 ⋅ uTOTCB
što uvrštavanjem u (3.211) daje
UT d BB
hrb = ⋅ . (3.234)
wB 2 ⋅ U TOTCB
U ovom izrazu smo ukupni napon uTOTCB (koji se sastoji od istosmjerne i izmjenične
komponente), nadomjestili samo istosmjernom komponentom UTOTCB , jer nas zanima ovisnost
parametara o položaju statičke radne točke. Budući da je zbog pretpostavke režima malog signala,
promjena napona uCB mala, ova supstitucija je dopustiva.
Uvrštavanjem zadanih vrijednosti, dobit ćemo da je hrb = 4,69⋅10–5 (on je bezdimenzionalna
veličina, jer poput hfb izražava omjer dviju istovjetnih veličina).
Iz formule (3.234) je očito da će faktor naponskog povratnog djelovanja biti to jače izražen
što se kolektorska barijera više proširila na bazu, tj. što je omjer dBB / wB veći. Zanimljivo je uočiti
da će kod većih napona UCB faktor hrb biti manji. Širina kolektorske barijere, odnosno efektivna
širina baze, ovise o kvadratnom korijenu napona, pa kod većih napona UCB ista promjena napona
izaziva manje promjene širine baze, tj. utjecaj napona UCB slabi.
Naglasimo da bi se za pnp tranzistor dobio potpuno isti izraz, samo što se umjesto napona
UTOTCB u nazivniku pojavljuje UTOTBC , tj. ukupna razlika potencijala n-baze prema potencijalu p-
kolektora. Jednostavno rečeno: UTOT je uvijek pozitivan.
Izlaznu dinamičku vodljivost izračunat ćemo pomoću izraza (3.218)
diC 2 ⋅ γ ⋅ (1 − β * ) ⋅ I EQ æ ∂wB ö
hob = = ⋅ç ÷ .
duCB i E = I EQ
wB è ∂uCB ø
i E = I EQ
Parcijalnu derivaciju ∂wB / ∂uCB već smo izračunali kod izvoda za hrb (jednadžba (3.233)), pa
uvrštavanjem dobivamo da je
γ ⋅ (1 − β * ) ⋅ I EQ d BB
hob = − ⋅ . (3.235)
wB U TOTCB
Na osnovi zadanih i izračunatih podataka dobit ćemo da je hob = 54,9 nS.
† Za linearno-postepeni pn-spoj dobiva se sličan izraz, u kojem se umjesto 2 u nazivniku

pojavljuje faktor 3.
Zadatak 3.43
b)
Ulazni dinamički otpor za spoj zajedničkog emitera izračunat ćemo preko pretvorbene
formule (3.221)
hib
hie = ,
(1 + h fb ) ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
u kojoj ćemo zanemariti hrb (hrb = 4,69⋅10–5 << 1) i umnožak hib⋅hob u nazivniku (hib⋅hob = 1,42⋅10–
7
<< 1+hfb), tako da je
hib
hie = . (3.236)
1 + h fb
Uvrstimo li vrijednosti, dobit ćemo da je hie = 1,03 kΩ. Zanimljivo je primijetiti da je po definiciji
∂u BE
hie = ,
∂i B u CE = konst.
ulazni dinamički otpor jednak diferencijalnoj promjeni napona na spoju emiter-baza po promjeni
bazne struje. Promatra se dakle isti napon kao i kod definicije parametra hib , ali budući da je
promjena bazne struje manja od promjene emiterske struje otprilike za faktor 1+β, bit će za neku
radnu točku parametar hie toliko puta veći od parametra hib . Zbog toga možemo hie računati
izravno, kao
UT
hie = . (3.237)
IB
Ovdje ćemo još jednom naglasiti činjenicu da ulazni dinamički otpor ovisi o iznosu
istosmjerne struje emitera (za spoj zajedničke baze), odnosno baze (za spoj zajedničkog emitera).
Kako je za istu radnu točku emiterska struja veća od bazne, hie je veći od hib . Površni čitatelj će
iz toga izvući općeniti zaključak da je uvijek hie veći od hib , neovisno o tome da li su definirani za
različite radne točke ili čak za različite tranzistore. Ovakvo pogrešno uvjerenje naročito podupiru
knjige u kojima se navode “tipične” vrijednosti za pojedine parametre, prešućujući pritom
ovisnost tih parametara o položaju radne točke. Struje tranzistora mogu se mijenjati u rasponu od
nekoliko redova veličine i to ne ovisi toliko o samom tranzistoru, koliko o vanjskoj pobudi. Stoga
se može dogoditi da za isti tranzistor u jednoj radnoj točki emiterska struja bude manja od bazne
struje u nekoj drugoj radnoj točki, pa tako hib u prvoj radnoj točki bude veći od hie u drugoj radnoj
točki. Iako svi dinamički parametri u manjoj ili većoj mjeri ovise o položaju statičke radne točke,
ta ovisnost je najizraženija i najkritičnija upravo kod hi parametara.
Ako u pretvorbenoj formuli za faktor strujnog pojačanja zajedničkog emitera (3.222)
h fb ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
h fe = − ,
(1 + h fb ) ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
provedemo ista zanemarenja kao i za hie , dobit ćemo da je
h fb
h fe = − . (3.238)
1 + h fb
Uvršteni hfb iz a) dijela rješenja dat će hfe = 397. Uočimo kako je formula (3.238) ekvivalentna
relaciji
α
β= ,
1−α
Zadatak 3.43
tj. da je faktor hfe =

β. Stoga se često istosmjerni faktor strujnog pojačanja za spoj zajedničkog
emitera u literaturi, a posebice u katalozima proizvođača tranzistora, označava s hFE , tj. velikim
slovima u indeksu. Naglasimo da zbog ovisnosti faktora strujnog pojačanja o razini kolektorske
struje, hfe i β za realne tranzistore općenito nisu međusobno jednaki, već ovise o položaju radne
točke.
Faktor naponskog povratnog djelovanja hre je prema (3.225)
hib ⋅ hob − hrb ⋅ (1 + h fb )
hre = .
(1 + h fb ) ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
U nazivniku opet možemo zanemariti hrb i umnožak hib⋅hob , međutim u brojniku ih ne možemo
zanemariti, jer imamo oduzimanje dva po iznosu mala broja. Stoga gornji izraz možemo napisati
jednostavnije kao
hib ⋅ hob
hre = − hrb . (3.239)
1 + h fb
Uvrstimo li poznate vrijednosti, dobit ćemo da je hre = 9,60⋅10–6.
Izlazna dinamička vodljivost hoe je prema (3.226)
hob
hoe = ,
(1 + h fb ) ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
odnosno uz odgovarajuća zanemarenja,
hob
hoe = . (3.240)
1 + h fb
Umetanjem brojčanih podataka, dobit ćemo hoe = 21,8 µS. Usporedimo li to s hob = 54,9 nS,
vidimo da je izlazna vodljivost u spoju zajedničkog emitera prilično veća nego u spoju zajedničke
baze. Zbog toga izlazne karakteristike spoja zajedničkog emitera imaju veći nagib nego izlazne
karakteristike za spoj zajedničke baze. Objašnjenje ove činjenice već je posredno dano kod
analize utjecaja Earlyevog efekta (slika 3.85 na str. 136). Slično kao i za spoj zajedničke baze,
izlazne karakteristike se sijeku kod istog Earlyevog napona na apscisi, koji je za spoj zajedničkog
emitera manji.
c)
Za hibridne parametre spoja zajedničkog kolektora upotrijebit ćemo formule (3.227) -
(3.230) u kojima možemo u nazivnicima zanemariti hrb i umnožak hib⋅hob , tako da dobivamo
hib hib
hic = = = 1,03 kΩ ,
(1 + h fb ) ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob 1 + h fb
1 − hrb 1
h fc = − = − = −399 ,
(1 + h fb )
hrc = = 1 ,
(1 + h fb ) ⋅ (1 − hrb ) + hib ⋅ hob
hob hob
hoc = = = 21,8 µS .
Zadatak 3.43
Možemo primijetiti da su svi parametri, s izuzetkom hrc , iznosom vrlo bliski ili jednaki
odgovarajućim he-parametrima. hic i hfc su neznatno veći od hie , odnosno hfe , dok je hoc = hoe.
Zašto je parametar hrc =
1? Do odgovora na ovo pitanje doći ćemo vrlo jednostavno, ako
znamo da je u spoju zajedničkog kolektora baza ulazna, a emiter izlazna elektroda. PN-spoj baza-
emiter je u normalnom aktivnom području propusno polariziran i promjene napona na njemu ne
mogu biti značajne. Naime, velika promjena napona na njemu redovito uzrokuje izlazak radne
točke iz normalnog aktivnog područja, pa više nije više zadovoljen uvjet da tranzistor radi u
režimu maloga signala, što znači da linearni hibridni sklop nije više upotrebiv. Budući da su u
uvjetima maloga signala promjene napona na emiterskom spoju zanemarive, svaka promjena
izlaznog napona emiter-kolektor će se, preko propusno polariziranog spoja emiter-baza, odraziti u
jednakoj promjeni ulaznog napona baza-
kolektor - faktor naponskog povratnog
iul iiz djelovanja jednak je 1†.
+ + Na kraju, usporedimo li parametre za sva
uul hi h f .iul uiz tri spoja, odmah ćemo uočiti da su hr i ho
parametri za spoj zajedničke baze i zajedničkog
− − emitera vrlo mali. To omogućava da se u većini
realnih sklopova oni mogu zanemariti, tako da
Slika 3.105. Pojednostavljeni hibridni sklop
se umjesto cjelokupnog hibridnog sklopa sa
za spojeve zajedničke baze i zajedničkog
emitera. slike 3.98 koristi pojednostavljeni hibridni
sklop na slici 3.105, iz kojeg su izbačeni zavisni
naponski izvor hre⋅uiz i izlazna vodljivost ho . Pri
prelasku na pojednostavljeni sklop treba biti oprezan, naročito glede izlazne vodljivosti ho . Da bi
se ona smjela zanemariti, njena recipročna vrijednost (tj. izlazni dinamički otpor) mora biti puno
veća od ekvivalentnog otpora svih otpornika u vanjskom sklopu spojenih između izlaznih
stezaljki. Ovakav pojednostavljeni hibridni sklop naravno da ne možemo primijeniti na hc
parametre, s obzirom da je hrc = 1. U tablici 3.18 dane su relacije za parametre pojednostavljenog
hibridnog sklopa za sva tri spoja tranzistora.
Tablica 3.18. Osnovne relacije parametara pojednostavljenog hibridnog sklopa za sve

spojeve tranzistora.
hb hib > 0 h fb < 0 hrb = 0 hob = 0

hib h fb
he hie = h fe = − hre = 0 hoe = 0
1 + h fb 1 + h fb
hib 1
hc hic = h fc = − hrc = 1 hoc = 0
1 + h fb 1 + h fb
Upravo ova mogućnost pojednostavljenja nadomjesnog sklopa tranzistora, u kojem je

tranzistor opisan sa svega dva parametra, jedan je od glavnih razloga velike popularnosti
† Zbog istog razloga, ali gledano s ulaza na izlaz, za spoj zajedničkog kolektora se često koristi
naziv emitersko sljedilo: svaka promjena ulaznog napona uzrokuje jednaku promjenu izlaznog
napona, tj. promjena potencijala emitera slijedi promjene potencijala baze.
Zadatak 3.43
hibridnog nadomjesnog sklopa, posebice za spoj zajedničkog emitera. Pritom je jedan od

parametara (hfb , odnosno hfe) praktički konstantan, tj. slabo ovisi o položaju statičke radne točke.
Štoviše, hfe se uvijek navodi u kataloškim podacima proizvođača tranzistora. Prema tome, za
tranzistor u nekom sklopu potrebno je izračunati samo statičku struju emitera IE ili baze IB , da bi
se iz nje, prema (3.202),
UT
hib = ,
IE
odnosno (3.237),
UT
hie = ,
IB
izračunao ulazni dinamički otpor.
Drugi značajan razlog široke primjene hibridnog nadomjesnog sklopa je jednostavnost
mjerenja parametra [Nanavati63]. Pogledajmo još jednom referentne uvjete za koje su ti parametri
definirani! Za hi i hf parametre izlazni napon mora biti konstantan (uIZ = konst., odnosno uiz = 0).
To znači da izlaz tranzistora moramo pobuđivati naponskim izvorom koji će osiguravati
konstantnost izlaznog napona. Budući da je izlazni otpor tranzistora (riz = 1/ho) za spojeve
zajedničke baze i zajedničkog emitera jako velik, unutrašnji otpor naponskog izvora ne mora biti
ekstremno mali da bi se točno izmjerili hi i hf parametri za ta dva spoja. Konkretno, za tranzistor
iz našeg zadatka dobili smo da je
1 1
= 45,9 kΩ , = 18,2 MΩ .
hoe hob
S druge strane, za mjerenje hr i ho parametara mora ulazna struja biti konstantna (iUL = konst.,
odnosno iul = 0), tj. ulaz tranzistora moramo pobuđivati strujnim izvorom. Međutim kako je ulazni
otpor tranzistora mali (za spoj zajedničke baze tipično reda veličine ohma, a za spoj zajedničkog
emitera do reda veličine kiloohma), unutrašnji otpor strujnog izvora ne mora biti ekstremno velik
da bi se ostvario uvjet konstantnosti ulazne struje.
Čitatelja kojemu je lakše vizualno zapamtiti hibridni nadomjesni sklop sa slike 3.98, nego
definicijske jednadžbe za h-parametre (3.198a, b, c, d), za jednostavno pamćenje uvjeta uz koje se
određuju pojedini parametri upućujemo da uoči koji uvjeti na ulazu, odnosno na izlazu hibridnog
sklopa eliminiraju pojedine elemente. Na primjer, odspojen ulaz (tj. iul = 0) (vidi sliku 3.106a)
isključit će zavisni strujni izvor hf⋅iul , tako da će između izlaznih stezaljki biti spojena samo
izlazna vodljivost ho i omjer izlazne struje i izlaznog napona bit će točno jednak toj vodljivosti.
Također, kada je iul = 0, u ulaznom dijelu nema pada napona na dinamičkom otporu hi , te je
ulazni napon točno jednak naponu naponskog izvora hr⋅uiz . Prema tome, uvjet praznog hoda (za
dinamičke uvjete!) na ulazu, omogućava nam mjerenje parametara ho i hr .
Kratki spoj na izlazu (uiz = 0) (vidi sliku 3.106b), značit će da sva struja zavisnog izvora
hf⋅iul teče isključivo u izlaznu stezaljku, tj. da nema grananja te struje u izlaznu vodljivost ho .
Mjerena izlazna struja bit će točno jednaka struji zavisnog izvora. U ulaznom krugu, kada je
uiz = 0, napon zavisnog naponskog izvora hr⋅uiz je nula, pa je omjer ulaznog napona i ulazne struje
točno jednak ulaznom dinamičkom otporu hi . Uvjet kratkog spoja na izlazu omogućava prema
tome mjerenje hf i hi parametara.
Zadatak 3.43
(hi. iul =0)

iiz
iul = 0
+ +
hi + i
uul = hr .uiz hr .uiz h f .iul ho uiz = hiz
o
− −
a)
iiz= h f .iul
iul
+ +
hi +
uul = hi .iul hr .uiz h f .iul ho uiz = 0
− −
b)
Slika 3.106. Električni prikaz uvjeta za određivanja h-parametara:
a) odspojen ulaz omogućava mjerenje hr i ho ; b) kratki spoj na
izlazu omogućava mjerenje hi i hf .
Zadatak 3.44
Mjerenjem amplituda struja i napona na tranzistoru pobuđivanom sinusnim signalom
dobiveni su sljedeći rezultati:
1. Uz konstantni napon na izlazu, ulazna struja amplitude 20 µA uzrokovala je pad
napona na ulazu amplitude 10 mV, dok je na izlazu dobivena sinusna struje
amplitude 3 mA.
2. Uz konstantnu struju na ulazu, izlazni napon amplitude 10 V izazvao je izlaznu
struju amplitude 40 µA, dok je amplituda ulaznog napona 0,1 mV.
Odredite u kojem spoju tranzistor radi, izračunajte hibridne parametre za spojeve
zajedničke baze i zajedničkog emitera, te izračunajte istosmjerne struje emitera i baze.
Pretpostavite da je hfe = β, hfb = –α, UT = 30 mV.
Rješenja: spoj zajedničkog emitera; hie = 500 Ω, hfe = 150, hoe = 4 µS, hre = 10–5; hib = 3,31 Ω,
hfb = –0,99338, hob = 26,5 nS, hrb = 3,25⋅10–6; |IB| = 60 µA, |IE| = 9,06 mA.
Zadatak 3.45
Za tranzistor iz zadatka 3.41 odredite hibridne parametre za spoj zajedničkog emitera za
statičku radnu točku, tj. za trenutak kada je izmjenična komponenta pobudne struje
ibb = 0. Nacrtajte nadomjesni sklop za dinamičke uvjete, te izračunajte amplitudu napona
na potrošaču za Ibm = 10 µA. T = 300 K.
Uputa: dinamički nadomjesni sklop se dobiva tako da se svi istosmjerni izvori isključe
(naponski kratko spoje, a strujni odspoje), te se ostave samo izvori izmjeničnog signala.
Zadatak 3.45
Rješenje:
hie = 738 Ω, hfe = 199. Budući da je tranzistor u zadatku 3.41 opisan Ebers-Mollovim
modelom, koji ne uzima u obzir Earlyev efekt, možemo smatrati da je hoe = 0, hre = 0. Na osnovi
dinamičkog nadomjesnog sklopa na slici 3.107, dobiva se amplituda izlaznog napona
U izm = I izm ⋅ RC = − I cm ⋅ RC = −h fe ⋅ I bm ⋅ RC = 1,99 V .
ib iiz
B C
+
ibb hie h fe .ib R C uiz
−
E
Slika 3.107. Nadomjesni sklop za dinamičku

analizu u zadatku 3.45.
3.4.3. Hibridni-π nadomjesni sklop

U analizama sklopova sa tranzistorima u spoju zajedničkog emitera često se koristi
hibridni-π (Giacolettov) nadomjesni sklop tranzistora [Giacoletto52, Giacoletto54].
Niskofrekvencijska varijanta tog sklopa prikazana je na slici 3.108. Osnovna prednost
ovog modela je da sadrži samo jedan zavisni izvor. Kako je to naponom upravljani
strujni izvor, on se jednostavno može uključiti u matricu admitancije koja se formira
prilikom analize sklopova metodom čvorova [Antognetti86, Vlach83]. Zbog toga se
hibridni-π model redovito koristi u programima za simulacije sklopova pomoću računala
(npr. [Nagel75]).
Svi elementi hibridnog-π modela imaju dimenziju vodljivosti (s izuzetkom otpora
rb´b) i mogu se izraziti pomoću osnovnih parametara tranzistora. Otpor rb´b je serijski
otpor baze od njene vanjske priključnice (označene sa b) do intrinsične baze (b´), te je
jedini od elemenata modela čiji iznos ne ovisi o statičkoj radnoj točki. Budući da je
utjecaj serijskog otpora naročito izražen prema višim frekvencijama, za analizu u tom
B rb´b B´ g bć C
ib ic
+ + +
ube ubé gbé gm.ubé g ce u ce
− − −
E E
Slika 3.108. Hibridni-π nadomjesni sklop tranzistora za spoj
zajedničkog emitera.
Zadatak 3.45
području koristi se visokofrekvencijska varijanta, u kojoj su vodljivosti zamijenjene

admitancijama (vidi sljedeće poglavlje).
Vodljivost gbé je dinamička vodljivost propusno polariziranog spoja emiter-baza
(razmatramo tranzistor u normalnom aktivnom području rada!)
IB
gb ′e = . (3.241)
UT
Uočimo da je ona jednaka recipročnoj vrijednosti ulaznog dinamičkog otpora hie kod
hibridnog nadomjesnog sklopa.
Parametar gm naziva se strmina
IC
gm = . (3.242)
UT
Iako ima dimenziju vodljivosti, ona je jednaka omjeru struje između čvorova c i e, te
napona između drugog para čvorova (b´ i e), tako da se ne radi o vodljivosti u klasičnom
smislu. Stoga se strmina izražava u A/V (amperima po voltu). S obzirom da je zavisni
strujni izvor gm⋅ubé upravljan unutrašnjim naponom ubé nedostupnim za električno
mjerenje, odmah je očit glavni nedostatak modela - nemogućnost izravnog mjerenja
parametara, kako je to moguće s parametrima hibridnog sklopa.
Vodljivosti gce i gbć obuhvaćaju u sebi Earlyev efekt. Male su po iznosu i u većini
slučajeva se mogu zanemariti.
Zadatak 3.46
Tranzistor je u nekoj radnoj točki nadomješten hibridnim četveropolom za spoj
zajedničkog emitera prema slici 3.109. Pomoću vrijednosti parametara zadanih na slici,
odrediti parametre hibridnog-π nadomjesnog sklopa. Serijski otpor baze rb´b = 200 Ω.
ib 2 kΩ ice
+ +
+
2 .10 uce
–4
ube 50 ib 6 µS uce
− −
Slika 3.109. Hibridni nadomjesni sklop u zadatku 3.46.
Rješenje:
Prvo trebamo izvesti relacije koje povezuju parametre hibridnog i hibridnog-π modela U
hibridnom nadomjesnom sklopu su ulazni i izlazni dio odvojeni, te se elementi mogu vrlo
jednostavno izlučiti postavljanjem odgovarajućih uvjeta na ulazu, odnosno izlazu sklopa (vidi
sliku 3.106). Naprotiv, elementi hibridnog-π modela se ne mogu izraziti izravno preko vanjskih
struja i napona. Zato ćemo u izvod pretvorbenih formula krenuti obrnutim putem: na hibridni-π
nadomjesni sklop primijenit ćemo uvjete za određivanje elemenata hibridnog četveropola, te
Zadatak 3.46
ćemo dobiti hibridne četveropole izražene elementima hibridnog-π četveropola. Iz tih relacija
ćemo izraziti tražene ovisnosti parametara hibridnog-π o elementima hibridnog sklopa. U izvodu
ćemo, radi jednostavnosti, naizmjence koristiti oznake za vodljivosti, odnosno za njihove
recipročne otpore.
B rb´b B´ rbć C ic
ib
+ +
ube ubé rbé gm.ubé rce uce = 0
− −
E E
a)
ib = 0 B rb´b B´ r bć C ic
+ + +
ube=ubé ubé rbé gm.ubé rce uce
− − −
E E
b)
Slika 3.110. Pretvorba parametara hibridnog-π modela u hibridne.
Na slici 3.110a prikazan je hibridni-π sklop na koji je primijenjen uvjet za određivanje hie i
hfe parametara: kratki spoj na izlazu. Napišemo li Kirchoffove zakone za struje i napone, dobit
ćemo da je
ube
hie = = rb ′b + rb ′e || rb ′c . (3.243a)
ib
Dvostrukim uspravnim crtama simboliziran je paralelni spoj otpora rbé i rbć . U normalnom
aktivnom području rada je rbé puno manji od rbć , tako da se potonji u ukupnom otporu njihovog
paralelnog spoja može zanemariti,
rb ′e || rb ′c = rb ′e .
Zbog toga možemo pisati da je
hie = rb ′b + rb ′e . (3.243b)
Isto tako, sa slike 3.110a vidimo da je

ic = gm ⋅ ub ′e − gb ′c ⋅ ub ′e ,
ib = ( gb ′e + gb ′c ) ⋅ ub ′e ,
pa dijeljenjem dobivamo
Zadatak 3.46
ic g − gb ′c
h fe = = m . (3.244a)
ib gb ′e + gb ′c
Budući da je dinamička vodljivost gbć puno manja od strmine gm i od vodljivosti gbé , redovito
možemo pisati da je
gm
h fe = = gm ⋅ rb ′e . (3.244b)
gb ′ e
hre i hoe se određuju uz odspojen ulaz, slika 3.110b. Budući da je bazna struja jednaka nuli,
kroz serijski otpor rb´b ne teče struja i na njemu nema pada napona, pa ga možemo potpuno
izbaciti iz nadomjesnog sklopa na slici 3.110b (zato je nacrtan svjetlije).
Parametar hre se jednostavno odredi iz Kirchoffovih zakona
ub ′e rb ′e r
hre = = = b ′e . (3.245)
uce rb ′e + rb ′c rb ′c
Najteže je izraziti hoe . Iako je bazna struja jednaka nuli, zbog povratne veze preko rbć ,
napon ubé koji upravlja strujnim izvorom, nije jednak nuli. Napišemo li Kirchoffov zakon za
struje u kolektorski čvor
uce
ic = gce ⋅ uce + gm ⋅ ub ′e + ,
rb ′c + rb ′e
pri čemu je
rb′e
ub′e = ⋅u ,
rb′e + rb′c ce
nakon sređivanja, možemo dobiti da je
ic 1 rb ′e
hoe = = g ce + + gm ⋅ =
uce rb ′e + rb ′c rb ′e + rb ′c
rb ′e
= gce + gb ′c + g m ⋅ . (3.246)
rb ′c
U izrazu za izlaznu vodljivost pojavljuju se svi parametri hibridnog-π sklopa, izuzev serijskog
otpora baze!
Pokušajmo sada iz dobivenih relacija (3.243) - (3.246) izraziti parametre hibridnog-π
modela, te izračunati njihove vrijednosti za zadani tranzistor. Na osnovu izraza (3.243b)
dobivamo da je
rb ′e = hie − rb ′b . (3.247)
Uvrstimo li zadane vrijednosti (rb´b = 200 Ω, sa slike 3.109: hie = 2 kΩ), dobit ćemo da je
rbé = 1,8 kΩ. Valja još jednom podsjetiti da je rbé dinamički otpor pn-spoja emiter-baza,
∂uB ′E ub ′e UT
rb ′e = = = , (3.248)
∂i B uCE = konst.
ib uce = 0
IB
te ga za poznatu statičku radnu točku, tj. poznatu istosmjernu struju IB , računamo istom formulom
kojom smo do sada računali hie! U hibridnom nadomjesnom sklopu smo zanemarivali serijski
otpor baze, te smo uzimali da je ulazni otpor jednak samo dinamičkom otporu propusno
Zadatak 3.46
polariziranog emiterskog spoja. I u ovom zadatku je dinamički otpor rbé puno veći od serijskog
otpora rb´b , te ga u većini primjena na niskim frekvencijama možemo zanemariti.
Pomoću relacije (3.244b) možemo izraziti strminu
h fe
gm = , (3.249)
rb ′e
pa uvrštavanjem vrijednosti (sa slike 3.109: hfe = 50) dobivamo gm = 27,8 mA/V. Uočimo da iz
relacija (3.249) i (3.248) izravno slijedi (3.242)!
Iz jednadžbe (3.245) možemo izlučiti rbć
rb ′e
rb ′c = , (3.250)
hre
te dobivamo (na slici 3.109 je hre = 2⋅10–4) rbć = 9 MΩ.
Konačno, iz (3.246) možemo izlučiti gce
rb ′e
gce = hoe − gb ′c − gm ⋅ ,
rb ′c
što uvrštavanjem brojčanih vrijednosti (hoe = 6 µS) daje gce = 333 nS, odnosno rce = 3 MΩ.
Zadatak 3.46
3.5. Visokofrekvencijska svojstva

U prethodnim poglavljima razmatrali smo rad tranzistora u statičkim uvjetima rada,
te kada je na istosmjerne komponente napona i struja bio superponiran signal dovoljno
niske frekvencije da se dinamička svojstva tranzistora mogu opisati preko statičkih
strujno-naponskih odnosa. Kako izmjenični signali mogu imati široki frekvencijski
opseg, treba poznavati frekvencijsku ovisnost faktora strujnog pojačanja. Mjerenja
pokazuju da će porastom frekvencije faktor strujnog pojačanja tranzistora u bilo kom
spoju ostati konstantan u jednom opsegu frekvencija, a zatim će se njegov iznos početi
smanjivati. Frekvencijsko područje u kojemu je pojačanje neovisno o frekvenciji naziva
se područjem niskih frekvencija, dok se područje u kojem pojačanje pada s
frekvencijom naziva područjem visokih frekvencija.
Za objašnjenje pada strujnog pojačanja prema visokim frekvencijama trebamo
uočiti koji sve faktori utječu na transport nosilaca od emiterske do kolektorske
priključnice. Na slici 3.0 prikazan je tok struje elektrona od emitera do kolektora npn
tranzistora, te su označena mjesta na kojima
se dijelovi te struje na visokim E B C
frekvencijama gube. Navedimo ih redom
[Valkó91]:
1. Dio struje elektrona koje emiter injektira
ine ine-b inb-c´ inc-c´ inc
u bazu gubi se na promjenu nakrcanog
naboja manjinskih nosilaca uz emitersku
barijeru, te na promjenu naboja
ioniziranih primjesa u barijeri, koja pri *
Ceb β (ω ) tcb Ccb
promjenama napona mijenja širinu.
Gubitak tog naboja na slici je Slika 3.111. Uzročnici pada pojačanja
simboliziran kapacitetom Ceb . tranzistora prema visokim frekvencijama
(prema [Valkó91]).
2. Pri prolasku kroz bazu, dio elektrona se
rekombinira s većinskim šupljinama, što
je obuhvaćeno transportnim faktorom kroz bazu. U općenitom slučaju transportni
faktor ovisi o frekvenciji signala, tako da je on na slici označen s β*(ω).
3. U normalnom aktivnom području je kolektorski spoj reverzno polariziran i širina
barijere nije zanemariva. Zbog konačnog vremena proleta kroz barijeru, označenog
na slici s tcb , svi elektroni pri visokim frekvencijama signala neće stići do kolektora.
4. Dio elektrona koji su stigli do kolektora gubi se na promjene naboja ioniziranih
primjesa u barijeri, uzrokovane promjenama širine kolektorske barijere pri
promjenama napona na njoj. Taj gubitak struje obuhvaćen je kapacitetom Ccb .
Ponašanje tranzistora na visokim frekvencijama može se analizirati i pomoću
nadomjesnog sklopa. Prisjetimo se da pn-spoj možemo prikazati kao paralelni spoj
dinamičkog otpora, te difuzijskog i barijernog kapaciteta. Kod propusno polariziranog
pn-spoja emiter-baza prevladava difuzijski kapacitet, a kod nepropusno polariziranog
pn-spoja kolektor-baza barijerni kapacitet. Oba su kapaciteta u općem slučaju ovisni o
frekvenciji priključenog signala. Na osnovu ovog razmatranja, možemo nacrtati
3.5. Visokofrekvencijska svojstva 175
jednostavni nadomjesni sklop kao na slici 3.112. Paralelno nepropusno polariziranom

