Mục lục

Chương 1: Linh kiện điện tử........................................................................................5

1.1. Linh kiện thụ động..........................................................................................5
1.1.1. Điện trở.....................................................................................................5
1.1.1.1. Khái niệm chung................................................................................5
1.1.1.2. Các tham số kỹ thuật đặc trưng của điện trở.......................................5
1.1.1.3. Cách đọc trị số của điện trở....................................................................6
1.1.2. Tụ điện.........................................................................................................10
1.1.2.1. Khái niệm chung...................................................................................10
1.1.2.2. Các tham số cơ bản của tụ điện...........................................................11
1.1.2.3. Phân loại................................................................................................12
1.1.2.4. Cách đọc trị số của tụ...........................................................................15
1.1.3. Cuộn dây.................................................................................................16
1.1.3.1. Khái niệm chung...................................................................................16
1.1.3.2. Các tham số...........................................................................................16
1.1.3.3. Phân loại................................................................................................17
1.1.3.4. Cách đọc trị số cuộn cảm:.....................................................................18
1.2. Diode bán dẫn...............................................................................................19
1.2.1. Mặt ghép P-N................................................................................................20
1.2.1.1. Chất bán dẫn..........................................................................................19
1.2.1.2. Chất bán dẫn tạp chất...........................................................................21
1.2.1.3. Mặt ghép P-N và tính chất chỉnh lưu...................................................24
1.2.2. Diode bán dẫn................................................................................................27
1.2.2.1. Cấu tạo và ký hiệu của diode................................................................27
1.2.2.2. Nguyên lý hoạt động và đặc trưng Vôn-Ampe của diode..................28
1.2.2.3. Phân loại.................................................................................................29
1.2.3. Một số ứng dụng của Diode.........................................................................32
1.2.3.1 Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ..................................................................32
1.2.3.2 Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ...............................................................33
1.2.3.3. Mạch nhân áp.......................................................................................34
1.3.Transistor lưỡng cực......................................................................................35
1.3.1. Cấu tạo, ký hiệu và nguyên lý hoạt động................................................35
1.3.1.1. Cấu tạo, ký hiệu......................................................................................35
1
 1.3.1.2. Nguyên lý hoạt động của Transistor....................................................36
1.3.1.3. Tham số của Transistor.........................................................................38
1.3.2. Các cách mắc cơ bản của Transistor...........................................................39
1.3.2.1. Mạch Base chung (BC)...........................................................................39
1.3.2.2. Mạch Emitter chung ( EC)....................................................................41
1.3.2.3. Mạch Collector chung ( CC)..................................................................44
1.3.3. Phân cực cho BJT..........................................................................................46
1.3.3.1. Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh....................................................46
1.3.3.2. Mạch phân cực cố định..........................................................................46
1.3.3.3. Mạch phân cực ổn định Emitter...........................................................49
1.3.3.4. Mạch phân áp.........................................................................................51
1.3.3.5. Mạch phân cực hồi tiếp âm điện áp......................................................52
1.4. Transistor trường (FET)......................................................................................54
1.4.1. Giới thiệu chung............................................................................................54
1.4.2. Cấu tạo và đặc tính của JFET......................................................................55
1.4.2.1. Cấu tạo và ký hiệu..................................................................................55
1.4.2.2. Nguyên lý hoạt động...............................................................................56
1.4.3. Cấu tạo và đặc tính của MOSFET...............................................................58
1.4.3.1. Cấu tạo và ký hiệu của MOSFET kênh liên tục..................................58
1.4.3.2. Cấu tạo và ký hiệu của MOSFET kênh gián đoạn (cảm ứng)...........60
1.5. Phân cực cho FET................................................................................................62
1.5.1. Giới thiệu........................................................................................................62
1.5.2. Mạch phân cực cố định ................................................................................63
1.5.3. Mạch tự phân cực..........................................................................................64
1.5.4. Mạch phân cực phân áp................................................................................66
1.5.5. Các loại MOSFET kênh đặt
sẵn...................................................................68
1.5.5. Các loại MOSFET kênh cảm ứng................................................................69
1.6. Các dụng cụ bán dẫn khác...................................................................................72
1.6.1. Transistor một chuyển tiếp...........................................................................72
1.6.2. Thyristor.........................................................................................................76
1.6.3. Triac, Diac......................................................................................................78
1.6.4. Các linh kiện quang điện tử..........................................................................81

2
Câu hỏi và bài tập........................................................................................................90
Chương 2: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp.............................................94
2.1. Khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng Transistor lưỡng cực........................................94
2.1.1. Giới thiệu........................................................................................................94
2.1.2. Các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ...............................................................95
2.1.2.1. Mạch Emitter chung (EC).....................................................................95
2.1.2.2. Mạch Collector chung (CC)..................................................................96
2.1.2.3. Mạch Base chung (BC............................................................................97
2.2. Các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET...................................................98
2.2.1. Giới thiệu .......................................................................................................98
2.2.2. Mô hình của FET ở chế độ tín hiệu nhỏ......................................................99
2.2.3. Mạch phân cực cố định của JFET.............................................................102
2.2.4. Mạch tự phân cực JFET.............................................................................104
2.2.5. Mạch phân áp JFET ..................................................................................107
2.2.6. Mạch lặp cực nguồn ...................................................................................108
2.2.7. Mạch JFET cổng chung..............................................................................110
Câu hỏi và bài tập......................................................................................................113
Chương 3: Khuếch đại thuật toán...........................................................................115
3.1. Các đặc tính và tham số cơ bản.........................................................................115
3.1.1. Các khái niệm cơ bản..................................................................................115
3.1.2. Đặc tuyến truyền đạt...................................................................................116
3.2. Các sơ đồ cơ bản của bộ khuếch đại thuật toán.............................................. 116
3.2.1. Bộ khuếch đại đảo.......................................................................................116
3.2.2. Mạch khuếch đại không đảo......................................................................117
3.2.3. Mạch cộng....................................................................................................118
3.2.3.1. Mạch cộng đảo .....................................................................................118
3.2.3.2. Mạch cộng không đảo .........................................................................118
3.2.4. Mạch trừ.......................................................................................................119
Câu hỏi và bài tập......................................................................................................122
Chương 4: Mạch nguồn cung cấp............................................................................124
4.1 Giới thiệu chung.................................................................................................124
4.2. Biến áp nguồn và mạch chỉnh lưu................................................................124
4.2.1. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ...................................................................124
3
 4.2.2. Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ.............................................................125
4.2.2.1. Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dùng hai diode................................125
4.2.2.2. Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ sử dụng mạch chỉnh lưu cầu.........126
4.2.2.3. Mạch bội áp.........................................................................................126
4.3. Tổng quan về bộ lọc..........................................................................................127
4.3.1. Bộ lọc dùng tụ điện....................................................................................128
4.3.2. Bộ lọc RC....................................................................................................131
4.4. Mạch ổn áp........................................................................................................132
4.4.1.Mạch ổn áp dùng Điôt Zener.....................................................................132
4.4.2. Ổn áp dùng Transistor.............................................................................135
4.4.2.1. Mạch ổn áp nối tiếp............................................................................135
4.4.2.2. Mạch ổn áp song song........................................................................138
4.4.3. Mạch ổn áp dùng IC..................................................................................140
4.4.3.1.Ổn áp cố định dòng IC.........................................................................140
4.4.3.2. Ổn áp dùng IC có điều chỉnh điện áp ra............................................140
4.4.4. Một số mạch ổn áp dùng IC......................................................................141
4.4.4.1. Mạch tăng dòng ra..............................................................................141
4.4.4.2. Mạch tăng điện áp ra...........................................................................141
Câu hỏi và bài tập......................................................................................................142
Tài liệu tham khảo.....................................................................................................143

4
 Chương 1: Linh kiện điện tử
1.1. Linh kiện thụ động
1.1.1. Điện trở
1.1.1.1. Khái niệm chung
- Điện trở là linh kiện dùng để ngăn cản dòng điện trong mạch.

R R

Hình 1.1: Hình dạng và ký hiệu điện trở

- Đơn vị đo điện trở: Để đặc trưng khả năng cản trở dòng điện nhiều hay ít,
người ta dùng đơn vị đo điện trở là  (Ôm), k (Kilô Ôm), M (Mêga Ôm)…

1M = 103k = 106

1.1.1.2. Các tham số kỹ thuật đặc trưng của điện trở
Để đánh giá và lựa chọn điện trở ta phải dựa vào các tham số của nó. Các tham
số gồm có:
a) Trị số điện trở và dung sai
+ Trị số của điện trở là tham số cơ bản, và yêu cầu trị số điện trở phải ổn
định, ít thay đổi theo nhiện độ, độ ẩm, v.v... Trị số của điện trở phụ thuộc vào vật liệu
cản điện, vào kích thước của điện trở và nhiệt độ môi trường.
Trị số của điện trở đo bằng đơn vị Ôm và các bội số của nó. Giá trị của điện trở
thường đo ở dòng điện một chiều hoặc tần số thấp. Muốn dùng điện trở ở tần số cao
phải chọn điện trở có kết cấu, kích thước, vỏ bọc cụ thể.
+ Dung sai hay sai số của điện trở: Dung sai biểu thị mức độ chênh lệch
của trị số thực tế của điện trở so với trị số danh định và được tính theo %.
b) Công suất tiêu tán cho phép: (Pttmax)
Khi có dòng điện chạy qua, điện trở tiêu tán năng lượng điện dưới dạng nhiệt một
công suất là:

5
 U2
Ptt  R.I 2  [W ] (1.1)
R

Công suất tiêu tán cho phép của điện trở Pttmax là công suất điện cao nhất mà điện
trở có thể chịu đựng được, nếu quá mức đó điện trở sẽ nóng cháy và không dùng được.

U 2 max
Ptt max  R.I 2
max  [W ] (1.2)
R

Với yêu cầu điều kiện đảm bảo cho điện trở làm việc bình thường thì P tt< Pttmax.
Qua công thức trên ta thấy công suất tiêu tán cho phép hạn chế giá trị điện áp cực đại
và giá trị dòng điện cực đại. Do đó tuỳ theo điện áp và dòng điện qua điện trở lớn hay
nhỏ mà sử dụng điện trở có công suất tiêu tán cho phép lớn hay nhỏ.
c) Hệ số nhiệt của điện trở: TCR
Hệ số nhiệt của điện trở biểu thị sự thay đổi trị số của điện trở theo nhiệt độ môi
trường và được tính theo công thức:
1 R 6
TCR  10 [ ppm / o c] (1.3)
R T

trong đó: R- là trị số của điện trở

R- là đại lượng thay đổi của trị số điện trở khi nhiệt độ thay đổi một lượng
là T.
TCR là trị số biến đổi tươưng đối tính theo phần triệu của điện trở trên 1 oC
(viết tắt là ppm/oC) .
1.1.1.3. Cách đọc trị số của điện trở
Cách đọc trị số của điện trở tuỳ thuộc vào cách biểu diễn điện trở.
 Ghi bằng số và chữ

Thường ghi các chữ R, K, M. Chữ R ứng với đơn vị , chữ K ứng với đơn vị
k, chữ M ứng với đơn vị M. Vị trí của chữ thể hiện chữ số thập phân, giá trị của số
thể hiện giá trị điện trở. Đối với điện trở dán Điện trở dán dùng 3 chữ số in trên lưng
để chỉ giá trị của điện trở. 2 chữ số đầu là giá trị thông dụng và số thứ 3 là số mũ của
mười (số số không).
Ví dụ:
334 = 33 × 10^4 ohms = 330 kilohms
222 = 22 × 10^2 ohms = 2.2 kilohms

6
473 = 47 × 10^3 ohms = 47 kilohms

7
Quy ước về sai số: B = 0,1%, C = 0,25%, D = 0,5%, F = 1%, G = 2%, J = 5%,
K = 10%, không ghi ứng với 20%.

8
  Biểu thị trị số điện trở bằng các vòng màu.
Bảng quy luật màu

Thường dùng 4 vòng hoặc 5 vòng để biểu diễn. Các quy định màu đối với điện
trở 4 vòng màu như sau:
Vòng 1, 2 là vòng giá trị.
Vòng 3 là vòng biểu thị số luỹ thừa của 10.
Vòng 4 là vòng sai số.
Để xác định thứ tự vòng màu căn cứ vào ba đặc điểm:
- Vòng 1 gần đầu điện trở nhất.
- Tiết diện vòng cuối cùng là lớn nhất.
- Vòng 1 không bao giờ là nhũ vàng, nhũ bạc.

9
 Hình 1.2: Ví dụ xác định giá trị điện trở 4 vòng màu
Trường hợp điện trở 3 vòng màu (vòng 4 trùng với thân điện trở) có sai số 20%
Với điện trở 5 vòng màu gồm 3 vòng giá trị, vòng 4 biểu thị số luỹ thừa của 10,
vòng 5 biểu thị sai số.

Hình 1.3: Ví dụ xác định giá trị điện trở 5 vòng màu

 Biến trở
Biến trở là điện trở có giá trị thay đổi được.
Ký hiệu trên mạch:

VR

Hình 1.4: Ký hiệu và hình dạngcủa biến trở

Biến trở có hai dạng: Điện trở biến đổi và chiết áp:

10
 + Điện trở biến đổi được chế tạo như điện trở không đổi nhưng có thêm con trượt
để thay đổi trị số. Chiết áp cũng là điện trở biến đổi. Chiết áp có nhiều loại. Dựa vào
cấu trúc người ta chia làm hai loại: chiết áp dây quấn và chiết áp than hỗn hợp. Dựa
vào quan hệ giữa giá trị điện trở và góc quay người ta chia làm 4 loại : chiết áp đường
thẳng, chiết áp đường cong chữ S, chiết áp hàm logarit, chiết áp hàm mũ.
+ Chiết áp dây quấn: cấu tạo tương tự như điện trở dây quấn biến đổi. Con chạy
bằng kim loại nối với trục trượt hoặc trục quay và trượt trên các vòng dây. Chiết áp
dây quấn có giá trị thay đổi trong khoảng (1- 200)k, công suất khoảng (3-5)W. Chiết
áp dây quấn thường được dùng trong các mạch công suất lớn.

Con trượt
Dây cuốn
Đầu dây ra

Hình 1.5: Cấu tạo của chiết áp

+ Chiết áp than hỗn hợp :

Lớp vật liệu hỗn hợp được phủ lên trên tấm đế hình móng ngựa, hai đầu có phủ
một lớp bạc nối với chân ra. Chiết áp than hỗn hợp có phạm vi biến đổi giá trị trong
khoảng (10-10M), công suất khoảng(0,1-2W). Chiết áp điện trở biến đổi tuyến
tính.
+ Chiết áp logarit dùng trong các bộ lọc hoặc điều chỉnh âm sắc trong các máy
thu.
+ Chiết áp hàm mũ dùng để điều chỉnh âm lượng.
1
1- Con trượt
2- Màng than
2
3- Lá đàn hồi
3
4- Chỗ nối với chân ra
4
1.1.2. Tụ điện Hình 1.6: Cấu tạo chiết hàm mũ

1.1.2.1. Khái niệm chung.

Tụ điện là một linh kiện có khả năng phóng nạp điện tích.

11
 Cấu tạo chung gồm hai bản cực làm bằng kim loại đặt song song và cách điện
bằng một lớp điện môi. Từ hai bản cực nối với hai dây dẫn ra ngoài làm hai chân tụ,
toàn bộ đặt trong vỏ bảo vệ.
Bản cực

Chân tụ
Vỏ bọc
Chất điện môi

Hình 1.7: Cấu tạo của tụ điện

Ký hiệu của tụ trên mạch điện:

+ _ + _

Tụ thường Tụ có phân cực Tụ có điện dung thay đổi.

Hình 1.8: Ký hiệu của tụ điện

Để đặc trưng cho khả năng phóng nạp điện tích của tụ điện người ta đưa ra khái
niệm điện dung. Đơn vị đo điện dung là F, F, nF, pF…

1F = 106F =109nF = 1012pF

1.1.2.2. Các tham số cơ bản của tụ điện.
Mỗi một loại tụ điện đều có các tham số kỹ thuật để giúp ta lựa chọn và sử dụng
tụ điện một cách tốt nhất. Tụ điện gồm có các tham số chính sau:
a) Trị số điện dung và dung sai
+ Trị số điện dung(C): Trị số điện dung tỉ lệ với tỉ số giữa điện tích hữu dụng
của bản cực S với khoảng cách giữa hai bản cực. Điện dung được tính theo công thức:
 r 0S
C [F ] (1.4)
d

trong đó: C là điện dung của tụ điện (F)

r: hằng số điện môi của chất điện môi

0: hằng số điện môi của không khí hay chân không
S là diện tích hiệu dụng của một bản kim loại(m2).
D: khoảng cách giữa hai bản cực [m]

12
 + Dung sai của tụ điện: Đây là tham số chỉ độ chính xác của trị số điện dung
thực tế so với trị số danh định của nó.
b) Điện áp làm việc
Mỗi tụ điện chỉ có một điện áp làm việc nhất định, nếu quá điện áp này lớp điện
môi sẽ bị đánh thủng và làm hỏng tụ điện.
Điện áp làm việc là điện áp lớn nhất mà tụ điện có thể chịu đựng được trong suốt
cả thời gian làm việc (ít nhất là 10000 giờ) bảo đảm được các tham số của tụ (điện
dung, điện trở cách điện…). Đối với đa số các loại tụ điện, thường điện áp này là điện
áp một chiều. Điện áp xoay chiều (hiệu dụng) trên tụ có thể bé hơn 1,5 2 lần điện áp
làm việc đối với dòng một chiều.
c) Điện trở cách điện
Tính chất và kích thước của điện môi quyết định điện trở cách điện của tụ điện.
Đối với tụ hoá điện trở cách điện được biểu thị bằng dòng dò.
d) Hệ số nhiệt của tụ điện
Khi nhiệt độ xung quanh biến đổi sẽ làm cho kích thước của các bản, khoảng
cách giữa các bản và cả hệ số điện môi thay đổi, nên điện dung sẽ biến đổi. Sự biến
thiên tương đối của điện dung khi nhiệt độ thay đổi 10C gọi là hệ số nhiệt của tụ điện.
e) Điện cảm tạp tán
Phụ thuộc vào kích thước của các bản và các đầu nối. Điện cảm này dẫn đến
cộng hưởng. Để công tác ổn định, tần số công tác lớn nhất phải nhỏ hơn tần số cộng
hưởng của tụ điện.
1.1.2.3. Phân loại.
Tụ điện thường phân loại theo cấu tạo, có hai loại: tụ điện cố định và tụ điện biến
đổi.
a) Tụ giấy
Chất cách điện trong tụ giấy làm bằng
những loại giấy mỏng cách điện không
thấm nước còn đầu ra làm bằng các lá kim
loại rất mỏng.
Đối với tụ giấy có điện dung nhỏ hơn
0,1F, điện trở cách điện ít nhất là

13
5000M; còn với tụ giấy có điện dung lớn hơn 0,1F, điện trở cách điện nhỏ hơn.
Phẩm chất của tụ giấy vào khoảng 60-100.
Tụ giấy dùng để phân đường, ngăn, nối tầng, lọc trong những mạch điện tần số
thấp.
b) Tụ mica
Chất cách điện trong tụ mica làm
bằng các bản mica chất luợng cao, các
bản tụ điện làm bằng các lá kim loại
mỏng hay một lớp bạc mỏng tráng lên
một mặt của bản mica. Tụ điện mica có
các bản làm bằng lá kim loại kém ổn
định hơn loại tráng một lớp bạc.

Tụ mica có tổn hao rất bé và điện trở cách điện cao (khoảng 10000 M) nên
được dùng chủ yếu trong các mạch cao tần, các phần tử cách ly trong các máy radio.
c) Tụ gốm
Cấu tạo: gồm một miếng gốm nhỏ hình trụ
hoặc giống khuy áo hai mặt được tráng bạc, cách
điện với nhau tạo thành hai má của tụ điện (chất
điện môi là gốm).
Đặc tính: kích thước nhỏ, điện dung lớn. Tụ
gốm hình đĩa trị số điện dung nhỏ thường được ghi
bằng pF, lớn hơn được ghi bằng F. Tụ gốm kích
thước nhỏ dùng trong các mạch thông thường hiện nay có điện áp làm việc cực đại cho
phép là 50 V.
d) Tụ hoá
Tụ hoá có trị số điện dung rất lớn, so
với các tụ khác thường đạt từ vài F đến vài
nghìn F. Chất điện môi dùng trong tụ hoá
thường là hợp chất hoá học như Al203 hoặc
oxit tantan Ta205. Đặc điểm của chất điện
môi này là có tính chất dẫn điện không đổi
nghĩa là khi đặt điện áp một chiều lên tụ thì
tụ có một chiều điện trở rất cao và một chiều có điện trở rất nhỏ do đó phải phân cực +
14
và cực – và được ghi trên thân tụ. Khi lắp tụ vào trong mạch phải chú ý cực tính của
tụ.
+ Căn cứ vào vật liệu làm điện cực: Tụ hoá nhôm và tụ hoá tantan
+ Căn cứ vào chất điện phân: Tụ hoá khô và tụ hoá ướt.
e) Tụ biến đổi (tụ xoay)
Tụ xoay là một hệ thống gồm các má động và các má tĩnh được đặt xen kẽ với
nhau. Các má động có thể xoay quanh một trục để thay đổi S dẫn đến thay đổi giá trị
C. Chất điện môi có thể là chất khí, mica, thạch anh. Khi C = C max thì hai nhóm má
tĩnh và động hoàn toàn đối điện nhau nghĩa là S = S max.
Khi C = Cmin thì hai nhóm má tĩnh và động hoàn toàn lệch nhau nghĩa là S = Smim

Trục xoay

Má động

Má tĩnh

Hình 1.9: Cấu tạo của tụ xoay

f) Tụ tinh chỉnh
Có nhiều loại tụ tinh chỉnh:
+ Tụ tinh chỉnh bằng sứ: có kích thước nhỏ, các chỉ tiêu về điện cao.
+ Tụ tinh chỉnh có lò xo gồm có hai bản cực kim loại, giữa hai bản là một chất
điện môi. Một bản cố định, còn một bản có thể đàn hồi được, khi ta vặn đinh ốc thì bản
đàn hồi sẽ gần hoặc cách xa bản cố định do đó điện dung có thể biến đổi được. Loại
này không ổn định nhưng đơn giản.

 Tụ tinh chỉnh nhỏ có điện môi là không khí có chỉ tiêu chất lượng cao nhưng
cấu tạo phức tạp.
Tụ này dùng để điều chỉnh chính xác điện dung, mắc phụ thêm vào các mạch dao
động hay các mạch cần điều chỉnh để có một điện dung thật chính xác.

15
 Vít vi chinh

Hộp
Trục xoay nhựa

1 2 3

Hình 1.10: Cấu tạo tụ tinh chỉnh

1.1.2.4. Cách đọc trị số của tụ.

Cách đọc trị số của tụ điện tuỳ thuộc vào cách biểu diễn tụ điện.
 Ghi bằng số và chữ

Ghi bằng số và chữ: Chữ K, Z, J,  ứng với đơn vị pF; chữ n, H ứng với đơn vị
nF; chữ M, m ứng với đơn vị F. Vị trí của chữ thể hiện chữ số thập phân, giá trị của
số thể hiện giá trị tụ điện.
- Ghi bằng các con số không kèm theo chữ:

+ Nếu các con số kèm theo dấu chấm hay phẩy thì đơn vị là F, vị trí dấu phẩy
(dấu chấm) thể hiện chữ số thập phân.
+ Nếu các con số không kèm theo dấu thì đơn vị là pF và con số cuối cùng biểu
thị số luỹ thừa của 10. Đặc biệt số cuối cùng là số “0” thì con số đó là giá trị thực.
Ví dụ: 683 = 68 x 103 pF
683 160
160 = 160 pF 50V 100v

Hình 1.11: Ví dụ xác định giá trị tụ điện

 Ghi bằng quy luật màu

Khi tụ điện được biểu diễn theo các vạch màu thì giá trị các vạch màu cũng giống
như điện trở, đơn vị tính của nó là pF.
Riêng đối với tụ phân cực thì cực tính được ghi trên thân tụ.

16
1.1.3. Cuộn dây
1.1.3.1. Khái niệm chung.
Cuộn dây là một linh kiện có khả năng cảm ứng điện từ.
Cuộn dây gồm những vòng dây quấn trên một cốt bằng chất cách điện có lõi hoặc
không lõi tuỳ theo tần số làm việc.

Cuộn dây lõi Ferit. Cuộn dây lõi sắt Cuộn dây không lõi .
từ.
Hình 1.12: Ký hiệu của cuộn dây

Để đặc trưng cho khả năng cảm ứng điện từ người ta đưa ra khái niệm điện cảm.
Đơn vị đo điện cảm là H, mH, H.

1H = 103 mH = 106 H
1.1.3.2. Các tham số.
a) Độ tự cảm của cuộn dây: L
S
L  r 0 N 2 (1.5)
l

Trong đó: S- là tiết diện của cuộn dây (m2).

N – là số vòng dây.
L – là chiều dài của cuộn dây (m).

r, 0 – là độ từ thẩm của vật liệu lõi sắt từ và của không khí (H/m) .
b) Hệ số phẩm chất của cuộn dây: (Q)
Để tính hệ số phẩm chất của cuộn dây ta xem xét đến sự tổn thất của cuộn dây
khi có dòng điện chạy qua. Một cuộn dây thực khi có dòng điện chạy qua luôn có tổn
thất đó là công suất điện hao phí để làm nóng cuộn dây. Các tổn thất này được biểu thị
bởi một điện trở RS nối tiếp với điện kháng XL của cuộn dây. Hệ số phẩm chất Q của
cuộn dây là tỷ số của cảm kháng XL trên điện trở nối tiếp hiệu dụng RS đó.
XL
Q (1.6)
RS

c) Tần số làm việc giới hạn (fgh).

17
 Cuộn dây thực còn có tần số làm việc bị giới hạn bởi điện dung riêng của nó (đó
là điện dung phân tán giữa các vòng dây,...). Ở tần số thấp, điện dung này được bỏ qua
vì dung kháng của nó rất lớn. Nhưng ở tần số cao thì cuộn dây trở thành một mạch
cộng hưởng song song.
1.1.3.3. Phân loại.
* Dựa theo ứng dụng mà cuộn dây có một số loại sau:
- Cuộn cộng hưởng là các cuộn dây dùng trong các mạch cộng hưởng LC.
- Cuộn lọc là các cuộn dây dùng trong các bộ lọc một chiều.
- Cuộn chặn dùng để ngăn cản dòng cao tần, v.v...
* Dựa vào loại lõi của cuộn dây, có thể chia các cuộn dây ra một số loại sau.
Chúng ta sẽ xem xét cụ thể từng loại một:
Cuộn dây lõi không khí hay cuộn dây không có lõi.
Cuộn dây lõi không khí là các cuộn dây được quấn trên cốt bằng bìa hoặc cốt
bằng sứ, hoặc không có cốt. Thường gặp nhất là các cuộn cộng hưởng làm việc ở tần
số cao và siêu cao.
Các yêu cầu chính của cuộn cảm không lõi là:
- Điện cảm phải ổn định ở tần số làm việc.
- Hệ số phẩm chất cao ở tần số làm việc. Muốn hệ số phẩm chất tốt thì chiều dài
cuộn dây chỉ nên bằng hoặc gấp rưỡi lần đường kính lõi.
- Điện dung ký sinh C nhỏ.
L phụ thuộc vào số vòng dây, hình dạng, kích thước cuộn dây, số vòng càng
nhiều, kích thước lớn -> L càng lớn -> chịu được dòng lớn, Q càng lớn khi nó có tổn
hao càng ít.
Một mạch cộng hưởng có Q lớn -> độ chọn lọc càng cao.
Các cuộn dây thường được tẩm để chống ẩm, tăng độ bền cơ học, ở tần số Radio
các cuộn dây thường được bọc kim để tránh các liên kết điện từ không mong muốn.
Cuộn dây lõi sắt bụi.
Cuộn dây lõi sắt bụi (bột nguyên chất trộn với chất dính không từ tính) được
dùng ở tần số cao và trung tần. Cuộn dây lõi sắt bụi có tổn thất thấp, đặc biệt là tổn hao
do dòng điện xoáy ngược, và độ từ thẩm thấp hơn nhiều so với loại lõi sắt.

18
 Chế tạo cuộn dây lõi sắt bụi giống như cuộn dây lõi không khí. Cuộn dây lõi sắt
bụi cũng có yêu cầu giống như cuộn dây lõi không khí cao tần về ảnh hưởng điện dung
riêng của cuộn dây, về tổn thất điện môi và hiệu ứng mặt ngoài.
Cuộn cảm có lõi Ferit.
Cuộn dây lõi Ferit là các cuộn dây làm việc ở tần số cao và trung tần. Lõi Ferit có
nhiều hình dạng khác nhau như: thanh, ống, hình chữ E, chữ C, hình xuyến, hình nồi,
hạt đậu,v,v...Dùng lõi hình xuyến dễ tạo điện cảm cao, tuy vậy lại dễ bị bão hoà từ khi
có thành phần một chiều.
Cuộn dây lõi sắt từ.
Lõi của cuộn dây thường là hợp chất sắt – silic và sắt silic hạt định hướng, hoặc
hợp chất sắt-niken tuỳ theo mục đích ứng dụng. Đây là các cuộn dây làm việc ở tần số
thấp. Dây quấn là dây đồng đã được tráng men cách điện, quấn thành nhiều lớp có
cách điện giữa các lớp và được tẩm chất chống ẩm sau khi quấn.
Cuộn chặn tần số thấp được dùng chủ yếu để lọc bỏ điện áp gợn cho nguồn cung
cấp một chiều qua chỉnh lưu, làm tải anôt trong các tầng khuếch đại, và trong các ứng
dụng một chiều khác.
1.1.3.4. Cách đọc trị số cuộn cảm:
Tương tự như đối với điện trở, trên thế giới có một số loại cuộn cảm có cấu trúc
tương tự như điện trở. Quy định màu và cách đọc màu đều tương tự như đối với các
điện trở. Tuy nhiên, do các giá trị của các cuộn cảm thường khá linh động đối với yêu
cầu thiết kế mạch cho nên các cuộn cảm thường được tính toán và quấn theo số vòng
dây xác định.
 Ghi bằng quy luật màu

 Ghi bằng chấm màu

- Chấm I, II, III đọc giống điện trở,
đơn vị là H. I II S L
I II III S
L

- L: Số lũy thừa 10
- S: Sai số.

Hình 1.13: Cuộn dây bằng chấm màu

Ví dụ 1: Chấm1: Nâu; chấm 2: đen; chấm S: đen; chấm L: nâu

19
 L = 10. 100  1% H.
Ví dụ 2: Chấm1: Nâu; chấm 2: đen; : chấm3: đen; chấm S: đỏ; chấm L: nâu

L = 100.101  2% H.

1.2. Diode bán dẫn

1.2.1. Mặt ghép P-N
1.2.1.1. Chất bán dẫn thuần

Chất bán dẫn mà ở mỗi nút của mạng tinh thể của nó chỉ có nguyên tử của một
loại nguyên tố thì chất đó gọi là chất bán dẫn thuần (Intrinsic).

Hai chất bán dẫn thuần hay được sử dụng nhất trong kỹ thuật điện tử là Silic và
Gecmani. Trong đó Si được sử dụng nhiều hơn Ge.

Silicon Germanium
Hình 1.14: Cấu trúc nguyên tử của Si và Ge

Hình 1.14 là cấu trúc nguyên tử của Silic và Gemani. Silic và Gemani đều có 4
điện tử hoá trị. Các điện tử hoá trị trong nguyên tử Gemani ở lớp thứ tư còn điện tử
hoá trị của nguyên tử Silic ở lớp thứ ba, gần hạt nhân hơn. Có nghĩa là các điện tử hoá
trị trong nguyên tử Gemani có mức năng lượng cao hơn trong nguyên tử Silic, do đó
chỉ cần một năng lượng nhỏ thì điện tử hoá trị của nguyên tử Gemani sẽ trở thành điện
tử tự do. Điều này làm cho Gemani không ổn định ở nhiệt độ cao, đây là lý do tại sao
Silic là vật liệu bán dẫn được sử dụng rộng rãi.
Silic và Gemani có cấu trúc mạng tinh thể, nghĩa là mỗi nguyên tử Silic (hoặc
Gemani) liên kết với bốn nguyên tử xung quanh theo liên kết cộng hoá trị (hình 1.15).

