THE UNIVERSITY OF DANANG

SCHOOL OF INFORMATION AND

COMMUNICATION TECHNOLOGY

Thành viên: Tuấn Long + Thu Nguyệt + Tô Thành

I. Semiconductor Main Memory
Semiconductor- Chất bán dẫn: là vật liệu
trung gian giữa chất dẫn điện và chất cách
điện (silic, germanium). Chất bán dẫn chỉ hoạt
động như một chất dẫn điện ở một điều kiện
nào đó. Chất bán dẫn được dùng để tạo ra các
transistor (transfer-resistor).

- Cách tổ chức:
Yếu tố cơ bản
của bộ nhớ bán
dẫn là ô nhớ
I. Semiconductor Main Memory
- Tính chất:
1. Thể hiện hai trạng thái ổn định (hoặc có thể bán được), có thể được
sử dụng để biểu diễn nhị phân 1 và 0.
2. Chúng có khả năng được viết thành (ít nhất là một lần), để thiết lập
state .
3. Chúng có khả năng được đọc để cảm nhận state.

- Các loại bộ nhớ bán dẫn:

I. Semiconductor Main Memory
+ Dynamic RAM (DRAM): DRAM lưu trữ dữ liệu trong một tụ điện riêng bên trong
mạch tích hợp
Tụ điện có thể được nạp hoặc xả, hai trạng thái này đại
diện cho hai trạng thái của một bit (thường được gọi là 0
và 1)
DRAM cần được làm tươi (refresh) hoặc nạp điện để duy
trì lưu trữ dữ liệu

+ Static RAM (SRAM): - Thiết bị kỹ thuật số sử dụng giống nhau về yếu tố logic được
sử dụng trong bộ xử lý.
- Giá trị nhị phân được lưu trữ bằng cổng logic flip-flop cấu
hình
truyền thống.
- Sẽ lưu trữ dữ liệu miễn là còn được cung cấp năng lượng
 I. Semiconductor Main Memory
+ SRAM versus DRAM - Giống nhau : Đều phải cấp năng lượng để duy trì
- Dynamic cell:
+ Đơn giản hơn để xây dựng, nhỏ hơn
+ Rẻ hơn
+ Dùng cho bộ nhớ chính
- Static : Dùng cho bộ nhớ cache

+ Read Only Memory (ROM) ROM (Read Only Memory) Đúng nghĩa cho ROM là bộ
nhớ chỉ đọc.
Bộ nhớ này đã chứa sẵn các chương trình từ trước.
Với bộ nhớ ROM sẽ giúp các dữ liệu được giữ lại kể cả khi
máy bị tắt nguồn.

 ROM hoạt động trong quá trình khởi động máy tính.

 ROM có thể đọc và không thể chỉnh sửa điều gì trên nó.
I. Semiconductor Main Memory
Programmable ROM (PROM)
Rẻ hơn dễ thay thế
Có thiết bị đặc biệt cho quá trình viết
Cung cấp sự linh hoạt và thuận tiện
Có tiềm năng cho việc sản xuất khối lượng lớn
I. Semiconductor Main Memory
Read-Mostly Memory

- EPROM - EEPROM Flash Memory

+ Trung gian giữa
+ Có thể lập trình + Có thể xóa bằng EPROM và EEPROM
xóa được bộ nhớ chỉ điện lập trình chỉ trong cả chi phí và chức
đọc đọc ký ức năng
+ Quá trình xóa có + Có thể được viết + Sử dụng tẩy điện
thể được thực hiện vào bất kỳ thời gian công nghệ, không cung
nhiều lần mà không xóa trước cấp mức xóa byte
nội dung
+ Đắt hơn PROM
nhưng nó có lợi thế + Microchip được tổ
+ Kết hợp lợi thế chức như vậy đó là một
của bội số khả năng của không biến phần của bộ nhớ các tế
cập nhật động với linh hoạt bào bị xóa trong một
cập nhật tại chỗ hành động hay
+ Đắt hơn
I. Semiconductor Main Memory
Typical 16 Mb DRAM (4M x 4)
I. Semiconductor Main Memory
Chip Packaging
I. Semiconductor Main Memory
256 -KByte Memory Organization
I. Semiconductor Main Memory
1MByte Module Organization
I. Semiconductor Main Memory
Interleaved Memory
II. Error Correction