spoju baza-kolektor treba još dodati i strujni izvor iznosa α0 ⋅ i′e , koji predstavlja struju
nosilaca pristiglih iz emitera.
ie E C ic
ie′
Ceb reb –α 0 .ie′ Ccb rcb
B B
Slika 3.112. Jednostavni nadomjesni sklop za analizu ovisnosti faktora
strujnog pojačanja tranzistora o frekvenciji.
Struja emitera u nadomjesnom sklopu dijeli se na struju kroz dinamički otpor spoja
emiter-baza i na struju kroz difuzijski kapacitet
ie = ie′ + icd .
Struju koja teče u kapacitet možemo smatrati izgubljenom za transport kroz bazu, jer se
ona troši samo na promjenu naboja u bazi pri promjenama napona propusne polarizacije
pn-spoja emiter-baza. Jedino struja koja prolazi kroz dinamički otpornik odgovara struji
koja ulazi u bazu tranzistora, kao što je to prikazano na slici.
Prema shemi na slici 3.112. struja kroz dinamički otpor jednaka je
ueb
ie′ = ,
reb
dok je struja kroz kapacitet
ueb
ie − ie′ = = j ⋅ ω ⋅ Ceb ⋅ ueb .
Zc
Ova struja će biti to veća što je frekvencija priključenog signala viša. Iako difuzijski
kapacitet opada s porastom frekvencije, taj pad ide tek s kvadratnim korijenom iz
frekvencije, tako da prevladava utjecaj faktora ω ispred Ceb .
Ukupna struja emitera može se uz pomoć navedenih relacija izraziti kao
ie = ie′ + j ⋅ ω ⋅ Ceb ⋅ reb ⋅ ie′ ,
tako da je
ie
ie′ = . (3.251)
1 + j ⋅ ω ⋅ reb ⋅ Ceb
Veći dio ove struje stići će do kolektora gdje je predstavljen strujnim izvorom iznosa
α ⋅ ie′ . Pri tome pretpostavljamo da smo u području frekvencija u kojemu sam transport
nosilaca od emitera do kolektora još uvijek ne ovisi o frekvenciji.
Faktor strujnog pojačanja definira se uz kratki spoj za izmjenični signal na izlazu, tj.
ucb = 0, pa je kolektorska struja ic = − α0 ⋅ i′e . Frekvencijska ovisnost faktora strujnog
pojačanja spoja zajedničke baze određena je izrazom
ic α0
α (ω ) = − = . (3.252)
ie 1 + j ⋅ ω ⋅ reb ⋅ Ceb
Međutim, obično tranzistor radi uz neki konačni teret (npr. otpor, RP) spojen na izlazne
stezaljke, paralelno izlaznom dinamičkom otporu rcb . U tom slučaju, struja koja stigne
do kolektora troši se jednim dijelom na kapacitet spoja kolektor-baza (ova će struja rasti
sa frekvencijom), dio na dinamički otpor rcb , a ostatak u potrošač RP . Zato je
é æ 1 ö ù
− α 0 ⋅ ie′ ⋅ êrcb || ç ÷ || R P ú = ic ⋅ R P
êë è j ⋅ ω ⋅ Ccb ø úû
(dvostruke uspravne crte | | simboliziraju paralelni spoj otpora rcb i RP , te reaktancije
kapaciteta Ccb). Struja kolektora u odnosu na ukupnu struju koja stigne do spoja
kolektor-baza iznosi
α0 ⋅ ie′
ic = − . (3.253)
1 + j ⋅ ω ⋅ (rcb || R P ) ⋅ Ccb
Koristeći izraze (3.251) i (3.253), frekvencijska ovisnost faktora strujnog pojačanja
može se izraziti kao
α 0′
α ′(ω ) = =
[1 + j ⋅ ω ⋅ reb (ω ) ⋅ Ceb (ω )] ⋅ {1 + j ⋅ ω ⋅ [rcb (ω )|| R P ] ⋅ Ccb (ω )}
α 0′
= , (3.254)
æ ω ö æ ω ö
ç1 + j ⋅ ÷ ⋅ ç1 + j ⋅ ÷
è ω eb ø è ω cb ø
gdje je
rcb
α 0′ = ⋅α 0 .
rcb + R P
Budući da je redovito RP << rcb , to je α ′0 = α0 .
Ovisnost apsolutnog iznosa faktora |α |
strujnog pojačanja o frekvenciji, određena |α 0|
izrazom (3.254), prikazana je na slici 3.113.
Valja naglasiti da su mjerila na apscisi i na
ordinati logaritamska. Na crtežu uočavamo
područje u kojem je faktor strujnog pojačanja ω
neovisan o frekvenciji i jednak α0. To je tzv.
područje niskih frekvencija. Možemo zaključiti ωeb ωcb
da je područje srednjih frekvencija ono Slika 3.113. Frekvencijska karakteris-
područje u kojemu je prolaz struje kroz tika modula faktora strujnog pojačanja.
kapacitete zanemarivo mali u odnosu na struje kroz dinamički otpor, tj. područje u
kojemu su omske vrijednosti kapaciteta puno veće od iznosa njima paralelno spojenih
dinamičkih otpora
1 1
>> reb , >> rcb .
ω ⋅ Ceb ω ⋅ Ccb
Ako je još i rcb >> RP, tada je
ie = ie′ , ic = α 0 ⋅ ie .
Porastom frekvencije omska vrijednost kapaciteta postaje sve manja, a struja kroz
njega sve veća, te sve manji dio ukupne struje emitera ulazi u bazu i kreće prema
kolektoru. Zbog toga će faktor strujnog pojačanja postajati sve manji. Kao što znamo
dinamički otpor reverzno polariziranog spoja kolektor-baza je puno veći od dinamičkog
otpora propusno polariziranog spoja emiter-baza, te vrijedi da je
1 1
= (rcb || RP ) ⋅ Ccb >> = reb ⋅ Ceb .
ω cb ω eb
Zadatak 3.47
Izračunajte difuzijski kapacitet:
a) emitera pri konstantnom naponu uCB ,
b) kolektora pri konstantnom naponu uEB ,
c) kolektora pri konstantnoj struji iE .
Zadatak riješite općenito, a zatim numerički za npn tranzistor koji radi u normalnom
aktivnom području, u radnoj točki u kojoj su emiterska struja IE = −10 mA i napon na
spoju kolektor-baza UCB = 10 V. Faktor efikasnosti emitera je γ = 0,999, koncentracije
primjesa u bazi i kolektoru su NAB = 5·1015 cm−3, NDC = 1015 cm−3. Tehnološka širina
baze wB0 = 2 µm, a difuzijska duljina elektrona u bazi je LnB = 30,5 µm. Temperatura je
300 K, a pn-spoj baza-kolektor je skokovit. (Tranzistor i radna točka su isti kao i u
zadatku 3.43 kada smo određivali h parametre.)
Rješenje:
Tranzistor radi u normalnom aktivnom području, a uz istosmjerne struje i napone imamo i
izmjenične struje i napone. Amplitude tih izmjeničnih veličina su dovoljno male, pa tranzistor
ostaje u normalnom aktivnom području. Zbog izmjeničnih napona je superponiranih na
istosmjerne, mijenjat će se naponi na pn-spojevima pa će se mijenjati i količina nakrcanog naboja
u pojedinim područjima tranzistora. Promjena količine naboja odvija se preko pn-spojeva u
tranzistoru i uzrokuje difuzijske kapacitete spojeva emiter-baza Cde , odnosno kolektor-baza Cdc†.
Ovdje se traže difuzijski kapaciteti jednog propusno i jednog nepropusno polariziranog pn-spoja.
† Čitatelja upućujemo na poglavlje 2.5.3 u I dijelu Zbirke zadataka, gdje je detaljno analiziran
difuzijski kapacitet pn-spoja.
a)
Difuzijski kapacitet propusno polariziranog pn-spoja emiter-baza definiran je kao omjer
promjene ekscesnog naboja manjinskih nosilaca u kvazineutralnim područjima emitera i baze te
napona na tom spoju. Pri tome se postavlja dodatni uvjet
da je napon na spoju kolektor-baza konstantan, odnosno
jednak istosmjernom naponu UCB . To znači da je širina nB
baze konstantna. Kako je emiter puno jače dopiran od uCB = konst.
nB01
baze, možemo zanemariti koncentraciju manjinskih uBE1 > uBE2
nosilaca u emiteru, a time i njenu promjenu u odnosu na n B02 d QB
naboj, odnosno promjenu koncentracije manjinskih
nosilaca u bazi. Vodeći računa da je baza uska (vidi izraz
(2.196), odnosno (2.197) u I dijelu Zbirke), difuzijski
kapacitet emitera određen je izrazom:
n0B
2 æ ∂QB ö x
Cde = ⋅ ç ÷ ,
3 è ∂u EB ø wB = konst.
u =U = konst
EB EB
a odgovarajuća promjena naboja u bazi prikazana je Slika 3.114. Promjena naboja u

sjenčanim trokutom na slici 3.114. bazi nastala kao posljedica
promjene napona uBE , dok je
Ako strogo vodimo računa o predznaku naboja u napon uCB konstantan
bazi (koji je negativan) i ulaznog napona u spoju
zajedničke baze uEB (koji je također negativan), dobiva
se:
nB 0 ⋅ wB n ⋅w æu ö n ⋅w æ u ö
QB = −q ⋅ S ⋅ = − q ⋅ S ⋅ 0 B B ⋅ expç BE ÷ = − q ⋅ S ⋅ 0 B B ⋅ expç − EB ÷ ,
2 2 è UT ø 2 è UT ø
2 dQB 2 w æ u ö æ 1 ö 2 QB
Cde = ⋅ = − ⋅ q ⋅ S B ⋅ n0 B ⋅ expç − EB ÷ ⋅ ç − ÷= ⋅ .
3 du EB 3 2 è UT ø è UT ø 3 UT
Ipak, radi jednostavnosti dovoljno je računati sa apsolutnim vrijednostima promjena naboja i
napona, jer je difuzijski kapacitet uvijek pozitivna veličina.
Kako je zadana struja emitera IE naboj u bazi izrazit ćemo preko nje. Znamo da je:
I nE = −γ ⋅ I E = −γ ⋅ QB ⋅ t tr .
Vrijeme proleta ttr ovisno je o širini baze i difuzijskoj konstanti manjinskih nosilaca u bazi
wB2
t tr = ,
2 ⋅ DnB
te je difuzijski kapacitet spoja emiter-baza, uz konstantan napon na spoju kolektor-baza
γ ⋅ ( − I E ) ⋅ w B2
Cde = .
3 ⋅ DnB ⋅ U T
Na temelju podataka izračunatih u zadatku 3.43 (wB = 1,93 µm, DnB = 24,4 cm2/Vs) dobiva
se ttr = 0,76 ns i QB = 7,59 pC, tako da difuzijski kapacitet u zadanoj radnoj točki iznosi:
Cde = 196 pF .
Zadatak 3.47
b)
Iako je spoj kolektor-baza reverzno polariziran, ne možemo unaprijed tvrditi da je njegov
difuzijski kapacitet zanemarivo mali (kao u zadatku 2.36). Promjena naboja u kolektoru će doista
biti zanemariva, ali ne smijemo zaboraviti da je s druge strane, u bazi nakrcan znatan ekscesni
naboj. Kada se efektivna širina baze ne bi mijenjala s naponom kolektor-baza, promjena
ekscesnog naboja u bazi s promjenom napona uCB bi bila neznatna. Međutim, upravo zbog
Earlyevog efekta difuzijski kapacitet kolektora u najvećoj će mjeri biti određen promjenom naboja
u bazi s promjenom širine baze, odnosno napona kolektor-baza. Stoga ćemo pri proračunu
difuzijskog kapaciteta kolektora zanemariti naboj u kolektoru i računati samo s nabojem
manjinskih nosilaca u bazi.
U prvom slučaju zadano je da je napon na spoju emiter-baza konstantan, što znači da je
konstantna koncentracija nB0 . Pripadna promjena naboja u bazi prikazana na slici 3.115a.
nB nB .
uBE = konst. IE = I nE = konst.
nB0 nB0 = konst. nB02 nB01 < n B02
uCB1 > uCB2 nB01
wB1 < wB2
d QB d QB
x x
wB1 wB2 wB0 wB1 wB2 wB0
a) b)
Slika 3.115. Promjene naboja u bazi s promjenom napona kolektor-baza: a) uz
konstantan napon na emiterskom spoju, b) uz konstantnu emitersku struju.
Difuzijski kapacitet reverzno polariziranog spoja kolektor-baza u ovom slučaju određen je

izrazom:
2 æ ∂QB ö
Cdc = ⋅ç ÷
3 è ∂uCB ø
uEB =U EB = konst .
Konstantan napon na spoju emiter-baza uEB znači da je koncentracija elektrona u bazi uz rub
barijere emiter-baza nB0 konstantna. Vodeći računa o predznaku naboja manjinskih nosilaca
nakrcanog u bazi npn tranzistora
nB 0 ⋅ wB
QB = − q ⋅ S ⋅ ,
2
deriviranjem po naponu uCB , dobiva se
∂QB n ∂wB
= −q ⋅ S ⋅ B0 .
∂uCB 2 ∂uCB
Promjena širine baze sa promjenom napona na spoju kolektor-baza izračunata je u zadatku

2.43 (izraz 2.233):
Zadatak 3.47
∂w B d BB
=− ,
∂uCB 2U TOTCB
pa je difuzijski kapacitet
2 n d BB QB d BB
Cdc = ⋅ q ⋅ S ⋅ B0 ⋅ = ⋅
3 2 2 ⋅ U TOTCB 3 ⋅ wB U TOTCB
U zadatku 3.43 izračunali smo da je naboj u bazi QB = 7,59 pC, širina barijere na strani baze
dBB = 7,45·10−2 µm, efektivna širina baze wB = 1,93 µm, a ukupni napon na spoju kolektor baza
UTOTCB = 10,7 V. Na osnovi ovih podataka, traženi difuzijski kapacitet spoja kolektor-baza je:
Cdc = 9,13 ⋅ 10 −15 F .
c)
Ukoliko pri određivanju difuzijskog kapaciteta spoja kolektor-baza postavimo uvjet da struja
emitera ostaje konstantna, odgovarajuća promjena naboja u bazi prikazana je na slici 3.115b. Ovaj
kapacitet definiran je izrazom:
2 æ ∂QB ö
Cdc = ⋅ç ÷
3 è ∂uCB ø
iE = I E = konst .
Kako je
wB2
QB = I nE ⋅ ttr = −γ ⋅ I E ⋅
2 ⋅ DnB
difuzijski kapacitet je u ovom slučaju:
2 2 ⋅ w B ∂w B 2 w d BB 2 ⋅ QB d BB
Cdc = ⋅ γ ⋅ (− I E ) ⋅ ⋅ = ⋅ γ ⋅ (− I E ) ⋅ B ⋅ = ⋅ .
3 2 ⋅ DnB ∂uCB 3 DnB 2 ⋅ U TOTCB 3 ⋅ w B U TOTCB
Uvrštavanjem vrijednosti dobiva se
Cdc = 1,83 ⋅ 10 −14 F .
Zanimljivo je uočiti da je ovo dvostruko veća vrijednost difuzijskog kapaciteta u odnosu na
kapacitet definiran uz konstantan napon uEB, određen u b) dijelu zadatka. Ovo postaje očevidno
usporede li raspodjele manjinskih nosilaca na slikama 3.115a i 3.115b.
U oba slučaja difuzijski kapacitet je vrlo mali, a kako se radi o reverzno polariziranom pn-
spoju, prevladava barijerni kapacitet koji za zadane koncentracije primjesa u bazi i kolektoru te
napon UCB iznosi:
C BC ε 0 ⋅ ε ′
= = 2,8 nF / cm2
S dB
Ako bi površina pn-spoja kolektor-baza bila S = 2 mm2, barijerni kapacitet bi iznosio
CBC = 56 pF.
U svakom slučaju, kod reverzno polariziranog spoja kolektor-baza barijerni kapacitet je
znatno veći od difuzijskog kapaciteta. Istovremeno je za propusno polarizirani spoj emiter-baza
difuzijski kapacitet puno veći od barijernog. Usporedbom rezultata dobivenih u a), b) i c) dijelu
zadatka zapažamo da je za tranzistor koji radi u normalnom aktivnom području (difuzijski)
kapacitet spoja emiter-baza znatno veći od (barijernog) kapaciteta spoja kolektor-baza.
Zadatak 3.47
3.5.1. Gornja granična frekvencija

Gornja granična frekvencija definira se kao ona frekvencija na kojoj se faktor
pojačanja po apsolutnom iznosu smanji za 2 puta u odnosu na iznos na niskim
frekvencijama (α0). Očito je da će gornju graničnu frekvenciju određivati parametri
spoja emiter-baza, dok se djelovanje spoja kolektor-baza javlja na frekvencijama višim
od gornje granične frekvencije, kako je prikazano na slici 3.113. U slučaju da nas
interesira samo frekvencijsko područje do gornje granične frekvencije, možemo
zanemariti djelovanje kapaciteta Ccb i njemu paralelno spojenog otpora rcb (što znači da
je ωcb >> ωeb ), tako da izraz (3.254) možemo prikazati kao
α0 α0
α (ω ) = =
1 + j ⋅ ω ⋅ Ceb (ω ) ⋅ reb (ω ) 1 + j ⋅ ω
ω eb
Zanemarimo li stvarnu frekvencijsku ovisnost dinamičkog otpora i difuzijskog
kapaciteta, ovisnost faktora strujnog pojačanja može se za područje niskih frekvencija i
oko gornje granične frekvencija aproksimirati izrazom
α0
α (ω ) = , (3.255)
ω
1 + j⋅
ωα
gdje je ωα gornja granična frekvencija faktora strujnog pojačanja,
1
ωα = .
Ceb (ωα ) ⋅ reb (ωα )
Tranzistor u spoju zajedničkog emitera možemo prikazati sličnim nadomjesnim
sklopom kao na slici 3.112. Valja uočiti da ćemo na ulaznom dijelu opet imati propusno
polarizirani spoj baza-emiter, predstavljen paralelnim spojem difuzijskog kapaciteta i
dinamičkog otpora. Difuzijski kapacitet je gotovo istog iznosa kao i u slučaju zajedničke
baze
Cbe = Ceb ,
dok je dinamički otpor rbe puno veći od dinamičkog otpora spoja zajedničke baze reb .
Znamo da na niskim frekvencijama vrijedi†
reb
rbe = ,
1+ α0
Zbog toga će za spoj zajedničkog emitera na nižim frekvencijama prestati vrijediti uvjet
da je
1
>> rbe ,
ω ⋅ Cbe
pa će područje niskih frekvencija biti uže, a gornja granična frekvencija niža
† Ovdje se u suštini radi o odnosu hie i hib parametara (vidi 3.4.2. Hibridni nadomjesni sklop).
1
ωβ = ,
Cbe (ω β ) ⋅ rbe (ω β )
Frekvencijska karakteristika faktor strujnog pojačanja za niske frekvencije i oko

gornje granične frekvencije imat će sličan oblik kao i za spoj zajedničke baze,
β0
β (ω ) = ,
1 + j ⋅ ω ⋅ Cbe (ω ) ⋅ rbe (ω )
a može se aproksimirati izrazom
β0
β (ω ) = .
ω
1+ j⋅
ωβ
Osim gornje granične frekvencije treba spomenuti još i frekvenciju jediničnog

pojačanja ωT kao onu frekvenciju na kojoj je faktor strujnog pojačanja spoja
zajedničkog emitera po apsolutnom iznosu jednak 1,
β (ω T ) = 1 .
Zadatak 3.48
Uz pretpostavku da je koncentracija primjesa u bazi homogena, izvesti izraze za gornju
graničnu frekvenciju faktora strujnog pojačanja:
a) spoja zajedničke baze fα , odnosno
b) spoja zajedničkog emitera fβ .
c) Izračunati gornje granične frekvencije ako je difuzijska konstanta manjinskih
nosilaca u bazi tranzistora 20 cm2/s , širina baze 1 µm, a faktor strujnog pojačanja
spoja zajedničke baze na niskim frekvencijama jednak α0 = 0,99.
d) Odrediti frekvenciju jediničnog pojačanja ωT .
Rješenje:
a)
Faktor strujnog pojačanja spoja zajedničke baze α, jednak je umnošku faktora efikasnosti
emitera γ i transportnog faktora baze β*. Pri izvodu statičkih strujno-naponskih odnosa u
poglavlju 3.1 dobili smo da su ovi faktori za npn tranzistor definirani kao:
J nE 1
γ = = , (3.256)
J nE + J pE D pE LnB p0 E tanh( wB / LnB )
1+ ⋅ ⋅ ⋅
L pE DnB n0 B tanh( wE / L pE )
J nC 1
β* = = . (3.257)
J nE cosh( wB / LnB )
JnE i JnC su struje elektrona u bazi tranzistora uz emitersku, odnosno kolektorsku barijeru, a JpE
struja šupljina u emiteru. DnB i LnB su difuzijska konstanta i difuzijska duljina elektrona u bazi, a
DpE i LpE difuzijska konstanta i difuzijska duljina šupljina u emiteru, wB i wE su efektivne širine
baze i emitera. Koncentracije p0E i n0B su ravnotežne koncentracije manjinskih nosilaca u emiteru,
odnosno bazi tranzistora.
Ako pretpostavimo da je emiter puno uži od difuzijske duljine manjinskih šupljina u emiteru,
faktor injekcije je
J nE 1
γ = = =
J nE + J pE D pE LnB p0 E
1+ ⋅ ⋅ ⋅ tanh( wB / LnB )
L pE DnB n0 B
1
= . (3.256a)
D pE LnB p0 E cosh( wB / LnB )
1+ ⋅ ⋅ ⋅
L pE DnB n0 B sinh( wB / LnB )
Ovako su definirani transportni faktor i faktor efikasnosti emitera u stacionarnom stanju,

kada kroz tranzistor teku isključivo istosmjerne struje. Ovi faktori vrijede i za izmjenični signal,
ako je frekvencija signala dovoljno niska da se u svakom trenutku raspodjele nosilaca poklapaju
sa stacionarnim raspodjelama za pobudu koja djeluje na tranzistor u tom trenutku. Međutim, sada
nas zanima kakvi će oni biti kada struje sadrže i visokofrekvencijsku komponentu, te kako će se
oni mijenjati s frekvencijom tog signala, da bismo na osnovi te analize mogli odrediti gornju
graničnu frekvenciju faktora strujnog pojačanja. Razmotrimo stoga prvo kako će se općenito
mijenjati raspodjela manjinskih nosilaca oko pn-spoja pod djelovanjem izmjeničnog signala.
Ukoliko se na pn-spoj baza-emiter priključi napon koji uz istosmjernu (UBE) ima i
izmjeničnu komponentu (ube), i koncentracije manjinskih nosilaca mijenjati će se sa vremenom. U
takvom će slučaju koncentracije manjinskih nosilaca uz rubove barijere biti
æ U + ube ö
n B ( x , t ) = n0 B ( x ) + n B ( x , t ) = n0 B ( x ) + n0 B ( x ) ⋅ expç BE ÷, (3.258a)
è UT ø
æ U + ube ö
p E ( x , t ) = p0 E ( x ) + p E ( x , t ) = p0 E ( x ) + p0 E ( x ) ⋅ expç BE ÷. (3.258b)
è UT ø
Pri tome su:
nB , pE - ukupne koncentracije,
n0B , p0E - ravnotežne koncentracije manjinskih nosilaca, a
n B , p E - ekscesne koncentracije manjinskih nosilaca u bazi, odnosno emiteru.
Ako je priključeni izmjenični napon sinusoidalnog oblika, možemo ga izraziti kao
ube = U be ⋅ e jω t .
Ekscesna koncentracija elektrona na p-strani spoja neposredno uz rub barijere određena je

Boltzmannovom relacijom
é U ⋅ e jω t ù
[ ]
æU ö
n B 0 = n0 B ⋅ exp U BE + U be ⋅ e jω t = n0 B ⋅ expç BE ÷ ⋅ exp ê be ú=
è UT ø êë U T úû
é U ⋅ e jω t ù
= n B 0 ⋅ exp ê be ú. (3.259)
êë U T úû
Koncentracija
Zadatak 3.48
æU ö
nB 0 = n0 B ⋅ expç BE ÷
è UT ø
je neravnotežna koncentracija elektrona na p-strani spoja neposredno uz rub barijere, određena
istosmjernom komponentom priključenog napona.
Za amplitude izmjeničnog signala Ube puno manje od naponskog ekvivalenta temperature UT
(tj. kada pn-struktura radi u režimu malog signala), u razvoju eksponencijalne funkcije u red
potencija mogu se zanemariti članovi višeg reda, pa (3.259) možemo napisati kao
é U ù U
n B 0 = n B 0 ⋅ ê1 + be ⋅ e jω t ú = n B 0 + n B 0 ⋅ be ⋅ e jω t . (3.260)
ë UT û UT
Ovo je ukupna neravnotežna koncentracija elektrona na p-strani uz rub barijere. Prvi član je
određen istosmjernim naponom, dok je drugi član određen izmjeničnim naponom. Vremenski
promjenljivi dio koncentracije je sinusoidalnog oblika kao i priključeni signal, a amplituda uz rub
barijere je
U
n~B 0 = n B 0 ⋅ be .
UT
Kao što vidimo, ta je amplituda ovisna o statičkoj radnoj točki (preko koncentracije n B 0 ) i
amplitudi izmjeničnog signala Ube .
Kako se ekscesna koncentracija n B (određena istosmjernim naponom), mijenja s prostornom
koordinatom x, možemo na temelju jednadžbe (3.260) ukupnu ekscesnu koncentraciju izraziti u
ovisnosti o koordinati x i vremenu t kao
U be jω t
n B ( x , t ) = n B ( x ) + n B ( x ) ⋅ ⋅ e = n B ( x ) + n~B ( x ) ⋅ e jω t . (3.261a)
UT
Za šupljine u emiteru dobili bismo, uz iste uvjete, izraz
U be jω t
p E ( x , t ) = p E ( x ) + pE ( x ) ⋅ ⋅ e = pE ( x) + ~
p E ( x ) ⋅ e jω t . (3.261b)
UT
Prostorne raspodjele koncentracija manjinskih nosilaca za stacionarne uvjete ( n B , odnosno

pE ) izvodili smo već u nekoliko navrata, među ostalim kod izvoda statičkih strujno-naponskih
odnosa u poglavlju 3.1.
Kao što se na temelju izraza (3.261a, b) može zaključiti, u slučaju malog signala, ukupna
ekscesna koncentracija, ovisna i o položaju i o vremenu, jednaka je zbroju ekscesne koncentracije
uzrokovane istosmjernim naponom i ovisne samo o položaju x
n B ( x ), p E ( x ) ,
te ekscesne koncentracije uzrokovane izmjeničnim naponom,
n~ ( x ) ⋅ e jω t , ~
B p ( x ) ⋅ e jω t ,
E
a koja je jednaka umnošku prostorno ovisnog člana i člana ovisnog o kutu ω⋅t.
Uvrstimo li ekscesnu koncentraciju elektrona (3.261a) u jednadžbu kontinuiteta
∂n B ( x , t ) ∂ 2 n B ( x , t ) n B ( x , t )
= − ,
∂t ∂x 2 τ nB
dobit ćemo
Zadatak 3.48
∂ 2 nB ( x ) ∂ 2 n~B ( x ) jω t n B ( x ) n~B ( x ) jω t
j ⋅ ω ⋅ n~B ⋅ e jω t = DnB ⋅ + DnB ⋅ ⋅e − − ⋅e . (3.262)
∂x 2 ∂x 2 τ nB τ nB
Kako u stacionarnom stanju, kada nema izmjeničnog signala, vrijedi
∂n B ( x , t ) ∂n B ( x ) ∂ 2 n B ( x ) nB ( x )
= = DnB ⋅ − = 0, (3.263)
∂t ∂t ∂x 2 τ nB
u jednadžbi kontinuiteta (3.262) iščeznut će članovi koji su definirani za stacionarno stanje, te ona
postaje
∂ 2 n~B ( x ) jω t n~B ( x ) jω t
j ⋅ ω ⋅ n~B ( x ) ⋅ e jω t = DnB ⋅ ⋅e − ⋅e .
∂x 2 τ nB
Ova jednadžba se može napisati i kao
∂ 2 n~B ( x ) ~ æ 1 ö
DnB ⋅ − nB ( x) ⋅ ç + j⋅ω ÷ = 0 . (3.264)
∂x 2
è τ nB ø
Izrazi (3.263) i (3.264) su diferencijalne jednadžbe za ekscesne koncentracije elektrona:

jednadžba (3.263) za istosmjerni dio, a jednadžba (3.264) za izmjenični dio. One se mogu napisati
u preglednijem obliku,
∂ 2 nB ( x) nB ( x)
− = 0, (3.265)
∂x 2 DnB ⋅ τ nB
∂ 2 n~B ( x ) n~B ( x )
− = 0. (3.266)
∂x 2 *
DnB ⋅ τ nB
Jednadžbe (3.265) i (3.266) su homogene diferencijalne jednadžbe kakve smo već rješavali
kada smo određivali raspodjela manjinskih nosilaca. One su međusobno jednake po obliku, osim
što u jednadžbi kontinuiteta za vremenski promjenljivi dio koncentracije (3.266) umjesto vremena
života τnB imamo efektivno vrijeme života τ*nB
* τ nB
τ nB = , (3.267a)
1 + j ⋅ ω ⋅ τ nB
koje ne ovisi samo o fizikalnim svojstvima poluvodiča, već i o frekvenciji izmjeničnog napona.
Za šupljine na n-strani spoja dobiva se identična jednadžba kontinuiteta u koju treba umjesto
vremena života šupljina τpE uvrstiti efektivno vrijeme života šupljina τ*pE
τ pE
τ *pE = . (3.267b)
1 + j ⋅ ω ⋅ τ pE
Uočimo u izrazima (3.267a, b) da je za niske frekvencije, kada nosioci u potpunosti prate
promjene pobudnog napona na pn-spoju, tj. kada je ω⋅τ << 1, efektivno vrijeme života nosilaca
konstantno i jednako stvarnom vremenu života (τ* = τ). Naprotiv, za vrlo visoke frekvencije, kada
je ω⋅τ >> 1, efektivno vrijeme života opada s porastom frekvencije,
1
τ * = .
j⋅ω
U prethodnoj analizi raspodjele manjinskih nosilaca pod djelovanjem izmjeničnog signala
spoznali smo da su raspodjele nosilaca u stacionarnim uvjetima, te u uvjetima izmjeničnog signala
Zadatak 3.48
opisane identičnim jednadžbama kontinuiteta, koje se međusobno razlikuju samo po vremenskoj

konstanti. Za stacionarne uvjete ta vremenska konstanta jednaka je vremenu života manjinskih
nosilaca τ, dok je za dinamičke uvjete ona jednaka efektivnom vremenu života τ*. Sama po sebi se
nameće ideja da pri frekvencijskoj analizi faktora efikasnosti i transportnog faktora u
odgovarajuće izraze za te faktore u stacionarnim uvjetima (3.256) i (3.257), umjesto vremena
života svugdje uvrstimo efektivna vremena života nosilaca, određena izrazima (3.267a, b). U tom
slučaju dobit ćemo faktor efikasnosti emitera i transportni faktor baze izražene u ovisnosti o
frekvenciji ω,
1
γ = ,
æw ö
coshç B ⋅ 1 + j ⋅ ω ⋅ τ nB ÷
p D pE ⋅ (1 + j ⋅ ω ⋅ τ pE ) τ nB è LnB ø
1 + 0E ⋅ ⋅ ⋅
n0 B τ pE DnB ⋅ (1 + j ⋅ ω ⋅ τ nB ) æw ö
sinhç B ⋅ 1 + j ⋅ ω ⋅ τ nB ÷
è LnB ø
(3.268)
1
β* = . (3.269)
æ wB ö
coshç 1 + j ⋅ ω ⋅ τ nB ÷
è LnB ø
Iz ovih izraza zapažamo da će se s porastom frekvencije ω smanjivati i faktor efikasnosti