20
 các electron góp
a) b)
chung
Hình 1.15: a) Cấu trúc mạng tinh thể; b) Liên kết cộng hoá trị trong Si

Hạt tải điện trong chất bán dẫn thuần

Tinh thể Silic thuần ở nhiệt độ phòng nhận được một năng lượng (nhiệt, ánh
sáng) từ môi trường ngoài, làm cho một số điện tử hoá trị được tăng năng lượng và
nhảy mức từ vùng hoá trị lên vùng dẫn, trở thành điện tử tự do và gọi là điện tử dẫn
điện. Khi điện tử nhảy lên vùng dẫn để lại một khoảng trống ở vùng hoá trị và gọi là lỗ
trống hình 1.16. Do đó khi có năng lượng ngoài kích thích thì tạo nên một cặp điện tử-
lỗ trống. Sự tái hợp xuất hiện khi điện tử ở vùng dẫn bị mất năng lượng và quay trở về
lỗ trống trong vùng hoá trị.

điện tử
vùng dẫn tự do

lỗ trống
vùng hoá trị

Hình 1.16. Quá trình tạo ra cặp điện tử tự do - lỗ trống trên đồ thị vùng năng lượng

Trong chất bán dẫn thuần, nồng độ điện tử tự do bằng nồng độ lỗ trống và được
ký hiệu là ni: n = p = ni

(1.7)

Trong đó: : số Avogadro = 6,203. 1023

T: nhiệt độ tuyệt đối
K: hằng số Bolzman = 1.38×10-23J/0K
EG: độ rộng vùng cấm
Đối với Silic:

21
 3
hạt/cm

1.2.1.2. Chất bán dẫn tạp chất

Chất bán dẫn mà một số nguyên tử ở nút mạng tinh thể của nó được thay thế
bằng nguyên tử của chất khác gọi là chất bán dẫn tạp chất.
Có hai chất bán dẫn tạp chất là: chất bán dẫn loại N và chất bán dẫn loại P.

 Chất bán dẫn loại N

Người ta pha thêm các nguyên tử nhóm V như As(asen), P(photpho),
Bi(bitmut), Sb(antimon) vào chất bán dẫn thuần Silic hoặc Gemani. Các nguyên tử tạp
chất nhóm V sẽ thay thế một số các nguyên tử của Si (hoặc Ge) trong mạng tinh thể,
nó sẽ góp 4 điện tử trong 5 điện tử hóa trị của mình vào liên kết cộng hóa trị với 4
nguyên tử Si (hoặc Ge) lân cận, còn điện tử thứ 5 sẽ thừa ra nên liên kết của nó trong
mạng tinh thể là rất yếu, xem hình 1.17. Các tạp chất nhóm V được gọi là tạp chất cho
điện tử (Donor) hay tạp chất n.
Electron tự
do từ nguyên
tử Sb
Vùng dẫn

Mức năng
lượng tạp
Vùng hoá trị
chất

Hình 1.17: Đồ thị vùng năng lượng và cấu trúc mạng tinh thể của
chất bán dẫn loại N

Việc làm sai hỏng mạng tinh thể chất bán dẫn thuần bằng tạp chất đôno tương
ứng với việc làm xuất hiện trong vùng cấm của bán dẫn này những mức năng lượng
cục bộ nằm sát đáy vùng dẫn. Những mức năng lượng này gọi là những mức đôno
(hình 1.17). Khoảng cách từ đáy vùng dẫn đến mức đôno nhỏ hơn nhiều so với độ rộng
vùng cấm, bởi vậy ở nhiệt độ trong phòng, hầu hết các điện tử thứ 5 của tạp chất cho
sẽ nhảy lên dải dẫn, nhưng trong dải hóa trị không xuất hiện thêm lỗ trống. Nhưng
cũng có một số các lỗ trống tham gia vào quá trình dẫn điện khi cặp điện tử- lỗ trống
được tạo ra do hiện tượng nhiệt.
Số lượng electron dẫn điện có thể thay đổi được bằng cách thay đổi nồng độ
chất pha tạp vào. Electron dẫn điện được tạo ra do sự pha tạp nhưng lại không tạo ra lỗ

22
trống ở vùng hoá trị. Ở chất bán dẫn tạp loại N: nồng độ hạt dẫn điện tử (n n) nhiều hơn
nhiều nồng độ lỗ trống pn và điện tử được gọi là hạt dẫn đa số, lỗ trống được gọi là hạt
dẫn thiểu số:

nn >> pn
trong đó: nn - là nồng độ hạt dẫn điện tử trong bán dẫn tạp loại N
pn - là nồng độ hạt dẫn lỗ trống trong bán dẫn tạp loại N
 Chất bán dẫn loại P.
Để tạo ra chất bán dẫn loại P, người ta pha các nguyên tử có hoá trị III,ví dụ
như các nguyên tử Al(nhôm), B(Bo), In(Indi), Ga(Gali), vào chất bán dẫn thuần Silic
hoặc Gemani.

23
 lỗ trống từ
nguyên tử B
Mức năng Vùng dẫn
lượng tạp
chất

Vùng hoá trị

Hình 1.18: Đồ thị vùng năng lượng và cấu trúc mạng tinh thể của
chất bán dẫn loại P

Như minh hoạ ở hình 1.18 mỗi nguyên tử tạp chất (ví dụ là B) liên kết cộng hoá
trị với 4 nguyên tử Silic xung quanh. Ba electron hoá trị của nguyên tử B tham gia vào
liên kết cộng hoá trị với các nguyên tử Silic mà do cần bốn electron hoá trị nên một lỗ
trống được tạo ra. Điện tử của mối liên kết gần đó có thể nhảy sang để hoàn chỉnh mối
liên kết thứ 4 còn để dở. Do nguyên tử tạp chất có thể nhận electron nên gọi là nguyên
tử nhận (acceptor).

Tương tự như chất bán dẫn loại N, trong chất bán dẫn loại P việc làm sai hỏng
mạng tinh thể chất bán dẫn thuần bằng tạp chất acceptor tương ứng với việc làm xuất
hiện trong vùng cấm của bán dẫn này những mức năng lượng cục bộ nằm sát đỉnh
vùng hoá trị. Những mức năng lượng này gọi là những mức acceptor. Bởi vậy chỉ cần
một năng lượng nhỏ (năng lượng ion hoá) cũng có thể làm cho điện tử nhảy vùng hoá
trị lên các mức acceptor, làm cho nguyên tử tạp chất ion hoá trở thành ion âm đồng
thời làm xuất hiện các lỗ trống trong vùng hoá trị.

Trong chất bán dẫn P dòng điện được tạo ra phần lớn là do các lỗ trống nên các
lỗ trống được gọi là hạt dẫn đa số. Nhưng cũng có một số các electron tham gia vào
quá trình dẫn điện khi cặp điện tử- lỗ trống được tạo ra do hiện tượng nhiệt. Các
electron này được gọi là hạt dẫn thiểu số. Trong chất bán dẫn loại P:

pP >> nP
trong đó: pP - nồng độ hạt dẫn lỗ trống trong bán dẫn P
nP - nồng độ hạt dẫn điện tử trong bán dẫn P
Số lượng lỗ trống có thể thay đổi được bằng cách thay đổi số nguyên tử tạp chất
pha tạp vào. Lỗ trống được tạo ra do sự pha tạp không phụ thuộc vào điện tử tự do.

24
1.2.1.3. Mặt ghép P-N và tính chất chỉnh lưu

a) Phương pháp tạo mặt ghép P-N

Trên một miếng bán dẫn đơn tinh thể, bằng các phương pháp công nghệ pha
tạp, ta tạo ra hai vùng có bản chất dẫn điện khác nhau: một vùng là bán dẫn tạp loại P
và một vùng kia là bán dẫn tạp loại N. Như vậy, tại ranh giới tiếp xúc giữa hai vùng
bán dẫn P và N này sẽ xuất hiện một lớp có đặc tính vật lý khác hẳn với hai vùng bán
dẫn P và N, được gọi là mặt ghép P-N (lớp tiếp giáp P-N) – hình 1.19a.

b) Mặt ghép P-N khi chưa phân cực

Ngay khi tạo tiếp xúc P-N, do tồn tại một giá trị lớn gradient nồng độ hạt dẫn
giữa hai phía của lớp tiếp giáp nên các điện tử tự do trong miền N ở lân cận lớp tiếp
xúc bắt đầu khuếch tán sang miền P, ở đây chúng kết hợp với các lỗ trống ở gần lớp
tiếp xúc. Miền N mất các điện tử tự do, tạo ra một lớp tích điện dương gần lớp tiếp
xúc. Miền P nhận thêm các điện tử tự do, đồng thời các lỗ trống khuếch tán sang miền
N, tạo ra một lớp tích điện âm gần lớp tiếp xúc. Hai lớp tích điện dương và âm này
được gọi là miền điện tích không gian hoặc miền nghèo như hình 1.19b. Khái niệm
miền nghèo là để chỉ vùng gần lớp tiếp xúc P-N bị mất hầu hết các hạt mang điện (điện
tử và lỗ trống). Trong vùng nghèo hình thành một điện trường theo định luật Coulomb
hướng từ N sang P. Điện trường này tạo ra một thế cản ngăn cản các electron trong
miền N khuếch tán sang miền P và ngăn cản các lỗ trống khuếch tán từ P sang N.
Nhưng điện trường này lại tăng cường chuyển động của các hạt dẫn thiểu số qua lớp
tiếp giáp (chuyển động trôi). Khi dòng điện do các hạt dẫn chuyển động khuếch tán và
các hạt dẫn chuyển động trôi qua tiếp xúc P-N có giá trị bằng nhau thì ta nói tiếp xúc
P-N ở trạng thái cân bằng động. Mức năng lượng E 0 - thế năng của điện tử hay hàng
rào thế năng của điện tử ở tiếp xúc P-N khi nó ở trạng thái cân bằng là:
E0= KTln(NDNA/n2i) (1.8)
Trong đó E0 đo bằng [eV],
K: hằng số Bolzman = 1.38×10-23J/0K
T là nhiệt độ tuyệt đối,
ND và NA là nồng độ các nguyên tử tạp chất nhóm 5 và nhóm 3,

25
 ni là nồng độ hạt dẫn sinh ra do nhiệt.

Hình 1.19: a) Mặt ghép P-N

b) Sự hình thành miền nghèo
Các hạt dẫn đa số muốn vượt qua miền Nghèo phải nhận được năng lượng đủ
lớn để thắng được thế cản này. Điện thế cần cung cấp để cho electron di chuyển qua
vùng nghèo gọi là điện áp mở. Điện áp mở của tiếp xúc P-N phụ thuộc vào nhiều yếu
tố, bao gồm loại chất bán dẫn, nồng độ tạp chất và nhiệt độ. Điện áp mở điển hình xấp
xỉ 0,7V đối với Si và 0,3V đối với Ge ở 25oC.
Đồ thị vùng năng lượng của tiếp xúc P-N và vùng nghèo.
Vùng hoá trị và vùng dẫn
trong chất bán dẫn loại N có Vùng dẫn
mức năng lượng thấp hơn vùng
hoá trị và vùng dẫn trong chất Vùng hoá trị
bán dẫn loại P do sự khác nhau
về đặc tính của nguyên tử tạp
chất. Hình 1.20. Đồ thị vùng năng lượng của tiếp xúc PN

Đồ thị vùng năng lượng của tiếp xúc P-N ngay khi vừa hình thành được minh
hoạ trên hình 1.20. Vùng hoá trị và vùng dẫn của miền N có mức năng lượng thấp hơn
vùng hoá trị và vùng dẫn của miền P nhưng bề rộng vùng cấm thì bằng nhau.
Các electron tự do trong miền N chiếm mức năng lượng cao trong vùng dẫn dễ
dàng khuếch tán qua lớp tiếp xúc (không cần thêm năng lượng ngoài) và tạm thời trở
thành electron tự do chiếm mức năng lượng thấp trong vùng dẫn của miền P. Sau khi
qua lớp tiếp xúc các electron nhanh chóng bị mất năng lượng và kết hợp với các lỗ
trống trong vùng hoá trị của miền P.

26
 Hiện tượng khuếch tán xảy ra, vùng nghèo bắt đầu hình thành và mức năng
lượng của vùng dẫn bị giảm. Sự giảm mức năng lượng này là do các electron năng
lượng cao bị khuếch tán qua lớp tiếp xúc sang miền P. Khi không có electron rời từ
vùng dẫn miền N sang vùng dẫn miền P, ta nói lớp tiếp xúc ở trạng thái cân bằng bởi
hiện tượng khuếch tán bị dừng lại.

c) Mặt ghép P-N khi phân cực thuận

Tiếp xúc P-N được phân cực thuận khi ta đặt một điện áp bên ngoài lên lớp tiếp
xúc P-N có chiều cực dương được nối vào bán dẫn loại P và cực âm nối vào bán dẫn N
(hình 1.21a). Điện áp ngoài Uth phải đủ lớn để thắng được thế cản.

Hiện tượng tái hợp

Vùng dẫn
Dòng lỗ trống
Dòng điện tử
Vùng hoá trị
R

Uth
Hình 1.21a. Tiếp xúc PN khi phân cực thuận và đồ thị vùng năng lượng
.
Khi phân cực thuận, cực âm và cực dương của U th sẽ đẩy các electron tự do
trong miền N và các lỗ trống trong miền P về phía tiếp xúc P-N, làm giảm độ rộng
miền nghèo. Vì vậy phần lớn các hạt dẫn đa số dễ dàng khuếch tán qua tiếp xúc P-N,
kết quả là dòng điện qua tiếp xúc P-N tăng lên. Dòng điện chạy qua tiếp xúc P-N khi
nó phân cực thuận gọi là dòng điện thuận Ith.

Khi phân cực thuận, vùng dẫn của miền N được nâng lên đến mức năng lượng
cao và gối lên vùng dẫn của miền P. Một số lượng lớn các electron tự do có đủ năng
lượng để vượt qua rào và sang phía miền P ở đây chúng kết hợp với các lỗ trống ở
vùng hoá trị.

Khi tăng điện áp thuận lên, tiếp xúc P-N được phân cực thuận càng mạnh, hiệu
điện thế tiếp xúc càng giảm, hàng rào thế năng càng thấp xuống, đồng thời điện trở lớp
tiếp xúc giảm, bề dày của lớp tiếp xúc cũng giảm, các hạt dẫn đa số khuếch tán qua
tiếp xúc P-N càng nhiều nên dòng điện thuận càng tăng.

27
 d) Tiếp xúc P-N khi phân cực ngược
Tiếp xúc P-N phân cực ngược khi ta đặt một nguồn điện áp ngoài sao cho cực
dương của nó nối với phần bán dẫn N, còn cực âm nối với phần bán dẫn P (hình
1.21b). Khi đó điện áp ngoài sẽ tạo ra một điện trường cùng chiều với điện trường tiếp
xúc, làm cho điện trường trong lớp tiếp xúc tăng lên.

Vùng hoá trị

Vùng dẫn

Ung
Hình 1.21b. Tiếp xúc PN khi phân cực ngược và đồ thị vùng năng lượng

Cực dương của điện áp nguồn sẽ hút các electron tự do trong miền N ra khỏi
tiếp xúc P-N. Cực âm của điện áp nguồn sẽ hút các lỗ trống trong miền P ra khỏi tiếp
xúc P-N. Kết quả làm cho vùng nghèo rộng ra. Các hạt dẫn đa số khó khuếch tán qua
vùng nghèo, làm cho dòng điện khuếch tán qua tiếp xúc P-N giảm xuống so với trạng
thái cân bằng. Đồng thời, do điện trường của lớp tiếp xúc tăng lên sẽ thúc đẩy quá
trình chuyển động trôi của các hạt dẫn thiểu số và tạo nên dòng điện trôi có chiều từ
bán dẫn N sang bán dẫn P và được gọi là dòng điện ngược Ingược.

Nếu ta tăng điện áp ngược lên, điện thế tiếp xúc càng tăng lên làm cho dòng
điện ngược tăng lên. Nhưng do nồng độ các hạt dẫn thiểu số có rất ít nên dòng điện
ngược nhanh chóng đạt giá trị bão hòa và được gọi là dòng điện ngược bão hòa I S có
giá trị rất nhỏ và có thể bỏ qua (khoảng từ vài nA đến vài chục µA).

1.2.2. Diode bán dẫn

1.2.2.1. Cấu tạo và ký hiệu của diode
Cấu tạo: Diode bán dẫn có cấu tạo là một chuyển tiếp P-N với 2 điện cực nối với
hai miền P và N. Điện cực nối với miền P gọi là Anôt, điện cực nối với miền N
gọi là Katôt. Ký hiệu của điôt chỉ ra ở hình 1.22.

A K A K
P N

Hình 1.22: Cấu tạo, ký hiệu của Diode

28
1.2.2.2. Nguyên lý hoạt động và đặc trưng Vôn-Ampe của diode.

Nguyên lý hoạt động của Ungmax U diode

dựa vào tính chất của mặt 0 M ghép PN:
Khi UAK > 0 thì diode phân cực thuận.
Vùng 3 Vùng 1
Khi UAK  0 thì diode phân cực
ngược. Vùng 2

Hình 1.23: Đặc trưng Vôn-Ampe của diode bán dẫn

Đặc trưng Vôn-Ampe
của diode là đồ thị biểu diễn mối quan hệ giữa dòng điện đi qua điôt và điện áp đặt lên
hai đầu của diode. Đặc trưng Von-Ampe của diode có dạng hình 1.23. Đặc trưng này
chia làm 3 vùng:
- Vùng 1 ứng với trường hợp phân cực thuận, đường đặc trưng có dạng hàm e
mũ:

; Ở đó (1.9)

Trong đó: IS là dòng điện ngược bão hòa.

U - Điện áp phân cực thuận.
UT - Thế nhiệt, có giá trị từ 25mV đến 26 mV.

Đường đặc trưng xuất phát từ điểm M, UM phụ thuộc vật liệu chế tạo diode, UM
gọi là điện áp mở.
+ Diode gốc Ge: UM khoảng 0,2÷0,3V
29
 + Diode gốc Si: UM khoảng 0,6  0,7V.
- Vùng 2: khi điện áp tăng thì dòng ngược Ing tăng không đáng kể.

- Vùng 3: Khi Ung  Ungmax thì dòng điện chạy qua diode tăng đột biến trong khi
điện áp tăng không đáng kể, hiện tượng này gọi là hiện tượng đánh thủng lớp tiếp xúc
PN. Có 2 cơ chế đánh thủng chính:
- Đánh thủng vì nhiệt độ do tiếp xúc P-N bị nung nóng cục bộ, vì va chạm của
hạt thiểu số được gia tốc trong trường mạnh. Điều này dẫn tới quá trình sinh hạt ồ ạt
(ion hoá nguyên tử chất bán dẫn thuần, có tính chất thác lũ) làm nhiệt độ nơi tiếp xúc
tăng dẫn đến dòng điện ngược tăng đột biến và mặt ghép P-N bị phá hỏng.
- Đánh thủng vì điện do 2 hiệu ứng: ion hoá do va chạm (giữa hạt thiểu số được
gia tốc trong trường mạnh với nguyên tử của chất bán dẫn thuần thường xảy ra ở các
mặt ghép P-N rộng (hiệu ứng Zener) và hiệu ứng đường hầm (Tunen) xảy ra ở các tiếp
xúc P-N hẹp do pha tạp chất với nồng độ cao liên quan tới hiện tượng nhảy mức trực
tiếp của các điện tử hoá trị bên bán dẫn P xuyên qua hàng rào thế tiếp xúc sang vùng
dẫn bên bán dẫn N).
1.2.2.4. Phân loại
a) Diode biến dung
Diode biến dung là là dụng cụ bán dẫn hai
cực mà điện dung của nó có thể thay đổi trong
một phạm vi nhất định khi thay đổi điện áp phân
cực ngược của diode. Diode biến dung có thể Hình 1.24: Ký hiệu của điôt biến dung
gọi là varicap, epicap, varacto.
Ứng dụng:
Được dùng để thay cho tụ điện biến đổi. Ưu điểm của tụ này so với tụ thường là
có thể điều chỉnh được giá trị tụ 1 cách tự động bằng tín hiệu điện với tần số rất lớn
(thường ở siêu cao tần). Nó được dùng để biến đổi tần số cộng hưởng của bộ dao động
LC. I F

b) Diode ổn áp (diode
Zener) VF

Diode ổn áp làm việc dựa trên

cơ sở hiệu ứng đánh thủng thác lũ
và đánh thủng Zener chuyển tiếp Miền ổn áp
PN. Khác với diode chỉnh lưu,
30

Hình 1.25: Ký hiệu và đặc tuyến V-A của diode Zener

diode ổn áp thường xuyên công tác ở chế độ phân cực ngược. Dòng ngược trong diode
ổn áp do các hạt dẫn sinh ra trong quá trình đánh thủng thác lũ, nhưng do hiệu ứng
Zener được biết đến trước tiên cho nên diode ổn định vẫn thường được gọi là diode
Zener. Diode ổn áp thường làm việc ở chế độ dòng lớn cho nên thường là điôt silic
tiếp mặt.
Các tham số của diode ổn áp:
- Điện áp ổn áp UZ (điện áp Zener) đó là điện áp ngược đặt vào diode làm phát
sinh hiện tượng đánh thủng, trong quá trình làm việc diode giữ ổn định ở điện áp này.
Đối với mỗi loại diode ổn áp điện áp ổn định biến thiên trong một khoảng hẹp nhất
định. Giới hạn dưới của khoảng này là điện áp nhỏ nhất làm phát sinh hiện tượng đánh
thủng, giới hạn trên là điện áp ngược ứng với dòng ngược cực đại cho phép.
- Công suất tiêu tán PM đó là công suất cực đại cho phép để diode ổn định công
tác bình thường. Đôi khi để thay cho tham số này có thể cho tham số dòng công tác
cực đại IZM .
Ứng dụng của diode ổn áp: Chủ yếu làm nhiêm vụ ổn định điện áp, ổn định dòng
điện và ổn định các đại lượng kể trên khi nhiệt độ thay đổi. Ổn định điện áp phân cực
thuận trên các chuyển tiếp PN khi nhiệt độ thay đổi là vấn đề rất quan trọng khiến các
dụng cụ bán dẫn làm việc ổn định. Khi sử dụng diode ổn áp để ổn định điện áp và
dòng điện, diode có thể được dùng riêng lẻ hoặc dùng phối hợp với các dụng cụ bán
dẫn khác.
c) Diode chỉnh lưu.
Diode chỉnh lưu được dùng phổ biến trong các mạch điện. Diode chỉnh lưu làm
việc dựa trên hiệu ứng chỉnh lưu của chuyển tiếp PN.
d) Diode Schottky
Diode Schottky được sử dụng trong phạm
vi tần số cao và trong các ứng dụng Kim
N Loại
chuyển mạch nhanh. Diode Schottky
được hình thành từ mặt ghép của một
Hình 1.26: Cấu tạo, ký hiệu diode Schottky
miền bán dẫn pha tạp (thường là loại N)
với một miền kim loại như vàng, bạc, bạch kim. Diode Schottky hoạt động chỉ với hạt
đa số, chúng không có hạt thiểu số nên không có dòng ngược. Miền kim loại có các
electron ở vùng dẫn, còn miền N pha tạp ít. Khi phân cực thuận các electron ở mức
năng lượng cao trong miền N sang miền kim loại ở đây chúng bỏ phần năng lượng
thừa nhanh chóng.Vì vây, không có các hạt dẫn thiểu số như diode khác, chúng có thể
31
đáp ứng rất nhanh khi thay đổi điện áp phân cực. Diode Schottky có thể sử dụng trong
các mạch tần số cao và các mạch số để giảm thời gian chuyển mạch.
e) Diode ổn dòng
Diode ổn dòng là diode có dòng không đổi. Ký hiệu và đặc tuyến V_A được cho
trên hình 1.27. Diode ổn dòng hoạt động ở vùng phân cực thuận và dòng thuận có giá
trị không đổi khi điện áp thuận bắt đầu từ 1,5V đến 6V tuỳ từng loại diode.

Anôt

Catôt

Hình 1.27: Ký hiệu và đặc tuyến của diode ổn dòng

f) Diode PIN
Diode PIN có cấu tạo gồm hai miền P và N pha tạp mạnh được phân cách bởi
một miền bán dẫn thuần, như hình 1.28. Khi phân cực ngược điôt PIN hoạt động giống
như một tụ điện không đổi. Khi phân cực thuận điôt
PIN hoạt động giống như một biến trở. Điện trở
thuận của miền bán dẫn thuần giảm khi dòng điện
Hình 1.28: Cấu tạo điôt PIN
tăng.
Diode PIN được sử dụng như bộ tách sóng quang trong các hệ thống sợi quang.

g) Diode Tunel IF
Đặc tính rất quan trọng của B Miền điện
diode Tunel là có miền điện trở âm. trở âm
Đặc tính này được sử dụng trong các C
máy tạo dao động và các bộ khuếch
đại viba. Ký hiệu của diode Tunel VF
được cho trên hình 1.29.
A

Hình 1.29: Ký hiệu và đặc tuyến của diode tunnel

32
 h) Diode Lazer
Diode Lazer phát ra ánh sáng đơn sắc, còn điôt phát quang phát ra ánh sáng đa
sắc.
Anôt

ánh sáng
Vùng nghèo phát ra

Catôt

Hình 1.30: Ký hiệu và cấu tạo của diode Lazer

1.2.3. Một số ứng dụng của Diode

1.2.3.1. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ.
U2

A D
t
U1 U2 Rt C Ur Ur

B
t

C nạp C phóng
Hình 1.31: Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ

Hoạt động
Khi cấp điện áp xoay chiều U1 vào 2 đầu cuộn L1 thì ở 2 đầu cuộn L2 xuất hiện
một điện áp cảm ứng xoay chiều U2.
- Xét nửa chu kỳ dương của U2: giả sử điểm A có điện thế dương, điểm B có điện
thế âm, diode D thông (phân cực thuận) vì vậy có dòng điện chạy trong mạch theo
chiều: A+ D  Rt  B-

33
 - Xét nửa chu kỳ âm của U2: thì điểm A có điện thế âm, điểm B có điện thế
dương, diode D tắt (phân cực ngược) vì vậy có dòng điện chạy trong mạch bằng
không.
Nhận xét: Điện áp ra chỉ xuất hiện trong nửa chu kỳ dương của U 2, vì vậy điện áp
ra là điện áp một chiều.
Đặc điểm:
- Kết cấu mạch đơn giản.
- Độ gợn sóng lớn, vì vậy để điện áp ra bằng phẳng hơn ta có thể mắc thêm tụ lọc
song song với Rt.
1.2.3.2. Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ.
a) Chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ dùng 2 diode.
U2 U21 U22
A
t
U21
U1 Rt C Ur
U22 D Ur
2
B

C nạp C phóng

Hình 1.32: Mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ

Nguyên lý hoạt động của mạch:

- Xét nửa chu kỳ dương của U 21 (tức là nửa chu kỳ âm của U 22): diode D1 thông
nên có dòng điện chạy trong mạch theo chiều: AD1Rtmass.
- Xét nửa chu kỳ âm của U 21 (tức là nửa chu kỳ dương của U 22): diode D2 thông
nên có dòng điện chạy trong mạch theo chiều: BD2Rtmass.
Nhận xét: Trong cả 2 nửa chu kỳ của điện áp xoay chiều đều có dòng điện qua
tải. Sơ đồ mạch chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ sử dụng 2 diode chính là 2 sơ đồ chỉnh lưu một
nửa chu kỳ mắc song song có tải chung.
Đặc điểm:
- Mạch dùng 2 diode.
- Điện áp ngược đặt lên diode lớn.

34
 - Cấu tạo của biến áp dùng cuộn thứ cấp có điểm chung.
- Công suất bé, điện áp ra bé.
- Độ gợn sóng ít hơn mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ, vì vậy để điện áp ra bằng phẳng
hơn ta có thể mắc thêm tụ lọc song song với Rt.
b) Chỉnh lưu 2 nửa chu kỳ dùng 4 diode (chỉnh lưu cầu).
U2
A
D4 t
D1
U1 U2 Ur
D3 D2 Rt C Ur
t
B
C nạp C phóng
Hình 1.33: Mạch chỉnh lưu cầu

Hoạt động
- Xét nửa chu kỳ dương của U2: diode D1 và D3 thông nên có dòng điện chạy
trong mạch theo chiều: AD1Rt D3B.
- Xét nửa chu kỳ âm của U2: diode D2 và D4 thông nên có dòng điện chạy trong
mạch theo chiều: BD2Rt D4A.
Nhận xét: Trong cả 2 nửa chu kỳ của điện áp xoay chiều đều có dòng điện qua
tải.
Đặc điểm:
- Mạch dùng 4 diode.
- Điện áp ngược đặt lên mỗi điôt nhỏ hơn một nửa so với mạch chỉnh lưu dùng
hai diode.
- Cấu tạo của biến áp đơn giản hơn.
1.2.3.3. Mạch nhân áp
Mạch nhân đôi điện áp được dùng trong những trường hợp đặc biệt, ví dụ như khi
yêu cầu điện áp ra cao mà dòng tiêu thụ lại nhỏ (cỡ A). Nếu dùng một tầng như hình
1.34a thì điện áp một chiều ở đầu ra gấp đôi trị số đỉnh của điện áp xoay chiều ở đầu
vào, vì C1 và C2 được nạp đến giá trị đỉnh của điện áp vào qua D 1 và D2 trong hai nửa
chu kỳ âm và dương. Trên hình 1.34b trong nửa chu kỳ âm của điện áp U 2, C1 được
nạp đến giá trị đỉnh U2 thông qua D1. Trong nửa chu kỳ tiếp theo C2 được nạp thông
35
qua C1 và D2 với giá trị UC2 = UC1 + U2 = 2U2. Nếu có n tầng như vậy thì điện áp ra tải
Ur  nU2. Thường chọn n  10.
Tầng thứ 1 Tầng thứ n
D1
 +  +
+ C1 C1
U1 C1 U1 D1 D2
+ R t Ur  +  +
C2 Ur
D  2
C2 C2

b) 2n lần
a) Hai lần
Hình 1.34: Mạch bội áp

1.3. Transistor lưỡng cực (BJT - )

1.3.1. Cấu tạo ký hiệu và nguyên lý hoạt động của transistor
1.3.1.1. Cấu tạo, ký hiệu
Transistor là một linh kiện bán dẫn gồm các miền bán dẫn tạp chất P, N xen kẽ
nhau, tuỳ theo trình tự của miền P và miền N ta có hai loại cấu trúc điển hình: PNP và
NPN với các ký hiệu quy ước trên hình 1.35. Để cấu tạo ra các cấu trúc này người ta
áp dụng những phương pháp công nghệ khác nhau như phương pháp hợp kim,
phương pháp khuếch tán, phương pháp epitaxi…
C
JE JC
E C
B
N P N
Emitter Collector

E B
Base
a)
C
JE JC
E C
B
P N P
Emitter Collector

E
B
Base
b)
Hình 1.35: Cấu tạo của Transistor loại NPN (a) và PNP (b)

36
 Miền Emitter: Miền N thứ nhất của Transistor NPN (với Transistor PNP là miền
P) miền này có nồng độ tạp chất lớn nhất, nó đóng vai trò phát xạ các hạt dẫn (lỗ trống
hoặc điện tử), điện cực nối với miền này được gọi là cực Emitter, ký hiệu là E.
Miền Base: Miền P kế tiếp (với Transistor PNP là miền N) miền này có nồng độ
tạp chất ít nhất, độ dày của nó rất nhỏ so với kích thước toàn bộ Transistor. Miền base
đóng vai trò truyền đạt hạt dẫn, điện cực nối với miền này được gọi là cực Base, ký
hiệu là B.
Miền Collector: Miền N còn lại (với Transistor PNP là miền P) miền này có nồng
độ tạp chất ít hơn miền Emitter nhưng nhiều hơn miền Base, đóng vai trò thu gom các
hạt dẫn, điện cực nối với miền này gọi là cực Collector, ký hiệu là C.
JE: Chuyển tiếp PN giữa emitter và base được gọi là chuyển tiếp emitter.
JC: Chuyển tiếp PN giữa base và collector được gọi là chuyển tiếp collector.
Với cấu trúc như vậy, có thể coi Transistor như hai diode mắc đối nhau nhưng
không có nghĩa là cứ mắc hai diode đối nhau là có thể thực hiện được chức năng của
Transistor. Bởi vì khi đó không có tác dụng tương hỗ lẫn nhau của hai chuyển tiếp PN.
Hiệu ứng Transistor chỉ xảy ra khi khoảng cách giữa hai chuyển tiếp nhỏ hơn nhiều so
với độ dài khuếch tán của hạt dẫn.
1.3.1.2. Nguyên lý hoạt động của Transistor.
Muốn cho Transistor làm việc ta phải cung cấp cho các cực của nó một điệp áp
một chiều thích hợp. Tuỳ theo điện áp đặt vào các cực mà Transistor làm việc ở các
chế độ khác nhau. Có ba chế độ làm việc của Transistor: chế độ khuếch đại (tích cực),
chế độ bão hoà, chế độ cắt dòng.
Để mô tả hoạt động của Transistor, ta lấy Transistor loại NPN làm ví dụ.

