EEM 204 Analog Elektronik I

Deney Raporu
Diyotun Temel Karakteristiğinin İncelenmesi
27.03.2023

Grup Numarası: 6
Deneye Katılan Öğrenciler:

1- Selin EROĞLU 210603035

2- Muhammet SEMİZ 210603020
3- Burakhan BAŞYİĞİT 210603072
4- Duygu KAHYA 220603002

Uygulama

Şekil 4.’ teki Basit Diyot Devresi breadboard üzerine

kuruldu.

Tablo I ’ de verilen Vin (giriş gerilimleri) devreye

sırasıyla uygulanarak VD (diyot gerilimi) ve VR (direnç
gerilimi) ölçüldü.
Ölçülen sonuçlar Tablo I ’e kaydedildi.

Uygulanan gerilim sonrası devreden geçen akım

ID =Vin /R
denklemi ile hesaplandı.
Devreden geçen akım kurulan devre üzerinden
ölçüldü.

Şekil 2.1
ID =Vin /R için sırasıyla uygulanan giriş gerilim değerleri için ;

Hesaplanan ID sonuçları;
Ölçülen ID sonuçları;
Proteus programında
Vin oluşturduğumuz
ID (mA)
Vin ID (mA) basit diyot devresi.
(V) Ölçülen
(V) Hesaplanan -2.0 0
-2.0 0 -1.5 0
-1.5 0 -1.0 0
-1.0 0 -0.5 0
-0.5 0 0 0
0 0 0.3 0.23 µA
0.3 3mA 0.5 0.04 mA
0.5 5mA 0.7 0.9 mA
0.7 7mA 0.9 2.51 mA
0.9 9mA 1.0 3.4 mA
1.0 10mA 1.5 8.07 mA
1.5 15mA 2.0 12.9 mA
2.0 20mA

Kurduğumuz diyotlu devreden ölçüm ve hesaplama sonucu elde ettiğimiz veriler Tablo I ’ e
kaydedildi.

Vin VD (V) VR (V) ID (mA) ID (mA)

(V) Hesaplanan Ölçülen
-2.0 -2.0 0 0 0
-1.5 -1.5 0 0 0
-1.0 -.1.0 0 0 0
-0.5 -0.5 0 0 0
0 0 0 0 0
0.3 0,3V 0.02 mV 3mA 0.23 µA
0.5 0.5V 4.21 mV 5mA 0.04 mA
0.7 0.61V 0.09V 7mA 0.9 mA
0.9 0.65V 0.25V 9mA 2.51 mA
1.0 0.66V 0.34V 10mA 3.4 mA
1.5 0.69V 0.81V 15mA 8.07 mA
2.0 0.71V 1.29V 20mA 12.9 mA

Tablo 1. Diyotlu Devrenin Akım-Gerilim Değerleri

Diyotun Karakteristiği Grafiği

Deneyin Amacı

Diyotun Akım – Gerilim karakteristiğini deneysel olarak belirlemek ve transfer fonksiyonu

kavramını öğrenmek.

Diyot elektrik akımını yalnızca tek yönde geçiren, p-tipi ve n-tipi malzemenin bir araya
getirilmesiyle oluşmuş, analog elektronik devrelerde sıkça kullanılan, iki uçlu pasif devre
elemanıdır.

Diyotun anot ve katot uçlarından anota pozitif katota ise negatif gerilim uygulandığında p-
tipi yarı-iletken malzemede bulunan pozitif yükler n-tipi yarı-iletkenin negatif yüklerine
doğru akacağından elektrik akımın diyot üzerinde iletilmiş olur. Gerilimleri tam tersi yönde
uyguladığımızda yük akışı olmayacağından diyot üzerinden elektrik akımı geçmez. Ancak
karakteristiği gereği diyot “Eşik Gerilimi”nin altındaki gerilimlerde sonsuz dirence yani açık
devre konfigurasyonuna, eşik geriliminin üzerindeki gerilimlerde ise sıfır dirence yani kapalı
devre konfigurasyonuna sahiptir. Bu niteliğinden ters beslemeyle elektrik akımı geçirmeyen
diyot akımın geçmesi için gerekli kırılma değerini geçtiğinde akım geçirmeye başlar.
Devremizin çıkış gerilimi VR, devrenin giriş gerilimi olan VS’in bir fonksiyonudur. Bu
fonksiyona transfer fonksiyonu denir ve VR = f(VS) olarak bulunur.

Bu bilgilerden ve deneyde öğrendiklerimizden yola çıkarak Diyotun Akım-Gerilim

Karakteristiği Grafiği’ni (Şekil2.1 ) incelediğimizde şu bilgilere ulaştık ;

 Diyotun doğru besleme bölgesinde çalışırken akım geçirmesi için eşik gerilime ulaşması
gereklidir. Eşik değeri sayısal olarak 0.6V-0.8V arasında değişmektedir. Bu değer genellikle
genel amaçlı silikon diyotlarda 0.7V olarak kabul edilir.

 Diyotun ters besleme bölgesinde çalışırken kırılma noktası gerilimine kadar akım
geçirmez. Bu değer aşıldığında diyot üzerinden ters yönde akım geçişi olur. Deneyde de
kullandığımız 1N4001 gibi genel amaçlı silikon diyotların kırılma gerilim değerleri 50V ve
üzeri değerlerdir.