emitera i transportni faktor baze, kao i rezultantni faktor strujnog pojačanja. Gornja granična
frekvencija faktora strujnog pojačanja spoja zajedničke baze (ωα), definira se kao ona frekvencija
na kojoj se iznos faktora strujnog pojačanja smanji na iznos koji je 2 puta manji nego na
niskim frekvencijama†
α0
α (ωα ) = . (3.270)
2
Prema tome, bez okolišanja bi mogli pomnožiti izraze (3.268) i (3.269), te primjenom uvjeta
(3.270) na rezultantni umnožak, odrediti gornju graničnu frekvenciju. Međutim, više je nego očito
da je umnožak funkcija (3.268) i (3.269) prilično složena funkcija, te bi nalaženje gornje granične
frekvencije iz nje iziskivalo znatan napor. Stoga ćemo prethodno proanalizirati obje funkcije
zasebno i izlučiti one faktore koji imaju dominantni utjecaj pri određivanju gornje granične
frekvencije.
Razmotrimo izraze (3.268) i (3.269), te pokušajmo usporediti frekvencijsku ovisnost faktora
efikasnosti i transportnog faktora. Dobar tranzistor mora u emiteru imati višu koncentraciju
primjesa nego u bazi, pa je omjer ravnotežnih koncentracija manjinskih nosilaca u emiteru i bazi
(p0E/n0B) puno manji od 1. Frekvencijski ovisan član u izrazu (3.268) za faktor efikasnosti je
manji od realnog člana, ali i puno manji od frekvencijski ovisnog člana u izrazu (3.269) za
transportni faktor. Drugim riječima, pratimo li promjenu faktora efikasnosti i transportnog faktora
sa povećanjem frekvencije, prvo će početi opadati transportni faktor, dok će faktor efikasnosti
emitera ostati još uvijek konstantnog iznosa, kao na niskim frekvencijama. To znači da će
† Općenito je gornja granična frekvencija bilo kojeg pojačanja definirana kao ona frekvencija na
kojoj se pojačanje po apsolutnom iznosu smanji na iznos koji je 2 puta manji od pojačanja
na srednjim frekvencijama; to odgovara smanjenju pojačanja za 3 dB.
Zadatak 3.48
frekvencijska ovisnost faktora strujnog pojačanja oko gornje granične frekvencije biti određena
frekvencijskom ovisnošću transportnog faktora, tj.
γ
α (ω ) = γ ⋅ β * (ω ) = . (3.271)
æw ö
coshç B 1 + j ⋅ ω ⋅ τ nB ÷
è LnB ø
Smanjivanje faktora efikasnosti na još višim frekvencijama nema nikakvog utjecaja na gornju
graničnu frekvenciju, već će utjecati samo na oblik karakteristike α(ω) na frekvencijama iznad
gornje granične.
Da bismo odredili gornju graničnu frekvenciju, treba uvjet (3.270) primijeniti na izraz
(3.271). Proračun koji iz toga slijedi može se provesti na dva načina:
1. egzaktnim (ali kompliciranijim), tako da računamo sa funkcijom cosh(x), ili
2. jednostavnijim, tako da funkciju cosh(x), uz određene pretpostavke, aproksimiramo prvim
članovima razvoja u red potencija.
Mi ćemo proračun provesti na oba načina, da bismo na kraju usporedili dobivene rezultate.
a1)
Najjednostavniji način za određivanje gornje granične frekvencije je da razvojem hiperbolnih
funkcija u red potencija i zanemarenjem viših članova dobijemo jednostavniji izraz koji opisuje
ovisnost faktora strujnog pojačanja o frekvenciji. Znamo da dobar tranzistor mora imati bazu
puno užu od difuzijske duljine manjinskih nosilaca u bazi. U izrazu (3.268) i (3.269) to će značiti
da je realni član mnogo manji od imaginarnoga. Nadomjestimo li sinus i kosinus hiperbolni prvim
članovima razvoja
x2
sinh( x ) = x , cosh( x ) = 1 + ,
2
izrazi (3.268) i (3.269) poprimaju oblik
1
γ = , (3.272)
p L pE τ pE 1 + j ⋅ ω ⋅ τ nB æ wB2 ω ⋅ wB2 ö
1 + 0E ⋅ ⋅ ⋅ ⋅ çç 1 + + j ⋅ ÷
n0 B τ nB wB 1 + j ⋅ ω ⋅ τ nB è 2 ⋅ L2nB 2 ⋅ DnB ÷ø
1
β* = . (3.273)
wB2 ω ⋅ wB2
1+ + j ⋅
2 ⋅ L2nB 2 ⋅ DnB
Ponovno možemo vidjeti da će frekvencijski ovisan član u jednadžbi (3.272) biti mnogo
manji nego u jednadžbi (3.273). Prema tome, faktor strujnog pojačanja je
1 1
α (ω ) = γ ⋅ β * (ω ) = ⋅ =
p L pE τ pE wB 2
ω ⋅ wB2
1 + 0e ⋅ ⋅ 1+ + j ⋅
n0b τ nB wB 2 ⋅ L2nB 2 ⋅ DnB
α0
= . (3.274)
wB2
1 + j⋅ω ⋅
æ wB2 ö
2 ⋅ DnB ⋅ çç1 + ÷÷
è 2 ⋅ L2nB ø
Zadatak 3.48
Za niske frekvencije gornji izraz prelazi u

wB2
1−
1 1 2 ⋅ L2nB
α 0 = γ 0 ⋅ β0* = ⋅ = .
p0 E L pE τ pE wB2 p L pE τ pE
1+ ⋅ ⋅ 1 + 1 + 0E ⋅ ⋅
n0 B τ nB wB 2 ⋅ L2nB n0 B τ nB wB
Očito je da će izraz (3.274) zadovoljiti definiciju gornje granične frekvencije onda kada
imaginarni član u nazivniku bude jednak jedinici,
wB2
ωα ⋅ =1,
æ wB2 ö
2 ⋅ DnB ⋅ çç1 + ÷
è 2 ⋅ L2nB ÷ø
čime je gornja granična frekvencija određena kao
2 ⋅ DnB æ wB2 ö 2 ⋅ DnB
ωα = ⋅ çç 1 + ÷ = . (3.275)
wB 2
è 2 ⋅ L2nB ÷ø wB2
Uvrštavanjem (3.275), frekvencijsku ovisnost faktora strujnog pojačanja (3.274) možemo

jednostavnije prikazati kao
α0
α (ω ) = .
ω
1 + j⋅
ωα
a2)
Drugi način određivanja gornje granične frekvencije ne aproksimira hiperbolne funkcije, ali
se provodi uz sljedeće pretpostavke:
1. faktor efikasnosti emitera i transportni faktor na niskim frekvencijama jednaki su 1, što znači
da je i faktor strujnog pojačanja α0 = 1;
2. frekvencijska ovisnost transportnog faktora je dominantna.
Izraz (3.271) u tom slučaju postaje
1 1
α (ω ) = γ ⋅ β * (ω ) = = . (3.276)
æ wB ö 1 + j⋅ ω
coshç ⋅ 1 + j ⋅ ω ⋅ τ nB ÷ ωα
è LnB ø
Iz uvjeta za gornju graničnu frekvenciju (3.270), slijedi
æw ö
coshç B 1 + j ⋅ ωα ⋅ τ nB ÷ = 2 ,
è LnB ø
odnosno
2 2
æ 2 ö æ 2 ö
ç æ wB ö w2 ÷ ç æ wB ö ÷
coshç ç ÷ + j ⋅ ωα ⋅ B ÷ = coshç ç ÷ + j ⋅ Ωα ÷ =2. (3.277)
ç è LnB ø DnB ÷ ç è LnB ø ÷
è ø è ø
Rješenje jednadžbe (3.277) dat će nam gornju graničnu frekvenciju ωα , koju smo izrazili
preko normirane gornje granične frekvencije Ωα
Zadatak 3.48
wB2
Ωα = ωα ⋅ .
DnB
Pri rješavanju ovog izraza, prvo treba izračunati kvadratni korijen kompleksnog broja
2
æ wB ö
ç ÷ + j ⋅ Ωα = a + j ⋅ b . (3.278)
è LnB ø
Izjednačavanjem realnog dijela s a, odnosno imaginarnog dijela s b (sličan postupak primijenili
smo u zadatku 2.34 kada smo računali difuzijsku admitanciju pn-diode), dobit ćemo
2
wB æw ö
+ ç B ÷ + Ωα2
LnB è LnB ø
a= , (3.279a)
2
Ωα
b= . (3.279b)
é 2 ù
w æw ö
2 ⋅ ê B + ç B ÷ + Ωα2 ú
ê LnB è LnB ø ú
êë úû
Uz ovako izražene kompleksne brojeve, jednadžbu (3.277) rješavamo dalje,

2 2
cosh(a + jb) = cosh(a ) ⋅ cos( jb) + sinh(a ) ⋅ sin( jb) =
2
= cosh(a ) ⋅ cos(b) + j ⋅ sinh(a ) ⋅ sin(b) =
= cosh 2 (a ) ⋅ cos2 (b) + sinh 2 (a ) ⋅ sin 2 (b) = 2 . (3.280)

Primjenom trigonometrijskih relacija
cos2 (b) + sin 2 (b) = 1 ,
cosh 2 (b) − sinh 2 (b) = 1 ,
jednadžba (3.280) postaje
sinh 2 (a ) = 1 + sin 2 (b) . (3.281)
Rješenje ove jednadžbe dat će nam gornju graničnu frekvenciju. Na žalost, ovo je transcedentna
jednadžba, jer su i parametar a i parametar b ovisni o traženoj gornjoj graničnoj frekvenciji. Stoga
za njeno rješenje moramo primijeniti iteracijski postupak. Prethodno ćemo radi preglednosti
desnu stranu jednadžbe (3.281) označiti sa X,
X = 1 + sin 2 (b) ,
a sinus hiperbolni na lijevoj strani prikazati kao razliku eksponencijalnih funkcija,
ea − e−a
sinh( a ) = ,
2
tako da (3.281) postaje
2
æ ea − e−a ö e 2 a − 2 + e −2 a
çç ÷÷ = =X.
è 2 ø 4
Zadatak 3.48
Množenjem ove jednadžbe sa e2a, dobivamo kvadratnu jednadžbu po e2a

e 4a − e 4a ⋅ (2 + 4 ⋅ X ) + 1 = 0 ,
čije je rješenje
(2 + 4 ⋅ X ) + (2 + 4 ⋅ X ) 2 − 4
e 2a = = 1 + 2 ⋅ X + 2 ⋅ X ⋅ (1 + X ) . (3.282)
2
Iz ove jednadžbe dobiva se parametar a koji određuje normiranu gornju graničnu frekvenciju,
é æw ö 2ù
Ω α = 2 ⋅ a 2 ⋅ ê1 − ç B ÷ ú. (3.283)
ê è LnB ø ú
ë û
Na početku iteracijskog postupka treba pretpostaviti neku frekvenciju Ωα0 i izračunati

X = 1 + sin 2 (b) . Preko jednadžbi (3.282) i (3.283) izračunamo novo rješenje Ωα1 . Postupak
ponavljamo tako dugo dok pretpostavljena i izračunata frekvencija ne postanu jednake na željeni
broj znamenki.
U tablici 3.19 prikazani su rezultati takvog proračuna za različite vrijednosti omjera
difuzijske duljine manjinskih nosilaca u bazi i efektivne širine baze. Možemo uočiti da
smanjenjem širine baze normirana gornja granična frekvencija Ωα teži broju 2,432.... Da smo već
Tablica 3.19. Normirana granična frekvencija faktora

strujnog pojačanja za različite omjere difuzijske duljine
manjinskih nosilaca i efektivne širine baze.
LB
10 20 50 100 200
wB
Ωα 2,4179 2,4288 2,4318 2,4322 2,4323
u početnom izrazu (3.277) zanemarili realni dio pod kvadratnim korijenom, tj. da smo tražili Ωα
za koji vrijedi jednakost
cosh( )
j ⋅ Ωα = 2 ,
nakon provedenog iteracijskog postupka dobili bismo Ωα = 2,4324.
Zaključujemo da za dovoljno veliki omjer difuzijske duljine manjinskih nosilaca u bazi i
širine baze, možemo u izrazu za strujno pojačanje zanemariti realni član. Faktor strujnog
pojačanja spoja zajedničke baze tranzistora sa homogeno onečišćenom bazom u frekvencijskom
području oko gornje granične frekvencije opisan je u tom slučaju izrazom
α0
α (ω ) = γ ⋅ β * (ω ) = ,
æ wB2 ö÷
ç
cosh j ⋅ ω ⋅
ç DnB ÷ø
è
a njegova gornja granična frekvencija je
DnB
ωα = 2,43 ⋅ . (3.284)
wB2
Zadatak 3.48
DnB je difuzijska konstanta manjinskih elektrona u bazi npn tranzistora. Iz ovog izraza je više
nego očito je da će gornja granična frekvencija biti to viša što je baza uža i što je pokretljivost
manjinskih nosilaca u bazi veća. Čitatelj će iz ovog izraza lako zaključiti zašto npn tranzistori
općenito na visokim frekvencijama imaju bolja svojstva od pnp tranzistora!
Usporedimo li izraze (3.275) i (3.284), vidimo da se jednostavnijim aproksimativnim
postupkom dobiva gornja granična frekvencija jednaka recipročnoj vrijednosti vremena proleta
manjinskih nosilaca kroz bazu,
DnB 1
ωα = 2 ⋅ = ,
wB2 t tr
dok točniji proračun daje nešto višu vrijednost,
DnB 1
ωα = 2,43 ⋅ = 1,22 ⋅ .
wB2 t tr
Pri ovom proračunu pretpostavljeno je da iznosi dinamičkog otpora i difuzijskog kapaciteta,

parametara koji određuju gornju graničnu frekvenciju, još uvijek ne ovise o frekvenciji
priključenog izmjeničnog signala. Kao što možemo vidjeti gornja granična frekvencija faktora
strujnog pojačanja spoja zajedničke baze je nešto malo viša od recipročne vrijednosti vremena
proleta manjinskih nosilaca kroz bazu. Pri takvim frekvencijama možemo smatrati da nosioci u
bazi imaju dovoljnu brzinu da mogu slijediti promjenu pobudnog signala, te dinamički otpor i
kapacitet pn-spoja ovise o tehnološkim svojstvima pn-spoja, a ne i o frekvenciji vanjske pobude.
b)
Gornju graničnu frekvenciju spoja zajedničkog emitera odredit ćemo uz pretpostavku da
relacija
α
β= , (3.285)
1−α
koja povezuje faktore strujnih pojačanja na niskim frekvencijama vrijedi i na gornjoj graničnoj
frekvenciji. Uvrstimo li u (3.285) izraz (3.255) za ovisnost faktora strujnog pojačanja spoja
zajedničke baze o frekvenciji spoja zajedničke baze, dobit ćemo
α0
ω
1+ j⋅
ωα α0 1 β0
β (ω ) = = ⋅ = , (3.286)
α0 1 − α0 ω ω
1− 1 + j⋅ 1+ j⋅
ω ωα ⋅ (1 − α 0 ) ωβ
1 + j⋅
ωα
gdje je
α0
β0 =
1 − α0
faktor strujnog pojačanja spoja zajedničkog emitera na niskim frekvencijama, a ωβ njegova gornja
granična frekvencija,
ωα
ω β = (1 − α 0 ) ⋅ ωα = . (3.287)
1 + β0
Zadatak 3.48
Uspoređujući pojačanje i gornju graničnu frekvenciju spoja zajedničke baze i spoja

zajedničkog emitera, možemo uočiti da je faktor strujnog pojačanja u spoju zajedničkog emitera
veći, ali je gornja granična frekvencija u spoju zajedničke baze viša, što se jasno vidi na slici
3.116, koja prikazuje frekvencijske
karakteristike faktora strujnog pojačanja oba
α, β spoja. Valja naglasiti da su karakteristike crtane
β0 nagib: za logaritamsko mjerilo na obje osi - u
–20 dB/dekadi protivnom frekvencijske karakteristike ne bi bile
ovako pravilne.
Pomnožimo li faktor strujnog pojačanja
1 spoja zajedničkog emitera na niskim
α0
frekvencijama s njegovom gornjom graničnom
ωβ ωT ωα frekvencijom, dobit ćemo
ω
α0
Slika 3.116. Usporedni prikaz frekvencijskih β0 ⋅ ω β = ⋅ (1 − α 0 ) ⋅ ωα = α 0 ⋅ ωα ,
1 − α0
karakteristika faktora α i β .
odnosno da je taj umnožak jednak umnošku
navedenih veličina za spoj zajedničke baze!
c)
Primijenimo izvedene formule na podatke iz teksta zadatka! Tranzistor koji na niskim
frekvencijama ima faktor strujnog pojačanja spoja zajedničke baze α0 = 0,99, imat će na niskim
frekvencijama u spoju zajedničkog emitera faktor pojačanja
α0 0,99
β0 = = = 99 .
1 − α 0 1 − 0,99
Na osnovi zadane difuzijske duljine elektrona u bazi (DB = 20 cm2/s) i efektivne širine baze
(wB = 1 µm), dobiva se gornja granična frekvencija strujnog pojačanja za spoj zajedničke baze
DnB
ωα = 2,43 ⋅ = 4,86 ⋅ 109 rad / s ,
wB2
odnosno
ωα
fα = = 774 MHz .
2⋅π
Za spoj zajedničkog emitera dobiva se
ωα
ωβ = = 48,6 ⋅ 10 6 rad / s ,
1 + β0
ωβ fα
fβ = = = 7,73 MHz .
2⋅π 1 + β0
d)
Frekvencija jediničnog pojačanja ili frekvencija širine pojasa fT je ona frekvencija na kojoj
je faktor strujnog pojačanja spoja zajedničkog emitera jednak 1. Iznad te frekvencije pojačanje je
manje od jedinice (vidi sliku 3.116). Na temelju izraza (3.286) jednostavno je dobiti da je
β (ω T ) = 1
Zadatak 3.48
onda kada je
2
æω ö
β02 = 1 + çç T ÷÷ .
è ωβ ø
Proizlazi da je frekvencija jediničnog pojačanja za tranzistor
ω T = ω β ⋅ β02 − 1 = β0 ⋅ ω β = α 0 ⋅ ωα .
Ako bismo frekvenciju ωα nadomjestili izrazom (3.284), dobili bismo†

DnB 1,22
ω T = 2,43 ⋅ α 0 ⋅ = α0 ⋅ .
wB2 t tr
Za zadane vrijednosti, frekvencija širine pojasa je ωT = 4,81⋅109 rad/s, odnosno

fT = 765 MHz. Kao što vidimo, ona je manja od frekvencije fα i to točno onoliko puta, koliko je
faktor α0 manji od 1.
Zadatak 3.49*
Izvesti izraz za gornju graničnu frekvenciju faktora strujnog pojačanja spoja zajedničke
baze kod tranzistora koji ima nehomogenu raspodjelu primjesa u bazi. Pretpostaviti da je
koncentracija primjesa u bazi tranzistora određena eksponencijalnom funkcijom.
Rješenje:
Kod tranzistora koji ima nehomogeno dopiranom bazom ugrađeno električno polje dodatno
utječe na prolaz nosilaca kroz bazu. Kod analize utjecaja raspodjele primjesa na transportni faktor
u poglavlju 3.2.1 pokazali smo kako to električno polje povećava ili smanjuje transportni faktor
kroz bazu. Naravno da će to imati posljedice na visokofrekvencijska svojstva, odnosno na gornju
graničnu frekvenciju strujnog pojačanja tranzistora.
Razmotrimo npn tranzistor u kojem je raspodjela akceptora u bazi eksponencijalna,
æ xö
N A ( x ) = N A0 ⋅ expç − ÷.
è aø
Ugrađeno električno polje će u uvjetima niske injekcije biti konstantnog iznosa
UT
, = −
a
Uz uvođenje normirane veličine za ugrađeno električno polje
wB
η= , (3.288)
a
električno polje u bazi možemo napisati kao
η
= −U T ⋅ , (3.289)
wB
† Frekvencija širine pojasa praktički je jednaka gornjoj graničnoj frekvenciji spoja zajedničke
baze, te je korištena pretpostavka o neovisnosti dinamičkih parametara o frekvenciji
zadovoljavajuća, a time je i izračunata frekvencija dovoljno točna.
Zadatak 3.49
a raspodjelu primjesa u bazi kao

æ x ö
N A ( x ) = N A0 ⋅ expç − η ⋅ ÷. (3.290)
è wB ø
Da bismo odredili frekvencijsku ovisnost transportnog faktora, odnosno gornju graničnu

frekvenciju, moramo prvo izvesti ovisnosti struja tranzistora o frekvenciji napona, tj. riješiti
jednadžbu kontinuiteta za manjinske nosioce u bazi u frekvencijskoj domeni. Tu se moramo
prisjetiti raspodjele manjinskih elektrona, i vidjeti kako ona ovisi o priključenom naponu, izraz
(3.258a) za ukupnu koncentraciju, odnosno (3.261a) za ekscesnu koncentraciju
n ( x , t ) = n ( x ) + n~ ( x ) ⋅ e jω t .
B B B
Pri određivanju vremenske ovisnosti struje elektrona u bazi tranzistora polazimo od

jednadžbe kontinuiteta koja, uz pretpostavku zanemarive rekombinacija u bazi, glasi
∂ ∂j ( x , t )
∂t
[q ⋅ nB ( x, t )] = − N∂x . (3.291)
jN je gustoća ukupne struje elektrona koja se sastoji od istosmjerne komponente JN i izmjenične

komponente jn .
Struju elektrona određuje transportna jednadžba
é dn ( x , t ) ù é dn ( x , t ) η ù
j N = q ⋅ ê DnB ⋅ B + n B ( x , t ) ⋅ µnB ⋅ ú = q ⋅ DnB ⋅ ê B − n B ( x , t ) ⋅ ú (3.292)
ë dx û ë dx wB û
Uvrstimo li u jednadžbu kontinuiteta (3.291) struju elektrona određenu izrazom (3.292) i
raspodjelu ekscesnih elektrona određenu izrazom (3.261a), dobivamo
é d 2n d 2 n~B η dn B η dn~B ù
j ⋅ ω ⋅ n~B ⋅ e jω t = DnB ⋅ ê 2B + e jω t ⋅ 2
− − e jω t ⋅ ú. (3.293)
êë dx dx wB dx wB dx úû
Koncentracije n~B ( x ) , n B ( x ) i n~B ( x ) ovisne su o koordinati x, ali jednostavnosti radi to u
jednadžbama više nećemo eksplicitno isticati.
U stacionarnom stanju ( ∂n B / ∂t = 0 ) se iz jednadžbe kontinuiteta i transportne jednadžbe
dobiva
d 2 nB η dn B
= ⋅ , (3.294)
dx 2 wB dx
pa ako ju uvrstimo u (3.293), dobit ćemo
é d 2 n~B ~ ù
jω t η dn B
j ⋅ ω ⋅ n~B ⋅ e jω t = Dn ⋅ êe jω t ⋅ − e ⋅ ú. (3.295)
êë dx 2 wB dx úû
Time su iz jednadžbe (3.293) nestali članovi određeni stacionarnim stanjem.
Do ovog istog rezultata mogli smo doći i na temelju činjenice da je samo jedan član u izrazu
(3.261a) ovisan o vremenu, te da je
dn B ( x )
=0.
dt
Dijeljenjem jednadžbe (3.295) sa exp( j⋅ ω ⋅ t ) , dobit će se jednadžba kontinuiteta za
amplitudu vremenski ovisnog dijela koncentracije elektrona u bazi
Zadatak 3.49
æ d 2 n~B η dn~B ö
j ⋅ ω ⋅ n~ = DnB ⋅ çç − ÷, (3.296)
è dx
2
wB dx ÷ø
što je homogena diferencijalna jednadžba drugog reda
d 2 n~B ( x ) η dn~B ( x ) j ⋅ ω ~
2
− − ⋅ nB = 0 . (3.297)
dx wB dx DnB
čije će rješenje dati amplitude vremenski promjenljivog dijela koncentracije elektrona u bazi u
ovisnosti o koordinati x. Vremenska promjena koncentracije je sinusoidalnog oblika kao i
izmjenična pobuda. Opće rješenje jednadžbe (3.297) je
n~ ( x ) = C1 ⋅ exp(Γ 1 ⋅ x ) + C2 ⋅ exp(Γ 2 ⋅ x ) , (3.298)
gdje su Γ1 i Γ2 korijeni karakteristične jednadžbe,
é 2 ù
1 êη æ ηö
Γ 1,2 =± ç ÷ + j⋅Ω ú .
wB ê 2 è 2ø ú
ë û
Ω je normirana frekvencija (vidi prethodni zadatak)
wB2
Ω =ω⋅ .
DnB
Na temelju rubnih uvjeta

x = 0: n~B = n~B 0 ,
x = w : n~ = 0
B B
određujemo konstante C1 i C2:
exp[(Γ 2 − Γ 1 ) ⋅ wB ]
C1 = − n~B 0 ⋅ ,
1 − exp[(Γ 2 − Γ 1 ) ⋅ wB ]
1
C2 = n~B 0 ⋅ .
1 − exp[(Γ 2 − Γ 1 ) ⋅ wB ]
tako da je raspodjela elektrona

exp(Γ 2 ⋅ x ) − exp[(Γ 2 − Γ 1 ) ⋅ wB ] ⋅ exp(Γ 1 ⋅ x )
n~B = n~B 0 ⋅ . (3.299)
1 − exp[(Γ 2 − Γ 1 ) ⋅ wB ]
Da bismo pojednostavili pisanje izvoda konačnog izraza, uvest ćemo oznake
Γ1 = A + B ,
Γ2 = A − B ,
2
2 æ ηö
Γ 2 − Γ 1 = −2 ⋅ B = − ⋅ ç ÷ + j⋅ Ω .
wB è 2 ø
Izraz (3.299) dalje razvijamo kao
exp( A ⋅ x − B ⋅ x ) − exp( −2 ⋅ B ⋅ wB ) ⋅ exp( A ⋅ x + B ⋅ x )
n~B = n~B 0 ⋅ =
1 − exp( −2 ⋅ B ⋅ wB )
Zadatak 3.49
exp( − B ⋅ x ) − exp( −2 ⋅ B ⋅ wB ) ⋅ exp( B ⋅ x )

= n~B 0 ⋅ exp( A ⋅ x ) ⋅ .
1 − exp( −2 ⋅ B ⋅ wB )
Množenjem brojnika i nazivnika desne strane sa 2 ⋅ exp( B ⋅ w) i sređivanjem, dobiva se
sinh[ B ⋅ ( wB − x )]
n~B = n~B 0 ⋅ exp( A ⋅ x ) ⋅ .
sinh( B ⋅ wB )
Ukoliko umjesto veličina A i B uvrstimo
1 η
A= ⋅ ,
wB 2
2
1 æ ηö
B= ⋅ ç ÷ + j⋅ Ω ,
wB è 2 ø
dobit ćemo raspodjelu amplitude koncentracije elektrona u bazi npn tranzistora, izazvanu
izmjeničnim (sinusoidalnim) naponom,
éæ 2 ù
x ö æ ηö
sinh êç 1 − ÷ ⋅ ç ÷ + j⋅ Ω ú
æ η ö
êè wB ø è 2 ø ú
ë û
n~B ( x ) = n~B 0 ⋅ expç ⋅ x÷ ⋅ . (3.300)
è 2 ⋅ wB ø æ 2 ö
η
æ ö
sinhç ç ÷ + j ⋅ Ω ÷
ç è 2ø ÷
è ø
Uz poznatu raspodjelu elektrona u bazi, struju elektrona na bilo kojem mjestu u bazi
možemo odrediti pomoću transportne jednadžbe (3.292). S obzirom da je izrazom (3.300) opisana
promjena amplitude vremenski ovisnog dijela koncentracije elektrona u bazi, tom će
koncentracijom biti određena i vremenski ovisna (izmjenična) struja elektrona u bazi.
Na slici 3.117 prikazane su trenutačne raspodjele elektrona u bazi npn tranzistora određene
izrazom (3.300). Na slici 3.117a prikazana je raspodjela u nekom trenutku za slučaj spore
promjene izmjeničnog napona, kada promjenu napona na emiterskom spoju prate elektroni u
cijelom području baze. Međutim, na vrlo brze promjene napona elektroni koji se nalaze u dijelu
baze udaljenijem od pn-spoja nisu u stanju reagirati. Stoga na slici 3.117b vidimo da u dijelu baze
udaljenijem od izvora promjene (tj. spoja emiter-baza), raspodjela elektrona ostaje konstantna i
nB nB
x x
0 wB 0 wB
Slika 3.117. Trenutne raspodjele manjinskih elektrona u bazi tranzistora kada je
sinusni napon na emiterskom spoju: a) niske frekvencije, odnosno b) visoke
frekvencije.
Zadatak 3.49
jednaka stacionarnoj raspodjeli diktiranoj istosmjernim naponima na pn-spojevima. Što je viša

frekvencija izmjeničnog napona na emiterskom spoju, to će promjena koncentracije nosilaca
zahvaćati uže područje baze uz emiterski spoj.
Sa slike 3.117 također možemo uočiti kako s porastom frekvencije opada količina naboja u
bazi koji se mijenja. Radi toga će opadati i difuzijski kapacitet propusno polariziranog spoja
emiter-baza (Cd = ∆QB /∆UBE), slično kao kod pn-diode (vidi poglavlje 2.5.3. Difuzijska
admitancija i difuzijski kapacitet).
Kod npn tranzistora dominantni nosioci struje su elektroni. Struja emitera se najvećim
dijelom sastoji od struje elektrona koje emiter injektira u bazu, a struju kolektora čine elektroni
koji su ubačeni u bazu, prošli kroz nju i stigli do spoja baza-kolektor. Budući da smo zaključili da
na gornju graničnu frekvenciju strujnog pojačanja dominantan utjecaj ima transportni faktor, te
zanemarujemo utjecaj faktora injekcije, radi jednostavnosti ćemo pretpostaviti da je faktor
injekcije emitera jednak jedinici. U tom slučaju je faktor strujnog pojačanja spoja zajedničke baze
jednak transportnom faktoru, tj. omjeru amplitude struja elektrona u bazi uz rub barijere baza-
kolektor (x = wB), i uz rub barijere emiter-baza (x = 0),
jnw
α = β * = . (3.301)
jn 0
Ovo pojačanje je pojačanje u dinamičkim uvjetima (mala slova u oznakama struja!) i jednako
je omjeru izmjeničnih struja. Njih određujemo iz transportne jednadžbe (3.292) u koju umjesto
ukupne ekscesne koncentracije elektrona n B , treba uvrstiti samo vremenski promjenljivi dio te
koncentracije n~B , koji smo izveli u (3.300). Prema tome, amplituda vremenski ovisne
(izmjenične) struje elektrona u bazi je
æ dn~ ( x ) ~ ö æ dn~ ( x ) ~ η ö
jn ( x ) = q ⋅ ç DnB ⋅ B + n B ( x ) ⋅ µnB ⋅ ÷ = q ⋅ DnB ⋅ ç B − nB ( x ) ⋅ ÷. (3.302)
è dx ø è dx wB ø
Zbog ugrađenog polja u bazi, struja elektrona uz emitersku barijeru ima difuzijsku i driftnu
komponentu
é dn~ (0) ~ η ù
jne = jn 0 = q ⋅ DnB ⋅ ê B − n B (0) ⋅ ú=
ë dx w Bû
é 2 ù 2 é 2 ù
η æ ηö æ ηö æ ηö
⋅ sinh ê ç ÷ + j ⋅ Ω ú + ç ÷ + j ⋅ Ω ⋅ cosh ê ç ÷ + j ⋅ Ω ú
2 ê è 2ø ú è 2ø ê è 2ø ú
ë û ë û
= −q ⋅ Dn ⋅ n~B 0 ⋅ . (3.303)
é 2 ù
æ η ö
wB ⋅ sinh ê ç ÷ + j ⋅ Ω ú
ê è 2ø ú
ë û
dok struja kolektora ima samo difuzijsku komponentu, jer je koncentracija elektrona u bazi uz rub
barijere baza-kolektor n~B ( wB ) = 0 ,
2
æ ηö
q ⋅ DnB ⋅ n~0 ⋅ ç ÷ + j ⋅ Ω
dn~B ( w) è 2ø æ ηö
jnc = jnw = q ⋅ DnB ⋅ =− ⋅ expç ÷ . (3.304)
dx æ 2 ö è 2ø
æ ηö
wB ⋅ sinhç ç ÷ + j ⋅ Ω ÷
ç è 2ø ÷
è ø
Zadatak 3.49
Omjer amplituda vremenski ovisnih dijelova struje kolektora i struje emitera daje
(dinamički) faktor strujnog pojačanja spoja zajedničke baze u ovisnosti o frekvenciji
2
æ ηö æ ηö
ç ÷ + j ⋅ Ω ⋅ expç ÷
jnw è 2ø è 2ø
α = = =
jn 0 é 2 ù 2 é 2 ù
η æ ηö æ ηö æ ηö
⋅ sinh ê ç ÷ + j ⋅ Ω ú + ç ÷ + j ⋅ Ω ⋅ cosh ê ç ÷ + j ⋅ Ω ú
2 ê è 2ø ú è 2ø ê è 2ø ú
ë û ë û
æ ηö
expç ÷
è 2ø
= . (3.305)
é 2 ù é 2 ù
η æ ηö æ ηö
⋅ sinh ê ç ÷ + j ⋅ Ω ú + cosh ê ç ÷ + j ⋅ Ω ú
2 ê è 2ø ú ê è 2ø ú
æ ηö ë û ë û
2 ⋅ ç ÷ + j⋅Ω
è 2ø
Na slici 3.118 prikazana je ovisnost faktora strujnog pojačanja (točnije transportnog faktora)
prema formuli (3.305) o normiranoj frekvenciji Ω za nekoliko različitih vrijednosti normiranog
ugrađenog električnog polja η. Krivulja za η = 0 pripada tranzistoru s homogenom bazom. Sa
slike je očito kako ugrađeno polje utječe na gornju graničnu frekvenciju. Za veće pozitivne
η=
|α | =. |β * |
2 2
–3 –2 –1 0 1 2 3 5
0,1
0,01
0,1 1 10 100
Ω / rad
Slika 3.118. Frekvencijska ovisnost transportnog faktora za različite vrijednosti
ugrađenog električnog polja u bazi.
vrijednosti parametra η, pad pojačanja počinje na višim frekvencijama. Naprotiv, ako polje
djeluje u suprotnom smjeru i usporava prolazak nosilaca kroz bazu, pad pojačanja nastupa na
nižim frekvencijama. Pažljiviji čitatelj će odmah zaključiti da će planarni tranzistor dobiven
difuzijskim postupcima u inverznom aktivnom području imati nižu graničnu frekvenciju nego u
normalnom aktivnom području rada.
Gornju graničnu frekvenciju odredit ćemo primjenom uvjeta (3.270) na funkciju (3.305). Uz
pretpostavku da je faktor strujnog pojačanja na niskim frekvencijama α0 = 1, frekvencija će biti
jednaka gornjoj graničnoj frekvenciji onda kada bude
Zadatak 3.49
æ ηö
expç ÷
è 2ø 1
α (Ωα ) = = ,
é 2 ù é 2 ù 2
η æ ηö æ ηö
⋅ sinh ê ç ÷ + j ⋅ Ωα ú + cosh ê ç ÷ + j ⋅ Ωα ú
æ ηö ë û ë û
2 ⋅ ç ÷ + j ⋅ Ωα
è 2ø
odnosno kada nađemo rješenje jednadžbe
2
é 2 ù é 2 ù
η æ ηö æ ηö
⋅ sinh ê ç ÷ + j ⋅ Ωα ú + cosh ê ç ÷ + j ⋅ Ωα ú = 2 ⋅ exp(η ) . (3.306)
æ ηö ë û ë û
2 ⋅ ç ÷ + j ⋅ Ωα
è 2ø
Naletjeli smo na sličan problem kao i u prethodnom zadatku, izraz (3.277). Opet ćemo prvo
riješiti kvadratni korijen
2
æ ηö
ç ÷ + j ⋅ Ωα = a + jb , (3.307)
è 2ø
te dobivamo da je
2
η æ ηö
+ ç ÷ + Ωα2
2 è 2ø
a= , (3.308a)
2
Ωα
b= , (3.308b)
é 2 ù
η æ ηö
2 ⋅ ê + ç ÷ + Ωα2 ú
ê2 è 2ø ú
ë û
Daljnji postupak slijedi onaj u prethodnom zadatku; izraz na lijevoj strani jednadžbe (3.306)
izražavamo sada kao
é 2 ù é 2 ù
η æ ηö æ ηö
Z= ⋅ sinh ê ç ÷ + j ⋅ Ωα ú + cosh ê ç ÷ + j ⋅ Ωα ú =
æ ηö ë û ë û
2 ⋅ ç ÷ + j ⋅ Ωα
è 2ø
η 1 η a − jb
= ⋅ ⋅ sinh( a + jb) + cosh( a + jb) = ⋅ 2 ⋅ sinh( a + jb) + cosh(a + jb)
2 a + jb 2 a + b2
Označimo li sa
η
A= ,
2 ⋅ (a + b2 )
2
dalje slijedi
Zadatak 3.49
Z = A ⋅ (a − j ⋅ b) ⋅ [ sinh( a ) ⋅ cosh( j ⋅ b) + cosh(a ) ⋅ sinh( j ⋅ b)] +