 Chế độ khuếch đại

Ở chế độ khuếch đại ta phải cung cấp nguồn điện một chiều lên các cực sao cho
chuyển tiếp emitter JE phân cực thuận, chuyển tiếp collector JC phân cực ngược (hình
1.36)
Chuyển tiếp JE phân cực thuận nên các hạt đa số được tăng cường khuếch tán qua
chuyển tiếp JE tạo lên dòng IE. Cụ thể là:
IE = IEN + IEP

- Điện tử từ miền N (miền Emitter) khuếch tán sang P (miền base) tạo nên IEN

- Lỗ trống từ miền P (miền base) khuếch tán sang N (miền Emitter) tạo nên IEP
37
 Vì nồng độ hạt đa số trong miền base ít hơn nhiều so với miền Emitter và bề dày
miền Emitter lớn hơn bề dày miền base rất nhiều nên IEN >>IEP do đó IE  IEN
Các điện tử từ emitter phun vào base lại trở thành các hạt thiểu số, do sự chênh
lệch về nồng độ các điện tử này tiếp tục khuếch tán đến miền điện tích không gian
chuyển tiếp JC. Tại đây chúng bị điện trường của chuyển tiếp J C phân cực ngược cuốn
sang miền collector tạo nên dòng I c. Dòng Ic này được tạo bởi hai thành phần: dòng
của các hạt điện tử từ miền emitter, và dòng của các hạt thiểu số (điện tử ở miền base
khi chưa có sự khuếch tán từ emitter sang và lỗ trống ở miền collector). Dòng của các
hạt thiểu số được gọi là dòng điện ngược I CBo (hay còn gọi là dòng điện rò) có giá trị
rất nhỏ. Dòng điện ICBo không phụ thuộc vào dòng điện IE nên không điều khiển được
và đây là thành phần dòng điện không cần thiết. Tuy miền base hẹp và pha tạp ít
nhưng số lỗ trống là hạt dẫn đa số tại đây cũng đáng kể so với số hạt dẫn không cân
bằng (điện tử) mới phun vào từ emitter, cho nên trong miền base vẫn xảy ra hiện tượng
tái hợp. Hiện tượng tái hợp này làm trung hoà bớt điện tử và lỗ trống trong miền base,
tương ứng với nó làm xuất hiện dòng tái hợp IB. Áp dụng định luật Kirchhoff ta có:
IE = IC + IB (1.10)

Dòng hạt đa số Dòng hạt thiểu số

IE C IC
E

B
Vùng nghèo
IB

UEE UCC
Hình 1.36: Nguyên tắc hoạt động của transistor NPN

 Chế độ cắt dòng.

Ở chế độ cắt dòng ta phải cung cấp nguồn điện một chiều lên các cực sao cho cả
hai chuyển tiếp emitter JE và chuyển tiếp collector JC đều phân cực ngược. Lúc này
điện trở của Transistor rất lớn và qua Transistor chỉ có dòng điện ngược rất nhỏ của
chuyển tiếp collector ICB0.

 Chế độ bão hoà.

Ở chế độ bão hoà ta phải cung cấp nguồn điện một chiều lên các cực sao cho cả
hai chuyển tiếp emitter JE và chuyển tiếp collector J C đều phân cực thuận. Khi đó điện
38
trở của hai chuyển tiếp JE và JC rất nhỏ. Dòng điện qua Transistor IC khá lớn và gần
bằng dòng bão hoà.
Chế độ khuếch đại là khi sử dụng Transistor như một phần tử tuyến tính để
khuếch đại tín hiệu, trong khi chế độ bão hoà và cắt dòng thì Transistor làm việc như
một khoá điện tử với hai trạng thái phân biệt: đóng (nối mạch cho dòng đi qua
Transistor) và mở (ngắt mạch không cho dòng chảy qua Transistor).
Từ các mô tả trên ta có các quan hệ dòng điện trong Transistor như sau:
IE = IC + IB
IC
 dc  (1.11)
IE

ở đây dc là hệ số truyền đạt dòng điện của Transistor ở chế độ 1 chiều, để đánh
giá mức độ hao hụt dòng khuếch tán trong miền base.
Hệ số khuếch đại dòng điện ở chế độ 1 chiều được định nghĩa:
IC
 dc  (1.12)
IB

Từ đó ta có mối quan hệ giữa dc và dc như sau:

 dc
 dc 
1   dc
 dc
 dc 
1   dc

1.3.1.3. Tham số của Transistor

-Dòng ICmax là dòng qua cực colector lớn nhất trong thời gian dài mà không làm
nóng Transistor quá nhiệt độ cho phép.

- Điện áp UCmax là điện áp lớn nhất đặt vào hai cực collector-emitter (trong sơ đồ
EC hoặc CC) hoặc base-collector (trong sơ đồ BC) mà không làm chuyển tiếp
collector bị đánh thủng.

- Công suất PCmax là công suất lớn nhất tiêu hao trên chuyển tiếp collector trong
thời gian dài mà Transistor vẫn làm việc bình thường.

- Hệ số  xác định chất lượng của Transistor.

- Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh  cho biết khả năng khuếch đại dòng điện của
Transistor.

39
 - Dòng điện rò ICB0, dòng điện rò càng nhỏ thì Transistor càng tốt.

- Nhiệt độ làm việc giới hạn là nhiệt độ cho phép lớn nhất bảo đảm cho
Transistor làm việc ổn định.

- Tần số cắt fcmax là tần số lớn nhất mà Transistor có thể làm việc mà hệ số khuếch
đại dòng điện giảm đi và bằng 0,7 giá trị ban đầu.
1.3.2. Các cách mắc cơ bản của Transistor
Trong các mạch điện Transistor được xem như một mạng 4 cực: tín hiệu được
đưa vào giữa hai cực và tín hiệu lấy ra cũng giữa hai cực. Transistor là linh kiện bán
dẫn có 3 cực nên khi sử dụng phải đặt một cực chung cho cả đầu vào và đầu ra. Dựa
vào cách đưa tín hiệu vào và ra tại các cực của Transistor ta có 3 cách mắc cơ bản của
Transistor: mạch base chung (BC), mạch emitter chung (EC), mạch collector chung
(CC).
1.3.2.1. Mạch Base chung (BC).
Trong cách mắc base chung, tín hiệu vào được đặt giữa hai cực emitter và base,
còn tín hiệu ra lấy từ cực collectơ và base. Sơ đồ cách mắc BC được minh hoạ ở trên
hình 1.37.
IE IC IE IC
E C E C
Uv Ur Uv Ur
IB IB
B B
(a) (b)
Hình 1.37: Sơ đồ cách ghép BC
(a): transistor PNP, (b): transistor NPN

Trên hình vẽ chiều mũi tên chỉ chiều của dòng điện trên các cực của Transistor.
Để thấy rõ quan hệ giữa các dòng điện và điện
áp trên các cực của Transistor trong cách mắc IE(mA)
U = 20V CB
U = 10V
BC người ta dùng ba họ đặc tuyến: họ đặc CB

U = 1V
tuyến vào, họ đặc tuyến ra và họ đặc tuyến CB

7
truyền đạt. 6
5
4
 Họ đặc tuyến vào. 3
2
Đặc tuyến vào (hình 1.38) là quan hệ 1

giữa dòng điện vào IE biến thiên theo điện áp 0,2 0,4 0,6 0,8 1
UBE(V)
vào UEB khi điện áp ra UCB giữ không đổi.
Hình 1.38: Đặc tuyến vào của
cách mắc BC 40
 I E  f  U EB  U CB  const

Để nhận được đặc tuyến vào trong cách mắc BC, cần giữ UCB ở một giá trị không
đổi, thay đổi giá trị điện áp U EB và ghi lại giá trị dòng IE tương ứng, sau đó biểu diễn
kết quả này trên trục toạ độ IE, UEB.
Nhận xét:
Do chuyển tiếp emitter luôn phân cực thuận cho nên đặc tuyến vào của mạch
base chung cơ bản giống đặc tuyến thuận của diode. Ứng với điện áp U EB cố định dòng
vào IE càng lớn khi điện áp UCB càng lớn vì khi tăng UCB làm cho miền điện tích không
gian của chuyển tiếp collector rộng ra do đó khoảng cách hiệu dụng giữa chuyển tiếp
emitter và collector ngắn lại do đó làm dòng IE tăng lên.

 Đặc tuyến ra.

Đặc tuyến ra ( hình 1.39) là quan hệ giữa dòng điện ra I C biến thiên theo điện áp
ra UCB khi dòng điện vào IE giữ không đổi.

I C  f  U CB  I E  const

Để nhận được đặc tuyến ra trong cách mắc BC, cần giữ I E ở một giá trị không
đổi, thay đổi giá trị điện áp U CB và ghi lại giá trị dòng I C tương ứng, sau đó biểu diễn
kết quả này trên trục toạ độ IC, UCB.
Nhận xét:
- Khi UCB tăng lên IC chỉ tăng không đáng kể nghĩa là hầu hết các hạt dẫn được
phun vào miền base từ miền emitter đều đến được miền collector (dĩ nhiên I C < IE).
Khi UCB tăng làm cho độ rộng miền điện tích không gian chuyển tiếp collector lớn lên,
độ rộng hiệu dụng của miền base hẹp lại, số hạt dẫn đến được miền collector nhiều
hơn nên dòng IC tăng lên.

- Trong cách mắc BC khi điện áp ra U CB giảm tới không thì dòng điện ra I C vẫn
chưa giảm đến không. Bởi vì khi điện áp U CB giảm đến không thì bản thân chuyển tiếp
collector vẫn còn điện thế tiếp xúc, chính điện thế tiếp xúc collector đã cuốn những hạt
dẫn từ base sang collector làm cho dòng I C tiếp tục chảy. Để dừng hẳn dòng I C thì
chuyển tiếp collector phải được phân cực thuận với giá trị nhỏ nhất bằng điện thế tiếp
xúc làm cho các hạt dẫn từ base không thể sang được collector (IC = 0).

41
 - Nếu tăng điện áp ngược U CB đến một giá trị nhất định nào đó (gọi là điện áp
đánh thủng) dòng IC tăng lên đột ngột có thể dẫn đến hỏng Transistor.
IC(mA) Vùng đánh thủng.
Vùng tích cực
7 mA

Vùng bão
7 6 mA
UCB=15V
6 5mA

hoà
5
4 mA
4
UCB=5V 3mA
3
2mA
2
IE =1mA
1
IE =0 mA
0
5 4 3 2 1 0 5 10 15 20
IE(mA) UCB(V)
Vùng cắt
Đặc tuyến truyền đạt. Đặc tuyến ra.

Hình 1.39: Đặc tuyến ra và truyền đạt của cách mắc BC

 Đặc tuyến truyền đạt.

Đặc tuyến truyền đạt (hình 1.39) là quan hệ giữa dòng điện ra I C biến thiên theo
dòng điện vào IE khi điện áp ra UCB giữ không đổi.
IC = f(IE) khi UCB = const
Để vẽ đặc tuyến này có hai cách: hoặc bằng thực nghiệm hoặc từ đặc tuyến ra.

-Bằng thực nghiệm: giữ nguyên điện áp U CB thay đổi dòng vào IE ghi lại các kết
quả tương ứng dòng IC, sau đó biểu diễn các kết quả thu được trên hệ toạ độ IC, IE.

- Bằng cách suy ra từ đặc tuyến ra: Tại vị trí U CB cho trước trên đặc tuyến ra, vẽ
đường song song với trục tung, đường này cắt đặc tuyến ra ở những điểm khác nhau.
Tương ứng với giao điểm này tìm được giá trị I C. Trên hệ toạ độ IC, IE vẽ những điểm
có toạ độ IC, IE vừa tìm được, nối các điểm này với nhau ta được đặc tuyến truyền đạt.
1.3.2.2. Mạch Emitter chung ( EC).
Trong cách mắc EC, điện áp vào được mắc giữa cực base và cực emitter, còn
điện áp ra lấy từ cực collector và cực emitter. Sơ đồ cách mắc EC được cho trên hình
1.40.

42
 IC
IC
IB
IB
Ur Ur
Uv Uv
IE IE

(a) (b)
Hình 1.40: Sơ đồ cách ghép EC
(a): Transistor NPN, (b): Transistor PNP

 Đặc tuyến vào. IE(A) UCE = 20V

Đặc tuyến vào (hình 1.41) là quan hệ giữa 100 UCE = 10V
90
UCE = 1V
dòng điện vào IB biến thiên theo điện áp vào U BE 80
70
khi điện áp ra UCE giữ không đổi. 60
50
40
IB = f(UBE) khi UCE = const 30
20
10
Để nhận được đặc tuyến vào trong cách mắc
0,2 0,4 0,6 0,8 1 UBE(V)
EC, cần giữ UCE ở một giá trị không đổi, thay đổi
giá trị điện áp UBE và ghi lại giá trị dòng IB tương Hình 1.41: Đặc tuyến vào của cách
mắc EC
ứng, sau đó biểu diễn kết quả này trên trục toạ độ
IB, UBE.
Nhận xét:
Đặc tuyến vào của cách mắc EC giống như đặc tuyến của chuyển tiếp PN phân
cực thuận, vì dòng IB trong trường hợp này là một phần của dòng tổng I E chảy qua
chuyển tiếp JE phân cực thuận. Ứng với một giá trị U BE nhất định dòng IB càng nhỏ khi
UCE càng lớn vì khi tăng UCE tức là tăng UCB làm cho miền điện tích không gian của
chuyển tiếp collector rộng ra chủ yếu về phía miền base pha tạp ít. Điện áp U CB càng
lớn thì tỉ lệ hạt dẫn đến collector càng lớn, số hạt dẫn bị tái hợp trong miền base để tạo
thành dòng base càng ít, do đó dòng base nhỏ đi.

 Đặc tuyến ra.

Đặc tuyến ra ( hình 1.42a) là quan hệ giữa dòng điện ra I C biến thiên theo điện áp
ra UCE khi dòng điện vào IB giữ không đổi.
IC = f(UCE) khi IB = const

43
 Để nhận được đặc tuyến ra trong cách mắc EC, cần giữ IB ở một giá trị không
đổi, thay đổi giá trị điện áp UCE và ghi lại giá trị dòng IC tương ứng, sau đó biểu diễn
kết quả này trên trục toạ độ IC, UCE.
Nhận xét:
Tại vùng tích cực độ dốc của đặc tuyến khá lớn vì trong cách mắc EC dòng I E
không giữ cố định. Khi tăng UCE độ rộng hiệu dụng miền base hẹp lại làm cho hạt dẫn
đến collector nhiều hơn do đó dòng IC tăng lên. Khi UCE giảm xuống không thì IC cũng
giảm xuống không. Bởi vì khi đó chuyển tiếp collector phân cực thuận sẽ đẩy những
hạt thiểu số tạo thành dòng collector quay trở lại miền base làm cho dòng I C giảm
xuống không.
Nếu tăng UCE lên quá lớn thì dòng IC sẽ tăng lên đột ngột đó là miền đánh thủng
chuyển tiếp JC của Transistor. Do đó khi Transistor làm việc ở điện áp U CE lớn cần có
biện pháp hạn chế dòng IC đề phòng Transistor bị phá huỷ bởi dòng IC quá lớn.

 Đặc tuyến truyền đạt.

Đặc tuyến truyền đạt (hình 1.42b) là quan hệ giữa dòng điện ra I C biến thiên
theo dòng điện vào IB khi điện áp ra UCE giữ không đổi.
IC = f(IB) khi UCE = const
Để vẽ đặc tuyến này có hai cách: hoặc bằng thực nghiệm hoặc từ đặc tuyến ra.

-Bằng thực nghiệm: giữ nguyên điện áp U CE, thay đổi dòng vào IB ghi lại các kết
quả tương ứng dòng IC, sau đó biểu diễn các kết quả thu được trên hệ toạ độ IC, IB.

- Bằng cách suy ra từ đặc tuyến ra: Tại vị trí U CE cho trước trên đặc tuyến ra, vẽ
đường song song với trục tung, đường này cắt đặc tuyến ra ở những điểm khác nhau.
Tương ứng với giao điểm này tìm được giá trị I C. Trên hệ toạ độ IC, IB vẽ những điểm
có toạ độ IC, IB vừa tìm được, nối các điểm này với nhau ta được đặc tuyến truyền đạt.

44
 Vùng bão hoà
IC (mA) Vùng đánh thủng

Vùng tích cực

UCE = 10V 6 0 A
8
7 5 0 A
6
UCE = 5V 4 0 A
5
4 3 0 A

3 2 0 A
2
1 0 A
1 IB = 0 A

0 5 10 15
50 40 30 20 10
IB(A) UCE(V)
UCEbh Vùng cắt
ICCEO=ICBO

1.3.2.3. Mạch Collector

(a): Đặcchung ( CC).đạt.
tuyến truyền (b): Đặc tuyến ra.
Trong cách mắc CC, điệnHìnháp1.42:
vàoĐặc tuyến
được mắccủagiữa
cáchcực
mắcbase
EC và cực collector, còn
điện áp ra lấy từ cực emitter và cực collector. Sơ đồ cách mắc CC được cho trên hình
1.43 I I
E E
E E
IB IB
B B
Ur Ur
Uv Uv
IC IC
C C
(a) (b)
Hình 1.43: Sơ đồ cách mắc CC.
(a): transistor NPN, (b): transistor PNP

 Đặc tuyến vào.

Đặc tuyến vào (hình 1.44) là quan hệ giữa dòng điện vào I B biến thiên theo điện
áp vào UCB khi điện áp ra UCE giữ không đổi.
IB = f(UCB) khi UCE = const

45
 Để nhận được đặc tuyến vào IB(A)
trong cách mắc CC, cần giữ U CE ở 100
UCE = 2V
UCE = 4V
90
một giá trị không đổi, thay đổi giá trị 80
70
điện áp UCB và ghi lại giá trị dòng IB 60
50
tương ứng, sau đó biểu diễn kết quả 40
30
20
này trên trục toạ độ IB, UCB. 10

-3
Nhận xét: -1 -2 -4 -5 UBC(V)
Hình 1.44: Đặc tuyến vào của cách mắc CC
Đặc tuyến vào của cách mắc
CC có dạng khác hẳn so với đặc
tuyến vào của hai cách mắc EC và BC. Bởi vì trong cách mắc mạch CC điện áp vào
UCB phụ thuộc rất nhiều vào điện áp ra U CE (khi làm việc ở chế độ khuếch đại điện áp
UBE đối với Transistor Silic luôn giữ khoảng 0,7V, còn Transistor Gemani vào khoảng
0,3V trong khi điện áp UCE biến đổi trong khoảng rộng).

 Đặc tuyến ra.

Đặc tuyến ra là quan hệ giữa dòng điện ra IE biến thiên theo điện áp ra UEC khi
dòng điện vào IB giữ không đổi.
IE = f(UEC) khi IB = const
Để nhận được đặc tuyến ra trong cách mắc CC, cần giữ I B ở một giá trị không
đổi, thay đổi giá trị điện áp U EC và ghi lại giá trị dòng IE tương ứng, sau đó biểu diễn
kết quả này trên trục toạ độ IE, UEC.

 Đặc tuyến truyền đạt.

Đặc tuyến truyền đạt là quan hệ giữa dòng điện ra I E biến thiên theo dòng điện
vào IB khi điện áp ra UEC giữ không đổi.
IE = f(IB) khi UEC = const
Để vẽ đặc tuyến này có hai cách: hoặc bằng thực nghiệm hoặc từ đặc tuyến ra.

-Bằng thực nghiệm: giữ nguyên điện áp U EC, thay đổi dòng vào IB ghi lại các kết
quả tương ứng dòng IE, sau đó biểu diễn các kết quả thu được trên hệ toạ độ IE, IB.

- Bằng cách suy ra từ đặc tuyến ra: Tại vị trí U EC cho trước trên đặc tuyến ra, vẽ
đường song song với trục tung, đường này cắt đặc tuyến ra ở những điểm khác nhau.
Tương ứng với giao điểm này tìm được giá trị I E. Trên hệ toạ độ IE, IB vẽ những điểm
có toạ độ IE, IB vừa tìm được, nối các điểm này với nhau ta được đặc tuyến truyền đạt.

46
 Bởi vì IC  IE cho nên đặc tuyến ra và đặc tuyến truyền đạt trong cách mắc CC
tương tự như cách mắc EC.

1.3.3. Phân cực cho BJT

1.3.3.1. Đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh
Đường tải tĩnh là đường biểu diễn mối quan hệ giữa dòng điện đầu ra và điện áp
đầu ra ở chế độ một chiều. Đường tải tĩnh được vẽ trên đặc tuyến ra của transistor để
nghiên cứu dòng điện và điện áp khi nó mắc trong mạch cụ thể nào đó (khi có tải).
Điểm làm việc tĩnh (còn gọi là điểm công tác tĩnh và thường ký hiệu là điểm Q)
là điểm nằm trên đường tải tĩnh xác định dòng điện và điện áp trên transistor khi chưa
có tín hiệu xoay chiều đặt vào, tức là xác định điều kiện phân cực tĩnh cho transistor.
Để transistor khuếch đại được tín hiệu, điểm làm việc tĩnh Q phải nằm trong vùng tích
cực, nếu chọn được điểm Q thích hợp (thường là giữa đặc tuyến ra) thì biên độ tín hiệu
ra có thể lớn mà không bị méo dạng tín hiệu (méo nghĩa là dạng tín hiệu ra khác với
dạng tín hiệu vào). Nếu chọn điểm làm việc tính không thích hợp, muốn cho tín hiệu
không méo thì biên độ tín hiệu lại nhỏ.
1.3.3.2. Mạch phân cực cố định

Sơ đồ mạch phân cực cố định được cho trên hình 1.45.

UCC

RB RC IC

+ Tín hiệu
IB C
ra (ac )
Tín hiệu
vào (ac) +
B
E

Hình 1.45: Mạch phân cực cố định

47
 + Xét vòng base - emitter ( hình 1.46):

Theo định luật Kirchhoff II ta có: RB

IB
UCC = IBRB + UBE
C
UCC

B
UCC – UBE E
IB IB = UBE
RB
Theo công thức trên, điện áp U CC, UBE
Hình 1.46: Vòng base - emitter
luôn không đổi, vì thế giá trị R B sẽ quyết định
giá trị dòng IB, và dòng IB này sẽ không đổi (vì vậy nên gọi là phân cực cố định ).

+ Xét vòng Collector -emitter (hình

RC IC
UCC
1.47)
C
Giá trị dòng IC chạy qua điện trở RC được
UCE
B
tính theo công thức: E

IC = IB

Theo định luật Kirchhoff II cho vòng Hình 1.47: Vòng collector - emitter
collector – emitter (hình 1.47) ta có:

UCC = UCE + ICRC

UCE = UCC - ICRC

Ta có : UCE = UC - UE

Với UC, UE lần lượt là điện thế của các cực collector và emitter.

Trong trường hợp này: UE = 0V, nên UCE = UC

Ngoài ra, UBE = UB – U E suy ra UBE = UB.

Ví dụ 2.1: Cho mạch điện như hình 1.45. Biết Ucc = 12V, RB = 240kΩ,

RC = 2,2kΩ, β = 50, Transistor chất liệu Silic. Hãy tính các giá trị một chiều I B, IC, UCE,
UC, UBC.

Giải:

48
 U CC  U BE 12V  0,7V
IB  
RB 240 K
 47,08A
I C  I B  50.47,8A  2,35mA
U CE  U CC  I C .RC  6,83V
U B  U BE  0,7V
U C  U CE  6,83V
U BC  U B  U C  0,7  6,83
 6,13V

Giá trị UBC âm, chứng tỏ chuyển tiếp collector phân cực ngược.

+ Đường tải tĩnh

IC(mA)
Đường tải tĩnh là đường quan hệ giữa
UCC
dòng điện ra và điện áp ra ở chế độ một RC

chiều. Đường tải tĩnh được vẽ trên đặc

tuyến ra, điểm làm việc tĩnh Q sẽ nằm trên IB3
Q3
đường này.
Q2 IB2

Đối với sơ đồ mạch như hình 1.45, Q1 IB1

quan hệ giữa dòng điện ra IC và điện áp ra

UCE khi có tải RC:
UCC UCE
UCE = UCC – IC.RC
Hình 1.48: Đường tải tĩnh
Phương trình trên chính là phương trình đường tải tĩnh. Để vẽ đường tải tĩnh ta
cần xác định hai điểm: Điểm thứ nhất ta cho U CE = 0 suy ra IC = UCC/RC, điểm thứ hai
ta cho IC = 0 suy ra UCE = UCC. Với hai điểm này ta vẽ được đường tải tĩnh như hình
1.48

Ví dụ 2.2: Cho mạch phân cực cố định có đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh
IC(mA)
Q như hình 1.49. Hãy tính các giá trị UCC, RB, RC.
6
Giải:

Từ hình 1.49 ta có:

Q IB = 3A
Tại IC = 0
U CE  U CC  15V

Tại UCE = 0 15
UCE(V)
Hình 1.49: Cho họ đặc tuyến của ví dụ 2.2
49
 U CC
IC 
IC
U CC 15V
 RC    2,5 K
IC 6mA
U CC  U BE 15V  0,7V
RB    4,77 M
IB 3A

+ Transistor bão hoà.

Theo đặc tuyến ra của transistor, khi transistor bão hoà thì U CE  0V do đó dòng
điện collector bão hoà ICbh sẽ là dòng ICmax và được tính theo công thức:
U CC
I Cbh  I C max 
RC

1.3.3.3. Mạch phân cực ổn định cực Emitter

UCC
Mạch phân cực ổn định cực emitter như IC
RB RC
hình 1.50. Điện trở RE được mắc thêm để tăng C2
+
C1 IB
độ ổn định hơn so với mạch phân cực cố định
Uv
(điều này sẽ được minh hoạ qua các ví dụ sau IE
RE
này). Trước hết xét vòng Base - Emitter

+ Vòng Base- Emitter (hình 1.51) Hình 1.50: Mạch phân cực ổn định cực
Emitter
Theo định luật Kirchhoff II ta có
phương trình:

Ucc = IBRB + UBE + IERE

RB
Ta đã biết IE = ( +1)IB
IB

Thay vào phương trình trên ta có:

UCC UBE IE
Ucc = IBRB + UBE + ( +1)IBRE RE

U CC  U BE
 IB 
RB  (   1) RE
Hình 1.51: Vòng Base- Emitter
Trong trường hợp này, điện áp UBE từ base
đến emitter được điện trở RE phản hồi trở về đầu vào với hệ số ( +1).

50
 + Vòng emitter - collector (hình 1.52)

Theo định luật Kirchhoff II ta có :

RC IC
IERE + UCE + ICRC = UCC
UCC
UCE
Thay thế IE  IC ta có
IE
RE
UCE = UCC – IC(RC+ RE)

UE = IERE

UC = UCE + UE Hình 1.52: Vòng Emitter-collector

hoặc UC = UCC – ICRC

UB = UCC –IBRB hoặc UB = UBE + UE

Ví dụ 2.3: Với mạch phân cực Emitter như hình 1.50. Biết UCC = 20V,

RB = 430kΩ, RC = 2kΩ, RE = 1kΩ, β= 50, (T) Si. Xác định: UCE, UBC, UB, UE, UC, IB, IE

Giải
U CC  U BE
20V  0, 7V
IB    40,1 A
RB  (   1) R E 430 K   51K 

IC = IB = (50)(40,1A) = 20.1mA

UCE = UCC – IC (RC +RE)

= 20V – (2,01mA)(2k +1k)

= 13,97V

UC = UCC – ICRC = 20V – (2,01mA)(2 K) = 20V – 4,02V = 15.98V

UE = UC – UCE = 15,98V – 13,97V = 2,01V

hoặc UE = IE.RE = IC.RE = (2,01mA)(1k) = 2,01V

UB = UBE + UE = 0,7V + 2,01V = 2,71V

UBC = UB – UC = 2,71V – 15,98V = - 13,27V

+ Đường tải tĩnh

Đường tải tĩnh của mạch phân cực Emitter tương đối giống với mạch phân cực
cố định.

51
 Phương trình vòng Emitter – Collector xác định đường tải tĩnh như sau:

UCE = UCC – IC(RC+ RE)

Chọn IC = 0 mA ta có

UCE = UCCIc = 0mA

Chọn UCE = 0 ta có

IC = UCC/ RC+ REUce = 0mA

UCC
1.3.3.4. Mạch phân cực phân áp

Trong các mạch phân cực trước, sự phân cực R1 RC

C2 Ur
dòng điện ICQ và điện áp UCEQ là một hàm số của hệ
Uv C1

số khuếch đại dòng điện (). Trong khi đó,  là

nhạy cảm với nhiệt độ, đặc biệt là chất silicon, và R2 RE
giá trị thực tế của  thì thường không được xác
định chính xác.
Hình 1.51: Mạch phân cực phân áp
Sử dụng định lý Thevenin ta có thể tính được
R1
dòng IB như sau:

Ngắn mạch nguồn cấp UCC hình 1.52a ta có: Utđ

UCC R2

Rtđ = R1 R2
Hình 1.52a: Xác định Utđ
Nguồn tương đương Utđ:
R2U CC
U td  U R 2 
R1  R2 Rtđ

IB
Utđ
Từ sơ đồ tương đương Thevenin (hình RE

1.52b)
Hình 1.52b: Sơ đồ tương đương Thevenin
Utđ – IB .Rtđ – UBE – IE.RE = 0
U CC  U BE
IB 
RB  (   1) R E

Với IB tính được theo công thức trên ta có thể xác định được I C, từ đó xác định
được UCE theo công thức:

UCE = UCC – IC(RC + RE)

52
 Ví dụ 2.4: Cho sơ đồ như hình 1.51. Biết UCC = 22V, R1 = 39kΩ, R2 = 3,9kΩ,

RC = 10kΩ, RE = 1,5kΩ, β = 140, (T) Si. Xác định UCE và IC

Giải:
39 K .3,9 K 
Rtd  R1  R2   3,55K 
39 K   3,9 K 

R2U CC 3,9 K .22V

U td    2V
R1  R2 39 K   3,9 K 

U CC  U BE
2V  0, 7V
IB    6, 05 A
RB  (   1) R E 3,55 K   (141).(1,5K )

IC = IB = 140.6,05A = 0,85 mA

UCE = UCC – IC(RC + RE)= 12,22V

+Transistor bão hoà.

Dòng ICbh trong mạch phân áp tương tự như mạch phân cực emitter. Khi
transistor bão hoà, UCE = 0 V do đó:
U CC
I Cbh  I Cmax 
RC  RE

+ Đường tải tĩnh.

Đường tải tĩnh trong mạch phân áp giống hệt đường tải tĩnh của mạch phân cực
emitter, với:
U CC
IC  U CE  0V
RC  RE

và

U CE  U CC I C  0mA

1.3.3.5. Mạch phân cực hồi tiếp âm

UCC
điện áp
RC
Mạch phân cực hồi tiếp điện áp I’C
RB Ur
được cho trên hình 1.53. Một đường IC C
C1 IB 2

hồi tiếp từ cực C về cực B làm cho Uv

mạch đạt được sự ổn định đáng kể. IE

53
Hình 1.53: Mạch phân cực hồi tiếp điện áp
Tuy nhiên điểm làm việc Q (được xác định bởi ICQ và UCEQ) không hoàn toàn độc lập
, nhưng ổn định hơn so với mạch phân cực cố định hoặc phân cực emitter.

+ Vòng Base – Emitter ( hình 1.54 ) RC

I’C
Theo định luật Kirchhoff ta có : RB
IC
IB
Ucc – I’cRc - IBRB - UBE – IERE = 0
UCC
’
Mặt khác: I c = Ic + IB. Tuy nhiên, dòng Ic IE

và I’c quá lớn so với IB nên I’c  Ic .

Hình 1.54: Vòng Base - emitter
Thay thế I’c  Ic   IB và IE  Ic sẽ có kết quả là:

Ucc –  IB Rc - IBRB - UBE –  IB RE = 0

 Ucc – UBE - IB (Rc+RE) – IBRB = 0

U CC  U BE
IB 
RB   ( RC  RE )

Kết quả trên cho ta thấy phản hồi của điện trở R C trở lại đầu vào, tương đương
với sự phản hồi của RE.

Chú ý: Với các cách phân cực trên ta có một phương trình tổng quát tính I B như
sau:
U'
IB 
R B  R '

+Vòng Collector - Emitter ( hình 1.55 )

R
I’CC
RB
Áp dụng định luật Kirchoff II ta có:
IC UCC
’ IB
IERE + UCE + I CRC – UCC = 0 UCE

Vì I’C  IC và IE  IC ta có: RE IE

IC(RE+ RC) + UCE – UCC = 0 Hình 1.55: Vòng collector- emitter

và UCE = UCC – IC(RC+ RE)

Ví dụ 2.5: Xác định ICQ và UCEQ trong hình vẽ 1.53. Biết UCC = 10V,
RB = 250kΩ, RC = 4,7kΩ, RE = 1,2kΩ, β = 90, (T) Si.