- Hard Failure:
+ Permanent physical defect (hư hỏng vật lý vĩnh viễn)
+ Memory cell or cells affected cannot reliably store data
but become stuck at 0 or 1 or switch erratically between 0
and 1 (cell bị ảnh hưởng không thể lưu trữ thông tin nữa,
giá trị cell mắc kẹt vĩnh viễn là 0 hoặc 1, hoặc thay đổi
thất thường từ 0 qua 1 và ngược lại)
+ Causes ( Lý do gây lỗi):
• Harsh environmental abuse (Thói quen xấu khi sử dụng
và trạng cảnh xung quanh khắc nghiệt gây hại đến phần
cứng)
• Manufacturing defects (Lỗi do nhà sản xuất)
• Wear (hao mòn)
II. Error Correction
- Soft Error:
+ Random, non-destructive event that alters the contents
of one or more memory cells (Lỗi ngẫu nhiên, không có
sức phá hủy; tuy nhiên vẫn làm thay đổi nội dung dữ liệu
của 1 hoặc nhiều ô nhớ)
+ No permanent damage to memory (Không gây hư hại
vĩnh viễn tới vùng nhớ)
+ Causes ( Lý do gây lỗi):
• Power supply problems (Nguồn điện có vấn đề)
• Alpha particles (hạt alpha: Hạt alpha hay tia alpha là
một dạng của phóng xạ. Đó là hạt bị ion hóa cao và khó
có khả năng đâm xuyên. Hạt alpha gồm hai proton và hai
neutron liên kết với nhau thành một hạt giống hệt hạt
nhân nguyên tử hellium. . Chúng là một dạng bức xạ hạt
có tính ion hóa cao và có độ sâu thâm nhập thấp. )
II. Error Correction
Error Correcting Code (ECC) Function
II. Error Correction
- Hamming Error Correcting Code(Mã Hamming)
+ Mã Hamming là một mã sửa lỗi tuyến tính
+ Mã Hamming có thể phát hiện một bit hoặc hai bit bị lỗi
(single and double-bit errors). Mã Hamming còn có thể sửa
các lỗi do một bit bị sai gây ra.
+ Mã Chẵn lẻ (parity bit): Là 1 mã sửa lỗi được dùng trước
khi có mã Hamming. Mã Chẵn lẻ thêm một bit vào trong dữ
liệu, và bit cho thêm này cho biết số lượng bit có giá trị 1
của đoạn dữ liệu nằm trước là một số chẵn hay một số lẻ.
Nếu một bit bị thay đổi trong quá trình truyền dữ liệu, giá trị
chẵn lẻ trong thông điệp sẽ thay đổi và do đó có thể phát
hiện được lỗi. Theo quy ước chung, bit kiểm tra có giá trị
bằng 1 nếu số lượng bit có giá trị một trong dữ liệu là một số
lẻ, và giá trị của bit kiểm tra bằng 0 nếu số lượng bit có giá
trị một trong dữ liệu là một số chẵn.
II. Error Correction
Increase in Word Length with ECC
II. Error Correction

Layout of Data Bits and Check Bits

II. Error Correction
Check Bit Calculation
II. Error Correction
Hamming SEC-DED Code
III. Advanced DRAM Organization

Performance Comparison DRAM Alternatives

III. Advanced DRAM Organization

- One of the most critical system bottlenecks when using

high-performance processors is the interface to main
internal memory (Một trong những điểm nghẽn hệ
thống quan trọng nhất khi sử dụng bộ xử lý hiệu năng
cao là giao diện với bộ nhớ trong chính)

- The traditional DRAM chip is constrained both by its

internal architecture and by its interface to the
processor’s memory bus (Chip DRAM truyền thống bị
hạn chế bởi cả kiến trúc bên trong và giao diện của nó
với bus của bộ xử lý)

- A number of enhancements to the basic DRAM

architecture have been explored (Một số cải tiến cho
kiến trúc DRAM cơ bản đã được khám phá))
III. Advanced DRAM Organization
Synchronous DRAM (SDRAM)

- DDR-DRAM (một trong những hình

thức phổ biến nhất của dram)

- RDRAM(Trao đổi dữ liệu với bộ xử

lý được đồng bộ hóa với tín hiệu đồng
hồ bên ngoài, chạy ở tốc độ tối đa của
bộ xử lý / bus bộ nhớ mà không áp
đặt trạng thái chờ trong thời gian dài)

- SDRAM (Với quyền truy cập đồng

bộ, DRAM di chuyển dữ liệu ra vào
dưới sự kiểm soát của đồng hồ hệ
thống)
III. Advanced DRAM Organization
III. Advanced DRAM Organization
SDRAM Pin Assignments
III. Advanced DRAM Organization

SDRAM Read Timing

III. Advanced DRAM Organization
RDRAM Phát triển
Bus cung cấp
địa chỉ và bởi
thông tin điều Rambus
khiển bằng
giao thức
hướng khối RDRAM
không đồng bộ

Được Intel
áp dụng
Bus có thể giải cho bộ xử
quyết tới 320 Trở thành lý Pentium
chip RDRAM đối thủ và Itanium
và được đánh cạnh tranh
giá ở mức chính của
1.6GB/s SDRAM
III. Advanced DRAM Organization

RDRAM Structure
III. Advanced DRAM Organization
Double Data Rate SDRAM (DDR SDRAM)

Có thể gửi dữ
liệu 2 lần trên Phát triển bởi
mỗi chu kì đồng JEDEC Solid
hồ, một lần ở DDR- State
cạnh tăng của SDRAM Technology
xung đồng hồ Association
và 1 lần ở cạnh
giảm

Chỉ có thể
gửi dữ liệu
1 lần trên
mỗi chu kì
bus clock
III. Advanced DRAM Organization

DDR SDRAM Read Timing

III. Advanced DRAM Organization
Cache DRAM (CDRAM)

Phát triển bởi

SRAM trên DDR- Mitsubishi
CDRAM có SDRAM
thể được sử
dụng theo 2
cách

Tích hợp
bộ đệm
SRAM nhỏ
và chip
DRAM
chung