+ cosh( a ) ⋅ cosh( j ⋅ b) + sinh(a ) ⋅ sinh( j ⋅ b) =
= cosh(a ) ⋅ cosh(b) + A ⋅ a ⋅ sinh( a ) ⋅ cosh(b) + A ⋅ b ⋅ cosh( a ) ⋅ sinh(b) +
+ j ⋅ [sinh(a ) ⋅ sinh(b) + A ⋅ a ⋅ cosh(a ) ⋅ sinh(b) − A ⋅ b ⋅ sinh( a ) ⋅ cosh(b) ] .
Kvadrat modula od Z jednak je
2
Z = 2 ⋅ A ⋅ a ⋅ sinh(a ) ⋅ cosh(a ) + 2 ⋅ A ⋅ b ⋅ sin(b) ⋅ cos(b) +
[
+ (1 + A ⋅ a 2 + A ⋅ b 2 ) ⋅ cosh 2 (a ) ⋅ cos2 (b) + sinh 2 (a ) ⋅ sin 2 (b) .]
Primjenom relacija
cosh 2 (a ) = 1 + sinh 2 (a ) ,
cos2 (b) = 1 − sin 2 (b) ,
2 ⋅ cosh(a ) ⋅ sinh(a ) = sinh(2 ⋅ a ) ,
2 ⋅ sin(b) ⋅ cos(b) = sin( 2 ⋅ b) ,
slijedi
Z
2
[ ]
= (1 + A ⋅ a 2 + A ⋅ b 2 ) ⋅ 1 + sinh 2 ( a ) − sin 2 (b) + A ⋅ a ⋅ sinh(2 ⋅ a ) + A ⋅ b ⋅ sin(2 ⋅ b) .
Da bismo odredili gornju graničnu frekvenciju, trebamo riješiti jednadžbu

[ ]
(1 + A ⋅ a 2 + A ⋅ b 2 ) ⋅ 1 + sinh 2 ( a ) − sin 2 (b) + A ⋅ a ⋅ sinh(2 ⋅ a ) + A ⋅ b ⋅ sin(2 ⋅ b) = 2 ⋅ exp(η)
(3.309a)
Kako je
Ωα
b= ,
2⋅a
izraz (3.309a) u biti je
Ωα æΩ ö
A⋅ ⋅ sinç α ÷ − 2 ⋅ exp(η)
A⋅a æΩ ö 2⋅a è 2⋅aø
sinh 2 ( a ) + ⋅ sinh( 2 ⋅ a ) = sin 2 ç α ÷ − 1 − . (3.309b)
η è 2 ⋅aø η
1+ 1+
2 2
Označimo u izrazu (3.309b) desnu stranu sa
Ωα æΩ ö
A⋅ ⋅ sinç α ÷ − 2 ⋅ exp(η)
æΩ ö 2⋅a è 2⋅aø
F = sin 2 ç α ÷ − 1 − , (3.310a)
è 2⋅aø η
1+
2
te uvedimo supstituciju
A⋅a
. A* = (3.310b)
η
1+
2
Ako funkcije hiperbolnog sinusa u jednadžbi (3.309) izrazimo preko eksponencijalnih funkcija,
(3.309b) postaje
Zadatak 3.49
[ exp(a) − exp(−a)] 2 + A* ⋅ exp(2 ⋅ a ) − exp(−2 ⋅ a ) = F . (3.311a)

4 2
Ovo je kvadratna jednadžba za exp(2⋅a),
(2 A* + 1) ⋅ exp(4 ⋅ a ) − (2 + 4 ⋅ F ) ⋅ exp(2 ⋅ a ) − (2 A* − 1) = 0 , (3.311b)
čije je rješenje
é 2 * * ù
1 ê (2 + 4 ⋅ F ) + (2 + 4 ⋅ F ) + 4 ⋅ (2 ⋅ A + 1) ⋅ ( 2 ⋅ A − 1) ú
a= ⋅ ln . (3.312)
2 ê *
2 ⋅ (2 ⋅ A + 1) ú
ë û
I ovu jednadžbu ćemo, kao i u prethodnom zadatku, riješiti iteracijskim postupkom, jer članovi F
i A* na desnoj strani ovise o parametru a koji tražimo. Za zadanu vrijednost normiranog
ugrađenog električnog polja η pretpostavit ćemo početnu vrijednost Ωα0 i izračunati pomoću
izraza (3.310a) i (3.310b) veličine F i A* . Pomoću (3.312) izračunamo parametar a, te koristeći
izraz (3.308a), iz kojega izlučimo frekvenciju Ωα ,
é æ ηö2ù
Ω α = 2 ⋅ a 2 ⋅ ê1 − ç ÷ ú ,
êë è 2 ø úû
izračunamo novu vrijednost Ωα1. Postupak ponavljamo sve dok se rezultati u dvije uzastopne
iteracije razlikuju za više od neke unaprijed zadane vrijednosti.
U tablici 3.20 prikazani su rezultati takvog proračuna za nekoliko različitih vrijednosti
normiranog polja u bazi. Iz njih zapažamo ono što smo već uočili na slici 3.118, a to je da s
porastom ugrađenog polja koje ubrzava manjinske nosioce od emitera prema kolektoru, raste
gornja granična frekvencija. Kako nosioci brže stižu u kolektor, to se i promjena u koncentraciji
Tablica 3.20. Gornja granična frekvencija tranzistora s nehomogenom bazom za

različite iznose ugrađenog električnog polja.
η 0 1 2 3 4 5 6 8 10
Ωα 2,43 3,53 4,88 6,50 8,34 10,4 12,7 17,7 23,3

Ωα* 2,43 3,40 4,86 6,60 8,56 10,7 13,0 17,9 23,2
izazvana na spoju baza-emiter brže ispoljava na spoju baza-kolektor. Ukoliko bi polje bilo
suprotnog smjera, tj. usporavalo nosioce na njihovom putu kroz bazu, gornja granična frekvencija
bila bi niža, što se vidi na slici 3.118. U tablici su dani i rezultati za gornju graničnu frekvenciju
dobiveni aproksimirajućom formulom [Lindmayer65]
é 4ù
ê æ ηö 3 ú
Ωα* = 2,43 ⋅ ê1 + ç ÷ ú . (3.313)
è 2ø
êë úû
Na slici 3.119 grafički su prikazani rezultati iz tablice. Trokutićima su označene vrijednosti

dobivene izrazom (3.313). Kao što vidimo, aproksimirajuća formula vrlo dobro se slaže s
rezultatima točnog proračuna.
Zadatak 3.49
20
Ωα
rad
10
0
0 5 10
η
Slika 3.119. Ovisnost granične frekvencije strujnog
pojačanja o ugrađenom električnom polju u bazi.
3.5.2. Visokofrekvencijski hibridni-π nadomjesni sklop

Za analizu elektroničkih sklopova na visokim frekvencijama najčešće se koristi
hibridni-π nadomjesni sklop. Radi se o istom nadomjesnom sklopu koji smo analizirali u
poglavlju 3.4.3 za niske frekvencije, samo su svi parametri općenito kompleksne
admitancije, ovisne o frekvenciji signala. U najjednostavnijem slučaju samo se paralelno
niskofrekvencijskim otporima rb′e i rb′c dodaju frekvencijski neovisni kapaciteti Cb′e ,
odnosno Cb′c (slika 3.120)
rb´b Cbć
B´
B C
+ gbć
ubé gbé Cbé gm . u bé

_
E
Slika 3.120. Hibridni-π nadomjesni sklop za visoke
frekvencije.
Zadatak 3.49
Zadatak 3.50
Dinamički model tranzistora za spoj zajedničkog emitera prikazan je na slici 3.121.
Temperatura je sobna, UT = 25 mV, vrijeme života manjinskih nosilaca u bazi je 1 µs.
Odrediti:
a) struje emitera, baze i kolektora u statičkoj radnoj točki, te strujna pojačanja na
srednjim frekvencijama;
b) gornje granične frekvencije pojačanja spojeva zajedničke baze i zajedničkog emiter,
te frekvenciju širine pojasa, ako je kapacitet spoja baza-emiter aproksimiran
frekvencijski neovisnim, niskofrekvencijskim difuzijskim kapacitetom.
c) Usporediti frekvencije izračunate pod b) sa frekvencijama koje bi izračunali
jednostavnom upotrebom zadanog modela.
100 Ω B´
B C
+
ubé 1 k Ω 0,5 nF 90 mA/V . ubé
_
E
Slika 3.121. Nadomjesni sklop tranzistora u zadatku 3.50.
Rješenje:
a)
Na temelju zadanog modela zaključujemo da se radi o hibridnom-π modelu, kod kojega su
izlazni dinamički otpor i omska vrijednost kapaciteta kolektor-baza vrlo veliki, tako da je
pretpostavljeno
1
rb ′c →∝ , rce →∝ , →∝ ,
ω ⋅ Ccb
pa ovi parametri nisu niti ucrtani u shemu.
Ulazni dinamički otpor na niskim frekvencijama hie podijeljen je na serijski otpor i na
dinamički otpor spoja baza-emiter
hie = rbb ′ + rb ′e = 1,1 kΩ
Serijski otpor baze je
rbb ′ = 100 Ω ,
a dinamički otpor spoja baza-emiter je
rb ′e = 1 kΩ
Ovaj otpor ovisan je o statičkoj ulaznoj struji, tj. struji baze IB
UT
rb ′e = ,
IB
te je struja baze u statičkoj radnoj točki IB = 25 µA.
Zadatak 3.50
Strujni izvor spojen između kolektora i emiter ovisi o izmjeničnom naponu na pn-spoju
preko strmine gm , koja ovisi o struji kolektora u statičkoj radnoj točki
IC
gm = = 90 mA / V ,
UT
te je struja kolektora jednaka IC = 2,25 mA. Struja emitera po iznosu je jednaka zbroju struje baze
i struje kolektora i iznosi IE = 2,275 mA.
Faktori strujnih pojačanja na srednjim frekvencijama iznose
I
α 0 = C = 0,989
IE
i
IC
β0 = = 90 .
IB
b)
Na samom spoju baza-emiter, paralelno dinamičkom otporu spoja spojen je kapacitet kojega
aproksimiramo difuzijskim kapacitetom ovog spoja,
2 dQB 2 Q
Cb ′e = Cdb ′e = ⋅ = ⋅ B .
3 du B ′E 3 U T
Utjecaj kapaciteta spoja kolektor-baza na ovaj kapacitet zanemarujemo.
Ukupni naboj manjinskih nosilaca u bazi ovisan je o umnošku struje koju emiter injektira u
bazu i vremena proleta manjinskih nosilaca kroz bazu
QB = γ ⋅ I E ⋅ ttr .
Uz pomoć izraza za dinamički otpor i difuzijski kapacitet spoja baza-emiter dobit ćemo vrijeme
proleta
3 r ⋅C
t tr = ⋅ γ ⋅ b ′e b ′e .
2 (1 + β0 )
Na temelju izraza za difuzijski kapacitet i možemo dobiti ukupni naboj manjinskih nosilaca u
bazi, koji podijeljen sa vremenom života daje rekombinacijsku struju baze
QB 3 Cdb ′e
IR = = ⋅ ⋅ U T = 18,75 µA
τB 2 τB
Struja koju baza injektira u emiter, a koja je sastavni dio struje emitera i struje baze, iznosi
I B − I R = (1 − γ ) ⋅ I E = 6,25 µA ,
te je faktor injekcije emiter jednak γ = 0,997. Vrijeme proleta je ttr = 8,22 ns.
Gornja granična frekvencija spoja zajedničke baze određena je vremenom proleta manjinskih
nosilaca kroz bazu
1,22
ωα = = 148 ⋅ 106 rad / s ,
t tr
a spoja zajedničkog emitera
ωα
ωβ = = 1,63 ⋅ 106 rad / s .
1 + β0
Zadatak 3.50
Frekvencija širine pojasa jednaka je

ω T = α 0 ⋅ ωα = β0 ⋅ ω β = 147 ⋅ 106 rad / s .
c)
Na temelju nadomjesnog sklopa vrijedi
ic = gm ⋅ ub ′e ,
pa je napon na samom spoju baza-emiter jednak
ub ′e = ib ′ ⋅ rb ′e .
Ukupna struja baze dijeli se na struju kroz dinamički otpor i na struju kroz difuzijski kapacitet.
Kako je napon na spoju jednak
1
rb ′e ⋅
j ⋅ ω ⋅ Cb ′e
ub ′e = ib ′ ⋅ rb ′e = ib ⋅
1
rb ′e +
j ⋅ ω ⋅ Cb ′e
dobije se
1
rb ′e ⋅
i j ⋅ ω ⋅ Cb ′e gm ⋅ rb ′e β0
β (ω ) = c = gm ⋅ = = .
ib 1 1 + j ⋅ ω ⋅ rb ′e ⋅ Cb ′e 1 + j ⋅ ω ⋅ rb ′e ⋅ Cb ′e
rb ′e +
j ⋅ ω ⋅ Cb ′e
Na temelju ovog izraza mogli bi, prema definiciji za gornju graničnu frekvenciju
β0
β (ω β ) = ,
2
reći da je gornja granična frekvencija jednaka
1
ω β′ = = 2 ⋅ 106 rad / s .
rb ′e ⋅ Cb ′e
Ovaj rezultat razlikuje se od rezultata izračunatog pod b) radi aproksimacije ulazne admitancije
frekvencijski neovisnim dinamičkim otporom i difuzijskim kapacitetom. Njihov umnožak je u
našem slučaju
2
rb ′e ⋅ Cb ′e = ⋅ γ ⋅ (1 + β0 ) ⋅ t tr .
3
Gornja granična frekvencija spoja zajedničke baze bila bi, prema tome
ω β′ 3 1,50
ωα′ = = = .
1 + β0 2 ⋅ γ ⋅ t tr ttr
Kao što možemo vidjeti, gornja granična frekvencija izračunata prema nadomjesnom sklopu bila
bi za 23% viša od gornje granične frekvencije izračunate pod b). Ova ista pogreška javlja se i kod
gornje granične frekvencije spoja zajedničkog emitera i kod frekvencije širine pojasa, ako bi je
računali kao
g g
ω T′ = m = m = 180 ⋅ 106 rad / s .
Cb ′e Cdb ′e
Iako ovakva aproksimacija frekvencijski neovisnim, niskofrekvencijskim parametrima, unosi

stanovitu pogrešku, ona se radi svoje jednostavnosti ipak redovito koristi.
Zadatak 3.50
3.6. Tranzistor kao sklopka

Električnim sklopkama uključujemo i isključujemo potrošač iz strujnog kruga. Kada
je sklopka uključena, u strujnom krugu struja teče, a pad napona na samoj sklopki je
zanemarivo mali. Uz isključenu sklopku strujni krug se prekida, struja ne teče, a sklopka
preuzima na sebe sav priključeni napon.
U elektroničkim (posebice digitalnim) sklopovima se za uključivanje i isključivanje
struje kroz potrošač često koristi tranzistor. Naravno da se pritom uključivanje, odnosno
isključivanje ne vrši mehanički, već strujnim impulsima. Da bi pad napona na
tranzistorskoj sklopki kada ona vodi bio što manji, očito je da tranzistor mora biti u
području zasićenja. Također, da bi struja kroz tranzistorsku sklopku kada je ona
isključena bila najmanja, tranzistor mora biti u području zapiranja. Prema tome će
strujni impulsi koji upravljaju tranzistorom, prebacivati tranzistor iz područja zapiranja
(nevođenja) u područje zasićenja (vođenja), i obrnuto.
Radi što manjeg opterećenja izvora impulsa potrošnja energije u ulaznom dijelu
sklopa mora biti što manja. Stoga se kao najpogodnija konfiguracija nameće spoj
zajedničkog emitera. Spoj zajedničkog emitera treba ulaznu baznu struju nekoliko
redova veličine (za faktor β) manju od izlazne kolektorske struje. Kada bi se koristio
tranzistor u spoju zajedničke baze, ulazna emiterska struja trebala bi biti jednaka
izlaznoj kolektorskoj struji, što znači da pobudni impuls mora biti jednake amplitude
kao i izlazni. U spoju zajedničkog kolektora ulazni
(uBC) i izlazni napon (uEC) su međusobno praktički
UCC jednaki, što opet znači da je potrebna ulazna
pobuda velike amplitude.
RC iC
Na slici 3.122 prikazan je osnovni sklop u
iB +
kojem se bipolarni tranzistor u spoju zajedničkog
RB
emitera koristi kao sklopka, a teret je prikazan kao
uCE
+ otpornik RC spojen na kolektor tranzistora. Ulazni
+ – napon uG upravlja strujom baze iB i prebacuje
uG uBE tranzistor iz stanja nevođenja u stanje vođenja i
obrnuto.
–
Na slici 3.123 prikazani su valni oblici
pobudnog napona uG , te tranzistorskih struja iB i
Slika 3.122. Jednostavni sklop u
kojem tranzistor radi kao strujna iC . Kao što sa slike vidimo, bazna i kolektorska
sklopka. struja ne prate promjenu pobudnog napona, već
nastaje kašnjenje u njihovu odzivu. Do tog
kašnjenja u odnosu na napon pobude dolazi zbog
konačnog vremena potrebnog za promjenu naboja i uspostavljanje novog stacionarnog
stanja. U jednom stacionarnom stanju tranzistor ne vodi - on je u području zapiranja.
Nakon toga prelazi u drugo stacionarno stanje kada vodi i radna točka tranzistora ulazi u
područje zasićenja. Ponovnim isključenjem radna točka tranzistora se vraća u područje
zapiranja. Raspodjela naboja u bazi tranzistora u ova dva stacionarna stanja prikazana je
3.6. Tranzistor kao sklopka 207
uG nB
UG1 područje zasićenja,
t t2 < t < t3
0 područje zapiranja,
t0 t3
UG2 t < t0 , t > t 6
E QB C
iB n0B
IBmax
0 wB x
IB1
t Slika 3.124. Raspodjele manjinskih nosilaca
0
u stacionarnim stanjima - području zasiće-
IB2 nja, odnosno u zapornom području.
iC na slici 3.124. Očito je da prijelaz iz jednog

stacionarnog stanja u drugo iziskuje ukrcavanje
IC1
određene količine naboja u bazu (sjenčana ploha
t na slici), odnosno njezino izvlačenje iz baze, za
0 što je potrebno neko određeno vrijeme.
t0 t 1 t 2 t3 t4 t6
Slika 3.123. Valni oblici napona i
Struje i naponi u stacionarnom stanju mogu
struja u tranzistorskoj sklopci. se izračunati korištenjem Ebers-Mollovih
relacija. Međutim, one nisu dostatne za
objašnjenje prijelaznih pojava - kašnjenja odziva
i postepenog prijelaza iz jednog stacionarnog stanja u drugo. Kako su za ovakav prijelaz
iz jednog stanja u drugo krivi akumulirani naboji, treba struje (preko kojih kašnjenje
uočavamo) izraziti u ovisnosti o ukupnom akumuliranom naboju u tranzistoru.
Sa sličnim problemom susreli smo se kod razmatranja prijelaznih pojava u diodi
(poglavlje 2.6. Prijelazne pojave u pn-diodi), gdje su se čitatelji već upoznali sa
nabojskom analizom pn-spoja. Ovu metodu treba sada primijeniti na složeniju strukturu
- bipolarni tranzistor.
3.6.1. Nabojski model bipolarnog tranzistora

Pri izvođenju izraza nabojskog modela promatra se ukupni naboj manjinskih
nosilaca u bazi tranzistora QB , te se sve struje izražavaju u ovisnosti o tom naboju.
Struja pojedine elektrode jednaka je omjeru naboja manjinskih nosilaca u bazi i
odgovarajuće vremenske konstante emitera tE , baze tB , odnosno kolektora tC . Za
istosmjerne uvjete rada ti izrazi glase:
QB
IB = , (3.314a)
tB
QB
IE = , (3.314b)
tE
QB
IC = . (3.314c)
tC
Na isti način kao i kod izvođenja Ebers-Mollovog modela, ukupni nakrcani naboj u
bazi može se prikazati kao zbroj naboja nakrcanog u normalnom aktivnom području
rada QBN , i u inverznom aktivnom području rada QBI† (slika 3.125).
nB nB
QBN QBI
QB
0 wB x 0 wB x
Slika 3.125. Superpozicija naboja u bazi tranzistora za područje zasićenja
raspodjelama u normalnom aktivnom i inverznom aktivnom području.
Budući da struje ovise o tom naboju, to će i promjena struje ovisiti o promjeni

naboja. Prateći promjenu naboja u bazi, do koje dolazi pri promjenama napona na
barijerama, moći ćemo objasniti promjenu struja prikazanu na slici 3.123. Do promjene
nakrcanog naboja manjinskih nosilaca u bazi dolazi zbog:
- injekcije elektrona iz emitera u bazu,
- rekombinacije u bazi, te
- odlaska elektrona iz baze preko spoja kolektor-baza‡.
Ova promjena opisana je jednadžbom
dQ Q
− BN = −inE + inC + BN , (3.315)
dt τ nB
gdje je τnB vrijeme života manjinskih nosilaca u bazi.
U stacionarnom stanju nema promjene naboja (dQBN /dt = 0), pa je
QBN
I nE − I nC = I R = (3.316)
τ nB
Iz definicija za faktor efikasnosti i transportni faktor
I nE I
γ = , β* = 1 − R ,
I nE + I pE I nE
† Indeks N označava veličine u normalnom aktivnom području rada, a indeks I u inverznom

aktivnom području.
‡ Razmatranja radimo za npn tranzistor, mada će se izvedeni izrazi moći koristiti i za pnp
tranzistor, uz odgovarajuće promjene predznaka struja.
možemo izraziti ukupnu baznu struju preko njene rekombinacijske komponente