54
 Giải

U CC  U BE
Áp dụng công thức: IB 
RB   ( RC  RE )
thay số ta có : I B = 11,90A

IC = IB = (90)(11,90A) = 1,07mA

UCEQ = UCC – IC (RC + RE)

= 10V – (1,07mA)(4,7K+1,2K) = 10V – 6,31V = 3,69V

Ví dụ 2.6: Xác định IB, UC trong hình vẽ 1.56.

18V
Giải

Trong trường hợp này điện trở cực 3,3k

91k 110k
B cho phân cực là hai điện trở với một
Ur
10F 10F
tụ nối giữa chúng xuống mát. 10F
Uv  =75
Đối với thành phần một chiều tụ
coi như hở mạch và RB = R1 + R2. 510
Hình 1.56: Mạch phân cực hồi tiếp điện áp
U CC  U BE
IB 
RB   ( RC  RE ) thay số ta có

IB = 35,5A

IC = IB = (75)(35,5A) = 2,66mA

UC = UCC – IC RC  UCC – IC RC = 18V – (2,66mA)(3,3K) = 9,22V

+ Chế độ bão hoà hoà

Lấy xấp xỉ I’C  IC, phương trình của dòng bão hoà giống như mạch phân áp và
U CC
phân cực Emitter đó là: I Cbh  I C max 
RC  RE

1.4. Transistor trường (FET)

1.4.1. Giới thiệu chung
Khác với transistor lưỡng cực mà đặc điểm chủ yếu là dòng điện trong chúng do
cả hai loại hạt dẫn (điện tử và lỗ trống) tạo nên, transistor trường (Field Effect

55
Transistor- FET) hoạt động dựa trên nguyên lý hiệu ứng trường, điều khiển độ dẫn
điện của đơn tinh thể bán dẫn nhờ tác dụng của một điện trường ngoài. dòng điện
trong FET chỉ do một loại điện tích tạo nên. Công nghệ bán dẫn, vi điện tử càng tiến
bộ, FET càng tỏ rõ ưu điểm quan trọng trên mặt xử lý gia công tín hiệu với độ tin cậy
cao và mức tiêu hao năng lượng cực bé.
Transistor hiệu ứng trường FET gồm có hai loại chính:
- FET điều khiển bằng tiếp xúc p- n (hay gọi là FET mối nối đơn): Junction fet,
viết tắt là JFET
- FET có cực cửa cách điện : insulated gate fet viết tắt là IGFET. Thông thường
lớp cách điện là lớp ôxít nên gọi là Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET hay
MOS). Trong loại transistor trường có cực cửa cách điện lại chia làm hai loại là MOS
có kênh sẵn và MOS có kênh cảm ứng.
Mỗi loại FET lại được chia làm hai loại kênh N và kênh P.
Transistor trường có ba chân cực: cực nguồn (Source) ký hiệu là S, cực cửa
(Gate) ký hiệu là G và cực máng D (Drain).
- Cực nguồn là nơi mà các hạt dẫn đa số đi vào kênh và tạo ra dòng điện nguồn
IS
- Cực máng D là nơi các hạt dẫn đa số đi ra khỏi kênh .
- Cực cửa G là cực điều khiển dòng điện chạy qua kênh.
1.4.2. Cấu tạo và đặc tính của JFET
1.4.2.1. Cấu tạo và ký hiệu
JFET được gọi là FET có mối nối đơn, có hai loại là JFET kênh N và JFET kênh
P
JFET kênh N có cấu tạo gồm thanh bán dẫn loại N, hai đầu nối với hai dây ra gọi
là cực máng D và cực nguồn S. Hai bên thanh bán dẫn loại N là hai vùng bán dẫn loại
P tạo thành mối nối P-N như diode. Hai vùng này được nối với nhau gọi là cực cửa G
(hình 1.57).
Ký hiệu của JFET như hình 1.57 a (kênh N) và 1.57 b (kênh P).

56
 Cực máng D + D _
(Drain): D Kênh N ID ID

G
G

P N P

Cực cổng _ S+
(Gate): G _ S
Vùng
nghèo
a) b)
Cực nguồn
(Source): S
Hình 1.57: Cấu tạo JFET kênh N
Ký hiệu JFET kênh N b) Ký hiệu JFET kênh P

1.4.2.2. Nguyên lý hoạt động

Xét JFET kênh N có cực D nối với dương D ID +
nguồn, S nối với âm nguồn như hình 1.58 Vùng Kênh N
nghèo

a. Khi UGS= 0V e
G UDS
Lúc này dòng điện sẽ đi qua kênh theo chiều +
P N P UDD
e
từ cực dương của nguồn vào cực D và ra ở cực S e
UGS=0V
để trở về âm nguồn của U DD , khi này kênh có tác _
_
dụng như một điện trở. IS

Khi tăng nguồn UDD để tăng điện thế UDS từ

Hình 1.58: JFET khi UGS=0V
0V lên thì dòng ID tăng lên nhanh nhưng sau đó và UDS>0V
đến một điện thế giới hạn thì dòng ID không tăng
được nữa gọi là dòng điện bão hoà IDSS . Điện thế UDS có IDSS gọi là điện thế ngắt UP
(pinch- off).
b. Khi UGS< 0V
Khi cực G có điện thế âm nối vào chất bán dẫn loại P, trong kênh N có dòng điện
chạy qua nên có điện thế dương ở giữa chất bán dẫn N sẽ làm cho mối nối P-N bị
phân cực ngược làm điện tử trong chất bán dẫn của kênh N bị đẩy và làm thu hẹp tiết
diện kênh, nên điện trở kênh dẫn tăng lên, dòng ID giảm xuống.

57
 D
ID + ID(mA)

Vùng bão hoà

IDSS
UGS= 0V
8
IG=0A
7
G P N P UDS>0 6
+ _
UGS= -1V
1V 5
+
4
UGS=-1V
3 UGS=- 2V
_ _
2
IS UGS= -3V
1 UGS=- 4V

5 10 15 25 UDS
Hình 1.59: JFET khi cực G
có điện thế âm Hình 1.60: Đặc tuyến ra của JFET kênh N

Khi tăng điện thế âm ở cực G thì mức phân cực ngược càng lớn làm dòng I D
càng giảm nhỏ và đến một giá trị giới hạn thì dòng ID gần như không còn. Điện thế này
ở cực G gọi là điện thế ngắt UP.
Hình 1.60 là đặc tuyến ra của JFET kênh N để chỉ sự thay đổi của I D theo UDS
ứng với từng điện thế UGS ở cực G (gọi là họ đặc tuyến ID/UDS).
Đối với JFET kênh P: JFET kênh P có mạch thí nghiệm như hình 1.61 với
nguồn -UDD cung cấp cho UDS, điện thế cung cấp cho cực G bây giờ là điện thế dương
(UG>US). JFET kênh P cũng có đặc tuyến ra giống như JFET kênh N nhưng có các
dòng điện và điện thế ngược dấu.
ID(mA)

D +
ID Kênh P UGS= 0V
7

+ 6
UGS= 1V
IG=0A + 5
G UDS
N P N UGS= 2V
+ 4 Vùng
+ đánh
+ 3 thủng
UGS= 4V
UGG 2
_ _
S IS 1 UGS= 5V

Hình 1.61: JFET kênh P -5 -10 -15 -20 -25 UDS

Hình 1.62: Đặc tuyến ra của JFET kênh P

58
 c. Đặc tuyến truyền đạt

ID(mA) ID(mA)

IDSS 8 8 IDSS
UGS= - 6V
7 7
6 6
5 5 UGS= - 5V
4 4
3 3 UGS= - 4V
2 2
1 1 UGS= - 3V

-4 -3 -2 -1 0
UGS -6 -5
UT
UGS=UT - 6V UDS

Hình 1.63: Cách vẽ đặc tuyến truyền đạt từ đặc tuyến ra

Quan hệ này được thể hiện bằng hàm ID = f(UGS) khi điện áp UDS không đổi. Ta
có thể vẽ được đường đặc tuyến truyền đạt này bằng cách suy từ đặc tuyến ra hình
1.63, hoặc vẽ trực tiếp theo phương trình Shockley.
Qua đường đặc tuyến truyền đạt ta thấy: khi thay đổi điện áp trên cực của thì bề
dày của lớp tiếp xúc P-N sẽ thay đổi, làm cho tiết diện của kênh cũng thay đổi theo.
Do đó điện trở của kênh thay đổi và cường độ dòng điện qua kênh cũng thay đổi .
Như vậy điện áp trên cực cửa UGS đã điều khiển được dòng điện ở cực máng ID.
Theo lý thuyết, khi UGS =UP thì bề rộng của kênh giảm xuống 0 và dòng điện
máng bão hoà IDSS=0. Nhưng với linh kiện thực tế thì có một số dòng dò vẫn chảy qua
kênh ngay cả khi ở điều kiện ngắt UGS>UP.
Dòng điện ngược cực cổng I GS là dòng điện chạy từ cực cổng đến cực nguồn khi
cực máng ngắn mạch với cực nguồn trong trường hợp UGS>UP.
Thông thường dòng IGS bằng khoảng vài nA đối với FET chế tạo bằng Silic
1.4.3. Cấu tạo đặc tính của MOSFET
MOSFET được chia làm hai loại là MOSFET kênh liên tục và MOSFET kênh
gián đoạn. Mỗi loại kênh liên tục (kênh đặt sẵn) hay gián đoạn ( cảm ứng) đều có phân
loại theo chất bán dẫn là kênh N hay P. Ta chỉ xét các loại MOSFET kênh N và suy ra
cấu tạo ngược lại cho kênh P.
1.4.3.1. Cấu tạo và ký hiệu của MOSFET kênh liên tục.
Người ta chế tạo sẵn kênh dẫn điện gồm hai vùng bán dẫn loại N có nồng độ tạp
chất cao được nối liền nhau bằng một kênh dẫn là bán dẫn loại N có nồng độ tạp chất

59
thấp hơn. Các lớp bán dẫn này được khuếch tán trên một nền là chất bán dẫn loại P,
phía trên kênh dẫn điện có phủ lớp ô xít cách điện SiO2.
Hai dây dẫn xuyên qua lớp cách điện nối vào hai vùng bán dẫn N nồng độ cao
gọi là cực S và D. cực G có tiếp xúc kim loại bên ngoài lớp ô xít nhưng vẫn cách điện
với kênh dẫn, thường cực S được nối chung với nền P.
Cực máng D
(Drain) Kênh N Kênh P
SiO2 Kênh N D D

SS SS
G G
N

N NỀN S S
Cực cổng G P
Cực đế SS
(Gate) (Substrate) D
N D

G G
Cực nguồn S
(Source)
S S
Hình 1.64: Cấu tạo MOSFET liên tục kênh N
Ký hiệu MOSFET
a. Đặc tính của MOSFET kênh liên tục

 Khi UGS=0V:
Trường hợp này kênh dẫn điện có tác dụng như một điện trở , khi tăng điện áp
UDS thì dòng ID tăng lên đến một trị số giới hạn là I DSS (dòng ID bão hoà ). Điện áp UDS
ở trị số IDSS cũng gọi là điện áp ngắt UP giống JFET .

 Khi UGS<0V:
Khi này cực G có điện thế âm nên đẩy các điện tử ở kênh N vào vùng nền P làm
thu hẹp tiết diện kênh dẫn điện N và dòng I D bị giảm xuống do điện trở kênh dẫn điện
tăng lên. Khi tăng điện thế âm ở cực G thì dòng I D càng nhỏ và đến một trị số giới hạn
dòng ID gần như không còn, điện thế này ở cực G gọi là điện thế ngắt UP.

 Khi UGS>0v:
Khi phân cực cho cực G có điện thế dương thì các điện tử thiểu số ở miền P bị
hút vào vùng N nên làm tăng tiết diện kênh , điện trở kênh bị giảm xuống và dòng I D
tăng cao hơn trị số bão hoà I DSS. Trường hợp này dòng ID lớn dễ làm hỏng MOSFET
nên ít được sử dụng.

60
 Hình 1.65 là đặc tuyến lối ra ID/UDS và đặc tuyến truyền đạt ID/UGS của MOSFET
liên tục kênh N. I (mA) I D D

10,9 UGS= +1V

IDSS UGS= 0V
8
UGS= - 1V
4 IDSS/2 UGS= - 2V
2
IDSS/4 UGS=UP/2= -3V

-6 -3 -2 0 0
UP UP/2 0,3UP
Hình 1.65: Các đặc trưng của MOSFET liên tục kênh N

b. Mosfet liên tục kênh P (hình 1.66)

ID
ID
D
UGS=
p -1V
UGS= 0V
G N SS
+ p UGS= + 1V

UGS= -+2V
p
UGS= +3V

0 2 3 UGS 0 UGS=UP= -6V UDS

S
Hình 1.66: Cấu tạo và các đặc tính của MOSFET liên tục kênh P

1.4.3.2. Cấu tạo và ký hiệu của MOSFET kênh gián đoạn (cảm ứng).
Hình 1.67 giới thiệu cấu tạo, ký hiệu của MOSFET kênh gián đoạn.

Không có
D kênh dẫn Kênh N
SiO2
D D
SS
G SS G
N
G Cực đế
NỀN S S
SS
P Kênh P
N D D

S G G

S S
Hình 1.67: Cấu tạo của MOSFET gián đoạn kênh N
Ký hiệu MOSFET kênh N, kênh P

61
 Trong MOSFET gián đoạn thì hai vùng bán dẫn loại N pha nồng độ cao không
dính liền nhau nên gọi là kênh gián đoạn. mặt trên kênh dẫn điện cũng được phủ một
lớp ô xít cách điện SiO2. Hai dây dẫn xuyên qua lớp cách điện nối vào vùng bán dẫn N
gọi là cực S và D. cực G có tiếp xúc kim loại bên ngoài lớp ô xít và cách điện đối với
cực D và S .

 Đặc tính của MOSFET kênh gián đoạn: Hình 1.68

Do cấu tạo kênh bị gián đoạn nên bình thường không có dòng điện qua kênh,
ID=0 và điện trở giữa D và S rất lớn. Bắt đầu ngắt

SiO2 Vùng nghèo

Khi phân cực cho G có UGS>0V thì điện D ID
tích dương ở cực G sẽ hút các điện tử của nền P
về phía giữa của hai vùng bán dẫn N và khi lực N

hút đủ lớn thì số điện tử bị hút nhiều hơn đủ để e Cực đế +

NỀN
G UDS
nối liền hai vùng bán dẫn N và kênh được liên + e
P
SS _
tục. Khi đó có dòng điện I D đi từ D sang S, điện UGS e
_ N
thế phân cực cho cực G càng tăng thì dòng I D
càng lớn. Điện thế UGS đủ lớn để tạo thành kênh
IS=ID
dẫn điện gọi là điện thế ngưỡng UGS(T) hay UT.
Khi UGS < UT thì dòng cực máng ID= 0mA hay Hình 1.68: Đặc tính của
không có dòng điện chạy qua kênh (kênh dẫn MOSFET kênh gián đoạn
chưa được tạo thành ).
Đặc tuyến ra và đặc tuyến truyền đạt của MOSFET gián đoạn kênh N được biểu
thị ở hình 1.88, khi UGS>UT thì dòng ID và UGS quan hệ với nhau theo công thức :
ID = k (UGS-UT)2
Đây chính là phương trình của đặc tuyến truyền đạt ở hình 1.69b.
Hệ số k là một hằng số, nó được xác định nhờ các giá trị I D và UGS tương ứng trên
đặc tuyến ra (ứng với mỗi một điểm bất kỳ trên đặc tuyến ra ta có một cặp (I D, UGS)
tương ứng) gọi là ID(on) và UGS (on), khi đó:
k = ID(on) /(UGS(on) - UT)2

62
  MOSFET gián đoạn kênh P (hình 1.69 a,b,c)
ID(mA) ID(mA)
D

8 8 UGS= - 6V
7 7
p 6 6
G SS 5 5 UGS= - 5V
N 4 4
_ 3 3 UGS= - 4V
p
2 2
1 1 UGS= - 3V

+ 6 5 4 3 2
UT
1 0 UGS=UT - 6V UGS
a) b) c)
S
Hình 1.69: a) Cấu tạo b) Đặc tuyến ra c) Đặc tuyến truyền đạt

1.5. Phâna)cực cho FET

1.5.1. Giới thiệu

Ta đã biết rằng mức độ phân cực cho 1 transistor lưỡng cực có thể được thiết lập bằng
cách sử dụng các công thức:
UBE = 0,7V IC = .IB và IC  IE
Quan hệ giữa đầu ra và đầu vào được đặc trưng bởi hệ số , nó là 1 hằng số thiết lập
mối quan hệ tuyến tính giữa IC và IB. Đối với transistor trường, mối quan hệ giữa đầu
ra và đầu vào lại không tuyến tính, sự liên hệ không tuyến tính giữa I D và UGS có thể
làm phức tạp hoá khi phân tích FET ở chế độ một chiều.
Sự khác biệt nữa giữa BJT và FET là: biến điều khiển đầu vào cho BJT là dòng điện,
trong khi ở FET là điện áp.
Các công thức chung đối với FET:
IG  0 A (1.13)
và: ID = IS (1.14)
Đối với JFET và MOSFET kênh đặt sẵn thì công thức Shockley cho quan hệ giữa đầu
vào và đầu ra là:
ID = IDSS( 1 - UGS/UP )2 (1.15)
Còn đối với MOSFET kênh cảm ứng:
ID = k(UGS - UT)2 (1.16)
Điều quan trọng là tất cả các công thức trên đây là đặc trưng cho linh kiện, chúng
không thay đổi trong quá trình làm việc. Mức độ thay đổi của mạch điện được coi như
63
sự thay đổi của dòng điện và điện áp kết hợp với điểm làm việc qua phương trình của
nó.

1.5.2. Mạch phân cực cố định

Ở chế độ tĩnh (khi chưa có tín hiệu xoay chiều):
IG  0A và URG = IGRG = 0A.RG = 0V.
Áp dụng định luật Kirchhoff ta có: - UGG - UGS = 0
hay UGS = - UGG (1.17)
U
DD

R
D
D

U
U G r
v

S Z
R r
Z G
v
UVGG
GG

Hình 1.70: Sơ đồ phân cực cố định cho JFET

Vì UGG là nguồn 1 chiều ổn định nên UGS cũng không thay đổi. Do đó người ta gọi là
“mạch phân cực cố định”.
Dòng cực máng ID được tính theo công thức Shockley:
ID = IDSS(1 - UGS/UP)2.
Theo Kirchhoff: UDS = UDD - IDRD (1.18)
Vì cực S nối đất nên US = 0 V (1.19)
 UD = UDS (1.20)
và UG = UGS (1.21)
Nhược điểm chính của cách phân cực 16V

này là cần 2 nguồn phân cực, chính vì 2K

vậy nó ít được sử dụng trong thực tế D và

sẽ ít được đề cập trong hều hết các G I = 10mA
DSS
phần tiếp theo. + U = - 8V
P
U
Ví dụ 12: Cho các số liệu ở hình 1.71, 1M
GS
- S

tính: UGSQ, IDQ,UDS , UD, UG, US 2V

Giải:
Ta có:
Hình 1.71: Mạch điện cho ví dụ 12
64
UGSQ = - UGG = - 2V
IDQ = IDSS ( 1 - UGS /UP )2
= 10 mA[1 - ( - 2V)/( - 8V)]2
= 10 mA (1 - 0,25)2
= 10 mA (0,75)2
= 5,625 mA.
UDS = UDD - IDRD
= 16V - (5,625 mA).(2 k)
= 4,75V
UD = UDS = 4,75V
UG = UGS = - 2 V
US = 0 V
1.5.3. Mạch tự phân cực
Mạch tự phân cực sẽ loại trừ yêu cầu 2 nguồn 1 chiều. Điện áp điều khiển UGS
bây giờ được xác định bởi điện áp đặt trên điện trở RS đưa vào cực S như ở hình 1.72.
Ở chế độ tĩnh (1 chiều), tụ điện có thể I
U D
DD
thay thế bằng hở mạch và điện trở RG được R
D
C
2
ngắn mạch vì IG = 0A. D U
r
C G
Dòng chạy qua RS là dòng IS, nhưng IS = ID U
1
v +
nên: S
U
GS
URS = IDRS R
G
-

- UGS - URS = 0 hay RS C

S

UGS = - URS
 UGS = - IDRS (1.22)
Hình 1.72: Mạch tự phân cực JFET
Lưu ý ở đây UGS là hàm của dòng điện ra ID
và không cố định như mạch phân cực cố định.
Từ (1.10), thay vào phương trình Shockley ta có:
ID = IDSS (1 - UGS /UP)2
= IDSS [1 - (- IDRS)/UP]2
 ID = IDSS (1 + IDRS/UP )2

65
Đây là một tam thức bậc 2 đối với ID, I (mA)
D

dạng tổng quát của nó: I 2D + K1ID + K2 = 0

I
DSS
chính là phương trình của 1 đường cong
Parabol - gọi là đặc tuyến tĩnh (đặc tuyến
truyền đạt) (hình 1.73)
 I /4 U = 0V,
DSS GS
Ta sẽ biểu diễn đồ thị của phương trình I = 0A(U =-I R
D GS D S
(1.10), đây là phương trình của 1 đường 0
U U
P U /2 GS
thẳng nên cần xác định 2 điểm: P
Hình 1.73: Đặc tuyến truyền đạt
Điểm thứ nhất: cho ID = 0A

 UGS = - IDRS = 0V
và điểm thứ hai: cho ID = IDSS /2
 UGS = - IDRS = - IDSS.RS/2.

Nối 2 điểm này sẽ được đường tải tĩnh. Giao điểm của đường này với đường đặc tuyến
truyền đạt chính là điểm làm việc tĩnh.

Mức UDS có thể được xác định bởi định luật Kirchhoff:
U RS + UDS + U R D – UDD = 0V

và U RS = ISRS , U R D = IDRD , ID = IS

UDS = UDD - ID (RS + RD).

US = IDRS
UG = 0 V
UD = UDS + US = UDD – U R D
Ví dụ 13: Cho các giá trị biểu diễn ở hình 1.74.
a) Tính : UGS, IDQ, UDS, US, UG ,UD.
b) Xác định điểm làm việc tĩnh, vẽ đặc tuyến truyền đạt.

66
 20V
Giải: ID
Ta có: UG = URG = IG RG = 0.1MΩ = 0V 3,3k
US = URS = ISRS = IDRS = ID.1kΩ
D
UGS = UG – US = 0- IDRS = -IDRS G
I = 8mA
Áp dụng công thức Shockley : +
DSS
U = - 6V
P
U _
ID = IDSS(1- UGS/UP)2 1M GS
S

= IDSS(1- (-IDRS)/UP)2 R 1k

S
Ta có tam thức bậc 2 đối với ID :
Hình 1.74: Mạch điện cho ví dụ 13
AID2 + BID + C = 0
 UGSQ = - 2,6V, IDQ = 2,6 mA,
ID(mA)
UDS = UDD - ID (RS + RD )
= 20V - (2,6 mA ). (1k + 3,3k)
8 (I )
= 8,82V DSS

US = IDRS = (2,6mA).(1k)
= 2,6V Q
I = 2,6mA
UD = UDS + US = 8,82V + 2,6V DQ

= 11,42V
UGS(V)
0
Tọa độ điểm làm việc -6
U = - 2,6V
Hình 1.75: Điểm
GSQ
làm việc Q, đường tải tĩnh
Q (UGSQ; IDQ) = Q(-2,6V; 2,6mA)

Phương trình đường tải tĩnh:

UGS = -IDRS

Chọn ID =0VUGS =0V. U

DD

R
1.5.4. Mạch phân cực phân áp 1

C
Ở mạch phân cực phân áp đối với 2

U RD Ur
transistor FET (hình 1.76), các linh kiện v C
1

được bố trí giống như phân cực phân áp R

cho BJT, nhưng ở trạng thái tĩnh sự phân
tích đối với 2 sơ đồ hầu như khác nhau. Đối
với FET, IG = 0, nhưng độ lớn IB của sơ đồ
2 R C
S S
Hình 1.76: Mạch phân cực phân áp

67
chung emitter đối với BJT lại ảnh hưởng đến cả dòng và áp ở đầu vào và đầu ra của
mạch.
Dòng IB trong mạch phân cực phân áp đối với BJT chính là đại lượng liên kết giữa cửa
vào và cửa ra, còn đối với FET thì vai trò
I (mA)
này lại là UGS. D

Khi IG = 0A thì IR1 = IR2 và điện áp chính

I
DSS
là điện áp đặt trên R2:
U =U -I R
GS G D S
R U
U G  2 DD (1.23)
R1  R 2
Q U = 0V, I = U /R
GS D G S
Theo Kirchoff: UG - UGS - URS = 0
I = 0mA(U =U )
D GS G
URS = ISRS = IDRs
0
U +U U
UGS = UG - IDRS (1.24) P G GS
Hình 1.77: Xác định điểm làm việc

Phương trình (1.24) chính là phương trình đường tải tĩnh, biểu diễn mối quan hệ giữa
UGS và ID, nó cũng là một đường thẳng. Để xác định đường thẳng này trên đặc tuyến
truyền đạt ta cũng xác định 2 điểm như hình 1.77. Giao điểm của đường tải tĩnh với
đặc tuyến tĩnh (đặc tuyến truyền đạt) chính là điểm làm việc tĩnh Q các giá trị tĩnh
tương ứng của nó là IDQ và UGSQ. Khi các giá trị này được xác định thì ta có:
UDS = UDD - ID (RD + RS)
UD = UDD - IDRD
US = IDRS
U DD
IR1 = IR2 = (R  R )
1 2

Ví dụ 14: Cho mạch điện hình 1.76, biết UDD = 16V, R1 =2,1MΩ, R2 = 270kΩ,
RD = 2,4kΩ, RS = 1,5kΩ, IDSS = 8mA, UP = -4V. Tính
a) IDQ và UGSQ ; UD, US ; UDS ; UDG
Giải:
R 2 U DD (270k)(16V)
a) Ta có: UG = (R  R ) = (2,1M  0, 27M) = 1,28V
1 2

UGS = UG – IDRS = 1,28V – ID (1,5k)

Áp dụng công thức Shockley :
ID = IDSS(1- UGS/UP)2
 ID =2,4mA

68
UGS = -1,8V I (mA)
D
Phương trình đường tải tĩnh
UGS = UG - IDRS 8 (I )
DSS
Khi ID = 0 mA:
UGS = + 1,28V
Q
Khi UGS = 0 V: I = 2,4mA
DQ

ID = 1,28/1,5 = 1,21 mA. I = 1,21mA(U = 0V)

D GS
Ta xác định được đường tải tĩnh
0
U
như hình 1.76 và điểm làm việc D U
GSQ
= - 1,8V
U = 1,82V
G
(I = 0mA)
tĩnh có giá trị: D
Hình 1.78: Minh hoạ cho ví dụ 14
IDQ = 2,4 mA ,UGSQ = - 1,8V.
UD = UDD - IDRD = 16 - 2,4.2,4 = 10,24V
US = IDRS = (2,4mA).(1,5k) = 3,6V
UDS = UDD – ID(RD + RS) = 16 – 2,4 (2,4 + 1,5) = 6,64V
UDG = UD - UG = 10,24 – 1,82 = 8,42 V

1.5.5. Các loại MOSFET kênh đặt sẵn

Đặc tuyến truyền đạt của các loại MOSFET 18 V
kênh đặt sẵn cũng tương tự như đối với JFET nên ở
chế độ tĩnh các phân tích cũng tương tự. Chỉ khác 1,8 k
110 M
là đối với đặc tuyến truyền đạt, khi UGS > 0 thì ID
vượt quá giá trị bão hoà. U
v I = 6mA
DSS
Ví dụ 15: Cho mạch phân cực của MOSFET kênh U = - 3V
P
N đặt sẵn với các giá trị như hình 1.79. 10M 750 k

Tính: a) IDQ và UGSQ

b) UDS
Hình 1.79: Mạch điện cho ví dụ 15
Giải: a) Để vẽ đặc tuyến truyền đạt, ta xác định
điểm:
ID = IDSS/4 = 6 mA/4 = 1,5 mA.
UGS = UP/2 = - 3V/2 = - 1,5V
Ta cần xác định 1 điểm nữa khi UGS > 0, cho UGS = 1V
 ID = IDSS (1 - UGS /UP )2 = 6mA [1 - (1V)/( - 3V) ]2
= 10,67 mA

69
 Ta xác định được đặc tuyến truyền đạt I (mA)
D
như hình 1.80. Áp dụng các công thức tương tự
8
như JFET
Ta có: 6

Từ công thức (1.15):

10M(18V) Q
2
UG = 10M  110M = 1,5V I
DQ
= 3,1mA

UGS = UG - IDRS = 1,5 – ID.750 1,5

-3
Áp dụng công thức Shockley: -2 -1 0 1 2
U U
P U = - 0,8V GS
ID = IDSS(1-UGS/UP)2 = IDSS(1-(UG-IDRS)/UP)2 Hình 1.80: Đặc tuyến tĩnh và cách xác
GSQ

 ID = 3,1mA UGS = -0,8V định điểm Q

Phương trình đường tải tĩnh:
UGS = UG - IDRS
Chọn ID = 0 mA  UGS = UG = 1,5V
UGS = 0 V  ID = UG /RS = 1,5/750 = 2mA.
Từ đó ta xác định được đường tải tĩnh và điểm làm việc tĩnh:
IDQ = 3,1mA, UGSQ = - 0,8V
b) UDS = UDD – ID (RD + RS) = 18 V - (3,1mA)(1,8k.750)  10,1V

1.5.6. Các loại MOSFET kênh cảm ứng

Đặc tuyến truyền đạt của các loại MOSFET kênh cảm ứng hầu hết đều khác với
JFET và MOSFET kênh đặt sẵn.
Đối với MOSFET kênh N thì dòng ID = 0 khi UGS < UGS(th) (điện áp ngưỡng -
Threshold)
Khi UGS > UGS(Th) thì ID = k(UGS - UGS (Th) )2 (1.25)
Khi đã xác định được rõ điện áp ngưỡng và 1 mức của dòng cực máng (ID(on)) và
UGS(on) tương ứng thì ta sẽ xác định được hệ số k:
* Phân cực bằng hồi tiếp:
Một cách phân cực cho MOSFET kênh cảm ứng như hình1.81. Ở chế độ tĩnh, khi
IG = 0mA và U R G  0V , ta vẽ lại sơ đồ như hình 1.82.

70
 U
DD
UDD I
D

R
R D
D
C
R 2
D
G
+

U
D r

C G
1
+
G
U
v S - -
U S
GS

Hình 1.81: Phân cực hồi tiếp cho Hình 1.82: Sơ đồ tương đương

MOSFET kênh cảm ứng

Một sự kết nối giữa cực D và G sẽ được tạo
ra, kết quả là UD = UG và
UDS = UGS
Ở đầu ra: UDS = UDD - IDRD
 UGS = UDD – IDRD (1.25)
Phương trình 1.25 là phương trình của một I
D   
đường thẳng, chính là đường tải tĩnh, để xác
định nó ta cũng xác định 2 điểm: U
DD
/R
D 

UGS = UDD|ID = 0 mA
I Q
ID = UDD / RDUGS = 0 V DQ

Xác định giao của đường thẳng này với đặc

tuyến tĩnh ta sẽ xác định được điểm làm việc 0 U
GS(Th)
U
GSQ
U
DD
U
GS

tĩnh. (hình 1.83).

Hình 1.83: Xác đinh điểm làm việc
Ví dụ 16: Xác định IDQ và UDSQ ở hình 1.81, biết
UDD = 12V, RG = 10MΩ, RD = 2kΩ, ID(on)=6mA, UGS(on)= 8V, UGS(Th)= 3V.
Giải:
* Xác định đặc tuyến truyền dẫn:
I D(on)
k= = 0,24  10 - 3 A/V2
(U GS(on)  U GS(Th) )2

* Cho UGS = 6V ( giữa 3V và 8V)

ID = 0,24  10 - 3 (6V - 3V)2
= 2,16 mA
71
* Cho UGS = 10V (> UGS (Th))
ID = 0,24  10 - 3 (10V – 3V)
= 11,76 mA.
từ cách tính trên vẽ được đặc tuyến truyền đạt
I
(hình 1.84) D
U = 10V, I = 11,76mA
GS D
* Đường tải tĩnh: 10

UGS = UDD - IDRD

ID(on) 6
= 12V - ID(2k)
UGS = UDD = 12V I D  0mA
.

