DENEY NO: 5 MOSFET Karakteristiği Deneyi Rapor Kağıdı

Deney grubu ve dersi aldığı öğretim üyesi:

Öğrenci Adı-Soyadı: No:

1. MOSFET’in VGS-ID karakteristiği

1.1. Vt ölçüp kaydedin, Vt=…….

1.2. Tablo-1’i VDD ve VGS değerlerine göre doldurun.

Tablo-1

VDD (sabit) VGS (V) VR1 [mV,V] ID = (VDS/VR1=1k ohm)

0.5
Vt
1.5
VDD =5V 2.5
3.5
4.5
5.5

1.3. Yukarıdaki tabloya göre VGS – ID grafiğini aşağıdaki boşluğa çiziniz.

ID

VGS
0,5 1,5 2,5 3,5 4,5 5,5

2. VDS-ID karakteristiğinin elde edilmesi

2.1. Yukarıda ölçtüğünüz Vt gerilimine göre aşağıdaki tabloları ölçüp kaydediniz.

VGS VDS [V] VR1 [mV] ID = (VDS/VR1) [mA]

0
0,8
VGS =Vt + 0,2 V 2
3
4
5
Tablo-1
 VGS VDS [V] VR1 [mV] ID = (VDS/VR1) [mA]
0
0,8 V
VGS =Vt + 0,4 V 2
3
4
5
Tablo-2

VGS VDS [V] VR1 [mV] ID = (VDS/VR1) [mA]

0
0,93
VGS =Vt + 0,6 V 2
3
4
5
Tablo-3

VGS VDS [V] VR1 [V] ID = (VDS/VR1) [mA]

0
1,08
VGS =Vt + 0,8 V 2
3
4
5
Tablo-4

2.2. Yukarıdaki tablolara göre farklı VGS gerilimleri için, VDS – ID değerlerine göre oluşacak eğrileri
aşağıdaki boşluğa çiziniz. Grafikte 4 farklı eğri çizmeniz gerekmektedir.

ID

VDS
1V 2V 3V 4V 5V

2.3. Grafikte Triode-Saturation sınırını çiziniz. Hangi bölgenin doyum hangi bölgenin Triode bölgesi
olduğunu gösteriniz.

2.3. Her bir tabloda artırılan VGS ‘ye karşı ID nasıl bir oranla değişmektedir? (ipucu: Lineer, karesel,
üstel, x kat gibi) Ölçümlere göre yorumlayınız.

2.4. Tablo-4 için Triode bölgesine denk gelen ölçtüğünüz değerlerle 𝑟𝐷𝑆 ‘yi hesaplayınız.