1− α N
I B = I R + I pE = I R ⋅ .
γ N ⋅ (1 − β N* )
Kako je rekombinacijska struja
QBN
IR = ,
τ nB
dobivamo da je u (3.314a)
γ N ⋅ (1 − β N* )
t BN = τ nB ⋅ (3.317a)
1− αN
Na osnovi odnosa bazne i emiterske struje,
IB Q
I E = −(1 + β N ) ⋅ I B = − = − BN ,
1−α N t EN
slijedi da je u izrazu (3.314b)
t EN = τ nB ⋅ γ N ⋅ (1 − β N* ) , (3.317b)
dok iz odnosa kolektorske i bazne struje,
αN Q
IC = β N ⋅ I B = ⋅ I B = BN ,
1− α N t CN
dobivamo da je u (3.314c)
1 − β N*
tCN = τ nB ⋅ . (3.317c)
β N*
Pri promjeni napona na propusno polariziranom spoju emiter-baza, promijenit će se
injekcija nosilaca preko tog pn-spoja, a time i količina naboja manjinskih nosilaca u
bazi. Ako je promjena napona nagla, kolektorska
struja neće odmah reagirati na promjenu napona na
emiterskom spoju, jer je potrebno konačno vrijeme nB
da se poremećaj proširi do kolektorskog spoja (vidi InE raste
sliku 3.126). Struja kolektora ostaje nepromijenjena nB0
sve dok je gradijent koncentracije nosilaca uz
kolektorsku barijeru konstantan, a porast naboja
InC = konst.
injektiranog preko emiterskog spoja odražava se u ∆QBN
porastu emiterske i bazne struje.
x
Ako u izrazu (3.315) promatramo samo priraste 0 wB
struja, tada shodno gornjem razmatranju otpada član
inC (∆inC = 0). Također ćemo zanemariti prirast Slika 3.126. Promjenu napona na
emiterskom spoju ne prati
naboja ∆QBN u izrazu za rekombinacijsku struju, istovremena promjena kolektor-
tako da iz (3.315) slijedi da je ske struje.
dQBN
− = − ∆inE .
dt
Stoga za prirast emiterske struje možemo pisati da je
∆i nE 1 dQ BN
∆i E = − =− ⋅ = − ∆i B .
γN γN dt
Vremenska ovisnost ukupnih struja baze, emitera i kolektora bit će, prema tome:
Q BN 1 dQ BN
i B ( t ) = I B + ∆i B = + ⋅ , (3.318a)
t BN γ N dt
Q BN 1 dQ BN
i E ( t ) = I E + ∆i E = − − ⋅ , (3.318b)
t EN γ N dt
QBN
iC (t ) = I C = (3.318c)
tCN
Ukoliko se jednaka razmatranja provedu za inverzno aktivno područje, kada
kolektor i emiter zamjenjuju uloge, dobivaju se struje
QBI 1 dQBI
i B (t ) = + ⋅ , (3.319a)
t BI γ I dt
QBI
iE (t ) = , (3.319b)
t EI
Q BI 1 dQ BI
i C (t ) = − − ⋅ . (3.319c)
t CI γ I dt
Vremenske konstante tBI , tEI i tCI određene su izrazima
γ I ⋅ (1 − β I* )
t BI = τ nB ⋅ , (3.320a)
1− αI
1 − β I*
t EI = τ nB ⋅ , (3.320b)
β I*
tCI = τ nB ⋅ γ I ⋅ (1 − β I* ) , (3.320c)
koji su ekvivalentni izrazima (3.317a, b, c) za normalno aktivno područje.
Ukupne struje priključnica u području zasićenja dobivaju se zbrajanjem izraza
(3.318) za struje u normalnom aktivnom području i izraza (3.319) za inverzno aktivno
područje rada:
Q 1 dQBN QBI 1 dQBI
iB (t ) = BN + ⋅ + + ⋅ , (3.321a)
t BN γ N dt t BI γ I dt
Q BN 1 dQ BN Q BI
i E (t ) = − − ⋅ + , (3.321b)
t EN γ N dt t EI
QBN QBI 1 dQ
iC (t ) = − − ⋅ BI . (3.321c)
tCN tCI γ I dt
Osim naboja u području baze, treba uzeti u obzir i prostorni naboj u emiterskoj i
kolektorskoj barijeri, koji se pri promjenama napona mijenjaju zbog promjena širina
nB
QBN QBI
QBE QBC
emiter kolektor
0 wB x
Slika 3.127. Svi naboji koje uzimamo u razmatranje pri analizi
prijelaznih pojava.
barijera. Na slici 3.127 ti naboji su osjenčani i označeni s QBE , odnosno QBC . Ako se i
ovi naboji uključe u izraze za struje tranzistora, dobiva se
Q BN Q BI 1 dQ BN 1 dQ BI dQ BE dQ BC
i B (t ) = + + ⋅ + ⋅ + + , (3.322a)
t BN t BI γ N dt γI dt dt dt
Q BN Q BI 1 dQ BN dQ BE
i E (t ) = − + − ⋅ − , (3.322b)
t EN t EI γ N dt dt
Q BN Q BI 1 dQ BI dQ BC
i C (t ) = − − ⋅ − . (3.322c)
t CN t CI γ I dt dt
Uočimo da su promjene naboja manjinskih nosilaca u emiteru i kolektoru također
uzete u obzir u gornjim izrazima preko faktora injekcije γΝ u normalnom, odnosno γΙ u
inverznom aktivnom području. Ovo je naročito važno zbog naboja manjinskih nosilaca u
kolektoru. Kod planarnih tranzistora je kolektor redovito slabije dopiran od baze, pa je
koncentracija manjinskih nosilaca u kolektoru veća od koncentracije manjinskih nosilaca
u bazi. Naprotiv, emiter je obično puno jače dopiran od baze, te je naboj manjinskih
nosilaca u emiteru zanemariv.
Zadatak 3.51
Metodom nabojske analize za sklop na slici 3.128 izračunati struje tranzistora u
stacionarnim stanjima, te vremena kašnjenja, porasta, zadržavanja i pada. Napon izvora
uG mijenja se skokovito između napona UG 1 = +5 V i UG 2 = –5V. Za tranzistor
pretpostaviti da ima koncentracije primjesa u emiteru i bazi NDE = 1018 cm–3, odnosno
NAB = 5⋅1016 cm–3. Površina tranzistora S = 0,5 mm2, vrijeme života manjinskih nosilaca
u bazi τnB = 1 µs. Faktor efikasnosti emitera i transportni faktor kroz bazu u normalnom
aktivnom području iznose γN = 0,99, βN* = 0,99, dok su efikasnost kolektora i transportni
faktor kroz bazu u inverznom aktivnom području γI = 0,6 i βI* = 0,8. Temperatura je
300 K.
+12 V
uG
2 kΩ
UG1
20 kΩ
0 t0 t3
+
t
uG
UG2
Slika 3.128. Sklop u zadatku 3.51 i valni oblik napona generatora impulsa.
Rješenje:
Do trenutka t0 napon uG je negativan (uG = UG 2 = –5 V) i tranzistor je u području zapiranja.
Spoj emiter-baza reverzno je polariziran naponom UG 2 , a spoj kolektor-baza naponom UCC –
UG 2 . Naboj manjinskih nosilaca u bazi je zanemariv, jer je zbog reverzne polarizacije obiju
barijera, koncentracija nosilaca u bazi manja od ravnotežne. Unutar barijera nalazi se prostorni
naboj ioniziranih primjesa određenog iznosa. Bazna i kolektorska struja su praktički jednake nuli.
U trenutku t0 izvor uG mijenja polaritet i njegov napon postaje jednak naponu UG 1 = +5 V.
Takav napon će propusno polarizirati pn-spoj baza-emiter, tako da će u stacionarnom stanju teći
bazna struja
U − U BE 1 U G1 − 0,7 V
I B1 = G1 = . (3.323)
RB RB
Prijelaz iz jednog stacionarnog stanja u drugo nije trenutačan. Da bi u tranzistor potekla
struja IB 1 i da na spoju emiter-baza propusni napon dosegne vrijednost UBE 1 =
0,7 V, treba u bazu
nakrcati odgovarajuću količinu naboja manjinskih nosilaca, a unutar barijera poništiti određenu
količinu prostornog naboja, za što je potrebno neko konačno vrijeme. Iako u trenutku t0 dolazi do
trenutačne promjene polariteta napona uG , promjene napona na spoju emiter-baza nema. Stoga je
bazna struja u trenutku t0 , nakon promjene napona uG (vidi sliku 3.123),
Zadatak 3.51
U G1 − U G 2
I B max = . (3.324)
RB
Uvrstimo li zadane vrijednosti u (3.323) i (3.324) (UG 1 = +5 V, UG 2 = –5 V, RB = 20 kΩ), dobit
ćemo da je za zadani sklop IB 1 = 215 µA, odnosno IBmax = 500 µA.
U periodu od t0 do t1 (vidi sliku 3.123) bazna struja dovodi naboj u bazu, što omogućava da
se spoj emiter-baza počne propusno polarizirati. Zbog pobudnog napona uG , do porasta naboja
dolazi prvo uz emitersku barijeru, dok raspodjela nosilaca uz kolektorsku barijeru do trenutka t1
ostaje nepromijenjena. Tek kad se prirast naboja proširi do kolektorske barijere, tako da se počne
mijenjati raspodjela elektrona uz nju, poteći će kolektorska struja. Na slici 3.129 prikazane su
raspodjele manjinskih elektrona u bazi u početnom trenutku t0 i u trenutku t1 kada emiterski spoj
nB t = t0 nB t = t1
QB =0 QB
n0B n0B
0 wB x 0 wB x
Slika 3.129. Promjena naboja manjinskih nosilaca u bazi prilikom
uključivanja tranzistorske sklopke.
ulazi u propusnu polarizaciju. Vremenska razlika između trenutka kada dođe do promjene pobude
t0 , i trenutka t1 kada struja kolektora počinje reagirati na tu promjenu, naziva se vremenom
kašnjenja (engl. delay time) i označava se sa td .
Kako se baza “puni” nabojem tako raste i struja kolektora, da bi nakon nekog vremena
dosegla novu stacionarnu vrijednost IC 1 . Na slici 3.130a prikazana je promjena naboja između
trenutka t1 kada počinje teći struja kolektora i trenutka kada tranzistor dolazi na granicu
normalnog aktivnog i područja zasićenja (trenutak t2). Naboj u tom trenutku označen je na slici sa
QB 0 . Nakon toga radna točka tranzistora ulazi u područje zasićenja (slika 3.130b). Kolektorska
nB t1 < t < t 2 nB t2 < t < t 3
QB > QB0
QB = QB0
t t
QB0
n0B x n0B x
0 wB 0 wB
a) b)
Slika 3.130. Raspodjele nosilaca u bazi pri uključivanju tranzistorske sklopke: a) faza rasta
kolektorske struje, b) ulazak tranzistora u područje zasićenja.
Zadatak 3.51
struja praktički više ne raste, jer gradijent koncentracije manjinskih nosilaca uz kolektorsku
barijeru ostaje nepromijenjen, iako naboj manjinskih nosilaca i dalje raste. Naboji u barijerama su
puno manji od naboja nakrcanog u bazi, pa nisu nacrtani na slici.
Iako je očito da će sa porastom nakrcanog naboja u bazi rasti propusna polarizacija spoja
baza-emiter, promjena ovog napona je vrlo mala i on je blizu vrijednosti od 0,7 V. Stoga se bazna
struja, prema izrazu (3.323), može smatrati konstantnom.
U području zasićenja kolektorska struja je
U − U CEzas
I C1 = CC , (3.325)
RC
pri čemu je napon između kolektora i emitera u području zasićenja tipično UCEzas = 0,2 V†.
Uvrstimo li zadane vrijednosti u (3.325) (UCC = 12 V, RC = 2 kΩ), dobit ćemo da je
IC 1 = 5,90 mA. Da bi tranzistor bio u području zasićenja struja baze IB 1 mora biti veća od struje
IBmin koja tranzistor dovodi na granicu zasićenja i normalnog aktivnog područja
I
I Bmin = C1 . (3.326)
βN
Faktor strujnog pojačanja spoja zajedničkog emitera za normalno aktivno područje βN možemo
izračunati iz zadanih faktora efikasnosti i transportnog faktora
α N = γ N ⋅ β N* = 0,98 ,
αN
βN = = 49,3 ,
1− α N
pa je minimalna bazna struja neophodna da tranzistor dovede u područje zasićenja
IB 1min = 120 µA. Budući da je bazna struja IB 1 veća od ove struje (IB 1 = 215 µA, što smo izračunali
na str. 213), radna točka tranzistora će zaista ući u područje zasićenja.
Na slici 3.131 prikazane su izlazne karakteristike tranzistora u koje je ucrtan radni pravac po
kojem se radna točka pomiče pri prelasku iz područja zapiranja u zasićenje. Položaj i nagib
radnog pravca određeni su naponom napajanja sklopa i otporom potrošača. Sa slike možemo
uočiti da ulaskom radne točke u područje zasićenja
kolektorska struja i dalje raste. Međutim, kako su
iC granica n.a.p.-zasićenje
izlazne karakteristike u području zasićenja zgusnute,
UCEzas porast kolektorske struje je zanemariv. Na slici je
IB1
UCC označena i karakteristika za IBmin , najmanju struju
RC q baze neophodnu da bi tranzistor ušao u područje
zasićenja. Valja uočiti da slika, zbog preglednosti, nije
IC1 IBmin
crtana u mjerilu, te su napon UCEzas i prirast
kolektorske struje u području zasićenja
neproporcionalno veći.
0 UCC u CE U trenutku t3 ponovno dolazi do promjene
Slika 3.131. Prikaz ulaska radne
polariteta izvora uG i tranzistor se vraća u područje
točke u područje zasićenja na izlaz- zapiranja. Promjenu napona uG u trenutku t3 ne može
nim karakteristikama. slijediti odgovarajuća promjena naboja (iskrcavanje
naboja manjinskih nosilaca iz baze i dovođenje naboja
† Iznos napona UCEzas u velikoj mjeri ovisi o serijskom otporu kolektora (vidi poglavlje
3.3.3. Utjecaj serijskih otpora).
Zadatak 3.51
u područja barijera), pa prijelaz iz vođenja u nevođenje zahtijeva neko konačno vrijeme. Struja
baze prati trenutačnu promjenu napona, ali ne i polarizacija spoja emiter-baza. On ostaje
propusno polariziran naponom UBE 2 = 0,7 V, tako da je do trenutka t4 struja baze
U G 2 − U BE 1 U G 2 − 0,7 V
I B2 = = . (3.327)
RB RB
Raspodjela nosilaca u bazi vraća se sada od one prikazane na slici 3.130b na početnu
raspodjelu prikazanu slikom 3.130a. Prvo se tranzistor iz područja zasićenja vraća na granicu
zasićenja i normalnog aktivnog područja, kada naboj manjinskih nosilaca postaje QB = QB 0 . Iako
se naboj smanjuje, raspodjele elektrona su međusobno paralelni pravci (slika 3.132a), pa je
gradijent koncentracije uz kolektorsku barijeru konstantan - kolektorska struja ostaje gotovo
nepromijenjena. Tranzistor se ponaša kao izvor koji nakrcani naboj nosilaca u bazi, preko
nB t3 < t < t 4 nB t4 < t < t 5
QB > QB0
QB = QB0
t
t
QB0
n0B x n0B x
0 wB 0 wB
a) b)
Slika 3.132. Raspodjele nosilaca u bazi pri isključivanju tranzistorske sklopke: a) prelazak
tranzistora iz zasićenja u normalno aktivno područje rada (faza zadržavanja), b) faza pada
kolektorske struje.
kolektorske barijere otpušta u vanjski krug. Vrijeme dok kolektorska struja ostaje nepromijenjena
nakon što je došlo do promjene pobudnog napona uG na UG 2 naziva se vrijeme zadržavanja (engl.
storage time, oznaka ts).
Tek nakon što je radna točka tranzistora ušla u normalno aktivno područje, počinje padati
gradijent koncentracije nosilaca uz kolektorsku barijeru (slika 3.132b) i tek tada kolektorska struja
počinje padati prema novoj stacionarnoj vrijednosti. Radna točka prolazi kroz normalno aktivno
područje prema području zapiranja u kojem će sve struje biti približno jednake nuli.
Na slici 3.133 prikazani su valni oblici svih napona i struja pri uključivanju i isključivanju
tranzistorske sklopke. Uz izračunate struje u stacionarnim uvjetima za bilo koje područje rada
tranzistora, napone na barijerama možemo odrediti pomoću Ebers-Mollovih jednadžbi. Međutim,
za analizu prijelaznih pojava pri prebacivanju sklopke iz jednog stanja u drugo treba uključiti
promjenu naboja, što znači da treba primijeniti metodu nabojske analize. Pritom moramo uzeti u
obzir ne samo ekscesni naboj manjinskih nosilaca u kvazi-neutralnim područjima, već i prostorni
naboj ioniziranih primjesa unutar barijera.
Zadatak 3.51
uBE
uG
UG1
0,7 V t
0
UG2
iB
IBmax
IB1
IB2
B C D C
QB A E
C
F
B D
QB0
A E
F t
iC
ICmax
0,9 0,9
0,1 0,1 t
td tr ts tf
uCE
UCC
uCEzas t
t0 t1 t2 t3 t4 t5
Slika 3.133. Valni oblici napona i struja tijekom uključivanja i isključivanja

tranzistorske sklopke (prema [Valkó91]).
Zadatak 3.51
Vrijeme kašnjenja
Vremenski pomak od trenutka promjene napona izvora do trenutka kada počne teći struja
kolektora uzrokovan je konačnim vremenom potrebnim da barijera emiter-baza postane propusno
polarizirana. Prirast naboja manjinskih nosilaca u bazi je pri tome zanemariv, već se gotovo sav
naboj, koji se baznom strujom dovodi u bazu, troši na kompenzaciju naboja ioniziranih primjesa
unutar barijera. Naime, pri promjeni polarizacija pn-spojeva od nepropusne prema propusnoj,
dolazi do značajnog smanjenja širina barijera, zbog čega nastaje “višak” primjesa koje više nisu
obuhvaćene barijerama i koje vežu na sebe naboj slobodnih nosilaca. Prema izrazu (3.322a)
slijedi da je
t1
ò iB (t ) ⋅ dt = dQBE + dQBC . (3.328)

t0
Do trenutka t0 , kada započinje prebacivanje tranzistorske sklopke iz nevođenja u stanje

vođenja, i emiterska i kolektorska barijera polarizirane su nepropusno:
u BE (t 0 ) = U G 2 , (3.329a)
uBC (t0 ) = uBE (t 0 ) − uCE (t0 ) = U G 2 − U CC . (3.329b)
U trenutku t1 spoj emiter-baza je propusno polariziran, dok je spoj kolektor-baza još uvijek
nepropusno polariziran:
u BE (t1 ) ≥ 0 , (3.330a)
uBC ( t1 ) = uBE (t1 ) − uCE (t1 ) = uBE (t1 ) − U CC . (3.330b)
Ako bi bila poznata promjena struje baze iB(t), mogli bismo za zadane promjene napona na
barijerama izračunati promjenu naboja, te preko (3.328) odrediti vrijeme kašnjenja td = t1 – t0 .
Kao što čitatelj naslućuje, funkcija promjene bazne struje, koja se mijenja od vrijednosti IBmax na
IB 1 nije poznata, a obično nisu poznati niti tehnološki detalji potrebni za određivanje naboja u
barijerama.
Problem možemo promatrati i sa drugog stanovišta! Budući da nepropusno polarizirani pn-
spoj emiter-baza ima svoj barijerni kapacitet, ulazni dio sklopa možemo zamisliti kao serijski spoj
izvora uG , otpora RB i kapaciteta CBE . Za vrijeme kašnjenja taj se kapacitet nabija tako da se
njegov napon mijenja od početne vrijednosti UG 1 na novi napon UG 2 . Vremenska promjena
napona na kapacitetu u intervalu prolaska kroz zaporno područje opisana je funkcijom
æ t ö
u BE (t ) = U G 2 − (U G 2 − U G1 ) ⋅ expç − ÷, (3.331)
è RB ⋅ CBE ø
te je vrijeme kašnjenja dobiveno iz (3.331), uz primjenu uvjeta (3.329) i (3.330),
é U − uBE (t0 ) ù é U G 2 − U G1 ù
td = t1 − t0 = RB ⋅ CBE ⋅ ln ê G 2 ú = RB ⋅ CBE ⋅ ln ê ú. (3.332)
U
ë G2 − u ( t
BE 1 û) ë U G 2 − uBE ( t1 ) û
Pri tome je CBE neka srednja vrijednost kapaciteta spoja emiter-baza u promatranom
vremenskom intervalu. Naime, zbog promjene napona na emiterskom spoju, barijerni kapacitet
CBE nije konstantan! Osnovni problem predstavlja naravno procjena srednjeg barijernog
kapaciteta spoja emiter-baza†, koji ima najmanju vrijednost pri najvećoj reverznoj polarizaciji
† U katalozima proizvođača mogu se obično naći podaci o barijernom kapacitetu izmjerenom uz

neki određeni reverzni napon.
Zadatak 3.51
(trenutak t0), a najveću pri najvećoj propusnoj polarizaciji (trenutak t1). Naglasimo da se obično
za silicijske tranzistore uzima da je propusni napon na spoju emiter-baza u trenutku t1 oko 0,4 V.
Za tranzistor koji razmatramo, uz pretpostavku skokovitog pn-spoja sa zadanim
koncentracijama NDE = 1018 cm–3 i NAB = 5⋅1016 cm–3, te zanemarujući degeneracijske pojave,
kontaktni potencijal emiterskog spoja na 300 K je UKE = 0,858 V. Barijerni kapacitet spoja
emiter-baza mijenjao bi se po tome od CBE(t1) = 130 pF do CBE(t1) = 480 pF, što daje vrijeme
kašnjenja između 2 µs i 7 µs.
Na slici 3.123 možemo primijetiti da struja kolektora ima u ovom razdoblju malu negativnu
vrijednost, tj. teče iz tranzistora u vanjski dio sklopa - suprotno nego u normalnom aktivnom
području. To je lako shvatljivo pogledamo li sliku 3.134, na kojoj su sjenčanim plohama
emiter (n) baza (p) kolektor (n)
IE IC
IB
Slika 3.134. Struje koje teku pri smanjenju širina emiterske i kolektorske barijere.
označena područja barijera sa pozitivnim nabojima ioniziranih donora, odnosno negativnim

nabojima ioniziranih akceptora. Porastom napona propusne polarizacije širine barijera se
smanjuju, te dio naboja ioniziranih primjesa ostaje izvan barijera (svjetlije sjenčana područja uz
rubove barijera). Taj naboj će privući sebi slobodne nosioce, uzrokujući pri tome struje kroz
vanjske priključnice, kako je označeno na slici. Kolektorska struja će poteći iz tranzistora,
međutim za većinu realnih slučajeva ta je struja gotovo nezamjetljiva.
Vrijeme porasta
U trenutku t1 tranzistor ulazi u normalno aktivno područje, te počinje nakrcavanje naboja u
bazu. Ovaj porast naboja slijedi i struja kolektora koja također počinje rasti sa vrijednosti
iC(t1) = 0 na iC(t2) = IC 1 . Promjena naboja u bazi sa vremenom računa se uz pomoć izraza (3.322),
uz zanemarenje prostornog naboja u barijerama, te uz naboj QBI = 0:
Q 1 dQBN
i B (t ) = BN + ⋅ , (3.333a)
t BN γN dt
QBN 1 dQBN
i E (t ) = − − ⋅ , (3.333b)
t EN γN dt
QBN
iC (t ) = . (3.333c)
tCN
Kako je struja baze konstantnog iznosa IB 1 , iz (3.333a) se dobiva linearna diferencijalna
jednadžba
Zadatak 3.51
dQBN γ N
+ ⋅ QBN − γ N ⋅ I B1 = 0 . (3.334)
dt t BN
Rješenje ove jednadžbe, uz početni uvjet QBN(t1) = 0, je
é æ t − t1 öù
QBN (t ) = I B1 ⋅ t BN ⋅ ê1 − expç − ⋅γ N ÷ ú , (3.335)
êë è t BN ø úû
što, uvrštavanjem u (3.333c), daje vremensku raspodjelu kolektorske struje
QBN (t ) t é æ t − t1 öù
iC (t ) = = I B1 ⋅ BN ⋅ ê1 − expç − ⋅γ N ÷ ú =
tCN tCN êë è t BN ø úû
é æ t − t1 öù
= I B1 ⋅ β N ⋅ ê1 − expç − ⋅γ N ÷ ú . (3.336)
êë è t BN ø úû
Vrijeme porasta tr (engl. rise time) definira se kao vrijeme u kojem će se struja kolektora
promijeniti sa 10% na 90% vrijednosti struje IC 1 . Iz (3.336) dobiva se na osnovi ove definicije
æ 0,1⋅ I C1 ö
ç 1− ÷
t BN βN ⋅ I B1 ÷ t BN æ n − 0,1 ö
tr = ⋅ lnç = ⋅ lnç ÷. (3.337)
γN ç 0,9 ⋅ I C1 ÷ γ N è n − 0,9 ø
ç 1− βN ⋅ I B1 ø÷
è
Sa n smo označili omjer struje baze IB 1 i minimalne bazne struje potrebne za dovođenje
tranzistora na rub područja zasićenja IBmin ,
I I
n = B1 = B1 .
I Bmin I C1
βN
Uvrstimo li zadano vrijeme života (τnΒ = 1 µs) u izraz (3.317a), dobit ćemo
γ N ⋅ (1 − β N* )
t BN = τ nB ⋅ = τ nB ⋅ 0,497 = 0,497 µs .
1− α N
U razmatranom sklopu omjer između struje baze IB 1 i minimalno potrebne struje IB 1min iznosi
n = 1,8, tako da je vrijeme porasta
tr = 0,32 ⋅ τ nB = 0,32 µs .
Područje zasićenja
Kada se u bazu tranzistora nakrca dovoljna količina naboja da i spoj baza-kolektor postane
propusno polariziran tranzistor ulazi u područje zasićenja. Struje kolektora i baze ostaju praktički
konstantnih iznosa IB 1 , odnosno IC 1. Tranzistor ostaje u području zasićenja sve dok vanjskom
pobudom u trenutku t3 ne započne proces vraćanja tranzistora u područje zapiranja. U području
zasićenja koriste se izrazi (3.321), te uz zanemarenje prostornog naboja u barijerama, imamo
Q (t ) QBI (t ) 1 dQBN 1 dQBI
iB (t ) = I B1 = BN + + ⋅ + ⋅ , (3.338a)
t BN t BI γN dt γ I dt
QBN (t ) QBI (t ) 1 dQBI
iC (t ) = I C1 = − − ⋅ . (3.338b)
tCN tCI γ I dt
Zadatak 3.51
Jasno je da će se količina nakrcanog naboja u bazi sa vremenom povećavati i što je tranzistor

dulje u području zasićenja nakrcanog naboja će biti više.
Do sada smo naboj nakrcan u bazi tranzistora QB promatrali kao zbroj naboja QBN u
normalnom aktivnom i QBI inverznom aktivnom području rada. Međutim, možemo ga prikazati i
kao zbroj naboja na granici normalnog aktivnog i područja zasićenja QB 0 , te dodatno nakrcanog
naboja QBS u području zasićenja (vidi sliku 3.135a),
QB (t ) = QBN (t ) + QBI (t ) = QB 0 + QBS (t ) . (3.339)
Pri tome je naboj QB 0 konstantnog iznosa, neovisan o vremenu.
nB nB
QBNS QBI
QBS
QB0
n0B x n0B x
0 wB 0 wB
a) b)
Slika 3.135. Rastav nakrcanog naboja u području zasićenja.
Naboj QBS rastavit ćemo dalje na dva člana: jedan odgovara dodatnom naboju u normalnom
aktivnom području, a drugi naboju u inverznom aktivnom području (slika 3.135b),
QBS (t ) = QBNS (t ) + QBI (t ) , (3.340)
tako da se bazna i kolektorska struja mogu izraziti i kao
Q Q (t ) 1 dQBNS 1 dQBI
iB (t ) = I B1 = B 0 + BS + + ⋅ , (3.341a)
t BN t BS γ N dt γ I dt
QB 0 QBNS (t ) QBI (t ) 1 dQBI
iC (t ) = I C1 = + − − ⋅ . (3.341b)
tCN tCN tCI γ I dt
Na granici između normalnog aktivnog područja i područja zasićenja vrijedi da je
Q
I B1min = B 0 , (3.342a)
t BN
QB 0
I C1 = . (3.342b)
tCN
Uz uvrštavanje izraza (3.342b) u izraz (3.341b) za struju kolektora, koja ostaje približno
konstantnog iznosa za cijelo vrijeme dok je tranzistor u zasićenju, dobiva se
QBNS (t ) QBI (t ) 1 dQBI
= + ⋅ . (3.343)
tCN tCI γ I dt
Uz pretpostavku da je odnos između naboja QBNS i QBI u statičkim i dinamičkim uvjetima
jednak, te zanemarujući vremensku promjenu naboja QBI , dobiva se veza između ovih naboja
Zadatak 3.51
QBNS ( t ) QBI (t )
= . (3.344)
tCN tCI
Ako sada, u izrazu za baznu struju (3.338a) naboj u bazi izrazimo preko (3.339) i (3.344)
dobit ćemo
Q Q (t ) dQ
i B (t ) = I B1 = B 0 + BS + a ⋅ BS =
t BN t BS dt
QB 0 QBNS (t ) QBI (t ) 1 dQBNS 1 dQBI
= + + + ⋅ + ⋅ . (3.345)
t BN t BN t BI γN dt γ I dt
U izrazima (3.341a) i (3.345) je sa tBS označena vremenska konstanta baze u području zasićenja,
dok je preko konstante a uzet u obzir utjecaj promjene naboja u emiteru i kolektoru na promjenu
struje baze (kao što je to napravljeno preko recipročnih vrijednosti faktora efikasnosti emitera i
kolektora za naboje QBN i QBI). Iz izraza (3.345) vidimo da je
QBS ( t ) QBNS (t ) QBI (t )
= + ,
t BS t BN t BI
iz čega slijedi
tCN
1+
tCI
t BS = . (3.346)
tCN 1
+
tCI ⋅ t BN t BI
Također, budući da je u (3.345)
dQ 1 dQBNS 1 dQBI
a ⋅ BS = ⋅ + ⋅ ,
dt γN dt γ I dt
dobiva se
1 tCI 1
⋅ +
γ N t CN γ I
a= . (3.347)
t
1 + CI
tCN
Kako je
t BN t
= β N , BI = 1 + βI ,
t CN t CI
statička vremenska konstanta za područje zasićenja tBS jednaka je:
t BI ⋅ β N + t BN ⋅ (1 + β I ) t BN ⋅ (1 − α N ) + t BI ⋅ α N ⋅ (1 − α I )
t BS = = . (3.348)
1+ βN + βI 1− α N ⋅α I
Uz poznate i konstantne veličine tBS i a, jednadžba za struju baze (3.345) je linearna

diferencijalna jednadžba
dQBS Q I −I
+ BS − B1 B1min = 0 ,
dt a ⋅ t BS a
čije je rješenje promjena naboja,
é æ t − t2 ö ù
QBS (t ) = t BS ⋅ ( I B1 − I B1min ) ⋅ ê1 − expç − ÷ú . (3.349)
êë è a ⋅ t BS ø úû
Zadatak 3.51
Ovim izrazom opisana je promjena naboja QBS za vrijeme dok u bazu teče struja IB 1 , a tranzistor
je u području zasićenja. Uz dovoljno dugo trajanje pozitivnog impulsa uG = UG 1 , eksponencijalni
član u (3.349) postat će zanemariv u odnosu na 1. U tom slučaju će u trenutku t3 , kada počne
prebacivanje tranzistorske sklopke u nevođenje, naboj QBS biti
QBS (t3 ) = t BS ⋅ ( I B1 − I B1min ) , (3.350)
a ukupni naboj u bazi bit će
QB (t3 ) = QB 0 + QBS (t3 ) = I B1min ⋅ t BN + ( I B1 − I B1min ) ⋅ t BS . (3.351)
Pomoću formule (3.348) možemo za zadani sklop izračunati

t BS = 0,241 ⋅ τ nB = 0,241 µs ,
pri čemu su, prema izrazima (3.317a, c), odnosno (3.320a, c), vremenske konstante
t BN = τ nB ⋅ 0,497 = 0,497 µs ,
tCN = τ nB ⋅ 10,1 ⋅ 10−3 = 10,1 ns ,

t BI = τ nB ⋅ 0,231 = 0,231 µs ,
tCI = τ nB ⋅ 0,120 = 0,120 µs ,
dok αN i αI možemo izračunati množenjem odgovarajućih faktora efikasnosti i transportnih
faktora, zadanih u tekstu zadatka.
U području zasićenja, sve dok ne nastupi promjena pobudnog napona u trenutku t3 , naboji u
bazi tranzistora bit će:
QB 0 = I B1min ⋅ t BN = 59,5 pC ,
QBS (t3 ) = ( I B1 − I B1min ) ⋅ t BS = 22,9 pC ,
QB (t3 ) = QB 0 + QBS (t3 ) = 82,5 pC .
Iznos ovog naboja je važan, jer će o njemu ovisiti ponašanje tranzistora u sljedećim fazama, tj.
prilikom isključivanja tranzistorske sklopke.
Vrijeme zadržavanja
U trenutku t3 izvor uG mijenja svoj polaritet (slika 3.128), struja baze mijenja svoj smjer i
postaje jednaka struju IB 2 . Međutim, struja kolektora ostaje još neko vrijeme konstantnog iznosa
IC 1 , da bi tek u trenutku t4 počela opadati (vidi sliku 3.133). Ovaj vremenski interval (od t3 do t4)
u kojemu struja kolektora ostaje konstantna je vrijeme zadržavanja ts (engl. storage time).
Tijekom isključivanja tranzistora iz baze tranzistora treba ukloniti sav ekscesni naboj, a to se,
jasno, ne može dogoditi trenutačno. U momentu t3 kada započne proces isključivanja, tranzistor je
u području zasićenja i u bazi je nakrcan naboj određen izrazom (3.350). Promjena bazne struje
opisana je jednadžbom
Q (t ) dQ Q Q (t ) dQ
iB (t ) = I B 2 = B + a ⋅ BS = B 0 + BS + a ⋅ BS . (3.352)
t BS dt t BS t BS dt
Ovaj izraz vrijedi tako dugo dok je tranzistor u području zasićenja, odnosno dok iz baze ne bude
izbačen naboj QBS i naboj u bazi postane u trenutku t4 jednak naboju QB 0 . Diferencijalna
jednadžba koja slijedi iz (3.352), uz uvrštavanje (3.342a),
dQBS Q I I ⋅t
+ BS = B 2 − B1min BN , (3.352a)
dt a ⋅ t BS a a ⋅ t BS
Zadatak 3.51
za rješenje, uz početni uvjet QB(t3) određen s (3.350), daje vremensku promjenu naboja
æ t ö æ t − t3 ö
QBS (t ) = ç I B 2 − I B1min ⋅ BN ÷ ⋅ t BS + [ − I B 2 ⋅ t BS + I B1min ⋅ t BN + ( I B1 − I B1min ) ⋅ t BS ] ⋅ expç − ÷,
è t BS ø è a ⋅ t BS ø
(3.353)
dok je promjena ukupnog naboja u bazi tranzistora
æ t − t3 ö
QB (t ) = QB0 + QBS (t ) = I B 2 ⋅ t BS + [ − I B 2 ⋅ t BS + I B1min ⋅ t BN + ( I B1 − I B1min ) ⋅ t BS ] ⋅ expç − ÷.
è a ⋅ t BS ø
(3.354)
U trenutku t4 tranzistor izlazi iz područja zasićenja i ulazi u normalno aktivno područje. Taj
se trenutak može se odrediti iz jednadžbe (3.353), preko uvjeta da je QBS(t4) = 0, ili iz jednadžbe
(3.354) i uvjeta da je QB(t4) = QB 0 . U oba slučaja dobili bismo da je vrijeme zadržavanja
é ( I B1 − I B1min ) ⋅ t BS ù
t s = t4 − t4 = a ⋅ t BS ⋅ ln ê1 + ú. (3.355)
ë − I B 2 ⋅ t BS + I B1min ⋅ t BN û
Označimo li sa
I B1 − I B2
n= , m= ,
I B1min I B1min
tada (3.355) možemo pisati
æ ö
ç ÷
n −1
t s = t4 − t3 = a ⋅ t BS ⋅ lnç 1 + ÷. (3.355a)
ç t BN ÷
ç m+ ÷
è t BS ø
Za promatrani sklop dobiva se n = 1,8 i m = 2,4, te je vrijeme zadržavanja ts = 42 ns.
Vrijeme pada
Nakon što je tranzistor došao na granicu područja zasićenja i normalnog aktivnog područje,
daljnje smanjenje naboja u području baze uzrokovati će pad struje kolektora (vidi slike 3.132 i
3.133). Struja baze ostati će i dalje približno konstantnog iznosa IB 2 tako dugo dok naboj u bazi
može održavati propusnu polarizaciju pn-spoja emiter-baza. Jednadžbe koje treba promatrati u
ovom području su iste one koje smo imali kod razmatranja vremena porasta, s tim da je u igri
druga konstantna struja baze:
Q 1 dQBN
i B (t ) = I B 2 = BN + ⋅ , (3.356a)
t BN γ N dt
QBN
iC (t ) = . (3.356b)
tCN
Jednadžba (3.356a) kojom je opisana struja baze je diferencijalna jednadžba, čije rješenje je
promjena naboja QBN(t), uz početni uvjet QBN(t4) = QB 0 ,
æ t − t4 ö
QB (t ) = I B 2 ⋅ t BN + ( I B1min − I B 2 ) ⋅ t BN ⋅ expç − ⋅γ N ÷ , (3.357)
è t BN ø
pa uvrštavanjem u (3.356b) dobivamo da je struja kolektora
Zadatak 3.51
QB (t ) t t æ t − t4 ö
iC (t ) = = I B 2 ⋅ BN + ( I B1min − I B 2 ) ⋅ BN ⋅ expç − ⋅γ N ÷ . (3.358)
tCN tCN tCN è t BN ø
Kako je
t BN
= βN ,
tCN
dobiva se
æ t − t4 ö
iC (t ) = I B 2 ⋅ β N + ( I B1 min − I B 2 ) ⋅ β N ⋅ expç − ⋅γ N ÷ . (3.358a)
è t BN ø
Vrijeme pada tf (engl. fall time) definirano je kao vrijeme koje je potrebno da struja kolektora
sa 90% vrijednosti struje IC 1 padne na 10% te vrijednosti. Na temelju izraza (3.358a) slijedi da je
t BN é(I − I B2 ) ⋅ βN ù
⋅ ln ê B1min
t − t4 = ú,
γN ë iC (t ) − I B 2 ⋅ β N û
iz čega se dobiva da je vrijeme pada
t BN é i (t ) − I B 2 ⋅ β N ù t BN é 0,9 ⋅ I C1 − I B 2 ⋅ β N ù
t f = t 6 − t5 = ⋅ ln ê C 5 ú= ⋅ ln ê ú=
γN ë iC ( t 6 ) − I B 2 ⋅ β N û γN ë 0,1 ⋅ I C1 − I B 2 ⋅ β N û
t BN æ 0,9 ⋅ I B1min − I B 2 ö
= ⋅ lnç ÷. (3.359)
γN è 0,1 ⋅ I B1min − I B 2 ø
Označimo li omjer struja IB 2 i IB 1min sa m,
− I B2
m= ,
I B1min
(3.359) se može preglednije napisati kao
t BN æ 0.9 + m ö
t f = t 6 − t5 = ⋅ lnç ÷. (3.359a)
γN è 0,1 + m ø
Kako je u našem primjeru m = 2,4, tBN = 0,497 µs i γN = 0,99, dobit ćemo da je vrijeme pada
tranzistora u razmatranom sklopu tf = 0,14 µs.
Često se u katalozima proizvođača tranzistora mogu pronaći podaci za vrijeme uključivanja,
i vrijeme isključivanja. Vrijeme uključivanja ton definira se kao zbroj vremena kašnjenja i
vremena porasta,
t on = t d + t r , (3.360)
dok je vrijeme isključivanja toff jednako zbroju vremena zadržavanja i vremena pada,
t off = t s + t f . (3.361)
Zbrajanjem izračunatih vremenskih intervala, dobit ćemo da je u našem zadatku vrijeme
uključivanja tranzistora između 2,32 µs i 7,32 µs (podsjetimo se da zbog naponske ovisnosti
barijernog kapaciteta CBE vrijeme kašnjenja nismo jednoznačno odredili), dok je vrijeme
isključivanja toff = 0,183 µs.
Osvrnimo se konačno na dobivene izraze za vremena kašnjenja (3.332), porasta (3.337),
zadržavanja (3.355), odnosno pada (3.359). Odmah možemo uočiti da, općenito gledano, ta
vremena ovise o karakteristikama tranzistora, ali i o elementima sklopa u koji je tranzistor
Zadatak 3.51
uključen. Pojednostavljeno gledano, za vrijeme uključivanja tranzistorske sklopke, vanjski krug