U DD 12V U
GS
= 6V, I = 2,16mA
D
ID = R = 2k 0 3 6 8
D
U U
= 6mAUGS = 0V Hình 1.84: XácGS(Th)
định đặc
GS(Q)
tuyến truyền dẫn

Ta vẽ được đường tải tĩnh, đường tải này cắt đặc tính truyền đạt tại điểm Q, Q chính là
điểm làm việc tĩnh (hình 1.85), với : I
D   

IDQ = 2,75 mA, UGSQ = 6,4V U /R

DD D 

I Q
DQ

0 U U U U
GS(Th) GSQ DD GS

Hình 1.85: Xác đinh điểm làm việc

*Phân cực bằng điện áp phân áp: (hình 1.86)
Với IG = 0 mA, ta có:
U
DD
R 2 .VDD
UG = R  R
1 2
R
D     
UGS = UG - IDRS R
1   
D
 UGS = UG - IDRS I = 0A  
G

UDS = UDD –URS - URD G +

U - S
 UDS = UDD - ID (RS + RD) GS

R
2    R
S   

Hình 1.86: Mạch phân cực phân áp

72
 40V
Ví dụ 17: Cho mạch điện như hình 1.87. Biết
UDD = 40V, R1=22MΩ, R2 = 18MΩ, RD = 3kΩ, 3K
RS=0,82kΩ, UGS(Th)=5V, ID(on)=3mA, UGS(on) = 22M
I
10V. Tính IDQ, UGSQ và UDS. D
DQ
2N4351
+
U = 5V
I = 0A GS(Th)
G U
Giải G+
DS I
D(on)
= 3mA
tại U = 10V
GS(on)
U
GSQ
- S -
K= ID(on)/(UGS(on)-UGS(Th))2= 3/(10-5)2
18M
0,82K
2
= 0,12mA/V

UG = 18V Hình 1.87. Sơ đồ cho ví dụ 17

UGS = UG - IDRS = 18 – 0,82ID

Áp dụng công thức ID = k(UGS – UGS(Th))2

= 0,12((18-0,82ID) – 5)2

 0,08ID2 – 3,55ID + 20,28 = 0

 ID1 = 37,31mA UGS = 18- (37,31mAx0,82kΩ) = -12,59V (loại)

 ID2 = 6,875mA  UGS = 18 – (6,875mAx0,82kΩ)= 12,36V (thỏa mãn)

Vậy IDQ = 6,875mA, UGSQ = 12,36V

UDS = UDD – ID(RD + RS) = 40 – 6,875mA(3kΩ +0,82kΩ) = 13,73V.

1.6. Các dụng cụ bán dẫn khác
1.6.1. Transistor một chuyển tiếp (UJT: Unijunction Transistor).
1.6.1.1. Cấu tạo và ký hiệu
UJT được chế tạo bằng cách trên một phiến bán dẫn loại N pha tạp ít (điện trở
suất lớn) người ta tạo ra một vùng bán dẫn loại P pha tạp nhiều (điện trở suất nhỏ). Từ
miền bán dẫn loại P này nối ra điện cực emitter. Hai đầu của phiến bán dẫn loại N nối
ra hai điện cực là cực base 1 (B1) và base 2 (B2).

73
 B2

B2 RB2
B2 D
E UBB
E O
E N
P
UEB1
RB1
B1
B1
B1

a) Cấu tạo b) Ký hiệu c) Sơ đồ tương đương d) Hình dạng thực tế

Hình 1.88: Cấu tạo, ký hiệu, sơ đồ tương đương và hình dạng thực tếcủa
UJT.
1.6.1.2. Nguyên lý hoạt động
Từ cấu tạo của UJT ta có sơ đồ tương đương như hình 5.1c. Phiến bán dẫn N có
điện trở suất cao nên từ điểm B1 đến điểm O (điểm tương ứng với mặt ghép P-N) được
thay bằng điện trở RB1 thay đổi trong quá trình làm việc và từ điểm B2 đến O được thay
bằng điện trở RB2 hầu như giữ cố định trong quá trình làm việc, tổng hai điện trở này
bằng điện trở từ B1 đến B2 ký hiệu là RBB (RBB = RB1 + RB2). Chuyển tiếp P-N được
thay bằng diode D.
Nếu đặt vào B1 và B2 một điện áp thì ta có điện áp tại điểm O khi cực E hở mạch
là:
U BB R B1 R
UO   B1 U BB
R B1  R B2 R BB

Điện áp UO chính là điện áp đặt vào catôt của diode D. Khi cực E hở mạch thì chỉ
có dòng điện chạy từ B2 đến B1:
U BB
IB 
R BB

Nếu cực emitter nối đất thìdiode D bị phân cực ngược và khi đó qua cực emitter E
chỉ có dòng ngược (IE0) chảy.
Nếu đặt vào giữa cực E và B1 một điện áp dương. Khi tăng UEB1 từ giá trị 0 đến
UOthì sẽ IE giảm xuống 0, vỡ khi đó anôt và katôt của diode D sẽ có điện thế như nhau.
Nếu tiếp tục tăng UEB1 theo chiều dương thìdiode D sẽ được phân cực thuận và tạo ra

74
dòng thuận chảy từ cực E đến cực B 1 của UJT. Khi điện ápphân cực thuận, diode D
còn nhỏ, dòng thuận IE cũng còn nhỏ, nó chưa gây ảnh hưởng gì lớn đến điện trở R B1,
nhưng khi tăng UEB1 đến một giá trị nhất định thìdòng IE sẽ gây ảnh hưởng đáng kể đến
điện trở RB1 thường ký hiệu điện áp ứng với giá trị này là U đỉnh và dòng IE tương ứng
với điện áp này là dòng I đỉnh, gọi là điện áp và dòng đỉnh. Khi đó các hạt dẫn được
phun từ miền emitter và miền B1 tăng lên đột ngột, khiến cho nồng độ hạt dẫn trong
miền này tăng lên và do đó làm cho điện trở R B1 đột ngột giảm đi. Vì RB1 giảm nên UO
cũng đột ngột giảm đi, khiến cho diode D càng có xu hướng được phân cực thuận,
dòng IE thuận tăng lên làm cho U O tiếp tục giảm. Trong quá trình này, diode D luôn
phân cực thuận cho nên điện áp sụt trên nó không đáng kể, vì vậy có thể coi gần đóng
UO = UEB1. Sau khi làm cho diode D thông, dòng I Ecó xu hướng ngày một tăng còn
điện áp UEB1 lại ngày một giảm, đó chính là nguyên nhân làm xuất hiện hiệu ứng điện
trở âm trong UJT. Dòng IEkhông thể tăng mãi, nó bị giới hạn bởi điện trở nguồn. Sau
khi được mở, UJT duy trì trạng thái này cho tới khi mạch vào hở mạch hoặc dòng I E
giảm xuống giá trị quá nhỏ.
Đặc tuyến Vôn-Ampe của UJT được trình bày trên hình 1.89, mô tả quan hệ giữa
dòng IE và điện áp UEB1. Đặc tuyến chia làm 3 miền:
- Miền cắt (IE = -IEB2): Ứng với miền này UJT chưa làm việc.
- Miền điện trở âm: Như đó phân tích ở trên, trong miền này khi dòng I E tăng thì
điện áp UEB1 giảm.
- Miền bão hoà: Khi dòng IE tăng tới một giá trị nhất định thì số hạt dẫn phun vào
miền base đạt tới giá trị bão hoà, điện trở R B1không tiếp tục giảm nữa nên điện áp U EB1
cũng không giảm. Điện áp UEB1 ứng với giá trị này gọi là điện áp đáy (U đáy). Dòng IE
ứng với điện áp này gọi là dòng đáy (Iđáy). Điện áp đáy được xác định bởi điện áp
thuận của diode và điện trở bão hoà R B1. Nếu tiếp tục tăng dòng IEthì điện áp UEB1 lại
tăng.
Khi IB2 = 0A, chỉ tăng UEB1 một lượng nhỏ diode D đó phân cực thuận cho nên đặc
tuyến Vôn-Ampe trong trường hợp này hoàn toàn giống như đặc tuyến của diodephân
cực thuận, chỉ khác trong trường hợp này diode được mắc nối tiếp với một điện trở.

75
 Miền Miền điện Miền bão
cắt UEB1 trở âm hoà

Uđỉnh

UEB1

Uđáy

Iđỉnh Iđáy
Hình 1.89: Đặc tuyến của UJT
1.6.1.3. Ứng dụng của UJT
Một ứng dụng điển hình của UJT là dao động tạo xung răng cưa
+20V
Sơ đồ nguyên lý và dạng sóng dao
động của mạch như hình 1.90. Nguyên lý
RE RB2
hoạt động của mạch như sau: 10kΩ 100Ω

Tụ C được nạp từ nguồn UBB qua RE, B2

e
khi điện áp trên tụ bằng Uđỉnh của UJT thì Q

UJT mở và tụ C phóng điện qua UJT làm B1

C RB1
cho điện áp trên hai cực của tụ hạ xuống 0.2µF 20Ω
bằng giá trị điện áp bão hoà của UJT,
UEbh. Khi ấy UJT đóng và tụ C lại bắt
Hình 1.90: Mạch tạo dao động xung răng
đầu một lần nữa nạp điện. Quá trình cứ cưa
như vậy tiếp diễn và do đó điện áp ra lấy trên tụ C có dạng răng cưa.

76
1.6. 2. Thyristor (SCR: Silicon Controlled Rectifier)
1.6.2.1. Cấu tạo và ký hiệu
Thyristor được chế tạo bằng 4 lớp bán dẫn P_N_P_N đặt xen kẽ nhau. Giữa các
lớp bán dẫn này hình thành các chuyển tiếp lần lượt là J 1, J2, J3. Thyristor là dụng cụ có
ba chân cực được ký hiệu bằng các chữ A - anôt, K - catôt, và G - cực điều khiển.
Về phương diện lý thuyết Thyristor có hai loại:
- Thyristor loại N là loại có cực điều khiển được lấy trên vùng N gần anôt.
- Thyristor loại P là loại có cực điều khiển được lấy trên vùng P gần catôt.
Trên thực tế chỉ có cấu trúc được chỉ ra trên hình 1.91
A
A
P1
J1
N1
J2
P2
N2 J3
G
K
G K
b. Cấu tạo a. Ký hiệu c. Hình dạng thực tế

Hình 1.91: Cấu tạo, ký hiệu và hình dạng thực tế của Thyristor

1.6.2.2. Nguyên lý hoạt động

Có thể xem Thyristor được tạo ra từ 2 Transistor: P1N1P2 và N1P2N2 như sau:
I(mA
)
A Miền dẫn thuận

P1 IG1
N1 IG2
IG3
IG4 U (V)
P2 N1
G U4 U U U1
P2 Miền chắn 3 2
N2 Miền chắn thuận
ngược
K
Sơ đồ tương đương Đặc tuyến V_A
Hình 1.92: Đặc tuyến V_A Thyristor

Đặc tuyến Vôn-Ampe của Thyristor chia làm 4 miền.

77
 - Trường hợp phân cực ngược Thyristor với UAK< 0. Đặc tuyến ở đoạn này có thể
coi như hai diodephân cực ngược mắc nối tiếp (J 1 và J3). Dòng qua Thyristor chính là
dòng rò ngược của diode. Nếu tăng điện áp ngược đến một giá trị nhất định thì hai tiếp
giáp J1và J3 sẽ lần lượt bị đánh thủng, dòng ngược qua Thyristor tăng lên đột ngột. Nếu
khôngcó biện pháp ngăn chặn, dòng ngược này sẽ làm hỏng Thyristor. Vùng đặc tuyến
ngược của Thyristor trước khi bị đánh thủng gọi là vùng chắn ngược.
- Trường hợp phân cực thuận Thyristor với UAK> 0.
+ Khi cực điều khiển G hở mạch (I G = 0), tiếp giáp J1 và J3 lúc này được phân cực
thuận còn J2 phân cực ngược. Khi UAK còn nhỏ, dòng qua Thyristor quyết định chủ yếu
bởi dòng rò ngược qua J2. Xét chung cho cả Thyristorthìdòng điện chảy qua Thyristor
lúc này là dòng rò thuận Ifx. Giá trị điển hình của dòng rò thuận(Ifx) và dòng rò ngược
(IRx) khoảng 100A. Nếu IG = 0 thìdòng rò thuận sẽ giữ nguyên giá trị ban đầu. Khi
tăng UAK lên tới giá trị xấp xỉ điện áp đánh thủng chuyển tiếp J 2 (gọi là điện áp đánh
thủng thuận UBE) thìdòng IC0 trong Thyristor đủ lớn làm cho hai Transistor trong sơ đồ
tương đương mở và lập tức chuyển hẳn sang trạng thái bão hoà. Thyristor chuyển sang
trạng thái mở, nội trở của nó đột ngột giảm đi, điện áp sụt trên hai cực A và Kcũng
giảm xuống đến giá trị UE gọi là điện áp dẫn thuận. Phương pháp chuyển Thyristor từ
khoá sang mở bằng cách tăng dần UAK gọi là kích mở bằng điện áp thuận.

+ Khi IG 0, nghĩa là giữa cực G và cực K có một điện áp sao cho J 3phân cực thuận.
Dòng IG do UGK cung cấp sẽ cùng với dòng ngược vốn có trong Thyristor I C0 làm cho
T2có thể mở ngay với điện áp UAK nhỏ hơn nhiều giá trị kích mở lúc IG = 0. Dòng IG
càng lớn thì UAK cần thiết tương ứng để mở Thyristor càng nhỏ. Chú ý rằng nếu ngay
từ đầu điện áp UGK đó cung cấp một dòng I G lớn hơn dòng mở cực tiểu của T 2, nhưng
điện áp UAK vẫn chưa đủ lớn để phân cực thuận cho T 1 và T2thì Thyristor cũng vẫn
chưa mở.
- Như trên đặc tuyến của Thyristor mức dòng điều khiển I G tăng từ IG1 đến IG4 tương
ứng với mức điện áp UAK giảm xuống từ U1 tới U4. Đây là phương pháp kích mở
Thyristor bằng dòng trên cực điều khiển. Điện áp dẫn thuận U Fcó thể viết UF = UBE1+
UBE2 = UBE2+ UCE1. Đối với vật liệu silic thì điện áp bão hoà của transistor silic vào cỡ
0,2V còn UBEcỡ 0,7V; như vậy suy ra UF = 0,9V. Trên phần đặc tuyến thuận, phần mà
Thyristor chưa mở gọi là miền chắn thuận, miền Thyristor đó mở gọi là miền dẫn
thuận (hình 5.5). Quan sát miền chắn thuận và miền chắn ngược của Thyristor thấy
nócó dạng giống như đặc tuyến ngược của diode chỉnh lưu thông thường.

78
- Sau khi các điều kiện kích thích mở kết thúc, muốn duy trì cho Thyristor luôn mở thì
phải đảm bảo cho dòng thuận IE lớn hơn một giá trị nhất định gọi là dòng ghim I4 (là
giá trị cực tiểu của dòng thuận I E). Nếu trong quá trình Thyristor mở, I G vẫn được duy
trìthìgiá trị dòng ghim tương ứng sẽ giảm đi khi dòng I G tăng (hình 5.5). Trong sổ tay
thuyết minh các nhà sản xuất còn ký hiệu I HC để chỉ dòng ghim khi cực G hở mạch và
IHX để chỉ dòng ghim đặc biệt khi giữa cực G và K được nối nhau bằng điện trở phân
cực đặc biệt.

1.6.2.3. Ứng dụng của Thyristor

Ví dụ một ứng dụng của Thyristor là mạch báo động

Sơ đồ nguyên lý mạch được cho trên hình 1.93.
R2 K1
+Ucc
R1 PD
SCR
+Ucc

RL K2
LED

Hình 1.93: Mạch báo động sử dụng

Thyiristor
- Bình thường ánh sáng phát ra từ LED được PD (diode thu quang) nhận, làm cho
PD dẫn bão hoà nên sụt áp qua R2 nhiều dẫn đến VG của SCR thấp nên SCR tắt.
- Khi có người đi ngang qua khu vực giữa LED và PD thì PD tắt (do bị che ánh
sáng) nên không còn sụt áp qua R 2, lúc này áp +Ucc đi qua R2 đến G lớn đủ ngưỡng
kích cho SCR làm cho SCR dẫn nên rơle hoạt động làm đóng công tắc K 2 kích hoạt
còi báo hoặc sáng đèn. Do tính tự giữ của SCR, nên SCR vẫn dẫn khi tiếp tục có người
lướt ngang qua LED và PD trong khoảng thời gian đóthì PD dẫn trở lại làm cho V G sụt
thấp làm mất áp kích cho SCR. Muốn làm tắt SCR thì ta phải hở công tắc K1 ra.
Thyristor còn được sử dụng trong mạch khống chế như mạch khống chế xung,
mạch khống chế pha…
1.6. 3. Triac, Diac
1.6.3.1. Triac (Triode for Alternating Curent)
Cấu tạo, sơ đồ tương đương và đặc tuyến Vôn-Ampe của Triac được trình bày trên
hình 1.94.
79
 Từ đócó thể thấy rằng Triac tương đương với hai Thyristor mắc song song ngược
chiều chung cực G. Các cực của nó gọi là A 1, A2 và G. Khi điện thế cực G dương so
với cực A2 và điện thế cực A1 dương so với cực A2thì Thyristor 1 mở (hai Transistor
tương đương Q1 và Q2 mở). Trong trường hợp này, A1đóng vai trò anôt, còn A2đóng
vai tròkatôt. Khi điện thế cực G dương so với A 1 và điện thế cực A2 dương so với cực
A1thì Thyristor 1 mở (hai Transistor tương đương Q 3 và Q4 mở). Trong trường hợp
này, A2 đóng vai trò anôt, còn A 1đóng vai trò katôt. Từ đó thấy rằng Triac có khả năng
dẫn điện theo cả hai chiều.

I
A2 A2 A2 (mA)

N1 P1
N2 Q1 Q3
I1 U
P2 I2
G (V)
N3 G
N4 G Q4
P3 Q2
A1
A1
A1
Cấu tạo Ký hiệu Sơ đồ tương đương Đặc tuyến V_A
Hình 1.94: Cấu tạo, ký hiệu, sơ đồ tương đương và đặc tuyến của Triac
Một trong những ứng dụng của Triac là mạch điều khiển dòng điện được trình bày
trên hình 1.95.

A1
I1 I2 U
D1 (V)
A2
Un G 2 t (ms)
RG
D2 Rt 1

Hình 1.95: Sơ đồ khống chế dùng

Triac
Nguyên lý làm việc của mạch điều khiển:
- Ở nửa chu kỳ dương: D1 thông nên có tín hiệu điều khiển vào G: U A1A2 > 0,
UGA2> 0. Do đó Thyristor 1 dẫn theo I1, Ut > 0.
- Ở nửa chu kỳ âm: D2 thông nên UA1A2> 0 ; UGA1> 0. Do đó Thyristor 2 dẫn theo I2
ngược lại, Ut < 0. Điều chỉnh biến trở RG sẽ thay đổi được 1, 2.
Vậy Triac là dụng cụ dẫn điện hai chiều có điều khiển.
80
Triac được ứng dụng rất rộng rãi trong kỹ thuật điện tử, ví dụ:
- Kiểm tra và điều khiển vận tốc của mô tơ điện.
- Kiểm tra và điều khiển nhiệt độ.
- Kiểm tra và điều khiển cường độ chiếu sáng…

1.6.3.2. Diac
Về mặt cấu tạo, Diac hoàn toàn giống như triac nhưng khôngcó cực điều khiển G.
Hai cực MT1, MT2 hoàn toàn đối xứng nhau, khi lắp vào mạch ta không cần phân biệt
thứ tự. Thực tế khi sử dụng diac ta quan tâm tới hai thông số: dòng tải và điện áp giới
hạn. Điện áp giới hạn của diac khoảng 20V  40V. Diac được kích mở bằng cách nâng
cao điện áp vào hai cực. Ký hiệu của diac như hình 1.96.

MT1 MT2

a. Ký hiệu b. Hình dạng thực tế

Hình 1.96: Ký hiệu, hình dạng thực tế của Diac.
Khi đặt một hiệu điện thế một
chiều theo một chiều nhất định thì
khi đến điện thế VBO, Diac dẫn điện
và khi đặt theo chiều ngược lại thì đến
điện thế -VBO, Diac cũng dẫn điện,
Diac thể hiện một điện trở âm ( điện
thế hai đầu Diac giảm khi dòng điện
qua Diac tăng). Từ các tính chất trên ,
Diac tương đương với hai Diode
Zener mắc đối đầu nhau (Thực tế,
Hình 1.97: Đặc tuyến của Diac.
khi không có Diac người ta có thể
dùng hai Diode Zener có điện thế Zener thích hợp để thay thế
Trong ứng dụng, Diac thường được dùng để mở Triac, ví dụ như mạch điều khiển
cường độ sáng của bóng đèn ( Hình 1.98).

81
 Ở bán kỳ dương, Tụ
C sẽ nạp điện cho đến Bóng đèn
điện thế VBO thì Diac
dẫn, tạo dòng kích cho
Triac dẫn điện. Hết bán
kỳ dương, Diac tạm V
Diac
ngưng. Đến bán kỳ âm tụ 220V/50Hz R Triac

C nạp điện theo chiều

ngược lại đến điện thế C
-VBO, Diac lại dẫn điện
kích Triac dẫn điện. Thay Hình 1.98:Mạch điều khiển cường độ sáng của bóng
đèn.
đổi VR để thay đổi thời
gian nạp điện của tụ C, do đó thay đổi góc dẫn của Triac đưa đến thay đổi cường độ
sáng của bóng đèn.
1.6.4. Các linh kiện quang điện tử
1.6.4.1. Khái niệm chung
Linh kiện quang điện tử là loại linh kiện có thể biến đổi năng lượng ánh sáng
thành năng lượng điện hoặc biến đổi ngược lại từ năng lượng điện thành năng
lượng ánh sáng
Có thể chia linh kiện quang điện thành ba nhóm chính như sau:
Linh kiện điện tử phát quang có nhiệm vụ biến đổi năng lượng điện thành năng
lượng ánh sáng (ví dụ diode bán dẫn phát quang LED, hoặc lazer bán dẫn )
Linh kiện quang điện có nhiệm vụ biến đổi năng lượng ánh sáng thành năng
lượng thành năng lượng điện (các đèn quang điện chân không các đèn quang điện
có khí, nguyên tắc làm việc của các loại đèn này là sử dụng hiệu ứng quang điện
ngoài. Pin mặt trời, điện trở quang, diode quang, transistor quang lại sử dụng hiệu
ứng quang điện trong - hiệu ứng quang điện bán dẫn)
Nhóm thứ ba là sự kết hợp cả hai hiệu ứng phát quang với quang dẫn hoặc quang
áp.
1.6.4.2. Điện trở quang
Điện trở quang là điện trở mà hoạt động của nó dựa trên hiệu ứng quang dẫn.
Trên hình 1.99 trình bày cấu trúc của điện trở quang.

82
 Hình 1.99: Cấu trúc của điện trở quang

Điện trở quang được làm từ chất bán dẫn nhạy quang. Khi có bức xạ rọi vào, chất bán
dẫn hấp thụ năng lượng tạo thành các điện tử và lỗ trống làm tăng tính dẫn điện và làm
giảm điện trở suất của bán dẫn.

Hình 1.100: Đặc tuyến Vôn- Ampe và đặc trưng chiếu sáng của điện trở quang

Trong đó: : Quang thông ánh sáng, đơn vị đo là lm(luymen).

ICS: dòng chiếu sáng

IT: dòng tối

Do làm việc ở điện thế thấp, dòng nhỏ, tạp thấp, thời gian sử dụng lâu dài, sơ đồ
ứng dụng đơn giản nên điện trở quang được dùng rộng rãi trong các lĩnh vực điện tử,
trong kỹ thuật máy tính và trong các thiết hệ thống điều khiển tự động ...

Mạch báo động sử dụng điện trở quang (Hình 1.101):

83
 B+

R1 SCR

Nguồn sáng

Bóng đèn hoặc

chuông báo

Hình 1.101: Mạch báo động

Khi điện trở quang được chiếu sáng nó có điện trở rất nhỏ, thế qua cực điều
khiển của SCR nhỏ, dòng IG nhỏ không đủ để kích cho SCR dẫn. Khi không được
chiếu sáng, điện trở tăng, điện thế đặt vào cực G tăng, dòng IG tăng(đủ lớn) kích làm
cho SCR dẫn, dòng qua tải làm cho chuông reo, mạch báo động hoạt động.

Mạch trên cũng có thể sử dụng với tải là một bóng đèn, sáng vào ban đêm và tự
tắt vào ban ngày.

1.6.4.3. Diode quang

Diode quang là dụng cụ bán dẫn biến đổi tín hiệu quang thành tín hiệu điện. Khi ta
chiếu một ánh sáng vào tiếp
giáp P-N (diode) thì dòng
điện ngược của diode tăng P N
lên. Do đó vỏ quang có một
cửa sổ để cho ánh sáng chiếu
vào. Hình 1.102: Sơ đồ cấu trúc và ký hiệu
Cấu tạo: Vật liệu được dùng để chế tạo diode quang thường là gecmani hoặc
silic. Với diode sử dụng gecmani người ta chế tạo theo phương pháp hợp kim, còn với
diode sử dụng silic người ta thường chế tạo theo phương pháp khuếch tán. Toàn bộ cấu
trúc của chuyển tiếp p-n được đặt trong vỏ nhựa cứng có cửa sổ cảm quang để ánh
sáng xuyên qua.
84
Dưới tác dụng của năng lượng ánh sáng, trong miền chuyển tiếp P-N của chất bán dẫn
nhạy quang có thể xảy ra sự ion hoá các nguyên tử của chất cơ bản và của tạp chất dẫn
đến việc sinh ra các cặp điện tử và lỗ trống. Các điện tử và lỗ trống này tập trung ở hai
đầu bán dẫn, nếu như ở mạch ngoài ta nối hai đầu bán dẫn thì sẽ có dòng điện chạy
qua. Trong diode quang có sự chuyển hoá năng lượng ánh sáng thành năng lượng điện.
Cường độ ánh sáng rọi vào càng lớn dòng ngược của diode càng mạnh.

Diode quang khi làm việc được phân cực ngược. I (µA)

Rtải U
F=0 100 (V)
F0 200
+ -
F0
E

Hình 1.103: Sơ đồ nguyên lý của diode quang và đặc tuyến V-A

Trên đồ thị ta thấy:

Nếu không có ánh sáng chiếu đến, trong mạch chỉ có dòng điện ngược của tiếp
giáp P-N chạy qua diode và Rtải. Dòng này gọi là dòng tối I1 rất nhỏ (khoảng 10-3A 
vài A). Khi diode được chiếu sáng dù còn yếu, dòng qua tải tăng lên. Nếu độ rọi của
ánh sáng càng mạnh thì dòng qua tải càng lớn.
Khi dùng diode quang cần chọn đặc tuyến phổ cho phù hợp với tín hiệu thu. Phạm
vi độ nhạy cảm của diode quang Silic nằm trong khoảng 0,6 đến 1 m, còn đối với loại
Gecmani giữa 0,8 đến 1,7 m (- bước sóng micrômet).
Nếu tín hiệu thu yếu, cần chọn diode quang có độ nhạy dòng tốt. Độ nhạy dòng
được xác định bằng tỷ số của lượng thay đổi dòng điện nhận được với lượng thay đổi
công suất bức xạ ánh sáng lên nó.
dI S I  It IF
SF   S 
dPF PF PP

IS – tổng dòng nhận được khi có tác dụng ánh sáng với nguồn điện áp cung cấp xác
định.
Diode quang có tần số làm việc giới hạn thường ở khoảng 10 MHz, loại đặc biệt
lên tới 1 GHz.
85
1.6.4.4. Diode phát quang (LED)
Diode phát quang làm việc dựa trên hiệu ứng phát sáng khi có hiện tượng tái hợp
của các điện tử và lỗ trống ở gần vùng tiếp xúc P-N. Diode phát quang thường được
gọi là LED (Light-Emitting- Diode). Tuỳ theo vật liệu chế tạo mà ta có ánh sáng bức
xạ ra ở các vùng bước sóng khác nhau. Trong các lĩnh vực khác nhau ta có các loại
LED khác nhau.
Cấu tạo diode phát quang gồm có một lớp tiếp xúc P-N và hai chân cực, anốt ký
hiệu A và katốt ký hiệu là K. Anốt được nối tới bán dẫn loại P, còn katốt nối với bán
dẫn loại N

Hiện tượng phát quang được giải thích như sau:

Tiếp xúc p-n

P N
A K
A K

a. Cấu tạo b. Ký hiệu

Hình 1.103: Cấu tạo và ký hiệu

Khi phân cực thuận, electron từ bán dẫn N chuyển sang bán dẫn P. Electron
nhận năng lượng của điện trường chuyển trạng thái từ mức năng lượng thấp lên mức
năng lượng cao. Electron ở trạng thái kích thích chuyển xuống mức năng lượng tự phát
chuyển xuống mức năng lượng thấp và phát ra bức xạ ánh sáng có năng lượng bằng hf
( h: hằng số Plăng, f: tần số ánh sáng). Khi xảy ra sự tái hợp giữa electron với lỗ trống,
electron di chuyển từ vùng dẫn xuống vùng hoá trị. Năng lượng của photon tương ứng
với sự chuyển dời này được xác định bởi độ rộng vùng cấm của chất bán dẫn, nó tuỳ
thuộc vào vật liệu làm diode phát quang.

Một số thông số đặc trưng của LED:

Độ dài bước sóng ánh sáng phát ra: Thông thường LED không phát ra một bước sóng
duy nhất mà nó phát ra một khoảng bước sóng tương đối hẹp. Vì vậy, mỗi loại LED
thường phát ra một màu sắc nhất định. Chỉ những LED đặc biệt mới phát ra ánh sáng
nằm trong vùng không nhìn thấy. Người ta có thể chế tạo ra LED nhiều màu phụ thuộc
vào điện áp ở lối vào hay điện áp ở mạch điều khiển. Độ dài bước sóng phát ra phụ
thuộc vào bản chất của chất bán dẫn chế tạo ra nó.

86
Công suất của LED: Đối với các LED phát ra ánh sáng mà mắt thường có thể nhìn
thấy được thì công suất thường từ 100 đến 120mW, còn các LED phát ra ánh sáng
hồng ngoại thì công suất đạt từ 100 đến 500mW.

Dòng điện và điện áp sụt trên linh kiện: các LED phát ra ánh sáng nhìn thấy được có
dòng chạy qua nó khoảng vài mA.

Một số tham số của các diode phát quang đang được dùng phổ biến trong kĩ thuật điện
tử.

Màu Bước sóng Vật liệu Ud (10mA) Công suất

(nm) (mW)

Hồng ngoại 900 GaAs 1,3-1,5V 100-500

Đỏ 655-665 GaP,GaAsP 1,6-1,8V 100

Vàng 583 GaP,GaAsP 2,0-2,2V 120

Xanh 565 GaP 2,2-2,4V 120

Trong kỹ thuật điện tử để tiện cho công việc hiển thị người ta tạo ra LED 7 thanh để
hiển thị số và ký tự. LED 7 thanh được tạo thành bằng cách nối 7 diode phát quang
theo sơ đồ chung một cực anốt (gọi là anốt chung) hoặc chung một cực katốt (gọi là

Hình 1.104 :LED 7 thanh anốtchung Hình 1.105: LED 7 thanh katốt
chung
Katốt chung). INCLUDEPICTURE
"http://www.kpsec.freeuk.com/photos/rapid/starbu.jpg" \* MERGEFORMATINET

INCLUDEPICTURE
87
"http://www.kpsec.freeuk.com/photos/rapid/bargra.jpg" \* MERGEFORMATINET

INCLUDEPICTURE
"http://www.kpsec.freeuk.com/photos/rapid/7segme.jpg" \* MERGEFORMATINET

INCLUDEPICTURE
"http://www.kpsec.freeuk.com/photos/rapid/dotmat.jpg" \* MERGEFORMATINET

Hình 1.106: Một số loại LED hiển thị

Đặc trưng Vôn-Ampe của diode phát quang:

ID(mA) LED đỏ

LED xanh, vàng

1.6 UD(V)
Hình 1.107: Đặc trưng Vôn-Ampe của LED

88
Cách mắc: Để LED hoạt động được phải mắc LED theo chiều phân cực thuận và phải
mắc nối tiếp một điện trở R để hạn chế dòng qua LED khỏi lớn quá giới hạn cho phép.
Giá trị của điện trở được xác định tuỳ theo điện áp nguồn điện cung cấp cho mạch và
loại LED được dùng. Giá trị R được xác định theo công thức:

U CC  U D
R
ID

LED được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực quảng cáo, đèn chỉ thị, đèn báo trong
xe hơi, máy bay, trò chơi trẻ em, âm nhạc, máy ảnh...vì thể tích nhỏ, công suất tiêu tán
thấp và thích hợp với các loại mạch logic.

1.6.4.4. Transistor quang

Là các transistor có khả năng điều khiển bằng tín hiệu quang tức là có khả năng
biến đổi tín hiệu quang thành tín hiệu điện và khuếch đại.
Cấu tạo: Transistor quang được chế tạo từ Gecmani hoặc Silic, có 2 tiếp giáp P-N
và có 2 hoặc 3 chân cực.Thông thường transistor quang không có cực Base thay vào
đó là cửa sổ cảm quang. Khi đó sự khống chế dòng I c sẽ là sự khống chế của chùm
sáng chiếu qua cửa cảm quang. Nếu transistor quang có cực Base thì sự khống chế
dòng Ic có thể là sự kết hợp giữa chùm sáng và sự khống chế bằng tín hiệu điện.

89
 C C
N P C C

P N

N P E E

E E
a.Cấu tạo b.Ký hiệu

Hình 1.108: Cấu tạo và ký hiệu

Nguyên lý làm việc:

- Chế độ B hở mạch: Để Transistor làm việc ta cung cấp nguồn điện bên ngoài (U
ngoài) sao cho tiếp giáp JE phân cực thuận còn tiếp giáp JC phân cực ngược.
Khi không có tín hiệu quang, dòng điện cực Base chính là dòng điện ánh sáng sẽ
bằng không ( IB = IF = 0), trong mạch chỉ có dòng IC.
I(mA)

+ - 2
1
E 5 10 15 U(V)

Hình 1.109: Sơ đồ nguyên lý và đặc tuyến V-A

Khi ánh sáng được chiếu vào phần Base (I B = IF 0), ở cực Base sẽ xuất hiện từng
cặp điện tử - lỗ trống mới. Dưới sự tác dụng của điện trường ngoài, các lỗ trống mới
này di chuyển qua tiếp giáp JC tạo nên thành phần dòng điện IPF của mạch cực góp.
Còn các điện tử di chuyển về phía tiếp giáp J E làm tăng mật độ hạt dẫn ở tiếp giáp J E
làm cho điện trường Etx giảm xuống, giúp cho dòng các lỗ trống di chuyển từ phần
Emitter sang phần Base dễ dàng hơn, kết quả là dòng điện cực IC tăng lên.
- Chế độ B khép kín:

90
 Dòng Ic phụ thuộc vào tín hiệu điện và tín hiệu quang, điện áp ra U ra là sự cộng tín
hiệu điện và tín hiệu quang.
Họ đặc tuyến V-A của transistor quang có dạng giống như đặc tuyến của transistor
hai lớp chuyển tiếp mắc theo kiểu EC. Điều khác nhau ở đây là tham số cố định không
phải dòng IB mà là lượng chiếu sáng . Từ họ đặc tuyến của transistor quang ta cũng
nhận thấy dòng IC chủ yếu là phụ thuộc vào lượng chiếu sáng . Đây cũng chính là sự
khống chế lượng chiếu sáng tới IC.

91
 CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP
1.Hãy xác định giá trị của điện trở theo các vòng màu sau:

Đỏ Đỏ Nâu Vàng nhũ Cam Cam Đen Nâu

Đỏ Cam Nâu Cam Vàng nhũ Nâu Cam Đỏ Đỏ Vàng nhũ

Vàng Tím Xám Nâu Bạc nhũ Xám Cam Trắng Đỏ Đỏ

2. Hãy xác định vòng màu của các điện trở có giá trị như sau:

a.4,7K  1% b. 3,9 K  5%

c.10  2 % d.10  1%
3. Hãy xác định vòng màu của các tụ điện có giá trị như sau;
a) 0.1nF  5

b) 0,47F  10%
4. Hãy xác định giá trị điện trở theo ký hiệu sau:

R3 3R3 K3

3M3
10 5W

92
 5. Hãy xác định giá trị của tụ điện theo ký hiệu sau:

100F
50V
203 200 1500
.01
25 50WV 1.5KV
25 .01
25

Tụ gốm Tụ Mica,selen, Tụ Mica,selen, - +

Tụ gốm
ceramic ceramic Tụ hoá

6. Hãy xác định giá trị của điện trở theo các vòng màu sau:
a) Nâu Đen Đen Nâu
b) Đỏ Đỏ Đỏ Đỏ
c) Vàng Tím Cam Nâu
d) Nâu Xanhlục Đen Nhũvàng
7. Giả sử có sáu điện trở được mắc nối tiếp, và mỗi một điện trở có giá trị là: 540
. Thì điện trở toàn phần là:

a) 90  c) 3.24 K

b) 540  d) Không có câu nào trên đây là đúng.

8. Giả sử có sáu điện trở được mắc song song, và mỗi một điện trở có giá trị là:
68000. Thì điện trở toàn phần là:

a) 23 c) 23k

b) 204 d) 0.2M
9. a) Nêu đặc điểm cấu tạo của UJT và ký hiệu quy ước.
b) UJT đóng vai trò như một khóa điện tử thể hiện như thế nào trên đặc tuyến Vôn-
Ampe?
c) Các tham số quan trọng của UJT?
10. Hãy nêu cách kiểm tra UJT dùng đồng hồ vạn năng?
11. a) Nêu cấu tạo và ký hiệu của SCR?

93
 b) Nêu các cách kích mở SCR? Khi SCR đang nối mạch muốn chuyển sang trạng
thái ngắt mạch thì phải làm như thế nào?
12. Hãy nêu cấu tạo, ký hiệu và tính chất của Triac và Diac? So sánh nguyên lý hoạt
động của chúng trên đặc tuyến Vôn-Ampe.
13. Trình bày nguyên lý hoạt động của các mạch điện hình 1.110, hình 1.111

Được chọn tùy theo dòng nạp ắc

quy

Ắc quy 6V

Hình 1.110: Mạch tự động bật đèn khi mất điện

12V
Hình 1.111: Mạch điện nạp acquy tự động
14. Cho mạch điện hình 1.112

a.Tính các giá trị dòng điện, điện áp trên các cực của Transistor.
240K 2,2K
b.Vẽ đường tải tĩnh và xác định điểm làm việc tĩnh Q.
+
c. Vẽ sơ đồ tương đương của mạch và tính ZV’ Zra, KU, KI? + 10F UR

UV 10F UBE = 0,7V

 = 50; r0= 
H×nh 1.112

94
 12V
15. Cho mạch điện như hình 1.113
a.Tính các giá trị dòng điện, điện áp trên các cực 2,7K
470K
của Transistor. +
UR
b.Vẽ đường tải tĩnh và xác định điểm làm việc +
10F

tĩnh Q. UV 10F
c. Vẽ sơ đồ tương đương của mạch và tính Z V’ Zra, 240 UBE = 0,7V
 = 100; r0= 
KU, KI? +
560 100F
16. Cho mạch điện như hình 1.114
a.Tính các giá trị dòng điện, điện áp trên các cực
H×nh 1.113
của Transistor. 18V
b.Vẽ đường tải tĩnh và xác định điểm làm việc
33K 4,7K
tĩnh Q. 10F
+
c. Vẽ sơ đồ tương đương của mạch và tính ZV’ Zra, 10F UR
+
UBE = 0,7V
KU, KI? UV
17. Cho mạch điện như hình 1.115  = 99; r0= 
+
3,3K 470 50F
a) Tính dòng điện ID, điện áp UDS
b) Vẽ đường tải tĩnh và xác định điểm làm
việc tĩnh H×nh 1.114
trên đặc tuyến truyền đạt.
20V
c) Vẽ sơ đồ tương đương và tính ZV’ Zra, KU?
18. Cho mạch điện như hình 1.116, IDSS= 8mA, 3,9K
10F

UP= - 6V, rd =
10F U
a) Tính dòng điện ID, điện áp UDS IDSS = 6 RmA
b) Vẽ đường tải tĩnh và xác định điểm làm việc UV UP = -4V
1M 
tĩnh trên đặc tuyến truyền đạt. 50Frd=
1,8K
c) Vẽ sơ đồ tương đương và tính Ur.
Biết Uv = 10mV. Hình 1.115

Hình 1.116
95
 Chương 2: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ tần số thấp
2.1. Khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng Transistor lưỡng cực
2.1.1. Giới thiệu
Các kiểu phân cực đã được giới thiệu ở phần trước sẽ được sử dụng để phân tích
tín hiệu xoay chiều nhỏ. Các mạch được phân tích sau đây là những mạch điện thực tế
thường được sử dụng. Để phân tích bộ khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT và FET
người ta dùng sơ đồ tương đương để phân tích. Khi vẽ sơ đồ tương đương đối với tín
hiệu xoay chiều cần chú ý 2 điểm sau:
- Thiết lập tất cả các nguồn cấp một chiều ở mức điện thế 0V (ngắn mạch nguồn
cấp) ;
- Ngắn mạch tất cả các tụ điện.
- Tuỳ theo cách mắc của BJT sẽ có sơ E
I
E
I
C C

đồ tương đương của chúng.

r I = I
e C E
Người ta đã vẽ được sơ đồ tương đương
B B
của BJT (NPN) theo cách mắc của chúng như
Hình 2.1: Sơ đồ tương đương của
sau. cách mắc BC
Hình 2.1 là sơ đồ của BJT mắc BC trong
đó: I
B B C
U
re  T là điện trở của chuyển tiếp
IE r
r I
B o
e
Emitter, IE là dòng phân cực tại cực Emitter, UT E E
là điện thế nhiệt, ở nhiệt độ bình thường
Hình 2.2: Sơ đồ tương đương của
26mV cách mắc EC
UT = 26mV, do đó: re 
IE

Hình 2.2 là sơ đồ tương đương của BJT mắc CE trong đó: r 0 được coi là trở
kháng ra của mạch EC, r0 thường rất lớn và được cho trước bởi nhà sản xuất.
Tương tự như cách mắc EC, ta sẽ có sơ đồ tương đương của mạch CC. Sơ đồ
tương đương này sẽ được vẽ trong các mạch cụ thể ở phần sau.
Khi phân tích chế độ xoay chiều cần khảo sát các tham số:
Uv
- Trở kháng vào Zv : Zv =
Iv

Ur
- Trở kháng ra Zr : Zr= Uv  0
Ir

96
 Uv
- Hệ số khuếch đại điện áp Ku: Ku =
Ur

Iv
- Hệ số khuếch đại dòng điện KI: KI =
Ir

2.1.2. Các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ

U
2.1.2.1. Mạch Emitter chung (EC) I
r
CC

R R
1
Hình 2.3 là một sơ đồ nguyên lý cơ bản của C
C
2
U
r
U C
mạch EC transistor được phân cực theo kiểu v 1
Z
phân áp, tín hiệu vào đưa vào giữa cực Base và I
v
r

Emitter, tín hiệu lấy ra giữa hai cực Collector và Z

v
R
2
R
E
C
E

Emitter. Ta sẽ dùng sơ đồ tương đương hình 2.4

để tính toán các tham số của mạch: Hình 2.3: Mạch EC

Trở kháng vào Zv:

Zv = R’ // re
I I
v I C
b
R .R
Với R’ = R1 // R2 = R 1 R2 I
1 2 r
Z U
I R r
Trở kháng ra : U Z
v v R
1
R
2
r
e b
r
0 C
r

Zr = RC // r0
R’
Nếu r0 10 RC Zr RC Hình 2.4: Sơ đồ tương đương mạch EC
Hệ số khuếch đại điện áp K u
được tính như sau:
Ur = - (Ib) (RC // r0)
U U 
Vì Ib = rv do đó Ur = -  rv  (RC // r0)
e  e

r C U R
Nếu r0 10 RC thì Ku = - U   r
v e

Trong công thức tính Ku dấu - thể hiện tín hiệu ra ngược pha với tín hiệu đầu vào.
Hệ số khuếch đại dòng điện Ki :
I r U r .U v .I r 1
KI    K u .Z v .
I v U v .I v .U r Zr

Thay các giá trị của phân trên ta có: Ki 

Ví dụ 2.1: Cho sơ đồ hình 2.3 biết R1 = 56k;R2 = 8.2k;Rc = 6.8k ;

97
RE =1.5k, C1 = C2 =10F; Ucc=22V;  =99. Hãy xác định: r e; Zv, Zr, Ku, Ki với r0 =

Giải:
R 8, 2k
UB= R 2R  U CC  56k  8, 2k  22V
1 2

= 2,81V
UE = UB - UBE = 2,81 - 0,7 = 2,11V
UE 2,11V
IE =  = 1,41 mA
RE 1, 5k

26mV 26mV

re = IE 1, 41mA = 18,44 

R’ = R1 // R2 = (56k) // (8,2 k) = 7,15 k

+ Zv = R’/ re = 7,15 k // (90)(18,44 ) = 7,15 k // 1,66 k = 1,35 k
+ Zr = RC = 6,8 k
R 6,8k
+ Ku = - r C   18, 44 = -368,76
e U
CC

+ Ki  = 90
2.1.2.2. Mạch Collector chung R
B

I
Sơ đồ nguyên lý mạch CC cho trên hình 2.5, sơ v
+ C
2
+ U
đồ tương đương được vẽ như hình 2.6 ( bỏ qua ro ) C
1 r

R I Z
Trở kháng vào được xác định: Z
v
E r r

Zv = RB // Zb
Hình 2.5: Sơ đồ mạch CC
Ub
Với Zb = = re + ( + 1)RERE
Ib B C
U
v

Trở kháng ra được tính như sau:

r I
e B
U
Ib = Z v
b Z
v
Z E I +
b r
Uv U
Ie = ( + 1) Ib = ( + 1) Z R
B R Z r
b E
r
I =(+1)I
E B

Thay ZbRE -

(  1)U
v Uv Hình 2.6: Sơ đồ tương đương CC
Ie= r  (  1)R =  r /(  1)   R
e E e E

98
 r r
nhưng ( + 1)  và  e1  e = re

Uv
do đó Ie r  R
e E

Với dòng Ie được xác định theo công thức trên ta có thể vẽ được mạch như hình
2.7
Trở kháng ra được xác định khi Uv = 0 nên
r
Zr = RE // re e

I
Vì RE thường lớn hơn re do đó: e
Z
U R r
Zr re
v E U
r

Hệ số khuếch đại điện áp Ku được tính:

Hình 2.7: Xác định Zr
R U
Ur = R E  vr
E e

U R
Do đó Ku = U r  R E r
v E e

Vì RE thường lớn hơn re nên RE + re RE do đó:

U
Ku = U r  1
v

Hệ số khuếch đại dòng điện Ki:

R I I R
Ta có Ib = R B vZ nên I b  R B Z và Ir = - Ie = - ( + 1) Ib
B b v B b

Ir
nên I b = - ( + 1)

I I I R
do đó Ki = I r  I r I b = - ( + 1) R B Z
v b v B b

vì ( + 1)  nên Ucc
RB
Ki  R  Z R1 Rc
B b

Uv C1 C2
2.1.2.3. Mạch Base chung BC + + Ur

Hình 2.8 là sơ đồ mạch BC, tín hiệu Zr

Zv
vào được đưa vào giữa hai cực Emitter và
+

RE R2 C3
Base, tín hiệu ra được lấy trên hai cực
Collector và Base.
Hình 2.8: Sơ đồ mạch BC
99
 Sử dụng sơ đồ tương đương hình 2.9 để tính các tham số của mạch:
Trở kháng vào: Zv = RE //re re vì re<< RE
Trở kháng ra: Zr = Rc
E Iv Ie IC C
Hệ số khuếch đại điện áp Ku được
Ir
tính như sau: Uv re Ie Ur
RE Rc
Ur = -Ir.RC = - IC.RC = - IeRC
B B
Uv
Mà Ie = - Hình 2.9: Sơ đồ tương đương mạch BC
re
Uv
Nên Ur=  r Rc
e

Ur Rc Rc
Suy ra: Ku =  
Uv re re

Hệ số khuếch đại dòng điện Ki : vì RE>> r e nên ta coi Iv - Ie

Mặt khác Ir = Ie nên Ki = Iv/Ir = -  -1.
2.2. Các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng FET
2.2.1. Giới thiệu
Khuếch đại dùng FET có độ lợi điện áp tốt với đặc trưng trở kháng đầu vào cao.
Chúng cũng được sử dụng trong các sơ đồ có tiêu hao năng lượng thấp với giải tần số
thích hợp và kích thước, trọng lượng nhỏ. Cả hai loại JFET và MOSFET kênh đặt sẵn
đều được thiết kế dễ dàng với độ lợi điện áp như vậy. Tuy nhiên mạch dùng MOSFET
kênh đặt sẵn thường có trở kháng vào cao hơn so với sơ đồ sử dụng JFET tương ứng.
Trong khi ở BJT dòng điện đầu ra (dòng collector) được điều khiển bằng một dòng
điện ở đầu vào (dòng base), thì ở FET dòng điện đầu ra (dòng cực máng) lại được điều
khiển bằng điện áp ở đầu vào (điện áp cổng). Nói chung, BJT là một linh kiện được
điều khiển bằng một dòng điện và FET là linh kiện được điều khiển bằng điện áp. Ở cả
hai trường hợp, chú ý rằng dòng điện là đại lượng biến thiên được điều khiển. Do FET
có đặc trưng trở kháng đầu vào lớn nên các sơ đồ tương đương của nó ở chế độ xoay
chiều dù sao cũng đơn giản hơn so với BJT.
Trong khi hệ số đặc trưng cho chế độ khuếch đại của BJT là  thì ở FET là độ
hỗ dẫn gm.
FET có thể được sử dụng như một bộ khuếch đại tuyến tính hoặc một linh kiện số
trong các mạch logic. Thực tế MOSFET kênh cảm ứng xuất hiện khá phổ biến trong
các mạch số, đặc biệt là trong các mạch CMOS yêu cầu lượng tiêu thụ năng lượng rất
thấp .
100
Cũng như BJT, các thông số đặc trưng cho sự khuếch đại của FET được phân tích
trong chương này bao gồm độ lợi(hệ số khuếch đại) điện áp, trở kháng vào và trở
kháng ra.
2.2.2. Mô hình của FET ở chế độ tín hiệu nhỏ
Trong chế độ tín hiệu nhỏ, một tính chất của FET được ứng dụng là dùng điện
áp đặt giữa cực cổng và cực nguồn để điều khiển dòng điện chạy từ cực máng về cực
nguồn (dòng điện trong kênh dẫn).
Ta đã biết rằng ở chế độ tĩnh, điện áp U GS điều khiển dòng một chiều I D thông qua
quan hệ được biểu diễn theo phương trình Shockley:
2
 U GS 
1  U 
ID = IDSS  P  (2.1)
Khi thay đổi điện áp UGS sẽ làm thay đổi dòng cực máng I D, sự thay đổi này được đặc
trưng bởi độ hỗ dẫn gm:
I
g m = U D (2.2)
GS

2.2.2.1. Cách xác định gm bằng phương pháp hình học (hình 2.10)
Xét đặc tuyến truyền đạt trên hình 2.10,
I
D
ta thấy rằng gm chính là độ dốc của đặc tuyến tại
I
DSS
điểm làm việc. Đó là:
y I
gm = m = x  U D (2.3)
GS

Trên đường cong đặc tuyến truyền đạt, rõ ràng

I
D
là độ dốc của nó (chính là g m) tăng lên khi điểm
làm việc thay đổi từ điểm UP đến IDSS , hay nói U
GS
0 U
U GS
theo cách khác, khi UGS tăng dần đến 0V thì độ P
Hình 2.10: Xác định g m nhờ
lớn của gm cũng tăng lên. đặc tuyến truyền đạt
Ví dụ 2.2.Xác định gm của một JFET với IDSS =
8mA và UP = - 4V tại các điểm phân cực:
a) UGS = - 0,5V
b) UGS = - 1,5V
c) UGS = - 2,5V
Giải :
Trước tiên ta phải vẽ đặc tuyến truyền đạt của JFET, phương trình của đặc tuyến là:
2
 1  U GS 
 U 
ID = IDSS  p 

101
 2
ID = 8mA 1 
U GS 
hay: (hình 2.11)
 (4V)  I (mA)
D
8
Ta xác định được 3 điểm trên đặc tuyến ứng với
7
UGS = - 0,5V , - 1,5V và - 2,5V. g at-0,5V 6 2.1mA
I = 8mA m
I 2,1mA
D
5
a) gm = U D = 0, 6V = 3,5ms 0,6V
4
GS
g at-1,5V 3
m 1.8mA
1, 8mA
b) gm = 0, 7V = 2,57ms 2
g at-2,5V 0.7V
m
1.5mA 1
1, 5mA
c) gm = 1, 0V = 1,5ms -2 -1 0
U U (V)
P GS
1.0V

2.2.2.2. Tính gm bằng biểu thức toán học Hình 2.11: Xác định g m cho ví dụ

Phương pháp dùng đặc tuyến truyền đạt để xác định g m có ưu điểm là trực quan,
đơn giản nhưng thường cho giá trị không chính xác một cách tuyệt đối. Vì vậy người
ta có thể xác định gm từ các biểu thức toán học dựa vào tính chất: đạo hàm tại một
điểm chính là độ dốc (hệ số góc) của tiếp tuyến tại điểm đó.
I D dI D dI D   U 
gm     I DSS  1  GS  
U GS Q dU GS Q dU GS   UP  

 U  d 1 dU GS 
2I DSS 1  GS    . 
 U P  dU GS U P dU GS 

2I DSS  U GS 
gm  1  U  (2.4)
UP  P 

Ở đây UP biểu thị giá trị của gm là luôn dương .

Từ công thức tính gm , ta thấy gm đạt giá trị max tại UGS = 0V. Khi đó :
2I DSS(T)
gm0= UP
(2.5)

Giá trị gm0 biểu thị giá trị gm tại điểm có UGS = 0V.
Ta có:
 U GS 
1  U 
gm = gm0  P  (2.6)
Ví dụ 2.3. Cho JFET có đặc tuyến truyền đạt như ví dụ 2.2.
Tìm giá trị max của gm
Tính gm tại các điểm trong ví dụ 2.2, so sánh kết quả.

Giải:
2I DSS  8mA 
a) gm0 = U = 2  = 4ms (so với 3,5ms)
P  4V 

102
b) Tại UGS = - 0.5V: gm = 4ms(1 - ( - 1.5V)/( - 4V)) = 2.5ms (so với 2,57ms)
UGS = - 2.5V : gm = 4ms(1 - ( - 2.5V)/( - 4V)) = 1.5ms (so với 1,5ms)

2.2.2.3. Ảnh hưởng của ID tới gm

Mối quan hệ toán học giữa gm và dòng phân cực tĩnh ID sẽ được xác định từ
phương trình Shockley và được viết dưới dạng sau :
U GS ID
1  (2.7)
UP I DSS

  U I
 gm = g m0  1  UGS   g m0 I D (2.8)
 P  DSS

Một số giá trị đặc biệt của ID:

+ Nếu ID = IDSS : gm = gm0

I DSS g m0
+ Nếu ID = : gm =  0.707 gm0
2 2
I DSS g
+ Nếu ID = : gm = m0 = 0.5 gm0
4 2
2.2.2.4. Trở kháng vào ZV của FET
Trở kháng vào của FET là rất lớn và có thể coi gần đúng nó là trở kháng ở cửa
vào của một hở mạch.
Zv(FET) =  (2.9)
Với JFET , Zv 109, còn đối với MOSFET thì Zv = 10121015.

2.2.2.5. Trở kháng ra Zr

Trở kháng ra của FET thường được biểu diễn với tham số đặc trưng là dẫn nạp
ra yos (o là biểu thị đầu ra output , s biểu thị lấy ra ở cực nguồn), đơn vị của y os thường
là S.
1
Zr(FET) = rd = y (2.10)
os

Trở kháng ra được xác I (mA)

D

định trên đặc tuyến hình 2.13, U = 0V

GS
nó chính là độ dốc của đặc 8
7
tuyến so với đường nằm ngang 6 U = - 1V
GS
5
tại điểm làm việc, đặc tuyến 4
càng nằm ngang thì trở kháng ra 3 U
GS
U
GS
= - 2V
2
càng lớn. Ta có: 1
U
rd = I DS U GS = const U
D U = U - 6V GS
GS T
(2.11) Hình 2.12: Xác định trở kháng ra
103
 Điện trở máng rd biểu thị sự ảnh hưởng của điện áp cực máng UDS tới dòng điện
cực máng ID khi điện áp trên cực cổng không đổi. Như vậy, điện trở máng rd chính là
trở kháng ra của FET ở chế độ xoay chiều trên cực máng.

2.2.2.6. Mạch tương đương của FET ở chế độ xoay chiều (hình 2.14)
Ở sơ đồ tương đương của FET, sự điều khiển của điện áp U GS tới dòng ID được
biểu thị bằng nguồn dòng gmUGS được nối giữa cực D và S, chiều của nguồn dòng này
là chiều từ D đến S, nó thiết lập một sự đảo pha 180 o giữa điện áp đầu vào và đầu ra
khi FET làm việc.
G + D

U r
GS
g U d
m G
S _ S

Hình 2.13: Sơ đồ tương đương

Trở kháng vào được chỉ ra bằng hở mạch ở cửa vào và trở kháng ra chính là điện trở r d
giữa máng và nguồn .
Trong những trường hợp khi rd không được nhắc đến (giả sử đủ lớn tương ứng
với hở mạch) thì sơ đồ tương đương sẽ đơn giản là một nguồn dòng mà độ lớn của nó
được điều khiển bằng điện áp UGS và tham số gm.
2.2.3. Sơ đồ phân cực cố định của JFET
Sơ đồ phân cực cố định đối với JFET được biểu diễn trên hình 2.14, sơ đồ
tương đương hình 2.15.
U
DD
Khi các giá trị gm vad rd được
R
xác định từ sự phân cực thì mạch thay D
D
thế tương đương với ngắn mạch vì U
U G r
điện kháng XC = 1/(2πfC) là rất nhỏ so v

với các trở kháng khác của mạch,

S
đồng thời các nguồn một chiều UGG và Z
R
G
Z
r
v
UDD đều được đặt ở giá trị 0 bằng ngắn V GG

mạch tương ứng. Chiều phân cực của

UGS xácđịnh chiều của nguồn dòng Hình 2.14: Sơ đồ phân cực cố định cho JFET
gmUGS, nếu UGS là âm thì chiều của
nguồn dòng là chiều ngược lại. Tín hiệu vào ký hiệu là Uv và tín hiệu ra đặt trên rd ký
hiệu là Ur.
104
 + Zv: Hình 2.15 đã chỉ rõ rằng: Zv = RG
+ Zr: cho Uv = 0 như định nghĩa của Zr sẽ cho UGS = 0.
X G D X
C1=0 C2=0
U
U r
v
g U r
m GS d R
Z D
v Z
r

R
G
S UDD
=0
U
GG=0

Hình 2.15: Sơ đồ tương đương của mạch hình 2.14

Kết quả là: gmUGS = 0mA, do đó nguồn dòng có thể được thay thế bằng một hở mạch
tương đương như hình 2.16.
Trở kháng ra khi này sẽ là: Z
r

r R U
Zr = RD //rd g U
m GS=0
d D
r

Nếu rd ≥ 10RD RD //rd RD.

Khi đó: Hình 2.16: Mạch tính Z r

Zr = RD

+ Ku : Ur = -gmUGS(rd//RD) mà UGS = Uv

 Ur = -gmUv(rd//RD)
U
 K u  U   g m (rd  RD )
r

Ur
Nếu rd ≥ 10RD: Ku    g m RD
Uv

Giá trị âm của biểu thức tính Ku chỉ rõ rằng điện áp vào và ra lệch pha nhau
0
180 .

Ví dụ 2.4. Cho sơ đồ phân cực như hình 2.15 với RG=1M ; RD= 2K ; UDD=20V;
UGSQ = -2V và IDQ = 5,625mA, IDSS = 10mA, UP = -8V, yOS = 40µs.
a) Tính gm?
b) Tính rd?
c) Tìm Zv, Zr và Ku?
105
 Bài giải:
2(10mA)
a) g m 0  2 I DSS / U P   2,5mS
8V

U GSQ 2V
g m  g m 0 (1  )  2,5mS(1  )  1,88mS
UP 8V

1 1
b) rd    25 K 
yOS 4  s

c) Zv = RG = 1M.

Zr = RD//rd = 2k//25k= 1,85k

Ku = -gm(rd//RD) = - (1,88mS)(1,85k) = -3,48.

2.2.4. Sơ đồ tự phân cực JFET

 Trường hợp có mắc tụ CS (hình 2.17)

Sơ đồ phân cực cố định có bất lợi là cần phải có hai nguồn cung cấp một chiều
để thiết lập điểm làm việc mong muốn. Ở chế độ xoay chiều, tụ coi như ngắn mạch và
RS xem như được nối đất, do vậy ta có mạch tương đương JFET như hình 2.18.
I
Vì sơ đồ tương đương có dạng như U
DD
D
R
hình 2.17 nên các công thức của Zv, Zr và Ku D
C
2
D
cũng tương tự: U
r
C G
1
U
+ Zv: Zv = RG v +
S
U
+ Zr: RD //rd R -
GS
G

Nếu rd ≥ 10RD thì Zr RD RS C

S

+ KU: Ku = -gm(rd//RD)

Nếu rd ≥ 10RD: K u   g m RD Hình 2.17: Sơ đồ tự phân cực JFET

Dấu âm của biểu thức tính Ku chỉ rõ rằng

điện áp vào và ra lệch pha nhau 1800.

106
 XC1 G D XC2
=0 =0
U
U r
v
g U r
m GS d R
Z D
v Z
r

R
G
S UDD

Hình 2.18: Sơ đồ tương đương của mạch hình 2.17

 Trường hợp bỏ tụ CS
Nếu bỏ tụ CS ở hình 2.17 thì điện trở RS sẽ là một phần của mạch hình 2.19.

G D
+ +
I
g U r
m GS
r
d R
Z D
Z
v I r
D
U R U
G
v S r

RS
I
- D -

Hình 2.19: Sơ đồ tương đương khi không có tụ C S

Trong trường hợp này, để xác định Zv, Zr và Ku, một cách đơn giản nhất với
chú ý về sự phân cực và chiều của chúng, trước tiên rd sẽ được bỏ qua để hình thành
một trường hợp cơ bản để phân tích.
+ Zv: dựa vào điều kiện hở mạch giữa cực G và mạch đầu ra thì đầu vào còn lại như
sau:
Zv = ZG
Ur
+ Zr: trở kháng ra Zr  U v 0
Ir

Với Uv = 0 ở hình 2.21 thì cực G coi như được nối đất (0V) điện áp trên RG sẽ là 0 và
RG coi như được ngắn mạch. Áp dụng định luật Kirchhoff về dòn điện:
Ir + ID = gmUGS
Với UGS = -( Ir + ID)RS

107
  Ir + ID = - gm(Ir + ID)RS = -gmIrRS - gmIDRS

Hay Ir(1+ gmRS) = -ID(1+ gmRS)  Ir = -ID (do gmRS = 0)

Ur = -IDRD = IrRD

U
 Z r  I  RD
r

Nếu tính đến cả rd trong mạch thì sơ đồ tương đương sẽ như hình 2.20.
G D
+ +
I
g U r
m GS
r
I’ d R
D
Z Z
v I r
D
U R U
G
v S r

RS
I
- D -
I +I0
D
Hình 2.20: Sơ đồ tương đương khi tính đến r d

Ur I D RD
Với Zr  U v 0 
Ir Ir

Theo Kirchhoff: Ir = gmUGS + Ird - ID

Mà Urd = Ur + UGS

 Ir = gmUGS + - ID

Với UGS = -( Ir + ID)RS

 Ir = -(gm+ )(ID +Ir)RS - - ID

 Ir = gmUGS + - ID

Với UGS = - (ID + Ir)RS

 Ir = -(gm+ )(ID +Ir)RS – - ID

108
 Ir=

 =

Nếu rd ≥10RD (1 + gmRS + ) >> RS/rd

 1 + gmRS +RS/rd + RD/rd≈ 1 + gmRS +RS/rd

Khi đó Zr = RD
+ KU: đối với sơ đồ hình 2.20 ứng dụng định luật Kirchhoff ở mạch ra:
UGS = UV - IDRS
Điện áp đặt trên rd là: Ur – URS và với I' = (Ur – URS)/ rd
Áp dụng định luật Kirchhoff với dòng điện cho kết quả:
ID = gmUGS + (Ur – URS)/ rd = gm(Uv – IDRS) – (IDRD + IDRS)/rd
g mU v
ID 
 R  RS
1  g m RS  D
rd

Mà điện áp đầu ra Ur = - IDRD

Nếu rd ≥ 10(RD+RS)

109
2.2.5. Sơ đồ phân áp JFET U
DD
RD
Sơ đồ phân cực phân áp dùng JFET R
1
được cho trên hình 2.21.
C
Sơ đồ tương đương ở chế độ 2

U
xoay chiều cho JFET như hình 2.21. v C
1

Thay thế nguồn một chiều UDD bằng

R
ngắn mạch tương đương, tức là R1 và 2
R
S
C
S
Ur

RD được nối đất. Khi đó R1 coi như mắc

song song R2 và RD có thể cũng được
đưa xuống nối đất nhưng ở mạch ra Hình 2.21: Mạch phân cực phân áp cho JFED
trên rd. Mạch tương đương ở chế xoay
chiều sẽ được đưa về dạng cơ bản.