“puni” tranzistor nabojem. Što se to nabijanje odvija brže (tj. što je pobudni napon UG 1 veći, a
serijski otpor RB manji), brže će se tranzistor uključiti. Pri isključivanju tranzistora treba taj
nagomilani naboj ukloniti, pa je za brži odziv tranzistora poželjno i da napon UG 2 bude što većeg
iznosa.
Osim dovođenjem iz i odvođenjem u vanjski krug, naboj manjinskih nosilaca se mijenja i
uslijed generacijsko-rekombinacijskih procesa. U izrazima za vrijeme porasta, vrijeme
zadržavanja i vrijeme pada, kao važan parametar pojavljuje se vrijeme života manjinskih nosilaca
u bazi (ovisnost o vremenu života uključena je preko vremenskih konstanti tBN , tBI, tCN itd.). Što
je vrijeme života kraće, nosioci će se brže generirati, odnosno rekombinirati, omogućavajući
raspodjeli manjinskih nosilaca da brže reagira na promjenu vanjske pobude. Budući da je za što
brži rad digitalnih sklopova, u kojima se tranzistori koriste kao strujne sklopke, neophodan brz
odziv tranzistora, kao nužno rješenje† nameće se skraćivanje vremena života nosilaca. Da bi se
skratilo vrijeme života manjinskih nosilaca, tranzistori namijenjeni za digitalne sklopove obično
se tijekom postupka izrade dopiraju primjesama koje unose energetska stanja blizu sredine
zabranjenog pojasa poluvodiča, pospješujući time generaciju, odnosno rekombinaciju nosilaca
(vidi poglavlje 1.6. Rekombinacijski procesi). Najčešća takva primjesa je zlato.
Uočimo također da vrijeme zadržavanja izravno ovisi o količini nakrcanog naboja u bazi
tranzistora dok je on uključen; da bi vrijeme zadržavanja bilo kraće i taj naboj mora biti manji. U
krajnjem slučaju, ako radna točka tranzistora ne bi ulazila u područje zasićenja, ne bi bilo ni
zadržavanja kolektorske struje, jer bi se promjena naboja u bazi odmah odrazila na promjeni
gradijenta koncentracije uz kolektorsku barijeru (na slici 3.133 početna raspodjela pri
isključivanju bi bila raspodjela E, ili niža!). Prema tome, za brzi rad tranzistorske sklopke treba
spriječiti da tranzistor ulazi u područje zasićenja, ili barem da radna točka ne ulazi preduboko u
zasićenje - struja IB 1 trebala bi biti tek neznatno veća od struje IB 1min . Ulaskom duboko u područje
zasićenja, kolektorska struja neznatno raste, a napon kolektor-emiter neznatno pada u odnosu na
vrijednosti koje imaju na granici između normalnog aktivnog područja i područja zasićenja.
Naprotiv, nakrcani naboj značajno raste, što uzrokuje osjetan porast vremena zadržavanja.
† Najveći iznosi pobudnog napona, odnosno napona napajanja ograničeni su disipacijama

(zagrijavanjem) tranzistora.
Zadatak 3.51
Zadaci za samostalno rješavanje

3.52 PNP tranzistor radi u spoju zajedničkog emitera u normalnom aktivnom području.
Uz IB = 0 struja IC = –1 µA, a uz IB = –40 µA struja IC = –3 mA. Odredite:
a) faktor strujnog pojačanja za spoj zajedničke baze;
b) emitersku struju za obje bazne struje.
3.53 NPN tranzistor koji ima γ = 0,985 i α = 0,98 radi u normalnom aktivnom
području uz emitersku struju iznosa 5 mA. Vrijeme života manjinskih nosilaca u
bazi je 0,5 µs. Izračunajte:
a) sve komponente struja, ako je ICBO = 0,
b) iznos akumuliranog naboja manjinskih nosilaca u bazi, te
c) prosječno vrijeme proleta nosilaca kroz bazu.
3.54 NPN tranzistor radi u normalnom aktivnom području i ima uz IE = –15 mA faktor
injekcije 0,995. U bazi se rekombinira 0,04 % elektrona ubačenih iz emitera u
bazu. Vrijeme života manjinskih nosilaca u bazi je 0,8 µs. Koncentracija primjesa
u bazi je 5⋅1016 cm–3, T = 300 K, ICBO = 0. Izračunajte:
a) struje IB i IC ,
b) strujna pojačanja u spoju zajedničke baze i
nB
zajedničkog emitera,
c) širinu baze,
d) vrijeme proleta manjinskih nosilaca kroz
E C
bazu.
3.55 Raspodjela manjinskih nosilaca u bazi npn
tranzistora na T = 300 K prikazana je na slici n 0B xB
3.136. Struje emitera i kolektora iznose 10 mA, 0 wB
odnosno 9,98 mA. ICBO = 0. Koncentracija
Slika 3.136. Raspodjela
akceptora u bazi je NAB = 5⋅1016 cm–3, vrijeme elektrona u bazi tranzistora
života manjinskih nosilaca u bazi je 0,5 µs, u zadatku 3.55.
površina tranzistora je 0,1 mm2. Za zadanu radnu
točku odredite sve komponente struja i napon na pB / cm–3
spoju emiter-baza, ako je rekombinacijska struja
5 .10
13
baze 15 µA.
3.56 Raspodjela manjinskih nosilaca u bazi silicijskog E C
tranzistora na 300 K prikazana je na slici 3.137. pB0
p0B
Struja emitera iznosi 5 mA, a struja kolektora xB
10 mA. Vrijeme života manjinskih nosilaca u
0 1 µm
bazi tranzistora je 0,25 µs, a površina tranzistora
je 0,5 mm2. Odredite sve komponente struja. Slika 3.137. Raspodjela ma-
njinskih šupljina u bazi
Zadaci za samostalno rješavanje 227
3.57 Silicijski pnp tranzistor radi u spoju zajedničkog emitera na granici normalnog
aktivnog području i područja zasićenja. U bazi ima nakrcan naboj manjinskih
nosilaca 2 pC, efektivna širina baze je 2 µm, a faktor injekcije emitera 0,988.
Površina tranzistora je 1 mm2, koncentracija primjesa u bazi 5 ⋅ 1015 cm–3, vrijeme
života šupljina u bazi 1 µs, a temperatura je 300 K. Odredite:
a) sve komponente struja;
b) predznak i iznos ulaznog, odnosno izlaznog napona.
c) Nacrtajte izlazne karakteristike i označite na njima zadanu radnu točku.
3.58 Odredite napon UCB u radnoj točki B za npn
tranzistor čija je izlazna karakteristika IC
prikazana slikom 3.138. Tranzistor ima 0,998 mA
A IE
α = 0,998 (transportni faktor u normalnom i
inverznom aktivnom području su jednaki).
Područja baze i kolektora su homogeno
dopirana s NAB = 1017 akceptora/cm3, odnosno B
NDC = 1015 donora/cm3. Efektivna širina baze 0 UCB
je 1 µm, dok je širina kolektora puno veća od
difuzijske duljine manjinskih šupljina. Slika 3.138. Izlazna karakteristika
Površina barijere kolektor-baza je 1 mm2, a tranzistora u zadatku 3.58.
vremena života manjinskih nosilaca u bazi i
kolektoru su: τnB = 1 µs, τpC = 5 µs.
T = 300 K. | IIZ |
A
3.59 Na slici 3.139 prikazana je izlazna 20 mA | IUL | = 100 µA
karakteristika tranzistora s homogenom
bazom u spoju zajedničkog emitera. Uz
zadane vrijednosti ICBO = 2 pA, 0 B
–5 V UIZ
IEBO = 1,5 pA, UT = 26 mV,
a) odredite tip tranzistora;
Slika 3.139. Izlazna karakteristika tran-
b) izračunajte izlazni napon u radnoj zistora u zadatku 3.59.
točki B.
3.60 Izlazna karakteristika nekog tranzistora
prikazana je na slici 3.140. Zadano je: | IC |
|ICBO| = 15 nA, UT = 25 mV, neto 2 mA | IUL | = 50 µA
koncentracija primjesa u bazi je 1016 cm–3.
a) Odredite tip tranzistora i spoj
(obrazložite!). 0 A
b) Izračunajte napone na oba spoja. 50 mV UIZ
c) Nacrtajte raspodjelu manjinskih
nosilaca u bazi za radnu točku A, te Slika 3.140. Izlazna karakteristika
izračunajte rubne vrijednosti.
3.61 Bipolarni tranzistor s homogenom bazom ima reverznu struju zasićenja spoja
kolektor-baza |ICBO| = 5 pA i radi u spoju zajedničke baze. Za neku radnu točku
može se nadomjestiti modelom na slici 3.141. Temperatura je sobna, UT = 25 mV.
a) Odredite sve parametre nadomjesnog sklopa na slici.
b) Odredite ulazne i izlazne struje i napone.
c) Nacrtajte izlazne karakteristike za zadani spoj i označite na njima zadanu
radnu točku.
C
|IC |
2,94 mA |I UL | = 3 mA
1 mA 2,94 mA
B
B
3 mA 0,2 mA A
–0,55 0 UIZ / V
E
Slika 3.141. Nadomjesni sklop Slika 3.142. Izlazna karakteristika
tranzistora u zadatku 3.61. tranzistora u zadatku 3.62.
3.62 Izlazna karakteristika bipolarnog tranzistora s homogenom bazom prikazana je na

slici 3.142. UT = 25 mV, faktor strujnog pojačanja u inverznom aktivnom
području αI = 0,6.
a) Odredite napone na barijerama u radnim točkama A i B. Nacrtajte raspodjelu
manjinskih nosilaca u bazi u tim radnim točkama, te izračunajte rubne
koncentracije nosilaca u bazi izražene preko ravnotežne koncentracije.
b) Izračunajte komponente emiterskih struja u obje radne točke, ako je faktor
injekcije u točki B γ = 0,99. Pretpostavite da se širina baze ne mijenja.
3.63 Izlazna karakteristika npn tranzistora prikazana
je na slici 3.143. UT = 25 mV, ICBO = 10 nA. Uz IIZ
pretpostavku da je β >> βI , izračunajte sve 2 mA IUL
parametre Ebers-Mollovog modela i nacrtajte
nadomjesni sklop.
3.64 Bipolarnom npn tranzistoru s homogenom 0
0,3 V UIZ
bazom faktori strujnih pojačanja u normalnom i –50 µA
u inverznom aktivnom području iznose β = 100
Slika 3.143. Izlazna karakteris-
i βI = 5. Kada tranzistor radi u normalnom tika u zadatku 3.63.
aktivnom području pri struji IB = 0, kolektorska
struja iznosi 20 pA. Odredite kolektorsku struju
i strujno pojačanje spoja zajedničkog emitera tog tranzistora pri struji IB = 50 µA i
naponu UCE = 0,1 V. Nacrtajte izlazne karakteristike spoja zajedničkog emitera i
označite na njima tu radnu točku. UT = 25 mV.
3.65 Izlazna karakteristika nekog tranzistora prikazana je na slici. Za radnu točku A

prikazana je i raspodjela manjinskih nosilaca u bazi. Vrijeme života manjinskih
nosilaca u bazi tranzistora je 1 µs, a površina tranzistora je 1 mm2. UT = 25 mV.
Odredite:
a) u kojem području rada se nalazi radna točka A;
b) o kakvom se tranzistoru radi (obrazložite!);
c) sve komponente struja, te napone na pn-spojevima za zadanu radnu točku.
IC E C
A
8 mA IB = 5 mA
4 –3
10 cm
0
–0,5 V UCE 0 1 µm x
B
Slika 3.144. Izlazne karakteristika i raspodjela manjinskih nosilaca u

radnoj točki A u zadatku 3.65.
3.66 Na slici 3.145 prikazana je izlazna IC / mA

karakteristika u inverznom aktivnom
A
području nekog tranzistora s homogenom –39 IB = 20 mA
bazom u spoju zajedničkog emitera.
Odredite tip tranzistora i napone UEB , UCB
i UCE na tranzistoru u radnoj točki B, ako UCE
je ICBO = 2 pA, IEBO = 1 pA, UT = 26 mV. B
0 –5 V
Na istom dijagramu skicirajte raspodjele
manjinskih nosilaca u bazi tranzistora u Slika 3.145. Izlazna karakteristika uz
zadatak 3.66.
radnim točkama A i B, vodeći računa o
međusobnim odnosima napona na pn-
spojevima (promjena širine baze može se zanemariti).
3.67 PNP tranzistor dobiven dvostrukim difuzijskim procesom ima u bazi i kolektoru
koncentracije primjesa 5 ⋅ 1016, odnosno 5 ⋅ 1015 atoma primjesa/cm3. Širina baze je
1 µm, širina kolektora je 500 µm. Pokretljivosti i vremena života manjinskih
nosilaca u bazi i kolektoru su 290 cm2/Vs i 0,5 µs, odnosno 1180 cm2/Vs i 1 µs.
Temperatura je 300 K, a reverzne struje zasićenja pojedinih pn-spojeva (ICBO ,
IEBO) su 5 ⋅ 10–12 A i 8,6 ⋅ 10–12 A (odredite koja vrijednost pripada kojoj struji!). U
nekoj radnoj točki emiterska i kolektorska struja iznose IE = –1 mA i IC = 4 mA.
a) Izračunajte faktore strujnih pojačanja αI i α.
b) Odredite napone na spojevima emiter-baza, odnosno baza-kolektor.
c) Skicirajte raspodjelu manjinskih nosilaca u bazi i označite vrijednosti rubnih
koncentracija.
3.68 PNP tranzistor ima Gummelov broj emitera GE = 1,6 ⋅ 1012 scm–4. U nekoj radnoj
točki u normalnom aktivnom području faktor injekcije γ = 0,99, a struja
InE = 20 µA Temperatura je 300 K, površina tranzistora je 1 mm2. Odredite
Gummelov broj baze i napon UEB za zadanu radnu točku.
3.69 Bipolarni tranzistor radi u spoju zajedničkog
n, p
emitera. Za dvije radne točke u normalnom
aktivnom području rada (A i B) na slici 3.146 cm–3
13
10
prikazane su raspodjele manjinskih nosilaca u
bazi. Površina tranzistora je 1 mm2, UT = 25 mV, 5 .1011 A
pokretljivost i vrijeme života manjinskih nosilaca B
u bazi iznose 1100 cm2/ Vs i 0,2 µs, omjer 4
10
Gummelovih brojeva emitera i baze je 100. x
Izračunajte za obje točke sve ulazne i izlazne 0 1 µm
struje i napone. Nacrtajte izlazne i ulazne
Slika 3.146. Raspodjele ma-
karakteristike za zadani spoj i na njima označite njinskih nosilaca u bazi
točke A i B. tranzistora u zadatku 3.69.
3.70 Tehnološki presjek bipolarnog
tranzistora dobivenog difuzijskim
0
postupcima prikazan je na slici. 1,8
Koncentracije primjesa u pojedinim 4
područjima su: akceptorske 1018 i
1015 cm–3, donorske 5 ⋅ 1016 cm–3.
Uz pretpostavku da su vremena
500
života manjinskih nosilaca u svim
područjima 1 µs, brzina površinske x / µm
rekombinacije 105 cm/s, T = 300 K, Slika 3.147. Tehnološki presjek tranzistora u
za UCB > 0 i UEB = 0: zadatku 3.70.
a) nacrtajte raspodjelu manjinskih
nosilaca u bazi;
b) izračunajte emitersku i kolektorsku struju uz IB = –25 µA, ako je efektivna
širina baze 2 µm.
3.71 PNP tranzistor dobiven dvostrukim difuzijskim procesom ima u pojedinim
područjima koncentracije primjesa aproksimirane homogenim iznosima od
8 ⋅ 1015 cm–3, 4 ⋅ 1017 cm–3, odnosno 6 ⋅ 1019 cm–3. Širina emitera je 0,6 µm, širina
baze 0,5 µm, a širina kolektora 500 µm. Brzina površinske rekombinacije na
priključnicama je 105 cm / s. Pokretljivosti i vremena života manjinskih nosilaca
su:
u emiteru: 94 cm2/ Vs, 0,2 µs;
u bazi: 200 cm2/ Vs, 0,5 µs;
u kolektoru: 1200 cm2/ Vs, 1 µs.
Temperatura je sobna, UT = 25 mV. Reverzna struja zasićenja pn-spoja emiter-
baza IEBO iznosi 5 ⋅ 10–13 A. Pretpostavite da je baza homogeno dopirana.
a) Iz zadanih tehnoloških podataka izračunajte faktore strujnih pojačanja α i αI.
b) Za radnu točku u kojoj je IE = –0,5 mA, a IC = +1 mA odredite napone na

spojevima emiter-baza i kolektor-baza.
c) Skicirajte raspodjelu manjinskih nosilaca u bazi za tu radnu točku;
d) Nacrtajte izlazne karakteristike za spojeve zajedničke baze i zajedničkog
emitera, te na njima označite položaj te radne točke.
3.72 Silicijskom npn tranzistoru dobivenom dvostrukim difuzijskim postupkom mogu
se raspodjele primjesa u pojedinim područjima aproksimirati konstantnim
koncentracijama iznosa 5 ⋅ 1016 cm–3, 1018 cm–3, odnosno 1015 cm–3. Tranzistor
radi u spoju zajedničkog emitera uz napone UBE = UCE > 0, pri čemu su efektivne
širine emitera i baze međusobno jednake i iznose 1 µm. U bazi je nakrcan
ekscesni naboj manjinskih nosilaca iznosa 1 pC. Vremena života manjinskih
nosilaca u svim područjima iznose 0,5 µs, brzina površinske rekombinacije je
105 cm / s, površina tranzistora 1 mm2. T = 300 K. Odredite:
a) faktor strujnog pojačanja;
b) izlazni i ulazni napon.
c) Nacrtajte raspodjele manjinskih nosilaca u emiteru, bazi i kolektoru, te
označiti brojčane rubne vrijednosti.
3.73 Raspodjela primjesa u pnp tranzistoru dobivenom dvostrukim difuzijskim
postupkom može se aproksimirati konstantnim neto koncentracijama primjesa u
pojedinim područjima tranzistora iznosa 1015 cm–3, 5 ⋅ 1016 cm–3, odnosno
5 ⋅ 1017 cm–3. Pokretljivosti manjinskih nosilaca iznose: u emiteru 300 cm2/ Vs, u
bazi 290 cm2/ Vs i u kolektoru 1280 cm2/ Vs. Vremena života nosilaca u svim
područjima su 1 µs. Reverzna struja zasićenja pn-spoja emiter-baza IEBO iznosi
1 pA. Za neku radnu točku u kojoj struja IE iznosi 1 mA, a IC iznosi 10 mA,
efektivne širine emitera i baze su 1 µm, a širina kolektora je 500 µm. Brzina
površinske rekombinacije može se uzeti da je beskonačna, UT = 25 mV.
a) Odredite napon na pn-spoju emiter-baza.
b) Skicirajte raspodjele manjinskih nosilaca u svim područjima tranzistora.
3.74 NPN tranzistor radi u normalnom aktivnom području u spoju zajedničkog emitera
uz struje IB = 50 µA i IC = 5 mA. Vrijeme proleta manjinskih nosilaca kroz bazu
je 1 ns, a vrijeme njihova života u bazi je 2 µs. ICBO = 0, UT = 25 mV. Izračunajte
sve komponente struja, ako se zbog promjene napona UCE baza proširi za 50%, a
napon UBE ostane konstantan.
3.75 NPN tranzistor radi u normalnom aktivnom području u spoju zajedničke baze. Uz
napon UCB 1 = 2 V i ulaznu struju iznosa 5 mA, u bazi je nakrcan naboj manjinskih
nosilaca iznosa 38 pC. Uz isti ulazni napon i napon UCB 2 = 3 V, transportni faktor
je 0,995, a širina baze se razlikuje za 20 % u odnosu na prvu radnu točku.
Izračunajte sve komponente struja za prvu radnu točku. UT = 25 mV, ICBO = 0,
vrijeme života manjinskih nosilaca u bazi je 1 µs.
3.76 NPN tranzistor radi u normalnom aktivnom području sa strujom IB = 50 µA.
Faktor injekcije je 0,99, vrijeme života manjinskih nosilaca u bazi je 0,1 µs, a
vrijeme proleta kroz bazu je 2 ns. ICBO = 0, T = 300 K. Izračunajte:
a) nakrcani naboj manjinskih nosilaca u bazi;

b) za koliko treba promijeniti napon UEB da bi se, uz promjenu širine baze za –
30 %, naboj manjinskih nosilaca u bazi promijenio za +15 %;
c) strujna pojačanja za spoj zajedničke baze i spoj zajedničkog emitera.
3.77 NPN tranzistor radi u normalnom aktivnom području. Uz ulazni napon iznosa
0,55 V i izlazni napon iznosa 5 V, struje kolektora i emitera iznose 5 mA,
odnosno 5,1 mA, a γ = 0,99. Ako se izlazni napon promijeni na 15 V, ulazni
napon treba promijeniti na 0,551 V da bi ulazna struja ostala konstantna.
Τ = 300 K.
a) Odredite u kojem spoju radi ovaj tranzistor (obrazložite!);
b) Izračunajte postotnu promjenu širine baze pri prijelazu iz prve u drugu radnu
točku.
3.78 NPN tranzistor ima uz napone UEB 1 = –0,7 V i UCB 1 = 10 V faktor injekcije
emitera 0,99, a u bazi je nakrcan naboj manjinskih nosilaca iznosa 100 pC.
Vrijeme života manjinskih nosilaca u bazi je 1 µs, a vrijeme njihova proleta kroz
bazu je 10 ns. T = 300 K, ICBO = 0. Ako se naponi promijene na UEB 2 = –0,67 V i
UCB 2 = 15 V, struja baze se promijeni za 75 %. Izračunajte struje IB , IE i IC
a) uz napone UEB 1 i UCB 1 , odnosno
b) uz napone UEB 2 i UCB 2 .
3.79 Raspodjela manjinskih nosilaca u bazi pB
tranzistora u radnim točkama 1 i 2 u 1,05.106 . p0B
normalnom aktivnom području prikazana je 10 . p
6 1
0B
na slici 3.148. Transportni faktor u točki 1
je 0,995. Za točke 1 i 2 vrijedi IUL 1 = IUL 2 ,
2
a izlazna struja u točki 1 je 10 mA. Uz p0B xB
pretpostavku da je ICBO = 0, odredite sve
0 wB 1,1.wB
komponente struja i faktor strujnog
pojačanja u radnoj točki 2. Slika 3.148 Raspodjela šupljina u
bazi tranzistora iz zadatka 3.79.
3.80 Izlazne karakteristike nekog npn tranzistora
prikazane su na slici 3.149a. Za dvije od tri
radne točke označene na izlaznim karakteristikama na slici 3.149b prikazana je
raspodjela elektrona u bazi. U točki C γ = β* = 0,98. Odredite sve komponente
struja za radnu točku B, te nacrtajte pripadnu raspodjelu elektrona u bazi i
označite rubne vrijednosti (kao na zadanoj slici). Pretpostavite ICBO = 0,
UT = 25 mV.
|IIZ| |IUL| = nB (x)

C
300 µ A
107 . n 0B
200 µ A
B
100 µ A
A n 0B
x / µm
0 UIZL 0 1 1,1
a) b)
Slika 3.149. Izlazne karakteristike i raspodjela manjinskih elektrona u bazi tranzistora u
zadatku 3.80.
3.81 Na slici 3.150 prikazane su ulazne karakteristike nekog bipolarnog tranzistora, te

raspodjele manjinskih nosilaca u homogeno dopiranoj bazi za tri radne točke
označene na ulaznim karakteristikama.
a) Na raspodjelama manjinskih nosilaca označite kojoj radnoj točki pojedine
raspodjele odgovaraju.
b) Odredite tip tranzistora i spoj u kojem radi (obrazložite!).
c) Izračunajte ulaznu struju i napon u radnoj točki C, ako je faktor efikasnosti
emitera u toj točki 0,995, a transportni faktor 0,99. T = 300 K. ICBO = 0.
IUL UIZ p, n
A
0,1 mA
C
B
UUL x
+0,6 V 0 wB 1,1⋅wB
Slika 3.150. Ulazne karakteristike i raspodjele manjinskih nosilaca u bazi
u zadatku 3.81.
3.82 Na slici 3.151 prikazane su ulazne karakteristike npn tranzistora, te raspodjele

manjinskih nosilaca u homogeno dopiranoj bazi za tri radne točke označene na
ulaznim karakteristikama.
a) Na raspodjelama manjinskih nosilaca označite kojoj radnoj točki pojedine
raspodjele odgovaraju.
b) Odredite spoj u kojem tranzistor radi (obrazložite!).
c) Izračunajte sve komponente struja i ukupne struje emitera, baze i kolektora u
radnoj točki A, ako je u toj radnoj točki faktor efikasnosti emitera 0,99, a
transportni faktor 0,995. T = 300 K. ICBO = 0.
| IUL | UIZ nB
A
C
10 µA B
|UUL | / V xB
0,6 0,61 0 wB
Slika 3.151. Ulazne karakteristike i raspodjele elektrona u bazi
3.83 Tranzistor čije su izlazne karakteristike

IC
prikazane na slici 3.152, ima u radnoj točki A IB =100 µA
rekombinacijsku struju baze IR = 7,5 µA. A 80 µA
UT = 25 mV, ICBO = 0. Uz pretpostavku da je B
rekombinacijska struja u bazi puno manja od
difuzijske struje manjinskih nosilaca u bazi:
a) na istoj slici skicirajte raspodjele
manjinskih nosilaca u bazi tranzistora u
radnim točkama A i B; +UCE
b) odredite postotnu promjenu efektivne Slika 3.152. Izlazne karakteristike
širine baze, te iznos i predznak promjene tranzistora u zadatku 3.83.
napona baza-emiter pri prelasku iz točke
A u B.
3.84 NPN tranzistor ima koncentracije primjesa NE = 5⋅1020 cm–3, NB = 1017 cm–3,
NC = 1016 cm–3. Širina emitera wE = 1,5 µm << LpE , brzina površinske
rekombinacije s = 2,5⋅105 cm/s. Tehnološka širina baze wB 0 = 1 µm. Spoj baza-
kolektor je skokovit. Uz napone UBE > 0 i UCB 1 = 0 V, struja emitera iznosi
5 mA. T = 300 K. Ako se uz isti napon UBE , napon UCB promijeni na
UCB 2 = 10 V, izračunajte:
a) efektivnu širinu baze wB 2 ;
b) struju IE 2 ;
c) relativnu promjenu nakrcanog naboja manjinskih nosilaca u bazi.
3.85 PNP tranzistor ima koncentracije primjesa u emiteru, bazi i kolektoru
NE = 1019 cm–3, NB = 5⋅1016 cm–3, NC = 1015 cm–3. PN-spoj baza-kolektor je
skokovit, širina emitera je 1 µm << LnE . Brzina površinske rekombinacije
s = 105 cm/s, T = 300 K, ICBO = 0. Uz napone UBE 1 = UCE 1 = –0,7 V struja
IE 1 = 5 mA, a efektivna širina baze je 2 µm.
a) Izračunajte Gummelove brojeve emitera i baze.
b) Odredite tehnološku širinu baze wB 0 (širina emiterske barijere može se
zanemariti).
c) Za drugu radnu točku, u kojoj je UBE 2 = UBE 1 i UCE 2 = –15 V, izračunajte

širinu baze wB 2 , te
d) struju emitera IE 2 .
3.86 Nadomjesni sklop pnp tranzistora koji radi u normalnom aktivnom području
prikazan je na slici 3.153. Temperatura je sobna UT = 25 mV. Odredite:
a) spoj u kojem tranzistor radi (obrazložite!). Nacrtajte simbol tranzistora i
označite polaritete ulaznog i izlaznog napona, te ulazne i izlazne priključnice;
b) sve komponente struja u statičkoj radnoj točki kojoj odgovara prikazani
nadomjesni sklop. Pretpostavite ICBO = 0.
iul 25 Ω iul
+ +
+
–4
uul 10 uiz –0,98 iul 12,5 MΩ uiz
−
− −
Slika 3.153. Dinamički nadomjesni sklop tranzistora u zadatku 3.86.
3.87 Na slici 3.154 prikazane su izlazne karakteristike nekog bipolarnog tranzistora u

spoju zajedničke baze i zajedničkog emitera oko iste radne točke A. Radna točka
A nalazi se točno na sredini između označenih vrijednosti. Odredite:
a) faktor strujnog pojačanja spoja zajedničkog emitera za taj tranzistor oko radne
točke A;
b) hi parametre za oba spoja, uz pretpostavku da je β = hfe . UT = 25 mV.
IIZ / mA IIZ / mA
–1,003 –1,003
–0,997 A –0,997 A
UIZ / V UIZ / V
0 –35 –41 0 –5 –70
Slika 3.154. Izlazne karakteristike tranzistora u zadatku 3.87.
3.88 Za neki bipolarni tranzistor prikazane su na slici 3.155 izlazne i ulazne

karakteristike za isti spoj oko istih radnih točaka. Srednja vrijednost faktora
injekcije u tim točkama je 0,992, a transportnog faktora 0,996. UT = 30 mV,
ICBO = 0 . Odredite:
a) koji je tip tranzistora i o kojem se spoju radi (obrazložiti!);
b) sve hibridne parametre za zadani spoj za radnu točku koja se nalazi u sredini
između radnih točaka A i B.
IUL IIZ
B
I UL
B
A
2 µA
A
|UUL | / V UIZ / V
0,6 0,6002 –20 –26
Slika 3.155. Ulazne i izlazne karakteristike bipolarnog tranzistora u zadatku 3.88.
3.89 Za neki tranzistor prikazane su na slici 3.156 ulazne i dio izlaznih karakteristika
za spojeve zajedničkog emitera i baze oko iste radne točke. Odredite sve hibridne
parametre za oba spoja, te faktor efikasnosti emitera, ako je T = 300 K.
IUL UIZ = +2 V | IIZ |

+12 V mA
1,33
1,00
UUL / V UIZ / V
0,6 0,602 2 12
IUL | IIZ |
UIZ = +12 V mA
+2 V
1,01
1,00
UUL / V UIZ / V
–0,6 –0,606 2 12
Slika 3.156. Ulazne i izlazne karakteristike tranzistora u zadatku 3.89.
3.90 Raspodjela manjinskih nosilaca u bazi npn tranzistora prikazana je na slici 3.157.
Temperatura je 300 K, površina tranzistora je 1 mm2, koncentracija primjesa u
kolektoru 1015 cm–3. Faktor injekcije emitera je 0,99, transportni faktor 0,99, a
izlazni otpor u spoju zajedničke baze 8,2 MΩ. PN-spoj baza-kolektor je skokovit.
Odredite širinu baze, te emitersku i baznu struju.
IE
nB UCB = –9,75 V
mA
cm–3 –4 V
1012
B
2
4
10 xB 1 A
0 wB
Slika 3.157. Raspodjela 0 UEB
manjinskih nosilaca u
zadatku 3.90. Slika 3.158. Ulazne karakteristike
3.91 Ulazne karakteristike nekog tranzistora prikazane su na slici 3.158. Tehnološka