G D
U
U r
v
g U r
m GS d R
Z D
v Z
r

R1 R2
S

Hình 2.21: Sơ đồ tương đương của mạch hình 2.20

+ ZV: R1 và R2 được mắc song song với hở mạch tương ứng của JFET, kết quả là:
ZV = R1 // R2
+ Zr cho Uv = 0 sẽ có UGS và gm bằng 0

 Zr = rd //RD
Nếu rd ≥ 10RD: Zr ≈ RD
+ Tính Ku: UGS = Uv và Ur = -gmUGS(rd //RD)
U
Suy ra Ku = Ur/Uv = -gm(rd //RD) D DD
U
UDD
DD
R
Nếu rd ≥ 10RD: Ku ≈ R-g R .
R1 m D
RD
D
C
1
1 U G
v
2.2.6. Sơ đồ lặp cực nguồn C U C
C2 Ur 2
2
r S
U
Tương đương với
Uv sơ đồ
v
C lặp
C1 emitter của Z R
1 v
G
U
r
BJT là sơ đồ lặp cực nguồn
R của JFET như
R2 R C
2 RS CS Z
S S R
S r 110

Hình
Hình2.36.
2.36.Mạch
Mạchphân
phâncực phânHình
cựcphân áp 2.22: Sơ đồ lặp cực nguồn JFET
áp
 hình 2.22, chú ý rằng đầu ra được lấy trên cực nguồn và khi nguồn một chiều cung cấp
G D
được thay thế bằng ngắn mạch tương ứng cực máng nối đất và vì thế gọi là máng
+
U
v chung. Thay thế mạch tương đương JFET sẽ cho ta sơ đồ 2.23, nguồn điều khiển và
g U r
U
GS trở kháng mraGScủa JFET
d nối đất tại điểm cuối và nối với R S tại điểm kia, với Ur đặt trên
Z
RS. -Với gmUGS, RS,rd được nối với nhau và nối đất, chúng có thể được nối song song
v

R
G
nhưS hình 2.23, nguồn dòng sẽ có chiều ngược lại nhưng UGS thì vẫn đặt giữa G và S.
U
+ Zv: hình 2.23 đãr chỉ ra rằng: Zv = RG G D
R
S +
Z U
r v
+ Zr: Cho Uv = 0V thì cực G coi như nối U g U
m GS
r
GS d
Hình 2.77. đất
Sơ đồnhưtương
hình đương hìnhtế UGS và Ur được
2.23, thực Z
v
-
nối song song và Ur = - UGS R
G
S
Áp dụng định luật Kirchhoff về dòng điện : U
r
R
Ir + gm UGS = IRD + IRs = Ur/rd + Ur/RS S
Z
r

 Ir = Ur(1/rd + 1/RS) – gmUGS

Hình 2.23: Sơ đồ tương đương
= Ur(1/rd + 1/RS) – gm( - Ur) S
I
r
- +
Ir = Ur(1/rd + 1/RS + gm)
Z
r
1
r R
Zr = Ur/Ir = 1  1  g U
GS g U
m GS
d S U
r
m
RD RS
+
-
Đây là biểu thức cho 3 điện trở mắc song song, do đó
Zr = rd//RS//(1/gm) Hình 2.24: Tính Z r
(2.12)
Nếu rd10RS: Zr RS// (1/gm) (2.13)

+ Ku : Điện áp ra Ur được xác định :

Ur = gm.UGS(rd//RS)
Áp dụng định luật Kirchhoff cho vòng ngoài của hình 2.23:
Uv = UGS = Ur, mà: UGS = Uv - Ur
 Ur = gm(Uv - Ur)(RD//RS),

hay: Ur = gm.Uv(rd//RS) - gm.Uv(rd//RS)

g m (rd // R S )
 Ku = Ur/U v = 1  (r // R ) (2.14)
d S

gm R S
Nếu rd 10RS: Ku = Ur/Uv = 1  g R (2.15)
m S

Quan hệ về pha: Biểu thức Ku là một số dương

nên Ur và Uv đồng pha trong sơ đồ lặp cực
nguồn. Mặt khác Ku < 1, tức là Ur < Uv.

111
Ví dụ 2.4. Cho hình 2.22 với UGS = - 2,86V và IDQ = 4,56mA; IDSS = 16mA
UP = - 4V ; yos = 25 SC1=C2= 0,05 F; RD=1M; RS=2,21K; UDD=9v
a) Tính gm
b) Tìm rd
c) Tính Zv
d) Tính Zr khi có và không có rd.
Giải:
a) gm0 = 2IDSS /UP = 2.(16mA)/14V = 8(mS)
gm = gm0(1 - Ugm/UP) = 8mS(1 - (- 2,86V)/(- 4V)) =
b) rd = 1/yos = 1/25mS = 40k.
c) Zv = RG = 1M
+ nếu có rd:
Zr = rd//RS//1/gm = 40k//2,2k//1/2,28mS
+ không có rd :
Zr = RS // (1/gm) = 2,2k//438,6 = 365,96
Như vậy ta thấy rd chỉ có ảnh hưởng rất nhỏ đến Zr
g (r // R ) (2, 2mS)(40k // 2, 2k)
e) + Nếu có rd : Ku = 1 m d S
 (rd // R S ) = 1  (2, 28mS)(40k // 2, 2k) = 0,83

giá trị này nhỏ hơn 1 như đã dự đoán ở trên

g R (2, 28mS)(2, 2k)
+ Không có rd : Ku = 1  mg SR = 1  (2, 28mS)(2, 2k)  0, 83
m S

Điều này chứng tỏ rd có ảnh hưởng rất nhỏ đến độ lợi (hệ số khuếch đại) của sơ đồ.
2.2.7. Sơ đồ JFET cổng chung
Sơ đồ cuối cùng của JFET được phân
tích chi tiết là sơ đồ cổng chung như
hình 2.25, tương tự như sơ đồ base
chung ở BJT. Sơ đồ trên được thay
thế bằng mạch tương đương như hình
2.26, chú ý rằng yêu cầu nguồn điều
khiển gmUGS được nối từ D đến S với
rd mắc song song, sự cách ly độc lập
giữa mạch vào và mạch ra rõ ràng đã bị mất đi khi cực G được nối đất. Hơn nữa, điện
trở được nối giữa cực vào không còn là RG nhưng là điện trở RS gữa cực S và đất. Cho
rằng vị trí của điện áp điều khiển UGS thực sự đã xuất hiện trực tiếp đặt trên RS.

112
 Hình 2.26: Sơ đồ thay thế tương đưong JFET

+ Zv: trước hết ta tính Zv’ trên hình 2.26 và Zv được coi như trở kháng tương đương
của Zv’ và RS mắc song song. I’
Ta vẽ lại mạch như hình 2.27 với U’ = - UGS. + _
a +

Theo Kirchoff: U’ - Urd - I’.rd = 0 Ir

d
Z’ R Ur
g U
 Urd = U’ - I’. rd. v D d
m GS
U
v U _
GS
Áp dụng định luật Kirchhoff về dòng điện ở I’
- R Ur
+ D d
nút a:
I’ + gm.UGS = Ird
Hình 2.27: Tính Z v’ cho hình 2.26
 I’ = Ird - gm .UGS = (U’ - I’.RD )/rd -
gm.UGS
hay: I’ = U’/rd - I’RD/rd - gm - U’
 I’1 + RD/rd = U’1/rd + gm
 Z’v = U’/I’ = 1 + RD/rd / gm + 1/rd (2.16)
hay: Zv’ = U’/U = rd + RD/1 + gm.rd
Do đó: Zv’ = RS//Zv’
r  R 
 Zv = RS //  1d g rD  (2.17)
 m d

Nếu rd  10RD:
1  R D / rd 1  R D / rd
 RD/rd << 1 và 1/rd << gm g  1 / r  Z’ = g  1 / r 1/gm
m d m d

 Zv’  RS//1/gm (2.18)

+ Zr: với Uv = 0V ở hình 2.26 sẽ coi như ngắn mạch RS và UGS nối đất
 gm .UGS = 0 và rd mắc song song với RD.
Zr = RD //rd (2.19)
Nếu rd  10RD :  Zr RD (2.20)
+ Ku: hình 2.30 chỉ ra rằng: Uv = - UGS và Ur = Ir.RD
113
Điện áp đặt trên RD là: Urd = Ur - Uv
và: Ird = (Ur - Uv)/rd

Áp dụng định Kirchhoff về dòng điện ở nút b hình 2.26:

Ird + ID + gm.UGS = 0  Ur = Uv
 ID = (Uv - Ur)/ rd + gm .Uv mà Ur = ID.RD
 Ku = Ur / Uv = gm.RD + RD/rd/1 + RD/rd (2.21)

Nếu rd  10RD thì RD/ rd  0

 Ku = gm.RD (2.22)
 quan hệ về pha: Ku là 1 số dương nên Ur và Uv là đồng pha ở sơ đồ cổng
chung.

114
 Câu hỏi và bài tập

UCC = + 15V

Bài 1: Cho sơ đồ mạch điện như hình vẽ:

a.Tính các giá trị dòng điện và điện áp trên RB RC
180K
IC
1K
các cực của Transistor . IB
+
C
10F
b.Viết phương ttrình đường tải tĩnh và xác
+
B =100
định điểm làm việc Q. 10 E

F
Bài 2: Cho sơ đồ mạch điện: UCC

Biết UCC=20V, R1=4,7k, R2=33k,

R1 RC
Ur
RC=390k, RE =1,5k, =100, UBE = -0,7V. C2
Uv C1

Tính các giá trị điện áp và dòng điện trên

các cực của Transistor. R2 RE

Bài 3: Cho mạch phân áp như hình vẽ:

a. Tính các giá trị dòng điện và điện áp trên 15V
các cực của Transistor
18k 1k
b. Viết phương ttrình đường tải tĩnh và xác m  IC 10F
Ur
định điểm làm việc Q. Uv 10F
UBE=-0.7
c. Vẽ sơ đồ tương của mạch ở chế độ tín hiệu  = 200
nhỏ. 3,6k 240 50F
d. Tính trở kháng vào, trở kháng ra, hệ số
khuếch đại điện áp và dòng điện của mạch
(r0= ∞)
Bài 4:Cho mạch điện như hình vẽ:
22V
a. Tính các giá trị dòng điện và điện áp trên các
56K 6,8K 10F
cực của Transistor +
UR
b. Viết phương ttrình đường tải tĩnh và xác định UBE = -0,7V
 = 99; r0= 
điểm làm việc Q
+ +
c. Vẽ sơ đồ tương của mạch ở chế độ tín hiệu 50F
8,2K 1,5K 10F UV
nhỏ.
d. Tính trở kháng vào, trở kháng ra, hệ số
khuếch đại điện áp và dòng điện của mạch

115
Bài 5: Cho mạch điện như hình vẽ 18V
a. Tính ID, UDS,UGS 3,3K
10F
b. Vẽ đường tải tĩnh và xác định điểm
làm việc tĩnh Q 10F UR
c. Vẽ sơ đồ tương đương của mạch ở chế IDSS = 8 mA
độ xoay chiều UV U = -6V
1M 1,5K 50F
P
d. Cho rd=50KΩ,Uv=150mV, tính trở
kháng vào, trở kháng ra.
Bài 6: Cho mạch điện như hình vẽ
a.Tính giá trị ID, UD, US, UDS, UGS 18V
b. Vẽ phương trình đường tải tĩnh, xác định
RD
tọa độ điểm làm việc tĩnh Q. R1 10F
c.Vẽ sơ đồ tương đương của mạch ở chế độ 110 M 4,7K
xoay chiều UR
C1 IDSS = 6 mA
d.Cho rd=50KΩ,Uv=100mV, tính trở kháng UV 10F
vào, trở kháng ra. UP = -3V
R2 50F
RS
10M
1,5K

116
 Chương 3: Khuếch đại thuật toán
3.1. Các đặc tính và tham số cơ bản

3.1.1. Các khái niệm cơ bản

Bộ khuếch đại thuật toán (Operational Amplifier - OA) là mạch khuếch đại tổ
hợp có hệ số khuếch đại rất lớn, trở kháng vào lớn và trở kháng ra nhỏ ... Hiện nay các
bộ khuếch đại thuật toán (OA) đóng vai trò quan trọng và được sử dụng rộng rãi trong
kỹ thuật khuếch đại, tạo tín hiệu sin, xung, trong bộ ổn áp và bộ lọc tích cực ...
Ký hiệu của OA cho trên hình 3.1
U U
N r
OA khuếch đại hiệu điện áp Ud = UP - UN với hệ số
U
khuếch đại Kd P

Hình 3.1 : Ký hiệu OA

Do đó : Ur = KdUd = Kd(Up - UN)
Nếu UN = 0 thì Ur = KdUP nên Ur đồng pha với tín hiệu vào U P, vì vậy đầu vào P
(Positive) được gọi là đầu vào không đảo và ký hiệu bởi dấu (+).
Nếu UP = 0 thì Ur = - KdUN nên Ur ngược pha với tín hiệu vào UN, vì vậy đầu vào
N (Nagative) được gọi là đầu vào đảo và ký hiệu bởi dấu (-).
Ngoài ra OA còn có hai chân để cấp nguồn đối xứng, các chân bù điện áp, bù
tần số...
Một bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng có các tính chất sau :

- Trở kháng vào ZV = .

- Trở kháng ra Zr = 0.

- Hệ số khuếch đại Kd = .
Theo sơ đồ tương đương hình 3.2b, OA lý tưởng sẽ có đặc điểm U N = UP, dòng
điện vào OA ở đầu P và đầu N, Io = Io = 0.

U  U
Io
N
Z N 
r
Io
U K U U
d Z d d U U K U r
v d d d
Io
U r

Io
P
U
P

(a) (b)
Hình 3.2: (a)Sơ đồ tương tương OA, (b) Sơ đồ tương đương OA lý tưởng

117
 Trên thực tế không có bộ khuếch đại thuật toán lý tưởng, thông thường một OA
có ZV cỡ hàng trăm k tới hàng M, Zr cỡ hàng W tới hàng vài chục W, K d khoảng từ
vài trăm tới hàng triệu lần.
3.1.2. Đặc tuyến truyền đạt U
r
Ec

Đặc tuyến quan trọng nhất của Đầu vào đảo

U
r max Đầu vào không đảo
OA là đặc tuyến truyền đạt (hình 3.3),
theo đặc tuyến này, Ur chỉ tỷ lệ với Uv
U
v
trong dải điện áp (Urmin – Urmax) nào
U
đó. Dải điện áp này gọi là dải biến đổi r min

-Ec
điện áp ra của OA (hay miền tuyến
Miền bão hoà  Miền tuyến tính Miền bão hoà
tính).
Ngoài dải này, điện áp ra không Hình 3.3: Đặc tuyến truyền đạt của OA
thay đổi và được xác định bằng các trị số U rmin, Urmax gọi là điện áp bão hoà, giá trị điện
áp này không phụ thuộc vào điện áp vào và gần bằng trị số nguồn cung cấp (điện áp
bão hoà này thường thấp hơn trị số nguồn từ 1V đến 3 V về giá trị).

3.2. Các sơ đồ cơ bản của bộ khuếch đại thuật toán

3.2.1. Bộ khuếch đại đảo
Bộ khuếch đại đảo cho trên hình 3.4, có
I
thực hiện hồi tiếp âm song song điện áp qua Rht. ht R
ht
I1
N
Nếu coi OA lý tưởng, dòng vào OA, I0 = 0 R
1

U
v U
Tại nút N ta có : r

I1 = Iht
Hình 3.4: Bộ khuếch đại đảo
Uv  UN UN  Ur

R1 R ht

Nếu coi OA lý tưởng Ud = 0 nên UN = UP mà Up = 0 nên UN = 0

Do đó :
Uv U
 r
R1 R ht

U R
Hệ số khuếch đại điện áp : K u  U r   Rht
v 1

Dấu (-) thể hiện tín hiệu ra ngược pha với tín hiệu vào.
Nếu Rht = R1 thì Ku = -1, sơ đồ hình 3.5 có tính chất lặp lại đảo tín hiệu.
118
 Nếu R1 = 0, từ phương trình I1 = Iht , ta có
Ur
I1   U   I1R ht , tức là điện áp ra tỷ lệ với dòng điện vào. Đây chính là
R ht hay r

mạch biến đổi dòng thành áp.

Uv Uv
Zv    R1
Trở kháng vào : I1 Uv
R1 R
ht

Trong trường hợp yêu cầu hệ số khuếch đại lớn U

v
R
1
N
U
r
thì phải chọn R1 nhỏ, nên trở kháng vào Z v = R1 nhỏ.
Khắc phục điều này bằng sơ đồ khuếch đại đảo hình R
2
3.5.
Bằng cách tính tương tự như trên ta có U
3 R
3

Uv U
 3
R1 R ht Hình 3.5: Khuếch đại đảo
có trở kháng vào lớn
R
Mặt khác : U3  R 3R U r (công thức phân áp)
2 3

R  R 
Vì vậy : U r   ht  1  2  U v
R1  R3 

Trị số hệ số khuếch đại :

R ht  R2 
Ku  1  R 
R1  3

Nếu ta chọn R1 = R 2, thì Ku chỉ phụ thuộc vào tỷ số Rht/R3, có thể tăng tỷ số này
tuỳ ý mà không ảnh hưởng đến trở kháng vào của mạch.
3.2.2. Mạch khuếch đại không đảo
U
v U
Bộ khuếch đại không đảo có mạch hồi r

tiếp âm điện áp đặt vào đầu vào đảo, còn N

R
tín hiệu đặt vào đầu vào không đảo, như sơ R
ht
1
đồ hình 3.6. Vì UN = UP. Trong trường hợp
này UP = UV nên UN = UV
Hình 3.6: Bộ khuếch đại không đảo
Mặt khác ta có :
R1
UN  U
R1  R ht r (theo công thức phân áp)

119
 R
Vì vậy : U V  R 1R U r
1 ht

Hệ số khuếch đại :
Ur R
Ku   1  ht
Uv R1

Khi R1  , Rht  0 thì Ku = 1, sơ đồ hình 3.6 trở thành bộ lặp lại

điện áp.
3.2.3. Mạch cộng
3.2.3.1. Mạch cộng đảo
R
Sơ đồ mạch cộng đảo như hình 3.7 I
ht
ht
R I
U 1 1
1
I1 + I2 + ... + In = Iht U
R
2
I
2
U
r
2
N
U1  U N U 2  U N U  U N UN  Ur
  ...  n  U
R
n
I
n
R1 R3 Rn R ht n

Hình 3.7: Mạch cộng đảo

UN = 0 nên :
R R R 
U r    ht U1  ht U 2  ...  ht U n 
R
 1 R 1 R n 

n
R
hay U r    i U i với  i  Rht
i 1 i

3.2.3.2.Mạch cộng không đảo

Sơ đồ mạch cộng khuếch đại không đảo như hình 3.8
Tại nút N : U
R
1
I
1 R
N ht
1 I
R 2 U
U 2 I r
R0 2 o
UN  U
R 0  R ht r R I
P
n n
U R
n o
Tại nút P : I0 = 0 nên: I1 + I2 + ...+In = 0
U1  U P U2  U P Un  UP
  ...  0 Hình 3.8: Mạch cộng không đảo
R1 R2 Rn

 1 1 1  U1 U 2 Un
UP    ...     ... 
 R1 R 2 R n  R1 R 2 Rn

R0  1 1 1  U1 U 2 Un
Thay UN = UP ta có : Ur    ...     ... 
R 0  R ht  R1 R 2 Rn  R1 R 2 Rn

120
 R 0  R ht n
Nếu chọn : R1 = R2 = ...= Rn = R thì : U r 
n Ro
 Ui
i 1

3.2.4. Mạch trừ

R
2
Sơ đồ mạch trừ được cho trên hình 3.9
R N
Tại nút N : U
1
1 U
r

R
U1  U N U N  U r U 3 P
 2
R1 R2
R
4

 1 1  U1 U r
UN    
R
 1 R 2  R1 R 2
Hình 3.9: Sơ đồ mạch trừ
Tại nút P :
R4
UP  U
R3  R 4 2 R
U N/1
1
R R
Thay UN = UP ta có : U
2
N/2 N

N
R4  1 1  U1 U r R
U2     U
N/n U
R3  R 4  R1 R 2  R1 R 2 n
r

R R
U ’ p/1’ p
R (R  R 2 ) R 1
Ur  4 1 U  2U R P
R1 (R 3  R 4 ) 2 R1 1 U ’ p/2’
2

’
U R
Nếu chọn R2 = 1.R1 , R4 = 2. R3 ta n p/n’

có : Hình 3.10: Mạch trừ nhiều thành phần

1  1
Ur   .U  1U 1
1  2 2 2

Nếu 1 = 2 =  thì
U r    U 2  U1 

Khi muốn trừ nhiều thành phần điện áp người ta sử dụng mạch trừ nhiều thành
phần như hình 3.10.
Để tính toán điện áp ra, ta xét dòng điện tại nút N và nút P
Tại nút N :
n
U U Ur  U N
 RiN / Ni  RN
0
i 1

121
 n n  n 
  i (U i  U N )  U r  U N  0  
iUi  Ur  U N  i  1  0
 
i 1 i 1  i1 

Tương tự tại nút P ta có :

m m 
 
,i U,i  U P  ,i  1   0
 
i 1  i 1 

Thay UN = UP ta sẽ tính được :

m  n 
 
,i U,i 1   i 
n
 11 
Ur  i 1
m
  iUi
1  ,i i 1

i 1

Một số ví dụ :
Ví dụ 3.1: Cho mạch điện như hình 3.11 với :
U I
R1 = 100k R2 = 100k 1
R
1 1

U I P
R3 = 100k R4 = 500k 2
R
2 2
I
+ U
r
0
N
U1 = 25mV U2 = 35 mV
I
I 4 R
3
OA lý tưởng 4

R
3
Tính Ur?
Giải : Hình 3.11: Mạch điện cho ví dụ 3.1

Tại nút P : I1 + I 2 = Io
Theo giả thiết OA lý tưởng nên I0 = 0 nên
I1 + I 2 = 0
U1  U P U 2  U P
 0
R1 R2

 1 1  U1 U 2
UP    R  R
R
 1 R 
2 1 2 (1)
R
Tại nút N : U N  R 3R U r (công thức phân áp)
3 4

Hoặc ta có thể tính theo cách sau :

Tại nút N : I3 = I4

122
 UN Ur  UN R3
 nên UN  U (2)
R3 R4 R3  R 4 r

Vì UN = UP nên thay (2) vào (1) ta có :

R3  1 1  U1 U 2
Ur    
R3  R 4  R1 R 2  R 1 R 2

 R  R U  R1U 2
Ur   1  4  2 1
 R 3  R1  R 2

Thay số ta có :

 500  100.25  100.35

Ur  1   100  100  180mV
 100 

Ví dụ 3.2: Cho mạch điện như hình 3.12.

Thiết lập biểu thức tính hệ số khuếch đại KU.
R
2

U
Giải : 1
R U
r1 R
1 3

Đây là mạch hai tầng. U R P

2 4 U
Tầng 1 là bộ khuếch đại đảo, r

tầng 2 là bộ cộng. N
R
6
R
Tầng1 : K1   R2 R
5
1

Tầng 2 :
Hình 3.12: Mạch điện cho ví dụ 3.2
 R  R U  R3U 2
K 2   1  6  4 r1
 R5  R 4  R3

(áp dụng ví dụ 1)
R
Với U r1   2 U1 nên
R1

 R  R R U  R 4 R 2 U1
K2   1  6  1 3 2
 R5  R1 (R 4  R3 )

Hệ số khuếch đại toàn mạch là :

R  R  R R U  R 4 R 2 U1
K u  K1K 2   2  1  6  1 3 2
R1  R5  R1 (R 4  R 3 )

123
 CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP
Bài 1 : Cho hai mạch điện như hình 3.13
U
v
R U
2 r

VR
U R U
v 1 r
R
2
R
1

(a) VR (b)

Hình 3.13.

R1 = 10k ; R2 = 500k ; VR = 10k ; Uv = 1,5V

Xác định khoảng điện áp ra của mỗi mạch khi thay đổi chiết áp VR.
Bài 2 : Hãy tính các điện áp ra trên các mạch cho trên hình 3.14 (giả thiết OA lý
tưởng, các trị số cho trên hình vẽ)
200K 100K

500K

20K
U 1K 10K
r U
r
U =1,5V U = 20mv
v v

(a) (b)

200K

20K
U
r1

20K
U = 0,2V U
v
r2
200K

10K

124
 100K
20K
U =0,1V
v
10K
400K
U
r

20K

(d)

1K

300K
15K
+25mV 30K

-20mV 30K
15K U
r

(e)

Hình 3.14.

125
 Chương 4: Mạch nguồn cung cấp
4.1. Giới thiệu chung
Nguồn điện một chiều có nhiệm vụ cung cấp năng lượng một chiều cho các mạch
và thiết bị điện tử hoạt động. Năng lượng điện tử đó được lấy từ nguồn một chiều của
lưới điện thông qua một số quá trình biến đổi được thực hiện hình 4.1

I
t
BiÕn ¸p m¹ch Bé läc æn ¸p
U U chØnh l­u U U mét chiÒu R
1 2 3 4 t

Hình 4.1: Sơ đồ khối nguồn điện

Biến áp để biến đổi điện áp xoay chiều U 1 thành điện áp xoay chiều U2 có giá trị
thích hợp với yêu cầu. Trong một số trường hợp có thể dùng trực tiếp U 1 không cần
biến áp.
Mạch chỉnh lưu có nhiệm vụ chuyển điện áp xoay chiều U 2 thành điện áp một
chiều không bằng phẳng U3 (có giá trị thay đổi nhấp nhô). Sự thay đổi này phụ thuộc
vào từng dạng mạch chỉnh lưu.
Bộ lọc có nhiệm vụ san bằng điện áp một chiều U 3 thành điện áp một chiều U4 ít
nhấp nhô hơn.
Bộ ổn áp một chiều (ổn dòng) có nhiệm vụ ổn định điện áp (dòng điện) ở đầu ra
của nó U5 (It) khi U4 bị thay đổi theo sự mất ổn định của U 4 (hay It). Trong nhiều
trường hợp nếu không có yêu cầu cao thì không cần bộ ổn áp hay ổn dòng một chiều.
Tùy theo điều kiện và yêu cầu cụ thể mà bộ chỉnh lưu có thể mắc theo những sơ
đồ khác nhau và dùng các loại diode chỉnh lưu khác nhau.
4.2. Biến áp nguồn và mạch chỉnh lưu
Biến áp nguồn là 1 máy biến áp có nhiệm vụ biến đổi điện áp xoay chiều đặt vào
cuộn sơ cấp thành điện áp theo yêu cầu lấy ra ở cuộn thứ cấp. Muốn tìm hiểu sâu hơn
về máy biến áp các bạn có thể tìm đọc cuốn giáo trình Máy điện.
Hầu hết các thiết bị điện tử hiện nay đều dùng linh kiện bán dẫn với mức điện áp
một chiều cung cấp thấp do đó biến áp thường dùng là biến áp hạ áp. Các sơ đồ chỉnh
lưu thường dùng là sơ đồ chỉnh lưu nửa chu kỳ, chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dùng diode.
Yêu cầu đối với mạch chỉnh lưu là đạt được hiệu suất cao, ít phụ thuộc vào tải và độ
gợn sóng của điện áp ra nhỏ.

4.2.1. Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ

126
 Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ chỉ sử dụng một diode để chỉnh lưu, diode chỉnh
lưu có thể được mắc nối tiếp với cuộn dây thứ cấp biến áp hoặc mắc song song với
biến áp. Ở đây ta chỉ xét mạch chỉnh lưu dùng diode mắc
nối tiếp vì trong thực tế mạch chỉnh lưu dùng diode mắc song song ít khi được sử
dụng, chỉ thường sử dụng trong chỉnh lưu bội áp, mạch này sẽ được đề cập sau.

- Sơ đồ mạch như hình 4.2a

U2

A D
t

U1 L1 L2 U2 Rt b)

B k UR t

a) t

c)

Hình 4.2: Mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ

Nguyên lý hoạt động
Khi cấp điện áp xoay chiều U1 vào hai đầu cuộn L1 thì ở hai đầu cuộn L2 xuất
hiện một điện áp cảm ứng xoay chiều U2 (hình 4.2b)
Nếu ở nửa chu kỳ đầu điện thế tại A (+), diode D được phân cực thuận nên có
dòng điện qua tải (đi từ A qua RT tới B). Ở nửa chu kì tiếp theo điện thế tại A (-),
diode D bị phân cực ngược không cho dòng điện đi qua.
Như vậy dòng điện chỉ đi qua tải theo một chiều nhất định (đi từ (+) RT đến (-) RT) ở
các nửa chu kì đầu của U2.

4.2.2. Chỉnh lưu hai nửa chu kỳ

4.2.2.1. Chỉnh lưu hai nửa chu kì sử dụng hai diode

D
A 1

U U
U U 1 2
Rt
21 R
L t
U L 21
1 1 t
L
22
D
U 2
22
B

Hình 4.3: Mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dùng 2 diode

127
 Nguyên lý hoạt động
Đặc điểm của mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ là trong cả hai nửa chu kỳ của điện áp
xoay chiều đều có dòng điện qua tải. Sơ đồ mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ sử dụng 2
diode chính là 2 sơ đồ chỉnh lưu một nửa chu kỳ mắc song song có tải chung.

4.2.2.2. Chỉnh lưu hai nửa chu kỳ sử dụng mạch chỉnh lưu cầu
Sơ đồ mạch chỉnh lưu cầu như hình 4.4.
U2
A t

D D
4 1
L L U U U U
1 2 2 + 1 2

D D R t
3 t
B
2
-

Hình 4.4: Sơ đồ mạch chỉnh lưu cầu

Đặc điểm của mạch chỉnh lưu cầu là chỉnh lưu cả hai nửa chu kỳ của điện áp
đầu ra của cuộn thứ cấp và điện áp ngược đặt lên diode trong trường hợp này chỉ bằng
một nửa điện áp ngược đặt lên diode trong sơ đồ mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ sử
dụng 2 diode.
Trong sơ đồ mạch chỉnh lưu cầu nếu nối đất điểm giữa cuộn thứ cấp và mắc
thêm tải sẽ được mạch chỉnh lưu có điện áp ra hai cực tính.

4.2.2.3. Mạch bội áp

Sơ đồ bộ chỉnh lưu bội áp như hình 4.5.
Mạch nhân đôi điện áp được dùng trong những trường hợp đặc biệt, ví dụ khi
yêu cầu điện áp ra cao mà dòng tiêu thụ lại nhỏ (cỡ A). Nếu dùng một tầng (hình
4.5a) thì điện áp một chiều ở đầu ra gấp đôi trị số đỉnh của điện áp xoay chiều ở đầu
vào, vì C1 và C2 được nạp đến giá trị đỉnh của điện áp vào qua D 1 và D2 trong hai nửa
chu kỳ (-) và (+). Trên hình 4.5b trong nửa chu kỳ (-) của điện áp U 2, C1 được nạp đến
giá trị đỉnh U2 thông qua D1. Trong nửa chu kỳ tiếp theo C 1 được nạp thông qua C2 và
D2 với giá trị U C2  U C1  U 2  2U 2 . Nếu có n tầng như vậy thì điện áp ra tải U r  nU2.
Thường chọn n  10.