širina baze je 4 µm. U statičkoj radnoj točki A struja kolektora iznosi 0,995 mA, a
širina barijere kolektor-baza na strani baze 2 µm. Kontaktni potencijal spoja
kolektor-baza 0,6 V. Odredite:
a) struju kolektora u radnoj točki B;
b) hibridne parametre za spoj zajedničke baze u točki B.
c) Nacrtajte hibridni nadomjesni sklop s hb parametrima.
Pretpostavite: InE = 0, ICBO = 0, UT = 25 mV, spoj kolektor-baza je skokovit.
3.92 Bipolarni tranzistor radi u normalnom aktivnom području na sobnoj temperaturi
(UT = 25 mV). U nekoj radnoj točki dinamički ulazni otpor tranzistora je 25 Ω.
Pri promjeni ulazne struje za 1 %, izlazna struja iz tranzistora se, uz izlazne
stezaljke kratko spojene za dinamičke uvjete, promijeni za 0,99 mA. Ako je na
izlazne stezaljke u dinamičkim uvjetima priključen otpornik od 200 kΩ, pri istoj
promjeni ulazne struje, promjena izlazne struje će biti dvostruko manja. Pri tome
će se ulazni napon promijeniti za 0,3 mV.
a) Odredite da li tranzistor radi u spoju zajedničke baze ili zajedničkog emitera
(obrazložite!).
b) Nacrtajte hibridni nadomjesni sklop, te izračunajte sve hibridne parametre za
zadani spoj.
3.93 NPN tranzistor radi u normalnom aktivnom području. Uz ulazni napon iznosa
0,55 V i izlazni napon iznosa 5 V, struje kolektora i emitera iznose 5 mA,
odnosno 5,1 mA, a γ = 0,99. Ako se izlazni napon promijeni na 15 V, ulazni
napon treba promijeniti na 0,551 V da bi ulazna struja ostala konstantna.
Τ = 300 K. Izračunajte hibridne parametre za radnu točku koja se na izlaznoj
karakteristici nalazi na sredini između zadanih točaka (pretpostavite da je hfe = β).
Nacrtajte hibridni nadomjesni sklop.
3.94 NPN tranzistor radi u normalnom aktivnom području i ima faktor injekcije 0,99,
rekombinacijsku komponentu struje baze IR = 15 µA, vrijeme života manjinskih
nosilaca u bazi je 1 µs, gornja granična frekvencija faktora strujnog pojačanja
spoja zajedničke baze je 50 MHz. Temperatura je sobna, UT = 25 mV, ICBO = 0.
Izračunajte:
a) difuzijski kapacitet emitera,
b) gornju graničnu frekvenciju faktora strujnog pojačanja spoja zajedničkog
emitera,
c) sve komponente struja i ukupne struje vanjskih priključnica.
3.95 NPN tranzistor radi u normalnom aktivnom području u spoju zajedničkog emitera.
Ulazni dinamički otpor iznosi 1,4 kΩ, a gornja granična frekvencija faktora
strujnog pojačanja 5 MHz. Koncentracija primjesa u bazi je 1016 cm–3, širina baze
2 µm, vrijeme života manjinskih nosilaca u bazi 0,5 µs. T = 300 K, ICBO = 0.
Odredite:
b) relativne promjene struja IE , IB i IC , ako se ulazni i izlazni napon promijene za
+10 mV.
3.96 PNP tranzistor radi u normalnom aktivnom području u spoju zajedničkog emitera.
Ulazni dinamički otpor na niskim frekvencijama iznosi 2,5 kΩ, a gornja granična
frekvencija faktora strujnog pojačanja 5 MHz. Efektivna širina baze je 1 µm,
pokretljivost manjinskih nosilaca u bazi 400 cm2/ Vs, a vrijeme života 1 µs. Uz
UT = 25 mV i ICBO = 0, odredite:
b) struje IE , IB i IC , ako se ulazni i izlazni napon smanje za 30 mV.
3.97 NPN tranzistor radi u normalnom aktivnom području. Na sobnoj temperaturi
(UT = 25 mV) u nekoj radnoj točki statičke struje emitera i kolektora iznose
0,95 mA, odnosno 0,9 mA, dok je difuzijski kapacitet spoja emiter-baza 0,4 nF.
Ukoliko se propusni napon na spoju emiter baza smanji, uz konstantnu ulaznu
struju, difuzijski kapacitet spoja emiter-baza povećat će se na 0,5 nF. Ako je
vrijeme života nosilaca u bazi 1 µs, a ICBO = 0, odredite:
a) spoj u kojem tranzistor radi (obrazložite);
b) sve komponente struja u drugoj radnoj točki.
3.98 NPN tranzistor radi u normalnom aktivnom području. Ulazna admitancija u nekoj
radnoj točki za signal niske frekvencije je yul = 1,56 ⋅ 10–4 + jω⋅ 77,4⋅10–12 S.
Vrijeme života manjinskih nosilaca u bazi je 2 µs, a vrijeme proleta kroz bazu
20 ns. T = 300 K. Za zadanu radnu točku:
a) odredite spoj za koji je ulazna admitancija zadana (obrazložite!);
b) izračunajte sve komponente struja, te
c) gornju graničnu frekvenciju faktora strujnog pojačanja za zadani spoj.
d) Nacrtajte hibridni nadomjesni sklop za zadani spoj i označite sve veličine na
njemu. Izračunajte parametre nadomjesnog sklopa koji se na osnovi zadanih
podataka mogu izračunati.
3.99 Tranzistor koji radi u normalnom

25 Ω
aktivnom području može se za B C
dinamičku analizu nadomjestiti +
sklopom na slici 3.159. τB = 2 µs, 0,6 nF
u
ICBO = 0. Za radnu točku u kojoj
_ 1 kΩ 100 mA/V. u
vrijedi nadomjesni sklop
E
izračunajte:
a) faktor strujnog pojačanja za Slika 3.159. Nadomjesni sklop tranzistora u
zadani spoj, te transportni zadatku 3.99.
faktor i faktor injekcije;
b) gornju graničnu frekvenciju pojačanja za IUL UIZ = +10 V
zadani spoj.
3.100 Ulazne karakteristike tranzistora koji radi u
normalnom aktivnom području prikazane su A
na slici 3.160. Admitancija ulaznog kruga B
tranzistora u radnoj točki A je yul = 4 ⋅ 10–
3
+ jω⋅ 4 ⋅ 10–9 S (uz UIZ = konst. i niske UUL / V
frekvencije). Vrijeme života manjinskih 0,60 0,61
nosilaca u bazi je 2 µs, a vrijeme proleta kroz
Slika 3.160. Ulazne karakteristike
bazu u točki A je 19,8 ns. Pretpostaviti tranzistora u zadatku 3.100.
UT = 25 mV, ICBO = 0. Odredite:
a) sve komponente struja u točki A,
b) ulaznu admitanciju u točki B. IUL
UIZ = +5 V
3.101 Na slici 3.161 prikazane su ulazne karakteristike
tranzistora u normalnom aktivnom području. A
B
Ulazna admitancija za niske frekvencije u radnoj
točki A iznosi yul = 2 ⋅ 10–4 + jω⋅ 5 ⋅ 10–10 S. Vrijeme
života manjinskih nosilaca u bazi τB = 5 µs, a
UUL / V
vrijeme proleta kroz bazu u radnoj točki A
ttr = 50 ns.: 0,59 0,6
a) Odredite tip tranzistora i spoj. Slika 3.161. Ulazne karak-
b) Uz UT = 25 mV i ICBO = 0, izračunajte sve teristike u zadatku 3.101.
komponente struja u točki A, te
c) ulaznu admitanciju u točki B.
3.102 NPN tranzistor radi u normalnom aktivnom području. U radnoj točki 1 ulazna
admitancija iznosi yul1 = 4 ⋅ 10–2 + jω⋅ 2,6 ⋅ 10–9 S uz izlazni napon UIZ1 . Faktor
strujnog pojačanja pritom je β = 80. Ako se izlazni napon promijeni na UIZ2
ulazna admitancija se promijeni na
yul2 = 4 ⋅ 10–2 + jω⋅ 3 ⋅ 10–9 S. Frekvencije su niske, temperatura sobna
UT = 25 mV, ICBO = 0, vrijeme života manjinskih nosilaca naboja u bazi je 1 µs.
Odredite:
a) spoj u kojem tranzistor radi (obrazložite);
b) sve komponente struja u radnoj točki 2.
c) Nacrtajte izlazne karakteristike za zadani spoj i označite na njima područja

rada, te radne točke 1 i 2.
3.103 PNP tranzistor radi u normalnom 30 Ω
aktivnom području. Za dinamičku B C
analizu u radnoj točki A koristi se +
0,5 nF
model prikazan na slici 3.162. Pri u
prelasku u radnu točku B, ulazna _ 1 kΩ 0,2 A/V . u
struja ostaje nepromijenjena, dok se E
napon na izlazu poveća, a širina
Slika 3.162. Nadomjesni sklop tranzistora u
baze se promijeni za 20%. zadatku 3.103.
UT = 25 mV, τB = 2 µs, ICBO = 0.
Odredite:
a) sve komponente struja u radnoj točki B;
b) parametre nadomjesnog sklopa za radnu točku B i nacrtajte taj sklop.
3.104 NPN tranzistor radi u normalnom aktivnom području i u nekoj radnoj točki može
se za dinamičke uvjete nadomjestiti modelom na slici 3.163. UT = 25 mV,
τB = 3 µs, ICBO = 0, a promjena širine baze s naponom |dwB / dUCB | = 10–6 cm / V.
Za zadanu radnu točku odredite:
a) sve komponente struja u tranzistoru;
b) širinu baze i gornju graničnu frekvenciju faktora strujnog pojačanja za zadani
spoj.
iul B C iiz
+
0,4 nF
uul 200 kΩ
_ 2,5 k Ω 0,04 A/V . u ul
E E
Slika 3.163. Nadomjesni sklop tranzistora u zadatku 3.104
3.105 Raspodjele manjinskih nosilaca u E n,p B

emiteru i bazi silicijskog npn tranzistora cm–3
dobivenog dvostrukim difuzijskim
11
postupkom u nekoj radnoj točki mogu 10
se aproksimirati raspodjelama prema
2,1.10
4
slici 3.164. U toj radnoj točki gornja 3
10
granična frekvencija faktora strujnog
pojačanja za spoj zajedničke baze 5 µm x
iznosi 100 MHz. Difuzijske konstante Slika 3.164. Raspodjele manjinskih
manjinskih nosilaca su DpE = 2 cm2/ s, nosilaca u emiteru i bazi tranzistora u
DnB = 20 cm2/ s, vrijeme života zadatku 3.105.
manjinskih nosilaca u bazi i emiteru je 2 µs. Za zadanu radnu točku odredite:

a) efektivnu širinu baze;
b) gustoće svih komponenti struja;
c) gornju graničnu frekvenciju faktora strujnog pojačanja spoja zajedničkog
emitera.
Pretpostavite beskonačnu brzinu rekombinacije na emiterskom kontaktu.
UT = 25 mV.
3.106 Silicijski planarni pnp tranzistor radi u spoju zajedničkog emitera. U nekoj radnoj
točki u normalnom aktivnom području pri ulaznoj struji iznosa 1 mA difuzijski
kapaciteti emitera i kolektora su 1,3 nF i 1,5 ⋅ 10–15 F, te izlazne vodljivosti u
spoju zajedničke baze i u spoju zajedničkog emitera 1 µS i 50 nS. UT = 25 mV,
hfe = β. Odredite:
a) faktor strujnog pojačanja tog tranzistora za spoj zajedničkog emitera, faktor
efikasnosti emitera, te transportni faktor;
b) sve hibridne parametre tranzistora za zadanu radnu točku i zadani spoj.
Rješenja
3.52 a) α = 0,987; b) IB = 0: IE = +1 µA; IB = –40 µA: IE = +3,04 mA.
3.53 a) IE = –5 mA, InE = 4,925 mA, IpE = 75 µA, InC = IC = 4,9 mA, IR = 25 µA, IB = 100 µA;
b) QB = 12,5 pC, c) ttr = 2,54 ns.
3.54 a) IC = 14,9 mA, IB = 81,0 µA,
IC
b) α = 0,9946, β = 184, IB =
c) wB 2 = 1,25 µm, d) ttr = 320 ps.
3.55 IR = 15 µA, IpE = 5 µA, InE = 9,995 mA, –1,12 mA –15,6 µA
InC = 9,98 mA, UBE = 0,661 V.
3.56 a) IpE = 5,00 mA, IR = 8,01 µA,
IpC = 5,01 mA, InC = 4,99 mA.
3.57 a) IpE = 1,124 mA, IE = 1,137 mA, –0,507 V UCE
InE = 13,6 µA, IR = 2 µA, IB = –15,6 µA,
IC = –IpC = –1,122 mA; Slika 3.165. Položaj radne točke u zadatku
b) UUL = UBE = −0,507 V; 3.57.
UIZ = UCE = −0,507 V; c) vidi sliku
3.165.
E C
3.58 UCB = −0,555 V. nB
3.59 a) pnp tranzistor; b) UCE = –7,61 mV. n B0
3.60 a) UIZ > 0 - npn tranzistor; IC > IUL - zajednički emiter,
b) UBC = 0,202 V, UBE = 0,252 V; c) vidi sliku 3.166 n Bw
(nB 0 = 5,05⋅108 cm–3, nBw = 6,83⋅107 cm–3). xB
n 0B
3.61 a) α = 0,98, αI = 0,2, ICBO = 5 pA, IEBO = 1,02 pA; 0 wB
b) IC = 1,94 mA, IE = –2,8 mA, UBE = 0,540 V,
UBC = 0,472 V; c) vidi sliku 3.167. Slika 3.166. Raspodjela
elektrona u bazi tranzis-
tora iz zadatka 3.60.
IC IE = E C
nB
n B0 A
nBw
–2,8 mA
B
Q n 0B
1,94mA xB
0 wB
–0,472 V UCB Slika 3.168. Raspodjele
elektrona u bazi tranzis-
Slika 3.167. Radna točka u izlaznim tora iz zadatka 3.62.
karakteristikama tranzistora u zadatku
3.61.
3.62 a) točka A: UBE = 0,563 V, UBC = 0,55 V; nB 0 = 5,97⋅109⋅ n0B , nB w = 3,58⋅109⋅ n0B ;
točka B: UBE = 0,541 V, UBC = 0; nB 0 = 2,46⋅109⋅ n0B , nB w = n0B (vidi sliku 3.168);
b) točka B: InE = 2,970 mA, IpE = 30 µA; točka A: InE = 2,927 mA, IpE = 72,8 µA.
3.63 α = 0,976, αI = 0,559, IES = 12,6 nA, ICS = 22,0 nA;
vidi sliku 3.169. C
Uputa: Prema slici se vidi da tranzistor radi su spoju
zajedničke baze, te je UIZ=UCE. Kada je izlazni napon IBC α . IBE
jednak nuli, tranzistor radi u području zasićenja, a
naponi na pojedinim spojevima su jednaki, tj. B
UBE=UBC. Zbog pretpostavke da je β >> βI , izlazna
karakteristika siječe ordinatu pri struji IBE αI . IBC
IB
IC = − = − I B , E
βI
1+ Slika 3.169. Ebers-Mollov na-
β domjesni sklop npn tranzis-
pa je ulazna bazna struja IB = 50 µA. Druga radna točka tora.
na izlaznoj karakteristici (UCE = 0,3 V, IC = 2 mA) je na
granici normalnog aktivnog i područja zasićenja, tj.
UBE = UCB = 0,3V.
3.64 IC = 3,58 mA, IC / IB = 71,6; vidi sliku 3.170.
Uputa: Na osnovi zadanih veličina (β = 100, IC IB =
βI = 5, ICEO = 20 pA), izračunaju se parametri
Ebers-Mollovog modela, te se izračuna
kolektorska struja za zadanu radnu točku (u 50 µA
području zasićenja). Dijeljenjem s baznom 3,58 mA
strujom dobiva se traženi faktor strujnog
pojačanja.
3.65 a) na granici inverznog aktivnog područja i 0,1 V UCE
zasićenja; b) npn tranzistor (prema polaritetu
napona UCE); c) IC = –8 mA, IB = 5 mA, Slika 3.170. Radna točka u zadatku
IE = InE = 3 mA, IR = 389 nA, 3.64.
InC = 3,00039 mA, IpC = 4,9996 mA.
E C E C
nB pB
B pBw
pB0
A
n0B xB p0B xB
0 wB 0 wB
Slika 3.171. Raspodjele Slika 3.172. Raspodjela

manjinskih elektrona u bazi šupljina u bazi tranzistora iz
tranzistora u zadatku 3.66 zadatka 3.67.
3.66 UBE = 0,617 V, UBC = 0,598 V, UCE = 18,7 mV; vidi sliku 3.171.
3.67 a) αI = 0,575, α = 0,9890; b) UEB = +0,501 V, UCB = +0,509 V, c) vidi sliku 3.172.
(pB 0 = 9,90 ⋅ 1011 cm–3, pB w = 1,33 ⋅ 1012 cm–3).
3.68 GB = 1,62 ⋅ 1010 scm–4, UEB = 0,477 V.
3.69 Točka A: IB = 48,1 µA, IC = 4,40 mA, IE = –4,45 mA, UBE = UCE = 0,518 V;
točka B: IB = 2,60 µA, IC = 220 µA, IE = –223 µA UBE = UCE = 0,443 V. Vidi sliku 3.173.
(Tip tranzistora određuje se na osnovi velike zadane pokretljivosti manjinskih nosilaca u
bazi)
UCE E pB C
IB IC zasić.
A
n.a.p.
A pBw
IB
B p0B xB
B
0 wB = 2 µm
UBE UCE
Slika 3.173. Radne točke na ulaznim i izlaznim karakte- šupljina u bazi tranzistora iz
ristikama tranzistora iz zadatka 3.69. zadatka 3.70.
3.70 a) inverzno aktivno područje, vidi sliku 3.174; b) IE = –3,31 µA, IC = +28,3 µA.
3.71 a) α = 0,938, αI = 0,513; b) UEB = 0,426 V, UCB = 0,505 V; c) i d) vidi sliku 3.175.
Uputa: Budući da se radi o tranzistoru dobivenom dvostrukom difuzijom, najviša
koncentracija (6 ⋅ 1019) pripada emiteru, a najniža (8 ⋅ 1015) kolektoru. Koncentracija primjesa
u bazi je veća od 1017 cm–3, pa i u njoj dolaze do izražaja degeneracijske pojave. Stoga
Gummelov broj baze treba računati kao
wB 2
N DB æ ni 0 ö
GB = ò ⋅ ç ÷ ⋅ dx .
D pB è ni ø
0
E pB C
pBw
pB0
a)
0 wB xB
IB =
–IC IE = –IC –0,5 mA
1 mA –0,2 mA
0,5 mA
–0,1 mA
+0,505 V IE ≤ 0
0 –U CB
+78,2 mV 0
–UCE
+1 mA
Q +1 mA Q
b) c)
Slika 3.175. Uz rješenje zadatka 3.71: a) raspodjela manjinskih šupljina u bazi, b) položaj radne
točke u izlaznim karakteristikama spoja zajedničke baze, odnosno c) spoja zajedničkog emitera.
3.72 a) β = 33,4; b) UBE = UCE = 0,566 V; b) nB 0 = 1,25⋅1013 cm–3, nB w = 3,81⋅103 cm–3,

pE 0 = 3,22⋅1012 cm–3 (ovaj rezultat je dobiven ako se uzmu u obzir degeneracijski efekt;
ako se on zanemari pE 0 = 6,25⋅1011 cm–3), pC 0 = p0C = 1,90⋅105 cm–3, vidi sliku 3.176.
p,n E B C p,n E B C
nC0
nB0 pBw
pE0 pC0
nBw nE0 pB0
n0C
p0B
0 x jE xjC x 0 x jE x jC x
Slika 3.176. Raspodjele manjinskih Slika 3.177. Raspodjele manjinskih no-
nosilaca u tranzistoru iz zadatka 3.72. silaca u zadatku 3.73.
3.73 a) UEB = 0,519 V; b) vidi sliku 3.177 (UCB > UEB).

Uputa: Budući da je |IC| > |IE|, slijedi da se radi o inverznom području rada (inverzno
aktivno područje ili inverzno zasićenje), tj. da je UCB > UEB . Iz zadanih tehnoloških
podataka izračunaju se γI = 0,204 i βI* = 0,99931, odnosno αI = 0,204, pa se pomoću Ebers-

Mollovih jednadžbi odredi traženi napon UEB .
3.74 IpE = 47,5 µA, InE = 3,34 mA, IR = 3,75 µA, IE = –3,38mA, IB = +51,2 µA,
IC = InC = +3,33mA.
3.75 IR = 38,0 µA, InE = 4,86 mA, IpE = 136 µA, InC = 4,83 mA.
3.76 a) QnB = –3,32 pC; b) ∆UEB = –12,8 mV; c) α = 0,970, β = 32,6.
3.77 a) zajednički emiter, jer uz porast izlaznog napona treba povećati ulazni napon da bi ulazna
struja ostala nepromijenjena (nacrtajte ulazne karakteristike!); b) ∆wB /wB = –7,74 %.
3.78 a) IB = 201 µA, IE = –10,1 mA, IC = 9,9 mA; b) IB = 50,3 µA, IE = –5,31 mA, IC = 5,26 mA.
3.79 IB = –101 µA, IR = 52,6 µA, InE = 47,9 µA, IpE = 8,70 mA, IE = 8,75 mA,
IC = –IpC = −8,65 mA, β = 85,6.
3.80 InE = 196 µA, IpE = 4,39 µA, InC = 191 µA, IR = 4,73 µA; vidi sliku 3.178
(nB 0 = 7,32⋅106⋅n0B , nBw= n0B).
3.81 a) vidi sliku 3.179; b) npn tranzistor u spoju zajedničkog emitera; c) IB = 93,9 µA,
UBE = 0,598 V.
Uputa: Radne točke A i C nalaze se na istoj ulaznoj karakteristici, pa su za njih izlazni
naponi, odnosno širine baze jednaki - raspodjele za te dvije radne točke sijeku se na istoj
širini baze. Radne točke A i B imaju na ulaznim karakteristikama jednake ulazne napone
(UBE), zbog čega su za njih jednake rubne koncentracije nosilaca uz emitersku barijeru.
Nakon što se razluče raspodjele, može se odrediti spoj za koji su ulazne karakteristike
prikazane (u točki B je izlazni napon veći, jer je baza uža), odnosno tip tranzistora (ulazni
napon na karakteristikama je pozitivan).
nB nB
nB
nB0
B A
B
n0B C
x / µm C A
0 1,1 B xB
0 x 0
elektrona u bazi tranzistora Slika 3.179. Raspodjele Slika 3.180. Raspodjele
u zadatku 3.80. nosilaca u zadatku 3.81. elektrona u zadatku 3.82.
3.82 a) vidi sliku 3.180; b) spoj zajedničke baze; c) IpE = 0,147 µA, InE = 14,6 µA, IE = –14,7 µA,
InC = IC = 14,5 µA, IR = 72,9 nA, IB = 220 nA.
3.83 a) vidi sliku 3.181; b) ∆wB / wB = –18,9%, ∆UB E = –5,22 mV.
Uputa: Kolektorske struje u obje radne točke su jednake, a budući da je InE >> IR , znači da
su i struje InE međusobno jednake - raspodjele
manjinskih elektrona u bazi su međusobno paralelni
pravci! nB
3.84 a) wB 2 = 0,886 µm; b) IE 2 = –5,47 mA; n B0A
c) ∆QnB / QnB = –8,65 %.
n B0B A
3.85 a) GE = 1,57 ⋅ 1013 scm−4, GB = 1,09 ⋅ 1012 scm−4;
b) wB 0 = 2,02 µm; c) wB 2 = 1,93 µm; d) IE = 5,17 mA.
B
3.86 a) spoj zajedničke baze, što se može zaključiti iz faktora n 0B xB
hf = –0,98 na nadomjesnoj shemi; b) IE = 1 mA, IC = –
0,98 mA, IB = –20 µA, IpE = 0,99 mA, InE = 10 µA, 0 wBB wBA
IR = 10 µA, IpC = 0,98 mA. Slika 3.181. Raspodjele ma-
3.87 a) β = 9,83; b) hie = 246 Ω, hib = 22,7 Ω. njinskih nosilaca u bazi
3.88 a) pnp tranzistoru u spoju zajedničke baze. Izlazni
napon je negativan samo za pnp tranzistor. Budući da je
u radnoj točki B veći izlazni, a manji ulazni napon (pri čemu su ulazne struje za obje točke
jednake), slijedi da je spoj zajedničke baze;
b) hfb = –0,988, hrb = 33,3 ⋅ 10–6, hob = 333 nS, hib = 0,794 Ω.
3.89 hre = 2 ⋅ 10–4, hoe = 33 µS, hoe = 33 µS, hie = 800 Ω;
hrb = 6 ⋅ 10–4, hob = 1 µS, hfb = –0,9697, hib = 24,2 Ω;
γ = 0,9899.
Uputa: hr i ho parametre očitamo izravno iz zadanih ulaznih i izlaznih karakteristika (gornji
par karakteristika je za spoj zajedničkog emitera, a donji za zajedničku bazu). Iz formule
koja povezuje hoe i hob izračunamo hfb , pa možemo izračunati i hfe . Pomoću formule za hre
izračunamo hib , pa možemo izračunati i hie . Konačno, iz formule za hob izlučimo γ , te ga
izračunamo.
3.90 a) wB = 1,67 µm, b) IE = 284 µA, IB = 5,65 µA.
3.91 a) IC = –1,9975 mA, b) hib = 12,5 Ω, hfb = –0,99875, hrb = 3,62 ⋅ 10–3, hob = 7,25 nS; c) vidi
sliku 3.182.
ie E h ib C ic
+ +
+
ueb h rb. ucb h fb. ie hob ucb
−
− −
B B
Slika 3.182. Hibridni nadomjesni sklop tranzistora u spoju
zajedničke baze.
3.92 a) zajednički emiter, b) vidi sliku 3.183: hie = 25 Ω, hfe = 99, hoe = 5 µS, hre = 505 ⋅ 10–9.
Uputa: Nacrtajte hibridni nadomjesni sklop s kratkim spojem na izlazu, odnosno uz
priključen zadani teret, te postavite Kirchoffove jednadžbe za struje i napone! Pomoću
zadanog ulaznog otpora odredi se ulazna struja (IUL = 1 mA), iz čega se izračuna promjena
ulazne struje (∆IUL = 1 % ⋅IUL = 10 µA) koja izaziva zadanu promjenu izlazne struje
(∆IIZ = 0,99 mA). Slijedi da je faktor strujnog pojačanja 99, tj. puno veći od 1 - radi se o
spoju zajedničkog emitera (hfe = 99, hie = 25 Ω). Priključivanjem tereta od 200 kΩ izlazna
struja se prepolovila, što znači da su struje koje teku kroz vanjski teret i kroz izlazni
(unutarnji) otpor međusobno jednake, tj. hoe = 1/200 kΩ. S promjenom izlaznog napona
ib B h ie C ic
+ +
+
ube h re. uce h fe. ib hoe uce
−
− −
E E
Slika 3.183. Hibridni nadomjesni sklop tranzistora u zadatku 3.92.
∆UIZ = ∆IIZ ⋅R = 99 V, mijenja se ulazni napon

∆UUL = hie ⋅ ∆IUL + hre ⋅ ∆U IZ .
Iz ovog izraza izračuna se traženi hre .
3.93 hie = 259 Ω, hre = 10–4, hoe = 64,2 µS, hfe = 53,2; hibridni nadomjesni sklop za spoj
zajedničkog emitera, vidi na primjer sliku 3.183.
Uputa: hre se izračuna iz omjera zadanih promjena izlaznog i ulaznog napona. Da bi se
izračunali hoe i hfe treba izračunati kolektorsku struju za drugu radnu točku. Dijeljenjem
promjene kolektorske struje i izlaznog napona izračuna se hoe , dok se hfe izračuna kao
srednja vrijednost faktora β u obje radne točke.
3.94 a) Cde = 400 pF, b) fβ = 692 kHz, c) IE = –3,90 mA, InE = 3,86 mA, IpE = 39,0 µA,
IB = 54,0 µA, IC = InC = 3,85 mA.
3.95 a) IB = 18,5 µA, IR = 1,41 µA, IC = InC = 1,12 mA, IE = –1,14 mA, InE = 1,121 mA,
IpE = 17,1 µA, b) ∆IE / IE = ∆IC / IC = ∆IB / IB = 47,2%.
3.96 a) IB = –10,0 µA, IC = –IpC = –763 µA, IE = 773 µA, IpE = 764 µA, InE = 9,62 µA,
IR = 0,382 µA, b) IE = 233 µA, IC = –230 µA, IB = –3,01 µA.
3.97 a) spoj zajedničkog emitera. Kada bi bio spoj zajedničke baze, smanjenje napona UBE bi uz
konstantnu ulaznu (emitersku) struju, tj. uz konstantnu struju InE , uzrokovalo smanjenje
nB IE = konst. nB IB = konst.
.
n B01 InE = IE n B01
n B02 QB1 > QB2 n B02 QB1 < QB2
xB xB
0 wB 0 wB
a) b)
Slika 3.184. Raspodjele i nakrcani naboj manjinskih nosilaca u bazi pri padu
napona na emiterskom spoju: a) konstantna emiterska struja, b) konstantna
bazna struja.
nakrcanog naboja (vidi sliku 3.184a), a time i difuzijskog kapaciteta. Porast difuzijskog
kapaciteta moguć je samo uz konstantnu baznu struju (slika 3.184b); b) IR 2 = 18,75 µA,
IpE 2 = 31,25 µA, InE 2 = 584 µA, IB 2 = 50 µA, IE 2 = –615 µA, IC 2 = InC 2 = 565 µA.
3.98 a) spoj zajedničkog emitera; struja InE (koja se odredi iz difuzijskog kapaciteta zadanog u
ulaznoj admitanciji) je veća od ulazne struje (koja se odredi iz realnog dijela ulazne
admitancije) - slijedi da ulazna struja može biti samo bazna; b) IB = 4,03 µA, InE = 150 µA,
IR = 1,50 µA, IpE = 2,53 µA, IC = InC = 149 µA, IE = –153 µA; c) fβ = 257 kHz; d) hibridni
sklop za spoj zajedničkog emitera, slika 3.185; hfe = β = 36,8, hie = 6,41 kΩ.
ib B h ie C ic
+ +
+
ube h re. uce h fe. ib hoe uce
−
− −
E E
Slika 3.185. Dinamički nadomjesni sklop tranzistora u zadatku
3.98
3.99 a) β = 100, β* = 0,9955, γ = 0,9946, b) fβ = 215 kHz.

3.100 a) IB = 100 µA, IR = 75,0 µA, InE = 7,58 mA, IpE = 25,0 µA, IE = –7,60 mA,
IC = InC = 7,50 mA, b) yul = 4 ⋅ 10–3 + jω ⋅ 3,34⋅ 10–9 S.
3.101 a) npn tranzistor u spoju zajedničkog emitera; b) IB = 5,00 µA, IR = 3,75 µA, InE = 375 µA,
IpE = 1,25 µA, IE = –376 µA, IC = InC = 371 µA, b) yul = 2 ⋅ 10–4 + jω ⋅ 418 ⋅ 10–12 S.
3.102 a) zajednički emiter; b) IB = 1 mA, IR = 113 µA,

IC
IpE = 887,5 µA, InE = 67,1 mA, IE = –68 mA, zasić. normalno aktivno p.
IC = InC = 67 mA; c) vidi sliku 3.186.