128
 Tầng thứ 1 Tầng thứ n
D R  nU
1 r 2
. . + - + - +
C
U U 1 . . C ’
1 2
- C
+ U R U U
1
D
n
r t 1 2
D 2
1
D C - - + - +
2 2

a) Hai lần C
2
C
n
U
r

b) 2n lần
Hình 4.5: Mạch bội áp
a) Mạch nhân 2 điện áp ngoài ; b) Mạch nhân n lần điện áp vào

4.3. Tổng quan về bộ lọc

Chức năng của bộ chỉnh lưu là chuyển đổi điện áp xoay chiều thành điện áp
một chiều. Đầu ra của bộ chỉnh lưu ta thu được điện áp một chiều. Tuy nhiên điện áp
này chưa được ổn định như mong muốn. Vì vậy ta phải cho qua bộ lọc để được điện áp
một chiều ổn định hơn.
Tín hiệu ra sau khi lọc được biểu diễn như hình vẽ gồm thành phần một chiều và
thành phần thay đổi (độ gợn sóng) thành phần này có giá trị nhỏ.
Để đánh giá điện áp đầu ra của bộ lọc ta sử dụng von mét một chiều (DC voltmeter) và
vôn mét xoay chiều (AC voltmeter). DC voltmeter cho ta giá trị trung bình hoặc giá trị
của điện áp một chiều Udc, AC voltmeter cho ta giá trị thành phần thay đổi U r(rms), ta
xác định được độ gợn sóng như sau :
U r(rms)
r 100%
U dc
Ví dụ 4.1 : Sử dụng vôn mét 1 chiều và vôn mét xoay chiều đo tín hiệu ra của một
mạch lọc ta đọc được từ vôn mét một chiều là 25V và vôn mét xoay chiều là 1,5V. Độ
gợn sóng ở đầu ra của bộ lọc khi đó sẽ là :
U r(rms) 1, 5V
r 100%  100%  6%
U dc 25V

Sự ổn định điện áp : Một nhân tố quan trọng khác trong bộ nguồn cung cấp đó là
lượng chênh lệch điện áp một chiều giữa đầu ra của bộ nguồn và yêu cầu thực tế của
mạch điện. Điện áp cung cấp ở đầu ra của bộ nguồn khi chưa có tải sẽ bị giảm đi khi
có tải. Lượng chênh lệch điện áp trong trường hợp không tải và có tải được xác định
bởi hệ số gọi là hệ số ổn định điện áp UR, được xác định :
U kt  U ct
U R  .100%
U ct

129
Ví dụ 4.2 : Một nguồn điện áp một chiều cung cấp 60V khi đầu ra không có tải. Khi
nối với tải, điện áp thực tế trên đó là 56V. Tính giá trị ổn định điện áp.
Giải :
U kt  U ct 60  56
U R  .100%  100%  7,1%
U ct 56
Nếu giá trị của điện áp có tải bằng giá trị của điện áp khi không có tải thì sự ổn định
điện áp là 0%, đây cũng chính là điều mong muốn đạt được.
Hệ số gợn sóng của các bộ chỉnh lưu : Điện áp sau khi đã được chỉnh lưu bao gồm
thành phần một chiều và thành phần hài (gợn sóng).
+ Đối với tín hiệu chỉnh lưu nửa chu kỳ, điện áp một chiều đầu ra là :
Udc = 0,318Um
Giá trị của điện áp gợn sóng là :
Urms = 0,385 Um

Độ gợn sóng r của mạch chỉnh lưu nửa chu kỳ được tính :
U r(rms) 0,385U m
r .100%  .100%  121%
U dc 0,318U m

+ Đối với mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ, điện áp một chiều đầu ra là :
Udc = 0,636 Um

Giá trị của điện áp gợn sóng là :

Ur(rms)= 0,308 Um

Độ gợn sóng r của tín hiệu chỉnh lưu hai nửa chu kỳ được tính :
U r(rms) 0,308U m
r .100%  .100%  48%
U dc 0,636U m

Tóm lại : Tín hiệu chỉnh lưu hai nửa chu kỳ có độ gợn sóng nhỏ hơn tín hiệu chỉnh lưu
nửa chu kỳ.
Bộ lọc

4.3.1. Bộ lọc dùng tụ điện Bộ Tải

Mạch lọc thông dụng nhất hiện nay AC chỉnh một

là mạch lọc tụ điện, bao gồm một tụ điện lưu

chiều

được nối vào đầu ra của bộ chỉnh lưu, điện

Hình 4.6: Sơ đồ khối bộ lọc dùng tụ
áp một chiều được lấy ra giữa hai đầu tụ điện
điện (hình 4.6).
Hình 4.7a chỉ ra dạng điện áp của bộ chỉnh lưu cả hai nửa chu kỳ trước khi lọc.
Hình 4.7b là dạng điện áp ra của bộ chỉnh lưu sau khi đã được nối với tụ điện. Thấy

130
rằng (dạng sóng) dạng điện áp sau khi đã lọc là điện áp một chiều nhưng vẫn còn nhấp
nhô (còn thay đổi).
Hình 4.8a là bộ chỉnh lưu hai nửa chu kỳ và dạng sóng đầu ra của mạch khi
được kết nối với tải (R l). Nếu không có tải, đầu ra của bộ chỉnh lưu được nối với tụ
điện C, dạng sóng đầu ra lý tưởng sẽ là một hằng số và có giá trị bằng biên độ U m của
bộ chỉnh lưu.
+ U U
m
U R
-m t
+ C
U
-m

Hình 4.7a: Mạch chỉnh lưu khi chưa có tụ

+ U U
m
c
U R
-m t
+ C
U
-m

Hình 4.7b: Mạch chỉnh lưu khi có tụ

Hình 4.8b là giản đồ dạng sóng đầu ra của bộ lọc tụ điện, thời gian T1 là khoảng
thời gian tụ điện đang nạp điện và nạp đến giá trị bằng biên độ điện áp đấu ra bộ chỉnh
lưu Um. Thời gian T2 là khoảng thời gian và điện áp bộ chỉnh lưu giảm từ Um và đồng
thời tụ điện phóng điện vào tải.

U (U )
U m r
c
+
U D
U
-m 1
m U
dc
+
U
T T
-m C
1 2
R
t
D
2 T/2

a) b)
Hình 4.8: Bộ lọc tụ điện
a) Sơ đồ mạch ; b) Dạng sóng đầu ra.

Như vậy dạng sóng đầu ra gồm điện áp một chiều Udc và hài Ur chính là sự nạp
và phóng của tụ điện.
Điện áp gợn sóng U(rms) : được tính theo công thức :
I dc 2, 4I dc 2, 4U dc
U r(rms)   
4 3fC C RtC

131
 Trong đó : Idc[mA] dòng điện 1 chiều qua tải tính bằng mA, C[mF] điện dung
của tụ lọc tính bằng mF, Rt[kW] là điện trở tính bằng kW, f là tần số của điện áp đưa
vào bộ chỉnh lưu.
Ví dụ 4.3 : Tính toán điện áp gợn sóng của bộ chỉnh lưu hai nửa chu kỳ với tụ C =
100mF nối với tải tiêu thụ dòng 50[mA].
Giải :
I dc 2, 4I dc 2, 4U dc
Ta có : U r(rms)   
4 3fC C RtC

Thay số vào ta có
2, 4.50
U r(rms)   1, 2V
100
Điện áp một chiều Udc
Ta có thể tính được giá trị điện áp một chiều ở đầu ra bộ lọc tụ điện
I 4,17I dc
U dc  U m  dc  U m 
4fC C
Trong đó :
Um : Biên độ điện áp sau bộ chỉnh lưu
Idc : Dòng điện tải tính mA
C : Điện dung tụ lọc tính mF.
Ví dụ 4.4 : Biên độ điện áp sau khi chỉnh lưu là 30V, giá trị tụ lọc C = 100mF. Tải tiêu
thụ dòng 50[mA]. Tính toán điện áp một chiều ở đầu ra bộ lọc.
Giải :
I 4,17I dc
Ta có : U dc  U m  dc  U m 
4fC C
Thay số vào ta tính được Udc :
4,17I dc 4,17.50
U dc  U m   30   27.9V
C 100
Ví dụ 4.5 :Tính toán độ gợn sóng của bộ lọc tụ điện với biên độ điện áp chỉnh lưu là
30V, tụ điện có điện dung 50 mF, dòng trên tải là 50[mA].

Giải :
2, 4I dc 2, 4.50
Ta có : r .100%  .100%  4, 3%
C.U dc 100.27, 9

Cũng có thể tính theo cách khác.

4,17I dc 4,17.50
Biết : U dc  U m   30   27, 9V
C 100
U r(rms)
mà r .100%
U dc

132
 2, 4I dc 2, 4.50
trong đó U r(rms)    1, 2V
C 100
1, 2V
vậy : r .100%  4, 3%
27, 9V

4.3.2. Bộ lọc RC
Để giảm nhỏ độ gợn sóng ở đầu ra bộ lọc tụ điện ta mắc thêm khâu lọc RC
(xem hình 4.9a). Tín hiệu đầu ra của khâu lọc được chỉ ra trên hình 4.9b, 4.9c.
(rms) U
r(rms)
U (rms)
dc

t t

b) c)

+
U R
- m

C C R
1 2 1

Hình 4.9: Mạch lọc RC và dạng sóng

đầu ra
- Xét ảnh hưởng của bộ lọc RC đối với thành phần DC, điện áp một chiều trên tải được
tính như sau :
Rt
U' dc  .U dc
R  Rt R
R

I C
dc R R
U U’ t t
dc dc U
m(rms)

Hình 4.10: Sơ đồ tương đương của mạch lọc RC

Ví dụ 4.6 : Tính điện áp một chiều ra tải có điện trở R t=1k  . Khâu lọc RC có thông
số R = 120  , C = 10mF. Điện áp Udc qua bộ lọc tụ điện Udc= 60V.

, Rt 1000
Ta có : U dc  .U dc  .60  53, 6V
R  Rt 120  1000

Xét ảnh hưởng của bộ lọc RC đối với thành phần AC, độ gợn sóng được biểu
hiện như sơ đồ hình 4.9b.
Khi đó độ gợn sóng được xác định như sau :

133
 , XC
U r(rms)  .U r(rms)
R

Đối với 1 bộ chỉnh lưu có chu kỳ, có gợn sóng ở tần số 120Hz, trở kháng của tụ điện
được tính theo công thức.
1, 3
XC = C

với đơn vị của C là mF, Xc là kW

Ví dụ 4.7 : Tính toán các thành phần một chiều và xoay chiều của tín hiệu ra tải Rt của
mạch sau :

U = 150V (rms
dc
U = 15V
r(rms)
R

500
TÍN HIỆU
VÀO
C C R
ĐẦY ĐỦ 1 2 t
15F 10F 5 k

Hình 4.11 : Mạch lọc RC

Giải :
Tính toán thành phần DC
, Rt 5k
U dc  .U  .150V  136, 4V
R  R t dc 500  5k
Tính toán thành phần AC
1, 3 1, 3
XC    0,13k  130
C 10
Trở kháng bộ lọc là thành phàn xoay chiều AC điện áp đầu ra
, XC 130
U r(rms)  .U r(rms)  .(15V)  3, 9V
R 500
,
U r(rms) 3.9V
Độ gợn sóng đầu ra : r , .100%  .100%  2.86%
U dc 136.4V

4.4. Mạch ổn áp
4.4.1. Mạch ổn áp dùng diode zener
Sơ đồ mạch ổn áp dùng diode zener như hình vẽ 4.12a
Diode ổn áp (diode zener) làm việc nhờ hiệu ứng đánh thủng zener và hiệu ứng
đánh thủng thác lũ của chuyển tiếp p-n khi phân cực ngược. Khác với diode thông

134
dụng, các diode ổn định công tác ở chế độ phân cực ngược. Những tham số kỹ thuật
của diode zener là :
R

U U
v z I

a) 100

U
U v
v U U 50
z z I = -5mA
2
0
T = 25 C
P = 2,5W
R
1
R R
2 0
10 20

b) c)

Hình 4.12: a) : Mạch ổn áp dùng diode zener ; b) Đồ thị đặc tính ổn định ;
c) Sự phụ thuộc của điện trở động vào điện áp ổn định

Điện áp ổn định Uz (điện áp zener) : là điện áp ngược đặt lên diode làm phát
sinh ra hiện tượng đánh thủng.
Điện trở động rdz : được định nghĩa là độ dốc đặc tuyến tĩnh của diode tại điểm làm
việc.
dU 2
rdz = dI
z

Căn cứ vào công thức trên có thể thấy rằng độ dốc của đặc tuyến ở phần đánh
thủng có tác dụng quyết định đến chất lượng ổn định của diode. Khi điện trở động
bằng không (lúc đó phần đặc tuyến đánh thủng song song với trục tung) thì sự ổn định
điện áp đạt tới mức lý tưởng.

Điện trở tĩnh Rt được tính bằng tỉ số giữa điện áp đặt vào và dòng điện đi qua
diode.
Rt = Uz/Iz
Hệ số ổn định được định nghĩa bằng tỉ số giữa các biến đổi tương đối của dòng
điện qua diode và điện áp rơi trên diode do dòng này gây ra :
Z = (dIz/Iz)(dUz/Uz) = R/rdz = Rt/rdz

Chúng ta thấy hệ số này chính bằng tỉ số giữa điện trở tĩnh và điện trở động tại
điểm công tác của diode.
135
Để đạt hệ số ổn định cao, với một sự biến đổi dòng điện qua diode đã cho trước, điện
áp rơi trên diode (do dòng này gây ra) phải biến đổi nhỏ nhất. Các diode ổn định Si
thường có Z > 100. Trở kháng ra của mạch ổn định cũng là một thông số chủ yếu đánh
giá chất lượng của mạch :
Rr = Ur/Ir
ở đây Ur là gia số của điện áp ra, gây ra bởi gia số Ir của dòng tải.

Rõ ràng tỉ số vế phải càng nhỏ thì chất lượng mạch ổn định càng cao, vì thế các
mạch ổn định dùng diode zener có điện trở càng nhỏ càng tốt (điều này phù hợp với
vai trò một nguồn điện áp lý tưởng).
Hệ số nhiệt độ của điện áp ổn định t, hệ số này cho biết sự biến đổi tương đối
của điện áp ổn định khi nhiệt độ thay đổi 10C :
t = (1/Uz)(duz/dt)Iz = Conts
Hệ số này xác định bởi hệ số nhiệt độ của điện áp đánh thủng chuyển tiếp p-n.
Sự phụ thuộc của điện áp ổn định vào nhiệt độ có dạng :
Uz = Uz0 [1 + t (T – T0)]
Trong đó Uz0 là điện áp ổn định của diode zener ở nhiệt độ T0.
Hệ số nhiệt độ t có giá trị âm nếu hiện tượng đánh thủng chủ yếu do hiệu ứng
zener gây ra. Nó có giá trị dương nếu hiện tượng đánh thủng do hiện tượng thác lũ gây
ra.
Ví dụ 4.8 : Cho mạch điện như hình 4.13 với R = R

1k, Uv = 50V, Uz = 10V, Izmax = 32mA. Hãy

U
xác định khoảng giới hạn của R t để mạch làm v R U
t t
việc trong dải ổn áp.

Giải : Hình 4.13: Mạch ổn áp dùng diode

Khi Rt = Rtmin thì dòng qua diode zener là zener
I
Z
Iz = Izmin  0.
Theo công thức phân áp :
U
Z
R t min
Ut  Uz  U 
R  R t min v
32mA
UzR
 R t min 
Uv  Uz
Hình 4.14: Đặc tuyến ra của diode zener
thay số tính được :
Rtmin = 250
Khi Rt = Rtmax ta có :
136
 UR = Uv- Uz= 50V- 10V= 40V
Dòng chạy qua R :
IR = 40/1k = 40mA
Dòng chạy qua Rt : It = Itmin = IR – Izmax = 40mA –32mA = 8mA
Suy ra : Rt = Rtmax = Uz/Itmin = 10V/8mA = 1,25k.
Vậy, khi Rt biến đổi trong dải (250 - 1,25k) thì mạch làm việc trong dải ổn áp.

4.4.2. Mạch ổn áp dùng transistor

Có hai loại mạch ổn áp dùng transistor là mạch ổn áp nối tiếp và mạch ổn áp
song song. Các mạch ổn áp này có thể cung cấp một điện áp một chiều đầu ra ổn định
ỏ một giá trị nhất định ngay cả khi giá trị đầu vào của mạch thay đổi hoặc tải của mạch
thay đổi.
4.4.2.1. Mạch ổn áp nối tiếp
Sơ đồ khối mạch ổn áp nối ĐIỀU KHIỂN

tiếp được biểu diễn ở hình 4.15. U

U
r
v
Phần tử điều khiển để điều LẤY MẪU

chỉnh điện áp đầu vào và điện áp

TẠO ĐIỆN SO SÁNH
đầu ra. Điện áp đầu ra được lấy ÁP CHUẨN
đưa trở lại so sánh với nguồn điện
áp chuẩn.
Hình 4.15: Sơ đồ mạch ổn áp nối tiếp
Giả sử điện áp đầu ra tăng,
bộ so sánh cung cấp một tín hiệu điều khiển, phần tử điều khiển sẽ làm giảm điện áp ở
đầu ra.
Giả sử điện áp đầu ra giảm, bộ so sánh cung cấp một tín hiệu điều khiển, phần
tử điều khiển sẽ làm tăng điện áp đầu ra.
Trên hình 4.16 là một mạch ổn áp nối tiếp đơn giản dùng một transistor và một
diode zener. Trong sơ đồ T1 đóng vai trò phần tử điều khiển, diode zener đóng vai trò
nguồn điện áp chuẩn, hoạt động mạch như sau :
Nếu điện áp đầu ra giảm  làm UE giảm  UBET1 tăng làm cho T1 dẫn mạnh hơn.
Vì vậy tăng được điện áp đầu ra  duy trì được điện áp đầu ra ổn định.
Nếu điện áp đầu ra tăng, UE tăng  UBET1 giảm  T1 dẫn yếu đi  vì vậy làm giảm
điện áp đầu ra  duy trì điện áp đầu ra ổn định.

Ví dụ 4.9 : Tính toán điện áp đầu ra và dòng qua U T U

v 1 r

diode zener mạch ổn áp hình 4.16, cho Rt = 1k, UZ

R
= 12V, R = 220,  = 50, R
t

U
137
z

Hình 4.16: Mạch ổn áp đơn

Uv = 20V, UBE = 0,7V.

Giải :
Ur = UZ - UBE = 12V – 0,7V = 11,3V.
UCE = Uv – Ur = 20V – 11,3V = 8,7V
Uv  Uz 20V  12V
IR =   36, 4mA
R 220
r U 11, 3V
Dòng chạy qua Rt : It = R  1k  11, 3mA = IE  IC
t

CI 11, 3mA
IB =   50
 226A

IZ = IR – IB = 36,4mA - 226A 36mA

a) Mạch ổn áp bù
T
Sơ đồ mạch được biểu diễn trên U
v
1
U
r
R
hình 4.17. Hai điện trở R1 và R2 4
R
1
D
đóng vai trò như một mạch lấy mẫu, T -
z
+ R
2 + t
diode zener DZ cung cấp điện áp U
BE2 U
R 2 R
- 3 2
tham chiếu và transistor T2 điều
khiển dòng bazơ của transistor T1 để Hình 4.17: Mạch ổn áp bù
thay đổi dòng qua transistor T1 duy
trì được điện áp ở đầu ra.
Nếu điện áp đầu ra tăng qua phân áp R1 và R2, điện áp U2 tăng, làm điện áp UBE
của T2 tăng (điện áp UZ không đổi), làm dòng qua T2 tăng dẫn đến dòng IB của T1
giảm làm cho dòng qua tải giảm. Điện áp đầu ra giảm, vì vậy duy trì được điện áp đầu
ra của mạch. Trường hợp điện áp đầu ra giảm giải thích tương tự.
Điện áp U2 bằng tổng của điện áp UBE của T2 và UZ và được tính :
R2
U2 = UBE2 + UZ = R  R U r
1 2

Do đó điện áp đầu ra Ur được xác định

R1  R 2
Ur = (U z  U BE2 )
R2

Ví dụ 4.10 : Cho mạch điện như hình vẽ 4.17

Trong đó cho R1 = 20k, Uz = 8,3V, R2 = 30k. Tính điện áp ổn áp ra ?
Giải
R1  R 2
Theo công thức : Ur = (U z  U BE2 )
R2
138
Thay số vào ta có điện áp ổn áp ra sẽ là :
20k  30k
Ur = (8, 3V  0, 7V) = 15V
30k

b) Mạch ổn áp nối tiếp dùng OP-AMP

Hiện nay một số mạch ổn áp nối tiếp đã sử dụng khuếch đại thuật toán
OP - AMP.
T
Trong hình 4.18 bộ OP – AMP so sánh điện áp 1
U
v U
tham chiếu trên diode zener với điện áp hồi tiếp từ R
3 1
r

3 R
1
bộ phân áp R1 và R2. Nếu điện áp đầu ra thay đổi 2
Dz
T1 sẽ điều chỉnh để điện áp ra này không thay đổi.
R
2
Điện áp ra được tính theo công thức :
 R1  Hình 4.18: Mạch ổn áp nối tiếp
Ur  1   Uz
 R2  dùng OA

c) Mạch hạn chế dòng điện

Để bảo vệ mạch ổn áp khi bị quá tải hoặc ngắn mạch thì sơ đồ ổn áp được vẽ lại như
hình 4.19.
U T R
v sc
Khi dòng tải It tăng thì điện áp rơi 1

R U
trên Rsc(sampling circuit- điện trở này đóng 3 r

T
vai trò mạch lấy mẫu) cũng tăng lên. Khi 2 R
1 R
Dz t
điện áp trên Rsc tăng đủ lớn, làm T2 mở, T2
mở làm dòng cực base của transistor T1 R
2

giảm, và làm giảm dòng tải qua transistor T1,

Hình 4.19: Mạch hạn chế dòng
tránh cho Rt quá tải. Như vậy hoạt động của
T R I
Rsc và T2 làm hạn chế dòng tải cực 1 sc t

R U
đại. U
v
R
3
4 r
T
Mạch hạn chế dòng (hình 2

R
4.19) chỉ làm giảm điện áp tải khi D
1 R
t
z
dòng điện vượt quá giá trị giới hạn.
R R
Hình 4.20 là mạch hạn chế dòng 5 2

cải tiến. Mạch này sẽ làm giảm cả

Hình 4.20: Mạch hạn chế dòng cải tiến
điện áp ra và dòng điện ra bảo vệ
tải khỏi quá dòng. Trong sơ đồ này có thêm bộ phân áp R 4 và R5, bộ phân áp sẽ lấy
một phần điện áp tại đầu ra của T 1. Khi dòng It tăng lên đến giá trị cực đại, điện áp rơi
139
trên Rsc đủ lớn mở T2 để hạn chế dòng. Nếu điện trở tải nhỏ, điện áp điều khiển T 2 mở
nhỏ. Khi điện trở tải trở lại giá trị của nó, mạch điện trở lại hoạt động ổn áp.

4.4.2.2. Ổn áp song song

Mạch ổn áp song song thực hiện ổn áp bằng dòng tiêu hao song song với tải để
ổn định điện áp ra. Hình 4.21 là sơ đồ khối của mạch ổn áp đó.
U
v U
t

I
S I
Tín hiệu t
Điều khiển điều khiển
Lấy mẫu
R
t
Điện áp So sánh
chuẩn

Hình 4.21: Sơ đồ khối mạch ổn áp song

song
Điện áp đầu vào không ổn định cung cấp dòng cho tải. Một phần dòng điện bị
mất đi do phần tử điều khiển để bảo đảm cho điện áp ra được ổn định đưa đến tải.
Mạch lấy mẫu cung cấp tín hiệu hồi tiếp tới bộ so sánh, sau đó lấy ra một tín hiệu điều
khiển để làm thay đổi dòng điện chảy qua phần tử điều khiển. Ví dụ khi điện áp đầu ra
tăng, mạch lấy mẫu cung cấp tín hiệu hồi tiếp tới mạch so sánh, đầu ra mạch so sánh
đưa tín hiệu điều khiển làm tăng dòng điện song song qua phần tử điều khiển, làm cho
dòng tải giảm xuống giữ điện áp ổn định.
a) Mạch ổn áp song song đơn giản dùng Rs

transistor + +
+

Một mạch ổn áp song song đơn giản như hình Dz Ic

4.22. U
v
Ib
T Ut Rt
+ 1
Ube
Trên điện trở RS điện áp chưa ổn định,
sụt áp do dòng cung cấp tới tải Rt. Điện áp trên
tải được xác định bởi điện áp zener và điện áp Hình 4.22: Mạch ổn áp song song
giữa base - emiter. Nếu điện trở tải giảm, dòng đơn giản

điều khiển cực B của T1 cũng giảm, làm dòng collector cũng giảm, sẽ làm dòng tải lớn
lên hơn và ổn định được điện áp trên tải. Điện áp ra trên tải là :
Ut = UZ + UBE
Ví dụ 4.11 : Cho mạch điện như hình 5.22 với Rs = 120, Rt = 100, Uz = 8,2V, Uv =
22V. Xác định điện áp ổn áp ra, dòng IC, It, IS ?
Giải :

140
Điện áp ổn áp trên tải là :
Ut = UZ + UBE = 8,2V + 0,7V = 8,9V
Dòng qua tải là :
Ut 8, 9V
It = R = 100 = 89mA
t

Với điện áp vào 22V, dòng qua RS là :

Uv  Ut 22V  8, 9V
IS = RS = 120
= 109mA

Do đó dòng qua collector là :

IC = IS – It =
= 109mA – 89mA = 20mA

b) Mạch ổn áp song song dùng 2 transistor

Mạch điện như hình vẽ 4.23. R
s

Diode zener cung cấp một điện áp Uv U

r
T
2
chuẩn, do đó điện áp trên R 1 sẽ T
1
D
z
R
t
quyết định điện áp ra. Khi điện áp
ra thay đổi, làm dòng song song R
1

qua T1 cũng thay đổi để giữ cho

Hình 4.23: Ổn áp song song dùng transistor
điện áp ra ổn định. Transistor T2
làm cho dòng cực base của T 1 lớn hơn mạch dùng một transistor vì vậy ổn định dòng
qua tải lớn hơn. Điện áp ra được xác định như sau :
Ur = Ut = UZ + UBE1 + UBE2

c) Mạch ổn áp song song dùng OP-AMP R

s

Hình 4.24 là mạch ổn áp song song dùng OP- U

v R
U
r
3 I I
R L
AMP như là bộ so sánh điện áp. SH
1

Điện áp zener được so sánh với điện áp hồi + T

1 R
t
Dz
tiếp từ bộ phân áp R1 và R2 để điều khiển T1.
R
2
Dòng qua RS sẽ được điều khiển sụt áp trên
RS , vì vậy điện áp ra được ổn định. Hình 4.24: Mạch ổn áp dùng OA

4.4.3. Ổn áp dùng IC

141
 Rất nhiều mạch ổn áp sử dụng các loại IC ổn áp. Các IC ổn áp chứa nguồn điện
áp chuẩn, khuếch đại so sánh, phân tử điều khiển bảo vệ quá tải, tất cả trong một IC
đơn lẻ. Mặc dù cấu tạo bên trong IC có khác với các mạch ổn áp trước nhưng hoạt
động bên ngoài thì như nhau. Điện áp ổn áp cũng có thể điều chỉnh được hoặc có thể là
cố định. Dòng tải của các IC từ hàng trăm mA đến hàng chục A, do đó rất phù hợp với
nhiều mạch thiết kế yêu cầu gọn nhẹ.
Hình 4.25 cho thấy sự ghép nối IN OUT

IC ổn áp 3 chân với mạch. + GND +

Điện áp vào Uv được đưa tới TẢI

-
một chân, điện áp ra được ổn áp -

Ur từ chân thứ 2, chân thứ 3

được nối với mass. Hình 4.25: Sơ đồ khối bộ ổn áp dùng IC
4.4.3.1. Ổn áp cố định dòng IC
Họ IC 78xx cung cấp điện áp ra cố định từ (+)5V đến (+)24V. Ký hiệu xx để
chỉ điện áp ra, ví dụ 7805 là ổn áp 5V, 7824 là ổn áp 24V. Sơ đồ mạch mắc trong thực
tế như hình 4.26.
1 3
Trong đó :
Vào Ra
- Chân 1 được nối với điện áp vào. +
7812
+
C GND C
U
- Chân 2 được nối với mass. -
v
1 2 U
r
2 -
- Chân 3 được nối với tải.
- Tụ điện C = 0,1F để cải thiện quá
Hình 4.26: Mạch ổn áp dùng 7812
trình quá độ và lọc nhiễu tần số cao.
Dòng điện đưa ra của họ 78xx thường  1A.
Họ 79xx tương tự như họ 78xx nhưng cung cấp điện áp ra cố định từ -5V đến -24V.

4.4.3.2. Ổn áp dùng IC có thể điều

+ U U +
chỉnh được điện áp ra v LM317 r
I
r
Các IC ổn áp cũng sẵn có một số ADJ U
Ref R
1
U
loại cho phép người sử dụng có thể điều U
v rt

I
chỉnh điện áp ra như mong muốn. ADJ
R
2
LM317 (hình 4.27) là một ví dụ. - -
LM317 có thể hoạt động với phạm vi Hình 4.27: Mạch ổn áp dùng LM317
điện áp ra từ 1,2V đến 37V, điện trở R1 và R2 xác định điện áp ra (1,2V đến 37V).
Tính toán điện áp ra cho mạch theo công thức sau :

142
 R2
Ur = URef (1 + R ) + Iadj R2 (*)
1

Trong đó URef = 1,25V và Iadj = 100A

Ví dụ 4.12 : Xác định điện áp ra của IC LM317 với R1 = 240 và R2 = 2,4k.
Giải : Theo công thức (*) ta có :
2, 4K
Ur = 1,25V(1 + 24K ) + (100A)(2,4K)

= 13,75V + 0,24V = 13,99V

IC LM318 cũng tương tự như vậy nhưng điện áp ra là điện áp (-).

4.4.4. Một số mạch ổn áp khác dùng IC T

1

4.4.4.1. Mạch tăng dòng ra R

78xx
1 3
IC họ 78xx hay 79xx thường có 2

dòng ra không lớn, do đó để tăng dòng ra U

v U
r
có thể kết hợp với transistor như hình 4.28.

4.4.4.2. Mạch tăng điện áp ra Hình 4.28: Mạch tăng dòng ra

Để tăng điện áp ra đấu thêm diode

zener vào chân 2 của IC như hình 4.29. 78xx
1 3
Khi đó điện áp ra sẽ là : 2 R

Ur = UZ + Ur 78xx U
v U
r

D
Z

Hình 4.29: Mạch tăng điện áp ra

143
 CÂU HỎI VÀ BÀI TẬP

1. Biết điện áp một chiều ra sau bộ chỉnh lưu là Udc = 20V. Hãy tính điện áp gợn sóng
khi bộ chỉnh lưu là :
a) Bộ chỉnh lưu nửa chu kỳ.
b) Bộ chỉnh lưu hai chu kỳ.
2. Cho một bộ chỉnh lưu hai nửa chu kỳ có tụ lọc C = 100F. Khi nối với một điện trở
tải Rt = 2,5k điện áp một chiều ra là Udc = 12 V. Tính điện áp gợn sóng ? (điện áp
đầu vào bộ chỉnh lưu có tần số f = 50Hz).
3. Cho một bộ chỉnh lưu có dùng tụ lọc C = 500 F, dòng điện chạy qua tải là 200Ma
với hệ số gợn sóng là 8%. Tính điện áp đỉnh (Um) đưa vào bộ chỉnh lưu và điện áp
trên tụ, biết điện áp nguồn cấp có f = 60 Hz.
U
4. Hãy tính điện áp gợn sóng tại đầu ra của bộ lọc v T
1
U
r

RC (R =100, C = 100F). R

Biết tín hiệu vào bộ lọc là 50V với điện áp gợn R

t

sóng 2,5V(tín hiệu này được lấy từ bộ chỉnh lưu hai U

z
nửa chu kỳ có dùng tụ lọc).

5. Cho mạch điện như hình 4.30. Hình 4.30

Biết R = 1,8k, Uz = 8,3 V, Rt = 2k. R
s
+ +
Hãy tính điện áp ra Ur và dòng điện chạy qua +
Dz
zener. -
I
c
U I
b
v U R
+
6. Cho mạch điện như hình 4.31. U
t t

be
- - -
Biết Rs = 33, Uz = 10 V,
Rt = 100. Hãy tính điện áp ổn áp đầu ra và các Hình 4.31
dòng điện tại các cực của transistor.

7. Cho mạch ổn áp như hình 4.32.

Hãy xác định điện áp ra.
U =15V IN OUT U
m LM317 r

ADJ 220
330F

1,5k 20F

Hình 4.32:
144
 Tài liệu tham khảo
[1] Thomas L. Floyd
Electronic Devices – Prentice Hall,1998
[2] Jmillman
Micro electronics, Digital and Analog, Circuits and System - MC Graw Hill
Book Company,1997
[3] Robert Boylestad, Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory – Prentice Hall, 2006.
[4] Đỗ Xuân Thụ
Dụng cụ bán dẫn – Nhà xuất bản Đại học và Trung học chuyên nghiệp, 1995
[5] Trần Thị Cầm
Cấu kiện điện tử và quang điện tử - Học viện Bưu chính viễn thông, 2002
[6] Nguyễn Viết Nguyên (chủ biên)
Giáo trình Linh kiện điện tử – Nhà xuất bản Giáo dục, 2007
[7] Đặng Văn Chuyết (chủ biên)
Giáo trình Kỹ thuật mạch điện tử – Nhà xuất bản Giáo dục, 2007
[8] Phạm Minh Hà (chủ biên)
Kỹ thuật mạch điện tử – Nhà xuất bản Khoa học và kỹ thuật, 1997

145