1
3.103 a) IB = –25,0 µA, IR = 8,11 µA, InE = 16,9 µA, IB
IpE = 6,77 mA, –IC = IpC = 6,76 mA, IE = 6,79 mA; 2
b) Cde = 433 pF, gm = 270 mA/V.
3.104 a) IB = 10 µA, IC = InC = 1 mA, IR = 5 µA,
IpE = 5 µA, InE = 1,005 mA, IE = –1,01 mA; UCE
b) wB = 2,02 µm, ωβ = 128 kHz.
Slika 3.186. Izlazne karakteristike
3.105 a) wB = 2,77 µm; b) JpE = 64,1 µA/cm2, s označenim radnim točkama u
JnE = 24,1 mA/cm2, JR = 23,5 µA/cm2, zadatku 3.102.
JB = 87,5 µA/cm2, JC = JnC = 24,1 mA/cm2, JE = –
24,2 mA/cm2; c) fβ = 363 kHz.
3.106 a) β = 19, γ = 0,9906, β* = 0,95899, b) hie = 25 Ω, hre = 481 ⋅ 10–9, hfe = 19, hoe = 1 µS.
Prilog A: Dokaz recipročnosti Ebers-Mollovog modela
Treba dokazati da su parametri Ebers-Mollovog modela: α, αI , ICS i IES međusobno povezani
relacijom
α I
= CS (A.1)
α I I ES
za slučaj općenite raspodjele primjesa, a ne samo za homogenu bazu. Dokaz ćemo provesti za npn
tranzistor s eksponencijalnom raspodjelom primjesa u bazi.
Recipročnost Ebers-Mollovog modela npn tranzistora opisanog jednadžbama
I E = − I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú + α I ⋅ I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú , (A.2)
I C = α ⋅ I ES ⋅ êexpç BE ÷ − 1ú − I CS ⋅ êexpç BC ÷ − 1ú , (A.3)
dokazat ćemo ako dokažemo da je kolektorska struja tranzistora uz napone UBE = U i UBC = 0
(radna točka A),
é æU ö ù
I C = α ⋅ I ES ⋅ êexpç ÷ − 1ú , (A.4)
êë è U T ø úû
po iznosu jednaka emiterskoj struji uz napone UBE = 0 i UBC = U (radna točka B),
é æU ö ù
I E = α I ⋅ I CS ⋅ êexpç ÷ − 1ú . (A.5)
êë è U T ø úû
Pritom je napon U > 0 i jednak za obje radne točke! Treba, dakle, dokazati da će napon U na
emiterskom spoju uzrokovati kolektorsku struju jednaku emiterskoj struji, ako taj isti napon
priključimo na kolektorski spoj (vidi sliku A.1).
I I
− − − −
UBE =U UBC =0 UBE =0 UBC =U
+ + + +
radna točka A radna točka B

Slika A.1. Uz dokaz recipročnosti Ebers-Mollovih jednadžbi.
Kako je radna točka A na granici normalnog aktivnog područja i područja zasićenja

(UBE > 0, UBC = 0), veličine vezane uz tu radnu točku označavat ćemo s indeksom N. Radna točka
B je na granici inverznog aktivnog područja i zasićenja (UBC > 0, UBE = 0), pa ćemo pripadajuće
veličine označavati s indeksom I.
Izjednačavanjem izraza (A.4) i (A.5), slijedi da za recipročnost mora vrijediti jednakost
J. Šribar, J. Divković-Pukšec: Elektronički elementi - zbirka zadataka 249

α ⋅ I ES ⋅ êexpç ÷ − 1ú = α I ⋅ I CS ⋅ êexpç ÷ − 1ú ,
odnosno†
γ ⋅ β * ⋅ I ES ⋅ êexpç ÷ − 1ú = γ I ⋅ β I* ⋅ I CS ⋅ êexpç ÷ − 1ú ,
U
γ ⋅ β * ⋅ I EN = γ I ⋅ β I* ⋅ I CI . (A.6)
Umnožak faktora efikasnosti emitera γ i struje IEN jednak je elektronskoj komponenti struje
emitera u radnoj točki A, dok je umnožak efikasnosti kolektora γI i struje ICI jednak elektronskoj
struji kolektora u radnoj točki B. Stoga gornju jednadžbu možemo pisati kao
β * ⋅ I nEN = β I* ⋅ I nCI . (A.7)
Umnožak na lijevoj strani jednak je struji elektrona koji su stigli do kolektora (u radnoj točki A),
a umnožak na desnoj strani jednak je struji elektrona koji su stigli do emitera (u radnoj točki B)
(vidi sliku A.2), pa (A.7) možemo napisati kao
I nCN = I nEI .
Na osnovi ovih razmatranja zaključujemo da trebamo izvesti izraze za struje InCN i InEI u
ovisnosti o naponu U kada je on priključen na emiterski, odnosno kolektorski spoj, te utvrditi da
li su ti izrazi jednaki. Ako se pokaže da jesu jednaki, onda je recipročnost dokazana.
− U + + U −
nB nB
IEN InEN InCN I I InEI InCI ICI
n0B n0B
UBC =0 UBE =0
x x
0 wB 0 wB
radna točka A radna točka B
Slika A.2. Raspodjele manjinskih elektrona u radnim točkama A i B.
Da bismo odredili tražene struje InCN i InEI , trebamo prvo riješiti jednadžbu kontinuiteta za
manjinske elektrone u bazi. Kao rješenje, primjenom zadanih rubnih uvjeta, dobit ćemo
raspodjele elektrona, iz kojih ćemo, transportnim jednadžbama, izračunati struje. Radi
jednostavnosti, pretpostavit ćemo da je raspodjela primjesa u bazi opisana eksponencijalnom
funkcijom
N A = N A0 ⋅ exp( − x / a ) ,
† Ovdje bismo mogli pokratiti članove u uglatim zagradama na obje strane jednadžbe, no mi
ćemo ih radi općenitosti ostaviti.
Prilog A: Dokaz recipročnosti Ebers-Mollovog modela 251
jer je u tom slučaju električno polje u bazi konstantno†

UT
, =− (A.8)
a
pa jednadžba kontinuiteta za stacionarne uvjete
d 2 nB d n − n0 B
Dn ⋅ + µn ( ⋅ n B ) − B = 0, (A.9)
dx 2 dx τn
postaje linearna diferencijalna jednadžba drugog reda
d 2 nB 1 dn B nB − n0 B
+ ⋅ − = 0, (A.10)
dx 2 a dx L2n
koja se dade jednostavno analitički riješiti.
Osvrnimo se malo na gornje jednadžbe! Kao prvo, podsjetimo se da izraz za električno polje
(A.8) vrijedi samo u uvjetima niske injekcije. Drugo: pri rješavanju jednadžbe kontinuiteta (A.10)
ne zanemarujemo rekombinaciju u bazi, kao što je to napravljeno u poglavlju 3.2. Utjecaj
tehnoloških parametara na transportni faktor i faktor injekcije. Zanemarenje rekombinacije i
korištenje izraza dobivenih u navedenom poglavlju dovelo bi do pogrešnog zaključka (kakav je
izveden u inače besprijekornoj knjizi [Valkó91]). Radi jednostavnosti, pretpostavit ćemo da su
vrijeme života i pokretljivost elektrona u jednadžbi kontinuiteta konstantni, neovisni o prostornoj
koordinati - u protivnom bi (A.10) bila nelinearna diferencijalna jednadžba, koju ne bismo znali
analitički riješiti.
Supstitucijom
n B = n B − n0 B ,
jednadžbu (A.10) prevodimo u homogenu diferencijalnu jednadžbu
d 2 n B
1 dn B n B
2
⋅ + − 2 = 0, (A.11)
dx a dx Ln
čije rješenje daje ekscesnu koncentraciju elektrona n B (podsjetimo se da nam je ionako samo
ekscesna koncentracija neophodna za izračunavanje struja!). Opće rješenje jednadžbe (A.11) je
oblika‡
n B = C1 ⋅ exp[( A + B) ⋅ x ] + C2 ⋅ exp[( A − B) ⋅ x ] , (A.12)
pri čemu su
1 1 1
A= , B= + ,
2⋅a 4 ⋅ a2 L2n
konstante određene tehnološkim svojstvima baze.
Konstante integracije C1 i C2 u raspodjeli (A.12) ovise o rubnim uvjetima - koncentracijama
nosilaca uz emitersku, odnosno uz kolektorsku barijeru. Za radne točke A i B su ti uvjeti različiti,
pa ćemo dio dokaza koji slijedi razbiti na dva dijela: a) dio u kojem ćemo stvar istjerati do konca
(izračunati raspodjelu i struju InCN) za radnu točku A, te b) dio u kojem ćemo to isto učiniti za
radnu točku B.
† Općeniti dokaz zainteresirani čitatelj može naći u člancima [Shockley51, Ebers54]. Valja
naglasiti da se nerijetko u literaturi mogu naći nekorektni dokazi recipročnosti Ebers-Mollovog
modela!
‡ Sličnu jednadžbu rješavali smo u prvom dijelu Zbirke, u zadatku 1.45.
a)
Za radnu točku A, napon na emiterskom spoju UBE = U, pa je koncentracija elektrona uz
emitersku barijeru
ni2é æU ö ù N2
n BN ( x = 0) = ⋅ êexpç ÷ − 1ú = i ,
N A0
êë è U T ø úû N A0
dok je napon na kolektorskom spoju UBC = 0, pa je
n BN ( x = wB ) = 0 .
U prvom izrazu smo radi preglednosti uveli supstituciju
é æU ö ù
N i2 = ni2 ⋅ êexpç ÷ − 1ú .
êë è U T ø úû
Na temelju ovih rubnih uvjeta dobivamo da su konstante integracije

N i2 exp( − B ⋅ wB )
C1 N = − ⋅ ,
N A0 2 ⋅ sinh( B ⋅ wB )
N i2 exp( B ⋅ wB )
C2 N = ⋅ .
N A0 2 ⋅ sinh( B ⋅ wB )
Uvrštavanjem u (A.12), nakon sređivanja dobiva se raspodjela
N i2 sinh[ B ⋅ ( wB − x ) ]
n BN = ⋅ exp( A ⋅ x ) ⋅ . (A.13)
N A0 sinh( B ⋅ wB )
Sada kada znamo raspodjelu elektrona u bazi, možemo pomoću transportne jednadžbe za
elektrone,
dn B
J n = q ⋅ Dn ⋅ + q ⋅ µn ⋅ n B ⋅ , (A.14)
dx
izračunati struju elektrona uz kolektorsku barijeru. Na struju nosilaca utječe samo ekscesna
koncentracija, tako da umjesto ukupne koncentracije elektrona u transportnoj jednadžbi možemo
računati samo s njihovom ekscesnom koncentracijom
dn
J n = q ⋅ Dn ⋅ B + q ⋅ µn ⋅ n B ⋅ . (A.15)
dx
Znamo, naime, da se difuzijska i driftna komponenta struje u ravnotežnim uvjetima poništavaju,
pa ravnotežna raspodjela nema nikakvog udjela u traženoj struji.
Prije nego što uvrstimo raspodjelu (A.13) u transportnu jednadžbu (A.15), uočimo da je uz
kolektorsku barijeru zbog UCB = 0, koncentracija nosilaca jednaka ravnotežnoj (vidi sliku A.2), tj.
da je
n BN ( wB ) = 0 .
Zato je driftna komponenta struje JnCN jednaka nuli i ona se sastoji isključivo od difuzijske
komponente:
dn BN
J nCN = q ⋅ Dn ⋅ .
dx x = wB
Uvrštavanjem raspodjele (A.13) i sređivanjem, dobit ćemo traženu struju

Prilog A: Dokaz recipročnosti Ebers-Mollovog modela 253
N i2 B ⋅ exp( A ⋅ wB )
J nCN = q ⋅ Dn ⋅ ⋅ . (A.16)
N A0 sinh( B ⋅ wB )
Uočimo da je za homogenu bazu A = 0, a B = 1/Ln , tako da jednadžbe (A.13) i (A.16)

prelaze u odgovarajuće izraze koje smo izveli u poglavlju 3.1. Statički strujno-naponski odnosi.
b)
Za radnu točku B, napon UBC = U, pa je koncentracija
ni2 é æU ö ù N2
n BI ( x = wB ) = ⋅ êexpç ÷ − 1ú = i ,
N A0 ⋅ exp( − wB / a ) êë è U T ø úû N Aw
dok je zbog napona UBE = 0,
n BI ( x = 0) = 0 .
U gornjem izrazu smo zbog preglednosti upotrijebili supstituciju
N Aw = N A0 ⋅ exp( − wB / a ) .
Umetanjem ovih rubnih uvjeta u općenitu raspodjelu (A.12), možemo odrediti konstante
integracije
N i2 exp( − A ⋅ wB )
C1I = ⋅ ,
N Aw 2 ⋅ sinh( B ⋅ wB )
N i2 exp( − A ⋅ wB )
C1I = − ⋅ ,
N Aw 2 ⋅ sinh( B ⋅ wB )
pa je raspodjela manjinskih elektrona u radnoj točki B opisana funkcijom
N i2 sinh( B ⋅ x )
n BI = ⋅ exp[ A ⋅ ( x − wB )] ⋅ . (A.17)
N Aw sinh( B ⋅ wB )
Uvrštavanjem u transportnu jednadžbu (opet je driftna komponenta struje jednaka nuli!)

dn BI
J nEI = q ⋅ Dn ⋅ ,
dx x =0
dobit ćemo struju
N i2 B ⋅ exp( − A ⋅ wB )
J nEI = q ⋅ Dn ⋅ ⋅ . (A.18)
N Aw sinh( B ⋅ wB )
Prije nego što ovaj izraz usporedimo s (A.16), primijetimo da je
N Aw = N A 0 ⋅ exp( − wB / a ) = N A0 ⋅ exp( −2 ⋅ A ⋅ wB ) ,
tako da (A.18) možemo prepisati kao
N i2 B ⋅ exp( A ⋅ wB )
J nEI = q ⋅ Dn ⋅ ⋅ , (A.19)
N A 0 sinh( B ⋅ wB )
što je potpuno jednak izraz kao i (A.16)! Time smo dokazali recipročnost Ebers-Mollovog
modela.
LITERATURA
Knjige
[Abramowitz64] M. Abramowitz, I. A. Stegun (eds.), Handbook of Mathematical Functions -
with Formulas, Graphs and Mathematical Tables, National Bureau of
Standards, New York, 1964
[Antognetti86] P. Antognetti, D. O. Pederson, H. de Man (eds.), Computer Design Aids for
VLSI Circuits, Martinus Nijhoff, Dordrecht, The Netherlands, 1986.
[Antognetti88] P. Antognetti, G. Massobrio (eds.), Semiconductor Modeling with SPICE,
McGraw-Hill, New York, 1988.
[Beadle85] W. E. Beadle, J. C. C. Tsai, R. D. Plummer (eds.), Quick Reference Manual for
Silicon Integrated Circuit Technology, Wiley, New York, 1985.
[Biljanović70] P. Biljanović, Zbirka zadataka iz elektroničkih elemenata, Sveučilište u
Zagrebu, Zagreb, 1970.
[Biljanović82] P. Biljanović, Mikroelektronika - integrirani elektronički sklopovi, Školska
knjiga, Zagreb, 1982.
[Biljanović89] P. Biljanović, Elektronički sklopovi, Školska knjiga, Zagreb, 1989.
[Biondi58] F. J. Biondi (ed.), Transistor Technology, vol. II, Van Nostrand, Princeton,
1958.
[Bronštejn75] I. N. Bronštejn, K. A. Semendjajev, Matematički priručnik za inženjere i
studente, Tehnička knjiga, Zagreb, 1975.
[Cvekić75] V. Cvekić, Poluprovodničke diode i tranzistori, Tehnička knjiga, Beograd,
1975.
[Elliot89] D. J. Elliott, Integrated Circuit Fabrication Technology, McGraw-Hill, New
York, 1989.
[Gärtner60] W. W. Gärtner, Transistors: Principles, Design and Applications, Van
Nostrand, Princeton, 1960.
[Getreu78] I. E. Getreu, Modeling the Bipolar Transistor, Elsevier, Amsterdam, 1978.
[Ghandi68] S. K. Ghandi, The Theory and Practice of Microelectronics, Wiley, New York,
1968.
[Graaff90] H. C. de Graaff, F. M. Klaassen, Compact Transistor Modeling for Circuit
Design, Springer-Verlag, Wien, 1990.
[Gray64] P. E. Gray, D. DeWitt, A. R. Boothroyd, J. F. Gibbons, Physical Electronics
and Circuit Models of Transistors, Wiley, New York, 1964.
[Grove67] A. S. Grove, Physics and Technology of Semiconductor Devices, Wiley, New
York, 1967.
[Hamilton75] D. J. Hamilton, W. G. Howard, Basic Integrated Circuit Engineering, McGraw-
Hill, New York, 1975.
[Harris66] J. N. Harris, P. E. Gray, C. L. Searle, Digital Transistor Circuits, Wiley, New
York, 1966.
[Juzbašić75] B. Juzbašić, Elektronički elementi, Školska knjiga, Zagreb, 1975.
[Kendall69] E. J. M. Kendall, Transistors, Pergamon Press, Oxford, 1969.
[Lindmayer65] J. Lindmayer, C. Y. Wrigley, Semiconductor Devices, Van Nostrand, Princeton,
1965.
J. Šribar, J. Divković-Pukšec: Elektronički elementi - zbirka zadataka 255

256 Literatura
[Linvill63] J. G. Linvill, Models of Transistors and Diodes, McGraw-Hill, New York,

1963.
[Lynn67] D. K. Lynn, C. S. Meyer, D. J. Hamilton (eds.), Analysis and Design of
Integrated Circuits, McGraw-Hill, New York, 1967.
[Millman72] J. Millman, C. C. Halkias, Integrated Electronics: Analog and Digital Circuits
and Systems, McGraw-Hill, New York, 1972.
[Moll64] J. L. Moll, Physics of Semiconductors, McGraw-Hill, New York, 1964.
[Nagel75] L. W. Nagel, SPICE2: A Computer Program to Simulate Semiconductor
Circuits, University of California, Berkeley, 1975.
[Nanavati63] R. P. Nanavati, An Introduction to Semiconductor Electronics, McGraw-Hill,
New York, 1963.
[Phillips62] A. B. Phillips, Transistor Engineering, McGraw-Hill, New York, 1962.
[Ruska88] W. S. Ruska, Microelectronic Processing - An Introduction to the Manufacture
of Integrated Circuits, McGraw-Hill, New York, 1988.
[Selberherr84] S. Selberherr, Analysis and Simulation of Semiconductor Devices, Springer-
Verlag, Wien, 1984.
[Shive59] J. N. Shive, Semiconductor Devices, Van Nostrand, Princeton, 1959.
[Shockley50] W. Shockley, Electrons and Holes in Semiconductors, Van Nostrand,
Princeton, N. J., 1950.
[Singh94] J. Singh, Semiconductor Devices, An Introduction, McGraw-Hill, New York,
1994.
[Smith78] R. A. Smith, Semiconductors, Cambridge University Press, Cambridge, 1978.
[Sze81] S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley, New York, 1981.
[Sze88] S. M. Sze, VLSI Technology, McGraw-Hill, New York, 1988.
[Valkó91] I. P. Valkó, K. Tarnay, V. Székely, Elektronikus eszközök I., Tankönyvkiadó,
Budapest, 1991.
[Vlach83] J. Vlach, K. Singhal, Computer Methods for Circuit Analysis and Design, Van
Nostrand Reinhold, New York, 1983.
[Wang81] F, F, Wang (ed.), Impurity Doping Processes in Silicon, North-Holland,
Amsterdam, 1981.
[Warner65] R. M. Warner, J. N. Fordemwalt (eds.), Integrated Circuits: Design Principles
and Fabrication, McGraw-Hill, New York, 1965.
[Yang88] E. S. Yang, Microelectronic Devices, McGraw-Hill, New York, 1988.
[Yepifanov74] G. Yepifanov, Physical Principles of Microelectronics, Mir Publishers,
Moskva, 1974.
Članci u časopisima 257
Članci u časopisima
[Bardeen48] J. Bardeen, W. H. Brattain, “The Transistor, a Semi-conductor Triode”, Phys.
Rev., vol. 74, pp. 230, 1948.
[Bardeen49] J. Bardeen, W. H. Brattain, “Physical Principles Involved in Transistor Action”,
Phys. Rev., vol. 75, pp. 1208 - 1225, April 15, 1949.
[Boothroyd63] A. R. Boothroyd, F. N. Trofimenkoff, “Determination of the Physical
Parameters of Transistors for Single- and Double-Diffused Structure”, IEEE
Trans. Electron Devices, vol. ED-10, pp. 149 - 163, May 1963.
[Chawla71] B. R. Chawla, “Circuit Presentation of the Integral Charge-Control Model of
Bipolar Transistor”, IEEE J. Solid-State Circuits, vol. SC-6, pp. 262 - 264,
August 1971.
[Das61] M. B. Das, A. R. Boothroyd, “Determination of Physical Parameters of
Diffusion and Drift Transistors”, IRE Trans. Electron Devices, vol. ED-8, pp.
15 - 30, January 1961.
[Das61a] M. B. Das, A. R. Boothroyd, “Impurity-Density Distribution in the Base Region
of Drift Transistors”, IRE Trans. Electron Devices, vol. ED-8, pp. 475 - 481,
November 1961.
[Ebers54] J. J. Ebers, J. L. Moll, “Large-Signal Behaviour of Junction Transistors”, Proc.
IRE, vol. 42, pp. 1761 - 1772, December 1954.
[Early52] J. M. Early, “Effects of Space-Charge Layer Widening in Junction Transistors”,
Proc. IRE, vol. 40, pp. 1401 - 1405, November 1952.
[Early53] J. M. Early, “Design Theory of Junction Transistors”, Bell Syst. Tech. J., vol.
32, pp. 1271 - 1321, November 1953.
[Fossum76] J. G. Fossum, “Computer-Aided Numerical Analysis of Silicon Solar Cells”,
Solid-State Electron., vol. 19, pp. 269 - 277, April 1976.
[Giacoletto52] L. J. Giacoletto, “Junction Transistor Equivalent Circuits and Vacuum-Tube
Analogy”, Proc IRE, vol. 40, pp. 1490 - 1493, November 1952.
[Giacoletto54] L. J. Giacoletto, “Study of p-n-p Alloy Junction Transistor from D-C through
Medium Frequencies”, RCA Rev., vol. 15, pp. 506 - 562, December 1954.
[Graaff77] H. C. Graaff, J. W. Slotboom, A. Schmitz, “The Emitter Efficiency of Bipolar
Transistors”, Solid-State Electron., vol. 20, pp. 515 - 521, 1977.
[Gummel61] H. K. Gummel, “Measurement of the Number of Impurities in the Base Layer of
a Transistor”, Proc. IRE, vol. 49, p. 834, April 1961.
[Gummel64] H. K. Gummel, “A Self-Consistent Iterative Scheme for One-Dimensional
Steady State Transistor Calculations”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-
11, pp. 455 - 465, October 1964.
[Gummel70] H. K. Gummel, H. C. Poon, “An Integral Charge Control Model of Bipolar
Transistors”, Bell Syst. Tech. J., vol. 49, pp. 827 - 852, May-June 1970.
[IRE56] “IRE Standards on Letter Symbols for Semiconductor Devices”, Proc. IRE, vol.
44, pp. 934 - 937, July 1956.
[Irvin62] J. C. Irvin, “Resistivity of Bulk Silicon and Diffused Layers in Silicon “, Bell
Syst. Tech. J., vol. 41, pp. 387 - 410, March 1962.
[Kennedy63] D. P. Kennedy, P. C. Murley, “Minority Carrier Injection Characteristics of the
Diffused Emitter Junction”, IRE Trans. Electron Dev., vol. ED-9, pp. 136 - 142,
March 1963.
[Kingston54] R. H. Kingston, “Switching Time in Junction Diodes and Junction Transistors”,
Proc. IRE, vol. 42, pp. 829 - 834, May 1954.
258 Literatura
[Kirk62] C. T. Kirk, “A Theory of Transistor Cutoff Frequency (fT) Falloff at High

Current Densities”, IRE Trans. Electron Devices, ED-9, pp. 164 - 174, March
1962.
[Klein61] M. Klein, “Injection Efficiency in Double Diffused Transistors”, Proc. IRE, vol.
49, p. 1708, November 1961.
[Krömer53] H. Krömer, “Der Drifttransistor”, Naturwissenschaften, vol. 40, 578 - 579,
November 1953.
[Krömer54] H. Krömer, “Zur Theorie des Diffusions- und des Drifttransistors: I. Die
Vierpolmatrix und ihr Niederfrequnzenzverhalten”, Archiv der Elektrischen
Übertragung, vol. 8, 223 - 228, May 1954.
H. Krömer, “Zur Theorie des Diffusions- und des Drifttransistors: II.
Frequenzabhängigkeit”, Archiv der Elektrischen Übertragung, vol. 8, 363 -
369, August 1954.
H. Krömer, “Zur Theorie des Diffusions- und des Drifttransistors: III.
Dimensionierungsfragen”, Archiv der Elektrischen Übertragung, vol. 8, 499 -
504, November 1954.
[Lawrence60] H. Lawrence, R. M. Warner, “Diffused Junction Layer Calculations”, Bell
System Tech. J., vol. 39, pp. 389 - 403, March 1960.
[Lee56] C. A. Lee, “A High-frequency Diffused Base Germanium Transistor”, Bell Syst.
Tech. J., vol. 35, pp. 23 - 34, January 1956.
[Man71] H. J. J. De Man, “The Influence of Heavy Doping on the Emitter Efficiency of a
Bipolar Transistor”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-18, pp. 833 - 835,
October 1971.
[Mertens73] R. P. Mertens, H. J. DeMan, R. J. van Overstraeten, “Calculation of the Emitter
Efficiency of Bipolar Transistors”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-20,
pp. 772 - 778, September 1973.
[Mock73] M. S. Mock, “Transport Equations in Heavily Doped Silicon, and the Current
Gain of a Bipolar Transistor”, Solid-State Electron., vol. 16, pp. 1251 - 1259,
1973.
[Moll54] J. J. Moll, “Large-Signal Transient Response of Junction Transistors”, Proc.
IRE, vol. 42, pp. 1773 - 1784, December 1954.
[Moll56] J. L. Moll, I. M. Ross, “The Dependance of Transistor Parameters on the
Distribution of Base Layer Resistivity”, Proc. IRE, vol. 44, pp. 72 - 78, January
1956.
[Overstraeten73] R. J. van Overstraeten, H. J. DeMan, R. P. Mertens, “Transport Equations in
Heavy Doped Silicon”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-20, pp. 290 -
298, March 1973.
[Poon69] H. C. Poon, H. K. Gummel, D. L. Scharfetter, “High Injection in Epitaxial
Transistors”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-16, pp. 455 - 457, May
1969.
[Pritchard52] R. L. Pritchard, “Frequency Variations of Current-Amplification Factor for
Junction Transistors”, Proc. IRE, vol. 40, pp. 1476 - 1481, November 1952.
[Pritchard54] R. L. Pritchard, “Frequency Variations of Junction-Transistor Parameters”,
Proc. IRE, vol. 42, pp. 786 - 799, May 1954.
[Pritchard58] R. L. Pritchard, “Two-Dimensional Current Flow in Junction Transistors at
High Frequencies”, Proc. IRE, vol.46, pp. 1152 - 1160, June 1960.
[Pritchard61] R. L. Pritchard, J. B. Angell, R. B. Adler, J. M. Early, W. M. Webster,
“Transistor Internal Parameters for Small-Signal Representation”, Proc. IRE,
vol. 49, pp. 725 - 738, April 1961.
Članci u časopisima 259
[Shockley49] W. Shockley, “The Theory of p-n Junctions in Semiconductors and p-n Junction
Transistors”, Bell Syst. Tech. J., vol. 28, pp. 435 - 489, July 1949.
[Shockley51] W. Shockley, M. Sparks, G. K. Teal, “p-n Junction Transistors”, Phys. Rev.,
vol. 83, pp. 151 - 162, July 1951.
[Slotboom76] J. W. Slotboom, H. C. de Graaff, “Measurements of Bandgap Narrowing in Si
Bipolar Transistors,” Solid-State Electron., vol. 19, pp. 857 - 862, October
1976.
[Slotboom77] J. W. Slotboom, “The pn-Product in Silicon,” Solid-State Electron., vol. 20, pp.
279 - 283, April 1977.
[Slotboom77a] J. W. Slotboom, H. C. de Graaff, “Bandgap Narrowing in Silicon Bipolar
Transistors”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. ED-24, pp. 1123 - 1125,
August 1977.
[Steele52] E. L. Steele, “Theory of Alfa for p-n-p Diffused Junction Transistors”, Proc.
IRE, vol. 40, pp. 1424 - 1428 , November 1952.
[Tannenbaum56] M. Tannenbaum, D. E. Thomas, “Diffused Emitter and Base Silicon
Transistors”, Bell Syst. Tech. J., vol. 35, pp. 1 - 22, January 1956.
[Wallace51] R. L. Wallace, W. J. Pietenpol, “Some Circuit Properties and Applications of n-
p-n Transistors”, Bell Syst. Tech. J., vol. 30, pp. 530 - 563, July 1951.
R. L. Wallace, W. J. Pietenpol, “Some Circuit Properties and Applications of n-
p-n Transistors”, Proc. IRE, vol. 39, pp. 753 - 767, July 1951.
[Webster54] W. M. Webster, “On the Variation of Junction-Transistor Current Amplification
Factor with Emitter Current”, Proc. IRE, vol. 42, pp.914 - 920, June 1954.

Elektronički Elementi 2

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Elektronički Elementi 2

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Julijan Šribar

All rights reserved. No part of this text may be

J. Šribar, J. Divković-Pukšec: Elektronički elementi - zbirka zadataka i

J. Šribar, J. Divković-Pukšec: Elektronički elementi - zbirka zadataka iii

J. Šribar, J. Divković-Pukšec: Elektronički elementi - zbirka zadataka v

k Boltzmannova konstanta, k = 1,381⋅10–23 J/K

αI faktor strujnog pojačanja tranzistora u spoju zajedničke baze u inverznom

Oznake hiperbolnih funkcija

Slika 3.1. Grafički simboli pnp i npn tranzistora.

Na slici 3.2 prikazani su tehnološki presjeci bipolarnog tranzistora dobivenog

† Grafički simbol pnp tranzistora proizašao je iz stiliziranog prikaza prvih “točkastih”

J.Šribar, J. Divković-Pukšec: Elektronički elementi - zbirka zadataka 1

emiter baza kolektor

Slika 3.2. Tehnološki presjeci diskretnog i integriranog bipolarnog tranzistora.

izvod baze izvod

Slika 3.3. Diskretni tranzistor montiran u metalnom kućištu.

Na slici 3.5 prikazana je raspodjela primjesa u jednom npn tranzistoru dobivenom

raspodjela neto-koncentracija. Grafom na slici 3.5b obuhvaćen je i dio jako dopirane

3.1. Statički strujno-naponski odnosi

3.1.1. Naponska područja rada

Tablica 3.1. Definicije naponskih područja rada bipolarnog tranzistora.

propusno zasićenje inverzno aktivno

planarnih tranzistora najizraženiji u emiteru, budući da za dobre karakteristike

3.1.2. Komponente struja

transportne jednadžbe transportne jednadžbe

IpE InE InC IpC

Slika 3.6. Određivanje strujno-naponskih karakteristika tranzistora (prema

Kada tranzistor radi u normalnom aktivnom području, pn-spoj emiter baza je

emiter baza kolektor emiter baza kolektor

injekcija sakupljanje sakupljanje injekcija

emiter baza kolektor emiter baza kolektor

injekcija injekcija sakupljanje sakupljanje

E (n) B (p) C (n)

Slika 3.8. Komponente struja npn tranzistora u normalnom aktivnom

emiter baza kolektor

Za to trebamo odrediti raspodjelu manjinskih elektrona u bazi, odnosno riješiti jednadžbu

Razliku između difuzijskih struja elektrona uz emitersku, odnosno kolektorsku barijeru,

Zanimljivo je uočiti da bismo do iste formule za rekombinacijsku struju došli da smo

emiter (n) baza (p) kolektor (n)

Slika 3.10. Tijekom proleta kroz bazu dio injektiranih nosilaca se

tj. da je rekombinacijska struja proporcionalna ekscesnom naboju manjinskih nosilaca u bazi.

prelazi u linearnu raspodjelu

Uporabimo li gornje aproksimacije hiperbolnih funkcija u izrazu (3.10) za struju InE ,

Prepišimo izraze (3.20) i (3.21) u sljedećem obliku:

nB0 >> n0B >> nBw

Struja kolektora jednaka je zbroju elektronske i šupljinske komponente

Da smo umjesto pojednostavljenih izraza za struje koristili egzaktne izraze izvedene u a)

Tablica 3.2. Usporedba rezultata dobivenih na osnovi egzaktne

veličina egzaktna raspodjela (3.7) linear. aproksimacija (3.19)

InE 3,397368 mA (3.10) 3,392952 mA (3.22)

n0B nBw n0B

Kako je rekombinacijska struja proporcionalna nakrcanom naboju,

† Izlazne karakteristike općenito prikazuju ovisnost izlazne struje o izlaznom naponu, za

Pažljiviji čitatelj će primijetiti da izlazne karakteristike u normalnom aktivnom području nisu

p,n emiter baza kolektor

E (p) B (n) C (p)

Slika 3.19. Komponente struja pnp tranzistora u području zasićenja.

emiter baza kolektor

Za točne vrijednosti šupljinskih komponenti struja emitera i kolektora trebali bi uzeti u

crtaju za konstantne struje emitera, očigledno je da za održanje nepromijenjene vrijednosti struje

Na temelju gornjih razmatranja možemo skicirati izlazne karakteristike tranzistora za spoj

područje zasićenja normalno aktivno područje

emiter baza kolektor

područje zasićenja = normalno aktivno područje + inverzno aktivno područje